基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理装置
【課題】基板から液体を確実に除去することが可能な基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２において、リンス液供給ノズル６６０は、リンス液供給管６６１ａを介して脱気モジュールＤＭに接続されている。脱気モジュールＤＭはリンス液供給管６６１ｂを介してリンス液供給源Ｒ２に接続されている。脱気モジュールＤＭにおいて、リンス液の脱気処理が行われる。脱気処理後のリンス液が、リンス液供給管６６１ａを通してリンス液供給ノズル６６０に供給される。基板Ｗの乾燥処理時に、リンス液供給ノズル６６０から基板Ｗ上にリンス液が供給される。それにより、基板Ｗ上にリンス液の液層が形成される。
【解決手段】第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２において、リンス液供給ノズル６６０は、リンス液供給管６６１ａを介して脱気モジュールＤＭに接続されている。脱気モジュールＤＭはリンス液供給管６６１ｂを介してリンス液供給源Ｒ２に接続されている。脱気モジュールＤＭにおいて、リンス液の脱気処理が行われる。脱気処理後のリンス液が、リンス液供給管６６１ａを通してリンス液供給ノズル６６０に供給される。基板Ｗの乾燥処理時に、リンス液供給ノズル６６０から基板Ｗ上にリンス液が供給される。それにより、基板Ｗ上にリンス液の液層が形成される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を乾燥させる基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。
【０００４】
上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。
【０００５】
近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レチクルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。
【０００６】
そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。
【特許文献１】特開２００３−３２４１３９号公報
【特許文献２】国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記特許文献２の投影露光装置においては、基板と液体とが接触した状態で露光処理が行われる。そのため、基板は、液体が付着した状態で露光装置から搬出される。上記特許文献１の基板処理装置に上記特許文献２に記載されているような液浸法を用いた露光装置を外部装置として設ける場合、露光装置から搬出された基板に付着している液体が基板処理装置内に落下することを防止するため、露光処理後の基板を乾燥させる必要がある。
【０００８】
基板の乾燥は、例えば基板を回転させて基板に付着する液体を振り切ることにより行われる。しかしながら、この場合、基板上に微小な液滴が残留することがある。液滴が残留すると、基板上にウォーターマーク等の反応生成物が生成され、基板の処理不良の原因となる。
【０００９】
また、基板の現像処理後には、基板上の現像液を洗い流すため、純水等の液体を用いて洗浄処理が行われる。この場合も、基板を乾燥させる必要がある。しかしながら、上記と同様に基板上に微小な液滴が残留することがあり、ウォーターマーク等の反応生成物の生成によって基板の処理不良が発生することがある。
【００１０】
本発明の目的は、基板から液体を確実に除去することが可能な基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
（１）第１の発明に係る基板乾燥装置は、基板の乾燥処理を行う基板乾燥装置であって、基板を略水平に保持しつつ回転させる基板回転保持手段と、基板回転保持手段に保持された基板上にリンス液の液層を形成する液層形成手段と、基板回転保持手段により基板が回転する状態で、液層形成手段により基板上に形成されたリンス液の液層の中心部に向けて気体を吐出する気体吐出手段とを備え、液層形成手段は、リンス液から気体を除去する気体除去手段と、気体除去手段により気体が除去されたリンス液を基板上に供給するリンス液供給手段とを含むものである。
【００１２】
この基板乾燥装置においては、基板回転保持手段により基板が略水平に保持され、その基板上に液層形成手段によりリンス液の液層が形成される。この場合、気体除去手段によって予めリンス液に含まれる気体が除去され、そのリンス液がリンス液供給手段により基板上に供給される。そのため、基板上に形成される液層中に気泡が発生することが抑制される。
【００１３】
液層の形成後、基板回転保持手段により基板が回転する状態で、気体吐出手段により液層の中心部に向けて気体が吐出される。それにより、液層の中心部における張力が消滅し、遠心力によって液層が基板の外方に移動する。
【００１４】
この場合、液層が円環形状を保持した状態で一体的に基板の外方へ移動する。特に、液層中における気泡の発生が抑制されることにより、液層の一体的な移動が妨げられない。したがって、基板上に微小液滴が残留することなく、液層が完全に取り除かれる。
【００１５】
このような処理を行うことにより、基板上に液体が付着していた場合でも、その液体をリンス液の液層とともに基板上から取り除くことができ、基板を確実に乾燥させることができる。したがって、基板上におけるウォーターマーク等の反応生成物の生成を防止することができる。その結果、基板の処理不良の発生を防止することができる。
【００１６】
（２）基板回転保持手段は、液層形成手段によるリンス液の液層の形成時に基板を第１の回転速度で回転させ、液層形成手段によるリンス液の液層の形成後に基板の回転速度を第２の回転速度まで段階的または連続的に上昇させ、気体吐出手段は、第１の回転速度よりも高く第２の回転速度よりも低い第３の回転速度で回転する基板上のリンス液の液層に気体を吐出してもよい。
【００１７】
この場合、液層の形成時には基板回転保持手段により基板が第１の回転速度で回転する。それにより、基板が水平面に対して僅かに傾いた状態であっても、液層を基板上に均一に形成することができる。
【００１８】
液層の形成後には、基板回転保持手段により基板の回転速度が段階的または連続的に上昇する。それにより、液層の周縁部に働く外方への遠心力が増加する。一方、液層の中心部には遠心力に対する張力が働き、液層は外方に飛散することなく基板上で保持される。
【００１９】
基板の回転速度が上昇する過程で、基板の回転速度が第１の回転速度よりも高く第２の回転速度よりも低い第３の回転速度であるときに、気体吐出手段により基板上の液層の中心部に向けて気体が吐出される。それにより、液層の中心部における張力が消滅し、遠心力によって液層が基板の外方に移動する。
【００２０】
これにより、液層を複数の領域に分離させることなく円環形状を保持した状態で確実に基板の外方に移動させることができる。そのため、基板上における微小液滴の形成が抑制され、基板上の液層を確実に取り除くことができる。
【００２１】
（３）基板回転保持手段は、液層形成手段によるリンス液の液層の形成後であって気体吐出手段による気体の吐出前に、基板の回転速度を第１の回転速度よりも高く第２の回転速度よりも低い第４の回転速度に所定時間維持してもよい。
【００２２】
この場合、液層が基板上の全域に広がるとともに、液層が基板上に安定に保持される。それにより、気体吐出手段による気体の吐出前に液層が基板の外方に飛散することが確実に防止されるとともに、気体の吐出時に、液層を複数の領域に分離させることなく円環形状を保持した状態でより確実に基板の外方に移動させることができる。
【００２３】
（４）気体除去手段は、気体透過膜からなり、リンス液が導入される気体透過流路と、気体透過流路を気密に収容する気体収容室と、気体収容室内を真空吸引する真空吸引手段とを有してもよい。
【００２４】
この場合、真空吸引手段により気体収容室内が真空吸引される状態で気体透過流路に導入されたリンス液から気体透過膜を通して気体が除去される。このようにして気体が除去されたリンス液を用いることにより、基板上に形成される液層中に気泡が発生することを防止することができる。
【００２５】
（５）第２の発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための処理部と、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部および受け渡し部の少なくとも一方は、基板の乾燥処理を行う基板乾燥装置を含み、基板乾燥装置は、基板を略水平に保持しつつ回転させる基板回転保持手段と、基板回転保持手段に保持された基板上にリンス液の液層を形成する液層形成手段と、基板回転保持手段により基板が回転する状態で、液層形成手段により基板上に形成されたリンス液の液層の中心部に向けて気体を吐出する気体吐出手段とを備え、液層形成手段は、リンス液から気体を除去する気体除去手段と、気体除去手段により気体が除去されたリンス液を基板上に供給するリンス液供給手段とを含むものである。
【００２６】
この基板処理装置においては、処理部により基板に処理が行われ、受け渡し部によりその基板が処理部から露光装置へ受け渡される。露光装置により基板に露光処理が行われた後、その基板が受け渡し部により露光装置から処理部へ受け渡される。露光装置による露光処理前または露光処理後に、基板乾燥装置により基板の乾燥処理が行われる。
【００２７】
基板乾燥装置においては、基板回転保持手段により基板が略水平に保持され、その基板上に液層形成手段によりリンス液の液層が形成される。この場合、気体除去手段によって予めリンス液に含まれる気体が除去され、そのリンス液がリンス液供給手段により基板上に供給される。そのため、基板上に形成される液層中に気泡が発生することが抑制される。
【００２８】
液層の形成後、基板回転保持手段により基板が回転する状態で、気体吐出手段により液層の中心部に向けて気体が吐出される。それにより、液層の中心部における張力が消滅し、遠心力によって液層が基板の外方に移動する。
【００２９】
この場合、液層が円環形状を保持した状態で一体的に基板の外方へ移動する。特に、液層中における気泡の発生が抑制されることにより、液層の一体的な移動が妨げられない。したがって、基板上に微小液滴が残留することなく、液層が完全に取り除かれる。
【００３０】
このような処理を行うことにより、基板上に液体が付着していた場合でも、その液体をリンス液の液層とともに基板上から取り除くことができ、基板を確実に乾燥させることができる。したがって、基板上におけるウォーターマーク等の反応生成物の生成を防止することができる。その結果、基板の処理不良の発生を防止することができる。
【００３１】
（６）基板乾燥装置は、露光装置による露光処理後に基板の乾燥処理を行ってもよい。
【００３２】
この場合、露光装置において基板に液体が付着しても、その液体をリンス液の液層とともに基板上から取り除くことができる。また、微小液滴を基板上に残留させることなく、基板を確実に乾燥させることができる。それにより、基板上におけるウォーターマーク等の反応生成物の生成を抑制することができる。その結果、基板の処理不良の発生を防止することができる。
【００３３】
（７）基板乾燥装置は、露光装置による露光処理前に基板の乾燥処理を行ってもよい。
【００３４】
この場合、基板上に塵埃等が付着していても、それらをリンス液の液層とともに取り除くことができる。また、微小液滴を基板上に残留させることなく、基板を確実に乾燥させることができる。それにより、基板上におけるウォーターマーク等の反応生成物の生成を抑制することができる。その結果、基板の処理不良の発生を防止することができる。
【００３５】
（８）基板乾燥装置は、基板回転保持手段に保持された基板上に現像液を供給する現像液供給手段をさらに含み、液層形成手段は、基板回転保持手段に保持された基板上にリンス液を供給することにより基板上の現像液を洗い流した後、基板上にリンス液の液層を形成してもよい。
【００３６】
この場合、基板上に現像液を供給することにより露光後の基板に現像処理を行うことができる。そして、基板上の現像液を洗い流した後、微小液滴を基板上に残留させることなく、基板を確実に乾燥させることができる。それにより、基板上に残留する液滴に起因する現像欠陥の発生を確実に防止することができる。
【発明の効果】
【００３７】
本発明によれば、基板上に液体が付着していた場合でも、その液体をリンス液の液層とともに基板上から取り除くことができ、基板を確実に乾燥させることができる。したがって、基板上におけるウォーターマーク等の反応生成物の生成を防止することができる。その結果、基板の処理不良の発生を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、本発明の実施の形態に係る基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
【００３９】
（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１ならびに後述する図２〜図４には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
【００４０】
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。露光装置１６においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
【００４１】
以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５の各々を処理ブロックと呼ぶ。
【００４２】
インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。
【００４３】
反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部５０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部５０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
【００４４】
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。
【００４５】
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１３にも同様に設けられる。
【００４６】
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部６０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部６０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
【００４７】
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１８が設けられる。この隔壁１８には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。
【００４８】
現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部７０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部７０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
【００４９】
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。
【００５０】
レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部８０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。レジストカバー膜用塗布処理部８０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。
【００５１】
現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。
【００５２】
レジストカバー膜除去ブロック１４は、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１、レジストカバー膜除去用処理部９０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。露光後ベーク用熱処理部１４１はインターフェースブロック１５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２を備える。レジストカバー膜除去用処理部９０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１に対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。
