基板処理装置
【課題】基板収容器内の雰囲気の酸素濃度または湿度を十分に低下させておくことができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】隔壁７における通過口８の上方には、インデクサ空間ＩＳのダウンフローが、基板収容器Ｃ内に進入することを抑制するための上カバー２０が設けられている。通過口８の両側方には、インデクサ空間ＩＳのダウンフローが、基板収容器Ｃ内に進入することを抑制するための横カバー２１，２２が設けられている。通過口８の周縁部には、開放状態における通過口８の上方領域２３に向けてＮ2ガスを吹き付けるための上ノズル３０と、通過口８の側方領域２５，２７に向けてＮ2ガスを吹き付けるための第１および第２横ノズル３２，３４とが備えられている。
【解決手段】隔壁７における通過口８の上方には、インデクサ空間ＩＳのダウンフローが、基板収容器Ｃ内に進入することを抑制するための上カバー２０が設けられている。通過口８の両側方には、インデクサ空間ＩＳのダウンフローが、基板収容器Ｃ内に進入することを抑制するための横カバー２１，２２が設けられている。通過口８の周縁部には、開放状態における通過口８の上方領域２３に向けてＮ2ガスを吹き付けるための上ノズル３０と、通過口８の側方領域２５，２７に向けてＮ2ガスを吹き付けるための第１および第２横ノズル３２，３４とが備えられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などの基板に対して処理を施す基板処理装置である。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置等の製造工程において用いられる枚葉型の基板処理装置は、インデクサ部と、インデクサ部に基板を搬出入するためのロードポートとを備えている。
ロードポートは、基板を複数枚積層状態で収容可能な基板収容器を保持する収容器保持部と、通過口を有し、インデクサ部の内部空間（インデクサ空間）と収容器保持部が配置される外部空間とを仕切る隔壁とを備える。基板収容器は、基板を出し入れするための開口を有している。この基板収容器に収容される基板に酸化膜が形成されることを抑制するために、基板収容器内の雰囲気の酸素濃度および湿度は低いことが望ましい。
【０００３】
インデクサ空間には、基板の出し入れを行うためのインデクサロボットが収容されている。このインデクサ空間は、パーティクルの巻き上げを防止するためのダウンフローが形成されたダウンフロー空間となっている。収容器保持部に基板収容器が保持された後、インデクサロボットが、ハンドを開放状態の通過口および開口を通して基板収容器内にアクセスさせて、基板収容器に対して基板の出し入れを行う。
【０００４】
ところが、このような装置では、基板の出し入れの際に、インデクサ空間の雰囲気が通過口を通して基板収容器内に入り込むおそれがある。インデクサ空間の雰囲気は、厳密に管理されてはいないため、基板収容器内に進入すると、基板収容器内の雰囲気の酸素濃度および湿度が上昇し、基板に悪影響を与えるおそれがある。
そこで、基板収容器内をパージガス（Ｎ2ガス）で置換することが提案されている。
【０００５】
基板収容器内のパージに関する先行技術として、たとえば、特許文献１〜３で提案されている構成を挙げることができる。
特許文献１では、基板収容器の開口の左右斜め前方に配置されたパージガス導入管から、基板収容器内に向けてパージガスを吹き付けることにより、基板収容器内をパージガスで置換する構成が提案されている。
【０００６】
特許文献２では、通過口の上方部の隔壁に庇状の上部壁面を設けるとともに、その上部壁面に配置した吐出口から基板収容器内に向けてパージガスを吐出させることにより、基板収容器内をパージガスで置換する構成が提案されている。
特許文献３では、隔壁の通過口の上部に供給ノズルを、通過口の下部に吸引ノズルを配置して、通過口を気体の膜で遮蔽し、ダウンフロー空間の雰囲気が、基板収容器内に進入することを防止する構成が提案されている。
【特許文献１】特開２００４−２３５５１６号公報
【特許文献２】特開２００３−４５９３３号公報
【特許文献３】特開平１１−１４５２４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、特許文献１，３で提案されている構成では、ダウンフロー空間を流下するダウンフローが通過口に流入するのを直接阻止するための機構がないために、ダウンフローの基板収容器内への進入を完全に防止することはできない。
一方、特許文献２で提案されている構成では、ダウンフロー空間を流下するダウンフローが通過口に直接流入することを防止することができる。しかし、通過口の側方から通過口に流入する雰囲気を阻止することはできない。
【０００８】
したがって、前記特許文献１〜３のいずれの構成であっても、基板収容器内の雰囲気の酸素濃度または湿度を十分に低下させることができなかった。
そこで、この発明の目的は、基板収容器内の雰囲気の酸素濃度または湿度を十分に低下させておくことができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を出し入れするための開口（１０）を有する基板収容器（Ｃ）を保持するための収容器保持部（６）と、前記収容器保持部に保持された前記基板収容器の前記開口と対向する通過口（８）を有し、前記収容器保持部が配置された保持空間（ＯＳ）とダウンフローが形成されるダウンフロー空間（ＩＳ）とを仕切る隔壁（７）と、前記通過口の上方において前記隔壁から前記ダウンフロー空間側に向かって突出して設けられて、ダウンフローの前記基板収容器内への進入を抑制するための上カバー（２０；２０Ａ；２０Ｂ）と、前記通過口の上縁部に沿う領域（２３）を通して、前記基板収容器内に向けてパージガスを吹き付けるための上パージガス吹き付け手段（２４）と、前記通過口の側方において前記隔壁から前記ダウンフロー空間側に向かって突出して設けられて、ダウンフローの前記基板収容器内への進入を抑制するための横カバー（２１，２２；２１Ａ，２２Ａ）と、前記通過口の側縁部に沿う領域（２５，２７）を通して、前記基板収容器内に向けてパージガスを吹き付けるための横パージガス吹き付け手段（２６，２８）とを含む、基板処理装置である。
【００１０】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この構成によれば、上パージガス供給手段および横パージガス供給手段から、通過口の上縁部および側縁部に沿う領域に向けてパージガスが吹き付けられる。こうした基板収容器内へのパージガスの供給によって、基板収容器内の雰囲気が、パージガスが吹き付けられていない領域（開口の中央部ＣＡ）を通ってダウンフロー空間に押し出され、開口の当該領域に、基板収容器内からダウンフロー空間に向かう気流が形成される。
【００１１】
また、通過口の上方に上カバーが設けられ、通過口の側方に横カバーが設けられている。この上カバーおよび横カバーによって、ダウンフローが通過口の上縁部および側縁部に沿う領域に流入することが抑制される。したがって、通過口のほぼ全域でダウンフローの基板収容器内への流入が抑制されるので、ダウンフロー空間の雰囲気を基板収容器内にほとんど進入させずに、基板収容器内にパージガスだけを供給することができる。これにより、基板収容器内の雰囲気の酸素濃度または湿度を十分に低下させておくことができる。
【００１２】
請求項２記載の発明は、前記横カバーには、前記ダウンフロー空間内の雰囲気を吸い込むための横吸気口（４４）が形成されている、請求項１記載の基板処理装置である。
この構成によれば、通過口の側方に横吸気口が形成される。このため、ダウンフロー空間から通過口に向けて流れる雰囲気は、横吸気口に吸い込まれて、通過口にはほとんど流入しない。これにより、ダウンフロー空間の雰囲気の基板収容器内への進入を、より確実に抑制することができる。
【００１３】
請求項３記載の発明は、前記横パージガス吹き付け手段が、前記横吸気口よりも前記通過口寄りに設けられた吐出口（４７）を有している、請求項２記載の基板処理装置である。
この構成によれば、横パージガス吹き付け手段の吐出口が横吸気口よりも通過口寄りに配置されているので、当該吐出口から通過口に向けて吹き出されたパージガスは、横吸気口にはほとんど吸い込まれない。これにより、基板収容器内にパージガスを効率よく供給することができる。
【００１４】
請求項４記載の発明は、前記上カバーの前記ダウンフロー空間側縁部には、上方に向けて突出する上フランジ（４２；４２Ｂ）が形成されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、上カバーに受け止められたダウンフローが通過口に向けて移動することが、上フランジによって妨げられる。したがって、ダウンフロー空間内の雰囲気の基板収容器内への進入を、より確実に抑制することができる。
【００１５】
請求項５記載の発明は、前記横カバーの前記ダウンフロー空間側縁部には、当該横カバーに対して前記通過口と反対側に向けて突出する横フランジ（６０，６１）が形成されている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、横カバーに受け止められたダウンフローが通過口に向けて移動することが、横フランジによって妨げられる。したがって、ダウンフロー空間内の雰囲気の基板収容器内への進入を、より確実に抑制することができる。
【００１６】
請求項６記載の発明は、前記上カバーが、前記通過口の左右方向中間部が高く、左右方向両端部が低く形成された上向き凸状の上面（６２）を有している、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、上カバーの上面によって受け止められたダウンフローが、通過口の左右の側方に向けて導かれる。これにより、ダウンフローを整流でき、ダウンフローの通過口への流入を、より確実に抑制することができる。
【００１７】
請求項７記載の発明は、前記上カバーには、前記ダウンフロー空間内の雰囲気を吸い込むための上吸気口（４１）が形成されている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、通過口の上方に上吸気口が形成される。このため、ダウンフロー空間から通過口に向けて流れる雰囲気は、上吸気口に吸い込まれて、通過口にはほとんど流入しない。これにより、ダウンフロー空間の雰囲気の基板収容器内への進入を、より確実に抑制することができる。
【００１８】
前記上パージガス吹き付け手段が、前記上吸気口よりも前記通過口寄りに設けられた吐出口（４６）を有していてもよい。この場合、横パージガス吹き付け手段の吐出口が上吸気口よりも通過口寄りに配置されているので、当該吐出口から通過口に向けて吹き出されたパージガスは、上吸気口にはほとんど吸い込まれない。これにより、基板収容器内にパージガスを効率良く供給することができる。
【００１９】
