基板の処理方法及び基板の処理装置
【課題】液体で基板に処理を施すときに処理のムラが発生しやすい。
【解決手段】処理液６３を噴射するノズル６５から処理液６３を基板３に向けて噴射させつつ、ノズル６５から噴射された処理液６３が基板３に到達する領域である到達領域の基板３に対する位置を基板３の平面方向に変化させた後に、基板３に付着している残留液６３ａを払うことを特徴とする基板の処理方法。
【解決手段】処理液６３を噴射するノズル６５から処理液６３を基板３に向けて噴射させつつ、ノズル６５から噴射された処理液６３が基板３に到達する領域である到達領域の基板３に対する位置を基板３の平面方向に変化させた後に、基板３に付着している残留液６３ａを払うことを特徴とする基板の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の処理方法及び基板の処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、基板にエッチング液を噴射して、この基板に配線パターンを形成する装置が知られている。
このような装置としては、従来、エッチング液を噴射するスプレーヘッドを、基板の搬送方向と直交する方向に往復移動させながら、このスプレーヘッドからエッチング液を噴射するものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−７６５７２号公報（第６頁、図６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、液体を噴射する噴射部から液体を噴射させながら噴射部を基板に交差させて１往復させるとき、噴射部の復路では、噴射部の往路で噴射された液体が基板に乗っている状態で液体が噴射される。つまり、噴射部の復路で噴射される液体は、噴射部の往路で噴射された液体に重なりやすい。
上記特許文献１に記載された装置では、基板上に残っているエッチング液に新たなエッチング液が重なりやすいので、エッチング処理にムラが発生しやすい。これにより、配線パターンの精度を向上させることが困難となる。
【０００５】
このように、液体を噴射する噴射部を基板に交差させて往復移動させる装置では、液体で基板に処理を施すときに処理のムラが発生しやすいという未解決の課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。
【０００７】
［適用例１］液体を噴射する噴射部から前記液体を基板に向けて噴射させつつ、前記噴射部から噴射された前記液体が前記基板に到達する領域である到達領域の前記基板に対する位置を前記基板の平面方向に変化させた後に、前記基板に付着している前記液体を払うことを特徴とする基板の処理方法。
【０００８】
適用例１の基板の処理方法では、液体を噴射する噴射部から液体を基板に向けて噴射させるので、基板を液体で処理することができる。この処理方法では、到達領域の基板に対する位置を基板の平面方向に変化させた後に、基板に付着している液体を払うので、基板に残留している液体を排除しやすい。このため、新たに液体を基板に向けて噴射するときに、基板に残留している液体に新たな液体が重なることを避けやすい。この結果、液体で基板に処理を施すときに、処理のムラを発生しにくくすることができる。
【０００９】
［適用例２］上記の基板の処理方法であって、前記到達領域の前記基板に対する前記位置を、前記到達領域によって前記基板に描かれる軌跡が前記基板をまたぐ距離にわたって変化させることを特徴とする基板の処理方法。
【００１０】
適用例２では、到達領域によって基板に描かれる軌跡が基板をまたぐ距離にわたるので、この距離にわたって基板に液体を噴きかけることができる。このため、基板をまたぐ距離にわたって基板に処理を施すことができる。
【００１１】
［適用例３］上記の基板の処理方法であって、前記到達領域の前記基板に対する前記位置を変化させる方向を第１方向として、前記基板を前記第１方向とは交差する第２方向に搬送しつつ、前記到達領域を前記基板に対して往復させることを特徴とする基板の処理方法。
【００１２】
適用例３では、基板を第１方向とは交差する第２方向に搬送しつつ到達領域を基板に対して往復させるので、効率よく基板を処理することができる。
【００１３】
［適用例４］上記の基板の処理方法であって、前記基板に気体を吹き付けて、前記液体を払うことを特徴とする基板の処理方法。
【００１４】
適用例４では、基板に気体を吹き付けて液体を払うので、基板が損傷することを避けやすくすることができる。
【００１５】
［適用例５］上記の基板の処理方法であって、前記到達領域の前記基板に対する前記位置を変化させながら、前記到達領域が前記基板に描く軌跡の上流側で前記基板に前記気体を吹き付けることを特徴とする基板の処理方法。
【００１６】
適用例５では、到達領域の基板に対する位置を変化させながら、基板に気体を吹き付けるので、処理にかかる時間を短縮しやすくすることができる。
【００１７】
［適用例６］上記の基板の処理方法であって、前記到達領域が前記基板に描く前記軌跡の下流側においても前記基板に気体を吹き付けることを特徴とする基板の処理方法。
【００１８】
適用例６では、到達領域が基板に描く軌跡の下流側においても基板に気体を吹き付けるので、噴きかけられた液体が軌跡の下流側で盛り上がることを避けやすくすることができる。このため、基板に噴きかけられた液体を軌跡の下流側に薄く広げやすくすることができ、軌跡の下流側で基板に残留している液体に新たな液体が重なることを避けやすい。この結果、液体で基板に処理を施すときに、処理のムラを一層発生しにくくすることができる。
【００１９】
［適用例７］上記の基板の処理方法であって、前記気体が空気であることを特徴とする基板の処理方法。
【００２０】
適用例７では、気体が空気であるので、簡易に液体を払うことができる。
【００２１】
［適用例８］上記の基板の処理方法であって、前記噴射部の前記基板に対する相対位置を変化させることで、前記到達領域の前記基板に対する前記位置を変化させることを特徴とする基板の処理方法。
【００２２】
適用例８では、噴射部の基板に対する相対位置を変化させることで、到達領域の基板に対する位置を変化させることができる。
【００２３】
［適用例９］上記の基板の処理方法であって、前記噴射部の前記基板に対する姿勢を変化させることで、前記到達領域の前記基板に対する前記位置を変化させることを特徴とする基板の処理方法。
【００２４】
適用例９では、噴射部の基板に対する姿勢を変化させることで、到達領域の基板に対する位置を変化させることができる。
【００２５】
［適用例１０］上記の基板の処理方法であって、前記基板には、導電性を有する導電膜が設けられており、前記液体が前記導電膜のエッチング液であることを特徴とする基板の処理方法。
【００２６】
適用例１０では、到達領域の基板に対する位置を変化させた後に、基板に付着している液体を払うので、基板に残留しているエッチング液を排除しやすい。このため、新たにエッチング液を基板に向けて噴射するときに、基板に残留しているエッチング液に新たなエッチング液が重なることを避けやすい。この結果、エッチング液で基板にエッチング処理を施すときに、処理のムラを発生しにくくすることができる。
【００２７】
［適用例１１］上記の基板の処理方法であって、前記基板には、感光性を有する樹脂膜が設けられており、前記液体が前記樹脂膜の現像液であることを特徴とする基板の処理方法。
【００２８】
適用例１１では、到達領域の基板に対する位置を変化させた後に、基板に付着している液体を払うので、基板に残留している現像液を排除しやすい。このため、新たに現像液を基板に向けて噴射するときに、基板に残留している現像液に新たな現像液が重なることを避けやすい。この結果、現像液で基板に現像処理を施すときに、処理のムラを発生しにくくすることができる。
【００２９】
［適用例１２］基板が載置される載置部と、前記載置部に向けて液体を噴射する噴射部と、前記噴射部から噴射された前記液体が、前記載置部に載置される前記基板の前記噴射部側の面によって空間的に規定される被噴射面に到達する領域である到達領域の前記載置部に対する位置を変化させる変位装置と、前記到達領域を追尾して前記基板に付着している前記液体を払う払装置と、を有することを特徴とする基板の処理装置。
【００３０】
適用例１２の基板の処理装置は、基板が載置される載置部と、載置部に向けて液体を噴射する噴射部と、変位装置と、払装置とを有している。変位装置は、到達領域の載置部に対する位置を変化させる。到達領域は、噴射部から噴射された液体が被噴射面に到達する領域である。被噴射面は、載置部に載置される基板の噴射部側の面によって空間的に規定される面である。払装置は、基板に付着している液体を払う。
そして、この処理装置では、払装置が到達領域を追尾するので、到達領域の載置部に対する位置が変化したときに基板に残留している液体が排除されやすい。このため、新たに液体を基板に向けて噴射するときに、基板に残留している液体に新たな液体が重なることを避けやすい。この結果、液体で基板に処理を施すときに、処理のムラを発生しにくくすることができる。
【００３１】
［適用例１３］上記の基板の処理装置であって、前記変位装置が前記到達領域の前記載置部に対する前記位置を変化させる方向を第１方向として、前記基板を前記第１方向とは交差する第２方向に搬送する搬送装置を有し、前記変位装置は、前記到達領域を前記載置部に対して往復させることを特徴とする基板の処理装置。
【００３２】
適用例１３の基板の処理装置は、基板を第１方向とは交差する第２方向に搬送する搬送装置を有している。そして、この処理装置では、変位装置は、到達領域を載置部に対して往復させるので、効率よく基板を処理することができる。
【００３３】
［適用例１４］上記の基板の処理装置であって、１つの前記噴射部に対して少なくとも２つの前記払装置を有しており、前記２つの払装置は、前記到達領域を前記第１方向に挟んだ状態で設けられていることを特徴とする基板の処理装置。
【００３４】
適用例１４の基板の処理装置は、１つの噴射部に対して少なくとも２つの払装置を有している。これらの２つの払装置は、到達領域を第１方向に挟んだ状態で設けられている。このため、到達領域を載置部に対して往復させるときの往路及び復路のそれぞれに各払装置を対応させることができる。
【００３５】
［適用例１５］上記の基板の処理装置であって、前記払装置は、前記基板に気体を吹き付けて前記液体を払うことを特徴とする基板の処理装置。
【００３６】
適用例１５では、払装置が基板に気体を吹き付けて液体を払うので、基板に損傷を与えることを避けやすくすることができる。
【００３７】
［適用例１６］上記の基板の処理装置であって、前記気体が空気であることを特徴とする基板の処理装置。
【００３８】
適用例１６では、気体が空気であるので、簡易に液体を払うことができる。
【００３９】
［適用例１７］上記の基板の処理装置であって、前記変位装置は、前記噴射部の前記載置部に対する相対位置を変化させることを特徴とする基板の処理装置。
【００４０】
適用例１７では、変位装置が噴射部の基板に対する相対位置を変化させるので、到達領域の基板に対する位置を変化させることができる。
【００４１】
［適用例１８］上記の基板の処理装置であって、前記変位装置は、前記噴射部の前記基板に対する姿勢を変化させることを特徴とする基板の処理装置。
【００４２】
適用例１８では、変位装置が噴射部の基板に対する姿勢を変化させるので、到達領域の基板に対する位置を変化させることができる。
【００４３】
