基板から残渣を除去する方法
【課題】 基板から残渣を除去する方法を提供することである。
【解決手段】 エッチングプロセス中に形成されるフォトレジストおよびエッチング残渣を除去するエッチング後の処理システムを使用する方法は、記載されている。たとえば、エッチング残渣は、ハロゲンを含む材料を含むことができる。エッチング後の処理システムには、真空チャンバ、真空チャンバに結合されたラジカル発生システム、ラジカル発生システムに結合され、基板より上に反応性のラジカルを分配するように構成されたラジカルガス分配システム、および真空チャンバに結合されるように構成された高温の台が設けられ、基板を支持するように構成されている。方法は、ＮｘＯｙベースのプロセスガスをラジカル発生システムに導入することを具備する。
【解決手段】 エッチングプロセス中に形成されるフォトレジストおよびエッチング残渣を除去するエッチング後の処理システムを使用する方法は、記載されている。たとえば、エッチング残渣は、ハロゲンを含む材料を含むことができる。エッチング後の処理システムには、真空チャンバ、真空チャンバに結合されたラジカル発生システム、ラジカル発生システムに結合され、基板より上に反応性のラジカルを分配するように構成されたラジカルガス分配システム、および真空チャンバに結合されるように構成された高温の台が設けられ、基板を支持するように構成されている。方法は、ＮｘＯｙベースのプロセスガスをラジカル発生システムに導入することを具備する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、本出願と同日付出願の出願中米国特許出願番号ｘｘ／ｘｘｘ，ｘｘｘ、代理人整理番号２８７９２８ＵＳの名称「エッチング後の基板の残渣を除去する処理システム」、および本出願と同日付出願の出願中米国特許出願番号ｘｘ／ｘｘｘ，ｘｘｘ、代理人整理番号２８７９２９ＵＳの名称「エッチング後の処理システムのガス分配システム」、と関連するものであり、これら全体の内容は、引用によってここに取り入れられるものである。
【０００２】
本発明は、基板を処理する方法に関し、特には、エッチングプロセスに続いて基板の残渣の減少されたダメージ除去のための方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
半導体プロセス中の（ドライ）プラズマエッチングプロセスは、シリコン基板にパターニングされる微細線に沿った、またはビアまたはコンタクト内の材料を除去するかまたはエッチングを行うために利用されることができる。プラズマエッチングプロセスは、一般に上に横たわっているパターニングされた保護マスク層、例えばフォトレジスト層を有する半導体基板を処理チャンバに配置することを含む。一旦、基板がチャンバ内に配置されると、真空ポンプが周囲の処理圧力に到達するようにスロット調整されながら、イオン化可能な、解離性のガス混合は、予め指定された流量でチャンバ内に導入される。その後、存在するガス種の一部が、誘導的若しくは容量的のいずれかのラジオ周波数（ＲＦ）パワーの移送を介して、または、たとえば、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を使用したマイクロ波パワーを介して、加熱された電子によってイオン化されるときにプラズマは、形成される。さらに、加熱された電子は、周囲のガス種のいくつかの種を解離させ、露出された表面をエッチングする化学に適した反応種（又は複数の反応種）を作成するために役に立つ。一旦、プラズマが形成されると、基板の選択された表面は、プラズマによってエッチングされる。プロセスは、基板の選択された領域内のさまざまな形態（例えばトレンチ、ビア、コンタクトなど）をエッチングするために望ましい反応物、および、イオン集団の適切な濃度を含む適切な条件を達成するように調整される。エッチングが必要であるこのような基板材料は、二酸化珪素（ＳｉＯ２）、低誘電率（すなわち、ｌｏｗ−ｋ）誘電材料、ポリシリコン、および窒化シリコンを含む。一旦、パターンが、パターン化マスク層から、たとえばドライプラズマエッチングを用いて下地層に転写されると、フォトレジストの残っている層、およびエッチング後残渣は、アッシング（またはストリッピング）プロセスを介して除去される。例えば、従来のアッシングプロセスで、フォトレジストの残っている層を有する基板は、二原子酸素（Ｏ２）の導入、およびそのイオン化／解離から形成される酸素プラズマに曝される。しかしながら、基板に隣接した付近のプラズマの形成は、高エネルギー荷電粒子（例えばエネルギを有する電子など）、および電磁（ＥＭ）放射（例えば紫外線（ＵＶ）放射）の制御されない曝露に至り得て、これらは、デバイス製造業者に容認できない下地層および／または構造にダメージを引き起こしかねない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、基板を処理する方法、および、原子もしくは分子ラジカルで基板を処理する方法に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
１つの実施形態に係る方法は、ＮｘＯｙベースのプロセスガスから導き出される原子または分子ラジカルの流れを使用して、基板の残渣除去について記載される。
【０００６】
別の実施形態に係る基板から残渣を除去する方法は、記載され、その方法は、処理チャンバの台上に残渣を有する基板を配置することと；処理チャンバに結合されたラジカル発生チャンバに、ｘおよびｙが１以上の整数であるＮｘＯｙを含むプロセスガスを導入することと；ラジカル発生チャンバのプロセスガスのラジカルを形成することと；ラジカル発生チャンバから処理チャンバまでラジカルを移送することと；ラジカルに基板を曝すこととを含む。本発明の別の態様は、処理システムによって実行されるときに、上記のステップを実行するように処理システムを起動する、処理システムで実行されるプログラム命令を含むコンピュータ読み取り可能な媒体を含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下の説明では、本発明の理解を容易にするために、および説明の目的のためであって限定されるものではない具体的な詳細、例えば処理システムの特定のジオメトリ、および、さまざまなプロセスの説明は、記載される。しかしながら、本発明が、これらの具体的な詳細から離れる他の実施形態においても実施されることができると理解されるべきである。
【０００８】
材料処理手順において、パターンエッチングは、光感応材料、例えばフォトレジストの薄膜層の、基板の上面への塗布を含み、この光感応材料は、エッチング中に基板の下層薄膜にこのパターンを転写するマスクを提供するために、その後パターニングされるものである。一般に感光材料をパターニングすることは、たとえば、マイクロリソグラフィシステムを使用して感光材料のレチクル（および、関連した光学部品）を通した放射源によって露光されることを含み、そして、現像溶媒を使用して、感光材料（ポジ型フォトレジストの場合）の照射を受けた領域または非照射領域（ネガ型レジストの場合）の除去へと続かれる。
【０００９】
たとえば、図１Ａ〜図１Ｃに示すように、パターン２（例えば、パターニングされたフォトレジスト）を有する光感応層３を含むマスクは、基板５の薄膜４に、形態パターンを転写するために利用されることができる。パターン２は、形態６を形成するために、例えば、ドライプラズマエッチングを使用して薄膜４に転写され、エッチング終了後、マスク３は除去される。従来は、マスク３は、ポリシリコンエッチングからのハロゲン残渣のような他の残渣と同様に、プラズマ、例えば酸素プラズマに基板を浸すことによって除去され、残っているマスク、および、エッチング後の残渣は、灰化される（または剥離される）。しかしながら、感応性または精巧な構造または層を有する基板を、たとえば半導体製造の前工程（ＦＥＯＬ）アプリケーションの間にドライクリーニングするとき、プラズマに直接さらすことは、エネルギを有する（荷電の）パーティクル、電磁（ＥＭ）放射などの存在による有害な影響を有することとなり得る。
【００１０】
１つの実施形態に係る処理システム１００は、基板１２５を支持するように構成された台１２０を有する処理チャンバ１１０を含んで図２に記載され、そこでは、処理プロセス、例えばエッチング後の処理プロセスは、実行される。基板１２５は、たとえば、半導体基板、ウェハ、または液晶ディスプレイであることができる。加えて、ラジカル発生システム１１５は、ラジカル送出システム１４０を介して、処理チャンバ１１０に結合される。
【００１１】
処理チャンバ１１０は、ダクトおよび圧力制御システム（例えば真空弁など）を介して真空排気システム１７０に更に結合され、そこにおいて、排気システム１７０は、基板１２５の処理プロセスを実行するのに適している圧力に、およびラジカル発生システム１１５のラジカルの生産に適している圧力に、処理チャンバ１１０、ラジカル送出システム１４０、およびラジカル発生システム１１５を排気するように構成されている。
【００１２】
なお図２を参照し、ラジカル発生システム１１５は、１つ以上のガス供給導管１６２を介してガス供給システム１６０から供給されたプロセスガスから原子ラジカルもしくは分子ラジカルまたはそれら両方を、離れて生成するように構成される。ラジカル発生システム１１５にて離れて形成されるラジカルは、ラジカル送出システム１４０を介して移送され、基板１２５より上の処理空間１４５に導入される。ラジカル送出システム１４０は、処理空間１４５にラジカルを導入し、一方でラジカルの流れに対して最小のインピーダンスを提供し、基板表面に到達する前にラジカルの再結合を抑制する。たとえば、ラジカル送出システムは、ダクト入口がラジカル発生システム１１５の出口に結合され、ダクト出口が処理チャンバ１１０に結合されたダクトを含むことができる。
【００１３】
ラジカル発生システム１１５は、基板１２５に対する最小のダメージで、化学的に何らかの残っているマスク層または残渣のフォトレジスト、エッチング後の残渣と反応し、除去するように構成された１つ以上の化学ラジカルを発生するように構成される。たとえば、ラジカル発生システム１１５は、酸素含有ガスもしくは弗素含有ガス、または両方を含んでいるプロセスガスから、酸素または弗素ラジカルを生成するように構成されたアップストリームプラズマソースを含むことができる。例えば、プロセスガスは、それぞれ、酸素（Ｏ２）、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ、（またはさらに一般的にいえば、ＮｘＯｙ）、Ｎ２、窒素三フッ化物（ＮＦ３）、ＮＨ３、Ｏ３、ＸｅＦ２、ＣｌＦ３、またはＣ３Ｆ８（またはさらに一般的にいえば、ＣｘＦｙ）またはそれらの２つ以上の何らかの組合せを含むことができる。ラジカル発生システム１１５は、ＭＫＳ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社から市販されているＡＳＴｅＸ（登録商標）製品（９０ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｗａｙ、ウィルミントン、ＭＡ ０１８８７）であるアストロン（登録商標）反応性ガス発生器を含むことができる。
【００１４】
ラジカル発生システム１１５にプロセスガスを供給することに加えて、ガス供給システム１６０は、１つ以上のガス供給導管１６２を介してラジカル発生システム１１５に補助プロセスガスを供給するように、更に構成されることができる。補助プロセスガスは、ラジカル発生システム１１５にて形成されたラジカルの処理空間１４５への移送をアシストするためのキャリヤガスとして利用されることができ、または、補助プロセスガスは、プロセスガスおよびプロセスガスから形成されたラジカルを希釈するように利用されることができる。補助ガスは、不活性ガス、例えば希ガス（すなわちＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）もしくは窒素（Ｎ２）またはそれらの組合せを含むことができる。たとえば、酸素（Ｏ２）を有するラジカル発生システム１１５への窒素の追加は、Ｏ２の解離をアシストすることができる。さらにまた、ガス供給システム１６０は、１つ以上の補助ガス供給導管１６４を介して処理チャンバ１１０に直接補助プロセスガスを導入するように構成されることができる。
【００１５】
図示はしていないが、ガス供給システム１６０は、１つ以上のガス供給源、１つ以上のコントロールバルブ、１つ以上のフィルタ、および／または１つ以上のマスフローコントローラを含むことができる。例えば、プロセスガスまたは補助プロセスガスの流量は、ほぼ１ｓｃｃｍ（標準状態の１分あたりの立方センチメートル）から、ほぼ１００００ｓｃｃｍ（または１分につき標準状態で１０リットル、ｓｌｍ）までの範囲とすることができる。たとえば、プロセスガスまたは補助プロセスガスの流量は、約１ｓｌｍから約５ｓｌｍまでの範囲とすることができる。更なる実施例として、プロセスガスまたは補助プロセスガスの流量は、約３ｓｌｍから約５ｓｌｍまでの範囲とすることができる。
【００１６】
ラジカル発生システム１１５からのダウンストリームで、ラジカルは、ラジカル送出システム１４０を介し、処理チャンバ１１０内の処理空間１４５に流れる。ラジカル送出システム１４０は、温度を制御するために、気相ライン温度制御システム（図示せず）に結合されることができる。たとえば、温度は、ほぼ２０℃からほぼ１００℃までの範囲の値にセットされることができ、別の実施例として、温度は約４０℃から約８０℃までの範囲の値にセットされることができる。加えて、たとえば、ラジカル送出システム１４０は、約５０リットル／秒を上回る高コンダクタンスによって特徴づけられることができる。
