基板処理装置
【課題】処理液の再利用にともなって処理液に析出する不純物の発生を抑制し、基板の処理不良を防止できる。
【解決手段】第３配管３３において第１分岐管４１が接続されている部位４５よりも下流側の位置の部位５１に、第２分岐管４７の上流側の一端が接続されており、第２分岐管４７の下流側は第１回収タンク２３に接続されている。制御部が、開閉弁４３及び開閉弁４９を開にし、開閉弁５３を閉にした状態で、ヒータ３５及び駆動ポンプ３９をＯＮにした後に、ヒータ３５により加熱された処理液は、第３配管３３から第２分岐管４７に流れて、第１回収タンク２３に供給され続ける。このため、加熱された処理液により第１回収タンク２３に貯留された処理液が温められ、処理液の粘性が高くなることもなく、第１回収タンク２３において処理液が滞留することもなく、処理液に不要物が析出するることが抑制される。
【解決手段】第３配管３３において第１分岐管４１が接続されている部位４５よりも下流側の位置の部位５１に、第２分岐管４７の上流側の一端が接続されており、第２分岐管４７の下流側は第１回収タンク２３に接続されている。制御部が、開閉弁４３及び開閉弁４９を開にし、開閉弁５３を閉にした状態で、ヒータ３５及び駆動ポンプ３９をＯＮにした後に、ヒータ３５により加熱された処理液は、第３配管３３から第２分岐管４７に流れて、第１回収タンク２３に供給され続ける。このため、加熱された処理液により第１回収タンク２３に貯留された処理液が温められ、処理液の粘性が高くなることもなく、第１回収タンク２３において処理液が滞留することもなく、処理液に不要物が析出するることが抑制される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薬液、純水等の処理液により、洗浄、エッチング等の処理を基板に行うための基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ
Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用ガラス基板等が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板等の基板に対して処理液や処理ガスなどの処理流体を用いた洗浄、エッチング等の処理が行われる。このような処理のために、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が用いられることがある。枚葉式の基板処理装置は、処理室内に、基板を保持する基板保持機構と、基板の表面に処理液を供給するためのノズルと、基板保持部材及びノズルを収容するカップとを備えている。
【０００３】
この枚葉式の基板処理装置では、ノズルからの処理流体が基板の表面に供給されることにより、基板の表面に対しての処理が行われる。処理液を含む雰囲気がカップ外に漏れ出ることを防止するために、カップの底壁には、カップ内の雰囲気を排気するための排気孔が形成されている。また、基板の表面の処理に使用された処理液を再利用する構成が、各種提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
特許文献１に記載されているウエハ洗浄装置は、ウエハを処理する処理部と、この処理部においてウエハにアンモニア過水（ＡＰＭ）等の薬液を供給する供給ノズルと、処理部で使用された薬液を回収する回収回路と、回収回路を介して回収された薬液を一旦貯留する副貯留タンクと、副貯留タンクに貯留された薬液を副貯留タンクから排出する接続回路と、接続回路を介して副貯留タンクから排出された薬液を貯留する主貯留タンクと、主貯留タンクに貯留されている薬液を供給ノズルに供給する供給回路とを備えている。このウエハ洗浄装置では、供給ノズルと、回収回路と、副貯留タンクと、接続回路と、主貯留タンクと、供給回路とにより、薬液を再利用するための循環経路が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２１８６１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述した従来のウエハ洗浄装置では、処理部で使用され、かつ再利用される薬液は副貯留タンクに一旦回収される。副貯留タンクに回収された薬液は何の処理も施されることもなく、接続回路を介して副貯留タンクから主貯留タンクへ薬液が供給される。このとき、副貯留タンクにおいて薬液の温度が下がってしまうと、薬液の種類によっては、薬液の粘性が高くなり副貯留タンクに薬液が滞留してしまうものがある。この薬液の温度低下及び副貯留タンクでの滞留により、薬液から不要物が析出されることがある。
【０００７】
従来のウエハ洗浄装置では、接続回路にヒータを設けたり、主貯留タンクに付設された小さな循環回路にヒータを設けて、薬液を処理部で使用する温度に上昇させている。しかしながら、副貯留タンクにおいて一旦薬液に不要物が析出すると、その後の工程で薬液を加熱したとしても、薬液中に不要物が析出した状態のままであり、不要物を含む薬液が供
給ノズルからウエハへ供給されてしまう。このような不要物を含む薬液でウエハを処理すると、その不要物が原因で、意図する処理がウエハに行われなくなり処理不良が生じてしまう。
【０００８】
なお、副貯留タンクそのものに、あるいは副貯留タンクの周囲にヒータ等の加熱機構を別途設けて、副貯留タンクに貯留された薬液を常時加熱することも考えられるが、加熱機構の設置は、基板処理装置として高価になってしまう恐れがある。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、処理液の再利用にともなって処理液に析出する不純物の発生を抑制し、基板の処理不良を防止できる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した目的を達成するための請求項１に記載の発明は、基板に処理液を供給して処理を行う基板処理装置において、基板に処理液を供給する供給機構を有し、前記供給機構から供給された処理液により基板を処理する基板処理部と、前記基板処理部で処理された処理液を回収する第１回収部と、前記基板処理部で処理された処理液を前記第１回収部へ供給するための第１配管と、一端側が前記第１回収部に接続され、前記第１回収部にある処理液を前記第１回収部から排出するための第２配管と、前記第２配管を介して排出された処理液を回収する第２回収部と、前記第２回収部から排出された処理液を前記基板処理部の前記供給機構へ供給するための第３配管と、前記第３配管に設けられ、前記第３配管を流れる処理液を加熱する加熱機構と、前記第３配管の前記加熱機構より下流側に接続され、前記第３配管を流れる処理液を前記第２回収部へ供給する第１分岐管と、前記第３配管の前記第１分岐管が接続されている位置より下流側に接続され、前記第３配管を流れる処理液を前記第１回収部へ供給する第２分岐管と、前記第３配管の前記第２分岐管が接続されている位置より下流側に設けられた第１開閉弁と、前記第１分岐管に設けられた第２開閉弁と、前記第１開閉弁及び前記第２開閉弁の開閉動作を制御する制御手段とを備えることを特徴とするものである。