基板の処理方法および処理装置
【課題】基板を安定的に処理することができる基板の処理方法および処理装置を提供すること。
【解決手段】処理装置１は、内部に液体Ｌが供給されるとともに、供給された液体Ｌに基板２を浸積させる槽１１と、槽１１内部に配置される基板２の基板面が鉛直方向に略平行となるように基板２を保持する保持部１３とを備える。処理装置１は、槽１１の供給口１１１から排出口１１２に向かって液体Ｌを流すと、液体Ｌが、鉛直方向上方側から下方側に向かって基板面に沿って流れるように構成されている。
【解決手段】処理装置１は、内部に液体Ｌが供給されるとともに、供給された液体Ｌに基板２を浸積させる槽１１と、槽１１内部に配置される基板２の基板面が鉛直方向に略平行となるように基板２を保持する保持部１３とを備える。処理装置１は、槽１１の供給口１１１から排出口１１２に向かって液体Ｌを流すと、液体Ｌが、鉛直方向上方側から下方側に向かって基板面に沿って流れるように構成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の処理方法および処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、回路基板は、以下のようにして製造されている。
基材の両面に銅箔が貼り付けられた両面銅貼積層板を用意する。この両面銅貼積層板にビアホールを形成し、さらに、ビアホールおよび両面銅貼積層板上にめっきを行う。その後、両面銅貼積層板を加工して回路を形成する（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−１８６７３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の基板の製造方法では、めっきを行う際に、両面銅貼積層板をめっき液に浸漬させている。しかしながら、この製造方法では、所望のめっき膜を安定的に得ることが難しかった。
所望のめっき膜が得られない原因としては、めっき液の滞留や、異物の付着等が考えられる。
めっき液をバブリング等で撹拌することも行われているが、めっき槽は比較的大きいため、バブリング等で撹拌しても、めっき液の滞留や、異物の付着を確実に抑制することは非常に困難であった。
なお、このように、滞留が生じるという課題、異物が付着するという課題は、めっきを行う場合のみならず、両面銅貼積層板を水に浸して水洗する場合や、エッチング液に両面銅貼積層板を浸してエッチングを行う場合等にも生じる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によれば、基板に対し液体を接触させて、前記基板を処理する基板の処理方法であって、
前記基板の基板面が鉛直方向と平行または、鉛直方向に対し傾斜するように、槽内に前記基板を配置する工程と、
前記基板を前記槽内の前記液体中に浸漬させるとともに、前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す工程と、
前記基板面に沿って流れた前記液体を前記槽から排出する工程とを含む基板の処理方法が提供される。
【０００６】
この発明によれば、基板を槽内の液体中に浸漬させた状態で、槽内の液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって基板の基板面に沿って流している。
これにより基板表面付近で液体が滞留してしまうことが防止され、基板に対し、所望の処理を安定的に実施することができる。
さらに、本発明では、槽内の液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって流している。液体が重力に従って流れることとなるので、液体をスムーズに流すことができる。
また、本発明では、槽内の液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって基板の基板面に沿って流すことで、液体中の異物を槽から排出することができる。これにより、基板に異物が付着することを抑制でき、所望の処理を安定的に実施することができる。
【０００７】
さらに、本発明によれば、基板に対し液体を接触させて、前記基板を処理する基板の処理装置において、
内部に前記液体が供給されるとともに、供給された前記液体に前記基板を浸積させる槽と、
前記槽内部に配置される前記基板の基板面が鉛直方向に平行あるいは、鉛直方向に対し傾斜するように前記基板を保持する保持部とを備え、
前記槽の前記液体の供給口は、前記保持部で保持された前記基板よりも鉛直方向上方にあり、
前記槽の前記液体の排出口は、前記保持部で保持された前記基板よりも鉛直方向下方にあり、
前記液体を前記槽の供給口から前記排出口に向かって前記液体を流すと、前記液体が、鉛直方向上方側から下方側に向かって前記基板面に沿って流れるように構成される基板の処理装置も提供することができる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、所望の処理を安定的に実施することができる基板の処理方法および処理装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態にかかる処理装置を示す断面図である。
【図２】本発明の処理装置の変形例を示す断面図である。
【図３】本発明の処理装置の変形例を示す断面図である。
【図４】フレキシブル回路基板の製造工程を示す工程断面図である。
【図５】フレキシブル回路基板の製造工程を示す工程断面図である。
【図６】本発明の処理装置の変形例を示す断面図である。
【図７】本発明の処理装置の変形例を示す断面図である。
【図８】本発明の処理装置の変形例を示す断面図である。
【図９】本発明の処理装置の変形例を示す断面図である。
【図１０】本発明の処理装置の変形例を示す断面図である。
【図１１】本発明の処理装置の変形例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
はじめに、図１を参照して、本実施形態の基板の処理装置１の概要について説明する。
処理装置１は、基板２に対し液体Ｌを接触させて、基板２を処理する装置である。処理装置１は、内部に液体Ｌが供給されるとともに、供給された液体Ｌに基板２を浸積させる槽１１と、槽１１内部に配置される基板２の基板面が鉛直方向に略平行となるように前記基板２を保持する保持部１３とを備える。
槽１１の液体Ｌの供給口１１１は、保持部１３で保持された基板２よりも鉛直方向上方にあり、槽１１の液体Ｌの排出口１１２は、保持部１３で保持された基板２よりも鉛直方向下方にある。
処理装置１は、槽１１の供給口１１１から排出口１１２に向かって液体Ｌを流すと、液体Ｌが、鉛直方向上方側から下方側に向かって基板面に沿って流れるように構成されている。
【００１１】
次に、処理装置１について詳細に説明する。
液体Ｌは薬液、本実施形態では、電解めっき液Ｌである。すなわち、処理装置１は、本実施形態では電解めっき装置である。
槽１１は、たとえば、硬質塩ビ槽である。
槽１１には、電解めっき液Ｌが供給される。槽１１の側面には、電解めっき液Ｌの供給口１１１が形成されている。この供給口１１１は、槽１１内に配置される基板２よりも鉛直方向上方に位置する。