【００５３】
レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。
【００５４】
インターフェースブロック１５は、送りバッファ部ＳＢＦ、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第６のセンターロボットＣＲ６、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰＡＳＳ−ＣＰ（以下、Ｐ−ＣＰと略記する）、基板載置部ＰＡＳＳ１３、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよび第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２を含む。なお、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行い、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行う。第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の詳細は後述する。
【００５５】
また、第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２（図４参照）が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２（図４参照）が上下に設けられる。インターフェースブロック１５の詳細については後述する。
【００５６】
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５が順に並設されている。
【００５７】
図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た概略側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た概略側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の＋Ｘ側に設けられるものを主に示し、図３においては、基板処理装置５００の−Ｘ側に設けられるものを主に示している。
【００５８】
まず、図２を用いて、基板処理装置５００の＋Ｘ側の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部５０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル５２を備える。
【００５９】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。
【００６０】
現像処理ブロック１２の現像処理部７０には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル７２を備える。
【００６１】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部８０には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８１およびスピンチャック８１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル８２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。
【００６２】
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部９０には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９１およびスピンチャック９１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル９２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。
【００６３】
なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。
【００６４】
インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、エッジ露光部ＥＥＷおよび３個の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。
【００６５】
次に、図３を用いて、基板処理装置５００の−Ｘ側の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６６】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６７】
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０，１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６８】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６９】
レジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１４１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００７０】
次に、図４を用いてインターフェースブロック１５について詳細に説明する。
【００７１】
図４は、インターフェースブロック１５を＋Ｙ側から見た概略側面図である。図４に示すように、インターフェースブロック１５内において、−Ｘ側には、送りバッファ部ＳＢＦおよび３個の第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が積層配置される。また、インターフェースブロック１５内において、＋Ｘ側の上部には、エッジ露光部ＥＥＷが配置される。
【００７２】
エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の略中央部には、戻りバッファ部ＲＢＦ、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３が上下に積層配置される。エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、３個の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。
【００７３】
また、インターフェースブロック１５内の下部には、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが設けられている。第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦおよび第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１と、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３と、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。
【００７４】
（２）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図４を参照しながら説明する。
【００７５】
（２−１）インデクサブロック〜レジストカバー膜除去ブロックの動作
まず、インデクサブロック９〜レジストカバー膜除去ブロック１４の動作について簡単に説明する。
【００７６】
インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
【００７７】
本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。
【００７８】
さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
【００７９】
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。
【００８０】
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部５０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部５０では、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
【００８１】
次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
【００８２】
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。
【００８３】
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部６０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。
【００８４】
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
【００８５】
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
【００８６】
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部８０では、塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストカバー膜が塗布形成される。
【００８７】
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用塗布処理部８０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
【００８８】
基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。
【００８９】
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られ、後述するように、インターフェースブロック１５および露光装置１６において所定の処理が施される。インターフェースブロック１５および露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が施された後、その基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６によりレジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬入される。
【００９０】
露光後ベーク用熱処理部１４１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、露光後ベーク用熱処理部１４１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。
【００９１】
なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部１４１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１４０により露光後ベークを行ってもよい。
【００９２】
基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部９０に搬入する。レジストカバー膜除去用処理部９０においては、レジストカバー膜が除去される。
【００９３】
次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜除去用処理部９０から処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。
【００９４】
基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。
【００９５】
基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部７０に搬入する。現像処理部７０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。
【００９６】
次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部７０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
【００９７】
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。
【００９８】
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
【００９９】
（２−２）インターフェースブロックの動作
次に、インターフェースブロック１５の動作について詳細に説明する。
【０１００】
上述したように、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、所定の処理を施された後、レジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置される。
【０１０１】
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図４）に搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。
【０１０２】
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１のいずれかに搬入する。第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、上述したように露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【０１０３】
ここで、露光装置１６による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。その結果、露光装置１６が後の基板Ｗの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦ（図４）に一時的に収納保管される。本実施の形態では、第６のセンターロボットＣＲ６は、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに搬送する。
【０１０４】
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦに収納保管されている基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入する。載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入された基板Ｗは、露光装置１６内と同じ温度（例えば、２３℃）に維持される。
【０１０５】
なお、露光装置１６が十分な処理速度を有する場合には、送りバッファ部ＳＢＦに基板Ｗを収納保管せずに、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに基板Ｗを搬送してもよい。
【０１０６】
続いて、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰで上記所定温度に維持された基板Ｗが、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ１（図４）により受け取られ、露光装置１６内の基板搬入部１６ａ（図１）に搬入される。
【０１０７】
露光装置１６において露光処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの下側のハンドＨ２（図４）により基板搬出部１６ｂ（図１）から搬出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ２により、その基板Ｗを第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２のいずれかに搬入する。第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、上述したように露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【０１０８】
