基板処理方法および基板処理装置
【課題】基板の表面の全域に対して、薬液による処理を均一に施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】高温エッチング液供給工程では、高温（約６０℃）のエッチング液がウエハの表面に供給される。このエッチング液の供給と並行して、ウエハが回転される。高温エッチング液供給工程の後、ウエハＷの回転速度が所定の低回転速度（たとえば１０ｒｐｍ）まで減速される。また、ＤＩＷノズル６からＤＩＷ、回転中のウエハＷの表面の中央部に供給される。ウエハＷ表面に供給されたＤＩＷにウエハＷの回転による遠心力はほとんど作用せず、ウエハＷ表面の中央部に供給されたＤＩＷは当該中央部に留まり、ウエハＷ表面の周縁部にエッチング液が残留する。この残留エッチング液により、ウエハＷ表面の周縁部がエッチング処理される。
【解決手段】高温エッチング液供給工程では、高温（約６０℃）のエッチング液がウエハの表面に供給される。このエッチング液の供給と並行して、ウエハが回転される。高温エッチング液供給工程の後、ウエハＷの回転速度が所定の低回転速度（たとえば１０ｒｐｍ）まで減速される。また、ＤＩＷノズル６からＤＩＷ、回転中のウエハＷの表面の中央部に供給される。ウエハＷ表面に供給されたＤＩＷにウエハＷの回転による遠心力はほとんど作用せず、ウエハＷ表面の中央部に供給されたＤＩＷは当該中央部に留まり、ウエハＷ表面の周縁部にエッチング液が残留する。この残留エッチング液により、ウエハＷ表面の周縁部がエッチング処理される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板に処理液を用いた処理を施すための基板処理方法および基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板の表面に薬液による処理を施すために、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が用いられることがある。
この枚葉式の基板処理装置は、基板をほぼ水平に保持しつつ回転させるスピンチャックと、スピンチャックによって回転される基板の表面に薬液を供給する薬液ノズルと、スピンチャックによって回転される基板の表面の中央部に純水を供給する純水ノズルとを備えている。
【０００３】
枚葉式の基板処理装置では、回転中の基板の表面に、薬液ノズルから薬液が供給される。これにより、基板の表面に薬液による処理（薬液処理）が施される。薬液の供給停止後、純水ノズルから基板の表面の中央部に純水が供給される。基板の表面上に供給された純水は、基板の回転により生じる遠心力を受けて、基板の表面上を周縁に向けて流れる。これにより、基板に付着している薬液が純水で洗い流される（リンス処理）。リンス処理時における基板の回転速度は、薬液処理時における基板の回転速度と同速度である。また、純水ノズルから供給される純水の供給流量は、薬液の供給流量と同程度で、かつ一定である。純水の供給停止後、基板の回転が加速され、基板に付着している純水が振り切られて除去される。これにより、基板が乾燥し、一連の薬液処理が終了する。
【０００４】
薬液を基板に供給する方式として、スピンチャックによって回転される基板の表面の回転中心に向けて薬液を吐出する中心吐出方式（特許文献１参照）と、スピンチャックによって回転される基板の表面に薬液ノズルから薬液を供給しつつ、その薬液ノズルを基板上で移動させるスキャン方式（特許文献２参照）との２種類がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２８６２２１号公報
【特許文献２】特開２００７−８８３８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような枚葉式の基板処理装置において、たとえば、処理速度を向上させるために、高温に加熱された薬液が用いられる場合がある。この場合、薬液ノズルから供給される薬液は、基板の表面に供給された直後は高温であるが、基板の表面を流れる過程で基板や周囲雰囲気に熱を奪われ、その液温が低下してしまう。すなわち、薬液ノズルから基板の表面に供給された高温の薬液は、供給位置において最も高い処理能力を発揮する。
【０００７】
薬液の供給を、中心吐出方式を用いて行う場合、基板の表面の中央部に供給された薬液は、基板の回転により生じる遠心力を受けて、基板の表面上を周縁に向けて流れ、基板の表面の全域に行き渡る。これにより、基板の表面の全域に薬液による処理が施される。この中心吐出方式において高温に加熱された薬液が基板に供給される場合、基板上において、その中央部で薬液の温度が相対的に高くなり、中央部以外の領域で薬液の温度が相対的に低くなってしまう。その結果、基板面内で処理効率がばらつき、基板の表面の中央部では薬液による処理が相対的に速く進むのに対して、基板の表面における中央部以外の領域では処理が相対的に遅くなり、基板の表面内に処理の不均一が生じる。
【０００８】
一方、薬液の供給を、スキャン方式を用いて行う場合、ノズルの移動にともなってノズルからの薬液が導かれる基板の表面上の供給位置が移動する。この供給位置を、基板の表面の回転中心と周縁部との間でスキャンさせることにより、基板の表面の全域に薬液を行き渡らせることができる。基板の表面の中央部に供給された薬液は、基板の回転による遠心力を受けて、基板の表面を周端縁に向けて移動する。
【０００９】
しかしながら、このスキャン方式において高温に加熱された薬液が供給される場合、次に述べる問題がある。すなわち、基板の表面位置は回転中心から離れているほど高速で移動するので、薬液供給流量が一定ならば、薬液の供給位置が回転中心から離れるほど、単位面積あたりの薬液の供給量が少なくなる。薬液ノズルから基板の表面に供給された高温の薬液は、供給位置において最も高い処理能力を発揮する。その結果、基板面内で処理効率がばらつき、基板の表面の中央部では薬液による処理が相対的に速く進むのに対して、基板の表面における中央部以外の領域では薬液による処理が相対的に遅くなる。すなわち、スキャン方式を用いて基板に高温薬液を供給する場合であっても、基板の表面に対して均一な薬液による処理を実現することができない。
【００１０】
そこで、この発明の目的は、基板の表面の全域に対して、薬液による処理を均一に施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、処理室（３）内で、前記処理室の温度よりも高温の薬液を基板（Ｗ）の表面に供給する高温薬液供給工程（Ｓ１；Ｓ１１）と、前記高温薬液供給工程後、前記基板の表面に、薬液を洗い流すためのリンス液を供給するリンス液供給工程（Ｓ３；Ｓ１３）とを含み、前記リンス液供給工程は、その初期において、前記基板の表面の中央部にリンス液を選択的に供給して、前記基板表面の周縁部に残留する薬液を用いて当該周縁部を選択的に処理させる周縁部処理工程を含む、基板処理方法である。
【００１２】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表すが、特許請求の範囲を実施形態に限定する趣旨ではない。以下、この項において同じ。
高温の薬液が基板の表面に供給される高温薬液供給工程では、基板の表面の中央部では薬液による処理が相対的に速く進むのに対して、基板の表面における中央部以外の領域では薬液による処理が相対的に遅くなる。そのため、基板の表面内に、薬液による処理の不均一が生じる。
【００１３】
この発明の方法によれば、高温薬液供給工程に次いで実行されるリンス液供給工程の初期において、基板の表面の中央部にリンス液が選択的に供給される。このリンス液の選択的な供給により、基板の表面の中央部の薬液は速やかにリンス液に置換されるが、基板表面の周縁部ではリンス液への置換効率が低く、そのため、基板表面の周縁部に薬液が残留する。この残留薬液によって基板の周縁部が選択的に処理される。このような残留薬液による処理により、基板表面の周縁部における薬液による処理の遅れを補うことができる。これにより、基板の表面の全域に対して薬液による均一な処理を施すことができる。
【００１４】
また、リンス液供給工程中に周縁部処理工程が実行されるので、別途、周縁部を、薬液を用いて選択的に処理する必要がない。すなわち、全体の処理時間が長期化することなく、基板の表面に薬液による処理を均一に施すことができる。
この発明の一実施形態に係る基板処理方法は、請求項２に記載されているように、前記高温薬液供給工程と並行して実行され、前記基板を所定の第１回転速度で回転させる薬液処理回転工程をさらに含み、前記周縁部処理工程は、前記基板を、前記第１回転速度よりも遅い第２回転速度で回転させる低回転工程を含むものである。
【００１５】
この発明の方法によれば、周縁部処理工程における基板の回転速度は、高温薬液供給工程における基板の回転速度よりも遅い回転速度を含む。そのため、周縁部処理工程において、低速回転時には、基板の表面に供給されたリンス液に作用する遠心力は小さいかあるいはほとんどない。したがって、基板の表面の中央部に供給されたリンス液は当該中央部に留まる。これにより、リンス液供給工程の初期において、基板の表面の中央部にリンス液を選択的に供給することができる。
【００１６】
この場合、請求項３に記載のように、前記周縁部処理工程は、前記リンス液供給工程の少なくとも開始時において前記第１回転速度と同等の速度で前記基板を回転させる高回転工程と、前記高回転工程後に前記第２回転速度で基板を回転させる低回転工程とを含むものであってもよい。
この発明の方法によれば、前記リンス液供給工程の少なくとも開始時には高回転工程が実行され、高回転工程後に低回転工程が実行される。高回転工程では、基板の表面上に供給されたリンス液は、基板の回転により生じる遠心力を受けて、基板の表面上を拡がる。高回転工程後に実行される低回転工程では基板の回転速度が下げられて、基板の表面を流れるリンス液に作用する遠心力が小さくなるかあるいはほとんどなくなる。そして、リンス液が基板の表面の中央部全域を覆ったタイミングで低回転工程を実行することにより、基板表面の周縁部にのみ薬液を残留させることができる。これにより、基板表面の周縁部のみを選択的に薬液により処理することができる。
【００１７】
この発明の一実施形態に係る基板処理方法は、請求項４に記載されているように、前記周縁部処理工程におけるリンス液の供給流量は、前記高温薬液供給工程における薬液の供給流量よりも少ないものである。
この発明の方法によれば、周縁部処理工程におけるリンス液の供給流量が高温薬液供給工程における薬液の供給流量よりも少ない。そのため、基板の表面に供給されたリンス液はほとんど拡がらず、基板の表面の中央部に留まる。これにより、リンス液供給工程の初期において基板の表面の中央部にリンス液を選択的に供給することができる。
【００１８】
請求項５記載の発明は、前記リンス液供給工程において前記基板の表面に供給されるリンス液が、前記処理室の温度よりも高温である、請求項１〜４記載のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
リンス液供給工程において基板に常温のリンス液が供給される場合には、リンス液供給工程の開始時には基板の表面上の薬液が、基板の表面に供給されるリンス液によって熱を奪われ、急激に温度低下するおそれがある。この場合、基板の周縁部に残留する薬液の液温が低下し、その薬液が発揮する処理能力が低くなるおそれがある。
【００１９】
これに対し、請求項５記載の発明の方法によれば、基板の表面に高温のリンス液が供給される。そのため、周縁部に残留する薬液の液温の低下を抑制することができる。これにより、周縁部に残留する薬液に高い処理能力を発揮させることができる。
請求項６記載の発明は、処理室（３）と、前記処理室内で基板（Ｗ）を回転するための回転手段（８）と、前記処理室の温度よりも高温の薬液を基板の表面に供給するための高温薬液供給手段（５，１４，１５）と、基板の表面に、薬液を洗い流すためのリンス液を供給するためのリンス液供給手段（６，１６，１７，２０２，２０３）と、前記回転手段の回転動作、前記高温薬液供給手段の薬液供給動作および前記リンス液供給手段のリンス液供給動作を制御するための制御手段（２０）とを含み、前記制御手段が、前記基板の表面に前記リンス液を供給するリンス液供給工程の初期に、前記基板の表面の中央部にリンス液を選択的に供給して、前記基板表面の周縁部に残留する薬液を用いて当該周縁部を選択的に処理させる周縁部処理工程を実行する、基板処理装置（１；１０１；２０１）である。
【００２０】
この構成によれば、請求項１の発明に関連して述べた作用効果と同様な作用効果を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図２】図１に示す基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図３】処理例１を示す工程図である。
【図４】処理例１におけるウエハの回転速度の変化を示す図である。
【図５】処理例１を説明するための図である。
【図６】処理例２におけるウエハの回転速度の変化を示す図である。
【図７】処理例２を説明するための図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図９】処理例３における処理液の供給流量の変化を示す図である。
【図１０】処理例３を説明するための図である。
【図１１】本発明の第３実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図１２】処理例４を示す工程図である。
