基板処理装置
【課題】排気効率およびスペース効率を改善し、液切り乾燥直後の乾いた基板にミストが付着するのを十全に防止する。
【解決手段】上部および下部エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌがそれらの間を通過する基板Ｇに対してナイフ状の鋭利な高圧エア流を吹き付けることにより、両エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌの上流側の空間に多量のミストが発生する。基板Ｇの上で発生したミストの大部分は、下流側のＦＦＵ１３６から隙間Ｋを通って廻ってくる空気および入口１１８から入ってくる空気と一緒に上部排気口１２４に吸い込まれる。基板Ｇの下で発生したミストは、その全部がＦＦＵ１３６から廻ってくる空気および入口１１８から入ってくる空気と一緒に下部排気口１２６，１２８に吸い込まれる。
【解決手段】上部および下部エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌがそれらの間を通過する基板Ｇに対してナイフ状の鋭利な高圧エア流を吹き付けることにより、両エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌの上流側の空間に多量のミストが発生する。基板Ｇの上で発生したミストの大部分は、下流側のＦＦＵ１３６から隙間Ｋを通って廻ってくる空気および入口１１８から入ってくる空気と一緒に上部排気口１２４に吸い込まれる。基板Ｇの下で発生したミストは、その全部がＦＦＵ１３６から廻ってくる空気および入口１１８から入ってくる空気と一緒に下部排気口１２６，１２８に吸い込まれる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基板に気体を吹き付けて液切り乾燥の処理を行う基板処理装置に係り、特に平流し方式の基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）製造におけるレジスト塗布現像処理システムでは、被処理基板（たとえばガラス基板）の大型化に有利に対応できる洗浄処理方法あるいは現像処理方法として、搬送ローラ（コロ）や搬送ベルトを水平方向に敷設してなる搬送路上で基板を搬送しながら洗浄処理あるいは現像処理を行うようにした、いわゆる平流し方式が多く用いられている。このような平流し方式は、基板を回転運動させるスピンナ方式と較べて、基板の取扱いや搬送系および駆動系の構成が簡単である等の利点がある。
【０００３】
平流し方式の洗浄処理装置は、典型的には、平流し搬送路に沿って、ロールブラシ、高圧ジェットノズル、リンスノズル、エアナイフ等の洗浄ツールを配置し、ロールブラシによるスクラビング洗浄および高圧ジェットノズルによるブロー洗浄を順次施して基板表面の異物や汚れを取った後、リンスノズルよりリンス液を基板表面に浴びせ、最後にエアナイフより高圧の気体流（通常はエア流）を吹き付けて基板表面からリンス液を除去（液切り乾燥）するようにしている。
【０００４】
また、平流し方式の現像処理装置は、平流し搬送路に沿って長尺型の現像液ノズル、リンスノズルおよびエアナイフを配置し、搬送路上を移動する基板に対して、現像液ノズルより現像液を供給して基板上に現像液を盛り（たとえばパドル現像）、所定時間の経過後にリンスノズルよりリンス液（一般に純水）を供給して基板上の現像液をリンス液に置換し（現像停止）、最後にエアナイフより高圧のエア流を吹き付けて基板表面からリンス液を除去する（液切り乾燥）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１５９６６３
【特許文献２】特開２００３−８３６７５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来より、上記のような平流し方式の洗浄処理装置あるいは現像処理装置においては、チャンバ内で発生したミストが不所望に拡散して基板に付着することが課題になっている。特に、エアナイフにより液切り乾燥処理を受けた直後の乾いた基板の表面にミストが付着すると、そのミストの付着した箇所にシミや残渣が生じて、後工程（レジスト塗布工程あるいはエッチング工程等）で不良を招く原因になりやすい。
【０００７】
エアナイフが配置される最終段の液切り乾燥部においては、エアナイフによるナイフ状の鋭利な高圧エア流の吹き付けにより、基板上の液が基板後端側へ掃き寄せられるようにして基板の外へ払い落とされる。この際、多量のミストが発生する。通常、平流し搬送路を挟んで上下一対のエアナイフが設けられ、上部エアナイフが基板のおもて面（上面）に高圧エア流を吹き付けることによって基板の上でミストが発生し、下部エアナイフが基板の裏面（下面）に高圧エア流を吹き付けることによって基板の下でもミストが発生する。
【０００８】
このように基板の上および下で立ち篭めるミストが両エアナイフの後方または下流側に回り込まないように、基板の通路（搬送路）を除いて両エアナイフの上流側の空間と下流側の空間とを隔壁で完全に塞ぐことも行われている。この場合、上流側の空間では、処理室の天井に換気用の送風機が取り付けられ、基板の上で発生したミストを除去するための上部排気口が平流し搬送路よりも高い場所に設けられ、基板の下で発生したミストを除去するための下部排気口が平流し搬送路よりも低い場所に設けられる。しかし、このような排気機構においては、送風機からのダウンフローの空気流がエアナイフの吐出する高圧エア流と干渉することによって、基板の下に回り難く、下部排気の効率は良くない。一方で、送風機からのダウンフローの空気流は上部排気口へ吸い込まれるミスト含有の排気流とも干渉するため、上部排気の効率もそれほど良くはない。このように上流側空間で排気効率が低いと、ミストが溜まって、両エアナイフの間の基板通路を抜けて後方（下流側）へ進入ないし拡散しやすくなる。
【０００９】
また、従来は、下部排気口を処理室の底に設け、処理室の下で集合排気管を這い回していた。このため、処理室の下に設置される電力系、ガス系等の用力装備や制御系の設備が排気系によってスペース上の制約を受けるという問題があった。さらに、従来は、処理室の正面側の壁に上部排気口を設ける場合に、その上部排気口を処理室背面側に設置される排気装置に繋ぐための室外排気管が処理室の下を潜るため、上記と同様に用力装備や制御装備のスペースを圧迫するのに加えて、室外排気管の処理室の下を潜る部分にミストが液化して溜まりやすく、この排液を抜くのは容易でないという問題もあった。
【００１０】
本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するものであり、排気効率およびスペース効率を改善し、液切り乾燥直後の乾いた基板にミストが付着するのを十全に防止するようにした基板処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の基板処理装置は、被処理基板を水平な第１の方向に平流しで搬送するための平流し搬送路と、前記平流し搬送路の第１の区間を収容し、前記平流し搬送路上で搬送される前記基板が通れる入口および出口を有する第１の処理室と、前記処理室内で、前記平流し搬送路の上および下から前記基板に対して搬送方向に斜めに逆らう方向に液切り乾燥用の気体を吹き付ける上部および下部エアナイフと、前記上部および下部エアナイフよりも搬送方向の下流側で前記第１の処理室内に空気を供給する送風部と、前記下部エアナイフの吐出口よりも低い位置で前記第１の処理室内に設けられる天板付きの排気室と、前記排気室の前記入口と対向する側面に設けられる下部排気口と、前記排気室に接続される排気部とを有する。
【００１２】
上記の装置構成においては、上部および下部エアナイフがそれらの間を通過する基板に対してナイフ状の鋭利な高圧エア流を吹き付けることにより、基板上の液が基板後端側へ掃き寄せられ、終には基板の外へ払い落とされる。この際、両エアナイフの上流側の空間にミストが発生する。これらのミストは、送風部から送られてくる空気や入口から入って空気と一緒に下部排気口に吸い込まれ、排気室の中を通って排気部へ送られる。排気室の天板は、排気室の上面を閉塞するだけでなく、送風部からの空気流を下部排気口の方へ案内する作用を奏する。下部エアナイフと排気室の天板との距離間隔（隙間）を適度の大きさに選ぶことにより、排気速度または排気効率とミスト拡散（付着）防止効果の両立を図ることができる。
【００１３】
また、上記の装置構成においては、処理室の下部空間の排気を行う下部排気系が排気室として処理室の中に設けられているので、処理室の下に設置される用力装備や制御装備のスペースを圧迫しないで済み、装置のスペース効率を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の基板処理装置によれば、上記のような構成および作用により、排気効率およびスペース効率を改善し、液切り乾燥直後の乾いた基板にミストが付着するのを十全に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の基板処理装置を適用できる塗布現像処理システムを示す平面図である。
【図２】上記塗布現像処理システムに含まれる一実施形態による洗浄ユニットの全体構成を示す略断面図である。
【図３】上記洗浄ユニットの液切り乾燥用チャンバ（液切り乾燥室）に備えられる乾燥部の構成を示すブロック図である。
【図４】上記液切り乾燥用チャンバ（液切り乾燥室）に設けられるエアナイフの作用を示す斜視図である。
【図５】上記液切り乾燥用チャンバ（液切り乾燥室）の外観の構造を示す斜視図である。
【図６】上記液切り乾燥用チャンバ（液切り乾燥室）の内部の構成を示す斜視図である。
【図７】上記液切り乾燥用チャンバ（液切り乾燥室）の室内に設けられる排気室の構成を示す斜視図である。
【図８】上記排気室の作用を示す横断面図である。
【図９】上記液切り乾燥用チャンバ（液切り乾燥室）内の要部の構成（レイアウト）を示す平面図である。
【図１０】上記液切り乾燥用チャンバ（液切り乾燥室）内の要部の作用を示す縦断面図である。
【図１１】上記液切り乾燥用チャンバ（液切り乾燥室）内での排気室（特に天板エッジ）の位置に関する一変形例を示す図である。
【図１２】上記排気室（特に天板エッジ）の位置に関する一変形例を示す図である。
【図１３】上記排気室（特に天板エッジ）の位置に関する参考例を示す図である。
【図１４】上記排気室の天板エッジを庇状に突出させる一変形例を示す図である。
【図１５】上記排気室の天板に傾斜を与える一変形例を示す図である。
【図１６】上記排気室の天板エッジのレイアウトに関する一変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施の形態を説明する。
【００１７】
図１に、本発明の基板処理装置を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置され、たとえばガラス基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の一連の処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。
【００１８】
この塗布現像処理システム１０は、中心部に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。
【００１９】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平な一方向（Ｙ方向）に４個まで並べて載置できるカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２とを備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを１枚単位で保持できる搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００２０】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、水平なシステム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。
【００２１】
より詳細には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスラインＡには、搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４、洗浄プロセス部２６、第１の熱的処理部２８、塗布プロセス部３０および第２の熱的処理部３２が第１の基板搬送ライン３４に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。
【００２２】
より詳細には、搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４はカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２から未処理の基板Ｇを受け取り、所定のタクトで第１の基板搬送ライン３４に投入するように構成されている。洗浄プロセス部２６は、第１の基板搬送ライン３４に沿って上流側から順にエキシマＵＶ照射ユニット（Ｅ−ＵＶ）３６および洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８を設けている。第１の熱的処理部２８は、上流側から順にアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０および冷却ユニット（ＣＯＬ）４２を設けている。塗布プロセス部３０は、上流側から順にレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４および減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６を設けている。第２の熱的処理部３２は、上流側から順にプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８および冷却ユニット（ＣＯＬ）５０を設けている。第２の熱的処理部３２の下流側隣に位置する第１の基板搬送ライン３４の終点にはパスユニット（ＰＡＳＳ）５２が設けられている。第１の基板搬送ライン３４上を平流しで搬送されてきた基板Ｇは、この終点のパスユニット（ＰＡＳＳ）５２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８へ渡されるようになっている。
【００２３】
一方、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、現像ユニット（ＤＥＶ）５４、ポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６、冷却ユニット（ＣＯＬ）５８、検査ユニット（ＡＰ）６０および搬出ユニット（ＯＵＴ−ＰＡＳＳ）６２が第２の基板搬送ライン６４に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。ここで、ポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６および冷却ユニット（ＣＯＬ）５８は第３の熱的処理部６６を構成する。搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２は、第２の基板搬送ライン６４から処理済の基板Ｇを１枚ずつ受け取って、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２に渡すように構成されている。
【００２４】
両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送空間６８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル７０が図示しない駆動機構によってプロセスライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。
