半導体装置の製造方法
【課題】ウェットエッチング後の絶縁膜のテーパ角が大きく、かつ、直線的なテーパ形状が確保され、更に、テーパ角の基板面内でのバラツキを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に形成された絶縁膜２０上にフォトレジストを塗布し、フォトレジストパターン９０を形成するフォトレジストパターン形成工程と、前記フォトレジストパターン９０をマスクとしてウェットエッチングにより前記絶縁膜２０の不要部分を除去する工程と、からなる半導体装置の製造方法において、前記フォトレジストパターン形成工程の前及び／又は後に、前記フォトレジストパターンの有無に応じて、前記絶縁膜２０の表面に形成される損傷領域２１，２２の深さを変化させてイオン注入を行う。
【解決手段】半導体基板１０上に形成された絶縁膜２０上にフォトレジストを塗布し、フォトレジストパターン９０を形成するフォトレジストパターン形成工程と、前記フォトレジストパターン９０をマスクとしてウェットエッチングにより前記絶縁膜２０の不要部分を除去する工程と、からなる半導体装置の製造方法において、前記フォトレジストパターン形成工程の前及び／又は後に、前記フォトレジストパターンの有無に応じて、前記絶縁膜２０の表面に形成される損傷領域２１，２２の深さを変化させてイオン注入を行う。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体基板上に形成された絶縁膜上にフォトレジストパターンを形成するフォトレジストパターン形成工程と、絶縁膜の不要部分を除去して絶縁膜を加工するウェットエッチング工程とを含む半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、少なくとも半導体基板上に膜を形成する膜形成工程と、膜表面に不活性イオンを照射するイオン照射工程と、膜状にレジストを形成しウェットエッチングにより膜を所望の形状にパターニングするパターン形成工程とを有する半導体装置の製造方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
かかる特許文献１に記載の発明においては、レジストと層間膜の密着性強化によるレジストと層間膜界面でのエッチャントの染み込み制御、及び、層間膜同士の界面での密着性強化によるエッチャントの染み込み防止を発明が解決しようとする課題としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−２４６２２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述の特許文献１に記載の構成では、実際には、レジストと層間膜との密着性自体は強化されるものの、層間膜自体も不活性イオンの照射によりダメージを受けてしまい、ウェットエッチングが進行し過ぎて、所望の形状よりもエッチング過多の形状がパターンとして形成されてしまうという問題があった。
【０００６】
図９は、従来のウェットエッチングを用いた半導体装置の製造方法の問題点を説明するための図である。図９において、半導体基板１１０の上に絶縁膜１２０が形成され、絶縁層１２０の上には、レジスト１９０が形成された状態が示されている。酸化膜系の絶縁膜１２０のウェットエッチングは、等方性であるために、仕上がりのテーパ角は４５度が理論値となり、図９においては、破線で示されている。しかしながら、実際は、レジスト界面付近で界面方向（図９においては横方向）にエッチングが延びる傾向があり、テーパ角は４０度以下となる場合が多い（図９において絶縁膜１２０の実線）。これは、パターンの微細化に伴い、レジスト界面で毛管現象と同様な現象が発生し、狭い領域の方にエッチング液の拡散が大きくなったことによるものと推定される。更に、ウェットエッチング液の拡散性を良くするために界面活性剤等が添加されていることも加速要因となっていると考えられる。このように、従来のウェットエッチングを用いた半導体装置の製造方法においては、テーパ角が理論値と異なるために、設計上で必要な絶縁膜１２０の得られる範囲が狭まり、製品特性に悪影響を与えるという問題があった。また、絶縁膜１２０とレジスト１９０との密着性の変動が原因と推定されるウエハ面内でのテーパ角バラツキが発生する場合もあり、洗浄追加等の対策を施しているが、思うように制御ができていないという問題もあった。
【０００７】
以上をまとめると、従来のウェットエッチングを用いた半導体装置の製造方法では、ウェットエッチング後のテーパ角が４５度未満で安定しない、ウェットエッチング後のテーパ角のウエハ面内でのバラツキが大きいという問題があった。
【０００８】
上述の特許文献１においては、絶縁膜１２０とレジスト１９０との密着性を強化すべく、不活性イオンが照射されているが、実際には、不活性イオンの照射により、密着性自体は高まるものの、絶縁膜のダメージも大きく残り、結果として図９に示したような問題点を解消できない。
【０００９】
一方、半導体プロセスにおいて、従来の低電圧系のＬＳＩ（Large Scale Integrated Circuit、大規模集積回路）では、ウェットエッチング後の配線が急峻な配線となると、断線等の問題が発生することから、図９の実線のように、レジスト界面付近でのテーパ形状が緩やかにする加工が主流であった。しかしながら、近年、高耐圧ＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタやＭＥＭＳ（Mechanical Electro Micro Systems）等の製造ニーズが発生し、製品内の高段差確保が優先され、絶縁膜１２０のテーパ角も４５度以上で、直線的なテーパ形状が求められるようになってきた。
【００１０】
そこで、本発明は、ウェットエッチング後の絶縁膜のテーパ角が４５度以上にできるとともに、直線的なテーパ形状を確保することができ、更にテーパ角の半導体基板面内でのバラツキを抑制できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、第１の発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板（１０、１１、１２）上に形成された絶縁膜（２０、２３、２６）上にフォトレジストを塗布し、フォトレジストパターン（９０、９１、９２）を形成するフォトレジストパターン形成工程と、
ウェットエッチングにより前記絶縁膜（２０、２３、２６）の不要部分を除去して前記絶縁膜（２０、２３、２６）を加工するウェットエッチング工程と、
前記フォトレジストパターン形成工程の前及び／又は後に、前記絶縁膜（２０、２３、２６）にイオン注入を行うイオン注入工程と、を含む半導体装置の製造方法であって、
前記イオン注入工程は、前記フォトレジストパターン（９０、９１、９２）の有無に応じて、前記イオン注入により前記絶縁膜（２０、２３、２６）に形成される損傷領域（２１、２２、２４、２５、２７、２８）の深さを変化させて行うことを特徴とする。
【００１２】
これにより、フォトレジストパターンの有無に応じてイオン注入による半導体基板の活性化を変化させることができ、状態に応じた適切な加工を行うことができる。
【００１３】
第２の発明は、第１の発明に係る半導体装置の製造方法において、
前記イオン注入工程が、前記フォトレジストパターン形成工程の前に行われるときには、
前記イオン注入工程は、前記損傷領域（２１、２２、２４、２５、２７、２８）を、前記絶縁膜（２０、２３、２６）の表面から１０ｎｍ未満の範囲に設定して行うことを特徴とする。
【００１４】
これにより、後に形成されるフォトレジストパターンとの密着状態のみを向上させることができ、絶縁膜自体にはダメージを与えないので、毛細管現象による横方向へのエッチングの過度の進行を防ぐことができ、所望の形状に絶縁膜を加工することができる。
【００１５】
第３の発明は、第１又は第２の発明に係る半導体装置の製造方法において、
前記イオン注入工程が、前記フォトレジストパターン形成工程の後に行われるときには、
前記イオン注入工程は、前記損傷領域（２１、２２、２４、２５、２７、２８）を、前記絶縁膜（２０、２３、２６）の表面から１０ｎｍ以上で前記絶縁膜（２０、２３、２６）の不要部分の深さ以下の範囲に設定して行うことを特徴とする。
【００１６】
これにより、フォトレジストパターンで覆われていない部分を活性化させ、ウェットエッチングによる腐食を促進し、効率よくウェットエッチングを行うことができる。
【００１７】
第４の発明は、第１〜３のいずれかの発明に係る半導体装置の製造方法において、
前記損傷領域（２１、２２、２４、２５、２７、２８）の深さは、前記イオン注入工程において用いるイオンビームのドーズ量と加速電圧を制御することにより設定されることを特徴とする。
【００１８】
これにより、イオンビームの照射条件の設定で、絶縁膜の損傷領域を制御することができ、比較的容易な制御で、絶縁膜を効率良く高精度に所望の形状に加工することができる。
【００１９】
第５の発明は、第４の発明に係る半導体装置の製造方法において、
前記ドーズ量と前記加速電圧は、前記ドーズ量及び前記加速電圧と、前記絶縁膜（２０、２３、２６）が前記ウェットエッチングにより加工される形状のテーパ角度依存性との関係に基づいて設定されることを特徴とする。
【００２０】
これにより、絶縁膜を、所望のテーパ角を有する形状に加工することができ、高精度な加工を行うことが可能となる。
【００２１】
第６の発明に係る半導体装置の製造方法は、第１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ウェットエッチング工程の後に、前記絶縁膜の頂上の平坦部にゲートを形成する工程を更に含むことを特徴とする。
【００２２】
なお、上記括弧内の参照符号は、理解を容易にするために付したものであり、一例に過ぎず、図示の態様に限定されるものではない。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、絶縁膜を所望の形状に加工することができ、高精度な半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１Ａ】実施例１の半導体装置の製造方法の絶縁膜形成工程の一例を示した図である。
【図１Ｂ】実施例１の半導体装置の製造方法のイオン注入工程の一例を示した図である。
【図１Ｃ】実施例１の半導体装置の製造方法のレジストパターン形成工程の一例を示した図である。
【図１Ｄ】実施例１の半導体装置の製造方法のエッチング工程の一例を示した図である。
【図２】イオン注入によるウェットエッチングレート変動分布を説明するための図である。
【図３】レジスト塗布前にイオン注入を行った場合のイオンビームの条件とテーパ角度依存性との関係の一例を示した図である。
【図４Ａ】実施例２の半導体装置の製造方法の絶縁膜形成工程の一例を示した図である。
【図４Ｂ】実施例２の半導体装置の製造方法のレジストパターン形成工程の一例を示した図である。
【図４Ｃ】実施例２の半導体装置の製造方法のイオン注入工程の一例を示した図である。
【図４Ｄ】実施例２の半導体装置の製造方法のイオン注入工程の一例を示した図である。
【図５】レジストパターン形成後にイオン注入を行う場合のイオンビームＩＢ２の条件とテーパ角度依存性との関係の一例を示した図である。
【図６Ａ】実施例３の半導体装置の製造方法の絶縁膜形成工程の一例を示した図である。
【図６Ｂ】実施例３の半導体装置の製造方法の第１のイオン注入工程の一例を示した図である。
【図６Ｃ】実施例３の半導体装置の製造方法のレジストパターン形成工程の一例を示した図である。
【図６Ｄ】実施例３の半導体装置の製造方法の第２のイオン注入工程の一例を示した図である。
【図６Ｅ】実施例３に係る半導体装置の製造方法のウェットエッチング工程の一例を示した図である。
【図７Ａ】実施例４の半導体装置の製造方法のアイソレーション及び熱酸化膜形成工程の一例を示した図である。
【図７Ｂ】実施例４の半導体装置の製造方法の第１のイオン注入工程の一例を示した図である。
【図７Ｃ】実施例４の半導体装置の製造方法のレジストパターン形成工程の一例を示した図である。
【図７Ｄ】実施例４の半導体装置の製造方法の第２のイオン注入工程の一例を示した図である。
