半導体装置用テープキャリア及びそれを用いた半導体装置
【課題】半導体素子搭載時の加熱による外部接続端子の累積ピッチの変化が小さく、外部機器との接続性を向上させることができると共に、導電性異物の発生を抑制することができ、また、電気信号を取り扱う配線パターンにおいてその信号に対して不適切な挙動が起きないようにこれを抑制することができる、半導体装置用テープキャリア及びそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】基材２上に微細な配線パターン３を形成してなると共に搭載すべき半導体素子４を位置させるためのデバイスホールを有しない構造の半導体装置用テープキャリアであって、配線パターン３は、その一端に半導体素子４の電極端子１６と接続される内部接続端子６を有し、他端に外部機器と接続される外部接続端子７ａ，７ｂを有する配線５を備えており、基材２の裏面に、外部機器を構成すると共に外部接続端子７ａ，７ｂと接続される配線５を備えた配線基板と同等の熱膨張係数を有する非導電性部材１１が設けられている、半導体装置用テープキャリア。
【解決手段】基材２上に微細な配線パターン３を形成してなると共に搭載すべき半導体素子４を位置させるためのデバイスホールを有しない構造の半導体装置用テープキャリアであって、配線パターン３は、その一端に半導体素子４の電極端子１６と接続される内部接続端子６を有し、他端に外部機器と接続される外部接続端子７ａ，７ｂを有する配線５を備えており、基材２の裏面に、外部機器を構成すると共に外部接続端子７ａ，７ｂと接続される配線５を備えた配線基板と同等の熱膨張係数を有する非導電性部材１１が設けられている、半導体装置用テープキャリア。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、ポリイミドテープからなる基材上に微細な配線パターンを形成してなると共に搭載すべき半導体素子を位置させるためのデバイスホールを有しない構造の一般にＣＯＦ（Chip On Film）用テープキャリアと呼ばれる半導体装置用テープキャリア、及び、それを用いた半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体素子を搭載するために用いられる半導体装置用テープキャリアの配線パターンは、半導体素子と電気的に接続される配線を含む多数の配線を備えており、このうち半導体素子と電気的に接続される配線の夫々は、その一端に半導体素子の電極端子と接続される内部接続端子を有し、他端に外部機器と接続される外部接続端子を有する。また、配線の内部接続端子に半導体素子の電極端子を接続して、半導体装置用テープキャリア上に半導体素子を搭載する方法としては、ＣＯＦ用テープキャリアの場合は、搭載すべき半導体素子を位置させるためのデバイスホールを有しないことから、通常、フェイスダウン方式により配線の内部接続端子に半導体素子の電極端子を一括接続して搭載する方法が採用される。さらに、配線の内部接続端子に半導体素子の電極端子を一括接続する方法としては、一般に、配線の内部接続端子に半導体素子の電極端子を位置合わせした後、配線を裏打ちしてなる基材と半導体素子との両側もしくは基材の片側から両者を加熱及び加圧して一括接続する方法が採用される。
【０００３】
一方、電子機器の小型軽量化、高機能化に伴って、半導体装置用テープキャリアの配線の密度は高くなると共にその配線は微細化されつつある。特に、液晶パネルに用いられる半導体装置用テープキャリアにおいては、多数の液晶素子を夫々駆動制御する信号数の増加に対応して配線数が増加することから、配線の密度はますます高くなると共に配線も一層微細化されつつある。この配線の微細化に伴って、配線の幅及び配線のピッチは小さくなり、配線の内部接続端子及び外部接続端子のピッチも夫々小さくなる。
【０００４】
このような中で、半導体装置用テープキャリア上に半導体素子を搭載するにあたり、上記接続方法により配線の内部接続端子に半導体素子の電極端子を加熱により一括接続すると、これは要するに配線の一端を加熱して固定するのと同じことになるから、フリーな状態にある配線の他端はその加熱の影響を受けて変位しやすく、配線の外部接続端子に位置ズレが生じるという問題がある。しかも、この位置ズレは、プラスチックからなる基材と銅等の金属からなる配線との熱膨張係数差に基づいて、配線の外部接続端子のピッチの変化を伴うものである。この結果、特に、複数の配線（群）からなる外部接続端子の累積ピッチが大きく変化することにより、液晶パネル等の外部機器を構成するガラス製の配線基板の対応する配線に外部接続端子を接続するに際し、両者を正しく位置合わせして接続することが難しくなるという問題がある。因みに、ポリイミドの熱膨張係数は１０〜２５ｐｐｍ／Ｋ、銅の熱膨張係数は１６．８ｐｐｍ／Ｋ、耐熱ガラスの熱膨張係数は３．２ｐｐｍ／Ｋである。
【０００５】
このため、上記した外部接続端子の接続に際しては、配線の外部接続端子の累積ピッチの変化が許容範囲内に収まるように管理することが重要になっており、従来においては、半導体素子搭載時の加熱温度における基材と配線との熱膨張係数差を考慮して、予め配線のピッチのうち特に外部接続端子のピッチを補正するなどによりその管理を行っているが、簡単ではない。
【０００６】
これに関連し、先行技術文献である特許文献１には、例えば、図６に示されるように、配線５の外部接続端子７ａ、７ｂの累積ピッチの変化を抑えて外部機器（図示せず）との接続性を向上させるために、配線パターン３を形成した基材２の裏面に、配線パターン３とは独立した金属パターンＭを設けて構成される半導体装置用テープキャリア１が記載されている。なお、図６において、４は半導体素子、１３は封止樹脂、２２は配線パターン３の表面に設けられたソルダレジストである。
【０００７】
ここで、基材２の裏面に金属パターンＭを設けて構成される半導体装置用テープキャリア１を従来技術に基づいて製造する場合は、例えば、次のような方法により製造される。
【０００８】
すなわち、出発材料として基材の両面に銅箔を設けた３層構造のテープ状部材を用意し、これに工程内搬送用のスプロケットホールをパンチ加工により形成した後、基材の表面の銅箔上に感光性のフォトレジストを塗布し、予め配線パターンに対応するマスクパターンを形成したフォトマスクを用いて前記フォトレジストを露光・現像し、不要な銅箔をエッチングにより除去した後、残余のフォトレジストを除去することにより、基材の表面に所定の配線パターンを形成する。次いで、基材の裏面の銅箔を同様にエッチング処理することにより、基材の裏面に所定の金属パターンを形成するという製造方法である。このようにして得られたテープ状部材については、最終製品仕様に従った位置マークを例えばパンチ加工により形成し、この位置マークに基づいて配線パターンの検査を行う。また、酸化防止のため配線の内部接続端子部及び外部接続端子部を含む配線パターンの全面に錫（Ｓｎ）めっきを施した後、絶縁保護のため配線の内部接続端子部及び外部接続端子部を除く配線パターンの表面（めっき面）にソルダレジストを塗布する。このとき、基材の裏面の金属パターンにも同様にソルダレジストを塗布することが望ましい。さらに、製品の出荷仕様に向けた加工、検査を行い、最終製品仕様の半導体装置用テープキャリアを得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００３−６８８０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献１に記載の半導体装置用テープキャリアによれば、配線パターンを形成した基材の裏面に独立した金属パターンを設けることにより、配線パターンを構成する配線の外部接続端子の累積ピッチの変化を抑えて外部機器との接続性を向上させる効果をある程度期待することはできるものの、外部機器がガラス製の配線基板を備えた液晶パネル等からなる場合は、前記金属パターンはガラス製の配線基板との熱膨張係数の整合性を考慮したものではないため、半導体素子搭載時の加熱による外部接続端子の累積ピッチの変化の抑制効果は十分であるとはいえず、外部機器との接続性に問題がある。
