半導体装置及びその製造方法
【課題】本発明はスティフナを用いて強度を高めた半導体装置及びその製造方法に関し、反りの発生を有効に抑制することを課題とする。
【解決手段】基板１２と、この基板１２にフリップチップ接合された半導体素子１３と、基板１２の半導体素子１３の外周位置に配置された第１のスティフナ１４と、基板上１２の半導体素子１３と第１のティフナ１４との間に配設された補強樹脂１５とを有する半導体装置において、補強樹脂１５を補強する第２のスティフナ１６を第２のスティフナ１６内に配設する。
【解決手段】基板１２と、この基板１２にフリップチップ接合された半導体素子１３と、基板１２の半導体素子１３の外周位置に配置された第１のスティフナ１４と、基板上１２の半導体素子１３と第１のティフナ１４との間に配設された補強樹脂１５とを有する半導体装置において、補強樹脂１５を補強する第２のスティフナ１６を第２のスティフナ１６内に配設する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置及びその製造方法に係り、特にスティフナを用いて強度を高めた半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、絶縁フィルムを半導体装置の基板として使用し、これに半導体チップを搭載した構造の半導体装置が提供されている。この半導体装置は、細密配線化及び素子搭載時における低背化を図れる等の利点があるものの、絶縁フィルムを使用するために素子搭載後における半導体装置に反りが発生するという問題がある。このため、基板上にスティフナ（補強のための板）を配設することにより基板の剛性を高め、これにより半導体装置に反りが発生することを抑制することが行われている（特許文献１参照）。
【０００３】
図１は、スティフナを有する第１従来例である半導体装置１Ａを示している。基板２は絶縁フィルムよりなる薄型基板であり、その厚さは約0.7mm程度である。この基板２には、図示しない配線パターンが形成されている。また、半導体素子３は、この基板２の中央位置にフリップチップ接合されている。尚、図示しないが、基板２の背面側（半導体素子３の搭載面と反対面）には、はんだポール等の外部接続端子が設けられる。
【０００４】
このように、薄い基板２の中央に半導体素子３が搭載されたのみで構成では、半導体素子３のフリップチップ接合時、及び半導体装置１Ａを電子装置等に実装する際に、基板２に大きな反りが発生してしまう。このため、基板２の半導体素子３を囲繞する位置には、スティフナ４が配設されている。このスティフナ４は、基板２よりも剛性が高い金属材料である。よって、スティフナ４を配設することにより、基板２はスティフナ４に補強され、反りが発生することを抑制することができる。
【０００５】
図２は、スティフナを有する第２従来例である半導体装置１Ｂを示している。図１に示した半導体装置１Ａは、半導体素子３とスティフナ４との間が離間している。このため、基板２の半導体素子３とスティフナ４との間で反りが発生するおそれがある。
【０００６】
そこで、図２に示す半導体装置１Ｂでは、半導体素子３とスティフナ４との間に、基板２を補強する補強樹脂５を配設した構成とている。これにより、図１に示した半導体装置１Ａに比べ、半導体装置１Ｂに反りが発生することを抑制することができる。
【特許文献１】特開２０００−１３３７４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
この図１及び図２に示された半導体装置１Ａ，１Ｂは、電子装置等に実装された後、冷却するために半導体素子３の上面に冷却装置が配設される。この際、基板２に反りが存在すると、半導体装置１Ａ，１Ｂのコプラナリティが低下し、よって冷却装置が適正に半導体素子１３に装着されず半導体素子１３の冷却を十分に行うことができないおそれがある。
【０００８】
また、半導体装置１Ａ，１Ｂを携帯電話等の小型低背化を要求される小型電子機器に搭載する場合には、この小型電子機器に搭載できないおそれがある。
【０００９】
従来の半導体装置１Ａ，１Ｂでは、スティフナ４や補強樹脂５を設けることにより、基板２の反りを有る程度は抑えることができるが、上記した冷却装置や小型電子機器に対応できる程度に基板２に発生する反りを抑制することができないという問題点があった。
【００１０】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、反りの発生を有効に抑制しうる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【００１２】
請求項１記載の発明は、
基板と、
該基板に表面実装された半導体素子と、
前記基板の前記半導体素子の外周位置に配置された第１のスティフナと、
前記基板上の前記半導体素子と前記第１のティフナとの間に配設された補強樹脂とを有する半導体装置において、
前記補強樹脂を補強する第２のスティフナを配設したことを特徴とするものである。
【００１３】
上記発明によれば、第２のスティフナにより補強樹脂が補強されるため、半導体素子の実装位置と第１のスティフナの配設位置との間で基板に反りが発生することを防止することができる。
【００１４】
また、請求項２記載の発明は、
請求項１記載の半導体装置において、
前記第２のスティフナは、金属材料であることを特徴とするものである。
【００１５】
また、請求項３記載の発明は、
請求項１又は２記載の半導体装置において、
前記第１のスティフナ及び第２のスティフナは、前記半導体素子の上面を外部に開放してなる構成であることを特徴とするものである。
【００１６】