【図７Ｅ】実施例４の半導体装置の製造方法のエッチング工程の一例を示した図である。
【図７Ｆ】実施例４の半導体装置の製造方法のゲート形成工程の一例を示した図である。
【図７Ｇ】実施例４の半導体装置の製造方法の層間膜形成及びコンタクトホール形成工程の一例を示した図である。
【図７Ｈ】実施例４の半導体装置の製造方法の配線層形成及び保護膜形成工程の一例を示した図である。
【図８Ａ】実施例５の半導体装置の製造方法の基板段差形成工程の一例を示した図である。
【図８Ｂ】実施例５の半導体装置の製造方法の熱酸化膜形成工程の一例を示した図である。
【図８Ｃ】実施例５の半導体装置の製造方法の第１のイオン注入工程の一例を示した図である。
【図８Ｄ】実施例５の半導体装置の製造方法のレジストパターン形成工程の一例を示した図である。
【図８Ｅ】実施例５の半導体装置の製造方法の第２のイオン注入工程の一例を示した図である。
【図８Ｆ】実施例５の半導体装置の製造方法のエッチング工程の一例を示した図である。
【図８Ｇ】実施例５の半導体装置の製造方法のゲート形成工程の一例を示した図である。
【図８Ｈ】実施例５の半導体装置の製造方法の層間膜及びコンタクトホール形成工程の一例を示した図である。
【図８Ｉ】実施例５の半導体装置の製造方法の配線層形成及び保護膜形成工程の一例を示した図である。
【図９】従来のウェットエッチングの問題点を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。
【実施例１】
【００２６】
図１Ａ〜図１Ｄは、本発明の実施例１に係る半導体装置の製造方法の一例を示した図である。
【００２７】
図１Ａは、実施例１に係る半導体装置の製造方法の絶縁膜形成工程の一例を示した図である。絶縁膜形成工程においては、半導体基板１０の上に、絶縁膜２０が形成される。
【００２８】
半導体基板１０は、種々の半導体材料から構成された基板が用いられてよいが、例えば、シリコン基板が用いられてもよい。その他、ガリウムヒ素からなる半導体基板１０や、ＳｉＣからなる半導体基板１０が用いられてもよい。なお、本実施例においては、シリコン基板を半導体基板１０として用いた例を挙げて説明する。なお、半導体基板１０は、ウエハ１０と呼んでもよいこととする。
【００２９】
絶縁膜２０は、種々の材料からなる絶縁膜２０が、種々の方法により半導体基板１０上に形成されてよいが、例えば、半導体基板１０を加熱することにより形成される熱酸化膜が形成されてもよい。熱酸化膜は、例えば、半導体基板１０がシリコン基板である場合には、ＳｉＯ２となる。その他、化学気相成長法等により、種々の絶縁膜２０が形成されてもよい。
【００３０】
図１Ｂは、実施例１に係る半導体装置の製造方法のイオン注入工程の一例を示した図である。イオン注入工程においては、絶縁膜２０の全面に、イオンビームＩＢ１が照射され、レジストとの密着性を向上させる絶縁膜２０の表面のみが活性化され、絶縁膜２０の表面に損傷領域２１が形成される。
【００３１】
図２は、イオン注入によるウェットエッチングレート変動分布を説明するための図である。図２において、横軸はエッチングレート、縦軸は絶縁膜表面からの深さを示している。縦軸は、絶縁膜の表面を原点とし、深くなるにつれて下方に下がるように示してある。
【００３２】
図２において、縦軸を基準として考察すると、絶縁膜２０の表面からすぐ下の領域は、イオン透過領域Ｐとなる。イオン透過領域には、イオン衝突により、ＳｉＯ２格子等の損傷層（損傷領域）２１が生成される。損傷層２１は、Ｓｉの非共有結合や、強い歪みを持ったＳｉ−Ｏ結合等で活性な反応がある状態のため、図２に示すように、ウェットエッチングレートが速い。
【００３３】
図２において、Ｂより深いイオン非透過領域ＮＰは、注入されたイオンが透過しない領域である。しかしながら、イオン非透過領域ＮＰのイオン透過領域Ｐに近い領域は、イオン注入によりストレスが誘起される状態にある。図２において、そのようなストレスが誘起して影響を受けている部分を、ダメージ部分Ｄとしている。ダメージ部分Ｄは、急激にエッチングレートが変動する状態である。一方、ダメージ部分よりも深い部分では、通常のエッチングレートとなる。
【００３４】
ここで、図２に示した性質から、イオン注入により絶縁膜２０が活性化し、表面状態が変化するのは、イオン透過領域Ｐである。そして、絶縁膜２０の表面状態が活性化して変化することにより、未処理時よりもレジスト密着性が向上する。一方、イオン透過領域Ｐにおいては、ウェットエッチングレートも速くなるため、イオン透過領域Ｐを深くまで設定すると、横方向へのエッチング自体も進んでしまい、結果として、理論値に近いテーパ角４５度が得られなくなってしまう。
【００３５】
そこで、実施例１に係る半導体装置の製造方法においては、損傷領域２１となるイオン透過領域Ｐが、絶縁層２０の表面のみとなるように、イオン注入を行う。つまり、レジスト塗布前においては、塗布されるレジストと接触する表面のみが活性化し、表面よりも深い領域には、損傷領域２１が形成されないようにする。これにより、絶縁層２０とレジストとの密着性を高めることができるとともに、ウェットエッチングのレジスト界面における横方向への進行を防ぐことができ、直線的なテーパ形状を有する、理論値の４５度に近いテーパ角を得ることができる。
【００３６】
なお、絶縁層２０の損傷領域となるイオン透過領域Ｐは、例えば、表面から１０ｎｍ未満の範囲に設定する。イオン透過領域Ｐは、用途に応じて適切な範囲を設定することができ、例えば、表面から８ｎｍ未満の範囲、表面から６ｎｍ未満の範囲に設定してもよい。これらの範囲は、現在のイオン注入の技術で十分に調整可能な範囲であり、実験でも、十分に設定可能なことが確かめられている。また、イオン透過領域Ｐを、どんなに薄皮のように絶縁膜２０の表面近傍にのみ設定しても、１ｎｍ程度の損傷部は発生すると考えられるので、上述の範囲は、絶縁膜２０の表面から１ｎｍ以上１０ｎｍ未満、表面から１ｎｍ以上８ｎｍ未満、表面から１ｎｍ以上６ｎｍ未満と言い換えてもよい。
【００３７】
図３は、レジスト塗布前にイオン注入を行った場合のイオンビームの条件とテーパ角度依存性との関係の一例を示した図である。図３において、横軸に照射するイオンビームのドーズ量（atoms／cm2）と加速電圧（ＫｅＶ）、縦軸に絶縁膜２０のテーパ角度が示されている。テーパ角度は、ドーズ量及び加速電圧が低い場合と、ドーズ量及び加速電圧が高い場合に低く、ドーズ量及び加速電圧が、中程度の所定範囲内にある場合に、高くなるテーパ角度依存性を示している。かかるテーパ角度依存性から、例えば、Ａ−Ｂの範囲となるようにイオンビームのドーズ量と加速電圧を設定すれば、高いテーパ角度を得ることができる。Ａ−Ｂの範囲自体も大きく、制御するパラメータもドーズ量と加速電圧の２つがあるので、ドーズ量と加速電圧を調整して設定することにより、イオン注入の条件がＡ−Ｂの範囲内となるように設定することは容易である。
【００３８】
イオン注入は、種々のイオンを用いて行うことができるが、例えば、デバイスへの影響が無いように、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ等の希ガスを用いるようにしてもよい。例えば、イオン種がＡｒの場合には、イオン注入条件は、加速電圧が５０ＫｅＶ以下、ドーズ量が５×１０１３atoms／cm2以下程度となるように設定し、イオン透過領域Ｐが絶縁膜２０の表層面のみとなるように調整する。この後にフォトレジストを塗布することで、未処理時よりもレジスト密着性が向上し、ウェットエッチング時の毛管現象が抑制される。そして、直線的なテーパ形状が得られるとともに、４５度程度の高いテーパ角が確保でき、半導体基板１０面内でのテーパ角バラツキも抑制される。
【００３９】
但し、イオン注入条件が過多になると、レジスト密着性は向上するものの、絶縁膜２０とレジストの界面方向へのウェットエッチングが極度に進行し、テーパ角が４０度を下回る状態となるために、絶縁膜２０の膜種別にイオン注入条件の調整が必要となる。
【００４０】
このように、イオン注入におけるイオンビームの条件を適切に設定し、絶縁膜２０の表面近傍の薄皮部分のみに損傷領域を形成して活性化させることにより、レジストとの密着性を高めつつ、絶縁膜２０のウェットエッチングレート自体は高くならない状態にすることができ、直線的な４５度に近いテーパ角を得ることができる。
【００４１】
なお、図３においては、イオンビームのドーズ量と加速電圧を制御パラメータとしてイオン注入の条件を設定する例を挙げて説明したが、その他のパラメータを用いて、イオン注入における損傷領域の深さを制御できれば、そのような他のパラメータを用いて調整するようにしてもよい。
【００４２】
図１に戻る。図１Ｂのイオン注入工程において、図２及び図３で説明したように、絶縁膜２０の損傷領域２１が絶縁膜の２０の表面から１０ｎｍ未満の範囲となるようにイオンビームＩＢ１の条件が設定され、イオンビームが絶縁膜２０の全面に照射されてイオン注入が行われる。これにより、絶縁膜２０の表面から１０ｎｍ以上の深さの領域は損傷を受けず、絶縁膜２０の表面のみが活性化される。
【００４３】
図１Ｃは、実施例１に係る半導体装置の製造方法のフォトレジストパターン形成工程の一例を示した図である。フォトレジストパターン形成工程においては、絶縁膜２０の表面にフォトレジストが塗布され、露光、現像を経てフォトレジストの不要部分が除去され、開口部９１を有するフォトレジストパターン９０が形成される。図１Ｂで説明したように、絶縁膜２０の表面には損傷領域２１が形成されて活性化されているため、フォトレジストパターン９０と絶縁膜２０との密着性が極めて高い状態でフォトレジストパターン９０が形成されることになる。
【００４４】
図１Ｄは、実施例１に係る半導体装置の製造方法のウェットエッチング工程の一例を示した図である。ウェットエッチング工程においては、エッチング液がレジストパターン９０で覆われた絶縁膜２０に供給され、フォトレジストパターン９０に覆われていない開口部９１はエッチング液が絶縁膜２０に接触し、絶縁膜２０のエッチングが行われる。エッチング液の供給は、種々の方法で行われてよく、例えば、エッチング液を収容したエッチング槽に絶縁膜２０が形成された半導体基板１０が浸漬されてもよいし、ノズル等でフォトレジストパターン９０の上からエッチング液を噴霧して供給してもよい。
【００４５】
ウェットエッチング工程により、絶縁膜２０の不要部分が除去され、絶縁膜２０が所望の形状に加工される。このとき、フォトレジストパターン９０と絶縁膜２０との密着性が高いので、レジストパターン９０と絶縁膜２０の界面におけるエッチングは、過度には進行しない。また、絶縁膜２０自体は、通常のエッチングレートを有するので、理論値に近いエッチングレートでエッチングが行われる。その結果、図１Ｄに示すように、直線的なテーパ形状の、テーパ角が略４５度の絶縁膜２０の形状が得られる。
【００４６】
このように、実施例１に係る半導体装置の製造方法によれば、フォトレジストパターン形成工程の前にイオン注入工程を設け、イオン注入工程において、絶縁膜２０の表面とフォトレジストパターン９０との密着性を高め、絶縁膜２０の表面以外は損傷を与えないイオン注入を行うことにより、高いテーパ角の絶縁膜２０を得る加工を行うことができる。
【実施例２】
【００４７】
図４Ａ〜図４Ｄは、本発明の実施例２に係る半導体装置の製造方法の一例を示した図である。実施例２において、実施例１で説明した構成要素と同様の構成要素には、同一の参照符号を付して、その説明を省略する。
【００４８】
図４Ａは、実施例２に係る半導体装置の製造方法の絶縁膜形成工程の一例を示した図である。絶縁膜形成工程は、実施例１の図１Ａと同様の工程であるので、その説明を省略する。
【００４９】
図４Ｂは、実施例２に係る半導体装置の製造方法のフォトレジストパターン形成工程の一例を示した図である。フォトレジストパターン形成工程においては、半導体基板１０上に設けられた絶縁膜２０の上に、フォトレジストが塗布され、露光、現像を経てフォトレジストの不要部分が除去され、開口部９１を有するフォトレジストパターン９０が形成される。
【００５０】