【００２５】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、上記第１および第２の基板搬送ライン３４，６４や隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置７２を有し、この搬送装置７２の周囲にロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４および周辺装置７６を配置している。ロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４は、基板Ｇを水平面内で回転させるステージであり、露光装置１２との受け渡しに際して長方形の基板Ｇの向きを変換するために用いられる。周辺装置７６は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）や周辺露光装置（ＥＥ）等を第２の平流し搬送路６４に接続している。
【００２６】
ここで、この塗布現像処理システムにおける１枚の基板Ｇに対する全工程の処理手順を説明する。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上のいずれか１つのカセットＣから基板Ｇを１枚取り出し、その取り出した基板Ｇをプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６のプロセスラインＡ側の搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４に搬入する。搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４から基板Ｇは第１の基板搬送ライン３４上に移載または投入される。
【００２７】
第１の基板搬送ライン３４に投入された基板Ｇは、最初に洗浄プロセス部２６においてエキシマＵＶ照射ユニット（Ｅ−ＵＶ）３６および洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８により乾式洗浄およびウエット洗浄処理を順次施される。エキシマＵＶ照射ユニット（Ｅ−ＵＶ）３６は、基板Ｇに紫外線を照射して、主に基板表面の有機物を除去する。洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８は、第１の基板搬送ライン３４上を水平に移動する基板Ｇに対して、ブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより基板表面から粒子状の汚れを除去し、その後にリンス処理を施し、最後にエアナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８における一連の洗浄処理を終えると、基板Ｇはそのまま第１の基板搬送ライン３４を下って第１の熱的処理部２８を通過する。
【００２８】
第１の熱的処理部２８において、基板Ｇは、最初にアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０で蒸気状のＨＭＤＳを用いるアドヒージョン処理を施され、被処理面を疎水化される。このアドヒージョン処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）４２で所定の基板温度まで冷却される。この後も、基板Ｇは第１の平流し搬送路３４を下って塗布プロセス部３０へ搬入される。
【００２９】
塗布プロセス部３０において、基板Ｇは最初にレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４で平流しのままスリットノズルを用いるスピンレス法により基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６で減圧乾燥処理を受ける。
【００３０】
塗布プロセス部３０を出た基板Ｇは、第１の基板搬送ライン３４を下って第２の熱的処理部３２を通過する。第２の熱的処理部３２において、基板Ｇは、最初にプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８でレジスト塗布後の熱処理または露光前の熱処理としてプリベーキングを受ける。このプリベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜中に残留していた溶剤が蒸発して除去され、基板に対するレジスト膜の密着性が強化される。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）５０で所定の基板温度まで冷却される。しかる後、基板Ｇは、第１の基板搬送ライン３４の終点のパスユニット（ＰＡＳＳ）５２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８の搬送装置７２に引き取られる。
【００３１】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、ロータリステージ７４でたとえば９０度の方向変換を受けてから周辺装置７６の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる。
【００３２】
露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると、先ず周辺装置７６のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される。しかる後、基板Ｇは、搬送装置７２よりプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６のプロセスラインＢ側に敷設されている第２の基板搬送ライン６４の現像ユニット（ＤＥＶ）５４の始点に搬入される。
【００３３】
こうして、基板Ｇは、今度は第２の基板搬送ライン６４上をプロセスラインＢの下流側に向けて搬送される。最初の現像ユニット（ＤＥＶ）５４において、基板Ｇは平流しで搬送される間に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理を施される。
【００３４】
現像ユニット（ＤＥＶ）５４で一連の現像処理を終えた基板Ｇは、そのまま第２の基板搬送ライン６４に乗せられたまま第３の熱的処理部６６および検査ユニット（ＡＰ）６０を順次通過する。第３の熱的処理部６６において、基板Ｇは、最初にポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６で現像処理後の熱処理としてポストベーキングを受ける。このポストベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜に残留していた現像液や洗浄液が蒸発して除去され、基板に対するレジストパターンの密着性が強化される。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）５８で所定の基板温度に冷却される。検査ユニット（ＡＰ）６０では、基板Ｇ上のレジストパターンについて非接触の線幅検査や膜質・膜厚検査等が行われる。
【００３５】
搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２は、第２の基板搬送ライン６４から全工程の処理を終えてきた基板Ｇを受け取って、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２へ渡す。カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２から受け取った処理済の基板Ｇをいずれか１つ（通常は元）のカセットＣに収容する。
【００３６】
この塗布現像処理システム１０においては、平流し方式の洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８に本発明を適用することができる。以下、本発明の一実施形態における洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８の構成および作用を説明する。
【００３７】
図２に、洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８の全体の構成を示す。この洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８は、プロセスラインＡ（図１）上に２つのチャンバ８０，８２を並べて配置している。両チャンバ８０，８２の中を縦断するコロ搬送路８４は、第１の基板搬送ライン３４（図１）の一区間を構成する。
【００３８】
上流側の洗浄チャンバ８０は、内部に設けた２つの隔壁８６，８８によって３つの処理室、すなわちブラッシング洗浄室Ｒ1、ブロー洗浄室Ｒ2およびリンス室Ｒ3に分割されている。搬送方向（Ｘ方向）と向き合うチャンバ８０の外壁８０ａ，８０ｂおよび両隔壁８６，８８には、コロ搬送路８４上を移動する基板Ｇが通れるスリット状の開口（基板出入り口）９０，９２，９４，９６がそれぞれ形成されている。ここで、開口９０は、ブラッシング洗浄室Ｒ1の入口である。開口９２は、ブラッシング洗浄室Ｒ1の出口であり、かつブロー洗浄室Ｒ2の入口でもある。開口９４は、ブロー洗浄室Ｒ2の出口であり、かつリンス室Ｒ3の入口でもある。開口９６は、リンス室Ｒ3の出口である。
【００３９】
ブラッシング洗浄室Ｒ1には、コロ搬送路８４に沿ってその上下両側にプリウエット用のスプレーノズル９８Ｕ／９８Ｌ、ロールブラシ１００Ｕ／１００Ｌおよびリンス用のスプレーノズル１０２Ｕ／１０２Ｌが配置されている。プリウエット用のスプレーノズル９８Ｕ／９８Ｌは、基板Ｇを幅方向（Ｙ方向）で端から端までカバーする長尺型であり、薬液供給部（図示せず）より送られてくる薬液をスプレー状に噴射するようになっている。ロールブラシ１００Ｕ，１００Ｌは、基板Ｇを幅方向で端から端までカバーする長さを有しており、モータ等のブラシ駆動部（図示せず）により回転駆動されるようになっている。リンス用のスプレーノズル１０２Ｕ／１０２Ｌは、基板Ｇを幅方向で端から端までカバーする長尺型であり、リンス液供給部（図示せず）より送られてくるリンス液をスプレー状に噴射するようになっている。
【００４０】
ブラッシング洗浄室Ｒ1には、チャンバ背面側の壁（図１の補助搬送空間６８側の壁）の上部に１つまたは複数の排気ポート１０４が設けられており、底にドレイン口１０３が設けられている。排気ポート１０４は後述する排気部１４０（図３）に接続されている。ドレイン口１０３はドレインタンク（図示せず）に通じている。
【００４１】
ブロー洗浄室Ｒ2内には、コロ搬送路８４の上下両側に高圧の２流体ノズル１０５Ｕ／１０５Ｌが配置されている。これらの２流体ノズル１０５Ｕ／１０５Ｌは、基板Ｇの幅サイズをカバーする長尺型であり、洗浄液供給部（図示せず）より送られてくる洗浄液と高圧ガス供給部（図示せず）より送られてくる高圧気体とを混合して、粒状の液滴をジェット流で、またはスプレー状に噴射するようになっている。
【００４２】
ブロー洗浄室Ｒ2にも、チャンバ背面側の壁の上部に１つまたは複数の排気ポート１０６が設けられ、底にドレイン口１１０が設けられている。排気ポート１０６は、排気部１４０（図３）に接続されている。ドレイン口１１０はドレインタンク（図示せず）に通じている。
【００４３】
リンス室Ｒ3内には、コロ搬送路８４の上下両側に適当な間隔を空けて複数のリンスノズル１１２Ｕ／１１２Ｌが配置されている。これらのリンスノズル１１２Ｕ／１１２Ｌは、基板Ｇの幅サイズをカバーする長尺型であり、リンス液供給部（図示せず）より送られてくるリンス液をスプレー状に噴射するようになっている。
【００４４】
リンス室Ｒ3においても、チャンバ背面側の壁の上部に１つ（または複数）の排気ポート１１４が設けられており、底にはドレイン口１１６が設けられている。排気ポート１１４は排気部１４０（図３）に接続されている。ドレイン口１１６はドレインタンク（図示せず）に通じている。
【００４５】
下流側のチャンバ８２は、専用の液切り乾燥室Ｒ4になっている。搬送方向（Ｘ方向）と向き合うチャンバ８２の外壁８２ａ，８２ｂには、コロ搬送路８４上を移動する基板Ｇが通れるスリット状の開口１１８，１２０がそれぞれ形成されている。ここで、開口１１８は入口であり，開口１２０は出口である。
【００４６】
液切り乾燥室Ｒ4内には、コロ搬送路８４を挟んで搬送方向（Ｘ方向）に対して斜めに上部および下部エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌが配置されている。両エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌは、基板Ｇの幅サイズをカバーする長さを有しており、それぞれの吐出口を液切り乾燥室Ｒ4の入口１１８側および正面側の中間の方位に向けて、乾燥ガス供給部（図示せず）より送られてくる液切り乾燥用の高圧の気体（通常はエア、場合によっては窒素ガス）を鋭利なナイフ状の気流で噴射するようになっている。
【００４７】
液切り乾燥室Ｒ4には、チャンバ正面側の壁８２ｆの上部に１つ（または複数）の上部排気口１２４が設けられるとともに、室内の底部に複数の下部排気口１２６，１２８が設けられている。下部排気口１２６，１２８は、後述する排気室１６０（図６、図７）を介して、チャンバ背面側の壁８２ｒの下部に設けられる排気ポート１３０，１３２にそれぞれ接続されている。また、上部排気口１２４は、後述する局所排気ダクト（排気管）１６２（図５）および排気室１６０（図６、図７）を介して、チャンバ背面側の壁８２ｒの下部に設けられる排気ポート１３４に接続されている。排気ポート１３０，１３２，１３４は、チャンバ背面側の壁８２ｒの出口１２０寄りの下部に集まって横一列に配置されている。
【００４８】
液切り乾燥室Ｒ4には、両エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌの後方または下流側の天井に、ＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）１３６が設置されている。このＦＦＵ１３６は、室外の空気を引き込むファンと、空気中の塵を除去するフィルタとを有し、清浄な空気をダウンフローで室内に供給する。
【００４９】
液切り乾燥室Ｒ4の底には、複数のドレイン口１３８Ａ，１３８Ｂが設けられている。これらのドレイン口１３８Ａ，１３８Ｂもドレインタンク（図示せず）に通じている。
【００５０】
コロ搬送路８４には、基板Ｇの幅サイズをカバーする長さの搬送ローラまたはコロ８５が搬送方向（Ｘ方向）に一定間隔で敷設されている。この実施形態では、コロ８５が、チャンバ８０，８２の中に収容され、チャンバ８０，８２の外に配置されている搬送駆動源により伝動機構を介して回転駆動されるようになっている。
【００５１】
チャンバ８０，８２の上面は、たとえば搬送方向（Ｘ方向）に処理室毎に、あるいは一定サイズで並べられる複数の開閉カバー（天板）によって気密に覆われる。作業員が修理または部品交換のために中の洗浄ツールにアクセスするときは、各メンテナンス位置の開閉カバーが開けられるようになっている。
【００５２】
図３に、この洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８に備えられる排気部１４０の構成を示す。この排気部１４０は、負圧発生源としてたとえば排気ブロア１４２を有しており、この排気ブロア１４２の入側を主排気管１４４および分岐排気管１４６を介して洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８内の各排気ポート１０４，１０６，１１４，１３０，１３２，１３４に接続している。各分岐排気管１４６の途中には、排気ガスからミストを分離する気液分離器１４８，１５０と、排気流量を調節するための排気ダンパ１５２とが設けられる。排気ブロア１４２の出側は工場排気ダクト１５４に接続される。
【００５３】
なお、チャンバ８０の下部または底部に設けられる気液分離器１４８は、各対応する排気ポート１０４，１０６，１１４の外に配置され、ミスト混じりの排気ガスから分離した排液を排液管（図示せず）に流してドレインタンクへ送る。一方、チャンバ８２の下部または底部に設けられる気液分離器１５０は、各対応する排気ポート１３０，１３２，１３４と一体化され、ミスト混じりの排気ガスから分離した排液をチャンバ８２（液切り乾燥室Ｒ4）内の底（パン）に落とし、ドレイン口１３８Ｂを介してドレインタンクへ送るようになっている。
【００５４】
排気部１４０は、洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８の背面側（後背）に設けられる。洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８の正面側（正面パネル）には、図示省略するが、操作盤やモニタ機器類（図示せず）が設けられる。
【００５５】
