基板処理装置
【課題】処理液から引き上げられる複数の基板の全面を短時間で効率的に乾燥させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ドライエア供給ダクト１０Ａ上に設けられた仕切板駆動部１３は、複数の通気路１１０の一部を閉塞するための仕切板１２をドライエア供給ダクト１０Ａの内側と上部外側との間でスライド可能に保持している。乾燥処理の開始から外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられるまでの間、仕切板１２はドライエア供給ダクト１０Ａの上部外側に位置する。外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられると、仕切板１２はドライエア供給ダクト１０Ａの内側にスライドする。この場合、仕切板１２が最下部の通気路１１０を除く全ての通気路１１０を閉塞する。これにより、ドライエア供給ダクト１０Ａ内に供給されるドライエアＤＦが仕切板１２により絞り込まれ、最下部の通気路１１０に導かれる。
【解決手段】ドライエア供給ダクト１０Ａ上に設けられた仕切板駆動部１３は、複数の通気路１１０の一部を閉塞するための仕切板１２をドライエア供給ダクト１０Ａの内側と上部外側との間でスライド可能に保持している。乾燥処理の開始から外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられるまでの間、仕切板１２はドライエア供給ダクト１０Ａの上部外側に位置する。外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられると、仕切板１２はドライエア供給ダクト１０Ａの内側にスライドする。この場合、仕切板１２が最下部の通気路１１０を除く全ての通気路１１０を閉塞する。これにより、ドライエア供給ダクト１０Ａ内に供給されるドライエアＤＦが仕切板１２により絞り込まれ、最下部の通気路１１０に導かれる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に種々の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
複数の基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬し、洗浄処理を行う基板処理装置がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
特許文献１の基板処理装置においては、処理槽内で基板の表面が薬液および純水により洗浄処理される。洗浄処理の施された基板は処理槽内から引き上げられる。
【０００５】
洗浄処理後の基板に純水が付着していると、基板にパーティクルが付着し易くなる。また、基板に付着した純水が自然乾燥すると、基板にウォーターマークが形成される。したがって、特許文献１の基板処理装置においては、処理槽内から引き上げられた基板にドライエアが供給される。これにより、基板に付着した純水がドライエアにより置換され、基板の表面が乾燥される（乾燥処理）。
【０００６】
なお、特許文献１において、ドライエアとは極めて露点の低い気体をいい、基板に供給されるドライエアの露点は例えば約−７０℃である。
【特許文献１】特開２００６−３１０７５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上記のような基板処理装置においては、複数の基板を処理槽に貯留された純水に浸漬するために、一度に複数の基板を保持する基板保持具が用いられる。この基板保持具は、各基板の外周端部の一部を支持することにより、複数の基板を起立姿勢でかつ平行に保持する。
【０００８】
したがって、複数の基板が基板保持具により保持される場合には、各基板の外周端部が基板保持具と当接する。これにより、基板保持具により保持される複数の基板が純水から引き上げられる際、各基板と基板保持具との当接部には純水が付着する。
【０００９】
乾燥処理時において、基板保持具に当接しない基板の部分は、ドライエアを供給することにより比較的短時間で乾燥する。しかしながら、上記の当接部に付着する純水を乾燥させる場合、基板全体の乾燥処理が長時間化する。
【００１０】
そこで、基板と基板保持具との当接部に付着する純水を短時間で乾燥させるために、基板に供給するドライエアの温度を上昇させる方法が考えられる。しかしながら、この方法では、基板に供給するドライエアの温度が上昇することにより、基板の表面が酸化するおそれがある。また、基板保持具に優れた耐熱性を有する材料を用いる必要が生じる。
【００１１】
本発明の目的は、処理液から引き上げられる複数の基板の全面を短時間で効率的に乾燥させることができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、処理液を貯留する処理槽と、基板の外周端部を支持し、基板を起立姿勢で保持する基板保持部と、処理槽内の処理液中と処理槽の上方位置との間で基板保持部により保持された基板を昇降させる基板昇降装置と、基板昇降装置により処理槽から引き上げられる基板に気体を供給する気体供給部と、気体供給部から基板に供給される気体の流れの断面を第１の断面および第１の断面よりも小さい第２の断面に切り替える切替機構とを備え、切替機構は、基板の外周端部と基板保持部との当接部が処理槽内に位置する間、気体供給部から基板に供給される気体の流れの断面を第１の断面に維持し、基板の外周端部と基板保持部との当接部が処理槽から引き上げられた後に気体供給部から基板に供給される気体の流れの断面を第２の断面に切り替えるものである。
【００１３】
この発明に係る基板処理装置においては、処理槽に処理液が貯留され、基板昇降装置により処理槽内の処理液中と処理槽の上方位置との間で基板保持部により保持された基板が昇降される。基板保持部は、基板の外周端部を支持することにより基板を起立姿勢で保持している。基板が基板昇降装置により処理槽から引き上げられる際に、気体供給部から基板に気体が供給される。
【００１４】
基板昇降装置による基板の引き上げ時において、基板の外周端部と基板保持部との当接部が処理槽内に位置する間、気体供給部から基板に供給される気体の流れの断面が、切替機構により第１の断面に維持される。これにより、処理槽から引き上げられる基板の表面が供給された気体により広い範囲で乾燥される。
【００１５】
基板の外周端部と基板保持部との当接部が処理槽から引き上げられた後では、気体供給部から基板に供給される気体の流れの断面が、切替機構により第１の断面よりも小さい第２の断面に切り替えられる。これにより、気体供給部から基板に供給される気体の圧力および風速が増加し、気体が気体供給部から基板の外周端部と基板保持部との当接部に強い勢いで噴射される。
【００１６】
それにより、基板の外周端部と基板保持部との当接部に付着する処理液が、気体により吹き飛ばされる。その結果、処理槽から引き上げられる基板の全面が短時間で効率的に乾燥する。
【００１７】
（２）気体供給部は、水平に延びる複数段の気体通気路を有し、切替機構は、複数段の気体通気路の一部を閉塞する仕切部材と、その仕切部材を駆動することにより複数段の気体通気路の一部を閉塞する駆動装置とを備えてもよい。
【００１８】
この場合、複数段の気体通気路を流れる気体が、処理槽から引き上げられる基板に供給される。これにより、基板に均一かつ円滑に気体を供給することができる。
【００１９】
また、仕切板が複数段の気体通気部の一部を閉塞しない場合には、基板に供給される気体の流れの断面が大きくなる。これにより、切替機構は、気体供給部から基板に供給される気体の流れの断面を容易に第１の断面で維持することができる。
【００２０】
一方、仕切板が複数段の気体通気部の一部を閉塞すると、基板に供給される気体の流れの断面が小さくなる。これにより、切替機構は、気体供給部から基板に供給される気体の流れの断面を容易に第２の断面に切り替えることができる。
【００２１】
（３）駆動装置は、仕切部材を起立姿勢で昇降させることにより複数段の気体通気路の一部を閉塞してもよい。
【００２２】
この場合、切替機構が水平方向に大きくなることが防止される。その結果、基板処理装置の小型化が実現される。
【００２３】
（４）駆動装置は、仕切部材を回動させることにより、複数段の気体通気路の一部を閉塞してもよい。この場合、切替機構の構成が容易になる。
【００２４】
（５）駆動装置は、仕切部材により閉塞されない気体通気路へ流れる気体の流れの断面が漸次小さくなるように仕切部材を水平方向に対して傾斜した状態で保持してもよい。
【００２５】
この場合、気体供給部内で閉塞されない気体通気路へ気体が円滑に導かれる。その結果、気体供給部内での乱流の発生が防止され、処理槽から引き上げられる基板が均一かつより効率的に乾燥する。
【００２６】
（６）気体供給部は鉛直方向に延びる鉛直筒部と、鉛直筒部の上端から処理槽の上方位置へ水平方向に延びる水平筒部とを有してもよい。
【００２７】
この場合、水平筒部から処理槽上の空間に気体を容易に供給することができる。また、鉛直筒部により、気体供給部が水平方向に大きくなることが防止される。その結果、水平方向における基板処理装置の小型化が実現される。
【００２８】
（７）基板処理装置は、気体供給部に設けられ、気体供給部から基板に供給される気体の流れの方向を規制する方向規制部材をさらに備え、方向規制部材は、第２の断面で流れる気体を、斜め上方から基板の外周端部と基板保持部との当接部に向かうように規制してもよい。
【００２９】
この場合、基板昇降装置による基板の引き上げ時に、基板の外周端部と基板保持部との当接部に付着する処理液が斜め上方から確実に吹き飛ばされる。それにより、基板の外周端部と基板保持部との当接部が迅速に乾燥する。
【００３０】
（８）基板昇降装置は、第２の断面で流れる気体が、基板の外周端部と基板保持部との当接部に向かう場合に、基板保持部により保持された基板の昇降動作を停止してもよい。
【００３１】
この場合、基板の外周端部と基板保持部との当接部に第２の断面で流れる気体が確実に噴射される。それにより、基板の外周端部と基板保持部との当接部に付着する処理液が、気体により確実に吹き飛ばされる。その結果、処理槽から引き上げられる基板の全面がより短時間で効率的に乾燥する。
【００３２】
（９）気体は乾燥空気であってもよい。この場合、基板に付着する処理液が乾燥空気により置換され、より効率的に除去される。
【００３３】
（１０）気体供給部は、処理槽の一方側に配置され、基板処理装置は、処理槽の他方側に配置され、処理槽上の雰囲気を排出するための気体排出部をさらに備えてもよい。
【００３４】
この場合、処理槽の一方側に配置された気体供給部から処理槽の他方側に配置された気体排出部へ円滑に気体が流れ、処理槽上の空間における乱流の発生が防止される。これにより、基板の均一かつ効率的な乾燥処理が実現される。
【発明の効果】
【００３５】
本発明に係る基板処理装置によれば、処理液から引き上げられる複数の基板の全面を短時間で効率的に乾燥させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について説明する。以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等をいう。
【００３７】
［１］第１の実施の形態
（１）基板処理装置の構成および動作
図１は、第１の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的断面図である。図１に示すように、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００は、処理槽４、ダウンフローダクト２０、基板移動機構３０、処理液ミキシング装置５０、ドライエア発生装置６０、制御部７０およびファンフィルタユニットＦＦＵを備える。
【００３８】