ここで、実施例２に係る半導体装置の製造方法においては、フォトレジストパターン形成工程の前には、イオン注入工程は設けられていない。従って、特に表面が活性化されていない、通常の状態の絶縁膜２０の表面上にフォトレジストが塗布され、フォトレジストパターン９０が形成されることになる。
【００５１】
図４Ｃは、実施例２に係る半導体装置の製造方法のイオン注入工程の一例を示した図である。イオン注入工程においては、フォトレジストパターン９０の開口部９１に位置する絶縁膜２０の露出部に、イオンビームＩＢ２が照射され、イオン注入が行われる。実施例２に係る半導体装置の製造方法においては、レジストパターン形成工程の後にイオン注入工程が行われる。この場合のイオン注入は、絶縁膜２０の表面だけではなく、内部も含めて損傷領域２２が発生するようにイオンビームＩＢ２の照射が行われる。よって、絶縁膜２０の表面から１０ｎｍ以上の深さであって、絶縁膜２０の不要部分の深さ以内の範囲内に損傷領域２２が形成される。一般的に、下層に半導体基板１０が存在する場合には、絶縁膜２０の不要部分は、半導体基板１０が露出する範囲、つまり絶縁膜２０の厚さそのものであるので、１０ｎｍ以上の適切な範囲で損傷領域２２が形成されるように設定される。図２で説明したように、絶縁膜２０の損傷領域２２は、イオン透過領域Ｐであるので、イオン透過領域Ｐが、絶縁膜２０の表面から１０ｎｍ以上の深さとなるようにイオン注入条件を設定すればよい。
【００５２】
図５は、レジストパターン形成後にイオン注入を行う場合のイオンビームＩＢ２の条件とテーパ角度依存性との関係の一例を示した図である。図５において、横軸はイオンビームＩＢ２のドーズ量（atoms／cm2）及び加速電圧（ＫｅＶ）、縦軸は絶縁膜２０の形状のテーパ角度の大きさを示している。
【００５３】
図５において、ドーズ量及び加速電圧が低い範囲では、テーパ角度が低く、ドーズ量及び加速電圧が高くなるとテーパ角度も高くなり、ある程度のドーズ量及び加速電圧でテーパ角度が飽和するテーパ角度依存性を示している。よって、例えば、ドーズ量及び加速電圧をＣよりも大きくすれば、高いテーパ角度が得られることになる。
【００５４】
イオン注入は、実施例１と同様に、種々のイオンを用いて行うことができるが、例えば、デバイスへの影響が無いように、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ等の希ガスを用いるようにしてもよい。例えば、イオン種がＡｒの場合には、イオン注入におけるイオンビームＩＢ２の条件は、加速電圧１００ＫｅＶ以上、ドーズ量１．０×１０１４atoms／cm2以上程度とし、所望のテーパ角が得られるように、イオンビームの条件を調整することが好ましい。但し、フォトレジストパターン９０の膜厚は、イオン種の理論飛程よりも厚い設定としなければ、フォトレジストパターン９０を透過する危険性があるので、事前の確認が必要である。また、イオン注入の際は、半導体基板１０は常圧ではなく低圧状態で処理されるため、フォトレジスト中の溶剤等が気化し、絶縁膜２０との密着性が向上する。
【００５５】
また、図５においては、ドーズ量と加速電圧をテーパ角度制御のパラメータとした例を挙げて説明しているが、他のパラメータに調整によりイオン注入の条件を調整することが可能であれば、他のパラメータを用いるようにしてもよい。
【００５６】
図４に戻る。図４Ｃにおいて、図５において説明したようなイオンビームＩＢ２の条件でイオン注入が行われ、絶縁膜２０の表面よりも深い位置まで損傷領域３２が形成され、活性化が行われる。
【００５７】
なお、損傷領域３２は、絶縁膜２０の底面付近まで形成されなくても、図５で説明したように、ある程度のドーズ量及び加速電圧以上でテーパ角度の高さがほぼ一定となることから、ある程度の深さまで形成されることにより、所定のテーパ角度を有する形状を形成できると考えられる。
【００５８】
また、実施例２に係る半導体装置の製造方法においては、被エッチング部分のみにイオン注入が行われるため、注入条件でエッチングレート変動幅を制御することができる。結果として、テーパ角の制御が可能となり、４５度〜６５度程度の範囲で、絶縁膜２０の加工形状のテーパ角の角度を制御することが可能となる。
【００５９】
図４Ｄは、実施例２に係る半導体装置の製造方法のイオン注入工程の一例を示した図である。ウェットエッチング工程の一例を示した図である。ウェットエッチング工程自体は、実施例１の図１Ｄにおける説明と同様であるので、その詳細な内容は省略する。実施例２に係る半導体装置の製造方法においては、フォトレジストパターン９０と絶縁膜２０の密着性は特に向上させていないが、損傷領域２２を絶縁膜２０のフォトレジストパターン９０の開口部９１に対応する位置（露出部）に形成しているので、縦方向のエッチングが速く進行し、横方向にエッチングが過度に進行する前にウェットエッチング工程を完了させることができる。よって、図４Ｄに示すように、直線的でテーパ角度の大きい絶縁膜２０の形状を得ることができる。
【００６０】
実施例２に係る半導体装置の製造方法によれば、フォトレジストパターン形成工程後にイオン注入工程を設け、絶縁膜２０の除去部分にのみ表面よりも深い損傷領域を形成することにより、直線的なテーパ形状とともに、４５度〜６５度の高いテーパ角を確保することができ、半導体基板１０面内のテーパ角バラツキも抑制することができる。
【実施例３】
【００６１】
図６Ａ〜図６Ｅは、本発明の実施例３に係る半導体装置の製造方法の一例を示した図である。図６Ａ〜図６Ｅにおいて、実施例１及び実施例２と同様の構成要素には、同一の参照番号を付し、その説明を省略する。
【００６２】
図６Ａは、実施例３に係る半導体装置の製造方法の絶縁膜形成工程の一例を示した図である。絶縁膜形成工程は、実施例１の図１Ａと同様の工程であるので、各構成要素に図１Ａと同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００６３】
図６Ｂは、実施例３に係る半導体装置の製造方法の第１のイオン注入工程の一例を示した図である。第１のイオン注入工程は、実施例１の図１Ｂにおいて説明した内容と同様であるので、図１Ｂと同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００６４】
第１のイオン注入工程により、フォトレジストを塗布してフォトレジストパターン９０を形成する前に、絶縁膜２０の表面を活性化することができ、フォトレジストパターン９０との密着性を向上させることができる。
【００６５】
図６Ｃは、実施例３に係る半導体装置の製造方法のレジストパターン形成工程の一例を示した図である。レジストパターン形成工程は、実施例１の図１Ｃにおいて説明した内容と同様であるので、図１Ｃと同一の参照符号を付し、その説明を省略する。
【００６６】
図６Ｄは、実施例３に係る半導体装置の製造方法の第２のイオン注入工程の一例を示した図である。フォトレジストパターン形成工程前の第１のイオン注入工程のみならず、フォトレジストパターン形成工程後の第２のイオン注入工程を設けた点において、実施例３に係る半導体装置の製造方法は、実施例１及び実施例２に係る半導体装置の製造方法と異なっている。
【００６７】
第２のイオン注入工程は、絶縁膜２０の露出部にイオンビームＩＢ２を照射する工程であり、絶縁膜２０の表面よりも深い位置まで損傷領域２２を形成する。つまり、実施例２において説明したイオン注入工程と同様の工程である。これにより、絶縁膜２０のウェットエッチングレートが大きくなるような状態変化が発生する。
【００６８】
このように、実施例３に係る半導体装置の製造方法においては、第１のイオン注入工程で、フォトレジストパターン９０と絶縁膜２０の表面との密着性を向上させ、第２のイオン注入工程で、絶縁膜２０の除去部分のエッチングレートを高める状態変化を起こさせる。
【００６９】
なお、第２のイオン注入工程の内容自体は、実施例２の図４Ｃにおいて説明した内容と同様であるので、図４Ｃと同様の構成要素に同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００７０】
図６Ｅは、実施例３に係る半導体装置の製造方法のウェットエッチング工程の一例を示した図である。ウェットエッチング工程においては、ウェットエッチングが行われ、絶縁膜２０の不要部分が除去されるが、第１のイオン注入工程で絶縁膜２０とフォトレジストパターン９０との密着力が向上し、第２のイオン注入工程で絶縁膜２０自体のエッチングレートが高くなっているので、横方向にエッチングが広がらず、深さ方向にエッチングが進行する。そして、図６Ｅに示すように、直線的なテーパ形状で、テーパ角が４５度〜６５度程度の範囲となるようにテーパ角を制御することが可能となる。
【００７１】
なお、ウェットエッチング工程の具体的な内容は、実施例１の図１Ｄにおいて説明した内容と同様であるので、同様の構成要素に同一の参照符号を付して、その説明を省略する。
【００７２】
実施例３に係る半導体装置の製造方法によれば、フォトレジストパターン９０と絶縁膜２０の表面の密着性を高めてウエハ面内バラツキを抑制する第１のイオン注入工程と、絶縁膜２０のテーパ角の制御を可能にする第２のイオン注入工程とを組み合わせることにより、両者の相乗効果を発生させ、絶縁膜２０の加工形状のテーパ角を４５度以上確保し、テーパ角の面内バラツキを抑制することができる。
【実施例４】
【００７３】
図７Ａ〜図７Ｈは、本発明の実施例４に係る半導体装置の製造方法の一例を示した図である。実施例４に係る半導体装置の製造方法においては、実施例１〜３に係る半導体装置の製造方法を、具体的な半導体装置である高耐圧系素子の製造方法に適用する例について説明する。なお、図７Ａ〜図７Ｈにおいては、代表例として、実施例３に係る半導体装置の製造方法を、高耐圧素子の製造方法に適用した例について説明する。実施例１又は実施例２に係る半導体装置の製造方法を適用した例は、第１のイオン注入工程又は第２のイオン注入工程のいずれか一方を省略した製造方法であるので、全体を説明してから後述する。
【００７４】
図７Ａは、実施例４に係る半導体装置の製造方法のアイソレーション及び熱酸化膜形成工程の一例を示した図である。アイソレーション及び熱酸化膜形成工程においては、半導体基板１１上に、アイソレーション３０がまず形成され、次いで、半導体基板１１及びアイソレーション３０の上に熱酸化膜２１が形成される。本工程は、実施例１〜３の絶縁膜形成工程に該当する。
【００７５】
半導体基板１１は、実施例１において説明したように、シリコン基板等、種々の半導体材料からなる基板を用いることができる。
【００７６】
アイソレーション３０は、半導体素子間の絶縁分離に用いられる絶縁領域である。例えば、ＬＯＣＯＳ（LOCal Oxidation of Silicon）等で形成されてもよい。
【００７７】
熱酸化膜２３は、半導体基板１１を加熱して形成される絶縁膜であり、例えば、半導体基板１１がシリコン基板の場合には、ＳｉＯ２となる。
【００７８】
図７Ｂは、実施例４に係る半導体装置の製造方法の第１のイオン注入工程の一例を示した図である。第１のイオン注入工程においては、熱酸化膜２３の全面に、イオンビームＩＢ３が照射され、イオン注入が行われる。本工程は、実施例１の図１Ｂ及び実施例３の図６Ｂと同様の工程であり、図１Ｂ及び図６Ｂで説明したイオンビームの条件で、イオン注入が行われる。これにより、熱酸化膜２３の表面近傍には、活性化された損傷領域２４が形成される。
【００７９】
図７Ｃは、実施例４に係る半導体装置の製造方法のフォトレジストパターン形成工程の一例を示した図である。フォトレジストパターン形成工程においては、熱酸化膜２３の上にフォトレジストが塗布され、露光及び現像を経て所望のフォトレジストパターン９１が形成される。本工程は、実施例１〜３のフォトレジストパターン形成工程に対応する。
【００８０】
図７Ｄは、実施例４に係る半導体装置の製造方法の第２のイオン注入工程の一例を示した図である。第２のイオン注入工程においては、熱酸化膜２３の露出部に、イオンビームＩＢ４が照射され、イオン注入が行われる。本工程は、実施例２の図４Ｃ及び実施例３の図６Ｄに対応する工程であり、実施例２及び実施例３において説明したイオンビームの条件でイオン注入が行われる。これにより、熱酸化膜２３の表面から１０ｎｍ以上深い位置まで到達するように損傷領域２５が熱酸化膜２３の内部に形成される。本工程により、テーパ角の制御が可能となる。
