実装構造体、および実装構造体の製造方法
【課題】 従来の実装構造体では、落下などに起因する衝撃に対しての要求される耐衝撃性を確保できない場合があった。
【解決手段】 基板表面１２１０に垂直な方向の凸部１５１０の厚さは、基板表面１２１０に垂直な方向のソルダレジスト１４００の厚さより、１０μｍ以上４０μｍ以下の範囲で大きく、基板電極１３１１および１３１２の、基板表面１２１０の部分１２２０の側にある電極辺１３２１および１３２２の方向の、凸部１５１０の長さは、電極辺１３２１および１３２２の長さの８０％以上１２０％以下であり、凸部１５１０と電極辺１３２１および１３２２との間の距離は、０ｍｍ以上０．７ｍｍ以下であり、凸部１５１０は、基板電極１３１１および１３１２の電極表面に面接触しないように形成されている、実装構造体１０００である。
【解決手段】 基板表面１２１０に垂直な方向の凸部１５１０の厚さは、基板表面１２１０に垂直な方向のソルダレジスト１４００の厚さより、１０μｍ以上４０μｍ以下の範囲で大きく、基板電極１３１１および１３１２の、基板表面１２１０の部分１２２０の側にある電極辺１３２１および１３２２の方向の、凸部１５１０の長さは、電極辺１３２１および１３２２の長さの８０％以上１２０％以下であり、凸部１５１０と電極辺１３２１および１３２２との間の距離は、０ｍｍ以上０．７ｍｍ以下であり、凸部１５１０は、基板電極１３１１および１３１２の電極表面に面接触しないように形成されている、実装構造体１０００である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品を電子回路基板に実装するための、実装構造体、および実装構造体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
導電性フィラーを構成するための半田粒子からなる半田と、粘度の調整などを行うためのフラックス成分と、を含む組成物であるクリーム半田などの導電性ペーストが、電子部品を電子回路基板に実装するために利用されている。
【０００３】
近年、電子部品のパッケージサイズは、微細化される傾向にある。
【０００４】
そのため、電子部品が実装される電子回路基板の基板表面に形成された基板電極の上に塗布された導電性ペーストが電子部品と接触する面積は、小さくなってきている。
【０００５】
よって、落下などに起因する衝撃に対しての耐衝撃性を確保することは、必ずしも容易ではない。
【０００６】
そこで、半田と、フラックス成分と、に加えて、エポキシ樹脂などの補強用の樹脂を含む導電性ペーストの開発が、半田接合部を補強する目的で進められている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００７】
ここで、従来の実装構造体１０００ｐの模式的な断面図である図１９を参照しながら、従来の実装構造体１０００ｐの構成、およびその製造方法について説明する。
【０００８】
以下の説明においては、三次元空間の直交座標系を定めるための、互いに直交する三本の数直線であるＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸が利用される。
【０００９】
基板表面１２１０の全体にあらかじめ形成されていた回路パターン用の銅箔の内、回路パターンに対応する部分以外の部分が除去され、基板電極１３１１および１３１２などの回路パターンが基板表面１２１０に形成される。
【００１０】
回路パターンが前述の通り形成された基板表面１２１０の全体に塗布されたソルダレジスト用のインキの内、基板電極１３１１および１３１２などに対応する部分が除去され、ソルダレジスト１４００が同部分を除いて基板表面１２１０に形成される。
【００１１】
半田と、フラックス成分と、樹脂と、を含む導電性ペーストが基板電極１３１１および１３１２の上に塗布され、電子部品１１００が塗布された導電性ペーストの上に載置される。
【００１２】
導電性ペーストが塗布され、電子部品１１００が載置された電子回路基板１２００は、加熱される。
【００１３】
すると、樹脂は半田と分離し、半田と分離した樹脂は半田によって形成された半田接合部１６１１および１６１２を＋Ｚ方向に濡れ上がって硬化し、半田接合部１６１１および１６１２を覆う樹脂補強部１７１０ｐが形成される。
【００１４】
このようにして、半田接合部１６１１および１６１２による半田接合と、樹脂補強部１７１０ｐによる樹脂補強と、が同時に行われ、落下などに起因する衝撃に対しての耐衝撃性が確保された実装構造体１０００ｐが得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２０１０−７７２７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、前述した従来の実装構造体１０００ｐでは、要求される耐衝撃性を確保できない場合があることが判明した。
【００１７】
すなわち、導電性ペーストが加熱され、補強用の樹脂が半田と分離すると、半田と分離した樹脂は電子部品１１００の部品下面１１１０の下側の空隙に優先的に充填されてしまう。
【００１８】
これは、加熱された樹脂はその粘度が低くなるために比較的に高い流動性をもち、毛細管現象が発生するからである。
【００１９】
そして、実質的に平坦なソルダレジスト１４００のレジスト表面１４１０と、部品下面１１１０と、の間の距離（ｄ）が通常３０〜１００μｍ程度はある前述した空隙の体積、したがって同空隙に充填されてしまう樹脂の量は、無視できない程度に大きいことがある。
【００２０】
すると、半田と分離した樹脂が半田接合部１６１１および１６１２を＋Ｚ方向に十分に濡れ上がることができず、形成された樹脂補強部１７１０ｐのＺ方向の高さ（Ｈｐ）が半田接合部１６１１および１６１２に比較して小さくなってしまう。
【００２１】
結果的に、要求される耐衝撃性を確保できる樹脂補強部１７１０ｐが形成されない場合が、あった。
【００２２】
本発明は、上述した従来の課題を考慮し、落下などに起因する衝撃に対してのより優れた耐衝撃性を確保することが可能な、実装構造体、および実装構造体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
第１の本発明は、電子回路基板の基板表面に形成された少なくとも二つの基板電極と、
電子部品をそれぞれの前記基板電極に接合する半田接合部と、
前記半田接合部を覆う樹脂補強部と、
前記基板表面に形成されたソルダレジストと、
前記電子部品の下側にあり前記基板電極に挟まれた、前記基板表面の部分に形成された凸部と、
を備え、
前記基板表面に垂直な方向の前記凸部の厚さは、前記基板表面に垂直な前記方向の前記ソルダレジストの厚さより、１０μｍ以上４０μｍ以下の範囲で大きく、
前記基板電極の、前記基板表面の前記部分の側にある電極辺の方向の、前記凸部の長さは、前記電極辺の長さの８０％以上１２０％以下であり、
前記凸部と前記電極辺との間の距離は、０ｍｍ以上０．７ｍｍ以下であり、
前記凸部は、前記基板電極の電極表面に面接触しないように形成されている、実装構造体である。
【００２４】
第２の本発明は、前記凸部の材料は、前記ソルダレジストの材料と異なる、第１の本発明の実装構造体である。
【００２５】
第３の本発明は、前記基板表面の前記部分に形成された基板配線を備え、
前記凸部は、前記基板配線と、前記基板配線の上に形成された前記ソルダレジストと、によって構成されている、第１の本発明の実装構造体である。
【００２６】
第４の本発明は、前記凸部の前記厚さは、前記ソルダレジストの前記厚さより、２５μｍ以上の範囲で大きく、
前記凸部の前記長さは、前記電極辺の前記長さの１００％以上であり、
前記凸部と前記電極辺との間の前記距離は、０．３ｍｍ以下である、第１の本発明の実装構造体である。
【００２７】
第５の本発明は、少なくとも二つの基板電極を、電子回路基板の基板表面に形成する基板電極形成ステップと、
ソルダレジストを、前記基板表面に形成するソルダレジスト形成ステップと、
所定の部材を、前記基板電極に挟まれた、前記ソルダレジストのレジスト表面に形成する部材形成ステップと、
半田と、フラックス成分と、樹脂と、を含む導電性ペーストを、前記基板電極の上に塗布する導電性ペースト塗布ステップと、
電子部品を、前記塗布された導電性ペーストの上に載置する電子部品載置ステップと、
前記基板電極と、前記ソルダレジストと、前記部材と、が形成され、前記導電性ペーストが塗布され、前記電子部品が載置された前記電子回路基板を加熱する加熱ステップと、
を備えた、実装構造体の製造方法である。
【発明の効果】
【００２８】
本発明により、落下などに起因する衝撃に対してのより優れた耐衝撃性を確保することが可能な、実装構造体、および実装構造体の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明における実施の形態１の実装構造体の模式的な断面図
【図２】本発明における実施の形態１の実装構造体の模式的な平面図
【図３】本発明における実施の形態２の実装構造体の模式的な断面図
【図４】本発明における実施の形態２の実装構造体の模式的な平面図
【図５】本発明における実施例１の実装構造体の模式的な平面図
【図６】本発明における実施例２の実装構造体の模式的な平面図
【図７】本発明における実施例３の実装構造体の模式的な平面図
【図８】本発明における実施例４の実装構造体の模式的な平面図
【図９】本発明における実施例５の実装構造体の模式的な平面図
【図１０】本発明における実施例６の実装構造体の模式的な平面図
【図１１】本発明における実施例７の実装構造体の模式的な平面図
【図１２】本発明における実施例８の実装構造体の模式的な平面図
【図１３】本発明における比較例１の実装構造体の模式的な平面図
【図１４】本発明における比較例２の実装構造体の模式的な平面図