【００１１】
また、特許文献１に記載の半導体装置用テープキャリアによれば、基材の裏面に設けられた金属パターンは露出しており、工程内外を搬送される際に金属パターンから導電性異物が発生する恐れがある。半導体装置にとって、導電性異物等による配線間の電気的ショートは致命的な欠陥となり得るため、導電性異物の発生は問題であり、その発生を未然に防止することが望まれる。この対策として基材の裏面の金属パターンにもソルダレジストを設ける方法が考えられるが、製造工数の増加及び歩留まりの低下を招くことになり、製品コストが高くなるという問題がある。また、基材の裏面における金属パターンの存在は、基材の表面の電気信号を取り扱う配線パターンにおいて、その信号に対して不適切な挙動が起きる危険性がある。
【００１２】
したがって、本発明の目的は、半導体素子搭載時の加熱による外部接続端子の累積ピッチの変化が小さく、外部機器との接続性を向上させることができると共に、導電性異物の発生を抑制することができ、また、電気信号を取り扱う配線パターンにおいてその信号に対して不適切な挙動が起きないようにこれを抑制することができる、半導体装置用テープキャリア及びそれを用いた半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために請求項１の発明は、基材上に微細な配線パターンを形成してなると共に搭載すべき半導体素子を位置させるためのデバイスホールを有しない構造の半導体装置用テープキャリアであって、前記配線パターンは、その一端に半導体素子の電極端子と接続される内部接続端子を有し、他端に外部機器と接続される外部接続端子を有する配線を備えており、前記基材の裏面に、前記外部機器を構成すると共に前記外部接続端子と接続される配線を備えた配線基板と同等の熱膨張係数を有する非導電性部材が設けられていることを特徴とする半導体装置用テープキャリアを提供する。
【００１４】
上記において、前記外部機器を構成する前記配線基板と同等の熱膨張係数を有する前記非導電性部材としては、例えば、熱膨張係数３．２ｐｐｍ／Ｋの耐熱ガラス製部材、熱膨張係数０．５ｐｐｍ／Ｋの石英製部材、熱膨張係数１．１ｐｐｍ／Ｋのダイヤモンド製部材を用いることができる。
【００１５】
この半導体装置用テープキャリアによれば、上記構成の採用により、特に、前記基材の裏面に、前記外部機器を構成すると共に前記外部接続端子と接続される配線を備えた配線基板と同等の熱膨張係数を有する非導電性部材が設けられていることにより、半導体素子搭載時の加熱による外部接続端子の累積ピッチの変化が小さく、しかもその変化を、外部機器との接続時の許容範囲内に容易に収めることができるため、外部機器との接続性を向上させることができると共に、従来のように金属パターンが設けられたものではないため、導電性異物の発生を抑制することができ、また、電気信号を取り扱う配線パターンにおいてその信号に対して不適切な挙動が起きないようにこれを抑制することができる。
【００１６】
請求項２の発明は、前記非導電性部材が、前記内部接続端子の接合領域を除く領域に対応する前記基材の裏面に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用テープキャリアを提供する。
【００１７】
この半導体装置用テープキャリアによれば、上記効果に加えて、上記構成の採用により、つまり半導体素子接合領域に対応する基材の裏面には非導電性部材が設けられていないことにより、半導体素子接合時の加熱及び加圧力が非導電性部材により低減されることがないため、半導体素子の接合をこれまで通り行うことができる。
【００１８】
請求項３の発明は、前記非導電性部材が、前記外部接続端子の接合領域に対応する前記基材の裏面に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置用テープキャリアを提供する。
【００１９】
この半導体装置用テープキャリアによれば、上記効果に加えて、上記構成の採用により、つまり外部機器との接続性を向上させる上で効果的な範囲に非導電性部材が設けられていることにより、非導電性部材の使用範囲を小さく限定することができ経済的であると共に、ガラスなど非導電性部材の材質や形状によっては半導体装置用テープキャリアの巻き取り性及び取り扱い性を低下させる恐れがあるがこれを軽減することができる。
【００２０】
請求項４の発明は、前記非導電性部材が、これと同等の熱膨張係数を有する接着剤を用いて前記基材の裏面に接着されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の半導体装置用テープキャリアを提供する。
【００２１】
この半導体装置用テープキャリアによれば、上記効果に加えて、上記構成の採用により、すなわち、非導電性部材が、これと同等の熱膨張係数を有する接着剤を用いて基材の裏面に接着されていることにより、接着剤の材質によっては非導電性部材による上記効果を低下させる恐れがあるがこれを防止もしくは抑制することができる。
【００２２】
請求項５の発明は、前記非導電性部材が、ガラス製部材からなることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の半導体装置用テープキャリアを提供する。
【００２３】
この半導体装置用テープキャリアによれば、上記効果に加えて、上記構成の採用により、すなわち、非導電性部材がガラス製部材からなることにより、外部機器がガラス製の配線基板を備えた液晶パネル等からなる場合において非導電性部材の熱膨張係数をガラス製配線基板の熱膨張係数と同等とすることができるため、半導体素子搭載時の加熱による外部接続端子の累積ピッチの変化を予めそのガラス製配線基板に合わせて容易に小さくすることができ、外部機器との接続性を確実に向上させることができる。
【００２４】
請求項６の発明は、請求項１乃至５の何れかに記載の半導体装置用テープキャリアを用い、前記内部接続端子に、前記半導体素子の前記電極端子を接続して、半導体装置用テープキャリア上に半導体素子を搭載してなることを特徴とする半導体装置を提供する。
【００２５】
