【課題】酸化物半導体層を用いた表示装置に代表される半導体装置において、画面サイズの大型化や高精細化に対応し、表示品質が良く、安定して動作する信頼性のよい半導体装置を提供する。
【解決手段】引き回し距離の長い配線にＣｕを含む導電層を用いることで、配線抵抗の増大を抑える。また、Ｃｕを含む導電層を、ＴＦＴのチャネル領域が形成される酸化物半導体層と重ならないようにし、窒化珪素を含む絶縁層で包むことで、Ｃｕの拡散を防ぐことができ、信頼性の良い半導体装置を作製することができる。特に、半導体装置の一態様である表示装置を大型化または高精細化しても、表示品質が良く、安定して動作させること
ができる。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の窒化珪素を含む第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上のＣｕを含む第１の導電層と、
前記第１の導電層上の第２の導電層と、
前記第２の導電層上の窒化珪素を含む第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の酸化珪素を含む第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の第３の導電層と、
前記酸化物半導体層上の第４の導電層と、
前記酸化物半導体層上の酸化珪素を含む第４の絶縁層と、
前記第４の絶縁層上の窒化珪素を含む第５の絶縁層と、
前記第５の絶縁層上の第５の導電層と、
前記第５の導電層上の前記Ｃｕを含む第６の導電層と、
前記第６の導電層上の窒化珪素を含む第６の絶縁層と、
前記第６の絶縁層上の第７の導電層と、を有し、
前記第５の導電層は、前記第３の導電層および前記第４の導電層のどちらか一方と電気的に接続しており、
前記第７の導電層は、前記第３の導電層および前記第４の導電層の他方と電気的に接続しており、
前記第１の導電層および前記第６の導電層は、前記酸化物半導体層と重ならず、
前記第３の導電層および前記第４の導電層は、同じ材料を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の導電層は、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｃａから選ばれた元素のうち、少なくとも一つの種類の元素が含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２の導電層は、Ｃｕよりも融点が高い元素で構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層は、少なくともＩｎ、Ｇａ、Ｚｎのいずれかを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第６の導電層は、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｃａから選ばれた元素のうち、少なくとも一つの種類の元素が含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の導電層及び前記第６の導電層は、上側及び下側が窒化珪素を含む層で覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第４の絶縁層は、前記酸化物半導体層に接しており、
前記第３の導電層と前記第４の導電層の間にあることを特徴とする半導体装置。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【図１２】

【図１３】

【図１４】

【図１５】

【図１６】

【図１７】

【図１８】

【図１９】

【図２０】

【図２１】

【図２２】

【図２３】

【図２４】

【図２５】

【図２６】

【図２７】

【図２８】

【図２９】

【図３０】

【図３１】

【図３２】

【図３３】

【図３４】

【図３５】

【図３６】

【図３７】

【図３８】

【図３９】

【図４０】

【図４５】

【図４６】

【図４７】

【図４８】

【図４１】

【図４２】

【図４３】

【図４４】

【公開番号】特開２０１３−５８７５８（Ｐ２０１３−５８７５８Ａ）
【公開日】平成２５年３月２８日（２０１３．３．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−２０３７４９（Ｐ２０１２−２０３７４９）
【出願日】平成２４年９月１７日（２０１２．９．１７）
【分割の表示】特願２０１０−２２６５３１（Ｐ２０１０−２２６５３１）の分割
【原出願日】平成２２年１０月６日（２０１０．１０．６）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】