塗布装置及び塗布方法
【課題】基板の浮上量の変動を抑制することが可能な塗布装置及び塗布方法を提供すること。
【解決手段】第一気体供給経路及び第一吸引経路のうち少なくとも一方の経路の一部分には大気開放が可能な大気開放部が設けられているので、噴出される気体の流量及び吸引される気体の流量のうち少なくとも一方の変化を緩和することが可能となる。これにより、基板の浮上量の変動を抑制することが可能となる。
【解決手段】第一気体供給経路及び第一吸引経路のうち少なくとも一方の経路の一部分には大気開放が可能な大気開放部が設けられているので、噴出される気体の流量及び吸引される気体の流量のうち少なくとも一方の変化を緩和することが可能となる。これにより、基板の浮上量の変動を抑制することが可能となる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塗布装置及び塗布方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイなどの表示パネルを構成するガラス基板上には、配線パターンや電極パターンなどの微細なパターンが形成されている。一般的にこのようなパターンは、例えばフォトリソグラフィなどの手法によって形成される。フォトリソグラフィ法では、ガラス基板上にレジスト膜を形成する工程、このレジスト膜をパターン露光する工程、その後に当該レジスト膜を現像する工程がそれぞれ行われる。
【０００３】
基板の表面上にレジスト膜を塗布する装置として、ガラス基板を浮上させた状態で、スリットノズルとガラス基板とを相対的に移動させつつ、スリットノズルからガラス基板にレジストを塗布する塗布装置が知られている。このような浮上型の塗布装置として、例えばステージ上に所定の圧力で気体を噴出すると共に当該ステージ上を吸引することで基板の浮上量を調整する構成が知られている。この場合、基板上に厚さが均一になるようにレジストを塗布するため、基板を均一な浮上量で浮上させる必要があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−８８２０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ステージ上を基板が移動することで、当該ステージ上が基板によって一時的に遮られることになる。このため、気体の噴出圧及び吸引圧が一時的に変化し、噴出される気体の流量及び吸引される気体の流量が一時的に変化するおそれがある。この場合、基板の浮上量が変動し、レジストを均一に塗布することが困難となってしまう。
【０００６】
以上のような事情に鑑み、本発明は、基板の浮上量の変動を抑制することが可能な塗布装置及び塗布方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第一の態様に係る塗布装置は、基板に対して先端部分から液状体を吐出するノズルを有する塗布部と、前記基板を案内する案内面を有し、前記基板を前記案内面に対して浮上させるための気体供給部及び吸引部が設けられた浮上部と、浮上した状態の前記基板と前記先端部分とを対向させつつ前記基板及び前記ノズルのうち少なくとも一方を駆動する駆動部とを備え、前記気体供給部は、前記案内面に設けられた複数の気体供給口、複数の前記気体供給口に気体を供給する気体供給源、一端部が前記気体供給源に接続された第一気体供給経路、及び、前記第一気体供給経路の他端部から分岐され複数の前記気体供給口のそれぞれに接続された第二気体供給経路、を有し、前記吸引部は、前記案内面に設けられた複数の吸引口、複数の前記吸引口を吸引する吸引源、一端部が前記吸引源に接続された第一吸引経路、及び、前記第一吸引経路の他端部から分岐され複数の前記吸引口のそれぞれに接続された第二吸引経路、を有し、前記第一気体供給経路及び前記第一吸引経路のうち少なくとも一方の経路の一部分には大気開放が可能な大気開放部が設けられている。
【０００８】
この場合、第一気体供給経路及び第一吸引経路のうち少なくとも一方の経路の一部分には大気開放が可能な大気開放部が設けられているので、噴出される気体の流量及び吸引される気体の流量のうち少なくとも一方の変化を緩和することが可能となる。これにより、基板の浮上量の変動を抑制することが可能となる。
【０００９】
上記の塗布装置において、前記大気開放部は、前記経路の一部分から分岐された分岐経路を有し、前記分岐経路の先端には、大気開放口が設けられている。
この場合、大気開放部が経路の一部分から分岐された分岐経路を有し、分岐経路の先端に大気開放口が設けられた構成であるため、当該分岐経路及び大気開放口を介して気体供給量及び吸引量のうち少なくとも一方の変化を緩和することが可能となる。これにより、浮上量の変動を抑制することが可能となる。
【００１０】
上記の塗布装置において、前記大気開放部は、前記大気開放口の開度を調整可能な調整弁を有する。
この場合、大気開放部が大気開放口の開度を調整可能な調整弁を有するため、気体供給量及び吸引量をより微細に調整することができる。
【００１１】
上記の塗布装置において、前記大気開放部は、前記大気開放口を流通する気体の流量を計測する流量計を有する。
この場合、大気開放部が大気開放口を流通する気体の流量を計測する流量計を有することとしたので、基板の浮上量の調整量を把握することができる。
【００１２】
上記の塗布装置において、前記大気開放部は、前記気体供給経路に設けられており、前記流量計は、前記大気開放口から大気に流出する気体の流量を計測する。
この場合、大気開放部が気体供給経路に設けられており、流量計が大気開放口から大気に流出する気体の流量を計測することとしたので、気体噴出量の調整量を把握することができる。
【００１３】
上記の塗布装置において、前記大気開放部は、前記大気開放口の開度を調整可能な調整弁と、前記大気開放口を流通する気体の流量を計測する流量計と、前記流量計による計測結果に基づいて前記調整弁の調整量を制御する弁制御部とを有する。
この場合、大気開放部が大気開放口の開度を調整可能な調整弁と、大気開放口を流通する気体の流量を計測する流量計と、流量計による計測結果に基づいて調整弁の調整量を制御する弁制御部とを有するので、気体噴出量及び吸引量の調整を自動的に行うことが可能となる。
【００１４】
上記の塗布装置において、前記浮上部は、前記塗布部に対応する位置に設けられたステージを有し、前記案内面は、前記ステージに設けられる。
この場合、基板がステージに設けられた案内面を浮上する際に、浮上量の変動を抑制することが可能となる。
【００１５】
本発明の第二の態様に係る塗布方法は、基板に対して先端部分から液状体を吐出するノズルを有する塗布部と、前記基板を案内する案内面を有し、前記基板を前記案内面に対して浮上させるための気体供給部及び吸引部が設けられた浮上部と、浮上した状態の前記基板と前記先端部分とを対向させつつ前記基板及び前記ノズルのうち少なくとも一方を駆動する駆動部とを備え、前記気体供給部は、前記案内面に設けられた複数の気体供給口、複数の前記気体供給口に気体を供給する気体供給源、一端部が前記気体供給源に接続された第一気体供給経路、及び、前記第一気体供給経路の他端部から分岐され複数の前記気体供給口のそれぞれに接続された第二気体供給経路、を有し、前記吸引部は、前記案内面に設けられた複数の吸引口、複数の前記吸引口を吸引する吸引源、一端部が前記吸引源に接続された第一吸引経路、及び、前記第一吸引経路の他端部から分岐され複数の前記吸引口のそれぞれに接続された第二吸引経路、を有し、前記第一気体供給経路及び前記第一吸引経路のうち少なくとも一方の経路の一部分には大気開放が可能な大気開放部が設けられた塗布装置を用いた塗布方法であって、前記経路の一部分を大気に開放した状態で前記気体供給源及び前記吸引源を作動させ前記気体供給口及び前記吸引口を介して前記基板と前記案内面との間に気体の層を形成し、前記気体の層上に前記基板を浮上させるステップと、浮上した状態の前記基板と前記先端部分とを対向させつつ前記基板及び前記ノズルのうち少なくとも一方を駆動することで、前記基板と前記ノズルとを相対的に移動させるステップと、前記基板と前記ノズルとを相対的に移動させつつ、前記基板に対して前記ノズルの前記先端部分から前記液状体を吐出するステップとを含む。
【００１６】
この場合、経路の一部分を大気に開放した状態で気体供給源及び吸引源を作動させ気体供給口及び吸引口を介して基板と案内面との間に気体の層を形成し、当該気体の層上に基板を浮上させるステップを含むので、噴出される気体の流量及び吸引される気体の流量のうち少なくとも一方の変化を緩和することが可能となる。これにより、基板の浮上量の変動を抑制することが可能となる。
【００１７】
上記の塗布方法において、前記基板を浮上させるステップは、前記大気開放部に設けられた大気開放口の開度を調整することを含む。
この場合、大気開放部に設けられた大気開放口の開度が調整されるため、気体供給量及び吸引量をより微細に調整されることになる。
【００１８】
上記の塗布方法において、前記基板を浮上させるステップは、前記大気開放部に設けられた大気開放口を流通する気体の流量を計測することを含む。
この場合、大気開放口から大気に流出する気体の流量又は大気から吸引する気体の流量が計測されるので、気体噴出量又は吸引量の調整量を把握することができる。
【００１９】
上記の塗布方法において、前記基板を浮上させるステップは、前記大気開放口から大気に流出する気体の流量及び大気から吸引する気体の流量のうち少なくとも一方を計測することを含む。
この場合、大気開放口から大気に流出する気体の流量及び大気から吸引する気体の流量のうち少なくとも一方を計測することとしたので、気体噴出量の調整量を把握することができる。
【００２０】
上記の塗布方法において、前記基板を浮上させるステップは、前記大気開放部に設けられた大気開放口を流通する気体の流量を計測することと、前記気体の流量の計測結果に応じて、前記大気開放口の開度を調整することとを含む。
この場合、流量計による計測結果に基づいて大気開放口の開度を調整するので、気体噴出量及び吸引量の調整を自動的に行うことが可能となる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、基板の浮上量の変動を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本実施形態に係る塗布装置の構成を示す斜視図である。
【図２】本実施形態に係る塗布装置の構成を示す正面図である。
【図３】本実施形態に係る塗布装置の構成を示す平面図である。
【図４】本実施形態に係る塗布装置の構成を示す側面図である。
【図５】搬送機の要部構成を示す図である。
【図６】本実施形態に係る塗布装置の処理ステージの気体噴出機構及び吸引機構の構成を示す図である。
【図７】本実施形態に係る塗布装置の処理ステージの気体噴出機構及び吸引機構の構成を示す図である。
【図８】本実施形態に係る塗布装置の動作を示す図である。
【図９】同、動作図である。
【図１０】同、動作図である。
【図１１】同、動作図である。
【図１２】処理ステージの遮蔽率と、処理ステージに噴出される気体の総流量及び大気開放口から流出される気体の流量との関係を示す表である。
【図１３】同、動作図である。
【図１４】同、動作図である。
【図１５】変形例に係る搬送機構の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
図１は本実施形態に係る塗布装置１の斜視図である。
図１に示すように、本実施形態に係る塗布装置１は、例えば液晶パネルなどに用いられるガラス基板上にレジストを塗布する塗布装置であり、基板搬送部２と、塗布部３と、管理部４と、制御部ＣＯＮＴとを主要な構成要素としている。
【００２４】
この塗布装置１は、基板搬送部２によって基板を浮上させて搬送しつつ塗布部３によって当該基板上にレジストが塗布されるようになっており、管理部４によって塗布部３の状態が管理されるようになっている。制御部ＣＯＮＴは、塗布装置１の各部を統括的に制御する。
【００２５】
図２は塗布装置１の正面図、図３は塗布装置１の平面図、図４は塗布装置１の側面図である。これらの図を参照して、塗布装置１の詳細な構成を説明する。
（基板搬送部）
まず、基板搬送部２の構成を説明する。
基板搬送部２は、基板搬入領域２０と、塗布処理領域２１と、基板搬出領域２２と、搬送機構２３と、これらを支持するフレーム部２４とを有している。この基板搬送部２では、搬送機構２３によって基板Ｓが基板搬入領域２０、塗布処理領域２１及び基板搬出領域２２へと順に搬送されるようになっている。基板搬入領域２０、塗布処理領域２１及び基板搬出領域２２は、基板搬送方向の上流側から下流側へこの順で配列されている。搬送機構２３は、基板搬入領域２０、塗布処理領域２１及び基板搬出領域２２の各部に跨るように当該各部の一側方に設けられている。
【００２６】
以下、塗布装置１の構成を説明するにあたり、表記の簡単のため、ＸＹＺ座標系を用いて図中の方向を説明する。基板搬送部２の長手方向であって基板の搬送方向をＸ方向と表記する。平面視でＸ方向（基板搬送方向）に直交する方向をＹ方向と表記する。Ｘ方向軸及びＹ方向軸を含む平面に垂直な方向をＺ方向と表記する。なお、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向のそれぞれは、図中の矢印の方向が＋方向、矢印の方向とは反対の方向が−方向であるものとする。
【００２７】
基板搬入領域２０は、装置外部から搬送されてきた基板Ｓを搬入する部位であり、搬入側ステージ２５と、リフト機構２６とを有している。
搬入側ステージ２５は、フレーム部２４の上部に設けられており、例えばＳＵＳなどからなる平面視で矩形の板状部材である。この搬入側ステージ２５は、Ｘ方向が長手になっている。搬入側ステージ２５には、気体噴出口２５ａと、昇降ピン出没孔２５ｂとがそれぞれ複数設けられている。これら気体噴出口２５ａ及び昇降ピン出没孔２５ｂは、搬入側ステージ２５を貫通するように設けられている。
【００２８】
気体噴出口２５ａは、搬入側ステージ２５のステージ表面（搬送面）２５ｃ上に気体を噴出する孔であり、例えば搬入側ステージ２５のうち基板Ｓの通過する領域に平面視マトリクス状に配置されている。この気体噴出口２５ａには図示しない気体供給源が接続されている。この搬入側ステージ２５では、気体噴出口２５ａから噴出される気体によって基板Ｓを＋Ｚ方向に浮上させることができるようになっている。
【００２９】
昇降ピン出没孔２５ｂは、搬入側ステージ２５のうち基板Ｓの搬入される領域に設けられている。当該昇降ピン出没孔２５ｂは、ステージ表面２５ｃに供給された気体が漏れ出さない構成になっている。
【００３０】
この搬入側ステージ２５のうちＹ方向の両端部には、アライメント装置２５ｄが１つずつ設けられている。アライメント装置２５ｄは、搬入側ステージ２５に搬入された基板Ｓの位置を合わせる装置である。各アライメント装置２５ｄは長孔と当該長孔内に設けられた位置合わせ部材を有しており、搬入側ステージ２５に搬入される基板を両側から機械的に挟持するようになっている。
【００３１】
リフト機構２６は、搬入側ステージ２５の基板搬入位置の裏面側に設けられている。このリフト機構２６は、昇降部材２６ａと、複数の昇降ピン２６ｂとを有している。昇降部材２６ａは、図示しない駆動機構に接続されており、当該駆動機構の駆動によって昇降部材２６ａがＺ方向に移動するようになっている。複数の昇降ピン２６ｂは、昇降部材２６ａの上面から搬入側ステージ２５へ向けて立設されている。各昇降ピン２６ｂは、それぞれ上記の昇降ピン出没孔２５ｂに平面視で重なる位置に配置されている。昇降部材２６ａがＺ方向に移動することで、各昇降ピン２６ｂが昇降ピン出没孔２５ｂからステージ表面２５ｃ上に出没するようになっている。各昇降ピン２６ｂの＋Ｚ方向の端部はそれぞれＺ方向上の位置が揃うように設けられており、装置外部から搬送されてきた基板Ｓを水平な状態で保持することができるようになっている。
