向上した量子効率を有する発光デバイス
本発明は、少なくとも基板（１）と、アノード（２）と、第１の正孔輸送層（３）と、発光層（５）と、カソード（６）とを有する発光デバイスであって、前記第１の正孔輸送層（３）と前記発光層（５）との間に第１の正孔ブロッキング層（４）が構成される、発光デバイスに関する。正孔ブロッキング層（４）は、発光層（５）に到達する正孔の濃度を低減し、このため、通常多数電荷担体である正孔の濃度は、電子流に適応することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも基板と、アノードと、第１の正孔輸送層と、発光層と、カソードとを有する発光デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子制御されるディスプレイシステムは、知られており、種々の原理に基づいて種々の実施例において広く使われている。
【０００３】
１つの原理は、光源として有機発光ダイオード（いわゆるＯＬＥＤ）を用いる。有機発光ダイオードは、複数の機能層から成る。ＯＬＥＤの典型的な構造は、「Philips Journal of Research, 1998, 51, 467」に説明されている。典型的な構造は、透明電極（アノード）としてのＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）の層、導電性高分子層、エレクトロルミネセント層（即ち発光材料を有する層及び金属（好適には低い仕事関数を有する金属）からなる電極（カソード））を有する。このような構造は、通常は基板（通常ガラス）に適用される。発生される光は、基板を通じて観察者に到達する。
【０００４】
用いられる発光材料は、例えば発光ポリマーであってよい。エレクトロルミネセント層中に発光ポリマーを有するＯＬＥＤは、ｐｏｌｙＬＥＤ又はＰＬＥＤとも呼ばれる。
【０００５】
しかし、ＯＬＥＤはエレクトロルミネセント層の発光材料として、小さい発光分子を更に有することができる。エレクトロルミネセント層中に小さい発光分子を有するＯＬＥＤは、ＳＭＯＬＥＤ（小分子有機発光ダイオード）とも呼ばれる。この実施例において、発光材料は、正孔又は電子伝導材料からなるマトリクスに埋め込まれる。
【０００６】
エレクトロルミネセント層において、正孔と電子とは衝突し、再結合する。その結果、発光材料は、直接、又は、エネルギー移動を介して、励起される。励起された発光材料は、光の放出を伴って基本状態に戻る。
【０００７】
電荷担体の成功した再結合は、中でも電荷担体の量に依存する。均衡のとれた正孔及び電子流密度は、効率的なエレクトロルミネセンスの必要条件である。ほとんどの有機材料において、正孔移動度は、電子移動度より約２桁大きい（１０−５ｃｍ２／Ｖｓと比較して１０−３ｃｍ２／Ｖｓ）。従って、ほとんどの場合、正孔が、多数電荷キャリアであり、エキシトンを形成すること無しに発光層を通過することができる。なぜなら、正孔は、電子に出会って再結合しないからである。これらの正孔がカソードへと流れることを防止するために、エレクトロルミネセント層とカソードとの間に正孔ブロッキング層が挿入される。正孔ブロッキング層は、正孔が容易に注入されることができない及び／又は正孔の可動性が低い材料を有する。従って、正孔ブロッキング層の材料は、比較的難度を伴ってしか酸化することができない。正孔ブロッキング層のため、正孔はエレクトロルミネセント層に集まる。
【０００８】
しかし、フリーな電荷担体、正孔及び電子は、既に励起されている分子（エキシトン）と化学反応することができ、ここで、励起された分子はいかなる発光も無しに基本状態に戻る。従って、励起された分子は消失し、ＯＬＥＤの量子効率は低減される。これらの反応は、ＯＬＥＤにおける大きな損失源を表す。なぜなら、過剰な正孔が、励起された分子が発生する領域において、即ちエレクトロルミネセント層において集まるからである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従って、本発明の目的は、増加された量子効率を有する発光デバイスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この目的は、少なくとも基板と、アノードと、第１の正孔輸送層と、発光層と、カソードとを有する発光デバイスであって、前記第１の正孔輸送層と前記発光層との間に第１の正孔ブロッキング層が構成される、発光デバイスによって達成される。
【００１１】
正孔輸送層と発光層との間への正孔ブロッキング層の挿入によって、発光層の正孔の数は、低減され、発光層に到達する電子の数に適応することができる。多数の正孔が正孔輸送層に集まり、励起された発光分子と化学反応することができない。
