半導体装置の作製方法
【課題】 大面積のガラス基板上に薄膜からなる集積回路を形成し、他の基体に転写して分断を行い、接触、好ましくは非接触でデータの受信または送信が可能な微細なデバイスを大量に効率よく作製する方法を提供することを課題とする。特に薄膜からなる集積回路は、非常に薄いため移動時に飛んでしまう恐れがあり、取り扱いが難しかった。
【解決手段】 本発明は、剥離層に達する多数の穴または多数の溝を設け、穴（または溝）およびデバイス部に重ならない領域にパターン形状を有する材料体を設けた後、ハロゲン化フッ素を含む気体又は液体を導入して、前記剥離層を選択的に除去する。
【解決手段】 本発明は、剥離層に達する多数の穴または多数の溝を設け、穴（または溝）およびデバイス部に重ならない領域にパターン形状を有する材料体を設けた後、ハロゲン化フッ素を含む気体又は液体を導入して、前記剥離層を選択的に除去する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）で構成された回路や半導体装置等を
剥離するための方法およびその方法により得られる半導体装置に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装
置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
【背景技術】
【０００３】
近年、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜（厚さ数〜数百ｎｍ程度）を用
いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタは
ＩＣや電気光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチ
ング素子として開発が急がれている。
【０００４】
画像表示装置を利用したアプリケーションは様々なものが期待されているが、特に携帯
機器への利用が注目されている。現在、ガラス基板や石英基板が多く使用されているが、
割れやすく、重いという欠点がある。そのため、可撓性を有する基板、代表的にはフレキ
シブルなプラスチックフィルムの上にＴＦＴ素子を形成することが試みられている。
【０００５】
しかしながら、プラスチックフィルムの耐熱性が低いためプロセスの最高温度を低くせ
ざるを得ず、結果的にガラス基板上に形成する時ほど良好な電気特性のＴＦＴを形成でき
ないのが現状である。そのため、プラスチックフィルムを用いた高性能な半導体素子は実
現されていない。
【０００６】
そこで、ガラス基板上に形成した素子を基板から剥離し、他の基材、例えばプラスチッ
クフィルムなどに転写する技術が提案されている。
【０００７】
本出願人は、特許文献１や特許文献２に記載の剥離および転写技術を提案している。
【０００８】
また、ＩＣのような微小なデバイスにおいては、半導体ウェハを粘着シートに貼り付け
た状態でチップ単位に切断し、該切断された半導体素子を粘着シートからピックアップし
、ＩＣカード等を構成する回路基板に搭載して実装することが行われている。半導体ウェ
ハを用いているため、ピックアップ時において傷ついたり、割れやすい欠点を有していた
。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平８−２８８５２２号公報
【特許文献２】特開平８−２５０７４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
また、近年では、非接触で情報を記録し、且つ読み取りできる「非接触ＩＣタグ」（一
般的に非接触データキャリアとも呼ぶ）が物品や商品の情報管理、物流管理等に利用する
ことが検討されている。
【００１１】
ＩＣカードや非接触ＩＣタグに用いる半導体チップの母体となる半導体ウェハは高価で
あり、大量生産には不向きである。
【００１２】
また、ガラス基板上に多数の電子部品素子を搭載し、個別に切断して製品とするマトリッ
クスタイプ（多数個取りタイプ）の製造方法が普及しつつある。大量生産上、大きな基板
に小さなデバイスを作製することが好ましい。
【００１３】
そこで、本発明は、大面積のガラス基板上に薄膜からなる集積回路を形成し、他の基体
に転写して分断を行い、接触、好ましくは非接触でデータの受信または送信が可能な微細
なデバイスを大量に効率よく作製する方法を提供することを課題とする。特に薄膜からな
る集積回路は、非常に薄いため移動時に飛んでしまう恐れがあり、取り扱いが難しかった
。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
発明者らは、ガラス基板上にアモルファスシリコンまたはポリシリコンを剥離層とし、
該剥離層上に半導体素子などのデバイス部を設けた後、部分的に材料体（代表的には樹脂
）を設けると、材料体を設けた箇所と重なる剥離層の部分は除去されない（または、除去
されにくくなる）ことを見出した。
【００１５】
具体的には、剥離層に達する多数の穴または多数の溝を設け、穴（または溝）およびデ
バイス部に重ならないパターン形状を有する材料体を設けた後、フッ化ハロゲンを含む気
体又は液体を導入して、前記剥離層を選択的に除去することができる。本発明者らは剥離
層上の凹凸などもエッチングに変化を与えることを見出し、固定したい領域に凸部となる
材料体を設ける構成としている。膜厚が１μｍ以上の材料体を設けることによってフッ化
ハロゲンを含む気体又は液体の導入経路が変わり、エッチングのされ方が変化して材料体
が設けられた箇所の剥離層が残存する。
【００１６】
所定の箇所の剥離層を残存させることによって、ガラス基板に対して部分的に固定させ
ている状態で他の基材にデバイス部のみの転写を行うことができる。
【００１７】
本明細書で開示する半導体装置の作製方法に関する発明の構成は、
絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に第１部分及び第２部分を含む層を形成し、
前記第１部分及び前記第２部分を含む層に対して前記剥離層に達する開口を形成し、
前記第１の部分と前記第２の部分の間に位置する第３部分に材料体を形成し、
前記開口にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入して、前記剥離層を選択的に除去
し、且つ、前記第３部分と重なる前記剥離層の一部を残存させ、
絶縁表面を有する基板から前記第１部分及び前記第２部分を切り離すことを特徴とする半
導体装置の作製方法である。
【００１８】
上記構成において、前記第１部分及び前記第２部分は、それぞれ半導体素子を少なくと
も一つ有していることを特徴の一つとしている。
【００１９】
また、他の発明の構成は、
絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に第１の薄膜集積回路及び第２の薄膜集積回路を含む層を形成し、
前記第１の薄膜集積回路及び前記第２の薄膜集積回路を含む層に対して前記剥離層に達す
る開口を形成し、
前記第１の薄膜集積回路と前記第２の薄膜集積回路の境界上の少なくとも一部に材料体を
形成し、
前記開口にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入して、前記剥離層を選択的に除去
して、前記材料体の下方に前記剥離層の一部を残存させ、
絶縁表面を有する基板から前記第１の薄膜集積回路及び前記第２の薄膜集積回路を切り離
すことを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００２０】
また、上記各構成において、前記開口は、穴または溝であることを特徴の一つとしてい
る。
【００２１】
また、前記材料体の上面形状は、前記基板の一辺と平行な直線形状、または前記薄膜集
積回路を囲む格子形状であることを特徴の一つとしている。
【００２２】
また、前記材料体は、スクリーン印刷法または液滴吐出法により得られることを特徴の
一つとしている。
【００２３】
また、前記材料体は、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体と化学反応しない材料である
ことを特徴の一つとしている。
【００２４】
また、他の発明の構成は、
絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成する第１の工程と、
前記剥離層上に複数の薄膜集積回路を含む層を形成する第２の工程と、
前記複数の薄膜集積回路を含む層に対して前記剥離層に達する多数の穴または多数の溝を
形成する第３の工程と、
隣り合う薄膜集積回路の境界上の少なくとも一部に材料体を形成する第４の工程と、
前記多数の穴または多数の溝にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入し、前記剥離
層を選択的に除去して、前記材料体の下方のみに前記剥離層の一部を残存させる第５の工
程と、
絶縁表面を有する基板から前記薄膜集積回路を個々に又は各組ごとに切り離す第６の工程
と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００２５】
また、接着面を備える基体へ転置した後に個々に分けてもよく、他の発明の構成は、
絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成する第１の工程と、
前記剥離層上に複数の薄膜集積回路を含む層を形成する第２の工程と、
前記複数の薄膜集積回路を含む層に対して前記剥離層に達する多数の穴または多数の溝を
形成する第３の工程と、
隣り合う薄膜集積回路の境界上の少なくとも一部に材料体を形成する第４の工程と、
前記多数の穴または多数の溝にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入し、前記剥離
層を選択的に除去して、前記材料体の下方のみに前記剥離層の一部を残存させる第５の工
程と、
前記薄膜集積回路を、接着面を備える基体へ転置する第６の工程と、
前記薄膜集積回路を個々に又は各組ごとに分断する第７の工程と、を有することを特徴と
する半導体装置の作製方法である。
【００２６】
上記各構成において、前記前記材料体の上面形状は、前記基板の一辺と平行な直線形状
、または前記薄膜集積回路を囲む格子形状であることを特徴の一つとしている。なお、材
料体が配置される箇所には穴を形成しなくともよい。また、上記各構成において、前記材
料体は、スクリーン印刷法または液滴吐出法により得られることを特徴の一つとしている
。フォトマスクを使用せずに材料体を形成することによって工程の簡略化を図っている。
また、スクリーン印刷法または液滴吐出法は、エッチングによる溶媒や反応ガスによる素
子への影響もなく、好ましい。
【００２７】
また、前記材料体は、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体と化学反応しない材料である
ことが好ましい。例えば、前記材料体として、エポキシ樹脂やテフロン（登録商標）樹脂
などを用いることができる。
【００２８】
従来の技術では、ガラス基板上に設けられた剥離層上に半導体素子を形成し、固定する
ための基板に接着した後に剥離を行ってガラス基板から半導体素子を剥離していたが、本
発明では、ガラス基板をそのまま固定基板とすることで、剥離工程や転写工程において、
小さなサイズを有する集積回路がバラバラになることを防ぐ。本発明により、大きな基板
に小さなデバイスを作製し、個々に取り扱うことが簡便となる。
【００２９】
また、本発明では、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入すると、デバイス部と重
なる部分において、基板とデバイス部の間において空洞が形成される。この空洞は、剥離
層が部分的に除去されることで形成されるものである。
【００３０】
また、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入した後、ヒートシールを行うことによ
ってラミネート処理を行えば、さらなる薄膜化を実現することができる。
【００３１】
また、上記作製方法によって得られる半導体装置も本発明の一つであり、その構成は、
第１のフィルムと、第２のフィルムとで封止された半導体装置であり、
前記第１のフィルムと前記第２のフィルムとの間に、第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜
上に半導体素子を含む層と、該半導体素子を含む層を覆う第２の絶縁膜とを有し、
前記第１のフィルムは、前記第１の絶縁膜と接し、且つ、前記第２のフィルムは前記第２
