半導体装置およびその製造方法
【課題】エレクトロマイグレイション耐性の高いエアブリッジ配線を具備した半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１の配線と、第１の配線から空間によって隔てられた状態で、前記第１の配線の上を横切る第２の配線と、前記第１及び第２の配線に接続された半導体素子を具備し、前記第２の配線は、下から順に、タンタル層、タンタルナイトライド層、及び金層が積層されて形成されていること。
【解決手段】第１の配線と、第１の配線から空間によって隔てられた状態で、前記第１の配線の上を横切る第２の配線と、前記第１及び第２の配線に接続された半導体素子を具備し、前記第２の配線は、下から順に、タンタル層、タンタルナイトライド層、及び金層が積層されて形成されていること。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置、例えば電力増幅用電界効果トランジスタを低コストで大量に生産するためには、半導体装置を微細化する必要がある。
【０００３】
しかし、半導体装置を微細化すると、配線間の距離、特に絶縁膜を介して交差する配線間の距離が狭くなる。このような配線間隔の狭窄化は、配線間の寄生容量を大きくして、半導体装置の高周波動作を困難にする。
【０００４】
絶縁膜を介して交差する配線間の寄生容量を小さくするためには、エアブリッジ配線が有効である。特に、マルチゲートトランジスタと呼ばれる、複数の電界効果トランジスタ(field effect transistor;以下、FETと呼ぶ)を同一基板上に配置した電力増幅用電界効果トランジスタの高速化には、エアブリッジ配線が有効である。
【０００５】
マルチゲートトランジスタでは、複数のＦＥＴが一列に整列させられて、対応する端子（ソース、ドレイン、ゲート）同士が櫛の歯状の電極によって接続されている。この時、複数のソースを接続するソース電極と、複数のゲートを接続するゲート電極とに交差部位が生じてしまう。
【０００６】
この交差部位には、ソース電極とゲート電極の接触を回避するため、両者を絶縁膜を介して立体交差させるブリッジ（橋渡し）配線構造が形成される（特許文献１）。
【０００７】
ブリッジ配線構造では、交差する配線間に介在する絶縁膜の高い誘電率によって、寄生容量が大きくなってしまう。従って、マルチゲートトランジスタを高速化しようとする場合には、交差する配線間が空間によって隔てられているエアブリッジ配線が用いられる。
【０００８】
エアブリッジ配線を形成する金属層としては、導電率が高い金が広く用いられている。しかし、金（Ａｕ）は柔らかく単独ではエアブリッジ構造を維持することができない。そこで、チタン（Ｔｉ）と白金（Ｐｔ）の積層構造を支持体とするＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ積層構造によって、エアブリッジ配線が形成される。ここで、Ｔｉは基板とエアブリッジ層の密着を良くするためのものであり、Ａｕ層は、Ｐｔ層によって支持されている（特許文献２）。
【０００９】
ところで、近年、窒化ガリウム（ＧａＮ）によってチャネル層が形成された高電子移動トランジスタ（high electron mobility transistor;ＨＥＭＴ）が、高周波高出力トランジスタとして注目されている（ＧａＮによってチャネル層が形成されたＨＥＭＴは、以後ＧａＮ−ＨＥＭＴと表される。）。
【００１０】
ＧａＮは、ＳｉやＧａＡｓに比べ、バンドギャップが広い。このため、ＧａＮ−ＨＥＭＴは、高温動作に適し、しかも破壊電界が高いため高電圧動作に適している。故に、ＧａＮ−ＨＥＭＴは、小型化され大電流で動作させられても、動作温度の上昇やチャネルへ印加される電界の増大によって動作不良を起こすことはない。
【００１１】
このため、ＧａＮ−ＨＥＭＴによってマルチゲートトランジスタが形成され、高周波高出力電力増幅器として使用されている。
【特許文献１】特開２００３−１９７７４０号公報
【特許文献２】特開２００７−１５０２８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上述したように、高周波動作に適したＦＥＴによってマルチゲートトランジスタを形成する場合、寄生容量が小さくなるエアブリッジ配線が採用される。ここで、ＧａＮ−ＨＥＭＴのように大電流で動作するＦＥＴによってマルチゲートトランジスタを形成した場合、エアブリッジ配線にも大電流が流れることになる。
【００１３】
本発明者は、この点に着目して、複数のＧａＮ−ＨＥＭＴを含むマルチゲートトランジスタ（以後、ＧａＮ−ＨＥＭＴマルチゲートトランジスタと呼ばれる）を今後更に高出力化した場合、どのような影響が現れるのか検討した。
【００１４】
その結果、エアブリッジに大電流を流すと、エアブリッジ配線を形成するＡｕがエレクトロマイグレーションして、Ｐｔ支持層の結晶粒界に入り込む虞のあることが明らかになった。この場合、Ｐｔ支持層が崩壊して、エアブリッジ配線が支持体を失い断線することが懸念される。
【００１５】
そこで、本発明の目的は、大電流を流しても断線し難いエアブリッジ配線、すなわちエレクトロマイグレーション耐性の高いエアブリッジ配線を具備した半導体装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本半導体装置は、第１の配線と、前記第１の配線と交差する方向に延在し、前記第１の配線と空間を介して配置され、タンタル層、該タンタル層上に形成されたタンタルナイトライド層、該タンタルナイトライド層上に形成された金属層を含む第２の配線とを有する。
【発明の効果】
【００１７】
本半導体装置によれば、大電流を流しても断線し難いエアブリッジ配線を具備した半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面にしたがって本発明の実施の形態が説明される。但し、本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。
【００１９】
特許文献２に開示されたようなＴｉ/Ｐｔ/Ａｕ積層構造によって形成されたエアブリッジ配線では、エアブリッジ配線の本体は、厚いＡｕ層である。しかし、Ａｕは柔らかいので、Ａｕ層単独でエアブリッジ構造を保持することはできない。従って、Ａｕ層の下方に形成されたＰｔ層によってＡｕ層が支えられている。
【００２０】
ところで、Ａｕは、エレクトロマイグレーションしやすいことが知られている。このため、マルチゲートトランジスタを大電流（例えば、１×１０５Ａ/ｃｍ２以上）で動作させた場合、電子流に押し流されたＡｕ原子がＡｕ層からＰｔ膜中に移動して、Ｐｔ膜を破壊するのではと懸念される。
【００２１】
図１は、エレクトロマイグレーションを説明する図である。図２は、図１中の円で囲った領域Ａを拡大した図である。
【００２２】
図１には、エアブリッジ配線１２の左端が図示されている。ここで、エアブリッジ配線１２は、空間３８を介してマルチゲートトランジスタのゲートに接続される共通電極１４の上方に形成されている。そして、エアブリッジ配線１２は、Ｔｉ層４０、Ｐｔ層４２、第１のＡｕ層４４、第２のＡｕ層４６、及び第３のＡｕ層４８が積層されて形成されている。
【００２３】
図１に示すように、エアブリッジ配線中の電子の流れ６０は、エアブリッジ配線の内壁６２近くまでは直進しその後向きを変える（尚、図１には、エアブリッジ配線１２の底の部分を流れる電子流のみが描かれている。）。従って、図２に示すように、Ａｕ層４４,４６,４８中のＡｕ原子６４は、電子流６０によって衝突・散乱されて、Ｐｔ層４２に向かって移動して行く（すなわち、エレクトロマイグレーションする。）。
【００２４】
一方、Ｐｔ層４２中には、成長方向に延びた多数の結晶粒界６６（grain boundary）が存在している。Ｐｔ層４２に向かって移動してきたＡｕ原子６４は、この結晶粒界６６に入り込みＰｔ微結晶同士の結合を断ち切ろうとする。
【００２５】
その結果、Ｐｔ層４２は崩壊し、エアブリッジ配線１２を支持することができなくなる。そして、支持体を失ったエアブリッジ配線１２は、ついには断線すると考えられる。
【００２６】
尚、図１及び図２に示されたエアブリッジ配線は直角に折れ曲がっているが、エアブリッジ配線がなだらかに折れ曲がっている場合にも同様の現象が起きて、エアブリッジ配線は断線すると考えられる。
【００２７】
電子流に曝された金属原子は、電子と衝突を繰り返して激しく振動し、やがて束縛されていた格子点から移動する。この時、個々の金属原子の移動方向は一定しないが、金属原子集団全体としては電子流の下流側に移動する。このような金属原子の移動現象が、エレクトロマイグレーションである。
【００２８】
エレクトロマイグレーションの起因となる金属原子の振動は、高温に加熱された金属原子の振動に類似している。従って、高温でも安定な金属、すなわち高融点金属は、エレクトロマイグレーションに対しても強い耐性を有していると考えられる。
【００２９】
そこで、本発明者は、配線として使用可能な高融点金属であるＴａ1-xＮx（０≦Ｘ＜１）のエレクトロマイグレーション耐性を検討した。
【００３０】
エレクトロマイグレーション耐性は、被試験金属膜を加熱してその劣化速度を調べる熱劣化加速試験によって調べられた。被試験金属膜を高温に曝すことによって、金属原子が電子流に曝され激しく振動している状態を擬似的に作り出すことができる。
【００３１】
具体的には、次のような試験が実施された。まず、Ｔｉ層の上にＡｌ層が積層されたＴｉ/Ａｌ積層膜を形成し、その上に、Ｔｉ層、Ｔａ1-xＮx層（０≦Ｘ＜１）、及びＡｕ層が順次積層された試料（Ｔｉ/Ｔａ1-xＮx/Ａｕ積層膜）（０≦Ｘ＜１）を形成した。また、比較試料として、Ｔｉ/Ａｌ積層膜の上に、Ｔｉ層、Ｐｔ層及びＡｕ層が、順次積層された試料（Ｔｉ/Ｐｔ/Ａｕ積層膜）を形成した。
【００３２】
ここで、Ｔａ1-xＮx層は、Ｔａをターゲットとして、反応性スパッタ法によって形成される。スパッタガス及び反応ガスは、夫々、Ａｒ及びＮ２である。Ａｕ層及びＰｔ層は、夫々、Ａｕ及びＴａをターゲットとして、スパッタ法によって形成される。この時のスパッタガスは、Ａｒである。
【００３３】
ここで、Ｔｉ層、Ｔａ1-xＮx層、及びＡｕ層の厚さは、夫々、数１０ｎｍ、２００ｎｍ、及び５０ｎｍ〜３００ｎｍである。また、比較用試料のＰｔ層の厚さは、Ｔａ1-xＮx層と同じ２００ｎｍである。尚、Ａｌ層及びＴｉ層の厚さは、全ての試料で同じである。
【００３４】
以上のようにして形成された試料が４５０℃に加熱されて、Ａｕ層の表面に変化が現れるまでの時間が計測される。ここでＡｕ層の厚さは、この変化が現れやいように、実際のエアブリッジ配線のＡｕ層より薄く形成されている。
【００３５】
加熱前の試料の表面は、均一で何の特徴もない。しかし、加熱を続けるとやがて試料の表面に染みが現れる。この染みの現れるまでの加熱時間（以後、反応時間と呼ぶ）が計測され比較される。
【００３６】
この染みは、Ａｕ原子が、Ｔａ1-xＮx層（又は、Ｐｔ層）を破壊して、Ｔａ1-xＮx層（又は、Ｐｔ層）の下に配置されたＡｌ膜と反応してできたＡｌＡｕ合金である。すなわち、熱劣化加速試験によって計測される反応時間は、激しく振動するＡｕ原子によってＴａ1-xＮx層（又は、Ｐｔ層）が破壊されるまでの時間を表している。従って、この反応時間が長い金属膜ほど、エレクトロマイグレーション耐性が高いと考えられる。
【００３７】
図３は、Ｔａ1-xＮx層の組成を変えて反応時間を測定した結果である。横軸は、Ｔａ1-xＮx層の窒素含有率である。縦軸は反応時間である。「ＴａＮ」と表示された曲線は、Ｔｉ/Ａｌ積層膜とＡｕ層の間にＴｉ/Ｔａ1-xＮx積層膜が形成された試料の反応時間を表している。一方、「Ｐｔ」と表示された破線は、Ｔｉ/Ａｌ積層膜とＡｕ層の間にＴｉ/Ｐｔ積層膜が形成された試料の反応時間（２分）を表している。ここで、Ｔｉ層は、Ｔｉ/Ｔａ1-xＮx積層膜及びＴｉ/Ｐｔ積層膜の双方に形成されているので、両者の反応時間に違いを起させるものではない。
【００３８】
図３に示すように、窒素含有率が０％の試料すなわちＴａ層が形成された試料の反応時間（３分）は、Ｐｔ層が形成された試料の反応時間（２分）より長い。しかし、窒素含有率が増加すると、Ｔａ1-xＮx層の反応時間は一旦短くなり、比較試料より反応時間が短くなる。そして、反応時間は、窒素含有率４０％近傍で最低になる。
【００３９】
その後、Ｔａ1-xＮx層の反応時間は、窒素含有率の増加と共に急激に増加し、窒素含有率が４８％で比較試料と同じになり、窒素含有率が５０％で比較試料の２倍になる。その後も、反応時間は増加し続ける。しかし、窒素含有率が５２％を超える試料の作製は困難であった。
【００４０】
以上の結果は、窒素含有率が４８％より高いＴａＮによって支持されたＴｉ/ＴａＮ/Ａｕ積層膜によってエアブリッジ配線を形成すると、エレクトロマイグレーション耐性の高いエアブリッジ配線の形成が可能になることを教示している。
【００４１】
そこで、本発明者は、Ｔｉ/ＴａＮ/Ａｕ積層膜によって形成されたエアブリッジ配線を具備するマルチゲートトランジスタの製造を試みた。以下、図４、図５、及び図６を用いてエアブリッジ配線の製造工程について説明をする。
【００４２】
図４は、試作したマルチゲートトランジスタのゲート電極とソース電極が立体交差するエアブリッジ配線構造の断面図である。
【００４３】
ゲート電極を形成する共通電極１４´´は、ｎ型ＡｌＧａＮキャリア供給層２８がイオン注入によって高抵抗化されたＡｌＧａＮ不活性領域３６の上に形成されている。そして、保護膜３２によって覆われた共通電極１４´´（ゲート電極）上を、空間３８を介して、エアブリッジ配線１２（ソース電極）が横切っている。
【００４４】
ここで、エアブリッジ配線１２は、Ｔｉ層４０、ＴａＮ層４２、第１のＡｕ層４４、第２のＡｕ層４６、及び第３のＡｕ層４８が積層されて形成されている。
【００４５】
次に、試作したマルチゲートトランジスタに於けるエアブリッジ配線構造の製造手順を説明する。
【００４６】
図５及び図６は、エアブリッジ配線構造の製造工程を説明する断面図である。
【００４７】
まず、ＳｉＣ基板２４の上に、Unitentionally Doped（ＵＩＤ）−ＧａＮチャネル層２６、ｎ型ＡｌＧａＮキャリア供給層２８、ＵＩＤ−ＧａＮキャップ層（図示せず）が順次積層され、更にオーミック電極３４が形成された基板５０が準備される（図５（ａ）参照）。
【００４８】
ここで、オーミック電極３４は、ソース及びドレインとなる半導体領域の上に設けられる。また、ＵＩＤ−ＧａＮキャップ層は、チャネルとなる半導体領域以外では除去されている（従って、図５（ａ）には図示されていない。）。そして、共通電極１４´´の形成予定領域に露出したｎ型ＡｌＧａＮキャリア供給層２８は、イオン注入によって高抵抗化され、ＡｌＧａＮ不活性領域３６となっている。
【００４９】
次に、この基板５０の上に、リフトオフ用のフォトレジスト膜５２が形成される。その後、ゲート電極となるＮｉ/Ａｕ積層膜５４が蒸着される（図５（ｂ）参照）。最後に、リフトオフ用フォトレジスト膜５２が除去されて、ゲート電極２２が完成する。このＮｉ/Ａｕ積層膜５４は、ＵＩＤ−ＧａＮキャップ層にショットキー障壁を形成する。
【００５０】
次に、基板５０の全面に、保護膜となる厚さ５００ｎｍのＳｉＮ膜５６が堆積される（図５（ｃ）参照）。
【００５１】
その後、保護膜３２の形成予定領域にフォトレジスト膜５２´が形成される（図５（ｄ）参照）。このフォトレジスト膜５２´をエッチングマスクとして、ＳｉＮ膜５６がドライエッチングによって除去されて、保護膜３２が形成される（図６（ａ）参照）。
【００５２】
次に、ゲート電極とソース電極の交差予定位置で、保護膜３２の上にエアブリッジ形成用フォトレジスト膜（マスク）５８が形成される（図６（ｂ）参照）。
【００５３】
次に、スパッタ法により、基板５０の上に、Ｔｉ層４０（厚さ数１０ｎｍ）、ＴａＮ層４２（厚さ２００ｎｍ）、及び第１のＡｕ層４４（厚さ数５０ｎｍ）を順次堆積する（図６（ｃ）参照）。ここで、Ｔｉ層４０及び第１のＡｕ層４４は、Ｔｉ及びＡｕをターゲットとしてスパッタ法によって堆積する。スパッタガスはＡｒである。また、ＴａＮは、Ｔａをターゲットとして反応性スパッタ法により堆積される。ここで、反応ガスはＮ２である。
【００５４】
次に、第１のＡｕ層４４をシード膜とし、ソース電極及びドレイン電極の形成予定領域が開口したフォトレジスト膜（図示せず）をメッキマスクとして、Ａｕ層が電解メッキによって、第２及び第３のＡｕ層４６,４８が厚く形成される。第２及び第３のＡｕ層４６,４８の厚さは、合計で１〜２μｍである。
【００５５】
その後、メッキマスクが除去され、各電極間に露出したスパッタ膜がミリングで除去される。
【００５６】
最後に、エアブリッジ形成用フォトレジスト膜５８が酸素を反応ガスとするマイクロ波アッシャーにより除去され、マルチゲートトランジスタ２が完成する（図６（ｄ）参照）。
【００５７】
以上のようにしてマルチゲートトランジスタを試作した結果、Ｔｉ/ＴａＮ/Ａｕスパッタ膜６８を堆積する過程で、エアブリッジ形成用フォトレジスト膜５８が融解して、Ｔｉ/ＴａＮ/Ａｕスパッタ膜６８とゲート電極２２を隔てる空間３８が形成されないことが判明した。
【００５８】
そこで、本発明者は、ＴａＮ層の堆積中に基板温度が何度まで上昇するか測定した。その結果、基板温度は、フォトレジストが融解する１５０℃を超えて上昇することが明らかになった。
【００５９】
このような温度の上昇は、ＴａターゲットからスパッタされたＴａと窒素ガスの生成熱に起因するものである。
【００６０】
