基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
【課題】基板の液処理時に遮蔽扉に付着した処理液によって、基板の乾燥処理時にパーティクルが発生してしまうのを防止すること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置（１）において、処理液で基板（６）の液処理を行う液処理槽（７）と、前記液処理槽（７）の上方に設けられ、前記基板（６）の乾燥処理を行う乾燥処理槽（２２）と、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）との間に設けられ、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）とを遮蔽可能な遮蔽扉（３３）と、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）との間で前記基板（６）の搬送を行う基板搬送手段（５）と、前記遮蔽扉（３３）に洗浄液を供給する洗浄液供給手段（３６）とを設けることにした。
【解決手段】本発明では、基板処理装置（１）において、処理液で基板（６）の液処理を行う液処理槽（７）と、前記液処理槽（７）の上方に設けられ、前記基板（６）の乾燥処理を行う乾燥処理槽（２２）と、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）との間に設けられ、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）とを遮蔽可能な遮蔽扉（３３）と、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）との間で前記基板（６）の搬送を行う基板搬送手段（５）と、前記遮蔽扉（３３）に洗浄液を供給する洗浄液供給手段（３６）とを設けることにした。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を液処理槽で液処理した後に乾燥処理槽で乾燥処理する基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体部品やフラットパネルディスプレイなどを製造する場合には、各種の基板処理装置を用いて半導体ウエハや液晶用基板などの基板に洗浄処理等の処理を施している。
【０００３】
たとえば、特許文献１に開示された基板処理装置では、液処理槽の上方に乾燥処理槽を設け、液処理槽と乾燥処理槽との間に遮蔽扉を設けるとともに、液処理槽と乾燥処理槽との間で基板を搬送する基板搬送装置を設けている。
【０００４】
そして、上記基板処理装置では、複数枚の基板を基板搬送装置で保持し、液処理槽に貯留したフッ酸等の処理液に基板を浸漬して基板の液処理を行い、その後、基板を上方の乾燥処理槽に搬送し、液処理槽と乾燥処理槽とを遮蔽扉で遮蔽して、乾燥処理槽でＩＰＡ（イソプロピルアルコール）蒸気等を用いて基板の乾燥処理を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−２０９１１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、上記従来の基板処理装置では、液処理槽で基板を液処理している間に、処理液の雰囲気によって遮蔽扉に処理液が付着するおそれがある。
【０００７】
そして、上記従来の基板処理装置では、液処理槽で液処理を行った後に遮蔽扉で遮蔽した状態で乾燥処理槽で基板の乾燥処理を行うと、遮蔽扉に付着した処理液に起因して乾燥処理後の基板にパーティクルが付着して、良好に基板の処理を行えないおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そこで、本発明では、基板処理装置において、処理液で基板の液処理を行う液処理槽と、前記液処理槽の上方に設けられ、前記基板の乾燥処理を行う乾燥処理槽と、前記液処理槽と乾燥処理槽との間に設けられ、前記液処理槽と乾燥処理槽とを遮蔽可能な遮蔽扉と、前記液処理槽と乾燥処理槽との間で前記基板の搬送を行う基板搬送手段と、前記遮蔽扉に洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを有することにした。
【０００９】
また、前記洗浄液供給手段は、前記遮蔽扉の少なくとも上面に前記洗浄液を供給することにした。
【００１０】
また、前記遮蔽扉の上面を凹状に形成することにした。
【００１１】
また、前記遮蔽扉の凹状の上面に前記洗浄液を排出する排液口を形成することにした。
【００１２】
また、前記遮蔽扉の凹状の上面の最下端部に前記排液口を形成することにした。
【００１３】
また、前記排液口から前記洗浄液を吐出することにした。
【００１４】
また、前記洗浄液供給手段は、前記遮蔽扉の開放時に前記遮蔽扉を収容する遮蔽扉収容ケーシングの内部で洗浄液を遮蔽扉に供給することにした。
【００１５】
また、前記洗浄液供給手段を制御する制御手段を有し、前記制御手段は、前記乾燥処理槽で前記基板を乾燥処理する前に前記洗浄液供給手段で前記遮蔽扉の洗浄を行うように制御することにした。
【００１６】
また、前記制御手段は、前記液処理槽で前記基板を液処理している間に前記洗浄液供給手段で前記遮蔽扉の洗浄を行うように制御することにした。
【００１７】
また、本発明では、基板処理方法において、液処理槽で基板を液処理する液処理工程と、前記基板を前記液処理槽の上方に設けられた乾燥処理槽に搬送する基板搬送工程と、前記液処理槽と乾燥処理槽とを遮蔽扉で遮蔽する遮蔽工程と、前記乾燥処理槽で前記基板を乾燥処理する乾燥処理工程と、前記遮蔽扉を洗浄液で洗浄する遮蔽扉洗浄工程とを有することにした。
【００１８】
また、前記遮蔽扉洗浄工程は、前記遮蔽扉の少なくとも上面に前記洗浄液を供給して前記遮蔽扉の洗浄を行うことにした。
【００１９】
また、前記遮蔽扉洗浄工程は、前記乾燥処理槽で前記基板を乾燥処理する前に前記遮蔽扉の洗浄を行うことにした。
【００２０】
また、前記遮蔽扉洗浄工程は、前記液処理槽で前記基板を液処理している間に前記遮蔽扉の洗浄を行うことにした。
【００２１】
また、本発明では、基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、液処理槽に、基板を液処理させる液処理工程と、基板搬送手段に、前記基板を前記液処理槽から上方の乾燥処理槽に搬送させる基板搬送工程と、遮蔽扉に、前記液処理槽と乾燥処理槽とを遮蔽させる遮蔽工程と、前記乾燥処理槽に、前記基板を乾燥処理させる乾燥処理工程と、洗浄液供給手段に、洗浄液を前記遮蔽扉に供給して前記遮蔽扉を洗浄液で洗浄させる遮蔽扉洗浄工程とを有することにした。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、遮蔽扉の洗浄が行え、遮蔽扉に付着した処理液に起因するパーティクルの発生を防止することができ、基板の処理を良好に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】基板処理装置を示す断面説明図。