また、槽１１の底面には、電解めっき液Ｌの排出口１１２が形成されている。排出口１１２は、本実施形態では、槽１１の底面に複数個形成されている。このように複数個排出口１１２を形成することで、電解めっき液Ｌを基板２の基板面に沿ってスムーズに排出することができる。ただし、排出口１１２は一つであってもよい。
排出口１１２は、槽１１内に配置される基板２よりも鉛直方向下方側に位置する。また、排出口１１２は、供給口１１１よりも鉛直方向下方側に位置している。
なお、必要に応じて、図２に示すように、排出口１１２に、配管１７およびポンプＰ２を接続し、ポンプＰ２で電解めっき液Ｌを吸引することで、排出口１１２から排出される電解めっき液Ｌの流速を調整してもよい。
なお、本実施形態では、排出口１１２と、第二槽１４とは配管で接続されておらず、排出口１１２から排出される電解めっき液Ｌは、第二槽１４内に自然落下する。
また、必要に応じて、槽１１から排出される電解めっき液Ｌの量を調整する調整手段を設けてもよい。たとえば、一部の排出口１１２をふさぐ栓を前記調整手段として設けてもよく、また、排出口１１２の大きさを調整する調整手段（たとえば、排出口１１２の一部をふさぎ、排出口１１２の開口度合いを調整する板材）を設けてもよい。
なお、本実施形態では、電解めっきを行う際、槽１１内には、基板２が一枚配置される。
【００１２】
この槽１１内には、複数の陽極１２が設置されている。本実施形態では、陽極１２は２つ設置されている。一方の陽極１２は、槽１１内に配置された基板２の一方の基板面と対向するように配置され、他方の陽極１２は、槽１１内に配置された基板２の他方の基板面と対向するように配置されている。陽極１２は、たとえば、含リン銅である。
【００１３】
保持部１３は、基板２を保持するとともに、基板２表面の金属膜２２（図４（Ｂ）参照）を図示しない陰極に接続するものである。保持部１３は、たとえば、基板２の上端部を挟む挟持部を備えたものであり、金属等の導電性材料で構成される。保持部１３は、基板２を保持し上下方向に駆動可能であり、槽１１内に基板２を配置したり、槽１１から基板２を除去したりする。
保持部１３に保持された基板２は、基板面が鉛直方向と略平行となるように槽１１内に配置されることとなる。
【００１４】
処理装置１は、槽１１へ供給するための電解めっき液Lが充填された第二槽（調整槽）１４を備える。第二槽１４は、槽１１からオーバーフローした電解めっき液Lを受ける役割も果たすため、第二槽１４は槽１１の鉛直方向下方側に配置される。
ここで、図３に示すように、第二槽１４内の電解めっき液Ｌを撹拌するために、バブリング装置１５を第二槽１４に接続してもよい。このようにすることで、第二槽１４内の電解めっき液Ｌの濃度を均一なものとすることができる。なお、バブリング装置１５は、図２に示す処理装置１に設けてもよい。
第二槽１４の電解めっき液の排出口と、槽１１の供給口１１１とは、配管１６で接続されている。配管１６および配管１６に接続されているポンプＰ１を介して電解めっき液Ｌが第二槽１４から槽１１へと供給される。
なお、配管１６には、フィルターＦが設けられている。配管１６を通る電解めっき液Ｌ中の異物をフィルターＦで除去することができる。
【００１５】
次に、処理装置１を使用した基板２の処理方法について説明する。
はじめに、図４（Ａ）に示すような基材２０を用意する。
この基材２０は、絶縁層２１と、この絶縁層２１の表裏面に貼り付けられた金属膜２２（たとえば、銅膜）とを有する。絶縁層２１の厚みは、たとえば、５μｍ以上、１００μｍ以下であり、金属膜２２の厚みは、たとえば、１μｍ以上、５０μｍ以下である。基材２０全体の厚みは、たとえば、１０μｍ以上、２００μｍ以下である。
【００１６】
次に、図４（Ｂ）に示すように、一方の金属膜２２および絶縁層２１を貫通する孔２０１を形成する。一方の金属膜２２を貫通する孔は、エッチングにより形成し、その後、絶縁層２１を貫通する孔をレーザで形成してもよい。
次に、金属膜２２上および孔２０１内部に無電解めっきを施す。これにより、基板２が得られる。
【００１７】
その後、基板２上に金属膜２２の一部を被覆するマスクＭを配置し、処理装置１を使用して、孔２０１内部および金属膜２２上に電解めっきを施す（図５（Ａ）参照）。
はじめに、第二槽１４から槽１１へ、配管１６およびポンプＰ１を介して、電解めっき液Ｌを供給する。槽１１内を電解めっき液Ｌで満たしておく。
その後、基板２を保持部１３に保持させて、基板２を槽１１内に配置し、基板２を電解めっき液Ｌ中に浸漬させる。このとき、基板２の基板面が鉛直方向と略平行方向となるように、基板２が槽１１内に配置される。その後、陰極（図示略）および陽極１２間を通電することで、基板２に対する電解めっきが開始される。電解めっきを行う際、第二槽１４から槽１１へは随時電解めっき液Lが供給される。これにより、槽１１内の電解めっき液Lは、鉛直方向上側から、鉛直方向下側に向かって、流れることとなる（矢印Ｙ１参照）。鉛直方向上側から鉛直方向下側に向かって流れる電解めっき液Ｌは、基板２の一対の基板面に沿って流れ、さらには、孔２０１内部にも供給される。
また、電解めっきを行う間、基板２全体が電解めっき液Ｌ中に浸漬した状態となる。
【００１８】
さらに、電解めっきを行う際、第二槽１４から槽１１へは随時電解めっき液Lが供給されており、電解めっき液Ｌの第二槽１４から槽１１への供給量は、槽１１から排出される電解めっき液Ｌの量よりも多い。従って、槽１１の上部からは、電解めっき液Ｌがオーバーフローする。オーバーフローした電解めっき液Ｌは、矢印Ｙ２方向に流れ、第二槽１４で回収される。
さらに、第二槽１４には、槽１１の排出口１１２からの電解めっき液Ｌが供給される。
第二槽１４内の電解めっき液Ｌは、配管１６およびポンプＰ１を介して再度槽１１に供給されることとなる。
なお、必要に応じて、第二槽１４内の電解めっき液Ｌの金属濃度等を分析し、第二槽１４内の電解めっき液Ｌの金属濃度等を調整してもよい。
【００１９】
以上のような電解めっきの工程により、図５（Ａ）に示すように、孔２０１内にビアとなる導電体２６が形成されるとともに、金属膜２２上に電解めっきによる金属膜が形成される（金属膜２３は、金属膜２２と金属膜２２上のめっき膜を示す）。
【００２０】
次に、槽１１から電解めっきが施された基板２を取り出し、洗浄する。
その後、マスクＭが形成されていた部分の金属膜２２をフラッシュエッチングにより除去し、図５（Ｂ）に示すように、第一回路層２５、第二回路層２４を形成する。
以上の工程により、基板２に対し電解めっき処理したフレキシブル回路基板２７を得ることができる。
【００２１】
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態では、基板２を槽１１内の電解めっき液Ｌ中に浸漬させた状態で、槽１１内の電解めっき液Ｌを鉛直方向上方側から、下方側に向かって基板２の基板面に沿って流している。
これにより基板２表面付近で電解めっき液Ｌが滞留してしまうことが防止され、基板２には、常に新鮮な電解めっき液Ｌが接触することとなる。これにより、基板２に対し所望のめっき膜を安定的に成膜することができる。
【００２２】
また、本実施形態では、槽１１内の電解めっき液Ｌを鉛直方向上方側から、下方側に向かって流している。電解めっき液Ｌが重力に従って流れることとなるので、電解めっき液Ｌをスムーズに流すことができる。また、電解めっき液Ｌを重力に従って流すことで、電解めっき液Ｌの流れが安定したものとなる。
