圧力センサアセンブリ
【課題】圧力でスパイク中に流体からダイに移されるエネルギによってまたは圧力センサアセンブリが振動もしくは衝撃にさらされるときに引き起こされる圧力検出ダイのひび割れもしくは損傷の低減した圧力センサアセンブリを提供する。
【解決手段】第1のメンバ20と、前記第1のメンバに結合された第1の末端部および前記流体のソースに結合された第2の末端部を備える、第2のメンバ30と、前記第1のメンバと前記第2のメンバの間に形成された第1の空洞内に置かれた基板40であって、前記基板の第1の側が前記第1のメンバの第2の側と向き合い、その前記基板の第2の側が前記第2のメンバの第1の側と向き合う、基板と、前記基板に実装された圧力検出ダイ50と、前記基板の前記第1の側と前記第1のメンバの前記第2の側の間にあり、前記第1のメンバから前記基板を分断する、第1のエネルギ吸収メンバ60とを備える。
【解決手段】第1のメンバ20と、前記第1のメンバに結合された第1の末端部および前記流体のソースに結合された第2の末端部を備える、第2のメンバ30と、前記第1のメンバと前記第2のメンバの間に形成された第1の空洞内に置かれた基板40であって、前記基板の第1の側が前記第1のメンバの第2の側と向き合い、その前記基板の第2の側が前記第2のメンバの第1の側と向き合う、基板と、前記基板に実装された圧力検出ダイ50と、前記基板の前記第1の側と前記第1のメンバの前記第2の側の間にあり、前記第1のメンバから前記基板を分断する、第1のエネルギ吸収メンバ60とを備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本明細書で開示される主題は、流体の圧力を測定するための圧力センサアセンブリに関する。
【背景技術】
【0002】
圧力センサアセンブリは、パッケージによって保持された基板に実装された圧力検出ダイを含み得る。一構成で、その圧力検出ダイは、流体の圧力を判定するために、パッケージおよび/または基板内でチャネルを介して進む流体(たとえば、液体または気体)にさらされる。一部のアセンブリでは、ダイおよび/または基板は、パッケージと非常に強く結合され、圧力でスパイク中に流体からダイに移されるエネルギによって、または圧力センサアセンブルが振動もしくは衝撃にさらされるときに、割れるまたは他の方法で損傷することがある。
【0003】
前述の議論は、単に一般的背景情報として提供され、特許請求されている本主題の範囲を判断する助けとして使用されるものではない。
【発明の概要】
【0004】
圧力検出ダイが実装された基板がパッケージから分断された、流体の圧力を測定するための圧力センサアセンブリが開示される。本圧力センサアセンブリのいくつかの開示される実施形態の実践で実現され得る利点は、圧力でスパイク中に流体からダイに移されるエネルギによってまたは圧力センサアセンブリが振動もしくは衝撃にさらされるときに引き起こされる圧力検出ダイのひび割れもしくは損傷の低減である。
【0005】
一実施形態では、流体の圧力を測定するための圧力センサアセンブリが開示される。その圧力センサアセンブリは、基板の第1の側が第1のメンバの第2の側と向き合い、その基板の第2の側が第2のメンバの第1の側と向き合う、第1のメンバと、第1のメンバに結合された第1の末端部および流体のソースに結合された第2の末端部を備える第2のメンバと、第1のメンバと第2のメンバの間に形成された第1の空洞内に置かれた基板と、その基板に実装された圧力検出ダイと、第1のメンバから基板を分断する、その基板の第1の側と第1のメンバの第2の側の間にあるエネルギ吸収メンバとを備える。もう1つの実施形態では、エネルギ吸収メンバは、基板の第2の側と第2のメンバの第1の側の間にあり、そのエネルギ吸収メンバは第2のメンバからその基板を分断する。
【0006】
さらに別の実施形態では、第1のセットの突起が第1のメンバの第2の側から基板の第1の側に向かって延び、その第1のセットの突起が第1のメンバとその基板を分断する。さらに別の実施形態では、1セットの突起が第2のメンバの第1の側から基板の第2の側に向かって延び、そのセットの突起が第2のメンバとその基板を分断する。
【0007】
本発明の概要は、1つまたは複数の例示的な実施形態により本明細書で開示される主題の概要を提供することのみを目的とし、本特許請求の範囲を解釈するための指針となることをせず、あるいは、添付の特許請求の範囲によってのみ定義される本発明の範囲を定義または限定しない。本発明の概要は、発明を実施するための形態において以下にさらに説明される簡略化された形での概念の例示的な選択を紹介するために提供される。本発明の概要は、特許請求されている主題の重要な特徴もしくは本質的特徴を識別するものではなく、特許請求されている主題の範囲を判断する助けとして使用されるものでもない。特許請求されている主題は、背景技術において指摘された何れかのまたはすべての欠点を解決する実装に限定されない。
【0008】
本発明の特徴が理解され得る形になるように、本発明の詳細な説明はある種の実施形態を参照して行われることがあり、それらの実施形態のうちのいくつかは添付の図面に示される。しかし、これらの図面は本発明のある種の実施形態のみを示し、したがって、その範囲を限定するものとして考慮されず、本発明の範囲は、他の同様に効果的な実施形態を包含することに留意されたい。これらの図面は、必ずしも原寸に比例せず、本発明のある種の実施形態の特徴を説明することに概して重点が置かれている。これらの図面で、同様の番号は、様々なビューを通して同様の部分を指示するために使用される。すなわち、本発明のさらなる理解のために、以下のような図面に関連して読まれて、以下の詳細な説明は参照され得る。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】例示的な圧力センサアセンブリの図である。
【図2】図1の圧力センサアセンブリで使用される例示的なガスケットの図である。
【図3】もう1つの例示的な圧力センサアセンブリの図である。
【図4】図3の例示的なセンサ本体の底部側の透視図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
図1は、圧力検出ダイ50が実装された基板40のパッケージを形成するセンサポート30(または第2のメンバ)の第1の末端部32に結合されたセンサ本体20(または第1のメンバ)を含む、例示的な圧力センサアセンブリ10である。圧力検出ダイ50は、センサポート30の流体チャネル34を介して流れる流体(たとえば、気体、液体)の圧力を測定する。センサポートは、流体のソースに結合された第2の末端部33を有し、次いで基板40の流体チャネル44を介し、次いで圧力検出ダイ50の流体チャネル54を介し、その中で流体チャネル34、44、54は、連続的な流体経路を可能にするために、軸方向に整列される。本例示的な実施形態では、基板40は、セラミックボタンである。本例示的な実施形態は、基板40を囲むセンサ本体20およびセンサポート30を使用するが、異なるメンバが基板40を囲むために使用され得ることが理解されよう。
【0011】
