基板処理装置
【課題】処理室の数が多くなった場合においても、メンテナンス時の作業性のよい基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置を次のように構成する。すなわち、隣り合う複数の処理室を有する基板処理装置であって、前記複数の処理室は、それぞれ下処理室と、上処理室を有し、前記複数の上処理室は、上面から見た場合における前記複数の上処理室の中心同士を結ぶ直線と垂直な方向に向けて、水平方向に回転可能なように構成される基板処理装置。これにより、複数の上処理室を同時に水平方向に回転させ、複数の下処理室、または複数の上処理室、あるいは複数の上下処理室をまとめてメンテナンスすることができる。
【解決手段】基板処理装置を次のように構成する。すなわち、隣り合う複数の処理室を有する基板処理装置であって、前記複数の処理室は、それぞれ下処理室と、上処理室を有し、前記複数の上処理室は、上面から見た場合における前記複数の上処理室の中心同士を結ぶ直線と垂直な方向に向けて、水平方向に回転可能なように構成される基板処理装置。これにより、複数の上処理室を同時に水平方向に回転させ、複数の下処理室、または複数の上処理室、あるいは複数の上下処理室をまとめてメンテナンスすることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造装置である基板処理装置、特に、半導体集積回路が作り込まれる半導体基板（例えば、半導体ウェハ）を処理する複数の処理室を備えた基板処理装置において有効な装置メンテナンス技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置の一例として、基板のロードポート、ロードロック室、１つの真空搬送室、該１つの真空搬送室に接続される２つの処理室を備え、１つの真空搬送室から２つの処理室へ基板が搬送され、２つの処理室において基板が処理される基板処理装置がある。特許文献１は、１つの真空搬送室から未処理基板を２つの処理室へ搬送し、２つの処理室それぞれにおいて処理を行う基板処理装置に関する技術を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−８６１８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示する基板処理装置は、生産効率（スループット）が十分でないという問題があり、これを解決するため、１つの真空搬送室に接続する処理室を増やすことが考えられる。しかしながら、１つの真空搬送室に接続する処理室を増やし、例えば、処理室を４つに増やす場合は、処理室内の点検や清掃等のメンテナンスのための保守作業を行う場合、場所的な制約から、複数の処理室を同時に開けて保守作業を行うことは容易ではない。
本発明の目的は、処理室の数が多くなった場合においても、メンテナンス時の作業性のよい基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するための、本発明の代表的な構成は、次のとおりである。すなわち、
隣り合う複数の処理室を有する基板処理装置であって、
前記複数の処理室は、それぞれ下処理室と、上処理室を有し、
前記複数の上処理室は、上面から見た場合における前記複数の上処理室の中心同士を結ぶ直線と垂直な方向に向けて、水平方向に回転可能なように構成される基板処理装置。
【発明の効果】
【０００６】
上記の構成によれば、複数の上処理室を同時に水平方向に回転させ、複数の下処理室、または複数の上処理室、あるいは複数の上下処理室をまとめてメンテナンスすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施例に係る基板処理装置の全体構成図であり、上面からみた概念図である。
【図２】図１に示す基板処理装置の一部の斜視図である。
【図３】図１に示す基板処理装置の一部の垂直断面図である。
【図４】本発明の実施例に係る下処理室の垂直断面図である。
【図５】本発明の実施例に係る上処理室と下処理室の垂直断面図である。
【図６】本発明の実施例に係る下処理室の斜視図である。
【図７】図６に示す下処理室内を上面及び側面からみた図である。
【図８】本発明の実施例に係る上処理室と下処理室の斜視図である。
【図９】図８に示す上処理室を回転させた場合における、下処理室の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本実施の形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置（ＩＣ）の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。以下、本発明の１実施形態を、図面を用いて説明する。
【０００９】
図１は、本発明の実施形態に係る基板処理装置１０の全体構成図であり、基板処理装置１０の上面からみた概念図である。１１は基板処理装置１０の筐体である。基板処理装置１０においては、例えば基板を搬送する搬送室１２を中心として、２つのロードロック室１４ａ、１４ｂ及び第１の処理室群１１６、第２の処理室群１１７が配置されており、ロードロック室１４ａ、１４ｂの上流側にはフロントモジュールであるＥＦＥＭ（Equipment Front End Module）１８が配置されている。３６ａ、３６ｂは基板保持台、４０は第２の基板搬送機、８２、８３は保守エリアであり、これらについては後述する。
【００１０】
後述するように、第１の処理室群１１６は、下処理室１６と、互いに隣接する２つの上処理室４５a、４５ｂとを有する（図２参照）。下処理室１６は、互いに隣接する２つの下処理室１６ａ、１６ｂを有する。下処理室１６ａと下処理室１６ｂの間には、後述する連接空間４８が設けられている。また、第２の処理室群１１７は、下処理室１７と、互いに隣接する２つの上処理室４５ｃ、４５ｄとを有する。下処理室１７は、互いに隣接する２つの下処理室１７a、１７ｂを有する。下処理室１７ａと下処理室１７ｂの間にも、連接空間４８が設けられている。下処理室１６ａ、１６ｂ、１７a、１７ｂの上には、それぞれ、上処理室４５a、４５ｂ、４５ｃ、４５ｄが、重なるように載置される（図２参照）。
下処理室１６ａ、１６ｂは、搬送室１２、下処理室１６ａ、下処理室１６ｂの順で直列に並ぶように配置されている。また、下処理室１７ａ、１７ｂも、搬送室１２、下処理室１７ａ、下処理１７ｂの順で直列に並ぶように配置されている。上面から見て、下処理室１６ａ、１６ｂの中心を結ぶ直線と、下処理室１７ａ、１７ｂの中心を結ぶ直線は、略平行である。
【００１１】
ＥＦＥＭ１８には、例えば、ウエハ１を２５枚ストックするフープ（FOUP：Front Open Unified Pod）を３台搭載することができる。ＥＦＥＭ１８内には、大気中にて同時に複数枚（５枚）を移載することが可能な大気ロボット（図示せず）が載置されており、２つのロードロック室１４ａ、１４ｂとの間のウエハ移載を可能にしている。また、基板処理装置１０は、基板処理装置１０の各構成部を制御するコントローラ８４を有する。