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記第２分岐管に設けられた第３開閉弁と、前記第１回収部の液面レベルを検出する検出手段とをさらに備え、前記検出手段が最大基準値以上を検出した場合、前記制御手段は、前記第３開閉弁を閉にすることを特徴とするものである。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の基板処理装置において、前記第２配管に設けられ、前記第２配管を通して前記第１回収部から前記第２回収部へ処理液を供給させる駆動ポンプをさらに備え、前記検出手段が最小基準値以上を検出した場合、前記制御手段は、前記駆動ポンプを作動させることを特徴とするものである。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、請求項２または請求項３に記載の基板処理装置において、前記第１配管に設けられた第４開閉弁をさらに備え、前記第４開閉弁が開になり、かつ前記検出手段が最大基準値以上を検出していない場合、前記制御手段は、前記第３開閉弁を開にすることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る基板処理装置によれば、第３配管の前記第１分岐管が接続されている位置より下流側に接続され、第３配管を流れる処理液を第１回収部へ供給する第２分岐管を設けているので、加熱機構で加熱された処理液が第１回収部へ供給される。その結果、本発明に係る基板処理装置では、第１回収部において処理液が滞留して処理液から不要物が析出されることが抑制され、処理液を再利用する際において、基板処理部において基板の処理不良の発生を防止できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の構成を概念的に示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の制御系を示すブロック図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の一連の処理動作を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。
【００１７】
この基板処理装置は、基板の一種であるウエハＷに洗浄、エッチング、乾燥等の所定の処理を行う基板処理部１を備えている。基板処理部１は、ウエハＷを１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置である。
【００１８】
この基板処理部１は、水平姿勢のウエハＷを保持する保持機構３を備えている。この保持機構３でのウエハＷの保持は、ウエハＷの端部の複数個所を保持するメカニカルチャックである。この保持機構３の下側には回転軸５の一端側が接続されている。回転軸５の他端側にはモータ７が接続されている。このモータ７を駆動させることにより、保持機構３に保持された水平姿勢のウエハＷが所定の回転数で回転する。
【００１９】
保持機構３に保持されたウエハＷの上方には、ウエハＷの表面に処理液を供給する供給ノズル９が設けられている。なお、この供給ノズル９は、本発明の供給機構に相当する。保持機構３に保持されたウエハＷの周囲には、円筒状の回収カップ１１が配置されている。供給ノズル９からウエハＷの表面に供給された処理液は、ウエハＷの回転にともなって周囲に飛散し、回収カップ１１で回収される。基板処理部１の底部には排出口１３が設けられており、回収カップ１１で回収された処理液は、排出口１３から基板処理部１外へ排出される。なお、この実施の形態で使用する処理液としては、処理液の温度が低下した際に、粘性が高くなるものが考えられ、例えば、ＳＴ２５０（ＡＴＭＩ社製）、リン酸（Ｈ３ＰＯ４）等がある。
【００２０】
排出口１３には、排出管１５の上流側の一端が接続されている。この排出管１５は下流側の部位１６において、２つの配管すなわち、廃棄管１７と第１配管１９とが接続されている。廃液管１７の途中には、開閉弁２１が設けられている。
【００２１】
第１配管１９の上流側は、部位１６において排出管１５に接続されており、下流側は第１回収タンク２３に接続されている。第１配管１９の途中には、本発明の第４開閉弁に相当する開閉弁２５が設けられている。開閉弁２１と開閉弁２５は、制御部５５（図２参照）により、それぞれ開閉動作の切り替えが可能である。開閉弁２１を開にし、開閉弁２５を閉にすると、基板処理部１にある処理液は、排出口１３、排出管１５、部位１６及び廃液管１７を介して基板処理装置外に排出される。一方、開閉弁２５を開にし、開閉弁２１を閉にすると、基板処理部１にある処理液は、排出口１３、排出管１５及び第１配管１９を介して第１回収タンク２３に回収される。なお、第１回収タンク２３は、本発明の第１回収部に相当する。
【００２２】
第１回収タンク２３の側面には、第１回収タンク２３に回収された処理液の液面レベルを検出するレベルセンサ２７が設けられている。このレベルセンサ２７には、最小基準値Ａと最大基準値Ｂとが表示されている。最小基準値Ａは、制御部５５が、駆動ポンプ３２（後述）の駆動を制御する基準液面であり、最大基準値Ｂは、開閉弁４９の開閉を制御す
る基準液面である。図１に示すように、最大基準値Ｂは、最小基準値Ａより高く設定されている。なお、このレベルセンサ２７は、本発明の検出手段に相当する。
【００２３】
この第１回収タンク２３の底部には、排出口（図示省略）が形成されている。第１回収タンク２３に貯留された処理液を第１回収タンク２３から廃棄する場合は、この排出口を開いて、第１回収タンク２３から処理液を排出する。
【００２４】
第１回収タンク２３の側面下部には、第２配管２９の上流側の一端が接続されている。第２配管２９の下流側には第２回収タンク３１が接続されている。この第２配管２９の途中には、本発明の駆動ポンプに相当する駆動ポンプ３２が設けられており、制御部５５からの制御により駆動ポンプ３２が駆動すると、第１回収タンク２３に貯留された処理液は、第２配管２９を介して第２回収タンク３１に供給される。なお、第２回収タンク３１は本発明の第２回収部に相当する。
【００２５】
この第２回収タンク３１の底部には、第１回収タンク２３と同様、排出口（図示省略）が形成されている。第２回収タンク３１に貯留された処理液を第２回収タンク３１から廃棄する場合は、この排出口を開いて、第２回収タンク３１から処理液を排出する。
【００２６】
第２回収タンク３１の側面下部には、第３配管３３の上流側の一端が接続されている。第３配管３３の下流側は、基板処理部１の供給ノズル９に接続されている。基板処理部１の排出口１３、排出管１５、第１配管１９、第１回収タンク２３、第２配管２９、第２回収タンク３１及び第３配管３３は、処理液を再利用するために、基板処理部１から一旦排出された処理液を再び基板処理部１へ供給させる循環経路を構成している。
【００２７】
