半導体装置
【課題】多層配線内の信号線とそれに接続されるビアとを共に同軸構造にする。
【解決手段】多層配線には、例えば、異なる層に設けられる信号線１０，２０と、これらの信号線１０，２０間を接続する接続部３０（ビア）が設けられる。信号線１０，２０は、配線層及び配線層間を接続する接続層で囲み、同軸構造とする。更に、信号線１０，２０間を接続する接続部３０も、配線層及び配線層間を接続する接続層で囲み、同軸構造とする。信号線１０，２０のほか接続部３０も同軸構造とすることで、信号線１０，２０及び接続部３０を伝送される信号の、周囲からの、又は周囲への、電磁気的な影響が効果的に抑制されるようになる。
【解決手段】多層配線には、例えば、異なる層に設けられる信号線１０，２０と、これらの信号線１０，２０間を接続する接続部３０（ビア）が設けられる。信号線１０，２０は、配線層及び配線層間を接続する接続層で囲み、同軸構造とする。更に、信号線１０，２０間を接続する接続部３０も、配線層及び配線層間を接続する接続層で囲み、同軸構造とする。信号線１０，２０のほか接続部３０も同軸構造とすることで、信号線１０，２０及び接続部３０を伝送される信号の、周囲からの、又は周囲への、電磁気的な影響が効果的に抑制されるようになる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線を用いた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
多層配線を用いた半導体装置が広く利用されている。また、多層配線内の信号線を伝送される信号が、その信号線の周囲から電磁気的に影響を受け得る、或いは周囲へ電磁気的に影響を与え得ることを考慮し、多層配線内に信号線をシールドするための構造を設ける技術が知られている。例えば、信号線を、上層と下層の配線層、及び上下層の配線層間を接続する接続層（ビア）で囲み、所謂同軸配線を形成する技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２３２１０３号公報
【特許文献２】特開２００２−１７６１０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
同軸配線を含む多層配線において、その同軸配線の上下層の配線層や信号線と同層に設けられる他の配線層は、その同軸配線と交差させることができず、回路設計に制約が生じる。これに対し、多層配線内の異なる層領域にそれぞれ同軸配線を設け、それらを繋ぐようにすると、その繋いだ同軸配線と他の配線層とを交差させることが可能になるため、回路設計自由度の一定の向上を図ることは可能になる。
【０００５】
このように多層配線内の異なる層領域に設けられた同軸配線同士を繋ぐ方法の１つに、一方の同軸配線内の信号線と、他方の同軸配線内の信号線とを、ビアを介して接続する方法がある。しかし、この場合、双方の信号線同士を接続するビアは、各信号線の周りをそれぞれ覆っているシールド部の外に引き出される構造になる。そのため、そのビアにシールドが施されていないと、ビアを伝送される信号が、周囲から電磁気的に影響を受けたり、周囲に電磁気的に影響を与えたりする恐れがある。
【０００６】
ビアにシールドが施されていないことによる、周囲からの、或いは周囲への、電磁気的な影響は、このような多層配線内の同軸配線同士を繋ぐビアに限らない。例えば、多層配線内の同軸配線と、多層配線下の半導体基板に形成されるトランジスタ等の素子とを繋ぐビアでも、同様に起こり得る。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一観点によれば、絶縁部と、前記絶縁部内に配置された同軸配線部と、を有し、前記同軸配線部は、第１配線層と、前記第１配線層上に積層された第１接続層と、前記第１接続層に沿って積層された第２接続層と、前記第２接続層の内側に該第２接続層と離間して配置された第１信号線と、前記第２接続層に沿って積層された第３接続層と、前記第１信号線に接続され、前記第３接続層の内側に該第３接続層と離間して配置された第１ビアと、前記第１配線層に対向するように前記第３接続層に積層され前記第１ビアに対応する領域に開口部を備えた第１部分と、該第１部分から前記第３接続層外に延在された第２部分とを有する第２配線層と、前記開口部の前記第１ビアに前記第１部分と離間して積層された第２ビアと、前記第２ビアに積層された第３ビアと、前記第３ビアを囲むように前記第１部分と前記第２部分とに跨って積層された第４接続層と、前記第４接続層に沿って積層された第５接続層と、前記第３ビアに接続され、前記第５接続層の内側に該第５接続層と離間して配置された第２信号線と、前記第５接続層に沿って積層された第６接続層と、前記第２配線層に対向するように前記第６接続層に積層された第３配線層と、を含む半導体装置が提供される。
【０００８】
また、本発明の一観点によれば、絶縁部と、前記絶縁部内に配置された同軸配線部と、を有し、前記同軸配線部は、第１配線層と、前記第１配線層上に積層された第１接続層と、前記第１接続層に沿って積層された第１部分と、該第１部分から前記第１接続層外に延在された第２部分とを有する第２配線層と、前記第１部分の内側に該第１部分と離間して配置された第１信号線と、前記第２配線層上に積層された第２接続層と、前記第１信号線に接続され、前記第２接続層と離間して配置された第１ビアと、前記第１ビアを囲むように前記第２接続層に積層された第３部分と、該第３部分から延在され前記第１配線層に対向するように前記第２接続層に積層された第４部分とを有する第３配線層と、前記第１ビアに接続され、前記第３部分の内側に該第３部分と離間して配置された第２信号線と、前記第３部分に沿って積層された第３接続層と、前記第２配線層に対向するように前記第３接続層に積層された第４配線層と、を含む半導体装置が提供される。
【０００９】
また、本発明の一観点によれば、絶縁部と、前記絶縁部内に設けられた同軸配線部と、を有し、前記同軸配線部は、第１ビアと、前記第１ビアに積層された第２ビアと、前記第２ビアを囲むように配置された第１接続層と、前記第１接続層に積層され前記第２ビアに対応する領域に開口部を備えた第１部分と、該第１部分から前記第１接続層外に延在された第２部分とを有する第１配線層と、前記開口部の前記第２ビアに前記第１部分と離間して積層された第３ビアと、前記第３ビアに積層された第４ビアと、前記第４ビアを囲むように前記第１部分と前記第２部分とに跨って積層された第２接続層と、前記第２接続層に沿って積層された第３接続層と、前記第４ビアに接続され、前記第３接続層の内側に該第３接続層と離間して設けられた第１信号線と、前記第３接続層に沿って積層された第４接続層と、前記第１配線層に対向するように前記第４接続層に積層された第２配線層と、を含む半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
開示の技術によれば、信号線とそれに接続されるビアを共に同軸構造とすることが可能になる。それにより、信号線及びビアを伝送される信号の、周囲からの、或いは周囲への、電磁気的影響を効果的に抑制することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施の形態に係る同軸配線部の信号線の配置例を示す図である。
【図２】第１の実施の形態に係る下層シールド配線層の形成工程の説明図である。
【図３】第１の実施の形態に係る下層シールド接続層の形成工程の説明図である。
【図４】第１の実施の形態に係る第１のサイドシールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。
【図５】第１の実施の形態に係る上層シールド接続層及び信号線接続層の形成工程の説明図である。
【図６】第１の実施の形態に係る上下層兼用シールド配線層及びブリッジ配線層の形成工程の説明図である。
【図７】第１の実施の形態に係る下層シールド接続層及び信号線接続層の形成工程の説明図である。
【図８】第１の実施の形態に係る第２のサイドシールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。
【図９】第１の実施の形態に係る上層シールド接続層の形成工程の説明図である。
【図１０】第１の実施の形態に係る上層シールド配線層の形成工程の説明図である。
【図１１】第２の実施の形態に係る同軸配線部の信号線の配置例を示す図である。
【図１２】第２の実施の形態に係る下層シールド配線層の形成工程の説明図である。
【図１３】第２の実施の形態に係る下層シールド接続層の形成工程の説明図である。
【図１４】第２の実施の形態に係る第１のサイドシールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。
【図１５】第２の実施の形態に係る上層シールド接続層及び信号線接続層の形成工程の説明図である。
【図１６】第２の実施の形態に係る上下層兼用シールド配線層及びブリッジ配線層の形成工程の説明図である。
【図１７】第２の実施の形態に係る下層シールド接続層及び信号線接続層の形成工程の説明図である。
【図１８】第２の実施の形態に係る第２のサイドシールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。
【図１９】第２の実施の形態に係る上層シールド接続層の形成工程の説明図である。
【図２０】第２の実施の形態に係る上層シールド配線層の形成工程の説明図である。
【図２１】第３の実施の形態に係る同軸配線部の信号線の配置例を示す図である。
【図２２】第３の実施の形態に係る下層シールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。
【図２３】第３の実施の形態に係る下層シールド接続層の形成工程の説明図である。
【図２４】第３の実施の形態に係るサイド兼下層シールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。
【図２５】第３の実施の形態に係る中層シールド接続層及び信号線接続層の形成工程の説明図である。
【図２６】第３の実施の形態に係るサイド兼上層シールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。
【図２７】第３の実施の形態に係る上層シールド接続層の形成工程の説明図である。
【図２８】第３の実施の形態に係る上層シールド配線層の形成工程の説明図である。
【図２９】第４の実施の形態に係る同軸配線部の信号線の配置例を示す図である。
【図３０】第４の実施の形態に係る下層シールド配線層の形成工程の説明図である。
【図３１】第４の実施の形態に係る下層シールド接続層の形成工程の説明図である。
【図３２】第４の実施の形態に係るサイド兼下層シールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。
【図３３】第４の実施の形態に係る中層シールド接続層及び信号線接続層の形成工程の説明図である。
【図３４】第４の実施の形態に係るサイド兼上層シールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。
【図３５】第４の実施の形態に係る上層シールド接続層の形成工程の説明図である。
【図３６】第４の実施の形態に係る上層シールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。
【図３７】第５の実施の形態に係る同軸配線部の一例を示す図である。
【図３８】半導体装置の一例の要部断面模式的図である。
【図３９】配線層及び接続層の第１形成方法の説明図（その１）である。
【図４０】配線層及び接続層の第１形成方法の説明図（その２）である。
【図４１】配線層及び接続層の第１形成方法の説明図（その３）である。
【図４２】配線層及び接続層の第２形成方法の説明図（その１）である。
【図４３】配線層及び接続層の第２形成方法の説明図（その２）である。
【図４４】配線層及び接続層の第２形成方法の説明図（その３）である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
まず、第１の実施の形態について説明する。
第１の実施の形態では、２本の同軸配線が交差する同軸配線部を含む多層配線と、その形成方法の一例を、図１〜図１０を参照して説明する。
【００１３】
図１は第１の実施の形態に係る同軸配線部の信号線の配置例を示す図である。便宜上、図１では、多層配線内で信号線の周囲及び信号線同士を接続する接続部の周囲に設けるシールド部、並びに、多層配線内の信号線、接続部及びシールド部等の導電部を被覆する層間絶縁膜等の絶縁部については、図示を省略している。
【００１４】
図１の例では、下層で第１方向Ｓに延びる一対の信号線１０が、それぞれ接続部３０を介して、上層の第１方向Ｓに延びる信号線２０に接続され、一対の信号線１０の間に、第１方向Ｓと交差する第２方向Ｔに延びる信号線４０が延在されている。ここでは一例として、接続部３０を、信号線接続層（ビア）３１，３３とそれらを繋ぐブリッジ配線層（ビア）３２の積層体としている。
【００１５】
第１の実施の形態では、これらの信号線１０，２０及び接続部３０を同軸構造となるように形成し、交差する信号線４０についてもこれを同軸構造となるように形成する。その形成方法の一例を、図２〜図１０を参照して順に説明していく。尚、便宜上、図２〜図１０の各（Ａ）の図では、絶縁部の図示を省略している。
【００１６】
図２は第１の実施の形態に係る下層シールド配線層の形成工程の説明図である。図２（Ａ）は下層シールド配線層の要部斜視図、図２（Ｂ）は下層シールド配線層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【００１７】
まず図２（Ａ）に示すように、一対の平板状の下層シールド配線層１０１ａ、及びそれらの間に平板状の下層シールド配線層１０１ｂを形成する。この例では、一対の下層シールド配線層１０１ａを第１方向Ｓに延在させ、それらの間の下層シールド配線層１０１ｂを第２方向Ｔに延在させる。
【００１８】
図２（Ａ）に示したような一対の下層シールド配線層１０１ａはそれぞれ、後述のように第１方向Ｓに延在される信号線１０の下側をシールドする層として形成される。一対の下層シールド配線層１０１ａ間に設ける下層シールド配線層１０１ｂは、後述のように信号線１０と交差するように第２方向Ｔに延在される信号線４０の下側をシールドする層として形成される。
【００１９】
下層シールド配線層１０１ａ，１０１ｂはそれぞれ、その全部又は一部に、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【００２０】
下層シールド配線層１０１ａ，１０１ｂは、例えば、層間絶縁膜等の絶縁層上に形成した導電材料を、フォトリソグラフィ技術を用いて、下層シールド配線層１０１ａ，１０１ｂの形状にパターニングすることで形成することができる。或いは、フォトリソグラフィ技術を用いて絶縁層に形成した、下層シールド配線層１０１ａ，１０１ｂの形状の溝パターンに、導電材料を埋め込むことで形成することができる。
【００２１】
下層シールド配線層１０１ａ，１０１ｂを形成する際の導電材料や絶縁層のパターニングには、図２（Ｂ）に示すようなマスクパターン５０１を用いることができる。このマスクパターン５０１において、パターン部５０１ａが、図２（Ａ）に示した下層シールド配線層１０１ａの部分に対応し、パターン部５０１ｂが、図２（Ａ）に示した下層シールド配線層１０１ｂの部分に対応している。
【００２２】
尚、パターン部５０１ａ，５０１ｂは、パターニング時に使用するレジストの種類（ポジ型、ネガ型）やレジストパターンとして残す部分の形状に応じ、いずれも遮光部（周辺は透光部）、又はいずれも透光部（周辺は遮光部）とされる。反射型のマスクを使用する場合には、パターン部５０１ａ，５０１ｂは、いずれも非反射部、又はいずれも反射部とされる。このようなマスクパターン５０１を用いることで、下層シールド配線層１０１ａ，１０１ｂが、同時にパターニングされ、形成される。
【００２３】
図３は第１の実施の形態に係る下層シールド接続層の形成工程の説明図である。図３（Ａ）は下層シールド接続層の形成まで行った状態の要部斜視図、図３（Ｂ）は下層シールド接続層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【００２４】
下層シールド配線層１０１ａ，１０１ｂの形成後は、図３（Ａ）に示すように、一対の下層シールド配線層１０１ａ上にそれぞれ、下層シールド接続層１０２ａを形成し、下層シールド配線層１０１ｂ上に、下層シールド接続層１０２ｂを形成する。
【００２５】
下層シールド接続層１０２ａは、後述のように下層シールド配線層１０１ａの上方に形成される信号線１０を囲むように、下層シールド配線層１０１ａ上に形成（積層）される。例えば、図３（Ａ）のように、下層シールド配線層１０１ａの縁部に沿って、下層シールド接続層１０２ａが形成される。形成される下層シールド接続層１０２ａは、第１方向Ｓの端部（ここでは下層シールド配線層１０１ｂと対向する端部のみ図示）が、平面Ｕ字状になる。
【００２６】
下層シールド接続層１０２ｂは、後述のように下層シールド配線層１０１ｂの上方に形成される信号線４０を囲むように、下層シールド配線層１０１ｂ上に形成（積層）される。例えば、図３（Ａ）のように、下層シールド配線層１０１ｂの縁部に沿って、下層シールド接続層１０２ｂが形成される。尚、ここでは図示を省略しているが、形成される下層シールド接続層１０２ｂは、第２方向Ｔの端部が平面Ｕ字状になる。
【００２７】
下層シールド接続層１０２ａ，１０２ｂはそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
下層シールド接続層１０２ａ，１０２ｂは、上記下層シールド配線層１０１ａ，１０１ｂ同様、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図３（Ｂ）に示すようなマスクパターン５０２を用いることができる。このマスクパターン５０２において、パターン部５０２ａが、図３（Ａ）に示した下層シールド接続層１０２ａの部分に対応し、パターン部５０２ｂが、図３（Ａ）に示した下層シールド接続層１０２ｂの部分に対応している。尚、パターン部５０２ａ，５０２ｂは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン５０２を用いることで、下層シールド接続層１０２ａ，１０２ｂが、同時にパターニングされ、形成される。
【００２８】
図４は第１の実施の形態に係る第１のサイドシールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。図４（Ａ）はサイドシールド配線層及び信号線の形成まで行った状態の要部斜視図、図４（Ｂ）はサイドシールド配線層及び信号線の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【００２９】
下層シールド接続層１０２ａ，１０２ｂの形成後は、図４（Ａ）に示すように、一対の下層シールド接続層１０２ａ上にそれぞれ、サイドシールド配線層１０３ａを形成し、下層シールド接続層１０２ｂ上にサイドシールド配線層１０３ｂを形成する。更に、図４（Ａ）に示すように、一対のサイドシールド配線層１０３ａそれぞれの内側に、信号線１０を形成し、サイドシールド配線層１０３ｂの内側に、信号線４０を形成する。
【００３０】
サイドシールド配線層１０３ａは、下層シールド接続層１０２ａ上に、下層シールド接続層１０２ａに沿って、第１方向Ｓの端部が平面Ｕ字状になるように、形成（積層）される。サイドシールド配線層１０３ａは、例えば、下層シールド接続層１０２ａの幅よりも大きな幅で、或いは下層シールド接続層１０２ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。信号線１０は、このようなサイドシールド配線層１０３ａと同層に、サイドシールド配線層１０３ａと離間して、その内側に形成される。
【００３１】
サイドシールド配線層１０３ｂは、下層シールド接続層１０２ｂ上に、下層シールド接続層１０２ｂに沿って、第２方向Ｔの端部が平面Ｕ字状になるように（図示せず）、形成（積層）される。サイドシールド配線層１０３ｂは、例えば、下層シールド接続層１０２ｂの幅よりも大きな幅で、或いは下層シールド接続層１０２ｂの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。信号線４０は、このようなサイドシールド配線層１０３ｂと同層に、サイドシールド配線層１０３ｂと離間して、その内側に形成される。
【００３２】
サイドシールド配線層１０３ａ，１０３ｂ及び信号線１０，４０はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【００３３】
サイドシールド配線層１０３ａ，１０３ｂ及び信号線１０，４０は、上記同様、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図４（Ｂ）に示すようなマスクパターン５０３を用いることができる。このマスクパターン５０３において、パターン部５０３ａが、図４（Ａ）に示したサイドシールド配線層１０３ａの部分に対応し、パターン部５０３ｂが、図４（Ａ）に示したサイドシールド配線層１０３ｂの部分に対応している。また、マスクパターン５０３のパターン部５０３ｃが、図４（Ａ）に示した信号線１０，４０の部分に対応している。尚、パターン部５０３ａ，５０３ｂ，５０３ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン５０３を用いることで、サイドシールド配線層１０３ａ，１０３ｂ及び信号線１０，４０が、同時にパターニングされ、形成される。
【００３４】
図５は第１の実施の形態に係る上層シールド接続層及び信号線接続層の形成工程の説明図である。図５（Ａ）は上層シールド接続層及び信号線接続層の形成まで行った状態の要部斜視図、図５（Ｂ）は上層シールド接続層及び信号線接続層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【００３５】
サイドシールド配線層１０３ａ，１０３ｂ及び信号線１０，４０の形成後は、図５（Ａ）に示すように、一対のサイドシールド配線層１０３ａ上にそれぞれ、上層シールド接続層１０４ａを形成する。サイドシールド配線層１０３ｂ上には、上層シールド接続層１０４ｂを形成する。更に、図５（Ａ）に示すように、一対の上層シールド接続層１０４ａそれぞれの内側に、信号線１０に接続された信号線接続層３１を形成する。
【００３６】
一対の上層シールド接続層１０４ａはそれぞれ、サイドシールド配線層１０３ａ上に、サイドシールド配線層１０３ａに沿って、第１方向Ｓの端部が平面Ｕ字状になるように、形成（積層）される。上層シールド接続層１０４ａは、例えば、サイドシールド配線層１０３ａの幅よりも小さな幅で、或いはサイドシールド配線層１０３ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。信号線接続層３１は、このような上層シールド接続層１０４ａと同層に、上層シールド接続層１０４ａと離間して、信号線１０上に形成される。
【００３７】
上層シールド接続層１０４ｂは、サイドシールド配線層１０３ｂ上に、サイドシールド配線層１０３ｂに沿って、第２方向Ｔの端部が平面Ｕ字状になるように（図示せず）、形成（積層）される。上層シールド接続層１０４ｂは、例えば、サイドシールド配線層１０３ｂの幅よりも小さな幅で、或いはサイドシールド配線層１０３ｂの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。
【００３８】
上層シールド接続層１０４ａ，１０４ｂ及び信号線接続層３１はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【００３９】
上層シールド接続層１０４ａ，１０４ｂ及び信号線接続層３１は、上記同様、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図５（Ｂ）に示すようなマスクパターン５０４を用いることができる。このマスクパターン５０４において、パターン部５０４ａが、図５（Ａ）に示した上層シールド接続層１０４ａの部分に対応し、パターン部５０４ｂが、図５（Ａ）に示した上層シールド接続層１０４ｂの部分に対応している。また、マスクパターン５０４のパターン部５０４ｃが、図５（Ａ）に示した信号線接続層３１の部分に対応している。尚、パターン部５０４ａ，５０４ｂ，５０４ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン５０４を用いることで、上層シールド接続層１０４ａ，１０４ｂ及び信号線接続層３１が、同時にパターニングされ、形成される。
【００４０】
図６は第１の実施の形態に係る上下層兼用シールド配線層及びブリッジ配線層の形成工程の説明図である。図６（Ａ）は上下層兼用シールド配線層及びブリッジ配線層の形成まで行った状態の要部斜視図、図６（Ｂ）は上下層兼用シールド配線層及びブリッジ配線層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【００４１】
上層シールド接続層１０４ａ，１０４ｂ及び信号線接続層３１の形成後は、図６（Ａ）に示すような平板状の上下層兼用シールド配線層１０５、及びブリッジ配線層３２を形成する。
【００４２】
上下層兼用シールド配線層１０５は、一対の下層シールド配線層１０１ａにそれぞれ対向して設けられた第１配線層部分１０５ａと、第１配線層部分１０５ａから延在され、下層シールド配線層１０１ｂに対向して設けられた第２配線層部分１０５ｂとを有している。一対の第１配線層部分１０５ａは、それぞれ上層シールド接続層１０４ａ上に形成（積層）される。第２配線層部分１０５ｂは、これら一対の第１配線層部分１０５ａから延在され（上層シールド接続層１０４ａの平面Ｕ字状端部のその開口側と異なる側に向かって延在され）、上層シールド接続層１０４ｂ上に形成（積層）される。
【００４３】
一対の第１配線層部分１０５ａにはそれぞれ、信号線接続層３１に対応する領域に、信号線接続層３１よりも大きな平面サイズの開口部１０５ａａが形成される。これらの開口部１０５ａａ内側の信号線接続層３１上にそれぞれ、第１配線層部分１０５ａから離間して、ブリッジ配線層３２が形成（積層）される。ブリッジ配線層３２は、例えば、信号線接続層３１よりも大きな平面サイズで、或いは信号線接続層３１と同じか同程度の平面サイズで、形成することができる。
【００４４】
上下層兼用シールド配線層１０５の第１配線層部分１０５ａは、ブリッジ配線層３２及び信号線接続層３１に接続された、第１方向Ｓに延在される信号線１０の上側をシールドする層として形成される。上下層兼用シールド配線層１０５の第２配線層部分１０５ｂは、第２方向Ｔに延在される信号線４０の上側をシールドする層として形成される。更に、この上下層兼用シールド配線層１０５は、後述のように形成される信号線２０の下側をシールドする層として形成される。また、ブリッジ配線層３２は、信号線１０と、後述のように形成される信号線２０との間を接続するための層として形成される。
【００４５】
上下層兼用シールド配線層１０５及びブリッジ配線層３２はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【００４６】
上下層兼用シールド配線層１０５及びブリッジ配線層３２は、上記同様、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図６（Ｂ）に示すようなマスクパターン５０５を用いることができる。このマスクパターン５０５において、パターン部５０５ａが、図６（Ａ）に示した上下層兼用シールド配線層１０５の第１配線層部分１０５ａに対応し、パターン部５０５ｂが、図６（Ａ）に示した第２配線層部分１０５ｂに対応している。また、マスクパターン５０５のパターン部５０５ｃが、図６（Ａ）に示したブリッジ配線層３２の部分に対応している。尚、パターン部５０５ａ，５０５ｂ，５０５ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン５０５を用いることで、上下層兼用シールド配線層１０５及びブリッジ配線層３２が、同時にパターニングされ、形成される。
【００４７】
図７は第１の実施の形態に係る下層シールド接続層及び信号線接続層の形成工程の説明図である。図７（Ａ）は下層シールド接続層及び信号線接続層の形成まで行った状態の要部斜視図、図７（Ｂ）は下層シールド接続層及び信号線接続層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【００４８】
上下層兼用シールド配線層１０５及びブリッジ配線層３２の形成後は、図７（Ａ）に示すような下層シールド接続層１０６ａ、及び一対の信号線接続層３３を形成する。
下層シールド接続層１０６ａは、ここでは上下層兼用シールド配線層１０５の一対の第１配線層部分１０５ａの開口部１０５ａａを共に囲んだ平面枠状になるように、第１配線層部分１０５ａと第２配線層部分１０５ｂとに跨って形成（積層）される。下層シールド接続層１０６ａは、一方の開口部１０５ａａ側の端部では、その開口部１０５ａａを囲むように平面Ｕ字状で形成されると言うことができる。また、下層シールド接続層１０６ａは、他方の開口部１０５ａａ側の端部では、その開口部１０５ａａを囲むように平面Ｕ字状で形成されると言うことができる。
【００４９】
信号線接続層３３は、下層シールド接続層１０６ａの内側に、下層シールド接続層１０６ａから離間して、一対のブリッジ配線層３２上にそれぞれ形成（積層）される。信号線接続層３３は、例えば、ブリッジ配線層３２よりも小さな平面サイズで、或いはブリッジ配線層３２と同じか同程度の平面サイズで、形成することができる。
【００５０】
下層シールド接続層１０６ａ及び信号線接続層３３はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【００５１】
下層シールド接続層１０６ａ及び信号線接続層３３は、上記同様、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図７（Ｂ）に示すようなマスクパターン５０６を用いることができる。このマスクパターン５０６において、パターン部５０６ａが、図７（Ａ）に示した下層シールド接続層１０６ａの部分に対応し、パターン部５０６ｃが、図７（Ａ）に示した信号線接続層３３の部分に対応している。尚、パターン部５０６ａ，５０６ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン５０６を用いることで、下層シールド接続層１０６ａ及び信号線接続層３３が、同時にパターニングされ、形成される。
【００５２】
図８は第１の実施の形態に係る第２のサイドシールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。図８（Ａ）はサイドシールド配線層及び信号線の形成まで行った状態の要部斜視図、図８（Ｂ）はサイドシールド配線層及び信号線の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【００５３】
下層シールド接続層１０６ａ及び信号線接続層３３の形成後は、図８（Ａ）に示すように、下層シールド接続層１０６ａ上に、サイドシールド配線層１０７ａを形成し、サイドシールド配線層１０７ａの内側に、第１方向Ｓに延在される信号線２０を形成する。
【００５４】
サイドシールド配線層１０７ａは、下層シールド接続層１０６ａに沿って、平面枠状（両端部が平面Ｕ字状）になるように、形成（積層）される。サイドシールド配線層１０７ａは、例えば、下層シールド接続層１０６ａの幅よりも大きな幅で、或いは下層シールド接続層１０６ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。
【００５５】
信号線２０は、サイドシールド配線層１０７ａと同層に、サイドシールド配線層１０７ａと離間して、一対の信号線接続層３３間を繋ぐように、形成される。これにより、信号線２０と、下層に設けた一対の信号線１０とが、信号線接続層３１，３３及びブリッジ配線層３２（接続部３０）を介して接続される。
【００５６】
サイドシールド配線層１０７ａ及び信号線２０はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【００５７】
サイドシールド配線層１０７ａ及び信号線２０は、上記同様、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図８（Ｂ）に示すようなマスクパターン５０７を用いることができる。このマスクパターン５０７において、パターン部５０７ａが、図８（Ａ）に示したサイドシールド配線層１０７ａの部分に対応し、パターン部５０７ｃが、図８（Ａ）に示した信号線２０の部分に対応している。尚、パターン部５０７ａ，５０７ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン５０７を用いることで、サイドシールド配線層１０７ａ及び信号線２０が、同時にパターニングされ、形成される。
