半導体装置の製造方法
【課題】ＥＵＶリソグラフィ用マスクの搬送時やマスクステージへの装着・脱離時に異物が発生する不具合を抑制することにより、半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】マスク１０をハンドラー３０で保持して露光装置のマスクステージに搬送する際、予めマスク１０の側面に永久磁石２０、２１を取り付けておく。また、ハンドラー３０のアーム部３２、３３には、マスク１０の永久磁石２０、２１との間に斥力が作用するように配置された電磁石３４、３５を取り付けておく。これにより、マスク１０を搬送する際、ハンドラー３０のアーム部３２、３３に挟まれたマスク１０は、アーム部３２、３３と非接触状態となり、浮遊状態でハンドラー３０に保持される。
【解決手段】マスク１０をハンドラー３０で保持して露光装置のマスクステージに搬送する際、予めマスク１０の側面に永久磁石２０、２１を取り付けておく。また、ハンドラー３０のアーム部３２、３３には、マスク１０の永久磁石２０、２１との間に斥力が作用するように配置された電磁石３４、３５を取り付けておく。これにより、マスク１０を搬送する際、ハンドラー３０のアーム部３２、３３に挟まれたマスク１０は、アーム部３２、３３と非接触状態となり、浮遊状態でハンドラー３０に保持される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、露光光源として極端紫外線(Extreme Ultra-Violet：以下、ＥＵＶという)を用いる光リソグラフィ工程を有する半導体装置の製造に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路装置などの半導体デバイスは、回路パターンが描かれた原版であるマスクに露光光を照射し、前記回路パターンを、縮小光学系を介して半導体基板（以下、「ウエハ」と称する）上に転写する光リソグラフィ工程を繰り返し用いることで大量生産されている。
【０００３】
近年、半導体デバイスの微細化が進み、光リソグラフィの露光波長をより短くして解像度を上げる方法が検討されている。すなわち、これまでは波長１９３ｎｍのフッ化アルゴン（ＡｒＦ）エキシマレーザ光を光源に用いるＡｒＦリソグラフィが開発されてきたが、最近では、それよりも遙かに波長の短いＥＵＶ光（波長＝１３．５ｎｍ）を用いるリソグラフィの開発が進められている。
【０００４】
上記ＥＵＶ光の波長域では、物質の光吸収の関係で、従来の光リソグラフィ用透過マスクが使用できない。そのため、ＥＵＶリソグラフィ用のマスクブランクとしては、例えばＭｏ（モリブデン）膜とＳｉ（シリコン）膜とを交互に積層した多層膜による反射を利用した多層膜反射基板が使用される。この多層膜による反射は、一種の干渉を利用した反射である。
【０００５】
また、最近では、Ｓｉメンブレンなどを用いたＥＵＶペリクルの研究も一部でなされている。しかしながら、ペリクル膜に適した膜厚でＥＵＶ光を充分に透過させる膜が殆どないことから、ＥＵＶリソグラフィ工程では、基本的にペリクルレスの状態でマスクの運用がなされている。
【０００６】
そのため、ＥＵＶリソグラフィ用マスクは、搬送時や露光装置のマスクステージへの装着・脱離時に発生するパーティクルなどの異物に対して極めてセンシティブであり、この異物が転写欠陥に直結する確率が極めて高い。
【０００７】
また、ＥＵＶ光は、空気などのガス下でも大幅に減衰するため、真空またはそれに近い減圧状態で露光が行われる。このため、ＥＵＶリソグラフィ用マスクを露光装置のマスクステージに設置、固定する際には、静電チャック吸着方式が用いられている。
【０００８】
特許文献１（特開平１１−９５４１４号公報）は、磁石の引力を利用して、マスク搬送系と露光装置のマスクテーブルとの間のマスクの受け渡しを行う技術を開示している。この文献に記載されたマスクは、パターンが形成された所定領域外に磁性体部材が設けられている。また、露光装置のマスクテーブルには、マスクの磁性体部材に対応した位置に電磁石を備えた吸着パッドが設けられている。従って、この吸着パッドの電磁石でマスクの磁性体部材を吸着することにより、マスクをマスクテーブルに固定することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平１１−９５４１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
前述したように、ＥＵＶリソグラフィ用マスクは、マスク面への異物付着を防止するペリクルが装着されないペリクルレスの状態でマスクの運用がなされている。そのため、搬送時やマスクステージへの装着・脱離時に発生する異物がマスク表面に付着することによって引き起こされる転写欠陥が製造歩留まりに直結する大きな問題となっている。
【００１１】
また、ＥＵＶリソグラフィ用マスクを露光装置のマスクステージに装着する際には、静電チャック吸着方式が用いられる。ところが、マスクを静電チャックに吸着させて一定以上の時間が経過すると、静電状態を解除してもマスクが静電チャックから容易に取り外せなくなるという問題が発生する。
【００１２】
その場合は、マスクの裏面をピンで機械的に押すなどして強制的に剥がそうとしても、マスクが傷ついて異物が発生する程の力を掛けないと剥がれない。そのため、このマスク脱離工程で異物が発生し、それがマスク表面に付着することによって、前述したような転写欠陥、ひいては製造歩留まりの低下を引き起こすという問題もある。
【００１３】
本発明の目的は、ＥＵＶリソグラフィ用マスクの搬送時やマスクステージへの装着・脱離時に異物が発生する不具合を抑制することによって、半導体装置の製造歩留まりを向上させる技術を提供することにある。
【００１４】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの一態様を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１６】
この一態様は、（ａ）マスクをハンドラーで保持した状態で露光装置に搬送する工程と、（ｂ）前記ハンドラーに保持された前記マスクを前記露光装置のマスクステージに装着する工程と、（ｃ）前記マスクステージに装着された前記マスクに露光光を照射することにより、前記マスクに形成されたパターンを半導体ウエハに転写する工程と、
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記マスクを前記ハンドラーで保持することにより、前記マスクを前記マスクステージから脱離させる工程とを含む半導体装置の製造方法であって、
前記マスクの側面には、第１の磁石が設けられており、
前記ハンドラーの前記マスクの側面と対向する領域には、前記第１の磁石に対して斥力を及ぼすように配置された第２の磁石が設けられており、