さらに、電解めっき液Ｌを鉛直方向上方側から、下方側に向かって重力に従って流すことで、処理装置１の装置構成の複雑化を抑制できる。図２に示すような、電解めっき液Ｌを槽１１から排出するためのポンプＰ２を使用した場合であっても、ポンプＰ２を吸引力が比較的大きいポンプとしなくても、槽１１から電解めっき液Ｌを排出させることができる。
【００２３】
さらに、本実施形態では、基板２を槽１１内の電解めっき液Ｌ中に浸漬させた状態で、槽１１内の電解めっき液Ｌを鉛直方向上方側から、下方側に向かって基板２の基板面に沿って流し、排出している。
これにより、電解めっき液Ｌ中に異物が混入していても、槽１１内から異物を排出することができる。そのため基板２に異物が付着することを抑制することができる。
【００２４】
また、本実施形態では、基板２はフレキシブル回路基板用の基板であり、その厚みが１０〜２００μｍと比較的薄いものとなっている。
このような基板２を電解めっきＬ中に浸漬させた場合、電解めっき液Ｌ中で基板２がふらついてしまう。そのため、基板２が陽極に近づいたり、離れたりすることで、基板２に対し所望の電解めっきを施すことが難しいことがある。
これに対し、本実施形態では、基板２を電解めっき液Ｌ中で浸漬させた状態で、電解めっき液Ｌを流している。基板２の一方の基板面側および他方の基板面側で、電解めっき液Ｌが鉛直方向上方側から、下方側に向かって流れるため、基板２が電解めっき液Ｌ中でふらつくことが防止される。これにより、基板２に対し所望の電解めっきを施すことができる。また、基板２のふらつきを防止できるので、基板２にしわが発生したり、基板２が破損してしまうことを抑制することができる。
【００２５】
さらに、本実施形態では、槽１１から電解めっき液Ｌをオーバーフローさせて電解めっきを行っている。オーバーフローさせることで、基板２が電解めっき液Ｌに浸漬した状態を確実に維持しながら電解めっきを基板２に対し施すことができる。
【００２６】
また、本実施形態では、槽１１内に基板２を一枚配置して、電解めっきを行っている。そのため、槽１１は、基板２を配置でき、基板２の基板面側で電解めっき液Ｌを流すことができる程度の大きさでよい。これにより、処理装置１の大型化を抑制することができる。
【００２７】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、前記実施形態では、本発明の処理装置は、電解めっき装置１であるとしたが、これに限られるものではない。図６に示すように、処理装置１の陽極を取り除き、本発明の処理装置を無電解めっき装置１Ａとしてもよい。
図６に示す処理装置１Ａは、処理装置１から陽極を取り除いた点以外は、処理装置１と同じである。第二槽１４、槽１１内には、無電解めっき液Ｌが充填されている。
また、図６に示す処理装置１Ａを基板表面の金属層等をエッチングするエッチング装置としてもよい。さらに、処理装置１Ａを現像装置としてもよい。基板表面の感光性樹脂層に光を照射し、未露光部分を除去するための現像液を第二槽１４、槽１１内に充填し、処理装置１Ａにより、基板表面の感光性樹脂層の未露光部分を除去してもよい。
さらに、処理装置１Ａを、基板に形成されたマスク等を剥離処理する剥離装置としてもよい。この場合には、マスク等を剥離するための剥離液を第二槽１４、槽１１内に充填すればよい。
【００２８】
また、図７に示すように、本発明の処理装置を水洗装置１Ｂとしてもよい。水洗装置１Ｂは、処理装置１の陽極を取り除くとともに、槽１４Ａ〜１４Ｃを設けた点以外は、処理装置１と同じ構成である。
水洗装置１Ｂの第二槽１４Ａ内には基板洗浄前の水が充填されている。
第二槽１４Ａから槽１１へ水が供給され、槽１１内で水が鉛直方向上方側から下方側にむかって流れ、基板２が洗浄される。
その後、排出口１１２からは洗浄後の水が排出され第三槽１４Ｂに供給される。
第三槽１４Ｂ内の水は、第四槽（浄化槽）１４Ｃに供給され、第四槽１４Ｃ内で水が清浄化され、金属等の不純物が除去される。第四槽１４Ｃ内で清浄化された水は、第二槽１４Ａに供給される。第二槽１４Ａに供給された水は、再度槽１１に供給されることととなる。
このような水洗装置１Ｂにおいては、基板２には常にきれいな水が接触することとなり、基板２が汚染されてしまうことを防止できる。
さらには、基板を水槽に単に浸漬させて水洗する方法では、一つの水槽で確実に洗浄することが難しく、水槽を複数設けて、多段階で水洗する必要がある。
これに対し、水洗装置１Ｂを使用すれば、基板２には常にきれいな水が接触するため、多段階で水洗を行う必要がなく、基板２の処理プロセスを簡略化することができる。
なお、水洗装置１Ｂにおいて、第三槽１４Ｂ内の水を第四槽１４Ｃにて清浄化せずに、廃棄してもよい。
また、処理装置１Ａ、１Ｂにおいて、図２と同様に、排出口１１２に配管１７およびポンプＰ２を接続してもよい。
【００２９】
さらに、図８に示すように、処理装置１Ａの槽１１の開口を蓋材１８（加圧手段）で塞ぎ、槽１１内の液に対し、上方から圧力をかけて、排出口から排出される液体Ｌの流速を調整してもよい。この場合、保持部１３Ｂで基板２を保持する。
処理装置１Ｂや処理装置１においても、同様に、槽１１の開口を蓋材で塞ぎ、槽１１内の液体に対し、上方から圧力をかけて、排出口から排出される液体の流速を調整してもよい。
この場合においても、図２と同様に、排出口１１２に配管１７およびポンプＰ２を接続してもよい。
【００３０】
さらに、図９に示すように、処理装置１Ａ内の基板２に対し、基板２の処理中（液体Ｌを基板上方側から下方側に向かって基板面に沿って流す際）に振動（超音波振動）を加えてもよい。符号１９は超音波振動発生装置であり、矢印Ｙ３は、超音波振動発生装置からの超音波を意味する。
このようにすることで、基板２に付着した気泡を除去することができる。この場合においても、図２と同様に、排出口１１２に配管１７およびポンプＰ２を接続してもよい。
なお、処理装置１、１Ｂにおいても、超音波振動発生装置１９を設けてもよい。
【００３１】
さらに、前記実施形態では、処理装置１の槽１１内に一枚の基板２を配置し、基板２の一対の基板面に対し電解めっき処理したが、これに限られるものではない。
たとえば、図１０に示すように、板状の保持部１３Ａの表裏面にそれぞれ基板２を配置して、一対の基板２それぞれの一方の基板面に電解めっきを施してもよい。なお、処理装置１Ａ、１Ｂ等においても、保持部１３にかえて、保持部１３Ａを使用し、一対の基板２それぞれの一方の基板面に電解めっきを施してもよい。
【００３２】
また、前記実施形態では、基板２の孔２０１内にも電解めっきを施したが、孔２０１が形成されていない基板表面に電解めっきを施してもよい。処理装置１Ａ、１Ｂにおいても同様であり、孔２０１が形成されていない基板表面を処理してもよい。
さらに、前記実施形態では、基板２をフレキシブル回路基板用の基板としたが、これに限らず、リジッド回路基板用の基板を使用してもよい。
また、前記実施形態では、基板２の基板面が鉛直方向と平行となるように、基板２が槽内に配置されていたが、これに限らず、たとえば、図１１に示すように、基板２の基板面が鉛直方向に対し傾斜するように基板２を配置してもよい。このように基板２を傾斜して配置した場合であっても、前記実施形態と同様の効果を奏することができる。
【符号の説明】
【００３３】
１ 処理装置
１Ａ 処理装置
