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基板処理装置及び基板処理方法
説明

基板処理装置及び基板処理方法

【課題】超臨界工程を遂行する基板処理装置及びこれを利用する基板処理方法が提供される。
【解決手段】本発明による基板処理装置の一実施形態は、一面に基板が出入する開口が形成され、高圧工程が遂行される空間を提供するハウジングと、前記ハウジング内に設置され、前記基板を支持する支持部材と、前記開口を開閉するドアと、前記高圧工程の時、前記ハウジングが密閉されるように前記ドアへ力を加圧する加圧部材と、を含む。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は基板処理装置及び基板処理方法に関し、より詳細には、超臨界工程を遂行する基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体素子はフォトリソグラフィー工程(photolithography)を含む多様な工程を通じて基板の上に回路パタ−ンを形成して製造される。このような製造過程の中ではパーティクル(particle)、有機汚染物、金属不純物等が発生し、このような異物質は基板に欠陥を誘発して半導体素子の収率に直接的な影響を及ぶ要因として作用する。したがって、半導体製造工程には基板から異物質を除去するための洗浄工程が必須的に伴われる。
【0003】
一般的に洗浄工程は洗浄剤で基板の上の異物質を除去し、純水(DI−water:deionized water)で基板を洗浄した後、表面張力小さいイソプロパノールアルコール(IPA:isopropyl alcohol)のような有機溶剤で純水を置換した後、これを蒸発させて基板を乾燥させる順序に進行される。しかし、このような既存の乾燥方式は回路パターンが微細な半導体素子の場合にその乾燥効率が低いことでなく、乾燥過程の中で比較的弱い有機溶媒の表面張力によっても回路パタ−ンを損傷される崩壊現像(pattern collapse)が頻繁に発生する。
【0004】
これによって線幅30nm以下の半導体素子に対しては超臨界流体を利用して基板を乾燥させる超臨界乾燥工程(supercritical drying process)がだんだん既存の乾燥工程を代替している。超臨界流体とは、臨界温度と臨界圧力との以上で気体と液体との性質を同時に有する流体として、拡散力と浸透力とが優れ、溶解力が高く、表面張力が概ね無いので、基板の乾燥に非常に有用に使用され得る。
【0005】
しかし、このような超臨界工程を遂行する工程チャンバーは高圧の超臨界状態を維持するためにそのフットプリント(foot print)が増加して基板処理率(substrate throughput)が低下される問題点を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】韓国特許公開第10−2004−0058207号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明の一課題は超臨界工程を遂行する工程チャンバーの空間効率が向上される基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。
【0008】
本発明の他の課題は高圧環境を耐えられる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。
【0009】
本発明が解決しようとする課題が上述した課題に限定されることではなく、言及されなかった課題は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解できる。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本発明は基板処理装置を提供する。
【0011】
本発明による基板処理装置の一実施形態は、一面に基板が出入する開口が形成され、高圧工程が遂行される空間を提供するハウジングと、前記ハウジング内に設置され、前記基板を支持する支持部材と、前記開口を開閉するドアと、前記高圧工程の時、前記ハウジングが密閉されるように前記ドアへ力を加圧する加圧部材と、を含む。
【0012】
前記基板処理装置は、前記ドアを移動させるドア駆動器と、一端が前記ハウジングに結合され、他端が前記ドアに結合され、前記ドアの移動を案内するリンクと、をさらに包含できる。
【0013】
前記リンクは、前記一端が前記ハウジングで前記一面と垂直になる側面に結合され、前記他端が前記ドアで前記開口を開閉する面と垂直になる側面に結合され得る。
【0014】
前記リンクは、前記ドアが前記一端を中心に回転するように案内できる。
【0015】
前記リンクは、前記ハウジングと前記ドアの両側面とに各々1つずつ結合され得る。
【0016】
前記ハウジングで前記一面と前記ドアで前記開口を開閉する面とは、互に対応される曲面であり得る。
【0017】
前記リンクは、前記ハウジングの一面と前記ドアの密着される面とが平行な状態を維持しながら、前記ドアが乗降するように案内できる。
【0018】
前記リンクは、前記ハウジングと前記ドアの両側面とに各々複数個結合され得る。
【0019】
前記加圧部材は、前記ドアの前記開口を開閉する面の反対面を加圧する加圧板、駆動力を発生するシリンダー、及び前記シリンダーへの駆動力をその端部に結合された前記加圧板へ伝達するロードを包含できる。
【0020】
前記ドアの上面又は下面には、溝が形成され、前記ドアが乗降すれば、前記ロードが前記溝に挿入され、前記加圧板が前記ドアの前記反対面に位置され得る。
【0021】
前記基板処理装置は、前記ハウジング内部を加熱する加熱部材と、前記ハウジングへ超臨界流体を供給する供給ポートと、前記ハウジングから前記超臨界流体を排気する排気ポートと、をさらに包含して超臨界工程を遂行できる。
【0022】
前記供給ポートは、前記ハウジングの上面に形成される上部供給ポート及び前記ハウジングの下面に形成される下部供給ポートを包含できる。
【0023】
本発明による基板処理装置の他の実施形態は、基板を移送する移送チャンバーと、一面に前記基板が出入する開口が形成され、高圧工程が遂行される空間を提供するハウジング、前記ハウジング内に設置され、前記基板を支持する支持部材、前記開口を開閉するドア、及び前記高圧工程の時、前記ハウジングが密閉されるように前記ドアへ力を加圧する加圧部材を含み、工程チャンバーと、を含み、前記移送チャンバーの一側面と前記ハウジングの一面とが互に対向する。
【0024】
前記工程チャンバーは、前記ドアを移動させるドア駆動器及び一端が前記ハウジングに結合され、他端が前記ドアに結合され、前記ドアの移動を案内するリンクをさらに包含できる。
【0025】
前記リンクは、前記ドアが前記一端を中心に回転するように案内できる。
【0026】
前記リンクは、前記一端が前記ハウジングで前記一面と垂直になる側面に結合され、前記他端が前記ドアで前記開口を開閉する面と垂直になる側面に結合され、前記ハウジングと前記ドアの両側面とに各々1つずつ提供され、前記ハウジングで前記一面と前記ドアで前記開口を開閉する面とは、互に対応される曲面であり得る。
【0027】
前記リンクは、前記ハウジングの一面と前記ドアの密着される面とが平行な状態を維持しながら、前記ドアが乗降するように案内できる。
【0028】
前記リンクは、前記一端が前記ハウジングで前記一面と垂直になる側面に結合され、前記他端が前記ドアで前記開口を開閉する面と垂直になる側面に結合され、前記ハウジングと前記ドアの両側面とに各々複数個提供され得る。
【0029】
