基板処理装置および基板処理方法
【課題】処理液から引き上げられる複数の基板の全面を短時間で効率的に乾燥させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板保持具３３０は、基板Ｗの外周端部を保持する３本の保持アームｘ１，ｘ２，ｘ３を有する。中央に位置する保持アームｘ２は、外側に位置する保持アームｘ１，ｘ３よりも少し低い高さに配置される。中央の保持アームｘ２は、棒状保持枠４２２、帯状保持片４２１，４２３、ボルトおよびナットからなる。棒状保持枠４２２の一方側には帯状保持片４２１が取り付けられ、棒状保持枠４２２の他方側には帯状保持片４２３が取り付けられる。この保持アームｘ２においては、一方側の帯状保持片４２１が棒状保持枠４２２の下端部から下方に突出せず、他方側の帯状保持片４２３が棒状保持枠４２２の下端部から下方に所定の高さＤ突出する。基板Ｗの乾燥処理時には、一方側から他方側にドライエアが供給される。
【解決手段】基板保持具３３０は、基板Ｗの外周端部を保持する３本の保持アームｘ１，ｘ２，ｘ３を有する。中央に位置する保持アームｘ２は、外側に位置する保持アームｘ１，ｘ３よりも少し低い高さに配置される。中央の保持アームｘ２は、棒状保持枠４２２、帯状保持片４２１，４２３、ボルトおよびナットからなる。棒状保持枠４２２の一方側には帯状保持片４２１が取り付けられ、棒状保持枠４２２の他方側には帯状保持片４２３が取り付けられる。この保持アームｘ２においては、一方側の帯状保持片４２１が棒状保持枠４２２の下端部から下方に突出せず、他方側の帯状保持片４２３が棒状保持枠４２２の下端部から下方に所定の高さＤ突出する。基板Ｗの乾燥処理時には、一方側から他方側にドライエアが供給される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に洗浄、乾燥等の種々の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
複数の基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬し、洗浄処理を行う基板処理装置がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
特許文献１の基板処理装置においては、処理槽内で基板の表面が薬液および純水により洗浄処理される。洗浄処理の施された基板は処理槽内から引き上げられる。
【０００５】
洗浄処理後の基板に純水が付着していると、基板にパーティクルが付着し易くなる。また、基板に付着した純水が自然乾燥すると、基板にウォーターマークが形成される。したがって、特許文献１の基板処理装置においては、処理槽内から引き上げられた基板にドライエアが供給される。これにより、純水が付着した基板の表面が乾燥される（乾燥処理）。
【０００６】
なお、特許文献１において、ドライエアとは極めて露点の低い気体をいい、基板に供給されるドライエアの露点は例えば約−７０℃である。
【特許文献１】特開２００６−３１０７５９号公報
【特許文献２】特開２００７−３６１８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上記のような基板処理装置においては、複数の基板を処理槽に貯留された純水に浸漬するために、一度に複数の基板を保持する基板保持具が用いられる。この基板保持具は、各基板の外周端部の一部を支持することにより、複数の基板を起立姿勢でかつ平行に保持する。
【０００８】
基板保持具の構造として、特許文献２に記載の基板保持具を説明する。図８は、特許文献２記載の基板保持具を示す図である。
【０００９】
図８に示すように、この基板保持具９１２は、板状のリフタ部材９２６を備える。リフタ部材９２６の下端部分には、水平方向に延びる３本の基板保持枠９２７，９２８，９２９が取り付けられている。基板保持枠９２７，９２８，９２９は、この順で略水平に並んでいる。
【００１０】
基板保持枠９２７，９２８，９２９には、それぞれ帯状の保持部材９３０ａ，９３０ｂが取り付けられている。保持部材９３０ａ，９３０ｂは、それらの上端部が上方へ突出するように、各基板保持枠９２７，９２８，９２９の両側面に取り付けられている。
【００１１】
保持部材９３０ａ，９３０ｂの上端部には、図示しない複数の溝が形成されている。これらの溝に、それぞれ基板Ｗの外周端部が挿入される。これにより、１枚の基板Ｗが複数（本例では６本）の保持部材９３０ａ，９３０ｂにより保持される。
【００１２】
具体的には、基板Ｗの下端部が基板保持枠９２８に取り付けられた保持部材９３０ａ，９３０ｂに当接し、下端部を中心として一定距離離間した基板Ｗの部分が基板保持枠９２７，９２９の各々に取り付けられた保持部材９３０ａ，９３０ｂに当接する。
【００１３】
このように、基板Ｗが基板保持具９１２により保持される場合には、基板Ｗの外周端部の一部が複数の保持部材９３０ａ，９３０ｂと当接する。これにより、基板Ｗが純水から引き上げられる際には、基板Ｗと基板保持具９１２との当接部に純水が残留する。
【００１４】
基板Ｗの引き上げ時には、引き上げられた基板Ｗから純水が下方に流れる。したがって、各基板Ｗとそれらの下端部を支持する２本の保持部材９３０ａ，９３０ｂとの当接部に、多量の純水が残留する。
【００１５】
乾燥処理時において、基板保持具９１２に当接しない基板Ｗの部分は、ドライエアを供給することにより比較的短時間で乾燥する。しかしながら、基板Ｗの下端部と保持部材９３０ａ，９３０ｂとの当接部に残留する多量の純水を取り除くためには、基板Ｗ全体の乾燥処理が長時間化する。
【００１６】
そこで、基板Ｗと基板保持具９１２との当接部に残留する純水を短時間で乾燥させるために、基板Ｗに供給するドライエアの温度を上昇させる方法が考えられる。しかしながら、この方法では、基板Ｗに供給するドライエアの温度が上昇することにより、基板Ｗの表面が酸化するおそれがある。また、基板保持具９１２に優れた耐熱性を有する材料を用いる必要が生じる。
【００１７】
本発明の目的は、処理液から引き上げられる複数の基板の全面を短時間で効率的に乾燥させることができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
（１）本発明に係る基板処理装置は、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、処理液を貯留する処理槽と、基板の外周端部を支持し、基板を起立姿勢で保持する基板保持具と、処理槽内の処理液中と処理槽の上方位置との間で基板保持部により保持された基板を昇降させる基板昇降装置と、処理槽の上端に沿って、処理槽の一側方から他側方へ気体を供給して、基板昇降装置により処理槽から引き上げられる基板に気体を供給する気体供給部とを備え、基板保持具は、複数の保持部を有し、各保持部は、気体供給部から供給される気体の供給路に交差して略水平方向に延びるとともに、気体の供給路において上流側に位置する一方面および下流側に位置する他方面を有する棒状保持枠と、棒状保持枠の一方面に取り付けられ、基板の外周端部を支持する第１の帯状保持片と、棒状保持枠の他方面に取り付けられ、基板の外周端部を支持する第２の帯状保持片とを有し、棒状保持枠の他方面と第２の帯状保持片との間には隙間が形成され、複数の保持部のうち少なくとも１つの保持部において、第２の帯状保持片の下端部は、第１の帯状保持片および棒状保持枠の下端部よりも下方に突出するものである。
【００１９】
この基板処理装置において、基板保持具の複数の保持部は、略水平方向に延びるとともに一方面および他方面を有する棒状保持枠と、その一方面に取り付けられる第１の帯状保持片と、その他方面に取り付けられる第２の帯状保持片とを有する。第１の帯状保持片および第２の帯状保持部材が基板の外周端部を支持することにより、基板が起立姿勢で保持される。
【００２０】
基板保持具により保持された基板が、基板昇降装置により処理槽に貯留された処理液中と処理槽の上方位置との間で昇降される。
【００２１】
基板が基板昇降装置により処理槽から引き上げられる際には、気体供給部により、処理槽の上端に沿って一側方から処理槽の他側方へ気体が供給される。これにより、基板に気体が供給され、基板に付着した処理液が気体により乾燥する。
【００２２】
ここで、処理槽から引き上げられた基板が気体供給部から供給される気体の供給路に位置するときには、処理槽から引き上げられる基板の表面に付着する処理液は、気体の流れに沿って流れるとともに、基板の下端部に向かって流れ落ちる。これにより、基板と基板保持具との当接部に処理液が流れ込む。
【００２３】
第２の帯状保持片は、第１の帯状保持片に比べて気体の供給路の下流側に位置する。そのため、基板と第２の帯状保持片との当接部には多量の処理液が残留しやすい。
【００２４】
複数の保持部のうち少なくとも１つの保持部においては、第２の帯状保持片の下端部が、第１の帯状保持片および棒状保持枠の下端部よりも下方に突出する。また、棒状保持枠の他方面と第２の帯状保持片との間には隙間が形成される。
【００２５】
これにより、少なくとも１つの保持部では、第２の帯状保持片の近傍を流れる気体が、第２の帯状保持片の下端部に衝突し、棒状保持枠の他方面と第２の帯状保持片との間の隙間に流れ込む。それにより、乾燥処理時に基板と第２の帯状保持片との当接部に残留する多量の処理液が、隙間を流れる気体により蒸発乾燥される。その結果、処理液から引き上げられる基板の全面を短時間で効率的に乾燥させることが可能となる。
【００２６】
（２）少なくとも１つの保持部は、他の保持部よりも下方に位置してもよい。
【００２７】
処理槽から引き上げられた基板が気体供給部から供給される気体の供給路に位置するときには、処理槽から引き上げられる基板の表面に付着する処理液は、気体の流れに沿って流れるとともに、基板の下端部に向かって流れ落ちる。これにより、複数の保持部のうち下方に位置する保持部においては、基板との当接部に処理液が多量に残留しやすくなる。
【００２８】
したがって、少なくとも１つの保持部が他の保持部よりも下方に位置することにより、多量の処理液が残留しやすい保持部を短時間で効率的に乾燥させることができる。
【００２９】
（３）複数の保持部において、第２の帯状保持片の下端部は、第１の帯状保持片および棒状保持枠の下端部よりも下方に突出してもよい。
