基材連続処理装置
【課題】
各処理室間のゲートバルブ等を設けずに長尺の基板を搬送し、且つ、各処理室を真空に保持し、連続的に成膜処理することである
【解決手段】
基板連続処理装置は、第１組の前処理室，成膜処理室，後処理室の連結可能な連続体からなり、またこの連続体と合体でき得る第２組の前処理密封室，成膜処理密封室，後処理密封室の連結可能な連続体で構成される。また第２組の前処理密封室，成膜処理密封室，後処理密封室には、基板が通過でき得る溝が設けられ、前処理室密封，成膜処理密封室及び後処理密封室にはシールするために、１つ若しくは複数の密封材（Ｏリング等）を設置するための、密封材用取り付け溝を設置してなる構成により課題を解決する。
各処理室間のゲートバルブ等を設けずに長尺の基板を搬送し、且つ、各処理室を真空に保持し、連続的に成膜処理することである
【解決手段】
基板連続処理装置は、第１組の前処理室，成膜処理室，後処理室の連結可能な連続体からなり、またこの連続体と合体でき得る第２組の前処理密封室，成膜処理密封室，後処理密封室の連結可能な連続体で構成される。また第２組の前処理密封室，成膜処理密封室，後処理密封室には、基板が通過でき得る溝が設けられ、前処理室密封，成膜処理密封室及び後処理密封室にはシールするために、１つ若しくは複数の密封材（Ｏリング等）を設置するための、密封材用取り付け溝を設置してなる構成により課題を解決する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的には長尺基材に連続若しくは断続的に薄膜を形成する処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来長尺の基材に連続的に薄膜を形成するには、前処理室から基材を搬送させて、薄膜形成処理室で成膜した後、基材を冷却させるための冷却処理室などで構成された連続処理装置で行われているのが現状である。しかしながらこの装置で薄膜を形成した場合、形成膜中に不純物等の混入（コンタミネーション）が生じて目的の形成膜の電気的性能の低下を招いている。この大きな原因と考えられるものに連続処理装置での各処理室間に設けられている真空をそれぞれ遮断するため、ゲートバルブが取り付けられている処理装置で薄膜形成が一般的に行われている。ゲートバルブの開閉時このコンタミネーションが起こる。また、特開平３
− ３ ０ ４ １ ９ 号公報あるいは特開平５ − ２ ５ １ ３ ６ １ 号公報で開示されているように、このゲートバルブを介在させることにより、長尺の基材が分断せざるを得ないため、基材ごとゲートバルブの弁体ごと押し付けて、弁座に弁体を閉じることになる。このことにより、基材の変形、傷等が生ずるため、製品の不良が多くなる。例えば特許公報平４−６８３９０号公報に開示されているように、この形成膜がアモルファスシリコン半導体膜の場合、形成された膜中に微小空所（マイクロボイド）やダングリングボンドなどが起きて、その他の薄膜内のエネルギギャップ内に高密度の局在化が起こり、低い光導電性と短いキャリヤ寿命をもたらす。その結果光応答技術等への応用には不適当である。故に、従来から現在まで長尺の基材に連続的に薄膜を形成させる装置には、基材を送り出す機構と、それを巻き取る機構及び薄膜形成機構が、装置内部に組み込まれる構造の装置を一般的に利用するのが通例であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平３−３０４１９号公報
【特許文献２】特開平５−２５１３６１号公報
【特許文献３】特許公報平４−６８３９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
解決しようとする問題点は、各処理室間のゲートバルブ等を設けずに長尺の基板を搬送し、且つ、各処理室を真空に保持し、連続若しくは断続的に成膜処理することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するため、基板連続処理装置を次のように構成したものである。
