基板処理装置
【課題】処理室間においてミスト状処理液の侵入を防止する。
【解決手段】基板処理装置は、剥離液により剥離処理を施す第１剥離処理室１と、前記剥離液よりも低濃度の剥離液により剥離処理を施す第２剥離処理室３と、各処理室１，３の間に介設される中間室２と、第１剥離処理室１、中間室２及び第２剥離処理室３の隔壁１１，１３に形成される基板搬送用の開口部１１ａ，１３ａを各々開閉するシャッタ２５，３４等と、中間室２において少なくとも第２剥離処理室３側の開口部１３ａが開放されているときに、当該開口部１３ａに向かってエアを吐出するエアナイフ３６，３６と、エアナイフ３６，３６と前記開口部１３ａとの間に排気口４０を有し、この排気口４０を通じて中間室２内を排気する排気手段とを備えている。
【解決手段】基板処理装置は、剥離液により剥離処理を施す第１剥離処理室１と、前記剥離液よりも低濃度の剥離液により剥離処理を施す第２剥離処理室３と、各処理室１，３の間に介設される中間室２と、第１剥離処理室１、中間室２及び第２剥離処理室３の隔壁１１，１３に形成される基板搬送用の開口部１１ａ，１３ａを各々開閉するシャッタ２５，３４等と、中間室２において少なくとも第２剥離処理室３側の開口部１３ａが開放されているときに、当該開口部１３ａに向かってエアを吐出するエアナイフ３６，３６と、エアナイフ３６，３６と前記開口部１３ａとの間に排気口４０を有し、この排気口４０を通じて中間室２内を排気する排気手段とを備えている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＣＤ（液晶表示装置）やＰＤＰ（プラズマディスプレイ）等のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、半導体基板等の基板に各種処理液を供給して処理を施す基板処理装置等に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、複数の処理室を有し、ＬＣＤ、ＰＤＰ用ガラス基板等の基板を搬送しながら、各処理室内で基板に処理液を供給することにより予め定められたプロセス処理を基板に施す装置が知られている。例えば、特許文献１には、基板に剥離液を供給することによりレジスト被膜を剥離する剥離処理室と、剥離処理後の基板を洗浄する洗浄処理室とが隣接して設けられたものが記載されている。
【０００３】
この種の装置では、処理に伴い処理室に充満したミスト状の処理液が、基板搬送用の開口部を通じて隣接する処理室（隣接処理室という）に侵入し、当該隣接処理室の基板の処理に種々の影響を与えることが考えられる。例えば、特許文献１のものでは、剥離処理室で使用された剥離液を回収して再使用（循環使用）するが、その場合、洗浄液のミストが洗浄処理室から剥離処理室に侵入すると、剥離液の液質が劣化することが考えられる。そのため、一般には、ミストの侵入を防ぐために、処理室間にシャッタを設け、基板の搬送時にだけ開口部を開き、ミストの侵入を防止することが行われている。
【特許文献１】特開２００４−１４６４１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、処理室間にシャッタを設けた装置であっても、基板の搬送中は、開口部が開き放しになるため、依然として開口部を通じて隣接処理室にミストが侵入し易く、従って、隣接処理室へのミストの侵入を防止する上で未だ改善の余地が残されている。
【０００５】
なお、上記のように複数の処理室が隣接する装置では、何れか一方側の処理室から他方側の処理室へのミスト侵入が問題となり、その逆はある程度許容されるケースが多い。特許文献１の装置も、剥離液の劣化を防止する上では、洗浄処理室から剥離処理室へのミスト侵入を阻止できれば、洗浄室への剥離液（ミスト）の侵入はさほど問題とはならない。従って、この点を考慮して隣接処理室へのミストの侵入防止策を図ることが有効である。
【０００６】
本発明は、上記のような事情に鑑みて成されたものであり、隣接する処理室へのミスト状処理液の侵入をより効果的に防止して、処理液の混入を阻止することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明の基板処理装置は、基板搬送方向に第１処理室及び第２処理室を有し、各処理室で基板に対して互いに異なる処理液を用いて順次所定のウエット処理を施すものであって、かつ前記互いに異なる処理液の関係が、基板処理の際に一方側の処理液に対する他方側の処理液の混入を抑制することが求められる関係にある基板処理装置において、前記第１処理室と前記第２処理室との間に介設される中間室と、前記第１処理室と中間室との隔壁に設けられた基板を通過させる第１開口部、及び中間室と第２処理室との隔壁に設けられた基板を通過させる第２開口部をそれぞれ開閉するシャッタ手段と、前記中間室に、前記第１開口部及び第２開口部のうちの一方側であって前記他方側の処理液が用いられる処理室と中間室との間の開口部である対象開口部に向かう気流を形成すべく気体を吐出するノズル部材を備え、少なくとも前記対象開口部が開口しているときに前記ノズル部材から前記気体を吐出させる気体吐出手段と、前記ノズル部材と前記対象開口部との間の位置に排気口を有し、当該排気口を通して前記中間室内の排気を行う排気手段と、を備えているものである。
【０００８】
この基板処理装置では、第１処理室と第２処理室の間に中間室が設けられ、前記他方側の処理液を用いる処理室側の開口部（前記対象開口部）が開放されているときには、前記中間室においてノズル部材から当該対象開口部に向かって気体が吐出され、これによって前記対象開口部からのミスト（前記他方側の処理液）の流出が防止される。しかも、当該ミストが多少流出した場合でも、排気手段より中空室内が排気されているため、当該ミストは中間室から外部へと排気される。この際、排気口は、ノズル部材と前記対象開口部との間の位置に設けられているため、流出したミストは速やかに排気される。従って、他の処理室（すなわち、前記一方側の処理液が用いられる処理室）への前記ミストの侵入が効果的に阻止され、前記一方側の処理液に対する他方側の処理液の混入が阻止される。
【０００９】
なお、請求項の記載において「互いに異なる処理液」とは、互いに性状（属性）が異なる処理液以外に、互いに性状は共通で種類が異なる処理液や、性状や種類は共通で濃度だけが互いに異なる処理液等を含む概念である。
【００１０】
この装置においては、前記中間室に仕切壁が設けられることにより、前記中間室の内部が前記ノズル部材を含むノズル室と、前記対象開口部及び排気口を含む排気室とに仕切られ、前記ノズル部材は、前記仕切壁に設けられた基板を通過させる開口部を介して前記気体を吐出するように構成されているのが好適である。
【００１１】
この装置によれば、前記対象開口部を通じて前記ミストが多少流出した場合でも、仕切壁によって他の処理室側へのミストの拡散が有効に防止される。そのため、当該他の処理室への前記ミストの侵入をより効果的に阻止することができる。
【００１２】
また、上記装置において、前記気体吐出手段は、前記ノズル部材から気体を吐出させることにより、前記対象開口部を通過する基板の表面に沿って前記中間室側から処理室側に向かって流動する気体流を形成するものであるのが好適である。
【００１３】
この装置によれば、前記対象開口部を基板が通過している間に、当該基板に沿って前記ミストが流出するといった事態を有効に阻止することができる。
【００１４】
なお、上記のような装置は、より具体的には、前記互いに異なる処理液が濃度の異なる同類の処理液であり、高濃度の処理液が前記第１処理室において用いられるものであって、前記ノズル部材が、前記対象開口部として前記第２開口部に向かって気体を吐出するように構成されるものである。