【００５８】
図９は第１の実施の形態に係る上層シールド接続層の形成工程の説明図である。図９（Ａ）は上層シールド接続層の形成まで行った状態の要部斜視図、図９（Ｂ）は上層シールド接続層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【００５９】
サイドシールド配線層１０７ａ及び信号線２０の形成後は、図９（Ａ）に示すように、サイドシールド配線層１０７ａ上に、上層シールド接続層１０８ａを形成する。
上層シールド接続層１０８ａは、サイドシールド配線層１０７ａ上に、サイドシールド配線層１０７ａに沿って、平面枠状（両端部が平面Ｕ字状）になるように、形成（積層）される。上層シールド接続層１０８ａは、例えば、サイドシールド配線層１０７ａの幅よりも小さな幅で、或いはサイドシールド配線層１０７ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。
【００６０】
上層シールド接続層１０８ａは、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
上層シールド接続層１０８ａは、上記同様、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図９（Ｂ）に示すようなマスクパターン５０８を用いることができる。このマスクパターン５０８において、パターン部５０８ａが、図９（Ａ）に示した上層シールド接続層１０８ａの部分に対応している。尚、パターン部５０８ａは、遮光部や非反射部とされるか、又は透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン５０８を用いることで、上層シールド接続層１０８ａがパターニングされ、形成される。
【００６１】
図１０は第１の実施の形態に係る上層シールド配線層の形成工程の説明図である。図１０（Ａ）は上層シールド配線層の形成まで行った状態の要部斜視図、図１０（Ｂ）は上層シールド配線層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【００６２】
上層シールド接続層１０８ａの形成後は、図１０（Ａ）に示すように、上層シールド接続層１０８ａ上に、平板状の上層シールド配線層１０９ａを形成する。上層シールド配線層１０９ａは、上下層兼用シールド配線層１０５に対向するように、上層シールド接続層１０８ａ上に、形成（積層）される。上層シールド配線層１０９ａは、信号線２０の上側をシールドする層として形成される。
【００６３】
上層シールド配線層１０９ａは、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
上層シールド配線層１０９ａは、上記同様、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図１０（Ｂ）に示すようなマスクパターン５０９を用いることができる。このマスクパターン５０９において、パターン部５０９ａが、図１０（Ａ）に示した上層シールド配線層１０９ａの部分に対応している。尚、パターン部５０９ａは、遮光部や非反射部とされるか、又は透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン５０９を用いることで、上層シールド配線層１０９ａがパターニングされ、形成される。
【００６４】
以上述べた図２〜図１０の工程により、図１の信号線１０，２０，４０及び接続部３０を同軸構造とした同軸配線部１００Ａ（図１０）が形成される。
即ち、まず信号線１０，２０とそれらを接続する接続部３０について見ると、下層側の信号線１０は、その下側が下層シールド配線層１０１ａで、上側が上下層兼用シールド配線層１０５（第１配線層部分１０５ａ）で、シールドされる。信号線１０の側方は、下層シールド配線層１０１ａと上下層兼用シールド配線層１０５との間を接続する接続層である、下層シールド接続層１０２ａ、サイドシールド配線層１０３ａ及び上層シールド接続層１０４ａで、シールドされる。
【００６５】
上層側の信号線２０は、その下側が上下層兼用シールド配線層１０５で、上側が上層シールド配線層１０９ａで、シールドされる。信号線２０の側方は、上下層兼用シールド配線層１０５と上層シールド配線層１０９ａとの間を接続する、下層シールド接続層１０６ａ、サイドシールド配線層１０７ａ及び上層シールド接続層１０８ａで、シールドされる。
【００６６】
信号線１０，２０を接続する信号線接続層３１，３３及びブリッジ配線層３２の側方は、上層シールド接続層１０４ａと下層シールド接続層１０６ａ、及び上下層兼用シールド配線層１０５（開口部１０５ａａ周囲の第１配線層部分１０５ａ）で、シールドされる。
【００６７】
このように同軸配線部１００Ａでは、下層側、上層側の信号線１０，２０を、それらを接続する接続部３０（信号線接続層３１，３３及びブリッジ配線層３２）も含めて、同軸構造とすることができる。
【００６８】
更に、これらの信号線１０，２０に交差する信号線４０について見ると、この信号線４０も、信号線１０同様、その下側が下層シールド配線層１０１ｂで、上側が上下層兼用シールド配線層１０５（第２配線層部分１０５ｂ）で、シールドされる。信号線４０の側方も、信号線１０同様、下層シールド配線層１０１ｂと上下層兼用シールド配線層１０５との間を接続する接続層である、下層シールド接続層１０２ｂ、サイドシールド配線層１０３ｂ及び上層シールド接続層１０４ｂで、シールドされる。
【００６９】
このように同軸配線部１００Ａでは、信号線１０，２０に交差する信号線４０についても、これを同軸構造とすることができる。
この第１の実施の形態に係る同軸配線部１００Ａによれば、異なる方向に同軸構造で延在される信号線１０，４０同士を、同軸構造を維持した状態で、交差させることができる。このようにして交差させるにあたり、一方の信号線１０は、接続部３０及び信号線２０を介して他方の信号線４０を乗り越えるように引き回されるが、同軸配線部１００Ａでは、信号線２０は勿論、接続部３０も同軸構造とされる。そのため、信号線１０，２０及び接続部３０を伝送される信号（高周波信号等）の、同軸配線部１００Ａの周囲からの、或いは周囲への、電磁気的な影響を効果的に抑制することが可能になる。
【００７０】
更に、同軸配線部１００Ａでは、上層側の信号線２０の下側をシールドする層（上下層兼用シールド配線層１０５）を、交差させる信号線４０の上側をシールドする層としても用いる。これにより、下層側、上層側の同軸配線部を多層配線内で上下に並べて配置してそれらの信号線同士を接続部で接続する場合に比べて、少ない層数で、同軸配線部１００Ａを形成することができる。
【００７１】
このように、第１の実施の形態に係る同軸配線部１００Ａによれば、信号線（同軸配線）を、同軸構造を維持した状態で交差させることができ、また、このような同軸配線部１００Ａの構造を、比較的少ない層数で実現することができる。それにより、同軸配線を含む多層配線の回路設計自由度の向上を図ることが可能になる。
【００７２】
尚、以上の説明では、同軸配線部１００Ａとして、下層側の一方の信号線１０を、一旦上層側の信号線２０へ接続部３０で引き上げ、その信号線２０から再び下層側の他方の信号線１０へ接続部３０で引き下げることで、信号線４０と交差させる構造を例示した。このほか、形成する多層配線の回路パターンによっては、下層側の信号線１０から接続部３０で引き上げられた上層側の信号線２０を、その層内で引き回すようにしてもよい。即ち、一旦下層側の信号線１０から上層側に引き上げられた信号線２０は、必ずしも再び接続部３０で下層側の信号線１０へ引き下げることを要しない。
【００７３】
このようにして下層側の信号線１０から上層側に引き上げた信号線２０をその層内で引き回す場合には、引き回す信号線２０の下側をシールドできるような平面形状で上下層兼用シールド配線層１０５を形成する。上下層兼用シールド配線層１０５上には、引き回す信号線２０の平面形状に合わせて、下層シールド接続層１０６ａ、サイドシールド配線層１０７ａ、上層シールド接続層１０８ａを順に積層し、信号線２０の上側をシールドする上層シールド配線層１０９ａを形成する。
【００７４】
また、以上の説明では、下層側の信号線１０と上層側の信号線２０をいずれも第１方向Ｓに延在させ、それらと交差させる信号線４０を第２方向Ｔに延在させる場合の同軸配線部１００Ａを例にして述べた。このほか、信号線１０，２０の延在方向が異なる場合、例えば、信号線１０が信号線４０と同じ第２方向Ｔに延在され、信号線２０が第１方向Ｓに延在されるような場合であっても、上記同様の同軸配線部を形成することが可能である。
【００７５】
このような場合には、第２方向Ｔに延在される信号線１０の下側をシールドできるような平面形状で下層シールド配線層１０１ａを形成する。その上に、信号線１０の端部側が平面Ｕ字状になるように、下層シールド接続層１０２ａ、サイドシールド配線層１０３ａ、上層シールド接続層１０４ａを順に積層する。これらの内側には、信号線１０、信号線接続層３１を形成する。上下層兼用シールド配線層１０５は、下層シールド配線層１０１ａに対向して第１配線層部分１０５ａが形成され、信号線接続層３１及びブリッジ配線層３２の領域に対応した領域には、開口部１０５ａａが形成される。この第１配線層部分１０５ａから、信号線４０の上側をシールドできるような領域に、第２配線層部分１０５ｂが延在される。第２配線層部分１０５ｂは、第１配線層部分１０５ａから、信号線１０の延在方向と異なる方向に（信号線１０の側方をシールドする層群のＵ字状端部の開口側と異なる側に向かって）延在されることになる。
【００７６】
次に、第２の実施の形態について説明する。
第２の実施の形態では、２本の同軸配線が交差する同軸配線部を含む多層配線と、その形成方法の別例を、図１１〜図２０を参照して説明する。
【００７７】
図１１は第２の実施の形態に係る同軸配線部の信号線の配置例を示す図である。便宜上、図１１では、多層配線内で信号線の周囲及び信号線同士を接続する接続部の周囲に設けるシールド部、並びに、多層配線内の信号線、接続部及びシールド部等の導電部を被覆する層間絶縁膜等の絶縁部については、図示を省略している。
【００７８】
図１１の例では、下層で第１方向Ｓに延びる信号線１０が、一対の接続部３０を介して、上層の第２方向Ｔに延びる一対の信号線２０に接続され、その一対の信号線２０の間に、第２方向Ｔに延びる信号線４０が延在されている。ここでは一例として、接続部３０を、信号線接続層（ビア）３１，３３とそれらを繋ぐブリッジ配線層（ビア）３２の積層体としている。
【００７９】
第２の実施の形態では、これらの信号線１０，２０及び接続部３０を同軸構造となるように形成し、交差する信号線４０についてもこれを同軸構造となるように形成する。その形成方法の一例を、図１２〜図２０を参照して順に説明していく。尚、便宜上、図１２〜図２０の各（Ａ）の図では、絶縁部の図示を省略している。
【００８０】
図１２は第２の実施の形態に係る下層シールド配線層の形成工程の説明図である。図１２（Ａ）は下層シールド配線層の要部斜視図、図１２（Ｂ）は下層シールド配線層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【００８１】
まず図１２（Ａ）に示すように、第１方向Ｓに延在する、平板状の下層シールド配線層２０１ａを形成する。下層シールド配線層２０１ａは、後述のように第１方向Ｓに延在される信号線１０の下側をシールドする層として形成される。
【００８２】
下層シールド配線層２０１ａは、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
下層シールド配線層２０１ａは、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図１２（Ｂ）に示すようなマスクパターン６０１を用いることができる。このマスクパターン６０１において、パターン部６０１ａが、図１２（Ａ）に示した下層シールド配線層２０１ａの部分に対応している。尚、パターン部６０１ａは、遮光部や非反射部とされるか、又は透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン６０１を用いることで、下層シールド配線層２０１ａがパターニングされ、形成される。
【００８３】
図１３は第２の実施の形態に係る下層シールド接続層の形成工程の説明図である。図１３（Ａ）は下層シールド接続層の形成まで行った状態の要部斜視図、図１３（Ｂ）は下層シールド接続層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【００８４】
下層シールド配線層２０１ａの形成後は、図１３（Ａ）に示すように、下層シールド配線層２０１ａ上に下層シールド接続層２０２ａを形成する。下層シールド接続層２０２ａは、下層シールド配線層２０１ａの上方に形成される信号線１０を囲むように、下層シールド配線層２０１ａ上に形成（積層）される。例えば、図１３（Ａ）のように、下層シールド配線層２０１ａの縁部に沿って、平面枠状（両端部が平面Ｕ字状）になるように、下層シールド接続層２０２ａが形成される。
【００８５】
下層シールド接続層２０２ａは、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
下層シールド接続層２０２ａは、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図１３（Ｂ）に示すようなマスクパターン６０２を用いることができる。このマスクパターン６０２において、パターン部６０２ａが、図１３（Ａ）に示した下層シールド接続層２０２ａの部分に対応している。尚、パターン部６０２ａは、遮光部や非反射部とされるか、又は透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン６０２を用いることで、下層シールド接続層２０２ａがパターニングされ、形成される。
【００８６】
図１４は第２の実施の形態に係る第１のサイドシールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。図１４（Ａ）はサイドシールド配線層及び信号線の形成まで行った状態の要部斜視図、図１４（Ｂ）はサイドシールド配線層及び信号線の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【００８７】
下層シールド接続層２０２ａの形成後は、図１４（Ａ）に示すように、下層シールド接続層２０２ａ上に、サイドシールド配線層２０３ａ（接続層）を形成し、サイドシールド配線層２０３ａの内側に、信号線１０を形成する。
【００８８】
サイドシールド配線層２０３ａは、下層シールド接続層２０２ａ上に、下層シールド接続層２０２ａに沿って、平面枠状（両端部が平面Ｕ字状）になるように、形成（積層）される。サイドシールド配線層２０３ａは、例えば、下層シールド接続層２０２ａの幅よりも大きな幅で、或いは下層シールド接続層２０２ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。信号線１０は、このようなサイドシールド配線層２０３ａと同層に、サイドシールド配線層２０３ａと離間して、その内側に形成される。
【００８９】
サイドシールド配線層２０３ａ及び信号線１０はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【００９０】
サイドシールド配線層２０３ａ及び信号線１０は、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図１４（Ｂ）に示すようなマスクパターン６０３を用いることができる。このマスクパターン６０３において、パターン部６０３ａが、図１４（Ａ）に示したサイドシールド配線層２０３ａの部分に対応し、パターン部６０３ｃが、図１４（Ａ）に示した信号線１０の部分に対応している。尚、パターン部６０３ａ，６０３ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン６０３を用いることで、サイドシールド配線層２０３ａ及び信号線１０が、同時にパターニングされ、形成される。
【００９１】
図１５は第２の実施の形態に係る上層シールド接続層及び信号線接続層の形成工程の説明図である。図１５（Ａ）は上層シールド接続層及び信号線接続層の形成まで行った状態の要部斜視図、図１５（Ｂ）は上層シールド接続層及び信号線接続層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【００９２】
サイドシールド配線層２０３ａ及び信号線１０の形成後は、図１５（Ａ）に示すように、サイドシールド配線層２０３ａ上に、上層シールド接続層２０４ａを形成する。更に、図１５（Ａ）に示すように、上層シールド接続層２０４ａの内側に、信号線１０に接続された一対の信号線接続層３１を形成する。
【００９３】
上層シールド接続層２０４ａは、サイドシールド配線層２０３ａ上に、サイドシールド配線層２０３ａに沿って、平面枠状（両端部が平面Ｕ字状）になるように、形成（積層）される。上層シールド接続層２０４ａは、例えば、サイドシールド配線層２０３ａの幅よりも小さな幅で、或いはサイドシールド配線層２０３ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。信号線接続層３１は、このような上層シールド接続層２０４ａと同層に、上層シールド接続層２０４ａと離間して、信号線１０上に形成（積層）される。
【００９４】
上層シールド接続層２０４ａ及び信号線接続層３１はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【００９５】
上層シールド接続層２０４ａ及び信号線接続層３１は、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図１５（Ｂ）に示すようなマスクパターン６０４を用いることができる。このマスクパターン６０４において、パターン部６０４ａが、図１５（Ａ）に示した上層シールド接続層２０４ａの部分に対応し、パターン部６０４ｃが、図１５（Ａ）に示した信号線接続層３１の部分に対応している。尚、パターン部６０４ａ，６０４ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン６０４を用いることで、上層シールド接続層２０４ａ及び信号線接続層３１が、同時にパターニングされ、形成される。
【００９６】
図１６は第２の実施の形態に係る上下層兼用シールド配線層及びブリッジ配線層の形成工程の説明図である。図１６（Ａ）は上下層兼用シールド配線層及びブリッジ配線層の形成まで行った状態の要部斜視図、図１６（Ｂ）は上下層兼用シールド配線層及びブリッジ配線層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【００９７】
上層シールド接続層２０４ａ及び信号線接続層３１の形成後は、図１６（Ａ）に示すような平板状の上下層兼用シールド配線層２０５、及びブリッジ配線層３２を形成する。
上下層兼用シールド配線層２０５は、一対の第１配線層部分２０５ａと、一対の第１配線層部分２０５ａから延在された第２配線層部分２０５ｂとを有している。第１配線層部分２０５ａは、後述のように第２方向Ｔに延在される信号線２０の下側をシールドする層として形成され、第２配線層部分２０５ｂは、後述のように第２方向Ｔに延在される信号線４０の下側をシールドする層として形成される。
【００９８】
一対の第１配線層部分２０５ａにはそれぞれ、先に形成した信号線接続層３１に対応する領域に、信号線接続層３１よりも大きな平面サイズの開口部２０５ａａが形成される。これらの開口部２０５ａａの内側に位置する信号線接続層３１上にそれぞれ、第１配線層部分２０５ａから離間して、ブリッジ配線層３２が形成（積層）される。
【００９９】
尚、上層シールド接続層２０４ａは、一対の第１配線層部分２０５ａの開口部２０５ａａを共に囲んだ平面枠状になるように、上下層兼用シールド配線層２０５の下方に、第１配線層部分２０５ａと第２配線層部分２０５ｂとに跨って積層される。サイドシールド配線層２０３ａは、上層シールド接続層２０４ａに沿ってその下方に積層された構造となる。下層シールド接続層２０２ａは、サイドシールド配線層２０３ａに沿ってその下方に積層された構造となる。上下層兼用シールド配線層２０５は、これら上層シールド接続層２０４ａ、サイドシールド配線層２０３ａ及び下層シールド接続層２０２ａによって、下層シールド配線層２０１ａに接続される。
【０１００】
上下層兼用シールド配線層２０５及びブリッジ配線層３２はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【０１０１】
上下層兼用シールド配線層２０５及びブリッジ配線層３２は、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図１６（Ｂ）に示すようなマスクパターン６０５を用いることができる。このマスクパターン６０５において、パターン部６０５ａが、図１６（Ａ）に示した上下層兼用シールド配線層２０５の第１配線層部分２０５ａに対応し、パターン部６０５ｂが、図１６（Ａ）に示した上下層兼用シールド配線層２０５の第２配線層部分２０５ｂに対応している。また、マスクパターン６０５のパターン部６０５ｃが、図１６（Ａ）に示したブリッジ配線層３２の部分に対応している。尚、パターン部６０５ａ，６０５ｂ，６０５ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン６０５を用いることで、上下層兼用シールド配線層２０５及びブリッジ配線層３２が、同時にパターニングされ、形成される。
【０１０２】
図１７は第２の実施の形態に係る下層シールド接続層及び信号線接続層の形成工程の説明図である。図１７（Ａ）は下層シールド接続層及び信号線接続層の形成まで行った状態の要部斜視図、図１７（Ｂ）は下層シールド接続層及び信号線接続層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１０３】
上下層兼用シールド配線層２０５及びブリッジ配線層３２の形成後は、図１７（Ａ）に示すような一対の下層シールド接続層２０６ａ，２０６ｂ及び信号線接続層３３を形成する。
【０１０４】
一対の下層シールド接続層２０６ａはそれぞれ、上下層兼用シールド配線層２０５の第１配線層部分２０５ａの上に、開口部２０５ａａを囲むように、形成（積層）される。信号線接続層３３は、下層シールド接続層２０６ａの内側に、下層シールド接続層２０６ａから離間して、一対のブリッジ配線層３２上にそれぞれ形成（積層）される。下層シールド接続層２０６ｂは、一対の下層シールド接続層２０６ａの間で、上下層兼用シールド配線層２０５の第２配線層部分２０５ｂの上に、形成（積層）される。下層シールド接続層２０６ａ，２０６ｂはそれぞれ、第２方向Ｔの端部が平面Ｕ字状になるように、第１配線層部分２０５ａ、第２配線層部分２０５ｂの上に形成される。
【０１０５】
下層シールド接続層２０６ａ，２０６ｂ及び信号線接続層３３はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【０１０６】
下層シールド接続層２０６ａ，２０６ｂ及び信号線接続層３３は、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図１７（Ｂ）に示すようなマスクパターン６０６を用いることができる。このマスクパターン６０６において、パターン部６０６ａが、図１７（Ａ）に示した下層シールド接続層２０６ａの部分に対応し、パターン部６０６ｂが、図１７（Ａ）に示した下層シールド接続層２０６ｂの部分に対応している。また、マスクパターン６０６のパターン部６０６ｃが、図１７（Ａ）に示した信号線接続層３３の部分に対応している。尚、パターン部６０６ａ，６０６ｂ，６０６ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン６０６を用いることで、下層シールド接続層２０６ａ，２０６ｂ及び信号線接続層３３が、同時にパターニングされ、形成される。
【０１０７】
図１８は第２の実施の形態に係る第２のサイドシールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。図１８（Ａ）はサイドシールド配線層及び信号線の形成まで行った状態の要部斜視図、図１８（Ｂ）はサイドシールド配線層及び信号線の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１０８】
下層シールド接続層２０６ａ，２０６ｂ及び信号線接続層３３の形成後は、図１８（Ａ）に示すように、一対の下層シールド接続層２０６ａ上にそれぞれ、サイドシールド配線層２０７ａ（接続層）を形成する。下層シールド接続層２０６ｂ上には、サイドシールド配線層２０７ｂ（接続層）を形成する。更に、図１８（Ａ）に示すように、一対のサイドシールド配線層２０７ａの内側にそれぞれ、信号線２０を形成し、サイドシールド配線層２０７ｂの内側に、信号線４０を形成する。
【０１０９】
一対のサイドシールド配線層２０７ａはそれぞれ、下層シールド接続層２０６ａ上に、下層シールド接続層２０６ａに沿って、形成（積層）される。サイドシールド配線層２０７ａは、例えば、下層シールド接続層２０６ａの幅よりも大きな幅で、或いは下層シールド接続層２０６ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。信号線２０は、このようなサイドシールド配線層２０７ａと同層に、サイドシールド配線層２０７ａと離間して、その内側に形成される。
【０１１０】
サイドシールド配線層２０７ｂは、下層シールド接続層２０６ｂ上に、下層シールド接続層２０６ｂに沿って、形成（積層）される。サイドシールド配線層２０７ｂは、例えば、下層シールド接続層２０６ｂの幅よりも大きな幅で、或いは下層シールド接続層２０６ｂの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。信号線４０は、このようなサイドシールド配線層２０７ｂと同層に、サイドシールド配線層２０７ｂと離間して、その内側に形成される。
【０１１１】
サイドシールド配線層２０７ａ，２０７ｂ及び信号線２０，４０はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【０１１２】
サイドシールド配線層２０７ａ，２０７ｂ及び信号線２０，４０は、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図１８（Ｂ）に示すようなマスクパターン６０７を用いることができる。このマスクパターン６０７において、パターン部６０７ａが、図１８（Ａ）に示したサイドシールド配線層２０７ａの部分に対応し、パターン部６０７ｂが、図１８（Ａ）に示したサイドシールド配線層２０７ｂの部分に対応している。また、マスクパターン６０７のパターン部６０７ｃが、図１８（Ａ）に示した信号線２０，４０の部分に対応している。尚、パターン部６０７ａ，６０７ｂ，６０７ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン６０７を用いることで、サイドシールド配線層２０７ａ，２０７ｂ及び信号線２０，４０が、同時にパターニングされ、形成される。
【０１１３】
図１９は第２の実施の形態に係る上層シールド接続層の形成工程の説明図である。図１９（Ａ）は上層シールド接続層の形成まで行った状態の要部斜視図、図１９（Ｂ）は上層シールド接続層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１１４】
サイドシールド配線層２０７ａ，２０７ｂ及び信号線２０，４０の形成後は、図１９（Ａ）に示すように、一対のサイドシールド配線層２０７ａ上にそれぞれ、上層シールド接続層２０８ａを形成する。サイドシールド配線層２０７ｂ上には、上層シールド接続層２０８ｂを形成する。
【０１１５】
一対の上層シールド接続層２０８ａはそれぞれ、サイドシールド配線層２０７ａ上に、サイドシールド配線層２０７ａに沿って、形成（積層）される。上層シールド接続層２０８ａは、例えば、サイドシールド配線層２０７ａの幅よりも小さな幅で、或いはサイドシールド配線層２０７ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。
【０１１６】
上層シールド接続層２０８ｂは、サイドシールド配線層２０７ｂ上に、サイドシールド配線層２０７ｂに沿って、形成（積層）される。上層シールド接続層２０８ｂは、例えば、サイドシールド配線層２０７ｂの幅よりも小さな幅で、或いはサイドシールド配線層２０７ｂの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。
【０１１７】
上層シールド接続層２０８ａ，２０８ｂはそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
上層シールド接続層２０８ａ，２０８ｂは、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図１９（Ｂ）に示すようなマスクパターン６０８を用いることができる。このマスクパターン６０８において、パターン部６０８ａが、図１９（Ａ）に示した上層シールド接続層２０８ａの部分に対応し、パターン部６０８ｂが、図１９（Ａ）に示した上層シールド接続層２０８ｂの部分に対応している。尚、パターン部６０８ａ，６０８ｂは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン６０８を用いることで、上層シールド接続層２０８ａ，２０８ｂが、同時にパターニングされ、形成される。
【０１１８】
図２０は第２の実施の形態に係る上層シールド配線層の形成工程の説明図である。図２０（Ａ）は上層シールド配線層の形成まで行った状態の要部斜視図、図２０（Ｂ）は上層シールド配線層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１１９】
上層シールド接続層２０８ａ，２０８ｂの形成後は、図２０（Ａ）に示すように、上層シールド接続層２０８ａ，２０８ｂ上にそれぞれ、平板状の上層シールド配線層２０９ａ，２０９ｂを形成する。上層シールド配線層２０９ａ，２０９ｂはそれぞれ、上下層兼用シールド配線層２０５の第１配線層部分２０５ａ、第２配線層部分２０５ｂに対向するように、上層シールド接続層２０８ａ，２０８ｂ上に、形成（積層）される。上層シールド配線層２０９ａ，２０９ｂはそれぞれ、信号線２０，４０の上側をシールドする層として形成される。
【０１２０】
尚、上層シールド接続層２０８ａ，２０８ｂはそれぞれ、上層シールド配線層２０９ａ，２０９ｂの縁部に沿ってその下方に積層された構造となる。サイドシールド配線層２０７ａ，２０７ｂは、上層シールド接続層２０８ａ，２０８ｂに沿ってその下方に積層された構造となる。下層シールド接続層２０６ａ，２０６ｂは、サイドシールド配線層２０７ａ，２０７ｂに沿ってその下方に積層された構造となる。上層シールド配線層２０９ａ，２０９ｂはそれぞれ、上層シールド接続層２０８ａ，２０８ｂ、サイドシールド配線層２０７ａ，２０７ｂ及び下層シールド接続層２０６ａ，２０６ｂによって、上下層兼用シールド配線層２０５に接続される。
【０１２１】
上層シールド配線層２０９ａ，２０９ｂはそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
上層シールド配線層２０９ａ，２０９ｂは、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図２０（Ｂ）に示すようなマスクパターン６０９を用いることができる。このマスクパターン６０９において、パターン部６０９ａが、図２０（Ａ）に示した上層シールド配線層２０９ａの部分に対応し、パターン部６０９ｂが、図２０（Ａ）に示した上層シールド配線層２０９ｂの部分に対応している。尚、パターン部６０９ａ，６０９ｂは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン６０９を用いることで、上層シールド配線層２０９ａ，２０９ｂがパターニングされ、形成される。
【０１２２】
以上述べた図１２〜図２０の工程により、図１１の信号線１０，２０，４０及び接続部３０を同軸構造とした同軸配線部１００Ｂ（図２０）が形成される。
この第２の実施の形態に係る同軸配線部１００Ｂでは，信号線４０と平行に延在される一対の信号線２０同士が、信号線接続層３１，３３及びブリッジ配線層３２（接続部３０）、並びに信号線４０の下側に配置される信号線１０を介して、接続される。同軸配線部１００Ｂでは、信号線４０が同軸構造とされ、且つ、信号線１０，２０とそれらを接続する接続部３０も同軸構造とされる。それにより、信号線４０や、信号線１０，２０と接続部３０を伝送される信号（高周波信号等）の、同軸配線部１００Ｂの周囲からの、或いは周囲への、電磁気的な影響を効果的に抑制することが可能になる。また、上記第１の実施の形態に係る同軸配線部１００Ａと同様、この第２の実施の形態に係る同軸配線部１００Ｂでも、比較的少ない層数で、信号線（同軸配線）を、同軸構造を維持した状態で交差させることができる。それにより、同軸配線を含む多層配線の回路設計自由度の向上を図ることが可能になる。