【００１２】
請求項２に記載の発光デバイスの有利な実施例は、正孔がカソードに到達して光生成の目的から失われることを防止する。
【００１３】
請求項３及び４に記載の有利な実施例によって、発光層への正孔の流れは、より正確に調整されることができる。
【００１４】
請求項５及び６に記載の有利に選択された材料によって、効率的な正孔ブロッキング層が得られる。
【００１５】
請求項７に記載の有利な実施例によって、カソードを通じた発光の消失は低減され、発光デバイスへの電子の注入が改善される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明は、図面に示される実施例を参照して更に説明されるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１７】
発光デバイスの全ての実施例は、基板１を持ち、これに、少なくともアノード２、第１の正孔輸送層３、発光層５及びカソード６が適用される。
【００１８】
図１に示すように、発光デバイスは基板１、好適には透明ガラス板又は透明プラスチック板を持つ。プラスチック板は、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を有することができる。基板１には、少なくともアノード２、正孔輸送層３、第１の正孔ブロッキング層４、発光層５及びカソード６を有する層本体が隣接する。
【００１９】
アノード２は、好適には、透明であり、例えばｐ添加シリコン、インジウム添加スズ酸化物（ＩＴＯ）又はアンチモン添加スズ酸化物（ＡＴＯ）を有することができる。アノード２は、好適にはＩＴＯを有する。アノード２は、組織化されて（structured）おらず、平面として設計される。カソード６は、例えばアルミニウム、銅、銀又は金等の金属、合金又はｎ添加シリコンを有することができる。カソード６が２つ以上の伝導層を持つことは、好ましい可能性がある。カソード６が、アルカリ土類金属（例えばカルシウム若しくはバリウム）又はアルカリ金属ハロゲン化物（例えばＬｉＦ）若しくはリチウム安息香酸塩の第１層及びアルミニウムの第２の層を有することが特に好ましい可能性がある。カソード６は、組織化されることができ、例えば１つ又は複数の導電材料の多数の平行ストリップを有することができる。代替的に、カソード６は組織化されず平面として設計されることができる。
【００２０】
発光層５は、発光材料として発光ポリマー又は小さい発光分子を有することができる。用いられる発光ポリマーは、例えば、ポリ（ｐ−フェニルビニレン）（ＰＰＶ）又は例えばジアルコキシ置換ＰＰＶ等の置換されたＰＰＶであってよい。発光層５が小さい発光分子を有する場合、これらは、好適には正孔又は電子輸送材料からなるマトリクスに埋め込まれる。マトリクス材料の選択は、小さい発光分子の要件に依存する。一例として、発光層は、４，４’，４’’−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）のマトリクスに埋め込まれたトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）又は２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）のマトリクスに埋め込まれたＩｒ（ｐｐｙ）３を有してよい。
【００２１】
アノード２には第１の正孔輸送層３が隣接し、これは装置への正孔の注入及び輸送を容易にする。
【００２２】
正孔輸送層３と発光層５との間に位置する第１の正孔ブロッキング層４は、酸化することが比較的困難であり、従って、単位時間あたり発光層５に到達する正孔の数は低減される。
【００２３】
第１の正孔ブロッキング層４は、隣接した正孔輸送層３より酸化することがより困難である材料を有する。好適には、正孔ブロッキング層４の材料のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）エネルギーレベルは、隣接している正孔輸送層３の材料のＨＯＭＯエネルギーレベルより低い。ＨＯＭＯエネルギーレベル間のエネルギー差が大きいほど、第１の正孔ブロッキング層４のブロッキング特性は大きい。本実施例において、正孔は、正孔輸送層３において、即ち第１の正孔ブロッキング層４に隣接する領域において集まる。
【００２４】