【００１７】
一旦ラジカルフローが処理空間１４５に入ると、ラジカルは、化学的に基板１２５の表面上の残渣と反応する。台１２０は、温度制御システム１３０に結合されている台１２０の中に埋め込まれた加熱部材１３５によって基板１２５の温度を上昇させるように構成される。加熱部材１３５は、抵抗加熱部材であることができ、または、加熱部材１３５は、熱電デバイスのアレイを含むことができる。基板ホルダ内の熱電デバイスの使用に対する付加的な詳細は、係属中の米国特許出願番号１０／８０９，７８７号の名称「急速な温度変化および制御のための方法および装置」で提供され、その全体の内容は、参照によってここに取り入れられる。たとえば、温度制御システム１３０は、ほぼ５００℃まで基板１２５の温度を上昇させるように構成されることができる。１つの実施形態において、基板温度は、約４０℃から約５００℃までの範囲とすることができる。別の実施形態において、基板温度は、約１００℃から約３００℃までの範囲とすることができる。加えて、処理チャンバ１１０は、チャンバ壁の温度を制御するように構成された温度制御システム１３０に結合されることができる。
【００１８】
基板１２５の温度を上昇させることに加えて、台１２０は、処理の間、基板１２５を支持するように構成される。台１２０は、台１２０の上面およびおよび処理チャンバ１１０の移送面へ、およびその面から垂直に基板１２５を移動するために３つ以上のリフトピンを上下させることが可能なリフトピンアセンブリ（図示せず）を更に備えることができる。
【００１９】
リフトピンアセンブリにおいて、基板リフトピンは、共通のリフトピン部材に結合されることができ、台１２０の上面の下でまで降ろされることができる。
【００２０】
たとえば、電気駆動システム（電気ステッパーモータ、およびねじ付きロッドを有する）または空気圧式駆動システム（エアーシリンダを有する）を利用する駆動機構（図示せず）は、共通のリフトピン部材を上下させる方法を提供する。基板１２５は、ゲートバルブ（図示せず）およびチャンバフィードスルー通路を通って処理チャンバ１１０との間で移送されることができ、移送面で位置合わせされることができ、ロボット移送システム（図示せず）を介して、基板リフトピンによって受けられることができる。一旦基板１２５が移送システムから受けられると、それは、基板リフトピンを降下させることによって台１２０の上面まで降ろされることができる。
【００２１】
本発明の発明者は、エッチング後のクリーニングシステムのような従来の処理システムが、基板を保持する基板クランプ機構（例えば静電チャック）および／または基板の温度コントロールを容易にする基板裏面ガスフローシステムを含むことを認めている。このような形態が、本発明のいくつかの実施形態によって使用されることができる一方、本発明の発明者は、基板クランピング、および／またはウェハ裏面ガスフローは、エッチング後のクリーニングプロセスに対して、特にリモートラジカル発生器が使用されるところでは、必要でないと決定した。すなわち、本発明の発明者は、エッチング後のクリーニングシステムの台がコストを実質的に減少するために単純化されることができることを見いだした。したがって、本発明の１つの実施形態に係る処理システムは、クランプ機構を有しない台を含むか、裏面ガスフロー機構を有しないか、または、これらの形態のどちらも有しない。
【００２２】
基板の台１２０上での移動またはスリップを防止するために、台１２０の上面は１つ以上の溝によって切り目をつけられることができる。そこにおいて、１つ以上の溝のうちの少なくとも１つは台のエッジに延びる。台１２０の上面に対する基板１２５の移動の間、台１２０の上面の１つ以上の溝は、たとえば、基板１２５の動き（またはすべり）を可能にすることができる潤滑層の形成を最小にする。１つ以上の溝のうちの少なくとも１つは、基板１２５の裏面と、台１２０の上面との間に閉じ込められ、潤滑層の形成が生じ得る雰囲気ガスの漏出を可能にするために台１２０のエッジまで延びる。
【００２３】
さらに、台１２０の上面からの基板１２５の移動の間、まず最初に台１２０の上面から基板１２５を移動するときに、台１２０の上面の１つ以上の溝は、たとえば、台１２０に基板１２５のくっつき（吸込みによる）を最小にする。１つ以上の溝のうちの少なくとも１つは、基板リフトオフを容易にするために基板１２５の裏面と、台１２０の上面との間の雰囲気ガスの侵入を可能にするために、台１２０のエッジまで延びる。
【００２４】
ここで図９〜図１１を参照し、いくつかの実施例は、１つ以上の溝を有する台の上面に切り目をつけて提供される。図９〜図１１に示されるいずれかの台構成は、ここで開示される処理システムのいずれにも使用されることができる。図９は、溝７０１の第１のアレイと、実質的に矩形のパターンを形成する溝７０２の第２のアレイとを有する台１２０を記載する。溝７０１の第１のアレイと、溝７０２の第２のアレイとは、互いに対して実質的に垂直で、台１２０の周囲エッジまで延びる。図１０は、実質的に半径方向の溝８０１の第１のアレイと、実質的に円形パターンを形成する実質的に円形溝８０２の第２のアレイとを有する台１２０’を記載する。溝８０１の第１のアレイと、溝８０２の第２のアレイとは、実質的に互いに垂直であり、半径方向の溝８０１の第１のアレイは、台１２０’の周囲エッジまで延びる。図１１は、台１２０’’の周囲エッジに延びる実質的に半径方向の溝９０１のアレイを有する台１２０’’を記載する。
【００２５】
図２にて図示したように、排気ラインは、処理チャンバ１１０を真空排気システム１７０に接続する。真空排気システム１７０は、所望の真空度に処理チャンバ１１０を排気し、プロセスの間、処理チャンバ１１０からガス種を除去するための真空ポンプを含む。自動圧力コントローラ（ＡＰＣ）、および、オプションのトラップは、真空ポンプと直列に使用されることができる。真空ポンプは、ドライ荒引きポンプを含むことができる。別の形態として、真空ポンプは、１秒あたり５０００リットル（および、より高い）まで、排気送り（ｆｅｅｄ）が可能なターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）を含むことができる。プロセス中、プロセスガス、もしくは補助プロセスガス、またはそれらの何らかの組合せは、処理チャンバ１１０に導入されることができ、チャンバ圧力は、ＡＰＣによって調整されることができる。たとえば、チャンバ圧力は、ほぼ１ｍＴｏｒｒからほぼ５０Ｔｏｒｒまでの範囲とすることができ、更なる実施例で、チャンバ圧力は、約１Ｔｏｒｒから約１０Ｔｏｒｒまでの範囲とすることができる。ＡＰＣは、バタフライ形式バルブまたはゲートバルブを含むことができる。トラップは、処理チャンバ１１０から副生成物を収集することができる。
【００２６】
加えて、処理システム１００内の何らかの部材は、セラミック材料、例えば酸化アルミニウムまたはイットリウム酸化物でコーティングされることができる。たとえば、何らかの部材は、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｆ３、ＹＦ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、および、ＤｙＯ３からなる群から選択される材料でコーティングされることができる。
【００２７】
なお図２を参照し、処理システム１００は、処理システム１００の操作、および、その操作を制御するように構成されたコントロールシステム１８０を更に含むことができる。コントロールシステム１８０は、処理チャンバ１１０、台１２０、温度制御システム１３０、ラジカル発生システム１１５、ガス供給システム１６０、および真空排気システム１７０に結合される。
【００２８】
コントロールシステム１８０は、マイクロプロセッサ、メモリ、および、処理システム１００と通信し、処理システム１００からモニター出力と同様に処理システム１００の入力をアクティブにするために十分な制御電圧を生成することが可能なデジタル入出力ポートを含むことができる。
【００２９】
さらに、コントロールシステム１８０は、処理チャンバ１１０、台１２０、温度制御システム１３０、ラジカル発生システム１１５、ガス供給システム１６０、および、真空排気システム１７０に結合され、それらと情報を交換する。メモリに格納されたプログラムは、保存されたプロセスレシピによって処理システム１００の上記コンポーネントの制御に利用される。処理システムのコントロールシステム１８０の１つの実施例は、テキサス、ダラスのデル社から入手可能なデルプレシジョンワークステーション６１０（登録商標）である。コントロールシステム１８０は、また、汎用コンピュータ、デジタル信号プロセスなどとして実行されることができる。
【００３０】
しかしながら、メモリに含まれる１つ以上の命令の１つ以上のシーケンスを実行しているプロセッサに応答して本発明の処理ステップに基づいてマイクロプロセッサの部分または全てを実行する汎用計算機システムとして、コントロールシステム１８０は、実行されることができる。このような命令は、別のコンピュータの読み取り可能な媒体、例えばハードディスクまたはリムーバブルメディアドライブから、コントローラメモリに読み込まれることができる。マルチプロセッシング装置の１つ以上のプロセッサは、また、主メモリに含まれる命令のシーケンスを実行するために、コントローラマイクロプロセッサとして使用されることができる。代わりの実施例では、配線による回路は、ソフトウェア命令の代わりにまたは結合して使用されることができる。したがって、実施形態は、ハードウェア回路、および、ソフトウェアの何らかの特定の組合せに限定されない。
【００３１】
本発明の教示に係るプログラムされた命令を保持するために、および、本発明を実施するのに必要であるデータ構造、テーブル、レコード、または他のデータを保存するために、コントロールシステム１８０は、少なくとも１つのコンピュータ読み取り可能な媒体またはメモリ、例えばコントローラメモリを有する。コンピュータ読み取り可能なメディアの実施例は、コンパクトディスク、ハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、テープ、光磁気ディスク、ＰＲＯＭ（ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュＥＰＲＯＭ）、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、または、他のいかなる磁気媒体、コンパクトディスク（例えばＣＤ―ＲＯＭ）、または他のいかなる光学的媒体、パンチカード、紙テープ、または、孔パターンを有する他の物理メディア、搬送波（ｃａｒｒｉｅｒ ｗａｖｅ）（以下に記載する）、またはコンピュータが読むことができる他のいかなる媒体でもある。
【００３２】
コンピュータ読み取り可能なメディアのどれかの、または組合せに保存された本発明は、コントロールシステム１８０を制御するための、本発明を実施するためのデバイスまたは複数のデバイスを駆動するための、および／またはコントローラが人間のユーザと相互に作用することを可能にするためのソフトウェアを含む。このようなソフトウェアは、デバイスドライバ、オペレーティングシステム、開発ツール、および、アプリケーションソフトを含むが、これらに限定されるものではない。このようなコンピュータ読み取り可能なメディアは、本発明を実施する際に実行されるプロセスの全部又は一部（もしプロセスが分配されるならば）を実行するための本発明のコンピュータプログラム製品を更に含む。
【００３３】
本発明のコンピューターコードデバイスは、スクリプト、解釈可能な（ｉｎｔｅｒｐｒｅｔａｂｌｅ）プログラム、ダイナミックリンクライブラリ（ＤＬＬ）、Ｊａｖａ（登録商標）クラス、および、完成した（ｃｏｍｐｌｅｔｅ）実行可能プログラムを含むがこれに限定されない何らかの解釈可能な、または実行可能コードメカニズムであることができる。さらに、本発明のプロセスの部分は、より良好な性能、信頼性、および／または費用のために分配されることができる。
【００３４】
ここで使用する用語「コンピュータ読み取り可能な媒体」は、実行のためのコントロールシステム１８０のプロセッサに命令を提供する際に関係する何らかの媒体を指す。コンピュータ読み取り可能な媒体は、不揮発性のメディア、揮発性のメディア、および、伝送メディアを含むがこれに限定されるものではない多くの形態をとることができる。不揮発性のメディアは、たとえば、光学的、磁気的ディスク、および、光磁気ディスク、例えばハードディスクまたはリムーバブルメディアドライブを含む。揮発性のメディアは、ダイナミックメモリ、例えば主メモリを含む。さらに、コンピュータ読み取り可能なメディアの多数の形態は、実行のためのコントローラのプロセッサに１つ以上の命令の１つ以上のシーケンスを実行する際に含まれることができる。たとえば、命令は、まず最初にリモートコンピュータの磁気ディスク上に移動されることができる。リモートコンピュータは、遠く離れて、本発明の全てまたは一部を実施するための命令をダイナミックメモリへロードすることができ、コントローラ１８０にネットワーク上で命令を送ることができる。
【００３５】
