半導体装置

【課題】配線抵抗の低い半導体装置を提供すること、透過率の高い半導体装置を提供すること、または開口率の高い半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】ゲート電極、半導体層、ソース電極又はドレイン電極を透光性を有する材料を用いて形成し、ゲート配線又はソース配線等の配線を透光性を有する材料より抵抗率が低い材料で設ける。また、ソース配線及び／又はゲート配線を、透光性を有する材料と当該透光性を有する材料より抵抗率が低い材料を積層させて設ける。これにより、配線抵抗が低く、透過率の高い半導体装置を提供することができる。

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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を有する第１の導電層で設けられた第１の電極と、
前記第１の電極に電気的に接続され、前記第１の導電層と前記第１の導電層より電気抵抗が低い第２の導電層との積層構造で設けられた第１の配線と、
前記第１の電極及び前記第１の配線上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられ、透光性を有する第３の導電層で設けられた第２の電極と、
前記第２の電極に電気的に接続され、前記第３の導電層と前記第３の導電層より電気抵抗が低い第４の導電層との積層構造で設けられた第２の配線と、
透光性を有する第５の導電層で設けられた第３の電極と、
前記絶縁層上に前記第１の電極と重なるように設けられ、且つ前記第２の電極及び前記第３の電極上に設けられた半導体層を有する半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第３の電極に画素電極が電気的に接続されている半導体装置。
【請求項３】
請求項２又は請求項３において、
前記半導体層が前記第２の配線と重なるように設けられ、且つ前記第３の導電層と前記第４の導電層の間に前記半導体層が設けられている半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、様
前記第２の導電層及び前記第４の導電層が、前記第１の導電層及び前記第３の導電層より遮光性を有している半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第２の導電層及び前記第４の導電層が、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ネオジム（Ｎｄ）から選ばれた一つ又は複数の元素を含む金属材料、金属化合物若しくは合金、又は該金属の窒化物である半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記半導体層が酸化物半導体層である半導体装置。
【請求項７】
透光性を有する第１の導電層で設けられた第１の電極と、
前記第１の電極と電気的に接続され、前記第１の導電層と前記第１の導電層より電気抵抗が低い第２の導電層との積層構造で設けられた第１の配線と、
透光性を有する第３の導電層で設けられた第２の配線と、
前記第１の電極、前記第１の配線及び前記第２の配線上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられ、透光性を有する第４の導電層で設けられた第２の電極と、
前記第２の電極と電気的に接続され、前記第４の導電層と前記第４の導電層より電気抵抗が低い第５の導電層との積層構造で設けられた第３の配線と、
透光性を有する第６の導電層で設けられた第３の電極と、
容量配線上に前記絶縁層を介して設けられ、透光性を有する第７の導電層と、
前記絶縁層上に前記第１の電極と重なるように設けられると共に、前記第２の電極及び前記第３の電極上に設けられた半導体層を有する半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記第３の電極に画素電極が電気的に接続されている半導体装置。
【請求項９】
請求項７又は請求項８において、
前記第２の配線が、前記第３の配線と重なる領域において、前記第３の導電層と前記第３の導電層より電気抵抗が低い導電層との積層構造で設けられている半導体装置。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第７の導電層と前記画素電極が電気的に接続されている半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第７の導電層と前記画素電極はコンタクトホールを介して電気的に接続され、
前記第２の配線は、前記コンタクトホールと重なる領域において、前記第３の導電層と前記第３の導電層より電気抵抗が低い導電層との積層構造で設けられている半導体装置。
【請求項１２】
請求項７乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記半導体層が前記第３の配線と重なるように設けられ、且つ前記第４の導電層と前記第５の導電層の間に前記半導体層が設けられている半導体装置。
【請求項１３】
請求項７乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記第２の導電層及び前記第５の導電層が遮光性を有している半導体装置。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記第２の導電層及び前記第５の導電層が、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、マンガン（Ｍｎ）、ネオジム（Ｎｄ）から選ばれた一つ又は複数の元素を含む金属材料、金属化合物若しくは合金、又は該金属の窒化物である半導体装置。
【請求項１５】
請求項７乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記半導体層が酸化物半導体層である半導体装置。

【図１】