【００３２】
塗布処理領域２１は、レジストの塗布が行われる部位であり、基板Ｓを浮上支持する処理ステージ２７が設けられている。処理ステージ２７は、ステージ表面（搬送面）２７ｃが例えば硬質アルマイトを主成分とする光吸収材料で覆われた平面視で矩形の板状部材であり、搬入側ステージ２５に対して＋Ｘ方向側に設けられている。
【００３３】
処理ステージ２７のうち光吸収材料で覆われた部分では、レーザ光などの光の反射が抑制されるようになっている。この処理ステージ２７は、Ｙ方向が長手になっている。処理ステージ２７のＹ方向の寸法は、搬入側ステージ２５のＹ方向の寸法とほぼ同一になっている。処理ステージ２７には、ステージ表面２７ｃ上に気体を噴出する複数の気体噴出口２７ａと、ステージ表面２７ｃ上の気体を吸引する複数の吸引口２７ｂとが設けられている。これら気体噴出口２７ａ及び吸引口２７ｂは、処理ステージ２７を貫通するように設けられている。また、処理ステージ２７の内部には、気体噴出口２７ａ及び吸引口２７ｂを通過する気体の圧力に抵抗を与えるための図示しない溝が複数設けられている。この複数の溝は、ステージ内部において気体噴出口２７ａ及び吸引口２７ｂに接続されている。
【００３４】
処理ステージ２７では、気体噴出口２７ａのピッチが搬入側ステージ２５に設けられる気体噴出口２５ａのピッチよりも狭く、搬入側ステージ２５に比べて気体噴出口２７ａが密に設けられている。また、処理ステージ２７においては、気体噴出口２７ａとともに吸引口２７ｂが密に設けられている。これにより、この処理ステージ２７では他のステージに比べて基板の浮上量を高精度で調節できるようになっており、基板の浮上量が例えば１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下となるように制御することが可能になっている。処理ステージ２７には、ステージ表面２７ｃと基板Ｓとの間の距離を検出可能な検出部ＭＳが設けられている。
【００３５】
基板搬出領域２２は、レジストが塗布された基板Ｓを装置外部へ搬出する部位であり、搬出側ステージ２８と、リフト機構２９とを有している。この搬出側ステージ２８は、処理ステージ２７に対して＋Ｘ方向側に設けられており、基板搬入領域２０に設けられた搬入側ステージ２５とほぼ同様の材質、寸法から構成されている。搬出側ステージ２８には、搬入側ステージ２５と同様、気体噴出口２８ａ及び昇降ピン出没孔２８ｂが設けられている。リフト機構２９は、搬出側ステージ２８の基板搬出位置の裏面側に設けられており、例えばフレーム部２４に支持されている。リフト機構２９の昇降部材２９ａ及び昇降ピン２９ｂは、基板搬入領域２０に設けられたリフト機構２６の各部位と同様の構成になっている。このリフト機構２９は、搬出側ステージ２８上の基板Ｓを外部装置へと搬出する際に、基板Ｓの受け渡しのため昇降ピン２９ｂによって基板Ｓを持ち上げることができるようになっている。
【００３６】
搬送機構２３は、図４に示すように、第一搬送機構６０と、第二搬送機構６１とを備えている。なお、図３においては、第一搬送機構６０が基板Ｓを保持した状態を示し、第一搬送機構６０の下方に配置されている第二搬送機構６１の図示を省略している。
【００３７】
第一搬送機構６０は、搬送機６０ａと、真空パッド６０ｂと、レール６０ｃと、搬送機６０ａを基板Ｓの搬送面と平行な面上を移動可能とする移動機構６３とを有している。また、第二搬送機構６１は、搬送機６１ａと、真空パッド６１ｂと、レール６１ｃと、搬送機６１ａを昇降（上下動作）可能とする昇降機構６２とを有している。レール６０ｃ，６１ｃは、搬入側ステージ２５、処理ステージ２７及び搬出側ステージ２８の側方に各ステージに跨って延在している。
【００３８】
搬送機６０ａ，６１ａは、内部に例えばリニアモータが設けられた構成になっており、当該リニアモータが駆動することによって搬送機６０ａ，６１ａがレール６０ｃ，６１ｃ上を移動することで各ステージに沿って移動できるようになっている。すなわち、搬送機６０ａ，６１ａは、基板Ｓを保持する保持部としての機能と、該保持部を駆動する駆動部としての機能とを備えたものとなっている。搬送機６０ａ，６１ａは、所定の部分６０ｄ、６１ｄが平面視で基板Ｓの−Ｙ方向端部に重なるようになっている。この基板Ｓに重なる部分６０ｄ、６１ｄは、基板Ｓを浮上させたときの基板裏面の高さ位置よりも低い位置に配置されるようになっている。
【００３９】
第二搬送機構６１は、図４に示すように第一搬送機構６０と比べて、フレーム部２４の階段状の段差部２４ａの下段に配置されている。また、平面的に視ると、第二搬送機構６１は、第一搬送機構６０に対してステージ側に配置されている。
【００４０】
図４に示されるように、第二搬送機構６１は、上記昇降機構６２により搬送機６１ａを上昇させることで基板Ｓにアクセス可能となっている。一方、第一搬送機構６０は、上記移動機構６３により搬送機６０ａを基板Ｓの搬送面と平行な面上で水平移動させることで基板Ｓにアクセス可能となっている。第一搬送機構６０の搬送機６０ａと第二搬送機構６１の搬送機６１ａとは、それぞれ独立して移動可能となっている。
【００４１】
また、例えば、第一搬送機構６０が基板Ｓを保持している場合、基板Ｓを保持していない第二搬送機構６１の搬送機６１ａは、昇降機構６２が下降することによって下方に待機し、第一搬送機構６０（搬送機６０ａ）の搬送経路から退避している。また、第二搬送機構６１が基板Ｓを保持している場合、基板Ｓを保持していない第一搬送機構６０の搬送機６０ａは、移動機構６３によって−Ｙ方向に移動し、第二搬送機構６１（搬送機６１ａ）の搬送経路から退避している。
【００４２】
図３に示すように、真空パッド６０ｂは、搬送機６０ａのうち上記基板Ｓに重なる部分６０ｄに基板Ｓの搬送方向に沿って複数（本実施形態では３個）配置されている。この真空パッド６０ｂは、基板Ｓを真空吸着するための吸着面を有しており、当該吸着面が上方を向くように配置されている。真空パッド６０ｂは、吸着面が基板Ｓの裏面端部を吸着することで当該基板Ｓを保持可能になっている。これら真空パッド６０ｂは、基板Ｓの搬送方向前方側の端部から２５０ｍｍ以内を保持するのが好ましく、８０ｍｍ以内とするのが望ましい。具体的に本実施形態では、搬送機６０ａは、基板Ｓの搬送方向前方の端部から真空パッド６０ｂまでの距離Ｗが８０ｍｍ以内となるように基板Ｓを保持している。これにより搬送機６０ａにより基板Ｓが均一に保持されて、基板端部が垂れ下がることが防止され、基板Ｓを均一に浮上させた状態で搬送することができる。したがって、基板Ｓ上に塗布されるレジストを乾燥固化させた膜にムラが生じるのを防止している。
【００４３】
なお、第二搬送機構６１における搬送機６１ａの構造は、図３では図示されていないものの、上記搬送機６０ａと同一構成を有している。すなわち、搬送機６１ａにおける真空パッド６１ｂは、上記基板Ｓに重なる部分に基板Ｓの搬送方向に沿って３個配置されている。
【００４４】
ここで、搬送機６０ａ、６１ａの要部構成について説明する。なお、上述のように搬送機６０ａ、６１ａはそれぞれ同一構成を有するものであることから、本説明では搬送機６０ａを例に挙げ、その構成について図５を参照しつつ説明する。なお、図５（ａ）は搬送機６０ａの要部の平面構成を示す図であり、図５（ｂ）は搬送機６０ａの要部の断面構成を示す図である。
【００４５】
図５（ａ）に示されるように、搬送機６０ａに設けられる真空パッド６０ｂは、基板Ｓとの接触部が平面視略長円状となっている。そして、真空パッド６０ｂの内部には不図示の真空ポンプ等に接続される排気孔６５が設けられている。真空パッド６０ｂは、この排気孔６５を介して真空パッド６０ｂと基板Ｓとの間に生じる密閉空間を排気することで基板Ｓを真空吸着することが可能となっている。
【００４６】
また、図５（ｂ）に示すように、搬送機６０ａ上に設けられた真空パッド６０ｂの側方には、搬送中の基板Ｓの位置を規制するストッパー部材６６を備えている。このストッパー部材６６は、基板Ｓの側面Ｓ１に対向するとともに、基板Ｓの下面側に対向する凸部６６ａを備えている。この凸部６６ａは、基板Ｓの下方への撓みを規制するストッパーとして機能する。凸部６６ａは、図５（ａ）に示されるように、真空パッド６０ｂの外周部を枠状に囲んだ状態に設けられている。凸部６６ａの上面は、搬入側ステージ２５の上面に対して−３０〜＋３０μｍの範囲に設定するのが好ましく、−２０μｍ近傍に設定するのが望ましい。また、凸部６６ａと真空パッド６０ｂとの位置関係は、真空パッド６０ｂを０〜１ｍｍ程度上方に設定するのが好ましい。
【００４７】
なお、隣接する真空パッド６０ｂの間に凸部６６ａが配置される構成、すなわち各真空パッド６０ｂの四方を凸部６６ａが囲むようにしてもよい。
【００４８】
本実施形態に係る真空パッド６０ｂは、基板Ｓに対して変位可能となっている。具体的の本実施形態では、真空パッド６０ｂが蛇腹構造からなる蛇腹部６７を有している。これにより、例えば基板Ｓの端部に撓みが生じることで基板Ｓの高さに変動が生じた場合でも、真空パッド６０ｂが基板Ｓの動きに追従することで当該基板Ｓに対する吸着を確実に保持することができる。また、真空パッド６０ｂは、ステージ上における基板Ｓの浮上量を変化させた場合でも、蛇腹部６７が変位することで基板Ｓを良好に吸着することができるようになっている。
【００４９】
（塗布部）
次に、塗布部３の構成を説明する。
塗布部３は、基板Ｓ上にレジストを塗布する部分であり、門型フレーム３１と、ノズル３２とを有している。
【００５０】
門型フレーム３１は、支柱部材３１ａと、架橋部材３１ｂとを有しており、処理ステージ２７をＹ方向に跨ぐように設けられている。支柱部材３１ａは処理ステージ２７のＹ方向側に１つずつ設けられており、各支柱部材３１ａがフレーム部２４のＹ方向側の両側面にそれぞれ支持されている。各支柱部材３１ａは、上端部の高さ位置が揃うように設けられている。架橋部材３１ｂは、各支柱部材３１ａの上端部の間に架橋されており、当該支柱部材３１ａに対して昇降可能となっている。
【００５１】
この門型フレーム３１は移動機構３１ｃに接続されており、Ｘ方向に移動可能になっている。この移動機構３１ｃによって門型フレーム３１が管理部４との間で移動可能になっている。すなわち、門型フレーム３１に設けられたノズル３２が管理部４との間で移動可能になっている。また、この門型フレーム３１は、図示しない移動機構によりＺ方向にも移動可能になっている。
【００５２】
ノズル３２は、一方向が長手の長尺状に構成されており、門型フレーム３１の架橋部材３１ｂの−Ｚ方向側の面に設けられている。このノズル３２のうち−Ｚ方向の先端には、自身の長手方向に沿ってスリット状の開口部３２ａが設けられており、当該開口部３２ａからレジストが吐出されるようになっている。ノズル３２は、開口部３２ａの長手方向がＹ方向に平行になると共に、当該開口部３２ａが処理ステージ２７に対向するように配置されている。開口部３２ａの長手方向の寸法は搬送される基板ＳのＹ方向の寸法よりも小さくなっており、基板Ｓの周辺領域にレジストが塗布されないようになっている。ノズル３２の内部にはレジストを開口部３２ａに流通させる図示しない流通路が設けられており、この流通路には図示しないレジスト供給源が接続されている。このレジスト供給源は例えば図示しないポンプを有しており、当該ポンプでレジストを開口部３２ａへと押し出すことで開口部３２ａからレジストが吐出されるようになっている。支柱部材３１ａには不図示の移動機構が設けられており、当該移動機構によって架橋部材３１ｂに保持されたノズル３２がＺ方向に移動可能になっている。ノズル３２には不図示の移動機構が設けられており、当該移動機構によってノズル３２が架橋部材３１ｂに対してＺ方向に移動可能になっている。門型フレーム３１の架橋部材３１ｂの下面には、ノズル３２の開口部３２ａ、すなわち、ノズル３２の先端と当該ノズル先端に対向する対向面との間のＺ方向上の距離を測定するセンサ３３が取り付けられている。
【００５３】
（管理部）
管理部４の構成を説明する。
管理部４は、基板Ｓに吐出されるレジスト（液状体）の吐出量が一定になるようにノズル３２を管理する部位であり、基板搬送部２のうち塗布部３に対して−Ｘ方向側（基板搬送方向の上流側）に設けられている。この管理部４は、予備吐出機構４１と、ディップ槽４２と、ノズル洗浄装置４３と、これらを収容する収容部４４と、当該収容部を保持する保持部材４５とを有している。保持部材４５は、移動機構４５ａに接続されている。当該移動機構４５ａにより、収容部４４がＸ方向に移動可能になっている。
【００５４】
予備吐出機構４１、ディップ槽４２及びノズル洗浄装置４３は、−Ｘ方向側へこの順で配列されている。これら予備吐出機構４１、ディップ槽４２及びノズル洗浄装置４３のＹ方向の各寸法は上記門型フレーム３１の支柱部材３１ａ間の距離よりも小さくなっており、上記門型フレーム３１が各部位を跨いでアクセスできるようになっている。
【００５５】
予備吐出機構４１は、レジストを予備的に吐出する部分である。当該予備吐出機構４１はノズル３２に最も近くに設けられている。ディップ槽４２は、内部にシンナーなどの溶剤が貯留された液体槽である。ノズル洗浄装置４３は、ノズル３２の開口部３２ａ近傍をリンス洗浄する装置であり、Ｙ方向に移動する図示しない洗浄機構と、当該洗浄機構を移動させる図示しない移動機構とを有している。この移動機構は、洗浄機構よりも−Ｘ方向側に設けられている。ノズル洗浄装置４３は、移動機構が設けられる分、予備吐出機構４１及びディップ槽４２に比べてＸ方向の寸法が大きくなっている。なお、予備吐出機構４１、ディップ槽４２、ノズル洗浄装置４３の配置については、本実施形態の配置に限られず、他の配置であっても構わない。また、予備吐出機構４１、ディップ槽４２及びノズル洗浄装置４３については、全て配置されている場合に限られず、一部が省略された構成であっても構わない。
【００５６】
（気体噴出機構・吸引機構）
図６は、搬入側ステージ２５、処理ステージ２７及び搬出側ステージ２８の気体噴出機構・吸引機構の構成を示す図である。同図をもとにして、上記の各ステージの気体噴出及び気体吸引に関する構成を説明する。
【００５７】
搬入側ステージ２５及び搬出側ステージ２８には気体噴出機構１５０、１５５のみが設けられており、吸引機構は設けられていない。各気体噴出機構１５０、１５５の構成は両ステージにおいて同一の構成になっている。これらの気体噴出機構１５０、１５５は、それぞれブロアー１５１、１５６、温度コントロールユニット１５２、１５７、マニホールド１５３、１５８をそれぞれ有している。
【００５８】
各ブロアー１５１、１５６からは配管１５０ａ、１５５ａによって温度コントロールユニット１５２、１５７にそれぞれ接続されている。この温度コントロールユニット１５２、１５７は、例えば冷媒機構などの冷却機構や電熱線などの加熱機構が設けられており、これら冷却機構及び加熱機構によって、供給される気体の温度を調節可能に構成されている。温度コントロールユニット１５２と温度コントロールユニット１５７とでは、独立して気体の温度を調節できるようになっている。温度コントロールユニット１５２、１５７は、配管１５０ｂ、１５５ｂによってマニホールド１５３、１５８にそれぞれ接続されている。
【００５９】
マニホールド１５３、１５８には、それぞれ温度センサ１５４、１５９が取り付けられている。
【００６０】
温度センサ１５４、１５９は、マニホールド１５３、１５８内の気体の温度を計測し、計測結果をそれぞれ温度コントロールユニット１５２、１５７に送信するようになっている。温度コントロールユニット１５２、１５７では、この温度センサ１５４、１５９の計測結果をフィードバックさせて気体の温度を調節できるようになっている。このように、温度コントロールユニット１５２、１５７及び温度センサ１５４、１５９は、気体の温度をフィードバックさせて調節する温度調節機構１８１、１８２をそれぞれ構成している。