請求項８記載の発明は、前記収容器保持部に保持された基板収容器の下部から、当該基板収容器内にパージガスを供給する下パージガス供給手段（５２）をさらに含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、下パージガス供給手段によって基板収容器内にパージガスが供給される。上パージガス供給手段および横パージガス供給手段からのパージガスの供給に加え、かかる下パージガス供給手段からのパージガスの供給が行われるので、基板収容器内の雰囲気をほぼ完全にパージガスに置換させることができ、これにより、基板収容器内の雰囲気の酸素濃度または湿度を、より十分に低下させておくことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態（第１実施形態）に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な断面図である。この基板処理装置は、クリーンルーム内に設置され、半導体ウエハなどの基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の装置である。
基板処理装置は、インデクサ部２と、このインデクサ部２に結合された処理部３と、インデクサ部２の内部に基板Ｗを搬出入するためのインターフェイスとしての複数（たとえば４つ）のロードポート４とを備えている。
【００２１】
処理部３は、インデクサ部２の内部空間（インデクサ空間）ＩＳに連通する搬送路（図示しない）と、搬送路に沿って並べられた複数の処理チャンバ（図示しない）と、搬送路内に配置されて、処理チャンバからの基板Ｗの搬出入を行う主搬送ロボット（図示しない）とを備えている。
各ロードポート４は、インデクサ部２に対して処理部３と反対側の外部空間ＯＳに配置される収容器載置台６（収容器保持部）と、インデクサ空間ＩＳと収容器載置台６が配置される外部空間（保持空間）ＯＳとを仕切る隔壁７と、隔壁７に形成された通過口８を開閉するためのドア９（図２および図６（ａ）を併せて参照）とを備えている。収容器載置台６は、基板収容器Ｃを載置するためのものである。複数のロードポート４は所定の方向（紙面に直交する方向）に沿って配列されている。
【００２２】
基板収容器Ｃは、その内部に複数枚の基板Ｗを所定間隔を空けて積層状態で収容することができるものである。基板収容器Ｃは、この実施形態では、基板Ｗを密閉した状態で収容するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）である。すなわち、基板収容器Ｃは、一側面に基板Ｗの取り出しのための開口１０を有するほぼ立方体形状の収容器本体１１と、開口１０を開閉するための蓋１２（図１では、蓋１２の開状態を示している）とを備えている。基板収容器Ｃには、未処理の基板Ｗまたは処理済みの基板Ｗが収容されることになる。
【００２３】
開口１０が通過口８に対向するように、基板収容器Ｃが収容器載置台６に載置される。ドア９の開放状態（図１に示す状態）では、通過口８内に、基板収容器Ｃの開口１０が収まるようになる。
インデクサ部２の天面には、インデクサ空間ＩＳにクリーンエアのダウンフローを供給するためのファンフィルタユニット１３（ＦＦＵ）が設けられている。このファンフィルタユニット１３は、ファン（図示しない）およびフィルタ（図示しない）を上下に積層し、ファンによる送風をフィルタで浄化してインデクサ空間ＩＳ内に供給する構成になっている。
【００２４】
また、インデクサ部２の底面には、インデクサ空間ＩＳの雰囲気を排気するための排気口（図示しない）が形成されている。クリーンルームの床面は、グレーチングで構成されており、このグレーチング床面上に基板処理装置が設置されるようになっている。インデクサ空間２の底面からの排気は、グレーチングを通って、その下方の空間へと導かれる。グレーチングの下方の空間は、陰圧に保たれていて、基板処理装置内のダウンフローを吸収するようになっている。
【００２５】
インデクサ部２は、収容器載置台６に載置された基板収容器Ｃに対して基板Ｗを搬入／搬出するためのインデクサロボットＩＲを備えている。また、インデクサロボットＩＲは、基板Ｗを保持するためのハンドを備えており、このハンドを通過口８を通して基板収容器Ｃ内にアクセスさせることにより、基板収容器Ｃに対し基板Ｗの搬入／搬出を行うことができる。また、インデクサロボットＩＲは、ハンドを主搬送ロボットにアクセスさせることにより、この主搬送ロボットとの間で基板Ｗを受け渡すことができる。
【００２６】
ロードポート４は、ドア９をインデクサ空間ＩＳ側から支持するための正面視縦長長方形状の支持部材１５を備えている。支持部材１５は昇降可能に設けられており、支持部材１５には当該支持部材１５を昇降させるための昇降駆動機構１６が結合されている。また、支持部材１５には、隔壁７に直交する方向にドア９をスライド移動させるためのスライド駆動機構１７が結合されている。
【００２７】
ドア９の閉状態において、スライド駆動機構１７が駆動されてドア９がインデクサ空間ＩＳ側に向けてスライド移動され、かつ、昇降駆動機構１６が駆動されて支持部材１５が開位置（図1に示す位置）まで下降されることにより、ドア９が開状態にされる。
また、ドア９が開状態において、昇降駆動機構１６が駆動されて支持部材１５が閉位置（後述する図６（ａ）に示す位置）まで上昇され、かつ、スライド駆動機構１７が駆動されてドア９がインデクサ空間ＩＳ側と反対側に向けてスライド移動されることにより、ドア９が閉状態にされる。ドア９の開状態では、通過口８のほぼ全域が開放される。
【００２８】
隔壁７の内面（インデクサ空間ＩＳ側の面）における通過口８の周縁部には、インデクサ空間ＩＳのダウンフローが基板収容器Ｃ内に進入することを抑制するための庇状のカバー１８が形成されている。
また、通過口８の周縁部には、インデクサ空間ＩＳ側から通過口８に向けてパージガスとしてのＮ2ガスを吹き付けるためのＮ2ガス吹き付け機構１９が設けられている。
【００２９】
図２は、通過口８をインデクサ空間ＩＳの内側から見た正面図である。
通過口８は、正面視でほぼ正方形状に形成されている。通過口８の上辺および下辺は水平方向に沿って形成され、通過口８の両側辺（図２で示す左辺および右辺）は鉛直方向に沿って形成されている。通過口８を開閉するためのドア９も、正面視でほぼ正方形状に形成されている。
【００３０】
カバー１８は、正面視で倒立Ｕ字形状に形成されており、通過口８の上方に設けられた上カバー２０と、通過口８の一方側の側方（図２で示す左側）に設けられた第１横カバー２１と、通過口８の他方側の側方（図２で示す右側）に設けられた第２横カバー２２とを備えている。
上カバー２０は、通過口８の上辺の上方に配置され、隔壁7から内側（インデクサ空間ＩＳ側）に向けて水平に突出している。上カバー２０は、通過口８の上辺に沿って、通過口８の一方側端部（図２で示す左側端部）から他端側端部（図２で示す右側端部）にわたって形成されている。このため、隔壁７の内面に沿ってインデクサ空間ＩＳを流下するダウンフローが上カバー２０によって受け止められる。
【００３１】
上カバー２０は、筒状（たとえば四角筒状）に形成されている。上カバー２０の内部には、隔壁７に沿う水平方向（図２の左右方向）に延びる上排気空間４０が形成されている。上カバー２０の下面（通過口８側の内面）には、インデクサ空間ＩＳ内の雰囲気を吸い込むための上吸気口４１が形成されている。上吸気口４１は、通過口８の一端部（図２で示す左端部）から他端部（図２で示す右端部）にわたって、ほぼ長方形状の開口として形成されている。
【００３２】
上カバー２０のインデクサ空間ＩＳ側の縁部には、上方に向けて突出する上フランジ４２が形成されている。この上フランジ４２によって、上カバー２０の上面に受け止められたダウンフローが通過口８に向けて移動することを阻止することができる。
第１横カバー２１は、通過口８の一方側辺（図２で示す左辺）の側方（図２で示す左側）に配置され、隔壁７からインデクサ空間ＩＳ側に向けて水平に突出しており、当該一方側辺に沿って、通過口８の上端部からロードポート４の下端部にわたって形成されている。
【００３３】
第２横カバー２２は、通過口８の他方側辺（図２で示す右辺）の側方（図２で示す右側）に配置され、隔壁７からインデクサ空間ＩＳ側に向けて水平に突出しており、当該他方側辺に沿って、通過口８の上端部からロードポート４の下端部にわたって形成されている。
なお、この実施形態では、横カバー２１，２２は、通過口８の上端部からロードポート４の下端部まで延びているが、少なくとも通過口８の側辺を覆うことができるように、通過口８の上端部から下端部にわたって形成されていれば十分である。
【００３４】
各横カバー２１，２２は、筒状（たとえば四角筒状）に形成されている。各横カバー２１，２２の内部には、上排気空間４０に連通し、上下方向に延びる横排気空間４３が形成されている。各横カバー２１，２２の内側の側面（通過口８側の内面）には、インデクサ空間ＩＳ内の雰囲気を吸い込むための横吸気口４４が形成されている。各横排気空間４３には、各横カバー２１，２２の底部に、上排気空間４０および横排気空間４３を排気するための排気ファン４５が配置されている。排気ファン４５によって横排気空間４３から排気される空気は、グレーチング床面の下方の空間へと導かれるようになっている。
【００３５】
Ｎ2ガス吹き付け機構１９は、通過口８の上辺に沿う上方領域２３（通過口８内の領域）に向けてパージガス（Ｎ2ガス）を吹き付けるための上パージガス吹き付け手段としての上ノズルブロック２４と、通過口８の一方側辺（図２で示す左辺）に沿う側方領域２５（通過口８内の領域）に向けてＮ2ガスを吹き付けるための横パージガス吹き付け手段としての第１横ノズルブロック２６と、通過口８の他方側辺（図２で示す右辺）に沿う側方領域２７（通過口８内の領域）に向けてＮ2ガスを吹き付けるための横パージガス吹き付け手段としての第２横ノズルブロック２８とを備えている。
【００３６】
上ノズルブロック２４は、通過口８の上辺に沿って配列され、Ｎ2ガスを吐出するための複数（図２ではたとえば６個）の上ノズル３０と、これら複数の上ノズル３０を保持するためのブロック体３１とを備えている。この上ノズルブロック２４は、上カバー２０の下面（通過口８側の内面）に直接取り付けられていてもよいし、その他の部材を介して上カバー２０に取り付けられていてもよい。
【００３７】
第１横ノズルブロック２６は、通過口８の一方側辺（図２で示す左辺）に沿って配列され、Ｎ2ガスを吐出するための複数（図２ではたとえば６個）の第１横ノズル３２と、これら複数の第１横ノズル３２を保持するためのブロック体３３とを備えている。この第１横ノズルブロック２６は、第１横カバー２１の内側の側面（通過口８側の内面）に直接取り付けられていてもよいし、その他の部材を介して第１横カバー２１に取り付けられていてもよい。
【００３８】
第２横ノズルブロック２８は、通過口８の他方側辺（図２で示す右辺）に沿って配列され、Ｎ2ガスを吐出するための複数（図２ではたとえば６個）の第２横ノズル３４と、これら複数の第２横ノズル３４を保持するためのブロック体３５とを備えている。この第２横ノズルブロック２８は、第２横カバー２２の内側の側面（通過口８側の内面）に直接取り付けられていてもよいし、その他の部材を介して第２横カバー２２に取り付けられていてもよい。
【００３９】