［適用例１９］上記の基板の処理装置であって、前記基板には、導電性を有する導電膜が設けられており、前記液体が前記導電膜のエッチング液であることを特徴とする基板の処理装置。
【００４４】
適用例１９では、基板に付着しているエッチング液を払う払装置が到達領域を追尾するので、到達領域の載置部に対する位置が変化したときに基板に残留しているエッチング液が排除されやすい。このため、新たにエッチング液を基板に向けて噴射するときに、基板に残留しているエッチング液に新たなエッチング液が重なることを避けやすい。この結果、エッチング液で基板にエッチング処理を施すときに、処理のムラを発生しにくくすることができる。
【００４５】
［適用例２０］上記の基板の処理装置であって、前記基板には、感光性を有する樹脂膜が設けられており、前記液体が前記樹脂膜の現像液であることを特徴とする基板の処理装置。
【００４６】
適用例２０では、基板に付着している現像液を払う払装置が到達領域を追尾するので、到達領域の載置部に対する位置が変化したときに基板に残留している現像液が排除されやすい。このため、新たに現像液を基板に向けて噴射するときに、基板に残留している現像液に新たな現像液が重なることを避けやすい。この結果、現像液で基板に現像処理を施すときに、処理のムラを発生しにくくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４７】
電気配線が形成された配線基板を例に、実施形態について説明する。
本実施形態での配線基板１は、主要構成を示す平面図である図１に示すように、帯状の基板３を有している。基板３には、複数の回路部５が設けられている。
この配線基板１は、ＩＣチップが実装される所謂ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープである。
【００４８】
複数の回路部５は、図中のＸ方向に１列に並んでいる。なお、図中のＹ方向は、平面視でＸ方向とは直交する方向を示している。
基板３は、可撓性を有している。この基板３には、Ｙ方向の幅の両側縁側に、複数のスプロケット孔７が設けられている。複数のスプロケット孔７は、Ｘ方向に沿って等間隔で設けられている。なお、基板３の材料としては、例えばポリイミドなどの樹脂が採用され得る。
【００４９】
各回路部５は、１つの回路部５を拡大した平面図である図２に示すように、複数の配線１１と、複数の配線１３と、ソルダレジスト１５と、２つのアライメントマーク１７と、を有している。
複数の配線１１は、それぞれＸ方向に延びている。複数の配線１１は、互いに間隔をあけた状態で、Ｙ方向に並んでいる。
複数の配線１３は、複数の配線１１とは間隔を隔ててＸ方向に隣り合っている。複数の配線１３は、それぞれ屈曲しながらＸ方向に延びている。複数の配線１３は、互いに間隔をあけた状態で、Ｙ方向に並んでいる。
【００５０】
ソルダレジスト１５は、複数の配線１１及び複数の配線１３に重なっている。このソルダレジスト１５には、開口部１５ａが設けられている。複数の配線１１及び複数の配線１３は、それぞれ、開口部１５ａの内側からソルダレジスト１５の外側に及んでいる。
【００５１】
基板３は、図２中のＡ−Ａ線における断面図である図３（ａ）に示すように、第１面２１ａと、第２面２１ｂとを有している。
複数の配線１１及び複数の配線１３は、それぞれ、基板３の第１面２１ａに設けられている。
【００５２】
図３（ｂ）は、回路部５にＩＣチップ２３が実装される例を示す断面図である。
ＩＣチップ２３は、図３（ｂ）に示すように、ソルダレジスト１５の開口部１５ａ（図３（ａ））内の複数の配線１１及び複数の配線１３にフェイスダウンで実装される。ＩＣチップ２３と、複数の配線１１及び複数の配線１３のそれぞれとは、バンプ２５を介して電気的に接続される。
基板３とＩＣチップ２３との間には、アンダーフィル材２７が充填されており、ＩＣチップ２３の保持力の強化が図られている。
上記の構成を有する回路部５は、ＩＣチップ２３が実装された状態で、所謂ＴＣＰ（Tape Carrier Package）を構成する。
【００５３】
ここで、上記の配線基板１の製造方法について説明する。
配線基板１の製造方法では、まず、図４（ａ）に示すように、基板３の第１面２１ａに張りつけられている銅箔３１に、ネガ型の感光性を有する樹脂でレジスト膜３３を形成する。このとき、銅箔３１は、レジスト膜３３によって覆われる。
次いで、フォトマスク３５を用いて、レジスト膜３３を紫外光３７で露光する。ここで、フォトマスク３５には、平面視で複数の配線１１及び複数の配線１３（図２）のそれぞれに重なる領域に開口部３５ａが設けられている。このため、レジスト膜３３には、開口部３５ａを介して紫外光３７が照射される。
【００５４】
次いで、レジスト膜３３に現像液で現像処理を施す。これにより、レジスト膜３３のうちで未露光の部分が除去され、図４（ｂ）に示すように、レジストパターン３３ａが形成される。このとき、レジストパターン３３ａは、平面視で複数の配線１１及び複数の配線１３（図２）、並びに２つのアライメントマーク１７のそれぞれに重なる領域に形成される。なお、レジスト膜３３を構成する樹脂は、ネガ型に限定されず、ポジ型も採用され得る。ポジ型の場合には、平面視で複数の配線１１及び複数の配線１３（図２）のそれぞれに重なる領域を遮光するフォトマスクを用いて露光すればよい。
【００５５】
次いで、銅箔３１にエッチング液でエッチング処理を施す。これにより、銅箔３１のうちでレジストパターン３３ａに重なっていない部分が除去され、図４（ｃ）に示すように、複数の配線１１及び複数の配線１３のそれぞれが形成される。なお、このとき、図２に示す２つのアライメントマーク１７も形成される。つまり、２つのアライメントマーク１７は、銅箔３１から形成される。
【００５６】
次いで、複数の配線１１及び複数の配線１３に重なる領域に、図４（ｄ）に示すように、ネガ型の感光性を有する樹脂でソルダレジスト膜３９を形成する。このとき、複数の配線１１及び複数の配線１３は、ソルダレジスト膜３９で覆われていても、一部がソルダレジスト膜３９から露呈していてもよい。ソルダレジスト膜３９は、少なくともソルダレジスト１５を形成すべき領域を覆っていればよい。
【００５７】
次いで、フォトマスクを介してソルダレジスト膜３９を露光してから、ソルダレジスト膜３９に現像液で現像処理を施す。これにより、ソルダレジスト膜３９のうちで未露光の部分が除去され、図２に示すソルダレジスト１５が形成される。
上記の方法をリールトゥリールで実施することにより、図１に示す配線基板１が製造され得る。
【００５８】
ここで、基板３に設けられた銅箔３１のエッチング処理や、基板３に設けられたレジスト膜３３やソルダレジスト膜３９の現像処理に適用され得る処理装置について説明する。
処理装置１０は、主要構成を示す平面図である図５（ａ）及び正面図である図５（ｂ）に示すように、ヘッド部５１と、変位装置５３と、搬送装置５５と、載置部５７と、制御回路５９とを有している。
【００５９】
ヘッド部５１には、供給管６１が接続されている。供給管６１の他端側は、現像液やエッチング液などの処理液が収容された図示しないタンクに接続されている。ヘッド部５１には、供給管６１を介して処理液が供給される。
また、このヘッド部５１には、供給管６１を介して供給された処理液６３を噴射するノズル６５が設けられている。
【００６０】
変位装置５３は、変位モータ６７と、ガイドレール部６９とを有している。ガイドレール部６９は、基板３をＹ方向にまたいだ状態で、図示しない支持柱に架設されている。ガイドレール部６９は、Ｙ方向に沿って設けられている。このガイドレール部６９には、ヘッド部５１が吊り下げられた状態で連結されている。ヘッド部５１は、ガイドレール部６９によってＹ方向に往復移動可能に構成されている。
【００６１】
ガイドレール部６９のＹ方向における長さは、ヘッド部５１がＹ方向に基板３をまたぐ距離にわたって往復移動できる長さに設定されている。なお、ヘッド部５１は、図５（ａ）中の待機位置５２ａと、基板３を挟んで待機位置５２ａに対峙する転回位置５２ｂとの間を往復移動することができる。
変位モータ６７は、ヘッド部５１を移動させるための動力を発生する。変位モータ６７からの動力は、図示しない動力伝達機構を介してヘッド部５１に伝達される。これにより、ヘッド部５１は、ガイドレール部６９に吊り下げられた状態で、Ｙ方向に沿って待機位置５２ａと転回位置５２ｂとの間を往復移動し得る。
なお、動力伝達機構としては、ベルト伝動、歯車伝動などや、ラック及びピニオンの組み合わせ、並びにボールねじ及びボールナットの組み合わせや、これらを組み合わせた機構などの種々の伝達機構が採用され得る。
【００６２】
搬送装置５５は、基板３を、図中に示す搬送方向に搬送する。搬送装置５５は、ヘッド部５１よりも搬送方向で上流側に設けられている。この搬送装置５５は、斜視図である図６に示すように、一対のスプロケット７１と、回転軸７３と、一対の軸受け７５と、搬送モータ７７とを有している。
一対のスプロケット７１は、それぞれ、外周部に複数の歯７１ａを有している。これらの一対のスプロケット７１は、互いにＹ方向に間隔をあけた状態で、回転軸７３を介して互いに連結されている。
一対の軸受け７５は、一対のスプロケット７１をＹ方向に挟んだ位置に設けられており、回転軸７３を回転可能に支持している。
【００６３】
搬送モータ７７は、回転軸７３を回転駆動するための動力を発生する。搬送モータ７７からの動力は、図示しない動力伝達機構を介して回転軸７３に伝達される。
なお、搬送モータ７７としては、例えば、サーボモータなどが採用され得る。また、動力伝達機構としては、ベルト伝動、歯車伝動などや、これらを組み合わせた機構などの種々の伝達機構が採用され得る。
基板３は、スプロケット孔７に一対のスプロケット７１の歯７１ａが噛み合った状態で一対のスプロケット７１を、図５（ｂ）で見て時計方向に回転駆動することによって搬送される。
【００６４】
載置部５７は、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、変位装置５３に対向する位置に設けられている。この載置部５７は、搬送装置５５よりも搬送方向で下流側に設けられており、複数の載置ローラ７９を有している。
複数の載置ローラ７９は、図５（ａ）に示すように、それぞれ、Ｙ方向に延びており、Ｙ方向に基板３をまたぐ長さを有している。これらの複数の載置ローラ７９は、Ｘ方向に相互に間隔をあけた状態で、Ｘ方向に並んでいる。
基板３は、載置部５７の複数の載置ローラ７９に載置された状態で、搬送装置５５によって搬送される。
【００６５】
ここで、基板３には、ヘッド部５１を図５（ａ）中のＢ視方向に見た図である図７に示すように、ノズル６５から噴射された処理液６３によって到達領域８１が規定され得る。
到達領域８１は、ノズル６５から噴射された処理液６３が基板３に到達する領域として、基板３の第１面２１ａに規定され得る。また、この到達領域８１は、載置部５７に載置された基板３の第１面２１ａによって空間的に規定される面である被噴射面８２に処理液６３が到達する領域であるとも定義され得る。
【００６６】
また、処理装置１０では、ヘッド部５１にエアノズル８３ａと、エアノズル８３ｂとが設けられている。エアノズル８３ａ及び８３ｂは、それぞれ、基板３の第１面２１ａに向けて空気８５を噴射する。
エアノズル８３ａ及び８３ｂは、処理液６３の到達領域８１をＹ方向に挟んで対峙する位置に設けられている。
【００６７】
また、処理装置１０は、主要構成を示すブロック図である図８に示すように、処理液バルブ８７と、エアバルブ８８ａと、エアバルブ８８ｂとを有している。