【図２】基板処理プログラムを示すフローチャート。
【図３】基板処理方法を模式的に示す断面説明図（基板搬入工程）。
【図４】基板処理方法を模式的に示す断面説明図（液処理工程）。
【図５】基板処理方法を模式的に示す断面説明図（基板搬送工程）。
【図６】基板処理方法を模式的に示す断面説明図（遮蔽工程）。
【図７】基板処理方法を模式的に示す断面説明図（遮蔽扉洗浄工程）。
【図８】基板処理方法を模式的に示す断面説明図（遮蔽扉洗浄工程）。
【図９】基板処理方法を模式的に示す断面説明図（乾燥処理工程）。
【図１０】基板処理装置を示す断面説明図。
【図１１】基板処理装置を示す断面説明図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下に、本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。
【００２５】
図１に示すように、基板処理装置１は、液処理手段２の上方に乾燥処理手段３を設け、液処理手段２と乾燥処理手段３との間に遮蔽手段４を設けるとともに、液処理手段２及び乾燥処理手段３に基板搬送手段５を設けている。ここで、液処理手段２は、基板６の液処理を行う。乾燥処理手段３は、基板６の乾燥処理を行う。遮蔽手段４は、液処理手段２と乾燥処理手段３とを遮蔽する。基板搬送手段５は、基板６を液処理手段２に搬入し、液処理手段２と乾燥処理手段３との間で基板６を搬送し、乾燥処理手段３から基板６を搬出する。
【００２６】
液処理手段２は、液処理槽７に処理液供給機構８と処理液排出機構９とを接続している。
【００２７】
液処理槽７は、上端部を開口させた貯留槽10の上端外周部に上端部を開口させたオーバーフロー槽11を形成し、オーバーフロー槽11の上端外周部に上端部開口させたシール槽12を形成している。貯留槽10は、処理液を貯留するとともに、貯留した処理液に基板６を浸漬させて、基板６の液処理を行う。オーバーフロー槽11は、貯留槽10からオーバーフローした処理液を貯留する。なお、オーバーフロー槽11に貯留された処理液は、貯留槽10で循環利用したり外部へ排液される。シール槽12は、貯留した純水等で液処理槽７の内部と外部とを遮断する。
【００２８】
処理液供給機構８は、貯留槽10の内側底部に左右一対の処理液吐出ノズル13,13を配置し、処理液吐出ノズル13,13に洗浄液供給源14とリンス液供給源15とをそれぞれ流量調整器16,17を介して接続している。洗浄液供給源14は、基板６を洗浄処理するためのフッ酸等の洗浄液を供給する。リンス液供給源15は、基板６をリンス処理するための純水等のリンス液を供給する。流量調整器16,17は、制御手段18に接続しており、制御手段18で開閉制御及び流量制御される。なお、制御手段18は、基板処理装置１の全体を制御する。
【００２９】
この処理液供給機構８は、洗浄液供給源14又はリンス液供給源15から供給される洗浄液又はリンス液のいずれかの処理液を流量調整器16,17で流量調整しながら処理液吐出ノズル13,13から貯留槽10の内部に供給する。
【００３０】
処理液排出機構９は、貯留槽10の内側底部中央に排出口19を形成し、排出口19に開閉弁20を介して外部のドレン21に接続している。開閉弁20は、制御手段18に接続しており、制御手段18で開閉制御される。
【００３１】
この処理液排出機構９は、開閉弁20を開放することで貯留槽10の内部に貯留した処理液を排出口19から外部のドレン21に排出する。
【００３２】
乾燥処理手段３は、乾燥処理槽22に乾燥流体供給機構23と蓋開閉機構24とを接続している。
【００３３】
乾燥処理槽22は、上端部及び下端部を開口させた槽本体25の上端開口部に蓋体26を開閉可能に設けている。
【００３４】
乾燥流体供給機構23は、乾燥処理槽22の槽本体25の上部に左右一対の乾燥流体吐出ノズル27,27を配置し、乾燥流体吐出ノズル27,27にＩＰＡ供給源28と不活性ガス供給源29とをそれぞれ流量調整器30,31を介して接続している。流量調整器30,31は、制御手段18に接続しており、制御手段18で開閉制御及び流量制御される。
【００３５】
この乾燥流体供給機構23は、ＩＰＡ供給源28から供給されるＩＰＡ蒸気や不活性ガス供給源29から供給される不活性ガスを流量調整器30,31で流量調整することでイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）蒸気と不活性ガスの混合流体や加熱された不活性ガスなどからなる乾燥流体を生成し、その乾燥流体を乾燥流体吐出ノズル27,27から乾燥処理槽22の内部に供給する。
【００３６】
蓋開閉機構24は、乾燥処理槽22の蓋体26に接続されており、蓋体26を上下に昇降させることで蓋体26を開閉する。この蓋開閉機構24は、制御手段18に接続しており、制御手段18で開閉制御される。
【００３７】
遮蔽手段４は、中空箱型状のケーシング32の内部に遮蔽扉33を移動（開閉）可能に収容し、遮蔽扉33に遮蔽扉開閉機構34と排液機構35とを接続するとともに、遮蔽扉33に洗浄液供給手段36を設けている。洗浄液供給手段36は、遮蔽扉33に洗浄液を供給して遮蔽扉33の洗浄を行う。
【００３８】
ケーシング32は、液処理槽７と乾燥処理槽22との間に介在して液処理槽７の上端開口部と乾燥処理槽22の下端開口部とを連通させる連通ケーシング37と、遮蔽扉33の開放時に遮蔽扉33を収容する遮蔽扉収容ケーシング38とで構成している。このケーシング32は、下端面に矩形枠状のシール片39を形成している。このシール片39は、シール槽12に貯留した純水に浸漬される。
【００３９】
遮蔽扉33は、矩形平板形状となっており、上面外周端縁部にシール部材40を取付けるとともに、上面の外周端縁部から中央部に向けて下方に傾斜させることで上面を凹状に（上面凹状部41を）形成している。この上面凹状部41は、遮蔽扉33の上面を凹状に形成していればよく、前後左右の４個の傾斜面で形成することもでき、また、下向きに凸状の１個の湾曲面で形成することもできる。
【００４０】
遮蔽扉開閉機構34は、遮蔽扉33に接続されており、遮蔽扉33を左右及び上下に移動させることで遮蔽扉33を開閉する。この遮蔽扉開閉機構34は、制御手段18に接続しており、制御手段18で開閉制御される。
【００４１】
この遮蔽扉開閉機構34は、遮蔽扉33の開放時には、遮蔽扉33を遮蔽扉収容ケーシング38の内部に移動させて、液処理槽７と乾燥処理槽22とが連通した状態にし、遮蔽扉33の閉塞時には、遮蔽扉33を遮蔽扉収容ケーシング38から連通ケーシング37に横方向に移動させるとともに、連通ケーシング37の内部で上方に移動させ、遮蔽扉33と連通ケーシング37とをシール部材40を介して密着させることで、液処理槽７と乾燥処理槽22とを遮蔽し、乾燥処理槽22を密閉した状態にする。
【００４２】