【００３０】
この場合、全ての保持部において、第２の帯状保持片の近傍を流れる気体が、第２の帯状保持片の下端部に衝突し、棒状保持枠の他方面と第２の帯状保持片との間の隙間に流れ込む。それにより、乾燥処理時に基板と第２の帯状保持片との当接部に残留する多量の処理液が、隙間を流れる気体により蒸発乾燥される。その結果、処理液から引き上げられる基板の全面をより短時間でより効率的に乾燥させることが可能となる。
【００３１】
（４）第２の帯状保持片は、棒状保持枠の他方面に対向する取り付け面を有し、取り付け面には、凸状部および一対の通気ガイド部が形成され、第２の帯状保持片の凸状部が棒状保持枠の他方面に当接するように第２の帯状保持片が棒状保持枠に取り付けられることにより、棒状保持枠の他方面と第２の帯状保持片との間に隙間が形成され、一対の通気ガイドは、凸状部の両側でかつ凸状部から所定の距離離間した位置において略鉛直方向に延びるように形成され、各通気ガイドの上端部は、凸状部の上部に近づくように内側に湾曲して形成されてもよい。
【００３２】
処理槽から引き上げられた基板が気体供給部から供給される気体の供給路に位置するときには、気体供給部から供給される気体が棒状保持枠の他方面と第２の帯状保持片との間の隙間に流れ込む。
【００３３】
第２の帯状保持片の取り付け面には、凸状部の両側でかつ凸状部から所定の距離離間した位置において略鉛直方向に延びるように通気ガイドが形成されている。これにより、棒状保持枠の他方面と第２の帯状保持片との間の隙間に流れ込む気体は、略鉛直方向に延びるように形成された通気ガイドに沿って下方から上方に流れる。
【００３４】
通気ガイドの上端は、凸状部の上部に近づくように内側に湾曲している。これにより、隙間を流れる気体は、通気ガイドに沿って凸状部の上面側に回り込む。その結果、凸状部の上側に処理液が残留する場合でも、その処理液が効率よく蒸発乾燥される。
【００３５】
（５）棒状保持枠の一方面と第１の帯状保持片との間に隙間が形成されてもよい。
【００３６】
この場合、乾燥処理時に、処理槽から引き上げられる基板から流れ落ちる処理液が、棒状保持枠の一方面と第１の帯状保持片との間の隙間、および棒状保持枠の他方面と第２の帯状保持片との間の隙間を通って円滑に流れ落ちる。その結果、基板と保持部との当接部に残留する処理液を低減することができる。
【００３７】
（６）第１の帯状保持片および第２の帯状保持片は、疎水性の材料により形成されてもよい。
【００３８】
この場合、第１の帯状保持片上および第２の帯状保持片上に残留する処理液が、気体により容易かつ迅速に吹き飛ばされる。
【発明の効果】
【００３９】
本発明によれば、処理液から引き上げられる複数の基板の全面を短時間で効率的に乾燥させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について説明する。以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等をいう。
【００４１】
［１］第１の実施の形態
（１）基板処理装置の構成および動作
図１は、第１の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的断面図である。図１に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置１００は、処理槽４、ダクト２０、昇降機構３０、処理液ミキシング装置５０、ドライエア発生装置６０、外気遮断部材７０、制御部８０、搬送駆動部３００、搬送ロボット３１０、開閉駆動部７００およびドライエア排出機構９００を備える。
【００４２】
ダクト２０は、矩形の筒形状を有し、鉛直方向の軸に沿うように立設されている。ダクト２０の上端部開口には外気遮断部材７０が開閉自在に取り付けられている。
【００４３】
外気遮断部材７０は、上蓋部７１、筒部７２およびヒンジ部７３を含む。外気遮断部材７０の上蓋部７１は、矩形の平板形状を有し、ヒンジ部７３を中心として回動可能である。
【００４４】
外気遮断部材７０は、開閉駆動部７００により駆動される。この場合、上蓋部７１がヒンジ部７３を中心として回動する。それにより、ダクト２０の上端部開口が開放または閉塞される。
【００４５】
筒部７２は、ダクト２０よりも小さい矩形の略筒形状を有する。この筒部７２は上蓋部７１の下面に形成されている。
【００４６】
ダクト２０の内部には、処理槽４が設けられている。処理槽４は複数の基板Ｗを収容可能な内槽４０、およびその内槽４０の上部外周を取り囲むように設けられた外槽４３により形成されている。内槽４０は略直方体形状を有する。
【００４７】
内槽４０の底部には、内槽４０内に処理液を供給するための処理液供給管４１の一端および内槽４０内の処理液を排出するための処理液排出管４２の一端が接続されている。処理液供給管４１にはバルブＶ１が介挿され、処理液排出管４２にはバルブＶ２が介挿されている。
【００４８】
本実施の形態において、内槽４０内では処理液により基板Ｗの洗浄処理が行われる。洗浄処理時に内槽４０内に供給される処理液は、洗浄液またはリンス液である。
【００４９】
内槽４０内に洗浄液を供給し、内槽４０内の洗浄液に基板Ｗを浸漬することにより、基板Ｗの表面を洗浄する。その後、内槽４０内の洗浄液をリンス液で置換する。
【００５０】
洗浄液としては、ＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸またはアンモニア等の薬液が用いられる。リンス液としては、純水、炭酸水、水素水、電解イオン水等が用いられる。
【００５１】
本実施の形態では、処理液供給管４１の他端が処理液ミキシング装置５０に接続されている。処理液ミキシング装置５０には、例えば薬液および純水が供給されている。処理液ミキシング装置５０は、供給される薬液および純水を所定の割合で混合することができる。したがって、処理液ミキシング装置５０は、薬液、純水またはそれらの混合液を洗浄液またはリンス液として処理液供給管４１を介して内槽４０内に供給する。
【００５２】
外槽４３の底部には、内槽４０の上部から溢れ出して外槽４３内に流れ込む処理液を排出するための処理液排出管４４の一端が接続されている。
【００５３】
昇降機構３０は、ダクト２０の内部において複数の基板Ｗを保持する基板保持具３３０を内槽４０の内部とその上方位置との間で上下方向に移動させる。これにより、複数の基板Ｗを内槽４０内の処理液中に浸漬し、処理液から引き上げることができる。
【００５４】
本実施の形態において、基板保持具３３０は３つの保持アームｘ１，ｘ２，ｘ３を有する。これにより、基板Ｗの下端部およびその下端部を中心として一定距離離間した基板Ｗの部分が３つの保持アームｘ１，ｘ２，ｘ３により保持される。基板保持具３３０の構造の詳細は後述する。
【００５５】
ダクト２０の対向する２つの側面における上端部近傍の位置に、それぞれドライエア供給ダクト６２およびドライエア排出ダクト６３が取り付けられている。
【００５６】
ドライエア供給ダクト６２には複数の通気ガイド６２ａが設けられている。ドライエア供給ダクト６２は配管６１を介してドライエア発生装置６０と接続されている。ドライエア排出ダクト６３には複数の通気ガイド６３ａが設けられるとともにドライエア排出機構９００が取り付けられている。
【００５７】
ドライエア発生装置６０により発生されたドライエアＤＦが、配管６１を通してドライエア供給ダクト６２に送られる。それにより、昇降機構３０により内槽４０から引き上げられる基板ＷにドライエアＤＦが吹き付けられ、基板Ｗの乾燥処理が行われる。
【００５８】
ドライエア排出機構９００が取り付けられたドライエア排出ダクト６３は、処理槽４上の雰囲気を吸引して外部へ排出する。これにより、基板Ｗに吹き付けられたドライエアＤＦおよび基板Ｗ周辺の雰囲気がドライエア排出ダクト６３から排出される。
【００５９】
なお、本実施の形態において、ドライエアＤＦとは、極めて露点の低い気体をいう。ドライエア供給ダクト６２からダウンフローダクト２０内に供給されるドライエアＤＦの露点は、例えば約−７０℃である。
【００６０】
外気遮断部材７０の上方には、搬送エリアＴＥが設けられている。搬送エリアＴＥには、搬送ロボット３１０が移動可能に設けられている。
【００６１】
搬送ロボット３１０は、アームヒンジ部３１１および２本のアーム３１２を備える。搬送ロボット３１０は、搬送駆動部３００により駆動される。この場合、２本のアーム３１２がアームヒンジ部３１１を中心としてそれぞれ対称な方向に回動し、搬送ロボット３１０の下端部が開閉する。
【００６２】
これにより、搬送ロボット３１０は、複数の基板Ｗを保持する基板保持具３３０を２本のアーム３１２の間に挟み込んで保持することができる。また、搬送ロボット３１０は、搬送駆動部３００により駆動されることにより、搬送エリアＴＥ内を移動する。
【００６３】
制御部８０は、例えばＣＰＵ（中央演算処理装置）および記憶装置またはマイクロコンピュータ等からなる。図１に示すように、制御部８０は、昇降機構３０、処理液ミキシング装置５０、ドライエア発生装置６０、搬送駆動部３００、開閉駆動部７００、ドライエア排出機構９００およびバルブＶ１，Ｖ２と接続されている。
【００６４】
制御部８０が各構成部の動作を制御することにより、複数の基板Ｗを保持する基板保持具３３０の昇降動作、基板Ｗの洗浄処理、基板Ｗの乾燥処理、処理槽４に対する基板Ｗの搬入搬出動作、ダクト２０の上端部開口の開閉動作、および処理槽４上の雰囲気の排出動作が制御される。
【００６５】
（２）基板保持具の構造
（２−１）
以下の説明では、基板保持具３３０の基板Ｗが保持される側を正面と呼び、反対側を背面と呼ぶ。さらに、図１において、基板保持具３３０の中心を基準としてドライエア供給ダクト６２側を一方側と呼び、基板保持具３３０の中心を基準としてドライエア供給ダクト６２側を他方側と呼ぶ。
【００６６】
図２は図１の基板保持具３３０の外観斜視図である。図３は基板保持具３３０が備える保持アームｘ１，ｘ２，ｘ３の拡大正面図であり、図４は中央の保持アームｘ２の組立図および保持アームｘ２を構成する帯状保持片の側面図である。
【００６７】