前記マスクを前記ハンドラーで保持する際には、前記第１の磁石と前記第２の磁石との間に働く斥力により、前記マスクが前記ハンドラーに対して非接触状態で保持されるものである。
【発明の効果】
【００１７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの一実施の形態によって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１８】
マスクをハンドラーで保持する際、磁石の斥力を利用することにより、マスクとハンドラーを非接触状態に保つことができる。これにより、マスクの搬送時やマスクステージへの装着・脱離時に異物がマスクの表面に付着することを抑制できるので、異物に起因する転写欠陥を抑制し、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施の形態で用いるＥＵＶリソグラフィ用マスクの上面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】（ａ）は、ＥＵＶリソグラフィ用露光装置に設けられたハンドラーの要部を示す上面図、（ｂ）は、（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。
【図５】本発明の実施の形態である露光工程のフロー図である。
【図６】（ａ）は、ハンドラーに保持されたマスクをマスクステージに吸着させる方法を示す断面図、（ｂ）は、マスクをマスクステージから脱離させる方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、実施の形態では、特に必要なときを除き、同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。さらに、実施の形態を説明する図面においては、構成を分かり易くするために、平面図であってもハッチングを付す場合や、断面図であってもハッチングを省略する場合がある。
【００２１】
まず最初に、本実施の形態で用いるＥＵＶリソグラフィ用マスクの構成について説明する。図１は、ＥＵＶリソグラフィ用マスクの上面図、図２は、図１のＡ−Ａ線断面図、図３は、図１のＢ−Ｂ線断面図である。
【００２２】
図１に示すように、ＥＵＶリソグラフィ用マスク（以下、単にマスクという）１０の上面（パターン面）の中央部には、デバイスパターンエリア１１が配置されている。図示は省略するが、このデバイスパターンエリア１１には、半導体ウエハに転写すべき半導体集積回路パターンが形成されている。また、このデバイスパターンエリア１１の外側には、マスク１０の位置合わせのためのマークやウエハアライメントマークなどが形成されたアライメントマークエリア１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄが配置されている。
【００２３】
図２に示すように、マスク１０のマスクブランクは、石英ガラスまたは低熱膨張ガラスからなる厚さ６〜８ｍｍ程度の基板１３と、基板１３の主面に形成され、Ｍｏ膜とＳｉ膜とを交互に４０層程度積層した厚さ３００ｎｍ程度の多層膜１４と、多層膜１４の上部に形成されたキャッピング層１５と、基板１３の裏面に形成され、マスク１０を静電吸着方式でマスクステージ（後述）に吸着させるためのメタル膜１６とによって構成されている。
【００２４】
また、マスクブランクの最上層（キャッピング層１５）の上部には、バッファ層１７を介して厚さ５０〜７０ｎｍ程度の吸収体パターン１８が形成されている。前述したデバイスパターンエリア１１内の集積回路パターンと、アライメントマークエリア１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ内の各種マークは、吸収体パターン１８によって構成されている。
【００２５】
上記バッファ層１７は、ＦＩＢ(Focus Ion Beam)を用いた吸収体パターン１８の修正などを行う際に、下層の多層膜１４などにダメージを与えたり、コンタミネーションを付着させたりするのを防ぐバリア層であり、吸収体パターン１８が形成されていない反射面上のバッファ層１７は、マスク製造工程の最終段階で除去される。但し、ＥＢ(Electron Beam)修正などが用いられる場合は、このバッファ層１７（バリア層）を省略することもできる。
【００２６】
図示は省略するが、吸収体パターン１８の表面には、酸化処理などによって半導体欠陥検査が高感度にできるよう、波長が２５０ｎｍ付近あるいは１９３ｎｍ付近の欠陥検査光に対する反射率を抑えた膜が形成されている。
【００２７】
図１および図３に示すように、マスク１０の対向する二つの側面のそれぞれには、永久磁石２０、２１が取り付けられている。
【００２８】
上記２つの永久磁石２０、２１は、Ｎ極とＳ極の配置が互いに逆になっている。すなわち、マスク１０の一方の側面に取り付けられた永久磁石２０は、Ｎ極がマスク１０の上面側に配置され、Ｓ極がマスク１０の裏面側に配置されている。これに対し、マスク１０のもう一方の側面に取り付けられた永久磁石２１は、Ｓ極がマスク１０の上面側に配置され、Ｎ極がマスク１０の裏面側に配置されている。なお、これとは逆に、永久磁石２０のＮ極をマスク１０の裏面側に配置し、永久磁石２１のＮ極をマスク１０の上面側に配置してもよい。
【００２９】
図３に示すように、マスク１０の側面に取り付けられた永久磁石２０、２１のそれぞれの表面は、マスク１０の上面および裏面に対して斜めに傾いた状態で配置されている。
【００３０】
図４（ａ）は、ＥＵＶリソグラフィ用露光装置に設けられたハンドラーの要部を示す上面図、図４（ｂ）は、同図（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。
【００３１】
図４（ａ）に示すように、ハンドラー３０は、コの字状の平面形状を有しており、駆動装置３１によって、上下（Ｚ）方向、左右（Ｘ）方向および前後（Ｙ）方向への移動と、Ｘ軸（θ）回転およびＹ軸（φ）回転が可能になっている。
【００３２】
ハンドラー３０の一対のアーム部３２、３３のそれぞれには、電磁石３４、３５が取り付けられている。そして、図１〜図３に示したＥＵＶリソグラフィ用のマスク１０を搬送する際には、マスク１０の一方の側面に取り付けられた永久磁石２０のＮ極とアーム部３２の電磁石３４のＮ極とが対向し、永久磁石２０のＳ極と電磁石３４のＳ極とが対向する。また、マスク１０のもう一方の側面に取り付けられた永久磁石２１のＮ極とアーム部３３の電磁石３５のＮ極とが対向し、永久磁石２１のＳ極と電磁石３５のＳ極とが対向する。
【００３３】