センサ本体20は、その中に圧力検出ダイ50が置かれた空洞22を含み得る。圧力検出ダイ50は、たとえば、圧力検出ダイ50を基板40に接合するためのガラスフリット56を使用し、基板40の最上部側46に実装され得る。他の実施形態では、圧力検出ダイ50は基板40の底部側48に実装され得ることが、理解されよう。圧力センサアセンブリ10の向きに関わらず、本明細書で「最上部側」という用語は、センサ本体20と向き合う側を示し、一方、「底部側」は、センサポート30の方と向き合う側を示すことが理解されよう。
【0012】
一実施形態では、圧力検出ダイ50は、圧力検出ダイ50が圧力検出ダイ50の流体チャネル54でさらされる流体の圧力を判定する。ジェルキャップ52が、環境から圧力検出ダイ50の電気回路を保護するために使用され得る。一実施形態では、シリコンキャップが、真空槽を作る圧力検出ダイ50の最上部に配置可能であり、それと一体式でもよく、参照真空が、絶対圧力を感知するために、圧力検出ダイ50に使用される。電気導線58は、流体の圧力を報告するためのモニタリング機器に圧力検出ダイ50を接続することができる。
【0013】
センサポート30は、その中にOリング39がセンサポート30の流体チャネル34を介して流れる流体のソースとの接続を密閉するために配置され得る、溝37を含み得る。センサポート30は、その中に基板40が置かれた、空洞70を形成する。もう1つの実施形態では、空洞70は、センサ本体20によって形成可能であり、またはそうでない場合、センサ本体20とセンサポート30の間に形成可能である。基板40の最上部側46がセンサ本体20の底部側24と向き合い、基板40の底部側48がセンサポート30の最上部側36と向き合うように、基板40は、空洞70内に置かれる。Oリング72は、圧力センサアセンブリ10を介して流れる流体に対して密閉するために、基板40とセンサポート30の間の空洞70に設置され得る。
【0014】
図1の例示的な圧力センサアセンブリ10に示すように、第1のガスケット60または他のエネルギ吸収メンバは、基板40とセンサ本体20の間に設置され得る。一実施形態では、第1のガスケット60は、圧力検出ダイ50の少なくとも一部を囲む。この第1のガスケット60は、センサ本体20の底部側24から基板40の最上部側46を分断し、圧力検出ダイ50に流体から、または振動もしくは衝撃から移され得るエネルギを低減する。たとえば、振動、衝撃、または、基板40の流体チャネル44および圧力検出ダイ50の流体チャネル54を介して流れる流体の圧力により、基板40および圧力検出ダイ50はセンサ本体20の方へ移動し得るまたはそれに接触し得る。第1のガスケット60は、これらの事象によってもたらされるエネルギの一部を吸収し、圧力検出ダイ50に移されるエネルギの量を減らすことができ、それによって、圧力検出ダイ50へのひび割れまたは損傷の可能性を減らす。
【0015】
図1の例示的な圧力センサアセンブリ10に示すように、第2のガスケット62または他のエネルギ吸収メンバが、基板40とセンサポート30の間に設置され得る。一実施形態では、第2のガスケット62は、基板40の少なくとも一部および/または流体チャネル34、44、54の少なくとも一部を囲む。第2のガスケット62は、センサポート30の最上部側36から基板40の底部側48を分断し、圧力検出ダイ50に流体から、または振動もしくは衝撃から移され得るエネルギを低減する。たとえば、振動、衝撃、または、基板40の流体チャネル44および圧力検出ダイ50の流体チャネル54を介して流れる流体の圧力により、基板40はセンサポート30の方に移動することおよびそれに接触することがある。第2のガスケット62は、これらの事象によってもたらされるエネルギの一部を吸収し、圧力検出ダイ50に移されるエネルギの量を減らすことができ、それによって圧力検出ダイ50のひび割れまたは損傷の可能性を低減する。
【0016】
図2は、図1の圧力センサアセンブリ10で使用される例示的な第1のガスケット60である。この例示的な構成では、第1のガスケット60は、基板40に実装された圧力検出ダイ50の少なくとも一部を囲むように成形され得る。図示されていないが、例示的な第2のガスケット62は、基板40の少なくとも一部および/または流体チャネル34、44、54の少なくとも一部を囲むように成形され得る。第1のガスケット60および第2のガスケット62は、たとえば、0.010インチ(0.254mm)から0.030インチ(0.762mm)の範囲の厚さを有し得る。例示的な厚さは、0.015インチ(0.381mm)および0.020インチ(0.508mm)を含み得る。第1のガスケット60および第2のガスケット62は、いくつかの異なる形状および厚さを有し得ることが理解されよう。第1のガスケット60および第2のガスケット62は、エラストマ材料または流体の(もしくは、たとえば、圧力センサアセンブリ10によって経験される振動または衝撃からの)エネルギを吸収するように適合した他の材料で作成され得る。第1のガスケット60および第2のガスケット62の例示的な材料は、たとえば、ニトリルゴム、シリコンゴム、または任意の他の適切なエラストマもしくは他の材料を含み得る。第1のガスケット60は第2のガスケット62とまたはそれなしで使用可能であり、第2のガスケット62もまた第1のガスケット60とまたはそれなしで使用可能であることが理解されよう。
【0017】
図3は、圧力検出ダイ50が実装された基板40のパッケージを形成するセンサポート130の第1の末端部132に結合されたセンサ本体120を含む、もう1つの例示的な圧力センサアセンブリ100である。図3の圧力アセンブリ100は、センサ本体120およびセンサポート130から基板40を分断するために使用される構造を除いて、図1の圧力センサアセンブリの同じ構成要素のうちのいくつかを共有する。別個のガスケット60、62が図1の圧力センサアセンブリ10で使用されたが、図3の圧力センサアセンブリ10は、センサ本体120およびセンサポート130に統合された機能を使用する。
【0018】
圧力検出ダイ50は、センサポート130の流体チャネル134を介して流れる流体(たとえば、気体、液体)の圧力を測定する。センサポート130は、流体のソースに結合された第2の末端部133を有し、次いで基板40の流体チャネル44を介し、次いで圧力検出ダイ50の流体チャネル54を介し、その中で流体チャネル134、44、54は、連続的な流体経路を可能にするために、軸方向に整列される。本例示的な実施形態では、基板40はセラミックボタンである。
【0019】
センサ本体120は、その中に圧力検出ダイ50が置かれている空洞122を含み得る。圧力検出ダイ50は、たとえば、基板40に圧力検出ダイ50を接合するガラスフリット56を使用し、基板40の最上部側46(または第1の側)に実装され得る。他の実施形態では、圧力検出ダイ50は、基板40の底部側48に実装され得ることが理解されよう。圧力センサアセンブリ100の向きに関わらず、本明細書では「最上部側」という用語はセンサ本体120と向き合う側を示し、「底部側」はセンサポート130と向き合う側を示す。
【0020】
一実施形態では、圧力検出ダイ50は、圧力検出ダイ50が圧力検出ダイ50の流体チャネル54でさらされる流体の圧力を判定する。ジェルキャップ52は、環境から圧力検出ダイ50の電気回路を保護するために使用され得る。一実施形態では、シリコンキャップは、真空槽を作る圧力検出ダイ50の最上部に配置可能であり、それと一体式でもよく、その参照真空は、絶対圧力を感知するために、圧力検出ダイ50に使用される。電気導線58は、流体の圧力を報告するためのモニタリング機器に圧力検出ダイ50を接続することができる。