第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において洗浄および乾燥処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１（図４）により取り出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ１により、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。
【０１０９】
基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬送する。
【０１１０】
なお、除去ユニットＲＥＭ（図２）の故障等により、レジストカバー膜除去ブロック１４が一時的に基板Ｗの受け入れをできないときは、戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
【０１１１】
（３）洗浄／乾燥処理ユニット
次に、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２について詳細に説明する。第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の構成は互いに同じである。
【０１１２】
（３−１）構成
図５は、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の構成を説明するための図である。図５に示すように、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は、基板Ｗを水平に保持するとともに、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック６２１を備える。
【０１１３】
スピンチャック６２１は、チャック回転駆動機構６３６によって回転される回転軸６２５の上端に固定されている。また、スピンチャック６２１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック６２１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック６２１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。
【０１１４】
スピンチャック６２１により保持される基板Ｗの上方位置と外方位置との間で移動可能に洗浄液供給ノズル６５０、リンス液供給ノズル６６０および不活性ガス供給ノズル６７０が設けられている。洗浄液供給ノズル６５０、リンス液供給ノズル６６０および不活性ガス供給ノズル６７０は、図示しないノズル駆動機構によってそれぞれ独立に駆動される。
【０１１５】
洗浄液供給ノズル６５０は、洗浄液供給管６５１を介して洗浄液供給源Ｒ１に接続されている。洗浄液供給管６５１にはバルブＶａが介挿されている。バルブＶａを開くことにより洗浄液供給源Ｒ１から洗浄液供給ノズル６５０に洗浄液が供給される。洗浄液としては、例えば、純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液またはフッ素系薬液が用いられる。
【０１１６】
リンス液供給ノズル６６０は、リンス液供給管６６１ａを介して脱気モジュールＤＭに接続されている。また、脱気モジュールＤＭはリンス液供給管６６１ｂを介してリンス液供給源Ｒ２に接続されている。リンス液供給管６６１ｂにはバルブＶｂが介挿されている。バルブＶｂを開くことにより、洗浄液供給源Ｒ１から脱気モジュールＤＭにリンス液が供給される。脱気モジュールＤＭにおいて、リンス液に溶存する気体を除去する処理（以下、脱気処理と呼ぶ）が行われる。脱気処理後のリンス液が、リンス液供給ノズル６６０に供給される。脱気モジュールＤＭの具体的な構成については後述する。本実施の形態においては、リンス液として純水が用いられる。
【０１１７】
不活性ガス供給ノズル６７０は、不活性ガス供給管６７１を介して不活性ガス供給源Ｒ３に接続されている。不活性ガス供給管６７１にはバルブＶｃが介挿されている。バルブＶｃを開くことにより不活性ガス供給源Ｒ３から不活性ガス供給ノズル６７０に不活性ガスが供給される。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガスが用いられる。なお、不活性ガスの代わりに、エアー（空気）等の他の気体を用いてもよい。
【０１１８】
スピンチャック６２１に保持された基板Ｗは、処理カップ６２３内に収容される。処理カップ６２３の内側には、筒状の仕切壁６３３が設けられている。また、スピンチャック６２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた処理液（洗浄液またはリンス液）を排液するための排液空間６３１が形成されている。さらに、排液空間６３１を取り囲むように、処理カップ６２３と仕切壁６３３との間に、基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間６３２が形成されている。
【０１１９】
排液空間６３１には、排液処理装置（図示せず）へ処理液を導くための排液管６３４が接続され、回収液空間６３２には、回収処理装置（図示せず）へ処理液を導くための回収管６３５が接続されている。
【０１２０】
処理カップ６２３の上方には、基板Ｗからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード６２４が設けられている。このガード６２４は、回転軸６２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード６２４の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝６４１が環状に形成されている。
【０１２１】
また、ガード６２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部６４２が形成されている。回収液案内部６４２の上端付近には、処理カップ６２３の仕切壁６３３を受け入れるための仕切壁収納溝６４３が形成されている。
【０１２２】
このガード６２４には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード６２４を、回収液案内部６４２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝６４１がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する排液位置との間で上下動させる。ガード６２４が回収位置（図５に示すガードの位置）にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が回収液案内部６４２により回収液空間６３２に導かれ、回収管６３５を通して回収される。一方、ガード６２４が排液位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が排液案内溝６４１により排液空間６３１に導かれ、排液管６３４を通して排液される。以上の構成により、処理液の排液および回収が行われる。
【０１２３】
（３−２）動作
次に、上記構成を有する第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の処理動作について説明する。なお、以下に説明する第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）３０により制御される。
【０１２４】
まず、基板Ｗの搬入時には、ガード６２４が下降するとともに、図１の第６のセンターロボットＣＲ６またはインターフェース用搬送機構ＩＦＲが基板Ｗをスピンチャック６２１上に載置する。スピンチャック６２１上に載置された基板Ｗは、スピンチャック６２１により吸着保持される。
【０１２５】
次に、ガード６２４が上述した排液位置まで移動するとともに、洗浄液供給ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、回転軸６２５が回転し、この回転に伴ってスピンチャック６２１に保持されている基板Ｗが回転する。その後、洗浄液供給ノズル６５０から基板Ｗの上面に洗浄液が吐出される。これにより、基板Ｗの洗浄が行われる。
【０１２６】
なお、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、この洗浄時に基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分が洗浄液中に溶出する。また、基板Ｗの洗浄においては、基板Ｗを回転させつつ基板Ｗ上に洗浄液を供給している。この場合、基板Ｗ上の洗浄液は遠心力により常に基板Ｗの周縁部へと移動し飛散する。したがって、洗浄液中に溶出したレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留することを防止することができる。
【０１２７】
なお、上記のレジストカバー膜の成分は、例えば、基板Ｗ上に純水を盛って一定時間保持することにより溶出させてもよい。また、基板Ｗ上への洗浄液の供給は、二流体ノズルを用いたソフトスプレー方式により行ってもよい。
【０１２８】
所定時間経過後、洗浄液の供給が停止されるとともに洗浄液供給ノズル６５０が退避する。続いて、リンス液供給ノズル６６０が基板Ｗの中心部上方に移動し、基板Ｗの上面にリンス液を吐出する。これにより、基板Ｗ上の洗浄液が洗い流される。その後、基板Ｗの乾燥処理が行われる。基板Ｗの乾燥処理の詳細については後述する。
【０１２９】
その後、回転軸６２５の回転が停止し、ガード６２４が下降する。そして、図１の第６のセンターロボットＣＲ６またはインターフェース用搬送機構ＩＦＲが基板Ｗを搬出する。これにより、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２における処理動作が終了する。なお、洗浄および乾燥処理中におけるガード６２４の位置は、処理液の回収または排液の必要性に応じて適宜変更することが好ましい。
【０１３０】
なお、上記実施の形態においては、洗浄液供給ノズル６５０により洗浄液を供給し、リンス液供給ノズル６６０によりリンス液を供給しているが、洗浄液およびリンス液のいずれをも供給できる共通のノズルを用いてもよい。また、洗浄液供給ノズル６５０およびリンス液供給ノズル６６０としては、ストレートノズルまたはスリットノズル等の種々のノズルを用いることができる。
【０１３１】
また、基板Ｗの汚染が軽微な場合、洗浄液を用いた洗浄を行わなくてもよい。この場合、以下に示すようなリンス液を用いた乾燥処理を行うことで基板Ｗ上の汚染物を十分に取り除くことができる。
【０１３２】
（３−３）基板の乾燥処理の詳細
以下、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２における基板Ｗの乾燥処理について詳細に説明する。
【０１３３】
通常、遠心力を利用して基板Ｗの乾燥を行う場合、基板Ｗ上にリンス液の微小な液滴が残留しやすい。これは、微小な液滴にはその質量に応じた小さな遠心力しか働かないので、基板Ｗから引き離すことが困難となるためである。また、基板Ｗの中心部近傍に微小な液滴が付着している場合には、液滴に働く遠心力がさらに小さくなるので、取り除くことがさらに困難となる。基板Ｗ上のレジストカバー膜の疎水性が高い場合には、このような液滴が特に形成されやすい。
【０１３４】
本実施の形態では、微小な液滴の残留が防止され、基板Ｗ上のリンス液を確実に取り除くことができる。以下、図６〜図９を用いて詳細を説明する。
【０１３５】
図６は基板Ｗの乾燥処理を段階的に示す図であり、図７は基板Ｗの乾燥処理時におけるリンス液の移動を説明するための図である。図８は回転軸６２５の回転速度を時系列で示す図である。
【０１３６】
上記のように、基板Ｗの洗浄処理後、リンス液により基板Ｗの上の洗浄液が洗い流される。その後、回転軸６２５（図５）の回転速度が低下する。これにより、基板Ｗの回転によって振り切られるリンス液の量が減少し、図６（ａ）に示すように、基板Ｗの表面全体にリンス液の液層Ｌが形成される。なお、リンス液の供給および回転軸６２５の回転を一旦停止してから再度回転軸６２５を低回転速度で回転させて基板Ｗ上に液層Ｌを形成してもよく、または、回転軸６２５の回転を停止した状態で基板Ｗ上に液層Ｌを形成してもよい。
【０１３７】
次に、リンス液の供給が停止されるとともにリンス液供給ノズル６６０が退避し、次いで、回転軸６２５の回転速度が上昇する。この場合、液層Ｌの中心部に働く遠心力は周縁部に働く遠心力に比べて小さい。そのため、液層Ｌの中心部には、周縁部に働く遠心力に釣り合う張力が働く。それにより、液層Ｌは外方に飛散することなく基板上で保持される。回転速度の上昇により、遠心力が張力よりもやや大きくなることにより、液層Ｌは、図６（ｂ）に示すように、周縁部の厚みが厚くなるとともに中心部の厚みが薄くなった状態で基板Ｗ上に保持される。
【０１３８】
次に、不活性ガス供給ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方に移動し、図６（ｃ）に示すように、不活性ガス供給ノズル６７０から液層Ｌの中心部に向けて不活性ガスが吐出され、液層Ｌの中心部にホール（孔）Ｈが形成される。それにより、液層Ｌの周縁部に働く遠心力に釣り合う張力が消滅する。また、不活性ガスの吐出とともに回転軸６２５の回転速度がさらに上昇する。それにより、図６（ｄ）および図６（ｅ）に示すように、液層Ｌが基板Ｗの外方に向かって移動する。
【０１３９】
このとき、液層Ｌは、図７（ａ）〜図７（ｃ）に示すように、複数の領域に分離されずに、表面張力により円環形状を保持した状態で一体的に基板Ｗの外方へ移動する。それにより、リンス液の微小液滴の形成が抑制され、基板Ｗ上の液体を取り除くことができる。
【０１４０】
続いて、基板Ｗの乾燥処理時における回転軸６２５の回転速度について詳細に説明する。
【０１４１】
図８に示すように、期間Ｔ１には、回転速度Ｓ１で回転軸６２５が回転される。回転速度Ｓ１は、例えば１０ｒｐｍである。この期間Ｔ１内において、基板Ｗ上にリンス液が供給される。この場合、基板Ｗが水平面に対して僅かに傾いた状態であっても、液層Ｌを基板Ｗ上に均一に形成することができる。なお、基板Ｗ上の全域に均一に液層Ｌを形成することができるのであれば、期間Ｔ１においては回転軸６２５の回転を停止してもよい。
【０１４２】
次に、期間Ｔ２には、回転速度Ｓ１よりも高い回転速度Ｓ２で回転軸６２５が回転される。回転速度Ｓ２は、例えば１０〜１００ｒｐｍである。それにより、液層Ｌが基板Ｗ上の全域に広がるとともに、表面張力により基板Ｗ上に保持される。
【０１４３】
次に、期間Ｔ３には、回転速度Ｓ２よりも高い回転速度Ｓ３で回転軸６２５が回転される。回転速度Ｓ３は、例えば２００〜１０００ｒｐｍである。期間Ｔ２から期間Ｔ３に移行する際に、基板Ｗに不活性ガスが吐出される。この場合、円環形状を保持した状態で液層Ｌを一体的に基板Ｗの外方へ移動させることができる。
【０１４４】
なお、不活性ガスの吐出のタイミングは、期間Ｔ２から期間Ｔ３へ移行する直前でもよく、期間Ｔ３へ移行した直後でもよい。また、不活性ガスの吐出時間は、例えば０．５〜８ｓｅｃである。すなわち、液層ＬにホールＨ（図６）が形成されるだけの短時間のみ不活性ガスが吐出されてもよく、または基板Ｗ上から液層Ｌが取り除かれるまで継続的に不活性ガスが吐出されてもよい。
【０１４５】
なお、上記の回転軸６２５の回転速度は、基板Ｗ上のレジストカバー膜の疎水性、またはリンス液の濡れ性（例えば、接触角）等に応じて適宜変更してもよい。例えば、レジストカバー膜の疎水性が高い場合には、液層Ｌが複数の領域に分離して液滴が形成されやすくなるため、回転軸６２５の回転速度をより低く設定することが好ましい。
【０１４６】
また、本実施の形態では、図８に示すように、回転軸６２５の回転速度が、回転速度Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３の３段階で上昇するが、これに限らず、２段階または４段階以上で上昇してもよく、あるいは、段階的ではなく連続的に上昇してもよい。
【０１４７】
（３−４）液層に含まれる気泡について
上記の乾燥処理時において、基板Ｗ上に形成される液層Ｌに気泡が含まれていると、その気泡によって基板Ｗの外方に向かう液層Ｌの動きが変化する場合がある。図９は、気泡による液層Ｌの動きの変化の一例を示す図である。
【０１４８】
図９（ａ）〜図９（ｃ）に示すように、液層Ｌに気泡が含まれていると、遠心力で液層Ｌの中心部付近の厚みが薄くなったときに液層Ｌの中心部からずれた位置で気泡が破裂し、ホールＨａが形成されることがある。この場合、ホールＨａにおいて液層Ｌの張力が消滅し、ホールＨａを始点として液層Ｌが基板Ｗの外方に向かって移動する。