の絶縁膜と接していることを特徴とする半導体装置である。
【００３２】
また、通信機能を持たせたデバイスとしてもよく、他の構成は、
第１のフィルムと、第２のフィルムとで封止された半導体装置であり、
前記第１のフィルムと前記第２のフィルムとの間に、第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜
上に半導体素子およびアンテナを含む層と、該半導体素子およびアンテナを含む層を覆う
第２の絶縁膜とを有し、
前記第１のフィルムは、前記第１の絶縁膜と接し、且つ、前記第２のフィルムは前記第２
の絶縁膜と接していることを特徴とする半導体装置である。
【００３３】
また、上記各構成において、半導体素子およびアンテナを含む層における絶縁膜のうち
、半導体素子およびアンテナに重ならない箇所に多数の穴、若しくは溝を有している。こ
の多数の穴、若しくは溝は、第１のフィルム及び第２のフィルムに達している。この多数
の穴、若しくは溝は、ガラス基板から半導体素子およびアンテナを含む層を剥離する際に
形成されたものである。
【００３４】
また、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体に耐えうる材料、例えばアルミニウムを主成
分とする材料からなるアンテナであれば、アンテナを第２の絶縁膜で覆う必要は特になく
、他の構成は、
第１のフィルムと、第２のフィルムとで封止された半導体装置であり、
前記第１のフィルムと前記第２のフィルムとの間に、第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜
上に半導体素子を含む層と、半導体素子を含む層上にアンテナと、を有し、
前記第１のフィルムは、前記第１の絶縁膜と接し、且つ、前記第２のフィルムは前記アン
テナと接していることを特徴とする半導体装置である。この構成とすることによって、第
２の絶縁膜を形成する工程を削減することができる。
【００３５】
また、上記各構成において、前記第１のフィルムまたは前記第２のフィルムは積層構造
を有しているラミネートフィルムであることを特徴の一つとしている。ラミネートフィル
ムを用いれば、フィルムを貼り付けるための接着層を形成する工程が省略できる。また、
ラミネートフィルムと第１の絶縁膜との間にアンカーコート層を設けて密着性を向上させ
てもよい。また、ラミネートフィルムと第２の絶縁膜との間にアンカーコート層を設けて
密着性を向上させてもよい。
【００３６】
ラミネートフィルムとは、基材フィルムと接着性合成樹脂フィルムとの積層フィルム、
または２種類以上の積層フィルムを指す。基材フィルムとしては、ＰＥＴやＰＢＴ等のポ
リエステル、ナイロン６、ナイロン６６等のポリアミド、また無機蒸着フィルム、または
紙類を用いればよい。また、接着性合成フィルムとしてはＰＥやＰＰ等のポリオレフィン
、アクリル系合成樹脂、エポキシ系合成樹脂などを用いればよい。ラミネートフィルムは
ラミネート装置により、被処理体と熱圧着によりラミネートされる。なお、ラミネート工
程を行う前処理としてアンカーコート剤を塗布することが好ましく、ラミネートフィルム
と被処理体との接着を強固なものとすることができる。アンカーコート剤としてはイソシ
アネート系などを用いればよい。
【００３７】
本明細書でヒートシールとは、加熱圧着により封止することを指しており、フィルム基
材にパートコートされている接着剤層か、ラミネートフィルムの融点の低い最外層または
最内層を熱によって溶かし、加圧によって接着することを言う。
【００３８】
また、前記第１の絶縁膜は、窒化珪素または酸化珪素を主成分とする無機絶縁膜である
ことを特徴の一つとしている。なお、この窒化珪素または酸化珪素を主成分とする無機絶
縁膜を下地膜としてＴＦＴが積層形成されている。
【００３９】
また、ＴＦＴ構造に関係なく本発明を適用することが可能であり、例えば、トップゲート
型ＴＦＴや、ボトムゲート型（逆スタガ型）ＴＦＴや、順スタガ型ＴＦＴを用いることが
可能である。また、シングルゲート構造のＴＦＴに限定されず、複数のチャネル形成領域
を有するマルチゲート型ＴＦＴ、例えばダブルゲート型ＴＦＴとしてもよい。
【００４０】
また、ＴＦＴの活性層としては、非晶質半導体膜、結晶構造を含む半導体膜、非晶質構造
を含む化合物半導体膜などを適宜用いることができる。さらにＴＦＴの活性層として、非
晶質と結晶構造（単結晶、多結晶を含む）の中間的な構造を有し、自由エネルギー的に安
定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な領
域を含んでいるセミアモルファス半導体膜（微結晶半導体膜、マイクロクリスタル半導体
膜とも呼ばれる）も用いることができる。
【発明の効果】
【００４１】
本発明は、剥離層を除去した後も、基板と残存した剥離層の一部とが密着した領域を設
けることで、当該絶縁膜の上方に設けられた薄膜集積回路の飛散を防止することができる
。また、剥離層の一部が残存した領域を設けることで、基板上に薄膜集積回路を保持する
ことができるため、当該薄膜集積回路の基体への転置を容易に行うことができる。
【００４２】
また、本発明のように、基板上に薄膜集積回路が保持された状態であれば、当該基板をそ
のまま搬送することができるため、搬送手段を含む量産装置に用いることができる。例え
ば、ラミネート装置に、薄膜集積回路が保持された基板を搬送すれば、当該薄膜集積回路
のラミネート処理を連続的に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する断面図。
【図２】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する断面図。
【図３】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する上面図。
【図４】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する断面図。
【図５】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する上面図。
【図６】薄膜集積回路の製造装置を示した図である。
【図７】薄膜集積回路の製造装置を示した図である。
【図８】薄膜集積回路を説明する図。
【図９】薄膜集積回路の使用形態について説明する図。
【図１０】薄膜集積回路の使用形態について説明する図。
【図１１】本発明の薄膜集積回路を説明する断面図。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
本発明の実施形態について、以下に説明する。
【００４５】
本発明の実施の形態について、図１〜図４を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以
下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳
細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に
示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本
発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる。
【００４６】
（実施の形態１）
ここでは、本発明の半導体装置の作製方法について以下に説明する。
【００４７】
まず、絶縁表面を有する基板１０上に剥離層１１ａを形成する。なお、絶縁表面を有する
基板１０１とは、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、アクリル等の可撓性を有す
る合成樹脂からなる樹脂基板、金属基板に相当する。また、剥離層１１ａは、珪素を含む
層をスパッタリング法やプラズマＣＶＤ法等の公知の方法により形成する。珪素を含む層
とは、非晶質半導体層、非晶質状態と結晶質状態とが混在したセミアモルファス半導体層
、結晶質半導体層に相当する。
【００４８】
次いで、無機絶縁膜からなる絶縁膜１２ａを形成する。絶縁膜１２ａは、プラズマＣＶ
Ｄ法やスパッタリング法等の公知の方法を用いて、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、
窒化酸化珪素等からなる単層膜、またはこれらの積層膜を形成する。
【００４９】
次いで、絶縁膜１２ａを下地膜として半導体素子を含む層１２ｂを形成する。（図１（
Ａ）参照）。図１（Ａ）では、第１の素子群１３ａと、第１の素子群に隣接する第２の素
子群１３ｂとを示した例を示しているが、特に限定されず、基板１０には多数の素子群が
設けられており、最終的に個別に切断して製品とする。なお、第１の素子群１３ａは、複
数のＴＦＴとアンテナとして機能する導電層１４とを含んでおり、最終的には第１の素子
群１３ａが一つのデバイスとなる。
【００５０】
次いで、マスクを用いてエッチングを行う。このエッチング工程でＴＦＴや導電層１４
が設けられた領域以外に、剥離層１１ａに達する開口部１５を選択的に形成して、剥離層
１１ａを露出させる（図１（Ｂ）参照）。なお、開口部１５の配置はＴＦＴや導電層１４
が設けられた領域以外であれば特に限定されず、適宜設ければよい。また、開口部１５は
穴であってもよいし、幅を有する溝であってもよい。
【００５１】
次いで、スクリーン印刷法または液滴吐出法により材料体１６を形成する（図１（Ｃ）
参照）。また、ディスペンサ装置を用いて材料体１６を形成することも可能である。なお
、この段階での上面図を図３に示す。剥離層を残存させたい領域に材料体１６を形成すれ
ばよく、例えば、図３に上面図の一例を示したように１つの素子群を囲む格子形状とする
。図３中における鎖線Ａ−Ｂが図１（Ｃ）の断面図に相当する。また、前記材料体は、フ
ッ化ハロゲンを含む気体又は液体と化学反応しない材料であることが好ましい。ここでは
材料体１６として、エポキシ樹脂を用いてスクリーン印刷法により格子形状とする。
【００５２】
また、材料体１６のパターンは特に限定されず、図５に示すように、材料体５１のパター
ンを基板５０の一辺と平行な直線形状としてもよい。直線形状を形成する場合にはインク
ジェット法を用いることが好ましい。インクジェット法では格子形状を形成する際、交差
する部分を形成することは困難である。図５においては、素子群の間にも穴５２を設ける
ことができる。また、材料体のパターンを図５とした場合は、材料体５１のパターンに沿
って、接着層を用いた他の基板との貼り合わせや、ラミネートフィルムを用いたラミネー
ト処理を行うことが好ましい。
【００５３】
次いで、剥離層を除去するエッチング剤を開口部に導入して、剥離層を部分的に除去し
て材料体と重なる領域の剥離層１１ｂを残存させる（図１（Ｄ）参照）。エッチング剤に
は、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体を使用する。フッ化ハロゲンを含む気体としては
、例えば三フッ化塩素（ＣｌＦ3）を使用する。材料体１６を設けることによって、エッ
チング剤が開口部に入りにくくなり、結果的に材料体１６の重なる領域に剥離層１１ｂを
残存させることができる。図１（Ｄ）では残存した剥離層１１ｂの幅を材料体のパターン
幅よりも狭い様子を示しているが、特に限定されず、両者の幅が同一、もしくは素子群に
重ならない程度に剥離層１１ｂの幅を広くしてもよい。
【００５４】
次に、第１の接着性合成樹脂フィルム１８と第１の基材フィルム１７との積層からなるラ
ミネートフィルムに対して、第１の素子群１３ａと第２の素子群１３ｂとをラミネート法
により熱圧着させて、第１の素子群１３ａと第２の素子群１３ｂを基板１０から剥離する
（図１（Ｅ）参照）。強度、加工作業性、コスト等の点からラミネートフィルムのトータ
ル厚さは１５μｍ〜２００μｍのものを使用する。ここでは、ポリエチレン（２０μｍ）
とポリエチレンフィルム（４０μｍ）との積層で形成されたラミネートフィルム（トータ
ル厚さ６０μｍ）を用いる。
【００５５】
熱圧着させる際には、素子群に含まれる素子を破壊しない範囲、好ましくは素子特性が
変化しない範囲で加熱温度と圧力を設定することが好ましい。また、材料体１６は、圧着
させる際に圧力を材料体１６の部分に集中させることができ、素子群に圧力が集中するこ
とを防ぐ効果もある。
【００５６】
材料体１６が第１の接着性合成樹脂フィルム１８と密着性がよい場合、材料体１６も基
板から剥離されることもあるが、後の工程で除去することが可能である。 材料体も剥離
される場合、残存した剥離層が存在しているため、材料体と重なる絶縁膜の積層は固定さ
れたままで、材料体と絶縁膜との界面で分離される。材料体を除去する工程を省くため、
