半導体装置用テープキャリア及びその製造方法
【課題】半導体チップの接続パッド等への良好な接合性を維持でき、且つ金めっき層の薄膜化が図れる半導体装置用テープキャリア及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性のフィルム１上に銅配線２が形成され、前記銅配線２は半導体チップの接続パッドへと押し曲げられて接合されるインナーリードを有する半導体装置用テープキャリアにおいて、前記銅配線２の表面に金めっき層３が形成され、前記金めっき層３の表面に銅よりも耐酸化性に優れた被覆めっき層４が形成されている。
【解決手段】絶縁性のフィルム１上に銅配線２が形成され、前記銅配線２は半導体チップの接続パッドへと押し曲げられて接合されるインナーリードを有する半導体装置用テープキャリアにおいて、前記銅配線２の表面に金めっき層３が形成され、前記金めっき層３の表面に銅よりも耐酸化性に優れた被覆めっき層４が形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置用テープキャリア及びその製造方法に関し、特に銅配線の表面に施される金めっきの使用量を低減可能な半導体装置用テープキャリア及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置用テープキャリアの一つであるμＢＧＡ（micro Ball Grid Array）用ＴＡ
Ｂテープは、図８に示すように、例えば、ポリイミド等の絶縁性のフィルム１に接着剤を介して銅箔を貼り合わせ、銅箔をフォトエッチング法でパターニングしてインナーリードなどを有する銅配線２を形成した後、最終表面処理として銅配線２の表面に金めっき（金めっき層）３を施す。この金めっき３は、実装工程において、ＩＣチップ上のアルミパッドや外部接続端子となるはんだボールと合金を生成して接合するために形成される。
【０００３】
ところが、金めっき層３の金と下地の銅配線２に使用される銅は同族金属であるために親和性が高く、熱が加わると下地の銅が金めっき層３中へ拡散し、最表面に達すると銅の酸化膜を形成する。はんだボールとの接合においては、酸化膜を除去する役割を持つフラックスを使用するため問題にならないが、ＩＣチップのアルミパットとの接合では、銅の酸化膜は接合を阻害し、接合強度を低下させる。
【０００４】
そこで、従来は金めっき層３の膜厚を厚く（０.３μｍよりも厚く）することで、銅が
拡散して金めっき層３の表面まで達しないようにしていた。また、銅の熱拡散防止バリアとして金めっきの下地にニッケルめっきを形成した金／ニッケルの二層めっきが知られている。更に、ニッケルが接合面に拡散するのを防止するために、パラジウム／ニッケルの二層めっきや、金／パラジウム／ニッケルの三層めっきが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−１０２９３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、近年の金価格高騰は激しく、製品価格に占める金コストの割合が上昇しているため、金めっきの膜厚をいかに抑えるかが重要である。高価な金の使用量を低減させるために、金めっき層３の薄膜化が進められている。しかしながら、μＢＧＡの場合、金めっき層３の膜厚が０.３μｍ以下になると接合部の表面に銅の酸化膜が形成され、接合不
良が起こってしまう。このような接合不良の原因となる銅の酸化膜を接合表面に形成させることなく、良好な接合性を維持でき、しかも金めっき層３の膜厚を０.３μｍ以下に低
減させる方策が強く求められている。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決し、半導体チップの接続パッド等への良好な接合性を維持でき、且つ金めっき層の薄膜化が図れる半導体装置用テープキャリア及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様は、絶縁性のフィルム上に銅配線が形成され、前記銅配線は半導体チップの接続パッドへと押し曲げられて接合されるインナーリードを有する半導体装置用
テープキャリアにおいて、前記銅配線の表面に銅よりも耐酸化性に優れた被覆めっき層が形成されている半導体装置用テープキャリアである。
【０００９】
本発明の第２の態様は、絶縁性のフィルム上に銅配線が形成され、前記銅配線は半導体チップの接続パッドへと押し曲げられて接合されるインナーリードを有する半導体装置用テープキャリアにおいて、前記銅配線の表面に金めっき層が形成され、前記金めっき層の表面に銅よりも耐酸化性に優れた被覆めっき層が形成されている半導体装置用テープキャリアである。
【００１０】
本発明の第３の態様は、第１又は第２の態様の半導体装置用テープキャリアにおいて、前記被覆めっき層は、パラジウム、白金、ニッケルのうち少なくとも一種から構成されている。
【００１１】
本発明の第４の態様は、第１〜第３の態様のいずれかの半導体装置用テープキャリアにおいて、前記被覆めっき層の膜厚は、０.０１μｍ以上０.１μｍ以下である。
【００１２】
本発明の第５の態様は、第１〜第４の態様のいずれかの半導体装置用テープキャリアおいて、前記金めっき層の膜厚は、０.３μｍ以下である。
【００１３】
本発明の第６の態様は、絶縁性のフィルム上に銅箔を貼り合わせたテープ状材料を使用し、前記銅箔に半導体チップの接続パッドへと押し曲げられて接合されるインナーリードを含む銅配線を形成する半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記銅配線の表面に銅よりも耐酸化性に優れた被覆めっき層を形成する半導体装置用テープキャリアの製造方法である。
【００１４】
本発明の第７の態様は、絶縁性のフィルム上に銅箔を貼り合わせたテープ状材料を使用し、前記銅箔に半導体チップの接続パッドへと押し曲げられて接合されるインナーリードを含む銅配線を形成する半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記銅配線の表面に金めっき層を形成し、前記金めっき層の表面に銅よりも耐酸化性に優れた被覆めっき層を形成する半導体装置用テープキャリアの製造方法である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、銅配線の最表面における酸化銅生成を抑制し、半導体チップの接続パッド等への良好な接合性を維持できると共に、金めっき層の薄膜化を推進できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体装置用テープキャリアのめっき構造を示すもので、（ａ）は第１の実施形態の半導体装置用テープキャリアの部分的な断面図、（ｂ）は第２の実施形態の半導体装置用テープキャリアの部分的な断面図である。