通過口８の周縁部には、正面視で矩形状のＮ2ガス配管３６が配設されている。このＮ2ガス配管３６には上Ｎ2バルブ３７を介して、Ｎ2ガス供給源からのＮ2ガスが供給されるようになっている。Ｎ2ガス配管３６には、各上ノズル３０、各第１横ノズル３２および各第２横ノズル３４が接続されており、Ｎ2ガス配管３６を流通するＮ2ガスが、各ノズル３０，３２，３４に付与されるようになっている。なお、パージガスとしてＮ2ガスを例示しているが、ＡｒやＨｅなどの他の不活性ガス、あるいはＣＤＡ（Clean dry air）などの低湿度ガスをパージガスとして採用することもできる。
【００４０】
図３は、ロードポート４の要部の縦断面図である。この図３では、基板収容器Ｃの蓋１２の開状態を示し、蓋１２およびドア9の図示を省略している。
収容器載置台６は、基板収容器Ｃを載置することができ、隔壁７に対し直交する方向（図３の左右方向）にスライド移動可能な可動載置台５０と、可動載置台５０をスライド移動させるためのスライド駆動機構５１と、基板収容器Ｃ内にパージガスとしてのＮ2ガスを供給するための下パージガス供給機構（下パージガス供給手段）５２とを備えている。スライド駆動機構５１が駆動されることにより、可動載置台５０（収容器載置台６）に載置された基板収容器Ｃが、通過口８に対して近接／離反するようになる。
【００４１】
下パージガス供給機構５２は、たとえば先端に吐出口５３を有する吐出管５４を備えている。吐出管５４は、可動載置台５０の内部に埋設されて、その先端部分だけが可動載置台５０の上面よりも上方に突出している。吐出管５４には、Ｎ2ガス供給源からのＮ2ガスが供給されるＮ2ガス供給管５５が接続されている。Ｎ2ガス供給管５５の途中部には、吐出口５３からのＮ2ガスの吐出／吐出停止を切り換えるための下Ｎ2バルブ５６が介装されている。
【００４２】
基板収容器Ｃを可動載置台５０に載置された状態では、基板収容器Ｃの底面に形成された導入孔５７に吐出管５４が挿入されている。導入孔５７内に挿入された吐出管５４の吐出口５３は、基板収容器Ｃの内部空間に臨むようになる。一方、基板収容器Ｃが収容器載置台６の所定位置から離脱されると、吐出管５４が導入孔５７から引き抜かれる。導入孔５７には、開閉機構（図示せず）が配置されている。この開閉機構は、通常時は導入孔５７を閉塞しており、吐出管５４の挿入動作に連動して導入孔５７を開放し、吐出管５４の引き抜き動作によって導入孔５７を閉塞する。
【００４３】
各上ノズル３０は、基板収容器Ｃの開口１０の上辺よりもやや上方にずれた位置に、その吐出口４６を開口１０の上方領域（通過口８の上方領域２３）に向けて（やや斜め下方に向けて）配置されている。この実施形態では、上ノズル３０として、扇形ノズルが用いられている。扇形ノズルとは、吐出流体の輪郭（吐出プロファイル）が扇形形状をなすノズルである。吐出プロファイルの中心軸に直交する断面は、楕円形状の輪郭となる。この楕円形断面の長軸方向を、以下では、「ノズルの長軸方向」などという。扇形ノズルからなる上ノズル３０は、その長軸方向が、通過口８（開口１０）の上辺に対して微小角度（たとえば５〜１０°）傾斜するように配置されている。上ノズル３０が開口１０の上辺よりもやや上方にずれた位置に、その吐出口４６を開口１０の上方領域に向けて配置されているので、上ノズル３０からのＮ2ガスは、基板収容器Ｃの天面に沿って流れる。
【００４４】
各上ノズル３０は、通過口８を通過する基板Ｗの経路よりも上方に配置されている。したがって、基板収容器Ｃに対する基板Ｗの出し入れの際に、基板ＷやインデクサロボットＩＲのハンドと上ノズル３０とが干渉することがない。
上吸気口４１は、上ノズル３０の吐出口４６よりもインデクサ空間ＩＳ側（通過口８と反対側）に設けられている。このため、上ノズル３０から吹き出されたパージガスが上吸気口４１に吸い込まれることはほとんどない。
【００４５】
横吸気口４４は、第２横ノズル３４の吐出口４７よりもインデクサ空間ＩＳ側（通過口８と反対側）に設けられている。このため、第２横ノズル３４から吹き出されたパージガスが横吸気口４４に吸い込まれることはほとんどない。
この横吸気口４４は、通過口８の上端部から下端部にわたって形成されている。上下方向に長い横吸気口４４では、排気ファン４５から離れた上部の方が、排気ファン４５に近い下部よりも吸気力が小さい。そこで、横吸気口４４の開口幅（基板搬送方向（図３の左右方向）の開口幅）は、この横吸気口４４から吸気される雰囲気の流速が上下方向に関してほぼ均一になるように、下方に向かうに従って狭くなっている。より具体的には、横吸気口４４は、下方に向かうに従って幅狭となる楔形に形成されている。
【００４６】
図３の構成では、横排気空間４３に排気ファン４５が配置されているが、排気ファン４５を設ける代わりに、排気空間４０，４３を工場に設けられた排気処理設備の排気用力によって排気する構成としてもよい。
また、図３では第１横カバー２１の図示を省略しているが、第１横カバー２１の横吸気口４４は、第２横カバー２２の横吸気口４４と同様の構成である。
【００４７】
図４は、図３の切断面線IV−IVから見た断面図である。
各第１横ノズル３２は、通過口８の一方側の側辺（図４で示す右辺）よりもやや側方（図４で示す右側方）にずれた位置に、その吐出口４７を通過口８の側方領域２５に向けて（図４におけるやや斜め左に向けて）配置されている。この実施形態では、第１横ノズル３２として、扇形ノズルが用いられている。扇形ノズルからなる第１横ノズル３２は、その長軸方向が、通過口８（開口１０）の一方側辺（図４で示す右辺）に対して微小角度（たとえば５〜１０°）傾斜するように配置されている。そのため、第１横ノズル３２からのＮ2ガスは、基板収容器Ｃ内を、その一方側の側面（図４で示す右面）に沿って流れる。
【００４８】
各第１横ノズル３２は、通過口８を通過する基板Ｗの経路外に配置されている。したがって、基板収容器Ｃに対する基板Ｗの出し入れの際に、基板ＷやインデクサロボットＩＲのハンドと第１横ノズル３２とが干渉しない。
第２横ノズル３４は、通過口８の他方側辺（図４で示す左辺）よりもやや側方（図４で示す左側方）にずれた位置に、その吐出口４７を通過口８の側方領域２７に向けて（図４におけるやや斜め右に向けて）配置されている。この実施形態では、第２横ノズル３４として、扇形ノズルが用いられている。扇形ノズルからなる第２横ノズル３４は、その長軸方向が、通過口８（開口１０）の他方側辺（図４で示す左辺）に対して微小角度（たとえば５〜１０°）傾斜するように配置されている。そのため、第２横ノズル３４からのＮ2ガスは、基板収容器Ｃ内を、その一方側の側面（図４で示す左面）に沿って流れる。
【００４９】
各第２横ノズル３４は、通過口８を通過する基板Ｗの経路外に配置されている。そのため、基板収容器Ｃに対する基板Ｗの出し入れの際に、基板ＷやインデクサロボットＩＲのハンドと第２横ノズル３４とが干渉しない。
この図４では、ロードポート４の一方側の側方（図４で示す右側）に隣接して配置されるロードポート４Ａが図示されている。ロードポート４の第１横カバー２１は、この隣接するロードポート４Ａの通過口８Ａの他方側の側方（図４で示す左側）に設けられている。つまり、ロードポート４の第１横カバー２１は、この隣接するロードポート４Ａの第２横カバー２２を兼用している。そして、第１横カバー２１の外側の側面（通過口８に対向しない側の側面）には、ロードポート４Ａ用の吸気口４４Ａが形成されており、吸気口４４Ａに吸い込まれた雰囲気は、第１横カバー２１の横排気空間４３を通って排気される。
【００５０】
図５は、図４の矢印Ｖ方向から見たパージガスの吹き付け状態を示す正面図である。図５中に斜線で示す領域が、各ノズル３０，３２，３４から吐出されたＮ2ガス噴流の断面形状である。
各ノズル３０，３２，３４から吐出されたＮ2ガス流は、正面視で通過口８の周縁部に沿う倒立Ｕ字形状の領域２３，２５，２７に形成される。扇形ノズルからなる上ノズル３０の長軸方向が通過口８の上辺に対して微小角度（たとえば５〜１０°）傾斜しており、また、同じく扇形ノズルからなる横ノズル３２，３４の長軸方向が、通過口８の両側辺に対して微小角度（たとえば５〜１０°）傾斜するように配置されているので、各ノズル３０，３２，３４から吐出されたＮ2ガス同士が互いに干渉することを抑制することができ、しかも、各ノズル３０，３２，３４から吐出されたＮ2ガス流の幅を拡げることができる。
【００５１】
上ノズル３０からのＮ2ガスは、基板収容器Ｃ内を、その天面に沿って奥側に向けて流れる。横ノズル３２，３４からのＮ2ガスは、基板収容器Ｃ内を、その両側面に沿って奥側に向けて流れる。このため、基板収容器Ｃ内の雰囲気が、基板収容器Ｃの開口１０の中央部ＣＡ（開口１０のうち、上方領域２３および側方領域２５，２７を除く領域）を通ってインデクサ空間ＩＳ側に押し出されるようになる。すなわち、基板収容器Ｃの開口１０の中央部ＣＡに、基板収容器Ｃ内からインデクサ空間ＩＳに向かう気流が形成されており、インデクサ空間ＩＳのダウンフローが開口１０の中央部ＣＡ（通過口８の中央部）を通して基板収容器Ｃ内に進入することができない。
【００５２】
図６は、ロードポート４に対する基板収容器Ｃの装脱を説明するための図である。
図示しない収容器搬送装置によって基板処理装置のロードポート４に搬入された基板収容器Ｃは、図６（ａ）に示すように、収容器載置台６の予め定める移載位置にある可動載置台５０に載置される。そして、たとえば基板収容器Ｃの底部に形成された溝（図示しない）に、収容器載置台６に設けられた係合ピン（図示しない）が係合されることにより、可動載置台５０に基板収容器Ｃが固定される。基板収容器Ｃが可動載置台５０に載置された状態では、吐出管５４が基板収容器Ｃの導入孔５７（図３参照）に挿入されて、吐出口５３（図３参照）が基板収容器Ｃの内部空間に臨むようになる。この際、下Ｎ2バルブ５６は予め開かれており、前述の開閉機構（図示せず）によって吐出管５４の挿入動作に連動して導入孔５７が開放される。これにより、吐出管５４の吐出口５３からＮ2ガスが吐出されて、基板収容器Ｃ内にＮ2ガスが導入される。この吐出口５３からのＮ2ガスの吐出は、基板収容器Ｃが可動載置台５０上に載置されている期間、継続されることとなる。また、この吐出口５３からのＮ2ガスの吐出は、基板収容器Ｃの蓋１２が開いている期間も継続させてもよいし、当該期間だけ停止させてもよい。
【００５３】
その後、スライド駆動機構５１（図３参照）が駆動されて、基板収容器Ｃが通過口８に接近する方向に移動される。そして、図６（ｂ）に示すように、基板収容器Ｃの蓋１２とドア９とが当接し、次いで、蓋１２がドア９と係合してそのドア９に保持される。また、ドア９側に設けられたロック操作機構（図示せず）によって、蓋１２と収容器本体１１とのロック係合が解除される。
【００５４】
次に、スライド駆動機構１７（図１参照）が駆動されてドア９がインデクサ空間ＩＳ側に移動され、かつ、昇降駆動機構１６（図１参照）が駆動されて、支持部材１５が下降されることにより、図６（ｃ）に示すようにドア９が開状態にされる。このドア９に伴って蓋１２も開状態になる。ドア９の開動作と同期して、上Ｎ2バルブ３７が開かれて、ノズル３０，３２，３４から、通過口８へのＮ2ガスの吹き付けが開始される。
【００５５】
