垂直磁気記録媒体
【課題】高密度記録を実現する垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】基板１００上に第一中間層１０６、第二中間層１０７、磁気記録層１０８，１０９を備える。第一中間層はＲｕ又はＲｕ合金とする。第二中間層は、ＣｏとＦｅから選ばれる少なくとも一元素を含みＣｕを主成分とし、ＣｏとＦｅの合計割合が１０〜３０at.%となる合金で構成し、膜厚を５ｎｍ以上１００ｎｍ以下とする。
【解決手段】基板１００上に第一中間層１０６、第二中間層１０７、磁気記録層１０８，１０９を備える。第一中間層はＲｕ又はＲｕ合金とする。第二中間層は、ＣｏとＦｅから選ばれる少なくとも一元素を含みＣｕを主成分とし、ＣｏとＦｅの合計割合が１０〜３０at.%となる合金で構成し、膜厚を５ｎｍ以上１００ｎｍ以下とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体に関し、特に高密度磁気記録を実現する垂直磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
市販されているハードディスクドライブに搭載されている垂直磁気記録媒体は、基板上に軟磁性裏打ち層、シード層、中間層、磁気記録層、保護層の順に積層された構造を有する。
【０００３】
優れた特性をもつ垂直磁気記録媒体は、磁気記録層に含まれる結晶粒子の結晶配向や粒子形状などが均一であることが期待されている。さらに記録ヘッドから生じる磁界の勾配を高める構造によっても記録特性を向上出来る。
【０００４】
９６０メガビット／平方ミリメートル（６２０ギガビット／平方インチ）といった高密度記録を実現する為には、上記磁気記録層に含まれる結晶粒子の均一性や記録ヘッドの磁界勾配の向上以外に、媒体の記録層を構成する粒子径を１０ｎｍ以下に小さくすることや、保護膜を薄くして記録・再生ヘッドと磁気記録層との距離を狭めて高分解能で記録再生できるようにする必要がある。
【０００５】
一方、媒体の記録層を構成する粒子径を１０ｎｍ以下に小さくすると記録された信号の熱安定性が問題となる。単に粒子径を小さくすると、記録層粒子のもつ磁化の向きを固定する磁気異方性エネルギーが下がる。磁気異方性エネルギーが下がると、熱エネルギーの影響を受けて記録層の磁化が乱されやすくなる。その結果、記録された信号が減衰して信号品質が低下し、場合によっては再生信号の信頼性が低下する。その為、粒子径を小さくすると同時に、記録された信号の熱安定性を向上することが必要である。その解決手段として高磁気異方性材料の採用が考えられる。しかし、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金系を記録層に用いた磁気記録媒体では大幅に磁気異方性を高めることは難しい。また、媒体の磁気異方性が大幅に向上できた場合でも、これまで通りの記録特性を確保するためにヘッド磁界強度を大幅に高める必要がある。しかし、ヘッド磁界強度を大幅に高めるのは容易ではない。また、保護膜を薄くした場合には雰囲気中に含まれる水分や酸素によって腐食することが問題となり、十分な耐食性を確保できることが必要である。
【０００６】
このような背景から、近年実用化された垂直磁気記録方式を用いた媒体として、たとえば特許文献１に記載されているように、シード層と非磁性中間層との間に磁束スリット層を設けることにより、ヘッド磁界の強度と勾配を高めて記録信号の品質を向上している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−１９０４８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１では磁界勾配を向上しているが、媒体記録層の熱安定性や信頼性について配慮されていなかった。９６０メガビット／平方ミリメートル（６２０ギガビット／平方インチ）といった高密度記録を実現する為には、以下の３条件を満たす必要がある。
（１）媒体記録層の磁気異方性を大幅に高めることなしに熱安定性を向上する。
（２）保護膜が薄くても十分な耐食信頼性を確保する。
（３）熱安定性や耐食性を確保した上で信号ノイズ比は１２．０ｄＢ以上にする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の垂直磁気記録媒体は、磁気記録層の下に中間層を備える。
中間層は、Ｃｕを主成分としＣｏとＦｅから選ばれる少なくとも一元素を含み、ＣｏとＦｅの合計割合が１０〜３０at.%、膜厚が５〜１００ｎｍとすることができる。
【００１０】
中間層は、また、第一中間層と第二中間層が順次積層された構造とし、基板側の第一中間層をＲｕ又はＲｕ合金で構成し、その上の第二中間層は、Ｃｕを主成分としＣｏとＦｅから選ばれる少なくとも一元素を含み、ＣｏとＦｅの合計割合が１０〜３０at.%となる合金で構成してもよい。このとき、第二中間層の膜厚は５ｎｍ以上１００ｎｍ以下とする。
【００１１】
中間層は、また、基板側から見て第一中間層、第二中間層、第三中間層及び第四中間層が順次積層された構造としてもよい。その場合、第一中間層及び第三中間層はＲｕ又はＲｕ合金で構成し、第二中間層及び第四中間層は、Ｃｕを主成分としＣｏとＦｅから選ばれる少なくとも一元素を含み、ＣｏとＦｅの合計割合が１０〜６０at.%となる合金で構成する。第二中間層と第四中間層の合計膜厚は１５ｎｍ以上１００ｎｍ以下とする。
【００１２】
中間層は、また、６〜１２層の偶数層からなる積層構造としてもよい。その場合、基板側から見て奇数番目の中間層はＲｕ又はＲｕ合金で構成し、偶数番目の中間層は、Ｃｕを主成分としＣｏとＦｅから選ばれる少なくとも一元素を含み、ＣｏとＦｅの合計割合が１０〜６０at.%となる合金で構成する。偶数番目の中間層の合計膜厚は１５ｎｍ以上１００ｎｍ以下とする。
【００１３】
中間層は、また、基板側から見て第一中間層、第二中間層及び第三中間層が順次積層された構造としてもよい。その場合、第一中間層及び第三中間層はＲｕ又はＲｕ合金で構成し、第二中間層は、Ｃｕを主成分としＣｏとＦｅから選ばれる少なくとも一元素を含み、ＣｏとＦｅの合計割合が１０〜３０at.%となる合金で構成する。第二中間層の膜厚は５〜１００ｎｍとし、第三中間層の膜厚は２０ｎｍ以下とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、熱揺らぎによる経時変化を低減し、同時に耐食信頼性を満足し、信号ノイズ比を１２．０ｄＢ以上とすることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明による垂直磁気記録媒体の断面構成例を示す図。
【図２】比較例１の垂直磁気記録媒体の断面構成を示す図。
【図３】実験例１において裏打ち層の特性及び膜厚を変えた垂直磁気記録媒体の特性を示す図。
【図４】実験例１及び比較例１の垂直磁気記録媒体の特性を示す図。
【図５】実験例２及び比較例１の垂直磁気記録媒体の特性を示す図。
【図６】実験例３及び比較例１の垂直磁気記録媒体の特性を示す図。
【図７】実験例４の信号ノイズ比と信号減衰率を示す図。
【図８】本発明による他の垂直磁気記録媒体の断面構成例を示す図。
【図９】実験例５の垂直磁気記録媒体の特性を示す図。
【図１０】本発明による他の垂直磁気記録媒体の断面構成例を示す図。
【図１１】本発明による他の垂直磁気記録媒体の断面構成例を示す図。
【図１２】実験例７の垂直磁気記録媒体の特性を示す図。
【図１３】本発明による他の垂直磁気記録媒体の断面構成例を示す図。
【図１４】本発明による他の垂直磁気記録媒体の断面構成例を示す図。
【図１５】本発明による他の垂直磁気記録媒体の断面構成例を示す図。
【図１６】実験例１１の垂直磁気記録媒体の特性を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
〔実験例１〕
図１に、本発明の実験例１の垂直軸記録媒体の断面構成を示す。
この磁気記録媒体は、基板１００の上に密着層１０１、軟磁性裏打ち層１０２、非磁性結合層１０３、軟磁性裏打ち層１０４、シード層１０５、非磁性中間層１０６、強磁性中間層１０７、記録層（１０８，１０９）、保護層１１０が積層された構造である。保護膜１１０の上には潤滑膜が形成されても良い。また、基板１００の両面に同様の磁気記録媒体を構成しても良い。
【００１７】
１０１〜１１０層の製造方法は、ＤＣマグネトロンスパッタ法やＲＦマグネトロンスパッタ法、パルススパッタ法、対向ターゲットスパッタ法などが使用できる。以下、多層膜を連続形成できるスパッタ装置でＤＣマグネトロンスパッタ法を用いた実験例について詳述する。
【００１８】
基板１００は、例えば化学強化されたガラス基板、あるいはリンを含有したニッケル合金をアルミニウム合金にめっきした剛体基板、Ｓｉ基板、などを用いることができる。ここでは外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、厚さ０．８ｍｍの化学強化されたガラス基板を水洗・乾燥させて用いた。
【００１９】
