半導体装置の製造方法と半導体装置

【課題】半導体基板の表面のＡｌ層の表面が荒れることを抑制しつつ、リフトオフの後に溶解層が剥離せずに残ることを防止し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１２の表面にＡｌ層１４を形成し、Ａｌ層１４の表面にＴｉＮ層１６を形成し、ＴｉＮ層１６の表面の一部に絶縁層２０を形成し、ＴｉＮ層１６と絶縁層２０の表面に溶解層を形成し、溶解層の表面にレジスト層を形成し、溶解層とレジスト層の一部を除去して溶解層開口部を形成してＴｉＮ層１６の一部を露出させ、レジスト層の表面、及び、露出したＴｉＮ層１６の一部の表面にＴｉ層３０及びＮｉ層４０を形成し、アルカリ溶液によって溶解層を溶解させることにより、溶解層とともに、レジスト層とその表面に形成されたＴｉ層及びＮｉ層を除去する。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板の表面に電極を備えている半導体装置と、その製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１には、半導体基板の表面に電極を備えている半導体装置の製造方法が開示されている。この方法では、まず、半導体基板の表面にアルカリ可溶性樹脂層とフォトレジスト層を形成し、アルカリ可溶性樹脂層とフォトレジスト層の一部を除去して開口部を形成する。次いで、開口部の内側の半導体基板の表面、及び、フォトレジスト層の表面に金属層を形成する。次いで、剥離性の低い有機溶剤を用いてアルカリ可溶性樹脂層を溶解して除去する。これにより、アルカリ可溶性樹脂の表面に形成されたフォトレジスト層と、そのフォトレジスト層の表面に形成された金属層も併せて除去（リフトオフ）される。その結果、半導体基板の表面に金属層（電極）を有する半導体装置が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０９−９２６０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の技術では、アルカリ可溶性樹脂層を溶解するために、剥離性の低い有機溶剤を用いる。そのため、剥離性の高いアルカリ溶液を用いた場合と比較して、アルカリ可溶性樹脂層の一部が半導体基板から剥離せずに残る可能性が高くなる。一方、剥離性の高いアルカリ溶液を用いてリフトオフを行う場合には、アルカリ溶液が金属層と半導体基板の間に設けられる下地層（通常はＡｌ層）を侵食し、下地層の表面が荒れてしまうおそれがある。
【０００５】
本明細書では、半導体基板の表面の下地層の表面が荒れることを抑制しつつ、リフトオフの後に溶解層が剥離せずに残ることを防止し得る半導体装置の製造方法を開示する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書が開示する半導体装置の製造方法は、半導体基板の表面にＡｌ層を形成するＡｌ層形成工程と、Ａｌ層の表面にＴｉＮ層を形成するＴｉＮ層形成工程と、ＴｉＮ層の表面に溶解層を形成する溶解層形成工程と、溶解層の表面にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、溶解層とレジスト層の一部を除去して溶解層開口部を形成し、ＴｉＮ層の一部を露出させる溶解層開口工程と、露出したＴｉＮ層の表面の一部、及び、レジスト層の表面に表面金属層を形成する表面金属層形成工程と、アルカリ溶液によって溶解層を溶解させることにより、溶解層とともにレジスト層とその表面に形成された表面金属層とを除去する除去工程とを備える。
【０００７】
上記の方法では、Ａｌ層の表面にＴｉＮ層を形成する。ＴｉＮは、剥離性の高いアルカリ溶液によっても侵食され難い素材である。そのため、この方法では、剥離性の高いアルカリ溶液を用いてリフトオフを行ったとしても、Ａｌ層（半導体基板の表面の下地層）の表面が荒れることを抑制することができる。また、この方法では、有機溶剤と比べて剥離性の高いアルカリ溶液を用いてリフトオフを行うことができるため、リフトオフの後に溶解層が剥離せずに残ることも防止することができる。