通過口８が開放されると、インデクサロボットＩＲは、開口１０を通して基板収容器Ｃ内にハンドをアクセスさせて、基板収容器Ｃ内に積層された未処理の基板Ｗを取り出す。そして、インデクサロボットＩＲは、この取り出した基板Ｗを主搬送ロボットに受け渡す。主搬送ロボットに受け渡された未処理の基板Ｗは処理部３の処理チャンバで所定の処理が施され、処理済の基板Ｗが主搬送ロボットに受け渡される。処理済の基板Ｗは、主搬送ロボットからインデクサロボットＩＲに受け渡される。インデクサロボットＩＲは、開口１０を通して基板収容器Ｃ内にハンドをアクセスさせて、処理済みの基板Ｗを基板収容器Ｃに収納する。予め定められた数の基板Ｗに処理が施され、その基板Ｗが基板収容器Ｃに収納されるまで、通過口８の開放状態は継続される。通過口８の開放状態の間、ノズル３０，３２，３４からのＮ2ガスの吹き付けは継続されている。
【００５６】
予め定められた数の基板Ｗが基板収容器Ｃに戻された後、昇降駆動機構１６が駆動されて支持部材１５が上昇されるとともに、スライド駆動機構１７が駆動されてドア９がインデクサ空間ＩＳ側と反対側に向けて移動されてドア９が閉状態にされる（図６（ｄ）参照）。また、ドア９に設けられた前述のロック操作機構によって、蓋１２が収容器本体１１にロックされる。そして、上Ｎ2バルブ３７が閉じられて、ノズル３０，３２，３４からのＮ2ガスの吹き付けが停止される。次に、スライド駆動機構５１が制御されて、基板収容器Ｃが通過口８に離反する方向に移動されるとともに、基板収容器Ｃの可動載置台５０への固定が解除される。その後、基板収容器Ｃは収容器搬送装置によって搬出される。
【００５７】
以上のようにこの実施形態によれば、インデクサ空間ＩＳに設けられたノズル３０，３２，３４から、通過口８の上方領域２３および側方領域２５，２７に向けてＮ2ガスが吹き付けられる。こうした基板収容器Ｃ内へのＮ2ガスの供給によって、基板収容器Ｃ内の雰囲気が、Ｎ2ガスが吹き付けられていない開口１０の中央部ＣＡを通ってインデクサ空間ＩＳに押し出され、この開口１０の中央部ＣＡに、基板収容器Ｃ内からインデクサ空間ＩＳに向かう気流が形成される。
【００５８】
また、通過口８の上方部に上カバー２０が設けられ、通過口８の側方に横カバー２１，２２が設けられている。この上カバー２０および横カバー２１，２２によって、ダウンフローが通過口８の上方領域２３および側方領域２５，２７に流入することが抑制される。
さらには、上カバー２０および横カバー２１，２２には、ノズル３０，３２，３４よりもインデクサ空間ＩＳ側に吸気口４１，４４が形成されている。そのため、ノズル３０，３２，３４の近傍においてインデクサ空間ＩＳ内の雰囲気が通過口８に向かって流入しようとすると、このような雰囲気は吸気口４１，４４において捕捉されてしまう。
【００５９】
したがって、通過口８のほぼ全域において、ダウンフローの基板収容器Ｃ内への流入が抑制されるので、インデクサ空間ＩＳの雰囲気を基板収容器Ｃ内にほとんど進入させずに、基板収容器Ｃ内にＮ2ガスだけを供給することができる。これにより、基板収容器Ｃ内の雰囲気の酸素濃度または湿度を十分に低下させておくことができる。
図７は、本発明の他の実施形態（第２実施形態）に係る基板処理装置の構成を図解的に示す正面図である。
【００６０】
この第２実施形態において、前述の第１実施形態（図１〜図６に示す実施形態）に示された各部に対応する部分には、図１〜図６と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
この第２実施形態に係る基板処理装置が、前述の第１実施形態の基板処理装置と相違する点は、内部に排気空間４０，４３が形成された上カバー２０および横カバー２１，２２に代えて、平板状の上カバー２０Ａおよび横カバー２１Ａ，２２Ａを設けた点である。
【００６１】
また、第２実施形態では、上カバー２０Ａに上フランジ４２が設けただけでなく、第１および第２横カバー２１Ａ，２２Ａにも、それぞれ、横フランジ６０，６１を設けている。具体的には、第１横カバー２１Ａのインデクサ空間ＩＳ側の縁部には、一側方（図２で示す左側）に向けて突出する第１横フランジ６０が設けられている。また、第２横カバー２２Ａのインデクサ空間ＩＳ側の縁部には、他側方（図７で示す右側）に向けて突出する第２横フランジ６１が設けられている。横フランジ６０，６１によって、第１および第２横カバー２１Ａ，２２Ａに受け止められたダウンフローが通過口８に向けて移動することを妨げることができる。
【００６２】
図８は、本発明のさらに他の実施形態（第３実施形態）に係る基板処理装置の構成を図解的に示す正面図である。
この第３実施形態において、前述の第２実施形態（図７に示す実施形態）に示された各部に対応する部分には、図７と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
この第３実施形態に係る基板処理装置が、前述の第２実施形態の基板処理装置と相違する点は、平板状の上カバー２０Ａに代えて、上面６２が上向き凸状に形成された上カバー２０Ｂを設けた点である。この上面６２は、通過口８に沿う水平方向（図８の左右方向）の中間部が高く、当該方向の両端部が低く形成されている。この実施形態では、上カバー２０Ｂの形状に合わせて、上フランジ４２Ｂの正面形状も、上向き凸状に形成されている。
【００６３】
この実施形態では、上カバー２０Ｂの上面６２によって受け止められたダウンフローが、通過口８の側方（図８の左右方向）に向けて導かれる。これにより、ダウンフローを整流することができるので、ダウンフローの通過口８への流入を、より効果的に抑制することができる。
以上、この発明の３つの実施形態について説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することもできる。
【００６４】
前述の各実施形態では、上フランジ４２，４２Ｂや横フランジ６０，６１は、外向き、すなわち開口８から離れる方向に伸びるように形成されているが、これらのフランジに加えてさらに、内向き、すなわち開口８に近づく方向に伸びる内向きフランジをさらに設け、ノズルブロック２４，２６，２８の背後（インデクサ空間ＩＳ側）をこの内向きフランジによって覆うようにしてもよい。これによれば、ノズル３０，３２，３４からの吹き付け気流によるインデクサ空間ＩＳ内の雰囲気の巻き込みをさらに防止することができる。
【００６５】
前述の各実施形態では、ノズル３０，３２，３４からのＮ2ガスの吹き付けを、ドア９が開状態にある間継続して行うとして説明したが、ドア９の開状態における予め定める時間だけＮ2ガスの吹き付けが行われていてもよい。また、ドア９が開状態であるか閉状態であるかに拘わらず、Ｎ2ガスの吹き付けが常時行われていてもよい。
また、前述の各実施形態では、基板収容器Ｃから未処理基板Ｗを取り出すとともに、その取り出した基板Ｗの処理の後に、その処理済みの基板を元の基板収容器Ｃに収納する（戻す）場合を例にとって示したが、他の基板収容器Ｃに処理済み基板Ｗを収納する構成であってもよい。
【００６６】
また、前述の各実施形態では、基板収容器Ｃとして、基板Ｗを密閉した状態で収容するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を例示しているが、これ以外にも、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interface）ポッド、ＯＣ（Open Cassette）等の他の形態の基板収容器を用いることもできる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な断面図である。
【図２】通過口をインデクサ空間から見た正面図である。
【図３】ロードポートの要部の縦断面図である。
【図４】図３の切断面線IV−IVから見た断面図である。
【図５】図４の矢印Ｖ方向から見たパージガスの吹き付け状態を示す正面図である。
【図６】ロードポートに対する基板収容器の装脱を説明するための図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す正面図である。
【図８】本発明のさらに他の実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す正面図である。
【符号の説明】
【００６８】
６ 収容器載置台（収容器保持部）
７ 隔壁
８ 通過口
１０ 開口
２０，２０Ａ，２０Ｂ 上カバー
２１，２１Ａ 第１横カバー
２２，２２Ａ 第２横カバー
２３ 上方領域（通過口の上辺部に沿う領域）
２４ 上ノズルブロック（上パージガス吹き付け手段）
２５ 側方領域（通過口の側辺部に沿う領域）
２６ 第１横ノズルブロック（横パージガス吹き付け手段）
２８ 第２横ノズルブロック（横パージガス吹き付け手段）
３０ 上ノズル
３２ 第１横ノズル
３４ 第２横ノズル
４１ 上吸気口
４４ 横吸気口
４６ 吐出口
４７ 吐出口
ＩＳ インデクサ空間（ダウンフロー空間）
ＯＳ 外部空間（保持空間）
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などの基板に対して処理を施す基板処理装置である。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置等の製造工程において用いられる枚葉型の基板処理装置は、インデクサ部と、インデクサ部に基板を搬出入するためのロードポートとを備えている。
ロードポートは、基板を複数枚積層状態で収容可能な基板収容器を保持する収容器保持部と、通過口を有し、インデクサ部の内部空間（インデクサ空間）と収容器保持部が配置される外部空間とを仕切る隔壁とを備える。基板収容器は、基板を出し入れするための開口を有している。この基板収容器に収容される基板に酸化膜が形成されることを抑制するために、基板収容器内の雰囲気の酸素濃度および湿度は低いことが望ましい。
【０００３】
インデクサ空間には、基板の出し入れを行うためのインデクサロボットが収容されている。このインデクサ空間は、パーティクルの巻き上げを防止するためのダウンフローが形成されたダウンフロー空間となっている。収容器保持部に基板収容器が保持された後、インデクサロボットが、ハンドを開放状態の通過口および開口を通して基板収容器内にアクセスさせて、基板収容器に対して基板の出し入れを行う。
【０００４】
ところが、このような装置では、基板の出し入れの際に、インデクサ空間の雰囲気が通過口を通して基板収容器内に入り込むおそれがある。インデクサ空間の雰囲気は、厳密に管理されてはいないため、基板収容器内に進入すると、基板収容器内の雰囲気の酸素濃度および湿度が上昇し、基板に悪影響を与えるおそれがある。
そこで、基板収容器内をパージガス（Ｎ2ガス）で置換することが提案されている。
【０００５】
基板収容器内のパージに関する先行技術として、たとえば、特許文献１〜３で提案されている構成を挙げることができる。
特許文献１では、基板収容器の開口の左右斜め前方に配置されたパージガス導入管から、基板収容器内に向けてパージガスを吹き付けることにより、基板収容器内をパージガスで置換する構成が提案されている。
【０００６】
特許文献２では、通過口の上方部の隔壁に庇状の上部壁面を設けるとともに、その上部壁面に配置した吐出口から基板収容器内に向けてパージガスを吐出させることにより、基板収容器内をパージガスで置換する構成が提案されている。