コントロールシステム１８０は、処理システム１００に対して近くで位置づけられることができ、または、それは、インターネットまたはイントラネットを介して処理システム１００に対して遠く離れて位置づけられることができる。したがって、コントロールシステム１８０は、直接接続、イントラネット、またはインターネットの少なくとも１つを使用して処理システム１００とデータを交換することができる。コントロールシステム１８０は、顧客サイト（すなわちデバイスメーカーなど）でイントラネットに接続することができ、またはベンダーサイト（すなわち装置製造業者）で、イントラネットに接続することができる。さらにまた、別のコンピュータ（すなわちコントローラ、サーバなど）は、直接接続、イントラネット、またはインターネットの少なくとも１つを介してデータを交換するために、コントロールシステム１８０にアクセスすることができる。
【００３６】
上記の如く、図２の処理システム１００は、処理チャンバ内の基板にラジカルのリモート生成、および、このようなラジカルの送出を提供する。このような構成は、基板の付近の高エネルギーに電荷したパーティクルによって引き起こされ得る基板へのダメージを最小にする一方で、基板の処理、例えばエッチング後のクリーニングを可能とする。しかしながら、リモートラジカル発生器の使用は、基板の処理速度を低下させることとなり得て、および／または基板の不均一性処理を生じることとなり得る。本発明の発明者は、基板での処理速度に影響を及ぼすラジカルの速度の再結合として同様に、ラジカル送出システムのジオメトリのような設計特徴がラジカルの一様分布に影響を及ぼすことができることを見いだした。通常、基板表面に対するラジカルの妨げられてない流れは、処理速度を改良するように再結合を減少するが、処理の不均一性を提供する。逆にいえば、ガス流れに対する障害（例えば分配プレート）を提供することは、均一性を改良することができるが、処理速度を減少することになり得る。したがって、本発明の実施形態は、均一な基板処理および／または基板処理速度を制御する異なるラジカル送出システムを含む。
【００３７】
ここで図３を参照し、処理システム２００は、別の実施形態に係るものを示す。処理システム２００は、たとえば、図２の実施形態に類似したものであることができ、そこにおいて、同じであるか同様のコンポーネントを示すように、同様の参照番号を付す。処理システム２００は、ダクト２４２を介してラジカル発生システム１１５の出口に結合されたガス分配プレナム２４４を有するラジカル送出システム２４０を備えている。ガス分配プレナムは、ガス分配プレート２４６に形成された複数の開口を介して処理空間２４５内に、ダクト２４２から受けとったラジカルを分配する。ガス分配プレナム２４４は、実質的に円筒状ボリュームを備えている。
【００３８】
ガス分配プレート２４６は、ほぼ１個の開口からほぼ１０００個の開口までの数の範囲として、望ましくは、ほぼ１０個の開口からほぼ１００個の開口までの数の範囲としての複数の開口を有して設計されていることができる。加えて、たとえば、ガス分配プレート２４６は、複数の開口を有して設計されていることができ、そして、各々の開口が、ほぼ１ｍｍからほぼ１００ｍｍまでの範囲として、望ましくは、ほぼ４ｍｍからほぼ１０ｍｍまでの範囲とする直径を有する。さらにまた、たとえば、ガス分配プレート２４６は、複数の開口を有して設計されていることができ、そして、各々の開口が、ほぼ１ｍｍからほぼ１００ｍｍまでの範囲として、および、望ましくは、ほぼ２ｍｍからほぼ２０ｍｍまで範囲とする長さを有する。
【００３９】
１つの実施形態において、１つ以上の開口は、ガス分配プレート２４６に均一に分配される。別の形態として、もう一つの実施例では、１つ以上の開口の分配は、均一でない。たとえば、ガス分配プレート２４６の中央域の範囲内よりも多くの開口が、ガス分配プレート２４６の周辺領域内にあることができる。
【００４０】
ガス分配プレート２４６は、アルミニウムまたは陽極処理アルミニウムのような金属、またはセラミックで製作されることができる。たとえば、ガス分配プレート２４６は、石英、シリコン、窒化シリコン、炭化珪素、アルミナ、窒化アルミニウムなどから製作されることができる。加えて、ガス分配プレート２４６は、セラミック材料、例えば酸化アルミニウムまたはイットリウム酸化物でコーティングされることができる。たとえば、ガス分配プレート２４６は、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｆ３、ＹＦ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、および、ＤｙＯ３からなる群から選択される材料でコーティングされることができる。
【００４１】
ここで図４を参照して、処理システム３００は、別の実施形態に係るものが示される。そこにおいて、処理システム３００は、たとえば、図２の実施形態に同様であることができ、似た参照番号が、同じであるか同様のコンポーネントを示すように付される。処理システム３００は、ラジカル発生システム１１５の出口に結合されたガス拡散体３４４を有するラジカル送出システム３４０を備えている。ガス拡散体３４４は、ガス拡散体（ｇａｓ ｄｉｆｆｕｓｅｒ）３４４の出口に結合するガス分配プレート３４６に形成された複数の開口を介して処理空間３４５内にラジカル発生システム１１５から受け取られたラジカルを分配する。たとえば、ガス拡散体３４４は、実質的に円錐ボリュームを含む。加えて、たとえば、図４に示すように、ガス拡散体３４４は、第２のエントラント領域３４３に結合された第１のエントラント領域３４２を含むことができる。第１のエントラント領域３４２、および、第２のエントラント領域３４３は、たとえば、実質的に円錐であることができる。そこにおいて、第１のエントラント領域３４２の半角（ｈａｌｆ ａｎｇｌｅ）は、第２のエントラント領域３４３の半角未満である。たとえば、第１のエントラント領域３４２の半角は、ほぼ４５度以下であることができる。別の形態として、たとえば、第１のエントラント領域３４２の半角は、ほぼ２０度以下であることができる。あるいは、まだ、たとえば、第１のエントラント領域３４２の半角は、ほぼ１５度以下であることができる。ガス分配プレート３４６は、たとえば、図３の実施形態に同様であることができる。
【００４２】
ここで図５を参照して、処理システム４００は、別の実施形態に係るものが記載されている。処理システム４００は、たとえば、図２の実施形態に同様であることができ、そこにおいて、類似の参照番号が、同じであるか同様のコンポーネントを示すように付されている。処理システム４００は、ラジカル発生システム１１５の出口に結合されたガス拡散体４４４を有するラジカル送出システム４４０を備えている。ガス拡散体４４４は、処理空間４４５内にラジカル発生システム１１５から受け取られたラジカルを分配する。たとえば、ガス拡散体４４４は、実質的に円錐ボリュームを含む。加えて、たとえば、図５に示すように、ガス拡散体４４４は、第２のエントラント領域４４３に結合された第１のエントラント領域４４２を含むことができる。第１のエントラント領域４４２、および、第２のエントラント領域４４３は、たとえば、実質的に円錐であることができ、そこにおいて、第１のエントラント領域４４２の半角は、第２のエントラント領域４４３の半角未満である。たとえば、第１のエントラント領域４４２の半角は、ほぼ４５度以下であることができる。別の形態として、たとえば、第１のエントラント領域４４２の半角は、ほぼ２０度以下であることができる。あるいは、まだ、たとえば、第１のエントラント領域４４２の半角は、ほぼ１５度以下であることができる。
【００４３】
ここで図６Ａおよび図６Ｂを参照して、処理システム５００は、別の実施形態に係るものが記載されている。そこにおいて、処理システム５００は、たとえば、図２の実施形態に同様であることができ、類似の参照番号が、同じであるか同様のコンポーネントを示すように付されている。処理システム５００は、ラジカル発生システム１１５の出口に結合されたガス拡散体５４４を有するラジカル送出システム５４０を含む。ガス拡散体５４４は、処理空間５４５内にラジカル発生システム１１５から受け取られるラジカルを分配する。たとえば、ガス拡散体５４４は、実質的に円錐ボリュームを含む。加えて、たとえば、図６Ａに示すように、ガス拡散体５４４は、第２のエントラント領域５４３に結合された第１のエントラント領域５４２を含むことができる。第１のエントラント領域５４２、および、第２のエントラント領域５４３は、たとえば、実質的に円錐であることができる。そこにおいて、第１のエントラント領域５４２の半角は第２のエントラント領域５４３の半角未満である。たとえば、第１のエントラント領域５４２の半角は、ほぼ４５度以下であることができる。別の形態として、たとえば、第１のエントラント領域５４２の半角は、ほぼ２０度以下であることができる。あるいは、たとえば、第１のエントラント領域５４２の半角は、ほぼ１５度以下であることができる。
【００４４】
図６Ａおよび図６Ｂに示すように、拡散体プレート５４６は、第１のエントラント領域５４２の出口と、ガス拡散体５４４の第２のエントラント領域５４３の入口との間に位置づけられる。別の形態として、拡散体プレート５４６は、ガス拡散体５４４の第２のエントラント領域５４３の出口に位置づけられる。拡散体プレート５４６は、中央ボディ５４８、例えばディスクを含み、そして、１つ以上の支持アーム５４７（２本の支持アームは、図６Ｂに示される）で支えられ、そして、ラジカルが流れることができる１つ以上の通路５４９（２つの通路は、図６Ｂに示される）を残している。中央ボディ５４８は、円形、矩形、または何らかの形状であることができ、ラジカル発生システム１１５の出口から放射しているガス流れの軸方向の運動量を拡散するように構成される。任意に、図４にて図示したように、ガス分配プレートは、また、拡散体プレート５４６のダウンストリームに使用されることができる。
【００４５】
拡散体プレート５４６は、アルミニウムまたは陽極処理アルミニウムのような金属、またはセラミックで製作されることができる。たとえば、拡散体プレート５４６は、石英、シリコン、窒化シリコン、炭化珪素、アルミナ、窒化アルミニウムなどから製作されることができる。加えて、拡散体プレート５４６は、セラミック材料、例えば酸化アルミニウムまたはイットリウム酸化物でコーティングされることができる。たとえば、拡散体プレート５４６は、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｆ３、ＹＦ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、および、ＤｙＯ３からなる群から選択される材料でコーティングされることができる。
【００４６】
ここで図７を参照して、処理システム６００は、別の実施形態に係るものが記載される。そこにおいて、処理システム６００は、たとえば、図２の実施形態に同様であることができ、類似の参照番号が、同じであるか同様のコンポーネントを示すように付される。処理システム６００は、ラジカル発生システム１１５の出口に結合されたガス拡散体６４４を有するラジカル送出システム６４０を含む。ガス拡散体６４４は、処理空間６４５内にラジカル発生システム１１５から受け取られたラジカルを分配する。たとえば、ガス拡散体６４４は、実質的に円錐ボリュームを含む。加えて、たとえば、図７に示すように、ガス拡散体６４４は、第２のエントラント領域６４３に結合された第１のエントラント領域６４２を含むことができる。第１のエントラント領域６４２、および、第２のエントラント領域６４３は、たとえば、実質的に円錐であることができる。そこにおいて、第１のエントラント領域６４２の半角は第２のエントラント領域６４３の半角未満である。たとえば、第１のエントラント領域６４２の半角は、ほぼ４５度以下であることができる。別の形態として、たとえば、第１のエントラント領域６４２の半角は、ほぼ２０度以下であることができる。あるいは、たとえば、第１のエントラント領域６４２の半角は、ほぼ１５度以下であることができる。
【００４７】
図７に示すように、拡散体プレート６４６は、第１のエントラント領域６４２の出口と、ガス拡散体６４４の第２のエントラント領域６４３の入口との間に位置づけられる。別の形態として、拡散体プレート６４６は、ガス拡散体６４４の第２のエントラント領域６４３の出口に位置づけられる。拡散体プレート６４６は、たとえば、図６Ａおよび図６Ｂに示される拡散体プレート５４６に類似して設計されることができる；しかしながら、それは、２本以上の支持アームで支えられる円錐中央ボディ６４７を更に備えることができ、そして、ラジカルが流れることができる２つ以上の通路を残すことができる。円錐拡散体ボディ６４７は、円形、矩形、または何らかの形状であることができ、ラジカル発生システム１１５のアウトプットから放射しているガス流れの軸方向の運動量を拡散するように構成される。任意に、図４にて図示したように、ガス分配プレートは、また、拡散体プレート６４６のダウンストリームに使用されることができる。
【００４８】