ダウンフローダクト２０の上方にファンフィルタユニットＦＦＵが配置されている。ファンフィルタユニットＦＦＵは、ファンおよびフィルタを備える。ファンフィルタユニットＦＦＵのファンが動作することにより、ダウンフローダクト２０内に清浄な下降気流（ダウンフロー）が発生する。
【００３９】
ダウンフローダクト２０内の下部に処理槽４が設けられている。処理槽４は複数の基板Ｗを収納可能な内槽４０および内槽４０の上部外周を取囲むように設けられた外槽４３により形成されている。内槽４０は略直方体形状を有する。
【００４０】
内槽４０の底部には、内槽４０内に処理液を供給するための処理液供給管４１および内槽４０内の処理液を排出するための処理液排出管４２が接続されている。本実施の形態において、内槽４０内では基板Ｗの洗浄処理が行われる。洗浄処理時に内槽４０内に供給される処理液は、洗浄液またはリンス液である。
【００４１】
すなわち、内槽４０内に洗浄液を供給し、内槽４０内に貯留された洗浄液に基板Ｗを浸漬することにより、基板Ｗの表面を洗浄する。その後、内槽４０内の洗浄液をリンス液に置換する。
【００４２】
洗浄液としては、ＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸またはアンモニア等の薬液が用いられる。リンス液としては、純水、炭酸水、水素水、電解イオン水等が用いられる。
【００４３】
処理液供給管４１の上流端が処理液ミキシング装置５０に接続されている。処理液ミキシング装置５０には、例えば薬液および純水が供給されている。処理液ミキシング装置５０は、供給される薬液および純水を所定の割合で混合することができる。したがって、処理液ミキシング装置５０は、薬液、純水またはそれらの混合液を処理液またはリンス液として処理液供給管４１を介して内槽４０内に供給する。
【００４４】
外槽４３の底部には、内槽４０の上部から溢れ出し（オーバーフロー）、外槽４３内に流れ込む処理液を排出するための処理液排出管４４が接続されている。
【００４５】
内槽４０の上方位置に基板移動機構３０が設けられている。基板移動機構３０は複数の基板Ｗを保持する基板保持具３３０を上下方向に移動させる。
【００４６】
基板保持具３３０は基板Ｗの外周端部を支持することにより、複数の基板Ｗを起立姿勢でかつ平行に並ぶように保持する。この場合、複数の基板Ｗは、基板保持具３３０が備える３つのアーム３４１，３４２，３４３により保持される。詳細は後述する。
【００４７】
ここで、基板処理装置１００に対する複数の基板Ｗの搬入および搬出は、図示しない搬送機構が、複数の基板Ｗを基板保持具３３０に搬送することにより行われる。
【００４８】
ダウンフローダクト２０の上部には、搬送エリアＴＥが設けられている。搬送エリアＴＥは、図示しない搬送機構と基板保持具３３０との間で複数の基板Ｗの受け渡しを行う際に用いられる。
【００４９】
搬送エリアＴＥを取囲むダウンフローダクト２０の部分において、対向する２つの側面にはそれぞれ開口２０ｈが形成されている。２つの開口２０ｈの近傍には、それぞれ開口２０ｈを開閉可能なシャッタＳＨおよびシャッタ駆動部ＳＤが設けられている。シャッタ駆動部ＳＤは、シャッタＳＨを駆動することによりダウンフローダクト２０の開口２０ｈの開閉を行う。
【００５０】
例えば、基板処理装置１００への複数の基板Ｗの搬入時には、シャッタＳＨが開くことにより、複数の基板Ｗを保持する図示しない搬送機構がダウンフローダクト２０内に進入する。そして、基板保持具３３０が、図示しない搬送機構から複数の基板Ｗを受け取る。
【００５１】
また、基板処理装置１００からの複数の基板Ｗの搬出時には、洗浄処理後の複数の基板Ｗが、ダウンフローダクト２０内の基板保持具３３０から図示しない搬送機構に渡される。そこで、シャッタＳＨが開くことにより、複数の基板Ｗを保持する図示しない搬送機構がダウンフローダクト２０外に移動する。
【００５２】
処理槽４の上端部近傍に位置するダウンフローダクト２０の部分において、対向する２つの側面にはそれぞれドライエア供給ダクト１０Ａおよびドライエア排気ダクト１０Ｂが取り付けられている。
【００５３】
ドライエア供給ダクト１０Ａには複数の通気ガイド１１、仕切板１２および仕切板駆動部１３が設けられている。ドライエア排気ダクト１０Ｂには通気ガイド１１が設けられている。ドライエア供給ダクト１０Ａは配管６１を介してドライエア発生装置６０と接続されている。
【００５４】
ドライエア発生装置６０により発生されたドライエアＤＦが、配管６１を通じてドライエア供給ダクト１０Ａに送られる。それにより、内槽４０から引き上げられる基板ＷにドライエアＤＦが水平方向に吹き付けられ、基板Ｗの乾燥処理が行われる。基板ＷにドライエアＤＦが吹き付けられることにより、基板Ｗ周辺の雰囲気がドライエア排気ダクト１０Ｂから排気される。
【００５５】
これにより、基板ＷにドライエアＤＦが吹き付けられる際に、処理槽４上の雰囲気における乱流の発生が防止され、処理槽４の一方側から他方側へドライエアＤＦの円滑な流れが形成される。それにより、基板Ｗの均一かつ効率的な乾燥処理が実現される。
【００５６】
ここで、ドライエアＤＦとは、極めて露点の低い気体をいう。ドライエア供給ダクト１０Ａからダウンフローダクト２０内に供給されるドライエアＤＦの露点は、例えば約−７０℃である。
【００５７】
制御部７０は、仕切板駆動部１３、基板移動機構３０、処理液ミキシング装置５０、ドライエア発生装置６０、シャッタ駆動部ＳＤおよびファンフィルタユニットＦＦＵと接続されている。制御部７０がこれら構成部の動作を制御することにより、ダウンフローダクト２０内のダウンフロー、基板処理装置１００に対する基板Ｗの搬入搬出動作、基板Ｗの洗浄処理および基板Ｗの乾燥処理が制御される。
【００５８】
ファンフィルタユニットＦＦＵは、ダウンフローダクト２０内にダウンフローを発生させる。基板移動機構３０は、洗浄処理の開始時に複数の基板Ｗを保持する基板保持具３３０を内槽４０内に移動させる。この状態で、処理液ミキシング装置５０が、薬液または薬液と純水との混合液を洗浄液として内槽４０内に供給する。これにより、基板Ｗが内槽４０内で洗浄液に浸漬され、基板Ｗの表面が洗浄される。
【００５９】
その後、処理液ミキシング装置５０は、純水をリンス液として内槽４０内に供給し、内槽４０内の洗浄液を純水に置換する。これにより、基板Ｗが内槽４０内で純水に浸漬される。このようにして、基板Ｗの洗浄処理が完了する。
【００６０】
基板移動機構３０は、洗浄処理が完了した基板Ｗを内槽４０の上方へ引き上げる。そこで、ドライエア発生装置６０が、引き上げられた基板ＷにドライエアＤＦを供給する。これにより、基板Ｗに付着した純水がドライエアＤＦにより置換され、基板Ｗの表面が乾燥される（乾燥処理）。なお、ドライエア発生装置６０は、基板ＷへのドライエアＤＦの供給量を調整する。
【００６１】
この乾燥処理時において、制御部７０は、仕切板駆動部１３を制御することにより、ドライエア供給ダクト１０Ａから基板Ｗに供給されるドライエアＤＦの風速および流れの断面を変更する。詳細は後述する。
【００６２】
なお、乾燥処理時以外において、ドライエア発生装置６０は、ダウンフローダクト２０内へのドライエアＤＦの供給量を低減している（スローリーク）。
【００６３】
基板Ｗの内槽４０からの引き上げ時において、処理液ミキシング装置５０は、少量の純水を継続して内槽４０内に供給している。したがって、基板Ｗの内槽４０からの引き上げ時には、内槽４０の上部開口から純水が溢れ出している。内槽４０から溢れ出した純水は外槽４３へ流れ込み、外槽４３に接続された処理液排出管４４から排出される。
【００６４】
処理液供給管４１および処理液排出管４２，４４には、それぞれ図示しないバルブが設けられている。制御部７０はこれらのバルブの開閉動作も制御する。これにより、処理槽４内の処理液の供給系および排出系の開閉動作が制御される。
【００６５】
（２）基板保持具の構造
図２は、図１の基板保持具３３０の外観斜視図である。図２に示すように、基板保持具３３０は、昇降軸３３１、支持板３３２、背板３３３および保持部３４０を備える。保持部３４０は、サイドアーム３４１，３４２、センターアーム３４３およびアーム固定部３４６を含む。
【００６６】
この基板保持具３３０において、昇降軸３３１は、図１の基板移動機構３０により昇降可能に保持される。昇降軸３３１の上端に支持板３３２が水平に取り付けられている。支持板３３２の一端面には、下方へ垂直に延びるように背板３３３が取り付けられている。
【００６７】
背板３３３の下端部に保持部３４０が取り付けられている。保持部３４０のサイドアーム３４１は背板３３３の下端の一側部から水平に延び、サイドアーム３４２は背板３３３の下端の他側部から水平に延び、センターアーム３４３は背板３３３の下端の中央部から水平に延びている。
【００６８】
サイドアーム３４１，３４２およびセンターアーム３４３の先端には、アーム固定部３４６が取り付けられている。サイドアーム３４１，３４２およびセンターアーム３４３の上面には、基板Ｗを保持するために等間隔で複数の基板保持溝３４５が形成されている。アーム３４１，３４２，３４３に形成された基板保持溝３４５に基板Ｗの外周端部が挿入される。これにより、複数の基板Ｗが起立姿勢でかつ平行に保持される。
【００６９】
それにより、複数の基板Ｗが基板保持具３３０により保持された状態では、各基板Ｗの外周端部とアーム３４１，３４２，３４３とが当接する。以下の説明では、この当接部を外周当接部ＷＴと呼ぶ。図２では、外周当接部ＷＴが太い点線により示されている。
【００７０】
（３）基板処理装置の構成および乾燥処理の詳細
図３および図４は、図１の基板処理装置１００により基板Ｗの乾燥処理が行われる様子を示す側面図である。図３および図４に示すように、ドライエア供給ダクト１０Ａは、処理槽４の外方で下方から鉛直方向に延びる矩形の鉛直筒状部ＶＲと、鉛直筒状部ＶＲの上端から処理槽４に向かって水平方向に延びる矩形の水平筒状部ＨＲとを備える。水平筒状部ＨＲの端面は開口している。ドライエア排気ダクト１０Ｂは、箱型形状を有し、一端面が開口している。
【００７１】
ドライエア供給ダクト１０Ａおよびドライエア排気ダクト１０Ｂは、互いの開口する端面が処理槽４上の空間を挟んで対向するように配置されている。
【００７２】
ドライエア供給ダクト１０Ａの水平筒状部ＨＲの内部には、ドライエア供給ダクト１０Ａの端面から所定の長さで水平方向に延びるように複数の通気ガイド１１が設けられている。複数の通気ガイド１１により、上下方向に並ぶように複数の通気路１１０が形成されている。
【００７３】
ドライエア供給ダクト１０Ａ上の所定の位置に、仕切板駆動部１３が取り付けられている。仕切板駆動部１３は、複数の通気路１１０の一部を閉塞するための仕切板１２をドライエア供給ダクト１０Ａの内側と上部外側との間でスライド可能に保持している。
【００７４】
乾燥処理の詳細を説明する。乾燥処理時には、図３および図４に矢印Ｕで示すように、複数の基板Ｗを保持する基板保持具３３０が基板移動機構３０により処理槽４から徐々に引き上げられる。これにより、複数の基板Ｗが処理槽４に貯留される純水ＤＩＷ内から徐々に外部に露出する。
【００７５】
図３に示すように、乾燥処理の開始から上述の外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられるまでの間、仕切板１２は仕切板駆動部１３によりドライエア供給ダクト１０Ａの上部外側に保持される。
【００７６】
この場合、ドライエア供給ダクト１０Ａの複数の通気路１１０は仕切板１２により閉塞されない。それにより、図３の矢印Ｆ１で示すように、ドライエア供給ダクト１０Ａの端面全体から処理槽４上の空間にドライエアＤＦが供給される。これにより、純水ＤＩＷの液面ＬＳから引き上げられた基板Ｗの部分が広い範囲に渡ってドライエアＤＦにより乾燥される。
【００７７】
その後、図４に示すように、外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられると、仕切板１２は仕切板駆動部１３によりドライエア供給ダクト１０Ａの内側にスライドする。