【００６１】
配管１５０ｂ、１５５ｂには圧力計が取り付けられており、配管１５０ｃ、１５５ｃによって搬入側ステージ２５及び搬出側ステージ２８にそれぞれ接続されている。各配管１５０ａ〜１５０ｃ、１５５ａ〜１５５ｃには、各種バルブが設けられている。また、配管１５０ａ〜１５０ｃ、１５５ａ〜１５５ｃには、気中パーティクル量を測定する気中パーティクル量測定器を設けてもよい。
【００６２】
一方、処理ステージ２７には、気体噴出機構１６０に加えて吸引機構１７０が設けられている。
図７は、処理ステージ２７に設けられた気体噴出機構１６０及び吸引機構１７０の構成を示す図である。同図に示すように、気体噴出機構１６０は、ブロアー１６１、温度コントロールユニット１６２、フィルタ１６３、オートプレッシャーコントローラー（ＡＰＣ）１６４、マニホールド１６５、温度センサ１６６及び噴出量監視ポート１６７を有している。
【００６３】
ブロアー１６１は、気体噴出機構に気体を供給する気体供給源であり、配管１６０ａによって温度コントロールユニット１６２に接続されている。気体供給源として、ブロアー１６１の代わりに工場などの気体供給ラインを接続してもよい。
【００６４】
温度コントロールユニット１６２は、例えば供給される気体の温度を調節するユニットである。温度コントロールユニット１６２内の気体流通部には、例えば冷媒機構などの冷却機構や電熱線などの加熱機構が設けられている。これらの冷却機構や加熱機構によって、気体の温度を上昇させたり下降させたりすることができるようになっている。温度コントロールユニット１６２では、上記の温度コントロールユニット１５２、１５７に対して独立して気体の温度を調節できるようになっている。温度コントロールユニット１６２は、配管１６０ｂによってＡＰＣ１６４に接続されている。
【００６５】
配管１６０ｂにはフィルタ１６３が設けられている。フィルタ１６３は供給される気体に混合する異物を除去する部位である。また、配管１６０ｂに不図示の逃がし弁を設ける構成であっても構わない。
【００６６】
ＡＰＣ１６４は、気体の供給量を調節するユニットである。ＡＰＣ１６４は、バタフライバルブ１６４ａとコントローラ１６４ｂとを有している。コントローラ１６４ｂはバタフライバルブ１６４ａの開度を調節できるようになっており、当該バタフライバルブ１６４ａの開度を調節することで気体の供給量を調節可能になっている。ＡＰＣ１６４は、配管１６０ｃを介してマニホールド１６５に接続されている。
【００６７】
配管１６０ｃには、流量計１６９ａ及び圧力計１６９ｂが取り付けられている。これら流量計１６９ａ及び圧力計１６９ｂによって配管１６０ｃ内の気体の流量及び圧力が測定されるようになっている。各測定結果は、例えばＡＰＣ１６４へ送信されるようになっている。
【００６８】
マニホールド１６５は、配管１６０ｃを流通する気体を分岐するユニットである。当該マニホールド１６５において、配管１６０ｃは分岐された複数の配管１６０ｄに接続されている。各配管１６０ｄは、処理ステージ２７の気体噴出口２７ａに接続されている。
【００６９】
温度センサ１６６は、マニホールド１６５内の気体の温度を測定するセンサである。温度センサ１６６によって測定された気体の温度のデータは、例えば通信回線などを介して温度コントロールユニット１６２へ送信されるようになっている。温度コントロールユニット１６２では、この温度センサ１６６の計測結果をフィードバックさせることで気体の温度を調節できるようになっている。このように、温度コントロールユニット１６２及び温度センサ１６６は、気体の温度をフィードバックさせて調節する温度調節機構１８３を構成している。
【００７０】
噴出量監視ポート１６７は、気体の流量検知用のポートを有する構成になっており、この流量検知用のポートによって処理ステージ２７の気体噴出口２７ａと同等の気体流量を検出可能になっている。この噴出量監視ポート１６７には流量計１６７ａ及び圧力計１６７ｂが設けられており、気体噴出口２７ａから噴出される気体の流量及び圧力が測定可能になっている。なお、流量計１６７ａ及び圧力計１６７ｂによる測定結果については、ＡＰＣ１６４内のコントローラ１６４ｂに送信される構成であっても構わない。
【００７１】
上記の配管１６０ａ〜１６０ｅには、各種のバルブ等が取り付けられており、各バルブにおいて適宜開度を調節できるようになっている。また、配管１６０ｃには、大気開放部１９１が接続されている。
【００７２】
大気開放部１９１は、分岐配管１９１ａ、気体流量調整弁１９１ｂ及び流量計１９１ｃを有している。分岐配管１９１ａは、配管１６０ｃから分岐されており、先端が大気に開放された大気開放口１９１ｄとなっている。気体流量調整弁１９１ｂは、分岐配管１９１ａ内の流路径を調整することにより、大気開放口１９１ｄの開度を調整可能である。
【００７３】
気体流量調整弁１９１ｂは、大気開放口１９１ｄの開度を調整することで、分岐配管１９１ａを流れると共に大気開放口１９１ｄから大気に流出する気体の流量を調整可能である。流量計１９１ｃは、分岐配管１９１ａを流れて大気開放口１９１ｄから大気に流出する気体の流量を計測する。制御部ＣＯＮＴは、流量計１９１ｃの計測結果に基づいて、気体流量調整弁１９１ｂを調整させる。
【００７４】
吸引機構１７０は、ブロアー１７１と、オートプレッシャーコントローラー（ＡＰＣ）１７２と、トラップタンク１７３と、マニホールド１７４と、吸引量監視ポート１７５とを有している。ブロアー１７１、ＡＰＣ１７２、トラップタンク１７３、マニホールド１７４は、互いに配管１７０ａ〜１７０ｃによって接続されており、各配管１７０ａ〜１７０ｃには各種バルブが取り付けられている。なお、ブロアー１７１の代わりに工場などの気体吸引ラインを使用してもよい。また、マニホールド１７４が設けられない構成であっても構わない。
【００７５】
マニホールド１７４は、分岐された複数の配管１７０ｄに接続されている。各配管１７０ｄは、処理ステージ２７の吸引口２７ｂに接続されている。
【００７６】
ＡＰＣ１７２は、気体の供給量を調節するバタフライバルブ１７２ａとコントローラ１７２ｂとが設けられている。吸引量監視ポート１７５は、配管１７０ｅによって処理ステージ２７に接続され、当該接続部分に気体の流量検知用のポートが接続された構成になっている。吸引量監視ポート１７５では、この流量検知用のポートによって処理ステージ２７の直下の気体流量を検出可能になっている。また、吸引量監視ポート１７５には流量計１７５ａ及び圧力計１７５ｂが取り付けられており、吸引口２７ｂによって処理ステージ２７の気体噴出口２７ａと同等の気体流量を検出可能になっている。なお、流量計１７５ａ及び圧力計１７５ｂによる測定結果については、ＡＰＣ１７２内のコントローラ１７２ｂに送信される構成であっても構わない。
【００７７】
また、ＡＰＣ１７２と吸引口２７ｂとの間に流量計を設けて、測定結果をＡＰＣ１７２内のコントローラ１７２ｂにフィードバックしても良い。
【００７８】
また、配管１７０ｃには、大気開放部１９２が接続されている。大気開放部１９２は、分岐配管１９２ａ、気体流量調整弁１９２ｂ及び流量計１９２ｃを有している。分岐配管１９２ａは、配管１７０ｃから分岐されており、先端が大気に開放された大気開放口１９２ｄとなっている。気体流量調整弁１９２ｂは、分岐配管１９２ａ内の流路径を調整することにより、大気開放口１９２ｄの開度を調整可能である。
【００７９】
気体流量調整弁１９２ｂは、大気開放口１９２ｄの開度を調整することで、分岐配管１９２ａを流れると共に大気開放口１９２ｄから大気から吸引する気体の流量を調整可能である。流量計１９２ｃは、分岐配管１９２ａを流れて大気開放口１９２ｄから流入する気体の流量を計測する。制御部ＣＯＮＴは、流量計１９２ｃの計測結果に基づいて、気体流量調整弁１９２ｂを調整させる。
【００８０】
次に、上記のように構成された塗布装置１の動作を説明する。
図８〜図１４は、塗布装置１の動作過程を示す平面図である。各図を参照して、基板Ｓにレジストを塗布する動作を説明する。この動作では、基板Ｓを基板搬入領域２０に搬入し、当該基板Ｓを浮上させて搬送しつつ塗布処理領域２１でレジストを塗布し、当該レジストを塗布した基板Ｓを基板搬出領域２２から搬出する。図８〜図１０には門型フレーム３１及び管理部４の輪郭のみを破線で示し、ノズル３２及び処理ステージ２７の構成を判別しやすくした。以下、各部分における詳細な動作を説明する。
【００８１】
基板搬入領域２０に基板を搬入する前に、塗布装置１をスタンバイさせておく。具体的には、搬入側ステージ２５の基板搬入位置の−Ｙ方向側に第一搬送機構６０の搬送機６０ａを配置させ、真空パッド６０ｂの高さ位置を基板の浮上高さ位置に合わせておくと共に、搬入側ステージ２５の気体噴出口２５ａ、処理ステージ２７の気体噴出口２７ａ、吸引口２７ｂ及び搬出側ステージ２８の気体噴出口２８ａからそれぞれ気体を噴出又は吸引し、各ステージ表面に基板が浮上する程度に気体が供給された状態にしておく。
【００８２】
この状態で、例えば図示しない搬送アームなどによって外部から図３に示した基板搬入位置に基板Ｓが搬送されてきたら、昇降部材２６ａを＋Ｚ方向に移動させて昇降ピン２６ｂを昇降ピン出没孔２５ｂからステージ表面２５ｃに突出させる。そして、昇降ピン２６ｂによって基板Ｓが持ち上げられ、当該基板Ｓの受け取りが行われる。また、アライメント装置２５ｄの長孔から位置合わせ部材をステージ表面２５ｃに突出させておく。
【００８３】
基板Ｓを受け取った後、昇降部材２６ａを下降させて昇降ピン２６ｂを昇降ピン出没孔２５ｂ内に収容する。このとき、ステージ表面２５ｃには気体の層が形成されているため、基板Ｓは当該気体によりステージ表面２５ｃに対して浮上した状態で保持される。基板Ｓが気体層の表面に到達した際、アライメント装置２５ｄの位置合わせ部材によって基板Ｓの位置合わせが行われ、基板搬入位置の−Ｙ方向側に配置された第一搬送機構６０の移動機構６３により搬送機６０ａの真空パッド６０ｂを基板Ｓの−Ｙ方向側端部に真空吸着させることができる（図３）。真空パッド６０ｂによって基板Ｓの−Ｙ方向側端部が吸着された後、搬送機６０ａをレール６０ｃに沿って移動させる。基板Ｓが浮上した状態になっているため、搬送機６０ａの駆動力を比較的小さくしても基板Ｓはレール６０ｃに沿ってスムーズに移動する。
【００８４】
基板Ｓの搬送方向の先端がノズル３２の開口部３２ａの位置に到達したら、図８に示すように、ノズル３２の開口部３２ａから基板Ｓへ向けてレジストを吐出する。レジストの吐出は、ノズル３２の位置を固定させ搬送機６０ａによって基板Ｓを搬送させながら行う。
【００８５】
本実施形態では、第一搬送機構６０により搬送される基板Ｓに対してレジスト塗布を行っている途中において、例えば図示しない搬送アームなどによって外部から基板搬入位置に他の基板Ｓ´を受け渡すようにしている。基板Ｓ´を受け取った後、昇降部材２６ａを下降させて昇降ピン２６ｂを昇降ピン出没孔２５ｂ内に収容することで、基板Ｓ´は気体によりステージ表面２５ｃに対して浮上した状態で保持される。
【００８６】
基板Ｓ´が気体層の表面に到達した際、アライメント装置２５ｄの位置合わせ部材によって基板Ｓ´の位置合わせが行われ、基板搬入位置の−Ｚ方向側に配置された第二搬送機構６１の昇降機構６２により搬送機６１ａを上昇させ、真空パッド６１ｂを基板Ｓ´の−Ｙ方向側端部に真空吸着させる。制御部ＣＯＮＴは、当該基板Ｓ´についても、上記の基板Ｓと同様に浮上量の検出を適宜行わせる。
【００８７】
このように本実施形態では、第一搬送機構６０の搬送機６０ａと第二搬送機構６１の搬送機６１ａとがそれぞれ独立して移動可能となっているので、第一搬送機構６０によって搬送される基板Ｓに対するレジスト塗布の処理が終了する前に、第二搬送機構６１により他の基板Ｓ´をステージ上に搬送することができる。よって、片持ち状態で順次搬送する基板Ｓ、Ｓ´上にレジストを良好に塗布することができ、レジスト塗布処理において高いスループットを得ることができる。
【００８８】
基板Ｓの移動に伴い、図９に示すように基板Ｓ上にレジスト膜Ｒが塗布されていく。基板Ｓがレジストを吐出する開口部３２ａの下を通過することにより、基板Ｓの所定の領域にレジスト膜Ｒが形成される。また、第二搬送機構６１の搬送機６１ａは、基板Ｓ´を開口部３２ａの下方に移動させる。
【００８９】
レジスト膜Ｒの形成された基板Ｓは、搬送機６０ａによって搬出側ステージ２８へと搬送される。搬出側ステージ２８では、ステージ表面２８ｃに対して浮上した状態で、図１０に示す基板搬出位置まで基板Ｓが搬送される。また、搬送機６１ａにより搬送された他の基板Ｓ´が開口部３２ａの下を通過することにより、他の基板Ｓ´の所定の領域にレジスト膜Ｒが形成される。
【００９０】
基板Ｓが基板搬出位置に到達したら、真空パッド６０ｂの吸着を解除し、リフト機構２９の昇降部材２９ａを＋Ｚ方向に移動させる。すると、昇降ピン２９ｂが昇降ピン出没孔２８ｂから基板Ｓの裏面へ突出し、基板Ｓが昇降ピン２９ｂによって持ち上げられる。この状態で、例えば搬出側ステージ２８の＋Ｘ方向側に設けられた外部の搬送アームが搬出側ステージ２８にアクセスし、基板Ｓを受け取る。基板Ｓを搬送アームに渡した後、第一搬送機構６０は、移動機構６３により搬送機６０ａ（真空パッド６０ｂ）を基板Ｓの下方から退避し、他の基板Ｓ´を搬送している第二搬送機構６１の搬送経路（移動経路）から退避する。
【００９１】
そして、第一搬送機構６０は、再び搬入側ステージ２５の基板搬入位置まで戻り、次の基板が搬送されるまで待機する。このとき、図１０に示されるように、第二搬送機構６１に搬送される基板Ｓ´に対してレジスト塗布が行われているが、第一搬送機構６０は、上述のように第二搬送機構６１の搬送経路から退避しているので、第二搬送機構６１に接触して他の基板Ｓ´の搬送を妨げることが無く、搬入側ステージ２５の基板搬入位置まで戻ることができる。
【００９２】
また、第二搬送機構６１により搬送された基板Ｓ´が基板搬出位置に到達したら、同様に外部の搬送アームが搬出側ステージ２８にアクセスし、基板Ｓを受け取る。そして、再び搬入側ステージ２５の基板搬入位置まで戻り、次の基板Ｓが搬送されるまで待機する。
【００９３】
図１１（ａ）〜図１１（ｄ）は、基板Ｓが搬入側ステージ２５から処理ステージ２７を経て搬出側ステージ２８へ移動する様子を示す図である。
図１１（ａ）に示すように、基板Ｓが搬入側ステージ２５上を移動し処理ステージ２７に到達していない場合、処理ステージ２７上は基板Ｓによって遮られていない状態となっている。この状態から、図１１（ｂ）〜図１１（ｄ）に示すように、処理ステージ２７上を基板Ｓが移動することで、当該処理ステージ２７上が基板Ｓによって一時的に遮られることになる。
【００９４】
処理ステージ２７上が基板Ｓによって遮られると、その部分の気体の噴出圧及び吸引圧が一時的に変化し、噴出される気体の流量及び吸引される気体の流量が一時的に変化する場合がある。そうなると、基板Ｓの浮上量が変動し、レジストＲを均一に塗布することが困難となってしまう場合がある。
【００９５】
これに対して、本実施形態では、基板Ｓを搬送する際、基板Ｓが処理ステージ２７上に到達する前に、制御部ＣＯＮＴは、気体噴出機構１６０の大気開放部１９１に設けられた気体流量調整弁１９１ｂを開放させ、大気開放口１９１ｄが開いた状態にする。また、制御部ＣＯＮＴは、基板Ｓが処理ステージ２７上に到達する前に、吸引機構１７０の大気開放部１９２に設けられた気体流量調整弁１９２ｂを開放させ、大気開放口１９２ｄが開いた状態にする。
【００９６】
