半導体装置
【課題】配線抵抗の低い半導体装置を提供すること、透過率の高い半導体装置を提供すること、または開口率の高い半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極、半導体層、ソース電極又はドレイン電極を透光性を有する材料を用いて形成し、ゲート配線又はソース配線等の配線を透光性を有する材料より抵抗率が低い材料で設ける。また、ソース配線及び/又はゲート配線を、透光性を有する材料と当該透光性を有する材料より抵抗率が低い材料を積層させて設ける。これにより、配線抵抗が低く、透過率の高い半導体装置を提供することができる。
【解決手段】ゲート電極、半導体層、ソース電極又はドレイン電極を透光性を有する材料を用いて形成し、ゲート配線又はソース配線等の配線を透光性を有する材料より抵抗率が低い材料で設ける。また、ソース配線及び/又はゲート配線を、透光性を有する材料と当該透光性を有する材料より抵抗率が低い材料を積層させて設ける。これにより、配線抵抗が低く、透過率の高い半導体装置を提供することができる。
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【特許請求の範囲】
【請求項1】
透光性を有する第1の導電層で設けられた第1の電極と、
前記第1の電極に電気的に接続され、前記第1の導電層と前記第1の導電層より電気抵抗が低い第2の導電層との積層構造で設けられた第1の配線と、
前記第1の電極及び前記第1の配線上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられ、透光性を有する第3の導電層で設けられた第2の電極と、
前記第2の電極に電気的に接続され、前記第3の導電層と前記第3の導電層より電気抵抗が低い第4の導電層との積層構造で設けられた第2の配線と、
透光性を有する第5の導電層で設けられた第3の電極と、
前記絶縁層上に前記第1の電極と重なるように設けられ、且つ前記第2の電極及び前記第3の電極上に設けられた半導体層を有する半導体装置。
【請求項2】
請求項1において、
前記第3の電極に画素電極が電気的に接続されている半導体装置。
【請求項3】
請求項2又は請求項3において、
前記半導体層が前記第2の配線と重なるように設けられ、且つ前記第3の導電層と前記第4の導電層の間に前記半導体層が設けられている半導体装置。
【請求項4】
請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、様
前記第2の導電層及び前記第4の導電層が、前記第1の導電層及び前記第3の導電層より遮光性を有している半導体装置。
【請求項5】
請求項4において、
前記第2の導電層及び前記第4の導電層が、アルミニウム(Al)、タングステン(W)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、ニッケル(Ni)、白金(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、マンガン(Mn)、ネオジム(Nd)から選ばれた一つ又は複数の元素を含む金属材料、金属化合物若しくは合金、又は該金属の窒化物である半導体装置。
【請求項6】
請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記半導体層が酸化物半導体層である半導体装置。
【請求項7】
透光性を有する第1の導電層で設けられた第1の電極と、
前記第1の電極と電気的に接続され、前記第1の導電層と前記第1の導電層より電気抵抗が低い第2の導電層との積層構造で設けられた第1の配線と、
透光性を有する第3の導電層で設けられた第2の配線と、
前記第1の電極、前記第1の配線及び前記第2の配線上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられ、透光性を有する第4の導電層で設けられた第2の電極と、
前記第2の電極と電気的に接続され、前記第4の導電層と前記第4の導電層より電気抵抗が低い第5の導電層との積層構造で設けられた第3の配線と、
透光性を有する第6の導電層で設けられた第3の電極と、
容量配線上に前記絶縁層を介して設けられ、透光性を有する第7の導電層と、
前記絶縁層上に前記第1の電極と重なるように設けられると共に、前記第2の電極及び前記第3の電極上に設けられた半導体層を有する半導体装置。
【請求項8】
請求項7において、
前記第3の電極に画素電極が電気的に接続されている半導体装置。
【請求項9】
請求項7又は請求項8において、
前記第2の配線が、前記第3の配線と重なる領域において、前記第3の導電層と前記第3の導電層より電気抵抗が低い導電層との積層構造で設けられている半導体装置。
【請求項10】
請求項7乃至請求項9のいずれか一項において、
前記第7の導電層と前記画素電極が電気的に接続されている半導体装置。
【請求項11】
請求項10において、
前記第7の導電層と前記画素電極はコンタクトホールを介して電気的に接続され、
前記第2の配線は、前記コンタクトホールと重なる領域において、前記第3の導電層と前記第3の導電層より電気抵抗が低い導電層との積層構造で設けられている半導体装置。
【請求項12】
請求項7乃至請求項11のいずれか一項において、
前記半導体層が前記第3の配線と重なるように設けられ、且つ前記第4の導電層と前記第5の導電層の間に前記半導体層が設けられている半導体装置。
【請求項13】
請求項7乃至請求項11のいずれか一項において、
前記第2の導電層及び前記第5の導電層が遮光性を有している半導体装置。
【請求項14】
請求項13において、
前記第2の導電層及び前記第5の導電層が、アルミニウム(Al)、タングステン(W)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、ニッケル(Ni)、白金(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、マンガン(Mn)、ネオジム(Nd)から選ばれた一つ又は複数の元素を含む金属材料、金属化合物若しくは合金、又は該金属の窒化物である半導体装置。