【００１２】
図２は、図１に示す基板処理装置１０の一部の斜視図である。下処理室１６は、互いに隣接する２つの下処理室１６ａ、１６ｂを有し、下処理室１６ａ、１６ｂの上には、それぞれ、上処理室４５a、４５ｂが、重なるように載置されている。
【００１３】
図３は、図１に示す基板処理装置１０の一部の垂直断面図である。図３に示すように、ロードロック室１４ａ、１４ｂには、例えば２５枚の基板を縦方向に一定間隔を隔てて収容する基板支持体（ボート）２０が設けられている。基板支持体２０は、例えば炭化珪素やアルミで構成しており、上部板２２と下部板２４とを接続する例えば３つの支柱２６を有する。支柱２６の長手方向内側には例えば２５個の載置部２８が平行に形成されている。また、基板支持体２０は、ロードロック室１４ａ、１４ｂ内において、鉛直方向（上下方向）に移動するように構成されているとともに、鉛直方向に延びる回転軸を軸として回転するように構成されている。
【００１４】
搬送室１２には、ロードロック室１４ａ、１４ｂと、第１の処理室群１１６及び第２の処理室群１１７との間でウエハ１を搬送する第１の基板搬送機３０が設けられている。第１の基板搬送機３０は、上フィンガー３２ａ及び下フィンガー３２ｂから構成されるフィンガー対３２が設けられたアーム３４を有する。上フィンガー３２ａ及び下フィンガー３２ｂは、例えば同一の形状をしており、上下方向に所定の間隔で離間され、アーム３４からそれぞれ略水平に同じ方向に延びて、それぞれウエハ１を支持することができる。アーム３４は、鉛直方向に延びる回転軸を軸として回転するとともに、水平方向に移動可能なように構成されている。
【００１５】
搬送室１２と下処理室１６ａは、ゲートバルブ３５を介して連通している。したがって、ロードロック室１４ａ、１４ｂにストックされた未処理ウエハを、搬送室１２に載置された第１の基板搬送機３０により同時に２枚ずつゲートバルブ３５を介して下処理室１６ａ、１６ｂへ移載し、処理済ウエハを下処理室１６ａ、１６ｂから第１の基板搬送機３０により一度に２枚ずつロードロック室１４ａ、１４ｂに移載することができる。
搬送室１２と下処理室１７aも、同様に、ゲートバルブ３５を介して連通しており、ロードロック室１４ａ、１４ｂにストックされた未処理ウエハを、搬送室１２に載置された第１の基板搬送機３０により同時に２枚ずつゲートバルブ３５を介して下処理室１７ａ、１７ｂへ移載し、処理済ウエハを下処理室１７ａ、１７ｂから第１の基板搬送機３０により一度に２枚ずつロードロック室１４ａ、１４ｂに移載することができる。
【００１６】
図４は、本発明の実施例に係る下処理室１６の垂直断面図である。図４において、処理室１１６ａは、上処理室４５ａと下処理室１６ａから構成され、処理室１１６ｂは、上処理室４５ｂと下処理室１６ｂから構成されている。処理室１１６ａと処理室１１６ｂにより、第１の処理室群１１６が構成される。
図４に示すように、下処理室１６は、互いに隣接する下処理室１６ａと下処理室１６ｂから構成されている。下処理室１６ａには、基板保持台３６aが載置されており、下処理室１６ｂには、基板保持台３６ｂが載置されている。基板保持台３６aと基板保持台３６ｂは、おのおの独立した構造となっており、装置全体からみるとウエハ処理流れ方向と同方向一列になっている。すなわち、基板保持台３６ｂは、搬送室１２から見て基板保持台３６aを挟んで遠方に配置されている。
下処理室１６ａと下処理室１６ｂとは連通しており、その境界には、下処理室１６ａと下処理室１６ｂとを連接する連接空間４８がある。
基板保持台３６aと基板保持台３６ｂに載置された基板は、基板保持台３６aと基板保持台３６ｂにそれぞれ内蔵したヒータ（不図示）により加熱され、例えば３００℃までの昇温が可能である。基板保持台３６aと基板保持台３６ｂは、例えばアルミニウム（Ａ５０５２、Ａ５０５６等）で形成されている。
【００１７】
図１に示すように、処理室１６内の基板保持台３６aと基板保持台３６ｂの間の連接空間４８の内、処理室１７側寄りの位置には、第２の基板搬送機４０が設けられている。第２の基板搬送機４０は、第１の基板搬送機３０によって搬送された２枚の未処理ウエハのうちの１枚を、第１の基板搬送機３０のフィンガーから受け取って基板保持台３６ｂに移載し、さらに基板保持台３６ｂの処理済ウエハを第１の基板搬送機３０のフィンガー上へ移載する。
【００１８】
図５は、本発明の実施例に係る上処理室４５ｂと下処理室１６ｂの垂直断面図である。まず、上処理室４５ｂについて説明する。なお、上処理室４５a、４５c、４５dは、上処理室４５ｂと同一構造であるので説明を省略する。
図５において、反応管５２は円筒状の石英製反応管であり、該反応管５２は金属製の気密容器である前記下処理室１６ｂ上に、Ｏリング９２ｂを介して気密に立設されている。前記反応管５２の上端は、反応管天井板５５によって気密に閉塞され、該反応管天井板５５には、中央にガス導入部４４及びガス導入ロ５６が設けられ、また、導入したガスを分散させる石英製のバッフル板５７が設けられている。ガス導入ロ５６は、図示しない処理ガス供給源に接続され、流量調整された処理ガスが供給されるようになっている。
前記反応管５２の周囲には、プラズマ発生用の高周波コイル５４が設けられ、該高周波コイル５４はコイルカバー５３によって覆われている。前記高周波コイル５４には、高周波電源５９が接続され、該高周波電源５９により前記高周波コイル５４にプラズマ発生用の高周波電流が印加される。
【００１９】
次に、前記下処理室１６ｂについて説明する。図５において、下処理室１６ｂの底面には、前述した基板保持台３６ｂが固定して設けられている。基板保持台３６ｂの下方に、昇降基板６４が昇降可能に設けられ、該昇降基板６４には少なくとも３本の基板保持ピン３９ｂが立設されている。該基板保持ピン３９ｂは基板保持台３６ｂを貫通し、昇降可能となっている。
下処理室１６ｂの底部には、昇降シャフト６５が気密に貫通され、該昇降シャフト６５は昇降基板６４に連結されている。コントローラ８４の制御により昇降シャフト６５を昇降させることで、昇降基板６４、基板保持ピン３９ｂを昇降させることができる。
基板保持ピン３９ｂの上面にウェハ１が載置され、基板保持ピン３９ｂの昇降によって、ウェハ１を基板保持台３６ｂに載置し、或は該基板保持台３６ｂから持上げることが可能になっている。
なお、上記の下処理室１６ｂについて説明した構造は、下処理室１６a、１７ａ、１７ｂについても同様である。
【００２０】
前記反応管５２はプラズマが発生されるプラズマ発生室５１を形成し、プラズマ発生室５１で生成されたプラズマにより、下処理室１６ｂ内のウェハ１が処理される。処理済のガスは、排気口６６から下処理室１６ｂ外へ排気される。
【００２１】
さらに、下処理室１６について詳しく説明する。図６は、本発明の実施例に係る下処理室１６の斜視図であり、下処理室１６内の第２の基板搬送機４０が基板保持台３６ｂ側に待機しているとき（基板処理時）の様子を示す。図７（ａ）は、図６に示す下処理室内を上面からみた図であり、図７（ｂ）は、図６に示す下処理室内を側面からみた図である。
