回路基板およびその製造方法、および電子機器
【課題】接続抵抗を低減することの可能な回路基板およびその製造方法、ならびに、上記の回路基板を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】回路基板は、素子と、接続端子と、これらを電気的に接続するコンタクト構造とを備えている。ここで、コンタクト構造は、接続端子側に設けられたＡｌ系金属層と、Ａｌ系金属層上に設けられた有機導電層と、有機導電層上に設けられるとともに素子と接する導電層とを有している。
【解決手段】回路基板は、素子と、接続端子と、これらを電気的に接続するコンタクト構造とを備えている。ここで、コンタクト構造は、接続端子側に設けられたＡｌ系金属層と、Ａｌ系金属層上に設けられた有機導電層と、有機導電層上に設けられるとともに素子と接する導電層とを有している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、例えば有機ＥＬ(Electro Luminescence)素子などの素子と接続端子とを電気的に接続するコンタクト構造を備えた回路基板およびその製造方法に関する。また、本技術は、上記回路基板を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画像表示を行う表示装置の分野では、画素の発光素子として、流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の光学素子、例えば有機ＥＬ素子を用いた表示装置が開発され、商品化が進められている。有機ＥＬ素子は、液晶素子などと異なり自発光素子である。そのため、有機ＥＬ素子を用いた表示装置（有機ＥＬ表示装置）では、光源（バックライト）が必要ないので、光源を必要とする液晶表示装置と比べて、薄型化、高輝度化することができる。特に、駆動方式としてアクティブマトリクス方式を用いた場合には、各画素をホールド点灯させることができ、低消費電力化することもできる。そのため、有機ＥＬ表示装置は、次世代のフラットパネルディスプレイの主流になると期待されている。
【０００３】
上述したように、有機ＥＬ素子は、電流を供給して発光させるものである。そのため、配線抵抗が高く、配線での電圧降下が大きいと、有機ＥＬ素子に流れる電流が電圧降下の分だけ変動し、表示輝度も変動してしまう。従って、配線材料として抵抗率の低い金属を使用する必要がある。また、最も大きな電流が流れるのは、複数の有機ＥＬ素子からの電流が流れる共通電極（カソード電極）であるので、抵抗率が高いと多量の電流により大きな電圧降下を生じ、表示品質が低下してしまう。そこで、回路基板の全体的な電圧降下を防止するために、外部への取り出し端子（接続端子）と共通電極が配置される領域との間に、接続端子と共通電極を電気的に接続するコンタクト構造を設けることが考えられている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−３５７５８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、コンタクト構造のうち接続端子に接する金属パターンとして、ＡｌやＡｌ合金が用いられている場合には、金属パターンの表面が酸化されやすい状態となる。そのため、金属パターンの表面が酸化された状態でコンタクト構造が形成された場合には、共通電極と接続端子との接続抵抗が増加するので、コンタクト構造において大きな電圧降下が生じてしまうという問題があった。
【０００６】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その第１の目的は、接続抵抗を低減することの可能な回路基板およびその製造方法を提供することにある。また、第２の目的は、上記回路基板を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本技術の回路基板は、素子と接続端子とを電気的に接続するコンタクト構造を備えたものである。コンタクト構造は、接続端子側に設けられたＡｌ系金属層と、Ａｌ系金属層上に設けられた有機導電層と、有機導電層上に設けられるとともに素子と接する導電層とを有している。本技術による電子機器は、上記の回路基板を備えたものである。
【０００８】
本技術の回路基板の製造方法は、素子と、素子と接続端子とを電気的に接続するコンタクト構造とを備えた回路基板を製造する方法である。この製造方法は、接続端子に電気的に接続されたＡｌ系金属層を形成し、Ａｌ系金属層上に有機導電層を形成し、さらに、有機導電層上に、素子と接する導電層を形成することによりコンタクト構造を形成する工程を含んでいる。
【０００９】
本技術の回路基板およびその製造方法、ならびに電子機器では、コンタクト構造において、Ａｌ系金属層上に有機導電層が設けられており、導電層は有機導電層を介してＡｌ系金属層と電気的に接続されている。このように、有機導電層がＡｌ系金属層の表面を被覆することにより、製造過程におけるＡｌ系金属層の表面酸化が抑制される。また、有機導電層自体が、正孔注入層と同一材料で形成された層を少なくとも含んでいる場合には、コンタクト構造における正孔注入性が向上する。
【発明の効果】
【００１０】
本技術の回路基板およびその製造方法、ならびに電子機器によれば、有機導電層でＡｌ系金属層の表面を被覆することにより製造過程におけるＡｌ系金属層の表面酸化を抑制するようにしたので、素子と接続端子との接続抵抗を低減することができる。また、有機導電層自体が、正孔注入層と同一材料で形成された層を少なくとも含んでいる場合には、素子と接続端子との接続抵抗をより一層、低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本技術による一実施の形態に係る表示装置の概略構成図である。
【図２】図１の画素の回路構成の一例を表す図である。
【図３】図１の表示パネル内の平面構成の一例を表す図である。
【図４】図１の表示パネルの断面構成の一例を表す図である。
【図５】図１の表示パネルの一部の断面構成の一例を表す図である。
【図６】図５の回路基板の製造過程の一例を示す断面図である。
【図７】上記各実施の形態の発光装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図８】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図９】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図１０】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図１１】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態
２．適用例
【００１３】
＜１．実施の形態＞
[構成]
図１は、本技術の一実施の形態に係る表示装置１の概略構成を表したものである。この表示装置１は、表示パネル１０と、表示パネル１０を駆動する駆動回路２０とを備えている。駆動回路２０は、例えば、タイミング生成回路２１、映像信号処理回路２２、信号線駆動回路２３、走査線駆動回路２４、および電源線駆動回路２５を有している。
【００１４】
（表示パネル１０）
表示パネル１０は、複数の画素１１が表示パネル１０の表示領域１０Ａ全面に渡って２次元配置されたものである。表示パネル１０は、駆動回路２０によって各画素１１がアクティブマトリクス駆動されることにより、外部から入力された映像信号２０Ａに基づく画像を表示するものである。図２は、画素１１の回路構成の一例を表したものである。画素１１は、例えば、画素回路１２と、有機ＥＬ素子１３とを有している。有機ＥＬ素子１３は、例えば、アノード電極、有機層およびカソード電極が順に積層された構成を有している。アノード電極は、後述のアノード電極１３Ａに相当し、有機層は、後述の有機層１３Ｂに相当し、カソード電極は、後述のカソード電極１３Ｃに相当する。
【００１５】
画素回路１２は、例えば、駆動トランジスタＴｒ１、書き込みトランジスタＴｒ２および保持容量Ｃｓによって構成されたものであり、２Ｔｒ１Ｃの回路構成となっている。書き込みトランジスタＴｒ２は、後述の信号線ＤＴＬの電圧をサンプリングするとともに駆動トランジスタＴｒ１のゲートに書き込むものである。駆動トランジスタＴｒ１は、書き込みトランジスタＴｒ２によって書き込まれた電圧の大きさに応じて有機ＥＬ素子１３に流れる電流を制御するものである。保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＴｒ１のゲート−ソース間に所定の電圧を保持するものである。なお、画素回路１２は、上述の２Ｔｒ１Ｃの回路構成とは異なる回路構成となっていてもよい。