【００８１】
図７Ｅは、実施例４に係る半導体装置の製造方法のウェットエッチング工程の一例を示した図である。ウェットエッチング工程においては、酸化膜２３がエッチング液を用いてエッチング加工され、不要部分が除去される。第１のイオン注入工程でフォトレジストパターン９１と熱酸化膜２３の密着性が改善され、第２のイオン注入工程で絶縁膜２３のテーパ角度が所望の高角度となるように調整されているので、ウェットエッチング工程においては、図７Ｅに示すような、直線的なテーパ形状で４５度以上の高角度のテーパ角を有する絶縁膜２３の形状が得られる。
【００８２】
図７Ｆは、実施例４に係る半導体装置の製造方法のゲート形成工程の一例を示した図である。ゲート形成工程においては、フォトレジストパターン９１が除去された後、加工された熱酸化膜２３の上に高耐圧ゲート、半導体基板１１及びアイソレーション３０の上には低耐圧ゲートが形成される。
【００８３】
図７Ｇは、実施例４に係る半導体装置の製造方法の層間膜形成及びコンタクトホール形成工程の一例を示した図である。層間膜形成及びコンタクトホール形成工程においては、層間膜５０が形成され、層間膜５０の内部にコンタクトホール６０が形成される。
【００８４】
図７Ｈは、実施例４に係る半導体装置の製造方法の配線層形成及び保護膜形成工程の一例を示した図である。配線層形成及び保護膜形成工程においては、層間膜５０に形成されたコンタクトホール６０上に配線層７０が形成され、次いで、配線層７０を覆う保護膜が形成される。これにより、高耐圧系素子が完成する。つまり、半導体基板１１には、高耐圧ゲート４０に対応する高耐圧ＭＯＳトランジスタと、低耐圧ゲートに対応する通常のＭＯＳトランジスタが形成されている。
【００８５】
ここで、高耐圧ゲート４０は、加工された熱酸化膜２３の上に形成されるが、熱酸化膜２３は直線的なテーパ形状を有し、高角度のテーパ角を有するため、熱酸化膜２３の頂上において、高耐圧ゲート４０を形成できる平坦なスペースを十分に確保することができる。加工された熱酸化膜２３のテーパ角が低く、またなだらかな形状であると、高耐圧ゲート４０を上に形成するような平坦なスペースを確保することができず、高耐圧素子の製造に対応することができない。
【００８６】
このように、実施例４に係る半導体装置の製造方法によれば、熱酸化膜２３のテーパ形状を直線的にし、かつ高いテーパ角を有する形状に加工することができ、高耐圧素子の製造に対応することができる。
【００８７】
なお、実施例１に係る半導体装置の製造方法を実施例４に適用する場合には、図７Ｂの第２のイオン注入工程を省略し、実施例２に係る半導体装置の製造方法を実施例４に適用する場合には、図７Ｄの第１のイオン注入工程を省略すればよい。いずれか一方のイオン注入工程で、所望のテーパ角を実現できる場合には、簡素な工程で製造できる方が有利であるので、用途と特性に応じて、いずれか一方のイオン注入工程を省略してよい。
【００８８】
実施例４に係る半導体装置の製造方法によれば、高耐圧ゲート４０の形成スペースを十分確保して熱酸化膜２３を加工することができ、良好な特性を有する高耐圧系素子を製造することができる。
【実施例５】
【００８９】
図８Ａ〜図８Ｉは、本発明の実施例５に係る半導体装置の製造方法の一連の工程の一例を示した図である。実施例５に係る半導体装置の製造方法においては、実施例１〜３に係る半導体装置の製造方法を、ＭＥＭＳ系高段差素子の製造方法に適用した例について説明する。実施例４と同様に、図８Ａ〜図８Ｉにおいては、代表例として、実施例３に係る半導体装置の製造方法をＭＥＭＳ系高段差素子の製造方法に適用した例について説明し、実施例１及び実施例２に係る半導体装置の製造方法を適用した例については、後述する。
【００９０】
図８Ａは、実施例５に係る半導体装置の製造方法の基板段差形成工程の一例を示した図である。ＭＥＭＳ系高段差素子の製造方法においては、半導体基板１２に高い段差がまず形成される。なお、半導体基板１２の段差形成は、ドライエッチング等の深堀りが可能なエッチング方法により行われてよい。また、半導体基板１２は、通常の半導体ウエハの他、必要に応じて、ＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板が用いられてもよい。
【００９１】
図８Ｂは、実施例５に係る半導体装置の製造方法の熱酸化膜形成工程の一例を示した図である。熱酸化膜形成工程においては、半導体基板１２が加熱され、半導体基板１２の表面に、熱酸化膜２６が形成される。半導体基板１２の表面に、段差が形成されているので、熱酸化膜２６も、段差に応じて表面に凹凸がある形状となる。本工程は、実施例１〜３の絶縁膜形成工程に対応する。
【００９２】
図８Ｃは、実施例５に係る半導体装置の製造方法の第１のイオン注入工程の一例を示した図である。第１のイオン注入工程においては、熱酸化膜２６の表面全体に、イオンビームＩＢ５が照射され、イオン注入が行われる。イオン注入により、熱酸化膜２６の表面から１０ｎｍ未満の領域に、損傷領域２７が形成され、熱酸化膜２７の表面が活性化される。なお、イオン注入自体の具体的な内容は、実施例１及び実施例３において説明したイオン注入工程及び第１のイオン注入工程の内容と同様であるので、その詳細な説明は省略する。
【００９３】
図８Ｄは、実施例５に係る半導体装置の製造方法のフォトレジストパターン形成工程の一例を示した図である。フォトレジストパターン形成工程においては、熱酸化膜２６の上に、レジストが塗布され、露光及び現像を経てフォトレジストパターン９２が形成される。熱酸化膜２６の表面に形成された損傷領域２７とフォトレジストパターン９２との密着性が高いので、フォトレジストパターン９２が熱酸化膜２６の表面に密着して形成される。本工程は、実施例１〜３のフォトレジストパターン形成工程に対応する。
【００９４】
図８Ｅは、実施例５に係る半導体装置の製造方法の第２のイオン注入工程の一例を示した図である。第２のイオン注入工程においては、熱酸化膜２６の露出部分に、イオンビームＩＢ６が照射され、イオン注入が行われる。第２のイオン注入工程により、熱酸化膜２６の表面から１０ｎｍ以上の深さの領域まで、損傷領域２８が形成される。これにより、テーパ角を制御することが可能となる。
【００９５】
なお、第２のイオン注入工程の具体的な内容は、実施例２のイオン注入工程及び実施例３の第２のイオン注入工程と同様であるので、その詳細な説明は省略する。
【００９６】
図８Ｆは、実施例５に係る半導体装置の製造方法のウェットエッチング工程の一例を示した図である。ウェットエッチング工程においては、エッチング液を用いて熱酸化膜２６のエッチングが行われ、不要部分が除去される。図８Ｃで説明した第１のイオン注入工程及び図８Ｅで説明した第２のイオン注入工程における熱酸化膜２６の活性化の効果により、図８Ｆに示すように、直線的なテーパ形状でテーパ角の大きい熱酸化膜２６の形状とすることができる。
【００９７】
図８Ｇは、実施例５に係る半導体装置の製造方法のゲート形成工程の一例を示した図である。ゲート形成工程においては、フォトレジストパターン９２が除去された後、熱酸化膜２６の頂上の平坦部にゲート４１、半導体基板１２の表面にゲート４６が形成される。熱酸化膜２６は、テーパ角が大きく、テーパ形状も直線的であるので、その頂上に十分な広さの平坦部を形成することができ、ゲート４１を形成することが可能である。
【００９８】
図８Ｈは、実施例５に係る半導体装置の製造方法の層間膜及びコンタクトホール形成工程の一例を示した図である。層間膜及びコンタクトホール形成工程においては、層間膜５１が形成され、次いで、層間膜５１の内部のゲート４１、４６の上に、コンタクトホール６１が形成される。これにより、ゲート４１、４６への通電が可能となる。
【００９９】
図８Ｉは、実施例５に係る半導体装置の製造方法の配線層形成及び保護膜形成工程の一例を示した図である。配線層形成及び保護膜形成工程においては、コンタクトホール６１の上に配線層７１が形成され、配線層７１が保護膜８１で覆われる。これにより、ＭＥＭＳ系高段差素子が完成する。
【０１００】
ＭＥＭＳ系高段差素子においても、熱酸化膜２６上にゲート４１を形成するため、熱酸化膜２６の形状を、頂上に十分な平坦スペースを確保できる形状とする必要がある。本実施例に係る半導体装置の製造方法によれば、熱酸化膜２６のテーパ形状を直線的にするとともに、テーパ角を大きくすることができるので、頂上の平坦部の広さを十分に確保することができる。
【０１０１】
なお、実施例１に係る半導体装置の製造方法を実施例５に係るＭＥＭＳ系高段差素子の製造方法に適用するためには、図８Ｅの第２のイオン注入工程を省略すればよい。また、実施例３に係る半導体装置の製造方法を実施例５に係るＭＥＭＳ系高段差素子の製造方法に適用するためには、図８Ｃの第２のイオン注入工程を省略すればよい。第１のイオン注入工程又は第２のイオン注入工程のいずれか一方を行うだけで、所望のテーパ角を有する熱酸化膜２６の加工が可能な場合には、いずれか一方のイオン注入工程を省略してよい。これにより、製造工程の簡素化を図ることができる。
【０１０２】
以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１０３】
本発明は、高耐圧系素子やＭＥＭＳ系高段差素子も含む半導体装置の製造に利用することができる。
【符号の説明】
【０１０４】
１０、１１、１２ 半導体基板
２０、２３、２６ 絶縁膜
２１、２２、２４、２５、２７、２８ 損傷領域
３０ アイソレーション
４０、４１、４５、４６ ゲート
５０、５１ 層管膜
６０、６１ コンタクトホール
７０、７１ 配線層
８０、８１ 保護膜
９０、９１、９２ フォトレジストパターン
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体基板上に形成された絶縁膜上にフォトレジストパターンを形成するフォトレジストパターン形成工程と、絶縁膜の不要部分を除去して絶縁膜を加工するウェットエッチング工程とを含む半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、少なくとも半導体基板上に膜を形成する膜形成工程と、膜表面に不活性イオンを照射するイオン照射工程と、膜状にレジストを形成しウェットエッチングにより膜を所望の形状にパターニングするパターン形成工程とを有する半導体装置の製造方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
かかる特許文献１に記載の発明においては、レジストと層間膜の密着性強化によるレジストと層間膜界面でのエッチャントの染み込み制御、及び、層間膜同士の界面での密着性強化によるエッチャントの染み込み防止を発明が解決しようとする課題としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−２４６２２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述の特許文献１に記載の構成では、実際には、レジストと層間膜との密着性自体は強化されるものの、層間膜自体も不活性イオンの照射によりダメージを受けてしまい、ウェットエッチングが進行し過ぎて、所望の形状よりもエッチング過多の形状がパターンとして形成されてしまうという問題があった。
【０００６】
図９は、従来のウェットエッチングを用いた半導体装置の製造方法の問題点を説明するための図である。図９において、半導体基板１１０の上に絶縁膜１２０が形成され、絶縁層１２０の上には、レジスト１９０が形成された状態が示されている。酸化膜系の絶縁膜１２０のウェットエッチングは、等方性であるために、仕上がりのテーパ角は４５度が理論値となり、図９においては、破線で示されている。しかしながら、実際は、レジスト界面付近で界面方向（図９においては横方向）にエッチングが延びる傾向があり、テーパ角は４０度以下となる場合が多い（図９において絶縁膜１２０の実線）。これは、パターンの微細化に伴い、レジスト界面で毛管現象と同様な現象が発生し、狭い領域の方にエッチング液の拡散が大きくなったことによるものと推定される。更に、ウェットエッチング液の拡散性を良くするために界面活性剤等が添加されていることも加速要因となっていると考えられる。このように、従来のウェットエッチングを用いた半導体装置の製造方法においては、テーパ角が理論値と異なるために、設計上で必要な絶縁膜１２０の得られる範囲が狭まり、製品特性に悪影響を与えるという問題があった。また、絶縁膜１２０とレジスト１９０との密着性の変動が原因と推定されるウエハ面内でのテーパ角バラツキが発生する場合もあり、洗浄追加等の対策を施しているが、思うように制御ができていないという問題もあった。