図６において、第２の基板搬送機４０は、ウエハの外径より大きな円弧部４３ａと、円弧部４３ａから円弧部の中心にむかって略水平に設けられたウエハを載置する爪部４３ｃと、円弧部４３ａを支えるフレーム部４３ｄが設けられたアーム４２を有する。円弧部４３ａとフレーム部４３ｄは連続して形成され、アーム４２から略水平に装着され、爪部４３ｃを介してウエハ１を支持することができる。
アーム４２は、鉛直方向に延びる軸部４３ｅを回転軸として回転するとともに、鉛直方向に昇降する。したがって、第２の基板搬送機４０は、回転し、昇降することができる。円弧部４３ａの切欠き部は、軸部４３ｅが回転し、基板保持台３６a側にあるときに、搬送室１２と下処理室１６との間に設けられたゲートバルブ３５と向かい合う位置に配置される。このような動作を行うことで、第１の基板搬送機３０によって下処理室１６内に搬送された２枚のウエハのうち、１枚のウエハを基板保持台３６a上方から搬送室１２の遠方にある基板保持台３６ｂに搬送し載置することができる。
第２の基板搬送機４０は、基板保持台３６a及び基板保持台３６ｂに内蔵したヒータからの熱輻射により高温（約２００℃）になり、また、プラズマに晒されることから、耐プラズマ性、耐高熱性である例えばアルミナセラミックス（純度９９．６％以上）、石英、ＳｉＣ（炭化珪素）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）等から形成するのが好ましい。金属部品に比べ熱膨張係数の小さい例えばアルミナセラミックス（純度９９．６％以上）で形成することで、熱変形によるたわみ等による搬送信頼性劣化を防止することができる。ただし、第２の基板搬送機４０の基部には位置・レベル調整のため、金属部品を使用する。
【００２２】
基板保持台３６aの外周付近には、３つの基板保持ピン３９ａが鉛直方向に貫通しており、基板保持ピン３９ａが上下に昇降することで、基板を略水平に昇降させる。また、基板保持台３６ｂの外周付近には、３つの基板保持ピン３９ｂが鉛直方向に貫通しており、基板保持ピン３９ｂが上下に昇降することで、基板を略水平に昇降させる。したがって、ゲートバルブ３５を介して第１の基板搬送機３０により搬送されたウエハが基板保持ピン３９ａ、３９ｂを介して基板保持台３６ａ、３６ｂに載置されるようになっている。つまり、コントローラ８４の制御により、基板保持ピン３９ａ、３９ｂが上下方向に移動する。
【００２３】
図８は、本発明の実施例に係る上処理室と下処理室の斜視図である。図８に示すように、本実施例においては、第１の処理室群１１６と第２の処理室群１１７を備える。第１の処理室群１１６は、処理室１１６ａと処理室１１６ｂにより構成される。さらに、処理室１１６ａは、上処理室４５ａと下処理室１６ａから構成され、処理室１１６ｂは、上処理室４５ｂと下処理室１６ｂから構成される。また、第２の処理室群１１７は、処理室１１７ａと処理室１１７ｂにより構成される。処理室１１７ａは、上処理室４５ｃと下処理室１６ｃから構成され、処理室１１７ｂは、上処理室４５ｄと下処理室１６ｄから構成される。
【００２４】
図８において、４６ａは上処理室４５ａの回転機構であり、４６ｂは上処理室４５ｂの回転機構であり、４６ｃは上処理室４５ｃの回転機構であり、４６ｄは上処理室４５ｄの回転機構である。４７ａは、回転機構４６ａのハンドルであり、このハンドル４７ａを保守員が左回転させることにより、上処理室４５ａが上昇し、下処理室１６ａから離間する。上処理室４５ａが下処理室１６ａから離間した状態で、保守員が上処理室４５ａを、図８に示す矢印のように時計回りに回転させることにより、下処理室１６ａ、上処理室４５ａ、あるいは下処理室１６ａと上処理室４５ａをまとめてメンテナンスすることができる。回転機構４６ｂ、回転機構４６ｃ、回転機構４６ｄにも、回転機構４６ａと同様に、それぞれハンドルが設けられており、ハンドル４７ａと同様の操作により、図８に示す矢印のように、上処理室４５ｂ、上処理室４５ｃ、上処理室４５ｄを、回転させることことができる。
【００２５】
図８において、８１は、下処理室１６内を観察するための覗き窓である。８２は、第１の処理室群１１６側の保守用エリア（メンテナンスエリア）で、保守員が位置する等、保守作業に用いる場所である。９３は、保守用蓋（メンテ蓋）であり、保守時には、上処理室４５ａと上処理室４５ｂを、保守用エリア８２に向けて観音開きした後、保守用蓋９３を開けて、第２の基板搬送機４０の調整や清掃、取付や取外し等の保守作業を行う。図８には示していないが、第２の処理室群１１７側の保守用エリア８３側にも、保守作業を行うための保守用蓋（メンテ蓋）が存在する。
【００２６】
回転機構４６ａは、第１の処理室群１１６側の保守エリア８２から見て、上処理室４５ａの前部かつ左部に設けられている。回転機構４６ｂは、保守エリア８２から見て、上処理室４５ｂの前部かつ右部に設けられている。すなわち、上処理室４５ａと上処理室４５ｂの回転機構の回転軸の位置は、上処理室４５ａと上処理室４５ｂが隣り合う側と反対側の位置であって、上面から見た場合における上処理室４５ａと上処理室４５ｂの中心同士を結ぶ直線、つまりガス導入部４４ａとガス導入部４４ｂを結ぶ直線よりも、保守エリア８２側に、つまり前記上処理室４５ａと上処理室４５ｂの回転方向に近い位置に設けられている。回転機構４６ｃ、回転機構４６ｄについても、同様に、回転機構４６ｃは、第２の処理室群１１７側の保守エリア８３から見て、上処理室４５ｃの前部かつ右部に設けられ、回転機構４６ｄは、上処理室４５ｄの前部かつ左部に設けられている。
したがって、第１の処理室群１１６を構成する上処理室４５ａと上処理室４５ｂは、図８に示す矢印のように、観音開き可能である。すなわち、上処理室４５ａと上処理室４５ｂは、上面から見た場合における上処理室４５ａと上処理室４５ｂの中心同士を結ぶ直線と垂直方向であって、かつ水平な第１の方向に回転可能である。同様に、第２の処理室群１１７を構成する上処理室４５ｃと上処理室４５ｄは、前記第１の方向と逆方向に回転可能である。
【００２７】
図９は、図８に示す上処理室４５ａと上処理室４５ｂを回転させた場合における、下処理室の斜視図である。図９において、９１ａは下処理室１６ａの上部開口であり、９１ｂは下処理室１６ｂの上部開口である。９２ａは、上処理室４５ａと下処理室１６ａとを気密にシールするためのＯリングである。９２ｂは、上処理室４５ｂと下処理室１６ｂとを気密にシールするためのＯリングである。９４は、保守用蓋であり、保守用蓋９３と同様に、保守作業を行うためのものである。図９に示すように、上処理室４５ａと上処理室４５ｂを観音開きし、さらに保守用蓋９３、９４を開けた状態で、上処理室４５ｂ内の石英バッフル板５７や、Ｏリング９２ｂや、基板保持ピン３９ｂや、第２の基板搬送機４０の清掃等の保守作業を行う。