すなわち、Ｔｉ/ＴａＮ/Ａｕ積層膜を用いることによってエレクトロマイグレーション耐性の高いエアブリッジ配線の形成が可能になると期待されたが、実際にはＴａＮ堆積時の基板温度上昇によってエアブリッジ配線自体の形成が困難になることが本発明者らによって見い出された。
【００６１】
（実施の形態１）
ＴａＮ層の堆積に伴う基板温度の上昇は、成膜するＴａＮ層を薄くすれば抑制できる。これは、基板５０がＴａＮの生成熱に曝される時間が短くなるからである。しかしながら、Ａｕ層（第１〜第３のＡｕ層４４,４６,４８）を強固に支持するためには、ある程度の膜厚（例えば、１００ｎｍ〜２００ｎｍ）を持った金属層が必要である。従って、単にＴａＮ層を薄くすることは、エアブリッジ配線の強度を劣化させる。
【００６２】
そこで、本発明者は種々検討した結果、Ｔａ層の上にＴａＮ層を積層したＴａ/ＴａＮ積層膜を形成した場合、基板温度の上昇が、同じ膜厚のＴａＮ膜を形成した場合より低くなることを見出した。
【００６３】
これは、Ｔａ/ＴａＮ積層膜では、最初に成膜するＴａ層の分だけＴａＮ層が薄くなるからである。この場合、ＴａＮの生成熱に基板が曝される時間が短くなるため、基板温度の上昇が抑制される。更に、本発明者は、後述するように、Ｔａ/ＴａＮ積層膜のエレクトロマイグレーション耐性が、ＴａＮ膜より高いことも見出した。
【００６４】
そこで、本発明者は、Ｔｉ/Ｔａ/ＴａＮ/Ａｕ積層膜で形成されたエアブリッジ配線によって、マルチゲートトランジスタを製造することとした。
【００６５】
（１）構 成
図７は、本実施の形態によるマルチゲートトランジスタを示す斜視図である。図８は、図７のＡ−Ａ線に於ける断面を矢印の方向から見た図である。
【００６６】
図９は、図７のＢ−Ｂ線に於ける断面を矢印の方向から見た図である。
【００６７】
本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタ２では、４つのＧａＮ−ＨＥＭＴ４が一列に整列している。そして、隣接するＧａＮ−ＨＥＭＴ４は、一つの半導体領域をソース６又はドレイン８として共有している（図８参照）。各半導体領域の上には、一つの電極１０,１０´が形成されている。
【００６８】
更に、ソース６の上に形成された２つの電極１０は、２つのエアブリッジ配線１２によって１つの共通電極１４に接続されて、櫛の歯状のソース電極１６が形成される。
【００６９】
一方、ドレイン８の上に形成された３つの電極１０´は１つの共通電極１４´に接続されて、櫛の歯状のドレイン電極１８が形成される。
【００７０】
また、チャネルの上に形成されゲート２０となる４つの電極１０´´も１つの共通電極１４´´に接続されて、櫛の歯状のゲート電極２２が形成される。
【００７１】
このように３つの櫛の歯状の電極を一箇所に形成した場合、２つの電極、例えばゲート電極２２とソース電極１６の交差は避けられない（図７参照）。
【００７２】
そこで、このような交差部位には、電極間の接触を回避するために、空間を介して両者が立体交差するエアブリッジ配線構造が形成されている。
【００７３】
なお、ソース電極１６、ドレイン電極１８、及びゲート電極２２は、夫々の共通電極１４,１４´,１４´´を外部回路との接続用パッドとして使用することができるので、所謂「電極」としての機能を有している。一方、ソース電極１６、ドレイン電極１８、及びゲート電極２２は、ＧａＮ−ＨＥＭＴの各端子（ソース、ドレイン、ゲート）へ入出力される電気信号の経路を確保するものなので、「配線」としての機能も有している。すなわち、ソース電極１６、ドレイン電極１８、及びゲート電極２２は、その名称に拘わらず、配線でもある。
【００７４】
ここで、ＧａＮ―ＨＥＭＴの構成を、もう少し詳しく説明する。
【００７５】
図８に示すように、本実施の形態に従うＧａＮ―ＨＥＭＴ２では、ＳｉＣ基板２４の上に、まず不純物の添加されていないUnitentionally Doped（ＵＩＤ）−ＧａＮチャネル層２６が積層されている。更に、本実施の形態では、このＵＩＤ−ＧａＮチャネル層２６の上に、ｎ型ＡｌＧａＮキャリア供給層２８とＵＩＤ−ＧａＮキャップ層３０が順次積層されている。
【００７６】
そして、ソース６及びドレイン８の一部を形成するｎ型ＡｌＧａＮキャリア供給層２８の上には、Ｔｉの上にアルミニウム（Ａｌ）が積層されたＴｉ／Ａｌオーミック電極３４が形成されている。更に、オーミック電極３４の上には、ソース電極１６を形成する電極１０及びドレイン電極１８を形成する電極１０´の何れか一方が形成されている。また、チャネル２０となるＵＩＤ−ＧａＮチャネル層２６の上に積層された、ＵＩＤ−ＧａＮキャップ層３０の上には、ゲート電極２２を形成する電極１０´´が形成されている。
【００７７】
また、ゲート電極２２（電極１０´´）は、例えば窒化珪素（ＳｉＮ）製の保護膜３２によって覆われている。この保護膜３２はゲート電極２２を不純物の汚染から保護して、出力信号（ドレイン電流波形）の劣化を防止するためのものである。
【００７８】
図９は、図７のＢ−Ｂ線に於ける断面を矢印の方向から見た図である。すなわち、図９は、ゲート電極２２とソース電極１６が立体交差するエアブリッジ配線構造の断面図である。
【００７９】
ゲート電極２２を形成する共通電極１４´´は、ｎ型ＡｌＧａＮキャリア供給層２８がイオン注入によって高抵抗化されたＡｌＧａＮ不活性領域の上に形成されている。そして、保護膜３２によって覆われた共通電極１４´´（すなわちゲート電極２２）上を、空間を介して、エアブリッジ配線１２（すなわちソース電極１６）が横切っている。
【００８０】
ここで、エアブリッジ配線１２は、Ｔｉ層４０、Ｔａ層７０、ＴａＮ層７２、第１のＡｕ層４４、第２のＡｕ層４６、及び第３のＡｕ層４８が積層されて形成されている。ＴａＮの窒素含有率は５０％である。また、Ｔａ層及びＴａＮ層の厚さは、夫々１００ｎｍである。
【００８１】
尚、ソース電極１６及びドレイン電極１８を形成する共通電極１４,１４´も、ＡｌＧａＮ不活性領域の上に形成されている。
【００８２】
（２）製造手順
図１０乃至図１２は、
本実施の形態のエアブリッジを形成する工程を説明する工程断面図である。
【００８３】
次に、試作したマルチゲートトランジスタに於けるエアブリッジ配線構造の製造手順を説明する。
【００８４】
図１０、図１１、及び図１２は、エアブリッジ配線構造の製造工程を説明する断面図である。
【００８５】
まず、ＳｉＣ基板２４の上に、ＵＩＤ−ＧａＮチャネル層２６、ｎ型ＡｌＧａＮキャリア供給層２８、ＵＩＤ−ＧａＮキャップ層（図示せず）が順次積層され、更にオーミック電極３４が形成された基板５０が準備される（図１０（ａ）参照）。
【００８６】
ここで、オーミック電極３４は、ソース及びドレインとなる半導体領域の上に設けられる。また、ＵＩＤ−ＧａＮキャップ層は、チャネルとなる半導体領域以外では除去されている（従って、図１０（ａ）には図示されていない。）。そして、共通電極１４´´の形成予定領域に露出したｎ型ＡｌＧａＮキャリア供給層２８は、イオン注入によって高抵抗化され、ＡｌＧａＮ不活性領域３６となっている。
【００８７】
次に、この基板５０の上に、リフトオフ用のフォトレジスト膜５２が形成される。その後、ゲート電極となるＮｉ/Ａｕ積層膜５４が蒸着される（図１０（ｂ）参照）。最後に、リフトオフ用フォトレジスト膜５２が除去されて、ゲート電極２２が完成する。このＮｉ/Ａｕ積層膜５４は、ＵＩＤ−ＧａＮキャップ層にショットキー障壁を形成する。
【００８８】
次に、基板５０の全面に、保護膜となる厚さ５００ｎｍのＳｉＮ膜５６が堆積される（図１０（ｃ）参照）。ここで、保護膜３２の厚さとしては、５ｎｍ乃至５００ｎｍが好ましい。
【００８９】
その後、保護膜３２の形成予定領域にフォトレジスト膜５２´が形成される（図１０（ｄ）参照）。このフォトレジスト膜５２´をエッチングマスクとして、ＳｉＮ膜５６がドライエッチングによって除去されて、保護膜３２が形成される（図１１（ａ）参照）。
【００９０】
次に、ゲート電極とソース電極の交差予定位置で、保護膜３２の上にエアブリッジ形成用フォトレジスト膜（マスク）５８が形成される（図１１（ｂ）参照）。
【００９１】
次に、基板５０の上に、Ｔｉ層４０、Ｔａ層７０、ＴａＮ層７２（窒素含有率５０％）、及び第１のＡｕ層４４が順次堆積される（図１２（ａ）参照）。ここで、Ｔｉ層４０、Ｔａ層７０、ＴａＮ層７２、及び第１のＡｕ層４４の厚さは、夫々、数１０ｎｍ、１００ｎｍ、１００ｎｍ、及び５０ｎｍである。
【００９２】
尚、Ｔｉ層は、Ｔａ/ＴａＮ積層膜の密着性をよくするためのものであり、他の金属層、例えばＣｒ層と代替可能である。
【００９３】
Ｔｉ層４０、Ｔａ層７０、及び第１のＡｕ層４４は、夫々Ｔｉ、Ｔａ、及びＡｕをターゲットとしてスパッタ法によって堆積される。スパッタガスはＡｒである。一方、ＴａＮ７２は、Ｔａをターゲットとして反応性スパッタ法により堆積される。反応ガスはＮ２である。この時、堆積されるＴａＮ層が１００ｎｍと薄いので、基板５０の温度は１５０℃以上には上昇しない。従って、エアブリッジ形成用フォトレジスト膜５８が融解することはない。
【００９４】
尚、Ｔｉ層４０を形成する前に、エアブリッジ形成用フォトレジスト膜５８にＵＶキャアを施し、その断面を丸めてもよい。
【００９５】
エアブリッジ形成用フォトレジスト膜５８の断面が矩形に近いほど、Ｔｉ/Ｔａ/ＴａＮ/Ａｕスパッタ膜７６のカバレッジ（レジストの頂上に堆積した金属膜の厚さに対する、レジストの側面に堆積した金属膜の厚さの比）が小さくなる。このようなレジスト膜は、エアブリッジの形成を困難にする。しかし、エアブリッジ形成用フォトレジスト膜５８の断面を丸めておけば、エアブリッジの形成が阻害されることはない。
【００９６】
次に、第１のＡｕ層４４をシード膜とし、ソース電極及びドレイン電極の形成予定領域が開口したフォトレジスト膜（図示せず）をメッキマスクとして、Ａｕ層が電解メッキによって、第２及び第３のＡｕ層４６,４８が形成される。第２及び第３のＡｕ層４６,４８の厚さは、合計で１〜２μｍである。
【００９７】
その後、メッキマスクが除去され、各電極間に露出したスパッタ膜がミリングで除去される（図１２（ｂ））。
【００９８】
最後に、エアブリッジ形成用フォトレジスト膜５８が酸素を反応ガスとするマイクロ波アッシャーにより除去され、マルチゲートトランジスタ２が完成する（図１２（ｃ）参照）。
【００９９】
ここで、Ｔａ/ＴａＮ積層は２００ｎｍと十分に厚いので、エアブリッジ形成用フォトレジスト膜５８を除去しても、エアブリッジ配線が崩れることはない。
【０１００】
以上の手順によって、図７、図８、及び図９を参照して説明した本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタ２が完成する。
【０１０１】
ここで、本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタ２の製造方法の要部は、以下のように纏められることができる。
【０１０２】
本製造方法は、半導体素子（ＧａＮ−ＨＥＭＴ４）が形成された基板５０上に、上記半導体素子に接続され他の配線と交差する第１の配線（ゲート電極２２）の上部を、交差予定位置で覆って線状に延在するエアブリッジ形成用フォトレジスト膜５８を形成する。
【０１０３】
また、本製造方法は、上記半導体基板５０上に、チタン層４０、タンタル層７０、タンタルナイトライド層７２、第１の金層４４を順次積層して、上記フォトレジスト膜５８の上を乗り越えて上記フォトレジスト膜５８の一方の脇から他方の脇に延在し且つ上記半導体素子に電気的に接続される第２の配線（ソース電極１６）を上記他の配線として形成する。
【０１０４】
更に、本製造方法は、上記第２の配線の形成後に上記フォトレジスト膜５８を除去する。
【０１０５】
ここで、上記タンタルナイトライド層７２の成膜は、上記フォトレジスト膜５８が融解する前に終了する。
【０１０６】
（３）エレクトロマイグレーション耐性
次に、本実施の形態に従うエアブリッジ配線のエレクトロマイグレーション耐性を評価した結果を説明する。
【０１０７】
上述の熱劣化加速試験と同様の方法によってエレクトロマイグレーション耐性を評価した。
【０１０８】
評価に用いた評価試料は、Ｔｉ/Ａｌ積層膜の上に、Ｔｉ層（厚さ数１０ｎｍ）、Ｔａ層（厚さ１００ｎｍ）、ＴａＮ層（厚さ１００ｎｍ、窒素含有率５０％）、及びＡｕ層（厚さ５０ｎｍ〜３００ｎｍ）を順次積層したものである。Ｔｉ層、Ｔａ層、ＴａＮ層、及びＡｕ層の成膜方法は、上述の成膜方法と同じである。一方、加熱温度は、４５０℃である。
【０１０９】
図１３は、本実施の形態に従う熱劣化加速試験の結果を説明する図である。比較のため、図１３には、Ｔｉ／ＴａＮ／Ａｕ及びＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの結果（図３参照）と、本実施の形態に従う熱劣化加速試験の結果の双方が記載されている。
【０１１０】
「Ｔａ/ＴａＮ」と表示された破線は、Ｔｉ/Ａｌ積層膜とＡｕ層の間にＴｉ/Ｔａ/ＴａＮ積層膜が形成された上記評価試料の反応時間（６分）を表している（Ｔａ層及びＴａＮ層の厚さは、夫々１００ｎｍ）。
【０１１１】
一方、「ＴａＮ」と表示された曲線は、Ｔｉ/Ａｌ積層膜とＡｕ層の間に、Ｔｉ/ＴａxＮ1-x積層膜（０≦Ｘ＜１）が形成された試料の反応時間を表している（但し、ＴａxＮ1-x層の厚さは２００ｎｍ）。
【０１１２】
また、「ＴａＮ(ｔ＝２００ｎｍ)」と表示された破線は、Ｔｉ/Ａｌ積層膜とＡｕ層の間に、Ｔｉ層（厚さ数１０ｎｍ）の上に厚さが２００ｎｍで窒素含有率が５０％のＴａＮ層が積層されたＴｉ/ＴａＮ積層膜によって形成された試料の反応時間（４分）を表している。
【０１１３】
一方、「Ｐｔ」と表示された破線は、Ａｌ層とＡｕ層の間にＴｉ/Ｐｔ積層膜が形成された試料の反応時間（２分）を表している（Ｐｔ層の厚さは、２００ｎｍ）。
【０１１４】
ここで、Ｔｉ層は、Ｔｉ/Ｔａ/ＴａＮ積層膜、Ｔｉ/ＴａＮ積層膜、及びＴｉ/Ｐｔ積層膜の何れにも形成されているので、反応時間の違いを生じさせるものではない。従って、各積層膜のエレクトロマイグレーション耐性の違いに寄与する金属層は、Ｔａ/ＴａＮ積層膜、ＴａＮ層、及びＴｉ/Ｐｔ層である。
【０１１５】
図１３から明らかなように、Ｔｉ/Ｔａ/ＴａＮ積層膜が形成された試料の反応時間は、Ｔｉ/Ｐｔ積層膜が形成された試料の３倍に達し、しかもＴｉ/ＴａＮ（厚さ２００ｎｍ）が形成された試料の１．５倍である。
【０１１６】
この事実は、Ｔａ/ＴａＮ積層膜のエレクトロマイグレーション耐性が、ＴａＮ層（厚さ２００ｎｍ）を超え、従来のＰｔ層より格段に高いことを示している。
【０１１７】
尚、図１３には、Ｔｉ層に厚さ１００ｎｍのＴａＮ層を積層したＴｉ/ＴａＮ積層膜に対して熱劣化加速試験を実施した結果も、「ＴａＮ（ｔ＝１００ｎｍ）」と付した破線で示されている。図１３に示されているように、１００ｎｍのＴａＮの形成された試料の反応時間は１分であり、Ｐｔ層（厚さ２００ｎｍ）の形成された試料の半分でしかない。
【０１１８】
上述したように、Ｔａ/ＴａＮ積層膜のエレクトロマイグレーション耐性は、同じ膜厚のＴａＮ層のエレクトロマイグレーション耐性を超えている。その理由は、ＴａＮ層をＴａ層の上に成長するとＴａＮ層の層構造（組織）が変化し、ＴａＮ層が緻密化するためと推定される。例えば、Ｔａ層の上にＴａＮ層を成長すると大小の結晶粒が混在して成長し、大きなＴａＮの結晶粒の間を小さな結晶粒が埋めて、ＴａＮ層が緻密化されると考えられる。
【０１１９】
（４）動 作
最後に、本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタ２の動作について以下説明する。
【０１２０】
動作の前提として、各電極は次のように接続される。まず、マルチゲートトランジスタ２のソース電極１６は、接地面に電気的に接続される。一方、ドレイン電極１８は、負荷抵抗を介して電源に電気的に接続される。この状態で、ゲート電極２２に信号が入力される。
【０１２１】
ゲート電極２２に入力された信号電圧は、各ＧａＮ−ＨＥＭＴ４のゲート２０に供給され、相互コンダクタンスに従って、各ＧａＮ−ＨＥＭＴ４のドレイン電流を変化させる。ドレイン電流は、（ドレイン電極１８を形成する）共通電極１４´によって合流された後、負荷に供給される（本実施の形態のＧａＮ―ＨＥＭＴは、ｎチャネル電界効果トランジスタである。従って、電流は負荷からドレインに向かって流れる。従って、正確には、「ドレイン電流」ではなく、ドレインから流出した電子流が合流され負荷に供給される。）。
【０１２２】
ここで、ドレイン電流は共通電極１４´によって束ねられるので、負荷に流れる電流は、マルチゲートトランジスタ２を形成するＧａＮ−ＨＥＭＴ４の個数分だけ大きくなる。
【０１２３】
この時、各ＧａＮ−ＨＥＭＴ４のソース電流は、エアブリッジ配線１２を経由して共通電極１４で束ねられた後、接地面に放出される。従って、エアブリッジ配線１２に流れる電流も、ゲートに印加される信号電圧に従って変化する。そして、エアブリッジ配線１２に流れる電流の平均値は１×１０５Ａ/ｃｍ２を超える。
【０１２４】
しかし、本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタ２では、エアブリッジ配線１２は、エレクトロマイグレーション耐性の高いＴａ/ＴａＮ積層膜７４によって支持されている。このため、エアブリッジ配線１２が断線する虞はない。
【０１２５】