図２に示すように、基板保持具３３０は、昇降軸３３１、支持板３３２、背板３３３および基板保持部３４０を備える。基板保持部３４０は、３本の保持アームｘ１，ｘ２，ｘ３および保持アーム固定片３５０を含む。
【００６８】
基板保持具３３０において、昇降軸３３１は、図１の昇降機構３０により昇降可能に保持される。昇降軸３３１の上端に支持板３３２が水平に取り付けられている。支持板３３２の一端面には、下方へ垂直に延びるように背板３３３が取り付けられている。
【００６９】
背板３３３の正面の下端近傍には、一方側の側面近傍から他方側の側面近傍にかけて並ぶように３本の保持アームｘ１，ｘ２，ｘ３が取り付けられている。なお、背板３３３の中央（内側）に位置する保持アームｘ２は、背板３３３の両側面近傍（外側）に位置する保持アームｘ１，ｘ３よりも少し低い高さに配置されている。
【００７０】
各保持アームｘ１，ｘ２，ｘ３は、背板３３３に対して直交する方向に延びている。保持アームｘ１，ｘ２，ｘ３の先端には、保持アーム固定片３５０が取り付けられている。
【００７１】
（２−２）中央の保持アームの構造
図３に示すように、中央の保持アームｘ２は、棒状保持枠４２２、帯状保持片４２１，４２３、ボルト４２０ａ、およびナット４２０ｂからなる。なお、図３では、保持アームｘ１，ｘ２，ｘ３の構造が明瞭となるように、保持アーム固定片３５０を点線で示している。
【００７２】
図４（ａ）に中央の保持アームｘ２の組立図が示されている。図４（ａ）に示すように、棒状保持枠４２２は、鉛直方向に平行な一方面ＦＳおよび他方面ＳＳを有する。棒状保持枠４２２および帯状保持片４２１，４２３には、ボルト４２０ａを挿入可能な貫通孔４２２ｈ，４２１ｈ，４２３ｈがそれぞれ形成されている。
【００７３】
保持アームｘ２の組立て時には、まず棒状保持枠４２２の一方面ＦＳおよび他方面ＳＳにそれぞれ帯状保持片４２１，４２３を取り付ける。そして、帯状保持片４２１、棒状保持枠４２２および帯状保持片４２３の貫通孔４２１ｈ，４２２ｈ，４２３ｈにボルト４２０ａを挿入し、ナット４２０ｂを取り付ける。
【００７４】
これにより、帯状保持片４２１、棒状保持枠４２２および帯状保持片４２３が一体的に固定される。この状態で、棒状保持枠４２２の一端が図２の背板３３３に取り付けられる。
【００７５】
上記保持アームｘ２においては、棒状保持枠４２２の一方側に取り付けられる帯状保持片４２１の形状と、棒状保持枠４２２の他方側に取り付けられる帯状保持片４２３の形状とが異なる。帯状保持片４２１，４２２の各形状について詳細を説明する。
【００７６】
図４（ｂ）に図４（ａ）の保持アームｘ２を矢印Ａの方から見た側面図が示されている。図４（ｂ）に示すように、帯状保持片４２１の上端部は、複数の溝Ｇが連続するようにくし状に形成されている。
【００７７】
棒状保持枠４２２に対向する帯状保持片４２１の側面には、水平方向に並ぶように複数の凸状部ＰＲが所定間隔で形成されている。また、帯状保持片４２１および各凸状部ＰＲを貫通するように貫通孔４２１ｈが形成されている。
【００７８】
各凸状部ＰＲの両側方でかつ凸状部ＰＲから所定の距離離間した箇所には、帯状保持片４２１の側面から突出するように略鉛直方向に延びる一対のストライプ状の通気ガイドＦＧが形成されている。
【００７９】
通気ガイドＦＧの上端部は、凸状部ＰＲの上端部とほぼ同じ高さに位置する。また、一対の通気ガイドＦＧの上端部は、近接する凸状部ＰＲに近づくように内側に湾曲している。
【００８０】
ここで、帯状保持片４２１の側面から突出する凸状部ＰＲの高さ（水平方向）は、通気ガイドＦＧの高さよりも高く設定される。凸状部ＰＲにより帯状保持片４２１と棒状保持枠４２２との間に隙間が形成される。なお、通気ガイドＦＧの高さは、例えば１ｍｍに設定される。
【００８１】
図４（ｃ）に図４（ａ）の保持アームｘ２を矢印Ｂの方から見た側面図が示されている。図４（ｃ）に示すように、帯状保持片４２３の上端部も、帯状保持片４２１と同様に、複数の溝Ｇが連続するようにくし状に形成されている。
【００８２】
棒状保持枠４２２に対向する帯状保持片４２３の側面には、水平方向に並ぶように複数の凸状部ＰＲが所定間隔で形成されている。また、帯状保持片４２３および各凸状部ＰＲを貫通するように貫通孔４２３ｈが形成されている。
【００８３】
各凸状部ＰＲの両側方でかつ凸状部ＰＲから所定の距離離間した箇所には、帯状保持片４２３の側面から突出するように略鉛直方向に延びる一対のストライプ状の通気ガイドＦＧが形成されている。
【００８４】
通気ガイドＦＧの上端部は、凸状部ＰＲの上端部とほぼ同じ高さに位置する。また、一対の通気ガイドＦＧの上端部は、近接する凸状部ＰＲに近づくように内側に湾曲している。
【００８５】
帯状保持片４２１と同様に、帯状保持片４２３の側面から突出する凸状部ＰＲの高さ（水平方向）は、通気ガイドＦＧの高さよりも高く設定される。凸状部ＰＲにより帯状保持片４２３と棒状保持枠４２２との間に隙間が形成される。なお、通気ガイドＦＧの高さは、例えば１ｍｍに設定される。
【００８６】
図４（ｂ）および図４（ｃ）に示すように、帯状保持片４２１，４２３は互いに高さＨ１，Ｈ２が異なる。本実施の形態では、帯状保持片４２３の下端部から貫通孔４２３ｈの中心までの高さＪ２は、帯状保持片４２１の下端部から貫通孔４２１ｈの中心までの高さＪ１よりも高い。
【００８７】
したがって、図３および図４（ａ）に示すように、保持アームｘ２においては、一方側の帯状保持片４２１が棒状保持枠４２２の下端部から下方に突出せず、他方側の帯状保持片４２３が棒状保持枠４２２の下端部から下方に所定の高さＤ分突出する。この高さＤは、例えば２ｍｍに設定される。
【００８８】
上記保持アームｘ２の構成において、帯状保持片４２１，４２３はともに棒状保持枠４２２の上端部から同じ高さ分突出している。
【００８９】
ここで、帯状保持片４２１，４２３が棒状保持枠４２２に取り付けられた状態で、帯状保持片４２１，４２３の複数の溝Ｇは互いに対向するように形成されている。これにより、基板保持具３３０により複数の基板Ｗが保持される際には、各基板Ｗの下端部が帯状保持片４２１，４２３の対向する２つの溝Ｇに挿入される。
【００９０】
（２−３）
基板保持具３３０の一方側に位置する保持アームｘ１は、以下の点を除き、中央に位置する保持アームｘ２とほぼ同様の構成を有する。
【００９１】
図３に示される保持アームｘ１の棒状保持枠４１２および帯状保持片４１１，４１３は、それぞれ保持アームｘ２の棒状保持枠４２２および帯状保持片４２１，４２３に相当する。
【００９２】
保持アームｘ１においては、中央の保持アームｘ２と異なり、一方側の帯状保持片４１１および他方側の帯状保持片４１３が、ともに棒状保持枠４１２の下端部から突出しないように形成されている。
【００９３】
一方側の帯状保持片４１１は棒状保持枠４１２の上端部から大きく上方に突出し、他方側の帯状保持片４１３は棒状保持枠４１２の上端部からわずかに上方に突出している。
【００９４】
基板保持具３３０により複数の基板Ｗが保持される際には、基板Ｗの下端部を中心として一方側に一定距離離間した基板Ｗの部分が帯状保持片４１１，４１３の２つの溝Ｇに挿入された状態で保持される。
【００９５】
（２−４）
基板保持具３３０の他方側に位置する保持アームｘ３は、以下の点を除き、中央に位置する保持アームｘ２とほぼ同様の構成を有する。
【００９６】
図３に示される保持アームｘ３の棒状保持枠４３２および帯状保持片４３１，４３３は、それぞれ保持アームｘ２の棒状保持枠４２２および帯状保持片４２１，４２３に相当する。
【００９７】
保持アームｘ３においては、中央の保持アームｘ２と異なり、一方側の帯状保持片４３１および他方側の帯状保持片４３３が、ともに棒状保持枠４３２の下端部から突出しないように形成されている。
【００９８】
一方側の帯状保持片４３１は棒状保持枠４３２の上端部からわずかに上方に突出し、他方側の帯状保持片４３２は棒状保持枠４３２の上端部から大きく上方に突出している。
【００９９】
これにより、基板保持具３３０により複数の基板Ｗが保持される際には、基板Ｗの下端部を中心として他方側に一定距離離間した基板Ｗの部分が帯状保持片４３１，４３３の２つの溝Ｇに挿入された状態で保持される。
【０１００】
（２−５）
上記保持アームｘ１，ｘ２，ｘ３において、帯状保持片４１１，４１３，４２１，４２３，４３１，４３３は、それぞれ疎水性の材料により形成される。疎水性の材料としては、例えばＰＴＦＥ（四フッ化エチレン）、ＰＦＡ（四フッ化エチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合体）、ＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）、ＰＣＴＦＥ（三フッ化塩化エチレン）、またはポリエーテルエーテルケトン等のフッ素樹脂を用いることができる。
【０１０１】
（３）第１の実施の形態における効果
（３−１）
図５は、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００における効果を説明するための模式図である。
【０１０２】
本実施の形態に係る基板処理装置１００において、基板Ｗの乾燥処理が行われる際には、図１のドライエア発生装置６０により発生されたドライエアＤＦが、配管６１を通してドライエア供給ダクト６２に送られる。それにより、昇降機構３０により内槽４０から引き上げられる基板ＷにドライエアＤＦが吹き付けられ、基板Ｗの乾燥処理が行われる。
【０１０３】
図１および図５に示すように、内槽４０から引き上げられた基板Ｗがドライエア供給ダクト６２およびドライエア排出ダクト６３の間に位置するとき、すなわち内槽４０の内部から外部に引き上げられるときには、基板保持具３３０の一方側から他方側に向かってドライエアＤＦが供給される。
【０１０４】
これにより、内槽４０から引き上げられる基板Ｗの表面に付着する処理液は、一方側から他方側に向かって流れるとともに、基板Ｗの下端部に向かって流れ落ちる。
【０１０５】
したがって、基板保持具３３０と基板Ｗとの当接部、すなわち６つの帯状保持片４１１，４１３，４２１，４２３，４３１，４３３と基板Ｗとの当接部のうち、基板Ｗの下端部でかつ棒状保持枠４２２の他方側に位置する帯状保持片４２３と基板Ｗとの当接部には最も処理液が残留しやすい。
【０１０６】