【００１５】
この装置では、各処理室において同種の処理が施されるが、上記の装置構成を有している結果、低濃度のミスト（処理液）が第２処理室から流出して第１処理室に侵入し、これが高濃度の処理液に混入して当該処理液が希釈されるといった不都合が有効に防止される。
【００１６】
この場合、例えば前記排気手段を中間室排気手段としたときに、これとは別に前記第１処理室内を排気する第１処理室排気手段と、前記排気中に含まれるミストを再使用すべく捕集する捕集手段と、を備えている装置では、上記のような装置構成を有している結果、捕集、再使用される高濃度の処理液の希釈を有効に防止することができる。従って、このようにミストを捕集し、再使用する装置において、上記のような装置構成が特に有用なものとなる。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１〜５に係る基板処理装置によると、第１処理室と第２処理室との間に中間室を設け、前記他方側の処理液を用いる処理室側の開口部（前記対象開口部）が開放されているときには、前記中間室において当該対象開口部に向かって気体を吐出させると共に、当該中間室内を排気する構成となっているので、一方側の処理室から他方側の処理室へのミスト（ミスト状処理液）の侵入をより効果的に防止して、処理液の混入を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の好ましい実施の形態について図面を用いて説明する。
【００１９】
＜ 第１の実施形態 ＞
図１は、第１の実施形態に係る基板処理装置の一例を示している。この図に示す基板処理装置は、基板Ｓを搬送しながら予め定められた順序で所定の処理を基板Ｓに施すプロセス処理装置であり、同図はその一部、具体的には基板Ｓに形成されたレジスト膜を剥離する工程の構成を概略的に示している。
【００２０】
この図に示すように、基板処理装置は、基板Ｓに剥離液を供給して剥離処理を施す第１剥離処理室１（第１処理室）及び第２剥離処理室３（第２処理室）と、これら処理室１，３の間に介設される中間室２とを備えている。第１剥離処理室１と中間室２とは隔壁１１を共有して隣接され、また、中間室２と第２剥離処理室３とは隔壁１３を共有して隣接されており、当該隔壁１１，１３に形成される基板搬送用の開口部１１ａ，１３ａを通じて互いに連通している。開口部１１ａ，１３ａは、幅方向（基板Ｓの搬送方向と直交する方向；同図では紙面に直交する方向）に細長い長方形の形状であって基板Ｓを通過させるのに必要かつ十分な大きさに形成されている。なお、以下の説明で「上流側」「下流側」というときには基板Ｓの搬送方向に基づくものとする。
【００２１】
各処理室１，３及び中間室２の内部には、複数の搬送ローラ４が所定間隔で配備されており、これら搬送ローラ１４の駆動により、基板Ｓが該ローラ１４によって構成される搬送路に沿って水平姿勢で図中矢印方向に搬送されるように構成されている。
【００２２】
各処理室１，３の内部には、それぞれ基板Ｓに対して剥離液を供給するための複数の液ノズル２０，３０が設けられている。各液ノズル２０，３０は、剥離液を噴霧する、所謂スプレーノズルからなり、何れも搬送ローラ４の上方位置に所定の配列で配置されている。
【００２３】
第１剥離処理室１の液ノズル２０は、第１液供給管２１を介して第１液タンク２３に接続されており、第１液供給管２１に介設されるポンプ２２の駆動及び図外の開閉バルブの制御により、前記第１液タンク２３からの剥離液の供給を受けて基板Ｓ上に剥離液を供給可能となっている。一方、第２剥離処理室３の液ノズル３０は、第２液供給管３１を介して第２液タンク３３に接続されており、第２液供給管３１に介設されるポンプ３２の駆動及び図外の開閉バルブの制御により、前記第２液タンク３３からの剥離液の供給を受けて基板Ｓ上に剥離液を供給可能となっている。すなわち、各液タンク２３，３３には、それぞれ濃度の異なる同種の剥離液が収容されており、具体的には、第１液タンク２３に高濃度の剥離液が収容されており、これによって各処理室１，３において、それぞれ濃度の異なる剥離液を用いて基板Ｓの剥離処理が行われるようになっている。
【００２４】
第１剥離処理室１において前記隔壁１１の近傍には、基板Ｓの搬出に伴い剥離液を除去するための上下一対のエアナイフ２４，２４が配置されている。各エアナイフ２４，２４は、前記搬送路の幅方向に細長で、かつ長手方向に連続的に延びる細長の吐出口をもつスリットノズルからなり、前記搬送路の上下両側に、それぞれ吐出口が、前記搬送路側であってやや上流側を向くように配置されている。各エアナイフ２４，２４は、エア供給管２６を介して図外のエア供給源に接続されており、図外の開閉バルブ等の操作により、前記エア供給源から所定流量のエア、具体的には清浄度及び温湿度が所定レベルに調整された所謂ＣＤＡ（Clean Dry Air）の供給を受けて該エアを基板Ｓに吐出可能となっている。
【００２５】
なお、第１剥離処理室１には前記開口部１１ａを開閉するシャッタ２５が、第２剥離処理室３には前記開口部１３ａを開閉するシャッタ３４がぞれぞれ設けられている。これらのシャッタ２５，３４は、幅方向に細長な平板形状を有し、かつ全体が耐薬品性を有する材料から構成されており、モータを駆動源とする図外の駆動機構によってそれぞれ駆動されることにより隔壁１１，１３の壁面に沿って上下動し、これによって前記開口部１１ａ，１３ａを開閉可能となっている。
【００２６】
前記中間室２は、同図に示すように、基板搬送用の開口部１２ａを備えた仕切壁１２により上流側のノズル室２ａと下流側の排気室２ｂとに仕切られている。
【００２７】
ノズル室２ａには、上下一対のエアナイフ３６，３６（本発明に係るノズル部材に相当する）が設けられ、これらエアナイフ３６，３６が前記搬送路を挟んで配置されている。各エアナイフ３６，３６は、エア供給管３７を介して前記エア供給源に接続されており、図外の開閉バルブ等の操作により、前記エア供給源から所定流量のエア（ＣＤＡ）の供給を受けて該エアを基板Ｓに吐出可能となっている。各エアナイフ３６，３６は、第１剥離処理室１に配置されるものと略同様のスリットノズルからなり、それぞれ吐出口が前記搬送路側であってやや下流側を向くように配置されている。この構成によりエアナイフ３６，３６から吐出されるエアが前記開口部１２ａを通じて第２剥離処理室３側、つまり開口部１３ａ側へと吐出され、基板Ｓの搬送中は、該基板Ｓの上下両面に沿って第２剥離処理室３側へと流動するエア流が形成されるようになっている。なお、当実施形態では、これらエアナイフ３６，３６、エア供給管３７及びエア供給源等が、本発明に係る気体吐出手段に相当する。
【００２８】
一方、排気室２ｂには、その天井部に排気管４１が接続されている。この排気管４１は、図外のフィルタ及び開閉バルブ等を介して負圧ポンプ４２に接続されており、これにより排気室２ｂの天井面に形成される排気口４０を介して中間室２内の雰囲気を排気可能となっている。なお、当実施形態では、この排気口４０、排気管４１及び負圧ポンプ４２等が本発明に係る中間室排気手段に相当する。
【００２９】
排気室２ｂには、さらに前記開口部１３ａを中間室２側から開閉するシャッタ３８が設けられている。このシャッタ３８の構成、及びその駆動機構は、前記シャッタ２５，３４と略同様であり、このシャッタ３８が、隔壁１３の中間室２側の壁面に沿って上下動することによって前記開口部１３ａを中間室２側から開閉可能となっている。なお、当実施形態では、これらシャッタ２５，３４，３８及びその駆動機構が本発明に係るシャッタ手段に相当する。
【００３０】
