基板処理装置、ダミーディスペンス方法及び記憶媒体
【課題】別の処理ユニットからのケミカル雰囲気の進入を抑制できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板を保持する基板保持部４２、及び基板に処理液を供給する供給ノズル６１と、この供給ノズル６１を待機位置から基板保持部４２の上方に旋回させるシャフト６３とを有する処理液供給部４１を備えた複数の基板処理部２２と、基板処理部２２の各々を互いに独立して収容する複数のチャンバ４３と、待機位置の各々に設けられ、供給ノズル６１から吐出される処理液を受ける排液ポート８２と、排液ポート８２の各々が接続され、複数の基板処理部２２で共有される主排液配管８１と、排液ポート８２と主排液配管８１との間の各々に設けられ、主排液配管８１からの気体の進入を防ぐ進入防止弁８５と、を具備する。
【解決手段】基板を保持する基板保持部４２、及び基板に処理液を供給する供給ノズル６１と、この供給ノズル６１を待機位置から基板保持部４２の上方に旋回させるシャフト６３とを有する処理液供給部４１を備えた複数の基板処理部２２と、基板処理部２２の各々を互いに独立して収容する複数のチャンバ４３と、待機位置の各々に設けられ、供給ノズル６１から吐出される処理液を受ける排液ポート８２と、排液ポート８２の各々が接続され、複数の基板処理部２２で共有される主排液配管８１と、排液ポート８２と主排液配管８１との間の各々に設けられ、主排液配管８１からの気体の進入を防ぐ進入防止弁８５と、を具備する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ等の基板に対して洗浄処理のような所定の液処理を行う基板処理装置、ダミーディスペンス方法及び記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスやフラットパネルディスプレー（ＦＰＤ）の製造プロセスにおいては、被処理基板である半導体ウエハやガラス基板に処理液を供給して液処理を行うプロセスが多用されている。このようなプロセスとしては、例えば、基板に付着したパーティクルやコンタミネーション等を除去する洗浄処理を挙げることができる。
【０００３】
このような基板処理装置としては、半導体ウエハ等の基板をスピンチャックに保持し、基板を回転させた状態でウエハの表面または表裏面に処理液を供給して処理を行う枚葉式の処理ユニットを複数備えたものが多用されている（例えば、特許文献１）。
【０００４】
しかしながら、処理ユニットを複数備えた基板処理装置は、処理ユニット毎に違う処理を行うことがある。このため、各処理ユニットで共有される排液配管や共有空間を介して他の処理ユニットからケミカル雰囲気が進入してきて、処理に影響を及ぼす可能性がある。
【特許文献１】特開２００５−９３７６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この発明は、別の処理ユニットからのケミカル雰囲気の進入を抑制できる基板処理装置、ダミーディスペンス方法及び記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、この発明の第１の態様に係る基板処理装置は、基板を保持する基板保持部、及び基板に処理液を供給する供給ノズルと、この供給ノズルを待機位置から前記基板保持部の上方に旋回させるシャフトとを有する処理液供給部を備えた複数の基板処理部と、前記複数の基板処理部を互いに独立して収容するとともに、前記基板処理部で共有される共有空間に通じ、前記シャフトが挿通される貫通孔を有する複数のチャンバと、前記待機位置に設けられ、前記供給ノズルから吐出される処理液を受ける排液ポートと、前記排液ポートに接続され、前記複数の基板処理部で共有される主排液配管と、前記排液ポートと前記主排液配管との間に設けられ、前記主排液配管からチャンバ内への気体の進入を防ぐ進入防止弁と、前記貫通孔の周囲に設けられ、前記共有空間と前記チャンバ内との間の気体の往来を防ぐ往来防止機構と、を具備する。
【０００７】
この発明の第２の態様に係る基板処理装置は、基板を保持する基板保持部、及び基板に処理液を供給する供給ノズルと、この供給ノズルを待機位置から前記基板保持部の上方に旋回させるシャフトとを有する処理液供給部を備えた複数の基板処理部と、前記複数の基板処理部を互いに独立して収容する複数のチャンバと、前記待機位置に設けられ、前記供給ノズルから吐出される処理液を受ける排液ポートと、前記排液ポートに接続され、前記複数の基板処理部で共有される主排液配管と、前記排液ポートと前記主排液配管との間に設けられ、前記主排液配管からチャンバ内への気体の進入を防ぐ進入防止弁と、を具備する。
【０００８】
この発明の第３の態様に係る基板処理装置は、基板を保持する基板保持部、及び基板に処理液を供給する供給ノズルと、この供給ノズルを待機位置から前記基板保持部の上方に旋回させるシャフトとを有する処理液供給部を備えた複数の基板処理部と、前記複数の基板処理部を互いに独立して収容するとともに、前記基板処理部で共有される共有空間に通じ、前記シャフトが挿通される貫通孔を有する複数のチャンバと、前記貫通孔の各々に設けられ、前記共有空間と前記チャンバ内との間の気体の往来を防ぐ往来防止機構と、を具備する。
【０００９】
この発明の第４の態様に係るダミーディスペンス方法は、ダミーディスペンス時に使用される排液ポートと主排液配管との間に水封トラップを備えた基板処理装置のダミーディスペンス方法であって、供給ノズルから処理液を吐出する工程と、前記処理液を吐出した後、前記供給ノズルから純水を吐出し、前記水封トラップの水封体を純水に置換する工程と、を備える。
【００１０】
この発明の第５の態様に係るダミーディスペンス方法は、ダミーディスペンス時に使用される排液ポートと主排液配管との間に開閉制御可能なバルブを備えた基板処理装置のダミーディスペンス方法であって、前記開閉制御可能なバルブを開ける工程と、供給ノズルから処理液を吐出する工程と、前記処理液を吐出した後、前記開閉制御可能なバルブを閉める工程と、を備える。
【００１１】
この発明の第６の態様に係る記憶媒体は、コンピュータ上で動作し、ダミーディスペンスを制御するプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、第４の態様に係るダミーディスペンス方法が行われるように、コンピュータに基板処理装置を制御させる。
【００１２】
この発明の第７の態様に係る記憶媒体は、コンピュータ上で動作し、ダミーディスペンスを制御するプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、第５の態様に係るダミーディスペンス方法が行われるように、コンピュータに基板処理装置を制御させる。
【発明の効果】
【００１３】
この発明によれば、別の処理ユニットからのケミカル雰囲気の進入を抑制できる基板処理装置、ダミーディスペンス方法及び記憶媒体を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、この発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。参照する図面全てにわたり、同一の部分については同一の参照符号を付す。
【００１５】
図１はこの発明の一実施形態に係る液処理装置の概略構成を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った正面側の断面図、図３は図１のＢ−Ｂ線に沿った側面側の断面図である。
【００１６】
液処理装置１００は、複数のウエハＷを収容するウエハキャリアＣを載置し、ウエハＷの搬入・搬出を行う搬入出ステーション（基板搬入出部）１と、ウエハＷに洗浄処理を施すための処理ステーション（液処理部）２と、制御機構３とを備えており、これらは隣接して設けられている。
【００１７】
搬入出ステーション１は、複数のウエハＷを水平状態で収容するウエハキャリアＣを載置するキャリア載置部１１と、ウエハＷの搬送を行う搬送部１２と、ウエハＷの受け渡しを行う受け渡し部１３と、搬送部１２および受け渡し部１３が収容される筐体１４とを有している。
【００１８】
キャリア載置部１１は４個のウエハキャリアＣが載置可能であり、載置されたウエハキャリアＣは筐体１４の垂直壁部に密着された状態とされ、大気に触れることなくその中のウエハＷが搬送部１２に搬入可能となっている。
【００１９】
搬送部１２は、搬送機構１５と、その上方に設けられた清浄空気のダウンフローを供給するファン・フィルター・ユニット（図示せず）とを有している。搬送機構１５は、ウエハＷを保持するウエハ保持アーム１５ａを有しており、さらに、このウエハ保持アーム１５ａをウエハキャリアＣの配列方向に対する垂直方向であるＹ方向に移動させる機構、ウエハキャリアＣの配列方向であるＸ方向に延在する水平ガイド１７に沿って移動させる機構、垂直方向に設けられた垂直ガイド（図示せず）に沿って移動させる機構、及び水平面内で回転させる機構を有している。搬送機構１５は、ウエハキャリアＣと受け渡し部１３との間でウエハＷを搬送する。
