半導体装置
【課題】高密度実装化および小型化を妨げることなく、半導体チップから発生する電磁波の減衰量の増大を図ることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】凹形状の孔部として凹状孔部３ｂを備えた支持基板３を有している。この支持基板３に対してフェイスダウン実装された半導体チップ５は、電磁波発生回路１３を有しており、この電磁波発生回路１３を支持基板３の凹状孔部３ｂに対向させた状態で実装されている。また、支持基板３と半導体チップ５との間には、支持基板３の凹状孔部３ｂ内を埋め込む状態で、電磁波吸収材料を含有する樹脂層９が充填されている。
【解決手段】凹形状の孔部として凹状孔部３ｂを備えた支持基板３を有している。この支持基板３に対してフェイスダウン実装された半導体チップ５は、電磁波発生回路１３を有しており、この電磁波発生回路１３を支持基板３の凹状孔部３ｂに対向させた状態で実装されている。また、支持基板３と半導体チップ５との間には、支持基板３の凹状孔部３ｂ内を埋め込む状態で、電磁波吸収材料を含有する樹脂層９が充填されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置に関し、特には電磁波発生回路を有する半導体チップをフェイスダウン実装してなる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の動作速度の高速化および高密度実装化に伴い、半導体装置から発生する電磁波が、周波数ノイズ（不要輻射）として他の半導体装置に大きな影響を与えるようになってきている。このため、半導体装置に対しては、他の装置に対する電磁波妨害（Electro-Magnetic Interference：ＥＭＩ）が十分に規制され、かつ電磁環境に対する耐性を有する、と言った電磁適合成（Electro-Magnetic Compatibility：ＥＭＣ）が要求されている。
【０００３】
そこで、フェイスダウン実装された半導体チップと支持基板との間に充填されるアンダーフィル材料に、電磁波を吸収する磁性材料を含有させる構成が提案されている（下記特許文献1参照）。また、アンダーフィル材料の比誘電率または比透磁性率を調整して、基板の有する接続端子と金属導体パターンに発生するノイズの周波数帯域の利得を減衰する構成が提案されている（下記特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−７３６７７号公報
【特許文献２】特開２００７−５４７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、半導体チップから発生した電磁波の減衰量は、磁性材料を含有するアンダーフィル材の厚みに比例する。このため、支持基板と半導体チップとの間隔を広げてアンダーフィル材を厚膜化することにより、電磁波の減衰効果を高めることができる。しかしながら、支持基板と半導体チップとの間隔を広げるには、これらの間に挟持される突起電極の径やパッドサイズを大きくする必要があり、高密度実装化および小型化には不向きである。
【０００６】
したがって、上述した構成では、半導体装置の外部への不要輻射としての電磁波の放出を抑制する効果に限界があり、今後の更なる動作速度の高速化によって増大する電磁波を十分に吸収することが困難になっている。
【０００７】
そこで本発明は、高密度実装化および小型化を妨げることなく、半導体チップから発生する電磁波の減衰量の増大を図ることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的を達成するための本発明の半導体装置は、凹形状または貫通形状の孔部を備えた支持基板を有している。この支持基板に対してフェイスダウン実装された半導体チップは、電磁波発生回路を有しており、この電磁波発生回路を支持基板の孔部に対向させた状態で実装されている。また、支持基板と半導体チップとの間には、支持基板の孔部内を埋め込む状態で、電磁波吸収材料を含有する樹脂層が充填されている。
【０００９】
このような構成の半導体装置においては、電磁波発生回路に対向する部分の樹脂層が部分的に厚膜化される。これにより、支持基板−半導体チップ間の間隔を広げることなく、電磁波発生回路から発生した電磁波を樹脂層において吸収する効果を高めることができる。
【発明の効果】
【００１０】
以上説明したように本発明によれば、支持基板−半導体チップ間の間隔を広げることなく、電磁波発生回路から発生した電磁波を樹脂層において吸収する効果を高めることができる。この結果、半導体チップをフェイスダウン実装してなる半導体装置において、高密度実装化および小型化を妨げることなく、半導体チップから発生する電磁波の減衰量の増大を図ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施形態の半導体装置の概略断面図である。
【図２】第１実施形態の半導体装置において支持基板の作製手順の一例を示す図である。
【図３】第１実施形態の半導体装置の他の例を示す概略断面図である。
【図４】第２実施形態の半導体装置の概略断面図である。
【図５】第３実施形態の半導体装置の概略断面図である。
【図６】第４実施形態の半導体装置の概略断面図である。
【図７】第５実施形態の半導体装置の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の各実施の形態を以下の順序で説明する。
１．第１実施形態（支持基板に凹形状の孔部を設けた例）
２．第２実施形態（凹形状の孔部内壁にグランドを設けた例）
３.第３実施形態（樹脂層を２層にした例）
４.第４実施形態（孔部の側壁をテーパ形状にした例）
５.第５実施形態（貫通形状の孔部を設けた例）
【００１３】
＜１．第１実施形態＞
［半導体装置の構成］
図１は第１実施形態の半導体装置の概略断面図である。この図に示す半導体装置１-1は、支持基板３上に半導体チップ５がフェイスダウン実装されたものである。支持基板３と半導体チップ５との間には、突起電極７が挟持されていると共に、樹脂層９が充填されたいわゆるフリップチップ実装構成となっている。以下、これらの各部材で構成される半導体装置１-1の詳細な構成について説明する。
【００１４】
