半導体装置及びその製造方法
【課題】素子面積を小さくしたＭＥＭＳ素子などの電子デバイスを組み込んだ半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】機能素子本体の両面に機能部材が露出するようにして面積を小さくした機能素子をフリップチップ実装するに際し、機能素子本体に第１実装用基板を接合し、その第１実装用基板ごとボンディングツールで吸着して、回路基板へのフリップチップ実装する。また、機能素子本体の両面に空間部を形成する。
【解決手段】機能素子本体の両面に機能部材が露出するようにして面積を小さくした機能素子をフリップチップ実装するに際し、機能素子本体に第１実装用基板を接合し、その第１実装用基板ごとボンディングツールで吸着して、回路基板へのフリップチップ実装する。また、機能素子本体の両面に空間部を形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ、微小電子機械システム）素子などの電子デバイスを組み込んだ半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、微細加工技術により形成したＭＥＭＳ素子を組み込んだ半導体素子が知られている（例えば、非特許文献１，非特許文献２）。
【０００３】
例えば、ＭＥＭＳ素子は、一般に、機械的に動作する可動部（例えば、ＲＦスイッチや、ミラーなど）と、その可動部を駆動するための駆動部（駆動回路）が、その他の回路部とともに設けられている。従来のＭＥＭＳ素子は、機械的に動きのあるＲＦスイッチなどの可動部と駆動部がその素子の一面側に設けられており、他方の面は半導体材料やガラス基材などで覆われている。
【０００４】
このＭＥＭＳ素子を回路基板などに取り付ける場合には、ＭＥＭＳ素子の半導体材料などで覆われている面をボンディングツールで真空吸着して回路基板の所定位置に設置して、加圧・超音波により接着・接続（接合）する。このようにして、一面側にＲＦスイッチなどの可動部を有するＭＥＭＳ素子を組み込んだ半導体装置を通常の製造方法によって製造することができる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Ｇａｂｒｉｅｌ Ｍ．Ｒｅｂｅｉｚ 他１名、「ＲＦ ＭＥＭＳ Ｓｗｉｔｃｈｅｓ ａｎｄ Ｓｗｉｔｃｈ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ」、ＩＥＥＥ ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ｍａｇａｚｉｎｅ、Ｄｅｃｅｍｂｅｒ ２００１，ｐ５９−７１
【非特許文献２】Ｈｅｃｔｏｒ Ｊ．Ｄｅ Ｌｏｓ Ｓａｎｔｏｓ 他３名、「ＲＦ ＭＥＭＳ ｆｏｒ Ｕｂｉｑｕｉｔｏｕｓ Ｗｉｒｅｌｅｓｓ Ｃｏｎｎｅｃｔｉｖｉｔｙ」、ＩＥＥＥ ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ｍａｇａｚｉｎｅ、Ｄｅｃｅｍｂｅｒ ２００４，ｐ３６−４９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来のＭＥＭＳ素子は、一面側に機械的に動きのあるＲＦスイッチなどの可動部とともに駆動部も設けられているから、素子面積が大きくなってしまうという問題があった。また、ＭＥＭＳ素子の構造を工夫して素子面積を小さくしたとしても、そのＭＥＭＳ素子を回路基板などへ実装する実装方法も併せて実現しなければならない。
【０００７】
そこで、本発明は、ＭＥＭＳ素子などの電子デバイスの素子面積を小さくし、素子面積を小さくしたＭＥＭＳ素子などの電子デバイスを組み込んだ半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の半導体装置は、一側１１ｂの表面部の一部に機能部材を露出し、他側１１ａの表面部の一部に他の機能部材を露出している機能素子本体１１と、
該機能素子本体１１の前記一側表面部であって機能部材が露出していない部分にバンプ１２を介して一側に設けた一側電極パッド１５が接合され、他側に他側電極パッド１４を設けた第１実装用基板１３と、
回路基板本体２１の一面に、前記機能素子本体１１の前記他側表面部であって機能部材が露出していない部分にバンプ２７を介して接合された第１パッド２２と、前記第１実装用基板１３の他側電極パッド１４とワイヤード接続された第２電極パッド２３とを有する回路基板２０とを備え、
前記機能素子本体１１の一側１１ｂに露出された機能部材の部分にバンプ１２による第１空間部Ｓ１を設け、且つ他側１１ａに露出された機能部材の部分にバンプ２７による第２空間部Ｓ２を設けたことを特徴とする。
【０００９】
請求項２に記載の半導体装置は、請求項１に記載の半導体装置において、前記機能素子本体１１の他側表面部と前記回路基板２０との間に第２実装用基板２５を備え、
該第２実装用基板２５の一面の一側電極パッド２６はバンプ２７を介して前記機能素子本体１１の前記他側表面部であって機能部材が露出していない部分と接合され、
前記第２実装用基板２５の他面の他側電極パッド２８はバンプ２４を介して前記回路基板２０の前記第１電極パッド２２と接合されることを特徴とする。
【００１０】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法は、一側１１ｂの表面部の一部に機能部材を露出し、他側１１ａの表面部の一部に他の機能部材を露出している機能素子本体１１がアレイ状に作り込まれている機能素子ウエハを用意するステップと、
前記機能素子ウエハの各機能素子本体１１の一側表面部であって機能部材が露出していない部分にバンプ１２を形成するステップと、
前記機能素子ウエハの各機能素子本体１１の一側表面部のバンプ１２に、他側に他側電極パッド１４を設けた第１実装用基板１３の一側の一側電極パッド１５を接合するステップと、
前記第１実装用基板１３が接合された機能素子ウエハを劈開して、機能素子本体１１にバンプ１２を介して第１実装用基板１３の一側の一側電極パッド１５が接合されバンプ１２による第１空間部Ｓ１を有する、チップ状の機能素子１０を形成するステップと、
前記機能素子本体１１と接合するための第１パッド２２と、前記第１実装用基板１３の他側電極パッド１４とワイヤード接続するための第２電極パッド２３とを有する回路基板２０を用意するステップと、
前記第１実装用基板１３が接合されたチップ状の機能素子１０を、前記第１実装用基板１３の他側をボンディングツールにより吸着して前記回路基板２０と対向させ、前記回路基板２０の前記第１パッド２２と前記機能素子１０の機能素子本体１１の他側表面部であって機能素子が露出していない部分に配置されたバンプ２７とを接合し、バンプ２７による第２空間部Ｓ２を形成するステップと、