【００２０】
受け渡し部１３は、受け渡しステージ１９と、その上に設けられたウエハＷを載置可能な載置部を複数備えた受け渡し棚２０とを有しており、この受け渡し棚２０を介して処理ステーション２との間でウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。
【００２１】
処理ステーション２は直方体状をなす筐体２１を有する。筐体２１内には、その中央上部にウエハキャリアＣの配列方向であるＸ方向に直交するＹ方向に沿って延びる搬送路を構成する搬送室２１ａと、搬送室２１ａの両側に設けられた２つのユニット室２１ｂ、２１ｃとを有している。ユニット室２１ｂ、２１ｃにはそれぞれ搬送室２１ａに沿って８個ずつ合計１６個の液処理ユニット２２が水平に配列されている。
【００２２】
筐体２１内のユニット室２１ｂ、２１ｃの下には、それぞれ各液処理ユニット２２の駆動系を収容した駆動エリア２１ｅが設けられ、さらに、これら駆動エリア２１ｅの下には、それぞれ配管を収容した配管ボックス２１ｇが設けられている。また、配管ボックス２１ｇの下には、薬液供給機構が配置されるユニット室２１ｉが設けられている。一方、搬送室２１ａの下方は排気のための排気空間２１ｊが設けられている。
【００２３】
搬送室２１ａの上方には、ファン・フィルター・ユニット（ＦＦＵ）２３が設けられ、搬送室２１ａに清浄空気のダウンフローを供給するようになっている。搬送室２１ａの内部には搬送機構２４が設けられている。搬送機構２４は、ウエハＷを保持するウエハ保持アーム２４ａを有しており、このウエハ保持アーム２４ａをＸ方向に移動させる機構、搬送室２１ａに設けられた水平ガイド２５に沿ってＹ方向に移動させる機構、垂直方向に設けられた垂直ガイド（図示せず）に沿って移動させる機構、及び水平面内で回転させる機構を有している。搬送機構２４は、各液処理ユニット２２に対するウエハＷの搬入出を行う。
【００２４】
ユニット室２１ｂ、２１ｃは、複数の液処理ユニット２２で共有される共有空間である。複数の液処理ユニット２２が配置される。複数の液処理ユニット２２は各々、処理液供給部４１と、ウエハＷを回転可能に保持するウエハ保持部（基板保持部）４２と、処理液供給部４１及びウエハ保持部４２を収容するチャンバ４３とを備えている。チャンバ４３は液処理ユニット２２毎に設けられており、液処理ユニット２２の各々を互いに独立して収容する。
【００２５】
ウエハ保持部４２は、水平に設けられた円板状の回転プレート５１と、その裏面に接続され、下方鉛直に延びる円筒状の回転軸５２とを有している。回転軸は回転モータ（図示せず）に接続されている。回転モータは回転プレート５１を回転させる。回転プレート５１には、ウエハＷの外縁を保持する保持部材（図示せず）が設けられている。回転軸５２は、軸受け部材５３を介してベースプレート４４に回転可能に支持されている。
【００２６】
回転プレート５１を囲繞するように設けられた排気・排液カップ４５は、ウエハＷの表面から排出される気体及び液体を回収する。排気・廃液カップ４５は、図示せぬ排気機構及び排液回収機構に接続されている。排気・排液カップ４５の周囲には、排気・排液カップ４５及びウエハＷの上方を覆うケーシング４６が設けられている。ケーシング４６の上部にはＦＦＵ２３からの気流を導入する気流導入部４７が設けられており、ウエハ保持部４２に保持されたウエハＷに清浄空気のダウンフローが供給されるようになっている。気流導入部４７には、搬送室２１ａに繋がる開口４７ａが形成されており、気流は開口４７ａを介して導入される。
【００２７】
処理液供給部４１は、処理液供給ノズル６１と、スキャンアーム６２と、シャフト６３とを備えている。供給ノズル６１は、スキャンアーム６２の一端に接続されている。シャフト６３の一端は、スキャンアーム６２の他端に接続されている。チャンバ４３の底壁４３ａにはユニット室２１ｂに通じる貫通孔４３ｂが設けられている。シャフト６３はチャンバ４３内からユニット室２１ｂに貫通孔４３ｂを介して延びている。シャフト６３は、ベースプレート４４に設けられた貫通孔４４ａを介して駆動エリア２１ｅへさらに延び、駆動エリア２１ｅにおいて駆動機構６４に接続されている。駆動機構６４はシャフト６３を回転させる。シャフト６３が回転することで、スキャンアーム６２の一端に保持された供給ノズル６１は、ウエハ保持部４２の上方にある処理液供給位置とウエハ保持部４２の上方から離れた位置にある待機位置との間で旋回移動可能となっている。さらに、本例の駆動機構６４はシャフト６３を上下方向に駆動する。供給ノズル６１は待機位置から旋回して供給位置に移動し、さらに、供給位置にて降下することでウエハＷの表面近傍まで移動する。供給ノズル６１は、供給位置にてウエハＷの表面に処理液を供給する。処理液を供給する処理液供給機構の一例を図４に示す。
【００２８】
図４に示すように、スキャンアーム６２内には、処理液供給機構７１から供給ノズル６１に処理液を流す流路７２ａ乃至７２ｃが設けられている。流路７２ａの一端は供給ノズル６１ａに接続され、他端は開閉バルブ７３ａを介してＩＰＡ供給源７４ａに接続される。同様に、流路７２ｂの一端は供給ノズル６１ｂに接続され、他端は開閉バルブ７３ｂを介してＤＩＷ供給源７４ｂに接続される。流路７２ｃの一端は供給ノズル６１ｃに接続され、他端は開閉バルブ７３ｃを介してＤＨＦ供給源７４ｃ、開閉バルブ７３ｄを介してＳＣ１供給源７４ｄ、及び開閉バルブ７３ｅを介してＤＩＷ供給源７４ｂに接続される。
【００２９】
配管ボックス２１ｇには、処理液配管群（図示せず）、排気配管群（図示せず）、及び排液配管群８１が水平方向に配置される。
【００３０】
処理液配管群は、特に図示してはいないが、例えば、アンモニア水と過酸化水素を混合して形成されたアンモニア過水（ＳＣ１）を供給するＳＣ１配管、希フッ酸（ＤＨＦ）を供給するＤＨＦ配管、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を供給するＩＰＡ配管、および純水（ＤＩＷ）を供給する純水配管を有している。
【００３１】
排液配管群８１は、例えば、酸を排液するための酸排液配管８１ａ、アルカリを排液するためのアルカリ排液配管８１ｂ、及び有機系を排液するための有機排液配管８１ｃを有している。これら排液配管８１ａ乃至８１ｃは、複数の液処理ユニット２２で共有される共有配管である。チャンバ４３内の待機位置には排液ポート８２が設けられている。排液ポート８２は、処理液の乾燥や変質を防止するために、供給ノズル６１により、一定時間毎に実施されるダミーディスペンス時の排液部として使用される。また、排液ポート８２は、供給ノズル６１が待機位置にあるときに、供給ノズル６１からの液だれを受け止める役目も持つ。本例の排液ポート８２は、酸又はアルカリ用のポート８２ａと、有機系用のポート８２ｂとを備える。ポート８２ａは、ダミーディスペンスライン８３ａを介して酸排液配管８１ａ、又はアルカリ排液配管８１ｂに接続される。ポート８２ａを、酸排液配管８１ａに接続するか、アルカリ排液配管８１ｂに接続するかはスイッチャ８４で切り換える。ポート８２ｂは、ダミーディスペンスライン８３ｂを介して有機系排液配管８１ｃに接続される。
【００３２】
制御機構３は、ユーザーインターフェース３１と、記憶部３２と、プロセスコントローラ３３とを備える。ユーザーインターフェース３１は、操作者が装置１００を制御するためにコマンドを入力する入力手段、例えば、キーボードや、操作者に対して稼働状況を可視化して表示する表示手段、例えば、ディスプレイ等を備える。記憶部３２は、被処理基板に対する処理を実行するプログラム（レシピ）が格納されている。プロセスコントローラ３３は、レシピに従って装置１００を制御する。本例のレシピは、記憶部３２の中のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に格納されている。記憶媒体は、ハードディスクや半導体メモリであっても良いし、ＣＤ-ＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のある記憶媒体であっても良い。また、レシピは記憶媒体に格納するだけでなく、例えば、専用回線を介して他の装置からプロセスコントローラ３３に伝送させることも可能である。
【００３３】
上述のように、基板処理装置１００は液処理ユニット２２を複数備えており、液処理ユニット２２毎に違う処理が行われることがある。この場合には、各液処理ユニット２２で共有される主排液配管（排液配管８１ａ乃至８１ｃ）や共有空間（ユニット室２１ｂ、２１ｃ）を介して他の処理ユニットからケミカル雰囲気が進入してきて、処理に影響を及ぼす可能性がある。参考例を図５に示す。
【００３４】