処理液バルブ８７は、供給管６１とノズル６５との間に設けられており、供給管６１とノズル６５との間の処理液６３の供給路を開閉する。
エアバルブ８８ａは、空気８５の供給管８９とエアノズル８３ａとの間に設けられており、供給管８９とエアノズル８３ａとの間の空気８５の供給路を開閉する。エアバルブ８８ｂは、空気８５の供給管８９とエアノズル８３ｂとの間に設けられており、供給管８９とエアノズル８３ｂとの間の空気８５の供給路を開閉する。なお、供給管８９には、圧縮された空気が供給される。
【００６８】
制御回路５９は、制御部９１と、バルブドライバ９３と、モータドライバ９５とを有している。
制御部９１は、例えば、マイクロコンピュータで構成され、各種処理を実行するＣＰＵ（Central Processing Unit）９７と、メモリ部９９とを有している。
メモリ部９９は、ＲＡＭ（Random Access Memory）や、ＲＯＭ（Read-Only Memory）などを含んでいる。
【００６９】
ＲＡＭは、ホストコンピュータ１０１からの情報を格納したり、ＣＰＵ９７によって実行される処理等のアプリケーションプログラムを一時的に展開したり、各種データを一時的に格納したりする。ＲＯＭは、不揮発性半導体メモリで構成され、ＣＰＵ９７が実行する制御プログラム等が格納されている。
バルブドライバ９３は、処理液バルブ８７、エアバルブ８８ａ及びエアバルブ８８ｂのそれぞれにおける開閉動作を個別に制御する。モータドライバ９５は、変位モータ６７及び搬送モータ７７のそれぞれの駆動を個別に制御する。
【００７０】
処理装置１０は、制御部９１がホストコンピュータ１０１から処理開始の指令を受けると、基板３の処理を開始する。
基板３の処理では、ＣＰＵ９７は、まず、モータドライバ９５に搬送開始指令を出力する。このとき、モータドライバ９５は、搬送開始指令に基づいて、搬送モータ７７の駆動を開始させる。これにより、基板３の搬送が開始される。
【００７１】
次いで、ＣＰＵ９７は、バルブドライバ９３にノズル６５から処理液６３を噴射させるための噴射指令を出力する。このとき、バルブドライバ９３は、噴射指令に基づいて、処理液バルブ８７を開状態に制御する。これにより、ノズル６５からの処理液６３の噴射が開始される。
なお、基板３の処理が開始される前において、ヘッド部５１は、図５（ａ）に示す待機位置５２ａに停止している。このため、処理液６３の噴射が開始されるときには、処理液６３は、平面視で基板３の外側に向かって噴射される。
【００７２】
次いで、ＣＰＵ９７は、モータドライバ９５に変位開始指令を出力する。このとき、モータドライバ９５は、変位開始指令に基づいて、変位モータ６７の駆動を開始させる。これにより、ヘッド部５１は、図５（ａ）に示す待機位置５２ａを起点として、待機位置５２ａから転回位置５２ｂへ向かって移動を開始する。
なお、処理装置１０では、待機位置５２ａと転回位置５２ｂとの間のヘッド部５１の往復移動において、待機位置５２ａから転回位置５２ｂへ向かう移動が往路であり、転回位置５２ｂから待機位置５２ａへ向かう移動が復路である。
【００７３】
次いで、ＣＰＵ９７は、バルブドライバ９３にエアノズル８３ａから空気８５を噴射させる噴射指令を出力する。このとき、バルブドライバ９３は、この噴射指令に基づいて、エアバルブ８８ａを開状態に制御する。これにより、エアノズル８３ａからの空気８５の噴射が開始される。なお、このとき、エアバルブ８８ｂは、閉状態に維持されている。
【００７４】
このとき、ヘッド部５１が待機位置５２ａから転回位置５２ｂへ向かってすなわち往路を移動すると、図７に示す到達領域８１の基板３に対する位置が基板３の平面方向に変化していく。そして、このとき、エアノズル８３ａから空気８５が噴射されているので、基板３は、図９（ａ）に示すように、到達領域８１が基板３の第１面２１ａに描く軌跡の上流側すなわち到達領域８１の待機位置５２ａ側に、空気８５が吹き付けられる。
処理装置１０では、エアノズル８３ａ及び８３ｂがヘッド部５１に設けれているので、基板３に吹き付けられる空気８５は、到達領域８１を待機位置５２ａ側から転回位置５２ｂ側へ向かって追尾する。このため、処理液６３が基板３に残留した残留液６３ａは、図９（ｂ）に示すように、基板３に吹き付けられる空気８５によって基板３の転回位置５２ｂ側に払われる。
【００７５】
ヘッド部５１が転回位置５２ｂに到達すると、図８に示すＣＰＵ９７は、バルブドライバ９３にエアノズル８３ａから空気８５の噴射を停止させる噴射停止指令を出力する。このとき、バルブドライバ９３は、噴射停止指令に基づいて、エアバルブ８８ａを閉状態に制御する。これにより、エアノズル８３ａから空気８５の噴射が停止される。
次いで、ＣＰＵ９７は、バルブドライバ９３にエアノズル８３ｂから空気８５を噴射させる噴射指令を出力する。このとき、バルブドライバ９３は、この噴射指令に基づいて、エアバルブ８８ｂを開状態に制御する。これにより、エアノズル８３ｂからの空気８５の噴射が開始される。
【００７６】
次いで、ＣＰＵ９７は、モータドライバ９５にヘッド転回指令を出力する。このとき、モータドライバ９５は、ヘッド転回指令に基づいて、変位モータ６７の駆動方向を転回させる。これにより、ヘッド部５１は、図５（ａ）に示す転回位置５２ｂを起点として、転回位置５２ｂから待機位置５２ａへ向かって復路の移動を開始する。
【００７７】
このとき、ヘッド部５１が復路を移動すると、到達領域８１の基板３に対する位置が、転回位置５２ｂ側から待機位置５２ａ側へ向かって基板３の平面方向に変化していく。そして、このとき、エアノズル８３ｂから空気８５が噴射されているので、基板３は、図１０（ａ）に示すように、到達領域８１が基板３の第１面２１ａに描く軌跡の上流側すなわち到達領域８１の転回位置５２ｂ側に、空気８５が吹き付けられる。
処理装置１０では、エアノズル８３ａ及び８３ｂがヘッド部５１に設けれているので、基板３に吹き付けられる空気８５は、到達領域８１を追尾する。このため、処理液６３が基板３に残留した残留液６３ａは、図１０（ｂ）に示すように、基板３に吹き付けられる空気８５によって基板３の待機位置５２ａ側に払われる。
【００７８】
ヘッド部５１が待機位置５２ａに到達すると、図８に示すＣＰＵ９７は、バルブドライバ９３にエアノズル８３ｂから空気８５の噴射を停止させる噴射停止指令を出力する。このとき、バルブドライバ９３は、噴射停止指令に基づいて、エアバルブ８８ｂを閉状態に制御する。これにより、エアノズル８３ｂから空気８５の噴射が停止される。
【００７９】
これにより、ヘッド部５１の１往復分の処理が終了する。このとき、基板３に処理液６３で処理すべき領域が残っている場合には、ヘッド部５１の往路の移動を開始させて処理を継続する。
他方で、基板３の処理が終了している場合には、ＣＰＵ９７は、バルブドライバ９３にノズル６５からの噴射を停止させる噴射停止指令を出力する。このとき、バルブドライバ９３は、噴射停止指令に基づいて、処理液バルブ８７を閉状態に制御する。これにより、ノズル６５から処理液６３の噴射が停止される。
【００８０】
処理装置１０において、銅箔３１が導電膜に対応し、レジスト膜３３が樹脂膜に対応し、処理液６３がエッチング液や現像液としての液体に対応し、ノズル６５が噴射部に対応し、エアノズル８３ａ及び８３ｂ並びにエアバルブ８８ａ及び８８ｂが払装置に対応し、Ｙ方向が第１方向に対応し、Ｘ方向が第２方向に対応している。
【００８１】
処理装置１０や基板３の処理では、ノズル６５から処理液６３を基板３に向けて噴射するので、基板３を処理液６３で処理することができる。例えば、処理液６３をエッチング液とすれば、銅箔３１にエッチング処理を施すことができる。また、例えば、処理液６３を現像液とすれば、レジスト膜３３やソルダレジスト膜３９に現像処理を施すことができる。
【００８２】
また、処理装置１０や基板３の処理では、基板３をＹ方向にまたぐ距離にわたってヘッド部５１の位置を変化させるので、基板３をＹ方向にまたぐ距離にわたって到達領域８１の位置を変化させることができる。これにより、基板３をＹ方向にまたぐ距離にわたって処理液６３を基板３に噴きかけることができる。このため、基板３を処理液６３で、この基板３をＹ方向にまたぐ距離にわたって処理することができる。
【００８３】
また、処理装置１０や基板３の処理では、基板３をＹ方向とは交差する搬送方向に搬送しつつ、ヘッド部５１をＹ方向に往復移動させることができるので、ヘッド部５１の往路及び復路の双方で基板３に処理液６３を噴きかけることができる。このため、ヘッド部５１の往路及び復路の双方で基板３に処理を施すことができる。これにより、基板３を効率よく処理することができる。
【００８４】
また、処理装置１０では、空気８５を噴射するエアノズル８３ａ及び８３ｂがヘッド部５１に設けられている。エアノズル８３ａ及び８３ｂは、Ｙ方向に到達領域８１を挟んで対峙している。このため、基板３の処理では、例えば、ヘッド部５１の往路にエアノズル８３ａを対応させることができ、ヘッド部５１の復路にエアノズル８３ｂを対応させることができる。
【００８５】
また、エアノズル８３ａ及び８３ｂがＹ方向に到達領域８１を挟んで対峙しているので、基板３の処理では、エアノズル８３ａやエアノズル８３ｂに到達領域８１を追尾させやすい。これにより、基板３に処理液６３を噴きかけた状態で到達領域８１の基板３に対する位置が変化してから、この到達領域８１が過ぎた位置に空気８５を吹き付けることができる。このため、到達領域８１の軌跡に残留している残留液６３ａを排除しやすい。従って、例えばヘッド部５１の復路で、基板３に処理液６３を噴きかける際に、処理液６３が残留液６３ａに重なることを避けやすい。このため、残留液６３ａに新たな処理液６３が重なることによって発生する処理のムラを低く抑えることができる。この結果、現像処理やエッチング処理におけるパターニングの精度を向上させやすくすることができる。
【００８６】
また、処理装置１０では、空気８５を噴射するエアノズル８３ａ及び８３ｂがヘッド部５１に設けられている。このため、基板３の処理では、到達領域８１の基板３に対する位置を変化させながら、基板３に気体を吹き付けることができる。これにより、基板３の処理にかかる時間を短縮しやすくすることができる。
【００８７】
また、処理装置１０や基板３の処理では、空気８５を基板３に吹き付けることで残留液６３ａを払うので、基板３、配線１１、配線１３、ソルダレジスト１５、アライメントマーク１７などや、レジスト膜３３、レジストパターン３３ａ、ソルダレジスト膜３９などが損傷することを避けやすくすることができる。
【００８８】
なお、処理装置１０では、変位装置５３がヘッド部５１をＹ方向に基板３をまたぐ距離にわたって移動させる場合を例に説明したが、変位装置５３の構成はこれに限定されない。例えば、変位装置５３は、ヘッド部５１の基板３に対する姿勢を変化させる構成も採用され得る。
【００８９】
この場合、変位装置５３ａは、平面図である図１１（ａ）、及び正面図である図１１（ｂ）に示すように、変位モータ６７と、ヘッド部５１を支持する支持部１１１とを有する構成が採用され得る。
支持部１１１は、図１１（ｂ）に示す回転軸１１３を中心に回動可能に構成されている。変位モータ６７は、ヘッド部５１を回動させるための動力を発生する。
【００９０】
変位装置５３ａを有する処理装置１００では、変位モータ６７からの動力は、図示しない動力伝達機構を介して支持部１１１に伝達される。これにより、ヘッド部５１は、支持部１１１に支持された状態で回転軸１１３を中心に回動され得る。