本実施例においては、上処理室４５ａと上処理室４５ｂを、保守エリア８２方向に観音開きできるように構成しているので、上処理室４５ａと上処理室４５ｂを同時に観音開きし、複数の下処理室１６ａと１６ｂをまとめて、または複数の上処理室４５ａと４５ｂをまとめて、あるいは複数の下処理室１６ａと１６ｂ及び複数の上処理室４５ａと４５ｂをまとめてメンテナンスすることが容易となる。
【００２８】
なお、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
また、前記実施例においては、ウエハに処理が施される場合について説明したが、処理対象はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【００２９】
本明細書には、次の発明が含まれる。すなわち、第１の発明は、
隣り合う複数の処理室を有する基板処理装置であって、
前記複数の処理室は、それぞれ下処理室と、上処理室を有し、
前記複数の上処理室は、上面から見た場合における前記複数の上処理室の中心同士を結ぶ直線と垂直な方向に向けて、水平方向に回転可能なように構成される基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、複数の上処理室を同時に水平方向に回転させ、複数の下処理室、または複数の上処理室、あるいは複数の上下処理室をまとめてメンテナンスすることが容易となる。
【００３０】
第２の発明は、前記第１の発明に記載された基板処理装置であって、
前記それぞれの下処理室の境界には各下処理室を連接する連接空間を有し、各下処理室は該連接空間を通じて連通しており、
該連接空間の上部には保守用蓋を有し、
前記各上処理室は、前記保守用蓋と重ならない位置まで回転可能なように構成される基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、各下処理室の間に位置する連接空間のメンテナンスが容易となる。
【００３１】
第３の発明は、前記第１の発明又は第２の発明に記載された基板処理装置であって、
前記上処理室は、前記下処理室の上部開口と重ならない位置まで回転可能なように構成される基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、各処理室の上処理室、下処理室を同時にメンテナンスすることが容易となる。
【００３２】
第４の発明は、隣り合う複数の処理室を有する基板処理装置であって、
前記複数の処理室は、それぞれ、処理室上部に位置する処理室蓋を有し、
前記複数の処理室蓋は、上面から見た場合における前記複数の処理室蓋の中心同士を結ぶ直線と垂直方向に向けて、水平方向に回転可能なように構成される基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、複数の処理室蓋を同時に水平方向に回転させ、複数の処理室をまとめてメンテナンスすることが容易となる。
【００３３】
第５の発明は、前記第１の発明又は第２の発明に記載された基板処理装置であって、
それぞれ隣り合う２つの処理室を有する第１の処理室群と第２の処理室群を有し、
上面から見た場合における第１の処理室群を構成する２つの上処理室の中心を結ぶ直線と、上面から見た場合における第２の処理室群を構成する２つの上処理室の中心を結ぶ直線が略平行であり、
前記第１の処理室群を構成する２つの上処理室は、上面から見た場合における前記２つの上処理室の中心同士を結ぶ直線と垂直方向であって、かつ水平な第１の方向に回転可能であり、
前記第２の処理室群を構成する２つの上処理室は、前記第１の方向と逆方向に回転可能なように構成される基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、それぞれ隣り合う２つの処理室を有する第１の処理室群と第２の処理室群を有し、上面から見た場合における第１の処理室群を構成する２つの上処理室の中心を結ぶ直線と、上面から見た場合における第２の処理室群を構成する２つの上処理室の中心を結ぶ直線が略平行である基板処理装置において、２つの上処理室を同時に水平方向に回転させ、２つの下処理室、または２つの上処理室、あるいは複数の上下処理室をまとめてメンテナンスすることが容易となる。
【００３４】
第６の発明は、隣り合う２つの処理室を有する基板処理装置であって、
前記２つの処理室は、それぞれ下処理室と、上処理室を有し、
前記２つの上処理室は、上面から見た場合における前記２つの上処理室の中心同士を結ぶ直線と垂直な方向に向けて、水平方向に回転可能であり、
前記回転可能な隣り合う２つの上処理室は、それぞれの回転軸を、前記隣り合う側と反対側に設けるように構成される基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、隣り合う２つの処理室の上処理室を、それぞれ逆側に向けて開く、つまり観音開きすることができ、隣り合う２つの処理室を同時にメンテナンスすることが容易となる。
【００３５】
第７の発明は、前記第６の発明に記載された基板処理装置であって、
前記２つの上処理室の回転軸の位置を、上面から見た場合における前記２つの上処理室の中心同士を結ぶ直線よりも、前記回転方向に近づけて設けるように構成される基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、上処理室の回転軸の位置を、基板処理装置の筐体を構成する下処理室の側壁に近づけて設けることができ、基板処理装置及び下処理室の内部スペースを有効に活用することが容易となる。
【符号の説明】
【００３６】
１…ウエハ、１０…基板処理装置、１２…搬送室、１４…ロードロック室、１６…下処理室、１６ａ…下処理室、１６ｂ…下処理室、１７…下処理室、１７ａ…下処理室、１７ｂ…下処理室、３０…第１の基板搬送機、３５…ゲートバルブ、３６ａ…基板保持台、３６ｂ…基板保持台、３９ａ…基板保持ピン、３９ｂ…基板保持ピン、４０…第２の基板搬送機、４４a…ガス導入部、４４ｂ…ガス導入部、４４ｃ…ガス導入部、４４ｄ…ガス導入部、４５a…上処理室、４５ｂ…上処理室、４５ｃ…上処理室、４５ｄ…上処理室、４６a…回転機構、４６ｂ…回転機構、４４ｃ…回転機構、４４ｄ…回転機構、４８…連接空間、５９…高周波電源、８２…保守エリア、８３…保守エリア、８４…コントローラ、９１ａ…下処理室上部開口、９１ｂ…下処理室上部開口、９２ａ…Ｏリング、９２ｂ…Ｏリング、９３…保守用蓋、９４…保守用蓋、１１６…第１の処理室群、１１７…第２の処理室群、１１６ａ…処理室、１１７ｂ…処理室。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造装置である基板処理装置、特に、半導体集積回路が作り込まれる半導体基板（例えば、半導体ウェハ）を処理する複数の処理室を備えた基板処理装置において有効な装置メンテナンス技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置の一例として、基板のロードポート、ロードロック室、１つの真空搬送室、該１つの真空搬送室に接続される２つの処理室を備え、１つの真空搬送室から２つの処理室へ基板が搬送され、２つの処理室において基板が処理される基板処理装置がある。特許文献１は、１つの真空搬送室から未処理基板を２つの処理室へ搬送し、２つの処理室それぞれにおいて処理を行う基板処理装置に関する技術を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−８６１８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示する基板処理装置は、生産効率（スループット）が十分でないという問題があり、これを解決するため、１つの真空搬送室に接続する処理室を増やすことが考えられる。しかしながら、１つの真空搬送室に接続する処理室を増やし、例えば、処理室を４つに増やす場合は、処理室内の点検や清掃等のメンテナンスのための保守作業を行う場合、場所的な制約から、複数の処理室を同時に開けて保守作業を行うことは容易ではない。