ここで、この洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８における全体の動作および作用を説明する。上述したように、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４より洗浄プロセス部２６（図１）に投入された基板Ｇは、最初にエキシマＵＶ照射ユニット（Ｅ−ＵＶ）３６（図１）で紫外線照射処理を受けて基板表面の有機汚染物を除去され、次いでコロ搬送路８４上を平流しで移動して洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８のブラッシング洗浄室Ｒ1に入口９０から搬入される。
【００５６】
ブラッシング洗浄室Ｒ1において、基板Ｇは、最初にプリウエット用の上部および下部スプレーノズル９８Ｕ，９８Ｌにより基板全体にたとえば酸またはアルカリ系の薬液を噴き掛けられる。次いで、基板Ｇは、上部および下部ロールブラシ１００Ｕ，１００Ｌの下を順次擦りながら通り抜ける。両ロールブラシ１００Ｕ，１００Ｌは、ブラシ駆動部の回転駆動力で搬送方向と対抗する向きに回転し、基板表面の異物（塵埃、破片、汚染物等）を擦り取る。その直後に、リンス用の上部および下部スプレーノズル１０２Ｕ，１０２Ｌが基板Ｇにリンス液たとえば純水を噴き掛け、基板上に浮遊している異物を洗い流す。ブラッシング洗浄室Ｒ1内で基板Ｇから底に落ちた液（薬液、リンス液等）は、ドレイン口１０３より排出される。
【００５７】
基板Ｇは、リンス用のスプレーノズル１０２Ｕ，１０２Ｌを通り抜けた直後に、隔壁８６の基板出入り口９２を通ってブロー洗浄室Ｒ2に入る。ブロー洗浄室Ｒ2では、上部および下部２流体ノズル１０５Ｕ，１０５Ｌが、ノズル内で洗浄液を高圧の気体（たとえばエア）と混合して粒状の液滴を生成し、生成した液滴を基板Ｇのおもて面（上面）および裏面（下面）に向けて高圧のジェット流で、またはスプレー状に噴き掛ける。こうして、流状の液滴が基板Ｇの表面に衝突することで、基板表面に残存していた異物が十全に除去される。ブロー洗浄室Ｒ2内で基板Ｇから底に落ちた液（洗浄液等）は、ドレイン口１１０より排出される。
【００５８】
ブロー洗浄室Ｒ2の次に基板Ｇはリンス室Ｒ3を通過する。リンス室Ｒ3では、上部および下部リンスノズル１１２Ｕ，１１２Ｌがコロ搬送路８４上の基板Ｇにリンス液たとえば純水を噴き掛ける。これによって、ブロー洗浄室Ｒ2から持ち込まれた基板Ｇ上の液（異物が浮遊している液）がリンス液に置換される。リンス室Ｒ3内で基板Ｇから底に落ちた液（洗浄液、リンス液等）は、ドレイン口１１６より排出される。
【００５９】
基板Ｇは、リンス室Ｒ3を出ると同時に隣の液切り乾燥室Ｒ4に入る。液切り乾燥室Ｒ4では、コロ搬送路８４上の基板Ｇに対して、上部および下部エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌがナイフ状の鋭利な高圧の気体流たとえばエア流を搬送方向に斜め逆らう方向に当てる（図４）。これにより、基板Ｇに付いていた液（大部分がリンス液）Ｓは高圧エア流の風力で払い落とされ、液切り乾燥室Ｒ4の底に落ちた液はドレイン口１３８Ａより排出される。こうして、上部および下部エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌの間を通り過ぎた基板Ｇの表面は乾いた状態になる。
【００６０】
液切り乾燥室Ｒ4の出口１２０を出た基板Ｇは、そのままコロ搬送路８４を平流しで移動して第１の熱的処理部２８（図１）へ入る。
【００６１】
この実施形態の洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８においては、上記のような一連の洗浄処理が行われる際に、各処理室Ｒ1〜Ｒ4内でミストが発生し、その殆どがチャンバ背面側の各排気ポート１０４，１０６，１１４，１３０〜１３４を通って排気部１４０へ回収されるようになっている。しかし、排気が十分でない場所があれば、そこでミストが付着する可能性はある。このうち、処理室Ｒ1〜Ｒ3内では、基板Ｇは濡れているので、基板表面にミストが付着しても、僅かであればシミや残渣は生じ難い。しかし、最終段の処理室つまり液切り乾燥室Ｒ4では、基板Ｇが両エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌを通り過ぎるとその表面は乾いた状態になるので、そこにミストが僅かでも付着したならば、シミや残渣が生じる可能性は非常に高い。
【００６２】
この実施形態では、チャンバ８２（液切り乾燥室Ｒ4）に以下に詳細に述べるような排気機構を設けることにより、液切り乾燥室Ｒ4の排気効率およびスペース効率を改善するとともに、両エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌを通過した直後の乾いた基板にミストが付着するのを十全に防止し、洗浄プロセス全体としての歩留まりを向上させている。
【００６３】
以下、図５〜図１４につき、この実施形態においてチャンバ８２の液切り乾燥室Ｒ4に設けられる排気機構の構成および作用を詳細に説明する。
【００６４】
図５にチャンバ８２（液切り乾燥室Ｒ4）の外観構造を示し、図６にチャンバ８２の内部の構成を示す。なお、図６では、排気室１６０の図解を容易にするために、両エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌ（図２、図４）、コロ搬送路８４（図２）および上部隔壁１８０（図１０）を図示省略している。
【００６５】
図５および図６において、チャンバ８２の正面側の壁８２ｆには、入口１１８に寄って上部エアナイフ１２２Ｕよりも高い位置に上部排気口１２４が設けられるとともに、出口１２０に寄って下部エアナイフ１２２Ｌよりも低い位置に下部接続口１６４が設けられている。上部排気口１２４は、壁８２ｆの外で壁８２ｆの縁に沿ってＬ状に延びる局所排気ダクト１６２を介して下部接続口１６４に接続される。
【００６６】
上部排気口１２４の略真下に位置するチャンバ８２（液切り乾燥室Ｒ4）内の底の角隅部には、この角隅部を空間的に覆い隠すように三角形状のコーナ板１６６が斜めに立て掛けられている。このコーナ板１６６は、この角隅部にミストが滞留するのを防止する機能を有している。コーナ板１６６の代わりに、この角隅部を空間的に埋めるように三角錐状の滞留防止部材を配設してもよい。下部接続口１６４は、排気室１６０の一端に位置し、チャンバ背面側の排気ポート１３４と対向している。
【００６７】
図７および図８に示すように、排気室１６０は、排気ポート１３０，１３２，１３４が集約配置されているチャンバ背面側の壁８２ｒの一部と、それと対向するチャンバ８２の正面側の壁８２ｆの一部と、それら背面側および正面側の壁８２ｒ，８２ｆに挟まれたチャンバ出口側の壁８２ｂの一部と、側壁板１６８と、２枚の仕切り板１７０，１７２とで構成されている。この排気室１６０には、天板１７４（図１０）が付いている。
【００６８】
側壁板１６８は、チャンバ正面側の壁８２ｆとチャンバ背面側の壁８２ｒとの間で、両エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌに沿ってそれと平行に延びるように、搬送方向（Ｘ方向）に対して斜めに配置されている。この側壁板１６８と、チャンバ正面側の壁８２ｆと、チャンバ背面側の壁８２ｒと、チャンバ出口側の壁８２ｂとによって、排気室１６０が平面視で台形状に形成されている。側壁板１６８の下端または下辺はチャンバ８２（液切り乾燥室Ｒ4）の底に接し、その上端または上辺は天板１７４のエッジ１７４ｅ（図１０）に接続されている。
【００６９】
側壁板１６８には、適当な間隔を空けて複数たとえば４つの開口が形成されている。これら４つの開口のうち、チャンバ背面寄りの２つが第１の排気口１２６であり、チャンバ正面寄りの２つが第２の排気口１２８である。
【００７０】
２つの仕切り板１７０，１７２は、排気室１６０の室内を３つの排気空間Ｍ1，Ｍ２，Ｍ3に分割または区画する。より詳しくは、第１の仕切り板１７０は、排気ポート１３０，１３２の間（チャンバ背面側の壁８２ｒ）からそれと対向するチャンバ正面側の壁８２ｆに向かって途中までまっすぐ延びて、中間の位置で搬送方向（Ｘ方向）と逆方向に曲折してその折曲部１７０ａの先端が側壁板１６８に当接する。この第１の仕切り板１７０を隔壁として、第１の排気空間Ｍ1と第２の排気空間Ｍ2とが画成される。ここで、第１の排気空間Ｍ1は、側壁板１６８に形成されている第１の下部排気口１２６と、チャンバ背面側の壁８２ｒに設けられている排気ポート１３０との間に延在している。また、第２の排気空間Ｍ2は、側壁板１６８に形成されている第２の下部排気口１２８と、チャンバ背面側の壁８２ｒに設けられている排気ポート１３２との間に延在している。
【００７１】
また、第２の仕切り板１７２は、排気ポート１３２，１３４の間（チャンバ背面側の壁８２ｒ）からそれと対向するチャンバ正面側の壁８２ｆに向かってまっすぐ延びて、その先端がチャンバ正面側の壁８２ｆに当接する。この第２の仕切り板１７２によって、上記第２の排気空間Ｍ2から隔てられた第３の排気空間Ｍ3が画成される。この第３の排気空間Ｍ3は、チャンバ正面側の壁８２ｆに設けられている下部接続口１６４と、チャンバ背面側の壁８２ｒに設けられている排気ポート１３４とを繋いでいる。
【００７２】
図８に示すように、チャンバ８２（液切り乾燥室Ｒ4）内で、より正確には下部エアナイフ１２２Ｌより上流側で、第１の下部排気口１２６から第１の排気空間Ｍ1に入ったミスト混じりの排気ガスは、チャンバ背面側の排気ポート１３０に向かって第１の排気空間Ｍ1を流れ、排気ポート１３０から外の排気部１４０へ排出される。また、第２の下部排気口１２８から第２の排気空間Ｍ2に入ったミスト混じりの排気ガスは、チャンバ背面側の排気ポート１３２に向かって第２の排気空間Ｍ2を流れ、排気ポート１３２から外の排気部１４０へ排出される。両排気ポート１３０，１３２の排気流量はそれぞれの排気ダンパ１５２を通じて個別に制御可能であり、第１および第２の下部排気口１２６，１２８の排気能力（負圧吸引力）のバランスを任意に調節することができる。
【００７３】
一方、上部排気口１２４より局所排気ダクト１６２（図５）を通って下部接続口１６４から第３の排気空間Ｍ3に入ったミスト混じりの排気ガスは、チャンバ背面側の排気ポート１３４に向かって第３の排気空間Ｍ3を流れ、排気ポート１３４から排気部１４０へ排出される。排気ポート１３４の排気流量ひいては上部排気口１２４の排気流量も、個別の排気ダンパ１５２を通じて任意に調節することができる。
【００７４】
なお、排気ポート１３０，１３２，１３４は、チャンバ背面側の壁８２ｒを貫通して取り付けられる筒状のソケット１７５に設けられる。各ソケット１７５の中には気液分離器１５０（図３）が入っており、気液分離器１５０からの排液はソケット１７５の口から排気室１６０の底に流れ落ち、近くのドレイン口１３８Ｂに回収されるようになっている。
【００７５】
図１０に、チャンバ８２（液切り乾燥室Ｒ4）内の要部の構成および作用を示す。なお、図１０は、図９（平面図）のＡ−Ａ線についての断面図である。
【００７６】
図示のように、チャンバ８２（液切り乾燥室Ｒ4）の天井から上部エアナイフ１２２Ｕまで垂れ下がる上部隔壁１８０が設けられている。この上部隔壁１８０により、基板Ｇ（コロ搬送路８４）の上では、上部エアナイフ１２２Ｕより上流側の空間と下流側の空間とが略完全に遮断されている。
【００７７】
一方、下部エアナイフ１２２Ｌの直下から下流側に（チャンバ出口側の壁８２ｂまで）排気室１６０が延在しており、下部エアナイフ１２２Ｌの下端と排気室１６０の天板１７４との間に隙間Ｋが形成される。この隙間Ｋを介して、エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌの上流側の空間と下流側の空間とが連通している。
【００７８】
エアナイフ１２２Ｌ，１２２Ｕの下流側空間において、天井のＦＦＵ１３６よりダウンフローで供給される空気は、直下を基板Ｇが通過していないときは、そのまままっすぐ降りて排気室１６０の天板１７４に当たり、天板１７４に沿って上流側に流れて、隙間Ｋを通り抜け、下部排気口１２６，１２８に吸い込まれる。また、ＦＦＵ１３６からのダウンフローの空気は、基板Ｇがその下を通過しているときは、基板Ｇの左右両端とチャンバ正面側および背面側の壁８２ｆ，８２ｒとの間の隙間を通り抜けてから、排気室１６０の天板１７４に沿って上流側に流れて、隙間Ｋを通り抜け、下部排気口１２６，１２８に吸い込まれる。
【００７９】
一方で、ＦＦＵ１３６よりダウンフローで供給される空気の一部は、出口１２０からチャンバ８２（液切り乾燥室Ｒ4）の外に出る。特に、ＦＦＵ１３６の直下を基板Ｇが平流しで移動しているときは、上方から基板Ｇの上面に当たった空気の多くが基板Ｇと一緒に出口１２０の外に出る。もっとも、それによって、基板Ｇの上面（おもて面）に悪い影響（特にミストの付着）をもたらすことはない。
【００８０】
チャンバ８２（液切り乾燥室Ｒ4）内で液切り乾燥処理が行われるときは、図４に示すように、上部および下部エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌがそれらの間を通過する基板Ｇに対してナイフ状の鋭利な高圧エア流を吹き付けることにより、基板Ｇ上の液が基板後端側へ掃き寄せられ、終には基板Ｇの外へ払い落とされる。この際、両エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌの上流側の空間に多量のミストが発生する。すなわち、上部エアナイフ１２２Ｕが基板Ｇのおもて面（上面）に高圧エア流を吹き付けることによって基板Ｇの上でミストが発生し、下部エアナイフ１２２Ｌが基板Ｇの裏面（下面）に高圧エア流を吹き付けることによって基板Ｇの下でもミストが発生する。
【００８１】
基板Ｇの上で発生したミストの大部分は、上部排気口１２４に吸い込まれる。上部排気口１２４に吸い込まれたミスト混じりの空気は、チャンバ１０の外の局所排気ダクト１６２を通って下部接続口１６４から排気室１６０の第３の排気空間Ｍ3に入り、第３の排気空間Ｍ3を通り抜けて排気ポート１３４から排気部１４０へ排出される。また、基板Ｇの上で発生したミストの一部は、基板Ｇの左右両端とチャンバ正面側および背面側の壁８２ｆ，８２ｒとの間の隙間を通り抜けてから、基板Ｇの下で発生したミスト等と一緒に下部排気口１２６，１２８に吸い込まれる。
【００８２】
基板Ｇの下で発生したミストは、その全部がＦＦＵ１３６から廻ってくる空気および入口１１８から入ってくる空気と一緒に下部排気口１２６，１２８に吸い込まれる。下部排気口１２６，１２８に吸い込まれたミスト混じりの空気は、排気室１６０内の第１および第２の排気空間Ｍ1，Ｍ2を通り抜けて、排気ポート１３０，１３２から排気部１４０へ排出される。
【００８３】
また、基板Ｇの後端がエアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌの間を通り抜けて、後続の基板Ｇが入口１１８から入ってくるまでの間、エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌの上流側空間で漂っているミストの一部は下部排気口１２６，１２８に吸い込まれ、残りは上部排気口１２４に吸い込まれる。
【００８４】
このように、チャンバ８２（液切り乾燥室Ｒ4）においては、エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌよりも上流側の空間で液切り乾燥処理により発生したミストは、その全部または殆どが上部排気口１２４または下部排気口１２６，１２８に吸い込まれる。下部エアナイフ１２２Ｌの下端と排気室１６０の天板１７４との間の隙間Ｋには、下流側上部のＦＦＵ１３６から上流側底部の下部排気口１２６，１２８に向かって高い圧力の空気流が流れている。上流側空間のミストがこの空気流に逆らって隙間Ｋを通り抜ける、つまり下流側空間に流入または進入することはない。また、上流側空間にミストが溜まることがないので、エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌが高圧エアを噴出し続けている限り、その間のギャップを通り抜けてミストが上流側空間へ拡散することもない。
【００８５】
したがって、エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌの下流側空間でミストが浮遊することはなく、エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌを通り過ぎた直後の乾いている基板Ｇの表面（特におもて面）にミストが付着することはない。このことにより、基板Ｇをシミのない状態で後工程（特にレジスト塗布工程）に送ることが可能であり、洗浄プロセスの歩留まりを向上させることができる。