【図２】本発明の半導体装置用テープキャリアの実施形態に係るμＢＧＡ用ＴＡＢテープの一部分の概略構成を示すもので、（ａ）は表面図、（ｂ）は裏面図である。
【図３】図２のμＢＧＡ用ＴＡＢテープの実装工程におけるインナーリードボンディング直前の状態を示す概略的な断面図である。
【図４】図２のμＢＧＡ用ＴＡＢテープの実装工程におけるインナーリードボンディング時の状態を示す概略的な断面図である。
【図５】本発明の半導体装置用テープキャリアの実施形態に係るμＢＧＡ用ＴＡＢテープの実装後の状態を示す概略的な断面図である。
【図６】本発明の半導体装置用テープキャリアの実施例に係るμＢＧＡ用ＴＡＢテープの銅配線へのめっき工程を示す全体構成図である。
【図７】本発明の半導体装置用テープキャリアの実施例に係るμＢＧＡ用ＴＡＢテープのインナーリード接合部に対するプル試験を説明する概略構成図である。
【図８】従来のμＢＧＡ用ＴＡＢテープのめっき構造を示す部分的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、本発明に係る半導体装置用テープキャリア及びその製造方法の一実施形態を図面を用いて説明する。
【００１８】
（第１の実施形態）
図１（ａ）に、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置用テープキャリアにおけるめっき構造の断面を示す。
第１の実施形態の半導体装置用テープキャリアは、例えば、μＢＧＡ用ＴＡＢテープなどに用いられるもので、ポリイミド等の絶縁性のフィルム１上に形成された銅箔に、フォトエッチング法でパターニングしてインナーリード、ランド等を有する銅配線２を形成したものである。銅配線２の表面には金めっき層３が形成され、金めっき層３の表面には銅よりも耐酸化性に優れた被覆めっき層４が形成されている。すなわち、銅配線２の表面には、金めっき層３と被覆めっき層４とが積層された積層めっき５が施されている。なお、金めっき層３、被覆めっき層４の形成は、電解めっき、無電解めっきのいずれを用いてもよい。
【００１９】
図２は、本実施形態の半導体装置用テープキャリアをμＢＧＡ用ＴＡＢテープに適用した一例を示すもので、図２（ａ）はμＢＧＡ用ＴＡＢテープの１パッケージ分の表面図、図２（ｂ）は裏面図である。
図２に示すように、ＴＡＢテープ１０のフィルム１の中央には矩形の開口６が形成され、開口６部を架け渡して積層めっき５が施された銅配線２のフライングリード（インナーリード）７が形成されている。また、ＴＡＢテープ１０の裏面には、はんだボール搭載用のランド８が形成されている。
【００２０】
図３，図４は、フライングリード（インナーリード）７のボンディング工程を説明する図である。図３は、ボンディング直前の状態、図４はボンディング時の状態を示す。ＩＣチップ２０は、エラストマーフィルム２２を介してＴＡＢテープの銅配線２側に貼り付けられる。ＩＣチップ２０上に形成された接続パッドであるアルミパッド２１は、フィルム１の開口６の下方に位置している。フィルム１上方のボンディングツール２５にアルミパッド２１を位置合わせし（図３）、次いでボンディングツール２５を下降することにより、フライングリード７をボンディングツール２５で押し切り、熱したＩＣチップ２０上のアルミパット２１にフライングリード７を押し付け、超音波をかけることで、フライングリード７とアルミパット２１を直接接合する（図４）。
【００２１】
フライングリード７をボンディングした後、図５に示すように、はんだボール搭載用のランド８に、はんだボール２３を搭載しリフローすることで、はんだボール２３を接合し、更に、ＴＡＢテープのＩＣチップ２０側をモールド樹脂２４で覆って封止する。これにより、ＴＡＢテープを用いたμＢＧＡパッケージが得られる。
【００２２】
銅配線２の被覆めっき層４は、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）のうち少なくとも一種から構成するのが好ましい。被覆めっき層４の材料は、パラジウム、白金またはニッケルの一種類に限らず、パラジウム、白金、ニッケルが主体であれば、パラジウム、白金、ニッケル以外の元素を含む合金であっても構わない。パラジウムと白金とニッケルを比較すると、パラジウムは、ニッケルよりも酸化防止能が優れ、また白金よりも加工性がよいので最も好適である。
【００２３】
被覆めっき層４の膜厚は、０.０１μｍ以上０.１μｍ以下が好ましい。
パラジウム等からなる被覆めっき層４の膜厚が、０.０１μｍよりも薄くなると、金め
っき層３の膜厚を薄くした場合には、銅配線２の銅が金めっき層３及び被覆めっき層４を通って被覆めっき層４の表面にまで拡散し、最表面に酸化銅が形成されてしまう可能性がある。このため、被覆めっき層４の膜厚は、０.０１μｍ以上が好ましい。
また、被覆めっき層４の膜厚が、０.１μｍよりも厚くなると、パラジウムめっき、ニ
ッケルめっき、白金めっきなどは硬いめっき層であるため、上記図３，図４で説明したように、インナーリードボンディング（ＩＬＢ）時にインナーリードが変形しにくくなるなど、加工性が低下し接合を阻害することになる。また、ＩＬＢ時の接合界面は、本実施形態では、積層めっき５の金めっき層３の金とアルミパッド２１のアルミとの合金を生成して接合され、被覆めっき層４のパラジウムなどは接合には関与しない。したがって、パラジウム等の被覆めっき層４の膜厚が０.１μｍよりも厚くなると、接合のために付与され
る超音波によって被覆めっき層４のパラジウムなどが接合面から拡散されず、金とアルミの２元合金化による接合性を阻害することになる。このため、被覆めっき層４の膜厚は、０.１μｍ以下が好ましい。
【００２４】
金めっき層３の膜厚は、コスト低減を図るためには、薄ければ薄いほどよいが、インナーリード等との接合性を確保する等の観点から、金めっき層３の膜厚は０.３μｍ以下が
好ましい。
【００２５】
以上より明らかなように、本実施形態の半導体装置用テープキャリアでは、次の効果が得られる。