【0021】
センサポート130は、その中にOリング139が配置されてセンサポート130の流体チャネル134を介して流れる流体のソースとの接続を密閉することができる、溝137を含み得る。センサポート130は、その中に基板40が置かれた空洞70を形成する。もう1つの実施形態では、空洞70は、センサ本体120によって形成され得る、または、そうでない場合、センサ本体120とセンサポート130の間に形成され得る。基板40は、基板40の最上部側46がセンサ本体120の底部側124と向き合い、基板40の底部側48がセンサポート130の最上部側136と向き合うように、空洞70内に置かれる。Oリング72は、圧力センサアセンブリ10を介して流れる流体に対して密閉するために、基板40とセンサポート130の間の空洞70内に設置され得る。
【0022】
図3の例示的な圧力センサアセンブリ100に示すように、第1のセットの突起128は、センサ本体120の底部側124から基板40の最上部側46の方へ延びる。一実施形態では、第1のセットの突起128は、圧力検出ダイ50の少なくとも一部を囲む。第1のセットの突起128は、センサ本体120の底部側124から基板40の最上部側46を分断し、圧力検出ダイ50にその流体から、または振動もしくは衝撃から移され得るエネルギを低減する。たとえば、振動、衝撃、または、基板40の流体チャネル44および圧力検出ダイ50の流体チャネル54を介して流れる流体の圧力により、基板40および圧力検出ダイ50はセンサ本体120の方へ移動するまたはそれに接触することがある。第1のセットの突起128は、これらの事象によってもたらされるエネルギの一部を吸収し、圧力検出ダイ50に移されるエネルギの量を減らすことができ、それによって、圧力検出ダイ50へのひび割れまたは損傷の可能性を低減する。
【0023】
図3の例示的な圧力センサアセンブリ100に示すように、第2のセットの突起138は、センサポート130の最上部側136から基板40の底部側48の方へ延びる。一実施形態では、第2のセットの突起138は、基板40の少なくとも一部および/または流体チャネル134、44、54の少なくとも一部を囲む。第2のセットの突起138は、センサポート130の最上部側136から基板40の底部側48を分断し、圧力検出ダイ50にその流体から、または振動もしくは衝撃から移され得るエネルギを低減する。たとえば、振動、衝撃、または基板40の流体チャネル44および圧力検出ダイ50の流体チャネル54を介して流れる流体の圧力により、基板40はセンサポート30の方へ移動するまたはそれに接触することがある。第2のセットの突起138は、これらの事象によってもたらされるエネルギの一部を吸収し、圧力検出ダイ50に移されるエネルギの量を減らすことができ、それによって圧力検出ダイ50へのひび割れまたは損傷の可能性を低減する。
【0024】
図4は、第1のセットの突起128を示す例示的なセンサ本体120の底部側124の透視図である。この例示的な構成では、第1のセットの突起128は、基板40に実装された圧力検出ダイ50の少なくとも一部を囲むように位置付けられ得る。図4には示さないが、センサポート130上の例示的なセットの第2の突起138は、基板40の少なくとも一部を囲むように位置付けられ得る。第1のセットの突起128および第2のセットの突起138は、たとえば、0.005インチ(0.127mm)から0.030インチ(0.762mm)の範囲の高さを有し得る。例示的な高さは、たとえば、0.010インチ(0.254mm)および0.015インチ(0.381mm)を含む。第1のセットの突起128および第2のセットの突起138は、いくつかの異なる形状(たとえば、半球、輪、半トロイド、丸うね、リブ)および高さを有することができ、突起128、138は少量変形させ得ることが、理解されよう。
【0025】
一実施形態では、第1のセットの突起128および第2のセットの突起138は、それぞれ、センサ本体120およびセンサポート130の部分として形作られ得る。センサ本体120およびセンサポート130(ならびに第1のセットの突起128および第2のセットの突起138)の流体の(または、たとえば、圧力センサアセンブリ100によって経験される振動もしくは衝撃からの)エネルギを吸収することができる例示的なプラスチック材料は、たとえば、ナイロンまたはPBTを含み得る。第1のセットの突起128は第2のセットの突起138とまたはそれなしで使用可能であり、第2のセットの突起138もまた第1のセットの突起128とまたはそれなしで使用可能であることが理解されよう。
【0026】
一実施形態では、基板40が製造中に突起128、138、そしてしたがってセンサ本体120およびセンサポート130に結合されるように、第1のセットの突起128および第2のセットの突起138の材料および高さが選択され得る。しかし、その後、材料のクリープが生じることがあり、突起128、138を変形させる、たとえば高さを低くし、センサ本体120およびセンサポート130から基板40を分断させる。
【0027】
本明細書は、最良の形態を含めて、本発明を開示するために、そしてまた、任意のデバイスまたはシステムの作成および使用と任意の組み込まれた方法の実行とを含めて、本発明を当業者が実施できるようにするために、例を使用する。本発明の特許性のある範囲は、本特許請求の範囲によって定義され、当業者に思い当たる他の例を含み得る。そのような他の例は、それらが本特許請求の範囲の文字どおりの言語と異ならない構造的要素を有する場合、またはそれらが本特許請求の範囲の文字どおりの言語と実質のない差異を有する同等の構造的要素を含む場合、本特許請求の範囲内にあるものとする。
【符号の説明】
【0028】
10 圧力センサアセンブリ
20 センサ本体
22 空洞(センサ本体)
24 底部側(センサ本体)
30 センサポート
32 第1の側(センサポート)
33 第2の側(センサポート)
34 流体チャネル(センサポート)
36 最上部側(センサポート)
37 溝(センサポート)
39 Oリング(センサポート)
40 基板
44 流体チャネル(基板)
46 最上部側 (基板)
48 底部側(基板)
50 圧力検出ダイ
52 ジェルキャップ(ダイ)
54 流体チャネル(ダイ)
56 ガラスフリット
58 電気導線
60 第1のガスケット
62 第2のガスケット
70 空洞(基板)
72 Oリング(基板空洞)
120 センサ本体
122 空洞(センサ本体)
124 底部側(センサ本体)
128 突起(センサ本体)
130 センサポート
132 第1の側(センサポート)
133 第2の側(センサポート)
134 流体チャネル(センサポート)
136 最上部側(センサポート)
137 溝(センサポート)
138 突起(センサポート)
139 Oリング(センサポート)
【技術分野】
【0001】
本明細書で開示される主題は、流体の圧力を測定するための圧力センサアセンブリに関する。
【背景技術】
【0002】