そこで、本実施の形態では、上述のように、保持アームｘ２における他方側の帯状保持片４２３を棒状保持枠４２２の下端部から下方に所定の高さＤ分突出するように構成する。
【０１０７】
これにより、図５に太い矢印で示すように、保持アームｘ２の近傍で基板保持具３３０の一方側から他方側に向かって流れるドライエアＤＦが、帯状保持片４２３の突出部分に衝突し、棒状保持枠４２２と帯状保持片４２３との間の隙間に流れ込む。
【０１０８】
それにより、乾燥処理時に帯状保持片４２３と基板Ｗとの当接部に残留する多量の処理液が、棒状保持枠４２２と帯状保持片４２３との間の隙間から上方に流れるドライエアＤＦにより蒸発乾燥される。その結果、処理液から引き上げられる複数の基板Ｗの全面を短時間で効率的に乾燥させることが可能となる。
【０１０９】
（３−２）
上述のように、各保持アームｘ１，ｘ２，ｘ３において、棒状保持枠４１２，４２２，４３２と一方側の帯状保持片４１１，４２１，４３１との間、および棒状保持枠４１２，４２２，４３２と他方側の帯状保持片４１３，４２３，４３３との間には、それぞれ隙間が形成されている。
【０１１０】
これにより、内槽４０から基板Ｗが引き上げられる際に、引き上げられた基板Ｗから下方に流れる処理液が、上記の隙間を通って円滑に流れ落ちる。それにより、基板Ｗの乾燥効率が向上する。
【０１１１】
（３−３）
帯状保持片４２３において、棒状保持枠４２２の下端部から下方に突出する部分の高さＤは、例えば２ｍｍに設定される。このように、高さＤは約２ｍｍ以下に設定されることが好ましく、２ｍｍに設定されることがより好ましい。
【０１１２】
この場合、内槽４０から基板Ｗが引き上げられる際に、内槽４０に貯留された処理液の液面がドライエアＤＦにより乱れる場合でも、波立つ処理液が帯状保持片４２３の突出部分に沿って、棒状保持枠４２２と帯状保持片４２３との隙間に流れ込むことが防止される。
【０１１３】
（３−４）
保持アームｘ２において、帯状保持片４２３の側面には、凸状部ＰＲおよび通気ガイドＦＧが形成されている。
【０１１４】
図６は、通気ガイドＦＧの機能を説明するための図である。図６（ａ）に示すように、基板Ｗの乾燥処理時において、棒状保持枠４２２（図４および図５）と帯状保持片４２３との隙間を上方に流れるドライエアＤＦは、凸状部ＰＲの両側方に形成された通気ガイドＦＧに沿って帯状保持片４２３の側面上を流れる。
【０１１５】
ここで、通気ガイドＦＧの上端部は、凸状部ＰＲに近づくように内側に湾曲している。これにより、凸状部ＰＲの上側に残留する処理液ＬがドライエアＤＦにより効率よく蒸発乾燥される。
【０１１６】
一方、図６（ｂ）に示すように、帯状保持片４２３の側面に通気ガイドＦＧが形成されない場合には、ドライエアＤＦが帯状保持片４２３の側面上を流れても、凸状部ＰＲの上側に残留する処理液Ｌは乾燥されにくく、残留しやすい。
【０１１７】
（３−５）
帯状保持片４１１，４１３，４２１，４２３，４３１，４３３は、それぞれ疎水性の材料により形成される。これにより、基板Ｗの乾燥処理時に、基板Ｗと帯状保持片４１１，４１３，４２１，４２３，４３１，４３３との当接部にドライエアＤＦが供給されることにより、当接部に残留する処理液が容易かつ迅速に蒸発乾燥される。
【０１１８】
（４）変形例
上記では、保持アームｘ２の一方側の帯状保持片４２１が棒状保持枠４２２の下端部から下方に突出しない旨を説明したが、帯状保持片４２１は、棒状保持枠４２２の下端部から下方に突出するように形成されてもよい。
【０１１９】
ただし、この場合、他方側の帯状保持片４２３は、一方側の帯状保持片４２１の下端部よりも下方に所定の高さＤ分突出するように形成する。これにより、上記と同様の効果を得ることができる。
【０１２０】
また、本実施の形態において、基板Ｗは３本の保持アームｘ１〜ｘ３により保持されるが、基板Ｗを保持する保持アームは４本であってもよいし、５本以上であってもよい。この場合、複数の保持アームのうち、最も低い位置に設けられる保持アームが、上記中央の保持アームｘ２と同様の構造を有する。
【０１２１】
［２］第２の実施の形態
第２の実施の形態に係る基板処理装置は、以下の点で第１の実施の形態に係る基板処理装置１００と構成が異なる。
【０１２２】
図７は第２の実施の形態に係る基板処理装置の基板保持具が備える保持アームｘ１，ｘ２，ｘ３の拡大正面図である。
【０１２３】
図７に示すように、第２の実施の形態に係る基板処理装置においては、基板保持具３３０（図２）の一方側の保持アームｘ１、および他方側の保持アームｘ３の構造が第１の実施の形態と異なる。
【０１２４】
本実施の形態では、保持アームｘ１，ｘ３に設けられる帯状保持片４１３，４３３が、それぞれ棒状保持枠４１２，４３２の下端部から下方に所定の高さＤ分突出する。
【０１２５】
これにより、基板Ｗの乾燥処理時には、保持アームｘ１においても、棒状保持枠４１２と帯状保持片４１３との隙間でドライエアＤＦの気流が発生する。また、保持アームｘ３においても、棒状保持枠４３２と帯状保持片４３３との隙間でドライエアＤＦの気流が発生する。
【０１２６】
それにより、乾燥処理時には、帯状保持片４２３と基板Ｗとの当接部のみならず、帯状保持片４１３，４３３と基板Ｗとの当接部に残留する処理液がドライエアＤＦにより吹き飛ばされる。その結果、処理液から引き上げられる複数の基板Ｗの全面をより短時間で効率的に乾燥させることが可能となる。
【０１２７】
［３］ 請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１２８】
上記第１および第２の実施の形態では、昇降機構３０が基板昇降装置の例であり、ドライエアＤＦが気体の例であり、ドライエア供給ダクト６２が気体供給部の例である。
【０１２９】
また、保持アームｘ１，ｘ２，ｘ３が保持部の例であり、帯状保持片４１１，４２１，４３１が第１の帯状保持片の例であり、帯状保持片４１３，４２３，４３３が第２の帯状保持片の例である。
【０１３０】
さらに、棒状保持枠４１２，４２２，４３２と帯状保持片４１３，４２３，４３３との間の隙間が隙間の例であり、棒状保持枠４１２，４２２，４３２に対向する帯状保持片４１３，４２３，４３３の側面が取り付け面の例である。
【０１３１】
なお、請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１３２】
本発明は、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板の製造に有効に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１３３】
【図１】第１の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的断面図である。
【図２】図１の基板保持具の外観斜視図である。
【図３】基板保持具が備える保持アームの拡大正面図である。
【図４】中央の保持アームの組立図および保持アームを構成する帯状保持片の側面図である。
【図５】第１の実施の形態に係る基板処理装置における効果を説明するための模式図である。
【図６】通気ガイドの機能を説明するための図である。
【図７】第２の実施の形態に係る基板処理装置の基板保持具が備える保持アームの拡大正面図である。
【図８】特許文献２記載の基板保持具を示す図である。
【符号の説明】
【０１３４】
４ 処理槽
３０ 昇降機構
６２ ドライエア供給ダクト
１００ 基板処理装置
３３０ 基板保持具
４１１，４２１，４３１，４１３，４２３，４３３ 帯状保持片
４１２，４２２，４３２ 棒状保持枠
ＤＦ ドライエア
ＦＧ 通気ガイド
ＦＳ 一方面
ＰＲ 凸状部
ＳＳ 他方面
Ｗ 基板
ｘ１，ｘ２，ｘ３ 保持アーム
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に洗浄、乾燥等の種々の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
複数の基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬し、洗浄処理を行う基板処理装置がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
特許文献１の基板処理装置においては、処理槽内で基板の表面が薬液および純水により洗浄処理される。洗浄処理の施された基板は処理槽内から引き上げられる。
【０００５】
洗浄処理後の基板に純水が付着していると、基板にパーティクルが付着し易くなる。また、基板に付着した純水が自然乾燥すると、基板にウォーターマークが形成される。したがって、特許文献１の基板処理装置においては、処理槽内から引き上げられた基板にドライエアが供給される。これにより、純水が付着した基板の表面が乾燥される（乾燥処理）。
【０００６】
なお、特許文献１において、ドライエアとは極めて露点の低い気体をいい、基板に供給されるドライエアの露点は例えば約−７０℃である。
【特許文献１】特開２００６−３１０７５９号公報
【特許文献２】特開２００７−３６１８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上記のような基板処理装置においては、複数の基板を処理槽に貯留された純水に浸漬するために、一度に複数の基板を保持する基板保持具が用いられる。この基板保持具は、各基板の外周端部の一部を支持することにより、複数の基板を起立姿勢でかつ平行に保持する。
【０００８】
基板保持具の構造として、特許文献２に記載の基板保持具を説明する。図８は、特許文献２記載の基板保持具を示す図である。
【０００９】
図８に示すように、この基板保持具９１２は、板状のリフタ部材９２６を備える。リフタ部材９２６の下端部分には、水平方向に延びる３本の基板保持枠９２７，９２８，９２９が取り付けられている。基板保持枠９２７，９２８，９２９は、この順で略水平に並んでいる。
【００１０】
基板保持枠９２７，９２８，９２９には、それぞれ帯状の保持部材９３０ａ，９３０ｂが取り付けられている。保持部材９３０ａ，９３０ｂは、それらの上端部が上方へ突出するように、各基板保持枠９２７，９２８，９２９の両側面に取り付けられている。
【００１１】