【０００７】
以上をまとめると、従来のウェットエッチングを用いた半導体装置の製造方法では、ウェットエッチング後のテーパ角が４５度未満で安定しない、ウェットエッチング後のテーパ角のウエハ面内でのバラツキが大きいという問題があった。
【０００８】
上述の特許文献１においては、絶縁膜１２０とレジスト１９０との密着性を強化すべく、不活性イオンが照射されているが、実際には、不活性イオンの照射により、密着性自体は高まるものの、絶縁膜のダメージも大きく残り、結果として図９に示したような問題点を解消できない。
【０００９】
一方、半導体プロセスにおいて、従来の低電圧系のＬＳＩ（Large Scale Integrated Circuit、大規模集積回路）では、ウェットエッチング後の配線が急峻な配線となると、断線等の問題が発生することから、図９の実線のように、レジスト界面付近でのテーパ形状が緩やかにする加工が主流であった。しかしながら、近年、高耐圧ＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタやＭＥＭＳ（Mechanical Electro Micro Systems）等の製造ニーズが発生し、製品内の高段差確保が優先され、絶縁膜１２０のテーパ角も４５度以上で、直線的なテーパ形状が求められるようになってきた。
【００１０】
そこで、本発明は、ウェットエッチング後の絶縁膜のテーパ角が４５度以上にできるとともに、直線的なテーパ形状を確保することができ、更にテーパ角の半導体基板面内でのバラツキを抑制できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、第１の発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板（１０、１１、１２）上に形成された絶縁膜（２０、２３、２６）上にフォトレジストを塗布し、フォトレジストパターン（９０、９１、９２）を形成するフォトレジストパターン形成工程と、
ウェットエッチングにより前記絶縁膜（２０、２３、２６）の不要部分を除去して前記絶縁膜（２０、２３、２６）を加工するウェットエッチング工程と、
前記フォトレジストパターン形成工程の前及び／又は後に、前記絶縁膜（２０、２３、２６）にイオン注入を行うイオン注入工程と、を含む半導体装置の製造方法であって、
前記イオン注入工程は、前記フォトレジストパターン（９０、９１、９２）の有無に応じて、前記イオン注入により前記絶縁膜（２０、２３、２６）に形成される損傷領域（２１、２２、２４、２５、２７、２８）の深さを変化させて行うことを特徴とする。
【００１２】
これにより、フォトレジストパターンの有無に応じてイオン注入による半導体基板の活性化を変化させることができ、状態に応じた適切な加工を行うことができる。
【００１３】
第２の発明は、第１の発明に係る半導体装置の製造方法において、
前記イオン注入工程が、前記フォトレジストパターン形成工程の前に行われるときには、
前記イオン注入工程は、前記損傷領域（２１、２２、２４、２５、２７、２８）を、前記絶縁膜（２０、２３、２６）の表面から１０ｎｍ未満の範囲に設定して行うことを特徴とする。
【００１４】
これにより、後に形成されるフォトレジストパターンとの密着状態のみを向上させることができ、絶縁膜自体にはダメージを与えないので、毛細管現象による横方向へのエッチングの過度の進行を防ぐことができ、所望の形状に絶縁膜を加工することができる。
【００１５】
第３の発明は、第１又は第２の発明に係る半導体装置の製造方法において、
前記イオン注入工程が、前記フォトレジストパターン形成工程の後に行われるときには、
前記イオン注入工程は、前記損傷領域（２１、２２、２４、２５、２７、２８）を、前記絶縁膜（２０、２３、２６）の表面から１０ｎｍ以上で前記絶縁膜（２０、２３、２６）の不要部分の深さ以下の範囲に設定して行うことを特徴とする。
【００１６】
これにより、フォトレジストパターンで覆われていない部分を活性化させ、ウェットエッチングによる腐食を促進し、効率よくウェットエッチングを行うことができる。
【００１７】
第４の発明は、第１〜３のいずれかの発明に係る半導体装置の製造方法において、
前記損傷領域（２１、２２、２４、２５、２７、２８）の深さは、前記イオン注入工程において用いるイオンビームのドーズ量と加速電圧を制御することにより設定されることを特徴とする。
【００１８】
これにより、イオンビームの照射条件の設定で、絶縁膜の損傷領域を制御することができ、比較的容易な制御で、絶縁膜を効率良く高精度に所望の形状に加工することができる。
【００１９】
第５の発明は、第４の発明に係る半導体装置の製造方法において、
前記ドーズ量と前記加速電圧は、前記ドーズ量及び前記加速電圧と、前記絶縁膜（２０、２３、２６）が前記ウェットエッチングにより加工される形状のテーパ角度依存性との関係に基づいて設定されることを特徴とする。
【００２０】
これにより、絶縁膜を、所望のテーパ角を有する形状に加工することができ、高精度な加工を行うことが可能となる。
【００２１】
第６の発明に係る半導体装置の製造方法は、第１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ウェットエッチング工程の後に、前記絶縁膜の頂上の平坦部にゲートを形成する工程を更に含むことを特徴とする。
【００２２】
なお、上記括弧内の参照符号は、理解を容易にするために付したものであり、一例に過ぎず、図示の態様に限定されるものではない。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、絶縁膜を所望の形状に加工することができ、高精度な半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１Ａ】実施例１の半導体装置の製造方法の絶縁膜形成工程の一例を示した図である。
【図１Ｂ】実施例１の半導体装置の製造方法のイオン注入工程の一例を示した図である。
【図１Ｃ】実施例１の半導体装置の製造方法のレジストパターン形成工程の一例を示した図である。
【図１Ｄ】実施例１の半導体装置の製造方法のエッチング工程の一例を示した図である。
【図２】イオン注入によるウェットエッチングレート変動分布を説明するための図である。
【図３】レジスト塗布前にイオン注入を行った場合のイオンビームの条件とテーパ角度依存性との関係の一例を示した図である。
【図４Ａ】実施例２の半導体装置の製造方法の絶縁膜形成工程の一例を示した図である。
【図４Ｂ】実施例２の半導体装置の製造方法のレジストパターン形成工程の一例を示した図である。
【図４Ｃ】実施例２の半導体装置の製造方法のイオン注入工程の一例を示した図である。
【図４Ｄ】実施例２の半導体装置の製造方法のイオン注入工程の一例を示した図である。
【図５】レジストパターン形成後にイオン注入を行う場合のイオンビームＩＢ２の条件とテーパ角度依存性との関係の一例を示した図である。
【図６Ａ】実施例３の半導体装置の製造方法の絶縁膜形成工程の一例を示した図である。
【図６Ｂ】実施例３の半導体装置の製造方法の第１のイオン注入工程の一例を示した図である。
【図６Ｃ】実施例３の半導体装置の製造方法のレジストパターン形成工程の一例を示した図である。
【図６Ｄ】実施例３の半導体装置の製造方法の第２のイオン注入工程の一例を示した図である。
【図６Ｅ】実施例３に係る半導体装置の製造方法のウェットエッチング工程の一例を示した図である。
【図７Ａ】実施例４の半導体装置の製造方法のアイソレーション及び熱酸化膜形成工程の一例を示した図である。
【図７Ｂ】実施例４の半導体装置の製造方法の第１のイオン注入工程の一例を示した図である。
【図７Ｃ】実施例４の半導体装置の製造方法のレジストパターン形成工程の一例を示した図である。
【図７Ｄ】実施例４の半導体装置の製造方法の第２のイオン注入工程の一例を示した図である。
【図７Ｅ】実施例４の半導体装置の製造方法のエッチング工程の一例を示した図である。
【図７Ｆ】実施例４の半導体装置の製造方法のゲート形成工程の一例を示した図である。
【図７Ｇ】実施例４の半導体装置の製造方法の層間膜形成及びコンタクトホール形成工程の一例を示した図である。
【図７Ｈ】実施例４の半導体装置の製造方法の配線層形成及び保護膜形成工程の一例を示した図である。
【図８Ａ】実施例５の半導体装置の製造方法の基板段差形成工程の一例を示した図である。
【図８Ｂ】実施例５の半導体装置の製造方法の熱酸化膜形成工程の一例を示した図である。
【図８Ｃ】実施例５の半導体装置の製造方法の第１のイオン注入工程の一例を示した図である。
【図８Ｄ】実施例５の半導体装置の製造方法のレジストパターン形成工程の一例を示した図である。
【図８Ｅ】実施例５の半導体装置の製造方法の第２のイオン注入工程の一例を示した図である。
【図８Ｆ】実施例５の半導体装置の製造方法のエッチング工程の一例を示した図である。
【図８Ｇ】実施例５の半導体装置の製造方法のゲート形成工程の一例を示した図である。
【図８Ｈ】実施例５の半導体装置の製造方法の層間膜及びコンタクトホール形成工程の一例を示した図である。
【図８Ｉ】実施例５の半導体装置の製造方法の配線層形成及び保護膜形成工程の一例を示した図である。
【図９】従来のウェットエッチングの問題点を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。
【実施例１】
【００２６】
図１Ａ〜図１Ｄは、本発明の実施例１に係る半導体装置の製造方法の一例を示した図である。
【００２７】
図１Ａは、実施例１に係る半導体装置の製造方法の絶縁膜形成工程の一例を示した図である。絶縁膜形成工程においては、半導体基板１０の上に、絶縁膜２０が形成される。
【００２８】
半導体基板１０は、種々の半導体材料から構成された基板が用いられてよいが、例えば、シリコン基板が用いられてもよい。その他、ガリウムヒ素からなる半導体基板１０や、ＳｉＣからなる半導体基板１０が用いられてもよい。なお、本実施例においては、シリコン基板を半導体基板１０として用いた例を挙げて説明する。なお、半導体基板１０は、ウエハ１０と呼んでもよいこととする。
【００２９】
絶縁膜２０は、種々の材料からなる絶縁膜２０が、種々の方法により半導体基板１０上に形成されてよいが、例えば、半導体基板１０を加熱することにより形成される熱酸化膜が形成されてもよい。熱酸化膜は、例えば、半導体基板１０がシリコン基板である場合には、ＳｉＯ２となる。その他、化学気相成長法等により、種々の絶縁膜２０が形成されてもよい。
【００３０】
図１Ｂは、実施例１に係る半導体装置の製造方法のイオン注入工程の一例を示した図である。イオン注入工程においては、絶縁膜２０の全面に、イオンビームＩＢ１が照射され、レジストとの密着性を向上させる絶縁膜２０の表面のみが活性化され、絶縁膜２０の表面に損傷領域２１が形成される。
【００３１】
図２は、イオン注入によるウェットエッチングレート変動分布を説明するための図である。図２において、横軸はエッチングレート、縦軸は絶縁膜表面からの深さを示している。縦軸は、絶縁膜の表面を原点とし、深くなるにつれて下方に下がるように示してある。
【００３２】
図２において、縦軸を基準として考察すると、絶縁膜２０の表面からすぐ下の領域は、イオン透過領域Ｐとなる。イオン透過領域には、イオン衝突により、ＳｉＯ２格子等の損傷層（損傷領域）２１が生成される。損傷層２１は、Ｓｉの非共有結合や、強い歪みを持ったＳｉ−Ｏ結合等で活性な反応がある状態のため、図２に示すように、ウェットエッチングレートが速い。
【００３３】
図２において、Ｂより深いイオン非透過領域ＮＰは、注入されたイオンが透過しない領域である。しかしながら、イオン非透過領域ＮＰのイオン透過領域Ｐに近い領域は、イオン注入によりストレスが誘起される状態にある。図２において、そのようなストレスが誘起して影響を受けている部分を、ダメージ部分Ｄとしている。ダメージ部分Ｄは、急激にエッチングレートが変動する状態である。一方、ダメージ部分よりも深い部分では、通常のエッチングレートとなる。