圧力センサアセンブリは、パッケージによって保持された基板に実装された圧力検出ダイを含み得る。一構成で、その圧力検出ダイは、流体の圧力を判定するために、パッケージおよび/または基板内でチャネルを介して進む流体(たとえば、液体または気体)にさらされる。一部のアセンブリでは、ダイおよび/または基板は、パッケージと非常に強く結合され、圧力でスパイク中に流体からダイに移されるエネルギによって、または圧力センサアセンブルが振動もしくは衝撃にさらされるときに、割れるまたは他の方法で損傷することがある。
【0003】
前述の議論は、単に一般的背景情報として提供され、特許請求されている本主題の範囲を判断する助けとして使用されるものではない。
【発明の概要】
【0004】
圧力検出ダイが実装された基板がパッケージから分断された、流体の圧力を測定するための圧力センサアセンブリが開示される。本圧力センサアセンブリのいくつかの開示される実施形態の実践で実現され得る利点は、圧力でスパイク中に流体からダイに移されるエネルギによってまたは圧力センサアセンブリが振動もしくは衝撃にさらされるときに引き起こされる圧力検出ダイのひび割れもしくは損傷の低減である。
【0005】
一実施形態では、流体の圧力を測定するための圧力センサアセンブリが開示される。その圧力センサアセンブリは、基板の第1の側が第1のメンバの第2の側と向き合い、その基板の第2の側が第2のメンバの第1の側と向き合う、第1のメンバと、第1のメンバに結合された第1の末端部および流体のソースに結合された第2の末端部を備える第2のメンバと、第1のメンバと第2のメンバの間に形成された第1の空洞内に置かれた基板と、その基板に実装された圧力検出ダイと、第1のメンバから基板を分断する、その基板の第1の側と第1のメンバの第2の側の間にあるエネルギ吸収メンバとを備える。もう1つの実施形態では、エネルギ吸収メンバは、基板の第2の側と第2のメンバの第1の側の間にあり、そのエネルギ吸収メンバは第2のメンバからその基板を分断する。
【0006】
さらに別の実施形態では、第1のセットの突起が第1のメンバの第2の側から基板の第1の側に向かって延び、その第1のセットの突起が第1のメンバとその基板を分断する。さらに別の実施形態では、1セットの突起が第2のメンバの第1の側から基板の第2の側に向かって延び、そのセットの突起が第2のメンバとその基板を分断する。
【0007】
本発明の概要は、1つまたは複数の例示的な実施形態により本明細書で開示される主題の概要を提供することのみを目的とし、本特許請求の範囲を解釈するための指針となることをせず、あるいは、添付の特許請求の範囲によってのみ定義される本発明の範囲を定義または限定しない。本発明の概要は、発明を実施するための形態において以下にさらに説明される簡略化された形での概念の例示的な選択を紹介するために提供される。本発明の概要は、特許請求されている主題の重要な特徴もしくは本質的特徴を識別するものではなく、特許請求されている主題の範囲を判断する助けとして使用されるものでもない。特許請求されている主題は、背景技術において指摘された何れかのまたはすべての欠点を解決する実装に限定されない。
【0008】
本発明の特徴が理解され得る形になるように、本発明の詳細な説明はある種の実施形態を参照して行われることがあり、それらの実施形態のうちのいくつかは添付の図面に示される。しかし、これらの図面は本発明のある種の実施形態のみを示し、したがって、その範囲を限定するものとして考慮されず、本発明の範囲は、他の同様に効果的な実施形態を包含することに留意されたい。これらの図面は、必ずしも原寸に比例せず、本発明のある種の実施形態の特徴を説明することに概して重点が置かれている。これらの図面で、同様の番号は、様々なビューを通して同様の部分を指示するために使用される。すなわち、本発明のさらなる理解のために、以下のような図面に関連して読まれて、以下の詳細な説明は参照され得る。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】例示的な圧力センサアセンブリの図である。
【図2】図1の圧力センサアセンブリで使用される例示的なガスケットの図である。
【図3】もう1つの例示的な圧力センサアセンブリの図である。
【図4】図3の例示的なセンサ本体の底部側の透視図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
図1は、圧力検出ダイ50が実装された基板40のパッケージを形成するセンサポート30(または第2のメンバ)の第1の末端部32に結合されたセンサ本体20(または第1のメンバ)を含む、例示的な圧力センサアセンブリ10である。圧力検出ダイ50は、センサポート30の流体チャネル34を介して流れる流体(たとえば、気体、液体)の圧力を測定する。センサポートは、流体のソースに結合された第2の末端部33を有し、次いで基板40の流体チャネル44を介し、次いで圧力検出ダイ50の流体チャネル54を介し、その中で流体チャネル34、44、54は、連続的な流体経路を可能にするために、軸方向に整列される。本例示的な実施形態では、基板40は、セラミックボタンである。本例示的な実施形態は、基板40を囲むセンサ本体20およびセンサポート30を使用するが、異なるメンバが基板40を囲むために使用され得ることが理解されよう。
【0011】
センサ本体20は、その中に圧力検出ダイ50が置かれた空洞22を含み得る。圧力検出ダイ50は、たとえば、圧力検出ダイ50を基板40に接合するためのガラスフリット56を使用し、基板40の最上部側46に実装され得る。他の実施形態では、圧力検出ダイ50は基板40の底部側48に実装され得ることが、理解されよう。圧力センサアセンブリ10の向きに関わらず、本明細書で「最上部側」という用語は、センサ本体20と向き合う側を示し、一方、「底部側」は、センサポート30の方と向き合う側を示すことが理解されよう。
【0012】
一実施形態では、圧力検出ダイ50は、圧力検出ダイ50が圧力検出ダイ50の流体チャネル54でさらされる流体の圧力を判定する。ジェルキャップ52が、環境から圧力検出ダイ50の電気回路を保護するために使用され得る。一実施形態では、シリコンキャップが、真空槽を作る圧力検出ダイ50の最上部に配置可能であり、それと一体式でもよく、参照真空が、絶対圧力を感知するために、圧力検出ダイ50に使用される。電気導線58は、流体の圧力を報告するためのモニタリング機器に圧力検出ダイ50を接続することができる。
【0013】
センサポート30は、その中にOリング39がセンサポート30の流体チャネル34を介して流れる流体のソースとの接続を密閉するために配置され得る、溝37を含み得る。センサポート30は、その中に基板40が置かれた、空洞70を形成する。もう1つの実施形態では、空洞70は、センサ本体20によって形成可能であり、またはそうでない場合、センサ本体20とセンサポート30の間に形成可能である。基板40の最上部側46がセンサ本体20の底部側24と向き合い、基板40の底部側48がセンサポート30の最上部側36と向き合うように、基板40は、空洞70内に置かれる。Oリング72は、圧力センサアセンブリ10を介して流れる流体に対して密閉するために、基板40とセンサポート30の間の空洞70に設置され得る。
【0014】
