基板処理装置
【課題】本発明は、基板処理装置に関する。
【解決手段】本発明の実施例によると、第１外壁で取り囲まれ、処理液を噴射する上部チャンバと、上部チャンバの下部に形成され、第２外壁で取り囲まれており、第２外壁に平行に離隔されるように形成された隔壁を含み、上部チャンバから噴射された処理液を回収する下部チャンバと、上部チャンバと下部チャンバとの間に形成され、基板を進行方向に沿って移送する基板移送部と、を含み、下部チャンバの第２外壁間の幅が上部チャンバの第１外壁間の幅より大きい基板処理装置が提供される。
【解決手段】本発明の実施例によると、第１外壁で取り囲まれ、処理液を噴射する上部チャンバと、上部チャンバの下部に形成され、第２外壁で取り囲まれており、第２外壁に平行に離隔されるように形成された隔壁を含み、上部チャンバから噴射された処理液を回収する下部チャンバと、上部チャンバと下部チャンバとの間に形成され、基板を進行方向に沿って移送する基板移送部と、を含み、下部チャンバの第２外壁間の幅が上部チャンバの第１外壁間の幅より大きい基板処理装置が提供される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を製造するためには、非常に多様な種類の工程が行われる。半導体素子を製造するための多様な種類の工程のうち表面処理工程は、洗浄水、エッチング液または現像液などの処理液を用いて、基板に洗浄（ｃｌｅａｎｉｎｇ）、エッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）、現像（ｄｅｖｅｌｏｐｉｎｇ）またはストリッピング（ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ）を行う工程である。このような処理液を用いる湿式（Ｗｅｔ）設備は、洗浄、エッチング、現像またはストリッピングを行うためのそれぞれのゾーン（Ｚｏｎｅ）で構成され、各ゾーン毎にリンスゾーン（Ｒｉｎｓｅ Ｚｏｎｅ）を備えている（特開２００７−１４０９５３号公報）。各ゾーンで用いられる処理液はスプレー形態に噴射され、噴射された処理液は再度回収されて再使用される。しかし、噴射された処理液が該ゾーンの外部に流出される場合、工程が進むにつれて処理液の損失が発生する。このような処理液の損失を防止するために、従来には、それぞれのゾーンの両側面にバッファゾーンを形成し、それぞれのゾーンから流出する処理液をバッファゾーン（Ｂｕｆｆｅｒ Ｚｏｎｅ）を利用して回収している。また、工程で用いられる処理液の温度が５０℃程度の高温である場合がある。この場合、それぞれのゾーンまたはバッファゾーンを構成するチャンバの厚さが薄いと、チャンバの外形が変形される恐れがある。従って、上記のような工程を行う際に処理液の損失の防止するために、それぞれのゾーン及びバッファゾーンを備え、ゾーン及びバッファゾーンを構成するチャンバの厚さが厚く形成されるため、多くの空間を占めるようになる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、上部隔壁から噴射される処理液が上部チャンバ及び下部チャンバの外部に流出することを防止することができる基板処理装置を提供することをその目的とする。
【０００４】
本発明は、処理液が外壁によって弾かれて外部に流出することを防止し、処理液の回収をより容易にすることができる基板処理装置を提供することをその目的とする。
本発明は、別のバッファゾーンを省略することにより、空間を節約することができる基板処理装置を提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一側面によると、第１外壁で取り囲まれ、処理液を噴射する上部チャンバと、上部チャンバの下部に形成され、第２外壁で取り囲まれており、第２外壁に平行に離隔されるように形成された隔壁を含み、上部チャンバから噴射された処理液を回収する下部チャンバと、上部チャンバと下部チャンバとの間に形成され、基板を進行方向に沿って移送する基板移送部と、を含み、下部チャンバの第２外壁間の幅が上部チャンバの第１外壁間の幅より大きい基板処理装置が提供される。
下部チャンバの隔壁の高さは、下部チャンバの第２外壁の高さより低いことを特徴とする。
下部チャンバの隔壁は多数個に形成されることを特徴とする。
多数個の隔壁の高さは、下部チャンバの第２外壁の高さより低く、下部チャンバの内部に位置するほど高さがより低くなることを特徴とする。
下部チャンバの第２外壁と隔壁との間に形成された離隔空間に、上部チャンバから噴射された処理液が通過することを特徴とする。
下部チャンバの第２外壁と下部チャンバの下面とを連結する傾斜面をさらに含むことを特徴とする。
下部チャンバの下面に形成され、回収された処理液を外部に流出させる流出部をさらに含むことを特徴とする。
流出部と連結され、流出部により回収された処理液が流入されて貯蔵される貯蔵部をさらに含むことを特徴とする。
上部チャンバは、処理液が噴射されるノズルを含むことを特徴とする。
上部チャンバから噴射される処理液は、スプレー噴射されることを特徴とする。
基板移送部は、ローラ（Ｒｏｌｌｅｒ）を含むことを特徴とする。
本発明の特徴及び利点は添付図面に基づいた以下の詳細な説明によってさらに明らかになるであろう。
【０００６】
本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び請求範囲に用いられた用語や単語は通常的かつ辞書的な意味に解釈されてはならず、発明者が自らの発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則に従って本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されるべきである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の実施例による基板処理装置によると、下部チャンバの外壁を上部チャンバの外壁より外部に突出されるように形成することで、上部チャンバから噴射される処理液が上部チャンバ及び下部チャンバの外部に流出することを防止することができる。
本発明の実施例による基板処理装置によると、処理液が外壁によって弾かれて外部に流出することを防止し、処理液の回収をより容易にすることができる。
本発明の実施例による基板処理装置によると、バッファゾーンを省略することができるため、空間を節約することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の目的、特定の長所及び新規の特徴は添付図面に係わる以下の詳細な説明及び好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ異なる図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。
【０００９】
また、本発明を説明するにあたり、係わる公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不明瞭にする可能性があると判断される場合には、その詳細な説明を省略する。本明細書において、第１、第２などの用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別するために用いられるものであり、前記構成要素は前記用語によって限定されない。
以下、添付された図面を参照して本発明の実施例による基板処理装置について詳細に説明する。
図１は本発明の実施例による基板処理装置を図示した例示図である。
図１を参照すると、基板処理装置１００は、上部チャンバ１１０と、下部チャンバ１２０と、基板移送部１３０と、を含む。
【００１０】
上部チャンバ１１０は第１外壁１１１で取り囲まれており、処理液を噴射することができる。即ち、上部チャンバ１１０は、基板移送部１３０により移送される基板１５０に向って処理液をスプレー噴射することができる。上部チャンバ１１０は、処理液を噴射するためのノズル１４０を含むことができる。例えば、上部チャンバ１１０の上面１１６にノズル１４０が形成され、処理液がノズル１４０に介して基板１５０の上面に向ってスプレー噴射されることができる。
【００１１】