【００１６】
駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、例えば、ｎチャネルＭＯＳ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により形成されている。なお、ＴＦＴの種類は特に限定されるものではなく、例えば、逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）であってもよいし、スタガー構造（トップゲート型）であってもよい。また、駆動トランジスタＴｒ１または書き込みトランジスタＴｒ２は、ｐチャネルＭＯＳ型のＴＦＴであってもよい。
【００１７】
表示パネル１０は、行方向に延在する複数の書込線ＷＳＬと、列方向に延在する複数の信号線ＤＴＬと、行方向に延在する複数の電源線ＤＳＬとを有している。各信号線ＤＴＬと各書込線ＷＳＬとの交差点近傍には、画素１１が設けられている。各信号線ＤＴＬは、後述の信号線駆動回路２３の出力端（図示せず）と、書き込みトランジスタＴｒ２のソースまたはドレインとに接続されている。各書込線ＷＳＬは、後述の走査線駆動回路２４の出力端（図示せず）と、書き込みトランジスタＴｒ２のゲートに接続されている。各電源線ＤＳＬは、固定の電圧を出力する電源の出力端（図示せず）と、駆動トランジスタＴｒ１のソースまたはドレインに接続されている。
【００１８】
書き込みトランジスタＴｒ２のゲートは、書込線ＷＳＬに接続されている。書き込みトランジスタＴｒ２のソースまたはドレインが信号線ＤＴＬに接続され、書き込みトランジスタＴｒ２のソースおよびドレインのうち信号線ＤＴＬに未接続の端子が駆動トランジスタＴｒ１のゲートに接続されている。駆動トランジスタＴｒ１のソースまたはドレインが電源線ＤＳＬに接続され、駆動トランジスタＴｒ１のソースおよびドレインのうち電源線ＤＳＬに未接続の端子が有機ＥＬ素子１３のアノードに接続されている。保持容量Ｃｓの一端が駆動トランジスタＴｒ１のゲートに接続され、保持容量Ｃｓの他端が駆動トランジスタＴｒ１のソース（図２では有機ＥＬ素子１３側の端子）に接続されている。つまり、保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＴｒ１のゲート−ソース間に挿入されている。
【００１９】
表示パネル１０は、さらに、図２に示したように、有機ＥＬ素子１３のカソードに接続されたカソード線ＣＴＬを有している。カソード線ＣＴＬは、基準電位（例えばグラウンド電位）となっている外部回路（図示せず）と電気的に接続されるものである。図３は、表示パネル１０内の平面構成の一例を模式的に表したものである。カソード線ＣＴＬは、例えば、図３に示したように、表示領域１０Ａ全体に渡って形成されたシート状の電極である。なお、カソード線ＣＴＬは、図示しないが、画素行または画素列に対応して短冊状に形成された帯状の電極であってもよい。カソード線ＣＴＬは、上述したように、複数の有機ＥＬ素子１３に接続されている。従って、カソード線ＣＴＬは、複数の有機ＥＬ素子１３から集約された多量の電流が流れたときの電圧降下の低い材料で構成されていることが好ましい。
【００２０】
表示パネル１０は、さらに、例えば、図３に示したように、表示領域１０Ａの周縁に相当するフレーム領域１０Ｂに、コンタクト構造１４および接続端子１５を有している。コンタクト構造１４は、有機ＥＬ素子１３と接続端子１５とを電気的に接続するものである。なお、コンタクト構造１４および接続端子１５の詳細は、表示パネル１０内の構造についての説明と併せて行うものとする。
【００２１】
（表示パネル１０内の構造）
次に、図３〜図５を参照しつつ、表示パネル１０内の構造について説明する。図４は、図３の表示パネル１０のＡ−Ａ矢視方向の断面構成の一例を表したものである。図５は、図３の表示パネル１０のＢ−Ｂ矢視方向の断面構成の一例を表したものである。表示パネル１０は、例えば、図４に示したように、回路基板３０と封止基板４０とが封止層５０を介して貼り合わされた構造となっている。
【００２２】
回路基板３０は、例えば、図５に示したように、支持基板１６の上に、画素回路１２、有機ＥＬ素子１３、コンタクト構造１４、および接続端子１５を有している。画素回路１２、有機ＥＬ素子１３、コンタクト構造１４、および接続端子１５は、回路基板３０において、封止基板４０側に形成されている。封止基板４０は、回路基板３０の上面（つまり、封止基板４０側の表面）に形成された有機ＥＬ素子１３等を保護する役割を有している。ここで、回路基板３０は、有機ＥＬ素子１３で生じた光を封止基板４０側に向かって出射するように構成されており、いわゆるトップエミッション構造となっている。従って、表示パネル１０において、封止基板４０の上面（つまり、回路基板３０とは反対側の表面）が映像表示面となっている。
【００２３】
画素回路１２および有機ＥＬ素子１３は、表示領域１０Ａに配置されており、コンタクト構造１４および接続端子１５は、フレーム領域１０Ｂに配置されている。有機ＥＬ素子１３は、例えば、図５に示したように、画素回路１２側に設けられたアノード電極１３Ａ（第１電極）と、アノード電極１３Ａ上に設けられた有機層１３Ｂと、有機層１３Ｂ上に設けられたカソード電極１３Ｃ（第２電極）とを有している。コンタクト構造１４は、例えば、図５に示したように、接続端子１５側に設けられたＡｌ系金属層１４Ａと、Ａｌ系金属層１４Ａ上に設けられた有機導電層１４Ｂと、有機導電層１４Ｂ上に設けられた半透過型金属層１４Ｃ（導電層）とを有している。
【００２４】
回路基板３０は、さらに、例えば、図５に示したように、画素回路１２と有機ＥＬ素子１３との間に、絶縁層１７を有している。絶縁層１７は、コンタクト構造１４と接続端子１５との間にも設けられている。絶縁層１７は、例えば、絶縁層１７Ａと絶縁層１７Ｂを積層して構成されている。回路基板３０は、例えば、絶縁層１７Ａと絶縁層１７Ｂとの間に、有機ＥＬ素子１３から発せられた光を遮る遮光層１９を有している。遮光層１９は、有機ＥＬ素子１３から発せられた光が迷光となって回路基板３０内を伝播するのを防止するために設けられている。なお、絶縁層１７は、単層となっていてもよい。また、遮光層１９は、上記とは異なる箇所に設けられていてもよい。
【００２５】
有機ＥＬ素子１３およびコンタクト構造１４は、ともに、共通の絶縁層１７上に設けられている。画素回路１２および有機ＥＬ素子１３は、絶縁層１７を貫通する接続部１８Ａを介して、互いに接続されている。具体的には、画素回路１２内の駆動トランジスタＴｒ１と、有機ＥＬ素子１３内のアノード電極１３Ａとが、接続部１８Ａを介して、互いに接続されている。なお、接続部１８Ａが、アノード電極１３Ａと一体に形成されたものであってもよい。有機ＥＬ素子１３およびコンタクト構造１４は、カソード線ＣＴＬを介して、互いに接続されている。具体的には、有機ＥＬ素子１３内のカソード電極１３Ｃと、コンタクト構造１４内の半透過型金属層１４Ｃとが、カソード線ＣＴＬを介して、互いに接続されている。コンタクト構造１４および接続端子１５は、絶縁層１７を貫通する接続部１８Ｂを介して、互いに接続されている。具体的には、コンタクト構造１４内のＡｌ系金属層１４Ａと、接続端子１５の一端とが、接続部１８Ｂを介して、互いに接続されている。つまり、コンタクト構造１４が、有機ＥＬ素子１３と接続端子１５とを互いに電気的に接続している。なお、接続部１８Ｂが、Ａｌ系金属層１４Ａと一体に形成されたものであってもよい。接続端子１５の他端は、絶縁層１７等で被覆されておらず、表示パネル１０の上面に露出している。接続端子１５の他端は、例えば、表示パネル１０の端部に設けられており、コネクタなどによる接続が容易な構成となっている。
【００２６】
有機ＥＬ素子１３において、アノード電極１３Ａは、有機層１３Ｂへ正孔を注入するものである。アノード電極１３Ａは、さらに、有機層１３Ｂで生じた光をカソード電極１３Ｃ側に反射する機能も有している。アノード電極１３Ａは、例えば、正孔注入性が良く、かつ反射率の高い材料で構成されている。「正孔注入性がよく、かつ反射率の高い材料」としては、例えばＡｌ系金属が挙げられる。Ａｌ系金属は、ＡｌやＡｌ合金を含む概念である。有機層１３Ｂは、有機層１３Ｂ内に流れる電流量に応じた明るさで発光するものである。有機層１３Ｂは、例えば、アノード電極１３Ａ側から順に、正孔注入効率を高める正孔注入層と、後述の発光層への正孔輸送効率を高める正孔輸送層と、電子と正孔との再結合により発光する発光層と、発光層への電子輸送効率を高める電子輸送層とを積層してなる積層構造を有している。カソード電極１３Ｃは、有機層１３Ｂへ電子を注入するためのものである。カソード電極１３Ｃは、さらに、有機層１３Ｂで生じた光を透過する性質も有している。カソード電極１３Ｃは、電子注入性が良く、かつ光透過性の良い材料で構成されている。「電子注入性が良く、かつ光透過性の良い材料」としては、例えば、ＭｇＡｇなどの半透過型の金属材料が挙げられる。