【図１５】本発明における比較例３の実装構造体の模式的な平面図
【図１６】本発明における比較例４の実装構造体の模式的な平面図
【図１７】本発明における比較例５の実装構造体の模式的な平面図
【図１８】本発明における実施例１〜８およびおよび比較例１〜５の実装構造体に対して行われた耐衝撃試験の結果を説明する説明図
【図１９】従来の実装構造体の模式的な断面図
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、図面を参照しながら、本発明における実施の形態について詳細に説明する。
【００３１】
（実施の形態１）
はじめに、本発明における実施の形態１の実装構造体の模式的な断面図である図１、および本発明における実施の形態１の実装構造体の模式的な平面図である図２を主として参照しながら、本実施の形態の実装構造体１０００の構成について説明する。
【００３２】
ここに、図２においては、電子部品１１００などの図示が省略されている。
【００３３】
実装構造体１０００は、少なくとも二つの基板電極１３１１および１３１２と、半田接合部１６１１および１６１２と、樹脂補強部１７１０と、ソルダレジスト１４００と、凸部１５１０と、を備えている。
【００３４】
以下では、実装構造体１０００の構成についてより具体的に説明する。
【００３５】
基板電極１３１１および１３１２は、電子回路基板１２００の基板表面１２１０に形成されている。
【００３６】
半田接合部１６１１および１６１２は、電子部品１１００をそれぞれの基板電極１３１１および１３１２に接合している。
【００３７】
ここに、電子部品１１００は、チップ部品などである。
【００３８】
樹脂補強部１７１０は、半田接合部１６１１および１６１２を覆っている。
【００３９】
なお、基板表面１２１０に垂直な方向（Ｚ方向）の樹脂補強部１７１０の高さ（Ｈ）は、実質的に０．１ｍｍ以上である。
【００４０】
ここに、ソルダレジスト１４００は基板表面１２１０に直接的に形成されているので、高さ（Ｈ）は実質的に平坦なソルダレジスト１４００のレジスト表面１４１０を基準として定義されている。
【００４１】
ソルダレジスト１４００は、基板表面１２１０に形成されている。
【００４２】
ソルダレジスト１４００は、後述の通りソルダレジスト用のインキを利用して形成された厚さ（Ｔ）３０μｍ程度のレジストである。
【００４３】
凸部１５１０は、電子部品１１００の下側（−Ｚ側）にあり基板電極１３１１および１３１２に挟まれた、基板表面１２１０の部分１２２０に形成されている。
【００４４】
もちろん、後述されるように、凸部１５１０の長さ（λ）が電極辺１３２１および１３２２の長さ（Ｌ１およびＬ２）より大きい場合もあり、そのような場合には凸部１５１０の端部は電極辺１３２１および／または１３２２の端部よりも飛び出す。
【００４５】
基板表面１２１０に垂直な方向（Ｚ方向）の凸部１５１０の厚さ（τ）は、基板表面１２１０に垂直な方向（Ｚ方向）のソルダレジスト１４００の厚さ（Ｔ）より、実質的に１０μｍ以上４０μｍ以下の範囲で大きい。
【００４６】
ここに、厚さτは、基板表面１２１０を基準として定義されている。
【００４７】
より具体的には、凸部１５１０は、後述の通りシルクプリント用のインキを利用してレジスト表面１４１０に形成された厚さ（τ−Ｔ＞０）１０〜４０μｍ程度の略直方体の形状を有するシルクプリント１５２０と、シルクプリント１５２０の−Ｚ側にある厚さ（Ｔ）３０μｍ程度のソルダレジスト１４００と、で構成されている。
【００４８】
したがって、シルクプリント１５２０のシルクプリント表面１５３０と、電子部品１１００の部品下面１１１０と、の間のＺ方向のギャップ（ｇ）は、実質的に平坦なソルダレジスト１４００のレジスト表面１４１０と、部品下面１１１０と、の間の距離（ｄ）が４０μｍ程度であれば、大きくても３０μｍ程度しかない。
【００４９】
ここに、凸部１５１０の厚さ（τ）とソルダレジスト１４００の厚さ（Ｔ）との差（τ−Ｔ＞０）が１０μｍより小さいと、部品下面１１１０の下側の空隙への樹脂の浸透を十分に抑制できない恐れがある。
【００５０】
そして、凸部１５１０の厚さ（τ）とソルダレジスト１４００の厚さ（Ｔ）との差（τ−Ｔ＞０）が４０μｍより大きいと、導電性ペースト塗布ステップにおけるメタルマスクの面と基板電極１３１１および１３１２の電極表面との間に形成されるギャップが無視できなくなり、基板電極１３１１および１３１２の上に塗布された導電性ペーストの印刷形状が悪化してしまう恐れがある。
【００５１】
なお、凸部１５１０の材料は、ソルダレジスト１４００の材料と異なっているが、ソルダレジスト１４００の材料と同じであってもよい。
【００５２】
もちろん、凸部１５１０がシルクプリント１５２０と、ソルダレジスト１４００と、で前述の通り構成されているので、凸部１５１０の材料は、シルクプリント１５２０の材料とソルダレジスト１４００の材料とが異なっていれば、ソルダレジスト１４００の材料と異なっていることになる。
【００５３】
基板電極１３１１および１３１２の、基板表面１２１０の部分１２２０の側にある電極辺１３２１および１３２２の方向（Ｙ方向）の、凸部１５１０の長さ（λ）は、電極辺１３２１および１３２２の長さ（Ｌ１およびＬ２）の実質的に８０％以上１２０％以下である。
【００５４】
もちろん、Ｌ１およびＬ２のように添数が異なる量は、以下の説明では特に断らない限り等しいが、必ずしも等しくなくてもよい（その他の量についても同様である）。
【００５５】
ここに、凸部１５１０の長さ（λ）が電極辺１３２１および１３２２の長さ（Ｌ１およびＬ２）の８０％より小さいと、部品下面１１１０の下側の空隙への樹脂の浸透を十分に抑制できない恐れがある。
【００５６】
そして、凸部１５１０の長さ（λ）が電極辺１３２１および１３２２の長さ（Ｌ１およびＬ２）の１２０％より大きいと、凸部１５１０が隣接する電子部品（図示省略）のランド部分に接触してしまう恐れがある。
【００５７】
凸部１５１０と電極辺１３２１および１３２２との間の距離（δ１およびδ２）は、実質的に０ｍｍ以上０．７ｍｍ以下である。
【００５８】
凸部１５１０は、基板電極１３１１および１３１２の電極表面に面接触しないように形成されている。
【００５９】
ここに、凸部１５１０と電極辺１３２１および１３２２との間の距離（δ１およびδ２）が０．７ｍｍより大きいと、部品下面１１１０の下側の空隙への樹脂の浸透を十分に抑制できない恐れがある。
【００６０】
もちろん、凸部１５１０が基板電極１３１１および１３１２の電極表面に面接触していないので、基板電極１３１１および１３１２の上に塗布された導電性ペーストの印刷形状が悪化し、導電性ペーストが電子部品１１００と接触する面積が不十分になってしまう恐れはほとんどない。
【００６１】
つぎに、図１および２を主として参照しながら、実装構造体１０００の製造方法について説明する。
【００６２】
以下では、基板電極形成ステップと、ソルダレジスト形成ステップと、シルクプリント形成ステップと、導電性ペースト塗布ステップと、電子部品載置ステップと、加熱ステップと、についてこの順番で具体的に説明する。
【００６３】
もちろん、上記のステップは必ずしもこの順番で行われなくてもよく、たとえば、導電性ペースト塗布ステップはシルクプリント形成ステップが行われた後で行われてもよい。
【００６４】
（基板電極形成ステップ）
少なくとも二つの基板電極１３１１および１３１２が、電子回路基板１２００の基板表面１２１０に形成される。
【００６５】
より具体的には、基板表面１２１０の全体にあらかじめ形成されていた回路パターン用の銅箔の内、回路パターンに対応する部分以外の部分がフォトリソグラフィなどにより除去され、基板電極１３１１および１３１２などの回路パターンが基板表面１２１０に形成される。
【００６６】
（ソルダレジスト形成ステップ）
ソルダレジスト１４００が、基板表面１２１０に形成される。
【００６７】
より具体的には、回路パターンが前述の通り形成された基板表面１２１０の全体に塗布されたアクリル系またはエポキシアクレート系などの樹脂であるソルダレジスト用のインキの内、基板電極１３１１および１３１２などに対応する部分がフォトリソグラフィなどにより除去され、ソルダレジスト１４００が同部分を除いて基板表面１２１０に厚さ（Ｔ）３０μｍ程度のレジストとして形成される。
【００６８】
もちろん、ソルダレジスト１４００は、基板電極１３１１および１３１２などに対応する部分を少なくとも除いて基板表面１２１０に形成されていればよく、たとえば、基板電極１３１１および１３１２などに対応する部分およびその周辺の狭小部分を除いて基板表面１２１０に形成されていてもよい。
【００６９】
（シルクプリント形成ステップ）
シルクプリント１５２０が、基板電極１３１１および１３１２に挟まれた、ソルダレジスト１４００のレジスト表面１４１０に形成される。
【００７０】
より具体的には、アクリル系またはエポキシアクレート系などの樹脂であるシルクプリント用のインキがスクリーン印刷法などにより塗布され、シルクプリント１５２０が厚さ（τ−Ｔ＞０）１０〜４０μｍ程度のプリントとして形成される。
【００７１】
（導電性ペースト塗布ステップ）
半田と、フラックス成分と、樹脂と、を含む導電性ペーストが、基板電極１３１１および１３１２の上に塗布される。
【００７２】
より具体的には、導電性ペーストは、開口が基板電極１３１１および１３１２などの電極サイズに応じて形成された厚さ１２０μｍ程度のメタルマスクを用いるスクリーン印刷機を利用して、スクリーン印刷法などにより塗布される。
【００７３】
（電子部品載置ステップ）
電子部品１１００が、塗布された導電性ペーストの上に載置される。
【００７４】
より具体的には、電子部品１１００は、チップマウンタを利用して、導電性ペーストの上に載置される。
【００７５】
（加熱ステップ）