【００８６】
また、この実施形態では、チャンバ８２（液切り乾燥室Ｒ4）の下部空間の排気を行う下部排気系が排気室１６０としてチャンバ８２の中に設けられているので、チャンバ８２の下に設置される用力装備や制御装備（図示せず）のスペースを圧迫することがない。さらに、チャンバ８２（液切り乾燥室Ｒ4）の上部空間の排気を行う上部排気系も、チャンバ８２の中の排気室１６０を通じてチャンバ背面側の排気ポート１３４に繋がっているので、これも用力装備や制御装備のスペースを圧迫することがない。これにより、装置のスペース効率を向上させることができる。
【００８７】
本発明においては、液切り乾燥処理を受けた直後の乾いた基板Ｇにミストが再付着するのを防止するうえで、下部エアナイフ１２２Ｌの下端と排気室１６０の天板１７４との間に形成される隙間Ｋの作用が、下流側の天井に設置されるＦＦＵ１３６の作用と相俟って、重要である。下部エアナイフ１２２Ｌと排気室１６０の天板１７４との距離間隔（隙間Ｋ）を適度の大きさに選ぶことにより、排気速度または排気効率とミスト拡散（付着）防止効果の両立を図ることができる。
【００８８】
この実施形態では、図９および図１０に示すように、排気室１６０の天板１７４のエッジ１７４ｅまたは側壁板１６８が、両エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌに沿ってそれと平行に延びるように、搬送方向（Ｘ方向）に対して斜めに配置されており、しかも両エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌの吐出口の直下ないしはそれよりも少し上流側に位置している。これにより、隙間Ｋ付近のインピーダンスを高くして、下流側と上流側との圧力差を十二分に大きくし、ミスト逆流防止効果を最大限に高めることができる。
［他の実施形態または変形例］
【００８９】
以上、本発明の好適な一実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種種の変形が可能である。
【００９０】
たとえば、下部エアナイフ１２２Ｌの下端と排気室１６０の天板１７４との間に形成される隙間Ｋ回りの構成またはレイアウトを変形することができる。図１１に示すように、排気室１６０の天板１７４のエッジ１７４ｅまたは下部排気口１２６，１２８の位置を下部エアナイフ１２２Ｌの下端の直下まで下流側にシフトさせても、隙間Ｋの大きさは変わらない。ただし、天板１７４のエッジ１７４ｅが上流側空間から後退するぶん、隙間Ｋ付近のコンダクタンスが大きくなる。それでも、隙間Ｋ付近で下流側空間と上流側空間との間に十分大きな圧力差をつくり、十全なミスト逆流防止効果を得ることができる。
【００９１】
さらに、図１２に示すように、排気室１６０の天板１７４のエッジ１７４ｅまたは下部排気口１２６，１２８の位置を下部エアナイフ１２２Ｌの下端よりも下流側にシフトさせると、隙間Ｋ付近のコンダクタンスは相当大きくなる。この場合、隙間Ｋがそれほど大きくならなければ、ＦＦＵ１３６のエア供給流量を増やすことにより、下流側空間と上流側空間との間に実用上十分な圧力差ひいてはミスト逆流防止効果を得ることができる。
【００９２】
しかし、図１３に示すように、排気室１６０の天板１７４のエッジ１７４ｅまたは下部排気口１２６，１２８を下部エアナイフ１２２Ｌから大きく離して下流側に位置させると、隙間Ｋが大きくなりすぎて、ＦＦＵ１３６のエア供給流量を増やしても、実効的なミスト逆流防止効果を得るに必要な圧力差が生じなくなる。本発明者の行った実験によれば、下部エアナイフ１２２Ｌと排気室１６０の天板１７４との距離間隔（隙間Ｋのサイズ）が、天板エッジ１７４ａがその高さ位置で下部エアナイフ１２２Ｌの直下またはそれよりも上流側に位置している場合の距離間隔Ｋm（図１１）の約１０倍を超えると、実効的なミスト逆流防止効果は得られなくなる。
【００９３】
上記実施形態では、排気室１６０において天板１７４のエッジ１７４ｅが側壁板１６８の上端に連続しているが、図１４に示すように、天板１７４のエッジ１７４ｅが側壁板１６８の上端よりも上流側に（つまり庇状に）突出する構成も可能である。この場合、下部排気口１２４を下部エアナイフ１２２Ｌよりも下流側に配置しながら、天板１７４のエッジ１７４ｅを下部エアナイフ１２２Ｌの直下に延ばすことにより、隙間Ｋ付近のコンダクタンスを小さくし、隙間Ｋ付近で下流側空間と上流側空間との間に十分大きな圧力差をつくることが可能であり、ひいては十全なミスト逆流防止効果を得ることができる。
【００９４】
また、排気室１６０の天板１７４は、天井のＦＦＵ１３２から降りてきた空気流を受け止めて隙間Ｋの方へ案内する機能を有する。この気流案内機能を奏するうえで、天板１７４は水平であってもよいが、図１５に示すように、エッジ１７４ｅに向かって次第に低くなる傾斜面を好適に有することができる。
【００９５】
また、上記実施形態では、チャンバ正面側の壁８２ｆとチャンバ背面側の壁８２ｒとの間で、排気室１６０の側壁板１６８または天板１７４のエッジ１７４ｅが両エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌに沿ってそれと平行に延びる構成であった。しかし、一変形例として、図１６に示すように、排気室１６０の側壁板１６８または天板１７４のエッジ１７４ｅの一部（図示の例では中心部からチャンバ背面側の半区間）がエアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌに沿ってそれらと平行に延び、他の部分（図示の例では中心部からチャンバ正面側の半区間）がエアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌの吐出口よりも搬送方向の上流側に位置する構成も可能である。
【００９６】
なお、上部および下部エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌは、典型的には上下に重なって配置されるが、搬送方向（Ｘ方向）で互いに位置をずらして配置される構成も可能である。
【００９７】
また、必要に応じて、上部排気口１２４を省いて、下部排気口１２６，１２８のみでチャンバ８２（液切り乾燥室Ｒ4）内の排気を行うことも可能である。また、排気室１６０の側壁の一部または全部をチャンバ８２の側壁（８２ｂ，８２ｆ，８２ｒ）から独立した板材で構成することも可能である。
【００９８】
本発明においては、チャンバ８２（液切り乾燥室Ｒ4）内の構成以外にも種種の変型が可能である。たとえば、コロ搬送路８４に代えて、ベルトコンベア等の他の平流し搬送路を用いてもよい。本発明の平流し搬送において、基板は任意の姿勢をとることが可能であり、水平姿勢の平流し搬送であってもよいが、傾斜姿勢の平流し搬送も可能である。上記実施形態の洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８における洗浄ツールの形式および配置構成は一例であり、洗浄プロセスの仕様に応じて任意の洗浄ツールを任意の場所に配置することができる。
【００９９】
また、上記実施形態は、塗布現像処理システム１０内の洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８に係るものであった。しかし、塗布現像処理システム１０内の現像ユニット（ＤＥＶ）５４に本発明を適用することも可能である。
【０１００】
現像ユニット（ＤＥＶ）５４は、図示省略するが、第２の基板搬送ライン６４の一区間を構成する平流し搬送路に沿って現像処理部、リンス部および乾燥部をこの順序に並べて配置している。ここで、現像処理部は、平流し搬送路上を移動する基板上に現像液ノズルより現像液を供給して、基板上に現像液を盛る（パドル現像）。リンス部は、所定のタイミングでリンスノズルよりリンス液（一般に純水）を供給して、基板上の現像液をリンス液に置換する（現像停止）。乾燥部は、平流し搬送路上を移動する基板にエアナイフより高圧のエア流を吹き付けて、基板の表面からリンス液を除去する（液切り乾燥）。
【０１０１】
この現像ユニット（ＤＥＶ）５４の乾燥部に、上記実施形態または変形例と同様の排気機構を組み込むことができる。これにより、乾燥部の排気効率およびスペース効率を改善し、液切り乾燥直後の乾いた基板にミストが付着するのを十全に防止することができる。このことにより、基板をシミや残渣のない状態で後工程（特にエッチング工程）に送ることが可能であり、現像プロセスの歩留まりを向上させることができる。
【０１０２】
上記した実施形態はＬＣＤ製造の塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布装置に係るものであったが、本発明は被処理基板上に処理液を噴き掛けてから液切り乾燥処理を行う任意の基板処理装置やアプリケーションに適用可能である。本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限らず、他のフラットパネルディスプレイ用基板、半導体ウエハ、ＣＤ基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。
【符号の説明】
【０１０３】
３８ 洗浄ユニット（ＳＣＲ）
Ｒ4 液切り乾燥室
５４ 現像ユニット（ＤＥＶ）
８０ （洗浄）チャンバ
８２ （液切り乾燥）チャンバ
８４ コロ搬送路
１１８，１２０ 基板出入り口（入口／出口）
８２ａ チャンバ入口側の壁
８２ｂ チャンバ出口側の壁
８２ｒ チャンバ背面側の壁
８２ｆ チャンバ正面側の壁
１２２Ｕ，１２２Ｌ エアナイフ
１２４ 上部排気口
１２６，１２８ 下部排気口
１３０，１３２，１３４ 排気ポート
１３６ ファン・フィルタ・ユニット（ＦＦＵ）
１４０ 排気部
１６０ 排気室
１６２ 局所排気ダクト
１６８ 側壁板
１７０，１７２ 仕切り板
１７４ 排気室の天板
１７４ｅ 天板エッジ
１８０ 上部隔壁
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基板に気体を吹き付けて液切り乾燥の処理を行う基板処理装置に係り、特に平流し方式の基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）製造におけるレジスト塗布現像処理システムでは、被処理基板（たとえばガラス基板）の大型化に有利に対応できる洗浄処理方法あるいは現像処理方法として、搬送ローラ（コロ）や搬送ベルトを水平方向に敷設してなる搬送路上で基板を搬送しながら洗浄処理あるいは現像処理を行うようにした、いわゆる平流し方式が多く用いられている。このような平流し方式は、基板を回転運動させるスピンナ方式と較べて、基板の取扱いや搬送系および駆動系の構成が簡単である等の利点がある。
【０００３】
平流し方式の洗浄処理装置は、典型的には、平流し搬送路に沿って、ロールブラシ、高圧ジェットノズル、リンスノズル、エアナイフ等の洗浄ツールを配置し、ロールブラシによるスクラビング洗浄および高圧ジェットノズルによるブロー洗浄を順次施して基板表面の異物や汚れを取った後、リンスノズルよりリンス液を基板表面に浴びせ、最後にエアナイフより高圧の気体流（通常はエア流）を吹き付けて基板表面からリンス液を除去（液切り乾燥）するようにしている。
【０００４】
また、平流し方式の現像処理装置は、平流し搬送路に沿って長尺型の現像液ノズル、リンスノズルおよびエアナイフを配置し、搬送路上を移動する基板に対して、現像液ノズルより現像液を供給して基板上に現像液を盛り（たとえばパドル現像）、所定時間の経過後にリンスノズルよりリンス液（一般に純水）を供給して基板上の現像液をリンス液に置換し（現像停止）、最後にエアナイフより高圧のエア流を吹き付けて基板表面からリンス液を除去する（液切り乾燥）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１５９６６３
【特許文献２】特開２００３−８３６７５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来より、上記のような平流し方式の洗浄処理装置あるいは現像処理装置においては、チャンバ内で発生したミストが不所望に拡散して基板に付着することが課題になっている。特に、エアナイフにより液切り乾燥処理を受けた直後の乾いた基板の表面にミストが付着すると、そのミストの付着した箇所にシミや残渣が生じて、後工程（レジスト塗布工程あるいはエッチング工程等）で不良を招く原因になりやすい。
【０００７】
エアナイフが配置される最終段の液切り乾燥部においては、エアナイフによるナイフ状の鋭利な高圧エア流の吹き付けにより、基板上の液が基板後端側へ掃き寄せられるようにして基板の外へ払い落とされる。この際、多量のミストが発生する。通常、平流し搬送路を挟んで上下一対のエアナイフが設けられ、上部エアナイフが基板のおもて面（上面）に高圧エア流を吹き付けることによって基板の上でミストが発生し、下部エアナイフが基板の裏面（下面）に高圧エア流を吹き付けることによって基板の下でもミストが発生する。
【０００８】
このように基板の上および下で立ち篭めるミストが両エアナイフの後方または下流側に回り込まないように、基板の通路（搬送路）を除いて両エアナイフの上流側の空間と下流側の空間とを隔壁で完全に塞ぐことも行われている。この場合、上流側の空間では、処理室の天井に換気用の送風機が取り付けられ、基板の上で発生したミストを除去するための上部排気口が平流し搬送路よりも高い場所に設けられ、基板の下で発生したミストを除去するための下部排気口が平流し搬送路よりも低い場所に設けられる。しかし、このような排気機構においては、送風機からのダウンフローの空気流がエアナイフの吐出する高圧エア流と干渉することによって、基板の下に回り難く、下部排気の効率は良くない。一方で、送風機からのダウンフローの空気流は上部排気口へ吸い込まれるミスト含有の排気流とも干渉するため、上部排気の効率もそれほど良くはない。このように上流側空間で排気効率が低いと、ミストが溜まって、両エアナイフの間の基板通路を抜けて後方（下流側）へ進入ないし拡散しやすくなる。
【０００９】
また、従来は、下部排気口を処理室の底に設け、処理室の下で集合排気管を這い回していた。このため、処理室の下に設置される電力系、ガス系等の用力装備や制御系の設備が排気系によってスペース上の制約を受けるという問題があった。さらに、従来は、処理室の正面側の壁に上部排気口を設ける場合に、その上部排気口を処理室背面側に設置される排気装置に繋ぐための室外排気管が処理室の下を潜るため、上記と同様に用力装備や制御装備のスペースを圧迫するのに加えて、室外排気管の処理室の下を潜る部分にミストが液化して溜まりやすく、この排液を抜くのは容易でないという問題もあった。
【００１０】
本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するものであり、排気効率およびスペース効率を改善し、液切り乾燥直後の乾いた基板にミストが付着するのを十全に防止するようにした基板処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の基板処理装置は、被処理基板を水平な第１の方向に平流しで搬送するための平流し搬送路と、前記平流し搬送路の第１の区間を収容し、前記平流し搬送路上で搬送される前記基板が通れる入口および出口を有する第１の処理室と、前記処理室内で、前記平流し搬送路の上および下から前記基板に対して搬送方向に斜めに逆らう方向に液切り乾燥用の気体を吹き付ける上部および下部エアナイフと、前記上部および下部エアナイフよりも搬送方向の下流側で前記第１の処理室内に空気を供給する送風部と、前記下部エアナイフの吐出口よりも低い位置で前記第１の処理室内に設けられる天板付きの排気室と、前記排気室の前記入口と対向する側面に設けられる下部排気口と、前記排気室に接続される排気部とを有する。
【００１２】
上記の装置構成においては、上部および下部エアナイフがそれらの間を通過する基板に対してナイフ状の鋭利な高圧エア流を吹き付けることにより、基板上の液が基板後端側へ掃き寄せられ、終には基板の外へ払い落とされる。この際、両エアナイフの上流側の空間にミストが発生する。これらのミストは、送風部から送られてくる空気や入口から入って空気と一緒に下部排気口に吸い込まれ、排気室の中を通って排気部へ送られる。排気室の天板は、排気室の上面を閉塞するだけでなく、送風部からの空気流を下部排気口の方へ案内する作用を奏する。下部エアナイフと排気室の天板との距離間隔（隙間）を適度の大きさに選ぶことにより、排気速度または排気効率とミスト拡散（付着）防止効果の両立を図ることができる。