特許文献３では、隔壁の通過口の上部に供給ノズルを、通過口の下部に吸引ノズルを配置して、通過口を気体の膜で遮蔽し、ダウンフロー空間の雰囲気が、基板収容器内に進入することを防止する構成が提案されている。
【特許文献１】特開２００４−２３５５１６号公報
【特許文献２】特開２００３−４５９３３号公報
【特許文献３】特開平１１−１４５２４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、特許文献１，３で提案されている構成では、ダウンフロー空間を流下するダウンフローが通過口に流入するのを直接阻止するための機構がないために、ダウンフローの基板収容器内への進入を完全に防止することはできない。
一方、特許文献２で提案されている構成では、ダウンフロー空間を流下するダウンフローが通過口に直接流入することを防止することができる。しかし、通過口の側方から通過口に流入する雰囲気を阻止することはできない。
【０００８】
したがって、前記特許文献１〜３のいずれの構成であっても、基板収容器内の雰囲気の酸素濃度または湿度を十分に低下させることができなかった。
そこで、この発明の目的は、基板収容器内の雰囲気の酸素濃度または湿度を十分に低下させておくことができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を出し入れするための開口（１０）を有する基板収容器（Ｃ）を保持するための収容器保持部（６）と、前記収容器保持部に保持された前記基板収容器の前記開口と対向する通過口（８）を有し、前記収容器保持部が配置された保持空間（ＯＳ）とダウンフローが形成されるダウンフロー空間（ＩＳ）とを仕切る隔壁（７）と、前記通過口の上方において前記隔壁から前記ダウンフロー空間側に向かって突出して設けられて、ダウンフローの前記基板収容器内への進入を抑制するための上カバー（２０；２０Ａ；２０Ｂ）と、前記通過口の上縁部に沿う領域（２３）を通して、前記基板収容器内に向けてパージガスを吹き付けるための上パージガス吹き付け手段（２４）と、前記通過口の側方において前記隔壁から前記ダウンフロー空間側に向かって突出して設けられて、ダウンフローの前記基板収容器内への進入を抑制するための横カバー（２１，２２；２１Ａ，２２Ａ）と、前記通過口の側縁部に沿う領域（２５，２７）を通して、前記基板収容器内に向けてパージガスを吹き付けるための横パージガス吹き付け手段（２６，２８）とを含む、基板処理装置である。
【００１０】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この構成によれば、上パージガス供給手段および横パージガス供給手段から、通過口の上縁部および側縁部に沿う領域に向けてパージガスが吹き付けられる。こうした基板収容器内へのパージガスの供給によって、基板収容器内の雰囲気が、パージガスが吹き付けられていない領域（開口の中央部ＣＡ）を通ってダウンフロー空間に押し出され、開口の当該領域に、基板収容器内からダウンフロー空間に向かう気流が形成される。
【００１１】
また、通過口の上方に上カバーが設けられ、通過口の側方に横カバーが設けられている。この上カバーおよび横カバーによって、ダウンフローが通過口の上縁部および側縁部に沿う領域に流入することが抑制される。したがって、通過口のほぼ全域でダウンフローの基板収容器内への流入が抑制されるので、ダウンフロー空間の雰囲気を基板収容器内にほとんど進入させずに、基板収容器内にパージガスだけを供給することができる。これにより、基板収容器内の雰囲気の酸素濃度または湿度を十分に低下させておくことができる。
【００１２】
請求項２記載の発明は、前記横カバーには、前記ダウンフロー空間内の雰囲気を吸い込むための横吸気口（４４）が形成されている、請求項１記載の基板処理装置である。
この構成によれば、通過口の側方に横吸気口が形成される。このため、ダウンフロー空間から通過口に向けて流れる雰囲気は、横吸気口に吸い込まれて、通過口にはほとんど流入しない。これにより、ダウンフロー空間の雰囲気の基板収容器内への進入を、より確実に抑制することができる。
【００１３】
請求項３記載の発明は、前記横パージガス吹き付け手段が、前記横吸気口よりも前記通過口寄りに設けられた吐出口（４７）を有している、請求項２記載の基板処理装置である。
この構成によれば、横パージガス吹き付け手段の吐出口が横吸気口よりも通過口寄りに配置されているので、当該吐出口から通過口に向けて吹き出されたパージガスは、横吸気口にはほとんど吸い込まれない。これにより、基板収容器内にパージガスを効率よく供給することができる。
【００１４】
請求項４記載の発明は、前記上カバーの前記ダウンフロー空間側縁部には、上方に向けて突出する上フランジ（４２；４２Ｂ）が形成されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、上カバーに受け止められたダウンフローが通過口に向けて移動することが、上フランジによって妨げられる。したがって、ダウンフロー空間内の雰囲気の基板収容器内への進入を、より確実に抑制することができる。
【００１５】
請求項５記載の発明は、前記横カバーの前記ダウンフロー空間側縁部には、当該横カバーに対して前記通過口と反対側に向けて突出する横フランジ（６０，６１）が形成されている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、横カバーに受け止められたダウンフローが通過口に向けて移動することが、横フランジによって妨げられる。したがって、ダウンフロー空間内の雰囲気の基板収容器内への進入を、より確実に抑制することができる。
【００１６】
請求項６記載の発明は、前記上カバーが、前記通過口の左右方向中間部が高く、左右方向両端部が低く形成された上向き凸状の上面（６２）を有している、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、上カバーの上面によって受け止められたダウンフローが、通過口の左右の側方に向けて導かれる。これにより、ダウンフローを整流でき、ダウンフローの通過口への流入を、より確実に抑制することができる。
【００１７】
請求項７記載の発明は、前記上カバーには、前記ダウンフロー空間内の雰囲気を吸い込むための上吸気口（４１）が形成されている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、通過口の上方に上吸気口が形成される。このため、ダウンフロー空間から通過口に向けて流れる雰囲気は、上吸気口に吸い込まれて、通過口にはほとんど流入しない。これにより、ダウンフロー空間の雰囲気の基板収容器内への進入を、より確実に抑制することができる。
【００１８】
前記上パージガス吹き付け手段が、前記上吸気口よりも前記通過口寄りに設けられた吐出口（４６）を有していてもよい。この場合、横パージガス吹き付け手段の吐出口が上吸気口よりも通過口寄りに配置されているので、当該吐出口から通過口に向けて吹き出されたパージガスは、上吸気口にはほとんど吸い込まれない。これにより、基板収容器内にパージガスを効率良く供給することができる。
【００１９】
請求項８記載の発明は、前記収容器保持部に保持された基板収容器の下部から、当該基板収容器内にパージガスを供給する下パージガス供給手段（５２）をさらに含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、下パージガス供給手段によって基板収容器内にパージガスが供給される。上パージガス供給手段および横パージガス供給手段からのパージガスの供給に加え、かかる下パージガス供給手段からのパージガスの供給が行われるので、基板収容器内の雰囲気をほぼ完全にパージガスに置換させることができ、これにより、基板収容器内の雰囲気の酸素濃度または湿度を、より十分に低下させておくことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態（第１実施形態）に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な断面図である。この基板処理装置は、クリーンルーム内に設置され、半導体ウエハなどの基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の装置である。
基板処理装置は、インデクサ部２と、このインデクサ部２に結合された処理部３と、インデクサ部２の内部に基板Ｗを搬出入するためのインターフェイスとしての複数（たとえば４つ）のロードポート４とを備えている。
【００２１】
処理部３は、インデクサ部２の内部空間（インデクサ空間）ＩＳに連通する搬送路（図示しない）と、搬送路に沿って並べられた複数の処理チャンバ（図示しない）と、搬送路内に配置されて、処理チャンバからの基板Ｗの搬出入を行う主搬送ロボット（図示しない）とを備えている。
各ロードポート４は、インデクサ部２に対して処理部３と反対側の外部空間ＯＳに配置される収容器載置台６（収容器保持部）と、インデクサ空間ＩＳと収容器載置台６が配置される外部空間（保持空間）ＯＳとを仕切る隔壁７と、隔壁７に形成された通過口８を開閉するためのドア９（図２および図６（ａ）を併せて参照）とを備えている。収容器載置台６は、基板収容器Ｃを載置するためのものである。複数のロードポート４は所定の方向（紙面に直交する方向）に沿って配列されている。
【００２２】
基板収容器Ｃは、その内部に複数枚の基板Ｗを所定間隔を空けて積層状態で収容することができるものである。基板収容器Ｃは、この実施形態では、基板Ｗを密閉した状態で収容するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）である。すなわち、基板収容器Ｃは、一側面に基板Ｗの取り出しのための開口１０を有するほぼ立方体形状の収容器本体１１と、開口１０を開閉するための蓋１２（図１では、蓋１２の開状態を示している）とを備えている。基板収容器Ｃには、未処理の基板Ｗまたは処理済みの基板Ｗが収容されることになる。
【００２３】
開口１０が通過口８に対向するように、基板収容器Ｃが収容器載置台６に載置される。ドア９の開放状態（図１に示す状態）では、通過口８内に、基板収容器Ｃの開口１０が収まるようになる。
インデクサ部２の天面には、インデクサ空間ＩＳにクリーンエアのダウンフローを供給するためのファンフィルタユニット１３（ＦＦＵ）が設けられている。このファンフィルタユニット１３は、ファン（図示しない）およびフィルタ（図示しない）を上下に積層し、ファンによる送風をフィルタで浄化してインデクサ空間ＩＳ内に供給する構成になっている。
【００２４】
また、インデクサ部２の底面には、インデクサ空間ＩＳの雰囲気を排気するための排気口（図示しない）が形成されている。クリーンルームの床面は、グレーチングで構成されており、このグレーチング床面上に基板処理装置が設置されるようになっている。インデクサ空間２の底面からの排気は、グレーチングを通って、その下方の空間へと導かれる。グレーチングの下方の空間は、陰圧に保たれていて、基板処理装置内のダウンフローを吸収するようになっている。
【００２５】