支持基板３は、半導体チップ７が実装された実装面３ａに、実装面３ａ側に配線や電極パッドを設けた回路基板であって良く、リジット基板やフレキシブル基板、積層基板であって良い。またこの支持基板３は、システムインパッケージ（system in package：ＳＩＰ）を構成するインターポーザ基板であっても良く、さらにはこの支持基板３自体が半導体チップであっても良い。またこの支持基板３がインターポーザ基板である場合であれば、支持基板３における実装面３ａの裏面側に、実装面側から電極１１が引き出されていることとする。
【００１５】
この支持基板３は、実装面３ａ側に、凹形状の孔部（凹状孔部）３ｂを設けたものである。この凹状孔部３ｂは、半導体チップ５に設けられた電磁波発生回路１３に対向する位置に設けられており、この電磁波発生回路１３と同程度か、電磁波発生回路１３をカバーする一回り大きい開口形状を有している。またこの凹状孔部３ｂの深さｄ１は、支持基板３に必要とされる強度が保たれる程度の深さであることとする。また凹状孔部３ｂは、半導体チップ５に複数の電磁波発生回路１３が設けられている場合には、各電磁波発生回路１３に対応させた複数個所に独立して複数個所設けられていても良いし、複数の電磁波発生回路１３に対応させた1ヶ所に設けられても良い。
【００１６】
尚、凹状孔部３ｂは、実装面３ａにおいて配線や突起電極７を接続するための電極パッドの配置部を避けた位置に設けられていることとする。このため、配線や電極パッドのレイアウトの自由度を確保するためには、凹状孔部３ｂは出来るだけ小さい開口形状に抑えられていることが好ましい。一方、電磁波発生回路１３で発生する電磁波を十分に吸収するためには、凹状孔部３ｂは電磁波発生回路１３に対して十分に大きな開口形状であることが好ましい。
【００１７】
半導体チップ５は、支持基板３側に向けられた実装面５ａがアクティブ面として用いられており、この実装面５ａに半導体素子、配線、および電極パッドと共に、電源回路、発振回路や変換回路等の電磁波発生回路１３が設けられている。
【００１８】
特に本第１実施形態においては、半導体チップ５における電磁波発生回路１３が、支持基板３に設けた凹状孔部３ｂに対向配置されているところが特徴的である。
【００１９】
突起電極７は、支持基板３における実装面３ａ上の電極パッドと、半導体チップ５における実装面５ａ上の電極パッドとの間に挟持され、これらの電極パッドを介して半導体チップ５上の回路と支持基板３上の回路とを電気的に接続するものである。またこの突起電極７により、支持基板３−半導体チップ５間の間隔ｄ２が規制されている。
【００２０】
樹脂層９は、一般的にアンダーフィルと呼ばれるものであって、突起電極７間のショートを防止するため、および支持基板３−半導体チップ５間の接着性を強固にして半導体装置１-1の機械的強度を確保するためのものである。特に本第１実施形態においては、このような樹脂層９に電磁波吸収材料を含有させているところが特徴的である。このような電磁波吸収材料としては、磁性材料が例示される。この場合、樹脂層９は、例えば樹脂材料中に磁性材料が分散された状態で含有されていることとする。
【００２１】
このような樹脂層９は、支持基板３の凹状孔部３ｂ内と共に、突起電極７を挟持させたことによって生じた支持基板３−半導体チップ５間の間隔ｄ２に充填された状態で設けられている。
【００２２】
［半導体装置の製造方法］
以上のような半導体装置１-1を製造する場合には、支持基板３の実装面３ａ側に、配線および電極パッドを形成する前または形成した後に、マスクパターン上から支持基板３の実装面３ａ側をエッチングすることにより凹状孔部３ｂを形成する。
【００２３】
また、支持基板３が積層基板であれば、次のように支持基板３を形成することができる。すなわち、図２（１）に示すように、最下部の有機プリント配線板（コア材）３-0上に、貫通孔ｈ１を設けた接着シート３-1と、貫通孔ｈ２を設けたコア材３-2とを、貫通孔ｈ１，ｈ２の位置を一致させるように交互に積層する。この際、接着シート３-1の貫通孔ｈ１は、コア材３-2の貫通孔ｈ２よりも一回り大きく形成しておく。この状態で、積層体の全体をプレスする。これにより、図２（２）に示すように、貫通孔ｈ１，ｈ２の底部が最下部のコア材３-0によって塞がれた凹状孔部３ｂを有する支持基板３が形成される。
【００２４】
以上のような何れかの手順によって、実装面３ａ側に凹状孔部３ｂを設けた支持基板３を作製した後、支持基板３の凹状孔部３ｂ内に、電磁波吸収材料を含有させた樹脂層９を充填しても良い。
【００２５】
その後、この支持基板３の実装面３ａ上に、突起電極７を介して半導体チップ５をフェイスダウン実装する。この際、突起電極７は、支持基板３の電極パッド上または半導体チップ５の電極パッド上の何れかに予め設けられていることとする。そして、支持基板３の凹状孔部３ｂに半導体チップ５の電磁波発生回路１３を対向させた状態で、支持基板３の電極パッドと半導体チップ５の電極パッドとの間に突起電極７を挟持させて実装を行なう。
【００２６】
次に、ノズル３１の先端から支持基板３上に樹脂９を供給し、毛細管現象によって支持基板３と半導体チップ５との間の間隔ｄ２に樹脂を吸い込ませることにより、支持基板３−半導体チップ５間に樹脂層９を充填する。尚、樹脂層９は、半導体チップ５を実装する前の支持基板３上に、予め塗布供給しておいても良い。
【００２７】
以上のようにして得られた図１の半導体装置１-1では、支持基板３の実装面３ａに凹状孔部３ｂを設けた構成となっている。これにより、突起電極７の高さで規制される支持基板３−半導体チップ５間の間隔ｄ２を広げることなく、凹状孔部３ｂの配置部のみにおいて樹脂層９の膜厚を厚膜化することができる。例えば、支持基板３の材質や板厚にもよるが、支持基板３−半導体チップ５間の間隔ｄ２に対して、凹状孔部３ｂの深さｄ１を３倍（０．１ｍｍ）〜３０倍（１ｍｍ）とすることができ、その分だけ樹脂層９を厚膜化することが可能である。このような樹脂層９の厚膜化により、電磁波発生回路１３から発生した電磁波を樹脂層９で吸収して減衰させる効果を高めることができる。
【００２８】
この結果、半導体チップ５をフェイスダウン実装してなる半導体装置１-1において、突起電極７の径を小さく保って高密度実装化および小型化を維持しつつも、半導体チップ５から発生する不要輻射としての電磁波の減衰量の増大を図ることが可能になる。またこれにより、小型化した半導体装置１-1において、ＥＭＩを効果的に規制して動作速度のさらなる高速化を進展させることが可能になる。
【００２９】