【図１３】第１エッチング試験におけるエッチング量の面内分布を示すグラフである。
【図１４】第２エッチング試験におけるエッチング量の面内分布を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態（第１実施形態）に係る基板処理装置１の構成を模式的に示す断面図である。この基板処理装置１は、基板の一例としての円形の半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という。）におけるデバイス形成領域側の表面に対して、洗浄処理の一例としてのエッチング処理（たとえば、酸化膜エッチング処理）を施すための枚葉型の装置である。このエッチング処理では、薬液としてエッチング液が用いられる。このエッチング液として希ふっ酸を例示することができる。
【００２３】
この基板処理装置１は、隔壁２により区画された処理室３内に、ウエハＷをほぼ水平に保持するとともに、その中心を通るほぼ鉛直な回転軸線ＣまわりにウエハＷを回転させるスピンチャック４と、スピンチャック４に保持されたウエハＷの表面（すなわち、上面）に向けて、高温エッチング液を供給するための薬液ノズル５と、スピンチャック４に保持されたウエハＷの表面の中央部に、リンス液としての常温（たとえば２５℃）のＤＩＷ（脱イオン水）を供給するためのＤＩＷノズル６と、スピンチャック４を収容するカップ７とを備えている。
【００２４】
スピンチャック４は、スピンモータ（回転手段）８と、このスピンモータ８の回転駆動力によって回転軸線Ｃまわりに回転される円盤状のスピンベース９と、スピンベース９の周縁の複数箇所にほぼ等間隔で設けられ、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で挟持するための複数個の挟持部材１０とを備えている。これにより、スピンチャック４は、複数個の挟持部材１０によってウエハＷを挟持した状態で、スピンモータ８の回転駆動力によってスピンベース９を回転させることにより、そのウエハＷを、ほぼ水平な姿勢を保った状態で、スピンベース９とともに回転軸線Ｃまわりに回転させることができる。
【００２５】
なお、スピンチャック４としては、挟持式のものに限らず、たとえば、ウエハＷの裏面を真空吸着することにより、ウエハＷを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な回転軸線まわりに回転することにより、その保持したウエハＷを回転させることができる真空吸着式のもの（バキュームチャック）が採用されてもよい。
薬液ノズル５は、たとえば、連続流の状態で高温（たとえば６０℃）に加熱されたエッチング液を吐出するストレートノズルであり、その吐出口を下方に向けた状態で、ほぼ水平に延びるアーム１１の先端部に取り付けられている。アーム１１の基端部は、カップ７の側方においてほぼ鉛直に延びる支持軸１２の上端部に支持されている。支持軸１２には、モータ（図示しない）を含むノズル駆動機構１３が結合されている。ノズル駆動機構１３から支持軸１２に回転力を入力して支持軸１２を回動させることにより、スピンチャック４の上方でアーム１１を揺動させ、薬液ノズル５を移動させることができる。
【００２６】
薬液ノズル５には、高温エッチング液供給源からの高温のエッチング液が供給されるエッチング液供給管１４が接続されている。エッチング液供給管１４の途中部には、薬液ノズル５からのエッチング液の供給／供給停止を切り換えるためのエッチング液バルブ１５が介装されている。
スピンチャック４にウエハＷが保持され、そのウエハＷの上方に薬液ノズル５が配置された状態で、薬液ノズル５からエッチング液を供給させることにより、ウエハＷの表面にエッチング液を供給することができる。そして、この薬液ノズル５からウエハＷの表面へのエッチング液の供給時に、アーム１１を所定の角度範囲内で揺動させることにより、ウエハＷの表面におけるエッチング液の供給位置を、ウエハＷの回転中心（ウエハＷにおける回転軸線Ｃ上の点）からウエハＷの周縁に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動させることができる。
【００２７】
ＤＩＷノズル６は、たとえば、連続流の状態でＤＩＷを供給するストレートノズルであり、スピンチャック４の上方で、その供給口をウエハＷの回転中心付近に向けて固定的に配置されている。このＤＩＷノズル６には、ＤＩＷ供給源からの常温（たとえば２５℃）のＤＩＷが供給されるＤＩＷ供給管１６が接続されている。ＤＩＷ供給管１６の途中部には、ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの供給／供給停止を切り換えるためのＤＩＷバルブ１８が介装されている。
【００２８】
カップ７は、ウエハＷの処理に用いられた後のエッチング液およびＤＩＷを処理するためのものであり、有底円筒容器状に形成されている。
図２は、基板処理装置１の電気的構成を示すブロック図である。
基板処理装置１は、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置２０を備えている。この制御装置２０には、スピンモータ８、ノズル駆動機構１３、エッチング液バルブ１５、ＤＩＷバルブ１８などが制御対象として接続されている。
【００２９】
図３は、基板処理装置１において実行されるエッチング処理の一例である処理例１を示す工程図である。図４は、処理例１におけるウエハＷの回転速度の変化を示す図である。図５は、処理例１を説明するための図である。以下、図３〜図５を参照しつつ説明する。
処理対象のウエハＷは、搬送ロボット（図示しない）によって処理室３内に搬入され、その表面を上方に向けた状態でスピンチャック４に受け渡される。このとき、ウエハＷの搬入の妨げにならないように、薬液ノズル５は、カップ７の側方のホームポジションに配置されている。
【００３０】
ウエハＷがスピンチャック４に保持された後、制御装置２０はスピンモータ８を制御して、ウエハＷを第１液処理速度（第１回転速度。たとえば３００ｒｐｍ）で回転させる。また、アーム１１が旋回されて、薬液ノズル５がホームポジションからウエハＷの回転軸線Ｃ上に移動される。
薬液ノズル５の移動が完了すると、制御装置２０は、エッチング液バルブ１５を開いて、薬液ノズル５から高温（たとえば６０℃）のエッチング液を供給する（ステップＳ１：高温エッチング液供給工程）。この高温エッチング液供給工程中、薬液ノズル５からのエッチング液の供給流量はたとえば２．０Ｌ／ｍｉｎで一定である。また、この高温エッチング液供給工程中、制御装置２０はノズル駆動機構１３を制御して、アーム１１を所定の角度範囲内で揺動する。アーム１１の揺動は等速である。このアーム１１の揺動により、薬液ノズル５を、ウエハＷの回転軸線Ｃ上と、ウエハＷの周縁部の上方との間との間を往復移動させる。これによって、薬液ノズル５からのエッチング液が導かれるウエハＷの表面上の供給位置は、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を、ウエハＷの回転方向と交差する円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する（図５（ａ）参照）。この高温エッチング液供給工程中、ウエハの回転速度はたとえば３００ｒｐｍで一定である（図４参照）。なお、ウエハＷの周縁部とは、たとえば、ウエハＷの回転中心を中心とし、ウエハＷの半径の２／３程度の半径を有する円（外径２００ｍｍのウエハＷで、ウエハＷの回転中心を中心とする半径７０ｍｍ程度の円、外径３００ｍｍのウエハＷで、ウエハＷの回転中心を中心とする半径１００ｍｍ程度の円）の外側の環状領域をいう。
【００３１】
ウエハＷの表面に供給されたエッチング液は、ウエハＷの表面の全域に拡がる。これにより、ウエハＷの表面の全域に、エッチング液がむらなく速やかに供給される。薬液ノズル５からウエハＷの表面にエッチング液が供給されることにより、そのエッチング液の化学的能力により、ウエハＷの表面に形成された酸化膜を除去することができる。
薬液ノズル５からのエッチング液の供給開始から所定時間（たとえば３５秒間）が経過すると、制御装置２０は、エッチング液バルブ１５を閉じて、ウエハＷへのエッチング液の供給を停止する（ステップＳ２：高温エッチング液停止）。また、制御装置２０は、スピンモータ８を制御して、ウエハＷの回転速度を所定の低回転速度（第２回転速度。たとえば１０ｒｐｍ）まで減速させる。そして、アーム１１の旋回により、薬液ノズル５がウエハＷの回転軸線Ｃ上からホームポジションに戻される。
【００３２】
ところで、ステップＳ１の高温エッチング液供給工程では、薬液ノズル５からウエハＷの表面に供給される高温のエッチング液は、供給位置に供給された直後は高温であるが、ウエハＷ上を流れる過程でウエハＷや周囲雰囲気に熱を奪われ、その液温が低下してしまう。すなわち、薬液ノズル５からの高温のエッチング液は、供給位置において最も高いエッチング力を発揮する。その一方で、ウエハＷの表面位置は、回転軸線Ｃから離れるに従って高速で移動する。そのため、この処理例１のように高温エッチング液供給工程におけるエッチング液の供給流量が一定である場合には、エッチング液の供給位置が回転軸線Ｃから離れるに従って、単位面積あたりのエッチング液の供給量が少なくなる。これにより、ウエハＷの中央部の方がウエハＷの周縁部よりもエッチング効率が高くなる。すなわち、ウエハＷ表面の中央部ではエッチング処理が相対的に速く進むのに対して、ウエハＷ表面における中央部以外の領域ではエッチング処理が相対的に遅くなり、ウエハＷの表面内にエッチング処理の不均一が生じる。
【００３３】
エッチング液の供給停止およびウエハＷの減速の後、制御装置２０は、ＤＩＷバルブ１８を開いて、ＤＩＷノズル６から常温（たとえば２５℃）のＤＩＷを供給する。ＤＩＷノズル６から吐出されるＤＩＷは、回転中のウエハＷの表面の回転中心付近に供給される（ステップＳ３：ＤＩＷ供給工程）。ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの供給流量はたとえば２．０Ｌ／ｍｉｎで一定である。
【００３４】
このとき、ウエハＷの回転速度が低回転速度（たとえば１０ｒｐｍ）であるので、ウエハＷの表面に供給されたＤＩＷに、ウエハＷの回転による遠心力はほとんど作用しない。したがって、ウエハＷの表面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷ表面の中央部に留まる。このＤＩＷの供給により、ウエハＷ表面の中央部のエッチング液は速やかにＤＩＷに置換されるが、ウエハＷ表面の周縁部ではＤＩＷへの置換効率が低く、そのため、ウエハＷの表面の周縁部にエッチング液が残留する（図５（ｂ）参照）。図５（ｂ）に示すようにこの処理例１では、ウエハＷの表面の周縁部だけでなく、ウエハＷの中央部の外周部分にもエッチング液が残留している。この残留エッチング液によって、ウエハＷの表面の周縁部およびウエハＷの中央部の外周部分が選択的にエッチング処理される。
【００３５】
そして、ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの供給開始から所定の低回転期間Ｔ１（たとえば１〜１０秒間）が経過すると、制御装置２０は、スピンモータ８を制御して、ウエハＷの回転速度を第２液処理速度（たとえば５００ｒｐｍ）まで加速させる。そのため、ウエハＷの表面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けてウエハＷの表面上を周縁に向けて流れ、ウエハＷの表面の全域に拡がる（図５（ｃ）参照）。これにより、ウエハＷの表面に付着しているエッチング液がＤＩＷにより洗い流される。
【００３６】
この処理例１では、図４に示すようにウエハＷは第２液処理速度に加速された後は、当該第２液処理速度のまま維持される。しかし、所定のタイミング（ＤＩＷの供給開始からたとえば２５秒間の経過）以降は、ウエハＷの回転速度は、複数段階に切り換えられる。
具体的には、所定のタイミングになって以降、制御装置２０によるスピンモータ８の制御により、ウエハＷの回転速度は、第３液処理速度（たとえば２８０ｒｐｍ。たとえば５秒間）、第２液処理速度（たとえば１秒間）、第４液処理速度（たとえば３０ｒｐｍ。たとえば５秒間）、第５液処理速度（たとえば１５ｒｐｍ。たとえば３秒間）、第６液処理速度（たとえば１０ｒｐｍ。たとえば５秒間）の順で変化する。このウエハＷの回転速度の変化に伴ってウエハＷの周縁からのＤＩＷの飛散方向が変化し、カップ７上壁やスピンベース９の上面などに付着しているエッチング液などが洗い流される。
【００３７】
ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの供給開始から所定時間（たとえば４０秒間）が経過すると、制御装置２０は、ＤＩＷバルブ１８を閉じて、ウエハＷへのＤＩＷの供給を停止する（ステップＳ４：ＤＩＷ停止）。
その後、制御装置２０はスピンモータ８を制御して、ウエハＷの回転速度を所定の高回転速度（たとえば３０００ｒｐｍ）まで加速させる。これにより、ウエハＷに付着しているＤＩＷが振り切られて除去される（ステップＳ５：スピンドライ）。
【００３８】
そして、ウエハＷの高速回転が所定時間にわたって続けられると、ウエハＷの回転が停止される。これにより、１枚のウエハＷに対するエッチング処理が終了となり、搬送ロボットによって、処理済みのウエハＷが処理室３から搬出される。