ここで図８Ａおよび図８Ｂを参照して、処理システム７００は、別の実施形態に係るものが記載される。処理システム７００は、たとえば、図２の実施形態に同様であることができ、そこにおいて、類似の参照番号が同じであるか同様のコンポーネントを示すように付される。処理システム７００は、ラジカル発生システム１１５の出口に結合されたガス拡散体７４４を有するラジカル送出システム７４０を含む。ガス拡散体７４４は、処理空間７４５内にラジカル発生システム１１５から受け取られたラジカルを分配する。たとえば、ガス拡散体７４４は、実質的に円錐ボリュームを含む。加えて、たとえば、図８Ａに示すように、ガス拡散体７４４は、第２のエントラント領域７４３に結合された第１のエントラント領域７４２を含むことができる。第１のエントラント領域７４２、および、第２のエントラント領域７４３は、たとえば、実質的に円錐であることができる。そこにおいて、第１のエントラント領域７４２の半角は、第２のエントラント領域７４３の半角未満である。たとえば、第１のエントラント領域７４２の半角は、ほぼ４５度以下であることができる。別の形態として、たとえば、第１のエントラント領域７４２の半角は、ほぼ２０度以下であることができる。あるいは、たとえば、第１のエントラント領域７４２の半角は、ほぼ１５度以下であることができる。
【００４９】
図８Ａおよび図８Ｂに示すように、拡散体プレート７４６は、ガス拡散体７４４の第２のエントラント領域７４３の出口に位置づけられる。拡散体プレート７４６は、たとえば、図７に示される拡散体プレート６４６に類似して設計されることができる。拡散体プレート７４６は、１つ以上の支持アームで支えられる円錐中央ボディ７４７を含み、そして、ラジカルが流れることができる１つ以上の通路を残すことができる。別の形態として、拡散体プレート７４６は、円錐中央ボディ７４７を支持するように構成された蒸気（ｖａｐｏｒ）分配プレートを含み、そこにおいて、複数の開口７４９は、円錐中央ボディ７４７のベースと、ガス拡散体７４４の第２のエントラント領域７４３の内壁との間の拡散体プレート７４６の周辺領域を通って形成される。円錐の中央ボディ７４７は、円形、矩形、または何らかの形状であることができ、ラジカル発生システム１１５のアウトプットから放射しているガス流れの軸方向の運動量を拡散するように構成される。
【００５０】
なお図8Ａおよび図8Ｂを参照し、処理システム７００は、真空排気システム１７０に対する基板１２５の周囲エッジの向こう側のプロセスガスの流れを妨げるために、台エッジリング７５０、および／もしくは拡散体プレートエッジリング７５２、または両方を更に備える。台エッジリング７５０、もしくは拡散体プレートエッジリング７５２、または両方は、ほぼ１０％からほぼ８０％までのどこかで、望ましくは、ほぼ２０％からほぼ５０％までのどこかで、基板１２５の周囲エッジでフロースロー（ｆｌｏｗ―ｔｈｒｏｕｇｈ）空間を減少するように構成されることができる。これは、基板全体のラジカルのより均一な分配を提供することができ、および／または、基板の処理速度を改良することができる。
【００５１】
台エッジリング７５０、もしくは拡散体プレートエッジリング７５２、または両方は、アルミニウムまたは陽極処理アルミニウムのような金属、またはセラミックで製作されることができる。たとえば、各々のリングは、石英、シリコン、窒化シリコン、炭化珪素、アルミナ、窒化アルミニウムなどから製造されることができる。加えて、各々のリングは、セラミック材料、例えば酸化アルミニウムまたはイットリウム酸化物でコーティングされることができる。たとえば、各々のリングは、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｃ2Ｏ3、Ｓｃ2Ｆ3、ＹＦ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、および、ＤｙＯ3からなる群から選択される材料でコーティングされることができる。
【００５２】
図１２は、実施形態に係る基板から残渣を除去する方法のフローチャートを示す。フローチャート１０００は、残渣を有する基板を処理チャンバの台に配置することに関する１０１０で開始する。台は、図９〜図１１の台構成のいずれかであることができ、処理チャンバは、図２〜図８に記載されたどれか１つ、またはそれらのどれかの組み合わせを含むことができる。残渣は、エッチングプロセスから残渣を含むことができる。
【００５３】
１０２０において、プロセスガスは、処理チャンバに結合されたラジカル発生チャンバに導入される。プロセスガスはＮｘＯｙを含むみ、そこにおいて、ｘおよびｙは、１以上の整数である。プロセスガスは、ＮＯ、Ｎ２ＯもしくはＮＯ２の１つ以上、またはそれらの２つ以上の組合せを含んでいる。望ましくは、プロセスガスはＮ２Ｏを含み、そして、ここで開示されたようなリモートラジカル発生システムを使用するときに、それは、良好な処理速度を提供すると予想される。ＮｘＯｙガスは、後述するようにＮ２および／またはＯ２ガスの有無にかかわらず使用されることができる。別の形態として、プロセスガスは、酸素含有ガス、例えばＯ２、ＣＯ、もしくはＣＯ２またはそれらの２つ以上の組合せを更に含む。本発明の発明者は、酸素含有ガスが基板にダメージを与える可能性のために（特にＦＥＯＬオペレーションにおいて）、局所的プラズマに対して好ましくなくなる一方、ダメージを最小にしながら、リモートラジカル発生装置で使用される酸素含有ガスが基板の処理速度を容易にすることができると認識した。別の形態として、プロセスガスは、窒素含有ガス、例えばＮ２、ＮＨ３もしくはＮＦ3またはそれらの２つ以上の組合せを更に含む。別の形態として、プロセスガスは、ハロゲン含有ガス、例えばＣｘＦｙを更に含み、そこにおいて、ｘおよびｙは１以上の整数である。あるいは、まだ、プロセスガスは、Ｎ２、および、Ｏ２を更に含む。あるいは、まだ、プロセスガスは、Ｎ２Ｏ、Ｎ２、および、Ｏ２から成る。別の形態として、プロセスガスは、不活性ガス、例えば希ガスを更に含む。
【００５４】
たとえば、プロセスパラメータ空間は、約１〜約１０Ｔｏｒｒのチャンバ圧力、約３ｓｌｍから約５ｓｌｍまでの範囲のプロセスガス流量、および、約１００℃から約３００℃までの範囲の台の温度を含むことができる。
【００５５】
１０３０において、プロセスガスのラジカルは、ラジカル発生チャンバにおいて形成される。ラジカルは、プラズマを形成し、プロセスガスの解離を引き起こすことによって形成されることができる。別の形態として、プロセスガスを解離させることの他の技術は、電磁（ＥＭ）放射、例えば紫外線（ＵＶ）放射を含み、使用されることができる。
【００５６】
１０４０において、プロセスガスから形成されるラジカルは、ラジカル発生チャンバから処理チャンバまで移送される。たとえば、ラジカルは、図２〜図８に記載されたラジカル送出システムのどれか、またはそれらの何らかの組合せを介して移送されることができる。
【００５７】
１０５０において、基板はラジカルの流れに曝され、残渣は、除去される。ラジカル発生チャンバのプラズマに曝されない一方、基板は、ラジカルに曝されることができる。
【００５８】
本発明の特定の実施形態だけが、上で詳述されたが、当業者は、本発明の新規進歩の事項から逸脱することなく実施形態において多数の変更態様が可能であることを容易に理解することができる。したがって、全てのこのような変更態様は、本発明の範囲内に含まれることを目的とする。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１Ａ】薄膜をパターンエッチングするための手順の概略表現を示す図である。
【図１Ｂ】薄膜をパターンエッチングするための手順の概略表現を示す図である。
【図１Ｃ】薄膜をパターンエッチングするための手順の概略表現を示す図である。
【図２】本発明の１つの実施形態に係る処理システムの概略図を示す図である。
【図３】本発明の他の実施形態に係る処理システムの概略図を示す図である。
【図４】本発明の他の実施形態に係る処理システムの概略図を示す図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係る処理システムの概略図を示す図である。
【図６Ａ】本発明の他の実施形態に係る処理システムの概略図を示す図である。
【図６Ｂ】本発明の他の実施形態に係る処理システムの概略図を示す図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係る処理システムの概略図を示す図である。
【図８Ａ】本発明の他の実施形態に係る処理システムの概略図を示す図である。
【図８Ｂ】本発明の他の実施形態に係る処理システムの概略図を示す図である。
【図９】本発明の１つの実施形態に係る基板ホルダの上面の平面図を示す図である。
【図１０】本発明の他の実施形態に係る基板ホルダの上面の平面図を示す図である。
【図１１】本発明の他の実施形態に係る基板ホルダの上面の平面図を示す図である。
【図１２】本発明の１つの実施形態に係る基板上の残渣を除去する方法を示す図である。
【符号の説明】
【００６０】
１００…処理システム、 １１５…ラジカル発生システム、 １２０…台、 １２５…基板、 １３０…温度制御システム、 １３５…加熱部材、 １４０…ラジカル送出システム、 １４５…処理空間、 １６０…ガス供給システム、 １６２…ガス供給導管、 １６４…補助ガス供給導管、１７０…真空排気システム、 １８０…コントロールシステム、 ２００…処理システム、２４０…ラジカル送出システム、 ２４２…ダクト、 ２４４…ガス分配プレナム、 ２４５…処理空間、 ２４６…ガス分配プレート、 ３００…処理システム、 ３４０…ラジカル送出システム。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、本出願と同日付出願の出願中米国特許出願番号ｘｘ／ｘｘｘ，ｘｘｘ、代理人整理番号２８７９２８ＵＳの名称「エッチング後の基板の残渣を除去する処理システム」、および本出願と同日付出願の出願中米国特許出願番号ｘｘ／ｘｘｘ，ｘｘｘ、代理人整理番号２８７９２９ＵＳの名称「エッチング後の処理システムのガス分配システム」、と関連するものであり、これら全体の内容は、引用によってここに取り入れられるものである。
【０００２】
本発明は、基板を処理する方法に関し、特には、エッチングプロセスに続いて基板の残渣の減少されたダメージ除去のための方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
半導体プロセス中の（ドライ）プラズマエッチングプロセスは、シリコン基板にパターニングされる微細線に沿った、またはビアまたはコンタクト内の材料を除去するかまたはエッチングを行うために利用されることができる。プラズマエッチングプロセスは、一般に上に横たわっているパターニングされた保護マスク層、例えばフォトレジスト層を有する半導体基板を処理チャンバに配置することを含む。一旦、基板がチャンバ内に配置されると、真空ポンプが周囲の処理圧力に到達するようにスロット調整されながら、イオン化可能な、解離性のガス混合は、予め指定された流量でチャンバ内に導入される。その後、存在するガス種の一部が、誘導的若しくは容量的のいずれかのラジオ周波数（ＲＦ）パワーの移送を介して、または、たとえば、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を使用したマイクロ波パワーを介して、加熱された電子によってイオン化されるときにプラズマは、形成される。さらに、加熱された電子は、周囲のガス種のいくつかの種を解離させ、露出された表面をエッチングする化学に適した反応種（又は複数の反応種）を作成するために役に立つ。一旦、プラズマが形成されると、基板の選択された表面は、プラズマによってエッチングされる。プロセスは、基板の選択された領域内のさまざまな形態（例えばトレンチ、ビア、コンタクトなど）をエッチングするために望ましい反応物、および、イオン集団の適切な濃度を含む適切な条件を達成するように調整される。エッチングが必要であるこのような基板材料は、二酸化珪素（ＳｉＯ２）、低誘電率（すなわち、ｌｏｗ−ｋ）誘電材料、ポリシリコン、および窒化シリコンを含む。一旦、パターンが、パターン化マスク層から、たとえばドライプラズマエッチングを用いて下地層に転写されると、フォトレジストの残っている層、およびエッチング後残渣は、アッシング（またはストリッピング）プロセスを介して除去される。例えば、従来のアッシングプロセスで、フォトレジストの残っている層を有する基板は、二原子酸素（Ｏ２）の導入、およびそのイオン化／解離から形成される酸素プラズマに曝される。しかしながら、基板に隣接した付近のプラズマの形成は、高エネルギー荷電粒子（例えばエネルギを有する電子など）、および電磁（ＥＭ）放射（例えば紫外線（ＵＶ）放射）の制御されない曝露に至り得て、これらは、デバイス製造業者に容認できない下地層および／または構造にダメージを引き起こしかねない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、基板を処理する方法、および、原子もしくは分子ラジカルで基板を処理する方法に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
１つの実施形態に係る方法は、ＮｘＯｙベースのプロセスガスから導き出される原子または分子ラジカルの流れを使用して、基板の残渣除去について記載される。
【０００６】