ところで、各ＧａＮ−ＨＥＭＴのソース６にも大電流が流れる。この際、ソース電極１６の電極１０´を形成するＡｕ層がエレクトロマイグレーションして、ソース６に設けられたＴｉ／Ａｌオーミック電極３４と反応する虞がある。しかし、上記製造手順から明らかなように、電極１０´を形成するＡｕ層（第１〜第３のＡｕ層４４,４６,４８）は、エレクトロマイグレーション耐性の高いＴａ/ＴａＮ積層膜７４によって、Ｔｉ／Ａｌオーミック電極３４と分離されている。従って、両者が反応する虞はない。
【０１２６】
また、Ｔａ/ＴａＮ積層膜４２の抵抗値は、同じ厚さのＴａＮ層の抵抗値の約６割しかない。
【０１２７】
ところで、ゲート電極２２に入力された信号電圧は、ゲート電極２２（第１の配線）を伝播する。このゲート電極２２は、エアブリッジ配線１２と交差している。しかし、両者は空間３８によって分離されているので、寄生容量による両者の間のクロストークは小さい。この点は、後述する他の実施の形態にも共通する。
【０１２８】
このように寄生容量が小さいので、本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタは、例えば、数ＧＨｚで動作する。
【０１２９】
（実施の形態２）
本実施の形態は、実施の形態１の半導体装置において、エアブリッジ配線１２を形成するＴａ/ＴａＮ層をＴａ/Ｔｉ/ＴａＮ（窒素含有率５０％）積層膜で代替した半導体装置およびその製造方法に関する。
【０１３０】
（１）構 成
本実施の形態に従う半導体装置の構成は、（エアブリッジ配線１２を含む）ソース電極１６及びドレイン電極１８の構造を除き、実施の形態１の半導体装置と同じである。
【０１３１】
ソース電極１６およびドレイン電極１８は、実施の形態１と同様に、同時に形成される。従って、ソース電極１６とドレイン電極１８は同一の積層構造を有している。そこで、ソース電極１６の一部を形成するエアブリッジ配線１２に着目して、本実施の形態に従う半導体装置（マルチゲートトランジスタ）の構成を以下に説明する。
【０１３２】
図１４は、本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタを形成するエアブリッジ配線１２の断面を説明する図である。
【０１３３】
本実施の形態のエアブリッジ配線では、実施の形態１に於いてエアブリッジ配線１２を形成しているＴａ/ＴａＮ層７４が、Ｔａ/Ｔｉ/ＴａＮ積層膜８０によって代替されている（図９及び図１４参照）。ここで、Ｔａ/Ｔｉ/ＴａＮ積層膜８０は、Ｔａ層７０、Ｔｉ層７８と、ＴａＮ層７２が順次積層されて形成されている。
【０１３４】
また、Ｔａ層７０、Ｔｉ層７８、及びＴａＮ層７２の厚さは、夫々、１００ｎｍ、１０ｎｍ、及び１００ｎｍである。その他の金属層の厚さは、実施の形態１に従うマルチゲートトランジスタの対応する金属層と同じである。尚、ＴａＮ層の窒素含有率は、５０％としている。
【０１３５】
すなわち、本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタでは、実施の形態１に従うマルチゲートトランジスタにおいて、エアブリッジ配線を形成するＴａ（タンタル）層７０とＴａＮ（タンタルナイトライド）層７２の間に、他のＴｉ（チタン）層７８が介在している。
【０１３６】
（２）製造手順
本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタの製造手順は、実施の形態１に於けるマルチゲートトランジスタの製造手順と略同じである。以下異なる製造手順について説明する。
【０１３７】
本実施の形態では、Ｔｉ/Ｔａ/ＴａＮ/Ａｕスパッタ膜ではなくＴｉ/Ｔａ/Ｔｉ/ＴａＮ/Ａｕスパッタ膜８２が形成される点を除き、実施の形態１と同じである。ここで、Ｔａ層とＴａＮ層の間に介在するＴｉ層７８は、Ｔｉをターゲットするスパッタ法によって形成される。スパッタガスはＡｒである。
【０１３８】
すなわち、本実施の形態に従う半導体装置の製造方法では、実施の形態１で説明した製造方法おいて、Ｔａ（タンタル）層の上に他のＴｉ（チタン）層を積層してから、ＴａＮ（タンタルナイトライド）層が積層される。
【０１３９】
（３）エレクトロマイグレーション耐性
次に、Ｔａ/Ｔｉ/ＴａＮ積層膜８０のエレクトロマイグレーション耐性が熱劣化加速試験によって評価された結果が説明される。評価に用いた試料は、Ｔｉ/Ａｌ積層膜の上に、上記Ｔｉ/Ｔａ/Ｔｉ/ＴａＮ/Ａｕスパッタ膜８０が積層されたものである。但し、Ａｕ層の厚さは５０〜３００ｎｍである。
【０１４０】
図１５は、本実施の形態に従うＴａ/Ｔｉ/ＴａＮ積層膜８０に対して実施された熱劣化加速試験の結果を説明する図である。比較のため、図１５には、図３及び図１３で説明した熱劣化加速試験の結果も記載する。
【０１４１】
「Ｔａ/Ｔｉ/ＴａＮ」と表示された破線は、本実施の形態に従うＴａ/Ｔｉ/ＴａＮ積層膜８０が形成された試料の反応時間（８分）を表している。図１５から明らかなように、Ｔａ/Ｔｉ/ＴａＮ積層膜８０が形成された試料の反応時間は、Ｐｔ層が形成された試料の４倍、実施の形態１に従うＴａ/ＴａＮ積層膜７４が形成された試料の１．３倍である。
【０１４２】
この事実は、Ｔａ/Ｔｉ/ＴａＮ積層膜８０のエレクトロマイグレーション耐性は、実施の形態１に従うＴａ/ＴａＮ積層膜７４を超え、従来のＰｔ層より格段に高いことを示している。
【０１４３】
このように、Ｔａ/Ｔｉ/ＴａＮ積層膜８０のエレクトロマイグレーション耐性が、実施の形態１に従うＴａ/ＴａＮ積層膜より更に高くなった理由は、Ｔａ層とＴａＮ層の間にＴｉ層を介在させることによって、ＴａＮ層の緻密化が促進されたためと考えられる。
【０１４４】
尚、本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタの動作は、エアブリッジ配線のエレクトロマイグレーション耐性がより高くなっている点を除けば、実施の形態１に従うマルチゲートトランジスタと同じである。
【０１４５】
（実施の形態３）
本実施の形態は、実施の形態１の半導体装置において、ソース電極を覆う保護膜がエアブリッジ配線の下側で除去された半導体装置およびその製造方法に関する。
【０１４６】
（１）構 成
図１６は、本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタ８４の斜視図である。図１７は、図１６のＢ−Ｂ線に於ける断面を矢印の方向から見た図である。
【０１４７】
図１６に示すように、本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタ８４は、ゲート電極２２を形成する共通電極１４´´が保護膜３２で覆われていない点で、実施の形態１に従うマルチゲートトランジスタ２と相違する。尚、共通電極１４´´は、ゲート電極２２のうち、エアブリッジ配線１２の下側に配置された部分である。
【０１４８】
共通電極１４´´以外の構成は、実施の形態１のマルチゲートトランジスタ２と同じである。従って、共通電極１４´´に関する構成以外の説明は省略される。
【０１４９】
実施の形態１に従うマルチゲートトランジスタ２では、図９に示すように、エアブリッジ配線１２の下側でも、共通電極１４´´は保護膜３２によって覆われている。従って、エアブリッジ配線１２と共通電極１４´´の間に、ＳｉＮ等の誘電体膜が存在する領域が発生することになる。この誘電体膜の存在によって、エアブリッジ配線１２を含むソース電極１６と、共通電極１４´´を含むゲート電極２２間の寄生容量が大きくなる。
【０１５０】
そこで、本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタ８４では、図１６に示すように、エアブリッジ配線１２の下側でソース電極１６を覆う保護膜３２が除去されて、寄生容量の最小化が図られている。すなわち、図１７のように、第１の配線（共通電極１４´´を含むゲート電極２２）が第２の配線（エアブリッジ配線１２を含むソース電極１６）によって横切られる領域で、保護膜（ＳｉＮ膜）が取り除かれている。
【０１５１】
このため、本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタ８４は、ゲート電極２２とソース電極１６間の信号干渉が小さくなる。故に、本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタ８４は、実施の形態１のマルチゲートトランジスタ２より高速で動作することができる。
【０１５２】
保護膜３２は、ゲート電極２２を不純物の汚染から保護して、出力信号（ドレイン電流波形）の劣化を防止するためのものである。
【０１５３】
しかし、出力信号の劣化を防止するためには、ゲート２０を形成するＮｉ/Ａｕ電極１０´´が保護膜３２で覆われていれば十分である。従って、本実施の形態のように共通電極１４´´を覆う保護膜３２が除去されても、出力信号が劣化することはない。
【０１５４】
尚、実施の形態１に従うマルチゲートトランジスタ８４では、保護膜３２はＮｉ/Ａｕ共通電極１４´´を覆い、共通電極１４´´を形成するＮｉ層の酸化防止に役立っている。
【０１５５】
尚、エアブリッジ配線１２を形成するＴａ/ＴａＮ層を、実施の形態２で説明したように、Ｔａ/Ｔｉ/ＴａＮ積層膜で代替しても良い。
【０１５６】
（２）製造手順
図１８は、本実施の形態の保護膜３２乃至エアブリッジ配線１２を形成する製造手順を説明する工程断面図である。ここで、図１８は、製造手順の進行に合わせて、図１６のＢ−Ｂ線に於ける断面を矢印の方向から見た図である。
【０１５７】
以下に説明する通り、本実施の形態の製造手順は、保護膜の形成及びエアブリッジ用フォトレジスト膜（マスク）の形成を除き、実施の形態１の製造手順と同じである。
【０１５８】
まず、マルチゲートトランジスタ２を形成する複数のＧａＮ−ＨＥＭＴ４（オーミック電極を含む）が形成された基板５０を準備する。
【０１５９】
次に、Ｎｉ/Ａｕゲート電極２２を形成する。
【０１６０】
これらのステップは、対応する実施の形態１と同じである。従って、詳しい説明は省略する。
【０１６１】
まず、ゲート電極２２の形成されたＳｉＣ基板２４の全面に、保護膜３２となる厚さ５００ｎｍのＳｉＮ膜を堆積する。ここで、ＳｉＮ膜の厚さとしては、５ｎｍ乃至５００ｎｍが好ましい。
【０１６２】
その後、保護膜の形成予定領域にフォトレジスト膜を形成する。ここで、本実施の形態では、実施の形態１とは異なり、共通電極１４´´はフォトレジスト膜によって覆われない。
【０１６３】
このフォトレジスト膜をエッチングマスクとして、ＳｉＮ膜がドライエッチングによって除去されて、保護膜３２が形成される（図１６参照）。
【０１６４】
従って、ゲート電極２２（第１の配線）がソース電極１６（第２の配線）によって横切られる領域（交差予定位置）、すなわちエアブリッジ配線１２の形成予定領域の下側では、保護膜（ＳｉＮ膜）が取り除かれる（図１８（ａ）参照）。
【０１６５】
次に、基板２４の上に、共通電極１４´´の上部及び側面を覆って線状に延在するエアブリッジ形成用フォトレジスト膜５８を形成する（図１８（ｂ）参照）。
【０１６６】
次に、図１８（ｃ）に示すように、エアブリッジ形成用フォトレジスト膜５８が形成された基板２４の上に、Ｔｉ/Ｔａ/ＴａＮ（窒素含有率５０％）/Ａｕスパッタ膜７６を形成する。
【０１６７】
次に、Ｔｉ/Ｔａ/ＴａＮ/Ａｕスパッタ膜７６の上に、メッキ法によって第２及び第３のＡｕ層４６,４８を形成する。
【０１６８】
次いで、図１８（ｄ）に示すように、エアブリッジ形成用フォトレジスト膜５８を除去し、マルチゲートトランジスタ８４が完成する。
【０１６９】
（３）動作
本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタ８４の動作は、実施の形態１のマルチゲートトランジスタ２と略同じである。但し、本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタ８４は、ソース電極１６とゲート電極２２間の寄生容量が小さいので、実施の形態１に従うマルチゲートトランジスタより高周波で動作する。
【０１７０】
（実施の形態４）
本実施の形態は、実施の形態１〜３に従うマルチゲートトランジスタを具備する高周波増幅器に関する。
【０１７１】
図１９（は、本実施の形態に従う高周波増幅器の回路図である。
【０１７２】
本実施の形態に従う高周波増幅器８６は、実施の形態１〜３の何れかに従うマルチゲートトランジスタ２´を有している。
【０１７３】
また、本実施の形態に従う高周波増幅器８６は、電気信号が入力される第１の端子（入力端子８８）と、増幅された電気信号が出力される第２の端子（出力端子９０）を有している。
【０１７４】
また、本実施の形態に従う高周波増幅器８６は、第１の端子（入力端子８８）から前記第１の配線（ゲート電極２２）に至る、電気信号が伝播する第１の経路９２を具備している。
【０１７５】
更に、本実施の形態に従う高周波増幅器８６は、ドレイン８に電気的に接続された第３の配線（ドレイン電極１８）から第２の端子（出力端子９０）に至る、電気信号が伝播する第２の経路９４を具備する。
【０１７６】
ここで、第１及び第２の経路９２には、第１及び第２のコンデンサ９７,９９が配置されている。従って、第１及び第２の経路９２,９４には、高周波信号のみが伝播する。
【０１７７】
また、本実施の形態に従う高周波増幅器８６は、電源電圧に接続される第３の端子（電源端子９６）を有している。そして、電源端子９６は、第１の抵抗９８を介して、第２の配線（ドレイン電極１８）に接続されている。
【０１７８】
また、電源端子９６は、第２の抵抗１００を介して、第１のコンデンサ９７と第１の配線（ゲート電極２２）の間に設けられた接続点に接続されている。更に、この接続点は、第３の抵抗１０２を介して接地面に接続されている。ここで、第２及び第３の抵抗１００,１０２は、マルチゲートトランジスタ２´のバイアス点を設定する。
【０１７９】
一方、ソース電極１６は、第４の抵抗１０４と第３のコンデンサ１０６が並列に接続された回路を介して、接地面に接続されている。
【０１８０】
ここで、マルチゲートトランジスタ２´は所定のパッケージに搭載され、第１〜第４の抵抗及び第１〜第３のコンデンサと共に、プリント基板上に配置される。
【０１８１】
以上のように形成された高周波増幅８６は、以下のように動作する。電気信号が第１の端子８８に入力されると、第１の経路９２を伝播し、マルチゲートトランジスタ２´のゲート電極に到達する。マルチゲートトランジスタ２´は、上記各実施の形態で説明したように動作して、入力した電気信号を増幅する。増幅された電気信号は、第２の経路９４を伝播して、第２の端子９０から出力される。
【０１８２】
本実施の形態に従う高周波増幅器８６は、実施の形態１〜３に従うマルチゲートトランジスタ２´を備えているので、大電流動作で動作させてもエアブリッジ配線が断線することはない。
【０１８３】
尚、図１９を参照して説明した回路は、実施の形態１〜３に従うマルチゲートトランジスタを利用した高周波増幅器の一例に過ぎない。
【０１８４】
（実施の形態５）
本実施の形態は、実施の形態４に従う高周波増幅器を備えた送信機に関する。
【０１８５】
図２０（は、本実施の形態に従う送信機１０８のブロック図である。
【０１８６】
本実施の形態に従う無線送信機１０８は、図２０に示すように、電気信号が入力される入力端子１１６と、アンテナ１１２が接続される出力端子１１４と、実施の形態５に従う高周波増幅器８６を備えている。更に、本実施の形態に従う無線送信機１０８は、入力信号に従って変調された高周波信号を生成し出力する高周波信号発生ユニット１１０（例えば、電圧制御発信器（voltage controlled oscillator; VCO））を具備している。
【０１８７】
そして、本実施の形態に従う無線送信機１０８は、入力端子１１６が、高周波信号発生ユニット１１０の入力端子に接続されている。また、高周波信号発生ユニット１１０の出力端子が、高周波増幅器８６の第１の端子（入力端子８８）に接続され、出力端子１１４が、高周波増幅器８６の第２の端子（出力端子９０）に接続されている。
【０１８８】
この送信機１０８は、以下のように動作する。入力端子１１６から入力された電気信号は、高周波信号発生ユニット１１０に供給される。高周波発生ユニット１１０は、入力された電気信号によって変調された高周波信号を発生し、高周波増幅器８６に供給する。高周波増幅器８６は供給された高周波信号を増幅して、出力端子１１４に接続されたアンテナ１１２に供給する。
【０１８９】
ここで、送信機１０８は、実施の形態５に従う高周波増幅器８６を備えているので、大電力信号をアンテナに供給することができる。
【０１９０】
本実施の形態に従う送信機は、例えば携帯電話システムの基地局に使用される。
【０１９１】
（変形例）
上記各実施の形態では、ＴａＮ層の窒素含有率は５０％を例に説明した。しかし、ＴａＮ層の窒素含有率は、この値に限られない。ＴａＮ層の窒素含有率は、好ましくは、４８％より大きく５２％以下であればよく、更に好ましくは４９％以上５１％以下であればよい。
【０１９２】
図１５から明らかなように、窒素含有率が４８％より大きければ、Ｔａ/ＴａxＮ1-x積層膜（又は、Ｔａ/Ｔｉ/ＴａxＮ1-x積層膜）のエレクトロマイグレーション耐性が従来のＰｔ層より高くなる。従って、ＴａＮの窒素含有率は、４８％より大きいことが好ましい。一方、窒素含有率が高くなるに従いＴａＮの成膜が困難になり、窒素含有率５２％以上のＴａＮ膜の成膜は極めて困難になる。従って、ＴａＮの窒素含有率は、５２％以下が好ましい。
【０１９３】
上記各実施の形態では、保護膜は窒化珪素で形成されている。しかし、保護膜として使用可能な絶縁膜は窒化珪素（ＳｉＮ）膜に限られない。例えば、保護膜は二酸化珪素（ＳｉＯ２）膜によって形成されてもよい。