前記第１実装用基板１３の他側電極パッド１４と前記回路基板２０の第２電極パッド２３とをワイヤード接続するステップと、
を有することを特徴とする。
【００１１】
請求項４に記載の半導体装置の製造方法は、請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、前記機能素子本体１１の他側表面部１１ａと前記回路基板２０との間を接合するための第２実装用基板２５を用意し、
該第２実装用基板２５の一面の一側電極パッド２６をバンプ２７を介して前記機能素子本体１１の他側表面部１１ａであって機能部材が露出していない部分に接合し、前記第２実装用基板２５の他面の他側電極パッド２８をバンプ２４を介して前記回路基板２０の前記第１電極パッド２２に接合することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、機能素子本体１１の両面１１ａ，１１ｂに機能部材が露出するようにして面積を小さくしたＭＥＭＳなど機能素子１０をフリップチップ実装するに際し、機能素子本体１１に第１実装用基板１３を接合し、その第１実装用基板１３ごとボンディングツール（例えば、フリップチップボンダー）で吸着して、回路基板へのフリップチップ実装が実現できる。
【００１３】
また、機能素子本体１１の両面１１ａ，１１ｂに金ボールなどのバンプ１２，２７を各々介して実装するから、機能素子本体１１の両面側１１ａ，１１ｂに第１，第２空間部Ｓ１，Ｓ２が形成され、可動部などの機能部材に障害を与えることが避けられる。
【００１４】
また、第２実装用基板２５を用いることにより、機能素子本体１１を回路基板に直接に接合する場合に比して、接合時の加重と超音波を充分に掛けて強制的に接合できるから、回路基板パッドの金メッキがより薄いものを使用できる。従って、一般的に用いられる汎用の回路基板２０を採用することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】両面の表面部に可動部分が露出したＭＥＭＳ素子本体の構成例を示す概念図
【図２】ウエハ状態のＭＥＭＳ素子本体の一側にバンプを形成した図
【図３】ウエハ状態のＭＥＭＳ素子本体の一側にバンプを介して第１実装用基板を接合した図
【図４】ウエハ状態のＭＥＭＳ素子本体を劈開したＭＥＭＳ素子を示す図
【図５】回路基板に第２実装用基板を接合した図
【図６】第２実装用基板を接合した回路基板にＭＥＭＳ素子をフリップチップ接合した図
【図７】本発明の半導体装置を示す図
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して、本発明のＭＥＭＳ素子などの電子デバイスを組み込んだ半導体装置及びその製造方法の実施例について説明する。以下、本発明の実施例では、電子デバイスとして、表面部に可動部分を露出している、ＭＥＭＳ素子について説明する。
【００１７】
図１は、本発明に係る、両面の表面部に可動部分が露出したＭＥＭＳ素子本体の構成例を示す概念図である。図１（ａ）はＭＥＭＳ素子本体の上面図を示し、同図（ｂ）はＭＥＭＳ素子本体の下面図を示し、同図（ｃ）はそれらのＸ−Ｘ´断面を模式的に示す図である。
【００１８】
図１において、ＭＥＭＳ素子本体１は、例えば上面側と下面側の２層構造に形成されている。その上面側には、図１（ａ）のように、第１接点２Ａと第２接点２Ｂが所定の距離だけ離されて固定されている。これらの第１，第２接点２Ａ，２Ｂはそれぞれ、第１出力端子６，第２出力端子７に電気的に接続されている。
【００１９】
これら第１接点２Ａと第２接点２Ｂとの間に、共通接点２Ｃが可動できるように設けられ、その共通接点２Ｃは弾性を持つ例えばバネ材などによって、共通端子５に電気的機械的に接続されている。
【００２０】
ＭＥＭＳ素子本体１の下面側には、図１（ｂ）のように、第１駆動回路３Ａと第２駆動回路３Ｂが対向して固定配置されている。これら第１，第２駆動回路３Ａ，３Ｂの中間に、これら駆動回路３Ａ，３Ｂによって駆動されるアマチュア（接極子）３Ｃが配置される。このアマチュア３Ｃが上面側の共通接点２Ｃと機械的に連結されている。
【００２１】
このＭＥＭＳ素子本体１は、図１（ｃ）のＸ−Ｘ´に沿った断面を参照して、例えば、第１駆動回路３Ａが駆動されるとマチュア３Ｃは図中左方向に移動し、これに連結されている共通接点２Ｃも左方向へ移動して第１接点２Ａと接触する。逆に、第２駆動回路３Ｂが駆動されるとアマチュア３Ｃは図中右方向に移動し、これに連結されている共通接点２Ｃも右方向へ移動して第２接点２Ｂと接触する。このようにして、共通端子５と第１出力端子６或いは第２出力端子７との間の電気的接続状態が切り替えられる。
【００２２】
この図１のＭＥＭＳ素子本体１は、一面側（下面側）に駆動回路及び接極子が配置され、他面側（上面側）にＲＦスイッチが配置されて、いわゆる二層構造に形成されているから、一つの面側に駆動回路やＲＦスイッチを配置する、いわゆる一層構造のものに比較して、素子面積を小さくすることができる。
【００２３】
この図１のＭＥＭＳ素子本体１では、二層構造に形成されることに伴って、一面側（下面側）及び他面側（上面側）の表面部に機械的な動きを行う可動部分が存在することになるから、その両面に可動部分の動きに障害を与えないように空間部分を形成することが必要となる。また、ＭＥＭＳ素子本体１を回路基板などへ実装する際には、そのままでは真空吸着を行う通常のボンディングツールは，可動部分に影響を与えるおそれがあるから使用することが難しい。
【００２４】
なお、図１のＭＥＭＳ素子本体は例として示した双投型の構成図であり、この型式に限ることなく、機械的に動作する構成部分が両面に露出する構造のＭＥＭＳ素子本体であれば、単投型のものやその他の駆動構造のものにも本発明が適用される。また、ＭＥＭＳ素子本体１の上面側と下面側に設ける、共通接点とアマチュアとを、上下を逆に配置してもよい。
【００２５】
このような構造上、実装上の問題を解決する、本発明の半導体装置及びその製造方法の実施例を、図２〜図７を参照して説明する。
【００２６】
図２は、ウエハ状態のＭＥＭＳ素子本体の一側にバンプを形成した図である。図２において、ＭＥＭＳウエハには、機能素子本体であるＭＥＭＳ素子本体１１がアレイ状に多数形成されている。個々の機能素子本体１１の一側１１ｂの表面部の一部に機能部材である例えば図１の接極子３Ｃ（可動部材）が露出しており、他側１１ａの表面部の一部に他の機能部材である例えば図１の共通接点２Ｃ（可動部材）が露出している。