下部チャンバ１２０は、上部チャンバ１１０の下側に形成され、第２外壁１２１で取り囲まれている。下部チャンバ１２０は、上部チャンバ１１０から噴射された処理液を回収することができる。下部チャンバ１２０は隔壁１２２を含むことができる。ここで、隔壁１２２は、下部チャンバ１２０の第２外壁１２１から離隔されて形成されるものである。即ち、隔壁１２２は、上部チャンバ１１０から噴射される処理液が通過するための回収路１２４を形成するために、第２外壁１２１から離隔されて形成されることができる。
【００１２】
下部チャンバ１２０が第２外壁１２１だけでなく隔壁１２２を含むことにより、下部チャンバ１２０の厚さが厚くなることができる。このように下部チャンバ１２０が第２外壁１２１及び隔壁１２２によって厚くなることにより、工程時に用いられる高温溶液によってチャンバの外形が変形されることを防止することができる。
【００１３】
下部チャンバ１２０には、第２外壁１２１と隔壁１２２との間の離隔空間である、上部チャンバ１１０から噴射された処理液が通過する回収路１２４が形成されることができる。即ち、上部チャンバ１１０から噴射された処理液が回収路１２４を介して流れ、下部チャンバ１２０の下面１２７に集まることができる。
【００１４】
また、第２外壁１２１と隔壁１２２とは、下部チャンバ１２０の内部に向かって低くなる階段状に形成されることができる。例えば、第２外壁１２１の上端は、下部チャンバ１２０の内部に位置した隔壁１２２の上端より高く形成されることができる。このように階段状に位置した第２外壁１２１及び隔壁１２２により、上部チャンバ１１０からスプレー形態に噴射される処理液が、従来のように外壁にぶつかって外部に流出することを容易に防止することができる。
【００１５】
また、下部チャンバ１２０の第２外壁１２１間の幅が上部チャンバ１１０の第１外壁１１１間の幅より大きいように上部チャンバ１１０及び下部チャンバ１２０を形成することができる。即ち、下部チャンバ１２０の第２外壁１２１及び隔壁１２２のうち少なくとも一つが上部チャンバ１１０の第１外壁１１１より外部に突出されるように形成することができる。ここで、第２外壁１２１及び隔壁１２２のうち少なくとも一つが第１外壁１１１より外部に突出される程度は、上部チャンバ１１０から噴射される処理液の噴射角度に応じて調節されることができる。
【００１６】
基板移送部１３０は、上部チャンバ１１０と下部チャンバ１２０との間に形成されることができる。基板移送部１３０は、基板１５０を処理液が噴射される上部チャンバ１１０の下部に通過させることにより、基板１５０に処理液が塗布されるようにすることができる。基板移送部１３０はローラ（Ｒｏｌｌｅｒ）を含むことができる。即ち、基板移送部１３０は、ローラの回転により基板１５０を移送することができる。しかし、基板移送部１３０は、ローラを用いて基板１５０を移送する装置に限定されず、基板１５０を上部チャンバ１１０と下部チャンバ１２０との間に通過させることができる装置であれば使用可能である。
図２は本発明の他の実施例による基板処理装置を図示した例示図である。
図２を参照すると、基板処理装置２００は、上部チャンバ２１０と、下部チャンバ２２０と、基板移送部２３０と、を含む。
【００１７】
上部チャンバ２１０は、第１外壁２１１で取り囲まれており、処理液を噴射することができる。即ち、上部チャンバ２１０は、基板移送部２３０により移送される基板２５０に向って処理液をスプレー噴射することができる。例えば、上部チャンバ２１０の上面２１６にノズル２４０が形成され、処理液がノズル２４０を介して基板２５０の上面に向ってスプレー噴射されることができる。
【００１８】
下部チャンバ２２０は、上部チャンバ２１０の下側に形成され、第２外壁２２１で取り囲まれている。下部チャンバ２２０は、上部チャンバ２１０から噴射された処理液を回収することができる。
【００１９】
下部チャンバ２２０は隔壁２２２を含むことができる。下部チャンバ２２０が第２外壁２２１だけでなく隔壁２２２を含むことにより、下部チャンバ２２０の厚さが厚くなることができる。このように下部チャンバ２２０が第２外壁２２１及び隔壁２２２によって厚くなることにより、工程時に用いられる高温溶液によってチャンバの外形が変形されることを防止することができる。
【００２０】
下部チャンバ２２０には、第２外壁２２１と隔壁２２２との間の離隔空間である、上部チャンバ２１０から噴射された処理液が通過する回収路２２４が形成されることができる。下部チャンバ２２０は隔壁２２２を含むことができる。ここで、隔壁２２２は、下部チャンバ２２０の第２外壁２２１から離隔されて形成されるものである。即ち、隔壁２２２は、上部チャンバ２１０から噴射される処理液が通過するための回収路２２４を形成するために、第２外壁２２１から離隔されて形成されることができる。即ち、上部チャンバ２１０から噴射された処理液が回収路２２４を介して流れ、下部チャンバ２２０の下面２２７に集まることができる。
【００２１】
また、第２外壁２２１と隔壁２２２とは、下部チャンバ２２０の内部に向かって低くなる階段状に形成されることができる。例えば、第２外壁２２１の上端は、下部チャンバ２２０の内部に位置した隔壁２２２の上端より高く形成されることができる。このように階段状に位置した第２外壁２２１及び隔壁２２２により、上部チャンバ２１０からスプレー形態に噴射される処理液が、従来のように外壁にぶつかって外部に流出することを容易に防止することができる。
【００２２】
また、下部チャンバ２２０の第２外壁２２１間の幅が上部チャンバ２１０の第１外壁２１１間の幅より大きいように上部チャンバ２１０及び下部チャンバ２２０を形成することができる。即ち、下部チャンバ２２０の第２外壁２２１及び隔壁２２２のうち少なくとも一つが上部チャンバ２１０の第１外壁２１１より外部に突出されるように形成することができる。ここで、第２外壁２２１及び隔壁２２２のうち少なくとも一つが第１外壁２１１より外部に突出される程度は、上部チャンバ２１０から噴射される処理液の噴射角度に応じて調節されることができる。
【００２３】
また、下部チャンバ２２０は、第２外壁２２１と下面２２７とを連結し、所定の傾斜を有する傾斜面２２６を含むことができる。傾斜面２２６は、第２外壁２２１と隔壁２２２との間の離隔空間である回収路２２４を介して回収される処理液がより容易に下部チャンバ２２０の下面２２７に集まるようにすることができる。即ち、傾斜面２２６は、処理液が下部チャンバ２２０の下面２２７に集まるように、下部チャンバ２２０の内部方向に傾斜するように形成されることができる。
【００２４】
基板移送部２３０は、上部チャンバ２１０と下部チャンバ２２０との間に形成されることができる。基板移送部２３０は、基板２５０を処理液が噴射される上部チャンバ２１０の下部に通過させることにより、基板２５０に処理液が塗布されるようにすることができる。基板移送部２３０はローラ（Ｒｏｌｌｅｒ）を含むことができる。即ち、基板移送部２３０は、ローラの回転により基板２５０を移送することができる。しかし、基板移送部２３０は、ローラを用いて基板２５０を移送する装置に限定されず、基板２５０を上部チャンバ２１０と下部チャンバ２２０との間に通過させることができる装置であれば使用可能である。
図３は本発明のさらに他の実施例による基板処理装置を図示した例示図である。
図３を参照すると、基板処理装置３００は、上部チャンバ３１０と、下部チャンバ３２０と、基板移送部３３０と、を含む。
【００２５】
上部チャンバ３１０は、第１外壁３１１で取り囲まれており、処理液を噴射することができる。即ち、上部チャンバ３１０は、基板移送部３３０により移送される基板３５０に向って処理液をスプレー噴射することができる。例えば、上部チャンバ３１０の上面３１６にノズル３４０が形成され、処理液がノズル３４０を介して基板３５０の上面に向ってスプレー噴射されることができる。
【００２６】
下部チャンバ３２０は、上部チャンバ３１０の下側に形成され、第２外壁３２１で取り囲まれている。下部チャンバ３２０は、上部チャンバ３１０から噴射された処理液を回収することができる。
【００２７】