【００３４】
ここで、図２に示した性質から、イオン注入により絶縁膜２０が活性化し、表面状態が変化するのは、イオン透過領域Ｐである。そして、絶縁膜２０の表面状態が活性化して変化することにより、未処理時よりもレジスト密着性が向上する。一方、イオン透過領域Ｐにおいては、ウェットエッチングレートも速くなるため、イオン透過領域Ｐを深くまで設定すると、横方向へのエッチング自体も進んでしまい、結果として、理論値に近いテーパ角４５度が得られなくなってしまう。
【００３５】
そこで、実施例１に係る半導体装置の製造方法においては、損傷領域２１となるイオン透過領域Ｐが、絶縁層２０の表面のみとなるように、イオン注入を行う。つまり、レジスト塗布前においては、塗布されるレジストと接触する表面のみが活性化し、表面よりも深い領域には、損傷領域２１が形成されないようにする。これにより、絶縁層２０とレジストとの密着性を高めることができるとともに、ウェットエッチングのレジスト界面における横方向への進行を防ぐことができ、直線的なテーパ形状を有する、理論値の４５度に近いテーパ角を得ることができる。
【００３６】
なお、絶縁層２０の損傷領域となるイオン透過領域Ｐは、例えば、表面から１０ｎｍ未満の範囲に設定する。イオン透過領域Ｐは、用途に応じて適切な範囲を設定することができ、例えば、表面から８ｎｍ未満の範囲、表面から６ｎｍ未満の範囲に設定してもよい。これらの範囲は、現在のイオン注入の技術で十分に調整可能な範囲であり、実験でも、十分に設定可能なことが確かめられている。また、イオン透過領域Ｐを、どんなに薄皮のように絶縁膜２０の表面近傍にのみ設定しても、１ｎｍ程度の損傷部は発生すると考えられるので、上述の範囲は、絶縁膜２０の表面から１ｎｍ以上１０ｎｍ未満、表面から１ｎｍ以上８ｎｍ未満、表面から１ｎｍ以上６ｎｍ未満と言い換えてもよい。
【００３７】
図３は、レジスト塗布前にイオン注入を行った場合のイオンビームの条件とテーパ角度依存性との関係の一例を示した図である。図３において、横軸に照射するイオンビームのドーズ量（atoms／cm2）と加速電圧（ＫｅＶ）、縦軸に絶縁膜２０のテーパ角度が示されている。テーパ角度は、ドーズ量及び加速電圧が低い場合と、ドーズ量及び加速電圧が高い場合に低く、ドーズ量及び加速電圧が、中程度の所定範囲内にある場合に、高くなるテーパ角度依存性を示している。かかるテーパ角度依存性から、例えば、Ａ−Ｂの範囲となるようにイオンビームのドーズ量と加速電圧を設定すれば、高いテーパ角度を得ることができる。Ａ−Ｂの範囲自体も大きく、制御するパラメータもドーズ量と加速電圧の２つがあるので、ドーズ量と加速電圧を調整して設定することにより、イオン注入の条件がＡ−Ｂの範囲内となるように設定することは容易である。
【００３８】
イオン注入は、種々のイオンを用いて行うことができるが、例えば、デバイスへの影響が無いように、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ等の希ガスを用いるようにしてもよい。例えば、イオン種がＡｒの場合には、イオン注入条件は、加速電圧が５０ＫｅＶ以下、ドーズ量が５×１０１３atoms／cm2以下程度となるように設定し、イオン透過領域Ｐが絶縁膜２０の表層面のみとなるように調整する。この後にフォトレジストを塗布することで、未処理時よりもレジスト密着性が向上し、ウェットエッチング時の毛管現象が抑制される。そして、直線的なテーパ形状が得られるとともに、４５度程度の高いテーパ角が確保でき、半導体基板１０面内でのテーパ角バラツキも抑制される。
【００３９】
但し、イオン注入条件が過多になると、レジスト密着性は向上するものの、絶縁膜２０とレジストの界面方向へのウェットエッチングが極度に進行し、テーパ角が４０度を下回る状態となるために、絶縁膜２０の膜種別にイオン注入条件の調整が必要となる。
【００４０】
このように、イオン注入におけるイオンビームの条件を適切に設定し、絶縁膜２０の表面近傍の薄皮部分のみに損傷領域を形成して活性化させることにより、レジストとの密着性を高めつつ、絶縁膜２０のウェットエッチングレート自体は高くならない状態にすることができ、直線的な４５度に近いテーパ角を得ることができる。
【００４１】
なお、図３においては、イオンビームのドーズ量と加速電圧を制御パラメータとしてイオン注入の条件を設定する例を挙げて説明したが、その他のパラメータを用いて、イオン注入における損傷領域の深さを制御できれば、そのような他のパラメータを用いて調整するようにしてもよい。
【００４２】
図１に戻る。図１Ｂのイオン注入工程において、図２及び図３で説明したように、絶縁膜２０の損傷領域２１が絶縁膜の２０の表面から１０ｎｍ未満の範囲となるようにイオンビームＩＢ１の条件が設定され、イオンビームが絶縁膜２０の全面に照射されてイオン注入が行われる。これにより、絶縁膜２０の表面から１０ｎｍ以上の深さの領域は損傷を受けず、絶縁膜２０の表面のみが活性化される。
【００４３】
図１Ｃは、実施例１に係る半導体装置の製造方法のフォトレジストパターン形成工程の一例を示した図である。フォトレジストパターン形成工程においては、絶縁膜２０の表面にフォトレジストが塗布され、露光、現像を経てフォトレジストの不要部分が除去され、開口部９１を有するフォトレジストパターン９０が形成される。図１Ｂで説明したように、絶縁膜２０の表面には損傷領域２１が形成されて活性化されているため、フォトレジストパターン９０と絶縁膜２０との密着性が極めて高い状態でフォトレジストパターン９０が形成されることになる。
【００４４】
図１Ｄは、実施例１に係る半導体装置の製造方法のウェットエッチング工程の一例を示した図である。ウェットエッチング工程においては、エッチング液がレジストパターン９０で覆われた絶縁膜２０に供給され、フォトレジストパターン９０に覆われていない開口部９１はエッチング液が絶縁膜２０に接触し、絶縁膜２０のエッチングが行われる。エッチング液の供給は、種々の方法で行われてよく、例えば、エッチング液を収容したエッチング槽に絶縁膜２０が形成された半導体基板１０が浸漬されてもよいし、ノズル等でフォトレジストパターン９０の上からエッチング液を噴霧して供給してもよい。
【００４５】
ウェットエッチング工程により、絶縁膜２０の不要部分が除去され、絶縁膜２０が所望の形状に加工される。このとき、フォトレジストパターン９０と絶縁膜２０との密着性が高いので、レジストパターン９０と絶縁膜２０の界面におけるエッチングは、過度には進行しない。また、絶縁膜２０自体は、通常のエッチングレートを有するので、理論値に近いエッチングレートでエッチングが行われる。その結果、図１Ｄに示すように、直線的なテーパ形状の、テーパ角が略４５度の絶縁膜２０の形状が得られる。
【００４６】
このように、実施例１に係る半導体装置の製造方法によれば、フォトレジストパターン形成工程の前にイオン注入工程を設け、イオン注入工程において、絶縁膜２０の表面とフォトレジストパターン９０との密着性を高め、絶縁膜２０の表面以外は損傷を与えないイオン注入を行うことにより、高いテーパ角の絶縁膜２０を得る加工を行うことができる。
【実施例２】
【００４７】
図４Ａ〜図４Ｄは、本発明の実施例２に係る半導体装置の製造方法の一例を示した図である。実施例２において、実施例１で説明した構成要素と同様の構成要素には、同一の参照符号を付して、その説明を省略する。
【００４８】
図４Ａは、実施例２に係る半導体装置の製造方法の絶縁膜形成工程の一例を示した図である。絶縁膜形成工程は、実施例１の図１Ａと同様の工程であるので、その説明を省略する。
【００４９】
図４Ｂは、実施例２に係る半導体装置の製造方法のフォトレジストパターン形成工程の一例を示した図である。フォトレジストパターン形成工程においては、半導体基板１０上に設けられた絶縁膜２０の上に、フォトレジストが塗布され、露光、現像を経てフォトレジストの不要部分が除去され、開口部９１を有するフォトレジストパターン９０が形成される。
【００５０】
ここで、実施例２に係る半導体装置の製造方法においては、フォトレジストパターン形成工程の前には、イオン注入工程は設けられていない。従って、特に表面が活性化されていない、通常の状態の絶縁膜２０の表面上にフォトレジストが塗布され、フォトレジストパターン９０が形成されることになる。
【００５１】
図４Ｃは、実施例２に係る半導体装置の製造方法のイオン注入工程の一例を示した図である。イオン注入工程においては、フォトレジストパターン９０の開口部９１に位置する絶縁膜２０の露出部に、イオンビームＩＢ２が照射され、イオン注入が行われる。実施例２に係る半導体装置の製造方法においては、レジストパターン形成工程の後にイオン注入工程が行われる。この場合のイオン注入は、絶縁膜２０の表面だけではなく、内部も含めて損傷領域２２が発生するようにイオンビームＩＢ２の照射が行われる。よって、絶縁膜２０の表面から１０ｎｍ以上の深さであって、絶縁膜２０の不要部分の深さ以内の範囲内に損傷領域２２が形成される。一般的に、下層に半導体基板１０が存在する場合には、絶縁膜２０の不要部分は、半導体基板１０が露出する範囲、つまり絶縁膜２０の厚さそのものであるので、１０ｎｍ以上の適切な範囲で損傷領域２２が形成されるように設定される。図２で説明したように、絶縁膜２０の損傷領域２２は、イオン透過領域Ｐであるので、イオン透過領域Ｐが、絶縁膜２０の表面から１０ｎｍ以上の深さとなるようにイオン注入条件を設定すればよい。
【００５２】
図５は、レジストパターン形成後にイオン注入を行う場合のイオンビームＩＢ２の条件とテーパ角度依存性との関係の一例を示した図である。図５において、横軸はイオンビームＩＢ２のドーズ量（atoms／cm2）及び加速電圧（ＫｅＶ）、縦軸は絶縁膜２０の形状のテーパ角度の大きさを示している。
【００５３】
図５において、ドーズ量及び加速電圧が低い範囲では、テーパ角度が低く、ドーズ量及び加速電圧が高くなるとテーパ角度も高くなり、ある程度のドーズ量及び加速電圧でテーパ角度が飽和するテーパ角度依存性を示している。よって、例えば、ドーズ量及び加速電圧をＣよりも大きくすれば、高いテーパ角度が得られることになる。
【００５４】
イオン注入は、実施例１と同様に、種々のイオンを用いて行うことができるが、例えば、デバイスへの影響が無いように、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ等の希ガスを用いるようにしてもよい。例えば、イオン種がＡｒの場合には、イオン注入におけるイオンビームＩＢ２の条件は、加速電圧１００ＫｅＶ以上、ドーズ量１．０×１０１４atoms／cm2以上程度とし、所望のテーパ角が得られるように、イオンビームの条件を調整することが好ましい。但し、フォトレジストパターン９０の膜厚は、イオン種の理論飛程よりも厚い設定としなければ、フォトレジストパターン９０を透過する危険性があるので、事前の確認が必要である。また、イオン注入の際は、半導体基板１０は常圧ではなく低圧状態で処理されるため、フォトレジスト中の溶剤等が気化し、絶縁膜２０との密着性が向上する。
【００５５】
また、図５においては、ドーズ量と加速電圧をテーパ角度制御のパラメータとした例を挙げて説明しているが、他のパラメータに調整によりイオン注入の条件を調整することが可能であれば、他のパラメータを用いるようにしてもよい。
【００５６】
図４に戻る。図４Ｃにおいて、図５において説明したようなイオンビームＩＢ２の条件でイオン注入が行われ、絶縁膜２０の表面よりも深い位置まで損傷領域３２が形成され、活性化が行われる。
【００５７】
なお、損傷領域３２は、絶縁膜２０の底面付近まで形成されなくても、図５で説明したように、ある程度のドーズ量及び加速電圧以上でテーパ角度の高さがほぼ一定となることから、ある程度の深さまで形成されることにより、所定のテーパ角度を有する形状を形成できると考えられる。
【００５８】
また、実施例２に係る半導体装置の製造方法においては、被エッチング部分のみにイオン注入が行われるため、注入条件でエッチングレート変動幅を制御することができる。結果として、テーパ角の制御が可能となり、４５度〜６５度程度の範囲で、絶縁膜２０の加工形状のテーパ角の角度を制御することが可能となる。
