変位センサの半導体レーザ駆動回路
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザビームの強度を外部入力により制御する変位センサの半導体レーザ駆動回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】検知物体の位置、移動、又は種類を検出するために各種の変位センサが用いられている。変位センサは一般にレーザビームを出射する投光部と、検知物体から反射光を受光する受光部とを含んで構成される。そして投光部には半導体レーザが用いられ、これを駆動するために半導体レーザ駆動回路が設けられている。
【０００３】半導体レーザ駆動回路も連続光（ＣＷ光）を出力するものと、パルス光を出力するものがある。いずれもレーザダイオードＬＤの温度上昇による光出力変化を防止するために、レーザダイオードＬＤを保持するステムにフォトダイオードＰＤを取付け、フォトダイオードＰＤの出力電流をモニタすることにより、レーザダイオードＬＤの光出力の安定化を図る補償回路が設けられている。
【０００４】図６はこのような機能を有する従来の半導体レーザ駆動回路の一例である。この半導体レーザ駆動回路は大きく分けて、スイッチング回路１、基準電圧発生回路２、誤差増幅回路３、充放電回路４、レーザ駆動部５、発光部６を含んで構成される。
【０００５】発光部６からスイッチング回路１にかけてその構成を説明する。発光部６は同一ステムに取付けられたレーザダイオードＬＤとフォトダイオードＰＤ（受光素子）を有し、レーザダイオードＬＤのカソード側に保護抵抗Ｒ１が接続され、フォトダイオードＰＤのアノード側にモニタ用抵抗Ｒ２が接続されている。これらの抵抗Ｒ１，Ｒ２の片端は共にＧＮＤラインに接続され、レーザダイオードＬＤのアノード側とフォトダイオードＰＤのカソード側は共通接続されている。
【０００６】レーザ駆動部５は発光部６に駆動電流を供給する回路であり、ＮＰＮ型のトランジスタＴｒ１で構成される。トランジスタＴｒ１のエミッタは発光部６に、コレクタはスイッチング回路１の出力端に、ベースは誤差増幅回路３の出力端に夫々接続される。充放電回路４は抵抗Ｒ３とコンデンサＣ１の並列接続体で構成され、コンデンサＣ１の充電及び放電によりレーザダイオードＬＤのパルス電流の立ち上がり及び立ち下がり時定数を規定する回路である。
【０００７】誤差増幅回路３は、抵抗Ｒ２の両端から得られるモニタ信号Ｖｍと、基準電圧発生回路２で発生した基準信号Ｖｒとが入力され、それらの差分値を増幅して補正信号を生成する回路である。誤差増幅回路３内の演算増幅器ＯＰは、その非反転入力端にモニタ信号Ｖｍが入力され、反転入力端に基準信号Ｖｒが入力されるとそれらの差分値を増幅し、誤差信号ＶｅをトランジスタＴｒ２のベースに供給する。ＮＰＮ型のトランジスタＴｒ２のコレクタとスイッチング回路１の出力端の間には、抵抗Ｒ４とダイオードＤ２とが直列に接続されている。またトランジスタＴｒ２のエミッタは抵抗Ｒ５を介してＧＮＤラインに接続されている。そしてダイオードＤ２のカソード側とＧＮＤライン間に充放電回路４が接続される。尚、演算増幅器ＯＰの出力端と反転入力端にノイズ防止用のコンデンサＣ２が接続されている。
【０００８】基準電圧発生回路２は誤差増幅回路３に対して基準信号（パルス）Ｖｒを発生する回路である。スイッチング回路１の出力端とＧＮＤライン間に抵抗Ｒ８と定電圧ダイオードＤ３が直列に接続され、定電圧ダイオードＤ３の基準電圧と等しい波高値を持つ電圧パルスが定電圧ダイオードＤ３の両端に発生する。このパルスは抵抗Ｒ６、Ｒ７で電圧が分圧され、演算増幅器ＯＰの反転入力端に基準信号Ｖｒとして与えられる。
【０００９】スイッチング回路１は電源（電圧＋Ｖｃ）を入力パルスＳＰに基づいて開閉する回路であり、スイッチングのトランジスタＴｒ３と抵抗Ｒ９により構成される。ここでは例えばトランジスタＴｒ３をＰＮＰ型とすると、入力パルスＳＰがＬレベル時にオン状態になり、エミッタに接続された抵抗Ｒ９を介してコレクタ側にパルス電圧が供給される。
【００１０】このように構成された従来の半導体レーザ駆動回路の動作について説明する。先ず電源電圧ＶｃをトランジスタＴｒ３でスイッチングすることにより、電圧Ｖｃを有するパルス電圧を基準電圧発生回路２、誤差増幅回路３、レーザ駆動部５に供給する。入力パルスＳＰがＬレベルのとき、トランジスタＴｒ３が導通し、抵抗Ｒ４とダイオードＤ２とを介して充放電回路４のコンデンサＣ１が充電される。このときの充電電流はトランジスタＴｒ２の導通状態によって変化するが、今仮に演算増幅器ＯＰの出力する誤差信号Ｖｅが０Ｖとすると、トランジスタＴｒ２はオフか、又はバイアス電流程度で動作するものとする。この場合は充電完了後のトランジスタＴｒ１のベース電圧Ｖｂ１は次の（１）式の値となる。
Ｖｂ１＝（Ｒ３＋ｒ２）／（Ｒ３＋Ｒ４＋ｒ２）・Ｖｃ・・・（１）
但しｒ２はダイオードＤ２のオン時の順方向抵抗とする。
【００１１】この場合の電圧Ｖｂ１の値は、エミッタ負荷を持つトランジタＴｒ１を導通させる値であり、レーザダイオードＬＤに駆動電流が供給される。レーザダイオードＬＤが発光すると、フォトダイオードＰＤにレーザ発光強度に比例したモニタ電流Ｉｍが流れる。この電流Ｉｍは抵抗Ｒ２により電圧に変換され、次の（２）式のモニタ信号Ｖｍが演算増幅器ＯＰの非反転入力端に入力される。
Ｖｍ＝Ｉｍ・Ｒ２・・・（２）
【００１２】一方、入力パルスＳＰのＬレベル時に、次の（３）式で示すよな基準信号Ｖｒが演算増幅器ＯＰの反転入力端に与えられている。
Ｖｒ＝Ｒ６／（Ｒ６＋Ｒ７）・Ｖｚ・・・（３）
但しＶｚはダイオードＤ３の基準電圧とする。