【０１４９】
この場合、液層Ｌに加わる遠心力がホールＨａを中心として対称でないので、液層Ｌが円環形状に保持されない。そのため、液層Ｌが分離して基板Ｗ上に液滴が残留する。
【０１５０】
また、ホールＨａが、不活性ガスの吐出によるホールＨと同時に形成される場合がある。あるいは複数のホールＨａが同時に形成される場合もある。これらの場合にも、液層Ｌが円環形状に保持されない。そのため、液層Ｌが分離して基板Ｗ上に液滴が残留しやすくなる。
【０１５１】
基板Ｗ上に液滴が残留すると、基板Ｗ上にウォーターマーク等の反応生成物が生成され、現像欠陥の原因となる。
【０１５２】
そこで、本実施の形態では、脱気モジュールＤＭによってリンス液の脱気処理が行われる。この場合、液層Ｌ内に気泡が発生することを抑制することができる。それにより、気泡の破裂によるホールＨａの形成を防止することができ、液層Ｌを複数の領域に分離させることなく円環形状を保持した状態で確実に基板Ｗの外方に移動させることができる。したがって、基板Ｗ上における液滴の残留を防止することができる。その結果、ウォーターマーク等の反応生成物の生成を抑制することができる。
【０１５３】
図１０には、脱気処理後のリンス液を用いた場合と、脱気処理前のリンス液を用いた場合との比較結果が示される。ここでは、リンス液中の酸素濃度の比較および乾燥処理後に基板Ｗ上に生成されるウォーターマーク数の比較を行った。
【０１５４】
図１０に示すように、脱気処理前のリンス液中の酸素濃度は、４．０ｍｇ／Ｌであった。そのリンス液を用いて上記の乾燥処理を行った結果、基板Ｗ上に約５００個のウォーターマークが生成された。一方、脱気処理後のリンス液中の酸槽濃度は、１．７ｍｇ／Ｌであった、そのリンス液を用いて上記の乾燥処理を行った結果、基板Ｗ上には、約６０個のウォーターマークしか生成されなかった。
【０１５５】
このように、脱気処理を行ったリンス液を用いて上記の乾燥処理を行うことにより、基板Ｗ上に生成される反応生成物の数が大幅に低減されることがわかった。
【０１５６】
（３−５）脱気モジュールの構成
図１１は、脱気モジュールＤＭの具体的な構成例を示す模式的断面図である。図１１に示す脱気モジュールＤＭは、継手部７０１，７０２、液流路７０３および真空チャンバ７０４を備える。
【０１５７】
真空チャンバ７０４の一端部に継手部７０１が取り付けられ、他端部に継手部７０２が取り付けられる。真空チャンバ７０４の内部は、気密に封止される。真空チャンバ７０４内において、継手部７０１に液流路７０３の一端が接続され、継手部７０２に液流路７０３の他端が接続される。液流路７０３は、中空糸膜からなる複数の細管によって構成される。
【０１５８】
真空チャンバ７０４の外部において、継手部７０１にリンス液供給管６６１ｂが接続され、継手部７０２にリンス液供給管６６１ａが接続される。リンス液がリンス液供給管６６１ａから継手部７０１を介して液流路７０３に流入し、継手部７０２を介してリンス液供給管６６１ｂに流出する。
【０１５９】
真空チャンバ７０４は、脱気用配管７０５を介して真空吸引源７０６に接続されている。真空吸引源７０６は、例えば工場内の真空ラインである。真空吸引源７０６により、真空チャンバ７０４内の真空吸引が行われる。脱気用配管７０５には、真空チャンバ７０４内の真空圧を調整するための真空圧調整バルブ７０７が介挿されている。
【０１６０】
この脱気モジュールＤＭにおいては、リンス液が液流路７０３を流れる際に、中空糸膜を通してリンス液から溶存気体が除去される。脱気処理後のリンス液は、リンス液供給管６６１ａを通して図５のリンス液供給ノズル６６０に導かれ、基板Ｗ上に供給される。
【０１６１】
（４）本実施の形態の効果
本実施の形態では、インターフェースブロック１５の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われる。この場合、脱気処理を行ったリンス液を用いて基板Ｗ上に液層Ｌを形成し、遠心力および表面張力を利用して液層Ｌを一体的に基板Ｗの外方に移動させる。それにより、微小な液滴が基板Ｗ上に残留することなく、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができる。したがって、基板Ｗ上におけるウォーターマーク等の反応生成物の生成を抑制することができる。その結果、基板Ｗの処理不良の発生を防止することができる。
【０１６２】
また、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、乾燥処理前に基板Ｗの洗浄処理が行われる。この場合、露光処理時に液体が付着した基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着しても、その付着物を取り除くことができる。それにより、基板Ｗの汚染を防止することができる。その結果、基板の処理不良を確実に防止することができる。
【０１６３】
また、露光装置１６において基板Ｗの露光処理が行われる前に、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１において基板Ｗの洗浄処理が行われる。この洗浄処理時に、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分の一部が洗浄液またはリンス液中に溶出し、洗い流される。そのため、露光装置１６において基板Ｗが液体と接触しても、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分は液体中にほとんど溶出しない。また、露光処理前の基板Ｗに付着した塵埃等を取り除くことができる。これらの結果、露光装置１６内の汚染が防止される。
【０１６４】
また、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、基板Ｗの洗浄処理後に基板Ｗの乾燥処理が行われる。この場合も、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２と同様に、微小な液滴が基板Ｗ上に残留することなく、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができる。したがって、基板Ｗ上におけるウォーターマーク等の反応生成物の生成を抑制することができる。その結果、基板Ｗの処理不良の発生を防止することができる。
【０１６５】
また、洗浄処理時に基板Ｗに付着した洗浄液またはリンス液が取り除かれることにより、露光処理前に洗浄液またはリンス液が基板Ｗ上のレジストカバー膜またはレジスト膜に染み込むことが防止される。それにより、露光処理時における解像性能の劣化を防止することができる。
【０１６６】
（５）他の実施の形態
現像処理ブロック１２の現像処理ユニットＤＥＶにおいて、上記と同様の乾燥処理を行ってもよい。図１２は、現像処理ユニットＤＥＶの構成を説明するための図である。図１２の現像処理ユニットＤＥＶについて、図５の第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２と異なる点を説明する。
【０１６７】
図１２に示すように、現像処理ユニットＤＥＶは、スピンチャック６２１の代わりにスピンチャック７１を備え、洗浄液供給ノズル６５０の代わりに現像液供給ノズル７１を備える。現像液供給ノズル７１は、現像液供給管７５１を介して現像液供給源Ｒ４に接続されている。現像液供給管７５１には、バルブＶｄが介挿されている。バルブＶｄを開くことにより、現像液供給源Ｒ４から現像液供給ノズル７１に現像液が供給される。
【０１６８】
現像処理時には、現像液供給ノズル７１が基板Ｗの中心部上方に移動する。そして、スピンチャック２１によって基板Ｗが回転する状態で現像液供給ノズル７１から基板Ｗの中心部に現像液が吐出される。この場合、基板Ｗの回転に伴う遠心力によって現像液が基板Ｗの中心部から周縁部に広がる。それにより、基板Ｗ上に現像液が液盛される。なお、基板Ｗの回転を停止した状態で基板Ｗ上への現像液の液盛を行ってもよい。その後、現像液供給ノズル７１からの現像液の吐出が停止されるとともに基板Ｗの回転が停止される。基板Ｗ上では、レジスト膜の溶解反応が進行する。
【０１６９】
所定時間経過後、リンス液供給ノズル６６０が基板の中心部上方に移動し、リンス液供給ノズル６６０から基板Ｗ上にリンス液が吐出される。それにより、レジスト膜の溶解反応が停止される。続いて、基板Ｗが高速で回転する状態でリンス液供給ノズル６６０から継続的にリンス液が吐出され、基板Ｗ上の現像液が洗い流される。なお、基板Ｗの回転を停止した状態で基板上の現像液を洗い流してもよい。
【０１７０】
この後、図６〜図８に示した基板Ｗの乾燥処理が行われ、基板Ｗに付着するリンス液が除去される。この場合、脱気モジュールＤＭによる脱気処理後のリンス液が用いられる。そのため、基板Ｗ上に形成されるリンス液の液層Ｌ内の気泡の量が低減される。それにより、リンス液の液層Ｌを複数の領域に分離させることなく円環形状を保持した状態で確実に基板Ｗの外方に移動させることができる。
【０１７１】
したがって、微小な液滴が基板Ｗ上に残留することなく、基板Ｗ上のリンス液を確実に取り除くことができる。その結果、基板Ｗ上に残留する液滴に起因する現像欠陥を確実に防止することができる。
【０１７２】
（６）さらに他の実施の形態
上記実施の形態では、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２がインターフェースブロック１５内に配置されるが、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の少なくとも一方が図１に示すレジストカバー膜除去ブロック１４内に配置されてもよい。あるいは、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の少なくとも一方を含む洗浄／乾燥処理ブロックを図１に示すレジストカバー膜除去ブロック１４とインターフェースブロック１５との間に設けてもよい。
【０１７３】
また、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ、ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭ、加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰの個数は、各処理ブロックの処理速度に合わせて適宜変更してもよい。
【０１７４】
（７）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１７５】
上記実施の形態では、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２または現像処理ユニットＤＥＶが基板乾燥装置の例であり、スピンチャック７１，６２１が基板回転保持手段の例であり、リンス液供給ノズル６６０および脱気モジュールＤＭが液層形成手段の例であり、不活性ガス供給ノズル６７０が気体吐出手段の例であり、脱気モジュールＤＭが気体除去手段の例であり、リンス液供給ノズル６６０がリンス液供給手段の例であり、液流路７０３が気体透過流路の例であり、真空チャンバ７０４が気体収容室の例であり、脱気用配管７０５が真空吸引手段の例である。
【０１７６】
また、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３およびレジストカバー膜除去ブロック１４が処理部の例であり、インターフェースブロック１５が受け渡し部の例である。
【０１７７】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１７８】
本発明は、種々の基板の処理等に有効に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１７９】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た概略側面図である。
【図３】図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た概略側面図である。
【図４】インターフェースブロックを＋Ｙ側から見た概略側面図である。
【図５】第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットの構成を説明するための図である。
【図６】基板の乾燥処理を段階的に示す図である。
【図７】基板の乾燥処理時におけるリンス液の移動を説明するための図である。
【図８】回転軸の回転速度を時系列で示す図である。
【図９】気泡による液層の動きの変化の一例を示す図である。
【図１０】脱気処理後のリンス液を用いた場合と脱気処理前のリンス液を用いた場合との比較結果を示す図である。
【図１１】脱気モジュールの具体的な構成例を示す模式的断面図である。
【図１２】現像処理ユニットの構成を説明するための図である。
【符号の説明】
【０１８０】
９ インデクサブロック
１０ 反射防止膜用処理ブロック
１１ レジスト膜用処理ブロック
１２ 現像処理ブロック
１３ レジストカバー膜用処理ブロック
１４ レジストカバー膜除去ブロック
１５ インターフェースブロック
１６ 露光装置
５００ 基板処理装置
７１，６２１ スピンチャック
６５０ 洗浄液供給ノズル
６６０ リンス液供給ノズル
６７０ 不活性ガス供給ノズル
ＤＭ 脱気モジュール
ＳＤ１ 第１の洗浄／乾燥処理ユニット
ＳＤ２ 第２の洗浄／乾燥処理ユニット
Ｗ 基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を乾燥させる基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。
【０００４】
上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。
【０００５】
近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レチクルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。
【０００６】
そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。
【特許文献１】特開２００３−３２４１３９号公報
【特許文献２】国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記特許文献２の投影露光装置においては、基板と液体とが接触した状態で露光処理が行われる。そのため、基板は、液体が付着した状態で露光装置から搬出される。上記特許文献１の基板処理装置に上記特許文献２に記載されているような液浸法を用いた露光装置を外部装置として設ける場合、露光装置から搬出された基板に付着している液体が基板処理装置内に落下することを防止するため、露光処理後の基板を乾燥させる必要がある。
【０００８】
基板の乾燥は、例えば基板を回転させて基板に付着する液体を振り切ることにより行われる。しかしながら、この場合、基板上に微小な液滴が残留することがある。液滴が残留すると、基板上にウォーターマーク等の反応生成物が生成され、基板の処理不良の原因となる。
【０００９】
また、基板の現像処理後には、基板上の現像液を洗い流すため、純水等の液体を用いて洗浄処理が行われる。この場合も、基板を乾燥させる必要がある。しかしながら、上記と同様に基板上に微小な液滴が残留することがあり、ウォーターマーク等の反応生成物の生成によって基板の処理不良が発生することがある。
【００１０】
本発明の目的は、基板から液体を確実に除去することが可能な基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
（１）第１の発明に係る基板乾燥装置は、基板の乾燥処理を行う基板乾燥装置であって、基板を略水平に保持しつつ回転させる基板回転保持手段と、基板回転保持手段に保持された基板上にリンス液の液層を形成する液層形成手段と、基板回転保持手段により基板が回転する状態で、液層形成手段により基板上に形成されたリンス液の液層の中心部に向けて気体を吐出する気体吐出手段とを備え、液層形成手段は、リンス液から気体を除去する気体除去手段と、気体除去手段により気体が除去されたリンス液を基板上に供給するリンス液供給手段とを含むものである。
【００１２】
この基板乾燥装置においては、基板回転保持手段により基板が略水平に保持され、その基板上に液層形成手段によりリンス液の液層が形成される。この場合、気体除去手段によって予めリンス液に含まれる気体が除去され、そのリンス液がリンス液供給手段により基板上に供給される。そのため、基板上に形成される液層中に気泡が発生することが抑制される。
【００１３】
液層の形成後、基板回転保持手段により基板が回転する状態で、気体吐出手段により液層の中心部に向けて気体が吐出される。それにより、液層の中心部における張力が消滅し、遠心力によって液層が基板の外方に移動する。