【００７８】
これにより、仕切板１２が最下部の通気路１１０を除く全ての通気路１１０を閉塞する。それにより、ドライエア供給ダクト１０Ａ内に供給されるドライエアＤＦが仕切板１２により絞り込まれ、最下部の通気路１１０に導かれる。
【００７９】
この場合、ドライエア供給ダクト１０Ａの最下部の通気路１１０を通るドライエアＤＦの圧力は、配管６１を通じてドライエア供給ダクト１０Ａ内に供給されるドライエアＤＦに比べて大きくなる。
【００８０】
そのため、処理槽４上の空間に供給されるドライエアＤＦの風速は、乾燥処理の開始から外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられるまでの間に比べて大きくなる。また、処理槽４上の空間に供給されるドライエアＤＦの流れの断面は乾燥処理の開始から外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられるまでのドライエアＤＦの流れの断面に比べて小さくなる。
【００８１】
したがって、図４の矢印Ｆ２で示すように、外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられると、ドライエアＤＦがドライエア供給ダクト１０Ａの最下部の通気路１１０から外周当接部ＷＴに集中的に強い勢いで噴射される。
【００８２】
それにより、処理槽４から引き上げられる際に外周当接部ＷＴに付着する純水ＤＩＷが、ドライエアＤＦにより吹き飛ばされる。また、外周当接部ＷＴに付着する純水ＤＩＷが、噴射されたドライエアＤＦにより置換される。その結果、処理槽４から引き上げられる複数の基板Ｗの全面が短時間で効率的に乾燥する。
【００８３】
本実施の形態では、図３および図４に示すように、仕切板１２はドライエア供給ダクト１０Ａの内側と上部外側との間で、起立姿勢でスライド（昇降動作）する。これにより、複数の通気路１１０の一部を閉塞するための構成が水平方向に大きくなることが防止されている。それにより、ドライエア供給ダクト１０Ａとドライエア排気ダクト１０Ｂとが並ぶ方向におけるドライエア供給ダクト１０Ａの長さを小さくすることができる。その結果、基板処理装置の小型化が実現される。
【００８４】
（４）変形例
本実施の形態において、基板移動機構３０は、外周当接部ＷＴが引き上げられた状態で基板保持具３３０の昇降動作を一時的に停止してもよい。例えば、基板移動機構３０は、外周当接部ＷＴがドライエア供給ダクト１０Ａの最下部の通気路１１０の高さに位置する状態で基板保持具３３０の昇降動作を一時停止する。
【００８５】
この場合、ドライエア供給ダクト１０Ａの最下部から噴射されるドライエアＤＦが確実に外周当接部ＷＴに供給される。それにより、外周当接部ＷＴに付着した純水ＤＩＷがドライエアＤＦにより確実に吹き飛ばされる。そして、外周当接部ＷＴが迅速に乾燥する。
【００８６】
本実施の形態において、乾燥処理は基板ＷにドライエアＤＦを供給することにより行われるが、基板Ｗに供給する気体はドライエアＤＦに限られない。ドライエアＤＦに代えて、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）蒸気を用いてもよいし、低温のＮ２（窒素）ガスを用いてもよい。この場合、外周当接部ＷＴに付着する純水ＤＩＷが、ＩＰＡ蒸気または低温のＮ２ガスにより吹き飛ばされる。
【００８７】
［２］第２の実施の形態
第２の実施の形態に係る基板処理装置について、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００と異なる点を説明する。
【００８８】
図５および図６は、第２の実施の形態に係る基板処理装置により基板Ｗの乾燥処理が行われる様子を示す側面図である。
【００８９】
本実施の形態において、ドライエア供給ダクト１０Ａには、仕切板駆動部１３Ｂおよび仕切板１２が設けられている。さらに、ドライエア供給ダクト１０Ａの内部上面にはヒンジ部１２Ｒが設けられている。仕切板１２の一端が、ヒンジ部１２Ｒに回動可能に取り付けられている。
【００９０】
乾燥処理時には、図５および図６の矢印Ｕで示すように、複数の基板Ｗを保持する基板保持具３３０が処理槽４から徐々に引き上げられる。
【００９１】
図５に示すように、乾燥処理の開始から外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられるまでの間、仕切板１２は仕切板駆動部１３Ｂにより回動され（矢印Ｒ１）、鉛直方向に交差する方向（例えば水平方向）に沿うように保持される。この場合、ドライエア供給ダクト１０Ａの複数の通気路１１０は仕切板１２により閉塞されない。
【００９２】
それにより、図５の矢印Ｆ１で示すように、ドライエア供給ダクト１０Ａの端面全体から処理槽４上の空間にドライエアＤＦが供給される。これにより、純水ＤＩＷの液面ＬＳから引き上げられた基板Ｗの部分が広い範囲に渡ってドライエアＤＦにより乾燥される。
【００９３】
その後、図６に示すように、外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられると、仕切板１２は仕切板駆動部１３Ｂにより回動され（矢印Ｒ２）、鉛直方向に沿うように保持される。この場合、仕切板１２は全ての通気ガイド１１の端部に当接し、最下部の通気路１１０を除く全ての通気路１１０を閉塞する。これにより、ドライエア供給ダクト１０Ａ内に供給されるドライエアＤＦが仕切板１２により絞り込まれ、最下部の通気路１１０に導かれる。
【００９４】
それにより、図６の矢印Ｆ２で示すように、外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられると、ドライエアＤＦがドライエア供給ダクト１０Ａの最下部の通気路１１０から外周当接部ＷＴに集中的に強い勢いで噴射される。その結果、第１の実施の形態と同様に、外周当接部ＷＴが迅速に乾燥し、処理槽４から引き上げられる複数の基板Ｗの全面が短時間で効率的に乾燥する。
【００９５】
本実施の形態においても、例えば基板移動機構３０は、外周当接部ＷＴがドライエア供給ダクト１０Ａの最下部の通気路１１０の高さに位置する状態で基板保持具３３０の昇降動作を一時停止する。この場合、外周当接部ＷＴに付着した純水ＤＩＷがドライエアＤＦにより確実に吹き飛ばされる。それにより、外周当接部ＷＴが迅速に乾燥する。
【００９６】
［３］第３の実施の形態
第３の実施の形態に係る基板処理装置について、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００と異なる点を説明する。
【００９７】
図７および図８は、第３の実施の形態に係る基板処理装置により基板Ｗの乾燥処理が行われる様子を示す側面図である。
【００９８】
本実施の形態において、ドライエア供給ダクト１０Ａには、仕切板駆動部１３Ｂおよび仕切板１２が設けられている。さらに、最上部の通気ガイド１１における処理槽４の反対側の端部にヒンジ部１２Ｒが設けられている。仕切板１２の一端が、ヒンジ部１２Ｒに回動可能に取り付けられている。
【００９９】
乾燥処理時には、図７および図８の矢印Ｕで示すように、複数の基板Ｗを保持する基板保持具３３０が処理槽４から徐々に引き上げられる。
【０１００】
図７に示すように、乾燥処理の開始から外周当接部ＷＴがドライエア供給ダクト１０Ａの最上部の通気路１１０の高さに位置するまでの間、仕切板１２は仕切板駆動部１３Ｂにより回動され（矢印Ｒ３）、その他端が鉛直筒状部ＶＲの内側の側面に当接するように保持される。このとき、仕切板１２は、一端が他端よりも上方に位置する状態で鉛直方向に対して傾斜している。この場合、ドライエア供給ダクト１０Ａ内の最上部の通気路１１０が、仕切板１２により閉塞される。
【０１０１】
それにより、図１のドライエア発生装置６０からドライエア供給ダクト１０Ａに供給されるドライエアＤＦは、最上部の通気路１１０を除く全ての通気路１１０からドライエア供給ダクト１０Ａの開口する端面に送られる。
【０１０２】
そして、図７の矢印Ｆ１で示すように、最上部の通気路１１０を除く全ての通気路１１０から処理槽４上の空間にドライエアＤＦが供給される。すなわち、ドライエア供給ダクト１０Ａの端面のほぼ全体から処理槽４上の空間にドライエアＤＦが供給される。これにより、純水ＤＩＷの液面ＬＳから引き上げられた基板Ｗの部分が広い範囲に渡ってドライエアＤＦにより乾燥される。
【０１０３】
その後、図８に示すように、外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられ、外周当接部ＷＴがドライエア供給ダクト１０Ａの最上部の通気路１１０の高さに位置すると、仕切板１２は仕切板駆動部１３Ｂにより回動され（矢印Ｒ４）、その他端が水平筒状部ＨＲの内側の下面に当接するように、起立姿勢で保持される。
【０１０４】
この場合、仕切板１２は全ての通気ガイド１１の端部に当接し、最上部の通気路１１０を除く全ての通気路１１０を閉塞する。これにより、ドライエア供給ダクト１０Ａ内に供給されるドライエアＤＦが仕切板１２により絞り込まれ、最上部の通気路１１０に導かれる。
【０１０５】
それにより、図８の矢印Ｆ２で示すように、ドライエアＤＦがドライエア供給ダクト１０Ａの最上部の通気路１１０から外周当接部ＷＴに集中的に強い勢いで噴射される。その結果、第１の実施の形態と同様に、外周当接部ＷＴが迅速に乾燥し、処理槽４から引き上げられる複数の基板Ｗの全面が短時間で効率的に乾燥する。
【０１０６】
上記のように、本実施の形態において、仕切板１２は、鉛直筒状部ＶＲの内側の側面、または水平筒状部ＨＲの内側の下面に当接することにより複数の通気路１１０の閉塞状態を切り替える。
【０１０７】
これにより、水平方向における複数の通気ガイド１１の端部と鉛直筒状部ＶＲの内側の側面との間の距離を短く設定することができる。すなわち、ドライエア供給ダクト１０Ａとドライエア排気ダクト１０Ｂとが並ぶ方向における鉛直筒状部ＶＲの幅ＷＶＲを小さくすることができる。
【０１０８】
それにより、ドライエア供給ダクト１０Ａとドライエア排気ダクト１０Ｂとが並ぶ方向におけるドライエア供給ダクト１０Ａの長さを小さくすることができる。その結果、基板処理装置の小型化が実現される。
【０１０９】
図７および図８の基板処理装置において、例えば基板移動機構３０は、外周当接部ＷＴがドライエア供給ダクト１０Ａの最上部の通気路１１０の高さに位置する状態で基板保持具３３０の昇降動作を一時停止する。
【０１１０】
この場合、ドライエア供給ダクト１０Ａの最上部から噴射されるドライエアＤＦが確実に外周当接部ＷＴに供給される。それにより、外周当接部ＷＴに付着した純水ＤＩＷがドライエアＤＦにより確実に吹き飛ばされる。そして、外周当接部ＷＴが迅速に乾燥する。
【０１１１】
本実施の形態において、ドライエア供給ダクト１０Ａの開口する端面に、処理槽４上の空間に供給されるドライエアＤＦの流れを規制する風向規制部材を設けてもよい。
【０１１２】
図９は、図７および図８のドライエア供給ダクト１０Ａの開口する端面にドライエアＤＦの流れを規制する風向規制部材を設けた例を示す側面図である。
【０１１３】
図９に示すように、本例では、ドライエア供給ダクト１０Ａの開口する端面の一部に風向規制部材１１１が設けられている。風向規制部材１１１は、図９の矢印Ｆ３で示すように、ドライエア供給ダクト１０Ａの最上部の通気路１１０から処理槽４上の空間に供給されるドライエアＤＦの流れを上方から斜め下方に向かうように規制する。これにより、処理槽４から引き上げられる外周当接部ＷＴに、上方から斜め下方に向かうように強い勢いでドライエアＤＦを噴射することができる。
【０１１４】