正孔輸送層３の材料は、低い電子親和力を有する低いイオン化電位を持つべきである。しかし、ＨＯＭＯエネルギーレベルは、エネルギーバリアを克服すること無しにアノード２からの正孔の注入が可能であるほどに高いべきである。正孔輸送層３のための適切な材料は、例えば、トリアリールアミン、ジアリールアミン、トリスチルベンアミン、又は、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＤＯＴ）及びポリスチレンスルホン酸塩の混合物である。
【００２５】
第１の正孔ブロッキング層４及び正孔輸送層３については、２つの層のそれぞれの材料のＨＯＭＯとＬＵＭＯ（最低空分子軌道）との間の距離は、発光層５で発生される光が吸収されないためには、発光層５の発光材料のＨＯＭＯ−ＬＵＭＯ距離より大きくなければならない。
【００２６】
図２は、本発明による発光デバイスの他の好適な実施例を示す。この発光デバイスは、加えて、正孔が発光層５からカソード６に通過することを防止する、他の第２の正孔ブロッキング層７を持つ。第２の正孔ブロッキング層７の材料も、酸化することが比較的困難である。好適には、第２の正孔ブロッキング層７の材料のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）エネルギーレベルは、隣接した発光層５の発光材料のＨＯＭＯエネルギーレベルより低い。ここでも、ＨＯＭＯエネルギーレベル間のエネルギー差が大きいほど、第２の正孔ブロッキング層７のブロッキング特性は大きくなる。
【００２７】
図３は、本発明による発光デバイスの更に他の好適な実施例を示す。この発光デバイスは、アノード２と第１の正孔輸送層３との間に多数の層を有する層状構造を持つ。層状構造は、少なくとも１つの他の正孔ブロッキング層及び１つの他の正孔輸送層を持つ。図３に示される実施例において、第１の正孔輸送層３とアノード２との間の層状構造は、２つの他の正孔輸送層８、１０及び２つの他の正孔ブロッキング層９、１１を持つ。正孔輸送層８、１０は、これらの層が層状構造の正孔ブロッキング層９、１１と交互になるように構成される。
【００２８】
全ての実施例において、正孔輸送層３、８、１０は常にアノード２に隣接する。
【００２９】
この実施例の有利な機能は、発光層５に到達する正孔の濃度が、発光層５に入る電子密度に正確に適応することができるということである。
【００３０】
個々の正孔ブロッキング層４、７、９、１１は、同じ材料又は異なった材料を有することができる。同じことは、正孔輸送層３、８、１０に関して当てはまる。
【００３１】
正孔ブロッキング層４、７、９、１１のための適切な材料は、例えば、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（バソクプロイン（ＢＣＰ））、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、２−（４−ビフェニル）−５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）、２−（４−ビフェニルイル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、１，３，５−トリス−（１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール−２−イル）ベンゼン（ＴＢＰＩ）又はペルフルオロ化側鎖を有するオリゴフェニルである。
【００３２】
正孔ブロッキング層４、７、９、１１の層厚は、層において用いられる材料の種類及びその材料の正孔ブロッキング特性に依存する。全ての正孔ブロッキング層４、７、９、１１において同じ材料が用いられると、第１、第３及び第４の正孔ブロッキング層４、９、１１のそれぞれの層厚さは、第２の正孔ブロッキング層７の層厚さより通常小さい。好適には、第１、第３及び第４の正孔ブロッキング層４、９、１１の層厚さは、それぞれ、０．１〜１０ｎｍである。層厚さがそれぞれ０．１〜５ｎｍであることは特に好ましい。より好適には、層厚さは、それぞれ０．１〜２ｎｍである。最も好適には、層厚さは、それぞれ０．１〜０．５ｎｍである。
【００３３】
全ての実施例において、電子輸送層１２が、カソード６と発光層４との間又はカソード６と第２の正孔ブロッキング層７との間に位置することができる。このような電子輸送層の材料は、高い電子親和力によって特徴付けられる。適切な材料は、例えば、トリス−（８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム（tris-(8-hydroxyquinolato)aluminum）（Ａｌｑ３）又は１，３，４−オキサジアゾール若しくは１，２，４−トリアゾール等の電子不足複素環である。図４は、カソード６と第２の正孔ブロッキング層７との間に電子輸送層１２を持つ発光デバイスを示す。