基板電極１３１１および１３１２と、ソルダレジスト１４００と、シルクプリント１５２０と、が形成され、導電性ペーストが塗布され、電子部品１１００が載置された電子回路基板１２００が、加熱される。
【００７６】
より具体的には、導電性ペーストが塗布され、電子部品１１００が載置された電子回路基板１２００は、リフロー炉を利用して半田の融点以上である１６０℃で６分間加熱される。
【００７７】
すると、樹脂は半田と分離し、半田と分離した樹脂は半田によって形成された半田接合部１６１１および１６１２を＋Ｚ方向に濡れ上がって硬化し、半田接合部１６１１および１６１２を覆う樹脂補強部１７１０が形成される。
【００７８】
前述されたように、シルクプリント表面１５３０と部品下面１１１０との間のＺ方向のギャップ（ｇ）は大きくても３０μｍ程度しかないので、部品下面１１１０の下側の空隙に充填されてしまう樹脂の量はそれほど多くない。
【００７９】
したがって、樹脂が半田接合部１６１１および１６１２を＋Ｚ方向に十分に濡れ上がることができ、形成された樹脂補強部１７１０のＺ方向の高さ（Ｈ）が半田接合部１６１１および１６１２に比較して小さくなる恐れはほとんどない。
【００８０】
このようにして、半田接合部１６１１および１６１２による半田接合と、樹脂補強部１７１０による樹脂補強と、が同時に行われ、落下などに起因する衝撃に対しての耐衝撃性が確保された実装構造体１０００が得られる。
【００８１】
（実施の形態２）
つぎに、本発明における実施の形態２の実装構造体の模式的な断面図である図３、および本発明における実施の形態２の実装構造体の模式的な平面図である図４を主として参照しながら、本実施の形態の実装構造体２０００の構成について説明する。
【００８２】
ここに、図４においては、電子部品２１００などの図示が省略されている。
【００８３】
実装構造体２０００は、少なくとも二つの基板電極１３１１および１３１２と、半田接合部２６１１および２６１２と、樹脂補強部２７１１および２７１２と、ソルダレジスト２４００と、凸部２５１１および２５１２と、を備えている。
【００８４】
実装構造体２０００の構成は、前述の実装構造体１０００の構成とつぎのような点で異なっている。
【００８５】
実装構造体２０００は、基板表面１２１０の部分１２２０に形成された基板配線２５２１および２５２２を備えている。
【００８６】
凸部２５１１および２５１２は、基板配線２５２１および２５２２と、基板配線２５２１および２５２２の上に形成されたソルダレジスト２４００と、によって構成されている。
【００８７】
ここに、基板配線２５２１および２５２２は、Ｃｕ（銅）配線などである。
【００８８】
以下では、実装構造体２０００の構成についてより具体的に説明する。
【００８９】
基板電極１３１１および１３１２は、電子回路基板１２００の基板表面１２１０に形成されている。
【００９０】
半田接合部２６１１および２６１２は、電子部品２１００をそれぞれの基板電極１３１１および１３１２に接合している。
【００９１】
ここに、電子部品２１００は、基板電極１３１１および１３１２に接合された部品電極２１１１および２１１２などを有するＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｎｏ−ｌｅａｄ）部品などである。
【００９２】
樹脂補強部２７１１および２７１２は、半田接合部２６１１および２６１２を覆っている。
【００９３】
もちろん、樹脂補強部２７１１および２７１２は、たとえば電子部品２１００の−Ｚ側で一つにつながっていてもよい。
【００９４】
なお、基板表面１２１０に垂直な方向（Ｚ方向）の樹脂補強部２７１１および２７１２の高さ（Ｈ１およびＨ２）は、実質的に０．１ｍｍ以上である。
【００９５】
ここに、ソルダレジスト２４００の一部は基板表面１２１０に直接的にではなく前述の通り基板配線２５２１および２５２２の上に形成されているので、高さ（Ｈ１およびＨ２）は基板表面１２１０に直接的に形成されている実質的に平坦なソルダレジスト２４００のレジスト表面２４１０を基準として定義されている。
【００９６】
ソルダレジスト２４００は、基板表面１２１０に形成されている。
【００９７】
ソルダレジスト２４００は、後述の通りソルダレジスト用のインキを利用して形成された厚さ（Ｔ）３０μｍ程度のレジストである。
【００９８】
凸部２５１１および２５１２は、電子部品２１００の下側（−Ｚ側）にあり基板電極１３１１および１３１２に挟まれた、基板表面１２１０の部分１２２０に形成されている。
【００９９】
もちろん、後述されるように、凸部２５１１および２５１２の長さ（λ１およびλ２）が電極辺１３２１および１３２２の長さ（Ｌ１およびＬ２）より大きい場合もあり、そのような場合には凸部２５１１および２５１２の端部は電極辺１３２１および／または１３２２の端部よりも飛び出す。
【０１００】
そして、後述されるように、凸部２５１１および２５１２はソルダレジスト形成ステップにおいて自然に形成されるので、ソルダレジスト２４００は実質的に平坦なソルダレジスト２４００のレジスト表面２４１０から見て基板配線２５２１および２５２２の周辺の狭小部分で盛り上がる場合が多く、そのような場合には凸部２５１１および２５１２は同狭小部分に相当する部分だけやや大きくなる。
【０１０１】
基板表面１２１０に垂直な方向（Ｚ方向）の凸部２５１１および２５１２の厚さ（τ１およびτ２）は、基板表面１２１０に垂直な方向（Ｚ方向）のソルダレジスト２４００の厚さ（Ｔ）より、実質的に１０μｍ以上４０μｍ以下の範囲で大きい。
【０１０２】
ここに、厚さτ１およびτ２は、基板表面１２１０を基準として定義されている。
【０１０３】
より具体的には、凸部２５１１および２５１２は、前述の通り基板表面１２１０に形成された厚さ（τｉ−Ｔ＞０、ｉ＝１および２）２５μｍ程度の略直方体の形状を有する基板配線２５２１および２５２２と、基板配線２５２１および２５２２の＋Ｚ側にある厚さ（Ｔ）３０μｍ程度のソルダレジスト２４００と、で構成されている。
【０１０４】
したがって、基板配線２５２１および２５２２の上に形成されているソルダレジスト２４００のレジスト表面２４１０と、電子部品２１００の部品下面２１１０と、の間のＺ方向のギャップ（ｇ）は、基板表面１２１０に直接的に形成されている実質的に平坦なソルダレジスト２４００のレジスト表面２４１０と、部品下面２１１０と、の間の距離（ｄ）が４０μｍ程度であれば、大きくても１５μｍ程度しかない。
【０１０５】
このように比較的に厚い基板配線２５２１および２５２２が基板電極１３１１および１３１２のかなり近くに設けられている場合などには、製造時に加熱された樹脂が部品下面２１１０の下側の空隙にまで達しないので、樹脂補強部２７１１および２７１２が一つにつながることさえない。
【０１０６】
ここに、凸部２５１１および２５１２の厚さ（τ１およびτ２）とソルダレジスト２４００の厚さ（Ｔ）との差（τ−Ｔ＞０）が１０μｍより小さいと、部品下面２１１０の下側の空隙への樹脂の浸透を十分に抑制できない恐れがある。
【０１０７】
そして、凸部２５１１および２５１２の厚さ（τ１およびτ２）とソルダレジスト２４００の厚さ（Ｔ）との差（τ−Ｔ＞０）が４０μｍより大きいと、導電性ペースト塗布ステップにおけるメタルマスクの面と基板電極１３１１および１３１２の電極表面との間に形成されるギャップが無視できなくなり、基板電極１３１１および１３１２の上に塗布された導電性ペーストの印刷形状が悪化してしまう恐れがある。
【０１０８】
基板電極１３１１および１３１２の、基板表面１２１０の部分１２２０の側にある電極辺１３２１および１３２２の方向（Ｙ方向）の、凸部２５１１および２５１２の長さ（λ１およびλ２）は、電極辺１３２１および１３２２の長さ（Ｌ１およびＬ２）の実質的に８０％以上１２０％以下である。
【０１０９】
ここに、凸部２５１１および２５１２の長さ（λ１およびλ２）が電極辺１３２１および１３２２の長さ（Ｌ１およびＬ２）の８０％より小さいと、部品下面２１１０の下側の空隙への樹脂の浸透を十分に抑制できない恐れがある。
【０１１０】
そして、凸部２５１１および２５１２の長さ（λ１およびλ２）が電極辺１３２１および１３２２の長さ（Ｌ１およびＬ２）の１２０％より大きいと、凸部２５１１および２５１２が隣接する電子部品（図示省略）のランド部分に接触してしまう恐れがある。
【０１１１】
凸部２５１１および２５１２と電極辺１３２１および１３２２との間の距離（δ１およびδ２）は、実質的に０ｍｍ以上０．７ｍｍ以下である。
【０１１２】
凸部２５１１および２５１２は、基板電極１３１１および１３１２の電極表面に面接触しないように形成されている。
【０１１３】
ここに、凸部２５１１および２５１２と電極辺１３２１および１３２２との間の距離（δ１およびδ２）が０．７ｍｍより大きいと、部品下面２１１０の下側の空隙への樹脂の浸透を十分に抑制できない恐れがある。
【０１１４】
もちろん、凸部２５１１および２５１２が基板電極１３１１および１３１２の電極表面に面接触していないので、基板電極１３１１および１３１２の上に塗布された導電性ペーストの印刷形状が悪化し、導電性ペーストが電子部品２１００と接触する面積が不十分になってしまう恐れはほとんどない。
【０１１５】
つぎに、図３および４を主として参照しながら、実装構造体２０００の製造方法について説明する。
【０１１６】
以下では、基板電極形成ステップと、ソルダレジスト形成ステップと、導電性ペースト塗布ステップと、電子部品載置ステップと、加熱ステップと、についてこの順番で具体的に説明する。
【０１１７】
（基板電極形成ステップ）
少なくとも二つの基板電極１３１１および１３１２が、電子回路基板１２００の基板表面１２１０に形成される。
【０１１８】
より具体的には、基板表面１２１０の全体にあらかじめ形成されていた回路パターン用の銅箔の内、回路パターンに対応する部分以外の部分がフォトリソグラフィなどにより除去され、基板電極１３１１および１３１２、ならびに基板配線２５２１および２５２２などの回路パターンが基板表面１２１０に形成される。