【０１２３】
尚、以上の説明では、同軸配線部１００Ｂとして、上層側の一方の信号線２０を、一旦下層側の信号線１０へ接続部３０で引き下げ、その信号線１０から再び上層側の他方の信号線２０へ接続部３０で引き上げることで、信号線４０と交差させる構造を例示した。このほか、形成する多層配線の回路パターンによっては、上層側の信号線２０から接続部３０で引き下げられた下層側の信号線１０を、上層側へ引き上げず、その層内で引き回すようにしてもよい。
【０１２４】
また、以上の説明では、下層側の信号線１０を第１方向Ｓに延在させ、上層側の信号線２０，４０をいずれも第２方向Ｔに延在させる場合の同軸配線部１００Ｂを例示した。このほか、信号線１０，２０の延在方向が同じ場合、例えば、信号線２０が信号線１０と同じ第１方向Ｓに延在され、信号線４０のみが第２方向Ｔに延在されるような場合であっても、上記同様の同軸配線部を形成することが可能である。
【０１２５】
次に、第３の実施の形態について説明する。
第３の実施の形態では、同軸構造を有しない配線（信号線）と交差する同軸配線部を含む多層配線とその形成方法の一例を、図２１〜図２８を参照して説明する。
【０１２６】
図２１は第３の実施の形態に係る同軸配線部の信号線の配置例を示す図である。便宜上、図２１では、多層配線内で信号線の周囲及び信号線同士を接続する接続部の周囲に設けるシールド部、並びに、多層配線内の信号線、接続部及びシールド部等の導電部を被覆する層間絶縁膜等の絶縁部については、図示を省略している。
【０１２７】
図２１の例では、下層で第１方向Ｓに延びる一対の信号線１０が、それぞれ信号線接続層（ビア）５０を介して、上層で第１方向Ｓに延びる信号線２０に接続され、一対の信号線１０の間に、第２方向Ｔに延びる信号線４０が延在されている。信号線４０は、ここでは、同軸構造を有しない信号線とする。
【０１２８】
第３の実施の形態では、このような信号線４０を乗り越えるように接続された、信号線１０，２０及び信号線接続層５０を、同軸構造となるように形成する。その形成方法の一例を、図２２〜図２８を参照して順に説明していく。尚、便宜上、図２２〜図２８の各（Ａ）の図では、絶縁部の図示を省略している。
【０１２９】
図２２は第３の実施の形態に係る下層シールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。図２２（Ａ）は下層シールド配線層及び信号線の要部斜視図、図２２（Ｂ）は下層シールド配線層及び信号線の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１３０】
まず図２２（Ａ）に示すように、一対の平板状の下層シールド配線層３０１ａ、及びそれらの間に、同軸構造を有しない信号線４０を形成する。この例では、一対の下層シールド配線層３０１ａを第１方向Ｓに延在させ、信号線４０を第２方向Ｔに延在させる。一対の下層シールド配線層３０１ａはそれぞれ、後述のように第１方向Ｓに延在される信号線１０の下側をシールドする層として形成される。
【０１３１】
下層シールド配線層３０１ａ及び信号線４０はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【０１３２】
下層シールド配線層３０１ａは、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図２２（Ｂ）に示すようなマスクパターン７０１を用いることができる。このマスクパターン７０１において、パターン部７０１ａが、図２２（Ａ）に示した下層シールド配線層３０１ａの部分に対応し、パターン部７０１ｃが、図２２（Ａ）に示した信号線４０の部分に対応している。尚、パターン部７０１ａ，７０１ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン７０１を用いることで、下層シールド配線層３０１ａ及び信号線４０が、同時にパターニングされ、形成される。
【０１３３】
図２３は第３の実施の形態に係る下層シールド接続層の形成工程の説明図である。図２３（Ａ）は下層シールド接続層の形成まで行った状態の要部斜視図、図２３（Ｂ）は下層シールド接続層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１３４】
下層シールド配線層３０１ａ及び信号線４０の形成後は、図２３（Ａ）に示すように、一対の下層シールド配線層３０１ａ上にそれぞれ、下層シールド接続層３０２ａを形成する。下層シールド接続層３０２ａは、下層シールド配線層３０１ａ上に、その縁部に沿って、第１方向Ｓの端部が平面Ｕ字状になるように、形成（積層）される。
【０１３５】
一対の下層シールド接続層３０２ａはそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
下層シールド接続層３０２ａは、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図２３（Ｂ）に示すようなマスクパターン７０２を用いることができる。このマスクパターン７０２において、パターン部７０２ａが、図２３（Ａ）に示した下層シールド接続層３０２ａの部分に対応している。尚、パターン部７０２ａは、遮光部や非反射部とされるか、又は透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン７０２を用いることで、下層シールド接続層３０２ａがパターニングされ、形成される。
【０１３６】
図２４は第３の実施の形態に係るサイド兼下層シールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。図２４（Ａ）はサイド兼下層シールド配線層及び信号線の形成まで行った状態の要部斜視図、図２４（Ｂ）はサイド兼下層シールド配線層及び信号線の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１３７】
下層シールド接続層３０２ａの形成後は、図２４（Ａ）に示すようなサイド兼下層シールド配線層３０３、及び一対の信号線１０を形成する。サイド兼下層シールド配線層３０３は、一対の下層シールド接続層３０２ａ上にそれぞれ、各下層シールド接続層３０２ａに沿って形成（積層）された第１配線層部分３０３ａを有する。更に、サイド兼下層シールド配線層３０３は、第１配線層部分３０３ａから延在されて、信号線４０の上方を通る、平板状の第２配線層部分３０３ｂを有している。一対の信号線１０は、このようなサイド兼下層シールド配線層３０３と同層で、その第１配線層部分３０３ａの内側に、第１配線層部分３０３ａから離間して、第１方向Ｓに延在されて形成される。
【０１３８】
サイド兼下層シールド配線層３０３の第１配線層部分３０３ａは、例えば、下層シールド接続層３０２ａの幅よりも大きな幅で、或いは下層シールド接続層３０２ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。
【０１３９】
サイド兼下層シールド配線層３０３の第１配線層部分３０３ａ（接続層）は、下層シールド接続層３０２ａ及び後述する中層シールド接続層３０４ａと共に信号線１０の側方をシールドする。サイド兼下層シールド配線層３０３の第２配線層部分３０３ｂは、後述のように上層側に形成される信号線２０の下側をシールドする。このようにサイド兼下層シールド配線層３０３は、下層側の信号線１０の側方をシールドし、且つ、上層側の信号線２０の下側をシールドする層として形成される。
【０１４０】
サイド兼下層シールド配線層３０３及び信号線１０はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【０１４１】
サイド兼下層シールド配線層３０３及び信号線１０は、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図２４（Ｂ）に示すようなマスクパターン７０３を用いることができる。このマスクパターン７０３において、パターン部７０３ａが、図２４（Ａ）に示したサイド兼下層シールド配線層３０３の第１配線層部分３０３ａに対応し、パターン部７０３ｂが、図２４（Ａ）に示した第２配線層部分３０３ｂに対応している。また、マスクパターン７０３のパターン部７０３ｃが、図２４（Ａ）に示した信号線１０の部分に対応している。尚、パターン部７０３ａ，７０３ｂ，７０３ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン７０３を用いることで、サイド兼下層シールド配線層３０３及び信号線１０が、同時にパターニングされ、形成される。
【０１４２】
図２５は第３の実施の形態に係る中層シールド接続層及び信号線接続層の形成工程の説明図である。図２５（Ａ）は中層シールド接続層及び信号線接続層の形成まで行った状態の要部斜視図、図２５（Ｂ）は中層シールド接続層及び信号線接続層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１４３】
サイド兼下層シールド配線層３０３及び信号線１０の形成後は、図２５（Ａ）に示すように、サイド兼下層シールド配線層３０３の縁部に沿って、第１配線層部分３０３ａと第２配線層部分３０３ｂとに跨って、中層シールド接続層３０４ａを形成（積層）する。更に、図２５（Ａ）に示すように、中層シールド接続層３０４ａの内側に、中層シールド接続層３０４ａと離間して、一対の信号線１０にそれぞれ接続された信号線接続層５０を形成（積層）する。
【０１４４】
中層シールド接続層３０４ａは、例えば、サイド兼下層シールド配線層３０３の第１配線層部分３０３ａの幅よりも小さな幅で、或いは第１配線層部分３０３ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。信号線接続層５０は、このような中層シールド接続層３０４ａと同層に、中層シールド接続層３０４ａと離間して、信号線１０上に形成される。
【０１４５】
中層シールド接続層３０４ａ及び信号線接続層５０はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【０１４６】
中層シールド接続層３０４ａ及び信号線接続層５０は、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図２５（Ｂ）に示すようなマスクパターン７０４を用いることができる。このマスクパターン７０４において、パターン部７０４ａが、図２５（Ａ）に示した中層シールド接続層３０４ａの部分に対応し、パターン部７０４ｃが、図２５（Ａ）に示した信号線接続層５０の部分に対応している。尚、パターン部７０４ａ，７０４ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン７０４を用いることで、中層シールド接続層３０４ａ及び信号線接続層５０が、同時にパターニングされ、形成される。
【０１４７】
また、図２５（Ｃ）に示すようなマスクパターン７０４を用いて、そのパターン部７０４ａ，７０４ｃに応じた形状の中層シールド接続層３０４ａ及び信号線接続層５０を形成することも可能である。
【０１４８】
図２６は第３の実施の形態に係るサイド兼上層シールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。図２６（Ａ）はサイド兼上層シールド配線層及び信号線の形成まで行った状態の要部斜視図、図２６（Ｂ）はサイド兼上層シールド配線層及び信号線の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１４９】
中層シールド接続層３０４ａ及び信号線接続層５０の形成後は、図２６（Ａ）に示すようなサイド兼上層シールド配線層３０５、及び信号線２０を形成する。
サイド兼上層シールド配線層３０５は、中層シールド接続層３０４ａ上に、一対の信号線接続層５０を共に囲んだ平面枠状（両端部が平面Ｕ字状）になるように形成（積層）された第１配線層部分３０５ａを有している。更に、サイド兼上層シールド配線層３０５は、第１配線層部分３０５ａから延在され、中層シールド接続層３０４ａ上に形成（積層）された、平板状の第２配線層部分３０５ｂを有している。信号線２０は、このようなサイド兼上層シールド配線層３０５と同層で、その第１配線層部分３０５ａの内側に、第１配線層部分３０５ａから離間して、第１方向Ｓに延在されて形成される。
【０１５０】
サイド兼上層シールド配線層３０５の第１配線層部分３０５ａは、例えば、中層シールド接続層３０４ａの幅よりも大きな幅で、或いは中層シールド接続層３０４ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。サイド兼上層シールド配線層３０５の第２配線層部分３０５ｂは、下層シールド配線層３０１ａに対向して形成される。
【０１５１】
サイド兼上層シールド配線層３０５の第１配線層部分３０５ａ（接続層）は、中層シールド接続層３０４ａ及び後述する上層シールド接続層３０６ａと共に信号線２０の側方をシールドする。サイド兼上層シールド配線層３０５の第２配線層部分３０５ｂは、下層側の信号線１０の上側をシールドする。このようにサイド兼上層シールド配線層３０５は、上層側の信号線２０の側方をシールドし、且つ、下層側の信号線１０の上側をシールドする層として形成される。
【０１５２】
サイド兼上層シールド配線層３０５及び信号線２０はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【０１５３】
サイド兼上層シールド配線層３０５及び信号線２０は、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図２６（Ｂ）に示すようなマスクパターン７０５を用いることができる。このマスクパターン７０５において、パターン部７０５ａが、図２６（Ａ）に示したサイド兼上層シールド配線層３０５の第１配線層部分３０５ａに対応し、パターン部７０５ｂが、図２６（Ａ）に示した第２配線層部分３０５ｂに対応している。また、マスクパターン７０５のパターン部７０５ｃが、図２６（Ａ）に示した信号線２０の部分に対応している。尚、パターン部７０５ａ，７０５ｂ，７０５ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン７０５を用いることで、サイド兼上層シールド配線層３０５及び信号線２０が、同時にパターニングされ、形成される。
【０１５４】
また、図２６（Ｃ）に示すようなマスクパターン７０５を用いて、そのパターン部７０５ａ，７０５ｂ，７０５ｃに応じた形状のサイド兼上層シールド配線層３０５及び信号線２０を形成することも可能である。
【０１５５】
図２７は第３の実施の形態に係る上層シールド接続層の形成工程の説明図である。図２７（Ａ）は上層シールド接続層の形成まで行った状態の要部斜視図、図２７（Ｂ）は上層シールド接続層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１５６】
サイド兼上層シールド配線層３０５及び信号線２０の形成後は、図２７（Ａ）に示すように、サイド兼上層シールド配線層３０５の少なくとも第１配線層部分３０５ａ上に、平面枠状（両端部が平面Ｕ字状）になるように、上層シールド接続層３０６ａを形成（積層）する。上層シールド接続層３０６ａは、例えば、第１配線層部分３０５ａの幅よりも小さな幅で、或いは第１配線層部分３０５ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。
【０１５７】
上層シールド接続層３０６ａは、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
上層シールド接続層３０６ａは、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図２７（Ｂ）に示すようなマスクパターン７０６を用いることができる。このマスクパターン７０６において、パターン部７０６ａが、図２７（Ａ）に示した上層シールド接続層３０６ａの部分に対応している。尚、パターン部７０６ａは、遮光部や非反射部とされるか、又は透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン７０６を用いることで、上層シールド接続層３０６ａがパターニングされ、形成される。
【０１５８】
また、図２７（Ｃ）に示すようなマスクパターン７０６を用いて、そのパターン部７０６ａに応じた形状の上層シールド接続層３０６ａを形成することも可能である。
図２８は第３の実施の形態に係る上層シールド配線層の形成工程の説明図である。図２８（Ａ）は上層シールド配線層の形成まで行った状態の要部斜視図、図２８（Ｂ）は上層シールド配線層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１５９】
上層シールド接続層３０６ａの形成後は、図２８（Ａ）に示すように、上層シールド接続層３０６ａ上に、平板状の上層シールド配線層３０７ａを形成する。上層シールド配線層３０７ａは、サイド兼下層シールド配線層３０３に対向するように、上層シールド接続層３０６ａ上に形成（積層）される。上層シールド配線層３０７ａは、信号線２０の上側をシールドする層として形成される。
【０１６０】
上層シールド配線層３０７ａは、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
上層シールド配線層３０７ａは、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図２８（Ｂ）に示すようなマスクパターン７０７を用いることができる。このマスクパターン７０７において、パターン部７０７ａが、図２８（Ａ）に示した上層シールド配線層３０７ａの部分に対応している。尚、パターン部７０７ａは、遮光部や非反射部とされるか、又は透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン７０７を用いることで、上層シールド配線層３０７ａがパターニングされ、形成される。
【０１６１】
以上述べた図２２〜図２８の工程により、図２１の信号線１０，２０及び信号線接続層５０を同軸構造とした同軸配線部１００Ｃ（図２８）が形成される。
この第３の実施の形態に係る同軸配線部１００Ｃによれば、信号線１０，２０及び信号線接続層５０を、同軸構造を維持した状態で、信号線４０と交差させることができ、同軸配線部１００Ｃの周囲からの又は周囲への電磁気的影響が効果的に抑制可能になる。更に、同軸配線部１００Ｃでは、信号線１０，２０のシールドに、サイド兼下層シールド配線層３０３及びサイド兼上層シールド配線層３０５を用いる。それにより、異なる層に延在される信号線１０，２０の、信号線接続層５０を含む同軸構造を、いっそう少ない層数で実現することが可能になっている。従って、同軸配線を含む多層配線の回路設計自由度のいっそうの向上を図ることが可能になる。
【０１６２】
尚、以上の説明では、同軸配線部１００Ｃとして、下層側の一方の信号線１０を、上層側の信号線２０へ信号線接続層５０で引き上げ、その信号線２０から下層側の他方の信号線１０へ信号線接続層５０で引き下げることで、信号線４０と交差させる構造を例示した。このほか、形成する多層配線の回路パターンによっては、下層側の信号線１０から信号線接続層５０で引き上げられた上層側の信号線２０を、下層側へ引き下げず、その層内で引き回すようにしてもよい。
【０１６３】
また、以上の説明では、下層側の信号線１０と上層側の信号線２０を第１方向Ｓに延在させ、下層側の信号線４０を第２方向Ｔに延在させる場合の同軸配線部１００Ｃを例示した。このほか、信号線１０，２０の延在方向が異なる場合、例えば、信号線１０が信号線４０と同じ第２方向Ｔに延在され、信号線２０が第１方向Ｓに延在されるような場合であっても、上記同様の同軸配線部を形成することが可能である。
【０１６４】
次に、第４の実施の形態について説明する。
第４の実施の形態では、上記第３の実施の形態と同様に、同軸構造を有しない配線（信号線）と交差する同軸配線部を含む多層配線とその形成方法の別例を、図２９〜図３６を参照して説明する。
【０１６５】
図２９は第４の実施の形態に係る同軸配線部の信号線の配置例を示す図である。便宜上、図２９では、多層配線内で信号線の周囲及び信号線同士を接続する接続部の周囲に設けるシールド部、並びに、多層配線内の信号線、接続部及びシールド部等の導電部を被覆する層間絶縁膜等の絶縁部については、図示を省略している。
【０１６６】
図２９の例では、下層で第１方向Ｓに延びる信号線１０が、一対の信号線接続層（ビア）５０を介して、上層の第２方向Ｔに延びる一対の信号線２０に接続され、一対の信号線２０の間に、第２方向Ｔに延びる信号線４０が延在されている。信号線４０は、ここでは、同軸構造を有しない信号線とする。
【０１６７】
第４の実施の形態では、このような信号線４０の下を潜るように引き回された、信号線１０，２０及び信号線接続層５０を、同軸構造となるように形成する。その形成方法の一例を、図３０〜図３６を参照して順に説明していく。尚、便宜上、図３０〜図３６の各（Ａ）の図では、絶縁部の図示を省略している。
【０１６８】
図３０は第４の実施の形態に係る下層シールド配線層の形成工程の説明図である。図３０（Ａ）は下層シールド配線層の要部斜視図、図３０（Ｂ）は下層シールド配線層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１６９】
まず図３０（Ａ）に示すように、第１方向Ｓに延在する、平板状の下層シールド配線層４０１ａを形成する。下層シールド配線層４０１ａは、後述のように第１方向Ｓに延在される信号線１０の下側をシールドする層として形成される。
【０１７０】
下層シールド配線層４０１ａは、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
下層シールド配線層４０１ａは、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図３０（Ｂ）に示すようなマスクパターン８０１を用いることができる。このマスクパターン８０１において、パターン部８０１ａが、図３０（Ａ）に示した下層シールド配線層４０１ａの部分に対応している。尚、パターン部８０１ａは、遮光部や非反射部とされるか、又は透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン８０１を用いることで、下層シールド配線層４０１ａがパターニングされ、形成される。
【０１７１】
図３１は第４の実施の形態に係る下層シールド接続層の形成工程の説明図である。図３１（Ａ）は下層シールド接続層の形成まで行った状態の要部斜視図、図３１（Ｂ）は下層シールド接続層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１７２】
下層シールド配線層４０１ａの形成後は、図３１（Ａ）に示すように、下層シールド配線層４０１ａ上に、その縁部に沿って、平面枠状（両端部が平面Ｕ字状）になるように、下層シールド接続層４０２ａを形成（積層）する。
【０１７３】
下層シールド接続層４０２ａは、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
下層シールド接続層４０２ａは、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図３１（Ｂ）に示すようなマスクパターン８０２を用いることができる。このマスクパターン８０２において、パターン部８０２ａが、図３１（Ａ）に示した下層シールド接続層４０２ａの部分に対応している。尚、パターン部８０２ａは、遮光部や非反射部とされるか、又は透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン８０２を用いることで、下層シールド接続層４０２ａがパターニングされ、形成される。
【０１７４】
図３２は第４の実施の形態に係るサイド兼下層シールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。図３２（Ａ）はサイド兼下層シールド配線層及び信号線の形成まで行った状態の要部斜視図、図３２（Ｂ）はサイド兼下層シールド配線層及び信号線の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１７５】
下層シールド接続層４０２ａの形成後は、図３２（Ａ）に示すようなサイド兼下層シールド配線層４０３、及び信号線１０を形成する。サイド兼下層シールド配線層４０３は、下層シールド接続層４０２ａ上に、下層シールド接続層４０２ａに沿って形成（積層）された第１配線層部分４０３ａと、第１配線層部分４０３ａから延在された平板状の第２配線層部分４０３ｂとを有している。信号線１０は、このようなサイド兼下層シールド配線層４０３と同層で、その第１配線層部分４０３ａの内側に、第１配線層部分４０３ａから離間して、第１方向Ｓに延在されて形成される。
【０１７６】
サイド兼下層シールド配線層４０３の第１配線層部分４０３ａは、例えば、下層シールド接続層４０２ａの幅よりも大きな幅で、或いは下層シールド接続層４０２ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。
【０１７７】
サイド兼下層シールド配線層４０３の第１配線層部分４０３ａ（接続層）は、下層シールド接続層４０２ａ及び後述する中層シールド接続層４０４ａと共に信号線１０の側方をシールドする。サイド兼下層シールド配線層４０３の第２配線層部分４０３ｂは、後述のように上層側に形成される信号線２０の下側をシールドする。このようにサイド兼下層シールド配線層４０３は、下層側の信号線１０の側方をシールドし、且つ、上層側の信号線２０の下側をシールドする層として形成される。
【０１７８】
サイド兼下層シールド配線層４０３及び信号線１０はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【０１７９】
サイド兼下層シールド配線層４０３及び信号線１０は、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図３２（Ｂ）に示すようなマスクパターン８０３を用いることができる。このマスクパターン８０３において、パターン部８０３ａが、図３２（Ａ）に示したサイド兼下層シールド配線層４０３の第１配線層部分４０３ａに対応し、パターン部８０３ｂが、図３２（Ａ）に示した第２配線層部分４０３ｂに対応している。また、マスクパターン８０３のパターン部８０３ｃが、図３２（Ａ）に示した信号線１０の部分に対応している。尚、パターン部８０３ａ，８０３ｂ，８０３ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン８０３を用いることで、サイド兼下層シールド配線層４０３及び信号線１０が、同時にパターニングされ、形成される。
【０１８０】
図３３は第４の実施の形態に係る中層シールド接続層及び信号線接続層の形成工程の説明図である。図３３（Ａ）は中層シールド接続層及び信号線接続層の形成まで行った状態の要部斜視図、図３３（Ｂ）は中層シールド接続層及び信号線接続層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１８１】
サイド兼下層シールド配線層４０３及び信号線１０の形成後は、図３３（Ａ）に示すように、サイド兼下層シールド配線層４０３の縁部に沿って、第１配線層部分４０３ａと第２配線層部分４０３ｂとに跨って、中層シールド接続層４０４ａを形成（積層）する。更に、図３３（Ａ）に示すように、中層シールド接続層４０４ａの内側に、中層シールド接続層４０４ａと離間して、信号線１０に接続された一対の信号線接続層５０を形成（積層）する。
【０１８２】
中層シールド接続層４０４ａは、例えば、サイド兼下層シールド配線層４０３の第１配線層部分４０３ａの幅よりも小さな幅で、或いは第１配線層部分４０３ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。信号線接続層５０は、このような中層シールド接続層４０４ａと同層に、中層シールド接続層４０４ａと離間して、信号線１０上に形成される。
【０１８３】
中層シールド接続層４０４ａ及び信号線接続層５０はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【０１８４】
中層シールド接続層４０４ａ及び信号線接続層５０は、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図３３（Ｂ）に示すようなマスクパターン８０４を用いることができる。このマスクパターン８０４において、パターン部８０４ａが、図３３（Ａ）に示した中層シールド接続層４０４ａの部分に対応し、パターン部８０４ｃが、図３３（Ａ）に示した信号線接続層５０の部分に対応している。尚、パターン部８０４ａ，８０４ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン８０４を用いることで、中層シールド接続層４０４ａ及び信号線接続層５０が、同時にパターニングされ、形成される。
【０１８５】
図３４は第４の実施の形態に係るサイド兼上層シールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。図３４（Ａ）はサイド兼上層シールド配線層及び信号線の形成まで行った状態の要部斜視図、図３４（Ｂ）はサイド兼上層シールド配線層及び信号線の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１８６】
中層シールド接続層４０４ａ及び信号線接続層５０の形成後は、図３４（Ａ）に示すようなサイド兼上層シールド配線層４０５、及び一対の信号線２０を形成する。サイド兼上層シールド配線層４０５は、中層シールド接続層４０４ａ上に、信号線接続層５０を囲むように、端部が平面Ｕ字状になるように形成（積層）された第１配線層部分４０５ａを有している。更に、サイド兼上層シールド配線層４０５は、第１配線層部分４０５ａから延在され、中層シールド接続層４０４ａ上に形成（積層）された、平板状の第２配線層部分４０５ｂを有している。一対の信号線２０はそれぞれ、このようなサイド兼上層シールド配線層４０５と同層で、その第１配線層部分４０５ａの内側に、第１配線層部分４０５ａから離間して、第２方向Ｔに延在されて形成される。
【０１８７】
サイド兼上層シールド配線層４０５の第１配線層部分４０５ａは、例えば、中層シールド接続層４０４ａの幅よりも大きな幅で、或いは中層シールド接続層４０４ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。サイド兼上層シールド配線層４０５の第２配線層部分４０５ｂは、下層シールド配線層４０１ａに対向して形成される。
【０１８８】
サイド兼上層シールド配線層４０５の第１配線層部分４０５ａ（接続層）は、中層シールド接続層４０４ａ及び後述する上層シールド接続層４０６ａと共に信号線２０の側方をシールドする。サイド兼上層シールド配線層４０５の第２配線層部分４０５ｂは、下層側の信号線１０の上側をシールドする。このようにサイド兼上層シールド配線層４０５は、上層側の信号線２０の側方をシールドし、且つ、下層側の信号線１０の上側をシールドする層として形成される。
【０１８９】
サイド兼上層シールド配線層４０５及び信号線２０はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【０１９０】
サイド兼上層シールド配線層４０５及び信号線２０は、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図３４（Ｂ）に示すようなマスクパターン８０５を用いることができる。このマスクパターン８０５において、パターン部８０５ａが、図３４（Ａ）に示したサイド兼上層シールド配線層４０５の第１配線層部分４０５ａに対応し、パターン部８０５ｂが、図３４（Ａ）に示した第２配線層部分４０５ｂに対応している。また、マスクパターン８０５のパターン部８０５ｃが、図３４（Ａ）に示した信号線２０の部分に対応している。尚、パターン部８０５ａ，８０５ｂ，８０５ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン８０５を用いることで、サイド兼上層シールド配線層４０５及び信号線２０が、同時にパターニングされ、形成される。
【０１９１】
図３５は第４の実施の形態に係る上層シールド接続層の形成工程の説明図である。図３５（Ａ）は上層シールド接続層の形成まで行った状態の要部斜視図、図３５（Ｂ）は上層シールド接続層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１９２】