【０００８】
上記の方法において、ＴｉＮ層形成工程と溶解層形成工程との間に、ＴｉＮ層の一部にＴｉＮ層開口部を形成し、Ａｌ層の一部を露出させるＴｉＮ層開口工程と、Ａｌ層のうち、ＴｉＮ層開口部により露出した部分から裏面側に向かって凹部を形成する凹部形成工程とをさらに備えてもよい。凹部形成工程では、凹部の少なくとも一部の幅が、ＴｉＮ層開口部の開口幅より大きくなるように凹部を形成してもよい。溶解層開口工程では、ＴｉＮ層のうち、ＴｉＮ層開口部を含む所定範囲、及び、凹部を露出させるように溶解層開口部を形成してもよい。表面金属層形成工程では、凹部及びＴｉＮ層開口部内に表面金属層の一部が充填されるとともに、表面金属層の表面がＴｉＮ層よりも表面側に位置するように表面金属層を形成してもよい。
【０００９】
この方法によると、凹部の少なくとも一部の幅が、ＴｉＮ層開口部の開口幅より大きくなるように凹部が形成されるとともに、凹部及びＴｉＮ層開口部内に表面金属層の一部が充填される。そのため、凹部内に形成された表面金属層の一部が抜け止めの役割を果たし、表面金属層がＡｌ層及びＴｉＮ層に確実に固定される。形成された表面金属層が脱落することを抑制することができる。
【００１０】
本明細書は、新規な半導体装置をも開示する。本明細書が開示する半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の表面に形成されるＡｌ層と、Ａｌ層の表面に形成されるＴｉＮ層と、ＴｉＮ層の表面の一部に形成される表面金属層とを有している。
【００１１】
上記の半導体装置では、ＴｉＮ層のうち、表面金属層が形成される部分の一部にはＴｉＮ層開口部が形成されていてもよい。Ａｌ層のうち、ＴｉＮ層開口部が形成された部分には凹部が形成されていてもよい。凹部の少なくとも一部の幅は、ＴｉＮ層開口部の開口幅より大きく形成されていてもよい。ＴｉＮ層開口部及び凹部の内側には、表面金属層の一部が充填されていてもよい。この構成によると、凹部内に形成された表面金属層の一部が抜け止めの役割を果たし、表面金属層がＡｌ層及びＴｉＮ層に対して確実に固定される。形成された表面金属層が脱落することを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施例の半導体装置１０の要部を示す断面図。
【図２】半導体装置１０の製造工程を示す図。
【図３】半導体装置１０の製造工程を示す図。
【図４】半導体装置１０の製造工程を示す図。
【図５】半導体装置１０の製造工程を示す図。
【図６】半導体装置１０の製造工程を示す図。
【図７】第２実施例の半導体装置１００の要部を示す断面図。
【図８】半導体装置１００の製造工程を示す図。
【図９】半導体装置１００の製造工程を示す図。
【図１０】半導体装置１００の製造工程を示す図。
【図１１】半導体装置１００の製造工程を示す図。
【図１２】半導体装置１００の製造工程を示す図。
【図１３】半導体装置１００の製造工程を示す図。
【図１４】半導体装置１００の製造工程を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に説明する実施例の主要な特徴を列記しておく。
（特徴１）溶解層開口工程では、溶解層とレジスト層の一部を除去して溶解層開口部をオーバーハング形状に形成する。
（特徴２）表面金属層形成工程は、露出したＴｉＮ層の表面の一部、及び、レジスト層の表面にＴｉ層を形成するＴｉ層形成工程と、Ｔｉ層の表面にＮｉ層を形成するＮｉ層形成工程とを備える。
【実施例】
【００１４】
（第１実施例）
第１実施例を、図１から図６を参照して説明する。図１に示す本実施例の半導体装置１０は、半導体基板１２と、表面電極１３と、絶縁層２０を備える。表面電極１３は、Ａｌ層１４と、ＴｉＮ層１６と、Ｔｉ層３０と、Ｎｉ層４０とを備える。
【００１５】