インデクサ部２は、収容器載置台６に載置された基板収容器Ｃに対して基板Ｗを搬入／搬出するためのインデクサロボットＩＲを備えている。また、インデクサロボットＩＲは、基板Ｗを保持するためのハンドを備えており、このハンドを通過口８を通して基板収容器Ｃ内にアクセスさせることにより、基板収容器Ｃに対し基板Ｗの搬入／搬出を行うことができる。また、インデクサロボットＩＲは、ハンドを主搬送ロボットにアクセスさせることにより、この主搬送ロボットとの間で基板Ｗを受け渡すことができる。
【００２６】
ロードポート４は、ドア９をインデクサ空間ＩＳ側から支持するための正面視縦長長方形状の支持部材１５を備えている。支持部材１５は昇降可能に設けられており、支持部材１５には当該支持部材１５を昇降させるための昇降駆動機構１６が結合されている。また、支持部材１５には、隔壁７に直交する方向にドア９をスライド移動させるためのスライド駆動機構１７が結合されている。
【００２７】
ドア９の閉状態において、スライド駆動機構１７が駆動されてドア９がインデクサ空間ＩＳ側に向けてスライド移動され、かつ、昇降駆動機構１６が駆動されて支持部材１５が開位置（図1に示す位置）まで下降されることにより、ドア９が開状態にされる。
また、ドア９が開状態において、昇降駆動機構１６が駆動されて支持部材１５が閉位置（後述する図６（ａ）に示す位置）まで上昇され、かつ、スライド駆動機構１７が駆動されてドア９がインデクサ空間ＩＳ側と反対側に向けてスライド移動されることにより、ドア９が閉状態にされる。ドア９の開状態では、通過口８のほぼ全域が開放される。
【００２８】
隔壁７の内面（インデクサ空間ＩＳ側の面）における通過口８の周縁部には、インデクサ空間ＩＳのダウンフローが基板収容器Ｃ内に進入することを抑制するための庇状のカバー１８が形成されている。
また、通過口８の周縁部には、インデクサ空間ＩＳ側から通過口８に向けてパージガスとしてのＮ2ガスを吹き付けるためのＮ2ガス吹き付け機構１９が設けられている。
【００２９】
図２は、通過口８をインデクサ空間ＩＳの内側から見た正面図である。
通過口８は、正面視でほぼ正方形状に形成されている。通過口８の上辺および下辺は水平方向に沿って形成され、通過口８の両側辺（図２で示す左辺および右辺）は鉛直方向に沿って形成されている。通過口８を開閉するためのドア９も、正面視でほぼ正方形状に形成されている。
【００３０】
カバー１８は、正面視で倒立Ｕ字形状に形成されており、通過口８の上方に設けられた上カバー２０と、通過口８の一方側の側方（図２で示す左側）に設けられた第１横カバー２１と、通過口８の他方側の側方（図２で示す右側）に設けられた第２横カバー２２とを備えている。
上カバー２０は、通過口８の上辺の上方に配置され、隔壁7から内側（インデクサ空間ＩＳ側）に向けて水平に突出している。上カバー２０は、通過口８の上辺に沿って、通過口８の一方側端部（図２で示す左側端部）から他端側端部（図２で示す右側端部）にわたって形成されている。このため、隔壁７の内面に沿ってインデクサ空間ＩＳを流下するダウンフローが上カバー２０によって受け止められる。
【００３１】
上カバー２０は、筒状（たとえば四角筒状）に形成されている。上カバー２０の内部には、隔壁７に沿う水平方向（図２の左右方向）に延びる上排気空間４０が形成されている。上カバー２０の下面（通過口８側の内面）には、インデクサ空間ＩＳ内の雰囲気を吸い込むための上吸気口４１が形成されている。上吸気口４１は、通過口８の一端部（図２で示す左端部）から他端部（図２で示す右端部）にわたって、ほぼ長方形状の開口として形成されている。
【００３２】
上カバー２０のインデクサ空間ＩＳ側の縁部には、上方に向けて突出する上フランジ４２が形成されている。この上フランジ４２によって、上カバー２０の上面に受け止められたダウンフローが通過口８に向けて移動することを阻止することができる。
第１横カバー２１は、通過口８の一方側辺（図２で示す左辺）の側方（図２で示す左側）に配置され、隔壁７からインデクサ空間ＩＳ側に向けて水平に突出しており、当該一方側辺に沿って、通過口８の上端部からロードポート４の下端部にわたって形成されている。
【００３３】
第２横カバー２２は、通過口８の他方側辺（図２で示す右辺）の側方（図２で示す右側）に配置され、隔壁７からインデクサ空間ＩＳ側に向けて水平に突出しており、当該他方側辺に沿って、通過口８の上端部からロードポート４の下端部にわたって形成されている。
なお、この実施形態では、横カバー２１，２２は、通過口８の上端部からロードポート４の下端部まで延びているが、少なくとも通過口８の側辺を覆うことができるように、通過口８の上端部から下端部にわたって形成されていれば十分である。
【００３４】
各横カバー２１，２２は、筒状（たとえば四角筒状）に形成されている。各横カバー２１，２２の内部には、上排気空間４０に連通し、上下方向に延びる横排気空間４３が形成されている。各横カバー２１，２２の内側の側面（通過口８側の内面）には、インデクサ空間ＩＳ内の雰囲気を吸い込むための横吸気口４４が形成されている。各横排気空間４３には、各横カバー２１，２２の底部に、上排気空間４０および横排気空間４３を排気するための排気ファン４５が配置されている。排気ファン４５によって横排気空間４３から排気される空気は、グレーチング床面の下方の空間へと導かれるようになっている。
【００３５】
Ｎ2ガス吹き付け機構１９は、通過口８の上辺に沿う上方領域２３（通過口８内の領域）に向けてパージガス（Ｎ2ガス）を吹き付けるための上パージガス吹き付け手段としての上ノズルブロック２４と、通過口８の一方側辺（図２で示す左辺）に沿う側方領域２５（通過口８内の領域）に向けてＮ2ガスを吹き付けるための横パージガス吹き付け手段としての第１横ノズルブロック２６と、通過口８の他方側辺（図２で示す右辺）に沿う側方領域２７（通過口８内の領域）に向けてＮ2ガスを吹き付けるための横パージガス吹き付け手段としての第２横ノズルブロック２８とを備えている。
【００３６】
上ノズルブロック２４は、通過口８の上辺に沿って配列され、Ｎ2ガスを吐出するための複数（図２ではたとえば６個）の上ノズル３０と、これら複数の上ノズル３０を保持するためのブロック体３１とを備えている。この上ノズルブロック２４は、上カバー２０の下面（通過口８側の内面）に直接取り付けられていてもよいし、その他の部材を介して上カバー２０に取り付けられていてもよい。
【００３７】
第１横ノズルブロック２６は、通過口８の一方側辺（図２で示す左辺）に沿って配列され、Ｎ2ガスを吐出するための複数（図２ではたとえば６個）の第１横ノズル３２と、これら複数の第１横ノズル３２を保持するためのブロック体３３とを備えている。この第１横ノズルブロック２６は、第１横カバー２１の内側の側面（通過口８側の内面）に直接取り付けられていてもよいし、その他の部材を介して第１横カバー２１に取り付けられていてもよい。
【００３８】
第２横ノズルブロック２８は、通過口８の他方側辺（図２で示す右辺）に沿って配列され、Ｎ2ガスを吐出するための複数（図２ではたとえば６個）の第２横ノズル３４と、これら複数の第２横ノズル３４を保持するためのブロック体３５とを備えている。この第２横ノズルブロック２８は、第２横カバー２２の内側の側面（通過口８側の内面）に直接取り付けられていてもよいし、その他の部材を介して第２横カバー２２に取り付けられていてもよい。
【００３９】
通過口８の周縁部には、正面視で矩形状のＮ2ガス配管３６が配設されている。このＮ2ガス配管３６には上Ｎ2バルブ３７を介して、Ｎ2ガス供給源からのＮ2ガスが供給されるようになっている。Ｎ2ガス配管３６には、各上ノズル３０、各第１横ノズル３２および各第２横ノズル３４が接続されており、Ｎ2ガス配管３６を流通するＮ2ガスが、各ノズル３０，３２，３４に付与されるようになっている。なお、パージガスとしてＮ2ガスを例示しているが、ＡｒやＨｅなどの他の不活性ガス、あるいはＣＤＡ（Clean dry air）などの低湿度ガスをパージガスとして採用することもできる。
【００４０】
図３は、ロードポート４の要部の縦断面図である。この図３では、基板収容器Ｃの蓋１２の開状態を示し、蓋１２およびドア9の図示を省略している。
収容器載置台６は、基板収容器Ｃを載置することができ、隔壁７に対し直交する方向（図３の左右方向）にスライド移動可能な可動載置台５０と、可動載置台５０をスライド移動させるためのスライド駆動機構５１と、基板収容器Ｃ内にパージガスとしてのＮ2ガスを供給するための下パージガス供給機構（下パージガス供給手段）５２とを備えている。スライド駆動機構５１が駆動されることにより、可動載置台５０（収容器載置台６）に載置された基板収容器Ｃが、通過口８に対して近接／離反するようになる。
【００４１】
下パージガス供給機構５２は、たとえば先端に吐出口５３を有する吐出管５４を備えている。吐出管５４は、可動載置台５０の内部に埋設されて、その先端部分だけが可動載置台５０の上面よりも上方に突出している。吐出管５４には、Ｎ2ガス供給源からのＮ2ガスが供給されるＮ2ガス供給管５５が接続されている。Ｎ2ガス供給管５５の途中部には、吐出口５３からのＮ2ガスの吐出／吐出停止を切り換えるための下Ｎ2バルブ５６が介装されている。
【００４２】
基板収容器Ｃを可動載置台５０に載置された状態では、基板収容器Ｃの底面に形成された導入孔５７に吐出管５４が挿入されている。導入孔５７内に挿入された吐出管５４の吐出口５３は、基板収容器Ｃの内部空間に臨むようになる。一方、基板収容器Ｃが収容器載置台６の所定位置から離脱されると、吐出管５４が導入孔５７から引き抜かれる。導入孔５７には、開閉機構（図示せず）が配置されている。この開閉機構は、通常時は導入孔５７を閉塞しており、吐出管５４の挿入動作に連動して導入孔５７を開放し、吐出管５４の引き抜き動作によって導入孔５７を閉塞する。
【００４３】
各上ノズル３０は、基板収容器Ｃの開口１０の上辺よりもやや上方にずれた位置に、その吐出口４６を開口１０の上方領域（通過口８の上方領域２３）に向けて（やや斜め下方に向けて）配置されている。この実施形態では、上ノズル３０として、扇形ノズルが用いられている。扇形ノズルとは、吐出流体の輪郭（吐出プロファイル）が扇形形状をなすノズルである。吐出プロファイルの中心軸に直交する断面は、楕円形状の輪郭となる。この楕円形断面の長軸方向を、以下では、「ノズルの長軸方向」などという。扇形ノズルからなる上ノズル３０は、その長軸方向が、通過口８（開口１０）の上辺に対して微小角度（たとえば５〜１０°）傾斜するように配置されている。上ノズル３０が開口１０の上辺よりもやや上方にずれた位置に、その吐出口４６を開口１０の上方領域に向けて配置されているので、上ノズル３０からのＮ2ガスは、基板収容器Ｃの天面に沿って流れる。
【００４４】
各上ノズル３０は、通過口８を通過する基板Ｗの経路よりも上方に配置されている。したがって、基板収容器Ｃに対する基板Ｗの出し入れの際に、基板ＷやインデクサロボットＩＲのハンドと上ノズル３０とが干渉することがない。
上吸気口４１は、上ノズル３０の吐出口４６よりもインデクサ空間ＩＳ側（通過口８と反対側）に設けられている。このため、上ノズル３０から吹き出されたパージガスが上吸気口４１に吸い込まれることはほとんどない。
【００４５】