すなわち、マスク１０を搬送する際、マスク１０の永久磁石２０とアーム部３２の電磁石３４は、互いに斥力を及ぼす配置になり、マスク１０の永久磁石２１とアーム部３３の電磁石３５も、互いに斥力を及ぼす配置になる。また、マスク１０の側面に取り付けられた永久磁石２０、２１のそれぞれの表面は、マスク１０の上面および裏面に対して斜めに傾いた状態で配置されている（図３参照）ので、永久磁石２０と電磁石３４との間の斥力、および永久磁石２１と電磁石３５との斥力は、図４（ａ）の左右（Ｘ）方向に作用するだけでなく、上下（Ｚ）方向にも作用する。
【００３４】
従って、マスク１０を搬送する際、ハンドラー３０のアーム部３２、３３に挟まれたマスク１０は、アーム部３２、３３と非接触状態となり、浮遊状態でハンドラー３０に保持される。
【００３５】
図４（ａ）に示すように、ハンドラー３０には、応力検知器３６が取り付けられている。この応力検知器３６は、上記したマスク１０の永久磁石２０、２１とアーム部３２、３３の電磁石３４、３５との間に働く斥力の左右（Ｘ）方向、上下（Ｚ）方向、および回転（θ、φ）方向のバランスを検知する。そして、電磁石３４、３５の磁力や駆動装置３１を調整することによって、永久磁石２０、２１と電磁石３４、３５との間に働く斥力を最適化し、マスク１０をハンドラー３０で安定に保持できるようにする。
【００３６】
上記応力検知器３６によるバランス検知は、特に、マスク１０をマスクステージやマスクケースから脱離させる際に有用である。例えば、マスクステージに静電吸着されているマスク１０を取り外す際に、斥力のバランスが崩れた状態で静電吸着を解除すると、マスク１０がマスクステージ上で滑ったり、横ずれを起こしたりするため、異物が発生し易くなる。従って、応力検知器３６によるバランス検知と調整とを行った後、静電吸着を解除するようにすれば、このような問題の発生を回避することができる。
【００３７】
次に、図５のフロー図を参照しながら、半導体装置を製造する際の露光工程について説明する。
【００３８】
半導体装置の製造に使用されるリソグラフィ技術は、要求される寸法の微細性や寸法精度に応じてファイン、ミドル、およびラフに分類され、それぞれに応じた露光が行われる。
【００３９】
ＥＵＶリソグラフィを用いて製造される半導体装置の場合、通常は、ファイン層の形成にＥＵＶリソグラフィが適用されるが、一層のみならず、例えばゲート層、コンタクト層、第１層メタル配線というように、複数層すなわち複数枚のマスクを用いたＥＵＶリソグラフィが行われる。従って、マスクを入れ替えながら、１台の露光装置を用いて繰り返し露光を行うのが一般的である。
【００４０】
そこで、実際の露光工程では、複数枚のマスクをマスクストッカーに保管し、その中から適宜必要なマスクを取り出して露光装置のマスクステージに装着し、露光を行う。そして、露光後は、そのマスクをマスクステージから取り外してマスクストッカーに保管した後、マスクストッカーから新たなマスクを取り出して露光装置のマスクステージに装着し、次の露光を行う。
【００４１】
この一連の工程をより詳細に説明すると、まず、マスクケースに収納されたＥＵＶリソグラフィ用のマスク１０をマスクケースごとマスクストッカーに保管する（工程Ｓ１）。次に、最初に露光を行うマスク１０をマスクケースごと取り出して搬送し（工程Ｓ２）、図４に示したハンドラー３０が待機している場所でマスクケースの蓋を開放する（工程Ｓ３）。
【００４２】
次に、ハンドラー３０をマスク１０の近傍に移動させ（工程Ｓ４）、アーム部３２、３３に取り付けられた電磁石３４、３５に通電して起動させる（工程Ｓ５）。そして、マスク１０をハンドラー３０で保持しながら、マスクステージの静電チャック部に移動させる（工程Ｓ６）。このとき、ハンドラー３０のアーム部３２、３３とマスク１０は、互いに非接触状態になっているので、マスク１０は浮遊状態でマスクステージに搬送される。
【００４３】
また、このとき、マスク１０に付着する異物の量を最小限にするために、マスク１０の上面（パターン面）をカバーで覆っておくことが好ましい。すなわち、マスク１０を収納するマスクケースをアウターケースとインナーケースの二重構造とし、前述した工程Ｓ２でアウターケースからインナーケースごとマスク１０を取り出して搬送することが好ましい。
【００４４】
次に、マスクステージの静電チャック部に通電し、マスク１０を静電吸着する（工程Ｓ７）。図６（ａ）は、浮遊状態でハンドラー３０に保持されたマスク１０をマスクステージに吸着させた状態を示している。
【００４５】
露光装置のマスクステージ４０は、その裏面（図６では下面）が静電チャック部となっており、マスク１０は、その裏面（図６では上面）に形成されたメタル膜１６によって、この静電チャック部に静電吸着される。
【００４６】
一部繰り返しになるが、より詳しく説明すると、マスク１０をマスクステージ４０に吸着・保持させる際は、まず、ハンドラー３０のアーム部３２、３３に取り付けられた電磁石３４、３５に電流を供給して起動させ、マスク１０を上下（Ｚ）方向および左右（Ｘ）方向から挟むように保持する。このとき、マスク１０の永久磁石２０、２１とハンドラー３０の電磁石３４、３５との間に斥力が働くため、マスク１０は、アーム部３２、３３と接触することなく、浮遊状態でハンドラー３０に保持される。そして、この状態でマスク１０をマスクステージ４０に搬送し、マスクステージ４０の裏面（静電チャック部）にマスク１０の裏面（メタル膜１６）を接触させた後、静電チャック部に通電することにより、マスク１０をマスクステージ４０に吸着させる。
【００４７】
次に、ハンドラー３０の電磁石３４、３５への通電をシャットオフし（工程Ｓ８）、ハンドラー３０を元の待機場所に移動させる（（工程Ｓ９）。なお、前述した二重構造のマスクケースを使用した場合は、マスク１０をマスクステージ４０に吸着させてから、次の露光工程までの間、インナーケースをマスク１０から外しておく。
【００４８】
次に、この状態で露光を行い（工程Ｓ１０）、露光終了後、ハンドラー３０を待機場所からマスク１０の近傍に移動させ（（工程Ｓ１１）、アーム部３２、３３に取り付けられた電磁石３４、３５を起動させる（工程Ｓ１２）。
【００４９】
次に、図４（ａ）に示した応力検知器３６を使ってハンドラー３０に掛かる上下（Ｚ）方向、左右（Ｘ）方向の力のバランスをモニターし（工程Ｓ１３）、予め定めた所定値と比較する（工程Ｓ１４）。そして、ハンドラー３０に掛かる力のバランスが所定値以上である場合、すなわち力のバランスが崩れている場合は、ハンドラー３０の位置を微調整するか、あるいは、さらにアーム部３２、３３に取り付けられた電磁石３４、３５に供給する電流も微調整し（工程Ｓ１５）、再度ハンドラー３０に掛かる力のバランスをモニターする（工程Ｓ１３）。そして、ハンドラー３０に掛かる力のバランスが所定値を下回った場合、すなわち力のバランスが取れた場合は、マスクステージ４０の静電チャック部への通電をシャットオフする（工程Ｓ１６）。
【００５０】