大気開放口１９１ｄを開いた状態とすることにより、気体噴出機構１６０においては、気体噴出口２７ａの他に大気開放口１９１ｄからも気体を噴出することができる。この構成では、処理ステージ２７上が遮られる場合であっても、大気開放口１９１ｄへ逃がすことができる。したがって、基板Ｓが処理ステージ２７上を搬送される際には、気体噴出口２７ａにおける気体噴出圧の変動が抑制され、気体噴出口２７ａから噴出される気体の流量の変動が抑制される。
【００９７】
同様に、大気開放口１９２ｄを開いた状態とすることにより、吸引機構１７０においては、吸引口２７ｂの他に大気開放口１９２ｄからも吸引することができる。この構成では、処理ステージ２７上が遮られる場合であっても、大気開放口１９２ｄから吸引量を補うことができる。したがって、基板Ｓが処理ステージ２７上を搬送される際には、吸引口２７ｂにおける吸引圧の変動が抑制され、吸引口２７ｂから吸引される気体の流量の変動が抑制される。
【００９８】
図１２は、処理ステージ２７の遮蔽率と、処理ステージ２７に噴出される気体の総流量及び大気開放口１９１ｄから流出される気体の流量との関係を示す表である。なお、本実施形態では、処理ステージ２７のＸ方向の寸法をｔ１とし、基板Ｓのうち処理ステージ２７に重なる部分のＸ方向の寸法をｔ２としたとき、処理ステージ２７の遮蔽率を、
遮蔽率＝（ｔ２／ｔ１）×１００（％）
とした場合を例に挙げて説明する。
【００９９】
基板Ｓが処理ステージ２７上に到達していない場合、すなわち、処理ステージ２７の遮蔽率が０％である場合、制御部ＣＯＮＴは、処理ステージ２７に噴出される気体の総流量を例えば毎分３００ｌとする。また、大気開放口１９１ｄから流出される気体の流量を例えば毎分２０００ｌとする。
【０１００】
この状態から基板Ｓが搬送され、図１１（ｂ）に示すようにノズル３２によってレジストＲの吐出が開始される場合、基板Ｓは処理ステージ２７のうちＸ方向におけるほぼ半分の領域を遮蔽している状態となる。このように、処理ステージ２７の遮蔽率がほぼ５０％となる場合、基板Ｓによって処理ステージ２７上が遮蔽され、その分気体の噴出圧及び吸引圧が高められることになる。
【０１０１】
したがって、制御部ＣＯＮＴは、気体流量調整弁１９１ｂを開いて大気開放口１９１ｄの開度を大きくする。この動作により、処理ステージ２７に噴出される気体の総流量が毎分３００ｌに維持され、大気開放口１９１ｄから流出される気体の流量が例えば毎分２５００ｌに増加する。
【０１０２】
図１１（ｃ）に示すように、基板Ｓに対してレジストＲの吐出が更に行われていき、基板Ｓが処理ステージ２７のうちＸ方向におけるほぼ７５％の領域を遮蔽している状態となる場合、図１１（ｂ）の場合に比べて、気体の噴出圧及び吸引圧が更に高められることになる。
【０１０３】
したがって、制御部ＣＯＮＴは、気体流量調整弁１９１ｂを開いて大気開放口１９１ｄの開度を更に大きくする。この動作により、処理ステージ２７に噴出される気体の総流量が毎分３００ｌに維持され、大気開放口１９１ｄから流出される気体の流量が例えば毎分２７５０ｌに増加する。
【０１０４】
この状態から図１１（ｄ）に示すように、基板Ｓに対してレジストＲの吐出が更に行われていき、基板Ｓが処理ステージ２７のうちＸ方向における１００％の領域を遮蔽している状態となる場合、図１１（ｃ）の場合に比べて、気体の噴出圧及び吸引圧が更に高められることになる。
【０１０５】
したがって、制御部ＣＯＮＴは、気体流量調整弁１９１ｂを開いて大気開放口１９１ｄの開度を更に大きくする。この動作により、処理ステージ２７に噴出される気体の総流量が毎分３００ｌに維持され、大気開放口１９１ｄから流出される気体の流量が例えば毎分３０００ｌに増加する。
【０１０６】
この後、基板Ｓが＋Ｘ方向に移動し、処理ステージ２７の遮蔽率が小さくなるのに伴って、制御部ＣＯＮＴは、気体流量調整弁１９１ｂを閉じていき、大気開放口１９１ｄの開度を小さくしていく。この動作により、処理ステージ２７に噴出される気体の総流量が毎分３００ｌに維持される。
【０１０７】
制御部ＣＯＮＴは、基板Ｓの浮上動作を行わせる際に、流量計１９１ｃ、１９２ｃによって大気開放口１９１ｄ、１９２ｄを流れる気体の流量を計測させ、当該流量計１９１ｃ、１９２ｃの計測結果に基づいて、気体流量調整弁１９１ｂ、１９２ｂを調整させるようにしても良い。
【０１０８】
この場合、例えば大気開放口１９１ｄ、１９２ｄを流れる気体の流量の目標値データを制御部ＣＯＮＴに記憶させておき、計測結果が当該目標値データに一致するように制御部ＣＯＮＴが気体流量調整弁１９１ｂ、１９２ｂを調整する制御態様が挙げられる。上記目標値データとしては、予め実験やシミュレーションなどによって求めておくことができる。
【０１０９】
次に、管理部４による管理動作について説明する。
上記のように、塗布部３には基板が時間的間隔を空けて搬送されてくる。このため、制御部ＣＯＮＴは、塗布部３に基板が搬送されない期間を利用して、ノズル３２の吐出状態を維持あるいは改善するための管理動作を行わせる。当該管理動作には、管理部４が用いられる。
【０１１０】
制御部ＣＯＮＴは、図１３に示すように、移動機構３１ｃによって門型フレーム３１を管理部４の位置まで−Ｘ方向へ移動させる。管理部４の位置まで門型フレーム３１を移動させた後、まず、門型フレーム３１の位置を調整してノズル３２の先端をノズル洗浄装置４３にアクセスさせ、当該ノズル洗浄装置４３によってノズル先端３２ｃを洗浄する。
【０１１１】
ノズル先端３２ｃの洗浄後、当該ノズル３２を予備吐出機構４１にアクセスさせる。予備吐出機構４１では、開口部３２ａと予備吐出面との間の距離を測定しながらノズル３２の先端３２ｃの開口部３２ａをＺ方向上の所定の位置に移動させ、ノズル３２を−Ｘ方向へ移動させながら開口部３２ａからレジストを予備吐出する。
【０１１２】
予備吐出動作を行った後、門型フレーム３１を元の位置に戻す。次の基板Ｓが搬送されてきたら、図１４に示すようにノズル３２をＺ方向上の所定の位置に移動させる。このように、基板Ｓにレジスト膜Ｒを塗布する塗布動作と予備吐出動作とを繰り返し行わせることで、基板Ｓには良質なレジスト膜Ｒが形成されることになる。
【０１１３】
なお、必要に応じて、例えば管理部４に所定の回数アクセスする毎に、当該ノズル３２をディップ槽４２内にアクセスさせても良い。ディップ槽４２では、ノズル３２の開口部３２ａをディップ槽４２に貯留された溶剤（シンナー）の蒸気雰囲気に曝すことでノズル３２の乾燥を防止する。
【０１１４】
以上のように、本実施形態によれば、気体噴出機構１６０の気体供給経路及び吸引機構１７０の吸引経路には大気開放が可能な大気開放部１９１及び１９２が設けられているので、噴出される気体の流量及び吸引される気体の流量のうち少なくとも一方の変化を緩和することが可能となる。これにより、基板Ｓの浮上量の変動を抑制することが可能となる。
【０１１５】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば、上記実施形態では、第一搬送機構６０及び第二搬送機構６１が、それぞれ搬送機６０ａ、６１ａを一個ずつ備えた構成について説明したが、本発明はこれに限定されることはない。
【０１１６】
図１５に示すように、第一搬送機構６０としてレール６０ｃに搬送機６０ａが３個設けられた構成とすることができる。なお、図１５においては、図示を省略するものの、第二搬送機構６１についても搬送機６１ａを３個備えた構成とすることができる。また、本説明では、搬送機６０ａ、６１ａが３個ずつ備える構成について説明するが、本発明はこれに限定されることは無く、搬送機６０ａ、６１ａを２個ずつ、或いは４個以上ずつ備える構成についても適用可能である。
【０１１７】
図１５に示す構成において、基板Ｓの搬送方向上流側から順に第１の搬送機２６１、第２の搬送機２６２、第３の搬送機２６３と表記する。また、これらを総称する場合には、搬送機２６１、２６２、２６３と表記する。
【０１１８】
これら搬送機２６１、２６２、２６３は、基板Ｓの搬送時においてはそれぞれが同期した状態でレール６０ｃ上を移動する。また、各搬送機２６１、２６２、２６３は、基板Ｓの非搬送時においては、レール６０ｃ上でそれぞれ独立に移動可能となっている。この構成によれば、搬送する基板Ｓの長さに応じて各搬送機２６１、２６２、２６３における基板Ｓの保持位置を任意に設定することができる。
【０１１９】
搬送機２６１の真空パッド６０ｂは、基板Ｓの搬送方向前方側の端部から２５０ｍｍ以内を保持するのが好ましく、８０ｍｍ以内とするのが望ましい。具体的に搬送機２６１は、基板Ｓの搬送方向前方の端部から真空パッド６０ｂまでの距離Ｗ１が８０ｍｍ以内となるように基板Ｓを保持している。
【０１２０】
また、搬送機２６３の真空パッド６０ｂは、基板Ｓの搬送方向後方側の端部から２５０ｍｍ以内を保持するのが好ましく、８０ｍｍ以内とするのが望ましい。具体的に搬送機２６３は、基板Ｓの搬送方向後方の端部から真空パッド６０ｂまでの距離Ｗ２が８０ｍｍ以内となるように基板Ｓを保持している。
【０１２１】
これら搬送機２６１、２６２、２６３により基板Ｓが均一に保持されて、基板端部が垂れ下がることが防止され、大型の基板Ｓを均一に浮上させた状態で搬送することができる。したがって、大型の基板Ｓ上に塗布されるレジストを乾燥固化させた膜にムラが生じるのを防止できる。
【０１２２】
また、上記実施形態においては、気体噴出機構１６０及び吸引機構１７０の両方に大気開放口（１９１、１９２）が設けられた構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。気体噴出機構１６０及び吸引機構１７０のうち少なくとも一方に大気開放口が設けられた構成であれば、従来の構成に比べて、基板Ｓの浮上量の変化を抑制することが可能である。
【０１２３】
また、上記実施形態においては、処理ステージ２７のＸ方向の寸法をｔ１とし、基板Ｓのうち処理ステージ２７に重なる部分のＸ方向の寸法をｔ２としたとき、処理ステージ２７の遮蔽率を、遮蔽率＝（ｔ２／ｔ１）×１００（％）とした場合を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、Ｚ方向視における処理ステージ２７のステージ表面２７ｃの面積をＰ１とし、基板Ｓのうち処理ステージ２７に重なる部分の面積をＰ２としたとき、遮蔽率＝（Ｐ２／Ｐ１）×１００（％）としても構わない。
【符号の説明】
【０１２４】
ＣＯＮＴ…制御部 Ｓ…基板 Ｒ…レジスト １…塗布装置 ２…基板搬送部 ３…塗布部 ２７…処理ステージ ２７ｃ…ステージ表面 ２７ａ…気体噴出口 ２７ｂ…吸引口 ３２…ノズル １６０…気体噴出機構 １６０ｃ、１７０ｃ…配管 １７０…吸引機構 １９１、１９２…大気開放部 １９１ａ、１９２ａ…分岐配管 １９１ｂ、１９２ｂ…気体流量調整弁 １９１ｃ、１９２ｃ…流量計 １９１ｄ、１９２ｄ…大気開放口
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塗布装置及び塗布方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイなどの表示パネルを構成するガラス基板上には、配線パターンや電極パターンなどの微細なパターンが形成されている。一般的にこのようなパターンは、例えばフォトリソグラフィなどの手法によって形成される。フォトリソグラフィ法では、ガラス基板上にレジスト膜を形成する工程、このレジスト膜をパターン露光する工程、その後に当該レジスト膜を現像する工程がそれぞれ行われる。
【０００３】
基板の表面上にレジスト膜を塗布する装置として、ガラス基板を浮上させた状態で、スリットノズルとガラス基板とを相対的に移動させつつ、スリットノズルからガラス基板にレジストを塗布する塗布装置が知られている。このような浮上型の塗布装置として、例えばステージ上に所定の圧力で気体を噴出すると共に当該ステージ上を吸引することで基板の浮上量を調整する構成が知られている。この場合、基板上に厚さが均一になるようにレジストを塗布するため、基板を均一な浮上量で浮上させる必要があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−８８２０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ステージ上を基板が移動することで、当該ステージ上が基板によって一時的に遮られることになる。このため、気体の噴出圧及び吸引圧が一時的に変化し、噴出される気体の流量及び吸引される気体の流量が一時的に変化するおそれがある。この場合、基板の浮上量が変動し、レジストを均一に塗布することが困難となってしまう。
【０００６】
以上のような事情に鑑み、本発明は、基板の浮上量の変動を抑制することが可能な塗布装置及び塗布方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第一の態様に係る塗布装置は、基板に対して先端部分から液状体を吐出するノズルを有する塗布部と、前記基板を案内する案内面を有し、前記基板を前記案内面に対して浮上させるための気体供給部及び吸引部が設けられた浮上部と、浮上した状態の前記基板と前記先端部分とを対向させつつ前記基板及び前記ノズルのうち少なくとも一方を駆動する駆動部とを備え、前記気体供給部は、前記案内面に設けられた複数の気体供給口、複数の前記気体供給口に気体を供給する気体供給源、一端部が前記気体供給源に接続された第一気体供給経路、及び、前記第一気体供給経路の他端部から分岐され複数の前記気体供給口のそれぞれに接続された第二気体供給経路、を有し、前記吸引部は、前記案内面に設けられた複数の吸引口、複数の前記吸引口を吸引する吸引源、一端部が前記吸引源に接続された第一吸引経路、及び、前記第一吸引経路の他端部から分岐され複数の前記吸引口のそれぞれに接続された第二吸引経路、を有し、前記第一気体供給経路及び前記第一吸引経路のうち少なくとも一方の経路の一部分には大気開放が可能な大気開放部が設けられている。
【０００８】
この場合、第一気体供給経路及び第一吸引経路のうち少なくとも一方の経路の一部分には大気開放が可能な大気開放部が設けられているので、噴出される気体の流量及び吸引される気体の流量のうち少なくとも一方の変化を緩和することが可能となる。これにより、基板の浮上量の変動を抑制することが可能となる。
【０００９】
上記の塗布装置において、前記大気開放部は、前記経路の一部分から分岐された分岐経路を有し、前記分岐経路の先端には、大気開放口が設けられている。
この場合、大気開放部が経路の一部分から分岐された分岐経路を有し、分岐経路の先端に大気開放口が設けられた構成であるため、当該分岐経路及び大気開放口を介して気体供給量及び吸引量のうち少なくとも一方の変化を緩和することが可能となる。これにより、浮上量の変動を抑制することが可能となる。
【００１０】
上記の塗布装置において、前記大気開放部は、前記大気開放口の開度を調整可能な調整弁を有する。
この場合、大気開放部が大気開放口の開度を調整可能な調整弁を有するため、気体供給量及び吸引量をより微細に調整することができる。
【００１１】
上記の塗布装置において、前記大気開放部は、前記大気開放口を流通する気体の流量を計測する流量計を有する。
この場合、大気開放部が大気開放口を流通する気体の流量を計測する流量計を有することとしたので、基板の浮上量の調整量を把握することができる。
【００１２】
上記の塗布装置において、前記大気開放部は、前記気体供給経路に設けられており、前記流量計は、前記大気開放口から大気に流出する気体の流量を計測する。
この場合、大気開放部が気体供給経路に設けられており、流量計が大気開放口から大気に流出する気体の流量を計測することとしたので、気体噴出量の調整量を把握することができる。
【００１３】
上記の塗布装置において、前記大気開放部は、前記大気開放口の開度を調整可能な調整弁と、前記大気開放口を流通する気体の流量を計測する流量計と、前記流量計による計測結果に基づいて前記調整弁の調整量を制御する弁制御部とを有する。