また、半導体チップ５を覆うシールドケース、シール等を設けることなく不要輻射としての電磁波を減衰できるため、部品点数を増加させる必要がなく、低コスト化が期待される。さらに部分的ではあるが、凹状孔部３ｂの配置部に対応する半導体チップ５の部分が、外部からの電磁波に影響を及ぼされることを防止できる。
【００３０】
また特に支持基板３がインタータポーザー基板である場合、インターポーザ基板（支持基板３）に半導体チップ５を実装したパッケージ（ＳＩＰ）側で、不要輻射である電磁波を十分に減衰させることができる。このため、パッケージ（ＳＩＰ）を搭載する配線基板側においての不要輻射（電磁波）の減衰に対する配慮の要求が低減され、配線基板のパターン設計の自由度の向上を図ることができる。しかもパッケージ（ＳＩＰ）の外形サイズは薄型小型を維持することが可能である。
【００３１】
また上記構成では、電磁波発生回路１３に対向する部分においてのみ、電磁波吸収材料を含有する樹脂層９を厚膜化させた構成である。このため、例えば磁性材などの電磁波吸収材料によって電気的特性に影響が及ぼされる回路部は、樹脂層９の厚膜化した部分で覆われることのない領域に配置することにより、樹脂層９に含有された電磁波吸収材料からの影響を抑えて電気的特性を維持することができる。
【００３２】
尚、図３に示すように、支持基板３’としてリジット配線基板やシリコン基板のような硬質基板を用いた場合には、支持基板３’自体の強度が高い。このため、凹状孔部３ｂは、開口径Ｗに対する深さｄ１を深く設計することが可能である。このため、電磁波発生回路１３に対向する部分においての樹脂層９の膜厚をさらに厚膜化することが可能になり、さらに電磁波の減衰量を効果的の増大させることが可能である。たこれにより、支持基板３’側においての不要輻射配慮が低減され、裏面側での部品配置、パターン設計も容易になる。
【００３３】
＜２．第２実施形態＞
［半導体装置の構成］
図４に示す第２実施形態の半導体装置１-2が、図１および図３に示した第１実施形態の半導体装置と異なるところは、支持基板３の凹状孔部３ｂの内壁にグランド層２１を設けたところにあり、他の構成は同様であることとする。尚、第１実施形態と同様の構成に付いての重複する説明は省略する。
【００３４】
すなわちグランド層２１は、凹状孔部３ｂの内壁をベタ膜状に覆うベタグランドとして設けられており、支持基板３の実装面３ａにおいてグランドに配線されているか、または実装面３ａの裏面側に引き出されてグランドに配線されている。
【００３５】
［半導体装置の製造方法］
以上のような半導体装置１-2を製造する場合には、第１実施形態で説明した手順において、支持基板３の実装面３ａ上に、突起電極７を介して半導体チップ５をフェイスダウン実装する前に、支持基板３の凹状孔部３ｂの内壁にグランド層２１を形成すれば良い。
【００３６】
このような構成の第２実施形態の半導体装置１-2においては、グランド層２１を設けたことにより、このグランド層２１が電磁波発生回路１３で発生した電磁波のシールド層となり、半導体装置１-2の外部への電磁波の放出を防止することができる。したがって、上述した第１実施形態と比較して、さらに半導体チップ５から発生する不要輻射としての電磁波が半導体装置１-2の外部に放出されることを確実に防止でき、ＥＭＩを効果的に規制することが可能なる。さらに部分的ではあるが、凹状孔部３ｂの配置部に対応する半導体チップ５の部分が、外部からの電磁波に影響を及ぼされることを防止できる効果も高められる。
【００３７】
＜３．第３実施形態＞
［半導体装置の構成］
図５に示す第３実施形態の半導体装置１-3が、図１および図３に示した第１実施形態の半導体装置と異なるところは樹脂層９’の構成にあり、他の構成は同様であることとする。尚、第１実施形態と同様の構成に付いての重複する説明は省略する。
【００３８】
すなわち樹脂層９’は、凹状孔部３ｂ内における電磁波吸収材料の濃度が、支持基板３と半導体チップ５との間における電磁波吸収材料の濃度よりも高く調整されている。ここでは特に樹脂層９’が、凹状孔部３ｂ内の第１樹脂層９ａと、支持基板３と半導体チップ５との間の第２樹脂層９ｂとの２層構造であることとする。
【００３９】
このうち、凹状孔部３ｂ内の第１樹脂層９ａには、高濃度で電磁波吸収材料が含有されていることとする。一方、支持基板３と半導体チップ５との間の第２樹脂層９ｂには、第１樹脂層９ａよりも低濃度で電磁波吸収材料が含有されているか、または電磁波吸収材料が含有されていなくても良い。
【００４０】
［半導体装置の製造方法］
以上のような半導体装置１-3を製造する場合には、第１実施形態で説明した手順において、支持基板３の実装面３ａ上に、突起電極７を介して半導体チップ５をフェイスダウン実装する前に、支持基板３の凹状孔部３ｂ内に第１樹脂層９ａを充填すれば良い。また第２樹脂層９ｂは、第１樹脂層９ａを凹状孔部３ｂ内に供給した後に支持基板３上に供給しても良いし、半導体チップ５を実装した後に支持基板３−半導体チップ５間に毛細管現象で吸い込ませても良い。
【００４１】
このような構成の第３実施形態の半導体装置１-3においては、支持基板３の凹状孔部３ｂ内に、高濃度で電磁波吸収材料を含有する第１樹脂層９ａが充填されている。このため、この第１樹脂層９ａにおいて、電磁波発生回路１３から発生した電磁波を効果的に吸収して減衰させることが可能であり、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４２】
またこれに加えて、電磁波発生回路１３と対向する部分以外は、電磁波吸収材料の含有量が低いかこれを含まない第２樹脂層９ｂのみが対向配置される。このため、第１実施形態と比較して、磁性材などの電磁波吸収材料によって電気的特性に影響が及ぼされる回路部に対して、樹脂層９’に含有され電磁波吸収材料からの影響を抑えて電気的特性を維持する効果を高めることができる。しかも、支持基板３−半導体チップ５間に充填される第２樹脂層９ｂの絶縁性を高められるため、装置内の絶縁性の向上を図ることが可能になる。
【００４３】
尚、本第３実施形態は、第２実施形態と組み合わせても良く、組み合わせることにより両実施形態の効果を合わせた効果を得ることができる。
【００４４】
＜４．第４実施形態＞
［半導体装置の構成］
図６に示す第４実施形態の半導体装置１-4が、図１および図３に示した第１実施形態の半導体装置と異なるところは、支持基板３の凹状孔部３ｂ’の側壁をテーパ形状にしたところにあり、他の構成は同様であることとする。尚、第１実施形態と同様の構成に付いての重複する説明は省略する。