半導体基板１２は、パワーデバイスとして利用可能な縦型のトレンチゲート型ＩＧＢＴが作りこまれたＳｉ基板である。Ａｌ層１４は、半導体基板１２の表面に形成されている。Ａｌ層１４は、半導体基板１２とオーミック接続している。ＴｉＮ層１６は、Ａｌ層１４の表面に形成されている。ＴｉＮ層１６は、後で説明するように、半導体装置１０の製造時においてアルカリ溶液による侵食からＡｌ層１４を保護する保護層として機能する。なお、本実施例では、ＴｉＮ層１６は、Ａｌ層１４よりも薄くなるように形成されている。Ｔｉ層３０は、ＴｉＮ層１６の表面の一部に形成されている。Ｎｉ層４０は、Ｔｉ層３０の表面に形成されている。本実施例では、Ｎｉ層４０は、Ｔｉ層３０よりも厚くなるように形成されている。本実施例の半導体装置１０を使用する場合には、Ｎｉ層４０がはんだ接合層として用いられる。絶縁層２０は、ＴｉＮ層１６の表面のうち、Ｔｉ層３０の形成されていない範囲の一部に形成されている。本実施例では、絶縁層２０は、ポリイミドによって形成されている。
【００１６】
次に、本実施例に係る半導体装置１０の製造方法について説明する。まず、ＩＧＢＴを作りこんだ半導体基板１２を用意する。次いで、半導体基板１２の表面にＡｌをスパッタしてＡｌ層１４を形成する。次に、図２に示すように、Ａｌ層１４の表面にＴｉＮをスパッタしてＴｉＮ層１６を形成する。本実施例では、Ａｌ層１４とＴｉＮ層１６とを一つのスパッタ装置で形成することができる。また、本実施例では、ＴｉＮ層１６を形成する際には、Ａｌ層１４より薄くなるようにスパッタを行う。
【００１７】
次いで、図３に示すように、ＴｉＮ層１６の表面に、部分的に絶縁層２０を形成する。具体的には、まず、ＴｉＮ層１６の表面全面にポリイミドを塗布する。本実施例で塗布されるポリイミドは、感光性ポリイミド（ポジ型ポリイミド）である。次いで、ＴｉＮ層１６の表面全面に形成されたポリイミド層のうち、ＴｉＮ層１６を露出させる部分のポリイミド層に光を照射して現像し、光が照射された部分のポリイミド層を除去する。その結果、図３に示すように、ＴｉＮ層１６の表面の一部が露出し、ＴｉＮ層１６の表面に部分的にポリイミド層が形成された状態（図３の符号２０参照）となる。その後、熱処理（３５０℃／５０ｍｉｎ）を行うことで、ポリイミド層をイミド化する。ポリイミド層は、イミド化により絶縁層２０となる。絶縁層２０は、後で用いられるアルカリ溶液に対して不溶となる。以上の各処理により、図３に示すように、ＴｉＮ層１６の表面に、部分的に絶縁層２０が形成される。また、ＴｉＮ層１６の表面のうち、絶縁層２０が形成されていない範囲が露出する。
【００１８】
次いで、図４に示すように、ＴｉＮ層１６と絶縁層２０の表面にアルカリ可溶性樹脂（例えば、非感光ポリイミド等）を塗布し、溶解層２２を形成する。溶解層２２は、後で用いられるアルカリ溶液によって溶解する。次いで、溶解層２２の表面全面にレジストを塗布し、レジスト層２４を形成する。
【００１９】
次いで、図４に示すように、形成したレジスト層２４の一部に光を照射する。次いで、半導体基板１２を現像液（例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）等）に浸漬させる。半導体基板１２を現像液に浸漬させることにより、図５に示すように、レジスト層２４のうち、光を照射した部分が現像液によって溶解されて除去される。また、レジスト層２４が除去されることによって露出した溶解層２２の一部が現像液によって溶解されて除去される。この結果、レジスト層２４と溶解層２２にそれぞれ開口部２８、２６が形成される。開口部２８、２６が形成されることにより、ＴｉＮ層１６の表面の一部が露出する。本実施例の開口部２８、２６が「溶解層開口部」の一例である。ここで、現像液による溶解層２２の溶解性（エッチングレート）は、レジスト層２４の溶解性（エッチングレート）より大きい。そのため、図５に示すように、溶解層２２に形成される開口部２６の開口幅（開口面積）は、レジスト層２４に形成される開口部２８の開口幅（開口面積）より大きい。そのため、レジスト層２４及び溶解層２２がオーバーハング形状となる。即ち、露出したＴｉＮ層１６の上に、ひさし状に張り出したレジスト層２４が一部存在する状態となる。