なお、動力伝達機構としては、ベルト伝動、歯車伝動などや、ラック及びピニオンの組み合わせや、これらを組み合わせた機構などの種々の伝達機構が採用され得る。
【００９１】
ヘッド部５１の回動範囲は、被噴射面８２（図７）における到達領域８１の位置が待機位置１１５ａから基板３をまたいで転回位置１１５ｂに至る範囲に設定され得る。
そして、変位装置５３ａは、到達領域８１が待機位置１１５ａと転回位置１１５ｂとの間を往復移動可能に構成されている。つまり、変位装置５３ａは、ヘッド部５１を図１１（ａ）中のＣ視方向に見た図である図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、ヘッド部５１の姿勢を振り子のように変化させる。
【００９２】
待機位置１１５ａと転回位置１１５ｂとの間の往復移動における往路では、図１２（ａ）に示すように、到達領域８１を待機位置１１５ａ側から転回位置１１５ｂ側に向けて基板３の平面方向に変位させる。
このとき、エアノズル８３ａから空気８５を噴射させることにより、図１２（ｂ）に示すように、残留液６３ａが基板３の転回位置１１５ｂ側に払われる。
【００９３】
復路においても同様に、到達領域８１を転回位置１１５ｂ側から待機位置１１５ａ側に向けて基板３の平面方向に変位させつつ、エアノズル８３ｂから空気８５を噴射させることにより、残留液６３ａが基板３の待機位置１１５ａ側に払われる。
このように、変位装置５３ａを有する処理装置１００でも、変位装置５３を有する処理装置１０と同様の効果が得られる。
【００９４】
処理装置１０や処理装置１００では、基板３をリールトゥリールで処理する場合を例に、到達領域８１をＹ方向に往復移動させるようにしたが、処理装置１０や処理装置１００の構成はこれに限定されない。個別に分割された複数の基板３を枚葉処理する場合には、各基板３を変位させるようにしてもよい。
さらに、この場合、ヘッド部５１の位置やヘッド部５１の姿勢を変化させつつ、各基板３をも変位させるようにしてもよい。これにより、到達領域８１の各基板３に対する位置の変化にかかる時間を一層短縮することができる。
【００９５】
また、処理装置１０や処理装置１００における基板３の処理では、到達領域８１が基板３の第１面２１ａに描く軌跡の上流側に空気８５を吹き付けるようにしたが、空気８５を吹き付ける側は軌跡の上流側に限定されない。この軌跡の下流側にも空気８５を吹き付けるようにしてもよい。これにより、残留液６３ａが、図１３に示すように、盛り上がることを避けやすくすることができる。残留液６３ａは、軌跡の下流側に吹き付けられた空気８５によって、軌跡の下流側に薄く広がりやすい。
【００９６】
このため、ノズル６５から噴射された処理液６３が軌跡の下流側の残留液６３ａに重なることを避けやすくすることができる。これにより、残留液６３ａに新たな処理液６３が重なることによって発生する処理のムラを一層低く抑えることができる。この結果、現像処理やエッチング処理におけるパターニングの精度を一層向上させやすくすることができる。
なお、この場合、軌跡の下流側で基板３に向けて噴射する空気８５の圧力を、軌跡の上流側で基板３に向けて噴射する空気８５の圧力よりも低くすることが、残留液６３ａが軌跡の上流側に逆流することを避けやすくすることができる観点から好ましい。
【００９７】
また、処理装置１０や処理装置１００では、空気８５を基板３に吹き付けることによって残留液６３ａを払うようにしたが、吹き付ける気体は空気８５に限定されない。基板３に吹き付ける気体としては、例えば窒素やアルゴンなどの不活性ガスも採用され得る。これにより、基板３に設けられる配線１１や配線１３などの酸化を軽減することができる。
【００９８】
また、処理装置１０や処理装置１００では、２つのエアノズル８３ａ及び８３ｂをヘッド部５１に設けた構成を例に説明したが、処理装置１０や処理装置１００の構成はこれに限定されない。処理装置１０や処理装置１００の構成としては、エアノズル８３ａ及び８３ｂのいずれか１つだけをヘッド部５１とは個別に設けた構成も採用され得る。
この場合、エアノズル８３ａ及び８３ｂのいずれか１つをヘッド部５１とは個別に、待機位置５２ａ又は１１５ａと、転回位置５２ｂ又は１１５ｂとの間を往復移動させる装置が付加された構成が採用され得る。これにより、２つのエアノズル８３ａ及び８３ｂのうちの他方を省略することができる。
また、エアノズル８３ａ及び８３ｂのいずれか１つと、到達領域８１とを個別に往復移動させることができるので、到達領域８１が基板３をＹ方向に横切ってから、残留液６３ａを払うことができる。
【００９９】
また、本実施形態では、複数の回路部５がＸ方向に１列に並んだ配線基板１を例に説明したが、配線基板１の構成はこれに限定されず、複数の回路部５がＹ方向にも並んだ構成も採用され得る。
また、基板３のＹ方向における幅寸法は、到達領域８１よりも広い場合に限定されず、到達領域８１よりも狭い幅寸法も採用され得る。この場合、到達領域８１は、基板３をＹ方向にまたぐことができる領域として規定され得る。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】実施形態における配線基板の主要構成を示す平面図。
【図２】実施形態における配線基板の１つの回路部を拡大した平面図。
【図３】図２中のＡ−Ａ線における断面図。
【図４】実施形態における配線基板の製造方法を説明する図。
【図５】実施形態における処理装置の主要構成を示す外観図。
【図６】実施形態における処理装置の搬送装置を示す斜視図。
【図７】ヘッド部を図５（ａ）中のＢ視方向に見た図。
【図８】実施形態における処理装置の主要構成を示すブロック図。
【図９】実施形態における処理装置での基板の処理を説明する図。
【図１０】実施形態における処理装置での基板の処理を説明する図。
【図１１】実施形態における処理装置の他の例における主要構成を示す外観図。
【図１２】ヘッド部を図１１（ａ）中のＣ視方向に見た図。
【図１３】実施形態における処理装置での基板の処理の他の例を説明する図。
【符号の説明】
【０１０１】
１…配線基板、３…基板、５…回路部、１０，１００…処理装置、１１…配線、１３…配線、１５…ソルダレジスト、２１ａ…第１面、２１ｂ…第２面、３１…銅箔、３３…レジスト膜、３３ａ…レジストパターン、３９…ソルダレジスト膜、５１…ヘッド部、５２ａ，１１５ａ…待機位置、５２ｂ，１１５ｂ…転回位置、５３，５３ａ…変位装置、５５…搬送装置、５７…載置部、５９…制御回路、６３…処理液、６３ａ…残留液、６５…ノズル、７９…載置ローラ、８１…到達領域、８２…被噴射面、８３ａ，８３ｂ…エアノズル、８５…空気、８７…処理液バルブ、８８ａ，８８ｂ…エアバルブ。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の処理方法及び基板の処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、基板にエッチング液を噴射して、この基板に配線パターンを形成する装置が知られている。
このような装置としては、従来、エッチング液を噴射するスプレーヘッドを、基板の搬送方向と直交する方向に往復移動させながら、このスプレーヘッドからエッチング液を噴射するものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−７６５７２号公報（第６頁、図６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、液体を噴射する噴射部から液体を噴射させながら噴射部を基板に交差させて１往復させるとき、噴射部の復路では、噴射部の往路で噴射された液体が基板に乗っている状態で液体が噴射される。つまり、噴射部の復路で噴射される液体は、噴射部の往路で噴射された液体に重なりやすい。
上記特許文献１に記載された装置では、基板上に残っているエッチング液に新たなエッチング液が重なりやすいので、エッチング処理にムラが発生しやすい。これにより、配線パターンの精度を向上させることが困難となる。
【０００５】
このように、液体を噴射する噴射部を基板に交差させて往復移動させる装置では、液体で基板に処理を施すときに処理のムラが発生しやすいという未解決の課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。
【０００７】
［適用例１］液体を噴射する噴射部から前記液体を基板に向けて噴射させつつ、前記噴射部から噴射された前記液体が前記基板に到達する領域である到達領域の前記基板に対する位置を前記基板の平面方向に変化させた後に、前記基板に付着している前記液体を払うことを特徴とする基板の処理方法。
【０００８】
適用例１の基板の処理方法では、液体を噴射する噴射部から液体を基板に向けて噴射させるので、基板を液体で処理することができる。この処理方法では、到達領域の基板に対する位置を基板の平面方向に変化させた後に、基板に付着している液体を払うので、基板に残留している液体を排除しやすい。このため、新たに液体を基板に向けて噴射するときに、基板に残留している液体に新たな液体が重なることを避けやすい。この結果、液体で基板に処理を施すときに、処理のムラを発生しにくくすることができる。
【０００９】
［適用例２］上記の基板の処理方法であって、前記到達領域の前記基板に対する前記位置を、前記到達領域によって前記基板に描かれる軌跡が前記基板をまたぐ距離にわたって変化させることを特徴とする基板の処理方法。
【００１０】
適用例２では、到達領域によって基板に描かれる軌跡が基板をまたぐ距離にわたるので、この距離にわたって基板に液体を噴きかけることができる。このため、基板をまたぐ距離にわたって基板に処理を施すことができる。
【００１１】
［適用例３］上記の基板の処理方法であって、前記到達領域の前記基板に対する前記位置を変化させる方向を第１方向として、前記基板を前記第１方向とは交差する第２方向に搬送しつつ、前記到達領域を前記基板に対して往復させることを特徴とする基板の処理方法。
【００１２】
適用例３では、基板を第１方向とは交差する第２方向に搬送しつつ到達領域を基板に対して往復させるので、効率よく基板を処理することができる。
【００１３】
［適用例４］上記の基板の処理方法であって、前記基板に気体を吹き付けて、前記液体を払うことを特徴とする基板の処理方法。
【００１４】
適用例４では、基板に気体を吹き付けて液体を払うので、基板が損傷することを避けやすくすることができる。
【００１５】
［適用例５］上記の基板の処理方法であって、前記到達領域の前記基板に対する前記位置を変化させながら、前記到達領域が前記基板に描く軌跡の上流側で前記基板に前記気体を吹き付けることを特徴とする基板の処理方法。
【００１６】
適用例５では、到達領域の基板に対する位置を変化させながら、基板に気体を吹き付けるので、処理にかかる時間を短縮しやすくすることができる。
【００１７】
［適用例６］上記の基板の処理方法であって、前記到達領域が前記基板に描く前記軌跡の下流側においても前記基板に気体を吹き付けることを特徴とする基板の処理方法。
【００１８】
適用例６では、到達領域が基板に描く軌跡の下流側においても基板に気体を吹き付けるので、噴きかけられた液体が軌跡の下流側で盛り上がることを避けやすくすることができる。このため、基板に噴きかけられた液体を軌跡の下流側に薄く広げやすくすることができ、軌跡の下流側で基板に残留している液体に新たな液体が重なることを避けやすい。この結果、液体で基板に処理を施すときに、処理のムラを一層発生しにくくすることができる。