図５に示すように、例えば、有機系排液配管８１ｃに排液８６が流れていた、とする。排液８６は蒸発するから、有機系排液配管８１ｃ内にはケミカル雰囲気８７が漂っている。この状況は、酸排液配管８１ａやアルカリ排液配管８１ｂでも同様である。有機系排液配管８１ｃ内を漂うケミカル雰囲気８７は、参照符号２００に示すように、ダミーディスペンスライン８３ｂを上昇し、排液ポート８２ｂを介してチャンバ４３の内部に放出されて拡散する。チャンバ４３の内部に拡散したケミカル雰囲気は、チャンバ４３の内部で行われる処理に影響を与える可能性がある。
【００３５】
そこで、本実施形態では、図２及び図３に示されるように、ダミーディスペンスライン８１ａ及び８１ｂ各々に、排液配管８１ａ乃至８１ｃからのケミカル雰囲気の進入を防ぐ進入防止弁８５を設けるようにした。
【００３６】
（進入防止弁の一例）
進入防止弁８５の一例は、例えば、図６に示す水封トラップ８５ａである。水封トラップ８５ａに水封体（液体）８８を溜めておくことで、排液配管８１ａ乃至８１ｃからのケミカル雰囲気を遮断することができる。よって、チャンバ４３の内部への、排液ポート８２ａ及び８２ｂを介したケミカル雰囲気の拡散を防止でき、チャンバ４３の内部においては、清浄度の高い処理を行うことができる。
【００３７】
本実施形態では、水封トラップ８５ａを使用した際に、さらに清浄度の高い処理を行うために、ダミーディスペンス時に、以下に説明するような工夫をした。工夫されたダミーディスペンスの流れの一例を図７に示す。
【００３８】
図７に示すように、まず、ダミーディスペンスを行う前に、ステップＳＴ．１、２に示すように、スキャンアームが待機位置にあるか否かを確認する。スキャンアームが待機位置にきたら、ステップＳＴ．３に示すように、処理液を吐出する（ダミーディスペンス）。処理液吐出終了後、ステップＳＴ．４に示すように、純水（ＤＩＷ）を吐出する。ＤＩＷを吐出することで、水封トラップ８５ａの水封体８８をＤＩＷに置換する。ＤＩＷに置換され次第、ダミーディスペンスは終了される。
【００３９】
このように、本実施形態では、ダミーディスペンスを実施したら、水封体８８をＤＩＷに置換するようにする。
【００４０】
もし、水封体８８がＤＨＦのような酸、又はＳＣ１のようなアルカリ、又はＩＰＡのような有機系液体であったならば、水封体８８自身からケミカル雰囲気が発生してしまう可能性がある。このような可能性は、水封体８８をＤＩＷに置換しておくことで解消できる。
【００４１】
また、図７に示したような流れをレシピに組み込み、上記ダミーディスペンスを図１に示した制御機構３のプロセスコントローラ３３に実行させると、チャンバ４３の内部の清浄度を悪化させないダミーディスペンスを実施できる。
【００４２】
（進入防止弁の他例）
進入防止弁８５は、水封トラップ８５ａに限られるものではない。例えば、開閉制御可能なバルブを用いることも可能である。開閉制御可能なバルブの例としては、エア・オペレーショナル・バルブを挙げることができる。
【００４３】
開閉制御可能なバルブを、進入防止弁８５に用いた場合には、ダミーディスペンスの流れを図８に示すような流れとすると、チャンバ４３の内部の清浄度を悪化させないダミーディスペンスを実施することができる。
【００４４】
図８に示すように、図７に示した流れと同様に、ステップＳＴ．１１、１２に示すように、スキャンアームが待機位置にあるか否かを確認する。スキャンアームが待機位置にきたら、バルブを開けて（ＳＴ．１３）、ステップＳＴ．１４に示すように、処理液を吐出する（ダミーディスペンス）。処理液吐出終了後、ステップＳＴ．１５に示すように、バルブを閉めて、ダミーディスペンスを終了する。
【００４５】
このように開閉制御可能なバルブを進入防止弁８５に用いた場合には、例えば、ダミーディスペンスの時のみバルブを開け、これ以外の時にはバルブを閉めておくようにする。これにより、チャンバ４３の内部への、排液ポート８２ａ及び８２ｂを介したケミカル雰囲気の拡散を防止することができる。
【００４６】
また、図８に示したような流れをレシピに組み込み、図１に示した制御機構３のプロセスコントローラ３３に実行させると、チャンバ４３の内部の清浄度を悪化させないダミーディスペンスを実施することができる。
【００４７】
上述の図５には、他のケミカル雰囲気の侵入経路が示されている。他の侵入経路とは、基板処理部で共有される共有空間に通じる箇所である。このような箇所は、他の基板処理部と雰囲気が通じ合う可能性がある。本実施形態ではその一例として、シャフト６３を挿通させるための、底壁４３ａに形成された貫通孔４３ｂを示す。
【００４８】
チャンバ４３の内部で処理をしている際に発生したケミカル雰囲気は、参照符号２０１に示すように、貫通孔４３ｂを介して共有空間であるユニット室２１ｂ（又は２１ｃ）に漏れ出てしまう。さらに、貫通孔４３ｂは、参照符号２０２に示すように、ユニット室２１ｂを漂うケミカル雰囲気を、チャンバ４３の内部に引き込んでしまう。
【００４９】
そこで、本実施形態では、他の基板処理部と雰囲気が通じ合う可能性があるところに、雰囲気の往来を防ぐ往来防止機構を設けるようにした。この往来防止機構の一例を図２及び図３に示す。図２及び図３に示すように、一例に係る往来防止機構９１は、貫通孔４３ｂの周囲に設けられ、ユニット室２１ｂ（又は２１ｃ）とチャンバ４３の内部との間で雰囲気の往来を防ぐ。図９に、処理液供給部４１及び貫通孔４３ｂの近傍を拡大した拡大図を示しておく。
【００５０】
（往来防止機構の第１例）
第１例に係る往来防止機構を図１０に、また、第１例に係る往来防止機構の分解斜視図を図１１に示す。
【００５１】
図１０及び図１１に示すように、第１例に係る往来防止機構９１ａは、貫通孔４３ｂの周囲に沿って設けられた環状溝９２と、シャフト６３に設けられ、環状溝９２に嵌り合う環状部位９４を有した往来防止キャップ９３と、を備える。本例の往来防止キャップ９３は、特に図示しないが、ねじなどの固定部材を用いてシャフト６３に固定される。シャフト６３は中空軸となっているが、その中空部には、例えば、図４に示した流路７２ａ乃至７２ｃなどが通される。
【００５２】
第１例に係る往来防止機構９１は、チャンバ４３の内部とユニット室２１ｂ（又は２１ｃ）との間の気体の往来経路３００が、上がる部分と下がる部分とが交互に繰り返された、いわゆるラビリンス構造である。往来経路をラビリンス構造とすることで、チャンバ４３の内部の雰囲気がユニット室２１ｂに漏れにくくなるとともに、ユニット室２１ｂの雰囲気がチャンバ４３の内部に侵入し難くなる。
【００５３】
このような第１例に係る往来防止機構９１を備えた装置１００によれば、チャンバ４３の内部での処理の際に発生したケミカル雰囲気が漏れにくくなり、しかも、ユニット室２１ｂを漂うケミカル雰囲気を、チャンバ４３の内部に引き込みにくくなるので、別の処理ユニットからのケミカル雰囲気の進入を抑制できる基板処理装置を得ることができる。
【００５４】
また、溝９２、及び溝９２に嵌り合う部位９４をそれぞれ環状とすることで、シャフト６３が回転した場合でも、上記ラビリンス構造が崩れることはない。
【００５５】
（往来防止機構の第２例）
シャフト６３は、基本的に回転すれば良い。しかしながら、一実施形態のように、シャフト６３を回転させるとともに上下動させる場合もある。シャフト６３が、回転かつ上下動する場合において、図１２に示すように、シャフト６３が最高位置まで上昇すると、環状溝９２と環状部位９３との嵌り具合が浅くなってしまうことがある。嵌り具合が浅くなると、チャンバ４３の内部とユニット室２１ｂとの間の気体の往来を防止する効果が弱まってしまう。
【００５６】
これを防ぎたい場合には、本第２例に係る往来防止機構を採用すると良い。第２例に係る往来防止機構を図１３に示す。
【００５７】
図１３に示すように、第２例に係る往来防止機構９１ｂは、第１例に係る往来防止機構９１ａの環状溝９２と、環状部位９４を有した往来防止キャップ９３とに加えて、環状溝９２が設けられた面と反対の面に、貫通孔４３ｂの周囲に沿って設けられた環状突起９５と、シャフト６３に設けられ、環状突起９５に被さり合う環状部位９７を有した第２の往来防止キャップ９６を備えたものである。
【００５８】
図１３に示す状態は、シャフト６３の位置が最も低い状態である。この状態では、往来防止キャップ９３と環状溝９２とが深く嵌り合う。図１４に、シャフト６３の位置が最も高い状態を示す。図１４に示すように、シャフト６３の位置が最も高い状態では、反対に第２の往来防止キャップ９６が環状突起９５に深く嵌り合う。結果として、シャフト６３が上下動しても、往来防止キャップ９３か、第２の往来防止キャップ９６かのいずれかが、環状溝９２、又は環状突起９５のいずれかに深く嵌り合う。
【００５９】
このように第２例に係る往来防止機構９１ｂによれば、シャフト６３が上下動しても、嵌り具合が浅くなってしまう事情が解消され、チャンバ４３の内部とユニット室２１ｂとの間の気体の往来を防止する効果を、常に高い状態に維持できる。
【００６０】
なお、図１乃至図３に示した処理装置１００の往来防止機構９１は、本第２例が採用されている。
【００６１】
（往来防止機構の第３例）
図１５は、第３例に係る往来防止機構を示す断面図である。
【００６２】