前記加圧部材は、前記ドアの前記開口を開閉する面の反対面を加圧する加圧板、駆動力を発生するシリンダー、及び前記シリンダーへの駆動力をその端部に結合された前記加圧板へ伝達するロードを包含できる。
【0030】
前記ドアの上面又は下面には、溝が形成され、前記ドアが乗降すれば、前記ロードが前記溝に挿入され、前記加圧板が前記ドアの前記反対面に位置され得る。
【0031】
前記工程チャンバーは、複数であり、前記複数の工程チャンバーは、鉛直方向に積層されて配置され得る。
【0032】
本発明は基板処理方法を提供する。
【0033】
本発明による基板処理方法の一実施形態は、開口を通じてハウジング内部に基板が搬入される段階と、ドアが前記開口を閉鎖する段階と、前記ハウジングが密閉されるように前記ドアの前記開口を開閉する面の反対面を加圧する段階と、前記密閉されたハウジング内で前記基板に対して工程を遂行する段階と、を含む。
前記ドアを閉鎖する段階は、前記ドアが前記開口に対して乗降して遂行できる。
【発明の効果】
【0034】
本発明によると、工程チャンバーがドアがスライディングされる構造に提供されることによって上下方向に少ない空間を占める。
【0035】
本発明によると、工程チャンバーが鉛直方向に積層されて同一なフットプリントでより多い工程チャンバーを配置でき、これによって基板処理率が向上される。
【0036】
本発明によると、加圧板によってドアを加圧して工程進行の時、その内部を密閉することができる。
【0037】
本発明の効果が上述した効果に限定されることではなく、言及されなかった効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解できる。
【図面の簡単な説明】
【0038】
【図1】図1は二酸化炭素の相変化に関するグラフである。
【図2】図2は基板処理装置の一実施形態の平面図である。
【図3】図3は基板処理装置の一実施形態の断面図である。
【図4】図4は図2の第1工程チャンバーの断面図である。
【図5】図2の第2工程チャンバーの一実施形態の斜視図である。
【図6】図2の第2工程チャンバーの一実施形態の斜視図である。
【図7】図2の第2工程チャンバーの一実施形態の断面図である。
【図8】図2の第2工程チャンバーの一実施形態の断面図である。
【図9】図2の第2工程チャンバーの一実施形態の断面図である。
【図10】第2工程チャンバーの他の実施形態の斜視図である。
【図11】第2工程チャンバーの他の実施形態の斜視図である。
【図12】図2の第2工程チャンバーが積層されて配置されることを示した図面である。
【図13】基板処理方法の一実施形態の順序図である。
【図14】基板処理方法の他の実施形態の順序図である。
【発明を実施するための形態】
【0039】
本明細書で使用される用語と添付された図面は本発明を容易に説明するためのものであるので、本発明が用語と図面とによって限定されることではない。
【0040】
本発明に利用される技術の中で本発明の思想と密接な関連がない公知の技術に関する詳細な説明は省略する。
【0041】
以下では本発明による基板処理装置100に関して説明する。
基板処理装置100は超臨界流体を工程流体として利用して基板Sを処理する超臨界工程を遂行できる。
【0042】
ここで、基板Sは半導体素子や平板ディスプレイ(FPD:flat panel display)及びその他に薄膜で回路パターンが形成された物の製造に利用される基板を全て含む包括的な概念である。このような基板Sの例としては、シリコンウエハーを含む多様なウエハー、ガラス基板、有機基板等がある。
【0043】
超臨界流体とは、臨界温度と臨界圧力を超過した超臨界状態に到達すれば、形成される気体と液体との性質を同時に有する相(phase)を意味する。超臨界流体は分子密度は液体に近いし、粘性度は気体に近い性質を有し、これによって拡散力、浸透力、溶解力が非常に優れ、化学反応に有利であり、表面張力概ね無いので、微細構造に界面張力を加えない特性を有する。
【0044】
超臨界工程はこのような超臨界流体の特性を利用して遂行されるが、その代表的な例としては、超臨界乾燥工程と超臨界蝕刻工程とがある。以下では超臨界工程に関して超臨界乾燥工程を基準に説明する。但し、これは説明を容易にするためのことに過ぎないので、基板処理装置100は超臨界乾燥工程以外の他の超臨界工程を遂行できる。
【0045】
超臨界乾燥工程は超臨界流体で基板Sの回路パターンに残留する有機溶剤を溶解して基板Sを乾燥させる方式に遂行され得り、乾燥効率が優れるだけでなく、崩壊現像を防止できる長所がある。超臨界乾燥工程に利用される超臨界流体としては有機溶剤との混和性がある物質を使用することができる。例えば、超臨界二酸化炭素(scCO:supercritical carbon dioxide)が超臨界流体として使用され得る。
【0046】
図1は二酸化炭素の相変化に関するグラフである。
【0047】
二酸化炭素は臨界温度が31.1℃であり、臨界圧力が7.38Mpaで比較的に低いので、超臨界状態に変化させやすく、温度と圧力とを調節して相変化を制御する容易である価額が低廉な長所がある。また、二酸化炭素は毒性が無いので、人体に無害であり、不燃性、非活性の特性を有し、超臨界二酸化炭素は水やその他の有機溶剤に比べて10〜100倍ぐらい拡散係数(diffusion coefficient)が高く、浸透が速く、有機溶剤の置換が速く、表面張力が概ねないので、微細な回路パタ−ンを有する基板Sの乾燥に利用するのが有利である物性を有する。これだけでなく、二酸化炭素は多様な化学反応の部産物として生成されることを再活用できる同時に超臨界乾燥工程に使用した後、これを気体に転換させて有機溶剤を分離して再使用することができので、環境汚染の側面でも負担が少ない。
【0048】
以下では本発明による基板処理装置100の一実施形態に関して説明する。本発明の一実施形態による基板処理装置100は超臨界乾燥工程を含んで洗浄工程を遂行できる。
【0049】
図2は基板処理装置100の一実施形態の平面図であり、図3は基板処理装置100の一実施形態の断面図である。
【0050】
図2及び図3を参照すれば、基板処理装置100はインデックスモジュール1000及び工程モジュール2000を含む。
インデックスモジュール1000は外部から基板Sが搬送されて工程モジュール2000に基板Sを搬送し、工程モジュール2000は超臨界乾燥工程を遂行できる。
【0051】
インデックスモジュール1000は設備前方端部モジュール(EFEM:equipment front end module)として、ロードポート1100及び移送フレーム1200を含む。
ロードポート1100には基板Sが収容される容器Cが置かれる。容器Cには前面開放一体形ポッド(FOUP:front opening unified pod)が使用され得る。容器Cはオーバーヘッドトランスファー(OHT:overhead transfer)によって外部からロードポート1100に搬入されるか、或いはロードポート1100から外部へ搬出され得る。
【0052】
移送フレーム1200はロードポート1100に置かれる容器Cと工程モジュール2000との間に基板Sを搬送する。移送フレーム1200はインデックスロボット1210及びインデックスレール1220を含む。インデックスロボット1210はインデックスレール1220の上で移動し、基板Sを搬送することができる。
【0053】
工程モジュール2000は実際に工程を遂行するモジュールであって、バッファチャンバー2100、移送チャンバー2200、第1工程チャンバー3000、及び第2工程チャンバー4000を含む。
【0054】