ここで、上記したハンドラー３０に掛かる力のバランスのモニター（工程Ｓ１３）、このモニター値と所定値との比較（工程Ｓ１４）、および微調整工程（工程Ｓ１５）は、マスク１０をマスクステージ４０から取り外す際に、マスク１０がマスクステージ４０上で滑ったり、横ずれを起こしたりする不具合を防止できるので、異物の発生を回避する上で好ましい作業であるが、必須の工程ではなく、オプション工程としてもよい。
【００５１】
次に、ハンドラー３０を下降させる（工程Ｓ１７）。このとき、浮遊状態でハンドラー３０に保持されているマスク１０には、下方に向かう力が作用するので、図６（ｂ）に示すように、マスク１０をマスクステージ４０から脱離させることができる。ここで、マスク１０がマスクステージ４０から剥がれ難い場合は、ハンドラー３０のアーム部３２、３３にねじり回転を付与する。このようにすると、てこの原理が働き、マスク１０をマスクステージ４０から容易に脱離させることができる。
【００５２】
次に、ハンドラー３０に保持されたマスク１０をマスクケースに移動し、接地させる（工程Ｓ１８）。続いて、ハンドラー３０の電磁石３４、３５に供給する電流をシャットオフし（工程Ｓ１９）、ハンドラー３０を元の待機場所に移動させ（工程Ｓ２０）、マスクケースの蓋を閉じる（工程Ｓ２１）。前述した二重構造のマスクケースを使用した場合は、露光工程（工程Ｓ１０）が終了した後、マスクケースの蓋を閉じる工程（工程Ｓ２１）までの間に、マスク１０をインナーケースに収納しておく。
【００５３】
その後、マスク１０をマスクケースごと搬送し（工程Ｓ２）、マスクストッカーに保管する（工程Ｓ１）。
【００５４】
次に、マスクストッカーから別のマスクを取り出し、前述したフローに従って露光を行った後、マスクストッカーに保管する。
【００５５】
このように、本実施の形態によれば、マスク１０をハンドラー３０で保持する際、磁石の斥力を利用することにより、マスク１０とハンドラー３０を非接触状態に保つことができる。これにより、マスク１０の搬送時やマスクステージ４０への装着・脱離時に異物がマスク１０の表面に付着することを抑制できるので、異物に起因する転写欠陥を抑制し、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。
【００５６】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００５７】
前記実施の形態では、半導体装置の製造に使用するＥＵＶリソグラフィ用マスクに適用した例を説明したが、ＥＵＶ以外の露光光を利用するマスクに適用することもできる。
【００５８】
また、本発明は、一般に、ワークをハンドラーで保持した状態で搬送する場合に適用することができる。すなわち、ワークに第１の磁石を設けると共に、ハンドラーのワークと対向する領域に、第１の磁石に対して斥力を及ぼすように配置された第２の磁石を設けるようにすれば、第１の磁石と第２の磁石との間に働く斥力により、ワークをハンドラーに対して非接触状態で保持することが可能となる。これにより、ハンドラーとの接触によってワークに異物が付着したり、ワークの表面が損傷したりする不具合を確実に防止することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明は、露光光源としてＥＵＶを用いるリソグラフィ技術に適用することができる。
【符号の説明】
【００６０】
１０ ＥＵＶリソグラフィ用マスク
１１ デバイスパターンエリア
１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ アライメントマークエリア
１３ 基板
１４ 多層膜
１５ キャッピング層
１６ メタル膜
１７ バッファ層
１８ 吸収体パターン
２０、２１ 永久磁石
３０ ハンドラー
３１ 駆動装置
３２、３３ アーム部
３４、３５ 電磁石
３６ 応力検知器
４０ マスクステージ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、露光光源として極端紫外線(Extreme Ultra-Violet：以下、ＥＵＶという)を用いる光リソグラフィ工程を有する半導体装置の製造に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路装置などの半導体デバイスは、回路パターンが描かれた原版であるマスクに露光光を照射し、前記回路パターンを、縮小光学系を介して半導体基板（以下、「ウエハ」と称する）上に転写する光リソグラフィ工程を繰り返し用いることで大量生産されている。
【０００３】
近年、半導体デバイスの微細化が進み、光リソグラフィの露光波長をより短くして解像度を上げる方法が検討されている。すなわち、これまでは波長１９３ｎｍのフッ化アルゴン（ＡｒＦ）エキシマレーザ光を光源に用いるＡｒＦリソグラフィが開発されてきたが、最近では、それよりも遙かに波長の短いＥＵＶ光（波長＝１３．５ｎｍ）を用いるリソグラフィの開発が進められている。
【０００４】
上記ＥＵＶ光の波長域では、物質の光吸収の関係で、従来の光リソグラフィ用透過マスクが使用できない。そのため、ＥＵＶリソグラフィ用のマスクブランクとしては、例えばＭｏ（モリブデン）膜とＳｉ（シリコン）膜とを交互に積層した多層膜による反射を利用した多層膜反射基板が使用される。この多層膜による反射は、一種の干渉を利用した反射である。
【０００５】
また、最近では、Ｓｉメンブレンなどを用いたＥＵＶペリクルの研究も一部でなされている。しかしながら、ペリクル膜に適した膜厚でＥＵＶ光を充分に透過させる膜が殆どないことから、ＥＵＶリソグラフィ工程では、基本的にペリクルレスの状態でマスクの運用がなされている。
【０００６】
そのため、ＥＵＶリソグラフィ用マスクは、搬送時や露光装置のマスクステージへの装着・脱離時に発生するパーティクルなどの異物に対して極めてセンシティブであり、この異物が転写欠陥に直結する確率が極めて高い。
【０００７】
また、ＥＵＶ光は、空気などのガス下でも大幅に減衰するため、真空またはそれに近い減圧状態で露光が行われる。このため、ＥＵＶリソグラフィ用マスクを露光装置のマスクステージに設置、固定する際には、静電チャック吸着方式が用いられている。
【０００８】
特許文献１（特開平１１−９５４１４号公報）は、磁石の引力を利用して、マスク搬送系と露光装置のマスクテーブルとの間のマスクの受け渡しを行う技術を開示している。この文献に記載されたマスクは、パターンが形成された所定領域外に磁性体部材が設けられている。また、露光装置のマスクテーブルには、マスクの磁性体部材に対応した位置に電磁石を備えた吸着パッドが設けられている。従って、この吸着パッドの電磁石でマスクの磁性体部材を吸着することにより、マスクをマスクテーブルに固定することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平１１−９５４１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