第３配管３３の途中には、上流側からヒータ３５、温度センサ３７、及び駆動ポンプ３９が順に設けられている。ヒータ３５は、第３配管３３を流れる処理液を加熱するものである。温度センサ３７は、ヒータ３５で加熱させられた処理液の温度を測定するものである。制御部５５からの制御により、駆動ポンプ３９が駆動すると、第２回収タンク３１に貯留された処理液は、第３配管３３を介して供給ノズル９側へ供給される。なお、このヒータ３５は、本発明の加熱機構に相当する。
【００２８】
第３配管３３において駆動ポンプ３９の下流側の部位４５に、第１分岐管４１の上流側の一端が接続されている。一方、第１分岐管４１の下流側は第２回収タンク３１に接続されている。この第１分岐管４１の途中には、開閉弁４３が設けられている。制御部５５からの制御により開閉弁４３を開にすると、第２回収タンク３１から第３配管３３へ一旦排出された処理液が、ヒータ３５で加熱され、第３配管３３及び第１分岐管４１を介して第２回収タンク３１へ供給される。なお、開閉弁４３は、本発明の第２開閉弁に相当する。
【００２９】
第３配管３３において第１分岐管４１が接続されている部位４５よりも下流側の位置の部位５１に、第２分岐管４７の上流側の一端が接続されている。第２分岐管４７の下流側は第１回収タンク２３に接続されている。この第２分岐管４７の途中には、開閉弁４９が設けられている。制御部５５からの制御により、開閉弁４９を開にすると、第３配管３３を流れている処理液が、第２分岐管４７を介して第１回収タンク２３に回収される。なお、開閉弁４９は、本発明の第３開閉弁に相当する。
【００３０】
第３配管３３において第２分岐管４７が接続されている部位５１よりも下流側に、開閉弁５３が設けられている。制御部５５からの制御により、開閉弁５３を開にすると、第２回収タンク３１に貯留している処理液が、第３配管３３を介して供給ノズル９へ供給され、基板処理部１において、ウエハの洗浄等の処理が行われる。
【００３１】
図２は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の制御系を示すブロック図である。制御部５５は、モータ７、開閉弁２１、開閉弁２５、レベルセンサ２７、駆動ポンプ３２、ヒータ３５、温度センサ３７、駆動ポンプ３９、開閉弁４３、開閉弁４９、及び開閉弁５３と接続されており、各駆動系の動作を制御する。なお、制御部５５は、本発明の制御手段に相当する。
【００３２】
なお、制御部５５は、開閉弁２１を開くときには、開閉弁２５を閉にし、開閉弁２１を閉にするときには、開閉弁２５を開とするように、開閉弁２１と開閉弁２５とに連動性を持たせて制御している。また、制御部５５は、開閉弁２５を開くときには、開閉弁４９も開くように、開閉弁２５と開閉弁４９とに連動性を持たせて制御している。また、制御部５５は、レベルセンサ２７が最大基準値Ｂ以上を検出した場合、開閉弁４９を閉にするというように、レベルセンサ２７と開閉弁４９とに連動性を持たせて制御している。また、制御部５５は、レベルセンサ２７が最小基準値Ａ以上を検出した場合、駆動ポンプ３２を駆動するというように、レベルセンサ２７と駆動ポンプ３２とに連動性を持たせて制御している。さらに、制御部５５は、開閉弁４３が開くときには、開閉弁５３を閉にし、開閉弁４３を閉じるときには、開閉弁５３を開とするように、開閉弁４３と開閉弁５３とに連動性を持たせて制御している。
【００３３】
次に、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の処理動作について説明する。図３は、本発明の実施形態に係る基板処理装置の処理動作を示すフローチャートである。なお、この処理動作は、再利用される処理液の流れに基づいている。
【００３４】
まず、基板処理部１において、ウエハＷの洗浄、エッチング等の処理の終了後、この処理で使用された処理液が排出口１３から排出される（ステップＳ１）。排出口１３から排出された処理液は、排出口１３から排出管１５へ流れていく。次に、制御部５５は、処理液を廃棄するか、再利用するかのいずれかを判断する（ステップＳ２）。ステップＳ２において、処理液を廃棄する（再利用しない）と判断された場合、制御部５５は開閉弁２１を開き、開閉弁２５を閉に制御する（ステップＳ３）。開閉弁２１が開かれると、基板処理部１にある処理液は、排出口１３、排出管１５及び廃液管１７を介して基板処理装置外に排出されて、廃液処理が終了する。
【００３５】
一方、ステップＳ２において、処理液を再利用すると判断された場合、制御部５５は、開閉弁２１を閉じ、開閉弁２５を開にする（ステップＳ４）。制御部５５により、開閉弁２５が開かれると、基板処理部１にある処理液は、排出口１３、排出管１５及び第１配管１９を介して、第１回収タンク２３に一旦回収される。なお、制御部５５は、開閉弁２５を開にするのに連動させて、開閉弁４９も開にする。
【００３６】
次に、第１回収タンク２３に貯留される処理液の液面が、レベルセンサ２７の最小基準値Ａに達しているか否かを判断する（ステップＳ５）。ステップＳ５において、第１回収タンク２３における処理液の液面レベルが、レベルセンサ２７の最小基準値Ａに達していると判断された場合には、このレベルセンサ２７による検出に連動させて、制御部５５は、駆動ポンプ３２を作動させる（ステップＳ６）。駆動ポンプ３２が作動すると、第１回収タンク２３に貯留された処理液は、第２配管２９を介して第２回収タンク３１に供給され、第２回収タンク３１に処理液が貯留されていく。
【００３７】
次に、制御部５５は、開閉弁４３及び開閉弁４９を開にし、開閉弁５３を閉にした状態で、ヒータ３５及び駆動ポンプ３９をＯＮにする（ステップＳ７）。駆動ポンプ３９の駆動により、第２回収タンク３１に貯留された処理液は、第３配管３３及び第１分岐管４１を介して再び第２回収タンク３１へ供給されるように循環され、ヒータ３５の加熱により、第３配管３３を流れる処理液は加熱される。このとき、開閉弁４９は開で、開閉弁５３
は閉であるので、ヒータ３５により加熱された処理液は、第３配管３３から第２分岐管４７に流れて、第１回収タンク２３にも供給される。
【００３８】
第２回収タンク３１、第３配管３３及び第１分岐管４１で形成される循環経路において処理液が循環されている間に、温度センサ３７は処理液が所定の温度になったか否かを判断する（ステップＳ８）。ステップＳ８において、処理液が所定の温度に到達したと判断されると、制御部５５は、基板処理部１においてウエハＷを処理液により処理すべきか否かを判断する（ステップＳ９）。ステップＳ９において、ウエハＷを処理液により処理すべきと判断された場合、制御部５５は、開閉弁５３を開にし、開閉弁４３を閉にする（ステップＳ１０）。開閉弁５３が開の状態になると、供給ノズル９は、第２回収タンク３１に貯留されていた処理液を保持機構３に保持されたウエハＷの表面に供給する。これにより、所定の時間処理液によりウエハＷに対する洗浄等の処理が行われる（ステップＳ１１）。
【００３９】