バッファチャンバー2100はインデックスモジュール1000と工程モジュール2000との間に搬送される基板Sが臨時的に留まる空間を提供する。バッファチャンバー2100には基板Sが置かれるバッファスロットが提供され得る。例えば、インデックスロボット1210は基板Sを容器Cから引き出してバッファスロットに置かれ、移送チャンバー2200の移送ロボット2210はバッファスロットに置かれる基板Sを引き出してこれを第1工程チャンバー3000や第2工程チャンバー4000へ搬送することができる。バッファチャンバー2100には複数のバッファスロットが提供されて複数の基板Sが置かれ得る。
【0055】
移送チャンバー2200はその周囲に配置されたバッファチャンバー2100、第1工程チャンバー3000、及び第2工程チャンバー4000の間に基板Sを搬送する。移送チャンバー2200は移送ロボット2210及び移送レール2220を包含できる。移送ロボット2210は移送レール2220の上で移動し、基板Sを搬送することができる。
【0056】
第1工程チャンバー3000と第2工程チャンバー4000とは洗浄工程を遂行できる。この時、洗浄工程は第1工程チャンバー3000と第2工程チャンバー4000とで順次的に遂行できる。例えば、第1工程チャンバー3000では洗浄工程の中でケミカル工程、リンス工程、及び有機溶剤工程が遂行され、続いて第2工程チャンバー4000では超臨界乾燥工程が遂行できる。
【0057】
このような第1工程チャンバー3000と第2工程チャンバー4000とは移送チャンバー2200の側面に配置される。例えば、第1工程チャンバー3000と第2工程チャンバー4000とは移送チャンバー2200の他の側面に互に対向するように配置され得る。
【0058】
また、工程モジュール2000には第1工程チャンバー3000と第2工程チャンバー4000とが複数に提供され得る。複数の工程チャンバー3000、4000は移送チャンバー2200の側面に一列に配置されるか、又は鉛直方向に積層されて配置されるか、又はこれらの組合によって配置され得る。
【0059】
勿論、第1工程チャンバー3000と第2工程チャンバー4000との配置は上述した例に限定されなく、基板処理装置100のフットプリントや工程効率等のような多様な要素を考慮して適切に変更できる。
【0060】
以下では第1工程チャンバー3000に関して説明する。
【0061】
図4は図2の第1工程チャンバー3000の断面図である。
【0062】
第1工程チャンバー3000はケミカル工程、リンス工程、及び有機溶剤工程を遂行できる。勿論、第1工程チャンバー3000はこれらの工程の中で一部の工程のみを選択的に遂行することもあり得る。ここで、ケミカル工程は基板Sへ洗浄剤を提供して基板Sの上の異物質を除去する工程であり、リンス工程は基板へリンス剤を提供して基板Sの上に残留する洗浄剤を洗浄する工程であり、有機溶剤工程は基板Sへ有機溶剤を提供して基板Sの回路パターンの間に残留するリンス剤を表面張力低い有機溶剤で置換する工程である。
【0063】
図4を参照すれば、第1工程チャンバー3000は支持部材3100、ノズル部材3200、及び回収部材3300を含む。
【0064】
支持部材3100は基板Sを支持し、支持された基板Sを回転させ得る。支持部材3100は支持プレート3110、支持ピン3111、チャッキングピン3112、回転軸3120、及び回転駆動器3130を包含できる。
【0065】
支持プレート3110は基板Sと同一又は類似な形状の上面を有し、支持プレート3110の上面には支持ピン3111とチャッキングピン3112とが形成される。支持ピン3111は基板Sを支持し、チャッキングピン3112は支持された基板Sを固定することができる。
【0066】
支持プレート3110の下部には回転軸3120が連結される。回転軸3120は回転駆動器3130から回転力が伝達されて支持プレート3110を回転させる。これによって、支持プレート3110に安着された基板Sが回転できる。この時、チャッキングピン3112は基板Sが正位置を離脱することを防止することができる。
【0067】
ノズル部材3200は基板Sへ薬剤を噴射する。ノズル部材3200はノズル3210、ノズルバー3220、ノズル軸3230、及びノズル軸駆動器3240を含む。
【0068】
ノズル3210は支持プレート3110に安着された基板Sへ薬剤を噴射する。薬剤は洗浄剤、リンス剤、又は有機溶剤であり得る。ここで、洗浄剤では過酸化水素HO2溶液や過酸化水素溶液にアンモニアNHOH、塩酸HCl又は硫酸HSOを混合した溶液又はブッ酸HF溶液等が使用され得る。また、リンス剤としては純水が使用され得る。又、有機溶剤としてはイソプロパノールアルコールを含めてエチルグリコール(ethylglycol)、1−プロパノール(propanol)、テトラハイドロリックフラン(tetra hydraulic franc)、4−ヒドロキシル(hydroxyl)、4−メチル(methyl)、2−ペンタノン(pentanone)、1−ブタノール(butanol)、2−ブタノール、メタノール(methanol)、エタノール(ethanol)、n−プロピルアルコール(n−propyl alcohol)、ジメチルエチル(dimethylether)の溶液やガスが使用され得る。
【0069】
このようなノズル3210はノズルバー3220の一端の底面に形成される。ノズルバー3220はノズル軸3230へ結合され、ノズル軸3230は乗降又は回転できるように提供される。ノズル軸駆動器3240はノズル軸3230を乗降又は回転させてノズル3210の位置を調節することができる。
【0070】
回収部材3300は基板Sへ供給された薬剤を回収する。ノズル部材3200によって基板Sへ薬剤が供給されれば、支持部材3100は基板Sを回転させて基板Sの全領域に薬剤が均一に供給されるようにすることができる。基板Sが回転すれば基板Sから薬剤が飛散するが、飛散する薬剤は回収部材3300によって回収され得る。
【0071】
回収部材3300は回収筒3310、回収ライン3320、乗降バー3330、及び乗降駆動器3340を包含できる。
【0072】
回収筒3310は支持プレート3110を囲む環形リング形状に提供される。回収筒3310は複数であり、複数の回収筒3310は上部から見る時、順に支持プレート3110から遠くなるリング形状に提供され、支持プレート3110から遠い距離にある回収筒3310であるほど、その高さが高くなるように提供される。これによって、回収筒3310の間の空間に基板Sから飛散される薬剤が流入される回収口3311が形成される。
【0073】
回収筒3310の下面には回収ライン3320が形成される。回収ライン3320は回収筒3310へ回収された薬剤を再生する薬剤再生システム(図示せず)へ供給する。
【0074】
乗降バー3330は回収筒3310に連結されて乗降駆動器3340から動力が伝達されて回収筒3310を上下へ移動させる。乗降バー3330は回収筒3310が複数である場合、最外殻に配置された回収筒3310に連結され得る。乗降駆動器3340は乗降バー3330を通じて回収筒3310を乗降させて複数の回収口3311の中で飛散する薬剤が流入される回収口3311を調節することができる。
【0075】
以下では第2工程チャンバー4000に関して説明する。
【0076】
第2工程チャンバー4000は超臨界流体を利用して超臨界乾燥工程を遂行できる。勿論、上述したように、第2工程チャンバー4000で遂行される工程は超臨界乾燥工程の以外に他の超臨界工程であり得り、さらに、第2工程チャンバー4000は超臨界流体の代わりに他の工程流体を利用して工程を遂行することもあり得る。
【0077】