下部チャンバ３２０は、多数個の隔壁３２２、３２３を含むことができる。下部チャンバ３２０が第２外壁３２１だけでなく多数個の隔壁３２２、３２３を含むことにより、下部チャンバ３２０の厚さを厚くすることができる。本発明の実施例では、下部チャンバ３２０は第１隔壁３２２及び第２隔壁３２３を含むことができる。ここで、第１隔壁３２２及び第２隔壁３２３は、処理液を回収するための回収路３２４、３２５を形成するためのものである。即ち、下部チャンバ３２０は、第２外壁３２１、第１隔壁３２２、第２隔壁３２３の間に、上部チャンバ３１０から噴射された処理液が通過する回収路３２４、３２５が形成されることができる。例えば、第２外壁３２１と第１隔壁３２２との間に離隔空間である第１回収路３２４が形成されることができる。また、第１隔壁３２２と第２隔壁３２３との間に離隔空間である第２回収路３２５が形成されることができる。本発明の実施例では二つの回収路を形成したが、回収路の数はこれに限定されない。即ち、下部チャンバ３２０の第２外壁３２１に平行に形成される隔壁の数を変更することにより、回収路の数も変更されることができ、これは当業者であれば必要に応じて容易に変更することができる。上部チャンバ３１０から噴射された処理液が第１回収路３２４及び第２回収路３２５を介して流れ、下部チャンバ３２０の下面３２７に集まることができる。
【００２８】
また、多数個の隔壁３２２、３２３は、下部チャンバ３２０の内部に向かって低くなる階段状に位置するように形成されることができる。例えば、第２外壁３２１より内部に位置した第１隔壁３２２の上端は第２外壁３２１の上端より低く形成されることができる。また、第１隔壁３２２より内部に位置した第２隔壁３２３の上端は第１隔壁３２２の上端より低く形成されることができる。このように階段状に位置した隔壁３２２、３２３により、上部チャンバ３１０からスプレー形態に噴射される処理液が、従来のように外壁にぶつかって外部に流出することを容易に防止することができる。
【００２９】
また、下部チャンバ３２０の第２外壁３２１間の幅が上部チャンバ３１０の第１外壁３１１間の幅より大きいように上部チャンバ３１０及び下部チャンバ３２０を形成することができる。即ち、下部チャンバ３２０の第２外壁３２１及び多数個の隔壁３２２、３２３のうち少なくとも一つが上部チャンバ３１０の第１外壁３１１より外部に突出されるように形成することができる。ここで、第２外壁３２１または多数個の隔壁３２２、３２３が第１外壁３１１より外部に突出される程度は、上部チャンバ３１０から噴射される処理液の噴射角度に応じて調節されることができる。
【００３０】
また、下部チャンバ３２０は、第２外壁３２１と下面３２７とを連結し、所定の傾斜を有する傾斜面３２６を含むことができる。傾斜面３２６は、第２外壁３２１と第１隔壁３２２との間の離隔空間である第１回収路３２４を介して回収される処理液がより容易に下部チャンバ３２０の下面３２７に集まるようにすることができる。即ち、傾斜面３２６は、処理液が下部チャンバ３２０の下面３２７に集まるように、下部チャンバ３２０の内部方向に傾斜するように形成されることができる。
基板移送部３３０は、上部チャンバ３１０と下部チャンバ３２０との間に形成されることができる。
【００３１】
基板移送部３３０は、基板３５０を処理液が噴射される上部チャンバ３１０の下部を通過させることにより、基板３５０に処理液が塗布されるようにすることができる。基板移送部３３０はローラ（Ｒｏｌｌｅｒ）を含むことができる。即ち、基板移送部３３０は、ローラの回転により基板３５０を移送することができる。しかし、基板移送部３３０は、ローラを用いて基板３５０を移送する装置に限定されず、基板３５０を上部チャンバ３１０と下部チャンバ３２０との間に通過させることができる装置であれば使用可能である。
図４は本発明のさらに他の実施例による基板処理装置を図示した例示図である。
図４を参照すると、基板処理装置４００は、上部チャンバ４１０と、下部チャンバ４２０と、基板移送部４３０と、流出部４６０と、貯蔵部４７０と、を含む。
【００３２】
上部チャンバ４１０は、第１外壁４１１で取り囲まれており、処理液を噴射することができる。即ち、上部チャンバ４１０は、基板移送部４３０により移送される基板４５０に向って処理液をスプレー噴射することができる。例えば、上部チャンバ４１０の上面４１６にノズル４４０が形成され、処理液がノズル４４０を介して基板４５０の上面に向ってスプレー噴射されることができる。
【００３３】
下部チャンバ４２０は、上部チャンバ４１０の下側に形成され、第２外壁４２１で取り囲まれている。下部チャンバ４２０は、上部チャンバ４１０から噴射された処理液を回収することができる。
【００３４】
下部チャンバ４２０は、多数個の隔壁４２２、４２３を含むことができる。下部チャンバ４２０が第２外壁４２１だけでなく多数個の隔壁４２２、４２３を含むことにより、下部チャンバ４２０の厚さが厚くなることができる。本発明の実施例では、下部チャンバ４２０は第１隔壁４２２及び第２隔壁４２３を含むことができる。ここで、第１隔壁４２２及び第２隔壁４２３は、処理液を回収するための回収路４２４、４２５を形成するためのものである。即ち、下部チャンバ４２０は、第２外壁４２１、第１隔壁４２２、第２隔壁４２３の間に、上部チャンバ４１０から噴射された処理液が通過する回収路４２４、４２５が形成されることができる。例えば、第２外壁４２１と第１隔壁４２２との間に離隔空間である第１回収路４２４が形成されることができる。また、第１隔壁４２２と第２隔壁４２３との間に離隔空間である第２回収路４２５が形成されることができる。本発明の実施例では二つの回収路を形成したが、回収路の数はこれに限定されない。即ち、下部チャンバ４２０の第２外壁４２１に平行に形成される隔壁の数を変更することにより、回収路の数も変更されることができ、これは当業者であれば必要に応じて容易に変更することができる。上部チャンバ４１０から噴射された処理液が第１回収路４２４及び第２回収路４２５を介して流れ、下部チャンバ４２０の下面４２７に集まることができる。
【００３５】
また、多数個の隔壁４２２、４２３は、下部チャンバ４２０の内部に向かって低くなる階段状に位置するように形成されることができる。例えば、第２外壁４２１より内部に位置した第１隔壁４２２の上端は第２外壁４２１の上端より低く形成されることができる。また、第１隔壁４２２より内部に位置した第２隔壁４２３の上端は第１隔壁４２２の上端より低く形成されることができる。このように階段状に位置した隔壁４２２、４２３により、上部チャンバ４１０からスプレー形態に噴射される処理液が、従来のように外壁にぶつかって外部に流出することを容易に防止することができる。
【００３６】
また、下部チャンバ４２０の第２外壁４２１間の幅が上部チャンバ４１０の第１外壁４１１間の幅より大きいように上部チャンバ４１０及び下部チャンバ４２０を形成することができる。即ち、下部チャンバ４２０の第２外壁４２１及び多数個の隔壁４２２、４２３のうち少なくとも一つが上部チャンバ４１０の第１外壁４１１より外部に突出されるように形成することができる。ここで、第２外壁４２１または多数個の隔壁４２２、４２３が第１外壁４１１より外部に突出される程度は、上部チャンバ４１０から噴射される処理液の噴射角度に応じて調節されることができる。
【００３７】
また、下部チャンバ４２０は、第２外壁４２１と下面４２７とを連結し、所定の傾斜を有する傾斜面４２６を含むことができる。傾斜面４２６は、第２外壁４２１と第１隔壁４２２との間の離隔空間である第１回収路４２４を介して回収される処理液がより容易に下部チャンバ４２０の下面４２７に集まるようにすることができる。即ち、傾斜面４２６は、処理液が下部チャンバ４２０の下面４２７に集まるように、下部チャンバ４２０の内部方向に傾斜するように形成されることができる。
また、下部チャンバ４２０の下面４２７は流出部４６０と連結されることができる。
【００３８】
流出部４６０は、下部チャンバ４２０と連結され、下部チャンバ４２０により回収された処理液を下部チャンバ４２０の外部に流出させることができる。例えば、流出部４６０の一端は下部チャンバ４２０の下面４２７と連結され、流出部４６０の他端は貯蔵部４７０と連結されることができる。このように連結された流出部４６０により、下部チャンバ４２０によって回収されて下部チャンバ４２０の下面４２７に集まった処理液が貯蔵部４７０に移動することができる。
貯蔵部４７０は、下部チャンバ４２０により回収された後、下部チャンバ４２０と連結された流出部４６０を介して流入された処理液を貯蔵することができる。
基板移送部４３０は、上部チャンバ４１０と下部チャンバ４２０との間に形成されることができる。