この半導体装置によれば、上記効果に加えて、上記構成の採用により、すなわち、上記構成の半導体装置用テープキャリアを用いることにより、半導体素子搭載時の加熱による外部接続端子の累積ピッチの変化が小さく、しかもその変化を、外部機器との接続時の許容範囲内に容易に収めることができるため、外部機器との接続性を向上させることができると共に、従来のように金属パターンが設けられたものではないため、導電性異物の発生を抑制することができ、また、電気信号を取り扱う配線パターンにおいてその信号に対して不適切な挙動が起きないようにこれを抑制することができる、電気的信頼性及び特性に優れた半導体装置を得ることができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の半導体装置用テープキャリア及びそれを用いた半導体装置によれば、半導体素子搭載時の加熱による外部接続端子の累積ピッチの変化が小さく、外部機器との接続性を向上させることができると共に、導電性異物の発生を抑制することができ、また、電気信号を取り扱う配線パターンにおいてその信号に対して不適切な挙動が起きないようにこれを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの説明図であって、（ａ）は上面図、（ｂ）は底面図である。
【図２】本発明の他の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの説明図であって、図１（ｂ）に相当する底面図である。
【図３】図２の半導体装置用テープキャリアを用いて製造された半導体装置の正面断面図である。
【図４】図３の半導体装置を液晶パネル等の外部機器に実装した状態を示す説明図である。
【図５】図２の半導体装置用テープキャリアの製造方法の説明図である。
【図６】従来の半導体装置用テープキャリアを用いて製造された半導体装置の正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、図１〜５に基づいて本発明の好適な実施の形態を説明するが、本発明はこれらの実施の形態の限られるものでないことは言うまでもないことである。なお、ここでは従来技術と同一の称呼を持つ部材及び部品については、同一の符号を付して説明することとする。
【００２９】
前記したように、図１は、本発明の一実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの説明図であって、（ａ）は上面図、（ｂ）は底面図である。この図１の半導体装置用テープキャリア１は、ポリイミドテープからなる基材２上に微細な配線パターン３を形成してなると共に搭載すべき半導体素子４（図３参照）を位置させるためのデバイスホールを有しない構造の一般にＣＯＦ用テープキャリアと呼ばれる半導体装置用テープキャリアである。なお、デバイスホールを有する構造の半導体装置用テープキャリアとしては、一般にＴＣＰ（Tape Carrier Package）用テープキャリアと呼ばれる半導体装置用テープキャリアがある。
【００３０】
前記配線パターン３は、前記半導体素子４と電気的に接続される配線５を含む多数の配線５を備えており、このうち前記半導体素子４と電気的に接続される配線５の夫々は、その一端に前記半導体素子４の電極端子と接続される内部接続端子６を有し、他端に外部機器と接続される外部接続端子７ａ、７ｂを有する。ここで、内部接続端子６及び外部接続端子７ａを有する側の比較的幅の広い配線５は、電源等の電子回路を搭載したプリント基板８（図４参照）に接続される入力側の配線であり、内部接続端子６及び外部接続端子７ｂを有する側の比較的幅の狭い配線５は、液晶パネル９（図４参照）に接続される出力側の配線である。なお、多数の配線５の中には、半導体素子４を経由せずに、入力側の配線５がそのまま延長して出力側の配線５となるものもある。また、１０は半導体装置用テープキャリア１の長手方向に沿ってその幅方向両側に設けられた搬送用のスプロケットホールである。
【００３１】
ここで、本実施の形態の半導体装置用テープキャリア１は、図１（ｂ）に示されるように、基材２の裏面に、ガラス製の非導電性部材１１が設けられる。ガラス製の非導電性部材１１は、前記液晶パネル９を構成すると共に前記外部接続端子７ｂと接続される配線を備えた図示しないガラス製の配線基板と同等の熱膨張係数を有する。前記非導電性部材１１は、さらに同図に示されるように、前記内部接続端子６の（半導体素子４との）接合領域Ｐを除く領域に対応する基材２の裏面のほぼ全体に設けられる。これは半導体素子接合時の加熱及び加圧力が非導電性部材１１により低減されることがないようにするためである。このように基材２の裏面に非導電性部材１１が設けられることにより、本実施の形態の半導体装置用テープキャリア１においては、半導体素子搭載時の加熱による前記外部接続端子７ａ、７ｂの累積ピッチの変化が小さく、しかもその変化を、液晶パネル９との接続時の許容範囲内に容易に収めることができるため、液晶パネル９との接続性を向上させることができると共に、従来のように金属パターンＭが設けられたものではないため、導電性異物の発生を抑制することができ、また、電気信号を取り扱う配線パターン３においてその信号に対して不適切な挙動が起きないようにこれを抑制することができる。
【００３２】
図２は、本発明の他の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの説明図であって、図１（ｂ）に相当する底面図である。この半導体装置用テープキャリア１においては、非導電性部材１１、１１は、外部接続端子７ａ、７ｂの接合領域Ｗに対応するように基材２の裏面に限定的に設けられる。この場合においても、上記同様の効果を得ることができるほか、ガラス製の非導電性部材１１、１１の使用範囲を小さくすることができ経済的であると共に、図１（ａ）の場合、ガラス製の非導電性部材１１が半導体装置用テープキャリア１の巻き取り性及び取り扱い性を低下させる虞れがあるが、これを軽減することができる副次的な効果を得ることができる。なお、図２の構成に代えて、液晶パネル９と接続される外部接続端子７ｂの接合領域に対応する基材２の裏面にのみ非導電性部材１１が設けられる（外部接続端子７ａの接合領域に対応する基材２の裏面には非導電性部材１１が設けられない）構成とすることも可能である。この場合においても、上記同様の効果を得ることができることは勿論である。
【００３３】
図３は、図２の半導体装置用テープキャリア１を用いて製造された半導体装置１２の正面断面図である。また、図４は、図３の半導体装置１２を液晶パネル９等の外部機器に実装した状態を示す説明図である。
【００３４】
図３においては、半導体装置１２は、半導体装置用テープキャリア１の配線５の内部接続端子６に、半導体素子４の電極端子１６を加熱および加圧により一括接続して、半導体装置用テープキャリア１上に半導体素子４を搭載した後、その接続部及びその周辺を封止樹脂１３により封止することにより製造される。１４は基材２の裏面に非導電性部材１１を接着固定するための接着剤である。
【００３５】