材料体１６は第１の接着性合成樹脂フィルム１８と密着性が悪いことが好ましい。材料体
１６が第１の接着性合成樹脂フィルム１８と密着性が悪い場合、剥離層が除去された部分
は第１の基材フィルム１７に接着して基板１０から完全に剥離され、剥離層１１ｂが残存
している部分は基板１０に保持されたままとなる。
【００５７】
また、第１の接着性合成樹脂フィルム１８と第１の基材フィルム１７との積層からなる
ラミネートフィルムに代えて、接着層を有する基材を用いてもよい。
【００５８】
この段階で、図２（Ａ）に示すように、第１の接着性合成樹脂フィルム１８と第１の基
材フィルム１７との積層からなるラミネートフィルムに第１の素子群１３ａと第２の素子
群１３ｂとが接着された状態を得ることができる。
【００５９】
次いで、第２の接着性合成樹脂フィルム１９と第２の基材フィルム２０との積層からな
るラミネートフィルムに対して、第１の素子群１３ａと第２の素子群１３ｂとをラミネー
ト法により熱圧着（約１００℃程度）させて封止を行う（図２（Ｂ）参照）。ここでも、
ポリエチレン（２０μｍ）とポリエチレンフィルム（４０μｍ）との積層で形成されたラ
ミネートフィルム（トータル厚さ６０μｍ）を用いる。なお、本実施の形態では、同じ種
類のラミネートフィルム２枚を用いて封止を行った例を示したが特に限定されず、２枚の
異なる種類のラミネートフィルムを封止に用いてもよい。
【００６０】
また、第２の接着性合成樹脂フィルム１９と第２の基材フィルム２０との積層からなる
ラミネートフィルムに代えて、接着層を有する基材を用いて封止してもよい。
【００６１】
最後に、個々に分断を行って図２（Ｃ）の状態を得ることができる。ラミネートフィル
ムと第１の素子群とは直接接しており、間に他の材料層を有していない。こうして、２枚
のラミネートフィルム（６０μｍ）で挟まれた非常に厚さの薄い半導体装置（合計膜厚は
第１の素子群の厚さ（３μｍ以下）＋１２０μｍ）を提供することができる。なお、図２
（Ｃ）では、ラミネートフィルムが曲がっている図面となっているが、実際は、第１の素
子群の厚さは３μｍ以下であるのに対し、ラミネートフィルムは１枚当たり６０μｍであ
るため、貼りあわされた２枚のラミネートフィルムは、ほとんど平坦である。
【００６２】
また、ここでは開口部１５を形成した後、材料体１６を形成した例を示したが、特に限
定されず、材料体１６を形成した後に開口部１５を形成してもよい。
【００６３】
（実施の形態２）
ここでは、実施の形態１よりも、さらに詳細な説明を行うこととする。図４を用いて半
導体装置の作製方法の例を示す。なお、図４（Ｂ）は実施の形態１に示した図３中の鎖線
Ｃ−Ｄで切断した断面図に相当する。
【００６４】
まず、絶縁表面を有する基板１０１の一表面に剥離層１０２を形成する。
【００６５】
次いで、剥離層１０２上に接して、下地用の絶縁膜１０５を形成する。絶縁膜１０５は、
プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等の公知の方法を用いて、酸化珪素、窒化珪素、酸
化窒化珪素、窒化酸化珪素等からなる薄膜を形成する。
【００６６】
続いて、絶縁膜１０５上に複数の素子を含む素子群１０６を形成する。素子群１０６は、
例えば、薄膜トランジスタ、容量素子、抵抗素子、ダイオード等を１つ又は複数形成する
。また、薄膜トランジスタに接続する発光素子を設けて小さな発光領域、または表示領域
を備えた素子群を設けてもよい。また、素子群１０６に静電破壊防止のための保護回路（
保護ダイオードなど）を設けてもよい。ここでは、素子群１０６として、２つのトランジ
スタ１１７、１１８を形成する。次に、素子群１０６を覆うように、絶縁膜１０７を形成
し、絶縁膜１０７上に、絶縁膜１０８を形成する。続いて、絶縁膜１０８上に、スパッタ
成膜後にパターニングを行う、或いは液滴吐出法によりアンテナとして機能する導電層１
１０を形成する。
【００６７】
次に、導電層１１０上に、保護膜として機能する絶縁膜１１１を形成する。上記の工程を
経て、素子群１０６と導電層１１０を含む薄膜集積回路１０９が完成する。（図４（Ａ）
参照）。
【００６８】
絶縁膜１０７、１０８、１１１は、有機材料又は無機材料により形成する。有機材料は、
ポリイミド、アクリル、ポリアミド、シロキサン、エポキシ等を用いる。シロキサンは、
珪素と酸素との結合で骨格構造が構造され、置換基に少なくとも水素を含む、又は置換基
にフッ素、アルキル基、又は芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料である。
また、無機材料には、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素等を用いる。
【００６９】
続いて、素子と導電層１１０が設けられた領域以外に、穴または溝となる開口部１１２、
１１３を選択的に形成して、剥離層１０２を露出させる（図４（Ｂ）参照）。つまり、素
子と導電層１１０が設けられた領域の外周に開口部１１２、１１３を選択的に形成する。
開口部は、マスクを利用したエッチングやダイシング等によって形成する。
【００７０】
続いて、スクリーン印刷法または液滴吐出法により材料体を形成する。剥離層を残存させ
たい領域、例えば隣り合う薄膜集積回路との境界に材料体を形成すればよい。
【００７１】
続いて、開口部に剥離層１０２を除去するエッチング剤を導入して、剥離層１０２を部分
的に除去する（図４（Ｃ）参照）。図４（Ｃ）では基板１０１と絶縁膜１０５との間に空
洞を有しているが、材料体が設けられた領域には剥離層が残存しており、薄膜集積回路１
０９は基板１０１に固定されたままである。エッチング剤には、フッ化ハロゲンを含む気
体又は液体を使用する。フッ化ハロゲンを含む気体としては、例えば三フッ化塩素（Ｃｌ
Ｆ3）を使用する。
【００７２】
次に、素子群１０６と導電層１１０を含む薄膜集積回路１０９を基体１１４に接着させて
、薄膜集積回路１０９を基板１０１から剥離する（図４（Ｄ）参照）。この際、剥離層１
０２が除去された部分は基体１１４に接着して基板１０１から完全に剥離され、剥離層が
残存している部分は基板１０１に保持されたままとなる。
【００７３】
基体１１４には、プラスチック等からなる可撓性基板、両面テープなどを用いるとよい。
可撓性基板には、熱硬化樹脂などの接着剤からなる接着面を設けていてもよい。また、基
体１１４を用いずに、物品の表面に接着させてもよい。そうすれば、実装する物品の薄型
化や軽量化に貢献することになる。
【００７４】
上記の作製方法では、剥離層を部分的に除去することを特徴の一つとしている。上記特徴
により、剥離層を部分的に除去した後も、剥離層を残存させた領域は固定状態にあるため
、薄膜集積回路１０９を基板１０１上に保持することができ、薄膜集積回路１０９の飛散
を防止することができる。
【００７５】
つまり、本発明では、薄膜集積回路を１つの単位として、隣り合う薄膜集積回路との境界
に設けた材料体パターンによって材料パターンの下方に剥離層を残存させることができる
ため、任意の薄膜集積回路のみを基体に転置することができる。また、基体に転置する工
程を経ると、複数の薄膜集積回路の各々は自動的に分断される。そのため、複数の薄膜集
積回路を分断する工程を省略することもできる。
【００７６】
本実施の形態は、実施の形態１と自由に組み合わせることができる。
【００７７】
（実施の形態３）
本実施の形態では、薄膜集積回路の製造装置の例を示す。
【００７８】
図６（Ａ）〜図６（Ｅ）には、送り出し用キャリア４０１、第１基板移動用アーム４００
、エッチング剤導入用チャンバー４０５、エッチング剤導入口４０６、エッチング剤排出
口４０７、第２基板移動用アーム４０８、ベルトコンベア４１０、フィルムの送り出し用
ロール４１１、巻き取り用ロール４１２、フィルム送り出し用ロール４１３、アライメン
ト装置４１４を示す。
【００７９】
図６（Ａ）に示すように、剥離層を除去する前の状態の薄膜集積回路を含む層は、送り出
し用キャリア４０１から送り出し用エレベータ４０２を用いて搬送される。このとき、剥
離層により薄膜集積回路を含む層は固定され、ばらばらに分離することなく基板を移動す
ることができる。なお、この段階での基板は、剥離層に達する多数の穴が形成され、さら
に隣り合う薄膜集積回路間の境界に材料体が設けられている。
【００８０】
そして図６（Ｂ）に示すように、第１基板移動用アーム４００を用いて、薄膜集積回路を
含む層が形成されている絶縁基板１００を挟み込んで持ち上げ、図６（Ｃ）に示すエッチ
ング剤導入用チャンバー４０５へ設置する。また絶縁基板１００に形成された薄膜集積回
路を下方からすくい上げ、チャンバー４０５の下部へ絶縁基板１００を端から入れること
もできる。すなわち、絶縁基板１００をチャンバー４０５へ設置を可能とする手段であれ
ば、第１基板移動用アーム４００に限定されない。
【００８１】
この状態で、エッチング剤導入口４０６からエッチング剤を導入し、エッチング剤排出口
４０７から排出する。エッチング剤は、材料体に阻害されつつ、剥離層に達する多数の穴
を通って、剥離層を部分的、即ち、薄膜集積回路と重なる剥離層を除去して空洞を形成す
る。
【００８２】
剥離層の部分的な除去を行った後、第２基板移動用アーム４０８により図６（Ｅ）に示す
装置場所に基板を移動させる。このとき、材料体により残存した剥離層により薄膜集積回
路を含む層は固定され、ばらばらに分離することなく基板を移動することができる。
【００８３】
その後、フィルムの送り出し用ロール４１１から送り出される、接着面を備えるフィルム
、例えばスコッチテープ、タックウェルテープ（極薄片面テープ）、ダブルタックテープ
（極薄両面テープ）を極薄フィルムへ貼り合わせたもの等に基板を押し付けることによっ
て、薄膜集積回路のみを転置させる。このとき、接着面を備えるフィルムの接着強度は、
材料体が設けられた領域、即ち剥離層が残存している領域の接着強度より高くなるように
する。また、転置と同時に個々の薄膜集積回路の切り離しが行われる。なお、図６（Ｅ）
は、転置後の状態を示しており、材料体が設けられた部分は転置されず、基板に残存した
ままとなる。
【００８４】
なお接着面を備えるフィルムには、アンテナが形成されていてもよい。またアンテナの間
隔と、薄膜集積回路の間隔が異なる場合、伸展性フィルムにアンテナを形成し、フィルム
を引っ張りながらアンテナと薄膜集積回路を貼り合わせてもよい。
【００８５】
その後、フィルム送り出し用ロール４１３より、保護膜として機能するフィルム（保護フ
ィルム）、例えばラミネート加工用フィルム、スコッチテープ、タックウェルテープ（極
薄片面テープ）、ダブルタックテープ（極薄両面テープ）を極薄フィルムへ貼り合わせた
もの等が送り出される。これらの保護フィルムは、エッチングガスに対する耐性を有し、
熱耐性が強いことが望まれる。そしてアライメント装置４１４、例えばＣＣＤカメラによ
り、貼り合わせのアライメントを制御し、薄膜集積回路に保護フィルムを貼り合わせる。
【００８６】
最後に、巻き取り用ロール４１２に完成した薄膜集積回路が巻き取られる。
【００８７】
その後、物品へ実装するときに薄膜集積回路を切断する。そのため、巻き取り用ロール４
１２に巻き取られた状態で薄膜集積回路の移動、又は取引を行なうことができる。その結
果、５ｍｍ四方（２５ｍｍ2）以下、好ましくは０．３ｍｍ四方（０．０９ｍｍ2）〜４ｍ
ｍ四方（１６ｍｍ2）の微少な薄膜集積回路が、ばらばらに分離することなく、簡便な作
製、移動、又は取引を行なうことができる。
【００８８】
本実施の形態は、実施の形態１または実施の形態２と自由に組み合わせることができる
。
【００８９】
（実施の形態４）
本実施の形態では実施の形態３で示した製造装置とは異なる製造装置を示す。実施の形態
３では基板を第２基板移動用アームで押し付ける例であったが、本実施の形態ではロール
を用いる。
【００９０】
図７には、送り出し用キャリア１２０１、送り出し用エレベータ１２０２、ベルトコンベ
ア１２０３、転置用ローラー１２０４、フィルムの送り出し用ロール１２０５、取り出し
用キャリア１２０６、取り出し用エレベータ１２０７、ローラー１２０８ａ、１２０８ｂ
、１２０８ｃ、１２０８ｄ、動作評価用装置１２０９、フィルム送り出し用ロール１２１
０、アライメント装置１２１１、巻き取り用ロール１２１２を示す。なおフィルムの送り
出し用ロール１２０５からは、薄膜集積回路の上面に対して接着面を備えるもの、所謂テ
ープが送り出される。
【００９１】
図７に示したように、剥離層が選択的除去された薄膜集積回路を有する基板は、送り出し
用キャリア１２０１から搬送され、ベルトコンベア１２０３上に配置される。そしてベル
トコンベア１２０３で運ばれた基板は、接着面を備える転置用ローラー１２０４に押しつ
けられ、薄膜集積回路のみが転置される。このような転置用ローラー１２０４は、シリコ