【００３９】
基板移送部４３０は、基板４５０を処理液が噴射される上部チャンバ４１０の下部に通過させることにより、基板４５０に処理液が塗布されるようにすることができる。基板移送部４３０はローラ（Ｒｏｌｌｅｒ）を含むことができる。即ち、基板移送部４３０は、ローラの回転により基板４５０を移送することができる。しかし、基板移送部４３０は、ローラを用いて基板４５０を移送する装置に限定されず、基板４５０を上部チャンバ４１０と下部チャンバ４２０との間に通過させることができる装置であれば使用可能である。
図５は本発明の実施例による基板処理装置の下部チャンバの平面図である。
【００４０】
図５を参照すると、下部チャンバ４２０は、多数個の隔壁４２２、４２３が下部チャンバ４２０の両側面に形成されることができる。即ち、隔壁４２２、４２３は、下部チャンバ４２０の第２外壁４２１から内部に向って低くなる階段状に形成されることができる。また、下部チャンバ４２０は、第２外壁４２１と第１隔壁４２２との間及び第１隔壁４２２と第２隔壁４２３との間に、処理液を回収する回収路４２４、４２５がそれぞれ形成されることができる。下部チャンバ４２０の下面４２７には、流出部（図４の４６０）と連結される流出口４２８を含むことができる。即ち、第２外壁４２１または隔壁４２２、４２３にぶつかって回収路４２４、４２５により回収された処理液が流出口４２８に流れ、流出部（図４の４６０）を介して移動して貯蔵部（図４の４７０）に貯蔵されることができる。
図６は本発明の他の実施例による基板処理装置の下部チャンバの平面図である。
【００４１】
図６を参照すると、下部チャンバ４２０は、多数個の隔壁４２２、４２３が下部チャンバ４２０の全側面に形成されることができる。即ち、下部チャンバ４２０の四つの側面に、多数個の隔壁４２２、４２３が形成されることができる。また、多数個の隔壁４２２、４２３は、第２外壁４２１から下部チャンバ４２０の内部に向って低くなる階段状に形成されることができる。また、下部チャンバ４２０は、第２外壁４２１と第１隔壁４２２との間及び第１隔壁４２２と第２隔壁４２３との間に、処理液を回収する回収路４２４、４２５がそれぞれ形成されることができる。下部チャンバ４２０の下面４２７には、流出部（図４の４６０）と連結される流出口４２８を含むことができる。即ち、第２外壁４２１または隔壁４２２、４２３にぶつかって回収路４２４、４２５により回収された処理液が流出口４２８に流れ、流出部（図４の４６０）を介して移動して貯蔵部（図４の４７０）に貯蔵されることができる。
【００４２】
このような本発明の実施例による基板処理装置によると、下部チャンバの外壁または隔壁を上部チャンバの外壁より外部に突出されるように形成することで、上部チャンバから噴射される処理液が上部チャンバ及び下部チャンバの外部に流出することを防止することができる。また、下部チャンバに多数個の隔壁を階段式に形成し、多数個の隔壁の間に離隔空間である回収路が形成されることにより、処理液が外壁により弾かれて外部に流出することを防止し、処理液の回収をより容易にすることができる。また、下部チャンバの外壁と下面とを連結し、所定の傾斜を有する傾斜面を形成することにより、回収された処理液を下部チャンバの下面に容易に集めることができる。また、多数個の隔壁により下部チャンバを厚くすることにより、工程時に用いられる溶液が高温である場合にも、チャンバの外形が変形されることを防止することができる。また、多数個の隔壁により、従来のバッファゾーンを省略することができるため、空間を節約することができる。
【００４３】
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明による基板処理装置はこれに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者であれば、添付の特許請求範囲に記載された本発明の思想及び領域を外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であることを理解するであろう。
本発明の単純な変形乃至変更はいずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施例による基板処理装置を図示した例示図である。
【図２】本発明の他の実施例による基板処理装置を図示した例示図である。
【図３】本発明のさらに他の実施例による基板処理装置を図示した例示図である。
【図４】本発明のさらに他の実施例による基板処理装置を図示した例示図である。
【図５】本発明の実施例による基板処理装置の下部チャンバの平面図である。
【図６】発明の他の実施例による基板処理装置の下部チャンバの平面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１００、２００、３００、４００ 基板処理装置
１１０、２１０、３１０、３２０ 上部チャンバ
１１１、２１１、３１１、４１１ 第１外壁
１１６、２１６、３１６、４１６ 上部チャンバの上面
１２０、２２０、３２０、４２０ 下部チャンバ
１２１、２２１、３２１、４２１ 第２外壁
１２２、２２２、３２２、４２２ 第１隔壁
１２４、２２４、３２４、４２４ 第１回収路
１３０、２３０、３３０、４３０ 基板移送手段
１４０、２４０、３４０、４４０ ノズル
１５０、２５０、３５０、４５０ 基板
２２６、３２６、４２６ 傾斜面
１２７、２２７、３２７、４２７ 下部チャンバの下面
３２３、４２３ 第２隔壁
３２５、４２５ 第２回収路
４２８ 流出口
４６０ 流出部
４７０ 貯蔵部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を製造するためには、非常に多様な種類の工程が行われる。半導体素子を製造するための多様な種類の工程のうち表面処理工程は、洗浄水、エッチング液または現像液などの処理液を用いて、基板に洗浄（ｃｌｅａｎｉｎｇ）、エッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）、現像（ｄｅｖｅｌｏｐｉｎｇ）またはストリッピング（ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ）を行う工程である。このような処理液を用いる湿式（Ｗｅｔ）設備は、洗浄、エッチング、現像またはストリッピングを行うためのそれぞれのゾーン（Ｚｏｎｅ）で構成され、各ゾーン毎にリンスゾーン（Ｒｉｎｓｅ Ｚｏｎｅ）を備えている（特開２００７−１４０９５３号公報）。各ゾーンで用いられる処理液はスプレー形態に噴射され、噴射された処理液は再度回収されて再使用される。しかし、噴射された処理液が該ゾーンの外部に流出される場合、工程が進むにつれて処理液の損失が発生する。このような処理液の損失を防止するために、従来には、それぞれのゾーンの両側面にバッファゾーンを形成し、それぞれのゾーンから流出する処理液をバッファゾーン（Ｂｕｆｆｅｒ Ｚｏｎｅ）を利用して回収している。また、工程で用いられる処理液の温度が５０℃程度の高温である場合がある。この場合、それぞれのゾーンまたはバッファゾーンを構成するチャンバの厚さが薄いと、チャンバの外形が変形される恐れがある。従って、上記のような工程を行う際に処理液の損失の防止するために、それぞれのゾーン及びバッファゾーンを備え、ゾーン及びバッファゾーンを構成するチャンバの厚さが厚く形成されるため、多くの空間を占めるようになる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、上部隔壁から噴射される処理液が上部チャンバ及び下部チャンバの外部に流出することを防止することができる基板処理装置を提供することをその目的とする。
【０００４】
本発明は、処理液が外壁によって弾かれて外部に流出することを防止し、処理液の回収をより容易にすることができる基板処理装置を提供することをその目的とする。
本発明は、別のバッファゾーンを省略することにより、空間を節約することができる基板処理装置を提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一側面によると、第１外壁で取り囲まれ、処理液を噴射する上部チャンバと、上部チャンバの下部に形成され、第２外壁で取り囲まれており、第２外壁に平行に離隔されるように形成された隔壁を含み、上部チャンバから噴射された処理液を回収する下部チャンバと、上部チャンバと下部チャンバとの間に形成され、基板を進行方向に沿って移送する基板移送部と、を含み、下部チャンバの第２外壁間の幅が上部チャンバの第１外壁間の幅より大きい基板処理装置が提供される。