【０１９４】
上記各実施の形態では、エアブリッジ配線はソース電極に設けられている。しかし、ドレイン電極がゲート電極と交差する場合には、エアブリッジ配線はドレイン電極に設けることが好ましい。すなわち、上記第２の配線は、電界効果トランジスタのソースでなく、ドレインに接続されていてもよい。また、本実施の形態のエアブリッジ配線は、ソース電極及びドレイン電極以外の配線に形成されてもよい。
【０１９５】
上記各実施の形態では、ＧａＮ−ＨＥＭＴによってマルチゲートトランジスタが形成されている。しかし、他の電界効果トランジスタ（例えば、半絶縁性ＩｎＰを基板とし、ＩｎＧａＡｓ製のチャネル層と、ＳｉがドーピングされたＩｎＡｌＡｓ製のバリア層を具備するＩｎＰ−ＨＥＭＴ）によって、マルチゲートトランジスタが形成されてもよい。
【０１９６】
更に、上記各実施の形態で説明されたエアブリッジ配線は、マルチゲートトランジスタ以外の半導体装置、例えば、複数のゲートを備えた電界効果トランジスタ（特許文献１）にも適用できる。
【０１９７】
また、上記各実施の形態に従う半導体装置を形成する半導体素子は、電界効果トランジスタである。しかし、上記半導体素子は、電界効果トランジスタ以外の他の半導体素子、例えばバイポーラトランジスタであってもよい。上記半導体素子としてバイポーラトランジスタが使用される場合には、例えば、第１の配線はベースに接続され、第２の配線はエミッタ又はコレクタに接続される。
【０１９８】
更に、上記各実施の形態では、ゲート電極はＮｉ/Ａｕ積層膜によって形成されたが、他の積層膜によって形成されてもよい。また、上記各実施の形態では、絶縁膜がドライエッチングによってエッチングされて保護膜に加工されるが、ウエットエッチングやイオンミリング等他のエッチング法でエッチングされてもよい。
【０１９９】
以上の実施の形態をまとめると、次の付記のとおりである。
【０２００】
（付記１）
第１の配線と、
前記第１の配線と交差する方向に延在し、前記第１の配線と空間を介して配置され、タンタル層、該タンタル層上に形成されたタンタルナイトライド層、該タンタルナイトライド層上に形成された金属層を含む第２の配線と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【０２０１】
（付記２）
付記１に記載の半導体装置において、
前記タンタルナイトライド層の窒素含有率は、４８％より大きく５２％以下であることを、
特徴とする半導体装置。
【０２０２】
（付記３）
付記１又は付記２に記載の半導体装置において、
前記タンタル層とタンタルナイトライド層の間に、チタン層が形成されていることを、
特徴とする半導体装置。
【０２０３】
（付記４）
付記１〜付記３の何れか１項に記載の半導体装置において、
更に半導体素子を有し、前記第１の配線及び前記第２の配線は、半導体素子に接続され、
前記半導体素子へ入力される信号は、前記第１の配線を伝播することを、
特徴とする半導体装置。
【０２０４】
（付記５）
付記４に記載の半導体装置において、
更に、前記第１の配線を覆う保護膜を有することを
特徴とする半導体装置。
【０２０５】
（付記６）
付記５に記載の半導体装置において、
前記第１の配線が前記第２の配線と交差する領域では、前記保護膜が取り除かれていることを、
特徴とする半導体装置。
【０２０６】
（付記７）
付記５又は６に記載の半導体装置において、
前記保護膜が、窒化珪素膜又は二酸化珪素膜であることを、
特徴とする半導体装置。
【０２０７】
（付記８）
付記４乃至７の何れか１項に記載の半導体装置において、
前記半導体素子が、複数の電界効果トランジスタであって、
前記複数の電界効果トランジスタ夫々のソース、ゲート、及びドレインの夫々は、同じ方向に延在し、、
前記複数の電界効果トランジスタの各々は、隣接する前記複数の電界効果トランジスタと、前記ソース及び前記ドレインの少なくても一方を共有し、
前記第１の配線が、前記ゲートに電気的に接続され、
前記第２の配線が、前記ソース及び前記ドレインの何れか一方に電気的に接続されていることを、
特徴とする半導体装置。
【０２０８】
（付記９）
付記８に記載の半導体装置において、
前記電界効果トランジスタが、
窒化ガリウムをチャネル層とすることを特徴とする半導体装置。
【０２０９】
（付記１０）
第１の配線と、
前記第１の配線と交差する方向に延在し、前記第１の配線と空間を介して配置され、タンタル層、該タンタル層上に形成されたタンタルナイトライド層、該タンタルナイトライド層上に形成された金属層を含む第２の配線と、
前記第１及び第２の配線が接続された複数の電界効果トランジスタを有し、
前記複数の電界効果トランジスタ夫々のソース、ゲート、及びドレインの夫々は、同じ方向に延在し、
前記複数の電界効果トランジスタの各々は、隣接する前記複数の電界効果トランジスタと、前記ソース及び前記ドレインの少なくても一方を共有し、
前記第１の配線が、前記ゲートに電気的に接続され、
前記第２の配線が、前記ソースに電気的に接続され、
第３の配線が、前記ドレインに電気的に接続されている半導体装置を具備し、
更に、前記第１の配線に電気的に接続され、電気信号が入力される第１の端子と、
前記第３の配線に電気的に接続され、増幅された前記電気信号が出力される第２の端子とを具備する高周波増幅器。
【０２１０】
（付記１１）
第１の配線と、
前記第１の配線と交差する方向に延在し、前記第１の配線と空間を介して配置され、タンタル層、該タンタル層上に形成されたタンタルナイトライド層、該タンタルナイトライド層上に形成された金属層を含む第２の配線と、
前記第１及び第２の配線が接続された複数の電界効果トランジスタを有し、
前記複数の電界効果トランジスタ夫々のソース、ゲート、及びドレインの夫々は、同じ方向に延在し、
前記複数の電界効果トランジスタの各々は、隣接する前記複数の電界効果トランジスタと、前記ソース及び前記ドレインの少なくても一方を共有し、
前記第１の配線が、前記ゲートに電気的に接続され、
前記第２の配線が、前記ソースに電気的に接続され、
第３の配線が、前記ドレインに電気的に接続されている半導体装置を具備し、
更に、前記第１の配線に電気的に接続され、電気信号が入力される第１の端子と、
前記第３の配線に電気的に接続された、増幅された前記電気信号が出力される第２の端子とを具備する高周波増幅器を備えた無線送信機であって、
電気信号が入力される入力端子と、
アンテナが接続される出力端子と、
入力信号に従って変調された高周波信号を生成し出力する高周波信号発生ユニットとを具備し、
前記入力端子が、前記高周波信号発生ユニットの入力端子に接続され、
前記高周波信号発生ユニットの出力端子が、前記第１の端子に接続され、
前記出力端子が前記第２の端子に接続されている、
無線送信機。
【０２１１】
（付記１２）
半導体基板上方に第１の配線を形成する工程と、
前記第１の配線上方にマスクを形成する工程と、
前記マスク上に、タンタル層、タンタルナイトライド層、及び金属層を順次積層して、前記第１の配線に交差する方向に延在する第２の配線を形成する工程と、
前記第２の配線の形成後に前記マスクを除去する工程を具備し、
前記タンタルナイトライド層は、前記マスクが融解する前に成膜が終了することを特徴とする
半導体装置の製造方法。
【０２１２】
（付記１３）
付記１２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記タンタルナイトライド層の窒素含有率が、４８％より大きく５２％以下であることを、
特徴とする半導体装置の製造方法。
【０２１３】
（付記１４）
付記１２又は付記１３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記タンタル層の上にチタン層を積層してから、前記タンタルナイトライド層を積層することを、
特徴とする半導体装置の製造方法。
【０２１４】
（付記１５）
付記１２乃至付記１４の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記タンタル層が、タンタルをターゲットとするスパッタ法で形成され、
前記タンタルナイトライド層が、タンタルをターゲットとする反応性スパッタ法で形成されることを、
特徴とする半導体装置の製造方法。
【０２１５】
（付記１６）
付記１２乃至付記１５の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記タンタル層が、タンタルをターゲットとするスパッタ法で形成され、
前記タンタルナイトライド層が、タンタルをターゲットとし窒素を反応性ガスとする反応性スパッタ法で形成され、
前記金属層が、
金をターゲットとするスパッタ法で、第１の金層が形成され、
その後、メッキ法によって第２の金層が積層されて形成されることを、
特徴とする半導体装置の製造方法。
【０２１６】
（付記１７）
付記１２乃至１６の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体装置が、前記第１の配線及び前記第２の配線に接続された半導体素子を有し、
前記第１の配線は、前記半導体素子へ入力される信号が伝播する配線であることを、
特徴とする半導体装置の製造方法。
【０２１７】
（付記１８）
付記１２乃至１７の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記マスクを形成する前に、
前記第１の配線を、保護膜で覆うことを、
特徴とする半導体装置の製造方法。
【０２１８】
（付記１９）
付記１８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記マスクを形成する前に、
前記第２の配線下方の前記保護膜を取り除くことを、
特徴とする半導体装置の製造方法。
【０２１９】
（付記２０）
付記１８又は１９に記載の半導体装置の製造方法において、
前記保護膜が、窒化珪素膜又は二酸化珪素であることを、
特徴とする半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０２２０】
【図１】Ｔｉ/ＴａＮ/Ａｕエアブリッジ配線の左端を拡大した図である。
【図２】図１中の円で囲った領域Ａを拡大した図である。
【図３】ＴａＮの窒素含有率と反応時間の関係を説明する図である。
【図４】ＴｉＴａＮ/Ａｕエアブリッジ配線の製造工程を説明する断面図である（その１）。
【図５】Ｔｉ/ＴａＮ/Ａｕエアブリッジ配線の製造工程を説明する断面図である（その２）。
【図６】Ｔｉ/ＴａＮ/Ａｕエアブリッジ配線の製造工程を説明する断面図である（その３）。
【図７】実施の形態１によるマルチゲートトランジスタの構成を説明する斜視図である。
【図８】図７のＡ−Ａ線に於ける断面を説明する図である。
【図９】図７のＢ−Ｂ線に於ける断面を説明する図である。
【図１０】実施の形態１によるエアブリッジ配線構造の製造工程を説明する断面図である（その１）。
【図１１】実施の形態１によるエアブリッジ配線構造の製造工程を説明する断面図である（その２）。
【図１２】実施の形態１によるエアブリッジ配線構造の製造工程を説明する断面図である（その３）。
【図１３】実施の形態１に従うＴａ/ＴａＮ積層膜に対して実施された熱劣化加速試験の結果を説明する図である。
【図１４】実施の形態２に従うマルチゲートトランジスタを形成するエアブリッジ配線の断面を説明する図である。
【図１５】実施の形態２に従うＴａ/Ｔｉ/ＴａＮ積層膜に対して実施された熱劣化加速試験の結果を説明する図である.
【図１６】実施の形態３に従うマルチゲートトランジスタの斜視図である。
【図１７】図１６のＢ−Ｂ線に於ける断面を矢印の方向から見た図である。
【図１８】実施の形態３に従うマルチゲートトランジスタの製造手順を説明する工程断面図である。
【図１９】実施の形態４に従う高周波増幅器の回路図である。
【図２０】実施の形態５に従う送信機のブロック図である。
【符号の説明】
【０２２１】
２・・・マルチゲートトランジスタ ４・・・ＧａＮ−ＨＥＭＴ
６・・・ソース ８・・・ドレイン
１０,１０´,１０´´・・・電極 １２・・・エアブリッジ配線
１４,１４´,１４´´・・・共通電極
１６・・・ソース電極 １８・・・ドレイン電極
２０・・・ゲート ２２・・・ゲート電極
２４・・・ＳｉＣ基板 ２６・・・ＵＩＤ−ＧａＮチャネル層
２８・・・ｎ型ＡｌＧａＮキャリア供給層 ３０・・・ＵＩＤ−ＧａＮキャップ層
３２・・・保護膜 ３４・・・オーミック電極
３６・・・ＡｌＧａＮ不活性領域 ３８・・・空間
４０・・・Ｔｉ層 ４２・・・ＴａＮ層
４４・・・第１のＡｕ層 ４６・・・第２のＡｕ層
４８・・・第３のＡｕ層 ５０・・・基板
５２・・・リフトオフ用フォトレジスト膜 ５４・・・Ｎｉ/Ａｕ積層膜
５６・・・ＳｉＮ膜 ５８・・・エアブリッジ形成用フォトレジスト膜
６０・・・電子流れ ６２・・・内壁 ６４・・・Ａｕ原子
６６・・・結晶粒界
６８・・・Ｔｉ/Ｐｔ/Ａｕスパッタ膜（又は、Ｔｉ/ＴａＮ/Ａｕスパッタ膜）
７０・・・Ｔａ層 ７２・・・ＴａＮ層 ７４・・・Ｔａ/ＴａＮ積層膜
７６・・・Ｔｉ/Ｔａ/ＴａＮ/Ａｕスパッタ膜 ７８・・・他のＴｉ層
８０・・・Ｔａ/Ｔｉ/ＴａＮ積層膜
８２・・・Ｔｉ/Ｔａ/Ｔｉ/ＴａＮ/Ａｕスパッタ膜
８４・・・マルチゲートトランジスタ（実施の形態３）
８６・・・高周波増幅器 ８８・・・入力端子
９０・・・出力端子 ９２・・・第１の経路
９４・・・ドレイン電極 ９６・・・電源端子
９７・・・第１のコンデンサ ９８・・・第1の抵抗
９９・・・第２のコンデンサ １００・・・第２の抵抗
１０２・・第３の抵抗 １０４・・・第４の抵抗
１０６・・・第３のコンデンサ １０８・・・無線送信機
１１０・・・高周波信号発生ユニット １１２・・・アンテナ
１１４・・・出力端子 １１６・・・入力端子
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置、例えば電力増幅用電界効果トランジスタを低コストで大量に生産するためには、半導体装置を微細化する必要がある。
【０００３】
しかし、半導体装置を微細化すると、配線間の距離、特に絶縁膜を介して交差する配線間の距離が狭くなる。このような配線間隔の狭窄化は、配線間の寄生容量を大きくして、半導体装置の高周波動作を困難にする。
【０００４】
絶縁膜を介して交差する配線間の寄生容量を小さくするためには、エアブリッジ配線が有効である。特に、マルチゲートトランジスタと呼ばれる、複数の電界効果トランジスタ(field effect transistor;以下、FETと呼ぶ)を同一基板上に配置した電力増幅用電界効果トランジスタの高速化には、エアブリッジ配線が有効である。
【０００５】
マルチゲートトランジスタでは、複数のＦＥＴが一列に整列させられて、対応する端子（ソース、ドレイン、ゲート）同士が櫛の歯状の電極によって接続されている。この時、複数のソースを接続するソース電極と、複数のゲートを接続するゲート電極とに交差部位が生じてしまう。
【０００６】
この交差部位には、ソース電極とゲート電極の接触を回避するため、両者を絶縁膜を介して立体交差させるブリッジ（橋渡し）配線構造が形成される（特許文献１）。
【０００７】
ブリッジ配線構造では、交差する配線間に介在する絶縁膜の高い誘電率によって、寄生容量が大きくなってしまう。従って、マルチゲートトランジスタを高速化しようとする場合には、交差する配線間が空間によって隔てられているエアブリッジ配線が用いられる。
【０００８】
エアブリッジ配線を形成する金属層としては、導電率が高い金が広く用いられている。しかし、金（Ａｕ）は柔らかく単独ではエアブリッジ構造を維持することができない。そこで、チタン（Ｔｉ）と白金（Ｐｔ）の積層構造を支持体とするＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ積層構造によって、エアブリッジ配線が形成される。ここで、Ｔｉは基板とエアブリッジ層の密着を良くするためのものであり、Ａｕ層は、Ｐｔ層によって支持されている（特許文献２）。
【０００９】
ところで、近年、窒化ガリウム（ＧａＮ）によってチャネル層が形成された高電子移動トランジスタ（high electron mobility transistor;ＨＥＭＴ）が、高周波高出力トランジスタとして注目されている（ＧａＮによってチャネル層が形成されたＨＥＭＴは、以後ＧａＮ−ＨＥＭＴと表される。）。
【００１０】
ＧａＮは、ＳｉやＧａＡｓに比べ、バンドギャップが広い。このため、ＧａＮ−ＨＥＭＴは、高温動作に適し、しかも破壊電界が高いため高電圧動作に適している。故に、ＧａＮ−ＨＥＭＴは、小型化され大電流で動作させられても、動作温度の上昇やチャネルへ印加される電界の増大によって動作不良を起こすことはない。
【００１１】
このため、ＧａＮ−ＨＥＭＴによってマルチゲートトランジスタが形成され、高周波高出力電力増幅器として使用されている。
【特許文献１】特開２００３−１９７７４０号公報
【特許文献２】特開２００７−１５０２８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上述したように、高周波動作に適したＦＥＴによってマルチゲートトランジスタを形成する場合、寄生容量が小さくなるエアブリッジ配線が採用される。ここで、ＧａＮ−ＨＥＭＴのように大電流で動作するＦＥＴによってマルチゲートトランジスタを形成した場合、エアブリッジ配線にも大電流が流れることになる。
【００１３】