本発明の目的は、処理室の数が多くなった場合においても、メンテナンス時の作業性のよい基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するための、本発明の代表的な構成は、次のとおりである。すなわち、
隣り合う複数の処理室を有する基板処理装置であって、
前記複数の処理室は、それぞれ下処理室と、上処理室を有し、
前記複数の上処理室は、上面から見た場合における前記複数の上処理室の中心同士を結ぶ直線と垂直な方向に向けて、水平方向に回転可能なように構成される基板処理装置。
【発明の効果】
【０００６】
上記の構成によれば、複数の上処理室を同時に水平方向に回転させ、複数の下処理室、または複数の上処理室、あるいは複数の上下処理室をまとめてメンテナンスすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施例に係る基板処理装置の全体構成図であり、上面からみた概念図である。
【図２】図１に示す基板処理装置の一部の斜視図である。
【図３】図１に示す基板処理装置の一部の垂直断面図である。
【図４】本発明の実施例に係る下処理室の垂直断面図である。
【図５】本発明の実施例に係る上処理室と下処理室の垂直断面図である。
【図６】本発明の実施例に係る下処理室の斜視図である。
【図７】図６に示す下処理室内を上面及び側面からみた図である。
【図８】本発明の実施例に係る上処理室と下処理室の斜視図である。
【図９】図８に示す上処理室を回転させた場合における、下処理室の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本実施の形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置（ＩＣ）の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。以下、本発明の１実施形態を、図面を用いて説明する。
【０００９】
図１は、本発明の実施形態に係る基板処理装置１０の全体構成図であり、基板処理装置１０の上面からみた概念図である。１１は基板処理装置１０の筐体である。基板処理装置１０においては、例えば基板を搬送する搬送室１２を中心として、２つのロードロック室１４ａ、１４ｂ及び第１の処理室群１１６、第２の処理室群１１７が配置されており、ロードロック室１４ａ、１４ｂの上流側にはフロントモジュールであるＥＦＥＭ（Equipment Front End Module）１８が配置されている。３６ａ、３６ｂは基板保持台、４０は第２の基板搬送機、８２、８３は保守エリアであり、これらについては後述する。
【００１０】
後述するように、第１の処理室群１１６は、下処理室１６と、互いに隣接する２つの上処理室４５a、４５ｂとを有する（図２参照）。下処理室１６は、互いに隣接する２つの下処理室１６ａ、１６ｂを有する。下処理室１６ａと下処理室１６ｂの間には、後述する連接空間４８が設けられている。また、第２の処理室群１１７は、下処理室１７と、互いに隣接する２つの上処理室４５ｃ、４５ｄとを有する。下処理室１７は、互いに隣接する２つの下処理室１７a、１７ｂを有する。下処理室１７ａと下処理室１７ｂの間にも、連接空間４８が設けられている。下処理室１６ａ、１６ｂ、１７a、１７ｂの上には、それぞれ、上処理室４５a、４５ｂ、４５ｃ、４５ｄが、重なるように載置される（図２参照）。
下処理室１６ａ、１６ｂは、搬送室１２、下処理室１６ａ、下処理室１６ｂの順で直列に並ぶように配置されている。また、下処理室１７ａ、１７ｂも、搬送室１２、下処理室１７ａ、下処理１７ｂの順で直列に並ぶように配置されている。上面から見て、下処理室１６ａ、１６ｂの中心を結ぶ直線と、下処理室１７ａ、１７ｂの中心を結ぶ直線は、略平行である。
【００１１】
ＥＦＥＭ１８には、例えば、ウエハ１を２５枚ストックするフープ（FOUP：Front Open Unified Pod）を３台搭載することができる。ＥＦＥＭ１８内には、大気中にて同時に複数枚（５枚）を移載することが可能な大気ロボット（図示せず）が載置されており、２つのロードロック室１４ａ、１４ｂとの間のウエハ移載を可能にしている。また、基板処理装置１０は、基板処理装置１０の各構成部を制御するコントローラ８４を有する。
【００１２】
図２は、図１に示す基板処理装置１０の一部の斜視図である。下処理室１６は、互いに隣接する２つの下処理室１６ａ、１６ｂを有し、下処理室１６ａ、１６ｂの上には、それぞれ、上処理室４５a、４５ｂが、重なるように載置されている。
【００１３】
図３は、図１に示す基板処理装置１０の一部の垂直断面図である。図３に示すように、ロードロック室１４ａ、１４ｂには、例えば２５枚の基板を縦方向に一定間隔を隔てて収容する基板支持体（ボート）２０が設けられている。基板支持体２０は、例えば炭化珪素やアルミで構成しており、上部板２２と下部板２４とを接続する例えば３つの支柱２６を有する。支柱２６の長手方向内側には例えば２５個の載置部２８が平行に形成されている。また、基板支持体２０は、ロードロック室１４ａ、１４ｂ内において、鉛直方向（上下方向）に移動するように構成されているとともに、鉛直方向に延びる回転軸を軸として回転するように構成されている。
【００１４】
搬送室１２には、ロードロック室１４ａ、１４ｂと、第１の処理室群１１６及び第２の処理室群１１７との間でウエハ１を搬送する第１の基板搬送機３０が設けられている。第１の基板搬送機３０は、上フィンガー３２ａ及び下フィンガー３２ｂから構成されるフィンガー対３２が設けられたアーム３４を有する。上フィンガー３２ａ及び下フィンガー３２ｂは、例えば同一の形状をしており、上下方向に所定の間隔で離間され、アーム３４からそれぞれ略水平に同じ方向に延びて、それぞれウエハ１を支持することができる。アーム３４は、鉛直方向に延びる回転軸を軸として回転するとともに、水平方向に移動可能なように構成されている。
【００１５】