下部チャンバの隔壁の高さは、下部チャンバの第２外壁の高さより低いことを特徴とする。
下部チャンバの隔壁は多数個に形成されることを特徴とする。
多数個の隔壁の高さは、下部チャンバの第２外壁の高さより低く、下部チャンバの内部に位置するほど高さがより低くなることを特徴とする。
下部チャンバの第２外壁と隔壁との間に形成された離隔空間に、上部チャンバから噴射された処理液が通過することを特徴とする。
下部チャンバの第２外壁と下部チャンバの下面とを連結する傾斜面をさらに含むことを特徴とする。
下部チャンバの下面に形成され、回収された処理液を外部に流出させる流出部をさらに含むことを特徴とする。
流出部と連結され、流出部により回収された処理液が流入されて貯蔵される貯蔵部をさらに含むことを特徴とする。
上部チャンバは、処理液が噴射されるノズルを含むことを特徴とする。
上部チャンバから噴射される処理液は、スプレー噴射されることを特徴とする。
基板移送部は、ローラ（Ｒｏｌｌｅｒ）を含むことを特徴とする。
本発明の特徴及び利点は添付図面に基づいた以下の詳細な説明によってさらに明らかになるであろう。
【０００６】
本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び請求範囲に用いられた用語や単語は通常的かつ辞書的な意味に解釈されてはならず、発明者が自らの発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則に従って本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されるべきである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の実施例による基板処理装置によると、下部チャンバの外壁を上部チャンバの外壁より外部に突出されるように形成することで、上部チャンバから噴射される処理液が上部チャンバ及び下部チャンバの外部に流出することを防止することができる。
本発明の実施例による基板処理装置によると、処理液が外壁によって弾かれて外部に流出することを防止し、処理液の回収をより容易にすることができる。
本発明の実施例による基板処理装置によると、バッファゾーンを省略することができるため、空間を節約することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の目的、特定の長所及び新規の特徴は添付図面に係わる以下の詳細な説明及び好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ異なる図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。
【０００９】
また、本発明を説明するにあたり、係わる公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不明瞭にする可能性があると判断される場合には、その詳細な説明を省略する。本明細書において、第１、第２などの用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別するために用いられるものであり、前記構成要素は前記用語によって限定されない。
以下、添付された図面を参照して本発明の実施例による基板処理装置について詳細に説明する。
図１は本発明の実施例による基板処理装置を図示した例示図である。
図１を参照すると、基板処理装置１００は、上部チャンバ１１０と、下部チャンバ１２０と、基板移送部１３０と、を含む。
【００１０】
上部チャンバ１１０は第１外壁１１１で取り囲まれており、処理液を噴射することができる。即ち、上部チャンバ１１０は、基板移送部１３０により移送される基板１５０に向って処理液をスプレー噴射することができる。上部チャンバ１１０は、処理液を噴射するためのノズル１４０を含むことができる。例えば、上部チャンバ１１０の上面１１６にノズル１４０が形成され、処理液がノズル１４０に介して基板１５０の上面に向ってスプレー噴射されることができる。
【００１１】
下部チャンバ１２０は、上部チャンバ１１０の下側に形成され、第２外壁１２１で取り囲まれている。下部チャンバ１２０は、上部チャンバ１１０から噴射された処理液を回収することができる。下部チャンバ１２０は隔壁１２２を含むことができる。ここで、隔壁１２２は、下部チャンバ１２０の第２外壁１２１から離隔されて形成されるものである。即ち、隔壁１２２は、上部チャンバ１１０から噴射される処理液が通過するための回収路１２４を形成するために、第２外壁１２１から離隔されて形成されることができる。
【００１２】
下部チャンバ１２０が第２外壁１２１だけでなく隔壁１２２を含むことにより、下部チャンバ１２０の厚さが厚くなることができる。このように下部チャンバ１２０が第２外壁１２１及び隔壁１２２によって厚くなることにより、工程時に用いられる高温溶液によってチャンバの外形が変形されることを防止することができる。
【００１３】
下部チャンバ１２０には、第２外壁１２１と隔壁１２２との間の離隔空間である、上部チャンバ１１０から噴射された処理液が通過する回収路１２４が形成されることができる。即ち、上部チャンバ１１０から噴射された処理液が回収路１２４を介して流れ、下部チャンバ１２０の下面１２７に集まることができる。
【００１４】
また、第２外壁１２１と隔壁１２２とは、下部チャンバ１２０の内部に向かって低くなる階段状に形成されることができる。例えば、第２外壁１２１の上端は、下部チャンバ１２０の内部に位置した隔壁１２２の上端より高く形成されることができる。このように階段状に位置した第２外壁１２１及び隔壁１２２により、上部チャンバ１１０からスプレー形態に噴射される処理液が、従来のように外壁にぶつかって外部に流出することを容易に防止することができる。
【００１５】
また、下部チャンバ１２０の第２外壁１２１間の幅が上部チャンバ１１０の第１外壁１１１間の幅より大きいように上部チャンバ１１０及び下部チャンバ１２０を形成することができる。即ち、下部チャンバ１２０の第２外壁１２１及び隔壁１２２のうち少なくとも一つが上部チャンバ１１０の第１外壁１１１より外部に突出されるように形成することができる。ここで、第２外壁１２１及び隔壁１２２のうち少なくとも一つが第１外壁１１１より外部に突出される程度は、上部チャンバ１１０から噴射される処理液の噴射角度に応じて調節されることができる。
【００１６】
基板移送部１３０は、上部チャンバ１１０と下部チャンバ１２０との間に形成されることができる。基板移送部１３０は、基板１５０を処理液が噴射される上部チャンバ１１０の下部に通過させることにより、基板１５０に処理液が塗布されるようにすることができる。基板移送部１３０はローラ（Ｒｏｌｌｅｒ）を含むことができる。即ち、基板移送部１３０は、ローラの回転により基板１５０を移送することができる。しかし、基板移送部１３０は、ローラを用いて基板１５０を移送する装置に限定されず、基板１５０を上部チャンバ１１０と下部チャンバ１２０との間に通過させることができる装置であれば使用可能である。
図２は本発明の他の実施例による基板処理装置を図示した例示図である。
図２を参照すると、基板処理装置２００は、上部チャンバ２１０と、下部チャンバ２２０と、基板移送部２３０と、を含む。
【００１７】
上部チャンバ２１０は、第１外壁２１１で取り囲まれており、処理液を噴射することができる。即ち、上部チャンバ２１０は、基板移送部２３０により移送される基板２５０に向って処理液をスプレー噴射することができる。例えば、上部チャンバ２１０の上面２１６にノズル２４０が形成され、処理液がノズル２４０を介して基板２５０の上面に向ってスプレー噴射されることができる。
【００１８】
下部チャンバ２２０は、上部チャンバ２１０の下側に形成され、第２外壁２２１で取り囲まれている。下部チャンバ２２０は、上部チャンバ２１０から噴射された処理液を回収することができる。
【００１９】
