半導体装置およびその製造方法
【課題】 外部接続用電極の周囲を封止膜で覆ったＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、封止膜の上面側を研削するとき、外部接続用電極の上面にバリが発生しないようにする。
【解決手段】 メッキレジスト膜を用いた電解メッキにより外部接続用電極１０を形成した後に、サーフェスプレーナーを用いて全ての外部接続用電極１０の上部およびそれに対応するメッキレジスト膜の上面側を切って除去し、外部接続用電極１０の高さを揃える。この場合、外部接続用電極１０の上面にバリが発生することはない。次に、メッキレジスト膜を剥離し、封止膜１１を形成し、封止膜１１の上面側を研削し、外部接続用電極１０上に封止膜１１が僅か例えば厚さ数μｍ〜１０μｍ残るようにする。この場合、外部接続用電極１０の上部は研削しないため、外部接続用電極１０の上面にバリが発生することはない。次に、外部接続用電極１０の上面中央部に対応する部分における封止膜１１に、レーザビームを照射するレーザ加工により、開口部１２を形成する。
【解決手段】 メッキレジスト膜を用いた電解メッキにより外部接続用電極１０を形成した後に、サーフェスプレーナーを用いて全ての外部接続用電極１０の上部およびそれに対応するメッキレジスト膜の上面側を切って除去し、外部接続用電極１０の高さを揃える。この場合、外部接続用電極１０の上面にバリが発生することはない。次に、メッキレジスト膜を剥離し、封止膜１１を形成し、封止膜１１の上面側を研削し、外部接続用電極１０上に封止膜１１が僅か例えば厚さ数μｍ〜１０μｍ残るようにする。この場合、外部接続用電極１０の上部は研削しないため、外部接続用電極１０の上面にバリが発生することはない。次に、外部接続用電極１０の上面中央部に対応する部分における封止膜１１に、レーザビームを照射するレーザ加工により、開口部１２を形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置には、ＣＳＰ(Chip Size
Package)と呼ばれるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この半導体装置は半導体基板を備えている。半導体基板上に設けられた絶縁膜の上面には配線が設けられている。配線のランド上面には外部接続用電極が設けられている。配線を含む絶縁膜の上面において外部接続用電極の周囲には封止膜が設けられている。外部接続用電極の上面には半田バンプが設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２１８７３１号公報
【０００４】
上記従来の半導体装置の製造方法では、配線および外部接続用電極を形成した後に、配線および外部接続用電極を含む絶縁膜の上面にエポキシ樹脂からなる封止膜をその厚さが外部接続用電極の高さよりもやや厚くなるように形成している。したがって、この状態では、外部接続用電極の上面は封止膜によって覆われている。次に、封止膜の上面側および外部接続用電極の上部を研削し、外部接続用電極の上面を露出させている（特許文献１の第２９段落参照）。次に、露出された外部接続用電極の上面に半田バンプを形成している。
【０００５】
ところで、特許文献１に記載はないが、封止膜の上面側および外部接続用電極の上部を研削するとき、研削砥石を用いて研削（少しずつ削り取る）しているので、外部接続用電極の上面に研削により引きちぎられたバリが発生し、外部接続用電極の上面からその周囲における封止膜の上面にバリが形成されてしまう。そこで、一般的には、後処理として、硫酸系のエッチング液を用いてウェットエッチングを行うことにより、外部接続用電極の上面からその周囲における封止膜の上面に形成されたバリを除去することが多い。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、外部接続用電極の上面からその周囲における封止膜の上面に形成されたバリを除去すると、このバリの除去に応じて、外部接続用電極の周囲における封止膜の上面に不要な凹部が形成され、またオーバーエッチングにより外部接続用電極の高さが不必要に低くなり、さらに外部接続用電極と封止膜との間にエッチング液が浸み込むと、外部接続用電極の上部外周部が不要にエッチングされて細くなり、外部接続用電極と封止膜との間の密着性の低下の原因となってしまうという問題があった。
また、ＷＬＰ（Wafer Level Package）をプリント配線板に直接埋込む技術であるＥＷＬＰ（Embedded Wafer Level Package）では、ＷＬＰを埋めん込んだ後に外部接続用電極上の上層絶縁膜に開口部を設けて上層配線と電気的に接続している。しかし、外部接続用電極は、周囲の封止膜と開口部周縁部の上層絶縁膜の二層と接触しているため、層の境界付近において密着性が良くないという問題もあった。
【０００７】
そこで、この発明は、外部接続用電極の上面にバリが発生しないようにすることができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
