半導体装置の製造方法
【課題】配線表面の酸化膜を除去する際の低誘電率絶縁膜の変質を抑える半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１０上のＳｉＯＣ膜１１表面に配線１２を形成する工程と、配線１２が表面に形成されたＳｉＯＣ膜１１を希ガス、又は希ガスとＮ２ガスの混合ガスを含むプラズマに曝してＳｉＯＣ膜１１表面に緻密層１４を形成する工程と、緻密層１４が形成された後に、配線１２の表面に形成された酸化膜１３を除去する工程と、酸化膜１３が除去された配線１２、及び緻密層１４上に絶縁膜としての拡散防止膜１５を形成する工程と、を含み、酸化膜１３を除去する工程から拡散防止膜１５を形成する工程までが、大気に暴露されることなく行われる。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板１０上のＳｉＯＣ膜１１表面に配線１２を形成する工程と、配線１２が表面に形成されたＳｉＯＣ膜１１を希ガス、又は希ガスとＮ２ガスの混合ガスを含むプラズマに曝してＳｉＯＣ膜１１表面に緻密層１４を形成する工程と、緻密層１４が形成された後に、配線１２の表面に形成された酸化膜１３を除去する工程と、酸化膜１３が除去された配線１２、及び緻密層１４上に絶縁膜としての拡散防止膜１５を形成する工程と、を含み、酸化膜１３を除去する工程から拡散防止膜１５を形成する工程までが、大気に暴露されることなく行われる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の高性能化のために配線抵抗と配線間容量を低減する技術が開発され、配線抵抗を低減する技術として、ダマシンプロセスによるＣｕ配線の形成方法がある。また、配線間容量を低減する技術として、Ｃｕ配線の周囲に形成される絶縁膜の低誘電率化が有効である。特に、低誘電率を有する絶縁膜として、微細な空孔を膜中に有するＳｉＯＣ膜等の多孔性絶縁膜が知られている。
【０００３】
この多孔性絶縁膜は、誘電率を低減させるために膜密度を減少させているため、例えば、多孔性絶縁膜の表面にＣｕ配線を埋め込み形成するＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理の後、露出したＣｕ配線表面に形成された酸化膜をプラズマ処理によって除去する際における、多孔性絶縁膜の変質が顕著であった。
【０００４】
そこで従来の技術として、ＳｉＯＣ膜表面に導電膜を埋め込む処理の後、露出した導電膜の表面に形成された酸化膜を、Ｈ２を主成分とした還元性ガスを用いた熱還元処理と還元性ガスを含むプラズマ処理とを併用することによって除去する半導体装置の製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
この半導体装置の製造方法によると、Ｈ２を主成分とした還元性ガスを用いた熱還元処理後に、ＮＨ３とＮ２の還元性ガスを含むプラズマ処理が行われることから、上記熱還元処理による熱量の増加によってＳｉＯＣ膜や導電膜にダメージを与えるほどに熱還元処理を行う必要がないので、ＳｉＯＣ膜の変質を抑えることができるとしている。
【０００６】
しかし、還元性ガスを含むプラズマ処理による還元反応は、導電膜の表面と同時にＳｉＯＣ膜に作用し、Ｓｉ―Ｏ―Ｓｉ結合、及びＳｉ−ＣＨ３結合を分断し、Ｓｉ−Ｈ、Ｓｉ−ＯＨを多く形成する変質がＳｉＯＣ膜に発生するので、導電膜に含まれるＣｕの拡散を防止する拡散防止膜とＳｉＯＣ膜の密着性不良、配線間容量及びリーク電流の増大等が発生するという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−６７１３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、配線表面の酸化膜を除去する際の低誘電率絶縁膜の変質を抑える半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様は、半導体基板上のＳｉＯＣ膜表面に配線を形成する工程と、前記配線が表面に形成された前記ＳｉＯＣ膜を希ガス、又は希ガスとＮ２ガスの混合ガスを含むプラズマに曝して前記ＳｉＯＣ膜表面に緻密層を形成する工程と、前記緻密層が形成された後に、前記配線の表面に形成された酸化膜を除去する工程と、前記酸化膜が除去された前記配線、及び前記緻密層上に絶縁膜を形成する工程と、を含み、前記酸化膜を除去する工程から前記絶縁膜を形成する工程までが、大気に暴露されることなく行われる半導体装置の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、配線表面の酸化膜を除去する際の低誘電率絶縁膜の変質を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係る被処理体の要部断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法において用いられるＰＥＣＶＤ（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition）装置の要部断面図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の工程を示す要部断面図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は、実施例に係る被処理体の要部断面図である。
【図５】図５（ａ）及び（ｂ）は、比較例に係る被処理体の要部断面図である。
【図６】図６は、比誘電率に関するグラフである。