【００１３】一般に、演算増幅器ＯＰがリニア領域で外部回路を通して負帰還のかかった状態で動作しているときは、非反転入力端と反転入力端の電圧が相等しくなるようその出力値が制御される。一方、トランジスタＴｒ２は演算増幅器ＯＰの出力する誤差信号Ｖｅで動作するので、誤差信号Ｖｅの値が正であればトランジスタＴｒ２のエミッタ電流は増加する。誤差信号Ｖｅの値が負であればトランジスタＴｒ２のエミッタ電流は減少する。このためトランジスタＴｒ１のベース電圧Ｖｂ１は、誤差信号Ｖｅの値が正であれば下降し、負であれば上昇する。誤差信号Ｖｅの値が正とは、レーダダイオードＬＤの発光強度が基準値より高いことを意味し、誤差信号Ｖｅの値が負とは発光強度が基準値より低いことを意味する。従って基準信号Ｖｒとモニタ信号Ｖｍの値とのバランスが取れているときは、レーザダイオードＬＤの発光強度は、基準信号発生回路２で生成される基準信号Ｖｒに比例した値に制御されることなる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】以上のようにフォトダイオードＰＤから出力されるモニタ電流Ｉｍの値を一定に保つことにより、レーザダイオードＬＤの発光強度を一定値に制御している。ここでにレーザダイオードＬＤの発光強度を変化させる場合を考える。変位センタの検知物体の表面状態はその種類によって多様に変化する。特に検知物体の種類が変わり、反射率が大幅に変化すると、その都度発光部６の発光強度を調節しなければならない。ところが図６に示すような構成であれば、レーザダイオードＬＤの発光強度を変化させるには、誤差増幅回路３に入力する基準信号Ｖｒの値を変化させるか、またはフォトダイオードＰＤによるモニタ信号Ｖｍの値を変化させなければならない。
【００１５】ここで基準信号Ｖｒの値を変化させる方法について簡単に説明する。発光部６の発光強度を大きくするには基準信号Ｖｒの値を大きくし、発光強度を小さくするには基準信号Ｖｒの値を小さくすればよい。しかし基準信号Ｖｒの電圧は通常１Ｖ前後であり、１Ｖより大きくすると制御が困難になる。又基準信号Ｖｒの電圧を小さくすると、演算増幅器ＯＰのオフセット電圧の影響を受け易くなる。このため基準信号Ｖｒの値を変化させて発光強度を制御する場合、制御範囲が限定されるという欠点があった。
【００１６】次にモニタ信号Ｖｍの値を変化させる方法であるが、基本的には抵抗Ｒ２を固定抵抗から可変抵抗に代えればよい。しかしこの場合、抵抗Ｒ２の抵抗値を変えるためには、調整ねじを直接手で操作しなければならず、小型の変位センサに取り付けられる半導体レーザ駆動装置においては調整の作業性に問題がある。又電源の電圧Ｖｃを制御することも考えられるが、変位センサに用いる電源電圧は規定の値になっており、この部分での調整は実際上不可能であった。
【００１７】本発明はこのような従来の問題点に鑑みてなされたものであって、電気信号によってレーザダイオードＬＤの発光強度を設定でき、且つ温度補償や発光強度の安定化のための補償回路のついた半導体レーザ駆動回路を実現することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本願請求項１記載の発明は、レーザ光を発光するレーザ発光素子と、レーザ発光素子の発光強度をモニタする受光素子と、レーザ発光素子を駆動するレーザ駆動部と、基準信号を生成する基準電圧発生部と、基準電圧発生部の基準信号と受光素子のモニタ信号とが入力され、これらの信号を差動増幅し、その差分信号を制御信号としてレーザ駆動部に出力する誤差増幅部と、レーザ発光素子の発光強度を調整する発光強度制御信号が入力され、誤差増幅部に入力されるモニタ信号に、発光強度制御信号を重畳させる発光強度制御部と、を具備する変位センサの半導体レーザ駆動回路において、発光強度制御部は、レーザ駆動部の電源ラインにドレイン電極が接続され、受光素子のモニタ端子にソース電極が接続された電界効果型トランジスタを含み、電界効果型トランジスタのゲート電極にレーザ発光素子の発光強度を調整する発光強度制御信号が入力され、誤差増幅部に入力するモニタ信号に発光強度制御信号を加算することを特徴とするものである。また本願請求項２記載の発明は、レーザ光を発光するレーザ発光素子と、レーザ発光素子の発光強度をモニタする受光素子と、レーザ発光素子を駆動するレーザ駆動部と、基準信号を生成する基準電圧発生部と、基準電圧発生部の基準信号と受光素子のモニタ信号とが入力され、これらの信号を差動増幅し、その差分信号を制御信号としてレーザ駆動部に出力する誤差増幅部と、レーザ発光素子の発光強度を調整する発光強度制御信号が入力され、誤差増幅部に入力されるモニタ信号に、発光強度制御信号を重畳させる発光強度制御部と、を具備する変位センサの半導体レーザ駆動回路において、発光強度制御部は、受光素子のモニタ出力端にドレイン電極が接続され、レーザ駆動部のグランドラインにソース電極が接続された電界効果型トランジスタを含み、電界効果型トランジスタのゲート電極にレーザ発光素子の発光強度を調整する発光強度制御信号が入力され、モニタ信号から発光強度制御信号を減算することを特徴とするものである。
【００１９】
【作用】このような特徴を有する本発明によれば、レーザ発光素子がレーザ駆動部によりレーザ光を出力すると、受光素子はレーザ発光素子の発光強度に比例したモニタ信号を発生する。誤差増幅部は基準電圧発生部の基準信号と受光素子のモニタ信号とが入力されると、これらの信号を差動増幅してその差分信号を制御信号としてレーザ駆動部に出力する。このとき発光強度制御部によりレーザ発光素子の発光強度を調整する発光強度制御信号が入力されると、誤差増幅部に入力されるモニタ信号に発光強度制御信号を重畳させる。こうすると外部入力により、レーザ発光素子の発光強度を制御することができる。
【００２０】