（１）銅よりも耐酸化性に優れた被覆めっき層４を金めっき層３上に施すことで、インナーリード等の接合最表面における酸化銅生成を防止し、従来に比べ金めっき層３の膜厚を薄膜化しても良好な接合性を維持でき、金めっき層３の膜厚を０.３μｍ以下に低減でき
る。
（２）従来、μＢＧＡのようなリードを折り曲げる構造にあっては、パラジウム、ニッケルなどの硬いめっきは折り曲げ性を阻害するため、適さないと考えられていた。しかし、パラジウムなどの被覆めっき層４の膜厚を０.０１〜０.１μｍに抑えることで、適度な柔らかさを持たせてスムーズに変形できるようにしているため、良好なボンディングが期待できる。
【００２６】
（第２の実施形態）
図１（ｂ）に、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置用テープキャリアにおけるめっき構造の断面を示す。
第１の実施形態の半導体装置用テープキャリアは、ポリイミド等の絶縁性のフィルム１に貼り合わされた銅箔に、フォトエッチング法でパターニングしてインナーリード、ランド等を有する銅配線２を形成し、銅配線２の表面に銅よりも耐酸化性に優れた被覆めっき層４が形成されている。すなわち、第２の実施形態の半導体装置用テープキャリアは、上記第１の実施形態の半導体装置用テープキャリアにおける銅配線２の表面に施されていた金めっき層３を省略し、銅配線２の表面に直接に被覆めっき層４を施した構造である。その他の点は、上記第１の実施形態の半導体装置用テープキャリアと同様である。
本実施形態の被覆めっき層４も、第１の実施形態の半導体装置用テープキャリアと同様に、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）のうち少なくとも一種から構成するのが好ましく、被覆めっき層４の膜厚は、０.０１μｍ以上０.１μｍ以下が好ましい。
本実施形態では、銅配線２のインナーリードとＩＣチップ上に形成されたアルミパッド２１との接合は、銅配線２の銅とアルミパッド２１のアルミとの２元合金化によってなされ、被覆めっき層４のパラジウムなどは接合には関与しない。本実施形態では、金めっき層を設けないので、半導体装置用テープキャリアのコスト低減をより促進できる。
なお、上記実施形態において、銅配線２のインナーリードとＩＣチップ上に形成された
アルミパッドとの接合は、超音波接合であったが、熱圧着接合としてもよい。
【実施例】
【００２７】
次に、本発明の実施例を説明する。
本実施例では、上記第１の実施形態及び第２の実施形態と同様なめっき構造を有するＴＡＢテープを作製した。作製した２０種類のＴＡＢテープの試料１〜２０におけるめっき構造を表１に示す。表１に示すように、金めっき層の膜厚が０μｍ（金めっき層なし）、０.１μｍ、０.３μｍ、０.４μｍに対して、それぞれ被覆めっき層の膜厚を０.００５μｍ、０.０１μｍ、０.０５μｍ、０.１μｍ、０.１５μｍとしたものを作製した。
これら２０種類の各試料に対して、被覆めっき層の銅拡散防止性能の評価の実験と、ボンディングによる接合強度の評価の実験を行った。
【００２８】
（１）被覆めっき層による銅の拡散防止性能について
実験用試料のＴＡＢテープの作製には、ポリイミドテープとしてユーピレックスＳ（５０μｍ，宇部興産製）を、銅箔としてＦＱ−ＶＬＰ箔（１５μｍ厚，三井金属製）を、接着剤として巴川Ｘ−ｔｙｐｅ（１２μｍ）を用いた。前記接着剤により、前記ポリイミドテープに前記銅箔を貼り合わせた。作製されたＴＡＢテープ３０は、１５８ｍｍ幅の２条ＴＡＢテープである。
【００２９】
このＴＡＢテープ３０の銅箔に、図６に概略的に示すめっき装置を用いてめっきを施した。巻き出しロール３１から巻き取りロール３２に至るＴＡＢテープ３０の搬送経路には、脱脂槽３３、酸洗槽３４、金めっき槽３５、被覆めっき槽３６、洗浄槽３７、乾燥槽３８が順次、設置されている。
巻き出しロール３１から所定の搬送速度でＴＡＢテープ３０を巻き出し、まず、脱脂槽３３および酸洗槽３４において、前処理としての脱脂及び酸洗処理をしてＴＡＢテープ３０の表面を清浄化した。次に、金めっき槽３５において、実験水準相応の金めっきを施した。金めっき槽３５内のめっき液の液温は７０℃、電流密度は０.４Ａ／ｄｍ２とした。
金めっきを施した後、被覆めっき槽３６で実験水準相応の被覆めっき（パラジウムめっき、白金めっき、またはニッケルめっき）を施した。被覆めっき槽３６におけるめっき条件は、パラジウムめっきでは、電流密度０.７５Ａ／ｄｍ２、液温５０℃とし、白金めっき
では、電流密度２Ａ／ｄｍ２とし、液温８０℃とし、ニッケルめっきでは、電流密度２Ａ／ｄｍ２、液温５０℃とした。被覆めっきを施した後、洗浄槽３７でめっき液残液を取り除き、乾燥槽３８で水分を除去した後、めっき処理されたＴＡＢテープ３０を巻き取りロール３２に巻き取った。
金めっき槽３５、被覆めっき槽３６でなされる金めっき、被覆めっきの処理時間は、表１に示す所定の膜厚に対応して適宜調整した。これらの条件で金めっき層と被覆めっき層の膜厚を変化させた２０種類の試料１〜２０を作製した。
【００３０】
これら試料に対して、インナーリードボンディング工程の直前までにかかる熱履歴を模擬した熱処理を実施し、熱処理を受けることによって接合面となる被覆めっき層の表面に銅などが拡散するかを調べた。上記熱処理は、恒温槽（槽内温度１８０度）内に３時間放置して行った。熱処理後の銅等の拡散は、被覆めっき層表面における元素分析（Ｃ（炭素），Ｃｕ（銅），Ｐｄ（パラジウム），Ａｕ（金），Ｏ（酸素））を日本電子製のＡｕｇｅｒ（JAMP7100E;5s Sput）にて確認した。その結果をまとめたものを表１に示す。表１
には、被覆めっき層の代表としてパラジウムめっき層の結果を記載した。表１において、「×銅」はパラジウムめっき層の表面に「銅の検出有り」を、「×金」はパラジウムめっき層の表面に「金の検出有り」を、「○」はパラジウムめっき層の表面に「銅や金の検出無し」をそれぞれ表している。
【００３１】
【表１】
【００３２】
１８０度、３時間の熱処理を行なうと、最もパラジウムめっき層が薄い０.００５μｍ
の試料１〜４においては、金めっき層がない試料１や金めっき層が０.１μｍの試料２で
は銅のピークが検出され、金めっき層が０.３μｍ以上の試料３，４では金のピークが検
出された。試料１〜４では、パラジウムめっき層の表面まで、銅や金の拡散が進行した事が分かる。一方、パラジウムめっき層が０.０１μｍ以上の試料５〜２０においては、銅
や金が検出されなかった。そこで、パラジウムめっき層（被覆めっき層）の膜厚は、０.