搬送室１２と下処理室１６ａは、ゲートバルブ３５を介して連通している。したがって、ロードロック室１４ａ、１４ｂにストックされた未処理ウエハを、搬送室１２に載置された第１の基板搬送機３０により同時に２枚ずつゲートバルブ３５を介して下処理室１６ａ、１６ｂへ移載し、処理済ウエハを下処理室１６ａ、１６ｂから第１の基板搬送機３０により一度に２枚ずつロードロック室１４ａ、１４ｂに移載することができる。
搬送室１２と下処理室１７aも、同様に、ゲートバルブ３５を介して連通しており、ロードロック室１４ａ、１４ｂにストックされた未処理ウエハを、搬送室１２に載置された第１の基板搬送機３０により同時に２枚ずつゲートバルブ３５を介して下処理室１７ａ、１７ｂへ移載し、処理済ウエハを下処理室１７ａ、１７ｂから第１の基板搬送機３０により一度に２枚ずつロードロック室１４ａ、１４ｂに移載することができる。
【００１６】
図４は、本発明の実施例に係る下処理室１６の垂直断面図である。図４において、処理室１１６ａは、上処理室４５ａと下処理室１６ａから構成され、処理室１１６ｂは、上処理室４５ｂと下処理室１６ｂから構成されている。処理室１１６ａと処理室１１６ｂにより、第１の処理室群１１６が構成される。
図４に示すように、下処理室１６は、互いに隣接する下処理室１６ａと下処理室１６ｂから構成されている。下処理室１６ａには、基板保持台３６aが載置されており、下処理室１６ｂには、基板保持台３６ｂが載置されている。基板保持台３６aと基板保持台３６ｂは、おのおの独立した構造となっており、装置全体からみるとウエハ処理流れ方向と同方向一列になっている。すなわち、基板保持台３６ｂは、搬送室１２から見て基板保持台３６aを挟んで遠方に配置されている。
下処理室１６ａと下処理室１６ｂとは連通しており、その境界には、下処理室１６ａと下処理室１６ｂとを連接する連接空間４８がある。
基板保持台３６aと基板保持台３６ｂに載置された基板は、基板保持台３６aと基板保持台３６ｂにそれぞれ内蔵したヒータ（不図示）により加熱され、例えば３００℃までの昇温が可能である。基板保持台３６aと基板保持台３６ｂは、例えばアルミニウム（Ａ５０５２、Ａ５０５６等）で形成されている。
【００１７】
図１に示すように、処理室１６内の基板保持台３６aと基板保持台３６ｂの間の連接空間４８の内、処理室１７側寄りの位置には、第２の基板搬送機４０が設けられている。第２の基板搬送機４０は、第１の基板搬送機３０によって搬送された２枚の未処理ウエハのうちの１枚を、第１の基板搬送機３０のフィンガーから受け取って基板保持台３６ｂに移載し、さらに基板保持台３６ｂの処理済ウエハを第１の基板搬送機３０のフィンガー上へ移載する。
【００１８】
図５は、本発明の実施例に係る上処理室４５ｂと下処理室１６ｂの垂直断面図である。まず、上処理室４５ｂについて説明する。なお、上処理室４５a、４５c、４５dは、上処理室４５ｂと同一構造であるので説明を省略する。
図５において、反応管５２は円筒状の石英製反応管であり、該反応管５２は金属製の気密容器である前記下処理室１６ｂ上に、Ｏリング９２ｂを介して気密に立設されている。前記反応管５２の上端は、反応管天井板５５によって気密に閉塞され、該反応管天井板５５には、中央にガス導入部４４及びガス導入ロ５６が設けられ、また、導入したガスを分散させる石英製のバッフル板５７が設けられている。ガス導入ロ５６は、図示しない処理ガス供給源に接続され、流量調整された処理ガスが供給されるようになっている。
前記反応管５２の周囲には、プラズマ発生用の高周波コイル５４が設けられ、該高周波コイル５４はコイルカバー５３によって覆われている。前記高周波コイル５４には、高周波電源５９が接続され、該高周波電源５９により前記高周波コイル５４にプラズマ発生用の高周波電流が印加される。
【００１９】
次に、前記下処理室１６ｂについて説明する。図５において、下処理室１６ｂの底面には、前述した基板保持台３６ｂが固定して設けられている。基板保持台３６ｂの下方に、昇降基板６４が昇降可能に設けられ、該昇降基板６４には少なくとも３本の基板保持ピン３９ｂが立設されている。該基板保持ピン３９ｂは基板保持台３６ｂを貫通し、昇降可能となっている。
下処理室１６ｂの底部には、昇降シャフト６５が気密に貫通され、該昇降シャフト６５は昇降基板６４に連結されている。コントローラ８４の制御により昇降シャフト６５を昇降させることで、昇降基板６４、基板保持ピン３９ｂを昇降させることができる。
基板保持ピン３９ｂの上面にウェハ１が載置され、基板保持ピン３９ｂの昇降によって、ウェハ１を基板保持台３６ｂに載置し、或は該基板保持台３６ｂから持上げることが可能になっている。
なお、上記の下処理室１６ｂについて説明した構造は、下処理室１６a、１７ａ、１７ｂについても同様である。
【００２０】
前記反応管５２はプラズマが発生されるプラズマ発生室５１を形成し、プラズマ発生室５１で生成されたプラズマにより、下処理室１６ｂ内のウェハ１が処理される。処理済のガスは、排気口６６から下処理室１６ｂ外へ排気される。
【００２１】
さらに、下処理室１６について詳しく説明する。図６は、本発明の実施例に係る下処理室１６の斜視図であり、下処理室１６内の第２の基板搬送機４０が基板保持台３６ｂ側に待機しているとき（基板処理時）の様子を示す。図７（ａ）は、図６に示す下処理室内を上面からみた図であり、図７（ｂ）は、図６に示す下処理室内を側面からみた図である。
図６において、第２の基板搬送機４０は、ウエハの外径より大きな円弧部４３ａと、円弧部４３ａから円弧部の中心にむかって略水平に設けられたウエハを載置する爪部４３ｃと、円弧部４３ａを支えるフレーム部４３ｄが設けられたアーム４２を有する。円弧部４３ａとフレーム部４３ｄは連続して形成され、アーム４２から略水平に装着され、爪部４３ｃを介してウエハ１を支持することができる。
アーム４２は、鉛直方向に延びる軸部４３ｅを回転軸として回転するとともに、鉛直方向に昇降する。したがって、第２の基板搬送機４０は、回転し、昇降することができる。円弧部４３ａの切欠き部は、軸部４３ｅが回転し、基板保持台３６a側にあるときに、搬送室１２と下処理室１６との間に設けられたゲートバルブ３５と向かい合う位置に配置される。このような動作を行うことで、第１の基板搬送機３０によって下処理室１６内に搬送された２枚のウエハのうち、１枚のウエハを基板保持台３６a上方から搬送室１２の遠方にある基板保持台３６ｂに搬送し載置することができる。
第２の基板搬送機４０は、基板保持台３６a及び基板保持台３６ｂに内蔵したヒータからの熱輻射により高温（約２００℃）になり、また、プラズマに晒されることから、耐プラズマ性、耐高熱性である例えばアルミナセラミックス（純度９９．６％以上）、石英、ＳｉＣ（炭化珪素）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）等から形成するのが好ましい。金属部品に比べ熱膨張係数の小さい例えばアルミナセラミックス（純度９９．６％以上）で形成することで、熱変形によるたわみ等による搬送信頼性劣化を防止することができる。ただし、第２の基板搬送機４０の基部には位置・レベル調整のため、金属部品を使用する。