密着層１０１として、厚さ１０ｎｍのＮｉＴａ層を形成した。密着層１０１の特性として基板と密着層の上部層に対して密着性の高い材料が良く、常磁性のＮｉ系合金やＣｏ系合金、Ａｌ系合金等が使用できる。例えば、ＡｌＴｉ合金、ＮｉＡｌ合金、ＣｏＴｉ合金、ＡｌＴａ合金などがある。
【００２０】
第一軟磁性裏打ち層１０２及び第二軟磁性裏打ち層１０４を薄い非磁性結合層１０３を介して積層した三層構造の軟磁性裏打ち層を用いた。ここで第一及び第二軟磁性裏打ち層として９２at.%Ｃｏ−３at.%Ｔａ−５at.%Ｚｒを、非磁性結合層１０３としてＲｕ層を用いた。このような三層構成とすることで、上下のＣｏＴａＺｒ合金層がＲｕ層を介して反強磁性的に結合し、軟磁性下地層に起因するノイズを低減することができる。本実験例では、このＲｕ層の膜厚を第一及び第二軟磁性裏打ち層間の反強磁性結合が保たれるように０．７ｎｍとした。また、膜の平坦性が保たれる範囲でＲｕに添加元素を加えても良い。
【００２１】
第一及び第二軟磁性裏打ち層の膜厚は、記録ヘッドや記録層の特性に応じて調整すればよく、本実験例ではそれぞれ３０ｎｍずつ形成した。軟磁性下地層まで積層したサンプルも作製し、振動型磁力計を用いて膜面内方向に最大１０３５ｋＡ／ｍの磁界を印加して評価した飽和磁束密度は１．２５Ｔであった。非磁性結合層１０３を設けない場合にも飽和磁束密度は１．２３Ｔあった。Ｃｏを主成分とする９２at.%Ｃｏ−３at.%Ｔａ−５at.%Ｚｒ合金に代わり、５１at.%Ｆｅ−３４at.%Ｃｏ−１０at.%Ｔａ−５at.%Ｚｒ合金のようなＦｅを主成分とする合金を用いることもできる。
【００２２】
第一軟磁性裏打ち層と第二軟磁性裏打ち層の間に形成する非磁性結合層１０３は、第一軟磁性裏打ち層と第二軟磁性裏打ち層を反強磁性的に結合させる働きがある。非磁性層に用いる材料としては、両軟磁性層にＣｏを主成分とする非晶質合金を用いる場合にはＲｕやＣｕを、両軟磁性層にＦｅを主成分とする非晶質合金を用いる場合にはＣｒやＲｕを用いるのが望ましい。例えば、ＲｕＦｅ合金等、Ｒｕを含んだ合金或いはＲｕを主成分とする合金を用いることも可能である。非磁性層１０３の厚さは、反強磁性の結合磁界が大きくなるようにするため、Ｒｕを含んだ合金或いはＲｕを主成分とする合金を用いる場合、概ねその膜厚として０．５ｎｍから０．８ｎｍを設定するとよい。
【００２３】
第一軟磁性裏打ち層と第二軟磁性裏打ち層には、Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ合金磁性層，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ合金磁性層等の透磁率が高く、耐食信頼性が得られる合金を用いることが望ましい。軟磁性の各層の残留磁束密度と膜厚の積は略等しく、非磁性層１０３を介して反強磁性結合が可能な大きさであることが好ましい。軟磁性下地層を反強磁性結合させ、かつ上部記録層の磁化状態が決まった後で軟磁性下地層の残留磁化に起因したノイズを抑制するため、第一軟磁性裏打ち層１０２として厚さ３０ｎｍの５１at.%Ｆｅ−３４at.%Ｃｏ−１０at.%Ｔａ−５at.%Ｚｒ合金膜を形成し、非磁性層１０３として厚さ０．７ｎｍのＲｕ膜を形成後、再び第二軟磁性裏打ち層１０４として厚さ３０ｎｍの５１at.%Ｆｅ−３４at.%Ｃｏ−１０at.%Ｔａ−５at.%Ｚｒ合金膜を形成することもできる。
【００２４】
シード層１０５は、膜厚２ｎｍのＮｉ−３７．５at.%Ｔａと膜厚９ｎｍのＮｉ−１０at.%Ｃｒ−３at.%Ｗを順次形成した構成とした。シード層１０５は、非磁性中間層１０６の結晶配向性や結晶粒径を制御する役割を果たす。シード層１０５の膜厚、構成、材料は、上記効果が得られる範囲で設定すればよく、特に上記の膜厚、構成、材料に限定されない。
【００２５】
シード層１０５の構成において、ＮｉＴａ層の役割はＮｉＣｒＷ層の配向を制御し、ＮｉＣｒＷの（１１１）配向性を高めることである。これが満足される範囲で膜厚を設定すればよく、通常１ｎｍから５ｎｍ程度の値が用いられる。ＮｉＴａ合金の代わりに、ＡｌＴｉ合金、ＣｒＴｉ合金、ＣｒＴａ合金などのアモルファス材料や、Ｔａなどの微結晶材料を用いてもよい。ＮｉＣｒＷ層の役割は、その上の非磁性中間層（Ｒｕ）の膜面垂直方向のｃ軸配向性を高めることと粒径及び凹凸の制御である。これが満足される範囲で膜厚を設定すればよく、通常２ｎｍから１２ｎｍ程度の値が用いられる。ＮｉＣｒＷ合金の代わりに、面心立方格子（ｆｃｃ）構造を有するＰｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｎｉやこれらを含有する合金を用いることもできる。特に、Ｎｉを主成分とする少なくともＷ，Ｃｒ，Ｃｕから選ばれる少なくとも一元素を含む合金とすると、記録層の偏析を促進できるため好ましい。
【００２６】
非磁性中間層１０６としては、厚さ２８ｎｍのＲｕ層を形成した。非磁性中間層１０６の役割は記録層の結晶粒径、結晶配向性の制御と結晶粒間の交換結合の低減である。この特性を満足すれば良く、Ｒｕ以外に、ＲｕとＴｉ，Ｖ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｃ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｌ，Ｂ，Ｃ等との合金を用いてもよい。
【００２７】
ここでは、非磁性中間層１０６を二層に分けて形成した。はじめに下層半分をガス圧１Ｐａ、製膜レート４ｎｍ／ｓで形成し、後から上層半分をガス圧６．５Ｐａ、製膜レート１．５ｎｍ／ｓで形成した。下層Ｒｕを低ガス圧、高レートで形成し、上層Ｒｕを高ガス圧、低レートで形成することにより、配向の劣化を抑えて、記録層の偏析が促進できる。
【００２８】
強磁性中間層１０７の役割は、非磁性中間層１０６と同様な記録層の結晶粒径、結晶配向性の制御や結晶粒間の交換結合の低減に加え、上部の記録層（１０８，１０９）からもたらされる磁束を吸収することである。本実験例では、強磁性中間層１０７として、Ｃｕ−１４at.%Ｃｏ−６at.%Ｆｅ層をガス圧６．５Ｐａ、製膜レート１．５ｎｍ／ｓで１．５〜２００ｎｍの範囲で形成した。面心立方（ｆｃｃ）構造をとるＣｕの（１１１）面の原子配置は六方稠密（ｈｃｐ）構造を持つＲｕの（００．１）面と同じであることから、下部Ｒｕ層の結晶配向性を維持向上させつつＣｕを積層することが出来る。また、ＣｏやＦｅのほとんどがＣｕ母相中に固溶することなく析出し、ＣｏＦｅ微粒子を形成した。軟磁性裏打ち層を省いて強磁性中間層まで積層したサンプルを作製し、強磁性中間層１０７のみの磁気特性を振動型磁力計により評価したところ、２．４ＭＡ／ｍの印加磁界のとき強磁性中間層１０７の磁束密度は０．４３Ｔであった。
【００２９】
第一の記録層１０８は、Ｃｏを主成分としＣｒとＰｔ含み更に酸化物を含んだ層であり、複数の層が積層されていても良い。形成にはＣｏＣｒＰｔ合金とＳｉＯｘを含有する複合型のターゲットを用いた。第一記録層１０８の形成時には、スパッタガスとしてアルゴンと酸素の混合ガスを用い、総ガス圧５Ｐａ、酸素濃度１．６７％とした。第一記録層１０８の膜厚は１４ｎｍとし、３ｎｍ／ｓの製膜レートで基板バイアス−２００Ｖの条件で形成した。第一記録層の組成（at.%）の比率は、（Ｃｏ＋Ｃｒ＋Ｐｔ）：（Ｓｉ＋Ｏ）＝８３．４：１６．６、Ｃｏ：Ｃｒ：Ｐｔ＝６０．６：１４．１：２５．３、Ｏ：Ｓｉ＝３．２：１である。
【００３０】
第二の記録層１０９は、Ｃｏを主成分としＣｒを含み酸化物を含まない層であり、複数の層が積層された構造でも良い。第二記録層１０９を形成する際にはＣｏＣｒＰｔ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてアルゴンを用い、ガス圧は１Ｐａで製膜レートは２ｎｍ／ｓとした。第二記録層１０９の膜厚は９ｎｍとし、７０at.%Ｃｏ−１６at.%Ｃｒ−１４at.%Ｐｔとした。
【００３１】
保護層１１０として、厚さ３ｎｍのダイアモンドライクカーボン膜を形成した。その表面に有機系の潤滑剤であるパーフルオロポリエーテルを塗布して潤滑層を形成した。
【００３２】
［比較例１］
比較例１として、図２に示す断面構成の媒体を作成した。比較例１は、上記実験例１において強磁性中間層１０７を設けない以外は実験例１の媒体と同じ層構成である。
【００３３】
実験例１と比較例１の媒体について次に示す方法で評価した。
熱揺らぎ耐性の評価では、８０℃の環境温度において媒体上に記録密度９．２メガビット／メートルの信号を記録した後、再生信号振幅の経時変化を測定した。その結果から、記録直後と記録から１万秒後の信号出力との比である信号減衰率を求めた。この信号減衰率は小さいほど優れており、製品化には２５％以下であることが必要である。
【００３４】
記録再生評価には、主磁極幅が５０ｎｍのラップ・アラウンド・シールド型記録ヘッド及び幾何素子幅が３０ｎｍの再生ヘッドを使用した。信号ノイズ比は、線記録密度が３８ｋbits／ｍｍの信号を記録した直後の再生波形における信号の０−ｐ出力とノイズ出力の比から求めた。９６０Ｍｂｉｔ／ｍｍ2を達成するには、信号ノイズ比が１２．０ｄＢ以上あることが必要である。