【００４５】
すなわち凹状孔部３ｂ’は、半導体チップ５側に向かって開口幅が広がる側壁テーパ形状に形成されている。この凹状孔部３ｂ’においては、開口上端部の形状が、半導体チップ５に設けられた電磁波発生回路１３と同程度か一回り大きい開口形状であることとする。
【００４６】
［半導体装置の製造方法］
以上のような半導体装置１-4を製造する場合には、第１実施形態で説明した手順において、支持基板３の実装面３ａ側をエッチングして凹状孔部３ｂ’を形成する際、ウェットエッチングのような等方性エッチングを適用すれば良い。また支持基板３が積層基板であれば、次のように支持基板３を形成することができる。すなわち、図２（１）に示すように、最下部の有機プリント配線板（コア材）３-0上に、接着シート３-1とコア材３-2とを交互に積層する際、下層から上層に向かって接着シート３-1の貫通孔ｈ１およびコア材３-2の貫通孔ｈ２を徐々に大きいものとすれば良い。
【００４７】
このような構成の第４実施形態の半導体装置１-4では、支持基板３に設けた凹状孔部３ｂ’がテーパ形状であるため、この凹状孔部３ｂ’内にボイドの発生なく樹脂層９が充填される構成となっている。したがって、支持基板３に凹状孔部３ｂ’を設けた構成でありながらも、ボイドの発生による不具合を防止することが可能である。
【００４８】
しかも、半導体チップ５の電磁波発生回路１３に対して凹状孔部３ｂ’を対向配置させたことで、電磁波発生回路１３から発生した電磁波を凹状孔部３ｂ’において厚膜化した樹脂層９で効果的に吸収させることができる。この際、凹状孔部３ｂ’の側壁は、電磁波発生回路１３から発生した電磁波の波形に沿うようにテーパ形状となっているため、第１実施形態と同程度に、電磁波を吸収して減衰させる効果を得ることが可能である。
【００４９】
尚、本第４実施形態は、第２実施形態および第３実施形態と組み合わせても良く、組み合わせることによりこれらの実施形態の効果を合わせた効果を得ることができる。
【００５０】
＜５．第５実施形態＞
［半導体装置の構成］
図７に示す第５実施形態の半導体装置１-5が、図１および図３に示した第１実施形態の半導体装置と異なるところは、支持基板３に貫通形状の孔部（貫通孔部）３ｃを設けたところにあり、他の構成は同様であることとする。尚、第１実施形態と同様の構成に付いての重複する説明は省略する。
【００５１】
すなわち貫通孔部３ｃは、支持基板３の実装面３ａ側からその裏面側に貫通する状態で設けられている。この貫通孔部３ｃは、半導体チップ５に設けられた電磁波発生回路１３に対向する位置に設けられており、この電磁波発生回路１３と同程度か一回り大きい開口形状を有している。またこの貫通孔部３ｃは、半導体チップ５に複数の電磁波発生回路１３が設けられている場合には、各電磁波発生回路１３に対応させた複数個所に個別に設けられていても良いし、複数の電磁波発生回路１３に対応させた1ヶ所に設けられても良い。
【００５２】
尚、貫通孔部３ｃは、実装面３ａにおいて配線や電極パッドの配置部を避けた位置に設けられていることとする。このため、配線や電極パッドのレイアウトの自由度を確保するためには、貫通孔部３ｃは出来るだけ小さい開口形状に抑えられていることが好ましい。一方、電磁波発生回路１３で発生する電磁波を効果的に吸収するためには、貫通孔部３ｃは電磁波発生回路１３に対して十分に大きな開口形状であることが好ましい。
【００５３】
［半導体装置の製造方法］
以上のような半導体装置１-5を製造する場合には、第１実施形態で説明した手順において、支持基板３の実装面３ａ側をエッチングして凹状孔部を形成する際に、さらに支持基板３を貫通するまでエッチングを行うことで、貫通孔部３ｃを形成すれば良い。また支持基板３が積層基板であれば、図２（１）に示した最下部の有機プリント配線板（コア材）３-0として、貫通孔を備えたものを用いれば良い。
【００５４】
以上のような何れかの手順によって、貫通孔部３ｃを設けた支持基板３を作製した後、貫通孔部３ｃを板状材で一方側から塞いだ状態として、当該貫通孔部３ｃ内に電磁波吸収材料を含有させた樹脂層９を充填しても良い。
【００５５】
また、支持基板３上に半導体チップ５を実装した後に、貫通孔部３ｃからの樹脂注入によって、支持基板３と半導体チップ５との間および貫通孔部３ｃ内に樹脂層９を形成しても良い。
【００５６】
このような構成の第５実施形態の半導体装置１-5では、半導体チップ５の電磁波発生回路１３に対向配置させる孔部を貫通孔部３ｃとしたことにより、電磁波発生回路１３に対向する部分の樹脂層９を最大限に厚膜化することができる。したがって、第１実施形態と比較して、電磁波発生回路１３から発生した電磁波を樹脂層９で吸収して減衰させる効果をさらに高めることができる。
【００５７】
尚、本第５実施形態は、第２実施形態〜第４実施形態と組み合わせても良く、組み合わせることによりこれらの実施形態の効果を合わせた効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００５８】
１-1，１-1’，１-2，１-3，１-4，１-5…半導体装置、３…支持基板、３ｂ,３ｂ’…凹状孔部、３ｃ…貫通孔部、５…半導体チップ、９，９’…樹脂層、９ａ…第１樹脂層、９ｂ…第２樹脂層、１３…電磁波発生回路、２１…グランド層
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置に関し、特には電磁波発生回路を有する半導体チップをフェイスダウン実装してなる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の動作速度の高速化および高密度実装化に伴い、半導体装置から発生する電磁波が、周波数ノイズ（不要輻射）として他の半導体装置に大きな影響を与えるようになってきている。このため、半導体装置に対しては、他の装置に対する電磁波妨害（Electro-Magnetic Interference：ＥＭＩ）が十分に規制され、かつ電磁環境に対する耐性を有する、と言った電磁適合成（Electro-Magnetic Compatibility：ＥＭＣ）が要求されている。
【０００３】
そこで、フェイスダウン実装された半導体チップと支持基板との間に充填されるアンダーフィル材料に、電磁波を吸収する磁性材料を含有させる構成が提案されている（下記特許文献1参照）。また、アンダーフィル材料の比誘電率または比透磁性率を調整して、基板の有する接続端子と金属導体パターンに発生するノイズの周波数帯域の利得を減衰する構成が提案されている（下記特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−７３６７７号公報
