半導体装置及び半導体装置の製造方法
【課題】電源端子及びグランド端子をより少なくして、信号端子をより多く備えることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】複数の第１電極パッド１１を第１面に有する半導体チップ１０と、第１面上で、複数の第１電極パッド１１の各々と接触し、複数の第１電極パッド１１の各々を電気的に接続する第１配線テープ２０とを具備する。
【解決手段】複数の第１電極パッド１１を第１面に有する半導体チップ１０と、第１面上で、複数の第１電極パッド１１の各々と接触し、複数の第１電極パッド１１の各々を電気的に接続する第１配線テープ２０とを具備する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタルテレビやデジタルカメラ等のデジタル電子機器は急速に普及し、高性能化、多機能化が進んでいる。デジタル電子機器は、小型化、薄型化、軽量化、及び低消費電力化への要求が高いため、機器に使用される半導体装置もまた、小型化、多ピン化及び低消費電力化等が進んでいる。こうした機器類の製品ラインナップは非常に多く、頻繁にモデルチェンジもすることから、開発当初から可能な限りのコストダウンを行うことが重要である。コストダウン手法としての小型化は、前述したデジタル電子機器に対する要求に合致するため有効な方法である。しかし、小型化された半導体装置は、十分な数の信号端子を確保することが難しく、様々な検討がなされている。
【０００３】
特許文献１には、電源用リードを少なくし、パッケージ本体のサイズを小型化できる半導体装置が開示されている。この半導体装置は、多数の電極を有する半導体チップと、ワイヤを介して電極と接続し、装置外に出る複数のリードと、半導体チップ上に延びて絶縁材を介して積層されると共にワイヤを介して電極と接続される導体板と、これらを樹脂封止するパッケージ本体とを備えることを特徴とする。このような半導体装置は、半導体チップ上に大きな断面積を確保し得る電源用リードや接地用リードを形成しているため、半導体装置の電源系を低インダクタンスにでき、電気特性を改善することができるというものである。その結果、この半導体装置は、パッケージ本体外に導出させる電源用リードを少なくでき、小型化することが可能となる。
【０００４】
特許文献２には、高周波特性のような電気特性に優れる半導体装置が開示されている。この半導体装置は、デバイスホールを有するフィルム状の絶縁基材と、デバイスホールに突出するように配設されたインナーリードと、デバイスホール内に配置され、インナーリードと接続する半導体素子と、半導体素子の接続領域を被覆する封止樹脂層とを備えている。半導体装置は、インナーリードより内側のデバイスホール領域に、リング状の電源系もしくはグランド系の配線部が配設されている。これらの配設面において、樹脂封止層より外側の領域に、電源系もしくはグランド系の接続パッドが配設され、配線部と引出し用配線を介して接続されている。このような半導体装置は、半導体素子の電源系あるいはグランド系の電極端子から、電源系もしくはグランド系の配線部を経て、極めて短い距離で接続パッドまで接続できるというものである。
【０００５】
特許文献３には、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式の半導体装置が開示されている。この半導体装置は、半導体チップ及びリードフレームの表裏が絶縁フィルムを用いて封止されており、リードフレームのどちらか一方の面の一部のみが絶縁性フィルムより露出していることを特徴としている。このような半導体装置は、リードフレームのどちらか一方の面を含んで半導体チップの周囲を簡単に封止できるため、製造プロセスを簡素化できるというものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平０５−０２１６９４号公報
【特許文献２】特開２０００−７７５５９号公報
【特許文献３】特開平０８−２８８３２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
コストダウンのために半導体装置を小型化する際には、小型化してもより多くの信号端子を備えられるように、主に半導体パッケージの電源端子及びグランド端子が削減対象となる。しかし、電源端子及びグランド端子を削減し過ぎると、ＩＲドロップ（Ｉ：電流、Ｒ：配線抵抗）、すなわち電圧降下が発生し、その結果として、半導体装置が動作不良を起こしやすくなる問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
以下に、発明を実施するための形態で使用される符号を括弧付きで用いて、課題を解決するための手段を記載する。この符号は、特許請求の範囲の記載と発明を実施するための形態の記載との対応を明らかにするために付加されたものであり、特許請求の範囲に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【０００９】
本発明の半導体装置（１）は、複数の第１電極パッド（１１、１２）を第１面に有する半導体チップ（１０）と、第１面上で、複数の第１電極パッド（１１、１２）の各々と接触し、複数の第１電極パッド（１１、１２）の各々を電気的に接続する第１配線テープ（２０、３０）とを具備する。
【００１０】
本発明の半導体装置（１）の製造方法は、半導体チップ（１０）の第１面に形成された複数の第１電極パッド（１１、１２）の各々と電気的に接続するように、第１配線テープ（２０、３０）を接着する工程と、外部と接続する第１パッケージ端子（４１、４２）と、第１配線テープ（２０、３０）とを第１接続部（５０、６０、７０ｂ、７０ｃ）で電気的に接続する工程とを具備する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の半導体装置は、電源端子及びグランド端子をより少なく、信号端子をより多く備えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態の半導体装置１を示す平面図である。
【図２】図２は、半導体チップ１０の表面を示す平面図である。
【図３】図３は、半導体チップ１０に配線テープ２０と配線テープ３０とが接着されたことを示す平面図である。
【図４】図４は、本発明の第２の実施の形態の半導体装置１を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、添付図面を参照しながら、本発明の実施形態による半導体装置を説明する。