【００１９】
［適用例７］上記の基板の処理方法であって、前記気体が空気であることを特徴とする基板の処理方法。
【００２０】
適用例７では、気体が空気であるので、簡易に液体を払うことができる。
【００２１】
［適用例８］上記の基板の処理方法であって、前記噴射部の前記基板に対する相対位置を変化させることで、前記到達領域の前記基板に対する前記位置を変化させることを特徴とする基板の処理方法。
【００２２】
適用例８では、噴射部の基板に対する相対位置を変化させることで、到達領域の基板に対する位置を変化させることができる。
【００２３】
［適用例９］上記の基板の処理方法であって、前記噴射部の前記基板に対する姿勢を変化させることで、前記到達領域の前記基板に対する前記位置を変化させることを特徴とする基板の処理方法。
【００２４】
適用例９では、噴射部の基板に対する姿勢を変化させることで、到達領域の基板に対する位置を変化させることができる。
【００２５】
［適用例１０］上記の基板の処理方法であって、前記基板には、導電性を有する導電膜が設けられており、前記液体が前記導電膜のエッチング液であることを特徴とする基板の処理方法。
【００２６】
適用例１０では、到達領域の基板に対する位置を変化させた後に、基板に付着している液体を払うので、基板に残留しているエッチング液を排除しやすい。このため、新たにエッチング液を基板に向けて噴射するときに、基板に残留しているエッチング液に新たなエッチング液が重なることを避けやすい。この結果、エッチング液で基板にエッチング処理を施すときに、処理のムラを発生しにくくすることができる。
【００２７】
［適用例１１］上記の基板の処理方法であって、前記基板には、感光性を有する樹脂膜が設けられており、前記液体が前記樹脂膜の現像液であることを特徴とする基板の処理方法。
【００２８】
適用例１１では、到達領域の基板に対する位置を変化させた後に、基板に付着している液体を払うので、基板に残留している現像液を排除しやすい。このため、新たに現像液を基板に向けて噴射するときに、基板に残留している現像液に新たな現像液が重なることを避けやすい。この結果、現像液で基板に現像処理を施すときに、処理のムラを発生しにくくすることができる。
【００２９】
［適用例１２］基板が載置される載置部と、前記載置部に向けて液体を噴射する噴射部と、前記噴射部から噴射された前記液体が、前記載置部に載置される前記基板の前記噴射部側の面によって空間的に規定される被噴射面に到達する領域である到達領域の前記載置部に対する位置を変化させる変位装置と、前記到達領域を追尾して前記基板に付着している前記液体を払う払装置と、を有することを特徴とする基板の処理装置。
【００３０】
適用例１２の基板の処理装置は、基板が載置される載置部と、載置部に向けて液体を噴射する噴射部と、変位装置と、払装置とを有している。変位装置は、到達領域の載置部に対する位置を変化させる。到達領域は、噴射部から噴射された液体が被噴射面に到達する領域である。被噴射面は、載置部に載置される基板の噴射部側の面によって空間的に規定される面である。払装置は、基板に付着している液体を払う。
そして、この処理装置では、払装置が到達領域を追尾するので、到達領域の載置部に対する位置が変化したときに基板に残留している液体が排除されやすい。このため、新たに液体を基板に向けて噴射するときに、基板に残留している液体に新たな液体が重なることを避けやすい。この結果、液体で基板に処理を施すときに、処理のムラを発生しにくくすることができる。
【００３１】
［適用例１３］上記の基板の処理装置であって、前記変位装置が前記到達領域の前記載置部に対する前記位置を変化させる方向を第１方向として、前記基板を前記第１方向とは交差する第２方向に搬送する搬送装置を有し、前記変位装置は、前記到達領域を前記載置部に対して往復させることを特徴とする基板の処理装置。
【００３２】
適用例１３の基板の処理装置は、基板を第１方向とは交差する第２方向に搬送する搬送装置を有している。そして、この処理装置では、変位装置は、到達領域を載置部に対して往復させるので、効率よく基板を処理することができる。
【００３３】
［適用例１４］上記の基板の処理装置であって、１つの前記噴射部に対して少なくとも２つの前記払装置を有しており、前記２つの払装置は、前記到達領域を前記第１方向に挟んだ状態で設けられていることを特徴とする基板の処理装置。
【００３４】
適用例１４の基板の処理装置は、１つの噴射部に対して少なくとも２つの払装置を有している。これらの２つの払装置は、到達領域を第１方向に挟んだ状態で設けられている。このため、到達領域を載置部に対して往復させるときの往路及び復路のそれぞれに各払装置を対応させることができる。
【００３５】
［適用例１５］上記の基板の処理装置であって、前記払装置は、前記基板に気体を吹き付けて前記液体を払うことを特徴とする基板の処理装置。
【００３６】
適用例１５では、払装置が基板に気体を吹き付けて液体を払うので、基板に損傷を与えることを避けやすくすることができる。
【００３７】
［適用例１６］上記の基板の処理装置であって、前記気体が空気であることを特徴とする基板の処理装置。
【００３８】
適用例１６では、気体が空気であるので、簡易に液体を払うことができる。
【００３９】
［適用例１７］上記の基板の処理装置であって、前記変位装置は、前記噴射部の前記載置部に対する相対位置を変化させることを特徴とする基板の処理装置。
【００４０】
適用例１７では、変位装置が噴射部の基板に対する相対位置を変化させるので、到達領域の基板に対する位置を変化させることができる。
【００４１】
［適用例１８］上記の基板の処理装置であって、前記変位装置は、前記噴射部の前記基板に対する姿勢を変化させることを特徴とする基板の処理装置。
【００４２】
適用例１８では、変位装置が噴射部の基板に対する姿勢を変化させるので、到達領域の基板に対する位置を変化させることができる。
【００４３】
［適用例１９］上記の基板の処理装置であって、前記基板には、導電性を有する導電膜が設けられており、前記液体が前記導電膜のエッチング液であることを特徴とする基板の処理装置。
【００４４】
適用例１９では、基板に付着しているエッチング液を払う払装置が到達領域を追尾するので、到達領域の載置部に対する位置が変化したときに基板に残留しているエッチング液が排除されやすい。このため、新たにエッチング液を基板に向けて噴射するときに、基板に残留しているエッチング液に新たなエッチング液が重なることを避けやすい。この結果、エッチング液で基板にエッチング処理を施すときに、処理のムラを発生しにくくすることができる。
【００４５】
［適用例２０］上記の基板の処理装置であって、前記基板には、感光性を有する樹脂膜が設けられており、前記液体が前記樹脂膜の現像液であることを特徴とする基板の処理装置。
【００４６】
適用例２０では、基板に付着している現像液を払う払装置が到達領域を追尾するので、到達領域の載置部に対する位置が変化したときに基板に残留している現像液が排除されやすい。このため、新たに現像液を基板に向けて噴射するときに、基板に残留している現像液に新たな現像液が重なることを避けやすい。この結果、現像液で基板に現像処理を施すときに、処理のムラを発生しにくくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４７】
電気配線が形成された配線基板を例に、実施形態について説明する。
本実施形態での配線基板１は、主要構成を示す平面図である図１に示すように、帯状の基板３を有している。基板３には、複数の回路部５が設けられている。
この配線基板１は、ＩＣチップが実装される所謂ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープである。
【００４８】
複数の回路部５は、図中のＸ方向に１列に並んでいる。なお、図中のＹ方向は、平面視でＸ方向とは直交する方向を示している。
基板３は、可撓性を有している。この基板３には、Ｙ方向の幅の両側縁側に、複数のスプロケット孔７が設けられている。複数のスプロケット孔７は、Ｘ方向に沿って等間隔で設けられている。なお、基板３の材料としては、例えばポリイミドなどの樹脂が採用され得る。
【００４９】
各回路部５は、１つの回路部５を拡大した平面図である図２に示すように、複数の配線１１と、複数の配線１３と、ソルダレジスト１５と、２つのアライメントマーク１７と、を有している。
複数の配線１１は、それぞれＸ方向に延びている。複数の配線１１は、互いに間隔をあけた状態で、Ｙ方向に並んでいる。
複数の配線１３は、複数の配線１１とは間隔を隔ててＸ方向に隣り合っている。複数の配線１３は、それぞれ屈曲しながらＸ方向に延びている。複数の配線１３は、互いに間隔をあけた状態で、Ｙ方向に並んでいる。
【００５０】
ソルダレジスト１５は、複数の配線１１及び複数の配線１３に重なっている。このソルダレジスト１５には、開口部１５ａが設けられている。複数の配線１１及び複数の配線１３は、それぞれ、開口部１５ａの内側からソルダレジスト１５の外側に及んでいる。
【００５１】
基板３は、図２中のＡ−Ａ線における断面図である図３（ａ）に示すように、第１面２１ａと、第２面２１ｂとを有している。
複数の配線１１及び複数の配線１３は、それぞれ、基板３の第１面２１ａに設けられている。
【００５２】
図３（ｂ）は、回路部５にＩＣチップ２３が実装される例を示す断面図である。
ＩＣチップ２３は、図３（ｂ）に示すように、ソルダレジスト１５の開口部１５ａ（図３（ａ））内の複数の配線１１及び複数の配線１３にフェイスダウンで実装される。ＩＣチップ２３と、複数の配線１１及び複数の配線１３のそれぞれとは、バンプ２５を介して電気的に接続される。
基板３とＩＣチップ２３との間には、アンダーフィル材２７が充填されており、ＩＣチップ２３の保持力の強化が図られている。
上記の構成を有する回路部５は、ＩＣチップ２３が実装された状態で、所謂ＴＣＰ（Tape Carrier Package）を構成する。
【００５３】
ここで、上記の配線基板１の製造方法について説明する。
配線基板１の製造方法では、まず、図４（ａ）に示すように、基板３の第１面２１ａに張りつけられている銅箔３１に、ネガ型の感光性を有する樹脂でレジスト膜３３を形成する。このとき、銅箔３１は、レジスト膜３３によって覆われる。
次いで、フォトマスク３５を用いて、レジスト膜３３を紫外光３７で露光する。ここで、フォトマスク３５には、平面視で複数の配線１１及び複数の配線１３（図２）のそれぞれに重なる領域に開口部３５ａが設けられている。このため、レジスト膜３３には、開口部３５ａを介して紫外光３７が照射される。
【００５４】
次いで、レジスト膜３３に現像液で現像処理を施す。これにより、レジスト膜３３のうちで未露光の部分が除去され、図４（ｂ）に示すように、レジストパターン３３ａが形成される。このとき、レジストパターン３３ａは、平面視で複数の配線１１及び複数の配線１３（図２）、並びに２つのアライメントマーク１７のそれぞれに重なる領域に形成される。なお、レジスト膜３３を構成する樹脂は、ネガ型に限定されず、ポジ型も採用され得る。ポジ型の場合には、平面視で複数の配線１１及び複数の配線１３（図２）のそれぞれに重なる領域を遮光するフォトマスクを用いて露光すればよい。
【００５５】
次いで、銅箔３１にエッチング液でエッチング処理を施す。これにより、銅箔３１のうちでレジストパターン３３ａに重なっていない部分が除去され、図４（ｃ）に示すように、複数の配線１１及び複数の配線１３のそれぞれが形成される。なお、このとき、図２に示す２つのアライメントマーク１７も形成される。つまり、２つのアライメントマーク１７は、銅箔３１から形成される。