【００２７】
このＭＥＭＳウエハの各ＭＥＭＳ素子本体１１の一側１１ｂの表面部であって可動部材が露出していない部分に、例えば金ボールで形成されたバンプ１２を形成する。
【００２８】
図３は、ウエハ状態のＭＥＭＳ素子本体１１の一側に金ボール１２を介して第１実装用基板１３を接合した図である。図３において、ＭＥＭＳ素子ウエハの各ＭＥＭＳ素子本体１１の一側１１ｂの表面部の金ボール１２に、第１実装用基板１３の一側の一側電極パッド１５を接合する。この第１実装用基板１３の他側には他側電極パッド１４が設けられており、第１実装用基板１３の一側と他側とがビアホールの導電部材を介して電気的に結合されている。
【００２９】
図４は、ウエハ状態のＭＥＭＳ素子本体を劈開して得られたＭＥＭＳ素子１０を示す図である。このＭＥＭＳ素子１０は、ＭＥＭＳ素子本体１１の一面１１ｂの表面部に金ボール１２を介して第１実装用基板１３の一側電極パッド１５が接合されている。
【００３０】
このＭＥＭＳ素子１０の一面側１１ｂには、バンプである金ボール１２が存在することにより、ＭＥＭＳ素子本体１１の一面１１ｂと第１実装用基板１３の一面と金ボール１２とで形成される第１空間部Ｓ１が確保される。この第１空間部Ｓ１により、ＭＥＭＳ素子本体１１の一面１１ｂに露出される機能部材（可動部材）の動きが妨げられ難くなる。
【００３１】
図５は、回路基板２０に第２実装用基板２５を接合した図である。図５において、第２実装用基板２５（もしくは、ＭＥＭＳ素子本体１１）と接合するための第１パッド２２と、第１実装用基板１３の他側電極パッド１４とワイヤード接続するための第２電極パッド２３とを有する回路基板２０を用意する。
【００３２】
次に、ＭＥＭＳ素子本体１１の他側表面部１１ａと回路基板２０との間を接合するための第２実装用基板２５を用意する。この第２実装用基板２５の一面には、一側電極パッド２６が設けられており、他面には他側電極パッド２８が設けられている。この第２実装用基板２５の他面の他側電極パッド２８をバンプである金ボール２４を介して回路基板２０の第１電極パッド２２に接合する。また、この例では、一側電極パッド２６にはバンプである金ボール２７を設けている。ただ、ＭＥＭＳ素子本体１１の強度が確保される場合には、この金ボール２７をＭＥＭＳ素子本体１１の他側１１ａに予め設けておくこともできる。
【００３３】
回路基板２０は内部に所要の回路部を有しており、また、第２実装用基板２５は一側と他側とがビアホールを介して電気的に結合されている。これらの回路基板２０，第１実装用基板１３、及び第２実装用基板２５は、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ；低温度焼成）基板で構成することがよい。
【００３４】
図６は、第２実装用基板２５を接合した回路基板２０にＭＥＭＳ素子１０をフリップチップ接合した図である。図６において、図４のＭＥＭＳ素子１０の第１実装用基板１３の他側（電極パッド１４が設けられている側）を、ボンディングツール（例えば、フリップチップボンダー）で真空吸着し、図５の回路基板２０に接合されている第２実装用基板２５上に載置し接合する。即ち、この第２実装用基板２５の一面の一側電極パッド２６をバンプである金ボール２７を介して、ＭＥＭＳ素子本体１１の他側１１ａの表面部であって機能部材（可動部材）が露出していない部分に接合する。
【００３５】
このＭＥＭＳ素子１０の他面側１１ａには、バンプである金ボール２７が存在することにより、ＭＥＭＳ素子本体１１の他面１１ａと第２実装用基板２５の一面と金ボール２７とで形成される第２空間部Ｓ２が確保される。この第２空間部Ｓ２により、やはりＭＥＭＳ素子本体１１の他面１１ａに露出される機能部材（可動部材）の動きが妨げられ難くなる。
【００３６】
図７は、本発明の半導体装置１００を示す図であり、図６の状態から、第１実装用基板１３の他側電極パッド１４と回路基板２０の第２電極パッド２３とがボンディングワイヤー３０によってワイヤード接続されている。なお、ボンディングワイヤ３０以外の構成は図６と同様である。
【００３７】
このようにして、一側１１ｂの表面部の一部に可動部材を露出し、他側１１ａの表面部の一部に他の可動部材を露出しているＭＥＭＳ素子本体１１と、
このＭＥＭＳ素子本体１１の一側表面部であって可動部材が露出していない部分にバンプ１２を介して一側に設けられた一側電極パッド１５が接合され、他側に他側電極パッド１４を設けた第１実装用基板１３と、
一面の一側電極パッド２６がバンプ２７を介してＭＥＭＳ素子本体１１の他側表面部であって可動部材が露出していない部分と接合され、且つ他面の他側電極パッド２８がバンプを接合可能な第２実装用基板２５と、
回路基板本体２１の一面に、第２実装用基板２５の他面の他側電極パッド２８にバンプ２４を介して接合された第１パッド２２と、第１実装用基板１３の他側電極パッド１４とワイヤード接続された第２電極パッド２３とを有する回路基板２０とを備え、
ＭＥＭＳ素子本体１１の一側１１ｂに露出された可動部材の部分にバンプ１２による第１空間部Ｓ１を設け、且つ他側１１ａに露出された可動部材の部分にバンプ２７による第２空間部Ｓ２を設けた、本発明の半導体装置１００が構成される。
【００３８】
本発明によれば、ＭＥＭＳ素子本体１１の両面１１ａ，１１ｂに可動部材が露出するようにして面積を小さくしたＭＥＭＳ素子１０をフリップチップ実装するに際し、ＭＥＭＳ素子本体１１に第１実装用基板１３を接合し、その第１実装用基板１３ごとボンディングツール（例えば、フリップチップボンダー）で吸着して、回路基板２０へのフリップチップ実装が実現できる。
【００３９】
また、ＭＥＭＳ素子本体１１の両面１１ａ，１１ｂに金ボールなどのバンプ１２，２７を各々介して実装するから、ＭＥＭＳ素子本体１１の両面側１１ａ，１１ｂに第１，第２空間部Ｓ１，Ｓ２が形成され、可動部（機能部材）に障害を与えることが避けることができる。
【００４０】
また、第２実装用基板２５を用いることにより、ＭＥＭＳ素子本体１１を回路基板２０に直接に接合する場合に比して、接合時の加重と超音波を充分に掛けて強制的に接合できるから、回路基板２０の電極パッド２２，２３の金メッキがより薄いものを使用できる。従って、一般的に用いられる汎用の回路基板２０を採用することが可能になる。
【００４１】
以上に説明した実施例では、第２実装用基板２５を設けているが、この第２実装用基板２５は必ずしも必要ではなく、省略することができる。この場合には、ＭＥＭＳ素子１０の他面側１１ａが、回路基板２０の第１電極パッド２２に、バンプである金ボール２７を介して接合されることになる。この場合にも、ＭＥＭＳ素子１０を同様にボンディングツールで吸着して、回路基板２０へのフリップチップ実装が実現でき、第２空間Ｓ２も形成できる。