【実施例】本発明の第１実施例における半導体レーザ駆動回路について図１〜図３を参照しつつ説明する。尚、従来例と同一ブロック及び同一信号名は同一の符号をつけ、それらの詳細な説明は省略する。図１は第１実施例の半導体レーザ駆動回路を基本構成を示すブロック図である。本図に示すように半導体レーザ駆動回路は、スイッチング回路１、基準電圧発生回路２、レーザ駆動部５、発光部６を有することは従来例と同様である。従来例と異なる部分は、発光強度制御部７Ａが設けられ、その出力である第１の制御電流ＩｄがフォトダイオードＰＤのモニタ電流Ｉｍに加算され、その加算電流が第２の制御電流Ｉｐとして誤差増幅回路３に与えられることである。
【００２１】発光強度制御部７Ａは電界効果型トランジスタ（以下、ＦＥＴという）で構成される。ＦＥＴのドレイン電極はスイッチング回路１の出力端に接続され、ソース電極は加算回路に接続されている。そしてゲート電極に発光強度を調整するための発光強度制御信号Ｖｇが入力される。
【００２２】図２はＦＥＴの入出力特性を示したグラフである。本図に示すように、ＦＥＴのゲート・ソース間電圧である制御信号Ｖｇを変化させることにより、ドレイン電流である制御電流Ｉｄを制御することができる。
【００２３】ＦＥＴがオフ状態であると、ドレイン電流である制御電流Ｉｄは流れず、次の（４）式が成り立つ。
Ｉｐ＝Ｉｍ・・・（４）
ＦＥＴがオン状態になって制御電流Ｉｄが流れ、モニタ電流がＩｍ’に変化したとすると、次の（５）式が成り立つ。
Ｉｐ＝Ｉｍ’＋Ｉｄ・・・（５）
【００２４】基準電圧発生回路２の出力（基準信号Ｖｒ）が変化しない限り、誤差増幅回路３の動作原理により制御電流Ｉｐの値は変化しない。このためモニタ電流Ｉｍ’は次の（６）式に示すようにＩｍに比べて制御電流Ｉｄの値分だけ減少する。
Ｉｍ’＝Ｉｐ−Ｉｄ・・・（６）
このためレーザダイオードＬＤの発光強度は制御電流Ｉｄの相当分だけ小さくなる。こうして制御信号Ｖｇの変化により、レーザダイオードＬＤの発光強度を制御することができる。
【００２５】以上のような動作原理を有する半導体レーザ駆動回路の具体例を図３に示す。本図において、従来例の図６と異なる部分は、スイッチング回路１の出力端とフォトダイオードＰＤのアノード側との間に、前述したＦＥＴを設けたことである。図１の場合と同様にＦＥＴのゲート電極に制御信号Ｖｇを与えると、スイッチング回路１が導通しているときドレイン電流が流れる。この電流を制御電流Ｉｄとすると、フォトダイオードＰＤのモニタ電流Ｉｍと加算され、抵抗Ｒ２を介してＧＮＤ側に流れる。従って抵抗Ｒ２の端子電圧をモニタ電圧Ｖｍとすると、この電圧が演算増幅器ＯＰの非反転入力端に入力される。
【００２６】外部から入力される制御信号Ｖｇを大きくすると、ＦＥＴのドレイン電流が大きくなるので、演算増幅器ＯＰに入力されるモニタ信号Ｖｍの値は次の（７）式のようになる。
Ｖｍ＝Ｒ２・（Ｉｍ＋Ｉｄ）・・・（７）
前述したように演算増幅器ＯＰの正及び負の入力が同じになるように帰還回路が動作するので、モニタ信号Ｖｍの値が増加すれば、演算増幅器ＯＰの出力する誤差信号Ｖｅの値は大きくなる。従ってトランジスタＴｒ１のベース電圧が低下し、レーザダイオードＬＤの発光強度は低下する。このように制御信号Ｖｇの値を変化させることにより、発光部６の発光強度を制御することができる。本実施例の場合、制御信号Ｖｇが大きくなれば発光部６の発光強度は小さくなる。
【００２７】このように第１実施例によれば、遠隔から制御信号Ｖｇを操作して発光強度を制御することができ、近接センサそのものを調整しなくて済む。また付加する回路もＦＥＴだけであり、使用実績の高い従来の回路をそのまま活かすことができる。
【００２８】次に本発明の第２実施例における半導体レーザ駆動回路について図４、図５を参照しつつ説明する。尚、第１実施例と同一ブロック及び同一信号名は同一の符号をつけ、それらの詳細な説明は省略する。図４は第２実施例の半導体レーザ駆動回路を基本構成を示すブロック図ある。本図に示すように半導体レーザ駆動回路は、スイッチング回路１、基準電圧発生回路２、誤差増幅回路３、レーザ駆動部５、発光部６、発光強度制御部７Ｂを有することは第１実施例と同様である。
【００２９】発光強度制御部７ＢはＦＥＴで構成され、そのソース電極はＧＮＤに接続され、ドレイン電極は誤差増幅回路３の非反転入力端に接続されている。又ゲート電極に発光強度を制御する制御信号Ｖｈ（発光強度制御信号）が入力される。フォトダイオードＰＤから得られるモニタ電流Ｉｍから、ＦＥＴのドレイン電流である第１の制御電流Ｉｄが減算され、その減算結果である第２の制御電流Ｉｐが誤差増幅回路３に供給されることが、本実施例の特徴である。
【００３０】さてＦＥＴがオフ状態であると、制御電流Ｉｄは流れず、次の（８）式が成り立つ。
Ｉｐ＝Ｉｍ・・・（８）
ＦＥＴがオン状態になって制御電流Ｉｄが流れ、モニタ電流がＩｍ’に変化したとすると、次の（９）式が成り立つ。
Ｉｐ＝Ｉｍ’−Ｉｄ・・・（９）
【００３１】基準電圧発生回路２の出力（基準信号Ｖｒ）が変化しない限り、誤差増幅回路３の動作原理により制御電流Ｉｐの値は変化しない。このためモニタ電流Ｉｍ’は次の（１０）式に示すように、Ｉｍに比べて制御電流Ｉｄの値分だけ増加する。
Ｉｍ’＝Ｉｐ＋Ｉｄ・・・（１０）
このためレーザダイオードＬＤの発光強度は制御電流Ｉｄの相当分だけ大きくなる。
【００３２】以上のような動作原理を有する半導体レーザ駆動回路の具体例を図５に示す。本図において図３と異なる部分は、フォトダイオードＰＤのアノード側とＧＮＤとの間にＦＥＴと抵抗Ｒ１０を直列に設けたことである。図３と同様にＦＥＴのゲート電極に制御信号Ｖｈを与えると、スイッチング回路１が導通している限り、トランジスタＴｒ１も導通する。フォトダイオードＰＤのモニタ電流をＩｍとすると、その電流の一部はＦＥＴの方へ流れる。このため抵抗Ｒ２に流れる制御電流Ｉｐが減少し、その端子電圧（モニタ電圧Ｖｍ）は減少する。
【００３３】外部から入力される制御信号Ｖｈを大きくすると、ＦＥＴのソース電流が大きくなるので、演算増幅器ＯＰに入力されるモニタ信号Ｖｍの値は次の（１１）式のようになる。
Ｖｍ＝Ｒ２・（Ｉｍ−Ｉｄ）・・・（１１）