【００３５】
耐食性は以下の方法で評価した。外径６５ｍφのガラス基板上に形成した垂直磁気記録媒体を、温度が６０℃で、相対湿度が９５％の温湿度環境槽内に４日間、磁気ディスクを放置し、その後温湿度環境槽から磁気ディスクを取り出し、米国Candela Instruments社製Optical Surface Analyzer Model 2120のCorrosion Analysis測定によって、磁気ディスク表面の腐食点を計数した。本試験による腐食点数は概ね７５個以下であれば、ハードディスクドライブ用に用いる磁気ディスクとして十分な耐食性を得られることが経験的に分かっている。
【００３６】
これらの比較実験の結果を図４に示す。
この結果から、比較例１では、信号ノイズ比は１２．０ｄＢを上回り、腐食点数も６４と基準である７５以下の範囲であるものの、信号減衰率が３２％と基準となる２５％以下に入っていない。
【００３７】
一方、実験例１では強磁性中間層であるＣｕＣｏＦｅ合金膜が厚くなるほど信号減衰率は改善し、強磁性中間層の膜厚が５ｎｍ以上になると信号減衰率の基準値である２５％以下にすることが出来た。さらに、信号ノイズ比はＣｕＣｏＦｅ膜厚が３ｎｍ以上１００ｎｍ以下において基準値である１２．０ｄＢを上回っていた。
【００３８】
これらの結果から、図１に示した膜構成の媒体で、強磁性中間膜１０７の膜厚を５〜１００ｎｍとすることによって本発明の目的を達成できることが明らかになった。
【００３９】
また、非磁性結合層１０３を設けないことを除き、実験例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。その結果、スパイクノイズは認められず、図３に示すように非磁性結合層１０３を設けた場合と似たエラーレート特性の膜厚依存性が認められた。これらの結果から、非磁性結合層１０３は必須ではない。
【００４０】
〔実験例２〕
実験例１の強磁性中間層１０７の組成を除き、実験例２は実験例１と同じ媒体構成である。本実験例では、強磁性中間層１０７としてＣｕ−２０at.%Ｃｏ層をガス圧６．５Ｐａ、製膜レート１．５ｎｍ／ｓで１．５〜２００ｎｍの範囲で形成した。本実験例について、実験例１記載の方法で評価した結果を図５に示す。本実験例では中間層１０７の膜厚が５ｎｍ以上になると信号減衰率の基準値である２５％以下にすることが出来た。さらに、信号ノイズ比は強磁性中間層１０７の膜厚が３ｎｍ以上１００ｎｍ以下において基準値である１２．０ｄＢを上回った。
【００４１】
図には示さないが、中間層１０７の組成をＣｏとＦｅの合計が２０at.%になるようにして、Ｆｅを０〜６at.%の範囲で変化させた場合にも、強磁性中間層１０７の膜厚が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲において、信号減衰率及び信号ノイズ比の基準値である１２．０ｄＢを上回り、また腐食点数も基準値を満たしていた。
【００４２】
〔実験例３〕
実験例３は、実験例１の強磁性中間層１０７の組成を変えた他は同じ媒体構成である。本実験例３において、Ｃｕ−２０at.%Ｆｅ層をガス圧６．５Ｐａ、製膜レート１．５ｎｍ／ｓで１．５〜２００ｎｍの範囲で形成した。本実験例３の磁気記録媒体について、実験例１記載した方法で評価した結果を図６に示す。本実験例では強磁性中間層の膜厚が５ｎｍ以上になると信号減衰率の基準値である２５％以下にすることが出来た。さらに、信号ノイズ比は強磁性中間層１０７の膜厚が３ｎｍ以上１００ｎｍ以下において基準値である１２．０ｄＢを上回った。
【００４３】
図には示さないが、中間層１０７の組成をＣｏとＦｅの割合が２０at.%になるようにして、Ｆｅを６〜２０at.%の範囲で変化させた場合にも、強磁性中間層１０７の膜厚が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲において、信号減衰率及び信号ノイズ比の基準値である１２．０ｄＢを上回り、また腐食点数も基準値を満たしていた。
【００４４】
〔実験例４〕
実験例４の構成は、実験例１の強磁性中間層１０７の組成を変えた以外、同じ媒体構成である。本実験例において強磁性中間層１０７はガス圧６．５Ｐａ、製膜レート１．５ｎｍ／ｓで３０ｎｍ形成し、組成は次のようにした。
（実験例４０１）Ｃｕ
（実験例４０２）Ｃｕ−７at.%Ｃｏ−３at.%Ｆｅ
（実験例４０３）Ｃｕ−１４at.%Ｃｏ−６at.%Ｆｅ
（実験例４０４）Ｃｕ−２１at.%Ｃｏ−９at.%Ｆｅ
（実験例４０５）Ｃｕ−２４．５at.%Ｃｏ−１０．５at.%Ｆｅ
（実験例４０６）Ｃｕ−２８at.%Ｃｏ−１２at.%Ｆｅ
（実験例４０７）Ｃｕ−３５at.%Ｃｏ−１５at.%Ｆｅ
【００４５】
これらの組成を用いた実験例４の信号ノイズ比と信号減衰率を図７に示す。ＣｏとＦｅ合計の割合が１０at.%以上３０at.%以下の範囲で、目標値である信号ノイズ比が１２．０ｄＢ以上で信号減衰率は２５％以下となった。また実験例１に示した方法で実験例４の耐食性を評価した結果、全ての媒体で腐食点数は基準である７５個を下回った。
【００４６】
また、図には示さないが、中間層を実験例４０１〜４０７と同様の組成で膜厚５〜１００ｎｍの範囲で変化させて評価した結果、いずれもＣｏとＦｅ合計の割合が１０at.%以上３０at.%以下の範囲で、信号ノイズ比、信号減衰率、及び耐食性の全ての基準値を満たしていた。
【００４７】
〔実験例５〕
図８を用いて実験例５の磁気記録媒体の構成を説明する。基板１００の上に密着層１０１、軟磁性裏打ち層１０２、非磁性結合層１０３、軟磁性裏打ち層１０４、シード層１０５、非磁性中間層１０６、強磁性中間層５０１、非磁性中間層５０２、強磁性中間層５０３、記録層（１０８，１０９）、保護層１１０が積層された構造である。保護膜１１０の上には潤滑膜が形成されても良い。また、基板１００の両面に同様の磁気記録媒体を構成しても良い。
この媒体構成は、強磁性中間層５０１及び５０３と非磁性中間層５０２以外は実験例１と同じである。
【００４８】
実験例５においては、強磁性中間層５０１及び５０３の組成は、実験例４で用いたのと同じく以下のようにし、ガス圧６．５Ｐａ、製膜レート１．５ｎｍ／ｓでそれぞれの膜厚を１５ｎｍ積層した。非磁性中間層５０２は、Ｒｕ層をガス圧６．５Ｐａ、製膜レート１．５ｎｍ／ｓで５ｎｍ形成した。
（実験例５０１）Ｃｕ
（実験例５０２）Ｃｕ−７at.%Ｃｏ−３at.%Ｆｅ
（実験例５０３）Ｃｕ−１４at.%Ｃｏ−６at.%Ｆｅ
（実験例５０４）Ｃｕ−２１at.%Ｃｏ−９at.%Ｆｅ
（実験例５０５）Ｃｕ−２４．５at.%Ｃｏ−１０．５at.%Ｆｅ
（実験例５０６）Ｃｕ−２８at.%Ｃｏ−１２at.%Ｆｅ
（実験例５０７）Ｃｕ−３５at.%Ｃｏ−１５at.%Ｆｅ
（実験例５０８）Ｃｕ−４２at.%Ｃｏ−１８at.%Ｆｅ
（実験例５０９）Ｃｕ−４９at.%Ｃｏ−２１at.%Ｆｅ
実験例５と実験例４の違いは、非磁性中間層５０２と強磁性中間層５０３の有無である。
【００４９】
これらの磁気記録媒体について測定した信号ノイズ比を図９に示す。実験例４ではＣｏとＦｅ合計の割合が３５at.%以上で信号ノイズ比が低下しているが、実験例５ではＣｏとＦｅ合計の割合が１０〜６０at.%の範囲で信号ノイズ比１２．０ｄＢ以上、信号低下率２５％以下、及び腐食点数７５個以下の基準値を達成した。
【００５０】
〔実験例６〕
実験例６の磁気記録媒体の構成を図１０を用いて説明する。基板１００の上に密着層１０１、軟磁性裏打ち層１０２、非磁性結合層１０３、軟磁性裏打ち層１０４、シード層１０５、非磁性中間層１０６、強磁性中間層６０１を積層し、さらに非磁性中間層６０２から強磁性中間層６０３を２〜５周期積層し、その上部に記録層（１０８，１０９）、保護層１１０が積層された構造である。
【００５１】
保護膜１１０の上には潤滑膜が形成されても良い。また、基板１００の両面に同様の磁気記録媒体を構成しても良い。
この媒体構成は、強磁性中間層６０１から強磁性中間層６０３の間にある層以外は実験例５と同じである。
【００５２】
強磁性中間層６０１及び６０３は、合計の膜厚が１５〜１００ｎｍで各層が均等な厚さとし、ＣｏとＦｅ合計の割合が１０〜６０at.%としてガス圧６．５Ｐａ、製膜レート１．５ｎｍ／ｓで形成した。非磁性中間層６０２は、Ｒｕ層をガス圧６．５Ｐａ、製膜レート１．５ｎｍ／ｓで５ｎｍずつ形成した。
これらの実験例を評価した結果、信号ノイズ比、信号低下率、及び腐食点数において基準値を達成した。
【００５３】
〔実験例７〕
実験例７の媒体構成を図１１を用いて説明する。実験例７の磁気記録媒体は、基板１００の上に密着層１０１、軟磁性裏打ち層１０２、非磁性結合層１０３、軟磁性裏打ち層１０４、シード層１０５、非磁性中間層１０６を積層し、さらに強磁性中間層７０１、非磁性中間層７０２、記録層（１０８，１０９）、保護層１１０が積層された構造である。保護膜１１０の上には潤滑膜を形成した。基板１００の両面に同様の磁気記録媒体を構成しても良い。
【００５４】