サイド兼上層シールド配線層４０５及び信号線２０の形成後は、図３５（Ａ）に示すように、サイド兼上層シールド配線層４０５の一対の第１配線層部分４０５ａ上にそれぞれ、端部が平面Ｕ字状になるように、上層シールド接続層４０６ａを形成（積層）する。上層シールド接続層４０６ａは、例えば、第１配線層部分４０５ａの幅よりも小さな幅で、或いは第１配線層部分４０５ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。
【０１９３】
上層シールド接続層４０６ａは、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
上層シールド接続層４０６ａは、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図３５（Ｂ）に示すようなマスクパターン８０６を用いることができる。このマスクパターン８０６において、パターン部８０６ａが、図３５（Ａ）に示した上層シールド接続層４０６ａの部分に対応している。尚、パターン部８０６ａは、遮光部や非反射部とされるか、又は透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン８０６を用いることで、上層シールド接続層４０６ａがパターニングされ、形成される。
【０１９４】
図３６は第４の実施の形態に係る上層シールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。図３６（Ａ）は上層シールド配線層及び信号線の形成まで行った状態の要部斜視図、図３６（Ｂ）は上層シールド配線層及び信号線の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１９５】
上層シールド接続層４０６ａの形成後は、図３６（Ａ）に示すように、一対の上層シールド接続層４０６ａ上にそれぞれ、第２方向Ｔに延在する、平板状の上層シールド配線層４０７ａを形成する。上層シールド配線層４０７ａは、サイド兼下層シールド配線層４０３に対向するように、上層シールド接続層４０６ａ上に形成（積層）される。上層シールド配線層４０７ａは、信号線２０の上側をシールドする層として形成される。更に、図３６（Ａ）に示すように、一対の上層シールド配線層４０７ａの間に、第２方向Ｔに延在する、同軸構造を有しない信号線４０を形成する。
【０１９６】
上層シールド配線層４０７ａ及び信号線４０はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【０１９７】
上層シールド配線層４０７ａ及び信号線４０は、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図３６（Ｂ）に示すようなマスクパターン８０７を用いることができる。このマスクパターン８０７において、パターン部８０７ａが、図３６（Ａ）に示した上層シールド配線層４０７ａの部分に対応し、パターン部８０７ｃが、図３６（Ａ）に示した信号線４０の部分に対応している。尚、パターン部８０７ａ，８０７ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン８０７を用いることで、上層シールド配線層４０７ａ及び信号線４０が、同時にパターニングされ、形成される。
【０１９８】
以上述べた図３０〜図３６の工程により、図２９の信号線１０，２０及び信号線接続層５０を同軸構造とした同軸配線部１００Ｄ（図３６）が形成される。
この第４の実施の形態に係る同軸配線部１００Ｄによっても、上記第３の実施の形態同様、同軸配線部１００Ｄの周囲からの又は周囲への電磁気的影響が効果的に抑制される同軸配線を含む多層配線の、回路設計自由度の向上を図ることが可能になる。
【０１９９】
尚、以上の説明では、同軸配線部１００Ｄとして、上層側の一方の信号線２０を、下層側の信号線１０へ信号線接続層５０で引き下げ、その信号線１０から上層側の他方の信号線２０へ信号線接続層５０で引き上げることで、信号線４０と交差させる構造を例示した。このほか、形成する多層配線の回路パターンによっては、上層側の信号線２０から信号線接続層５０で引き下げられた下層側の信号線１０を、上層側へ引き上げず、その層内で引き回すようにしてもよい。
【０２００】
また、以上の説明では、下層側の信号線１０を第１方向Ｓに延在させ、上層側の信号線２０，４０をいずれも第２方向Ｔに延在させる場合の同軸配線部１００Ｄを例示した。このほか、信号線１０，２０の延在方向が同じ場合、例えば、信号線２０が信号線１０と同じ第１方向Ｓに延在され、信号線４０のみが第２方向Ｔに延在されるような場合であっても、上記同様の同軸配線部を形成することが可能である。
【０２０１】
以上、多層配線内に設ける同軸配線部の例について説明した。以上の説明では、多層配線内の異なる層（上下層）に設けられる信号線とそれらを接続する接続部（ビア）とを同軸構造とする場合を例示した。これにより、上下層の信号線のほか、接続部もシールドされるため、同軸配線部の、周囲からの、又は周囲への、電磁気的影響が効果的に抑制されるようになる。
【０２０２】
尚、このように接続部をシールドすることによる、同軸配線部の周囲からの又は周囲への電磁気的影響の抑制効果は、上下層の信号線を接続する接続部に限らない。例えば、多層配線内のある信号線と、多層配線下の半導体基板に形成されるトランジスタ等の素子とを接続する接続部とを共に同軸構造とすることで、同様の効果を得ることが可能である。
【０２０３】
図３７は第５の実施の形態に係る同軸配線部の一例を示す図である。便宜上、図３７（Ａ）では、多層配線内で信号線の周囲及び信号線同士を接続する接続部の周囲に設けるシールド部、並びに、多層配線内の信号線、接続部及びシールド部等の導電部を被覆する層間絶縁膜等の絶縁部については、図示を省略している。また、便宜上、図３７（Ｂ）では、絶縁部の図示を省略している。
【０２０４】
図３７（Ａ）に示すように、接続部１２０と信号線２０とを、接続層３１ｅ、ブリッジ配線層３２、及び信号線接続層３３を介して接続する。接続部１２０は、半導体基板に形成されたトランジスタに接続されているプラグ等とすることができる。そのような接続部１２０に接続される、接続層３１ｅ、ブリッジ配線層３２、信号線接続層３３及び信号線２０を、同軸構造となるように形成することで、上記のような、周囲からの又は周囲への電磁気的影響の抑制効果を得ることが可能になる。
【０２０５】
この場合、図３７（Ｂ）に示すように、接続部１２０上に形成（積層）された接続層３１ｅと同層に、それを囲む平面枠状のシールド接続層１０４ｅが形成される。このシールド接続層１０４ｅ上には、下層シールド配線層１０５ｅが形成される。下層シールド配線層１０５ｅは、シールド接続層１０４ｅ上に形成（積層）され、接続層３１ｅに対応する領域に開口部（上記開口部１０５ａａに相当）を有する平面枠状の第１配線層部分１０５ａと、第１配線層部分１０５ａから延在された第２配線層部分１０５ｂとを有している。下層シールド配線層１０５ｅの開口部には、接続層３１ｅ上に接続されたブリッジ配線層３２が形成（積層）される。
【０２０６】
そして、このような下層シールド配線層１０５ｅ上に、上記第１の実施の形態で述べたのと同様に、その開口部を囲むように下層シールド接続層１０６ａが形成（積層）され、開口部のブリッジ配線層３２上に、信号線接続層３３が形成（積層）される。下層シールド接続層１０６ａ上には、サイドシールド配線層１０７ａが形成（積層）され、その内側に信号線２０が形成される。サイドシールド配線層１０７ａ上には、上層シールド接続層１０８ａが形成（積層）され、その上に、上層シールド配線層１０９ａが形成される。
【０２０７】
これにより、接続部１２０に接続される、接続層３１ｅ、ブリッジ配線層３２、信号線接続層３３及び信号線２０を、同軸構造とした同軸配線部１００Ｅが得られる。このような同軸配線部１００Ｅにより、信号線２０のほか、信号線接続層３３、ブリッジ配線層３２及び接続層３１ｅがシールドされるため、伝送される信号（高周波信号等）の、周囲からの又は周囲への電磁気的影響を、効果的に抑制することが可能になる。
【０２０８】
尚、以上の説明では、信号線１０，２０と信号線４０との交差部を例示して説明した。上記第１の実施の形態に係る同軸配線部１００Ａにおける信号線１０，４０の、図示しない端部側については、図示した信号線１０，２０の端部の構造例に従い、別の同軸配線と接続することが可能である。また、上記第５の実施の形態に係る同軸配線部１００Ｅの例に従い、トランジスタ等に接続された接続部１２０と接続する構造とすることも可能である。また、上記第２の実施の形態に係る同軸配線部１００Ｂにおける信号線２０，４０の、図示しない端部側についても同様に、図示した信号線１０，２０の端部の構造例に従い、別の同軸配線と接続することが可能である。更にまた、上記第３，４の実施の形態に係る同軸配線部１００Ｃ，１００Ｄにおける、図示しない信号線端部を、図示した信号線端部の構造例に従い、別の同軸配線と接続することも可能である。
【０２０９】
以上述べた同軸配線部のうち、上記第１の実施の形態に係る同軸配線部１００Ａを含む半導体装置の一例を図３８に示す。図３８には半導体装置の一例の要部断面を模式的に図示している。
【０２１０】
図３８に示す半導体装置１は、半導体基板２及び多層配線３を含む。半導体基板２には、回路素子、例えばトランジスタ２ａが形成されている。このような半導体基板２上に、多層配線３が形成されている。多層配線３内には、同軸配線部１００Ａ、その他の配線３ａやビア３ｂ等が形成されている。同軸配線部１００Ａ、配線３ａ、ビア３ｂといった導電部は、層間絶縁膜等の絶縁部３ｃによって被覆されている。同軸配線部１００Ａは、例えば、その端部において、上記第５の実施の形態に係る同軸配線部１００Ｅのような構造を採用し、接続部１２０によって、トランジスタ２ａに接続される。
【０２１１】
多層配線３内に、同軸配線部１００Ａをはじめ、上述のような同軸配線部（１００Ｂ〜１００Ｅ）を設けることにより、多層配線３の回路設計自由度が高く、扱う信号（高周波信号等）の電磁気的影響が抑制された高性能の半導体装置１を実現することが可能になる。
【０２１２】
次に、以上述べたような同軸配線部に含まれる配線層（下層、サイド、上層の各シールド配線層、ブリッジ配線層、信号線）及び接続層（下層、中層、上層の各シールド接続層、信号線接続層）の形成方法について説明する。
【０２１３】
図３９〜図４１は配線層及び接続層の第１形成方法の説明図である。
この形成方法では、まず図３９（Ａ）に示すように、第１層間絶縁膜９００上に、ＡｌやＡｌ合金等の導電材料を用いて、第１導電膜９０１が形成される。次いで、図３９（Ｂ）に示すように、第１導電膜９０１上に、所定形状にパターニングされたレジストパターン１０００が形成される。このレジストパターン１０００をマスクにして第１導電膜９０１のエッチングが行われ、エッチング後、レジストパターン１０００が除去されることで、図３９（Ｃ）に示すような第１配線層９０１ａが形成される。尚、このような第１配線層９０１ａとしては、上記したシールド配線層や信号線のように、比較的広い（長い）領域に形成されるもののほか、上記したブリッジ配線層のように、比較的狭い（短い）領域に形成されるものを形成してもよい。
【０２１４】
第１配線層９０１ａの形成後は、図４０（Ａ）に示すように、第１層間絶縁膜９００上の第１配線層９０１ａを覆うように、第２層間絶縁膜９０２が形成され、図４０（Ｂ）に示すように、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）により平坦化される。そして、平坦化後の第２層間絶縁膜９０２に対し、図４０（Ｃ）に示すように、第１配線層９０１ａに達する凹部９０２ａが形成され、ＡｌやＡｌ合金、或いはタングステン（Ｗ）等の導電材料を用いて、第２導電膜９０３が形成される。尚、第２層間絶縁膜９０２に形成する凹部９０２ａとしては、上記した信号線接続層のように、比較的狭い（短い）領域に形成されるもののほか、上記したシールド接続層のように、比較的広い（長い）領域に形成されるものを形成してもよい。
【０２１５】
凹部９０２ａ内を含む第２層間絶縁膜９０２上に形成された第２導電膜９０３は、図４１（Ａ）に示すように、ＣＭＰにより、第２層間絶縁膜９０２が表出するまで除去される。これにより、所定形状の凹部９０２ａに第２導電膜９０３が埋め込まれ、接続層９０３ａが形成される。その後は、図４１（Ｂ）に示すように、第２層間絶縁膜９０２上に、ＡｌやＡｌ合金等の導電材料を用いて、第３導電膜９０４が形成され、更にその上に、所定形状にパターニングされたレジストパターン１００１が形成される。このレジストパターン１００１をマスクにして第３導電膜９０４のエッチングが行われ、エッチング後、レジストパターン１００１が除去されることで、図４１（Ｃ）に示すような第２配線層９０４ａが形成される。尚、このような第２配線層９０４ａとしては、上記したシールド配線層や信号線のように、比較的広い（長い）領域に形成されるもののほか、上記したブリッジ配線層のように、比較的狭い（短い）領域に形成されるものを形成してもよい。
【０２１６】
これより上層に更に別の接続層、配線層を形成する場合には、図４０（Ａ）以降の工程を繰り返す。
例えばこのような方法を用いて、多層配線内に上記のような同軸配線部１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ等を形成することが可能である。
【０２１７】
また、図４２〜図４４は配線層及び接続層の第２形成方法の説明図である。
この形成方法では、まず図４２（Ａ）に示すように、ダマシン法により、第１層間絶縁膜９１０内に、Ｃｕ等の導電材料を用いて、第１配線層９１１ａが形成される。尚、第１配線層９１１ａとしては、上記したシールド配線層や信号線のように、比較的広い（長い）領域に形成されるもののほか、上記したブリッジ配線層のように、比較的狭い（短い）領域に形成されるものを形成してもよい。第１配線層９１１ａの形成後は、図４２（Ｂ）に示すように、第１層間絶縁膜９１０上に第２層間絶縁膜９１２が形成され、接続層形成のために所定形状にパターニングされたレジストパターン１０１０が形成される。このレジストパターン１０１０をマスクにして第２層間絶縁膜９１２のエッチングが行われ、エッチング後、レジストパターン１０１０が除去されることで、図４２（Ｃ）に示すような凹部９１２ａが形成される。尚、凹部９１２ａとしては、上記した信号線接続層のように、比較的狭い（短い）領域に形成されるもののほか、上記したシールド接続層のように、比較的広い（長い）領域に形成されるものを形成してもよい。
【０２１８】
次いで、図４３（Ａ）に示すように、第２層間絶縁膜９１２上に、配線層形成のために所定形状にパターニングされたレジストパターン１０１１が形成される。このレジストパターン１０１１をマスクにして第２層間絶縁膜９１２のエッチングが行われ、エッチング後、レジストパターン１０１１が除去されることで、図４３（Ｂ）に示すような凹部９１２ｂが形成される。尚、凹部９１２ｂとしては、上記した信号線接続層のように、比較的狭い（短い）領域に形成されるもののほか、上記したシールド接続層のように、比較的広い（長い）領域に形成されるものを形成してもよい。このような凹部９１２ａ，９１２ｂの形成後、第２層間絶縁膜９１２上に、Ｃｕ等の導電材料を用いて導電膜が形成され、その導電膜が、ＣＭＰにより、第２層間絶縁膜９１２が表出するまで除去される。これにより、所定形状の凹部９１２ａ，９１２ｂに導電膜が埋め込まれ、図４３（Ｃ）に示すような接続層９１３ａ及び第２配線層９１３ｂが一括形成される。
【０２１９】
これにより上層に更に別の接続層、配線層を形成する場合には、図４２（Ｂ）以降の工程を繰り返す。
尚、ここでは、接続層９１３ａ用の凹部９１２ａの形成後、第２配線層９１３ｂ形成用の凹部９１２ｂを形成するようにしたが、形成順はこれに限定されない。例えば、まず図４４（Ａ）に示すように、第２層間絶縁膜９１２の形成後、第２配線層９１３ｂ形成のために所定形状にパターニングされたレジストパターン１０１１が形成される。そして、このレジストパターン１０１１をマスクにして第２層間絶縁膜９１２のエッチングが行われ、レジストパターン１０１１が除去されることで、図４４（Ｂ）に示すような凹部９１２ｂが形成される。その後、図４４（Ｃ）に示すように、接続層９１３ａのために所定形状にパターニングされたレジストパターン１０１０が形成される。これをマスクにして第２層間絶縁膜９１２のエッチングが行われることで、上記図４３（Ｂ）に示したような凹部９１２ａが形成される。このようにして形成された凹部９１２ｂ，９１２ａに、上記同様、導電膜を埋め込むことで、図４３（Ｃ）に示したような接続層９１３ａ及び配線層９１３ｂが一括形成される。
【０２２０】
これより上層に更に別の接続層、配線層を形成する場合には、図４２（Ｂ）以降、或いは図４４（Ａ）以降の工程を繰り返す。尚、上記の図４２及び図４３の手順で凹部９１２ａ，９１２ｂを形成した後、図４４（Ａ）以降の工程を行うようにしてもよい。
【０２２１】
例えばこのような方法を用いて、多層配線内に上記のような同軸配線部１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ等を形成することも可能である。
尚、以上の配線層（下層、サイド、上層の各シールド配線層、ブリッジ配線層、信号線）及び接続層（下層、中層、上層の各シールド接続層、信号線接続層）は、いずれも単層で図示されているが、各層を複数層で形成してもよい。例えば、配線層、接続層の側面及び下面、或いは更に上面に、チタン（Ｔｉ）やタンタル（Ｔａ）等の材料を用いて、バリア層、キャップ層等の層を設けることも可能である。
【０２２２】
以上説明した実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１） 絶縁部と、
前記絶縁部内に配置された同軸配線部と、
を有し、
前記同軸配線部は、
第１配線層と、
前記第１配線層上に積層された第１接続層と、
前記第１接続層に沿って積層された第２接続層と、
前記第２接続層の内側に該第２接続層と離間して配置された第１信号線と、
前記第２接続層に沿って積層された第３接続層と、
前記第１信号線に接続され、前記第３接続層の内側に該第３接続層と離間して配置された第１ビアと、
前記第１配線層に対向するように前記第３接続層に積層され前記第１ビアに対応する領域に開口部を備えた第１部分と、該第１部分から前記第３接続層外に延在された第２部分とを有する第２配線層と、
前記開口部の前記第１ビアに前記第１部分と離間して積層された第２ビアと、
前記第２ビアに積層された第３ビアと、
前記第３ビアを囲むように前記第１部分と前記第２部分とに跨って積層された第４接続層と、
前記第４接続層に沿って積層された第５接続層と、
前記第３ビアに接続され、前記第５接続層の内側に該第５接続層と離間して配置された第２信号線と、
前記第５接続層に沿って積層された第６接続層と、
前記第２配線層に対向するように前記第６接続層に積層された第３配線層と、
を含むことを特徴とする半導体装置。
【０２２３】
（付記２） 前記第１配線層と同層に該第１配線層と離間して配置された第４配線層と、
前記第１接続層と同層に設けられ、前記第４配線層上に積層された第７接続層と、
前記第２接続層と同層に設けられ、前記第７接続層に沿って積層された第８接続層と、
前記第８接続層の内側に該第８接続層と離間して配置された第３信号線と、
前記第３接続層と同層に設けられ、前記第８接続層に沿って積層された第９接続層と、
を更に含み、
前記第２配線層は、前記第２部分が前記第４配線層と対向するように前記第６接続層及び前記第９接続層に積層されることを特徴とする付記１に記載の半導体装置。
【０２２４】
（付記３） 前記第１配線層の延在方向の一端部に積層される前記第１接続層、前記第２接続層及び前記第３接続層は、前記一端部側が閉じ他端部側が開口した平面Ｕ字状の第１のＵ字状部を有し、
前記第２部分は、前記第１のＵ字状部の開口側と異なる側に延在されることを特徴とする付記１又は２に記載の半導体装置。
【０２２５】
（付記４） 前記第４接続層、前記第５接続層及び前記第６接続層は、前記第３ビアを囲むように、前記第１のＵ字状部の開口側と異なる側が開口した平面Ｕ字状の第２のＵ字状部を有することを特徴とする付記３に記載の半導体装置。
【０２２６】
（付記５） 前記第２信号線と前記第３信号線とが、互いに交差する方向に延在されることを特徴とする付記２乃至４のいずれかに記載の半導体装置。
（付記６） 前記絶縁部及び前記同軸配線部は、トランジスタが設けられた半導体基板の上方に設けられ、
前記第１信号線は、前記第２信号線よりも前記半導体基板に近い下層側に設けられることを特徴とする付記１乃至５のいずれかに記載の半導体装置。
【０２２７】
（付記７） 前記絶縁部及び前記同軸配線部は、トランジスタが設けられた半導体基板の上方に設けられ、
前記第１信号線は、前記第２信号線よりも前記半導体基板から遠い上層側に設けられることを特徴とする付記１乃至５のいずれかに記載の半導体装置。
【０２２８】
（付記８） 絶縁部と、
前記絶縁部内に配置された同軸配線部と、
を有し、
前記同軸配線部は、
第１配線層と、
前記第１配線層上に積層された第１接続層と、
前記第１接続層に沿って積層された第１部分と、該第１部分から前記第１接続層外に延在された第２部分とを有する第２配線層と、
前記第１部分の内側に該第１部分と離間して配置された第１信号線と、
前記第２配線層上に積層された第２接続層と、
前記第１信号線に接続され、前記第２接続層と離間して配置された第１ビアと、
前記第１ビアを囲むように前記第２接続層に積層された第３部分と、該第３部分から延在され前記第１配線層に対向するように前記第２接続層に積層された第４部分とを有する第３配線層と、
前記第１ビアに接続され、前記第３部分の内側に該第３部分と離間して配置された第２信号線と、
前記第３部分に沿って積層された第３接続層と、
前記第２配線層に対向するように前記第３接続層に積層された第４配線層と、
を含むことを特徴とする半導体装置。
【０２２９】
（付記９） 前記第１配線層と同層に該第１配線層と離間して配置された第３信号線を更に含み、
前記第２配線層は、前記第２部分が前記第３信号線の少なくとも一部と対向するように設けられることを特徴とする付記８に記載の半導体装置。
【０２３０】
（付記１０） 前記第１配線層の延在方向の一端部に積層される前記第１接続層及び前記第１部分は、前記一端部側が閉じ他端部側が開口した平面Ｕ字状の第１のＵ字状部を有し、
前記第２部分は、前記第１のＵ字状部の開口側と異なる側に延在されることを特徴とする付記８又は９に記載の半導体装置。
【０２３１】
（付記１１） 前記第３部分及び前記第３接続層は、前記第１ビアを囲むように、前記第１のＵ字状部の開口側と異なる側が開口した平面Ｕ字状の第２のＵ字状部を有することを特徴とする付記１０に記載の半導体装置。
【０２３２】
（付記１２） 前記第２信号線と前記第３信号線とが、互いに交差する方向に延在されることを特徴とする付記９乃至１１のいずれかに記載の半導体装置。
（付記１３） 前記絶縁部及び前記同軸配線部は、半導体基板の上方に設けられ、前記第１信号線は、前記第２信号線よりも前記半導体基板に近い下層側に設けられることを特徴とする付記８乃至１２のいずれかに記載の半導体装置。
【０２３３】
（付記１４） 前記絶縁部及び前記同軸配線部は、半導体基板の上方に設けられ、前記第１信号線は、前記第２信号線よりも前記半導体基板から遠い上層側に設けられることを特徴とする付記８乃至１２のいずれかに記載の半導体装置。
【０２３４】
（付記１５） 絶縁部と、
前記絶縁部内に設けられた同軸配線部と、
を有し、
前記同軸配線部は、
第１ビアと、
前記第１ビアに積層された第２ビアと、
前記第２ビアを囲むように配置された第１接続層と、
前記第１接続層に積層され前記第２ビアに対応する領域に開口部を備えた第１部分と、該第１部分から前記第１接続層外に延在された第２部分とを有する第１配線層と、
前記開口部の前記第２ビアに前記第１部分と離間して積層された第３ビアと、
前記第３ビアに積層された第４ビアと、
前記第４ビアを囲むように前記第１部分と前記第２部分とに跨って積層された第２接続層と、
前記第２接続層に沿って積層された第３接続層と、
前記第４ビアに接続され、前記第３接続層の内側に該第３接続層と離間して設けられた第１信号線と、
前記第３接続層に沿って積層された第４接続層と、
前記第１配線層に対向するように前記第４接続層に積層された第２配線層と、
を含むことを特徴とする半導体装置。
【０２３５】
（付記１６） 前記絶縁部及び前記同軸配線部は、トランジスタが設けられた半導体基板の上方に設けられ、
前記第１ビアは、前記トランジスタに接続されることを特徴とする付記１５に記載の半導体装置。
【符号の説明】
【０２３６】
１ 半導体装置
２ 半導体基板
２ａ トランジスタ
３ 多層配線
３ａ 配線
３ｂ ビア
３ｃ 絶縁部
１０，２０，４０ 信号線
３０ 接続部
３１，３３ 信号線接続層
３１ｅ 接続層
３２ ブリッジ配線層
５０ 信号線接続層
１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅ 同軸配線部
１０１ａ，１０１ｂ，１０５ｅ，２０１ａ，３０１ａ，４０１ａ 下層シールド配線層
１０２ａ，１０２ｂ，２０２ａ，３０２ａ，４０２ａ 下層シールド接続層
１０３ａ，１０３ｂ，２０３ａ サイドシールド配線層
１０４ａ，１０４ｂ，２０４ａ 上層シールド接続層
１０４ｅ シールド接続層
１０５，２０５ 上下層兼用シールド配線層
１０５ａ，２０５ａ，３０３ａ，３０５ａ，４０３ａ，４０５ａ 第１配線層部分
１０５ａａ，２０５ａａ 開口部
１０５ｂ，２０５ｂ，３０３ｂ，３０５ｂ，４０３ｂ，４０５ｂ 第２配線層部分
１０６ａ，２０６ａ，２０６ｂ 下層シールド接続層
１０７ａ，２０７ａ，２０７ｂ サイドシールド配線層
１０８ａ，２０８ａ，２０８ｂ，３０６ａ，４０６ａ 上層シールド接続層
１０９ａ，２０９ａ，２０９ｂ，３０７ａ，４０７ａ 上層シールド配線層
１２０ 接続部
３０３，４０３ サイド兼下層シールド配線層
３０４ａ，４０４ａ 中層シールド接続層
３０５，４０５ サイド兼上層シールド配線層
５０１，５０２，５０３，５０４，５０５，５０６，５０７，５０８，５０９，６０１，６０２，６０３，６０４，６０５，６０６，６０７，６０８，６０９，７０１，７０２，７０３，７０４，７０５，７０６，７０７，８０１，８０２，８０３，８０４，８０５，８０６，８０７ マスクパターン
５０１ａ，５０１ｂ，５０２ａ，５０２ｂ，５０３ａ，５０３ｂ，５０３ｃ，５０４ａ，５０４ｂ，５０４ｃ，５０５ａ，５０５ｂ，５０５ｃ，５０６ａ，５０６ｃ，５０７ａ，５０７ｃ，５０８ａ，５０９ａ，６０１ａ，６０２ａ，６０３ａ，６０３ｃ，６０４ａ，６０４ｃ，６０５ａ，６０５ｂ，６０５ｃ，６０６ａ，６０６ｂ，６０６ｃ，６０７ａ，６０７ｂ，６０７ｃ，６０８ａ，６０８ｂ，６０９ａ，６０９ｂ，７０１ａ，７０１ｃ，７０２ａ，７０３ａ，７０３ｂ，７０３ｃ，７０４ａ，７０４ｃ，７０５ａ，７０５ｂ，７０５ｃ，７０６ａ，７０７ａ，８０１ａ，８０２ａ，８０３ａ，８０３ｂ，８０３ｃ，８０４ａ，８０４ｃ，８０５ａ，８０５ｂ，８０５ｃ，８０６ａ，８０７ａ，８０７ｃ パターン部
９００，９１０ 第１層間絶縁膜
９０１ 第１導電膜
９０１ａ，９１１ａ 第１配線層
９０２，９１２ 第２層間絶縁膜
９０２ａ，９１２ａ，９１２ｂ 凹部
９０３ 第２導電膜
９０３ａ，９１３ａ 接続層
９０４ 第３導電膜
９０４ａ，９１３ｂ 第２配線層
１０００，１００１，１０１０，１０１１ レジストパターン
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線を用いた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
多層配線を用いた半導体装置が広く利用されている。また、多層配線内の信号線を伝送される信号が、その信号線の周囲から電磁気的に影響を受け得る、或いは周囲へ電磁気的に影響を与え得ることを考慮し、多層配線内に信号線をシールドするための構造を設ける技術が知られている。例えば、信号線を、上層と下層の配線層、及び上下層の配線層間を接続する接続層（ビア）で囲み、所謂同軸配線を形成する技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−２３２１０３号公報
【特許文献２】特開２００２−１７６１０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
同軸配線を含む多層配線において、その同軸配線の上下層の配線層や信号線と同層に設けられる他の配線層は、その同軸配線と交差させることができず、回路設計に制約が生じる。これに対し、多層配線内の異なる層領域にそれぞれ同軸配線を設け、それらを繋ぐようにすると、その繋いだ同軸配線と他の配線層とを交差させることが可能になるため、回路設計自由度の一定の向上を図ることは可能になる。
【０００５】
このように多層配線内の異なる層領域に設けられた同軸配線同士を繋ぐ方法の１つに、一方の同軸配線内の信号線と、他方の同軸配線内の信号線とを、ビアを介して接続する方法がある。しかし、この場合、双方の信号線同士を接続するビアは、各信号線の周りをそれぞれ覆っているシールド部の外に引き出される構造になる。そのため、そのビアにシールドが施されていないと、ビアを伝送される信号が、周囲から電磁気的に影響を受けたり、周囲に電磁気的に影響を与えたりする恐れがある。
【０００６】
ビアにシールドが施されていないことによる、周囲からの、或いは周囲への、電磁気的な影響は、このような多層配線内の同軸配線同士を繋ぐビアに限らない。例えば、多層配線内の同軸配線と、多層配線下の半導体基板に形成されるトランジスタ等の素子とを繋ぐビアでも、同様に起こり得る。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一観点によれば、絶縁部と、前記絶縁部内に配置された同軸配線部と、を有し、前記同軸配線部は、第１配線層と、前記第１配線層上に積層された第１接続層と、前記第１接続層に沿って積層された第２接続層と、前記第２接続層の内側に該第２接続層と離間して配置された第１信号線と、前記第２接続層に沿って積層された第３接続層と、前記第１信号線に接続され、前記第３接続層の内側に該第３接続層と離間して配置された第１ビアと、前記第１配線層に対向するように前記第３接続層に積層され前記第１ビアに対応する領域に開口部を備えた第１部分と、該第１部分から前記第３接続層外に延在された第２部分とを有する第２配線層と、前記開口部の前記第１ビアに前記第１部分と離間して積層された第２ビアと、前記第２ビアに積層された第３ビアと、前記第３ビアを囲むように前記第１部分と前記第２部分とに跨って積層された第４接続層と、前記第４接続層に沿って積層された第５接続層と、前記第３ビアに接続され、前記第５接続層の内側に該第５接続層と離間して配置された第２信号線と、前記第５接続層に沿って積層された第６接続層と、前記第２配線層に対向するように前記第６接続層に積層された第３配線層と、を含む半導体装置が提供される。
【０００８】
また、本発明の一観点によれば、絶縁部と、前記絶縁部内に配置された同軸配線部と、を有し、前記同軸配線部は、第１配線層と、前記第１配線層上に積層された第１接続層と、前記第１接続層に沿って積層された第１部分と、該第１部分から前記第１接続層外に延在された第２部分とを有する第２配線層と、前記第１部分の内側に該第１部分と離間して配置された第１信号線と、前記第２配線層上に積層された第２接続層と、前記第１信号線に接続され、前記第２接続層と離間して配置された第１ビアと、前記第１ビアを囲むように前記第２接続層に積層された第３部分と、該第３部分から延在され前記第１配線層に対向するように前記第２接続層に積層された第４部分とを有する第３配線層と、前記第１ビアに接続され、前記第３部分の内側に該第３部分と離間して配置された第２信号線と、前記第３部分に沿って積層された第３接続層と、前記第２配線層に対向するように前記第３接続層に積層された第４配線層と、を含む半導体装置が提供される。
【０００９】
また、本発明の一観点によれば、絶縁部と、前記絶縁部内に設けられた同軸配線部と、を有し、前記同軸配線部は、第１ビアと、前記第１ビアに積層された第２ビアと、前記第２ビアを囲むように配置された第１接続層と、前記第１接続層に積層され前記第２ビアに対応する領域に開口部を備えた第１部分と、該第１部分から前記第１接続層外に延在された第２部分とを有する第１配線層と、前記開口部の前記第２ビアに前記第１部分と離間して積層された第３ビアと、前記第３ビアに積層された第４ビアと、前記第４ビアを囲むように前記第１部分と前記第２部分とに跨って積層された第２接続層と、前記第２接続層に沿って積層された第３接続層と、前記第４ビアに接続され、前記第３接続層の内側に該第３接続層と離間して設けられた第１信号線と、前記第３接続層に沿って積層された第４接続層と、前記第１配線層に対向するように前記第４接続層に積層された第２配線層と、を含む半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
開示の技術によれば、信号線とそれに接続されるビアを共に同軸構造とすることが可能になる。それにより、信号線及びビアを伝送される信号の、周囲からの、或いは周囲への、電磁気的影響を効果的に抑制することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施の形態に係る同軸配線部の信号線の配置例を示す図である。