【００２７】
コンタクト構造１４において、Ａｌ系金属層１４Ａは、例えば、上述のＡｌ系金属によって構成されている。Ａｌ系金属層１４Ａは、例えば、アノード電極１３Ａの形成工程と同一工程で、アノード電極１３Ａと共に形成されたものであり、アノード電極１３Ａと同一材料および同一厚さで形成されている。また、有機導電層１４Ｂは、例えば、有機層１３Ｂ内の少なくとも一部の層と同一の材料で構成されており、好ましくは、有機層１３Ｂ内の少なくとも正孔注入層と同一の材料で構成されている。有機導電層１４Ｂは、例えば、有機層１３Ｂの形成工程の少なくとも一部の工程で、有機層１３Ｂと共に形成されたものであり、好ましくは、有機層１３Ｂ内の少なくとも正孔注入層と同一材料および同一厚さの層を含んで形成されている。なお、有機導電層１４Ｂは、有機層１３Ｂ内の発光層と同一の材料を含まないことが好ましく、有機層１３Ｂ内の正孔注入層と同一の材料だけで構成されていることが好ましい。また、半透過型金属層１４Ｃは、光透過性を有する導電層の一形態であり、例えば、ＭｇＡｇなどの半透過型の金属材料で構成されている。半透過型金属層１４Ｃは、例えば、カソード電極１３Ｃの形成工程と同一工程で、カソード電極１３Ｃと共に形成されたものであり、カソード電極１３Ｃと同一材料および同一厚さで形成されている。
【００２８】
カソード線ＣＴＬは、半透過型金属層１４Ｃと同様、例えば、ＭｇＡｇなどの半透過型の金属材料で構成されている。カソード線ＣＴＬは、例えば、カソード電極１３Ｃの形成工程と同一工程で、カソード電極１３Ｃと共に形成されたものであり、カソード電極１３Ｃと同一材料および同一厚さで形成されている。つまり、カソード線ＣＴＬが、実質的には、有機ＥＬ素子１３およびコンタクト構造１４を被覆しており、カソード電極１３Ｃおよび半透過型金属層１４Ｃが、カソード線ＣＴＬを共用している、と言える。
【００２９】
（駆動回路２０）
次に、駆動回路２０について簡単に説明する。駆動回路２０は、上述したように、例えば、図１に示したように、タイミング生成回路２１、映像信号処理回路２２、信号線駆動回路２３、走査線駆動回路２４および電源線駆動回路２５を有している。タイミング生成回路２１は、駆動回路２０内の各回路が連動して動作するように制御するものである。タイミング生成回路２１は、例えば、外部から入力された同期信号２０Ｂに応じて（同期して）、上述した各回路に対して制御信号２１Ａを出力するようになっている。
【００３０】
映像信号処理回路２２は、外部から入力されたデジタルの映像信号２０Ａを補正すると共に、補正した後の映像信号をアナログに変換して信号線駆動回路２３に出力するものである。信号線駆動回路２３は、映像信号処理回路２２から入力されたアナログの映像信号を、制御信号２１Ａの入力に応じて（同期して）各信号線ＤＴＬに出力するものである。走査線駆動回路２４は、制御信号２１Ａの入力に応じて（同期して）、複数の書込線ＷＳＬを所定の単位ごとに順次選択するものである。電源線駆動回路２５は、例えば、制御信号２１Ａの入力に応じて（同期して）、複数の電源線ＤＳＬを所定の単位ごとに順次選択するものである。なお、コンタクト構造１４を介して接続端子１５から出力される電流量は、電源線駆動回路２５による電源線ＤＳＬの選択の態様に応じて変化する。
【００３１】
[回路基板３０の製造方法]
次に、回路基板３０の製造方法の一例について説明する。まず、支持基板１６上に、画素回路１２および接続端子１５を形成し、それらを絶縁層１７で覆う。このとき、絶縁層１７内に、遮光層１９も併せて形成する。次に、絶縁層１７上に、アノード電極１３ＡおよびＡｌ系金属層１４Ａを形成する。具体的には、絶縁層１７に貫通孔を形成し、貫通孔に対応して接続部１８Ａ，１８Ｂを形成したのち、接続部１８Ａに接するようにアノード電極１３Ａを形成するとともに、接続部１８Ｂに接するようにＡｌ系金属層１４Ａを形成する（図６（Ａ））。これにより、絶縁層１７上に、画素回路１２に電気的に接続されたアノード電極１３Ａを形成する工程と同一の工程で、接続端子１５に電気的に接続されたＡｌ系金属層１４Ａを形成することができる。言い方を変えると、接続端子１５に電気的に接続されたＡｌ系金属層１４Ａを形成する工程と同一の工程で、画素回路１２に電気的に接続されたアノード電極１３Ａを形成することができる。
【００３２】
次に、アノード電極１３Ａと対応する領域に開口を有するマスク（図示せず）を使って、アノード電極１３Ａ上に有機層１３Ｂを形成する。さらに、このときに、有機層１３Ｂの形成工程のうち少なくとも一部の工程で、Ａｌ系金属層１４Ａと対応する領域にも開口を有するマスク（図示せず）を使って、Ａｌ系金属層１４Ａ上に、有機導電層１４Ｂを形成する（図６（Ｂ））。例えば、有機層１３Ｂの形成工程のうち少なくとも正孔注入層の形成工程と同一工程で、Ａｌ系金属層１４Ａと対応する領域にも開口を有するマスク（図示せず）を使って、Ａｌ系金属層１４Ａ上に、有機導電層１４Ｂを形成する。言い換えると、Ａｌ系金属層１４Ａ上に、有機導電層１４Ｂを形成する工程を含む工程で、アノード電極１３Ａ上に有機層１３Ｂを形成する。なお、アノード電極１３Ａと対応する領域の開口と、Ａｌ系金属層１４Ａと対応する領域の開口とが共通の１つの開口で構成されていてもよい。
【００３３】
これにより、有機層１３Ｂの形成過程で、Ａｌ系金属層１４Ａの表面が有機導電層１４Ｂによって被覆されるので、Ａｌ系金属層１４Ａの表面酸化が促進されるのを防ぐことができる。また、有機導電層１４Ｂ自体が、正孔注入層と同一材料で形成された層を少なくとも含んでいる場合には、コンタクト構造１４における正孔注入性が向上する。従って、これらの要因で、後の工程で形成する半透過型金属層１４Ｃを、Ａｌ系金属層１４Ａの表面に、低抵抗で接触させることが可能となる。
【００３４】
次に、有機層１３Ｂおよび有機導電層１４Ｂを含む広い領域（表示領域１０Ａを含む広い領域）に、カソード線ＣＴＬを形成する。これにより、有機層１３Ｂ上にカソード電極１３Ｃを形成する工程と同一の工程で、有機導電層１４Ｂ上に半透過型金属層１４Ｃを形成することができる。言い方を変えると、有機導電層１４Ｂ上に半透過型金属層１４Ｃを形成する工程と同一の工程で、有機層１３Ｂ上にカソード電極１３Ｃを形成することができる。さらに、上記の工程により、有機ＥＬ素子１３と、コンタクト構造１４とを、カソード線ＣＴＬを介して互いに接続することができる。その結果、有機ＥＬ素子１３と、接続端子１５とを、コンタクト構造１４を介して、互いに電気的に接続することができる。
【００３５】
[効果]
次に、本実施の形態における効果について説明する。
【００３６】
ところで、有機ＥＬ素子は、電流を供給して発光させるものである。そのため、配線抵抗が高く、配線での電圧降下が大きいと、有機ＥＬ素子に流れる電流が電圧降下の分だけ変動し、表示輝度も変動してしまう。従って、配線材料として抵抗率の低い金属を使用する必要がある。また、最も大きな電流が流れるのは、複数の有機ＥＬ素子からの電流が流れる共通電極（カソード電極）であるので、抵抗率が高いと多量の電流により大きな電圧降下を生じ、表示品質が低下してしまう。そこで、従来では、回路基板の全体的な電圧降下を防止するために、外部への取り出し端子（接続端子）と共通電極が配置される領域との間に、接続端子と共通電極を電気的に接続するコンタクト構造を設けることが行われていた。
【００３７】
しかし、コンタクト構造のうち接続端子に接する金属パターンとして、ＡｌやＡｌ合金が用いられている場合には、金属パターンの表面が酸化されやすい状態となる。そのため、金属パターンの表面が酸化された状態でコンタクト構造が形成された場合には、共通電極と接続端子との接続抵抗が増加するので、コンタクト構造において大きな電圧降下が生じてしまうという問題があった。
【００３８】
一方、本実施の形態では、コンタクト構造１４において、Ａｌ系金属層１４Ａ上に有機導電層１４Ｂが設けられており、半透過型金属層１４Ｃは有機導電層１４Ｂを介してＡｌ系金属層１４Ａと電気的に接続されている。このように、有機導電層１４ＢがＡｌ系金属層１４Ａの表面を被覆することにより、製造過程におけるＡｌ系金属層１４Ａの表面酸化を抑制することができる。その結果、有機ＥＬ素子１３と接続端子１５との接続抵抗を低減することができる。さらに、有機導電層１４Ｂ自体が、正孔注入層と同一材料で形成された層を少なくとも含んでいる場合には、コンタクト構造１４における正孔注入性を向上させることができる。その結果、有機ＥＬ素子１３と接続端子１５との接続抵抗をより一層、低減することができる。
【００３９】
＜２．適用例＞