０１μｍ以上が適当であるといえる。以上と同様な結果を、白金、ニッケルを被覆めっき層に用いた場合においても確認した。
【００３３】
（２）ボンディングによる接合強度の評価について
上記めっき工程を経て作製した２０種類の各試料について、上記図３，図４と同様にインナーリードのボンディングを実施して実装した後に、インナーリード部の接合性の評価を行なった。ボンディング装置にはＫＡＩＪＯ製ＦＳＰ−３３００ＭＸを、ボンディングツールにはＳＰＴ製ＭＢＧＡ−３.５×３.５−ＡＺＯ−１５１５−Ｓを使用して接合し、各試料に対して任意に選択した５０点のインナーリード接合部のプル強度の試験を実施した。ここで、プル強度とは、図７に示すように、アルミパット２１と接合した後のＴＡＢテープを傾斜角４５度に固定し、接合後の水平状態にあるインナーリード７にプル試験用フック４０を引っ掛けた後、０.５ｍｍ／ｓｅｃの速さで垂直にプル試験用フック４０を
引き上げた時の接合部の破断強度を指している。
プル強度の結果を表２にまとめる（表２には、被覆めっき層の代表としてパラジウムめっき層の場合を記載）。５０点測定したプル強度の最低値が６ｇｆ以上の場合、すなわち最低プル強度が６ｇｆ以上であれば、接合性が良好であり、最低プル強度が６ｇｆ以下の場合、接合性が悪いと判断した。表２において、「○」は、最低プル強度が６ｇｆ以上を、「×」は、最低プル強度が６ｇｆ以下をそれぞれ表している。
【００３４】
【表２】
【００３５】
表２に示すように、試料１（パラジウム／金＝０.００５μｍ／０μｍ）、試料２（パ
ラジウム／金＝０.００５μｍ／０.１μｍ）の場合、接合性が悪い結果となった。これは、上記熱処理後の元素分析の結果からも明らかであるように、パラジウムめっき層が薄いために、表面に酸化銅が形成されたためと考えられる。試料３と試料４では、熱処理後に金のピークが検出されていたが、銅（酸化銅）ではなく金であったために、接合の阻害をしなかったと考えられる。
また、試料１７，１８，１９，２０においても、接合性が悪い結果となった。これに関して、２つの理由が考えられる。第１は、パラジウムめっきは硬い金属であるため、ある一定以上の膜厚（試料１７〜２０ではパラジウムめっき層が０.１５μｍ）になると、ボ
ンディング時のリードが変形しにくくなり接合を阻害するためである。第２は、アルミパッド等の接合パッドとの接合界面は、銅とアルミ、金とアルミなどの２元合金化による接合であってパラジウムは関与せず、試料１７，１８，１９，２０のように、パラジウム層の膜厚が厚い場合（０.１５μｍ以上の場合）、接合のために付与される超音波によって
パラジウムが接合面から拡散されず、銅とアルミ、金とアルミの２元合金化による接合性を阻害していると考えられる。
以上の結果より、接合部の表面に銅が拡散する事を抑え、かつ良好な接合を維持するためには、パラジウムめっき層の膜厚が０.０１〜０.１μｍの範囲で、且つ金めっき層の膜厚が０〜０.３μｍの範囲（試料５，６，７，９，１０，１１，１３，１４，１５の場合
）が最適であると考えられる（なお、金めっき層の膜厚が０.３μｍを超える場合にも（
金めっき層の膜厚が０.４μｍの試料８，１２，１６）、銅の拡散を抑え且つ良好な接合
が可能であるが、この場合は金めっき層の膜厚を厚くした従来技術と同様に金使用量が多くなり、低コスト化が図れない。）。以上と同様な結果を、白金とニッケルを被覆めっき層に用いた場合においても確認した。
【符号の説明】
【００３６】
１ 絶縁性のフィルム
２ 銅配線（銅箔）
３ 金めっき層
４ 被覆めっき層
５ 積層めっき
６ フィルムの開口
７ フライングリード（インナーリード）
１０ ＴＡＢテープ
２０ ＩＣチップ
２１ アルミパッド（接続パッド）
２２ エラストマーフィルム
２３ はんだボール
２４ モールド樹脂
２５ ボンディングツール
３０ ＴＡＢテープ
３１ 巻き出しロール
３２ 巻き取りロール
３５ 金めっき槽
３６ 被覆層めっき槽
４０ プル試験用フック
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置用テープキャリア及びその製造方法に関し、特に銅配線の表面に施される金めっきの使用量を低減可能な半導体装置用テープキャリア及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置用テープキャリアの一つであるμＢＧＡ（micro Ball Grid Array）用ＴＡ
Ｂテープは、図８に示すように、例えば、ポリイミド等の絶縁性のフィルム１に接着剤を介して銅箔を貼り合わせ、銅箔をフォトエッチング法でパターニングしてインナーリードなどを有する銅配線２を形成した後、最終表面処理として銅配線２の表面に金めっき（金めっき層）３を施す。この金めっき３は、実装工程において、ＩＣチップ上のアルミパッドや外部接続端子となるはんだボールと合金を生成して接合するために形成される。
【０００３】
ところが、金めっき層３の金と下地の銅配線２に使用される銅は同族金属であるために親和性が高く、熱が加わると下地の銅が金めっき層３中へ拡散し、最表面に達すると銅の酸化膜を形成する。はんだボールとの接合においては、酸化膜を除去する役割を持つフラックスを使用するため問題にならないが、ＩＣチップのアルミパットとの接合では、銅の酸化膜は接合を阻害し、接合強度を低下させる。
【０００４】
そこで、従来は金めっき層３の膜厚を厚く（０.３μｍよりも厚く）することで、銅が