ところで、上記基板処理装置は、ＣＰＵ等を構成要素とする駆動制御手段としてのコントローラ５を有しており、前記液供給管２１，３１、エア供給管２６，３７及び排気管４１に設けられる各開閉バルブや、前記シャッタ２５，３４，３８の各駆動機構のモータ等は、全てこのコントローラ５に電気的に接続されており、当該コントローラ５によって統括的に制御されるようになっている。特に、基板搬送時には、前記コントローラ５の制御によって前記シャッタ２５，３４，３８による前記開口部１１ａ，１３ａの開閉、エアの吐出等が図２に示す順序に従って実施され、これにより第２剥離処理室３から第１剥離処理室１へのミスト状剥離液（以下、単にミストという）の侵入が防止されるようになっている。以下、この点について説明する。
【００３１】
この装置では、基板Ｓの処理中は、図１の実線に示すように各シャッタ２５，３４，３８により開口部１１ａ，１３ａが閉止され、これにより第１剥離処理室１、中間室２及び第２剥離処理室３が非連通状態とされ、各処理室１，３で発生したミストの外部拡散が防止される。なお、中間室２（排気室２ｂ）は前記排気口４０を通じて常時排気されている。
【００３２】
各処理室１，３において基板Ｓの処理が終了すると、第２剥離処理室３の基板Ｓが次工程に搬出されると共に、第１剥離処理室１の基板Ｓが中間室２を通過しつつ第２剥離処理室３に搬送される。この第１剥離処理室１から第２剥離処理室３への基板Ｓの搬送に際しては、図２に示す順序に従って開口部１１ａ，１３ａの開閉等が行われる。
【００３３】
まず、第１剥離処理室１において基板Ｓが所定位置まで搬送され、図外のセンサによりその先端が検出されると、エアナイフ２４，２４によるエアの吐出が開始されると共に、シャッタ２５が作動して開口部１１ａが開放され、これにより基板Ｓが開口部１１ａを通じて第１剥離処理室１から搬出されると共に、この搬出に伴い、エアナイフ２４，２４から吐出されるエアにより基板Ｓ上の剥離液等が除去される。
【００３４】
そしてさらに中間室２（ノズル室２ａ）においてエアナイフ３６，３６によるエアの吐出が開始された後、中間室２側のシャッタ３８と第２剥離処理室３側のシャッタ３４とが順次作動することにより前記開口部１３ａが開放され、これにより基板Ｓが中間室２を通過しつつ第２剥離処理室３へと搬入される。この際、エアナイフ３６，３６からエアの吐出が開始されると、当該エアが仕切壁１２に形成された開口部１２ａを通じて開口部１３ａへと吹き付けられ、これにより第２剥離処理室３からのミストの流出が抑制される。そして、図３に示すように、基板Ｓが開口部１３ａを通じて第２剥離処理室３内に搬送されている間は、エアナイフ３６，３６から吐出されるエアによって基板Ｓの上下両面に沿って下流側に流動するエア流（図中の実線矢印）が形成され、このエア流が開口部１３ａを通じて第２剥離処理室３内に入り込むことにより、第２剥離処理室３からのミスト流出が防止される。なお、開口部１３ａが開放されている期間中、多少のミストが第２剥離処理室３から中間室２へ流出することが考えられるが、このようなミストは排気室２ｂ内の排気により排気口４０を通じて外部へと排出され（図３中の破線矢印参照）、これによって中間室２からミストの流出、つまり第１剥離処理室１へのミストの侵入が防止されることとなる。
【００３５】
こうして基板Ｓの搬送が進み、基板Ｓが第１剥離処理室１から搬出されると、エアナイフ２４，２４によるエアの吐出が停止されると共に、シャッタ２５が作動して開口部１１ａが閉止される。そしてさらに基板Ｓが搬送され、第２剥離処理室３への基板Ｓの搬入が完了すると、つまり、第２剥離処理室３内に配置される図外のセンサによりその後端が検出されると、第２剥離処理室３側のシャッタ３４の作動により開口部１３ａが閉止され、その後、中間室２側のシャッタ３８が作動して閉止位置にセットされると共に、前記エアナイフ３６，３６によるエアの吐出が停止される。これにより、各処理室１，３において基板Ｓの処理がそれぞれ開始されることとなる。
【００３６】
以上のように、この基板処理装置では、第１剥離処理室１と第２剥離処理室３との間に中間室２が設けられ、開口部１３ａが開放されている間は、中間室２に設けられたエアナイフ３６，３６により前記開口部１３ａに向かってエアが吐出されるので、第２剥離処理室３からのミストの流出が有効に防止され、また、仮に第２剥離処理室３から開口部１３ａを通じて中間室２にミストが流出した場合でも、当該ミストは中間室２から外部に排気されることとなり、第１剥離処理室１への侵入が防止される。従って、この装置によれば、第２剥離処理室３で発生した低濃度のミストが第１剥離処理室１に侵入し、これにより第１剥離処理室１の高濃度の剥離液が希釈されて第１剥離処理室１の処理に影響ができるといった事態の発生を未然に防止することができる。
【００３７】
特に、上記の基板処理装置では、中間室２内に仕切壁１２を設けることにより中間室２内を上流側のノズル室２ａと下流側の排気室２ｂとに仕切し、ノズル室２ａ側から開口部１２ａを通じてエアを吐出させつつ排気室２ｂ内を排気する構成となっているので、第２剥離処理室３から流出したミストの上流側への拡散が仕切壁１２により効果的に阻止され、その結果、第１剥離処理室１へのミストの侵入が非常に高いレベルで防止される。
【００３８】
＜ 第２の実施形態 ＞
図２は、第２の実施形態に係る基板処理装置の一例を示している。
【００３９】
第２の実施形態に係る基板処理装置は、第２剥離処理室３において第１剥離処理室１よりも高濃度の剥離液が使用される場合に適したものである。なお、この基板処理装置の基本的な構成は第１の実施形態のものと共通しているため、第１の実施形態と共通する部分については同一符合を付して説明を省略し、以下の説明では、第１の実施形態との相違点について詳細に説明することにする。
【００４０】
同図に示すように、この処理槽装置では、中間室２の上流側に排気室２ｂが設けられる一方、下流側にノズル室２ａが設けられた構成となっており、エアナイフ３６，３６は、それぞれ吐出口が前記搬送路側であってやや上流側を向くように配置されている。また、排気室２ｂには、隔壁１１の前記開口部１１ａを中間室２側から開閉するシャッタ３９が設けられている。このシャッタ３９の構成、及びその駆動機構は、上記シャッタ２５，３４と略同様であり、このシャッタ３９が、隔壁１１の中間室２側の壁面に沿って上下動することによって前記開口部１１ａを中間室２側から開閉可能となっている。なお、この装置では、隔壁１３の開口部１３ａを中間室２側から開閉する前記シャッタ３８は設けられていない。
【００４１】
この装置では、第１剥離処理室１から第２剥離処理室３への基板Ｓの搬送に際して、上記コントローラ５の制御に基づき、図５に示す順序に従って開口部１１ａ，１３ａの開閉等の動作が行われる。
【００４２】
まず、第１剥離処理室１において基板Ｓが所定位置まで搬送されると、エアナイフ２４，２４によるエアの吐出が開始されると共に、中間室２側のシャッタ３９が作動し、開口部１１ａを開放し得る位置に該シャッタ３９がセットされる（この時点では開口部１１ａはシャッタ２５により閉止されている）。次いで、エアナイフ３６，３６によるエアの吐出が開始され、その後、シャッタ２５が作動することにより開口部１１ａが開放され、さらにシャッタ３４が作動することにより開口部１３ａが開放される。これにより基板Ｓが開口部１１ａを通じて第１剥離処理室１が搬出されると共に、この搬出に伴い、エアナイフ２４，２４から吐出されるエアにより基板Ｓ上の剥離液等が除去される。この際、エアナイフ３６，３６からエアの吐出が開始されると、当該エアが仕切壁１２に形成された開口部１２ａを通じて開口部１１ａへと吹き付けられ、これにより第１剥離処理室１からのミストの流出が抑制される。そして、基板Ｓが開口部１１ａを通じて第１剥離処理室１から搬出されている間は、エアナイフ３６，３６から吐出されるエアによって基板Ｓの上下両面に沿って上流側に流動するエア流が形成され、このエア流が開口部１１ａを通じて第１剥離処理室１内に入り込むことにより、第１剥離処理室１からのミストの流出が防止される。なお、開口部１１ａが開放されている期間中は、多少のミストが第１剥離処理室１から中間室２へ流出することが考えられるが、このようなミストは排気室２ｂ内の排気により排気口４０を通じて外部へと排出され、これによって中間室２からミストの流出、つまり第２剥離処理室３へのミストの侵入が防止されることとなる。