以上により処理例１では、高温エッチング液供給工程に次いで実行されるＤＩＷ供給工程の開始時においてウエハＷの回転速度が低回転速度（たとえば１０ｒｐｍ）に低下される。そのため、ウエハＷ表面に供給されたＤＩＷに、ウエハＷの回転による遠心力はほとんど作用しない。したがって、ウエハＷ表面の中央部に供給されたＤＩＷは当該中央部に留まる。これにより、ＤＩＷ供給工程の初期においてウエハＷ表面の中央部にＤＩＷが選択的に供給される。このＤＩＷの供給により、ウエハＷ表面の中央部のエッチング液は速やかにＤＩＷに置換されるが、ウエハＷ表面の周縁部ではＤＩＷへの置換効率が低く、そのため、ウエハＷ表面の周縁部にエッチング液が残留する。この残留エッチング液によって、ウエハＷの周縁部が選択的にエッチング処理される。すなわち、ウエハＷ表面の中央部にＤＩＷを選択的に供給することにより、ウエハＷ表面の周縁部におけるエッチング処理の遅れを補うことができる。これにより、ウエハＷ表面の全域に対して均一なエッチング処理を施すことができる。
【００３９】
また、ＤＩＷ供給工程中にウエハＷの周縁部が選択的にエッチング処理されるので、別途、周縁部を、選択的にエッチング処理する必要がない。すなわち、全体の処理時間が長期化することなく、ウエハＷの表面に均一なエッチング処理を施すことができる。
図６は、処理例２におけるウエハＷの回転速度の変化を示す図である。図７は、処理例２を説明するための図である。処理例２を、図３、図６および図７を参照しつつ説明する。
【００４０】
処理例２では処理例１と同様、高温エッチング液供給工程（図３に示すステップＳ１）、高温エッチング液停止工程（図３に示すステップＳ２）、ＤＩＷ供給工程（図３に示すステップＳ３）、ＤＩＷ停止工程（図３に示すステップＳ４）およびスピンドライ（図３に示すステップＳ５）が、この順に実行される。この処理例２が処理例１と相違する点は、ＤＩＷ供給工程において、ウエハＷの回転速度を低回転速度（たとえば１０ｒｐｍ）に低下させるタイミングを、ＤＩＷ供給工程の開始よりも所定の遅延期間Ｔ２（たとえば０．５〜１．０秒間）だけ遅らせるようにした点である。それ以外の点については、処理例１と同様であるので説明を省略する。
【００４１】
具体的には、ＤＩＷ供給工程の開始（図３でステップＳ３）において、ＤＩＷノズル６から常温（たとえば２５℃）のＤＩＷを供給後遅延期間Ｔ２が経過するまでの間は、ウエハＷの第１液処理速度で回転されている。したがって、ウエハＷの表面上に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転により生じる遠心力を受けてウエハＷの表面上を拡がる。
そして、ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの供給開始から遅延期間Ｔ２が経過すると、制御装置２０はスピンモータ８を制御して、ウエハＷの回転速度を低回転速度（たとえば１０ｒｐｍ）まで減速させる。このウエハＷの減速により、ウエハＷ表面を流れるＤＩＷにウエハＷの回転による遠心力がほとんど作用しなくなる。そして、ウエハＷの表面上のＤＩＷの拡大が停止し、ウエハＷの表面の中央部に比較的大きなＤＩＷの液溜りができる。したがって、遅延期間Ｔ２を、ＤＩＷノズル６から供給されたＤＩＷが、ウエハＷの表面の中央部全域を覆うまでに要する時間に設定すれば、ウエハＷ表面の周縁部のみにエッチング液を残留させることができる（図７参照）。これにより、ウエハＷの周縁部のみをエッチング処理することができる。
【００４２】
図８は、本発明の第２実施形態に係る基板処理装置１０１の構成を模式的に示す断面図である。図８において、図１に示す各部に相当する部分には、それらの各部と同一の参照符号を付している。図８に示す基板処理装置１０１が図１に示す基板処理装置１と相違する点は、ＤＩＷ供給管１６の途中部に、ＤＩＷ供給管１６を流通するＤＩＷの流量を調節する流量調節バルブ１７が介装されている点である。流量調節バルブ１７はＤＩＷバルブ１８よりもＤＩＷノズル６側に介装されている。流量調節バルブ１７は制御装置２０（図２参照）に、制御対象として接続されている。
【００４３】
図９は、基板処理装置１０１において実行されるエッチング処理の一例である処理例３における処理液（エッチング液およびＤＩＷ）の供給流量の変化を示す図である。図１０は、処理例３を説明するための図である。
処理例３が処理例１や処理例２と相違する点は、ウエハＷの表面の中央部にＤＩＷを選択的に供給するために、ＤＩＷ供給工程の初期におけるＤＩＷの供給流量を、高温エッチング液供給工程におけるエッチング液の供給流量よりも少なくした点である。
【００４４】
処理例３では処理例１と同様、高温エッチング液供給工程（図３に示すステップＳ１）、高温エッチング液停止工程（図３に示すステップＳ２）、ＤＩＷ供給工程（図３に示すステップＳ３）、ＤＩＷ停止工程（図３に示すステップＳ４）およびスピンドライ（図３に示すステップＳ５）がこの順に実行される。
以下、処理例３について、図３、図４および図８〜図１０を参照しつつ説明する。
【００４５】
処理対象のウエハＷは、搬送ロボット（図示しない）によって、処理室３内に搬入され、その表面を上方に向けた状態でスピンチャック４に受け渡される。このとき、ウエハＷの搬入の妨げにならないように、また、薬液ノズル５は、カップ７の側方のホームポジションに配置されている。
ウエハＷがスピンチャック４に保持された後、制御装置２０はスピンモータ８を制御して、ウエハＷを所定の液処理速度（たとえば３００ｒｐｍ）で回転させる。また、アーム１１が旋回されて、薬液ノズル５がホームポジションからウエハＷの回転軸線Ｃ上に移動される。
【００４６】
薬液ノズル５の移動が完了すると、制御装置２０は、エッチング液バルブ１５を開いて、薬液ノズル５から高温（たとえば６０℃）のエッチング液を供給する（図３に示すステップＳ１：高温エッチング液供給工程）。この高温エッチング液供給工程中、薬液ノズル５からのエッチング液の供給流量はたとえば２．０Ｌ／ｍｉｎで一定である。また、この高温エッチング液供給工程中、制御装置２０はノズル駆動機構１３を制御して、アーム１１を所定の角度範囲内で揺動する。アーム１１の揺動は等速である。このアーム１１の揺動により、薬液ノズル５を、ウエハＷの回転軸線Ｃ上と、ウエハＷの周縁部の上方との間との間を往復移動させる。これによって、薬液ノズル５からのエッチング液が導かれるウエハＷの表面上の供給位置は、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を、ウエハＷの回転方向と交差する円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する（図１０（ａ）参照）。この高温エッチング液供給工程中、ウエハの回転速度はたとえば３００ｒｐｍで一定である（図９参照）。以上のエッチング液による処理は、前述の第１実施形態の処理例１および処理例２と同様である。
【００４７】
薬液ノズル５からのエッチング液の供給開始から所定時間（たとえば３５秒間）が経過すると、制御装置２０は、エッチング液バルブ１５を閉じて、ウエハＷへのエッチング液の供給を停止する（図３に示すステップＳ２：高温エッチング液停止）。また、アーム１１の旋回により、薬液ノズル５がウエハＷの回転軸線Ｃ上からホームポジションに戻される。ステップＳ１の高温エッチング液供給工程では、前述のように、ウエハＷ表面の中央部ではエッチング処理が相対的に速く進むのに対して、ウエハＷ表面における中央部以外の領域ではエッチング処理が相対的に遅くなり、ウエハＷの表面内にエッチング処理の不均一が生じる。
【００４８】
エッチング液の供給停止の後、制御装置２０は、ＤＩＷバルブ１８を開いて、ＤＩＷノズル６から常温（たとえば２５℃）のＤＩＷを供給する。ＤＩＷノズル６から供給されるＤＩＷは、回転中のウエハＷの表面の中央部に供給される（ステップＳ３：ＤＩＷ供給工程）。このとき、流量調節バルブ１７は、ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの供給流量が、エッチング液供給工程におけるエッチング液の流量よりも少ない所定の小流量（たとえば０．５Ｌ／ｍｉｎ）になるようにその開度が設定されている。
【００４９】
ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの供給流量が小流量であるので、ウエハＷの表面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷ表面の中央部に留まる。このＤＩＷの供給により、ウエハＷ表面の中央部のエッチング液は速やかにＤＩＷに置換されるが、ウエハＷ表面の周縁部ではＤＩＷへの置換効率が低く、そのため、ウエハＷの表面の周縁部にエッチング液が残留する（図１０（ｂ）参照）。この残留エッチング液によって、ウエハＷの表面の周縁部が選択的にエッチング処理される。
【００５０】
そして、ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの供給開始から所定の低流量期間Ｔ３（たとえば１〜１０秒間）が経過すると、制御装置２０は、流量調節バルブ１７の開度を制御して、ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの供給流量を、所定の大流量（たとえば２．０Ｌ／ｍｉｎ）にする。
そのため、ウエハＷの表面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けてウエハＷの表面上を周縁に向けて流れ、ウエハＷの表面の全域に拡がる（図１０（ｃ）参照）。これにより、ウエハＷの表面に付着しているエッチング液がＤＩＷにより洗い流される。
【００５１】
処理例３では、図４に破線Ａで示すようにウエハＷの回転速度は、液処理速度（３００ｒｐｍ）に維持されている。しかし、所定のタイミング（ＤＩＷの供給開始からたとえば２５秒間の経過）以降は、ウエハＷの回転速度は、処理例１と同様に切り換えられる（図４参照）。このウエハＷの回転速度の変化に伴ってウエハＷの周縁からのＤＩＷの飛散方向が変化し、カップ７上壁やスピンベース９の上面などに付着しているエッチング液などが洗い流される。
【００５２】
ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの供給開始から所定時間（たとえば４０秒間）が経過すると、制御装置２０は、ＤＩＷバルブ１８を閉じて、ウエハＷへのＤＩＷの供給を停止する（ステップＳ４：ＤＩＷ停止）。
その後、制御装置２０はスピンモータ８を制御して、ウエハＷの回転速度を所定の高回転速度（たとえば３０００ｒｐｍ）まで加速させる。これにより、ウエハＷに付着しているＤＩＷが振り切られて除去される（ステップＳ５：スピンドライ）。
【００５３】
そして、ウエハＷの高速回転が所定時間にわたって続けられると、ウエハＷの回転が停止される。これにより、１枚のウエハＷに対するエッチング処理が終了となり、搬送ロボットによって、処理済みのウエハＷが処理室３から搬出される。
以上により第２実施形態（処理例３）によれば、ＤＩＷ供給工程の初期におけるＤＩＷの供給流量が、高温エッチング液供給工程におけるエッチング液の供給流量よりも低流量である。そのため、ウエハＷ表面に供給されたＤＩＷはほとんど拡がらず、ウエハＷ表面の中央部に留まる。
【００５４】
これにより、ＤＩＷ供給工程の初期においてウエハＷ表面の中央部にＤＩＷが選択的に供給される。このＤＩＷの供給により、ウエハＷ表面の中央部のエッチング液は速やかにＤＩＷに置換されるが、ウエハＷ表面の周縁部ではＤＩＷへの置換効率が低く、そのため、ウエハＷ表面の周縁部にエッチング液が残留する。この残留エッチング液によって、ウエハＷの周縁部が選択的にエッチング処理される。すなわち、ウエハＷ表面の中央部にＤＩＷを選択的に供給することにより、ウエハＷ表面の周縁部におけるエッチング処理の遅れを補うことができる。これにより、ウエハＷ表面の全域に対して均一なエッチング処理を施すことができる。
【００５５】
また、ＤＩＷ供給工程中にウエハＷの周縁部が選択的にエッチング処理されるので、別途、周縁部を、選択的にエッチング処理する必要がない。すなわち、全体の処理時間が長期化することなく、ウエハＷの表面に均一なエッチング処理を施すことができる。
図１１は、本発明の第３実施形態に係る基板処理装置２０１の構成を模式的に示す断面図である。図１１において、図１に示す各部に相当する部分には、それらの各部と同一の参照符号を付している。図１１に示す基板処理装置１０１が図１に示す基板処理装置１と相違する点は、ＤＩＷ供給管１６に代えて、高温ＤＩＷ供給源からの約６０℃に加熱されたＤＩＷ（高温ＤＩＷ）が供給される高温ＤＩＷ供給管２０２がＤＩＷノズル６に接続されている点である。高温ＤＩＷ供給管２０２の途中部には、ＤＩＷノズル６からの高温ＤＩＷの供給／供給停止を切り換えるための高温ＤＩＷバルブ２０３が介装されている。高温ＤＩＷバルブ２０３は制御装置２０（図２参照）に、制御対象として接続されている。
【００５６】
図１２は、基板処理装置２０１において実行されるエッチング処理の一例である処理例４を示す工程図である。
処理例４が、第１実施形態の処理例1や処理例２と相違する点は、リンス処理に用いるリンス液として、常温のＤＩＷに代えて高温（約６０℃）のＤＩＷを用いた点にある。
図１２に示す高温エッチング液供給工程（ステップＳ１１）、高温エッチング液停止工程（ステップＳ１２）、高温ＤＩＷ供給工程（ステップＳ１３）、高温ＤＩＷ停止工程（ステップＳ１４）およびスピンドライ工程（ステップＳ１５）は、それぞれ、高温エッチング液供給工程（図３に示すステップＳ１）、高温エッチング液停止工程（図３に示すステップＳ２）、ＤＩＷ供給工程（図３に示すステップＳ３）、ＤＩＷ停止工程（図３に示すステップＳ４）およびスピンドライ工程（図３に示すステップＳ５）と同様の処理である。