ン系樹脂、又はフッ素系樹脂により形成することができる。具体的には、シリコーンゴム
、パーフロロエラストマー、フルオンアフラス、テフロン（登録商標）ゴム等により形成
することができる。特に、パーフロロエラストマー、フルオンアフラスは、耐熱性、耐薬
品性の高く好ましい。
【００９２】
このとき、転置用ローラー１２０４の接着強度は、材料体が設けられた領域、即ち剥離層
が残存している領域の接着強度より高くなるように設定する。そして、基板から薄膜集積
回路のみを転置し、基板１１００はそのままベルトコンベア１２０３により移動する。
【００９３】
その後フィルムの送り出し用ロール１２０５から、接着面を備えるフィルム、例えばスコ
ッチテープ、タックウェルテープ（極薄片面テープ）、ダブルタックテープ（極薄両面テ
ープ）を極薄フィルムへ貼り合わせたもの等が送り出される。これらのフィルムは、エッ
チングガスに対する耐性を有し、熱耐性が強いことが望まれる。そして、ローラー１２０
８ａにより、転置された薄膜集積回路に接着面を備えるフィルムを貼り合わせることがで
きる。
【００９４】
なお接着面を備えるフィルムには、アンテナが形成されていてもよい。その場合、ローラ
ー１２０８ａの近傍にアライメント装置を設けるとよい。またアンテナの間隔と、薄膜集
積回路の間隔が異なる場合、伸展性フィルムにアンテナを形成し、フィルムを引っ張りな
がらアンテナと薄膜集積回路を貼り合わせてもよい。
【００９５】
フィルムが貼り合わされた薄膜集積回路は、ローラー１２０８ｂ等により、動作評価用装
置１２０９を通過する。このとき薄膜集積回路の動作を確認することができる。例えば、
動作評価用装置としてリーダ＼ライタ装置を用い、アンテナが実装された薄膜集積回路が
搬送されてくると、所定の信号を記録し、当該信号を返信するか否かによって動作を確認
することができる。
【００９６】
このとき例えば、７３００×９２００ｍｍ2のガラス基板を用いて薄膜集積回路を形成す
ると、１ｍｍ四方のＩＤタグが約６７２０００個作製することができるため、動作確認は
、ランダムに選択された薄膜集積回路に対して行なう。
【００９７】
その後、保護フィルム送り出し用ロール１２１０より、保護膜として機能するフィルム（
保護フィルム）、例えばラミネート加工用フィルム、スコッチテープ、タックウェルテー
プ（極薄片面テープ）、ダブルタックテープ（極薄両面テープ）を極薄フィルムへ貼り合
わせたもの等が送り出される。これらの保護フィルムは、エッチングガスに対する耐性を
有し、熱耐性が強いことが望まれる。そしてアライメント装置１２１１、例えばＣＣＤカ
メラにより、貼り合わせのアライメントを制御し、薄膜集積回路に保護フィルムを貼り合
わせる。
【００９８】
最後に、巻き取り用ロール１２１２に完成した薄膜集積回路が巻き取られる。
【００９９】
その後、物品へ実装するときに薄膜集積回路を個々に切断する。そのため、巻き取り用ロ
ール１２１２に巻き取られた状態で薄膜集積回路の移動、又は取引を行なうことができる
。その結果、５ｍｍ四方（２５ｍｍ2）以下、好ましくは０．３ｍｍ四方（０．０９ｍｍ2
）〜４ｍｍ四方（１６ｍｍ2）の微少な薄膜集積回路がばらばらに分離することなく、簡
便な作製、移動、又は取引を行なうことができる。
【０１００】
本実施の形態は、実施の形態１乃至３のいずれか一と自由に組み合わせることができる
。
【０１０１】
（実施の形態５）
本発明により作製される薄膜集積回路は、複数の素子と、アンテナとして機能する導電層
とを有する。複数の素子とは、例えば、薄膜トランジスタ、容量素子、抵抗素子、ダイオ
ード等に相当する。
【０１０２】
薄膜集積回路２１０は、非接触でデータを交信する機能を有し、当該薄膜集積回路２１０
が含む複数の素子は様々な回路を構成する。例えば、電源回路２１１、クロック発生回路
２１２、データ復調／変調回路２１３、制御回路２１４、インターフェイス回路２１５、
メモリ２１６、データバス２１７、アンテナ（アンテナコイルともよぶ）２１８等を有す
る（図８参照）。
【０１０３】
電源回路２１１は、アンテナ２１８から入力された交流信号を基に、上記の各回路に供給
する各種電源を生成する回路である。クロック発生回路２１２は、アンテナ２１８から入
力された交流信号を基に、上記の各回路に供給する各種クロックを生成する回路である。
データ復調／変調回路２１３は、リーダライタ２１９と交信するデータを復調／変調する
機能を有する。制御回路２１４は、例えば、中央処理ユニット（ＣＰＵ、Ｃｅｎｔｒａｌ
Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）やマイクロプロセッサ（ＭＰＵ、ＭｉｃｒｏＰｒｏ
ｃｅｓｓｏｒ Ｕｎｉｔ）等に相当し、他の回路を制御する機能を有する。アンテナ２１
８は、電磁界或いは電波の送受信を行う機能を有する。リーダライタ２１９は、薄膜集積
回路との交信、制御及びそのデータに関する処理を制御する。
【０１０４】
なお、薄膜集積回路が構成する回路は上記構成に制約されず、例えば、電源電圧のリミッ
タ回路や暗号処理専用ハードウエアといった他の構成要素を追加した構成であってもよい
。
【０１０５】
本実施の形態は、実施の形態１乃至４のいずれか一と自由に組み合わせることができる
。
【０１０６】
（実施の形態６）
本発明により作製される薄膜集積回路の用途は広範にわたるが、例えば、紙幣、硬貨、有
価証券類、無記名債券類、証書類（運転免許証や住民票等、図９（Ａ）参照）、包装用容
器類（包装紙やボトル等、図９（Ｂ）参照）、記録媒体（ＤＶＤソフトやビデオテープ等
、図９（Ｃ）参照）、乗物類（自転車等、図９（Ｄ）参照）、身の回り品（鞄や眼鏡等、
図９（Ｅ）参照）、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に設けて使用することができ
る。電子機器とは、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、テレビジョン装置（単にテレビ、テレ
ビ受像機、テレビジョン受像機とも呼ぶ）及び携帯電話等を指す。
【０１０７】
本発明により薄膜集積回路を非常に薄くすることができるため、証書類（運転免許証や
住民票等、図９（Ａ）参照）の写真と重ねて薄膜集積回路２１０を配置することができ、
有用である。
【０１０８】
なお、薄膜集積回路は、物品の表面に貼ったり、物品に埋め込んだりして、物品に固定さ
れる。例えば、本なら紙に埋め込んだり、有機樹脂からなるパッケージなら当該有機樹脂
に埋め込んだりするとよい。紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類等に薄膜集
積回路を設けることにより、偽造を防止することができる。また、包装用容器類、記録媒
体、身の回り品、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に薄膜集積回路を設けることに
より、検品システムやレンタル店のシステムなどの効率化を図ることができる。乗物類に
薄膜集積回路を設けることにより、偽造や盗難を防止することができる。
【０１０９】
また、薄膜集積回路を、物の管理や流通のシステムに応用することで、システムの高機能
化を図ることができる。例えば、表示部２９４を含む携帯端末の側面にリーダライタ２９
５を設けて、物品２９７の側面に薄膜集積回路２９６を設ける場合が挙げられる（図１０
（Ａ）参照）。この場合、リーダライタ２９５に薄膜集積回路２９６をかざすと、表示部
２９４に物品２９７の原材料や原産地、流通過程の履歴等の情報が表示されるシステムに
なっている。また、別の例として、ベルトコンベアの脇にリーダライタ２９５を設ける場
合が挙げられる（図１０（Ｂ）参照）。この場合、物品２９７の検品を簡単に行うことが
できる。
【０１１０】
本実施の形態は、実施の形態１乃至５のいずれか一と自由に組み合わせることができる
。
【０１１１】
（実施の形態６）
本実施の形態では、アンテナを露出したまま剥離、転写を行って半導体素子を形成する
例を図１１を用いて説明する。なお、実施の形態１とは第２の絶縁膜を形成しない以外は
同じプロセスであるため詳細な説明は省略する。
【０１１２】
まず、絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成する。剥離層は、珪素を含む層をスパッタ
リング法やプラズマＣＶＤ法等の公知の方法により形成する。
【０１１３】
次いで、無機絶縁膜からなる絶縁膜３１２ａを形成する。次いで、絶縁膜３１２ａを下
地膜として半導体素子を含む層３１２ｂを形成する。最後にアルミニウムを主成分とする
材料でアンテナ３１４を形成する。このアンテナ３１４は三フッ化塩素（ＣｌＦ3）に耐
えることができるため、その上に絶縁膜を形成する必要がない。また、絶縁膜を設けない
分、信号の送受信を行いやすくなる。
【０１１４】
なお、素子群３１３ａは、アンテナ３１４を除く部分、複数のＴＦＴを含んでおり、最終
的には素子群３１３ａとＴＦＴに接続されたアンテナとで一つのデバイスとなる。
【０１１５】
次いで、マスクを用いてエッチングを行う。このエッチング工程でＴＦＴやアンテナ３
１４が設けられた領域以外に、剥離層に達する開口部を選択的に形成して、剥離層の一部
を露出させる。
【０１１６】
次いで、スクリーン印刷法または液滴吐出法により材料体を形成する。
【０１１７】
次いで、剥離層を除去するエッチング剤を開口部に導入して、剥離層を部分的に除去し
て材料体と重なる領域の剥離層を残存させる。
【０１１８】
次に、第１の接着性合成樹脂フィルム３１８と第１の基材フィルム３１７との積層からな
るラミネートフィルムに対して、素子群３１３ａをラミネート法により熱圧着させて、素
子群３１３ａを基板から剥離する。ここでは、ポリエチレン（１０μｍ）とポリエチレン
フィルム（２０μｍ）との積層で形成されたラミネートフィルム（トータル厚さ３０μｍ
）を用いる。
【０１１９】
次いで、第２の接着性合成樹脂フィルム３１９と第２の基材フィルム３２０との積層か
らなるラミネートフィルムに対して、素子群３１３ａをラミネート法により熱圧着（約１
００℃程度）させて封止を行う。ここでも、ポリエチレン（１０μｍ）とポリエチレンフ
ィルム（２０μｍ）との積層で形成されたラミネートフィルム（トータル厚さ３０μｍ）
を用いる。
【０１２０】
最後に、個々に分断を行って図１１の状態を得ることができる。ラミネートフィルムと
アンテナとは直接接しており、間に他の材料層を有していない。こうして、２枚のラミネ
ートフィルム（３０μｍ）で挟まれた非常に厚さの薄い半導体装置（合計膜厚は第１の素
子群の厚さ（３μｍ以下）＋６０μｍ）を提供することができる。
【０１２１】
本実施の形態は、実施の形態１乃至５のいずれか一と自由に組み合わせることができる
。
【産業上の利用可能性】
【０１２２】
本発明により、６００ｍｍ×７２０ｍｍ、６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、１０００ｍｍ×１
２００ｍｍ、１１００ｍｍ×１２５０ｍｍ、１１５０ｍｍ×１３００ｍｍ、またはこれら
以上の基板サイズのガラス基板上に小さな多数の電子部品素子を搭載し、個別に切断して
製品とするマトリックスタイプ（多数個取りタイプ）の製造方法を実現できる。
【符号の説明】
【０１２３】
１０：基板
１１ａ：剥離層
１１ｂ：残存した剥離層
１２ａ：絶縁膜
１２ｂ：半導体素子を含む層
１３ａ：第１の素子群
１３ｂ：第１の素子群
１５：開口部（穴または溝）
１６：材料体
１７：第１の基材フィルム
１８：第１の接着性合成樹脂
１９：第２の基材フィルム
２０：第２の接着性合成樹脂
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）で構成された回路や半導体装置等を
剥離するための方法およびその方法により得られる半導体装置に関する。
【０００２】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装
置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
【背景技術】
【０００３】
近年、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜（厚さ数〜数百ｎｍ程度）を用
いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタは
ＩＣや電気光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチ
ング素子として開発が急がれている。
【０００４】
画像表示装置を利用したアプリケーションは様々なものが期待されているが、特に携帯