１Ｂ 処理装置
２ 基板
１１ 槽
１２ 陽極
１３ 保持部
１３Ａ 保持部
１３Ｂ 保持部
１４ 第二槽
１４Ａ 第二槽
１４Ｂ 第三槽
１４Ｃ 第四槽
１５ バブリング装置
１６ 配管
１７ 配管
１８ 蓋材
１９ 超音波振動発生装置
２０ 基材
２１ 絶縁層
２２ 金属膜
２３ 金属膜
２４ 第二回路層
２５ 第一回路層
２６ 導電体
２７ フレキシブル回路基板
１１１ 供給口
１１２ 排出口
２０１ 孔
Ｌ 液体
Ｍ マスク
Ｐ１ ポンプ
Ｐ２ ポンプ
Ｙ１ 矢印
Ｙ２ 矢印
Ｙ３ 矢印
Ｆ フィルター
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の処理方法および処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、回路基板は、以下のようにして製造されている。
基材の両面に銅箔が貼り付けられた両面銅貼積層板を用意する。この両面銅貼積層板にビアホールを形成し、さらに、ビアホールおよび両面銅貼積層板上にめっきを行う。その後、両面銅貼積層板を加工して回路を形成する（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−１８６７３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の基板の製造方法では、めっきを行う際に、両面銅貼積層板をめっき液に浸漬させている。しかしながら、この製造方法では、所望のめっき膜を安定的に得ることが難しかった。
所望のめっき膜が得られない原因としては、めっき液の滞留や、異物の付着等が考えられる。
めっき液をバブリング等で撹拌することも行われているが、めっき槽は比較的大きいため、バブリング等で撹拌しても、めっき液の滞留や、異物の付着を確実に抑制することは非常に困難であった。
なお、このように、滞留が生じるという課題、異物が付着するという課題は、めっきを行う場合のみならず、両面銅貼積層板を水に浸して水洗する場合や、エッチング液に両面銅貼積層板を浸してエッチングを行う場合等にも生じる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によれば、基板に対し液体を接触させて、前記基板を処理する基板の処理方法であって、
前記基板の基板面が鉛直方向と平行または、鉛直方向に対し傾斜するように、槽内に前記基板を配置する工程と、
前記基板を前記槽内の前記液体中に浸漬させるとともに、前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す工程と、
前記基板面に沿って流れた前記液体を前記槽から排出する工程とを含む基板の処理方法が提供される。
【０００６】
この発明によれば、基板を槽内の液体中に浸漬させた状態で、槽内の液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって基板の基板面に沿って流している。
これにより基板表面付近で液体が滞留してしまうことが防止され、基板に対し、所望の処理を安定的に実施することができる。
さらに、本発明では、槽内の液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって流している。液体が重力に従って流れることとなるので、液体をスムーズに流すことができる。
また、本発明では、槽内の液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって基板の基板面に沿って流すことで、液体中の異物を槽から排出することができる。これにより、基板に異物が付着することを抑制でき、所望の処理を安定的に実施することができる。
【０００７】
さらに、本発明によれば、基板に対し液体を接触させて、前記基板を処理する基板の処理装置において、
内部に前記液体が供給されるとともに、供給された前記液体に前記基板を浸積させる槽と、
前記槽内部に配置される前記基板の基板面が鉛直方向に平行あるいは、鉛直方向に対し傾斜するように前記基板を保持する保持部とを備え、
前記槽の前記液体の供給口は、前記保持部で保持された前記基板よりも鉛直方向上方にあり、
前記槽の前記液体の排出口は、前記保持部で保持された前記基板よりも鉛直方向下方にあり、
前記液体を前記槽の供給口から前記排出口に向かって前記液体を流すと、前記液体が、鉛直方向上方側から下方側に向かって前記基板面に沿って流れるように構成される基板の処理装置も提供することができる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、所望の処理を安定的に実施することができる基板の処理方法および処理装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態にかかる処理装置を示す断面図である。
【図２】本発明の処理装置の変形例を示す断面図である。
【図３】本発明の処理装置の変形例を示す断面図である。
【図４】フレキシブル回路基板の製造工程を示す工程断面図である。
【図５】フレキシブル回路基板の製造工程を示す工程断面図である。
【図６】本発明の処理装置の変形例を示す断面図である。
【図７】本発明の処理装置の変形例を示す断面図である。
【図８】本発明の処理装置の変形例を示す断面図である。
【図９】本発明の処理装置の変形例を示す断面図である。
【図１０】本発明の処理装置の変形例を示す断面図である。
【図１１】本発明の処理装置の変形例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
はじめに、図１を参照して、本実施形態の基板の処理装置１の概要について説明する。
処理装置１は、基板２に対し液体Ｌを接触させて、基板２を処理する装置である。処理装置１は、内部に液体Ｌが供給されるとともに、供給された液体Ｌに基板２を浸積させる槽１１と、槽１１内部に配置される基板２の基板面が鉛直方向に略平行となるように前記基板２を保持する保持部１３とを備える。
槽１１の液体Ｌの供給口１１１は、保持部１３で保持された基板２よりも鉛直方向上方にあり、槽１１の液体Ｌの排出口１１２は、保持部１３で保持された基板２よりも鉛直方向下方にある。
処理装置１は、槽１１の供給口１１１から排出口１１２に向かって液体Ｌを流すと、液体Ｌが、鉛直方向上方側から下方側に向かって基板面に沿って流れるように構成されている。
【００１１】
次に、処理装置１について詳細に説明する。
液体Ｌは薬液、本実施形態では、電解めっき液Ｌである。すなわち、処理装置１は、本実施形態では電解めっき装置である。
槽１１は、たとえば、硬質塩ビ槽である。
槽１１には、電解めっき液Ｌが供給される。槽１１の側面には、電解めっき液Ｌの供給口１１１が形成されている。この供給口１１１は、槽１１内に配置される基板２よりも鉛直方向上方に位置する。
また、槽１１の底面には、電解めっき液Ｌの排出口１１２が形成されている。排出口１１２は、本実施形態では、槽１１の底面に複数個形成されている。このように複数個排出口１１２を形成することで、電解めっき液Ｌを基板２の基板面に沿ってスムーズに排出することができる。ただし、排出口１１２は一つであってもよい。
排出口１１２は、槽１１内に配置される基板２よりも鉛直方向下方側に位置する。また、排出口１１２は、供給口１１１よりも鉛直方向下方側に位置している。