【００４３】
こうして基板Ｓの搬送が進み、基板Ｓが第１剥離処理室１から搬出されると、第１剥離処理室１側のシャッタ２５が作動することにより開口部１１ａが閉止されると共に、エアナイフ２４，２４によるエアの吐出が停止され、さらに中間室２側のシャッタ３９が作動して閉止位置にセットされる。そしてさらに基板Ｓが搬送され、第２剥離処理室３への基板Ｓの搬入が完了すると、シャッタ３４が作動して開口部１３ａが閉止されると共に、エアナイフ３６，３６によるエアの吐出が停止される。
【００４４】
このような第２の実施形態の基板処理装置によると、中間室２に設けられたエアナイフ３６，３６により開口部１１ａに向かってエアが吐出されるので、第１剥離処理室１からのミストの流出が効果的に防止され、また、仮に第１剥離処理室１から開口部１１ａを通じて中間室２にミストが流出した場合でも、当該ミストは中間室２から外部に排気されることとなり、第２剥離処理室３への侵入が防止される。従って、この装置によれば、第１剥離処理室１で発生した低濃度のミストが第２剥離処理室３に侵入して当該第２剥離処理室３の剥離液が希釈され、これにより第２剥離処理室３での剥離処理に影響ができるといった事態の発生を未然に防止することができる。
【００４５】
ところで、上述した第１、第２の実施形態に係る基板処理装置は、本発明に係る基板処理装置の好ましい実施の形態の一部の例示であって、その具体的な構成は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【００４６】
例えば、上記実施形態では、中間室２に仕切壁１２を設けることにより、その内部をノズル室２ａと排気室２ｂとに仕切っているが、仕切壁１２を省略した構成としてもよい。但し、仕切壁１２を設けた構成によれば、上記の通り、中間室２内に低濃度ミストが流出した場合でも、当該ミストが、高濃度の剥離液が使用される処理室側へ拡散するのを有効に阻止することができる。そのため、高濃度側の剥離処理室への低濃度ミストの侵入をより確実に防止する上で、仕切壁１２を設けるのが望ましい。
【００４７】
また、第１の実施形態の基板処理装置は、例えば第１剥離処理室１内を排気する排気装置（本発明に係る第１処理室排気手段に相当する）と、この排気装置による排気中に含まれるミスト（高濃度ミスト）を捕集する捕集装置（本発明に係る捕集手段に相当する）とをさらに備え、捕集したミストを液タンク２３に戻して再使用するように構成されたものであってもよい。つまり、ミストを捕集、再使用する場合、第１剥離処理室１に低濃度ミストが侵入すると、低濃度ミストも捕集されるために剥離液の希釈が進行し易くなると考えられるが、図１に示す装置構成によれば、第１剥離処理室１への低濃度ミストの侵入が有効に防止されるため、高濃度ミストを捕集、再使用する上記のような装置においては特に好都合なものとなる。なお、この点は、第２の実施形態の基板処理装置において、第２剥離処理室３で高濃度ミストを捕集、再使用する場合も同様である。
【００４８】
また、上記実施形態では、本発明の適用として、濃度の異なる同種の剥離液をそれぞれ使用して各処理室１，３で剥離処理を施す基板処理装置について説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。例えば、濃度の異なるエッチング液をそれぞれ使用して各処理室で基板にエッチング処理を施す基板処理装置についても適用可能である。また、このように各処理室で互いに濃度の異なる同種類の処理液を用いる以外に、互いに性状（属性；要するに対象となる処理）は共通で種類の異なる処理液を用いる装置、互いに性状（属性）が異なる処理液を用いる装置、例えば上流側の処理室で剥離液を用いて剥離処理を行い、下流側の処理室で純水を用いて洗浄処理を行うような装置にも、勿論、本発明は適用可能である。
【００４９】
また、上記実施形態では、基板Ｓを水平姿勢で搬送しながら当該基板Ｓに処理を施す場合について説明した、勿論、傾斜姿勢で基板Ｓを搬送しながら当該基板Ｓに処理を施す装置についても、本発明は適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明に係る基板処理装置（第１の実施形態）を示す概略構成図である。
【図２】第１剥離処理室から第２剥離処理室への基板搬送時のシャッタ等の動作順序を説明する図である。
【図３】第１剥離処理室から第２剥離処理室に基板が搬送されている状態を示す図である。
【図４】本発明に係る基板処理装置（第２の実施形態）を示す概略構成図である。
【図５】第１剥離処理室から第２剥離処理室への基板搬送時のシャッタ等の動作順序を説明する図である。
【符号の説明】
【００５１】
１ 第１剥離処理室
２ 中間室
２ａ ノズル室
２ｂ 排気室
３ 第２剥離処理室
４ 搬送ローラ
５ コントローラ
１１ａ，１３ａ 開口部
２４，３６ エアナイフ
２０，３０ 液ノズル
２５，３４，３８ シャッタ
４０ 排気口
Ｓ 基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＣＤ（液晶表示装置）やＰＤＰ（プラズマディスプレイ）等のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、半導体基板等の基板に各種処理液を供給して処理を施す基板処理装置等に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、複数の処理室を有し、ＬＣＤ、ＰＤＰ用ガラス基板等の基板を搬送しながら、各処理室内で基板に処理液を供給することにより予め定められたプロセス処理を基板に施す装置が知られている。例えば、特許文献１には、基板に剥離液を供給することによりレジスト被膜を剥離する剥離処理室と、剥離処理後の基板を洗浄する洗浄処理室とが隣接して設けられたものが記載されている。
【０００３】
この種の装置では、処理に伴い処理室に充満したミスト状の処理液が、基板搬送用の開口部を通じて隣接する処理室（隣接処理室という）に侵入し、当該隣接処理室の基板の処理に種々の影響を与えることが考えられる。例えば、特許文献１のものでは、剥離処理室で使用された剥離液を回収して再使用（循環使用）するが、その場合、洗浄液のミストが洗浄処理室から剥離処理室に侵入すると、剥離液の液質が劣化することが考えられる。そのため、一般には、ミストの侵入を防ぐために、処理室間にシャッタを設け、基板の搬送時にだけ開口部を開き、ミストの侵入を防止することが行われている。
【特許文献１】特開２００４−１４６４１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、処理室間にシャッタを設けた装置であっても、基板の搬送中は、開口部が開き放しになるため、依然として開口部を通じて隣接処理室にミストが侵入し易く、従って、隣接処理室へのミストの侵入を防止する上で未だ改善の余地が残されている。
【０００５】
なお、上記のように複数の処理室が隣接する装置では、何れか一方側の処理室から他方側の処理室へのミスト侵入が問題となり、その逆はある程度許容されるケースが多い。特許文献１の装置も、剥離液の劣化を防止する上では、洗浄処理室から剥離処理室へのミスト侵入を阻止できれば、洗浄室への剥離液（ミスト）の侵入はさほど問題とはならない。従って、この点を考慮して隣接処理室へのミストの侵入防止策を図ることが有効である。