この場合、大気開放部が大気開放口の開度を調整可能な調整弁と、大気開放口を流通する気体の流量を計測する流量計と、流量計による計測結果に基づいて調整弁の調整量を制御する弁制御部とを有するので、気体噴出量及び吸引量の調整を自動的に行うことが可能となる。
【００１４】
上記の塗布装置において、前記浮上部は、前記塗布部に対応する位置に設けられたステージを有し、前記案内面は、前記ステージに設けられる。
この場合、基板がステージに設けられた案内面を浮上する際に、浮上量の変動を抑制することが可能となる。
【００１５】
本発明の第二の態様に係る塗布方法は、基板に対して先端部分から液状体を吐出するノズルを有する塗布部と、前記基板を案内する案内面を有し、前記基板を前記案内面に対して浮上させるための気体供給部及び吸引部が設けられた浮上部と、浮上した状態の前記基板と前記先端部分とを対向させつつ前記基板及び前記ノズルのうち少なくとも一方を駆動する駆動部とを備え、前記気体供給部は、前記案内面に設けられた複数の気体供給口、複数の前記気体供給口に気体を供給する気体供給源、一端部が前記気体供給源に接続された第一気体供給経路、及び、前記第一気体供給経路の他端部から分岐され複数の前記気体供給口のそれぞれに接続された第二気体供給経路、を有し、前記吸引部は、前記案内面に設けられた複数の吸引口、複数の前記吸引口を吸引する吸引源、一端部が前記吸引源に接続された第一吸引経路、及び、前記第一吸引経路の他端部から分岐され複数の前記吸引口のそれぞれに接続された第二吸引経路、を有し、前記第一気体供給経路及び前記第一吸引経路のうち少なくとも一方の経路の一部分には大気開放が可能な大気開放部が設けられた塗布装置を用いた塗布方法であって、前記経路の一部分を大気に開放した状態で前記気体供給源及び前記吸引源を作動させ前記気体供給口及び前記吸引口を介して前記基板と前記案内面との間に気体の層を形成し、前記気体の層上に前記基板を浮上させるステップと、浮上した状態の前記基板と前記先端部分とを対向させつつ前記基板及び前記ノズルのうち少なくとも一方を駆動することで、前記基板と前記ノズルとを相対的に移動させるステップと、前記基板と前記ノズルとを相対的に移動させつつ、前記基板に対して前記ノズルの前記先端部分から前記液状体を吐出するステップとを含む。
【００１６】
この場合、経路の一部分を大気に開放した状態で気体供給源及び吸引源を作動させ気体供給口及び吸引口を介して基板と案内面との間に気体の層を形成し、当該気体の層上に基板を浮上させるステップを含むので、噴出される気体の流量及び吸引される気体の流量のうち少なくとも一方の変化を緩和することが可能となる。これにより、基板の浮上量の変動を抑制することが可能となる。
【００１７】
上記の塗布方法において、前記基板を浮上させるステップは、前記大気開放部に設けられた大気開放口の開度を調整することを含む。
この場合、大気開放部に設けられた大気開放口の開度が調整されるため、気体供給量及び吸引量をより微細に調整されることになる。
【００１８】
上記の塗布方法において、前記基板を浮上させるステップは、前記大気開放部に設けられた大気開放口を流通する気体の流量を計測することを含む。
この場合、大気開放口から大気に流出する気体の流量又は大気から吸引する気体の流量が計測されるので、気体噴出量又は吸引量の調整量を把握することができる。
【００１９】
上記の塗布方法において、前記基板を浮上させるステップは、前記大気開放口から大気に流出する気体の流量及び大気から吸引する気体の流量のうち少なくとも一方を計測することを含む。
この場合、大気開放口から大気に流出する気体の流量及び大気から吸引する気体の流量のうち少なくとも一方を計測することとしたので、気体噴出量の調整量を把握することができる。
【００２０】
上記の塗布方法において、前記基板を浮上させるステップは、前記大気開放部に設けられた大気開放口を流通する気体の流量を計測することと、前記気体の流量の計測結果に応じて、前記大気開放口の開度を調整することとを含む。
この場合、流量計による計測結果に基づいて大気開放口の開度を調整するので、気体噴出量及び吸引量の調整を自動的に行うことが可能となる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、基板の浮上量の変動を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本実施形態に係る塗布装置の構成を示す斜視図である。
【図２】本実施形態に係る塗布装置の構成を示す正面図である。
【図３】本実施形態に係る塗布装置の構成を示す平面図である。
【図４】本実施形態に係る塗布装置の構成を示す側面図である。
【図５】搬送機の要部構成を示す図である。
【図６】本実施形態に係る塗布装置の処理ステージの気体噴出機構及び吸引機構の構成を示す図である。
【図７】本実施形態に係る塗布装置の処理ステージの気体噴出機構及び吸引機構の構成を示す図である。
【図８】本実施形態に係る塗布装置の動作を示す図である。
【図９】同、動作図である。
【図１０】同、動作図である。
【図１１】同、動作図である。
【図１２】処理ステージの遮蔽率と、処理ステージに噴出される気体の総流量及び大気開放口から流出される気体の流量との関係を示す表である。
【図１３】同、動作図である。
【図１４】同、動作図である。
【図１５】変形例に係る搬送機構の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
図１は本実施形態に係る塗布装置１の斜視図である。
図１に示すように、本実施形態に係る塗布装置１は、例えば液晶パネルなどに用いられるガラス基板上にレジストを塗布する塗布装置であり、基板搬送部２と、塗布部３と、管理部４と、制御部ＣＯＮＴとを主要な構成要素としている。
【００２４】
この塗布装置１は、基板搬送部２によって基板を浮上させて搬送しつつ塗布部３によって当該基板上にレジストが塗布されるようになっており、管理部４によって塗布部３の状態が管理されるようになっている。制御部ＣＯＮＴは、塗布装置１の各部を統括的に制御する。
【００２５】
図２は塗布装置１の正面図、図３は塗布装置１の平面図、図４は塗布装置１の側面図である。これらの図を参照して、塗布装置１の詳細な構成を説明する。
（基板搬送部）
まず、基板搬送部２の構成を説明する。
基板搬送部２は、基板搬入領域２０と、塗布処理領域２１と、基板搬出領域２２と、搬送機構２３と、これらを支持するフレーム部２４とを有している。この基板搬送部２では、搬送機構２３によって基板Ｓが基板搬入領域２０、塗布処理領域２１及び基板搬出領域２２へと順に搬送されるようになっている。基板搬入領域２０、塗布処理領域２１及び基板搬出領域２２は、基板搬送方向の上流側から下流側へこの順で配列されている。搬送機構２３は、基板搬入領域２０、塗布処理領域２１及び基板搬出領域２２の各部に跨るように当該各部の一側方に設けられている。
【００２６】
以下、塗布装置１の構成を説明するにあたり、表記の簡単のため、ＸＹＺ座標系を用いて図中の方向を説明する。基板搬送部２の長手方向であって基板の搬送方向をＸ方向と表記する。平面視でＸ方向（基板搬送方向）に直交する方向をＹ方向と表記する。Ｘ方向軸及びＹ方向軸を含む平面に垂直な方向をＺ方向と表記する。なお、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向のそれぞれは、図中の矢印の方向が＋方向、矢印の方向とは反対の方向が−方向であるものとする。
【００２７】
基板搬入領域２０は、装置外部から搬送されてきた基板Ｓを搬入する部位であり、搬入側ステージ２５と、リフト機構２６とを有している。
搬入側ステージ２５は、フレーム部２４の上部に設けられており、例えばＳＵＳなどからなる平面視で矩形の板状部材である。この搬入側ステージ２５は、Ｘ方向が長手になっている。搬入側ステージ２５には、気体噴出口２５ａと、昇降ピン出没孔２５ｂとがそれぞれ複数設けられている。これら気体噴出口２５ａ及び昇降ピン出没孔２５ｂは、搬入側ステージ２５を貫通するように設けられている。
【００２８】
気体噴出口２５ａは、搬入側ステージ２５のステージ表面（搬送面）２５ｃ上に気体を噴出する孔であり、例えば搬入側ステージ２５のうち基板Ｓの通過する領域に平面視マトリクス状に配置されている。この気体噴出口２５ａには図示しない気体供給源が接続されている。この搬入側ステージ２５では、気体噴出口２５ａから噴出される気体によって基板Ｓを＋Ｚ方向に浮上させることができるようになっている。
【００２９】
昇降ピン出没孔２５ｂは、搬入側ステージ２５のうち基板Ｓの搬入される領域に設けられている。当該昇降ピン出没孔２５ｂは、ステージ表面２５ｃに供給された気体が漏れ出さない構成になっている。
【００３０】
この搬入側ステージ２５のうちＹ方向の両端部には、アライメント装置２５ｄが１つずつ設けられている。アライメント装置２５ｄは、搬入側ステージ２５に搬入された基板Ｓの位置を合わせる装置である。各アライメント装置２５ｄは長孔と当該長孔内に設けられた位置合わせ部材を有しており、搬入側ステージ２５に搬入される基板を両側から機械的に挟持するようになっている。
【００３１】
リフト機構２６は、搬入側ステージ２５の基板搬入位置の裏面側に設けられている。このリフト機構２６は、昇降部材２６ａと、複数の昇降ピン２６ｂとを有している。昇降部材２６ａは、図示しない駆動機構に接続されており、当該駆動機構の駆動によって昇降部材２６ａがＺ方向に移動するようになっている。複数の昇降ピン２６ｂは、昇降部材２６ａの上面から搬入側ステージ２５へ向けて立設されている。各昇降ピン２６ｂは、それぞれ上記の昇降ピン出没孔２５ｂに平面視で重なる位置に配置されている。昇降部材２６ａがＺ方向に移動することで、各昇降ピン２６ｂが昇降ピン出没孔２５ｂからステージ表面２５ｃ上に出没するようになっている。各昇降ピン２６ｂの＋Ｚ方向の端部はそれぞれＺ方向上の位置が揃うように設けられており、装置外部から搬送されてきた基板Ｓを水平な状態で保持することができるようになっている。
【００３２】
塗布処理領域２１は、レジストの塗布が行われる部位であり、基板Ｓを浮上支持する処理ステージ２７が設けられている。処理ステージ２７は、ステージ表面（搬送面）２７ｃが例えば硬質アルマイトを主成分とする光吸収材料で覆われた平面視で矩形の板状部材であり、搬入側ステージ２５に対して＋Ｘ方向側に設けられている。
【００３３】
処理ステージ２７のうち光吸収材料で覆われた部分では、レーザ光などの光の反射が抑制されるようになっている。この処理ステージ２７は、Ｙ方向が長手になっている。処理ステージ２７のＹ方向の寸法は、搬入側ステージ２５のＹ方向の寸法とほぼ同一になっている。処理ステージ２７には、ステージ表面２７ｃ上に気体を噴出する複数の気体噴出口２７ａと、ステージ表面２７ｃ上の気体を吸引する複数の吸引口２７ｂとが設けられている。これら気体噴出口２７ａ及び吸引口２７ｂは、処理ステージ２７を貫通するように設けられている。また、処理ステージ２７の内部には、気体噴出口２７ａ及び吸引口２７ｂを通過する気体の圧力に抵抗を与えるための図示しない溝が複数設けられている。この複数の溝は、ステージ内部において気体噴出口２７ａ及び吸引口２７ｂに接続されている。
【００３４】
処理ステージ２７では、気体噴出口２７ａのピッチが搬入側ステージ２５に設けられる気体噴出口２５ａのピッチよりも狭く、搬入側ステージ２５に比べて気体噴出口２７ａが密に設けられている。また、処理ステージ２７においては、気体噴出口２７ａとともに吸引口２７ｂが密に設けられている。これにより、この処理ステージ２７では他のステージに比べて基板の浮上量を高精度で調節できるようになっており、基板の浮上量が例えば１００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以下となるように制御することが可能になっている。処理ステージ２７には、ステージ表面２７ｃと基板Ｓとの間の距離を検出可能な検出部ＭＳが設けられている。
【００３５】
基板搬出領域２２は、レジストが塗布された基板Ｓを装置外部へ搬出する部位であり、搬出側ステージ２８と、リフト機構２９とを有している。この搬出側ステージ２８は、処理ステージ２７に対して＋Ｘ方向側に設けられており、基板搬入領域２０に設けられた搬入側ステージ２５とほぼ同様の材質、寸法から構成されている。搬出側ステージ２８には、搬入側ステージ２５と同様、気体噴出口２８ａ及び昇降ピン出没孔２８ｂが設けられている。リフト機構２９は、搬出側ステージ２８の基板搬出位置の裏面側に設けられており、例えばフレーム部２４に支持されている。リフト機構２９の昇降部材２９ａ及び昇降ピン２９ｂは、基板搬入領域２０に設けられたリフト機構２６の各部位と同様の構成になっている。このリフト機構２９は、搬出側ステージ２８上の基板Ｓを外部装置へと搬出する際に、基板Ｓの受け渡しのため昇降ピン２９ｂによって基板Ｓを持ち上げることができるようになっている。
【００３６】
搬送機構２３は、図４に示すように、第一搬送機構６０と、第二搬送機構６１とを備えている。なお、図３においては、第一搬送機構６０が基板Ｓを保持した状態を示し、第一搬送機構６０の下方に配置されている第二搬送機構６１の図示を省略している。
【００３７】
第一搬送機構６０は、搬送機６０ａと、真空パッド６０ｂと、レール６０ｃと、搬送機６０ａを基板Ｓの搬送面と平行な面上を移動可能とする移動機構６３とを有している。また、第二搬送機構６１は、搬送機６１ａと、真空パッド６１ｂと、レール６１ｃと、搬送機６１ａを昇降（上下動作）可能とする昇降機構６２とを有している。レール６０ｃ，６１ｃは、搬入側ステージ２５、処理ステージ２７及び搬出側ステージ２８の側方に各ステージに跨って延在している。
【００３８】
搬送機６０ａ，６１ａは、内部に例えばリニアモータが設けられた構成になっており、当該リニアモータが駆動することによって搬送機６０ａ，６１ａがレール６０ｃ，６１ｃ上を移動することで各ステージに沿って移動できるようになっている。すなわち、搬送機６０ａ，６１ａは、基板Ｓを保持する保持部としての機能と、該保持部を駆動する駆動部としての機能とを備えたものとなっている。搬送機６０ａ，６１ａは、所定の部分６０ｄ、６１ｄが平面視で基板Ｓの−Ｙ方向端部に重なるようになっている。この基板Ｓに重なる部分６０ｄ、６１ｄは、基板Ｓを浮上させたときの基板裏面の高さ位置よりも低い位置に配置されるようになっている。
【００３９】
第二搬送機構６１は、図４に示すように第一搬送機構６０と比べて、フレーム部２４の階段状の段差部２４ａの下段に配置されている。また、平面的に視ると、第二搬送機構６１は、第一搬送機構６０に対してステージ側に配置されている。
【００４０】
図４に示されるように、第二搬送機構６１は、上記昇降機構６２により搬送機６１ａを上昇させることで基板Ｓにアクセス可能となっている。一方、第一搬送機構６０は、上記移動機構６３により搬送機６０ａを基板Ｓの搬送面と平行な面上で水平移動させることで基板Ｓにアクセス可能となっている。第一搬送機構６０の搬送機６０ａと第二搬送機構６１の搬送機６１ａとは、それぞれ独立して移動可能となっている。
【００４１】
また、例えば、第一搬送機構６０が基板Ｓを保持している場合、基板Ｓを保持していない第二搬送機構６１の搬送機６１ａは、昇降機構６２が下降することによって下方に待機し、第一搬送機構６０（搬送機６０ａ）の搬送経路から退避している。また、第二搬送機構６１が基板Ｓを保持している場合、基板Ｓを保持していない第一搬送機構６０の搬送機６０ａは、移動機構６３によって−Ｙ方向に移動し、第二搬送機構６１（搬送機６１ａ）の搬送経路から退避している。
【００４２】