また、この発明は、外部接続用電極の周側面と上面との境界付近においても密着性が良くなるようにすることができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明に係る半導体装置は、半導体基板と、該半導体基板上に設けられた外部接続用電極と、該外部接続用電極を覆うように設けられ、前記外部接続用電極上面の一部の領域に開口部が設けられている封止膜と、を備えていることを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記半導体基板上に絶縁膜が設けられ、前記絶縁膜上に配線が設けられ、前記配線のランド上に前記外部接続用電極が設けられていることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記開口部を除く前記封止膜の上面は平坦であることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明に係る半導体装置は、請求項３に記載の発明において、前記外部接続用電極上における前記封止膜の厚さは数μｍ〜１０μｍであることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明に係る半導体装置は、請求項３に記載の発明において、前記封止膜の開口部の直径は、前記外部接続用電極の直径よりも数μｍ〜１０μｍ小さくなっていることを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１または２に記載の発明において、前記封止膜の開口部内およびその上方に、半田バンプが少なくとも前記外部接続用電極上面の中心を含む領域に接続されて設けられていることを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成された外部接続用電極の周側面および上面を覆うように封止膜を形成し、前記外部接続用電極上面の一部の領域における前記封止膜に開口部を形成することを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項７に記載の発明において、前記外部接続用電極の上部をサーフェスプレーナーで除去した後、前記外部接続用電極を覆うように前記封止膜を形成し、前記封止膜に前記開口部を形成する前に、前記外部接続用電極上に前記封止膜が残るように前記封止膜を形成することを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項７に記載の発明において、前記外部接続用電極の形成はメッキレジスト膜を用いた電解メッキにより行い、前記メッキレジスト膜を残した状態で前記外部接続用電極の上部およびそれに対応する前記メッキレジスト膜の上面側を切って除去し、この後前記メッキレジスト膜を剥離することを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項９に記載の発明において、前記外部接続用電極の上部およびそれに対応する前記メッキレジスト膜の上面側は、サーフェスプレーナーを用いて切ることを特徴とするものである。
請求項１１に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項７または９に記載の発明において、前記封止膜の上面側の研削は前記外部接続用電極上に前記封止膜が厚さ数μｍ〜１０μｍ残るように研削することを特徴とするものである。
請求項１２に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項７または９に記載の発明において、前記封止膜の開口部の形成はレーザビームを照射するレーザ加工により行うことを特徴とするものである。
請求項１３に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１２に記載の発明において、前記封止膜の開口部の直径は前記外部接続用電極の直径よりも数μｍ〜１０μｍ小さくなるようにすることを特徴とするものである。
請求項１４に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項７または９に記載の発明において、前記封止膜の開口部内およびその上方に、半田バンプを少なくとも前記外部接続用電極上面の中心を含む領域に接続させて形成することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、半導体基板上に形成された外部接続用電極の周側面および上面を覆うように封止膜を形成し、外部接続用電極上面の一部の領域における封止膜に開口部を形成することにより、外部接続用電極の上面にバリが発生しないようにすることができ、また外部接続用電極の周側面と上面との境界付近においても密着性が良くなるようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】この発明の一実施形態としての半導体装置の平面図。
【図２】図１のII−II線にほぼ沿う部分の断面図。
【図３】図１および図２に示す半導体装置の製造方法の一例において、当初準備したものの断面図。
【図４】図３に続く工程の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】図８に続く工程の断面図。
【図１０】図９に続く工程の断面図。
【図１１】図１０に続く工程の断面図。
【図１２】図１１に続く工程の断面図。
【図１３】図１２に続く工程の断面図。
【図１４】図１３に続く工程の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１はこの発明の一実施形態としての半導体装置の平面図を示し、図２は図１のII−II線にほぼ沿う部分の断面図を示す。この半導体装置は、一般的にはＣＳＰと呼ばれるものであり、シリコン基板（半導体基板）１を備えている。シリコン基板１の上面には、図示していないが、所定の機能の集積回路を構成する素子、例えば、トランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサなどの素子が形成されている。シリコン基板１の上面周辺部には、上記集積回路の各素子に接続されたアルミニウム系金属などからなる複数の接続パッド２が設けられている。
【００１２】
シリコン基板１の周辺部および接続パッド２の中央部を除くシリコン基板１の上面には酸化シリコン、窒化シリコンなどからなるパッシベーション膜（絶縁膜）３が設けられ、接続パッド２の中央部はパッシベーション膜３に設けられた開口部４を介して露出されている。パッシベーション膜３の上面にはポリイミド系樹脂などからなる保護膜（絶縁膜）５が設けられている。パッシベーション膜３の開口部４に対応する部分における保護膜５には開口部６が設けられている。