【０００６】
本発明は、上記のような事情に鑑みて成されたものであり、隣接する処理室へのミスト状処理液の侵入をより効果的に防止して、処理液の混入を阻止することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明の基板処理装置は、基板搬送方向に第１処理室及び第２処理室を有し、各処理室で基板に対して互いに異なる処理液を用いて順次所定のウエット処理を施すものであって、かつ前記互いに異なる処理液の関係が、基板処理の際に一方側の処理液に対する他方側の処理液の混入を抑制することが求められる関係にある基板処理装置において、前記第１処理室と前記第２処理室との間に介設される中間室と、前記第１処理室と中間室との隔壁に設けられた基板を通過させる第１開口部、及び中間室と第２処理室との隔壁に設けられた基板を通過させる第２開口部をそれぞれ開閉するシャッタ手段と、前記中間室に、前記第１開口部及び第２開口部のうちの一方側であって前記他方側の処理液が用いられる処理室と中間室との間の開口部である対象開口部に向かう気流を形成すべく気体を吐出するノズル部材を備え、少なくとも前記対象開口部が開口しているときに前記ノズル部材から前記気体を吐出させる気体吐出手段と、前記ノズル部材と前記対象開口部との間の位置に排気口を有し、当該排気口を通して前記中間室内の排気を行う排気手段と、を備えているものである。
【０００８】
この基板処理装置では、第１処理室と第２処理室の間に中間室が設けられ、前記他方側の処理液を用いる処理室側の開口部（前記対象開口部）が開放されているときには、前記中間室においてノズル部材から当該対象開口部に向かって気体が吐出され、これによって前記対象開口部からのミスト（前記他方側の処理液）の流出が防止される。しかも、当該ミストが多少流出した場合でも、排気手段より中空室内が排気されているため、当該ミストは中間室から外部へと排気される。この際、排気口は、ノズル部材と前記対象開口部との間の位置に設けられているため、流出したミストは速やかに排気される。従って、他の処理室（すなわち、前記一方側の処理液が用いられる処理室）への前記ミストの侵入が効果的に阻止され、前記一方側の処理液に対する他方側の処理液の混入が阻止される。
【０００９】
なお、請求項の記載において「互いに異なる処理液」とは、互いに性状（属性）が異なる処理液以外に、互いに性状は共通で種類が異なる処理液や、性状や種類は共通で濃度だけが互いに異なる処理液等を含む概念である。
【００１０】
この装置においては、前記中間室に仕切壁が設けられることにより、前記中間室の内部が前記ノズル部材を含むノズル室と、前記対象開口部及び排気口を含む排気室とに仕切られ、前記ノズル部材は、前記仕切壁に設けられた基板を通過させる開口部を介して前記気体を吐出するように構成されているのが好適である。
【００１１】
この装置によれば、前記対象開口部を通じて前記ミストが多少流出した場合でも、仕切壁によって他の処理室側へのミストの拡散が有効に防止される。そのため、当該他の処理室への前記ミストの侵入をより効果的に阻止することができる。
【００１２】
また、上記装置において、前記気体吐出手段は、前記ノズル部材から気体を吐出させることにより、前記対象開口部を通過する基板の表面に沿って前記中間室側から処理室側に向かって流動する気体流を形成するものであるのが好適である。
【００１３】
この装置によれば、前記対象開口部を基板が通過している間に、当該基板に沿って前記ミストが流出するといった事態を有効に阻止することができる。
【００１４】
なお、上記のような装置は、より具体的には、前記互いに異なる処理液が濃度の異なる同類の処理液であり、高濃度の処理液が前記第１処理室において用いられるものであって、前記ノズル部材が、前記対象開口部として前記第２開口部に向かって気体を吐出するように構成されるものである。
【００１５】
この装置では、各処理室において同種の処理が施されるが、上記の装置構成を有している結果、低濃度のミスト（処理液）が第２処理室から流出して第１処理室に侵入し、これが高濃度の処理液に混入して当該処理液が希釈されるといった不都合が有効に防止される。
【００１６】
この場合、例えば前記排気手段を中間室排気手段としたときに、これとは別に前記第１処理室内を排気する第１処理室排気手段と、前記排気中に含まれるミストを再使用すべく捕集する捕集手段と、を備えている装置では、上記のような装置構成を有している結果、捕集、再使用される高濃度の処理液の希釈を有効に防止することができる。従って、このようにミストを捕集し、再使用する装置において、上記のような装置構成が特に有用なものとなる。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１〜５に係る基板処理装置によると、第１処理室と第２処理室との間に中間室を設け、前記他方側の処理液を用いる処理室側の開口部（前記対象開口部）が開放されているときには、前記中間室において当該対象開口部に向かって気体を吐出させると共に、当該中間室内を排気する構成となっているので、一方側の処理室から他方側の処理室へのミスト（ミスト状処理液）の侵入をより効果的に防止して、処理液の混入を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の好ましい実施の形態について図面を用いて説明する。
【００１９】
＜ 第１の実施形態 ＞
図１は、第１の実施形態に係る基板処理装置の一例を示している。この図に示す基板処理装置は、基板Ｓを搬送しながら予め定められた順序で所定の処理を基板Ｓに施すプロセス処理装置であり、同図はその一部、具体的には基板Ｓに形成されたレジスト膜を剥離する工程の構成を概略的に示している。
【００２０】
この図に示すように、基板処理装置は、基板Ｓに剥離液を供給して剥離処理を施す第１剥離処理室１（第１処理室）及び第２剥離処理室３（第２処理室）と、これら処理室１，３の間に介設される中間室２とを備えている。第１剥離処理室１と中間室２とは隔壁１１を共有して隣接され、また、中間室２と第２剥離処理室３とは隔壁１３を共有して隣接されており、当該隔壁１１，１３に形成される基板搬送用の開口部１１ａ，１３ａを通じて互いに連通している。開口部１１ａ，１３ａは、幅方向（基板Ｓの搬送方向と直交する方向；同図では紙面に直交する方向）に細長い長方形の形状であって基板Ｓを通過させるのに必要かつ十分な大きさに形成されている。なお、以下の説明で「上流側」「下流側」というときには基板Ｓの搬送方向に基づくものとする。
【００２１】
各処理室１，３及び中間室２の内部には、複数の搬送ローラ４が所定間隔で配備されており、これら搬送ローラ１４の駆動により、基板Ｓが該ローラ１４によって構成される搬送路に沿って水平姿勢で図中矢印方向に搬送されるように構成されている。
【００２２】
各処理室１，３の内部には、それぞれ基板Ｓに対して剥離液を供給するための複数の液ノズル２０，３０が設けられている。各液ノズル２０，３０は、剥離液を噴霧する、所謂スプレーノズルからなり、何れも搬送ローラ４の上方位置に所定の配列で配置されている。
【００２３】
第１剥離処理室１の液ノズル２０は、第１液供給管２１を介して第１液タンク２３に接続されており、第１液供給管２１に介設されるポンプ２２の駆動及び図外の開閉バルブの制御により、前記第１液タンク２３からの剥離液の供給を受けて基板Ｓ上に剥離液を供給可能となっている。一方、第２剥離処理室３の液ノズル３０は、第２液供給管３１を介して第２液タンク３３に接続されており、第２液供給管３１に介設されるポンプ３２の駆動及び図外の開閉バルブの制御により、前記第２液タンク３３からの剥離液の供給を受けて基板Ｓ上に剥離液を供給可能となっている。すなわち、各液タンク２３，３３には、それぞれ濃度の異なる同種の剥離液が収容されており、具体的には、第１液タンク２３に高濃度の剥離液が収容されており、これによって各処理室１，３において、それぞれ濃度の異なる剥離液を用いて基板Ｓの剥離処理が行われるようになっている。