図３に示すように、真空パッド６０ｂは、搬送機６０ａのうち上記基板Ｓに重なる部分６０ｄに基板Ｓの搬送方向に沿って複数（本実施形態では３個）配置されている。この真空パッド６０ｂは、基板Ｓを真空吸着するための吸着面を有しており、当該吸着面が上方を向くように配置されている。真空パッド６０ｂは、吸着面が基板Ｓの裏面端部を吸着することで当該基板Ｓを保持可能になっている。これら真空パッド６０ｂは、基板Ｓの搬送方向前方側の端部から２５０ｍｍ以内を保持するのが好ましく、８０ｍｍ以内とするのが望ましい。具体的に本実施形態では、搬送機６０ａは、基板Ｓの搬送方向前方の端部から真空パッド６０ｂまでの距離Ｗが８０ｍｍ以内となるように基板Ｓを保持している。これにより搬送機６０ａにより基板Ｓが均一に保持されて、基板端部が垂れ下がることが防止され、基板Ｓを均一に浮上させた状態で搬送することができる。したがって、基板Ｓ上に塗布されるレジストを乾燥固化させた膜にムラが生じるのを防止している。
【００４３】
なお、第二搬送機構６１における搬送機６１ａの構造は、図３では図示されていないものの、上記搬送機６０ａと同一構成を有している。すなわち、搬送機６１ａにおける真空パッド６１ｂは、上記基板Ｓに重なる部分に基板Ｓの搬送方向に沿って３個配置されている。
【００４４】
ここで、搬送機６０ａ、６１ａの要部構成について説明する。なお、上述のように搬送機６０ａ、６１ａはそれぞれ同一構成を有するものであることから、本説明では搬送機６０ａを例に挙げ、その構成について図５を参照しつつ説明する。なお、図５（ａ）は搬送機６０ａの要部の平面構成を示す図であり、図５（ｂ）は搬送機６０ａの要部の断面構成を示す図である。
【００４５】
図５（ａ）に示されるように、搬送機６０ａに設けられる真空パッド６０ｂは、基板Ｓとの接触部が平面視略長円状となっている。そして、真空パッド６０ｂの内部には不図示の真空ポンプ等に接続される排気孔６５が設けられている。真空パッド６０ｂは、この排気孔６５を介して真空パッド６０ｂと基板Ｓとの間に生じる密閉空間を排気することで基板Ｓを真空吸着することが可能となっている。
【００４６】
また、図５（ｂ）に示すように、搬送機６０ａ上に設けられた真空パッド６０ｂの側方には、搬送中の基板Ｓの位置を規制するストッパー部材６６を備えている。このストッパー部材６６は、基板Ｓの側面Ｓ１に対向するとともに、基板Ｓの下面側に対向する凸部６６ａを備えている。この凸部６６ａは、基板Ｓの下方への撓みを規制するストッパーとして機能する。凸部６６ａは、図５（ａ）に示されるように、真空パッド６０ｂの外周部を枠状に囲んだ状態に設けられている。凸部６６ａの上面は、搬入側ステージ２５の上面に対して−３０〜＋３０μｍの範囲に設定するのが好ましく、−２０μｍ近傍に設定するのが望ましい。また、凸部６６ａと真空パッド６０ｂとの位置関係は、真空パッド６０ｂを０〜１ｍｍ程度上方に設定するのが好ましい。
【００４７】
なお、隣接する真空パッド６０ｂの間に凸部６６ａが配置される構成、すなわち各真空パッド６０ｂの四方を凸部６６ａが囲むようにしてもよい。
【００４８】
本実施形態に係る真空パッド６０ｂは、基板Ｓに対して変位可能となっている。具体的の本実施形態では、真空パッド６０ｂが蛇腹構造からなる蛇腹部６７を有している。これにより、例えば基板Ｓの端部に撓みが生じることで基板Ｓの高さに変動が生じた場合でも、真空パッド６０ｂが基板Ｓの動きに追従することで当該基板Ｓに対する吸着を確実に保持することができる。また、真空パッド６０ｂは、ステージ上における基板Ｓの浮上量を変化させた場合でも、蛇腹部６７が変位することで基板Ｓを良好に吸着することができるようになっている。
【００４９】
（塗布部）
次に、塗布部３の構成を説明する。
塗布部３は、基板Ｓ上にレジストを塗布する部分であり、門型フレーム３１と、ノズル３２とを有している。
【００５０】
門型フレーム３１は、支柱部材３１ａと、架橋部材３１ｂとを有しており、処理ステージ２７をＹ方向に跨ぐように設けられている。支柱部材３１ａは処理ステージ２７のＹ方向側に１つずつ設けられており、各支柱部材３１ａがフレーム部２４のＹ方向側の両側面にそれぞれ支持されている。各支柱部材３１ａは、上端部の高さ位置が揃うように設けられている。架橋部材３１ｂは、各支柱部材３１ａの上端部の間に架橋されており、当該支柱部材３１ａに対して昇降可能となっている。
【００５１】
この門型フレーム３１は移動機構３１ｃに接続されており、Ｘ方向に移動可能になっている。この移動機構３１ｃによって門型フレーム３１が管理部４との間で移動可能になっている。すなわち、門型フレーム３１に設けられたノズル３２が管理部４との間で移動可能になっている。また、この門型フレーム３１は、図示しない移動機構によりＺ方向にも移動可能になっている。
【００５２】
ノズル３２は、一方向が長手の長尺状に構成されており、門型フレーム３１の架橋部材３１ｂの−Ｚ方向側の面に設けられている。このノズル３２のうち−Ｚ方向の先端には、自身の長手方向に沿ってスリット状の開口部３２ａが設けられており、当該開口部３２ａからレジストが吐出されるようになっている。ノズル３２は、開口部３２ａの長手方向がＹ方向に平行になると共に、当該開口部３２ａが処理ステージ２７に対向するように配置されている。開口部３２ａの長手方向の寸法は搬送される基板ＳのＹ方向の寸法よりも小さくなっており、基板Ｓの周辺領域にレジストが塗布されないようになっている。ノズル３２の内部にはレジストを開口部３２ａに流通させる図示しない流通路が設けられており、この流通路には図示しないレジスト供給源が接続されている。このレジスト供給源は例えば図示しないポンプを有しており、当該ポンプでレジストを開口部３２ａへと押し出すことで開口部３２ａからレジストが吐出されるようになっている。支柱部材３１ａには不図示の移動機構が設けられており、当該移動機構によって架橋部材３１ｂに保持されたノズル３２がＺ方向に移動可能になっている。ノズル３２には不図示の移動機構が設けられており、当該移動機構によってノズル３２が架橋部材３１ｂに対してＺ方向に移動可能になっている。門型フレーム３１の架橋部材３１ｂの下面には、ノズル３２の開口部３２ａ、すなわち、ノズル３２の先端と当該ノズル先端に対向する対向面との間のＺ方向上の距離を測定するセンサ３３が取り付けられている。
【００５３】
（管理部）
管理部４の構成を説明する。
管理部４は、基板Ｓに吐出されるレジスト（液状体）の吐出量が一定になるようにノズル３２を管理する部位であり、基板搬送部２のうち塗布部３に対して−Ｘ方向側（基板搬送方向の上流側）に設けられている。この管理部４は、予備吐出機構４１と、ディップ槽４２と、ノズル洗浄装置４３と、これらを収容する収容部４４と、当該収容部を保持する保持部材４５とを有している。保持部材４５は、移動機構４５ａに接続されている。当該移動機構４５ａにより、収容部４４がＸ方向に移動可能になっている。
【００５４】
予備吐出機構４１、ディップ槽４２及びノズル洗浄装置４３は、−Ｘ方向側へこの順で配列されている。これら予備吐出機構４１、ディップ槽４２及びノズル洗浄装置４３のＹ方向の各寸法は上記門型フレーム３１の支柱部材３１ａ間の距離よりも小さくなっており、上記門型フレーム３１が各部位を跨いでアクセスできるようになっている。
【００５５】
予備吐出機構４１は、レジストを予備的に吐出する部分である。当該予備吐出機構４１はノズル３２に最も近くに設けられている。ディップ槽４２は、内部にシンナーなどの溶剤が貯留された液体槽である。ノズル洗浄装置４３は、ノズル３２の開口部３２ａ近傍をリンス洗浄する装置であり、Ｙ方向に移動する図示しない洗浄機構と、当該洗浄機構を移動させる図示しない移動機構とを有している。この移動機構は、洗浄機構よりも−Ｘ方向側に設けられている。ノズル洗浄装置４３は、移動機構が設けられる分、予備吐出機構４１及びディップ槽４２に比べてＸ方向の寸法が大きくなっている。なお、予備吐出機構４１、ディップ槽４２、ノズル洗浄装置４３の配置については、本実施形態の配置に限られず、他の配置であっても構わない。また、予備吐出機構４１、ディップ槽４２及びノズル洗浄装置４３については、全て配置されている場合に限られず、一部が省略された構成であっても構わない。
【００５６】
（気体噴出機構・吸引機構）
図６は、搬入側ステージ２５、処理ステージ２７及び搬出側ステージ２８の気体噴出機構・吸引機構の構成を示す図である。同図をもとにして、上記の各ステージの気体噴出及び気体吸引に関する構成を説明する。
【００５７】
搬入側ステージ２５及び搬出側ステージ２８には気体噴出機構１５０、１５５のみが設けられており、吸引機構は設けられていない。各気体噴出機構１５０、１５５の構成は両ステージにおいて同一の構成になっている。これらの気体噴出機構１５０、１５５は、それぞれブロアー１５１、１５６、温度コントロールユニット１５２、１５７、マニホールド１５３、１５８をそれぞれ有している。
【００５８】
各ブロアー１５１、１５６からは配管１５０ａ、１５５ａによって温度コントロールユニット１５２、１５７にそれぞれ接続されている。この温度コントロールユニット１５２、１５７は、例えば冷媒機構などの冷却機構や電熱線などの加熱機構が設けられており、これら冷却機構及び加熱機構によって、供給される気体の温度を調節可能に構成されている。温度コントロールユニット１５２と温度コントロールユニット１５７とでは、独立して気体の温度を調節できるようになっている。温度コントロールユニット１５２、１５７は、配管１５０ｂ、１５５ｂによってマニホールド１５３、１５８にそれぞれ接続されている。
【００５９】
マニホールド１５３、１５８には、それぞれ温度センサ１５４、１５９が取り付けられている。
【００６０】
温度センサ１５４、１５９は、マニホールド１５３、１５８内の気体の温度を計測し、計測結果をそれぞれ温度コントロールユニット１５２、１５７に送信するようになっている。温度コントロールユニット１５２、１５７では、この温度センサ１５４、１５９の計測結果をフィードバックさせて気体の温度を調節できるようになっている。このように、温度コントロールユニット１５２、１５７及び温度センサ１５４、１５９は、気体の温度をフィードバックさせて調節する温度調節機構１８１、１８２をそれぞれ構成している。
【００６１】
配管１５０ｂ、１５５ｂには圧力計が取り付けられており、配管１５０ｃ、１５５ｃによって搬入側ステージ２５及び搬出側ステージ２８にそれぞれ接続されている。各配管１５０ａ〜１５０ｃ、１５５ａ〜１５５ｃには、各種バルブが設けられている。また、配管１５０ａ〜１５０ｃ、１５５ａ〜１５５ｃには、気中パーティクル量を測定する気中パーティクル量測定器を設けてもよい。
【００６２】
一方、処理ステージ２７には、気体噴出機構１６０に加えて吸引機構１７０が設けられている。
図７は、処理ステージ２７に設けられた気体噴出機構１６０及び吸引機構１７０の構成を示す図である。同図に示すように、気体噴出機構１６０は、ブロアー１６１、温度コントロールユニット１６２、フィルタ１６３、オートプレッシャーコントローラー（ＡＰＣ）１６４、マニホールド１６５、温度センサ１６６及び噴出量監視ポート１６７を有している。
【００６３】
ブロアー１６１は、気体噴出機構に気体を供給する気体供給源であり、配管１６０ａによって温度コントロールユニット１６２に接続されている。気体供給源として、ブロアー１６１の代わりに工場などの気体供給ラインを接続してもよい。
【００６４】
温度コントロールユニット１６２は、例えば供給される気体の温度を調節するユニットである。温度コントロールユニット１６２内の気体流通部には、例えば冷媒機構などの冷却機構や電熱線などの加熱機構が設けられている。これらの冷却機構や加熱機構によって、気体の温度を上昇させたり下降させたりすることができるようになっている。温度コントロールユニット１６２では、上記の温度コントロールユニット１５２、１５７に対して独立して気体の温度を調節できるようになっている。温度コントロールユニット１６２は、配管１６０ｂによってＡＰＣ１６４に接続されている。
【００６５】
配管１６０ｂにはフィルタ１６３が設けられている。フィルタ１６３は供給される気体に混合する異物を除去する部位である。また、配管１６０ｂに不図示の逃がし弁を設ける構成であっても構わない。
【００６６】
ＡＰＣ１６４は、気体の供給量を調節するユニットである。ＡＰＣ１６４は、バタフライバルブ１６４ａとコントローラ１６４ｂとを有している。コントローラ１６４ｂはバタフライバルブ１６４ａの開度を調節できるようになっており、当該バタフライバルブ１６４ａの開度を調節することで気体の供給量を調節可能になっている。ＡＰＣ１６４は、配管１６０ｃを介してマニホールド１６５に接続されている。
【００６７】
配管１６０ｃには、流量計１６９ａ及び圧力計１６９ｂが取り付けられている。これら流量計１６９ａ及び圧力計１６９ｂによって配管１６０ｃ内の気体の流量及び圧力が測定されるようになっている。各測定結果は、例えばＡＰＣ１６４へ送信されるようになっている。
【００６８】
マニホールド１６５は、配管１６０ｃを流通する気体を分岐するユニットである。当該マニホールド１６５において、配管１６０ｃは分岐された複数の配管１６０ｄに接続されている。各配管１６０ｄは、処理ステージ２７の気体噴出口２７ａに接続されている。
【００６９】
温度センサ１６６は、マニホールド１６５内の気体の温度を測定するセンサである。温度センサ１６６によって測定された気体の温度のデータは、例えば通信回線などを介して温度コントロールユニット１６２へ送信されるようになっている。温度コントロールユニット１６２では、この温度センサ１６６の計測結果をフィードバックさせることで気体の温度を調節できるようになっている。このように、温度コントロールユニット１６２及び温度センサ１６６は、気体の温度をフィードバックさせて調節する温度調節機構１８３を構成している。
【００７０】
噴出量監視ポート１６７は、気体の流量検知用のポートを有する構成になっており、この流量検知用のポートによって処理ステージ２７の気体噴出口２７ａと同等の気体流量を検出可能になっている。この噴出量監視ポート１６７には流量計１６７ａ及び圧力計１６７ｂが設けられており、気体噴出口２７ａから噴出される気体の流量及び圧力が測定可能になっている。なお、流量計１６７ａ及び圧力計１６７ｂによる測定結果については、ＡＰＣ１６４内のコントローラ１６４ｂに送信される構成であっても構わない。
【００７１】
上記の配管１６０ａ〜１６０ｅには、各種のバルブ等が取り付けられており、各バルブにおいて適宜開度を調節できるようになっている。また、配管１６０ｃには、大気開放部１９１が接続されている。
【００７２】
大気開放部１９１は、分岐配管１９１ａ、気体流量調整弁１９１ｂ及び流量計１９１ｃを有している。分岐配管１９１ａは、配管１６０ｃから分岐されており、先端が大気に開放された大気開放口１９１ｄとなっている。気体流量調整弁１９１ｂは、分岐配管１９１ａ内の流路径を調整することにより、大気開放口１９１ｄの開度を調整可能である。
【００７３】
気体流量調整弁１９１ｂは、大気開放口１９１ｄの開度を調整することで、分岐配管１９１ａを流れると共に大気開放口１９１ｄから大気に流出する気体の流量を調整可能である。流量計１９１ｃは、分岐配管１９１ａを流れて大気開放口１９１ｄから大気に流出する気体の流量を計測する。制御部ＣＯＮＴは、流量計１９１ｃの計測結果に基づいて、気体流量調整弁１９１ｂを調整させる。
【００７４】
吸引機構１７０は、ブロアー１７１と、オートプレッシャーコントローラー（ＡＰＣ）１７２と、トラップタンク１７３と、マニホールド１７４と、吸引量監視ポート１７５とを有している。ブロアー１７１、ＡＰＣ１７２、トラップタンク１７３、マニホールド１７４は、互いに配管１７０ａ〜１７０ｃによって接続されており、各配管１７０ａ〜１７０ｃには各種バルブが取り付けられている。なお、ブロアー１７１の代わりに工場などの気体吸引ラインを使用してもよい。また、マニホールド１７４が設けられない構成であっても構わない。