また、図４においては、同図のように折り曲げて実装される半導体装置１２を構成する半導体装置用テープキャリア１の入力側の配線５には、その外部接続端子７ａに、電源等の電子回路を搭載したプリント基板８の対応する配線が、加熱圧接方式により接続される。出力側の配線５には、その外部接続端子７ｂに、液晶パネル９を構成する図示しないガラス製の配線基板の対応する配線が、異方性導電膜（ＡＣＦ）１５を用いた圧接方式により接続される。後者の接続性、特に接続すべき配線と配線との間の位置合わせが非導電性部材１１の存在により向上することは改めて論ずるまでもないことである。なお、１６は半導体素子４の電極端子である。
【００３６】
さらに、図１〜４において、液晶パネル９に備えられた図示しないガラス製の配線基板と同等の熱膨張係数を有するガラス製の非導電性部材１１の熱膨張係数に関しては、概ね１〜１０ｐｐｍ／Ｋであれば上記効果を有することから、その値を、この場合における同等の熱膨張係数の範囲とすることができる。
【００３７】
また、図１〜４において、基材２の裏面に非導電性部材１１を接着固定するために用いられる接着剤１４としては、非導電性部材１１と同等の熱膨張係数を有する接着剤が用いられる。これについては、非導電性部材１１を固定するためには接着剤が用いられることが好ましいが、しかし、接着剤の材質によっては非導電性部材１１による上記効果を低下させる虞れがあり、本実施の形態においてはそのような熱膨張係数を有する接着剤１４を用いることにより、その虞れを未然に防止もしくは抑制することができる。
【００３８】
図５は、図２の半導体装置用テープキャリア１の製造方法の説明図である。すなわち、（ａ）出発材料としてポリイミドテープからなる基材２の片面に銅箔１７を設けたテープ状部材１８を用意し、これに工程内搬送用のスプロケットホール１０（図示省略）をパンチ加工により形成した後、（ｂ）基材２の表面の銅箔１７上に感光性のフォトレジスト１９を塗布すると共に、予め配線パターンに対応するマスクパターンを形成したフォトマスク２０を用いて前記フォトレジスト１９を露光し、次いで、（ｃ）前記フォトレジスト１９を現像し、（ｄ）不要な銅箔１７をエッチングにより除去した後、（ｅ）残余のフォトレジスト１９を除去することにより、基材２の表面に多数の配線５を備えた配線パターン３を形成する。さらに、（ｆ）酸化防止のため配線５の内部接続端子部６及び外部接続端子部７ａ、７ｂを含む配線パターン３の全面に錫（Ｓｎ）めっき２１を施した後、絶縁保護のため配線５の内部接続端子部６及び外部接続端子部７ａ、７ｂを除く配線パターン３の表面（めっき面）にソルダレジスト２２を塗布し、最後に、（ｇ）接着剤１４を用いて、外部接続端子部７ａ、７ｂに対応する基材２の裏面にガラス製部材からなる非導電性部材１１、１１を夫々接着固定し、所定の半導体装置用テープキャリア１を製造する。
【００３９】
なお、この半導体装置用テープキャリア１については、さらに、製品の出荷仕様に向けた加工、検査を行い、最終製品仕様の半導体装置用テープキャリアを得る。また、基材２の表面に銅箔１７を形成する方法としては、基材２の表面にスパッタ・めっきにより銅箔１７を形成する方法以外に、別途製造された銅箔１７の表面に基材２を構成する絶縁材料を塗布する方法があり、いずれも採用することができる。また、工程内搬送時の、ガラス製の非導電性部材１１からの異物発生対策としては、搬送ライン上に例えば厚さ５０μｍのポリイミドテープからなる緩衝材を設けることにより、異物の発生を抑制することが可能である。緩衝材の材質は、非導電性部材よりも軟弱であれば、使用上特に問題はない。しかも、このケースでは、仮に異物が発生したとしても、絶縁性異物であり、導電性異物のような問題となる可能性は低い。
【００４０】
この半導体装置用テープキャリア１の製造方法によれば、基材２の裏面に非導電性部材１１を接着固定する以外は、従来の製造ラインをそのまま使用することができるため、工程数の増加を必要最低限に抑えることができる。
【実施例】
【００４１】
図５の製造方法により、出発材料として厚さ３８μｍのポリイミドテープからなる基材の片面に厚さ８μｍの銅箔を設けたテープ状部材を用意し、上記工程（a）〜（ｆ）を経ることにより基材の表面に所定の配線パターンを形成した後、基材の裏面に、熱膨張係数が３．２ｐｐｍ／Ｋのガラス製配線基板を備えた液晶パネルのそれと同等の熱膨張係数を有する非導電性部材として、熱膨張係数が３．２ｐｐｍ／Ｋの耐熱ガラス製部材を接着固定し、半導体装置用テープキャリアを製造した。
【００４２】
この半導体装置用テープキャリアを用いて、半導体装置用テープキャリア上に半導体素子を搭載して半導体装置を製造し、半導体装置を液晶パネルに実装したところ、半導体素子搭載時の加熱による外部接続端子の累積ピッチの変化が小さく、しかもその変化を、液晶パネルとの接続時の許容範囲内に容易に収めることができることが分かった。したがってこれにより、予めその累積ピッチの変化を予測して配線のピッチのうち特に外部接続端子のピッチを補正するなどの調整作業が不要もしくは著しく簡単化されることになり、液晶パネルとの接続性を確実に向上させることができると共に、従来のように金属パターンが設けられたものではないため、導電性異物の発生を抑制することができ、また、電気信号を取り扱う配線パターン３においてその信号に対して不適切な挙動が起きないようにこれを抑制することができることが分かる。
【符号の説明】
【００４３】
１ 半導体装置用テープキャリア
２ 基材
３ 配線パターン
４ 半導体素子
５ 配線
６ 内部接続端子
７ａ、７ｂ 外部接続端子
８ プリント基板
９ 液晶パネル
１０ スプロケットホール
１１ 非導電性部材
１２ 半導体装置
１３ 封止樹脂
１４ 接着剤
１５ 異方性導電膜
１６ 電極端子
１７ 銅箔
１８ テープ状部材
１９ 感光性フォトレジスト
２０ フォトマスク
２１ 錫めっき
２２ ソルダレジスト
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、ポリイミドテープからなる基材上に微細な配線パターンを形成してなると共に搭載すべき半導体素子を位置させるためのデバイスホールを有しない構造の一般にＣＯＦ（Chip On Film）用テープキャリアと呼ばれる半導体装置用テープキャリア、及び、それを用いた半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体素子を搭載するために用いられる半導体装置用テープキャリアの配線パターンは、半導体素子と電気的に接続される配線を含む多数の配線を備えており、このうち半導体素子と電気的に接続される配線の夫々は、その一端に半導体素子の電極端子と接続される内部接続端子を有し、他端に外部機器と接続される外部接続端子を有する。また、配線の内部接続端子に半導体素子の電極端子を接続して、半導体装置用テープキャリア上に半導体素子を搭載する方法としては、ＣＯＦ用テープキャリアの場合は、搭載すべき半導体素子を位置させるためのデバイスホールを有しないことから、通常、フェイスダウン方式により配線の内部接続端子に半導体素子の電極端子を一括接続して搭載する方法が採用される。さらに、配線の内部接続端子に半導体素子の電極端子を一括接続する方法としては、一般に、配線の内部接続端子に半導体素子の電極端子を位置合わせした後、配線を裏打ちしてなる基材と半導体素子との両側もしくは基材の片側から両者を加熱及び加圧して一括接続する方法が採用される。
【０００３】