【図７】図７は、緻密層を含むＳｉＯＣ膜表面からの深さとＣ濃度に関するグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
[実施の形態]
本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一例を図面を参照して説明する。まず、被処理体を準備する。
【００１３】
図１は、その被処理体の要部断面図である。この被処理体１は、例えば、図１に示すように、Ｓｉを主成分とするＳｉ系基板からなる半導体基板１０と、半導体基板１０上に形成された多孔性絶縁膜であるＳｉＯＣ膜１１と、ＳｉＯＣ膜１１の表面に露出し、Ｃｕを主成分とするＣｕ配線である配線１２と、を備えて概略構成されている。なお、ここでは図示を省略したが、半導体基板１０にはトランジスタ等の半導体素子が形成され、ＳｉＯＣ膜１１には配線１２を半導体素子に電気的に接続するためのプラグ等が形成されている。また、配線１２の周囲には、配線１２に含まれるＣｕのＳｉＯＣ膜１１中への拡散を防止するためのバリアメタル膜が形成されている。
【００１４】
より具体的には、まず上記の半導体基板１０上に、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によってＳｉＯＣ膜１１を形成する。続いて、ＳｉＯＣ膜１１に、例えば、フォトリソグラフィ法及びＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法によって配線を形成するための溝を形成し、この溝に、例えばメッキ法によって金属膜を埋め込む。続いて、ＣＭＰ法によってＳｉＯＣ膜１１上に形成された金属膜を除去して、ＳｉＯＣ膜１１の表面に配線１２が形成された被処理体１を得る。
【００１５】
ここで、酸化膜１３は、例えば、ＣＭＰ処理等によってＳｉＯＣ膜１１の表面に配線１２を埋め込み形成した後に、大気に暴露されることによって、配線１２の露出した表面の酸化によって形成された膜である。
【００１６】
図２は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法に用いられるＰＥＣＶＤ装置の要部断面図である。被処理体１は、このＰＥＣＶＤ装置２の処理チャンバ２０内にて後述する各工程が行われる。
【００１７】
ＰＥＣＶＤ装置２は、例えば、図２に示すように、処理チャンバ２０と、ガス流入口兼上部電極２２と、ヒーター兼下部電極２３と、を備えて概略構成されている。
【００１８】
次に、この処理チャンバ２０の内壁２１に、保護膜としてＳｉＣＮ膜を形成する。
具体的には、被処理体１を処理チャンバ２０内に入れない状態で、ガス流入口兼上部電極２２から３ＭＳ（Tri-Methyl-Silane）／ＮＨ３／Ｎ２混合ガスを処理チャンバ２０内に導入し、処理チャンバ２０内の圧力を７Torrに維持する。この３ＭＳ、ＮＨ３及びＮ２ガスの供給速度は、それぞれ４００sccm、２００sccm及び２０００sccmである。続いて、ガス流入口兼上部電極２２及びヒーター兼下部電極２３間に、６００Ｗ、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加することによって処理チャンバ２０内に３ＭＳ／ＮＨ３／Ｎ２プラズマを発生させ、処理チャンバ２０の内壁２１にＳｉＣＮ膜を形成する。
【００１９】
なお、処理チャンバ２０の内壁２１に形成される保護膜としては、ＳｉＣＮ膜の代わりに、例えば、ＳｉＮ膜、ＳｉＣ膜及びＢＮ膜のうち少なくとも１つを含む絶縁膜等であっても良い。
【００２０】
次に、被処理体１を上記のＰＥＣＶＤ装置２のヒーター兼下部電極２３の上に載せ、処理チャンバ２０内を所定の雰囲気としての高真空状態にする。
【００２１】
図３（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の工程を示す要部断面図である。
【００２２】
次に、図３（ａ）に示すように、ヒーター兼下部電極２３によって被処理体１を加熱する。
【００２３】
次に、図３（ｂ）に示すように、被処理体１を希ガス、又は希ガスとＮ２ガスの混合ガスを含むプラズマに曝してＳｉＯＣ膜１１表面に緻密層１４を形成する。
具体的には、ガス流入口兼上部電極２２から希ガスとしてＡｒガスを処理チャンバ２０内に導入し、ガス流入口兼上部電極２２及びヒーター兼下部電極２３間に高周波電力を印加することによって処理チャンバ２０内にＡｒプラズマを発生させ、発生したＡｒプラズマに被処理体１を５秒間曝す。ＳｉＯＣ膜１１は、Ａｒプラズマに曝されることによって、緻密層１４が表面に形成される。続いて、高周波電力の供給とＡｒガスの導入を停止する。
【００２４】
ここで、緻密層１４は、Ａｒプラズマによって発生したＡｒイオンが、ＳｉＯＣ膜１１の表面に衝突することによってＳｉＯＣ膜１１の表面が緻密化されるとともに、Ａｒプラズマによって内壁２１の保護膜であるＳｉＣＮ膜がスパッタされ、スパッタされたＳｉＣＮが、ＳｉＯＣ膜１１の表面に付着することにより形成される。緻密層１４は、後述する酸化膜１３を除去する工程に用いられるＮＨ３／Ｎ２プラズマによって発生したＮＨ３イオン及びラジカル成分のＳｉＯＣ膜１１中への進入を阻害する。また、緻密層１４の好ましい厚さは２０ｎｍ以下、より好ましくは３〜１０ｎｍである。
【００２５】
なお、上記のプラズマに曝す工程で用いる希ガスは、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ及びＸｅのうち少なくとも１種のガスを含むガスであれば良い。また、Ｃｕ配線の場合、後述する拡散防止膜１５としてＳｉＮ膜又はＳｉＣＮ膜を用いるときは、Ｃｕ配線と拡散防止膜１５との密着性の観点からＳｉＯＣ膜１１の緻密化処理と同時に、このＣｕ配線の表面の窒化を行えるＮ２ガスを含むプラズマ処理が望ましい。