前述したように、ＥＵＶリソグラフィ用マスクは、マスク面への異物付着を防止するペリクルが装着されないペリクルレスの状態でマスクの運用がなされている。そのため、搬送時やマスクステージへの装着・脱離時に発生する異物がマスク表面に付着することによって引き起こされる転写欠陥が製造歩留まりに直結する大きな問題となっている。
【００１１】
また、ＥＵＶリソグラフィ用マスクを露光装置のマスクステージに装着する際には、静電チャック吸着方式が用いられる。ところが、マスクを静電チャックに吸着させて一定以上の時間が経過すると、静電状態を解除してもマスクが静電チャックから容易に取り外せなくなるという問題が発生する。
【００１２】
その場合は、マスクの裏面をピンで機械的に押すなどして強制的に剥がそうとしても、マスクが傷ついて異物が発生する程の力を掛けないと剥がれない。そのため、このマスク脱離工程で異物が発生し、それがマスク表面に付着することによって、前述したような転写欠陥、ひいては製造歩留まりの低下を引き起こすという問題もある。
【００１３】
本発明の目的は、ＥＵＶリソグラフィ用マスクの搬送時やマスクステージへの装着・脱離時に異物が発生する不具合を抑制することによって、半導体装置の製造歩留まりを向上させる技術を提供することにある。
【００１４】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの一態様を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１６】
この一態様は、（ａ）マスクをハンドラーで保持した状態で露光装置に搬送する工程と、（ｂ）前記ハンドラーに保持された前記マスクを前記露光装置のマスクステージに装着する工程と、（ｃ）前記マスクステージに装着された前記マスクに露光光を照射することにより、前記マスクに形成されたパターンを半導体ウエハに転写する工程と、
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記マスクを前記ハンドラーで保持することにより、前記マスクを前記マスクステージから脱離させる工程とを含む半導体装置の製造方法であって、
前記マスクの側面には、第１の磁石が設けられており、
前記ハンドラーの前記マスクの側面と対向する領域には、前記第１の磁石に対して斥力を及ぼすように配置された第２の磁石が設けられており、
前記マスクを前記ハンドラーで保持する際には、前記第１の磁石と前記第２の磁石との間に働く斥力により、前記マスクが前記ハンドラーに対して非接触状態で保持されるものである。
【発明の効果】
【００１７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの一実施の形態によって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１８】
マスクをハンドラーで保持する際、磁石の斥力を利用することにより、マスクとハンドラーを非接触状態に保つことができる。これにより、マスクの搬送時やマスクステージへの装着・脱離時に異物がマスクの表面に付着することを抑制できるので、異物に起因する転写欠陥を抑制し、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の実施の形態で用いるＥＵＶリソグラフィ用マスクの上面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線断面図である。
【図４】（ａ）は、ＥＵＶリソグラフィ用露光装置に設けられたハンドラーの要部を示す上面図、（ｂ）は、（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。
【図５】本発明の実施の形態である露光工程のフロー図である。
【図６】（ａ）は、ハンドラーに保持されたマスクをマスクステージに吸着させる方法を示す断面図、（ｂ）は、マスクをマスクステージから脱離させる方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、実施の形態では、特に必要なときを除き、同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。さらに、実施の形態を説明する図面においては、構成を分かり易くするために、平面図であってもハッチングを付す場合や、断面図であってもハッチングを省略する場合がある。
【００２１】
まず最初に、本実施の形態で用いるＥＵＶリソグラフィ用マスクの構成について説明する。図１は、ＥＵＶリソグラフィ用マスクの上面図、図２は、図１のＡ−Ａ線断面図、図３は、図１のＢ−Ｂ線断面図である。
【００２２】
図１に示すように、ＥＵＶリソグラフィ用マスク（以下、単にマスクという）１０の上面（パターン面）の中央部には、デバイスパターンエリア１１が配置されている。図示は省略するが、このデバイスパターンエリア１１には、半導体ウエハに転写すべき半導体集積回路パターンが形成されている。また、このデバイスパターンエリア１１の外側には、マスク１０の位置合わせのためのマークやウエハアライメントマークなどが形成されたアライメントマークエリア１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄが配置されている。
【００２３】
図２に示すように、マスク１０のマスクブランクは、石英ガラスまたは低熱膨張ガラスからなる厚さ６〜８ｍｍ程度の基板１３と、基板１３の主面に形成され、Ｍｏ膜とＳｉ膜とを交互に４０層程度積層した厚さ３００ｎｍ程度の多層膜１４と、多層膜１４の上部に形成されたキャッピング層１５と、基板１３の裏面に形成され、マスク１０を静電吸着方式でマスクステージ（後述）に吸着させるためのメタル膜１６とによって構成されている。
【００２４】
また、マスクブランクの最上層（キャッピング層１５）の上部には、バッファ層１７を介して厚さ５０〜７０ｎｍ程度の吸収体パターン１８が形成されている。前述したデバイスパターンエリア１１内の集積回路パターンと、アライメントマークエリア１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ内の各種マークは、吸収体パターン１８によって構成されている。
【００２５】
上記バッファ層１７は、ＦＩＢ(Focus Ion Beam)を用いた吸収体パターン１８の修正などを行う際に、下層の多層膜１４などにダメージを与えたり、コンタミネーションを付着させたりするのを防ぐバリア層であり、吸収体パターン１８が形成されていない反射面上のバッファ層１７は、マスク製造工程の最終段階で除去される。但し、ＥＢ(Electron Beam)修正などが用いられる場合は、このバッファ層１７（バリア層）を省略することもできる。