【００５６】
次いで、複数の配線１１及び複数の配線１３に重なる領域に、図４（ｄ）に示すように、ネガ型の感光性を有する樹脂でソルダレジスト膜３９を形成する。このとき、複数の配線１１及び複数の配線１３は、ソルダレジスト膜３９で覆われていても、一部がソルダレジスト膜３９から露呈していてもよい。ソルダレジスト膜３９は、少なくともソルダレジスト１５を形成すべき領域を覆っていればよい。
【００５７】
次いで、フォトマスクを介してソルダレジスト膜３９を露光してから、ソルダレジスト膜３９に現像液で現像処理を施す。これにより、ソルダレジスト膜３９のうちで未露光の部分が除去され、図２に示すソルダレジスト１５が形成される。
上記の方法をリールトゥリールで実施することにより、図１に示す配線基板１が製造され得る。
【００５８】
ここで、基板３に設けられた銅箔３１のエッチング処理や、基板３に設けられたレジスト膜３３やソルダレジスト膜３９の現像処理に適用され得る処理装置について説明する。
処理装置１０は、主要構成を示す平面図である図５（ａ）及び正面図である図５（ｂ）に示すように、ヘッド部５１と、変位装置５３と、搬送装置５５と、載置部５７と、制御回路５９とを有している。
【００５９】
ヘッド部５１には、供給管６１が接続されている。供給管６１の他端側は、現像液やエッチング液などの処理液が収容された図示しないタンクに接続されている。ヘッド部５１には、供給管６１を介して処理液が供給される。
また、このヘッド部５１には、供給管６１を介して供給された処理液６３を噴射するノズル６５が設けられている。
【００６０】
変位装置５３は、変位モータ６７と、ガイドレール部６９とを有している。ガイドレール部６９は、基板３をＹ方向にまたいだ状態で、図示しない支持柱に架設されている。ガイドレール部６９は、Ｙ方向に沿って設けられている。このガイドレール部６９には、ヘッド部５１が吊り下げられた状態で連結されている。ヘッド部５１は、ガイドレール部６９によってＹ方向に往復移動可能に構成されている。
【００６１】
ガイドレール部６９のＹ方向における長さは、ヘッド部５１がＹ方向に基板３をまたぐ距離にわたって往復移動できる長さに設定されている。なお、ヘッド部５１は、図５（ａ）中の待機位置５２ａと、基板３を挟んで待機位置５２ａに対峙する転回位置５２ｂとの間を往復移動することができる。
変位モータ６７は、ヘッド部５１を移動させるための動力を発生する。変位モータ６７からの動力は、図示しない動力伝達機構を介してヘッド部５１に伝達される。これにより、ヘッド部５１は、ガイドレール部６９に吊り下げられた状態で、Ｙ方向に沿って待機位置５２ａと転回位置５２ｂとの間を往復移動し得る。
なお、動力伝達機構としては、ベルト伝動、歯車伝動などや、ラック及びピニオンの組み合わせ、並びにボールねじ及びボールナットの組み合わせや、これらを組み合わせた機構などの種々の伝達機構が採用され得る。
【００６２】
搬送装置５５は、基板３を、図中に示す搬送方向に搬送する。搬送装置５５は、ヘッド部５１よりも搬送方向で上流側に設けられている。この搬送装置５５は、斜視図である図６に示すように、一対のスプロケット７１と、回転軸７３と、一対の軸受け７５と、搬送モータ７７とを有している。
一対のスプロケット７１は、それぞれ、外周部に複数の歯７１ａを有している。これらの一対のスプロケット７１は、互いにＹ方向に間隔をあけた状態で、回転軸７３を介して互いに連結されている。
一対の軸受け７５は、一対のスプロケット７１をＹ方向に挟んだ位置に設けられており、回転軸７３を回転可能に支持している。
【００６３】
搬送モータ７７は、回転軸７３を回転駆動するための動力を発生する。搬送モータ７７からの動力は、図示しない動力伝達機構を介して回転軸７３に伝達される。
なお、搬送モータ７７としては、例えば、サーボモータなどが採用され得る。また、動力伝達機構としては、ベルト伝動、歯車伝動などや、これらを組み合わせた機構などの種々の伝達機構が採用され得る。
基板３は、スプロケット孔７に一対のスプロケット７１の歯７１ａが噛み合った状態で一対のスプロケット７１を、図５（ｂ）で見て時計方向に回転駆動することによって搬送される。
【００６４】
載置部５７は、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、変位装置５３に対向する位置に設けられている。この載置部５７は、搬送装置５５よりも搬送方向で下流側に設けられており、複数の載置ローラ７９を有している。
複数の載置ローラ７９は、図５（ａ）に示すように、それぞれ、Ｙ方向に延びており、Ｙ方向に基板３をまたぐ長さを有している。これらの複数の載置ローラ７９は、Ｘ方向に相互に間隔をあけた状態で、Ｘ方向に並んでいる。
基板３は、載置部５７の複数の載置ローラ７９に載置された状態で、搬送装置５５によって搬送される。
【００６５】
ここで、基板３には、ヘッド部５１を図５（ａ）中のＢ視方向に見た図である図７に示すように、ノズル６５から噴射された処理液６３によって到達領域８１が規定され得る。
到達領域８１は、ノズル６５から噴射された処理液６３が基板３に到達する領域として、基板３の第１面２１ａに規定され得る。また、この到達領域８１は、載置部５７に載置された基板３の第１面２１ａによって空間的に規定される面である被噴射面８２に処理液６３が到達する領域であるとも定義され得る。
【００６６】
また、処理装置１０では、ヘッド部５１にエアノズル８３ａと、エアノズル８３ｂとが設けられている。エアノズル８３ａ及び８３ｂは、それぞれ、基板３の第１面２１ａに向けて空気８５を噴射する。
エアノズル８３ａ及び８３ｂは、処理液６３の到達領域８１をＹ方向に挟んで対峙する位置に設けられている。
【００６７】
また、処理装置１０は、主要構成を示すブロック図である図８に示すように、処理液バルブ８７と、エアバルブ８８ａと、エアバルブ８８ｂとを有している。
処理液バルブ８７は、供給管６１とノズル６５との間に設けられており、供給管６１とノズル６５との間の処理液６３の供給路を開閉する。
エアバルブ８８ａは、空気８５の供給管８９とエアノズル８３ａとの間に設けられており、供給管８９とエアノズル８３ａとの間の空気８５の供給路を開閉する。エアバルブ８８ｂは、空気８５の供給管８９とエアノズル８３ｂとの間に設けられており、供給管８９とエアノズル８３ｂとの間の空気８５の供給路を開閉する。なお、供給管８９には、圧縮された空気が供給される。
【００６８】
制御回路５９は、制御部９１と、バルブドライバ９３と、モータドライバ９５とを有している。
制御部９１は、例えば、マイクロコンピュータで構成され、各種処理を実行するＣＰＵ（Central Processing Unit）９７と、メモリ部９９とを有している。
メモリ部９９は、ＲＡＭ（Random Access Memory）や、ＲＯＭ（Read-Only Memory）などを含んでいる。
【００６９】
ＲＡＭは、ホストコンピュータ１０１からの情報を格納したり、ＣＰＵ９７によって実行される処理等のアプリケーションプログラムを一時的に展開したり、各種データを一時的に格納したりする。ＲＯＭは、不揮発性半導体メモリで構成され、ＣＰＵ９７が実行する制御プログラム等が格納されている。
バルブドライバ９３は、処理液バルブ８７、エアバルブ８８ａ及びエアバルブ８８ｂのそれぞれにおける開閉動作を個別に制御する。モータドライバ９５は、変位モータ６７及び搬送モータ７７のそれぞれの駆動を個別に制御する。
【００７０】
処理装置１０は、制御部９１がホストコンピュータ１０１から処理開始の指令を受けると、基板３の処理を開始する。
基板３の処理では、ＣＰＵ９７は、まず、モータドライバ９５に搬送開始指令を出力する。このとき、モータドライバ９５は、搬送開始指令に基づいて、搬送モータ７７の駆動を開始させる。これにより、基板３の搬送が開始される。
【００７１】
次いで、ＣＰＵ９７は、バルブドライバ９３にノズル６５から処理液６３を噴射させるための噴射指令を出力する。このとき、バルブドライバ９３は、噴射指令に基づいて、処理液バルブ８７を開状態に制御する。これにより、ノズル６５からの処理液６３の噴射が開始される。
なお、基板３の処理が開始される前において、ヘッド部５１は、図５（ａ）に示す待機位置５２ａに停止している。このため、処理液６３の噴射が開始されるときには、処理液６３は、平面視で基板３の外側に向かって噴射される。
【００７２】
次いで、ＣＰＵ９７は、モータドライバ９５に変位開始指令を出力する。このとき、モータドライバ９５は、変位開始指令に基づいて、変位モータ６７の駆動を開始させる。これにより、ヘッド部５１は、図５（ａ）に示す待機位置５２ａを起点として、待機位置５２ａから転回位置５２ｂへ向かって移動を開始する。
なお、処理装置１０では、待機位置５２ａと転回位置５２ｂとの間のヘッド部５１の往復移動において、待機位置５２ａから転回位置５２ｂへ向かう移動が往路であり、転回位置５２ｂから待機位置５２ａへ向かう移動が復路である。
【００７３】
次いで、ＣＰＵ９７は、バルブドライバ９３にエアノズル８３ａから空気８５を噴射させる噴射指令を出力する。このとき、バルブドライバ９３は、この噴射指令に基づいて、エアバルブ８８ａを開状態に制御する。これにより、エアノズル８３ａからの空気８５の噴射が開始される。なお、このとき、エアバルブ８８ｂは、閉状態に維持されている。
【００７４】
このとき、ヘッド部５１が待機位置５２ａから転回位置５２ｂへ向かってすなわち往路を移動すると、図７に示す到達領域８１の基板３に対する位置が基板３の平面方向に変化していく。そして、このとき、エアノズル８３ａから空気８５が噴射されているので、基板３は、図９（ａ）に示すように、到達領域８１が基板３の第１面２１ａに描く軌跡の上流側すなわち到達領域８１の待機位置５２ａ側に、空気８５が吹き付けられる。
処理装置１０では、エアノズル８３ａ及び８３ｂがヘッド部５１に設けれているので、基板３に吹き付けられる空気８５は、到達領域８１を待機位置５２ａ側から転回位置５２ｂ側へ向かって追尾する。このため、処理液６３が基板３に残留した残留液６３ａは、図９（ｂ）に示すように、基板３に吹き付けられる空気８５によって基板３の転回位置５２ｂ側に払われる。
【００７５】
ヘッド部５１が転回位置５２ｂに到達すると、図８に示すＣＰＵ９７は、バルブドライバ９３にエアノズル８３ａから空気８５の噴射を停止させる噴射停止指令を出力する。このとき、バルブドライバ９３は、噴射停止指令に基づいて、エアバルブ８８ａを閉状態に制御する。これにより、エアノズル８３ａから空気８５の噴射が停止される。
次いで、ＣＰＵ９７は、バルブドライバ９３にエアノズル８３ｂから空気８５を噴射させる噴射指令を出力する。このとき、バルブドライバ９３は、この噴射指令に基づいて、エアバルブ８８ｂを開状態に制御する。これにより、エアノズル８３ｂからの空気８５の噴射が開始される。
【００７６】
次いで、ＣＰＵ９７は、モータドライバ９５にヘッド転回指令を出力する。このとき、モータドライバ９５は、ヘッド転回指令に基づいて、変位モータ６７の駆動方向を転回させる。これにより、ヘッド部５１は、図５（ａ）に示す転回位置５２ｂを起点として、転回位置５２ｂから待機位置５２ａへ向かって復路の移動を開始する。
【００７７】
このとき、ヘッド部５１が復路を移動すると、到達領域８１の基板３に対する位置が、転回位置５２ｂ側から待機位置５２ａ側へ向かって基板３の平面方向に変化していく。そして、このとき、エアノズル８３ｂから空気８５が噴射されているので、基板３は、図１０（ａ）に示すように、到達領域８１が基板３の第１面２１ａに描く軌跡の上流側すなわち到達領域８１の転回位置５２ｂ側に、空気８５が吹き付けられる。