【特許文献２】特開２００７−５４７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、半導体チップから発生した電磁波の減衰量は、磁性材料を含有するアンダーフィル材の厚みに比例する。このため、支持基板と半導体チップとの間隔を広げてアンダーフィル材を厚膜化することにより、電磁波の減衰効果を高めることができる。しかしながら、支持基板と半導体チップとの間隔を広げるには、これらの間に挟持される突起電極の径やパッドサイズを大きくする必要があり、高密度実装化および小型化には不向きである。
【０００６】
したがって、上述した構成では、半導体装置の外部への不要輻射としての電磁波の放出を抑制する効果に限界があり、今後の更なる動作速度の高速化によって増大する電磁波を十分に吸収することが困難になっている。
【０００７】
そこで本発明は、高密度実装化および小型化を妨げることなく、半導体チップから発生する電磁波の減衰量の増大を図ることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的を達成するための本発明の半導体装置は、凹形状または貫通形状の孔部を備えた支持基板を有している。この支持基板に対してフェイスダウン実装された半導体チップは、電磁波発生回路を有しており、この電磁波発生回路を支持基板の孔部に対向させた状態で実装されている。また、支持基板と半導体チップとの間には、支持基板の孔部内を埋め込む状態で、電磁波吸収材料を含有する樹脂層が充填されている。
【０００９】
このような構成の半導体装置においては、電磁波発生回路に対向する部分の樹脂層が部分的に厚膜化される。これにより、支持基板−半導体チップ間の間隔を広げることなく、電磁波発生回路から発生した電磁波を樹脂層において吸収する効果を高めることができる。
【発明の効果】
【００１０】
以上説明したように本発明によれば、支持基板−半導体チップ間の間隔を広げることなく、電磁波発生回路から発生した電磁波を樹脂層において吸収する効果を高めることができる。この結果、半導体チップをフェイスダウン実装してなる半導体装置において、高密度実装化および小型化を妨げることなく、半導体チップから発生する電磁波の減衰量の増大を図ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施形態の半導体装置の概略断面図である。
【図２】第１実施形態の半導体装置において支持基板の作製手順の一例を示す図である。
【図３】第１実施形態の半導体装置の他の例を示す概略断面図である。
【図４】第２実施形態の半導体装置の概略断面図である。
【図５】第３実施形態の半導体装置の概略断面図である。
【図６】第４実施形態の半導体装置の概略断面図である。
【図７】第５実施形態の半導体装置の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の各実施の形態を以下の順序で説明する。
１．第１実施形態（支持基板に凹形状の孔部を設けた例）
２．第２実施形態（凹形状の孔部内壁にグランドを設けた例）
３.第３実施形態（樹脂層を２層にした例）
４.第４実施形態（孔部の側壁をテーパ形状にした例）
５.第５実施形態（貫通形状の孔部を設けた例）
【００１３】
＜１．第１実施形態＞
［半導体装置の構成］
図１は第１実施形態の半導体装置の概略断面図である。この図に示す半導体装置１-1は、支持基板３上に半導体チップ５がフェイスダウン実装されたものである。支持基板３と半導体チップ５との間には、突起電極７が挟持されていると共に、樹脂層９が充填されたいわゆるフリップチップ実装構成となっている。以下、これらの各部材で構成される半導体装置１-1の詳細な構成について説明する。
【００１４】
支持基板３は、半導体チップ７が実装された実装面３ａに、実装面３ａ側に配線や電極パッドを設けた回路基板であって良く、リジット基板やフレキシブル基板、積層基板であって良い。またこの支持基板３は、システムインパッケージ（system in package：ＳＩＰ）を構成するインターポーザ基板であっても良く、さらにはこの支持基板３自体が半導体チップであっても良い。またこの支持基板３がインターポーザ基板である場合であれば、支持基板３における実装面３ａの裏面側に、実装面側から電極１１が引き出されていることとする。
【００１５】
この支持基板３は、実装面３ａ側に、凹形状の孔部（凹状孔部）３ｂを設けたものである。この凹状孔部３ｂは、半導体チップ５に設けられた電磁波発生回路１３に対向する位置に設けられており、この電磁波発生回路１３と同程度か、電磁波発生回路１３をカバーする一回り大きい開口形状を有している。またこの凹状孔部３ｂの深さｄ１は、支持基板３に必要とされる強度が保たれる程度の深さであることとする。また凹状孔部３ｂは、半導体チップ５に複数の電磁波発生回路１３が設けられている場合には、各電磁波発生回路１３に対応させた複数個所に独立して複数個所設けられていても良いし、複数の電磁波発生回路１３に対応させた1ヶ所に設けられても良い。
【００１６】
尚、凹状孔部３ｂは、実装面３ａにおいて配線や突起電極７を接続するための電極パッドの配置部を避けた位置に設けられていることとする。このため、配線や電極パッドのレイアウトの自由度を確保するためには、凹状孔部３ｂは出来るだけ小さい開口形状に抑えられていることが好ましい。一方、電磁波発生回路１３で発生する電磁波を十分に吸収するためには、凹状孔部３ｂは電磁波発生回路１３に対して十分に大きな開口形状であることが好ましい。
【００１７】
半導体チップ５は、支持基板３側に向けられた実装面５ａがアクティブ面として用いられており、この実装面５ａに半導体素子、配線、および電極パッドと共に、電源回路、発振回路や変換回路等の電磁波発生回路１３が設けられている。
【００１８】
特に本第１実施形態においては、半導体チップ５における電磁波発生回路１３が、支持基板３に設けた凹状孔部３ｂに対向配置されているところが特徴的である。
【００１９】
突起電極７は、支持基板３における実装面３ａ上の電極パッドと、半導体チップ５における実装面５ａ上の電極パッドとの間に挟持され、これらの電極パッドを介して半導体チップ５上の回路と支持基板３上の回路とを電気的に接続するものである。またこの突起電極７により、支持基板３−半導体チップ５間の間隔ｄ２が規制されている。