このような第2工程チャンバー4000は上述したように、移送チャンバー2200の一側面に配置され得る。第2工程チャンバー4000が複数である場合には移送チャンバー2200の一側面に一列に配置されるか、或いは上下に積層されて配置されるか、又はこれらの組合によって配置され得る。基板処理装置100ではロードポート1100、移送フレーム1200、バッファチャンバー2100、移送モジュール2200が順次的に配置できるが、第2工程チャンバー4000はこれと同一な方向に移送チャンバー2200の一側面に一列に配置され得る。
【0078】
以下では第2工程チャンバー4000の一実施形態に関して説明する。
【0079】
図5及び図6は図2の第2工程チャンバー4000の一実施形態の斜視図であり、図7乃至図9は図2の第2工程チャンバー4000の一実施形態の断面図である。
【0080】
図5乃至図9を参照すれば、第2工程チャンバー4000はハウジング4100、ドア4150、ドア駆動器4700、ドアリンク4750、加圧部材4200、支持部材4300、加熱部材4400、供給ポート4500、及び排気ポート4600を包含できる。
【0081】
ハウジング4100は超臨界乾燥工程が遂行される空間を提供する。ハウジング4100は超臨界乾燥工程が遂行される空間を提供する。ハウジング4100は臨界圧力以上の高圧を耐えられる材質で提供される。
【0082】
ハウジング4100の一面には開口4110が形成される。基板Sは開口4110を通じてハウジング4100へ搬入されるか、或いはハウジング4100から搬出され得る。ここで、基板Sは第1工程チャンバー3000で有機溶剤工程を経て有機溶剤が残留する状態に基板Sへ搬入され得る。
【0083】
開口4110が形成されるハウジング4100の一面は移送チャンバー2000の第2工程チャンバー4000が配置される一側面と互に対向する面であり得る。これによって、移送チャンバー2200の移送ロボット2210が開口4110を通じてハウジング4100の内部へ移動して基板Sを搬入させ得る。
【0084】
ドア4150は開口4110を開閉することができる。ドア4150は下降して開口4110を開放するか、或いは上昇して開口4110を閉鎖できる。勿論、これと反対に下降して開口4110を閉鎖するか、或いは上昇して開口4110を開放することもあり得る。また、ドア4150が必ず乗降することではなく、水平方向へ移動するすることも可能である。このように、ドア4150はハウジング4100の開口4110が形成された側面に対して相対的に移動して開口4110が形成された面で離隔されてハウジング4100を開放するか、或いは密着してハウジング4100を密閉することができる。
【0085】
ドアリンク4750はこのようなドア4150の移動を案内する。ドアリンク4750は一端がハウジング4100の開口4110が形成された面の側面に結合され、他端がドア4150の開口を開閉する面、即ちハウジング4100と対向する面の側面に結合され得る。このようなドアリンク4750によって、ドア4150はドアリンク4750のハウジング4100へ結合された一端を中心に回転しながら、開口4110に対して乗降できる。
【0086】
ドア駆動器4700はドア4150を移動させる。このようなドア駆動器4700はドアリンク4750のハウジング4100と結合される一端に設置されてドアリンク4750を回転させ得る。ドア駆動器4700によってドアリンク4750が回転すれば、それにしたがって、ドア4150が乗降できる。勿論、ドア駆動器4700が必ずドアリンク4750のみに設置されることではなく、ドア4150へ結合されて直接ドア4150へ力が伝達することもあり得る。
【0087】
ここで、ハウジング4100とドア4150とで互に接する面は互に対応される形状に提供され得る。例えば、ハウジング4100の開口4110が形成された面は膨らんでいる曲面で提供され、ドア4150でハウジング4100の開口4110が形成された面と接する面はそれに対応される凹んだ曲線で提供され得る。これによって、ドア4150がハウジング4100と接しながら、回転移動することができる。
【0088】
加圧部材4200はドア4150のハウジング4100と接する面の反対面、即ち開口4150を開閉する面の反対面へ圧力を加えられる。加圧部材4200はこれによって、ドア4150が開口4110と密着してハウジング4100を密閉され得る。特に、加圧部材4200は超臨界乾燥工程の中にドア4150へ開口4110に向かう方向へ力を加えてハウジング4100を密閉することができる。超臨界乾燥工程は超臨界状態の高圧で進行されるので、工程が進行されれば、ハウジング4100の内部と外部との圧力差によってドア4150へ開口4110から遠くなる方向へ力が作用され、それによって、ドア4150は加圧部材4100からその反対方向にそれより強い力が伝達されて超臨界乾燥工程の中にハウジング4100が開放されないように密閉することができる。
【0089】
加圧部材4200は加圧シリンダー4210、加圧ロード4220、及び加圧板4230を包含できる。加圧シリンダー4210は駆動力を発生させる。加圧ロード4220は加圧シリンダー4210に連結され、加圧シリンダー4210から力が伝達されて加圧板4230へ伝達することができる。加圧板4230は加圧ロード4220の一端に形成されてドア4150へ圧力を加えられる。
【0090】
例えば、加圧シリンダー4210はハウジング4100の両側に設置され、加圧ロード4220はハウジング4100を貫通でき、加圧板4230はドア4150の開口4110と対向する面の反対面に接してドア4150へハウジング4100の方向へ力を加えられる。
【0091】
ここで、ドア4150の上部にはハウジング4100を貫通した加圧ロード4220が挿入される溝4151が形成され得る。この時、溝4151は加圧ロード4220は溝4151へ挿入され、加圧板4230は溝4151を通過できない形状に提供される。ドア4150が乗降すれば、加圧ロード4220が溝4151へ挿入される。これによって、ドア4150が加圧部材4200と干渉されなく、開口4110を開閉するように移動することができる。加圧ロード4220がドア4150の溝4151へ挿入されれば、加圧板4230はドア4150のハウジング4100を対向する面の反対面に位置されることになる。これによって、ドア4150がハウジング4100を密閉した状態で加圧部材4200がドア4150へ圧力を加えられる。
【0092】
支持部材4300は基板Sを支持する。支持部材4300は基板Sの縁領域を支持することができる。例えば、支持部材4300にはその内部に基板Sと同一又は類似な形状に基板Sの面積より小さいホール4310が形成されたプレートの形状に提供され得る。又は、支持部材4300は基板Sの縁領域のみを支持するスロットタイプに提供され得る。このような形態の支持部材4300に安着された基板Sはその上面及び下面の大部分の領域が露出される。したがって、第2工程チャンバー4000で超臨界乾燥工程進行される間に基板Sはその全領域が超臨界流体に露出され乾燥され得る。
【0093】
このような支持部材4300はハウジング4100の内部に設置され得る。支持部材4300はハウジング4100の下部壁から鉛直上方に延長されてその上端で水平方向に折曲される形態に提供され得る。又は、支持部材4300はハウジング4100の両側側壁で突出されるスロット形態に提供され得る。
【0094】
加熱部材4400はハウジング4100の内部を加熱する。加熱部材4400は第2工程チャンバー4000の内部へ供給された超臨界流体を臨界温度以上に加熱して超臨界流体の相に維持するか、又は液化された場合に再び超臨界流体になるようにすることができる。加熱部材4400はハウジング4100の壁内に埋め込まれて設置され得る。このような加熱部材4400は例えば、外部から電源を受けて熱を発生させるヒーターとして提供され得る。
【0095】