【００１４】
この場合、液層が円環形状を保持した状態で一体的に基板の外方へ移動する。特に、液層中における気泡の発生が抑制されることにより、液層の一体的な移動が妨げられない。したがって、基板上に微小液滴が残留することなく、液層が完全に取り除かれる。
【００１５】
このような処理を行うことにより、基板上に液体が付着していた場合でも、その液体をリンス液の液層とともに基板上から取り除くことができ、基板を確実に乾燥させることができる。したがって、基板上におけるウォーターマーク等の反応生成物の生成を防止することができる。その結果、基板の処理不良の発生を防止することができる。
【００１６】
（２）基板回転保持手段は、液層形成手段によるリンス液の液層の形成時に基板を第１の回転速度で回転させ、液層形成手段によるリンス液の液層の形成後に基板の回転速度を第２の回転速度まで段階的または連続的に上昇させ、気体吐出手段は、第１の回転速度よりも高く第２の回転速度よりも低い第３の回転速度で回転する基板上のリンス液の液層に気体を吐出してもよい。
【００１７】
この場合、液層の形成時には基板回転保持手段により基板が第１の回転速度で回転する。それにより、基板が水平面に対して僅かに傾いた状態であっても、液層を基板上に均一に形成することができる。
【００１８】
液層の形成後には、基板回転保持手段により基板の回転速度が段階的または連続的に上昇する。それにより、液層の周縁部に働く外方への遠心力が増加する。一方、液層の中心部には遠心力に対する張力が働き、液層は外方に飛散することなく基板上で保持される。
【００１９】
基板の回転速度が上昇する過程で、基板の回転速度が第１の回転速度よりも高く第２の回転速度よりも低い第３の回転速度であるときに、気体吐出手段により基板上の液層の中心部に向けて気体が吐出される。それにより、液層の中心部における張力が消滅し、遠心力によって液層が基板の外方に移動する。
【００２０】
これにより、液層を複数の領域に分離させることなく円環形状を保持した状態で確実に基板の外方に移動させることができる。そのため、基板上における微小液滴の形成が抑制され、基板上の液層を確実に取り除くことができる。
【００２１】
（３）基板回転保持手段は、液層形成手段によるリンス液の液層の形成後であって気体吐出手段による気体の吐出前に、基板の回転速度を第１の回転速度よりも高く第２の回転速度よりも低い第４の回転速度に所定時間維持してもよい。
【００２２】
この場合、液層が基板上の全域に広がるとともに、液層が基板上に安定に保持される。それにより、気体吐出手段による気体の吐出前に液層が基板の外方に飛散することが確実に防止されるとともに、気体の吐出時に、液層を複数の領域に分離させることなく円環形状を保持した状態でより確実に基板の外方に移動させることができる。
【００２３】
（４）気体除去手段は、気体透過膜からなり、リンス液が導入される気体透過流路と、気体透過流路を気密に収容する気体収容室と、気体収容室内を真空吸引する真空吸引手段とを有してもよい。
【００２４】
この場合、真空吸引手段により気体収容室内が真空吸引される状態で気体透過流路に導入されたリンス液から気体透過膜を通して気体が除去される。このようにして気体が除去されたリンス液を用いることにより、基板上に形成される液層中に気泡が発生することを防止することができる。
【００２５】
（５）第２の発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための処理部と、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、処理部および受け渡し部の少なくとも一方は、基板の乾燥処理を行う基板乾燥装置を含み、基板乾燥装置は、基板を略水平に保持しつつ回転させる基板回転保持手段と、基板回転保持手段に保持された基板上にリンス液の液層を形成する液層形成手段と、基板回転保持手段により基板が回転する状態で、液層形成手段により基板上に形成されたリンス液の液層の中心部に向けて気体を吐出する気体吐出手段とを備え、液層形成手段は、リンス液から気体を除去する気体除去手段と、気体除去手段により気体が除去されたリンス液を基板上に供給するリンス液供給手段とを含むものである。
【００２６】
この基板処理装置においては、処理部により基板に処理が行われ、受け渡し部によりその基板が処理部から露光装置へ受け渡される。露光装置により基板に露光処理が行われた後、その基板が受け渡し部により露光装置から処理部へ受け渡される。露光装置による露光処理前または露光処理後に、基板乾燥装置により基板の乾燥処理が行われる。
【００２７】
基板乾燥装置においては、基板回転保持手段により基板が略水平に保持され、その基板上に液層形成手段によりリンス液の液層が形成される。この場合、気体除去手段によって予めリンス液に含まれる気体が除去され、そのリンス液がリンス液供給手段により基板上に供給される。そのため、基板上に形成される液層中に気泡が発生することが抑制される。
【００２８】
液層の形成後、基板回転保持手段により基板が回転する状態で、気体吐出手段により液層の中心部に向けて気体が吐出される。それにより、液層の中心部における張力が消滅し、遠心力によって液層が基板の外方に移動する。
【００２９】
この場合、液層が円環形状を保持した状態で一体的に基板の外方へ移動する。特に、液層中における気泡の発生が抑制されることにより、液層の一体的な移動が妨げられない。したがって、基板上に微小液滴が残留することなく、液層が完全に取り除かれる。
【００３０】
このような処理を行うことにより、基板上に液体が付着していた場合でも、その液体をリンス液の液層とともに基板上から取り除くことができ、基板を確実に乾燥させることができる。したがって、基板上におけるウォーターマーク等の反応生成物の生成を防止することができる。その結果、基板の処理不良の発生を防止することができる。
【００３１】
（６）基板乾燥装置は、露光装置による露光処理後に基板の乾燥処理を行ってもよい。
【００３２】
この場合、露光装置において基板に液体が付着しても、その液体をリンス液の液層とともに基板上から取り除くことができる。また、微小液滴を基板上に残留させることなく、基板を確実に乾燥させることができる。それにより、基板上におけるウォーターマーク等の反応生成物の生成を抑制することができる。その結果、基板の処理不良の発生を防止することができる。
【００３３】
（７）基板乾燥装置は、露光装置による露光処理前に基板の乾燥処理を行ってもよい。
【００３４】
この場合、基板上に塵埃等が付着していても、それらをリンス液の液層とともに取り除くことができる。また、微小液滴を基板上に残留させることなく、基板を確実に乾燥させることができる。それにより、基板上におけるウォーターマーク等の反応生成物の生成を抑制することができる。その結果、基板の処理不良の発生を防止することができる。
【００３５】
（８）基板乾燥装置は、基板回転保持手段に保持された基板上に現像液を供給する現像液供給手段をさらに含み、液層形成手段は、基板回転保持手段に保持された基板上にリンス液を供給することにより基板上の現像液を洗い流した後、基板上にリンス液の液層を形成してもよい。
【００３６】
この場合、基板上に現像液を供給することにより露光後の基板に現像処理を行うことができる。そして、基板上の現像液を洗い流した後、微小液滴を基板上に残留させることなく、基板を確実に乾燥させることができる。それにより、基板上に残留する液滴に起因する現像欠陥の発生を確実に防止することができる。
【発明の効果】
【００３７】
本発明によれば、基板上に液体が付着していた場合でも、その液体をリンス液の液層とともに基板上から取り除くことができ、基板を確実に乾燥させることができる。したがって、基板上におけるウォーターマーク等の反応生成物の生成を防止することができる。その結果、基板の処理不良の発生を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、本発明の実施の形態に係る基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
【００３９】
（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１ならびに後述する図２〜図４には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
【００４０】
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。露光装置１６においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
【００４１】
以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５の各々を処理ブロックと呼ぶ。
【００４２】
インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。
【００４３】
反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部５０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部５０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
【００４４】
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。
【００４５】
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１３にも同様に設けられる。
【００４６】
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部６０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部６０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
【００４７】
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１８が設けられる。この隔壁１８には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。
【００４８】
現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部７０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部７０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
【００４９】
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。
【００５０】
レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部８０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。レジストカバー膜用塗布処理部８０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。
【００５１】
現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。
【００５２】
レジストカバー膜除去ブロック１４は、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１、レジストカバー膜除去用処理部９０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。露光後ベーク用熱処理部１４１はインターフェースブロック１５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２を備える。レジストカバー膜除去用処理部９０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１に対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。
【００５３】
レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。
【００５４】
インターフェースブロック１５は、送りバッファ部ＳＢＦ、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第６のセンターロボットＣＲ６、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰＡＳＳ−ＣＰ（以下、Ｐ−ＣＰと略記する）、基板載置部ＰＡＳＳ１３、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよび第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２を含む。なお、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行い、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行う。第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の詳細は後述する。
【００５５】
また、第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２（図４参照）が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２（図４参照）が上下に設けられる。インターフェースブロック１５の詳細については後述する。
【００５６】
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５が順に並設されている。
【００５７】
図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た概略側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た概略側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の＋Ｘ側に設けられるものを主に示し、図３においては、基板処理装置５００の−Ｘ側に設けられるものを主に示している。
【００５８】
まず、図２を用いて、基板処理装置５００の＋Ｘ側の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部５０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル５２を備える。
【００５９】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。
【００６０】
現像処理ブロック１２の現像処理部７０には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル７２を備える。
【００６１】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部８０には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８１およびスピンチャック８１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル８２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。
【００６２】
レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部９０には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９１およびスピンチャック９１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル９２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。
【００６３】
なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。
【００６４】
インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、エッジ露光部ＥＥＷおよび３個の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。
【００６５】