【００２６】
次に、図３（ｃ）に示すように、配線１２の表面に形成された酸化膜１３を除去する。
具体的には、ガス流入口兼上部電極２２からＮＨ３／Ｎ２混合ガスを処理チャンバ２０内に導入し、ガス流入口兼上部電極２２及びヒーター兼下部電極２３間に高周波電力を印加することによって処理チャンバ２０内にＮＨ３／Ｎ２プラズマを発生させる。酸化膜１３は、このＮＨ３／Ｎ２プラズマによる還元反応によって除去される。
【００２７】
なお、酸化膜１３を除去する工程は、プラズマ又は加熱により活性化されたＮＨ３、Ｈ２及びＣＯのうち少なくとも１種を含むガスに曝す工程でも良い。加熱の温度は、例えば、１５０〜４００℃である。酸化膜１３の除去が可能な処理であれば、上記の例に限定されず、例えば、ＮＨ３ガスの代わりとしてＨ２又はＣＯ等の還元性ガスと、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｘｅ等の希ガスからなる混合ガスでも良い。さらに、酸化膜１３の除去が可能であれば、処理チャンバ２０の外でプラズマ放電し、活性化された還元性ガスフロー処理でも良く、また活性化されていない還元性ガスフロー処理でも良い。
【００２８】
次に、図３（ｄ）に示すように、ヒーター兼下部電極２３によって被処理体１を加熱する。
【００２９】
次に、図３（ｅ）に示すように、酸化膜１３が除去された配線１２、及び緻密層１４上に絶縁膜として拡散防止膜１５を形成する。
具体的には、この拡散防止膜１５を形成する工程は、上記の内壁２１にＳｉＣＮ膜を形成する工程で用いた条件と同一の条件で処理チャンバ２０内に３ＭＳ／ＮＨ３／Ｎ２プラズマを発生させ、ＳｉＣＮ膜からなる拡散防止膜１５を形成する。ここで、先に配線１２をＮＨ３／Ｎ２プラズマに曝して配線１２表面の酸化膜１３を除去した場合は、拡散防止膜１５の形成に当って処理チャンバ２０内に３ＭＳを追加導入するだけで良いため、スループットの点で有利である。
【００３０】
なお、処理チャンバ２０の内壁２１の保護膜としては、配線間のリークの観点から絶縁膜が形成されるが、配線１２の表面の酸化を防止するうえで、特に酸素を含まない膜であることが望ましい。また、配線１２及びＳｉＯＣ膜１１と拡散防止膜１５の密着性の観点から拡散防止膜１５の組成に近い膜であることが望ましい。
【００３１】
次に、所望の半導体装置を製造するための所定の工程を経て半導体装置を得る。
【００３２】
なお、ここでは、図３（ａ）〜（ｅ）に示した工程を高真空状態とした処理チャンバ２０内で連続して行う場合を説明したが、少なくとも図３（ｃ）に示した酸化膜１３を除去する工程から図３（ｅ）に示した拡散防止膜１５を形成する工程までを大気に暴露されないよう上記の雰囲気中で連続して行えば良い。
【００３３】
（実施の形態の効果）
上記の実施の形態における半導体装置の製造方法によると以下の効果が得られる。
（１）ＳｉＯＣ膜１１の表面に緻密層１４を形成することによって、配線１２表面の酸化膜１３を除去する際のＳｉＯＣ膜１１の変質を抑制することができ、ＳｉＯＣ膜１１と拡散防止膜１５の密着性の劣化、配線間容量及びリーク電流の増加を防止することができる。
（２）酸化膜１３を除去する工程から拡散防止膜１５を形成する工程まで、又は緻密層１４を形成する工程から酸化膜１３を除去する工程を経て拡散防止膜１５を形成する工程までを同一の処理チャンバ２０内で行うので、大気に暴露されずに各工程を行うことができ、歩留まり及びスループットが向上する。また、工程間の移動に伴うパーティクル等の付着を防止することができる。
（３）処理チャンバ２０の内壁２１に、拡散防止膜１５の組成に近いＳｉＣＮ膜を形成し、ＳｉＯＣ膜１１の緻密化の際のＡｒプラズマによってスパッタされたＳｉＣＮをＳｉＯＣ膜１１上に堆積させることで、よりＳｉＯＣ膜１１の変質を抑制する緻密層１４を形成することができ、また拡散防止膜１５との密着性が向上する。
【実施例】
【００３４】
図４（ａ）〜（ｃ）は、実施例に係る被処理体の要部断面図である。以下では、半導体基板１０上に、厚さが１００ｎｍ、比誘電率が２．６であるＳｉＯＣ膜１１が形成された実施例の被処理体３と比較例の被処理体４を用意し、上記の酸化膜１３を除去する工程であるＮＨ３／Ｎ２プラズマに曝す工程までを行った後の各ＳｉＯＣ膜１１のＣ濃度を測定することによって、膜質変化の評価を行った。なお、処理チャンバ２０の内壁２１の保護膜は、実施の形態で保護膜を形成した条件と同一の条件で形成したＳｉＣＮ膜を用いた。
【００３５】
まず、図４（ａ）に示すように、被処理体３をヒーター兼下部電極２３上に載せ、処理チャンバ２０内の圧力を１０Torr以下の高真空状態にし、ヒーター兼下部電極２３によって被処理体３の温度が３５０〜４００℃となるように加熱する。
【００３６】
次に、Ａｒガスをガス流入口兼上部電極２２から処理チャンバ２０内に導入し、処理チャンバ２０内の圧力を５Torrに維持する。このＡｒガスの供給速度は、１０００sccmである。
【００３７】
次に、図４（ｂ）に示すように、ガス流入口兼上部電極２２及びヒーター兼下部電極２３間に５００Ｗ、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加し、処理チャンバ２０内にＡｒプラズマを発生させ、被処理体３をＡｒプラズマに５秒間曝してプラズマ処理を行い、ＳｉＯＣ膜１１の表面に緻密層１４を形成する。この緻密層１４の厚みは、およそ１０ｎｍである。続いて、高周波電力の供給とＡｒガスの導入を停止する。
【００３８】