拡散して金めっき層３の表面まで達しないようにしていた。また、銅の熱拡散防止バリアとして金めっきの下地にニッケルめっきを形成した金／ニッケルの二層めっきが知られている。更に、ニッケルが接合面に拡散するのを防止するために、パラジウム／ニッケルの二層めっきや、金／パラジウム／ニッケルの三層めっきが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−１０２９３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、近年の金価格高騰は激しく、製品価格に占める金コストの割合が上昇しているため、金めっきの膜厚をいかに抑えるかが重要である。高価な金の使用量を低減させるために、金めっき層３の薄膜化が進められている。しかしながら、μＢＧＡの場合、金めっき層３の膜厚が０.３μｍ以下になると接合部の表面に銅の酸化膜が形成され、接合不
良が起こってしまう。このような接合不良の原因となる銅の酸化膜を接合表面に形成させることなく、良好な接合性を維持でき、しかも金めっき層３の膜厚を０.３μｍ以下に低
減させる方策が強く求められている。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決し、半導体チップの接続パッド等への良好な接合性を維持でき、且つ金めっき層の薄膜化が図れる半導体装置用テープキャリア及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様は、絶縁性のフィルム上に銅配線が形成され、前記銅配線は半導体チップの接続パッドへと押し曲げられて接合されるインナーリードを有する半導体装置用
テープキャリアにおいて、前記銅配線の表面に銅よりも耐酸化性に優れた被覆めっき層が形成されている半導体装置用テープキャリアである。
【０００９】
本発明の第２の態様は、絶縁性のフィルム上に銅配線が形成され、前記銅配線は半導体チップの接続パッドへと押し曲げられて接合されるインナーリードを有する半導体装置用テープキャリアにおいて、前記銅配線の表面に金めっき層が形成され、前記金めっき層の表面に銅よりも耐酸化性に優れた被覆めっき層が形成されている半導体装置用テープキャリアである。
【００１０】
本発明の第３の態様は、第１又は第２の態様の半導体装置用テープキャリアにおいて、前記被覆めっき層は、パラジウム、白金、ニッケルのうち少なくとも一種から構成されている。
【００１１】
本発明の第４の態様は、第１〜第３の態様のいずれかの半導体装置用テープキャリアにおいて、前記被覆めっき層の膜厚は、０.０１μｍ以上０.１μｍ以下である。
【００１２】
本発明の第５の態様は、第１〜第４の態様のいずれかの半導体装置用テープキャリアおいて、前記金めっき層の膜厚は、０.３μｍ以下である。
【００１３】
本発明の第６の態様は、絶縁性のフィルム上に銅箔を貼り合わせたテープ状材料を使用し、前記銅箔に半導体チップの接続パッドへと押し曲げられて接合されるインナーリードを含む銅配線を形成する半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記銅配線の表面に銅よりも耐酸化性に優れた被覆めっき層を形成する半導体装置用テープキャリアの製造方法である。
【００１４】
本発明の第７の態様は、絶縁性のフィルム上に銅箔を貼り合わせたテープ状材料を使用し、前記銅箔に半導体チップの接続パッドへと押し曲げられて接合されるインナーリードを含む銅配線を形成する半導体装置用テープキャリアの製造方法において、前記銅配線の表面に金めっき層を形成し、前記金めっき層の表面に銅よりも耐酸化性に優れた被覆めっき層を形成する半導体装置用テープキャリアの製造方法である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、銅配線の最表面における酸化銅生成を抑制し、半導体チップの接続パッド等への良好な接合性を維持できると共に、金めっき層の薄膜化を推進できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体装置用テープキャリアのめっき構造を示すもので、（ａ）は第１の実施形態の半導体装置用テープキャリアの部分的な断面図、（ｂ）は第２の実施形態の半導体装置用テープキャリアの部分的な断面図である。
【図２】本発明の半導体装置用テープキャリアの実施形態に係るμＢＧＡ用ＴＡＢテープの一部分の概略構成を示すもので、（ａ）は表面図、（ｂ）は裏面図である。
【図３】図２のμＢＧＡ用ＴＡＢテープの実装工程におけるインナーリードボンディング直前の状態を示す概略的な断面図である。
【図４】図２のμＢＧＡ用ＴＡＢテープの実装工程におけるインナーリードボンディング時の状態を示す概略的な断面図である。
【図５】本発明の半導体装置用テープキャリアの実施形態に係るμＢＧＡ用ＴＡＢテープの実装後の状態を示す概略的な断面図である。
【図６】本発明の半導体装置用テープキャリアの実施例に係るμＢＧＡ用ＴＡＢテープの銅配線へのめっき工程を示す全体構成図である。
【図７】本発明の半導体装置用テープキャリアの実施例に係るμＢＧＡ用ＴＡＢテープのインナーリード接合部に対するプル試験を説明する概略構成図である。
【図８】従来のμＢＧＡ用ＴＡＢテープのめっき構造を示す部分的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、本発明に係る半導体装置用テープキャリア及びその製造方法の一実施形態を図面を用いて説明する。
【００１８】
（第１の実施形態）
図１（ａ）に、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置用テープキャリアにおけるめっき構造の断面を示す。