ステップＳ１０において、制御部５５は、開閉弁４３を閉にしているので、第２回収タンク３１に貯留された処理液は、第３配管３３及び第１分岐管４１を介して再び第２回収タンク３１へ供給されるような処理液の循環は停止される。また、開閉弁４９は開の状態であるので、ステップＳ７以降において、ヒータ３５により加熱された処理液は、第３配管３３から第２分岐管４７に流れて、第１回収タンク２３に供給され続けている。なお、第１回収タンク２３に貯留される処理液の液面が、レベルセンサ２７の最大基準値Ｂに達した場合、制御部５５は、開閉弁４９を閉にする。
【００４０】
ウエハＷの処理が終了すると、制御部５５は、開閉弁５３を閉にし、開閉弁４３を開にする（ステップＳ１２）。続いて、これまでの上述した工程において稼動していた各機構が停止する。具体的には、制御部５５により、駆動ポンプ３２、ヒータ３５及び駆動ポンプ３９のそれぞれをＯＦＦにする（ステップＳ１３）。続いて、上述したステップＳ３へ移行する。開閉弁２１が開かれると、基板処理部１にある処理液は、排出管１５及び廃液管１７を介して基板処理装置外に排出されて、廃液処理は終了する。ウエハＷに対する処理液による処理が終了した後に、純水によりウエハＷの処理が行われるが、再利用される処理液の流れに関する一連の処理動作は終了する。
【００４１】
この発明の実施の形態においては、第３配管３３において第１分岐管４１が接続されている部位４５よりも下流側の位置の部位５１に、第２分岐管４７の上流側の一端が接続されており、第２分岐管４７の下流側は第１回収タンク２３に接続されている。そして、制御部５５が、開閉弁４３及び開閉弁４９を開にし、開閉弁５３を閉にした状態で、ヒータ３５及び駆動ポンプ３９をＯＮにするというステップＳ７以降において、ヒータ３５により加熱された処理液は、第３配管３３から第２分岐管４７に流れて、第１回収タンク２３に供給され続ける。これにより、加熱された処理液により第１回収タンク２３に貯留された処理液が温められるので、処理液の粘性が高くなることもなく、第１回収タンク２３において処理液が滞留することもなく、処理液に不要物が析出することが抑制される。その結果、循環経路を用いて処理液を再利用する際において、基板処理部１において不要物が原因で発生する基板の処理不良の防止できる。
【００４２】
第３配管３３において第２分岐管４７の上流側の一端が接続されており、第２分岐管４７の下流側は第１回収タンク２３に接続させているだけなので、簡易な構成で、基板の処理不良の防止を実現できる。
【００４３】
また、この発明の実施の形態においては、第１回収タンク２３に貯留される処理液の液面レベルが、レベルセンサ２７の最大基準値Ｂに達した場合、制御部５５は、開閉弁４９を閉にするように制御しているので、第１回収タンク２３に処理液が溢れるようなことは
なく、第１回収タンク２３に貯留される処理液の液量を適正に調整できる。
【００４４】
また、この発明の実施の形態においては、第１回収タンク２３における処理液の液面レベルが、レベルセンサ２７の最小基準値Ａに達すると、このレベルセンサ２７による検出に連動させて、制御部５５は、駆動ポンプ３２を作動させているので、第１回収タンク２３から第２回収タンク３１への処理液の供給をスムーズに行うことができる。さらに、制御部５５によるレベルセンサ２７の最小基準値Ａと駆動ポンプ３２との連動性を持たせた制御により、第１回収タンク２３に貯留される処理液の液量を適正に調整できる。
【００４５】
また、この発明の実施の形態においては、制御部５５は、開閉弁２５を開にするのと連動させて、開閉弁４９も開にしているので、循環経路を用いて処理液を再利用する際には、常時加熱された処理液を第３配管３３から第２分岐管４７に流して、第１回収タンク２３に供給させることが可能となる。
【００４６】
この発明の実施形態の説明は以上であるが、この発明は、上述の実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。この実施形態では、基板処理部１においてウエハＷを１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置で説明したが、処理槽に貯留された処理液に複数の基板を浸漬させて処理するバッチ式の基板洗浄装置にも適用することができる。
【００４７】
また、この実施形態では、検出手段としてのレベルセンサ２７を１つのセンサで説明したが、複数のレベルセンサを設け、それぞれのレベルセンサに対応させる形式で、最大基準値、最小基準値を設定するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００４８】
１ 基板処理部
９ 供給ノズル
１６ 部位
１５ 排出管
１９ 第１配管
２３ 第１回収タンク
２５ 開閉弁
２７ レベルセンサ
２９ 第２配管
３１ 第２回収タンク
３３ 第３配管
３５ ヒータ
３７ 温度センサ
４１ 第１分岐管
４３ 開閉弁
４５ 部位
４７ 第２分岐管
４９ 開閉弁
５１ 部位
５３ 開閉弁
Ｗ ウエハ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薬液、純水等の処理液により、洗浄、エッチング等の処理を基板に行うための基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ
Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用ガラス基板等が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板等の基板に対して処理液や処理ガスなどの処理流体を用いた洗浄、エッチング等の処理が行われる。このような処理のために、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が用いられることがある。枚葉式の基板処理装置は、処理室内に、基板を保持する基板保持機構と、基板の表面に処理液を供給するためのノズルと、基板保持部材及びノズルを収容するカップとを備えている。
【０００３】
この枚葉式の基板処理装置では、ノズルからの処理流体が基板の表面に供給されることにより、基板の表面に対しての処理が行われる。処理液を含む雰囲気がカップ外に漏れ出ることを防止するために、カップの底壁には、カップ内の雰囲気を排気するための排気孔が形成されている。また、基板の表面の処理に使用された処理液を再利用する構成が、各種提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