【図２】第１の実施の形態に係る下層シールド配線層の形成工程の説明図である。
【図３】第１の実施の形態に係る下層シールド接続層の形成工程の説明図である。
【図４】第１の実施の形態に係る第１のサイドシールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。
【図５】第１の実施の形態に係る上層シールド接続層及び信号線接続層の形成工程の説明図である。
【図６】第１の実施の形態に係る上下層兼用シールド配線層及びブリッジ配線層の形成工程の説明図である。
【図７】第１の実施の形態に係る下層シールド接続層及び信号線接続層の形成工程の説明図である。
【図８】第１の実施の形態に係る第２のサイドシールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。
【図９】第１の実施の形態に係る上層シールド接続層の形成工程の説明図である。
【図１０】第１の実施の形態に係る上層シールド配線層の形成工程の説明図である。
【図１１】第２の実施の形態に係る同軸配線部の信号線の配置例を示す図である。
【図１２】第２の実施の形態に係る下層シールド配線層の形成工程の説明図である。
【図１３】第２の実施の形態に係る下層シールド接続層の形成工程の説明図である。
【図１４】第２の実施の形態に係る第１のサイドシールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。
【図１５】第２の実施の形態に係る上層シールド接続層及び信号線接続層の形成工程の説明図である。
【図１６】第２の実施の形態に係る上下層兼用シールド配線層及びブリッジ配線層の形成工程の説明図である。
【図１７】第２の実施の形態に係る下層シールド接続層及び信号線接続層の形成工程の説明図である。
【図１８】第２の実施の形態に係る第２のサイドシールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。
【図１９】第２の実施の形態に係る上層シールド接続層の形成工程の説明図である。
【図２０】第２の実施の形態に係る上層シールド配線層の形成工程の説明図である。
【図２１】第３の実施の形態に係る同軸配線部の信号線の配置例を示す図である。
【図２２】第３の実施の形態に係る下層シールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。
【図２３】第３の実施の形態に係る下層シールド接続層の形成工程の説明図である。
【図２４】第３の実施の形態に係るサイド兼下層シールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。
【図２５】第３の実施の形態に係る中層シールド接続層及び信号線接続層の形成工程の説明図である。
【図２６】第３の実施の形態に係るサイド兼上層シールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。
【図２７】第３の実施の形態に係る上層シールド接続層の形成工程の説明図である。
【図２８】第３の実施の形態に係る上層シールド配線層の形成工程の説明図である。
【図２９】第４の実施の形態に係る同軸配線部の信号線の配置例を示す図である。
【図３０】第４の実施の形態に係る下層シールド配線層の形成工程の説明図である。
【図３１】第４の実施の形態に係る下層シールド接続層の形成工程の説明図である。
【図３２】第４の実施の形態に係るサイド兼下層シールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。
【図３３】第４の実施の形態に係る中層シールド接続層及び信号線接続層の形成工程の説明図である。
【図３４】第４の実施の形態に係るサイド兼上層シールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。
【図３５】第４の実施の形態に係る上層シールド接続層の形成工程の説明図である。
【図３６】第４の実施の形態に係る上層シールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。
【図３７】第５の実施の形態に係る同軸配線部の一例を示す図である。
【図３８】半導体装置の一例の要部断面模式的図である。
【図３９】配線層及び接続層の第１形成方法の説明図（その１）である。
【図４０】配線層及び接続層の第１形成方法の説明図（その２）である。
【図４１】配線層及び接続層の第１形成方法の説明図（その３）である。
【図４２】配線層及び接続層の第２形成方法の説明図（その１）である。
【図４３】配線層及び接続層の第２形成方法の説明図（その２）である。
【図４４】配線層及び接続層の第２形成方法の説明図（その３）である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
まず、第１の実施の形態について説明する。
第１の実施の形態では、２本の同軸配線が交差する同軸配線部を含む多層配線と、その形成方法の一例を、図１〜図１０を参照して説明する。
【００１３】
図１は第１の実施の形態に係る同軸配線部の信号線の配置例を示す図である。便宜上、図１では、多層配線内で信号線の周囲及び信号線同士を接続する接続部の周囲に設けるシールド部、並びに、多層配線内の信号線、接続部及びシールド部等の導電部を被覆する層間絶縁膜等の絶縁部については、図示を省略している。
【００１４】
図１の例では、下層で第１方向Ｓに延びる一対の信号線１０が、それぞれ接続部３０を介して、上層の第１方向Ｓに延びる信号線２０に接続され、一対の信号線１０の間に、第１方向Ｓと交差する第２方向Ｔに延びる信号線４０が延在されている。ここでは一例として、接続部３０を、信号線接続層（ビア）３１，３３とそれらを繋ぐブリッジ配線層（ビア）３２の積層体としている。
【００１５】
第１の実施の形態では、これらの信号線１０，２０及び接続部３０を同軸構造となるように形成し、交差する信号線４０についてもこれを同軸構造となるように形成する。その形成方法の一例を、図２〜図１０を参照して順に説明していく。尚、便宜上、図２〜図１０の各（Ａ）の図では、絶縁部の図示を省略している。
【００１６】
図２は第１の実施の形態に係る下層シールド配線層の形成工程の説明図である。図２（Ａ）は下層シールド配線層の要部斜視図、図２（Ｂ）は下層シールド配線層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【００１７】
まず図２（Ａ）に示すように、一対の平板状の下層シールド配線層１０１ａ、及びそれらの間に平板状の下層シールド配線層１０１ｂを形成する。この例では、一対の下層シールド配線層１０１ａを第１方向Ｓに延在させ、それらの間の下層シールド配線層１０１ｂを第２方向Ｔに延在させる。
【００１８】
図２（Ａ）に示したような一対の下層シールド配線層１０１ａはそれぞれ、後述のように第１方向Ｓに延在される信号線１０の下側をシールドする層として形成される。一対の下層シールド配線層１０１ａ間に設ける下層シールド配線層１０１ｂは、後述のように信号線１０と交差するように第２方向Ｔに延在される信号線４０の下側をシールドする層として形成される。
【００１９】
下層シールド配線層１０１ａ，１０１ｂはそれぞれ、その全部又は一部に、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【００２０】
下層シールド配線層１０１ａ，１０１ｂは、例えば、層間絶縁膜等の絶縁層上に形成した導電材料を、フォトリソグラフィ技術を用いて、下層シールド配線層１０１ａ，１０１ｂの形状にパターニングすることで形成することができる。或いは、フォトリソグラフィ技術を用いて絶縁層に形成した、下層シールド配線層１０１ａ，１０１ｂの形状の溝パターンに、導電材料を埋め込むことで形成することができる。
【００２１】
下層シールド配線層１０１ａ，１０１ｂを形成する際の導電材料や絶縁層のパターニングには、図２（Ｂ）に示すようなマスクパターン５０１を用いることができる。このマスクパターン５０１において、パターン部５０１ａが、図２（Ａ）に示した下層シールド配線層１０１ａの部分に対応し、パターン部５０１ｂが、図２（Ａ）に示した下層シールド配線層１０１ｂの部分に対応している。
【００２２】
尚、パターン部５０１ａ，５０１ｂは、パターニング時に使用するレジストの種類（ポジ型、ネガ型）やレジストパターンとして残す部分の形状に応じ、いずれも遮光部（周辺は透光部）、又はいずれも透光部（周辺は遮光部）とされる。反射型のマスクを使用する場合には、パターン部５０１ａ，５０１ｂは、いずれも非反射部、又はいずれも反射部とされる。このようなマスクパターン５０１を用いることで、下層シールド配線層１０１ａ，１０１ｂが、同時にパターニングされ、形成される。
【００２３】
図３は第１の実施の形態に係る下層シールド接続層の形成工程の説明図である。図３（Ａ）は下層シールド接続層の形成まで行った状態の要部斜視図、図３（Ｂ）は下層シールド接続層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【００２４】
下層シールド配線層１０１ａ，１０１ｂの形成後は、図３（Ａ）に示すように、一対の下層シールド配線層１０１ａ上にそれぞれ、下層シールド接続層１０２ａを形成し、下層シールド配線層１０１ｂ上に、下層シールド接続層１０２ｂを形成する。
【００２５】
下層シールド接続層１０２ａは、後述のように下層シールド配線層１０１ａの上方に形成される信号線１０を囲むように、下層シールド配線層１０１ａ上に形成（積層）される。例えば、図３（Ａ）のように、下層シールド配線層１０１ａの縁部に沿って、下層シールド接続層１０２ａが形成される。形成される下層シールド接続層１０２ａは、第１方向Ｓの端部（ここでは下層シールド配線層１０１ｂと対向する端部のみ図示）が、平面Ｕ字状になる。
【００２６】
下層シールド接続層１０２ｂは、後述のように下層シールド配線層１０１ｂの上方に形成される信号線４０を囲むように、下層シールド配線層１０１ｂ上に形成（積層）される。例えば、図３（Ａ）のように、下層シールド配線層１０１ｂの縁部に沿って、下層シールド接続層１０２ｂが形成される。尚、ここでは図示を省略しているが、形成される下層シールド接続層１０２ｂは、第２方向Ｔの端部が平面Ｕ字状になる。
【００２７】
下層シールド接続層１０２ａ，１０２ｂはそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
下層シールド接続層１０２ａ，１０２ｂは、上記下層シールド配線層１０１ａ，１０１ｂ同様、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図３（Ｂ）に示すようなマスクパターン５０２を用いることができる。このマスクパターン５０２において、パターン部５０２ａが、図３（Ａ）に示した下層シールド接続層１０２ａの部分に対応し、パターン部５０２ｂが、図３（Ａ）に示した下層シールド接続層１０２ｂの部分に対応している。尚、パターン部５０２ａ，５０２ｂは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン５０２を用いることで、下層シールド接続層１０２ａ，１０２ｂが、同時にパターニングされ、形成される。
【００２８】
図４は第１の実施の形態に係る第１のサイドシールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。図４（Ａ）はサイドシールド配線層及び信号線の形成まで行った状態の要部斜視図、図４（Ｂ）はサイドシールド配線層及び信号線の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【００２９】
下層シールド接続層１０２ａ，１０２ｂの形成後は、図４（Ａ）に示すように、一対の下層シールド接続層１０２ａ上にそれぞれ、サイドシールド配線層１０３ａを形成し、下層シールド接続層１０２ｂ上にサイドシールド配線層１０３ｂを形成する。更に、図４（Ａ）に示すように、一対のサイドシールド配線層１０３ａそれぞれの内側に、信号線１０を形成し、サイドシールド配線層１０３ｂの内側に、信号線４０を形成する。
【００３０】
サイドシールド配線層１０３ａは、下層シールド接続層１０２ａ上に、下層シールド接続層１０２ａに沿って、第１方向Ｓの端部が平面Ｕ字状になるように、形成（積層）される。サイドシールド配線層１０３ａは、例えば、下層シールド接続層１０２ａの幅よりも大きな幅で、或いは下層シールド接続層１０２ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。信号線１０は、このようなサイドシールド配線層１０３ａと同層に、サイドシールド配線層１０３ａと離間して、その内側に形成される。
【００３１】
サイドシールド配線層１０３ｂは、下層シールド接続層１０２ｂ上に、下層シールド接続層１０２ｂに沿って、第２方向Ｔの端部が平面Ｕ字状になるように（図示せず）、形成（積層）される。サイドシールド配線層１０３ｂは、例えば、下層シールド接続層１０２ｂの幅よりも大きな幅で、或いは下層シールド接続層１０２ｂの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。信号線４０は、このようなサイドシールド配線層１０３ｂと同層に、サイドシールド配線層１０３ｂと離間して、その内側に形成される。
【００３２】
サイドシールド配線層１０３ａ，１０３ｂ及び信号線１０，４０はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【００３３】
サイドシールド配線層１０３ａ，１０３ｂ及び信号線１０，４０は、上記同様、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図４（Ｂ）に示すようなマスクパターン５０３を用いることができる。このマスクパターン５０３において、パターン部５０３ａが、図４（Ａ）に示したサイドシールド配線層１０３ａの部分に対応し、パターン部５０３ｂが、図４（Ａ）に示したサイドシールド配線層１０３ｂの部分に対応している。また、マスクパターン５０３のパターン部５０３ｃが、図４（Ａ）に示した信号線１０，４０の部分に対応している。尚、パターン部５０３ａ，５０３ｂ，５０３ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン５０３を用いることで、サイドシールド配線層１０３ａ，１０３ｂ及び信号線１０，４０が、同時にパターニングされ、形成される。
【００３４】
図５は第１の実施の形態に係る上層シールド接続層及び信号線接続層の形成工程の説明図である。図５（Ａ）は上層シールド接続層及び信号線接続層の形成まで行った状態の要部斜視図、図５（Ｂ）は上層シールド接続層及び信号線接続層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【００３５】
サイドシールド配線層１０３ａ，１０３ｂ及び信号線１０，４０の形成後は、図５（Ａ）に示すように、一対のサイドシールド配線層１０３ａ上にそれぞれ、上層シールド接続層１０４ａを形成する。サイドシールド配線層１０３ｂ上には、上層シールド接続層１０４ｂを形成する。更に、図５（Ａ）に示すように、一対の上層シールド接続層１０４ａそれぞれの内側に、信号線１０に接続された信号線接続層３１を形成する。
【００３６】
一対の上層シールド接続層１０４ａはそれぞれ、サイドシールド配線層１０３ａ上に、サイドシールド配線層１０３ａに沿って、第１方向Ｓの端部が平面Ｕ字状になるように、形成（積層）される。上層シールド接続層１０４ａは、例えば、サイドシールド配線層１０３ａの幅よりも小さな幅で、或いはサイドシールド配線層１０３ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。信号線接続層３１は、このような上層シールド接続層１０４ａと同層に、上層シールド接続層１０４ａと離間して、信号線１０上に形成される。
【００３７】
上層シールド接続層１０４ｂは、サイドシールド配線層１０３ｂ上に、サイドシールド配線層１０３ｂに沿って、第２方向Ｔの端部が平面Ｕ字状になるように（図示せず）、形成（積層）される。上層シールド接続層１０４ｂは、例えば、サイドシールド配線層１０３ｂの幅よりも小さな幅で、或いはサイドシールド配線層１０３ｂの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。
【００３８】
上層シールド接続層１０４ａ，１０４ｂ及び信号線接続層３１はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【００３９】
上層シールド接続層１０４ａ，１０４ｂ及び信号線接続層３１は、上記同様、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図５（Ｂ）に示すようなマスクパターン５０４を用いることができる。このマスクパターン５０４において、パターン部５０４ａが、図５（Ａ）に示した上層シールド接続層１０４ａの部分に対応し、パターン部５０４ｂが、図５（Ａ）に示した上層シールド接続層１０４ｂの部分に対応している。また、マスクパターン５０４のパターン部５０４ｃが、図５（Ａ）に示した信号線接続層３１の部分に対応している。尚、パターン部５０４ａ，５０４ｂ，５０４ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン５０４を用いることで、上層シールド接続層１０４ａ，１０４ｂ及び信号線接続層３１が、同時にパターニングされ、形成される。
【００４０】
図６は第１の実施の形態に係る上下層兼用シールド配線層及びブリッジ配線層の形成工程の説明図である。図６（Ａ）は上下層兼用シールド配線層及びブリッジ配線層の形成まで行った状態の要部斜視図、図６（Ｂ）は上下層兼用シールド配線層及びブリッジ配線層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【００４１】
上層シールド接続層１０４ａ，１０４ｂ及び信号線接続層３１の形成後は、図６（Ａ）に示すような平板状の上下層兼用シールド配線層１０５、及びブリッジ配線層３２を形成する。
【００４２】
上下層兼用シールド配線層１０５は、一対の下層シールド配線層１０１ａにそれぞれ対向して設けられた第１配線層部分１０５ａと、第１配線層部分１０５ａから延在され、下層シールド配線層１０１ｂに対向して設けられた第２配線層部分１０５ｂとを有している。一対の第１配線層部分１０５ａは、それぞれ上層シールド接続層１０４ａ上に形成（積層）される。第２配線層部分１０５ｂは、これら一対の第１配線層部分１０５ａから延在され（上層シールド接続層１０４ａの平面Ｕ字状端部のその開口側と異なる側に向かって延在され）、上層シールド接続層１０４ｂ上に形成（積層）される。
【００４３】
一対の第１配線層部分１０５ａにはそれぞれ、信号線接続層３１に対応する領域に、信号線接続層３１よりも大きな平面サイズの開口部１０５ａａが形成される。これらの開口部１０５ａａ内側の信号線接続層３１上にそれぞれ、第１配線層部分１０５ａから離間して、ブリッジ配線層３２が形成（積層）される。ブリッジ配線層３２は、例えば、信号線接続層３１よりも大きな平面サイズで、或いは信号線接続層３１と同じか同程度の平面サイズで、形成することができる。
【００４４】
上下層兼用シールド配線層１０５の第１配線層部分１０５ａは、ブリッジ配線層３２及び信号線接続層３１に接続された、第１方向Ｓに延在される信号線１０の上側をシールドする層として形成される。上下層兼用シールド配線層１０５の第２配線層部分１０５ｂは、第２方向Ｔに延在される信号線４０の上側をシールドする層として形成される。更に、この上下層兼用シールド配線層１０５は、後述のように形成される信号線２０の下側をシールドする層として形成される。また、ブリッジ配線層３２は、信号線１０と、後述のように形成される信号線２０との間を接続するための層として形成される。
【００４５】
上下層兼用シールド配線層１０５及びブリッジ配線層３２はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【００４６】
上下層兼用シールド配線層１０５及びブリッジ配線層３２は、上記同様、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図６（Ｂ）に示すようなマスクパターン５０５を用いることができる。このマスクパターン５０５において、パターン部５０５ａが、図６（Ａ）に示した上下層兼用シールド配線層１０５の第１配線層部分１０５ａに対応し、パターン部５０５ｂが、図６（Ａ）に示した第２配線層部分１０５ｂに対応している。また、マスクパターン５０５のパターン部５０５ｃが、図６（Ａ）に示したブリッジ配線層３２の部分に対応している。尚、パターン部５０５ａ，５０５ｂ，５０５ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン５０５を用いることで、上下層兼用シールド配線層１０５及びブリッジ配線層３２が、同時にパターニングされ、形成される。
【００４７】
図７は第１の実施の形態に係る下層シールド接続層及び信号線接続層の形成工程の説明図である。図７（Ａ）は下層シールド接続層及び信号線接続層の形成まで行った状態の要部斜視図、図７（Ｂ）は下層シールド接続層及び信号線接続層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【００４８】
上下層兼用シールド配線層１０５及びブリッジ配線層３２の形成後は、図７（Ａ）に示すような下層シールド接続層１０６ａ、及び一対の信号線接続層３３を形成する。
下層シールド接続層１０６ａは、ここでは上下層兼用シールド配線層１０５の一対の第１配線層部分１０５ａの開口部１０５ａａを共に囲んだ平面枠状になるように、第１配線層部分１０５ａと第２配線層部分１０５ｂとに跨って形成（積層）される。下層シールド接続層１０６ａは、一方の開口部１０５ａａ側の端部では、その開口部１０５ａａを囲むように平面Ｕ字状で形成されると言うことができる。また、下層シールド接続層１０６ａは、他方の開口部１０５ａａ側の端部では、その開口部１０５ａａを囲むように平面Ｕ字状で形成されると言うことができる。
【００４９】
信号線接続層３３は、下層シールド接続層１０６ａの内側に、下層シールド接続層１０６ａから離間して、一対のブリッジ配線層３２上にそれぞれ形成（積層）される。信号線接続層３３は、例えば、ブリッジ配線層３２よりも小さな平面サイズで、或いはブリッジ配線層３２と同じか同程度の平面サイズで、形成することができる。
【００５０】
下層シールド接続層１０６ａ及び信号線接続層３３はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【００５１】
下層シールド接続層１０６ａ及び信号線接続層３３は、上記同様、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図７（Ｂ）に示すようなマスクパターン５０６を用いることができる。このマスクパターン５０６において、パターン部５０６ａが、図７（Ａ）に示した下層シールド接続層１０６ａの部分に対応し、パターン部５０６ｃが、図７（Ａ）に示した信号線接続層３３の部分に対応している。尚、パターン部５０６ａ，５０６ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン５０６を用いることで、下層シールド接続層１０６ａ及び信号線接続層３３が、同時にパターニングされ、形成される。
【００５２】
図８は第１の実施の形態に係る第２のサイドシールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。図８（Ａ）はサイドシールド配線層及び信号線の形成まで行った状態の要部斜視図、図８（Ｂ）はサイドシールド配線層及び信号線の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【００５３】
下層シールド接続層１０６ａ及び信号線接続層３３の形成後は、図８（Ａ）に示すように、下層シールド接続層１０６ａ上に、サイドシールド配線層１０７ａを形成し、サイドシールド配線層１０７ａの内側に、第１方向Ｓに延在される信号線２０を形成する。
【００５４】
サイドシールド配線層１０７ａは、下層シールド接続層１０６ａに沿って、平面枠状（両端部が平面Ｕ字状）になるように、形成（積層）される。サイドシールド配線層１０７ａは、例えば、下層シールド接続層１０６ａの幅よりも大きな幅で、或いは下層シールド接続層１０６ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。
【００５５】
信号線２０は、サイドシールド配線層１０７ａと同層に、サイドシールド配線層１０７ａと離間して、一対の信号線接続層３３間を繋ぐように、形成される。これにより、信号線２０と、下層に設けた一対の信号線１０とが、信号線接続層３１，３３及びブリッジ配線層３２（接続部３０）を介して接続される。
【００５６】
サイドシールド配線層１０７ａ及び信号線２０はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【００５７】
サイドシールド配線層１０７ａ及び信号線２０は、上記同様、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図８（Ｂ）に示すようなマスクパターン５０７を用いることができる。このマスクパターン５０７において、パターン部５０７ａが、図８（Ａ）に示したサイドシールド配線層１０７ａの部分に対応し、パターン部５０７ｃが、図８（Ａ）に示した信号線２０の部分に対応している。尚、パターン部５０７ａ，５０７ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン５０７を用いることで、サイドシールド配線層１０７ａ及び信号線２０が、同時にパターニングされ、形成される。
【００５８】
図９は第１の実施の形態に係る上層シールド接続層の形成工程の説明図である。図９（Ａ）は上層シールド接続層の形成まで行った状態の要部斜視図、図９（Ｂ）は上層シールド接続層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【００５９】
サイドシールド配線層１０７ａ及び信号線２０の形成後は、図９（Ａ）に示すように、サイドシールド配線層１０７ａ上に、上層シールド接続層１０８ａを形成する。
上層シールド接続層１０８ａは、サイドシールド配線層１０７ａ上に、サイドシールド配線層１０７ａに沿って、平面枠状（両端部が平面Ｕ字状）になるように、形成（積層）される。上層シールド接続層１０８ａは、例えば、サイドシールド配線層１０７ａの幅よりも小さな幅で、或いはサイドシールド配線層１０７ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。
【００６０】
上層シールド接続層１０８ａは、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
上層シールド接続層１０８ａは、上記同様、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図９（Ｂ）に示すようなマスクパターン５０８を用いることができる。このマスクパターン５０８において、パターン部５０８ａが、図９（Ａ）に示した上層シールド接続層１０８ａの部分に対応している。尚、パターン部５０８ａは、遮光部や非反射部とされるか、又は透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン５０８を用いることで、上層シールド接続層１０８ａがパターニングされ、形成される。
【００６１】
図１０は第１の実施の形態に係る上層シールド配線層の形成工程の説明図である。図１０（Ａ）は上層シールド配線層の形成まで行った状態の要部斜視図、図１０（Ｂ）は上層シールド配線層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【００６２】
上層シールド接続層１０８ａの形成後は、図１０（Ａ）に示すように、上層シールド接続層１０８ａ上に、平板状の上層シールド配線層１０９ａを形成する。上層シールド配線層１０９ａは、上下層兼用シールド配線層１０５に対向するように、上層シールド接続層１０８ａ上に、形成（積層）される。上層シールド配線層１０９ａは、信号線２０の上側をシールドする層として形成される。
【００６３】
上層シールド配線層１０９ａは、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
上層シールド配線層１０９ａは、上記同様、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図１０（Ｂ）に示すようなマスクパターン５０９を用いることができる。このマスクパターン５０９において、パターン部５０９ａが、図１０（Ａ）に示した上層シールド配線層１０９ａの部分に対応している。尚、パターン部５０９ａは、遮光部や非反射部とされるか、又は透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン５０９を用いることで、上層シールド配線層１０９ａがパターニングされ、形成される。
【００６４】
以上述べた図２〜図１０の工程により、図１の信号線１０，２０，４０及び接続部３０を同軸構造とした同軸配線部１００Ａ（図１０）が形成される。
即ち、まず信号線１０，２０とそれらを接続する接続部３０について見ると、下層側の信号線１０は、その下側が下層シールド配線層１０１ａで、上側が上下層兼用シールド配線層１０５（第１配線層部分１０５ａ）で、シールドされる。信号線１０の側方は、下層シールド配線層１０１ａと上下層兼用シールド配線層１０５との間を接続する接続層である、下層シールド接続層１０２ａ、サイドシールド配線層１０３ａ及び上層シールド接続層１０４ａで、シールドされる。
【００６５】
上層側の信号線２０は、その下側が上下層兼用シールド配線層１０５で、上側が上層シールド配線層１０９ａで、シールドされる。信号線２０の側方は、上下層兼用シールド配線層１０５と上層シールド配線層１０９ａとの間を接続する、下層シールド接続層１０６ａ、サイドシールド配線層１０７ａ及び上層シールド接続層１０８ａで、シールドされる。
【００６６】
信号線１０，２０を接続する信号線接続層３１，３３及びブリッジ配線層３２の側方は、上層シールド接続層１０４ａと下層シールド接続層１０６ａ、及び上下層兼用シールド配線層１０５（開口部１０５ａａ周囲の第１配線層部分１０５ａ）で、シールドされる。
【００６７】
このように同軸配線部１００Ａでは、下層側、上層側の信号線１０，２０を、それらを接続する接続部３０（信号線接続層３１，３３及びブリッジ配線層３２）も含めて、同軸構造とすることができる。
【００６８】
更に、これらの信号線１０，２０に交差する信号線４０について見ると、この信号線４０も、信号線１０同様、その下側が下層シールド配線層１０１ｂで、上側が上下層兼用シールド配線層１０５（第２配線層部分１０５ｂ）で、シールドされる。信号線４０の側方も、信号線１０同様、下層シールド配線層１０１ｂと上下層兼用シールド配線層１０５との間を接続する接続層である、下層シールド接続層１０２ｂ、サイドシールド配線層１０３ｂ及び上層シールド接続層１０４ｂで、シールドされる。
【００６９】
このように同軸配線部１００Ａでは、信号線１０，２０に交差する信号線４０についても、これを同軸構造とすることができる。
この第１の実施の形態に係る同軸配線部１００Ａによれば、異なる方向に同軸構造で延在される信号線１０，４０同士を、同軸構造を維持した状態で、交差させることができる。このようにして交差させるにあたり、一方の信号線１０は、接続部３０及び信号線２０を介して他方の信号線４０を乗り越えるように引き回されるが、同軸配線部１００Ａでは、信号線２０は勿論、接続部３０も同軸構造とされる。そのため、信号線１０，２０及び接続部３０を伝送される信号（高周波信号等）の、同軸配線部１００Ａの周囲からの、或いは周囲への、電磁気的な影響を効果的に抑制することが可能になる。
【００７０】
更に、同軸配線部１００Ａでは、上層側の信号線２０の下側をシールドする層（上下層兼用シールド配線層１０５）を、交差させる信号線４０の上側をシールドする層としても用いる。これにより、下層側、上層側の同軸配線部を多層配線内で上下に並べて配置してそれらの信号線同士を接続部で接続する場合に比べて、少ない層数で、同軸配線部１００Ａを形成することができる。
【００７１】
このように、第１の実施の形態に係る同軸配線部１００Ａによれば、信号線（同軸配線）を、同軸構造を維持した状態で交差させることができ、また、このような同軸配線部１００Ａの構造を、比較的少ない層数で実現することができる。それにより、同軸配線を含む多層配線の回路設計自由度の向上を図ることが可能になる。
【００７２】