別の実施形態に係る基板から残渣を除去する方法は、記載され、その方法は、処理チャンバの台上に残渣を有する基板を配置することと；処理チャンバに結合されたラジカル発生チャンバに、ｘおよびｙが１以上の整数であるＮｘＯｙを含むプロセスガスを導入することと；ラジカル発生チャンバのプロセスガスのラジカルを形成することと；ラジカル発生チャンバから処理チャンバまでラジカルを移送することと；ラジカルに基板を曝すこととを含む。本発明の別の態様は、処理システムによって実行されるときに、上記のステップを実行するように処理システムを起動する、処理システムで実行されるプログラム命令を含むコンピュータ読み取り可能な媒体を含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下の説明では、本発明の理解を容易にするために、および説明の目的のためであって限定されるものではない具体的な詳細、例えば処理システムの特定のジオメトリ、および、さまざまなプロセスの説明は、記載される。しかしながら、本発明が、これらの具体的な詳細から離れる他の実施形態においても実施されることができると理解されるべきである。
【０００８】
材料処理手順において、パターンエッチングは、光感応材料、例えばフォトレジストの薄膜層の、基板の上面への塗布を含み、この光感応材料は、エッチング中に基板の下層薄膜にこのパターンを転写するマスクを提供するために、その後パターニングされるものである。一般に感光材料をパターニングすることは、たとえば、マイクロリソグラフィシステムを使用して感光材料のレチクル（および、関連した光学部品）を通した放射源によって露光されることを含み、そして、現像溶媒を使用して、感光材料（ポジ型フォトレジストの場合）の照射を受けた領域または非照射領域（ネガ型レジストの場合）の除去へと続かれる。
【０００９】
たとえば、図１Ａ〜図１Ｃに示すように、パターン２（例えば、パターニングされたフォトレジスト）を有する光感応層３を含むマスクは、基板５の薄膜４に、形態パターンを転写するために利用されることができる。パターン２は、形態６を形成するために、例えば、ドライプラズマエッチングを使用して薄膜４に転写され、エッチング終了後、マスク３は除去される。従来は、マスク３は、ポリシリコンエッチングからのハロゲン残渣のような他の残渣と同様に、プラズマ、例えば酸素プラズマに基板を浸すことによって除去され、残っているマスク、および、エッチング後の残渣は、灰化される（または剥離される）。しかしながら、感応性または精巧な構造または層を有する基板を、たとえば半導体製造の前工程（ＦＥＯＬ）アプリケーションの間にドライクリーニングするとき、プラズマに直接さらすことは、エネルギを有する（荷電の）パーティクル、電磁（ＥＭ）放射などの存在による有害な影響を有することとなり得る。
【００１０】
１つの実施形態に係る処理システム１００は、基板１２５を支持するように構成された台１２０を有する処理チャンバ１１０を含んで図２に記載され、そこでは、処理プロセス、例えばエッチング後の処理プロセスは、実行される。基板１２５は、たとえば、半導体基板、ウェハ、または液晶ディスプレイであることができる。加えて、ラジカル発生システム１１５は、ラジカル送出システム１４０を介して、処理チャンバ１１０に結合される。
【００１１】
処理チャンバ１１０は、ダクトおよび圧力制御システム（例えば真空弁など）を介して真空排気システム１７０に更に結合され、そこにおいて、排気システム１７０は、基板１２５の処理プロセスを実行するのに適している圧力に、およびラジカル発生システム１１５のラジカルの生産に適している圧力に、処理チャンバ１１０、ラジカル送出システム１４０、およびラジカル発生システム１１５を排気するように構成されている。
【００１２】
なお図２を参照し、ラジカル発生システム１１５は、１つ以上のガス供給導管１６２を介してガス供給システム１６０から供給されたプロセスガスから原子ラジカルもしくは分子ラジカルまたはそれら両方を、離れて生成するように構成される。ラジカル発生システム１１５にて離れて形成されるラジカルは、ラジカル送出システム１４０を介して移送され、基板１２５より上の処理空間１４５に導入される。ラジカル送出システム１４０は、処理空間１４５にラジカルを導入し、一方でラジカルの流れに対して最小のインピーダンスを提供し、基板表面に到達する前にラジカルの再結合を抑制する。たとえば、ラジカル送出システムは、ダクト入口がラジカル発生システム１１５の出口に結合され、ダクト出口が処理チャンバ１１０に結合されたダクトを含むことができる。
【００１３】
ラジカル発生システム１１５は、基板１２５に対する最小のダメージで、化学的に何らかの残っているマスク層または残渣のフォトレジスト、エッチング後の残渣と反応し、除去するように構成された１つ以上の化学ラジカルを発生するように構成される。たとえば、ラジカル発生システム１１５は、酸素含有ガスもしくは弗素含有ガス、または両方を含んでいるプロセスガスから、酸素または弗素ラジカルを生成するように構成されたアップストリームプラズマソースを含むことができる。例えば、プロセスガスは、それぞれ、酸素（Ｏ２）、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ、（またはさらに一般的にいえば、ＮｘＯｙ）、Ｎ２、窒素三フッ化物（ＮＦ３）、ＮＨ３、Ｏ３、ＸｅＦ２、ＣｌＦ３、またはＣ３Ｆ８（またはさらに一般的にいえば、ＣｘＦｙ）またはそれらの２つ以上の何らかの組合せを含むことができる。ラジカル発生システム１１５は、ＭＫＳ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社から市販されているＡＳＴｅＸ（登録商標）製品（９０ Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｗａｙ、ウィルミントン、ＭＡ ０１８８７）であるアストロン（登録商標）反応性ガス発生器を含むことができる。
【００１４】
ラジカル発生システム１１５にプロセスガスを供給することに加えて、ガス供給システム１６０は、１つ以上のガス供給導管１６２を介してラジカル発生システム１１５に補助プロセスガスを供給するように、更に構成されることができる。補助プロセスガスは、ラジカル発生システム１１５にて形成されたラジカルの処理空間１４５への移送をアシストするためのキャリヤガスとして利用されることができ、または、補助プロセスガスは、プロセスガスおよびプロセスガスから形成されたラジカルを希釈するように利用されることができる。補助ガスは、不活性ガス、例えば希ガス（すなわちＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）もしくは窒素（Ｎ２）またはそれらの組合せを含むことができる。たとえば、酸素（Ｏ２）を有するラジカル発生システム１１５への窒素の追加は、Ｏ２の解離をアシストすることができる。さらにまた、ガス供給システム１６０は、１つ以上の補助ガス供給導管１６４を介して処理チャンバ１１０に直接補助プロセスガスを導入するように構成されることができる。
【００１５】
図示はしていないが、ガス供給システム１６０は、１つ以上のガス供給源、１つ以上のコントロールバルブ、１つ以上のフィルタ、および／または１つ以上のマスフローコントローラを含むことができる。例えば、プロセスガスまたは補助プロセスガスの流量は、ほぼ１ｓｃｃｍ（標準状態の１分あたりの立方センチメートル）から、ほぼ１００００ｓｃｃｍ（または１分につき標準状態で１０リットル、ｓｌｍ）までの範囲とすることができる。たとえば、プロセスガスまたは補助プロセスガスの流量は、約１ｓｌｍから約５ｓｌｍまでの範囲とすることができる。更なる実施例として、プロセスガスまたは補助プロセスガスの流量は、約３ｓｌｍから約５ｓｌｍまでの範囲とすることができる。
【００１６】
ラジカル発生システム１１５からのダウンストリームで、ラジカルは、ラジカル送出システム１４０を介し、処理チャンバ１１０内の処理空間１４５に流れる。ラジカル送出システム１４０は、温度を制御するために、気相ライン温度制御システム（図示せず）に結合されることができる。たとえば、温度は、ほぼ２０℃からほぼ１００℃までの範囲の値にセットされることができ、別の実施例として、温度は約４０℃から約８０℃までの範囲の値にセットされることができる。加えて、たとえば、ラジカル送出システム１４０は、約５０リットル／秒を上回る高コンダクタンスによって特徴づけられることができる。
【００１７】
一旦ラジカルフローが処理空間１４５に入ると、ラジカルは、化学的に基板１２５の表面上の残渣と反応する。台１２０は、温度制御システム１３０に結合されている台１２０の中に埋め込まれた加熱部材１３５によって基板１２５の温度を上昇させるように構成される。加熱部材１３５は、抵抗加熱部材であることができ、または、加熱部材１３５は、熱電デバイスのアレイを含むことができる。基板ホルダ内の熱電デバイスの使用に対する付加的な詳細は、係属中の米国特許出願番号１０／８０９，７８７号の名称「急速な温度変化および制御のための方法および装置」で提供され、その全体の内容は、参照によってここに取り入れられる。たとえば、温度制御システム１３０は、ほぼ５００℃まで基板１２５の温度を上昇させるように構成されることができる。１つの実施形態において、基板温度は、約４０℃から約５００℃までの範囲とすることができる。別の実施形態において、基板温度は、約１００℃から約３００℃までの範囲とすることができる。加えて、処理チャンバ１１０は、チャンバ壁の温度を制御するように構成された温度制御システム１３０に結合されることができる。
【００１８】
基板１２５の温度を上昇させることに加えて、台１２０は、処理の間、基板１２５を支持するように構成される。台１２０は、台１２０の上面およびおよび処理チャンバ１１０の移送面へ、およびその面から垂直に基板１２５を移動するために３つ以上のリフトピンを上下させることが可能なリフトピンアセンブリ（図示せず）を更に備えることができる。
【００１９】
リフトピンアセンブリにおいて、基板リフトピンは、共通のリフトピン部材に結合されることができ、台１２０の上面の下でまで降ろされることができる。
【００２０】
たとえば、電気駆動システム（電気ステッパーモータ、およびねじ付きロッドを有する）または空気圧式駆動システム（エアーシリンダを有する）を利用する駆動機構（図示せず）は、共通のリフトピン部材を上下させる方法を提供する。基板１２５は、ゲートバルブ（図示せず）およびチャンバフィードスルー通路を通って処理チャンバ１１０との間で移送されることができ、移送面で位置合わせされることができ、ロボット移送システム（図示せず）を介して、基板リフトピンによって受けられることができる。一旦基板１２５が移送システムから受けられると、それは、基板リフトピンを降下させることによって台１２０の上面まで降ろされることができる。
【００２１】
本発明の発明者は、エッチング後のクリーニングシステムのような従来の処理システムが、基板を保持する基板クランプ機構（例えば静電チャック）および／または基板の温度コントロールを容易にする基板裏面ガスフローシステムを含むことを認めている。このような形態が、本発明のいくつかの実施形態によって使用されることができる一方、本発明の発明者は、基板クランピング、および／またはウェハ裏面ガスフローは、エッチング後のクリーニングプロセスに対して、特にリモートラジカル発生器が使用されるところでは、必要でないと決定した。すなわち、本発明の発明者は、エッチング後のクリーニングシステムの台がコストを実質的に減少するために単純化されることができることを見いだした。したがって、本発明の１つの実施形態に係る処理システムは、クランプ機構を有しない台を含むか、裏面ガスフロー機構を有しないか、または、これらの形態のどちらも有しない。
【００２２】
基板の台１２０上での移動またはスリップを防止するために、台１２０の上面は１つ以上の溝によって切り目をつけられることができる。そこにおいて、１つ以上の溝のうちの少なくとも１つは台のエッジに延びる。台１２０の上面に対する基板１２５の移動の間、台１２０の上面の１つ以上の溝は、たとえば、基板１２５の動き（またはすべり）を可能にすることができる潤滑層の形成を最小にする。１つ以上の溝のうちの少なくとも１つは、基板１２５の裏面と、台１２０の上面との間に閉じ込められ、潤滑層の形成が生じ得る雰囲気ガスの漏出を可能にするために台１２０のエッジまで延びる。
【００２３】
さらに、台１２０の上面からの基板１２５の移動の間、まず最初に台１２０の上面から基板１２５を移動するときに、台１２０の上面の１つ以上の溝は、たとえば、台１２０に基板１２５のくっつき（吸込みによる）を最小にする。１つ以上の溝のうちの少なくとも１つは、基板リフトオフを容易にするために基板１２５の裏面と、台１２０の上面との間の雰囲気ガスの侵入を可能にするために、台１２０のエッジまで延びる。
【００２４】
ここで図９〜図１１を参照し、いくつかの実施例は、１つ以上の溝を有する台の上面に切り目をつけて提供される。図９〜図１１に示されるいずれかの台構成は、ここで開示される処理システムのいずれにも使用されることができる。図９は、溝７０１の第１のアレイと、実質的に矩形のパターンを形成する溝７０２の第２のアレイとを有する台１２０を記載する。溝７０１の第１のアレイと、溝７０２の第２のアレイとは、互いに対して実質的に垂直で、台１２０の周囲エッジまで延びる。図１０は、実質的に半径方向の溝８０１の第１のアレイと、実質的に円形パターンを形成する実質的に円形溝８０２の第２のアレイとを有する台１２０’を記載する。溝８０１の第１のアレイと、溝８０２の第２のアレイとは、実質的に互いに垂直であり、半径方向の溝８０１の第１のアレイは、台１２０’の周囲エッジまで延びる。図１１は、台１２０’’の周囲エッジに延びる実質的に半径方向の溝９０１のアレイを有する台１２０’’を記載する。
