説明

半導体装置

【課題】液晶等の電気光学素子若しくは発光素子等を表示媒体として用いる表示装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】劣化しやすいトランジスタのゲート電極に、オンしたトランジスタを介して信号を入力することで、劣化しやすいトランジスタのしきい値電圧のシフト及びオンしたトランジスタのしきい値電圧のシフトを抑制する。すなわち、高電位(VDD)がゲート電極に印加されているトランジスタを介して(若しくは抵抗成分を持つ素子を介して)、交流パルスを劣化しやすいトランジスタのゲート電極に加える構成を含んでいる。


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【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体装置。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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【図10】
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【図11】
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【図12】
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【図13】
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【図14】
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【図15】
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【図16】
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【図17】
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【図18】
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【図19】
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【図20】
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【図21】
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【図22】
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【図23】
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【図24】
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【図25】
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【図26】
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【図27】
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【図28】
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【図29】
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【図30】
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【図31】
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【図32】
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【図33】
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【図34】
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【図35】
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【図36】
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【図37】
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【図38】
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【図39】
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【図40】
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【図41】
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【図42】
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【図43】
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【図44】
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【図45】
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【図46】
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【図47】
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【図49】
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【図50】
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【図51】
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【図52】
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【図53】
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【図54】
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【図60】
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【図61】
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【図62】
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【図63】
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【図64】
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【図65】
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【図67】
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【図68】
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【図70】
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【図80】
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【図85】
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【図93】
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【図97】
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【図99】
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【図100】
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【図101】
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【図102】
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【図104】
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【図105】
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【図108】
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【図109】
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【図110】
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【図111】
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【図112】
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【図113】
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【図114】
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【図115】
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【図116】
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【図117】
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【図118】
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【図119】
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【図120】
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【図121】
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【図122】
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【図123】
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【図124】
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【公開番号】特開2013−61654(P2013−61654A)
【公開日】平成25年4月4日(2013.4.4)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−224964(P2012−224964)
【出願日】平成24年10月10日(2012.10.10)
【分割の表示】特願2012−16300(P2012−16300)の分割
【原出願日】平成18年9月29日(2006.9.29)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】