【００１３】
保護膜５の上面には複数の配線７が設けられている。配線７は、保護膜５の上面に設けられた銅などからなる下地金属層８と、下地金属層８の上面に設けられた銅からなる上部金属層９との２層構造となっている。配線７の一端部７ａは、パッシベーション膜３および保護膜５の開口部４、６を介して接続パッド２に接続されており、他端部はランド７ｂとなっており、その間は引き回し線部７ｃとなっている。配線７のランド７ｂの上面には、銅からなる柱状の外部接続用電極１０が設けられている。
【００１４】
配線７を含む保護膜５の上面において外部接続用電極１０の周囲にはシリカフィラーを含むエポキシ系樹脂などからなる封止膜１１がその上面を平坦とされて設けられている。この場合、外部接続用電極１０の上面外周部は封止膜１１によって覆われ、外部接続用電極１０の上面中央部に対応する部分における封止膜１１には開口部１２が設けられている。封止膜１１の開口部１２内およびその上方には半田バンプが外部接続用電極１０の上面中央部に接続されて設けられている。
【００１５】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図３に示すように、ウエハ状態のシリコン基板（以下、半導体ウエハ２１という）の上面にアルミニウム軽金属などからなる接続パッド２、酸化シリコンなどからなるパッシベーション膜３およびポリイミド系樹脂などからなる保護膜５が形成され、接続パッド２の中央部がパッシベーション膜３および保護膜５の開口部４、６を介して露出されたものを準備する。
【００１６】
この場合、半導体ウエハ２１の厚さは、図２に示すシリコン基板１の厚さよりも厚くなっている。なお、図２において、符号２２で示す領域はダイシングストリートである。そして、ダイシングストリート２２およびその両側におけるパッシベーション膜３および保護膜５は除去されている。
【００１７】
次に、図４に示すように、パッシベーション膜３および保護膜５の開口部４、６を介して露出された接続パッド２の上面を含む保護膜５の上面並びにダイシングストリート２２およびその両側に対応する部分における半導体ウエハ２１の上面に下地金属層８を形成する。この場合、下地金属層８は、無電解メッキにより形成された銅層のみであってもよく、またスパッタ法により形成された銅層のみであってもよく、さらにスパッタ法により形成されたチタンなどの薄膜層上にスパッタ法により銅層を形成したものであってもよい。
【００１８】
次に、下地金属層８の上面にポジ型の液状レジストからなるメッキレジスト膜２３をパターン形成する。この場合、上部金属層９形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜２３には開口部２４が形成されている。次に、下地金属層８をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうと、メッキレジスト膜２３の開口部２４内の下地金属層８の上面に上部金属層９が形成される。次に、メッキレジスト膜２３を剥離する。
【００１９】
次に、図５に示すように、上部金属層９を含む下地金属層８の上面にネガ型のドライフィルムレジストからなるメッキレジスト膜２５をパターン形成する。この場合、上部金属層９のランド（外部接続用電極１０形成領域）に対応する部分におけるメッキレジスト膜２５には開口部２６が形成されている。
【００２０】
次に、下地金属層８をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうと、メッキレジスト膜２５の開口部２６内の上部金属層９のランド上面に外部接続用電極１０が形成される。この場合、外部接続用電極１０の上部は、平坦ではなく、ドーム状となっている。また、外部接続用電極１０の高さは、図２に示す外部接続用電極１０の高さよりも高くなっている。
【００２１】
次に、図６に示すように、サーフェスプレーナー２７を準備する。このサーフェスプレーナー２７は、固定されて配置され、回転円板２８の周辺部下面にバイト２９が設けられたものを有し、駆動手段（図示せず）の駆動により、回転円板２８と共にバイト２９が回転されるようになっている。
【００２２】
そして、バイト２９の刃先を外部接続用電極１０の最終的な高さ位置に位置させ、回転円板２８と共にバイト２９を回転させる。この状態において、外部接続用電極１０およびメッキレジスト膜２５などを有する半導体ウエハ２１を水平方向に移動させると、回転円板２８と共に回転するバイト２９により全ての外部接続用電極１０の上部およびそれに対応するメッキレジスト膜２５の上面側が切られて除去され、図７に示すように、外部接続用電極１０の高さが最終的な高さ位置に揃えられ、且つ、外部接続用電極１０およびメッキレジスト膜２５の上面が面一となる。このように、銅を含む外部接続用電極や金等の柔らかい金属、メッキレジスト膜２５であれば、サーフェスプレーナー２７で切ることができ、表面を平滑にできる。
【００２３】
この場合、全ての外部接続用電極１０の上部およびそれに対応するメッキレジスト膜２５の上面側がバイト２９の刃先により１回でずばっと切られて除去されるため、研削砥石を用いる場合と異なり、外部接続用電極１０の上面にバリが発生することはない。したがって、バリを除去するためのウェットエッチングによる後処理を行う必要はなく、外部接続用電極１０の高さが不必要に低くなったり、外部接続用電極１０の上部外周部が不要に細くなったりすることがない。
【００２４】
次に、メッキレジスト膜２５を剥離する。なお、メッキレジスト膜２５を剥離した後に、サーフェスプレーナー２７を用いて外部接続用電極１０の上部を切って除去するようにしてもよい。ただし、上述の如く、メッキレジスト膜２５を残した状態で外部接続用電極１０の上部を切って除去すると、メッキレジスト膜２５の存在により、外部接続用電極１０が全く倒れないようにすることができる。また、外部接続用電極１０の削りかすが上部金属層９に付くことがなく、メッキレジスト膜２５を剥離する際に削りかすも一緒に除去できる。