【００２２】
基板保持台３６aの外周付近には、３つの基板保持ピン３９ａが鉛直方向に貫通しており、基板保持ピン３９ａが上下に昇降することで、基板を略水平に昇降させる。また、基板保持台３６ｂの外周付近には、３つの基板保持ピン３９ｂが鉛直方向に貫通しており、基板保持ピン３９ｂが上下に昇降することで、基板を略水平に昇降させる。したがって、ゲートバルブ３５を介して第１の基板搬送機３０により搬送されたウエハが基板保持ピン３９ａ、３９ｂを介して基板保持台３６ａ、３６ｂに載置されるようになっている。つまり、コントローラ８４の制御により、基板保持ピン３９ａ、３９ｂが上下方向に移動する。
【００２３】
図８は、本発明の実施例に係る上処理室と下処理室の斜視図である。図８に示すように、本実施例においては、第１の処理室群１１６と第２の処理室群１１７を備える。第１の処理室群１１６は、処理室１１６ａと処理室１１６ｂにより構成される。さらに、処理室１１６ａは、上処理室４５ａと下処理室１６ａから構成され、処理室１１６ｂは、上処理室４５ｂと下処理室１６ｂから構成される。また、第２の処理室群１１７は、処理室１１７ａと処理室１１７ｂにより構成される。処理室１１７ａは、上処理室４５ｃと下処理室１６ｃから構成され、処理室１１７ｂは、上処理室４５ｄと下処理室１６ｄから構成される。
【００２４】
図８において、４６ａは上処理室４５ａの回転機構であり、４６ｂは上処理室４５ｂの回転機構であり、４６ｃは上処理室４５ｃの回転機構であり、４６ｄは上処理室４５ｄの回転機構である。４７ａは、回転機構４６ａのハンドルであり、このハンドル４７ａを保守員が左回転させることにより、上処理室４５ａが上昇し、下処理室１６ａから離間する。上処理室４５ａが下処理室１６ａから離間した状態で、保守員が上処理室４５ａを、図８に示す矢印のように時計回りに回転させることにより、下処理室１６ａ、上処理室４５ａ、あるいは下処理室１６ａと上処理室４５ａをまとめてメンテナンスすることができる。回転機構４６ｂ、回転機構４６ｃ、回転機構４６ｄにも、回転機構４６ａと同様に、それぞれハンドルが設けられており、ハンドル４７ａと同様の操作により、図８に示す矢印のように、上処理室４５ｂ、上処理室４５ｃ、上処理室４５ｄを、回転させることことができる。
【００２５】
図８において、８１は、下処理室１６内を観察するための覗き窓である。８２は、第１の処理室群１１６側の保守用エリア（メンテナンスエリア）で、保守員が位置する等、保守作業に用いる場所である。９３は、保守用蓋（メンテ蓋）であり、保守時には、上処理室４５ａと上処理室４５ｂを、保守用エリア８２に向けて観音開きした後、保守用蓋９３を開けて、第２の基板搬送機４０の調整や清掃、取付や取外し等の保守作業を行う。図８には示していないが、第２の処理室群１１７側の保守用エリア８３側にも、保守作業を行うための保守用蓋（メンテ蓋）が存在する。
【００２６】
回転機構４６ａは、第１の処理室群１１６側の保守エリア８２から見て、上処理室４５ａの前部かつ左部に設けられている。回転機構４６ｂは、保守エリア８２から見て、上処理室４５ｂの前部かつ右部に設けられている。すなわち、上処理室４５ａと上処理室４５ｂの回転機構の回転軸の位置は、上処理室４５ａと上処理室４５ｂが隣り合う側と反対側の位置であって、上面から見た場合における上処理室４５ａと上処理室４５ｂの中心同士を結ぶ直線、つまりガス導入部４４ａとガス導入部４４ｂを結ぶ直線よりも、保守エリア８２側に、つまり前記上処理室４５ａと上処理室４５ｂの回転方向に近い位置に設けられている。回転機構４６ｃ、回転機構４６ｄについても、同様に、回転機構４６ｃは、第２の処理室群１１７側の保守エリア８３から見て、上処理室４５ｃの前部かつ右部に設けられ、回転機構４６ｄは、上処理室４５ｄの前部かつ左部に設けられている。
したがって、第１の処理室群１１６を構成する上処理室４５ａと上処理室４５ｂは、図８に示す矢印のように、観音開き可能である。すなわち、上処理室４５ａと上処理室４５ｂは、上面から見た場合における上処理室４５ａと上処理室４５ｂの中心同士を結ぶ直線と垂直方向であって、かつ水平な第１の方向に回転可能である。同様に、第２の処理室群１１７を構成する上処理室４５ｃと上処理室４５ｄは、前記第１の方向と逆方向に回転可能である。
【００２７】
図９は、図８に示す上処理室４５ａと上処理室４５ｂを回転させた場合における、下処理室の斜視図である。図９において、９１ａは下処理室１６ａの上部開口であり、９１ｂは下処理室１６ｂの上部開口である。９２ａは、上処理室４５ａと下処理室１６ａとを気密にシールするためのＯリングである。９２ｂは、上処理室４５ｂと下処理室１６ｂとを気密にシールするためのＯリングである。９４は、保守用蓋であり、保守用蓋９３と同様に、保守作業を行うためのものである。図９に示すように、上処理室４５ａと上処理室４５ｂを観音開きし、さらに保守用蓋９３、９４を開けた状態で、上処理室４５ｂ内の石英バッフル板５７や、Ｏリング９２ｂや、基板保持ピン３９ｂや、第２の基板搬送機４０の清掃等の保守作業を行う。
本実施例においては、上処理室４５ａと上処理室４５ｂを、保守エリア８２方向に観音開きできるように構成しているので、上処理室４５ａと上処理室４５ｂを同時に観音開きし、複数の下処理室１６ａと１６ｂをまとめて、または複数の上処理室４５ａと４５ｂをまとめて、あるいは複数の下処理室１６ａと１６ｂ及び複数の上処理室４５ａと４５ｂをまとめてメンテナンスすることが容易となる。
【００２８】
なお、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
また、前記実施例においては、ウエハに処理が施される場合について説明したが、処理対象はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
【００２９】
本明細書には、次の発明が含まれる。すなわち、第１の発明は、
隣り合う複数の処理室を有する基板処理装置であって、
前記複数の処理室は、それぞれ下処理室と、上処理室を有し、
前記複数の上処理室は、上面から見た場合における前記複数の上処理室の中心同士を結ぶ直線と垂直な方向に向けて、水平方向に回転可能なように構成される基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、複数の上処理室を同時に水平方向に回転させ、複数の下処理室、または複数の上処理室、あるいは複数の上下処理室をまとめてメンテナンスすることが容易となる。
【００３０】
第２の発明は、前記第１の発明に記載された基板処理装置であって、
前記それぞれの下処理室の境界には各下処理室を連接する連接空間を有し、各下処理室は該連接空間を通じて連通しており、
該連接空間の上部には保守用蓋を有し、
前記各上処理室は、前記保守用蓋と重ならない位置まで回転可能なように構成される基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、各下処理室の間に位置する連接空間のメンテナンスが容易となる。
【００３１】