【００５７】
前述の第１実施形態の処理例１または処理例２では、リンス液として常温のＤＩＷがウエハＷの表面に供給される。そのため、ＤＩＷ供給工程（図３に示すステップＳ３）の開始時に、ウエハＷの表面上のエッチング液が、ウエハＷの表面に供給されるＤＩＷによって熱を奪われ、急激に温度低下するおそれがある。この場合、ウエハＷの周縁部に残留するエッチング液の液温が低下し、そのエッチング液が発揮するエッチング力が低くなるおそれがある。
【００５８】
これに対し、この第３実施形態（処理例４）では、ウエハＷ表面に高温のＤＩＷが供給される。そのため、周縁部に残留するエッチング液の液温の低下を抑制することができる。これにより、周縁部に残留するエッチング液に高いエッチング力を発揮させることができる。
また、第３実施形態は、とくに第１実施形態の処理例２と組み合わされることが好ましい。ＤＩＷ供給工程の開始時において、処理例２では処理例１と比べて、ウエハＷの表面上に残留するエッチング液の量が少ないが、ウエハＷの表面上に残留するエッチング液が高いエッチング力を発揮するので、ウエハＷにエッチング処理を良好に施すことができる。
【００５９】
また、第３実施形態は、第１実施形態の処理例１や処理例２だけでなく、第２実施形態（処理例３）と組み合わせていてもよい。
また、第１実施形態（処理例１または処理例２）と第２実施形態（処理例３）とを組み合わせることもできる。また、第１実施形態（処理例１または処理例２）と第２実施形態（処理例３）とを組み合わせたものに、さらに第３実施形態（処理例４）を組み合わせることもできる。
【００６０】
また、前述の各実施形態において、高温エッチング液の供給中（図３に示すステップＳ１または図３に示すステップＳ１１）、薬液ノズル５を、その吐出口をウエハＷの表面の回転中心付近に向けた状態で停止させていてもよい（いわゆる中心吐出方式）。この場合、ウエハＷの表面の中央部にエッチング液が供給される。ウエハＷの表面に供給されたエッチング液は、ウエハＷの回転により生じる遠心力を受けて、ウエハＷの表面上を周縁に向けて流れ、ウエハＷの表面の全域に行き渡る。これにより、ウエハＷの表面の全域にエッチング液による処理が施される。
【００６１】
次に、第１エッチング試験について説明する。
表面に酸化膜が形成されたシリコンウエハＷ（外径３００ｍｍ）を試料として用い、基板処理装置１を用いて次に述べるエッチング処理を行った。
＜実施例１＞
処理例１のエッチング処理を試料に施した。低回転速度を１０ｒｐｍとし、低回転期間Ｔ１を１０秒間とした。
＜実施例２＞
処理例２のエッチング処理を試料に施した。低回転速度を１０ｒｐｍとし、低回転期間Ｔ１を１０秒間とした。また、遅延期間Ｔ２を０．７秒間とした。
＜比較例１＞
処理例１において、エッチング液の供給停止後も、ウエハＷの回転速度を第１液処理速度のまま維持させた（図４に破線Ａで示す）。ＤＩＷの供給開始からたとえば１０秒間の経過後、ウエハＷの回転速度を、処理例１と同様に切り換えた（図４参照）。
【００６２】
実施例１、実施例２および比較例１において、第１液処理速度（エッチング液供給工程におけるウエハＷの回転速度）を３００ｒｐｍとし、第２液処理速度（ＤＩＷ供給工程におけるウエハＷの回転速度）を３００ｒｐｍとした。
薬液ノズル５からのエッチング液の供給流量および液温は、それぞれ２．０Ｌ／ｍｉｎおよび６０℃であった。エッチング液として希ふっ酸を用いた。ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの供給流量は２．０Ｌ／ｍであり、一定であった。また、ＤＩＷの液温は２５℃であった。
【００６３】
そして、ウエハＷの酸化膜のエッチング量の面内分布（半径方向位置とエッチング量との関係）を求めた。このエッチング試験の結果を図１３に示す。図１３は、第１エッチング試験におけるエッチング量の面内分布を示すグラフであり、横軸はウエハＷの半径を示しており、縦軸はエッチング量を示している。
次に、第２エッチング試験について説明する。
【００６４】
表面に酸化膜が形成されたシリコンウエハＷ（外径３００ｍｍ）を試料として用い、基板処理装置１，１０１，２０１を用いて次に述べるエッチング処理を行った。
＜実施例３＞
基板処理装置１を用いて、処理例１のエッチング処理と同様の処理を試料に施した。低回転速度を１０ｒｐｍとし、低回転期間Ｔ１を１０秒間とした。また、ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの液温は２５℃であった。この実施例３の処理が処理例１と相違する点は、エッチング液供給工程で、薬液ノズル５の吐出口をウエハＷの表面の回転中心に向けた状態で停止させた点（いわゆる中心吐出方式）である。
＜実施例４＞
基板処理装置１０１を用いて、処理例３のエッチング処理と同様の処理を試料に施した。低流量期間Ｔ３におけるＤＩＷノズル６からのＤＩＷの供給流量は０．５Ｌ／ｍｉｎであった。また、ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの液温は２５℃であった。この実施例４の処理が処理例１と相違する点は、エッチング液供給工程で、薬液ノズル５の吐出口をウエハＷの表面の回転中心に向けた状態で停止させた点（いわゆる中心吐出方式）である。
＜実施例５＞
基板処理装置２０１を用いて、処理例１と処理例３と処理例４とを組み合わせた処理と同様の処理を試料に施した。低回転速度を１０ｒｐｍとし、低回転期間Ｔ１および低流量期間Ｔ３をともに１０秒間とした。低流量期間Ｔ３におけるＤＩＷノズル６からのＤＩＷの供給流量は０．５Ｌ／ｍｉｎであった。また、ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの液温は６０℃であった。この実施例５の処理が処理例３および処理例４と相違する点は、エッチング液供給工程で、薬液ノズル５の吐出口をウエハＷの表面の回転中心に向けた状態で停止させた点（いわゆる中心吐出方式）である。
＜比較例２＞
処理例１において、エッチング液の供給停止後も、ウエハＷの回転速度を第１液処理速度のまま維持させた（図４に破線Ａで示す）。ＤＩＷの供給開始からたとえば１０秒間の経過後、ウエハＷの回転速度を、処理例１と同様に切り換えた（図４参照）。
【００６５】
また、処理例１とは異なり、エッチング液供給工程で、薬液ノズル５の吐出口をウエハＷの表面の回転中心に向けた状態で停止させた（いわゆる中心吐出方式）。また、ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの液温は２５℃であった。
実施例３、実施例４、実施例５および比較例２において、第１液処理速度（エッチング液供給工程におけるウエハＷの回転速度）を１０００ｒｐｍとし、第２液処理速度（ＤＩＷ供給工程および高温ＤＩＷ供給工程におけるウエハＷの回転速度）を１０００ｒｐｍとした。
【００６６】
薬液ノズル５からのエッチング液の供給流量および液温は、それぞれ２．０Ｌ／ｍｉｎおよび６０℃であった。エッチング液として希ふっ酸を用いた。また、ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの供給流量は、低流量期間Ｔ３を除き２．０Ｌ／ｍｉｎであった。
そして、ウエハＷの酸化膜のエッチング量の面内分布（半径方向位置とエッチング量との関係）を求めた。このエッチング試験の結果を図１４に示す。図１４は、第２エッチング試験におけるエッチング量の面内分布を示すグラフであり、横軸はウエハＷの半径を示しており、縦軸はエッチング量を示している。
【００６７】
実施例１〜５では、ウエハＷの周縁部におけるエッチング量の低下を抑制できたことが理解される。とくに、実施例２は、エッチングによる面内均一性が優れていることが理解される。
以上、本発明の３つの実施形態について説明したが、本発明は他の形態でも実施するこができる。
【００６８】
たとえば、第１実施形態の処理例１において、ウエハＷの減速のタイミングを、高温エッチング液供給工程終了（ステップＳ２）ではなく、ＤＩＷ供給工程開始（ステップＳ３）としてもよい。
また、ＤＩＷ供給工程（図３に示すステップＳ３）または高温ＤＩＷ供給工程（図１２に示すステップＳ１３）では、エッチング液の供給停止に連続して、ＤＩＷ（高温ＤＩＷ）が供給開始されてもよい。
【００６９】
また、ウエハＷの低回転速度（低回転期間Ｔ１における回転速度）としてたとえば１０ｒｐｍを例示したが、低回転速度は、ウエハＷに供給されるＤＩＷがウエハＷの回転による遠心力による移動を生じない範囲、すなわち０ｒｐｍ〜１００ｒｐｍの範囲内であることが望ましい。
また、第２実施形態の処理例３において、ＤＩＷ供給工程（図３に示すステップＳ３）または高温ＤＩＷ供給工程（図１２に示すステップＳ１３）の期間を通じて、ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの供給流量を、小流量（たとえば０．５Ｌ／ｍｉｎ）としてもよい。
【００７０】
また、前述の各実施形態において、エッチング液供給工程（図３に示すステップＳ１、図１２に示すステップＳ１１）における薬液ノズル５のスキャンは、一方向に移動中にのみ薬液ノズル５から薬液を供給させるいわゆる一方向スキャンであってもよい。また、薬液ノズル５のスキャンは、ウエハＷの回転中心を挟んで対向関係にある一対の位置の間をスキャンするものであってもよい。
【００７１】
また、前述の各実施形態では、酸化膜の除去のためのエッチング処理を例に挙げて説明したが、ウエハＷの窒化膜の除去のためのエッチング処理を施すものであってもよい。かかる場合には、エッチング液としてたとえば燐酸が採用される。また、ウエハＷのシンニングのためのエッチング処理を施す場合には、エッチング液としてたとえばふっ硝酸が採用される。
【００７２】
また、洗浄処理などウエハＷに対して薬液による他の処理が施されていてもよい。この薬液として、前述のふっ酸に加え、ＳＣ１（ammonia-hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水混合液）、ＳＣ２（hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture：塩酸過酸化水素水混合液）、ＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水混合液）、バファードフッ酸（Buffered HF：ふっ酸とふっ化アンモニウムとの混合液）などを例示することができる。
【００７３】
また、前述の各実施形態では、リンス液としてＤＩＷを用いる場合を例にとって説明したが、ＤＩＷに限らず、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、還元水（水素水）、磁気水、などをリンス液として採用することもできる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００７４】
１，１０１，２０１ 基板処理装置
３ 処理室
５ 薬液ノズル
６ ＤＩＷノズル
８ スピンモータ
１４ エッチング液供給管
１５ エッチング液バルブ
１６ ＤＩＷ供給管
１７ 流量調節バルブ
１８ ＤＩＷバルブ
２０２ 高温ＤＩＷ供給管
２０３ 高温ＤＩＷバルブ
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板に処理液を用いた処理を施すための基板処理方法および基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などの基板が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板の表面に薬液による処理を施すために、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が用いられることがある。
この枚葉式の基板処理装置は、基板をほぼ水平に保持しつつ回転させるスピンチャックと、スピンチャックによって回転される基板の表面に薬液を供給する薬液ノズルと、スピンチャックによって回転される基板の表面の中央部に純水を供給する純水ノズルとを備えている。
【０００３】
枚葉式の基板処理装置では、回転中の基板の表面に、薬液ノズルから薬液が供給される。これにより、基板の表面に薬液による処理（薬液処理）が施される。薬液の供給停止後、純水ノズルから基板の表面の中央部に純水が供給される。基板の表面上に供給された純水は、基板の回転により生じる遠心力を受けて、基板の表面上を周縁に向けて流れる。これにより、基板に付着している薬液が純水で洗い流される（リンス処理）。リンス処理時における基板の回転速度は、薬液処理時における基板の回転速度と同速度である。また、純水ノズルから供給される純水の供給流量は、薬液の供給流量と同程度で、かつ一定である。純水の供給停止後、基板の回転が加速され、基板に付着している純水が振り切られて除去される。これにより、基板が乾燥し、一連の薬液処理が終了する。
【０００４】
薬液を基板に供給する方式として、スピンチャックによって回転される基板の表面の回転中心に向けて薬液を吐出する中心吐出方式（特許文献１参照）と、スピンチャックによって回転される基板の表面に薬液ノズルから薬液を供給しつつ、その薬液ノズルを基板上で移動させるスキャン方式（特許文献２参照）との２種類がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２８６２２１号公報