前述したようには演算増幅器ＯＰの正及び負の入力が同じになるように帰還回路が動作するので、モニタ信号Ｖｍの値が減少すれば、演算増幅器ＯＰの出力する誤差信号Ｖｅの値は小さくなる。従ってトランジスタＴｒ１のベース電圧が上昇し、レーザダイオードＬＤの発光強度は増加する。よって制御信号Ｖｈの値を変化させることにより、発光部６の発光強度を制御することができる。本実施例の場合、制御信号Ｖｈの値と発光部６の発光強度の関係はほぼ正比例する。
【００３４】以上の第１及び第２実施例では、スイッチング回路１の動作により、レーザダイオードＬＤをパルス駆動する場合を述べたが、直流変調方式の半導体レーザ駆動回路についても同様の効果が得られ。この場合、スイッチング回路１の入力パルスＳＰがＬレベルになった場合の動作と同等と考えればよく、レーザダイオードＬＤの直流発光強度は、制御信号Ｖｇ、Ｖｈによって同様の制御が可能である。従ってスイッチング回路１は本発明の必須構成要素ではない。
【００３５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、従来の半導体レーザ駆動回路に一部に発光強度制御部を付加するだけで、レーザ発光素子の発光強度を外部の入力信号により制御することができる。この場合誤差増幅部のオフセット電圧の影響を受けることなく、レーザ発光素子の発光強度を増加方向及び減少方向に調整できる。従ってこの半導体レーザ駆動回路を変位センサに用いた場合、検知物体の反射面の性質に併せてレーザ発光素子の強度を遠隔から調整できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例における半導体レーザ駆動回路の基本構成図である。
【図２】本発明の各実施例に用いられるＦＥＴの入出力特性図である。
【図３】第１実施例の半導体レーザ駆動回路の具体例を示す回路図である。
【図４】本発明の第２実施例における半導体レーザ駆動回路の基本構成図である。
【図５】第２実施例の半導体レーザ駆動回路の具体例を示す回路図である。
【図６】従来例の半導体レーザ駆動回路の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
１ スイッチング回路
２ 基準電圧発生回路
３ 誤差増幅回路
４ 充放電回路
５ レーザ駆動部
６ 発光部
７Ａ，７Ｂ 発光強度制御部
Ｒ１〜Ｒ１０ 抵抗
Ｃ１，Ｃ２ コンデンサ
Ｔｒ１〜Ｔｒ３ トランジスタ
ＬＤ レーザダイオード
ＰＤ フォトダイオード
Ｄ３ 定電圧ダイオード
Ｖｍ モニタ信号
Ｖｒ 基準信号
Ｖｅ 誤差信号
Ｖｇ，Ｖｈ 制御信号
Ｉｄ 第１の制御電流
Ｉｐ 第２の制御電流
Ｉｍ モニタ電流
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザビームの強度を外部入力により制御する変位センサの半導体レーザ駆動回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】検知物体の位置、移動、又は種類を検出するために各種の変位センサが用いられている。変位センサは一般にレーザビームを出射する投光部と、検知物体から反射光を受光する受光部とを含んで構成される。そして投光部には半導体レーザが用いられ、これを駆動するために半導体レーザ駆動回路が設けられている。
【０００３】半導体レーザ駆動回路も連続光（ＣＷ光）を出力するものと、パルス光を出力するものがある。いずれもレーザダイオードＬＤの温度上昇による光出力変化を防止するために、レーザダイオードＬＤを保持するステムにフォトダイオードＰＤを取付け、フォトダイオードＰＤの出力電流をモニタすることにより、レーザダイオードＬＤの光出力の安定化を図る補償回路が設けられている。
【０００４】図６はこのような機能を有する従来の半導体レーザ駆動回路の一例である。この半導体レーザ駆動回路は大きく分けて、スイッチング回路１、基準電圧発生回路２、誤差増幅回路３、充放電回路４、レーザ駆動部５、発光部６を含んで構成される。
【０００５】発光部６からスイッチング回路１にかけてその構成を説明する。発光部６は同一ステムに取付けられたレーザダイオードＬＤとフォトダイオードＰＤ（受光素子）を有し、レーザダイオードＬＤのカソード側に保護抵抗Ｒ１が接続され、フォトダイオードＰＤのアノード側にモニタ用抵抗Ｒ２が接続されている。これらの抵抗Ｒ１，Ｒ２の片端は共にＧＮＤラインに接続され、レーザダイオードＬＤのアノード側とフォトダイオードＰＤのカソード側は共通接続されている。
【０００６】レーザ駆動部５は発光部６に駆動電流を供給する回路であり、ＮＰＮ型のトランジスタＴｒ１で構成される。トランジスタＴｒ１のエミッタは発光部６に、コレクタはスイッチング回路１の出力端に、ベースは誤差増幅回路３の出力端に夫々接続される。充放電回路４は抵抗Ｒ３とコンデンサＣ１の並列接続体で構成され、コンデンサＣ１の充電及び放電によりレーザダイオードＬＤのパルス電流の立ち上がり及び立ち下がり時定数を規定する回路である。
【０００７】誤差増幅回路３は、抵抗Ｒ２の両端から得られるモニタ信号Ｖｍと、基準電圧発生回路２で発生した基準信号Ｖｒとが入力され、それらの差分値を増幅して補正信号を生成する回路である。誤差増幅回路３内の演算増幅器ＯＰは、その非反転入力端にモニタ信号Ｖｍが入力され、反転入力端に基準信号Ｖｒが入力されるとそれらの差分値を増幅し、誤差信号ＶｅをトランジスタＴｒ２のベースに供給する。ＮＰＮ型のトランジスタＴｒ２のコレクタとスイッチング回路１の出力端の間には、抵抗Ｒ４とダイオードＤ２とが直列に接続されている。またトランジスタＴｒ２のエミッタは抵抗Ｒ５を介してＧＮＤラインに接続されている。そしてダイオードＤ２のカソード側とＧＮＤライン間に充放電回路４が接続される。尚、演算増幅器ＯＰの出力端と反転入力端にノイズ防止用のコンデンサＣ２が接続されている。