機器への利用が注目されている。現在、ガラス基板や石英基板が多く使用されているが、
割れやすく、重いという欠点がある。そのため、可撓性を有する基板、代表的にはフレキ
シブルなプラスチックフィルムの上にＴＦＴ素子を形成することが試みられている。
【０００５】
しかしながら、プラスチックフィルムの耐熱性が低いためプロセスの最高温度を低くせ
ざるを得ず、結果的にガラス基板上に形成する時ほど良好な電気特性のＴＦＴを形成でき
ないのが現状である。そのため、プラスチックフィルムを用いた高性能な半導体素子は実
現されていない。
【０００６】
そこで、ガラス基板上に形成した素子を基板から剥離し、他の基材、例えばプラスチッ
クフィルムなどに転写する技術が提案されている。
【０００７】
本出願人は、特許文献１や特許文献２に記載の剥離および転写技術を提案している。
【０００８】
また、ＩＣのような微小なデバイスにおいては、半導体ウェハを粘着シートに貼り付け
た状態でチップ単位に切断し、該切断された半導体素子を粘着シートからピックアップし
、ＩＣカード等を構成する回路基板に搭載して実装することが行われている。半導体ウェ
ハを用いているため、ピックアップ時において傷ついたり、割れやすい欠点を有していた
。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平８−２８８５２２号公報
【特許文献２】特開平８−２５０７４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
また、近年では、非接触で情報を記録し、且つ読み取りできる「非接触ＩＣタグ」（一
般的に非接触データキャリアとも呼ぶ）が物品や商品の情報管理、物流管理等に利用する
ことが検討されている。
【００１１】
ＩＣカードや非接触ＩＣタグに用いる半導体チップの母体となる半導体ウェハは高価で
あり、大量生産には不向きである。
【００１２】
また、ガラス基板上に多数の電子部品素子を搭載し、個別に切断して製品とするマトリッ
クスタイプ（多数個取りタイプ）の製造方法が普及しつつある。大量生産上、大きな基板
に小さなデバイスを作製することが好ましい。
【００１３】
そこで、本発明は、大面積のガラス基板上に薄膜からなる集積回路を形成し、他の基体
に転写して分断を行い、接触、好ましくは非接触でデータの受信または送信が可能な微細
なデバイスを大量に効率よく作製する方法を提供することを課題とする。特に薄膜からな
る集積回路は、非常に薄いため移動時に飛んでしまう恐れがあり、取り扱いが難しかった
。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
発明者らは、ガラス基板上にアモルファスシリコンまたはポリシリコンを剥離層とし、
該剥離層上に半導体素子などのデバイス部を設けた後、部分的に材料体（代表的には樹脂
）を設けると、材料体を設けた箇所と重なる剥離層の部分は除去されない（または、除去
されにくくなる）ことを見出した。
【００１５】
具体的には、剥離層に達する多数の穴または多数の溝を設け、穴（または溝）およびデ
バイス部に重ならないパターン形状を有する材料体を設けた後、フッ化ハロゲンを含む気
体又は液体を導入して、前記剥離層を選択的に除去することができる。本発明者らは剥離
層上の凹凸などもエッチングに変化を与えることを見出し、固定したい領域に凸部となる
材料体を設ける構成としている。膜厚が１μｍ以上の材料体を設けることによってフッ化
ハロゲンを含む気体又は液体の導入経路が変わり、エッチングのされ方が変化して材料体
が設けられた箇所の剥離層が残存する。
【００１６】
所定の箇所の剥離層を残存させることによって、ガラス基板に対して部分的に固定させ
ている状態で他の基材にデバイス部のみの転写を行うことができる。
【００１７】
本明細書で開示する半導体装置の作製方法に関する発明の構成は、
絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に第１部分及び第２部分を含む層を形成し、
前記第１部分及び前記第２部分を含む層に対して前記剥離層に達する開口を形成し、
前記第１の部分と前記第２の部分の間に位置する第３部分に材料体を形成し、
前記開口にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入して、前記剥離層を選択的に除去
し、且つ、前記第３部分と重なる前記剥離層の一部を残存させ、
絶縁表面を有する基板から前記第１部分及び前記第２部分を切り離すことを特徴とする半
導体装置の作製方法である。
【００１８】
上記構成において、前記第１部分及び前記第２部分は、それぞれ半導体素子を少なくと
も一つ有していることを特徴の一つとしている。
【００１９】
また、他の発明の構成は、
絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に第１の薄膜集積回路及び第２の薄膜集積回路を含む層を形成し、
前記第１の薄膜集積回路及び前記第２の薄膜集積回路を含む層に対して前記剥離層に達す
る開口を形成し、
前記第１の薄膜集積回路と前記第２の薄膜集積回路の境界上の少なくとも一部に材料体を
形成し、
前記開口にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入して、前記剥離層を選択的に除去
して、前記材料体の下方に前記剥離層の一部を残存させ、
絶縁表面を有する基板から前記第１の薄膜集積回路及び前記第２の薄膜集積回路を切り離
すことを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００２０】
また、上記各構成において、前記開口は、穴または溝であることを特徴の一つとしてい
る。
【００２１】
また、前記材料体の上面形状は、前記基板の一辺と平行な直線形状、または前記薄膜集
積回路を囲む格子形状であることを特徴の一つとしている。
【００２２】
また、前記材料体は、スクリーン印刷法または液滴吐出法により得られることを特徴の
一つとしている。
【００２３】
また、前記材料体は、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体と化学反応しない材料である
ことを特徴の一つとしている。
【００２４】
また、他の発明の構成は、
絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成する第１の工程と、
前記剥離層上に複数の薄膜集積回路を含む層を形成する第２の工程と、
前記複数の薄膜集積回路を含む層に対して前記剥離層に達する多数の穴または多数の溝を
形成する第３の工程と、
隣り合う薄膜集積回路の境界上の少なくとも一部に材料体を形成する第４の工程と、
前記多数の穴または多数の溝にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入し、前記剥離
層を選択的に除去して、前記材料体の下方のみに前記剥離層の一部を残存させる第５の工
程と、
絶縁表面を有する基板から前記薄膜集積回路を個々に又は各組ごとに切り離す第６の工程
と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
【００２５】
また、接着面を備える基体へ転置した後に個々に分けてもよく、他の発明の構成は、
絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成する第１の工程と、
前記剥離層上に複数の薄膜集積回路を含む層を形成する第２の工程と、
前記複数の薄膜集積回路を含む層に対して前記剥離層に達する多数の穴または多数の溝を
形成する第３の工程と、
隣り合う薄膜集積回路の境界上の少なくとも一部に材料体を形成する第４の工程と、
前記多数の穴または多数の溝にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入し、前記剥離
層を選択的に除去して、前記材料体の下方のみに前記剥離層の一部を残存させる第５の工
程と、
前記薄膜集積回路を、接着面を備える基体へ転置する第６の工程と、
前記薄膜集積回路を個々に又は各組ごとに分断する第７の工程と、を有することを特徴と
する半導体装置の作製方法である。
【００２６】
上記各構成において、前記前記材料体の上面形状は、前記基板の一辺と平行な直線形状
、または前記薄膜集積回路を囲む格子形状であることを特徴の一つとしている。なお、材
料体が配置される箇所には穴を形成しなくともよい。また、上記各構成において、前記材
料体は、スクリーン印刷法または液滴吐出法により得られることを特徴の一つとしている
。フォトマスクを使用せずに材料体を形成することによって工程の簡略化を図っている。
また、スクリーン印刷法または液滴吐出法は、エッチングによる溶媒や反応ガスによる素
子への影響もなく、好ましい。
【００２７】
また、前記材料体は、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体と化学反応しない材料である
ことが好ましい。例えば、前記材料体として、エポキシ樹脂やテフロン（登録商標）樹脂
などを用いることができる。
【００２８】
従来の技術では、ガラス基板上に設けられた剥離層上に半導体素子を形成し、固定する
ための基板に接着した後に剥離を行ってガラス基板から半導体素子を剥離していたが、本
発明では、ガラス基板をそのまま固定基板とすることで、剥離工程や転写工程において、
小さなサイズを有する集積回路がバラバラになることを防ぐ。本発明により、大きな基板
に小さなデバイスを作製し、個々に取り扱うことが簡便となる。
【００２９】
また、本発明では、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入すると、デバイス部と重
なる部分において、基板とデバイス部の間において空洞が形成される。この空洞は、剥離
層が部分的に除去されることで形成されるものである。
【００３０】
また、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入した後、ヒートシールを行うことによ
ってラミネート処理を行えば、さらなる薄膜化を実現することができる。
【００３１】
また、上記作製方法によって得られる半導体装置も本発明の一つであり、その構成は、
第１のフィルムと、第２のフィルムとで封止された半導体装置であり、
前記第１のフィルムと前記第２のフィルムとの間に、第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜
上に半導体素子を含む層と、該半導体素子を含む層を覆う第２の絶縁膜とを有し、
前記第１のフィルムは、前記第１の絶縁膜と接し、且つ、前記第２のフィルムは前記第２
の絶縁膜と接していることを特徴とする半導体装置である。
【００３２】
また、通信機能を持たせたデバイスとしてもよく、他の構成は、
第１のフィルムと、第２のフィルムとで封止された半導体装置であり、
前記第１のフィルムと前記第２のフィルムとの間に、第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜
上に半導体素子およびアンテナを含む層と、該半導体素子およびアンテナを含む層を覆う
第２の絶縁膜とを有し、
前記第１のフィルムは、前記第１の絶縁膜と接し、且つ、前記第２のフィルムは前記第２
の絶縁膜と接していることを特徴とする半導体装置である。
【００３３】
また、上記各構成において、半導体素子およびアンテナを含む層における絶縁膜のうち
、半導体素子およびアンテナに重ならない箇所に多数の穴、若しくは溝を有している。こ
の多数の穴、若しくは溝は、第１のフィルム及び第２のフィルムに達している。この多数
の穴、若しくは溝は、ガラス基板から半導体素子およびアンテナを含む層を剥離する際に
形成されたものである。
【００３４】
また、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体に耐えうる材料、例えばアルミニウムを主成
分とする材料からなるアンテナであれば、アンテナを第２の絶縁膜で覆う必要は特になく
、他の構成は、
第１のフィルムと、第２のフィルムとで封止された半導体装置であり、
前記第１のフィルムと前記第２のフィルムとの間に、第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜
上に半導体素子を含む層と、半導体素子を含む層上にアンテナと、を有し、
前記第１のフィルムは、前記第１の絶縁膜と接し、且つ、前記第２のフィルムは前記アン
テナと接していることを特徴とする半導体装置である。この構成とすることによって、第
２の絶縁膜を形成する工程を削減することができる。
【００３５】