【特許文献２】特開２００７−８８３８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような枚葉式の基板処理装置において、たとえば、処理速度を向上させるために、高温に加熱された薬液が用いられる場合がある。この場合、薬液ノズルから供給される薬液は、基板の表面に供給された直後は高温であるが、基板の表面を流れる過程で基板や周囲雰囲気に熱を奪われ、その液温が低下してしまう。すなわち、薬液ノズルから基板の表面に供給された高温の薬液は、供給位置において最も高い処理能力を発揮する。
【０００７】
薬液の供給を、中心吐出方式を用いて行う場合、基板の表面の中央部に供給された薬液は、基板の回転により生じる遠心力を受けて、基板の表面上を周縁に向けて流れ、基板の表面の全域に行き渡る。これにより、基板の表面の全域に薬液による処理が施される。この中心吐出方式において高温に加熱された薬液が基板に供給される場合、基板上において、その中央部で薬液の温度が相対的に高くなり、中央部以外の領域で薬液の温度が相対的に低くなってしまう。その結果、基板面内で処理効率がばらつき、基板の表面の中央部では薬液による処理が相対的に速く進むのに対して、基板の表面における中央部以外の領域では処理が相対的に遅くなり、基板の表面内に処理の不均一が生じる。
【０００８】
一方、薬液の供給を、スキャン方式を用いて行う場合、ノズルの移動にともなってノズルからの薬液が導かれる基板の表面上の供給位置が移動する。この供給位置を、基板の表面の回転中心と周縁部との間でスキャンさせることにより、基板の表面の全域に薬液を行き渡らせることができる。基板の表面の中央部に供給された薬液は、基板の回転による遠心力を受けて、基板の表面を周端縁に向けて移動する。
【０００９】
しかしながら、このスキャン方式において高温に加熱された薬液が供給される場合、次に述べる問題がある。すなわち、基板の表面位置は回転中心から離れているほど高速で移動するので、薬液供給流量が一定ならば、薬液の供給位置が回転中心から離れるほど、単位面積あたりの薬液の供給量が少なくなる。薬液ノズルから基板の表面に供給された高温の薬液は、供給位置において最も高い処理能力を発揮する。その結果、基板面内で処理効率がばらつき、基板の表面の中央部では薬液による処理が相対的に速く進むのに対して、基板の表面における中央部以外の領域では薬液による処理が相対的に遅くなる。すなわち、スキャン方式を用いて基板に高温薬液を供給する場合であっても、基板の表面に対して均一な薬液による処理を実現することができない。
【００１０】
そこで、この発明の目的は、基板の表面の全域に対して、薬液による処理を均一に施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、処理室（３）内で、前記処理室の温度よりも高温の薬液を基板（Ｗ）の表面に供給する高温薬液供給工程（Ｓ１；Ｓ１１）と、前記高温薬液供給工程後、前記基板の表面に、薬液を洗い流すためのリンス液を供給するリンス液供給工程（Ｓ３；Ｓ１３）とを含み、前記リンス液供給工程は、その初期において、前記基板の表面の中央部にリンス液を選択的に供給して、前記基板表面の周縁部に残留する薬液を用いて当該周縁部を選択的に処理させる周縁部処理工程を含む、基板処理方法である。
【００１２】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表すが、特許請求の範囲を実施形態に限定する趣旨ではない。以下、この項において同じ。
高温の薬液が基板の表面に供給される高温薬液供給工程では、基板の表面の中央部では薬液による処理が相対的に速く進むのに対して、基板の表面における中央部以外の領域では薬液による処理が相対的に遅くなる。そのため、基板の表面内に、薬液による処理の不均一が生じる。
【００１３】
この発明の方法によれば、高温薬液供給工程に次いで実行されるリンス液供給工程の初期において、基板の表面の中央部にリンス液が選択的に供給される。このリンス液の選択的な供給により、基板の表面の中央部の薬液は速やかにリンス液に置換されるが、基板表面の周縁部ではリンス液への置換効率が低く、そのため、基板表面の周縁部に薬液が残留する。この残留薬液によって基板の周縁部が選択的に処理される。このような残留薬液による処理により、基板表面の周縁部における薬液による処理の遅れを補うことができる。これにより、基板の表面の全域に対して薬液による均一な処理を施すことができる。
【００１４】
また、リンス液供給工程中に周縁部処理工程が実行されるので、別途、周縁部を、薬液を用いて選択的に処理する必要がない。すなわち、全体の処理時間が長期化することなく、基板の表面に薬液による処理を均一に施すことができる。
この発明の一実施形態に係る基板処理方法は、請求項２に記載されているように、前記高温薬液供給工程と並行して実行され、前記基板を所定の第１回転速度で回転させる薬液処理回転工程をさらに含み、前記周縁部処理工程は、前記基板を、前記第１回転速度よりも遅い第２回転速度で回転させる低回転工程を含むものである。
【００１５】
この発明の方法によれば、周縁部処理工程における基板の回転速度は、高温薬液供給工程における基板の回転速度よりも遅い回転速度を含む。そのため、周縁部処理工程において、低速回転時には、基板の表面に供給されたリンス液に作用する遠心力は小さいかあるいはほとんどない。したがって、基板の表面の中央部に供給されたリンス液は当該中央部に留まる。これにより、リンス液供給工程の初期において、基板の表面の中央部にリンス液を選択的に供給することができる。
【００１６】
この場合、請求項３に記載のように、前記周縁部処理工程は、前記リンス液供給工程の少なくとも開始時において前記第１回転速度と同等の速度で前記基板を回転させる高回転工程と、前記高回転工程後に前記第２回転速度で基板を回転させる低回転工程とを含むものであってもよい。
この発明の方法によれば、前記リンス液供給工程の少なくとも開始時には高回転工程が実行され、高回転工程後に低回転工程が実行される。高回転工程では、基板の表面上に供給されたリンス液は、基板の回転により生じる遠心力を受けて、基板の表面上を拡がる。高回転工程後に実行される低回転工程では基板の回転速度が下げられて、基板の表面を流れるリンス液に作用する遠心力が小さくなるかあるいはほとんどなくなる。そして、リンス液が基板の表面の中央部全域を覆ったタイミングで低回転工程を実行することにより、基板表面の周縁部にのみ薬液を残留させることができる。これにより、基板表面の周縁部のみを選択的に薬液により処理することができる。
【００１７】
この発明の一実施形態に係る基板処理方法は、請求項４に記載されているように、前記周縁部処理工程におけるリンス液の供給流量は、前記高温薬液供給工程における薬液の供給流量よりも少ないものである。
この発明の方法によれば、周縁部処理工程におけるリンス液の供給流量が高温薬液供給工程における薬液の供給流量よりも少ない。そのため、基板の表面に供給されたリンス液はほとんど拡がらず、基板の表面の中央部に留まる。これにより、リンス液供給工程の初期において基板の表面の中央部にリンス液を選択的に供給することができる。
【００１８】
請求項５記載の発明は、前記リンス液供給工程において前記基板の表面に供給されるリンス液が、前記処理室の温度よりも高温である、請求項１〜４記載のいずれか一項に記載の基板処理方法である。
リンス液供給工程において基板に常温のリンス液が供給される場合には、リンス液供給工程の開始時には基板の表面上の薬液が、基板の表面に供給されるリンス液によって熱を奪われ、急激に温度低下するおそれがある。この場合、基板の周縁部に残留する薬液の液温が低下し、その薬液が発揮する処理能力が低くなるおそれがある。
【００１９】
これに対し、請求項５記載の発明の方法によれば、基板の表面に高温のリンス液が供給される。そのため、周縁部に残留する薬液の液温の低下を抑制することができる。これにより、周縁部に残留する薬液に高い処理能力を発揮させることができる。
請求項６記載の発明は、処理室（３）と、前記処理室内で基板（Ｗ）を回転するための回転手段（８）と、前記処理室の温度よりも高温の薬液を基板の表面に供給するための高温薬液供給手段（５，１４，１５）と、基板の表面に、薬液を洗い流すためのリンス液を供給するためのリンス液供給手段（６，１６，１７，２０２，２０３）と、前記回転手段の回転動作、前記高温薬液供給手段の薬液供給動作および前記リンス液供給手段のリンス液供給動作を制御するための制御手段（２０）とを含み、前記制御手段が、前記基板の表面に前記リンス液を供給するリンス液供給工程の初期に、前記基板の表面の中央部にリンス液を選択的に供給して、前記基板表面の周縁部に残留する薬液を用いて当該周縁部を選択的に処理させる周縁部処理工程を実行する、基板処理装置（１；１０１；２０１）である。
【００２０】
この構成によれば、請求項１の発明に関連して述べた作用効果と同様な作用効果を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図２】図１に示す基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図３】処理例１を示す工程図である。
【図４】処理例１におけるウエハの回転速度の変化を示す図である。
【図５】処理例１を説明するための図である。
【図６】処理例２におけるウエハの回転速度の変化を示す図である。
【図７】処理例２を説明するための図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図９】処理例３における処理液の供給流量の変化を示す図である。
【図１０】処理例３を説明するための図である。
【図１１】本発明の第３実施形態に係る基板処理装置の構成を模式的に示す断面図である。
【図１２】処理例４を示す工程図である。
【図１３】第１エッチング試験におけるエッチング量の面内分布を示すグラフである。
【図１４】第２エッチング試験におけるエッチング量の面内分布を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態（第１実施形態）に係る基板処理装置１の構成を模式的に示す断面図である。この基板処理装置１は、基板の一例としての円形の半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という。）におけるデバイス形成領域側の表面に対して、洗浄処理の一例としてのエッチング処理（たとえば、酸化膜エッチング処理）を施すための枚葉型の装置である。このエッチング処理では、薬液としてエッチング液が用いられる。このエッチング液として希ふっ酸を例示することができる。
【００２３】
この基板処理装置１は、隔壁２により区画された処理室３内に、ウエハＷをほぼ水平に保持するとともに、その中心を通るほぼ鉛直な回転軸線ＣまわりにウエハＷを回転させるスピンチャック４と、スピンチャック４に保持されたウエハＷの表面（すなわち、上面）に向けて、高温エッチング液を供給するための薬液ノズル５と、スピンチャック４に保持されたウエハＷの表面の中央部に、リンス液としての常温（たとえば２５℃）のＤＩＷ（脱イオン水）を供給するためのＤＩＷノズル６と、スピンチャック４を収容するカップ７とを備えている。
【００２４】
スピンチャック４は、スピンモータ（回転手段）８と、このスピンモータ８の回転駆動力によって回転軸線Ｃまわりに回転される円盤状のスピンベース９と、スピンベース９の周縁の複数箇所にほぼ等間隔で設けられ、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で挟持するための複数個の挟持部材１０とを備えている。これにより、スピンチャック４は、複数個の挟持部材１０によってウエハＷを挟持した状態で、スピンモータ８の回転駆動力によってスピンベース９を回転させることにより、そのウエハＷを、ほぼ水平な姿勢を保った状態で、スピンベース９とともに回転軸線Ｃまわりに回転させることができる。
【００２５】
なお、スピンチャック４としては、挟持式のものに限らず、たとえば、ウエハＷの裏面を真空吸着することにより、ウエハＷを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な回転軸線まわりに回転することにより、その保持したウエハＷを回転させることができる真空吸着式のもの（バキュームチャック）が採用されてもよい。
薬液ノズル５は、たとえば、連続流の状態で高温（たとえば６０℃）に加熱されたエッチング液を吐出するストレートノズルであり、その吐出口を下方に向けた状態で、ほぼ水平に延びるアーム１１の先端部に取り付けられている。アーム１１の基端部は、カップ７の側方においてほぼ鉛直に延びる支持軸１２の上端部に支持されている。支持軸１２には、モータ（図示しない）を含むノズル駆動機構１３が結合されている。ノズル駆動機構１３から支持軸１２に回転力を入力して支持軸１２を回動させることにより、スピンチャック４の上方でアーム１１を揺動させ、薬液ノズル５を移動させることができる。
【００２６】
薬液ノズル５には、高温エッチング液供給源からの高温のエッチング液が供給されるエッチング液供給管１４が接続されている。エッチング液供給管１４の途中部には、薬液ノズル５からのエッチング液の供給／供給停止を切り換えるためのエッチング液バルブ１５が介装されている。