【００２５】
次に、上部金属層９をマスクとして上部金属層９下以外の領域における下地金属層８をエッチングして除去すると、図８に示すように、上部金属層９下にのみ下地金属層８が残存される。この状態では、上部金属層９とその下に残存された下地金属層８とにより、２層構造の配線７が形成されている。
【００２６】
次に、図９に示すように、ダイシングストリート２２およびその両側における半導体ウエハ２１の上面並びに配線７および外部接続用電極１０を含む保護膜５の上面にスクリーン印刷法などによりシリカフィラーを含むエポキシ系樹脂などからなる封止膜１１をその厚さが外部接続用電極１０の高さよりもやや厚くなるように形成する。したがって、この状態では、外部接続用電極１０の上面は封止膜１１によって覆われている。
【００２７】
次に、封止膜１１の上面側を研削砥石（図示せず）を用いて研削し、図１０に示すように、外部接続用電極１０上に封止膜１１が僅か例えば厚さ数μｍ〜１０μｍ残るようにするとともに、封止膜１１の上面を平坦化する。したがって、この状態では、外部接続用電極１０の上面は薄い封止膜１１によって覆われている。また、外部接続用電極１０の上部は研削しないので、外部接続用電極１０の上面にバリが発生することはない。
【００２８】
次に、図１１に示すように、外部接続用電極１０の上面中央部に対応する部分における封止膜１１に、ＣＯ２、ＹＡＧなどのレーザビームを照射するレーザ加工により、開口部１２を形成する。開口部１２の直径は外部接続用電極１０の直径よりも僅か例えば数μｍ〜１０μｍ小さくなるようにする。したがって、この状態では、外部接続用電極１０の上面外周部は封止膜１１によって覆われており、外部接続用電極１０と封止膜１１との間に剥離が生じにくいようにすることができる。
【００２９】
次に、図１２に示すように、半導体ウエハ２１の下面側を適宜に削り、半導体ウエハ２１の厚さを薄くする。次に、図１３に示すように、封止膜１１の開口部１２内およびその上方に半田バンプ１３を外部接続用電極１０の上面中央部に接続させて形成する。次に、図１４に示すように、封止膜１１および半導体ウエハ２１をダイシングストリート２２に沿って切断すると、図２に示す半導体装置が複数個得られる。
【符号の説明】
【００３０】
１ シリコン基板
２ 接続パッド
３ パッシベーション膜
５ 保護膜
７ 配線
１０ 外部接続用電極
１１ 封止膜
１２ 開口部
１３ 半田バンプ
２１ 半導体ウエハ
２２ ダイシングストリート
２７ サーフェスプレーナー
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置には、ＣＳＰ(Chip Size
Package)と呼ばれるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この半導体装置は半導体基板を備えている。半導体基板上に設けられた絶縁膜の上面には配線が設けられている。配線のランド上面には外部接続用電極が設けられている。配線を含む絶縁膜の上面において外部接続用電極の周囲には封止膜が設けられている。外部接続用電極の上面には半田バンプが設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２１８７３１号公報
【０００４】
上記従来の半導体装置の製造方法では、配線および外部接続用電極を形成した後に、配線および外部接続用電極を含む絶縁膜の上面にエポキシ樹脂からなる封止膜をその厚さが外部接続用電極の高さよりもやや厚くなるように形成している。したがって、この状態では、外部接続用電極の上面は封止膜によって覆われている。次に、封止膜の上面側および外部接続用電極の上部を研削し、外部接続用電極の上面を露出させている（特許文献１の第２９段落参照）。次に、露出された外部接続用電極の上面に半田バンプを形成している。
【０００５】
ところで、特許文献１に記載はないが、封止膜の上面側および外部接続用電極の上部を研削するとき、研削砥石を用いて研削（少しずつ削り取る）しているので、外部接続用電極の上面に研削により引きちぎられたバリが発生し、外部接続用電極の上面からその周囲における封止膜の上面にバリが形成されてしまう。そこで、一般的には、後処理として、硫酸系のエッチング液を用いてウェットエッチングを行うことにより、外部接続用電極の上面からその周囲における封止膜の上面に形成されたバリを除去することが多い。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、外部接続用電極の上面からその周囲における封止膜の上面に形成されたバリを除去すると、このバリの除去に応じて、外部接続用電極の周囲における封止膜の上面に不要な凹部が形成され、またオーバーエッチングにより外部接続用電極の高さが不必要に低くなり、さらに外部接続用電極と封止膜との間にエッチング液が浸み込むと、外部接続用電極の上部外周部が不要にエッチングされて細くなり、外部接続用電極と封止膜との間の密着性の低下の原因となってしまうという問題があった。
また、ＷＬＰ（Wafer Level Package）をプリント配線板に直接埋込む技術であるＥＷＬＰ（Embedded Wafer Level Package）では、ＷＬＰを埋めん込んだ後に外部接続用電極上の上層絶縁膜に開口部を設けて上層配線と電気的に接続している。しかし、外部接続用電極は、周囲の封止膜と開口部周縁部の上層絶縁膜の二層と接触しているため、層の境界付近において密着性が良くないという問題もあった。
【０００７】
そこで、この発明は、外部接続用電極の上面にバリが発生しないようにすることができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