供給ポート4500は第2工程チャンバー4000へ超臨界流体を供給する。供給ポート4500は超臨界流体を供給する供給ライン4550に連結され得る。この時、供給ポート4500には供給ライン4550から供給される超臨界流体の流量を調節するバルブが設置され得る。
【0096】
供給ポート4500は上部供給ポート4510及び下部供給ポート4520を包含できる。上部供給ポート4510はハウジング4100の上部壁に形成されて支持部材4300によって支持される基板Sの上面に超臨界流体を供給する。下部供給ポート4520はハウジング4100の下部壁に形成されて支持部材4300によって支持される基板Sの下面へ超臨界流体を供給する。ここで、基板Sはその上面がパターン面であり、下面が非パターン面になるように支持部材4300に安着され得る。
【0097】
供給ポート4500は基板Sの中央領域に超臨界流体を噴射することができる。例えば、上部供給ポート4510は支持部材4300によって支持される基板Sの中央から鉛直上方に位置することができる。なお、下部供給ポート4520は支持部材4300によって支持される基板Sの中央から鉛直下方に位置することができる。これによって、供給ポート4500へ噴射される超臨界流体が基板Sの中央領域に到達して縁領域に広げながら、基板Sの全領域に均一に提供され得る。
【0098】
また、上部供給ポート4510と下部供給ポート4520とでは先に下部供給ポート4520が超臨界流体を供給し、後に上部供給ポート4510が超臨界流体を供給することができる。超臨界乾燥工程は初期に第2工程チャンバー4000の内部が臨界圧力に未達する状態で進行されるので、第2工程チャンバー4000の内部へ供給される超臨界流体は液化され得る。したがって、超臨界乾燥工程の初期に上部供給ポート4510へ超臨界流体が供給される場合には超臨界流体が液化されて重力によって基板Sへ落下して基板Sを損傷させ得る。上部供給ポート4510は下部供給ポート4520を通じて第2工程チャンバー4000に超臨界流体が供給されて第2工程チャンバー4000の内部圧力が臨界圧力に到達すれば、超臨界流体の供給を開始することによって供給される超臨界流体が液化されて基板Sへ落下することを防止することができる。
【0099】
排気ポート4600は第2工程チャンバー4000から超臨界流体を排気する。排気ポート4600は超臨界流体を排気する排気ライン4650に連結され得る。この時、排気ポート4600には排気ライン4650へ排気する超臨界流体の流量を調節するバルブが設置され得る。排気ライン4650を通じて排気される超臨界流体は大気の中へ放出されるか、又は超臨界流体を再生する超臨界流体再生システム(図示せず)へ供給され得る。
【0100】
排気ポート4600はハウジング4100の下部壁に形成され得る。超臨界乾燥工程の後期には第2工程チャンバー4000から超臨界流体が排気されてその内部圧力が臨界圧力以下に降圧されて超臨界流体が液化され得る。液化された超臨界流体は重力によってハウジング4100の下部壁に形成された排気ポート4600を通じて排出され得る。
【0101】
以下では第2工程チャンバー4000の他の実施形態に関して説明する。
【0102】
図10及び図11は第2工程チャンバー4000の他の実施形態の斜視図である。
第2工程チャンバー4000の他の実施形態はその一実施形態と比較してドア4150が駆動される方式に差異があるので、これを中心に説明する。
【0103】
図10及び図11を参照すれば、ハウジング4100の開口4110が形成された面とドア4150の開口4110を開閉する面とは平面に提供され得る。
【0104】
ドアリンク4750はハウジング4100とドア4150の両側面とに複数に提供され得る。例えば、ドアリンク4750はハウジング4100とドア4150の両側面とに各々2つずつ提供され得る。
【0105】
このようなドアリンク4750はドア4150がハウジング4100とドア4150の対向する面が互に平行になるように維持しながら、移動するように案内できる。
【0106】
ドア駆動器4700は駆動力を発生させるドアシリンダー4710と、一端がドア4150へ結合され、ドアシリンダー4710から駆動力が伝達されてドア4150に上下方向の力を加えるドアロード4720とを包含できる。
【0107】
ドア4150はドア駆動器4700によって、上下方向の成分を有する力が加えられ、ドアリンク4750によってハウジング4100の開口4110が形成された面に対してドア4150の密着される面が平行な姿勢を維持しながら、乗降又は下降して開口4110を開閉することができる。
【0108】
このようなドア4150のハウジング4100を対向する面で中央部分が開口4110に密着され、両縁部分にはドアロード4720が結合され得る。この時には縁部分より中央部分の厚さが薄く提供され得る。これによって、ドア4150が上下方向へ移動する幅が狭くても、効果的に開口4110を開閉することができる。ここで、溝4151はドア4150の下部から中央部まで形成されるか、又は中央部に形成され得る。
【0109】
上述した第2工程チャンバー4000は基板処理装置100に複数に提供され得る。この時、第2工程チャンバー4000は互に積層されて配置され得る。
【0110】
図12は図2の第2工程チャンバー4000が積層されて配置されることを示した図面である。
【0111】
図12を参照すれば、4つの第2工程チャンバー4000a、4000b、4000c、4000dが上下方向に積層されて提供される。勿論、積層される第2工程チャンバー4000の数は必要によって加減され得る。第2工程チャンバー4000ではドア4150が開口4110を開放された状態で開口4110を通じて基板Sがスライディングして側面方向にハウジング4100の内へ搬入されるので、上下に少ない高さを有するように提供され得る。また、このような構造にしたがって開口4110の面積が小さいので、超臨界乾燥工程の中で開口4110を密閉するために比較的弱い力が必要とし、ハウジング4100を密閉するための加圧部材4200の駆動力が弱くてもよいので、加圧部材4200の大きさも小さくなり得る。結果的に第2工程チャンバー4000は既存の超臨界工程を遂行する工程チャンバーに比べて全体的に大きさが小さくて、特に上下方向にその高さが小さく製作できるので、多数の第2工程チャンバー4000を積層して配置するのが容易である。
【0112】
以上では本発明による基板処理装置100が基板Sへ超臨界流体を供給して基板を処理することと説明したが、本発明による基板処理装置100が必ずこのような超臨界工程を遂行することに限定されることではない。したがって、基板処理装置100の第2工程チャンバー4000は供給ポート4500に超臨界流体をの代わりに他の工程流体を供給して基板Sを処理することもあり得る。このような場合には、工程流体として超臨界流体の代わりに有機溶剤やその他の多様な成分のガス、プラズマガス、不活性ガス等が使用され得る。
【0113】
また、基板処理装置100はその構成要素を制御する制御器をさらに包含できる。例えば、制御器は加熱部材4400を制御してハウジング4100の内部温度を調節することができる。他の例としては、制御器はノズル部材2320、供給ライン4550や排気ライン4650に設置されたバルブを制御して薬剤や超臨界流体の流量を調節することができる。その他の例としては、制御器はドア駆動器4700や加圧部材4200を制御してハウジング4100を開放するか、或いは密閉することができる。その他の例としては、制御器は上部供給ポート4110と下部供給ポート4120との中でいずれか1つが先に超臨界流体の供給を開始した後、第2工程チャンバー4000の内部圧力が予め設定された圧力に到達すれば、他の1つが超臨界流体の供給を開始するように制御することもあり得る。
【0114】