スピンチャック４にウエハＷが保持され、そのウエハＷの上方に薬液ノズル５が配置された状態で、薬液ノズル５からエッチング液を供給させることにより、ウエハＷの表面にエッチング液を供給することができる。そして、この薬液ノズル５からウエハＷの表面へのエッチング液の供給時に、アーム１１を所定の角度範囲内で揺動させることにより、ウエハＷの表面におけるエッチング液の供給位置を、ウエハＷの回転中心（ウエハＷにおける回転軸線Ｃ上の点）からウエハＷの周縁に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動させることができる。
【００２７】
ＤＩＷノズル６は、たとえば、連続流の状態でＤＩＷを供給するストレートノズルであり、スピンチャック４の上方で、その供給口をウエハＷの回転中心付近に向けて固定的に配置されている。このＤＩＷノズル６には、ＤＩＷ供給源からの常温（たとえば２５℃）のＤＩＷが供給されるＤＩＷ供給管１６が接続されている。ＤＩＷ供給管１６の途中部には、ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの供給／供給停止を切り換えるためのＤＩＷバルブ１８が介装されている。
【００２８】
カップ７は、ウエハＷの処理に用いられた後のエッチング液およびＤＩＷを処理するためのものであり、有底円筒容器状に形成されている。
図２は、基板処理装置１の電気的構成を示すブロック図である。
基板処理装置１は、マイクロコンピュータを含む構成の制御装置２０を備えている。この制御装置２０には、スピンモータ８、ノズル駆動機構１３、エッチング液バルブ１５、ＤＩＷバルブ１８などが制御対象として接続されている。
【００２９】
図３は、基板処理装置１において実行されるエッチング処理の一例である処理例１を示す工程図である。図４は、処理例１におけるウエハＷの回転速度の変化を示す図である。図５は、処理例１を説明するための図である。以下、図３〜図５を参照しつつ説明する。
処理対象のウエハＷは、搬送ロボット（図示しない）によって処理室３内に搬入され、その表面を上方に向けた状態でスピンチャック４に受け渡される。このとき、ウエハＷの搬入の妨げにならないように、薬液ノズル５は、カップ７の側方のホームポジションに配置されている。
【００３０】
ウエハＷがスピンチャック４に保持された後、制御装置２０はスピンモータ８を制御して、ウエハＷを第１液処理速度（第１回転速度。たとえば３００ｒｐｍ）で回転させる。また、アーム１１が旋回されて、薬液ノズル５がホームポジションからウエハＷの回転軸線Ｃ上に移動される。
薬液ノズル５の移動が完了すると、制御装置２０は、エッチング液バルブ１５を開いて、薬液ノズル５から高温（たとえば６０℃）のエッチング液を供給する（ステップＳ１：高温エッチング液供給工程）。この高温エッチング液供給工程中、薬液ノズル５からのエッチング液の供給流量はたとえば２．０Ｌ／ｍｉｎで一定である。また、この高温エッチング液供給工程中、制御装置２０はノズル駆動機構１３を制御して、アーム１１を所定の角度範囲内で揺動する。アーム１１の揺動は等速である。このアーム１１の揺動により、薬液ノズル５を、ウエハＷの回転軸線Ｃ上と、ウエハＷの周縁部の上方との間との間を往復移動させる。これによって、薬液ノズル５からのエッチング液が導かれるウエハＷの表面上の供給位置は、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を、ウエハＷの回転方向と交差する円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する（図５（ａ）参照）。この高温エッチング液供給工程中、ウエハの回転速度はたとえば３００ｒｐｍで一定である（図４参照）。なお、ウエハＷの周縁部とは、たとえば、ウエハＷの回転中心を中心とし、ウエハＷの半径の２／３程度の半径を有する円（外径２００ｍｍのウエハＷで、ウエハＷの回転中心を中心とする半径７０ｍｍ程度の円、外径３００ｍｍのウエハＷで、ウエハＷの回転中心を中心とする半径１００ｍｍ程度の円）の外側の環状領域をいう。
【００３１】
ウエハＷの表面に供給されたエッチング液は、ウエハＷの表面の全域に拡がる。これにより、ウエハＷの表面の全域に、エッチング液がむらなく速やかに供給される。薬液ノズル５からウエハＷの表面にエッチング液が供給されることにより、そのエッチング液の化学的能力により、ウエハＷの表面に形成された酸化膜を除去することができる。
薬液ノズル５からのエッチング液の供給開始から所定時間（たとえば３５秒間）が経過すると、制御装置２０は、エッチング液バルブ１５を閉じて、ウエハＷへのエッチング液の供給を停止する（ステップＳ２：高温エッチング液停止）。また、制御装置２０は、スピンモータ８を制御して、ウエハＷの回転速度を所定の低回転速度（第２回転速度。たとえば１０ｒｐｍ）まで減速させる。そして、アーム１１の旋回により、薬液ノズル５がウエハＷの回転軸線Ｃ上からホームポジションに戻される。
【００３２】
ところで、ステップＳ１の高温エッチング液供給工程では、薬液ノズル５からウエハＷの表面に供給される高温のエッチング液は、供給位置に供給された直後は高温であるが、ウエハＷ上を流れる過程でウエハＷや周囲雰囲気に熱を奪われ、その液温が低下してしまう。すなわち、薬液ノズル５からの高温のエッチング液は、供給位置において最も高いエッチング力を発揮する。その一方で、ウエハＷの表面位置は、回転軸線Ｃから離れるに従って高速で移動する。そのため、この処理例１のように高温エッチング液供給工程におけるエッチング液の供給流量が一定である場合には、エッチング液の供給位置が回転軸線Ｃから離れるに従って、単位面積あたりのエッチング液の供給量が少なくなる。これにより、ウエハＷの中央部の方がウエハＷの周縁部よりもエッチング効率が高くなる。すなわち、ウエハＷ表面の中央部ではエッチング処理が相対的に速く進むのに対して、ウエハＷ表面における中央部以外の領域ではエッチング処理が相対的に遅くなり、ウエハＷの表面内にエッチング処理の不均一が生じる。
【００３３】
エッチング液の供給停止およびウエハＷの減速の後、制御装置２０は、ＤＩＷバルブ１８を開いて、ＤＩＷノズル６から常温（たとえば２５℃）のＤＩＷを供給する。ＤＩＷノズル６から吐出されるＤＩＷは、回転中のウエハＷの表面の回転中心付近に供給される（ステップＳ３：ＤＩＷ供給工程）。ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの供給流量はたとえば２．０Ｌ／ｍｉｎで一定である。
【００３４】
このとき、ウエハＷの回転速度が低回転速度（たとえば１０ｒｐｍ）であるので、ウエハＷの表面に供給されたＤＩＷに、ウエハＷの回転による遠心力はほとんど作用しない。したがって、ウエハＷの表面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷ表面の中央部に留まる。このＤＩＷの供給により、ウエハＷ表面の中央部のエッチング液は速やかにＤＩＷに置換されるが、ウエハＷ表面の周縁部ではＤＩＷへの置換効率が低く、そのため、ウエハＷの表面の周縁部にエッチング液が残留する（図５（ｂ）参照）。図５（ｂ）に示すようにこの処理例１では、ウエハＷの表面の周縁部だけでなく、ウエハＷの中央部の外周部分にもエッチング液が残留している。この残留エッチング液によって、ウエハＷの表面の周縁部およびウエハＷの中央部の外周部分が選択的にエッチング処理される。
【００３５】
そして、ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの供給開始から所定の低回転期間Ｔ１（たとえば１〜１０秒間）が経過すると、制御装置２０は、スピンモータ８を制御して、ウエハＷの回転速度を第２液処理速度（たとえば５００ｒｐｍ）まで加速させる。そのため、ウエハＷの表面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けてウエハＷの表面上を周縁に向けて流れ、ウエハＷの表面の全域に拡がる（図５（ｃ）参照）。これにより、ウエハＷの表面に付着しているエッチング液がＤＩＷにより洗い流される。
【００３６】
この処理例１では、図４に示すようにウエハＷは第２液処理速度に加速された後は、当該第２液処理速度のまま維持される。しかし、所定のタイミング（ＤＩＷの供給開始からたとえば２５秒間の経過）以降は、ウエハＷの回転速度は、複数段階に切り換えられる。
具体的には、所定のタイミングになって以降、制御装置２０によるスピンモータ８の制御により、ウエハＷの回転速度は、第３液処理速度（たとえば２８０ｒｐｍ。たとえば５秒間）、第２液処理速度（たとえば１秒間）、第４液処理速度（たとえば３０ｒｐｍ。たとえば５秒間）、第５液処理速度（たとえば１５ｒｐｍ。たとえば３秒間）、第６液処理速度（たとえば１０ｒｐｍ。たとえば５秒間）の順で変化する。このウエハＷの回転速度の変化に伴ってウエハＷの周縁からのＤＩＷの飛散方向が変化し、カップ７上壁やスピンベース９の上面などに付着しているエッチング液などが洗い流される。
【００３７】
ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの供給開始から所定時間（たとえば４０秒間）が経過すると、制御装置２０は、ＤＩＷバルブ１８を閉じて、ウエハＷへのＤＩＷの供給を停止する（ステップＳ４：ＤＩＷ停止）。
その後、制御装置２０はスピンモータ８を制御して、ウエハＷの回転速度を所定の高回転速度（たとえば３０００ｒｐｍ）まで加速させる。これにより、ウエハＷに付着しているＤＩＷが振り切られて除去される（ステップＳ５：スピンドライ）。
【００３８】
そして、ウエハＷの高速回転が所定時間にわたって続けられると、ウエハＷの回転が停止される。これにより、１枚のウエハＷに対するエッチング処理が終了となり、搬送ロボットによって、処理済みのウエハＷが処理室３から搬出される。
以上により処理例１では、高温エッチング液供給工程に次いで実行されるＤＩＷ供給工程の開始時においてウエハＷの回転速度が低回転速度（たとえば１０ｒｐｍ）に低下される。そのため、ウエハＷ表面に供給されたＤＩＷに、ウエハＷの回転による遠心力はほとんど作用しない。したがって、ウエハＷ表面の中央部に供給されたＤＩＷは当該中央部に留まる。これにより、ＤＩＷ供給工程の初期においてウエハＷ表面の中央部にＤＩＷが選択的に供給される。このＤＩＷの供給により、ウエハＷ表面の中央部のエッチング液は速やかにＤＩＷに置換されるが、ウエハＷ表面の周縁部ではＤＩＷへの置換効率が低く、そのため、ウエハＷ表面の周縁部にエッチング液が残留する。この残留エッチング液によって、ウエハＷの周縁部が選択的にエッチング処理される。すなわち、ウエハＷ表面の中央部にＤＩＷを選択的に供給することにより、ウエハＷ表面の周縁部におけるエッチング処理の遅れを補うことができる。これにより、ウエハＷ表面の全域に対して均一なエッチング処理を施すことができる。
【００３９】
また、ＤＩＷ供給工程中にウエハＷの周縁部が選択的にエッチング処理されるので、別途、周縁部を、選択的にエッチング処理する必要がない。すなわち、全体の処理時間が長期化することなく、ウエハＷの表面に均一なエッチング処理を施すことができる。
図６は、処理例２におけるウエハＷの回転速度の変化を示す図である。図７は、処理例２を説明するための図である。処理例２を、図３、図６および図７を参照しつつ説明する。
【００４０】
処理例２では処理例１と同様、高温エッチング液供給工程（図３に示すステップＳ１）、高温エッチング液停止工程（図３に示すステップＳ２）、ＤＩＷ供給工程（図３に示すステップＳ３）、ＤＩＷ停止工程（図３に示すステップＳ４）およびスピンドライ（図３に示すステップＳ５）が、この順に実行される。この処理例２が処理例１と相違する点は、ＤＩＷ供給工程において、ウエハＷの回転速度を低回転速度（たとえば１０ｒｐｍ）に低下させるタイミングを、ＤＩＷ供給工程の開始よりも所定の遅延期間Ｔ２（たとえば０．５〜１．０秒間）だけ遅らせるようにした点である。それ以外の点については、処理例１と同様であるので説明を省略する。
【００４１】
具体的には、ＤＩＷ供給工程の開始（図３でステップＳ３）において、ＤＩＷノズル６から常温（たとえば２５℃）のＤＩＷを供給後遅延期間Ｔ２が経過するまでの間は、ウエハＷの第１液処理速度で回転されている。したがって、ウエハＷの表面上に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転により生じる遠心力を受けてウエハＷの表面上を拡がる。
そして、ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの供給開始から遅延期間Ｔ２が経過すると、制御装置２０はスピンモータ８を制御して、ウエハＷの回転速度を低回転速度（たとえば１０ｒｐｍ）まで減速させる。このウエハＷの減速により、ウエハＷ表面を流れるＤＩＷにウエハＷの回転による遠心力がほとんど作用しなくなる。そして、ウエハＷの表面上のＤＩＷの拡大が停止し、ウエハＷの表面の中央部に比較的大きなＤＩＷの液溜りができる。したがって、遅延期間Ｔ２を、ＤＩＷノズル６から供給されたＤＩＷが、ウエハＷの表面の中央部全域を覆うまでに要する時間に設定すれば、ウエハＷ表面の周縁部のみにエッチング液を残留させることができる（図７参照）。これにより、ウエハＷの周縁部のみをエッチング処理することができる。
【００４２】