なお、必要に応じて、図２に示すように、排出口１１２に、配管１７およびポンプＰ２を接続し、ポンプＰ２で電解めっき液Ｌを吸引することで、排出口１１２から排出される電解めっき液Ｌの流速を調整してもよい。
なお、本実施形態では、排出口１１２と、第二槽１４とは配管で接続されておらず、排出口１１２から排出される電解めっき液Ｌは、第二槽１４内に自然落下する。
また、必要に応じて、槽１１から排出される電解めっき液Ｌの量を調整する調整手段を設けてもよい。たとえば、一部の排出口１１２をふさぐ栓を前記調整手段として設けてもよく、また、排出口１１２の大きさを調整する調整手段（たとえば、排出口１１２の一部をふさぎ、排出口１１２の開口度合いを調整する板材）を設けてもよい。
なお、本実施形態では、電解めっきを行う際、槽１１内には、基板２が一枚配置される。
【００１２】
この槽１１内には、複数の陽極１２が設置されている。本実施形態では、陽極１２は２つ設置されている。一方の陽極１２は、槽１１内に配置された基板２の一方の基板面と対向するように配置され、他方の陽極１２は、槽１１内に配置された基板２の他方の基板面と対向するように配置されている。陽極１２は、たとえば、含リン銅である。
【００１３】
保持部１３は、基板２を保持するとともに、基板２表面の金属膜２２（図４（Ｂ）参照）を図示しない陰極に接続するものである。保持部１３は、たとえば、基板２の上端部を挟む挟持部を備えたものであり、金属等の導電性材料で構成される。保持部１３は、基板２を保持し上下方向に駆動可能であり、槽１１内に基板２を配置したり、槽１１から基板２を除去したりする。
保持部１３に保持された基板２は、基板面が鉛直方向と略平行となるように槽１１内に配置されることとなる。
【００１４】
処理装置１は、槽１１へ供給するための電解めっき液Lが充填された第二槽（調整槽）１４を備える。第二槽１４は、槽１１からオーバーフローした電解めっき液Lを受ける役割も果たすため、第二槽１４は槽１１の鉛直方向下方側に配置される。
ここで、図３に示すように、第二槽１４内の電解めっき液Ｌを撹拌するために、バブリング装置１５を第二槽１４に接続してもよい。このようにすることで、第二槽１４内の電解めっき液Ｌの濃度を均一なものとすることができる。なお、バブリング装置１５は、図２に示す処理装置１に設けてもよい。
第二槽１４の電解めっき液の排出口と、槽１１の供給口１１１とは、配管１６で接続されている。配管１６および配管１６に接続されているポンプＰ１を介して電解めっき液Ｌが第二槽１４から槽１１へと供給される。
なお、配管１６には、フィルターＦが設けられている。配管１６を通る電解めっき液Ｌ中の異物をフィルターＦで除去することができる。
【００１５】
次に、処理装置１を使用した基板２の処理方法について説明する。
はじめに、図４（Ａ）に示すような基材２０を用意する。
この基材２０は、絶縁層２１と、この絶縁層２１の表裏面に貼り付けられた金属膜２２（たとえば、銅膜）とを有する。絶縁層２１の厚みは、たとえば、５μｍ以上、１００μｍ以下であり、金属膜２２の厚みは、たとえば、１μｍ以上、５０μｍ以下である。基材２０全体の厚みは、たとえば、１０μｍ以上、２００μｍ以下である。
【００１６】
次に、図４（Ｂ）に示すように、一方の金属膜２２および絶縁層２１を貫通する孔２０１を形成する。一方の金属膜２２を貫通する孔は、エッチングにより形成し、その後、絶縁層２１を貫通する孔をレーザで形成してもよい。
次に、金属膜２２上および孔２０１内部に無電解めっきを施す。これにより、基板２が得られる。
【００１７】
その後、基板２上に金属膜２２の一部を被覆するマスクＭを配置し、処理装置１を使用して、孔２０１内部および金属膜２２上に電解めっきを施す（図５（Ａ）参照）。
はじめに、第二槽１４から槽１１へ、配管１６およびポンプＰ１を介して、電解めっき液Ｌを供給する。槽１１内を電解めっき液Ｌで満たしておく。
その後、基板２を保持部１３に保持させて、基板２を槽１１内に配置し、基板２を電解めっき液Ｌ中に浸漬させる。このとき、基板２の基板面が鉛直方向と略平行方向となるように、基板２が槽１１内に配置される。その後、陰極（図示略）および陽極１２間を通電することで、基板２に対する電解めっきが開始される。電解めっきを行う際、第二槽１４から槽１１へは随時電解めっき液Lが供給される。これにより、槽１１内の電解めっき液Lは、鉛直方向上側から、鉛直方向下側に向かって、流れることとなる（矢印Ｙ１参照）。鉛直方向上側から鉛直方向下側に向かって流れる電解めっき液Ｌは、基板２の一対の基板面に沿って流れ、さらには、孔２０１内部にも供給される。
また、電解めっきを行う間、基板２全体が電解めっき液Ｌ中に浸漬した状態となる。
【００１８】
さらに、電解めっきを行う際、第二槽１４から槽１１へは随時電解めっき液Lが供給されており、電解めっき液Ｌの第二槽１４から槽１１への供給量は、槽１１から排出される電解めっき液Ｌの量よりも多い。従って、槽１１の上部からは、電解めっき液Ｌがオーバーフローする。オーバーフローした電解めっき液Ｌは、矢印Ｙ２方向に流れ、第二槽１４で回収される。
さらに、第二槽１４には、槽１１の排出口１１２からの電解めっき液Ｌが供給される。
第二槽１４内の電解めっき液Ｌは、配管１６およびポンプＰ１を介して再度槽１１に供給されることとなる。
なお、必要に応じて、第二槽１４内の電解めっき液Ｌの金属濃度等を分析し、第二槽１４内の電解めっき液Ｌの金属濃度等を調整してもよい。
【００１９】
以上のような電解めっきの工程により、図５（Ａ）に示すように、孔２０１内にビアとなる導電体２６が形成されるとともに、金属膜２２上に電解めっきによる金属膜が形成される（金属膜２３は、金属膜２２と金属膜２２上のめっき膜を示す）。
【００２０】
次に、槽１１から電解めっきが施された基板２を取り出し、洗浄する。
その後、マスクＭが形成されていた部分の金属膜２２をフラッシュエッチングにより除去し、図５（Ｂ）に示すように、第一回路層２５、第二回路層２４を形成する。
以上の工程により、基板２に対し電解めっき処理したフレキシブル回路基板２７を得ることができる。
【００２１】
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態では、基板２を槽１１内の電解めっき液Ｌ中に浸漬させた状態で、槽１１内の電解めっき液Ｌを鉛直方向上方側から、下方側に向かって基板２の基板面に沿って流している。
これにより基板２表面付近で電解めっき液Ｌが滞留してしまうことが防止され、基板２には、常に新鮮な電解めっき液Ｌが接触することとなる。これにより、基板２に対し所望のめっき膜を安定的に成膜することができる。
【００２２】
また、本実施形態では、槽１１内の電解めっき液Ｌを鉛直方向上方側から、下方側に向かって流している。電解めっき液Ｌが重力に従って流れることとなるので、電解めっき液Ｌをスムーズに流すことができる。また、電解めっき液Ｌを重力に従って流すことで、電解めっき液Ｌの流れが安定したものとなる。
さらに、電解めっき液Ｌを鉛直方向上方側から、下方側に向かって重力に従って流すことで、処理装置１の装置構成の複雑化を抑制できる。図２に示すような、電解めっき液Ｌを槽１１から排出するためのポンプＰ２を使用した場合であっても、ポンプＰ２を吸引力が比較的大きいポンプとしなくても、槽１１から電解めっき液Ｌを排出させることができる。