【００１４】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態による半導体装置１を説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態の半導体装置１を示す平面図である。図１を参照すると、半導体装置１は、半導体チップ１０と、配線テープ２０と、配線テープ３０と、パッケージ端子部４０と、接続リード５０と、接続リード６０と、ワイヤ部７０とを具備する。尚、本発明の半導体装置１は、パッケージ端子部４０の外端を残して、半導体チップ１０等を保護するために樹脂によって封止されるが、図１では封止樹脂は省略されている。
【００１５】
半導体チップ１０は、各種機能を実現するための回路を含み、回路と接続する複数の電極パッドを表面の外周部に有する。詳細には、半導体チップ１０は、複数のＧＮＤ用パッド１１と、複数のＶＤＤ用パッド１２と、複数の信号用パッド１３とを有する。複数のＧＮＤ用パッド１１と複数のＶＤＤ用パッド１２とは、電源が供給される電極パッドである。複数の信号用パッド１３は、信号が入出力される電極パッドである。平面視したときの半導体チップ１０の輪郭線となる４つの各辺の近傍において、複数のＧＮＤ用パッド１１、複数のＶＤＤ用パッド１２及び複数の信号用パッド１３は、平行に並んで配置される。言い換えると、複数のＧＮＤ用パッド１１と、複数のＶＤＤ用パッド１２及び複数の信号用パッド１３は、半導体チップ１０の外周のある一辺に対して平行な三列に配置される。
【００１６】
配線テープ２０は、半導体チップ１０の表面上で、複数のＧＮＤ用パッド１１の各々と接触し、複数のＧＮＤ用パッド１１の各々を電気的に接続するリング状のテープである。リング状とは直線や曲線で形成される閉曲線状であることを表し、配線テープ２０は半導体チップ１０の表面上で閉曲線状に配置される。配線テープ２０は、樹脂フィルムの片面にのみ、銅箔などの配線パタンを備えたものである。即ち、配線テープ２０は、複数のＧＮＤ用パッド１１の各々と接触する銅箔などの配線パタンと、配線パタンの上に形成され、配線テープ２０の表面に位置する樹脂フィルムとを備える。配線テープ２０が複数のＧＮＤ用パッド１１を覆うように接着しているため、配線テープの配線パタンと複数のＧＮＤ用パッド１１の各々とは面接触し、確実に導通される構造である。接触箇所の断面は、半導体チップ１０のＧＮＤ用パッド１１と、配線テープ２０の配線パタンと、配線テープ２０の樹脂フィルムとの積層構造となる。尚、配線テープ２０で囲まれた半導体チップ１０の表面に、複数のＶＤＤ用パッド１２及び複数の信号用パッド１３が配置されている。
【００１７】
配線テープ３０は、配線テープ２０と同様であり、半導体チップ１０の表面上で、複数のＶＤＤ用パッド１２の各々と接触し、複数のＶＤＤ用パッド１２の各々を電気的に接続するリング状のテープである。配線テープ３０は、樹脂フィルムの片面にのみ、銅箔などの配線パタンを備えている。従って、接触箇所の断面は、半導体チップ１０のＶＤＤ用パッド１２と、配線テープ３０の配線パタンと、配線テープ３０の樹脂フィルムとの積層構造となる。配線テープ２０と配線テープ３０とは、半導体チップ１０の表面上で重ならないように配置される。尚、配線テープ３０で囲まれた外側の半導体チップ１０の表面に、複数のＧＮＤ用パッド１１及び複数のＶＤＤ用パッド１２が配置されている。特に、配線テープ２０と配線テープ３０とで囲まれた領域には、複数の信号用パッド１３が配置されている。
【００１８】
パッケージ端子部４０は、半導体装置１が外部と接続するためのパッケージ端子であり、半導体チップ１０の外側で半導体チップ１０を取り囲むように放射状に配置されている。パッケージ端子部４０は、ＧＮＤ用パッケージ端子４１と、ＶＤＤ用パッケージ端子４２と、信号用パッケージ端子４３とを備える。ＧＮＤ用パッケージ端子４１とＶＤＤ用パッケージ端子４２とには、電源として異なる電圧が供給される。ＧＮＤ用パッケージ端子４１はグランド電圧が供給されるパッケージ端子であり、ＶＤＤ用パッケージ端子４２は電源電圧が供給されるパッケージ端子である。信号用パッケージ端子４３は、信号が入出力されるパッケージ端子である。尚、ＧＮＤ用パッケージ端子４１、ＶＤＤ用パッケージ端子４２及び信号用パッケージ端子４３は、図１に示した位置や数に限定するものではなく、他の位置や複数配置されていてもよい。但し、ＧＮＤ用パッケージ端子４１及びＶＤＤ用パッケージ端子４２は、接続リード５０及び接続リード６０ができるだけ短くなる位置であることが好ましい。また、半導体装置１は、信号用パッケージ端子４３をより多く備えられるように、ＧＮＤ用パッケージ端子４１及びＶＤＤ用パッケージ端子４２の数は少ないことが好ましい。
【００１９】
接続リード５０は、配線テープ２０と、ＧＮＤ用パッケージ端子４１とを電気的に接続する。接続リード５０は、配線テープ２０と同様であり、樹脂フィルムの片面にのみ、銅箔などの配線パタンを備えたものである。即ち、接続リード５０は、配線テープ２０とＧＮＤ用パッケージ端子４１とを電気的に接続する配線パタンと、配線パタンの上に形成され、接続リード５０表面に位置する樹脂フィルムとを備える。
【００２０】
接続リード６０は、配線テープ３０と、ＶＤＤ用パッケージ端子４２とを電気的に接続する。接続リード６０は、接続リード５０と同様であり、樹脂フィルムの片面にのみ、銅箔などの配線パタンを備えている。即ち、接続リード６０は、配線テープ３０とＶＤＤ用パッケージ端子４２とを電気的に接続する配線パタンと、配線パタンの上に形成され、接続リード６０表面に位置する樹脂フィルムとを備える。接続リード６０は配線テープ２０と接触するが、配線テープ２０の表面は絶縁性の樹脂フィルムであるため、接続リード６０と配線テープ２０とはショートすることなく交差できる。即ち、交差した箇所の断面は、半導体チップ１０と、配線テープ２０の配線パタンと、配線テープ２０の樹脂フィルムと、接続リード６０の配線パタンと、接続リード６０の樹脂フィルムとの積層構造となる。尚、配線テープ２０と接続リード６０とは、上下が逆に交差していてもよい。配線テープ２０と接続リード６０とが交差できることで、ワイヤ部７０が形成されるための空間を確保しやくなる。また、接続リード５０及び接続リード６０は、１本のワイヤ７０ａよりも広い断面積を有し、確実に電源を供給できる効果を奏する。
【００２１】
ワイヤ部７０は、半導体チップ１０と、パッケージ端子部４０とを電気的に接続する。ワイヤ部７０は、複数のワイヤ７０ａを含む。ワイヤ７０ａは、信号用パッド１３と、当該信号用パッド１３に対応した信号用パッケージ端子４３とを１対１で電気的に接続する。
【００２２】