以下、上記実施の形態で説明した表示装置１の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置１は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００４０】
（第１適用例）
図７は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００４１】
（第２適用例）
図８は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００４２】
（第３適用例）
図９は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００４３】
（第４適用例）
図１０は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００４４】
（第５適用例）
図１１は、上記実施の形態の表示装置１が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００４５】
以上、実施の形態および適用例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。
【００４６】
例えば、本技術は、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などに限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００４７】
また、上記各実施の形態では、アクティブマトリクス駆動のための画素回路１２の構成は、上記各実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素回路１２の変更に応じて、上述した信号線駆動回路２３や、走査線駆動回路２４、電源線駆動回路２５などの他に、必要な駆動回路を追加してもよい。
【００４８】
また、例えば、本技術は以下のような構成を取ることができる。
（１）
素子と接続端子とを電気的に接続するコンタクト構造を備え、
前記コンタクト構造は、
前記接続端子側に設けられたＡｌ系金属層と、
前記Ａｌ系金属層上に設けられた有機導電層と、
前記有機導電層上に設けられるとともに前記素子と接する導電層と
を有する
回路基板。
（２）
前記素子および前記コンタクト構造は、共通の絶縁層上に設けられており、
前記素子は、前記Ａｌ系金属層と同一の材料で構成された第１電極層と、前記第１電極層上に設けられた有機層と、前記有機層上に設けられるとともに前記導電層を兼ねた第２電極層とを有する
（１）に記載の回路基板。
（３）
前記有機層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層および電子輸送層を有し、
前記有機導電層は、前記有機層内の少なくとも正孔注入層と同一の材料で構成されている
（２）に記載の回路基板。
（４）
前記導電層は、光透過性を有する
（１）ないし（３）のいずれか１つに記載の回路基板。
（５）
回路基板を備え、
前記回路基板は、素子と接続端子とを電気的に接続するコンタクト構造を有し、
前記コンタクト構造は、
前記接続端子側に設けられたＡｌ系金属層と、
前記Ａｌ系金属層上に設けられた有機導電層と、
前記有機導電層上に設けられるとともに前記素子と接する導電層と
を有する
電子機器。
（６）
素子と、前記素子と接続端子とを電気的に接続するコンタクト構造とを備えた回路基板を製造する方法であって、
前記接続端子に電気的に接続されたＡｌ系金属層を形成し、前記Ａｌ系金属層上に有機導電層を形成し、さらに、前記有機導電層上に、前記素子と接する導電層を形成することにより前記コンタクト構造を形成する
回路基板の製造方法。
（７）
前記素子および前記コンタクト構造は、共通の絶縁層上に設けられており、
前記Ａｌ系金属層の形成工程と同一工程で、前記Ａｌ系金属層と同一の材料で構成された第１電極層を形成し、前記有機導電層の形成工程を含む工程で、前記第１電極層上に有機層を形成し、前記導電層の形成工程と同一工程で、前記有機層上に、前記導電層を兼ねた第２電極層を形成する
（６）に記載の回路基板の製造方法。
（８）
前記有機層は、正孔注入効率を高める正孔注入層と、正孔輸送効率を高める正孔輸送層と、電子と正孔との再結合による発光を生じさせる発光層と、電子輸送効率を高める電子輸送層とを有し、
前記有機層の形成工程のうち少なくとも前記正孔注入層の形成工程と同一工程で、前記有機導電層を形成する
（６）または（７）に記載の回路基板の製造方法。
【符号の説明】
【００４９】
１…表示装置、１０…表示パネル、１０Ａ…表示領域、１０Ｂ…フレーム領域、１１…画素、１２…画素回路、１３…有機ＥＬ素子、１３Ａ…アノード電極、１３Ｂ…有機層、１３Ｃ…カソード電極、１４…コンタクト構造、１４Ａ…Ａｌ系金属層、１４Ｂ…有機導電層、１４Ｃ…半透過型金属層、１５…接続端子、１６…支持基板、１７，１７Ａ，１７Ｂ…絶縁層、１８Ａ，１８Ｂ…接続部、１９…遮光層、２０…駆動回路、２０Ａ…映像信号、２０Ｂ…同期信号、２１…タイミング生成回路、２１Ａ…制御信号、２２…映像信号処理回路、２３…信号線駆動回路、２４…書込線駆動回路、２５…電源線駆動回路、３０…回路基板、４０…封止基板、５０…封止層、３００…映像表示画面部、３１０…フロントパネル、３２０…フィルターガラス、４１０…発光部、４２０，５３０，６４０…表示部、４３０…メニュースイッチ、４４０…シャッターボタン、５１０…本体、５２０…キーボード、６１０…本体部、６２０…レンズ、６３０…スタート／ストップスイッチ、７１０…上側筐体、７２０…下側筐体、７３０…連結部、７４０…ディスプレイ、７５０…サブディスプレイ、７６０…ピクチャーライト、７７０…カメラ、Ｃｓ…保持容量、ＣＴＬ…カソード線、ＤＴＬ…信号線、ＤＳＬ…電源線、Ｔｒ１…駆動トランジスタ、Ｔｒ２…書き込みトランジスタ、ＷＳＬ…走査線。
【技術分野】
【０００１】
本技術は、例えば有機ＥＬ(Electro Luminescence)素子などの素子と接続端子とを電気的に接続するコンタクト構造を備えた回路基板およびその製造方法に関する。また、本技術は、上記回路基板を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画像表示を行う表示装置の分野では、画素の発光素子として、流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の光学素子、例えば有機ＥＬ素子を用いた表示装置が開発され、商品化が進められている。有機ＥＬ素子は、液晶素子などと異なり自発光素子である。そのため、有機ＥＬ素子を用いた表示装置（有機ＥＬ表示装置）では、光源（バックライト）が必要ないので、光源を必要とする液晶表示装置と比べて、薄型化、高輝度化することができる。特に、駆動方式としてアクティブマトリクス方式を用いた場合には、各画素をホールド点灯させることができ、低消費電力化することもできる。そのため、有機ＥＬ表示装置は、次世代のフラットパネルディスプレイの主流になると期待されている。
【０００３】
上述したように、有機ＥＬ素子は、電流を供給して発光させるものである。そのため、配線抵抗が高く、配線での電圧降下が大きいと、有機ＥＬ素子に流れる電流が電圧降下の分だけ変動し、表示輝度も変動してしまう。従って、配線材料として抵抗率の低い金属を使用する必要がある。また、最も大きな電流が流れるのは、複数の有機ＥＬ素子からの電流が流れる共通電極（カソード電極）であるので、抵抗率が高いと多量の電流により大きな電圧降下を生じ、表示品質が低下してしまう。そこで、回路基板の全体的な電圧降下を防止するために、外部への取り出し端子（接続端子）と共通電極が配置される領域との間に、接続端子と共通電極を電気的に接続するコンタクト構造を設けることが考えられている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−３５７５８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、コンタクト構造のうち接続端子に接する金属パターンとして、ＡｌやＡｌ合金が用いられている場合には、金属パターンの表面が酸化されやすい状態となる。そのため、金属パターンの表面が酸化された状態でコンタクト構造が形成された場合には、共通電極と接続端子との接続抵抗が増加するので、コンタクト構造において大きな電圧降下が生じてしまうという問題があった。
【０００６】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その第１の目的は、接続抵抗を低減することの可能な回路基板およびその製造方法を提供することにある。また、第２の目的は、上記回路基板を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本技術の回路基板は、素子と接続端子とを電気的に接続するコンタクト構造を備えたものである。コンタクト構造は、接続端子側に設けられたＡｌ系金属層と、Ａｌ系金属層上に設けられた有機導電層と、有機導電層上に設けられるとともに素子と接する導電層とを有している。本技術による電子機器は、上記の回路基板を備えたものである。