この媒体構成は、非磁性中間層７０２以外は実験例１と同じである。実験例７においては、強磁性中間層７０１はＣｕ−２１at.%Ｃｏ−９at.%Ｆｅ層を膜厚３０ｎｍで作製した。非磁性中間層７０２は、Ｒｕ層をガス圧６．５Ｐａ、製膜レート１．５ｎｍ／ｓで膜厚を１〜３０ｎｍ形成した。
【００５５】
これらの磁気記録媒体についての評価結果を図１２に示す。信号ノイズ比や腐食点数は全てで基準値を満たしている。信号減衰率は、非磁性中間層７０２の膜厚が２０ｎｍ以下において、基準値である２５％以下を満たした。また、非磁性中間層７０２の膜厚が２０ｎｍ以下のとき、強磁性中間層７０１を膜厚５〜１００ｎｍの範囲で変化させて評価したところ、ＣｏとＦｅ合計の割合が１０at.%以上３０at.%以下の範囲で、信号ノイズ比、信号減衰率、及び耐食性の全ての基準値を満たしていた。
【００５６】
〔実験例８〕
実験例８の媒体構成を図１３を用いて説明する。実験例８の磁気記録媒体は、基板１００の上に密着層１０１、シード層１０５、非磁性中間層１０６、強磁性中間層１０７、記録層（１０８，１０９）、保護層１１０が積層された構造である。保護膜１１０の上には潤滑膜を形成した。基板１００の両面に同様の磁気記録媒体を構成しても良い。
【００５７】
この媒体構成は、軟磁性裏打ち層１０２及び１０４と非磁性結合層１０３がないことを除くと実験例１と同じである。本実験例において強磁性中間層１０７の膜厚は３０ｎｍとした。
【００５８】
本実験例の媒体を評価した結果、信号減衰率及び信号ノイズ比はそれぞれ３％と１２．２ｄＢであった。耐食性の評価でも、腐食点数は６４個であった。したがって、信号減衰率、信号ノイズ比及び耐食性の観点から基準を満たしていることが確認された。
【００５９】
〔実験例９〕
実験例９の媒体構成を図１４を用いて説明する。本実験例の磁気記録媒体は、基板１００の上に密着層１０１、軟磁性裏打ち層１０２、シード層１０５、非磁性中間層１０６、強磁性中間層１０７、記録層（１０８，１０９）、保護層１１０が積層された構造である。保護膜１１０の上には潤滑膜を形成した。基板１００の両面に同様の磁気記録媒体を構成しても良い。
【００６０】
この媒体構成は、非磁性結合層１０３と軟磁性裏打ち層１０４がないことを除くと実験例１と同じである。本実験例において強磁性中間層１０７の膜厚は３０ｎｍとした。
【００６１】
本実験例において評価した結果、信号減衰率、信号ノイズ比及び耐食性について基準を満たしていた。また、磁気記録ヘッドを用いてＤＣ消磁した後に得られた再生信号には、フラックスリターンパスに起因するスパイク性ノイズの発生は見られなかった。
【００６２】
〔実験例１０〕
実験例１０の媒体構成を図１５を用いて説明する。本実験例の磁気記録媒体は、基板１００の上に密着層１０１、軟磁性裏打ち層１０２、非磁性結合層１０３、軟磁性裏打ち層１０４、シード層１０５、強磁性中間層１０７、記録層（１０８，１０９）、保護層１１０が積層された構造である。保護膜１１０の上には潤滑膜が形成されても良い。また、基板１００の両面に同様の磁気記録媒体を構成しても良い。
【００６３】
この媒体構成は、非磁性中間層１０６がないことを除くと実験例１と同じである。本実験例において強磁性中間層１０７の膜厚は５〜１００ｎｍで組成はＣｏとＦｅ合計の割合が１０〜３０at.%の範囲で、ガス圧６．５Ｐａ、製膜レート１．５ｎｍ／ｓで形成した。
【００６４】
本実験例に記載の磁気記録媒体について評価した結果、全ての膜厚組成において信号減衰率及び信号ノイズ比はそれぞれ０％及び１２．０ｄＢ以上、かつ耐食性評価では腐食点数は５０個以下であった。従って、信号減衰率、信号ノイズ比及び耐食性について基準を満たしていた。
【００６５】
〔実験例１１〕
実験例１１の磁気記録媒体は、基板１００の上に密着層１０１、軟磁性裏打ち層１０２、非磁性結合層１０３、軟磁性裏打ち層１０４、シード層１０５、非磁性中間層１０６、強磁性中間層１０７、記録層（１０８，１０９）、保護層１１０が積層された構造である。保護膜１１０の上に潤滑膜を形成した。基板１００の両面に同様の磁気記録媒体を構成しても良い。
【００６６】
この媒体構成は、強磁性中間層１０７を除くと実験例１と同じである。実験例１１において、強磁性中間層１０７の組成は以下のとおりとし、ガス圧６．５Ｐａ、製膜レート１．５ｎｍ／ｓで膜厚３０ｎｍ形成した。
（実験例１１０１）Ｃｕ−１４at.%Ｃｏ−６at.%Ｆｅ−５ａｔ％Ｃｒ
（実験例１１０２）Ｃｕ−１４at.%Ｃｏ−６at.%Ｆｅ−５ａｔ％Ｒｕ
（実験例１１０３）Ｃｕ−１４at.%Ｃｏ−６at.%Ｆｅ−５ａｔ％Ｎｉ
これらの実験例は、実験例１１における強磁性中間層１０７をＣｕ−１４at.%Ｃｏ−６at.%Ｆｅ層とした媒体にＣｒやＲｕ、Ｎｉを添加したものである。
【００６７】
これらの磁気記録媒体について実験例１記載の方法で評価した結果を図１６に示す。図１６から明らかなように、本実験例の媒体は、信号減衰率、信号ノイズ比、及び腐食点数について基準を満たしていた。特に、強磁性中間層１０７にＣｒを添加した場合には、腐食点数が減少し、耐食性に優れる媒体が得られることが分かった。
【符号の説明】
【００６８】
１００…基板、１０１…密着層、１０２…第一の軟磁性裏打ち層、１０３…非磁性結合層、１０４…第二の軟磁性裏打ち層、１０５…シード層、１０６…非磁性中間層、１０７…強磁性中間層、１０８…第一の記録層、１０９…第二の記録層、１１０…保護層、５０１…強磁性中間層、５０２…非磁性中間層、５０３…強磁性中間層、６０１…強磁性中間層、６０２…非磁性中間層、６０３…強磁性中間層、７０１…強磁性中間層、７０２…非磁性中間層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体に関し、特に高密度磁気記録を実現する垂直磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
市販されているハードディスクドライブに搭載されている垂直磁気記録媒体は、基板上に軟磁性裏打ち層、シード層、中間層、磁気記録層、保護層の順に積層された構造を有する。
【０００３】
優れた特性をもつ垂直磁気記録媒体は、磁気記録層に含まれる結晶粒子の結晶配向や粒子形状などが均一であることが期待されている。さらに記録ヘッドから生じる磁界の勾配を高める構造によっても記録特性を向上出来る。
【０００４】
９６０メガビット／平方ミリメートル（６２０ギガビット／平方インチ）といった高密度記録を実現する為には、上記磁気記録層に含まれる結晶粒子の均一性や記録ヘッドの磁界勾配の向上以外に、媒体の記録層を構成する粒子径を１０ｎｍ以下に小さくすることや、保護膜を薄くして記録・再生ヘッドと磁気記録層との距離を狭めて高分解能で記録再生できるようにする必要がある。
【０００５】
一方、媒体の記録層を構成する粒子径を１０ｎｍ以下に小さくすると記録された信号の熱安定性が問題となる。単に粒子径を小さくすると、記録層粒子のもつ磁化の向きを固定する磁気異方性エネルギーが下がる。磁気異方性エネルギーが下がると、熱エネルギーの影響を受けて記録層の磁化が乱されやすくなる。その結果、記録された信号が減衰して信号品質が低下し、場合によっては再生信号の信頼性が低下する。その為、粒子径を小さくすると同時に、記録された信号の熱安定性を向上することが必要である。その解決手段として高磁気異方性材料の採用が考えられる。しかし、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金系を記録層に用いた磁気記録媒体では大幅に磁気異方性を高めることは難しい。また、媒体の磁気異方性が大幅に向上できた場合でも、これまで通りの記録特性を確保するためにヘッド磁界強度を大幅に高める必要がある。しかし、ヘッド磁界強度を大幅に高めるのは容易ではない。また、保護膜を薄くした場合には雰囲気中に含まれる水分や酸素によって腐食することが問題となり、十分な耐食性を確保できることが必要である。
【０００６】
このような背景から、近年実用化された垂直磁気記録方式を用いた媒体として、たとえば特許文献１に記載されているように、シード層と非磁性中間層との間に磁束スリット層を設けることにより、ヘッド磁界の強度と勾配を高めて記録信号の品質を向上している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−１９０４８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１では磁界勾配を向上しているが、媒体記録層の熱安定性や信頼性について配慮されていなかった。９６０メガビット／平方ミリメートル（６２０ギガビット／平方インチ）といった高密度記録を実現する為には、以下の３条件を満たす必要がある。
（１）媒体記録層の磁気異方性を大幅に高めることなしに熱安定性を向上する。
（２）保護膜が薄くても十分な耐食信頼性を確保する。
（３）熱安定性や耐食性を確保した上で信号ノイズ比は１２．０ｄＢ以上にする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の垂直磁気記録媒体は、磁気記録層の下に中間層を備える。