【００２０】
次いで、図６に示すように、Ｔｉをスパッタして、露出したＴｉＮ層１６の表面にＴｉ層３０を形成するとともに、レジスト層２４の表面にＴｉ層３２を形成する。次いで、Ｎｉをスパッタして、Ｔｉ層３０、３２の表面に、それぞれＮｉ層４０、４２を形成する。この際、レジスト層２４及び溶解層２２がオーバーハング形状を形成しているため、ＴｉＮ層１６の表面に形成されるＴｉ層３０及びＮｉ層４０が、レジスト層２４の表面に形成されるＴｉ層３２及びＮｉ層４２と接触することがない。本実施例では、Ｔｉ層３０、３２とＮｉ層４０、４２とを一つのスパッタ装置で形成することができる。また、本実施例では、Ｎｉ層４０、４２を形成する際には、Ｔｉ層３０、３２より厚く形成されるようにスパッタを行う。
【００２１】
次いで、アルカリ溶液（例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）等）を用いて溶解層２２を溶解させることにより、溶解層２２とともに、レジスト層２４とその表面に形成されたＴｉ層３２及びＮｉ層４２とを除去する。なお、ＴｉＮ層１６、絶縁層２０、Ｔｉ層３０、Ｎｉ層４０はアルカリ溶液によって溶解しない。この工程はリフトオフ工程と呼ばれる。リフトオフ工程を行う際には、アルカリ溶液を溶解層２２に吹き付ける。上記の通り、本実施例では、Ａｌ層１４の表面はＴｉＮ層１６によって被覆されている。一般に、ＴｉＮはアルカリ溶液によって侵食され難い素材である。そのため、この方法では、アルカリ溶液を用いてリフトオフを行ったとしても、Ａｌ層１４の表面が荒れることはない。上記のリフトオフ工程の結果、図１に示すように、半導体基板１２と表面電極１３とを備える本実施例の半導体装置１０が完成する。
【００２２】
（本実施例の効果）
以上、第１実施例について詳しく説明した。上記の通り、第１実施例の製造方法では、Ａｌ層１４の表面にＴｉＮ層１６を形成する（図２参照）。即ち、Ａｌ層１４の表面はＴｉＮ層１６によって被覆されて保護されている。そのため、アルカリ溶液を用いてリフトオフを行ったとしても、Ａｌ層１４の表面が荒れることを抑制することができる。また、この方法では、有機溶剤と比べて溶解性に優れるアルカリ溶液を用いてリフトオフを行うことができるため、リフトオフの後に溶解層が剥離せずに残ることを防止することができる。また、Ａｌ層１４の表面を被覆するＴｉＮ層１６は、Ａｌ層１４に比べて光の反射が少ない。そのため、ＴｉＮ層１６の表面にアラインメントマークを設ければ、ＴｉＮ層１６形成後の各工程を実行する際に、ＴｉＮ層１６の表面に設けたアラインメントマークを視認し易いという利点もある。
【００２３】
（第２実施例）
第２実施例を、図７から図１４を参照して説明する。図７から図１４では、第１実施例と共通する要素については、図１〜図６と同じ符号を用いている。図７に示す半導体装置１００は、半導体基板１２と、表面電極１１３と、絶縁層２０とを備える。表面電極１１３は、Ａｌ層１４と、ＴｉＮ層１６と、Ｔｉ層１３０と、Ｎｉ層１４０とを備える。
【００２４】
半導体基板１２、Ａｌ層１４、ＴｉＮ層１６、絶縁層２０は、第１実施例のものと同様である。但し、本実施例では、ＴｉＮ層１６の一部に開口部１１８が形成されている。また、Ａｌ層１４のうち、開口部１１８が形成された部分には、凹部１１９が形成されている。凹部１１９の最大幅（最大開口面積）は、開口部１１８の開口幅（開口面積）より大きく形成されている（後述する図９のＷ１、Ｗ２参照）。Ｔｉ層１３０は、凹部１１９の底面、及び、ＴｉＮ層１６の表面の一部（開口部１１８の周囲）に形成されている。また、Ｎｉ層１４０は、凹部１１９及び開口部１１８の内側に充填されているとともに、その表面がＴｉＮ層１６よりも表面側に位置するように形成されている。
【００２５】