【００７５】
マニホールド１７４は、分岐された複数の配管１７０ｄに接続されている。各配管１７０ｄは、処理ステージ２７の吸引口２７ｂに接続されている。
【００７６】
ＡＰＣ１７２は、気体の供給量を調節するバタフライバルブ１７２ａとコントローラ１７２ｂとが設けられている。吸引量監視ポート１７５は、配管１７０ｅによって処理ステージ２７に接続され、当該接続部分に気体の流量検知用のポートが接続された構成になっている。吸引量監視ポート１７５では、この流量検知用のポートによって処理ステージ２７の直下の気体流量を検出可能になっている。また、吸引量監視ポート１７５には流量計１７５ａ及び圧力計１７５ｂが取り付けられており、吸引口２７ｂによって処理ステージ２７の気体噴出口２７ａと同等の気体流量を検出可能になっている。なお、流量計１７５ａ及び圧力計１７５ｂによる測定結果については、ＡＰＣ１７２内のコントローラ１７２ｂに送信される構成であっても構わない。
【００７７】
また、ＡＰＣ１７２と吸引口２７ｂとの間に流量計を設けて、測定結果をＡＰＣ１７２内のコントローラ１７２ｂにフィードバックしても良い。
【００７８】
また、配管１７０ｃには、大気開放部１９２が接続されている。大気開放部１９２は、分岐配管１９２ａ、気体流量調整弁１９２ｂ及び流量計１９２ｃを有している。分岐配管１９２ａは、配管１７０ｃから分岐されており、先端が大気に開放された大気開放口１９２ｄとなっている。気体流量調整弁１９２ｂは、分岐配管１９２ａ内の流路径を調整することにより、大気開放口１９２ｄの開度を調整可能である。
【００７９】
気体流量調整弁１９２ｂは、大気開放口１９２ｄの開度を調整することで、分岐配管１９２ａを流れると共に大気開放口１９２ｄから大気から吸引する気体の流量を調整可能である。流量計１９２ｃは、分岐配管１９２ａを流れて大気開放口１９２ｄから流入する気体の流量を計測する。制御部ＣＯＮＴは、流量計１９２ｃの計測結果に基づいて、気体流量調整弁１９２ｂを調整させる。
【００８０】
次に、上記のように構成された塗布装置１の動作を説明する。
図８〜図１４は、塗布装置１の動作過程を示す平面図である。各図を参照して、基板Ｓにレジストを塗布する動作を説明する。この動作では、基板Ｓを基板搬入領域２０に搬入し、当該基板Ｓを浮上させて搬送しつつ塗布処理領域２１でレジストを塗布し、当該レジストを塗布した基板Ｓを基板搬出領域２２から搬出する。図８〜図１０には門型フレーム３１及び管理部４の輪郭のみを破線で示し、ノズル３２及び処理ステージ２７の構成を判別しやすくした。以下、各部分における詳細な動作を説明する。
【００８１】
基板搬入領域２０に基板を搬入する前に、塗布装置１をスタンバイさせておく。具体的には、搬入側ステージ２５の基板搬入位置の−Ｙ方向側に第一搬送機構６０の搬送機６０ａを配置させ、真空パッド６０ｂの高さ位置を基板の浮上高さ位置に合わせておくと共に、搬入側ステージ２５の気体噴出口２５ａ、処理ステージ２７の気体噴出口２７ａ、吸引口２７ｂ及び搬出側ステージ２８の気体噴出口２８ａからそれぞれ気体を噴出又は吸引し、各ステージ表面に基板が浮上する程度に気体が供給された状態にしておく。
【００８２】
この状態で、例えば図示しない搬送アームなどによって外部から図３に示した基板搬入位置に基板Ｓが搬送されてきたら、昇降部材２６ａを＋Ｚ方向に移動させて昇降ピン２６ｂを昇降ピン出没孔２５ｂからステージ表面２５ｃに突出させる。そして、昇降ピン２６ｂによって基板Ｓが持ち上げられ、当該基板Ｓの受け取りが行われる。また、アライメント装置２５ｄの長孔から位置合わせ部材をステージ表面２５ｃに突出させておく。
【００８３】
基板Ｓを受け取った後、昇降部材２６ａを下降させて昇降ピン２６ｂを昇降ピン出没孔２５ｂ内に収容する。このとき、ステージ表面２５ｃには気体の層が形成されているため、基板Ｓは当該気体によりステージ表面２５ｃに対して浮上した状態で保持される。基板Ｓが気体層の表面に到達した際、アライメント装置２５ｄの位置合わせ部材によって基板Ｓの位置合わせが行われ、基板搬入位置の−Ｙ方向側に配置された第一搬送機構６０の移動機構６３により搬送機６０ａの真空パッド６０ｂを基板Ｓの−Ｙ方向側端部に真空吸着させることができる（図３）。真空パッド６０ｂによって基板Ｓの−Ｙ方向側端部が吸着された後、搬送機６０ａをレール６０ｃに沿って移動させる。基板Ｓが浮上した状態になっているため、搬送機６０ａの駆動力を比較的小さくしても基板Ｓはレール６０ｃに沿ってスムーズに移動する。
【００８４】
基板Ｓの搬送方向の先端がノズル３２の開口部３２ａの位置に到達したら、図８に示すように、ノズル３２の開口部３２ａから基板Ｓへ向けてレジストを吐出する。レジストの吐出は、ノズル３２の位置を固定させ搬送機６０ａによって基板Ｓを搬送させながら行う。
【００８５】
本実施形態では、第一搬送機構６０により搬送される基板Ｓに対してレジスト塗布を行っている途中において、例えば図示しない搬送アームなどによって外部から基板搬入位置に他の基板Ｓ´を受け渡すようにしている。基板Ｓ´を受け取った後、昇降部材２６ａを下降させて昇降ピン２６ｂを昇降ピン出没孔２５ｂ内に収容することで、基板Ｓ´は気体によりステージ表面２５ｃに対して浮上した状態で保持される。
【００８６】
基板Ｓ´が気体層の表面に到達した際、アライメント装置２５ｄの位置合わせ部材によって基板Ｓ´の位置合わせが行われ、基板搬入位置の−Ｚ方向側に配置された第二搬送機構６１の昇降機構６２により搬送機６１ａを上昇させ、真空パッド６１ｂを基板Ｓ´の−Ｙ方向側端部に真空吸着させる。制御部ＣＯＮＴは、当該基板Ｓ´についても、上記の基板Ｓと同様に浮上量の検出を適宜行わせる。
【００８７】
このように本実施形態では、第一搬送機構６０の搬送機６０ａと第二搬送機構６１の搬送機６１ａとがそれぞれ独立して移動可能となっているので、第一搬送機構６０によって搬送される基板Ｓに対するレジスト塗布の処理が終了する前に、第二搬送機構６１により他の基板Ｓ´をステージ上に搬送することができる。よって、片持ち状態で順次搬送する基板Ｓ、Ｓ´上にレジストを良好に塗布することができ、レジスト塗布処理において高いスループットを得ることができる。
【００８８】
基板Ｓの移動に伴い、図９に示すように基板Ｓ上にレジスト膜Ｒが塗布されていく。基板Ｓがレジストを吐出する開口部３２ａの下を通過することにより、基板Ｓの所定の領域にレジスト膜Ｒが形成される。また、第二搬送機構６１の搬送機６１ａは、基板Ｓ´を開口部３２ａの下方に移動させる。
【００８９】
レジスト膜Ｒの形成された基板Ｓは、搬送機６０ａによって搬出側ステージ２８へと搬送される。搬出側ステージ２８では、ステージ表面２８ｃに対して浮上した状態で、図１０に示す基板搬出位置まで基板Ｓが搬送される。また、搬送機６１ａにより搬送された他の基板Ｓ´が開口部３２ａの下を通過することにより、他の基板Ｓ´の所定の領域にレジスト膜Ｒが形成される。
【００９０】
基板Ｓが基板搬出位置に到達したら、真空パッド６０ｂの吸着を解除し、リフト機構２９の昇降部材２９ａを＋Ｚ方向に移動させる。すると、昇降ピン２９ｂが昇降ピン出没孔２８ｂから基板Ｓの裏面へ突出し、基板Ｓが昇降ピン２９ｂによって持ち上げられる。この状態で、例えば搬出側ステージ２８の＋Ｘ方向側に設けられた外部の搬送アームが搬出側ステージ２８にアクセスし、基板Ｓを受け取る。基板Ｓを搬送アームに渡した後、第一搬送機構６０は、移動機構６３により搬送機６０ａ（真空パッド６０ｂ）を基板Ｓの下方から退避し、他の基板Ｓ´を搬送している第二搬送機構６１の搬送経路（移動経路）から退避する。
【００９１】
そして、第一搬送機構６０は、再び搬入側ステージ２５の基板搬入位置まで戻り、次の基板が搬送されるまで待機する。このとき、図１０に示されるように、第二搬送機構６１に搬送される基板Ｓ´に対してレジスト塗布が行われているが、第一搬送機構６０は、上述のように第二搬送機構６１の搬送経路から退避しているので、第二搬送機構６１に接触して他の基板Ｓ´の搬送を妨げることが無く、搬入側ステージ２５の基板搬入位置まで戻ることができる。
【００９２】
また、第二搬送機構６１により搬送された基板Ｓ´が基板搬出位置に到達したら、同様に外部の搬送アームが搬出側ステージ２８にアクセスし、基板Ｓを受け取る。そして、再び搬入側ステージ２５の基板搬入位置まで戻り、次の基板Ｓが搬送されるまで待機する。
【００９３】
図１１（ａ）〜図１１（ｄ）は、基板Ｓが搬入側ステージ２５から処理ステージ２７を経て搬出側ステージ２８へ移動する様子を示す図である。
図１１（ａ）に示すように、基板Ｓが搬入側ステージ２５上を移動し処理ステージ２７に到達していない場合、処理ステージ２７上は基板Ｓによって遮られていない状態となっている。この状態から、図１１（ｂ）〜図１１（ｄ）に示すように、処理ステージ２７上を基板Ｓが移動することで、当該処理ステージ２７上が基板Ｓによって一時的に遮られることになる。
【００９４】
処理ステージ２７上が基板Ｓによって遮られると、その部分の気体の噴出圧及び吸引圧が一時的に変化し、噴出される気体の流量及び吸引される気体の流量が一時的に変化する場合がある。そうなると、基板Ｓの浮上量が変動し、レジストＲを均一に塗布することが困難となってしまう場合がある。
【００９５】
これに対して、本実施形態では、基板Ｓを搬送する際、基板Ｓが処理ステージ２７上に到達する前に、制御部ＣＯＮＴは、気体噴出機構１６０の大気開放部１９１に設けられた気体流量調整弁１９１ｂを開放させ、大気開放口１９１ｄが開いた状態にする。また、制御部ＣＯＮＴは、基板Ｓが処理ステージ２７上に到達する前に、吸引機構１７０の大気開放部１９２に設けられた気体流量調整弁１９２ｂを開放させ、大気開放口１９２ｄが開いた状態にする。
【００９６】
大気開放口１９１ｄを開いた状態とすることにより、気体噴出機構１６０においては、気体噴出口２７ａの他に大気開放口１９１ｄからも気体を噴出することができる。この構成では、処理ステージ２７上が遮られる場合であっても、大気開放口１９１ｄへ逃がすことができる。したがって、基板Ｓが処理ステージ２７上を搬送される際には、気体噴出口２７ａにおける気体噴出圧の変動が抑制され、気体噴出口２７ａから噴出される気体の流量の変動が抑制される。
【００９７】
同様に、大気開放口１９２ｄを開いた状態とすることにより、吸引機構１７０においては、吸引口２７ｂの他に大気開放口１９２ｄからも吸引することができる。この構成では、処理ステージ２７上が遮られる場合であっても、大気開放口１９２ｄから吸引量を補うことができる。したがって、基板Ｓが処理ステージ２７上を搬送される際には、吸引口２７ｂにおける吸引圧の変動が抑制され、吸引口２７ｂから吸引される気体の流量の変動が抑制される。
【００９８】
図１２は、処理ステージ２７の遮蔽率と、処理ステージ２７に噴出される気体の総流量及び大気開放口１９１ｄから流出される気体の流量との関係を示す表である。なお、本実施形態では、処理ステージ２７のＸ方向の寸法をｔ１とし、基板Ｓのうち処理ステージ２７に重なる部分のＸ方向の寸法をｔ２としたとき、処理ステージ２７の遮蔽率を、
遮蔽率＝（ｔ２／ｔ１）×１００（％）
とした場合を例に挙げて説明する。
【００９９】
基板Ｓが処理ステージ２７上に到達していない場合、すなわち、処理ステージ２７の遮蔽率が０％である場合、制御部ＣＯＮＴは、処理ステージ２７に噴出される気体の総流量を例えば毎分３００ｌとする。また、大気開放口１９１ｄから流出される気体の流量を例えば毎分２０００ｌとする。
【０１００】
この状態から基板Ｓが搬送され、図１１（ｂ）に示すようにノズル３２によってレジストＲの吐出が開始される場合、基板Ｓは処理ステージ２７のうちＸ方向におけるほぼ半分の領域を遮蔽している状態となる。このように、処理ステージ２７の遮蔽率がほぼ５０％となる場合、基板Ｓによって処理ステージ２７上が遮蔽され、その分気体の噴出圧及び吸引圧が高められることになる。
【０１０１】
したがって、制御部ＣＯＮＴは、気体流量調整弁１９１ｂを開いて大気開放口１９１ｄの開度を大きくする。この動作により、処理ステージ２７に噴出される気体の総流量が毎分３００ｌに維持され、大気開放口１９１ｄから流出される気体の流量が例えば毎分２５００ｌに増加する。
【０１０２】
図１１（ｃ）に示すように、基板Ｓに対してレジストＲの吐出が更に行われていき、基板Ｓが処理ステージ２７のうちＸ方向におけるほぼ７５％の領域を遮蔽している状態となる場合、図１１（ｂ）の場合に比べて、気体の噴出圧及び吸引圧が更に高められることになる。
【０１０３】
したがって、制御部ＣＯＮＴは、気体流量調整弁１９１ｂを開いて大気開放口１９１ｄの開度を更に大きくする。この動作により、処理ステージ２７に噴出される気体の総流量が毎分３００ｌに維持され、大気開放口１９１ｄから流出される気体の流量が例えば毎分２７５０ｌに増加する。
【０１０４】
この状態から図１１（ｄ）に示すように、基板Ｓに対してレジストＲの吐出が更に行われていき、基板Ｓが処理ステージ２７のうちＸ方向における１００％の領域を遮蔽している状態となる場合、図１１（ｃ）の場合に比べて、気体の噴出圧及び吸引圧が更に高められることになる。
【０１０５】
したがって、制御部ＣＯＮＴは、気体流量調整弁１９１ｂを開いて大気開放口１９１ｄの開度を更に大きくする。この動作により、処理ステージ２７に噴出される気体の総流量が毎分３００ｌに維持され、大気開放口１９１ｄから流出される気体の流量が例えば毎分３０００ｌに増加する。
【０１０６】
この後、基板Ｓが＋Ｘ方向に移動し、処理ステージ２７の遮蔽率が小さくなるのに伴って、制御部ＣＯＮＴは、気体流量調整弁１９１ｂを閉じていき、大気開放口１９１ｄの開度を小さくしていく。この動作により、処理ステージ２７に噴出される気体の総流量が毎分３００ｌに維持される。
【０１０７】
制御部ＣＯＮＴは、基板Ｓの浮上動作を行わせる際に、流量計１９１ｃ、１９２ｃによって大気開放口１９１ｄ、１９２ｄを流れる気体の流量を計測させ、当該流量計１９１ｃ、１９２ｃの計測結果に基づいて、気体流量調整弁１９１ｂ、１９２ｂを調整させるようにしても良い。
【０１０８】
この場合、例えば大気開放口１９１ｄ、１９２ｄを流れる気体の流量の目標値データを制御部ＣＯＮＴに記憶させておき、計測結果が当該目標値データに一致するように制御部ＣＯＮＴが気体流量調整弁１９１ｂ、１９２ｂを調整する制御態様が挙げられる。上記目標値データとしては、予め実験やシミュレーションなどによって求めておくことができる。
【０１０９】
次に、管理部４による管理動作について説明する。
上記のように、塗布部３には基板が時間的間隔を空けて搬送されてくる。このため、制御部ＣＯＮＴは、塗布部３に基板が搬送されない期間を利用して、ノズル３２の吐出状態を維持あるいは改善するための管理動作を行わせる。当該管理動作には、管理部４が用いられる。
【０１１０】
制御部ＣＯＮＴは、図１３に示すように、移動機構３１ｃによって門型フレーム３１を管理部４の位置まで−Ｘ方向へ移動させる。管理部４の位置まで門型フレーム３１を移動させた後、まず、門型フレーム３１の位置を調整してノズル３２の先端をノズル洗浄装置４３にアクセスさせ、当該ノズル洗浄装置４３によってノズル先端３２ｃを洗浄する。
【０１１１】
ノズル先端３２ｃの洗浄後、当該ノズル３２を予備吐出機構４１にアクセスさせる。予備吐出機構４１では、開口部３２ａと予備吐出面との間の距離を測定しながらノズル３２の先端３２ｃの開口部３２ａをＺ方向上の所定の位置に移動させ、ノズル３２を−Ｘ方向へ移動させながら開口部３２ａからレジストを予備吐出する。
【０１１２】
予備吐出動作を行った後、門型フレーム３１を元の位置に戻す。次の基板Ｓが搬送されてきたら、図１４に示すようにノズル３２をＺ方向上の所定の位置に移動させる。このように、基板Ｓにレジスト膜Ｒを塗布する塗布動作と予備吐出動作とを繰り返し行わせることで、基板Ｓには良質なレジスト膜Ｒが形成されることになる。