尚、以上の説明では、同軸配線部１００Ａとして、下層側の一方の信号線１０を、一旦上層側の信号線２０へ接続部３０で引き上げ、その信号線２０から再び下層側の他方の信号線１０へ接続部３０で引き下げることで、信号線４０と交差させる構造を例示した。このほか、形成する多層配線の回路パターンによっては、下層側の信号線１０から接続部３０で引き上げられた上層側の信号線２０を、その層内で引き回すようにしてもよい。即ち、一旦下層側の信号線１０から上層側に引き上げられた信号線２０は、必ずしも再び接続部３０で下層側の信号線１０へ引き下げることを要しない。
【００７３】
このようにして下層側の信号線１０から上層側に引き上げた信号線２０をその層内で引き回す場合には、引き回す信号線２０の下側をシールドできるような平面形状で上下層兼用シールド配線層１０５を形成する。上下層兼用シールド配線層１０５上には、引き回す信号線２０の平面形状に合わせて、下層シールド接続層１０６ａ、サイドシールド配線層１０７ａ、上層シールド接続層１０８ａを順に積層し、信号線２０の上側をシールドする上層シールド配線層１０９ａを形成する。
【００７４】
また、以上の説明では、下層側の信号線１０と上層側の信号線２０をいずれも第１方向Ｓに延在させ、それらと交差させる信号線４０を第２方向Ｔに延在させる場合の同軸配線部１００Ａを例にして述べた。このほか、信号線１０，２０の延在方向が異なる場合、例えば、信号線１０が信号線４０と同じ第２方向Ｔに延在され、信号線２０が第１方向Ｓに延在されるような場合であっても、上記同様の同軸配線部を形成することが可能である。
【００７５】
このような場合には、第２方向Ｔに延在される信号線１０の下側をシールドできるような平面形状で下層シールド配線層１０１ａを形成する。その上に、信号線１０の端部側が平面Ｕ字状になるように、下層シールド接続層１０２ａ、サイドシールド配線層１０３ａ、上層シールド接続層１０４ａを順に積層する。これらの内側には、信号線１０、信号線接続層３１を形成する。上下層兼用シールド配線層１０５は、下層シールド配線層１０１ａに対向して第１配線層部分１０５ａが形成され、信号線接続層３１及びブリッジ配線層３２の領域に対応した領域には、開口部１０５ａａが形成される。この第１配線層部分１０５ａから、信号線４０の上側をシールドできるような領域に、第２配線層部分１０５ｂが延在される。第２配線層部分１０５ｂは、第１配線層部分１０５ａから、信号線１０の延在方向と異なる方向に（信号線１０の側方をシールドする層群のＵ字状端部の開口側と異なる側に向かって）延在されることになる。
【００７６】
次に、第２の実施の形態について説明する。
第２の実施の形態では、２本の同軸配線が交差する同軸配線部を含む多層配線と、その形成方法の別例を、図１１〜図２０を参照して説明する。
【００７７】
図１１は第２の実施の形態に係る同軸配線部の信号線の配置例を示す図である。便宜上、図１１では、多層配線内で信号線の周囲及び信号線同士を接続する接続部の周囲に設けるシールド部、並びに、多層配線内の信号線、接続部及びシールド部等の導電部を被覆する層間絶縁膜等の絶縁部については、図示を省略している。
【００７８】
図１１の例では、下層で第１方向Ｓに延びる信号線１０が、一対の接続部３０を介して、上層の第２方向Ｔに延びる一対の信号線２０に接続され、その一対の信号線２０の間に、第２方向Ｔに延びる信号線４０が延在されている。ここでは一例として、接続部３０を、信号線接続層（ビア）３１，３３とそれらを繋ぐブリッジ配線層（ビア）３２の積層体としている。
【００７９】
第２の実施の形態では、これらの信号線１０，２０及び接続部３０を同軸構造となるように形成し、交差する信号線４０についてもこれを同軸構造となるように形成する。その形成方法の一例を、図１２〜図２０を参照して順に説明していく。尚、便宜上、図１２〜図２０の各（Ａ）の図では、絶縁部の図示を省略している。
【００８０】
図１２は第２の実施の形態に係る下層シールド配線層の形成工程の説明図である。図１２（Ａ）は下層シールド配線層の要部斜視図、図１２（Ｂ）は下層シールド配線層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【００８１】
まず図１２（Ａ）に示すように、第１方向Ｓに延在する、平板状の下層シールド配線層２０１ａを形成する。下層シールド配線層２０１ａは、後述のように第１方向Ｓに延在される信号線１０の下側をシールドする層として形成される。
【００８２】
下層シールド配線層２０１ａは、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
下層シールド配線層２０１ａは、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図１２（Ｂ）に示すようなマスクパターン６０１を用いることができる。このマスクパターン６０１において、パターン部６０１ａが、図１２（Ａ）に示した下層シールド配線層２０１ａの部分に対応している。尚、パターン部６０１ａは、遮光部や非反射部とされるか、又は透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン６０１を用いることで、下層シールド配線層２０１ａがパターニングされ、形成される。
【００８３】
図１３は第２の実施の形態に係る下層シールド接続層の形成工程の説明図である。図１３（Ａ）は下層シールド接続層の形成まで行った状態の要部斜視図、図１３（Ｂ）は下層シールド接続層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【００８４】
下層シールド配線層２０１ａの形成後は、図１３（Ａ）に示すように、下層シールド配線層２０１ａ上に下層シールド接続層２０２ａを形成する。下層シールド接続層２０２ａは、下層シールド配線層２０１ａの上方に形成される信号線１０を囲むように、下層シールド配線層２０１ａ上に形成（積層）される。例えば、図１３（Ａ）のように、下層シールド配線層２０１ａの縁部に沿って、平面枠状（両端部が平面Ｕ字状）になるように、下層シールド接続層２０２ａが形成される。
【００８５】
下層シールド接続層２０２ａは、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
下層シールド接続層２０２ａは、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図１３（Ｂ）に示すようなマスクパターン６０２を用いることができる。このマスクパターン６０２において、パターン部６０２ａが、図１３（Ａ）に示した下層シールド接続層２０２ａの部分に対応している。尚、パターン部６０２ａは、遮光部や非反射部とされるか、又は透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン６０２を用いることで、下層シールド接続層２０２ａがパターニングされ、形成される。
【００８６】
図１４は第２の実施の形態に係る第１のサイドシールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。図１４（Ａ）はサイドシールド配線層及び信号線の形成まで行った状態の要部斜視図、図１４（Ｂ）はサイドシールド配線層及び信号線の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【００８７】
下層シールド接続層２０２ａの形成後は、図１４（Ａ）に示すように、下層シールド接続層２０２ａ上に、サイドシールド配線層２０３ａ（接続層）を形成し、サイドシールド配線層２０３ａの内側に、信号線１０を形成する。
【００８８】
サイドシールド配線層２０３ａは、下層シールド接続層２０２ａ上に、下層シールド接続層２０２ａに沿って、平面枠状（両端部が平面Ｕ字状）になるように、形成（積層）される。サイドシールド配線層２０３ａは、例えば、下層シールド接続層２０２ａの幅よりも大きな幅で、或いは下層シールド接続層２０２ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。信号線１０は、このようなサイドシールド配線層２０３ａと同層に、サイドシールド配線層２０３ａと離間して、その内側に形成される。
【００８９】
サイドシールド配線層２０３ａ及び信号線１０はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【００９０】
サイドシールド配線層２０３ａ及び信号線１０は、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図１４（Ｂ）に示すようなマスクパターン６０３を用いることができる。このマスクパターン６０３において、パターン部６０３ａが、図１４（Ａ）に示したサイドシールド配線層２０３ａの部分に対応し、パターン部６０３ｃが、図１４（Ａ）に示した信号線１０の部分に対応している。尚、パターン部６０３ａ，６０３ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン６０３を用いることで、サイドシールド配線層２０３ａ及び信号線１０が、同時にパターニングされ、形成される。
【００９１】
図１５は第２の実施の形態に係る上層シールド接続層及び信号線接続層の形成工程の説明図である。図１５（Ａ）は上層シールド接続層及び信号線接続層の形成まで行った状態の要部斜視図、図１５（Ｂ）は上層シールド接続層及び信号線接続層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【００９２】
サイドシールド配線層２０３ａ及び信号線１０の形成後は、図１５（Ａ）に示すように、サイドシールド配線層２０３ａ上に、上層シールド接続層２０４ａを形成する。更に、図１５（Ａ）に示すように、上層シールド接続層２０４ａの内側に、信号線１０に接続された一対の信号線接続層３１を形成する。
【００９３】
上層シールド接続層２０４ａは、サイドシールド配線層２０３ａ上に、サイドシールド配線層２０３ａに沿って、平面枠状（両端部が平面Ｕ字状）になるように、形成（積層）される。上層シールド接続層２０４ａは、例えば、サイドシールド配線層２０３ａの幅よりも小さな幅で、或いはサイドシールド配線層２０３ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。信号線接続層３１は、このような上層シールド接続層２０４ａと同層に、上層シールド接続層２０４ａと離間して、信号線１０上に形成（積層）される。
【００９４】
上層シールド接続層２０４ａ及び信号線接続層３１はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【００９５】
上層シールド接続層２０４ａ及び信号線接続層３１は、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図１５（Ｂ）に示すようなマスクパターン６０４を用いることができる。このマスクパターン６０４において、パターン部６０４ａが、図１５（Ａ）に示した上層シールド接続層２０４ａの部分に対応し、パターン部６０４ｃが、図１５（Ａ）に示した信号線接続層３１の部分に対応している。尚、パターン部６０４ａ，６０４ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン６０４を用いることで、上層シールド接続層２０４ａ及び信号線接続層３１が、同時にパターニングされ、形成される。
【００９６】
図１６は第２の実施の形態に係る上下層兼用シールド配線層及びブリッジ配線層の形成工程の説明図である。図１６（Ａ）は上下層兼用シールド配線層及びブリッジ配線層の形成まで行った状態の要部斜視図、図１６（Ｂ）は上下層兼用シールド配線層及びブリッジ配線層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【００９７】
上層シールド接続層２０４ａ及び信号線接続層３１の形成後は、図１６（Ａ）に示すような平板状の上下層兼用シールド配線層２０５、及びブリッジ配線層３２を形成する。
上下層兼用シールド配線層２０５は、一対の第１配線層部分２０５ａと、一対の第１配線層部分２０５ａから延在された第２配線層部分２０５ｂとを有している。第１配線層部分２０５ａは、後述のように第２方向Ｔに延在される信号線２０の下側をシールドする層として形成され、第２配線層部分２０５ｂは、後述のように第２方向Ｔに延在される信号線４０の下側をシールドする層として形成される。
【００９８】
一対の第１配線層部分２０５ａにはそれぞれ、先に形成した信号線接続層３１に対応する領域に、信号線接続層３１よりも大きな平面サイズの開口部２０５ａａが形成される。これらの開口部２０５ａａの内側に位置する信号線接続層３１上にそれぞれ、第１配線層部分２０５ａから離間して、ブリッジ配線層３２が形成（積層）される。
【００９９】
尚、上層シールド接続層２０４ａは、一対の第１配線層部分２０５ａの開口部２０５ａａを共に囲んだ平面枠状になるように、上下層兼用シールド配線層２０５の下方に、第１配線層部分２０５ａと第２配線層部分２０５ｂとに跨って積層される。サイドシールド配線層２０３ａは、上層シールド接続層２０４ａに沿ってその下方に積層された構造となる。下層シールド接続層２０２ａは、サイドシールド配線層２０３ａに沿ってその下方に積層された構造となる。上下層兼用シールド配線層２０５は、これら上層シールド接続層２０４ａ、サイドシールド配線層２０３ａ及び下層シールド接続層２０２ａによって、下層シールド配線層２０１ａに接続される。
【０１００】
上下層兼用シールド配線層２０５及びブリッジ配線層３２はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【０１０１】
上下層兼用シールド配線層２０５及びブリッジ配線層３２は、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図１６（Ｂ）に示すようなマスクパターン６０５を用いることができる。このマスクパターン６０５において、パターン部６０５ａが、図１６（Ａ）に示した上下層兼用シールド配線層２０５の第１配線層部分２０５ａに対応し、パターン部６０５ｂが、図１６（Ａ）に示した上下層兼用シールド配線層２０５の第２配線層部分２０５ｂに対応している。また、マスクパターン６０５のパターン部６０５ｃが、図１６（Ａ）に示したブリッジ配線層３２の部分に対応している。尚、パターン部６０５ａ，６０５ｂ，６０５ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン６０５を用いることで、上下層兼用シールド配線層２０５及びブリッジ配線層３２が、同時にパターニングされ、形成される。
【０１０２】
図１７は第２の実施の形態に係る下層シールド接続層及び信号線接続層の形成工程の説明図である。図１７（Ａ）は下層シールド接続層及び信号線接続層の形成まで行った状態の要部斜視図、図１７（Ｂ）は下層シールド接続層及び信号線接続層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１０３】
上下層兼用シールド配線層２０５及びブリッジ配線層３２の形成後は、図１７（Ａ）に示すような一対の下層シールド接続層２０６ａ，２０６ｂ及び信号線接続層３３を形成する。
【０１０４】
一対の下層シールド接続層２０６ａはそれぞれ、上下層兼用シールド配線層２０５の第１配線層部分２０５ａの上に、開口部２０５ａａを囲むように、形成（積層）される。信号線接続層３３は、下層シールド接続層２０６ａの内側に、下層シールド接続層２０６ａから離間して、一対のブリッジ配線層３２上にそれぞれ形成（積層）される。下層シールド接続層２０６ｂは、一対の下層シールド接続層２０６ａの間で、上下層兼用シールド配線層２０５の第２配線層部分２０５ｂの上に、形成（積層）される。下層シールド接続層２０６ａ，２０６ｂはそれぞれ、第２方向Ｔの端部が平面Ｕ字状になるように、第１配線層部分２０５ａ、第２配線層部分２０５ｂの上に形成される。
【０１０５】
下層シールド接続層２０６ａ，２０６ｂ及び信号線接続層３３はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【０１０６】
下層シールド接続層２０６ａ，２０６ｂ及び信号線接続層３３は、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図１７（Ｂ）に示すようなマスクパターン６０６を用いることができる。このマスクパターン６０６において、パターン部６０６ａが、図１７（Ａ）に示した下層シールド接続層２０６ａの部分に対応し、パターン部６０６ｂが、図１７（Ａ）に示した下層シールド接続層２０６ｂの部分に対応している。また、マスクパターン６０６のパターン部６０６ｃが、図１７（Ａ）に示した信号線接続層３３の部分に対応している。尚、パターン部６０６ａ，６０６ｂ，６０６ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン６０６を用いることで、下層シールド接続層２０６ａ，２０６ｂ及び信号線接続層３３が、同時にパターニングされ、形成される。
【０１０７】
図１８は第２の実施の形態に係る第２のサイドシールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。図１８（Ａ）はサイドシールド配線層及び信号線の形成まで行った状態の要部斜視図、図１８（Ｂ）はサイドシールド配線層及び信号線の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１０８】
下層シールド接続層２０６ａ，２０６ｂ及び信号線接続層３３の形成後は、図１８（Ａ）に示すように、一対の下層シールド接続層２０６ａ上にそれぞれ、サイドシールド配線層２０７ａ（接続層）を形成する。下層シールド接続層２０６ｂ上には、サイドシールド配線層２０７ｂ（接続層）を形成する。更に、図１８（Ａ）に示すように、一対のサイドシールド配線層２０７ａの内側にそれぞれ、信号線２０を形成し、サイドシールド配線層２０７ｂの内側に、信号線４０を形成する。
【０１０９】
一対のサイドシールド配線層２０７ａはそれぞれ、下層シールド接続層２０６ａ上に、下層シールド接続層２０６ａに沿って、形成（積層）される。サイドシールド配線層２０７ａは、例えば、下層シールド接続層２０６ａの幅よりも大きな幅で、或いは下層シールド接続層２０６ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。信号線２０は、このようなサイドシールド配線層２０７ａと同層に、サイドシールド配線層２０７ａと離間して、その内側に形成される。
【０１１０】
サイドシールド配線層２０７ｂは、下層シールド接続層２０６ｂ上に、下層シールド接続層２０６ｂに沿って、形成（積層）される。サイドシールド配線層２０７ｂは、例えば、下層シールド接続層２０６ｂの幅よりも大きな幅で、或いは下層シールド接続層２０６ｂの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。信号線４０は、このようなサイドシールド配線層２０７ｂと同層に、サイドシールド配線層２０７ｂと離間して、その内側に形成される。
【０１１１】
サイドシールド配線層２０７ａ，２０７ｂ及び信号線２０，４０はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【０１１２】
サイドシールド配線層２０７ａ，２０７ｂ及び信号線２０，４０は、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図１８（Ｂ）に示すようなマスクパターン６０７を用いることができる。このマスクパターン６０７において、パターン部６０７ａが、図１８（Ａ）に示したサイドシールド配線層２０７ａの部分に対応し、パターン部６０７ｂが、図１８（Ａ）に示したサイドシールド配線層２０７ｂの部分に対応している。また、マスクパターン６０７のパターン部６０７ｃが、図１８（Ａ）に示した信号線２０，４０の部分に対応している。尚、パターン部６０７ａ，６０７ｂ，６０７ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン６０７を用いることで、サイドシールド配線層２０７ａ，２０７ｂ及び信号線２０，４０が、同時にパターニングされ、形成される。
【０１１３】
図１９は第２の実施の形態に係る上層シールド接続層の形成工程の説明図である。図１９（Ａ）は上層シールド接続層の形成まで行った状態の要部斜視図、図１９（Ｂ）は上層シールド接続層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１１４】
サイドシールド配線層２０７ａ，２０７ｂ及び信号線２０，４０の形成後は、図１９（Ａ）に示すように、一対のサイドシールド配線層２０７ａ上にそれぞれ、上層シールド接続層２０８ａを形成する。サイドシールド配線層２０７ｂ上には、上層シールド接続層２０８ｂを形成する。
【０１１５】
一対の上層シールド接続層２０８ａはそれぞれ、サイドシールド配線層２０７ａ上に、サイドシールド配線層２０７ａに沿って、形成（積層）される。上層シールド接続層２０８ａは、例えば、サイドシールド配線層２０７ａの幅よりも小さな幅で、或いはサイドシールド配線層２０７ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。
【０１１６】
上層シールド接続層２０８ｂは、サイドシールド配線層２０７ｂ上に、サイドシールド配線層２０７ｂに沿って、形成（積層）される。上層シールド接続層２０８ｂは、例えば、サイドシールド配線層２０７ｂの幅よりも小さな幅で、或いはサイドシールド配線層２０７ｂの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。
【０１１７】
上層シールド接続層２０８ａ，２０８ｂはそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
上層シールド接続層２０８ａ，２０８ｂは、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図１９（Ｂ）に示すようなマスクパターン６０８を用いることができる。このマスクパターン６０８において、パターン部６０８ａが、図１９（Ａ）に示した上層シールド接続層２０８ａの部分に対応し、パターン部６０８ｂが、図１９（Ａ）に示した上層シールド接続層２０８ｂの部分に対応している。尚、パターン部６０８ａ，６０８ｂは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン６０８を用いることで、上層シールド接続層２０８ａ，２０８ｂが、同時にパターニングされ、形成される。
【０１１８】
図２０は第２の実施の形態に係る上層シールド配線層の形成工程の説明図である。図２０（Ａ）は上層シールド配線層の形成まで行った状態の要部斜視図、図２０（Ｂ）は上層シールド配線層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１１９】
上層シールド接続層２０８ａ，２０８ｂの形成後は、図２０（Ａ）に示すように、上層シールド接続層２０８ａ，２０８ｂ上にそれぞれ、平板状の上層シールド配線層２０９ａ，２０９ｂを形成する。上層シールド配線層２０９ａ，２０９ｂはそれぞれ、上下層兼用シールド配線層２０５の第１配線層部分２０５ａ、第２配線層部分２０５ｂに対向するように、上層シールド接続層２０８ａ，２０８ｂ上に、形成（積層）される。上層シールド配線層２０９ａ，２０９ｂはそれぞれ、信号線２０，４０の上側をシールドする層として形成される。
【０１２０】
尚、上層シールド接続層２０８ａ，２０８ｂはそれぞれ、上層シールド配線層２０９ａ，２０９ｂの縁部に沿ってその下方に積層された構造となる。サイドシールド配線層２０７ａ，２０７ｂは、上層シールド接続層２０８ａ，２０８ｂに沿ってその下方に積層された構造となる。下層シールド接続層２０６ａ，２０６ｂは、サイドシールド配線層２０７ａ，２０７ｂに沿ってその下方に積層された構造となる。上層シールド配線層２０９ａ，２０９ｂはそれぞれ、上層シールド接続層２０８ａ，２０８ｂ、サイドシールド配線層２０７ａ，２０７ｂ及び下層シールド接続層２０６ａ，２０６ｂによって、上下層兼用シールド配線層２０５に接続される。
【０１２１】
上層シールド配線層２０９ａ，２０９ｂはそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
上層シールド配線層２０９ａ，２０９ｂは、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図２０（Ｂ）に示すようなマスクパターン６０９を用いることができる。このマスクパターン６０９において、パターン部６０９ａが、図２０（Ａ）に示した上層シールド配線層２０９ａの部分に対応し、パターン部６０９ｂが、図２０（Ａ）に示した上層シールド配線層２０９ｂの部分に対応している。尚、パターン部６０９ａ，６０９ｂは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン６０９を用いることで、上層シールド配線層２０９ａ，２０９ｂがパターニングされ、形成される。
【０１２２】
以上述べた図１２〜図２０の工程により、図１１の信号線１０，２０，４０及び接続部３０を同軸構造とした同軸配線部１００Ｂ（図２０）が形成される。
この第２の実施の形態に係る同軸配線部１００Ｂでは，信号線４０と平行に延在される一対の信号線２０同士が、信号線接続層３１，３３及びブリッジ配線層３２（接続部３０）、並びに信号線４０の下側に配置される信号線１０を介して、接続される。同軸配線部１００Ｂでは、信号線４０が同軸構造とされ、且つ、信号線１０，２０とそれらを接続する接続部３０も同軸構造とされる。それにより、信号線４０や、信号線１０，２０と接続部３０を伝送される信号（高周波信号等）の、同軸配線部１００Ｂの周囲からの、或いは周囲への、電磁気的な影響を効果的に抑制することが可能になる。また、上記第１の実施の形態に係る同軸配線部１００Ａと同様、この第２の実施の形態に係る同軸配線部１００Ｂでも、比較的少ない層数で、信号線（同軸配線）を、同軸構造を維持した状態で交差させることができる。それにより、同軸配線を含む多層配線の回路設計自由度の向上を図ることが可能になる。
【０１２３】
尚、以上の説明では、同軸配線部１００Ｂとして、上層側の一方の信号線２０を、一旦下層側の信号線１０へ接続部３０で引き下げ、その信号線１０から再び上層側の他方の信号線２０へ接続部３０で引き上げることで、信号線４０と交差させる構造を例示した。このほか、形成する多層配線の回路パターンによっては、上層側の信号線２０から接続部３０で引き下げられた下層側の信号線１０を、上層側へ引き上げず、その層内で引き回すようにしてもよい。
【０１２４】
また、以上の説明では、下層側の信号線１０を第１方向Ｓに延在させ、上層側の信号線２０，４０をいずれも第２方向Ｔに延在させる場合の同軸配線部１００Ｂを例示した。このほか、信号線１０，２０の延在方向が同じ場合、例えば、信号線２０が信号線１０と同じ第１方向Ｓに延在され、信号線４０のみが第２方向Ｔに延在されるような場合であっても、上記同様の同軸配線部を形成することが可能である。
【０１２５】
次に、第３の実施の形態について説明する。
第３の実施の形態では、同軸構造を有しない配線（信号線）と交差する同軸配線部を含む多層配線とその形成方法の一例を、図２１〜図２８を参照して説明する。
【０１２６】
図２１は第３の実施の形態に係る同軸配線部の信号線の配置例を示す図である。便宜上、図２１では、多層配線内で信号線の周囲及び信号線同士を接続する接続部の周囲に設けるシールド部、並びに、多層配線内の信号線、接続部及びシールド部等の導電部を被覆する層間絶縁膜等の絶縁部については、図示を省略している。
【０１２７】
図２１の例では、下層で第１方向Ｓに延びる一対の信号線１０が、それぞれ信号線接続層（ビア）５０を介して、上層で第１方向Ｓに延びる信号線２０に接続され、一対の信号線１０の間に、第２方向Ｔに延びる信号線４０が延在されている。信号線４０は、ここでは、同軸構造を有しない信号線とする。
【０１２８】
第３の実施の形態では、このような信号線４０を乗り越えるように接続された、信号線１０，２０及び信号線接続層５０を、同軸構造となるように形成する。その形成方法の一例を、図２２〜図２８を参照して順に説明していく。尚、便宜上、図２２〜図２８の各（Ａ）の図では、絶縁部の図示を省略している。
【０１２９】
図２２は第３の実施の形態に係る下層シールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。図２２（Ａ）は下層シールド配線層及び信号線の要部斜視図、図２２（Ｂ）は下層シールド配線層及び信号線の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１３０】
まず図２２（Ａ）に示すように、一対の平板状の下層シールド配線層３０１ａ、及びそれらの間に、同軸構造を有しない信号線４０を形成する。この例では、一対の下層シールド配線層３０１ａを第１方向Ｓに延在させ、信号線４０を第２方向Ｔに延在させる。一対の下層シールド配線層３０１ａはそれぞれ、後述のように第１方向Ｓに延在される信号線１０の下側をシールドする層として形成される。
【０１３１】
下層シールド配線層３０１ａ及び信号線４０はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【０１３２】
下層シールド配線層３０１ａは、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図２２（Ｂ）に示すようなマスクパターン７０１を用いることができる。このマスクパターン７０１において、パターン部７０１ａが、図２２（Ａ）に示した下層シールド配線層３０１ａの部分に対応し、パターン部７０１ｃが、図２２（Ａ）に示した信号線４０の部分に対応している。尚、パターン部７０１ａ，７０１ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン７０１を用いることで、下層シールド配線層３０１ａ及び信号線４０が、同時にパターニングされ、形成される。
【０１３３】
図２３は第３の実施の形態に係る下層シールド接続層の形成工程の説明図である。図２３（Ａ）は下層シールド接続層の形成まで行った状態の要部斜視図、図２３（Ｂ）は下層シールド接続層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１３４】
下層シールド配線層３０１ａ及び信号線４０の形成後は、図２３（Ａ）に示すように、一対の下層シールド配線層３０１ａ上にそれぞれ、下層シールド接続層３０２ａを形成する。下層シールド接続層３０２ａは、下層シールド配線層３０１ａ上に、その縁部に沿って、第１方向Ｓの端部が平面Ｕ字状になるように、形成（積層）される。
【０１３５】
一対の下層シールド接続層３０２ａはそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
下層シールド接続層３０２ａは、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図２３（Ｂ）に示すようなマスクパターン７０２を用いることができる。このマスクパターン７０２において、パターン部７０２ａが、図２３（Ａ）に示した下層シールド接続層３０２ａの部分に対応している。尚、パターン部７０２ａは、遮光部や非反射部とされるか、又は透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン７０２を用いることで、下層シールド接続層３０２ａがパターニングされ、形成される。
【０１３６】
図２４は第３の実施の形態に係るサイド兼下層シールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。図２４（Ａ）はサイド兼下層シールド配線層及び信号線の形成まで行った状態の要部斜視図、図２４（Ｂ）はサイド兼下層シールド配線層及び信号線の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１３７】
下層シールド接続層３０２ａの形成後は、図２４（Ａ）に示すようなサイド兼下層シールド配線層３０３、及び一対の信号線１０を形成する。サイド兼下層シールド配線層３０３は、一対の下層シールド接続層３０２ａ上にそれぞれ、各下層シールド接続層３０２ａに沿って形成（積層）された第１配線層部分３０３ａを有する。更に、サイド兼下層シールド配線層３０３は、第１配線層部分３０３ａから延在されて、信号線４０の上方を通る、平板状の第２配線層部分３０３ｂを有している。一対の信号線１０は、このようなサイド兼下層シールド配線層３０３と同層で、その第１配線層部分３０３ａの内側に、第１配線層部分３０３ａから離間して、第１方向Ｓに延在されて形成される。
【０１３８】
サイド兼下層シールド配線層３０３の第１配線層部分３０３ａは、例えば、下層シールド接続層３０２ａの幅よりも大きな幅で、或いは下層シールド接続層３０２ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。