図１５に示すように、第３例に係る往来防止機構９１ｃは、第２例に係る往来防止機構９１ｂから、環状溝９２と往来防止キャップ９３とを取り除いたものである。
【００６３】
このような往来防止機構９１ｃにおいても、例えば、第１例に係る往来防止機構９１ａと同様な効果を得ることができる。
【００６４】
（往来防止機構の第４例）
図１６は、第４例に係る往来防止機構を示す断面図である。
【００６５】
図１６に示すように、第４例に係る往来防止機構９１ｄは、環状溝９２の内部に不活性ガスを供給する供給機構９７を備えたものである。環状溝９２には環状部位９４が嵌り合う。このような環状溝９２に不活性ガス、例えば、窒素などを吹き付けると、環状部位９４によってチャンバ４３の内部に向かう流れ３０１ａと、ユニット室２１ｂに向かう流れ３０１ｂとの二通りの流れが形成される。流れ３０１ａは、チャンバ４３の内部からユニット室２１ｂに漏れだそうとする流れを阻止する。また、流れ３０１ｂはユニット室２１ｂからチャンバ４３の内部に侵入しようとする流れを阻止する。結果として、チャンバ４３とユニット室２１ｂとの間の気体の往来を、より強く抑制することができる。
【００６６】
以上、この発明を一実施形態により説明したが、この発明は上記一実施形態に限定されるものではなく、また、上記一実施形態が唯一の実施形態でもない。
【００６７】
例えば、処理液としてＳＣ１、ＤＨＦ、ＩＰＡを用いた例を示したが、これに限るものではない。
【００６８】
また、往来防止機構として、シャフト６３を挿通させるための貫通孔４３ｂの周囲に形成されたものを例示したが、往来防止機構は貫通孔４３の周囲に設けられるばかりではなく、他の基板処理部と雰囲気が通じ合う可能性があるところであれば、いかなるところに設けられても良い。
【００６９】
また、液処理ユニットの構成も上記のようなものに限るものではなく、例えば表面洗浄のみまたは裏面洗浄のみのものであってもよく、さらには洗浄処理に限らず、他の液処理であっても適用可能である。さらに、上記実施形態では被処理基板として半導体ウエハを用いた場合について示したが、液晶表示装置（ＬＣＤ）用のガラス基板に代表されるフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用の基板等、他の基板に適用可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】この発明の一実施形態に係る液処理装置の概略構成を示す平面図
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った正面側の断面図
【図３】図１のＢ−Ｂ線に沿った側面側の断面図
【図４】処理液供給機構の一例を示す図
【図５】参考例を示す断面図
【図６】進入防止弁の一例を示す断面図
【図７】ダミーディスペンスの流れを示す流れ図
【図８】ダミーディスペンスの流れを示す流れ図
【図９】処理液供給部及び貫通孔の近傍を拡大して示す拡大図
【図１０】第１例に係る往来防止器機構を示す断面図
【図１１】第１例に係る往来防止器機構を示す分解斜視図
【図１２】第１例に係る往来防止器機構が持つ事情を示す断面図
【図１３】第２例に係る往来防止器機構を示す断面図（最低位置）
【図１４】第２例に係る往来防止器機構を示す断面図（最高位置）
【図１５】第３例に係る往来防止器機構を示す断面図
【図１６】第４例に係る往来防止器機構を示す断面図
【符号の説明】
【００７１】
２２…液処理ユニット、４１…処理液供給部、４２…ウエハ保持部、４３…チャンバ、４３ｂ…貫通孔、６１…ノズル、６３…シャフト、４３…チャンバ、８２…排液ポート、８１…排液配管、８５…進入防止弁、９１…往来防止機構
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ等の基板に対して洗浄処理のような所定の液処理を行う基板処理装置、ダミーディスペンス方法及び記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造プロセスやフラットパネルディスプレー（ＦＰＤ）の製造プロセスにおいては、被処理基板である半導体ウエハやガラス基板に処理液を供給して液処理を行うプロセスが多用されている。このようなプロセスとしては、例えば、基板に付着したパーティクルやコンタミネーション等を除去する洗浄処理を挙げることができる。
【０００３】
このような基板処理装置としては、半導体ウエハ等の基板をスピンチャックに保持し、基板を回転させた状態でウエハの表面または表裏面に処理液を供給して処理を行う枚葉式の処理ユニットを複数備えたものが多用されている（例えば、特許文献１）。
【０００４】
しかしながら、処理ユニットを複数備えた基板処理装置は、処理ユニット毎に違う処理を行うことがある。このため、各処理ユニットで共有される排液配管や共有空間を介して他の処理ユニットからケミカル雰囲気が進入してきて、処理に影響を及ぼす可能性がある。
【特許文献１】特開２００５−９３７６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この発明は、別の処理ユニットからのケミカル雰囲気の進入を抑制できる基板処理装置、ダミーディスペンス方法及び記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、この発明の第１の態様に係る基板処理装置は、基板を保持する基板保持部、及び基板に処理液を供給する供給ノズルと、この供給ノズルを待機位置から前記基板保持部の上方に旋回させるシャフトとを有する処理液供給部を備えた複数の基板処理部と、前記複数の基板処理部を互いに独立して収容するとともに、前記基板処理部で共有される共有空間に通じ、前記シャフトが挿通される貫通孔を有する複数のチャンバと、前記待機位置に設けられ、前記供給ノズルから吐出される処理液を受ける排液ポートと、前記排液ポートに接続され、前記複数の基板処理部で共有される主排液配管と、前記排液ポートと前記主排液配管との間に設けられ、前記主排液配管からチャンバ内への気体の進入を防ぐ進入防止弁と、前記貫通孔の周囲に設けられ、前記共有空間と前記チャンバ内との間の気体の往来を防ぐ往来防止機構と、を具備する。
【０００７】
この発明の第２の態様に係る基板処理装置は、基板を保持する基板保持部、及び基板に処理液を供給する供給ノズルと、この供給ノズルを待機位置から前記基板保持部の上方に旋回させるシャフトとを有する処理液供給部を備えた複数の基板処理部と、前記複数の基板処理部を互いに独立して収容する複数のチャンバと、前記待機位置に設けられ、前記供給ノズルから吐出される処理液を受ける排液ポートと、前記排液ポートに接続され、前記複数の基板処理部で共有される主排液配管と、前記排液ポートと前記主排液配管との間に設けられ、前記主排液配管からチャンバ内への気体の進入を防ぐ進入防止弁と、を具備する。
【０００８】
この発明の第３の態様に係る基板処理装置は、基板を保持する基板保持部、及び基板に処理液を供給する供給ノズルと、この供給ノズルを待機位置から前記基板保持部の上方に旋回させるシャフトとを有する処理液供給部を備えた複数の基板処理部と、前記複数の基板処理部を互いに独立して収容するとともに、前記基板処理部で共有される共有空間に通じ、前記シャフトが挿通される貫通孔を有する複数のチャンバと、前記貫通孔の各々に設けられ、前記共有空間と前記チャンバ内との間の気体の往来を防ぐ往来防止機構と、を具備する。
【０００９】
この発明の第４の態様に係るダミーディスペンス方法は、ダミーディスペンス時に使用される排液ポートと主排液配管との間に水封トラップを備えた基板処理装置のダミーディスペンス方法であって、供給ノズルから処理液を吐出する工程と、前記処理液を吐出した後、前記供給ノズルから純水を吐出し、前記水封トラップの水封体を純水に置換する工程と、を備える。
【００１０】
この発明の第５の態様に係るダミーディスペンス方法は、ダミーディスペンス時に使用される排液ポートと主排液配管との間に開閉制御可能なバルブを備えた基板処理装置のダミーディスペンス方法であって、前記開閉制御可能なバルブを開ける工程と、供給ノズルから処理液を吐出する工程と、前記処理液を吐出した後、前記開閉制御可能なバルブを閉める工程と、を備える。
【００１１】
この発明の第６の態様に係る記憶媒体は、コンピュータ上で動作し、ダミーディスペンスを制御するプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、第４の態様に係るダミーディスペンス方法が行われるように、コンピュータに基板処理装置を制御させる。
【００１２】
この発明の第７の態様に係る記憶媒体は、コンピュータ上で動作し、ダミーディスペンスを制御するプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、第５の態様に係るダミーディスペンス方法が行われるように、コンピュータに基板処理装置を制御させる。
【発明の効果】
【００１３】