【実施例１】
【００３４】
アノード２として働く厚さ１５０ｎｍのＩＴＯの層が、ガラスでできた透明基板１に適用された。厚さ３０ｎｍのα−ＮＰＤの層が、第１の正孔輸送層３として、スピンコーティングによってアノード２に適用された。１ｎｍの層厚さを持つＢＣＰの第１の正孔ブロッキング層４が、正孔輸送層３に適用された。ＴＣＴＡに埋め込まれたＩｒ（ｐｐｙ）３の発光層５が、第１の正孔ブロッキング層４に適用された。発光層５の層厚さは、３０ｎｍであった。厚さ１０ｎｍのＢＣＰの第２の正孔ブロッキング層７が、発光層５に適用された。厚さ４０ｎｍのＡｌｑ３の層が、電子輸送層１２として第２の正孔ブロッキング層７に適用された。厚さ１．５ｎｍのリチウム安息香酸塩の第１の層及び厚さ１５０ｎｍのアルミニウムの第２の層からなる厚さ１５１．５ｎｍのカソード６が、電子輸送層１２に適用された。本発明による発光デバイスは、第１の正孔ブロッキング層４の無い発光デバイスと比較して１５％増加された量子効率を持っていた。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明による発光デバイスを示す。
【図２】本発明による発光デバイスを示す。
【図３】本発明による発光デバイスを示す。
【図４】本発明による発光デバイスを示す。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも基板と、アノードと、第１の正孔輸送層と、発光層と、カソードとを有する発光デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子制御されるディスプレイシステムは、知られており、種々の原理に基づいて種々の実施例において広く使われている。
【０００３】
１つの原理は、光源として有機発光ダイオード（いわゆるＯＬＥＤ）を用いる。有機発光ダイオードは、複数の機能層から成る。ＯＬＥＤの典型的な構造は、「Philips Journal of Research, 1998, 51, 467」に説明されている。典型的な構造は、透明電極（アノード）としてのＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）の層、導電性高分子層、エレクトロルミネセント層（即ち発光材料を有する層及び金属（好適には低い仕事関数を有する金属）からなる電極（カソード））を有する。このような構造は、通常は基板（通常ガラス）に適用される。発生される光は、基板を通じて観察者に到達する。
【０００４】
用いられる発光材料は、例えば発光ポリマーであってよい。エレクトロルミネセント層中に発光ポリマーを有するＯＬＥＤは、ｐｏｌｙＬＥＤ又はＰＬＥＤとも呼ばれる。
【０００５】
しかし、ＯＬＥＤはエレクトロルミネセント層の発光材料として、小さい発光分子を更に有することができる。エレクトロルミネセント層中に小さい発光分子を有するＯＬＥＤは、ＳＭＯＬＥＤ（小分子有機発光ダイオード）とも呼ばれる。この実施例において、発光材料は、正孔又は電子伝導材料からなるマトリクスに埋め込まれる。
【０００６】
エレクトロルミネセント層において、正孔と電子とは衝突し、再結合する。その結果、発光材料は、直接、又は、エネルギー移動を介して、励起される。励起された発光材料は、光の放出を伴って基本状態に戻る。
【０００７】
電荷担体の成功した再結合は、中でも電荷担体の量に依存する。均衡のとれた正孔及び電子流密度は、効率的なエレクトロルミネセンスの必要条件である。ほとんどの有機材料において、正孔移動度は、電子移動度より約２桁大きい（１０−５ｃｍ２／Ｖｓと比較して１０−３ｃｍ２／Ｖｓ）。従って、ほとんどの場合、正孔が、多数電荷キャリアであり、エキシトンを形成すること無しに発光層を通過することができる。なぜなら、正孔は、電子に出会って再結合しないからである。これらの正孔がカソードへと流れることを防止するために、エレクトロルミネセント層とカソードとの間に正孔ブロッキング層が挿入される。正孔ブロッキング層は、正孔が容易に注入されることができない及び／又は正孔の可動性が低い材料を有する。従って、正孔ブロッキング層の材料は、比較的難度を伴ってしか酸化することができない。正孔ブロッキング層のため、正孔はエレクトロルミネセント層に集まる。
【０００８】