【００４２】
ただ、ＭＥＭＳ素子１０の他面側１１ａ、即ちＭＥＭＳ素子本体１１が、金ボール２７を介して、回路基板２０の第１電極パッド２２に接合されるので、接合時の加重・超音波の印加できるレベルが低く制限される。従って、充分な接合状態を確保するために、回路基板２０の第１電極パッド２２の金メッキを通常のものより厚くするなどの処理が必要とされる場合がある。
【００４３】
この第２実装用基板２５を省略した場合の、本発明の半導体装置は次のように構成される。
【００４４】
即ち、一側１１ｂの表面部の一部に可動部材（機能部材）を露出し、他側１１ａの表面部の一部に他の可動部材（機能部材）を露出しているＭＥＭＳ素子本体１１と、該ＭＥＭＳ素子本体１１の一側表面部であって可動部材が露出していない部分にバンプ１２を介して一側に設けた一側電極パッド１５が接合され、他側に他側電極パッド１４を設けた第１実装用基板１３と、回路基板本体２１の一面に、ＭＥＭＳ素子本体１１の他側表面部であって可動部材が露出していない部分にバンプ２７を介して接合された第１パッド２２と、第１実装用基板１３の他側電極パッド１４とワイヤード接続された第２電極パッド２３とを有する回路基板２０とを備え、ＭＥＭＳ素子本体１１の一側１１ｂに露出された可動部材の部分にバンプ１２による第１空間部Ｓ１を設け、且つ他側１１ａに露出された可動部材の部分にバンプ２７による第２空間部Ｓ２を設けた、半導体装置。
【００４５】
また、第２実装用基板２５を省略した場合の、本発明の半導体装置の製造方法も同様の手法で行われる。
【００４６】
以上の説明では、機能素子としてＭＥＭＳ素子の場合について説明したが、本発明は、ＭＥＭＳ素子に限ることなく、機能素子本体の両面に機能部材が露出するように構成される電子デバイス、例えば両面に電極を配置した弾性表面波素子、にも同様に適用することができる。
【符号の説明】
【００４７】
１・・・ＭＥＭＳ素子本体
２Ａ・・・第１接点
２Ｂ・・・第２接点
２Ｃ・・・共通接点
３Ａ・・・第１駆動回路
３Ｂ・・・第２駆動回路
３Ｃ・・・アマチュア
５・・・共通端子
６・・・第１出力端子
７・・・第２出力端子
１０・・・ＭＥＭＳ素子
１１・・・ＭＥＭＳ素子本体
１２・・・金ボール
１３・・・第１実装用基板
１４・・・他側電極パッド
１５・・・一側電極パッド
２０・・・回路基板
２１・・・回路基板本体
２２・・・第１電極パッド
２３・・・第２電極パッド
２４・・・金ボール
２５・・・第２実装用基板
２６・・・一側電極パッド
２７・・・金ボール
２８・・・他側電極パッド
３０・・・ボンディングワイヤ
１００・・・半導体装置
Ｓ１・・・第１空間部
Ｓ２・・・第２空間部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ、微小電子機械システム）素子などの電子デバイスを組み込んだ半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、微細加工技術により形成したＭＥＭＳ素子を組み込んだ半導体素子が知られている（例えば、非特許文献１，非特許文献２）。
【０００３】
例えば、ＭＥＭＳ素子は、一般に、機械的に動作する可動部（例えば、ＲＦスイッチや、ミラーなど）と、その可動部を駆動するための駆動部（駆動回路）が、その他の回路部とともに設けられている。従来のＭＥＭＳ素子は、機械的に動きのあるＲＦスイッチなどの可動部と駆動部がその素子の一面側に設けられており、他方の面は半導体材料やガラス基材などで覆われている。
【０００４】
このＭＥＭＳ素子を回路基板などに取り付ける場合には、ＭＥＭＳ素子の半導体材料などで覆われている面をボンディングツールで真空吸着して回路基板の所定位置に設置して、加圧・超音波により接着・接続（接合）する。このようにして、一面側にＲＦスイッチなどの可動部を有するＭＥＭＳ素子を組み込んだ半導体装置を通常の製造方法によって製造することができる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Ｇａｂｒｉｅｌ Ｍ．Ｒｅｂｅｉｚ 他１名、「ＲＦ ＭＥＭＳ Ｓｗｉｔｃｈｅｓ ａｎｄ Ｓｗｉｔｃｈ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ」、ＩＥＥＥ ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ｍａｇａｚｉｎｅ、Ｄｅｃｅｍｂｅｒ ２００１，ｐ５９−７１
【非特許文献２】Ｈｅｃｔｏｒ Ｊ．Ｄｅ Ｌｏｓ Ｓａｎｔｏｓ 他３名、「ＲＦ ＭＥＭＳ ｆｏｒ Ｕｂｉｑｕｉｔｏｕｓ Ｗｉｒｅｌｅｓｓ Ｃｏｎｎｅｃｔｉｖｉｔｙ」、ＩＥＥＥ ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ｍａｇａｚｉｎｅ、Ｄｅｃｅｍｂｅｒ ２００４，ｐ３６−４９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来のＭＥＭＳ素子は、一面側に機械的に動きのあるＲＦスイッチなどの可動部とともに駆動部も設けられているから、素子面積が大きくなってしまうという問題があった。また、ＭＥＭＳ素子の構造を工夫して素子面積を小さくしたとしても、そのＭＥＭＳ素子を回路基板などへ実装する実装方法も併せて実現しなければならない。
【０００７】
そこで、本発明は、ＭＥＭＳ素子などの電子デバイスの素子面積を小さくし、素子面積を小さくしたＭＥＭＳ素子などの電子デバイスを組み込んだ半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の半導体装置は、一側１１ｂの表面部の一部に機能部材を露出し、他側１１ａの表面部の一部に他の機能部材を露出している機能素子本体１１と、
該機能素子本体１１の前記一側表面部であって機能部材が露出していない部分にバンプ１２を介して一側に設けた一側電極パッド１５が接合され、他側に他側電極パッド１４を設けた第１実装用基板１３と、
回路基板本体２１の一面に、前記機能素子本体１１の前記他側表面部であって機能部材が露出していない部分にバンプ２７を介して接合された第１パッド２２と、前記第１実装用基板１３の他側電極パッド１４とワイヤード接続された第２電極パッド２３とを有する回路基板２０とを備え、
前記機能素子本体１１の一側１１ｂに露出された機能部材の部分にバンプ１２による第１空間部Ｓ１を設け、且つ他側１１ａに露出された機能部材の部分にバンプ２７による第２空間部Ｓ２を設けたことを特徴とする。