【０００８】
本技術の回路基板の製造方法は、素子と、素子と接続端子とを電気的に接続するコンタクト構造とを備えた回路基板を製造する方法である。この製造方法は、接続端子に電気的に接続されたＡｌ系金属層を形成し、Ａｌ系金属層上に有機導電層を形成し、さらに、有機導電層上に、素子と接する導電層を形成することによりコンタクト構造を形成する工程を含んでいる。
【０００９】
本技術の回路基板およびその製造方法、ならびに電子機器では、コンタクト構造において、Ａｌ系金属層上に有機導電層が設けられており、導電層は有機導電層を介してＡｌ系金属層と電気的に接続されている。このように、有機導電層がＡｌ系金属層の表面を被覆することにより、製造過程におけるＡｌ系金属層の表面酸化が抑制される。また、有機導電層自体が、正孔注入層と同一材料で形成された層を少なくとも含んでいる場合には、コンタクト構造における正孔注入性が向上する。
【発明の効果】
【００１０】
本技術の回路基板およびその製造方法、ならびに電子機器によれば、有機導電層でＡｌ系金属層の表面を被覆することにより製造過程におけるＡｌ系金属層の表面酸化を抑制するようにしたので、素子と接続端子との接続抵抗を低減することができる。また、有機導電層自体が、正孔注入層と同一材料で形成された層を少なくとも含んでいる場合には、素子と接続端子との接続抵抗をより一層、低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本技術による一実施の形態に係る表示装置の概略構成図である。
【図２】図１の画素の回路構成の一例を表す図である。
【図３】図１の表示パネル内の平面構成の一例を表す図である。
【図４】図１の表示パネルの断面構成の一例を表す図である。
【図５】図１の表示パネルの一部の断面構成の一例を表す図である。
【図６】図５の回路基板の製造過程の一例を示す断面図である。
【図７】上記各実施の形態の発光装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図８】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図９】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図１０】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図１１】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態
２．適用例
【００１３】
＜１．実施の形態＞
[構成]
図１は、本技術の一実施の形態に係る表示装置１の概略構成を表したものである。この表示装置１は、表示パネル１０と、表示パネル１０を駆動する駆動回路２０とを備えている。駆動回路２０は、例えば、タイミング生成回路２１、映像信号処理回路２２、信号線駆動回路２３、走査線駆動回路２４、および電源線駆動回路２５を有している。
【００１４】
（表示パネル１０）
表示パネル１０は、複数の画素１１が表示パネル１０の表示領域１０Ａ全面に渡って２次元配置されたものである。表示パネル１０は、駆動回路２０によって各画素１１がアクティブマトリクス駆動されることにより、外部から入力された映像信号２０Ａに基づく画像を表示するものである。図２は、画素１１の回路構成の一例を表したものである。画素１１は、例えば、画素回路１２と、有機ＥＬ素子１３とを有している。有機ＥＬ素子１３は、例えば、アノード電極、有機層およびカソード電極が順に積層された構成を有している。アノード電極は、後述のアノード電極１３Ａに相当し、有機層は、後述の有機層１３Ｂに相当し、カソード電極は、後述のカソード電極１３Ｃに相当する。
【００１５】
画素回路１２は、例えば、駆動トランジスタＴｒ１、書き込みトランジスタＴｒ２および保持容量Ｃｓによって構成されたものであり、２Ｔｒ１Ｃの回路構成となっている。書き込みトランジスタＴｒ２は、後述の信号線ＤＴＬの電圧をサンプリングするとともに駆動トランジスタＴｒ１のゲートに書き込むものである。駆動トランジスタＴｒ１は、書き込みトランジスタＴｒ２によって書き込まれた電圧の大きさに応じて有機ＥＬ素子１３に流れる電流を制御するものである。保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＴｒ１のゲート−ソース間に所定の電圧を保持するものである。なお、画素回路１２は、上述の２Ｔｒ１Ｃの回路構成とは異なる回路構成となっていてもよい。
【００１６】
駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、例えば、ｎチャネルＭＯＳ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により形成されている。なお、ＴＦＴの種類は特に限定されるものではなく、例えば、逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）であってもよいし、スタガー構造（トップゲート型）であってもよい。また、駆動トランジスタＴｒ１または書き込みトランジスタＴｒ２は、ｐチャネルＭＯＳ型のＴＦＴであってもよい。
【００１７】
表示パネル１０は、行方向に延在する複数の書込線ＷＳＬと、列方向に延在する複数の信号線ＤＴＬと、行方向に延在する複数の電源線ＤＳＬとを有している。各信号線ＤＴＬと各書込線ＷＳＬとの交差点近傍には、画素１１が設けられている。各信号線ＤＴＬは、後述の信号線駆動回路２３の出力端（図示せず）と、書き込みトランジスタＴｒ２のソースまたはドレインとに接続されている。各書込線ＷＳＬは、後述の走査線駆動回路２４の出力端（図示せず）と、書き込みトランジスタＴｒ２のゲートに接続されている。各電源線ＤＳＬは、固定の電圧を出力する電源の出力端（図示せず）と、駆動トランジスタＴｒ１のソースまたはドレインに接続されている。
【００１８】
書き込みトランジスタＴｒ２のゲートは、書込線ＷＳＬに接続されている。書き込みトランジスタＴｒ２のソースまたはドレインが信号線ＤＴＬに接続され、書き込みトランジスタＴｒ２のソースおよびドレインのうち信号線ＤＴＬに未接続の端子が駆動トランジスタＴｒ１のゲートに接続されている。駆動トランジスタＴｒ１のソースまたはドレインが電源線ＤＳＬに接続され、駆動トランジスタＴｒ１のソースおよびドレインのうち電源線ＤＳＬに未接続の端子が有機ＥＬ素子１３のアノードに接続されている。保持容量Ｃｓの一端が駆動トランジスタＴｒ１のゲートに接続され、保持容量Ｃｓの他端が駆動トランジスタＴｒ１のソース（図２では有機ＥＬ素子１３側の端子）に接続されている。つまり、保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＴｒ１のゲート−ソース間に挿入されている。
【００１９】
表示パネル１０は、さらに、図２に示したように、有機ＥＬ素子１３のカソードに接続されたカソード線ＣＴＬを有している。カソード線ＣＴＬは、基準電位（例えばグラウンド電位）となっている外部回路（図示せず）と電気的に接続されるものである。図３は、表示パネル１０内の平面構成の一例を模式的に表したものである。カソード線ＣＴＬは、例えば、図３に示したように、表示領域１０Ａ全体に渡って形成されたシート状の電極である。なお、カソード線ＣＴＬは、図示しないが、画素行または画素列に対応して短冊状に形成された帯状の電極であってもよい。カソード線ＣＴＬは、上述したように、複数の有機ＥＬ素子１３に接続されている。従って、カソード線ＣＴＬは、複数の有機ＥＬ素子１３から集約された多量の電流が流れたときの電圧降下の低い材料で構成されていることが好ましい。
【００２０】
表示パネル１０は、さらに、例えば、図３に示したように、表示領域１０Ａの周縁に相当するフレーム領域１０Ｂに、コンタクト構造１４および接続端子１５を有している。コンタクト構造１４は、有機ＥＬ素子１３と接続端子１５とを電気的に接続するものである。なお、コンタクト構造１４および接続端子１５の詳細は、表示パネル１０内の構造についての説明と併せて行うものとする。
【００２１】
（表示パネル１０内の構造）
次に、図３〜図５を参照しつつ、表示パネル１０内の構造について説明する。図４は、図３の表示パネル１０のＡ−Ａ矢視方向の断面構成の一例を表したものである。図５は、図３の表示パネル１０のＢ−Ｂ矢視方向の断面構成の一例を表したものである。表示パネル１０は、例えば、図４に示したように、回路基板３０と封止基板４０とが封止層５０を介して貼り合わされた構造となっている。