また、この発明は、外部接続用電極の周側面と上面との境界付近においても密着性が良くなるようにすることができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明に係る半導体装置は、半導体基板と、該半導体基板上に設けられた外部接続用電極と、該外部接続用電極を覆うように設けられ、前記外部接続用電極上面の一部の領域に開口部が設けられている封止膜と、を備えていることを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記半導体基板上に絶縁膜が設けられ、前記絶縁膜上に配線が設けられ、前記配線のランド上に前記外部接続用電極が設けられていることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記開口部を除く前記封止膜の上面は平坦であることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明に係る半導体装置は、請求項３に記載の発明において、前記外部接続用電極上における前記封止膜の厚さは数μｍ〜１０μｍであることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明に係る半導体装置は、請求項３に記載の発明において、前記封止膜の開口部の直径は、前記外部接続用電極の直径よりも数μｍ〜１０μｍ小さくなっていることを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１または２に記載の発明において、前記封止膜の開口部内およびその上方に、半田バンプが少なくとも前記外部接続用電極上面の中心を含む領域に接続されて設けられていることを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成された外部接続用電極の周側面および上面を覆うように封止膜を形成し、前記外部接続用電極上面の一部の領域における前記封止膜に開口部を形成することを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項７に記載の発明において、前記外部接続用電極の上部をサーフェスプレーナーで除去した後、前記外部接続用電極を覆うように前記封止膜を形成し、前記封止膜に前記開口部を形成する前に、前記外部接続用電極上に前記封止膜が残るように前記封止膜を形成することを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項７に記載の発明において、前記外部接続用電極の形成はメッキレジスト膜を用いた電解メッキにより行い、前記メッキレジスト膜を残した状態で前記外部接続用電極の上部およびそれに対応する前記メッキレジスト膜の上面側を切って除去し、この後前記メッキレジスト膜を剥離することを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項９に記載の発明において、前記外部接続用電極の上部およびそれに対応する前記メッキレジスト膜の上面側は、サーフェスプレーナーを用いて切ることを特徴とするものである。
請求項１１に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項７または９に記載の発明において、前記封止膜の上面側の研削は前記外部接続用電極上に前記封止膜が厚さ数μｍ〜１０μｍ残るように研削することを特徴とするものである。
請求項１２に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項７または９に記載の発明において、前記封止膜の開口部の形成はレーザビームを照射するレーザ加工により行うことを特徴とするものである。
請求項１３に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１２に記載の発明において、前記封止膜の開口部の直径は前記外部接続用電極の直径よりも数μｍ〜１０μｍ小さくなるようにすることを特徴とするものである。
請求項１４に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項７または９に記載の発明において、前記封止膜の開口部内およびその上方に、半田バンプを少なくとも前記外部接続用電極上面の中心を含む領域に接続させて形成することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、半導体基板上に形成された外部接続用電極の周側面および上面を覆うように封止膜を形成し、外部接続用電極上面の一部の領域における封止膜に開口部を形成することにより、外部接続用電極の上面にバリが発生しないようにすることができ、また外部接続用電極の周側面と上面との境界付近においても密着性が良くなるようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】この発明の一実施形態としての半導体装置の平面図。
【図２】図１のII−II線にほぼ沿う部分の断面図。
【図３】図１および図２に示す半導体装置の製造方法の一例において、当初準備したものの断面図。
【図４】図３に続く工程の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】図８に続く工程の断面図。
【図１０】図９に続く工程の断面図。
【図１１】図１０に続く工程の断面図。
【図１２】図１１に続く工程の断面図。
【図１３】図１２に続く工程の断面図。
【図１４】図１３に続く工程の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１はこの発明の一実施形態としての半導体装置の平面図を示し、図２は図１のII−II線にほぼ沿う部分の断面図を示す。この半導体装置は、一般的にはＣＳＰと呼ばれるものであり、シリコン基板（半導体基板）１を備えている。シリコン基板１の上面には、図示していないが、所定の機能の集積回路を構成する素子、例えば、トランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサなどの素子が形成されている。シリコン基板１の上面周辺部には、上記集積回路の各素子に接続されたアルミニウム系金属などからなる複数の接続パッド２が設けられている。