一方、電子機器の小型軽量化、高機能化に伴って、半導体装置用テープキャリアの配線の密度は高くなると共にその配線は微細化されつつある。特に、液晶パネルに用いられる半導体装置用テープキャリアにおいては、多数の液晶素子を夫々駆動制御する信号数の増加に対応して配線数が増加することから、配線の密度はますます高くなると共に配線も一層微細化されつつある。この配線の微細化に伴って、配線の幅及び配線のピッチは小さくなり、配線の内部接続端子及び外部接続端子のピッチも夫々小さくなる。
【０００４】
このような中で、半導体装置用テープキャリア上に半導体素子を搭載するにあたり、上記接続方法により配線の内部接続端子に半導体素子の電極端子を加熱により一括接続すると、これは要するに配線の一端を加熱して固定するのと同じことになるから、フリーな状態にある配線の他端はその加熱の影響を受けて変位しやすく、配線の外部接続端子に位置ズレが生じるという問題がある。しかも、この位置ズレは、プラスチックからなる基材と銅等の金属からなる配線との熱膨張係数差に基づいて、配線の外部接続端子のピッチの変化を伴うものである。この結果、特に、複数の配線（群）からなる外部接続端子の累積ピッチが大きく変化することにより、液晶パネル等の外部機器を構成するガラス製の配線基板の対応する配線に外部接続端子を接続するに際し、両者を正しく位置合わせして接続することが難しくなるという問題がある。因みに、ポリイミドの熱膨張係数は１０〜２５ｐｐｍ／Ｋ、銅の熱膨張係数は１６．８ｐｐｍ／Ｋ、耐熱ガラスの熱膨張係数は３．２ｐｐｍ／Ｋである。
【０００５】
このため、上記した外部接続端子の接続に際しては、配線の外部接続端子の累積ピッチの変化が許容範囲内に収まるように管理することが重要になっており、従来においては、半導体素子搭載時の加熱温度における基材と配線との熱膨張係数差を考慮して、予め配線のピッチのうち特に外部接続端子のピッチを補正するなどによりその管理を行っているが、簡単ではない。
【０００６】
これに関連し、先行技術文献である特許文献１には、例えば、図６に示されるように、配線５の外部接続端子７ａ、７ｂの累積ピッチの変化を抑えて外部機器（図示せず）との接続性を向上させるために、配線パターン３を形成した基材２の裏面に、配線パターン３とは独立した金属パターンＭを設けて構成される半導体装置用テープキャリア１が記載されている。なお、図６において、４は半導体素子、１３は封止樹脂、２２は配線パターン３の表面に設けられたソルダレジストである。
【０００７】
ここで、基材２の裏面に金属パターンＭを設けて構成される半導体装置用テープキャリア１を従来技術に基づいて製造する場合は、例えば、次のような方法により製造される。
【０００８】
すなわち、出発材料として基材の両面に銅箔を設けた３層構造のテープ状部材を用意し、これに工程内搬送用のスプロケットホールをパンチ加工により形成した後、基材の表面の銅箔上に感光性のフォトレジストを塗布し、予め配線パターンに対応するマスクパターンを形成したフォトマスクを用いて前記フォトレジストを露光・現像し、不要な銅箔をエッチングにより除去した後、残余のフォトレジストを除去することにより、基材の表面に所定の配線パターンを形成する。次いで、基材の裏面の銅箔を同様にエッチング処理することにより、基材の裏面に所定の金属パターンを形成するという製造方法である。このようにして得られたテープ状部材については、最終製品仕様に従った位置マークを例えばパンチ加工により形成し、この位置マークに基づいて配線パターンの検査を行う。また、酸化防止のため配線の内部接続端子部及び外部接続端子部を含む配線パターンの全面に錫（Ｓｎ）めっきを施した後、絶縁保護のため配線の内部接続端子部及び外部接続端子部を除く配線パターンの表面（めっき面）にソルダレジストを塗布する。このとき、基材の裏面の金属パターンにも同様にソルダレジストを塗布することが望ましい。さらに、製品の出荷仕様に向けた加工、検査を行い、最終製品仕様の半導体装置用テープキャリアを得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００３−６８８０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献１に記載の半導体装置用テープキャリアによれば、配線パターンを形成した基材の裏面に独立した金属パターンを設けることにより、配線パターンを構成する配線の外部接続端子の累積ピッチの変化を抑えて外部機器との接続性を向上させる効果をある程度期待することはできるものの、外部機器がガラス製の配線基板を備えた液晶パネル等からなる場合は、前記金属パターンはガラス製の配線基板との熱膨張係数の整合性を考慮したものではないため、半導体素子搭載時の加熱による外部接続端子の累積ピッチの変化の抑制効果は十分であるとはいえず、外部機器との接続性に問題がある。
【００１１】
また、特許文献１に記載の半導体装置用テープキャリアによれば、基材の裏面に設けられた金属パターンは露出しており、工程内外を搬送される際に金属パターンから導電性異物が発生する恐れがある。半導体装置にとって、導電性異物等による配線間の電気的ショートは致命的な欠陥となり得るため、導電性異物の発生は問題であり、その発生を未然に防止することが望まれる。この対策として基材の裏面の金属パターンにもソルダレジストを設ける方法が考えられるが、製造工数の増加及び歩留まりの低下を招くことになり、製品コストが高くなるという問題がある。また、基材の裏面における金属パターンの存在は、基材の表面の電気信号を取り扱う配線パターンにおいて、その信号に対して不適切な挙動が起きる危険性がある。
【００１２】
したがって、本発明の目的は、半導体素子搭載時の加熱による外部接続端子の累積ピッチの変化が小さく、外部機器との接続性を向上させることができると共に、導電性異物の発生を抑制することができ、また、電気信号を取り扱う配線パターンにおいてその信号に対して不適切な挙動が起きないようにこれを抑制することができる、半導体装置用テープキャリア及びそれを用いた半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために請求項１の発明は、基材上に微細な配線パターンを形成してなると共に搭載すべき半導体素子を位置させるためのデバイスホールを有しない構造の半導体装置用テープキャリアであって、前記配線パターンは、その一端に半導体素子の電極端子と接続される内部接続端子を有し、他端に外部機器と接続される外部接続端子を有する配線を備えており、前記基材の裏面に、前記外部機器を構成すると共に前記外部接続端子と接続される配線を備えた配線基板と同等の熱膨張係数を有する非導電性部材が設けられていることを特徴とする半導体装置用テープキャリアを提供する。
【００１４】
上記において、前記外部機器を構成する前記配線基板と同等の熱膨張係数を有する前記非導電性部材としては、例えば、熱膨張係数３．２ｐｐｍ／Ｋの耐熱ガラス製部材、熱膨張係数０．５ｐｐｍ／Ｋの石英製部材、熱膨張係数１．１ｐｐｍ／Ｋのダイヤモンド製部材を用いることができる。
【００１５】