特許文献１に記載されているウエハ洗浄装置は、ウエハを処理する処理部と、この処理部においてウエハにアンモニア過水（ＡＰＭ）等の薬液を供給する供給ノズルと、処理部で使用された薬液を回収する回収回路と、回収回路を介して回収された薬液を一旦貯留する副貯留タンクと、副貯留タンクに貯留された薬液を副貯留タンクから排出する接続回路と、接続回路を介して副貯留タンクから排出された薬液を貯留する主貯留タンクと、主貯留タンクに貯留されている薬液を供給ノズルに供給する供給回路とを備えている。このウエハ洗浄装置では、供給ノズルと、回収回路と、副貯留タンクと、接続回路と、主貯留タンクと、供給回路とにより、薬液を再利用するための循環経路が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２１８６１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述した従来のウエハ洗浄装置では、処理部で使用され、かつ再利用される薬液は副貯留タンクに一旦回収される。副貯留タンクに回収された薬液は何の処理も施されることもなく、接続回路を介して副貯留タンクから主貯留タンクへ薬液が供給される。このとき、副貯留タンクにおいて薬液の温度が下がってしまうと、薬液の種類によっては、薬液の粘性が高くなり副貯留タンクに薬液が滞留してしまうものがある。この薬液の温度低下及び副貯留タンクでの滞留により、薬液から不要物が析出されることがある。
【０００７】
従来のウエハ洗浄装置では、接続回路にヒータを設けたり、主貯留タンクに付設された小さな循環回路にヒータを設けて、薬液を処理部で使用する温度に上昇させている。しかしながら、副貯留タンクにおいて一旦薬液に不要物が析出すると、その後の工程で薬液を加熱したとしても、薬液中に不要物が析出した状態のままであり、不要物を含む薬液が供
給ノズルからウエハへ供給されてしまう。このような不要物を含む薬液でウエハを処理すると、その不要物が原因で、意図する処理がウエハに行われなくなり処理不良が生じてしまう。
【０００８】
なお、副貯留タンクそのものに、あるいは副貯留タンクの周囲にヒータ等の加熱機構を別途設けて、副貯留タンクに貯留された薬液を常時加熱することも考えられるが、加熱機構の設置は、基板処理装置として高価になってしまう恐れがある。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、処理液の再利用にともなって処理液に析出する不純物の発生を抑制し、基板の処理不良を防止できる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した目的を達成するための請求項１に記載の発明は、基板に処理液を供給して処理を行う基板処理装置において、基板に処理液を供給する供給機構を有し、前記供給機構から供給された処理液により基板を処理する基板処理部と、前記基板処理部で処理された処理液を回収する第１回収部と、前記基板処理部で処理された処理液を前記第１回収部へ供給するための第１配管と、一端側が前記第１回収部に接続され、前記第１回収部にある処理液を前記第１回収部から排出するための第２配管と、前記第２配管を介して排出された処理液を回収する第２回収部と、前記第２回収部から排出された処理液を前記基板処理部の前記供給機構へ供給するための第３配管と、前記第３配管に設けられ、前記第３配管を流れる処理液を加熱する加熱機構と、前記第３配管の前記加熱機構より下流側に接続され、前記第３配管を流れる処理液を前記第２回収部へ供給する第１分岐管と、前記第３配管の前記第１分岐管が接続されている位置より下流側に接続され、前記第３配管を流れる処理液を前記第１回収部へ供給する第２分岐管と、前記第３配管の前記第２分岐管が接続されている位置より下流側に設けられた第１開閉弁と、前記第１分岐管に設けられた第２開閉弁と、前記第１開閉弁及び前記第２開閉弁の開閉動作を制御する制御手段とを備えることを特徴とするものである。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記第２分岐管に設けられた第３開閉弁と、前記第１回収部の液面レベルを検出する検出手段とをさらに備え、前記検出手段が最大基準値以上を検出した場合、前記制御手段は、前記第３開閉弁を閉にすることを特徴とするものである。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の基板処理装置において、前記第２配管に設けられ、前記第２配管を通して前記第１回収部から前記第２回収部へ処理液を供給させる駆動ポンプをさらに備え、前記検出手段が最小基準値以上を検出した場合、前記制御手段は、前記駆動ポンプを作動させることを特徴とするものである。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、請求項２または請求項３に記載の基板処理装置において、前記第１配管に設けられた第４開閉弁をさらに備え、前記第４開閉弁が開になり、かつ前記検出手段が最大基準値以上を検出していない場合、前記制御手段は、前記第３開閉弁を開にすることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る基板処理装置によれば、第３配管の前記第１分岐管が接続されている位置より下流側に接続され、第３配管を流れる処理液を第１回収部へ供給する第２分岐管を設けているので、加熱機構で加熱された処理液が第１回収部へ供給される。その結果、本発明に係る基板処理装置では、第１回収部において処理液が滞留して処理液から不要物が析出されることが抑制され、処理液を再利用する際において、基板処理部において基板の処理不良の発生を防止できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の構成を概念的に示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の制御系を示すブロック図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の一連の処理動作を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。
【００１７】
この基板処理装置は、基板の一種であるウエハＷに洗浄、エッチング、乾燥等の所定の処理を行う基板処理部１を備えている。基板処理部１は、ウエハＷを１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置である。
【００１８】
この基板処理部１は、水平姿勢のウエハＷを保持する保持機構３を備えている。この保持機構３でのウエハＷの保持は、ウエハＷの端部の複数個所を保持するメカニカルチャックである。この保持機構３の下側には回転軸５の一端側が接続されている。回転軸５の他端側にはモータ７が接続されている。このモータ７を駆動させることにより、保持機構３に保持された水平姿勢のウエハＷが所定の回転数で回転する。
【００１９】
保持機構３に保持されたウエハＷの上方には、ウエハＷの表面に処理液を供給する供給ノズル９が設けられている。なお、この供給ノズル９は、本発明の供給機構に相当する。保持機構３に保持されたウエハＷの周囲には、円筒状の回収カップ１１が配置されている。供給ノズル９からウエハＷの表面に供給された処理液は、ウエハＷの回転にともなって周囲に飛散し、回収カップ１１で回収される。基板処理部１の底部には排出口１３が設けられており、回収カップ１１で回収された処理液は、排出口１３から基板処理部１外へ排出される。なお、この実施の形態で使用する処理液としては、処理液の温度が低下した際に、粘性が高くなるものが考えられ、例えば、ＳＴ２５０（ＡＴＭＩ社製）、リン酸（Ｈ３ＰＯ４）等がある。