【００１３】
また、上記の装置構成においては、処理室の下部空間の排気を行う下部排気系が排気室として処理室の中に設けられているので、処理室の下に設置される用力装備や制御装備のスペースを圧迫しないで済み、装置のスペース効率を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の基板処理装置によれば、上記のような構成および作用により、排気効率およびスペース効率を改善し、液切り乾燥直後の乾いた基板にミストが付着するのを十全に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の基板処理装置を適用できる塗布現像処理システムを示す平面図である。
【図２】上記塗布現像処理システムに含まれる一実施形態による洗浄ユニットの全体構成を示す略断面図である。
【図３】上記洗浄ユニットの液切り乾燥用チャンバ（液切り乾燥室）に備えられる乾燥部の構成を示すブロック図である。
【図４】上記液切り乾燥用チャンバ（液切り乾燥室）に設けられるエアナイフの作用を示す斜視図である。
【図５】上記液切り乾燥用チャンバ（液切り乾燥室）の外観の構造を示す斜視図である。
【図６】上記液切り乾燥用チャンバ（液切り乾燥室）の内部の構成を示す斜視図である。
【図７】上記液切り乾燥用チャンバ（液切り乾燥室）の室内に設けられる排気室の構成を示す斜視図である。
【図８】上記排気室の作用を示す横断面図である。
【図９】上記液切り乾燥用チャンバ（液切り乾燥室）内の要部の構成（レイアウト）を示す平面図である。
【図１０】上記液切り乾燥用チャンバ（液切り乾燥室）内の要部の作用を示す縦断面図である。
【図１１】上記液切り乾燥用チャンバ（液切り乾燥室）内での排気室（特に天板エッジ）の位置に関する一変形例を示す図である。
【図１２】上記排気室（特に天板エッジ）の位置に関する一変形例を示す図である。
【図１３】上記排気室（特に天板エッジ）の位置に関する参考例を示す図である。
【図１４】上記排気室の天板エッジを庇状に突出させる一変形例を示す図である。
【図１５】上記排気室の天板に傾斜を与える一変形例を示す図である。
【図１６】上記排気室の天板エッジのレイアウトに関する一変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施の形態を説明する。
【００１７】
図１に、本発明の基板処理装置を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置され、たとえばガラス基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の一連の処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。
【００１８】
この塗布現像処理システム１０は、中心部に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。
【００１９】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平な一方向（Ｙ方向）に４個まで並べて載置できるカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２とを備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを１枚単位で保持できる搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００２０】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、水平なシステム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。
【００２１】
より詳細には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスラインＡには、搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４、洗浄プロセス部２６、第１の熱的処理部２８、塗布プロセス部３０および第２の熱的処理部３２が第１の基板搬送ライン３４に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。
【００２２】
より詳細には、搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４はカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２から未処理の基板Ｇを受け取り、所定のタクトで第１の基板搬送ライン３４に投入するように構成されている。洗浄プロセス部２６は、第１の基板搬送ライン３４に沿って上流側から順にエキシマＵＶ照射ユニット（Ｅ−ＵＶ）３６および洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８を設けている。第１の熱的処理部２８は、上流側から順にアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０および冷却ユニット（ＣＯＬ）４２を設けている。塗布プロセス部３０は、上流側から順にレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４および減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６を設けている。第２の熱的処理部３２は、上流側から順にプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８および冷却ユニット（ＣＯＬ）５０を設けている。第２の熱的処理部３２の下流側隣に位置する第１の基板搬送ライン３４の終点にはパスユニット（ＰＡＳＳ）５２が設けられている。第１の基板搬送ライン３４上を平流しで搬送されてきた基板Ｇは、この終点のパスユニット（ＰＡＳＳ）５２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８へ渡されるようになっている。
【００２３】
一方、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、現像ユニット（ＤＥＶ）５４、ポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６、冷却ユニット（ＣＯＬ）５８、検査ユニット（ＡＰ）６０および搬出ユニット（ＯＵＴ−ＰＡＳＳ）６２が第２の基板搬送ライン６４に沿って上流側からこの順序で一列に配置されている。ここで、ポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６および冷却ユニット（ＣＯＬ）５８は第３の熱的処理部６６を構成する。搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２は、第２の基板搬送ライン６４から処理済の基板Ｇを１枚ずつ受け取って、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２に渡すように構成されている。
【００２４】
両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送空間６８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル７０が図示しない駆動機構によってプロセスライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。
【００２５】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、上記第１および第２の基板搬送ライン３４，６４や隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置７２を有し、この搬送装置７２の周囲にロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４および周辺装置７６を配置している。ロータリステージ（Ｒ／Ｓ）７４は、基板Ｇを水平面内で回転させるステージであり、露光装置１２との受け渡しに際して長方形の基板Ｇの向きを変換するために用いられる。周辺装置７６は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）や周辺露光装置（ＥＥ）等を第２の平流し搬送路６４に接続している。
【００２６】
ここで、この塗布現像処理システムにおける１枚の基板Ｇに対する全工程の処理手順を説明する。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上のいずれか１つのカセットＣから基板Ｇを１枚取り出し、その取り出した基板Ｇをプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６のプロセスラインＡ側の搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４に搬入する。搬入ユニット（ＩＮ ＰＡＳＳ）２４から基板Ｇは第１の基板搬送ライン３４上に移載または投入される。
【００２７】
第１の基板搬送ライン３４に投入された基板Ｇは、最初に洗浄プロセス部２６においてエキシマＵＶ照射ユニット（Ｅ−ＵＶ）３６および洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８により乾式洗浄およびウエット洗浄処理を順次施される。エキシマＵＶ照射ユニット（Ｅ−ＵＶ）３６は、基板Ｇに紫外線を照射して、主に基板表面の有機物を除去する。洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８は、第１の基板搬送ライン３４上を水平に移動する基板Ｇに対して、ブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより基板表面から粒子状の汚れを除去し、その後にリンス処理を施し、最後にエアナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８における一連の洗浄処理を終えると、基板Ｇはそのまま第１の基板搬送ライン３４を下って第１の熱的処理部２８を通過する。
【００２８】
第１の熱的処理部２８において、基板Ｇは、最初にアドヒージョンユニット（ＡＤ）４０で蒸気状のＨＭＤＳを用いるアドヒージョン処理を施され、被処理面を疎水化される。このアドヒージョン処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）４２で所定の基板温度まで冷却される。この後も、基板Ｇは第１の平流し搬送路３４を下って塗布プロセス部３０へ搬入される。
【００２９】
塗布プロセス部３０において、基板Ｇは最初にレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）４４で平流しのままスリットノズルを用いるスピンレス法により基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）４６で減圧乾燥処理を受ける。
【００３０】
塗布プロセス部３０を出た基板Ｇは、第１の基板搬送ライン３４を下って第２の熱的処理部３２を通過する。第２の熱的処理部３２において、基板Ｇは、最初にプリベークユニット（ＰＲＥ−ＢＡＫＥ）４８でレジスト塗布後の熱処理または露光前の熱処理としてプリベーキングを受ける。このプリベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜中に残留していた溶剤が蒸発して除去され、基板に対するレジスト膜の密着性が強化される。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）５０で所定の基板温度まで冷却される。しかる後、基板Ｇは、第１の基板搬送ライン３４の終点のパスユニット（ＰＡＳＳ）５２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８の搬送装置７２に引き取られる。
【００３１】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、ロータリステージ７４でたとえば９０度の方向変換を受けてから周辺装置７６の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる。
【００３２】
露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると、先ず周辺装置７６のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される。しかる後、基板Ｇは、搬送装置７２よりプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６のプロセスラインＢ側に敷設されている第２の基板搬送ライン６４の現像ユニット（ＤＥＶ）５４の始点に搬入される。
【００３３】
こうして、基板Ｇは、今度は第２の基板搬送ライン６４上をプロセスラインＢの下流側に向けて搬送される。最初の現像ユニット（ＤＥＶ）５４において、基板Ｇは平流しで搬送される間に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理を施される。
【００３４】
現像ユニット（ＤＥＶ）５４で一連の現像処理を終えた基板Ｇは、そのまま第２の基板搬送ライン６４に乗せられたまま第３の熱的処理部６６および検査ユニット（ＡＰ）６０を順次通過する。第３の熱的処理部６６において、基板Ｇは、最初にポストベークユニット（ＰＯＳＴ−ＢＡＫＥ）５６で現像処理後の熱処理としてポストベーキングを受ける。このポストベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜に残留していた現像液や洗浄液が蒸発して除去され、基板に対するレジストパターンの密着性が強化される。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）５８で所定の基板温度に冷却される。検査ユニット（ＡＰ）６０では、基板Ｇ上のレジストパターンについて非接触の線幅検査や膜質・膜厚検査等が行われる。
【００３５】
搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２は、第２の基板搬送ライン６４から全工程の処理を終えてきた基板Ｇを受け取って、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２へ渡す。カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、搬出ユニット（ＯＵＴ ＰＡＳＳ）６２から受け取った処理済の基板Ｇをいずれか１つ（通常は元）のカセットＣに収容する。
【００３６】
この塗布現像処理システム１０においては、平流し方式の洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８に本発明を適用することができる。以下、本発明の一実施形態における洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８の構成および作用を説明する。
【００３７】
図２に、洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８の全体の構成を示す。この洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８は、プロセスラインＡ（図１）上に２つのチャンバ８０，８２を並べて配置している。両チャンバ８０，８２の中を縦断するコロ搬送路８４は、第１の基板搬送ライン３４（図１）の一区間を構成する。
【００３８】
上流側の洗浄チャンバ８０は、内部に設けた２つの隔壁８６，８８によって３つの処理室、すなわちブラッシング洗浄室Ｒ1、ブロー洗浄室Ｒ2およびリンス室Ｒ3に分割されている。搬送方向（Ｘ方向）と向き合うチャンバ８０の外壁８０ａ，８０ｂおよび両隔壁８６，８８には、コロ搬送路８４上を移動する基板Ｇが通れるスリット状の開口（基板出入り口）９０，９２，９４，９６がそれぞれ形成されている。ここで、開口９０は、ブラッシング洗浄室Ｒ1の入口である。開口９２は、ブラッシング洗浄室Ｒ1の出口であり、かつブロー洗浄室Ｒ2の入口でもある。開口９４は、ブロー洗浄室Ｒ2の出口であり、かつリンス室Ｒ3の入口でもある。開口９６は、リンス室Ｒ3の出口である。