第１の実施形態の半導体装置用テープキャリアは、例えば、μＢＧＡ用ＴＡＢテープなどに用いられるもので、ポリイミド等の絶縁性のフィルム１上に形成された銅箔に、フォトエッチング法でパターニングしてインナーリード、ランド等を有する銅配線２を形成したものである。銅配線２の表面には金めっき層３が形成され、金めっき層３の表面には銅よりも耐酸化性に優れた被覆めっき層４が形成されている。すなわち、銅配線２の表面には、金めっき層３と被覆めっき層４とが積層された積層めっき５が施されている。なお、金めっき層３、被覆めっき層４の形成は、電解めっき、無電解めっきのいずれを用いてもよい。
【００１９】
図２は、本実施形態の半導体装置用テープキャリアをμＢＧＡ用ＴＡＢテープに適用した一例を示すもので、図２（ａ）はμＢＧＡ用ＴＡＢテープの１パッケージ分の表面図、図２（ｂ）は裏面図である。
図２に示すように、ＴＡＢテープ１０のフィルム１の中央には矩形の開口６が形成され、開口６部を架け渡して積層めっき５が施された銅配線２のフライングリード（インナーリード）７が形成されている。また、ＴＡＢテープ１０の裏面には、はんだボール搭載用のランド８が形成されている。
【００２０】
図３，図４は、フライングリード（インナーリード）７のボンディング工程を説明する図である。図３は、ボンディング直前の状態、図４はボンディング時の状態を示す。ＩＣチップ２０は、エラストマーフィルム２２を介してＴＡＢテープの銅配線２側に貼り付けられる。ＩＣチップ２０上に形成された接続パッドであるアルミパッド２１は、フィルム１の開口６の下方に位置している。フィルム１上方のボンディングツール２５にアルミパッド２１を位置合わせし（図３）、次いでボンディングツール２５を下降することにより、フライングリード７をボンディングツール２５で押し切り、熱したＩＣチップ２０上のアルミパット２１にフライングリード７を押し付け、超音波をかけることで、フライングリード７とアルミパット２１を直接接合する（図４）。
【００２１】
フライングリード７をボンディングした後、図５に示すように、はんだボール搭載用のランド８に、はんだボール２３を搭載しリフローすることで、はんだボール２３を接合し、更に、ＴＡＢテープのＩＣチップ２０側をモールド樹脂２４で覆って封止する。これにより、ＴＡＢテープを用いたμＢＧＡパッケージが得られる。
【００２２】
銅配線２の被覆めっき層４は、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）のうち少なくとも一種から構成するのが好ましい。被覆めっき層４の材料は、パラジウム、白金またはニッケルの一種類に限らず、パラジウム、白金、ニッケルが主体であれば、パラジウム、白金、ニッケル以外の元素を含む合金であっても構わない。パラジウムと白金とニッケルを比較すると、パラジウムは、ニッケルよりも酸化防止能が優れ、また白金よりも加工性がよいので最も好適である。
【００２３】
被覆めっき層４の膜厚は、０.０１μｍ以上０.１μｍ以下が好ましい。
パラジウム等からなる被覆めっき層４の膜厚が、０.０１μｍよりも薄くなると、金め
っき層３の膜厚を薄くした場合には、銅配線２の銅が金めっき層３及び被覆めっき層４を通って被覆めっき層４の表面にまで拡散し、最表面に酸化銅が形成されてしまう可能性がある。このため、被覆めっき層４の膜厚は、０.０１μｍ以上が好ましい。
また、被覆めっき層４の膜厚が、０.１μｍよりも厚くなると、パラジウムめっき、ニ
ッケルめっき、白金めっきなどは硬いめっき層であるため、上記図３，図４で説明したように、インナーリードボンディング（ＩＬＢ）時にインナーリードが変形しにくくなるなど、加工性が低下し接合を阻害することになる。また、ＩＬＢ時の接合界面は、本実施形態では、積層めっき５の金めっき層３の金とアルミパッド２１のアルミとの合金を生成して接合され、被覆めっき層４のパラジウムなどは接合には関与しない。したがって、パラジウム等の被覆めっき層４の膜厚が０.１μｍよりも厚くなると、接合のために付与され
る超音波によって被覆めっき層４のパラジウムなどが接合面から拡散されず、金とアルミの２元合金化による接合性を阻害することになる。このため、被覆めっき層４の膜厚は、０.１μｍ以下が好ましい。
【００２４】
金めっき層３の膜厚は、コスト低減を図るためには、薄ければ薄いほどよいが、インナーリード等との接合性を確保する等の観点から、金めっき層３の膜厚は０.３μｍ以下が
好ましい。
【００２５】
以上より明らかなように、本実施形態の半導体装置用テープキャリアでは、次の効果が得られる。
（１）銅よりも耐酸化性に優れた被覆めっき層４を金めっき層３上に施すことで、インナーリード等の接合最表面における酸化銅生成を防止し、従来に比べ金めっき層３の膜厚を薄膜化しても良好な接合性を維持でき、金めっき層３の膜厚を０.３μｍ以下に低減でき
る。
（２）従来、μＢＧＡのようなリードを折り曲げる構造にあっては、パラジウム、ニッケルなどの硬いめっきは折り曲げ性を阻害するため、適さないと考えられていた。しかし、パラジウムなどの被覆めっき層４の膜厚を０.０１〜０.１μｍに抑えることで、適度な柔らかさを持たせてスムーズに変形できるようにしているため、良好なボンディングが期待できる。
【００２６】
（第２の実施形態）
図１（ｂ）に、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置用テープキャリアにおけるめっき構造の断面を示す。