下部チャンバ２２０は隔壁２２２を含むことができる。下部チャンバ２２０が第２外壁２２１だけでなく隔壁２２２を含むことにより、下部チャンバ２２０の厚さが厚くなることができる。このように下部チャンバ２２０が第２外壁２２１及び隔壁２２２によって厚くなることにより、工程時に用いられる高温溶液によってチャンバの外形が変形されることを防止することができる。
【００２０】
下部チャンバ２２０には、第２外壁２２１と隔壁２２２との間の離隔空間である、上部チャンバ２１０から噴射された処理液が通過する回収路２２４が形成されることができる。下部チャンバ２２０は隔壁２２２を含むことができる。ここで、隔壁２２２は、下部チャンバ２２０の第２外壁２２１から離隔されて形成されるものである。即ち、隔壁２２２は、上部チャンバ２１０から噴射される処理液が通過するための回収路２２４を形成するために、第２外壁２２１から離隔されて形成されることができる。即ち、上部チャンバ２１０から噴射された処理液が回収路２２４を介して流れ、下部チャンバ２２０の下面２２７に集まることができる。
【００２１】
また、第２外壁２２１と隔壁２２２とは、下部チャンバ２２０の内部に向かって低くなる階段状に形成されることができる。例えば、第２外壁２２１の上端は、下部チャンバ２２０の内部に位置した隔壁２２２の上端より高く形成されることができる。このように階段状に位置した第２外壁２２１及び隔壁２２２により、上部チャンバ２１０からスプレー形態に噴射される処理液が、従来のように外壁にぶつかって外部に流出することを容易に防止することができる。
【００２２】
また、下部チャンバ２２０の第２外壁２２１間の幅が上部チャンバ２１０の第１外壁２１１間の幅より大きいように上部チャンバ２１０及び下部チャンバ２２０を形成することができる。即ち、下部チャンバ２２０の第２外壁２２１及び隔壁２２２のうち少なくとも一つが上部チャンバ２１０の第１外壁２１１より外部に突出されるように形成することができる。ここで、第２外壁２２１及び隔壁２２２のうち少なくとも一つが第１外壁２１１より外部に突出される程度は、上部チャンバ２１０から噴射される処理液の噴射角度に応じて調節されることができる。
【００２３】
また、下部チャンバ２２０は、第２外壁２２１と下面２２７とを連結し、所定の傾斜を有する傾斜面２２６を含むことができる。傾斜面２２６は、第２外壁２２１と隔壁２２２との間の離隔空間である回収路２２４を介して回収される処理液がより容易に下部チャンバ２２０の下面２２７に集まるようにすることができる。即ち、傾斜面２２６は、処理液が下部チャンバ２２０の下面２２７に集まるように、下部チャンバ２２０の内部方向に傾斜するように形成されることができる。
【００２４】
基板移送部２３０は、上部チャンバ２１０と下部チャンバ２２０との間に形成されることができる。基板移送部２３０は、基板２５０を処理液が噴射される上部チャンバ２１０の下部に通過させることにより、基板２５０に処理液が塗布されるようにすることができる。基板移送部２３０はローラ（Ｒｏｌｌｅｒ）を含むことができる。即ち、基板移送部２３０は、ローラの回転により基板２５０を移送することができる。しかし、基板移送部２３０は、ローラを用いて基板２５０を移送する装置に限定されず、基板２５０を上部チャンバ２１０と下部チャンバ２２０との間に通過させることができる装置であれば使用可能である。
図３は本発明のさらに他の実施例による基板処理装置を図示した例示図である。
図３を参照すると、基板処理装置３００は、上部チャンバ３１０と、下部チャンバ３２０と、基板移送部３３０と、を含む。
【００２５】
上部チャンバ３１０は、第１外壁３１１で取り囲まれており、処理液を噴射することができる。即ち、上部チャンバ３１０は、基板移送部３３０により移送される基板３５０に向って処理液をスプレー噴射することができる。例えば、上部チャンバ３１０の上面３１６にノズル３４０が形成され、処理液がノズル３４０を介して基板３５０の上面に向ってスプレー噴射されることができる。
【００２６】
下部チャンバ３２０は、上部チャンバ３１０の下側に形成され、第２外壁３２１で取り囲まれている。下部チャンバ３２０は、上部チャンバ３１０から噴射された処理液を回収することができる。
【００２７】
下部チャンバ３２０は、多数個の隔壁３２２、３２３を含むことができる。下部チャンバ３２０が第２外壁３２１だけでなく多数個の隔壁３２２、３２３を含むことにより、下部チャンバ３２０の厚さを厚くすることができる。本発明の実施例では、下部チャンバ３２０は第１隔壁３２２及び第２隔壁３２３を含むことができる。ここで、第１隔壁３２２及び第２隔壁３２３は、処理液を回収するための回収路３２４、３２５を形成するためのものである。即ち、下部チャンバ３２０は、第２外壁３２１、第１隔壁３２２、第２隔壁３２３の間に、上部チャンバ３１０から噴射された処理液が通過する回収路３２４、３２５が形成されることができる。例えば、第２外壁３２１と第１隔壁３２２との間に離隔空間である第１回収路３２４が形成されることができる。また、第１隔壁３２２と第２隔壁３２３との間に離隔空間である第２回収路３２５が形成されることができる。本発明の実施例では二つの回収路を形成したが、回収路の数はこれに限定されない。即ち、下部チャンバ３２０の第２外壁３２１に平行に形成される隔壁の数を変更することにより、回収路の数も変更されることができ、これは当業者であれば必要に応じて容易に変更することができる。上部チャンバ３１０から噴射された処理液が第１回収路３２４及び第２回収路３２５を介して流れ、下部チャンバ３２０の下面３２７に集まることができる。
【００２８】
また、多数個の隔壁３２２、３２３は、下部チャンバ３２０の内部に向かって低くなる階段状に位置するように形成されることができる。例えば、第２外壁３２１より内部に位置した第１隔壁３２２の上端は第２外壁３２１の上端より低く形成されることができる。また、第１隔壁３２２より内部に位置した第２隔壁３２３の上端は第１隔壁３２２の上端より低く形成されることができる。このように階段状に位置した隔壁３２２、３２３により、上部チャンバ３１０からスプレー形態に噴射される処理液が、従来のように外壁にぶつかって外部に流出することを容易に防止することができる。
【００２９】
また、下部チャンバ３２０の第２外壁３２１間の幅が上部チャンバ３１０の第１外壁３１１間の幅より大きいように上部チャンバ３１０及び下部チャンバ３２０を形成することができる。即ち、下部チャンバ３２０の第２外壁３２１及び多数個の隔壁３２２、３２３のうち少なくとも一つが上部チャンバ３１０の第１外壁３１１より外部に突出されるように形成することができる。ここで、第２外壁３２１または多数個の隔壁３２２、３２３が第１外壁３１１より外部に突出される程度は、上部チャンバ３１０から噴射される処理液の噴射角度に応じて調節されることができる。
【００３０】
また、下部チャンバ３２０は、第２外壁３２１と下面３２７とを連結し、所定の傾斜を有する傾斜面３２６を含むことができる。傾斜面３２６は、第２外壁３２１と第１隔壁３２２との間の離隔空間である第１回収路３２４を介して回収される処理液がより容易に下部チャンバ３２０の下面３２７に集まるようにすることができる。即ち、傾斜面３２６は、処理液が下部チャンバ３２０の下面３２７に集まるように、下部チャンバ３２０の内部方向に傾斜するように形成されることができる。
基板移送部３３０は、上部チャンバ３１０と下部チャンバ３２０との間に形成されることができる。
【００３１】
基板移送部３３０は、基板３５０を処理液が噴射される上部チャンバ３１０の下部を通過させることにより、基板３５０に処理液が塗布されるようにすることができる。基板移送部３３０はローラ（Ｒｏｌｌｅｒ）を含むことができる。即ち、基板移送部３３０は、ローラの回転により基板３５０を移送することができる。しかし、基板移送部３３０は、ローラを用いて基板３５０を移送する装置に限定されず、基板３５０を上部チャンバ３１０と下部チャンバ３２０との間に通過させることができる装置であれば使用可能である。
図４は本発明のさらに他の実施例による基板処理装置を図示した例示図である。
図４を参照すると、基板処理装置４００は、上部チャンバ４１０と、下部チャンバ４２０と、基板移送部４３０と、流出部４６０と、貯蔵部４７０と、を含む。
【００３２】