【０００９】
請求項２に記載の半導体装置は、請求項１に記載の半導体装置において、前記機能素子本体１１の他側表面部と前記回路基板２０との間に第２実装用基板２５を備え、
該第２実装用基板２５の一面の一側電極パッド２６はバンプ２７を介して前記機能素子本体１１の前記他側表面部であって機能部材が露出していない部分と接合され、
前記第２実装用基板２５の他面の他側電極パッド２８はバンプ２４を介して前記回路基板２０の前記第１電極パッド２２と接合されることを特徴とする。
【００１０】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法は、一側１１ｂの表面部の一部に機能部材を露出し、他側１１ａの表面部の一部に他の機能部材を露出している機能素子本体１１がアレイ状に作り込まれている機能素子ウエハを用意するステップと、
前記機能素子ウエハの各機能素子本体１１の一側表面部であって機能部材が露出していない部分にバンプ１２を形成するステップと、
前記機能素子ウエハの各機能素子本体１１の一側表面部のバンプ１２に、他側に他側電極パッド１４を設けた第１実装用基板１３の一側の一側電極パッド１５を接合するステップと、
前記第１実装用基板１３が接合された機能素子ウエハを劈開して、機能素子本体１１にバンプ１２を介して第１実装用基板１３の一側の一側電極パッド１５が接合されバンプ１２による第１空間部Ｓ１を有する、チップ状の機能素子１０を形成するステップと、
前記機能素子本体１１と接合するための第１パッド２２と、前記第１実装用基板１３の他側電極パッド１４とワイヤード接続するための第２電極パッド２３とを有する回路基板２０を用意するステップと、
前記第１実装用基板１３が接合されたチップ状の機能素子１０を、前記第１実装用基板１３の他側をボンディングツールにより吸着して前記回路基板２０と対向させ、前記回路基板２０の前記第１パッド２２と前記機能素子１０の機能素子本体１１の他側表面部であって機能素子が露出していない部分に配置されたバンプ２７とを接合し、バンプ２７による第２空間部Ｓ２を形成するステップと、
前記第１実装用基板１３の他側電極パッド１４と前記回路基板２０の第２電極パッド２３とをワイヤード接続するステップと、
を有することを特徴とする。
【００１１】
請求項４に記載の半導体装置の製造方法は、請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、前記機能素子本体１１の他側表面部１１ａと前記回路基板２０との間を接合するための第２実装用基板２５を用意し、
該第２実装用基板２５の一面の一側電極パッド２６をバンプ２７を介して前記機能素子本体１１の他側表面部１１ａであって機能部材が露出していない部分に接合し、前記第２実装用基板２５の他面の他側電極パッド２８をバンプ２４を介して前記回路基板２０の前記第１電極パッド２２に接合することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、機能素子本体１１の両面１１ａ，１１ｂに機能部材が露出するようにして面積を小さくしたＭＥＭＳなど機能素子１０をフリップチップ実装するに際し、機能素子本体１１に第１実装用基板１３を接合し、その第１実装用基板１３ごとボンディングツール（例えば、フリップチップボンダー）で吸着して、回路基板へのフリップチップ実装が実現できる。
【００１３】
また、機能素子本体１１の両面１１ａ，１１ｂに金ボールなどのバンプ１２，２７を各々介して実装するから、機能素子本体１１の両面側１１ａ，１１ｂに第１，第２空間部Ｓ１，Ｓ２が形成され、可動部などの機能部材に障害を与えることが避けられる。
【００１４】
また、第２実装用基板２５を用いることにより、機能素子本体１１を回路基板に直接に接合する場合に比して、接合時の加重と超音波を充分に掛けて強制的に接合できるから、回路基板パッドの金メッキがより薄いものを使用できる。従って、一般的に用いられる汎用の回路基板２０を採用することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】両面の表面部に可動部分が露出したＭＥＭＳ素子本体の構成例を示す概念図
【図２】ウエハ状態のＭＥＭＳ素子本体の一側にバンプを形成した図
【図３】ウエハ状態のＭＥＭＳ素子本体の一側にバンプを介して第１実装用基板を接合した図
【図４】ウエハ状態のＭＥＭＳ素子本体を劈開したＭＥＭＳ素子を示す図
【図５】回路基板に第２実装用基板を接合した図
【図６】第２実装用基板を接合した回路基板にＭＥＭＳ素子をフリップチップ接合した図
【図７】本発明の半導体装置を示す図
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して、本発明のＭＥＭＳ素子などの電子デバイスを組み込んだ半導体装置及びその製造方法の実施例について説明する。以下、本発明の実施例では、電子デバイスとして、表面部に可動部分を露出している、ＭＥＭＳ素子について説明する。
【００１７】
図１は、本発明に係る、両面の表面部に可動部分が露出したＭＥＭＳ素子本体の構成例を示す概念図である。図１（ａ）はＭＥＭＳ素子本体の上面図を示し、同図（ｂ）はＭＥＭＳ素子本体の下面図を示し、同図（ｃ）はそれらのＸ−Ｘ´断面を模式的に示す図である。
【００１８】
図１において、ＭＥＭＳ素子本体１は、例えば上面側と下面側の２層構造に形成されている。その上面側には、図１（ａ）のように、第１接点２Ａと第２接点２Ｂが所定の距離だけ離されて固定されている。これらの第１，第２接点２Ａ，２Ｂはそれぞれ、第１出力端子６，第２出力端子７に電気的に接続されている。
【００１９】
これら第１接点２Ａと第２接点２Ｂとの間に、共通接点２Ｃが可動できるように設けられ、その共通接点２Ｃは弾性を持つ例えばバネ材などによって、共通端子５に電気的機械的に接続されている。
【００２０】
ＭＥＭＳ素子本体１の下面側には、図１（ｂ）のように、第１駆動回路３Ａと第２駆動回路３Ｂが対向して固定配置されている。これら第１，第２駆動回路３Ａ，３Ｂの中間に、これら駆動回路３Ａ，３Ｂによって駆動されるアマチュア（接極子）３Ｃが配置される。このアマチュア３Ｃが上面側の共通接点２Ｃと機械的に連結されている。
【００２１】
このＭＥＭＳ素子本体１は、図１（ｃ）のＸ−Ｘ´に沿った断面を参照して、例えば、第１駆動回路３Ａが駆動されるとマチュア３Ｃは図中左方向に移動し、これに連結されている共通接点２Ｃも左方向へ移動して第１接点２Ａと接触する。逆に、第２駆動回路３Ｂが駆動されるとアマチュア３Ｃは図中右方向に移動し、これに連結されている共通接点２Ｃも右方向へ移動して第２接点２Ｂと接触する。このようにして、共通端子５と第１出力端子６或いは第２出力端子７との間の電気的接続状態が切り替えられる。