このような制御器はハードウェア、ソフトウェア、又はこれらの組合を利用してコンピューター又はこれと類似な装置で具現され得る。
【0115】
ハードウェア的に制御器はASICs(application specific integrated circuits)、DSPs(digital signal processors)、DSPDs(digital signal processing devices)、PLDs(programmable logic devices)、FPGAs(field programmable gate arrays)、プロセッサー(processors)、マイクロコントローラ(micro−controllers)、マイクロプロセッサー(microprocessors)やこれらと類似な制御機能を遂行する電気的な装置で具現され得る。
【0116】
又、ソフトウェア的に制御器は1つ以上のプログラム言語で作成されたソフトウェアコード又はソフトウェアアプリケーションによって具現され得る。ソフトウェアはハードウェア的に具現された制御部によって実行され得る。尚、ソフトウェアはサーバー等の外部機器から上述したハードウェア的な構成に送信されることによって設置され得る。
【0117】
以下では本発明による基板処理方法に関して上述した基板処理装置100を利用して説明する。但し、これは説明を容易にするためのことに過ぎないので、基板処理方法は上述した基板処理装置100以外にもこれと同一又は類似な他の装置を利用して遂行できる。また、本発明による基板処理方法は、これを遂行するコード又はプログラムの形態にコンピューター読出し可能記録媒体に格納され得る。
【0118】
以下では基板処理方法の一実施形態に関して説明する。基板処理方法の一実施形態は洗浄工程全般に関する。
【0119】
図13は基板処理方法の一実施形態の順序図である。
【0120】
図13を参照すれば、基板処理方法の一実施形態は第1工程チャンバー3000へ基板Sを搬入する段階(S110)、ケミカル工程を遂行する段階(S120)、リンス工程を遂行する段階(S130)、有機溶剤工程を遂行する段階(S140)、第2工程チャンバー4000へ基板Sを搬入する段階(S150)、超臨界乾燥工程を遂行する段階(S160)、及びロードポート1100に置かれる容器Cに基板Sを収納する段階(S170)を含む。一方、上述した段階は必ず説明された順に実行されなければならないことではなく、後に説明された段階が先に説明された段階の前に遂行されることもできる。これは後述する基板処理方法の他の実施形態でも同様である。以下では各段階に関して説明する。
【0121】
第1工程チャンバー3000へ基板Sを搬入する(S110)。先ずオーバーヘッドトランスファー等の搬送装置等が基板Sが収納された容器Cをロードポート1100に置く。容器Cが置かれれば、インデックスロボット1210が容器Cから基板Sを引き出してこれをバッファスロットに積載する。バッファスロットに積載された基板Sは移送ロボット2210によって引き出されて第1工程チャンバー3000へ搬入され、支持プレート3110に安着される。
【0122】
第1工程チャンバー3000へ基板Sが搬入されれば、ケミカル工程を遂行する(S120)。支持プレート3110に基板Sが置かれれば、ノズル軸駆動器3240によってノズル軸3230が移動及び回転してノズル3210が基板Sの上部に位置される。ノズル3210は基板Sの上面へ洗浄剤を噴射する。洗浄剤が噴射されれば、基板Sから異物質が除去される。この時、回転駆動器3130は回転軸3120を回転させて基板Sを回転させ得る。基板Sが回転されれば、洗浄剤が基板Sへ均一に供給され、また基板Sから飛散される。飛散される洗浄剤は回収筒3310へ流入され、回収ライン3320を通じて流体再生システム(図示せず)へ送られる。この時、乗降駆動器3340は乗降バー3330を通じて複数の回収筒3310の中でいずれか1つへ飛散される洗浄剤が流入されるように回収筒3310を乗降させる。
【0123】
基板S上の異物質が十分に除去されれば、リンス工程を遂行する(S130)。ケミカル工程が終了されれば、基板Sには異物質が除去され、洗浄剤が残留される。複数のノズル3210の中で洗浄剤を噴射したノズル3210は基板Sの上部から離脱し、他のノズル3210が基板Sの上部へ移動して基板Sの上面へリンス剤を噴射する。基板Sへリンス剤が供給されれば、基板Sに残留する洗浄剤が洗浄される。リンス工程の中にも基板Sの回転と薬剤の回収が行われ得る。乗降駆動器3340は洗浄剤を回収した回収筒3310と他の回収筒3310へリンス剤が流入されるように回収筒3310との高さを調節する。
【0124】
基板Sが十分に洗浄されれば、有機溶剤工程を遂行する(S140)。リンス工程が終了されれば、その他のノズル3210が基板Sの上部へ移動して有機溶剤を噴射する。有機溶剤が供給されれば、基板S上のリンス剤が有機溶剤で置換される。一方、有機溶剤工程の中にはは基板Sを回転させないか、或いは低速に回転させ得る。基板Sの上で有機溶剤が直ちに蒸発されれば、有機溶剤の表面張力によって回路パターンに界面張力が作用して回路パターンが崩壊されることがあるためである。
【0125】
第1工程チャンバー3000で有機溶剤工程が終了されれば、第2工程チャンバー4000へ基板Sを搬入し(S150)、第2工程チャンバー4000が超臨界乾燥工程を遂行する(S160)。段階S150と段階S160とに対しては後述する基板処理方法の他の実施形態で詳細に説明する。
【0126】
超臨界乾燥工程が終了されれば、基板Sをロードポート1100に置かれる容器Cに収納する(S170)。第2工程チャンバー4000が開放されれば、移送ロボット2210が基板Sを引き出す。基板Sはバッファチャンバー2100へ移動し、インデックスロボット1110によってバッファチャンバー2100から引き出されて容器Cに収納され得る。
【0127】
以下では基板処理方法の他の実施形態に関して説明する。基板処理方法の他の実施形態は第2工程チャンバー4000が超臨界乾燥工程を遂行する方法に関する。
【0128】
図14は基板処理方法の他の実施形態の順序図である。
【0129】
図14を参照すれば、基板処理方法の他の実施形態は基板Sを搬入する段階(S210)、ハウジング4100を密閉する段階(S220)、ドア4150を加圧する段階(S230)、超臨界流体を供給する段階(S240)、超臨界流体を排気する段階(S250)、ハウジング4100を開放する段階(S260)、及び基板Sを搬出する段階(S270)と、を含む。以下では各段階に関して説明する。
【0130】
第2工程チャンバー4000へ基板を搬入する(S210)。ここで、第2工程チャンバー4000はハウジング4100とドア4150とが互に離隔されてドア4150が開放されている状態である。したがって、移送ロボット2210は開口4110を通じて基板Sを側面方向へスライディングさせてハウジング4100の内部へ搬入することができる。ここで、移送ロボット2210は第1工程チャンバー3000から有機溶剤が残留する状態に基板Sを引き出してハウジング4100内部の支持部材4300に安着させ得る。
【0131】
基板Sが搬入されれば、ハウジング4100を密閉する(S220)。ドア駆動器4700はドア4150へ駆動力を伝達し、ドア4150はドアリンク4750が案内する経路にしたがって移動する。ドア4150はドアリンク4750のハウジング4100へ結合された一端を基準に回転するか、又はドアリンク4750によってハウジング4100の開口4110が形成された面と平行を維持しながら、乗降して開口4110を閉鎖できる。ドア4150と開口4110とが密着されれば、ハウジング4100の内部が密閉される。一方、ここで、ドア駆動器4700がドア4150を開口4110へ近くに移動させ、加圧部材4200がドア4150へハウジング4100方向に圧力を加えてドア4150をハウジング4100に密着させることもあり得る。
