説明

半導体装置

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、薄型パッケージ(THIN SMALL OUTLINE PACKAGE)用半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】面付け型のパッケージでは高密度実装の要求から年々、薄型化してきている。図4、5は現在試作検討中の薄型パッケージである(タイプ1−TSOP)。
【0003】このパッケージ構造(LEAD ON CHIP)では、電源ライン(バスバー)2がチップ4内側に2本配置されており信号用のワイヤ5は前記電源ライン2上を通過してチップ4上のパッド4aへワイヤボンドされる構造となっている。また、薄型化を図るためにボンディングワイヤ5の成形高さを従来の半円形(図6参照)よりも低くする台形ループ(図7参照)が採用され、パッケージの総厚さとして約1mmのパッケージが現在試作されている。1はリードフレーム、3はポリイミドフィルム(両面接着剤付)である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】パッケージの薄型化については、現状のLOC構造を採用する限り各構成要素(リードフレーム1、絶縁フィルム3、シリコンチップ4)の累積厚さとなるために限界がある。
【0005】これらTSOPはICカードへの使用が検討されており、従来の厚さ1mm程度では適用が困難と考えられ、さらに他構造による薄型化を図って行く必要がある。
【0006】本発明の目的は、従来技術の欠点を解消し、パッケージの薄型化を大幅に改善した半導体装置を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために本発明によれば、リードフレームのインナーリード部の先端方向のさらに前方に電源用のバスバーを有し、シリコンチップ上のパッドとリードフレームのインナーリード部との間および前記シリコンチップ上のパッドと前記バスバーとの間をそれぞれボンディングワイヤで接続してなる半導体装置において、前記バスバーでシリコンチップの側面が固定され、かつ前記ボンディングワイヤにより接続されるリードフレームのインナーリード部およびバスバーの接続面が少なくとも前記シリコンチップ上のパッドより高くならないように配置されてボンディングされていることを特徴とする半導体装置が提供される。
【0008】
【実施例】以下に本発明を実施例に基づき具体的に説明する。
【0009】図1は本発明の半導体装置の一実施例を示したものであり、シリコンチップ4とリードフレーム1の接合部の詳細を図2に示した。シリコンチップ4とバスバー2の接合は、あらかじめバスバー2側面またはシリコンチップ4側面に両面接着剤付フィルム3(例えばポリイミドフィルム3の両面に接着剤を塗布したもの)を貼付けておき、次にシリコンチップ4の側面とリードフレーム1のバスバー2とを同一平面状に接着する。続いて、常法によりシリコンチップ4上のパッド4aとインナーリード部1aとの間および前記シリコンチップ4上のパッド4aとバスバー2との間をそれぞれボンディングワイヤ5、8で接続する。なお、バスバー2のワイヤボンディング面は、シリコンチップのボンディング面と同一面かそれよりも低くする必要がある。それによりボンディングワイヤ5とバスバー2のショートが防止できる。また、バスバー2、シリコンチップ4間のフィルム3は同様の目的から前記両ボンディング面と同一かそれ以上の高さに形成して接着する必要がある。
【0010】なお、本発明の参考例として、バスバー2、シリコンチップ4間に接着剤付フィルムを使用せず図3に示すように、リードフレーム1外枠に配置したチップ吊リード7にシリコンチップ4の側面を接着剤6で接着し、次にシリコンチップ4上のパッド4aとリードフレーム1のインナーリード部1aとの間および前記シリコンチップ4上のパッド4aとバスバー2との間をそれぞれボンディングワイヤ5、8で接続することによって同一効果を得ることができる。この場合は前記ボンディングワイヤ5およびバスバー2、シリコンチップ4間を接続するボンディングワイヤ8の長さを短縮することができる。本発明において、リードフレーム1は材質、ピン数等について特に限定されない。また、絶縁部材(フィルム3)および接着剤6の材質も特に限定されない。
【0011】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成されているので、パッケージを平面状に構成することによりフィルムおよびリードフレームのインナーリード部の厚さ分パッケージ厚さを薄くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の半導体装置の一実施例を示す断面図である。
【図2】 図1の部分拡大斜視図である。
【図3】 本発明の半導体装置の他の実施例を示す要部斜視図である。
【図4】 従来のLOCパッケージの断面図である。
【図5】 従来のTSOPの要部斜視図である。
【図6】 従来のボンディングワイヤの形状例を示す要部断面図である。
【図7】 従来のボンディングワイヤの他の形状例を示す要部断面図である。
【符号の説明】
1 リードフレーム
1a インナーリード部
2 バスバー
3 フィルム(両面接着剤付)
4 シリコンチップ
4a パッド
5 ボンディングワイヤ
6 接着剤
7 チップ吊リード
8 ボンディングワイヤ

【特許請求の範囲】
【請求項1】リードフレームのインナーリード部の先端方向のさらに前方に電源用のバスバーを有し、シリコンチップ上のパッドとリードフレームのインナーリード部との間および前記シリコンチップ上のパッドと前記バスバーとの間をそれぞれボンディングワイヤで接続してなる半導体装置において、前記バスバーでシリコンチップの側面が固定され、かつ前記ボンディングワイヤにより接続されるリードフレームのインナーリード部およびバスバーの接続面が少なくとも前記シリコンチップ上のパッドより高くならないように配置されてボンディングされていることを特徴とする半導体装置。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【特許番号】特許第3055581号(P3055581)
【登録日】平成12年4月14日(2000.4.14)
【発行日】平成12年6月26日(2000.6.26)
【国際特許分類】
【出願番号】特願平4−38127
【出願日】平成4年2月25日(1992.2.25)
【公開番号】特開平5−235249
【公開日】平成5年9月10日(1993.9.10)
【審査請求日】平成11年2月24日(1999.2.24)
【出願人】(000005120)日立電線株式会社 (3,358)
【出願人】(000005108)株式会社日立製作所 (27,607)
【参考文献】
【文献】特開 昭58−53852(JP,A)
【文献】特開 昭63−240055(JP,A)
【文献】特開 平1−220464(JP,A)