この発明によれば、別の処理ユニットからのケミカル雰囲気の進入を抑制できる基板処理装置、ダミーディスペンス方法及び記憶媒体を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、この発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。参照する図面全てにわたり、同一の部分については同一の参照符号を付す。
【００１５】
図１はこの発明の一実施形態に係る液処理装置の概略構成を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿った正面側の断面図、図３は図１のＢ−Ｂ線に沿った側面側の断面図である。
【００１６】
液処理装置１００は、複数のウエハＷを収容するウエハキャリアＣを載置し、ウエハＷの搬入・搬出を行う搬入出ステーション（基板搬入出部）１と、ウエハＷに洗浄処理を施すための処理ステーション（液処理部）２と、制御機構３とを備えており、これらは隣接して設けられている。
【００１７】
搬入出ステーション１は、複数のウエハＷを水平状態で収容するウエハキャリアＣを載置するキャリア載置部１１と、ウエハＷの搬送を行う搬送部１２と、ウエハＷの受け渡しを行う受け渡し部１３と、搬送部１２および受け渡し部１３が収容される筐体１４とを有している。
【００１８】
キャリア載置部１１は４個のウエハキャリアＣが載置可能であり、載置されたウエハキャリアＣは筐体１４の垂直壁部に密着された状態とされ、大気に触れることなくその中のウエハＷが搬送部１２に搬入可能となっている。
【００１９】
搬送部１２は、搬送機構１５と、その上方に設けられた清浄空気のダウンフローを供給するファン・フィルター・ユニット（図示せず）とを有している。搬送機構１５は、ウエハＷを保持するウエハ保持アーム１５ａを有しており、さらに、このウエハ保持アーム１５ａをウエハキャリアＣの配列方向に対する垂直方向であるＹ方向に移動させる機構、ウエハキャリアＣの配列方向であるＸ方向に延在する水平ガイド１７に沿って移動させる機構、垂直方向に設けられた垂直ガイド（図示せず）に沿って移動させる機構、及び水平面内で回転させる機構を有している。搬送機構１５は、ウエハキャリアＣと受け渡し部１３との間でウエハＷを搬送する。
【００２０】
受け渡し部１３は、受け渡しステージ１９と、その上に設けられたウエハＷを載置可能な載置部を複数備えた受け渡し棚２０とを有しており、この受け渡し棚２０を介して処理ステーション２との間でウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。
【００２１】
処理ステーション２は直方体状をなす筐体２１を有する。筐体２１内には、その中央上部にウエハキャリアＣの配列方向であるＸ方向に直交するＹ方向に沿って延びる搬送路を構成する搬送室２１ａと、搬送室２１ａの両側に設けられた２つのユニット室２１ｂ、２１ｃとを有している。ユニット室２１ｂ、２１ｃにはそれぞれ搬送室２１ａに沿って８個ずつ合計１６個の液処理ユニット２２が水平に配列されている。
【００２２】
筐体２１内のユニット室２１ｂ、２１ｃの下には、それぞれ各液処理ユニット２２の駆動系を収容した駆動エリア２１ｅが設けられ、さらに、これら駆動エリア２１ｅの下には、それぞれ配管を収容した配管ボックス２１ｇが設けられている。また、配管ボックス２１ｇの下には、薬液供給機構が配置されるユニット室２１ｉが設けられている。一方、搬送室２１ａの下方は排気のための排気空間２１ｊが設けられている。
【００２３】
搬送室２１ａの上方には、ファン・フィルター・ユニット（ＦＦＵ）２３が設けられ、搬送室２１ａに清浄空気のダウンフローを供給するようになっている。搬送室２１ａの内部には搬送機構２４が設けられている。搬送機構２４は、ウエハＷを保持するウエハ保持アーム２４ａを有しており、このウエハ保持アーム２４ａをＸ方向に移動させる機構、搬送室２１ａに設けられた水平ガイド２５に沿ってＹ方向に移動させる機構、垂直方向に設けられた垂直ガイド（図示せず）に沿って移動させる機構、及び水平面内で回転させる機構を有している。搬送機構２４は、各液処理ユニット２２に対するウエハＷの搬入出を行う。
【００２４】
ユニット室２１ｂ、２１ｃは、複数の液処理ユニット２２で共有される共有空間である。複数の液処理ユニット２２が配置される。複数の液処理ユニット２２は各々、処理液供給部４１と、ウエハＷを回転可能に保持するウエハ保持部（基板保持部）４２と、処理液供給部４１及びウエハ保持部４２を収容するチャンバ４３とを備えている。チャンバ４３は液処理ユニット２２毎に設けられており、液処理ユニット２２の各々を互いに独立して収容する。
【００２５】
ウエハ保持部４２は、水平に設けられた円板状の回転プレート５１と、その裏面に接続され、下方鉛直に延びる円筒状の回転軸５２とを有している。回転軸は回転モータ（図示せず）に接続されている。回転モータは回転プレート５１を回転させる。回転プレート５１には、ウエハＷの外縁を保持する保持部材（図示せず）が設けられている。回転軸５２は、軸受け部材５３を介してベースプレート４４に回転可能に支持されている。
【００２６】
回転プレート５１を囲繞するように設けられた排気・排液カップ４５は、ウエハＷの表面から排出される気体及び液体を回収する。排気・廃液カップ４５は、図示せぬ排気機構及び排液回収機構に接続されている。排気・排液カップ４５の周囲には、排気・排液カップ４５及びウエハＷの上方を覆うケーシング４６が設けられている。ケーシング４６の上部にはＦＦＵ２３からの気流を導入する気流導入部４７が設けられており、ウエハ保持部４２に保持されたウエハＷに清浄空気のダウンフローが供給されるようになっている。気流導入部４７には、搬送室２１ａに繋がる開口４７ａが形成されており、気流は開口４７ａを介して導入される。
【００２７】
処理液供給部４１は、処理液供給ノズル６１と、スキャンアーム６２と、シャフト６３とを備えている。供給ノズル６１は、スキャンアーム６２の一端に接続されている。シャフト６３の一端は、スキャンアーム６２の他端に接続されている。チャンバ４３の底壁４３ａにはユニット室２１ｂに通じる貫通孔４３ｂが設けられている。シャフト６３はチャンバ４３内からユニット室２１ｂに貫通孔４３ｂを介して延びている。シャフト６３は、ベースプレート４４に設けられた貫通孔４４ａを介して駆動エリア２１ｅへさらに延び、駆動エリア２１ｅにおいて駆動機構６４に接続されている。駆動機構６４はシャフト６３を回転させる。シャフト６３が回転することで、スキャンアーム６２の一端に保持された供給ノズル６１は、ウエハ保持部４２の上方にある処理液供給位置とウエハ保持部４２の上方から離れた位置にある待機位置との間で旋回移動可能となっている。さらに、本例の駆動機構６４はシャフト６３を上下方向に駆動する。供給ノズル６１は待機位置から旋回して供給位置に移動し、さらに、供給位置にて降下することでウエハＷの表面近傍まで移動する。供給ノズル６１は、供給位置にてウエハＷの表面に処理液を供給する。処理液を供給する処理液供給機構の一例を図４に示す。
【００２８】
図４に示すように、スキャンアーム６２内には、処理液供給機構７１から供給ノズル６１に処理液を流す流路７２ａ乃至７２ｃが設けられている。流路７２ａの一端は供給ノズル６１ａに接続され、他端は開閉バルブ７３ａを介してＩＰＡ供給源７４ａに接続される。同様に、流路７２ｂの一端は供給ノズル６１ｂに接続され、他端は開閉バルブ７３ｂを介してＤＩＷ供給源７４ｂに接続される。流路７２ｃの一端は供給ノズル６１ｃに接続され、他端は開閉バルブ７３ｃを介してＤＨＦ供給源７４ｃ、開閉バルブ７３ｄを介してＳＣ１供給源７４ｄ、及び開閉バルブ７３ｅを介してＤＩＷ供給源７４ｂに接続される。
【００２９】
配管ボックス２１ｇには、処理液配管群（図示せず）、排気配管群（図示せず）、及び排液配管群８１が水平方向に配置される。
【００３０】
処理液配管群は、特に図示してはいないが、例えば、アンモニア水と過酸化水素を混合して形成されたアンモニア過水（ＳＣ１）を供給するＳＣ１配管、希フッ酸（ＤＨＦ）を供給するＤＨＦ配管、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を供給するＩＰＡ配管、および純水（ＤＩＷ）を供給する純水配管を有している。
【００３１】
排液配管群８１は、例えば、酸を排液するための酸排液配管８１ａ、アルカリを排液するためのアルカリ排液配管８１ｂ、及び有機系を排液するための有機排液配管８１ｃを有している。これら排液配管８１ａ乃至８１ｃは、複数の液処理ユニット２２で共有される共有配管である。チャンバ４３内の待機位置には排液ポート８２が設けられている。排液ポート８２は、処理液の乾燥や変質を防止するために、供給ノズル６１により、一定時間毎に実施されるダミーディスペンス時の排液部として使用される。また、排液ポート８２は、供給ノズル６１が待機位置にあるときに、供給ノズル６１からの液だれを受け止める役目も持つ。本例の排液ポート８２は、酸又はアルカリ用のポート８２ａと、有機系用のポート８２ｂとを備える。ポート８２ａは、ダミーディスペンスライン８３ａを介して酸排液配管８１ａ、又はアルカリ排液配管８１ｂに接続される。ポート８２ａを、酸排液配管８１ａに接続するか、アルカリ排液配管８１ｂに接続するかはスイッチャ８４で切り換える。ポート８２ｂは、ダミーディスペンスライン８３ｂを介して有機系排液配管８１ｃに接続される。