この半導体装置用テープキャリアによれば、上記構成の採用により、特に、前記基材の裏面に、前記外部機器を構成すると共に前記外部接続端子と接続される配線を備えた配線基板と同等の熱膨張係数を有する非導電性部材が設けられていることにより、半導体素子搭載時の加熱による外部接続端子の累積ピッチの変化が小さく、しかもその変化を、外部機器との接続時の許容範囲内に容易に収めることができるため、外部機器との接続性を向上させることができると共に、従来のように金属パターンが設けられたものではないため、導電性異物の発生を抑制することができ、また、電気信号を取り扱う配線パターンにおいてその信号に対して不適切な挙動が起きないようにこれを抑制することができる。
【００１６】
請求項２の発明は、前記非導電性部材が、前記内部接続端子の接合領域を除く領域に対応する前記基材の裏面に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用テープキャリアを提供する。
【００１７】
この半導体装置用テープキャリアによれば、上記効果に加えて、上記構成の採用により、つまり半導体素子接合領域に対応する基材の裏面には非導電性部材が設けられていないことにより、半導体素子接合時の加熱及び加圧力が非導電性部材により低減されることがないため、半導体素子の接合をこれまで通り行うことができる。
【００１８】
請求項３の発明は、前記非導電性部材が、前記外部接続端子の接合領域に対応する前記基材の裏面に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置用テープキャリアを提供する。
【００１９】
この半導体装置用テープキャリアによれば、上記効果に加えて、上記構成の採用により、つまり外部機器との接続性を向上させる上で効果的な範囲に非導電性部材が設けられていることにより、非導電性部材の使用範囲を小さく限定することができ経済的であると共に、ガラスなど非導電性部材の材質や形状によっては半導体装置用テープキャリアの巻き取り性及び取り扱い性を低下させる恐れがあるがこれを軽減することができる。
【００２０】
請求項４の発明は、前記非導電性部材が、これと同等の熱膨張係数を有する接着剤を用いて前記基材の裏面に接着されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の半導体装置用テープキャリアを提供する。
【００２１】
この半導体装置用テープキャリアによれば、上記効果に加えて、上記構成の採用により、すなわち、非導電性部材が、これと同等の熱膨張係数を有する接着剤を用いて基材の裏面に接着されていることにより、接着剤の材質によっては非導電性部材による上記効果を低下させる恐れがあるがこれを防止もしくは抑制することができる。
【００２２】
請求項５の発明は、前記非導電性部材が、ガラス製部材からなることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の半導体装置用テープキャリアを提供する。
【００２３】
この半導体装置用テープキャリアによれば、上記効果に加えて、上記構成の採用により、すなわち、非導電性部材がガラス製部材からなることにより、外部機器がガラス製の配線基板を備えた液晶パネル等からなる場合において非導電性部材の熱膨張係数をガラス製配線基板の熱膨張係数と同等とすることができるため、半導体素子搭載時の加熱による外部接続端子の累積ピッチの変化を予めそのガラス製配線基板に合わせて容易に小さくすることができ、外部機器との接続性を確実に向上させることができる。
【００２４】
請求項６の発明は、請求項１乃至５の何れかに記載の半導体装置用テープキャリアを用い、前記内部接続端子に、前記半導体素子の前記電極端子を接続して、半導体装置用テープキャリア上に半導体素子を搭載してなることを特徴とする半導体装置を提供する。
【００２５】
この半導体装置によれば、上記効果に加えて、上記構成の採用により、すなわち、上記構成の半導体装置用テープキャリアを用いることにより、半導体素子搭載時の加熱による外部接続端子の累積ピッチの変化が小さく、しかもその変化を、外部機器との接続時の許容範囲内に容易に収めることができるため、外部機器との接続性を向上させることができると共に、従来のように金属パターンが設けられたものではないため、導電性異物の発生を抑制することができ、また、電気信号を取り扱う配線パターンにおいてその信号に対して不適切な挙動が起きないようにこれを抑制することができる、電気的信頼性及び特性に優れた半導体装置を得ることができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の半導体装置用テープキャリア及びそれを用いた半導体装置によれば、半導体素子搭載時の加熱による外部接続端子の累積ピッチの変化が小さく、外部機器との接続性を向上させることができると共に、導電性異物の発生を抑制することができ、また、電気信号を取り扱う配線パターンにおいてその信号に対して不適切な挙動が起きないようにこれを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の一実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの説明図であって、（ａ）は上面図、（ｂ）は底面図である。
【図２】本発明の他の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの説明図であって、図１（ｂ）に相当する底面図である。
【図３】図２の半導体装置用テープキャリアを用いて製造された半導体装置の正面断面図である。
【図４】図３の半導体装置を液晶パネル等の外部機器に実装した状態を示す説明図である。
【図５】図２の半導体装置用テープキャリアの製造方法の説明図である。
【図６】従来の半導体装置用テープキャリアを用いて製造された半導体装置の正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、図１〜５に基づいて本発明の好適な実施の形態を説明するが、本発明はこれらの実施の形態の限られるものでないことは言うまでもないことである。なお、ここでは従来技術と同一の称呼を持つ部材及び部品については、同一の符号を付して説明することとする。
【００２９】
前記したように、図１は、本発明の一実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの説明図であって、（ａ）は上面図、（ｂ）は底面図である。この図１の半導体装置用テープキャリア１は、ポリイミドテープからなる基材２上に微細な配線パターン３を形成してなると共に搭載すべき半導体素子４（図３参照）を位置させるためのデバイスホールを有しない構造の一般にＣＯＦ用テープキャリアと呼ばれる半導体装置用テープキャリアである。なお、デバイスホールを有する構造の半導体装置用テープキャリアとしては、一般にＴＣＰ（Tape Carrier Package）用テープキャリアと呼ばれる半導体装置用テープキャリアがある。
【００３０】