【００３９】
ブラッシング洗浄室Ｒ1には、コロ搬送路８４に沿ってその上下両側にプリウエット用のスプレーノズル９８Ｕ／９８Ｌ、ロールブラシ１００Ｕ／１００Ｌおよびリンス用のスプレーノズル１０２Ｕ／１０２Ｌが配置されている。プリウエット用のスプレーノズル９８Ｕ／９８Ｌは、基板Ｇを幅方向（Ｙ方向）で端から端までカバーする長尺型であり、薬液供給部（図示せず）より送られてくる薬液をスプレー状に噴射するようになっている。ロールブラシ１００Ｕ，１００Ｌは、基板Ｇを幅方向で端から端までカバーする長さを有しており、モータ等のブラシ駆動部（図示せず）により回転駆動されるようになっている。リンス用のスプレーノズル１０２Ｕ／１０２Ｌは、基板Ｇを幅方向で端から端までカバーする長尺型であり、リンス液供給部（図示せず）より送られてくるリンス液をスプレー状に噴射するようになっている。
【００４０】
ブラッシング洗浄室Ｒ1には、チャンバ背面側の壁（図１の補助搬送空間６８側の壁）の上部に１つまたは複数の排気ポート１０４が設けられており、底にドレイン口１０３が設けられている。排気ポート１０４は後述する排気部１４０（図３）に接続されている。ドレイン口１０３はドレインタンク（図示せず）に通じている。
【００４１】
ブロー洗浄室Ｒ2内には、コロ搬送路８４の上下両側に高圧の２流体ノズル１０５Ｕ／１０５Ｌが配置されている。これらの２流体ノズル１０５Ｕ／１０５Ｌは、基板Ｇの幅サイズをカバーする長尺型であり、洗浄液供給部（図示せず）より送られてくる洗浄液と高圧ガス供給部（図示せず）より送られてくる高圧気体とを混合して、粒状の液滴をジェット流で、またはスプレー状に噴射するようになっている。
【００４２】
ブロー洗浄室Ｒ2にも、チャンバ背面側の壁の上部に１つまたは複数の排気ポート１０６が設けられ、底にドレイン口１１０が設けられている。排気ポート１０６は、排気部１４０（図３）に接続されている。ドレイン口１１０はドレインタンク（図示せず）に通じている。
【００４３】
リンス室Ｒ3内には、コロ搬送路８４の上下両側に適当な間隔を空けて複数のリンスノズル１１２Ｕ／１１２Ｌが配置されている。これらのリンスノズル１１２Ｕ／１１２Ｌは、基板Ｇの幅サイズをカバーする長尺型であり、リンス液供給部（図示せず）より送られてくるリンス液をスプレー状に噴射するようになっている。
【００４４】
リンス室Ｒ3においても、チャンバ背面側の壁の上部に１つ（または複数）の排気ポート１１４が設けられており、底にはドレイン口１１６が設けられている。排気ポート１１４は排気部１４０（図３）に接続されている。ドレイン口１１６はドレインタンク（図示せず）に通じている。
【００４５】
下流側のチャンバ８２は、専用の液切り乾燥室Ｒ4になっている。搬送方向（Ｘ方向）と向き合うチャンバ８２の外壁８２ａ，８２ｂには、コロ搬送路８４上を移動する基板Ｇが通れるスリット状の開口１１８，１２０がそれぞれ形成されている。ここで、開口１１８は入口であり，開口１２０は出口である。
【００４６】
液切り乾燥室Ｒ4内には、コロ搬送路８４を挟んで搬送方向（Ｘ方向）に対して斜めに上部および下部エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌが配置されている。両エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌは、基板Ｇの幅サイズをカバーする長さを有しており、それぞれの吐出口を液切り乾燥室Ｒ4の入口１１８側および正面側の中間の方位に向けて、乾燥ガス供給部（図示せず）より送られてくる液切り乾燥用の高圧の気体（通常はエア、場合によっては窒素ガス）を鋭利なナイフ状の気流で噴射するようになっている。
【００４７】
液切り乾燥室Ｒ4には、チャンバ正面側の壁８２ｆの上部に１つ（または複数）の上部排気口１２４が設けられるとともに、室内の底部に複数の下部排気口１２６，１２８が設けられている。下部排気口１２６，１２８は、後述する排気室１６０（図６、図７）を介して、チャンバ背面側の壁８２ｒの下部に設けられる排気ポート１３０，１３２にそれぞれ接続されている。また、上部排気口１２４は、後述する局所排気ダクト（排気管）１６２（図５）および排気室１６０（図６、図７）を介して、チャンバ背面側の壁８２ｒの下部に設けられる排気ポート１３４に接続されている。排気ポート１３０，１３２，１３４は、チャンバ背面側の壁８２ｒの出口１２０寄りの下部に集まって横一列に配置されている。
【００４８】
液切り乾燥室Ｒ4には、両エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌの後方または下流側の天井に、ＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）１３６が設置されている。このＦＦＵ１３６は、室外の空気を引き込むファンと、空気中の塵を除去するフィルタとを有し、清浄な空気をダウンフローで室内に供給する。
【００４９】
液切り乾燥室Ｒ4の底には、複数のドレイン口１３８Ａ，１３８Ｂが設けられている。これらのドレイン口１３８Ａ，１３８Ｂもドレインタンク（図示せず）に通じている。
【００５０】
コロ搬送路８４には、基板Ｇの幅サイズをカバーする長さの搬送ローラまたはコロ８５が搬送方向（Ｘ方向）に一定間隔で敷設されている。この実施形態では、コロ８５が、チャンバ８０，８２の中に収容され、チャンバ８０，８２の外に配置されている搬送駆動源により伝動機構を介して回転駆動されるようになっている。
【００５１】
チャンバ８０，８２の上面は、たとえば搬送方向（Ｘ方向）に処理室毎に、あるいは一定サイズで並べられる複数の開閉カバー（天板）によって気密に覆われる。作業員が修理または部品交換のために中の洗浄ツールにアクセスするときは、各メンテナンス位置の開閉カバーが開けられるようになっている。
【００５２】
図３に、この洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８に備えられる排気部１４０の構成を示す。この排気部１４０は、負圧発生源としてたとえば排気ブロア１４２を有しており、この排気ブロア１４２の入側を主排気管１４４および分岐排気管１４６を介して洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８内の各排気ポート１０４，１０６，１１４，１３０，１３２，１３４に接続している。各分岐排気管１４６の途中には、排気ガスからミストを分離する気液分離器１４８，１５０と、排気流量を調節するための排気ダンパ１５２とが設けられる。排気ブロア１４２の出側は工場排気ダクト１５４に接続される。
【００５３】
なお、チャンバ８０の下部または底部に設けられる気液分離器１４８は、各対応する排気ポート１０４，１０６，１１４の外に配置され、ミスト混じりの排気ガスから分離した排液を排液管（図示せず）に流してドレインタンクへ送る。一方、チャンバ８２の下部または底部に設けられる気液分離器１５０は、各対応する排気ポート１３０，１３２，１３４と一体化され、ミスト混じりの排気ガスから分離した排液をチャンバ８２（液切り乾燥室Ｒ4）内の底（パン）に落とし、ドレイン口１３８Ｂを介してドレインタンクへ送るようになっている。
【００５４】
排気部１４０は、洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８の背面側（後背）に設けられる。洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８の正面側（正面パネル）には、図示省略するが、操作盤やモニタ機器類（図示せず）が設けられる。
【００５５】
ここで、この洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８における全体の動作および作用を説明する。上述したように、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４より洗浄プロセス部２６（図１）に投入された基板Ｇは、最初にエキシマＵＶ照射ユニット（Ｅ−ＵＶ）３６（図１）で紫外線照射処理を受けて基板表面の有機汚染物を除去され、次いでコロ搬送路８４上を平流しで移動して洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８のブラッシング洗浄室Ｒ1に入口９０から搬入される。
【００５６】
ブラッシング洗浄室Ｒ1において、基板Ｇは、最初にプリウエット用の上部および下部スプレーノズル９８Ｕ，９８Ｌにより基板全体にたとえば酸またはアルカリ系の薬液を噴き掛けられる。次いで、基板Ｇは、上部および下部ロールブラシ１００Ｕ，１００Ｌの下を順次擦りながら通り抜ける。両ロールブラシ１００Ｕ，１００Ｌは、ブラシ駆動部の回転駆動力で搬送方向と対抗する向きに回転し、基板表面の異物（塵埃、破片、汚染物等）を擦り取る。その直後に、リンス用の上部および下部スプレーノズル１０２Ｕ，１０２Ｌが基板Ｇにリンス液たとえば純水を噴き掛け、基板上に浮遊している異物を洗い流す。ブラッシング洗浄室Ｒ1内で基板Ｇから底に落ちた液（薬液、リンス液等）は、ドレイン口１０３より排出される。
【００５７】
基板Ｇは、リンス用のスプレーノズル１０２Ｕ，１０２Ｌを通り抜けた直後に、隔壁８６の基板出入り口９２を通ってブロー洗浄室Ｒ2に入る。ブロー洗浄室Ｒ2では、上部および下部２流体ノズル１０５Ｕ，１０５Ｌが、ノズル内で洗浄液を高圧の気体（たとえばエア）と混合して粒状の液滴を生成し、生成した液滴を基板Ｇのおもて面（上面）および裏面（下面）に向けて高圧のジェット流で、またはスプレー状に噴き掛ける。こうして、流状の液滴が基板Ｇの表面に衝突することで、基板表面に残存していた異物が十全に除去される。ブロー洗浄室Ｒ2内で基板Ｇから底に落ちた液（洗浄液等）は、ドレイン口１１０より排出される。
【００５８】
ブロー洗浄室Ｒ2の次に基板Ｇはリンス室Ｒ3を通過する。リンス室Ｒ3では、上部および下部リンスノズル１１２Ｕ，１１２Ｌがコロ搬送路８４上の基板Ｇにリンス液たとえば純水を噴き掛ける。これによって、ブロー洗浄室Ｒ2から持ち込まれた基板Ｇ上の液（異物が浮遊している液）がリンス液に置換される。リンス室Ｒ3内で基板Ｇから底に落ちた液（洗浄液、リンス液等）は、ドレイン口１１６より排出される。
【００５９】
基板Ｇは、リンス室Ｒ3を出ると同時に隣の液切り乾燥室Ｒ4に入る。液切り乾燥室Ｒ4では、コロ搬送路８４上の基板Ｇに対して、上部および下部エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌがナイフ状の鋭利な高圧の気体流たとえばエア流を搬送方向に斜め逆らう方向に当てる（図４）。これにより、基板Ｇに付いていた液（大部分がリンス液）Ｓは高圧エア流の風力で払い落とされ、液切り乾燥室Ｒ4の底に落ちた液はドレイン口１３８Ａより排出される。こうして、上部および下部エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌの間を通り過ぎた基板Ｇの表面は乾いた状態になる。
【００６０】
液切り乾燥室Ｒ4の出口１２０を出た基板Ｇは、そのままコロ搬送路８４を平流しで移動して第１の熱的処理部２８（図１）へ入る。
【００６１】
この実施形態の洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８においては、上記のような一連の洗浄処理が行われる際に、各処理室Ｒ1〜Ｒ4内でミストが発生し、その殆どがチャンバ背面側の各排気ポート１０４，１０６，１１４，１３０〜１３４を通って排気部１４０へ回収されるようになっている。しかし、排気が十分でない場所があれば、そこでミストが付着する可能性はある。このうち、処理室Ｒ1〜Ｒ3内では、基板Ｇは濡れているので、基板表面にミストが付着しても、僅かであればシミや残渣は生じ難い。しかし、最終段の処理室つまり液切り乾燥室Ｒ4では、基板Ｇが両エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌを通り過ぎるとその表面は乾いた状態になるので、そこにミストが僅かでも付着したならば、シミや残渣が生じる可能性は非常に高い。
【００６２】
この実施形態では、チャンバ８２（液切り乾燥室Ｒ4）に以下に詳細に述べるような排気機構を設けることにより、液切り乾燥室Ｒ4の排気効率およびスペース効率を改善するとともに、両エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌを通過した直後の乾いた基板にミストが付着するのを十全に防止し、洗浄プロセス全体としての歩留まりを向上させている。
【００６３】
以下、図５〜図１４につき、この実施形態においてチャンバ８２の液切り乾燥室Ｒ4に設けられる排気機構の構成および作用を詳細に説明する。
【００６４】
図５にチャンバ８２（液切り乾燥室Ｒ4）の外観構造を示し、図６にチャンバ８２の内部の構成を示す。なお、図６では、排気室１６０の図解を容易にするために、両エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌ（図２、図４）、コロ搬送路８４（図２）および上部隔壁１８０（図１０）を図示省略している。
【００６５】
図５および図６において、チャンバ８２の正面側の壁８２ｆには、入口１１８に寄って上部エアナイフ１２２Ｕよりも高い位置に上部排気口１２４が設けられるとともに、出口１２０に寄って下部エアナイフ１２２Ｌよりも低い位置に下部接続口１６４が設けられている。上部排気口１２４は、壁８２ｆの外で壁８２ｆの縁に沿ってＬ状に延びる局所排気ダクト１６２を介して下部接続口１６４に接続される。
【００６６】
上部排気口１２４の略真下に位置するチャンバ８２（液切り乾燥室Ｒ4）内の底の角隅部には、この角隅部を空間的に覆い隠すように三角形状のコーナ板１６６が斜めに立て掛けられている。このコーナ板１６６は、この角隅部にミストが滞留するのを防止する機能を有している。コーナ板１６６の代わりに、この角隅部を空間的に埋めるように三角錐状の滞留防止部材を配設してもよい。下部接続口１６４は、排気室１６０の一端に位置し、チャンバ背面側の排気ポート１３４と対向している。
【００６７】
図７および図８に示すように、排気室１６０は、排気ポート１３０，１３２，１３４が集約配置されているチャンバ背面側の壁８２ｒの一部と、それと対向するチャンバ８２の正面側の壁８２ｆの一部と、それら背面側および正面側の壁８２ｒ，８２ｆに挟まれたチャンバ出口側の壁８２ｂの一部と、側壁板１６８と、２枚の仕切り板１７０，１７２とで構成されている。この排気室１６０には、天板１７４（図１０）が付いている。
【００６８】
側壁板１６８は、チャンバ正面側の壁８２ｆとチャンバ背面側の壁８２ｒとの間で、両エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌに沿ってそれと平行に延びるように、搬送方向（Ｘ方向）に対して斜めに配置されている。この側壁板１６８と、チャンバ正面側の壁８２ｆと、チャンバ背面側の壁８２ｒと、チャンバ出口側の壁８２ｂとによって、排気室１６０が平面視で台形状に形成されている。側壁板１６８の下端または下辺はチャンバ８２（液切り乾燥室Ｒ4）の底に接し、その上端または上辺は天板１７４のエッジ１７４ｅ（図１０）に接続されている。
【００６９】
側壁板１６８には、適当な間隔を空けて複数たとえば４つの開口が形成されている。これら４つの開口のうち、チャンバ背面寄りの２つが第１の排気口１２６であり、チャンバ正面寄りの２つが第２の排気口１２８である。
【００７０】
２つの仕切り板１７０，１７２は、排気室１６０の室内を３つの排気空間Ｍ1，Ｍ２，Ｍ3に分割または区画する。より詳しくは、第１の仕切り板１７０は、排気ポート１３０，１３２の間（チャンバ背面側の壁８２ｒ）からそれと対向するチャンバ正面側の壁８２ｆに向かって途中までまっすぐ延びて、中間の位置で搬送方向（Ｘ方向）と逆方向に曲折してその折曲部１７０ａの先端が側壁板１６８に当接する。この第１の仕切り板１７０を隔壁として、第１の排気空間Ｍ1と第２の排気空間Ｍ2とが画成される。ここで、第１の排気空間Ｍ1は、側壁板１６８に形成されている第１の下部排気口１２６と、チャンバ背面側の壁８２ｒに設けられている排気ポート１３０との間に延在している。また、第２の排気空間Ｍ2は、側壁板１６８に形成されている第２の下部排気口１２８と、チャンバ背面側の壁８２ｒに設けられている排気ポート１３２との間に延在している。
【００７１】