【０００８】基準電圧発生回路２は誤差増幅回路３に対して基準信号（パルス）Ｖｒを発生する回路である。スイッチング回路１の出力端とＧＮＤライン間に抵抗Ｒ８と定電圧ダイオードＤ３が直列に接続され、定電圧ダイオードＤ３の基準電圧と等しい波高値を持つ電圧パルスが定電圧ダイオードＤ３の両端に発生する。このパルスは抵抗Ｒ６、Ｒ７で電圧が分圧され、演算増幅器ＯＰの反転入力端に基準信号Ｖｒとして与えられる。
【０００９】スイッチング回路１は電源（電圧＋Ｖｃ）を入力パルスＳＰに基づいて開閉する回路であり、スイッチングのトランジスタＴｒ３と抵抗Ｒ９により構成される。ここでは例えばトランジスタＴｒ３をＰＮＰ型とすると、入力パルスＳＰがＬレベル時にオン状態になり、エミッタに接続された抵抗Ｒ９を介してコレクタ側にパルス電圧が供給される。
【００１０】このように構成された従来の半導体レーザ駆動回路の動作について説明する。先ず電源電圧ＶｃをトランジスタＴｒ３でスイッチングすることにより、電圧Ｖｃを有するパルス電圧を基準電圧発生回路２、誤差増幅回路３、レーザ駆動部５に供給する。入力パルスＳＰがＬレベルのとき、トランジスタＴｒ３が導通し、抵抗Ｒ４とダイオードＤ２とを介して充放電回路４のコンデンサＣ１が充電される。このときの充電電流はトランジスタＴｒ２の導通状態によって変化するが、今仮に演算増幅器ＯＰの出力する誤差信号Ｖｅが０Ｖとすると、トランジスタＴｒ２はオフか、又はバイアス電流程度で動作するものとする。この場合は充電完了後のトランジスタＴｒ１のベース電圧Ｖｂ１は次の（１）式の値となる。
Ｖｂ１＝（Ｒ３＋ｒ２）／（Ｒ３＋Ｒ４＋ｒ２）・Ｖｃ・・・（１）
但しｒ２はダイオードＤ２のオン時の順方向抵抗とする。
【００１１】この場合の電圧Ｖｂ１の値は、エミッタ負荷を持つトランジタＴｒ１を導通させる値であり、レーザダイオードＬＤに駆動電流が供給される。レーザダイオードＬＤが発光すると、フォトダイオードＰＤにレーザ発光強度に比例したモニタ電流Ｉｍが流れる。この電流Ｉｍは抵抗Ｒ２により電圧に変換され、次の（２）式のモニタ信号Ｖｍが演算増幅器ＯＰの非反転入力端に入力される。
Ｖｍ＝Ｉｍ・Ｒ２・・・（２）
【００１２】一方、入力パルスＳＰのＬレベル時に、次の（３）式で示すよな基準信号Ｖｒが演算増幅器ＯＰの反転入力端に与えられている。
Ｖｒ＝Ｒ６／（Ｒ６＋Ｒ７）・Ｖｚ・・・（３）
但しＶｚはダイオードＤ３の基準電圧とする。
【００１３】一般に、演算増幅器ＯＰがリニア領域で外部回路を通して負帰還のかかった状態で動作しているときは、非反転入力端と反転入力端の電圧が相等しくなるようその出力値が制御される。一方、トランジスタＴｒ２は演算増幅器ＯＰの出力する誤差信号Ｖｅで動作するので、誤差信号Ｖｅの値が正であればトランジスタＴｒ２のエミッタ電流は増加する。誤差信号Ｖｅの値が負であればトランジスタＴｒ２のエミッタ電流は減少する。このためトランジスタＴｒ１のベース電圧Ｖｂ１は、誤差信号Ｖｅの値が正であれば下降し、負であれば上昇する。誤差信号Ｖｅの値が正とは、レーダダイオードＬＤの発光強度が基準値より高いことを意味し、誤差信号Ｖｅの値が負とは発光強度が基準値より低いことを意味する。従って基準信号Ｖｒとモニタ信号Ｖｍの値とのバランスが取れているときは、レーザダイオードＬＤの発光強度は、基準信号発生回路２で生成される基準信号Ｖｒに比例した値に制御されることなる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】以上のようにフォトダイオードＰＤから出力されるモニタ電流Ｉｍの値を一定に保つことにより、レーザダイオードＬＤの発光強度を一定値に制御している。ここでにレーザダイオードＬＤの発光強度を変化させる場合を考える。変位センタの検知物体の表面状態はその種類によって多様に変化する。特に検知物体の種類が変わり、反射率が大幅に変化すると、その都度発光部６の発光強度を調節しなければならない。ところが図６に示すような構成であれば、レーザダイオードＬＤの発光強度を変化させるには、誤差増幅回路３に入力する基準信号Ｖｒの値を変化させるか、またはフォトダイオードＰＤによるモニタ信号Ｖｍの値を変化させなければならない。
【００１５】ここで基準信号Ｖｒの値を変化させる方法について簡単に説明する。発光部６の発光強度を大きくするには基準信号Ｖｒの値を大きくし、発光強度を小さくするには基準信号Ｖｒの値を小さくすればよい。しかし基準信号Ｖｒの電圧は通常１Ｖ前後であり、１Ｖより大きくすると制御が困難になる。又基準信号Ｖｒの電圧を小さくすると、演算増幅器ＯＰのオフセット電圧の影響を受け易くなる。このため基準信号Ｖｒの値を変化させて発光強度を制御する場合、制御範囲が限定されるという欠点があった。
【００１６】次にモニタ信号Ｖｍの値を変化させる方法であるが、基本的には抵抗Ｒ２を固定抵抗から可変抵抗に代えればよい。しかしこの場合、抵抗Ｒ２の抵抗値を変えるためには、調整ねじを直接手で操作しなければならず、小型の変位センサに取り付けられる半導体レーザ駆動装置においては調整の作業性に問題がある。又電源の電圧Ｖｃを制御することも考えられるが、変位センサに用いる電源電圧は規定の値になっており、この部分での調整は実際上不可能であった。