排液機構35は、遮蔽扉33の上面凹状部41の最下端部に排液口42を形成するとともに、遮蔽扉33の内部に排液口42へと連通する連通路43を形成し、連通路43に外部のドレン44を連通流路45を介して接続している。なお、外部のドレン44は、処理液排出機構９に接続したドレン21と共通でもよい。
【００４３】
この排液機構35は、基板６の乾燥処理を行う際に基板６から流下する液体を遮蔽扉33の上面凹状部41で収集し外部のドレン44に排出する。
【００４４】
洗浄液供給手段36は、排液機構35などの他の機構とは別個独立した機構で構成することもできるが、ここでは、一部を排液機構35と兼用した構成としている。
【００４５】
すなわち、洗浄液供給手段36は、連通流路45の中途部に遮蔽扉洗浄液供給源46を流量調整器47を介して接続するとともに、連通流路45と外部のドレン44との接続部に切換弁48を介設し、切換弁48に遮蔽扉洗浄液用のドレン49を接続している。遮蔽扉洗浄液供給源46は、遮蔽扉33を洗浄するためのＩＰＡや常温又は高温の純水などの洗浄液を供給する。流量調整器47は、制御手段18に接続しており、制御手段18で開閉制御及び流量制御される。また、切換弁48は、制御手段18に接続しており、制御手段18で開閉制御及び流路切換制御される。
【００４６】
この洗浄液供給手段36は、切換弁48を閉塞するとともに流量調整器47を所定流量で開放すると、遮蔽扉洗浄液供給源46から供給される洗浄液を連通流路45及び連通路43を介して排液口42から遮蔽扉33の上面凹状部41に供給し、遮蔽扉33の上面を洗浄液で洗浄する。また、洗浄液供給手段36は、流量調整器47を閉塞するとともに切換弁48でドレン49を開放することで、上面凹状部41を洗浄した洗浄液を排液口42から連通路43及び連通流路45を介してドレン49へと排出する。
【００４７】
このように、上記洗浄液供給手段36では、一部が排液機構35と兼用しており、排液口42を洗浄液の供給口として機能させている。
【００４８】
基板搬送手段５は、基板６を保持する保持体50に昇降アーム51を接続し、昇降アーム51に基板搬送機構52を接続している。保持体50は、複数枚の基板６を前後に間隔をあけて平行に下方から保持する。基板搬送機構52は、昇降アーム51を介して保持体50を昇降させることで基板６を上下に搬送する。この基板搬送機構52は、制御手段18に接続しており、制御手段18で搬送制御（昇降制御）される。
【００４９】
基板処理装置１は、以上に説明したように構成しており、制御手段18（コンピュータ）が読み取り可能な記憶媒体53に記憶した基板処理プログラムにしたがって基板６を処理する。なお、記憶媒体53は、基板処理プログラム等の各種プログラムを記憶できる媒体であればよく、ＲＯＭやＲＡＭなどの半導体メモリー型の記憶媒体であってもハードディスクやＣＤ−ＲＯＭなどのディスク型の記憶媒体であってもよい。
【００５０】
まず、基板処理プログラムは、図２及び図３に示すように、基板搬入工程を実行する。この基板搬入工程において、基板処理装置１は、制御手段18によって蓋開閉機構24及び基板搬送機構52を制御して、乾燥処理槽22の内部に保持体50で保持した基板６を搬入する。
【００５１】
次に、基板処理プログラムは、図２及び図４に示すように、液処理工程を実行する。この液処理工程において、基板処理装置１は、制御手段18によって基板搬送機構52を制御して、予め処理液を貯留した液処理槽７に基板６を搬送し、処理液に基板６を浸漬させる。これにより、基板６は、処理液で液処理される。この液処理工程において、遮蔽扉33は、遮蔽扉収容ケーシング38の内部に収容されている。しかし、処理液の蒸発や拡散などによって処理液が遮蔽扉33の表面に付着することがある。
【００５２】
次に、基板処理プログラムは、図２及び図５に示すように、基板搬送工程を実行する。この基板搬送工程において、基板処理装置１は、制御手段18によって基板搬送機構52を制御して、液処理槽７から上方の乾燥処理槽22の内部へ基板６を搬送する。
【００５３】
次に、基板処理プログラムは、図２及び図６に示すように、遮蔽工程を実行する。この遮蔽工程において、基板処理装置１は、制御手段18によって遮蔽扉開閉機構34を制御して、遮蔽扉33を遮蔽扉収容ケーシング38から連通ケーシング37に横方向に移動させるとともに、連通ケーシング37の内部で上方に移動させ、乾燥処理槽22を密閉した状態で液処理槽７と乾燥処理槽22とを遮蔽する。
【００５４】
次に、基板処理プログラムは、図２及び図７、図８に示すように、遮蔽扉洗浄工程を実行する。この遮蔽扉洗浄工程において、基板処理装置１は、図７に示すように、制御手段18によって洗浄液供給手段36を制御して、切換弁48を閉塞するとともに流量調整器47を所定流量で開放する。これにより、遮蔽扉洗浄液供給源46から供給される洗浄液が連通流路45及び連通路43を介して排液口42から遮蔽扉33の上面（上面凹状部41）に供給される。なお、洗浄液は、遮蔽扉33の上面から溢れない流量を供給する。
【００５５】
その後、基板処理装置１は、図８に示すように、制御手段18によって洗浄液供給手段36を制御して、流量調整器47を閉塞するとともに切換弁48でドレン49を開放する。これにより、上面凹状部41に供給された洗浄液が排液口42から連通路43及び連通流路45を介してドレン49へと排出される。
【００５６】
基板処理装置１では、洗浄液の供給と排出とを１回或いは複数回繰り返して行うことで、遮蔽扉33の少なくとも上面を洗浄する。これにより、基板処理装置１では、液処理工程で遮蔽扉33に付着した処理液を除去することができるので、次に行う乾燥処理工程において、遮蔽扉33に付着した処理液に起因するパーティクルの発生を防止することができる。
【００５７】
この遮蔽扉洗浄工程は、次の乾燥処理工程よりも前に実行すれば、基板６の乾燥処理時において、パーティクルの発生を防止することができる。そのため、遮蔽扉洗浄工程は、遮蔽工程よりも後に実行する場合に限られず、遮蔽工程よりも前に実行してもよく、液処理工程を実行している間や基板搬送工程を実行している間に同時に実行してもよい。このように、遮蔽扉洗浄工程を液処理工程等を実行している間に行った場合には、基板処理装置１での基板６の処理に要する全体の時間を短縮することができ、基板処理装置１のスループットを向上させることができる。
【００５８】
次に、基板処理プログラムは、図２及び図９に示すように、乾燥処理工程を実行する。この乾燥処理工程において、基板処理装置１は、制御手段18によって乾燥流体供給機構23を制御して、流量調整器30,31を所定流量で開放する。これにより、ＩＰＡ供給源28や不活性ガス供給源29から供給される乾燥流体が乾燥流体吐出ノズル27,27から乾燥処理槽22の内部に供給され、乾燥流体によって基板６が乾燥処理される。
【００５９】
