説明

半導体装置及び半導体装置の作製方法

【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜上にチャネル保護膜として機能する絶縁層が設けられたボトムゲート構造のトランジスタを有する半導体装置において、酸化物半導体膜上に接して設けられる絶縁層、及び/または、ソース電極層及びドレイン電極層の形成後に不純物除去処理を行うことで、エッチングガスに含まれる元素が、酸化物半導体膜表面に不純物として残存することを防止する。酸化物半導体膜の表面における不純物濃度は、5×1018atoms/cm以下、好ましくは1×1018atoms/cm以下とする。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
半導体装置及び半導体装置の作製方法に関する。
【0002】
なお、本明細書中において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指し、電気光学装置、半導体回路及び電子機器は全て半導体装置である。
【背景技術】
【0003】
絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜を用いてトランジスタを構成する技術が注目されている。該トランジスタは集積回路(IC)や画像表示装置(単に表示装置とも表記する)のような電子デバイスに広く応用されている。トランジスタに適用可能な半導体薄膜としてシリコン系半導体材料が広く知られているが、その他の材料として酸化物半導体が注目されている。
【0004】
例えば、インジウム(In)、ガリウム(Ga)、及び亜鉛(Zn)を含むアモルファス酸化物(IGZO系アモルファス酸化物)からなる半導体層を用いたトランジスタが開示されている(特許文献1参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【特許文献1】特開2011−181801号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
ところで、酸化物半導体を用いたトランジスタを有する半導体装置において、高信頼性の達成は製品化に向けて重要な事項である。
【0007】
しかし、半導体装置は複雑な構造の複数の薄膜で構成されており、多種の材料、方法及び工程で作製される。よって、用いられる作製工程に起因する、得られる半導体装置の形状不良や電気特性の低下が生じる恐れがある。
【0008】
このような問題に鑑み、酸化物半導体を用いたトランジスタを有する信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
酸化物半導体膜上にチャネル保護膜として機能する絶縁層が設けられたボトムゲート構造のトランジスタを有する半導体装置において、酸化物半導体膜上に接して設けられる絶縁層、及び/または、ソース電極層及びドレイン電極層を形成する際に用いられるエッチングガスに含まれる元素(例えば、塩素、ボロンなど)が、酸化物半導体膜表面に不純物として残存することを防止する。より具体的には、例えば以下の態様とすることができる。
【0010】
本発明の一態様は、絶縁表面上にゲート電極層を形成し、ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に島状の酸化物半導体膜を形成し、ゲート電極層と重畳し、島状の酸化物半導体膜に接する絶縁層を形成し、島状の酸化物半導体膜及び絶縁層を覆う導電膜を形成し、導電膜を、ハロゲン元素を含むエッチングガスを用いたプラズマ処理によって加工して、ソース電極層及びドレイン電極層を形成することで、酸化物半導体膜の一部を露出させ、露出した酸化物半導体膜に不純物除去処理を行い、エッチングガスに含まれる元素を除去する半導体装置の作製方法である。
【0011】
また、本発明の一態様は、絶縁表面上にゲート電極層を形成し、ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に島状の酸化物半導体膜を形成し、島状の酸化物半導体膜を覆う絶縁層を形成し、絶縁層を、ハロゲン元素を含むエッチングガスを用いたプラズマ処理によって加工して、ゲート電極層と重畳する位置に、チャネル保護膜として機能する絶縁層を形成し、酸化物半導体膜に不純物除去処理を行い、エッチングガスに含まれる元素を除去し、島状の酸化物半導体膜及びチャネル保護膜として機能する絶縁層を覆う導電膜を形成し、導電膜を加工して、酸化物半導体膜のチャネル幅方向の端部を覆うソース電極層及びドレイン電極層を形成する半導体装置の作製方法である。
【0012】
上記の半導体装置の作製方法において、不純物除去処理を行った酸化物半導体膜表面における塩素濃度を5×1018atoms/cm以下とするのが好ましい。
【0013】
また、上記の半導体装置の作製方法において、不純物除去処理として、酸素プラズマ処理又は一酸化二窒素プラズマ処理、または、希フッ酸溶液による処理を行うことができる。
【0014】
また、本発明の一態様は、絶縁表面上にゲート電極層を形成し、ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に島状の酸化物半導体膜を形成し、島状の酸化物半導体膜を覆う絶縁層を形成し、絶縁層を、ハロゲン元素を含むエッチングガスを用いたプラズマ処理によって加工して、ゲート電極層と重畳する位置に、チャネル保護膜として機能する絶縁層を形成し、酸化物半導体膜に第1の不純物除去処理を行い、エッチングガスに含まれる元素を除去し、島状の酸化物半導体膜及びチャネル保護膜として機能する絶縁層を覆う導電膜を形成し、導電膜を、ハロゲン元素を含むエッチングガスを用いたプラズマ処理によって加工して、ソース電極層及びドレイン電極層を形成することで、酸化物半導体膜の一部を露出させ、露出した酸化物半導体膜に第2の不純物除去処理を行い、エッチングガスに含まれる元素を除去する半導体装置の作製方法である。
【0015】
また、本発明の他の一態様は、絶縁表面上に設けられたゲート電極層と、ゲート電極層上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた島状の酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に設けられ、ゲート電極層と重畳する絶縁層と、酸化物半導体膜及び絶縁層に接するソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、ソース電極層及びドレイン電極層のチャネル幅方向の長さは、酸化物半導体膜のチャネル幅方向の長さよりも短く、酸化物半導体膜表面における塩素濃度は、5×1018atoms/cm以下である半導体装置である。
【0016】
また、上記の半導体装置において、酸化物半導体膜において、絶縁層、ソース電極層又はドレイン電極層と重畳する領域の膜厚は、絶縁層、ソース電極層又はドレイン電極層のいずれとも重畳しない領域の膜厚よりも大きいことがある。
【0017】
または、上記の半導体装置において、酸化物半導体膜は、全ての領域において、絶縁層、ソース電極層又はドレイン電極層のいずれかと重畳することがある。
【0018】
また、本発明の一態様は、絶縁表面上に設けられたゲート電極層と、ゲート電極層上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた島状の酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に設けられ、ゲート電極層と重畳する絶縁層と、酸化物半導体膜及び絶縁層に接するソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、ソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜のチャネル幅方向の端部を覆い、酸化物半導体膜表面における塩素濃度は、5×1018atoms/cm以下である半導体装置である。
【0019】
また、上記の半導体装置において、酸化物半導体膜において、絶縁層と重畳する領域の膜厚は、ソース電極層又はドレイン電極層と重畳する領域の膜厚よりも大きいことがある。
【0020】
チャネル保護膜として機能する絶縁層、ソース電極層又はドレイン電極層等の酸化物半導体膜上に接する膜のパターン形成には、ハロゲン元素を含むエッチングガスを用いたプラズマ処理が好適に用いられる。しかしながら、ハロゲン元素を含むエッチングガスに酸化物半導体膜が曝されると、該エッチングガスに含まれるハロゲン元素(例えば、塩素、フッ素)によって酸化物半導体膜中の酸素が引き抜かれてしまい、酸化物半導体膜の界面近傍に酸素欠損が形成される恐れがある。酸化物半導体膜に酸素欠損が生じると、酸化物半導体膜のバックチャネルが低抵抗化(n型化)してしまい、寄生チャネルが形成される恐れがある。
【0021】
例えば、酸化物半導体膜として、インジウムを含む酸化物半導体材料を用い、酸化物半導体膜に接して設けられるソース電極層及びドレイン電極層の加工に三塩化ホウ素(BCl)を含むエッチングガスを用いた場合、酸化物半導体膜中のIn−O−In結合と、エッチングガスに含まれるClが反応して、In−Cl結合と、酸素が脱離したIn元素とを含む酸化物半導体膜となることがある。酸素が脱離したIn元素は、未結合手を有するため、酸化物半導体膜中において酸素が脱離した箇所では酸素欠損が存在する。
【0022】
また、ハロゲン元素を含むエッチングガスに含まれるハロゲン以外の元素(例えば、ボロン)も、酸化物半導体膜のバックチャネルが低抵抗化(n型化)する要因の一つとなりうる。
【0023】
本発明の一態様では、酸化物半導体膜上に設けられる絶縁層及び/又はソース電極層及びドレイン電極層のエッチング加工後、不純物除去処理を行うことにより、酸化物半導体膜の低抵抗化を引き起こしうる、塩素、ボロン等のエッチングガスに含まれる元素を除去する。よって、半導体装置の高信頼性化を図ることが可能となる。
【発明の効果】
【0024】
酸化物半導体を用いたトランジスタを有する信頼性の高い半導体装置を提供する。
【図面の簡単な説明】
【0025】
【図1】半導体装置の一形態を説明する平面図及び断面図。
【図2】半導体装置の作製方法の一形態を説明する断面図。
【図3】半導体装置の一形態を説明する平面図及び断面図。
【図4】半導体装置の一態様を説明する平面図及び断面図。
【図5】半導体装置の一態様を説明する平面図及び断面図。
【図6】半導体装置の一形態を説明する平面図及び断面図。
【図7】半導体装置の作製方法の一形態を説明する断面図。
【図8】半導体装置の一形態を説明する平面図及び断面図。
【図9】半導体装置の一形態を説明する平面図。
【図10】半導体装置の一形態を説明する平面図及び断面図。
【図11】半導体装置の一形態を示す断面図。
【図12】半導体装置の一形態を示す等価回路及び断面図。
【図13】電子機器を示す図。
【図14】電子機器を示す図。
【図15】SIMS測定結果を示す図。
【図16】希フッ酸処理の有無と抵抗率の関係を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【0026】
以下では、本明細書に開示する発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本明細書に開示する発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本明細書に開示する発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、第1、第2として付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順又は積層順を示すものではない。また、本明細書において発明を特定するための事項として固有の名称を示すものではない。
【0027】
(実施の形態1)
本実施の形態では、半導体装置及び半導体装置の作製方法の一形態を、図1乃至図5を用いて説明する。本実施の形態では、半導体装置の一例として酸化物半導体膜を有するトランジスタを示す。
【0028】
トランジスタはチャネル形成領域が1つ形成されるシングルゲート構造でも、2つ形成されるダブルゲート構造もしくは3つ形成されるトリプルゲート構造であってもよい。また、チャネル形成領域の上下にゲート絶縁膜を介して配置された2つのゲート電極層を有する、デュアルゲート型でもよい。
【0029】
図1に示すトランジスタ440は、ボトムゲート構造の一つであり、逆スタガ型トランジスタともいうトランジスタの一例である。なお、図1(A)は、トランジスタ440の平面図であり、図1(B)は、図1(A)のX1−Y1における断面図であり、図1(C)は、図1(A)のX2−Y2における断面図である。
【0030】
図1に示すトランジスタ440は、絶縁表面を有する基板400上に設けられたゲート電極層401と、ゲート電極層401上に設けられたゲート絶縁膜402と、ゲート絶縁膜402上に設けられた島状の酸化物半導体膜403と、酸化物半導体膜403上に設けられ、ゲート電極層401と重畳する絶縁層413と、酸化物半導体膜403及び絶縁層413に接するソース電極層405a及びドレイン電極層405bと、を有する。また、基板400上に設けられた下地絶縁膜436、トランジスタ440を覆う層間絶縁膜408及び平坦化絶縁膜409をトランジスタ440の構成要素に含めてもよい。
【0031】
トランジスタ440において、ソース電極層405a及びドレイン電極層405bのチャネル幅方向の長さ(w2)は、酸化物半導体膜403のチャネル幅方向の長さ(w1)よりも短く、酸化物半導体膜403の表面の一部は、層間絶縁膜408と接している。
【0032】
酸化物半導体膜403は、トランジスタ440の作製工程において不純物除去処理が施されており、その表面は、酸化物半導体膜403上に接して設けられるソース電極層405a及びドレイン電極層405b等を形成する際に用いられるエッチングガスに含まれる元素の残存が極めて少ない。具体的には、酸化物半導体膜403の表面における塩素濃度は、5×1018atoms/cm以下、好ましくは1×1018atoms/cm以下であり、ボロン濃度は、5×1018atoms/cm以下、好ましくは1×1018atoms/cm以下である。
【0033】
酸化物半導体膜403に用いる酸化物半導体としては、少なくともインジウム(In)を含む。特にInと亜鉛(Zn)を含むことが好ましい。また、該酸化物半導体膜を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすためのスタビライザーとして、それらに加えてガリウム(Ga)を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてスズ(Sn)を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてハフニウム(Hf)を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてアルミニウム(Al)を有することが好ましい。また、スタビライザーとしてジルコニウム(Zr)を有することが好ましい。
【0034】
また、他のスタビライザーとして、ランタノイドである、ランタン(La)、セリウム(Ce)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)、ルテチウム(Lu)のいずれか一種あるいは複数種を有してもよい。
【0035】
例えば、酸化物半導体として、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、二元系金属の酸化物であるIn−Zn系酸化物、In−Mg系酸化物、In−Ga系酸化物、三元系金属の酸化物であるIn−Ga−Zn系酸化物(IGZOとも表記する)、In−Al−Zn系酸化物、In−Sn−Zn系酸化物、In−Hf−Zn系酸化物、In−La−Zn系酸化物、In−Ce−Zn系酸化物、In−Pr−Zn系酸化物、In−Nd−Zn系酸化物、In−Sm−Zn系酸化物、In−Eu−Zn系酸化物、In−Gd−Zn系酸化物、In−Tb−Zn系酸化物、In−Dy−Zn系酸化物、In−Ho−Zn系酸化物、In−Er−Zn系酸化物、In−Tm−Zn系酸化物、In−Yb−Zn系酸化物、In−Lu−Zn系酸化物、四元系金属の酸化物であるIn−Sn−Ga−Zn系酸化物、In−Hf−Ga−Zn系酸化物、In−Al−Ga−Zn系酸化物、In−Sn−Al−Zn系酸化物、In−Sn−Hf−Zn系酸化物、In−Hf−Al−Zn系酸化物を用いることができる。
【0036】
なお、ここで、例えば、In−Ga−Zn系酸化物とは、InとGaとZnを主成分として有する酸化物という意味であり、InとGaとZnの比率は問わない。また、InとGaとZn以外の金属元素が入っていてもよい。
【0037】
また、酸化物半導体として、InMO(ZnO)(m>0、且つ、mは整数でない)で表記される材料を用いてもよい。なお、Mは、Ga、Fe、Mn及びCoから選ばれた一の金属元素または複数の金属元素を示す。また、酸化物半導体として、InSnO(ZnO)(n>0、且つ、nは整数)で表記される材料を用いてもよい。
【0038】
例えば、In:Ga:Zn=1:1:1(=1/3:1/3:1/3)、In:Ga:Zn=2:2:1(=2/5:2/5:1/5)、In:Ga:Zn=1:3:2(=1/6:1/2:1/3)、あるいはIn:Ga:Zn=3:1:2(=1/2:1/6:1/3)の原子数比のIn−Ga−Zn系酸化物やその組成の近傍の酸化物を用いることができる。あるいは、In:Sn:Zn=1:1:1(=1/3:1/3:1/3)、In:Sn:Zn=2:1:3(=1/3:1/6:1/2)あるいはIn:Sn:Zn=2:1:5(=1/4:1/8:5/8)の原子数比のIn−Sn−Zn系酸化物やその組成の近傍の酸化物を用いるとよい。
【0039】
例えば、In−Sn−Zn系酸化物では比較的容易に高い移動度が得られる。しかしながら、In−Ga−Zn系酸化物でも、バルク内欠陥密度を低くすることにより移動度を上げることができる。
【0040】
なお、例えば、In、Ga、Znの原子数比がIn:Ga:Zn=a:b:c(a+b+c=1)である酸化物の組成が、原子数比がIn:Ga:Zn=A:B:C(A+B+C=1)の酸化物の組成の近傍であるとは、a、b、cが、(a−A)+(b−B)+(c−C)≦rを満たすことをいい、rは、例えば、0.05とすればよい。他の酸化物でも同様である。
【0041】
しかし、酸化物半導体は、これらに限られず、必要とする半導体特性(移動度、しきい値、ばらつき等)に応じて適切な組成のものを用いればよい。また、必要とする半導体特性を得るために、キャリア濃度や不純物濃度、欠陥密度、金属元素と酸素の原子数比、原子間距離、密度等を適切なものとすることが好ましい。また、組成に代表されるこれらの条件が互いに異なる酸化物半導体膜を、積層する構成としても良いし、チャネル形成領域とソース領域およびドレイン領域とに適宜設ける構成としても良い。
【0042】