【００２６】
図示は省略するが、吸収体パターン１８の表面には、酸化処理などによって半導体欠陥検査が高感度にできるよう、波長が２５０ｎｍ付近あるいは１９３ｎｍ付近の欠陥検査光に対する反射率を抑えた膜が形成されている。
【００２７】
図１および図３に示すように、マスク１０の対向する二つの側面のそれぞれには、永久磁石２０、２１が取り付けられている。
【００２８】
上記２つの永久磁石２０、２１は、Ｎ極とＳ極の配置が互いに逆になっている。すなわち、マスク１０の一方の側面に取り付けられた永久磁石２０は、Ｎ極がマスク１０の上面側に配置され、Ｓ極がマスク１０の裏面側に配置されている。これに対し、マスク１０のもう一方の側面に取り付けられた永久磁石２１は、Ｓ極がマスク１０の上面側に配置され、Ｎ極がマスク１０の裏面側に配置されている。なお、これとは逆に、永久磁石２０のＮ極をマスク１０の裏面側に配置し、永久磁石２１のＮ極をマスク１０の上面側に配置してもよい。
【００２９】
図３に示すように、マスク１０の側面に取り付けられた永久磁石２０、２１のそれぞれの表面は、マスク１０の上面および裏面に対して斜めに傾いた状態で配置されている。
【００３０】
図４（ａ）は、ＥＵＶリソグラフィ用露光装置に設けられたハンドラーの要部を示す上面図、図４（ｂ）は、同図（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。
【００３１】
図４（ａ）に示すように、ハンドラー３０は、コの字状の平面形状を有しており、駆動装置３１によって、上下（Ｚ）方向、左右（Ｘ）方向および前後（Ｙ）方向への移動と、Ｘ軸（θ）回転およびＹ軸（φ）回転が可能になっている。
【００３２】
ハンドラー３０の一対のアーム部３２、３３のそれぞれには、電磁石３４、３５が取り付けられている。そして、図１〜図３に示したＥＵＶリソグラフィ用のマスク１０を搬送する際には、マスク１０の一方の側面に取り付けられた永久磁石２０のＮ極とアーム部３２の電磁石３４のＮ極とが対向し、永久磁石２０のＳ極と電磁石３４のＳ極とが対向する。また、マスク１０のもう一方の側面に取り付けられた永久磁石２１のＮ極とアーム部３３の電磁石３５のＮ極とが対向し、永久磁石２１のＳ極と電磁石３５のＳ極とが対向する。
【００３３】
すなわち、マスク１０を搬送する際、マスク１０の永久磁石２０とアーム部３２の電磁石３４は、互いに斥力を及ぼす配置になり、マスク１０の永久磁石２１とアーム部３３の電磁石３５も、互いに斥力を及ぼす配置になる。また、マスク１０の側面に取り付けられた永久磁石２０、２１のそれぞれの表面は、マスク１０の上面および裏面に対して斜めに傾いた状態で配置されている（図３参照）ので、永久磁石２０と電磁石３４との間の斥力、および永久磁石２１と電磁石３５との斥力は、図４（ａ）の左右（Ｘ）方向に作用するだけでなく、上下（Ｚ）方向にも作用する。
【００３４】
従って、マスク１０を搬送する際、ハンドラー３０のアーム部３２、３３に挟まれたマスク１０は、アーム部３２、３３と非接触状態となり、浮遊状態でハンドラー３０に保持される。
【００３５】
図４（ａ）に示すように、ハンドラー３０には、応力検知器３６が取り付けられている。この応力検知器３６は、上記したマスク１０の永久磁石２０、２１とアーム部３２、３３の電磁石３４、３５との間に働く斥力の左右（Ｘ）方向、上下（Ｚ）方向、および回転（θ、φ）方向のバランスを検知する。そして、電磁石３４、３５の磁力や駆動装置３１を調整することによって、永久磁石２０、２１と電磁石３４、３５との間に働く斥力を最適化し、マスク１０をハンドラー３０で安定に保持できるようにする。
【００３６】
上記応力検知器３６によるバランス検知は、特に、マスク１０をマスクステージやマスクケースから脱離させる際に有用である。例えば、マスクステージに静電吸着されているマスク１０を取り外す際に、斥力のバランスが崩れた状態で静電吸着を解除すると、マスク１０がマスクステージ上で滑ったり、横ずれを起こしたりするため、異物が発生し易くなる。従って、応力検知器３６によるバランス検知と調整とを行った後、静電吸着を解除するようにすれば、このような問題の発生を回避することができる。
【００３７】
次に、図５のフロー図を参照しながら、半導体装置を製造する際の露光工程について説明する。
【００３８】
半導体装置の製造に使用されるリソグラフィ技術は、要求される寸法の微細性や寸法精度に応じてファイン、ミドル、およびラフに分類され、それぞれに応じた露光が行われる。
【００３９】
ＥＵＶリソグラフィを用いて製造される半導体装置の場合、通常は、ファイン層の形成にＥＵＶリソグラフィが適用されるが、一層のみならず、例えばゲート層、コンタクト層、第１層メタル配線というように、複数層すなわち複数枚のマスクを用いたＥＵＶリソグラフィが行われる。従って、マスクを入れ替えながら、１台の露光装置を用いて繰り返し露光を行うのが一般的である。
【００４０】
そこで、実際の露光工程では、複数枚のマスクをマスクストッカーに保管し、その中から適宜必要なマスクを取り出して露光装置のマスクステージに装着し、露光を行う。そして、露光後は、そのマスクをマスクステージから取り外してマスクストッカーに保管した後、マスクストッカーから新たなマスクを取り出して露光装置のマスクステージに装着し、次の露光を行う。
【００４１】
この一連の工程をより詳細に説明すると、まず、マスクケースに収納されたＥＵＶリソグラフィ用のマスク１０をマスクケースごとマスクストッカーに保管する（工程Ｓ１）。次に、最初に露光を行うマスク１０をマスクケースごと取り出して搬送し（工程Ｓ２）、図４に示したハンドラー３０が待機している場所でマスクケースの蓋を開放する（工程Ｓ３）。
【００４２】
次に、ハンドラー３０をマスク１０の近傍に移動させ（工程Ｓ４）、アーム部３２、３３に取り付けられた電磁石３４、３５に通電して起動させる（工程Ｓ５）。そして、マスク１０をハンドラー３０で保持しながら、マスクステージの静電チャック部に移動させる（工程Ｓ６）。このとき、ハンドラー３０のアーム部３２、３３とマスク１０は、互いに非接触状態になっているので、マスク１０は浮遊状態でマスクステージに搬送される。
【００４３】
また、このとき、マスク１０に付着する異物の量を最小限にするために、マスク１０の上面（パターン面）をカバーで覆っておくことが好ましい。すなわち、マスク１０を収納するマスクケースをアウターケースとインナーケースの二重構造とし、前述した工程Ｓ２でアウターケースからインナーケースごとマスク１０を取り出して搬送することが好ましい。
【００４４】
次に、マスクステージの静電チャック部に通電し、マスク１０を静電吸着する（工程Ｓ７）。図６（ａ）は、浮遊状態でハンドラー３０に保持されたマスク１０をマスクステージに吸着させた状態を示している。