【００２３】
さらに、本実施形態では、基板２を槽１１内の電解めっき液Ｌ中に浸漬させた状態で、槽１１内の電解めっき液Ｌを鉛直方向上方側から、下方側に向かって基板２の基板面に沿って流し、排出している。
これにより、電解めっき液Ｌ中に異物が混入していても、槽１１内から異物を排出することができる。そのため基板２に異物が付着することを抑制することができる。
【００２４】
また、本実施形態では、基板２はフレキシブル回路基板用の基板であり、その厚みが１０〜２００μｍと比較的薄いものとなっている。
このような基板２を電解めっきＬ中に浸漬させた場合、電解めっき液Ｌ中で基板２がふらついてしまう。そのため、基板２が陽極に近づいたり、離れたりすることで、基板２に対し所望の電解めっきを施すことが難しいことがある。
これに対し、本実施形態では、基板２を電解めっき液Ｌ中で浸漬させた状態で、電解めっき液Ｌを流している。基板２の一方の基板面側および他方の基板面側で、電解めっき液Ｌが鉛直方向上方側から、下方側に向かって流れるため、基板２が電解めっき液Ｌ中でふらつくことが防止される。これにより、基板２に対し所望の電解めっきを施すことができる。また、基板２のふらつきを防止できるので、基板２にしわが発生したり、基板２が破損してしまうことを抑制することができる。
【００２５】
さらに、本実施形態では、槽１１から電解めっき液Ｌをオーバーフローさせて電解めっきを行っている。オーバーフローさせることで、基板２が電解めっき液Ｌに浸漬した状態を確実に維持しながら電解めっきを基板２に対し施すことができる。
【００２６】
また、本実施形態では、槽１１内に基板２を一枚配置して、電解めっきを行っている。そのため、槽１１は、基板２を配置でき、基板２の基板面側で電解めっき液Ｌを流すことができる程度の大きさでよい。これにより、処理装置１の大型化を抑制することができる。
【００２７】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、前記実施形態では、本発明の処理装置は、電解めっき装置１であるとしたが、これに限られるものではない。図６に示すように、処理装置１の陽極を取り除き、本発明の処理装置を無電解めっき装置１Ａとしてもよい。
図６に示す処理装置１Ａは、処理装置１から陽極を取り除いた点以外は、処理装置１と同じである。第二槽１４、槽１１内には、無電解めっき液Ｌが充填されている。
また、図６に示す処理装置１Ａを基板表面の金属層等をエッチングするエッチング装置としてもよい。さらに、処理装置１Ａを現像装置としてもよい。基板表面の感光性樹脂層に光を照射し、未露光部分を除去するための現像液を第二槽１４、槽１１内に充填し、処理装置１Ａにより、基板表面の感光性樹脂層の未露光部分を除去してもよい。
さらに、処理装置１Ａを、基板に形成されたマスク等を剥離処理する剥離装置としてもよい。この場合には、マスク等を剥離するための剥離液を第二槽１４、槽１１内に充填すればよい。
【００２８】
また、図７に示すように、本発明の処理装置を水洗装置１Ｂとしてもよい。水洗装置１Ｂは、処理装置１の陽極を取り除くとともに、槽１４Ａ〜１４Ｃを設けた点以外は、処理装置１と同じ構成である。
水洗装置１Ｂの第二槽１４Ａ内には基板洗浄前の水が充填されている。
第二槽１４Ａから槽１１へ水が供給され、槽１１内で水が鉛直方向上方側から下方側にむかって流れ、基板２が洗浄される。
その後、排出口１１２からは洗浄後の水が排出され第三槽１４Ｂに供給される。
第三槽１４Ｂ内の水は、第四槽（浄化槽）１４Ｃに供給され、第四槽１４Ｃ内で水が清浄化され、金属等の不純物が除去される。第四槽１４Ｃ内で清浄化された水は、第二槽１４Ａに供給される。第二槽１４Ａに供給された水は、再度槽１１に供給されることととなる。
このような水洗装置１Ｂにおいては、基板２には常にきれいな水が接触することとなり、基板２が汚染されてしまうことを防止できる。
さらには、基板を水槽に単に浸漬させて水洗する方法では、一つの水槽で確実に洗浄することが難しく、水槽を複数設けて、多段階で水洗する必要がある。
これに対し、水洗装置１Ｂを使用すれば、基板２には常にきれいな水が接触するため、多段階で水洗を行う必要がなく、基板２の処理プロセスを簡略化することができる。
なお、水洗装置１Ｂにおいて、第三槽１４Ｂ内の水を第四槽１４Ｃにて清浄化せずに、廃棄してもよい。
また、処理装置１Ａ、１Ｂにおいて、図２と同様に、排出口１１２に配管１７およびポンプＰ２を接続してもよい。
【００２９】
さらに、図８に示すように、処理装置１Ａの槽１１の開口を蓋材１８（加圧手段）で塞ぎ、槽１１内の液に対し、上方から圧力をかけて、排出口から排出される液体Ｌの流速を調整してもよい。この場合、保持部１３Ｂで基板２を保持する。
処理装置１Ｂや処理装置１においても、同様に、槽１１の開口を蓋材で塞ぎ、槽１１内の液体に対し、上方から圧力をかけて、排出口から排出される液体の流速を調整してもよい。
この場合においても、図２と同様に、排出口１１２に配管１７およびポンプＰ２を接続してもよい。
【００３０】
さらに、図９に示すように、処理装置１Ａ内の基板２に対し、基板２の処理中（液体Ｌを基板上方側から下方側に向かって基板面に沿って流す際）に振動（超音波振動）を加えてもよい。符号１９は超音波振動発生装置であり、矢印Ｙ３は、超音波振動発生装置からの超音波を意味する。
このようにすることで、基板２に付着した気泡を除去することができる。この場合においても、図２と同様に、排出口１１２に配管１７およびポンプＰ２を接続してもよい。
なお、処理装置１、１Ｂにおいても、超音波振動発生装置１９を設けてもよい。
【００３１】
さらに、前記実施形態では、処理装置１の槽１１内に一枚の基板２を配置し、基板２の一対の基板面に対し電解めっき処理したが、これに限られるものではない。
たとえば、図１０に示すように、板状の保持部１３Ａの表裏面にそれぞれ基板２を配置して、一対の基板２それぞれの一方の基板面に電解めっきを施してもよい。なお、処理装置１Ａ、１Ｂ等においても、保持部１３にかえて、保持部１３Ａを使用し、一対の基板２それぞれの一方の基板面に電解めっきを施してもよい。
【００３２】
また、前記実施形態では、基板２の孔２０１内にも電解めっきを施したが、孔２０１が形成されていない基板表面に電解めっきを施してもよい。処理装置１Ａ、１Ｂにおいても同様であり、孔２０１が形成されていない基板表面を処理してもよい。
さらに、前記実施形態では、基板２をフレキシブル回路基板用の基板としたが、これに限らず、リジッド回路基板用の基板を使用してもよい。
また、前記実施形態では、基板２の基板面が鉛直方向と平行となるように、基板２が槽内に配置されていたが、これに限らず、たとえば、図１１に示すように、基板２の基板面が鉛直方向に対し傾斜するように基板２を配置してもよい。このように基板２を傾斜して配置した場合であっても、前記実施形態と同様の効果を奏することができる。
【符号の説明】
【００３３】
１ 処理装置
１Ａ 処理装置
１Ｂ 処理装置
２ 基板
１１ 槽
１２ 陽極
１３ 保持部
１３Ａ 保持部
１３Ｂ 保持部
１４ 第二槽
１４Ａ 第二槽
１４Ｂ 第三槽
１４Ｃ 第四槽
１５ バブリング装置
１６ 配管
１７ 配管
１８ 蓋材
１９ 超音波振動発生装置
２０ 基材
２１ 絶縁層
２２ 金属膜
２３ 金属膜
２４ 第二回路層
２５ 第一回路層
２６ 導電体