上部チャンバ４１０は、第１外壁４１１で取り囲まれており、処理液を噴射することができる。即ち、上部チャンバ４１０は、基板移送部４３０により移送される基板４５０に向って処理液をスプレー噴射することができる。例えば、上部チャンバ４１０の上面４１６にノズル４４０が形成され、処理液がノズル４４０を介して基板４５０の上面に向ってスプレー噴射されることができる。
【００３３】
下部チャンバ４２０は、上部チャンバ４１０の下側に形成され、第２外壁４２１で取り囲まれている。下部チャンバ４２０は、上部チャンバ４１０から噴射された処理液を回収することができる。
【００３４】
下部チャンバ４２０は、多数個の隔壁４２２、４２３を含むことができる。下部チャンバ４２０が第２外壁４２１だけでなく多数個の隔壁４２２、４２３を含むことにより、下部チャンバ４２０の厚さが厚くなることができる。本発明の実施例では、下部チャンバ４２０は第１隔壁４２２及び第２隔壁４２３を含むことができる。ここで、第１隔壁４２２及び第２隔壁４２３は、処理液を回収するための回収路４２４、４２５を形成するためのものである。即ち、下部チャンバ４２０は、第２外壁４２１、第１隔壁４２２、第２隔壁４２３の間に、上部チャンバ４１０から噴射された処理液が通過する回収路４２４、４２５が形成されることができる。例えば、第２外壁４２１と第１隔壁４２２との間に離隔空間である第１回収路４２４が形成されることができる。また、第１隔壁４２２と第２隔壁４２３との間に離隔空間である第２回収路４２５が形成されることができる。本発明の実施例では二つの回収路を形成したが、回収路の数はこれに限定されない。即ち、下部チャンバ４２０の第２外壁４２１に平行に形成される隔壁の数を変更することにより、回収路の数も変更されることができ、これは当業者であれば必要に応じて容易に変更することができる。上部チャンバ４１０から噴射された処理液が第１回収路４２４及び第２回収路４２５を介して流れ、下部チャンバ４２０の下面４２７に集まることができる。
【００３５】
また、多数個の隔壁４２２、４２３は、下部チャンバ４２０の内部に向かって低くなる階段状に位置するように形成されることができる。例えば、第２外壁４２１より内部に位置した第１隔壁４２２の上端は第２外壁４２１の上端より低く形成されることができる。また、第１隔壁４２２より内部に位置した第２隔壁４２３の上端は第１隔壁４２２の上端より低く形成されることができる。このように階段状に位置した隔壁４２２、４２３により、上部チャンバ４１０からスプレー形態に噴射される処理液が、従来のように外壁にぶつかって外部に流出することを容易に防止することができる。
【００３６】
また、下部チャンバ４２０の第２外壁４２１間の幅が上部チャンバ４１０の第１外壁４１１間の幅より大きいように上部チャンバ４１０及び下部チャンバ４２０を形成することができる。即ち、下部チャンバ４２０の第２外壁４２１及び多数個の隔壁４２２、４２３のうち少なくとも一つが上部チャンバ４１０の第１外壁４１１より外部に突出されるように形成することができる。ここで、第２外壁４２１または多数個の隔壁４２２、４２３が第１外壁４１１より外部に突出される程度は、上部チャンバ４１０から噴射される処理液の噴射角度に応じて調節されることができる。
【００３７】
また、下部チャンバ４２０は、第２外壁４２１と下面４２７とを連結し、所定の傾斜を有する傾斜面４２６を含むことができる。傾斜面４２６は、第２外壁４２１と第１隔壁４２２との間の離隔空間である第１回収路４２４を介して回収される処理液がより容易に下部チャンバ４２０の下面４２７に集まるようにすることができる。即ち、傾斜面４２６は、処理液が下部チャンバ４２０の下面４２７に集まるように、下部チャンバ４２０の内部方向に傾斜するように形成されることができる。
また、下部チャンバ４２０の下面４２７は流出部４６０と連結されることができる。
【００３８】
流出部４６０は、下部チャンバ４２０と連結され、下部チャンバ４２０により回収された処理液を下部チャンバ４２０の外部に流出させることができる。例えば、流出部４６０の一端は下部チャンバ４２０の下面４２７と連結され、流出部４６０の他端は貯蔵部４７０と連結されることができる。このように連結された流出部４６０により、下部チャンバ４２０によって回収されて下部チャンバ４２０の下面４２７に集まった処理液が貯蔵部４７０に移動することができる。
貯蔵部４７０は、下部チャンバ４２０により回収された後、下部チャンバ４２０と連結された流出部４６０を介して流入された処理液を貯蔵することができる。
基板移送部４３０は、上部チャンバ４１０と下部チャンバ４２０との間に形成されることができる。
【００３９】
基板移送部４３０は、基板４５０を処理液が噴射される上部チャンバ４１０の下部に通過させることにより、基板４５０に処理液が塗布されるようにすることができる。基板移送部４３０はローラ（Ｒｏｌｌｅｒ）を含むことができる。即ち、基板移送部４３０は、ローラの回転により基板４５０を移送することができる。しかし、基板移送部４３０は、ローラを用いて基板４５０を移送する装置に限定されず、基板４５０を上部チャンバ４１０と下部チャンバ４２０との間に通過させることができる装置であれば使用可能である。
図５は本発明の実施例による基板処理装置の下部チャンバの平面図である。
【００４０】
図５を参照すると、下部チャンバ４２０は、多数個の隔壁４２２、４２３が下部チャンバ４２０の両側面に形成されることができる。即ち、隔壁４２２、４２３は、下部チャンバ４２０の第２外壁４２１から内部に向って低くなる階段状に形成されることができる。また、下部チャンバ４２０は、第２外壁４２１と第１隔壁４２２との間及び第１隔壁４２２と第２隔壁４２３との間に、処理液を回収する回収路４２４、４２５がそれぞれ形成されることができる。下部チャンバ４２０の下面４２７には、流出部（図４の４６０）と連結される流出口４２８を含むことができる。即ち、第２外壁４２１または隔壁４２２、４２３にぶつかって回収路４２４、４２５により回収された処理液が流出口４２８に流れ、流出部（図４の４６０）を介して移動して貯蔵部（図４の４７０）に貯蔵されることができる。
図６は本発明の他の実施例による基板処理装置の下部チャンバの平面図である。
【００４１】
図６を参照すると、下部チャンバ４２０は、多数個の隔壁４２２、４２３が下部チャンバ４２０の全側面に形成されることができる。即ち、下部チャンバ４２０の四つの側面に、多数個の隔壁４２２、４２３が形成されることができる。また、多数個の隔壁４２２、４２３は、第２外壁４２１から下部チャンバ４２０の内部に向って低くなる階段状に形成されることができる。また、下部チャンバ４２０は、第２外壁４２１と第１隔壁４２２との間及び第１隔壁４２２と第２隔壁４２３との間に、処理液を回収する回収路４２４、４２５がそれぞれ形成されることができる。下部チャンバ４２０の下面４２７には、流出部（図４の４６０）と連結される流出口４２８を含むことができる。即ち、第２外壁４２１または隔壁４２２、４２３にぶつかって回収路４２４、４２５により回収された処理液が流出口４２８に流れ、流出部（図４の４６０）を介して移動して貯蔵部（図４の４７０）に貯蔵されることができる。
【００４２】
このような本発明の実施例による基板処理装置によると、下部チャンバの外壁または隔壁を上部チャンバの外壁より外部に突出されるように形成することで、上部チャンバから噴射される処理液が上部チャンバ及び下部チャンバの外部に流出することを防止することができる。また、下部チャンバに多数個の隔壁を階段式に形成し、多数個の隔壁の間に離隔空間である回収路が形成されることにより、処理液が外壁により弾かれて外部に流出することを防止し、処理液の回収をより容易にすることができる。また、下部チャンバの外壁と下面とを連結し、所定の傾斜を有する傾斜面を形成することにより、回収された処理液を下部チャンバの下面に容易に集めることができる。また、多数個の隔壁により下部チャンバを厚くすることにより、工程時に用いられる溶液が高温である場合にも、チャンバの外形が変形されることを防止することができる。また、多数個の隔壁により、従来のバッファゾーンを省略することができるため、空間を節約することができる。
【００４３】