このような構造の半導体装置１は、ＧＮＤ用パッケージ端子４１及びＶＤＤ用パッケージ端子４２を介して供給された電源を、リング状の配線テープ２０及びリング状の配線テープ３０を介して、複数のＧＮＤ用パッド１１及び複数のＶＤＤ用パッド１２に供給することができる。つまり、本発明の半導体装置１は、より少ないＧＮＤ用パッケージ端子４１及びＶＤＤ用パッケージ端子４２でも、電源を供給することが可能となる。特に、配線テープ２０及び配線テープ３０がリング状であると電圧降下を補い易く、電源電圧及びグランド電圧を安定させることができる。
【００２３】
本発明の第１の実施の形態による半導体装置１の製造方法を説明する。図２は、半導体チップ１０の表面を示す平面図である。図２を参照すると、半導体チップ１０の表面には、複数のＧＮＤ用パッド１１と、複数のＶＤＤ用パッド１２と、複数の信号用パッド１３とが形成されている。平面視したときの半導体チップ１０の輪郭線となる４つの各辺の近傍において、複数のＧＮＤ用パッド１１、複数のＶＤＤ用パッド１２及び複数の信号用パッド１３は、平行に並んで配置される。
【００２４】
図３は、図２の半導体チップ１０に配線テープ２０と配線テープ３０とが接着されたことを示す平面図である。図３を参照すると、配線テープ２０は、複数のＧＮＤ用パッド１１の各々と電気的に接続するように、半導体チップ１０の表面上へリング状に接着される。また、配線テープ３０は、半導体チップ１０の表面に形成された、配線テープ２０で囲まれた複数のＶＤＤ用パッド１２の各々と電気的に接続するように、半導体チップ１０の表面上へリング状に接着される。尚、配線テープ２０と配線テープ３０とを形成する順番は逆であってもよい。
【００２５】
配線テープ２０と配線テープ３０とが接着された半導体チップ１０は、パッケージ端子部４０と接続される。図１を参照すると、配線テープ２０とＧＮＤ用パッケージ端子４１とは、接続リード５０によって電気的に接続される。また、配線テープ３０とＶＤＤ用パッケージ端子４２とは、接続リード６０によって電気的に接続される。更に、信号用パッケージ端子４３は、ワイヤ７０ａによって信号用パッド１３と接続される。この様にして、本発明の第１の実施の形態の半導体装置１は製造される。
【００２６】
本発明の第１の実施の形態による半導体装置１は、ＧＮＤ用パッケージ端子４１及びＶＤＤ用パッケージ端子４２を介して供給された電源を、リング状の配線テープ２０及びリング状の配線テープ３０を介して、複数のＧＮＤ用パッド１１及び複数のＶＤＤ用パッド１２に供給することができる。つまり、本発明の半導体装置１は、より少ないＧＮＤ用パッケージ端子４１及びＶＤＤ用パッケージ端子４２でも、電源を供給することが可能となる。特に、配線テープ２０及び配線テープ３０がリング状であると電圧降下を補い易く、電源電圧及びグランド電圧を安定させることができるため、小型化してもより多くの信号端子を備えることができる。尚、本発明の半導体装置１は、配線テープ２０と配線テープ３０とが二重のリング状構造として説明したが、その数を二重に限定するものではない。
【００２７】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態による半導体装置１を説明する。本発明の第２の実施の形態による半導体装置１は、第１の実施の形態の接続リード５０と接続リード６０とをワイヤに変更したものである。図４は、本発明の第２の実施の形態の半導体装置１を示す平面図である。図４を参照すると、半導体装置１は、半導体チップ１０と、配線テープ２０と、配線テープ３０と、パッケージ端子部４０と、ワイヤ部７０とを具備する。尚、本発明の第２の実施の形態では、第１の実施の形態と同様の構成には同じ符号を用いて説明する。
【００２８】
ワイヤ部７０は、半導体チップ１０と、パッケージ端子部４０とを電気的に接続する。ワイヤ部７０は、複数のワイヤ７０ａと、複数のワイヤ７０ｂと、複数のワイヤ７０ｃとを備える。ワイヤ７０ａは、１つの信号用パッド１３と、当該信号用パッド１３に対応した１つの信号用パッケージ端子４３とを電気的に接続する。ワイヤ７０ｂは、配線テープ２０の任意の部位と、１つのＧＮＤ用パッケージ端子４１を電気的に接続する。ワイヤ７０ｃは、配線テープ３０の任意の部位と、１つのＶＤＤ用パッケージ端子４２とを電気的に接続する。尚、複数のワイヤ７０ａ、複数のワイヤ７０ｂ、及び複数のワイヤ７０ｃの各々は、ワイヤ長ができるだけ短いことが好ましい。
【００２９】
本発明の第２の実施の形態によるパッケージ端子部４０は、複数のＧＮＤ用パッケージ端子４１と、複数のＶＤＤ用パッケージ用端子４２とを備える。従って、配線テープ２０は、複数のワイヤ７０ｂを介して複数のＧＮＤ用パッケージ端子４１と接続され、配線テープ３０は、複数のワイヤ７０ｃを介して複数のＶＤＤ用パッケージ端子４２と接続される。尚、ＧＮＤ用パッケージ端子４１、ＶＤＤ用パッケージ端子４２及び信号用パッケージ端子４３は、図４に示した位置や数に限定するものではない。但し、ＧＮＤ用パッケージ端子４１及びＶＤＤ用パッケージ端子４２は、ワイヤ７０ｂ及びワイヤ７０ｃができるだけ短くなる位置であることが好ましい。また、半導体装置１は、信号用パッケージ端子４３をより多く備えられるように、ＧＮＤ用パッケージ端子４１及びＶＤＤ用パッケージ端子４２の数は少ないことが好ましい。
【００３０】
本発明の第２の実施の形態による半導体装置１の製造方法を説明する。本発明の第２の実施の形態による半導体装置１の製造方法は、図２及び図３に示した製造工程までは第１の実施の形態と同様である。従って、図３以降の製造工程を説明する。
【００３１】
図３に示した状態の配線テープ２０と配線テープ３０とが接着された半導体チップ１０は、次に、ワイヤボンディングによってパッケージ端子部４０と接続される。図４を参照すると、ワイヤ部７０は、半導体チップ１０と、パッケージ端子部４０とを電気的に接続する。詳細には、ワイヤ７０ａは、１つの信号用パッド１３と、当該信号用パッド１３に対応した１つの信号用パッケージ端子４３とを電気的に接続する。ワイヤ７０ｂは、配線テープ２０の任意の部位と、ＧＮＤ用パッケージ端子４１を電気的に接続する。ワイヤ７０ｃは、配線テープ３０の任意の部位と、ＶＤＤ用パッケージ端子４２とを電気的に接続する。配線テープ２０及び配線テープ３０は、そのテープ上のいずれの位置においてワイヤボンディングが行われても電気的な接続が可能である。この様にして、本発明の第２の実施の形態の半導体装置１は製造される。
【００３２】
本発明の第２の実施の形態による半導体装置１は、第１の実施の形態による効果に加え、更に、配線テープ２０及び配線テープ３０のどの位置にもワイヤを接続することができるため、半導体装置１の設計の自由度を高める効果を奏する。