ここで、外周当接部ＷＴに付着する純水ＤＩＷは、基板保持具３３０のサイドアーム３４１，３４２およびセンターアーム３４３の上面に残留しやすい。したがって、風向規制部材１１１を用いることにより、サイドアーム３４１，３４２およびセンターアーム３４３の上面に残留する純水ＤＩＷが斜め上方から容易かつ確実にドライエアＤＦにより吹き飛ばされる。
【０１１５】
その結果、外周当接部ＷＴがより迅速に乾燥し、処理槽４から引き上げられる複数の基板Ｗの全面がより短時間で効率的に乾燥する。
【０１１６】
なお、基板Ｗの内槽４０からの引き上げ時には、特に基板Ｗとセンターアーム３４３との外周当接部ＷＴに多量の純水ＤＩＷが付着しやすい。したがって、風向規制部材１１１を用いる場合には、処理槽４上の空間に供給されるドライエアＤＦが基板Ｗとセンターアーム３４３との当接部に直接噴射されるように、風向規制部材１１１を調整し、仕切板１２を駆動することが好ましい。
【０１１７】
図９の基板処理装置において、例えば基板移動機構３０は、最上部の通気路１１０から基板Ｗとセンターアーム３４３との当接部にドライエアＤＦが直接噴射される状態で基板保持具３３０の昇降動作を一時停止する。
【０１１８】
この場合、ドライエア供給ダクト１０Ａの最上部から噴射されるドライエアＤＦが確実に外周当接部ＷＴに供給される。それにより、外周当接部ＷＴに付着した純水ＤＩＷがドライエアＤＦにより確実に吹き飛ばされる。そして、外周当接部ＷＴが迅速に乾燥する。
【０１１９】
［４］第４の実施の形態
第４の実施の形態に係る基板処理装置について、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００と異なる点を説明する。
【０１２０】
図１０および図１１は、第４の実施の形態に係る基板処理装置により基板Ｗの乾燥処理が行われる様子を示す側面図である。
【０１２１】
本実施の形態において、ドライエア供給ダクト１０Ａには、仕切板駆動部１３Ｂおよび仕切板１２が設けられている。さらに、最上部の通気ガイド１１における処理槽４の反対側の端部にヒンジ部１２Ｒが設けられている。仕切板１２の一端が、ヒンジ部１２Ｒに回動可能に取り付けられている。
【０１２２】
乾燥処理時には、図１０および図１１の矢印Ｕで示すように、複数の基板Ｗを保持する基板保持具３３０が処理槽４から徐々に引き上げられる。
【０１２３】
図１０に示すように、乾燥処理の開始から外周当接部ＷＴがドライエア供給ダクト１０Ａの最上部の通気路１１０の高さに位置するまでの間、仕切板１２は仕切板駆動部１３Ｂにより回動され（矢印Ｒ５）、その他端が鉛直筒状部ＶＲの内側の側面に当接し、水平方向に沿うように保持される。この場合、ドライエア供給ダクト１０Ａ内の最上部の通気路１１０が、仕切板１２により閉塞される。
【０１２４】
それにより、図１のドライエア発生装置６０からドライエア供給ダクト１０Ａに供給されるドライエアＤＦは、最上部の通気路１１０を除く全ての通気路１１０からドライエア供給ダクト１０Ａの開口する端面に送られる。
【０１２５】
そして、図１０の矢印Ｆ１で示すように、最上部の通気路１１０を除く全ての通気路１１０から処理槽４上の空間にドライエアＤＦが供給される。すなわち、ドライエア供給ダクト１０Ａの端面のほぼ全体から処理槽４上の空間にドライエアＤＦが供給される。これにより、純水ＤＩＷの液面ＬＳから引き上げられた基板Ｗの部分が広い範囲に渡ってドライエアＤＦにより乾燥される。
【０１２６】
その後、図１１に示すように、外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられ、外周当接部ＷＴがドライエア供給ダクト１０Ａの最上部の通気路１１０の高さに位置すると、仕切板１２は仕切板駆動部１３Ｂにより回動され（矢印Ｒ６）、その他端が水平筒状部ＨＲの内側の下面に当接するように保持される。このとき、仕切板１２は、一端が他端よりも上方に位置する状態で鉛直方向に対して傾斜している。
【０１２７】
この場合、仕切板１２は、最上部の通気路１１０を除く全ての通気路１１０を閉塞する。これにより、ドライエア供給ダクト１０Ａ内に供給されるドライエアＤＦが仕切板１２により絞り込まれ、最上部の通気路１１０に導かれる。
【０１２８】
それにより、図１１の矢印Ｆ２で示すように、ドライエアＤＦがドライエア供給ダクト１０Ａの最上部の通気路１１０から外周当接部ＷＴに集中的に強い勢いで噴射される。その結果、第１の実施の形態と同様に、外周当接部ＷＴが迅速に乾燥し、処理槽４から引き上げられる複数の基板Ｗの全面が短時間で効率的に乾燥する。
【０１２９】
本実施の形態では、最上部の通気路１１０から外周当接部ＷＴにドライエアＤＦを供給する際、仕切板１２が鉛直方向に対して傾斜した状態で保持される。これにより、ドライエア供給ダクト１０Ａの内部において、図１のドライエア発生装置６０からドライエア供給ダクト１０Ａ内に供給されるドライエアＤＦの流れの断面が、最上部の通気路１１０に向かって漸次小さくなる。
【０１３０】
したがって、ドライエア発生装置６０からドライエア供給ダクト１０Ａ内に供給されるドライエアＤＦが、最上部の通気路１１０に向かって円滑に流入する。これにより、外周当接部ＷＴに向かって正確かつ円滑にドライエアＤＦが噴射される。また、ドライエア供給ダクト１０Ａ内で乱流が発生することによるドライエアＤＦの露点分布の変動が抑制される。これにより、複数の基板Ｗの全面を均一かつ効率的に乾燥することができる。
【０１３１】
本実施の形態においても、例えば基板移動機構３０は、外周当接部ＷＴがドライエア供給ダクト１０Ａの最上部の通気路１１０の高さに位置する状態で基板保持具３３０の昇降動作を一時停止する。この場合、外周当接部ＷＴに付着した純水ＤＩＷがドライエアＤＦにより確実に吹き飛ばされる。それにより、外周当接部ＷＴが迅速に乾燥する。
【０１３２】
なお、本実施の形態においても、ドライエア供給ダクト１０Ａの端面に、第３の実施の形態で説明した風向規制部材１１１（図９）を設けてもよい。この場合にも、上記と同様の効果を得ることができる。
【０１３３】
［５］請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１３４】
上記実施の形態では、基板保持具３３０が基板保持部の例であり、基板移動機構３０が基板昇降装置の例であり、ドライエア発生装置６０およびドライエア供給ダクト１０Ａが気体供給部の例である。
【０１３５】
また、制御部７０、仕切板１２、ヒンジ部１２Ｒおよび仕切板駆動部１３，１３Ｂが切替機構の例であり、外周当接部ＷＴが基板の外周端部と基板保持部との当接部の例であり、通気路１１０が気体通気路の例であり、仕切板１２が仕切り部材の例であり、仕切板駆動部１３，１３Ｂが駆動装置の例である。
【０１３６】
さらに、鉛直筒状部ＶＲが鉛直筒部の例であり、水平筒状部ＨＲが水平筒部の例であり、風向規制部材１１１が方向規制部材の例であり、ドライエアＤＦが乾燥空気の例であり、ドライエア排気ダクト１０Ｂが気体排出部の例である。
【０１３７】
なお、請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１３８】
本発明に係る基板処理装置は、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板の製造に有効に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１３９】
【図１】第１の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的断面図である。
【図２】図１の基板保持具の外観斜視図である。
【図３】図１の基板処理装置により基板の乾燥処理が行われる様子を示す側面図である。
【図４】図１の基板処理装置により基板の乾燥処理が行われる様子を示す側面図である。
【図５】第２の実施の形態に係る基板処理装置により基板の乾燥処理が行われる様子を示す側面図である。
【図６】第２の実施の形態に係る基板処理装置により基板の乾燥処理が行われる様子を示す側面図である。
【図７】第３の実施の形態に係る基板処理装置により基板の乾燥処理が行われる様子を示す側面図である。
【図８】第３の実施の形態に係る基板処理装置により基板の乾燥処理が行われる様子を示す側面図である。
【図９】図７および図８のドライエア供給ダクトの開口する端面にドライエアの流れを規制する風向規制部材を設けた例を示す側面図である。
【図１０】第４の実施の形態に係る基板処理装置により基板の乾燥処理が行われる様子を示す側面図である。
【図１１】第４の実施の形態に係る基板処理装置により基板の乾燥処理が行われる様子を示す側面図である。
【符号の説明】
【０１４０】
４ 処理槽
１０Ａ ドライエア供給ダクト
１０Ｂ ドライエア排気ダクト
１２ 仕切板
１２Ｒ ヒンジ部
１３，１３Ｂ 仕切板駆動部
３０ 基板移動機構
６０ ドライエア発生装置
７０ 制御部
１００ 基板処理装置
１１０ 通気路
１１１ 風向規制部材
３３０ 基板保持具
ＤＦ ドライエア
ＨＲ 水平筒状部
ＶＲ 鉛直筒状部
Ｗ 基板
ＷＴ 外周当接部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に種々の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
複数の基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬し、洗浄処理を行う基板処理装置がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
特許文献１の基板処理装置においては、処理槽内で基板の表面が薬液および純水により洗浄処理される。洗浄処理の施された基板は処理槽内から引き上げられる。
【０００５】
洗浄処理後の基板に純水が付着していると、基板にパーティクルが付着し易くなる。また、基板に付着した純水が自然乾燥すると、基板にウォーターマークが形成される。したがって、特許文献１の基板処理装置においては、処理槽内から引き上げられた基板にドライエアが供給される。これにより、基板に付着した純水がドライエアにより置換され、基板の表面が乾燥される（乾燥処理）。
【０００６】
なお、特許文献１において、ドライエアとは極めて露点の低い気体をいい、基板に供給されるドライエアの露点は例えば約−７０℃である。
【特許文献１】特開２００６−３１０７５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上記のような基板処理装置においては、複数の基板を処理槽に貯留された純水に浸漬するために、一度に複数の基板を保持する基板保持具が用いられる。この基板保持具は、各基板の外周端部の一部を支持することにより、複数の基板を起立姿勢でかつ平行に保持する。
【０００８】
したがって、複数の基板が基板保持具により保持される場合には、各基板の外周端部が基板保持具と当接する。これにより、基板保持具により保持される複数の基板が純水から引き上げられる際、各基板と基板保持具との当接部には純水が付着する。
【０００９】
乾燥処理時において、基板保持具に当接しない基板の部分は、ドライエアを供給することにより比較的短時間で乾燥する。しかしながら、上記の当接部に付着する純水を乾燥させる場合、基板全体の乾燥処理が長時間化する。
【００１０】
そこで、基板と基板保持具との当接部に付着する純水を短時間で乾燥させるために、基板に供給するドライエアの温度を上昇させる方法が考えられる。しかしながら、この方法では、基板に供給するドライエアの温度が上昇することにより、基板の表面が酸化するおそれがある。また、基板保持具に優れた耐熱性を有する材料を用いる必要が生じる。
【００１１】