【０１１９】
（ソルダレジスト形成ステップ）
ソルダレジスト２４００が、基板表面１２１０に形成される。
【０１２０】
より具体的には、回路パターンが前述の通り形成された基板表面１２１０の全体に塗布されたアクリル系またはエポキシアクレート系などの樹脂であるソルダレジスト用のインキの内、基板電極１３１１および１３１２などに対応する部分がフォトリソグラフィなどにより除去され、ソルダレジスト２４００が同部分を除いて基板表面１２１０に厚さ（Ｔ）３０μｍ程度のレジストとして形成される。
【０１２１】
そして、凸部２５１１および２５１２が、前述の通り基板表面１２１０に形成された厚さ（τｉ−Ｔ＞０、ｉ＝１および２）２５μｍ程度の基板配線２５２１および２５２２に対応するレジスト表面２４１０の突起物として形成される。
【０１２２】
もちろん、ソルダレジスト２４００は、基板電極１３１１および１３１２などに対応する部分を少なくとも除いて基板表面１２１０に形成されていればよく、たとえば、基板電極１３１１および１３１２などに対応する部分およびその周辺の狭小部分を除いて基板表面１２１０に形成されていてもよい。
【０１２３】
（導電性ペースト塗布ステップ）
半田と、フラックス成分と、樹脂と、を含む導電性ペーストが、基板電極１３１１および１３１２の上に塗布される。
【０１２４】
より具体的には、導電性ペーストは、開口が基板電極１３１１および１３１２などの電極サイズに応じて形成された厚さ１２０μｍ程度のメタルマスクを用いるスクリーン印刷機を利用して、スクリーン印刷法などにより塗布される。
【０１２５】
（電子部品載置ステップ）
電子部品２１００が、塗布された導電性ペーストの上に載置される。
【０１２６】
より具体的には、電子部品２１００は、チップマウンタを利用して、導電性ペーストの上に載置される。
【０１２７】
（加熱ステップ）
基板電極１３１１および１３１２と、ソルダレジスト２４００と、が形成され、導電性ペーストが塗布され、電子部品２１００が載置された電子回路基板１２００が、加熱される。
【０１２８】
より具体的には、導電性ペーストが塗布され、電子部品２１００が載置された電子回路基板１２００は、リフロー炉を利用して半田の融点以上である１６０℃で６分間加熱される。
【０１２９】
すると、樹脂は半田と分離し、半田と分離した樹脂は半田によって形成された半田接合部２６１１および２６１２を＋Ｚ方向に濡れ上がって硬化し、半田接合部２６１１および２６１２を覆う樹脂補強部２７１１および２７１２が形成される。
【０１３０】
前述されたように、基板配線２５２１および２５２２の上に形成されているソルダレジスト２４００のレジスト表面２４１０と、部品下面２１１０と、の間のＺ方向のギャップ（ｇ）は大きくても１５μｍ程度しかないので、部品下面２１１０の下側の空隙に充填されてしまう樹脂の量はそれほど多くない。
【０１３１】
さらに、比較的に厚い基板配線２５２１および２５２２が基板電極１３１１および１３１２のかなり近くに設けられている場合などには、加熱された樹脂が部品下面２１１０の下側の空隙にまで達しないので、充填されてしまう樹脂の量は無視できる程度に小さく、樹脂補強部２７１１および２７１２が一つにつながることさえない。
【０１３２】
したがって、樹脂が半田接合部２６１１および２６１２を＋Ｚ方向に十分に濡れ上がることができ、形成された樹脂補強部２７１１および２７１２のＺ方向の高さ（Ｈ１およびＨ２）が半田接合部２６１１および２６１２に比較して小さくなる恐れはほとんどない。
【０１３３】
このようにして、半田接合部２６１１および２６１２による半田接合と、樹脂補強部２７１１および２７１２による樹脂補強と、が同時に行われ、落下などに起因する衝撃に対しての耐衝撃性が確保された実装構造体２０００が得られる。
【０１３４】
なお、本実施の形態の半田は、Ｓｎ（錫）系、Ｓｎ−Ｂｉ（ビスマス）系、Ｓｎ−Ｉｎ（インジウム）系、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ａｇ（銀）系、Ｓｎ−Ｃｕ（銅）系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系、およびＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ−Ｉｎ系などの所定の合金組成を有する合金を、単独で、またはいくつか組み合わせて混合物として利用することで構成されている。
【０１３５】
また、本実施の形態の樹脂は、ビスフェノール型エポキシ樹脂、多官能エポキシ樹脂、可撓性エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、および高分子型エポキシ樹脂などを、単独で、またはいくつか組み合わせて利用することで構成されている。より具体的には、上記のエポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、およびクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ならびにこれらを変性させたエポキシ樹脂などを、単独で、またはいくつか組み合わせて利用することで構成されている。
【０１３６】
なお、導電性ペーストの使用環境および／または用途に応じ前述されたエポキシ樹脂と組み合わせて利用される硬化剤は、チオール系化合物、変性アミン系化合物、多官能フェノール系化合物、イミダゾール系化合物、および酸無水物系化合物などを、単独で、またはいくつか組み合わせて利用することで構成されている。
【０１３７】
また、必要に応じて利用される粘度調整／チクソ性付与添加剤は、無機系である、シリカ、およびアルミナ、ならびに有機系である、固形のエポキシ樹脂、低分子量のアマイド、ポリエステル系樹脂、およびヒマシ油の有機誘導体などを、単独で、またはいくつか組み合わせて利用することで構成されている。
【０１３８】
要するに、本実施の形態の導電性ペーストの組成については、多くの有用な変形例が考えられる。
【実施例】
【０１３９】
以下では、つぎの第一から第三の条件が全て満足されていれば、優れた耐衝撃性を確保できることが実験的に裏付けられている点について説明する。
【０１４０】
（１ａ）凸部の厚さは、ソルダレジストの厚さより、１０μｍ以上４０μｍ以下の範囲で大きい。
【０１４１】
（２ａ）凸部の長さは、電極辺の長さの８０％以上１２０％以下である。
【０１４２】
（３ａ）凸部と電極辺との間の距離は、０ｍｍ以上０．７ｍｍ以下である。
【０１４３】
さらに、より厳しいつぎの第一から第三の条件が全て満足されていれば、より優れた耐衝撃性を確保することができることも、明らかになる。
【０１４４】
（１ｂ）凸部の厚さは、ソルダレジストの厚さより、２５μｍ以上の範囲で大きい。
【０１４５】
（２ｂ）凸部の長さは、電極辺の長さの１００％以上である。
【０１４６】
（３ｂ）凸部と電極辺との間の距離は、０．３ｍｍ以下である。
【０１４７】
なお、凸部の厚さは、凸部が複数の材料で構成されている場合などには、全体的な厚さを部品下面の下側の空隙への樹脂の充填が抑制されるようにある程度は大きくすることが有意義である。
【０１４８】
もちろん、導電性ペースト塗布ステップにおけるメタルマスクの面と基板電極の電極表面との間に形成されるギャップが無視できなくなり、基板電極の上に塗布された導電性ペーストの印刷形状が悪化してしまう恐れがあるので、凸部の厚さが大きすぎることは前述の通り望ましくない。
【０１４９】
また、凸部の長さは、複数の凸部が設けられている場合などには、全体的な長さを部品下面の下側の空隙への樹脂の充填が抑制されるようにある程度は大きくすることが有意義である。
【０１５０】
もちろん、凸部が隣接する電子部品のランド部分に接触してしまう恐れがあるので、凸部の長さが大きすぎることは前述の通り望ましくない。
【０１５１】
たとえば、後述されるように、電極辺の長さは１．７ｍｍ程度であり、電子部品は３２１６サイズチップ部品であって隣接する電子部品の間の間隔は０．３〜０．５ｍｍ程度であるという具体例がある。このような具体例においては、凸部の各端部が電極辺の各端部よりも電極辺の長さの１０％に相当する０．１７（＝１．７×１０／１００）ｍｍ程度だけ飛び出しているとしても、凸部は隣接する電子部品のランド部分に接触しない。要するに、凸部の長さが電極辺の長さの１２０（＝１００＋１０×２）％以下であれば、凸部が隣接する電子部品のランド部分に接触してしまう恐れはほとんどない。
【０１５２】
また、凸部と電極辺との間の距離は、凸部と電極辺それぞれとの間の距離が異なる場合などには、最大の距離を部品下面の下側の空隙への樹脂の充填が抑制されるようにある程度は小さくすることが有意義である。
【０１５３】
もちろん、基板電極の上に塗布された導電性ペーストの印刷形状が悪化し、導電性ペーストが電子部品と接触する面積が不十分になってしまう恐れがあるので、凸部が基板電極の電極表面に面接触することは前述の通り望ましくない。
【０１５４】
つぎに、図５〜１７を主として参照しながら、実施例１〜８および比較例１〜５の実装構造体の構成について説明する。
【０１５５】
なお、図５〜１７は、本発明における実施例１〜８および比較例１〜５の実装構造体の模式的な平面図である。
【０１５６】
ここに、図５〜１７においては、電子部品１１００（図１参照）などの図示が省略されている。
【０１５７】
はじめに、実施例１〜８および比較例１〜５に全て共通の事項について説明を行う。
【０１５８】
まず、電子部品１１００（図１参照）は、３２１６サイズのチップ抵抗などの３２１６サイズチップ部品である。
【０１５９】
電子回路基板１２００は、厚さ０．８ｍｍ程度のＦＲ−４（Ｆｌａｍｅ Ｒｅｔａｒｄａｎｔ Ｔｙｐｅ ４）基板を利用することで構成されている。