すなわち、本発明の基板連続処理装置は、第１組の前処理室，成膜室，後処理室の連結可能な連続体からなり、またこの連続体と合体でき得る第２組の前処理密封室，成膜処理密封室，後処理密封室の連結可能な連続体で構成される。また第２組の前処理密封室，成膜処理密封室，後処理密封室には、基板が通過でき得る溝が設けられ、前処理密封室及び後処理密封室には、成膜処理密封室との接続時の真空を保持するために、密封材（Ｏリング等）を設置するための密封材用取り付け溝を、基板が通過する溝の外周部に設置してなる構成にすることにより、本課題を解決することができる。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の処理装置によれば、長尺の基材は元々送り出し側手段と巻き取り側手段が設置された第２組の連続体にあるため、長尺の基材の装填及び保守が簡単になり、もう一方の分割された第１組の処理室連続体に、第２組の連続体がカセットのように勘合するため、ゲートバルブを介在させた従来のＲｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ式装置のような、長尺の基材を搬送させるための複雑な機構と成膜機構を処理室内に設置する必要性がなくなり、保守性が向上し、長尺の基材を交換する操作を自動化できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は基材連続処理装置の実施方法を示した外観図である。（実施例１）
【図２】図２は基材連続処理装置が分離された状況の実施方法を示した外観図である。（実施例１）
【図３】図３は第１組の連続体と第２の連続体のシール部の部分詳細図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明は上記のように長尺基材が連続処理装置を通過できるように、この連続処理装置を第１組の連続体と、第２組の連続体に分割し、且つ基材が第２組の連続体通過でき得るように溝を設置し、且つこの第２組の連続体に密封するための１つ若しくは複数の密封材と、それらを取り付けるための溝を設ける構成にした。
【実施例１】
【０００９】
図１は、本発明装置の１実施例の外観図であって、１は第１組の連結可能な複数の処理室から成る連続体で、３は前処理室で、４は成膜室で、５は後処理室である。２は第１組に対向する連続体であり、１つ若しくは複数の溝及び密封手段を持つ処理室から成る連続体である。また、この溝を構成するのに、単独の溝に溝の調整用として、溝のある調整板等を備えたものでも良く、特に限定されるものではない。
【００１０】
図２は、本発明装置の１実施例の分解図であって、図１の第１組の連続体１と第２組の連続体２が分離している状態と、シール部材６及び溝７を示している。
【００１１】
図３は、本発明装置の１実施例の第２組の連続体の前処理密封室の密封手段を示す立体図である。
【産業上の利用可能性】
【００１２】
本発明によれば、長尺の基材に連続的に処理（コーティング等）することが可能であるため、基材にコーティングできるものであるなら、材質を限定するものではない。産業上においては、金属工業，化学工業，印刷工業，繊維工業，木材工業，光学分野，精密機械工業，食品工業，飲料水工業等基材がロールにできるもの且つコーティング可能なものであれば特に限定されない。
【符号の説明】
【００１３】
１ 第１組の連結可能な複数の処理室からなる連続体
２ 第１組に対向する第２組の１つ若しくは複数の密封手段を持つ処理室からなる連続体
３ 前処理密封室
４ 成膜処理密封室
５ 後処理密封室
６
シール部材
７ 溝
８ 前処理室
９ 成膜処理室
１０ 後処理室
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般的には長尺基材に連続若しくは断続的に薄膜を形成する処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来長尺の基材に連続的に薄膜を形成するには、前処理室から基材を搬送させて、薄膜形成処理室で成膜した後、基材を冷却させるための冷却処理室などで構成された連続処理装置で行われているのが現状である。しかしながらこの装置で薄膜を形成した場合、形成膜中に不純物等の混入（コンタミネーション）が生じて目的の形成膜の電気的性能の低下を招いている。この大きな原因と考えられるものに連続処理装置での各処理室間に設けられている真空をそれぞれ遮断するため、ゲートバルブが取り付けられている処理装置で薄膜形成が一般的に行われている。ゲートバルブの開閉時このコンタミネーションが起こる。また、特開平３
− ３ ０ ４ １ ９ 号公報あるいは特開平５ − ２ ５ １ ３ ６ １ 号公報で開示されているように、このゲートバルブを介在させることにより、長尺の基材が分断せざるを得ないため、基材ごとゲートバルブの弁体ごと押し付けて、弁座に弁体を閉じることになる。このことにより、基材の変形、傷等が生ずるため、製品の不良が多くなる。例えば特許公報平４−６８３９０号公報に開示されているように、この形成膜がアモルファスシリコン半導体膜の場合、形成された膜中に微小空所（マイクロボイド）やダングリングボンドなどが起きて、その他の薄膜内のエネルギギャップ内に高密度の局在化が起こり、低い光導電性と短いキャリヤ寿命をもたらす。その結果光応答技術等への応用には不適当である。故に、従来から現在まで長尺の基材に連続的に薄膜を形成させる装置には、基材を送り出す機構と、それを巻き取る機構及び薄膜形成機構が、装置内部に組み込まれる構造の装置を一般的に利用するのが通例であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平３−３０４１９号公報