【００２２】
この図１のＭＥＭＳ素子本体１は、一面側（下面側）に駆動回路及び接極子が配置され、他面側（上面側）にＲＦスイッチが配置されて、いわゆる二層構造に形成されているから、一つの面側に駆動回路やＲＦスイッチを配置する、いわゆる一層構造のものに比較して、素子面積を小さくすることができる。
【００２３】
この図１のＭＥＭＳ素子本体１では、二層構造に形成されることに伴って、一面側（下面側）及び他面側（上面側）の表面部に機械的な動きを行う可動部分が存在することになるから、その両面に可動部分の動きに障害を与えないように空間部分を形成することが必要となる。また、ＭＥＭＳ素子本体１を回路基板などへ実装する際には、そのままでは真空吸着を行う通常のボンディングツールは，可動部分に影響を与えるおそれがあるから使用することが難しい。
【００２４】
なお、図１のＭＥＭＳ素子本体は例として示した双投型の構成図であり、この型式に限ることなく、機械的に動作する構成部分が両面に露出する構造のＭＥＭＳ素子本体であれば、単投型のものやその他の駆動構造のものにも本発明が適用される。また、ＭＥＭＳ素子本体１の上面側と下面側に設ける、共通接点とアマチュアとを、上下を逆に配置してもよい。
【００２５】
このような構造上、実装上の問題を解決する、本発明の半導体装置及びその製造方法の実施例を、図２〜図７を参照して説明する。
【００２６】
図２は、ウエハ状態のＭＥＭＳ素子本体の一側にバンプを形成した図である。図２において、ＭＥＭＳウエハには、機能素子本体であるＭＥＭＳ素子本体１１がアレイ状に多数形成されている。個々の機能素子本体１１の一側１１ｂの表面部の一部に機能部材である例えば図１の接極子３Ｃ（可動部材）が露出しており、他側１１ａの表面部の一部に他の機能部材である例えば図１の共通接点２Ｃ（可動部材）が露出している。
【００２７】
このＭＥＭＳウエハの各ＭＥＭＳ素子本体１１の一側１１ｂの表面部であって可動部材が露出していない部分に、例えば金ボールで形成されたバンプ１２を形成する。
【００２８】
図３は、ウエハ状態のＭＥＭＳ素子本体１１の一側に金ボール１２を介して第１実装用基板１３を接合した図である。図３において、ＭＥＭＳ素子ウエハの各ＭＥＭＳ素子本体１１の一側１１ｂの表面部の金ボール１２に、第１実装用基板１３の一側の一側電極パッド１５を接合する。この第１実装用基板１３の他側には他側電極パッド１４が設けられており、第１実装用基板１３の一側と他側とがビアホールの導電部材を介して電気的に結合されている。
【００２９】
図４は、ウエハ状態のＭＥＭＳ素子本体を劈開して得られたＭＥＭＳ素子１０を示す図である。このＭＥＭＳ素子１０は、ＭＥＭＳ素子本体１１の一面１１ｂの表面部に金ボール１２を介して第１実装用基板１３の一側電極パッド１５が接合されている。
【００３０】
このＭＥＭＳ素子１０の一面側１１ｂには、バンプである金ボール１２が存在することにより、ＭＥＭＳ素子本体１１の一面１１ｂと第１実装用基板１３の一面と金ボール１２とで形成される第１空間部Ｓ１が確保される。この第１空間部Ｓ１により、ＭＥＭＳ素子本体１１の一面１１ｂに露出される機能部材（可動部材）の動きが妨げられ難くなる。
【００３１】
図５は、回路基板２０に第２実装用基板２５を接合した図である。図５において、第２実装用基板２５（もしくは、ＭＥＭＳ素子本体１１）と接合するための第１パッド２２と、第１実装用基板１３の他側電極パッド１４とワイヤード接続するための第２電極パッド２３とを有する回路基板２０を用意する。
【００３２】
次に、ＭＥＭＳ素子本体１１の他側表面部１１ａと回路基板２０との間を接合するための第２実装用基板２５を用意する。この第２実装用基板２５の一面には、一側電極パッド２６が設けられており、他面には他側電極パッド２８が設けられている。この第２実装用基板２５の他面の他側電極パッド２８をバンプである金ボール２４を介して回路基板２０の第１電極パッド２２に接合する。また、この例では、一側電極パッド２６にはバンプである金ボール２７を設けている。ただ、ＭＥＭＳ素子本体１１の強度が確保される場合には、この金ボール２７をＭＥＭＳ素子本体１１の他側１１ａに予め設けておくこともできる。
【００３３】
回路基板２０は内部に所要の回路部を有しており、また、第２実装用基板２５は一側と他側とがビアホールを介して電気的に結合されている。これらの回路基板２０，第１実装用基板１３、及び第２実装用基板２５は、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ；低温度焼成）基板で構成することがよい。
【００３４】
図６は、第２実装用基板２５を接合した回路基板２０にＭＥＭＳ素子１０をフリップチップ接合した図である。図６において、図４のＭＥＭＳ素子１０の第１実装用基板１３の他側（電極パッド１４が設けられている側）を、ボンディングツール（例えば、フリップチップボンダー）で真空吸着し、図５の回路基板２０に接合されている第２実装用基板２５上に載置し接合する。即ち、この第２実装用基板２５の一面の一側電極パッド２６をバンプである金ボール２７を介して、ＭＥＭＳ素子本体１１の他側１１ａの表面部であって機能部材（可動部材）が露出していない部分に接合する。
【００３５】
このＭＥＭＳ素子１０の他面側１１ａには、バンプである金ボール２７が存在することにより、ＭＥＭＳ素子本体１１の他面１１ａと第２実装用基板２５の一面と金ボール２７とで形成される第２空間部Ｓ２が確保される。この第２空間部Ｓ２により、やはりＭＥＭＳ素子本体１１の他面１１ａに露出される機能部材（可動部材）の動きが妨げられ難くなる。
【００３６】
図７は、本発明の半導体装置１００を示す図であり、図６の状態から、第１実装用基板１３の他側電極パッド１４と回路基板２０の第２電極パッド２３とがボンディングワイヤー３０によってワイヤード接続されている。なお、ボンディングワイヤ３０以外の構成は図６と同様である。
【００３７】
このようにして、一側１１ｂの表面部の一部に可動部材を露出し、他側１１ａの表面部の一部に他の可動部材を露出しているＭＥＭＳ素子本体１１と、
このＭＥＭＳ素子本体１１の一側表面部であって可動部材が露出していない部分にバンプ１２を介して一側に設けられた一側電極パッド１５が接合され、他側に他側電極パッド１４を設けた第１実装用基板１３と、
一面の一側電極パッド２６がバンプ２７を介してＭＥＭＳ素子本体１１の他側表面部であって可動部材が露出していない部分と接合され、且つ他面の他側電極パッド２８がバンプを接合可能な第２実装用基板２５と、