また、上記各構成において、前記第１のフィルムまたは前記第２のフィルムは積層構造
を有しているラミネートフィルムであることを特徴の一つとしている。ラミネートフィル
ムを用いれば、フィルムを貼り付けるための接着層を形成する工程が省略できる。また、
ラミネートフィルムと第１の絶縁膜との間にアンカーコート層を設けて密着性を向上させ
てもよい。また、ラミネートフィルムと第２の絶縁膜との間にアンカーコート層を設けて
密着性を向上させてもよい。
【００３６】
ラミネートフィルムとは、基材フィルムと接着性合成樹脂フィルムとの積層フィルム、
または２種類以上の積層フィルムを指す。基材フィルムとしては、ＰＥＴやＰＢＴ等のポ
リエステル、ナイロン６、ナイロン６６等のポリアミド、また無機蒸着フィルム、または
紙類を用いればよい。また、接着性合成フィルムとしてはＰＥやＰＰ等のポリオレフィン
、アクリル系合成樹脂、エポキシ系合成樹脂などを用いればよい。ラミネートフィルムは
ラミネート装置により、被処理体と熱圧着によりラミネートされる。なお、ラミネート工
程を行う前処理としてアンカーコート剤を塗布することが好ましく、ラミネートフィルム
と被処理体との接着を強固なものとすることができる。アンカーコート剤としてはイソシ
アネート系などを用いればよい。
【００３７】
本明細書でヒートシールとは、加熱圧着により封止することを指しており、フィルム基
材にパートコートされている接着剤層か、ラミネートフィルムの融点の低い最外層または
最内層を熱によって溶かし、加圧によって接着することを言う。
【００３８】
また、前記第１の絶縁膜は、窒化珪素または酸化珪素を主成分とする無機絶縁膜である
ことを特徴の一つとしている。なお、この窒化珪素または酸化珪素を主成分とする無機絶
縁膜を下地膜としてＴＦＴが積層形成されている。
【００３９】
また、ＴＦＴ構造に関係なく本発明を適用することが可能であり、例えば、トップゲート
型ＴＦＴや、ボトムゲート型（逆スタガ型）ＴＦＴや、順スタガ型ＴＦＴを用いることが
可能である。また、シングルゲート構造のＴＦＴに限定されず、複数のチャネル形成領域
を有するマルチゲート型ＴＦＴ、例えばダブルゲート型ＴＦＴとしてもよい。
【００４０】
また、ＴＦＴの活性層としては、非晶質半導体膜、結晶構造を含む半導体膜、非晶質構造
を含む化合物半導体膜などを適宜用いることができる。さらにＴＦＴの活性層として、非
晶質と結晶構造（単結晶、多結晶を含む）の中間的な構造を有し、自由エネルギー的に安
定な第３の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な領
域を含んでいるセミアモルファス半導体膜（微結晶半導体膜、マイクロクリスタル半導体
膜とも呼ばれる）も用いることができる。
【発明の効果】
【００４１】
本発明は、剥離層を除去した後も、基板と残存した剥離層の一部とが密着した領域を設
けることで、当該絶縁膜の上方に設けられた薄膜集積回路の飛散を防止することができる
。また、剥離層の一部が残存した領域を設けることで、基板上に薄膜集積回路を保持する
ことができるため、当該薄膜集積回路の基体への転置を容易に行うことができる。
【００４２】
また、本発明のように、基板上に薄膜集積回路が保持された状態であれば、当該基板をそ
のまま搬送することができるため、搬送手段を含む量産装置に用いることができる。例え
ば、ラミネート装置に、薄膜集積回路が保持された基板を搬送すれば、当該薄膜集積回路
のラミネート処理を連続的に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する断面図。
【図２】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する断面図。
【図３】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する上面図。
【図４】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する断面図。
【図５】本発明の薄膜集積回路の作製方法を説明する上面図。
【図６】薄膜集積回路の製造装置を示した図である。
【図７】薄膜集積回路の製造装置を示した図である。
【図８】薄膜集積回路を説明する図。
【図９】薄膜集積回路の使用形態について説明する図。
【図１０】薄膜集積回路の使用形態について説明する図。
【図１１】本発明の薄膜集積回路を説明する断面図。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
本発明の実施形態について、以下に説明する。
【００４５】
本発明の実施の形態について、図１〜図４を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以
下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳
細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に
示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本
発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる。
【００４６】
（実施の形態１）
ここでは、本発明の半導体装置の作製方法について以下に説明する。
【００４７】
まず、絶縁表面を有する基板１０上に剥離層１１ａを形成する。なお、絶縁表面を有する
基板１０１とは、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、アクリル等の可撓性を有す
る合成樹脂からなる樹脂基板、金属基板に相当する。また、剥離層１１ａは、珪素を含む
層をスパッタリング法やプラズマＣＶＤ法等の公知の方法により形成する。珪素を含む層
とは、非晶質半導体層、非晶質状態と結晶質状態とが混在したセミアモルファス半導体層
、結晶質半導体層に相当する。
【００４８】
次いで、無機絶縁膜からなる絶縁膜１２ａを形成する。絶縁膜１２ａは、プラズマＣＶ
Ｄ法やスパッタリング法等の公知の方法を用いて、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、
窒化酸化珪素等からなる単層膜、またはこれらの積層膜を形成する。
【００４９】
次いで、絶縁膜１２ａを下地膜として半導体素子を含む層１２ｂを形成する。（図１（
Ａ）参照）。図１（Ａ）では、第１の素子群１３ａと、第１の素子群に隣接する第２の素
子群１３ｂとを示した例を示しているが、特に限定されず、基板１０には多数の素子群が
設けられており、最終的に個別に切断して製品とする。なお、第１の素子群１３ａは、複
数のＴＦＴとアンテナとして機能する導電層１４とを含んでおり、最終的には第１の素子
群１３ａが一つのデバイスとなる。
【００５０】
次いで、マスクを用いてエッチングを行う。このエッチング工程でＴＦＴや導電層１４
が設けられた領域以外に、剥離層１１ａに達する開口部１５を選択的に形成して、剥離層
１１ａを露出させる（図１（Ｂ）参照）。なお、開口部１５の配置はＴＦＴや導電層１４
が設けられた領域以外であれば特に限定されず、適宜設ければよい。また、開口部１５は
穴であってもよいし、幅を有する溝であってもよい。
【００５１】
次いで、スクリーン印刷法または液滴吐出法により材料体１６を形成する（図１（Ｃ）
参照）。また、ディスペンサ装置を用いて材料体１６を形成することも可能である。なお
、この段階での上面図を図３に示す。剥離層を残存させたい領域に材料体１６を形成すれ
ばよく、例えば、図３に上面図の一例を示したように１つの素子群を囲む格子形状とする
。図３中における鎖線Ａ−Ｂが図１（Ｃ）の断面図に相当する。また、前記材料体は、フ
ッ化ハロゲンを含む気体又は液体と化学反応しない材料であることが好ましい。ここでは
材料体１６として、エポキシ樹脂を用いてスクリーン印刷法により格子形状とする。
【００５２】
また、材料体１６のパターンは特に限定されず、図５に示すように、材料体５１のパター
ンを基板５０の一辺と平行な直線形状としてもよい。直線形状を形成する場合にはインク
ジェット法を用いることが好ましい。インクジェット法では格子形状を形成する際、交差
する部分を形成することは困難である。図５においては、素子群の間にも穴５２を設ける
ことができる。また、材料体のパターンを図５とした場合は、材料体５１のパターンに沿
って、接着層を用いた他の基板との貼り合わせや、ラミネートフィルムを用いたラミネー
ト処理を行うことが好ましい。
【００５３】
次いで、剥離層を除去するエッチング剤を開口部に導入して、剥離層を部分的に除去し
て材料体と重なる領域の剥離層１１ｂを残存させる（図１（Ｄ）参照）。エッチング剤に
は、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体を使用する。フッ化ハロゲンを含む気体としては
、例えば三フッ化塩素（ＣｌＦ3）を使用する。材料体１６を設けることによって、エッ
チング剤が開口部に入りにくくなり、結果的に材料体１６の重なる領域に剥離層１１ｂを
残存させることができる。図１（Ｄ）では残存した剥離層１１ｂの幅を材料体のパターン
幅よりも狭い様子を示しているが、特に限定されず、両者の幅が同一、もしくは素子群に
重ならない程度に剥離層１１ｂの幅を広くしてもよい。
【００５４】
次に、第１の接着性合成樹脂フィルム１８と第１の基材フィルム１７との積層からなるラ
ミネートフィルムに対して、第１の素子群１３ａと第２の素子群１３ｂとをラミネート法
により熱圧着させて、第１の素子群１３ａと第２の素子群１３ｂを基板１０から剥離する
（図１（Ｅ）参照）。強度、加工作業性、コスト等の点からラミネートフィルムのトータ
ル厚さは１５μｍ〜２００μｍのものを使用する。ここでは、ポリエチレン（２０μｍ）
とポリエチレンフィルム（４０μｍ）との積層で形成されたラミネートフィルム（トータ
ル厚さ６０μｍ）を用いる。
【００５５】
熱圧着させる際には、素子群に含まれる素子を破壊しない範囲、好ましくは素子特性が
変化しない範囲で加熱温度と圧力を設定することが好ましい。また、材料体１６は、圧着
させる際に圧力を材料体１６の部分に集中させることができ、素子群に圧力が集中するこ
とを防ぐ効果もある。
【００５６】
材料体１６が第１の接着性合成樹脂フィルム１８と密着性がよい場合、材料体１６も基
板から剥離されることもあるが、後の工程で除去することが可能である。 材料体も剥離
される場合、残存した剥離層が存在しているため、材料体と重なる絶縁膜の積層は固定さ
れたままで、材料体と絶縁膜との界面で分離される。材料体を除去する工程を省くため、
材料体１６は第１の接着性合成樹脂フィルム１８と密着性が悪いことが好ましい。材料体
１６が第１の接着性合成樹脂フィルム１８と密着性が悪い場合、剥離層が除去された部分
は第１の基材フィルム１７に接着して基板１０から完全に剥離され、剥離層１１ｂが残存
している部分は基板１０に保持されたままとなる。
【００５７】
また、第１の接着性合成樹脂フィルム１８と第１の基材フィルム１７との積層からなる
ラミネートフィルムに代えて、接着層を有する基材を用いてもよい。
【００５８】
この段階で、図２（Ａ）に示すように、第１の接着性合成樹脂フィルム１８と第１の基
材フィルム１７との積層からなるラミネートフィルムに第１の素子群１３ａと第２の素子
群１３ｂとが接着された状態を得ることができる。
【００５９】
次いで、第２の接着性合成樹脂フィルム１９と第２の基材フィルム２０との積層からな
るラミネートフィルムに対して、第１の素子群１３ａと第２の素子群１３ｂとをラミネー
ト法により熱圧着（約１００℃程度）させて封止を行う（図２（Ｂ）参照）。ここでも、
ポリエチレン（２０μｍ）とポリエチレンフィルム（４０μｍ）との積層で形成されたラ
ミネートフィルム（トータル厚さ６０μｍ）を用いる。なお、本実施の形態では、同じ種
類のラミネートフィルム２枚を用いて封止を行った例を示したが特に限定されず、２枚の
異なる種類のラミネートフィルムを封止に用いてもよい。
【００６０】
また、第２の接着性合成樹脂フィルム１９と第２の基材フィルム２０との積層からなる
ラミネートフィルムに代えて、接着層を有する基材を用いて封止してもよい。
【００６１】
最後に、個々に分断を行って図２（Ｃ）の状態を得ることができる。ラミネートフィル
ムと第１の素子群とは直接接しており、間に他の材料層を有していない。こうして、２枚
のラミネートフィルム（６０μｍ）で挟まれた非常に厚さの薄い半導体装置（合計膜厚は
第１の素子群の厚さ（３μｍ以下）＋１２０μｍ）を提供することができる。なお、図２
（Ｃ）では、ラミネートフィルムが曲がっている図面となっているが、実際は、第１の素