【０１６０】
電極辺１３２１および１３２２の長さ（Ｌ１およびＬ２）は、１．７ｍｍ程度である。
【０１６１】
より具体的には、基板電極１３１１および１３１２は同様な略直方体の形状を有し、電子回路基板１２００の横の方向、すなわちＸ方向の、基板電極１３１１および１３１２の幅（Ｗ）は１．２ｍｍ程度であり、電子回路基板１２００の奥行きの方向、すなわちＹ方向の、基板電極１３１１および１３１２の長さ（Ｌ＝Ｌｉ、ｉ＝１および２）は１．７ｍｍ程度である。
【０１６２】
そして、このように同様な略直方体の形状を有する基板電極１３１１と基板電極１３１２との間の距離（Ｄ）は、１．８ｍｍ程度である。
【０１６３】
ここで、導電性ペーストの組成について説明する。
【０１６４】
半田は、Ｓｎ５８Ｂｉ半田を利用することで構成されている。
【０１６５】
エポキシ樹脂は、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（商品名「エピコート８０６」、三菱化学製）を利用することで構成されている。
【０１６６】
硬化剤は、イミダゾール系硬化剤（商品名「キュアゾール２Ｐ４ＭＺ」、四国化成製）を利用することで構成されている。
【０１６７】
粘度調整／チクソ性付与添加剤は、ヒマシ油系チクソ剤（商品名「ＴＨＩＸＣＩＮ Ｒ」、エレメンティス・ジャパン製）を利用することで構成されている。
【０１６８】
前述されたように、導電性ペーストは厚さ１２０μｍ程度のメタルマスクを用いるスクリーン印刷機を利用して基板電極１３１１および１３１２の上に塗布され、電子部品１１００がチップマウンタを利用して塗布された導電性ペーストの上に載置され、電子回路基板１２００がリフロー炉を利用して１６０℃で６分間加熱される。
【０１６９】
このようにして、半田接合と樹脂補強とが同時に行われる。
【０１７０】
つぎに、実施例１〜８および比較例１〜５にそれぞれ個別の事項について説明を行う。
【０１７１】
（実施例１）
図５を主として参照しながら、本実施例の実装構造体１０００ａの構成について説明する。
【０１７２】
凸部１５１０ａは、レジスト表面１４１０ａに形成された厚さ１０μｍ程度の略直方体の形状を有するシルクプリント１５２０ａと、シルクプリント１５２０ａの−Ｚ側にある厚さ３０μｍ程度のソルダレジスト１４００ａと、で構成されている。
【０１７３】
したがって、凸部１５１０ａの厚さは、ソルダレジスト１４００ａの厚さより、１０μｍ程度大きい。
【０１７４】
ここに、シルクプリント１５２０ａと、ソルダレジスト１４００ａと、の厚さを加算することで得られた、凸部１５１０ａの全体的な厚さが考えられている（以下同様である）。
【０１７５】
実質的に平坦なソルダレジスト１４００ａのレジスト表面１４１０ａと、部品下面１１１０（図１参照）と、の間の距離は、４０μｍ程度である。
【０１７６】
凸部１５１０ａの長さ（λ）は、電極辺１３２１および１３２２それぞれの長さ（Ｌ１およびＬ２）と同程度である。
【０１７７】
そして、電子回路基板１２００の横の方向、すなわちＸ方向の、凸部１５１０ａの幅（ω）は、１．２ｍｍ程度である。
【０１７８】
凸部１５１０ａと電極辺１３２１および１３２２それぞれとの間の距離（δ１およびδ２）は、０．３ｍｍ程度である。
【０１７９】
（実施例２）
図６を主として参照しながら、本実施例の実装構造体１０００ｂの構成について説明する。
【０１８０】
凸部１５１１ｂおよび１５１２ｂは、それぞれ、レジスト表面１４１０ｂに形成された厚さ１０μｍ程度の略直方体の形状を有するシルクプリント１５２１ｂおよび１５２２ｂと、シルクプリント１５２１ｂおよび１５２２ｂの−Ｚ側にある厚さ３０μｍ程度のソルダレジスト１４００ｂと、で構成されている。
【０１８１】
実質的に平坦なソルダレジスト１４００ｂのレジスト表面１４１０ｂと、部品下面１１１０（図１参照）と、の間の距離は、４０μｍ程度である。
【０１８２】
凸部１５１１ｂおよび１５１２ｂそれぞれの長さ（λ１およびλ２）は、近接する電極辺１３２１および１３２２それぞれの長さ（Ｌ１およびＬ２）と同程度である。
【０１８３】
そして、電子回路基板１２００の横の方向、すなわちＸ方向の、凸部１５１１ｂおよび１５１２ｂそれぞれの幅（ω１およびω２）は、０．５ｍｍ程度である。
【０１８４】
凸部１５１１ｂおよび１５１２ｂそれぞれと、近接する電極辺１３２１および１３２２それぞれと、の間の距離（δ１およびδ２）は、０．２ｍｍ程度である。
【０１８５】
（実施例３）
図７を主として参照しながら、本実施例の実装構造体２０００ａの構成について説明する。
【０１８６】
凸部２５１０ａは、基板表面１２１０に形成された厚さ２５μｍ程度の略直方体の形状を有する基板配線２５２０ａと、基板配線２５２０ａの＋Ｚ側にある厚さ３０μｍ程度のソルダレジスト２４００ａと、で構成されている。
【０１８７】
基板表面１２１０に直接的に形成されている実質的に平坦なソルダレジスト２４００ａのレジスト表面２４１０ａと、部品下面１１１０（図１参照）と、の間の距離は、４０μｍ程度である。
【０１８８】
凸部２５１０ａの長さ（λ）は、電極辺１３２１および１３２２それぞれの長さ（Ｌ１およびＬ２）と同程度である。
【０１８９】
そして、電子回路基板１２００の横の方向、すなわちＸ方向の、凸部２５１０ａの幅（ω）は、１．２ｍｍ程度である。
【０１９０】
凸部２５１０ａと電極辺１３２１および１３２２それぞれとの間の距離（δ１およびδ２）は、０．３ｍｍ程度である。
【０１９１】
（実施例４）
図８を主として参照しながら、本実施例の実装構造体２０００ｂの構成について説明する。
【０１９２】
凸部２５１１ｂおよび２５１２ｂは、それぞれ、基板表面１２１０に形成された厚さ２５μｍ程度の略直方体の形状を有する基板配線２５２１ｂおよび２５２２ｂと、基板配線２５２１ｂおよび２５２２ｂの＋Ｚ側にある厚さ３０μｍ程度のソルダレジスト２４００ｂと、で構成されている。
【０１９３】
基板表面１２１０に直接的に形成されている実質的に平坦なソルダレジスト２４００ｂのレジスト表面２４１０ｂと、部品下面１１１０（図１参照）と、の間の距離は、４０μｍ程度である。
【０１９４】
凸部２５１１ｂおよび２５１２ｂそれぞれの長さ（λ１およびλ２）は、近接する電極辺１３２１および１３２２それぞれの長さ（Ｌ１およびＬ２）と同程度である。
【０１９５】
そして、電子回路基板１２００の横の方向、すなわちＸ方向の、凸部２５１１ｂおよび２５１２ｂそれぞれの幅（ω１およびω２）は、０．５ｍｍ程度である。
【０１９６】
凸部２５１１ｂおよび２５１２ｂそれぞれと、近接する電極辺１３２１および１３２２それぞれと、の間の距離（δ１およびδ２）は、０．２ｍｍ程度である。
【０１９７】
（実施例５）
図９を主として参照しながら、本実施例の実装構造体３０００ａの構成について説明する。
【０１９８】
凸部３５１０ａは、レジスト表面３４１０ａに形成された厚さ１０〜１５μｍ程度の略直方体の形状を有するシルクプリント３５２１ａと、シルクプリント３５２１ａの−Ｚ側にあり、基板配線３５２２ａの＋Ｚ側にある厚さ３０μｍ程度のソルダレジスト３４００ａと、基板表面１２１０に形成された厚さ２５〜３０μｍ程度の略直方体の形状を有する基板配線３５２２ａと、で構成されている。
【０１９９】
したがって、凸部３５１０ａの厚さは、ソルダレジスト３４００ａの厚さより、３５（＝１０＋２５）〜４５（＝１５＋３０）μｍの中間値である４０μｍ程度大きい。
【０２００】
ここに、前述されたように、凸部が複数の材料で構成されており、シルクプリント３５２１ａと、ソルダレジスト３４００ａと、基板配線３５２２ａと、の厚さを加算することで得られた、凸部３５１０ａの全体的な厚さが考えられている。
【０２０１】
基板表面１２１０に直接的に形成されている実質的に平坦なソルダレジスト３４００ａのレジスト表面３４１０ａと、部品下面１１１０（図１参照）と、の間の距離は、４０μｍ程度である。
【０２０２】
凸部３５１０ａの長さ（λ）は、電極辺１３２１および１３２２それぞれの長さ（Ｌ１およびＬ２）と同程度である。
【０２０３】
そして、電子回路基板１２００の横の方向、すなわちＸ方向の、凸部３５１０ａの幅（ω）は、１．２ｍｍ程度である。
【０２０４】
凸部３５１０ａと電極辺１３２１および１３２２それぞれとの間の距離（δ１およびδ２）は、０．３ｍｍ程度である。
【０２０５】
（実施例６）
図１０を主として参照しながら、本実施例の実装構造体１０００ｃの構成について説明する。
【０２０６】
凸部１５１０ｃは、レジスト表面１４１０ｃに形成された厚さ１０μｍ程度の略直方体の形状を有するシルクプリント１５２０ｃと、シルクプリント１５２０ｃの−Ｚ側にある厚さ３０μｍ程度のソルダレジスト１４００ｃと、で構成されている。
【０２０７】
実質的に平坦なソルダレジスト１４００ｃのレジスト表面１４１０ｃと、部品下面１１１０（図１参照）と、の間の距離は、４０μｍ程度である。
【０２０８】
凸部１５１０ｃの長さ（λ）は、電極辺１３２１および１３２２それぞれの長さ（Ｌ１およびＬ２）と同程度である。
【０２０９】
そして、電子回路基板１２００の横の方向、すなわちＸ方向の、凸部１５１０ｃの幅（ω）は、０．４ｍｍ程度である。
【０２１０】
凸部１５１０ｃと電極辺１３２１および１３２２それぞれとの間の距離（δ１およびδ２）は、０．７ｍｍ程度である。
【０２１１】
（実施例７）
図１１を主として参照しながら、本実施例の実装構造体１０００ｄの構成について説明する。
【０２１２】
凸部１５１１ｄ、１５１２ｄ、１５１３ｄおよび１５１４ｄは、それぞれ、レジスト表面１４１０ｄに形成された厚さ１０μｍ程度の略直方体の形状を有するシルクプリント１５２１ｄ、１５２２ｄ、１５２３ｄおよび１５２４ｄと、シルクプリント１５２１ｄ、１５２２ｄ、１５２３ｄおよび１５２４ｄの−Ｚ側にある厚さ３０μｍ程度のソルダレジスト１４００ｄと、で構成されている。