上記発明によれば、第１のスティフナ及び第２のスティフナを配設しても半導体素子の上面を外部に開放されるため、半導体素子の冷却を行いやすくなる。
【００１７】
また、請求項４記載の発明は、
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記第２のスティフナは、前記基板から離間した構成であることを特徴とするものである。
【００１８】
上記発明によれば、第２のスティフナは基板から離間した状態となるため、第２のスティフナは補強樹脂のみを補強することができる。
【００１９】
また、請求項５記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、
基板に第１のスティフナを接着する工程と、
該第１のスティフナが接着された前記基板上に半導体素子を表面実装する工程と、
前記基板上の前記半導体素子と前記第１のスティフナとの間に補強用樹脂を形成する工程とを有し、
前記基板上の前記半導体素子と前記第１のスティフナとの間に前記補強用樹脂を形成する工程において、該補強用樹脂内に第２のスティフナを配設することを特徴とするものである。
【００２０】
上記発明によれば、補強用樹脂を形成する工程において補強用樹脂内に第２のスティフナを配設することができるため、第２のスティフナを設けても製造工程が複雑になるようなことはない。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、第２のスティフナにより補強樹脂が補強されるため、半導体素子の実装位置と第１のスティフナの配設位置との間で基板に反りが発生することを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
次に、本発明を実施するための最良の形態について図面と共に説明する。
【００２３】
図３及び図４は、本発明の一実施例である半導体装置１０Ａを示している。図３は半導体装置１０Ａの断面図であり、図４は半導体装置１０Ａの平面図である。
【００２４】
本実施例に係る半導体装置１０Ａは、大略すると基板１２、半導体素子１３、第１のスティフナ１４、補強樹脂１５、及び第２のスティフナ１６等により構成されている。
【００２５】
基板１２は、ポリイミド等の絶縁性樹脂に銅により所定の配線パターン（図示せず）が形成された構成とされている。この基板１２の厚さは0,1mm以上0.5mm以下の厚さとされており、よって基板１２はプリント配線基板等に比べて極めて薄い基板とされている。このように、基板１２を薄型化することにより、半導体装置１０Ａの薄型化及び配線パターンの高密度化を図ることができる。
【００２６】
半導体素子１３は、基板１２の中央位置に搭載されている。本実施例では、半導体素子１３を表面実装方法であるフリップチップ接続を用いて基板１２に搭載している。これにより、半導体素子１３の回路形成面に予め配設されたはんだバンプ１８は、基板１２に形成されたボンディングパッド（図示せず）に接続される。また、半導体素子１３と基板１２の間には、はんだバンプ１８を保護するためにアンダーフィルレジン１９が配設されている。
【００２７】
第１のスティフナ１４は、銅又はステンレス等の金属材料により形成されている。この第１のスティフナ１４は、図４に示すように矩形で枠型形状を有している。また、第１のスティフナ１４の外側の大きさは例えば□45mmで、内側（開口部分）の大きさは例えば□30mmとされている。この第１のスティフナ１４は、接着剤１７により基板１２に固定される。よって、基板１２は、第１のスティフナ１４により、その反りが抑制される。しかしながら、この第１のスティフナ１４のみだけでは、基板１２に発生する反りを全て抑制することができないことは前述した通りである。
【００２８】
補強樹脂１５は、例えばエポキシ等の熱硬化性の樹脂である。この補強樹脂１５は、半導体素子１３と第１のスティフナ１４との間に形成されている。このように、半導体素子１３と第１のスティフナ１４との間に補強樹脂１５を形成することにより、基板１２の半導体素子１３と第１のスティフナ１４との離間部分に発生する反りを抑制することができる。しかしながら、前記した第１のスティフナ１４及び補強樹脂１５を共に設けた構成でも、前述のように所望する程度に基板１２に発生する反りを抑制することができなかった。
【００２９】
第２のスティフナ１６は、本実施例では第１のスティフナ１４と同一材料により形成されている。即ち、第２のスティフナ１６は、銅又はステンレス等の金属材料により形成されている。但し、第２のスティフナ１６の材料は必ずしも第１のスティフナ１４と同一材料とする必要はなく、後述するように補強樹脂１５に必要とされる補強の程度に従い、適宜選定することが可能である。
【００３０】
また、第２のスティフナ１６は、半導体素子１３と第１のスティフナ１４との離間部分に配設されうる形状及び大きさとされている。本実施例では、図４に示すように、第２のスティフナ１６は矩形で枠型の形状とされている。この第２のスティフナ１６は、補強樹脂１５内に配設された構成とされている。また、第２のスティフナ１６が補強樹脂１５内に配設された状態で、第２のスティフナ１６の底面は基板１２から離間した構成とされている。このため、第２のスティフナ１６は、基板１２を直接補強するのではなく、補強樹脂１５のみを補強する構成となる。
【００３１】
上記構成とされた半導体装置１０Ａは、第２のスティフナ１６により補強樹脂１５が補強されるため、半導体素子１３の実装位置と第１のスティフナ１４の配設位置との間で基板１２に反りが発生することを防止することができる。
【００３２】