子群の厚さは３μｍ以下であるのに対し、ラミネートフィルムは１枚当たり６０μｍであ
るため、貼りあわされた２枚のラミネートフィルムは、ほとんど平坦である。
【００６２】
また、ここでは開口部１５を形成した後、材料体１６を形成した例を示したが、特に限
定されず、材料体１６を形成した後に開口部１５を形成してもよい。
【００６３】
（実施の形態２）
ここでは、実施の形態１よりも、さらに詳細な説明を行うこととする。図４を用いて半
導体装置の作製方法の例を示す。なお、図４（Ｂ）は実施の形態１に示した図３中の鎖線
Ｃ−Ｄで切断した断面図に相当する。
【００６４】
まず、絶縁表面を有する基板１０１の一表面に剥離層１０２を形成する。
【００６５】
次いで、剥離層１０２上に接して、下地用の絶縁膜１０５を形成する。絶縁膜１０５は、
プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法等の公知の方法を用いて、酸化珪素、窒化珪素、酸
化窒化珪素、窒化酸化珪素等からなる薄膜を形成する。
【００６６】
続いて、絶縁膜１０５上に複数の素子を含む素子群１０６を形成する。素子群１０６は、
例えば、薄膜トランジスタ、容量素子、抵抗素子、ダイオード等を１つ又は複数形成する
。また、薄膜トランジスタに接続する発光素子を設けて小さな発光領域、または表示領域
を備えた素子群を設けてもよい。また、素子群１０６に静電破壊防止のための保護回路（
保護ダイオードなど）を設けてもよい。ここでは、素子群１０６として、２つのトランジ
スタ１１７、１１８を形成する。次に、素子群１０６を覆うように、絶縁膜１０７を形成
し、絶縁膜１０７上に、絶縁膜１０８を形成する。続いて、絶縁膜１０８上に、スパッタ
成膜後にパターニングを行う、或いは液滴吐出法によりアンテナとして機能する導電層１
１０を形成する。
【００６７】
次に、導電層１１０上に、保護膜として機能する絶縁膜１１１を形成する。上記の工程を
経て、素子群１０６と導電層１１０を含む薄膜集積回路１０９が完成する。（図４（Ａ）
参照）。
【００６８】
絶縁膜１０７、１０８、１１１は、有機材料又は無機材料により形成する。有機材料は、
ポリイミド、アクリル、ポリアミド、シロキサン、エポキシ等を用いる。シロキサンは、
珪素と酸素との結合で骨格構造が構造され、置換基に少なくとも水素を含む、又は置換基
にフッ素、アルキル基、又は芳香族炭化水素のうち少なくとも１種を有する材料である。
また、無機材料には、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素等を用いる。
【００６９】
続いて、素子と導電層１１０が設けられた領域以外に、穴または溝となる開口部１１２、
１１３を選択的に形成して、剥離層１０２を露出させる（図４（Ｂ）参照）。つまり、素
子と導電層１１０が設けられた領域の外周に開口部１１２、１１３を選択的に形成する。
開口部は、マスクを利用したエッチングやダイシング等によって形成する。
【００７０】
続いて、スクリーン印刷法または液滴吐出法により材料体を形成する。剥離層を残存させ
たい領域、例えば隣り合う薄膜集積回路との境界に材料体を形成すればよい。
【００７１】
続いて、開口部に剥離層１０２を除去するエッチング剤を導入して、剥離層１０２を部分
的に除去する（図４（Ｃ）参照）。図４（Ｃ）では基板１０１と絶縁膜１０５との間に空
洞を有しているが、材料体が設けられた領域には剥離層が残存しており、薄膜集積回路１
０９は基板１０１に固定されたままである。エッチング剤には、フッ化ハロゲンを含む気
体又は液体を使用する。フッ化ハロゲンを含む気体としては、例えば三フッ化塩素（Ｃｌ
Ｆ3）を使用する。
【００７２】
次に、素子群１０６と導電層１１０を含む薄膜集積回路１０９を基体１１４に接着させて
、薄膜集積回路１０９を基板１０１から剥離する（図４（Ｄ）参照）。この際、剥離層１
０２が除去された部分は基体１１４に接着して基板１０１から完全に剥離され、剥離層が
残存している部分は基板１０１に保持されたままとなる。
【００７３】
基体１１４には、プラスチック等からなる可撓性基板、両面テープなどを用いるとよい。
可撓性基板には、熱硬化樹脂などの接着剤からなる接着面を設けていてもよい。また、基
体１１４を用いずに、物品の表面に接着させてもよい。そうすれば、実装する物品の薄型
化や軽量化に貢献することになる。
【００７４】
上記の作製方法では、剥離層を部分的に除去することを特徴の一つとしている。上記特徴
により、剥離層を部分的に除去した後も、剥離層を残存させた領域は固定状態にあるため
、薄膜集積回路１０９を基板１０１上に保持することができ、薄膜集積回路１０９の飛散
を防止することができる。
【００７５】
つまり、本発明では、薄膜集積回路を１つの単位として、隣り合う薄膜集積回路との境界
に設けた材料体パターンによって材料パターンの下方に剥離層を残存させることができる
ため、任意の薄膜集積回路のみを基体に転置することができる。また、基体に転置する工
程を経ると、複数の薄膜集積回路の各々は自動的に分断される。そのため、複数の薄膜集
積回路を分断する工程を省略することもできる。
【００７６】
本実施の形態は、実施の形態１と自由に組み合わせることができる。
【００７７】
（実施の形態３）
本実施の形態では、薄膜集積回路の製造装置の例を示す。
【００７８】
図６（Ａ）〜図６（Ｅ）には、送り出し用キャリア４０１、第１基板移動用アーム４００
、エッチング剤導入用チャンバー４０５、エッチング剤導入口４０６、エッチング剤排出
口４０７、第２基板移動用アーム４０８、ベルトコンベア４１０、フィルムの送り出し用
ロール４１１、巻き取り用ロール４１２、フィルム送り出し用ロール４１３、アライメン
ト装置４１４を示す。
【００７９】
図６（Ａ）に示すように、剥離層を除去する前の状態の薄膜集積回路を含む層は、送り出
し用キャリア４０１から送り出し用エレベータ４０２を用いて搬送される。このとき、剥
離層により薄膜集積回路を含む層は固定され、ばらばらに分離することなく基板を移動す
ることができる。なお、この段階での基板は、剥離層に達する多数の穴が形成され、さら
に隣り合う薄膜集積回路間の境界に材料体が設けられている。
【００８０】
そして図６（Ｂ）に示すように、第１基板移動用アーム４００を用いて、薄膜集積回路を
含む層が形成されている絶縁基板１００を挟み込んで持ち上げ、図６（Ｃ）に示すエッチ
ング剤導入用チャンバー４０５へ設置する。また絶縁基板１００に形成された薄膜集積回
路を下方からすくい上げ、チャンバー４０５の下部へ絶縁基板１００を端から入れること
もできる。すなわち、絶縁基板１００をチャンバー４０５へ設置を可能とする手段であれ
ば、第１基板移動用アーム４００に限定されない。
【００８１】
この状態で、エッチング剤導入口４０６からエッチング剤を導入し、エッチング剤排出口
４０７から排出する。エッチング剤は、材料体に阻害されつつ、剥離層に達する多数の穴
を通って、剥離層を部分的、即ち、薄膜集積回路と重なる剥離層を除去して空洞を形成す
る。
【００８２】
剥離層の部分的な除去を行った後、第２基板移動用アーム４０８により図６（Ｅ）に示す
装置場所に基板を移動させる。このとき、材料体により残存した剥離層により薄膜集積回
路を含む層は固定され、ばらばらに分離することなく基板を移動することができる。
【００８３】
その後、フィルムの送り出し用ロール４１１から送り出される、接着面を備えるフィルム
、例えばスコッチテープ、タックウェルテープ（極薄片面テープ）、ダブルタックテープ
（極薄両面テープ）を極薄フィルムへ貼り合わせたもの等に基板を押し付けることによっ
て、薄膜集積回路のみを転置させる。このとき、接着面を備えるフィルムの接着強度は、
材料体が設けられた領域、即ち剥離層が残存している領域の接着強度より高くなるように
する。また、転置と同時に個々の薄膜集積回路の切り離しが行われる。なお、図６（Ｅ）
は、転置後の状態を示しており、材料体が設けられた部分は転置されず、基板に残存した
ままとなる。
【００８４】
なお接着面を備えるフィルムには、アンテナが形成されていてもよい。またアンテナの間
隔と、薄膜集積回路の間隔が異なる場合、伸展性フィルムにアンテナを形成し、フィルム
を引っ張りながらアンテナと薄膜集積回路を貼り合わせてもよい。
【００８５】
その後、フィルム送り出し用ロール４１３より、保護膜として機能するフィルム（保護フ
ィルム）、例えばラミネート加工用フィルム、スコッチテープ、タックウェルテープ（極
薄片面テープ）、ダブルタックテープ（極薄両面テープ）を極薄フィルムへ貼り合わせた
もの等が送り出される。これらの保護フィルムは、エッチングガスに対する耐性を有し、
熱耐性が強いことが望まれる。そしてアライメント装置４１４、例えばＣＣＤカメラによ
り、貼り合わせのアライメントを制御し、薄膜集積回路に保護フィルムを貼り合わせる。
【００８６】
最後に、巻き取り用ロール４１２に完成した薄膜集積回路が巻き取られる。
【００８７】
その後、物品へ実装するときに薄膜集積回路を切断する。そのため、巻き取り用ロール４
１２に巻き取られた状態で薄膜集積回路の移動、又は取引を行なうことができる。その結
果、５ｍｍ四方（２５ｍｍ2）以下、好ましくは０．３ｍｍ四方（０．０９ｍｍ2）〜４ｍ
ｍ四方（１６ｍｍ2）の微少な薄膜集積回路が、ばらばらに分離することなく、簡便な作
製、移動、又は取引を行なうことができる。
【００８８】
本実施の形態は、実施の形態１または実施の形態２と自由に組み合わせることができる
。
【００８９】
（実施の形態４）
本実施の形態では実施の形態３で示した製造装置とは異なる製造装置を示す。実施の形態
３では基板を第２基板移動用アームで押し付ける例であったが、本実施の形態ではロール
を用いる。
【００９０】
図７には、送り出し用キャリア１２０１、送り出し用エレベータ１２０２、ベルトコンベ
ア１２０３、転置用ローラー１２０４、フィルムの送り出し用ロール１２０５、取り出し
用キャリア１２０６、取り出し用エレベータ１２０７、ローラー１２０８ａ、１２０８ｂ
、１２０８ｃ、１２０８ｄ、動作評価用装置１２０９、フィルム送り出し用ロール１２１
０、アライメント装置１２１１、巻き取り用ロール１２１２を示す。なおフィルムの送り
出し用ロール１２０５からは、薄膜集積回路の上面に対して接着面を備えるもの、所謂テ
ープが送り出される。
【００９１】
図７に示したように、剥離層が選択的除去された薄膜集積回路を有する基板は、送り出し
用キャリア１２０１から搬送され、ベルトコンベア１２０３上に配置される。そしてベル
トコンベア１２０３で運ばれた基板は、接着面を備える転置用ローラー１２０４に押しつ
けられ、薄膜集積回路のみが転置される。このような転置用ローラー１２０４は、シリコ
ン系樹脂、又はフッ素系樹脂により形成することができる。具体的には、シリコーンゴム
、パーフロロエラストマー、フルオンアフラス、テフロン（登録商標）ゴム等により形成
することができる。特に、パーフロロエラストマー、フルオンアフラスは、耐熱性、耐薬
品性の高く好ましい。
【００９２】
このとき、転置用ローラー１２０４の接着強度は、材料体が設けられた領域、即ち剥離層
が残存している領域の接着強度より高くなるように設定する。そして、基板から薄膜集積
回路のみを転置し、基板１１００はそのままベルトコンベア１２０３により移動する。
【００９３】
その後フィルムの送り出し用ロール１２０５から、接着面を備えるフィルム、例えばスコ
ッチテープ、タックウェルテープ（極薄片面テープ）、ダブルタックテープ（極薄両面テ
ープ）を極薄フィルムへ貼り合わせたもの等が送り出される。これらのフィルムは、エッ
チングガスに対する耐性を有し、熱耐性が強いことが望まれる。そして、ローラー１２０
８ａにより、転置された薄膜集積回路に接着面を備えるフィルムを貼り合わせることがで
きる。
【００９４】
なお接着面を備えるフィルムには、アンテナが形成されていてもよい。その場合、ローラ
ー１２０８ａの近傍にアライメント装置を設けるとよい。またアンテナの間隔と、薄膜集
積回路の間隔が異なる場合、伸展性フィルムにアンテナを形成し、フィルムを引っ張りな
がらアンテナと薄膜集積回路を貼り合わせてもよい。
【００９５】
フィルムが貼り合わされた薄膜集積回路は、ローラー１２０８ｂ等により、動作評価用装
置１２０９を通過する。このとき薄膜集積回路の動作を確認することができる。例えば、
動作評価用装置としてリーダ＼ライタ装置を用い、アンテナが実装された薄膜集積回路が
搬送されてくると、所定の信号を記録し、当該信号を返信するか否かによって動作を確認
することができる。
【００９６】
このとき例えば、７３００×９２００ｍｍ2のガラス基板を用いて薄膜集積回路を形成す
ると、１ｍｍ四方のＩＤタグが約６７２０００個作製することができるため、動作確認は