例えば、酸化物半導体膜403を、第1の酸化物半導体膜、第2の酸化物半導体膜および第3の酸化物半導体膜の順番で積層して、各々を異なる組成としてもよい。例えば、第1の酸化物半導体膜および第3の酸化物半導体膜に三元系金属の酸化物を用い、第2の酸化物半導体膜に二元系金属の酸化物を用いてもよい。好ましくは、第1の酸化物半導体膜乃至第3の酸化物半導体膜が同一成分を含む材料を用いることが望ましい。同一成分を含む材料を用いる場合、第1の酸化物半導体膜の結晶層を種として第1の酸化物半導体膜上に第2の酸化物半導体膜を形成できるため、第2の酸化物半導体膜の結晶成長が行いやすくなる。なお、第3の酸化物半導体膜についても同様のことが言える。また、同一成分を含む材料である場合には、密着性などの界面物性や電気的特性も良好である。
【0043】
また、第1の酸化物半導体膜、第2の酸化物半導体膜および第3の酸化物半導体膜の構成元素を同一とし、組成を異ならせてもよい。例えば、第1の酸化物半導体膜および第3の酸化物半導体膜の原子数比をIn:Ga:Zn=1:1:1とし、第2の酸化物半導体膜の原子数比をIn:Ga:Zn=3:1:2としてもよい。また、第1の酸化物半導体膜および第3の酸化物半導体膜の原子数比をIn:Ga:Zn=1:3:2とし、第2の酸化物半導体膜の原子数比をIn:Ga:Zn=3:1:2としてもよい。また、第1の酸化物半導体膜の原子数比をIn:Ga:Zn=1:3:2とし、第2の酸化物半導体膜の原子数比をIn:Ga:Zn=3:1:2とし、第3の酸化物半導体膜の原子数比をIn:Ga:Zn=1:1:1としてもよい。
【0044】
酸化物半導体膜403は、単結晶、多結晶(ポリクリスタルともいう。)または非晶質などの状態をとる。
【0045】
好ましくは、酸化物半導体膜403は、CAAC−OS(C Axis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor)膜とする。
【0046】
CAAC−OS膜は、完全な単結晶ではなく、完全な非晶質でもない。CAAC−OS膜は、非晶質相に結晶部を有する結晶−非晶質混相構造の酸化物半導体膜である。なお、当該結晶部は、一辺が100nm未満の立方体内に収まる大きさであることが多い。また、透過型電子顕微鏡(TEM:Transmission Electron Microscope)による観察像では、CAAC−OS膜に含まれる非晶質部と結晶部との境界は明確ではない。また、TEMによってCAAC−OS膜には粒界(グレインバウンダリーともいう。)は確認できない。そのため、CAAC−OS膜は、粒界に起因する電子移動度の低下が抑制される。
【0047】
CAAC−OS膜に含まれる結晶部は、c軸がCAAC−OS膜の被形成面の法線ベクトルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に揃い、かつab面に垂直な方向から見て三角形状または六角形状の原子配列を有し、c軸に垂直な方向から見て金属原子が層状または金属原子と酸素原子とが層状に配列している。なお、異なる結晶部間で、それぞれa軸およびb軸の向きが異なっていてもよい。本明細書において、単に垂直と記載する場合、85°以上95°以下の範囲も含まれることとする。また、単に平行と記載する場合、−5°以上5°以下の範囲も含まれることとする。
【0048】
なお、CAAC−OS膜において、結晶部の分布が一様でなくてもよい。例えば、CAAC−OS膜の形成過程において、酸化物半導体膜の表面側から結晶成長させる場合、被形成面の近傍に対し表面の近傍では結晶部の占める割合が高くなることがある。また、CAAC−OS膜へ不純物を添加することにより、当該不純物添加領域において結晶部が非晶質化することもある。
【0049】
CAAC−OS膜に含まれる結晶部のc軸は、CAAC−OS膜の被形成面の法線ベクトルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に揃うため、CAAC−OS膜の形状(被形成面の断面形状または表面の断面形状)によっては互いに異なる方向を向くことがある。なお、結晶部のc軸の方向は、CAAC−OS膜が形成されたときの被形成面の法線ベクトルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向となる。結晶部は、成膜することにより、または成膜後に加熱処理などの結晶化処理を行うことにより形成される。
【0050】
CAAC−OS膜を用いたトランジスタは、可視光や紫外光の照射による電気特性の変動を低減することが可能である。よって、当該トランジスタは、信頼性が高い。
【0051】
なお、酸化物半導体膜を構成する酸素の一部は窒素で置換されてもよい。
【0052】
また、CAAC−OSのように結晶部を有する酸化物半導体では、よりバルク内欠陥を低減することができ、表面の平坦性を高めればアモルファス状態の酸化物半導体以上の移動度を得ることができる。表面の平坦性を高めるためには、平坦な表面上に酸化物半導体を形成することが好ましく、具体的には、平均面粗さ(Ra)が1nm以下、好ましくは0.3nm以下、より好ましくは0.1nm以下の表面上に形成するとよい。
【0053】
なお、Raは、JIS B 0601:2001(ISO4287:1997)で定義されている算術平均粗さを曲面に対して適用できるよう三次元に拡張したものであり、「基準面から指定面までの偏差の絶対値を平均した値」と表現でき、以下の式にて定義される。
【0054】
【数1】

【0055】
ここで、指定面とは、粗さ計測の対象となる面であり、座標(x,y,f(x,y)),(x,y,f(x,y)),(x,y,f(x,y)),(x,y,f(x,y))の4点で表される四角形の領域とし、指定面をxy平面に投影した長方形の面積をS、基準面の高さ(指定面の平均の高さ)をZとする。Raは原子間力顕微鏡(AFM:Atomic Force Microscope)にて測定可能である。
【0056】
ただし、本実施の形態で説明するトランジスタ440は、ボトムゲート型であるため、酸化物半導体膜403の下方には基板400とゲート電極層401とゲート絶縁膜402が存在している。従って、上記平坦な表面を得るためにゲート電極層401及びゲート絶縁膜402を形成した後、CMP処理などの平坦化処理を行ってもよい。
【0057】
酸化物半導体膜403の膜厚は、1nm以上30nm以下(好ましくは5nm以上10nm以下)とし、スパッタリング法、MBE(Molecular Beam Epitaxy)法、CVD法、パルスレーザ堆積法、ALD(Atomic Layer Deposition)法等を適宜用いることができる。また、酸化物半導体膜403は、スパッタリングターゲット表面に対し、概略垂直に複数の基板表面がセットされた状態で成膜を行うスパッタ装置(Columner Plasma Sputtering system)を用いて成膜してもよい。
【0058】
図1に示すトランジスタ440の作製方法の一例について図2を用いて説明する。
【0059】
はじめに、絶縁表面を有する基板400上に下地絶縁膜436を形成する。
【0060】
絶縁表面を有する基板400に使用することができる基板に大きな制限はないが、少なくとも、後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有していることが必要となる。例えば、バリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、セラミック基板、石英基板、サファイア基板などを用いることができる。また、シリコンや炭化シリコンなどの単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウムなどの化合物半導体基板、SOI基板などを適用することもでき、これらの基板上に半導体素子が設けられたものを、基板400として用いてもよい。
【0061】
また、基板400として、可撓性基板を用いて半導体装置を作製してもよい。可撓性を有する半導体装置を作製するには、可撓性基板上に酸化物半導体膜403を含むトランジスタ440を直接作製してもよいし、他の作製基板に酸化物半導体膜403を含むトランジスタ440を作製し、その後可撓性基板に剥離、転置してもよい。なお、作製基板から可撓性基板に剥離、転置するために、作製基板と酸化物半導体膜を含むトランジスタ440との間に剥離層を設けるとよい。
【0062】
下地絶縁膜436としては、プラズマCVD法又はスパッタリング法等により、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウムなどの酸化物絶縁材料、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウムなどの窒化物絶縁材料、又はこれらの混合材料を用いて形成することができる。なお、下地絶縁膜436は、必ずしも設けなくともよい。
【0063】
基板400、(又は基板400及び下地絶縁膜436)に加熱処理を行ってもよい。例えば、高温のガスを用いて加熱処理を行うGRTA(Gas Rapid Thermal Anneal)装置により、650℃、1分〜5分間、加熱処理を行えばよい。なお、GRTAにおける高温のガスには、アルゴンなどの希ガス、または窒素のような、加熱処理によって被処理物と反応しない不活性気体が用いられる。また、電気炉により、500℃、30分〜1時間、加熱処理を行ってもよい。
【0064】
次に下地絶縁膜436上に導電膜を形成し、該導電膜をエッチングして、ゲート電極層401(これと同じ層で形成される配線を含む)を形成する。導電膜のエッチングは、ドライエッチングでもウェットエッチングでもよく、両方を用いてもよい。
【0065】
ゲート電極層401の材料は、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、クロム、ネオジム、スカンジウム等の金属材料またはこれらを主成分とする合金材料を用いて形成することができる。また、ゲート電極層401としてリン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜、ニッケルシリサイドなどのシリサイド膜を用いてもよい。ゲート電極層401は、単層構造としてもよいし、積層構造としてもよい。
【0066】
また、ゲート電極層401の材料は、酸化インジウム酸化スズ、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、酸化インジウム酸化亜鉛、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの導電性材料を適用することもできる。また、上記導電性材料と、上記金属材料の積層構造とすることもできる。
【0067】
また、ゲート絶縁膜402と接するゲート電極層401として、窒素を含む金属酸化物、具体的には、窒素を含むIn−Ga−Zn−O膜や、窒素を含むIn−Sn−O膜や、窒素を含むIn−Ga−O膜や、窒素を含むIn−Zn−O膜や、窒素を含むSn−O膜や、窒素を含むIn−O膜や、金属窒化膜(InN、SnNなど)を用いることができる。これらの膜は5eV(電子ボルト)、好ましくは5.5eV(電子ボルト)以上の仕事関数を有し、ゲート電極層として用いた場合、トランジスタの電気特性のしきい値電圧をプラスにすることができ、所謂ノーマリーオフのスイッチング素子を実現できる。
【0068】
本実施の形態では、スパッタリング法により膜厚100nmのタングステン膜を形成する。
【0069】
また、ゲート電極層401形成後に、基板400、及びゲート電極層401に加熱処理を行ってもよい。例えば、GRTA装置により、650℃、1分〜5分間、加熱処理を行えばよい。また、電気炉により、500℃、30分〜1時間、加熱処理を行ってもよい。
【0070】
次いで、ゲート電極層401上にゲート絶縁膜402を形成する。
【0071】
なお、ゲート絶縁膜402の被覆性を向上させるために、ゲート電極層401表面に平坦化処理を行ってもよい。特にゲート絶縁膜402として膜厚の薄い絶縁膜を用いる場合、ゲート電極層401表面の平坦性が良好であることが好ましい。
【0072】
ゲート絶縁膜402の膜厚は、1nm以上20nm以下とし、スパッタリング法、MBE法、CVD法、パルスレーザ堆積法、ALD法等を適宜用いることができる。また、ゲート絶縁膜402は、スパッタリングターゲット表面に対し、概略垂直に複数の基板表面がセットされた状態で成膜を行うスパッタ装置を用いて成膜してもよい。
【0073】
ゲート絶縁膜402の材料としては、酸化シリコン膜、酸化ガリウム膜、酸化アルミニウム膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜、または窒化酸化シリコン膜を用いて形成することができる。
【0074】
また、ゲート絶縁膜402の材料として酸化ハフニウム、酸化イットリウム、ハフニウムシリケート(HfSi(x>0、y>0))、窒素が添加されたハフニウムシリケート(HfSiO(x>0、y>0))、ハフニウムアルミネート(HfAl(x>0、y>0))、酸化ランタンなどのhigh−k材料を用いることでゲートリーク電流を低減できる。さらに、ゲート絶縁膜402は、単層構造としても良いし、積層構造としても良い。
【0075】
ゲート絶縁膜402は、酸化物半導体膜403と接する部分において酸素を含むことが好ましい。特に、ゲート絶縁膜402は、膜中(バルク中)に少なくとも化学量論比を超える量の酸素が存在することが好ましく、例えば、ゲート絶縁膜402として、酸化シリコン膜を用いる場合には、SiO2+α(ただし、α>0)とする。
【0076】
酸素の供給源となる酸素を多く(過剰に)含むゲート絶縁膜402を酸化物半導体膜403と接して設けることによって、該ゲート絶縁膜402から酸化物半導体膜403へ酸素を供給することができる。酸化物半導体膜403及びゲート絶縁膜402を少なくとも一部が接した状態で加熱処理を行うことによって酸化物半導体膜403への酸素の供給を行ってもよい。
【0077】
酸化物半導体膜403へ酸素を供給することにより、膜中の酸素欠損を補填することができる。さらに、ゲート絶縁膜402は、作製するトランジスタのサイズやゲート絶縁膜402の段差被覆性を考慮して形成することが好ましい。
【0078】
本実施の形態では、高密度プラズマCVD法により膜厚200nmの酸化窒化シリコン膜を形成する。
【0079】
また、ゲート絶縁膜402形成後に、基板400、ゲート電極層401、及びゲート絶縁膜402に加熱処理を行ってもよい。例えば、GRTA装置により、650℃、1分〜5分間、加熱処理を行えばよい。また、電気炉により、500℃、30分〜1時間、加熱処理を行ってもよい。
【0080】
次に、ゲート絶縁膜402上に酸化物半導体膜403を形成する。
【0081】
酸化物半導体膜403の形成工程において、酸化物半導体膜403に水素、又は水がなるべく含まれないようにするために、酸化物半導体膜403の成膜の前処理として、スパッタリング装置の予備加熱室でゲート絶縁膜402が形成された基板を予備加熱し、基板及びゲート絶縁膜402に吸着した水素、水分などの不純物を脱離し排気することが好ましい。なお、予備加熱室に設ける排気手段はクライオポンプが好ましい。
【0082】
ゲート絶縁膜402において酸化物半導体膜403が接して形成される領域に、平坦化処理を行ってもよい。平坦化処理としては、特に限定されないが、研磨処理(例えば、化学的機械研磨法(Chemical Mechanical Polishing:CMP))、ドライエッチング処理、プラズマ処理を用いることができる。
【0083】
プラズマ処理としては、例えば、アルゴンガスを導入してプラズマを発生させる逆スパッタリングを行うことができる。逆スパッタリングとは、アルゴン雰囲気下で基板側にRF電源を用いて電圧を印加して基板近傍にプラズマを形成して表面を改質する方法である。なお、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウム、酸素などを用いてもよい。逆スパッタリングを行うと、ゲート絶縁膜402の表面に付着している粉状物質(パーティクル、ごみともいう)を除去することができる。
【0084】
平坦化処理として、研磨処理、ドライエッチング処理、プラズマ処理は複数回行ってもよく、それらを組み合わせて行ってもよい。また、組み合わせて行う場合、工程順も特に限定されず、ゲート絶縁膜402表面の凹凸状態に合わせて適宜設定すればよい。
【0085】
なお、酸化物半導体膜403は、成膜時に酸素が多く含まれるような条件(例えば、酸素100%の雰囲気下でスパッタリング法により成膜を行うなど)で成膜して、酸素を多く含む(好ましくは酸化物半導体が結晶状態における化学量論的組成に対し、酸素の含有量が過剰な領域が含まれている)膜とすることが好ましい。
【0086】
なお、本実施の形態において、酸化物半導体膜403として、AC電源装置を有するスパッタリング装置を用いたスパッタリング法を用い、膜厚35nmのIn−Ga−Zn系酸化物膜(IGZO膜)を成膜する。本実施の形態において、In:Ga:Zn=1:1:1(=1/3:1/3:1/3)の原子比のIn−Ga−Zn系酸化物ターゲットを用いる。なお、成膜条件は、酸素及びアルゴン雰囲気下(酸素流量比率50%)、圧力0.6Pa、電源電力5kW、基板温度170℃とする。この成膜条件での成膜速度は、16nm/minである。
【0087】
酸化物半導体膜403を、成膜する際に用いるスパッタリングガスは水素、水、水酸基又は水素化物などの不純物が除去された高純度ガスを用いることが好ましい。
【0088】
減圧状態に保持された成膜室内に基板を保持する。そして、成膜室内の残留水分を除去しつつ水素及び水分が除去されたスパッタガスを導入し、上記ターゲットを用いて基板400上に酸化物半導体膜403を成膜する。成膜室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプ、例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい。また、排気手段としては、ターボ分子ポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。クライオポンプを用いて排気した成膜室は、例えば、水素原子、水(HO)など水素原子を含む化合物(より好ましくは炭素原子を含む化合物も)等が排気されるため、当該成膜室で成膜した酸化物半導体膜403に含まれる不純物の濃度を低減できる。
【0089】
また、ゲート絶縁膜402を大気に解放せずにゲート絶縁膜402と酸化物半導体膜403を連続的に形成することが好ましい。ゲート絶縁膜402を大気に曝露せずにゲート絶縁膜402と酸化物半導体膜403を連続して形成すると、ゲート絶縁膜402表面に水素や水分などの不純物が吸着することを防止することができる。
【0090】