次に、本実施例に係る半導体装置１００の製造方法について説明する。まず、第１実施例の場合と同様に、ＩＧＢＴを作りこんだ半導体基板１２を用意する。次いで、ＩＧＢＴを作りこんだ半導体基板１２の表面に、ＡｌをスパッタしてＡｌ層１４を形成する。次に、形成されたＡｌ層１４の表面にＴｉＮをスパッタしてＴｉＮ層１６を形成する（図２参照）。
【００２６】
次いで、図８に示すように、ＴｉＮ層１６の一部に、ドライエッチングによって開口部１１８を形成する。開口部１１８を形成することにより、Ａｌ層１４の一部が露出する。本実施例の開口部１１８が、「ＴｉＮ層開口部」の一例である。
【００２７】
次いで、開口部１１８からＡｌ層１４に向けてエッチング溶液を供給し、Ａｌ層１４をウェットエッチングする。その結果、図９に示すように、Ａｌ層１４のうち、開口部１１８によって露出した部分から裏面側に向かって凹部１１９が形成される。ここで、ウェットエッチング溶液には、例えばフッ硝酸を用いることができる。このウェットエッチング工程で形成される凹部１１９の最大幅Ｗ２は、開口部１１８の開口幅Ｗ１より大きい。
【００２８】
次いで、図１０に示すように、ＴｉＮ層１６の表面全面にポリイミドを塗布してポリイミド層２００を形成する。本実施例でも、第１実施例と同様に感光性ポリイミド（ポジ型ポリイミド）が塗布される。このとき、形成されたポリイミド層２００は、開口部１１８及び凹部１１９内に充填される。次いで、形成されたポリイミド層２００のうち、ＴｉＮ層１６を露出させたい部分のポリイミド層２０２に光を照射して現像し、光を照射した部分のポリイミド層２０２を除去する。このとき、凹部１１９内に充填されたポリイミド層のうち、ＴｉＮ層１６の裏面に位置する裏面部２０４、２０６には、直接光は照射されない。しかしながら、裏面部２０４、２０６も、いわゆる光のにじみ効果によって、ポリイミド層２０２と同様に除去される。その結果、図１１に示すように、開口部１１８及び凹部１１９を含む範囲のＴｉＮ層１６が露出し、ＴｉＮ層１６の表面に部分的にポリイミド層が形成された状態（図３の符号２０参照）となる。その後、熱処理（３５０℃／５０ｍｉｎ）を行うことで、ＴｉＮ層１６の表面のポリイミド層をイミド化する。ＴｉＮ層１６の表面のポリイミド層は、イミド化により絶縁層２０となる。絶縁層２０は、後で用いられるアルカリ溶液に対して不溶となる。
【００２９】
次いで、図１２に示すように、ＴｉＮ層１６と絶縁層２０の表面にアルカリ可溶性樹脂を塗布し、溶解層１２２を形成する。溶解層１２２は、後で用いられるアルカリ溶液によって溶解する。このとき、溶解層１２２は、凹部１１９の底面にも形成される。次いで、形成された溶解層１２２の表面全面にレジストを塗布し、レジスト層１２４を形成する。このとき、レジスト層１２４は、凹部１１９の底面に形成された溶解層１２２の表面にも形成される。
【００３０】
次いで、図１２に示すように、形成したレジスト層１２４の一部に光を照射する。ここでは、レジスト層１２４のうち、ＴｉＮ層１６の上方に形成された部分の一部と、凹部１１９内に形成された部分に光が照射される。次いで、半導体基板１２を現像液に浸漬させる。半導体基板１２を現像液に浸漬させることにより、図１３に示すように、レジスト層１２４のうち、光を照射した部分が現像液によって溶解されて除去される。なお、凹部１１９内に形成されたレジスト層１２４にも光が照射されているため、凹部１１９内に形成されたレジスト層１２４も現像液によって溶解されて除去される。また、レジスト層１２４が除去されることによって露出した溶解層１２２の一部も現像液によって溶解されて除去される。この際、凹部１１９の底面に形成された溶解層１２２も、現像液によって溶解されて除去される。
【００３１】