【００４５】
露光装置のマスクステージ４０は、その裏面（図６では下面）が静電チャック部となっており、マスク１０は、その裏面（図６では上面）に形成されたメタル膜１６によって、この静電チャック部に静電吸着される。
【００４６】
一部繰り返しになるが、より詳しく説明すると、マスク１０をマスクステージ４０に吸着・保持させる際は、まず、ハンドラー３０のアーム部３２、３３に取り付けられた電磁石３４、３５に電流を供給して起動させ、マスク１０を上下（Ｚ）方向および左右（Ｘ）方向から挟むように保持する。このとき、マスク１０の永久磁石２０、２１とハンドラー３０の電磁石３４、３５との間に斥力が働くため、マスク１０は、アーム部３２、３３と接触することなく、浮遊状態でハンドラー３０に保持される。そして、この状態でマスク１０をマスクステージ４０に搬送し、マスクステージ４０の裏面（静電チャック部）にマスク１０の裏面（メタル膜１６）を接触させた後、静電チャック部に通電することにより、マスク１０をマスクステージ４０に吸着させる。
【００４７】
次に、ハンドラー３０の電磁石３４、３５への通電をシャットオフし（工程Ｓ８）、ハンドラー３０を元の待機場所に移動させる（（工程Ｓ９）。なお、前述した二重構造のマスクケースを使用した場合は、マスク１０をマスクステージ４０に吸着させてから、次の露光工程までの間、インナーケースをマスク１０から外しておく。
【００４８】
次に、この状態で露光を行い（工程Ｓ１０）、露光終了後、ハンドラー３０を待機場所からマスク１０の近傍に移動させ（（工程Ｓ１１）、アーム部３２、３３に取り付けられた電磁石３４、３５を起動させる（工程Ｓ１２）。
【００４９】
次に、図４（ａ）に示した応力検知器３６を使ってハンドラー３０に掛かる上下（Ｚ）方向、左右（Ｘ）方向の力のバランスをモニターし（工程Ｓ１３）、予め定めた所定値と比較する（工程Ｓ１４）。そして、ハンドラー３０に掛かる力のバランスが所定値以上である場合、すなわち力のバランスが崩れている場合は、ハンドラー３０の位置を微調整するか、あるいは、さらにアーム部３２、３３に取り付けられた電磁石３４、３５に供給する電流も微調整し（工程Ｓ１５）、再度ハンドラー３０に掛かる力のバランスをモニターする（工程Ｓ１３）。そして、ハンドラー３０に掛かる力のバランスが所定値を下回った場合、すなわち力のバランスが取れた場合は、マスクステージ４０の静電チャック部への通電をシャットオフする（工程Ｓ１６）。
【００５０】
ここで、上記したハンドラー３０に掛かる力のバランスのモニター（工程Ｓ１３）、このモニター値と所定値との比較（工程Ｓ１４）、および微調整工程（工程Ｓ１５）は、マスク１０をマスクステージ４０から取り外す際に、マスク１０がマスクステージ４０上で滑ったり、横ずれを起こしたりする不具合を防止できるので、異物の発生を回避する上で好ましい作業であるが、必須の工程ではなく、オプション工程としてもよい。
【００５１】
次に、ハンドラー３０を下降させる（工程Ｓ１７）。このとき、浮遊状態でハンドラー３０に保持されているマスク１０には、下方に向かう力が作用するので、図６（ｂ）に示すように、マスク１０をマスクステージ４０から脱離させることができる。ここで、マスク１０がマスクステージ４０から剥がれ難い場合は、ハンドラー３０のアーム部３２、３３にねじり回転を付与する。このようにすると、てこの原理が働き、マスク１０をマスクステージ４０から容易に脱離させることができる。
【００５２】
次に、ハンドラー３０に保持されたマスク１０をマスクケースに移動し、接地させる（工程Ｓ１８）。続いて、ハンドラー３０の電磁石３４、３５に供給する電流をシャットオフし（工程Ｓ１９）、ハンドラー３０を元の待機場所に移動させ（工程Ｓ２０）、マスクケースの蓋を閉じる（工程Ｓ２１）。前述した二重構造のマスクケースを使用した場合は、露光工程（工程Ｓ１０）が終了した後、マスクケースの蓋を閉じる工程（工程Ｓ２１）までの間に、マスク１０をインナーケースに収納しておく。
【００５３】
その後、マスク１０をマスクケースごと搬送し（工程Ｓ２）、マスクストッカーに保管する（工程Ｓ１）。
【００５４】
次に、マスクストッカーから別のマスクを取り出し、前述したフローに従って露光を行った後、マスクストッカーに保管する。
【００５５】
このように、本実施の形態によれば、マスク１０をハンドラー３０で保持する際、磁石の斥力を利用することにより、マスク１０とハンドラー３０を非接触状態に保つことができる。これにより、マスク１０の搬送時やマスクステージ４０への装着・脱離時に異物がマスク１０の表面に付着することを抑制できるので、異物に起因する転写欠陥を抑制し、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。
【００５６】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００５７】
前記実施の形態では、半導体装置の製造に使用するＥＵＶリソグラフィ用マスクに適用した例を説明したが、ＥＵＶ以外の露光光を利用するマスクに適用することもできる。
【００５８】
また、本発明は、一般に、ワークをハンドラーで保持した状態で搬送する場合に適用することができる。すなわち、ワークに第１の磁石を設けると共に、ハンドラーのワークと対向する領域に、第１の磁石に対して斥力を及ぼすように配置された第２の磁石を設けるようにすれば、第１の磁石と第２の磁石との間に働く斥力により、ワークをハンドラーに対して非接触状態で保持することが可能となる。これにより、ハンドラーとの接触によってワークに異物が付着したり、ワークの表面が損傷したりする不具合を確実に防止することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明は、露光光源としてＥＵＶを用いるリソグラフィ技術に適用することができる。
【符号の説明】
【００６０】
１０ ＥＵＶリソグラフィ用マスク
１１ デバイスパターンエリア
１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ アライメントマークエリア
１３ 基板
１４ 多層膜
１５ キャッピング層
１６ メタル膜
１７ バッファ層
１８ 吸収体パターン
２０、２１ 永久磁石
３０ ハンドラー
３１ 駆動装置
３２、３３ アーム部
３４、３５ 電磁石
３６ 応力検知器
４０ マスクステージ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）マスクをハンドラーで保持した状態で露光装置に搬送する工程と、
（ｂ）前記ハンドラーに保持された前記マスクを前記露光装置のマスクステージに装着する工程と、