【００２２】
回路基板３０は、例えば、図５に示したように、支持基板１６の上に、画素回路１２、有機ＥＬ素子１３、コンタクト構造１４、および接続端子１５を有している。画素回路１２、有機ＥＬ素子１３、コンタクト構造１４、および接続端子１５は、回路基板３０において、封止基板４０側に形成されている。封止基板４０は、回路基板３０の上面（つまり、封止基板４０側の表面）に形成された有機ＥＬ素子１３等を保護する役割を有している。ここで、回路基板３０は、有機ＥＬ素子１３で生じた光を封止基板４０側に向かって出射するように構成されており、いわゆるトップエミッション構造となっている。従って、表示パネル１０において、封止基板４０の上面（つまり、回路基板３０とは反対側の表面）が映像表示面となっている。
【００２３】
画素回路１２および有機ＥＬ素子１３は、表示領域１０Ａに配置されており、コンタクト構造１４および接続端子１５は、フレーム領域１０Ｂに配置されている。有機ＥＬ素子１３は、例えば、図５に示したように、画素回路１２側に設けられたアノード電極１３Ａ（第１電極）と、アノード電極１３Ａ上に設けられた有機層１３Ｂと、有機層１３Ｂ上に設けられたカソード電極１３Ｃ（第２電極）とを有している。コンタクト構造１４は、例えば、図５に示したように、接続端子１５側に設けられたＡｌ系金属層１４Ａと、Ａｌ系金属層１４Ａ上に設けられた有機導電層１４Ｂと、有機導電層１４Ｂ上に設けられた半透過型金属層１４Ｃ（導電層）とを有している。
【００２４】
回路基板３０は、さらに、例えば、図５に示したように、画素回路１２と有機ＥＬ素子１３との間に、絶縁層１７を有している。絶縁層１７は、コンタクト構造１４と接続端子１５との間にも設けられている。絶縁層１７は、例えば、絶縁層１７Ａと絶縁層１７Ｂを積層して構成されている。回路基板３０は、例えば、絶縁層１７Ａと絶縁層１７Ｂとの間に、有機ＥＬ素子１３から発せられた光を遮る遮光層１９を有している。遮光層１９は、有機ＥＬ素子１３から発せられた光が迷光となって回路基板３０内を伝播するのを防止するために設けられている。なお、絶縁層１７は、単層となっていてもよい。また、遮光層１９は、上記とは異なる箇所に設けられていてもよい。
【００２５】
有機ＥＬ素子１３およびコンタクト構造１４は、ともに、共通の絶縁層１７上に設けられている。画素回路１２および有機ＥＬ素子１３は、絶縁層１７を貫通する接続部１８Ａを介して、互いに接続されている。具体的には、画素回路１２内の駆動トランジスタＴｒ１と、有機ＥＬ素子１３内のアノード電極１３Ａとが、接続部１８Ａを介して、互いに接続されている。なお、接続部１８Ａが、アノード電極１３Ａと一体に形成されたものであってもよい。有機ＥＬ素子１３およびコンタクト構造１４は、カソード線ＣＴＬを介して、互いに接続されている。具体的には、有機ＥＬ素子１３内のカソード電極１３Ｃと、コンタクト構造１４内の半透過型金属層１４Ｃとが、カソード線ＣＴＬを介して、互いに接続されている。コンタクト構造１４および接続端子１５は、絶縁層１７を貫通する接続部１８Ｂを介して、互いに接続されている。具体的には、コンタクト構造１４内のＡｌ系金属層１４Ａと、接続端子１５の一端とが、接続部１８Ｂを介して、互いに接続されている。つまり、コンタクト構造１４が、有機ＥＬ素子１３と接続端子１５とを互いに電気的に接続している。なお、接続部１８Ｂが、Ａｌ系金属層１４Ａと一体に形成されたものであってもよい。接続端子１５の他端は、絶縁層１７等で被覆されておらず、表示パネル１０の上面に露出している。接続端子１５の他端は、例えば、表示パネル１０の端部に設けられており、コネクタなどによる接続が容易な構成となっている。
【００２６】
有機ＥＬ素子１３において、アノード電極１３Ａは、有機層１３Ｂへ正孔を注入するものである。アノード電極１３Ａは、さらに、有機層１３Ｂで生じた光をカソード電極１３Ｃ側に反射する機能も有している。アノード電極１３Ａは、例えば、正孔注入性が良く、かつ反射率の高い材料で構成されている。「正孔注入性がよく、かつ反射率の高い材料」としては、例えばＡｌ系金属が挙げられる。Ａｌ系金属は、ＡｌやＡｌ合金を含む概念である。有機層１３Ｂは、有機層１３Ｂ内に流れる電流量に応じた明るさで発光するものである。有機層１３Ｂは、例えば、アノード電極１３Ａ側から順に、正孔注入効率を高める正孔注入層と、後述の発光層への正孔輸送効率を高める正孔輸送層と、電子と正孔との再結合により発光する発光層と、発光層への電子輸送効率を高める電子輸送層とを積層してなる積層構造を有している。カソード電極１３Ｃは、有機層１３Ｂへ電子を注入するためのものである。カソード電極１３Ｃは、さらに、有機層１３Ｂで生じた光を透過する性質も有している。カソード電極１３Ｃは、電子注入性が良く、かつ光透過性の良い材料で構成されている。「電子注入性が良く、かつ光透過性の良い材料」としては、例えば、ＭｇＡｇなどの半透過型の金属材料が挙げられる。
【００２７】
コンタクト構造１４において、Ａｌ系金属層１４Ａは、例えば、上述のＡｌ系金属によって構成されている。Ａｌ系金属層１４Ａは、例えば、アノード電極１３Ａの形成工程と同一工程で、アノード電極１３Ａと共に形成されたものであり、アノード電極１３Ａと同一材料および同一厚さで形成されている。また、有機導電層１４Ｂは、例えば、有機層１３Ｂ内の少なくとも一部の層と同一の材料で構成されており、好ましくは、有機層１３Ｂ内の少なくとも正孔注入層と同一の材料で構成されている。有機導電層１４Ｂは、例えば、有機層１３Ｂの形成工程の少なくとも一部の工程で、有機層１３Ｂと共に形成されたものであり、好ましくは、有機層１３Ｂ内の少なくとも正孔注入層と同一材料および同一厚さの層を含んで形成されている。なお、有機導電層１４Ｂは、有機層１３Ｂ内の発光層と同一の材料を含まないことが好ましく、有機層１３Ｂ内の正孔注入層と同一の材料だけで構成されていることが好ましい。また、半透過型金属層１４Ｃは、光透過性を有する導電層の一形態であり、例えば、ＭｇＡｇなどの半透過型の金属材料で構成されている。半透過型金属層１４Ｃは、例えば、カソード電極１３Ｃの形成工程と同一工程で、カソード電極１３Ｃと共に形成されたものであり、カソード電極１３Ｃと同一材料および同一厚さで形成されている。
【００２８】
カソード線ＣＴＬは、半透過型金属層１４Ｃと同様、例えば、ＭｇＡｇなどの半透過型の金属材料で構成されている。カソード線ＣＴＬは、例えば、カソード電極１３Ｃの形成工程と同一工程で、カソード電極１３Ｃと共に形成されたものであり、カソード電極１３Ｃと同一材料および同一厚さで形成されている。つまり、カソード線ＣＴＬが、実質的には、有機ＥＬ素子１３およびコンタクト構造１４を被覆しており、カソード電極１３Ｃおよび半透過型金属層１４Ｃが、カソード線ＣＴＬを共用している、と言える。
【００２９】
（駆動回路２０）
次に、駆動回路２０について簡単に説明する。駆動回路２０は、上述したように、例えば、図１に示したように、タイミング生成回路２１、映像信号処理回路２２、信号線駆動回路２３、走査線駆動回路２４および電源線駆動回路２５を有している。タイミング生成回路２１は、駆動回路２０内の各回路が連動して動作するように制御するものである。タイミング生成回路２１は、例えば、外部から入力された同期信号２０Ｂに応じて（同期して）、上述した各回路に対して制御信号２１Ａを出力するようになっている。
【００３０】
映像信号処理回路２２は、外部から入力されたデジタルの映像信号２０Ａを補正すると共に、補正した後の映像信号をアナログに変換して信号線駆動回路２３に出力するものである。信号線駆動回路２３は、映像信号処理回路２２から入力されたアナログの映像信号を、制御信号２１Ａの入力に応じて（同期して）各信号線ＤＴＬに出力するものである。走査線駆動回路２４は、制御信号２１Ａの入力に応じて（同期して）、複数の書込線ＷＳＬを所定の単位ごとに順次選択するものである。電源線駆動回路２５は、例えば、制御信号２１Ａの入力に応じて（同期して）、複数の電源線ＤＳＬを所定の単位ごとに順次選択するものである。なお、コンタクト構造１４を介して接続端子１５から出力される電流量は、電源線駆動回路２５による電源線ＤＳＬの選択の態様に応じて変化する。
【００３１】
[回路基板３０の製造方法]
次に、回路基板３０の製造方法の一例について説明する。まず、支持基板１６上に、画素回路１２および接続端子１５を形成し、それらを絶縁層１７で覆う。このとき、絶縁層１７内に、遮光層１９も併せて形成する。次に、絶縁層１７上に、アノード電極１３ＡおよびＡｌ系金属層１４Ａを形成する。具体的には、絶縁層１７に貫通孔を形成し、貫通孔に対応して接続部１８Ａ，１８Ｂを形成したのち、接続部１８Ａに接するようにアノード電極１３Ａを形成するとともに、接続部１８Ｂに接するようにＡｌ系金属層１４Ａを形成する（図６（Ａ））。これにより、絶縁層１７上に、画素回路１２に電気的に接続されたアノード電極１３Ａを形成する工程と同一の工程で、接続端子１５に電気的に接続されたＡｌ系金属層１４Ａを形成することができる。言い方を変えると、接続端子１５に電気的に接続されたＡｌ系金属層１４Ａを形成する工程と同一の工程で、画素回路１２に電気的に接続されたアノード電極１３Ａを形成することができる。