本発明の目的は、処理液から引き上げられる複数の基板の全面を短時間で効率的に乾燥させることができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、処理液を貯留する処理槽と、基板の外周端部を支持し、基板を起立姿勢で保持する基板保持部と、処理槽内の処理液中と処理槽の上方位置との間で基板保持部により保持された基板を昇降させる基板昇降装置と、基板昇降装置により処理槽から引き上げられる基板に気体を供給する気体供給部と、気体供給部から基板に供給される気体の流れの断面を第１の断面および第１の断面よりも小さい第２の断面に切り替える切替機構とを備え、切替機構は、基板の外周端部と基板保持部との当接部が処理槽内に位置する間、気体供給部から基板に供給される気体の流れの断面を第１の断面に維持し、基板の外周端部と基板保持部との当接部が処理槽から引き上げられた後に気体供給部から基板に供給される気体の流れの断面を第２の断面に切り替えるものである。
【００１３】
この発明に係る基板処理装置においては、処理槽に処理液が貯留され、基板昇降装置により処理槽内の処理液中と処理槽の上方位置との間で基板保持部により保持された基板が昇降される。基板保持部は、基板の外周端部を支持することにより基板を起立姿勢で保持している。基板が基板昇降装置により処理槽から引き上げられる際に、気体供給部から基板に気体が供給される。
【００１４】
基板昇降装置による基板の引き上げ時において、基板の外周端部と基板保持部との当接部が処理槽内に位置する間、気体供給部から基板に供給される気体の流れの断面が、切替機構により第１の断面に維持される。これにより、処理槽から引き上げられる基板の表面が供給された気体により広い範囲で乾燥される。
【００１５】
基板の外周端部と基板保持部との当接部が処理槽から引き上げられた後では、気体供給部から基板に供給される気体の流れの断面が、切替機構により第１の断面よりも小さい第２の断面に切り替えられる。これにより、気体供給部から基板に供給される気体の圧力および風速が増加し、気体が気体供給部から基板の外周端部と基板保持部との当接部に強い勢いで噴射される。
【００１６】
それにより、基板の外周端部と基板保持部との当接部に付着する処理液が、気体により吹き飛ばされる。その結果、処理槽から引き上げられる基板の全面が短時間で効率的に乾燥する。
【００１７】
（２）気体供給部は、水平に延びる複数段の気体通気路を有し、切替機構は、複数段の気体通気路の一部を閉塞する仕切部材と、その仕切部材を駆動することにより複数段の気体通気路の一部を閉塞する駆動装置とを備えてもよい。
【００１８】
この場合、複数段の気体通気路を流れる気体が、処理槽から引き上げられる基板に供給される。これにより、基板に均一かつ円滑に気体を供給することができる。
【００１９】
また、仕切板が複数段の気体通気部の一部を閉塞しない場合には、基板に供給される気体の流れの断面が大きくなる。これにより、切替機構は、気体供給部から基板に供給される気体の流れの断面を容易に第１の断面で維持することができる。
【００２０】
一方、仕切板が複数段の気体通気部の一部を閉塞すると、基板に供給される気体の流れの断面が小さくなる。これにより、切替機構は、気体供給部から基板に供給される気体の流れの断面を容易に第２の断面に切り替えることができる。
【００２１】
（３）駆動装置は、仕切部材を起立姿勢で昇降させることにより複数段の気体通気路の一部を閉塞してもよい。
【００２２】
この場合、切替機構が水平方向に大きくなることが防止される。その結果、基板処理装置の小型化が実現される。
【００２３】
（４）駆動装置は、仕切部材を回動させることにより、複数段の気体通気路の一部を閉塞してもよい。この場合、切替機構の構成が容易になる。
【００２４】
（５）駆動装置は、仕切部材により閉塞されない気体通気路へ流れる気体の流れの断面が漸次小さくなるように仕切部材を水平方向に対して傾斜した状態で保持してもよい。
【００２５】
この場合、気体供給部内で閉塞されない気体通気路へ気体が円滑に導かれる。その結果、気体供給部内での乱流の発生が防止され、処理槽から引き上げられる基板が均一かつより効率的に乾燥する。
【００２６】
（６）気体供給部は鉛直方向に延びる鉛直筒部と、鉛直筒部の上端から処理槽の上方位置へ水平方向に延びる水平筒部とを有してもよい。
【００２７】
この場合、水平筒部から処理槽上の空間に気体を容易に供給することができる。また、鉛直筒部により、気体供給部が水平方向に大きくなることが防止される。その結果、水平方向における基板処理装置の小型化が実現される。
【００２８】
（７）基板処理装置は、気体供給部に設けられ、気体供給部から基板に供給される気体の流れの方向を規制する方向規制部材をさらに備え、方向規制部材は、第２の断面で流れる気体を、斜め上方から基板の外周端部と基板保持部との当接部に向かうように規制してもよい。
【００２９】
この場合、基板昇降装置による基板の引き上げ時に、基板の外周端部と基板保持部との当接部に付着する処理液が斜め上方から確実に吹き飛ばされる。それにより、基板の外周端部と基板保持部との当接部が迅速に乾燥する。
【００３０】
（８）基板昇降装置は、第２の断面で流れる気体が、基板の外周端部と基板保持部との当接部に向かう場合に、基板保持部により保持された基板の昇降動作を停止してもよい。
【００３１】
この場合、基板の外周端部と基板保持部との当接部に第２の断面で流れる気体が確実に噴射される。それにより、基板の外周端部と基板保持部との当接部に付着する処理液が、気体により確実に吹き飛ばされる。その結果、処理槽から引き上げられる基板の全面がより短時間で効率的に乾燥する。
【００３２】
（９）気体は乾燥空気であってもよい。この場合、基板に付着する処理液が乾燥空気により置換され、より効率的に除去される。
【００３３】
（１０）気体供給部は、処理槽の一方側に配置され、基板処理装置は、処理槽の他方側に配置され、処理槽上の雰囲気を排出するための気体排出部をさらに備えてもよい。
【００３４】
この場合、処理槽の一方側に配置された気体供給部から処理槽の他方側に配置された気体排出部へ円滑に気体が流れ、処理槽上の空間における乱流の発生が防止される。これにより、基板の均一かつ効率的な乾燥処理が実現される。
【発明の効果】
【００３５】
本発明に係る基板処理装置によれば、処理液から引き上げられる複数の基板の全面を短時間で効率的に乾燥させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について説明する。以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等をいう。
【００３７】
［１］第１の実施の形態
（１）基板処理装置の構成および動作
図１は、第１の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的断面図である。図１に示すように、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００は、処理槽４、ダウンフローダクト２０、基板移動機構３０、処理液ミキシング装置５０、ドライエア発生装置６０、制御部７０およびファンフィルタユニットＦＦＵを備える。
【００３８】
ダウンフローダクト２０の上方にファンフィルタユニットＦＦＵが配置されている。ファンフィルタユニットＦＦＵは、ファンおよびフィルタを備える。ファンフィルタユニットＦＦＵのファンが動作することにより、ダウンフローダクト２０内に清浄な下降気流（ダウンフロー）が発生する。
【００３９】
ダウンフローダクト２０内の下部に処理槽４が設けられている。処理槽４は複数の基板Ｗを収納可能な内槽４０および内槽４０の上部外周を取囲むように設けられた外槽４３により形成されている。内槽４０は略直方体形状を有する。
【００４０】
内槽４０の底部には、内槽４０内に処理液を供給するための処理液供給管４１および内槽４０内の処理液を排出するための処理液排出管４２が接続されている。本実施の形態において、内槽４０内では基板Ｗの洗浄処理が行われる。洗浄処理時に内槽４０内に供給される処理液は、洗浄液またはリンス液である。
【００４１】
すなわち、内槽４０内に洗浄液を供給し、内槽４０内に貯留された洗浄液に基板Ｗを浸漬することにより、基板Ｗの表面を洗浄する。その後、内槽４０内の洗浄液をリンス液に置換する。
【００４２】
洗浄液としては、ＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸またはアンモニア等の薬液が用いられる。リンス液としては、純水、炭酸水、水素水、電解イオン水等が用いられる。
【００４３】
処理液供給管４１の上流端が処理液ミキシング装置５０に接続されている。処理液ミキシング装置５０には、例えば薬液および純水が供給されている。処理液ミキシング装置５０は、供給される薬液および純水を所定の割合で混合することができる。したがって、処理液ミキシング装置５０は、薬液、純水またはそれらの混合液を処理液またはリンス液として処理液供給管４１を介して内槽４０内に供給する。
【００４４】
外槽４３の底部には、内槽４０の上部から溢れ出し（オーバーフロー）、外槽４３内に流れ込む処理液を排出するための処理液排出管４４が接続されている。
【００４５】
内槽４０の上方位置に基板移動機構３０が設けられている。基板移動機構３０は複数の基板Ｗを保持する基板保持具３３０を上下方向に移動させる。
【００４６】
基板保持具３３０は基板Ｗの外周端部を支持することにより、複数の基板Ｗを起立姿勢でかつ平行に並ぶように保持する。この場合、複数の基板Ｗは、基板保持具３３０が備える３つのアーム３４１，３４２，３４３により保持される。詳細は後述する。
【００４７】
ここで、基板処理装置１００に対する複数の基板Ｗの搬入および搬出は、図示しない搬送機構が、複数の基板Ｗを基板保持具３３０に搬送することにより行われる。
【００４８】
ダウンフローダクト２０の上部には、搬送エリアＴＥが設けられている。搬送エリアＴＥは、図示しない搬送機構と基板保持具３３０との間で複数の基板Ｗの受け渡しを行う際に用いられる。
【００４９】
搬送エリアＴＥを取囲むダウンフローダクト２０の部分において、対向する２つの側面にはそれぞれ開口２０ｈが形成されている。２つの開口２０ｈの近傍には、それぞれ開口２０ｈを開閉可能なシャッタＳＨおよびシャッタ駆動部ＳＤが設けられている。シャッタ駆動部ＳＤは、シャッタＳＨを駆動することによりダウンフローダクト２０の開口２０ｈの開閉を行う。
【００５０】
例えば、基板処理装置１００への複数の基板Ｗの搬入時には、シャッタＳＨが開くことにより、複数の基板Ｗを保持する図示しない搬送機構がダウンフローダクト２０内に進入する。そして、基板保持具３３０が、図示しない搬送機構から複数の基板Ｗを受け取る。
【００５１】
また、基板処理装置１００からの複数の基板Ｗの搬出時には、洗浄処理後の複数の基板Ｗが、ダウンフローダクト２０内の基板保持具３３０から図示しない搬送機構に渡される。そこで、シャッタＳＨが開くことにより、複数の基板Ｗを保持する図示しない搬送機構がダウンフローダクト２０外に移動する。
【００５２】
処理槽４の上端部近傍に位置するダウンフローダクト２０の部分において、対向する２つの側面にはそれぞれドライエア供給ダクト１０Ａおよびドライエア排気ダクト１０Ｂが取り付けられている。
【００５３】
ドライエア供給ダクト１０Ａには複数の通気ガイド１１、仕切板１２および仕切板駆動部１３が設けられている。ドライエア排気ダクト１０Ｂには通気ガイド１１が設けられている。ドライエア供給ダクト１０Ａは配管６１を介してドライエア発生装置６０と接続されている。
【００５４】
ドライエア発生装置６０により発生されたドライエアＤＦが、配管６１を通じてドライエア供給ダクト１０Ａに送られる。それにより、内槽４０から引き上げられる基板ＷにドライエアＤＦが水平方向に吹き付けられ、基板Ｗの乾燥処理が行われる。基板ＷにドライエアＤＦが吹き付けられることにより、基板Ｗ周辺の雰囲気がドライエア排気ダクト１０Ｂから排気される。
【００５５】
これにより、基板ＷにドライエアＤＦが吹き付けられる際に、処理槽４上の雰囲気における乱流の発生が防止され、処理槽４の一方側から他方側へドライエアＤＦの円滑な流れが形成される。それにより、基板Ｗの均一かつ効率的な乾燥処理が実現される。