【００２０】
樹脂層９は、一般的にアンダーフィルと呼ばれるものであって、突起電極７間のショートを防止するため、および支持基板３−半導体チップ５間の接着性を強固にして半導体装置１-1の機械的強度を確保するためのものである。特に本第１実施形態においては、このような樹脂層９に電磁波吸収材料を含有させているところが特徴的である。このような電磁波吸収材料としては、磁性材料が例示される。この場合、樹脂層９は、例えば樹脂材料中に磁性材料が分散された状態で含有されていることとする。
【００２１】
このような樹脂層９は、支持基板３の凹状孔部３ｂ内と共に、突起電極７を挟持させたことによって生じた支持基板３−半導体チップ５間の間隔ｄ２に充填された状態で設けられている。
【００２２】
［半導体装置の製造方法］
以上のような半導体装置１-1を製造する場合には、支持基板３の実装面３ａ側に、配線および電極パッドを形成する前または形成した後に、マスクパターン上から支持基板３の実装面３ａ側をエッチングすることにより凹状孔部３ｂを形成する。
【００２３】
また、支持基板３が積層基板であれば、次のように支持基板３を形成することができる。すなわち、図２（１）に示すように、最下部の有機プリント配線板（コア材）３-0上に、貫通孔ｈ１を設けた接着シート３-1と、貫通孔ｈ２を設けたコア材３-2とを、貫通孔ｈ１，ｈ２の位置を一致させるように交互に積層する。この際、接着シート３-1の貫通孔ｈ１は、コア材３-2の貫通孔ｈ２よりも一回り大きく形成しておく。この状態で、積層体の全体をプレスする。これにより、図２（２）に示すように、貫通孔ｈ１，ｈ２の底部が最下部のコア材３-0によって塞がれた凹状孔部３ｂを有する支持基板３が形成される。
【００２４】
以上のような何れかの手順によって、実装面３ａ側に凹状孔部３ｂを設けた支持基板３を作製した後、支持基板３の凹状孔部３ｂ内に、電磁波吸収材料を含有させた樹脂層９を充填しても良い。
【００２５】
その後、この支持基板３の実装面３ａ上に、突起電極７を介して半導体チップ５をフェイスダウン実装する。この際、突起電極７は、支持基板３の電極パッド上または半導体チップ５の電極パッド上の何れかに予め設けられていることとする。そして、支持基板３の凹状孔部３ｂに半導体チップ５の電磁波発生回路１３を対向させた状態で、支持基板３の電極パッドと半導体チップ５の電極パッドとの間に突起電極７を挟持させて実装を行なう。
【００２６】
次に、ノズル３１の先端から支持基板３上に樹脂９を供給し、毛細管現象によって支持基板３と半導体チップ５との間の間隔ｄ２に樹脂を吸い込ませることにより、支持基板３−半導体チップ５間に樹脂層９を充填する。尚、樹脂層９は、半導体チップ５を実装する前の支持基板３上に、予め塗布供給しておいても良い。
【００２７】
以上のようにして得られた図１の半導体装置１-1では、支持基板３の実装面３ａに凹状孔部３ｂを設けた構成となっている。これにより、突起電極７の高さで規制される支持基板３−半導体チップ５間の間隔ｄ２を広げることなく、凹状孔部３ｂの配置部のみにおいて樹脂層９の膜厚を厚膜化することができる。例えば、支持基板３の材質や板厚にもよるが、支持基板３−半導体チップ５間の間隔ｄ２に対して、凹状孔部３ｂの深さｄ１を３倍（０．１ｍｍ）〜３０倍（１ｍｍ）とすることができ、その分だけ樹脂層９を厚膜化することが可能である。このような樹脂層９の厚膜化により、電磁波発生回路１３から発生した電磁波を樹脂層９で吸収して減衰させる効果を高めることができる。
【００２８】
この結果、半導体チップ５をフェイスダウン実装してなる半導体装置１-1において、突起電極７の径を小さく保って高密度実装化および小型化を維持しつつも、半導体チップ５から発生する不要輻射としての電磁波の減衰量の増大を図ることが可能になる。またこれにより、小型化した半導体装置１-1において、ＥＭＩを効果的に規制して動作速度のさらなる高速化を進展させることが可能になる。
【００２９】
また、半導体チップ５を覆うシールドケース、シール等を設けることなく不要輻射としての電磁波を減衰できるため、部品点数を増加させる必要がなく、低コスト化が期待される。さらに部分的ではあるが、凹状孔部３ｂの配置部に対応する半導体チップ５の部分が、外部からの電磁波に影響を及ぼされることを防止できる。
【００３０】
また特に支持基板３がインタータポーザー基板である場合、インターポーザ基板（支持基板３）に半導体チップ５を実装したパッケージ（ＳＩＰ）側で、不要輻射である電磁波を十分に減衰させることができる。このため、パッケージ（ＳＩＰ）を搭載する配線基板側においての不要輻射（電磁波）の減衰に対する配慮の要求が低減され、配線基板のパターン設計の自由度の向上を図ることができる。しかもパッケージ（ＳＩＰ）の外形サイズは薄型小型を維持することが可能である。
【００３１】
また上記構成では、電磁波発生回路１３に対向する部分においてのみ、電磁波吸収材料を含有する樹脂層９を厚膜化させた構成である。このため、例えば磁性材などの電磁波吸収材料によって電気的特性に影響が及ぼされる回路部は、樹脂層９の厚膜化した部分で覆われることのない領域に配置することにより、樹脂層９に含有された電磁波吸収材料からの影響を抑えて電気的特性を維持することができる。
【００３２】
尚、図３に示すように、支持基板３’としてリジット配線基板やシリコン基板のような硬質基板を用いた場合には、支持基板３’自体の強度が高い。このため、凹状孔部３ｂは、開口径Ｗに対する深さｄ１を深く設計することが可能である。このため、電磁波発生回路１３に対向する部分においての樹脂層９の膜厚をさらに厚膜化することが可能になり、さらに電磁波の減衰量を効果的の増大させることが可能である。たこれにより、支持基板３’側においての不要輻射配慮が低減され、裏面側での部品配置、パターン設計も容易になる。
【００３３】
＜２．第２実施形態＞
［半導体装置の構成］
図４に示す第２実施形態の半導体装置１-2が、図１および図３に示した第１実施形態の半導体装置と異なるところは、支持基板３の凹状孔部３ｂの内壁にグランド層２１を設けたところにあり、他の構成は同様であることとする。尚、第１実施形態と同様の構成に付いての重複する説明は省略する。
【００３４】