次に、ＮＨ３とＮ２からなる混合ガスをガス流入口兼上部電極２２から処理チャンバ２０内に導入し、処理チャンバ２０内の圧力を５Torrに維持する。この混合ガスの供給速度は、それぞれ２０００sccmである。
【００３９】
次に、図４（ｃ）に示すように、ガス流入口兼上部電極２２及びヒーター兼下部電極２３間に２００Ｗ、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加し、処理チャンバ２０内にＮＨ３／Ｎ２プラズマを発生させ、被処理体３をＮＨ３／Ｎ２プラズマに３０秒間曝すプラズマ処理を行う。
【００４０】
（比較例）
図５（ａ）及び（ｂ）は、比較例に係る被処理体の要部断面図である。
【００４１】
まず、図５（ａ）に示すように、実施例と同一の条件で被処理体４を加熱する。
【００４２】
次に、実施例で行ったＡｒプラズマ処理を行わずに、ＮＨ３とＮ２からなる混合ガスを、実施例と同一の条件で処理チャンバ２０内に導入する。
【００４３】
次に、図５（ｂ）に示すように、実施例と同一の条件でＮＨ３／Ｎ２プラズマによるプラズマ処理を行う。
【００４４】
（評価）
上記の工程を経た被処理体３、４のＳｉＯＣ膜１１の比誘電率、及びＳＩＭＳ（Secondary Ion-microprobe Mass Spectrometer：二次イオン質量分析計）分析によるＣ濃度のプロファイルを測定し、膜質変化の評価を行った。また、参照例として、実施例及び比較例と同様に、半導体基板上に比誘電率が２．６のＳｉＯＣ膜が形成された被処理体を用意し、Ｃ濃度のプロファイルを測定した。
【００４５】
図６は、比誘電率に関するグラフである。横軸には、比較例に対応する「ＮＨ３／Ｎ２プラズマ処理あり」、参照例として「ＮＨ３／Ｎ２プラズマ処理なし」、実施例に対応する「Ａｒプラズマ処理後、ＮＨ３／Ｎ２プラズマ処理あり」を配し、縦軸は、それぞれの比誘電率を示している。
【００４６】
測定の結果、比較例の比誘電率は、およそ３．１であり、参照例の比誘電率２．６に比べ、大きく上昇している。
【００４７】
一方、実施例の比誘電率は、およそ２．７であり、参照例の比誘電率に比べて上昇するものの、比較例の比誘電率より値が小さく、比較例と比べて比誘電率の上昇が抑制されていることがわかる。
【００４８】
図７は、緻密層を含むＳｉＯＣ膜の表面からの深さとＣ濃度に関するグラフである。横軸は、緻密層を含むＳｉＯＣ膜表面からの深さ（ｎｍ）であり、縦軸は、Ｃ濃度（ａ．ｕ．）である。
【００４９】
測定の結果、比較例の場合は、図７に示すように、参照例に比べ、ＳｉＯＣ膜１１の表面からおよそ０〜５０ｎｍの深さまでのＣ濃度が低くなっている。これは、主に、ＳｉＯＣ膜１１中のＳｉ―ＣＨ３結合の破壊によってＣ濃度が低下したことを示している。
【００５０】
一方、実施例の場合は、図７に示すように、参照例に比べ、ＳｉＯＣ膜１１の表面からおよそ０〜３０ｎｍの深さまでのＣ濃度が低くなっており、特に最表面付近のＣ濃度が一時的に低下するものの、比較例に比べその後の低下は小さい。これは、Ｃ濃度の低下が、ＳｉＯＣ膜１１の表面から浅い領域に抑制されていることを示している。つまり、緻密層１４のおよその厚さが１０ｎｍであることから、この緻密層１４が膜質の変化を抑制するので、特に緻密層１４より深い領域において、Ｃ濃度の低下が抑制されていることがわかる。
【００５１】
なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは変更しない範囲内で種々の変形および組み合わせが可能である。
【００５２】
例えば、上記のＡｒプラズマによるプラズマ処理の時間は５秒であったが、ＮＨ３／Ｎ２プラズマによるＳｉＯＣ膜１１の変質抑制効果が得られる条件であれば、これに限定されない。ただし、緻密化を目的としたプラズマ処理によってＳｉＯＣ膜１１が変質する可能性があるので、ＮＨ３／Ｎ２プラズマ処理の時間より短い方が望ましい。
【符号の説明】
【００５３】
１、３、４…被処理体、１０…半導体基板、１１…ＳｉＯＣ膜、１２…配線、１３…酸化膜、１４…緻密層、１５…拡散防止膜、２０…処理チャンバ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の高性能化のために配線抵抗と配線間容量を低減する技術が開発され、配線抵抗を低減する技術として、ダマシンプロセスによるＣｕ配線の形成方法がある。また、配線間容量を低減する技術として、Ｃｕ配線の周囲に形成される絶縁膜の低誘電率化が有効である。特に、低誘電率を有する絶縁膜として、微細な空孔を膜中に有するＳｉＯＣ膜等の多孔性絶縁膜が知られている。
【０００３】
この多孔性絶縁膜は、誘電率を低減させるために膜密度を減少させているため、例えば、多孔性絶縁膜の表面にＣｕ配線を埋め込み形成するＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理の後、露出したＣｕ配線表面に形成された酸化膜をプラズマ処理によって除去する際における、多孔性絶縁膜の変質が顕著であった。
【０００４】
そこで従来の技術として、ＳｉＯＣ膜表面に導電膜を埋め込む処理の後、露出した導電膜の表面に形成された酸化膜を、Ｈ２を主成分とした還元性ガスを用いた熱還元処理と還元性ガスを含むプラズマ処理とを併用することによって除去する半導体装置の製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
この半導体装置の製造方法によると、Ｈ２を主成分とした還元性ガスを用いた熱還元処理後に、ＮＨ３とＮ２の還元性ガスを含むプラズマ処理が行われることから、上記熱還元処理による熱量の増加によってＳｉＯＣ膜や導電膜にダメージを与えるほどに熱還元処理を行う必要がないので、ＳｉＯＣ膜の変質を抑えることができるとしている。