保持部材９３０ａ，９３０ｂの上端部には、図示しない複数の溝が形成されている。これらの溝に、それぞれ基板Ｗの外周端部が挿入される。これにより、１枚の基板Ｗが複数（本例では６本）の保持部材９３０ａ，９３０ｂにより保持される。
【００１２】
具体的には、基板Ｗの下端部が基板保持枠９２８に取り付けられた保持部材９３０ａ，９３０ｂに当接し、下端部を中心として一定距離離間した基板Ｗの部分が基板保持枠９２７，９２９の各々に取り付けられた保持部材９３０ａ，９３０ｂに当接する。
【００１３】
このように、基板Ｗが基板保持具９１２により保持される場合には、基板Ｗの外周端部の一部が複数の保持部材９３０ａ，９３０ｂと当接する。これにより、基板Ｗが純水から引き上げられる際には、基板Ｗと基板保持具９１２との当接部に純水が残留する。
【００１４】
基板Ｗの引き上げ時には、引き上げられた基板Ｗから純水が下方に流れる。したがって、各基板Ｗとそれらの下端部を支持する２本の保持部材９３０ａ，９３０ｂとの当接部に、多量の純水が残留する。
【００１５】
乾燥処理時において、基板保持具９１２に当接しない基板Ｗの部分は、ドライエアを供給することにより比較的短時間で乾燥する。しかしながら、基板Ｗの下端部と保持部材９３０ａ，９３０ｂとの当接部に残留する多量の純水を取り除くためには、基板Ｗ全体の乾燥処理が長時間化する。
【００１６】
そこで、基板Ｗと基板保持具９１２との当接部に残留する純水を短時間で乾燥させるために、基板Ｗに供給するドライエアの温度を上昇させる方法が考えられる。しかしながら、この方法では、基板Ｗに供給するドライエアの温度が上昇することにより、基板Ｗの表面が酸化するおそれがある。また、基板保持具９１２に優れた耐熱性を有する材料を用いる必要が生じる。
【００１７】
本発明の目的は、処理液から引き上げられる複数の基板の全面を短時間で効率的に乾燥させることができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
（１）本発明に係る基板処理装置は、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、処理液を貯留する処理槽と、基板の外周端部を支持し、基板を起立姿勢で保持する基板保持具と、処理槽内の処理液中と処理槽の上方位置との間で基板保持部により保持された基板を昇降させる基板昇降装置と、処理槽の上端に沿って、処理槽の一側方から他側方へ気体を供給して、基板昇降装置により処理槽から引き上げられる基板に気体を供給する気体供給部とを備え、基板保持具は、複数の保持部を有し、各保持部は、気体供給部から供給される気体の供給路に交差して略水平方向に延びるとともに、気体の供給路において上流側に位置する一方面および下流側に位置する他方面を有する棒状保持枠と、棒状保持枠の一方面に取り付けられ、基板の外周端部を支持する第１の帯状保持片と、棒状保持枠の他方面に取り付けられ、基板の外周端部を支持する第２の帯状保持片とを有し、棒状保持枠の他方面と第２の帯状保持片との間には隙間が形成され、複数の保持部のうち少なくとも１つの保持部において、第２の帯状保持片の下端部は、第１の帯状保持片および棒状保持枠の下端部よりも下方に突出するものである。
【００１９】
この基板処理装置において、基板保持具の複数の保持部は、略水平方向に延びるとともに一方面および他方面を有する棒状保持枠と、その一方面に取り付けられる第１の帯状保持片と、その他方面に取り付けられる第２の帯状保持片とを有する。第１の帯状保持片および第２の帯状保持部材が基板の外周端部を支持することにより、基板が起立姿勢で保持される。
【００２０】
基板保持具により保持された基板が、基板昇降装置により処理槽に貯留された処理液中と処理槽の上方位置との間で昇降される。
【００２１】
基板が基板昇降装置により処理槽から引き上げられる際には、気体供給部により、処理槽の上端に沿って一側方から処理槽の他側方へ気体が供給される。これにより、基板に気体が供給され、基板に付着した処理液が気体により乾燥する。
【００２２】
ここで、処理槽から引き上げられた基板が気体供給部から供給される気体の供給路に位置するときには、処理槽から引き上げられる基板の表面に付着する処理液は、気体の流れに沿って流れるとともに、基板の下端部に向かって流れ落ちる。これにより、基板と基板保持具との当接部に処理液が流れ込む。
【００２３】
第２の帯状保持片は、第１の帯状保持片に比べて気体の供給路の下流側に位置する。そのため、基板と第２の帯状保持片との当接部には多量の処理液が残留しやすい。
【００２４】
複数の保持部のうち少なくとも１つの保持部においては、第２の帯状保持片の下端部が、第１の帯状保持片および棒状保持枠の下端部よりも下方に突出する。また、棒状保持枠の他方面と第２の帯状保持片との間には隙間が形成される。
【００２５】
これにより、少なくとも１つの保持部では、第２の帯状保持片の近傍を流れる気体が、第２の帯状保持片の下端部に衝突し、棒状保持枠の他方面と第２の帯状保持片との間の隙間に流れ込む。それにより、乾燥処理時に基板と第２の帯状保持片との当接部に残留する多量の処理液が、隙間を流れる気体により蒸発乾燥される。その結果、処理液から引き上げられる基板の全面を短時間で効率的に乾燥させることが可能となる。
【００２６】
（２）少なくとも１つの保持部は、他の保持部よりも下方に位置してもよい。
【００２７】
処理槽から引き上げられた基板が気体供給部から供給される気体の供給路に位置するときには、処理槽から引き上げられる基板の表面に付着する処理液は、気体の流れに沿って流れるとともに、基板の下端部に向かって流れ落ちる。これにより、複数の保持部のうち下方に位置する保持部においては、基板との当接部に処理液が多量に残留しやすくなる。
【００２８】
したがって、少なくとも１つの保持部が他の保持部よりも下方に位置することにより、多量の処理液が残留しやすい保持部を短時間で効率的に乾燥させることができる。
【００２９】
（３）複数の保持部において、第２の帯状保持片の下端部は、第１の帯状保持片および棒状保持枠の下端部よりも下方に突出してもよい。
【００３０】
この場合、全ての保持部において、第２の帯状保持片の近傍を流れる気体が、第２の帯状保持片の下端部に衝突し、棒状保持枠の他方面と第２の帯状保持片との間の隙間に流れ込む。それにより、乾燥処理時に基板と第２の帯状保持片との当接部に残留する多量の処理液が、隙間を流れる気体により蒸発乾燥される。その結果、処理液から引き上げられる基板の全面をより短時間でより効率的に乾燥させることが可能となる。
【００３１】
（４）第２の帯状保持片は、棒状保持枠の他方面に対向する取り付け面を有し、取り付け面には、凸状部および一対の通気ガイド部が形成され、第２の帯状保持片の凸状部が棒状保持枠の他方面に当接するように第２の帯状保持片が棒状保持枠に取り付けられることにより、棒状保持枠の他方面と第２の帯状保持片との間に隙間が形成され、一対の通気ガイドは、凸状部の両側でかつ凸状部から所定の距離離間した位置において略鉛直方向に延びるように形成され、各通気ガイドの上端部は、凸状部の上部に近づくように内側に湾曲して形成されてもよい。
【００３２】
処理槽から引き上げられた基板が気体供給部から供給される気体の供給路に位置するときには、気体供給部から供給される気体が棒状保持枠の他方面と第２の帯状保持片との間の隙間に流れ込む。
【００３３】
第２の帯状保持片の取り付け面には、凸状部の両側でかつ凸状部から所定の距離離間した位置において略鉛直方向に延びるように通気ガイドが形成されている。これにより、棒状保持枠の他方面と第２の帯状保持片との間の隙間に流れ込む気体は、略鉛直方向に延びるように形成された通気ガイドに沿って下方から上方に流れる。
【００３４】
通気ガイドの上端は、凸状部の上部に近づくように内側に湾曲している。これにより、隙間を流れる気体は、通気ガイドに沿って凸状部の上面側に回り込む。その結果、凸状部の上側に処理液が残留する場合でも、その処理液が効率よく蒸発乾燥される。
【００３５】
（５）棒状保持枠の一方面と第１の帯状保持片との間に隙間が形成されてもよい。
【００３６】
この場合、乾燥処理時に、処理槽から引き上げられる基板から流れ落ちる処理液が、棒状保持枠の一方面と第１の帯状保持片との間の隙間、および棒状保持枠の他方面と第２の帯状保持片との間の隙間を通って円滑に流れ落ちる。その結果、基板と保持部との当接部に残留する処理液を低減することができる。
【００３７】
（６）第１の帯状保持片および第２の帯状保持片は、疎水性の材料により形成されてもよい。
【００３８】
この場合、第１の帯状保持片上および第２の帯状保持片上に残留する処理液が、気体により容易かつ迅速に吹き飛ばされる。
【発明の効果】
【００３９】
本発明によれば、処理液から引き上げられる複数の基板の全面を短時間で効率的に乾燥させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について説明する。以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等をいう。
【００４１】
［１］第１の実施の形態
（１）基板処理装置の構成および動作
図１は、第１の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的断面図である。図１に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置１００は、処理槽４、ダクト２０、昇降機構３０、処理液ミキシング装置５０、ドライエア発生装置６０、外気遮断部材７０、制御部８０、搬送駆動部３００、搬送ロボット３１０、開閉駆動部７００およびドライエア排出機構９００を備える。
【００４２】
ダクト２０は、矩形の筒形状を有し、鉛直方向の軸に沿うように立設されている。ダクト２０の上端部開口には外気遮断部材７０が開閉自在に取り付けられている。
【００４３】
外気遮断部材７０は、上蓋部７１、筒部７２およびヒンジ部７３を含む。外気遮断部材７０の上蓋部７１は、矩形の平板形状を有し、ヒンジ部７３を中心として回動可能である。
【００４４】
外気遮断部材７０は、開閉駆動部７００により駆動される。この場合、上蓋部７１がヒンジ部７３を中心として回動する。それにより、ダクト２０の上端部開口が開放または閉塞される。
【００４５】