【００３２】
制御機構３は、ユーザーインターフェース３１と、記憶部３２と、プロセスコントローラ３３とを備える。ユーザーインターフェース３１は、操作者が装置１００を制御するためにコマンドを入力する入力手段、例えば、キーボードや、操作者に対して稼働状況を可視化して表示する表示手段、例えば、ディスプレイ等を備える。記憶部３２は、被処理基板に対する処理を実行するプログラム（レシピ）が格納されている。プロセスコントローラ３３は、レシピに従って装置１００を制御する。本例のレシピは、記憶部３２の中のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に格納されている。記憶媒体は、ハードディスクや半導体メモリであっても良いし、ＣＤ-ＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のある記憶媒体であっても良い。また、レシピは記憶媒体に格納するだけでなく、例えば、専用回線を介して他の装置からプロセスコントローラ３３に伝送させることも可能である。
【００３３】
上述のように、基板処理装置１００は液処理ユニット２２を複数備えており、液処理ユニット２２毎に違う処理が行われることがある。この場合には、各液処理ユニット２２で共有される主排液配管（排液配管８１ａ乃至８１ｃ）や共有空間（ユニット室２１ｂ、２１ｃ）を介して他の処理ユニットからケミカル雰囲気が進入してきて、処理に影響を及ぼす可能性がある。参考例を図５に示す。
【００３４】
図５に示すように、例えば、有機系排液配管８１ｃに排液８６が流れていた、とする。排液８６は蒸発するから、有機系排液配管８１ｃ内にはケミカル雰囲気８７が漂っている。この状況は、酸排液配管８１ａやアルカリ排液配管８１ｂでも同様である。有機系排液配管８１ｃ内を漂うケミカル雰囲気８７は、参照符号２００に示すように、ダミーディスペンスライン８３ｂを上昇し、排液ポート８２ｂを介してチャンバ４３の内部に放出されて拡散する。チャンバ４３の内部に拡散したケミカル雰囲気は、チャンバ４３の内部で行われる処理に影響を与える可能性がある。
【００３５】
そこで、本実施形態では、図２及び図３に示されるように、ダミーディスペンスライン８１ａ及び８１ｂ各々に、排液配管８１ａ乃至８１ｃからのケミカル雰囲気の進入を防ぐ進入防止弁８５を設けるようにした。
【００３６】
（進入防止弁の一例）
進入防止弁８５の一例は、例えば、図６に示す水封トラップ８５ａである。水封トラップ８５ａに水封体（液体）８８を溜めておくことで、排液配管８１ａ乃至８１ｃからのケミカル雰囲気を遮断することができる。よって、チャンバ４３の内部への、排液ポート８２ａ及び８２ｂを介したケミカル雰囲気の拡散を防止でき、チャンバ４３の内部においては、清浄度の高い処理を行うことができる。
【００３７】
本実施形態では、水封トラップ８５ａを使用した際に、さらに清浄度の高い処理を行うために、ダミーディスペンス時に、以下に説明するような工夫をした。工夫されたダミーディスペンスの流れの一例を図７に示す。
【００３８】
図７に示すように、まず、ダミーディスペンスを行う前に、ステップＳＴ．１、２に示すように、スキャンアームが待機位置にあるか否かを確認する。スキャンアームが待機位置にきたら、ステップＳＴ．３に示すように、処理液を吐出する（ダミーディスペンス）。処理液吐出終了後、ステップＳＴ．４に示すように、純水（ＤＩＷ）を吐出する。ＤＩＷを吐出することで、水封トラップ８５ａの水封体８８をＤＩＷに置換する。ＤＩＷに置換され次第、ダミーディスペンスは終了される。
【００３９】
このように、本実施形態では、ダミーディスペンスを実施したら、水封体８８をＤＩＷに置換するようにする。
【００４０】
もし、水封体８８がＤＨＦのような酸、又はＳＣ１のようなアルカリ、又はＩＰＡのような有機系液体であったならば、水封体８８自身からケミカル雰囲気が発生してしまう可能性がある。このような可能性は、水封体８８をＤＩＷに置換しておくことで解消できる。
【００４１】
また、図７に示したような流れをレシピに組み込み、上記ダミーディスペンスを図１に示した制御機構３のプロセスコントローラ３３に実行させると、チャンバ４３の内部の清浄度を悪化させないダミーディスペンスを実施できる。
【００４２】
（進入防止弁の他例）
進入防止弁８５は、水封トラップ８５ａに限られるものではない。例えば、開閉制御可能なバルブを用いることも可能である。開閉制御可能なバルブの例としては、エア・オペレーショナル・バルブを挙げることができる。
【００４３】
開閉制御可能なバルブを、進入防止弁８５に用いた場合には、ダミーディスペンスの流れを図８に示すような流れとすると、チャンバ４３の内部の清浄度を悪化させないダミーディスペンスを実施することができる。
【００４４】
図８に示すように、図７に示した流れと同様に、ステップＳＴ．１１、１２に示すように、スキャンアームが待機位置にあるか否かを確認する。スキャンアームが待機位置にきたら、バルブを開けて（ＳＴ．１３）、ステップＳＴ．１４に示すように、処理液を吐出する（ダミーディスペンス）。処理液吐出終了後、ステップＳＴ．１５に示すように、バルブを閉めて、ダミーディスペンスを終了する。
【００４５】
このように開閉制御可能なバルブを進入防止弁８５に用いた場合には、例えば、ダミーディスペンスの時のみバルブを開け、これ以外の時にはバルブを閉めておくようにする。これにより、チャンバ４３の内部への、排液ポート８２ａ及び８２ｂを介したケミカル雰囲気の拡散を防止することができる。
【００４６】
また、図８に示したような流れをレシピに組み込み、図１に示した制御機構３のプロセスコントローラ３３に実行させると、チャンバ４３の内部の清浄度を悪化させないダミーディスペンスを実施することができる。
【００４７】
上述の図５には、他のケミカル雰囲気の侵入経路が示されている。他の侵入経路とは、基板処理部で共有される共有空間に通じる箇所である。このような箇所は、他の基板処理部と雰囲気が通じ合う可能性がある。本実施形態ではその一例として、シャフト６３を挿通させるための、底壁４３ａに形成された貫通孔４３ｂを示す。
【００４８】
チャンバ４３の内部で処理をしている際に発生したケミカル雰囲気は、参照符号２０１に示すように、貫通孔４３ｂを介して共有空間であるユニット室２１ｂ（又は２１ｃ）に漏れ出てしまう。さらに、貫通孔４３ｂは、参照符号２０２に示すように、ユニット室２１ｂを漂うケミカル雰囲気を、チャンバ４３の内部に引き込んでしまう。
【００４９】
そこで、本実施形態では、他の基板処理部と雰囲気が通じ合う可能性があるところに、雰囲気の往来を防ぐ往来防止機構を設けるようにした。この往来防止機構の一例を図２及び図３に示す。図２及び図３に示すように、一例に係る往来防止機構９１は、貫通孔４３ｂの周囲に設けられ、ユニット室２１ｂ（又は２１ｃ）とチャンバ４３の内部との間で雰囲気の往来を防ぐ。図９に、処理液供給部４１及び貫通孔４３ｂの近傍を拡大した拡大図を示しておく。
【００５０】
（往来防止機構の第１例）
第１例に係る往来防止機構を図１０に、また、第１例に係る往来防止機構の分解斜視図を図１１に示す。
【００５１】
図１０及び図１１に示すように、第１例に係る往来防止機構９１ａは、貫通孔４３ｂの周囲に沿って設けられた環状溝９２と、シャフト６３に設けられ、環状溝９２に嵌り合う環状部位９４を有した往来防止キャップ９３と、を備える。本例の往来防止キャップ９３は、特に図示しないが、ねじなどの固定部材を用いてシャフト６３に固定される。シャフト６３は中空軸となっているが、その中空部には、例えば、図４に示した流路７２ａ乃至７２ｃなどが通される。
【００５２】
第１例に係る往来防止機構９１は、チャンバ４３の内部とユニット室２１ｂ（又は２１ｃ）との間の気体の往来経路３００が、上がる部分と下がる部分とが交互に繰り返された、いわゆるラビリンス構造である。往来経路をラビリンス構造とすることで、チャンバ４３の内部の雰囲気がユニット室２１ｂに漏れにくくなるとともに、ユニット室２１ｂの雰囲気がチャンバ４３の内部に侵入し難くなる。
【００５３】
このような第１例に係る往来防止機構９１を備えた装置１００によれば、チャンバ４３の内部での処理の際に発生したケミカル雰囲気が漏れにくくなり、しかも、ユニット室２１ｂを漂うケミカル雰囲気を、チャンバ４３の内部に引き込みにくくなるので、別の処理ユニットからのケミカル雰囲気の進入を抑制できる基板処理装置を得ることができる。
【００５４】
また、溝９２、及び溝９２に嵌り合う部位９４をそれぞれ環状とすることで、シャフト６３が回転した場合でも、上記ラビリンス構造が崩れることはない。
【００５５】