【００３３】
以上のように、本発明の半導体装置１は、半導体チップ１０上の複数の電極パッド１１、１２にリング状の配線テープ２０、３０を接着させることで、各電極パッド１１、１２に供給される電源電圧又はグランド電圧を共通化させることができる。これによって、本発明の半導体装置１は、電源端子及びグランド端子をより少なくし、より多くの信号端子を備えることが可能となる。特に、本発明の半導体装置１は、配線テープ２０、３０がリング状であるため、より少ない電源端子及びグランド端子でも、電源電圧及びグランド電圧を安定させることができる効果を奏する。また、本発明の半導体装置１は、全ての電極パッドにワイヤボンディングを行わないため、ワイヤの数や使用量を削減することもできる。ワイヤの数や使用量が減少すると、ワイヤ間で発生するショートを抑えることに繋がり、コストダウン効果に加え、信頼性及び歩留まりを向上させる効果も奏する。更に、本発明の半導体装置１は、搭載されるマザーボード側の電源端子及びグランド端子も削減することができるため、マザーボードを設計し易くする効果も奏する。尚、説明した実施の形態は矛盾のない範囲で組み合わせることが可能である。
【符号の説明】
【００３４】
１ 半導体装置
１０ 半導体チップ
１１ ＧＮＤ用パッド
１２ ＶＤＤ用パッド
１３ 信号用パッド
２０ 配線テープ
３０ 配線テープ
４０ パッケージ端子部
４１ ＧＮＤ用パッケージ端子
４２ ＶＤＤ用パッケージ端子
４３ 信号用パッケージ端子
５０ 接続リード
６０ 接続リード
７０ ワイヤ部
７０ａ ワイヤ
７０ｂ ワイヤ
７０ｃ ワイヤ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタルテレビやデジタルカメラ等のデジタル電子機器は急速に普及し、高性能化、多機能化が進んでいる。デジタル電子機器は、小型化、薄型化、軽量化、及び低消費電力化への要求が高いため、機器に使用される半導体装置もまた、小型化、多ピン化及び低消費電力化等が進んでいる。こうした機器類の製品ラインナップは非常に多く、頻繁にモデルチェンジもすることから、開発当初から可能な限りのコストダウンを行うことが重要である。コストダウン手法としての小型化は、前述したデジタル電子機器に対する要求に合致するため有効な方法である。しかし、小型化された半導体装置は、十分な数の信号端子を確保することが難しく、様々な検討がなされている。
【０００３】
特許文献１には、電源用リードを少なくし、パッケージ本体のサイズを小型化できる半導体装置が開示されている。この半導体装置は、多数の電極を有する半導体チップと、ワイヤを介して電極と接続し、装置外に出る複数のリードと、半導体チップ上に延びて絶縁材を介して積層されると共にワイヤを介して電極と接続される導体板と、これらを樹脂封止するパッケージ本体とを備えることを特徴とする。このような半導体装置は、半導体チップ上に大きな断面積を確保し得る電源用リードや接地用リードを形成しているため、半導体装置の電源系を低インダクタンスにでき、電気特性を改善することができるというものである。その結果、この半導体装置は、パッケージ本体外に導出させる電源用リードを少なくでき、小型化することが可能となる。
【０００４】
特許文献２には、高周波特性のような電気特性に優れる半導体装置が開示されている。この半導体装置は、デバイスホールを有するフィルム状の絶縁基材と、デバイスホールに突出するように配設されたインナーリードと、デバイスホール内に配置され、インナーリードと接続する半導体素子と、半導体素子の接続領域を被覆する封止樹脂層とを備えている。半導体装置は、インナーリードより内側のデバイスホール領域に、リング状の電源系もしくはグランド系の配線部が配設されている。これらの配設面において、樹脂封止層より外側の領域に、電源系もしくはグランド系の接続パッドが配設され、配線部と引出し用配線を介して接続されている。このような半導体装置は、半導体素子の電源系あるいはグランド系の電極端子から、電源系もしくはグランド系の配線部を経て、極めて短い距離で接続パッドまで接続できるというものである。
【０００５】
特許文献３には、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式の半導体装置が開示されている。この半導体装置は、半導体チップ及びリードフレームの表裏が絶縁フィルムを用いて封止されており、リードフレームのどちらか一方の面の一部のみが絶縁性フィルムより露出していることを特徴としている。このような半導体装置は、リードフレームのどちらか一方の面を含んで半導体チップの周囲を簡単に封止できるため、製造プロセスを簡素化できるというものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平０５−０２１６９４号公報
【特許文献２】特開２０００−７７５５９号公報
【特許文献３】特開平０８−２８８３２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
コストダウンのために半導体装置を小型化する際には、小型化してもより多くの信号端子を備えられるように、主に半導体パッケージの電源端子及びグランド端子が削減対象となる。しかし、電源端子及びグランド端子を削減し過ぎると、ＩＲドロップ（Ｉ：電流、Ｒ：配線抵抗）、すなわち電圧降下が発生し、その結果として、半導体装置が動作不良を起こしやすくなる問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
以下に、発明を実施するための形態で使用される符号を括弧付きで用いて、課題を解決するための手段を記載する。この符号は、特許請求の範囲の記載と発明を実施するための形態の記載との対応を明らかにするために付加されたものであり、特許請求の範囲に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【０００９】
本発明の半導体装置（１）は、複数の第１電極パッド（１１、１２）を第１面に有する半導体チップ（１０）と、第１面上で、複数の第１電極パッド（１１、１２）の各々と接触し、複数の第１電極パッド（１１、１２）の各々を電気的に接続する第１配線テープ（２０、３０）とを具備する。
【００１０】