【０００６】
しかし、還元性ガスを含むプラズマ処理による還元反応は、導電膜の表面と同時にＳｉＯＣ膜に作用し、Ｓｉ―Ｏ―Ｓｉ結合、及びＳｉ−ＣＨ３結合を分断し、Ｓｉ−Ｈ、Ｓｉ−ＯＨを多く形成する変質がＳｉＯＣ膜に発生するので、導電膜に含まれるＣｕの拡散を防止する拡散防止膜とＳｉＯＣ膜の密着性不良、配線間容量及びリーク電流の増大等が発生するという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−６７１３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、配線表面の酸化膜を除去する際の低誘電率絶縁膜の変質を抑える半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様は、半導体基板上のＳｉＯＣ膜表面に配線を形成する工程と、前記配線が表面に形成された前記ＳｉＯＣ膜を希ガス、又は希ガスとＮ２ガスの混合ガスを含むプラズマに曝して前記ＳｉＯＣ膜表面に緻密層を形成する工程と、前記緻密層が形成された後に、前記配線の表面に形成された酸化膜を除去する工程と、前記酸化膜が除去された前記配線、及び前記緻密層上に絶縁膜を形成する工程と、を含み、前記酸化膜を除去する工程から前記絶縁膜を形成する工程までが、大気に暴露されることなく行われる半導体装置の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、配線表面の酸化膜を除去する際の低誘電率絶縁膜の変質を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係る被処理体の要部断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法において用いられるＰＥＣＶＤ（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition）装置の要部断面図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の工程を示す要部断面図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は、実施例に係る被処理体の要部断面図である。
【図５】図５（ａ）及び（ｂ）は、比較例に係る被処理体の要部断面図である。
【図６】図６は、比誘電率に関するグラフである。
【図７】図７は、緻密層を含むＳｉＯＣ膜表面からの深さとＣ濃度に関するグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
[実施の形態]
本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の一例を図面を参照して説明する。まず、被処理体を準備する。
【００１３】
図１は、その被処理体の要部断面図である。この被処理体１は、例えば、図１に示すように、Ｓｉを主成分とするＳｉ系基板からなる半導体基板１０と、半導体基板１０上に形成された多孔性絶縁膜であるＳｉＯＣ膜１１と、ＳｉＯＣ膜１１の表面に露出し、Ｃｕを主成分とするＣｕ配線である配線１２と、を備えて概略構成されている。なお、ここでは図示を省略したが、半導体基板１０にはトランジスタ等の半導体素子が形成され、ＳｉＯＣ膜１１には配線１２を半導体素子に電気的に接続するためのプラグ等が形成されている。また、配線１２の周囲には、配線１２に含まれるＣｕのＳｉＯＣ膜１１中への拡散を防止するためのバリアメタル膜が形成されている。
【００１４】
より具体的には、まず上記の半導体基板１０上に、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によってＳｉＯＣ膜１１を形成する。続いて、ＳｉＯＣ膜１１に、例えば、フォトリソグラフィ法及びＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法によって配線を形成するための溝を形成し、この溝に、例えばメッキ法によって金属膜を埋め込む。続いて、ＣＭＰ法によってＳｉＯＣ膜１１上に形成された金属膜を除去して、ＳｉＯＣ膜１１の表面に配線１２が形成された被処理体１を得る。
【００１５】
ここで、酸化膜１３は、例えば、ＣＭＰ処理等によってＳｉＯＣ膜１１の表面に配線１２を埋め込み形成した後に、大気に暴露されることによって、配線１２の露出した表面の酸化によって形成された膜である。
【００１６】
図２は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法に用いられるＰＥＣＶＤ装置の要部断面図である。被処理体１は、このＰＥＣＶＤ装置２の処理チャンバ２０内にて後述する各工程が行われる。
【００１７】
ＰＥＣＶＤ装置２は、例えば、図２に示すように、処理チャンバ２０と、ガス流入口兼上部電極２２と、ヒーター兼下部電極２３と、を備えて概略構成されている。
【００１８】
次に、この処理チャンバ２０の内壁２１に、保護膜としてＳｉＣＮ膜を形成する。
具体的には、被処理体１を処理チャンバ２０内に入れない状態で、ガス流入口兼上部電極２２から３ＭＳ（Tri-Methyl-Silane）／ＮＨ３／Ｎ２混合ガスを処理チャンバ２０内に導入し、処理チャンバ２０内の圧力を７Torrに維持する。この３ＭＳ、ＮＨ３及びＮ２ガスの供給速度は、それぞれ４００sccm、２００sccm及び２０００sccmである。続いて、ガス流入口兼上部電極２２及びヒーター兼下部電極２３間に、６００Ｗ、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加することによって処理チャンバ２０内に３ＭＳ／ＮＨ３／Ｎ２プラズマを発生させ、処理チャンバ２０の内壁２１にＳｉＣＮ膜を形成する。