中間層は、Ｃｕを主成分としＣｏとＦｅから選ばれる少なくとも一元素を含み、ＣｏとＦｅの合計割合が１０〜３０at.%、膜厚が５〜１００ｎｍとすることができる。
【００１０】
中間層は、また、第一中間層と第二中間層が順次積層された構造とし、基板側の第一中間層をＲｕ又はＲｕ合金で構成し、その上の第二中間層は、Ｃｕを主成分としＣｏとＦｅから選ばれる少なくとも一元素を含み、ＣｏとＦｅの合計割合が１０〜３０at.%となる合金で構成してもよい。このとき、第二中間層の膜厚は５ｎｍ以上１００ｎｍ以下とする。
【００１１】
中間層は、また、基板側から見て第一中間層、第二中間層、第三中間層及び第四中間層が順次積層された構造としてもよい。その場合、第一中間層及び第三中間層はＲｕ又はＲｕ合金で構成し、第二中間層及び第四中間層は、Ｃｕを主成分としＣｏとＦｅから選ばれる少なくとも一元素を含み、ＣｏとＦｅの合計割合が１０〜６０at.%となる合金で構成する。第二中間層と第四中間層の合計膜厚は１５ｎｍ以上１００ｎｍ以下とする。
【００１２】
中間層は、また、６〜１２層の偶数層からなる積層構造としてもよい。その場合、基板側から見て奇数番目の中間層はＲｕ又はＲｕ合金で構成し、偶数番目の中間層は、Ｃｕを主成分としＣｏとＦｅから選ばれる少なくとも一元素を含み、ＣｏとＦｅの合計割合が１０〜６０at.%となる合金で構成する。偶数番目の中間層の合計膜厚は１５ｎｍ以上１００ｎｍ以下とする。
【００１３】
中間層は、また、基板側から見て第一中間層、第二中間層及び第三中間層が順次積層された構造としてもよい。その場合、第一中間層及び第三中間層はＲｕ又はＲｕ合金で構成し、第二中間層は、Ｃｕを主成分としＣｏとＦｅから選ばれる少なくとも一元素を含み、ＣｏとＦｅの合計割合が１０〜３０at.%となる合金で構成する。第二中間層の膜厚は５〜１００ｎｍとし、第三中間層の膜厚は２０ｎｍ以下とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、熱揺らぎによる経時変化を低減し、同時に耐食信頼性を満足し、信号ノイズ比を１２．０ｄＢ以上とすることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明による垂直磁気記録媒体の断面構成例を示す図。
【図２】比較例１の垂直磁気記録媒体の断面構成を示す図。
【図３】実験例１において裏打ち層の特性及び膜厚を変えた垂直磁気記録媒体の特性を示す図。
【図４】実験例１及び比較例１の垂直磁気記録媒体の特性を示す図。
【図５】実験例２及び比較例１の垂直磁気記録媒体の特性を示す図。
【図６】実験例３及び比較例１の垂直磁気記録媒体の特性を示す図。
【図７】実験例４の信号ノイズ比と信号減衰率を示す図。
【図８】本発明による他の垂直磁気記録媒体の断面構成例を示す図。
【図９】実験例５の垂直磁気記録媒体の特性を示す図。
【図１０】本発明による他の垂直磁気記録媒体の断面構成例を示す図。
【図１１】本発明による他の垂直磁気記録媒体の断面構成例を示す図。
【図１２】実験例７の垂直磁気記録媒体の特性を示す図。
【図１３】本発明による他の垂直磁気記録媒体の断面構成例を示す図。
【図１４】本発明による他の垂直磁気記録媒体の断面構成例を示す図。
【図１５】本発明による他の垂直磁気記録媒体の断面構成例を示す図。
【図１６】実験例１１の垂直磁気記録媒体の特性を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
〔実験例１〕
図１に、本発明の実験例１の垂直軸記録媒体の断面構成を示す。
この磁気記録媒体は、基板１００の上に密着層１０１、軟磁性裏打ち層１０２、非磁性結合層１０３、軟磁性裏打ち層１０４、シード層１０５、非磁性中間層１０６、強磁性中間層１０７、記録層（１０８，１０９）、保護層１１０が積層された構造である。保護膜１１０の上には潤滑膜が形成されても良い。また、基板１００の両面に同様の磁気記録媒体を構成しても良い。
【００１７】
１０１〜１１０層の製造方法は、ＤＣマグネトロンスパッタ法やＲＦマグネトロンスパッタ法、パルススパッタ法、対向ターゲットスパッタ法などが使用できる。以下、多層膜を連続形成できるスパッタ装置でＤＣマグネトロンスパッタ法を用いた実験例について詳述する。
【００１８】
基板１００は、例えば化学強化されたガラス基板、あるいはリンを含有したニッケル合金をアルミニウム合金にめっきした剛体基板、Ｓｉ基板、などを用いることができる。ここでは外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、厚さ０．８ｍｍの化学強化されたガラス基板を水洗・乾燥させて用いた。
【００１９】
密着層１０１として、厚さ１０ｎｍのＮｉＴａ層を形成した。密着層１０１の特性として基板と密着層の上部層に対して密着性の高い材料が良く、常磁性のＮｉ系合金やＣｏ系合金、Ａｌ系合金等が使用できる。例えば、ＡｌＴｉ合金、ＮｉＡｌ合金、ＣｏＴｉ合金、ＡｌＴａ合金などがある。
【００２０】
第一軟磁性裏打ち層１０２及び第二軟磁性裏打ち層１０４を薄い非磁性結合層１０３を介して積層した三層構造の軟磁性裏打ち層を用いた。ここで第一及び第二軟磁性裏打ち層として９２at.%Ｃｏ−３at.%Ｔａ−５at.%Ｚｒを、非磁性結合層１０３としてＲｕ層を用いた。このような三層構成とすることで、上下のＣｏＴａＺｒ合金層がＲｕ層を介して反強磁性的に結合し、軟磁性下地層に起因するノイズを低減することができる。本実験例では、このＲｕ層の膜厚を第一及び第二軟磁性裏打ち層間の反強磁性結合が保たれるように０．７ｎｍとした。また、膜の平坦性が保たれる範囲でＲｕに添加元素を加えても良い。
【００２１】
第一及び第二軟磁性裏打ち層の膜厚は、記録ヘッドや記録層の特性に応じて調整すればよく、本実験例ではそれぞれ３０ｎｍずつ形成した。軟磁性下地層まで積層したサンプルも作製し、振動型磁力計を用いて膜面内方向に最大１０３５ｋＡ／ｍの磁界を印加して評価した飽和磁束密度は１．２５Ｔであった。非磁性結合層１０３を設けない場合にも飽和磁束密度は１．２３Ｔあった。Ｃｏを主成分とする９２at.%Ｃｏ−３at.%Ｔａ−５at.%Ｚｒ合金に代わり、５１at.%Ｆｅ−３４at.%Ｃｏ−１０at.%Ｔａ−５at.%Ｚｒ合金のようなＦｅを主成分とする合金を用いることもできる。
【００２２】
第一軟磁性裏打ち層と第二軟磁性裏打ち層の間に形成する非磁性結合層１０３は、第一軟磁性裏打ち層と第二軟磁性裏打ち層を反強磁性的に結合させる働きがある。非磁性層に用いる材料としては、両軟磁性層にＣｏを主成分とする非晶質合金を用いる場合にはＲｕやＣｕを、両軟磁性層にＦｅを主成分とする非晶質合金を用いる場合にはＣｒやＲｕを用いるのが望ましい。例えば、ＲｕＦｅ合金等、Ｒｕを含んだ合金或いはＲｕを主成分とする合金を用いることも可能である。非磁性層１０３の厚さは、反強磁性の結合磁界が大きくなるようにするため、Ｒｕを含んだ合金或いはＲｕを主成分とする合金を用いる場合、概ねその膜厚として０．５ｎｍから０．８ｎｍを設定するとよい。
【００２３】
第一軟磁性裏打ち層と第二軟磁性裏打ち層には、Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ合金磁性層，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ合金磁性層等の透磁率が高く、耐食信頼性が得られる合金を用いることが望ましい。軟磁性の各層の残留磁束密度と膜厚の積は略等しく、非磁性層１０３を介して反強磁性結合が可能な大きさであることが好ましい。軟磁性下地層を反強磁性結合させ、かつ上部記録層の磁化状態が決まった後で軟磁性下地層の残留磁化に起因したノイズを抑制するため、第一軟磁性裏打ち層１０２として厚さ３０ｎｍの５１at.%Ｆｅ−３４at.%Ｃｏ−１０at.%Ｔａ−５at.%Ｚｒ合金膜を形成し、非磁性層１０３として厚さ０．７ｎｍのＲｕ膜を形成後、再び第二軟磁性裏打ち層１０４として厚さ３０ｎｍの５１at.%Ｆｅ−３４at.%Ｃｏ−１０at.%Ｔａ−５at.%Ｚｒ合金膜を形成することもできる。
【００２４】
シード層１０５は、膜厚２ｎｍのＮｉ−３７．５at.%Ｔａと膜厚９ｎｍのＮｉ−１０at.%Ｃｒ−３at.%Ｗを順次形成した構成とした。シード層１０５は、非磁性中間層１０６の結晶配向性や結晶粒径を制御する役割を果たす。シード層１０５の膜厚、構成、材料は、上記効果が得られる範囲で設定すればよく、特に上記の膜厚、構成、材料に限定されない。
【００２５】
シード層１０５の構成において、ＮｉＴａ層の役割はＮｉＣｒＷ層の配向を制御し、ＮｉＣｒＷの（１１１）配向性を高めることである。これが満足される範囲で膜厚を設定すればよく、通常１ｎｍから５ｎｍ程度の値が用いられる。ＮｉＴａ合金の代わりに、ＡｌＴｉ合金、ＣｒＴｉ合金、ＣｒＴａ合金などのアモルファス材料や、Ｔａなどの微結晶材料を用いてもよい。ＮｉＣｒＷ層の役割は、その上の非磁性中間層（Ｒｕ）の膜面垂直方向のｃ軸配向性を高めることと粒径及び凹凸の制御である。これが満足される範囲で膜厚を設定すればよく、通常２ｎｍから１２ｎｍ程度の値が用いられる。ＮｉＣｒＷ合金の代わりに、面心立方格子（ｆｃｃ）構造を有するＰｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｎｉやこれらを含有する合金を用いることもできる。特に、Ｎｉを主成分とする少なくともＷ，Ｃｒ，Ｃｕから選ばれる少なくとも一元素を含む合金とすると、記録層の偏析を促進できるため好ましい。