【００１７】本発明はこのような従来の問題点に鑑みてなされたものであって、電気信号によってレーザダイオードＬＤの発光強度を設定でき、且つ温度補償や発光強度の安定化のための補償回路のついた半導体レーザ駆動回路を実現することを目的とする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本願請求項１記載の発明は、レーザ光を発光するレーザ発光素子と、レーザ発光素子の発光強度をモニタする受光素子と、レーザ発光素子を駆動するレーザ駆動部と、基準信号を生成する基準電圧発生部と、基準電圧発生部の基準信号と受光素子のモニタ信号とが入力され、これらの信号を差動増幅し、その差分信号を制御信号としてレーザ駆動部に出力する誤差増幅部と、レーザ発光素子の発光強度を調整する発光強度制御信号が入力され、誤差増幅部に入力されるモニタ信号に、発光強度制御信号を重畳させる発光強度制御部と、を具備する変位センサの半導体レーザ駆動回路において、発光強度制御部は、レーザ駆動部の電源ラインにドレイン電極が接続され、受光素子のモニタ端子にソース電極が接続された電界効果型トランジスタを含み、電界効果型トランジスタのゲート電極にレーザ発光素子の発光強度を調整する発光強度制御信号が入力され、誤差増幅部に入力するモニタ信号に発光強度制御信号を加算することを特徴とするものである。また本願請求項２記載の発明は、レーザ光を発光するレーザ発光素子と、レーザ発光素子の発光強度をモニタする受光素子と、レーザ発光素子を駆動するレーザ駆動部と、基準信号を生成する基準電圧発生部と、基準電圧発生部の基準信号と受光素子のモニタ信号とが入力され、これらの信号を差動増幅し、その差分信号を制御信号としてレーザ駆動部に出力する誤差増幅部と、レーザ発光素子の発光強度を調整する発光強度制御信号が入力され、誤差増幅部に入力されるモニタ信号に、発光強度制御信号を重畳させる発光強度制御部と、を具備する変位センサの半導体レーザ駆動回路において、発光強度制御部は、受光素子のモニタ出力端にドレイン電極が接続され、レーザ駆動部のグランドラインにソース電極が接続された電界効果型トランジスタを含み、電界効果型トランジスタのゲート電極にレーザ発光素子の発光強度を調整する発光強度制御信号が入力され、モニタ信号から発光強度制御信号を減算することを特徴とするものである。
【００１９】
【作用】このような特徴を有する本発明によれば、レーザ発光素子がレーザ駆動部によりレーザ光を出力すると、受光素子はレーザ発光素子の発光強度に比例したモニタ信号を発生する。誤差増幅部は基準電圧発生部の基準信号と受光素子のモニタ信号とが入力されると、これらの信号を差動増幅してその差分信号を制御信号としてレーザ駆動部に出力する。このとき発光強度制御部によりレーザ発光素子の発光強度を調整する発光強度制御信号が入力されると、誤差増幅部に入力されるモニタ信号に発光強度制御信号を重畳させる。こうすると外部入力により、レーザ発光素子の発光強度を制御することができる。
【００２０】
【実施例】本発明の第１実施例における半導体レーザ駆動回路について図１〜図３を参照しつつ説明する。尚、従来例と同一ブロック及び同一信号名は同一の符号をつけ、それらの詳細な説明は省略する。図１は第１実施例の半導体レーザ駆動回路を基本構成を示すブロック図である。本図に示すように半導体レーザ駆動回路は、スイッチング回路１、基準電圧発生回路２、レーザ駆動部５、発光部６を有することは従来例と同様である。従来例と異なる部分は、発光強度制御部７Ａが設けられ、その出力である第１の制御電流ＩｄがフォトダイオードＰＤのモニタ電流Ｉｍに加算され、その加算電流が第２の制御電流Ｉｐとして誤差増幅回路３に与えられることである。
【００２１】発光強度制御部７Ａは電界効果型トランジスタ（以下、ＦＥＴという）で構成される。ＦＥＴのドレイン電極はスイッチング回路１の出力端に接続され、ソース電極は加算回路に接続されている。そしてゲート電極に発光強度を調整するための発光強度制御信号Ｖｇが入力される。
【００２２】図２はＦＥＴの入出力特性を示したグラフである。本図に示すように、ＦＥＴのゲート・ソース間電圧である制御信号Ｖｇを変化させることにより、ドレイン電流である制御電流Ｉｄを制御することができる。
【００２３】ＦＥＴがオフ状態であると、ドレイン電流である制御電流Ｉｄは流れず、次の（４）式が成り立つ。
Ｉｐ＝Ｉｍ・・・（４）
ＦＥＴがオン状態になって制御電流Ｉｄが流れ、モニタ電流がＩｍ’に変化したとすると、次の（５）式が成り立つ。
Ｉｐ＝Ｉｍ’＋Ｉｄ・・・（５）
【００２４】基準電圧発生回路２の出力（基準信号Ｖｒ）が変化しない限り、誤差増幅回路３の動作原理により制御電流Ｉｐの値は変化しない。このためモニタ電流Ｉｍ’は次の（６）式に示すようにＩｍに比べて制御電流Ｉｄの値分だけ減少する。
Ｉｍ’＝Ｉｐ−Ｉｄ・・・（６）
このためレーザダイオードＬＤの発光強度は制御電流Ｉｄの相当分だけ小さくなる。こうして制御信号Ｖｇの変化により、レーザダイオードＬＤの発光強度を制御することができる。
【００２５】以上のような動作原理を有する半導体レーザ駆動回路の具体例を図３に示す。本図において、従来例の図６と異なる部分は、スイッチング回路１の出力端とフォトダイオードＰＤのアノード側との間に、前述したＦＥＴを設けたことである。図１の場合と同様にＦＥＴのゲート電極に制御信号Ｖｇを与えると、スイッチング回路１が導通しているときドレイン電流が流れる。この電流を制御電流Ｉｄとすると、フォトダイオードＰＤのモニタ電流Ｉｍと加算され、抵抗Ｒ２を介してＧＮＤ側に流れる。従って抵抗Ｒ２の端子電圧をモニタ電圧Ｖｍとすると、この電圧が演算増幅器ＯＰの非反転入力端に入力される。
【００２６】外部から入力される制御信号Ｖｇを大きくすると、ＦＥＴのドレイン電流が大きくなるので、演算増幅器ＯＰに入力されるモニタ信号Ｖｍの値は次の（７）式のようになる。
Ｖｍ＝Ｒ２・（Ｉｍ＋Ｉｄ）・・・（７）
前述したように演算増幅器ＯＰの正及び負の入力が同じになるように帰還回路が動作するので、モニタ信号Ｖｍの値が増加すれば、演算増幅器ＯＰの出力する誤差信号Ｖｅの値は大きくなる。従ってトランジスタＴｒ１のベース電圧が低下し、レーザダイオードＬＤの発光強度は低下する。このように制御信号Ｖｇの値を変化させることにより、発光部６の発光強度を制御することができる。本実施例の場合、制御信号Ｖｇが大きくなれば発光部６の発光強度は小さくなる。
【００２７】このように第１実施例によれば、遠隔から制御信号Ｖｇを操作して発光強度を制御することができ、近接センサそのものを調整しなくて済む。また付加する回路もＦＥＴだけであり、使用実績の高い従来の回路をそのまま活かすことができる。