【００５６】
ここで、ドライエアＤＦとは、極めて露点の低い気体をいう。ドライエア供給ダクト１０Ａからダウンフローダクト２０内に供給されるドライエアＤＦの露点は、例えば約−７０℃である。
【００５７】
制御部７０は、仕切板駆動部１３、基板移動機構３０、処理液ミキシング装置５０、ドライエア発生装置６０、シャッタ駆動部ＳＤおよびファンフィルタユニットＦＦＵと接続されている。制御部７０がこれら構成部の動作を制御することにより、ダウンフローダクト２０内のダウンフロー、基板処理装置１００に対する基板Ｗの搬入搬出動作、基板Ｗの洗浄処理および基板Ｗの乾燥処理が制御される。
【００５８】
ファンフィルタユニットＦＦＵは、ダウンフローダクト２０内にダウンフローを発生させる。基板移動機構３０は、洗浄処理の開始時に複数の基板Ｗを保持する基板保持具３３０を内槽４０内に移動させる。この状態で、処理液ミキシング装置５０が、薬液または薬液と純水との混合液を洗浄液として内槽４０内に供給する。これにより、基板Ｗが内槽４０内で洗浄液に浸漬され、基板Ｗの表面が洗浄される。
【００５９】
その後、処理液ミキシング装置５０は、純水をリンス液として内槽４０内に供給し、内槽４０内の洗浄液を純水に置換する。これにより、基板Ｗが内槽４０内で純水に浸漬される。このようにして、基板Ｗの洗浄処理が完了する。
【００６０】
基板移動機構３０は、洗浄処理が完了した基板Ｗを内槽４０の上方へ引き上げる。そこで、ドライエア発生装置６０が、引き上げられた基板ＷにドライエアＤＦを供給する。これにより、基板Ｗに付着した純水がドライエアＤＦにより置換され、基板Ｗの表面が乾燥される（乾燥処理）。なお、ドライエア発生装置６０は、基板ＷへのドライエアＤＦの供給量を調整する。
【００６１】
この乾燥処理時において、制御部７０は、仕切板駆動部１３を制御することにより、ドライエア供給ダクト１０Ａから基板Ｗに供給されるドライエアＤＦの風速および流れの断面を変更する。詳細は後述する。
【００６２】
なお、乾燥処理時以外において、ドライエア発生装置６０は、ダウンフローダクト２０内へのドライエアＤＦの供給量を低減している（スローリーク）。
【００６３】
基板Ｗの内槽４０からの引き上げ時において、処理液ミキシング装置５０は、少量の純水を継続して内槽４０内に供給している。したがって、基板Ｗの内槽４０からの引き上げ時には、内槽４０の上部開口から純水が溢れ出している。内槽４０から溢れ出した純水は外槽４３へ流れ込み、外槽４３に接続された処理液排出管４４から排出される。
【００６４】
処理液供給管４１および処理液排出管４２，４４には、それぞれ図示しないバルブが設けられている。制御部７０はこれらのバルブの開閉動作も制御する。これにより、処理槽４内の処理液の供給系および排出系の開閉動作が制御される。
【００６５】
（２）基板保持具の構造
図２は、図１の基板保持具３３０の外観斜視図である。図２に示すように、基板保持具３３０は、昇降軸３３１、支持板３３２、背板３３３および保持部３４０を備える。保持部３４０は、サイドアーム３４１，３４２、センターアーム３４３およびアーム固定部３４６を含む。
【００６６】
この基板保持具３３０において、昇降軸３３１は、図１の基板移動機構３０により昇降可能に保持される。昇降軸３３１の上端に支持板３３２が水平に取り付けられている。支持板３３２の一端面には、下方へ垂直に延びるように背板３３３が取り付けられている。
【００６７】
背板３３３の下端部に保持部３４０が取り付けられている。保持部３４０のサイドアーム３４１は背板３３３の下端の一側部から水平に延び、サイドアーム３４２は背板３３３の下端の他側部から水平に延び、センターアーム３４３は背板３３３の下端の中央部から水平に延びている。
【００６８】
サイドアーム３４１，３４２およびセンターアーム３４３の先端には、アーム固定部３４６が取り付けられている。サイドアーム３４１，３４２およびセンターアーム３４３の上面には、基板Ｗを保持するために等間隔で複数の基板保持溝３４５が形成されている。アーム３４１，３４２，３４３に形成された基板保持溝３４５に基板Ｗの外周端部が挿入される。これにより、複数の基板Ｗが起立姿勢でかつ平行に保持される。
【００６９】
それにより、複数の基板Ｗが基板保持具３３０により保持された状態では、各基板Ｗの外周端部とアーム３４１，３４２，３４３とが当接する。以下の説明では、この当接部を外周当接部ＷＴと呼ぶ。図２では、外周当接部ＷＴが太い点線により示されている。
【００７０】
（３）基板処理装置の構成および乾燥処理の詳細
図３および図４は、図１の基板処理装置１００により基板Ｗの乾燥処理が行われる様子を示す側面図である。図３および図４に示すように、ドライエア供給ダクト１０Ａは、処理槽４の外方で下方から鉛直方向に延びる矩形の鉛直筒状部ＶＲと、鉛直筒状部ＶＲの上端から処理槽４に向かって水平方向に延びる矩形の水平筒状部ＨＲとを備える。水平筒状部ＨＲの端面は開口している。ドライエア排気ダクト１０Ｂは、箱型形状を有し、一端面が開口している。
【００７１】
ドライエア供給ダクト１０Ａおよびドライエア排気ダクト１０Ｂは、互いの開口する端面が処理槽４上の空間を挟んで対向するように配置されている。
【００７２】
ドライエア供給ダクト１０Ａの水平筒状部ＨＲの内部には、ドライエア供給ダクト１０Ａの端面から所定の長さで水平方向に延びるように複数の通気ガイド１１が設けられている。複数の通気ガイド１１により、上下方向に並ぶように複数の通気路１１０が形成されている。
【００７３】
ドライエア供給ダクト１０Ａ上の所定の位置に、仕切板駆動部１３が取り付けられている。仕切板駆動部１３は、複数の通気路１１０の一部を閉塞するための仕切板１２をドライエア供給ダクト１０Ａの内側と上部外側との間でスライド可能に保持している。
【００７４】
乾燥処理の詳細を説明する。乾燥処理時には、図３および図４に矢印Ｕで示すように、複数の基板Ｗを保持する基板保持具３３０が基板移動機構３０により処理槽４から徐々に引き上げられる。これにより、複数の基板Ｗが処理槽４に貯留される純水ＤＩＷ内から徐々に外部に露出する。
【００７５】
図３に示すように、乾燥処理の開始から上述の外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられるまでの間、仕切板１２は仕切板駆動部１３によりドライエア供給ダクト１０Ａの上部外側に保持される。
【００７６】
この場合、ドライエア供給ダクト１０Ａの複数の通気路１１０は仕切板１２により閉塞されない。それにより、図３の矢印Ｆ１で示すように、ドライエア供給ダクト１０Ａの端面全体から処理槽４上の空間にドライエアＤＦが供給される。これにより、純水ＤＩＷの液面ＬＳから引き上げられた基板Ｗの部分が広い範囲に渡ってドライエアＤＦにより乾燥される。
【００７７】
その後、図４に示すように、外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられると、仕切板１２は仕切板駆動部１３によりドライエア供給ダクト１０Ａの内側にスライドする。
【００７８】
これにより、仕切板１２が最下部の通気路１１０を除く全ての通気路１１０を閉塞する。それにより、ドライエア供給ダクト１０Ａ内に供給されるドライエアＤＦが仕切板１２により絞り込まれ、最下部の通気路１１０に導かれる。
【００７９】
この場合、ドライエア供給ダクト１０Ａの最下部の通気路１１０を通るドライエアＤＦの圧力は、配管６１を通じてドライエア供給ダクト１０Ａ内に供給されるドライエアＤＦに比べて大きくなる。
【００８０】
そのため、処理槽４上の空間に供給されるドライエアＤＦの風速は、乾燥処理の開始から外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられるまでの間に比べて大きくなる。また、処理槽４上の空間に供給されるドライエアＤＦの流れの断面は乾燥処理の開始から外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられるまでのドライエアＤＦの流れの断面に比べて小さくなる。
【００８１】
したがって、図４の矢印Ｆ２で示すように、外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられると、ドライエアＤＦがドライエア供給ダクト１０Ａの最下部の通気路１１０から外周当接部ＷＴに集中的に強い勢いで噴射される。
【００８２】
それにより、処理槽４から引き上げられる際に外周当接部ＷＴに付着する純水ＤＩＷが、ドライエアＤＦにより吹き飛ばされる。また、外周当接部ＷＴに付着する純水ＤＩＷが、噴射されたドライエアＤＦにより置換される。その結果、処理槽４から引き上げられる複数の基板Ｗの全面が短時間で効率的に乾燥する。
【００８３】
本実施の形態では、図３および図４に示すように、仕切板１２はドライエア供給ダクト１０Ａの内側と上部外側との間で、起立姿勢でスライド（昇降動作）する。これにより、複数の通気路１１０の一部を閉塞するための構成が水平方向に大きくなることが防止されている。それにより、ドライエア供給ダクト１０Ａとドライエア排気ダクト１０Ｂとが並ぶ方向におけるドライエア供給ダクト１０Ａの長さを小さくすることができる。その結果、基板処理装置の小型化が実現される。
【００８４】
（４）変形例
本実施の形態において、基板移動機構３０は、外周当接部ＷＴが引き上げられた状態で基板保持具３３０の昇降動作を一時的に停止してもよい。例えば、基板移動機構３０は、外周当接部ＷＴがドライエア供給ダクト１０Ａの最下部の通気路１１０の高さに位置する状態で基板保持具３３０の昇降動作を一時停止する。
【００８５】
この場合、ドライエア供給ダクト１０Ａの最下部から噴射されるドライエアＤＦが確実に外周当接部ＷＴに供給される。それにより、外周当接部ＷＴに付着した純水ＤＩＷがドライエアＤＦにより確実に吹き飛ばされる。そして、外周当接部ＷＴが迅速に乾燥する。
【００８６】
本実施の形態において、乾燥処理は基板ＷにドライエアＤＦを供給することにより行われるが、基板Ｗに供給する気体はドライエアＤＦに限られない。ドライエアＤＦに代えて、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）蒸気を用いてもよいし、低温のＮ２（窒素）ガスを用いてもよい。この場合、外周当接部ＷＴに付着する純水ＤＩＷが、ＩＰＡ蒸気または低温のＮ２ガスにより吹き飛ばされる。
【００８７】
［２］第２の実施の形態
第２の実施の形態に係る基板処理装置について、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００と異なる点を説明する。
【００８８】
図５および図６は、第２の実施の形態に係る基板処理装置により基板Ｗの乾燥処理が行われる様子を示す側面図である。
【００８９】
本実施の形態において、ドライエア供給ダクト１０Ａには、仕切板駆動部１３Ｂおよび仕切板１２が設けられている。さらに、ドライエア供給ダクト１０Ａの内部上面にはヒンジ部１２Ｒが設けられている。仕切板１２の一端が、ヒンジ部１２Ｒに回動可能に取り付けられている。
【００９０】
乾燥処理時には、図５および図６の矢印Ｕで示すように、複数の基板Ｗを保持する基板保持具３３０が処理槽４から徐々に引き上げられる。
【００９１】
図５に示すように、乾燥処理の開始から外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられるまでの間、仕切板１２は仕切板駆動部１３Ｂにより回動され（矢印Ｒ１）、鉛直方向に交差する方向（例えば水平方向）に沿うように保持される。この場合、ドライエア供給ダクト１０Ａの複数の通気路１１０は仕切板１２により閉塞されない。
【００９２】
それにより、図５の矢印Ｆ１で示すように、ドライエア供給ダクト１０Ａの端面全体から処理槽４上の空間にドライエアＤＦが供給される。これにより、純水ＤＩＷの液面ＬＳから引き上げられた基板Ｗの部分が広い範囲に渡ってドライエアＤＦにより乾燥される。