【0132】
ドア4150がハウジング4100の開口4110が形成された面に密着されるか、又は近くに位置されれば、ドア4150を加圧する(S230)。ドア4150がドアリンク4750によってハウジング4100の開口4110が形成された面に密着されるか、又は近くに位置されれば、ドア4150に形成された溝4151へ加圧ロード4220が挿入され、加圧板4230がドア4150のハウジング4100と対向する面の反対面に位置される。加圧シリンダー4210は加圧ロード4220へドア4150からハウジング4100を向かう方向へ力を加え、これによって加圧ロード4220の端部に結合され、ドア4150の反対面に密着された加圧板4230がドア4150へドア4150からハウジング4100方向へ力を加える。加圧板4230から受ける圧力によってドア4150はハウジング4100を堅固に密閉することができる。
【0133】
ハウジング4100が密閉されれば、超臨界流体を供給する(S240)。供給ポート4500は超臨界流体をハウジング4100内部へ噴射することができる。このような過程でハウジング4100内部を超臨界雰囲気に維持するために加熱部材4300がハウジング4100の内部を加熱できる。噴射される超臨界流体は基板Sへ提供されて基板Sに残留する有機溶剤を溶解させて基板Sを乾燥させ得る。
【0134】
超臨界流体は上部供給ポート4510と下部供給ポート4520とを通じて供給され得る。この時、支持部材4100はハウジング4100の下部壁より上部壁に近いように設置され得る。基板Sは上面がパターン面であり、下面が非パターン面である場合、支持部材4100が上部壁により近くに提供されれば、上部供給ポート4510から噴射される超臨界流体が基板Sにより良く伝達され得る。これによって、基板Sのパターン面の乾燥、即ち回路パターンの間に残留する有機溶剤の乾燥が効果的に遂行できる。
【0135】
ここで、先に下部供給ポート4520へ超臨界流体を供給した(S241)後に上部供給ポート4510へ超臨界流体の供給を開始する(S242)。超臨界流体が初めに流入される時にはハウジング4100内部の圧力が未だ臨界圧力以下である状態であるので、超臨界流体が液化され得る。基板Sの上部へ超臨界流体が供給される場合には超臨界流体が液化されて重力によって基板Sの上部に落下でき、これによって、基板Sに損傷が発生し得る。したがって、先に下部供給ポート4520を通じて超臨界流体を供給し、後に上部供給ポート4510を通じて超臨界流体を供給することができる。
【0136】
下部供給ポート4510を通じて超臨界流体が持続的に流入されれば、ハウジング4100内部圧力が臨界圧力以上に上昇し、加熱部材4200によってハウジング4100内部が加熱されれば、ハウジング4100の内部温度が臨界温度以上に上昇してハウジング4100の内部に超臨界雰囲気が形成され得る。上部供給ポート4510はハウジング4100内部が超臨界状態になった時に超臨界流体の供給を開始できる。即ち、制御器はハウジング4100の内部圧力が臨界圧力以上になった時に上部供給ポート4510を通じて超臨界流体を供給することができる。
【0137】
一方、このように超臨界流体を供給して超臨界乾燥工程が遂行される間に、ハウジング4100の内部は超臨界状態に維持され、超臨界状態ではハウジング4100の内部圧力が臨界圧力を超過した高圧状態になる。したがって、ハウジング4100の外部と内部との圧力の差異によってドア4150の開口4110と密着された面にドア4150をハウジング4100から離隔させる方向へ力が作用される。段階S230にしたがって加圧部材4200はこのようにドア4150の開口4110と対向する反対面に圧力差によって発生された力より大きい力を加えて工程の間にハウジング4100を密閉することができる。
【0138】
超臨界流体によって、基板Sに残留する有機溶剤が溶解されて基板Sが十分に乾燥されれば、超臨界流体を排気する(S250)。排気ポート4600が超臨界流体を第2工程チャンバー4000から排気する。一方、上述した超臨界流体の供給及び排気は制御器が各供給ライン4550及び排気ライン4650に設置されたバルブを制御してその流量を調節することによって遂行できる。排気される超臨界流体は排気ライン4650を通じて大気の中へ放出されるか、或いは超臨界流体再生システム(図示せず)へ提供され得る。
【0139】
排気を通じて第2工程チャンバー4000の内部圧力が十分に低くなれば、例えば常圧になれば、ハウジング4100を開放する(S260)。加圧部材4200はドア4150へ加えた圧力を解除し、ドア駆動器4700はドア150を開口4110で離隔されるように移動させる。
【0140】
ドア4150が開口4110から離隔されてハウジング4100が開放されれば、基板Sを搬出する(S270)。移送ロボット2210はハウジング4100内の支持部材4300に安着された基板Sを保持して第2工程チャンバー4000から基板Sを搬出することができる。
【0141】
以上で言及された本発明の実施形態は本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に本発明に対する理解を助けるために記載されたことであるので、本発明が上述した実施形態によって限定されることではない。
【0142】
したがって、本発明は上述した実施形態及びその構成要素を選択的に組合するか、公知の技術を加えて具現でき、さらに本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で修正、置換及び変更が加えて修正形態、変形形態を全て含む。
【0143】
また、本発明の保護範囲は下の特許請求の範囲によって解釈されなければならないし、それと均等な範囲内にある発明は全て権利範囲に含まれることとして解釈されなければならない。
【符号の説明】
【0144】
100・・・基板処理装置
1000・・・インデックスモジュール
1100・・・ロードポート
1200・・・移送フレーム
1210・・・インデックスロボット
1220・・・インデックスレール
2000・・・工程モジュール
2100・・・バッファチャンバー
2200・・・移送チャンバー
2210・・・移送ロボット
2220・・・移送レール
3000・・・第1工程チャンバー
3100・・・支持部材
3110・・・支持プレート
3111・・・支持ピン
3112・・・チャッキングピン
3120・・・回転軸
3130・・・回転駆動器
3200・・・ノズル部材
3210・・・ノズル
3220・・・ノズルバー
3230・・・ノズル軸
3240・・・ノズル軸駆動器
3300・・・回収部材
3310・・・回収筒
3311・・・回収口
3320・・・回収ライン
3330・・・乗降バー
3340・・・乗降駆動器
4000・・・第2工程チャンバー
4100・・・ハウジング
4110・・・開口
4150・・・ドア
4151・・・溝
4200・・・加圧部材
4210・・・加圧シリンダー
4220・・・加圧ロード
4230・・・加圧板
4300・・・支持部材
4400・・・加熱部材
4500・・・供給ポート
4550・・・供給ライン
4510・・・上部供給ポート
4520・・・下部供給ポート
4600・・・排気ポート
4650・・・排気ライン
4700・・・ドア駆動器
4710・・・ドアシリンダー
4720・・・ドアロード
4750・・・ドアリンク
C・・・容器
S・・・基板

【特許請求の範囲】
【請求項1】
一面に基板が出入する開口が形成され、高圧工程が遂行される空間を提供するハウジングと、
前記ハウジング内に設置され、前記基板を支持する支持部材と、
