半導体装置及び電子機器
【課題】トランジスタのしきい値電圧のばらつきに起因する電流値のばらつきを抑制することを課題とする。また、ビデオ信号によって指定された輝度からのずれが少なくかつデューティー比が高い表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】負荷と、前記負荷に供給する電流値を制御するトランジスタと、保持容量と、第1のスイッチ乃至第4のスイッチとを含む画素を有し、前記保持容量に前記トランジスタのしきい値電圧を保持させた後ビデオ信号に応じた電位を画素に入力し、前記しきい値電圧に前記電位を加算した電圧を保持させることで、トランジスタのしきい値電圧のばらつきに起因した電流値のばらつきを抑制することができる。そのため、発光素子をはじ
めとする負荷に所望の電流を供給することができる。また、電源線の電位を変動させることでデューティー比が高い表示装置を提供することができる。
【解決手段】負荷と、前記負荷に供給する電流値を制御するトランジスタと、保持容量と、第1のスイッチ乃至第4のスイッチとを含む画素を有し、前記保持容量に前記トランジスタのしきい値電圧を保持させた後ビデオ信号に応じた電位を画素に入力し、前記しきい値電圧に前記電位を加算した電圧を保持させることで、トランジスタのしきい値電圧のばらつきに起因した電流値のばらつきを抑制することができる。そのため、発光素子をはじ
めとする負荷に所望の電流を供給することができる。また、電源線の電位を変動させることでデューティー比が高い表示装置を提供することができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項1】
第1乃至第4のスイッチと、第1乃至第3の配線と、容量素子と、トランジスタと、を有する半導体装置であって、
前記トランジスタのソース及びドレインの一方は、負荷と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第3のスイッチの第1の端子と電気的に接続され、
前記第3のスイッチの第2の端子は、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第1の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのゲートは、前記第4のスイッチの第1の端子と電気的に接続され、
前記第4のスイッチの第2の端子は、前記第2のスイッチの第1の端子と電気的に接続され、
前記第2のスイッチの第2の端子は、前記トランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続され、
前記第4のスイッチの第2の端子は、前記第1のスイッチの第1の端子と電気的に接続され、
前記第1のスイッチの第2の端子は、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記容量素子の第1の端子は、前記第4のスイッチの第2の端子と電気的に接続され、
前記容量素子の第2の端子は、前記トランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項2】
アンテナ、操作キー、音声入力部、外部接続ポート、または、バッテリーと、請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載の半導体装置、請求項4乃至請求項7のいずれか一に記載の表示装置、または、請求項8に記載の表示モジュールと、を有することを特徴とする電子機器。
【請求項1】
第1乃至第4のスイッチと、第1乃至第3の配線と、容量素子と、トランジスタと、を有する半導体装置であって、
前記トランジスタのソース及びドレインの一方は、負荷と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第3のスイッチの第1の端子と電気的に接続され、
前記第3のスイッチの第2の端子は、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第1の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのゲートは、前記第4のスイッチの第1の端子と電気的に接続され、
前記第4のスイッチの第2の端子は、前記第2のスイッチの第1の端子と電気的に接続され、
前記第2のスイッチの第2の端子は、前記トランジスタのソース及びドレインの他方と電気的に接続され、
前記第4のスイッチの第2の端子は、前記第1のスイッチの第1の端子と電気的に接続され、
前記第1のスイッチの第2の端子は、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記容量素子の第1の端子は、前記第4のスイッチの第2の端子と電気的に接続され、
前記容量素子の第2の端子は、前記トランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項2】
アンテナ、操作キー、音声入力部、外部接続ポート、または、バッテリーと、請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載の半導体装置、請求項4乃至請求項7のいずれか一に記載の表示装置、または、請求項8に記載の表示モジュールと、を有することを特徴とする電子機器。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
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【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
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【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
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【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
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【図36】
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【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【公開番号】特開2012−198543(P2012−198543A)
【公開日】平成24年10月18日(2012.10.18)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−88931(P2012−88931)
【出願日】平成24年4月10日(2012.4.10)
【分割の表示】特願2007−96972(P2007−96972)の分割
【原出願日】平成19年4月3日(2007.4.3)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成24年10月18日(2012.10.18)
【国際特許分類】
【出願日】平成24年4月10日(2012.4.10)
【分割の表示】特願2007−96972(P2007−96972)の分割
【原出願日】平成19年4月3日(2007.4.3)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
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