酸化物半導体膜403としてCAAC−OS膜を用いる場合、例えば、多結晶である酸化物半導体スパッタリング用ターゲットを用い、スパッタリング法によって成膜する。当該スパッタリング用ターゲットにイオンが衝突すると、スパッタリング用ターゲットに含まれる結晶領域がa−b面から劈開し、a−b面に平行な面を有する平板状またはペレット状のスパッタリング粒子として剥離することがある。この場合、当該平板状のスパッタリング粒子が、結晶状態を維持したまま基板に到達することで、スパッタリング用ターゲットの結晶状態が基板に転写され、CAAC−OS膜を成膜することができる。
【0091】
また、CAAC−OS膜を成膜するために、以下の条件を適用することが好ましい。
【0092】
成膜時の不純物混入を低減することで、不純物によって結晶状態が崩れることを抑制できる。例えば、成膜室内に存在する不純物(水素、水、二酸化炭素および窒素など)を低減すればよい。また、成膜ガス中の不純物を低減すればよい。具体的には、露点が−80℃以下、好ましくは−100℃以下である成膜ガスを用いる。
【0093】
また、成膜時の基板加熱温度を高めることで、基板到達後にスパッタリング粒子のマイグレーションが起こる。具体的には、基板加熱温度を100℃以上740℃以下、好ましくは200℃以上500℃以下として成膜する。成膜時の基板加熱温度を高めることで、平板状のスパッタリング粒子が基板に到達した場合、基板上でマイグレーションが起こり、スパッタリング粒子の平らな面が基板に付着する。
【0094】
また、成膜ガス中の酸素割合を高め、電力を最適化することで成膜時のプラズマダメージを軽減すると好ましい。成膜ガス中の酸素割合は、30体積%以上、好ましくは100体積%とする。
【0095】
スパッタリング用ターゲットの一例として、In−Ga−Zn−O化合物ターゲットについて以下に示す。
【0096】
InO粉末、GaO粉末およびZnO粉末を所定の比率で混合し、加圧処理後、1000℃以上1500℃以下の温度で加熱処理をすることで多結晶であるIn−Ga−Zn−O化合物ターゲットとする。なお、X、YおよびZは任意の正数である。ここで、所定の比率は、例えば、InO粉末、GaO粉末およびZnO粉末が、2:2:1、8:4:3、3:1:1、1:1:1、4:2:3または3:1:2のmol数比である。なお、粉末の種類、およびその混合する比率は、作製するスパッタリング用ターゲットによって適宜変更すればよい。
【0097】
酸化物半導体膜403は、膜状の酸化物半導体膜をフォトリソグラフィ工程により島状の酸化物半導体膜に加工して形成することができる。
【0098】
また、島状の酸化物半導体膜403を形成するためのレジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
【0099】
なお、酸化物半導体膜のエッチングは、ドライエッチングでもウェットエッチングでもよく、両方を用いてもよい。例えば、酸化物半導体膜のウェットエッチングに用いるエッチング液としては、燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液などを用いることができる。また、ITO−07N(関東化学社製)を用いてもよい。また、ICP(Inductively Coupled Plasma:誘導結合型プラズマ)エッチング法によるドライエッチングによってエッチング加工してもよい。
【0100】
また、酸化物半導体膜403に、過剰な水素(水や水酸基を含む)を除去(脱水化または脱水素化)するための加熱処理を行ってもよい。加熱処理の温度は、300℃以上700℃以下、または基板の歪み点未満とする。加熱処理は減圧下又は窒素雰囲気下などで行うことができる。
【0101】
また、酸化物半導体膜403として結晶性酸化物半導体膜を用いる場合、結晶化のための加熱処理を行ってもよい。
【0102】
本実施の形態では、加熱処理装置の一つである電気炉に基板を導入し、酸化物半導体膜403に対して窒素雰囲気下450℃において1時間、さらに窒素及び酸素雰囲気下450℃において1時間の加熱処理を行う。
【0103】
なお、加熱処理装置は電気炉に限られず、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によって、被処理物を加熱する装置を用いてもよい。例えば、GRTA(Gas Rapid Thermal Anneal)装置、LRTA(Lamp Rapid Thermal Anneal)装置等のRTA(Rapid Thermal Anneal)装置を用いることができる。LRTA装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプから発する光(電磁波)の輻射により、被処理物を加熱する装置である。GRTA装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。高温のガスには、アルゴンなどの希ガス、または窒素のような、加熱処理によって被処理物と反応しない不活性気体が用いられる。
【0104】
例えば、加熱処理として、650℃〜700℃の高温に加熱した不活性ガス中に基板を入れ、数分間加熱した後、基板を不活性ガス中から出すGRTAを行ってもよい。
【0105】
なお、加熱処理においては、窒素、またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスに、水、水素などが含まれないことが好ましい。または、熱処理装置に導入する窒素、またはヘリウム、ネオン、アルゴン等の希ガスの純度を、6N(99.9999%)以上好ましくは7N(99.99999%)以上(即ち不純物濃度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下)とすることが好ましい。
【0106】
また、加熱処理で酸化物半導体膜403を加熱した後、同じ炉に高純度の酸素ガス、高純度の一酸化二窒素ガス、又は超乾燥エア(CRDS(キャビティリングダウンレーザー分光法)方式の露点計を用いて測定した場合の水分量が20ppm(露点換算で−55℃)以下、好ましくは1ppm以下、より好ましくは10ppb以下の空気)を導入してもよい。酸素ガスまたは一酸化二窒素ガスに、水、水素などが含まれないことが好ましい。または、熱処理装置に導入する酸素ガスまたは一酸化二窒素ガスの純度を、6N以上好ましくは7N以上(即ち、酸素ガスまたは一酸化二窒素ガス中の不純物濃度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下)とすることが好ましい。酸素ガス又は一酸化二窒素ガスの作用により、脱水化または脱水素化処理による不純物の排除工程によって同時に減少してしまった酸化物半導体を構成する主成分材料である酸素を供給することによって、酸化物半導体膜403を高純度化及びi型(真性)化することができる。
【0107】
なお、脱水化又は脱水素化のための加熱処理を行うタイミングは、膜状の酸化物半導体膜の形成後でも、島状の酸化物半導体膜403形成後でもよい。
【0108】
また、脱水化又は脱水素化のための加熱処理は、複数回行ってもよく、他の加熱処理と兼ねてもよい。
【0109】
脱水化又は脱水素化のための加熱処理を、酸化物半導体膜403として島状に加工される前、膜状の酸化物半導体膜がゲート絶縁膜402を覆った状態で行うと、ゲート絶縁膜402に含まれる酸素が加熱処理によって放出されるのを防止することができるため好ましい。
【0110】
また、脱水化又は脱水素化処理を行った酸化物半導体膜403に、酸素(少なくとも、酸素ラジカル、酸素原子、酸素イオン、のいずれかを含む)を導入して膜中に酸素を供給してもよい。
【0111】
また、脱水化又は脱水素化処理によって、酸化物半導体を構成する主成分材料である酸素が同時に脱離して減少してしまうおそれがある。酸化物半導体膜において、酸素が脱離した箇所では酸素欠損が存在し、該酸素欠損に起因してトランジスタの電気的特性変動を招くドナー準位が生じてしまう。
【0112】
よって、脱水化又は脱水素化処理を行った酸化物半導体膜に、酸素(少なくとも、酸素ラジカル、酸素原子、酸素イオン、のいずれかを含む)を供給することが好ましい。酸化物半導体膜へ酸素を供給することにより、膜中の酸素欠損を補填することができる。
【0113】
脱水化又は脱水素化処理を行った酸化物半導体膜403に、酸素を導入して膜中に酸素を供給することによって、酸化物半導体膜403を高純度化、及びi型(真性)化することができる。高純度化し、i型(真性)化した酸化物半導体膜403を有するトランジスタは、電気特性変動が抑制されており、電気的に安定である。
【0114】
酸素の導入方法としては、イオン注入法、イオンドーピング法、プラズマイマージョンイオンインプランテーション法、プラズマ処理などを用いることができる。
【0115】
酸素の導入工程は、酸化物半導体膜403に酸素導入する場合、酸化物半導体膜403に直接導入してもよいし、絶縁層413などの他の膜を通過して酸化物半導体膜403へ導入してもよい。酸素を他の膜を通過して導入する場合は、イオン注入法、イオンドーピング法、プラズマイマージョンイオンインプランテーション法などを用いればよいが、酸素を露出された酸化物半導体膜403へ直接導入する場合は、プラズマ処理なども用いることができる。
【0116】
酸化物半導体膜403への酸素の導入は、脱水化又は脱水素化処理を行った後が好ましいが、特に限定されない。また、上記脱水化又は脱水素化処理を行った酸化物半導体膜403への酸素の導入は複数回行ってもよい。
【0117】
好ましくはトランジスタに設けられる酸化物半導体膜は、酸化物半導体が結晶状態における化学量論的組成に対し、酸素の含有量が過剰な領域が含まれている膜とするとよい。この場合、酸素の含有量は、酸化物半導体の化学量論比を超える程度とする。あるいは、酸素の含有量は、単結晶の場合の酸素の量を超える程度とする。酸化物半導体の格子間に酸素が存在する場合もある。
【0118】
水素若しくは水分を酸化物半導体から除去し、不純物が極力含まれないように高純度化し、酸素を供給して酸素欠損を補填することによりi型(真性)の酸化物半導体、又はi型(真性)に限りなく近い酸化物半導体とすることができる。そうすることにより、酸化物半導体のフェルミ準位(Ef)を真性フェルミ準位(Ei)と同じレベルにまですることができる。よって、該酸化物半導体膜をトランジスタに用いることで、酸素欠損に起因するトランジスタのしきい値電圧Vthのばらつき、しきい値電圧のシフトΔVthを低減することができる。
【0119】
次にゲート電極層401と重畳する酸化物半導体膜403のチャネル形成領域上に絶縁層413を形成する(図2(A)参照)。
【0120】
絶縁層413はプラズマCVD法、スパッタリング法により成膜した絶縁膜をエッチングにより加工して形成することができる。絶縁層413として、代表的には酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化ガリウム膜、窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜の単層又は積層を用いることができる。
【0121】
酸化物半導体膜403と接する絶縁層413(絶縁層413が積層構造であった場合、酸化物半導体膜403と接する膜)を、酸素を多く含む状態とすると、酸化物半導体膜403へ酸素を供給する供給源として好適に機能させることができる。
【0122】
本実施の形態では、絶縁層413として、スパッタリング法により膜厚200nmの酸化シリコン膜を形成する。酸化シリコン膜を選択的にエッチングして、断面形状が台形または三角形状であり、断面形状の下端部のテーパ角が60°以下、好ましくは45°以下、さらに好ましくは30°以下の絶縁層413を形成する。なお、絶縁層413の平面形状は矩形である。なお、本実施の形態では、フォトリソグラフィ工程により酸化シリコン膜上にレジストマスクを形成し、選択的にエッチングを行って絶縁層413の下端部のテーパ角を約30°とする。
【0123】
絶縁層413の形成後、加熱処理を行ってもよい。本実施の形態では、窒素雰囲気下300℃で1時間加熱処理を行う。
【0124】
次いで、ゲート電極層401、ゲート絶縁膜402、酸化物半導体膜403、及び絶縁層413上に、ソース電極層及びドレイン電極層(これと同じ層で形成される配線を含む)となる導電膜445を形成する(図2(B)参照)。
【0125】
導電膜445は後の加熱処理に耐えられる材料を用いる。ソース電極層、及びドレイン電極層に用いる導電膜445としては、例えば、Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、Wから選ばれた元素を含む金属膜、または上述した元素を成分とする金属窒化物膜(窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜)等を用いることができる。また、Al、Cuなどの金属膜の下側又は上側の一方または双方にTi、Mo、Wなどの高融点金属膜またはそれらの金属窒化物膜(窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜)を積層させた構成としても良い。また、ソース電極層、及びドレイン電極層に用いる導電膜445としては、導電性の金属酸化物で形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム(In)、酸化スズ(SnO)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化インジウム酸化スズ(In−SnO、ITOと略記する)、酸化インジウム酸化亜鉛(In−ZnO)またはこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
【0126】
フォトリソグラフィ工程により導電膜445上にレジストマスク448a、448bを形成し、選択的にエッチングを行ってソース電極層405a、ドレイン電極層405bを形成する(図2(C)参照)。ソース電極層405a、ドレイン電極層405bを形成した後、レジストマスクを除去する。
【0127】
導電膜445のエッチングには、ハロゲン元素を含むガス442を用いる。ハロゲン元素を含むガス442としては、例えば、六フッ化硫黄(SF)、四フッ化炭素(CF)、塩素(Cl)、三塩化硼素(BCl)、四塩化珪素(SiCl)、四塩化炭素(CCl)などを含むガスを用いることができる。
【0128】
エッチング法としては、平行平板型RIE(Reactive Ion Etching)法や、ICPエッチング法を用いることができる。所望の加工形状にエッチングできるように、エッチング条件(コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度等)を適宜調節する。
【0129】
本実施の形態では、導電膜445としてスパッタリング法により膜厚100nmのチタン膜、膜厚400nmのアルミニウム膜、膜厚100nmのチタン膜の積層を用いる。導電膜445のエッチングは、ドライエッチング法により、チタン膜、アルミニウム膜、チタン膜の積層をエッチングして、ソース電極層405a、ドレイン電極層405bを形成する。
【0130】
本実施の形態では、第1のエッチング条件で上層のチタン膜とアルミニウム膜の2層をエッチングした後、第2のエッチング条件で残りの下層のチタン膜単層を除去する。なお、第1のエッチング条件は、エッチングガス(BCl:Cl=750sccm:150sccm)を用い、バイアス電力を1500Wとし、ICP電源電力を0Wとし、圧力を2.0Paとする。第2のエッチング条件は、エッチングガス(BCl:Cl=700sccm:100sccm)を用い、バイアス電力を750Wとし、ICP電源電力を0Wとし、圧力を2.0Paとする。
【0131】
形成されたソース電極層405aのチャネル長方向の端部の一方は、絶縁層413の上面または側面に位置し、ドレイン電極層405bのチャネル長方向の端部の一方は、絶縁層413の上面または側面に位置する。また、図1(A)及び図1(C)に示すように、酸化物半導体膜403のチャネル幅方向の長さ(w1)は、ソース電極層405a及びドレイン電極層405bのチャネル幅方向の長さ(w2)よりも大きい。したがって、ソース電極層405aのチャネル幅方向の端部は、酸化物半導体膜403上に位置し、ドレイン電極層405bのチャネル幅方向の端部は、酸化物半導体膜403上に位置する。このため、酸化物半導体膜403の一部の領域(ソース電極層405a、ドレイン電極層405b及び絶縁層413のいずれとも重畳しない領域)は、ソース電極層405a及びドレイン電極層405b形成するために導電膜445をエッチング加工する際に露出されてハロゲン元素を含むガス442に曝される。
【0132】
ハロゲン元素を含むガス442に酸化物半導体膜403が曝され、該エッチングガスに含まれるハロゲン元素が酸化物半導体膜403表面に残存すると、ハロゲン元素によって酸化物半導体膜403中の酸素が引き抜かれてしまい、酸化物半導体膜403の界面近傍に酸素欠損が形成されることがある。また、ハロゲン元素を含むエッチングガスに含まれるハロゲン以外の元素(例えば、ボロン)も、酸化物半導体膜403のバックチャネルが低抵抗化(n型化)する要因の一つとなりうる。
【0133】
よって、ソース電極層405a及びドレイン電極層405bを形成後、酸化物半導体膜403表面及び該近傍における不純物(ここでは、エッチングガスに含まれる元素)を除去する処理を行う(図2(D)参照)。不純物除去処理は、溶液による処理、もしくは、酸素又は一酸化二窒素を用いたプラズマ処理によって行うことができる。溶液としては、水、アルカリ性溶液(例えば、現像液、アンモニア過水)、酸性溶液(例えば、希フッ酸(1/100希釈(0.5%フッ酸)、好ましくは1/10以上1/10以下希釈されたフッ酸))を好適に用いることができる。また、不純物除去処理は、上記の処理を組み合わせて行ってもよく、例えば、酸素を用いたプラズマ処理を行い、その後希フッ酸を用いた処理を行っても良い。
【0134】
図15に、洗浄処理を行わず、作製したトランジスタにおける酸化物半導体膜中の塩素濃度を測定した二次イオン質量分析法(SIMS:Secondary Ion Mass Spectrometry)の測定結果を示す。試料のトランジスタは洗浄処理を行わない他は本実施の形態のトランジスタ440と同様の構造であり、同様の材料及び方法で作製したトランジスタである。なお、測定範囲は、チャネル保護膜として機能する絶縁層が形成されていない領域であり、深さ方向に保護絶縁膜である酸化窒化シリコン膜(膜厚400nm)、酸化物半導体膜であるIGZO膜、ゲート絶縁膜である酸化窒化シリコン膜が積層されている。測定は、保護絶縁膜から深さ方向に行った。
【0135】
図15に示すように、酸化物半導体膜であるIGZO膜中の塩素濃度は1×1019atoms/cmより高く、酸化物半導体膜に塩素を含むことがわかる。
【0136】
本実施の形態においては、ソース電極層405a及びドレイン電極層405bを形成後に、エッチングガスに曝された酸化物半導体膜403に対して不純物除去処理を行うことによって、エッチングガスに含まれる元素(例えば、塩素、ボロン)を除去することができる。例えば、不純物除去処理後の酸化物半導体膜403表面における塩素濃度を5×1018atoms/cm以下(好ましくは1×1018atoms/cm以下)とし、ボロン濃度を5×1018atoms/cm以下(好ましくは1×1018atoms/cm以下)とすることができる。