前記開口を開閉するドアと、
前記高圧工程の時、前記ハウジングが密閉されるように前記ドアへ力を加圧する加圧部材と、を含む基板処理装置。
【請求項2】
前記ドアを移動させるドア駆動器と、
一端が前記ハウジングに結合され、他端が前記ドアに結合され、前記ドアの移動を案内するリンクと、をさらに含む請求項1に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記リンクは、前記一端が前記ハウジングで前記一面と垂直になる側面に結合され、前記他端が前記ドアで前記開口を開閉する面と垂直になる側面に結合される請求項2に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記リンクは、前記ドアが前記一端を中心に回転するように案内する請求項3に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記リンクは、前記ハウジングと前記ドアの両側面とに各々1つずつ結合される請求項4に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記ハウジングで前記一面と前記ドアで前記開口を開閉する面とは、互に対応される曲面である請求項4に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記リンクは、前記ハウジングの一面と前記ドアの密着される面とが平行な状態を維持しながら、前記ドアが乗降するように案内する請求項3に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記リンクは、前記ハウジングと前記ドアの両側面とに各々複数個結合される請求項7に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記加圧部材は、前記ドアの前記開口を開閉する面の反対面を加圧する加圧板、駆動力を発生するシリンダー、及び前記シリンダーへの駆動力をその端部に結合された前記加圧板へ伝達するロードを含む請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記ドアの上面又は下面には、溝が形成され、
前記ドアが乗降すれば、前記ロードが前記溝に挿入され、前記加圧板が前記ドアの前記反対面に位置される請求項9に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記ハウジング内部を加熱する加熱部材と、
前記ハウジングへ超臨界流体を供給する供給ポートと、
前記ハウジングから前記超臨界流体を排気する排気ポートと、をさらに包含して超臨界工程を遂行する請求項1乃至請求項8のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項12】
前記供給ポートは、前記ハウジングの上面に形成される上部供給ポート及び前記ハウジングの下面に形成される下部供給ポートを含む請求項11に記載の基板処理装置。
【請求項13】
基板を移送する移送チャンバーと、
一面に前記基板が出入する開口が形成され、高圧工程が遂行される空間を提供するハウジング、前記ハウジング内に設置され、前記基板を支持する支持部材、前記開口を開閉するドア、及び前記高圧工程の時、前記ハウジングが密閉されるように前記ドアへ力を加圧する加圧部材を含み、工程チャンバーと、を含み、
前記移送チャンバーの一側面と前記ハウジングの一面とが互に対向する基板処理装置。
【請求項14】
前記工程チャンバーは、前記ドアを移動させるドア駆動器、及び一端が前記ハウジングに結合され、他端が前記ドアに結合され、前記ドアの移動を案内するリンクをさらに含む請求項13に記載の基板処理装置。
【請求項15】
前記リンクは、前記ドアが前記一端を中心に回転するように案内する請求項14に記載の基板処理装置。
【請求項16】
前記リンクは、前記一端が前記ハウジングで前記一面と垂直になる側面に結合され、前記他端が前記ドアで前記開口を開閉する面と垂直になる側面に結合され、前記ハウジングと前記ドアの両側面とに各々1つずつ提供され、
前記ハウジングで前記一面と前記ドアで前記開口を開閉する面とは互に対応される曲面である請求項15に記載の基板処理装置。
【請求項17】
前記リンクは、前記ハウジングの一面と前記ドアの密着される面とが平行な状態を維持しながら、前記ドアが乗降するように案内する請求項14に記載の基板処理装置。
【請求項18】
前記リンクは、前記一端が前記ハウジングで前記一面と垂直になる側面に結合され、前記他端が前記ドアで前記開口を開閉する面と垂直になる側面に結合され、前記ハウジングと前記ドアの両側面とに各々複数個提供される請求項17に記載の基板処理装置。
【請求項19】
前記加圧部材は、前記ドアの前記開口を開閉する面の反対面を加圧する加圧板、駆動力を発生するシリンダー、及び前記シリンダーへの駆動力をその端部に結合された前記加圧板へ伝達するロードを含む請求項13乃至請求項18のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項20】
前記ドアの上面又は下面には、溝が形成され、
前記ドアが乗降すれば、前記ロードが前記溝に挿入され、前記加圧板が前記ドアの前記反対面に位置される請求項19に記載の基板処理装置。
【請求項21】
前記工程チャンバーは、複数であり、
前記複数の工程チャンバーは、鉛直方向に積層されて配置される請求項13乃至請求項18のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項22】
開口を通じてハウジングの内部へ基板が搬入される段階と、
ドアが前記開口を閉鎖する段階と、
前記ハウジングが密閉されるように前記ドアの前記開口を開閉する面の反対面を加圧する段階と、
前記密閉されたハウジング内で前記基板に対して工程を遂行する段階と、を含む基板処理方法。
【請求項23】
前記ドアを閉鎖する段階は、前記ドアが前記開口に対して乗降して遂行される請求項22に記載の基板処理方法。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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【図10】
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【図11】
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【図12】
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【図13】
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【図14】
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【公開番号】特開2013−33964(P2013−33964A)
【公開日】平成25年2月14日(2013.2.14)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−165730(P2012−165730)
【出願日】平成24年7月26日(2012.7.26)
【出願人】(500376449)セメス株式会社 (61)
【氏名又は名称原語表記】SEMES CO., Ltd
【住所又は居所原語表記】278, Mosi−ri, Jiksan−eup, Seobuk−gu, Cheonan−si, Chungcheongnam−do 330−290, Republic of Korea
【Fターム(参考)】