第１の実施形態の半導体装置用テープキャリアは、ポリイミド等の絶縁性のフィルム１に貼り合わされた銅箔に、フォトエッチング法でパターニングしてインナーリード、ランド等を有する銅配線２を形成し、銅配線２の表面に銅よりも耐酸化性に優れた被覆めっき層４が形成されている。すなわち、第２の実施形態の半導体装置用テープキャリアは、上記第１の実施形態の半導体装置用テープキャリアにおける銅配線２の表面に施されていた金めっき層３を省略し、銅配線２の表面に直接に被覆めっき層４を施した構造である。その他の点は、上記第１の実施形態の半導体装置用テープキャリアと同様である。
本実施形態の被覆めっき層４も、第１の実施形態の半導体装置用テープキャリアと同様に、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）のうち少なくとも一種から構成するのが好ましく、被覆めっき層４の膜厚は、０.０１μｍ以上０.１μｍ以下が好ましい。
本実施形態では、銅配線２のインナーリードとＩＣチップ上に形成されたアルミパッド２１との接合は、銅配線２の銅とアルミパッド２１のアルミとの２元合金化によってなされ、被覆めっき層４のパラジウムなどは接合には関与しない。本実施形態では、金めっき層を設けないので、半導体装置用テープキャリアのコスト低減をより促進できる。
なお、上記実施形態において、銅配線２のインナーリードとＩＣチップ上に形成された
アルミパッドとの接合は、超音波接合であったが、熱圧着接合としてもよい。
【実施例】
【００２７】
次に、本発明の実施例を説明する。
本実施例では、上記第１の実施形態及び第２の実施形態と同様なめっき構造を有するＴＡＢテープを作製した。作製した２０種類のＴＡＢテープの試料１〜２０におけるめっき構造を表１に示す。表１に示すように、金めっき層の膜厚が０μｍ（金めっき層なし）、０.１μｍ、０.３μｍ、０.４μｍに対して、それぞれ被覆めっき層の膜厚を０.００５μｍ、０.０１μｍ、０.０５μｍ、０.１μｍ、０.１５μｍとしたものを作製した。
これら２０種類の各試料に対して、被覆めっき層の銅拡散防止性能の評価の実験と、ボンディングによる接合強度の評価の実験を行った。
【００２８】
（１）被覆めっき層による銅の拡散防止性能について
実験用試料のＴＡＢテープの作製には、ポリイミドテープとしてユーピレックスＳ（５０μｍ，宇部興産製）を、銅箔としてＦＱ−ＶＬＰ箔（１５μｍ厚，三井金属製）を、接着剤として巴川Ｘ−ｔｙｐｅ（１２μｍ）を用いた。前記接着剤により、前記ポリイミドテープに前記銅箔を貼り合わせた。作製されたＴＡＢテープ３０は、１５８ｍｍ幅の２条ＴＡＢテープである。
【００２９】
このＴＡＢテープ３０の銅箔に、図６に概略的に示すめっき装置を用いてめっきを施した。巻き出しロール３１から巻き取りロール３２に至るＴＡＢテープ３０の搬送経路には、脱脂槽３３、酸洗槽３４、金めっき槽３５、被覆めっき槽３６、洗浄槽３７、乾燥槽３８が順次、設置されている。
巻き出しロール３１から所定の搬送速度でＴＡＢテープ３０を巻き出し、まず、脱脂槽３３および酸洗槽３４において、前処理としての脱脂及び酸洗処理をしてＴＡＢテープ３０の表面を清浄化した。次に、金めっき槽３５において、実験水準相応の金めっきを施した。金めっき槽３５内のめっき液の液温は７０℃、電流密度は０.４Ａ／ｄｍ２とした。
金めっきを施した後、被覆めっき槽３６で実験水準相応の被覆めっき（パラジウムめっき、白金めっき、またはニッケルめっき）を施した。被覆めっき槽３６におけるめっき条件は、パラジウムめっきでは、電流密度０.７５Ａ／ｄｍ２、液温５０℃とし、白金めっき
では、電流密度２Ａ／ｄｍ２とし、液温８０℃とし、ニッケルめっきでは、電流密度２Ａ／ｄｍ２、液温５０℃とした。被覆めっきを施した後、洗浄槽３７でめっき液残液を取り除き、乾燥槽３８で水分を除去した後、めっき処理されたＴＡＢテープ３０を巻き取りロール３２に巻き取った。
金めっき槽３５、被覆めっき槽３６でなされる金めっき、被覆めっきの処理時間は、表１に示す所定の膜厚に対応して適宜調整した。これらの条件で金めっき層と被覆めっき層の膜厚を変化させた２０種類の試料１〜２０を作製した。
【００３０】
これら試料に対して、インナーリードボンディング工程の直前までにかかる熱履歴を模擬した熱処理を実施し、熱処理を受けることによって接合面となる被覆めっき層の表面に銅などが拡散するかを調べた。上記熱処理は、恒温槽（槽内温度１８０度）内に３時間放置して行った。熱処理後の銅等の拡散は、被覆めっき層表面における元素分析（Ｃ（炭素），Ｃｕ（銅），Ｐｄ（パラジウム），Ａｕ（金），Ｏ（酸素））を日本電子製のＡｕｇｅｒ（JAMP7100E;5s Sput）にて確認した。その結果をまとめたものを表１に示す。表１
には、被覆めっき層の代表としてパラジウムめっき層の結果を記載した。表１において、「×銅」はパラジウムめっき層の表面に「銅の検出有り」を、「×金」はパラジウムめっき層の表面に「金の検出有り」を、「○」はパラジウムめっき層の表面に「銅や金の検出無し」をそれぞれ表している。
【００３１】
【表１】
【００３２】
１８０度、３時間の熱処理を行なうと、最もパラジウムめっき層が薄い０.００５μｍ
の試料１〜４においては、金めっき層がない試料１や金めっき層が０.１μｍの試料２で
は銅のピークが検出され、金めっき層が０.３μｍ以上の試料３，４では金のピークが検
出された。試料１〜４では、パラジウムめっき層の表面まで、銅や金の拡散が進行した事が分かる。一方、パラジウムめっき層が０.０１μｍ以上の試料５〜２０においては、銅
や金が検出されなかった。そこで、パラジウムめっき層（被覆めっき層）の膜厚は、０.