【0137】
以上の工程で、本実施の形態のトランジスタ440が作製される(図2(E)参照)。
【0138】
なお、トランジスタ440を覆う層間絶縁膜408、トランジスタ440起因の表面凹凸を低減するための平坦化絶縁膜409を設けてもよい。
【0139】
層間絶縁膜408は、絶縁層413と同様な材料及び方法を用いて形成することができる。例えば、CVD法により形成した酸化窒化シリコン膜を400nm形成する。また、層間絶縁膜408の形成後、加熱処理を行ってもよい。例えば、窒素雰囲気下300℃で1時間加熱処理を行う。
【0140】
また、層間絶縁膜408として緻密性の高い無機絶縁膜を設けてもよい。例えば、層間絶縁膜408としてスパッタリング法により酸化アルミニウム膜を形成する。酸化アルミニウム膜を高密度(膜密度3.2g/cm以上、好ましくは3.6g/cm以上)とすることによって、トランジスタ440に安定な電気特性を付与することができる。膜密度はラザフォード後方散乱法(RBS:Rutherford Backscattering Spectrometry)や、X線反射率測定法(XRR:X−Ray Reflectometry)によって測定することができる。
【0141】
酸化アルミニウム膜は、トランジスタ440の保護絶縁膜として機能することができ、水素、水分などの不純物、及び酸素の両方に対して膜を通過させない遮断効果(ブロック効果)が高い。
【0142】
従って、酸化アルミニウム膜は、作製工程中及び作製後において、変動要因となる水素、水分などの不純物の酸化物半導体膜403への混入、及び酸化物半導体を構成する主成分材料である酸素の酸化物半導体膜403からの放出を防止する。
【0143】
また、平坦化絶縁膜409としては、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン系樹脂、等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料(low−k材料)等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、平坦化絶縁膜を形成してもよい。
【0144】
例えば、平坦化絶縁膜409として、膜厚1500nmのアクリル樹脂膜を形成すればよい。アクリル樹脂膜は塗布法による塗布後、焼成(例えば窒素雰囲気下250℃1時間)して形成することができる。
【0145】
平坦化絶縁膜409を形成後、加熱処理を行ってもよい。例えば、窒素雰囲気下250℃で1時間加熱処理を行う。
【0146】
このように、トランジスタ440形成後、加熱処理を行ってもよい。また、加熱処理は複数回行ってもよい。
【0147】
以上のように、エッチングガスに含まれる元素を除去する不純物除去処理を行うことによって、エッチングガスに含まれるハロゲン元素によって酸化物半導体膜403表面及び該近傍から酸素が引き抜かれること、または、エッチングガスに含まれるハロゲン以外の元素によって、酸化物半導体膜403のバックチャネルが低抵抗化(n型化)されることを防止できる。よって、当該酸化物半導体膜403を用いることで、安定した電気特性を有する信頼性の高いトランジスタ440とすることができる。
【0148】
図3に、本実施の形態に係るトランジスタの別の構成を示す。図3(A)は、トランジスタ450の平面図であり、図3(B)は、図3(A)のX3−Y3における断面図であり、図3(C)は、図3(A)のX4−Y4における断面図である。
【0149】
図3に示すトランジスタ450は、上述の不純物除去処理によって、ソース電極層405a、ドレイン電極層405bから露出した領域の酸化物半導体膜403がエッチングされ、当該領域の膜厚が減少した例である。例えば、1/10希釈フッ酸(0.05%フッ酸)で、IGZO膜を処理すると、1秒あたり1〜3nm膜厚が減少し、2/10希釈フッ酸(0.0025%フッ酸)で、IGZO膜を処理すると、1秒あたり0.1nm程度膜厚が減少する。
【0150】
トランジスタ450に含まれる酸化物半導体膜403において、絶縁層413、ソース電極層405a又はドレイン電極層405bと重畳する領域の膜厚は、絶縁層413、ソース電極層405a又はドレイン電極層405bのいずれとも重畳しない領域の膜厚よりも大きい。トランジスタ450において、酸化物半導体膜403の膜厚以外の構成は、トランジスタ440と同様の構成とすることができる。
【0151】
また、酸化物半導体膜403上に設けられる絶縁層413も、ハロゲン元素を含むエッチングガスを用いたプラズマ処理によって加工してもよい。この場合、絶縁層413を形成するためのエッチング処理後、不純物除去処理を行うことが好ましい。不純物除去処理は、上述のソース電極層405a及びドレイン電極層405b形成後の不純物除去処理と同様の方法を適用することができる。
【0152】
絶縁層413を形成後に、第1の不純物除去処理を行い、ソース電極層405a及びドレイン電極層405bを形成後に第2の不純物除去処理を行う場合、不純物除去処理の条件によっては、酸化物半導体膜403の一部がエッチングされることもある。
【0153】
図4に示すトランジスタ460は、上述の第1の不純物除去処理と、第2の不純物除去処理によって、それぞれ酸化物半導体膜403の膜厚が減少した例である。図4(A)は、トランジスタ460の平面図であり、図4(B)は、図4(A)のX5−Y5における断面図であり、図4(C)は、図4(A)のX6−Y6における断面図である。
【0154】
トランジスタ460は、第1の不純物除去処理によって、酸化物半導体膜403において絶縁層413と重畳しない領域の膜厚が減少し、第2の不純物除去処理によって、絶縁層413、ソース電極層405a及びドレイン電極層405bと重畳しない領域の膜厚が減少した例である。したがって、トランジスタ460に含まれる酸化物半導体膜403において、ソース電極層405a及びドレイン電極層405bと重畳する領域の膜厚は、絶縁層413、ソース電極層405a及びドレイン電極層405bのいずれとも重畳しない領域の膜厚よりも大きく、絶縁層413と重畳する領域の膜厚は、ソース電極層405a及びドレイン電極層405bと重畳する領域の膜厚よりも大きい。
【0155】
なお、本実施の形態はこれに限られず、例えば、第1の不純物除去処理によって、酸化物半導体膜403の一部の領域(絶縁層413と重畳しない領域)の膜厚が減少し、第2の不純物除去処理によっては、酸化物半導体膜403の膜厚の減少が起こらない場合もある。
【0156】
また、ソース電極層405a及びドレイン電極層405bを形成後の不純物処理によって(または、絶縁層413を形成後の第1の不純物除去処理と、ソース電極層405a及びドレイン電極層405bを形成後の第2の不純物除去処理の双方を行うことで)、絶縁層413、ソース電極層405a、及びドレイン電極層405bのいずれとも重畳しない領域の酸化物半導体膜403が除去される場合もある。
【0157】
図5に示すトランジスタ470は、絶縁層413、ソース電極層405a、及びドレイン電極層405bのいずれとも重畳しない領域の酸化物半導体膜403が除去された例である。図5(A)は、トランジスタ470の平面図であり、図5(B)は、図5(A)のX7−Y7における断面図であり、図5(C)は、図5(A)のX8−Y8における断面図である。
【0158】
トランジスタ470は、不純物除去処理によって、酸化物半導体膜403において絶縁層413、ソース電極層405a及びドレイン電極層405bと重畳しない領域が除去された例である。したがって、トランジスタ470に含まれる酸化物半導体膜403は全ての領域において、絶縁層413、ソース電極層405a又はドレイン電極層405bのいずれかと重畳する。
【0159】
不純物除去処理を行った酸化物半導体膜403を適用して半導体装置を作製することにより、酸化物半導体膜403の表面(酸化物半導体膜403と、絶縁層413、ソース電極層405aまたはドレイン電極層405bとの界面近傍)における、ハロゲン元素を含むエッチングガスに含まれる元素(例えば、塩素、フッ素、ボロンなど)の濃度を5×1018atoms/cm以下(好ましくは1×1018atoms/cm以下)とすることができる。
【0160】
従って、酸化物半導体膜403を用いて安定した電気特性を有するトランジスタを含む信頼性の高い半導体装置を提供することができる。また、信頼性の高い半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成することができる。
【0161】
以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【0162】
(実施の形態2)
本実施の形態では、実施の形態1とは異なる、半導体装置及び半導体装置の作製方法の一形態を、図6乃至図8を用いて説明する。本実施の形態では、半導体装置の一例として酸化物半導体膜を有するトランジスタを示す。
【0163】
トランジスタはチャネル形成領域が1つ形成されるシングルゲート構造でも、2つ形成されるダブルゲート構造もしくは3つ形成されるトリプルゲート構造であってもよい。また、チャネル形成領域の上下にゲート絶縁膜を介して配置された2つのゲート電極層を有する、デュアルゲート型でもよい。
【0164】
図6に示すトランジスタ480は、ボトムゲート構造の一つであり、逆スタガ型トランジスタともいうトランジスタの一例である。なお、図6(A)は、トランジスタ480の平面図であり、図6(B)は、図6(A)のX9−Y9における断面図であり、図6(C)は、図6(A)のX10−Y10における断面図である。
【0165】
図6に示すトランジスタ480は、絶縁表面を有する基板400上に設けられたゲート電極層401と、ゲート電極層401上に設けられたゲート絶縁膜402と、ゲート絶縁膜402上に設けられた島状の酸化物半導体膜403と、酸化物半導体膜403上に設けられ、ゲート電極層401と重畳する絶縁層413と、酸化物半導体膜403及び絶縁層413に接するソース電極層405a及びドレイン電極層405bと、を有する。また、基板400上に設けられた下地絶縁膜436、トランジスタ480を覆う層間絶縁膜408及び平坦化絶縁膜409をトランジスタ480の構成要素に含めてもよい。
【0166】
トランジスタ480において、ソース電極層405a及びドレイン電極層405bのチャネル幅方向の長さw2は、酸化物半導体膜403のチャネル幅方向の長さw1より長く、酸化物半導体膜のチャネル幅方向の端部までソース電極層405a及びドレイン電極層405bに覆われている。つまり、酸化物半導体膜403の絶縁層413と重畳していない領域は、ソース電極層405a及びドレイン電極層405bに覆われている。
【0167】
トランジスタ480は、ソース電極層405a及びドレイン電極層405bのチャネル幅方向の長さw2が、酸化物半導体膜403のチャネル幅方向の長さw1より長いと言う点でトランジスタ440と異なり、それ以外の構成はトランジスタ440と同様の構成とすることができる。
【0168】
ここで、トランジスタ480の作製工程において酸化物半導体膜403の表面には不純物除去処理が施されており、絶縁層413の形成に用いられるハロゲン元素を含むエッチングガスに含まれる元素が不純物として残存することを防ぐことができる。これにより、酸化物半導体膜403の表面(酸化物半導体膜403とソース電極層405aまたはドレイン電極層405bとの界面近傍)における、ハロゲン元素などの濃度を5×1018atoms/cm以下(好ましくは1×1018atoms/cm以下)とすることができ、具体的には、塩素の濃度を5×1018atoms/cm以下(好ましくは1×1018atoms/cm以下)とすることができる。また、フッ素の濃度を5×1018atoms/cm以下(好ましくは1×1018atoms/cm以下)とすることもできるし、ボロンの濃度を5×1018atoms/cm以下(好ましくは1×1018atoms/cm以下)とすることもできる。このように、酸化物半導体膜の低抵抗化を引き起こしうる不純物が低減されているので、当該酸化物半導体膜を用いた半導体装置の高信頼性化を図ることが可能となる。
【0169】
このようなトランジスタ480の作製方法について図7(A)乃至図7(E)を用いて説明する。
【0170】
まず、基板400上に下地絶縁膜436、ゲート電極層401、ゲート絶縁膜402および酸化物半導体膜403を形成し、酸化物半導体膜403を覆うように絶縁膜443を成膜する(図7(A)参照)。ここで、基板400、下地絶縁膜436、ゲート電極層401、ゲート絶縁膜402および酸化物半導体膜403の材料、作製方法などについては、実施の形態1に示すトランジスタ440と同様の構成とすればよい。また、絶縁膜443の材料、作製方法などについては、トランジスタ440の絶縁膜413の材料および成膜方法を参酌することができる。
【0171】
次に、ハロゲン元素を含むエッチングガス442を用いたプラズマ処理によって絶縁膜443を加工して、ゲート電極層401と重畳する位置にチャネル保護膜として機能する絶縁層413を形成する(図7(B)参照)。当該エッチング処理は、フォトリソグラフィ工程により絶縁膜443上にレジストマスク444を形成して選択的に行い、絶縁層413を形成した後レジストマスク444を除去する。その結果、ゲート電極層401と重畳し、且つ酸化物半導体膜403のチャネル形成領域上に接して絶縁層413が形成される。
【0172】
ここで、絶縁層413は、断面形状が台形または三角形状であり、断面形状の下端部のテーパ角が60°以下、好ましくは45°以下、さらに好ましくは30°以下とすることが好ましい。
【0173】
エッチング法としては、ドライエッチングを行うことが好ましく、例えば、平行平板型RIE法や、ICPエッチング法を用いることができる。所望の加工形状にエッチングできるように、エッチング条件(コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度等)を適宜調節する。
【0174】
ハロゲン元素を含むエッチングガス442としては、フッ素を含むガスまたは塩素を含むガスなどを用いることができる。フッ素を含むガスとしては、例えば、四フッ化炭素(CF)、六フッ化硫黄(SF)、三フッ化窒素(NF)、トリフルオロメタン(CHF)、オクタフルオロシクロブタン(C)などが挙げられる。絶縁膜443として酸化シリコンなどを含む絶縁膜を用いる場合には、このようなフッ素を含むガスを用いることで、容易にエッチングすることができる。また、塩素を含むガスとしては、例えば、塩素(Cl)、三塩化硼素(BCl)、四塩化珪素(SiCl)、四塩化炭素(CCl)などが挙げられる。絶縁膜443として酸化アルミニウムなどを含む絶縁膜を用いる場合には、このような塩素を含むガスを用いることで、容易にエッチングすることができる。
【0175】
なお、本実施の形態では、CFを用いて酸化シリコンからなる絶縁膜443を選択的にエッチングし、絶縁層413の下端部のテーパ角を約30°とする。
【0176】
このように、図7(B)に示す絶縁層413を形成するエッチング工程には、ハロゲン元素を含むエッチングガス442を用いる。しかし、ハロゲン元素を含むエッチングガス442に酸化物半導体膜403が曝されると、ハロゲン元素を含むエッチングガス442によって酸化物半導体膜403中の酸素が引き抜かれてしまい、酸化物半導体膜403の表面(酸化物半導体膜403とソース電極層405aまたはドレイン電極層405bとの界面近傍)に酸素欠損が形成される恐れがある。酸化物半導体膜403に酸素欠損が生じると、酸化物半導体膜403のバックチャネル側が低抵抗化(n型化)してしまい、寄生チャネルが形成される恐れがある。
【0177】
例えば、酸化物半導体膜403として、インジウムを含む酸化物半導体材料を用い、酸化物半導体膜403上に接して設けられる絶縁層413の加工に三塩化ホウ素(BCl)を含むエッチングガスを用いた場合、酸化物半導体膜中のIn−O−In結合と、エッチングガスに含まれるClが反応して、In−Cl結合と、酸素が脱離したIn元素とを含む膜となることがある。酸素が脱離したIn元素は、未結合手を有するため、酸化物半導体膜403中において酸素が脱離した箇所では酸素欠損が存在する。
【0178】
また、ハロゲン元素を含むエッチングガスに含まれるハロゲン以外の元素(例えば、ボロン)も、酸化物半導体膜403のバックチャネル側が低抵抗化(n型化)する要因の一つとなりうる。
【0179】
よって、絶縁層413の形成後、絶縁層413の表面および酸化物半導体膜403の表面(酸化物半導体膜403とソース電極層405aまたはドレイン電極層405bとの界面近傍)にハロゲン元素を含むエッチングガスに含まれる元素が不純物として残存することを防止するため、不純物除去処理を行う(図7(C)参照)。ここで当該不純物としては、例えば、塩素、フッ素、ボロンなどが挙げられる。
【0180】
当該不純物除去処理は、プラズマ処理、または溶液による処理によって行うことができる。プラズマ処理としては、酸素プラズマ処理または一酸化二窒素プラズマ処理などを好適に用いることができる。また、プラズマ処理として希ガス(代表的にはアルゴン)を用いてもよい。また、溶液による処理としては、希フッ酸溶液による洗浄処理を好適に用いることができる。例えば、希フッ酸溶液を用いる場合、希フッ酸を1/10乃至1/10程度、好ましくは1/10乃至1/10程度に希釈する。また、溶液による処理としてTMAH溶液などのアルカリ性の溶液による処理を行ってもよい。また、溶液の代わりに水を用いて洗浄処理を行ってもよい。
【0181】
このように不純物除去処理を行うことにより、酸化物半導体膜403の表面(酸化物半導体膜403とソース電極層405aまたはドレイン電極層405bとの界面近傍)における、ハロゲン元素を含むエッチングガスに含まれる元素(例えば、塩素、フッ素、ボロンなど)の濃度を5×1018atoms/cm以下(好ましくは1×1018atoms/cm以下)とすることができる。このように、酸化物半導体膜の低抵抗化を引き起こしうる不純物を除去できるので、当該酸化物半導体膜を用いた半導体装置の高信頼性化を図ることが可能となる。
【0182】
なお、絶縁層413の形成後、加熱処理を行ってもよい。本実施の形態では、窒素雰囲気下300℃で1時間加熱処理を行う。
【0183】
次いで、ゲート電極層401、ゲート絶縁膜402、酸化物半導体膜403、及び絶縁層413上に、導電膜を成膜し、当該導電膜を選択的にエッチングしてソース電極層405a及びドレイン電極層405b(これと同じ層で形成される配線を含む)を形成する(図7(D)参照)。ソース電極層405a、ドレイン電極層405bは、レジストマスクを形成した後フォトリソグラフィを用いて形成し、形成後にレジストマスクを除去する。その結果、ドレイン電極層405bの端部は、絶縁層413の上面または側面に位置し、ソース電極層405aの端部は、絶縁層413の上面または側面に位置する。
【0184】