【００５９】
図４Ｄは、実施例２に係る半導体装置の製造方法のイオン注入工程の一例を示した図である。ウェットエッチング工程の一例を示した図である。ウェットエッチング工程自体は、実施例１の図１Ｄにおける説明と同様であるので、その詳細な内容は省略する。実施例２に係る半導体装置の製造方法においては、フォトレジストパターン９０と絶縁膜２０の密着性は特に向上させていないが、損傷領域２２を絶縁膜２０のフォトレジストパターン９０の開口部９１に対応する位置（露出部）に形成しているので、縦方向のエッチングが速く進行し、横方向にエッチングが過度に進行する前にウェットエッチング工程を完了させることができる。よって、図４Ｄに示すように、直線的でテーパ角度の大きい絶縁膜２０の形状を得ることができる。
【００６０】
実施例２に係る半導体装置の製造方法によれば、フォトレジストパターン形成工程後にイオン注入工程を設け、絶縁膜２０の除去部分にのみ表面よりも深い損傷領域を形成することにより、直線的なテーパ形状とともに、４５度〜６５度の高いテーパ角を確保することができ、半導体基板１０面内のテーパ角バラツキも抑制することができる。
【実施例３】
【００６１】
図６Ａ〜図６Ｅは、本発明の実施例３に係る半導体装置の製造方法の一例を示した図である。図６Ａ〜図６Ｅにおいて、実施例１及び実施例２と同様の構成要素には、同一の参照番号を付し、その説明を省略する。
【００６２】
図６Ａは、実施例３に係る半導体装置の製造方法の絶縁膜形成工程の一例を示した図である。絶縁膜形成工程は、実施例１の図１Ａと同様の工程であるので、各構成要素に図１Ａと同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００６３】
図６Ｂは、実施例３に係る半導体装置の製造方法の第１のイオン注入工程の一例を示した図である。第１のイオン注入工程は、実施例１の図１Ｂにおいて説明した内容と同様であるので、図１Ｂと同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００６４】
第１のイオン注入工程により、フォトレジストを塗布してフォトレジストパターン９０を形成する前に、絶縁膜２０の表面を活性化することができ、フォトレジストパターン９０との密着性を向上させることができる。
【００６５】
図６Ｃは、実施例３に係る半導体装置の製造方法のレジストパターン形成工程の一例を示した図である。レジストパターン形成工程は、実施例１の図１Ｃにおいて説明した内容と同様であるので、図１Ｃと同一の参照符号を付し、その説明を省略する。
【００６６】
図６Ｄは、実施例３に係る半導体装置の製造方法の第２のイオン注入工程の一例を示した図である。フォトレジストパターン形成工程前の第１のイオン注入工程のみならず、フォトレジストパターン形成工程後の第２のイオン注入工程を設けた点において、実施例３に係る半導体装置の製造方法は、実施例１及び実施例２に係る半導体装置の製造方法と異なっている。
【００６７】
第２のイオン注入工程は、絶縁膜２０の露出部にイオンビームＩＢ２を照射する工程であり、絶縁膜２０の表面よりも深い位置まで損傷領域２２を形成する。つまり、実施例２において説明したイオン注入工程と同様の工程である。これにより、絶縁膜２０のウェットエッチングレートが大きくなるような状態変化が発生する。
【００６８】
このように、実施例３に係る半導体装置の製造方法においては、第１のイオン注入工程で、フォトレジストパターン９０と絶縁膜２０の表面との密着性を向上させ、第２のイオン注入工程で、絶縁膜２０の除去部分のエッチングレートを高める状態変化を起こさせる。
【００６９】
なお、第２のイオン注入工程の内容自体は、実施例２の図４Ｃにおいて説明した内容と同様であるので、図４Ｃと同様の構成要素に同一の参照符号を付してその説明を省略する。
【００７０】
図６Ｅは、実施例３に係る半導体装置の製造方法のウェットエッチング工程の一例を示した図である。ウェットエッチング工程においては、ウェットエッチングが行われ、絶縁膜２０の不要部分が除去されるが、第１のイオン注入工程で絶縁膜２０とフォトレジストパターン９０との密着力が向上し、第２のイオン注入工程で絶縁膜２０自体のエッチングレートが高くなっているので、横方向にエッチングが広がらず、深さ方向にエッチングが進行する。そして、図６Ｅに示すように、直線的なテーパ形状で、テーパ角が４５度〜６５度程度の範囲となるようにテーパ角を制御することが可能となる。
【００７１】
なお、ウェットエッチング工程の具体的な内容は、実施例１の図１Ｄにおいて説明した内容と同様であるので、同様の構成要素に同一の参照符号を付して、その説明を省略する。
【００７２】
実施例３に係る半導体装置の製造方法によれば、フォトレジストパターン９０と絶縁膜２０の表面の密着性を高めてウエハ面内バラツキを抑制する第１のイオン注入工程と、絶縁膜２０のテーパ角の制御を可能にする第２のイオン注入工程とを組み合わせることにより、両者の相乗効果を発生させ、絶縁膜２０の加工形状のテーパ角を４５度以上確保し、テーパ角の面内バラツキを抑制することができる。
【実施例４】
【００７３】
図７Ａ〜図７Ｈは、本発明の実施例４に係る半導体装置の製造方法の一例を示した図である。実施例４に係る半導体装置の製造方法においては、実施例１〜３に係る半導体装置の製造方法を、具体的な半導体装置である高耐圧系素子の製造方法に適用する例について説明する。なお、図７Ａ〜図７Ｈにおいては、代表例として、実施例３に係る半導体装置の製造方法を、高耐圧素子の製造方法に適用した例について説明する。実施例１又は実施例２に係る半導体装置の製造方法を適用した例は、第１のイオン注入工程又は第２のイオン注入工程のいずれか一方を省略した製造方法であるので、全体を説明してから後述する。
【００７４】
図７Ａは、実施例４に係る半導体装置の製造方法のアイソレーション及び熱酸化膜形成工程の一例を示した図である。アイソレーション及び熱酸化膜形成工程においては、半導体基板１１上に、アイソレーション３０がまず形成され、次いで、半導体基板１１及びアイソレーション３０の上に熱酸化膜２１が形成される。本工程は、実施例１〜３の絶縁膜形成工程に該当する。
【００７５】
半導体基板１１は、実施例１において説明したように、シリコン基板等、種々の半導体材料からなる基板を用いることができる。
【００７６】
アイソレーション３０は、半導体素子間の絶縁分離に用いられる絶縁領域である。例えば、ＬＯＣＯＳ（LOCal Oxidation of Silicon）等で形成されてもよい。
【００７７】
熱酸化膜２３は、半導体基板１１を加熱して形成される絶縁膜であり、例えば、半導体基板１１がシリコン基板の場合には、ＳｉＯ２となる。
【００７８】
図７Ｂは、実施例４に係る半導体装置の製造方法の第１のイオン注入工程の一例を示した図である。第１のイオン注入工程においては、熱酸化膜２３の全面に、イオンビームＩＢ３が照射され、イオン注入が行われる。本工程は、実施例１の図１Ｂ及び実施例３の図６Ｂと同様の工程であり、図１Ｂ及び図６Ｂで説明したイオンビームの条件で、イオン注入が行われる。これにより、熱酸化膜２３の表面近傍には、活性化された損傷領域２４が形成される。
【００７９】
図７Ｃは、実施例４に係る半導体装置の製造方法のフォトレジストパターン形成工程の一例を示した図である。フォトレジストパターン形成工程においては、熱酸化膜２３の上にフォトレジストが塗布され、露光及び現像を経て所望のフォトレジストパターン９１が形成される。本工程は、実施例１〜３のフォトレジストパターン形成工程に対応する。
【００８０】
図７Ｄは、実施例４に係る半導体装置の製造方法の第２のイオン注入工程の一例を示した図である。第２のイオン注入工程においては、熱酸化膜２３の露出部に、イオンビームＩＢ４が照射され、イオン注入が行われる。本工程は、実施例２の図４Ｃ及び実施例３の図６Ｄに対応する工程であり、実施例２及び実施例３において説明したイオンビームの条件でイオン注入が行われる。これにより、熱酸化膜２３の表面から１０ｎｍ以上深い位置まで到達するように損傷領域２５が熱酸化膜２３の内部に形成される。本工程により、テーパ角の制御が可能となる。
【００８１】
図７Ｅは、実施例４に係る半導体装置の製造方法のウェットエッチング工程の一例を示した図である。ウェットエッチング工程においては、酸化膜２３がエッチング液を用いてエッチング加工され、不要部分が除去される。第１のイオン注入工程でフォトレジストパターン９１と熱酸化膜２３の密着性が改善され、第２のイオン注入工程で絶縁膜２３のテーパ角度が所望の高角度となるように調整されているので、ウェットエッチング工程においては、図７Ｅに示すような、直線的なテーパ形状で４５度以上の高角度のテーパ角を有する絶縁膜２３の形状が得られる。
【００８２】
図７Ｆは、実施例４に係る半導体装置の製造方法のゲート形成工程の一例を示した図である。ゲート形成工程においては、フォトレジストパターン９１が除去された後、加工された熱酸化膜２３の上に高耐圧ゲート、半導体基板１１及びアイソレーション３０の上には低耐圧ゲートが形成される。
【００８３】
図７Ｇは、実施例４に係る半導体装置の製造方法の層間膜形成及びコンタクトホール形成工程の一例を示した図である。層間膜形成及びコンタクトホール形成工程においては、層間膜５０が形成され、層間膜５０の内部にコンタクトホール６０が形成される。
【００８４】
図７Ｈは、実施例４に係る半導体装置の製造方法の配線層形成及び保護膜形成工程の一例を示した図である。配線層形成及び保護膜形成工程においては、層間膜５０に形成されたコンタクトホール６０上に配線層７０が形成され、次いで、配線層７０を覆う保護膜が形成される。これにより、高耐圧系素子が完成する。つまり、半導体基板１１には、高耐圧ゲート４０に対応する高耐圧ＭＯＳトランジスタと、低耐圧ゲートに対応する通常のＭＯＳトランジスタが形成されている。
【００８５】
ここで、高耐圧ゲート４０は、加工された熱酸化膜２３の上に形成されるが、熱酸化膜２３は直線的なテーパ形状を有し、高角度のテーパ角を有するため、熱酸化膜２３の頂上において、高耐圧ゲート４０を形成できる平坦なスペースを十分に確保することができる。加工された熱酸化膜２３のテーパ角が低く、またなだらかな形状であると、高耐圧ゲート４０を上に形成するような平坦なスペースを確保することができず、高耐圧素子の製造に対応することができない。
【００８６】
このように、実施例４に係る半導体装置の製造方法によれば、熱酸化膜２３のテーパ形状を直線的にし、かつ高いテーパ角を有する形状に加工することができ、高耐圧素子の製造に対応することができる。
【００８７】
なお、実施例１に係る半導体装置の製造方法を実施例４に適用する場合には、図７Ｂの第２のイオン注入工程を省略し、実施例２に係る半導体装置の製造方法を実施例４に適用する場合には、図７Ｄの第１のイオン注入工程を省略すればよい。いずれか一方のイオン注入工程で、所望のテーパ角を実現できる場合には、簡素な工程で製造できる方が有利であるので、用途と特性に応じて、いずれか一方のイオン注入工程を省略してよい。
【００８８】
実施例４に係る半導体装置の製造方法によれば、高耐圧ゲート４０の形成スペースを十分確保して熱酸化膜２３を加工することができ、良好な特性を有する高耐圧系素子を製造することができる。
【実施例５】
【００８９】
図８Ａ〜図８Ｉは、本発明の実施例５に係る半導体装置の製造方法の一連の工程の一例を示した図である。実施例５に係る半導体装置の製造方法においては、実施例１〜３に係る半導体装置の製造方法を、ＭＥＭＳ系高段差素子の製造方法に適用した例について説明する。実施例４と同様に、図８Ａ〜図８Ｉにおいては、代表例として、実施例３に係る半導体装置の製造方法をＭＥＭＳ系高段差素子の製造方法に適用した例について説明し、実施例１及び実施例２に係る半導体装置の製造方法を適用した例については、後述する。
【００９０】
図８Ａは、実施例５に係る半導体装置の製造方法の基板段差形成工程の一例を示した図である。ＭＥＭＳ系高段差素子の製造方法においては、半導体基板１２に高い段差がまず形成される。なお、半導体基板１２の段差形成は、ドライエッチング等の深堀りが可能なエッチング方法により行われてよい。また、半導体基板１２は、通常の半導体ウエハの他、必要に応じて、ＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板が用いられてもよい。