【００２０】
排出口１３には、排出管１５の上流側の一端が接続されている。この排出管１５は下流側の部位１６において、２つの配管すなわち、廃棄管１７と第１配管１９とが接続されている。廃液管１７の途中には、開閉弁２１が設けられている。
【００２１】
第１配管１９の上流側は、部位１６において排出管１５に接続されており、下流側は第１回収タンク２３に接続されている。第１配管１９の途中には、本発明の第４開閉弁に相当する開閉弁２５が設けられている。開閉弁２１と開閉弁２５は、制御部５５（図２参照）により、それぞれ開閉動作の切り替えが可能である。開閉弁２１を開にし、開閉弁２５を閉にすると、基板処理部１にある処理液は、排出口１３、排出管１５、部位１６及び廃液管１７を介して基板処理装置外に排出される。一方、開閉弁２５を開にし、開閉弁２１を閉にすると、基板処理部１にある処理液は、排出口１３、排出管１５及び第１配管１９を介して第１回収タンク２３に回収される。なお、第１回収タンク２３は、本発明の第１回収部に相当する。
【００２２】
第１回収タンク２３の側面には、第１回収タンク２３に回収された処理液の液面レベルを検出するレベルセンサ２７が設けられている。このレベルセンサ２７には、最小基準値Ａと最大基準値Ｂとが表示されている。最小基準値Ａは、制御部５５が、駆動ポンプ３２（後述）の駆動を制御する基準液面であり、最大基準値Ｂは、開閉弁４９の開閉を制御す
る基準液面である。図１に示すように、最大基準値Ｂは、最小基準値Ａより高く設定されている。なお、このレベルセンサ２７は、本発明の検出手段に相当する。
【００２３】
この第１回収タンク２３の底部には、排出口（図示省略）が形成されている。第１回収タンク２３に貯留された処理液を第１回収タンク２３から廃棄する場合は、この排出口を開いて、第１回収タンク２３から処理液を排出する。
【００２４】
第１回収タンク２３の側面下部には、第２配管２９の上流側の一端が接続されている。第２配管２９の下流側には第２回収タンク３１が接続されている。この第２配管２９の途中には、本発明の駆動ポンプに相当する駆動ポンプ３２が設けられており、制御部５５からの制御により駆動ポンプ３２が駆動すると、第１回収タンク２３に貯留された処理液は、第２配管２９を介して第２回収タンク３１に供給される。なお、第２回収タンク３１は本発明の第２回収部に相当する。
【００２５】
この第２回収タンク３１の底部には、第１回収タンク２３と同様、排出口（図示省略）が形成されている。第２回収タンク３１に貯留された処理液を第２回収タンク３１から廃棄する場合は、この排出口を開いて、第２回収タンク３１から処理液を排出する。
【００２６】
第２回収タンク３１の側面下部には、第３配管３３の上流側の一端が接続されている。第３配管３３の下流側は、基板処理部１の供給ノズル９に接続されている。基板処理部１の排出口１３、排出管１５、第１配管１９、第１回収タンク２３、第２配管２９、第２回収タンク３１及び第３配管３３は、処理液を再利用するために、基板処理部１から一旦排出された処理液を再び基板処理部１へ供給させる循環経路を構成している。
【００２７】
第３配管３３の途中には、上流側からヒータ３５、温度センサ３７、及び駆動ポンプ３９が順に設けられている。ヒータ３５は、第３配管３３を流れる処理液を加熱するものである。温度センサ３７は、ヒータ３５で加熱させられた処理液の温度を測定するものである。制御部５５からの制御により、駆動ポンプ３９が駆動すると、第２回収タンク３１に貯留された処理液は、第３配管３３を介して供給ノズル９側へ供給される。なお、このヒータ３５は、本発明の加熱機構に相当する。
【００２８】
第３配管３３において駆動ポンプ３９の下流側の部位４５に、第１分岐管４１の上流側の一端が接続されている。一方、第１分岐管４１の下流側は第２回収タンク３１に接続されている。この第１分岐管４１の途中には、開閉弁４３が設けられている。制御部５５からの制御により開閉弁４３を開にすると、第２回収タンク３１から第３配管３３へ一旦排出された処理液が、ヒータ３５で加熱され、第３配管３３及び第１分岐管４１を介して第２回収タンク３１へ供給される。なお、開閉弁４３は、本発明の第２開閉弁に相当する。
【００２９】
第３配管３３において第１分岐管４１が接続されている部位４５よりも下流側の位置の部位５１に、第２分岐管４７の上流側の一端が接続されている。第２分岐管４７の下流側は第１回収タンク２３に接続されている。この第２分岐管４７の途中には、開閉弁４９が設けられている。制御部５５からの制御により、開閉弁４９を開にすると、第３配管３３を流れている処理液が、第２分岐管４７を介して第１回収タンク２３に回収される。なお、開閉弁４９は、本発明の第３開閉弁に相当する。
【００３０】
第３配管３３において第２分岐管４７が接続されている部位５１よりも下流側に、開閉弁５３が設けられている。制御部５５からの制御により、開閉弁５３を開にすると、第２回収タンク３１に貯留している処理液が、第３配管３３を介して供給ノズル９へ供給され、基板処理部１において、ウエハの洗浄等の処理が行われる。
【００３１】
図２は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の制御系を示すブロック図である。制御部５５は、モータ７、開閉弁２１、開閉弁２５、レベルセンサ２７、駆動ポンプ３２、ヒータ３５、温度センサ３７、駆動ポンプ３９、開閉弁４３、開閉弁４９、及び開閉弁５３と接続されており、各駆動系の動作を制御する。なお、制御部５５は、本発明の制御手段に相当する。
【００３２】
なお、制御部５５は、開閉弁２１を開くときには、開閉弁２５を閉にし、開閉弁２１を閉にするときには、開閉弁２５を開とするように、開閉弁２１と開閉弁２５とに連動性を持たせて制御している。また、制御部５５は、開閉弁２５を開くときには、開閉弁４９も開くように、開閉弁２５と開閉弁４９とに連動性を持たせて制御している。また、制御部５５は、レベルセンサ２７が最大基準値Ｂ以上を検出した場合、開閉弁４９を閉にするというように、レベルセンサ２７と開閉弁４９とに連動性を持たせて制御している。また、制御部５５は、レベルセンサ２７が最小基準値Ａ以上を検出した場合、駆動ポンプ３２を駆動するというように、レベルセンサ２７と駆動ポンプ３２とに連動性を持たせて制御している。さらに、制御部５５は、開閉弁４３が開くときには、開閉弁５３を閉にし、開閉弁４３を閉じるときには、開閉弁５３を開とするように、開閉弁４３と開閉弁５３とに連動性を持たせて制御している。
【００３３】
次に、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の処理動作について説明する。図３は、本発明の実施形態に係る基板処理装置の処理動作を示すフローチャートである。なお、この処理動作は、再利用される処理液の流れに基づいている。
【００３４】