【００２６】
非磁性中間層１０６としては、厚さ２８ｎｍのＲｕ層を形成した。非磁性中間層１０６の役割は記録層の結晶粒径、結晶配向性の制御と結晶粒間の交換結合の低減である。この特性を満足すれば良く、Ｒｕ以外に、ＲｕとＴｉ，Ｖ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｃ，Ｓｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｌ，Ｂ，Ｃ等との合金を用いてもよい。
【００２７】
ここでは、非磁性中間層１０６を二層に分けて形成した。はじめに下層半分をガス圧１Ｐａ、製膜レート４ｎｍ／ｓで形成し、後から上層半分をガス圧６．５Ｐａ、製膜レート１．５ｎｍ／ｓで形成した。下層Ｒｕを低ガス圧、高レートで形成し、上層Ｒｕを高ガス圧、低レートで形成することにより、配向の劣化を抑えて、記録層の偏析が促進できる。
【００２８】
強磁性中間層１０７の役割は、非磁性中間層１０６と同様な記録層の結晶粒径、結晶配向性の制御や結晶粒間の交換結合の低減に加え、上部の記録層（１０８，１０９）からもたらされる磁束を吸収することである。本実験例では、強磁性中間層１０７として、Ｃｕ−１４at.%Ｃｏ−６at.%Ｆｅ層をガス圧６．５Ｐａ、製膜レート１．５ｎｍ／ｓで１．５〜２００ｎｍの範囲で形成した。面心立方（ｆｃｃ）構造をとるＣｕの（１１１）面の原子配置は六方稠密（ｈｃｐ）構造を持つＲｕの（００．１）面と同じであることから、下部Ｒｕ層の結晶配向性を維持向上させつつＣｕを積層することが出来る。また、ＣｏやＦｅのほとんどがＣｕ母相中に固溶することなく析出し、ＣｏＦｅ微粒子を形成した。軟磁性裏打ち層を省いて強磁性中間層まで積層したサンプルを作製し、強磁性中間層１０７のみの磁気特性を振動型磁力計により評価したところ、２．４ＭＡ／ｍの印加磁界のとき強磁性中間層１０７の磁束密度は０．４３Ｔであった。
【００２９】
第一の記録層１０８は、Ｃｏを主成分としＣｒとＰｔ含み更に酸化物を含んだ層であり、複数の層が積層されていても良い。形成にはＣｏＣｒＰｔ合金とＳｉＯｘを含有する複合型のターゲットを用いた。第一記録層１０８の形成時には、スパッタガスとしてアルゴンと酸素の混合ガスを用い、総ガス圧５Ｐａ、酸素濃度１．６７％とした。第一記録層１０８の膜厚は１４ｎｍとし、３ｎｍ／ｓの製膜レートで基板バイアス−２００Ｖの条件で形成した。第一記録層の組成（at.%）の比率は、（Ｃｏ＋Ｃｒ＋Ｐｔ）：（Ｓｉ＋Ｏ）＝８３．４：１６．６、Ｃｏ：Ｃｒ：Ｐｔ＝６０．６：１４．１：２５．３、Ｏ：Ｓｉ＝３．２：１である。
【００３０】
第二の記録層１０９は、Ｃｏを主成分としＣｒを含み酸化物を含まない層であり、複数の層が積層された構造でも良い。第二記録層１０９を形成する際にはＣｏＣｒＰｔ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてアルゴンを用い、ガス圧は１Ｐａで製膜レートは２ｎｍ／ｓとした。第二記録層１０９の膜厚は９ｎｍとし、７０at.%Ｃｏ−１６at.%Ｃｒ−１４at.%Ｐｔとした。
【００３１】
保護層１１０として、厚さ３ｎｍのダイアモンドライクカーボン膜を形成した。その表面に有機系の潤滑剤であるパーフルオロポリエーテルを塗布して潤滑層を形成した。
【００３２】
［比較例１］
比較例１として、図２に示す断面構成の媒体を作成した。比較例１は、上記実験例１において強磁性中間層１０７を設けない以外は実験例１の媒体と同じ層構成である。
【００３３】
実験例１と比較例１の媒体について次に示す方法で評価した。
熱揺らぎ耐性の評価では、８０℃の環境温度において媒体上に記録密度９．２メガビット／メートルの信号を記録した後、再生信号振幅の経時変化を測定した。その結果から、記録直後と記録から１万秒後の信号出力との比である信号減衰率を求めた。この信号減衰率は小さいほど優れており、製品化には２５％以下であることが必要である。
【００３４】
記録再生評価には、主磁極幅が５０ｎｍのラップ・アラウンド・シールド型記録ヘッド及び幾何素子幅が３０ｎｍの再生ヘッドを使用した。信号ノイズ比は、線記録密度が３８ｋbits／ｍｍの信号を記録した直後の再生波形における信号の０−ｐ出力とノイズ出力の比から求めた。９６０Ｍｂｉｔ／ｍｍ2を達成するには、信号ノイズ比が１２．０ｄＢ以上あることが必要である。
【００３５】
耐食性は以下の方法で評価した。外径６５ｍφのガラス基板上に形成した垂直磁気記録媒体を、温度が６０℃で、相対湿度が９５％の温湿度環境槽内に４日間、磁気ディスクを放置し、その後温湿度環境槽から磁気ディスクを取り出し、米国Candela Instruments社製Optical Surface Analyzer Model 2120のCorrosion Analysis測定によって、磁気ディスク表面の腐食点を計数した。本試験による腐食点数は概ね７５個以下であれば、ハードディスクドライブ用に用いる磁気ディスクとして十分な耐食性を得られることが経験的に分かっている。
【００３６】
これらの比較実験の結果を図４に示す。
この結果から、比較例１では、信号ノイズ比は１２．０ｄＢを上回り、腐食点数も６４と基準である７５以下の範囲であるものの、信号減衰率が３２％と基準となる２５％以下に入っていない。
【００３７】
一方、実験例１では強磁性中間層であるＣｕＣｏＦｅ合金膜が厚くなるほど信号減衰率は改善し、強磁性中間層の膜厚が５ｎｍ以上になると信号減衰率の基準値である２５％以下にすることが出来た。さらに、信号ノイズ比はＣｕＣｏＦｅ膜厚が３ｎｍ以上１００ｎｍ以下において基準値である１２．０ｄＢを上回っていた。
【００３８】
これらの結果から、図１に示した膜構成の媒体で、強磁性中間膜１０７の膜厚を５〜１００ｎｍとすることによって本発明の目的を達成できることが明らかになった。
【００３９】
また、非磁性結合層１０３を設けないことを除き、実験例１と同様にして磁気記録媒体を作製した。その結果、スパイクノイズは認められず、図３に示すように非磁性結合層１０３を設けた場合と似たエラーレート特性の膜厚依存性が認められた。これらの結果から、非磁性結合層１０３は必須ではない。
【００４０】
〔実験例２〕
実験例１の強磁性中間層１０７の組成を除き、実験例２は実験例１と同じ媒体構成である。本実験例では、強磁性中間層１０７としてＣｕ−２０at.%Ｃｏ層をガス圧６．５Ｐａ、製膜レート１．５ｎｍ／ｓで１．５〜２００ｎｍの範囲で形成した。本実験例について、実験例１記載の方法で評価した結果を図５に示す。本実験例では中間層１０７の膜厚が５ｎｍ以上になると信号減衰率の基準値である２５％以下にすることが出来た。さらに、信号ノイズ比は強磁性中間層１０７の膜厚が３ｎｍ以上１００ｎｍ以下において基準値である１２．０ｄＢを上回った。
【００４１】
図には示さないが、中間層１０７の組成をＣｏとＦｅの合計が２０at.%になるようにして、Ｆｅを０〜６at.%の範囲で変化させた場合にも、強磁性中間層１０７の膜厚が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲において、信号減衰率及び信号ノイズ比の基準値である１２．０ｄＢを上回り、また腐食点数も基準値を満たしていた。
【００４２】
〔実験例３〕
実験例３は、実験例１の強磁性中間層１０７の組成を変えた他は同じ媒体構成である。本実験例３において、Ｃｕ−２０at.%Ｆｅ層をガス圧６．５Ｐａ、製膜レート１．５ｎｍ／ｓで１．５〜２００ｎｍの範囲で形成した。本実験例３の磁気記録媒体について、実験例１記載した方法で評価した結果を図６に示す。本実験例では強磁性中間層の膜厚が５ｎｍ以上になると信号減衰率の基準値である２５％以下にすることが出来た。さらに、信号ノイズ比は強磁性中間層１０７の膜厚が３ｎｍ以上１００ｎｍ以下において基準値である１２．０ｄＢを上回った。
【００４３】
図には示さないが、中間層１０７の組成をＣｏとＦｅの割合が２０at.%になるようにして、Ｆｅを６〜２０at.%の範囲で変化させた場合にも、強磁性中間層１０７の膜厚が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲において、信号減衰率及び信号ノイズ比の基準値である１２．０ｄＢを上回り、また腐食点数も基準値を満たしていた。
【００４４】
〔実験例４〕
実験例４の構成は、実験例１の強磁性中間層１０７の組成を変えた以外、同じ媒体構成である。本実験例において強磁性中間層１０７はガス圧６．５Ｐａ、製膜レート１．５ｎｍ／ｓで３０ｎｍ形成し、組成は次のようにした。
（実験例４０１）Ｃｕ
（実験例４０２）Ｃｕ−７at.%Ｃｏ−３at.%Ｆｅ
（実験例４０３）Ｃｕ−１４at.%Ｃｏ−６at.%Ｆｅ
（実験例４０４）Ｃｕ−２１at.%Ｃｏ−９at.%Ｆｅ
（実験例４０５）Ｃｕ−２４．５at.%Ｃｏ−１０．５at.%Ｆｅ