本発明者は、この点に着目して、複数のＧａＮ−ＨＥＭＴを含むマルチゲートトランジスタ（以後、ＧａＮ−ＨＥＭＴマルチゲートトランジスタと呼ばれる）を今後更に高出力化した場合、どのような影響が現れるのか検討した。
【００１４】
その結果、エアブリッジに大電流を流すと、エアブリッジ配線を形成するＡｕがエレクトロマイグレーションして、Ｐｔ支持層の結晶粒界に入り込む虞のあることが明らかになった。この場合、Ｐｔ支持層が崩壊して、エアブリッジ配線が支持体を失い断線することが懸念される。
【００１５】
そこで、本発明の目的は、大電流を流しても断線し難いエアブリッジ配線、すなわちエレクトロマイグレーション耐性の高いエアブリッジ配線を具備した半導体装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本半導体装置は、第１の配線と、前記第１の配線と交差する方向に延在し、前記第１の配線と空間を介して配置され、タンタル層、該タンタル層上に形成されたタンタルナイトライド層、該タンタルナイトライド層上に形成された金属層を含む第２の配線とを有する。
【発明の効果】
【００１７】
本半導体装置によれば、大電流を流しても断線し難いエアブリッジ配線を具備した半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面にしたがって本発明の実施の形態が説明される。但し、本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。
【００１９】
特許文献２に開示されたようなＴｉ/Ｐｔ/Ａｕ積層構造によって形成されたエアブリッジ配線では、エアブリッジ配線の本体は、厚いＡｕ層である。しかし、Ａｕは柔らかいので、Ａｕ層単独でエアブリッジ構造を保持することはできない。従って、Ａｕ層の下方に形成されたＰｔ層によってＡｕ層が支えられている。
【００２０】
ところで、Ａｕは、エレクトロマイグレーションしやすいことが知られている。このため、マルチゲートトランジスタを大電流（例えば、１×１０５Ａ/ｃｍ２以上）で動作させた場合、電子流に押し流されたＡｕ原子がＡｕ層からＰｔ膜中に移動して、Ｐｔ膜を破壊するのではと懸念される。
【００２１】
図１は、エレクトロマイグレーションを説明する図である。図２は、図１中の円で囲った領域Ａを拡大した図である。
【００２２】
図１には、エアブリッジ配線１２の左端が図示されている。ここで、エアブリッジ配線１２は、空間３８を介してマルチゲートトランジスタのゲートに接続される共通電極１４の上方に形成されている。そして、エアブリッジ配線１２は、Ｔｉ層４０、Ｐｔ層４２、第１のＡｕ層４４、第２のＡｕ層４６、及び第３のＡｕ層４８が積層されて形成されている。
【００２３】
図１に示すように、エアブリッジ配線中の電子の流れ６０は、エアブリッジ配線の内壁６２近くまでは直進しその後向きを変える（尚、図１には、エアブリッジ配線１２の底の部分を流れる電子流のみが描かれている。）。従って、図２に示すように、Ａｕ層４４,４６,４８中のＡｕ原子６４は、電子流６０によって衝突・散乱されて、Ｐｔ層４２に向かって移動して行く（すなわち、エレクトロマイグレーションする。）。
【００２４】
一方、Ｐｔ層４２中には、成長方向に延びた多数の結晶粒界６６（grain boundary）が存在している。Ｐｔ層４２に向かって移動してきたＡｕ原子６４は、この結晶粒界６６に入り込みＰｔ微結晶同士の結合を断ち切ろうとする。
【００２５】
その結果、Ｐｔ層４２は崩壊し、エアブリッジ配線１２を支持することができなくなる。そして、支持体を失ったエアブリッジ配線１２は、ついには断線すると考えられる。
【００２６】
尚、図１及び図２に示されたエアブリッジ配線は直角に折れ曲がっているが、エアブリッジ配線がなだらかに折れ曲がっている場合にも同様の現象が起きて、エアブリッジ配線は断線すると考えられる。
【００２７】
電子流に曝された金属原子は、電子と衝突を繰り返して激しく振動し、やがて束縛されていた格子点から移動する。この時、個々の金属原子の移動方向は一定しないが、金属原子集団全体としては電子流の下流側に移動する。このような金属原子の移動現象が、エレクトロマイグレーションである。
【００２８】
エレクトロマイグレーションの起因となる金属原子の振動は、高温に加熱された金属原子の振動に類似している。従って、高温でも安定な金属、すなわち高融点金属は、エレクトロマイグレーションに対しても強い耐性を有していると考えられる。
【００２９】
そこで、本発明者は、配線として使用可能な高融点金属であるＴａ1-xＮx（０≦Ｘ＜１）のエレクトロマイグレーション耐性を検討した。
【００３０】
エレクトロマイグレーション耐性は、被試験金属膜を加熱してその劣化速度を調べる熱劣化加速試験によって調べられた。被試験金属膜を高温に曝すことによって、金属原子が電子流に曝され激しく振動している状態を擬似的に作り出すことができる。
【００３１】
具体的には、次のような試験が実施された。まず、Ｔｉ層の上にＡｌ層が積層されたＴｉ/Ａｌ積層膜を形成し、その上に、Ｔｉ層、Ｔａ1-xＮx層（０≦Ｘ＜１）、及びＡｕ層が順次積層された試料（Ｔｉ/Ｔａ1-xＮx/Ａｕ積層膜）（０≦Ｘ＜１）を形成した。また、比較試料として、Ｔｉ/Ａｌ積層膜の上に、Ｔｉ層、Ｐｔ層及びＡｕ層が、順次積層された試料（Ｔｉ/Ｐｔ/Ａｕ積層膜）を形成した。
【００３２】
ここで、Ｔａ1-xＮx層は、Ｔａをターゲットとして、反応性スパッタ法によって形成される。スパッタガス及び反応ガスは、夫々、Ａｒ及びＮ２である。Ａｕ層及びＰｔ層は、夫々、Ａｕ及びＴａをターゲットとして、スパッタ法によって形成される。この時のスパッタガスは、Ａｒである。
【００３３】
ここで、Ｔｉ層、Ｔａ1-xＮx層、及びＡｕ層の厚さは、夫々、数１０ｎｍ、２００ｎｍ、及び５０ｎｍ〜３００ｎｍである。また、比較用試料のＰｔ層の厚さは、Ｔａ1-xＮx層と同じ２００ｎｍである。尚、Ａｌ層及びＴｉ層の厚さは、全ての試料で同じである。
【００３４】
以上のようにして形成された試料が４５０℃に加熱されて、Ａｕ層の表面に変化が現れるまでの時間が計測される。ここでＡｕ層の厚さは、この変化が現れやいように、実際のエアブリッジ配線のＡｕ層より薄く形成されている。
【００３５】
加熱前の試料の表面は、均一で何の特徴もない。しかし、加熱を続けるとやがて試料の表面に染みが現れる。この染みの現れるまでの加熱時間（以後、反応時間と呼ぶ）が計測され比較される。
【００３６】
この染みは、Ａｕ原子が、Ｔａ1-xＮx層（又は、Ｐｔ層）を破壊して、Ｔａ1-xＮx層（又は、Ｐｔ層）の下に配置されたＡｌ膜と反応してできたＡｌＡｕ合金である。すなわち、熱劣化加速試験によって計測される反応時間は、激しく振動するＡｕ原子によってＴａ1-xＮx層（又は、Ｐｔ層）が破壊されるまでの時間を表している。従って、この反応時間が長い金属膜ほど、エレクトロマイグレーション耐性が高いと考えられる。
【００３７】
図３は、Ｔａ1-xＮx層の組成を変えて反応時間を測定した結果である。横軸は、Ｔａ1-xＮx層の窒素含有率である。縦軸は反応時間である。「ＴａＮ」と表示された曲線は、Ｔｉ/Ａｌ積層膜とＡｕ層の間にＴｉ/Ｔａ1-xＮx積層膜が形成された試料の反応時間を表している。一方、「Ｐｔ」と表示された破線は、Ｔｉ/Ａｌ積層膜とＡｕ層の間にＴｉ/Ｐｔ積層膜が形成された試料の反応時間（２分）を表している。ここで、Ｔｉ層は、Ｔｉ/Ｔａ1-xＮx積層膜及びＴｉ/Ｐｔ積層膜の双方に形成されているので、両者の反応時間に違いを起させるものではない。
【００３８】
図３に示すように、窒素含有率が０％の試料すなわちＴａ層が形成された試料の反応時間（３分）は、Ｐｔ層が形成された試料の反応時間（２分）より長い。しかし、窒素含有率が増加すると、Ｔａ1-xＮx層の反応時間は一旦短くなり、比較試料より反応時間が短くなる。そして、反応時間は、窒素含有率４０％近傍で最低になる。
【００３９】
その後、Ｔａ1-xＮx層の反応時間は、窒素含有率の増加と共に急激に増加し、窒素含有率が４８％で比較試料と同じになり、窒素含有率が５０％で比較試料の２倍になる。その後も、反応時間は増加し続ける。しかし、窒素含有率が５２％を超える試料の作製は困難であった。
【００４０】
以上の結果は、窒素含有率が４８％より高いＴａＮによって支持されたＴｉ/ＴａＮ/Ａｕ積層膜によってエアブリッジ配線を形成すると、エレクトロマイグレーション耐性の高いエアブリッジ配線の形成が可能になることを教示している。
【００４１】
そこで、本発明者は、Ｔｉ/ＴａＮ/Ａｕ積層膜によって形成されたエアブリッジ配線を具備するマルチゲートトランジスタの製造を試みた。以下、図４、図５、及び図６を用いてエアブリッジ配線の製造工程について説明をする。
【００４２】
図４は、試作したマルチゲートトランジスタのゲート電極とソース電極が立体交差するエアブリッジ配線構造の断面図である。
【００４３】
ゲート電極を形成する共通電極１４´´は、ｎ型ＡｌＧａＮキャリア供給層２８がイオン注入によって高抵抗化されたＡｌＧａＮ不活性領域３６の上に形成されている。そして、保護膜３２によって覆われた共通電極１４´´（ゲート電極）上を、空間３８を介して、エアブリッジ配線１２（ソース電極）が横切っている。
【００４４】
ここで、エアブリッジ配線１２は、Ｔｉ層４０、ＴａＮ層４２、第１のＡｕ層４４、第２のＡｕ層４６、及び第３のＡｕ層４８が積層されて形成されている。
【００４５】
次に、試作したマルチゲートトランジスタに於けるエアブリッジ配線構造の製造手順を説明する。
【００４６】
図５及び図６は、エアブリッジ配線構造の製造工程を説明する断面図である。
【００４７】
まず、ＳｉＣ基板２４の上に、Unitentionally Doped（ＵＩＤ）−ＧａＮチャネル層２６、ｎ型ＡｌＧａＮキャリア供給層２８、ＵＩＤ−ＧａＮキャップ層（図示せず）が順次積層され、更にオーミック電極３４が形成された基板５０が準備される（図５（ａ）参照）。
【００４８】
ここで、オーミック電極３４は、ソース及びドレインとなる半導体領域の上に設けられる。また、ＵＩＤ−ＧａＮキャップ層は、チャネルとなる半導体領域以外では除去されている（従って、図５（ａ）には図示されていない。）。そして、共通電極１４´´の形成予定領域に露出したｎ型ＡｌＧａＮキャリア供給層２８は、イオン注入によって高抵抗化され、ＡｌＧａＮ不活性領域３６となっている。
【００４９】
次に、この基板５０の上に、リフトオフ用のフォトレジスト膜５２が形成される。その後、ゲート電極となるＮｉ/Ａｕ積層膜５４が蒸着される（図５（ｂ）参照）。最後に、リフトオフ用フォトレジスト膜５２が除去されて、ゲート電極２２が完成する。このＮｉ/Ａｕ積層膜５４は、ＵＩＤ−ＧａＮキャップ層にショットキー障壁を形成する。
【００５０】
次に、基板５０の全面に、保護膜となる厚さ５００ｎｍのＳｉＮ膜５６が堆積される（図５（ｃ）参照）。
【００５１】
その後、保護膜３２の形成予定領域にフォトレジスト膜５２´が形成される（図５（ｄ）参照）。このフォトレジスト膜５２´をエッチングマスクとして、ＳｉＮ膜５６がドライエッチングによって除去されて、保護膜３２が形成される（図６（ａ）参照）。
【００５２】
次に、ゲート電極とソース電極の交差予定位置で、保護膜３２の上にエアブリッジ形成用フォトレジスト膜（マスク）５８が形成される（図６（ｂ）参照）。
【００５３】
次に、スパッタ法により、基板５０の上に、Ｔｉ層４０（厚さ数１０ｎｍ）、ＴａＮ層４２（厚さ２００ｎｍ）、及び第１のＡｕ層４４（厚さ数５０ｎｍ）を順次堆積する（図６（ｃ）参照）。ここで、Ｔｉ層４０及び第１のＡｕ層４４は、Ｔｉ及びＡｕをターゲットとしてスパッタ法によって堆積する。スパッタガスはＡｒである。また、ＴａＮは、Ｔａをターゲットとして反応性スパッタ法により堆積される。ここで、反応ガスはＮ２である。
【００５４】
次に、第１のＡｕ層４４をシード膜とし、ソース電極及びドレイン電極の形成予定領域が開口したフォトレジスト膜（図示せず）をメッキマスクとして、Ａｕ層が電解メッキによって、第２及び第３のＡｕ層４６,４８が厚く形成される。第２及び第３のＡｕ層４６,４８の厚さは、合計で１〜２μｍである。
【００５５】
その後、メッキマスクが除去され、各電極間に露出したスパッタ膜がミリングで除去される。
【００５６】
最後に、エアブリッジ形成用フォトレジスト膜５８が酸素を反応ガスとするマイクロ波アッシャーにより除去され、マルチゲートトランジスタ２が完成する（図６（ｄ）参照）。
【００５７】
以上のようにしてマルチゲートトランジスタを試作した結果、Ｔｉ/ＴａＮ/Ａｕスパッタ膜６８を堆積する過程で、エアブリッジ形成用フォトレジスト膜５８が融解して、Ｔｉ/ＴａＮ/Ａｕスパッタ膜６８とゲート電極２２を隔てる空間３８が形成されないことが判明した。
【００５８】
そこで、本発明者は、ＴａＮ層の堆積中に基板温度が何度まで上昇するか測定した。その結果、基板温度は、フォトレジストが融解する１５０℃を超えて上昇することが明らかになった。
【００５９】
このような温度の上昇は、ＴａターゲットからスパッタされたＴａと窒素ガスの生成熱に起因するものである。
【００６０】
すなわち、Ｔｉ/ＴａＮ/Ａｕ積層膜を用いることによってエレクトロマイグレーション耐性の高いエアブリッジ配線の形成が可能になると期待されたが、実際にはＴａＮ堆積時の基板温度上昇によってエアブリッジ配線自体の形成が困難になることが本発明者らによって見い出された。
【００６１】
（実施の形態１）
ＴａＮ層の堆積に伴う基板温度の上昇は、成膜するＴａＮ層を薄くすれば抑制できる。これは、基板５０がＴａＮの生成熱に曝される時間が短くなるからである。しかしながら、Ａｕ層（第１〜第３のＡｕ層４４,４６,４８）を強固に支持するためには、ある程度の膜厚（例えば、１００ｎｍ〜２００ｎｍ）を持った金属層が必要である。従って、単にＴａＮ層を薄くすることは、エアブリッジ配線の強度を劣化させる。
【００６２】
そこで、本発明者は種々検討した結果、Ｔａ層の上にＴａＮ層を積層したＴａ/ＴａＮ積層膜を形成した場合、基板温度の上昇が、同じ膜厚のＴａＮ膜を形成した場合より低くなることを見出した。
【００６３】
これは、Ｔａ/ＴａＮ積層膜では、最初に成膜するＴａ層の分だけＴａＮ層が薄くなるからである。この場合、ＴａＮの生成熱に基板が曝される時間が短くなるため、基板温度の上昇が抑制される。更に、本発明者は、後述するように、Ｔａ/ＴａＮ積層膜のエレクトロマイグレーション耐性が、ＴａＮ膜より高いことも見出した。
【００６４】
そこで、本発明者は、Ｔｉ/Ｔａ/ＴａＮ/Ａｕ積層膜で形成されたエアブリッジ配線によって、マルチゲートトランジスタを製造することとした。
【００６５】
（１）構 成
図７は、本実施の形態によるマルチゲートトランジスタを示す斜視図である。図８は、図７のＡ−Ａ線に於ける断面を矢印の方向から見た図である。
【００６６】
図９は、図７のＢ−Ｂ線に於ける断面を矢印の方向から見た図である。
【００６７】
本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタ２では、４つのＧａＮ−ＨＥＭＴ４が一列に整列している。そして、隣接するＧａＮ−ＨＥＭＴ４は、一つの半導体領域をソース６又はドレイン８として共有している（図８参照）。各半導体領域の上には、一つの電極１０,１０´が形成されている。
【００６８】
更に、ソース６の上に形成された２つの電極１０は、２つのエアブリッジ配線１２によって１つの共通電極１４に接続されて、櫛の歯状のソース電極１６が形成される。
【００６９】
一方、ドレイン８の上に形成された３つの電極１０´は１つの共通電極１４´に接続されて、櫛の歯状のドレイン電極１８が形成される。
【００７０】
また、チャネルの上に形成されゲート２０となる４つの電極１０´´も１つの共通電極１４´´に接続されて、櫛の歯状のゲート電極２２が形成される。
【００７１】
このように３つの櫛の歯状の電極を一箇所に形成した場合、２つの電極、例えばゲート電極２２とソース電極１６の交差は避けられない（図７参照）。
【００７２】
そこで、このような交差部位には、電極間の接触を回避するために、空間を介して両者が立体交差するエアブリッジ配線構造が形成されている。
【００７３】
なお、ソース電極１６、ドレイン電極１８、及びゲート電極２２は、夫々の共通電極１４,１４´,１４´´を外部回路との接続用パッドとして使用することができるので、所謂「電極」としての機能を有している。一方、ソース電極１６、ドレイン電極１８、及びゲート電極２２は、ＧａＮ−ＨＥＭＴの各端子（ソース、ドレイン、ゲート）へ入出力される電気信号の経路を確保するものなので、「配線」としての機能も有している。すなわち、ソース電極１６、ドレイン電極１８、及びゲート電極２２は、その名称に拘わらず、配線でもある。
【００７４】
ここで、ＧａＮ―ＨＥＭＴの構成を、もう少し詳しく説明する。
【００７５】
図８に示すように、本実施の形態に従うＧａＮ―ＨＥＭＴ２では、ＳｉＣ基板２４の上に、まず不純物の添加されていないUnitentionally Doped（ＵＩＤ）−ＧａＮチャネル層２６が積層されている。更に、本実施の形態では、このＵＩＤ−ＧａＮチャネル層２６の上に、ｎ型ＡｌＧａＮキャリア供給層２８とＵＩＤ−ＧａＮキャップ層３０が順次積層されている。
【００７６】
そして、ソース６及びドレイン８の一部を形成するｎ型ＡｌＧａＮキャリア供給層２８の上には、Ｔｉの上にアルミニウム（Ａｌ）が積層されたＴｉ／Ａｌオーミック電極３４が形成されている。更に、オーミック電極３４の上には、ソース電極１６を形成する電極１０及びドレイン電極１８を形成する電極１０´の何れか一方が形成されている。また、チャネル２０となるＵＩＤ−ＧａＮチャネル層２６の上に積層された、ＵＩＤ−ＧａＮキャップ層３０の上には、ゲート電極２２を形成する電極１０´´が形成されている。