図１０は本発明者が実施した実験結果を示しており、半導体装置１０Ａに発生する反りを従来の半導体装置１Ａ，１Ｂに発生する反りと共に示している。図１０（Ａ）に示すのは半導体装置１Ａ（図１参照）に発生する反りを示しており、図１０（Ｂ）に示すのは半導体装置１Ｂ（図２参照）に発生する反りを示しており、図１０（Ｃ）は本実施例である半導体装置１０Ａ（図３及び図４参照）に発生する反りを示している。尚、図１０（Ａ）〜（Ｃ）で示す各特性は、いずれも同一の条件において発生したものである。また、図１０では反りが発生した基板２，１２を側面視した図である。
【００３３】
いま、基板２，１２に発生した反りの最上部と最下部の高さの差を反りの大きさ（ΔＡ〜ΔＣ）と定義すると、図１０（Ａ）に示す半導体装置１Ａで発生する反りの大きさΔＡは306.4μｍであった。また、図１０（Ｂ）に示す半導体装置１Ｂで発生する反りの大きさΔＢは275.84μｍであった。これに対し、本実施例に係る半導体装置１０Ａで発生する反りの大きさΔＢは149.4μｍであり、図１０（Ａ）に示した半導体装置１Ａで発生する反りの大きさΔＡ（306.4μｍ）に比べ、約半分程度にまで反りの発生を抑制することができた。
【００３４】
よって、本実施例に係る半導体装置１０Ａによれば、補強樹脂１５内に第２のスティフナ１６を設けることにより反りの発生を有効に抑制することができることが証明された。これにより、半導体装置１０Ａに冷却装置を搭載する場合でも確実な搭載が可能となり、また小型電子装置に対しても確実に搭載することが可能となる。
【００３５】
また、本実施例では、第１のスティフナ１４及び第２のスティフナ１６の双方を矩形で枠型としたため、半導体素子１３の上面１３ａは外部に露出した構成とされている。よって、第１及び第２のスティフナ１５，１６を設けた構成としても、半導体素子１３の上面１３ａが外部に開放されるため、半導体素子１３の冷却を行いやすくなる。また、冷却装置を半導体素子１３の上面１３ａに装着することも、容易に行うことができる。
【００３６】
尚、上記した実施例では、第２のスティフナ１６を矩形で枠型の形状としたが、必ずしも第２のスティフナ１６は矩形にする必要はなく、また枠型とする必要もない。例えば、半導体素子１３と第１のスティフナ１４の間において、特に応力が集中し反りが発生し易い部分がある場合には、その反りが発生し易い部位のみに第２のスティフナ１６を設ける構成としてもよい。
【００３７】
更に、第２のスティフナ１６の補強樹脂１５に対する補強の程度は、第２のスティフナ１６の材質の特性（剛性、機械的強度等）及び形状（矩形、環状形状等）により変化する。このため、第２のスティフナ１６の材質及び形状を適宜選定することにより、補強樹脂１５（第２のスティフナ１６が設けられた補強樹脂１５）による基板１２の補強の程度を調整することが可能となる。
【００３８】
続いて、上記構成とされた半導体装置１０Ａの製造方法について説明する。図５乃至図９は、半導体装置１０Ａの製造方法の一実施例を説明するための図である。
【００３９】
半導体装置１０Ａを製造するには、基板１２を容易する（図５参照）。この基板１２は、前記したようにポリイミドよりなる樹脂フィルムに、銅よりなる所定の配線パターンが形成された構成とされている。
【００４０】
次に、第１のスティフナ１４が基板１２に配設される（図６参照）。第１のスティフナ１４は銅又はステンレス等の金属材料であり、予め矩形で枠状の形状に成形されている。この第１のスティフナ１４は、接着剤１７を用いて基板１２に固定される。
【００４１】
次に、第１のスティフナ１４が配設された基板１２に半導体素子１３を搭載する。具体的には、予め半導体素子１３の回路形成面にはんだバンプ１８を設けておき、これを基板１２に形成されているボンディングパッド（図示せず）にフリップチップ接合する。また、半導体素子１３が基板２に接合されると、続いて半導体素子１３と基板１２との間には、はんだバンプ１８を保護するためにアンダーフィルレジン１９が形成される（図７参照）。
尚、上記のフリップチップ接続に代えてワイヤボンディング接続を行うことも可能ではあるが、半導体装置１０Ａの薄型化を図る面からはフリップチップ接続の方が望ましい。
【００４２】
次に、補強樹脂１５が基板１２上の半導体素子１３と第１のスティフナ１４との離間部分に形成される。この補強樹脂１５は、例えばエポキシ樹脂を用いることができ、ポッティング等により上記離間部分に滴下される。このエポキシ樹脂は、その内部に強度を高めるための各種フィラーが混入されている。また、エポキシ樹脂は熱硬化性樹脂であり、熱硬化するまでの間は粘性を有した液状であるため、上記のようにポッティングを用いることができる。
【００４３】
図８は、基板１２上で半導体素子１３と第１のスティフナ１４との間に補強樹脂１５が充填された状態を示している。この状態では、補強樹脂１５は熱硬化されておらず、よって液状となっている。次に、この液状状態の補強樹脂１５に対し、第２のスティフナ１６を挿入する（図９参照）。この際、第２のスティフナ１６が基板１２に当接しないよう、即ち第２のスティフナ１６が基板１２から離間するよう、第２のスティフナ１６を補強樹脂１５内に挿入する。
【００４４】
このようにして補強樹脂１５内に第２のスティフナ１６が装着されると、補強樹脂１５を硬化するために加熱処理が行われ、これにより補強樹脂１５が熱硬化すると共に第２のスティフナ１６が補強樹脂１５内に固定される。以上の工程を経ることにより、図３及び図４に示す半導体装置１０Ａが製造される。
【００４５】
上記の製造方法によれば、補強用樹脂１５を形成する工程において補強用樹脂１５内に第２のスティフナ１６を配設することができるため、第２のスティフナ１６を設けても製造工程が複雑になるようなことはない。