【０２１３】
実質的に平坦なソルダレジスト１４００ｄのレジスト表面１４１０ｄと、部品下面１１１０（図１参照）と、の間の距離は、４０μｍ程度である。
【０２１４】
凸部１５１１ｄ、１５１２ｄ、１５１３ｄおよび１５１４ｄそれぞれの長さ（λ１、λ２、λ３およびλ４）は、近接する電極辺１３２１および１３２２それぞれの長さ（Ｌ１およびＬ２）の４０％程度である。
【０２１５】
したがって、凸部１５１１ｄ、１５１２ｄ、１５１３ｄおよび１５１４ｄの長さは、電極辺１３２１および１３２２の長さ（Ｌ１およびＬ２）の８０（＝４０＋４０）％程度である。
【０２１６】
ここに、複数の凸部が設けられており、凸部１５１１ｄ、１５１２ｄ、１５１３ｄおよび１５１４ｄの合併の、電極辺１３２１および１３２２それぞれへの射影の長さを算出することで得られた、凸部１５１１ｄ、１５１２ｄ、１５１３ｄおよび１５１４ｄの全体的な長さが考えられている。
【０２１７】
そして、電子回路基板１２００の横の方向、すなわちＸ方向の、凸部１５１１ｄ、１５１２ｄ、１５１３ｄおよび１５１４ｄそれぞれの幅（ω１、ω２、ω３およびω４）は、０．１５ｍｍ程度である。
【０２１８】
凸部１５１１ｄ、１５１２ｄ、１５１３ｄおよび１５１４ｄそれぞれと、近接する電極辺１３２１および１３２２それぞれと、の間の距離（δ１、δ２、δ３およびδ４）は、０．７ｍｍ程度である。
【０２１９】
（実施例８）
図１２を主として参照しながら、本実施例の実装構造体１０００ｅの構成について説明する。
【０２２０】
凸部１５１１ｅおよび１５１２ｅは、それぞれ、レジスト表面１４１０ｅに形成された厚さ１０μｍ程度の略直方体の形状を有するシルクプリント１５２１ｅおよび１５２２ｅと、シルクプリント１５２１ｅおよび１５２２ｅの−Ｚ側にある厚さ３０μｍ程度のソルダレジスト１４００ｅと、で構成されている。
【０２２１】
実質的に平坦なソルダレジスト１４００ｅのレジスト表面１４１０ｅと、部品下面１１１０（図１参照）と、の間の距離は、４０μｍ程度である。
【０２２２】
凸部１５１１ｅおよび１５１２ｅそれぞれの長さ（λ１およびλ２）は、近接する電極辺１３２１および１３２２それぞれの長さ（Ｌ１およびＬ２）の８０％程度である。
【０２２３】
そして、電子回路基板１２００の横の方向、すなわちＸ方向の、凸部１５１１ｅおよび１５１２ｅそれぞれの幅（ω１およびω２）は、０．１５ｍｍ程度である。
【０２２４】
凸部１５１１ｅおよび１５１２ｅそれぞれと、近接する電極辺１３２１および１３２２それぞれと、の間の距離（δ１およびδ２）は、０．７ｍｍ程度である。
【０２２５】
（比較例１）
図１３を主として参照しながら、本比較例の実装構造体４０００ａの構成について説明する。
【０２２６】
凸部が、実装構造体４０００ａにおいては設けられていない。
【０２２７】
実質的に平坦なソルダレジスト４４００ａのレジスト表面４４１０ａと、部品下面１１１０（図１参照）と、の間の距離は、４０μｍ程度である。
【０２２８】
（比較例２）
図１４を主として参照しながら、本比較例の実装構造体１０００ｆの構成について説明する。
【０２２９】
凸部１５１０ｆは、レジスト表面１４１０ｆに形成された厚さ１０μｍ程度の略直方体の形状を有するシルクプリント１５２０ｆと、シルクプリント１５２０ｆの−Ｚ側にある厚さ３０μｍ程度のソルダレジスト１４００ｆと、で構成されている。
【０２３０】
実質的に平坦なソルダレジスト１４００ｆのレジスト表面１４１０ｆと、部品下面１１１０（図１参照）と、の間の距離は、４０μｍ程度である。
【０２３１】
凸部１５１０ｆの長さ（λ）は、電極辺１３２１および１３２２それぞれの長さ（Ｌ１およびＬ２）と同程度である。
【０２３２】
そして、電子回路基板１２００の横の方向、すなわちＸ方向の、凸部１５１０ｆの幅（ω）は、０．５ｍｍ程度である。
【０２３３】
凸部１５１０ｆと電極辺１３２１および１３２２それぞれとの間の距離（δ１およびδ２）は、１．１ｍｍおよび０．２ｍｍ程度である。
【０２３４】
したがって、凸部１５１０ｆと電極辺１３２１および１３２２との間の距離は、１．１（＝Ｍａｘ（１．１，０．２））ｍｍ程度である。
【０２３５】
ここに、凸部と電極辺それぞれとの間の距離が異なっており、凸部１５１０ｆと電極辺１３２１および１３２２それぞれとの間の距離の最大値を算出することで得られた、凸部１５１０ｆと電極辺１３２１および１３２２それぞれとの間の最大の距離が考えられている。
【０２３６】
（比較例３）
図１５を主として参照しながら、本比較例の実装構造体１０００ｇの構成について説明する。
【０２３７】
凸部１５１０ｇは、レジスト表面１４１０ｇに形成された厚さ１０μｍ程度の略直方体の形状を有するシルクプリント１５２０ｇと、シルクプリント１５２０ｇの−Ｚ側にある厚さ３０μｍ程度のソルダレジスト１４００ｇと、で構成されている。
【０２３８】
実質的に平坦なソルダレジスト１４００ｇのレジスト表面１４１０ｇと、部品下面１１１０（図１参照）と、の間の距離は、４０μｍ程度である。
【０２３９】
凸部１５１０ｇの長さ（λ）は、電極辺１３２１および１３２２それぞれの長さ（Ｌ１およびＬ２）と同程度である。
【０２４０】
そして、電子回路基板１２００の横の方向、すなわちＸ方向の、凸部１５１０ｇの幅（ω）は、０．２ｍｍ程度である。
【０２４１】
凸部１５１０ｇと電極辺１３２１および１３２２それぞれとの間の距離（δ１およびδ２）は、０．８ｍｍ程度である。
【０２４２】
（比較例４）
図１６を主として参照しながら、本比較例の実装構造体１０００ｈの構成について説明する。
【０２４３】
凸部１５１０ｈは、レジスト表面１４１０ｈに形成された厚さ５μｍ程度の略直方体の形状を有するシルクプリント１５２０ｈと、シルクプリント１５２０ｈの−Ｚ側にある厚さ３０μｍ程度のソルダレジスト１４００ｈと、で構成されている。
【０２４４】
実質的に平坦なソルダレジスト１４００ｈのレジスト表面１４１０ｈと、部品下面１１１０（図１参照）と、の間の距離は、４０μｍ程度である。
【０２４５】
凸部１５１０ｈの長さ（λ）は、電極辺１３２１および１３２２それぞれの長さ（Ｌ１およびＬ２）と同程度である。
【０２４６】
そして、電子回路基板１２００の横の方向、すなわちＸ方向の、凸部１５１０ｈの幅（ω）は、１．２ｍｍ程度である。
【０２４７】
凸部１５１０ｈと電極辺１３２１および１３２２それぞれとの間の距離（δ１およびδ２）は、０．３ｍｍ程度である。
【０２４８】
（比較例５）
図１７を主として参照しながら、本比較例の実装構造体１０００ｉの構成について説明する。
【０２４９】
凸部１５１１ｉおよび１５１２ｉは、それぞれ、レジスト表面１４１０ｉに形成された厚さ１０μｍ程度の略直方体の形状を有するシルクプリント１５２１ｉおよび１５２２ｉと、シルクプリント１５２１ｉおよび１５２２ｉの−Ｚ側にある厚さ３０μｍ程度のソルダレジスト１４００ｉと、で構成されている。
【０２５０】
実質的に平坦なソルダレジスト１４００ｉのレジスト表面１４１０ｉと、部品下面１１１０（図１参照）と、の間の距離は、４０μｍ程度である。
【０２５１】
凸部１５１１ｉおよび１５１２ｉそれぞれの長さ（λ１およびλ２）は、近接する電極辺１３２１および１３２２それぞれの長さ（Ｌ１およびＬ２）の７０％程度である。
【０２５２】
そして、電子回路基板１２００の横の方向、すなわちＸ方向の、凸部１５１１ｉおよび１５１２ｉそれぞれの幅（ω１およびω２）は、０．１５ｍｍ程度である。
【０２５３】
凸部１５１１ｉおよび１５１２ｉそれぞれと、近接する電極辺１３２１および１３２２それぞれと、の間の距離（δ１およびδ２）は、０．７ｍｍ程度である。
【０２５４】
これら実施例１〜８および比較例１〜５の実装構造体についての耐衝撃試験は、樹脂補強部の高さ、せん断強度および破壊落下回数を測定することで行われた。
【０２５５】
なお、上記の樹脂補強部の高さは、実装構造体の半田接合部の断面をＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用して観察し、実質的に平坦なソルダレジストのレジスト表面とほぼ同一面内にある基板電極の電極表面を基準として樹脂の半田接合部への濡れ上がり高さをつながっている部分ごとに測定することにより、測定された。
【０２５６】
また、上記のせん断強度は、電子部品の長手方向と垂直な方向から幅１．５ｍｍ程度のステンレス製のツールを利用して１ｍｍ／ｓｅｃ程度の速度でせん断力を与え、半田接合部が破壊したときの荷重を測定することにより、測定された。
【０２５７】
また、上記の破壊落下回数は、実装構造体を重さ１１０ｇ程度の筐体に固定し、高さ１．５ｍ程度の場所から自由落下させ、電子部品が剥離するまでの落下回数を測定することにより、測定された。
【０２５８】
さて、以下では、耐衝撃試験の結果について説明する。
【０２５９】
なお、図１８は、本発明における実施例１〜８およびおよび比較例１〜５の実装構造体に対して行われた耐衝撃試験の結果を説明する説明図である。
【０２６０】
耐衝撃試験評価は、つぎのように定義される“×”、“△”、“○”および“◎”の四段階で与えられている。
【０２６１】
破壊落下回数が２０回以下であるとき、耐衝撃試験評価は“×”である。
【０２６２】
破壊落下回数が２１〜９９回であるとき、耐衝撃試験評価は“△”である。
【０２６３】
破壊落下回数が１００回以上であり、せん断強度が１３ｋｇｆ未満であるとき、耐衝撃試験評価は“○”である。
【０２６４】
破壊落下回数が１００回以上であり、せん断強度が１３ｋｇｆ以上であるとき、耐衝撃試験評価は“○”である。
【０２６５】
耐衝撃試験評価が“◎”または“○”である実施例の実装構造体は、樹脂補強部の高さが０．１ｍｍ以上であって、破壊落下回数が１００回以上であり、実際の製品への使用に好適であるといえる。
【０２６６】