【００７７】
また、ゲート電極２２（電極１０´´）は、例えば窒化珪素（ＳｉＮ）製の保護膜３２によって覆われている。この保護膜３２はゲート電極２２を不純物の汚染から保護して、出力信号（ドレイン電流波形）の劣化を防止するためのものである。
【００７８】
図９は、図７のＢ−Ｂ線に於ける断面を矢印の方向から見た図である。すなわち、図９は、ゲート電極２２とソース電極１６が立体交差するエアブリッジ配線構造の断面図である。
【００７９】
ゲート電極２２を形成する共通電極１４´´は、ｎ型ＡｌＧａＮキャリア供給層２８がイオン注入によって高抵抗化されたＡｌＧａＮ不活性領域の上に形成されている。そして、保護膜３２によって覆われた共通電極１４´´（すなわちゲート電極２２）上を、空間を介して、エアブリッジ配線１２（すなわちソース電極１６）が横切っている。
【００８０】
ここで、エアブリッジ配線１２は、Ｔｉ層４０、Ｔａ層７０、ＴａＮ層７２、第１のＡｕ層４４、第２のＡｕ層４６、及び第３のＡｕ層４８が積層されて形成されている。ＴａＮの窒素含有率は５０％である。また、Ｔａ層及びＴａＮ層の厚さは、夫々１００ｎｍである。
【００８１】
尚、ソース電極１６及びドレイン電極１８を形成する共通電極１４,１４´も、ＡｌＧａＮ不活性領域の上に形成されている。
【００８２】
（２）製造手順
図１０乃至図１２は、
本実施の形態のエアブリッジを形成する工程を説明する工程断面図である。
【００８３】
次に、試作したマルチゲートトランジスタに於けるエアブリッジ配線構造の製造手順を説明する。
【００８４】
図１０、図１１、及び図１２は、エアブリッジ配線構造の製造工程を説明する断面図である。
【００８５】
まず、ＳｉＣ基板２４の上に、ＵＩＤ−ＧａＮチャネル層２６、ｎ型ＡｌＧａＮキャリア供給層２８、ＵＩＤ−ＧａＮキャップ層（図示せず）が順次積層され、更にオーミック電極３４が形成された基板５０が準備される（図１０（ａ）参照）。
【００８６】
ここで、オーミック電極３４は、ソース及びドレインとなる半導体領域の上に設けられる。また、ＵＩＤ−ＧａＮキャップ層は、チャネルとなる半導体領域以外では除去されている（従って、図１０（ａ）には図示されていない。）。そして、共通電極１４´´の形成予定領域に露出したｎ型ＡｌＧａＮキャリア供給層２８は、イオン注入によって高抵抗化され、ＡｌＧａＮ不活性領域３６となっている。
【００８７】
次に、この基板５０の上に、リフトオフ用のフォトレジスト膜５２が形成される。その後、ゲート電極となるＮｉ/Ａｕ積層膜５４が蒸着される（図１０（ｂ）参照）。最後に、リフトオフ用フォトレジスト膜５２が除去されて、ゲート電極２２が完成する。このＮｉ/Ａｕ積層膜５４は、ＵＩＤ−ＧａＮキャップ層にショットキー障壁を形成する。
【００８８】
次に、基板５０の全面に、保護膜となる厚さ５００ｎｍのＳｉＮ膜５６が堆積される（図１０（ｃ）参照）。ここで、保護膜３２の厚さとしては、５ｎｍ乃至５００ｎｍが好ましい。
【００８９】
その後、保護膜３２の形成予定領域にフォトレジスト膜５２´が形成される（図１０（ｄ）参照）。このフォトレジスト膜５２´をエッチングマスクとして、ＳｉＮ膜５６がドライエッチングによって除去されて、保護膜３２が形成される（図１１（ａ）参照）。
【００９０】
次に、ゲート電極とソース電極の交差予定位置で、保護膜３２の上にエアブリッジ形成用フォトレジスト膜（マスク）５８が形成される（図１１（ｂ）参照）。
【００９１】
次に、基板５０の上に、Ｔｉ層４０、Ｔａ層７０、ＴａＮ層７２（窒素含有率５０％）、及び第１のＡｕ層４４が順次堆積される（図１２（ａ）参照）。ここで、Ｔｉ層４０、Ｔａ層７０、ＴａＮ層７２、及び第１のＡｕ層４４の厚さは、夫々、数１０ｎｍ、１００ｎｍ、１００ｎｍ、及び５０ｎｍである。
【００９２】
尚、Ｔｉ層は、Ｔａ/ＴａＮ積層膜の密着性をよくするためのものであり、他の金属層、例えばＣｒ層と代替可能である。
【００９３】
Ｔｉ層４０、Ｔａ層７０、及び第１のＡｕ層４４は、夫々Ｔｉ、Ｔａ、及びＡｕをターゲットとしてスパッタ法によって堆積される。スパッタガスはＡｒである。一方、ＴａＮ７２は、Ｔａをターゲットとして反応性スパッタ法により堆積される。反応ガスはＮ２である。この時、堆積されるＴａＮ層が１００ｎｍと薄いので、基板５０の温度は１５０℃以上には上昇しない。従って、エアブリッジ形成用フォトレジスト膜５８が融解することはない。
【００９４】
尚、Ｔｉ層４０を形成する前に、エアブリッジ形成用フォトレジスト膜５８にＵＶキャアを施し、その断面を丸めてもよい。
【００９５】
エアブリッジ形成用フォトレジスト膜５８の断面が矩形に近いほど、Ｔｉ/Ｔａ/ＴａＮ/Ａｕスパッタ膜７６のカバレッジ（レジストの頂上に堆積した金属膜の厚さに対する、レジストの側面に堆積した金属膜の厚さの比）が小さくなる。このようなレジスト膜は、エアブリッジの形成を困難にする。しかし、エアブリッジ形成用フォトレジスト膜５８の断面を丸めておけば、エアブリッジの形成が阻害されることはない。
【００９６】
次に、第１のＡｕ層４４をシード膜とし、ソース電極及びドレイン電極の形成予定領域が開口したフォトレジスト膜（図示せず）をメッキマスクとして、Ａｕ層が電解メッキによって、第２及び第３のＡｕ層４６,４８が形成される。第２及び第３のＡｕ層４６,４８の厚さは、合計で１〜２μｍである。
【００９７】
その後、メッキマスクが除去され、各電極間に露出したスパッタ膜がミリングで除去される（図１２（ｂ））。
【００９８】
最後に、エアブリッジ形成用フォトレジスト膜５８が酸素を反応ガスとするマイクロ波アッシャーにより除去され、マルチゲートトランジスタ２が完成する（図１２（ｃ）参照）。
【００９９】
ここで、Ｔａ/ＴａＮ積層は２００ｎｍと十分に厚いので、エアブリッジ形成用フォトレジスト膜５８を除去しても、エアブリッジ配線が崩れることはない。
【０１００】
以上の手順によって、図７、図８、及び図９を参照して説明した本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタ２が完成する。
【０１０１】
ここで、本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタ２の製造方法の要部は、以下のように纏められることができる。
【０１０２】
本製造方法は、半導体素子（ＧａＮ−ＨＥＭＴ４）が形成された基板５０上に、上記半導体素子に接続され他の配線と交差する第１の配線（ゲート電極２２）の上部を、交差予定位置で覆って線状に延在するエアブリッジ形成用フォトレジスト膜５８を形成する。
【０１０３】
また、本製造方法は、上記半導体基板５０上に、チタン層４０、タンタル層７０、タンタルナイトライド層７２、第１の金層４４を順次積層して、上記フォトレジスト膜５８の上を乗り越えて上記フォトレジスト膜５８の一方の脇から他方の脇に延在し且つ上記半導体素子に電気的に接続される第２の配線（ソース電極１６）を上記他の配線として形成する。
【０１０４】
更に、本製造方法は、上記第２の配線の形成後に上記フォトレジスト膜５８を除去する。
【０１０５】
ここで、上記タンタルナイトライド層７２の成膜は、上記フォトレジスト膜５８が融解する前に終了する。
【０１０６】
（３）エレクトロマイグレーション耐性
次に、本実施の形態に従うエアブリッジ配線のエレクトロマイグレーション耐性を評価した結果を説明する。
【０１０７】
上述の熱劣化加速試験と同様の方法によってエレクトロマイグレーション耐性を評価した。
【０１０８】
評価に用いた評価試料は、Ｔｉ/Ａｌ積層膜の上に、Ｔｉ層（厚さ数１０ｎｍ）、Ｔａ層（厚さ１００ｎｍ）、ＴａＮ層（厚さ１００ｎｍ、窒素含有率５０％）、及びＡｕ層（厚さ５０ｎｍ〜３００ｎｍ）を順次積層したものである。Ｔｉ層、Ｔａ層、ＴａＮ層、及びＡｕ層の成膜方法は、上述の成膜方法と同じである。一方、加熱温度は、４５０℃である。
【０１０９】
図１３は、本実施の形態に従う熱劣化加速試験の結果を説明する図である。比較のため、図１３には、Ｔｉ／ＴａＮ／Ａｕ及びＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの結果（図３参照）と、本実施の形態に従う熱劣化加速試験の結果の双方が記載されている。
【０１１０】
「Ｔａ/ＴａＮ」と表示された破線は、Ｔｉ/Ａｌ積層膜とＡｕ層の間にＴｉ/Ｔａ/ＴａＮ積層膜が形成された上記評価試料の反応時間（６分）を表している（Ｔａ層及びＴａＮ層の厚さは、夫々１００ｎｍ）。
【０１１１】
一方、「ＴａＮ」と表示された曲線は、Ｔｉ/Ａｌ積層膜とＡｕ層の間に、Ｔｉ/ＴａxＮ1-x積層膜（０≦Ｘ＜１）が形成された試料の反応時間を表している（但し、ＴａxＮ1-x層の厚さは２００ｎｍ）。
【０１１２】
また、「ＴａＮ(ｔ＝２００ｎｍ)」と表示された破線は、Ｔｉ/Ａｌ積層膜とＡｕ層の間に、Ｔｉ層（厚さ数１０ｎｍ）の上に厚さが２００ｎｍで窒素含有率が５０％のＴａＮ層が積層されたＴｉ/ＴａＮ積層膜によって形成された試料の反応時間（４分）を表している。
【０１１３】
一方、「Ｐｔ」と表示された破線は、Ａｌ層とＡｕ層の間にＴｉ/Ｐｔ積層膜が形成された試料の反応時間（２分）を表している（Ｐｔ層の厚さは、２００ｎｍ）。
【０１１４】
ここで、Ｔｉ層は、Ｔｉ/Ｔａ/ＴａＮ積層膜、Ｔｉ/ＴａＮ積層膜、及びＴｉ/Ｐｔ積層膜の何れにも形成されているので、反応時間の違いを生じさせるものではない。従って、各積層膜のエレクトロマイグレーション耐性の違いに寄与する金属層は、Ｔａ/ＴａＮ積層膜、ＴａＮ層、及びＴｉ/Ｐｔ層である。
【０１１５】
図１３から明らかなように、Ｔｉ/Ｔａ/ＴａＮ積層膜が形成された試料の反応時間は、Ｔｉ/Ｐｔ積層膜が形成された試料の３倍に達し、しかもＴｉ/ＴａＮ（厚さ２００ｎｍ）が形成された試料の１．５倍である。
【０１１６】
この事実は、Ｔａ/ＴａＮ積層膜のエレクトロマイグレーション耐性が、ＴａＮ層（厚さ２００ｎｍ）を超え、従来のＰｔ層より格段に高いことを示している。
【０１１７】
尚、図１３には、Ｔｉ層に厚さ１００ｎｍのＴａＮ層を積層したＴｉ/ＴａＮ積層膜に対して熱劣化加速試験を実施した結果も、「ＴａＮ（ｔ＝１００ｎｍ）」と付した破線で示されている。図１３に示されているように、１００ｎｍのＴａＮの形成された試料の反応時間は１分であり、Ｐｔ層（厚さ２００ｎｍ）の形成された試料の半分でしかない。
【０１１８】
上述したように、Ｔａ/ＴａＮ積層膜のエレクトロマイグレーション耐性は、同じ膜厚のＴａＮ層のエレクトロマイグレーション耐性を超えている。その理由は、ＴａＮ層をＴａ層の上に成長するとＴａＮ層の層構造（組織）が変化し、ＴａＮ層が緻密化するためと推定される。例えば、Ｔａ層の上にＴａＮ層を成長すると大小の結晶粒が混在して成長し、大きなＴａＮの結晶粒の間を小さな結晶粒が埋めて、ＴａＮ層が緻密化されると考えられる。
【０１１９】
（４）動 作
最後に、本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタ２の動作について以下説明する。
【０１２０】
動作の前提として、各電極は次のように接続される。まず、マルチゲートトランジスタ２のソース電極１６は、接地面に電気的に接続される。一方、ドレイン電極１８は、負荷抵抗を介して電源に電気的に接続される。この状態で、ゲート電極２２に信号が入力される。
【０１２１】
ゲート電極２２に入力された信号電圧は、各ＧａＮ−ＨＥＭＴ４のゲート２０に供給され、相互コンダクタンスに従って、各ＧａＮ−ＨＥＭＴ４のドレイン電流を変化させる。ドレイン電流は、（ドレイン電極１８を形成する）共通電極１４´によって合流された後、負荷に供給される（本実施の形態のＧａＮ―ＨＥＭＴは、ｎチャネル電界効果トランジスタである。従って、電流は負荷からドレインに向かって流れる。従って、正確には、「ドレイン電流」ではなく、ドレインから流出した電子流が合流され負荷に供給される。）。
【０１２２】
ここで、ドレイン電流は共通電極１４´によって束ねられるので、負荷に流れる電流は、マルチゲートトランジスタ２を形成するＧａＮ−ＨＥＭＴ４の個数分だけ大きくなる。
【０１２３】
この時、各ＧａＮ−ＨＥＭＴ４のソース電流は、エアブリッジ配線１２を経由して共通電極１４で束ねられた後、接地面に放出される。従って、エアブリッジ配線１２に流れる電流も、ゲートに印加される信号電圧に従って変化する。そして、エアブリッジ配線１２に流れる電流の平均値は１×１０５Ａ/ｃｍ２を超える。
【０１２４】
しかし、本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタ２では、エアブリッジ配線１２は、エレクトロマイグレーション耐性の高いＴａ/ＴａＮ積層膜７４によって支持されている。このため、エアブリッジ配線１２が断線する虞はない。
【０１２５】
ところで、各ＧａＮ−ＨＥＭＴのソース６にも大電流が流れる。この際、ソース電極１６の電極１０´を形成するＡｕ層がエレクトロマイグレーションして、ソース６に設けられたＴｉ／Ａｌオーミック電極３４と反応する虞がある。しかし、上記製造手順から明らかなように、電極１０´を形成するＡｕ層（第１〜第３のＡｕ層４４,４６,４８）は、エレクトロマイグレーション耐性の高いＴａ/ＴａＮ積層膜７４によって、Ｔｉ／Ａｌオーミック電極３４と分離されている。従って、両者が反応する虞はない。
【０１２６】
また、Ｔａ/ＴａＮ積層膜４２の抵抗値は、同じ厚さのＴａＮ層の抵抗値の約６割しかない。
【０１２７】
ところで、ゲート電極２２に入力された信号電圧は、ゲート電極２２（第１の配線）を伝播する。このゲート電極２２は、エアブリッジ配線１２と交差している。しかし、両者は空間３８によって分離されているので、寄生容量による両者の間のクロストークは小さい。この点は、後述する他の実施の形態にも共通する。
【０１２８】
このように寄生容量が小さいので、本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタは、例えば、数ＧＨｚで動作する。
【０１２９】
（実施の形態２）
本実施の形態は、実施の形態１の半導体装置において、エアブリッジ配線１２を形成するＴａ/ＴａＮ層をＴａ/Ｔｉ/ＴａＮ（窒素含有率５０％）積層膜で代替した半導体装置およびその製造方法に関する。
【０１３０】
（１）構 成
本実施の形態に従う半導体装置の構成は、（エアブリッジ配線１２を含む）ソース電極１６及びドレイン電極１８の構造を除き、実施の形態１の半導体装置と同じである。
【０１３１】
ソース電極１６およびドレイン電極１８は、実施の形態１と同様に、同時に形成される。従って、ソース電極１６とドレイン電極１８は同一の積層構造を有している。そこで、ソース電極１６の一部を形成するエアブリッジ配線１２に着目して、本実施の形態に従う半導体装置（マルチゲートトランジスタ）の構成を以下に説明する。
【０１３２】
図１４は、本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタを形成するエアブリッジ配線１２の断面を説明する図である。
【０１３３】
本実施の形態のエアブリッジ配線では、実施の形態１に於いてエアブリッジ配線１２を形成しているＴａ/ＴａＮ層７４が、Ｔａ/Ｔｉ/ＴａＮ積層膜８０によって代替されている（図９及び図１４参照）。ここで、Ｔａ/Ｔｉ/ＴａＮ積層膜８０は、Ｔａ層７０、Ｔｉ層７８と、ＴａＮ層７２が順次積層されて形成されている。
【０１３４】
また、Ｔａ層７０、Ｔｉ層７８、及びＴａＮ層７２の厚さは、夫々、１００ｎｍ、１０ｎｍ、及び１００ｎｍである。その他の金属層の厚さは、実施の形態１に従うマルチゲートトランジスタの対応する金属層と同じである。尚、ＴａＮ層の窒素含有率は、５０％としている。
【０１３５】
すなわち、本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタでは、実施の形態１に従うマルチゲートトランジスタにおいて、エアブリッジ配線を形成するＴａ（タンタル）層７０とＴａＮ（タンタルナイトライド）層７２の間に、他のＴｉ（チタン）層７８が介在している。
【０１３６】
（２）製造手順
本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタの製造手順は、実施の形態１に於けるマルチゲートトランジスタの製造手順と略同じである。以下異なる製造手順について説明する。
【０１３７】
本実施の形態では、Ｔｉ/Ｔａ/ＴａＮ/Ａｕスパッタ膜ではなくＴｉ/Ｔａ/Ｔｉ/ＴａＮ/Ａｕスパッタ膜８２が形成される点を除き、実施の形態１と同じである。ここで、Ｔａ層とＴａＮ層の間に介在するＴｉ層７８は、Ｔｉをターゲットするスパッタ法によって形成される。スパッタガスはＡｒである。
【０１３８】
すなわち、本実施の形態に従う半導体装置の製造方法では、実施の形態１で説明した製造方法おいて、Ｔａ（タンタル）層の上に他のＴｉ（チタン）層を積層してから、ＴａＮ（タンタルナイトライド）層が積層される。
【０１３９】
（３）エレクトロマイグレーション耐性
次に、Ｔａ/Ｔｉ/ＴａＮ積層膜８０のエレクトロマイグレーション耐性が熱劣化加速試験によって評価された結果が説明される。評価に用いた試料は、Ｔｉ/Ａｌ積層膜の上に、上記Ｔｉ/Ｔａ/Ｔｉ/ＴａＮ/Ａｕスパッタ膜８０が積層されたものである。但し、Ａｕ層の厚さは５０〜３００ｎｍである。
【０１４０】
図１５は、本実施の形態に従うＴａ/Ｔｉ/ＴａＮ積層膜８０に対して実施された熱劣化加速試験の結果を説明する図である。比較のため、図１５には、図３及び図１３で説明した熱劣化加速試験の結果も記載する。