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明による基板処理装置はこれに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者であれば、添付の特許請求範囲に記載された本発明の思想及び領域を外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であることを理解するであろう。
本発明の単純な変形乃至変更はいずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施例による基板処理装置を図示した例示図である。
【図２】本発明の他の実施例による基板処理装置を図示した例示図である。
【図３】本発明のさらに他の実施例による基板処理装置を図示した例示図である。
【図４】本発明のさらに他の実施例による基板処理装置を図示した例示図である。
【図５】本発明の実施例による基板処理装置の下部チャンバの平面図である。
【図６】発明の他の実施例による基板処理装置の下部チャンバの平面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１００、２００、３００、４００ 基板処理装置
１１０、２１０、３１０、３２０ 上部チャンバ
１１１、２１１、３１１、４１１ 第１外壁
１１６、２１６、３１６、４１６ 上部チャンバの上面
１２０、２２０、３２０、４２０ 下部チャンバ
１２１、２２１、３２１、４２１ 第２外壁
１２２、２２２、３２２、４２２ 第１隔壁
１２４、２２４、３２４、４２４ 第１回収路
１３０、２３０、３３０、４３０ 基板移送手段
１４０、２４０、３４０、４４０ ノズル
１５０、２５０、３５０、４５０ 基板
２２６、３２６、４２６ 傾斜面
１２７、２２７、３２７、４２７ 下部チャンバの下面
３２３、４２３ 第２隔壁
３２５、４２５ 第２回収路
４２８ 流出口
４６０ 流出部
４７０ 貯蔵部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１外壁で取り囲まれ、処理液を噴射する上部チャンバと、
前記上部チャンバの下部に形成され、第２外壁で取り囲まれており、前記第２外壁に平行に離隔されるように形成された隔壁を含み、前記上部チャンバから噴射された処理液を回収する下部チャンバと、
前記上部チャンバと下部チャンバとの間に形成され、基板を進行方向に沿って移送する基板移送部と、を含み、
前記下部チャンバの第２外壁間の幅が前記上部チャンバの第１外壁間の幅より大きいことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記下部チャンバの隔壁の高さは前記下部チャンバの第２外壁の高さより低いことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記下部チャンバの隔壁は多数個に形成されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記多数個の隔壁の高さは、前記下部チャンバの第２外壁の高さより低く、前記下部チャンバの内部に位置するほど高さがより低くなることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記下部チャンバの第２外壁と前記隔壁との間に形成された離隔空間に、前記上部チャンバから噴射された処理液が通過することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記下部チャンバの第２外壁と前記下部チャンバの下面とを連結する傾斜面をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記下部チャンバの下面に形成され、前記回収された処理液を外部に流出させる流出部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記流出部と連結され、前記流出部により前記回収された処理液が流入されて貯蔵される貯蔵部をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記上部チャンバは、処理液が噴射されるノズルを含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記上部チャンバから噴射される前記処理液は、スプレー噴射されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記基板移送部は、ローラ（Ｒｏｌｌｅｒ）を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項１】
第１外壁で取り囲まれ、処理液を噴射する上部チャンバと、
前記上部チャンバの下部に形成され、第２外壁で取り囲まれており、前記第２外壁に平行に離隔されるように形成された隔壁を含み、前記上部チャンバから噴射された処理液を回収する下部チャンバと、
前記上部チャンバと下部チャンバとの間に形成され、基板を進行方向に沿って移送する基板移送部と、を含み、
前記下部チャンバの第２外壁間の幅が前記上部チャンバの第１外壁間の幅より大きいことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記下部チャンバの隔壁の高さは前記下部チャンバの第２外壁の高さより低いことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記下部チャンバの隔壁は多数個に形成されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記多数個の隔壁の高さは、前記下部チャンバの第２外壁の高さより低く、前記下部チャンバの内部に位置するほど高さがより低くなることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記下部チャンバの第２外壁と前記隔壁との間に形成された離隔空間に、前記上部チャンバから噴射された処理液が通過することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記下部チャンバの第２外壁と前記下部チャンバの下面とを連結する傾斜面をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記下部チャンバの下面に形成され、前記回収された処理液を外部に流出させる流出部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記流出部と連結され、前記流出部により前記回収された処理液が流入されて貯蔵される貯蔵部をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記上部チャンバは、処理液が噴射されるノズルを含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記上部チャンバから噴射される前記処理液は、スプレー噴射されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記基板移送部は、ローラ（Ｒｏｌｌｅｒ）を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１３−１１５４２０（Ｐ２０１３−１１５４２０Ａ）
【公開日】平成２５年６月１０日（２０１３．６．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１６２７０（Ｐ２０１２−１６２７０）
【出願日】平成２４年１月３０日（２０１２．１．３０）
【出願人】（５９４０２３７２２）サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． (1,585)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年６月１０日（２０１３．６．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年１月３０日（２０１２．１．３０）
【出願人】（５９４０２３７２２）サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． (1,585)
【Ｆターム（参考）】
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