また、第２の仕切り板１７２は、排気ポート１３２，１３４の間（チャンバ背面側の壁８２ｒ）からそれと対向するチャンバ正面側の壁８２ｆに向かってまっすぐ延びて、その先端がチャンバ正面側の壁８２ｆに当接する。この第２の仕切り板１７２によって、上記第２の排気空間Ｍ2から隔てられた第３の排気空間Ｍ3が画成される。この第３の排気空間Ｍ3は、チャンバ正面側の壁８２ｆに設けられている下部接続口１６４と、チャンバ背面側の壁８２ｒに設けられている排気ポート１３４とを繋いでいる。
【００７２】
図８に示すように、チャンバ８２（液切り乾燥室Ｒ4）内で、より正確には下部エアナイフ１２２Ｌより上流側で、第１の下部排気口１２６から第１の排気空間Ｍ1に入ったミスト混じりの排気ガスは、チャンバ背面側の排気ポート１３０に向かって第１の排気空間Ｍ1を流れ、排気ポート１３０から外の排気部１４０へ排出される。また、第２の下部排気口１２８から第２の排気空間Ｍ2に入ったミスト混じりの排気ガスは、チャンバ背面側の排気ポート１３２に向かって第２の排気空間Ｍ2を流れ、排気ポート１３２から外の排気部１４０へ排出される。両排気ポート１３０，１３２の排気流量はそれぞれの排気ダンパ１５２を通じて個別に制御可能であり、第１および第２の下部排気口１２６，１２８の排気能力（負圧吸引力）のバランスを任意に調節することができる。
【００７３】
一方、上部排気口１２４より局所排気ダクト１６２（図５）を通って下部接続口１６４から第３の排気空間Ｍ3に入ったミスト混じりの排気ガスは、チャンバ背面側の排気ポート１３４に向かって第３の排気空間Ｍ3を流れ、排気ポート１３４から排気部１４０へ排出される。排気ポート１３４の排気流量ひいては上部排気口１２４の排気流量も、個別の排気ダンパ１５２を通じて任意に調節することができる。
【００７４】
なお、排気ポート１３０，１３２，１３４は、チャンバ背面側の壁８２ｒを貫通して取り付けられる筒状のソケット１７５に設けられる。各ソケット１７５の中には気液分離器１５０（図３）が入っており、気液分離器１５０からの排液はソケット１７５の口から排気室１６０の底に流れ落ち、近くのドレイン口１３８Ｂに回収されるようになっている。
【００７５】
図１０に、チャンバ８２（液切り乾燥室Ｒ4）内の要部の構成および作用を示す。なお、図１０は、図９（平面図）のＡ−Ａ線についての断面図である。
【００７６】
図示のように、チャンバ８２（液切り乾燥室Ｒ4）の天井から上部エアナイフ１２２Ｕまで垂れ下がる上部隔壁１８０が設けられている。この上部隔壁１８０により、基板Ｇ（コロ搬送路８４）の上では、上部エアナイフ１２２Ｕより上流側の空間と下流側の空間とが略完全に遮断されている。
【００７７】
一方、下部エアナイフ１２２Ｌの直下から下流側に（チャンバ出口側の壁８２ｂまで）排気室１６０が延在しており、下部エアナイフ１２２Ｌの下端と排気室１６０の天板１７４との間に隙間Ｋが形成される。この隙間Ｋを介して、エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌの上流側の空間と下流側の空間とが連通している。
【００７８】
エアナイフ１２２Ｌ，１２２Ｕの下流側空間において、天井のＦＦＵ１３６よりダウンフローで供給される空気は、直下を基板Ｇが通過していないときは、そのまままっすぐ降りて排気室１６０の天板１７４に当たり、天板１７４に沿って上流側に流れて、隙間Ｋを通り抜け、下部排気口１２６，１２８に吸い込まれる。また、ＦＦＵ１３６からのダウンフローの空気は、基板Ｇがその下を通過しているときは、基板Ｇの左右両端とチャンバ正面側および背面側の壁８２ｆ，８２ｒとの間の隙間を通り抜けてから、排気室１６０の天板１７４に沿って上流側に流れて、隙間Ｋを通り抜け、下部排気口１２６，１２８に吸い込まれる。
【００７９】
一方で、ＦＦＵ１３６よりダウンフローで供給される空気の一部は、出口１２０からチャンバ８２（液切り乾燥室Ｒ4）の外に出る。特に、ＦＦＵ１３６の直下を基板Ｇが平流しで移動しているときは、上方から基板Ｇの上面に当たった空気の多くが基板Ｇと一緒に出口１２０の外に出る。もっとも、それによって、基板Ｇの上面（おもて面）に悪い影響（特にミストの付着）をもたらすことはない。
【００８０】
チャンバ８２（液切り乾燥室Ｒ4）内で液切り乾燥処理が行われるときは、図４に示すように、上部および下部エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌがそれらの間を通過する基板Ｇに対してナイフ状の鋭利な高圧エア流を吹き付けることにより、基板Ｇ上の液が基板後端側へ掃き寄せられ、終には基板Ｇの外へ払い落とされる。この際、両エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌの上流側の空間に多量のミストが発生する。すなわち、上部エアナイフ１２２Ｕが基板Ｇのおもて面（上面）に高圧エア流を吹き付けることによって基板Ｇの上でミストが発生し、下部エアナイフ１２２Ｌが基板Ｇの裏面（下面）に高圧エア流を吹き付けることによって基板Ｇの下でもミストが発生する。
【００８１】
基板Ｇの上で発生したミストの大部分は、上部排気口１２４に吸い込まれる。上部排気口１２４に吸い込まれたミスト混じりの空気は、チャンバ１０の外の局所排気ダクト１６２を通って下部接続口１６４から排気室１６０の第３の排気空間Ｍ3に入り、第３の排気空間Ｍ3を通り抜けて排気ポート１３４から排気部１４０へ排出される。また、基板Ｇの上で発生したミストの一部は、基板Ｇの左右両端とチャンバ正面側および背面側の壁８２ｆ，８２ｒとの間の隙間を通り抜けてから、基板Ｇの下で発生したミスト等と一緒に下部排気口１２６，１２８に吸い込まれる。
【００８２】
基板Ｇの下で発生したミストは、その全部がＦＦＵ１３６から廻ってくる空気および入口１１８から入ってくる空気と一緒に下部排気口１２６，１２８に吸い込まれる。下部排気口１２６，１２８に吸い込まれたミスト混じりの空気は、排気室１６０内の第１および第２の排気空間Ｍ1，Ｍ2を通り抜けて、排気ポート１３０，１３２から排気部１４０へ排出される。
【００８３】
また、基板Ｇの後端がエアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌの間を通り抜けて、後続の基板Ｇが入口１１８から入ってくるまでの間、エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌの上流側空間で漂っているミストの一部は下部排気口１２６，１２８に吸い込まれ、残りは上部排気口１２４に吸い込まれる。
【００８４】
このように、チャンバ８２（液切り乾燥室Ｒ4）においては、エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌよりも上流側の空間で液切り乾燥処理により発生したミストは、その全部または殆どが上部排気口１２４または下部排気口１２６，１２８に吸い込まれる。下部エアナイフ１２２Ｌの下端と排気室１６０の天板１７４との間の隙間Ｋには、下流側上部のＦＦＵ１３６から上流側底部の下部排気口１２６，１２８に向かって高い圧力の空気流が流れている。上流側空間のミストがこの空気流に逆らって隙間Ｋを通り抜ける、つまり下流側空間に流入または進入することはない。また、上流側空間にミストが溜まることがないので、エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌが高圧エアを噴出し続けている限り、その間のギャップを通り抜けてミストが上流側空間へ拡散することもない。
【００８５】
したがって、エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌの下流側空間でミストが浮遊することはなく、エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌを通り過ぎた直後の乾いている基板Ｇの表面（特におもて面）にミストが付着することはない。このことにより、基板Ｇをシミのない状態で後工程（特にレジスト塗布工程）に送ることが可能であり、洗浄プロセスの歩留まりを向上させることができる。
【００８６】
また、この実施形態では、チャンバ８２（液切り乾燥室Ｒ4）の下部空間の排気を行う下部排気系が排気室１６０としてチャンバ８２の中に設けられているので、チャンバ８２の下に設置される用力装備や制御装備（図示せず）のスペースを圧迫することがない。さらに、チャンバ８２（液切り乾燥室Ｒ4）の上部空間の排気を行う上部排気系も、チャンバ８２の中の排気室１６０を通じてチャンバ背面側の排気ポート１３４に繋がっているので、これも用力装備や制御装備のスペースを圧迫することがない。これにより、装置のスペース効率を向上させることができる。
【００８７】
本発明においては、液切り乾燥処理を受けた直後の乾いた基板Ｇにミストが再付着するのを防止するうえで、下部エアナイフ１２２Ｌの下端と排気室１６０の天板１７４との間に形成される隙間Ｋの作用が、下流側の天井に設置されるＦＦＵ１３６の作用と相俟って、重要である。下部エアナイフ１２２Ｌと排気室１６０の天板１７４との距離間隔（隙間Ｋ）を適度の大きさに選ぶことにより、排気速度または排気効率とミスト拡散（付着）防止効果の両立を図ることができる。
【００８８】
この実施形態では、図９および図１０に示すように、排気室１６０の天板１７４のエッジ１７４ｅまたは側壁板１６８が、両エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌに沿ってそれと平行に延びるように、搬送方向（Ｘ方向）に対して斜めに配置されており、しかも両エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌの吐出口の直下ないしはそれよりも少し上流側に位置している。これにより、隙間Ｋ付近のインピーダンスを高くして、下流側と上流側との圧力差を十二分に大きくし、ミスト逆流防止効果を最大限に高めることができる。
［他の実施形態または変形例］
【００８９】
以上、本発明の好適な一実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種種の変形が可能である。
【００９０】
たとえば、下部エアナイフ１２２Ｌの下端と排気室１６０の天板１７４との間に形成される隙間Ｋ回りの構成またはレイアウトを変形することができる。図１１に示すように、排気室１６０の天板１７４のエッジ１７４ｅまたは下部排気口１２６，１２８の位置を下部エアナイフ１２２Ｌの下端の直下まで下流側にシフトさせても、隙間Ｋの大きさは変わらない。ただし、天板１７４のエッジ１７４ｅが上流側空間から後退するぶん、隙間Ｋ付近のコンダクタンスが大きくなる。それでも、隙間Ｋ付近で下流側空間と上流側空間との間に十分大きな圧力差をつくり、十全なミスト逆流防止効果を得ることができる。
【００９１】
さらに、図１２に示すように、排気室１６０の天板１７４のエッジ１７４ｅまたは下部排気口１２６，１２８の位置を下部エアナイフ１２２Ｌの下端よりも下流側にシフトさせると、隙間Ｋ付近のコンダクタンスは相当大きくなる。この場合、隙間Ｋがそれほど大きくならなければ、ＦＦＵ１３６のエア供給流量を増やすことにより、下流側空間と上流側空間との間に実用上十分な圧力差ひいてはミスト逆流防止効果を得ることができる。
【００９２】
しかし、図１３に示すように、排気室１６０の天板１７４のエッジ１７４ｅまたは下部排気口１２６，１２８を下部エアナイフ１２２Ｌから大きく離して下流側に位置させると、隙間Ｋが大きくなりすぎて、ＦＦＵ１３６のエア供給流量を増やしても、実効的なミスト逆流防止効果を得るに必要な圧力差が生じなくなる。本発明者の行った実験によれば、下部エアナイフ１２２Ｌと排気室１６０の天板１７４との距離間隔（隙間Ｋのサイズ）が、天板エッジ１７４ａがその高さ位置で下部エアナイフ１２２Ｌの直下またはそれよりも上流側に位置している場合の距離間隔Ｋm（図１１）の約１０倍を超えると、実効的なミスト逆流防止効果は得られなくなる。
【００９３】
上記実施形態では、排気室１６０において天板１７４のエッジ１７４ｅが側壁板１６８の上端に連続しているが、図１４に示すように、天板１７４のエッジ１７４ｅが側壁板１６８の上端よりも上流側に（つまり庇状に）突出する構成も可能である。この場合、下部排気口１２４を下部エアナイフ１２２Ｌよりも下流側に配置しながら、天板１７４のエッジ１７４ｅを下部エアナイフ１２２Ｌの直下に延ばすことにより、隙間Ｋ付近のコンダクタンスを小さくし、隙間Ｋ付近で下流側空間と上流側空間との間に十分大きな圧力差をつくることが可能であり、ひいては十全なミスト逆流防止効果を得ることができる。
【００９４】
また、排気室１６０の天板１７４は、天井のＦＦＵ１３２から降りてきた空気流を受け止めて隙間Ｋの方へ案内する機能を有する。この気流案内機能を奏するうえで、天板１７４は水平であってもよいが、図１５に示すように、エッジ１７４ｅに向かって次第に低くなる傾斜面を好適に有することができる。
【００９５】
また、上記実施形態では、チャンバ正面側の壁８２ｆとチャンバ背面側の壁８２ｒとの間で、排気室１６０の側壁板１６８または天板１７４のエッジ１７４ｅが両エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌに沿ってそれと平行に延びる構成であった。しかし、一変形例として、図１６に示すように、排気室１６０の側壁板１６８または天板１７４のエッジ１７４ｅの一部（図示の例では中心部からチャンバ背面側の半区間）がエアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌに沿ってそれらと平行に延び、他の部分（図示の例では中心部からチャンバ正面側の半区間）がエアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌの吐出口よりも搬送方向の上流側に位置する構成も可能である。
【００９６】
なお、上部および下部エアナイフ１２２Ｕ，１２２Ｌは、典型的には上下に重なって配置されるが、搬送方向（Ｘ方向）で互いに位置をずらして配置される構成も可能である。
【００９７】
また、必要に応じて、上部排気口１２４を省いて、下部排気口１２６，１２８のみでチャンバ８２（液切り乾燥室Ｒ4）内の排気を行うことも可能である。また、排気室１６０の側壁の一部または全部をチャンバ８２の側壁（８２ｂ，８２ｆ，８２ｒ）から独立した板材で構成することも可能である。
【００９８】
本発明においては、チャンバ８２（液切り乾燥室Ｒ4）内の構成以外にも種種の変型が可能である。たとえば、コロ搬送路８４に代えて、ベルトコンベア等の他の平流し搬送路を用いてもよい。本発明の平流し搬送において、基板は任意の姿勢をとることが可能であり、水平姿勢の平流し搬送であってもよいが、傾斜姿勢の平流し搬送も可能である。上記実施形態の洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８における洗浄ツールの形式および配置構成は一例であり、洗浄プロセスの仕様に応じて任意の洗浄ツールを任意の場所に配置することができる。
【００９９】
また、上記実施形態は、塗布現像処理システム１０内の洗浄ユニット（ＳＣＲ）３８に係るものであった。しかし、塗布現像処理システム１０内の現像ユニット（ＤＥＶ）５４に本発明を適用することも可能である。
【０１００】
現像ユニット（ＤＥＶ）５４は、図示省略するが、第２の基板搬送ライン６４の一区間を構成する平流し搬送路に沿って現像処理部、リンス部および乾燥部をこの順序に並べて配置している。ここで、現像処理部は、平流し搬送路上を移動する基板上に現像液ノズルより現像液を供給して、基板上に現像液を盛る（パドル現像）。リンス部は、所定のタイミングでリンスノズルよりリンス液（一般に純水）を供給して、基板上の現像液をリンス液に置換する（現像停止）。乾燥部は、平流し搬送路上を移動する基板にエアナイフより高圧のエア流を吹き付けて、基板の表面からリンス液を除去する（液切り乾燥）。
【０１０１】
この現像ユニット（ＤＥＶ）５４の乾燥部に、上記実施形態または変形例と同様の排気機構を組み込むことができる。これにより、乾燥部の排気効率およびスペース効率を改善し、液切り乾燥直後の乾いた基板にミストが付着するのを十全に防止することができる。このことにより、基板をシミや残渣のない状態で後工程（特にエッチング工程）に送ることが可能であり、現像プロセスの歩留まりを向上させることができる。
【０１０２】