【０１４１】
「Ｔａ/Ｔｉ/ＴａＮ」と表示された破線は、本実施の形態に従うＴａ/Ｔｉ/ＴａＮ積層膜８０が形成された試料の反応時間（８分）を表している。図１５から明らかなように、Ｔａ/Ｔｉ/ＴａＮ積層膜８０が形成された試料の反応時間は、Ｐｔ層が形成された試料の４倍、実施の形態１に従うＴａ/ＴａＮ積層膜７４が形成された試料の１．３倍である。
【０１４２】
この事実は、Ｔａ/Ｔｉ/ＴａＮ積層膜８０のエレクトロマイグレーション耐性は、実施の形態１に従うＴａ/ＴａＮ積層膜７４を超え、従来のＰｔ層より格段に高いことを示している。
【０１４３】
このように、Ｔａ/Ｔｉ/ＴａＮ積層膜８０のエレクトロマイグレーション耐性が、実施の形態１に従うＴａ/ＴａＮ積層膜より更に高くなった理由は、Ｔａ層とＴａＮ層の間にＴｉ層を介在させることによって、ＴａＮ層の緻密化が促進されたためと考えられる。
【０１４４】
尚、本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタの動作は、エアブリッジ配線のエレクトロマイグレーション耐性がより高くなっている点を除けば、実施の形態１に従うマルチゲートトランジスタと同じである。
【０１４５】
（実施の形態３）
本実施の形態は、実施の形態１の半導体装置において、ソース電極を覆う保護膜がエアブリッジ配線の下側で除去された半導体装置およびその製造方法に関する。
【０１４６】
（１）構 成
図１６は、本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタ８４の斜視図である。図１７は、図１６のＢ−Ｂ線に於ける断面を矢印の方向から見た図である。
【０１４７】
図１６に示すように、本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタ８４は、ゲート電極２２を形成する共通電極１４´´が保護膜３２で覆われていない点で、実施の形態１に従うマルチゲートトランジスタ２と相違する。尚、共通電極１４´´は、ゲート電極２２のうち、エアブリッジ配線１２の下側に配置された部分である。
【０１４８】
共通電極１４´´以外の構成は、実施の形態１のマルチゲートトランジスタ２と同じである。従って、共通電極１４´´に関する構成以外の説明は省略される。
【０１４９】
実施の形態１に従うマルチゲートトランジスタ２では、図９に示すように、エアブリッジ配線１２の下側でも、共通電極１４´´は保護膜３２によって覆われている。従って、エアブリッジ配線１２と共通電極１４´´の間に、ＳｉＮ等の誘電体膜が存在する領域が発生することになる。この誘電体膜の存在によって、エアブリッジ配線１２を含むソース電極１６と、共通電極１４´´を含むゲート電極２２間の寄生容量が大きくなる。
【０１５０】
そこで、本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタ８４では、図１６に示すように、エアブリッジ配線１２の下側でソース電極１６を覆う保護膜３２が除去されて、寄生容量の最小化が図られている。すなわち、図１７のように、第１の配線（共通電極１４´´を含むゲート電極２２）が第２の配線（エアブリッジ配線１２を含むソース電極１６）によって横切られる領域で、保護膜（ＳｉＮ膜）が取り除かれている。
【０１５１】
このため、本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタ８４は、ゲート電極２２とソース電極１６間の信号干渉が小さくなる。故に、本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタ８４は、実施の形態１のマルチゲートトランジスタ２より高速で動作することができる。
【０１５２】
保護膜３２は、ゲート電極２２を不純物の汚染から保護して、出力信号（ドレイン電流波形）の劣化を防止するためのものである。
【０１５３】
しかし、出力信号の劣化を防止するためには、ゲート２０を形成するＮｉ/Ａｕ電極１０´´が保護膜３２で覆われていれば十分である。従って、本実施の形態のように共通電極１４´´を覆う保護膜３２が除去されても、出力信号が劣化することはない。
【０１５４】
尚、実施の形態１に従うマルチゲートトランジスタ８４では、保護膜３２はＮｉ/Ａｕ共通電極１４´´を覆い、共通電極１４´´を形成するＮｉ層の酸化防止に役立っている。
【０１５５】
尚、エアブリッジ配線１２を形成するＴａ/ＴａＮ層を、実施の形態２で説明したように、Ｔａ/Ｔｉ/ＴａＮ積層膜で代替しても良い。
【０１５６】
（２）製造手順
図１８は、本実施の形態の保護膜３２乃至エアブリッジ配線１２を形成する製造手順を説明する工程断面図である。ここで、図１８は、製造手順の進行に合わせて、図１６のＢ−Ｂ線に於ける断面を矢印の方向から見た図である。
【０１５７】
以下に説明する通り、本実施の形態の製造手順は、保護膜の形成及びエアブリッジ用フォトレジスト膜（マスク）の形成を除き、実施の形態１の製造手順と同じである。
【０１５８】
まず、マルチゲートトランジスタ２を形成する複数のＧａＮ−ＨＥＭＴ４（オーミック電極を含む）が形成された基板５０を準備する。
【０１５９】
次に、Ｎｉ/Ａｕゲート電極２２を形成する。
【０１６０】
これらのステップは、対応する実施の形態１と同じである。従って、詳しい説明は省略する。
【０１６１】
まず、ゲート電極２２の形成されたＳｉＣ基板２４の全面に、保護膜３２となる厚さ５００ｎｍのＳｉＮ膜を堆積する。ここで、ＳｉＮ膜の厚さとしては、５ｎｍ乃至５００ｎｍが好ましい。
【０１６２】
その後、保護膜の形成予定領域にフォトレジスト膜を形成する。ここで、本実施の形態では、実施の形態１とは異なり、共通電極１４´´はフォトレジスト膜によって覆われない。
【０１６３】
このフォトレジスト膜をエッチングマスクとして、ＳｉＮ膜がドライエッチングによって除去されて、保護膜３２が形成される（図１６参照）。
【０１６４】
従って、ゲート電極２２（第１の配線）がソース電極１６（第２の配線）によって横切られる領域（交差予定位置）、すなわちエアブリッジ配線１２の形成予定領域の下側では、保護膜（ＳｉＮ膜）が取り除かれる（図１８（ａ）参照）。
【０１６５】
次に、基板２４の上に、共通電極１４´´の上部及び側面を覆って線状に延在するエアブリッジ形成用フォトレジスト膜５８を形成する（図１８（ｂ）参照）。
【０１６６】
次に、図１８（ｃ）に示すように、エアブリッジ形成用フォトレジスト膜５８が形成された基板２４の上に、Ｔｉ/Ｔａ/ＴａＮ（窒素含有率５０％）/Ａｕスパッタ膜７６を形成する。
【０１６７】
次に、Ｔｉ/Ｔａ/ＴａＮ/Ａｕスパッタ膜７６の上に、メッキ法によって第２及び第３のＡｕ層４６,４８を形成する。
【０１６８】
次いで、図１８（ｄ）に示すように、エアブリッジ形成用フォトレジスト膜５８を除去し、マルチゲートトランジスタ８４が完成する。
【０１６９】
（３）動作
本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタ８４の動作は、実施の形態１のマルチゲートトランジスタ２と略同じである。但し、本実施の形態に従うマルチゲートトランジスタ８４は、ソース電極１６とゲート電極２２間の寄生容量が小さいので、実施の形態１に従うマルチゲートトランジスタより高周波で動作する。
【０１７０】
（実施の形態４）
本実施の形態は、実施の形態１〜３に従うマルチゲートトランジスタを具備する高周波増幅器に関する。
【０１７１】
図１９（は、本実施の形態に従う高周波増幅器の回路図である。
【０１７２】
本実施の形態に従う高周波増幅器８６は、実施の形態１〜３の何れかに従うマルチゲートトランジスタ２´を有している。
【０１７３】
また、本実施の形態に従う高周波増幅器８６は、電気信号が入力される第１の端子（入力端子８８）と、増幅された電気信号が出力される第２の端子（出力端子９０）を有している。
【０１７４】
また、本実施の形態に従う高周波増幅器８６は、第１の端子（入力端子８８）から前記第１の配線（ゲート電極２２）に至る、電気信号が伝播する第１の経路９２を具備している。
【０１７５】
更に、本実施の形態に従う高周波増幅器８６は、ドレイン８に電気的に接続された第３の配線（ドレイン電極１８）から第２の端子（出力端子９０）に至る、電気信号が伝播する第２の経路９４を具備する。
【０１７６】
ここで、第１及び第２の経路９２には、第１及び第２のコンデンサ９７,９９が配置されている。従って、第１及び第２の経路９２,９４には、高周波信号のみが伝播する。
【０１７７】
また、本実施の形態に従う高周波増幅器８６は、電源電圧に接続される第３の端子（電源端子９６）を有している。そして、電源端子９６は、第１の抵抗９８を介して、第２の配線（ドレイン電極１８）に接続されている。
【０１７８】
また、電源端子９６は、第２の抵抗１００を介して、第１のコンデンサ９７と第１の配線（ゲート電極２２）の間に設けられた接続点に接続されている。更に、この接続点は、第３の抵抗１０２を介して接地面に接続されている。ここで、第２及び第３の抵抗１００,１０２は、マルチゲートトランジスタ２´のバイアス点を設定する。
【０１７９】
一方、ソース電極１６は、第４の抵抗１０４と第３のコンデンサ１０６が並列に接続された回路を介して、接地面に接続されている。
【０１８０】
ここで、マルチゲートトランジスタ２´は所定のパッケージに搭載され、第１〜第４の抵抗及び第１〜第３のコンデンサと共に、プリント基板上に配置される。
【０１８１】
以上のように形成された高周波増幅８６は、以下のように動作する。電気信号が第１の端子８８に入力されると、第１の経路９２を伝播し、マルチゲートトランジスタ２´のゲート電極に到達する。マルチゲートトランジスタ２´は、上記各実施の形態で説明したように動作して、入力した電気信号を増幅する。増幅された電気信号は、第２の経路９４を伝播して、第２の端子９０から出力される。
【０１８２】
本実施の形態に従う高周波増幅器８６は、実施の形態１〜３に従うマルチゲートトランジスタ２´を備えているので、大電流動作で動作させてもエアブリッジ配線が断線することはない。
【０１８３】
尚、図１９を参照して説明した回路は、実施の形態１〜３に従うマルチゲートトランジスタを利用した高周波増幅器の一例に過ぎない。
【０１８４】
（実施の形態５）
本実施の形態は、実施の形態４に従う高周波増幅器を備えた送信機に関する。
【０１８５】
図２０（は、本実施の形態に従う送信機１０８のブロック図である。
【０１８６】
本実施の形態に従う無線送信機１０８は、図２０に示すように、電気信号が入力される入力端子１１６と、アンテナ１１２が接続される出力端子１１４と、実施の形態５に従う高周波増幅器８６を備えている。更に、本実施の形態に従う無線送信機１０８は、入力信号に従って変調された高周波信号を生成し出力する高周波信号発生ユニット１１０（例えば、電圧制御発信器（voltage controlled oscillator; VCO））を具備している。
【０１８７】
そして、本実施の形態に従う無線送信機１０８は、入力端子１１６が、高周波信号発生ユニット１１０の入力端子に接続されている。また、高周波信号発生ユニット１１０の出力端子が、高周波増幅器８６の第１の端子（入力端子８８）に接続され、出力端子１１４が、高周波増幅器８６の第２の端子（出力端子９０）に接続されている。
【０１８８】
この送信機１０８は、以下のように動作する。入力端子１１６から入力された電気信号は、高周波信号発生ユニット１１０に供給される。高周波発生ユニット１１０は、入力された電気信号によって変調された高周波信号を発生し、高周波増幅器８６に供給する。高周波増幅器８６は供給された高周波信号を増幅して、出力端子１１４に接続されたアンテナ１１２に供給する。
【０１８９】
ここで、送信機１０８は、実施の形態５に従う高周波増幅器８６を備えているので、大電力信号をアンテナに供給することができる。
【０１９０】
本実施の形態に従う送信機は、例えば携帯電話システムの基地局に使用される。
【０１９１】
（変形例）
上記各実施の形態では、ＴａＮ層の窒素含有率は５０％を例に説明した。しかし、ＴａＮ層の窒素含有率は、この値に限られない。ＴａＮ層の窒素含有率は、好ましくは、４８％より大きく５２％以下であればよく、更に好ましくは４９％以上５１％以下であればよい。
【０１９２】
図１５から明らかなように、窒素含有率が４８％より大きければ、Ｔａ/ＴａxＮ1-x積層膜（又は、Ｔａ/Ｔｉ/ＴａxＮ1-x積層膜）のエレクトロマイグレーション耐性が従来のＰｔ層より高くなる。従って、ＴａＮの窒素含有率は、４８％より大きいことが好ましい。一方、窒素含有率が高くなるに従いＴａＮの成膜が困難になり、窒素含有率５２％以上のＴａＮ膜の成膜は極めて困難になる。従って、ＴａＮの窒素含有率は、５２％以下が好ましい。
【０１９３】
上記各実施の形態では、保護膜は窒化珪素で形成されている。しかし、保護膜として使用可能な絶縁膜は窒化珪素（ＳｉＮ）膜に限られない。例えば、保護膜は二酸化珪素（ＳｉＯ２）膜によって形成されてもよい。
【０１９４】
上記各実施の形態では、エアブリッジ配線はソース電極に設けられている。しかし、ドレイン電極がゲート電極と交差する場合には、エアブリッジ配線はドレイン電極に設けることが好ましい。すなわち、上記第２の配線は、電界効果トランジスタのソースでなく、ドレインに接続されていてもよい。また、本実施の形態のエアブリッジ配線は、ソース電極及びドレイン電極以外の配線に形成されてもよい。
【０１９５】
上記各実施の形態では、ＧａＮ−ＨＥＭＴによってマルチゲートトランジスタが形成されている。しかし、他の電界効果トランジスタ（例えば、半絶縁性ＩｎＰを基板とし、ＩｎＧａＡｓ製のチャネル層と、ＳｉがドーピングされたＩｎＡｌＡｓ製のバリア層を具備するＩｎＰ−ＨＥＭＴ）によって、マルチゲートトランジスタが形成されてもよい。
【０１９６】
更に、上記各実施の形態で説明されたエアブリッジ配線は、マルチゲートトランジスタ以外の半導体装置、例えば、複数のゲートを備えた電界効果トランジスタ（特許文献１）にも適用できる。
【０１９７】
また、上記各実施の形態に従う半導体装置を形成する半導体素子は、電界効果トランジスタである。しかし、上記半導体素子は、電界効果トランジスタ以外の他の半導体素子、例えばバイポーラトランジスタであってもよい。上記半導体素子としてバイポーラトランジスタが使用される場合には、例えば、第１の配線はベースに接続され、第２の配線はエミッタ又はコレクタに接続される。
【０１９８】
更に、上記各実施の形態では、ゲート電極はＮｉ/Ａｕ積層膜によって形成されたが、他の積層膜によって形成されてもよい。また、上記各実施の形態では、絶縁膜がドライエッチングによってエッチングされて保護膜に加工されるが、ウエットエッチングやイオンミリング等他のエッチング法でエッチングされてもよい。
【０１９９】
以上の実施の形態をまとめると、次の付記のとおりである。
【０２００】
（付記１）
第１の配線と、
前記第１の配線と交差する方向に延在し、前記第１の配線と空間を介して配置され、タンタル層、該タンタル層上に形成されたタンタルナイトライド層、該タンタルナイトライド層上に形成された金属層を含む第２の配線と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【０２０１】
（付記２）
付記１に記載の半導体装置において、
前記タンタルナイトライド層の窒素含有率は、４８％より大きく５２％以下であることを、
特徴とする半導体装置。
【０２０２】
（付記３）
付記１又は付記２に記載の半導体装置において、
前記タンタル層とタンタルナイトライド層の間に、チタン層が形成されていることを、
特徴とする半導体装置。
【０２０３】
（付記４）
付記１〜付記３の何れか１項に記載の半導体装置において、
更に半導体素子を有し、前記第１の配線及び前記第２の配線は、半導体素子に接続され、
前記半導体素子へ入力される信号は、前記第１の配線を伝播することを、
特徴とする半導体装置。
【０２０４】
（付記５）
付記４に記載の半導体装置において、
更に、前記第１の配線を覆う保護膜を有することを
特徴とする半導体装置。
【０２０５】
（付記６）
付記５に記載の半導体装置において、
前記第１の配線が前記第２の配線と交差する領域では、前記保護膜が取り除かれていることを、
特徴とする半導体装置。
【０２０６】
（付記７）
付記５又は６に記載の半導体装置において、
前記保護膜が、窒化珪素膜又は二酸化珪素膜であることを、
特徴とする半導体装置。
【０２０７】
（付記８）
付記４乃至７の何れか１項に記載の半導体装置において、
前記半導体素子が、複数の電界効果トランジスタであって、
前記複数の電界効果トランジスタ夫々のソース、ゲート、及びドレインの夫々は、同じ方向に延在し、、
前記複数の電界効果トランジスタの各々は、隣接する前記複数の電界効果トランジスタと、前記ソース及び前記ドレインの少なくても一方を共有し、
前記第１の配線が、前記ゲートに電気的に接続され、
前記第２の配線が、前記ソース及び前記ドレインの何れか一方に電気的に接続されていることを、
特徴とする半導体装置。
【０２０８】
（付記９）
付記８に記載の半導体装置において、
前記電界効果トランジスタが、
窒化ガリウムをチャネル層とすることを特徴とする半導体装置。
【０２０９】
（付記１０）
第１の配線と、
前記第１の配線と交差する方向に延在し、前記第１の配線と空間を介して配置され、タンタル層、該タンタル層上に形成されたタンタルナイトライド層、該タンタルナイトライド層上に形成された金属層を含む第２の配線と、