次に、図３を用いて、基板処理装置５００の−Ｘ側の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６６】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６７】
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０，１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６８】
レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６９】
レジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１４１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００７０】
次に、図４を用いてインターフェースブロック１５について詳細に説明する。
【００７１】
図４は、インターフェースブロック１５を＋Ｙ側から見た概略側面図である。図４に示すように、インターフェースブロック１５内において、−Ｘ側には、送りバッファ部ＳＢＦおよび３個の第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が積層配置される。また、インターフェースブロック１５内において、＋Ｘ側の上部には、エッジ露光部ＥＥＷが配置される。
【００７２】
エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の略中央部には、戻りバッファ部ＲＢＦ、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３が上下に積層配置される。エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、３個の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。
【００７３】
また、インターフェースブロック１５内の下部には、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが設けられている。第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦおよび第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１と、エッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３と、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。
【００７４】
（２）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図４を参照しながら説明する。
【００７５】
（２−１）インデクサブロック〜レジストカバー膜除去ブロックの動作
まず、インデクサブロック９〜レジストカバー膜除去ブロック１４の動作について簡単に説明する。
【００７６】
インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。
【００７７】
本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。
【００７８】
さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
【００７９】
基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。
【００８０】
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部５０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部５０では、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。
【００８１】
次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。
【００８２】
基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。
【００８３】
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部６０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。
【００８４】
次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。
【００８５】
基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。
【００８６】
基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部８０では、塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストカバー膜が塗布形成される。
【００８７】
次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用塗布処理部８０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。
【００８８】
基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。
【００８９】
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られ、後述するように、インターフェースブロック１５および露光装置１６において所定の処理が施される。インターフェースブロック１５および露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が施された後、その基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６によりレジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬入される。
【００９０】
露光後ベーク用熱処理部１４１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、露光後ベーク用熱処理部１４１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。
【００９１】
なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部１４１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１４０により露光後ベークを行ってもよい。
【００９２】
基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部９０に搬入する。レジストカバー膜除去用処理部９０においては、レジストカバー膜が除去される。
【００９３】
次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜除去用処理部９０から処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。
【００９４】
基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。
【００９５】
基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部７０に搬入する。現像処理部７０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。
【００９６】
次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部７０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。
【００９７】
基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。
【００９８】
基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
【００９９】
（２−２）インターフェースブロックの動作
次に、インターフェースブロック１５の動作について詳細に説明する。
【０１００】
上述したように、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、所定の処理を施された後、レジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置される。
【０１０１】
基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図４）に搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。
【０１０２】
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１のいずれかに搬入する。第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、上述したように露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【０１０３】
ここで、露光装置１６による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。その結果、露光装置１６が後の基板Ｗの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦ（図４）に一時的に収納保管される。本実施の形態では、第６のセンターロボットＣＲ６は、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに搬送する。
【０１０４】
次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦに収納保管されている基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入する。載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入された基板Ｗは、露光装置１６内と同じ温度（例えば、２３℃）に維持される。
【０１０５】
なお、露光装置１６が十分な処理速度を有する場合には、送りバッファ部ＳＢＦに基板Ｗを収納保管せずに、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに基板Ｗを搬送してもよい。
【０１０６】
続いて、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰで上記所定温度に維持された基板Ｗが、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ１（図４）により受け取られ、露光装置１６内の基板搬入部１６ａ（図１）に搬入される。
【０１０７】
露光装置１６において露光処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの下側のハンドＨ２（図４）により基板搬出部１６ｂ（図１）から搬出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ２により、その基板Ｗを第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２のいずれかに搬入する。第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、上述したように露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【０１０８】
第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において洗浄および乾燥処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１（図４）により取り出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ１により、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。
【０１０９】
基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬送する。
【０１１０】
なお、除去ユニットＲＥＭ（図２）の故障等により、レジストカバー膜除去ブロック１４が一時的に基板Ｗの受け入れをできないときは、戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
【０１１１】
（３）洗浄／乾燥処理ユニット
次に、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２について詳細に説明する。第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の構成は互いに同じである。
【０１１２】
（３−１）構成
図５は、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の構成を説明するための図である。図５に示すように、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は、基板Ｗを水平に保持するとともに、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック６２１を備える。
【０１１３】
スピンチャック６２１は、チャック回転駆動機構６３６によって回転される回転軸６２５の上端に固定されている。また、スピンチャック６２１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック６２１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック６２１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。
【０１１４】
スピンチャック６２１により保持される基板Ｗの上方位置と外方位置との間で移動可能に洗浄液供給ノズル６５０、リンス液供給ノズル６６０および不活性ガス供給ノズル６７０が設けられている。洗浄液供給ノズル６５０、リンス液供給ノズル６６０および不活性ガス供給ノズル６７０は、図示しないノズル駆動機構によってそれぞれ独立に駆動される。
【０１１５】
洗浄液供給ノズル６５０は、洗浄液供給管６５１を介して洗浄液供給源Ｒ１に接続されている。洗浄液供給管６５１にはバルブＶａが介挿されている。バルブＶａを開くことにより洗浄液供給源Ｒ１から洗浄液供給ノズル６５０に洗浄液が供給される。洗浄液としては、例えば、純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液またはフッ素系薬液が用いられる。
【０１１６】
リンス液供給ノズル６６０は、リンス液供給管６６１ａを介して脱気モジュールＤＭに接続されている。また、脱気モジュールＤＭはリンス液供給管６６１ｂを介してリンス液供給源Ｒ２に接続されている。リンス液供給管６６１ｂにはバルブＶｂが介挿されている。バルブＶｂを開くことにより、洗浄液供給源Ｒ１から脱気モジュールＤＭにリンス液が供給される。脱気モジュールＤＭにおいて、リンス液に溶存する気体を除去する処理（以下、脱気処理と呼ぶ）が行われる。脱気処理後のリンス液が、リンス液供給ノズル６６０に供給される。脱気モジュールＤＭの具体的な構成については後述する。本実施の形態においては、リンス液として純水が用いられる。
【０１１７】
不活性ガス供給ノズル６７０は、不活性ガス供給管６７１を介して不活性ガス供給源Ｒ３に接続されている。不活性ガス供給管６７１にはバルブＶｃが介挿されている。バルブＶｃを開くことにより不活性ガス供給源Ｒ３から不活性ガス供給ノズル６７０に不活性ガスが供給される。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガスが用いられる。なお、不活性ガスの代わりに、エアー（空気）等の他の気体を用いてもよい。
【０１１８】