その際に、基板処理装置１は、制御手段18によって排液機構35（洗浄液供給手段36）を制御して、切換弁48でドレン44を開放しておく。これにより、基板６の乾燥処理を行う際に基板６から流下した液体が遮蔽扉33の上面凹状部41で収集され、連通路43及び連通流路45を介して外部のドレン44に排出される。なお、遮蔽扉洗浄工程において、洗浄液供給手段36から供給した洗浄液を排液口42から排出せずに、遮蔽扉33の上面凹状部41に貯留しておき、この乾燥処理工程において基板６から流下する処理液などの液体とともに洗浄液を排液口42から排出してもよい。このように、遮蔽扉33に処理液が付着する前に予め遮蔽扉33の上面凹状部41に洗浄液を貯留しておくことで、基板６から流下した処理液が遮蔽扉33の上面に直接付着するのを防止でき、処理液の排出とともに遮蔽扉33の洗浄を行うことができる。
【００６０】
次に、基板処理プログラムは、図２に示すように、基板搬出工程を実行する。この基板搬出工程において、基板処理装置１は、制御手段18によって蓋開閉機構24及び基板搬送機構52を制御して、保持体50で保持した基板６を乾燥処理槽22の内部から搬出する。
【００６１】
以上に説明したように、基板処理装置１では、基板処理プログラムに従って、基板６の処理を行うとともに、基板６の乾燥処理前に遮蔽扉33の洗浄を行う。
【００６２】
このように、上記基板処理装置１では、洗浄液供給手段36を有し、洗浄液供給手段36を用いて遮蔽扉33の洗浄を行うことで、液処理工程で遮蔽扉33に付着した処理液を除去することができるので、基板６の乾燥処理工程において、遮蔽扉33に付着した処理液に起因するパーティクルの発生を防止して、基板６の処理を良好に行うことができる。
【００６３】
特に、遮蔽扉33に付着した処理液に起因するパーティクルの発生は、遮蔽扉33の上面に付着した処理液が原因となる。そのため、遮蔽扉33の少なくとも上面に洗浄液を供給して洗浄を行うことで、処理液の付着に起因するパーティクルの発生をより効果的に防止することができる。そして、遮蔽扉33の上面に洗浄液を供給する場合には、遮蔽扉33の上面を凹状に形成することで、供給した洗浄液が遮蔽扉33から不意に溢れだすのを防止することができる。また、遮蔽扉33の凹状の上面に洗浄液を排出する排液口42を形成することで、供給した洗浄液を遮蔽扉33から円滑に排出することができる。さらに、排液口42を遮蔽扉33の凹状の上面の最下端部に形成することで、供給した洗浄液を残留させることなく遮蔽扉33から排出することができ、基板６の乾燥処理時に残留した洗浄液に起因するパーティクルの発生を防止することができる。なお、洗浄液の排液口42が乾燥処理開始直後に基板６から流下する水分の排液口と兼用となっているために、遮蔽扉33の上面に洗浄液が残留してしまったとしても、基板６の乾燥処理の開始直後に基板６から流下した水分によって残留した洗浄液を排出することができる。
【００６４】
また、洗浄液供給手段36は、遮蔽扉33に洗浄液を供給できればよい。そのため、図１に示した上記基板処理装置１のように、洗浄液の供給部としての排液口42を遮蔽扉33に設けてもよく、また、図１０に示すように、洗浄液の供給部としてのノズル54を遮蔽扉収容ケーシング38の外部（乾燥処理槽22の内部）に設けてもよく、さらには、図１１に示すように、洗浄液の供給部としてのノズル55を遮蔽扉収容ケーシング38の内部に設けてもよい。洗浄液の供給部を遮蔽扉33に設けた場合（図１参照。）や遮蔽扉収容ケーシング38の内部に設けた場合（図１１参照。）には、遮蔽扉収容ケーシング38の内部で遮蔽扉33に洗浄液を供給することができ、供給した洗浄液が液処理槽７へと流下するのを防止することもできる。
【符号の説明】
【００６５】
１ 基板処理装置
５ 基板搬送手段
６ 基板
７ 液処理槽
22 乾燥処理槽
33 遮蔽扉
36 洗浄液供給手段
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を液処理槽で液処理した後に乾燥処理槽で乾燥処理する基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体部品やフラットパネルディスプレイなどを製造する場合には、各種の基板処理装置を用いて半導体ウエハや液晶用基板などの基板に洗浄処理等の処理を施している。
【０００３】
たとえば、特許文献１に開示された基板処理装置では、液処理槽の上方に乾燥処理槽を設け、液処理槽と乾燥処理槽との間に遮蔽扉を設けるとともに、液処理槽と乾燥処理槽との間で基板を搬送する基板搬送装置を設けている。
【０００４】
そして、上記基板処理装置では、複数枚の基板を基板搬送装置で保持し、液処理槽に貯留したフッ酸等の処理液に基板を浸漬して基板の液処理を行い、その後、基板を上方の乾燥処理槽に搬送し、液処理槽と乾燥処理槽とを遮蔽扉で遮蔽して、乾燥処理槽でＩＰＡ（イソプロピルアルコール）蒸気等を用いて基板の乾燥処理を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−２０９１１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、上記従来の基板処理装置では、液処理槽で基板を液処理している間に、処理液の雰囲気によって遮蔽扉に処理液が付着するおそれがある。
【０００７】
そして、上記従来の基板処理装置では、液処理槽で液処理を行った後に遮蔽扉で遮蔽した状態で乾燥処理槽で基板の乾燥処理を行うと、遮蔽扉に付着した処理液に起因して乾燥処理後の基板にパーティクルが付着して、良好に基板の処理を行えないおそれがある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そこで、本発明では、基板処理装置において、処理液で基板の液処理を行う液処理槽と、前記液処理槽の上方に設けられ、前記基板の乾燥処理を行う乾燥処理槽と、前記液処理槽と乾燥処理槽との間に設けられ、前記液処理槽と乾燥処理槽とを遮蔽可能な遮蔽扉と、前記液処理槽と乾燥処理槽との間で前記基板の搬送を行う基板搬送手段と、前記遮蔽扉に洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを有することにした。
【０００９】
また、前記洗浄液供給手段は、前記遮蔽扉の少なくとも上面に前記洗浄液を供給することにした。
【００１０】
また、前記遮蔽扉の上面を凹状に形成することにした。
【００１１】
また、前記遮蔽扉の凹状の上面に前記洗浄液を排出する排液口を形成することにした。
【００１２】
また、前記遮蔽扉の凹状の上面の最下端部に前記排液口を形成することにした。
【００１３】
また、前記排液口から前記洗浄液を吐出することにした。
【００１４】
また、前記洗浄液供給手段は、前記遮蔽扉の開放時に前記遮蔽扉を収容する遮蔽扉収容ケーシングの内部で洗浄液を遮蔽扉に供給することにした。
【００１５】
また、前記洗浄液供給手段を制御する制御手段を有し、前記制御手段は、前記乾燥処理槽で前記基板を乾燥処理する前に前記洗浄液供給手段で前記遮蔽扉の洗浄を行うように制御することにした。
【００１６】
また、前記制御手段は、前記液処理槽で前記基板を液処理している間に前記洗浄液供給手段で前記遮蔽扉の洗浄を行うように制御することにした。