【００１２】
シリコン基板１の周辺部および接続パッド２の中央部を除くシリコン基板１の上面には酸化シリコン、窒化シリコンなどからなるパッシベーション膜（絶縁膜）３が設けられ、接続パッド２の中央部はパッシベーション膜３に設けられた開口部４を介して露出されている。パッシベーション膜３の上面にはポリイミド系樹脂などからなる保護膜（絶縁膜）５が設けられている。パッシベーション膜３の開口部４に対応する部分における保護膜５には開口部６が設けられている。
【００１３】
保護膜５の上面には複数の配線７が設けられている。配線７は、保護膜５の上面に設けられた銅などからなる下地金属層８と、下地金属層８の上面に設けられた銅からなる上部金属層９との２層構造となっている。配線７の一端部７ａは、パッシベーション膜３および保護膜５の開口部４、６を介して接続パッド２に接続されており、他端部はランド７ｂとなっており、その間は引き回し線部７ｃとなっている。配線７のランド７ｂの上面には、銅からなる柱状の外部接続用電極１０が設けられている。
【００１４】
配線７を含む保護膜５の上面において外部接続用電極１０の周囲にはシリカフィラーを含むエポキシ系樹脂などからなる封止膜１１がその上面を平坦とされて設けられている。この場合、外部接続用電極１０の上面外周部は封止膜１１によって覆われ、外部接続用電極１０の上面中央部に対応する部分における封止膜１１には開口部１２が設けられている。封止膜１１の開口部１２内およびその上方には半田バンプが外部接続用電極１０の上面中央部に接続されて設けられている。
【００１５】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図３に示すように、ウエハ状態のシリコン基板（以下、半導体ウエハ２１という）の上面にアルミニウム軽金属などからなる接続パッド２、酸化シリコンなどからなるパッシベーション膜３およびポリイミド系樹脂などからなる保護膜５が形成され、接続パッド２の中央部がパッシベーション膜３および保護膜５の開口部４、６を介して露出されたものを準備する。
【００１６】
この場合、半導体ウエハ２１の厚さは、図２に示すシリコン基板１の厚さよりも厚くなっている。なお、図２において、符号２２で示す領域はダイシングストリートである。そして、ダイシングストリート２２およびその両側におけるパッシベーション膜３および保護膜５は除去されている。
【００１７】
次に、図４に示すように、パッシベーション膜３および保護膜５の開口部４、６を介して露出された接続パッド２の上面を含む保護膜５の上面並びにダイシングストリート２２およびその両側に対応する部分における半導体ウエハ２１の上面に下地金属層８を形成する。この場合、下地金属層８は、無電解メッキにより形成された銅層のみであってもよく、またスパッタ法により形成された銅層のみであってもよく、さらにスパッタ法により形成されたチタンなどの薄膜層上にスパッタ法により銅層を形成したものであってもよい。
【００１８】
次に、下地金属層８の上面にポジ型の液状レジストからなるメッキレジスト膜２３をパターン形成する。この場合、上部金属層９形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜２３には開口部２４が形成されている。次に、下地金属層８をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうと、メッキレジスト膜２３の開口部２４内の下地金属層８の上面に上部金属層９が形成される。次に、メッキレジスト膜２３を剥離する。
【００１９】
次に、図５に示すように、上部金属層９を含む下地金属層８の上面にネガ型のドライフィルムレジストからなるメッキレジスト膜２５をパターン形成する。この場合、上部金属層９のランド（外部接続用電極１０形成領域）に対応する部分におけるメッキレジスト膜２５には開口部２６が形成されている。
【００２０】
次に、下地金属層８をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうと、メッキレジスト膜２５の開口部２６内の上部金属層９のランド上面に外部接続用電極１０が形成される。この場合、外部接続用電極１０の上部は、平坦ではなく、ドーム状となっている。また、外部接続用電極１０の高さは、図２に示す外部接続用電極１０の高さよりも高くなっている。
【００２１】
次に、図６に示すように、サーフェスプレーナー２７を準備する。このサーフェスプレーナー２７は、固定されて配置され、回転円板２８の周辺部下面にバイト２９が設けられたものを有し、駆動手段（図示せず）の駆動により、回転円板２８と共にバイト２９が回転されるようになっている。
【００２２】
そして、バイト２９の刃先を外部接続用電極１０の最終的な高さ位置に位置させ、回転円板２８と共にバイト２９を回転させる。この状態において、外部接続用電極１０およびメッキレジスト膜２５などを有する半導体ウエハ２１を水平方向に移動させると、回転円板２８と共に回転するバイト２９により全ての外部接続用電極１０の上部およびそれに対応するメッキレジスト膜２５の上面側が切られて除去され、図７に示すように、外部接続用電極１０の高さが最終的な高さ位置に揃えられ、且つ、外部接続用電極１０およびメッキレジスト膜２５の上面が面一となる。このように、銅を含む外部接続用電極や金等の柔らかい金属、メッキレジスト膜２５であれば、サーフェスプレーナー２７で切ることができ、表面を平滑にできる。
【００２３】
この場合、全ての外部接続用電極１０の上部およびそれに対応するメッキレジスト膜２５の上面側がバイト２９の刃先により１回でずばっと切られて除去されるため、研削砥石を用いる場合と異なり、外部接続用電極１０の上面にバリが発生することはない。したがって、バリを除去するためのウェットエッチングによる後処理を行う必要はなく、外部接続用電極１０の高さが不必要に低くなったり、外部接続用電極１０の上部外周部が不要に細くなったりすることがない。