処理装置１０では、エアノズル８３ａ及び８３ｂがヘッド部５１に設けれているので、基板３に吹き付けられる空気８５は、到達領域８１を追尾する。このため、処理液６３が基板３に残留した残留液６３ａは、図１０（ｂ）に示すように、基板３に吹き付けられる空気８５によって基板３の待機位置５２ａ側に払われる。
【００７８】
ヘッド部５１が待機位置５２ａに到達すると、図８に示すＣＰＵ９７は、バルブドライバ９３にエアノズル８３ｂから空気８５の噴射を停止させる噴射停止指令を出力する。このとき、バルブドライバ９３は、噴射停止指令に基づいて、エアバルブ８８ｂを閉状態に制御する。これにより、エアノズル８３ｂから空気８５の噴射が停止される。
【００７９】
これにより、ヘッド部５１の１往復分の処理が終了する。このとき、基板３に処理液６３で処理すべき領域が残っている場合には、ヘッド部５１の往路の移動を開始させて処理を継続する。
他方で、基板３の処理が終了している場合には、ＣＰＵ９７は、バルブドライバ９３にノズル６５からの噴射を停止させる噴射停止指令を出力する。このとき、バルブドライバ９３は、噴射停止指令に基づいて、処理液バルブ８７を閉状態に制御する。これにより、ノズル６５から処理液６３の噴射が停止される。
【００８０】
処理装置１０において、銅箔３１が導電膜に対応し、レジスト膜３３が樹脂膜に対応し、処理液６３がエッチング液や現像液としての液体に対応し、ノズル６５が噴射部に対応し、エアノズル８３ａ及び８３ｂ並びにエアバルブ８８ａ及び８８ｂが払装置に対応し、Ｙ方向が第１方向に対応し、Ｘ方向が第２方向に対応している。
【００８１】
処理装置１０や基板３の処理では、ノズル６５から処理液６３を基板３に向けて噴射するので、基板３を処理液６３で処理することができる。例えば、処理液６３をエッチング液とすれば、銅箔３１にエッチング処理を施すことができる。また、例えば、処理液６３を現像液とすれば、レジスト膜３３やソルダレジスト膜３９に現像処理を施すことができる。
【００８２】
また、処理装置１０や基板３の処理では、基板３をＹ方向にまたぐ距離にわたってヘッド部５１の位置を変化させるので、基板３をＹ方向にまたぐ距離にわたって到達領域８１の位置を変化させることができる。これにより、基板３をＹ方向にまたぐ距離にわたって処理液６３を基板３に噴きかけることができる。このため、基板３を処理液６３で、この基板３をＹ方向にまたぐ距離にわたって処理することができる。
【００８３】
また、処理装置１０や基板３の処理では、基板３をＹ方向とは交差する搬送方向に搬送しつつ、ヘッド部５１をＹ方向に往復移動させることができるので、ヘッド部５１の往路及び復路の双方で基板３に処理液６３を噴きかけることができる。このため、ヘッド部５１の往路及び復路の双方で基板３に処理を施すことができる。これにより、基板３を効率よく処理することができる。
【００８４】
また、処理装置１０では、空気８５を噴射するエアノズル８３ａ及び８３ｂがヘッド部５１に設けられている。エアノズル８３ａ及び８３ｂは、Ｙ方向に到達領域８１を挟んで対峙している。このため、基板３の処理では、例えば、ヘッド部５１の往路にエアノズル８３ａを対応させることができ、ヘッド部５１の復路にエアノズル８３ｂを対応させることができる。
【００８５】
また、エアノズル８３ａ及び８３ｂがＹ方向に到達領域８１を挟んで対峙しているので、基板３の処理では、エアノズル８３ａやエアノズル８３ｂに到達領域８１を追尾させやすい。これにより、基板３に処理液６３を噴きかけた状態で到達領域８１の基板３に対する位置が変化してから、この到達領域８１が過ぎた位置に空気８５を吹き付けることができる。このため、到達領域８１の軌跡に残留している残留液６３ａを排除しやすい。従って、例えばヘッド部５１の復路で、基板３に処理液６３を噴きかける際に、処理液６３が残留液６３ａに重なることを避けやすい。このため、残留液６３ａに新たな処理液６３が重なることによって発生する処理のムラを低く抑えることができる。この結果、現像処理やエッチング処理におけるパターニングの精度を向上させやすくすることができる。
【００８６】
また、処理装置１０では、空気８５を噴射するエアノズル８３ａ及び８３ｂがヘッド部５１に設けられている。このため、基板３の処理では、到達領域８１の基板３に対する位置を変化させながら、基板３に気体を吹き付けることができる。これにより、基板３の処理にかかる時間を短縮しやすくすることができる。
【００８７】
また、処理装置１０や基板３の処理では、空気８５を基板３に吹き付けることで残留液６３ａを払うので、基板３、配線１１、配線１３、ソルダレジスト１５、アライメントマーク１７などや、レジスト膜３３、レジストパターン３３ａ、ソルダレジスト膜３９などが損傷することを避けやすくすることができる。
【００８８】
なお、処理装置１０では、変位装置５３がヘッド部５１をＹ方向に基板３をまたぐ距離にわたって移動させる場合を例に説明したが、変位装置５３の構成はこれに限定されない。例えば、変位装置５３は、ヘッド部５１の基板３に対する姿勢を変化させる構成も採用され得る。
【００８９】
この場合、変位装置５３ａは、平面図である図１１（ａ）、及び正面図である図１１（ｂ）に示すように、変位モータ６７と、ヘッド部５１を支持する支持部１１１とを有する構成が採用され得る。
支持部１１１は、図１１（ｂ）に示す回転軸１１３を中心に回動可能に構成されている。変位モータ６７は、ヘッド部５１を回動させるための動力を発生する。
【００９０】
変位装置５３ａを有する処理装置１００では、変位モータ６７からの動力は、図示しない動力伝達機構を介して支持部１１１に伝達される。これにより、ヘッド部５１は、支持部１１１に支持された状態で回転軸１１３を中心に回動され得る。
なお、動力伝達機構としては、ベルト伝動、歯車伝動などや、ラック及びピニオンの組み合わせや、これらを組み合わせた機構などの種々の伝達機構が採用され得る。
【００９１】
ヘッド部５１の回動範囲は、被噴射面８２（図７）における到達領域８１の位置が待機位置１１５ａから基板３をまたいで転回位置１１５ｂに至る範囲に設定され得る。
そして、変位装置５３ａは、到達領域８１が待機位置１１５ａと転回位置１１５ｂとの間を往復移動可能に構成されている。つまり、変位装置５３ａは、ヘッド部５１を図１１（ａ）中のＣ視方向に見た図である図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、ヘッド部５１の姿勢を振り子のように変化させる。
【００９２】
待機位置１１５ａと転回位置１１５ｂとの間の往復移動における往路では、図１２（ａ）に示すように、到達領域８１を待機位置１１５ａ側から転回位置１１５ｂ側に向けて基板３の平面方向に変位させる。
このとき、エアノズル８３ａから空気８５を噴射させることにより、図１２（ｂ）に示すように、残留液６３ａが基板３の転回位置１１５ｂ側に払われる。
【００９３】
復路においても同様に、到達領域８１を転回位置１１５ｂ側から待機位置１１５ａ側に向けて基板３の平面方向に変位させつつ、エアノズル８３ｂから空気８５を噴射させることにより、残留液６３ａが基板３の待機位置１１５ａ側に払われる。
このように、変位装置５３ａを有する処理装置１００でも、変位装置５３を有する処理装置１０と同様の効果が得られる。
【００９４】
処理装置１０や処理装置１００では、基板３をリールトゥリールで処理する場合を例に、到達領域８１をＹ方向に往復移動させるようにしたが、処理装置１０や処理装置１００の構成はこれに限定されない。個別に分割された複数の基板３を枚葉処理する場合には、各基板３を変位させるようにしてもよい。
さらに、この場合、ヘッド部５１の位置やヘッド部５１の姿勢を変化させつつ、各基板３をも変位させるようにしてもよい。これにより、到達領域８１の各基板３に対する位置の変化にかかる時間を一層短縮することができる。
【００９５】
また、処理装置１０や処理装置１００における基板３の処理では、到達領域８１が基板３の第１面２１ａに描く軌跡の上流側に空気８５を吹き付けるようにしたが、空気８５を吹き付ける側は軌跡の上流側に限定されない。この軌跡の下流側にも空気８５を吹き付けるようにしてもよい。これにより、残留液６３ａが、図１３に示すように、盛り上がることを避けやすくすることができる。残留液６３ａは、軌跡の下流側に吹き付けられた空気８５によって、軌跡の下流側に薄く広がりやすい。
【００９６】
このため、ノズル６５から噴射された処理液６３が軌跡の下流側の残留液６３ａに重なることを避けやすくすることができる。これにより、残留液６３ａに新たな処理液６３が重なることによって発生する処理のムラを一層低く抑えることができる。この結果、現像処理やエッチング処理におけるパターニングの精度を一層向上させやすくすることができる。
なお、この場合、軌跡の下流側で基板３に向けて噴射する空気８５の圧力を、軌跡の上流側で基板３に向けて噴射する空気８５の圧力よりも低くすることが、残留液６３ａが軌跡の上流側に逆流することを避けやすくすることができる観点から好ましい。
【００９７】
また、処理装置１０や処理装置１００では、空気８５を基板３に吹き付けることによって残留液６３ａを払うようにしたが、吹き付ける気体は空気８５に限定されない。基板３に吹き付ける気体としては、例えば窒素やアルゴンなどの不活性ガスも採用され得る。これにより、基板３に設けられる配線１１や配線１３などの酸化を軽減することができる。
【００９８】
また、処理装置１０や処理装置１００では、２つのエアノズル８３ａ及び８３ｂをヘッド部５１に設けた構成を例に説明したが、処理装置１０や処理装置１００の構成はこれに限定されない。処理装置１０や処理装置１００の構成としては、エアノズル８３ａ及び８３ｂのいずれか１つだけをヘッド部５１とは個別に設けた構成も採用され得る。
この場合、エアノズル８３ａ及び８３ｂのいずれか１つをヘッド部５１とは個別に、待機位置５２ａ又は１１５ａと、転回位置５２ｂ又は１１５ｂとの間を往復移動させる装置が付加された構成が採用され得る。これにより、２つのエアノズル８３ａ及び８３ｂのうちの他方を省略することができる。
また、エアノズル８３ａ及び８３ｂのいずれか１つと、到達領域８１とを個別に往復移動させることができるので、到達領域８１が基板３をＹ方向に横切ってから、残留液６３ａを払うことができる。
【００９９】
また、本実施形態では、複数の回路部５がＸ方向に１列に並んだ配線基板１を例に説明したが、配線基板１の構成はこれに限定されず、複数の回路部５がＹ方向にも並んだ構成も採用され得る。
また、基板３のＹ方向における幅寸法は、到達領域８１よりも広い場合に限定されず、到達領域８１よりも狭い幅寸法も採用され得る。この場合、到達領域８１は、基板３をＹ方向にまたぐことができる領域として規定され得る。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】実施形態における配線基板の主要構成を示す平面図。
【図２】実施形態における配線基板の１つの回路部を拡大した平面図。
【図３】図２中のＡ−Ａ線における断面図。
【図４】実施形態における配線基板の製造方法を説明する図。
【図５】実施形態における処理装置の主要構成を示す外観図。
【図６】実施形態における処理装置の搬送装置を示す斜視図。
【図７】ヘッド部を図５（ａ）中のＢ視方向に見た図。
【図８】実施形態における処理装置の主要構成を示すブロック図。