第３の発明は、前記第１の発明又は第２の発明に記載された基板処理装置であって、
前記上処理室は、前記下処理室の上部開口と重ならない位置まで回転可能なように構成される基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、各処理室の上処理室、下処理室を同時にメンテナンスすることが容易となる。
【００３２】
第４の発明は、隣り合う複数の処理室を有する基板処理装置であって、
前記複数の処理室は、それぞれ、処理室上部に位置する処理室蓋を有し、
前記複数の処理室蓋は、上面から見た場合における前記複数の処理室蓋の中心同士を結ぶ直線と垂直方向に向けて、水平方向に回転可能なように構成される基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、複数の処理室蓋を同時に水平方向に回転させ、複数の処理室をまとめてメンテナンスすることが容易となる。
【００３３】
第５の発明は、前記第１の発明又は第２の発明に記載された基板処理装置であって、
それぞれ隣り合う２つの処理室を有する第１の処理室群と第２の処理室群を有し、
上面から見た場合における第１の処理室群を構成する２つの上処理室の中心を結ぶ直線と、上面から見た場合における第２の処理室群を構成する２つの上処理室の中心を結ぶ直線が略平行であり、
前記第１の処理室群を構成する２つの上処理室は、上面から見た場合における前記２つの上処理室の中心同士を結ぶ直線と垂直方向であって、かつ水平な第１の方向に回転可能であり、
前記第２の処理室群を構成する２つの上処理室は、前記第１の方向と逆方向に回転可能なように構成される基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、それぞれ隣り合う２つの処理室を有する第１の処理室群と第２の処理室群を有し、上面から見た場合における第１の処理室群を構成する２つの上処理室の中心を結ぶ直線と、上面から見た場合における第２の処理室群を構成する２つの上処理室の中心を結ぶ直線が略平行である基板処理装置において、２つの上処理室を同時に水平方向に回転させ、２つの下処理室、または２つの上処理室、あるいは複数の上下処理室をまとめてメンテナンスすることが容易となる。
【００３４】
第６の発明は、隣り合う２つの処理室を有する基板処理装置であって、
前記２つの処理室は、それぞれ下処理室と、上処理室を有し、
前記２つの上処理室は、上面から見た場合における前記２つの上処理室の中心同士を結ぶ直線と垂直な方向に向けて、水平方向に回転可能であり、
前記回転可能な隣り合う２つの上処理室は、それぞれの回転軸を、前記隣り合う側と反対側に設けるように構成される基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、隣り合う２つの処理室の上処理室を、それぞれ逆側に向けて開く、つまり観音開きすることができ、隣り合う２つの処理室を同時にメンテナンスすることが容易となる。
【００３５】
第７の発明は、前記第６の発明に記載された基板処理装置であって、
前記２つの上処理室の回転軸の位置を、上面から見た場合における前記２つの上処理室の中心同士を結ぶ直線よりも、前記回転方向に近づけて設けるように構成される基板処理装置。
このように基板処理装置を構成すると、上処理室の回転軸の位置を、基板処理装置の筐体を構成する下処理室の側壁に近づけて設けることができ、基板処理装置及び下処理室の内部スペースを有効に活用することが容易となる。
【符号の説明】
【００３６】
１…ウエハ、１０…基板処理装置、１２…搬送室、１４…ロードロック室、１６…下処理室、１６ａ…下処理室、１６ｂ…下処理室、１７…下処理室、１７ａ…下処理室、１７ｂ…下処理室、３０…第１の基板搬送機、３５…ゲートバルブ、３６ａ…基板保持台、３６ｂ…基板保持台、３９ａ…基板保持ピン、３９ｂ…基板保持ピン、４０…第２の基板搬送機、４４a…ガス導入部、４４ｂ…ガス導入部、４４ｃ…ガス導入部、４４ｄ…ガス導入部、４５a…上処理室、４５ｂ…上処理室、４５ｃ…上処理室、４５ｄ…上処理室、４６a…回転機構、４６ｂ…回転機構、４４ｃ…回転機構、４４ｄ…回転機構、４８…連接空間、５９…高周波電源、８２…保守エリア、８３…保守エリア、８４…コントローラ、９１ａ…下処理室上部開口、９１ｂ…下処理室上部開口、９２ａ…Ｏリング、９２ｂ…Ｏリング、９３…保守用蓋、９４…保守用蓋、１１６…第１の処理室群、１１７…第２の処理室群、１１６ａ…処理室、１１７ｂ…処理室。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
隣り合う複数の処理室を有する基板処理装置であって、
前記複数の処理室は、それぞれ下処理室と、上処理室を有し、
前記複数の上処理室は、上面から見た場合における前記複数の上処理室の中心同士を結ぶ直線と垂直な方向に向けて、水平方向に回転可能なように構成される基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載された基板処理装置であって、
前記それぞれの下処理室の境界には各下処理室を連接する連接空間を有し、各下処理室は該連接空間を通じて連通しており、
該連接空間の上部には保守用蓋を有し、
前記各上処理室は、前記保守用蓋と重ならない位置まで回転可能なように構成される基板処理装置。
【請求項１】
隣り合う複数の処理室を有する基板処理装置であって、
前記複数の処理室は、それぞれ下処理室と、上処理室を有し、
前記複数の上処理室は、上面から見た場合における前記複数の上処理室の中心同士を結ぶ直線と垂直な方向に向けて、水平方向に回転可能なように構成される基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載された基板処理装置であって、
前記それぞれの下処理室の境界には各下処理室を連接する連接空間を有し、各下処理室は該連接空間を通じて連通しており、
該連接空間の上部には保守用蓋を有し、
前記各上処理室は、前記保守用蓋と重ならない位置まで回転可能なように構成される基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１１−１８１７４４（Ｐ２０１１−１８１７４４Ａ）
【公開日】平成２３年９月１５日（２０１１．９．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−４５４５１（Ｐ２０１０−４５４５１）
【出願日】平成２２年３月２日（２０１０．３．２）
【出願人】（０００００１１２２）株式会社日立国際電気 (5,007)
【公開日】平成２３年９月１５日（２０１１．９．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月２日（２０１０．３．２）
【出願人】（０００００１１２２）株式会社日立国際電気 (5,007)
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