本発明の半導体装置（１）の製造方法は、半導体チップ（１０）の第１面に形成された複数の第１電極パッド（１１、１２）の各々と電気的に接続するように、第１配線テープ（２０、３０）を接着する工程と、外部と接続する第１パッケージ端子（４１、４２）と、第１配線テープ（２０、３０）とを第１接続部（５０、６０、７０ｂ、７０ｃ）で電気的に接続する工程とを具備する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の半導体装置は、電源端子及びグランド端子をより少なく、信号端子をより多く備えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態の半導体装置１を示す平面図である。
【図２】図２は、半導体チップ１０の表面を示す平面図である。
【図３】図３は、半導体チップ１０に配線テープ２０と配線テープ３０とが接着されたことを示す平面図である。
【図４】図４は、本発明の第２の実施の形態の半導体装置１を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、添付図面を参照しながら、本発明の実施形態による半導体装置を説明する。
【００１４】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態による半導体装置１を説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態の半導体装置１を示す平面図である。図１を参照すると、半導体装置１は、半導体チップ１０と、配線テープ２０と、配線テープ３０と、パッケージ端子部４０と、接続リード５０と、接続リード６０と、ワイヤ部７０とを具備する。尚、本発明の半導体装置１は、パッケージ端子部４０の外端を残して、半導体チップ１０等を保護するために樹脂によって封止されるが、図１では封止樹脂は省略されている。
【００１５】
半導体チップ１０は、各種機能を実現するための回路を含み、回路と接続する複数の電極パッドを表面の外周部に有する。詳細には、半導体チップ１０は、複数のＧＮＤ用パッド１１と、複数のＶＤＤ用パッド１２と、複数の信号用パッド１３とを有する。複数のＧＮＤ用パッド１１と複数のＶＤＤ用パッド１２とは、電源が供給される電極パッドである。複数の信号用パッド１３は、信号が入出力される電極パッドである。平面視したときの半導体チップ１０の輪郭線となる４つの各辺の近傍において、複数のＧＮＤ用パッド１１、複数のＶＤＤ用パッド１２及び複数の信号用パッド１３は、平行に並んで配置される。言い換えると、複数のＧＮＤ用パッド１１と、複数のＶＤＤ用パッド１２及び複数の信号用パッド１３は、半導体チップ１０の外周のある一辺に対して平行な三列に配置される。
【００１６】
配線テープ２０は、半導体チップ１０の表面上で、複数のＧＮＤ用パッド１１の各々と接触し、複数のＧＮＤ用パッド１１の各々を電気的に接続するリング状のテープである。リング状とは直線や曲線で形成される閉曲線状であることを表し、配線テープ２０は半導体チップ１０の表面上で閉曲線状に配置される。配線テープ２０は、樹脂フィルムの片面にのみ、銅箔などの配線パタンを備えたものである。即ち、配線テープ２０は、複数のＧＮＤ用パッド１１の各々と接触する銅箔などの配線パタンと、配線パタンの上に形成され、配線テープ２０の表面に位置する樹脂フィルムとを備える。配線テープ２０が複数のＧＮＤ用パッド１１を覆うように接着しているため、配線テープの配線パタンと複数のＧＮＤ用パッド１１の各々とは面接触し、確実に導通される構造である。接触箇所の断面は、半導体チップ１０のＧＮＤ用パッド１１と、配線テープ２０の配線パタンと、配線テープ２０の樹脂フィルムとの積層構造となる。尚、配線テープ２０で囲まれた半導体チップ１０の表面に、複数のＶＤＤ用パッド１２及び複数の信号用パッド１３が配置されている。
【００１７】
配線テープ３０は、配線テープ２０と同様であり、半導体チップ１０の表面上で、複数のＶＤＤ用パッド１２の各々と接触し、複数のＶＤＤ用パッド１２の各々を電気的に接続するリング状のテープである。配線テープ３０は、樹脂フィルムの片面にのみ、銅箔などの配線パタンを備えている。従って、接触箇所の断面は、半導体チップ１０のＶＤＤ用パッド１２と、配線テープ３０の配線パタンと、配線テープ３０の樹脂フィルムとの積層構造となる。配線テープ２０と配線テープ３０とは、半導体チップ１０の表面上で重ならないように配置される。尚、配線テープ３０で囲まれた外側の半導体チップ１０の表面に、複数のＧＮＤ用パッド１１及び複数のＶＤＤ用パッド１２が配置されている。特に、配線テープ２０と配線テープ３０とで囲まれた領域には、複数の信号用パッド１３が配置されている。
【００１８】
パッケージ端子部４０は、半導体装置１が外部と接続するためのパッケージ端子であり、半導体チップ１０の外側で半導体チップ１０を取り囲むように放射状に配置されている。パッケージ端子部４０は、ＧＮＤ用パッケージ端子４１と、ＶＤＤ用パッケージ端子４２と、信号用パッケージ端子４３とを備える。ＧＮＤ用パッケージ端子４１とＶＤＤ用パッケージ端子４２とには、電源として異なる電圧が供給される。ＧＮＤ用パッケージ端子４１はグランド電圧が供給されるパッケージ端子であり、ＶＤＤ用パッケージ端子４２は電源電圧が供給されるパッケージ端子である。信号用パッケージ端子４３は、信号が入出力されるパッケージ端子である。尚、ＧＮＤ用パッケージ端子４１、ＶＤＤ用パッケージ端子４２及び信号用パッケージ端子４３は、図１に示した位置や数に限定するものではなく、他の位置や複数配置されていてもよい。但し、ＧＮＤ用パッケージ端子４１及びＶＤＤ用パッケージ端子４２は、接続リード５０及び接続リード６０ができるだけ短くなる位置であることが好ましい。また、半導体装置１は、信号用パッケージ端子４３をより多く備えられるように、ＧＮＤ用パッケージ端子４１及びＶＤＤ用パッケージ端子４２の数は少ないことが好ましい。
【００１９】
接続リード５０は、配線テープ２０と、ＧＮＤ用パッケージ端子４１とを電気的に接続する。接続リード５０は、配線テープ２０と同様であり、樹脂フィルムの片面にのみ、銅箔などの配線パタンを備えたものである。即ち、接続リード５０は、配線テープ２０とＧＮＤ用パッケージ端子４１とを電気的に接続する配線パタンと、配線パタンの上に形成され、接続リード５０表面に位置する樹脂フィルムとを備える。
【００２０】