【００１７】
また、本発明では、基板処理方法において、液処理槽で基板を液処理する液処理工程と、前記基板を前記液処理槽の上方に設けられた乾燥処理槽に搬送する基板搬送工程と、前記液処理槽と乾燥処理槽とを遮蔽扉で遮蔽する遮蔽工程と、前記乾燥処理槽で前記基板を乾燥処理する乾燥処理工程と、前記遮蔽扉を洗浄液で洗浄する遮蔽扉洗浄工程とを有することにした。
【００１８】
また、前記遮蔽扉洗浄工程は、前記遮蔽扉の少なくとも上面に前記洗浄液を供給して前記遮蔽扉の洗浄を行うことにした。
【００１９】
また、前記遮蔽扉洗浄工程は、前記乾燥処理槽で前記基板を乾燥処理する前に前記遮蔽扉の洗浄を行うことにした。
【００２０】
また、前記遮蔽扉洗浄工程は、前記液処理槽で前記基板を液処理している間に前記遮蔽扉の洗浄を行うことにした。
【００２１】
また、本発明では、基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、液処理槽に、基板を液処理させる液処理工程と、基板搬送手段に、前記基板を前記液処理槽から上方の乾燥処理槽に搬送させる基板搬送工程と、遮蔽扉に、前記液処理槽と乾燥処理槽とを遮蔽させる遮蔽工程と、前記乾燥処理槽に、前記基板を乾燥処理させる乾燥処理工程と、洗浄液供給手段に、洗浄液を前記遮蔽扉に供給して前記遮蔽扉を洗浄液で洗浄させる遮蔽扉洗浄工程とを有することにした。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、遮蔽扉の洗浄が行え、遮蔽扉に付着した処理液に起因するパーティクルの発生を防止することができ、基板の処理を良好に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】基板処理装置を示す断面説明図。
【図２】基板処理プログラムを示すフローチャート。
【図３】基板処理方法を模式的に示す断面説明図（基板搬入工程）。
【図４】基板処理方法を模式的に示す断面説明図（液処理工程）。
【図５】基板処理方法を模式的に示す断面説明図（基板搬送工程）。
【図６】基板処理方法を模式的に示す断面説明図（遮蔽工程）。
【図７】基板処理方法を模式的に示す断面説明図（遮蔽扉洗浄工程）。
【図８】基板処理方法を模式的に示す断面説明図（遮蔽扉洗浄工程）。
【図９】基板処理方法を模式的に示す断面説明図（乾燥処理工程）。
【図１０】基板処理装置を示す断面説明図。
【図１１】基板処理装置を示す断面説明図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下に、本発明に係る基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムの具体的な構成について図面を参照しながら説明する。
【００２５】
図１に示すように、基板処理装置１は、液処理手段２の上方に乾燥処理手段３を設け、液処理手段２と乾燥処理手段３との間に遮蔽手段４を設けるとともに、液処理手段２及び乾燥処理手段３に基板搬送手段５を設けている。ここで、液処理手段２は、基板６の液処理を行う。乾燥処理手段３は、基板６の乾燥処理を行う。遮蔽手段４は、液処理手段２と乾燥処理手段３とを遮蔽する。基板搬送手段５は、基板６を液処理手段２に搬入し、液処理手段２と乾燥処理手段３との間で基板６を搬送し、乾燥処理手段３から基板６を搬出する。
【００２６】
液処理手段２は、液処理槽７に処理液供給機構８と処理液排出機構９とを接続している。
【００２７】
液処理槽７は、上端部を開口させた貯留槽10の上端外周部に上端部を開口させたオーバーフロー槽11を形成し、オーバーフロー槽11の上端外周部に上端部開口させたシール槽12を形成している。貯留槽10は、処理液を貯留するとともに、貯留した処理液に基板６を浸漬させて、基板６の液処理を行う。オーバーフロー槽11は、貯留槽10からオーバーフローした処理液を貯留する。なお、オーバーフロー槽11に貯留された処理液は、貯留槽10で循環利用したり外部へ排液される。シール槽12は、貯留した純水等で液処理槽７の内部と外部とを遮断する。
【００２８】
処理液供給機構８は、貯留槽10の内側底部に左右一対の処理液吐出ノズル13,13を配置し、処理液吐出ノズル13,13に洗浄液供給源14とリンス液供給源15とをそれぞれ流量調整器16,17を介して接続している。洗浄液供給源14は、基板６を洗浄処理するためのフッ酸等の洗浄液を供給する。リンス液供給源15は、基板６をリンス処理するための純水等のリンス液を供給する。流量調整器16,17は、制御手段18に接続しており、制御手段18で開閉制御及び流量制御される。なお、制御手段18は、基板処理装置１の全体を制御する。
【００２９】
この処理液供給機構８は、洗浄液供給源14又はリンス液供給源15から供給される洗浄液又はリンス液のいずれかの処理液を流量調整器16,17で流量調整しながら処理液吐出ノズル13,13から貯留槽10の内部に供給する。
【００３０】
処理液排出機構９は、貯留槽10の内側底部中央に排出口19を形成し、排出口19に開閉弁20を介して外部のドレン21に接続している。開閉弁20は、制御手段18に接続しており、制御手段18で開閉制御される。
【００３１】
この処理液排出機構９は、開閉弁20を開放することで貯留槽10の内部に貯留した処理液を排出口19から外部のドレン21に排出する。
【００３２】
乾燥処理手段３は、乾燥処理槽22に乾燥流体供給機構23と蓋開閉機構24とを接続している。
【００３３】
乾燥処理槽22は、上端部及び下端部を開口させた槽本体25の上端開口部に蓋体26を開閉可能に設けている。
【００３４】
乾燥流体供給機構23は、乾燥処理槽22の槽本体25の上部に左右一対の乾燥流体吐出ノズル27,27を配置し、乾燥流体吐出ノズル27,27にＩＰＡ供給源28と不活性ガス供給源29とをそれぞれ流量調整器30,31を介して接続している。流量調整器30,31は、制御手段18に接続しており、制御手段18で開閉制御及び流量制御される。
【００３５】
この乾燥流体供給機構23は、ＩＰＡ供給源28から供給されるＩＰＡ蒸気や不活性ガス供給源29から供給される不活性ガスを流量調整器30,31で流量調整することでイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）蒸気と不活性ガスの混合流体や加熱された不活性ガスなどからなる乾燥流体を生成し、その乾燥流体を乾燥流体吐出ノズル27,27から乾燥処理槽22の内部に供給する。
【００３６】
蓋開閉機構24は、乾燥処理槽22の蓋体26に接続されており、蓋体26を上下に昇降させることで蓋体26を開閉する。この蓋開閉機構24は、制御手段18に接続しており、制御手段18で開閉制御される。
【００３７】
遮蔽手段４は、中空箱型状のケーシング32の内部に遮蔽扉33を移動（開閉）可能に収容し、遮蔽扉33に遮蔽扉開閉機構34と排液機構35とを接続するとともに、遮蔽扉33に洗浄液供給手段36を設けている。洗浄液供給手段36は、遮蔽扉33に洗浄液を供給して遮蔽扉33の洗浄を行う。