【００２８】次に本発明の第２実施例における半導体レーザ駆動回路について図４、図５を参照しつつ説明する。尚、第１実施例と同一ブロック及び同一信号名は同一の符号をつけ、それらの詳細な説明は省略する。図４は第２実施例の半導体レーザ駆動回路を基本構成を示すブロック図ある。本図に示すように半導体レーザ駆動回路は、スイッチング回路１、基準電圧発生回路２、誤差増幅回路３、レーザ駆動部５、発光部６、発光強度制御部７Ｂを有することは第１実施例と同様である。
【００２９】発光強度制御部７ＢはＦＥＴで構成され、そのソース電極はＧＮＤに接続され、ドレイン電極は誤差増幅回路３の非反転入力端に接続されている。又ゲート電極に発光強度を制御する制御信号Ｖｈ（発光強度制御信号）が入力される。フォトダイオードＰＤから得られるモニタ電流Ｉｍから、ＦＥＴのドレイン電流である第１の制御電流Ｉｄが減算され、その減算結果である第２の制御電流Ｉｐが誤差増幅回路３に供給されることが、本実施例の特徴である。
【００３０】さてＦＥＴがオフ状態であると、制御電流Ｉｄは流れず、次の（８）式が成り立つ。
Ｉｐ＝Ｉｍ・・・（８）
ＦＥＴがオン状態になって制御電流Ｉｄが流れ、モニタ電流がＩｍ’に変化したとすると、次の（９）式が成り立つ。
Ｉｐ＝Ｉｍ’−Ｉｄ・・・（９）
【００３１】基準電圧発生回路２の出力（基準信号Ｖｒ）が変化しない限り、誤差増幅回路３の動作原理により制御電流Ｉｐの値は変化しない。このためモニタ電流Ｉｍ’は次の（１０）式に示すように、Ｉｍに比べて制御電流Ｉｄの値分だけ増加する。
Ｉｍ’＝Ｉｐ＋Ｉｄ・・・（１０）
このためレーザダイオードＬＤの発光強度は制御電流Ｉｄの相当分だけ大きくなる。
【００３２】以上のような動作原理を有する半導体レーザ駆動回路の具体例を図５に示す。本図において図３と異なる部分は、フォトダイオードＰＤのアノード側とＧＮＤとの間にＦＥＴと抵抗Ｒ１０を直列に設けたことである。図３と同様にＦＥＴのゲート電極に制御信号Ｖｈを与えると、スイッチング回路１が導通している限り、トランジスタＴｒ１も導通する。フォトダイオードＰＤのモニタ電流をＩｍとすると、その電流の一部はＦＥＴの方へ流れる。このため抵抗Ｒ２に流れる制御電流Ｉｐが減少し、その端子電圧（モニタ電圧Ｖｍ）は減少する。
【００３３】外部から入力される制御信号Ｖｈを大きくすると、ＦＥＴのソース電流が大きくなるので、演算増幅器ＯＰに入力されるモニタ信号Ｖｍの値は次の（１１）式のようになる。
Ｖｍ＝Ｒ２・（Ｉｍ−Ｉｄ）・・・（１１）
前述したようには演算増幅器ＯＰの正及び負の入力が同じになるように帰還回路が動作するので、モニタ信号Ｖｍの値が減少すれば、演算増幅器ＯＰの出力する誤差信号Ｖｅの値は小さくなる。従ってトランジスタＴｒ１のベース電圧が上昇し、レーザダイオードＬＤの発光強度は増加する。よって制御信号Ｖｈの値を変化させることにより、発光部６の発光強度を制御することができる。本実施例の場合、制御信号Ｖｈの値と発光部６の発光強度の関係はほぼ正比例する。
【００３４】以上の第１及び第２実施例では、スイッチング回路１の動作により、レーザダイオードＬＤをパルス駆動する場合を述べたが、直流変調方式の半導体レーザ駆動回路についても同様の効果が得られ。この場合、スイッチング回路１の入力パルスＳＰがＬレベルになった場合の動作と同等と考えればよく、レーザダイオードＬＤの直流発光強度は、制御信号Ｖｇ、Ｖｈによって同様の制御が可能である。従ってスイッチング回路１は本発明の必須構成要素ではない。
【００３５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、従来の半導体レーザ駆動回路に一部に発光強度制御部を付加するだけで、レーザ発光素子の発光強度を外部の入力信号により制御することができる。この場合誤差増幅部のオフセット電圧の影響を受けることなく、レーザ発光素子の発光強度を増加方向及び減少方向に調整できる。従ってこの半導体レーザ駆動回路を変位センサに用いた場合、検知物体の反射面の性質に併せてレーザ発光素子の強度を遠隔から調整できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例における半導体レーザ駆動回路の基本構成図である。
【図２】本発明の各実施例に用いられるＦＥＴの入出力特性図である。
【図３】第１実施例の半導体レーザ駆動回路の具体例を示す回路図である。
【図４】本発明の第２実施例における半導体レーザ駆動回路の基本構成図である。
【図５】第２実施例の半導体レーザ駆動回路の具体例を示す回路図である。
【図６】従来例の半導体レーザ駆動回路の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
１ スイッチング回路
２ 基準電圧発生回路
３ 誤差増幅回路
４ 充放電回路
５ レーザ駆動部
６ 発光部
７Ａ，７Ｂ 発光強度制御部
Ｒ１〜Ｒ１０ 抵抗
Ｃ１，Ｃ２ コンデンサ
Ｔｒ１〜Ｔｒ３ トランジスタ
ＬＤ レーザダイオード
ＰＤ フォトダイオード
Ｄ３ 定電圧ダイオード
Ｖｍ モニタ信号
Ｖｒ 基準信号
Ｖｅ 誤差信号
Ｖｇ，Ｖｈ 制御信号
Ｉｄ 第１の制御電流
Ｉｐ 第２の制御電流
Ｉｍ モニタ電流
【特許請求の範囲】
【請求項１】 レーザ光を発光するレーザ発光素子と、前記レーザ発光素子の発光強度をモニタする受光素子と、前記レーザ発光素子を駆動するレーザ駆動部と、基準信号を生成する基準電圧発生部と、前記基準電圧発生部の基準信号と前記受光素子のモニタ信号とが入力され、これらの信号を差動増幅し、その差分信号を制御信号として前記レーザ駆動部に出力する誤差増幅部と、前記レーザ発光素子の発光強度を調整する発光強度制御信号が入力され、前記誤差増幅部に入力されるモニタ信号に、前記発光強度制御信号を重畳させる発光強度制御部と、を具備する変位センサの半導体レーザ駆動回路において、前記発光強度制御部は、前記レーザ駆動部の電源ラインにドレイン電極が接続され、前記受光素子のモニタ端子にソース電極が接続された電界効果型トランジスタを含み、前記電界効果型トランジスタのゲート電極に前記レーザ発光素子の発光強度を調整する発光強度制御信号が入力され、前記誤差増幅部に入力するモニタ信号に前記発光強度制御信号を加算するものであることを特徴とする変位センサの半導体レーザ駆動回路。