【００１９】
なお、処理チャンバ２０の内壁２１に形成される保護膜としては、ＳｉＣＮ膜の代わりに、例えば、ＳｉＮ膜、ＳｉＣ膜及びＢＮ膜のうち少なくとも１つを含む絶縁膜等であっても良い。
【００２０】
次に、被処理体１を上記のＰＥＣＶＤ装置２のヒーター兼下部電極２３の上に載せ、処理チャンバ２０内を所定の雰囲気としての高真空状態にする。
【００２１】
図３（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の工程を示す要部断面図である。
【００２２】
次に、図３（ａ）に示すように、ヒーター兼下部電極２３によって被処理体１を加熱する。
【００２３】
次に、図３（ｂ）に示すように、被処理体１を希ガス、又は希ガスとＮ２ガスの混合ガスを含むプラズマに曝してＳｉＯＣ膜１１表面に緻密層１４を形成する。
具体的には、ガス流入口兼上部電極２２から希ガスとしてＡｒガスを処理チャンバ２０内に導入し、ガス流入口兼上部電極２２及びヒーター兼下部電極２３間に高周波電力を印加することによって処理チャンバ２０内にＡｒプラズマを発生させ、発生したＡｒプラズマに被処理体１を５秒間曝す。ＳｉＯＣ膜１１は、Ａｒプラズマに曝されることによって、緻密層１４が表面に形成される。続いて、高周波電力の供給とＡｒガスの導入を停止する。
【００２４】
ここで、緻密層１４は、Ａｒプラズマによって発生したＡｒイオンが、ＳｉＯＣ膜１１の表面に衝突することによってＳｉＯＣ膜１１の表面が緻密化されるとともに、Ａｒプラズマによって内壁２１の保護膜であるＳｉＣＮ膜がスパッタされ、スパッタされたＳｉＣＮが、ＳｉＯＣ膜１１の表面に付着することにより形成される。緻密層１４は、後述する酸化膜１３を除去する工程に用いられるＮＨ３／Ｎ２プラズマによって発生したＮＨ３イオン及びラジカル成分のＳｉＯＣ膜１１中への進入を阻害する。また、緻密層１４の好ましい厚さは２０ｎｍ以下、より好ましくは３〜１０ｎｍである。
【００２５】
なお、上記のプラズマに曝す工程で用いる希ガスは、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ及びＸｅのうち少なくとも１種のガスを含むガスであれば良い。また、Ｃｕ配線の場合、後述する拡散防止膜１５としてＳｉＮ膜又はＳｉＣＮ膜を用いるときは、Ｃｕ配線と拡散防止膜１５との密着性の観点からＳｉＯＣ膜１１の緻密化処理と同時に、このＣｕ配線の表面の窒化を行えるＮ２ガスを含むプラズマ処理が望ましい。
【００２６】
次に、図３（ｃ）に示すように、配線１２の表面に形成された酸化膜１３を除去する。
具体的には、ガス流入口兼上部電極２２からＮＨ３／Ｎ２混合ガスを処理チャンバ２０内に導入し、ガス流入口兼上部電極２２及びヒーター兼下部電極２３間に高周波電力を印加することによって処理チャンバ２０内にＮＨ３／Ｎ２プラズマを発生させる。酸化膜１３は、このＮＨ３／Ｎ２プラズマによる還元反応によって除去される。
【００２７】
なお、酸化膜１３を除去する工程は、プラズマ又は加熱により活性化されたＮＨ３、Ｈ２及びＣＯのうち少なくとも１種を含むガスに曝す工程でも良い。加熱の温度は、例えば、１５０〜４００℃である。酸化膜１３の除去が可能な処理であれば、上記の例に限定されず、例えば、ＮＨ３ガスの代わりとしてＨ２又はＣＯ等の還元性ガスと、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｘｅ等の希ガスからなる混合ガスでも良い。さらに、酸化膜１３の除去が可能であれば、処理チャンバ２０の外でプラズマ放電し、活性化された還元性ガスフロー処理でも良く、また活性化されていない還元性ガスフロー処理でも良い。
【００２８】
次に、図３（ｄ）に示すように、ヒーター兼下部電極２３によって被処理体１を加熱する。
【００２９】
次に、図３（ｅ）に示すように、酸化膜１３が除去された配線１２、及び緻密層１４上に絶縁膜として拡散防止膜１５を形成する。
具体的には、この拡散防止膜１５を形成する工程は、上記の内壁２１にＳｉＣＮ膜を形成する工程で用いた条件と同一の条件で処理チャンバ２０内に３ＭＳ／ＮＨ３／Ｎ２プラズマを発生させ、ＳｉＣＮ膜からなる拡散防止膜１５を形成する。ここで、先に配線１２をＮＨ３／Ｎ２プラズマに曝して配線１２表面の酸化膜１３を除去した場合は、拡散防止膜１５の形成に当って処理チャンバ２０内に３ＭＳを追加導入するだけで良いため、スループットの点で有利である。
【００３０】
なお、処理チャンバ２０の内壁２１の保護膜としては、配線間のリークの観点から絶縁膜が形成されるが、配線１２の表面の酸化を防止するうえで、特に酸素を含まない膜であることが望ましい。また、配線１２及びＳｉＯＣ膜１１と拡散防止膜１５の密着性の観点から拡散防止膜１５の組成に近い膜であることが望ましい。
【００３１】
次に、所望の半導体装置を製造するための所定の工程を経て半導体装置を得る。
【００３２】
なお、ここでは、図３（ａ）〜（ｅ）に示した工程を高真空状態とした処理チャンバ２０内で連続して行う場合を説明したが、少なくとも図３（ｃ）に示した酸化膜１３を除去する工程から図３（ｅ）に示した拡散防止膜１５を形成する工程までを大気に暴露されないよう上記の雰囲気中で連続して行えば良い。
【００３３】
（実施の形態の効果）
上記の実施の形態における半導体装置の製造方法によると以下の効果が得られる。