まず、基板処理部１において、ウエハＷの洗浄、エッチング等の処理の終了後、この処理で使用された処理液が排出口１３から排出される（ステップＳ１）。排出口１３から排出された処理液は、排出口１３から排出管１５へ流れていく。次に、制御部５５は、処理液を廃棄するか、再利用するかのいずれかを判断する（ステップＳ２）。ステップＳ２において、処理液を廃棄する（再利用しない）と判断された場合、制御部５５は開閉弁２１を開き、開閉弁２５を閉に制御する（ステップＳ３）。開閉弁２１が開かれると、基板処理部１にある処理液は、排出口１３、排出管１５及び廃液管１７を介して基板処理装置外に排出されて、廃液処理が終了する。
【００３５】
一方、ステップＳ２において、処理液を再利用すると判断された場合、制御部５５は、開閉弁２１を閉じ、開閉弁２５を開にする（ステップＳ４）。制御部５５により、開閉弁２５が開かれると、基板処理部１にある処理液は、排出口１３、排出管１５及び第１配管１９を介して、第１回収タンク２３に一旦回収される。なお、制御部５５は、開閉弁２５を開にするのに連動させて、開閉弁４９も開にする。
【００３６】
次に、第１回収タンク２３に貯留される処理液の液面が、レベルセンサ２７の最小基準値Ａに達しているか否かを判断する（ステップＳ５）。ステップＳ５において、第１回収タンク２３における処理液の液面レベルが、レベルセンサ２７の最小基準値Ａに達していると判断された場合には、このレベルセンサ２７による検出に連動させて、制御部５５は、駆動ポンプ３２を作動させる（ステップＳ６）。駆動ポンプ３２が作動すると、第１回収タンク２３に貯留された処理液は、第２配管２９を介して第２回収タンク３１に供給され、第２回収タンク３１に処理液が貯留されていく。
【００３７】
次に、制御部５５は、開閉弁４３及び開閉弁４９を開にし、開閉弁５３を閉にした状態で、ヒータ３５及び駆動ポンプ３９をＯＮにする（ステップＳ７）。駆動ポンプ３９の駆動により、第２回収タンク３１に貯留された処理液は、第３配管３３及び第１分岐管４１を介して再び第２回収タンク３１へ供給されるように循環され、ヒータ３５の加熱により、第３配管３３を流れる処理液は加熱される。このとき、開閉弁４９は開で、開閉弁５３
は閉であるので、ヒータ３５により加熱された処理液は、第３配管３３から第２分岐管４７に流れて、第１回収タンク２３にも供給される。
【００３８】
第２回収タンク３１、第３配管３３及び第１分岐管４１で形成される循環経路において処理液が循環されている間に、温度センサ３７は処理液が所定の温度になったか否かを判断する（ステップＳ８）。ステップＳ８において、処理液が所定の温度に到達したと判断されると、制御部５５は、基板処理部１においてウエハＷを処理液により処理すべきか否かを判断する（ステップＳ９）。ステップＳ９において、ウエハＷを処理液により処理すべきと判断された場合、制御部５５は、開閉弁５３を開にし、開閉弁４３を閉にする（ステップＳ１０）。開閉弁５３が開の状態になると、供給ノズル９は、第２回収タンク３１に貯留されていた処理液を保持機構３に保持されたウエハＷの表面に供給する。これにより、所定の時間処理液によりウエハＷに対する洗浄等の処理が行われる（ステップＳ１１）。
【００３９】
ステップＳ１０において、制御部５５は、開閉弁４３を閉にしているので、第２回収タンク３１に貯留された処理液は、第３配管３３及び第１分岐管４１を介して再び第２回収タンク３１へ供給されるような処理液の循環は停止される。また、開閉弁４９は開の状態であるので、ステップＳ７以降において、ヒータ３５により加熱された処理液は、第３配管３３から第２分岐管４７に流れて、第１回収タンク２３に供給され続けている。なお、第１回収タンク２３に貯留される処理液の液面が、レベルセンサ２７の最大基準値Ｂに達した場合、制御部５５は、開閉弁４９を閉にする。
【００４０】
ウエハＷの処理が終了すると、制御部５５は、開閉弁５３を閉にし、開閉弁４３を開にする（ステップＳ１２）。続いて、これまでの上述した工程において稼動していた各機構が停止する。具体的には、制御部５５により、駆動ポンプ３２、ヒータ３５及び駆動ポンプ３９のそれぞれをＯＦＦにする（ステップＳ１３）。続いて、上述したステップＳ３へ移行する。開閉弁２１が開かれると、基板処理部１にある処理液は、排出管１５及び廃液管１７を介して基板処理装置外に排出されて、廃液処理は終了する。ウエハＷに対する処理液による処理が終了した後に、純水によりウエハＷの処理が行われるが、再利用される処理液の流れに関する一連の処理動作は終了する。
【００４１】
この発明の実施の形態においては、第３配管３３において第１分岐管４１が接続されている部位４５よりも下流側の位置の部位５１に、第２分岐管４７の上流側の一端が接続されており、第２分岐管４７の下流側は第１回収タンク２３に接続されている。そして、制御部５５が、開閉弁４３及び開閉弁４９を開にし、開閉弁５３を閉にした状態で、ヒータ３５及び駆動ポンプ３９をＯＮにするというステップＳ７以降において、ヒータ３５により加熱された処理液は、第３配管３３から第２分岐管４７に流れて、第１回収タンク２３に供給され続ける。これにより、加熱された処理液により第１回収タンク２３に貯留された処理液が温められるので、処理液の粘性が高くなることもなく、第１回収タンク２３において処理液が滞留することもなく、処理液に不要物が析出することが抑制される。その結果、循環経路を用いて処理液を再利用する際において、基板処理部１において不要物が原因で発生する基板の処理不良の防止できる。
【００４２】
第３配管３３において第２分岐管４７の上流側の一端が接続されており、第２分岐管４７の下流側は第１回収タンク２３に接続させているだけなので、簡易な構成で、基板の処理不良の防止を実現できる。
【００４３】
また、この発明の実施の形態においては、第１回収タンク２３に貯留される処理液の液面レベルが、レベルセンサ２７の最大基準値Ｂに達した場合、制御部５５は、開閉弁４９を閉にするように制御しているので、第１回収タンク２３に処理液が溢れるようなことは
なく、第１回収タンク２３に貯留される処理液の液量を適正に調整できる。
【００４４】
また、この発明の実施の形態においては、第１回収タンク２３における処理液の液面レベルが、レベルセンサ２７の最小基準値Ａに達すると、このレベルセンサ２７による検出に連動させて、制御部５５は、駆動ポンプ３２を作動させているので、第１回収タンク２３から第２回収タンク３１への処理液の供給をスムーズに行うことができる。さらに、制御部５５によるレベルセンサ２７の最小基準値Ａと駆動ポンプ３２との連動性を持たせた制御により、第１回収タンク２３に貯留される処理液の液量を適正に調整できる。
【００４５】
また、この発明の実施の形態においては、制御部５５は、開閉弁２５を開にするのと連動させて、開閉弁４９も開にしているので、循環経路を用いて処理液を再利用する際には、常時加熱された処理液を第３配管３３から第２分岐管４７に流して、第１回収タンク２３に供給させることが可能となる。
【００４６】