この結果、レジスト層１２４と溶解層１２２にそれぞれ開口部１２８、１２６が形成される。本実施例では、開口部１２８、１２６が形成されることにより、開口部１１８を含む範囲のＴｉＮ層１６が露出する。ここで露出する範囲のＴｉＮ層１６が、「ＴｉＮ層開口部を含む所定範囲」の一例である。第１実施例と同様に、現像液による溶解層１２２の溶解性（エッチングレート）は、レジスト層１２４の溶解性（エッチングレート）より大きい。そのため、図１３に示すように、溶解層１２２に形成される開口部１２６の開口幅は、レジスト層１２４に形成される開口部１２８の開口幅より大きい。そのため、レジスト層１２４及び溶解層１２２がオーバーハング形状となる。即ち、露出したＴｉＮ層１６の上に、ひさし状に張り出したレジスト層１２４が一部存在する状態となる。
【００３２】
次いで、図１４に示すように、Ｔｉをスパッタする。この結果、露出したＴｉＮ層１６の表面、及び、凹部１１９の底面にＴｉ層１３０が形成される。また、同時に、レジスト層１２４の表面にＴｉ層１３２が形成される。次いで、Ｎｉをスパッタして、Ｔｉ層１３０、１３２の表面に、それぞれＮｉ層１４０、１４２を形成する。Ｎｉ層１４０の一部は、凹部１１９及び開口部１１８の内側に充填される。また、Ｎｉ層１４０の表面は、ＴｉＮ層１６よりも表面側に位置する。この際、レジスト層１２４及び溶解層１２２がオーバーハング形状を形成しているため、露出したＴｉＮ層１６の表面に形成されるＴｉ層１３０及びＮｉ層１４０が、レジスト層１２４の表面に形成されるＴｉ層１３２及びＮｉ層１４２と接触することがない。本実施例でも、第１実施例と同様に、Ｔｉ層１３０、１３２とＮｉ層１４０、１４２とを一つのスパッタ装置で形成することができる。また、本実施例でも、Ｎｉ層１４０、１４２を形成する際には、Ｔｉ層１３０、１３２より厚く形成されるようにスパッタを行う。
【００３３】
次いで、アルカリ溶液を用いて溶解層１２２を溶解させることにより、溶解層１２２とともに、レジスト層１２４とその表面に形成されたＴｉ層１３２及びＮｉ層１４２とを除去する（リフトオフ工程）。なお、ＴｉＮ層１６、絶縁層２０、Ｔｉ層１３０、Ｎｉ層１４０はアルカリ溶液によって溶解しない。本実施例でも、図１４に示すように、Ａｌ層１４の表面はＴｉＮ層１６で覆われている。そのため、アルカリ溶液を用いてリフトオフを行ったとしても、Ａｌ層１４の表面が荒れることはない。上記のリフトオフ工程の結果、図７に示すように、半導体基板１２と表面電極１１３とを備える本実施例の半導体装置１００が完成する。
【００３４】
（本実施例の効果）
以上、第２実施例について詳しく説明した。第２実施例の製造方法でも、第１実施例と同様に、Ａｌ層１４の表面はＴｉＮ層１６によって被覆されて保護されている。そのため、剥離性の高いアルカリ溶液を用いてリフトオフを行ったとしても、Ａｌ層１４の表面が荒れることを抑制することができる。また、この方法では、有機溶剤と比べて剥離性の高い（溶解性に優れる）アルカリ溶液を用いてリフトオフを行うことができるため、リフトオフの後に溶解層が剥離せずに残ることも防止することができる。
【００３５】
また、第２実施例で形成される半導体装置１００は、図７に示すように、凹部１１９の最大幅が、開口部１１８の開口幅より大きく形成されるとともに、凹部１１９及び開口部１１８内にＮｉ層１４０の一部が充填される。そのため、凹部１１９内に形成されたＮｉ層１４０の一部が抜け止めの役割を果たし、Ｎｉ層１４０がＡｌ層１４及びＴｉＮ層１６に対して確実に固定される。その結果、Ｎｉ層１４０が脱落することを抑制することができる。また、Ｎｉ層１４０が脱落し難いため、リフトオフ工程において、アルカリ溶液を強く溶解層１２２に吹き付けることができる。溶解層１２２をより確実に除去し得る。
【００３６】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。例えば、以下の変形例を採用してもよい。
【００３７】
（変形例１）上記の各実施例では、Ｎｉ層４０（１４０）を形成する前に、Ｔｉ層３０（１３０）を先に形成しているが、Ｔｉ層３０（１３０）の形成を省略してもよい。
【００３８】