前記配線パターン３は、前記半導体素子４と電気的に接続される配線５を含む多数の配線５を備えており、このうち前記半導体素子４と電気的に接続される配線５の夫々は、その一端に前記半導体素子４の電極端子と接続される内部接続端子６を有し、他端に外部機器と接続される外部接続端子７ａ、７ｂを有する。ここで、内部接続端子６及び外部接続端子７ａを有する側の比較的幅の広い配線５は、電源等の電子回路を搭載したプリント基板８（図４参照）に接続される入力側の配線であり、内部接続端子６及び外部接続端子７ｂを有する側の比較的幅の狭い配線５は、液晶パネル９（図４参照）に接続される出力側の配線である。なお、多数の配線５の中には、半導体素子４を経由せずに、入力側の配線５がそのまま延長して出力側の配線５となるものもある。また、１０は半導体装置用テープキャリア１の長手方向に沿ってその幅方向両側に設けられた搬送用のスプロケットホールである。
【００３１】
ここで、本実施の形態の半導体装置用テープキャリア１は、図１（ｂ）に示されるように、基材２の裏面に、ガラス製の非導電性部材１１が設けられる。ガラス製の非導電性部材１１は、前記液晶パネル９を構成すると共に前記外部接続端子７ｂと接続される配線を備えた図示しないガラス製の配線基板と同等の熱膨張係数を有する。前記非導電性部材１１は、さらに同図に示されるように、前記内部接続端子６の（半導体素子４との）接合領域Ｐを除く領域に対応する基材２の裏面のほぼ全体に設けられる。これは半導体素子接合時の加熱及び加圧力が非導電性部材１１により低減されることがないようにするためである。このように基材２の裏面に非導電性部材１１が設けられることにより、本実施の形態の半導体装置用テープキャリア１においては、半導体素子搭載時の加熱による前記外部接続端子７ａ、７ｂの累積ピッチの変化が小さく、しかもその変化を、液晶パネル９との接続時の許容範囲内に容易に収めることができるため、液晶パネル９との接続性を向上させることができると共に、従来のように金属パターンＭが設けられたものではないため、導電性異物の発生を抑制することができ、また、電気信号を取り扱う配線パターン３においてその信号に対して不適切な挙動が起きないようにこれを抑制することができる。
【００３２】
図２は、本発明の他の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの説明図であって、図１（ｂ）に相当する底面図である。この半導体装置用テープキャリア１においては、非導電性部材１１、１１は、外部接続端子７ａ、７ｂの接合領域Ｗに対応するように基材２の裏面に限定的に設けられる。この場合においても、上記同様の効果を得ることができるほか、ガラス製の非導電性部材１１、１１の使用範囲を小さくすることができ経済的であると共に、図１（ａ）の場合、ガラス製の非導電性部材１１が半導体装置用テープキャリア１の巻き取り性及び取り扱い性を低下させる虞れがあるが、これを軽減することができる副次的な効果を得ることができる。なお、図２の構成に代えて、液晶パネル９と接続される外部接続端子７ｂの接合領域に対応する基材２の裏面にのみ非導電性部材１１が設けられる（外部接続端子７ａの接合領域に対応する基材２の裏面には非導電性部材１１が設けられない）構成とすることも可能である。この場合においても、上記同様の効果を得ることができることは勿論である。
【００３３】
図３は、図２の半導体装置用テープキャリア１を用いて製造された半導体装置１２の正面断面図である。また、図４は、図３の半導体装置１２を液晶パネル９等の外部機器に実装した状態を示す説明図である。
【００３４】
図３においては、半導体装置１２は、半導体装置用テープキャリア１の配線５の内部接続端子６に、半導体素子４の電極端子１６を加熱および加圧により一括接続して、半導体装置用テープキャリア１上に半導体素子４を搭載した後、その接続部及びその周辺を封止樹脂１３により封止することにより製造される。１４は基材２の裏面に非導電性部材１１を接着固定するための接着剤である。
【００３５】
また、図４においては、同図のように折り曲げて実装される半導体装置１２を構成する半導体装置用テープキャリア１の入力側の配線５には、その外部接続端子７ａに、電源等の電子回路を搭載したプリント基板８の対応する配線が、加熱圧接方式により接続される。出力側の配線５には、その外部接続端子７ｂに、液晶パネル９を構成する図示しないガラス製の配線基板の対応する配線が、異方性導電膜（ＡＣＦ）１５を用いた圧接方式により接続される。後者の接続性、特に接続すべき配線と配線との間の位置合わせが非導電性部材１１の存在により向上することは改めて論ずるまでもないことである。なお、１６は半導体素子４の電極端子である。
【００３６】
さらに、図１〜４において、液晶パネル９に備えられた図示しないガラス製の配線基板と同等の熱膨張係数を有するガラス製の非導電性部材１１の熱膨張係数に関しては、概ね１〜１０ｐｐｍ／Ｋであれば上記効果を有することから、その値を、この場合における同等の熱膨張係数の範囲とすることができる。
【００３７】
また、図１〜４において、基材２の裏面に非導電性部材１１を接着固定するために用いられる接着剤１４としては、非導電性部材１１と同等の熱膨張係数を有する接着剤が用いられる。これについては、非導電性部材１１を固定するためには接着剤が用いられることが好ましいが、しかし、接着剤の材質によっては非導電性部材１１による上記効果を低下させる虞れがあり、本実施の形態においてはそのような熱膨張係数を有する接着剤１４を用いることにより、その虞れを未然に防止もしくは抑制することができる。
【００３８】
図５は、図２の半導体装置用テープキャリア１の製造方法の説明図である。すなわち、（ａ）出発材料としてポリイミドテープからなる基材２の片面に銅箔１７を設けたテープ状部材１８を用意し、これに工程内搬送用のスプロケットホール１０（図示省略）をパンチ加工により形成した後、（ｂ）基材２の表面の銅箔１７上に感光性のフォトレジスト１９を塗布すると共に、予め配線パターンに対応するマスクパターンを形成したフォトマスク２０を用いて前記フォトレジスト１９を露光し、次いで、（ｃ）前記フォトレジスト１９を現像し、（ｄ）不要な銅箔１７をエッチングにより除去した後、（ｅ）残余のフォトレジスト１９を除去することにより、基材２の表面に多数の配線５を備えた配線パターン３を形成する。さらに、（ｆ）酸化防止のため配線５の内部接続端子部６及び外部接続端子部７ａ、７ｂを含む配線パターン３の全面に錫（Ｓｎ）めっき２１を施した後、絶縁保護のため配線５の内部接続端子部６及び外部接続端子部７ａ、７ｂを除く配線パターン３の表面（めっき面）にソルダレジスト２２を塗布し、最後に、（ｇ）接着剤１４を用いて、外部接続端子部７ａ、７ｂに対応する基材２の裏面にガラス製部材からなる非導電性部材１１、１１を夫々接着固定し、所定の半導体装置用テープキャリア１を製造する。
【００３９】
なお、この半導体装置用テープキャリア１については、さらに、製品の出荷仕様に向けた加工、検査を行い、最終製品仕様の半導体装置用テープキャリアを得る。また、基材２の表面に銅箔１７を形成する方法としては、基材２の表面にスパッタ・めっきにより銅箔１７を形成する方法以外に、別途製造された銅箔１７の表面に基材２を構成する絶縁材料を塗布する方法があり、いずれも採用することができる。また、工程内搬送時の、ガラス製の非導電性部材１１からの異物発生対策としては、搬送ライン上に例えば厚さ５０μｍのポリイミドテープからなる緩衝材を設けることにより、異物の発生を抑制することが可能である。緩衝材の材質は、非導電性部材よりも軟弱であれば、使用上特に問題はない。しかも、このケースでは、仮に異物が発生したとしても、絶縁性異物であり、導電性異物のような問題となる可能性は低い。