横吸気口４４は、第２横ノズル３４の吐出口４７よりもインデクサ空間ＩＳ側（通過口８と反対側）に設けられている。このため、第２横ノズル３４から吹き出されたパージガスが横吸気口４４に吸い込まれることはほとんどない。
この横吸気口４４は、通過口８の上端部から下端部にわたって形成されている。上下方向に長い横吸気口４４では、排気ファン４５から離れた上部の方が、排気ファン４５に近い下部よりも吸気力が小さい。そこで、横吸気口４４の開口幅（基板搬送方向（図３の左右方向）の開口幅）は、この横吸気口４４から吸気される雰囲気の流速が上下方向に関してほぼ均一になるように、下方に向かうに従って狭くなっている。より具体的には、横吸気口４４は、下方に向かうに従って幅狭となる楔形に形成されている。
【００４６】
図３の構成では、横排気空間４３に排気ファン４５が配置されているが、排気ファン４５を設ける代わりに、排気空間４０，４３を工場に設けられた排気処理設備の排気用力によって排気する構成としてもよい。
また、図３では第１横カバー２１の図示を省略しているが、第１横カバー２１の横吸気口４４は、第２横カバー２２の横吸気口４４と同様の構成である。
【００４７】
図４は、図３の切断面線IV−IVから見た断面図である。
各第１横ノズル３２は、通過口８の一方側の側辺（図４で示す右辺）よりもやや側方（図４で示す右側方）にずれた位置に、その吐出口４７を通過口８の側方領域２５に向けて（図４におけるやや斜め左に向けて）配置されている。この実施形態では、第１横ノズル３２として、扇形ノズルが用いられている。扇形ノズルからなる第１横ノズル３２は、その長軸方向が、通過口８（開口１０）の一方側辺（図４で示す右辺）に対して微小角度（たとえば５〜１０°）傾斜するように配置されている。そのため、第１横ノズル３２からのＮ2ガスは、基板収容器Ｃ内を、その一方側の側面（図４で示す右面）に沿って流れる。
【００４８】
各第１横ノズル３２は、通過口８を通過する基板Ｗの経路外に配置されている。したがって、基板収容器Ｃに対する基板Ｗの出し入れの際に、基板ＷやインデクサロボットＩＲのハンドと第１横ノズル３２とが干渉しない。
第２横ノズル３４は、通過口８の他方側辺（図４で示す左辺）よりもやや側方（図４で示す左側方）にずれた位置に、その吐出口４７を通過口８の側方領域２７に向けて（図４におけるやや斜め右に向けて）配置されている。この実施形態では、第２横ノズル３４として、扇形ノズルが用いられている。扇形ノズルからなる第２横ノズル３４は、その長軸方向が、通過口８（開口１０）の他方側辺（図４で示す左辺）に対して微小角度（たとえば５〜１０°）傾斜するように配置されている。そのため、第２横ノズル３４からのＮ2ガスは、基板収容器Ｃ内を、その一方側の側面（図４で示す左面）に沿って流れる。
【００４９】
各第２横ノズル３４は、通過口８を通過する基板Ｗの経路外に配置されている。そのため、基板収容器Ｃに対する基板Ｗの出し入れの際に、基板ＷやインデクサロボットＩＲのハンドと第２横ノズル３４とが干渉しない。
この図４では、ロードポート４の一方側の側方（図４で示す右側）に隣接して配置されるロードポート４Ａが図示されている。ロードポート４の第１横カバー２１は、この隣接するロードポート４Ａの通過口８Ａの他方側の側方（図４で示す左側）に設けられている。つまり、ロードポート４の第１横カバー２１は、この隣接するロードポート４Ａの第２横カバー２２を兼用している。そして、第１横カバー２１の外側の側面（通過口８に対向しない側の側面）には、ロードポート４Ａ用の吸気口４４Ａが形成されており、吸気口４４Ａに吸い込まれた雰囲気は、第１横カバー２１の横排気空間４３を通って排気される。
【００５０】
図５は、図４の矢印Ｖ方向から見たパージガスの吹き付け状態を示す正面図である。図５中に斜線で示す領域が、各ノズル３０，３２，３４から吐出されたＮ2ガス噴流の断面形状である。
各ノズル３０，３２，３４から吐出されたＮ2ガス流は、正面視で通過口８の周縁部に沿う倒立Ｕ字形状の領域２３，２５，２７に形成される。扇形ノズルからなる上ノズル３０の長軸方向が通過口８の上辺に対して微小角度（たとえば５〜１０°）傾斜しており、また、同じく扇形ノズルからなる横ノズル３２，３４の長軸方向が、通過口８の両側辺に対して微小角度（たとえば５〜１０°）傾斜するように配置されているので、各ノズル３０，３２，３４から吐出されたＮ2ガス同士が互いに干渉することを抑制することができ、しかも、各ノズル３０，３２，３４から吐出されたＮ2ガス流の幅を拡げることができる。
【００５１】
上ノズル３０からのＮ2ガスは、基板収容器Ｃ内を、その天面に沿って奥側に向けて流れる。横ノズル３２，３４からのＮ2ガスは、基板収容器Ｃ内を、その両側面に沿って奥側に向けて流れる。このため、基板収容器Ｃ内の雰囲気が、基板収容器Ｃの開口１０の中央部ＣＡ（開口１０のうち、上方領域２３および側方領域２５，２７を除く領域）を通ってインデクサ空間ＩＳ側に押し出されるようになる。すなわち、基板収容器Ｃの開口１０の中央部ＣＡに、基板収容器Ｃ内からインデクサ空間ＩＳに向かう気流が形成されており、インデクサ空間ＩＳのダウンフローが開口１０の中央部ＣＡ（通過口８の中央部）を通して基板収容器Ｃ内に進入することができない。
【００５２】
図６は、ロードポート４に対する基板収容器Ｃの装脱を説明するための図である。
図示しない収容器搬送装置によって基板処理装置のロードポート４に搬入された基板収容器Ｃは、図６（ａ）に示すように、収容器載置台６の予め定める移載位置にある可動載置台５０に載置される。そして、たとえば基板収容器Ｃの底部に形成された溝（図示しない）に、収容器載置台６に設けられた係合ピン（図示しない）が係合されることにより、可動載置台５０に基板収容器Ｃが固定される。基板収容器Ｃが可動載置台５０に載置された状態では、吐出管５４が基板収容器Ｃの導入孔５７（図３参照）に挿入されて、吐出口５３（図３参照）が基板収容器Ｃの内部空間に臨むようになる。この際、下Ｎ2バルブ５６は予め開かれており、前述の開閉機構（図示せず）によって吐出管５４の挿入動作に連動して導入孔５７が開放される。これにより、吐出管５４の吐出口５３からＮ2ガスが吐出されて、基板収容器Ｃ内にＮ2ガスが導入される。この吐出口５３からのＮ2ガスの吐出は、基板収容器Ｃが可動載置台５０上に載置されている期間、継続されることとなる。また、この吐出口５３からのＮ2ガスの吐出は、基板収容器Ｃの蓋１２が開いている期間も継続させてもよいし、当該期間だけ停止させてもよい。
【００５３】
その後、スライド駆動機構５１（図３参照）が駆動されて、基板収容器Ｃが通過口８に接近する方向に移動される。そして、図６（ｂ）に示すように、基板収容器Ｃの蓋１２とドア９とが当接し、次いで、蓋１２がドア９と係合してそのドア９に保持される。また、ドア９側に設けられたロック操作機構（図示せず）によって、蓋１２と収容器本体１１とのロック係合が解除される。
【００５４】
次に、スライド駆動機構１７（図１参照）が駆動されてドア９がインデクサ空間ＩＳ側に移動され、かつ、昇降駆動機構１６（図１参照）が駆動されて、支持部材１５が下降されることにより、図６（ｃ）に示すようにドア９が開状態にされる。このドア９に伴って蓋１２も開状態になる。ドア９の開動作と同期して、上Ｎ2バルブ３７が開かれて、ノズル３０，３２，３４から、通過口８へのＮ2ガスの吹き付けが開始される。
【００５５】
通過口８が開放されると、インデクサロボットＩＲは、開口１０を通して基板収容器Ｃ内にハンドをアクセスさせて、基板収容器Ｃ内に積層された未処理の基板Ｗを取り出す。そして、インデクサロボットＩＲは、この取り出した基板Ｗを主搬送ロボットに受け渡す。主搬送ロボットに受け渡された未処理の基板Ｗは処理部３の処理チャンバで所定の処理が施され、処理済の基板Ｗが主搬送ロボットに受け渡される。処理済の基板Ｗは、主搬送ロボットからインデクサロボットＩＲに受け渡される。インデクサロボットＩＲは、開口１０を通して基板収容器Ｃ内にハンドをアクセスさせて、処理済みの基板Ｗを基板収容器Ｃに収納する。予め定められた数の基板Ｗに処理が施され、その基板Ｗが基板収容器Ｃに収納されるまで、通過口８の開放状態は継続される。通過口８の開放状態の間、ノズル３０，３２，３４からのＮ2ガスの吹き付けは継続されている。
【００５６】
予め定められた数の基板Ｗが基板収容器Ｃに戻された後、昇降駆動機構１６が駆動されて支持部材１５が上昇されるとともに、スライド駆動機構１７が駆動されてドア９がインデクサ空間ＩＳ側と反対側に向けて移動されてドア９が閉状態にされる（図６（ｄ）参照）。また、ドア９に設けられた前述のロック操作機構によって、蓋１２が収容器本体１１にロックされる。そして、上Ｎ2バルブ３７が閉じられて、ノズル３０，３２，３４からのＮ2ガスの吹き付けが停止される。次に、スライド駆動機構５１が制御されて、基板収容器Ｃが通過口８に離反する方向に移動されるとともに、基板収容器Ｃの可動載置台５０への固定が解除される。その後、基板収容器Ｃは収容器搬送装置によって搬出される。
【００５７】
以上のようにこの実施形態によれば、インデクサ空間ＩＳに設けられたノズル３０，３２，３４から、通過口８の上方領域２３および側方領域２５，２７に向けてＮ2ガスが吹き付けられる。こうした基板収容器Ｃ内へのＮ2ガスの供給によって、基板収容器Ｃ内の雰囲気が、Ｎ2ガスが吹き付けられていない開口１０の中央部ＣＡを通ってインデクサ空間ＩＳに押し出され、この開口１０の中央部ＣＡに、基板収容器Ｃ内からインデクサ空間ＩＳに向かう気流が形成される。
【００５８】
また、通過口８の上方部に上カバー２０が設けられ、通過口８の側方に横カバー２１，２２が設けられている。この上カバー２０および横カバー２１，２２によって、ダウンフローが通過口８の上方領域２３および側方領域２５，２７に流入することが抑制される。
さらには、上カバー２０および横カバー２１，２２には、ノズル３０，３２，３４よりもインデクサ空間ＩＳ側に吸気口４１，４４が形成されている。そのため、ノズル３０，３２，３４の近傍においてインデクサ空間ＩＳ内の雰囲気が通過口８に向かって流入しようとすると、このような雰囲気は吸気口４１，４４において捕捉されてしまう。
【００５９】
したがって、通過口８のほぼ全域において、ダウンフローの基板収容器Ｃ内への流入が抑制されるので、インデクサ空間ＩＳの雰囲気を基板収容器Ｃ内にほとんど進入させずに、基板収容器Ｃ内にＮ2ガスだけを供給することができる。これにより、基板収容器Ｃ内の雰囲気の酸素濃度または湿度を十分に低下させておくことができる。
図７は、本発明の他の実施形態（第２実施形態）に係る基板処理装置の構成を図解的に示す正面図である。
【００６０】
この第２実施形態において、前述の第１実施形態（図１〜図６に示す実施形態）に示された各部に対応する部分には、図１〜図６と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
この第２実施形態に係る基板処理装置が、前述の第１実施形態の基板処理装置と相違する点は、内部に排気空間４０，４３が形成された上カバー２０および横カバー２１，２２に代えて、平板状の上カバー２０Ａおよび横カバー２１Ａ，２２Ａを設けた点である。
【００６１】