すなわちグランド層２１は、凹状孔部３ｂの内壁をベタ膜状に覆うベタグランドとして設けられており、支持基板３の実装面３ａにおいてグランドに配線されているか、または実装面３ａの裏面側に引き出されてグランドに配線されている。
【００３５】
［半導体装置の製造方法］
以上のような半導体装置１-2を製造する場合には、第１実施形態で説明した手順において、支持基板３の実装面３ａ上に、突起電極７を介して半導体チップ５をフェイスダウン実装する前に、支持基板３の凹状孔部３ｂの内壁にグランド層２１を形成すれば良い。
【００３６】
このような構成の第２実施形態の半導体装置１-2においては、グランド層２１を設けたことにより、このグランド層２１が電磁波発生回路１３で発生した電磁波のシールド層となり、半導体装置１-2の外部への電磁波の放出を防止することができる。したがって、上述した第１実施形態と比較して、さらに半導体チップ５から発生する不要輻射としての電磁波が半導体装置１-2の外部に放出されることを確実に防止でき、ＥＭＩを効果的に規制することが可能なる。さらに部分的ではあるが、凹状孔部３ｂの配置部に対応する半導体チップ５の部分が、外部からの電磁波に影響を及ぼされることを防止できる効果も高められる。
【００３７】
＜３．第３実施形態＞
［半導体装置の構成］
図５に示す第３実施形態の半導体装置１-3が、図１および図３に示した第１実施形態の半導体装置と異なるところは樹脂層９’の構成にあり、他の構成は同様であることとする。尚、第１実施形態と同様の構成に付いての重複する説明は省略する。
【００３８】
すなわち樹脂層９’は、凹状孔部３ｂ内における電磁波吸収材料の濃度が、支持基板３と半導体チップ５との間における電磁波吸収材料の濃度よりも高く調整されている。ここでは特に樹脂層９’が、凹状孔部３ｂ内の第１樹脂層９ａと、支持基板３と半導体チップ５との間の第２樹脂層９ｂとの２層構造であることとする。
【００３９】
このうち、凹状孔部３ｂ内の第１樹脂層９ａには、高濃度で電磁波吸収材料が含有されていることとする。一方、支持基板３と半導体チップ５との間の第２樹脂層９ｂには、第１樹脂層９ａよりも低濃度で電磁波吸収材料が含有されているか、または電磁波吸収材料が含有されていなくても良い。
【００４０】
［半導体装置の製造方法］
以上のような半導体装置１-3を製造する場合には、第１実施形態で説明した手順において、支持基板３の実装面３ａ上に、突起電極７を介して半導体チップ５をフェイスダウン実装する前に、支持基板３の凹状孔部３ｂ内に第１樹脂層９ａを充填すれば良い。また第２樹脂層９ｂは、第１樹脂層９ａを凹状孔部３ｂ内に供給した後に支持基板３上に供給しても良いし、半導体チップ５を実装した後に支持基板３−半導体チップ５間に毛細管現象で吸い込ませても良い。
【００４１】
このような構成の第３実施形態の半導体装置１-3においては、支持基板３の凹状孔部３ｂ内に、高濃度で電磁波吸収材料を含有する第１樹脂層９ａが充填されている。このため、この第１樹脂層９ａにおいて、電磁波発生回路１３から発生した電磁波を効果的に吸収して減衰させることが可能であり、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４２】
またこれに加えて、電磁波発生回路１３と対向する部分以外は、電磁波吸収材料の含有量が低いかこれを含まない第２樹脂層９ｂのみが対向配置される。このため、第１実施形態と比較して、磁性材などの電磁波吸収材料によって電気的特性に影響が及ぼされる回路部に対して、樹脂層９’に含有され電磁波吸収材料からの影響を抑えて電気的特性を維持する効果を高めることができる。しかも、支持基板３−半導体チップ５間に充填される第２樹脂層９ｂの絶縁性を高められるため、装置内の絶縁性の向上を図ることが可能になる。
【００４３】
尚、本第３実施形態は、第２実施形態と組み合わせても良く、組み合わせることにより両実施形態の効果を合わせた効果を得ることができる。
【００４４】
＜４．第４実施形態＞
［半導体装置の構成］
図６に示す第４実施形態の半導体装置１-4が、図１および図３に示した第１実施形態の半導体装置と異なるところは、支持基板３の凹状孔部３ｂ’の側壁をテーパ形状にしたところにあり、他の構成は同様であることとする。尚、第１実施形態と同様の構成に付いての重複する説明は省略する。
【００４５】
すなわち凹状孔部３ｂ’は、半導体チップ５側に向かって開口幅が広がる側壁テーパ形状に形成されている。この凹状孔部３ｂ’においては、開口上端部の形状が、半導体チップ５に設けられた電磁波発生回路１３と同程度か一回り大きい開口形状であることとする。
【００４６】
［半導体装置の製造方法］
以上のような半導体装置１-4を製造する場合には、第１実施形態で説明した手順において、支持基板３の実装面３ａ側をエッチングして凹状孔部３ｂ’を形成する際、ウェットエッチングのような等方性エッチングを適用すれば良い。また支持基板３が積層基板であれば、次のように支持基板３を形成することができる。すなわち、図２（１）に示すように、最下部の有機プリント配線板（コア材）３-0上に、接着シート３-1とコア材３-2とを交互に積層する際、下層から上層に向かって接着シート３-1の貫通孔ｈ１およびコア材３-2の貫通孔ｈ２を徐々に大きいものとすれば良い。
【００４７】
このような構成の第４実施形態の半導体装置１-4では、支持基板３に設けた凹状孔部３ｂ’がテーパ形状であるため、この凹状孔部３ｂ’内にボイドの発生なく樹脂層９が充填される構成となっている。したがって、支持基板３に凹状孔部３ｂ’を設けた構成でありながらも、ボイドの発生による不具合を防止することが可能である。
【００４８】
しかも、半導体チップ５の電磁波発生回路１３に対して凹状孔部３ｂ’を対向配置させたことで、電磁波発生回路１３から発生した電磁波を凹状孔部３ｂ’において厚膜化した樹脂層９で効果的に吸収させることができる。この際、凹状孔部３ｂ’の側壁は、電磁波発生回路１３から発生した電磁波の波形に沿うようにテーパ形状となっているため、第１実施形態と同程度に、電磁波を吸収して減衰させる効果を得ることが可能である。
【００４９】
尚、本第４実施形態は、第２実施形態および第３実施形態と組み合わせても良く、組み合わせることによりこれらの実施形態の効果を合わせた効果を得ることができる。
【００５０】
＜５．第５実施形態＞
［半導体装置の構成］
図７に示す第５実施形態の半導体装置１-5が、図１および図３に示した第１実施形態の半導体装置と異なるところは、支持基板３に貫通形状の孔部（貫通孔部）３ｃを設けたところにあり、他の構成は同様であることとする。尚、第１実施形態と同様の構成に付いての重複する説明は省略する。