図1の例示的な圧力センサアセンブリ10に示すように、第1のガスケット60または他のエネルギ吸収メンバは、基板40とセンサ本体20の間に設置され得る。一実施形態では、第1のガスケット60は、圧力検出ダイ50の少なくとも一部を囲む。この第1のガスケット60は、センサ本体20の底部側24から基板40の最上部側46を分断し、圧力検出ダイ50に流体から、または振動もしくは衝撃から移され得るエネルギを低減する。たとえば、振動、衝撃、または、基板40の流体チャネル44および圧力検出ダイ50の流体チャネル54を介して流れる流体の圧力により、基板40および圧力検出ダイ50はセンサ本体20の方へ移動し得るまたはそれに接触し得る。第1のガスケット60は、これらの事象によってもたらされるエネルギの一部を吸収し、圧力検出ダイ50に移されるエネルギの量を減らすことができ、それによって、圧力検出ダイ50へのひび割れまたは損傷の可能性を減らす。
【0015】
図1の例示的な圧力センサアセンブリ10に示すように、第2のガスケット62または他のエネルギ吸収メンバが、基板40とセンサポート30の間に設置され得る。一実施形態では、第2のガスケット62は、基板40の少なくとも一部および/または流体チャネル34、44、54の少なくとも一部を囲む。第2のガスケット62は、センサポート30の最上部側36から基板40の底部側48を分断し、圧力検出ダイ50に流体から、または振動もしくは衝撃から移され得るエネルギを低減する。たとえば、振動、衝撃、または、基板40の流体チャネル44および圧力検出ダイ50の流体チャネル54を介して流れる流体の圧力により、基板40はセンサポート30の方に移動することおよびそれに接触することがある。第2のガスケット62は、これらの事象によってもたらされるエネルギの一部を吸収し、圧力検出ダイ50に移されるエネルギの量を減らすことができ、それによって圧力検出ダイ50のひび割れまたは損傷の可能性を低減する。
【0016】
図2は、図1の圧力センサアセンブリ10で使用される例示的な第1のガスケット60である。この例示的な構成では、第1のガスケット60は、基板40に実装された圧力検出ダイ50の少なくとも一部を囲むように成形され得る。図示されていないが、例示的な第2のガスケット62は、基板40の少なくとも一部および/または流体チャネル34、44、54の少なくとも一部を囲むように成形され得る。第1のガスケット60および第2のガスケット62は、たとえば、0.010インチ(0.254mm)から0.030インチ(0.762mm)の範囲の厚さを有し得る。例示的な厚さは、0.015インチ(0.381mm)および0.020インチ(0.508mm)を含み得る。第1のガスケット60および第2のガスケット62は、いくつかの異なる形状および厚さを有し得ることが理解されよう。第1のガスケット60および第2のガスケット62は、エラストマ材料または流体の(もしくは、たとえば、圧力センサアセンブリ10によって経験される振動または衝撃からの)エネルギを吸収するように適合した他の材料で作成され得る。第1のガスケット60および第2のガスケット62の例示的な材料は、たとえば、ニトリルゴム、シリコンゴム、または任意の他の適切なエラストマもしくは他の材料を含み得る。第1のガスケット60は第2のガスケット62とまたはそれなしで使用可能であり、第2のガスケット62もまた第1のガスケット60とまたはそれなしで使用可能であることが理解されよう。
【0017】
図3は、圧力検出ダイ50が実装された基板40のパッケージを形成するセンサポート130の第1の末端部132に結合されたセンサ本体120を含む、もう1つの例示的な圧力センサアセンブリ100である。図3の圧力アセンブリ100は、センサ本体120およびセンサポート130から基板40を分断するために使用される構造を除いて、図1の圧力センサアセンブリの同じ構成要素のうちのいくつかを共有する。別個のガスケット60、62が図1の圧力センサアセンブリ10で使用されたが、図3の圧力センサアセンブリ10は、センサ本体120およびセンサポート130に統合された機能を使用する。
【0018】
圧力検出ダイ50は、センサポート130の流体チャネル134を介して流れる流体(たとえば、気体、液体)の圧力を測定する。センサポート130は、流体のソースに結合された第2の末端部133を有し、次いで基板40の流体チャネル44を介し、次いで圧力検出ダイ50の流体チャネル54を介し、その中で流体チャネル134、44、54は、連続的な流体経路を可能にするために、軸方向に整列される。本例示的な実施形態では、基板40はセラミックボタンである。
【0019】
センサ本体120は、その中に圧力検出ダイ50が置かれている空洞122を含み得る。圧力検出ダイ50は、たとえば、基板40に圧力検出ダイ50を接合するガラスフリット56を使用し、基板40の最上部側46(または第1の側)に実装され得る。他の実施形態では、圧力検出ダイ50は、基板40の底部側48に実装され得ることが理解されよう。圧力センサアセンブリ100の向きに関わらず、本明細書では「最上部側」という用語はセンサ本体120と向き合う側を示し、「底部側」はセンサポート130と向き合う側を示す。
【0020】
一実施形態では、圧力検出ダイ50は、圧力検出ダイ50が圧力検出ダイ50の流体チャネル54でさらされる流体の圧力を判定する。ジェルキャップ52は、環境から圧力検出ダイ50の電気回路を保護するために使用され得る。一実施形態では、シリコンキャップは、真空槽を作る圧力検出ダイ50の最上部に配置可能であり、それと一体式でもよく、その参照真空は、絶対圧力を感知するために、圧力検出ダイ50に使用される。電気導線58は、流体の圧力を報告するためのモニタリング機器に圧力検出ダイ50を接続することができる。
【0021】
センサポート130は、その中にOリング139が配置されてセンサポート130の流体チャネル134を介して流れる流体のソースとの接続を密閉することができる、溝137を含み得る。センサポート130は、その中に基板40が置かれた空洞70を形成する。もう1つの実施形態では、空洞70は、センサ本体120によって形成され得る、または、そうでない場合、センサ本体120とセンサポート130の間に形成され得る。基板40は、基板40の最上部側46がセンサ本体120の底部側124と向き合い、基板40の底部側48がセンサポート130の最上部側136と向き合うように、空洞70内に置かれる。Oリング72は、圧力センサアセンブリ10を介して流れる流体に対して密閉するために、基板40とセンサポート130の間の空洞70内に設置され得る。
【0022】
図3の例示的な圧力センサアセンブリ100に示すように、第1のセットの突起128は、センサ本体120の底部側124から基板40の最上部側46の方へ延びる。一実施形態では、第1のセットの突起128は、圧力検出ダイ50の少なくとも一部を囲む。第1のセットの突起128は、センサ本体120の底部側124から基板40の最上部側46を分断し、圧力検出ダイ50にその流体から、または振動もしくは衝撃から移され得るエネルギを低減する。たとえば、振動、衝撃、または、基板40の流体チャネル44および圧力検出ダイ50の流体チャネル54を介して流れる流体の圧力により、基板40および圧力検出ダイ50はセンサ本体120の方へ移動するまたはそれに接触することがある。第1のセットの突起128は、これらの事象によってもたらされるエネルギの一部を吸収し、圧力検出ダイ50に移されるエネルギの量を減らすことができ、それによって、圧力検出ダイ50へのひび割れまたは損傷の可能性を低減する。