ここで、ソース電極層405a及びドレイン電極層405bは、酸化物半導体膜403の絶縁層413と重畳していない領域を覆うように形成する。よって、図6(C)において示したように、ソース電極層405a及びドレイン電極層405bのチャネル幅方向の長さw2は、酸化物半導体膜403のチャネル幅方向の長さw1より長く、酸化物半導体膜403のチャネル幅方向の端部までソース電極層405a及びドレイン電極層405bに覆われることになる。
【0185】
ここで、ソース電極層405a及びドレイン電極層405bの材料、作製方法などについては、実施の形態1に示すトランジスタ440と同様の構成とすればよい。
【0186】
本実施の形態では、導電膜としてスパッタリング法により膜厚100nmのチタン膜、膜厚400nmのアルミニウム膜、膜厚100nmのチタン膜の積層を用いる。
【0187】
本実施の形態では、導電膜のエッチングは、エッチングガスとしてClとBClを用いたドライエッチング法により、チタン膜、アルミニウム膜、チタン膜の積層をエッチングして、ソース電極層405a、ドレイン電極層405bを形成する。
【0188】
このようにハロゲン元素を含むエッチングガスを用いると、上述のように当該エッチングガスに半導体装置が曝される。しかし、本実施の形態では、酸化物半導体膜が、絶縁層413、ソース電極層405aおよびドレイン電極層405bに覆われるように導電膜のエッチングを行うので、酸化物半導体膜が直接ハロゲン元素を含むエッチングガスに曝されるのを防ぐことができる。
【0189】
以上の工程で、本実施の形態に示すトランジスタ480が作製される(図7(E)参照)。
【0190】
さらに、図7(E)に示すように、トランジスタ480上に層間絶縁膜408および平坦化絶縁膜409を形成することもできる。ここで、層間絶縁膜408および平坦化絶縁膜409の材料、作製方法などについては、実施の形態1に示すトランジスタ440と同様の構成とすればよい。
【0191】
なお、トランジスタ480では、酸化物半導体膜403の膜厚が全体で略均一な例について示したが、本実施の形態はこれに限られるものではない。トランジスタ480とは異なる形態のトランジスタ490について図8を用いて説明する。
【0192】
図8に示すトランジスタ490は、ボトムゲート構造の一つであり、逆スタガ型トランジスタともいうトランジスタの一例である。図8(A)は、トランジスタ490の平面図であり、図8(B)は、図8(A)のX11−Y11における断面図であり、図8(C)は、図8(A)のX12−Y12における断面図である。
【0193】
図8に示すトランジスタ490は、上述の不純物除去処理によって、絶縁層413から露出した領域の酸化物半導体膜403がエッチングされ、当該領域の膜厚が減少した例である。
【0194】
トランジスタ490は、酸化物半導体膜403において、絶縁層413と接して重畳する領域の膜厚が、ソース電極層405aまたはドレイン電極層405bと接して重畳する領域の膜厚より大きくなっている点において、トランジスタ480と異なる。なお、トランジスタ490のその他の部分の構成はトランジスタ480と同様なので各構成の詳細についてはそちらを参照されたい。
【0195】
トランジスタ490は、トランジスタ480と同様の方法で作製することができ、図7(C)で示したように、絶縁層413の表面および酸化物半導体膜403の表面(酸化物半導体膜403とソース電極層405aまたはドレイン電極層405bとの界面近傍)にハロゲン元素を含むエッチングガスに含まれる元素が不純物として残存することを防止するため、不純物除去処理を行う。当該不純物除去処理は、図7(C)で示した工程と同様に、プラズマ処理、または溶液による処理によって行うことができる。プラズマ処理としては、酸素プラズマ処理または一酸化二窒素プラズマ処理などを好適に用いることができる。また、プラズマ処理として希ガス(代表的にはアルゴン)を用いてもよい。また、溶液による処理としては、希フッ酸溶液による洗浄処理を好適に用いることができる。例えば、希フッ酸溶液を用いる場合、希フッ酸を1/10乃至1/10程度、好ましくは1/10乃至1/10程度に希釈する。また、溶液による処理としてTMAH溶液などのアルカリ性の溶液による処理を行ってもよい。また、溶液の代わりに水を用いて洗浄処理を行ってもよい。
【0196】
このようにして酸化物半導体膜403の表面の不純物除去処理として、図7(C)で示したように、ハロゲン元素を含むエッチングガスに曝された酸化物半導体膜403の表面にプラズマ処理、または溶液による処理をしてもよい。すなわち、酸化物半導体膜403の表面に不純物として残存した、ハロゲン元素を含むエッチングガスに含まれる元素を酸化物半導体膜403の一部とともに除去してもよい。これにより、酸化物半導体膜403において、絶縁層413と重畳する領域の膜厚が、ソース電極層405aまたはドレイン電極層405bと重畳する領域の膜厚より大きくなる。例えば、1/10希釈フッ酸(0.05%フッ酸)で、IGZO膜を処理すると、1秒あたり1〜3nm膜厚が減少し、2/10希釈フッ酸(0.0025%フッ酸)で、IGZO膜を処理すると、1秒あたり0.1nm程度膜厚が減少する。
【0197】
以上のように、本実施の形態に示すように、不純物除去処理を行って酸化物半導体膜を用いた半導体装置を作製することにより、酸化物半導体膜の表面(酸化物半導体膜とソース電極層またはドレイン電極層との界面近傍)における、ハロゲン元素を含むエッチングガスに含まれる元素(例えば、塩素、フッ素、ボロンなど)の濃度を5×1018atoms/cm以下(好ましくは1×1018atoms/cm以下)とすることができる。
【0198】
従って、酸化物半導体膜を用いた安定した電気特性を有するトランジスタを含む信頼性の高い半導体装置を提供することができる。また、信頼性の高い半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成することができる。
【0199】
以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【0200】
(実施の形態3)
実施の形態1または2に示したトランジスタを用いて表示機能を有する半導体装置(表示装置ともいう)を作製することができる。また、トランジスタを含む駆動回路の一部又は全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することができる。
【0201】
図9(A)において、第1の基板4001上に設けられた画素部4002を囲むようにして、シール材4005が設けられ、第2の基板4006によって封止されている。図9(A)においては、第1の基板4001上のシール材4005によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された走査線駆動回路4004、信号線駆動回路4003が実装されている。また別途形成された信号線駆動回路4003と、走査線駆動回路4004又は画素部4002に与えられる各種信号及び電位は、FPC(Flexible printed circuit)4018a、4018bから供給されている。
【0202】
図9(B)、及び図9(C)において、第1の基板4001上に設けられた画素部4002と、走査線駆動回路4004とを囲むようにして、シール材4005が設けられている。また画素部4002と、走査線駆動回路4004の上に第2の基板4006が設けられている。よって画素部4002と、走査線駆動回路4004とは、第1の基板4001とシール材4005と第2の基板4006とによって、表示素子と共に封止されている。図9(B)、及び(C)においては、第1の基板4001上のシール材4005によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路4003が実装されている。図9(B)、及び図9(C)においては、別途形成された信号線駆動回路4003と、走査線駆動回路4004又は画素部4002に与えられる各種信号及び電位は、FPC4018から供給されている。
【0203】
また図9(B)、及び図9(C)においては、信号線駆動回路4003を別途形成し、第1の基板4001に実装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線駆動回路を別途形成して実装してもよいし、信号線駆動回路の一部又は走査線駆動回路の一部のみを別途形成して実装してもよい。
【0204】
なお、別途形成した駆動回路の接続方法は、特に限定されるものではなく、COG(Chip On Glass)方法、ワイヤボンディング方法、或いはTAB(Tape Automated Bonding)方法などを用いることができる。図9(A)は、COG方法により信号線駆動回路4003、走査線駆動回路4004を実装する例であり、図9(B)は、COG方法により信号線駆動回路4003を実装する例であり、図9(C)は、TAB方法により信号線駆動回路4003を実装する例である。
【0205】
また、表示装置は、表示素子が封止された状態にあるパネルと、該パネルにコントローラを含むIC等を実装した状態にあるモジュールとを含む。
【0206】
なお、本明細書中における表示装置とは、画像表示デバイス、表示デバイス、もしくは光源(照明装置含む)を指す。また、コネクター、例えばFPCもしくはTABテープもしくはTCPが取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、又は表示素子にCOG方式によりIC(集積回路)が直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。
【0207】
また第1の基板上に設けられた画素部及び走査線駆動回路は、トランジスタを複数有しており、実施の形態1または2に示したトランジスタを適用することができる。
【0208】
表示装置に設けられる表示素子としては液晶素子(液晶表示素子ともいう)、発光素子(発光表示素子ともいう)、を用いることができる。発光素子は、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機EL(Electro Luminescence)、有機EL等が含まれる。また、電子インクなど、電気的作用によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。
【0209】
また、半導体装置の一形態について、図9乃至図11を用いて説明する。図11は、図9(B)のM−Nにおける断面図に相当する。
【0210】
図9及び図11で示すように、半導体装置は接続端子電極4015及び端子電極4016を有しており、接続端子電極4015及び端子電極4016はFPC4018、4018bが有する端子と異方性導電膜4019を介して、電気的に接続されている。
【0211】
接続端子電極4015は、第1の電極層4030と同じ導電膜から形成され、端子電極4016は、トランジスタ4010、4011のゲート電極層と同じ導電膜で形成されている。
【0212】
また第1の基板4001上に設けられた画素部4002と、走査線駆動回路4004は、トランジスタを複数有しており、図11では、画素部4002に含まれるトランジスタ4010と、走査線駆動回路4004に含まれるトランジスタ4011とを例示している。図11(A)では、トランジスタ4010、4011上には絶縁膜4020が設けられ、図11(B)では、さらに、絶縁膜4021が設けられている。
【0213】
トランジスタ4010、4011としては、実施の形態1または2で示したトランジスタを適用することができる。本実施の形態では、実施の形態1で示したトランジスタ440と同様な構造を有するトランジスタを適用する例を示す。トランジスタ4010、4011は、酸化物半導体膜上にチャネル保護膜として機能する絶縁層が設けられた、ボトムゲート構造の逆スタガ型トランジスタである。
【0214】
実施の形態1で示したトランジスタ440と同様な構造及び作製方法で得られるトランジスタ4010、4011は、ハロゲンプラズマを用いたエッチング工程によりソース電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍における不純物(具体的には、エッチングガスに含まれる元素)を除去する工程を行う。また、不純物除去処理は、ハロゲンプラズマを用いたエッチング工程によりチャネル保護膜として機能する絶縁層を形成した後にも行ってもよい。不純物除去処理は、例えば希フッ酸処理、又は酸素や一酸化二窒素を用いたプラズマ処理などを好適に用いることができる。
【0215】
酸化物半導体膜表面及び該近傍がエッチングガスに含まれる不純物により汚染されるのを防止することができるため、トランジスタ4010、4011は、酸化物半導体膜表面におけるハロゲン元素を含むエッチングガスに含まれる元素(例えば、塩素、ボロンなど)の濃度を5×1018atoms/cm以下(好ましくは1×1018atoms/cm以下)とすることができる。
【0216】
従って、図9及び図11で示す本実施の形態の酸化物半導体膜を用いた安定した電気特性を有するトランジスタ4010、4011を含む半導体装置として信頼性の高い半導体装置を提供することができる。また、そのような信頼性の高い半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成することができる。
【0217】
また、駆動回路用のトランジスタ4011の酸化物半導体膜のチャネル形成領域と重なる位置にさらに導電層を設けてもよい。導電層を酸化物半導体膜のチャネル形成領域と重なる位置に設けることによって、バイアス−熱ストレス試験(BT試験)前後におけるトランジスタ4011のしきい値電圧の変化量をさらに低減することができる。また、導電層は、電位がトランジスタ4011のゲート電極層と同じでもよいし、異なっていても良く、第2のゲート電極層として機能させることもできる。また、導電層の電位がGND、0V、或いはフローティング状態であってもよい。
【0218】
また、該導電層は外部の電場を遮蔽する、すなわち外部の電場が内部(トランジスタを含む回路部)に作用しないようにする機能(特に静電気に対する静電遮蔽機能)も有する。導電層の遮蔽機能により、静電気などの外部の電場の影響によりトランジスタの電気的な特性が変動することを防止することができる。
【0219】
画素部4002に設けられたトランジスタ4010は表示素子と電気的に接続し、表示パネルを構成する。表示素子は表示を行うことができれば特に限定されず、様々な表示素子を用いることができる。
【0220】
図11(A)に表示素子として液晶素子を用いた液晶表示装置の例を示す。図11(A)において、表示素子である液晶素子4013は、第1の電極層4030、第2の電極層4031、及び液晶層4008を含む。なお、液晶層4008を挟持するように配向膜として機能する絶縁膜4032、4033が設けられている。第2の電極層4031は第2の基板4006側に設けられ、第1の電極層4030と第2の電極層4031とは液晶層4008を介して積層する構成となっている。
【0221】
またスペーサ4035は絶縁膜を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサであり、液晶層4008の膜厚(セルギャップ)を制御するために設けられている。なお球状のスペーサを用いていてもよい。
【0222】
表示素子として、液晶素子を用いる場合、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、強誘電性液晶、反強誘電性液晶等を用いることができる。これらの液晶材料(液晶組成物)は、条件により、コレステリック相、スメクチック相、キュービック相、カイラルネマチック相、等方相等を示す。
【0223】
また、液晶層4008に、配向膜を用いないブルー相を発現する液晶組成物を用いてもよい。この場合、液晶層4008と、第1の電極層4030及び第2の電極層4031とは接する構造となる。ブルー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は、液晶及びカイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて発現させることができる。また、ブルー相が発現する温度範囲を広げるために、ブルー相を発現する液晶組成物に重合性モノマー及び重合開始剤などを添加し、高分子安定化させる処理を行って液晶層を形成することもできる。ブルー相を発現する液晶組成物は、応答速度が短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい。また配向膜を設けなくてもよいのでラビング処理も不要となるため、ラビング処理によって引き起こされる静電破壊を防止することができ、作製工程中の液晶表示装置の不良や破損を軽減することができる。よって液晶表示装置の生産性を向上させることが可能となる。酸化物半導体膜を用いるトランジスタは、静電気の影響によりトランジスタの電気的な特性が著しく変動して設計範囲を逸脱する恐れがある。よって酸化物半導体膜を用いるトランジスタを有する液晶表示装置にブルー相を発現する液晶組成物を用いることはより効果的である。
【0224】
また、液晶材料の固有抵抗は、1×10Ω・cm以上であり、好ましくは1×1011Ω・cm以上であり、さらに好ましくは1×1012Ω・cm以上である。なお、本明細書における固有抵抗の値は、20℃で測定した値とする。
【0225】
液晶表示装置に設けられる保持容量の大きさは、画素部に配置されるトランジスタのリーク電流等を考慮して、所定の期間の間電荷を保持できるように設定される。保持容量の大きさは、トランジスタのオフ電流等を考慮して設定すればよい。本明細書に開示する酸化物半導体膜を有するトランジスタを用いることにより、各画素における液晶容量に対して1/3以下、好ましくは1/5以下の容量の大きさを有する保持容量を設ければ充分である。
【0226】
本明細書に開示する酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、オフ状態における電流値(オフ電流値)を低く制御することができる。よって、画像信号等の電気信号の保持時間を長くすることができ、電源オン状態では書き込み間隔も長く設定できる。よって、リフレッシュ動作の頻度を少なくすることができるため、消費電力を抑制する効果を奏する。
【0227】
また、本明細書に開示する酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、比較的高い電界効果移動度が得られるため、高速駆動が可能である。例えば、このような高速駆動が可能なトランジスタを液晶表示装置に用いることで、画素部のスイッチングトランジスタと、駆動回路部に使用するドライバートランジスタを同一基板上に形成することができる。すなわち、別途駆動回路として、シリコンウェハ等により形成された半導体装置を用いる必要がないため、半導体装置の部品点数を削減することができる。また、画素部においても、高速駆動が可能なトランジスタを用いることで、高画質な画像を提供することができる。