スピンチャック６２１に保持された基板Ｗは、処理カップ６２３内に収容される。処理カップ６２３の内側には、筒状の仕切壁６３３が設けられている。また、スピンチャック６２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた処理液（洗浄液またはリンス液）を排液するための排液空間６３１が形成されている。さらに、排液空間６３１を取り囲むように、処理カップ６２３と仕切壁６３３との間に、基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間６３２が形成されている。
【０１１９】
排液空間６３１には、排液処理装置（図示せず）へ処理液を導くための排液管６３４が接続され、回収液空間６３２には、回収処理装置（図示せず）へ処理液を導くための回収管６３５が接続されている。
【０１２０】
処理カップ６２３の上方には、基板Ｗからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード６２４が設けられている。このガード６２４は、回転軸６２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード６２４の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝６４１が環状に形成されている。
【０１２１】
また、ガード６２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部６４２が形成されている。回収液案内部６４２の上端付近には、処理カップ６２３の仕切壁６３３を受け入れるための仕切壁収納溝６４３が形成されている。
【０１２２】
このガード６２４には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード６２４を、回収液案内部６４２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝６４１がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する排液位置との間で上下動させる。ガード６２４が回収位置（図５に示すガードの位置）にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が回収液案内部６４２により回収液空間６３２に導かれ、回収管６３５を通して回収される。一方、ガード６２４が排液位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が排液案内溝６４１により排液空間６３１に導かれ、排液管６３４を通して排液される。以上の構成により、処理液の排液および回収が行われる。
【０１２３】
（３−２）動作
次に、上記構成を有する第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の処理動作について説明する。なお、以下に説明する第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）３０により制御される。
【０１２４】
まず、基板Ｗの搬入時には、ガード６２４が下降するとともに、図１の第６のセンターロボットＣＲ６またはインターフェース用搬送機構ＩＦＲが基板Ｗをスピンチャック６２１上に載置する。スピンチャック６２１上に載置された基板Ｗは、スピンチャック６２１により吸着保持される。
【０１２５】
次に、ガード６２４が上述した排液位置まで移動するとともに、洗浄液供給ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、回転軸６２５が回転し、この回転に伴ってスピンチャック６２１に保持されている基板Ｗが回転する。その後、洗浄液供給ノズル６５０から基板Ｗの上面に洗浄液が吐出される。これにより、基板Ｗの洗浄が行われる。
【０１２６】
なお、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、この洗浄時に基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分が洗浄液中に溶出する。また、基板Ｗの洗浄においては、基板Ｗを回転させつつ基板Ｗ上に洗浄液を供給している。この場合、基板Ｗ上の洗浄液は遠心力により常に基板Ｗの周縁部へと移動し飛散する。したがって、洗浄液中に溶出したレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留することを防止することができる。
【０１２７】
なお、上記のレジストカバー膜の成分は、例えば、基板Ｗ上に純水を盛って一定時間保持することにより溶出させてもよい。また、基板Ｗ上への洗浄液の供給は、二流体ノズルを用いたソフトスプレー方式により行ってもよい。
【０１２８】
所定時間経過後、洗浄液の供給が停止されるとともに洗浄液供給ノズル６５０が退避する。続いて、リンス液供給ノズル６６０が基板Ｗの中心部上方に移動し、基板Ｗの上面にリンス液を吐出する。これにより、基板Ｗ上の洗浄液が洗い流される。その後、基板Ｗの乾燥処理が行われる。基板Ｗの乾燥処理の詳細については後述する。
【０１２９】
その後、回転軸６２５の回転が停止し、ガード６２４が下降する。そして、図１の第６のセンターロボットＣＲ６またはインターフェース用搬送機構ＩＦＲが基板Ｗを搬出する。これにより、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２における処理動作が終了する。なお、洗浄および乾燥処理中におけるガード６２４の位置は、処理液の回収または排液の必要性に応じて適宜変更することが好ましい。
【０１３０】
なお、上記実施の形態においては、洗浄液供給ノズル６５０により洗浄液を供給し、リンス液供給ノズル６６０によりリンス液を供給しているが、洗浄液およびリンス液のいずれをも供給できる共通のノズルを用いてもよい。また、洗浄液供給ノズル６５０およびリンス液供給ノズル６６０としては、ストレートノズルまたはスリットノズル等の種々のノズルを用いることができる。
【０１３１】
また、基板Ｗの汚染が軽微な場合、洗浄液を用いた洗浄を行わなくてもよい。この場合、以下に示すようなリンス液を用いた乾燥処理を行うことで基板Ｗ上の汚染物を十分に取り除くことができる。
【０１３２】
（３−３）基板の乾燥処理の詳細
以下、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２における基板Ｗの乾燥処理について詳細に説明する。
【０１３３】
通常、遠心力を利用して基板Ｗの乾燥を行う場合、基板Ｗ上にリンス液の微小な液滴が残留しやすい。これは、微小な液滴にはその質量に応じた小さな遠心力しか働かないので、基板Ｗから引き離すことが困難となるためである。また、基板Ｗの中心部近傍に微小な液滴が付着している場合には、液滴に働く遠心力がさらに小さくなるので、取り除くことがさらに困難となる。基板Ｗ上のレジストカバー膜の疎水性が高い場合には、このような液滴が特に形成されやすい。
【０１３４】
本実施の形態では、微小な液滴の残留が防止され、基板Ｗ上のリンス液を確実に取り除くことができる。以下、図６〜図９を用いて詳細を説明する。
【０１３５】
図６は基板Ｗの乾燥処理を段階的に示す図であり、図７は基板Ｗの乾燥処理時におけるリンス液の移動を説明するための図である。図８は回転軸６２５の回転速度を時系列で示す図である。
【０１３６】
上記のように、基板Ｗの洗浄処理後、リンス液により基板Ｗの上の洗浄液が洗い流される。その後、回転軸６２５（図５）の回転速度が低下する。これにより、基板Ｗの回転によって振り切られるリンス液の量が減少し、図６（ａ）に示すように、基板Ｗの表面全体にリンス液の液層Ｌが形成される。なお、リンス液の供給および回転軸６２５の回転を一旦停止してから再度回転軸６２５を低回転速度で回転させて基板Ｗ上に液層Ｌを形成してもよく、または、回転軸６２５の回転を停止した状態で基板Ｗ上に液層Ｌを形成してもよい。
【０１３７】
次に、リンス液の供給が停止されるとともにリンス液供給ノズル６６０が退避し、次いで、回転軸６２５の回転速度が上昇する。この場合、液層Ｌの中心部に働く遠心力は周縁部に働く遠心力に比べて小さい。そのため、液層Ｌの中心部には、周縁部に働く遠心力に釣り合う張力が働く。それにより、液層Ｌは外方に飛散することなく基板上で保持される。回転速度の上昇により、遠心力が張力よりもやや大きくなることにより、液層Ｌは、図６（ｂ）に示すように、周縁部の厚みが厚くなるとともに中心部の厚みが薄くなった状態で基板Ｗ上に保持される。
【０１３８】
次に、不活性ガス供給ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方に移動し、図６（ｃ）に示すように、不活性ガス供給ノズル６７０から液層Ｌの中心部に向けて不活性ガスが吐出され、液層Ｌの中心部にホール（孔）Ｈが形成される。それにより、液層Ｌの周縁部に働く遠心力に釣り合う張力が消滅する。また、不活性ガスの吐出とともに回転軸６２５の回転速度がさらに上昇する。それにより、図６（ｄ）および図６（ｅ）に示すように、液層Ｌが基板Ｗの外方に向かって移動する。
【０１３９】
このとき、液層Ｌは、図７（ａ）〜図７（ｃ）に示すように、複数の領域に分離されずに、表面張力により円環形状を保持した状態で一体的に基板Ｗの外方へ移動する。それにより、リンス液の微小液滴の形成が抑制され、基板Ｗ上の液体を取り除くことができる。
【０１４０】
続いて、基板Ｗの乾燥処理時における回転軸６２５の回転速度について詳細に説明する。
【０１４１】
図８に示すように、期間Ｔ１には、回転速度Ｓ１で回転軸６２５が回転される。回転速度Ｓ１は、例えば１０ｒｐｍである。この期間Ｔ１内において、基板Ｗ上にリンス液が供給される。この場合、基板Ｗが水平面に対して僅かに傾いた状態であっても、液層Ｌを基板Ｗ上に均一に形成することができる。なお、基板Ｗ上の全域に均一に液層Ｌを形成することができるのであれば、期間Ｔ１においては回転軸６２５の回転を停止してもよい。
【０１４２】
次に、期間Ｔ２には、回転速度Ｓ１よりも高い回転速度Ｓ２で回転軸６２５が回転される。回転速度Ｓ２は、例えば１０〜１００ｒｐｍである。それにより、液層Ｌが基板Ｗ上の全域に広がるとともに、表面張力により基板Ｗ上に保持される。
【０１４３】
次に、期間Ｔ３には、回転速度Ｓ２よりも高い回転速度Ｓ３で回転軸６２５が回転される。回転速度Ｓ３は、例えば２００〜１０００ｒｐｍである。期間Ｔ２から期間Ｔ３に移行する際に、基板Ｗに不活性ガスが吐出される。この場合、円環形状を保持した状態で液層Ｌを一体的に基板Ｗの外方へ移動させることができる。
【０１４４】
なお、不活性ガスの吐出のタイミングは、期間Ｔ２から期間Ｔ３へ移行する直前でもよく、期間Ｔ３へ移行した直後でもよい。また、不活性ガスの吐出時間は、例えば０．５〜８ｓｅｃである。すなわち、液層ＬにホールＨ（図６）が形成されるだけの短時間のみ不活性ガスが吐出されてもよく、または基板Ｗ上から液層Ｌが取り除かれるまで継続的に不活性ガスが吐出されてもよい。
【０１４５】
なお、上記の回転軸６２５の回転速度は、基板Ｗ上のレジストカバー膜の疎水性、またはリンス液の濡れ性（例えば、接触角）等に応じて適宜変更してもよい。例えば、レジストカバー膜の疎水性が高い場合には、液層Ｌが複数の領域に分離して液滴が形成されやすくなるため、回転軸６２５の回転速度をより低く設定することが好ましい。
【０１４６】
また、本実施の形態では、図８に示すように、回転軸６２５の回転速度が、回転速度Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３の３段階で上昇するが、これに限らず、２段階または４段階以上で上昇してもよく、あるいは、段階的ではなく連続的に上昇してもよい。
【０１４７】
（３−４）液層に含まれる気泡について
上記の乾燥処理時において、基板Ｗ上に形成される液層Ｌに気泡が含まれていると、その気泡によって基板Ｗの外方に向かう液層Ｌの動きが変化する場合がある。図９は、気泡による液層Ｌの動きの変化の一例を示す図である。
【０１４８】
図９（ａ）〜図９（ｃ）に示すように、液層Ｌに気泡が含まれていると、遠心力で液層Ｌの中心部付近の厚みが薄くなったときに液層Ｌの中心部からずれた位置で気泡が破裂し、ホールＨａが形成されることがある。この場合、ホールＨａにおいて液層Ｌの張力が消滅し、ホールＨａを始点として液層Ｌが基板Ｗの外方に向かって移動する。
【０１４９】
この場合、液層Ｌに加わる遠心力がホールＨａを中心として対称でないので、液層Ｌが円環形状に保持されない。そのため、液層Ｌが分離して基板Ｗ上に液滴が残留する。
【０１５０】
また、ホールＨａが、不活性ガスの吐出によるホールＨと同時に形成される場合がある。あるいは複数のホールＨａが同時に形成される場合もある。これらの場合にも、液層Ｌが円環形状に保持されない。そのため、液層Ｌが分離して基板Ｗ上に液滴が残留しやすくなる。
【０１５１】
基板Ｗ上に液滴が残留すると、基板Ｗ上にウォーターマーク等の反応生成物が生成され、現像欠陥の原因となる。
【０１５２】
そこで、本実施の形態では、脱気モジュールＤＭによってリンス液の脱気処理が行われる。この場合、液層Ｌ内に気泡が発生することを抑制することができる。それにより、気泡の破裂によるホールＨａの形成を防止することができ、液層Ｌを複数の領域に分離させることなく円環形状を保持した状態で確実に基板Ｗの外方に移動させることができる。したがって、基板Ｗ上における液滴の残留を防止することができる。その結果、ウォーターマーク等の反応生成物の生成を抑制することができる。
【０１５３】
図１０には、脱気処理後のリンス液を用いた場合と、脱気処理前のリンス液を用いた場合との比較結果が示される。ここでは、リンス液中の酸素濃度の比較および乾燥処理後に基板Ｗ上に生成されるウォーターマーク数の比較を行った。
【０１５４】
図１０に示すように、脱気処理前のリンス液中の酸素濃度は、４．０ｍｇ／Ｌであった。そのリンス液を用いて上記の乾燥処理を行った結果、基板Ｗ上に約５００個のウォーターマークが生成された。一方、脱気処理後のリンス液中の酸槽濃度は、１．７ｍｇ／Ｌであった、そのリンス液を用いて上記の乾燥処理を行った結果、基板Ｗ上には、約６０個のウォーターマークしか生成されなかった。
【０１５５】
このように、脱気処理を行ったリンス液を用いて上記の乾燥処理を行うことにより、基板Ｗ上に生成される反応生成物の数が大幅に低減されることがわかった。
【０１５６】
（３−５）脱気モジュールの構成
図１１は、脱気モジュールＤＭの具体的な構成例を示す模式的断面図である。図１１に示す脱気モジュールＤＭは、継手部７０１，７０２、液流路７０３および真空チャンバ７０４を備える。
【０１５７】
真空チャンバ７０４の一端部に継手部７０１が取り付けられ、他端部に継手部７０２が取り付けられる。真空チャンバ７０４の内部は、気密に封止される。真空チャンバ７０４内において、継手部７０１に液流路７０３の一端が接続され、継手部７０２に液流路７０３の他端が接続される。液流路７０３は、中空糸膜からなる複数の細管によって構成される。
【０１５８】
真空チャンバ７０４の外部において、継手部７０１にリンス液供給管６６１ｂが接続され、継手部７０２にリンス液供給管６６１ａが接続される。リンス液がリンス液供給管６６１ａから継手部７０１を介して液流路７０３に流入し、継手部７０２を介してリンス液供給管６６１ｂに流出する。
【０１５９】
真空チャンバ７０４は、脱気用配管７０５を介して真空吸引源７０６に接続されている。真空吸引源７０６は、例えば工場内の真空ラインである。真空吸引源７０６により、真空チャンバ７０４内の真空吸引が行われる。脱気用配管７０５には、真空チャンバ７０４内の真空圧を調整するための真空圧調整バルブ７０７が介挿されている。
【０１６０】
この脱気モジュールＤＭにおいては、リンス液が液流路７０３を流れる際に、中空糸膜を通してリンス液から溶存気体が除去される。脱気処理後のリンス液は、リンス液供給管６６１ａを通して図５のリンス液供給ノズル６６０に導かれ、基板Ｗ上に供給される。
【０１６１】
（４）本実施の形態の効果
本実施の形態では、インターフェースブロック１５の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われる。この場合、脱気処理を行ったリンス液を用いて基板Ｗ上に液層Ｌを形成し、遠心力および表面張力を利用して液層Ｌを一体的に基板Ｗの外方に移動させる。それにより、微小な液滴が基板Ｗ上に残留することなく、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができる。したがって、基板Ｗ上におけるウォーターマーク等の反応生成物の生成を抑制することができる。その結果、基板Ｗの処理不良の発生を防止することができる。
【０１６２】
また、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、乾燥処理前に基板Ｗの洗浄処理が行われる。この場合、露光処理時に液体が付着した基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着しても、その付着物を取り除くことができる。それにより、基板Ｗの汚染を防止することができる。その結果、基板の処理不良を確実に防止することができる。