【００９３】
その後、図６に示すように、外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられると、仕切板１２は仕切板駆動部１３Ｂにより回動され（矢印Ｒ２）、鉛直方向に沿うように保持される。この場合、仕切板１２は全ての通気ガイド１１の端部に当接し、最下部の通気路１１０を除く全ての通気路１１０を閉塞する。これにより、ドライエア供給ダクト１０Ａ内に供給されるドライエアＤＦが仕切板１２により絞り込まれ、最下部の通気路１１０に導かれる。
【００９４】
それにより、図６の矢印Ｆ２で示すように、外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられると、ドライエアＤＦがドライエア供給ダクト１０Ａの最下部の通気路１１０から外周当接部ＷＴに集中的に強い勢いで噴射される。その結果、第１の実施の形態と同様に、外周当接部ＷＴが迅速に乾燥し、処理槽４から引き上げられる複数の基板Ｗの全面が短時間で効率的に乾燥する。
【００９５】
本実施の形態においても、例えば基板移動機構３０は、外周当接部ＷＴがドライエア供給ダクト１０Ａの最下部の通気路１１０の高さに位置する状態で基板保持具３３０の昇降動作を一時停止する。この場合、外周当接部ＷＴに付着した純水ＤＩＷがドライエアＤＦにより確実に吹き飛ばされる。それにより、外周当接部ＷＴが迅速に乾燥する。
【００９６】
［３］第３の実施の形態
第３の実施の形態に係る基板処理装置について、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００と異なる点を説明する。
【００９７】
図７および図８は、第３の実施の形態に係る基板処理装置により基板Ｗの乾燥処理が行われる様子を示す側面図である。
【００９８】
本実施の形態において、ドライエア供給ダクト１０Ａには、仕切板駆動部１３Ｂおよび仕切板１２が設けられている。さらに、最上部の通気ガイド１１における処理槽４の反対側の端部にヒンジ部１２Ｒが設けられている。仕切板１２の一端が、ヒンジ部１２Ｒに回動可能に取り付けられている。
【００９９】
乾燥処理時には、図７および図８の矢印Ｕで示すように、複数の基板Ｗを保持する基板保持具３３０が処理槽４から徐々に引き上げられる。
【０１００】
図７に示すように、乾燥処理の開始から外周当接部ＷＴがドライエア供給ダクト１０Ａの最上部の通気路１１０の高さに位置するまでの間、仕切板１２は仕切板駆動部１３Ｂにより回動され（矢印Ｒ３）、その他端が鉛直筒状部ＶＲの内側の側面に当接するように保持される。このとき、仕切板１２は、一端が他端よりも上方に位置する状態で鉛直方向に対して傾斜している。この場合、ドライエア供給ダクト１０Ａ内の最上部の通気路１１０が、仕切板１２により閉塞される。
【０１０１】
それにより、図１のドライエア発生装置６０からドライエア供給ダクト１０Ａに供給されるドライエアＤＦは、最上部の通気路１１０を除く全ての通気路１１０からドライエア供給ダクト１０Ａの開口する端面に送られる。
【０１０２】
そして、図７の矢印Ｆ１で示すように、最上部の通気路１１０を除く全ての通気路１１０から処理槽４上の空間にドライエアＤＦが供給される。すなわち、ドライエア供給ダクト１０Ａの端面のほぼ全体から処理槽４上の空間にドライエアＤＦが供給される。これにより、純水ＤＩＷの液面ＬＳから引き上げられた基板Ｗの部分が広い範囲に渡ってドライエアＤＦにより乾燥される。
【０１０３】
その後、図８に示すように、外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられ、外周当接部ＷＴがドライエア供給ダクト１０Ａの最上部の通気路１１０の高さに位置すると、仕切板１２は仕切板駆動部１３Ｂにより回動され（矢印Ｒ４）、その他端が水平筒状部ＨＲの内側の下面に当接するように、起立姿勢で保持される。
【０１０４】
この場合、仕切板１２は全ての通気ガイド１１の端部に当接し、最上部の通気路１１０を除く全ての通気路１１０を閉塞する。これにより、ドライエア供給ダクト１０Ａ内に供給されるドライエアＤＦが仕切板１２により絞り込まれ、最上部の通気路１１０に導かれる。
【０１０５】
それにより、図８の矢印Ｆ２で示すように、ドライエアＤＦがドライエア供給ダクト１０Ａの最上部の通気路１１０から外周当接部ＷＴに集中的に強い勢いで噴射される。その結果、第１の実施の形態と同様に、外周当接部ＷＴが迅速に乾燥し、処理槽４から引き上げられる複数の基板Ｗの全面が短時間で効率的に乾燥する。
【０１０６】
上記のように、本実施の形態において、仕切板１２は、鉛直筒状部ＶＲの内側の側面、または水平筒状部ＨＲの内側の下面に当接することにより複数の通気路１１０の閉塞状態を切り替える。
【０１０７】
これにより、水平方向における複数の通気ガイド１１の端部と鉛直筒状部ＶＲの内側の側面との間の距離を短く設定することができる。すなわち、ドライエア供給ダクト１０Ａとドライエア排気ダクト１０Ｂとが並ぶ方向における鉛直筒状部ＶＲの幅ＷＶＲを小さくすることができる。
【０１０８】
それにより、ドライエア供給ダクト１０Ａとドライエア排気ダクト１０Ｂとが並ぶ方向におけるドライエア供給ダクト１０Ａの長さを小さくすることができる。その結果、基板処理装置の小型化が実現される。
【０１０９】
図７および図８の基板処理装置において、例えば基板移動機構３０は、外周当接部ＷＴがドライエア供給ダクト１０Ａの最上部の通気路１１０の高さに位置する状態で基板保持具３３０の昇降動作を一時停止する。
【０１１０】
この場合、ドライエア供給ダクト１０Ａの最上部から噴射されるドライエアＤＦが確実に外周当接部ＷＴに供給される。それにより、外周当接部ＷＴに付着した純水ＤＩＷがドライエアＤＦにより確実に吹き飛ばされる。そして、外周当接部ＷＴが迅速に乾燥する。
【０１１１】
本実施の形態において、ドライエア供給ダクト１０Ａの開口する端面に、処理槽４上の空間に供給されるドライエアＤＦの流れを規制する風向規制部材を設けてもよい。
【０１１２】
図９は、図７および図８のドライエア供給ダクト１０Ａの開口する端面にドライエアＤＦの流れを規制する風向規制部材を設けた例を示す側面図である。
【０１１３】
図９に示すように、本例では、ドライエア供給ダクト１０Ａの開口する端面の一部に風向規制部材１１１が設けられている。風向規制部材１１１は、図９の矢印Ｆ３で示すように、ドライエア供給ダクト１０Ａの最上部の通気路１１０から処理槽４上の空間に供給されるドライエアＤＦの流れを上方から斜め下方に向かうように規制する。これにより、処理槽４から引き上げられる外周当接部ＷＴに、上方から斜め下方に向かうように強い勢いでドライエアＤＦを噴射することができる。
【０１１４】
ここで、外周当接部ＷＴに付着する純水ＤＩＷは、基板保持具３３０のサイドアーム３４１，３４２およびセンターアーム３４３の上面に残留しやすい。したがって、風向規制部材１１１を用いることにより、サイドアーム３４１，３４２およびセンターアーム３４３の上面に残留する純水ＤＩＷが斜め上方から容易かつ確実にドライエアＤＦにより吹き飛ばされる。
【０１１５】
その結果、外周当接部ＷＴがより迅速に乾燥し、処理槽４から引き上げられる複数の基板Ｗの全面がより短時間で効率的に乾燥する。
【０１１６】
なお、基板Ｗの内槽４０からの引き上げ時には、特に基板Ｗとセンターアーム３４３との外周当接部ＷＴに多量の純水ＤＩＷが付着しやすい。したがって、風向規制部材１１１を用いる場合には、処理槽４上の空間に供給されるドライエアＤＦが基板Ｗとセンターアーム３４３との当接部に直接噴射されるように、風向規制部材１１１を調整し、仕切板１２を駆動することが好ましい。
【０１１７】
図９の基板処理装置において、例えば基板移動機構３０は、最上部の通気路１１０から基板Ｗとセンターアーム３４３との当接部にドライエアＤＦが直接噴射される状態で基板保持具３３０の昇降動作を一時停止する。
【０１１８】
この場合、ドライエア供給ダクト１０Ａの最上部から噴射されるドライエアＤＦが確実に外周当接部ＷＴに供給される。それにより、外周当接部ＷＴに付着した純水ＤＩＷがドライエアＤＦにより確実に吹き飛ばされる。そして、外周当接部ＷＴが迅速に乾燥する。
【０１１９】
［４］第４の実施の形態
第４の実施の形態に係る基板処理装置について、第１の実施の形態に係る基板処理装置１００と異なる点を説明する。
【０１２０】
図１０および図１１は、第４の実施の形態に係る基板処理装置により基板Ｗの乾燥処理が行われる様子を示す側面図である。
【０１２１】
本実施の形態において、ドライエア供給ダクト１０Ａには、仕切板駆動部１３Ｂおよび仕切板１２が設けられている。さらに、最上部の通気ガイド１１における処理槽４の反対側の端部にヒンジ部１２Ｒが設けられている。仕切板１２の一端が、ヒンジ部１２Ｒに回動可能に取り付けられている。
【０１２２】
乾燥処理時には、図１０および図１１の矢印Ｕで示すように、複数の基板Ｗを保持する基板保持具３３０が処理槽４から徐々に引き上げられる。
【０１２３】
図１０に示すように、乾燥処理の開始から外周当接部ＷＴがドライエア供給ダクト１０Ａの最上部の通気路１１０の高さに位置するまでの間、仕切板１２は仕切板駆動部１３Ｂにより回動され（矢印Ｒ５）、その他端が鉛直筒状部ＶＲの内側の側面に当接し、水平方向に沿うように保持される。この場合、ドライエア供給ダクト１０Ａ内の最上部の通気路１１０が、仕切板１２により閉塞される。
【０１２４】
それにより、図１のドライエア発生装置６０からドライエア供給ダクト１０Ａに供給されるドライエアＤＦは、最上部の通気路１１０を除く全ての通気路１１０からドライエア供給ダクト１０Ａの開口する端面に送られる。
【０１２５】
そして、図１０の矢印Ｆ１で示すように、最上部の通気路１１０を除く全ての通気路１１０から処理槽４上の空間にドライエアＤＦが供給される。すなわち、ドライエア供給ダクト１０Ａの端面のほぼ全体から処理槽４上の空間にドライエアＤＦが供給される。これにより、純水ＤＩＷの液面ＬＳから引き上げられた基板Ｗの部分が広い範囲に渡ってドライエアＤＦにより乾燥される。
【０１２６】
その後、図１１に示すように、外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられ、外周当接部ＷＴがドライエア供給ダクト１０Ａの最上部の通気路１１０の高さに位置すると、仕切板１２は仕切板駆動部１３Ｂにより回動され（矢印Ｒ６）、その他端が水平筒状部ＨＲの内側の下面に当接するように保持される。このとき、仕切板１２は、一端が他端よりも上方に位置する状態で鉛直方向に対して傾斜している。
【０１２７】
この場合、仕切板１２は、最上部の通気路１１０を除く全ての通気路１１０を閉塞する。これにより、ドライエア供給ダクト１０Ａ内に供給されるドライエアＤＦが仕切板１２により絞り込まれ、最上部の通気路１１０に導かれる。
【０１２８】
それにより、図１１の矢印Ｆ２で示すように、ドライエアＤＦがドライエア供給ダクト１０Ａの最上部の通気路１１０から外周当接部ＷＴに集中的に強い勢いで噴射される。その結果、第１の実施の形態と同様に、外周当接部ＷＴが迅速に乾燥し、処理槽４から引き上げられる複数の基板Ｗの全面が短時間で効率的に乾燥する。
【０１２９】
本実施の形態では、最上部の通気路１１０から外周当接部ＷＴにドライエアＤＦを供給する際、仕切板１２が鉛直方向に対して傾斜した状態で保持される。これにより、ドライエア供給ダクト１０Ａの内部において、図１のドライエア発生装置６０からドライエア供給ダクト１０Ａ内に供給されるドライエアＤＦの流れの断面が、最上部の通気路１１０に向かって漸次小さくなる。
【０１３０】
したがって、ドライエア発生装置６０からドライエア供給ダクト１０Ａ内に供給されるドライエアＤＦが、最上部の通気路１１０に向かって円滑に流入する。これにより、外周当接部ＷＴに向かって正確かつ円滑にドライエアＤＦが噴射される。また、ドライエア供給ダクト１０Ａ内で乱流が発生することによるドライエアＤＦの露点分布の変動が抑制される。これにより、複数の基板Ｗの全面を均一かつ効率的に乾燥することができる。