【００３８】
ケーシング32は、液処理槽７と乾燥処理槽22との間に介在して液処理槽７の上端開口部と乾燥処理槽22の下端開口部とを連通させる連通ケーシング37と、遮蔽扉33の開放時に遮蔽扉33を収容する遮蔽扉収容ケーシング38とで構成している。このケーシング32は、下端面に矩形枠状のシール片39を形成している。このシール片39は、シール槽12に貯留した純水に浸漬される。
【００３９】
遮蔽扉33は、矩形平板形状となっており、上面外周端縁部にシール部材40を取付けるとともに、上面の外周端縁部から中央部に向けて下方に傾斜させることで上面を凹状に（上面凹状部41を）形成している。この上面凹状部41は、遮蔽扉33の上面を凹状に形成していればよく、前後左右の４個の傾斜面で形成することもでき、また、下向きに凸状の１個の湾曲面で形成することもできる。
【００４０】
遮蔽扉開閉機構34は、遮蔽扉33に接続されており、遮蔽扉33を左右及び上下に移動させることで遮蔽扉33を開閉する。この遮蔽扉開閉機構34は、制御手段18に接続しており、制御手段18で開閉制御される。
【００４１】
この遮蔽扉開閉機構34は、遮蔽扉33の開放時には、遮蔽扉33を遮蔽扉収容ケーシング38の内部に移動させて、液処理槽７と乾燥処理槽22とが連通した状態にし、遮蔽扉33の閉塞時には、遮蔽扉33を遮蔽扉収容ケーシング38から連通ケーシング37に横方向に移動させるとともに、連通ケーシング37の内部で上方に移動させ、遮蔽扉33と連通ケーシング37とをシール部材40を介して密着させることで、液処理槽７と乾燥処理槽22とを遮蔽し、乾燥処理槽22を密閉した状態にする。
【００４２】
排液機構35は、遮蔽扉33の上面凹状部41の最下端部に排液口42を形成するとともに、遮蔽扉33の内部に排液口42へと連通する連通路43を形成し、連通路43に外部のドレン44を連通流路45を介して接続している。なお、外部のドレン44は、処理液排出機構９に接続したドレン21と共通でもよい。
【００４３】
この排液機構35は、基板６の乾燥処理を行う際に基板６から流下する液体を遮蔽扉33の上面凹状部41で収集し外部のドレン44に排出する。
【００４４】
洗浄液供給手段36は、排液機構35などの他の機構とは別個独立した機構で構成することもできるが、ここでは、一部を排液機構35と兼用した構成としている。
【００４５】
すなわち、洗浄液供給手段36は、連通流路45の中途部に遮蔽扉洗浄液供給源46を流量調整器47を介して接続するとともに、連通流路45と外部のドレン44との接続部に切換弁48を介設し、切換弁48に遮蔽扉洗浄液用のドレン49を接続している。遮蔽扉洗浄液供給源46は、遮蔽扉33を洗浄するためのＩＰＡや常温又は高温の純水などの洗浄液を供給する。流量調整器47は、制御手段18に接続しており、制御手段18で開閉制御及び流量制御される。また、切換弁48は、制御手段18に接続しており、制御手段18で開閉制御及び流路切換制御される。
【００４６】
この洗浄液供給手段36は、切換弁48を閉塞するとともに流量調整器47を所定流量で開放すると、遮蔽扉洗浄液供給源46から供給される洗浄液を連通流路45及び連通路43を介して排液口42から遮蔽扉33の上面凹状部41に供給し、遮蔽扉33の上面を洗浄液で洗浄する。また、洗浄液供給手段36は、流量調整器47を閉塞するとともに切換弁48でドレン49を開放することで、上面凹状部41を洗浄した洗浄液を排液口42から連通路43及び連通流路45を介してドレン49へと排出する。
【００４７】
このように、上記洗浄液供給手段36では、一部が排液機構35と兼用しており、排液口42を洗浄液の供給口として機能させている。
【００４８】
基板搬送手段５は、基板６を保持する保持体50に昇降アーム51を接続し、昇降アーム51に基板搬送機構52を接続している。保持体50は、複数枚の基板６を前後に間隔をあけて平行に下方から保持する。基板搬送機構52は、昇降アーム51を介して保持体50を昇降させることで基板６を上下に搬送する。この基板搬送機構52は、制御手段18に接続しており、制御手段18で搬送制御（昇降制御）される。
【００４９】
基板処理装置１は、以上に説明したように構成しており、制御手段18（コンピュータ）が読み取り可能な記憶媒体53に記憶した基板処理プログラムにしたがって基板６を処理する。なお、記憶媒体53は、基板処理プログラム等の各種プログラムを記憶できる媒体であればよく、ＲＯＭやＲＡＭなどの半導体メモリー型の記憶媒体であってもハードディスクやＣＤ−ＲＯＭなどのディスク型の記憶媒体であってもよい。
【００５０】
まず、基板処理プログラムは、図２及び図３に示すように、基板搬入工程を実行する。この基板搬入工程において、基板処理装置１は、制御手段18によって蓋開閉機構24及び基板搬送機構52を制御して、乾燥処理槽22の内部に保持体50で保持した基板６を搬入する。
【００５１】
次に、基板処理プログラムは、図２及び図４に示すように、液処理工程を実行する。この液処理工程において、基板処理装置１は、制御手段18によって基板搬送機構52を制御して、予め処理液を貯留した液処理槽７に基板６を搬送し、処理液に基板６を浸漬させる。これにより、基板６は、処理液で液処理される。この液処理工程において、遮蔽扉33は、遮蔽扉収容ケーシング38の内部に収容されている。しかし、処理液の蒸発や拡散などによって処理液が遮蔽扉33の表面に付着することがある。
【００５２】
次に、基板処理プログラムは、図２及び図５に示すように、基板搬送工程を実行する。この基板搬送工程において、基板処理装置１は、制御手段18によって基板搬送機構52を制御して、液処理槽７から上方の乾燥処理槽22の内部へ基板６を搬送する。
【００５３】
次に、基板処理プログラムは、図２及び図６に示すように、遮蔽工程を実行する。この遮蔽工程において、基板処理装置１は、制御手段18によって遮蔽扉開閉機構34を制御して、遮蔽扉33を遮蔽扉収容ケーシング38から連通ケーシング37に横方向に移動させるとともに、連通ケーシング37の内部で上方に移動させ、乾燥処理槽22を密閉した状態で液処理槽７と乾燥処理槽22とを遮蔽する。
【００５４】
次に、基板処理プログラムは、図２及び図７、図８に示すように、遮蔽扉洗浄工程を実行する。この遮蔽扉洗浄工程において、基板処理装置１は、図７に示すように、制御手段18によって洗浄液供給手段36を制御して、切換弁48を閉塞するとともに流量調整器47を所定流量で開放する。これにより、遮蔽扉洗浄液供給源46から供給される洗浄液が連通流路45及び連通路43を介して排液口42から遮蔽扉33の上面（上面凹状部41）に供給される。なお、洗浄液は、遮蔽扉33の上面から溢れない流量を供給する。
【００５５】
その後、基板処理装置１は、図８に示すように、制御手段18によって洗浄液供給手段36を制御して、流量調整器47を閉塞するとともに切換弁48でドレン49を開放する。これにより、上面凹状部41に供給された洗浄液が排液口42から連通路43及び連通流路45を介してドレン49へと排出される。