【００２５】
図２にて図示したように、排気ラインは、処理チャンバ１１０を真空排気システム１７０に接続する。真空排気システム１７０は、所望の真空度に処理チャンバ１１０を排気し、プロセスの間、処理チャンバ１１０からガス種を除去するための真空ポンプを含む。自動圧力コントローラ（ＡＰＣ）、および、オプションのトラップは、真空ポンプと直列に使用されることができる。真空ポンプは、ドライ荒引きポンプを含むことができる。別の形態として、真空ポンプは、１秒あたり５０００リットル（および、より高い）まで、排気送り（ｆｅｅｄ）が可能なターボ分子ポンプ（ＴＭＰ）を含むことができる。プロセス中、プロセスガス、もしくは補助プロセスガス、またはそれらの何らかの組合せは、処理チャンバ１１０に導入されることができ、チャンバ圧力は、ＡＰＣによって調整されることができる。たとえば、チャンバ圧力は、ほぼ１ｍＴｏｒｒからほぼ５０Ｔｏｒｒまでの範囲とすることができ、更なる実施例で、チャンバ圧力は、約１Ｔｏｒｒから約１０Ｔｏｒｒまでの範囲とすることができる。ＡＰＣは、バタフライ形式バルブまたはゲートバルブを含むことができる。トラップは、処理チャンバ１１０から副生成物を収集することができる。
【００２６】
加えて、処理システム１００内の何らかの部材は、セラミック材料、例えば酸化アルミニウムまたはイットリウム酸化物でコーティングされることができる。たとえば、何らかの部材は、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｆ３、ＹＦ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、および、ＤｙＯ３からなる群から選択される材料でコーティングされることができる。
【００２７】
なお図２を参照し、処理システム１００は、処理システム１００の操作、および、その操作を制御するように構成されたコントロールシステム１８０を更に含むことができる。コントロールシステム１８０は、処理チャンバ１１０、台１２０、温度制御システム１３０、ラジカル発生システム１１５、ガス供給システム１６０、および真空排気システム１７０に結合される。
【００２８】
コントロールシステム１８０は、マイクロプロセッサ、メモリ、および、処理システム１００と通信し、処理システム１００からモニター出力と同様に処理システム１００の入力をアクティブにするために十分な制御電圧を生成することが可能なデジタル入出力ポートを含むことができる。
【００２９】
さらに、コントロールシステム１８０は、処理チャンバ１１０、台１２０、温度制御システム１３０、ラジカル発生システム１１５、ガス供給システム１６０、および、真空排気システム１７０に結合され、それらと情報を交換する。メモリに格納されたプログラムは、保存されたプロセスレシピによって処理システム１００の上記コンポーネントの制御に利用される。処理システムのコントロールシステム１８０の１つの実施例は、テキサス、ダラスのデル社から入手可能なデルプレシジョンワークステーション６１０（登録商標）である。コントロールシステム１８０は、また、汎用コンピュータ、デジタル信号プロセスなどとして実行されることができる。
【００３０】
しかしながら、メモリに含まれる１つ以上の命令の１つ以上のシーケンスを実行しているプロセッサに応答して本発明の処理ステップに基づいてマイクロプロセッサの部分または全てを実行する汎用計算機システムとして、コントロールシステム１８０は、実行されることができる。このような命令は、別のコンピュータの読み取り可能な媒体、例えばハードディスクまたはリムーバブルメディアドライブから、コントローラメモリに読み込まれることができる。マルチプロセッシング装置の１つ以上のプロセッサは、また、主メモリに含まれる命令のシーケンスを実行するために、コントローラマイクロプロセッサとして使用されることができる。代わりの実施例では、配線による回路は、ソフトウェア命令の代わりにまたは結合して使用されることができる。したがって、実施形態は、ハードウェア回路、および、ソフトウェアの何らかの特定の組合せに限定されない。
【００３１】
本発明の教示に係るプログラムされた命令を保持するために、および、本発明を実施するのに必要であるデータ構造、テーブル、レコード、または他のデータを保存するために、コントロールシステム１８０は、少なくとも１つのコンピュータ読み取り可能な媒体またはメモリ、例えばコントローラメモリを有する。コンピュータ読み取り可能なメディアの実施例は、コンパクトディスク、ハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、テープ、光磁気ディスク、ＰＲＯＭ（ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、フラッシュＥＰＲＯＭ）、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、または、他のいかなる磁気媒体、コンパクトディスク（例えばＣＤ―ＲＯＭ）、または他のいかなる光学的媒体、パンチカード、紙テープ、または、孔パターンを有する他の物理メディア、搬送波（ｃａｒｒｉｅｒ ｗａｖｅ）（以下に記載する）、またはコンピュータが読むことができる他のいかなる媒体でもある。
【００３２】
コンピュータ読み取り可能なメディアのどれかの、または組合せに保存された本発明は、コントロールシステム１８０を制御するための、本発明を実施するためのデバイスまたは複数のデバイスを駆動するための、および／またはコントローラが人間のユーザと相互に作用することを可能にするためのソフトウェアを含む。このようなソフトウェアは、デバイスドライバ、オペレーティングシステム、開発ツール、および、アプリケーションソフトを含むが、これらに限定されるものではない。このようなコンピュータ読み取り可能なメディアは、本発明を実施する際に実行されるプロセスの全部又は一部（もしプロセスが分配されるならば）を実行するための本発明のコンピュータプログラム製品を更に含む。
【００３３】
本発明のコンピューターコードデバイスは、スクリプト、解釈可能な（ｉｎｔｅｒｐｒｅｔａｂｌｅ）プログラム、ダイナミックリンクライブラリ（ＤＬＬ）、Ｊａｖａ（登録商標）クラス、および、完成した（ｃｏｍｐｌｅｔｅ）実行可能プログラムを含むがこれに限定されない何らかの解釈可能な、または実行可能コードメカニズムであることができる。さらに、本発明のプロセスの部分は、より良好な性能、信頼性、および／または費用のために分配されることができる。
【００３４】
ここで使用する用語「コンピュータ読み取り可能な媒体」は、実行のためのコントロールシステム１８０のプロセッサに命令を提供する際に関係する何らかの媒体を指す。コンピュータ読み取り可能な媒体は、不揮発性のメディア、揮発性のメディア、および、伝送メディアを含むがこれに限定されるものではない多くの形態をとることができる。不揮発性のメディアは、たとえば、光学的、磁気的ディスク、および、光磁気ディスク、例えばハードディスクまたはリムーバブルメディアドライブを含む。揮発性のメディアは、ダイナミックメモリ、例えば主メモリを含む。さらに、コンピュータ読み取り可能なメディアの多数の形態は、実行のためのコントローラのプロセッサに１つ以上の命令の１つ以上のシーケンスを実行する際に含まれることができる。たとえば、命令は、まず最初にリモートコンピュータの磁気ディスク上に移動されることができる。リモートコンピュータは、遠く離れて、本発明の全てまたは一部を実施するための命令をダイナミックメモリへロードすることができ、コントローラ１８０にネットワーク上で命令を送ることができる。
【００３５】
コントロールシステム１８０は、処理システム１００に対して近くで位置づけられることができ、または、それは、インターネットまたはイントラネットを介して処理システム１００に対して遠く離れて位置づけられることができる。したがって、コントロールシステム１８０は、直接接続、イントラネット、またはインターネットの少なくとも１つを使用して処理システム１００とデータを交換することができる。コントロールシステム１８０は、顧客サイト（すなわちデバイスメーカーなど）でイントラネットに接続することができ、またはベンダーサイト（すなわち装置製造業者）で、イントラネットに接続することができる。さらにまた、別のコンピュータ（すなわちコントローラ、サーバなど）は、直接接続、イントラネット、またはインターネットの少なくとも１つを介してデータを交換するために、コントロールシステム１８０にアクセスすることができる。
【００３６】
上記の如く、図２の処理システム１００は、処理チャンバ内の基板にラジカルのリモート生成、および、このようなラジカルの送出を提供する。このような構成は、基板の付近の高エネルギーに電荷したパーティクルによって引き起こされ得る基板へのダメージを最小にする一方で、基板の処理、例えばエッチング後のクリーニングを可能とする。しかしながら、リモートラジカル発生器の使用は、基板の処理速度を低下させることとなり得て、および／または基板の不均一性処理を生じることとなり得る。本発明の発明者は、基板での処理速度に影響を及ぼすラジカルの速度の再結合として同様に、ラジカル送出システムのジオメトリのような設計特徴がラジカルの一様分布に影響を及ぼすことができることを見いだした。通常、基板表面に対するラジカルの妨げられてない流れは、処理速度を改良するように再結合を減少するが、処理の不均一性を提供する。逆にいえば、ガス流れに対する障害（例えば分配プレート）を提供することは、均一性を改良することができるが、処理速度を減少することになり得る。したがって、本発明の実施形態は、均一な基板処理および／または基板処理速度を制御する異なるラジカル送出システムを含む。
【００３７】
ここで図３を参照し、処理システム２００は、別の実施形態に係るものを示す。処理システム２００は、たとえば、図２の実施形態に類似したものであることができ、そこにおいて、同じであるか同様のコンポーネントを示すように、同様の参照番号を付す。処理システム２００は、ダクト２４２を介してラジカル発生システム１１５の出口に結合されたガス分配プレナム２４４を有するラジカル送出システム２４０を備えている。ガス分配プレナムは、ガス分配プレート２４６に形成された複数の開口を介して処理空間２４５内に、ダクト２４２から受けとったラジカルを分配する。ガス分配プレナム２４４は、実質的に円筒状ボリュームを備えている。
【００３８】
ガス分配プレート２４６は、ほぼ１個の開口からほぼ１０００個の開口までの数の範囲として、望ましくは、ほぼ１０個の開口からほぼ１００個の開口までの数の範囲としての複数の開口を有して設計されていることができる。加えて、たとえば、ガス分配プレート２４６は、複数の開口を有して設計されていることができ、そして、各々の開口が、ほぼ１ｍｍからほぼ１００ｍｍまでの範囲として、望ましくは、ほぼ４ｍｍからほぼ１０ｍｍまでの範囲とする直径を有する。さらにまた、たとえば、ガス分配プレート２４６は、複数の開口を有して設計されていることができ、そして、各々の開口が、ほぼ１ｍｍからほぼ１００ｍｍまでの範囲として、および、望ましくは、ほぼ２ｍｍからほぼ２０ｍｍまで範囲とする長さを有する。
【００３９】
１つの実施形態において、１つ以上の開口は、ガス分配プレート２４６に均一に分配される。別の形態として、もう一つの実施例では、１つ以上の開口の分配は、均一でない。たとえば、ガス分配プレート２４６の中央域の範囲内よりも多くの開口が、ガス分配プレート２４６の周辺領域内にあることができる。
【００４０】
ガス分配プレート２４６は、アルミニウムまたは陽極処理アルミニウムのような金属、またはセラミックで製作されることができる。たとえば、ガス分配プレート２４６は、石英、シリコン、窒化シリコン、炭化珪素、アルミナ、窒化アルミニウムなどから製作されることができる。加えて、ガス分配プレート２４６は、セラミック材料、例えば酸化アルミニウムまたはイットリウム酸化物でコーティングされることができる。たとえば、ガス分配プレート２４６は、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｆ３、ＹＦ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、および、ＤｙＯ３からなる群から選択される材料でコーティングされることができる。
【００４１】
ここで図４を参照して、処理システム３００は、別の実施形態に係るものが示される。そこにおいて、処理システム３００は、たとえば、図２の実施形態に同様であることができ、似た参照番号が、同じであるか同様のコンポーネントを示すように付される。処理システム３００は、ラジカル発生システム１１５の出口に結合されたガス拡散体３４４を有するラジカル送出システム３４０を備えている。ガス拡散体３４４は、ガス拡散体（ｇａｓ ｄｉｆｆｕｓｅｒ）３４４の出口に結合するガス分配プレート３４６に形成された複数の開口を介して処理空間３４５内にラジカル発生システム１１５から受け取られたラジカルを分配する。たとえば、ガス拡散体３４４は、実質的に円錐ボリュームを含む。加えて、たとえば、図４に示すように、ガス拡散体３４４は、第２のエントラント領域３４３に結合された第１のエントラント領域３４２を含むことができる。第１のエントラント領域３４２、および、第２のエントラント領域３４３は、たとえば、実質的に円錐であることができる。そこにおいて、第１のエントラント領域３４２の半角（ｈａｌｆ ａｎｇｌｅ）は、第２のエントラント領域３４３の半角未満である。たとえば、第１のエントラント領域３４２の半角は、ほぼ４５度以下であることができる。別の形態として、たとえば、第１のエントラント領域３４２の半角は、ほぼ２０度以下であることができる。あるいは、まだ、たとえば、第１のエントラント領域３４２の半角は、ほぼ１５度以下であることができる。ガス分配プレート３４６は、たとえば、図３の実施形態に同様であることができる。