【００４６】
図１１は、上記した実施例の変形例である半導体装置１０Ｂを示している。本実施例に係る半導体装置１０Ｂは、補強樹脂１５内に装着される第２のスティフナ２０のコーナ部分に面取り部２０ａを形成したことを特徴とするものである。
【００４７】
補強樹脂１５内に装着される第２のスティフナに角部が存在すると、この角部に応力集中が発生し、クラック等が発生するおそれがある。しかしながら、本変形例のように第２のスティフナ２０に面取り部２０ａを形成することにより、応力集中が発生することを防止でき、半導体装置１０Ｂの信頼性を高めることができる。
【００４８】
以上の説明に関し、更に以下の項を開示する。
（付記１）
基板と、
該基板に表面実装された半導体素子と、
前記基板の前記半導体素子の外周位置に配置された第１のスティフナと、
前記基板上の前記半導体素子と前記第１のティフナとの間に配設された補強樹脂とを有する半導体装置において、
前記補強樹脂を補強する第２のスティフナを配設したことを特徴とする半導体装置。
（付記２）
前記第２のスティフナは、金属材料であることを特徴とする付記１記載の半導体装置。
（付記３）
前記第２のスティフナは、銅又はステンレスよりなることを特徴とする付記２記載の半導体装置。
（付記４）
前記第１のスティフナ及び第２のスティフナは、前記半導体素子の上面を外部に開放してなる構成であることを特徴とする付記１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
（付記５）
前記基板は、0,1mm以上0.5mm以下の厚さであることを特徴とする付記１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
（付記６）
前記第２のスティフナは、前記基板から離間した構成であることを特徴とする付記１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
（付記７）
基板に第１のスティフナを接着する工程と、
該第１のスティフナが接着された前記基板上に半導体素子を表面実装する工程と、
前記基板上の前記半導体素子と前記第１のスティフナとの間に補強用樹脂を形成する工程とを有し、
前記基板上の前記半導体素子と前記第１のスティフナとの間に前記補強用樹脂を形成する工程において、該補強用樹脂内に第２のスティフナを配設することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記８）
前記基板上の前記半導体素子と前記第１のスティフナとの間に先ず前記補強用樹脂を配設し、該補強用樹脂内に第２のスティフナを配設し、その後に前記補強用樹脂を硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】図１は、第１従来例である半導体装置の断面図である。
【図２】図２は、第２従来例である半導体装置の断面図である。
【図３】図３は、本発明の一実施例である半導体装置の断面図である。
【図４】図４は、本発明の一実施例である半導体装置の平面図である。
【図５】図５は、本発明の一実施例である半導体装置の製造方法を説明するための図である（その１）
【図６】図６は、本発明の一実施例である半導体装置の製造方法を説明するための図である（その２）
【図７】図７は、本発明の一実施例である半導体装置の製造方法を説明するための図である（その３）
【図８】図８は、本発明の一実施例である半導体装置の製造方法を説明するための図である（その４）
【図９】図９は、本発明の一実施例である半導体装置の製造方法を説明するための図である（その５）
【図１０】図１０は、本発明の一実施例である半導体装置に発生する反りを従来と比較して示す図である。
【図１１】図１１は、図３及び図４に示す半導体装置の変形例を示す図である。
【符号の説明】
【００５０】
１０Ａ，１０Ｂ 半導体装置
１２ 基板
１３ 半導体素子
１４ 第１のスティフナ
１５ 補強樹脂
１６ 第２のスティフナ
１９ アンダーフィルレジン
２０ 第２のスティフナ
２０ａ 面取り部
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置及びその製造方法に係り、特にスティフナを用いて強度を高めた半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、絶縁フィルムを半導体装置の基板として使用し、これに半導体チップを搭載した構造の半導体装置が提供されている。この半導体装置は、細密配線化及び素子搭載時における低背化を図れる等の利点があるものの、絶縁フィルムを使用するために素子搭載後における半導体装置に反りが発生するという問題がある。このため、基板上にスティフナ（補強のための板）を配設することにより基板の剛性を高め、これにより半導体装置に反りが発生することを抑制することが行われている（特許文献１参照）。
【０００３】
図１は、スティフナを有する第１従来例である半導体装置１Ａを示している。基板２は絶縁フィルムよりなる薄型基板であり、その厚さは約0.7mm程度である。この基板２には、図示しない配線パターンが形成されている。また、半導体素子３は、この基板２の中央位置にフリップチップ接合されている。尚、図示しないが、基板２の背面側（半導体素子３の搭載面と反対面）には、はんだポール等の外部接続端子が設けられる。
【０００４】