上記した実施形態はＬＣＤ製造の塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布装置に係るものであったが、本発明は被処理基板上に処理液を噴き掛けてから液切り乾燥処理を行う任意の基板処理装置やアプリケーションに適用可能である。本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限らず、他のフラットパネルディスプレイ用基板、半導体ウエハ、ＣＤ基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。
【符号の説明】
【０１０３】
３８ 洗浄ユニット（ＳＣＲ）
Ｒ4 液切り乾燥室
５４ 現像ユニット（ＤＥＶ）
８０ （洗浄）チャンバ
８２ （液切り乾燥）チャンバ
８４ コロ搬送路
１１８，１２０ 基板出入り口（入口／出口）
８２ａ チャンバ入口側の壁
８２ｂ チャンバ出口側の壁
８２ｒ チャンバ背面側の壁
８２ｆ チャンバ正面側の壁
１２２Ｕ，１２２Ｌ エアナイフ
１２４ 上部排気口
１２６，１２８ 下部排気口
１３０，１３２，１３４ 排気ポート
１３６ ファン・フィルタ・ユニット（ＦＦＵ）
１４０ 排気部
１６０ 排気室
１６２ 局所排気ダクト
１６８ 側壁板
１７０，１７２ 仕切り板
１７４ 排気室の天板
１７４ｅ 天板エッジ
１８０ 上部隔壁
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を水平な第１の方向に平流しで搬送するための平流し搬送路と、
前記平流し搬送路の第１の区間を収容し、前記平流し搬送路上で搬送される前記基板が通れる入口および出口を有する第１の処理室と、
前記処理室内で、前記平流し搬送路の上および下から前記基板に対して搬送方向に斜めに逆らう方向に液切り乾燥用の気体を吹き付ける上部および下部エアナイフと、
前記上部および下部エアナイフよりも搬送方向の下流側で前記第１の処理室内に空気を供給する送風部と、
前記下部エアナイフの吐出口よりも低い位置で前記第１の処理室内に設けられる天板付きの排気室と、
前記排気室の前記入口と対向する側壁に設けられる下部排気口と、
前記排気室に接続される排気部と
を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記第１の処理室の天井から前記上部エアナイフまで垂れ下がる上部隔壁を有する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記送風部は、前記上部隔壁よりも搬送方向の下流側で前記第１の処理室の天井に設置されるファン・フィルタ・ユニットを有する、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記排気室内に第１の仕切り壁によって隔てられる第１および第２の排気空間が形成され、
前記排気室の前記側壁には、前記第１の排気空間に通じる１つまたは複数の第１の下部排気口と、前記第２の排気空間に通じる１つまたは複数の第２の下部排気口とが設けられ、
前記排気部は、前記第１の排気空間に通じる第１の排気ポートと、前記第２の排気空間に通じる第２の排気ポートとを有する、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１および第２の排気ポートは、前記第１の処理室の前記平流し搬送路と平行に向き合う壁に設けられる、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１および第２の排気ポートは、前記上部および下部エアナイフの背面と斜めに向き合う壁に設けられる、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記排気室の天板の前記入口と対向するエッジは、前記下部エアナイフに沿ってそれと平行に延びる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記排気室の天板エッジは、前記下部エアナイフの直下に位置する、請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記排気室の天板エッジは、前記下部エアナイフの吐出口よりも搬送方向の上流側に位置する、請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記排気室の天板エッジは、前記下部エアナイフよりも搬送方向の下流側に位置し、
前記天板エッジと前記下部エアナイフとの距離間隔が、前記天板エッジがその高さ位置で前記下部エアナイフの直下に位置する場合の距離間隔の１０倍以下である、
請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記排気室の天板の前記入口と対向するエッジは、その一部が前記下部エアナイフに沿ってそれと平行に延び、他の部分が前記下部エアナイフの吐出口よりも搬送方向の上流側に位置する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記排気室の天板は、前記第１の処理室の前記平流し搬送路と平行に向き合う一対の壁と、前記第１の処理室の前記出口が設けられている壁とに接続されている、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記排気室の天板は水平である、請求項１〜１２のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記排気室の天板は、前記入口に向かって低くなる傾斜面を有する、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記排気室の天板は、前記排気室の前記側壁より搬送方向と逆の方向に突出している、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１６】
前記第１の処理室の、前記平流し搬送路と平行に向き合い、かつ前記上部および下部エアナイフの吐出口と斜めに向き合う壁に、前記上部エアナイフよりも高い位置で設けられる上部排気口と、
前記上部排気口を前記排気室に接続するために、前記第１の処理室の外に設けられる排気管と
を有する請求項１〜１５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１７】
前記排気室に、前記下部排気口から第２の仕切り壁によって分離または遮断され、かつ前記排気管に接続される第３の排気空間が設けられる、請求項１６記載の基板処理装置。
【請求項１８】
前記排気部は、前記第３の排気空間に通じる第３の排気ポートを有し、
前記第３の排気ポートは、前記第１の処理室の前記上部排気口が設けられている壁と対向する壁に設けられる、
請求項１７に記載の基板処理装置。
【請求項１９】
前記第１の処理室の前記上部および下部エアナイフの吐出口と対向する底の角隅部にミストが滞留するのを防止するために、前記角隅部を空間的に覆い隠す滞留防止部材を有する、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項２０】
前記第１の処理室の上流側隣に配置され、前記平流し搬送路の第２の区間を収容し、前記平流し搬送路上で搬送される前記基板が通れる入口および出口を有する第２の処理室と、
前記第２の処理室内で、前記基板に対してリンス液を噴き掛けるために、前記平流し搬送路に沿って配置される１つまたは複数のリンスノズルと
を有する、請求項１〜１９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項２１】
前記第２の処理室の上流側隣に配置され、前記平流し搬送路の第３の区間を収容し、前記平流し搬送路上で搬送される前記基板が通れる入口および出口を有する第３の処理室と、
前記第３の処理室内で、前記基板に対して洗浄液を噴き掛けるために、前記平流し搬送路に沿って配置される１つまたは複数の洗浄ノズルと
を有する、請求項１〜２０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項２２】
前記第２の処理室の上流側隣に配置され、前記平流し搬送路の第３の区間を収容し、前記平流し搬送路上で搬送される前記基板が通れる入口および出口を有する第３の処理室と、
前記第３の処理室内で、前記基板のおもて面に現像液を供給するために、前記平流し搬送路に沿って配置される１つまたは複数の現像液ノズルと
を有する、請求項１〜２０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１】
被処理基板を水平な第１の方向に平流しで搬送するための平流し搬送路と、
前記平流し搬送路の第１の区間を収容し、前記平流し搬送路上で搬送される前記基板が通れる入口および出口を有する第１の処理室と、
前記処理室内で、前記平流し搬送路の上および下から前記基板に対して搬送方向に斜めに逆らう方向に液切り乾燥用の気体を吹き付ける上部および下部エアナイフと、
前記上部および下部エアナイフよりも搬送方向の下流側で前記第１の処理室内に空気を供給する送風部と、
前記下部エアナイフの吐出口よりも低い位置で前記第１の処理室内に設けられる天板付きの排気室と、
前記排気室の前記入口と対向する側壁に設けられる下部排気口と、
前記排気室に接続される排気部と
を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記第１の処理室の天井から前記上部エアナイフまで垂れ下がる上部隔壁を有する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記送風部は、前記上部隔壁よりも搬送方向の下流側で前記第１の処理室の天井に設置されるファン・フィルタ・ユニットを有する、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記排気室内に第１の仕切り壁によって隔てられる第１および第２の排気空間が形成され、
前記排気室の前記側壁には、前記第１の排気空間に通じる１つまたは複数の第１の下部排気口と、前記第２の排気空間に通じる１つまたは複数の第２の下部排気口とが設けられ、
前記排気部は、前記第１の排気空間に通じる第１の排気ポートと、前記第２の排気空間に通じる第２の排気ポートとを有する、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１および第２の排気ポートは、前記第１の処理室の前記平流し搬送路と平行に向き合う壁に設けられる、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１および第２の排気ポートは、前記上部および下部エアナイフの背面と斜めに向き合う壁に設けられる、請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記排気室の天板の前記入口と対向するエッジは、前記下部エアナイフに沿ってそれと平行に延びる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記排気室の天板エッジは、前記下部エアナイフの直下に位置する、請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記排気室の天板エッジは、前記下部エアナイフの吐出口よりも搬送方向の上流側に位置する、請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記排気室の天板エッジは、前記下部エアナイフよりも搬送方向の下流側に位置し、
前記天板エッジと前記下部エアナイフとの距離間隔が、前記天板エッジがその高さ位置で前記下部エアナイフの直下に位置する場合の距離間隔の１０倍以下である、
請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記排気室の天板の前記入口と対向するエッジは、その一部が前記下部エアナイフに沿ってそれと平行に延び、他の部分が前記下部エアナイフの吐出口よりも搬送方向の上流側に位置する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記排気室の天板は、前記第１の処理室の前記平流し搬送路と平行に向き合う一対の壁と、前記第１の処理室の前記出口が設けられている壁とに接続されている、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記排気室の天板は水平である、請求項１〜１２のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記排気室の天板は、前記入口に向かって低くなる傾斜面を有する、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記排気室の天板は、前記排気室の前記側壁より搬送方向と逆の方向に突出している、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１６】
前記第１の処理室の、前記平流し搬送路と平行に向き合い、かつ前記上部および下部エアナイフの吐出口と斜めに向き合う壁に、前記上部エアナイフよりも高い位置で設けられる上部排気口と、
前記上部排気口を前記排気室に接続するために、前記第１の処理室の外に設けられる排気管と
を有する請求項１〜１５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１７】
前記排気室に、前記下部排気口から第２の仕切り壁によって分離または遮断され、かつ前記排気管に接続される第３の排気空間が設けられる、請求項１６記載の基板処理装置。
【請求項１８】
前記排気部は、前記第３の排気空間に通じる第３の排気ポートを有し、
前記第３の排気ポートは、前記第１の処理室の前記上部排気口が設けられている壁と対向する壁に設けられる、
請求項１７に記載の基板処理装置。
【請求項１９】
前記第１の処理室の前記上部および下部エアナイフの吐出口と対向する底の角隅部にミストが滞留するのを防止するために、前記角隅部を空間的に覆い隠す滞留防止部材を有する、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項２０】
前記第１の処理室の上流側隣に配置され、前記平流し搬送路の第２の区間を収容し、前記平流し搬送路上で搬送される前記基板が通れる入口および出口を有する第２の処理室と、
前記第２の処理室内で、前記基板に対してリンス液を噴き掛けるために、前記平流し搬送路に沿って配置される１つまたは複数のリンスノズルと
を有する、請求項１〜１９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項２１】
前記第２の処理室の上流側隣に配置され、前記平流し搬送路の第３の区間を収容し、前記平流し搬送路上で搬送される前記基板が通れる入口および出口を有する第３の処理室と、
前記第３の処理室内で、前記基板に対して洗浄液を噴き掛けるために、前記平流し搬送路に沿って配置される１つまたは複数の洗浄ノズルと
を有する、請求項１〜２０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項２２】
前記第２の処理室の上流側隣に配置され、前記平流し搬送路の第３の区間を収容し、前記平流し搬送路上で搬送される前記基板が通れる入口および出口を有する第３の処理室と、
前記第３の処理室内で、前記基板のおもて面に現像液を供給するために、前記平流し搬送路に沿って配置される１つまたは複数の現像液ノズルと
を有する、請求項１〜２０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【図１】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図７】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図７】
【公開番号】特開２０１３−４５８７７（Ｐ２０１３−４５８７７Ａ）
【公開日】平成２５年３月４日（２０１３．３．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１８２４２８（Ｐ２０１１−１８２４２８）
【出願日】平成２３年８月２４日（２０１１．８．２４）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月４日（２０１３．３．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月２４日（２０１１．８．２４）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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