筒部７２は、ダクト２０よりも小さい矩形の略筒形状を有する。この筒部７２は上蓋部７１の下面に形成されている。
【００４６】
ダクト２０の内部には、処理槽４が設けられている。処理槽４は複数の基板Ｗを収容可能な内槽４０、およびその内槽４０の上部外周を取り囲むように設けられた外槽４３により形成されている。内槽４０は略直方体形状を有する。
【００４７】
内槽４０の底部には、内槽４０内に処理液を供給するための処理液供給管４１の一端および内槽４０内の処理液を排出するための処理液排出管４２の一端が接続されている。処理液供給管４１にはバルブＶ１が介挿され、処理液排出管４２にはバルブＶ２が介挿されている。
【００４８】
本実施の形態において、内槽４０内では処理液により基板Ｗの洗浄処理が行われる。洗浄処理時に内槽４０内に供給される処理液は、洗浄液またはリンス液である。
【００４９】
内槽４０内に洗浄液を供給し、内槽４０内の洗浄液に基板Ｗを浸漬することにより、基板Ｗの表面を洗浄する。その後、内槽４０内の洗浄液をリンス液で置換する。
【００５０】
洗浄液としては、ＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸またはアンモニア等の薬液が用いられる。リンス液としては、純水、炭酸水、水素水、電解イオン水等が用いられる。
【００５１】
本実施の形態では、処理液供給管４１の他端が処理液ミキシング装置５０に接続されている。処理液ミキシング装置５０には、例えば薬液および純水が供給されている。処理液ミキシング装置５０は、供給される薬液および純水を所定の割合で混合することができる。したがって、処理液ミキシング装置５０は、薬液、純水またはそれらの混合液を洗浄液またはリンス液として処理液供給管４１を介して内槽４０内に供給する。
【００５２】
外槽４３の底部には、内槽４０の上部から溢れ出して外槽４３内に流れ込む処理液を排出するための処理液排出管４４の一端が接続されている。
【００５３】
昇降機構３０は、ダクト２０の内部において複数の基板Ｗを保持する基板保持具３３０を内槽４０の内部とその上方位置との間で上下方向に移動させる。これにより、複数の基板Ｗを内槽４０内の処理液中に浸漬し、処理液から引き上げることができる。
【００５４】
本実施の形態において、基板保持具３３０は３つの保持アームｘ１，ｘ２，ｘ３を有する。これにより、基板Ｗの下端部およびその下端部を中心として一定距離離間した基板Ｗの部分が３つの保持アームｘ１，ｘ２，ｘ３により保持される。基板保持具３３０の構造の詳細は後述する。
【００５５】
ダクト２０の対向する２つの側面における上端部近傍の位置に、それぞれドライエア供給ダクト６２およびドライエア排出ダクト６３が取り付けられている。
【００５６】
ドライエア供給ダクト６２には複数の通気ガイド６２ａが設けられている。ドライエア供給ダクト６２は配管６１を介してドライエア発生装置６０と接続されている。ドライエア排出ダクト６３には複数の通気ガイド６３ａが設けられるとともにドライエア排出機構９００が取り付けられている。
【００５７】
ドライエア発生装置６０により発生されたドライエアＤＦが、配管６１を通してドライエア供給ダクト６２に送られる。それにより、昇降機構３０により内槽４０から引き上げられる基板ＷにドライエアＤＦが吹き付けられ、基板Ｗの乾燥処理が行われる。
【００５８】
ドライエア排出機構９００が取り付けられたドライエア排出ダクト６３は、処理槽４上の雰囲気を吸引して外部へ排出する。これにより、基板Ｗに吹き付けられたドライエアＤＦおよび基板Ｗ周辺の雰囲気がドライエア排出ダクト６３から排出される。
【００５９】
なお、本実施の形態において、ドライエアＤＦとは、極めて露点の低い気体をいう。ドライエア供給ダクト６２からダウンフローダクト２０内に供給されるドライエアＤＦの露点は、例えば約−７０℃である。
【００６０】
外気遮断部材７０の上方には、搬送エリアＴＥが設けられている。搬送エリアＴＥには、搬送ロボット３１０が移動可能に設けられている。
【００６１】
搬送ロボット３１０は、アームヒンジ部３１１および２本のアーム３１２を備える。搬送ロボット３１０は、搬送駆動部３００により駆動される。この場合、２本のアーム３１２がアームヒンジ部３１１を中心としてそれぞれ対称な方向に回動し、搬送ロボット３１０の下端部が開閉する。
【００６２】
これにより、搬送ロボット３１０は、複数の基板Ｗを保持する基板保持具３３０を２本のアーム３１２の間に挟み込んで保持することができる。また、搬送ロボット３１０は、搬送駆動部３００により駆動されることにより、搬送エリアＴＥ内を移動する。
【００６３】
制御部８０は、例えばＣＰＵ（中央演算処理装置）および記憶装置またはマイクロコンピュータ等からなる。図１に示すように、制御部８０は、昇降機構３０、処理液ミキシング装置５０、ドライエア発生装置６０、搬送駆動部３００、開閉駆動部７００、ドライエア排出機構９００およびバルブＶ１，Ｖ２と接続されている。
【００６４】
制御部８０が各構成部の動作を制御することにより、複数の基板Ｗを保持する基板保持具３３０の昇降動作、基板Ｗの洗浄処理、基板Ｗの乾燥処理、処理槽４に対する基板Ｗの搬入搬出動作、ダクト２０の上端部開口の開閉動作、および処理槽４上の雰囲気の排出動作が制御される。
【００６５】
（２）基板保持具の構造
（２−１）
以下の説明では、基板保持具３３０の基板Ｗが保持される側を正面と呼び、反対側を背面と呼ぶ。さらに、図１において、基板保持具３３０の中心を基準としてドライエア供給ダクト６２側を一方側と呼び、基板保持具３３０の中心を基準としてドライエア供給ダクト６２側を他方側と呼ぶ。
【００６６】
図２は図１の基板保持具３３０の外観斜視図である。図３は基板保持具３３０が備える保持アームｘ１，ｘ２，ｘ３の拡大正面図であり、図４は中央の保持アームｘ２の組立図および保持アームｘ２を構成する帯状保持片の側面図である。
【００６７】
図２に示すように、基板保持具３３０は、昇降軸３３１、支持板３３２、背板３３３および基板保持部３４０を備える。基板保持部３４０は、３本の保持アームｘ１，ｘ２，ｘ３および保持アーム固定片３５０を含む。
【００６８】
基板保持具３３０において、昇降軸３３１は、図１の昇降機構３０により昇降可能に保持される。昇降軸３３１の上端に支持板３３２が水平に取り付けられている。支持板３３２の一端面には、下方へ垂直に延びるように背板３３３が取り付けられている。
【００６９】
背板３３３の正面の下端近傍には、一方側の側面近傍から他方側の側面近傍にかけて並ぶように３本の保持アームｘ１，ｘ２，ｘ３が取り付けられている。なお、背板３３３の中央（内側）に位置する保持アームｘ２は、背板３３３の両側面近傍（外側）に位置する保持アームｘ１，ｘ３よりも少し低い高さに配置されている。
【００７０】
各保持アームｘ１，ｘ２，ｘ３は、背板３３３に対して直交する方向に延びている。保持アームｘ１，ｘ２，ｘ３の先端には、保持アーム固定片３５０が取り付けられている。
【００７１】
（２−２）中央の保持アームの構造
図３に示すように、中央の保持アームｘ２は、棒状保持枠４２２、帯状保持片４２１，４２３、ボルト４２０ａ、およびナット４２０ｂからなる。なお、図３では、保持アームｘ１，ｘ２，ｘ３の構造が明瞭となるように、保持アーム固定片３５０を点線で示している。
【００７２】
図４（ａ）に中央の保持アームｘ２の組立図が示されている。図４（ａ）に示すように、棒状保持枠４２２は、鉛直方向に平行な一方面ＦＳおよび他方面ＳＳを有する。棒状保持枠４２２および帯状保持片４２１，４２３には、ボルト４２０ａを挿入可能な貫通孔４２２ｈ，４２１ｈ，４２３ｈがそれぞれ形成されている。
【００７３】
保持アームｘ２の組立て時には、まず棒状保持枠４２２の一方面ＦＳおよび他方面ＳＳにそれぞれ帯状保持片４２１，４２３を取り付ける。そして、帯状保持片４２１、棒状保持枠４２２および帯状保持片４２３の貫通孔４２１ｈ，４２２ｈ，４２３ｈにボルト４２０ａを挿入し、ナット４２０ｂを取り付ける。
【００７４】
これにより、帯状保持片４２１、棒状保持枠４２２および帯状保持片４２３が一体的に固定される。この状態で、棒状保持枠４２２の一端が図２の背板３３３に取り付けられる。
【００７５】
上記保持アームｘ２においては、棒状保持枠４２２の一方側に取り付けられる帯状保持片４２１の形状と、棒状保持枠４２２の他方側に取り付けられる帯状保持片４２３の形状とが異なる。帯状保持片４２１，４２２の各形状について詳細を説明する。
【００７６】
図４（ｂ）に図４（ａ）の保持アームｘ２を矢印Ａの方から見た側面図が示されている。図４（ｂ）に示すように、帯状保持片４２１の上端部は、複数の溝Ｇが連続するようにくし状に形成されている。
【００７７】
棒状保持枠４２２に対向する帯状保持片４２１の側面には、水平方向に並ぶように複数の凸状部ＰＲが所定間隔で形成されている。また、帯状保持片４２１および各凸状部ＰＲを貫通するように貫通孔４２１ｈが形成されている。
【００７８】
各凸状部ＰＲの両側方でかつ凸状部ＰＲから所定の距離離間した箇所には、帯状保持片４２１の側面から突出するように略鉛直方向に延びる一対のストライプ状の通気ガイドＦＧが形成されている。
【００７９】
通気ガイドＦＧの上端部は、凸状部ＰＲの上端部とほぼ同じ高さに位置する。また、一対の通気ガイドＦＧの上端部は、近接する凸状部ＰＲに近づくように内側に湾曲している。
【００８０】
ここで、帯状保持片４２１の側面から突出する凸状部ＰＲの高さ（水平方向）は、通気ガイドＦＧの高さよりも高く設定される。凸状部ＰＲにより帯状保持片４２１と棒状保持枠４２２との間に隙間が形成される。なお、通気ガイドＦＧの高さは、例えば１ｍｍに設定される。
【００８１】
図４（ｃ）に図４（ａ）の保持アームｘ２を矢印Ｂの方から見た側面図が示されている。図４（ｃ）に示すように、帯状保持片４２３の上端部も、帯状保持片４２１と同様に、複数の溝Ｇが連続するようにくし状に形成されている。
【００８２】
棒状保持枠４２２に対向する帯状保持片４２３の側面には、水平方向に並ぶように複数の凸状部ＰＲが所定間隔で形成されている。また、帯状保持片４２３および各凸状部ＰＲを貫通するように貫通孔４２３ｈが形成されている。
【００８３】