【００５６】
基板処理装置１では、洗浄液の供給と排出とを１回或いは複数回繰り返して行うことで、遮蔽扉33の少なくとも上面を洗浄する。これにより、基板処理装置１では、液処理工程で遮蔽扉33に付着した処理液を除去することができるので、次に行う乾燥処理工程において、遮蔽扉33に付着した処理液に起因するパーティクルの発生を防止することができる。
【００５７】
この遮蔽扉洗浄工程は、次の乾燥処理工程よりも前に実行すれば、基板６の乾燥処理時において、パーティクルの発生を防止することができる。そのため、遮蔽扉洗浄工程は、遮蔽工程よりも後に実行する場合に限られず、遮蔽工程よりも前に実行してもよく、液処理工程を実行している間や基板搬送工程を実行している間に同時に実行してもよい。このように、遮蔽扉洗浄工程を液処理工程等を実行している間に行った場合には、基板処理装置１での基板６の処理に要する全体の時間を短縮することができ、基板処理装置１のスループットを向上させることができる。
【００５８】
次に、基板処理プログラムは、図２及び図９に示すように、乾燥処理工程を実行する。この乾燥処理工程において、基板処理装置１は、制御手段18によって乾燥流体供給機構23を制御して、流量調整器30,31を所定流量で開放する。これにより、ＩＰＡ供給源28や不活性ガス供給源29から供給される乾燥流体が乾燥流体吐出ノズル27,27から乾燥処理槽22の内部に供給され、乾燥流体によって基板６が乾燥処理される。
【００５９】
その際に、基板処理装置１は、制御手段18によって排液機構35（洗浄液供給手段36）を制御して、切換弁48でドレン44を開放しておく。これにより、基板６の乾燥処理を行う際に基板６から流下した液体が遮蔽扉33の上面凹状部41で収集され、連通路43及び連通流路45を介して外部のドレン44に排出される。なお、遮蔽扉洗浄工程において、洗浄液供給手段36から供給した洗浄液を排液口42から排出せずに、遮蔽扉33の上面凹状部41に貯留しておき、この乾燥処理工程において基板６から流下する処理液などの液体とともに洗浄液を排液口42から排出してもよい。このように、遮蔽扉33に処理液が付着する前に予め遮蔽扉33の上面凹状部41に洗浄液を貯留しておくことで、基板６から流下した処理液が遮蔽扉33の上面に直接付着するのを防止でき、処理液の排出とともに遮蔽扉33の洗浄を行うことができる。
【００６０】
次に、基板処理プログラムは、図２に示すように、基板搬出工程を実行する。この基板搬出工程において、基板処理装置１は、制御手段18によって蓋開閉機構24及び基板搬送機構52を制御して、保持体50で保持した基板６を乾燥処理槽22の内部から搬出する。
【００６１】
以上に説明したように、基板処理装置１では、基板処理プログラムに従って、基板６の処理を行うとともに、基板６の乾燥処理前に遮蔽扉33の洗浄を行う。
【００６２】
このように、上記基板処理装置１では、洗浄液供給手段36を有し、洗浄液供給手段36を用いて遮蔽扉33の洗浄を行うことで、液処理工程で遮蔽扉33に付着した処理液を除去することができるので、基板６の乾燥処理工程において、遮蔽扉33に付着した処理液に起因するパーティクルの発生を防止して、基板６の処理を良好に行うことができる。
【００６３】
特に、遮蔽扉33に付着した処理液に起因するパーティクルの発生は、遮蔽扉33の上面に付着した処理液が原因となる。そのため、遮蔽扉33の少なくとも上面に洗浄液を供給して洗浄を行うことで、処理液の付着に起因するパーティクルの発生をより効果的に防止することができる。そして、遮蔽扉33の上面に洗浄液を供給する場合には、遮蔽扉33の上面を凹状に形成することで、供給した洗浄液が遮蔽扉33から不意に溢れだすのを防止することができる。また、遮蔽扉33の凹状の上面に洗浄液を排出する排液口42を形成することで、供給した洗浄液を遮蔽扉33から円滑に排出することができる。さらに、排液口42を遮蔽扉33の凹状の上面の最下端部に形成することで、供給した洗浄液を残留させることなく遮蔽扉33から排出することができ、基板６の乾燥処理時に残留した洗浄液に起因するパーティクルの発生を防止することができる。なお、洗浄液の排液口42が乾燥処理開始直後に基板６から流下する水分の排液口と兼用となっているために、遮蔽扉33の上面に洗浄液が残留してしまったとしても、基板６の乾燥処理の開始直後に基板６から流下した水分によって残留した洗浄液を排出することができる。
【００６４】
また、洗浄液供給手段36は、遮蔽扉33に洗浄液を供給できればよい。そのため、図１に示した上記基板処理装置１のように、洗浄液の供給部としての排液口42を遮蔽扉33に設けてもよく、また、図１０に示すように、洗浄液の供給部としてのノズル54を遮蔽扉収容ケーシング38の外部（乾燥処理槽22の内部）に設けてもよく、さらには、図１１に示すように、洗浄液の供給部としてのノズル55を遮蔽扉収容ケーシング38の内部に設けてもよい。洗浄液の供給部を遮蔽扉33に設けた場合（図１参照。）や遮蔽扉収容ケーシング38の内部に設けた場合（図１１参照。）には、遮蔽扉収容ケーシング38の内部で遮蔽扉33に洗浄液を供給することができ、供給した洗浄液が液処理槽７へと流下するのを防止することもできる。
【符号の説明】
【００６５】
１ 基板処理装置
５ 基板搬送手段
６ 基板
７ 液処理槽
22 乾燥処理槽
33 遮蔽扉
36 洗浄液供給手段
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液で基板の液処理を行う液処理槽と、
前記液処理槽の上方に設けられ、前記基板の乾燥処理を行う乾燥処理槽と、
前記液処理槽と乾燥処理槽との間に設けられ、前記液処理槽と乾燥処理槽とを遮蔽可能な遮蔽扉と、
前記液処理槽と乾燥処理槽との間で前記基板の搬送を行う基板搬送手段と、
前記遮蔽扉に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記洗浄液供給手段は、前記遮蔽扉の少なくとも上面に前記洗浄液を供給することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記遮蔽扉の上面を凹状に形成したことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記遮蔽扉の凹状の上面に前記洗浄液を排出する排液口を形成したことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記遮蔽扉の凹状の上面の最下端部に前記排液口を形成したことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記排液口から前記洗浄液を吐出することを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記洗浄液供給手段は、前記遮蔽扉の開放時に前記遮蔽扉を収容する遮蔽扉収容ケーシングの内部で洗浄液を遮蔽扉に供給することを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記洗浄液供給手段を制御する制御手段を有し、前記制御手段は、前記乾燥処理槽で前記基板を乾燥処理する前に前記洗浄液供給手段で前記遮蔽扉の洗浄を行うように制御することを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記制御手段は、前記液処理槽で前記基板を液処理している間に前記洗浄液供給手段で前記遮蔽扉の洗浄を行うように制御することを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