（往来防止機構の第２例）
シャフト６３は、基本的に回転すれば良い。しかしながら、一実施形態のように、シャフト６３を回転させるとともに上下動させる場合もある。シャフト６３が、回転かつ上下動する場合において、図１２に示すように、シャフト６３が最高位置まで上昇すると、環状溝９２と環状部位９３との嵌り具合が浅くなってしまうことがある。嵌り具合が浅くなると、チャンバ４３の内部とユニット室２１ｂとの間の気体の往来を防止する効果が弱まってしまう。
【００５６】
これを防ぎたい場合には、本第２例に係る往来防止機構を採用すると良い。第２例に係る往来防止機構を図１３に示す。
【００５７】
図１３に示すように、第２例に係る往来防止機構９１ｂは、第１例に係る往来防止機構９１ａの環状溝９２と、環状部位９４を有した往来防止キャップ９３とに加えて、環状溝９２が設けられた面と反対の面に、貫通孔４３ｂの周囲に沿って設けられた環状突起９５と、シャフト６３に設けられ、環状突起９５に被さり合う環状部位９７を有した第２の往来防止キャップ９６を備えたものである。
【００５８】
図１３に示す状態は、シャフト６３の位置が最も低い状態である。この状態では、往来防止キャップ９３と環状溝９２とが深く嵌り合う。図１４に、シャフト６３の位置が最も高い状態を示す。図１４に示すように、シャフト６３の位置が最も高い状態では、反対に第２の往来防止キャップ９６が環状突起９５に深く嵌り合う。結果として、シャフト６３が上下動しても、往来防止キャップ９３か、第２の往来防止キャップ９６かのいずれかが、環状溝９２、又は環状突起９５のいずれかに深く嵌り合う。
【００５９】
このように第２例に係る往来防止機構９１ｂによれば、シャフト６３が上下動しても、嵌り具合が浅くなってしまう事情が解消され、チャンバ４３の内部とユニット室２１ｂとの間の気体の往来を防止する効果を、常に高い状態に維持できる。
【００６０】
なお、図１乃至図３に示した処理装置１００の往来防止機構９１は、本第２例が採用されている。
【００６１】
（往来防止機構の第３例）
図１５は、第３例に係る往来防止機構を示す断面図である。
【００６２】
図１５に示すように、第３例に係る往来防止機構９１ｃは、第２例に係る往来防止機構９１ｂから、環状溝９２と往来防止キャップ９３とを取り除いたものである。
【００６３】
このような往来防止機構９１ｃにおいても、例えば、第１例に係る往来防止機構９１ａと同様な効果を得ることができる。
【００６４】
（往来防止機構の第４例）
図１６は、第４例に係る往来防止機構を示す断面図である。
【００６５】
図１６に示すように、第４例に係る往来防止機構９１ｄは、環状溝９２の内部に不活性ガスを供給する供給機構９７を備えたものである。環状溝９２には環状部位９４が嵌り合う。このような環状溝９２に不活性ガス、例えば、窒素などを吹き付けると、環状部位９４によってチャンバ４３の内部に向かう流れ３０１ａと、ユニット室２１ｂに向かう流れ３０１ｂとの二通りの流れが形成される。流れ３０１ａは、チャンバ４３の内部からユニット室２１ｂに漏れだそうとする流れを阻止する。また、流れ３０１ｂはユニット室２１ｂからチャンバ４３の内部に侵入しようとする流れを阻止する。結果として、チャンバ４３とユニット室２１ｂとの間の気体の往来を、より強く抑制することができる。
【００６６】
以上、この発明を一実施形態により説明したが、この発明は上記一実施形態に限定されるものではなく、また、上記一実施形態が唯一の実施形態でもない。
【００６７】
例えば、処理液としてＳＣ１、ＤＨＦ、ＩＰＡを用いた例を示したが、これに限るものではない。
【００６８】
また、往来防止機構として、シャフト６３を挿通させるための貫通孔４３ｂの周囲に形成されたものを例示したが、往来防止機構は貫通孔４３の周囲に設けられるばかりではなく、他の基板処理部と雰囲気が通じ合う可能性があるところであれば、いかなるところに設けられても良い。
【００６９】
また、液処理ユニットの構成も上記のようなものに限るものではなく、例えば表面洗浄のみまたは裏面洗浄のみのものであってもよく、さらには洗浄処理に限らず、他の液処理であっても適用可能である。さらに、上記実施形態では被処理基板として半導体ウエハを用いた場合について示したが、液晶表示装置（ＬＣＤ）用のガラス基板に代表されるフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用の基板等、他の基板に適用可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】この発明の一実施形態に係る液処理装置の概略構成を示す平面図
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った正面側の断面図
【図３】図１のＢ−Ｂ線に沿った側面側の断面図
【図４】処理液供給機構の一例を示す図
【図５】参考例を示す断面図
【図６】進入防止弁の一例を示す断面図
【図７】ダミーディスペンスの流れを示す流れ図
【図８】ダミーディスペンスの流れを示す流れ図
【図９】処理液供給部及び貫通孔の近傍を拡大して示す拡大図
【図１０】第１例に係る往来防止器機構を示す断面図
【図１１】第１例に係る往来防止器機構を示す分解斜視図
【図１２】第１例に係る往来防止器機構が持つ事情を示す断面図
【図１３】第２例に係る往来防止器機構を示す断面図（最低位置）
【図１４】第２例に係る往来防止器機構を示す断面図（最高位置）
【図１５】第３例に係る往来防止器機構を示す断面図
【図１６】第４例に係る往来防止器機構を示す断面図
【符号の説明】
【００７１】
２２…液処理ユニット、４１…処理液供給部、４２…ウエハ保持部、４３…チャンバ、４３ｂ…貫通孔、６１…ノズル、６３…シャフト、４３…チャンバ、８２…排液ポート、８１…排液配管、８５…進入防止弁、９１…往来防止機構
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する基板保持部、及び基板に処理液を供給する供給ノズルと、この供給ノズルを待機位置から前記基板保持部の上方に旋回させるシャフトとを有する処理液供給部を備えた複数の基板処理部と、
前記複数の基板処理部を互いに独立して収容するとともに、前記基板処理部で共有される共有空間に通じ、前記シャフトが挿通される貫通孔を有する複数のチャンバと、
前記待機位置に設けられ、前記供給ノズルから吐出される処理液を受ける排液ポートと、
前記排液ポートに接続され、前記複数の基板処理部で共有される主排液配管と、
前記排液ポートと前記主排液配管との間に設けられ、前記主排液配管からチャンバ内への気体の進入を防ぐ進入防止弁と、
前記貫通孔の周囲に設けられ、前記共有空間と前記チャンバ内との間の気体の往来を防ぐ往来防止機構と、
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板を保持する基板保持部、及び基板に処理液を供給する供給ノズルと、この供給ノズルを待機位置から前記基板保持部の上方に旋回させるシャフトとを有する処理液供給部を備えた複数の基板処理部と、
前記複数の基板処理部を互いに独立して収容する複数のチャンバと、
前記待機位置に設けられ、前記供給ノズルから吐出される処理液を受ける排液ポートと、
前記排液ポートに接続され、前記複数の基板処理部で共有される主排液配管と、
前記排液ポートと前記主排液配管との間に設けられ、前記主排液配管からチャンバ内への気体の進入を防ぐ進入防止弁と、
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
基板を保持する基板保持部、及び基板に処理液を供給する供給ノズルと、この供給ノズルを待機位置から前記基板保持部の上方に旋回させるシャフトとを有する処理液供給部を備えた複数の基板処理部と、
前記複数の基板処理部を互いに独立して収容するとともに、前記基板処理部で共有される共有空間に通じ、前記シャフトが挿通される貫通孔を有する複数のチャンバと、
前記貫通孔の各々に設けられ、前記共有空間と前記チャンバ内との間の気体の往来を防ぐ往来防止機構と、
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
前記進入防止弁が、水封トラップであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記進入防止弁が、開閉制御可能なバルブであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記往来防止機構が、
前記貫通孔の周囲に沿って設けられた環状溝と、
前記環状溝が設けられた面と反対の面に、前記貫通孔の周囲に沿って設けられた環状突起と、
前記シャフトに設けられ、前記環状溝に嵌り合う環状部位を有した第１の往来防止キャップと、
前記シャフトに設けられ、前記環状突起に被さり合う環状部位を有した第２の往来防止キャップと、
を備えることを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記進入防止機構が、