このように、薄い基板２の中央に半導体素子３が搭載されたのみで構成では、半導体素子３のフリップチップ接合時、及び半導体装置１Ａを電子装置等に実装する際に、基板２に大きな反りが発生してしまう。このため、基板２の半導体素子３を囲繞する位置には、スティフナ４が配設されている。このスティフナ４は、基板２よりも剛性が高い金属材料である。よって、スティフナ４を配設することにより、基板２はスティフナ４に補強され、反りが発生することを抑制することができる。
【０００５】
図２は、スティフナを有する第２従来例である半導体装置１Ｂを示している。図１に示した半導体装置１Ａは、半導体素子３とスティフナ４との間が離間している。このため、基板２の半導体素子３とスティフナ４との間で反りが発生するおそれがある。
【０００６】
そこで、図２に示す半導体装置１Ｂでは、半導体素子３とスティフナ４との間に、基板２を補強する補強樹脂５を配設した構成とている。これにより、図１に示した半導体装置１Ａに比べ、半導体装置１Ｂに反りが発生することを抑制することができる。
【特許文献１】特開２０００−１３３７４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
この図１及び図２に示された半導体装置１Ａ，１Ｂは、電子装置等に実装された後、冷却するために半導体素子３の上面に冷却装置が配設される。この際、基板２に反りが存在すると、半導体装置１Ａ，１Ｂのコプラナリティが低下し、よって冷却装置が適正に半導体素子１３に装着されず半導体素子１３の冷却を十分に行うことができないおそれがある。
【０００８】
また、半導体装置１Ａ，１Ｂを携帯電話等の小型低背化を要求される小型電子機器に搭載する場合には、この小型電子機器に搭載できないおそれがある。
【０００９】
従来の半導体装置１Ａ，１Ｂでは、スティフナ４や補強樹脂５を設けることにより、基板２の反りを有る程度は抑えることができるが、上記した冷却装置や小型電子機器に対応できる程度に基板２に発生する反りを抑制することができないという問題点があった。
【００１０】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、反りの発生を有効に抑制しうる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【００１２】
請求項１記載の発明は、
基板と、
該基板に表面実装された半導体素子と、
前記基板の前記半導体素子の外周位置に配置された第１のスティフナと、
前記基板上の前記半導体素子と前記第１のティフナとの間に配設された補強樹脂とを有する半導体装置において、
前記補強樹脂を補強する第２のスティフナを配設したことを特徴とするものである。
【００１３】
上記発明によれば、第２のスティフナにより補強樹脂が補強されるため、半導体素子の実装位置と第１のスティフナの配設位置との間で基板に反りが発生することを防止することができる。
【００１４】
また、請求項２記載の発明は、
請求項１記載の半導体装置において、
前記第２のスティフナは、金属材料であることを特徴とするものである。
【００１５】
また、請求項３記載の発明は、
請求項１又は２記載の半導体装置において、
前記第１のスティフナ及び第２のスティフナは、前記半導体素子の上面を外部に開放してなる構成であることを特徴とするものである。
【００１６】
上記発明によれば、第１のスティフナ及び第２のスティフナを配設しても半導体素子の上面を外部に開放されるため、半導体素子の冷却を行いやすくなる。
【００１７】
また、請求項４記載の発明は、
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記第２のスティフナは、前記基板から離間した構成であることを特徴とするものである。
【００１８】
上記発明によれば、第２のスティフナは基板から離間した状態となるため、第２のスティフナは補強樹脂のみを補強することができる。
【００１９】
また、請求項５記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、
基板に第１のスティフナを接着する工程と、
該第１のスティフナが接着された前記基板上に半導体素子を表面実装する工程と、
前記基板上の前記半導体素子と前記第１のスティフナとの間に補強用樹脂を形成する工程とを有し、
前記基板上の前記半導体素子と前記第１のスティフナとの間に前記補強用樹脂を形成する工程において、該補強用樹脂内に第２のスティフナを配設することを特徴とするものである。
【００２０】
上記発明によれば、補強用樹脂を形成する工程において補強用樹脂内に第２のスティフナを配設することができるため、第２のスティフナを設けても製造工程が複雑になるようなことはない。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、第２のスティフナにより補強樹脂が補強されるため、半導体素子の実装位置と第１のスティフナの配設位置との間で基板に反りが発生することを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
次に、本発明を実施するための最良の形態について図面と共に説明する。
【００２３】
図３及び図４は、本発明の一実施例である半導体装置１０Ａを示している。図３は半導体装置１０Ａの断面図であり、図４は半導体装置１０Ａの平面図である。
【００２４】
本実施例に係る半導体装置１０Ａは、大略すると基板１２、半導体素子１３、第１のスティフナ１４、補強樹脂１５、及び第２のスティフナ１６等により構成されている。
【００２５】
基板１２は、ポリイミド等の絶縁性樹脂に銅により所定の配線パターン（図示せず）が形成された構成とされている。この基板１２の厚さは0,1mm以上0.5mm以下の厚さとされており、よって基板１２はプリント配線基板等に比べて極めて薄い基板とされている。このように、基板１２を薄型化することにより、半導体装置１０Ａの薄型化及び配線パターンの高密度化を図ることができる。