【0228】
液晶表示装置には、TN(Twisted Nematic)モード、IPS(In−Plane−Switching)モード、FFS(Fringe Field Switching)モード、ASM(Axially Symmetric aligned Micro−cell)モード、OCB(Optical Compensated Birefringence)モード、FLC(Ferroelectric Liquid Crystal)モード、AFLC(AntiFerroelectric Liquid Crystal)モードなどを用いることができる。
【0229】
また、ノーマリーブラック型の液晶表示装置、例えば垂直配向(VA)モードを採用した透過型の液晶表示装置としてもよい。垂直配向モードとしては、いくつか挙げられるが、例えば、MVA(Multi−Domain Vertical Alignment)モード、PVA(Patterned Vertical Alignment)モード、ASV(Advanced Super View)モードなどを用いることができる。また、VA型の液晶表示装置にも適用することができる。VA型の液晶表示装置とは、液晶表示パネルの液晶分子の配列を制御する方式の一種である。VA型の液晶表示装置は、電圧が印加されていないときにパネル面に対して液晶分子が垂直方向を向く方式である。また、画素(ピクセル)をいくつかの領域(サブピクセル)に分け、それぞれ別の方向に分子を倒すよう工夫されているマルチドメイン化あるいはマルチドメイン設計といわれる方法を用いることができる。
【0230】
また、表示装置において、ブラックマトリクス(遮光層)、偏光部材、位相差部材、反射防止部材などの光学部材(光学基板)などは適宜設ける。例えば、偏光基板及び位相差基板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライト、サイドライトなどを用いてもよい。
【0231】
また、画素部における表示方式は、プログレッシブ方式やインターレース方式等を用いることができる。また、カラー表示する際に画素で制御する色要素としては、RGB(Rは赤、Gは緑、Bは青を表す)の三色に限定されない。例えば、RGBW(Wは白を表す)、又はRGBに、イエロー、シアン、マゼンタ等を一色以上追加したものがある。なお、色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。ただし、開示する発明はカラー表示の表示装置に限定されるものではなく、モノクロ表示の表示装置に適用することもできる。
【0232】
また、表示装置に含まれる表示素子として、エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子を適用することができる。エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機EL素子、後者は無機EL素子と呼ばれている。
【0233】
有機EL素子は、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャリア(電子および正孔)が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このような発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。本実施の形態では、発光素子として有機EL素子を用いる例を示す。
【0234】
無機EL素子は、その素子構成により、分散型無機EL素子と薄膜型無機EL素子とに分類される。分散型無機EL素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー−アクセプター再結合型発光である。薄膜型無機EL素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機EL素子を用いて説明する。
【0235】
発光素子は発光を取り出すために少なくとも一対の電極の一方が透光性であればよい。そして、基板上にトランジスタ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取り出す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反対側の面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、どの射出構造の発光素子も適用することができる。
【0236】
図10(A)(B)及び図11(B)に表示素子として発光素子を用いた発光装置の例を示す。
【0237】
図10(A)は発光装置の平面図であり、図10(A)中の一点鎖線V1−W1、V2−W2、及びV3−W3で切断した断面が図10(B)に相当する。なお、図10(A)の平面図においては、電界発光層542及び第2の電極層543は省略してあり図示していない。
【0238】
図10に示す発光装置は、基板500上に、トランジスタ510、容量素子520、配線層交差部530を有しており、トランジスタ510は発光素子540と電気的に接続している。なお、図10は基板500を通過して発光素子540からの光を取り出す、下面射出型構造の発光装置である。
【0239】
トランジスタ510としては、実施の形態1または2で示したトランジスタを適用することができる。本実施の形態では、実施の形態1で示したトランジスタ440と同様な構造を有するトランジスタを適用する例を示す。トランジスタ510は、酸化物半導体膜上にチャネル保護膜として機能する絶縁層が設けられた、ボトムゲート構造の逆スタガ型トランジスタである。
【0240】
トランジスタ510はゲート電極層511a、511b、ゲート絶縁膜502、酸化物半導体膜512、絶縁層503、ソース電極層又はドレイン電極層として機能する導電層513a、513bを含む。
【0241】
実施の形態1で示したトランジスタ440と同様な構造及び作製方法で得られるトランジスタ510は、ハロゲンプラズマを用いたエッチング工程により導電層513a、513bを形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍におけるエッチングガスに含まれる不純物を除去する処理を行う。また、不純物除去処理は、ハロゲンプラズマを用いたエッチング工程によりチャネル保護膜として機能する絶縁層を形成した後にも行ってもよい。不純物除去処理は、例えば希フッ酸処理、又は酸素や一酸化二窒素を用いたプラズマ処理などを好適に用いることができる。
【0242】
酸化物半導体膜表面及び該近傍がエッチングガスに含まれる不純物により汚染されるのを防止できるため、トランジスタ510は、酸化物半導体膜表面におけるハロゲン元素を含むエッチングガスに含まれる元素(例えば、塩素、ボロンなど)の濃度を5×1018atoms/cm以下(好ましくは1×1018atoms/cm以下)とすることができる。
【0243】
従って、図10で示す本実施の形態の酸化物半導体膜512を用いた安定した電気特性を有するトランジスタ510を含む半導体装置として信頼性の高い半導体装置を提供することができる。また、そのような信頼性の高い半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成することができる。
【0244】
容量素子520は、導電層521a、521b、ゲート絶縁膜502、酸化物半導体膜522、導電層523を含み、導電層521a、521bと導電層523とで、ゲート絶縁膜502及び酸化物半導体膜522を挟む構成とすることで容量を形成する。
【0245】
配線層交差部530は、ゲート電極層511a、511bと、導電層533との交差部であり、ゲート電極層511a、511bと、導電層533とは、間にゲート絶縁膜502、及び絶縁層503と同工程で形成する絶縁層553を介して交差する。本実施の形態で示す構造であると、配線層交差部530は、ゲート電極層511a、511bと、導電層533との間にゲート絶縁膜502だけでなく、絶縁層553も配置できるため、ゲート電極層511a、511bと、導電層533との間に生じる寄生容量を低減することができる。
【0246】
本実施の形態においては、ゲート電極層511a及び導電層521aとして膜厚30nmのチタン膜を用い、ゲート電極層511b及び導電層521bとして膜厚200nmの銅薄膜を用いる。よって、ゲート電極層はチタン膜と銅薄膜との積層構造となる。
【0247】
酸化物半導体膜512、522としては膜厚25nmのIGZO膜を用いる。
【0248】
トランジスタ510、容量素子520、及び配線層交差部530上には層間絶縁膜504が形成され、層間絶縁膜504上において発光素子540と重畳する領域にカラーフィルタ層505が設けられている。層間絶縁膜504及びカラーフィルタ層505上には平坦化絶縁膜として機能する絶縁膜506が設けられている。
【0249】
絶縁膜506上に第1の電極層541、電界発光層542、第2の電極層543の順に積層した積層構造を含む発光素子540が設けられている。発光素子540とトランジスタ510とは、導電層513aに達する絶縁膜506及び層間絶縁膜504に形成された開口において、第1の電極層541及び導電層513aとは接することによって電気的に接続されている。なお、第1の電極層541の一部及び該開口を覆うように隔壁507が設けられている。
【0250】
層間絶縁膜504には、プラズマCVD法による膜厚200nm以上600nm以下の酸化窒化シリコン膜を用いることができる。また、絶縁膜506には膜厚1500nmの感光性のアクリル膜、隔壁507には膜厚1500nmの感光性のポリイミド膜を用いることができる。
【0251】
カラーフィルタ層505としては、例えば有彩色の透光性樹脂を用いることができる。有彩色の透光性樹脂としては、感光性、非感光性の有機樹脂を用いることができるが、感光性の有機樹脂層を用いるとレジストマスク数を削減することができるため、工程が簡略化し好ましい。
【0252】
有彩色は、黒、灰、白などの無彩色を除く色であり、カラーフィルタ層は、着色された有彩色の光のみを透過する材料で形成される。有彩色としては、赤色、緑色、青色などを用いることができる。また、シアン、マゼンダ、イエロー(黄)などを用いてもよい。着色された有彩色の光のみを透過するとは、カラーフィルタ層における透過光は、その有彩色の光の波長にピークを有するということである。カラーフィルタ層は、含ませる着色材料の濃度と光の透過率の関係に考慮して、最適な膜厚を適宜制御するとよい。例えば、カラーフィルタ層505の膜厚は1500nm以上2000nm以下とすればよい。
【0253】
図11(B)に示す発光装置においては、表示素子である発光素子4513は、画素部4002に設けられたトランジスタ4010と電気的に接続している。なお発光素子4513の構成は、第1の電極層4030、電界発光層4511、第2の電極層4031の積層構造であるが、示した構成に限定されない。発光素子4513から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子4513の構成は適宜変えることができる。
【0254】
隔壁4510、507は、有機絶縁材料、又は無機絶縁材料を用いて形成する。特に感光性の樹脂材料を用い、第1の電極層4030、541上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
【0255】
電界発光層4511、542は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでもよい。
【0256】
発光素子4513、540に酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないように、第2の電極層4031、543及び隔壁4510、507上に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、DLC膜等を形成することができる。
【0257】
また、発光素子4513、540に酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないように、発光素子4513、540を覆う有機化合物を含む層を蒸着法により形成してもよい。
【0258】
また、第1の基板4001、第2の基板4006、及びシール材4005によって封止された空間には充填材4514が設けられ密封されている。このように外気に曝されないように気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム(貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等)やカバー材でパッケージング(封入)することが好ましい。
【0259】
充填材4514としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂又は熱硬化樹脂を用いることができ、PVC(ポリビニルクロライド)、アクリル、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)又はEVA(エチレンビニルアセテート)を用いることができる。例えば充填材として窒素を用いればよい。
【0260】
また、必要であれば、発光素子の射出面に偏光板、又は円偏光板(楕円偏光板を含む)、位相差板(λ/4板、λ/2板)、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよい。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
【0261】
また、表示装置として、電子インクを駆動させる電子ペーパーを提供することも可能である。電子ペーパーは、電気泳動表示装置(電気泳動ディスプレイ)とも呼ばれており、紙と同じ読みやすさ、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能という利点を有している。
【0262】
電気泳動表示装置は、様々な形態が考えられ得るが、プラスの電荷を有する第1の粒子と、マイナスの電荷を有する第2の粒子とを含むマイクロカプセルが溶媒又は溶質に複数分散されたものであり、マイクロカプセルに電界を印加することによって、マイクロカプセル中の粒子を互いに反対方向に移動させて一方側に集合した粒子の色のみを表示するものである。なお、第1の粒子又は第2の粒子は染料を含み、電界がない場合において移動しないものである。また、第1の粒子の色と第2の粒子の色は異なるもの(無色を含む)とする。
【0263】
このように、電気泳動表示装置は、誘電定数の高い物質が高い電界領域に移動する、いわゆる誘電泳動的効果を利用したディスプレイである。
【0264】
上記マイクロカプセルを溶媒中に分散させたものが電子インクと呼ばれるものであり、この電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。また、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。
【0265】
なお、マイクロカプセル中の第1の粒子および第2の粒子は、導電体材料、絶縁体材料、半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレクトロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、又はこれらの複合材料を用いればよい。
【0266】
また、電子ペーパーとして、ツイストボール表示方式を用いる表示装置も適用することができる。ツイストボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を、表示素子に用いる電極層である第1の電極層及び第2の電極層の間に配置し、第1の電極層及び第2の電極層に電位差を生じさせて球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法である。
【0267】
なお、図9乃至図11において、第1の基板4001、基板500、第2の基板4006としては、ガラス基板の他、可撓性を有する基板も用いることができ、例えば透光性を有するプラスチック基板などを用いることができる。プラスチックとしては、FRP(Fiberglass−Reinforced Plastics)板、PVF(ポリビニルフルオライド)フィルム、ポリエステルフィルム又はアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、透光性が必要でなければ、アルミニウムやステンレスなどの金属基板(金属フィルム)を用いてもよい。例えば、アルミニウムホイルをPVFフィルムやポリエステルフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。
【0268】
本実施の形態では、絶縁膜4020として酸化アルミニウム膜を用いる。絶縁膜4020はスパッタリング法やプラズマCVD法によって形成することができる。
【0269】
酸化物半導体膜上に絶縁膜4020として設けられた酸化アルミニウム膜は、水素、水分などの不純物、及び酸素の両方に対して膜を透過させない遮断効果(ブロック効果)が高い。
【0270】
従って、酸化アルミニウム膜は、作製工程中及び作製後において、変動要因となる水素、水分などの不純物の酸化物半導体膜への混入、及び酸化物半導体を構成する主成分材料である酸素の酸化物半導体膜からの放出を防止する保護膜として機能する。
【0271】
また、平坦化絶縁膜として機能する絶縁膜4021、506は、アクリル、ポリイミド、ベンゾシクロブテン系樹脂、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料(low−k材料)、シロキサン系樹脂、PSG(リンガラス)、BPSG(リンボロンガラス)等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁膜を形成してもよい。
【0272】
絶縁膜4021、506の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタリング法、SOG法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法(インクジェット法等)、印刷法(スクリーン印刷、オフセット印刷等)などの方法や、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイフコーター等の器具を用いることができる。
【0273】
表示装置は光源又は表示素子からの光を透過させて表示を行う。よって光が透過する画素部に設けられる基板、絶縁膜、導電膜などの薄膜はすべて可視光の波長領域の光に対して透光性とする。
【0274】
表示素子に電圧を印加する第1の電極層及び第2の電極層(画素電極層、共通電極層、対向電極層などともいう)においては、取り出す光の方向、電極層が設けられる場所、及び電極層のパターン構造によって透光性、反射性を選択すればよい。