【特許文献２】特開平５−２５１３６１号公報
【特許文献３】特許公報平４−６８３９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
解決しようとする問題点は、各処理室間のゲートバルブ等を設けずに長尺の基板を搬送し、且つ、各処理室を真空に保持し、連続若しくは断続的に成膜処理することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するため、基板連続処理装置を次のように構成したものである。
すなわち、本発明の基板連続処理装置は、第１組の前処理室，成膜室，後処理室の連結可能な連続体からなり、またこの連続体と合体でき得る第２組の前処理密封室，成膜処理密封室，後処理密封室の連結可能な連続体で構成される。また第２組の前処理密封室，成膜処理密封室，後処理密封室には、基板が通過でき得る溝が設けられ、前処理密封室及び後処理密封室には、成膜処理密封室との接続時の真空を保持するために、密封材（Ｏリング等）を設置するための密封材用取り付け溝を、基板が通過する溝の外周部に設置してなる構成にすることにより、本課題を解決することができる。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の処理装置によれば、長尺の基材は元々送り出し側手段と巻き取り側手段が設置された第２組の連続体にあるため、長尺の基材の装填及び保守が簡単になり、もう一方の分割された第１組の処理室連続体に、第２組の連続体がカセットのように勘合するため、ゲートバルブを介在させた従来のＲｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ式装置のような、長尺の基材を搬送させるための複雑な機構と成膜機構を処理室内に設置する必要性がなくなり、保守性が向上し、長尺の基材を交換する操作を自動化できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は基材連続処理装置の実施方法を示した外観図である。（実施例１）
【図２】図２は基材連続処理装置が分離された状況の実施方法を示した外観図である。（実施例１）
【図３】図３は第１組の連続体と第２の連続体のシール部の部分詳細図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明は上記のように長尺基材が連続処理装置を通過できるように、この連続処理装置を第１組の連続体と、第２組の連続体に分割し、且つ基材が第２組の連続体通過でき得るように溝を設置し、且つこの第２組の連続体に密封するための１つ若しくは複数の密封材と、それらを取り付けるための溝を設ける構成にした。
【実施例１】
【０００９】
図１は、本発明装置の１実施例の外観図であって、１は第１組の連結可能な複数の処理室から成る連続体で、３は前処理室で、４は成膜室で、５は後処理室である。２は第１組に対向する連続体であり、１つ若しくは複数の溝及び密封手段を持つ処理室から成る連続体である。また、この溝を構成するのに、単独の溝に溝の調整用として、溝のある調整板等を備えたものでも良く、特に限定されるものではない。
【００１０】
図２は、本発明装置の１実施例の分解図であって、図１の第１組の連続体１と第２組の連続体２が分離している状態と、シール部材６及び溝７を示している。
【００１１】
図３は、本発明装置の１実施例の第２組の連続体の前処理密封室の密封手段を示す立体図である。
【産業上の利用可能性】
【００１２】
本発明によれば、長尺の基材に連続的に処理（コーティング等）することが可能であるため、基材にコーティングできるものであるなら、材質を限定するものではない。産業上においては、金属工業，化学工業，印刷工業，繊維工業，木材工業，光学分野，精密機械工業，食品工業，飲料水工業等基材がロールにできるもの且つコーティング可能なものであれば特に限定されない。
【符号の説明】
【００１３】
１ 第１組の連結可能な複数の処理室からなる連続体
２ 第１組に対向する第２組の１つ若しくは複数の密封手段を持つ処理室からなる連続体
３ 前処理密封室
４ 成膜処理密封室
５ 後処理密封室
６
シール部材
７ 溝
８ 前処理室
９ 成膜処理室
１０ 後処理室