図８は、本発明の第２実施形態に係る基板処理装置１０１の構成を模式的に示す断面図である。図８において、図１に示す各部に相当する部分には、それらの各部と同一の参照符号を付している。図８に示す基板処理装置１０１が図１に示す基板処理装置１と相違する点は、ＤＩＷ供給管１６の途中部に、ＤＩＷ供給管１６を流通するＤＩＷの流量を調節する流量調節バルブ１７が介装されている点である。流量調節バルブ１７はＤＩＷバルブ１８よりもＤＩＷノズル６側に介装されている。流量調節バルブ１７は制御装置２０（図２参照）に、制御対象として接続されている。
【００４３】
図９は、基板処理装置１０１において実行されるエッチング処理の一例である処理例３における処理液（エッチング液およびＤＩＷ）の供給流量の変化を示す図である。図１０は、処理例３を説明するための図である。
処理例３が処理例１や処理例２と相違する点は、ウエハＷの表面の中央部にＤＩＷを選択的に供給するために、ＤＩＷ供給工程の初期におけるＤＩＷの供給流量を、高温エッチング液供給工程におけるエッチング液の供給流量よりも少なくした点である。
【００４４】
処理例３では処理例１と同様、高温エッチング液供給工程（図３に示すステップＳ１）、高温エッチング液停止工程（図３に示すステップＳ２）、ＤＩＷ供給工程（図３に示すステップＳ３）、ＤＩＷ停止工程（図３に示すステップＳ４）およびスピンドライ（図３に示すステップＳ５）がこの順に実行される。
以下、処理例３について、図３、図４および図８〜図１０を参照しつつ説明する。
【００４５】
処理対象のウエハＷは、搬送ロボット（図示しない）によって、処理室３内に搬入され、その表面を上方に向けた状態でスピンチャック４に受け渡される。このとき、ウエハＷの搬入の妨げにならないように、また、薬液ノズル５は、カップ７の側方のホームポジションに配置されている。
ウエハＷがスピンチャック４に保持された後、制御装置２０はスピンモータ８を制御して、ウエハＷを所定の液処理速度（たとえば３００ｒｐｍ）で回転させる。また、アーム１１が旋回されて、薬液ノズル５がホームポジションからウエハＷの回転軸線Ｃ上に移動される。
【００４６】
薬液ノズル５の移動が完了すると、制御装置２０は、エッチング液バルブ１５を開いて、薬液ノズル５から高温（たとえば６０℃）のエッチング液を供給する（図３に示すステップＳ１：高温エッチング液供給工程）。この高温エッチング液供給工程中、薬液ノズル５からのエッチング液の供給流量はたとえば２．０Ｌ／ｍｉｎで一定である。また、この高温エッチング液供給工程中、制御装置２０はノズル駆動機構１３を制御して、アーム１１を所定の角度範囲内で揺動する。アーム１１の揺動は等速である。このアーム１１の揺動により、薬液ノズル５を、ウエハＷの回転軸線Ｃ上と、ウエハＷの周縁部の上方との間との間を往復移動させる。これによって、薬液ノズル５からのエッチング液が導かれるウエハＷの表面上の供給位置は、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を、ウエハＷの回転方向と交差する円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する（図１０（ａ）参照）。この高温エッチング液供給工程中、ウエハの回転速度はたとえば３００ｒｐｍで一定である（図９参照）。以上のエッチング液による処理は、前述の第１実施形態の処理例１および処理例２と同様である。
【００４７】
薬液ノズル５からのエッチング液の供給開始から所定時間（たとえば３５秒間）が経過すると、制御装置２０は、エッチング液バルブ１５を閉じて、ウエハＷへのエッチング液の供給を停止する（図３に示すステップＳ２：高温エッチング液停止）。また、アーム１１の旋回により、薬液ノズル５がウエハＷの回転軸線Ｃ上からホームポジションに戻される。ステップＳ１の高温エッチング液供給工程では、前述のように、ウエハＷ表面の中央部ではエッチング処理が相対的に速く進むのに対して、ウエハＷ表面における中央部以外の領域ではエッチング処理が相対的に遅くなり、ウエハＷの表面内にエッチング処理の不均一が生じる。
【００４８】
エッチング液の供給停止の後、制御装置２０は、ＤＩＷバルブ１８を開いて、ＤＩＷノズル６から常温（たとえば２５℃）のＤＩＷを供給する。ＤＩＷノズル６から供給されるＤＩＷは、回転中のウエハＷの表面の中央部に供給される（ステップＳ３：ＤＩＷ供給工程）。このとき、流量調節バルブ１７は、ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの供給流量が、エッチング液供給工程におけるエッチング液の流量よりも少ない所定の小流量（たとえば０．５Ｌ／ｍｉｎ）になるようにその開度が設定されている。
【００４９】
ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの供給流量が小流量であるので、ウエハＷの表面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷ表面の中央部に留まる。このＤＩＷの供給により、ウエハＷ表面の中央部のエッチング液は速やかにＤＩＷに置換されるが、ウエハＷ表面の周縁部ではＤＩＷへの置換効率が低く、そのため、ウエハＷの表面の周縁部にエッチング液が残留する（図１０（ｂ）参照）。この残留エッチング液によって、ウエハＷの表面の周縁部が選択的にエッチング処理される。
【００５０】
そして、ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの供給開始から所定の低流量期間Ｔ３（たとえば１〜１０秒間）が経過すると、制御装置２０は、流量調節バルブ１７の開度を制御して、ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの供給流量を、所定の大流量（たとえば２．０Ｌ／ｍｉｎ）にする。
そのため、ウエハＷの表面に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの回転による遠心力を受けてウエハＷの表面上を周縁に向けて流れ、ウエハＷの表面の全域に拡がる（図１０（ｃ）参照）。これにより、ウエハＷの表面に付着しているエッチング液がＤＩＷにより洗い流される。
【００５１】
処理例３では、図４に破線Ａで示すようにウエハＷの回転速度は、液処理速度（３００ｒｐｍ）に維持されている。しかし、所定のタイミング（ＤＩＷの供給開始からたとえば２５秒間の経過）以降は、ウエハＷの回転速度は、処理例１と同様に切り換えられる（図４参照）。このウエハＷの回転速度の変化に伴ってウエハＷの周縁からのＤＩＷの飛散方向が変化し、カップ７上壁やスピンベース９の上面などに付着しているエッチング液などが洗い流される。
【００５２】
ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの供給開始から所定時間（たとえば４０秒間）が経過すると、制御装置２０は、ＤＩＷバルブ１８を閉じて、ウエハＷへのＤＩＷの供給を停止する（ステップＳ４：ＤＩＷ停止）。
その後、制御装置２０はスピンモータ８を制御して、ウエハＷの回転速度を所定の高回転速度（たとえば３０００ｒｐｍ）まで加速させる。これにより、ウエハＷに付着しているＤＩＷが振り切られて除去される（ステップＳ５：スピンドライ）。
【００５３】
そして、ウエハＷの高速回転が所定時間にわたって続けられると、ウエハＷの回転が停止される。これにより、１枚のウエハＷに対するエッチング処理が終了となり、搬送ロボットによって、処理済みのウエハＷが処理室３から搬出される。
以上により第２実施形態（処理例３）によれば、ＤＩＷ供給工程の初期におけるＤＩＷの供給流量が、高温エッチング液供給工程におけるエッチング液の供給流量よりも低流量である。そのため、ウエハＷ表面に供給されたＤＩＷはほとんど拡がらず、ウエハＷ表面の中央部に留まる。
【００５４】
これにより、ＤＩＷ供給工程の初期においてウエハＷ表面の中央部にＤＩＷが選択的に供給される。このＤＩＷの供給により、ウエハＷ表面の中央部のエッチング液は速やかにＤＩＷに置換されるが、ウエハＷ表面の周縁部ではＤＩＷへの置換効率が低く、そのため、ウエハＷ表面の周縁部にエッチング液が残留する。この残留エッチング液によって、ウエハＷの周縁部が選択的にエッチング処理される。すなわち、ウエハＷ表面の中央部にＤＩＷを選択的に供給することにより、ウエハＷ表面の周縁部におけるエッチング処理の遅れを補うことができる。これにより、ウエハＷ表面の全域に対して均一なエッチング処理を施すことができる。
【００５５】
また、ＤＩＷ供給工程中にウエハＷの周縁部が選択的にエッチング処理されるので、別途、周縁部を、選択的にエッチング処理する必要がない。すなわち、全体の処理時間が長期化することなく、ウエハＷの表面に均一なエッチング処理を施すことができる。
図１１は、本発明の第３実施形態に係る基板処理装置２０１の構成を模式的に示す断面図である。図１１において、図１に示す各部に相当する部分には、それらの各部と同一の参照符号を付している。図１１に示す基板処理装置１０１が図１に示す基板処理装置１と相違する点は、ＤＩＷ供給管１６に代えて、高温ＤＩＷ供給源からの約６０℃に加熱されたＤＩＷ（高温ＤＩＷ）が供給される高温ＤＩＷ供給管２０２がＤＩＷノズル６に接続されている点である。高温ＤＩＷ供給管２０２の途中部には、ＤＩＷノズル６からの高温ＤＩＷの供給／供給停止を切り換えるための高温ＤＩＷバルブ２０３が介装されている。高温ＤＩＷバルブ２０３は制御装置２０（図２参照）に、制御対象として接続されている。
【００５６】
図１２は、基板処理装置２０１において実行されるエッチング処理の一例である処理例４を示す工程図である。
処理例４が、第１実施形態の処理例1や処理例２と相違する点は、リンス処理に用いるリンス液として、常温のＤＩＷに代えて高温（約６０℃）のＤＩＷを用いた点にある。
図１２に示す高温エッチング液供給工程（ステップＳ１１）、高温エッチング液停止工程（ステップＳ１２）、高温ＤＩＷ供給工程（ステップＳ１３）、高温ＤＩＷ停止工程（ステップＳ１４）およびスピンドライ工程（ステップＳ１５）は、それぞれ、高温エッチング液供給工程（図３に示すステップＳ１）、高温エッチング液停止工程（図３に示すステップＳ２）、ＤＩＷ供給工程（図３に示すステップＳ３）、ＤＩＷ停止工程（図３に示すステップＳ４）およびスピンドライ工程（図３に示すステップＳ５）と同様の処理である。
【００５７】
前述の第１実施形態の処理例１または処理例２では、リンス液として常温のＤＩＷがウエハＷの表面に供給される。そのため、ＤＩＷ供給工程（図３に示すステップＳ３）の開始時に、ウエハＷの表面上のエッチング液が、ウエハＷの表面に供給されるＤＩＷによって熱を奪われ、急激に温度低下するおそれがある。この場合、ウエハＷの周縁部に残留するエッチング液の液温が低下し、そのエッチング液が発揮するエッチング力が低くなるおそれがある。
【００５８】
これに対し、この第３実施形態（処理例４）では、ウエハＷ表面に高温のＤＩＷが供給される。そのため、周縁部に残留するエッチング液の液温の低下を抑制することができる。これにより、周縁部に残留するエッチング液に高いエッチング力を発揮させることができる。
また、第３実施形態は、とくに第１実施形態の処理例２と組み合わされることが好ましい。ＤＩＷ供給工程の開始時において、処理例２では処理例１と比べて、ウエハＷの表面上に残留するエッチング液の量が少ないが、ウエハＷの表面上に残留するエッチング液が高いエッチング力を発揮するので、ウエハＷにエッチング処理を良好に施すことができる。
【００５９】
また、第３実施形態は、第１実施形態の処理例１や処理例２だけでなく、第２実施形態（処理例３）と組み合わせていてもよい。
また、第１実施形態（処理例１または処理例２）と第２実施形態（処理例３）とを組み合わせることもできる。また、第１実施形態（処理例１または処理例２）と第２実施形態（処理例３）とを組み合わせたものに、さらに第３実施形態（処理例４）を組み合わせることもできる。
【００６０】
また、前述の各実施形態において、高温エッチング液の供給中（図３に示すステップＳ１または図３に示すステップＳ１１）、薬液ノズル５を、その吐出口をウエハＷの表面の回転中心付近に向けた状態で停止させていてもよい（いわゆる中心吐出方式）。この場合、ウエハＷの表面の中央部にエッチング液が供給される。ウエハＷの表面に供給されたエッチング液は、ウエハＷの回転により生じる遠心力を受けて、ウエハＷの表面上を周縁に向けて流れ、ウエハＷの表面の全域に行き渡る。これにより、ウエハＷの表面の全域にエッチング液による処理が施される。
【００６１】
次に、第１エッチング試験について説明する。
表面に酸化膜が形成されたシリコンウエハＷ（外径３００ｍｍ）を試料として用い、基板処理装置１を用いて次に述べるエッチング処理を行った。
＜実施例１＞
処理例１のエッチング処理を試料に施した。低回転速度を１０ｒｐｍとし、低回転期間Ｔ１を１０秒間とした。
＜実施例２＞
処理例２のエッチング処理を試料に施した。低回転速度を１０ｒｐｍとし、低回転期間Ｔ１を１０秒間とした。また、遅延期間Ｔ２を０．７秒間とした。
＜比較例１＞
処理例１において、エッチング液の供給停止後も、ウエハＷの回転速度を第１液処理速度のまま維持させた（図４に破線Ａで示す）。ＤＩＷの供給開始からたとえば１０秒間の経過後、ウエハＷの回転速度を、処理例１と同様に切り換えた（図４参照）。
【００６２】
実施例１、実施例２および比較例１において、第１液処理速度（エッチング液供給工程におけるウエハＷの回転速度）を３００ｒｐｍとし、第２液処理速度（ＤＩＷ供給工程におけるウエハＷの回転速度）を３００ｒｐｍとした。
薬液ノズル５からのエッチング液の供給流量および液温は、それぞれ２．０Ｌ／ｍｉｎおよび６０℃であった。エッチング液として希ふっ酸を用いた。ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの供給流量は２．０Ｌ／ｍであり、一定であった。また、ＤＩＷの液温は２５℃であった。