（変形例２）上記の各実施例では、レジスト層２４（１２４）及び溶解層２２（１２２）がオーバーハング形状となるように、開口部２８、２６（１２８、１２６）を形成しているが、レジスト層２４（１２４）及び溶解層２２（１２２）に開口部を形成する場合に、上記オーバーハング形状を形成しなくてもよい。オーバーハング形状を形成しない場合、レジスト層２４（１２４）及び溶解層２２（１２２）が、その後ＴｉＮ層１６の表面に形成されるＴｉ層３０（１３０）及びＮｉ層４０（１４０）が、レジスト層２４（１２４）の表面に形成されるＴｉ層３２（１３２）及びＮｉ層４２（１４２）と接触することがない厚さに形成されることが好ましい。
【００３９】
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００４０】
１０：半導体装置
１２：半導体基板
１３：表面電極
１４：Ａｌ層
１６：ＴｉＮ層
２０：絶縁層
２２：溶解層
２４：レジスト層
２６：開口部
２８：開口部
３０、３２：Ｔｉ層
４０、４２：Ｎｉ層
１００：半導体装置
１１３：表面電極
１１８：開口部
１１９：凹部
１２２：溶解層
１２４：レジスト層
１２６：開口部
１２８：開口部
１３０、１３２：Ｔｉ層
１４０、１４２：Ｎｉ層
２００：ポリイミド層
２０２：ポリイミド層
２０４、２０６：裏面部

【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置を製造する方法であって、
半導体基板の表面にＡｌ層を形成するＡｌ層形成工程と、
前記Ａｌ層の表面にＴｉＮ層を形成するＴｉＮ層形成工程と、
前記ＴｉＮ層の表面に溶解層を形成する溶解層形成工程と、
前記溶解層の表面にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
前記溶解層と前記レジスト層の一部を除去して溶解層開口部を形成し、前記ＴｉＮ層の一部を露出させる溶解層開口工程と、
露出した前記ＴｉＮ層の表面の一部、及び、前記レジスト層の表面に表面金属層を形成する表面金属層形成工程と、
アルカリ溶液によって前記溶解層を溶解させることにより、前記溶解層とともに前記レジスト層とその表面に形成された前記表面金属層とを除去する除去工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記ＴｉＮ層形成工程と前記溶解層形成工程との間に、
前記ＴｉＮ層の一部にＴｉＮ層開口部を形成し、前記Ａｌ層の一部を露出させるＴｉＮ層開口工程と、
前記Ａｌ層のうち、前記ＴｉＮ層開口部により露出した部分から裏面側に向かって凹部を形成する凹部形成工程と、をさらに備え、
前記凹部形成工程では、前記凹部の少なくとも一部の幅が、前記ＴｉＮ層開口部の開口幅より大きくなるように前記凹部を形成し、
前記溶解層開口工程では、前記ＴｉＮ層のうち、前記ＴｉＮ層開口部を含む所定範囲、及び、前記凹部を露出させるように前記溶解層開口部を形成し、
前記表面金属層形成工程では、前記凹部及び前記ＴｉＮ層開口部内に前記表面金属層の一部が充填されるとともに、前記表面金属層の表面が前記ＴｉＮ層よりも表面側に位置するように前記表面金属層を形成する、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体装置であって、
半導体基板と、
前記半導体基板の表面に形成されるＡｌ層と、
前記Ａｌ層の表面に形成されるＴｉＮ層と、
前記ＴｉＮ層の表面の一部に形成される表面金属層と、
を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記ＴｉＮ層のうち、前記表面金属層が形成される部分の一部にはＴｉＮ層開口部が形成され、
前記Ａｌ層のうち、前記ＴｉＮ層開口部が形成された部分には凹部が形成され、
前記凹部の少なくとも一部の幅は、前記ＴｉＮ層開口部の開口幅より大きく形成され、
前記ＴｉＮ層開口部及び前記凹部の内側には、前記表面金属層の一部が充填されている、
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。

【図１】