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに、第１組の連結可能な複数の処理室からなる連続体と、第１組の連続体に対向して、第２組の連結可能な複数の処理室からなる連続体が設けられ、第１組若しくは第２組の連続体に１つ若しくは複数の密封手段を持つ連続体とで構成する処理装置において、各第１組若しくは第２組の連続体に、密封するための１つ若しくは複数の溝を設置し、当該連続体に基材を通過させるための溝を設置したことを特徴とした処理装置。
【請求項２】
前記第２組の連続体が、基材を送り出す手段、及び巻き取る手段からなることを特徴とする特許の請求範囲第１項記載の処理装置。
【請求項３】
前記第１組の連続体が、少なくとも１つの基材を加熱する手段からなることを特徴とする特許の請求範囲第１項記載の処理装置。
【請求項４】
前記第１組の連続体が、少なくとも１つの基材を冷却する手段からなることを特徴とする特許の請求範囲第１項記載の処理装置。
【請求項５】
前期基材は金属である特許の請求範囲第１項記載の処理装置。
【請求項６】
前期基材は合成樹脂である特許の請求範囲第１項記載の処理装置。
【請求項７】
前期基材は繊維である特許の請求範囲第１項に記載の処理装置。
【請求項８】
前期基材は紙である特許の請求範囲第１項に記載の処理装置。
【請求項９】
前期基材は木材である特許の請求範囲第１項に記載の処理装置。
【請求項１０】
前記第１組の連結可能な複数の処理室からなる連続体にプラズマ発生手段を用いることを特徴とする特許の請求範囲第１項記載の処理装置。
【請求項１１】
前記基材を加熱する手段は、少なくとも１つ以上の加熱要素と熱反射遮蔽要素からなることを特徴とする特許の請求範囲第１項記載の処理装置。
【請求項１２】
前記基材を冷却する手段は、少なくとも１つ以上の冷却要素からなることを特徴とする特許の請求範囲第１項記載の処理装置。
【請求項１３】
前期基材が板状である特許の請求範囲第１項記載の処理装置。
【請求項１】
互いに、第１組の連結可能な複数の処理室からなる連続体と、第１組の連続体に対向して、第２組の連結可能な複数の処理室からなる連続体が設けられ、第１組若しくは第２組の連続体に１つ若しくは複数の密封手段を持つ連続体とで構成する処理装置において、各第１組若しくは第２組の連続体に、密封するための１つ若しくは複数の溝を設置し、当該連続体に基材を通過させるための溝を設置したことを特徴とした処理装置。
【請求項２】
前記第２組の連続体が、基材を送り出す手段、及び巻き取る手段からなることを特徴とする特許の請求範囲第１項記載の処理装置。
【請求項３】
前記第１組の連続体が、少なくとも１つの基材を加熱する手段からなることを特徴とする特許の請求範囲第１項記載の処理装置。
【請求項４】
前記第１組の連続体が、少なくとも１つの基材を冷却する手段からなることを特徴とする特許の請求範囲第１項記載の処理装置。
【請求項５】
前期基材は金属である特許の請求範囲第１項記載の処理装置。
【請求項６】
前期基材は合成樹脂である特許の請求範囲第１項記載の処理装置。
【請求項７】
前期基材は繊維である特許の請求範囲第１項に記載の処理装置。
【請求項８】
前期基材は紙である特許の請求範囲第１項に記載の処理装置。
【請求項９】
前期基材は木材である特許の請求範囲第１項に記載の処理装置。
【請求項１０】
前記第１組の連結可能な複数の処理室からなる連続体にプラズマ発生手段を用いることを特徴とする特許の請求範囲第１項記載の処理装置。
【請求項１１】
前記基材を加熱する手段は、少なくとも１つ以上の加熱要素と熱反射遮蔽要素からなることを特徴とする特許の請求範囲第１項記載の処理装置。
【請求項１２】
前記基材を冷却する手段は、少なくとも１つ以上の冷却要素からなることを特徴とする特許の請求範囲第１項記載の処理装置。
【請求項１３】
前期基材が板状である特許の請求範囲第１項記載の処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１３−８７３１５（Ｐ２０１３−８７３１５Ａ）
【公開日】平成２５年５月１３日（２０１３．５．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２２７５７０（Ｐ２０１１−２２７５７０）
【出願日】平成２３年１０月１７日（２０１１．１０．１７）
【出願人】（７１１０１０８２８）高田テック株式会社 (1)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月１３日（２０１３．５．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月１７日（２０１１．１０．１７）
【出願人】（７１１０１０８２８）高田テック株式会社 (1)
【Ｆターム（参考）】
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