前記第１及び第２の配線が接続された複数の電界効果トランジスタを有し、
前記複数の電界効果トランジスタ夫々のソース、ゲート、及びドレインの夫々は、同じ方向に延在し、
前記複数の電界効果トランジスタの各々は、隣接する前記複数の電界効果トランジスタと、前記ソース及び前記ドレインの少なくても一方を共有し、
前記第１の配線が、前記ゲートに電気的に接続され、
前記第２の配線が、前記ソースに電気的に接続され、
第３の配線が、前記ドレインに電気的に接続されている半導体装置を具備し、
更に、前記第１の配線に電気的に接続され、電気信号が入力される第１の端子と、
前記第３の配線に電気的に接続され、増幅された前記電気信号が出力される第２の端子とを具備する高周波増幅器。
【０２１０】
（付記１１）
第１の配線と、
前記第１の配線と交差する方向に延在し、前記第１の配線と空間を介して配置され、タンタル層、該タンタル層上に形成されたタンタルナイトライド層、該タンタルナイトライド層上に形成された金属層を含む第２の配線と、
前記第１及び第２の配線が接続された複数の電界効果トランジスタを有し、
前記複数の電界効果トランジスタ夫々のソース、ゲート、及びドレインの夫々は、同じ方向に延在し、
前記複数の電界効果トランジスタの各々は、隣接する前記複数の電界効果トランジスタと、前記ソース及び前記ドレインの少なくても一方を共有し、
前記第１の配線が、前記ゲートに電気的に接続され、
前記第２の配線が、前記ソースに電気的に接続され、
第３の配線が、前記ドレインに電気的に接続されている半導体装置を具備し、
更に、前記第１の配線に電気的に接続され、電気信号が入力される第１の端子と、
前記第３の配線に電気的に接続された、増幅された前記電気信号が出力される第２の端子とを具備する高周波増幅器を備えた無線送信機であって、
電気信号が入力される入力端子と、
アンテナが接続される出力端子と、
入力信号に従って変調された高周波信号を生成し出力する高周波信号発生ユニットとを具備し、
前記入力端子が、前記高周波信号発生ユニットの入力端子に接続され、
前記高周波信号発生ユニットの出力端子が、前記第１の端子に接続され、
前記出力端子が前記第２の端子に接続されている、
無線送信機。
【０２１１】
（付記１２）
半導体基板上方に第１の配線を形成する工程と、
前記第１の配線上方にマスクを形成する工程と、
前記マスク上に、タンタル層、タンタルナイトライド層、及び金属層を順次積層して、前記第１の配線に交差する方向に延在する第２の配線を形成する工程と、
前記第２の配線の形成後に前記マスクを除去する工程を具備し、
前記タンタルナイトライド層は、前記マスクが融解する前に成膜が終了することを特徴とする
半導体装置の製造方法。
【０２１２】
（付記１３）
付記１２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記タンタルナイトライド層の窒素含有率が、４８％より大きく５２％以下であることを、
特徴とする半導体装置の製造方法。
【０２１３】
（付記１４）
付記１２又は付記１３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記タンタル層の上にチタン層を積層してから、前記タンタルナイトライド層を積層することを、
特徴とする半導体装置の製造方法。
【０２１４】
（付記１５）
付記１２乃至付記１４の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記タンタル層が、タンタルをターゲットとするスパッタ法で形成され、
前記タンタルナイトライド層が、タンタルをターゲットとする反応性スパッタ法で形成されることを、
特徴とする半導体装置の製造方法。
【０２１５】
（付記１６）
付記１２乃至付記１５の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記タンタル層が、タンタルをターゲットとするスパッタ法で形成され、
前記タンタルナイトライド層が、タンタルをターゲットとし窒素を反応性ガスとする反応性スパッタ法で形成され、
前記金属層が、
金をターゲットとするスパッタ法で、第１の金層が形成され、
その後、メッキ法によって第２の金層が積層されて形成されることを、
特徴とする半導体装置の製造方法。
【０２１６】
（付記１７）
付記１２乃至１６の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体装置が、前記第１の配線及び前記第２の配線に接続された半導体素子を有し、
前記第１の配線は、前記半導体素子へ入力される信号が伝播する配線であることを、
特徴とする半導体装置の製造方法。
【０２１７】
（付記１８）
付記１２乃至１７の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記マスクを形成する前に、
前記第１の配線を、保護膜で覆うことを、
特徴とする半導体装置の製造方法。
【０２１８】
（付記１９）
付記１８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記マスクを形成する前に、
前記第２の配線下方の前記保護膜を取り除くことを、
特徴とする半導体装置の製造方法。
【０２１９】
（付記２０）
付記１８又は１９に記載の半導体装置の製造方法において、
前記保護膜が、窒化珪素膜又は二酸化珪素であることを、
特徴とする半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０２２０】
【図１】Ｔｉ/ＴａＮ/Ａｕエアブリッジ配線の左端を拡大した図である。
【図２】図１中の円で囲った領域Ａを拡大した図である。
【図３】ＴａＮの窒素含有率と反応時間の関係を説明する図である。
【図４】ＴｉＴａＮ/Ａｕエアブリッジ配線の製造工程を説明する断面図である（その１）。
【図５】Ｔｉ/ＴａＮ/Ａｕエアブリッジ配線の製造工程を説明する断面図である（その２）。
【図６】Ｔｉ/ＴａＮ/Ａｕエアブリッジ配線の製造工程を説明する断面図である（その３）。
【図７】実施の形態１によるマルチゲートトランジスタの構成を説明する斜視図である。
【図８】図７のＡ−Ａ線に於ける断面を説明する図である。
【図９】図７のＢ−Ｂ線に於ける断面を説明する図である。
【図１０】実施の形態１によるエアブリッジ配線構造の製造工程を説明する断面図である（その１）。
【図１１】実施の形態１によるエアブリッジ配線構造の製造工程を説明する断面図である（その２）。
【図１２】実施の形態１によるエアブリッジ配線構造の製造工程を説明する断面図である（その３）。
【図１３】実施の形態１に従うＴａ/ＴａＮ積層膜に対して実施された熱劣化加速試験の結果を説明する図である。
【図１４】実施の形態２に従うマルチゲートトランジスタを形成するエアブリッジ配線の断面を説明する図である。
【図１５】実施の形態２に従うＴａ/Ｔｉ/ＴａＮ積層膜に対して実施された熱劣化加速試験の結果を説明する図である.
【図１６】実施の形態３に従うマルチゲートトランジスタの斜視図である。
【図１７】図１６のＢ−Ｂ線に於ける断面を矢印の方向から見た図である。
【図１８】実施の形態３に従うマルチゲートトランジスタの製造手順を説明する工程断面図である。
【図１９】実施の形態４に従う高周波増幅器の回路図である。
【図２０】実施の形態５に従う送信機のブロック図である。
【符号の説明】
【０２２１】
２・・・マルチゲートトランジスタ ４・・・ＧａＮ−ＨＥＭＴ
６・・・ソース ８・・・ドレイン
１０,１０´,１０´´・・・電極 １２・・・エアブリッジ配線
１４,１４´,１４´´・・・共通電極
１６・・・ソース電極 １８・・・ドレイン電極
２０・・・ゲート ２２・・・ゲート電極
２４・・・ＳｉＣ基板 ２６・・・ＵＩＤ−ＧａＮチャネル層
２８・・・ｎ型ＡｌＧａＮキャリア供給層 ３０・・・ＵＩＤ−ＧａＮキャップ層
３２・・・保護膜 ３４・・・オーミック電極
３６・・・ＡｌＧａＮ不活性領域 ３８・・・空間
４０・・・Ｔｉ層 ４２・・・ＴａＮ層
４４・・・第１のＡｕ層 ４６・・・第２のＡｕ層
４８・・・第３のＡｕ層 ５０・・・基板
５２・・・リフトオフ用フォトレジスト膜 ５４・・・Ｎｉ/Ａｕ積層膜
５６・・・ＳｉＮ膜 ５８・・・エアブリッジ形成用フォトレジスト膜
６０・・・電子流れ ６２・・・内壁 ６４・・・Ａｕ原子
６６・・・結晶粒界
６８・・・Ｔｉ/Ｐｔ/Ａｕスパッタ膜（又は、Ｔｉ/ＴａＮ/Ａｕスパッタ膜）
７０・・・Ｔａ層 ７２・・・ＴａＮ層 ７４・・・Ｔａ/ＴａＮ積層膜
７６・・・Ｔｉ/Ｔａ/ＴａＮ/Ａｕスパッタ膜 ７８・・・他のＴｉ層
８０・・・Ｔａ/Ｔｉ/ＴａＮ積層膜
８２・・・Ｔｉ/Ｔａ/Ｔｉ/ＴａＮ/Ａｕスパッタ膜
８４・・・マルチゲートトランジスタ（実施の形態３）
８６・・・高周波増幅器 ８８・・・入力端子
９０・・・出力端子 ９２・・・第１の経路
９４・・・ドレイン電極 ９６・・・電源端子
９７・・・第１のコンデンサ ９８・・・第1の抵抗
９９・・・第２のコンデンサ １００・・・第２の抵抗
１０２・・第３の抵抗 １０４・・・第４の抵抗
１０６・・・第３のコンデンサ １０８・・・無線送信機
１１０・・・高周波信号発生ユニット １１２・・・アンテナ
１１４・・・出力端子 １１６・・・入力端子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線と、
前記第１の配線と交差する方向に延在し、前記第１の配線と空間を介して配置され、タンタル層、該タンタル層上に形成されたタンタルナイトライド層、該タンタルナイトライド層上に形成された金属層を含む第２の配線と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記タンタルナイトライド層の窒素含有率は、４８％より大きく５２％以下であることを、
特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体装置において、
前記タンタル層とタンタルナイトライド層の間に、チタン層が形成されていることを、
特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか１項に記載の半導体装置において、
半導体素子と前記第１の配線を覆う保護膜を有し、
前記第１の配線及び前記第２の配線は、半導体素子に接続され、
前記半導体素子へ入力される信号は、前記第１の配線を伝播し、
前記第１の配線が前記第２の配線と交差する領域では、前記保護膜が取り除かれていることを、
特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１の配線と、
前記第１の配線と交差する方向に延在し、前記第１の配線と空間を介して配置され、タンタル層、該タンタル層上に形成されたタンタルナイトライド層、該タンタルナイトライド層上に形成された金属層を含む第２の配線と、
前記第１及び第２の配線が接続された複数の電界効果トランジスタを有し、
前記複数の電界効果トランジスタ夫々のソース、ゲート、及びドレインの夫々は、同じ方向に延在し、
前記複数の電界効果トランジスタの各々は、隣接する前記複数の電界効果トランジスタと、前記ソース及び前記ドレインの少なくても一方を共有し、
前記第１の配線が、前記ゲートに電気的に接続され、
前記第２の配線が、前記ソースに電気的に接続され、
第３の配線が、前記ドレインに電気的に接続されている半導体装置を具備し、
更に、前記第１の配線に電気的に接続され、電気信号が入力される第１の端子と、
前記第３の配線に電気的に接続された、増幅された前記電気信号が出力される第２の端子とを具備する高周波増幅器。
【請求項６】
半導体基板上方に第１の配線を形成する工程と、
前記第１の配線上方にマスクを形成する工程と、
前記マスク上に、タンタル層、タンタルナイトライド層、及び金属層を順次積層して、前記第１の配線に交差する方向に延在する第２の配線を形成する工程と、
前記第２の配線の形成後に前記マスクを除去する工程を具備し、
前記タンタルナイトライド層は、前記マスクが融解する前に成膜が終了することを特徴とする
半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、
前記タンタルナイトライド層の窒素含有率が、４８％より大きく５２％以下であることを、
特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記タンタル層の上にチタン層を積層してから、前記タンタルナイトライド層を積層することを、
特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６乃至８の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記マスクを形成する前に、
前記第１の配線を保護膜で覆い、且つ、前記第２の配線下方の前記保護膜を取り除くことを、
特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１】
第１の配線と、
前記第１の配線と交差する方向に延在し、前記第１の配線と空間を介して配置され、タンタル層、該タンタル層上に形成されたタンタルナイトライド層、該タンタルナイトライド層上に形成された金属層を含む第２の配線と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記タンタルナイトライド層の窒素含有率は、４８％より大きく５２％以下であることを、
特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体装置において、
前記タンタル層とタンタルナイトライド層の間に、チタン層が形成されていることを、
特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか１項に記載の半導体装置において、
半導体素子と前記第１の配線を覆う保護膜を有し、
前記第１の配線及び前記第２の配線は、半導体素子に接続され、
前記半導体素子へ入力される信号は、前記第１の配線を伝播し、
前記第１の配線が前記第２の配線と交差する領域では、前記保護膜が取り除かれていることを、
特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１の配線と、
前記第１の配線と交差する方向に延在し、前記第１の配線と空間を介して配置され、タンタル層、該タンタル層上に形成されたタンタルナイトライド層、該タンタルナイトライド層上に形成された金属層を含む第２の配線と、
前記第１及び第２の配線が接続された複数の電界効果トランジスタを有し、
前記複数の電界効果トランジスタ夫々のソース、ゲート、及びドレインの夫々は、同じ方向に延在し、
前記複数の電界効果トランジスタの各々は、隣接する前記複数の電界効果トランジスタと、前記ソース及び前記ドレインの少なくても一方を共有し、
前記第１の配線が、前記ゲートに電気的に接続され、
前記第２の配線が、前記ソースに電気的に接続され、
第３の配線が、前記ドレインに電気的に接続されている半導体装置を具備し、
更に、前記第１の配線に電気的に接続され、電気信号が入力される第１の端子と、
前記第３の配線に電気的に接続された、増幅された前記電気信号が出力される第２の端子とを具備する高周波増幅器。
【請求項６】
半導体基板上方に第１の配線を形成する工程と、
前記第１の配線上方にマスクを形成する工程と、
前記マスク上に、タンタル層、タンタルナイトライド層、及び金属層を順次積層して、前記第１の配線に交差する方向に延在する第２の配線を形成する工程と、
前記第２の配線の形成後に前記マスクを除去する工程を具備し、
前記タンタルナイトライド層は、前記マスクが融解する前に成膜が終了することを特徴とする
半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、
前記タンタルナイトライド層の窒素含有率が、４８％より大きく５２％以下であることを、
特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記タンタル層の上にチタン層を積層してから、前記タンタルナイトライド層を積層することを、
特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６乃至８の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記マスクを形成する前に、
前記第１の配線を保護膜で覆い、且つ、前記第２の配線下方の前記保護膜を取り除くことを、
特徴とする半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【公開番号】特開２０１０−５６３８８（Ｐ２０１０−５６３８８Ａ）
【公開日】平成２２年３月１１日（２０１０．３．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２２１４１２（Ｐ２００８−２２１４１２）
【出願日】平成２０年８月２９日（２００８．８．２９）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年３月１１日（２０１０．３．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年８月２９日（２００８．８．２９）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
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