、ランダムに選択された薄膜集積回路に対して行なう。
【００９７】
その後、保護フィルム送り出し用ロール１２１０より、保護膜として機能するフィルム（
保護フィルム）、例えばラミネート加工用フィルム、スコッチテープ、タックウェルテー
プ（極薄片面テープ）、ダブルタックテープ（極薄両面テープ）を極薄フィルムへ貼り合
わせたもの等が送り出される。これらの保護フィルムは、エッチングガスに対する耐性を
有し、熱耐性が強いことが望まれる。そしてアライメント装置１２１１、例えばＣＣＤカ
メラにより、貼り合わせのアライメントを制御し、薄膜集積回路に保護フィルムを貼り合
わせる。
【００９８】
最後に、巻き取り用ロール１２１２に完成した薄膜集積回路が巻き取られる。
【００９９】
その後、物品へ実装するときに薄膜集積回路を個々に切断する。そのため、巻き取り用ロ
ール１２１２に巻き取られた状態で薄膜集積回路の移動、又は取引を行なうことができる
。その結果、５ｍｍ四方（２５ｍｍ2）以下、好ましくは０．３ｍｍ四方（０．０９ｍｍ2
）〜４ｍｍ四方（１６ｍｍ2）の微少な薄膜集積回路がばらばらに分離することなく、簡
便な作製、移動、又は取引を行なうことができる。
【０１００】
本実施の形態は、実施の形態１乃至３のいずれか一と自由に組み合わせることができる
。
【０１０１】
（実施の形態５）
本発明により作製される薄膜集積回路は、複数の素子と、アンテナとして機能する導電層
とを有する。複数の素子とは、例えば、薄膜トランジスタ、容量素子、抵抗素子、ダイオ
ード等に相当する。
【０１０２】
薄膜集積回路２１０は、非接触でデータを交信する機能を有し、当該薄膜集積回路２１０
が含む複数の素子は様々な回路を構成する。例えば、電源回路２１１、クロック発生回路
２１２、データ復調／変調回路２１３、制御回路２１４、インターフェイス回路２１５、
メモリ２１６、データバス２１７、アンテナ（アンテナコイルともよぶ）２１８等を有す
る（図８参照）。
【０１０３】
電源回路２１１は、アンテナ２１８から入力された交流信号を基に、上記の各回路に供給
する各種電源を生成する回路である。クロック発生回路２１２は、アンテナ２１８から入
力された交流信号を基に、上記の各回路に供給する各種クロックを生成する回路である。
データ復調／変調回路２１３は、リーダライタ２１９と交信するデータを復調／変調する
機能を有する。制御回路２１４は、例えば、中央処理ユニット（ＣＰＵ、Ｃｅｎｔｒａｌ
Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）やマイクロプロセッサ（ＭＰＵ、ＭｉｃｒｏＰｒｏ
ｃｅｓｓｏｒ Ｕｎｉｔ）等に相当し、他の回路を制御する機能を有する。アンテナ２１
８は、電磁界或いは電波の送受信を行う機能を有する。リーダライタ２１９は、薄膜集積
回路との交信、制御及びそのデータに関する処理を制御する。
【０１０４】
なお、薄膜集積回路が構成する回路は上記構成に制約されず、例えば、電源電圧のリミッ
タ回路や暗号処理専用ハードウエアといった他の構成要素を追加した構成であってもよい
。
【０１０５】
本実施の形態は、実施の形態１乃至４のいずれか一と自由に組み合わせることができる
。
【０１０６】
（実施の形態６）
本発明により作製される薄膜集積回路の用途は広範にわたるが、例えば、紙幣、硬貨、有
価証券類、無記名債券類、証書類（運転免許証や住民票等、図９（Ａ）参照）、包装用容
器類（包装紙やボトル等、図９（Ｂ）参照）、記録媒体（ＤＶＤソフトやビデオテープ等
、図９（Ｃ）参照）、乗物類（自転車等、図９（Ｄ）参照）、身の回り品（鞄や眼鏡等、
図９（Ｅ）参照）、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に設けて使用することができ
る。電子機器とは、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、テレビジョン装置（単にテレビ、テレ
ビ受像機、テレビジョン受像機とも呼ぶ）及び携帯電話等を指す。
【０１０７】
本発明により薄膜集積回路を非常に薄くすることができるため、証書類（運転免許証や
住民票等、図９（Ａ）参照）の写真と重ねて薄膜集積回路２１０を配置することができ、
有用である。
【０１０８】
なお、薄膜集積回路は、物品の表面に貼ったり、物品に埋め込んだりして、物品に固定さ
れる。例えば、本なら紙に埋め込んだり、有機樹脂からなるパッケージなら当該有機樹脂
に埋め込んだりするとよい。紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類等に薄膜集
積回路を設けることにより、偽造を防止することができる。また、包装用容器類、記録媒
体、身の回り品、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に薄膜集積回路を設けることに
より、検品システムやレンタル店のシステムなどの効率化を図ることができる。乗物類に
薄膜集積回路を設けることにより、偽造や盗難を防止することができる。
【０１０９】
また、薄膜集積回路を、物の管理や流通のシステムに応用することで、システムの高機能
化を図ることができる。例えば、表示部２９４を含む携帯端末の側面にリーダライタ２９
５を設けて、物品２９７の側面に薄膜集積回路２９６を設ける場合が挙げられる（図１０
（Ａ）参照）。この場合、リーダライタ２９５に薄膜集積回路２９６をかざすと、表示部
２９４に物品２９７の原材料や原産地、流通過程の履歴等の情報が表示されるシステムに
なっている。また、別の例として、ベルトコンベアの脇にリーダライタ２９５を設ける場
合が挙げられる（図１０（Ｂ）参照）。この場合、物品２９７の検品を簡単に行うことが
できる。
【０１１０】
本実施の形態は、実施の形態１乃至５のいずれか一と自由に組み合わせることができる
。
【０１１１】
（実施の形態６）
本実施の形態では、アンテナを露出したまま剥離、転写を行って半導体素子を形成する
例を図１１を用いて説明する。なお、実施の形態１とは第２の絶縁膜を形成しない以外は
同じプロセスであるため詳細な説明は省略する。
【０１１２】
まず、絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成する。剥離層は、珪素を含む層をスパッタ
リング法やプラズマＣＶＤ法等の公知の方法により形成する。
【０１１３】
次いで、無機絶縁膜からなる絶縁膜３１２ａを形成する。次いで、絶縁膜３１２ａを下
地膜として半導体素子を含む層３１２ｂを形成する。最後にアルミニウムを主成分とする
材料でアンテナ３１４を形成する。このアンテナ３１４は三フッ化塩素（ＣｌＦ3）に耐
えることができるため、その上に絶縁膜を形成する必要がない。また、絶縁膜を設けない
分、信号の送受信を行いやすくなる。
【０１１４】
なお、素子群３１３ａは、アンテナ３１４を除く部分、複数のＴＦＴを含んでおり、最終
的には素子群３１３ａとＴＦＴに接続されたアンテナとで一つのデバイスとなる。
【０１１５】
次いで、マスクを用いてエッチングを行う。このエッチング工程でＴＦＴやアンテナ３
１４が設けられた領域以外に、剥離層に達する開口部を選択的に形成して、剥離層の一部
を露出させる。
【０１１６】
次いで、スクリーン印刷法または液滴吐出法により材料体を形成する。
【０１１７】
次いで、剥離層を除去するエッチング剤を開口部に導入して、剥離層を部分的に除去し
て材料体と重なる領域の剥離層を残存させる。
【０１１８】
次に、第１の接着性合成樹脂フィルム３１８と第１の基材フィルム３１７との積層からな
るラミネートフィルムに対して、素子群３１３ａをラミネート法により熱圧着させて、素
子群３１３ａを基板から剥離する。ここでは、ポリエチレン（１０μｍ）とポリエチレン
フィルム（２０μｍ）との積層で形成されたラミネートフィルム（トータル厚さ３０μｍ
）を用いる。
【０１１９】
次いで、第２の接着性合成樹脂フィルム３１９と第２の基材フィルム３２０との積層か
らなるラミネートフィルムに対して、素子群３１３ａをラミネート法により熱圧着（約１
００℃程度）させて封止を行う。ここでも、ポリエチレン（１０μｍ）とポリエチレンフ
ィルム（２０μｍ）との積層で形成されたラミネートフィルム（トータル厚さ３０μｍ）
を用いる。
【０１２０】
最後に、個々に分断を行って図１１の状態を得ることができる。ラミネートフィルムと
アンテナとは直接接しており、間に他の材料層を有していない。こうして、２枚のラミネ
ートフィルム（３０μｍ）で挟まれた非常に厚さの薄い半導体装置（合計膜厚は第１の素
子群の厚さ（３μｍ以下）＋６０μｍ）を提供することができる。
【０１２１】
本実施の形態は、実施の形態１乃至５のいずれか一と自由に組み合わせることができる
。
【産業上の利用可能性】
【０１２２】
本発明により、６００ｍｍ×７２０ｍｍ、６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、１０００ｍｍ×１
２００ｍｍ、１１００ｍｍ×１２５０ｍｍ、１１５０ｍｍ×１３００ｍｍ、またはこれら
以上の基板サイズのガラス基板上に小さな多数の電子部品素子を搭載し、個別に切断して
製品とするマトリックスタイプ（多数個取りタイプ）の製造方法を実現できる。
【符号の説明】
【０１２３】
１０：基板
１１ａ：剥離層
１１ｂ：残存した剥離層
１２ａ：絶縁膜
１２ｂ：半導体素子を含む層
１３ａ：第１の素子群
１３ｂ：第１の素子群
１５：開口部（穴または溝）
１６：材料体
１７：第１の基材フィルム
１８：第１の接着性合成樹脂
１９：第２の基材フィルム
２０：第２の接着性合成樹脂
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層の上方に、第１の領域と第２の領域とを有する層を形成し、
前記第１の領域に前記剥離層に達する第１の開口部と、前記第２の領域に前記剥離層に達する第２の開口部と、を形成し、
前記第１の領域と前記第２の領域の間の領域の上方に、材料体を形成し、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部にエッチング剤を導入することによって、前記材料体と重なる前記剥離層の一部を残存させつつ前記剥離層の他の一部を除去し、
前記基板から前記第１の領域及び前記第２の領域を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記材料体は、エポキシ樹脂を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記材料体は、膜厚が１μｍ以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層の上方に、第１の領域と第２の領域とを有する層を形成し、
前記第１の領域に前記剥離層に達する第１の開口部と、前記第２の領域に前記剥離層に達する第２の開口部と、を形成し、
前記第１の領域と前記第２の領域の間の領域の上方に、材料体を形成し、
前記第１の開口部及び前記第２の開口部にエッチング剤を導入することによって、前記材料体と重なる前記剥離層の一部を残存させつつ前記剥離層の他の一部を除去し、
前記基板から前記第１の領域及び前記第２の領域を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記材料体は、エポキシ樹脂を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記材料体は、膜厚が１μｍ以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１３−１６８２６（Ｐ２０１３−１６８２６Ａ）
【公開日】平成２５年１月２４日（２０１３．１．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１８５１２２（Ｐ２０１２−１８５１２２）
【出願日】平成２４年８月２４日（２０１２．８．２４）
【分割の表示】特願２００５−１８９５７３（Ｐ２００５−１８９５７３）の分割
【原出願日】平成１７年６月２９日（２００５．６．２９）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月２４日（２０１３．１．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年８月２４日（２０１２．８．２４）
【分割の表示】特願２００５−１８９５７３（Ｐ２００５−１８９５７３）の分割
【原出願日】平成１７年６月２９日（２００５．６．２９）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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