半導体装置
【課題】高性能な半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁表面上に設けられるゲート電極層421と、ゲート電極層上に設けられるゲート絶縁層402と、ゲート絶縁層上に設けられる第1の酸化物半導体層442と、第1の酸化物半導体層上に接して設けられる第2の酸化物半導体層443と、第1の酸化物半導体層の第1の領域及び第2の酸化物半導体層の第1の領域と重なり、且つ第2の酸化物半導体層に接して設けられる酸化物絶縁層と、酸化物絶縁層上、第1の酸化物半導体層の第2の領域上、及び第2の酸化物半導体層の第2の領域と重なり、且つ第2の酸化物半導体層に接して設けられるソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、第1の酸化物半導体層の第1の領域及び第2の酸化物半導体層の第1の領域は、ゲート電極層と重なる領域、並びに第1の酸化物半導体層及び第2の酸化物半導体層の周縁及び側面、に設けられる領域である。
【解決手段】絶縁表面上に設けられるゲート電極層421と、ゲート電極層上に設けられるゲート絶縁層402と、ゲート絶縁層上に設けられる第1の酸化物半導体層442と、第1の酸化物半導体層上に接して設けられる第2の酸化物半導体層443と、第1の酸化物半導体層の第1の領域及び第2の酸化物半導体層の第1の領域と重なり、且つ第2の酸化物半導体層に接して設けられる酸化物絶縁層と、酸化物絶縁層上、第1の酸化物半導体層の第2の領域上、及び第2の酸化物半導体層の第2の領域と重なり、且つ第2の酸化物半導体層に接して設けられるソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、第1の酸化物半導体層の第1の領域及び第2の酸化物半導体層の第1の領域は、ゲート電極層と重なる領域、並びに第1の酸化物半導体層及び第2の酸化物半導体層の周縁及び側面、に設けられる領域である。
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【特許請求の範囲】
【請求項1】
絶縁表面上のゲート電極層と、
前記ゲート電極層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の第1の酸化物半導体層と、
前記第1の酸化物半導体層上に接する第2の酸化物半導体層と、
前記第1の酸化物半導体層の第1の領域及び前記第2の酸化物半導体層の第1の領域と重なり、且つ前記第2の酸化物半導体層に接する酸化物絶縁層と、
前記第1の酸化物半導体層の第2の領域及び前記第2の酸化物半導体層の第2の領域と重なり、且つ前記第2の酸化物半導体層に接するソース電極層及びドレイン電極層と、
前記酸化物絶縁層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に設けられ、前記第1の酸化物半導体層の第3の領域及び前記第2の酸化物半導体層の第3の領域と重なり、且つ前記第2の酸化物半導体層に接する保護絶縁層と、を有し、
前記第1の酸化物半導体層の第1の領域は、前記ゲート電極層と重なる領域及び前記第1の酸化物半導体層の端部に設けられ、
前記第2の酸化物半導体層の第1の領域は、前記ゲート電極層と重なる領域及び前記第2の酸化物半導体層の端部に設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項1】
絶縁表面上のゲート電極層と、
前記ゲート電極層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の第1の酸化物半導体層と、
前記第1の酸化物半導体層上に接する第2の酸化物半導体層と、
前記第1の酸化物半導体層の第1の領域及び前記第2の酸化物半導体層の第1の領域と重なり、且つ前記第2の酸化物半導体層に接する酸化物絶縁層と、
前記第1の酸化物半導体層の第2の領域及び前記第2の酸化物半導体層の第2の領域と重なり、且つ前記第2の酸化物半導体層に接するソース電極層及びドレイン電極層と、
前記酸化物絶縁層、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に設けられ、前記第1の酸化物半導体層の第3の領域及び前記第2の酸化物半導体層の第3の領域と重なり、且つ前記第2の酸化物半導体層に接する保護絶縁層と、を有し、
前記第1の酸化物半導体層の第1の領域は、前記ゲート電極層と重なる領域及び前記第1の酸化物半導体層の端部に設けられ、
前記第2の酸化物半導体層の第1の領域は、前記ゲート電極層と重なる領域及び前記第2の酸化物半導体層の端部に設けられることを特徴とする半導体装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【公開番号】特開2013−8990(P2013−8990A)
【公開日】平成25年1月10日(2013.1.10)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−182883(P2012−182883)
【出願日】平成24年8月22日(2012.8.22)
【分割の表示】特願2010−167343(P2010−167343)の分割
【原出願日】平成22年7月26日(2010.7.26)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成25年1月10日(2013.1.10)
【国際特許分類】
【出願日】平成24年8月22日(2012.8.22)
【分割の表示】特願2010−167343(P2010−167343)の分割
【原出願日】平成22年7月26日(2010.7.26)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
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