【０１１３】
なお、必要に応じて、例えば管理部４に所定の回数アクセスする毎に、当該ノズル３２をディップ槽４２内にアクセスさせても良い。ディップ槽４２では、ノズル３２の開口部３２ａをディップ槽４２に貯留された溶剤（シンナー）の蒸気雰囲気に曝すことでノズル３２の乾燥を防止する。
【０１１４】
以上のように、本実施形態によれば、気体噴出機構１６０の気体供給経路及び吸引機構１７０の吸引経路には大気開放が可能な大気開放部１９１及び１９２が設けられているので、噴出される気体の流量及び吸引される気体の流量のうち少なくとも一方の変化を緩和することが可能となる。これにより、基板Ｓの浮上量の変動を抑制することが可能となる。
【０１１５】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば、上記実施形態では、第一搬送機構６０及び第二搬送機構６１が、それぞれ搬送機６０ａ、６１ａを一個ずつ備えた構成について説明したが、本発明はこれに限定されることはない。
【０１１６】
図１５に示すように、第一搬送機構６０としてレール６０ｃに搬送機６０ａが３個設けられた構成とすることができる。なお、図１５においては、図示を省略するものの、第二搬送機構６１についても搬送機６１ａを３個備えた構成とすることができる。また、本説明では、搬送機６０ａ、６１ａが３個ずつ備える構成について説明するが、本発明はこれに限定されることは無く、搬送機６０ａ、６１ａを２個ずつ、或いは４個以上ずつ備える構成についても適用可能である。
【０１１７】
図１５に示す構成において、基板Ｓの搬送方向上流側から順に第１の搬送機２６１、第２の搬送機２６２、第３の搬送機２６３と表記する。また、これらを総称する場合には、搬送機２６１、２６２、２６３と表記する。
【０１１８】
これら搬送機２６１、２６２、２６３は、基板Ｓの搬送時においてはそれぞれが同期した状態でレール６０ｃ上を移動する。また、各搬送機２６１、２６２、２６３は、基板Ｓの非搬送時においては、レール６０ｃ上でそれぞれ独立に移動可能となっている。この構成によれば、搬送する基板Ｓの長さに応じて各搬送機２６１、２６２、２６３における基板Ｓの保持位置を任意に設定することができる。
【０１１９】
搬送機２６１の真空パッド６０ｂは、基板Ｓの搬送方向前方側の端部から２５０ｍｍ以内を保持するのが好ましく、８０ｍｍ以内とするのが望ましい。具体的に搬送機２６１は、基板Ｓの搬送方向前方の端部から真空パッド６０ｂまでの距離Ｗ１が８０ｍｍ以内となるように基板Ｓを保持している。
【０１２０】
また、搬送機２６３の真空パッド６０ｂは、基板Ｓの搬送方向後方側の端部から２５０ｍｍ以内を保持するのが好ましく、８０ｍｍ以内とするのが望ましい。具体的に搬送機２６３は、基板Ｓの搬送方向後方の端部から真空パッド６０ｂまでの距離Ｗ２が８０ｍｍ以内となるように基板Ｓを保持している。
【０１２１】
これら搬送機２６１、２６２、２６３により基板Ｓが均一に保持されて、基板端部が垂れ下がることが防止され、大型の基板Ｓを均一に浮上させた状態で搬送することができる。したがって、大型の基板Ｓ上に塗布されるレジストを乾燥固化させた膜にムラが生じるのを防止できる。
【０１２２】
また、上記実施形態においては、気体噴出機構１６０及び吸引機構１７０の両方に大気開放口（１９１、１９２）が設けられた構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。気体噴出機構１６０及び吸引機構１７０のうち少なくとも一方に大気開放口が設けられた構成であれば、従来の構成に比べて、基板Ｓの浮上量の変化を抑制することが可能である。
【０１２３】
また、上記実施形態においては、処理ステージ２７のＸ方向の寸法をｔ１とし、基板Ｓのうち処理ステージ２７に重なる部分のＸ方向の寸法をｔ２としたとき、処理ステージ２７の遮蔽率を、遮蔽率＝（ｔ２／ｔ１）×１００（％）とした場合を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、Ｚ方向視における処理ステージ２７のステージ表面２７ｃの面積をＰ１とし、基板Ｓのうち処理ステージ２７に重なる部分の面積をＰ２としたとき、遮蔽率＝（Ｐ２／Ｐ１）×１００（％）としても構わない。
【符号の説明】
【０１２４】
ＣＯＮＴ…制御部 Ｓ…基板 Ｒ…レジスト １…塗布装置 ２…基板搬送部 ３…塗布部 ２７…処理ステージ ２７ｃ…ステージ表面 ２７ａ…気体噴出口 ２７ｂ…吸引口 ３２…ノズル １６０…気体噴出機構 １６０ｃ、１７０ｃ…配管 １７０…吸引機構 １９１、１９２…大気開放部 １９１ａ、１９２ａ…分岐配管 １９１ｂ、１９２ｂ…気体流量調整弁 １９１ｃ、１９２ｃ…流量計 １９１ｄ、１９２ｄ…大気開放口
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して先端部分から液状体を吐出するノズルを有する塗布部と、
前記基板を案内する案内面を有し、前記基板を前記案内面に対して浮上させるための気体供給部及び吸引部が設けられた浮上部と、
浮上した状態の前記基板と前記先端部分とを対向させつつ前記基板及び前記ノズルのうち少なくとも一方を駆動する駆動部と
を備え、
前記気体供給部は、前記案内面に設けられた複数の気体供給口、複数の前記気体供給口に気体を供給する気体供給源、一端部が前記気体供給源に接続された第一気体供給経路、及び、前記第一気体供給経路の他端部から分岐され複数の前記気体供給口のそれぞれに接続された第二気体供給経路、を有し、
前記吸引部は、前記案内面に設けられた複数の吸引口、複数の前記吸引口を吸引する吸引源、一端部が前記吸引源に接続された第一吸引経路、及び、前記第一吸引経路の他端部から分岐され複数の前記吸引口のそれぞれに接続された第二吸引経路、を有し、
前記第一気体供給経路及び前記第一吸引経路のうち少なくとも一方の経路の一部分には大気開放が可能な大気開放部が設けられている
塗布装置。
【請求項２】
前記大気開放部は、前記経路の一部分から分岐された分岐経路を有し、
前記分岐経路の先端には、大気開放口が設けられている
請求項１に記載の塗布装置。
【請求項３】
前記大気開放部は、前記大気開放口の開度を調整可能な調整弁を有する
請求項２に記載の塗布装置。
【請求項４】
前記大気開放部は、前記大気開放口を流通する気体の流量を計測する流量計を有する
請求項２又は請求項３に記載の塗布装置。
【請求項５】
前記大気開放部は、前記気体供給経路に設けられており、
前記流量計は、前記大気開放口から大気に流出する気体の流量を計測する
請求項４に記載の塗布装置。
【請求項６】
前記大気開放部は、
前記大気開放口の開度を調整可能な調整弁と、
前記大気開放口を流通する気体の流量を計測する流量計と、
前記流量計による計測結果に基づいて前記調整弁の調整量を制御する弁制御部と
を有する
請求項２から請求項５のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項７】
前記浮上部は、前記塗布部に対応する位置に設けられたステージを有し、
前記案内面は、前記ステージに設けられる
請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項８】
基板に対して先端部分から液状体を吐出するノズルを有する塗布部と、
前記基板を案内する案内面を有し、前記基板を前記案内面に対して浮上させるための気体供給部及び吸引部が設けられた浮上部と、
浮上した状態の前記基板と前記先端部分とを対向させつつ前記基板及び前記ノズルのうち少なくとも一方を駆動する駆動部と
を備え、
前記気体供給部は、前記案内面に設けられた複数の気体供給口、複数の前記気体供給口に気体を供給する気体供給源、一端部が前記気体供給源に接続された第一気体供給経路、及び、前記第一気体供給経路の他端部から分岐され複数の前記気体供給口のそれぞれに接続された第二気体供給経路、を有し、
前記吸引部は、前記案内面に設けられた複数の吸引口、複数の前記吸引口を吸引する吸引源、一端部が前記吸引源に接続された第一吸引経路、及び、前記第一吸引経路の他端部から分岐され複数の前記吸引口のそれぞれに接続された第二吸引経路、を有し、
前記第一気体供給経路及び前記第一吸引経路のうち少なくとも一方の経路の一部分には大気開放が可能な大気開放部が設けられた塗布装置を用いた塗布方法であって、
前記経路の一部分を大気に開放した状態で前記気体供給源及び前記吸引源を作動させ前記気体供給口及び前記吸引口を介して前記基板と前記案内面との間に気体の層を形成し、前記気体の層上に前記基板を浮上させるステップと、
浮上した状態の前記基板と前記先端部分とを対向させつつ前記基板及び前記ノズルのうち少なくとも一方を駆動することで、前記基板と前記ノズルとを相対的に移動させるステップと、
前記基板と前記ノズルとを相対的に移動させつつ、前記基板に対して前記ノズルの前記先端部分から前記液状体を吐出するステップと
を含む塗布方法。
【請求項９】
前記基板を浮上させるステップは、前記大気開放部に設けられた大気開放口の開度を調整することを含む
請求項８に記載の塗布方法。
【請求項１０】
前記基板を浮上させるステップは、前記大気開放部に設けられた大気開放口を流通する気体の流量を計測することを含む
請求項８又は請求項９に記載の塗布方法。
【請求項１１】
前記基板を浮上させるステップは、前記大気開放口から大気に流出する気体の流量及び大気から吸引する気体の流量のうち少なくとも一方を計測することを含む
請求項１０に記載の塗布方法。
【請求項１２】
前記基板を浮上させるステップは、
前記大気開放部に設けられた大気開放口を流通する気体の流量を計測することと、
前記気体の流量の計測結果に応じて、前記大気開放口の開度を調整することと
を含む
請求項８から請求項１１のうちいずれか一項に記載の塗布方法。
【請求項１】
基板に対して先端部分から液状体を吐出するノズルを有する塗布部と、
前記基板を案内する案内面を有し、前記基板を前記案内面に対して浮上させるための気体供給部及び吸引部が設けられた浮上部と、
浮上した状態の前記基板と前記先端部分とを対向させつつ前記基板及び前記ノズルのうち少なくとも一方を駆動する駆動部と
を備え、
前記気体供給部は、前記案内面に設けられた複数の気体供給口、複数の前記気体供給口に気体を供給する気体供給源、一端部が前記気体供給源に接続された第一気体供給経路、及び、前記第一気体供給経路の他端部から分岐され複数の前記気体供給口のそれぞれに接続された第二気体供給経路、を有し、
前記吸引部は、前記案内面に設けられた複数の吸引口、複数の前記吸引口を吸引する吸引源、一端部が前記吸引源に接続された第一吸引経路、及び、前記第一吸引経路の他端部から分岐され複数の前記吸引口のそれぞれに接続された第二吸引経路、を有し、
前記第一気体供給経路及び前記第一吸引経路のうち少なくとも一方の経路の一部分には大気開放が可能な大気開放部が設けられている
塗布装置。
【請求項２】
前記大気開放部は、前記経路の一部分から分岐された分岐経路を有し、
前記分岐経路の先端には、大気開放口が設けられている
請求項１に記載の塗布装置。
【請求項３】
前記大気開放部は、前記大気開放口の開度を調整可能な調整弁を有する
請求項２に記載の塗布装置。
【請求項４】
前記大気開放部は、前記大気開放口を流通する気体の流量を計測する流量計を有する
請求項２又は請求項３に記載の塗布装置。
【請求項５】
前記大気開放部は、前記気体供給経路に設けられており、
前記流量計は、前記大気開放口から大気に流出する気体の流量を計測する
請求項４に記載の塗布装置。
【請求項６】
前記大気開放部は、
前記大気開放口の開度を調整可能な調整弁と、
前記大気開放口を流通する気体の流量を計測する流量計と、
前記流量計による計測結果に基づいて前記調整弁の調整量を制御する弁制御部と
を有する
請求項２から請求項５のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項７】
前記浮上部は、前記塗布部に対応する位置に設けられたステージを有し、
前記案内面は、前記ステージに設けられる
請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項８】
基板に対して先端部分から液状体を吐出するノズルを有する塗布部と、
前記基板を案内する案内面を有し、前記基板を前記案内面に対して浮上させるための気体供給部及び吸引部が設けられた浮上部と、
浮上した状態の前記基板と前記先端部分とを対向させつつ前記基板及び前記ノズルのうち少なくとも一方を駆動する駆動部と
を備え、
前記気体供給部は、前記案内面に設けられた複数の気体供給口、複数の前記気体供給口に気体を供給する気体供給源、一端部が前記気体供給源に接続された第一気体供給経路、及び、前記第一気体供給経路の他端部から分岐され複数の前記気体供給口のそれぞれに接続された第二気体供給経路、を有し、
前記吸引部は、前記案内面に設けられた複数の吸引口、複数の前記吸引口を吸引する吸引源、一端部が前記吸引源に接続された第一吸引経路、及び、前記第一吸引経路の他端部から分岐され複数の前記吸引口のそれぞれに接続された第二吸引経路、を有し、
前記第一気体供給経路及び前記第一吸引経路のうち少なくとも一方の経路の一部分には大気開放が可能な大気開放部が設けられた塗布装置を用いた塗布方法であって、
前記経路の一部分を大気に開放した状態で前記気体供給源及び前記吸引源を作動させ前記気体供給口及び前記吸引口を介して前記基板と前記案内面との間に気体の層を形成し、前記気体の層上に前記基板を浮上させるステップと、
浮上した状態の前記基板と前記先端部分とを対向させつつ前記基板及び前記ノズルのうち少なくとも一方を駆動することで、前記基板と前記ノズルとを相対的に移動させるステップと、
前記基板と前記ノズルとを相対的に移動させつつ、前記基板に対して前記ノズルの前記先端部分から前記液状体を吐出するステップと
を含む塗布方法。
【請求項９】
前記基板を浮上させるステップは、前記大気開放部に設けられた大気開放口の開度を調整することを含む
請求項８に記載の塗布方法。
【請求項１０】
前記基板を浮上させるステップは、前記大気開放部に設けられた大気開放口を流通する気体の流量を計測することを含む
請求項８又は請求項９に記載の塗布方法。
【請求項１１】
前記基板を浮上させるステップは、前記大気開放口から大気に流出する気体の流量及び大気から吸引する気体の流量のうち少なくとも一方を計測することを含む
請求項１０に記載の塗布方法。
【請求項１２】
前記基板を浮上させるステップは、
前記大気開放部に設けられた大気開放口を流通する気体の流量を計測することと、
前記気体の流量の計測結果に応じて、前記大気開放口の開度を調整することと
を含む
請求項８から請求項１１のうちいずれか一項に記載の塗布方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１２−２５３２１５（Ｐ２０１２−２５３２１５Ａ）
【公開日】平成２４年１２月２０日（２０１２．１２．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１２５０７８（Ｐ２０１１−１２５０７８）
【出願日】平成２３年６月３日（２０１１．６．３）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１２月２０日（２０１２．１２．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年６月３日（２０１１．６．３）
【出願人】（０００２２０２３９）東京応化工業株式会社 (1,407)
【Ｆターム（参考）】
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