【０１３１】
本実施の形態においても、例えば基板移動機構３０は、外周当接部ＷＴがドライエア供給ダクト１０Ａの最上部の通気路１１０の高さに位置する状態で基板保持具３３０の昇降動作を一時停止する。この場合、外周当接部ＷＴに付着した純水ＤＩＷがドライエアＤＦにより確実に吹き飛ばされる。それにより、外周当接部ＷＴが迅速に乾燥する。
【０１３２】
なお、本実施の形態においても、ドライエア供給ダクト１０Ａの端面に、第３の実施の形態で説明した風向規制部材１１１（図９）を設けてもよい。この場合にも、上記と同様の効果を得ることができる。
【０１３３】
［５］請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１３４】
上記実施の形態では、基板保持具３３０が基板保持部の例であり、基板移動機構３０が基板昇降装置の例であり、ドライエア発生装置６０およびドライエア供給ダクト１０Ａが気体供給部の例である。
【０１３５】
また、制御部７０、仕切板１２、ヒンジ部１２Ｒおよび仕切板駆動部１３，１３Ｂが切替機構の例であり、外周当接部ＷＴが基板の外周端部と基板保持部との当接部の例であり、通気路１１０が気体通気路の例であり、仕切板１２が仕切り部材の例であり、仕切板駆動部１３，１３Ｂが駆動装置の例である。
【０１３６】
さらに、鉛直筒状部ＶＲが鉛直筒部の例であり、水平筒状部ＨＲが水平筒部の例であり、風向規制部材１１１が方向規制部材の例であり、ドライエアＤＦが乾燥空気の例であり、ドライエア排気ダクト１０Ｂが気体排出部の例である。
【０１３７】
なお、請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１３８】
本発明に係る基板処理装置は、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板の製造に有効に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１３９】
【図１】第１の実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す模式的断面図である。
【図２】図１の基板保持具の外観斜視図である。
【図３】図１の基板処理装置により基板の乾燥処理が行われる様子を示す側面図である。
【図４】図１の基板処理装置により基板の乾燥処理が行われる様子を示す側面図である。
【図５】第２の実施の形態に係る基板処理装置により基板の乾燥処理が行われる様子を示す側面図である。
【図６】第２の実施の形態に係る基板処理装置により基板の乾燥処理が行われる様子を示す側面図である。
【図７】第３の実施の形態に係る基板処理装置により基板の乾燥処理が行われる様子を示す側面図である。
【図８】第３の実施の形態に係る基板処理装置により基板の乾燥処理が行われる様子を示す側面図である。
【図９】図７および図８のドライエア供給ダクトの開口する端面にドライエアの流れを規制する風向規制部材を設けた例を示す側面図である。
【図１０】第４の実施の形態に係る基板処理装置により基板の乾燥処理が行われる様子を示す側面図である。
【図１１】第４の実施の形態に係る基板処理装置により基板の乾燥処理が行われる様子を示す側面図である。
【符号の説明】
【０１４０】
４ 処理槽
１０Ａ ドライエア供給ダクト
１０Ｂ ドライエア排気ダクト
１２ 仕切板
１２Ｒ ヒンジ部
１３，１３Ｂ 仕切板駆動部
３０ 基板移動機構
６０ ドライエア発生装置
７０ 制御部
１００ 基板処理装置
１１０ 通気路
１１１ 風向規制部材
３３０ 基板保持具
ＤＦ ドライエア
ＨＲ 水平筒状部
ＶＲ 鉛直筒状部
Ｗ 基板
ＷＴ 外周当接部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
処理液を貯留する処理槽と、
基板の外周端部を支持し、基板を起立姿勢で保持する基板保持部と、
前記処理槽内の処理液中と前記処理槽の上方位置との間で前記基板保持部により保持された基板を昇降させる基板昇降装置と、
前記基板昇降装置により前記処理槽から引き上げられる基板に気体を供給する気体供給部と、
前記気体供給部から基板に供給される気体の流れの断面を第１の断面および前記第１の断面よりも小さい第２の断面に切り替える切替機構とを備え、
前記切替機構は、基板の外周端部と前記基板保持部との当接部が前記処理槽内に位置する間、前記気体供給部から基板に供給される気体の流れの断面を前記第１の断面に維持し、基板の外周端部と前記基板保持部との当接部が前記処理槽から引き上げられた後に前記気体供給部から基板に供給される気体の流れの断面を前記第２の断面に切り替えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記気体供給部は、水平に延びる複数段の気体通気路を有し、
前記切替機構は、前記複数段の気体通気路の一部を閉塞する仕切部材と、その仕切部材を駆動することにより前記複数段の気体通気路の一部を閉塞する駆動装置とを備える請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記駆動装置は、前記仕切部材を起立姿勢で昇降させることにより前記複数段の気体通気路の一部を閉塞することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記駆動装置は、前記仕切部材を回動させることにより、前記複数段の気体通気路の一部を閉塞することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記駆動装置は、前記仕切部材により閉塞されない気体通気路へ流れる気体の流れの断面が漸次小さくなるように前記仕切部材を水平方向に対して傾斜した状態で保持することを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記気体供給部は鉛直方向に延びる鉛直筒部と、前記鉛直筒部の上端から前記処理槽の上方位置へ水平方向に延びる水平筒部とを有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記気体供給部に設けられ、前記気体供給部から基板に供給される気体の流れの方向を規制する方向規制部材をさらに備え、
前記方向規制部材は、前記第２の断面で流れる気体を、斜め上方から基板の外周端部と前記基板保持部との当接部に向かうように規制することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記基板昇降装置は、前記第２の断面で流れる気体が、基板の外周端部と前記基板保持部との当接部に向かう場合に、前記基板保持部により保持された基板の昇降動作を停止することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記気体は乾燥空気であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記気体供給部は、前記処理槽の一方側に配置され、
前記処理槽の他方側に配置され、前記処理槽上の雰囲気を排出するための気体排出部をさらに備えることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１】
基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
処理液を貯留する処理槽と、
基板の外周端部を支持し、基板を起立姿勢で保持する基板保持部と、
前記処理槽内の処理液中と前記処理槽の上方位置との間で前記基板保持部により保持された基板を昇降させる基板昇降装置と、
前記基板昇降装置により前記処理槽から引き上げられる基板に気体を供給する気体供給部と、
前記気体供給部から基板に供給される気体の流れの断面を第１の断面および前記第１の断面よりも小さい第２の断面に切り替える切替機構とを備え、
前記切替機構は、基板の外周端部と前記基板保持部との当接部が前記処理槽内に位置する間、前記気体供給部から基板に供給される気体の流れの断面を前記第１の断面に維持し、基板の外周端部と前記基板保持部との当接部が前記処理槽から引き上げられた後に前記気体供給部から基板に供給される気体の流れの断面を前記第２の断面に切り替えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記気体供給部は、水平に延びる複数段の気体通気路を有し、
前記切替機構は、前記複数段の気体通気路の一部を閉塞する仕切部材と、その仕切部材を駆動することにより前記複数段の気体通気路の一部を閉塞する駆動装置とを備える請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記駆動装置は、前記仕切部材を起立姿勢で昇降させることにより前記複数段の気体通気路の一部を閉塞することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記駆動装置は、前記仕切部材を回動させることにより、前記複数段の気体通気路の一部を閉塞することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記駆動装置は、前記仕切部材により閉塞されない気体通気路へ流れる気体の流れの断面が漸次小さくなるように前記仕切部材を水平方向に対して傾斜した状態で保持することを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記気体供給部は鉛直方向に延びる鉛直筒部と、前記鉛直筒部の上端から前記処理槽の上方位置へ水平方向に延びる水平筒部とを有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記気体供給部に設けられ、前記気体供給部から基板に供給される気体の流れの方向を規制する方向規制部材をさらに備え、
前記方向規制部材は、前記第２の断面で流れる気体を、斜め上方から基板の外周端部と前記基板保持部との当接部に向かうように規制することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記基板昇降装置は、前記第２の断面で流れる気体が、基板の外周端部と前記基板保持部との当接部に向かう場合に、前記基板保持部により保持された基板の昇降動作を停止することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記気体は乾燥空気であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記気体供給部は、前記処理槽の一方側に配置され、
前記処理槽の他方側に配置され、前記処理槽上の雰囲気を排出するための気体排出部をさらに備えることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００８−２１０８８２（Ｐ２００８−２１０８８２Ａ）
【公開日】平成２０年９月１１日（２００８．９．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−４４４１０（Ｐ２００７−４４４１０）
【出願日】平成１９年２月２３日（２００７．２．２３）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年９月１１日（２００８．９．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年２月２３日（２００７．２．２３）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
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