回路基板本体２１の一面に、第２実装用基板２５の他面の他側電極パッド２８にバンプ２４を介して接合された第１パッド２２と、第１実装用基板１３の他側電極パッド１４とワイヤード接続された第２電極パッド２３とを有する回路基板２０とを備え、
ＭＥＭＳ素子本体１１の一側１１ｂに露出された可動部材の部分にバンプ１２による第１空間部Ｓ１を設け、且つ他側１１ａに露出された可動部材の部分にバンプ２７による第２空間部Ｓ２を設けた、本発明の半導体装置１００が構成される。
【００３８】
本発明によれば、ＭＥＭＳ素子本体１１の両面１１ａ，１１ｂに可動部材が露出するようにして面積を小さくしたＭＥＭＳ素子１０をフリップチップ実装するに際し、ＭＥＭＳ素子本体１１に第１実装用基板１３を接合し、その第１実装用基板１３ごとボンディングツール（例えば、フリップチップボンダー）で吸着して、回路基板２０へのフリップチップ実装が実現できる。
【００３９】
また、ＭＥＭＳ素子本体１１の両面１１ａ，１１ｂに金ボールなどのバンプ１２，２７を各々介して実装するから、ＭＥＭＳ素子本体１１の両面側１１ａ，１１ｂに第１，第２空間部Ｓ１，Ｓ２が形成され、可動部（機能部材）に障害を与えることが避けることができる。
【００４０】
また、第２実装用基板２５を用いることにより、ＭＥＭＳ素子本体１１を回路基板２０に直接に接合する場合に比して、接合時の加重と超音波を充分に掛けて強制的に接合できるから、回路基板２０の電極パッド２２，２３の金メッキがより薄いものを使用できる。従って、一般的に用いられる汎用の回路基板２０を採用することが可能になる。
【００４１】
以上に説明した実施例では、第２実装用基板２５を設けているが、この第２実装用基板２５は必ずしも必要ではなく、省略することができる。この場合には、ＭＥＭＳ素子１０の他面側１１ａが、回路基板２０の第１電極パッド２２に、バンプである金ボール２７を介して接合されることになる。この場合にも、ＭＥＭＳ素子１０を同様にボンディングツールで吸着して、回路基板２０へのフリップチップ実装が実現でき、第２空間Ｓ２も形成できる。
【００４２】
ただ、ＭＥＭＳ素子１０の他面側１１ａ、即ちＭＥＭＳ素子本体１１が、金ボール２７を介して、回路基板２０の第１電極パッド２２に接合されるので、接合時の加重・超音波の印加できるレベルが低く制限される。従って、充分な接合状態を確保するために、回路基板２０の第１電極パッド２２の金メッキを通常のものより厚くするなどの処理が必要とされる場合がある。
【００４３】
この第２実装用基板２５を省略した場合の、本発明の半導体装置は次のように構成される。
【００４４】
即ち、一側１１ｂの表面部の一部に可動部材（機能部材）を露出し、他側１１ａの表面部の一部に他の可動部材（機能部材）を露出しているＭＥＭＳ素子本体１１と、該ＭＥＭＳ素子本体１１の一側表面部であって可動部材が露出していない部分にバンプ１２を介して一側に設けた一側電極パッド１５が接合され、他側に他側電極パッド１４を設けた第１実装用基板１３と、回路基板本体２１の一面に、ＭＥＭＳ素子本体１１の他側表面部であって可動部材が露出していない部分にバンプ２７を介して接合された第１パッド２２と、第１実装用基板１３の他側電極パッド１４とワイヤード接続された第２電極パッド２３とを有する回路基板２０とを備え、ＭＥＭＳ素子本体１１の一側１１ｂに露出された可動部材の部分にバンプ１２による第１空間部Ｓ１を設け、且つ他側１１ａに露出された可動部材の部分にバンプ２７による第２空間部Ｓ２を設けた、半導体装置。
【００４５】
また、第２実装用基板２５を省略した場合の、本発明の半導体装置の製造方法も同様の手法で行われる。
【００４６】
以上の説明では、機能素子としてＭＥＭＳ素子の場合について説明したが、本発明は、ＭＥＭＳ素子に限ることなく、機能素子本体の両面に機能部材が露出するように構成される電子デバイス、例えば両面に電極を配置した弾性表面波素子、にも同様に適用することができる。
【符号の説明】
【００４７】
１・・・ＭＥＭＳ素子本体
２Ａ・・・第１接点
２Ｂ・・・第２接点
２Ｃ・・・共通接点
３Ａ・・・第１駆動回路
３Ｂ・・・第２駆動回路
３Ｃ・・・アマチュア
５・・・共通端子
６・・・第１出力端子
７・・・第２出力端子
１０・・・ＭＥＭＳ素子
１１・・・ＭＥＭＳ素子本体
１２・・・金ボール
１３・・・第１実装用基板
１４・・・他側電極パッド
１５・・・一側電極パッド
２０・・・回路基板
２１・・・回路基板本体
２２・・・第１電極パッド
２３・・・第２電極パッド
２４・・・金ボール
２５・・・第２実装用基板
２６・・・一側電極パッド
２７・・・金ボール
２８・・・他側電極パッド
３０・・・ボンディングワイヤ
１００・・・半導体装置
Ｓ１・・・第１空間部
Ｓ２・・・第２空間部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一側の表面部の一部に機能部材を露出し、他側の表面部の一部に他の機能部材を露出している機能素子本体と、
該機能素子本体の前記一側表面部であって機能部材が露出していない部分にバンプを介して一側に設けた一側電極パッドが接合され、他側に他側電極パッドを設けた第１実装用基板と、
回路基板本体の一面に、前記機能素子本体の前記他側表面部であって機能部材が露出していない部分にバンプを介して接合された第１パッドと、前記第１実装用基板の他側電極パッドとワイヤード接続された第２電極パッドとを有する回路基板とを備え、
前記機能素子本体の一側に露出された機能部材の部分にバンプによる第１空間部を設け、且つ他側に露出された機能部材の部分にバンプによる第２空間部を設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記機能素子本体の他側表面部と前記回路基板との間に第２実装用基板２５を備え、
該第２実装用基板の一面の一側電極パッドはバンプを介して前記機能素子本体の前記他側表面部であって機能部材が露出していない部分と接合され、
前記第２実装用基板の他面の他側電極パッドはバンプを介して前記回路基板の前記第１電極パッドと接合されることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
一側の表面部の一部に機能部材を露出し、他側の表面部の一部に他の機能部材を露出している機能素子本体がアレイ状に作り込まれている機能素子ウエハを用意するステップと、
前記機能素子ウエハの各機能素子本体の一側表面部であって機能部材が露出していない部分にバンプを形成するステップと、