【0275】
第1の電極層4030、541、第2の電極層4031、543は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す。)、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物、グラフェンなどの透光性を有する導電性材料を用いることができる。
【0276】
また、第1の電極層4030、541、第2の電極層4031、543はタングステン(W)、モリブデン(Mo)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、バナジウム(V)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、クロム(Cr)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)、白金(Pt)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)等の金属、又はその合金、若しくはその金属窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することができる。
【0277】
本実施の形態においては、図10に示す発光装置は下面射出型なので、第1の電極層541は透光性、第2の電極層543は反射性を有する。よって、第1の電極層541に金属膜を用いる場合は透光性を保てる程度膜厚を薄く、第2の電極層543に透光性を有する導電膜を用いる場合は、反射性を有する導電膜を積層するとよい。
【0278】
また、第1の電極層4030、541、第2の電極層4031、543として、導電性高分子(導電性ポリマーともいう)を含む導電性組成物を用いて形成することができる。導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子が用いることができる。例えば、ポリアニリン又はその誘導体、ポリピロール又はその誘導体、ポリチオフェン又はその誘導体、若しくはアニリン、ピロールおよびチオフェンの2種以上からなる共重合体若しくはその誘導体などがあげられる。
【0279】
また、トランジスタは静電気などにより破壊されやすいため、駆動回路保護用の保護回路を設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。
【0280】
以上のように実施の形態1または2で示したトランジスタを適用することで、様々な機能を有する半導体装置を提供することができる。
【0281】
本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【0282】
(実施の形態4)
実施の形態1または2に示したトランジスタを用いて、対象物の情報を読み取るイメージセンサ機能を有する半導体装置を作製することができる。
【0283】
図12(A)に、イメージセンサ機能を有する半導体装置の一例を示す。図12(A)はフォトセンサの等価回路であり、図12(B)はフォトセンサの一部を示す断面図である。
【0284】
フォトダイオード602は、一方の電極がフォトダイオードリセット信号線658に、他方の電極がトランジスタ640のゲートに電気的に接続されている。トランジスタ640は、ソース又はドレインの一方がフォトセンサ基準信号線672に、ソース又はドレインの他方がトランジスタ656のソース又はドレインの一方に電気的に接続されている。トランジスタ656は、ゲートがゲート信号線659に、ソース又はドレインの他方がフォトセンサ出力信号線671に電気的に接続されている。
【0285】
なお、本明細書における回路図において、酸化物半導体膜を用いるトランジスタと明確に判明できるように、酸化物半導体膜を用いるトランジスタの記号には「OS」と記載している。図12(A)において、トランジスタ640、トランジスタ656は実施の形態1または2に示したトランジスタが適用でき、酸化物半導体膜を用いるトランジスタである。本実施の形態では、実施の形態1で示したトランジスタ440と同様な構造を有するトランジスタを適用する例を示す。トランジスタ640は、酸化物半導体膜上にチャネル保護膜として機能する絶縁層が設けられた、ボトムゲート構造の逆スタガ型トランジスタである。
【0286】
図12(B)は、フォトセンサにおけるフォトダイオード602及びトランジスタ640に示す断面図であり、絶縁表面を有する基板601(TFT基板)上に、センサとして機能するフォトダイオード602及びトランジスタ640が設けられている。フォトダイオード602、トランジスタ640の上には接着層608を用いて基板613が設けられている。
【0287】
トランジスタ640上には絶縁膜631、層間絶縁膜633、層間絶縁膜634が設けられている。フォトダイオード602は、層間絶縁膜633上に設けられ、層間絶縁膜633上に形成した電極層641a、641bと、層間絶縁膜634上に設けられた電極層642との間に、層間絶縁膜633側から順に第1半導体膜606a、第2半導体膜606b、及び第3半導体膜606cを積層した構造を有している。
【0288】
電極層641bは、層間絶縁膜634に形成された導電層643と電気的に接続し、電極層642は電極層641aを介して導電層645と電気的に接続している。導電層645は、トランジスタ640のゲート電極層と電気的に接続しており、フォトダイオード602はトランジスタ640と電気的に接続している。
【0289】
ここでは、第1半導体膜606aとしてp型の導電型を有する半導体膜と、第2半導体膜606bとして高抵抗な半導体膜(i型半導体膜)、第3半導体膜606cとしてn型の導電型を有する半導体膜を積層するpin型のフォトダイオードを例示している。
【0290】
第1半導体膜606aはp型半導体膜であり、p型を付与する不純物元素を含むアモルファスシリコン膜により形成することができる。第1半導体膜606aの形成には13族の不純物元素(例えばボロン(B))を含む半導体材料ガスを用いて、プラズマCVD法により形成する。半導体材料ガスとしてはシラン(SiH)を用いればよい。または、Si、SiHCl、SiHCl、SiCl、SiF等を用いてもよい。また、不純物元素を含まないアモルファスシリコン膜を形成した後に、拡散法やイオン注入法を用いて該アモルファスシリコン膜に不純物元素を導入してもよい。イオン注入法等により不純物元素を導入した後に加熱等を行うことで、不純物元素を拡散させるとよい。この場合にアモルファスシリコン膜を形成する方法としては、LPCVD法、気相成長法、又はスパッタリング法等を用いればよい。第1半導体膜606aの膜厚は10nm以上50nm以下となるよう形成することが好ましい。
【0291】
第2半導体膜606bは、i型半導体膜(真性半導体膜)であり、アモルファスシリコン膜により形成する。第2半導体膜606bの形成には、半導体材料ガスを用いて、アモルファスシリコン膜をプラズマCVD法により形成する。半導体材料ガスとしては、シラン(SiH)を用いればよい。または、Si、SiHCl、SiHCl、SiCl、SiF等を用いてもよい。第2半導体膜606bの形成は、LPCVD法、気相成長法、スパッタリング法等により行ってもよい。第2半導体膜606bの膜厚は200nm以上1000nm以下となるように形成することが好ましい。
【0292】
第3半導体膜606cは、n型半導体膜であり、n型を付与する不純物元素を含むアモルファスシリコン膜により形成する。第3半導体膜606cの形成には、15族の不純物元素(例えばリン(P))を含む半導体材料ガスを用いて、プラズマCVD法により形成する。半導体材料ガスとしてはシラン(SiH)を用いればよい。または、Si、SiHCl、SiHCl、SiCl、SiF等を用いてもよい。また、不純物元素を含まないアモルファスシリコン膜を形成した後に、拡散法やイオン注入法を用いて該アモルファスシリコン膜に不純物元素を導入してもよい。イオン注入法等により不純物元素を導入した後に加熱等を行うことで、不純物元素を拡散させるとよい。この場合にアモルファスシリコン膜を形成する方法としては、LPCVD法、気相成長法、又はスパッタリング法等を用いればよい。第3半導体膜606cの膜厚は20nm以上200nm以下となるよう形成することが好ましい。
【0293】
また、第1半導体膜606a、第2半導体膜606b、及び第3半導体膜606cは、アモルファス半導体ではなく、多結晶半導体を用いて形成してもよいし、微結晶(セミアモルファス(Semi Amorphous Semiconductor:SAS))半導体を用いて形成してもよい。
【0294】
また、光電効果で発生した正孔の移動度は電子の移動度に比べて小さいため、pin型のフォトダイオードはp型の半導体膜側を受光面とする方がよい特性を示す。ここでは、pin型のフォトダイオードが形成されている基板601の面からフォトダイオード602が受ける光を電気信号に変換する例を示す。また、受光面とした半導体膜側とは逆の導電型を有する半導体膜側からの光は外乱光となるため、電極層は遮光性を有する導電膜を用いるとよい。また、n型の半導体膜側を受光面として用いることもできる。
【0295】
絶縁膜631、層間絶縁膜633、層間絶縁膜634としては、絶縁性材料を用いて、その材料に応じて、スパッタリング法、プラズマCVD法、SOG法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法(インクジェット法等)、印刷法(スクリーン印刷、オフセット印刷等)等を用いて形成することができる。
【0296】
絶縁膜631としては、無機絶縁材料としては、酸化シリコン層、酸化窒化シリコン層、酸化アルミニウム層、又は酸化窒化アルミニウム層などの酸化物絶縁膜、窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、窒化アルミニウム層、又は窒化酸化アルミニウム層などの窒化物絶縁膜の単層、又は積層を用いることができる。
【0297】
本実施の形態では、絶縁膜631として酸化アルミニウム膜を用いる。絶縁膜631はスパッタリング法やプラズマCVD法によって形成することができる。
【0298】
酸化物半導体膜上に絶縁膜631として設けられた酸化アルミニウム膜は、水素、水分などの不純物、及び酸素の両方に対して膜を透過させない遮断効果(ブロック効果)が高い。
【0299】
従って、酸化アルミニウム膜は、作製工程中及び作製後において、変動要因となる水素、水分などの不純物の酸化物半導体膜への混入、及び酸化物半導体を構成する主成分材料である酸素の酸化物半導体膜からの放出を防止する保護膜として機能する。
【0300】
層間絶縁膜633、634としては、表面凹凸を低減するため平坦化絶縁膜として機能する絶縁膜が好ましい。層間絶縁膜633、634としては、例えばポリイミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリアミド、エポキシ樹脂等の、耐熱性を有する有機絶縁材料を用いることができる。また上記有機絶縁材料の他に、低誘電率材料(low−k材料)、シロキサン系樹脂、PSG(リンガラス)、BPSG(リンボロンガラス)等の単層、又は積層を用いることができる。
【0301】
フォトダイオード602に入射する光622を検出することによって、被検出物の情報を読み取ることができる。なお、被検出物の情報を読み取る際にバックライトなどの光源を用いることができる。
【0302】
実施の形態1で示したトランジスタ440と同様な構造及び作製方法で得られるトランジスタ640は、ハロゲンプラズマを用いたエッチング工程によりソース電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍におけるエッチングガスに含まれる不純物を除去する工程を行う。また、不純物除去処理は、ハロゲンプラズマを用いたエッチング工程によりチャネル保護膜として機能する絶縁層を形成した後にも行ってもよい。不純物除去処理は、例えば希フッ酸処理、又は酸素や一酸化二窒素を用いたプラズマ処理などを好適に用いることができる。
【0303】
酸化物半導体膜表面及び該近傍がエッチングガスに含まれる不純物により汚染されるのを防止できるため、トランジスタ640は、酸化物半導体膜表面におけるハロゲンの不純物の濃度を5×1018atoms/cm以下(好ましくは1×1018atoms/cm以下)とすることができる。
【0304】
従って、本実施の形態の酸化物半導体膜を用いた安定した電気特性を有するトランジスタ640を含む信頼性の高い半導体装置を提供することができる。また、信頼性の高い半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成することができる。
【0305】
本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【0306】
(実施の形態5)
本明細書に開示する半導体装置は、さまざまな電子機器(遊技機も含む)に適用することができる。電子機器としては、テレビジョン装置(テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、遊技機(パチンコ機、スロットマシン等)、ゲーム筐体が挙げられる。これらの電子機器の具体例を図13に示す。
【0307】
図13(A)は、表示部を有するテーブル9000を示している。テーブル9000は、筐体9001に表示部9003が組み込まれており、表示部9003により映像を表示することが可能である。なお、4本の脚部9002により筐体9001を支持した構成を示している。また、電力供給のための電源コード9005を筐体9001に有している。
【0308】
実施の形態1乃至4のいずれかに示す半導体装置は、表示部9003に用いることが可能であり、電子機器に高い信頼性を付与することができる。
【0309】
表示部9003は、タッチ入力機能を有しており、テーブル9000の表示部9003に表示された表示ボタン9004を指などで触れることで、画面操作や、情報を入力することができ、また他の家電製品との通信を可能とする、又は制御を可能とすることで、画面操作により他の家電製品をコントロールする制御装置としてもよい。例えば、実施の形態4に示したイメージセンサ機能を有する半導体装置を用いれば、表示部9003にタッチ入力機能を持たせることができる。
【0310】
また、筐体9001に設けられたヒンジによって、表示部9003の画面を床に対して垂直に立てることもでき、テレビジョン装置としても利用できる。狭い部屋においては、大きな画面のテレビジョン装置は設置すると自由な空間が狭くなってしまうが、テーブルに表示部が内蔵されていれば、部屋の空間を有効に利用することができる。
【0311】
図13(B)は、テレビジョン装置9100を示している。テレビジョン装置9100は、筐体9101に表示部9103が組み込まれており、表示部9103により映像を表示することが可能である。なお、ここではスタンド9105により筐体9101を支持した構成を示している。
【0312】
テレビジョン装置9100の操作は、筐体9101が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機9110により行うことができる。リモコン操作機9110が備える操作キー9109により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部9103に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機9110に、当該リモコン操作機9110から出力する情報を表示する表示部9107を設ける構成としてもよい。
【0313】
図13(B)に示すテレビジョン装置9100は、受信機やモデムなどを備えている。テレビジョン装置9100は、受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)又は双方向(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
【0314】
実施の形態1乃至4のいずれかに示す半導体装置は、表示部9103、9107に用いることが可能であり、テレビジョン装置、及びリモコン操作機に高い信頼性を付与することができる。
【0315】
図13(C)はコンピュータであり、本体9201、筐体9202、表示部9203、キーボード9204、外部接続ポート9205、ポインティングデバイス9206等を含む。
【0316】
実施の形態1乃至4のいずれかに示す半導体装置は、表示部9203に用いることが可能であり、コンピュータに高い信頼性を付与することができる。
【0317】
図14(A)及び図14(B)は2つ折り可能なタブレット型端末である。図14(A)は、開いた状態であり、タブレット型端末は、筐体9630、表示部9631a、表示部9631b、表示モード切り替えスイッチ9034、電源スイッチ9035、省電力モード切り替えスイッチ9036、留め具9033、操作スイッチ9038、を有する。
【0318】
実施の形態1乃至4のいずれかに示す半導体装置は、表示部9631a、表示部9631bに用いることが可能であり、信頼性の高いタブレット型端末とすることが可能となる。
【0319】
表示部9631aは、一部をタッチパネルの領域9632aとすることができ、表示された操作キー9638にふれることでデータ入力をすることができる。なお、表示部9631aにおいては、一例として半分の領域が表示のみの機能を有する構成、もう半分の領域がタッチパネルの機能を有する構成を示しているが該構成に限定されない。表示部9631aの全ての領域がタッチパネルの機能を有する構成としても良い。例えば、表示部9631aの全面をキーボードボタン表示させてタッチパネルとし、表示部9631bを表示画面として用いることができる。
【0320】
また、表示部9631bにおいても表示部9631aと同様に、表示部9631bの一部をタッチパネルの領域9632bとすることができる。また、タッチパネルのキーボード表示切り替えボタン9639が表示されている位置に指やスタイラスなどでふれることで表示部9631bにキーボードボタン表示することができる。
【0321】
また、タッチパネルの領域9632aとタッチパネルの領域9632bに対して同時にタッチ入力することもできる。
【0322】
また、表示モード切り替えスイッチ9034は、縦表示又は横表示などの表示の向きを切り替え、白黒表示やカラー表示の切り替えなどを選択できる。省電力モード切り替えスイッチ9036は、タブレット型端末に内蔵している光センサで検出される使用時の外光の光量に応じて表示の輝度を最適なものとすることができる。タブレット型端末は光センサだけでなく、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサなどの他の検出装置を内蔵させてもよい。
【0323】
また、図14(A)では表示部9631bと表示部9631aの表示面積が同じ例を示しているが特に限定されず、一方のサイズともう一方のサイズが異なっていてもよく、表示の品質も異なっていてもよい。例えば一方が他方よりも高精細な表示を行える表示パネルとしてもよい。