【００４２】
ここで図５を参照して、処理システム４００は、別の実施形態に係るものが記載されている。処理システム４００は、たとえば、図２の実施形態に同様であることができ、そこにおいて、類似の参照番号が、同じであるか同様のコンポーネントを示すように付されている。処理システム４００は、ラジカル発生システム１１５の出口に結合されたガス拡散体４４４を有するラジカル送出システム４４０を備えている。ガス拡散体４４４は、処理空間４４５内にラジカル発生システム１１５から受け取られたラジカルを分配する。たとえば、ガス拡散体４４４は、実質的に円錐ボリュームを含む。加えて、たとえば、図５に示すように、ガス拡散体４４４は、第２のエントラント領域４４３に結合された第１のエントラント領域４４２を含むことができる。第１のエントラント領域４４２、および、第２のエントラント領域４４３は、たとえば、実質的に円錐であることができ、そこにおいて、第１のエントラント領域４４２の半角は、第２のエントラント領域４４３の半角未満である。たとえば、第１のエントラント領域４４２の半角は、ほぼ４５度以下であることができる。別の形態として、たとえば、第１のエントラント領域４４２の半角は、ほぼ２０度以下であることができる。あるいは、まだ、たとえば、第１のエントラント領域４４２の半角は、ほぼ１５度以下であることができる。
【００４３】
ここで図６Ａおよび図６Ｂを参照して、処理システム５００は、別の実施形態に係るものが記載されている。そこにおいて、処理システム５００は、たとえば、図２の実施形態に同様であることができ、類似の参照番号が、同じであるか同様のコンポーネントを示すように付されている。処理システム５００は、ラジカル発生システム１１５の出口に結合されたガス拡散体５４４を有するラジカル送出システム５４０を含む。ガス拡散体５４４は、処理空間５４５内にラジカル発生システム１１５から受け取られるラジカルを分配する。たとえば、ガス拡散体５４４は、実質的に円錐ボリュームを含む。加えて、たとえば、図６Ａに示すように、ガス拡散体５４４は、第２のエントラント領域５４３に結合された第１のエントラント領域５４２を含むことができる。第１のエントラント領域５４２、および、第２のエントラント領域５４３は、たとえば、実質的に円錐であることができる。そこにおいて、第１のエントラント領域５４２の半角は第２のエントラント領域５４３の半角未満である。たとえば、第１のエントラント領域５４２の半角は、ほぼ４５度以下であることができる。別の形態として、たとえば、第１のエントラント領域５４２の半角は、ほぼ２０度以下であることができる。あるいは、たとえば、第１のエントラント領域５４２の半角は、ほぼ１５度以下であることができる。
【００４４】
図６Ａおよび図６Ｂに示すように、拡散体プレート５４６は、第１のエントラント領域５４２の出口と、ガス拡散体５４４の第２のエントラント領域５４３の入口との間に位置づけられる。別の形態として、拡散体プレート５４６は、ガス拡散体５４４の第２のエントラント領域５４３の出口に位置づけられる。拡散体プレート５４６は、中央ボディ５４８、例えばディスクを含み、そして、１つ以上の支持アーム５４７（２本の支持アームは、図６Ｂに示される）で支えられ、そして、ラジカルが流れることができる１つ以上の通路５４９（２つの通路は、図６Ｂに示される）を残している。中央ボディ５４８は、円形、矩形、または何らかの形状であることができ、ラジカル発生システム１１５の出口から放射しているガス流れの軸方向の運動量を拡散するように構成される。任意に、図４にて図示したように、ガス分配プレートは、また、拡散体プレート５４６のダウンストリームに使用されることができる。
【００４５】
拡散体プレート５４６は、アルミニウムまたは陽極処理アルミニウムのような金属、またはセラミックで製作されることができる。たとえば、拡散体プレート５４６は、石英、シリコン、窒化シリコン、炭化珪素、アルミナ、窒化アルミニウムなどから製作されることができる。加えて、拡散体プレート５４６は、セラミック材料、例えば酸化アルミニウムまたはイットリウム酸化物でコーティングされることができる。たとえば、拡散体プレート５４６は、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｏ３、Ｓｃ２Ｆ３、ＹＦ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、および、ＤｙＯ３からなる群から選択される材料でコーティングされることができる。
【００４６】
ここで図７を参照して、処理システム６００は、別の実施形態に係るものが記載される。そこにおいて、処理システム６００は、たとえば、図２の実施形態に同様であることができ、類似の参照番号が、同じであるか同様のコンポーネントを示すように付される。処理システム６００は、ラジカル発生システム１１５の出口に結合されたガス拡散体６４４を有するラジカル送出システム６４０を含む。ガス拡散体６４４は、処理空間６４５内にラジカル発生システム１１５から受け取られたラジカルを分配する。たとえば、ガス拡散体６４４は、実質的に円錐ボリュームを含む。加えて、たとえば、図７に示すように、ガス拡散体６４４は、第２のエントラント領域６４３に結合された第１のエントラント領域６４２を含むことができる。第１のエントラント領域６４２、および、第２のエントラント領域６４３は、たとえば、実質的に円錐であることができる。そこにおいて、第１のエントラント領域６４２の半角は第２のエントラント領域６４３の半角未満である。たとえば、第１のエントラント領域６４２の半角は、ほぼ４５度以下であることができる。別の形態として、たとえば、第１のエントラント領域６４２の半角は、ほぼ２０度以下であることができる。あるいは、たとえば、第１のエントラント領域６４２の半角は、ほぼ１５度以下であることができる。
【００４７】
図７に示すように、拡散体プレート６４６は、第１のエントラント領域６４２の出口と、ガス拡散体６４４の第２のエントラント領域６４３の入口との間に位置づけられる。別の形態として、拡散体プレート６４６は、ガス拡散体６４４の第２のエントラント領域６４３の出口に位置づけられる。拡散体プレート６４６は、たとえば、図６Ａおよび図６Ｂに示される拡散体プレート５４６に類似して設計されることができる；しかしながら、それは、２本以上の支持アームで支えられる円錐中央ボディ６４７を更に備えることができ、そして、ラジカルが流れることができる２つ以上の通路を残すことができる。円錐拡散体ボディ６４７は、円形、矩形、または何らかの形状であることができ、ラジカル発生システム１１５のアウトプットから放射しているガス流れの軸方向の運動量を拡散するように構成される。任意に、図４にて図示したように、ガス分配プレートは、また、拡散体プレート６４６のダウンストリームに使用されることができる。
【００４８】
ここで図８Ａおよび図８Ｂを参照して、処理システム７００は、別の実施形態に係るものが記載される。処理システム７００は、たとえば、図２の実施形態に同様であることができ、そこにおいて、類似の参照番号が同じであるか同様のコンポーネントを示すように付される。処理システム７００は、ラジカル発生システム１１５の出口に結合されたガス拡散体７４４を有するラジカル送出システム７４０を含む。ガス拡散体７４４は、処理空間７４５内にラジカル発生システム１１５から受け取られたラジカルを分配する。たとえば、ガス拡散体７４４は、実質的に円錐ボリュームを含む。加えて、たとえば、図８Ａに示すように、ガス拡散体７４４は、第２のエントラント領域７４３に結合された第１のエントラント領域７４２を含むことができる。第１のエントラント領域７４２、および、第２のエントラント領域７４３は、たとえば、実質的に円錐であることができる。そこにおいて、第１のエントラント領域７４２の半角は、第２のエントラント領域７４３の半角未満である。たとえば、第１のエントラント領域７４２の半角は、ほぼ４５度以下であることができる。別の形態として、たとえば、第１のエントラント領域７４２の半角は、ほぼ２０度以下であることができる。あるいは、たとえば、第１のエントラント領域７４２の半角は、ほぼ１５度以下であることができる。
【００４９】
図８Ａおよび図８Ｂに示すように、拡散体プレート７４６は、ガス拡散体７４４の第２のエントラント領域７４３の出口に位置づけられる。拡散体プレート７４６は、たとえば、図７に示される拡散体プレート６４６に類似して設計されることができる。拡散体プレート７４６は、１つ以上の支持アームで支えられる円錐中央ボディ７４７を含み、そして、ラジカルが流れることができる１つ以上の通路を残すことができる。別の形態として、拡散体プレート７４６は、円錐中央ボディ７４７を支持するように構成された蒸気（ｖａｐｏｒ）分配プレートを含み、そこにおいて、複数の開口７４９は、円錐中央ボディ７４７のベースと、ガス拡散体７４４の第２のエントラント領域７４３の内壁との間の拡散体プレート７４６の周辺領域を通って形成される。円錐の中央ボディ７４７は、円形、矩形、または何らかの形状であることができ、ラジカル発生システム１１５のアウトプットから放射しているガス流れの軸方向の運動量を拡散するように構成される。
【００５０】
なお図8Ａおよび図8Ｂを参照し、処理システム７００は、真空排気システム１７０に対する基板１２５の周囲エッジの向こう側のプロセスガスの流れを妨げるために、台エッジリング７５０、および／もしくは拡散体プレートエッジリング７５２、または両方を更に備える。台エッジリング７５０、もしくは拡散体プレートエッジリング７５２、または両方は、ほぼ１０％からほぼ８０％までのどこかで、望ましくは、ほぼ２０％からほぼ５０％までのどこかで、基板１２５の周囲エッジでフロースロー（ｆｌｏｗ―ｔｈｒｏｕｇｈ）空間を減少するように構成されることができる。これは、基板全体のラジカルのより均一な分配を提供することができ、および／または、基板の処理速度を改良することができる。
【００５１】
台エッジリング７５０、もしくは拡散体プレートエッジリング７５２、または両方は、アルミニウムまたは陽極処理アルミニウムのような金属、またはセラミックで製作されることができる。たとえば、各々のリングは、石英、シリコン、窒化シリコン、炭化珪素、アルミナ、窒化アルミニウムなどから製造されることができる。加えて、各々のリングは、セラミック材料、例えば酸化アルミニウムまたはイットリウム酸化物でコーティングされることができる。たとえば、各々のリングは、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｃ2Ｏ3、Ｓｃ2Ｆ3、ＹＦ3、Ｌａ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、および、ＤｙＯ3からなる群から選択される材料でコーティングされることができる。
【００５２】
図１２は、実施形態に係る基板から残渣を除去する方法のフローチャートを示す。フローチャート１０００は、残渣を有する基板を処理チャンバの台に配置することに関する１０１０で開始する。台は、図９〜図１１の台構成のいずれかであることができ、処理チャンバは、図２〜図８に記載されたどれか１つ、またはそれらのどれかの組み合わせを含むことができる。残渣は、エッチングプロセスから残渣を含むことができる。
【００５３】
１０２０において、プロセスガスは、処理チャンバに結合されたラジカル発生チャンバに導入される。プロセスガスはＮｘＯｙを含むみ、そこにおいて、ｘおよびｙは、１以上の整数である。プロセスガスは、ＮＯ、Ｎ２ＯもしくはＮＯ２の１つ以上、またはそれらの２つ以上の組合せを含んでいる。望ましくは、プロセスガスはＮ２Ｏを含み、そして、ここで開示されたようなリモートラジカル発生システムを使用するときに、それは、良好な処理速度を提供すると予想される。ＮｘＯｙガスは、後述するようにＮ２および／またはＯ２ガスの有無にかかわらず使用されることができる。別の形態として、プロセスガスは、酸素含有ガス、例えばＯ２、ＣＯ、もしくはＣＯ２またはそれらの２つ以上の組合せを更に含む。本発明の発明者は、酸素含有ガスが基板にダメージを与える可能性のために（特にＦＥＯＬオペレーションにおいて）、局所的プラズマに対して好ましくなくなる一方、ダメージを最小にしながら、リモートラジカル発生装置で使用される酸素含有ガスが基板の処理速度を容易にすることができると認識した。別の形態として、プロセスガスは、窒素含有ガス、例えばＮ２、ＮＨ３もしくはＮＦ3またはそれらの２つ以上の組合せを更に含む。別の形態として、プロセスガスは、ハロゲン含有ガス、例えばＣｘＦｙを更に含み、そこにおいて、ｘおよびｙは１以上の整数である。あるいは、まだ、プロセスガスは、Ｎ２、および、Ｏ２を更に含む。あるいは、まだ、プロセスガスは、Ｎ２Ｏ、Ｎ２、および、Ｏ２から成る。別の形態として、プロセスガスは、不活性ガス、例えば希ガスを更に含む。
【００５４】