前記機能素子ウエハの各機能素子本体の一側表面部のバンプに、他側に他側電極パッドを設けた第１実装用基板の一側の一側電極パッドを接合するステップと、
前記第１実装用基板が接合された機能素子ウエハを劈開して、機能素子本体にバンプを介して第１実装用基板の一側の一側電極パッドが接合されバンプによる第１空間部を有する、チップ状の機能素子を形成するステップと、
前記機能素子本体と接合するための第１パッドと、前記第１実装用基板の他側電極パッドとワイヤード接続するための第２電極パッドとを有する回路基板を用意するステップと、
前記第１実装用基板が接合されたチップ状の機能素子を、前記第１実装用基板の他側をボンディングツールにより吸着して前記回路基板と対向させ、前記回路基板の前記第１パッドと前記機能素子の機能素子本体の他側表面部であって機能素子が露出していない部分に配置されたバンプとを接合し、バンプによる第２空間部を形成するステップと、
前記第１実装用基板の他側電極パッドと前記回路基板の第２電極パッドとをワイヤード接続するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記機能素子本体の他側表面部と前記回路基板との間を接合するための第２実装用基板を用意し、
該第２実装用基板の一面の一側電極パッドをバンプを介して前記機能素子本体の他側表面部であって機能部材が露出していない部分に接合し、前記第２実装用基板の他面の他側電極パッドをバンプを介して前記回路基板の前記第１電極パッドに接合することを特徴とする、請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１】
一側の表面部の一部に機能部材を露出し、他側の表面部の一部に他の機能部材を露出している機能素子本体と、
該機能素子本体の前記一側表面部であって機能部材が露出していない部分にバンプを介して一側に設けた一側電極パッドが接合され、他側に他側電極パッドを設けた第１実装用基板と、
回路基板本体の一面に、前記機能素子本体の前記他側表面部であって機能部材が露出していない部分にバンプを介して接合された第１パッドと、前記第１実装用基板の他側電極パッドとワイヤード接続された第２電極パッドとを有する回路基板とを備え、
前記機能素子本体の一側に露出された機能部材の部分にバンプによる第１空間部を設け、且つ他側に露出された機能部材の部分にバンプによる第２空間部を設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記機能素子本体の他側表面部と前記回路基板との間に第２実装用基板２５を備え、
該第２実装用基板の一面の一側電極パッドはバンプを介して前記機能素子本体の前記他側表面部であって機能部材が露出していない部分と接合され、
前記第２実装用基板の他面の他側電極パッドはバンプを介して前記回路基板の前記第１電極パッドと接合されることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
一側の表面部の一部に機能部材を露出し、他側の表面部の一部に他の機能部材を露出している機能素子本体がアレイ状に作り込まれている機能素子ウエハを用意するステップと、
前記機能素子ウエハの各機能素子本体の一側表面部であって機能部材が露出していない部分にバンプを形成するステップと、
前記機能素子ウエハの各機能素子本体の一側表面部のバンプに、他側に他側電極パッドを設けた第１実装用基板の一側の一側電極パッドを接合するステップと、
前記第１実装用基板が接合された機能素子ウエハを劈開して、機能素子本体にバンプを介して第１実装用基板の一側の一側電極パッドが接合されバンプによる第１空間部を有する、チップ状の機能素子を形成するステップと、
前記機能素子本体と接合するための第１パッドと、前記第１実装用基板の他側電極パッドとワイヤード接続するための第２電極パッドとを有する回路基板を用意するステップと、
前記第１実装用基板が接合されたチップ状の機能素子を、前記第１実装用基板の他側をボンディングツールにより吸着して前記回路基板と対向させ、前記回路基板の前記第１パッドと前記機能素子の機能素子本体の他側表面部であって機能素子が露出していない部分に配置されたバンプとを接合し、バンプによる第２空間部を形成するステップと、
前記第１実装用基板の他側電極パッドと前記回路基板の第２電極パッドとをワイヤード接続するステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記機能素子本体の他側表面部と前記回路基板との間を接合するための第２実装用基板を用意し、
該第２実装用基板の一面の一側電極パッドをバンプを介して前記機能素子本体の他側表面部であって機能部材が露出していない部分に接合し、前記第２実装用基板の他面の他側電極パッドをバンプを介して前記回路基板の前記第１電極パッドに接合することを特徴とする、請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１０−２１２２１１（Ｐ２０１０−２１２２１１Ａ）
【公開日】平成２２年９月２４日（２０１０．９．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−６０１０６（Ｐ２００９−６０１０６）
【出願日】平成２１年３月１２日（２００９．３．１２）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）国等の委託研究の成果に係る特許出願（平成２０年度、総務省、電波資源拡大のための研究開発における委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願）
【出願人】（０００００４３３０）日本無線株式会社 (1,186)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年９月２４日（２０１０．９．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月１２日（２００９．３．１２）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）国等の委託研究の成果に係る特許出願（平成２０年度、総務省、電波資源拡大のための研究開発における委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願）
【出願人】（０００００４３３０）日本無線株式会社 (1,186)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]