【請求項２】 レーザ光を発光するレーザ発光素子と、前記レーザ発光素子の発光強度をモニタする受光素子と、前記レーザ発光素子を駆動するレーザ駆動部と、基準信号を生成する基準電圧発生部と、前記基準電圧発生部の基準信号と前記受光素子のモニタ信号とが入力され、これらの信号を差動増幅し、その差分信号を制御信号として前記レーザ駆動部に出力する誤差増幅部と、前記レーザ発光素子の発光強度を調整する発光強度制御信号が入力され、前記誤差増幅部に入力されるモニタ信号に、前記発光強度制御信号を重畳させる発光強度制御部と、を具備する変位センサの半導体レーザ駆動回路において、前記発光強度制御部は、前記受光素子のモニタ出力端にドレイン電極が接続され、前記レーザ駆動部のグランドラインにソース電極が接続された電界効果型トランジスタを含み、前記電界効果型トランジスタのゲート電極に前記レーザ発光素子の発光強度を調整する発光強度制御信号が入力され、前記モニタ信号から前記発光強度制御信号を減算するものであることを特徴とする変位センサの半導体レーザ駆動回路。
【請求項１】 レーザ光を発光するレーザ発光素子と、前記レーザ発光素子の発光強度をモニタする受光素子と、前記レーザ発光素子を駆動するレーザ駆動部と、基準信号を生成する基準電圧発生部と、前記基準電圧発生部の基準信号と前記受光素子のモニタ信号とが入力され、これらの信号を差動増幅し、その差分信号を制御信号として前記レーザ駆動部に出力する誤差増幅部と、前記レーザ発光素子の発光強度を調整する発光強度制御信号が入力され、前記誤差増幅部に入力されるモニタ信号に、前記発光強度制御信号を重畳させる発光強度制御部と、を具備する変位センサの半導体レーザ駆動回路において、前記発光強度制御部は、前記レーザ駆動部の電源ラインにドレイン電極が接続され、前記受光素子のモニタ端子にソース電極が接続された電界効果型トランジスタを含み、前記電界効果型トランジスタのゲート電極に前記レーザ発光素子の発光強度を調整する発光強度制御信号が入力され、前記誤差増幅部に入力するモニタ信号に前記発光強度制御信号を加算するものであることを特徴とする変位センサの半導体レーザ駆動回路。
【請求項２】 レーザ光を発光するレーザ発光素子と、前記レーザ発光素子の発光強度をモニタする受光素子と、前記レーザ発光素子を駆動するレーザ駆動部と、基準信号を生成する基準電圧発生部と、前記基準電圧発生部の基準信号と前記受光素子のモニタ信号とが入力され、これらの信号を差動増幅し、その差分信号を制御信号として前記レーザ駆動部に出力する誤差増幅部と、前記レーザ発光素子の発光強度を調整する発光強度制御信号が入力され、前記誤差増幅部に入力されるモニタ信号に、前記発光強度制御信号を重畳させる発光強度制御部と、を具備する変位センサの半導体レーザ駆動回路において、前記発光強度制御部は、前記受光素子のモニタ出力端にドレイン電極が接続され、前記レーザ駆動部のグランドラインにソース電極が接続された電界効果型トランジスタを含み、前記電界効果型トランジスタのゲート電極に前記レーザ発光素子の発光強度を調整する発光強度制御信号が入力され、前記モニタ信号から前記発光強度制御信号を減算するものであることを特徴とする変位センサの半導体レーザ駆動回路。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【特許番号】特許第３４２８２２０号（Ｐ３４２８２２０）
【登録日】平成１５年５月１６日（２００３．５．１６）
【発行日】平成１５年７月２２日（２００３．７．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願平７−７０５７２
【出願日】平成７年３月３日（１９９５．３．３）
【公開番号】特開平８−２４２０３１
【公開日】平成８年９月１７日（１９９６．９．１７）
【審査請求日】平成１２年４月５日（２０００．４．５）
【出願人】（０００００２９４５）オムロン株式会社 (3,542)
【参考文献】
【文献】特開 平５−１７５５４５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平７−４９２２６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平３−１６５０８５（ＪＰ，Ａ）
【文献】実開 平３−９０１４３（ＪＰ，Ｕ）
【登録日】平成１５年５月１６日（２００３．５．１６）
【発行日】平成１５年７月２２日（２００３．７．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成７年３月３日（１９９５．３．３）
【公開番号】特開平８−２４２０３１
【公開日】平成８年９月１７日（１９９６．９．１７）
【審査請求日】平成１２年４月５日（２０００．４．５）
【出願人】（０００００２９４５）オムロン株式会社 (3,542)
【参考文献】
【文献】特開 平５−１７５５４５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平７−４９２２６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開 平３−１６５０８５（ＪＰ，Ａ）
【文献】実開 平３−９０１４３（ＪＰ，Ｕ）
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