２７ フレキシブル回路基板
１１１ 供給口
１１２ 排出口
２０１ 孔
Ｌ 液体
Ｍ マスク
Ｐ１ ポンプ
Ｐ２ ポンプ
Ｙ１ 矢印
Ｙ２ 矢印
Ｙ３ 矢印
Ｆ フィルター
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対し液体を接触させて、前記基板を処理する基板の処理方法であって、
前記基板の基板面が鉛直方向と平行または鉛直方向に対し傾斜するように、槽内に前記基板を配置する工程と、
前記基板を前記槽内の前記液体中に浸漬させるとともに、前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す工程と、
前記基板面に沿って流れた前記液体を前記槽から排出する工程とを含む基板の処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基板の処理方法において、
前記液体は薬液であり、
前記槽から排出された前記薬液を調整槽にて回収する工程と、
前記調整槽中で前記薬液の濃度を調整し、再度、前記槽内に前記薬液を供給し、
前記薬液を前記基板の基板面に沿って流す前記工程と、
前記基板面に沿って流れた前記薬液を前記槽から排出する前記工程とを再度実施する基板の処理方法。
【請求項３】
請求項２に記載の基板の処理方法において、
前記薬液は、めっき液であり、
前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す前記工程では、
前記薬液を前記基板の基板面に沿って流すことで、前記基板にめっき処理を行う基板の処理方法。
【請求項４】
請求項１に記載の基板の処理方法において、
前記液体は水であり、
前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す前記工程では、
前記水を前記基板の基板面に沿って流すことで、前記基板の洗浄を行い、
前記基板面に沿って流れた前記水を前記槽から排出する前記工程の後段で、
前記水を回収して、再度、前記槽内に供給する基板の処理方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の基板の処理方法において、
前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す前記工程では、
前記基板を振動させる基板の処理方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の基板の処理方法において、
前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す前記工程では、
前記槽内に設置された前記基板よりも鉛直方向下方側に位置する部分に形成された排出口に液体排出用のポンプを接続し、
前記ポンプにより、前記槽内の液体を吸引して、前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す基板の処理方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の基板の処理方法において、
前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す前記工程では、
前記槽内の前記液体を鉛直方向上方側から下方側に向かって加圧して、前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す基板の処理方法。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれかに記載の基板の処理方法において、
前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す前記工程において、
前記槽から前記液体をオーバーフローさせながら、前記液体を前記基板の基板面に沿って前記槽内で前記液体を流す基板の処理方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の基板の処理方法において、
前記基板は、厚みが１０〜２００μｍである基板の処理方法。
【請求項１０】
基板に対し液体を接触させて、前記基板を処理する基板の処理装置において、
内部に前記液体が供給されるとともに、供給された前記液体に前記基板を浸積させるための槽と、
前記槽内部に配置される前記基板の基板面が鉛直方向に平行あるいは、鉛直方向に対し傾斜するように前記基板を保持する保持部とを備え、
前記槽の前記液体の供給口は、前記保持部で保持された前記基板よりも鉛直方向上方にあり、
前記槽の前記液体の排出口は、前記保持部で保持された前記基板よりも鉛直方向下方にあり、
前記液体を前記槽の供給口から前記排出口に向かって前記液体を流すと、前記液体が、鉛直方向上方側から下方側に向かって前記基板面に沿って流れるように構成される基板の処理装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の基板の処理装置において、
前記液体は、薬液であり、
前記槽から排出された薬液を回収し、前記薬液の濃度を調整するための調整槽と、
前記調整槽内の薬液を前記槽内に供給する供給手段とを備える基板の処理装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の基板の処理装置において、
前記薬液はめっき液であり、
当該基板の処理装置はめっき装置である基板の処理装置。
【請求項１３】
請求項１０に記載の基板の処理装置において、
前記液体は水であり、
前記槽の排出口から排出された水を回収する回収手段と、
回収した水を浄化する浄化手段とを備える処理装置。
【請求項１４】
請求項１０乃至１３のいずれかに記載の基板の処理装置において、
前記槽内の前記基板を振動させるための振動手段を備える基板の処理装置。
【請求項１５】
請求項１０乃至１４のいずれかに記載の基板の処理装置において、
前記排出口に液体排出用のポンプを接続し、
前記ポンプにより、前記槽内の液体を吸引する基板の処理装置。
【請求項１６】
請求項１０乃至１５のいずれかに記載の基板の処理装置において、
前記槽内の前記液体を鉛直方向上方側から下方に向かって加圧する加圧手段を備え、
前記加圧手段により、前記液体を加圧して、前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す基板の処理装置。
【請求項１７】
請求項１０乃至１５のいずれかに記載の基板の処理装置において、
前記槽はオーバーフロー槽である基板の処理装置。
【請求項１８】
請求項１０乃至１７のいずれかに記載の基板の処理装置において、
前記槽から排出される液体の量を調整する調整手段が設けられている基板の処理装置。
【請求項１９】
請求項１０乃至１８のいずれかに記載の基板の処理装置において、
処理対象となる前記基板は、厚みが１０〜２００μｍである基板の処理装置。
【請求項１】
基板に対し液体を接触させて、前記基板を処理する基板の処理方法であって、
前記基板の基板面が鉛直方向と平行または鉛直方向に対し傾斜するように、槽内に前記基板を配置する工程と、
前記基板を前記槽内の前記液体中に浸漬させるとともに、前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す工程と、