たとえば、プロセスパラメータ空間は、約１〜約１０Ｔｏｒｒのチャンバ圧力、約３ｓｌｍから約５ｓｌｍまでの範囲のプロセスガス流量、および、約１００℃から約３００℃までの範囲の台の温度を含むことができる。
【００５５】
１０３０において、プロセスガスのラジカルは、ラジカル発生チャンバにおいて形成される。ラジカルは、プラズマを形成し、プロセスガスの解離を引き起こすことによって形成されることができる。別の形態として、プロセスガスを解離させることの他の技術は、電磁（ＥＭ）放射、例えば紫外線（ＵＶ）放射を含み、使用されることができる。
【００５６】
１０４０において、プロセスガスから形成されるラジカルは、ラジカル発生チャンバから処理チャンバまで移送される。たとえば、ラジカルは、図２〜図８に記載されたラジカル送出システムのどれか、またはそれらの何らかの組合せを介して移送されることができる。
【００５７】
１０５０において、基板はラジカルの流れに曝され、残渣は、除去される。ラジカル発生チャンバのプラズマに曝されない一方、基板は、ラジカルに曝されることができる。
【００５８】
本発明の特定の実施形態だけが、上で詳述されたが、当業者は、本発明の新規進歩の事項から逸脱することなく実施形態において多数の変更態様が可能であることを容易に理解することができる。したがって、全てのこのような変更態様は、本発明の範囲内に含まれることを目的とする。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１Ａ】薄膜をパターンエッチングするための手順の概略表現を示す図である。
【図１Ｂ】薄膜をパターンエッチングするための手順の概略表現を示す図である。
【図１Ｃ】薄膜をパターンエッチングするための手順の概略表現を示す図である。
【図２】本発明の１つの実施形態に係る処理システムの概略図を示す図である。
【図３】本発明の他の実施形態に係る処理システムの概略図を示す図である。
【図４】本発明の他の実施形態に係る処理システムの概略図を示す図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係る処理システムの概略図を示す図である。
【図６Ａ】本発明の他の実施形態に係る処理システムの概略図を示す図である。
【図６Ｂ】本発明の他の実施形態に係る処理システムの概略図を示す図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係る処理システムの概略図を示す図である。
【図８Ａ】本発明の他の実施形態に係る処理システムの概略図を示す図である。
【図８Ｂ】本発明の他の実施形態に係る処理システムの概略図を示す図である。
【図９】本発明の１つの実施形態に係る基板ホルダの上面の平面図を示す図である。
【図１０】本発明の他の実施形態に係る基板ホルダの上面の平面図を示す図である。
【図１１】本発明の他の実施形態に係る基板ホルダの上面の平面図を示す図である。
【図１２】本発明の１つの実施形態に係る基板上の残渣を除去する方法を示す図である。
【符号の説明】
【００６０】
１００…処理システム、 １１５…ラジカル発生システム、 １２０…台、 １２５…基板、 １３０…温度制御システム、 １３５…加熱部材、 １４０…ラジカル送出システム、 １４５…処理空間、 １６０…ガス供給システム、 １６２…ガス供給導管、 １６４…補助ガス供給導管、１７０…真空排気システム、 １８０…コントロールシステム、 ２００…処理システム、２４０…ラジカル送出システム、 ２４２…ダクト、 ２４４…ガス分配プレナム、 ２４５…処理空間、 ２４６…ガス分配プレート、 ３００…処理システム、 ３４０…ラジカル送出システム。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板から残渣を除去する方法であって、
処理チャンバの台に前記残渣を有する前記基板を配置することと；
前記処理チャンバに結合されたリモートラジカル発生チャンバに、ｘおよびｙが１以上の整数であるＮｘＯｙを含んだプロセスガスを導入することと；
前記リモートラジカル発生チャンバの前記プロセスガスからラジカルを形成することと；
前記リモートラジカル発生チャンバから前記処理チャンバまで前記ラジカルを移送すること；
前記ラジカルに前記基板を曝すこととを具備する方法。
【請求項２】
前記残渣を有する前記基板を前記配置することは、エッチングプロセスからの残渣を有する基板を配置することを備えている請求項１の方法。
【請求項３】
前記プロセスガスを前記導入することは、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、もしくはＮＯ２の１つ以上、またはそれらの２つ以上の組合せを導入することを備えている請求項１の方法。
【請求項４】
前記プロセスガスを前記導入することは、酸素含有ガスを導入することを更に備えている請求項１の方法。
【請求項５】
前記酸素含有ガスを前記導入することは、Ｏ２、ＣＯ、もしくはＣＯ２の１つ以上、またはそれらの２つ以上の組合せを導入することを備えている請求項４の方法。
【請求項６】
前記プロセスガスを前記導入することは、窒素含有ガスを導入することを更に備えている請求項１の方法。
【請求項７】
前記窒素含有ガスを前記導入することは、Ｎ２、ＮＨ３、もしくはＮＦ3の１つ以上、またはそれらの２つ以上の組合せを導入することを備えている請求項６の方法。
【請求項８】
前記プロセスガスを前記導入することは、ハロゲン含有ガスを導入することを更に備えている請求項１の方法。
【請求項９】
前記ハロゲン含有ガスを前記導入することは、ｘおよびｙが１以上の整数であるＣｘＦｙを含むプロセスガスを導入することを備えている請求項８の方法。
【請求項１０】
前記プロセスガスを前記導入することは、不活性ガスを導入することを更に備えている請求項１の方法。
【請求項１１】
前記不活性ガスを前記導入することは、希ガスを導入することを備えている請求項１０の方法。
【請求項１２】
前記プロセスガスを前記導入することは、Ｎ２およびＯ２を導入することを更に備えている請求項１の方法。
【請求項１３】
前記プロセスガスを前記導入することは、Ｎ２Ｏ、Ｎ２、およびＯ２からなるプロセスガスを導入することを備えている請求項１の方法。
【請求項１４】
前記ラジカル発生チャンバの前記プロセスガスから前記ラジカルを形成することは、プラズマを使用し、前記プロセスガスの解離を引き起こすことによって、前記プロセスガスからラジカルを形成することを備えている請求項１の方法。
【請求項１５】
前記ラジカルに前記基板を前記曝すことは、前記基板を前記プラズマに曝さない一方で、前記基板をラジカルに曝すことを備えている請求項１４の方法。
【請求項１６】
ほぼ５００℃までの範囲の温度に前記基板を加熱することを、更に具備する請求項１の方法。
【請求項１７】
前記基板の温度は、ほぼ１００℃からほぼ３００℃までの範囲である請求項１６の方法。
【請求項１８】
前記処理チャンバの圧力をほぼ１Ｔｏｒｒからほぼ１０Ｔｏｒｒまでの範囲としてセットすることを更に具備する請求項１の方法。
【請求項１９】
前記プロセスガスの流量は、ほぼ１ｓｌｍ（分あたりの標準状態でのリットル）からほぼ１０ｓｌｍまでの範囲である請求項１の方法。
【請求項２０】
処理システムに起動される処理システムで実行するためのプログラム命令を含むコンピュータ読み取り可能な媒体であって、
前記処理システムによって実行されるときに、次の工程を実行するものであって、
処理チャンバの台に残渣を有する基板を配置する工程と；
前記処理チャンバに結合されたリモートラジカル発生チャンバに、ｘおよびｙが１以上の整数であるＮｘＯｙを含んだプロセスガスを導入する工程と；
前記リモートラジカル発生チャンバの前記プロセスガスからラジカルを形成する工程と；
前記リモートラジカル発生チャンバから前記処理チャンバまで前記ラジカルを移送する工程と；
前記ラジカルに前記基板を曝す工程とを実行するためのプログラム命令を含むコンピュータ読み取り可能な媒体。
【請求項１】
基板から残渣を除去する方法であって、
処理チャンバの台に前記残渣を有する前記基板を配置することと；
前記処理チャンバに結合されたリモートラジカル発生チャンバに、ｘおよびｙが１以上の整数であるＮｘＯｙを含んだプロセスガスを導入することと；
前記リモートラジカル発生チャンバの前記プロセスガスからラジカルを形成することと；
前記リモートラジカル発生チャンバから前記処理チャンバまで前記ラジカルを移送すること；
前記ラジカルに前記基板を曝すこととを具備する方法。
【請求項２】
前記残渣を有する前記基板を前記配置することは、エッチングプロセスからの残渣を有する基板を配置することを備えている請求項１の方法。
【請求項３】
前記プロセスガスを前記導入することは、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、もしくはＮＯ２の１つ以上、またはそれらの２つ以上の組合せを導入することを備えている請求項１の方法。
【請求項４】
前記プロセスガスを前記導入することは、酸素含有ガスを導入することを更に備えている請求項１の方法。
【請求項５】
前記酸素含有ガスを前記導入することは、Ｏ２、ＣＯ、もしくはＣＯ２の１つ以上、またはそれらの２つ以上の組合せを導入することを備えている請求項４の方法。
【請求項６】
前記プロセスガスを前記導入することは、窒素含有ガスを導入することを更に備えている請求項１の方法。
【請求項７】
前記窒素含有ガスを前記導入することは、Ｎ２、ＮＨ３、もしくはＮＦ3の１つ以上、またはそれらの２つ以上の組合せを導入することを備えている請求項６の方法。
【請求項８】
前記プロセスガスを前記導入することは、ハロゲン含有ガスを導入することを更に備えている請求項１の方法。
【請求項９】
前記ハロゲン含有ガスを前記導入することは、ｘおよびｙが１以上の整数であるＣｘＦｙを含むプロセスガスを導入することを備えている請求項８の方法。
【請求項１０】
前記プロセスガスを前記導入することは、不活性ガスを導入することを更に備えている請求項１の方法。
【請求項１１】
前記不活性ガスを前記導入することは、希ガスを導入することを備えている請求項１０の方法。
【請求項１２】
前記プロセスガスを前記導入することは、Ｎ２およびＯ２を導入することを更に備えている請求項１の方法。
【請求項１３】
前記プロセスガスを前記導入することは、Ｎ２Ｏ、Ｎ２、およびＯ２からなるプロセスガスを導入することを備えている請求項１の方法。
【請求項１４】
前記ラジカル発生チャンバの前記プロセスガスから前記ラジカルを形成することは、プラズマを使用し、前記プロセスガスの解離を引き起こすことによって、前記プロセスガスからラジカルを形成することを備えている請求項１の方法。
【請求項１５】
前記ラジカルに前記基板を前記曝すことは、前記基板を前記プラズマに曝さない一方で、前記基板をラジカルに曝すことを備えている請求項１４の方法。
【請求項１６】
ほぼ５００℃までの範囲の温度に前記基板を加熱することを、更に具備する請求項１の方法。
【請求項１７】
前記基板の温度は、ほぼ１００℃からほぼ３００℃までの範囲である請求項１６の方法。
【請求項１８】
前記処理チャンバの圧力をほぼ１Ｔｏｒｒからほぼ１０Ｔｏｒｒまでの範囲としてセットすることを更に具備する請求項１の方法。
【請求項１９】
前記プロセスガスの流量は、ほぼ１ｓｌｍ（分あたりの標準状態でのリットル）からほぼ１０ｓｌｍまでの範囲である請求項１の方法。
【請求項２０】
処理システムに起動される処理システムで実行するためのプログラム命令を含むコンピュータ読み取り可能な媒体であって、
前記処理システムによって実行されるときに、次の工程を実行するものであって、
処理チャンバの台に残渣を有する基板を配置する工程と；
前記処理チャンバに結合されたリモートラジカル発生チャンバに、ｘおよびｙが１以上の整数であるＮｘＯｙを含んだプロセスガスを導入する工程と；
前記リモートラジカル発生チャンバの前記プロセスガスからラジカルを形成する工程と；
前記リモートラジカル発生チャンバから前記処理チャンバまで前記ラジカルを移送する工程と；
前記ラジカルに前記基板を曝す工程とを実行するためのプログラム命令を含むコンピュータ読み取り可能な媒体。
【図１Ａ】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１Ｂ】
【図１Ｃ】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００７−２６６６０９（Ｐ２００７−２６６６０９Ａ）
【公開日】平成１９年１０月１１日（２００７．１０．１１）
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願２００７−８４９０７（Ｐ２００７−８４９０７）
【出願日】平成１９年３月２８日（２００７．３．２８）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１０月１１日（２００７．１０．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−８４９０７（Ｐ２００７−８４９０７）
【出願日】平成１９年３月２８日（２００７．３．２８）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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