【００４０】
この半導体装置用テープキャリア１の製造方法によれば、基材２の裏面に非導電性部材１１を接着固定する以外は、従来の製造ラインをそのまま使用することができるため、工程数の増加を必要最低限に抑えることができる。
【実施例】
【００４１】
図５の製造方法により、出発材料として厚さ３８μｍのポリイミドテープからなる基材の片面に厚さ８μｍの銅箔を設けたテープ状部材を用意し、上記工程（a）〜（ｆ）を経ることにより基材の表面に所定の配線パターンを形成した後、基材の裏面に、熱膨張係数が３．２ｐｐｍ／Ｋのガラス製配線基板を備えた液晶パネルのそれと同等の熱膨張係数を有する非導電性部材として、熱膨張係数が３．２ｐｐｍ／Ｋの耐熱ガラス製部材を接着固定し、半導体装置用テープキャリアを製造した。
【００４２】
この半導体装置用テープキャリアを用いて、半導体装置用テープキャリア上に半導体素子を搭載して半導体装置を製造し、半導体装置を液晶パネルに実装したところ、半導体素子搭載時の加熱による外部接続端子の累積ピッチの変化が小さく、しかもその変化を、液晶パネルとの接続時の許容範囲内に容易に収めることができることが分かった。したがってこれにより、予めその累積ピッチの変化を予測して配線のピッチのうち特に外部接続端子のピッチを補正するなどの調整作業が不要もしくは著しく簡単化されることになり、液晶パネルとの接続性を確実に向上させることができると共に、従来のように金属パターンが設けられたものではないため、導電性異物の発生を抑制することができ、また、電気信号を取り扱う配線パターン３においてその信号に対して不適切な挙動が起きないようにこれを抑制することができることが分かる。
【符号の説明】
【００４３】
１ 半導体装置用テープキャリア
２ 基材
３ 配線パターン
４ 半導体素子
５ 配線
６ 内部接続端子
７ａ、７ｂ 外部接続端子
８ プリント基板
９ 液晶パネル
１０ スプロケットホール
１１ 非導電性部材
１２ 半導体装置
１３ 封止樹脂
１４ 接着剤
１５ 異方性導電膜
１６ 電極端子
１７ 銅箔
１８ テープ状部材
１９ 感光性フォトレジスト
２０ フォトマスク
２１ 錫めっき
２２ ソルダレジスト
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に微細な配線パターンを形成してなると共に搭載すべき半導体素子を位置させるためのデバイスホールを有しない構造の半導体装置用テープキャリアであって、前記配線パターンは、その一端に半導体素子の電極端子と接続される内部接続端子を有し、他端に外部機器と接続される外部接続端子を有する配線を備えており、前記基材の裏面に、前記外部機器を構成すると共に前記外部接続端子と接続される配線を備えた配線基板と同等の熱膨張係数を有する非導電性部材が設けられていることを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項２】
前記非導電性部材が、前記内部接続端子の接合領域を除く領域に対応する前記基材の裏面に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項３】
前記非導電性部材が、前記外部接続端子の接合領域に対応する前記基材の裏面に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項４】
前記非導電性部材が、これと同等の熱膨張係数を有する接着剤を用いて前記基材の裏面に接着されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項５】
前記非導電性部材が、ガラス製部材からなることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れかに記載の半導体装置用テープキャリアを用い、前記内部接続端子に、前記半導体素子の前記電極端子を接続して、半導体装置用テープキャリア上に半導体素子を搭載してなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１】
基材上に微細な配線パターンを形成してなると共に搭載すべき半導体素子を位置させるためのデバイスホールを有しない構造の半導体装置用テープキャリアであって、前記配線パターンは、その一端に半導体素子の電極端子と接続される内部接続端子を有し、他端に外部機器と接続される外部接続端子を有する配線を備えており、前記基材の裏面に、前記外部機器を構成すると共に前記外部接続端子と接続される配線を備えた配線基板と同等の熱膨張係数を有する非導電性部材が設けられていることを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項２】
前記非導電性部材が、前記内部接続端子の接合領域を除く領域に対応する前記基材の裏面に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項３】
前記非導電性部材が、前記外部接続端子の接合領域に対応する前記基材の裏面に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項４】
前記非導電性部材が、これと同等の熱膨張係数を有する接着剤を用いて前記基材の裏面に接着されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項５】
前記非導電性部材が、ガラス製部材からなることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の半導体装置用テープキャリア。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れかに記載の半導体装置用テープキャリアを用い、前記内部接続端子に、前記半導体素子の前記電極端子を接続して、半導体装置用テープキャリア上に半導体素子を搭載してなることを特徴とする半導体装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１１−１３４８９７（Ｐ２０１１−１３４８９７Ａ）
【公開日】平成２３年７月７日（２０１１．７．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２９３０９５（Ｐ２００９−２９３０９５）
【出願日】平成２１年１２月２４日（２００９．１２．２４）
【出願人】（０００００５１２０）日立電線株式会社 (3,358)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年７月７日（２０１１．７．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１２月２４日（２００９．１２．２４）
【出願人】（０００００５１２０）日立電線株式会社 (3,358)
【Ｆターム（参考）】
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