【請求項15】
請求項7乃至請求項14のいずれか一項において、
前記半導体層が酸化物半導体層である半導体装置。
【請求項1】
透光性を有する第1の導電層で設けられた第1の電極と、
前記第1の電極に電気的に接続され、前記第1の導電層と前記第1の導電層より電気抵抗が低い第2の導電層との積層構造で設けられた第1の配線と、
前記第1の電極及び前記第1の配線上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられ、透光性を有する第3の導電層で設けられた第2の電極と、
前記第2の電極に電気的に接続され、前記第3の導電層と前記第3の導電層より電気抵抗が低い第4の導電層との積層構造で設けられた第2の配線と、
透光性を有する第5の導電層で設けられた第3の電極と、
前記絶縁層上に前記第1の電極と重なるように設けられ、且つ前記第2の電極及び前記第3の電極上に設けられた半導体層を有する半導体装置。
【請求項2】
請求項1において、
前記第3の電極に画素電極が電気的に接続されている半導体装置。
【請求項3】
請求項2又は請求項3において、
前記半導体層が前記第2の配線と重なるように設けられ、且つ前記第3の導電層と前記第4の導電層の間に前記半導体層が設けられている半導体装置。
【請求項4】
請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、様
前記第2の導電層及び前記第4の導電層が、前記第1の導電層及び前記第3の導電層より遮光性を有している半導体装置。
【請求項5】
請求項4において、
前記第2の導電層及び前記第4の導電層が、アルミニウム(Al)、タングステン(W)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、ニッケル(Ni)、白金(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、マンガン(Mn)、ネオジム(Nd)から選ばれた一つ又は複数の元素を含む金属材料、金属化合物若しくは合金、又は該金属の窒化物である半導体装置。
【請求項6】
請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記半導体層が酸化物半導体層である半導体装置。
【請求項7】
透光性を有する第1の導電層で設けられた第1の電極と、
前記第1の電極と電気的に接続され、前記第1の導電層と前記第1の導電層より電気抵抗が低い第2の導電層との積層構造で設けられた第1の配線と、
透光性を有する第3の導電層で設けられた第2の配線と、
前記第1の電極、前記第1の配線及び前記第2の配線上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられ、透光性を有する第4の導電層で設けられた第2の電極と、
前記第2の電極と電気的に接続され、前記第4の導電層と前記第4の導電層より電気抵抗が低い第5の導電層との積層構造で設けられた第3の配線と、
透光性を有する第6の導電層で設けられた第3の電極と、
容量配線上に前記絶縁層を介して設けられ、透光性を有する第7の導電層と、
前記絶縁層上に前記第1の電極と重なるように設けられると共に、前記第2の電極及び前記第3の電極上に設けられた半導体層を有する半導体装置。
【請求項8】
請求項7において、
前記第3の電極に画素電極が電気的に接続されている半導体装置。
【請求項9】
請求項7又は請求項8において、
前記第2の配線が、前記第3の配線と重なる領域において、前記第3の導電層と前記第3の導電層より電気抵抗が低い導電層との積層構造で設けられている半導体装置。
【請求項10】
請求項7乃至請求項9のいずれか一項において、
前記第7の導電層と前記画素電極が電気的に接続されている半導体装置。
【請求項11】
請求項10において、
前記第7の導電層と前記画素電極はコンタクトホールを介して電気的に接続され、
前記第2の配線は、前記コンタクトホールと重なる領域において、前記第3の導電層と前記第3の導電層より電気抵抗が低い導電層との積層構造で設けられている半導体装置。
【請求項12】
請求項7乃至請求項11のいずれか一項において、
前記半導体層が前記第3の配線と重なるように設けられ、且つ前記第4の導電層と前記第5の導電層の間に前記半導体層が設けられている半導体装置。
【請求項13】
請求項7乃至請求項11のいずれか一項において、
前記第2の導電層及び前記第5の導電層が遮光性を有している半導体装置。
【請求項14】
請求項13において、
前記第2の導電層及び前記第5の導電層が、アルミニウム(Al)、タングステン(W)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)、ニッケル(Ni)、白金(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、マンガン(Mn)、ネオジム(Nd)から選ばれた一つ又は複数の元素を含む金属材料、金属化合物若しくは合金、又は該金属の窒化物である半導体装置。
【請求項15】
請求項7乃至請求項14のいずれか一項において、
前記半導体層が酸化物半導体層である半導体装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【公開番号】特開2010−232652(P2010−232652A)
【公開日】平成22年10月14日(2010.10.14)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−48615(P2010−48615)
【出願日】平成22年3月5日(2010.3.5)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成22年10月14日(2010.10.14)
【国際特許分類】
【出願日】平成22年3月5日(2010.3.5)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
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