さて、実施例１、２および６〜８については、上記の第一から第三の条件（１ａ）〜（３ａ）が全て満足されており、耐衝撃試験評価が“○”である。
【０２６７】
そして、実施例３〜５については、上記のより厳しいつぎの第一から第三の条件（１ｂ）〜（３ｂ）が全て満足されており、耐衝撃試験評価が“◎”である。
【０２６８】
つまり、これらの実施例においては、凸部が設けられていることによる効果が十分に発揮され、導電性ペーストが加熱された際に発生する毛細管現象による部品下面の下側の空隙への樹脂の充填がかなり抑制されるので、樹脂の半田接合部への濡れ上がり高さが確保されると分析される。
【０２６９】
もちろん、このような凸部が設けられていることによる効果は、部品および基板電極についての形状および配置などによらずに発揮される。
【０２７０】
そして、比較例１〜５については、第一から第三の条件が全ては満足されておらず、耐衝撃試験評価が“△”または“×”である。
【０２７１】
なお、比較例４については、凸部の厚さの、ソルダレジストの厚さとの差に関する第一の条件が満足されていない。
【０２７２】
また、比較例５については、凸部の長さの、電極辺の長さとの比に関する第二の条件が満足されていない。
【０２７３】
また、比較例２および３については、凸部と電極辺との間の距離に関する第三の条件が満足されていない。
【産業上の利用可能性】
【０２７４】
本発明における実装構造体、および実装構造体の製造方法は、落下などに起因する衝撃に対してのより優れた耐衝撃性を確保することが可能であり、たとえば電子部品を電子回路基板に実装するために有用である。
【符号の説明】
【０２７５】
１０００ 実装構造体
１１００ 電子部品
１１１０ 部品下面
１２００ 電子回路基板
１２１０ 基板表面
１２２０ 部分
１３１１、１３１２ 基板電極
１３２１、１３２２ 電極辺
１４００ ソルダレジスト
１４１０ レジスト表面
１５１０ 凸部
１５２０ シルクプリント
１５３０ シルクプリント表面
１６１１、１６１２ 半田接合部
１７１０ 樹脂補強部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品を電子回路基板に実装するための、実装構造体、および実装構造体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
導電性フィラーを構成するための半田粒子からなる半田と、粘度の調整などを行うためのフラックス成分と、を含む組成物であるクリーム半田などの導電性ペーストが、電子部品を電子回路基板に実装するために利用されている。
【０００３】
近年、電子部品のパッケージサイズは、微細化される傾向にある。
【０００４】
そのため、電子部品が実装される電子回路基板の基板表面に形成された基板電極の上に塗布された導電性ペーストが電子部品と接触する面積は、小さくなってきている。
【０００５】
よって、落下などに起因する衝撃に対しての耐衝撃性を確保することは、必ずしも容易ではない。
【０００６】
そこで、半田と、フラックス成分と、に加えて、エポキシ樹脂などの補強用の樹脂を含む導電性ペーストの開発が、半田接合部を補強する目的で進められている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００７】
ここで、従来の実装構造体１０００ｐの模式的な断面図である図１９を参照しながら、従来の実装構造体１０００ｐの構成、およびその製造方法について説明する。
【０００８】
以下の説明においては、三次元空間の直交座標系を定めるための、互いに直交する三本の数直線であるＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸が利用される。
【０００９】
基板表面１２１０の全体にあらかじめ形成されていた回路パターン用の銅箔の内、回路パターンに対応する部分以外の部分が除去され、基板電極１３１１および１３１２などの回路パターンが基板表面１２１０に形成される。
【００１０】
回路パターンが前述の通り形成された基板表面１２１０の全体に塗布されたソルダレジスト用のインキの内、基板電極１３１１および１３１２などに対応する部分が除去され、ソルダレジスト１４００が同部分を除いて基板表面１２１０に形成される。
【００１１】
半田と、フラックス成分と、樹脂と、を含む導電性ペーストが基板電極１３１１および１３１２の上に塗布され、電子部品１１００が塗布された導電性ペーストの上に載置される。
【００１２】
導電性ペーストが塗布され、電子部品１１００が載置された電子回路基板１２００は、加熱される。
【００１３】
すると、樹脂は半田と分離し、半田と分離した樹脂は半田によって形成された半田接合部１６１１および１６１２を＋Ｚ方向に濡れ上がって硬化し、半田接合部１６１１および１６１２を覆う樹脂補強部１７１０ｐが形成される。
【００１４】
このようにして、半田接合部１６１１および１６１２による半田接合と、樹脂補強部１７１０ｐによる樹脂補強と、が同時に行われ、落下などに起因する衝撃に対しての耐衝撃性が確保された実装構造体１０００ｐが得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２０１０−７７２７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、前述した従来の実装構造体１０００ｐでは、要求される耐衝撃性を確保できない場合があることが判明した。
【００１７】
すなわち、導電性ペーストが加熱され、補強用の樹脂が半田と分離すると、半田と分離した樹脂は電子部品１１００の部品下面１１１０の下側の空隙に優先的に充填されてしまう。
【００１８】
これは、加熱された樹脂はその粘度が低くなるために比較的に高い流動性をもち、毛細管現象が発生するからである。
【００１９】
そして、実質的に平坦なソルダレジスト１４００のレジスト表面１４１０と、部品下面１１１０と、の間の距離（ｄ）が通常３０〜１００μｍ程度はある前述した空隙の体積、したがって同空隙に充填されてしまう樹脂の量は、無視できない程度に大きいことがある。
【００２０】
すると、半田と分離した樹脂が半田接合部１６１１および１６１２を＋Ｚ方向に十分に濡れ上がることができず、形成された樹脂補強部１７１０ｐのＺ方向の高さ（Ｈｐ）が半田接合部１６１１および１６１２に比較して小さくなってしまう。
【００２１】
結果的に、要求される耐衝撃性を確保できる樹脂補強部１７１０ｐが形成されない場合が、あった。
【００２２】
本発明は、上述した従来の課題を考慮し、落下などに起因する衝撃に対してのより優れた耐衝撃性を確保することが可能な、実装構造体、および実装構造体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
第１の本発明は、電子回路基板の基板表面に形成された少なくとも二つの基板電極と、
電子部品をそれぞれの前記基板電極に接合する半田接合部と、
前記半田接合部を覆う樹脂補強部と、
前記基板表面に形成されたソルダレジストと、
前記電子部品の下側にあり前記基板電極に挟まれた、前記基板表面の部分に形成された凸部と、
を備え、
前記基板表面に垂直な方向の前記凸部の厚さは、前記基板表面に垂直な前記方向の前記ソルダレジストの厚さより、１０μｍ以上４０μｍ以下の範囲で大きく、
前記基板電極の、前記基板表面の前記部分の側にある電極辺の方向の、前記凸部の長さは、前記電極辺の長さの８０％以上１２０％以下であり、
前記凸部と前記電極辺との間の距離は、０ｍｍ以上０．７ｍｍ以下であり、
前記凸部は、前記基板電極の電極表面に面接触しないように形成されている、実装構造体である。
【００２４】
第２の本発明は、前記凸部の材料は、前記ソルダレジストの材料と異なる、第１の本発明の実装構造体である。
【００２５】
第３の本発明は、前記基板表面の前記部分に形成された基板配線を備え、
前記凸部は、前記基板配線と、前記基板配線の上に形成された前記ソルダレジストと、によって構成されている、第１の本発明の実装構造体である。
【００２６】
第４の本発明は、前記凸部の前記厚さは、前記ソルダレジストの前記厚さより、２５μｍ以上の範囲で大きく、
前記凸部の前記長さは、前記電極辺の前記長さの１００％以上であり、
前記凸部と前記電極辺との間の前記距離は、０．３ｍｍ以下である、第１の本発明の実装構造体である。
【００２７】
第５の本発明は、少なくとも二つの基板電極を、電子回路基板の基板表面に形成する基板電極形成ステップと、
ソルダレジストを、前記基板表面に形成するソルダレジスト形成ステップと、
所定の部材を、前記基板電極に挟まれた、前記ソルダレジストのレジスト表面に形成する部材形成ステップと、
半田と、フラックス成分と、樹脂と、を含む導電性ペーストを、前記基板電極の上に塗布する導電性ペースト塗布ステップと、
電子部品を、前記塗布された導電性ペーストの上に載置する電子部品載置ステップと、
前記基板電極と、前記ソルダレジストと、前記部材と、が形成され、前記導電性ペーストが塗布され、前記電子部品が載置された前記電子回路基板を加熱する加熱ステップと、
を備えた、実装構造体の製造方法である。
【発明の効果】
【００２８】
本発明により、落下などに起因する衝撃に対してのより優れた耐衝撃性を確保することが可能な、実装構造体、および実装構造体の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明における実施の形態１の実装構造体の模式的な断面図
【図２】本発明における実施の形態１の実装構造体の模式的な平面図
【図３】本発明における実施の形態２の実装構造体の模式的な断面図
【図４】本発明における実施の形態２の実装構造体の模式的な平面図
【図５】本発明における実施例１の実装構造体の模式的な平面図
【図６】本発明における実施例２の実装構造体の模式的な平面図
【図７】本発明における実施例３の実装構造体の模式的な平面図