しかし、フリーな電荷担体、正孔及び電子は、既に励起されている分子（エキシトン）と化学反応することができ、ここで、励起された分子はいかなる発光も無しに基本状態に戻る。従って、励起された分子は消失し、ＯＬＥＤの量子効率は低減される。これらの反応は、ＯＬＥＤにおける大きな損失源を表す。なぜなら、過剰な正孔が、励起された分子が発生する領域において、即ちエレクトロルミネセント層において集まるからである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従って、本発明の目的は、増加された量子効率を有する発光デバイスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この目的は、少なくとも基板と、アノードと、第１の正孔輸送層と、発光層と、カソードとを有する発光デバイスであって、前記第１の正孔輸送層と前記発光層との間に第１の正孔ブロッキング層が構成される、発光デバイスによって達成される。
【００１１】
正孔輸送層と発光層との間への正孔ブロッキング層の挿入によって、発光層の正孔の数は、低減され、発光層に到達する電子の数に適応することができる。多数の正孔が正孔輸送層に集まり、励起された発光分子と化学反応することができない。
【００１２】
請求項２に記載の発光デバイスの有利な実施例は、正孔がカソードに到達して光生成の目的から失われることを防止する。
【００１３】
請求項３及び４に記載の有利な実施例によって、発光層への正孔の流れは、より正確に調整されることができる。
【００１４】
請求項５及び６に記載の有利に選択された材料によって、効率的な正孔ブロッキング層が得られる。
【００１５】
請求項７に記載の有利な実施例によって、カソードを通じた発光の消失は低減され、発光デバイスへの電子の注入が改善される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明は、図面に示される実施例を参照して更に説明されるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１７】
発光デバイスの全ての実施例は、基板１を持ち、これに、少なくともアノード２、第１の正孔輸送層３、発光層５及びカソード６が適用される。
【００１８】
図１に示すように、発光デバイスは基板１、好適には透明ガラス板又は透明プラスチック板を持つ。プラスチック板は、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を有することができる。基板１には、少なくともアノード２、正孔輸送層３、第１の正孔ブロッキング層４、発光層５及びカソード６を有する層本体が隣接する。
【００１９】
アノード２は、好適には、透明であり、例えばｐ添加シリコン、インジウム添加スズ酸化物（ＩＴＯ）又はアンチモン添加スズ酸化物（ＡＴＯ）を有することができる。アノード２は、好適にはＩＴＯを有する。アノード２は、組織化されて（structured）おらず、平面として設計される。カソード６は、例えばアルミニウム、銅、銀又は金等の金属、合金又はｎ添加シリコンを有することができる。カソード６が２つ以上の伝導層を持つことは、好ましい可能性がある。カソード６が、アルカリ土類金属（例えばカルシウム若しくはバリウム）又はアルカリ金属ハロゲン化物（例えばＬｉＦ）若しくはリチウム安息香酸塩の第１層及びアルミニウムの第２の層を有することが特に好ましい可能性がある。カソード６は、組織化されることができ、例えば１つ又は複数の導電材料の多数の平行ストリップを有することができる。代替的に、カソード６は組織化されず平面として設計されることができる。
【００２０】
発光層５は、発光材料として発光ポリマー又は小さい発光分子を有することができる。用いられる発光ポリマーは、例えば、ポリ（ｐ−フェニルビニレン）（ＰＰＶ）又は例えばジアルコキシ置換ＰＰＶ等の置換されたＰＰＶであってよい。発光層５が小さい発光分子を有する場合、これらは、好適には正孔又は電子輸送材料からなるマトリクスに埋め込まれる。マトリクス材料の選択は、小さい発光分子の要件に依存する。一例として、発光層は、４，４’，４’’−トリ（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）のマトリクスに埋め込まれたトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）又は２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）のマトリクスに埋め込まれたＩｒ（ｐｐｙ）３を有してよい。
【００２１】
アノード２には第１の正孔輸送層３が隣接し、これは装置への正孔の注入及び輸送を容易にする。
【００２２】
正孔輸送層３と発光層５との間に位置する第１の正孔ブロッキング層４は、酸化することが比較的困難であり、従って、単位時間あたり発光層５に到達する正孔の数は低減される。
【００２３】