液処理槽で基板を液処理する液処理工程と、
前記基板を前記液処理槽の上方に設けられた乾燥処理槽に搬送する基板搬送工程と、
前記液処理槽と乾燥処理槽とを遮蔽扉で遮蔽する遮蔽工程と、
前記乾燥処理槽で前記基板を乾燥処理する乾燥処理工程と、
前記遮蔽扉を洗浄液で洗浄する遮蔽扉洗浄工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１１】
前記遮蔽扉洗浄工程は、前記遮蔽扉の少なくとも上面に前記洗浄液を供給して前記遮蔽扉の洗浄を行うことを特徴とする請求項１０に記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記遮蔽扉洗浄工程は、前記乾燥処理槽で前記基板を乾燥処理する前に前記遮蔽扉の洗浄を行うことを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記遮蔽扉洗浄工程は、前記液処理槽で前記基板を液処理している間に前記遮蔽扉の洗浄を行うことを特徴とする請求項１２に記載の基板処理方法。
【請求項１４】
液処理槽に、基板を液処理させる液処理工程と、
基板搬送手段に、前記基板を前記液処理槽から上方の乾燥処理槽に搬送させる基板搬送工程と、
遮蔽扉に、前記液処理槽と乾燥処理槽とを遮蔽させる遮蔽工程と、
前記乾燥処理槽に、前記基板を乾燥処理させる乾燥処理工程と、
洗浄液供給手段に、洗浄液を前記遮蔽扉に供給して前記遮蔽扉を洗浄液で洗浄させる遮蔽扉洗浄工程と、
を有する基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項１】
処理液で基板の液処理を行う液処理槽と、
前記液処理槽の上方に設けられ、前記基板の乾燥処理を行う乾燥処理槽と、
前記液処理槽と乾燥処理槽との間に設けられ、前記液処理槽と乾燥処理槽とを遮蔽可能な遮蔽扉と、
前記液処理槽と乾燥処理槽との間で前記基板の搬送を行う基板搬送手段と、
前記遮蔽扉に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記洗浄液供給手段は、前記遮蔽扉の少なくとも上面に前記洗浄液を供給することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記遮蔽扉の上面を凹状に形成したことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記遮蔽扉の凹状の上面に前記洗浄液を排出する排液口を形成したことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記遮蔽扉の凹状の上面の最下端部に前記排液口を形成したことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記排液口から前記洗浄液を吐出することを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記洗浄液供給手段は、前記遮蔽扉の開放時に前記遮蔽扉を収容する遮蔽扉収容ケーシングの内部で洗浄液を遮蔽扉に供給することを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記洗浄液供給手段を制御する制御手段を有し、前記制御手段は、前記乾燥処理槽で前記基板を乾燥処理する前に前記洗浄液供給手段で前記遮蔽扉の洗浄を行うように制御することを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記制御手段は、前記液処理槽で前記基板を液処理している間に前記洗浄液供給手段で前記遮蔽扉の洗浄を行うように制御することを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
液処理槽で基板を液処理する液処理工程と、
前記基板を前記液処理槽の上方に設けられた乾燥処理槽に搬送する基板搬送工程と、
前記液処理槽と乾燥処理槽とを遮蔽扉で遮蔽する遮蔽工程と、
前記乾燥処理槽で前記基板を乾燥処理する乾燥処理工程と、
前記遮蔽扉を洗浄液で洗浄する遮蔽扉洗浄工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１１】
前記遮蔽扉洗浄工程は、前記遮蔽扉の少なくとも上面に前記洗浄液を供給して前記遮蔽扉の洗浄を行うことを特徴とする請求項１０に記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記遮蔽扉洗浄工程は、前記乾燥処理槽で前記基板を乾燥処理する前に前記遮蔽扉の洗浄を行うことを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記遮蔽扉洗浄工程は、前記液処理槽で前記基板を液処理している間に前記遮蔽扉の洗浄を行うことを特徴とする請求項１２に記載の基板処理方法。
【請求項１４】
液処理槽に、基板を液処理させる液処理工程と、
基板搬送手段に、前記基板を前記液処理槽から上方の乾燥処理槽に搬送させる基板搬送工程と、
遮蔽扉に、前記液処理槽と乾燥処理槽とを遮蔽させる遮蔽工程と、
前記乾燥処理槽に、前記基板を乾燥処理させる乾燥処理工程と、
洗浄液供給手段に、洗浄液を前記遮蔽扉に供給して前記遮蔽扉を洗浄液で洗浄させる遮蔽扉洗浄工程と、
を有する基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１３−８９６９９（Ｐ２０１３−８９６９９Ａ）
【公開日】平成２５年５月１３日（２０１３．５．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２２７３９７（Ｐ２０１１−２２７３９７）
【出願日】平成２３年１０月１４日（２０１１．１０．１４）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月１３日（２０１３．５．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月１４日（２０１１．１０．１４）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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