各凸状部ＰＲの両側方でかつ凸状部ＰＲから所定の距離離間した箇所には、帯状保持片４２３の側面から突出するように略鉛直方向に延びる一対のストライプ状の通気ガイドＦＧが形成されている。
【００８４】
通気ガイドＦＧの上端部は、凸状部ＰＲの上端部とほぼ同じ高さに位置する。また、一対の通気ガイドＦＧの上端部は、近接する凸状部ＰＲに近づくように内側に湾曲している。
【００８５】
帯状保持片４２１と同様に、帯状保持片４２３の側面から突出する凸状部ＰＲの高さ（水平方向）は、通気ガイドＦＧの高さよりも高く設定される。凸状部ＰＲにより帯状保持片４２３と棒状保持枠４２２との間に隙間が形成される。なお、通気ガイドＦＧの高さは、例えば１ｍｍに設定される。
【００８６】
図４（ｂ）および図４（ｃ）に示すように、帯状保持片４２１，４２３は互いに高さＨ１，Ｈ２が異なる。本実施の形態では、帯状保持片４２３の下端部から貫通孔４２３ｈの中心までの高さＪ２は、帯状保持片４２１の下端部から貫通孔４２１ｈの中心までの高さＪ１よりも高い。
【００８７】
したがって、図３および図４（ａ）に示すように、保持アームｘ２においては、一方側の帯状保持片４２１が棒状保持枠４２２の下端部から下方に突出せず、他方側の帯状保持片４２３が棒状保持枠４２２の下端部から下方に所定の高さＤ分突出する。この高さＤは、例えば２ｍｍに設定される。
【００８８】
上記保持アームｘ２の構成において、帯状保持片４２１，４２３はともに棒状保持枠４２２の上端部から同じ高さ分突出している。
【００８９】
ここで、帯状保持片４２１，４２３が棒状保持枠４２２に取り付けられた状態で、帯状保持片４２１，４２３の複数の溝Ｇは互いに対向するように形成されている。これにより、基板保持具３３０により複数の基板Ｗが保持される際には、各基板Ｗの下端部が帯状保持片４２１，４２３の対向する２つの溝Ｇに挿入される。
【００９０】
（２−３）
基板保持具３３０の一方側に位置する保持アームｘ１は、以下の点を除き、中央に位置する保持アームｘ２とほぼ同様の構成を有する。
【００９１】
図３に示される保持アームｘ１の棒状保持枠４１２および帯状保持片４１１，４１３は、それぞれ保持アームｘ２の棒状保持枠４２２および帯状保持片４２１，４２３に相当する。
【００９２】
保持アームｘ１においては、中央の保持アームｘ２と異なり、一方側の帯状保持片４１１および他方側の帯状保持片４１３が、ともに棒状保持枠４１２の下端部から突出しないように形成されている。
【００９３】
一方側の帯状保持片４１１は棒状保持枠４１２の上端部から大きく上方に突出し、他方側の帯状保持片４１３は棒状保持枠４１２の上端部からわずかに上方に突出している。
【００９４】
基板保持具３３０により複数の基板Ｗが保持される際には、基板Ｗの下端部を中心として一方側に一定距離離間した基板Ｗの部分が帯状保持片４１１，４１３の２つの溝Ｇに挿入された状態で保持される。
【００９５】
（２−４）
基板保持具３３０の他方側に位置する保持アームｘ３は、以下の点を除き、中央に位置する保持アームｘ２とほぼ同様の構成を有する。
【００９６】
図３に示される保持アームｘ３の棒状保持枠４３２および帯状保持片４３１，４３３は、それぞれ保持アームｘ２の棒状保持枠４２２および帯状保持片４２１，４２３に相当する。
【００９７】
保持アームｘ３においては、中央の保持アームｘ２と異なり、一方側の帯状保持片４３１および他方側の帯状保持片４３３が、ともに棒状保持枠４３２の下端部から突出しないように形成されている。
【００９８】
一方側の帯状保持片４３１は棒状保持枠４３２の上端部からわずかに上方に突出し、他方側の帯状保持片４３２は棒状保持枠４３２の上端部から大きく上方に突出している。
【００９９】
これにより、基板保持具３３０により複数の基板Ｗが保持される際には、基板Ｗの下端部を中心として他方側に一定距離離間した基板Ｗの部分が帯状保持片４３１，４３３の２つの溝Ｇに挿入された状態で保持される。
【０１００】
（２−５）
上記保持アームｘ１，ｘ２，ｘ３において、帯状保持片４１１，４１３，４２１，４２３，４３１，４３３は、それぞれ疎水性の材料により形成される。疎水性の材料としては、例えばＰＴＦＥ（四フッ化エチレン）、ＰＦＡ（四フッ化エチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合体）、ＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）、ＰＣＴＦＥ（三フッ化塩化エチレン）、またはポリエーテルエーテルケトン等のフッ素樹脂を用いることができる。
【０１０１】
（３）第１の実施の形態における効果
（３−１）
図５は、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００における効果を説明するための模式図である。
【０１０２】
本実施の形態に係る基板処理装置１００において、基板Ｗの乾燥処理が行われる際には、図１のドライエア発生装置６０により発生されたドライエアＤＦが、配管６１を通してドライエア供給ダクト６２に送られる。それにより、昇降機構３０により内槽４０から引き上げられる基板ＷにドライエアＤＦが吹き付けられ、基板Ｗの乾燥処理が行われる。
【０１０３】
図１および図５に示すように、内槽４０から引き上げられた基板Ｗがドライエア供給ダクト６２およびドライエア排出ダクト６３の間に位置するとき、すなわち内槽４０の内部から外部に引き上げられるときには、基板保持具３３０の一方側から他方側に向かってドライエアＤＦが供給される。
【０１０４】
これにより、内槽４０から引き上げられる基板Ｗの表面に付着する処理液は、一方側から他方側に向かって流れるとともに、基板Ｗの下端部に向かって流れ落ちる。
【０１０５】
したがって、基板保持具３３０と基板Ｗとの当接部、すなわち６つの帯状保持片４１１，４１３，４２１，４２３，４３１，４３３と基板Ｗとの当接部のうち、基板Ｗの下端部でかつ棒状保持枠４２２の他方側に位置する帯状保持片４２３と基板Ｗとの当接部には最も処理液が残留しやすい。
【０１０６】
そこで、本実施の形態では、上述のように、保持アームｘ２における他方側の帯状保持片４２３を棒状保持枠４２２の下端部から下方に所定の高さＤ分突出するように構成する。
【０１０７】
これにより、図５に太い矢印で示すように、保持アームｘ２の近傍で基板保持具３３０の一方側から他方側に向かって流れるドライエアＤＦが、帯状保持片４２３の突出部分に衝突し、棒状保持枠４２２と帯状保持片４２３との間の隙間に流れ込む。
【０１０８】
それにより、乾燥処理時に帯状保持片４２３と基板Ｗとの当接部に残留する多量の処理液が、棒状保持枠４２２と帯状保持片４２３との間の隙間から上方に流れるドライエアＤＦにより蒸発乾燥される。その結果、処理液から引き上げられる複数の基板Ｗの全面を短時間で効率的に乾燥させることが可能となる。
【０１０９】
（３−２）
上述のように、各保持アームｘ１，ｘ２，ｘ３において、棒状保持枠４１２，４２２，４３２と一方側の帯状保持片４１１，４２１，４３１との間、および棒状保持枠４１２，４２２，４３２と他方側の帯状保持片４１３，４２３，４３３との間には、それぞれ隙間が形成されている。
【０１１０】
これにより、内槽４０から基板Ｗが引き上げられる際に、引き上げられた基板Ｗから下方に流れる処理液が、上記の隙間を通って円滑に流れ落ちる。それにより、基板Ｗの乾燥効率が向上する。
【０１１１】
（３−３）
帯状保持片４２３において、棒状保持枠４２２の下端部から下方に突出する部分の高さＤは、例えば２ｍｍに設定される。このように、高さＤは約２ｍｍ以下に設定されることが好ましく、２ｍｍに設定されることがより好ましい。
【０１１２】
この場合、内槽４０から基板Ｗが引き上げられる際に、内槽４０に貯留された処理液の液面がドライエアＤＦにより乱れる場合でも、波立つ処理液が帯状保持片４２３の突出部分に沿って、棒状保持枠４２２と帯状保持片４２３との隙間に流れ込むことが防止される。
【０１１３】
（３−４）
保持アームｘ２において、帯状保持片４２３の側面には、凸状部ＰＲおよび通気ガイドＦＧが形成されている。
【０１１４】
図６は、通気ガイドＦＧの機能を説明するための図である。図６（ａ）に示すように、基板Ｗの乾燥処理時において、棒状保持枠４２２（図４および図５）と帯状保持片４２３との隙間を上方に流れるドライエアＤＦは、凸状部ＰＲの両側方に形成された通気ガイドＦＧに沿って帯状保持片４２３の側面上を流れる。
【０１１５】
ここで、通気ガイドＦＧの上端部は、凸状部ＰＲに近づくように内側に湾曲している。これにより、凸状部ＰＲの上側に残留する処理液ＬがドライエアＤＦにより効率よく蒸発乾燥される。
【０１１６】
一方、図６（ｂ）に示すように、帯状保持片４２３の側面に通気ガイドＦＧが形成されない場合には、ドライエアＤＦが帯状保持片４２３の側面上を流れても、凸状部ＰＲの上側に残留する処理液Ｌは乾燥されにくく、残留しやすい。
【０１１７】
（３−５）
帯状保持片４１１，４１３，４２１，４２３，４３１，４３３は、それぞれ疎水性の材料により形成される。これにより、基板Ｗの乾燥処理時に、基板Ｗと帯状保持片４１１，４１３，４２１，４２３，４３１，４３３との当接部にドライエアＤＦが供給されることにより、当接部に残留する処理液が容易かつ迅速に蒸発乾燥される。
【０１１８】
（４）変形例
上記では、保持アームｘ２の一方側の帯状保持片４２１が棒状保持枠４２２の下端部から下方に突出しない旨を説明したが、帯状保持片４２１は、棒状保持枠４２２の下端部から下方に突出するように形成されてもよい。
【０１１９】
ただし、この場合、他方側の帯状保持片４２３は、一方側の帯状保持片４２１の下端部よりも下方に所定の高さＤ分突出するように形成する。これにより、上記と同様の効果を得ることができる。
【０１２０】
また、本実施の形態において、基板Ｗは３本の保持アームｘ１〜ｘ３により保持されるが、基板Ｗを保持する保持アームは４本であってもよいし、５本以上であってもよい。この場合、複数の保持アームのうち、最も低い位置に設けられる保持アームが、上記中央の保持アームｘ２と同様の構造を有する。
【０１２１】
［２］第２の実施の形態
第２の実施の形態に係る基板処理装置は、以下の点で第１の実施の形態に係る基板処理装置１００と構成が異なる。
【０１２２】
図７は第２の実施の形態に係る基板処理装置の基板保持具が備える保持アームｘ１，ｘ２，ｘ３の拡大正面図である。