この発明の実施形態の説明は以上であるが、この発明は、上述の実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。この実施形態では、基板処理部１においてウエハＷを１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置で説明したが、処理槽に貯留された処理液に複数の基板を浸漬させて処理するバッチ式の基板洗浄装置にも適用することができる。
【００４７】
また、この実施形態では、検出手段としてのレベルセンサ２７を１つのセンサで説明したが、複数のレベルセンサを設け、それぞれのレベルセンサに対応させる形式で、最大基準値、最小基準値を設定するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００４８】
１ 基板処理部
９ 供給ノズル
１６ 部位
１５ 排出管
１９ 第１配管
２３ 第１回収タンク
２５ 開閉弁
２７ レベルセンサ
２９ 第２配管
３１ 第２回収タンク
３３ 第３配管
３５ ヒータ
３７ 温度センサ
４１ 第１分岐管
４３ 開閉弁
４５ 部位
４７ 第２分岐管
４９ 開閉弁
５１ 部位
５３ 開閉弁
Ｗ ウエハ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理液を供給して処理を行う基板処理装置において、
基板に処理液を供給する供給機構を有し、前記供給機構から供給された処理液により基板を処理する基板処理部と、
前記基板処理部で処理された処理液を回収する第１回収部と
前記基板処理部で処理された処理液を前記第１回収部へ供給するための第１配管と
一端側が前記第１回収部に接続され、前記第１回収部にある処理液を前記第１回収部から排出するための第２配管と、
前記第２配管を介して排出された処理液を回収する第２回収部と
前記第２回収部から排出された処理液を前記基板処理部の前記供給機構へ供給するための第３配管と、
前記第３配管に設けられ、前記第３配管を流れる処理液を加熱する加熱機構と、
前記第３配管の前記加熱機構より下流側に接続され、前記第３配管を流れる処理液を前記第２回収部へ供給する第１分岐管と、
前記第３配管の前記第１分岐管が接続されている位置より下流側に接続され、前記第３配管を流れる処理液を前記第１回収部へ供給する第２分岐管と、
前記第３配管の前記第２分岐管が接続されている位置より下流側に設けられた第１開閉弁と、
前記第１分岐管に設けられた第２開閉弁と、
前記第１開閉弁及び前記第２開閉弁の開閉動作を制御する制御手段とを備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記第２分岐管に設けられた第３開閉弁と、
前記第１回収部の液面レベルを検出する検出手段とをさらに備え、
前記検出手段が最大基準値以上を検出した場合、前記制御手段は、前記第３開閉弁を閉にすることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置において、
前記第２配管に設けられ、前記第２配管を通して前記第１回収部から前記第２回収部へ処理液を供給させる駆動ポンプをさらに備え、
前記検出手段が最小基準値以上を検出した場合、前記制御手段は、前記駆動ポンプを作動させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の基板処理装置において、
前記第１配管に設けられた第４開閉弁をさらに備え、
前記第４開閉弁が開になり、かつ前記検出手段が最大基準値以上を検出していない場合、前記制御手段は、前記第３開閉弁を開にすることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１】
基板に処理液を供給して処理を行う基板処理装置において、
基板に処理液を供給する供給機構を有し、前記供給機構から供給された処理液により基板を処理する基板処理部と、
前記基板処理部で処理された処理液を回収する第１回収部と
前記基板処理部で処理された処理液を前記第１回収部へ供給するための第１配管と
一端側が前記第１回収部に接続され、前記第１回収部にある処理液を前記第１回収部から排出するための第２配管と、
前記第２配管を介して排出された処理液を回収する第２回収部と
前記第２回収部から排出された処理液を前記基板処理部の前記供給機構へ供給するための第３配管と、
前記第３配管に設けられ、前記第３配管を流れる処理液を加熱する加熱機構と、
前記第３配管の前記加熱機構より下流側に接続され、前記第３配管を流れる処理液を前記第２回収部へ供給する第１分岐管と、
前記第３配管の前記第１分岐管が接続されている位置より下流側に接続され、前記第３配管を流れる処理液を前記第１回収部へ供給する第２分岐管と、
前記第３配管の前記第２分岐管が接続されている位置より下流側に設けられた第１開閉弁と、
前記第１分岐管に設けられた第２開閉弁と、
前記第１開閉弁及び前記第２開閉弁の開閉動作を制御する制御手段とを備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記第２分岐管に設けられた第３開閉弁と、
前記第１回収部の液面レベルを検出する検出手段とをさらに備え、
前記検出手段が最大基準値以上を検出した場合、前記制御手段は、前記第３開閉弁を閉にすることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置において、
前記第２配管に設けられ、前記第２配管を通して前記第１回収部から前記第２回収部へ処理液を供給させる駆動ポンプをさらに備え、
前記検出手段が最小基準値以上を検出した場合、前記制御手段は、前記駆動ポンプを作動させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の基板処理装置において、
前記第１配管に設けられた第４開閉弁をさらに備え、
前記第４開閉弁が開になり、かつ前記検出手段が最大基準値以上を検出していない場合、前記制御手段は、前記第３開閉弁を開にすることを特徴とする基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図２】
【図３】
【公開番号】特開２０１２−２０４７４６（Ｐ２０１２−２０４７４６Ａ）
【公開日】平成２４年１０月２２日（２０１２．１０．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−６９９４３（Ｐ２０１１−６９９４３）
【出願日】平成２３年３月２８日（２０１１．３．２８）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１０月２２日（２０１２．１０．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月２８日（２０１１．３．２８）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
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