接続リード６０は、配線テープ３０と、ＶＤＤ用パッケージ端子４２とを電気的に接続する。接続リード６０は、接続リード５０と同様であり、樹脂フィルムの片面にのみ、銅箔などの配線パタンを備えている。即ち、接続リード６０は、配線テープ３０とＶＤＤ用パッケージ端子４２とを電気的に接続する配線パタンと、配線パタンの上に形成され、接続リード６０表面に位置する樹脂フィルムとを備える。接続リード６０は配線テープ２０と接触するが、配線テープ２０の表面は絶縁性の樹脂フィルムであるため、接続リード６０と配線テープ２０とはショートすることなく交差できる。即ち、交差した箇所の断面は、半導体チップ１０と、配線テープ２０の配線パタンと、配線テープ２０の樹脂フィルムと、接続リード６０の配線パタンと、接続リード６０の樹脂フィルムとの積層構造となる。尚、配線テープ２０と接続リード６０とは、上下が逆に交差していてもよい。配線テープ２０と接続リード６０とが交差できることで、ワイヤ部７０が形成されるための空間を確保しやくなる。また、接続リード５０及び接続リード６０は、１本のワイヤ７０ａよりも広い断面積を有し、確実に電源を供給できる効果を奏する。
【００２１】
ワイヤ部７０は、半導体チップ１０と、パッケージ端子部４０とを電気的に接続する。ワイヤ部７０は、複数のワイヤ７０ａを含む。ワイヤ７０ａは、信号用パッド１３と、当該信号用パッド１３に対応した信号用パッケージ端子４３とを１対１で電気的に接続する。
【００２２】
このような構造の半導体装置１は、ＧＮＤ用パッケージ端子４１及びＶＤＤ用パッケージ端子４２を介して供給された電源を、リング状の配線テープ２０及びリング状の配線テープ３０を介して、複数のＧＮＤ用パッド１１及び複数のＶＤＤ用パッド１２に供給することができる。つまり、本発明の半導体装置１は、より少ないＧＮＤ用パッケージ端子４１及びＶＤＤ用パッケージ端子４２でも、電源を供給することが可能となる。特に、配線テープ２０及び配線テープ３０がリング状であると電圧降下を補い易く、電源電圧及びグランド電圧を安定させることができる。
【００２３】
本発明の第１の実施の形態による半導体装置１の製造方法を説明する。図２は、半導体チップ１０の表面を示す平面図である。図２を参照すると、半導体チップ１０の表面には、複数のＧＮＤ用パッド１１と、複数のＶＤＤ用パッド１２と、複数の信号用パッド１３とが形成されている。平面視したときの半導体チップ１０の輪郭線となる４つの各辺の近傍において、複数のＧＮＤ用パッド１１、複数のＶＤＤ用パッド１２及び複数の信号用パッド１３は、平行に並んで配置される。
【００２４】
図３は、図２の半導体チップ１０に配線テープ２０と配線テープ３０とが接着されたことを示す平面図である。図３を参照すると、配線テープ２０は、複数のＧＮＤ用パッド１１の各々と電気的に接続するように、半導体チップ１０の表面上へリング状に接着される。また、配線テープ３０は、半導体チップ１０の表面に形成された、配線テープ２０で囲まれた複数のＶＤＤ用パッド１２の各々と電気的に接続するように、半導体チップ１０の表面上へリング状に接着される。尚、配線テープ２０と配線テープ３０とを形成する順番は逆であってもよい。
【００２５】
配線テープ２０と配線テープ３０とが接着された半導体チップ１０は、パッケージ端子部４０と接続される。図１を参照すると、配線テープ２０とＧＮＤ用パッケージ端子４１とは、接続リード５０によって電気的に接続される。また、配線テープ３０とＶＤＤ用パッケージ端子４２とは、接続リード６０によって電気的に接続される。更に、信号用パッケージ端子４３は、ワイヤ７０ａによって信号用パッド１３と接続される。この様にして、本発明の第１の実施の形態の半導体装置１は製造される。
【００２６】
本発明の第１の実施の形態による半導体装置１は、ＧＮＤ用パッケージ端子４１及びＶＤＤ用パッケージ端子４２を介して供給された電源を、リング状の配線テープ２０及びリング状の配線テープ３０を介して、複数のＧＮＤ用パッド１１及び複数のＶＤＤ用パッド１２に供給することができる。つまり、本発明の半導体装置１は、より少ないＧＮＤ用パッケージ端子４１及びＶＤＤ用パッケージ端子４２でも、電源を供給することが可能となる。特に、配線テープ２０及び配線テープ３０がリング状であると電圧降下を補い易く、電源電圧及びグランド電圧を安定させることができるため、小型化してもより多くの信号端子を備えることができる。尚、本発明の半導体装置１は、配線テープ２０と配線テープ３０とが二重のリング状構造として説明したが、その数を二重に限定するものではない。
【００２７】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態による半導体装置１を説明する。本発明の第２の実施の形態による半導体装置１は、第１の実施の形態の接続リード５０と接続リード６０とをワイヤに変更したものである。図４は、本発明の第２の実施の形態の半導体装置１を示す平面図である。図４を参照すると、半導体装置１は、半導体チップ１０と、配線テープ２０と、配線テープ３０と、パッケージ端子部４０と、ワイヤ部７０とを具備する。尚、本発明の第２の実施の形態では、第１の実施の形態と同様の構成には同じ符号を用いて説明する。
【００２８】
ワイヤ部７０は、半導体チップ１０と、パッケージ端子部４０とを電気的に接続する。ワイヤ部７０は、複数のワイヤ７０ａと、複数のワイヤ７０ｂと、複数のワイヤ７０ｃとを備える。ワイヤ７０ａは、１つの信号用パッド１３と、当該信号用パッド１３に対応した１つの信号用パッケージ端子４３とを電気的に接続する。ワイヤ７０ｂは、配線テープ２０の任意の部位と、１つのＧＮＤ用パッケージ端子４１を電気的に接続する。ワイヤ７０ｃは、配線テープ３０の任意の部位と、１つのＶＤＤ用パッケージ端子４２とを電気的に接続する。尚、複数のワイヤ７０ａ、複数のワイヤ７０ｂ、及び複数のワイヤ７０ｃの各々は、ワイヤ長ができるだけ短いことが好ましい。
【００２９】
本発明の第２の実施の形態によるパッケージ端子部４０は、複数のＧＮＤ用パッケージ端子４１と、複数のＶＤＤ用パッケージ用端子４２とを備える。従って、配線テープ２０は、複数のワイヤ７０ｂを介して複数のＧＮＤ用パッケージ端子４１と接続され、配線テープ３０は、複数のワイヤ７０ｃを介して複数のＶＤＤ用パッケージ端子４２と接続される。尚、ＧＮＤ用パッケージ端子４１、ＶＤＤ用パッケージ端子４２及び信号用パッケージ端子４３は、図４に示した位置や数に限定するものではない。但し、ＧＮＤ用パッケージ端子４１及びＶＤＤ用パッケージ端子４２は、ワイヤ７０ｂ及びワイヤ７０ｃができるだけ短くなる位置であることが好ましい。また、半導体装置１は、信号用パッケージ端子４３をより多く備えられるように、ＧＮＤ用パッケージ端子４１及びＶＤＤ用パッケージ端子４２の数は少ないことが好ましい。
【００３０】
本発明の第２の実施の形態による半導体装置１の製造方法を説明する。本発明の第２の実施の形態による半導体装置１の製造方法は、図２及び図３に示した製造工程までは第１の実施の形態と同様である。従って、図３以降の製造工程を説明する。
【００３１】