【００２４】
第１剥離処理室１において前記隔壁１１の近傍には、基板Ｓの搬出に伴い剥離液を除去するための上下一対のエアナイフ２４，２４が配置されている。各エアナイフ２４，２４は、前記搬送路の幅方向に細長で、かつ長手方向に連続的に延びる細長の吐出口をもつスリットノズルからなり、前記搬送路の上下両側に、それぞれ吐出口が、前記搬送路側であってやや上流側を向くように配置されている。各エアナイフ２４，２４は、エア供給管２６を介して図外のエア供給源に接続されており、図外の開閉バルブ等の操作により、前記エア供給源から所定流量のエア、具体的には清浄度及び温湿度が所定レベルに調整された所謂ＣＤＡ（Clean Dry Air）の供給を受けて該エアを基板Ｓに吐出可能となっている。
【００２５】
なお、第１剥離処理室１には前記開口部１１ａを開閉するシャッタ２５が、第２剥離処理室３には前記開口部１３ａを開閉するシャッタ３４がぞれぞれ設けられている。これらのシャッタ２５，３４は、幅方向に細長な平板形状を有し、かつ全体が耐薬品性を有する材料から構成されており、モータを駆動源とする図外の駆動機構によってそれぞれ駆動されることにより隔壁１１，１３の壁面に沿って上下動し、これによって前記開口部１１ａ，１３ａを開閉可能となっている。
【００２６】
前記中間室２は、同図に示すように、基板搬送用の開口部１２ａを備えた仕切壁１２により上流側のノズル室２ａと下流側の排気室２ｂとに仕切られている。
【００２７】
ノズル室２ａには、上下一対のエアナイフ３６，３６（本発明に係るノズル部材に相当する）が設けられ、これらエアナイフ３６，３６が前記搬送路を挟んで配置されている。各エアナイフ３６，３６は、エア供給管３７を介して前記エア供給源に接続されており、図外の開閉バルブ等の操作により、前記エア供給源から所定流量のエア（ＣＤＡ）の供給を受けて該エアを基板Ｓに吐出可能となっている。各エアナイフ３６，３６は、第１剥離処理室１に配置されるものと略同様のスリットノズルからなり、それぞれ吐出口が前記搬送路側であってやや下流側を向くように配置されている。この構成によりエアナイフ３６，３６から吐出されるエアが前記開口部１２ａを通じて第２剥離処理室３側、つまり開口部１３ａ側へと吐出され、基板Ｓの搬送中は、該基板Ｓの上下両面に沿って第２剥離処理室３側へと流動するエア流が形成されるようになっている。なお、当実施形態では、これらエアナイフ３６，３６、エア供給管３７及びエア供給源等が、本発明に係る気体吐出手段に相当する。
【００２８】
一方、排気室２ｂには、その天井部に排気管４１が接続されている。この排気管４１は、図外のフィルタ及び開閉バルブ等を介して負圧ポンプ４２に接続されており、これにより排気室２ｂの天井面に形成される排気口４０を介して中間室２内の雰囲気を排気可能となっている。なお、当実施形態では、この排気口４０、排気管４１及び負圧ポンプ４２等が本発明に係る中間室排気手段に相当する。
【００２９】
排気室２ｂには、さらに前記開口部１３ａを中間室２側から開閉するシャッタ３８が設けられている。このシャッタ３８の構成、及びその駆動機構は、前記シャッタ２５，３４と略同様であり、このシャッタ３８が、隔壁１３の中間室２側の壁面に沿って上下動することによって前記開口部１３ａを中間室２側から開閉可能となっている。なお、当実施形態では、これらシャッタ２５，３４，３８及びその駆動機構が本発明に係るシャッタ手段に相当する。
【００３０】
ところで、上記基板処理装置は、ＣＰＵ等を構成要素とする駆動制御手段としてのコントローラ５を有しており、前記液供給管２１，３１、エア供給管２６，３７及び排気管４１に設けられる各開閉バルブや、前記シャッタ２５，３４，３８の各駆動機構のモータ等は、全てこのコントローラ５に電気的に接続されており、当該コントローラ５によって統括的に制御されるようになっている。特に、基板搬送時には、前記コントローラ５の制御によって前記シャッタ２５，３４，３８による前記開口部１１ａ，１３ａの開閉、エアの吐出等が図２に示す順序に従って実施され、これにより第２剥離処理室３から第１剥離処理室１へのミスト状剥離液（以下、単にミストという）の侵入が防止されるようになっている。以下、この点について説明する。
【００３１】
この装置では、基板Ｓの処理中は、図１の実線に示すように各シャッタ２５，３４，３８により開口部１１ａ，１３ａが閉止され、これにより第１剥離処理室１、中間室２及び第２剥離処理室３が非連通状態とされ、各処理室１，３で発生したミストの外部拡散が防止される。なお、中間室２（排気室２ｂ）は前記排気口４０を通じて常時排気されている。
【００３２】
各処理室１，３において基板Ｓの処理が終了すると、第２剥離処理室３の基板Ｓが次工程に搬出されると共に、第１剥離処理室１の基板Ｓが中間室２を通過しつつ第２剥離処理室３に搬送される。この第１剥離処理室１から第２剥離処理室３への基板Ｓの搬送に際しては、図２に示す順序に従って開口部１１ａ，１３ａの開閉等が行われる。
【００３３】
まず、第１剥離処理室１において基板Ｓが所定位置まで搬送され、図外のセンサによりその先端が検出されると、エアナイフ２４，２４によるエアの吐出が開始されると共に、シャッタ２５が作動して開口部１１ａが開放され、これにより基板Ｓが開口部１１ａを通じて第１剥離処理室１から搬出されると共に、この搬出に伴い、エアナイフ２４，２４から吐出されるエアにより基板Ｓ上の剥離液等が除去される。
【００３４】
そしてさらに中間室２（ノズル室２ａ）においてエアナイフ３６，３６によるエアの吐出が開始された後、中間室２側のシャッタ３８と第２剥離処理室３側のシャッタ３４とが順次作動することにより前記開口部１３ａが開放され、これにより基板Ｓが中間室２を通過しつつ第２剥離処理室３へと搬入される。この際、エアナイフ３６，３６からエアの吐出が開始されると、当該エアが仕切壁１２に形成された開口部１２ａを通じて開口部１３ａへと吹き付けられ、これにより第２剥離処理室３からのミストの流出が抑制される。そして、図３に示すように、基板Ｓが開口部１３ａを通じて第２剥離処理室３内に搬送されている間は、エアナイフ３６，３６から吐出されるエアによって基板Ｓの上下両面に沿って下流側に流動するエア流（図中の実線矢印）が形成され、このエア流が開口部１３ａを通じて第２剥離処理室３内に入り込むことにより、第２剥離処理室３からのミスト流出が防止される。なお、開口部１３ａが開放されている期間中、多少のミストが第２剥離処理室３から中間室２へ流出することが考えられるが、このようなミストは排気室２ｂ内の排気により排気口４０を通じて外部へと排出され（図３中の破線矢印参照）、これによって中間室２からミストの流出、つまり第１剥離処理室１へのミストの侵入が防止されることとなる。
【００３５】
こうして基板Ｓの搬送が進み、基板Ｓが第１剥離処理室１から搬出されると、エアナイフ２４，２４によるエアの吐出が停止されると共に、シャッタ２５が作動して開口部１１ａが閉止される。そしてさらに基板Ｓが搬送され、第２剥離処理室３への基板Ｓの搬入が完了すると、つまり、第２剥離処理室３内に配置される図外のセンサによりその後端が検出されると、第２剥離処理室３側のシャッタ３４の作動により開口部１３ａが閉止され、その後、中間室２側のシャッタ３８が作動して閉止位置にセットされると共に、前記エアナイフ３６，３６によるエアの吐出が停止される。これにより、各処理室１，３において基板Ｓの処理がそれぞれ開始されることとなる。
【００３６】