第１の正孔ブロッキング層４は、隣接した正孔輸送層３より酸化することがより困難である材料を有する。好適には、正孔ブロッキング層４の材料のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）エネルギーレベルは、隣接している正孔輸送層３の材料のＨＯＭＯエネルギーレベルより低い。ＨＯＭＯエネルギーレベル間のエネルギー差が大きいほど、第１の正孔ブロッキング層４のブロッキング特性は大きい。本実施例において、正孔は、正孔輸送層３において、即ち第１の正孔ブロッキング層４に隣接する領域において集まる。
【００２４】
正孔輸送層３の材料は、低い電子親和力を有する低いイオン化電位を持つべきである。しかし、ＨＯＭＯエネルギーレベルは、エネルギーバリアを克服すること無しにアノード２からの正孔の注入が可能であるほどに高いべきである。正孔輸送層３のための適切な材料は、例えば、トリアリールアミン、ジアリールアミン、トリスチルベンアミン、又は、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＤＯＴ）及びポリスチレンスルホン酸塩の混合物である。
【００２５】
第１の正孔ブロッキング層４及び正孔輸送層３については、２つの層のそれぞれの材料のＨＯＭＯとＬＵＭＯ（最低空分子軌道）との間の距離は、発光層５で発生される光が吸収されないためには、発光層５の発光材料のＨＯＭＯ−ＬＵＭＯ距離より大きくなければならない。
【００２６】
図２は、本発明による発光デバイスの他の好適な実施例を示す。この発光デバイスは、加えて、正孔が発光層５からカソード６に通過することを防止する、他の第２の正孔ブロッキング層７を持つ。第２の正孔ブロッキング層７の材料も、酸化することが比較的困難である。好適には、第２の正孔ブロッキング層７の材料のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）エネルギーレベルは、隣接した発光層５の発光材料のＨＯＭＯエネルギーレベルより低い。ここでも、ＨＯＭＯエネルギーレベル間のエネルギー差が大きいほど、第２の正孔ブロッキング層７のブロッキング特性は大きくなる。
【００２７】
図３は、本発明による発光デバイスの更に他の好適な実施例を示す。この発光デバイスは、アノード２と第１の正孔輸送層３との間に多数の層を有する層状構造を持つ。層状構造は、少なくとも１つの他の正孔ブロッキング層及び１つの他の正孔輸送層を持つ。図３に示される実施例において、第１の正孔輸送層３とアノード２との間の層状構造は、２つの他の正孔輸送層８、１０及び２つの他の正孔ブロッキング層９、１１を持つ。正孔輸送層８、１０は、これらの層が層状構造の正孔ブロッキング層９、１１と交互になるように構成される。
【００２８】
全ての実施例において、正孔輸送層３、８、１０は常にアノード２に隣接する。
【００２９】
この実施例の有利な機能は、発光層５に到達する正孔の濃度が、発光層５に入る電子密度に正確に適応することができるということである。
【００３０】
個々の正孔ブロッキング層４、７、９、１１は、同じ材料又は異なった材料を有することができる。同じことは、正孔輸送層３、８、１０に関して当てはまる。
【００３１】
正孔ブロッキング層４、７、９、１１のための適切な材料は、例えば、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（バソクプロイン（ＢＣＰ））、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、２−（４−ビフェニル）−５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）、２−（４−ビフェニルイル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、１，３，５−トリス−（１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール−２−イル）ベンゼン（ＴＢＰＩ）又はペルフルオロ化側鎖を有するオリゴフェニルである。
【００３２】
正孔ブロッキング層４、７、９、１１の層厚は、層において用いられる材料の種類及びその材料の正孔ブロッキング特性に依存する。全ての正孔ブロッキング層４、７、９、１１において同じ材料が用いられると、第１、第３及び第４の正孔ブロッキング層４、９、１１のそれぞれの層厚さは、第２の正孔ブロッキング層７の層厚さより通常小さい。好適には、第１、第３及び第４の正孔ブロッキング層４、９、１１の層厚さは、それぞれ、０．１〜１０ｎｍである。層厚さがそれぞれ０．１〜５ｎｍであることは特に好ましい。より好適には、層厚さは、それぞれ０．１〜２ｎｍである。最も好適には、層厚さは、それぞれ０．１〜０．５ｎｍである。