【００２４】
次に、メッキレジスト膜２５を剥離する。なお、メッキレジスト膜２５を剥離した後に、サーフェスプレーナー２７を用いて外部接続用電極１０の上部を切って除去するようにしてもよい。ただし、上述の如く、メッキレジスト膜２５を残した状態で外部接続用電極１０の上部を切って除去すると、メッキレジスト膜２５の存在により、外部接続用電極１０が全く倒れないようにすることができる。また、外部接続用電極１０の削りかすが上部金属層９に付くことがなく、メッキレジスト膜２５を剥離する際に削りかすも一緒に除去できる。
【００２５】
次に、上部金属層９をマスクとして上部金属層９下以外の領域における下地金属層８をエッチングして除去すると、図８に示すように、上部金属層９下にのみ下地金属層８が残存される。この状態では、上部金属層９とその下に残存された下地金属層８とにより、２層構造の配線７が形成されている。
【００２６】
次に、図９に示すように、ダイシングストリート２２およびその両側における半導体ウエハ２１の上面並びに配線７および外部接続用電極１０を含む保護膜５の上面にスクリーン印刷法などによりシリカフィラーを含むエポキシ系樹脂などからなる封止膜１１をその厚さが外部接続用電極１０の高さよりもやや厚くなるように形成する。したがって、この状態では、外部接続用電極１０の上面は封止膜１１によって覆われている。
【００２７】
次に、封止膜１１の上面側を研削砥石（図示せず）を用いて研削し、図１０に示すように、外部接続用電極１０上に封止膜１１が僅か例えば厚さ数μｍ〜１０μｍ残るようにするとともに、封止膜１１の上面を平坦化する。したがって、この状態では、外部接続用電極１０の上面は薄い封止膜１１によって覆われている。また、外部接続用電極１０の上部は研削しないので、外部接続用電極１０の上面にバリが発生することはない。
【００２８】
次に、図１１に示すように、外部接続用電極１０の上面中央部に対応する部分における封止膜１１に、ＣＯ２、ＹＡＧなどのレーザビームを照射するレーザ加工により、開口部１２を形成する。開口部１２の直径は外部接続用電極１０の直径よりも僅か例えば数μｍ〜１０μｍ小さくなるようにする。したがって、この状態では、外部接続用電極１０の上面外周部は封止膜１１によって覆われており、外部接続用電極１０と封止膜１１との間に剥離が生じにくいようにすることができる。
【００２９】
次に、図１２に示すように、半導体ウエハ２１の下面側を適宜に削り、半導体ウエハ２１の厚さを薄くする。次に、図１３に示すように、封止膜１１の開口部１２内およびその上方に半田バンプ１３を外部接続用電極１０の上面中央部に接続させて形成する。次に、図１４に示すように、封止膜１１および半導体ウエハ２１をダイシングストリート２２に沿って切断すると、図２に示す半導体装置が複数個得られる。
【符号の説明】
【００３０】
１ シリコン基板
２ 接続パッド
３ パッシベーション膜
５ 保護膜
７ 配線
１０ 外部接続用電極
１１ 封止膜
１２ 開口部
１３ 半田バンプ
２１ 半導体ウエハ
２２ ダイシングストリート
２７ サーフェスプレーナー
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
該半導体基板上に設けられた外部接続用電極と、
該外部接続用電極を覆うように設けられ、前記外部接続用電極上面の一部の領域に開口部が設けられている封止膜と、
を備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記半導体基板上に絶縁膜が設けられ、前記絶縁膜上に配線が設けられ、前記配線のランド上に前記外部接続用電極が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の発明において、前記開口部を除く前記封止膜の上面は平坦であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の発明において、前記外部接続用電極上における前記封止膜の厚さは数μｍ〜１０μｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３に記載の発明において、前記封止膜の開口部の直径は、前記外部接続用電極の直径よりも数μｍ〜１０μｍ小さくなっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１または２に記載の発明において、前記封止膜の開口部内およびその上方に、半田バンプが少なくとも前記外部接続用電極上面の中心を含む領域に接続されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
半導体基板上に形成された外部接続用電極の周側面および上面を覆うように封止膜を形成し、
前記外部接続用電極上面の一部の領域における前記封止膜に開口部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の発明において、
前記外部接続用電極の上部をサーフェスプレーナーで除去した後、前記外部接続用電極を覆うように前記封止膜を形成し、