（１）ＳｉＯＣ膜１１の表面に緻密層１４を形成することによって、配線１２表面の酸化膜１３を除去する際のＳｉＯＣ膜１１の変質を抑制することができ、ＳｉＯＣ膜１１と拡散防止膜１５の密着性の劣化、配線間容量及びリーク電流の増加を防止することができる。
（２）酸化膜１３を除去する工程から拡散防止膜１５を形成する工程まで、又は緻密層１４を形成する工程から酸化膜１３を除去する工程を経て拡散防止膜１５を形成する工程までを同一の処理チャンバ２０内で行うので、大気に暴露されずに各工程を行うことができ、歩留まり及びスループットが向上する。また、工程間の移動に伴うパーティクル等の付着を防止することができる。
（３）処理チャンバ２０の内壁２１に、拡散防止膜１５の組成に近いＳｉＣＮ膜を形成し、ＳｉＯＣ膜１１の緻密化の際のＡｒプラズマによってスパッタされたＳｉＣＮをＳｉＯＣ膜１１上に堆積させることで、よりＳｉＯＣ膜１１の変質を抑制する緻密層１４を形成することができ、また拡散防止膜１５との密着性が向上する。
【実施例】
【００３４】
図４（ａ）〜（ｃ）は、実施例に係る被処理体の要部断面図である。以下では、半導体基板１０上に、厚さが１００ｎｍ、比誘電率が２．６であるＳｉＯＣ膜１１が形成された実施例の被処理体３と比較例の被処理体４を用意し、上記の酸化膜１３を除去する工程であるＮＨ３／Ｎ２プラズマに曝す工程までを行った後の各ＳｉＯＣ膜１１のＣ濃度を測定することによって、膜質変化の評価を行った。なお、処理チャンバ２０の内壁２１の保護膜は、実施の形態で保護膜を形成した条件と同一の条件で形成したＳｉＣＮ膜を用いた。
【００３５】
まず、図４（ａ）に示すように、被処理体３をヒーター兼下部電極２３上に載せ、処理チャンバ２０内の圧力を１０Torr以下の高真空状態にし、ヒーター兼下部電極２３によって被処理体３の温度が３５０〜４００℃となるように加熱する。
【００３６】
次に、Ａｒガスをガス流入口兼上部電極２２から処理チャンバ２０内に導入し、処理チャンバ２０内の圧力を５Torrに維持する。このＡｒガスの供給速度は、１０００sccmである。
【００３７】
次に、図４（ｂ）に示すように、ガス流入口兼上部電極２２及びヒーター兼下部電極２３間に５００Ｗ、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加し、処理チャンバ２０内にＡｒプラズマを発生させ、被処理体３をＡｒプラズマに５秒間曝してプラズマ処理を行い、ＳｉＯＣ膜１１の表面に緻密層１４を形成する。この緻密層１４の厚みは、およそ１０ｎｍである。続いて、高周波電力の供給とＡｒガスの導入を停止する。
【００３８】
次に、ＮＨ３とＮ２からなる混合ガスをガス流入口兼上部電極２２から処理チャンバ２０内に導入し、処理チャンバ２０内の圧力を５Torrに維持する。この混合ガスの供給速度は、それぞれ２０００sccmである。
【００３９】
次に、図４（ｃ）に示すように、ガス流入口兼上部電極２２及びヒーター兼下部電極２３間に２００Ｗ、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加し、処理チャンバ２０内にＮＨ３／Ｎ２プラズマを発生させ、被処理体３をＮＨ３／Ｎ２プラズマに３０秒間曝すプラズマ処理を行う。
【００４０】
（比較例）
図５（ａ）及び（ｂ）は、比較例に係る被処理体の要部断面図である。
【００４１】
まず、図５（ａ）に示すように、実施例と同一の条件で被処理体４を加熱する。
【００４２】
次に、実施例で行ったＡｒプラズマ処理を行わずに、ＮＨ３とＮ２からなる混合ガスを、実施例と同一の条件で処理チャンバ２０内に導入する。
【００４３】
次に、図５（ｂ）に示すように、実施例と同一の条件でＮＨ３／Ｎ２プラズマによるプラズマ処理を行う。
【００４４】
（評価）
上記の工程を経た被処理体３、４のＳｉＯＣ膜１１の比誘電率、及びＳＩＭＳ（Secondary Ion-microprobe Mass Spectrometer：二次イオン質量分析計）分析によるＣ濃度のプロファイルを測定し、膜質変化の評価を行った。また、参照例として、実施例及び比較例と同様に、半導体基板上に比誘電率が２．６のＳｉＯＣ膜が形成された被処理体を用意し、Ｃ濃度のプロファイルを測定した。
【００４５】
図６は、比誘電率に関するグラフである。横軸には、比較例に対応する「ＮＨ３／Ｎ２プラズマ処理あり」、参照例として「ＮＨ３／Ｎ２プラズマ処理なし」、実施例に対応する「Ａｒプラズマ処理後、ＮＨ３／Ｎ２プラズマ処理あり」を配し、縦軸は、それぞれの比誘電率を示している。
【００４６】
測定の結果、比較例の比誘電率は、およそ３．１であり、参照例の比誘電率２．６に比べ、大きく上昇している。
【００４７】
一方、実施例の比誘電率は、およそ２．７であり、参照例の比誘電率に比べて上昇するものの、比較例の比誘電率より値が小さく、比較例と比べて比誘電率の上昇が抑制されていることがわかる。
【００４８】
図７は、緻密層を含むＳｉＯＣ膜の表面からの深さとＣ濃度に関するグラフである。横軸は、緻密層を含むＳｉＯＣ膜表面からの深さ（ｎｍ）であり、縦軸は、Ｃ濃度（ａ．ｕ．）である。
【００４９】
測定の結果、比較例の場合は、図７に示すように、参照例に比べ、ＳｉＯＣ膜１１の表面からおよそ０〜５０ｎｍの深さまでのＣ濃度が低くなっている。これは、主に、ＳｉＯＣ膜１１中のＳｉ―ＣＨ３結合の破壊によってＣ濃度が低下したことを示している。
【００５０】
一方、実施例の場合は、図７に示すように、参照例に比べ、ＳｉＯＣ膜１１の表面からおよそ０〜３０ｎｍの深さまでのＣ濃度が低くなっており、特に最表面付近のＣ濃度が一時的に低下するものの、比較例に比べその後の低下は小さい。これは、Ｃ濃度の低下が、ＳｉＯＣ膜１１の表面から浅い領域に抑制されていることを示している。つまり、緻密層１４のおよその厚さが１０ｎｍであることから、この緻密層１４が膜質の変化を抑制するので、特に緻密層１４より深い領域において、Ｃ濃度の低下が抑制されていることがわかる。