（実験例４０６）Ｃｕ−２８at.%Ｃｏ−１２at.%Ｆｅ
（実験例４０７）Ｃｕ−３５at.%Ｃｏ−１５at.%Ｆｅ
【００４５】
これらの組成を用いた実験例４の信号ノイズ比と信号減衰率を図７に示す。ＣｏとＦｅ合計の割合が１０at.%以上３０at.%以下の範囲で、目標値である信号ノイズ比が１２．０ｄＢ以上で信号減衰率は２５％以下となった。また実験例１に示した方法で実験例４の耐食性を評価した結果、全ての媒体で腐食点数は基準である７５個を下回った。
【００４６】
また、図には示さないが、中間層を実験例４０１〜４０７と同様の組成で膜厚５〜１００ｎｍの範囲で変化させて評価した結果、いずれもＣｏとＦｅ合計の割合が１０at.%以上３０at.%以下の範囲で、信号ノイズ比、信号減衰率、及び耐食性の全ての基準値を満たしていた。
【００４７】
〔実験例５〕
図８を用いて実験例５の磁気記録媒体の構成を説明する。基板１００の上に密着層１０１、軟磁性裏打ち層１０２、非磁性結合層１０３、軟磁性裏打ち層１０４、シード層１０５、非磁性中間層１０６、強磁性中間層５０１、非磁性中間層５０２、強磁性中間層５０３、記録層（１０８，１０９）、保護層１１０が積層された構造である。保護膜１１０の上には潤滑膜が形成されても良い。また、基板１００の両面に同様の磁気記録媒体を構成しても良い。
この媒体構成は、強磁性中間層５０１及び５０３と非磁性中間層５０２以外は実験例１と同じである。
【００４８】
実験例５においては、強磁性中間層５０１及び５０３の組成は、実験例４で用いたのと同じく以下のようにし、ガス圧６．５Ｐａ、製膜レート１．５ｎｍ／ｓでそれぞれの膜厚を１５ｎｍ積層した。非磁性中間層５０２は、Ｒｕ層をガス圧６．５Ｐａ、製膜レート１．５ｎｍ／ｓで５ｎｍ形成した。
（実験例５０１）Ｃｕ
（実験例５０２）Ｃｕ−７at.%Ｃｏ−３at.%Ｆｅ
（実験例５０３）Ｃｕ−１４at.%Ｃｏ−６at.%Ｆｅ
（実験例５０４）Ｃｕ−２１at.%Ｃｏ−９at.%Ｆｅ
（実験例５０５）Ｃｕ−２４．５at.%Ｃｏ−１０．５at.%Ｆｅ
（実験例５０６）Ｃｕ−２８at.%Ｃｏ−１２at.%Ｆｅ
（実験例５０７）Ｃｕ−３５at.%Ｃｏ−１５at.%Ｆｅ
（実験例５０８）Ｃｕ−４２at.%Ｃｏ−１８at.%Ｆｅ
（実験例５０９）Ｃｕ−４９at.%Ｃｏ−２１at.%Ｆｅ
実験例５と実験例４の違いは、非磁性中間層５０２と強磁性中間層５０３の有無である。
【００４９】
これらの磁気記録媒体について測定した信号ノイズ比を図９に示す。実験例４ではＣｏとＦｅ合計の割合が３５at.%以上で信号ノイズ比が低下しているが、実験例５ではＣｏとＦｅ合計の割合が１０〜６０at.%の範囲で信号ノイズ比１２．０ｄＢ以上、信号低下率２５％以下、及び腐食点数７５個以下の基準値を達成した。
【００５０】
〔実験例６〕
実験例６の磁気記録媒体の構成を図１０を用いて説明する。基板１００の上に密着層１０１、軟磁性裏打ち層１０２、非磁性結合層１０３、軟磁性裏打ち層１０４、シード層１０５、非磁性中間層１０６、強磁性中間層６０１を積層し、さらに非磁性中間層６０２から強磁性中間層６０３を２〜５周期積層し、その上部に記録層（１０８，１０９）、保護層１１０が積層された構造である。
【００５１】
保護膜１１０の上には潤滑膜が形成されても良い。また、基板１００の両面に同様の磁気記録媒体を構成しても良い。
この媒体構成は、強磁性中間層６０１から強磁性中間層６０３の間にある層以外は実験例５と同じである。
【００５２】
強磁性中間層６０１及び６０３は、合計の膜厚が１５〜１００ｎｍで各層が均等な厚さとし、ＣｏとＦｅ合計の割合が１０〜６０at.%としてガス圧６．５Ｐａ、製膜レート１．５ｎｍ／ｓで形成した。非磁性中間層６０２は、Ｒｕ層をガス圧６．５Ｐａ、製膜レート１．５ｎｍ／ｓで５ｎｍずつ形成した。
これらの実験例を評価した結果、信号ノイズ比、信号低下率、及び腐食点数において基準値を達成した。
【００５３】
〔実験例７〕
実験例７の媒体構成を図１１を用いて説明する。実験例７の磁気記録媒体は、基板１００の上に密着層１０１、軟磁性裏打ち層１０２、非磁性結合層１０３、軟磁性裏打ち層１０４、シード層１０５、非磁性中間層１０６を積層し、さらに強磁性中間層７０１、非磁性中間層７０２、記録層（１０８，１０９）、保護層１１０が積層された構造である。保護膜１１０の上には潤滑膜を形成した。基板１００の両面に同様の磁気記録媒体を構成しても良い。
【００５４】
この媒体構成は、非磁性中間層７０２以外は実験例１と同じである。実験例７においては、強磁性中間層７０１はＣｕ−２１at.%Ｃｏ−９at.%Ｆｅ層を膜厚３０ｎｍで作製した。非磁性中間層７０２は、Ｒｕ層をガス圧６．５Ｐａ、製膜レート１．５ｎｍ／ｓで膜厚を１〜３０ｎｍ形成した。
【００５５】
これらの磁気記録媒体についての評価結果を図１２に示す。信号ノイズ比や腐食点数は全てで基準値を満たしている。信号減衰率は、非磁性中間層７０２の膜厚が２０ｎｍ以下において、基準値である２５％以下を満たした。また、非磁性中間層７０２の膜厚が２０ｎｍ以下のとき、強磁性中間層７０１を膜厚５〜１００ｎｍの範囲で変化させて評価したところ、ＣｏとＦｅ合計の割合が１０at.%以上３０at.%以下の範囲で、信号ノイズ比、信号減衰率、及び耐食性の全ての基準値を満たしていた。
【００５６】
〔実験例８〕
実験例８の媒体構成を図１３を用いて説明する。実験例８の磁気記録媒体は、基板１００の上に密着層１０１、シード層１０５、非磁性中間層１０６、強磁性中間層１０７、記録層（１０８，１０９）、保護層１１０が積層された構造である。保護膜１１０の上には潤滑膜を形成した。基板１００の両面に同様の磁気記録媒体を構成しても良い。
【００５７】
この媒体構成は、軟磁性裏打ち層１０２及び１０４と非磁性結合層１０３がないことを除くと実験例１と同じである。本実験例において強磁性中間層１０７の膜厚は３０ｎｍとした。
【００５８】
本実験例の媒体を評価した結果、信号減衰率及び信号ノイズ比はそれぞれ３％と１２．２ｄＢであった。耐食性の評価でも、腐食点数は６４個であった。したがって、信号減衰率、信号ノイズ比及び耐食性の観点から基準を満たしていることが確認された。
【００５９】
〔実験例９〕
実験例９の媒体構成を図１４を用いて説明する。本実験例の磁気記録媒体は、基板１００の上に密着層１０１、軟磁性裏打ち層１０２、シード層１０５、非磁性中間層１０６、強磁性中間層１０７、記録層（１０８，１０９）、保護層１１０が積層された構造である。保護膜１１０の上には潤滑膜を形成した。基板１００の両面に同様の磁気記録媒体を構成しても良い。
【００６０】
この媒体構成は、非磁性結合層１０３と軟磁性裏打ち層１０４がないことを除くと実験例１と同じである。本実験例において強磁性中間層１０７の膜厚は３０ｎｍとした。
【００６１】
本実験例において評価した結果、信号減衰率、信号ノイズ比及び耐食性について基準を満たしていた。また、磁気記録ヘッドを用いてＤＣ消磁した後に得られた再生信号には、フラックスリターンパスに起因するスパイク性ノイズの発生は見られなかった。
【００６２】
〔実験例１０〕
実験例１０の媒体構成を図１５を用いて説明する。本実験例の磁気記録媒体は、基板１００の上に密着層１０１、軟磁性裏打ち層１０２、非磁性結合層１０３、軟磁性裏打ち層１０４、シード層１０５、強磁性中間層１０７、記録層（１０８，１０９）、保護層１１０が積層された構造である。保護膜１１０の上には潤滑膜が形成されても良い。また、基板１００の両面に同様の磁気記録媒体を構成しても良い。
【００６３】
この媒体構成は、非磁性中間層１０６がないことを除くと実験例１と同じである。本実験例において強磁性中間層１０７の膜厚は５〜１００ｎｍで組成はＣｏとＦｅ合計の割合が１０〜３０at.%の範囲で、ガス圧６．５Ｐａ、製膜レート１．５ｎｍ／ｓで形成した。
【００６４】
本実験例に記載の磁気記録媒体について評価した結果、全ての膜厚組成において信号減衰率及び信号ノイズ比はそれぞれ０％及び１２．０ｄＢ以上、かつ耐食性評価では腐食点数は５０個以下であった。従って、信号減衰率、信号ノイズ比及び耐食性について基準を満たしていた。
【００６５】
〔実験例１１〕
実験例１１の磁気記録媒体は、基板１００の上に密着層１０１、軟磁性裏打ち層１０２、非磁性結合層１０３、軟磁性裏打ち層１０４、シード層１０５、非磁性中間層１０６、強磁性中間層１０７、記録層（１０８，１０９）、保護層１１０が積層された構造である。保護膜１１０の上に潤滑膜を形成した。基板１００の両面に同様の磁気記録媒体を構成しても良い。
【００６６】
この媒体構成は、強磁性中間層１０７を除くと実験例１と同じである。実験例１１において、強磁性中間層１０７の組成は以下のとおりとし、ガス圧６．５Ｐａ、製膜レート１．５ｎｍ／ｓで膜厚３０ｎｍ形成した。
（実験例１１０１）Ｃｕ−１４at.%Ｃｏ−６at.%Ｆｅ−５ａｔ％Ｃｒ
（実験例１１０２）Ｃｕ−１４at.%Ｃｏ−６at.%Ｆｅ−５ａｔ％Ｒｕ
（実験例１１０３）Ｃｕ−１４at.%Ｃｏ−６at.%Ｆｅ−５ａｔ％Ｎｉ
これらの実験例は、実験例１１における強磁性中間層１０７をＣｕ−１４at.%Ｃｏ−６at.%Ｆｅ層とした媒体にＣｒやＲｕ、Ｎｉを添加したものである。