【００２６】
半導体素子１３は、基板１２の中央位置に搭載されている。本実施例では、半導体素子１３を表面実装方法であるフリップチップ接続を用いて基板１２に搭載している。これにより、半導体素子１３の回路形成面に予め配設されたはんだバンプ１８は、基板１２に形成されたボンディングパッド（図示せず）に接続される。また、半導体素子１３と基板１２の間には、はんだバンプ１８を保護するためにアンダーフィルレジン１９が配設されている。
【００２７】
第１のスティフナ１４は、銅又はステンレス等の金属材料により形成されている。この第１のスティフナ１４は、図４に示すように矩形で枠型形状を有している。また、第１のスティフナ１４の外側の大きさは例えば□45mmで、内側（開口部分）の大きさは例えば□30mmとされている。この第１のスティフナ１４は、接着剤１７により基板１２に固定される。よって、基板１２は、第１のスティフナ１４により、その反りが抑制される。しかしながら、この第１のスティフナ１４のみだけでは、基板１２に発生する反りを全て抑制することができないことは前述した通りである。
【００２８】
補強樹脂１５は、例えばエポキシ等の熱硬化性の樹脂である。この補強樹脂１５は、半導体素子１３と第１のスティフナ１４との間に形成されている。このように、半導体素子１３と第１のスティフナ１４との間に補強樹脂１５を形成することにより、基板１２の半導体素子１３と第１のスティフナ１４との離間部分に発生する反りを抑制することができる。しかしながら、前記した第１のスティフナ１４及び補強樹脂１５を共に設けた構成でも、前述のように所望する程度に基板１２に発生する反りを抑制することができなかった。
【００２９】
第２のスティフナ１６は、本実施例では第１のスティフナ１４と同一材料により形成されている。即ち、第２のスティフナ１６は、銅又はステンレス等の金属材料により形成されている。但し、第２のスティフナ１６の材料は必ずしも第１のスティフナ１４と同一材料とする必要はなく、後述するように補強樹脂１５に必要とされる補強の程度に従い、適宜選定することが可能である。
【００３０】
また、第２のスティフナ１６は、半導体素子１３と第１のスティフナ１４との離間部分に配設されうる形状及び大きさとされている。本実施例では、図４に示すように、第２のスティフナ１６は矩形で枠型の形状とされている。この第２のスティフナ１６は、補強樹脂１５内に配設された構成とされている。また、第２のスティフナ１６が補強樹脂１５内に配設された状態で、第２のスティフナ１６の底面は基板１２から離間した構成とされている。このため、第２のスティフナ１６は、基板１２を直接補強するのではなく、補強樹脂１５のみを補強する構成となる。
【００３１】
上記構成とされた半導体装置１０Ａは、第２のスティフナ１６により補強樹脂１５が補強されるため、半導体素子１３の実装位置と第１のスティフナ１４の配設位置との間で基板１２に反りが発生することを防止することができる。
【００３２】
図１０は本発明者が実施した実験結果を示しており、半導体装置１０Ａに発生する反りを従来の半導体装置１Ａ，１Ｂに発生する反りと共に示している。図１０（Ａ）に示すのは半導体装置１Ａ（図１参照）に発生する反りを示しており、図１０（Ｂ）に示すのは半導体装置１Ｂ（図２参照）に発生する反りを示しており、図１０（Ｃ）は本実施例である半導体装置１０Ａ（図３及び図４参照）に発生する反りを示している。尚、図１０（Ａ）〜（Ｃ）で示す各特性は、いずれも同一の条件において発生したものである。また、図１０では反りが発生した基板２，１２を側面視した図である。
【００３３】
いま、基板２，１２に発生した反りの最上部と最下部の高さの差を反りの大きさ（ΔＡ〜ΔＣ）と定義すると、図１０（Ａ）に示す半導体装置１Ａで発生する反りの大きさΔＡは306.4μｍであった。また、図１０（Ｂ）に示す半導体装置１Ｂで発生する反りの大きさΔＢは275.84μｍであった。これに対し、本実施例に係る半導体装置１０Ａで発生する反りの大きさΔＢは149.4μｍであり、図１０（Ａ）に示した半導体装置１Ａで発生する反りの大きさΔＡ（306.4μｍ）に比べ、約半分程度にまで反りの発生を抑制することができた。
【００３４】
よって、本実施例に係る半導体装置１０Ａによれば、補強樹脂１５内に第２のスティフナ１６を設けることにより反りの発生を有効に抑制することができることが証明された。これにより、半導体装置１０Ａに冷却装置を搭載する場合でも確実な搭載が可能となり、また小型電子装置に対しても確実に搭載することが可能となる。
【００３５】
また、本実施例では、第１のスティフナ１４及び第２のスティフナ１６の双方を矩形で枠型としたため、半導体素子１３の上面１３ａは外部に露出した構成とされている。よって、第１及び第２のスティフナ１５，１６を設けた構成としても、半導体素子１３の上面１３ａが外部に開放されるため、半導体素子１３の冷却を行いやすくなる。また、冷却装置を半導体素子１３の上面１３ａに装着することも、容易に行うことができる。
【００３６】
尚、上記した実施例では、第２のスティフナ１６を矩形で枠型の形状としたが、必ずしも第２のスティフナ１６は矩形にする必要はなく、また枠型とする必要もない。例えば、半導体素子１３と第１のスティフナ１４の間において、特に応力が集中し反りが発生し易い部分がある場合には、その反りが発生し易い部位のみに第２のスティフナ１６を設ける構成としてもよい。
【００３７】