【０１３９】
サイド兼下層シールド配線層３０３の第１配線層部分３０３ａ（接続層）は、下層シールド接続層３０２ａ及び後述する中層シールド接続層３０４ａと共に信号線１０の側方をシールドする。サイド兼下層シールド配線層３０３の第２配線層部分３０３ｂは、後述のように上層側に形成される信号線２０の下側をシールドする。このようにサイド兼下層シールド配線層３０３は、下層側の信号線１０の側方をシールドし、且つ、上層側の信号線２０の下側をシールドする層として形成される。
【０１４０】
サイド兼下層シールド配線層３０３及び信号線１０はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【０１４１】
サイド兼下層シールド配線層３０３及び信号線１０は、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図２４（Ｂ）に示すようなマスクパターン７０３を用いることができる。このマスクパターン７０３において、パターン部７０３ａが、図２４（Ａ）に示したサイド兼下層シールド配線層３０３の第１配線層部分３０３ａに対応し、パターン部７０３ｂが、図２４（Ａ）に示した第２配線層部分３０３ｂに対応している。また、マスクパターン７０３のパターン部７０３ｃが、図２４（Ａ）に示した信号線１０の部分に対応している。尚、パターン部７０３ａ，７０３ｂ，７０３ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン７０３を用いることで、サイド兼下層シールド配線層３０３及び信号線１０が、同時にパターニングされ、形成される。
【０１４２】
図２５は第３の実施の形態に係る中層シールド接続層及び信号線接続層の形成工程の説明図である。図２５（Ａ）は中層シールド接続層及び信号線接続層の形成まで行った状態の要部斜視図、図２５（Ｂ）は中層シールド接続層及び信号線接続層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１４３】
サイド兼下層シールド配線層３０３及び信号線１０の形成後は、図２５（Ａ）に示すように、サイド兼下層シールド配線層３０３の縁部に沿って、第１配線層部分３０３ａと第２配線層部分３０３ｂとに跨って、中層シールド接続層３０４ａを形成（積層）する。更に、図２５（Ａ）に示すように、中層シールド接続層３０４ａの内側に、中層シールド接続層３０４ａと離間して、一対の信号線１０にそれぞれ接続された信号線接続層５０を形成（積層）する。
【０１４４】
中層シールド接続層３０４ａは、例えば、サイド兼下層シールド配線層３０３の第１配線層部分３０３ａの幅よりも小さな幅で、或いは第１配線層部分３０３ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。信号線接続層５０は、このような中層シールド接続層３０４ａと同層に、中層シールド接続層３０４ａと離間して、信号線１０上に形成される。
【０１４５】
中層シールド接続層３０４ａ及び信号線接続層５０はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【０１４６】
中層シールド接続層３０４ａ及び信号線接続層５０は、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図２５（Ｂ）に示すようなマスクパターン７０４を用いることができる。このマスクパターン７０４において、パターン部７０４ａが、図２５（Ａ）に示した中層シールド接続層３０４ａの部分に対応し、パターン部７０４ｃが、図２５（Ａ）に示した信号線接続層５０の部分に対応している。尚、パターン部７０４ａ，７０４ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン７０４を用いることで、中層シールド接続層３０４ａ及び信号線接続層５０が、同時にパターニングされ、形成される。
【０１４７】
また、図２５（Ｃ）に示すようなマスクパターン７０４を用いて、そのパターン部７０４ａ，７０４ｃに応じた形状の中層シールド接続層３０４ａ及び信号線接続層５０を形成することも可能である。
【０１４８】
図２６は第３の実施の形態に係るサイド兼上層シールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。図２６（Ａ）はサイド兼上層シールド配線層及び信号線の形成まで行った状態の要部斜視図、図２６（Ｂ）はサイド兼上層シールド配線層及び信号線の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１４９】
中層シールド接続層３０４ａ及び信号線接続層５０の形成後は、図２６（Ａ）に示すようなサイド兼上層シールド配線層３０５、及び信号線２０を形成する。
サイド兼上層シールド配線層３０５は、中層シールド接続層３０４ａ上に、一対の信号線接続層５０を共に囲んだ平面枠状（両端部が平面Ｕ字状）になるように形成（積層）された第１配線層部分３０５ａを有している。更に、サイド兼上層シールド配線層３０５は、第１配線層部分３０５ａから延在され、中層シールド接続層３０４ａ上に形成（積層）された、平板状の第２配線層部分３０５ｂを有している。信号線２０は、このようなサイド兼上層シールド配線層３０５と同層で、その第１配線層部分３０５ａの内側に、第１配線層部分３０５ａから離間して、第１方向Ｓに延在されて形成される。
【０１５０】
サイド兼上層シールド配線層３０５の第１配線層部分３０５ａは、例えば、中層シールド接続層３０４ａの幅よりも大きな幅で、或いは中層シールド接続層３０４ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。サイド兼上層シールド配線層３０５の第２配線層部分３０５ｂは、下層シールド配線層３０１ａに対向して形成される。
【０１５１】
サイド兼上層シールド配線層３０５の第１配線層部分３０５ａ（接続層）は、中層シールド接続層３０４ａ及び後述する上層シールド接続層３０６ａと共に信号線２０の側方をシールドする。サイド兼上層シールド配線層３０５の第２配線層部分３０５ｂは、下層側の信号線１０の上側をシールドする。このようにサイド兼上層シールド配線層３０５は、上層側の信号線２０の側方をシールドし、且つ、下層側の信号線１０の上側をシールドする層として形成される。
【０１５２】
サイド兼上層シールド配線層３０５及び信号線２０はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【０１５３】
サイド兼上層シールド配線層３０５及び信号線２０は、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図２６（Ｂ）に示すようなマスクパターン７０５を用いることができる。このマスクパターン７０５において、パターン部７０５ａが、図２６（Ａ）に示したサイド兼上層シールド配線層３０５の第１配線層部分３０５ａに対応し、パターン部７０５ｂが、図２６（Ａ）に示した第２配線層部分３０５ｂに対応している。また、マスクパターン７０５のパターン部７０５ｃが、図２６（Ａ）に示した信号線２０の部分に対応している。尚、パターン部７０５ａ，７０５ｂ，７０５ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン７０５を用いることで、サイド兼上層シールド配線層３０５及び信号線２０が、同時にパターニングされ、形成される。
【０１５４】
また、図２６（Ｃ）に示すようなマスクパターン７０５を用いて、そのパターン部７０５ａ，７０５ｂ，７０５ｃに応じた形状のサイド兼上層シールド配線層３０５及び信号線２０を形成することも可能である。
【０１５５】
図２７は第３の実施の形態に係る上層シールド接続層の形成工程の説明図である。図２７（Ａ）は上層シールド接続層の形成まで行った状態の要部斜視図、図２７（Ｂ）は上層シールド接続層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１５６】
サイド兼上層シールド配線層３０５及び信号線２０の形成後は、図２７（Ａ）に示すように、サイド兼上層シールド配線層３０５の少なくとも第１配線層部分３０５ａ上に、平面枠状（両端部が平面Ｕ字状）になるように、上層シールド接続層３０６ａを形成（積層）する。上層シールド接続層３０６ａは、例えば、第１配線層部分３０５ａの幅よりも小さな幅で、或いは第１配線層部分３０５ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。
【０１５７】
上層シールド接続層３０６ａは、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
上層シールド接続層３０６ａは、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図２７（Ｂ）に示すようなマスクパターン７０６を用いることができる。このマスクパターン７０６において、パターン部７０６ａが、図２７（Ａ）に示した上層シールド接続層３０６ａの部分に対応している。尚、パターン部７０６ａは、遮光部や非反射部とされるか、又は透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン７０６を用いることで、上層シールド接続層３０６ａがパターニングされ、形成される。
【０１５８】
また、図２７（Ｃ）に示すようなマスクパターン７０６を用いて、そのパターン部７０６ａに応じた形状の上層シールド接続層３０６ａを形成することも可能である。
図２８は第３の実施の形態に係る上層シールド配線層の形成工程の説明図である。図２８（Ａ）は上層シールド配線層の形成まで行った状態の要部斜視図、図２８（Ｂ）は上層シールド配線層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１５９】
上層シールド接続層３０６ａの形成後は、図２８（Ａ）に示すように、上層シールド接続層３０６ａ上に、平板状の上層シールド配線層３０７ａを形成する。上層シールド配線層３０７ａは、サイド兼下層シールド配線層３０３に対向するように、上層シールド接続層３０６ａ上に形成（積層）される。上層シールド配線層３０７ａは、信号線２０の上側をシールドする層として形成される。
【０１６０】
上層シールド配線層３０７ａは、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
上層シールド配線層３０７ａは、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図２８（Ｂ）に示すようなマスクパターン７０７を用いることができる。このマスクパターン７０７において、パターン部７０７ａが、図２８（Ａ）に示した上層シールド配線層３０７ａの部分に対応している。尚、パターン部７０７ａは、遮光部や非反射部とされるか、又は透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン７０７を用いることで、上層シールド配線層３０７ａがパターニングされ、形成される。
【０１６１】
以上述べた図２２〜図２８の工程により、図２１の信号線１０，２０及び信号線接続層５０を同軸構造とした同軸配線部１００Ｃ（図２８）が形成される。
この第３の実施の形態に係る同軸配線部１００Ｃによれば、信号線１０，２０及び信号線接続層５０を、同軸構造を維持した状態で、信号線４０と交差させることができ、同軸配線部１００Ｃの周囲からの又は周囲への電磁気的影響が効果的に抑制可能になる。更に、同軸配線部１００Ｃでは、信号線１０，２０のシールドに、サイド兼下層シールド配線層３０３及びサイド兼上層シールド配線層３０５を用いる。それにより、異なる層に延在される信号線１０，２０の、信号線接続層５０を含む同軸構造を、いっそう少ない層数で実現することが可能になっている。従って、同軸配線を含む多層配線の回路設計自由度のいっそうの向上を図ることが可能になる。
【０１６２】
尚、以上の説明では、同軸配線部１００Ｃとして、下層側の一方の信号線１０を、上層側の信号線２０へ信号線接続層５０で引き上げ、その信号線２０から下層側の他方の信号線１０へ信号線接続層５０で引き下げることで、信号線４０と交差させる構造を例示した。このほか、形成する多層配線の回路パターンによっては、下層側の信号線１０から信号線接続層５０で引き上げられた上層側の信号線２０を、下層側へ引き下げず、その層内で引き回すようにしてもよい。
【０１６３】
また、以上の説明では、下層側の信号線１０と上層側の信号線２０を第１方向Ｓに延在させ、下層側の信号線４０を第２方向Ｔに延在させる場合の同軸配線部１００Ｃを例示した。このほか、信号線１０，２０の延在方向が異なる場合、例えば、信号線１０が信号線４０と同じ第２方向Ｔに延在され、信号線２０が第１方向Ｓに延在されるような場合であっても、上記同様の同軸配線部を形成することが可能である。
【０１６４】
次に、第４の実施の形態について説明する。
第４の実施の形態では、上記第３の実施の形態と同様に、同軸構造を有しない配線（信号線）と交差する同軸配線部を含む多層配線とその形成方法の別例を、図２９〜図３６を参照して説明する。
【０１６５】
図２９は第４の実施の形態に係る同軸配線部の信号線の配置例を示す図である。便宜上、図２９では、多層配線内で信号線の周囲及び信号線同士を接続する接続部の周囲に設けるシールド部、並びに、多層配線内の信号線、接続部及びシールド部等の導電部を被覆する層間絶縁膜等の絶縁部については、図示を省略している。
【０１６６】
図２９の例では、下層で第１方向Ｓに延びる信号線１０が、一対の信号線接続層（ビア）５０を介して、上層の第２方向Ｔに延びる一対の信号線２０に接続され、一対の信号線２０の間に、第２方向Ｔに延びる信号線４０が延在されている。信号線４０は、ここでは、同軸構造を有しない信号線とする。
【０１６７】
第４の実施の形態では、このような信号線４０の下を潜るように引き回された、信号線１０，２０及び信号線接続層５０を、同軸構造となるように形成する。その形成方法の一例を、図３０〜図３６を参照して順に説明していく。尚、便宜上、図３０〜図３６の各（Ａ）の図では、絶縁部の図示を省略している。
【０１６８】
図３０は第４の実施の形態に係る下層シールド配線層の形成工程の説明図である。図３０（Ａ）は下層シールド配線層の要部斜視図、図３０（Ｂ）は下層シールド配線層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１６９】
まず図３０（Ａ）に示すように、第１方向Ｓに延在する、平板状の下層シールド配線層４０１ａを形成する。下層シールド配線層４０１ａは、後述のように第１方向Ｓに延在される信号線１０の下側をシールドする層として形成される。
【０１７０】
下層シールド配線層４０１ａは、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
下層シールド配線層４０１ａは、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図３０（Ｂ）に示すようなマスクパターン８０１を用いることができる。このマスクパターン８０１において、パターン部８０１ａが、図３０（Ａ）に示した下層シールド配線層４０１ａの部分に対応している。尚、パターン部８０１ａは、遮光部や非反射部とされるか、又は透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン８０１を用いることで、下層シールド配線層４０１ａがパターニングされ、形成される。
【０１７１】
図３１は第４の実施の形態に係る下層シールド接続層の形成工程の説明図である。図３１（Ａ）は下層シールド接続層の形成まで行った状態の要部斜視図、図３１（Ｂ）は下層シールド接続層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１７２】
下層シールド配線層４０１ａの形成後は、図３１（Ａ）に示すように、下層シールド配線層４０１ａ上に、その縁部に沿って、平面枠状（両端部が平面Ｕ字状）になるように、下層シールド接続層４０２ａを形成（積層）する。
【０１７３】
下層シールド接続層４０２ａは、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
下層シールド接続層４０２ａは、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図３１（Ｂ）に示すようなマスクパターン８０２を用いることができる。このマスクパターン８０２において、パターン部８０２ａが、図３１（Ａ）に示した下層シールド接続層４０２ａの部分に対応している。尚、パターン部８０２ａは、遮光部や非反射部とされるか、又は透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン８０２を用いることで、下層シールド接続層４０２ａがパターニングされ、形成される。
【０１７４】
図３２は第４の実施の形態に係るサイド兼下層シールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。図３２（Ａ）はサイド兼下層シールド配線層及び信号線の形成まで行った状態の要部斜視図、図３２（Ｂ）はサイド兼下層シールド配線層及び信号線の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１７５】
下層シールド接続層４０２ａの形成後は、図３２（Ａ）に示すようなサイド兼下層シールド配線層４０３、及び信号線１０を形成する。サイド兼下層シールド配線層４０３は、下層シールド接続層４０２ａ上に、下層シールド接続層４０２ａに沿って形成（積層）された第１配線層部分４０３ａと、第１配線層部分４０３ａから延在された平板状の第２配線層部分４０３ｂとを有している。信号線１０は、このようなサイド兼下層シールド配線層４０３と同層で、その第１配線層部分４０３ａの内側に、第１配線層部分４０３ａから離間して、第１方向Ｓに延在されて形成される。
【０１７６】
サイド兼下層シールド配線層４０３の第１配線層部分４０３ａは、例えば、下層シールド接続層４０２ａの幅よりも大きな幅で、或いは下層シールド接続層４０２ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。
【０１７７】
サイド兼下層シールド配線層４０３の第１配線層部分４０３ａ（接続層）は、下層シールド接続層４０２ａ及び後述する中層シールド接続層４０４ａと共に信号線１０の側方をシールドする。サイド兼下層シールド配線層４０３の第２配線層部分４０３ｂは、後述のように上層側に形成される信号線２０の下側をシールドする。このようにサイド兼下層シールド配線層４０３は、下層側の信号線１０の側方をシールドし、且つ、上層側の信号線２０の下側をシールドする層として形成される。
【０１７８】
サイド兼下層シールド配線層４０３及び信号線１０はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【０１７９】
サイド兼下層シールド配線層４０３及び信号線１０は、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図３２（Ｂ）に示すようなマスクパターン８０３を用いることができる。このマスクパターン８０３において、パターン部８０３ａが、図３２（Ａ）に示したサイド兼下層シールド配線層４０３の第１配線層部分４０３ａに対応し、パターン部８０３ｂが、図３２（Ａ）に示した第２配線層部分４０３ｂに対応している。また、マスクパターン８０３のパターン部８０３ｃが、図３２（Ａ）に示した信号線１０の部分に対応している。尚、パターン部８０３ａ，８０３ｂ，８０３ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン８０３を用いることで、サイド兼下層シールド配線層４０３及び信号線１０が、同時にパターニングされ、形成される。
【０１８０】
図３３は第４の実施の形態に係る中層シールド接続層及び信号線接続層の形成工程の説明図である。図３３（Ａ）は中層シールド接続層及び信号線接続層の形成まで行った状態の要部斜視図、図３３（Ｂ）は中層シールド接続層及び信号線接続層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１８１】
サイド兼下層シールド配線層４０３及び信号線１０の形成後は、図３３（Ａ）に示すように、サイド兼下層シールド配線層４０３の縁部に沿って、第１配線層部分４０３ａと第２配線層部分４０３ｂとに跨って、中層シールド接続層４０４ａを形成（積層）する。更に、図３３（Ａ）に示すように、中層シールド接続層４０４ａの内側に、中層シールド接続層４０４ａと離間して、信号線１０に接続された一対の信号線接続層５０を形成（積層）する。
【０１８２】
中層シールド接続層４０４ａは、例えば、サイド兼下層シールド配線層４０３の第１配線層部分４０３ａの幅よりも小さな幅で、或いは第１配線層部分４０３ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。信号線接続層５０は、このような中層シールド接続層４０４ａと同層に、中層シールド接続層４０４ａと離間して、信号線１０上に形成される。
【０１８３】
中層シールド接続層４０４ａ及び信号線接続層５０はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【０１８４】
中層シールド接続層４０４ａ及び信号線接続層５０は、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図３３（Ｂ）に示すようなマスクパターン８０４を用いることができる。このマスクパターン８０４において、パターン部８０４ａが、図３３（Ａ）に示した中層シールド接続層４０４ａの部分に対応し、パターン部８０４ｃが、図３３（Ａ）に示した信号線接続層５０の部分に対応している。尚、パターン部８０４ａ，８０４ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン８０４を用いることで、中層シールド接続層４０４ａ及び信号線接続層５０が、同時にパターニングされ、形成される。
【０１８５】
図３４は第４の実施の形態に係るサイド兼上層シールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。図３４（Ａ）はサイド兼上層シールド配線層及び信号線の形成まで行った状態の要部斜視図、図３４（Ｂ）はサイド兼上層シールド配線層及び信号線の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１８６】
中層シールド接続層４０４ａ及び信号線接続層５０の形成後は、図３４（Ａ）に示すようなサイド兼上層シールド配線層４０５、及び一対の信号線２０を形成する。サイド兼上層シールド配線層４０５は、中層シールド接続層４０４ａ上に、信号線接続層５０を囲むように、端部が平面Ｕ字状になるように形成（積層）された第１配線層部分４０５ａを有している。更に、サイド兼上層シールド配線層４０５は、第１配線層部分４０５ａから延在され、中層シールド接続層４０４ａ上に形成（積層）された、平板状の第２配線層部分４０５ｂを有している。一対の信号線２０はそれぞれ、このようなサイド兼上層シールド配線層４０５と同層で、その第１配線層部分４０５ａの内側に、第１配線層部分４０５ａから離間して、第２方向Ｔに延在されて形成される。
【０１８７】
サイド兼上層シールド配線層４０５の第１配線層部分４０５ａは、例えば、中層シールド接続層４０４ａの幅よりも大きな幅で、或いは中層シールド接続層４０４ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。サイド兼上層シールド配線層４０５の第２配線層部分４０５ｂは、下層シールド配線層４０１ａに対向して形成される。
【０１８８】
サイド兼上層シールド配線層４０５の第１配線層部分４０５ａ（接続層）は、中層シールド接続層４０４ａ及び後述する上層シールド接続層４０６ａと共に信号線２０の側方をシールドする。サイド兼上層シールド配線層４０５の第２配線層部分４０５ｂは、下層側の信号線１０の上側をシールドする。このようにサイド兼上層シールド配線層４０５は、上層側の信号線２０の側方をシールドし、且つ、下層側の信号線１０の上側をシールドする層として形成される。
【０１８９】
サイド兼上層シールド配線層４０５及び信号線２０はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【０１９０】
サイド兼上層シールド配線層４０５及び信号線２０は、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図３４（Ｂ）に示すようなマスクパターン８０５を用いることができる。このマスクパターン８０５において、パターン部８０５ａが、図３４（Ａ）に示したサイド兼上層シールド配線層４０５の第１配線層部分４０５ａに対応し、パターン部８０５ｂが、図３４（Ａ）に示した第２配線層部分４０５ｂに対応している。また、マスクパターン８０５のパターン部８０５ｃが、図３４（Ａ）に示した信号線２０の部分に対応している。尚、パターン部８０５ａ，８０５ｂ，８０５ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン８０５を用いることで、サイド兼上層シールド配線層４０５及び信号線２０が、同時にパターニングされ、形成される。
【０１９１】
図３５は第４の実施の形態に係る上層シールド接続層の形成工程の説明図である。図３５（Ａ）は上層シールド接続層の形成まで行った状態の要部斜視図、図３５（Ｂ）は上層シールド接続層の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１９２】
サイド兼上層シールド配線層４０５及び信号線２０の形成後は、図３５（Ａ）に示すように、サイド兼上層シールド配線層４０５の一対の第１配線層部分４０５ａ上にそれぞれ、端部が平面Ｕ字状になるように、上層シールド接続層４０６ａを形成（積層）する。上層シールド接続層４０６ａは、例えば、第１配線層部分４０５ａの幅よりも小さな幅で、或いは第１配線層部分４０５ａの幅と同じか同程度の幅で、形成することができる。
【０１９３】
上層シールド接続層４０６ａは、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
上層シールド接続層４０６ａは、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図３５（Ｂ）に示すようなマスクパターン８０６を用いることができる。このマスクパターン８０６において、パターン部８０６ａが、図３５（Ａ）に示した上層シールド接続層４０６ａの部分に対応している。尚、パターン部８０６ａは、遮光部や非反射部とされるか、又は透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン８０６を用いることで、上層シールド接続層４０６ａがパターニングされ、形成される。
【０１９４】
図３６は第４の実施の形態に係る上層シールド配線層及び信号線の形成工程の説明図である。図３６（Ａ）は上層シールド配線層及び信号線の形成まで行った状態の要部斜視図、図３６（Ｂ）は上層シールド配線層及び信号線の形成に用いるマスクパターンの要部平面図である。
【０１９５】
上層シールド接続層４０６ａの形成後は、図３６（Ａ）に示すように、一対の上層シールド接続層４０６ａ上にそれぞれ、第２方向Ｔに延在する、平板状の上層シールド配線層４０７ａを形成する。上層シールド配線層４０７ａは、サイド兼下層シールド配線層４０３に対向するように、上層シールド接続層４０６ａ上に形成（積層）される。上層シールド配線層４０７ａは、信号線２０の上側をシールドする層として形成される。更に、図３６（Ａ）に示すように、一対の上層シールド配線層４０７ａの間に、第２方向Ｔに延在する、同軸構造を有しない信号線４０を形成する。
【０１９６】
上層シールド配線層４０７ａ及び信号線４０はそれぞれ、その全部又は一部に、Ａｌ又はＣｕ等の導電材料や、Ａｌ又はＣｕを含む導電材料等を用いて、形成することができる。
【０１９７】
上層シールド配線層４０７ａ及び信号線４０は、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。その際は、図３６（Ｂ）に示すようなマスクパターン８０７を用いることができる。このマスクパターン８０７において、パターン部８０７ａが、図３６（Ａ）に示した上層シールド配線層４０７ａの部分に対応し、パターン部８０７ｃが、図３６（Ａ）に示した信号線４０の部分に対応している。尚、パターン部８０７ａ，８０７ｃは、いずれも遮光部や非反射部とされるか、又はいずれも透光部や反射部とされる。このようなマスクパターン８０７を用いることで、上層シールド配線層４０７ａ及び信号線４０が、同時にパターニングされ、形成される。
【０１９８】
以上述べた図３０〜図３６の工程により、図２９の信号線１０，２０及び信号線接続層５０を同軸構造とした同軸配線部１００Ｄ（図３６）が形成される。
この第４の実施の形態に係る同軸配線部１００Ｄによっても、上記第３の実施の形態同様、同軸配線部１００Ｄの周囲からの又は周囲への電磁気的影響が効果的に抑制される同軸配線を含む多層配線の、回路設計自由度の向上を図ることが可能になる。
【０１９９】
尚、以上の説明では、同軸配線部１００Ｄとして、上層側の一方の信号線２０を、下層側の信号線１０へ信号線接続層５０で引き下げ、その信号線１０から上層側の他方の信号線２０へ信号線接続層５０で引き上げることで、信号線４０と交差させる構造を例示した。このほか、形成する多層配線の回路パターンによっては、上層側の信号線２０から信号線接続層５０で引き下げられた下層側の信号線１０を、上層側へ引き上げず、その層内で引き回すようにしてもよい。
【０２００】
また、以上の説明では、下層側の信号線１０を第１方向Ｓに延在させ、上層側の信号線２０，４０をいずれも第２方向Ｔに延在させる場合の同軸配線部１００Ｄを例示した。このほか、信号線１０，２０の延在方向が同じ場合、例えば、信号線２０が信号線１０と同じ第１方向Ｓに延在され、信号線４０のみが第２方向Ｔに延在されるような場合であっても、上記同様の同軸配線部を形成することが可能である。
【０２０１】
以上、多層配線内に設ける同軸配線部の例について説明した。以上の説明では、多層配線内の異なる層（上下層）に設けられる信号線とそれらを接続する接続部（ビア）とを同軸構造とする場合を例示した。これにより、上下層の信号線のほか、接続部もシールドされるため、同軸配線部の、周囲からの、又は周囲への、電磁気的影響が効果的に抑制されるようになる。
【０２０２】
尚、このように接続部をシールドすることによる、同軸配線部の周囲からの又は周囲への電磁気的影響の抑制効果は、上下層の信号線を接続する接続部に限らない。例えば、多層配線内のある信号線と、多層配線下の半導体基板に形成されるトランジスタ等の素子とを接続する接続部とを共に同軸構造とすることで、同様の効果を得ることが可能である。
【０２０３】
図３７は第５の実施の形態に係る同軸配線部の一例を示す図である。便宜上、図３７（Ａ）では、多層配線内で信号線の周囲及び信号線同士を接続する接続部の周囲に設けるシールド部、並びに、多層配線内の信号線、接続部及びシールド部等の導電部を被覆する層間絶縁膜等の絶縁部については、図示を省略している。また、便宜上、図３７（Ｂ）では、絶縁部の図示を省略している。
【０２０４】
図３７（Ａ）に示すように、接続部１２０と信号線２０とを、接続層３１ｅ、ブリッジ配線層３２、及び信号線接続層３３を介して接続する。接続部１２０は、半導体基板に形成されたトランジスタに接続されているプラグ等とすることができる。そのような接続部１２０に接続される、接続層３１ｅ、ブリッジ配線層３２、信号線接続層３３及び信号線２０を、同軸構造となるように形成することで、上記のような、周囲からの又は周囲への電磁気的影響の抑制効果を得ることが可能になる。
【０２０５】
この場合、図３７（Ｂ）に示すように、接続部１２０上に形成（積層）された接続層３１ｅと同層に、それを囲む平面枠状のシールド接続層１０４ｅが形成される。このシールド接続層１０４ｅ上には、下層シールド配線層１０５ｅが形成される。下層シールド配線層１０５ｅは、シールド接続層１０４ｅ上に形成（積層）され、接続層３１ｅに対応する領域に開口部（上記開口部１０５ａａに相当）を有する平面枠状の第１配線層部分１０５ａと、第１配線層部分１０５ａから延在された第２配線層部分１０５ｂとを有している。下層シールド配線層１０５ｅの開口部には、接続層３１ｅ上に接続されたブリッジ配線層３２が形成（積層）される。
【０２０６】
そして、このような下層シールド配線層１０５ｅ上に、上記第１の実施の形態で述べたのと同様に、その開口部を囲むように下層シールド接続層１０６ａが形成（積層）され、開口部のブリッジ配線層３２上に、信号線接続層３３が形成（積層）される。下層シールド接続層１０６ａ上には、サイドシールド配線層１０７ａが形成（積層）され、その内側に信号線２０が形成される。サイドシールド配線層１０７ａ上には、上層シールド接続層１０８ａが形成（積層）され、その上に、上層シールド配線層１０９ａが形成される。