【００６７】
これらの磁気記録媒体について実験例１記載の方法で評価した結果を図１６に示す。図１６から明らかなように、本実験例の媒体は、信号減衰率、信号ノイズ比、及び腐食点数について基準を満たしていた。特に、強磁性中間層１０７にＣｒを添加した場合には、腐食点数が減少し、耐食性に優れる媒体が得られることが分かった。
【符号の説明】
【００６８】
１００…基板、１０１…密着層、１０２…第一の軟磁性裏打ち層、１０３…非磁性結合層、１０４…第二の軟磁性裏打ち層、１０５…シード層、１０６…非磁性中間層、１０７…強磁性中間層、１０８…第一の記録層、１０９…第二の記録層、１１０…保護層、５０１…強磁性中間層、５０２…非磁性中間層、５０３…強磁性中間層、６０１…強磁性中間層、６０２…非磁性中間層、６０３…強磁性中間層、７０１…強磁性中間層、７０２…非磁性中間層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に中間層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体において、
前記中間層は、Ｃｕを主成分としＣｏとＦｅから選ばれる少なくとも一元素を含み、ＣｏとＦｅの合計割合が１０〜３０at.%であり、かつ膜厚が５〜１００ｎｍであることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
基板上に中間層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体において、
前記中間層は、前記基板側から見て第一中間層と第二中間層が順次積層された構造を有し、
前記第一中間層はＲｕ又はＲｕ合金を含有し、
前記第二中間層は、Ｃｕを主成分としＣｏとＦｅから選ばれる少なくとも一元素を含み、ＣｏとＦｅの合計割合が１０〜３０at.%となる合金で構成され、膜厚が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
基板上に中間層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体において、
前記中間層は、前記基板側から見て第一中間層、第二中間層、第三中間層及び第四中間層が順次積層された構造を有し、
前記第一中間層及び前記第三中間層はＲｕ又はＲｕ合金を含有し、
前記第二中間層及び前記第四中間層は、Ｃｕを主成分としＣｏとＦｅから選ばれる少なくとも一元素を含み、ＣｏとＦｅの合計割合が１０〜６０at.%となる合金で構成され、
前記第二中間層と前記第四中間層の合計膜厚が１５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
基板上に中間層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体において、
前記中間層は６〜１２層の偶数層からなる積層構造を有し、
前記基板側から見て奇数番目の中間層はＲｕ又はＲｕ合金を含有し、
前記基板側から見て偶数番目の中間層は、Ｃｕを主成分としＣｏとＦｅから選ばれる少なくとも一元素を含み、ＣｏとＦｅの合計割合が１０〜６０at.%となる合金で構成され、
前記偶数番目の中間層の合計膜厚が１５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
基板上に中間層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体において、
前記中間層は、前記基板側から見て第一中間層、第二中間層及び第三中間層が順次積層された構造を有し、
前記第一中間層及び前記第三中間層はＲｕ又はＲｕ合金を含有し、
前記第二中間層は、Ｃｕを主成分としＣｏとＦｅから選ばれる少なくとも一元素を含み、ＣｏとＦｅの合計割合が１０〜３０at.%となる合金で構成され、
第二中間層の膜厚が５〜１００ｎｍであり、前記第三中間層の膜厚が２０ｎｍ以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
請求項１〜５に記載の垂直磁気記録媒体において、前記ＣｏとＦｅから選ばれる少なくとも一元素を含みＣｕを主成分とする中間層はＮｉ，Ｒｕ，Ｃｒから選ばれる少なくとも一種類の添加元素を含有していることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項１】
基板上に中間層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体において、
前記中間層は、Ｃｕを主成分としＣｏとＦｅから選ばれる少なくとも一元素を含み、ＣｏとＦｅの合計割合が１０〜３０at.%であり、かつ膜厚が５〜１００ｎｍであることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
基板上に中間層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体において、
前記中間層は、前記基板側から見て第一中間層と第二中間層が順次積層された構造を有し、
前記第一中間層はＲｕ又はＲｕ合金を含有し、
前記第二中間層は、Ｃｕを主成分としＣｏとＦｅから選ばれる少なくとも一元素を含み、ＣｏとＦｅの合計割合が１０〜３０at.%となる合金で構成され、膜厚が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
基板上に中間層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体において、
前記中間層は、前記基板側から見て第一中間層、第二中間層、第三中間層及び第四中間層が順次積層された構造を有し、
前記第一中間層及び前記第三中間層はＲｕ又はＲｕ合金を含有し、
前記第二中間層及び前記第四中間層は、Ｃｕを主成分としＣｏとＦｅから選ばれる少なくとも一元素を含み、ＣｏとＦｅの合計割合が１０〜６０at.%となる合金で構成され、
前記第二中間層と前記第四中間層の合計膜厚が１５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
基板上に中間層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体において、
前記中間層は６〜１２層の偶数層からなる積層構造を有し、
前記基板側から見て奇数番目の中間層はＲｕ又はＲｕ合金を含有し、
前記基板側から見て偶数番目の中間層は、Ｃｕを主成分としＣｏとＦｅから選ばれる少なくとも一元素を含み、ＣｏとＦｅの合計割合が１０〜６０at.%となる合金で構成され、
前記偶数番目の中間層の合計膜厚が１５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
基板上に中間層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体において、
前記中間層は、前記基板側から見て第一中間層、第二中間層及び第三中間層が順次積層された構造を有し、
前記第一中間層及び前記第三中間層はＲｕ又はＲｕ合金を含有し、
前記第二中間層は、Ｃｕを主成分としＣｏとＦｅから選ばれる少なくとも一元素を含み、ＣｏとＦｅの合計割合が１０〜３０at.%となる合金で構成され、
第二中間層の膜厚が５〜１００ｎｍであり、前記第三中間層の膜厚が２０ｎｍ以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
請求項１〜５に記載の垂直磁気記録媒体において、前記ＣｏとＦｅから選ばれる少なくとも一元素を含みＣｕを主成分とする中間層はＮｉ，Ｒｕ，Ｃｒから選ばれる少なくとも一種類の添加元素を含有していることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２０１０−２８７２９０（Ｐ２０１０−２８７２９０Ａ）
【公開日】平成２２年１２月２４日（２０１０．１２．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１４１５２１（Ｐ２００９−１４１５２１）
【出願日】平成２１年６月１２日（２００９．６．１２）
【出願人】（５０３１１６２８０）ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ (1,121)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１２月２４日（２０１０．１２．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年６月１２日（２００９．６．１２）
【出願人】（５０３１１６２８０）ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ (1,121)
【Ｆターム（参考）】
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