【図９】実施形態における処理装置での基板の処理を説明する図。
【図１０】実施形態における処理装置での基板の処理を説明する図。
【図１１】実施形態における処理装置の他の例における主要構成を示す外観図。
【図１２】ヘッド部を図１１（ａ）中のＣ視方向に見た図。
【図１３】実施形態における処理装置での基板の処理の他の例を説明する図。
【符号の説明】
【０１０１】
１…配線基板、３…基板、５…回路部、１０，１００…処理装置、１１…配線、１３…配線、１５…ソルダレジスト、２１ａ…第１面、２１ｂ…第２面、３１…銅箔、３３…レジスト膜、３３ａ…レジストパターン、３９…ソルダレジスト膜、５１…ヘッド部、５２ａ，１１５ａ…待機位置、５２ｂ，１１５ｂ…転回位置、５３，５３ａ…変位装置、５５…搬送装置、５７…載置部、５９…制御回路、６３…処理液、６３ａ…残留液、６５…ノズル、７９…載置ローラ、８１…到達領域、８２…被噴射面、８３ａ，８３ｂ…エアノズル、８５…空気、８７…処理液バルブ、８８ａ，８８ｂ…エアバルブ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を噴射する噴射部から前記液体を基板に向けて噴射させつつ、前記噴射部から噴射された前記液体が前記基板に到達する領域である到達領域の前記基板に対する位置を前記基板の平面方向に変化させた後に、前記基板に付着している前記液体を払うことを特徴とする基板の処理方法。
【請求項２】
前記到達領域の前記基板に対する前記位置を、前記到達領域によって前記基板に描かれる軌跡が前記基板をまたぐ距離にわたって変化させることを特徴とする請求項１に記載の基板の処理方法。
【請求項３】
前記到達領域の前記基板に対する前記位置を変化させる方向を第１方向として、前記基板を前記第１方向とは交差する第２方向に搬送しつつ、前記到達領域を前記基板に対して往復させることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板の処理方法。
【請求項４】
前記基板に気体を吹き付けて、前記液体を払うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板の処理方法。
【請求項５】
前記到達領域の前記基板に対する前記位置を変化させながら、前記到達領域が前記基板に描く軌跡の上流側で前記基板に前記気体を吹き付けることを特徴とする請求項４に記載の基板の処理方法。
【請求項６】
前記到達領域が前記基板に描く前記軌跡の下流側においても前記基板に気体を吹き付けることを特徴とする請求項５に記載の基板の処理方法。
【請求項７】
前記気体が空気であることを特徴とする請求項５又は６に記載の基板の処理方法。
【請求項８】
前記噴射部の前記基板に対する相対位置を変化させることで、前記到達領域の前記基板に対する前記位置を変化させることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の基板の処理方法。
【請求項９】
前記噴射部の前記基板に対する姿勢を変化させることで、前記到達領域の前記基板に対する前記位置を変化させることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の基板の処理方法。
【請求項１０】
前記基板には、導電性を有する導電膜が設けられており、
前記液体が前記導電膜のエッチング液であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の基板の処理方法。
【請求項１１】
前記基板には、感光性を有する樹脂膜が設けられており、
前記液体が前記樹脂膜の現像液であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の基板の処理方法。
【請求項１２】
基板が載置される載置部と、
前記載置部に向けて液体を噴射する噴射部と、
前記噴射部から噴射された前記液体が、前記載置部に載置される前記基板の前記噴射部側の面によって空間的に規定される被噴射面に到達する領域である到達領域の前記載置部に対する位置を変化させる変位装置と、
前記到達領域を追尾して前記基板に付着している前記液体を払う払装置と、を有することを特徴とする基板の処理装置。
【請求項１３】
前記変位装置が前記到達領域の前記載置部に対する前記位置を変化させる方向を第１方向として、前記基板を前記第１方向とは交差する第２方向に搬送する搬送装置を有し、
前記変位装置は、前記到達領域を前記載置部に対して往復させることを特徴とする請求項１２に記載の基板の処理装置。
【請求項１４】
１つの前記噴射部に対して少なくとも２つの前記払装置を有しており、
前記２つの払装置は、前記到達領域を前記第１方向に挟んだ状態で設けられていることを特徴とする請求項１３に記載の基板の処理装置。
【請求項１５】
前記払装置は、前記基板に気体を吹き付けて前記液体を払うことを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載の基板の処理装置。
【請求項１６】
前記気体が空気であることを特徴とする請求項１５に記載の基板の処理装置。
【請求項１７】
前記変位装置は、前記噴射部の前記載置部に対する相対位置を変化させることを特徴とする請求項１２乃至１６のいずれか一項に記載の基板の処理装置。
【請求項１８】
前記変位装置は、前記噴射部の前記基板に対する姿勢を変化させることを特徴とする請求項１２乃至１６のいずれか一項に記載の基板の処理装置。
【請求項１９】
前記基板には、導電性を有する導電膜が設けられており、
前記液体が前記導電膜のエッチング液であることを特徴とする請求項１２乃至１８のいずれか一項に記載の基板の処理装置。
【請求項２０】
前記基板には、感光性を有する樹脂膜が設けられており、
前記液体が前記樹脂膜の現像液であることを特徴とする請求項１２乃至１８のいずれか一項に記載の基板の処理装置。
【請求項１】
液体を噴射する噴射部から前記液体を基板に向けて噴射させつつ、前記噴射部から噴射された前記液体が前記基板に到達する領域である到達領域の前記基板に対する位置を前記基板の平面方向に変化させた後に、前記基板に付着している前記液体を払うことを特徴とする基板の処理方法。
【請求項２】
前記到達領域の前記基板に対する前記位置を、前記到達領域によって前記基板に描かれる軌跡が前記基板をまたぐ距離にわたって変化させることを特徴とする請求項１に記載の基板の処理方法。
【請求項３】
前記到達領域の前記基板に対する前記位置を変化させる方向を第１方向として、前記基板を前記第１方向とは交差する第２方向に搬送しつつ、前記到達領域を前記基板に対して往復させることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板の処理方法。
【請求項４】
前記基板に気体を吹き付けて、前記液体を払うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板の処理方法。
【請求項５】
前記到達領域の前記基板に対する前記位置を変化させながら、前記到達領域が前記基板に描く軌跡の上流側で前記基板に前記気体を吹き付けることを特徴とする請求項４に記載の基板の処理方法。
【請求項６】
前記到達領域が前記基板に描く前記軌跡の下流側においても前記基板に気体を吹き付けることを特徴とする請求項５に記載の基板の処理方法。
【請求項７】
前記気体が空気であることを特徴とする請求項５又は６に記載の基板の処理方法。
【請求項８】
前記噴射部の前記基板に対する相対位置を変化させることで、前記到達領域の前記基板に対する前記位置を変化させることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の基板の処理方法。
【請求項９】
前記噴射部の前記基板に対する姿勢を変化させることで、前記到達領域の前記基板に対する前記位置を変化させることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の基板の処理方法。
【請求項１０】
前記基板には、導電性を有する導電膜が設けられており、
前記液体が前記導電膜のエッチング液であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の基板の処理方法。
【請求項１１】
前記基板には、感光性を有する樹脂膜が設けられており、
前記液体が前記樹脂膜の現像液であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の基板の処理方法。
【請求項１２】
基板が載置される載置部と、
前記載置部に向けて液体を噴射する噴射部と、
前記噴射部から噴射された前記液体が、前記載置部に載置される前記基板の前記噴射部側の面によって空間的に規定される被噴射面に到達する領域である到達領域の前記載置部に対する位置を変化させる変位装置と、
前記到達領域を追尾して前記基板に付着している前記液体を払う払装置と、を有することを特徴とする基板の処理装置。
【請求項１３】
前記変位装置が前記到達領域の前記載置部に対する前記位置を変化させる方向を第１方向として、前記基板を前記第１方向とは交差する第２方向に搬送する搬送装置を有し、
前記変位装置は、前記到達領域を前記載置部に対して往復させることを特徴とする請求項１２に記載の基板の処理装置。
【請求項１４】
１つの前記噴射部に対して少なくとも２つの前記払装置を有しており、
前記２つの払装置は、前記到達領域を前記第１方向に挟んだ状態で設けられていることを特徴とする請求項１３に記載の基板の処理装置。
【請求項１５】
前記払装置は、前記基板に気体を吹き付けて前記液体を払うことを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載の基板の処理装置。
【請求項１６】
前記気体が空気であることを特徴とする請求項１５に記載の基板の処理装置。
【請求項１７】
前記変位装置は、前記噴射部の前記載置部に対する相対位置を変化させることを特徴とする請求項１２乃至１６のいずれか一項に記載の基板の処理装置。
【請求項１８】
前記変位装置は、前記噴射部の前記基板に対する姿勢を変化させることを特徴とする請求項１２乃至１６のいずれか一項に記載の基板の処理装置。
【請求項１９】
前記基板には、導電性を有する導電膜が設けられており、
前記液体が前記導電膜のエッチング液であることを特徴とする請求項１２乃至１８のいずれか一項に記載の基板の処理装置。
【請求項２０】
前記基板には、感光性を有する樹脂膜が設けられており、
前記液体が前記樹脂膜の現像液であることを特徴とする請求項１２乃至１８のいずれか一項に記載の基板の処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２００９−１９５８３８（Ｐ２００９−１９５８３８Ａ）
【公開日】平成２１年９月３日（２００９．９．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−４１０７５（Ｐ２００８−４１０７５）
【出願日】平成２０年２月２２日（２００８．２．２２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年９月３日（２００９．９．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年２月２２日（２００８．２．２２）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]