【0324】
図14(B)は、閉じた状態であり、タブレット型端末は、筐体9630、太陽電池9633、充放電制御回路9634、バッテリー9635、DCDCコンバータ9636を有する。なお、図14(B)では充放電制御回路9634の一例としてバッテリー9635、DCDCコンバータ9636を有する構成について示している。
【0325】
なお、タブレット型端末は2つ折り可能なため、未使用時に筐体9630を閉じた状態にすることができる。従って、表示部9631a、表示部9631bを保護できるため、耐久性に優れ、長期使用の観点からも信頼性の優れたタブレット型端末を提供できる。
【0326】
また、この他にも図14(A)及び図14(B)に示したタブレット型端末は、様々な情報(静止画、動画、テキスト画像など)を表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作又は編集するタッチ入力機能、様々なソフトウェア(プログラム)によって処理を制御する機能、等を有することができる。
【0327】
タブレット型端末の表面に装着された太陽電池9633によって、電力をタッチパネル、表示部、又は映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池9633は、筐体9630の片面又は両面に設けることができ、バッテリー9635の充電を効率よく行う構成とすることができる。なおバッテリー9635としては、リチウムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。
【0328】
また、図14(B)に示す充放電制御回路9634の構成、及び動作について図14(C)にブロック図を示し説明する。図14(C)には、太陽電池9633、バッテリー9635、DCDCコンバータ9636、コンバータ9637、スイッチSW1乃至SW3、表示部9631について示しており、バッテリー9635、DCDCコンバータ9636、コンバータ9637、スイッチSW1乃至SW3が、図14(B)に示す充放電制御回路9634に対応する箇所となる。
【0329】
まず外光により太陽電池9633により発電がされる場合の動作の例について説明する。太陽電池9633で発電した電力は、バッテリー9635を充電するための電圧となるようDCDCコンバータ9636で昇圧又は降圧がなされる。そして、表示部9631の動作に太陽電池9633からの電力が用いられる際にはスイッチSW1をオンにし、コンバータ9637で表示部9631に必要な電圧に昇圧又は降圧をすることとなる。また、表示部9631での表示を行わない際には、SW1をオフにし、SW2をオンにしてバッテリー9635の充電を行う構成とすればよい。
【0330】
なお太陽電池9633については、発電手段の一例として示したが、特に限定されず、圧電素子(ピエゾ素子)や熱電変換素子(ペルティエ素子)などの他の発電手段によるバッテリー9635の充電を行う構成であってもよい。例えば、無線(非接触)で電力を送受信して充電する無接点電力伝送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて行う構成としてもよい。
【0331】
本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【実施例1】
【0332】
本実施例では、酸化物半導体膜上に接して金属膜を形成し、その後の金属膜除去のドライエッチングの際に生じた不純物を除去する不純物除去処理の有無と、抵抗率との関係について以下に示す実験を行った。
【0333】
まず、比較例のサンプルとして、スパッタリング法を用いた成膜装置を用いて、ガラス基板上に膜厚95nmのIGZO膜を成膜し、抵抗率を測定した。その結果は4.8×10Ω・cmであった。IGZO膜の抵抗率は、上面形状が蛇行している電極(膜厚100nmのチタン膜と、膜厚400nmのアルミニウム膜と、膜厚100nmのチタン膜の積層)を形成し、電圧−電流の2端子測定により抵抗を算出する。
【0334】
IGZO膜の成膜条件は、In:Ga:Zn=1:1:1[原子数比]の酸化物ターゲットを用い、酸素及びアルゴン雰囲気下(酸素流量比率50%)、圧力0.6Pa、AC電源電力5kW、基板温度170℃とする。
【0335】
スパッタリング法を用いた成膜装置は、真空ポンプなどの真空排気手段(クライオポンプ、ターボ分子ポンプなど)により減圧可能なスパッタチャンバーと、被処理基板を固定する基板フォルダと、スパッタリングターゲットを保持するターゲットフォルダと、ターゲットフォルダに保持されたスパッタリングターゲットに対応する電極と、その電極にスパッタリングのためのAC電圧(またはDC電圧)を印加する電力供給手段と、スパッタチャンバー内にガスを供給するガス供給手段とを有している。なお、サンプルを作製する際には、できるだけ不純物が混入しないようにスパッタチャンバー内を高真空とし、水分については露点−40℃以下、好ましくは露点−50℃以下の乾燥窒素雰囲気として成膜を行う。
【0336】
また、サンプル1として、ガラス基板上に膜厚95nmのIGZO膜を成膜した後、第1のドライエッチング条件で180秒のエッチングを行った後、純水に浸し、電極を形成して、抵抗率を測定した。サンプル1の結果は130Ω・cmであった。また、サンプル2として、第1のドライエッチング条件後、希フッ酸(1/100希釈)に30秒浸した後、電極を形成して抵抗率を測定した。サンプル2の結果は、3.9×10Ω・cmとなった。
【0337】
これらの結果から、ハロゲン元素を含むガスを用いたドライエッチングにより不純物が付着または混入することでIGZO膜の抵抗率が下がり、希フッ酸の表面処理を行うことで不純物が除去され、IGZO膜をドライエッチング前の状態に近づいていることが確認できる。
【0338】
また、サンプル3としてガラス基板上に膜厚95nmのIGZO膜を成膜した後、第2のドライエッチング条件で180秒のエッチングを行った後、純水に浸し、電極を形成して、抵抗率を測定した。また、サンプル4として、第2のドライエッチング条件後に、希フッ酸(1/100希釈)に30秒浸した後、電極を形成して抵抗率を測定した。
【0339】
また、サンプル5としてガラス基板上に膜厚95nmのIGZO膜を成膜した後、第3のドライエッチング条件で180秒のエッチングを行った後、純水に浸し、電極を形成して、抵抗率を測定した。また、サンプル6として、第3のドライエッチング条件後に、希フッ酸(1/100希釈)に30秒浸した後、電極を形成して抵抗率を測定した。
【0340】
また、サンプル7としてガラス基板上に膜厚95nmのIGZO膜を成膜した後、第4のドライエッチング条件で180秒のエッチングを行った後、純水に浸し、電極を形成して、抵抗率を測定した。また、サンプル8として、第4のドライエッチング条件後に、希フッ酸(1/100希釈)に30秒浸した後、電極を形成して抵抗率を測定した。
【0341】
第1のドライエッチング条件、第2のドライエッチング条件、第3のドライエッチング条件、及び第4のドライエッチング条件を表1に記す。なお、ドライエッチングを行う装置としてはICPエッチング装置を用いた。
【0342】
【表1】

【0343】
また、図16は、抵抗率を縦軸とし、比較例の抵抗率と、サンプル1〜8の抵抗率をそれぞれ示したグラフである。これらの結果から、ドライエッチングの条件を変えても、希フッ酸の表面処理を行うことでIGZO膜をドライエッチング前の状態に近づける、好ましくは同じ状態にできることが確認できた。
【符号の説明】
【0344】
400 基板
401 ゲート電極層
402 ゲート絶縁膜
403 酸化物半導体膜
405a ソース電極層
405b ドレイン電極層
408 層間絶縁膜
409 平坦化絶縁膜
413 絶縁層
436 下地絶縁膜
440 トランジスタ
442 ガス
443 絶縁膜
444 レジストマスク
445 導電膜
448a レジストマスク
450 トランジスタ
460 トランジスタ
470 トランジスタ
480 トランジスタ
490 トランジスタ
500 基板
502 ゲート絶縁膜
503 絶縁層
504 層間絶縁膜
505 カラーフィルタ層
506 絶縁膜
507 隔壁
510 トランジスタ
511a ゲート電極層
511b ゲート電極層
512 酸化物半導体膜
513a 導電層
513b 導電層
520 容量素子
521a 導電層
521b 導電層
522 酸化物半導体膜
523 導電層
530 配線層交差部
533 導電層
540 発光素子
541 電極層
542 電界発光層
543 電極層
553 絶縁層
601 基板
602 フォトダイオード
606a 半導体膜
606b 半導体膜
606c 半導体膜
608 接着層
613 基板
631 絶縁膜
633 層間絶縁膜
634 層間絶縁膜
640 トランジスタ
641a 電極層
641b 電極層
642 電極層
643 導電層
645 導電層
656 トランジスタ
658 フォトダイオードリセット信号線
659 ゲート信号線
671 フォトセンサ出力信号線
672 フォトセンサ基準信号線
4001 基板
4002 画素部
4003 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
4005 シール材
4006 基板
4008 液晶層
4010 トランジスタ
4011 トランジスタ
4013 液晶素子
4015 接続端子電極
4016 端子電極
4019 異方性導電膜
4020 絶縁膜
4021 絶縁膜
4030 電極層
4031 電極層
4032 絶縁膜
4033 絶縁膜
4035 スペーサ
4510 隔壁
4511 電界発光層
4513 発光素子
4514 充填材
9000 テーブル
9001 筐体
9002 脚部
9003 表示部
9004 表示ボタン
9005 電源コード
9033 留め具
9034 スイッチ
9035 電源スイッチ
9036 スイッチ
9038 操作スイッチ
9100 テレビジョン装置
9101 筐体
9103 表示部
9105 スタンド
9107 表示部
9109 操作キー
9110 リモコン操作機
9201 本体
9202 筐体
9203 表示部
9204 キーボード
9205 外部接続ポート
9206 ポインティングデバイス
9630 筐体
9631 表示部
9631a 表示部
9631b 表示部
9632a 領域
9632b 領域
9633 太陽電池
9634 充放電制御回路
9635 バッテリー
9636 DCDCコンバータ
9637 コンバータ
9638 操作キー
9639 ボタン

【特許請求の範囲】
【請求項1】
絶縁表面上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート電極層上に島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記ゲート電極層と重畳し、前記島状の酸化物半導体膜に接する絶縁層を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜及び前記絶縁層を覆う導電膜を形成し、
前記導電膜を、ハロゲン元素を含むエッチングガスを用いたプラズマ処理によって加工して、前記ソース電極層及びドレイン電極層を形成することで、前記酸化物半導体膜の一部を露出させ、
前記露出した酸化物半導体膜に不純物除去処理を行い、前記エッチングガスに含まれる元素を除去する半導体装置の作製方法。
【請求項2】
絶縁表面上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート電極層上に島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜を覆う絶縁層を形成し、
前記絶縁層を、ハロゲン元素を含むエッチングガスを用いたプラズマ処理によって加工して、前記ゲート電極層と重畳する位置に、チャネル保護膜として機能する絶縁層を形成し、
前記酸化物半導体膜に不純物除去処理を行い、前記エッチングガスに含まれる元素を除去し、
前記島状の酸化物半導体膜及び前記チャネル保護膜として機能する絶縁層を覆う導電膜を形成し、
前記導電膜を加工して、前記酸化物半導体膜のチャネル幅方向の端部を覆うソース電極層及びドレイン電極層を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項3】
前記不純物除去処理を行った前記酸化物半導体膜表面における塩素濃度を5×1018atoms/cm以下とする請求項1または2に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項4】
前記不純物除去処理として、酸素プラズマ処理又は一酸化二窒素プラズマ処理を行う請求項1乃至3のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項5】
前記不純物除去処理として、希フッ酸溶液による洗浄処理を行う請求項1乃至3のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項6】
絶縁表面上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート電極層上に島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜を覆う絶縁層を形成し、
前記絶縁層を、ハロゲン元素を含むエッチングガスを用いたプラズマ処理によって加工して、前記ゲート電極層と重畳する位置に、チャネル保護膜として機能する絶縁層を形成し、
前記酸化物半導体膜に第1の不純物除去処理を行い、前記エッチングガスに含まれる元素を除去し、
前記島状の酸化物半導体膜及び前記チャネル保護膜として機能する絶縁層を覆う導電膜を形成し、
前記導電膜を、ハロゲン元素を含むエッチングガスを用いたプラズマ処理によって加工して、ソース電極層及びドレイン電極層を形成することで、前記酸化物半導体膜の一部を露出させ、
前記露出した酸化物半導体膜に第2の不純物除去処理を行い、前記エッチングガスに含まれる元素を除去する半導体装置の作製方法。
【請求項7】
前記第2の不純物除去処理を行った前記酸化物半導体膜表面における塩素濃度を5×1018atoms/cm以下とする請求項6に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項8】
前記第1の不純物除去処理または前記第2の不純物除去処理として、酸素プラズマ処理又は一酸化二窒素プラズマ処理を行う請求項6または7に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項9】
前記第1の不純物除去処理または前記第2の不純物除去処理として、希フッ酸溶液による洗浄処理を行う請求項6または7に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項10】
絶縁表面上に設けられたゲート電極層と、
前記ゲート電極層上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられた島状の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上に設けられ、前記ゲート電極層と重畳する絶縁層と、
前記酸化物半導体膜及び前記絶縁層に接するソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層のチャネル幅方向の長さは、前記酸化物半導体膜のチャネル幅方向の長さよりも短く、
前記酸化物半導体膜表面における塩素濃度は、5×1018atoms/cm以下である半導体装置。
【請求項11】
前記酸化物半導体膜において、前記絶縁層、前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層と重畳する領域の膜厚は、前記絶縁層、前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層のいずれとも重畳しない領域の膜厚よりも大きい請求項10に記載の半導体装置。
【請求項12】
前記酸化物半導体膜は、全ての領域において、前記絶縁層、前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層のいずれかと重畳する請求項11に記載の半導体装置。
【請求項13】
絶縁表面上に設けられたゲート電極層と、
前記ゲート電極層上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられた島状の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上に設けられ、前記ゲート電極層と重畳する絶縁層と、
前記酸化物半導体膜及び前記絶縁層に接するソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層は、前記酸化物半導体膜のチャネル幅方向の端部を覆い、
前記酸化物半導体膜表面における塩素濃度は、5×1018atoms/cm以下である半導体装置。
【請求項14】
前記酸化物半導体膜において、前記絶縁層と重畳する領域の膜厚は、前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層と重畳する領域の膜厚よりも大きい請求項13に記載の半導体装置。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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【図10】
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【図11】
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【図12】
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【図13】
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【図14】
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【図15】
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【図16】
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【公開番号】特開2013−110394(P2013−110394A)
【公開日】平成25年6月6日(2013.6.6)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−227338(P2012−227338)
【出願日】平成24年10月12日(2012.10.12)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】