【0023】
図3の例示的な圧力センサアセンブリ100に示すように、第2のセットの突起138は、センサポート130の最上部側136から基板40の底部側48の方へ延びる。一実施形態では、第2のセットの突起138は、基板40の少なくとも一部および/または流体チャネル134、44、54の少なくとも一部を囲む。第2のセットの突起138は、センサポート130の最上部側136から基板40の底部側48を分断し、圧力検出ダイ50にその流体から、または振動もしくは衝撃から移され得るエネルギを低減する。たとえば、振動、衝撃、または基板40の流体チャネル44および圧力検出ダイ50の流体チャネル54を介して流れる流体の圧力により、基板40はセンサポート30の方へ移動するまたはそれに接触することがある。第2のセットの突起138は、これらの事象によってもたらされるエネルギの一部を吸収し、圧力検出ダイ50に移されるエネルギの量を減らすことができ、それによって圧力検出ダイ50へのひび割れまたは損傷の可能性を低減する。
【0024】
図4は、第1のセットの突起128を示す例示的なセンサ本体120の底部側124の透視図である。この例示的な構成では、第1のセットの突起128は、基板40に実装された圧力検出ダイ50の少なくとも一部を囲むように位置付けられ得る。図4には示さないが、センサポート130上の例示的なセットの第2の突起138は、基板40の少なくとも一部を囲むように位置付けられ得る。第1のセットの突起128および第2のセットの突起138は、たとえば、0.005インチ(0.127mm)から0.030インチ(0.762mm)の範囲の高さを有し得る。例示的な高さは、たとえば、0.010インチ(0.254mm)および0.015インチ(0.381mm)を含む。第1のセットの突起128および第2のセットの突起138は、いくつかの異なる形状(たとえば、半球、輪、半トロイド、丸うね、リブ)および高さを有することができ、突起128、138は少量変形させ得ることが、理解されよう。
【0025】
一実施形態では、第1のセットの突起128および第2のセットの突起138は、それぞれ、センサ本体120およびセンサポート130の部分として形作られ得る。センサ本体120およびセンサポート130(ならびに第1のセットの突起128および第2のセットの突起138)の流体の(または、たとえば、圧力センサアセンブリ100によって経験される振動もしくは衝撃からの)エネルギを吸収することができる例示的なプラスチック材料は、たとえば、ナイロンまたはPBTを含み得る。第1のセットの突起128は第2のセットの突起138とまたはそれなしで使用可能であり、第2のセットの突起138もまた第1のセットの突起128とまたはそれなしで使用可能であることが理解されよう。
【0026】
一実施形態では、基板40が製造中に突起128、138、そしてしたがってセンサ本体120およびセンサポート130に結合されるように、第1のセットの突起128および第2のセットの突起138の材料および高さが選択され得る。しかし、その後、材料のクリープが生じることがあり、突起128、138を変形させる、たとえば高さを低くし、センサ本体120およびセンサポート130から基板40を分断させる。
【0027】
本明細書は、最良の形態を含めて、本発明を開示するために、そしてまた、任意のデバイスまたはシステムの作成および使用と任意の組み込まれた方法の実行とを含めて、本発明を当業者が実施できるようにするために、例を使用する。本発明の特許性のある範囲は、本特許請求の範囲によって定義され、当業者に思い当たる他の例を含み得る。そのような他の例は、それらが本特許請求の範囲の文字どおりの言語と異ならない構造的要素を有する場合、またはそれらが本特許請求の範囲の文字どおりの言語と実質のない差異を有する同等の構造的要素を含む場合、本特許請求の範囲内にあるものとする。
【符号の説明】
【0028】
10 圧力センサアセンブリ
20 センサ本体
22 空洞(センサ本体)
24 底部側(センサ本体)
30 センサポート
32 第1の側(センサポート)
33 第2の側(センサポート)
34 流体チャネル(センサポート)
36 最上部側(センサポート)
37 溝(センサポート)
39 Oリング(センサポート)
40 基板
44 流体チャネル(基板)
46 最上部側 (基板)
48 底部側(基板)
50 圧力検出ダイ
52 ジェルキャップ(ダイ)
54 流体チャネル(ダイ)
56 ガラスフリット
58 電気導線
60 第1のガスケット
62 第2のガスケット
70 空洞(基板)
72 Oリング(基板空洞)
120 センサ本体
122 空洞(センサ本体)
124 底部側(センサ本体)
128 突起(センサ本体)
130 センサポート
132 第1の側(センサポート)
133 第2の側(センサポート)
134 流体チャネル(センサポート)
136 最上部側(センサポート)
137 溝(センサポート)
138 突起(センサポート)
139 Oリング(センサポート)
【特許請求の範囲】
【請求項1】
流体の圧力を測定するための圧力センサアセンブリであって、
第1のメンバと、
前記第1のメンバに結合された第1の末端部および前記流体のソースに結合された第2の末端部を備える、第2のメンバと、
前記第1のメンバと前記第2のメンバの間に形成された第1の空洞内に置かれた基板であって、前記基板の第1の側が前記第1のメンバの第2の側と向き合い、その前記基板の第2の側が前記第2のメンバの第1の側と向き合う、基板と、
前記基板に実装された圧力検出ダイと、
前記基板の前記第1の側と前記第1のメンバの前記第2の側の間にあり、前記第1のメンバから前記基板を分断する、第1のエネルギ吸収メンバと
を備える、圧力センサアセンブリ。
【請求項2】
前記第2のメンバが、それを介して前記流体が前記流体のソースから流れる第1の流体チャネルをさらに備え、
前記基板が、それを介して前記流体が前記流体のソースから流れる第2の流体チャネルをさらに備え、
前記圧力検出ダイが、それを介して前記流体が前記流体のソースから流れる第3の流体チャネルをさらに備え、
前記第1の、第2の、および第3の流体チャネルが、前記第1の、第2の、および第3の流体チャネルを介する連続的な流体経路を可能にするように構成された、
請求項1記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項3】
前記圧力検出ダイが前記第2の空洞内に置かれる、前記第1のメンバによって形成された第2の空洞をさらに備える、請求項1記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項4】
前記第1のエネルギ吸収メンバが、前記圧力検出ダイの少なくとも一部を囲む、請求項1記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項5】