前記基板面に沿って流れた前記液体を前記槽から排出する工程とを含む基板の処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基板の処理方法において、
前記液体は薬液であり、
前記槽から排出された前記薬液を調整槽にて回収する工程と、
前記調整槽中で前記薬液の濃度を調整し、再度、前記槽内に前記薬液を供給し、
前記薬液を前記基板の基板面に沿って流す前記工程と、
前記基板面に沿って流れた前記薬液を前記槽から排出する前記工程とを再度実施する基板の処理方法。
【請求項３】
請求項２に記載の基板の処理方法において、
前記薬液は、めっき液であり、
前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す前記工程では、
前記薬液を前記基板の基板面に沿って流すことで、前記基板にめっき処理を行う基板の処理方法。
【請求項４】
請求項１に記載の基板の処理方法において、
前記液体は水であり、
前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す前記工程では、
前記水を前記基板の基板面に沿って流すことで、前記基板の洗浄を行い、
前記基板面に沿って流れた前記水を前記槽から排出する前記工程の後段で、
前記水を回収して、再度、前記槽内に供給する基板の処理方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の基板の処理方法において、
前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す前記工程では、
前記基板を振動させる基板の処理方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の基板の処理方法において、
前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す前記工程では、
前記槽内に設置された前記基板よりも鉛直方向下方側に位置する部分に形成された排出口に液体排出用のポンプを接続し、
前記ポンプにより、前記槽内の液体を吸引して、前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す基板の処理方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の基板の処理方法において、
前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す前記工程では、
前記槽内の前記液体を鉛直方向上方側から下方側に向かって加圧して、前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す基板の処理方法。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれかに記載の基板の処理方法において、
前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す前記工程において、
前記槽から前記液体をオーバーフローさせながら、前記液体を前記基板の基板面に沿って前記槽内で前記液体を流す基板の処理方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の基板の処理方法において、
前記基板は、厚みが１０〜２００μｍである基板の処理方法。
【請求項１０】
基板に対し液体を接触させて、前記基板を処理する基板の処理装置において、
内部に前記液体が供給されるとともに、供給された前記液体に前記基板を浸積させるための槽と、
前記槽内部に配置される前記基板の基板面が鉛直方向に平行あるいは、鉛直方向に対し傾斜するように前記基板を保持する保持部とを備え、
前記槽の前記液体の供給口は、前記保持部で保持された前記基板よりも鉛直方向上方にあり、
前記槽の前記液体の排出口は、前記保持部で保持された前記基板よりも鉛直方向下方にあり、
前記液体を前記槽の供給口から前記排出口に向かって前記液体を流すと、前記液体が、鉛直方向上方側から下方側に向かって前記基板面に沿って流れるように構成される基板の処理装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の基板の処理装置において、
前記液体は、薬液であり、
前記槽から排出された薬液を回収し、前記薬液の濃度を調整するための調整槽と、
前記調整槽内の薬液を前記槽内に供給する供給手段とを備える基板の処理装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の基板の処理装置において、
前記薬液はめっき液であり、
当該基板の処理装置はめっき装置である基板の処理装置。
【請求項１３】
請求項１０に記載の基板の処理装置において、
前記液体は水であり、
前記槽の排出口から排出された水を回収する回収手段と、
回収した水を浄化する浄化手段とを備える処理装置。
【請求項１４】
請求項１０乃至１３のいずれかに記載の基板の処理装置において、
前記槽内の前記基板を振動させるための振動手段を備える基板の処理装置。
【請求項１５】
請求項１０乃至１４のいずれかに記載の基板の処理装置において、
前記排出口に液体排出用のポンプを接続し、
前記ポンプにより、前記槽内の液体を吸引する基板の処理装置。
【請求項１６】
請求項１０乃至１５のいずれかに記載の基板の処理装置において、
前記槽内の前記液体を鉛直方向上方側から下方に向かって加圧する加圧手段を備え、
前記加圧手段により、前記液体を加圧して、前記液体を鉛直方向上方側から、下方側に向かって前記基板面に沿って流す基板の処理装置。
【請求項１７】
請求項１０乃至１５のいずれかに記載の基板の処理装置において、
前記槽はオーバーフロー槽である基板の処理装置。
【請求項１８】
請求項１０乃至１７のいずれかに記載の基板の処理装置において、
前記槽から排出される液体の量を調整する調整手段が設けられている基板の処理装置。
【請求項１９】
請求項１０乃至１８のいずれかに記載の基板の処理装置において、
処理対象となる前記基板は、厚みが１０〜２００μｍである基板の処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１１−１７６０８５（Ｐ２０１１−１７６０８５Ａ）
【公開日】平成２３年９月８日（２０１１．９．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−３８４６９（Ｐ２０１０−３８４６９）
【出願日】平成２２年２月２４日（２０１０．２．２４）
【出願人】（０００００２１４１）住友ベークライト株式会社 (2,927)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年９月８日（２０１１．９．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年２月２４日（２０１０．２．２４）
【出願人】（０００００２１４１）住友ベークライト株式会社 (2,927)
【Ｆターム（参考）】
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