【０２０７】
これにより、接続部１２０に接続される、接続層３１ｅ、ブリッジ配線層３２、信号線接続層３３及び信号線２０を、同軸構造とした同軸配線部１００Ｅが得られる。このような同軸配線部１００Ｅにより、信号線２０のほか、信号線接続層３３、ブリッジ配線層３２及び接続層３１ｅがシールドされるため、伝送される信号（高周波信号等）の、周囲からの又は周囲への電磁気的影響を、効果的に抑制することが可能になる。
【０２０８】
尚、以上の説明では、信号線１０，２０と信号線４０との交差部を例示して説明した。上記第１の実施の形態に係る同軸配線部１００Ａにおける信号線１０，４０の、図示しない端部側については、図示した信号線１０，２０の端部の構造例に従い、別の同軸配線と接続することが可能である。また、上記第５の実施の形態に係る同軸配線部１００Ｅの例に従い、トランジスタ等に接続された接続部１２０と接続する構造とすることも可能である。また、上記第２の実施の形態に係る同軸配線部１００Ｂにおける信号線２０，４０の、図示しない端部側についても同様に、図示した信号線１０，２０の端部の構造例に従い、別の同軸配線と接続することが可能である。更にまた、上記第３，４の実施の形態に係る同軸配線部１００Ｃ，１００Ｄにおける、図示しない信号線端部を、図示した信号線端部の構造例に従い、別の同軸配線と接続することも可能である。
【０２０９】
以上述べた同軸配線部のうち、上記第１の実施の形態に係る同軸配線部１００Ａを含む半導体装置の一例を図３８に示す。図３８には半導体装置の一例の要部断面を模式的に図示している。
【０２１０】
図３８に示す半導体装置１は、半導体基板２及び多層配線３を含む。半導体基板２には、回路素子、例えばトランジスタ２ａが形成されている。このような半導体基板２上に、多層配線３が形成されている。多層配線３内には、同軸配線部１００Ａ、その他の配線３ａやビア３ｂ等が形成されている。同軸配線部１００Ａ、配線３ａ、ビア３ｂといった導電部は、層間絶縁膜等の絶縁部３ｃによって被覆されている。同軸配線部１００Ａは、例えば、その端部において、上記第５の実施の形態に係る同軸配線部１００Ｅのような構造を採用し、接続部１２０によって、トランジスタ２ａに接続される。
【０２１１】
多層配線３内に、同軸配線部１００Ａをはじめ、上述のような同軸配線部（１００Ｂ〜１００Ｅ）を設けることにより、多層配線３の回路設計自由度が高く、扱う信号（高周波信号等）の電磁気的影響が抑制された高性能の半導体装置１を実現することが可能になる。
【０２１２】
次に、以上述べたような同軸配線部に含まれる配線層（下層、サイド、上層の各シールド配線層、ブリッジ配線層、信号線）及び接続層（下層、中層、上層の各シールド接続層、信号線接続層）の形成方法について説明する。
【０２１３】
図３９〜図４１は配線層及び接続層の第１形成方法の説明図である。
この形成方法では、まず図３９（Ａ）に示すように、第１層間絶縁膜９００上に、ＡｌやＡｌ合金等の導電材料を用いて、第１導電膜９０１が形成される。次いで、図３９（Ｂ）に示すように、第１導電膜９０１上に、所定形状にパターニングされたレジストパターン１０００が形成される。このレジストパターン１０００をマスクにして第１導電膜９０１のエッチングが行われ、エッチング後、レジストパターン１０００が除去されることで、図３９（Ｃ）に示すような第１配線層９０１ａが形成される。尚、このような第１配線層９０１ａとしては、上記したシールド配線層や信号線のように、比較的広い（長い）領域に形成されるもののほか、上記したブリッジ配線層のように、比較的狭い（短い）領域に形成されるものを形成してもよい。
【０２１４】
第１配線層９０１ａの形成後は、図４０（Ａ）に示すように、第１層間絶縁膜９００上の第１配線層９０１ａを覆うように、第２層間絶縁膜９０２が形成され、図４０（Ｂ）に示すように、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）により平坦化される。そして、平坦化後の第２層間絶縁膜９０２に対し、図４０（Ｃ）に示すように、第１配線層９０１ａに達する凹部９０２ａが形成され、ＡｌやＡｌ合金、或いはタングステン（Ｗ）等の導電材料を用いて、第２導電膜９０３が形成される。尚、第２層間絶縁膜９０２に形成する凹部９０２ａとしては、上記した信号線接続層のように、比較的狭い（短い）領域に形成されるもののほか、上記したシールド接続層のように、比較的広い（長い）領域に形成されるものを形成してもよい。
【０２１５】
凹部９０２ａ内を含む第２層間絶縁膜９０２上に形成された第２導電膜９０３は、図４１（Ａ）に示すように、ＣＭＰにより、第２層間絶縁膜９０２が表出するまで除去される。これにより、所定形状の凹部９０２ａに第２導電膜９０３が埋め込まれ、接続層９０３ａが形成される。その後は、図４１（Ｂ）に示すように、第２層間絶縁膜９０２上に、ＡｌやＡｌ合金等の導電材料を用いて、第３導電膜９０４が形成され、更にその上に、所定形状にパターニングされたレジストパターン１００１が形成される。このレジストパターン１００１をマスクにして第３導電膜９０４のエッチングが行われ、エッチング後、レジストパターン１００１が除去されることで、図４１（Ｃ）に示すような第２配線層９０４ａが形成される。尚、このような第２配線層９０４ａとしては、上記したシールド配線層や信号線のように、比較的広い（長い）領域に形成されるもののほか、上記したブリッジ配線層のように、比較的狭い（短い）領域に形成されるものを形成してもよい。
【０２１６】
これより上層に更に別の接続層、配線層を形成する場合には、図４０（Ａ）以降の工程を繰り返す。
例えばこのような方法を用いて、多層配線内に上記のような同軸配線部１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ等を形成することが可能である。
【０２１７】
また、図４２〜図４４は配線層及び接続層の第２形成方法の説明図である。
この形成方法では、まず図４２（Ａ）に示すように、ダマシン法により、第１層間絶縁膜９１０内に、Ｃｕ等の導電材料を用いて、第１配線層９１１ａが形成される。尚、第１配線層９１１ａとしては、上記したシールド配線層や信号線のように、比較的広い（長い）領域に形成されるもののほか、上記したブリッジ配線層のように、比較的狭い（短い）領域に形成されるものを形成してもよい。第１配線層９１１ａの形成後は、図４２（Ｂ）に示すように、第１層間絶縁膜９１０上に第２層間絶縁膜９１２が形成され、接続層形成のために所定形状にパターニングされたレジストパターン１０１０が形成される。このレジストパターン１０１０をマスクにして第２層間絶縁膜９１２のエッチングが行われ、エッチング後、レジストパターン１０１０が除去されることで、図４２（Ｃ）に示すような凹部９１２ａが形成される。尚、凹部９１２ａとしては、上記した信号線接続層のように、比較的狭い（短い）領域に形成されるもののほか、上記したシールド接続層のように、比較的広い（長い）領域に形成されるものを形成してもよい。
【０２１８】
次いで、図４３（Ａ）に示すように、第２層間絶縁膜９１２上に、配線層形成のために所定形状にパターニングされたレジストパターン１０１１が形成される。このレジストパターン１０１１をマスクにして第２層間絶縁膜９１２のエッチングが行われ、エッチング後、レジストパターン１０１１が除去されることで、図４３（Ｂ）に示すような凹部９１２ｂが形成される。尚、凹部９１２ｂとしては、上記した信号線接続層のように、比較的狭い（短い）領域に形成されるもののほか、上記したシールド接続層のように、比較的広い（長い）領域に形成されるものを形成してもよい。このような凹部９１２ａ，９１２ｂの形成後、第２層間絶縁膜９１２上に、Ｃｕ等の導電材料を用いて導電膜が形成され、その導電膜が、ＣＭＰにより、第２層間絶縁膜９１２が表出するまで除去される。これにより、所定形状の凹部９１２ａ，９１２ｂに導電膜が埋め込まれ、図４３（Ｃ）に示すような接続層９１３ａ及び第２配線層９１３ｂが一括形成される。
【０２１９】
これにより上層に更に別の接続層、配線層を形成する場合には、図４２（Ｂ）以降の工程を繰り返す。
尚、ここでは、接続層９１３ａ用の凹部９１２ａの形成後、第２配線層９１３ｂ形成用の凹部９１２ｂを形成するようにしたが、形成順はこれに限定されない。例えば、まず図４４（Ａ）に示すように、第２層間絶縁膜９１２の形成後、第２配線層９１３ｂ形成のために所定形状にパターニングされたレジストパターン１０１１が形成される。そして、このレジストパターン１０１１をマスクにして第２層間絶縁膜９１２のエッチングが行われ、レジストパターン１０１１が除去されることで、図４４（Ｂ）に示すような凹部９１２ｂが形成される。その後、図４４（Ｃ）に示すように、接続層９１３ａのために所定形状にパターニングされたレジストパターン１０１０が形成される。これをマスクにして第２層間絶縁膜９１２のエッチングが行われることで、上記図４３（Ｂ）に示したような凹部９１２ａが形成される。このようにして形成された凹部９１２ｂ，９１２ａに、上記同様、導電膜を埋め込むことで、図４３（Ｃ）に示したような接続層９１３ａ及び配線層９１３ｂが一括形成される。
【０２２０】
これより上層に更に別の接続層、配線層を形成する場合には、図４２（Ｂ）以降、或いは図４４（Ａ）以降の工程を繰り返す。尚、上記の図４２及び図４３の手順で凹部９１２ａ，９１２ｂを形成した後、図４４（Ａ）以降の工程を行うようにしてもよい。
【０２２１】
例えばこのような方法を用いて、多層配線内に上記のような同軸配線部１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ等を形成することも可能である。
尚、以上の配線層（下層、サイド、上層の各シールド配線層、ブリッジ配線層、信号線）及び接続層（下層、中層、上層の各シールド接続層、信号線接続層）は、いずれも単層で図示されているが、各層を複数層で形成してもよい。例えば、配線層、接続層の側面及び下面、或いは更に上面に、チタン（Ｔｉ）やタンタル（Ｔａ）等の材料を用いて、バリア層、キャップ層等の層を設けることも可能である。
【０２２２】
以上説明した実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１） 絶縁部と、
前記絶縁部内に配置された同軸配線部と、
を有し、
前記同軸配線部は、
第１配線層と、
前記第１配線層上に積層された第１接続層と、
前記第１接続層に沿って積層された第２接続層と、
前記第２接続層の内側に該第２接続層と離間して配置された第１信号線と、
前記第２接続層に沿って積層された第３接続層と、
前記第１信号線に接続され、前記第３接続層の内側に該第３接続層と離間して配置された第１ビアと、
前記第１配線層に対向するように前記第３接続層に積層され前記第１ビアに対応する領域に開口部を備えた第１部分と、該第１部分から前記第３接続層外に延在された第２部分とを有する第２配線層と、
前記開口部の前記第１ビアに前記第１部分と離間して積層された第２ビアと、
前記第２ビアに積層された第３ビアと、
前記第３ビアを囲むように前記第１部分と前記第２部分とに跨って積層された第４接続層と、
前記第４接続層に沿って積層された第５接続層と、
前記第３ビアに接続され、前記第５接続層の内側に該第５接続層と離間して配置された第２信号線と、
前記第５接続層に沿って積層された第６接続層と、
前記第２配線層に対向するように前記第６接続層に積層された第３配線層と、
を含むことを特徴とする半導体装置。
【０２２３】
（付記２） 前記第１配線層と同層に該第１配線層と離間して配置された第４配線層と、
前記第１接続層と同層に設けられ、前記第４配線層上に積層された第７接続層と、
前記第２接続層と同層に設けられ、前記第７接続層に沿って積層された第８接続層と、
前記第８接続層の内側に該第８接続層と離間して配置された第３信号線と、
前記第３接続層と同層に設けられ、前記第８接続層に沿って積層された第９接続層と、
を更に含み、
前記第２配線層は、前記第２部分が前記第４配線層と対向するように前記第６接続層及び前記第９接続層に積層されることを特徴とする付記１に記載の半導体装置。
【０２２４】
（付記３） 前記第１配線層の延在方向の一端部に積層される前記第１接続層、前記第２接続層及び前記第３接続層は、前記一端部側が閉じ他端部側が開口した平面Ｕ字状の第１のＵ字状部を有し、
前記第２部分は、前記第１のＵ字状部の開口側と異なる側に延在されることを特徴とする付記１又は２に記載の半導体装置。
【０２２５】
（付記４） 前記第４接続層、前記第５接続層及び前記第６接続層は、前記第３ビアを囲むように、前記第１のＵ字状部の開口側と異なる側が開口した平面Ｕ字状の第２のＵ字状部を有することを特徴とする付記３に記載の半導体装置。
【０２２６】
（付記５） 前記第２信号線と前記第３信号線とが、互いに交差する方向に延在されることを特徴とする付記２乃至４のいずれかに記載の半導体装置。
（付記６） 前記絶縁部及び前記同軸配線部は、トランジスタが設けられた半導体基板の上方に設けられ、
前記第１信号線は、前記第２信号線よりも前記半導体基板に近い下層側に設けられることを特徴とする付記１乃至５のいずれかに記載の半導体装置。
【０２２７】
（付記７） 前記絶縁部及び前記同軸配線部は、トランジスタが設けられた半導体基板の上方に設けられ、
前記第１信号線は、前記第２信号線よりも前記半導体基板から遠い上層側に設けられることを特徴とする付記１乃至５のいずれかに記載の半導体装置。
【０２２８】
（付記８） 絶縁部と、
前記絶縁部内に配置された同軸配線部と、
を有し、
前記同軸配線部は、
第１配線層と、
前記第１配線層上に積層された第１接続層と、
前記第１接続層に沿って積層された第１部分と、該第１部分から前記第１接続層外に延在された第２部分とを有する第２配線層と、
前記第１部分の内側に該第１部分と離間して配置された第１信号線と、
前記第２配線層上に積層された第２接続層と、
前記第１信号線に接続され、前記第２接続層と離間して配置された第１ビアと、
前記第１ビアを囲むように前記第２接続層に積層された第３部分と、該第３部分から延在され前記第１配線層に対向するように前記第２接続層に積層された第４部分とを有する第３配線層と、
前記第１ビアに接続され、前記第３部分の内側に該第３部分と離間して配置された第２信号線と、
前記第３部分に沿って積層された第３接続層と、
前記第２配線層に対向するように前記第３接続層に積層された第４配線層と、
を含むことを特徴とする半導体装置。
【０２２９】
（付記９） 前記第１配線層と同層に該第１配線層と離間して配置された第３信号線を更に含み、
前記第２配線層は、前記第２部分が前記第３信号線の少なくとも一部と対向するように設けられることを特徴とする付記８に記載の半導体装置。
【０２３０】
（付記１０） 前記第１配線層の延在方向の一端部に積層される前記第１接続層及び前記第１部分は、前記一端部側が閉じ他端部側が開口した平面Ｕ字状の第１のＵ字状部を有し、
前記第２部分は、前記第１のＵ字状部の開口側と異なる側に延在されることを特徴とする付記８又は９に記載の半導体装置。
【０２３１】
（付記１１） 前記第３部分及び前記第３接続層は、前記第１ビアを囲むように、前記第１のＵ字状部の開口側と異なる側が開口した平面Ｕ字状の第２のＵ字状部を有することを特徴とする付記１０に記載の半導体装置。
【０２３２】
（付記１２） 前記第２信号線と前記第３信号線とが、互いに交差する方向に延在されることを特徴とする付記９乃至１１のいずれかに記載の半導体装置。
（付記１３） 前記絶縁部及び前記同軸配線部は、半導体基板の上方に設けられ、前記第１信号線は、前記第２信号線よりも前記半導体基板に近い下層側に設けられることを特徴とする付記８乃至１２のいずれかに記載の半導体装置。
【０２３３】
（付記１４） 前記絶縁部及び前記同軸配線部は、半導体基板の上方に設けられ、前記第１信号線は、前記第２信号線よりも前記半導体基板から遠い上層側に設けられることを特徴とする付記８乃至１２のいずれかに記載の半導体装置。
【０２３４】
（付記１５） 絶縁部と、
前記絶縁部内に設けられた同軸配線部と、
を有し、
前記同軸配線部は、
第１ビアと、
前記第１ビアに積層された第２ビアと、
前記第２ビアを囲むように配置された第１接続層と、
前記第１接続層に積層され前記第２ビアに対応する領域に開口部を備えた第１部分と、該第１部分から前記第１接続層外に延在された第２部分とを有する第１配線層と、
前記開口部の前記第２ビアに前記第１部分と離間して積層された第３ビアと、
前記第３ビアに積層された第４ビアと、
前記第４ビアを囲むように前記第１部分と前記第２部分とに跨って積層された第２接続層と、
前記第２接続層に沿って積層された第３接続層と、
前記第４ビアに接続され、前記第３接続層の内側に該第３接続層と離間して設けられた第１信号線と、
前記第３接続層に沿って積層された第４接続層と、
前記第１配線層に対向するように前記第４接続層に積層された第２配線層と、
を含むことを特徴とする半導体装置。
【０２３５】
（付記１６） 前記絶縁部及び前記同軸配線部は、トランジスタが設けられた半導体基板の上方に設けられ、
前記第１ビアは、前記トランジスタに接続されることを特徴とする付記１５に記載の半導体装置。
【符号の説明】
【０２３６】
１ 半導体装置
２ 半導体基板
２ａ トランジスタ
３ 多層配線
３ａ 配線
３ｂ ビア
３ｃ 絶縁部
１０，２０，４０ 信号線
３０ 接続部
３１，３３ 信号線接続層
３１ｅ 接続層
３２ ブリッジ配線層
５０ 信号線接続層
１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ，１００Ｄ，１００Ｅ 同軸配線部
１０１ａ，１０１ｂ，１０５ｅ，２０１ａ，３０１ａ，４０１ａ 下層シールド配線層
１０２ａ，１０２ｂ，２０２ａ，３０２ａ，４０２ａ 下層シールド接続層
１０３ａ，１０３ｂ，２０３ａ サイドシールド配線層
１０４ａ，１０４ｂ，２０４ａ 上層シールド接続層
１０４ｅ シールド接続層
１０５，２０５ 上下層兼用シールド配線層
１０５ａ，２０５ａ，３０３ａ，３０５ａ，４０３ａ，４０５ａ 第１配線層部分
１０５ａａ，２０５ａａ 開口部
１０５ｂ，２０５ｂ，３０３ｂ，３０５ｂ，４０３ｂ，４０５ｂ 第２配線層部分
１０６ａ，２０６ａ，２０６ｂ 下層シールド接続層
１０７ａ，２０７ａ，２０７ｂ サイドシールド配線層
１０８ａ，２０８ａ，２０８ｂ，３０６ａ，４０６ａ 上層シールド接続層
１０９ａ，２０９ａ，２０９ｂ，３０７ａ，４０７ａ 上層シールド配線層
１２０ 接続部
３０３，４０３ サイド兼下層シールド配線層
３０４ａ，４０４ａ 中層シールド接続層
３０５，４０５ サイド兼上層シールド配線層
５０１，５０２，５０３，５０４，５０５，５０６，５０７，５０８，５０９，６０１，６０２，６０３，６０４，６０５，６０６，６０７，６０８，６０９，７０１，７０２，７０３，７０４，７０５，７０６，７０７，８０１，８０２，８０３，８０４，８０５，８０６，８０７ マスクパターン
５０１ａ，５０１ｂ，５０２ａ，５０２ｂ，５０３ａ，５０３ｂ，５０３ｃ，５０４ａ，５０４ｂ，５０４ｃ，５０５ａ，５０５ｂ，５０５ｃ，５０６ａ，５０６ｃ，５０７ａ，５０７ｃ，５０８ａ，５０９ａ，６０１ａ，６０２ａ，６０３ａ，６０３ｃ，６０４ａ，６０４ｃ，６０５ａ，６０５ｂ，６０５ｃ，６０６ａ，６０６ｂ，６０６ｃ，６０７ａ，６０７ｂ，６０７ｃ，６０８ａ，６０８ｂ，６０９ａ，６０９ｂ，７０１ａ，７０１ｃ，７０２ａ，７０３ａ，７０３ｂ，７０３ｃ，７０４ａ，７０４ｃ，７０５ａ，７０５ｂ，７０５ｃ，７０６ａ，７０７ａ，８０１ａ，８０２ａ，８０３ａ，８０３ｂ，８０３ｃ，８０４ａ，８０４ｃ，８０５ａ，８０５ｂ，８０５ｃ，８０６ａ，８０７ａ，８０７ｃ パターン部
９００，９１０ 第１層間絶縁膜
９０１ 第１導電膜
９０１ａ，９１１ａ 第１配線層
９０２，９１２ 第２層間絶縁膜
９０２ａ，９１２ａ，９１２ｂ 凹部
９０３ 第２導電膜
９０３ａ，９１３ａ 接続層
９０４ 第３導電膜
９０４ａ，９１３ｂ 第２配線層
１０００，１００１，１０１０，１０１１ レジストパターン
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁部と、
前記絶縁部内に配置された同軸配線部と、
を有し、
前記同軸配線部は、
第１配線層と、
前記第１配線層上に積層された第１接続層と、
前記第１接続層に沿って積層された第２接続層と、
前記第２接続層の内側に該第２接続層と離間して配置された第１信号線と、
前記第２接続層に沿って積層された第３接続層と、
前記第１信号線に接続され、前記第３接続層の内側に該第３接続層と離間して配置された第１ビアと、
前記第１配線層に対向するように前記第３接続層に積層され前記第１ビアに対応する領域に開口部を備えた第１部分と、該第１部分から前記第３接続層外に延在された第２部分とを有する第２配線層と、
前記開口部の前記第１ビアに前記第１部分と離間して積層された第２ビアと、
前記第２ビアに積層された第３ビアと、
前記第３ビアを囲むように前記第１部分と前記第２部分とに跨って積層された第４接続層と、
前記第４接続層に沿って積層された第５接続層と、
前記第３ビアに接続され、前記第５接続層の内側に該第５接続層と離間して配置された第２信号線と、
前記第５接続層に沿って積層された第６接続層と、
前記第２配線層に対向するように前記第６接続層に積層された第３配線層と、
を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１配線層と同層に該第１配線層と離間して配置された第４配線層と、
前記第１接続層と同層に設けられ、前記第４配線層上に積層された第７接続層と、
前記第２接続層と同層に設けられ、前記第７接続層に沿って積層された第８接続層と、
前記第８接続層の内側に該第８接続層と離間して配置された第３信号線と、
前記第３接続層と同層に設けられ、前記第８接続層に沿って積層された第９接続層と、
を更に含み、
前記第２配線層は、前記第２部分が前記第４配線層と対向するように前記第６接続層及び前記第９接続層に積層されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１配線層の延在方向の一端部に積層される前記第１接続層、前記第２接続層及び前記第３接続層は、前記一端部側が閉じ他端部側が開口した平面Ｕ字状の第１のＵ字状部を有し、
前記第２部分は、前記第１のＵ字状部の開口側と異なる側に延在されることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第４接続層、前記第５接続層及び前記第６接続層は、前記第３ビアを囲むように、前記第１のＵ字状部の開口側と異なる側が開口した平面Ｕ字状の第２のＵ字状部を有することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
絶縁部と、
前記絶縁部内に配置された同軸配線部と、
を有し、
前記同軸配線部は、
第１配線層と、
前記第１配線層上に積層された第１接続層と、
前記第１接続層に沿って積層された第１部分と、該第１部分から前記第１接続層外に延在された第２部分とを有する第２配線層と、
前記第１部分の内側に該第１部分と離間して配置された第１信号線と、
前記第２配線層上に積層された第２接続層と、
前記第１信号線に接続され、前記第２接続層と離間して配置された第１ビアと、
前記第１ビアを囲むように前記第２接続層に積層された第３部分と、該第３部分から延在され前記第１配線層に対向するように前記第２接続層に積層された第４部分とを有する第３配線層と、
前記第１ビアに接続され、前記第３部分の内側に該第３部分と離間して配置された第２信号線と、
前記第３部分に沿って積層された第３接続層と、
前記第２配線層に対向するように前記第３接続層に積層された第４配線層と、
を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記第１配線層と同層に該第１配線層と離間して配置された第３信号線を更に含み、
前記第２配線層は、前記第２部分が前記第３信号線の少なくとも一部と対向するように設けられることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１配線層の延在方向の一端部に積層される前記第１接続層及び前記第１部分は、前記一端部側が閉じ他端部側が開口した平面Ｕ字状の第１のＵ字状部を有し、
前記第２部分は、前記第１のＵ字状部の開口側と異なる側に延在されることを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第３部分及び前記第３接続層は、前記第１ビアを囲むように、前記第１のＵ字状部の開口側と異なる側が開口した平面Ｕ字状の第２のＵ字状部を有することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
絶縁部と、
前記絶縁部内に設けられた同軸配線部と、
を有し、
前記同軸配線部は、
第１ビアと、
前記第１ビアに積層された第２ビアと、
前記第２ビアを囲むように配置された第１接続層と、
前記第１接続層に積層され前記第２ビアに対応する領域に開口部を備えた第１部分と、該第１部分から前記第１接続層外に延在された第２部分とを有する第１配線層と、
前記開口部の前記第２ビアに前記第１部分と離間して積層された第３ビアと、
前記第３ビアに積層された第４ビアと、
前記第４ビアを囲むように前記第１部分と前記第２部分とに跨って積層された第２接続層と、
前記第２接続層に沿って積層された第３接続層と、
前記第４ビアに接続され、前記第３接続層の内側に該第３接続層と離間して設けられた第１信号線と、
前記第３接続層に沿って積層された第４接続層と、
前記第１配線層に対向するように前記第４接続層に積層された第２配線層と、
を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
前記絶縁部及び前記同軸配線部は、トランジスタが設けられた半導体基板の上方に設けられ、
前記第１ビアは、前記トランジスタに接続されることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１】
絶縁部と、
前記絶縁部内に配置された同軸配線部と、
を有し、
前記同軸配線部は、
第１配線層と、
前記第１配線層上に積層された第１接続層と、
前記第１接続層に沿って積層された第２接続層と、
前記第２接続層の内側に該第２接続層と離間して配置された第１信号線と、
前記第２接続層に沿って積層された第３接続層と、
前記第１信号線に接続され、前記第３接続層の内側に該第３接続層と離間して配置された第１ビアと、
前記第１配線層に対向するように前記第３接続層に積層され前記第１ビアに対応する領域に開口部を備えた第１部分と、該第１部分から前記第３接続層外に延在された第２部分とを有する第２配線層と、
前記開口部の前記第１ビアに前記第１部分と離間して積層された第２ビアと、
前記第２ビアに積層された第３ビアと、
前記第３ビアを囲むように前記第１部分と前記第２部分とに跨って積層された第４接続層と、
前記第４接続層に沿って積層された第５接続層と、
前記第３ビアに接続され、前記第５接続層の内側に該第５接続層と離間して配置された第２信号線と、
前記第５接続層に沿って積層された第６接続層と、
前記第２配線層に対向するように前記第６接続層に積層された第３配線層と、
を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１配線層と同層に該第１配線層と離間して配置された第４配線層と、
前記第１接続層と同層に設けられ、前記第４配線層上に積層された第７接続層と、
前記第２接続層と同層に設けられ、前記第７接続層に沿って積層された第８接続層と、
前記第８接続層の内側に該第８接続層と離間して配置された第３信号線と、
前記第３接続層と同層に設けられ、前記第８接続層に沿って積層された第９接続層と、
を更に含み、
前記第２配線層は、前記第２部分が前記第４配線層と対向するように前記第６接続層及び前記第９接続層に積層されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１配線層の延在方向の一端部に積層される前記第１接続層、前記第２接続層及び前記第３接続層は、前記一端部側が閉じ他端部側が開口した平面Ｕ字状の第１のＵ字状部を有し、
前記第２部分は、前記第１のＵ字状部の開口側と異なる側に延在されることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第４接続層、前記第５接続層及び前記第６接続層は、前記第３ビアを囲むように、前記第１のＵ字状部の開口側と異なる側が開口した平面Ｕ字状の第２のＵ字状部を有することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
絶縁部と、
前記絶縁部内に配置された同軸配線部と、
を有し、
前記同軸配線部は、
第１配線層と、
前記第１配線層上に積層された第１接続層と、
前記第１接続層に沿って積層された第１部分と、該第１部分から前記第１接続層外に延在された第２部分とを有する第２配線層と、
前記第１部分の内側に該第１部分と離間して配置された第１信号線と、
前記第２配線層上に積層された第２接続層と、
前記第１信号線に接続され、前記第２接続層と離間して配置された第１ビアと、
前記第１ビアを囲むように前記第２接続層に積層された第３部分と、該第３部分から延在され前記第１配線層に対向するように前記第２接続層に積層された第４部分とを有する第３配線層と、
前記第１ビアに接続され、前記第３部分の内側に該第３部分と離間して配置された第２信号線と、
前記第３部分に沿って積層された第３接続層と、
前記第２配線層に対向するように前記第３接続層に積層された第４配線層と、
を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記第１配線層と同層に該第１配線層と離間して配置された第３信号線を更に含み、
前記第２配線層は、前記第２部分が前記第３信号線の少なくとも一部と対向するように設けられることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１配線層の延在方向の一端部に積層される前記第１接続層及び前記第１部分は、前記一端部側が閉じ他端部側が開口した平面Ｕ字状の第１のＵ字状部を有し、
前記第２部分は、前記第１のＵ字状部の開口側と異なる側に延在されることを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第３部分及び前記第３接続層は、前記第１ビアを囲むように、前記第１のＵ字状部の開口側と異なる側が開口した平面Ｕ字状の第２のＵ字状部を有することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
絶縁部と、
前記絶縁部内に設けられた同軸配線部と、
を有し、
前記同軸配線部は、
第１ビアと、
前記第１ビアに積層された第２ビアと、
前記第２ビアを囲むように配置された第１接続層と、
前記第１接続層に積層され前記第２ビアに対応する領域に開口部を備えた第１部分と、該第１部分から前記第１接続層外に延在された第２部分とを有する第１配線層と、
前記開口部の前記第２ビアに前記第１部分と離間して積層された第３ビアと、
前記第３ビアに積層された第４ビアと、
前記第４ビアを囲むように前記第１部分と前記第２部分とに跨って積層された第２接続層と、
前記第２接続層に沿って積層された第３接続層と、
前記第４ビアに接続され、前記第３接続層の内側に該第３接続層と離間して設けられた第１信号線と、
前記第３接続層に沿って積層された第４接続層と、
前記第１配線層に対向するように前記第４接続層に積層された第２配線層と、
を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
前記絶縁部及び前記同軸配線部は、トランジスタが設けられた半導体基板の上方に設けられ、
前記第１ビアは、前記トランジスタに接続されることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【公開番号】特開２０１３−２１２５５（Ｐ２０１３−２１２５５Ａ）
【公開日】平成２５年１月３１日（２０１３．１．３１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１５５５２６（Ｐ２０１１−１５５５２６）
【出願日】平成２３年７月１４日（２０１１．７．１４）
【出願人】（３０８０１４３４１）富士通セミコンダクター株式会社 (2,507)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月３１日（２０１３．１．３１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年７月１４日（２０１１．７．１４）
【出願人】（３０８０１４３４１）富士通セミコンダクター株式会社 (2,507)
【Ｆターム（参考）】
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