前記貫通孔の周囲に沿って設けられた環状溝と、
前記シャフトに設けられ、前記環状溝に嵌り合う環状部位を有した往来防止キャップと、
を備えることを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記環状溝の内部に不活性ガスを供給する供給機構を、さらに備えることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記進入防止機構が、
前記貫通孔の周囲に沿って設けられた環状突起と、
前記シャフトに設けられ、前記環状突起に被さり合う環状部位を有した往来防止キャップと、
を備えることを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
ダミーディスペンス時に使用される排液ポートと主排液配管との間に水封トラップを備えた基板処理装置のダミーディスペンス方法であって、
供給ノズルから処理液を吐出する工程と、
前記処理液を吐出した後、前記供給ノズルから純水を吐出し、前記水封トラップの水封体を純水に置換する工程と、
を備えることを特徴とするダミーディスペンス方法。
【請求項１１】
ダミーディスペンス時に使用される排液ポートと主排液配管との間に開閉制御可能なバルブを備えた基板処理装置のダミーディスペンス方法であって、
前記開閉制御可能なバルブを開ける工程と、
供給ノズルから処理液を吐出する工程と、
前記処理液を吐出した後、前記開閉制御可能なバルブを閉める工程と、
を備えることを特徴とするダミーディスペンス方法。
【請求項１２】
コンピュータ上で動作し、ダミーディスペンスを制御するプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記プログラムは、実行時に、請求項１０に記載のダミーディスペンス方法が行われるように、コンピュータに基板処理装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。
【請求項１３】
コンピュータ上で動作し、ダミーディスペンスを制御するプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記プログラムは、実行時に、請求項１１に記載のダミーディスペンス方法が行われるように、コンピュータに基板処理装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。
【請求項１】
基板を保持する基板保持部、及び基板に処理液を供給する供給ノズルと、この供給ノズルを待機位置から前記基板保持部の上方に旋回させるシャフトとを有する処理液供給部を備えた複数の基板処理部と、
前記複数の基板処理部を互いに独立して収容するとともに、前記基板処理部で共有される共有空間に通じ、前記シャフトが挿通される貫通孔を有する複数のチャンバと、
前記待機位置に設けられ、前記供給ノズルから吐出される処理液を受ける排液ポートと、
前記排液ポートに接続され、前記複数の基板処理部で共有される主排液配管と、
前記排液ポートと前記主排液配管との間に設けられ、前記主排液配管からチャンバ内への気体の進入を防ぐ進入防止弁と、
前記貫通孔の周囲に設けられ、前記共有空間と前記チャンバ内との間の気体の往来を防ぐ往来防止機構と、
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板を保持する基板保持部、及び基板に処理液を供給する供給ノズルと、この供給ノズルを待機位置から前記基板保持部の上方に旋回させるシャフトとを有する処理液供給部を備えた複数の基板処理部と、
前記複数の基板処理部を互いに独立して収容する複数のチャンバと、
前記待機位置に設けられ、前記供給ノズルから吐出される処理液を受ける排液ポートと、
前記排液ポートに接続され、前記複数の基板処理部で共有される主排液配管と、
前記排液ポートと前記主排液配管との間に設けられ、前記主排液配管からチャンバ内への気体の進入を防ぐ進入防止弁と、
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
基板を保持する基板保持部、及び基板に処理液を供給する供給ノズルと、この供給ノズルを待機位置から前記基板保持部の上方に旋回させるシャフトとを有する処理液供給部を備えた複数の基板処理部と、
前記複数の基板処理部を互いに独立して収容するとともに、前記基板処理部で共有される共有空間に通じ、前記シャフトが挿通される貫通孔を有する複数のチャンバと、
前記貫通孔の各々に設けられ、前記共有空間と前記チャンバ内との間の気体の往来を防ぐ往来防止機構と、
を具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
前記進入防止弁が、水封トラップであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記進入防止弁が、開閉制御可能なバルブであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記往来防止機構が、
前記貫通孔の周囲に沿って設けられた環状溝と、
前記環状溝が設けられた面と反対の面に、前記貫通孔の周囲に沿って設けられた環状突起と、
前記シャフトに設けられ、前記環状溝に嵌り合う環状部位を有した第１の往来防止キャップと、
前記シャフトに設けられ、前記環状突起に被さり合う環状部位を有した第２の往来防止キャップと、
を備えることを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記進入防止機構が、
前記貫通孔の周囲に沿って設けられた環状溝と、
前記シャフトに設けられ、前記環状溝に嵌り合う環状部位を有した往来防止キャップと、
を備えることを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記環状溝の内部に不活性ガスを供給する供給機構を、さらに備えることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記進入防止機構が、
前記貫通孔の周囲に沿って設けられた環状突起と、
前記シャフトに設けられ、前記環状突起に被さり合う環状部位を有した往来防止キャップと、
を備えることを特徴とする請求項１又は請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
ダミーディスペンス時に使用される排液ポートと主排液配管との間に水封トラップを備えた基板処理装置のダミーディスペンス方法であって、
供給ノズルから処理液を吐出する工程と、
前記処理液を吐出した後、前記供給ノズルから純水を吐出し、前記水封トラップの水封体を純水に置換する工程と、
を備えることを特徴とするダミーディスペンス方法。
【請求項１１】
ダミーディスペンス時に使用される排液ポートと主排液配管との間に開閉制御可能なバルブを備えた基板処理装置のダミーディスペンス方法であって、
前記開閉制御可能なバルブを開ける工程と、
供給ノズルから処理液を吐出する工程と、
前記処理液を吐出した後、前記開閉制御可能なバルブを閉める工程と、
を備えることを特徴とするダミーディスペンス方法。
【請求項１２】
コンピュータ上で動作し、ダミーディスペンスを制御するプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記プログラムは、実行時に、請求項１０に記載のダミーディスペンス方法が行われるように、コンピュータに基板処理装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。
【請求項１３】
コンピュータ上で動作し、ダミーディスペンスを制御するプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記プログラムは、実行時に、請求項１１に記載のダミーディスペンス方法が行われるように、コンピュータに基板処理装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２００９−４３８６８（Ｐ２００９−４３８６８Ａ）
【公開日】平成２１年２月２６日（２００９．２．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２０６１９９（Ｐ２００７−２０６１９９）
【出願日】平成１９年８月８日（２００７．８．８）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年２月２６日（２００９．２．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年８月８日（２００７．８．８）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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