以上のように、この基板処理装置では、第１剥離処理室１と第２剥離処理室３との間に中間室２が設けられ、開口部１３ａが開放されている間は、中間室２に設けられたエアナイフ３６，３６により前記開口部１３ａに向かってエアが吐出されるので、第２剥離処理室３からのミストの流出が有効に防止され、また、仮に第２剥離処理室３から開口部１３ａを通じて中間室２にミストが流出した場合でも、当該ミストは中間室２から外部に排気されることとなり、第１剥離処理室１への侵入が防止される。従って、この装置によれば、第２剥離処理室３で発生した低濃度のミストが第１剥離処理室１に侵入し、これにより第１剥離処理室１の高濃度の剥離液が希釈されて第１剥離処理室１の処理に影響ができるといった事態の発生を未然に防止することができる。
【００３７】
特に、上記の基板処理装置では、中間室２内に仕切壁１２を設けることにより中間室２内を上流側のノズル室２ａと下流側の排気室２ｂとに仕切し、ノズル室２ａ側から開口部１２ａを通じてエアを吐出させつつ排気室２ｂ内を排気する構成となっているので、第２剥離処理室３から流出したミストの上流側への拡散が仕切壁１２により効果的に阻止され、その結果、第１剥離処理室１へのミストの侵入が非常に高いレベルで防止される。
【００３８】
＜ 第２の実施形態 ＞
図２は、第２の実施形態に係る基板処理装置の一例を示している。
【００３９】
第２の実施形態に係る基板処理装置は、第２剥離処理室３において第１剥離処理室１よりも高濃度の剥離液が使用される場合に適したものである。なお、この基板処理装置の基本的な構成は第１の実施形態のものと共通しているため、第１の実施形態と共通する部分については同一符合を付して説明を省略し、以下の説明では、第１の実施形態との相違点について詳細に説明することにする。
【００４０】
同図に示すように、この処理槽装置では、中間室２の上流側に排気室２ｂが設けられる一方、下流側にノズル室２ａが設けられた構成となっており、エアナイフ３６，３６は、それぞれ吐出口が前記搬送路側であってやや上流側を向くように配置されている。また、排気室２ｂには、隔壁１１の前記開口部１１ａを中間室２側から開閉するシャッタ３９が設けられている。このシャッタ３９の構成、及びその駆動機構は、上記シャッタ２５，３４と略同様であり、このシャッタ３９が、隔壁１１の中間室２側の壁面に沿って上下動することによって前記開口部１１ａを中間室２側から開閉可能となっている。なお、この装置では、隔壁１３の開口部１３ａを中間室２側から開閉する前記シャッタ３８は設けられていない。
【００４１】
この装置では、第１剥離処理室１から第２剥離処理室３への基板Ｓの搬送に際して、上記コントローラ５の制御に基づき、図５に示す順序に従って開口部１１ａ，１３ａの開閉等の動作が行われる。
【００４２】
まず、第１剥離処理室１において基板Ｓが所定位置まで搬送されると、エアナイフ２４，２４によるエアの吐出が開始されると共に、中間室２側のシャッタ３９が作動し、開口部１１ａを開放し得る位置に該シャッタ３９がセットされる（この時点では開口部１１ａはシャッタ２５により閉止されている）。次いで、エアナイフ３６，３６によるエアの吐出が開始され、その後、シャッタ２５が作動することにより開口部１１ａが開放され、さらにシャッタ３４が作動することにより開口部１３ａが開放される。これにより基板Ｓが開口部１１ａを通じて第１剥離処理室１が搬出されると共に、この搬出に伴い、エアナイフ２４，２４から吐出されるエアにより基板Ｓ上の剥離液等が除去される。この際、エアナイフ３６，３６からエアの吐出が開始されると、当該エアが仕切壁１２に形成された開口部１２ａを通じて開口部１１ａへと吹き付けられ、これにより第１剥離処理室１からのミストの流出が抑制される。そして、基板Ｓが開口部１１ａを通じて第１剥離処理室１から搬出されている間は、エアナイフ３６，３６から吐出されるエアによって基板Ｓの上下両面に沿って上流側に流動するエア流が形成され、このエア流が開口部１１ａを通じて第１剥離処理室１内に入り込むことにより、第１剥離処理室１からのミストの流出が防止される。なお、開口部１１ａが開放されている期間中は、多少のミストが第１剥離処理室１から中間室２へ流出することが考えられるが、このようなミストは排気室２ｂ内の排気により排気口４０を通じて外部へと排出され、これによって中間室２からミストの流出、つまり第２剥離処理室３へのミストの侵入が防止されることとなる。
【００４３】
こうして基板Ｓの搬送が進み、基板Ｓが第１剥離処理室１から搬出されると、第１剥離処理室１側のシャッタ２５が作動することにより開口部１１ａが閉止されると共に、エアナイフ２４，２４によるエアの吐出が停止され、さらに中間室２側のシャッタ３９が作動して閉止位置にセットされる。そしてさらに基板Ｓが搬送され、第２剥離処理室３への基板Ｓの搬入が完了すると、シャッタ３４が作動して開口部１３ａが閉止されると共に、エアナイフ３６，３６によるエアの吐出が停止される。
【００４４】
このような第２の実施形態の基板処理装置によると、中間室２に設けられたエアナイフ３６，３６により開口部１１ａに向かってエアが吐出されるので、第１剥離処理室１からのミストの流出が効果的に防止され、また、仮に第１剥離処理室１から開口部１１ａを通じて中間室２にミストが流出した場合でも、当該ミストは中間室２から外部に排気されることとなり、第２剥離処理室３への侵入が防止される。従って、この装置によれば、第１剥離処理室１で発生した低濃度のミストが第２剥離処理室３に侵入して当該第２剥離処理室３の剥離液が希釈され、これにより第２剥離処理室３での剥離処理に影響ができるといった事態の発生を未然に防止することができる。
【００４５】
ところで、上述した第１、第２の実施形態に係る基板処理装置は、本発明に係る基板処理装置の好ましい実施の形態の一部の例示であって、その具体的な構成は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【００４６】
例えば、上記実施形態では、中間室２に仕切壁１２を設けることにより、その内部をノズル室２ａと排気室２ｂとに仕切っているが、仕切壁１２を省略した構成としてもよい。但し、仕切壁１２を設けた構成によれば、上記の通り、中間室２内に低濃度ミストが流出した場合でも、当該ミストが、高濃度の剥離液が使用される処理室側へ拡散するのを有効に阻止することができる。そのため、高濃度側の剥離処理室への低濃度ミストの侵入をより確実に防止する上で、仕切壁１２を設けるのが望ましい。
【００４７】
また、第１の実施形態の基板処理装置は、例えば第１剥離処理室１内を排気する排気装置（本発明に係る第１処理室排気手段に相当する）と、この排気装置による排気中に含まれるミスト（高濃度ミスト）を捕集する捕集装置（本発明に係る捕集手段に相当する）とをさらに備え、捕集したミストを液タンク２３に戻して再使用するように構成されたものであってもよい。つまり、ミストを捕集、再使用する場合、第１剥離処理室１に低濃度ミストが侵入すると、低濃度ミストも捕集されるために剥離液の希釈が進行し易くなると考えられるが、図１に示す装置構成によれば、第１剥離処理室１への低濃度ミストの侵入が有効に防止されるため、高濃度ミストを捕集、再使用する上記のような装置においては特に好都合なものとなる。なお、この点は、第２の実施形態の基板処理装置において、第２剥離処理室３で高濃度ミストを捕集、再使用する場合も同様である。
【００４８】
また、上記実施形態では、本発明の適用として、濃度の異なる同種の剥離液をそれぞれ使用して各処理室１，３で剥離処理を施す基板処理装置について説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。例えば、濃度の異なるエッチング液をそれぞれ使用して各処理室で基板にエッチング処理を施す基板処理装置についても適用可能である。また、このように各処理室で互いに濃度の異なる同種類の処理液を用いる以外に、互いに性状（属性；要するに対象となる処理）は共通で種類の異なる処理液を用いる装置、互いに性状（属性）が異なる処理液を用いる装置、例えば上流側の処理室で剥離液を用いて剥離処理を行い、下流側の処理室で純水を用いて洗浄処理を行うような装置にも、勿論、本発明は適用可能である。