前記封止膜に前記開口部を形成する前に、前記外部接続用電極上に前記封止膜が残るように前記封止膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７に記載の発明において、前記外部接続用電極の形成はメッキレジスト膜を用いた電解メッキにより行い、前記メッキレジスト膜を残した状態で前記外部接続用電極の上部およびそれに対応する前記メッキレジスト膜の上面側を切って除去し、この後前記メッキレジスト膜を剥離することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の発明において、前記外部接続用電極の上部およびそれに対応する前記メッキレジスト膜の上面側は、サーフェスプレーナーを用いて切ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項７または９に記載の発明において、前記封止膜の上面側の研削は前記外部接続用電極上に前記封止膜が厚さ数μｍ〜１０μｍ残るように研削することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項７または９に記載の発明において、前記封止膜の開口部の形成はレーザビームを照射するレーザ加工により行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の発明において、前記封止膜の開口部の直径は前記外部接続用電極の直径よりも数μｍ〜１０μｍ小さくなるようにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項７または９に記載の発明において、前記封止膜の開口部内およびその上方に、半田バンプを少なくとも前記外部接続用電極上面の中心を含む領域に接続させて形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１】
半導体基板と、
該半導体基板上に設けられた外部接続用電極と、
該外部接続用電極を覆うように設けられ、前記外部接続用電極上面の一部の領域に開口部が設けられている封止膜と、
を備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記半導体基板上に絶縁膜が設けられ、前記絶縁膜上に配線が設けられ、前記配線のランド上に前記外部接続用電極が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の発明において、前記開口部を除く前記封止膜の上面は平坦であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の発明において、前記外部接続用電極上における前記封止膜の厚さは数μｍ〜１０μｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３に記載の発明において、前記封止膜の開口部の直径は、前記外部接続用電極の直径よりも数μｍ〜１０μｍ小さくなっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１または２に記載の発明において、前記封止膜の開口部内およびその上方に、半田バンプが少なくとも前記外部接続用電極上面の中心を含む領域に接続されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
半導体基板上に形成された外部接続用電極の周側面および上面を覆うように封止膜を形成し、
前記外部接続用電極上面の一部の領域における前記封止膜に開口部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の発明において、
前記外部接続用電極の上部をサーフェスプレーナーで除去した後、前記外部接続用電極を覆うように前記封止膜を形成し、
前記封止膜に前記開口部を形成する前に、前記外部接続用電極上に前記封止膜が残るように前記封止膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７に記載の発明において、前記外部接続用電極の形成はメッキレジスト膜を用いた電解メッキにより行い、前記メッキレジスト膜を残した状態で前記外部接続用電極の上部およびそれに対応する前記メッキレジスト膜の上面側を切って除去し、この後前記メッキレジスト膜を剥離することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の発明において、前記外部接続用電極の上部およびそれに対応する前記メッキレジスト膜の上面側は、サーフェスプレーナーを用いて切ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項７または９に記載の発明において、前記封止膜の上面側の研削は前記外部接続用電極上に前記封止膜が厚さ数μｍ〜１０μｍ残るように研削することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項７または９に記載の発明において、前記封止膜の開口部の形成はレーザビームを照射するレーザ加工により行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の発明において、前記封止膜の開口部の直径は前記外部接続用電極の直径よりも数μｍ〜１０μｍ小さくなるようにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項７または９に記載の発明において、前記封止膜の開口部内およびその上方に、半田バンプを少なくとも前記外部接続用電極上面の中心を含む領域に接続させて形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１２−７４４６１（Ｐ２０１２−７４４６１Ａ）
【公開日】平成２４年４月１２日（２０１２．４．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２１６８８１（Ｐ２０１０−２１６８８１）
【出願日】平成２２年９月２８日（２０１０．９．２８）
【出願人】（３１１０１４３１４）株式会社テラミクロス (42)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月１２日（２０１２．４．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月２８日（２０１０．９．２８）
【出願人】（３１１０１４３１４）株式会社テラミクロス (42)
【Ｆターム（参考）】
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