更に、第２のスティフナ１６の補強樹脂１５に対する補強の程度は、第２のスティフナ１６の材質の特性（剛性、機械的強度等）及び形状（矩形、環状形状等）により変化する。このため、第２のスティフナ１６の材質及び形状を適宜選定することにより、補強樹脂１５（第２のスティフナ１６が設けられた補強樹脂１５）による基板１２の補強の程度を調整することが可能となる。
【００３８】
続いて、上記構成とされた半導体装置１０Ａの製造方法について説明する。図５乃至図９は、半導体装置１０Ａの製造方法の一実施例を説明するための図である。
【００３９】
半導体装置１０Ａを製造するには、基板１２を容易する（図５参照）。この基板１２は、前記したようにポリイミドよりなる樹脂フィルムに、銅よりなる所定の配線パターンが形成された構成とされている。
【００４０】
次に、第１のスティフナ１４が基板１２に配設される（図６参照）。第１のスティフナ１４は銅又はステンレス等の金属材料であり、予め矩形で枠状の形状に成形されている。この第１のスティフナ１４は、接着剤１７を用いて基板１２に固定される。
【００４１】
次に、第１のスティフナ１４が配設された基板１２に半導体素子１３を搭載する。具体的には、予め半導体素子１３の回路形成面にはんだバンプ１８を設けておき、これを基板１２に形成されているボンディングパッド（図示せず）にフリップチップ接合する。また、半導体素子１３が基板２に接合されると、続いて半導体素子１３と基板１２との間には、はんだバンプ１８を保護するためにアンダーフィルレジン１９が形成される（図７参照）。
尚、上記のフリップチップ接続に代えてワイヤボンディング接続を行うことも可能ではあるが、半導体装置１０Ａの薄型化を図る面からはフリップチップ接続の方が望ましい。
【００４２】
次に、補強樹脂１５が基板１２上の半導体素子１３と第１のスティフナ１４との離間部分に形成される。この補強樹脂１５は、例えばエポキシ樹脂を用いることができ、ポッティング等により上記離間部分に滴下される。このエポキシ樹脂は、その内部に強度を高めるための各種フィラーが混入されている。また、エポキシ樹脂は熱硬化性樹脂であり、熱硬化するまでの間は粘性を有した液状であるため、上記のようにポッティングを用いることができる。
【００４３】
図８は、基板１２上で半導体素子１３と第１のスティフナ１４との間に補強樹脂１５が充填された状態を示している。この状態では、補強樹脂１５は熱硬化されておらず、よって液状となっている。次に、この液状状態の補強樹脂１５に対し、第２のスティフナ１６を挿入する（図９参照）。この際、第２のスティフナ１６が基板１２に当接しないよう、即ち第２のスティフナ１６が基板１２から離間するよう、第２のスティフナ１６を補強樹脂１５内に挿入する。
【００４４】
このようにして補強樹脂１５内に第２のスティフナ１６が装着されると、補強樹脂１５を硬化するために加熱処理が行われ、これにより補強樹脂１５が熱硬化すると共に第２のスティフナ１６が補強樹脂１５内に固定される。以上の工程を経ることにより、図３及び図４に示す半導体装置１０Ａが製造される。
【００４５】
上記の製造方法によれば、補強用樹脂１５を形成する工程において補強用樹脂１５内に第２のスティフナ１６を配設することができるため、第２のスティフナ１６を設けても製造工程が複雑になるようなことはない。
【００４６】
図１１は、上記した実施例の変形例である半導体装置１０Ｂを示している。本実施例に係る半導体装置１０Ｂは、補強樹脂１５内に装着される第２のスティフナ２０のコーナ部分に面取り部２０ａを形成したことを特徴とするものである。
【００４７】
補強樹脂１５内に装着される第２のスティフナに角部が存在すると、この角部に応力集中が発生し、クラック等が発生するおそれがある。しかしながら、本変形例のように第２のスティフナ２０に面取り部２０ａを形成することにより、応力集中が発生することを防止でき、半導体装置１０Ｂの信頼性を高めることができる。
【００４８】
以上の説明に関し、更に以下の項を開示する。
（付記１）
基板と、
該基板に表面実装された半導体素子と、
前記基板の前記半導体素子の外周位置に配置された第１のスティフナと、
前記基板上の前記半導体素子と前記第１のティフナとの間に配設された補強樹脂とを有する半導体装置において、
前記補強樹脂を補強する第２のスティフナを配設したことを特徴とする半導体装置。
（付記２）
前記第２のスティフナは、金属材料であることを特徴とする付記１記載の半導体装置。
（付記３）
前記第２のスティフナは、銅又はステンレスよりなることを特徴とする付記２記載の半導体装置。
（付記４）
前記第１のスティフナ及び第２のスティフナは、前記半導体素子の上面を外部に開放してなる構成であることを特徴とする付記１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
（付記５）
前記基板は、0,1mm以上0.5mm以下の厚さであることを特徴とする付記１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
（付記６）
前記第２のスティフナは、前記基板から離間した構成であることを特徴とする付記１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
（付記７）
基板に第１のスティフナを接着する工程と、
該第１のスティフナが接着された前記基板上に半導体素子を表面実装する工程と、
前記基板上の前記半導体素子と前記第１のスティフナとの間に補強用樹脂を形成する工程とを有し、
前記基板上の前記半導体素子と前記第１のスティフナとの間に前記補強用樹脂を形成する工程において、該補強用樹脂内に第２のスティフナを配設することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記８）