【００９１】
図８Ｂは、実施例５に係る半導体装置の製造方法の熱酸化膜形成工程の一例を示した図である。熱酸化膜形成工程においては、半導体基板１２が加熱され、半導体基板１２の表面に、熱酸化膜２６が形成される。半導体基板１２の表面に、段差が形成されているので、熱酸化膜２６も、段差に応じて表面に凹凸がある形状となる。本工程は、実施例１〜３の絶縁膜形成工程に対応する。
【００９２】
図８Ｃは、実施例５に係る半導体装置の製造方法の第１のイオン注入工程の一例を示した図である。第１のイオン注入工程においては、熱酸化膜２６の表面全体に、イオンビームＩＢ５が照射され、イオン注入が行われる。イオン注入により、熱酸化膜２６の表面から１０ｎｍ未満の領域に、損傷領域２７が形成され、熱酸化膜２７の表面が活性化される。なお、イオン注入自体の具体的な内容は、実施例１及び実施例３において説明したイオン注入工程及び第１のイオン注入工程の内容と同様であるので、その詳細な説明は省略する。
【００９３】
図８Ｄは、実施例５に係る半導体装置の製造方法のフォトレジストパターン形成工程の一例を示した図である。フォトレジストパターン形成工程においては、熱酸化膜２６の上に、レジストが塗布され、露光及び現像を経てフォトレジストパターン９２が形成される。熱酸化膜２６の表面に形成された損傷領域２７とフォトレジストパターン９２との密着性が高いので、フォトレジストパターン９２が熱酸化膜２６の表面に密着して形成される。本工程は、実施例１〜３のフォトレジストパターン形成工程に対応する。
【００９４】
図８Ｅは、実施例５に係る半導体装置の製造方法の第２のイオン注入工程の一例を示した図である。第２のイオン注入工程においては、熱酸化膜２６の露出部分に、イオンビームＩＢ６が照射され、イオン注入が行われる。第２のイオン注入工程により、熱酸化膜２６の表面から１０ｎｍ以上の深さの領域まで、損傷領域２８が形成される。これにより、テーパ角を制御することが可能となる。
【００９５】
なお、第２のイオン注入工程の具体的な内容は、実施例２のイオン注入工程及び実施例３の第２のイオン注入工程と同様であるので、その詳細な説明は省略する。
【００９６】
図８Ｆは、実施例５に係る半導体装置の製造方法のウェットエッチング工程の一例を示した図である。ウェットエッチング工程においては、エッチング液を用いて熱酸化膜２６のエッチングが行われ、不要部分が除去される。図８Ｃで説明した第１のイオン注入工程及び図８Ｅで説明した第２のイオン注入工程における熱酸化膜２６の活性化の効果により、図８Ｆに示すように、直線的なテーパ形状でテーパ角の大きい熱酸化膜２６の形状とすることができる。
【００９７】
図８Ｇは、実施例５に係る半導体装置の製造方法のゲート形成工程の一例を示した図である。ゲート形成工程においては、フォトレジストパターン９２が除去された後、熱酸化膜２６の頂上の平坦部にゲート４１、半導体基板１２の表面にゲート４６が形成される。熱酸化膜２６は、テーパ角が大きく、テーパ形状も直線的であるので、その頂上に十分な広さの平坦部を形成することができ、ゲート４１を形成することが可能である。
【００９８】
図８Ｈは、実施例５に係る半導体装置の製造方法の層間膜及びコンタクトホール形成工程の一例を示した図である。層間膜及びコンタクトホール形成工程においては、層間膜５１が形成され、次いで、層間膜５１の内部のゲート４１、４６の上に、コンタクトホール６１が形成される。これにより、ゲート４１、４６への通電が可能となる。
【００９９】
図８Ｉは、実施例５に係る半導体装置の製造方法の配線層形成及び保護膜形成工程の一例を示した図である。配線層形成及び保護膜形成工程においては、コンタクトホール６１の上に配線層７１が形成され、配線層７１が保護膜８１で覆われる。これにより、ＭＥＭＳ系高段差素子が完成する。
【０１００】
ＭＥＭＳ系高段差素子においても、熱酸化膜２６上にゲート４１を形成するため、熱酸化膜２６の形状を、頂上に十分な平坦スペースを確保できる形状とする必要がある。本実施例に係る半導体装置の製造方法によれば、熱酸化膜２６のテーパ形状を直線的にするとともに、テーパ角を大きくすることができるので、頂上の平坦部の広さを十分に確保することができる。
【０１０１】
なお、実施例１に係る半導体装置の製造方法を実施例５に係るＭＥＭＳ系高段差素子の製造方法に適用するためには、図８Ｅの第２のイオン注入工程を省略すればよい。また、実施例３に係る半導体装置の製造方法を実施例５に係るＭＥＭＳ系高段差素子の製造方法に適用するためには、図８Ｃの第２のイオン注入工程を省略すればよい。第１のイオン注入工程又は第２のイオン注入工程のいずれか一方を行うだけで、所望のテーパ角を有する熱酸化膜２６の加工が可能な場合には、いずれか一方のイオン注入工程を省略してよい。これにより、製造工程の簡素化を図ることができる。
【０１０２】
以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１０３】
本発明は、高耐圧系素子やＭＥＭＳ系高段差素子も含む半導体装置の製造に利用することができる。
【符号の説明】
【０１０４】
１０、１１、１２ 半導体基板
２０、２３、２６ 絶縁膜
２１、２２、２４、２５、２７、２８ 損傷領域
３０ アイソレーション
４０、４１、４５、４６ ゲート
５０、５１ 層管膜
６０、６１ コンタクトホール
７０、７１ 配線層
８０、８１ 保護膜
９０、９１、９２ フォトレジストパターン
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された絶縁膜上にフォトレジストを塗布し、フォトレジストパターンを形成するフォトレジストパターン形成工程と、
ウェットエッチングにより前記絶縁膜の不要部分を除去して前記絶縁膜を加工するウェットエッチング工程と、
前記フォトレジストパターン形成工程の前及び／又は後に、前記絶縁膜にイオン注入を行うイオン注入工程と、を含む半導体装置の製造方法であって、
前記イオン注入工程は、前記フォトレジストパターンの有無に応じて、前記イオン注入により前記絶縁膜に形成される損傷領域の深さを変化させて行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記イオン注入工程が、前記フォトレジストパターン形成工程の前に行われるときには、
前記イオン注入工程は、前記損傷領域を、前記絶縁膜の表面から１０ｎｍ未満の範囲に設定して行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記イオン注入工程が、前記フォトレジストパターン形成工程の後に行われるときには、
前記イオン注入工程は、前記損傷領域を、前記絶縁膜の表面から１０ｎｍ以上で前記絶縁膜の不要部分の深さ以下の範囲に設定して行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記損傷領域の深さは、前記イオン注入工程において用いるイオンビームのドーズ量と加速電圧を制御することにより設定されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ドーズ量と前記加速電圧は、前記ドーズ量及び前記加速電圧と、前記絶縁膜が前記ウェットエッチングにより加工される形状のテーパ角度依存性との関係に基づいて設定されることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記ウェットエッチング工程の後に、前記絶縁膜の頂上の平坦部にゲートを形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１】
半導体基板上に形成された絶縁膜上にフォトレジストを塗布し、フォトレジストパターンを形成するフォトレジストパターン形成工程と、
ウェットエッチングにより前記絶縁膜の不要部分を除去して前記絶縁膜を加工するウェットエッチング工程と、
前記フォトレジストパターン形成工程の前及び／又は後に、前記絶縁膜にイオン注入を行うイオン注入工程と、を含む半導体装置の製造方法であって、
前記イオン注入工程は、前記フォトレジストパターンの有無に応じて、前記イオン注入により前記絶縁膜に形成される損傷領域の深さを変化させて行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記イオン注入工程が、前記フォトレジストパターン形成工程の前に行われるときには、
前記イオン注入工程は、前記損傷領域を、前記絶縁膜の表面から１０ｎｍ未満の範囲に設定して行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記イオン注入工程が、前記フォトレジストパターン形成工程の後に行われるときには、
前記イオン注入工程は、前記損傷領域を、前記絶縁膜の表面から１０ｎｍ以上で前記絶縁膜の不要部分の深さ以下の範囲に設定して行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記損傷領域の深さは、前記イオン注入工程において用いるイオンビームのドーズ量と加速電圧を制御することにより設定されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ドーズ量と前記加速電圧は、前記ドーズ量及び前記加速電圧と、前記絶縁膜が前記ウェットエッチングにより加工される形状のテーパ角度依存性との関係に基づいて設定されることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記ウェットエッチング工程の後に、前記絶縁膜の頂上の平坦部にゲートを形成する工程を更に含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図１Ｄ】
【図２】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図６Ｃ】
【図６Ｄ】
【図６Ｅ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図７Ｄ】
【図７Ｅ】
【図７Ｆ】
【図７Ｇ】
【図７Ｈ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図８Ｃ】
【図８Ｄ】
【図８Ｅ】
【図８Ｆ】
【図８Ｇ】
【図８Ｈ】
【図８Ｉ】
【図９】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図１Ｄ】
【図２】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図６Ｃ】
【図６Ｄ】
【図６Ｅ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図７Ｄ】
【図７Ｅ】
【図７Ｆ】
【図７Ｇ】
【図７Ｈ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図８Ｃ】
【図８Ｄ】
【図８Ｅ】
【図８Ｆ】
【図８Ｇ】
【図８Ｈ】
【図８Ｉ】
【図９】
【公開番号】特開２０１１−２４３６５７（Ｐ２０１１−２４３６５７Ａ）
【公開日】平成２３年１２月１日（２０１１．１２．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１１２５５２（Ｐ２０１０−１１２５５２）
【出願日】平成２２年５月１４日（２０１０．５．１４）
【出願人】（０００００６２２０）ミツミ電機株式会社 (1,651)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１２月１日（２０１１．１２．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年５月１４日（２０１０．５．１４）
【出願人】（０００００６２２０）ミツミ電機株式会社 (1,651)
【Ｆターム（参考）】
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