【０１２３】
図７に示すように、第２の実施の形態に係る基板処理装置においては、基板保持具３３０（図２）の一方側の保持アームｘ１、および他方側の保持アームｘ３の構造が第１の実施の形態と異なる。
【０１２４】
本実施の形態では、保持アームｘ１，ｘ３に設けられる帯状保持片４１３，４３３が、それぞれ棒状保持枠４１２，４３２の下端部から下方に所定の高さＤ分突出する。
【０１２５】
これにより、基板Ｗの乾燥処理時には、保持アームｘ１においても、棒状保持枠４１２と帯状保持片４１３との隙間でドライエアＤＦの気流が発生する。また、保持アームｘ３においても、棒状保持枠４３２と帯状保持片４３３との隙間でドライエアＤＦの気流が発生する。
【０１２６】
それにより、乾燥処理時には、帯状保持片４２３と基板Ｗとの当接部のみならず、帯状保持片４１３，４３３と基板Ｗとの当接部に残留する処理液がドライエアＤＦにより吹き飛ばされる。その結果、処理液から引き上げられる複数の基板Ｗの全面をより短時間で効率的に乾燥させることが可能となる。
【０１２７】
［３］ 請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１２８】
上記第１および第２の実施の形態では、昇降機構３０が基板昇降装置の例であり、ドライエアＤＦが気体の例であり、ドライエア供給ダクト６２が気体供給部の例である。
【０１２９】
また、保持アームｘ１，ｘ２，ｘ３が保持部の例であり、帯状保持片４１１，４２１，４３１が第１の帯状保持片の例であり、帯状保持片４１３，４２３，４３３が第２の帯状保持片の例である。
【０１３０】
さらに、棒状保持枠４１２，４２２，４３２と帯状保持片４１３，４２３，４３３との間の隙間が隙間の例であり、棒状保持枠４１２，４２２，４３２に対向する帯状保持片４１３，４２３，４３３の側面が取り付け面の例である。
【０１３１】
なお、請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１３２】
本発明は、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板の製造に有効に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１３３】
【図１】第１の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的断面図である。
【図２】図１の基板保持具の外観斜視図である。
【図３】基板保持具が備える保持アームの拡大正面図である。
【図４】中央の保持アームの組立図および保持アームを構成する帯状保持片の側面図である。
【図５】第１の実施の形態に係る基板処理装置における効果を説明するための模式図である。
【図６】通気ガイドの機能を説明するための図である。
【図７】第２の実施の形態に係る基板処理装置の基板保持具が備える保持アームの拡大正面図である。
【図８】特許文献２記載の基板保持具を示す図である。
【符号の説明】
【０１３４】
４ 処理槽
３０ 昇降機構
６２ ドライエア供給ダクト
１００ 基板処理装置
３３０ 基板保持具
４１１，４２１，４３１，４１３，４２３，４３３ 帯状保持片
４１２，４２２，４３２ 棒状保持枠
ＤＦ ドライエア
ＦＧ 通気ガイド
ＦＳ 一方面
ＰＲ 凸状部
ＳＳ 他方面
Ｗ 基板
ｘ１，ｘ２，ｘ３ 保持アーム
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
処理液を貯留する処理槽と、
基板の外周端部を支持し、基板を起立姿勢で保持する基板保持具と、
前記処理槽内の処理液中と前記処理槽の上方位置との間で前記基板保持部により保持された基板を昇降させる基板昇降装置と、
前記処理槽の上端に沿って、前記処理槽の一側方から他側方へ気体を供給して、前記基板昇降装置により前記処理槽から引き上げられる基板に気体を供給する気体供給部とを備え、
前記基板保持具は、複数の保持部を有し、
各保持部は、
前記気体供給部から供給される気体の供給路に交差して略水平方向に延びるとともに、前記気体の供給路において上流側に位置する一方面および下流側に位置する他方面を有する棒状保持枠と、
前記棒状保持枠の前記一方面に取り付けられ、基板の外周端部を支持する第１の帯状保持片と、
前記棒状保持枠の前記他方面に取り付けられ、基板の外周端部を支持する第２の帯状保持片とを有し、
前記棒状保持枠の前記他方面と前記第２の帯状保持片との間には隙間が形成され、
前記複数の保持部のうち少なくとも１つの保持部において、前記第２の帯状保持片の下端部は、前記第１の帯状保持片および前記棒状保持枠の下端部よりも下方に突出することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記少なくとも１つの保持部は、他の保持部よりも下方に位置することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記複数の保持部において、前記第２の帯状保持片の下端部は、前記第１の帯状保持片および前記棒状保持枠の下端部よりも下方に突出することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第２の帯状保持片は、前記棒状保持枠の前記他方面に対向する取り付け面を有し、
前記取り付け面には、凸状部および一対の通気ガイド部が形成され、
前記第２の帯状保持片の前記凸状部が前記棒状保持枠の前記他方面に当接するように前記第２の帯状保持片が前記棒状保持枠に取り付けられることにより、前記棒状保持枠の前記他方面と前記第２の帯状保持片との間に前記隙間が形成され、
前記一対の通気ガイドは、前記凸状部の両側でかつ前記凸状部から所定の距離離間した位置において略鉛直方向に延びるように形成され、
各通気ガイドの上端部は、前記凸状部の上部に近づくように内側に湾曲して形成されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記棒状保持枠の前記一方面と前記第１の帯状保持片との間に隙間が形成されたことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１の帯状保持片および前記第２の帯状保持片は、疎水性の材料により形成されたことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１】
基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
処理液を貯留する処理槽と、
基板の外周端部を支持し、基板を起立姿勢で保持する基板保持具と、
前記処理槽内の処理液中と前記処理槽の上方位置との間で前記基板保持部により保持された基板を昇降させる基板昇降装置と、
前記処理槽の上端に沿って、前記処理槽の一側方から他側方へ気体を供給して、前記基板昇降装置により前記処理槽から引き上げられる基板に気体を供給する気体供給部とを備え、
前記基板保持具は、複数の保持部を有し、
各保持部は、
前記気体供給部から供給される気体の供給路に交差して略水平方向に延びるとともに、前記気体の供給路において上流側に位置する一方面および下流側に位置する他方面を有する棒状保持枠と、
前記棒状保持枠の前記一方面に取り付けられ、基板の外周端部を支持する第１の帯状保持片と、
前記棒状保持枠の前記他方面に取り付けられ、基板の外周端部を支持する第２の帯状保持片とを有し、
前記棒状保持枠の前記他方面と前記第２の帯状保持片との間には隙間が形成され、
前記複数の保持部のうち少なくとも１つの保持部において、前記第２の帯状保持片の下端部は、前記第１の帯状保持片および前記棒状保持枠の下端部よりも下方に突出することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記少なくとも１つの保持部は、他の保持部よりも下方に位置することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記複数の保持部において、前記第２の帯状保持片の下端部は、前記第１の帯状保持片および前記棒状保持枠の下端部よりも下方に突出することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第２の帯状保持片は、前記棒状保持枠の前記他方面に対向する取り付け面を有し、
前記取り付け面には、凸状部および一対の通気ガイド部が形成され、
前記第２の帯状保持片の前記凸状部が前記棒状保持枠の前記他方面に当接するように前記第２の帯状保持片が前記棒状保持枠に取り付けられることにより、前記棒状保持枠の前記他方面と前記第２の帯状保持片との間に前記隙間が形成され、
前記一対の通気ガイドは、前記凸状部の両側でかつ前記凸状部から所定の距離離間した位置において略鉛直方向に延びるように形成され、
各通気ガイドの上端部は、前記凸状部の上部に近づくように内側に湾曲して形成されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記棒状保持枠の前記一方面と前記第１の帯状保持片との間に隙間が形成されたことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１の帯状保持片および前記第２の帯状保持片は、疎水性の材料により形成されたことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２００９−１４１２５７（Ｐ２００９−１４１２５７Ａ）
【公開日】平成２１年６月２５日（２００９．６．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−３１８４７２（Ｐ２００７−３１８４７２）
【出願日】平成１９年１２月１０日（２００７．１２．１０）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年６月２５日（２００９．６．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１２月１０日（２００７．１２．１０）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]