図３に示した状態の配線テープ２０と配線テープ３０とが接着された半導体チップ１０は、次に、ワイヤボンディングによってパッケージ端子部４０と接続される。図４を参照すると、ワイヤ部７０は、半導体チップ１０と、パッケージ端子部４０とを電気的に接続する。詳細には、ワイヤ７０ａは、１つの信号用パッド１３と、当該信号用パッド１３に対応した１つの信号用パッケージ端子４３とを電気的に接続する。ワイヤ７０ｂは、配線テープ２０の任意の部位と、ＧＮＤ用パッケージ端子４１を電気的に接続する。ワイヤ７０ｃは、配線テープ３０の任意の部位と、ＶＤＤ用パッケージ端子４２とを電気的に接続する。配線テープ２０及び配線テープ３０は、そのテープ上のいずれの位置においてワイヤボンディングが行われても電気的な接続が可能である。この様にして、本発明の第２の実施の形態の半導体装置１は製造される。
【００３２】
本発明の第２の実施の形態による半導体装置１は、第１の実施の形態による効果に加え、更に、配線テープ２０及び配線テープ３０のどの位置にもワイヤを接続することができるため、半導体装置１の設計の自由度を高める効果を奏する。
【００３３】
以上のように、本発明の半導体装置１は、半導体チップ１０上の複数の電極パッド１１、１２にリング状の配線テープ２０、３０を接着させることで、各電極パッド１１、１２に供給される電源電圧又はグランド電圧を共通化させることができる。これによって、本発明の半導体装置１は、電源端子及びグランド端子をより少なくし、より多くの信号端子を備えることが可能となる。特に、本発明の半導体装置１は、配線テープ２０、３０がリング状であるため、より少ない電源端子及びグランド端子でも、電源電圧及びグランド電圧を安定させることができる効果を奏する。また、本発明の半導体装置１は、全ての電極パッドにワイヤボンディングを行わないため、ワイヤの数や使用量を削減することもできる。ワイヤの数や使用量が減少すると、ワイヤ間で発生するショートを抑えることに繋がり、コストダウン効果に加え、信頼性及び歩留まりを向上させる効果も奏する。更に、本発明の半導体装置１は、搭載されるマザーボード側の電源端子及びグランド端子も削減することができるため、マザーボードを設計し易くする効果も奏する。尚、説明した実施の形態は矛盾のない範囲で組み合わせることが可能である。
【符号の説明】
【００３４】
１ 半導体装置
１０ 半導体チップ
１１ ＧＮＤ用パッド
１２ ＶＤＤ用パッド
１３ 信号用パッド
２０ 配線テープ
３０ 配線テープ
４０ パッケージ端子部
４１ ＧＮＤ用パッケージ端子
４２ ＶＤＤ用パッケージ端子
４３ 信号用パッケージ端子
５０ 接続リード
６０ 接続リード
７０ ワイヤ部
７０ａ ワイヤ
７０ｂ ワイヤ
７０ｃ ワイヤ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１電極パッドを第１面に有する半導体チップと、
前記第１面上で、前記複数の第１電極パッドの各々と接触し、前記複数の第１電極パッドの各々を電気的に接続する第１配線テープと
を具備する
半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記第１配線テープは、前記第１面上で閉曲線状に配置される
半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置であって、
前記第１面上に第２配線テープ
を更に具備し、
前記半導体チップは、
前記第１配線テープで囲まれた前記第１面に、複数の第２電極パッド
を更に有し、
前記第２配線テープは、前記複数の第２電極パッドの各々と接触し、前記複数の第２電極パッドの各々を電気的に接続する
半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置であって、
前記第２配線テープは、前記第１面上で閉曲線状に配置される
半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一項に記載の半導体装置であって、
前記第１配線テープは、
前記複数の第１電極パッドの各々と接触する第１導体層と、
前記第１導体層の上に形成され、前記第１配線テープの表面に位置する第１絶縁層と
を備える
半導体装置。
【請求項６】
請求項３又は４に記載の半導体装置であって、
前記第１配線テープは、
前記複数の第１電極パッドの各々と接触する第１導体層と、
前記第１導体層の上に形成され、前記第１配線テープの表面に位置する第１絶縁層と
を備え、
前記第２配線テープは、
前記複数の第２電極パッドの各々と接触する第２導体層と、
前記第２導体層の上に形成され、前記第２配線テープの表面に位置する第２絶縁層と
を備える
半導体装置。
【請求項７】
請求項３乃至６の何れか一項に記載の半導体装置であって、
外部と接続する第１パッケージ端子と、
外部と接続する第２パッケージ端子と、
前記第１配線テープと、前記第１パッケージ端子とを電気的に接続する第１接続部と、
前記第２配線テープと、前記第２パッケージ端子とを電気的に接続する第２接続部と
を更に具備する
半導体装置。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置であって、
前記第１接続部は、
前記第１配線テープと前記第１パッケージ端子とを電気的に接続する第３導体層と、
前記第３導体層の上に形成され、前記第１接続部の表面に位置する第３絶縁層と
を備え、
前記第２接続部は、
前記第２配線テープと前記第２パッケージ端子とを電気的に接続する第４導体層と、
前記第４導体層の上に形成され、前記第２接続部の表面に位置する第４絶縁層と
を備える
半導体装置。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の半導体装置であって、
前記第１パッケージ端子と前記第２パッケージ端子とには、異なる電圧が供給される
半導体装置。
【請求項１０】
半導体チップの第１面に形成された複数の第１電極パッドの各々と電気的に接続するように、第１配線テープを接着する工程と、
外部と接続する第１パッケージ端子と、前記第１配線テープとを第１接続部で電気的に接続する工程と
を具備する
半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１配線テープを接着する工程は、
前記第１面上に、前記第１配線テープを閉曲線状に接着する工程
を備える
半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１面に形成された、前記第１配線テープで囲まれた複数の第２電極パッドの各々と電気的に接続するように、第２配線テープを接着する工程と、