【００５１】
なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは変更しない範囲内で種々の変形および組み合わせが可能である。
【００５２】
例えば、上記のＡｒプラズマによるプラズマ処理の時間は５秒であったが、ＮＨ３／Ｎ２プラズマによるＳｉＯＣ膜１１の変質抑制効果が得られる条件であれば、これに限定されない。ただし、緻密化を目的としたプラズマ処理によってＳｉＯＣ膜１１が変質する可能性があるので、ＮＨ３／Ｎ２プラズマ処理の時間より短い方が望ましい。
【符号の説明】
【００５３】
１、３、４…被処理体、１０…半導体基板、１１…ＳｉＯＣ膜、１２…配線、１３…酸化膜、１４…緻密層、１５…拡散防止膜、２０…処理チャンバ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上のＳｉＯＣ膜表面に配線を形成する工程と、
前記配線が表面に形成された前記ＳｉＯＣ膜を希ガス、又は希ガスとＮ２ガスの混合ガスを含むプラズマに曝して前記ＳｉＯＣ膜表面に緻密層を形成する工程と、
前記緻密層が形成された後に、前記配線の表面に形成された酸化膜を除去する工程と、
前記酸化膜が除去された前記配線、及び前記緻密層上に絶縁膜を形成する工程と、
を含み、
前記酸化膜を除去する工程から前記絶縁膜を形成する工程までが、大気に暴露されることなく行われる半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記希ガスは、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ及びＸｅのうち少なくとも１種のガスを含む請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記ＳｉＯＣ膜をプラズマに曝す処理の前に、ＳｉＮ膜、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＣ膜及びＢＮ膜のうち少なくとも１つを含む膜を処理チャンバの内壁に形成する工程を含む請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記酸化膜を除去する工程は、プラズマ又は加熱により活性化されたＮＨ３、Ｈ２及びＣＯのうち少なくとも１種を含むガスに前記配線を曝す工程を含む請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記緻密層を形成する工程から前記絶縁膜を形成する工程までが、大気に暴露されることなく行われる請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１】
半導体基板上のＳｉＯＣ膜表面に配線を形成する工程と、
前記配線が表面に形成された前記ＳｉＯＣ膜を希ガス、又は希ガスとＮ２ガスの混合ガスを含むプラズマに曝して前記ＳｉＯＣ膜表面に緻密層を形成する工程と、
前記緻密層が形成された後に、前記配線の表面に形成された酸化膜を除去する工程と、
前記酸化膜が除去された前記配線、及び前記緻密層上に絶縁膜を形成する工程と、
を含み、
前記酸化膜を除去する工程から前記絶縁膜を形成する工程までが、大気に暴露されることなく行われる半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記希ガスは、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ及びＸｅのうち少なくとも１種のガスを含む請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記ＳｉＯＣ膜をプラズマに曝す処理の前に、ＳｉＮ膜、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＣ膜及びＢＮ膜のうち少なくとも１つを含む膜を処理チャンバの内壁に形成する工程を含む請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記酸化膜を除去する工程は、プラズマ又は加熱により活性化されたＮＨ３、Ｈ２及びＣＯのうち少なくとも１種を含むガスに前記配線を曝す工程を含む請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記緻密層を形成する工程から前記絶縁膜を形成する工程までが、大気に暴露されることなく行われる請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１０−２８３１３６（Ｐ２０１０−２８３１３６Ａ）
【公開日】平成２２年１２月１６日（２０１０．１２．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１３５１１８（Ｐ２００９−１３５１１８）
【出願日】平成２１年６月４日（２００９．６．４）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１２月１６日（２０１０．１２．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年６月４日（２００９．６．４）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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