前記基板上の前記半導体素子と前記第１のスティフナとの間に先ず前記補強用樹脂を配設し、該補強用樹脂内に第２のスティフナを配設し、その後に前記補強用樹脂を硬化させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】図１は、第１従来例である半導体装置の断面図である。
【図２】図２は、第２従来例である半導体装置の断面図である。
【図３】図３は、本発明の一実施例である半導体装置の断面図である。
【図４】図４は、本発明の一実施例である半導体装置の平面図である。
【図５】図５は、本発明の一実施例である半導体装置の製造方法を説明するための図である（その１）
【図６】図６は、本発明の一実施例である半導体装置の製造方法を説明するための図である（その２）
【図７】図７は、本発明の一実施例である半導体装置の製造方法を説明するための図である（その３）
【図８】図８は、本発明の一実施例である半導体装置の製造方法を説明するための図である（その４）
【図９】図９は、本発明の一実施例である半導体装置の製造方法を説明するための図である（その５）
【図１０】図１０は、本発明の一実施例である半導体装置に発生する反りを従来と比較して示す図である。
【図１１】図１１は、図３及び図４に示す半導体装置の変形例を示す図である。
【符号の説明】
【００５０】
１０Ａ，１０Ｂ 半導体装置
１２ 基板
１３ 半導体素子
１４ 第１のスティフナ
１５ 補強樹脂
１６ 第２のスティフナ
１９ アンダーフィルレジン
２０ 第２のスティフナ
２０ａ 面取り部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板に表面実装された半導体素子と、
前記基板の前記半導体素子の外周位置に配置された第１のスティフナと、
前記基板上の前記半導体素子と前記第１のティフナとの間に配設された補強樹脂とを有する半導体装置において、
前記補強樹脂を補強する第２のスティフナを配設したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２のスティフナは、金属材料であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１のスティフナ及び第２のスティフナは、前記半導体素子の上面を外部に開放してなる構成であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２のスティフナは、前記基板から離間した構成であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
基板に第１のスティフナを接着する工程と、
該第１のスティフナが接着された前記基板上に半導体素子を表面実装する工程と、
前記基板上の前記半導体素子と前記第１のスティフナとの間に補強用樹脂を形成する工程とを有し、
前記基板上の前記半導体素子と前記第１のスティフナとの間に前記補強用樹脂を形成する工程において、該補強用樹脂内に第２のスティフナを配設することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１】
基板と、
該基板に表面実装された半導体素子と、
前記基板の前記半導体素子の外周位置に配置された第１のスティフナと、
前記基板上の前記半導体素子と前記第１のティフナとの間に配設された補強樹脂とを有する半導体装置において、
前記補強樹脂を補強する第２のスティフナを配設したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２のスティフナは、金属材料であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１のスティフナ及び第２のスティフナは、前記半導体素子の上面を外部に開放してなる構成であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２のスティフナは、前記基板から離間した構成であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
基板に第１のスティフナを接着する工程と、
該第１のスティフナが接着された前記基板上に半導体素子を表面実装する工程と、
前記基板上の前記半導体素子と前記第１のスティフナとの間に補強用樹脂を形成する工程とを有し、
前記基板上の前記半導体素子と前記第１のスティフナとの間に前記補強用樹脂を形成する工程において、該補強用樹脂内に第２のスティフナを配設することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００７−２２７５５０（Ｐ２００７−２２７５５０Ａ）
【公開日】平成１９年９月６日（２００７．９．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−４５６２５（Ｐ２００６−４５６２５）
【出願日】平成１８年２月２２日（２００６．２．２２）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年９月６日（２００７．９．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年２月２２日（２００６．２．２２）
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
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