【０１６３】
また、露光装置１６において基板Ｗの露光処理が行われる前に、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１において基板Ｗの洗浄処理が行われる。この洗浄処理時に、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分の一部が洗浄液またはリンス液中に溶出し、洗い流される。そのため、露光装置１６において基板Ｗが液体と接触しても、基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分は液体中にほとんど溶出しない。また、露光処理前の基板Ｗに付着した塵埃等を取り除くことができる。これらの結果、露光装置１６内の汚染が防止される。
【０１６４】
また、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、基板Ｗの洗浄処理後に基板Ｗの乾燥処理が行われる。この場合も、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２と同様に、微小な液滴が基板Ｗ上に残留することなく、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができる。したがって、基板Ｗ上におけるウォーターマーク等の反応生成物の生成を抑制することができる。その結果、基板Ｗの処理不良の発生を防止することができる。
【０１６５】
また、洗浄処理時に基板Ｗに付着した洗浄液またはリンス液が取り除かれることにより、露光処理前に洗浄液またはリンス液が基板Ｗ上のレジストカバー膜またはレジスト膜に染み込むことが防止される。それにより、露光処理時における解像性能の劣化を防止することができる。
【０１６６】
（５）他の実施の形態
現像処理ブロック１２の現像処理ユニットＤＥＶにおいて、上記と同様の乾燥処理を行ってもよい。図１２は、現像処理ユニットＤＥＶの構成を説明するための図である。図１２の現像処理ユニットＤＥＶについて、図５の第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２と異なる点を説明する。
【０１６７】
図１２に示すように、現像処理ユニットＤＥＶは、スピンチャック６２１の代わりにスピンチャック７１を備え、洗浄液供給ノズル６５０の代わりに現像液供給ノズル７１を備える。現像液供給ノズル７１は、現像液供給管７５１を介して現像液供給源Ｒ４に接続されている。現像液供給管７５１には、バルブＶｄが介挿されている。バルブＶｄを開くことにより、現像液供給源Ｒ４から現像液供給ノズル７１に現像液が供給される。
【０１６８】
現像処理時には、現像液供給ノズル７１が基板Ｗの中心部上方に移動する。そして、スピンチャック２１によって基板Ｗが回転する状態で現像液供給ノズル７１から基板Ｗの中心部に現像液が吐出される。この場合、基板Ｗの回転に伴う遠心力によって現像液が基板Ｗの中心部から周縁部に広がる。それにより、基板Ｗ上に現像液が液盛される。なお、基板Ｗの回転を停止した状態で基板Ｗ上への現像液の液盛を行ってもよい。その後、現像液供給ノズル７１からの現像液の吐出が停止されるとともに基板Ｗの回転が停止される。基板Ｗ上では、レジスト膜の溶解反応が進行する。
【０１６９】
所定時間経過後、リンス液供給ノズル６６０が基板の中心部上方に移動し、リンス液供給ノズル６６０から基板Ｗ上にリンス液が吐出される。それにより、レジスト膜の溶解反応が停止される。続いて、基板Ｗが高速で回転する状態でリンス液供給ノズル６６０から継続的にリンス液が吐出され、基板Ｗ上の現像液が洗い流される。なお、基板Ｗの回転を停止した状態で基板上の現像液を洗い流してもよい。
【０１７０】
この後、図６〜図８に示した基板Ｗの乾燥処理が行われ、基板Ｗに付着するリンス液が除去される。この場合、脱気モジュールＤＭによる脱気処理後のリンス液が用いられる。そのため、基板Ｗ上に形成されるリンス液の液層Ｌ内の気泡の量が低減される。それにより、リンス液の液層Ｌを複数の領域に分離させることなく円環形状を保持した状態で確実に基板Ｗの外方に移動させることができる。
【０１７１】
したがって、微小な液滴が基板Ｗ上に残留することなく、基板Ｗ上のリンス液を確実に取り除くことができる。その結果、基板Ｗ上に残留する液滴に起因する現像欠陥を確実に防止することができる。
【０１７２】
（６）さらに他の実施の形態
上記実施の形態では、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２がインターフェースブロック１５内に配置されるが、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の少なくとも一方が図１に示すレジストカバー膜除去ブロック１４内に配置されてもよい。あるいは、第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の少なくとも一方を含む洗浄／乾燥処理ブロックを図１に示すレジストカバー膜除去ブロック１４とインターフェースブロック１５との間に設けてもよい。
【０１７３】
また、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ、ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭ、加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰの個数は、各処理ブロックの処理速度に合わせて適宜変更してもよい。
【０１７４】
（７）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１７５】
上記実施の形態では、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２または現像処理ユニットＤＥＶが基板乾燥装置の例であり、スピンチャック７１，６２１が基板回転保持手段の例であり、リンス液供給ノズル６６０および脱気モジュールＤＭが液層形成手段の例であり、不活性ガス供給ノズル６７０が気体吐出手段の例であり、脱気モジュールＤＭが気体除去手段の例であり、リンス液供給ノズル６６０がリンス液供給手段の例であり、液流路７０３が気体透過流路の例であり、真空チャンバ７０４が気体収容室の例であり、脱気用配管７０５が真空吸引手段の例である。
【０１７６】
また、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３およびレジストカバー膜除去ブロック１４が処理部の例であり、インターフェースブロック１５が受け渡し部の例である。
【０１７７】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１７８】
本発明は、種々の基板の処理等に有効に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１７９】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た概略側面図である。
【図３】図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た概略側面図である。
【図４】インターフェースブロックを＋Ｙ側から見た概略側面図である。
【図５】第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットの構成を説明するための図である。
【図６】基板の乾燥処理を段階的に示す図である。
【図７】基板の乾燥処理時におけるリンス液の移動を説明するための図である。
【図８】回転軸の回転速度を時系列で示す図である。
【図９】気泡による液層の動きの変化の一例を示す図である。
【図１０】脱気処理後のリンス液を用いた場合と脱気処理前のリンス液を用いた場合との比較結果を示す図である。
【図１１】脱気モジュールの具体的な構成例を示す模式的断面図である。
【図１２】現像処理ユニットの構成を説明するための図である。
【符号の説明】
【０１８０】
９ インデクサブロック
１０ 反射防止膜用処理ブロック
１１ レジスト膜用処理ブロック
１２ 現像処理ブロック
１３ レジストカバー膜用処理ブロック
１４ レジストカバー膜除去ブロック
１５ インターフェースブロック
１６ 露光装置
５００ 基板処理装置
７１，６２１ スピンチャック
６５０ 洗浄液供給ノズル
６６０ リンス液供給ノズル
６７０ 不活性ガス供給ノズル
ＤＭ 脱気モジュール
ＳＤ１ 第１の洗浄／乾燥処理ユニット
ＳＤ２ 第２の洗浄／乾燥処理ユニット
Ｗ 基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の乾燥処理を行う基板乾燥装置であって、
基板を略水平に保持しつつ回転させる基板回転保持手段と、
前記基板回転保持手段に保持された基板上にリンス液の液層を形成する液層形成手段と、
前記基板回転保持手段により基板が回転する状態で、前記液層形成手段により基板上に形成されたリンス液の液層の中心部に向けて気体を吐出する気体吐出手段とを備え、
前記液層形成手段は、
リンス液から気体を除去する気体除去手段と、
前記気体除去手段により気体が除去されたリンス液を基板上に供給するリンス液供給手段とを含むことを特徴とする基板乾燥装置。
【請求項２】
前記基板回転保持手段は、前記液層形成手段によるリンス液の液層の形成時に基板を第１の回転速度で回転させ、前記液層形成手段によるリンス液の液層の形成後に基板の回転速度を第２の回転速度まで段階的または連続的に上昇させ、
前記気体吐出手段は、前記第１の回転速度よりも高く前記第２の回転速度よりも低い第３の回転速度で回転する基板上のリンス液の液層に気体を吐出することを特徴とする請求項１記載の基板乾燥装置。
【請求項３】
前記基板回転保持手段は、前記液層形成手段によるリンス液の液層の形成後であって前記気体吐出手段による気体の吐出前に、基板の回転速度を前記第１の回転速度よりも高く前記第２の回転速度よりも低い第４の回転速度に所定時間維持することを特徴とする請求項２記載の基板乾燥装置。
【請求項４】
前記気体除去手段は、
気体透過膜からなり、リンス液が導入される気体透過流路と、
前記気体透過流路を気密に収容する気体収容室と、
前記気体収容室内を真空吸引する真空吸引手段とを有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板乾燥装置。
【請求項５】
露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に処理を行うための処理部と、
前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方は、
基板の乾燥処理を行う基板乾燥装置を含み、
前記基板乾燥装置は、
基板を略水平に保持しつつ回転させる基板回転保持手段と、
前記基板回転保持手段に保持された基板上にリンス液の液層を形成する液層形成手段と、
前記基板回転保持手段により基板が回転する状態で、前記液層形成手段により基板上に形成されたリンス液の液層の中心部に向けて気体を吐出する気体吐出手段とを備え、
前記液層形成手段は、
リンス液から気体を除去する気体除去手段と、
前記気体除去手段により気体が除去されたリンス液を基板上に供給するリンス液供給手段とを含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
前記基板乾燥装置は、前記露光装置による露光処理後に基板の乾燥処理を行うことを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記基板乾燥装置は、前記露光装置による露光処理前に基板の乾燥処理を行うことを特徴とする請求項５または６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記基板乾燥装置は、
前記基板回転保持手段に保持された基板上に現像液を供給する現像液供給手段をさらに含み、
前記液層形成手段は、前記基板回転保持手段に保持された基板上にリンス液を供給することにより基板上の現像液を洗い流した後、基板上にリンス液の液層を形成することを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１】
基板の乾燥処理を行う基板乾燥装置であって、
基板を略水平に保持しつつ回転させる基板回転保持手段と、
前記基板回転保持手段に保持された基板上にリンス液の液層を形成する液層形成手段と、
前記基板回転保持手段により基板が回転する状態で、前記液層形成手段により基板上に形成されたリンス液の液層の中心部に向けて気体を吐出する気体吐出手段とを備え、
前記液層形成手段は、
リンス液から気体を除去する気体除去手段と、
前記気体除去手段により気体が除去されたリンス液を基板上に供給するリンス液供給手段とを含むことを特徴とする基板乾燥装置。
【請求項２】
前記基板回転保持手段は、前記液層形成手段によるリンス液の液層の形成時に基板を第１の回転速度で回転させ、前記液層形成手段によるリンス液の液層の形成後に基板の回転速度を第２の回転速度まで段階的または連続的に上昇させ、
前記気体吐出手段は、前記第１の回転速度よりも高く前記第２の回転速度よりも低い第３の回転速度で回転する基板上のリンス液の液層に気体を吐出することを特徴とする請求項１記載の基板乾燥装置。
【請求項３】
前記基板回転保持手段は、前記液層形成手段によるリンス液の液層の形成後であって前記気体吐出手段による気体の吐出前に、基板の回転速度を前記第１の回転速度よりも高く前記第２の回転速度よりも低い第４の回転速度に所定時間維持することを特徴とする請求項２記載の基板乾燥装置。
【請求項４】
前記気体除去手段は、
気体透過膜からなり、リンス液が導入される気体透過流路と、
前記気体透過流路を気密に収容する気体収容室と、
前記気体収容室内を真空吸引する真空吸引手段とを有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板乾燥装置。
【請求項５】
露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に処理を行うための処理部と、
前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方は、
基板の乾燥処理を行う基板乾燥装置を含み、
前記基板乾燥装置は、
基板を略水平に保持しつつ回転させる基板回転保持手段と、
前記基板回転保持手段に保持された基板上にリンス液の液層を形成する液層形成手段と、
前記基板回転保持手段により基板が回転する状態で、前記液層形成手段により基板上に形成されたリンス液の液層の中心部に向けて気体を吐出する気体吐出手段とを備え、
前記液層形成手段は、
リンス液から気体を除去する気体除去手段と、
前記気体除去手段により気体が除去されたリンス液を基板上に供給するリンス液供給手段とを含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
前記基板乾燥装置は、前記露光装置による露光処理後に基板の乾燥処理を行うことを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記基板乾燥装置は、前記露光装置による露光処理前に基板の乾燥処理を行うことを特徴とする請求項５または６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記基板乾燥装置は、
前記基板回転保持手段に保持された基板上に現像液を供給する現像液供給手段をさらに含み、
前記液層形成手段は、前記基板回転保持手段に保持された基板上にリンス液を供給することにより基板上の現像液を洗い流した後、基板上にリンス液の液層を形成することを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載の基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００９−２６００３４（Ｐ２００９−２６００３４Ａ）
【公開日】平成２１年１１月５日（２００９．１１．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１０７１６８（Ｐ２００８−１０７１６８）
【出願日】平成２０年４月１６日（２００８．４．１６）
【出願人】（５０６３２２６８４）株式会社ＳＯＫＵＤＯ (158)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１１月５日（２００９．１１．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年４月１６日（２００８．４．１６）
【出願人】（５０６３２２６８４）株式会社ＳＯＫＵＤＯ (158)
【Ｆターム（参考）】
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