前記第2のメンバから前記基板を分断する、前記基板の前記第2の側と前記第2のメンバの前記第1の側の間にある、前記第2のエネルギ吸収メンバをさらに備える、請求項1記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項6】
第2のエネルギ吸収メンバが前記第2のメンバから前記基板を分断し、第2のエネルギ吸収メンバが前記第1の流体チャネル、前記第2の流体チャネル、または前記第3の流体チャネルの少なくとも一部を囲む、前記基板の前記第2の側と前記第2のメンバの前記第1の側の間に第2のエネルギ吸収メンバをさらに備える、請求項2記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項7】
前記第1のメンバがセンサ本体である、請求項1記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項8】
前記第2のメンバがセンサポートである、請求項1記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項9】
前記第1のエネルギ吸収メンバがガスケットである、請求項1記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項10】
前記第2のエネルギ吸収メンバがガスケットである、請求項5記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項11】
流体の圧力を測定するための圧力センサアセンブリであって、
第1のメンバと、
前記第1のメンバに結合された第1の末端部および前記流体のソースに結合された第2の末端部を備える、第2のメンバと、
前記第1のメンバと前記第2のメンバの間に形成された第1の空洞内に置かれた基板であって、前記基板の第1の側が前記第1のメンバの第2の側と向き合い、前記基板の第2の側が前記第2のメンバの第1の側と向き合う、基板と、
前記基板に実装された圧力検出ダイと、
前記基板の前記第2の側と前記第2のメンバの前記第1の側の間にあり、前記第2のメンバから前記基板を分断する、第1のエネルギ吸収メンバと
を備える、圧力センサアセンブリ。
【請求項12】
前記第1のエネルギ吸収メンバがガスケットである、請求項11記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項13】
流体の圧力を測定するための圧力センサアセンブリであって、
第1のメンバと、
前記第1のメンバに結合された第1の末端部および前記流体のソースに結合された第2の末端部を備える、第2のメンバと、
前記第1のメンバと前記第2のメンバの間に形成された第1の空洞内に置かれた基板であって、前記基板の第1の側が前記第1のメンバの第2の側と向き合い、前記基板の第2の側が前記第2のメンバの第1の側と向き合う、基板と、
前記基板に実装された圧力検出ダイと、
前記第1のメンバの前記第2の側から前記基板の前記第1の側の方へ延び、前記第1のメンバから前記基板を分断する、第1のセットの突起と
を備える、圧力センサアセンブリ。
【請求項14】
前記第2のメンバが、それを介して前記流体が前記流体のソースから流れる第1の流体チャネルをさらに備え、
前記基板が、それを介して前記流体が前記流体のソースから流れる第2の流体チャネルをさらに備え、
前記圧力検出ダイが、それを介して前記流体が前記流体のソースから流れる第3の流体チャネルをさらに備え、
前記第1の、第2の、および第3の流体チャネルが前記第1の、第2の、および第3の流体チャネルを介する連続的な流体経路を可能にするように構成された、
請求項13記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項15】
前記第1のセットの突起が前記圧力検出ダイの少なくとも一部を囲む、請求項13記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項16】
前記第2のメンバの前記第1の側から延び、前記第2のメンバから前記基板を分断する第2のセットの突起をさらに備える、請求項13記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項17】
前記第2のメンバの前記第1の側から延び、前記第1の流体チャネル、前記第2の流体チャネル、または前記第3の流体チャネルの少なくとも一部を囲む、第2のセットの突起をさらに備える、請求項14記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項18】
前記第1のメンバがセンサ本体である、請求項13記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項19】
前記第2のメンバがセンサポートである、請求項13記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項20】
流体の圧力を測定するための圧力センサアセンブリであって、
第1のメンバと、
前記第1のメンバに結合された第1の末端部および前記流体のソースに結合された第2の末端部を備える、第2のメンバと、
前記第1のメンバと前記第2のメンバの間に形成された第1の空洞内に置かれた基板であって、前記基板の第1の側が前記第1のメンバの第2の側と向き合い、前記基板の第2の側が前記第2のメンバの第1の側と向き合う、基板と、
前記基板に実装された圧力検出ダイと、
前記第2のメンバの前記第1の側から前記基板の前記第2の側に延び、前記第2のメンバから前記基板を分断する、第1のセットの突起と
を備える、圧力センサアセンブリ。
【請求項1】
流体の圧力を測定するための圧力センサアセンブリであって、
第1のメンバと、
前記第1のメンバに結合された第1の末端部および前記流体のソースに結合された第2の末端部を備える、第2のメンバと、
前記第1のメンバと前記第2のメンバの間に形成された第1の空洞内に置かれた基板であって、前記基板の第1の側が前記第1のメンバの第2の側と向き合い、その前記基板の第2の側が前記第2のメンバの第1の側と向き合う、基板と、
前記基板に実装された圧力検出ダイと、
前記基板の前記第1の側と前記第1のメンバの前記第2の側の間にあり、前記第1のメンバから前記基板を分断する、第1のエネルギ吸収メンバと
を備える、圧力センサアセンブリ。
【請求項2】
前記第2のメンバが、それを介して前記流体が前記流体のソースから流れる第1の流体チャネルをさらに備え、
前記基板が、それを介して前記流体が前記流体のソースから流れる第2の流体チャネルをさらに備え、
前記圧力検出ダイが、それを介して前記流体が前記流体のソースから流れる第3の流体チャネルをさらに備え、
前記第1の、第2の、および第3の流体チャネルが、前記第1の、第2の、および第3の流体チャネルを介する連続的な流体経路を可能にするように構成された、
請求項1記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項3】
前記圧力検出ダイが前記第2の空洞内に置かれる、前記第1のメンバによって形成された第2の空洞をさらに備える、請求項1記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項4】