【００３２】
次に、アノード電極１３Ａと対応する領域に開口を有するマスク（図示せず）を使って、アノード電極１３Ａ上に有機層１３Ｂを形成する。さらに、このときに、有機層１３Ｂの形成工程のうち少なくとも一部の工程で、Ａｌ系金属層１４Ａと対応する領域にも開口を有するマスク（図示せず）を使って、Ａｌ系金属層１４Ａ上に、有機導電層１４Ｂを形成する（図６（Ｂ））。例えば、有機層１３Ｂの形成工程のうち少なくとも正孔注入層の形成工程と同一工程で、Ａｌ系金属層１４Ａと対応する領域にも開口を有するマスク（図示せず）を使って、Ａｌ系金属層１４Ａ上に、有機導電層１４Ｂを形成する。言い換えると、Ａｌ系金属層１４Ａ上に、有機導電層１４Ｂを形成する工程を含む工程で、アノード電極１３Ａ上に有機層１３Ｂを形成する。なお、アノード電極１３Ａと対応する領域の開口と、Ａｌ系金属層１４Ａと対応する領域の開口とが共通の１つの開口で構成されていてもよい。
【００３３】
これにより、有機層１３Ｂの形成過程で、Ａｌ系金属層１４Ａの表面が有機導電層１４Ｂによって被覆されるので、Ａｌ系金属層１４Ａの表面酸化が促進されるのを防ぐことができる。また、有機導電層１４Ｂ自体が、正孔注入層と同一材料で形成された層を少なくとも含んでいる場合には、コンタクト構造１４における正孔注入性が向上する。従って、これらの要因で、後の工程で形成する半透過型金属層１４Ｃを、Ａｌ系金属層１４Ａの表面に、低抵抗で接触させることが可能となる。
【００３４】
次に、有機層１３Ｂおよび有機導電層１４Ｂを含む広い領域（表示領域１０Ａを含む広い領域）に、カソード線ＣＴＬを形成する。これにより、有機層１３Ｂ上にカソード電極１３Ｃを形成する工程と同一の工程で、有機導電層１４Ｂ上に半透過型金属層１４Ｃを形成することができる。言い方を変えると、有機導電層１４Ｂ上に半透過型金属層１４Ｃを形成する工程と同一の工程で、有機層１３Ｂ上にカソード電極１３Ｃを形成することができる。さらに、上記の工程により、有機ＥＬ素子１３と、コンタクト構造１４とを、カソード線ＣＴＬを介して互いに接続することができる。その結果、有機ＥＬ素子１３と、接続端子１５とを、コンタクト構造１４を介して、互いに電気的に接続することができる。
【００３５】
[効果]
次に、本実施の形態における効果について説明する。
【００３６】
ところで、有機ＥＬ素子は、電流を供給して発光させるものである。そのため、配線抵抗が高く、配線での電圧降下が大きいと、有機ＥＬ素子に流れる電流が電圧降下の分だけ変動し、表示輝度も変動してしまう。従って、配線材料として抵抗率の低い金属を使用する必要がある。また、最も大きな電流が流れるのは、複数の有機ＥＬ素子からの電流が流れる共通電極（カソード電極）であるので、抵抗率が高いと多量の電流により大きな電圧降下を生じ、表示品質が低下してしまう。そこで、従来では、回路基板の全体的な電圧降下を防止するために、外部への取り出し端子（接続端子）と共通電極が配置される領域との間に、接続端子と共通電極を電気的に接続するコンタクト構造を設けることが行われていた。
【００３７】
しかし、コンタクト構造のうち接続端子に接する金属パターンとして、ＡｌやＡｌ合金が用いられている場合には、金属パターンの表面が酸化されやすい状態となる。そのため、金属パターンの表面が酸化された状態でコンタクト構造が形成された場合には、共通電極と接続端子との接続抵抗が増加するので、コンタクト構造において大きな電圧降下が生じてしまうという問題があった。
【００３８】
一方、本実施の形態では、コンタクト構造１４において、Ａｌ系金属層１４Ａ上に有機導電層１４Ｂが設けられており、半透過型金属層１４Ｃは有機導電層１４Ｂを介してＡｌ系金属層１４Ａと電気的に接続されている。このように、有機導電層１４ＢがＡｌ系金属層１４Ａの表面を被覆することにより、製造過程におけるＡｌ系金属層１４Ａの表面酸化を抑制することができる。その結果、有機ＥＬ素子１３と接続端子１５との接続抵抗を低減することができる。さらに、有機導電層１４Ｂ自体が、正孔注入層と同一材料で形成された層を少なくとも含んでいる場合には、コンタクト構造１４における正孔注入性を向上させることができる。その結果、有機ＥＬ素子１３と接続端子１５との接続抵抗をより一層、低減することができる。
【００３９】
＜２．適用例＞
以下、上記実施の形態で説明した表示装置１の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置１は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００４０】
（第１適用例）
図７は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００４１】
（第２適用例）
図８は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００４２】
（第３適用例）
図９は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００４３】
（第４適用例）
図１０は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００４４】
（第５適用例）
図１１は、上記実施の形態の表示装置１が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００４５】
以上、実施の形態および適用例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。
【００４６】
例えば、本技術は、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などに限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００４７】
また、上記各実施の形態では、アクティブマトリクス駆動のための画素回路１２の構成は、上記各実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素回路１２の変更に応じて、上述した信号線駆動回路２３や、走査線駆動回路２４、電源線駆動回路２５などの他に、必要な駆動回路を追加してもよい。
【００４８】
また、例えば、本技術は以下のような構成を取ることができる。
（１）
素子と接続端子とを電気的に接続するコンタクト構造を備え、
前記コンタクト構造は、
前記接続端子側に設けられたＡｌ系金属層と、
前記Ａｌ系金属層上に設けられた有機導電層と、
前記有機導電層上に設けられるとともに前記素子と接する導電層と
を有する
回路基板。
（２）
前記素子および前記コンタクト構造は、共通の絶縁層上に設けられており、
前記素子は、前記Ａｌ系金属層と同一の材料で構成された第１電極層と、前記第１電極層上に設けられた有機層と、前記有機層上に設けられるとともに前記導電層を兼ねた第２電極層とを有する
（１）に記載の回路基板。
（３）
前記有機層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層および電子輸送層を有し、
前記有機導電層は、前記有機層内の少なくとも正孔注入層と同一の材料で構成されている
（２）に記載の回路基板。
（４）
前記導電層は、光透過性を有する
（１）ないし（３）のいずれか１つに記載の回路基板。
（５）
回路基板を備え、
前記回路基板は、素子と接続端子とを電気的に接続するコンタクト構造を有し、
前記コンタクト構造は、
前記接続端子側に設けられたＡｌ系金属層と、
前記Ａｌ系金属層上に設けられた有機導電層と、
前記有機導電層上に設けられるとともに前記素子と接する導電層と
を有する
電子機器。
（６）
素子と、前記素子と接続端子とを電気的に接続するコンタクト構造とを備えた回路基板を製造する方法であって、
前記接続端子に電気的に接続されたＡｌ系金属層を形成し、前記Ａｌ系金属層上に有機導電層を形成し、さらに、前記有機導電層上に、前記素子と接する導電層を形成することにより前記コンタクト構造を形成する
回路基板の製造方法。
（７）
前記素子および前記コンタクト構造は、共通の絶縁層上に設けられており、
前記Ａｌ系金属層の形成工程と同一工程で、前記Ａｌ系金属層と同一の材料で構成された第１電極層を形成し、前記有機導電層の形成工程を含む工程で、前記第１電極層上に有機層を形成し、前記導電層の形成工程と同一工程で、前記有機層上に、前記導電層を兼ねた第２電極層を形成する