【００５１】
すなわち貫通孔部３ｃは、支持基板３の実装面３ａ側からその裏面側に貫通する状態で設けられている。この貫通孔部３ｃは、半導体チップ５に設けられた電磁波発生回路１３に対向する位置に設けられており、この電磁波発生回路１３と同程度か一回り大きい開口形状を有している。またこの貫通孔部３ｃは、半導体チップ５に複数の電磁波発生回路１３が設けられている場合には、各電磁波発生回路１３に対応させた複数個所に個別に設けられていても良いし、複数の電磁波発生回路１３に対応させた1ヶ所に設けられても良い。
【００５２】
尚、貫通孔部３ｃは、実装面３ａにおいて配線や電極パッドの配置部を避けた位置に設けられていることとする。このため、配線や電極パッドのレイアウトの自由度を確保するためには、貫通孔部３ｃは出来るだけ小さい開口形状に抑えられていることが好ましい。一方、電磁波発生回路１３で発生する電磁波を効果的に吸収するためには、貫通孔部３ｃは電磁波発生回路１３に対して十分に大きな開口形状であることが好ましい。
【００５３】
［半導体装置の製造方法］
以上のような半導体装置１-5を製造する場合には、第１実施形態で説明した手順において、支持基板３の実装面３ａ側をエッチングして凹状孔部を形成する際に、さらに支持基板３を貫通するまでエッチングを行うことで、貫通孔部３ｃを形成すれば良い。また支持基板３が積層基板であれば、図２（１）に示した最下部の有機プリント配線板（コア材）３-0として、貫通孔を備えたものを用いれば良い。
【００５４】
以上のような何れかの手順によって、貫通孔部３ｃを設けた支持基板３を作製した後、貫通孔部３ｃを板状材で一方側から塞いだ状態として、当該貫通孔部３ｃ内に電磁波吸収材料を含有させた樹脂層９を充填しても良い。
【００５５】
また、支持基板３上に半導体チップ５を実装した後に、貫通孔部３ｃからの樹脂注入によって、支持基板３と半導体チップ５との間および貫通孔部３ｃ内に樹脂層９を形成しても良い。
【００５６】
このような構成の第５実施形態の半導体装置１-5では、半導体チップ５の電磁波発生回路１３に対向配置させる孔部を貫通孔部３ｃとしたことにより、電磁波発生回路１３に対向する部分の樹脂層９を最大限に厚膜化することができる。したがって、第１実施形態と比較して、電磁波発生回路１３から発生した電磁波を樹脂層９で吸収して減衰させる効果をさらに高めることができる。
【００５７】
尚、本第５実施形態は、第２実施形態〜第４実施形態と組み合わせても良く、組み合わせることによりこれらの実施形態の効果を合わせた効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００５８】
１-1，１-1’，１-2，１-3，１-4，１-5…半導体装置、３…支持基板、３ｂ,３ｂ’…凹状孔部、３ｃ…貫通孔部、５…半導体チップ、９，９’…樹脂層、９ａ…第１樹脂層、９ｂ…第２樹脂層、１３…電磁波発生回路、２１…グランド層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹形状または貫通形状の孔部を備えた支持基板と、
電磁波発生回路を有し前記孔部に当該電磁波発生回路を対向させた状態で前記支持基板上にフェイスダウン実装された半導体チップと、
前記孔部内を埋め込むと共に前記支持基板と前記半導体チップとの間に充填された電磁波吸収材料を含有する樹脂層とを有する
半導体装置。
【請求項２】
前記孔部の内壁面を覆うグランド層を備えた
請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記樹脂層は、前記孔部内における前記電磁波吸収材料の濃度が、前記支持基板と前記半導体チップとの間における当該電磁波吸収材料の濃度よりも高い
請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記支持基板は、積層基板である
請求項１〜３の何れかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記孔部は、前記半導体チップ側に向かって開口幅が広がる側壁テーパ形状に形成されている
請求項１〜４の何れかに記載の半導体装置。
【請求項１】
凹形状または貫通形状の孔部を備えた支持基板と、
電磁波発生回路を有し前記孔部に当該電磁波発生回路を対向させた状態で前記支持基板上にフェイスダウン実装された半導体チップと、
前記孔部内を埋め込むと共に前記支持基板と前記半導体チップとの間に充填された電磁波吸収材料を含有する樹脂層とを有する
半導体装置。
【請求項２】
前記孔部の内壁面を覆うグランド層を備えた
請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記樹脂層は、前記孔部内における前記電磁波吸収材料の濃度が、前記支持基板と前記半導体チップとの間における当該電磁波吸収材料の濃度よりも高い
請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記支持基板は、積層基板である
請求項１〜３の何れかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記孔部は、前記半導体チップ側に向かって開口幅が広がる側壁テーパ形状に形成されている
請求項１〜４の何れかに記載の半導体装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１０−１６５９７６（Ｐ２０１０−１６５９７６Ａ）
【公開日】平成２２年７月２９日（２０１０．７．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−８７０７（Ｐ２００９−８７０７）
【出願日】平成２１年１月１９日（２００９．１．１９）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年７月２９日（２０１０．７．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１月１９日（２００９．１．１９）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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