【００３３】
全ての実施例において、電子輸送層１２が、カソード６と発光層４との間又はカソード６と第２の正孔ブロッキング層７との間に位置することができる。このような電子輸送層の材料は、高い電子親和力によって特徴付けられる。適切な材料は、例えば、トリス−（８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム（tris-(8-hydroxyquinolato)aluminum）（Ａｌｑ３）又は１，３，４−オキサジアゾール若しくは１，２，４−トリアゾール等の電子不足複素環である。図４は、カソード６と第２の正孔ブロッキング層７との間に電子輸送層１２を持つ発光デバイスを示す。
【実施例１】
【００３４】
アノード２として働く厚さ１５０ｎｍのＩＴＯの層が、ガラスでできた透明基板１に適用された。厚さ３０ｎｍのα−ＮＰＤの層が、第１の正孔輸送層３として、スピンコーティングによってアノード２に適用された。１ｎｍの層厚さを持つＢＣＰの第１の正孔ブロッキング層４が、正孔輸送層３に適用された。ＴＣＴＡに埋め込まれたＩｒ（ｐｐｙ）３の発光層５が、第１の正孔ブロッキング層４に適用された。発光層５の層厚さは、３０ｎｍであった。厚さ１０ｎｍのＢＣＰの第２の正孔ブロッキング層７が、発光層５に適用された。厚さ４０ｎｍのＡｌｑ３の層が、電子輸送層１２として第２の正孔ブロッキング層７に適用された。厚さ１．５ｎｍのリチウム安息香酸塩の第１の層及び厚さ１５０ｎｍのアルミニウムの第２の層からなる厚さ１５１．５ｎｍのカソード６が、電子輸送層１２に適用された。本発明による発光デバイスは、第１の正孔ブロッキング層４の無い発光デバイスと比較して１５％増加された量子効率を持っていた。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明による発光デバイスを示す。
【図２】本発明による発光デバイスを示す。
【図３】本発明による発光デバイスを示す。
【図４】本発明による発光デバイスを示す。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも基板と、アノードと、第１の正孔輸送層と、発光層と、カソードとを有する発光デバイスであって、前記第１の正孔輸送層と前記発光層との間に第１の正孔ブロッキング層が構成される、発光デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の発光デバイスにおいて、前記カソードと前記発光層との間に第２の正孔ブロッキング層が構成されることを特徴とする発光デバイス。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の発光デバイスにおいて、前記第１の正孔輸送層と前記アノードとの間に、少なくとも１つの他の正孔ブロッキング層及び１つの他の正孔輸送層からなる層状構造が構成されることを特徴とする発光デバイス。
【請求項４】
請求項３に記載の発光デバイスにおいて、前記他の正孔ブロッキング層及び正孔輸送層は交互に構成されることを特徴とする発光デバイス。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか１項に記載の発光デバイスにおいて、正孔ブロッキング層の材料の酸化電位は、隣接する正孔輸送層の酸化電位より高いことを特徴とする発光デバイス。
【請求項６】
請求項１乃至４の何れか１項に記載の発光デバイスにおいて、正孔ブロッキング層の材料は、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（バソクプロイン（ＢＣＰ））、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、２−（４−ビフェニル）−５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）、２−（４−ビフェニルイル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、１，３，５−トリス−（１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール−２−イル）ベンゼン（ＴＢＰＩ）及びペルフルオロ化側鎖を有するオリゴフェニルからなる群から選択されることを特徴とする発光デバイス。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか１項に記載の発光デバイスにおいて、カソードと発光層との間に電子輸送層が構成されることを特徴とする発光デバイス。