外部と接続する第２パッケージ端子と、前記第２配線テープとを第２接続部で電気的に接続する工程と
を更に具備する
半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１面に形成された、前記第１配線テープの外側の複数の第２電極パッドの各々と電気的に接続するように、第２配線テープを接着する工程と、
外部と接続する第２パッケージ端子と、前記第２配線テープとを第２接続部で電気的に接続する工程と
を更に具備する
半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２又は１３に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第２配線テープを接着する工程は、
前記第１面上に、前記第２配線テープを閉曲線状に接着する工程
を備える
半導体装置の製造方法。
【請求項１】
複数の第１電極パッドを第１面に有する半導体チップと、
前記第１面上で、前記複数の第１電極パッドの各々と接触し、前記複数の第１電極パッドの各々を電気的に接続する第１配線テープと
を具備する
半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記第１配線テープは、前記第１面上で閉曲線状に配置される
半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置であって、
前記第１面上に第２配線テープ
を更に具備し、
前記半導体チップは、
前記第１配線テープで囲まれた前記第１面に、複数の第２電極パッド
を更に有し、
前記第２配線テープは、前記複数の第２電極パッドの各々と接触し、前記複数の第２電極パッドの各々を電気的に接続する
半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置であって、
前記第２配線テープは、前記第１面上で閉曲線状に配置される
半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一項に記載の半導体装置であって、
前記第１配線テープは、
前記複数の第１電極パッドの各々と接触する第１導体層と、
前記第１導体層の上に形成され、前記第１配線テープの表面に位置する第１絶縁層と
を備える
半導体装置。
【請求項６】
請求項３又は４に記載の半導体装置であって、
前記第１配線テープは、
前記複数の第１電極パッドの各々と接触する第１導体層と、
前記第１導体層の上に形成され、前記第１配線テープの表面に位置する第１絶縁層と
を備え、
前記第２配線テープは、
前記複数の第２電極パッドの各々と接触する第２導体層と、
前記第２導体層の上に形成され、前記第２配線テープの表面に位置する第２絶縁層と
を備える
半導体装置。
【請求項７】
請求項３乃至６の何れか一項に記載の半導体装置であって、
外部と接続する第１パッケージ端子と、
外部と接続する第２パッケージ端子と、
前記第１配線テープと、前記第１パッケージ端子とを電気的に接続する第１接続部と、
前記第２配線テープと、前記第２パッケージ端子とを電気的に接続する第２接続部と
を更に具備する
半導体装置。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置であって、
前記第１接続部は、
前記第１配線テープと前記第１パッケージ端子とを電気的に接続する第３導体層と、
前記第３導体層の上に形成され、前記第１接続部の表面に位置する第３絶縁層と
を備え、
前記第２接続部は、
前記第２配線テープと前記第２パッケージ端子とを電気的に接続する第４導体層と、
前記第４導体層の上に形成され、前記第２接続部の表面に位置する第４絶縁層と
を備える
半導体装置。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の半導体装置であって、
前記第１パッケージ端子と前記第２パッケージ端子とには、異なる電圧が供給される
半導体装置。
【請求項１０】
半導体チップの第１面に形成された複数の第１電極パッドの各々と電気的に接続するように、第１配線テープを接着する工程と、
外部と接続する第１パッケージ端子と、前記第１配線テープとを第１接続部で電気的に接続する工程と
を具備する
半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１配線テープを接着する工程は、
前記第１面上に、前記第１配線テープを閉曲線状に接着する工程
を備える
半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１面に形成された、前記第１配線テープで囲まれた複数の第２電極パッドの各々と電気的に接続するように、第２配線テープを接着する工程と、
外部と接続する第２パッケージ端子と、前記第２配線テープとを第２接続部で電気的に接続する工程と
を更に具備する
半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１面に形成された、前記第１配線テープの外側の複数の第２電極パッドの各々と電気的に接続するように、第２配線テープを接着する工程と、
外部と接続する第２パッケージ端子と、前記第２配線テープとを第２接続部で電気的に接続する工程と
を更に具備する
半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２又は１３に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第２配線テープを接着する工程は、
前記第１面上に、前記第２配線テープを閉曲線状に接着する工程
を備える
半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１１−１５９６６１（Ｐ２０１１−１５９６６１Ａ）
【公開日】平成２３年８月１８日（２０１１．８．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１７８５１（Ｐ２０１０−１７８５１）
【出願日】平成２２年１月２９日（２０１０．１．２９）
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年８月１８日（２０１１．８．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１月２９日（２０１０．１．２９）
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]