前記第1のエネルギ吸収メンバが、前記圧力検出ダイの少なくとも一部を囲む、請求項1記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項5】
前記第2のメンバから前記基板を分断する、前記基板の前記第2の側と前記第2のメンバの前記第1の側の間にある、前記第2のエネルギ吸収メンバをさらに備える、請求項1記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項6】
第2のエネルギ吸収メンバが前記第2のメンバから前記基板を分断し、第2のエネルギ吸収メンバが前記第1の流体チャネル、前記第2の流体チャネル、または前記第3の流体チャネルの少なくとも一部を囲む、前記基板の前記第2の側と前記第2のメンバの前記第1の側の間に第2のエネルギ吸収メンバをさらに備える、請求項2記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項7】
前記第1のメンバがセンサ本体である、請求項1記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項8】
前記第2のメンバがセンサポートである、請求項1記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項9】
前記第1のエネルギ吸収メンバがガスケットである、請求項1記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項10】
前記第2のエネルギ吸収メンバがガスケットである、請求項5記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項11】
流体の圧力を測定するための圧力センサアセンブリであって、
第1のメンバと、
前記第1のメンバに結合された第1の末端部および前記流体のソースに結合された第2の末端部を備える、第2のメンバと、
前記第1のメンバと前記第2のメンバの間に形成された第1の空洞内に置かれた基板であって、前記基板の第1の側が前記第1のメンバの第2の側と向き合い、前記基板の第2の側が前記第2のメンバの第1の側と向き合う、基板と、
前記基板に実装された圧力検出ダイと、
前記基板の前記第2の側と前記第2のメンバの前記第1の側の間にあり、前記第2のメンバから前記基板を分断する、第1のエネルギ吸収メンバと
を備える、圧力センサアセンブリ。
【請求項12】
前記第1のエネルギ吸収メンバがガスケットである、請求項11記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項13】
流体の圧力を測定するための圧力センサアセンブリであって、
第1のメンバと、
前記第1のメンバに結合された第1の末端部および前記流体のソースに結合された第2の末端部を備える、第2のメンバと、
前記第1のメンバと前記第2のメンバの間に形成された第1の空洞内に置かれた基板であって、前記基板の第1の側が前記第1のメンバの第2の側と向き合い、前記基板の第2の側が前記第2のメンバの第1の側と向き合う、基板と、
前記基板に実装された圧力検出ダイと、
前記第1のメンバの前記第2の側から前記基板の前記第1の側の方へ延び、前記第1のメンバから前記基板を分断する、第1のセットの突起と
を備える、圧力センサアセンブリ。
【請求項14】
前記第2のメンバが、それを介して前記流体が前記流体のソースから流れる第1の流体チャネルをさらに備え、
前記基板が、それを介して前記流体が前記流体のソースから流れる第2の流体チャネルをさらに備え、
前記圧力検出ダイが、それを介して前記流体が前記流体のソースから流れる第3の流体チャネルをさらに備え、
前記第1の、第2の、および第3の流体チャネルが前記第1の、第2の、および第3の流体チャネルを介する連続的な流体経路を可能にするように構成された、
請求項13記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項15】
前記第1のセットの突起が前記圧力検出ダイの少なくとも一部を囲む、請求項13記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項16】
前記第2のメンバの前記第1の側から延び、前記第2のメンバから前記基板を分断する第2のセットの突起をさらに備える、請求項13記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項17】
前記第2のメンバの前記第1の側から延び、前記第1の流体チャネル、前記第2の流体チャネル、または前記第3の流体チャネルの少なくとも一部を囲む、第2のセットの突起をさらに備える、請求項14記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項18】
前記第1のメンバがセンサ本体である、請求項13記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項19】
前記第2のメンバがセンサポートである、請求項13記載の圧力センサアセンブリ。
【請求項20】
流体の圧力を測定するための圧力センサアセンブリであって、
第1のメンバと、
前記第1のメンバに結合された第1の末端部および前記流体のソースに結合された第2の末端部を備える、第2のメンバと、
前記第1のメンバと前記第2のメンバの間に形成された第1の空洞内に置かれた基板であって、前記基板の第1の側が前記第1のメンバの第2の側と向き合い、前記基板の第2の側が前記第2のメンバの第1の側と向き合う、基板と、
前記基板に実装された圧力検出ダイと、
前記第2のメンバの前記第1の側から前記基板の前記第2の側に延び、前記第2のメンバから前記基板を分断する、第1のセットの突起と
を備える、圧力センサアセンブリ。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図2】
【図3】
【図4】
【公開番号】特開2013−113850(P2013−113850A)
【公開日】平成25年6月10日(2013.6.10)
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願2012−258069(P2012−258069)
【出願日】平成24年11月27日(2012.11.27)
【出願人】(390041542)ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ (6,332)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成25年6月10日(2013.6.10)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−258069(P2012−258069)
【出願日】平成24年11月27日(2012.11.27)
【出願人】(390041542)ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ (6,332)
【Fターム(参考)】
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