０１μｍ以上が適当であるといえる。以上と同様な結果を、白金、ニッケルを被覆めっき層に用いた場合においても確認した。
【００３３】
（２）ボンディングによる接合強度の評価について
上記めっき工程を経て作製した２０種類の各試料について、上記図３，図４と同様にインナーリードのボンディングを実施して実装した後に、インナーリード部の接合性の評価を行なった。ボンディング装置にはＫＡＩＪＯ製ＦＳＰ−３３００ＭＸを、ボンディングツールにはＳＰＴ製ＭＢＧＡ−３.５×３.５−ＡＺＯ−１５１５−Ｓを使用して接合し、各試料に対して任意に選択した５０点のインナーリード接合部のプル強度の試験を実施した。ここで、プル強度とは、図７に示すように、アルミパット２１と接合した後のＴＡＢテープを傾斜角４５度に固定し、接合後の水平状態にあるインナーリード７にプル試験用フック４０を引っ掛けた後、０.５ｍｍ／ｓｅｃの速さで垂直にプル試験用フック４０を
引き上げた時の接合部の破断強度を指している。
プル強度の結果を表２にまとめる（表２には、被覆めっき層の代表としてパラジウムめっき層の場合を記載）。５０点測定したプル強度の最低値が６ｇｆ以上の場合、すなわち最低プル強度が６ｇｆ以上であれば、接合性が良好であり、最低プル強度が６ｇｆ以下の場合、接合性が悪いと判断した。表２において、「○」は、最低プル強度が６ｇｆ以上を、「×」は、最低プル強度が６ｇｆ以下をそれぞれ表している。
【００３４】
【表２】
【００３５】
表２に示すように、試料１（パラジウム／金＝０.００５μｍ／０μｍ）、試料２（パ
ラジウム／金＝０.００５μｍ／０.１μｍ）の場合、接合性が悪い結果となった。これは、上記熱処理後の元素分析の結果からも明らかであるように、パラジウムめっき層が薄いために、表面に酸化銅が形成されたためと考えられる。試料３と試料４では、熱処理後に金のピークが検出されていたが、銅（酸化銅）ではなく金であったために、接合の阻害をしなかったと考えられる。
また、試料１７，１８，１９，２０においても、接合性が悪い結果となった。これに関して、２つの理由が考えられる。第１は、パラジウムめっきは硬い金属であるため、ある一定以上の膜厚（試料１７〜２０ではパラジウムめっき層が０.１５μｍ）になると、ボ
ンディング時のリードが変形しにくくなり接合を阻害するためである。第２は、アルミパッド等の接合パッドとの接合界面は、銅とアルミ、金とアルミなどの２元合金化による接合であってパラジウムは関与せず、試料１７，１８，１９，２０のように、パラジウム層の膜厚が厚い場合（０.１５μｍ以上の場合）、接合のために付与される超音波によって
パラジウムが接合面から拡散されず、銅とアルミ、金とアルミの２元合金化による接合性を阻害していると考えられる。
以上の結果より、接合部の表面に銅が拡散する事を抑え、かつ良好な接合を維持するためには、パラジウムめっき層の膜厚が０.０１〜０.１μｍの範囲で、且つ金めっき層の膜厚が０〜０.３μｍの範囲（試料５，６，７，９，１０，１１，１３，１４，１５の場合
）が最適であると考えられる（なお、金めっき層の膜厚が０.３μｍを超える場合にも（
金めっき層の膜厚が０.４μｍの試料８，１２，１６）、銅の拡散を抑え且つ良好な接合
が可能であるが、この場合は金めっき層の膜厚を厚くした従来技術と同様に金使用量が多くなり、低コスト化が図れない。）。以上と同様な結果を、白金とニッケルを被覆めっき層に用いた場合においても確認した。
【符号の説明】
【００３６】
１ 絶縁性のフィルム
２ 銅配線（銅箔）
３ 金めっき層
４ 被覆めっき層
５ 積層めっき
６ フィルムの開口
７ フライングリード（インナーリード）
１０ ＴＡＢテープ
２０ ＩＣチップ
２１ アルミパッド（接続パッド）
２２ エラストマーフィルム
２３ はんだボール
２４ モールド樹脂
２５ ボンディングツール
３０ ＴＡＢテープ
３１ 巻き出しロール
３２ 巻き取りロール
３５ 金めっき槽
３６ 被覆層めっき槽
４０ プル試験用フック
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性のフィルム上に銅配線が形成され、前記銅配線は半導体チップの接続パッドへと押し曲げられて接合されるインナーリードを有する半導体装置用テープキャリアにおいて、
前記銅配線の表面に銅よりも耐酸化性に優れた被覆めっき層が形成されていることを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項２】
絶縁性のフィルム上に銅配線が形成され、前記銅配線は半導体チップの接続パッドへと押し曲げられて接合されるインナーリードを有する半導体装置用テープキャリアにおいて、
前記銅配線の表面に金めっき層が形成され、前記金めっき層の表面に銅よりも耐酸化性に優れた被覆めっき層が形成されていることを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項３】
前記被覆めっき層は、パラジウム、白金、ニッケルのうち少なくとも一種から構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項４】
前記被覆めっき層の膜厚は、０.０１μｍ以上０.１μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項５】
前記金めっき層の膜厚は、０.３μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいず
れかに記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項６】
絶縁性のフィルム上に銅箔を貼り合わせたテープ状材料を使用し、前記銅箔に半導体チップの接続パッドへと押し曲げられて接合されるインナーリードを含む銅配線を形成する半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
前記銅配線の表面に銅よりも耐酸化性に優れた被覆めっき層を形成することを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項７】
絶縁性のフィルム上に銅箔を貼り合わせたテープ状材料を使用し、前記銅箔に半導体チップの接続パッドへと押し曲げられて接合されるインナーリードを含む銅配線を形成する半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
前記銅配線の表面に金めっき層を形成し、前記金めっき層の表面に銅よりも耐酸化性に優れた被覆めっき層を形成することを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項１】
絶縁性のフィルム上に銅配線が形成され、前記銅配線は半導体チップの接続パッドへと押し曲げられて接合されるインナーリードを有する半導体装置用テープキャリアにおいて、
前記銅配線の表面に銅よりも耐酸化性に優れた被覆めっき層が形成されていることを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項２】
絶縁性のフィルム上に銅配線が形成され、前記銅配線は半導体チップの接続パッドへと押し曲げられて接合されるインナーリードを有する半導体装置用テープキャリアにおいて、
前記銅配線の表面に金めっき層が形成され、前記金めっき層の表面に銅よりも耐酸化性に優れた被覆めっき層が形成されていることを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項３】
前記被覆めっき層は、パラジウム、白金、ニッケルのうち少なくとも一種から構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項４】
前記被覆めっき層の膜厚は、０.０１μｍ以上０.１μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項５】
前記金めっき層の膜厚は、０.３μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいず
れかに記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項６】
絶縁性のフィルム上に銅箔を貼り合わせたテープ状材料を使用し、前記銅箔に半導体チップの接続パッドへと押し曲げられて接合されるインナーリードを含む銅配線を形成する半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
前記銅配線の表面に銅よりも耐酸化性に優れた被覆めっき層を形成することを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項７】
絶縁性のフィルム上に銅箔を貼り合わせたテープ状材料を使用し、前記銅箔に半導体チップの接続パッドへと押し曲げられて接合されるインナーリードを含む銅配線を形成する半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
前記銅配線の表面に金めっき層を形成し、前記金めっき層の表面に銅よりも耐酸化性に優れた被覆めっき層を形成することを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１１−４０６１７（Ｐ２０１１−４０６１７Ａ）
【公開日】平成２３年２月２４日（２０１１．２．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１８７４６４（Ｐ２００９−１８７４６４）
【出願日】平成２１年８月１２日（２００９．８．１２）
【出願人】（０００００５１２０）日立電線株式会社 (3,358)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年２月２４日（２０１１．２．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年８月１２日（２００９．８．１２）
【出願人】（０００００５１２０）日立電線株式会社 (3,358)
【Ｆターム（参考）】
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