また、第２実施形態では、上カバー２０Ａに上フランジ４２が設けただけでなく、第１および第２横カバー２１Ａ，２２Ａにも、それぞれ、横フランジ６０，６１を設けている。具体的には、第１横カバー２１Ａのインデクサ空間ＩＳ側の縁部には、一側方（図２で示す左側）に向けて突出する第１横フランジ６０が設けられている。また、第２横カバー２２Ａのインデクサ空間ＩＳ側の縁部には、他側方（図７で示す右側）に向けて突出する第２横フランジ６１が設けられている。横フランジ６０，６１によって、第１および第２横カバー２１Ａ，２２Ａに受け止められたダウンフローが通過口８に向けて移動することを妨げることができる。
【００６２】
図８は、本発明のさらに他の実施形態（第３実施形態）に係る基板処理装置の構成を図解的に示す正面図である。
この第３実施形態において、前述の第２実施形態（図７に示す実施形態）に示された各部に対応する部分には、図７と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
この第３実施形態に係る基板処理装置が、前述の第２実施形態の基板処理装置と相違する点は、平板状の上カバー２０Ａに代えて、上面６２が上向き凸状に形成された上カバー２０Ｂを設けた点である。この上面６２は、通過口８に沿う水平方向（図８の左右方向）の中間部が高く、当該方向の両端部が低く形成されている。この実施形態では、上カバー２０Ｂの形状に合わせて、上フランジ４２Ｂの正面形状も、上向き凸状に形成されている。
【００６３】
この実施形態では、上カバー２０Ｂの上面６２によって受け止められたダウンフローが、通過口８の側方（図８の左右方向）に向けて導かれる。これにより、ダウンフローを整流することができるので、ダウンフローの通過口８への流入を、より効果的に抑制することができる。
以上、この発明の３つの実施形態について説明したが、この発明は、さらに他の形態で実施することもできる。
【００６４】
前述の各実施形態では、上フランジ４２，４２Ｂや横フランジ６０，６１は、外向き、すなわち開口８から離れる方向に伸びるように形成されているが、これらのフランジに加えてさらに、内向き、すなわち開口８に近づく方向に伸びる内向きフランジをさらに設け、ノズルブロック２４，２６，２８の背後（インデクサ空間ＩＳ側）をこの内向きフランジによって覆うようにしてもよい。これによれば、ノズル３０，３２，３４からの吹き付け気流によるインデクサ空間ＩＳ内の雰囲気の巻き込みをさらに防止することができる。
【００６５】
前述の各実施形態では、ノズル３０，３２，３４からのＮ2ガスの吹き付けを、ドア９が開状態にある間継続して行うとして説明したが、ドア９の開状態における予め定める時間だけＮ2ガスの吹き付けが行われていてもよい。また、ドア９が開状態であるか閉状態であるかに拘わらず、Ｎ2ガスの吹き付けが常時行われていてもよい。
また、前述の各実施形態では、基板収容器Ｃから未処理基板Ｗを取り出すとともに、その取り出した基板Ｗの処理の後に、その処理済みの基板を元の基板収容器Ｃに収納する（戻す）場合を例にとって示したが、他の基板収容器Ｃに処理済み基板Ｗを収納する構成であってもよい。
【００６６】
また、前述の各実施形態では、基板収容器Ｃとして、基板Ｗを密閉した状態で収容するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を例示しているが、これ以外にも、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interface）ポッド、ＯＣ（Open Cassette）等の他の形態の基板収容器を用いることもできる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な断面図である。
【図２】通過口をインデクサ空間から見た正面図である。
【図３】ロードポートの要部の縦断面図である。
【図４】図３の切断面線IV−IVから見た断面図である。
【図５】図４の矢印Ｖ方向から見たパージガスの吹き付け状態を示す正面図である。
【図６】ロードポートに対する基板収容器の装脱を説明するための図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す正面図である。
【図８】本発明のさらに他の実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す正面図である。
【符号の説明】
【００６８】
６ 収容器載置台（収容器保持部）
７ 隔壁
８ 通過口
１０ 開口
２０，２０Ａ，２０Ｂ 上カバー
２１，２１Ａ 第１横カバー
２２，２２Ａ 第２横カバー
２３ 上方領域（通過口の上辺部に沿う領域）
２４ 上ノズルブロック（上パージガス吹き付け手段）
２５ 側方領域（通過口の側辺部に沿う領域）
２６ 第１横ノズルブロック（横パージガス吹き付け手段）
２８ 第２横ノズルブロック（横パージガス吹き付け手段）
３０ 上ノズル
３２ 第１横ノズル
３４ 第２横ノズル
４１ 上吸気口
４４ 横吸気口
４６ 吐出口
４７ 吐出口
ＩＳ インデクサ空間（ダウンフロー空間）
ＯＳ 外部空間（保持空間）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を出し入れするための開口を有する基板収容器を保持するための収容器保持部と、
前記収容器保持部に保持された前記基板収容器の前記開口と対向する通過口を有し、前記収容器保持部が配置された保持空間とダウンフローが形成されるダウンフロー空間とを仕切る隔壁と、
前記通過口の上方において前記隔壁から前記ダウンフロー空間側に向かって突出して設けられて、ダウンフローの前記基板収容器内への進入を抑制するための上カバーと、
前記通過口の上縁部に沿う領域を通して、前記基板収容器内に向けてパージガスを吹き付けるための上パージガス吹き付け手段と、
前記通過口の側方において前記隔壁から前記ダウンフロー空間側に向かって突出して設けられて、ダウンフローの前記基板収容器内への進入を抑制するための横カバーと、
前記通過口の側縁部に沿う領域を通して、前記基板収容器内に向けてパージガスを吹き付けるための横パージガス吹き付け手段とを含む、基板処理装置。
【請求項２】
前記横カバーには、前記ダウンフロー空間内の雰囲気を吸い込むための横吸気口が形成されている、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記横パージガス吹き付け手段が、前記横吸気口よりも前記通過口寄りに設けられた吐出口を有している、請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記上カバーの前記ダウンフロー空間側縁部には、上方に向けて突出する上フランジが形成されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記横カバーの前記ダウンフロー空間側縁部には、当該横カバーに対して前記通過口と反対側に向けて突出する横フランジが形成されている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記上カバーが、前記通過口の左右方向中間部が高く、左右方向両端部が低く形成された上向き凸状の上面を有している、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記上カバーには、前記ダウンフロー空間内の雰囲気を吸い込むための上吸気口が形成されている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記収容器保持部に保持された基板収容器の下部から、当該基板収容器内にパージガスを供給する下パージガス供給手段をさらに含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１】
基板を出し入れするための開口を有する基板収容器を保持するための収容器保持部と、
前記収容器保持部に保持された前記基板収容器の前記開口と対向する通過口を有し、前記収容器保持部が配置された保持空間とダウンフローが形成されるダウンフロー空間とを仕切る隔壁と、
前記通過口の上方において前記隔壁から前記ダウンフロー空間側に向かって突出して設けられて、ダウンフローの前記基板収容器内への進入を抑制するための上カバーと、
前記通過口の上縁部に沿う領域を通して、前記基板収容器内に向けてパージガスを吹き付けるための上パージガス吹き付け手段と、
前記通過口の側方において前記隔壁から前記ダウンフロー空間側に向かって突出して設けられて、ダウンフローの前記基板収容器内への進入を抑制するための横カバーと、
前記通過口の側縁部に沿う領域を通して、前記基板収容器内に向けてパージガスを吹き付けるための横パージガス吹き付け手段とを含む、基板処理装置。
【請求項２】
前記横カバーには、前記ダウンフロー空間内の雰囲気を吸い込むための横吸気口が形成されている、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記横パージガス吹き付け手段が、前記横吸気口よりも前記通過口寄りに設けられた吐出口を有している、請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記上カバーの前記ダウンフロー空間側縁部には、上方に向けて突出する上フランジが形成されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記横カバーの前記ダウンフロー空間側縁部には、当該横カバーに対して前記通過口と反対側に向けて突出する横フランジが形成されている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記上カバーが、前記通過口の左右方向中間部が高く、左右方向両端部が低く形成された上向き凸状の上面を有している、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記上カバーには、前記ダウンフロー空間内の雰囲気を吸い込むための上吸気口が形成されている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記収容器保持部に保持された基板収容器の下部から、当該基板収容器内にパージガスを供給する下パージガス供給手段をさらに含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２００９−２９０１０２（Ｐ２００９−２９０１０２Ａ）
【公開日】平成２１年１２月１０日（２００９．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１４３１０６（Ｐ２００８−１４３１０６）
【出願日】平成２０年５月３０日（２００８．５．３０）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１２月１０日（２００９．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年５月３０日（２００８．５．３０）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
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