【請求項１】
少なくとも基板と、アノードと、第１の正孔輸送層と、発光層と、カソードとを有する発光デバイスであって、前記第１の正孔輸送層と前記発光層との間に第１の正孔ブロッキング層が構成される、発光デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の発光デバイスにおいて、前記カソードと前記発光層との間に第２の正孔ブロッキング層が構成されることを特徴とする発光デバイス。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の発光デバイスにおいて、前記第１の正孔輸送層と前記アノードとの間に、少なくとも１つの他の正孔ブロッキング層及び１つの他の正孔輸送層からなる層状構造が構成されることを特徴とする発光デバイス。
【請求項４】
請求項３に記載の発光デバイスにおいて、前記他の正孔ブロッキング層及び正孔輸送層は交互に構成されることを特徴とする発光デバイス。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか１項に記載の発光デバイスにおいて、正孔ブロッキング層の材料の酸化電位は、隣接する正孔輸送層の酸化電位より高いことを特徴とする発光デバイス。
【請求項６】
請求項１乃至４の何れか１項に記載の発光デバイスにおいて、正孔ブロッキング層の材料は、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（バソクプロイン（ＢＣＰ））、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、２−（４−ビフェニル）−５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）、２−（４−ビフェニルイル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、１，３，５−トリス−（１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール−２−イル）ベンゼン（ＴＢＰＩ）及びペルフルオロ化側鎖を有するオリゴフェニルからなる群から選択されることを特徴とする発光デバイス。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか１項に記載の発光デバイスにおいて、カソードと発光層との間に電子輸送層が構成されることを特徴とする発光デバイス。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公表番号】特表２００７−５１０３０３（Ｐ２００７−５１０３０３Ａ）
【公表日】平成１９年４月１９日（２００７．４．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−５３７４９９（Ｐ２００６−５３７４９９）
【出願日】平成１６年１０月１９日（２００４．１０．１９）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＩＢ２００４／０５２１３５
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０４３５８１
【国際公開日】平成１７年５月１２日（２００５．５．１２）
【出願人】（５９００００２４８）コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ (12,071)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成１９年４月１９日（２００７．４．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年１０月１９日（２００４．１０．１９）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＩＢ２００４／０５２１３５
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０４３５８１
【国際公開日】平成１７年５月１２日（２００５．５．１２）
【出願人】（５９００００２４８）コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ (12,071)
【Ｆターム（参考）】
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