（ｃ）前記マスクステージに装着された前記マスクに露光光を照射することにより、前記マスクに形成されたパターンを半導体ウエハに転写する工程と、
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記マスクを前記ハンドラーで保持することにより、前記マスクを前記マスクステージから脱離させる工程と、
を含む半導体装置の製造方法であって、
前記マスクの側面には、第１の磁石が設けられており、
前記ハンドラーの前記マスクの側面と対向する領域には、前記第１の磁石に対して斥力を及ぼすように配置された第２の磁石が設けられており、
前記マスクを前記ハンドラーで保持する際には、前記第１の磁石と前記第２の磁石との間に働く斥力により、前記マスクが前記ハンドラーに対して非接触状態で保持されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記マスクは、少なくとも基板と多層膜と吸収体パターンとを有するＥＵＶリソグラフィ用マスクであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記マスクは、静電チャック吸着方式によって前記マスクステージに装着されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記マスクを前記ハンドラーで保持する際、前記ハンドラーに及ぼす前記斥力の大きさをモニターすることによって、前記第２の磁石の電磁力を制御することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２の磁石の電磁力の制御は、前記ハンドラーの前記マスクに対する位置の制御によって行われることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記マスクを前記ハンドラーで保持することにより、前記マスクを前記マスクステージから脱離させる際、前記ハンドラーにねじり回転を付与することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
ワークをハンドラーで保持して搬送する際、前記ワークに第１の磁石を設けると共に、前記ハンドラーの前記ワークと対向する領域に、前記第１の磁石に対して斥力を及ぼすように配置された第２の磁石を設け、前記第１の磁石と前記第２の磁石との間に働く斥力により、前記ワークを前記ハンドラーに対して非接触状態で保持することを特徴とする搬送方法。
【請求項１】
（ａ）マスクをハンドラーで保持した状態で露光装置に搬送する工程と、
（ｂ）前記ハンドラーに保持された前記マスクを前記露光装置のマスクステージに装着する工程と、
（ｃ）前記マスクステージに装着された前記マスクに露光光を照射することにより、前記マスクに形成されたパターンを半導体ウエハに転写する工程と、
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記マスクを前記ハンドラーで保持することにより、前記マスクを前記マスクステージから脱離させる工程と、
を含む半導体装置の製造方法であって、
前記マスクの側面には、第１の磁石が設けられており、
前記ハンドラーの前記マスクの側面と対向する領域には、前記第１の磁石に対して斥力を及ぼすように配置された第２の磁石が設けられており、
前記マスクを前記ハンドラーで保持する際には、前記第１の磁石と前記第２の磁石との間に働く斥力により、前記マスクが前記ハンドラーに対して非接触状態で保持されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記マスクは、少なくとも基板と多層膜と吸収体パターンとを有するＥＵＶリソグラフィ用マスクであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記マスクは、静電チャック吸着方式によって前記マスクステージに装着されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記マスクを前記ハンドラーで保持する際、前記ハンドラーに及ぼす前記斥力の大きさをモニターすることによって、前記第２の磁石の電磁力を制御することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２の磁石の電磁力の制御は、前記ハンドラーの前記マスクに対する位置の制御によって行われることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記マスクを前記ハンドラーで保持することにより、前記マスクを前記マスクステージから脱離させる際、前記ハンドラーにねじり回転を付与することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
ワークをハンドラーで保持して搬送する際、前記ワークに第１の磁石を設けると共に、前記ハンドラーの前記ワークと対向する領域に、前記第１の磁石に対して斥力を及ぼすように配置された第２の磁石を設け、前記第１の磁石と前記第２の磁石との間に働く斥力により、前記ワークを前記ハンドラーに対して非接触状態で保持することを特徴とする搬送方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１３−４６０１７（Ｐ２０１３−４６０１７Ａ）
【公開日】平成２５年３月４日（２０１３．３．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１８４８２１（Ｐ２０１１−１８４８２１）
【出願日】平成２３年８月２６日（２０１１．８．２６）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成１８年度 独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 「次世代半導体材料・プロセス基盤（ＭＩＲＡＩ）プロジェクト」委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月４日（２０１３．３．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月２６日（２０１１．８．２６）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成１８年度 独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 「次世代半導体材料・プロセス基盤（ＭＩＲＡＩ）プロジェクト」委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
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