【００６３】
そして、ウエハＷの酸化膜のエッチング量の面内分布（半径方向位置とエッチング量との関係）を求めた。このエッチング試験の結果を図１３に示す。図１３は、第１エッチング試験におけるエッチング量の面内分布を示すグラフであり、横軸はウエハＷの半径を示しており、縦軸はエッチング量を示している。
次に、第２エッチング試験について説明する。
【００６４】
表面に酸化膜が形成されたシリコンウエハＷ（外径３００ｍｍ）を試料として用い、基板処理装置１，１０１，２０１を用いて次に述べるエッチング処理を行った。
＜実施例３＞
基板処理装置１を用いて、処理例１のエッチング処理と同様の処理を試料に施した。低回転速度を１０ｒｐｍとし、低回転期間Ｔ１を１０秒間とした。また、ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの液温は２５℃であった。この実施例３の処理が処理例１と相違する点は、エッチング液供給工程で、薬液ノズル５の吐出口をウエハＷの表面の回転中心に向けた状態で停止させた点（いわゆる中心吐出方式）である。
＜実施例４＞
基板処理装置１０１を用いて、処理例３のエッチング処理と同様の処理を試料に施した。低流量期間Ｔ３におけるＤＩＷノズル６からのＤＩＷの供給流量は０．５Ｌ／ｍｉｎであった。また、ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの液温は２５℃であった。この実施例４の処理が処理例１と相違する点は、エッチング液供給工程で、薬液ノズル５の吐出口をウエハＷの表面の回転中心に向けた状態で停止させた点（いわゆる中心吐出方式）である。
＜実施例５＞
基板処理装置２０１を用いて、処理例１と処理例３と処理例４とを組み合わせた処理と同様の処理を試料に施した。低回転速度を１０ｒｐｍとし、低回転期間Ｔ１および低流量期間Ｔ３をともに１０秒間とした。低流量期間Ｔ３におけるＤＩＷノズル６からのＤＩＷの供給流量は０．５Ｌ／ｍｉｎであった。また、ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの液温は６０℃であった。この実施例５の処理が処理例３および処理例４と相違する点は、エッチング液供給工程で、薬液ノズル５の吐出口をウエハＷの表面の回転中心に向けた状態で停止させた点（いわゆる中心吐出方式）である。
＜比較例２＞
処理例１において、エッチング液の供給停止後も、ウエハＷの回転速度を第１液処理速度のまま維持させた（図４に破線Ａで示す）。ＤＩＷの供給開始からたとえば１０秒間の経過後、ウエハＷの回転速度を、処理例１と同様に切り換えた（図４参照）。
【００６５】
また、処理例１とは異なり、エッチング液供給工程で、薬液ノズル５の吐出口をウエハＷの表面の回転中心に向けた状態で停止させた（いわゆる中心吐出方式）。また、ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの液温は２５℃であった。
実施例３、実施例４、実施例５および比較例２において、第１液処理速度（エッチング液供給工程におけるウエハＷの回転速度）を１０００ｒｐｍとし、第２液処理速度（ＤＩＷ供給工程および高温ＤＩＷ供給工程におけるウエハＷの回転速度）を１０００ｒｐｍとした。
【００６６】
薬液ノズル５からのエッチング液の供給流量および液温は、それぞれ２．０Ｌ／ｍｉｎおよび６０℃であった。エッチング液として希ふっ酸を用いた。また、ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの供給流量は、低流量期間Ｔ３を除き２．０Ｌ／ｍｉｎであった。
そして、ウエハＷの酸化膜のエッチング量の面内分布（半径方向位置とエッチング量との関係）を求めた。このエッチング試験の結果を図１４に示す。図１４は、第２エッチング試験におけるエッチング量の面内分布を示すグラフであり、横軸はウエハＷの半径を示しており、縦軸はエッチング量を示している。
【００６７】
実施例１〜５では、ウエハＷの周縁部におけるエッチング量の低下を抑制できたことが理解される。とくに、実施例２は、エッチングによる面内均一性が優れていることが理解される。
以上、本発明の３つの実施形態について説明したが、本発明は他の形態でも実施するこができる。
【００６８】
たとえば、第１実施形態の処理例１において、ウエハＷの減速のタイミングを、高温エッチング液供給工程終了（ステップＳ２）ではなく、ＤＩＷ供給工程開始（ステップＳ３）としてもよい。
また、ＤＩＷ供給工程（図３に示すステップＳ３）または高温ＤＩＷ供給工程（図１２に示すステップＳ１３）では、エッチング液の供給停止に連続して、ＤＩＷ（高温ＤＩＷ）が供給開始されてもよい。
【００６９】
また、ウエハＷの低回転速度（低回転期間Ｔ１における回転速度）としてたとえば１０ｒｐｍを例示したが、低回転速度は、ウエハＷに供給されるＤＩＷがウエハＷの回転による遠心力による移動を生じない範囲、すなわち０ｒｐｍ〜１００ｒｐｍの範囲内であることが望ましい。
また、第２実施形態の処理例３において、ＤＩＷ供給工程（図３に示すステップＳ３）または高温ＤＩＷ供給工程（図１２に示すステップＳ１３）の期間を通じて、ＤＩＷノズル６からのＤＩＷの供給流量を、小流量（たとえば０．５Ｌ／ｍｉｎ）としてもよい。
【００７０】
また、前述の各実施形態において、エッチング液供給工程（図３に示すステップＳ１、図１２に示すステップＳ１１）における薬液ノズル５のスキャンは、一方向に移動中にのみ薬液ノズル５から薬液を供給させるいわゆる一方向スキャンであってもよい。また、薬液ノズル５のスキャンは、ウエハＷの回転中心を挟んで対向関係にある一対の位置の間をスキャンするものであってもよい。
【００７１】
また、前述の各実施形態では、酸化膜の除去のためのエッチング処理を例に挙げて説明したが、ウエハＷの窒化膜の除去のためのエッチング処理を施すものであってもよい。かかる場合には、エッチング液としてたとえば燐酸が採用される。また、ウエハＷのシンニングのためのエッチング処理を施す場合には、エッチング液としてたとえばふっ硝酸が採用される。
【００７２】
また、洗浄処理などウエハＷに対して薬液による他の処理が施されていてもよい。この薬液として、前述のふっ酸に加え、ＳＣ１（ammonia-hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水混合液）、ＳＣ２（hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture：塩酸過酸化水素水混合液）、ＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水混合液）、バファードフッ酸（Buffered HF：ふっ酸とふっ化アンモニウムとの混合液）などを例示することができる。
【００７３】
また、前述の各実施形態では、リンス液としてＤＩＷを用いる場合を例にとって説明したが、ＤＩＷに限らず、炭酸水、電解イオン水、オゾン水、還元水（水素水）、磁気水、などをリンス液として採用することもできる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００７４】
１，１０１，２０１ 基板処理装置
３ 処理室
５ 薬液ノズル
６ ＤＩＷノズル
８ スピンモータ
１４ エッチング液供給管
１５ エッチング液バルブ
１６ ＤＩＷ供給管
１７ 流量調節バルブ
１８ ＤＩＷバルブ
２０２ 高温ＤＩＷ供給管
２０３ 高温ＤＩＷバルブ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内で、前記処理室の温度よりも高温の薬液を基板の表面に供給する高温薬液供給工程と、
前記高温薬液供給工程後、前記基板の表面に、薬液を洗い流すためのリンス液を供給するリンス液供給工程とを含み、
前記リンス液供給工程は、その初期において、前記基板の表面の中央部にリンス液を選択的に供給して、前記基板表面の周縁部に残留する薬液を用いて当該周縁部を選択的に処理させる周縁部処理工程を含む、基板処理方法。
【請求項２】
前記高温薬液供給工程と並行して実行され、前記基板を所定の第１回転速度で回転させる薬液処理回転工程をさらに含み、
前記周縁部処理工程は、前記基板を、前記第１回転速度よりも遅い第２回転速度で回転させる低回転工程を含む、請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記周縁部処理工程は、前記リンス液供給工程の少なくとも開始時において前記第１回転速度と同等の速度で前記基板を回転させる高回転工程と、前記高回転工程後に前記第２回転速度で基板を回転させる低回転工程とを含む、請求項２記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記周縁部処理工程におけるリンス液の供給流量は、前記高温薬液供給工程における薬液の供給流量よりも少ない、請求項１〜３記載のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記リンス液供給工程において前記基板の表面に供給されるリンス液が、前記処理室の温度よりも高温である、請求項１〜４記載のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項６】
処理室と、
前記処理室内で基板を回転するための回転手段と、
前記処理室の温度よりも高温の薬液を基板の表面に供給するための高温薬液供給手段と、
基板の表面に、薬液を洗い流すためのリンス液を供給するためのリンス液供給手段と、
前記回転手段の回転動作、前記高温薬液供給手段の薬液供給動作および前記リンス液供給手段のリンス液供給動作を制御するための制御手段とを含み、
前記制御手段が、前記基板の表面に前記リンス液を供給するリンス液供給工程の初期に、前記基板の表面の中央部にリンス液を選択的に供給して、前記基板表面の周縁部に残留する薬液を用いて当該周縁部を選択的に処理させる周縁部処理工程を実行する、基板処理装置。
【請求項１】
処理室内で、前記処理室の温度よりも高温の薬液を基板の表面に供給する高温薬液供給工程と、
前記高温薬液供給工程後、前記基板の表面に、薬液を洗い流すためのリンス液を供給するリンス液供給工程とを含み、
前記リンス液供給工程は、その初期において、前記基板の表面の中央部にリンス液を選択的に供給して、前記基板表面の周縁部に残留する薬液を用いて当該周縁部を選択的に処理させる周縁部処理工程を含む、基板処理方法。
【請求項２】
前記高温薬液供給工程と並行して実行され、前記基板を所定の第１回転速度で回転させる薬液処理回転工程をさらに含み、
前記周縁部処理工程は、前記基板を、前記第１回転速度よりも遅い第２回転速度で回転させる低回転工程を含む、請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記周縁部処理工程は、前記リンス液供給工程の少なくとも開始時において前記第１回転速度と同等の速度で前記基板を回転させる高回転工程と、前記高回転工程後に前記第２回転速度で基板を回転させる低回転工程とを含む、請求項２記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記周縁部処理工程におけるリンス液の供給流量は、前記高温薬液供給工程における薬液の供給流量よりも少ない、請求項１〜３記載のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記リンス液供給工程において前記基板の表面に供給されるリンス液が、前記処理室の温度よりも高温である、請求項１〜４記載のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項６】
処理室と、
前記処理室内で基板を回転するための回転手段と、
前記処理室の温度よりも高温の薬液を基板の表面に供給するための高温薬液供給手段と、
基板の表面に、薬液を洗い流すためのリンス液を供給するためのリンス液供給手段と、
前記回転手段の回転動作、前記高温薬液供給手段の薬液供給動作および前記リンス液供給手段のリンス液供給動作を制御するための制御手段とを含み、
前記制御手段が、前記基板の表面に前記リンス液を供給するリンス液供給工程の初期に、前記基板の表面の中央部にリンス液を選択的に供給して、前記基板表面の周縁部に残留する薬液を用いて当該周縁部を選択的に処理させる周縁部処理工程を実行する、基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１２−７４４７５（Ｐ２０１２−７４４７５Ａ）
【公開日】平成２４年４月１２日（２０１２．４．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２１７２１７（Ｐ２０１０−２１７２１７）
【出願日】平成２２年９月２８日（２０１０．９．２８）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月１２日（２０１２．４．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月２８日（２０１０．９．２８）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
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