【００４９】
また、上記実施形態では、基板Ｓを水平姿勢で搬送しながら当該基板Ｓに処理を施す場合について説明した、勿論、傾斜姿勢で基板Ｓを搬送しながら当該基板Ｓに処理を施す装置についても、本発明は適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明に係る基板処理装置（第１の実施形態）を示す概略構成図である。
【図２】第１剥離処理室から第２剥離処理室への基板搬送時のシャッタ等の動作順序を説明する図である。
【図３】第１剥離処理室から第２剥離処理室に基板が搬送されている状態を示す図である。
【図４】本発明に係る基板処理装置（第２の実施形態）を示す概略構成図である。
【図５】第１剥離処理室から第２剥離処理室への基板搬送時のシャッタ等の動作順序を説明する図である。
【符号の説明】
【００５１】
１ 第１剥離処理室
２ 中間室
２ａ ノズル室
２ｂ 排気室
３ 第２剥離処理室
４ 搬送ローラ
５ コントローラ
１１ａ，１３ａ 開口部
２４，３６ エアナイフ
２０，３０ 液ノズル
２５，３４，３８ シャッタ
４０ 排気口
Ｓ 基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板搬送方向に第１処理室及び第２処理室を有し、各処理室で基板に対して互いに異なる処理液を用いて順次所定のウエット処理を施すものであって、かつ前記互いに異なる処理液の関係が、基板処理の際に一方側の処理液に対する他方側の処理液の混入を抑制することが求められる関係にある基板処理装置において、
前記第１処理室と前記第２処理室との間に介設される中間室と、
前記第１処理室と中間室との隔壁に設けられた基板を通過させる第１開口部、及び中間室と第２処理室との隔壁に設けられた基板を通過させる第２開口部をそれぞれ開閉するシャッタ手段と、
前記中間室に、前記第１開口部及び第２開口部のうちの一方側であって前記他方側の処理液が用いられる処理室と中間室との間の開口部である対象開口部に向かう気流を形成すべく気体を吐出するノズル部材を備え、少なくとも前記対象開口部が開口しているときに前記ノズル部材から前記気体を吐出させる気体吐出手段と、
前記ノズル部材と前記対象開口部との間の位置に排気口を有し、当該排気口を通して前記中間室内の排気を行う排気手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記中間室に仕切壁が設けられることにより、前記中間室の内部が前記ノズル部材を含むノズル室と、前記対象開口部及び排気口を含む排気室とに仕切られ、前記ノズル部材は、前記仕切壁に設けられた基板を通過させる開口部を介して前記気体を吐出することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の基板処理装置において、
前記気体吐出手段は、前記ノズル部材から気体を吐出させることにより、前記対象開口部を通過する基板の表面に沿って前記中間室側から処理室側に向かって流動する気体流を形成することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の基板処理装置において、
前記互いに異なる処理液は濃度の異なる同類の処理液であり、高濃度の処理液が前記第１処理室において用いられるものであって、前記ノズル部材は、前記対象開口部として前記第２開口部に向かって気体を吐出することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置において、
前記排気手段を中間室排気手段としたときに、これとは別に前記第１処理室内を排気する第１処理室排気手段と、前記排気中に含まれるミストを再使用すべく捕集する捕集手段と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１】
基板搬送方向に第１処理室及び第２処理室を有し、各処理室で基板に対して互いに異なる処理液を用いて順次所定のウエット処理を施すものであって、かつ前記互いに異なる処理液の関係が、基板処理の際に一方側の処理液に対する他方側の処理液の混入を抑制することが求められる関係にある基板処理装置において、
前記第１処理室と前記第２処理室との間に介設される中間室と、
前記第１処理室と中間室との隔壁に設けられた基板を通過させる第１開口部、及び中間室と第２処理室との隔壁に設けられた基板を通過させる第２開口部をそれぞれ開閉するシャッタ手段と、
前記中間室に、前記第１開口部及び第２開口部のうちの一方側であって前記他方側の処理液が用いられる処理室と中間室との間の開口部である対象開口部に向かう気流を形成すべく気体を吐出するノズル部材を備え、少なくとも前記対象開口部が開口しているときに前記ノズル部材から前記気体を吐出させる気体吐出手段と、
前記ノズル部材と前記対象開口部との間の位置に排気口を有し、当該排気口を通して前記中間室内の排気を行う排気手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記中間室に仕切壁が設けられることにより、前記中間室の内部が前記ノズル部材を含むノズル室と、前記対象開口部及び排気口を含む排気室とに仕切られ、前記ノズル部材は、前記仕切壁に設けられた基板を通過させる開口部を介して前記気体を吐出することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の基板処理装置において、
前記気体吐出手段は、前記ノズル部材から気体を吐出させることにより、前記対象開口部を通過する基板の表面に沿って前記中間室側から処理室側に向かって流動する気体流を形成することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の基板処理装置において、
前記互いに異なる処理液は濃度の異なる同類の処理液であり、高濃度の処理液が前記第１処理室において用いられるものであって、前記ノズル部材は、前記対象開口部として前記第２開口部に向かって気体を吐出することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置において、
前記排気手段を中間室排気手段としたときに、これとは別に前記第１処理室内を排気する第１処理室排気手段と、前記排気中に含まれるミストを再使用すべく捕集する捕集手段と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００９−２０２０８８（Ｐ２００９−２０２０８８Ａ）
【公開日】平成２１年９月１０日（２００９．９．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−４６２２３（Ｐ２００８−４６２２３）
【出願日】平成２０年２月２７日（２００８．２．２７）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年９月１０日（２００９．９．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年２月２７日（２００８．２．２７）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
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