（６）に記載の回路基板の製造方法。
（８）
前記有機層は、正孔注入効率を高める正孔注入層と、正孔輸送効率を高める正孔輸送層と、電子と正孔との再結合による発光を生じさせる発光層と、電子輸送効率を高める電子輸送層とを有し、
前記有機層の形成工程のうち少なくとも前記正孔注入層の形成工程と同一工程で、前記有機導電層を形成する
（６）または（７）に記載の回路基板の製造方法。
【符号の説明】
【００４９】
１…表示装置、１０…表示パネル、１０Ａ…表示領域、１０Ｂ…フレーム領域、１１…画素、１２…画素回路、１３…有機ＥＬ素子、１３Ａ…アノード電極、１３Ｂ…有機層、１３Ｃ…カソード電極、１４…コンタクト構造、１４Ａ…Ａｌ系金属層、１４Ｂ…有機導電層、１４Ｃ…半透過型金属層、１５…接続端子、１６…支持基板、１７，１７Ａ，１７Ｂ…絶縁層、１８Ａ，１８Ｂ…接続部、１９…遮光層、２０…駆動回路、２０Ａ…映像信号、２０Ｂ…同期信号、２１…タイミング生成回路、２１Ａ…制御信号、２２…映像信号処理回路、２３…信号線駆動回路、２４…書込線駆動回路、２５…電源線駆動回路、３０…回路基板、４０…封止基板、５０…封止層、３００…映像表示画面部、３１０…フロントパネル、３２０…フィルターガラス、４１０…発光部、４２０，５３０，６４０…表示部、４３０…メニュースイッチ、４４０…シャッターボタン、５１０…本体、５２０…キーボード、６１０…本体部、６２０…レンズ、６３０…スタート／ストップスイッチ、７１０…上側筐体、７２０…下側筐体、７３０…連結部、７４０…ディスプレイ、７５０…サブディスプレイ、７６０…ピクチャーライト、７７０…カメラ、Ｃｓ…保持容量、ＣＴＬ…カソード線、ＤＴＬ…信号線、ＤＳＬ…電源線、Ｔｒ１…駆動トランジスタ、Ｔｒ２…書き込みトランジスタ、ＷＳＬ…走査線。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子と接続端子とを電気的に接続するコンタクト構造を備え、
前記コンタクト構造は、
前記接続端子側に設けられたＡｌ系金属層と、
前記Ａｌ系金属層上に設けられた有機導電層と、
前記有機導電層上に設けられるとともに前記素子と接する導電層と
を有する
回路基板。
【請求項２】
前記素子および前記コンタクト構造は、共通の絶縁層上に設けられており、
前記素子は、前記Ａｌ系金属層と同一の材料で構成された第１電極層と、前記第１電極層上に設けられた有機層と、前記有機層上に設けられるとともに前記導電層を兼ねた第２電極層とを有する
請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記有機層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層および電子輸送層を有し、
前記有機導電層は、前記有機層内の少なくとも正孔注入層と同一の材料で構成されている
請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記導電層は、光透過性を有する
請求項２に記載の回路基板。
【請求項５】
回路基板を備え、
前記回路基板は、素子と接続端子とを電気的に接続するコンタクト構造を有し、
前記コンタクト構造は、
前記接続端子側に設けられたＡｌ系金属層と、
前記Ａｌ系金属層上に設けられた有機導電層と、
前記有機導電層上に設けられるとともに前記素子と接する導電層と
を有する
電子機器。
【請求項６】
素子と、前記素子と接続端子とを電気的に接続するコンタクト構造とを備えた回路基板を製造する方法であって、
前記接続端子に電気的に接続されたＡｌ系金属層を形成し、前記Ａｌ系金属層上に有機導電層を形成し、さらに、前記有機導電層上に、前記素子と接する導電層を形成することにより前記コンタクト構造を形成する
回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記素子および前記コンタクト構造は、共通の絶縁層上に設けられており、
前記Ａｌ系金属層の形成工程と同一工程で、前記Ａｌ系金属層と同一の材料で構成された第１電極層を形成し、前記有機導電層の形成工程を含む工程で、前記第１電極層上に有機層を形成し、前記導電層の形成工程と同一工程で、前記有機層上に、前記導電層を兼ねた第２電極層を形成する
請求項６に記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記有機層は、正孔注入効率を高める正孔注入層と、正孔輸送効率を高める正孔輸送層と、電子と正孔との再結合による発光を生じさせる発光層と、電子輸送効率を高める電子輸送層とを有し、
前記有機層の形成工程のうち少なくとも前記正孔注入層の形成工程と同一工程で、前記有機導電層を形成する
請求項６に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１】
素子と接続端子とを電気的に接続するコンタクト構造を備え、
前記コンタクト構造は、
前記接続端子側に設けられたＡｌ系金属層と、
前記Ａｌ系金属層上に設けられた有機導電層と、
前記有機導電層上に設けられるとともに前記素子と接する導電層と
を有する
回路基板。
【請求項２】
前記素子および前記コンタクト構造は、共通の絶縁層上に設けられており、
前記素子は、前記Ａｌ系金属層と同一の材料で構成された第１電極層と、前記第１電極層上に設けられた有機層と、前記有機層上に設けられるとともに前記導電層を兼ねた第２電極層とを有する
請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記有機層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層および電子輸送層を有し、
前記有機導電層は、前記有機層内の少なくとも正孔注入層と同一の材料で構成されている
請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記導電層は、光透過性を有する
請求項２に記載の回路基板。
【請求項５】
回路基板を備え、
前記回路基板は、素子と接続端子とを電気的に接続するコンタクト構造を有し、
前記コンタクト構造は、
前記接続端子側に設けられたＡｌ系金属層と、
前記Ａｌ系金属層上に設けられた有機導電層と、
前記有機導電層上に設けられるとともに前記素子と接する導電層と
を有する
電子機器。
【請求項６】
素子と、前記素子と接続端子とを電気的に接続するコンタクト構造とを備えた回路基板を製造する方法であって、
前記接続端子に電気的に接続されたＡｌ系金属層を形成し、前記Ａｌ系金属層上に有機導電層を形成し、さらに、前記有機導電層上に、前記素子と接する導電層を形成することにより前記コンタクト構造を形成する
回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記素子および前記コンタクト構造は、共通の絶縁層上に設けられており、
前記Ａｌ系金属層の形成工程と同一工程で、前記Ａｌ系金属層と同一の材料で構成された第１電極層を形成し、前記有機導電層の形成工程を含む工程で、前記第１電極層上に有機層を形成し、前記導電層の形成工程と同一工程で、前記有機層上に、前記導電層を兼ねた第２電極層を形成する
請求項６に記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】
前記有機層は、正孔注入効率を高める正孔注入層と、正孔輸送効率を高める正孔輸送層と、電子と正孔との再結合による発光を生じさせる発光層と、電子輸送効率を高める電子輸送層とを有し、
前記有機層の形成工程のうち少なくとも前記正孔注入層の形成工程と同一工程で、前記有機導電層を形成する
請求項６に記載の回路基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１３−７３０５１（Ｐ２０１３−７３０５１Ａ）
【公開日】平成２５年４月２２日（２０１３．４．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２１２３６５（Ｐ２０１１−２１２３６５）
【出願日】平成２３年９月２８日（２０１１．９．２８）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月２２日（２０１３．４．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月２８日（２０１１．９．２８）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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