【図８】本発明における実施例４の実装構造体の模式的な平面図
【図９】本発明における実施例５の実装構造体の模式的な平面図
【図１０】本発明における実施例６の実装構造体の模式的な平面図
【図１１】本発明における実施例７の実装構造体の模式的な平面図
【図１２】本発明における実施例８の実装構造体の模式的な平面図
【図１３】本発明における比較例１の実装構造体の模式的な平面図
【図１４】本発明における比較例２の実装構造体の模式的な平面図
【図１５】本発明における比較例３の実装構造体の模式的な平面図
【図１６】本発明における比較例４の実装構造体の模式的な平面図
【図１７】本発明における比較例５の実装構造体の模式的な平面図
【図１８】本発明における実施例１〜８およびおよび比較例１〜５の実装構造体に対して行われた耐衝撃試験の結果を説明する説明図
【図１９】従来の実装構造体の模式的な断面図
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、図面を参照しながら、本発明における実施の形態について詳細に説明する。
【００３１】
（実施の形態１）
はじめに、本発明における実施の形態１の実装構造体の模式的な断面図である図１、および本発明における実施の形態１の実装構造体の模式的な平面図である図２を主として参照しながら、本実施の形態の実装構造体１０００の構成について説明する。
【００３２】
ここに、図２においては、電子部品１１００などの図示が省略されている。
【００３３】
実装構造体１０００は、少なくとも二つの基板電極１３１１および１３１２と、半田接合部１６１１および１６１２と、樹脂補強部１７１０と、ソルダレジスト１４００と、凸部１５１０と、を備えている。
【００３４】
以下では、実装構造体１０００の構成についてより具体的に説明する。
【００３５】
基板電極１３１１および１３１２は、電子回路基板１２００の基板表面１２１０に形成されている。
【００３６】
半田接合部１６１１および１６１２は、電子部品１１００をそれぞれの基板電極１３１１および１３１２に接合している。
【００３７】
ここに、電子部品１１００は、チップ部品などである。
【００３８】
樹脂補強部１７１０は、半田接合部１６１１および１６１２を覆っている。
【００３９】
なお、基板表面１２１０に垂直な方向（Ｚ方向）の樹脂補強部１７１０の高さ（Ｈ）は、実質的に０．１ｍｍ以上である。
【００４０】
ここに、ソルダレジスト１４００は基板表面１２１０に直接的に形成されているので、高さ（Ｈ）は実質的に平坦なソルダレジスト１４００のレジスト表面１４１０を基準として定義されている。
【００４１】
ソルダレジスト１４００は、基板表面１２１０に形成されている。
【００４２】
ソルダレジスト１４００は、後述の通りソルダレジスト用のインキを利用して形成された厚さ（Ｔ）３０μｍ程度のレジストである。
【００４３】
凸部１５１０は、電子部品１１００の下側（−Ｚ側）にあり基板電極１３１１および１３１２に挟まれた、基板表面１２１０の部分１２２０に形成されている。
【００４４】
もちろん、後述されるように、凸部１５１０の長さ（λ）が電極辺１３２１および１３２２の長さ（Ｌ１およびＬ２）より大きい場合もあり、そのような場合には凸部１５１０の端部は電極辺１３２１および／または１３２２の端部よりも飛び出す。
【００４５】
基板表面１２１０に垂直な方向（Ｚ方向）の凸部１５１０の厚さ（τ）は、基板表面１２１０に垂直な方向（Ｚ方向）のソルダレジスト１４００の厚さ（Ｔ）より、実質的に１０μｍ以上４０μｍ以下の範囲で大きい。
【００４６】
ここに、厚さτは、基板表面１２１０を基準として定義されている。
【００４７】
より具体的には、凸部１５１０は、後述の通りシルクプリント用のインキを利用してレジスト表面１４１０に形成された厚さ（τ−Ｔ＞０）１０〜４０μｍ程度の略直方体の形状を有するシルクプリント１５２０と、シルクプリント１５２０の−Ｚ側にある厚さ（Ｔ）３０μｍ程度のソルダレジスト１４００と、で構成されている。
【００４８】
したがって、シルクプリント１５２０のシルクプリント表面１５３０と、電子部品１１００の部品下面１１１０と、の間のＺ方向のギャップ（ｇ）は、実質的に平坦なソルダレジスト１４００のレジスト表面１４１０と、部品下面１１１０と、の間の距離（ｄ）が４０μｍ程度であれば、大きくても３０μｍ程度しかない。
【００４９】
ここに、凸部１５１０の厚さ（τ）とソルダレジスト１４００の厚さ（Ｔ）との差（τ−Ｔ＞０）が１０μｍより小さいと、部品下面１１１０の下側の空隙への樹脂の浸透を十分に抑制できない恐れがある。
【００５０】
そして、凸部１５１０の厚さ（τ）とソルダレジスト１４００の厚さ（Ｔ）との差（τ−Ｔ＞０）が４０μｍより大きいと、導電性ペースト塗布ステップにおけるメタルマスクの面と基板電極１３１１および１３１２の電極表面との間に形成されるギャップが無視できなくなり、基板電極１３１１および１３１２の上に塗布された導電性ペーストの印刷形状が悪化してしまう恐れがある。
【００５１】
なお、凸部１５１０の材料は、ソルダレジスト１４００の材料と異なっているが、ソルダレジスト１４００の材料と同じであってもよい。
【００５２】
もちろん、凸部１５１０がシルクプリント１５２０と、ソルダレジスト１４００と、で前述の通り構成されているので、凸部１５１０の材料は、シルクプリント１５２０の材料とソルダレジスト１４００の材料とが異なっていれば、ソルダレジスト１４００の材料と異なっていることになる。
【００５３】
基板電極１３１１および１３１２の、基板表面１２１０の部分１２２０の側にある電極辺１３２１および１３２２の方向（Ｙ方向）の、凸部１５１０の長さ（λ）は、電極辺１３２１および１３２２の長さ（Ｌ１およびＬ２）の実質的に８０％以上１２０％以下である。
【００５４】
もちろん、Ｌ１およびＬ２のように添数が異なる量は、以下の説明では特に断らない限り等しいが、必ずしも等しくなくてもよい（その他の量についても同様である）。
【００５５】
ここに、凸部１５１０の長さ（λ）が電極辺１３２１および１３２２の長さ（Ｌ１およびＬ２）の８０％より小さいと、部品下面１１１０の下側の空隙への樹脂の浸透を十分に抑制できない恐れがある。
【００５６】
そして、凸部１５１０の長さ（λ）が電極辺１３２１および１３２２の長さ（Ｌ１およびＬ２）の１２０％より大きいと、凸部１５１０が隣接する電子部品（図示省略）のランド部分に接触してしまう恐れがある。
【００５７】
凸部１５１０と電極辺１３２１および１３２２との間の距離（δ１およびδ２）は、実質的に０ｍｍ以上０．７ｍｍ以下である。
【００５８】
凸部１５１０は、基板電極１３１１および１３１２の電極表面に面接触しないように形成されている。
【００５９】
ここに、凸部１５１０と電極辺１３２１および１３２２との間の距離（δ１およびδ２）が０．７ｍｍより大きいと、部品下面１１１０の下側の空隙への樹脂の浸透を十分に抑制できない恐れがある。
【００６０】
もちろん、凸部１５１０が基板電極１３１１および１３１２の電極表面に面接触していないので、基板電極１３１１および１３１２の上に塗布された導電性ペーストの印刷形状が悪化し、導電性ペーストが電子部品１１００と接触する面積が不十分になってしまう恐れはほとんどない。
【００６１】
つぎに、図１および２を主として参照しながら、実装構造体１０００の製造方法について説明する。
【００６２】
以下では、基板電極形成ステップと、ソルダレジスト形成ステップと、シルクプリント形成ステップと、導電性ペースト塗布ステップと、電子部品載置ステップと、加熱ステップと、についてこの順番で具体的に説明する。
【００６３】
もちろん、上記のステップは必ずしもこの順番で行われなくてもよく、たとえば、導電性ペースト塗布ステップはシルクプリント形成ステップが行われた後で行われてもよい。
【００６４】
（基板電極形成ステップ）
少なくとも二つの基板電極１３１１および１３１２が、電子回路基板１２００の基板表面１２１０に形成される。
【００６５】
より具体的には、基板表面１２１０の全体にあらかじめ形成されていた回路パターン用の銅箔の内、回路パターンに対応する部分以外の部分がフォトリソグラフィなどにより除去され、基板電極１３１１および１３１２などの回路パターンが基板表面１２１０に形成される。
【００６６】
（ソルダレジスト形成ステップ）
ソルダレジスト１４００が、基板表面１２１０に形成される。
【００６７】
より具体的には、回路パターンが前述の通り形成された基板表面１２１０の全体に塗布されたアクリル系またはエポキシアクレート系などの樹脂であるソルダレジスト用のインキの内、基板電極１３１１および１３１２などに対応する部分がフォトリソグラフィなどにより除去され、ソルダレジスト１４００が同部分を除いて基板表面１２１０に厚さ（Ｔ）３０μｍ程度のレジストとして形成される。
【００６８】
もちろん、ソルダレジスト１４００は、基板電極１３１１および１３１２などに対応する部分を少なくとも除いて基板表面１２１０に形成されていればよく、たとえば、基板電極１３１１および１３１２などに対応する部分およびその周辺の狭小部分を除いて基板表面１２１０に形成されていてもよい。
【００６９】
（シルクプリント形成ステップ）
シルクプリント１５２０が、基板電極１３１１および１３１２に挟まれた、ソルダレジスト１４００のレジスト表面１４１０に形成される。
【００７０】
より具体的には、アクリル系またはエポキシアクレート系などの樹脂であるシルクプリント用のインキがスクリーン印刷法などにより塗布され、シルクプリント１５２０が厚さ（τ−Ｔ＞０）１０〜４０μｍ程度のプリントとして形成される。
【００７１】
（導電性ペースト塗布ステップ）
半田と、フラックス成分と、樹脂と、を含む導電性ペーストが、基板電極１３１１および１３１２の上に塗布される。
【００７２】
より具体的には、導電性ペーストは、開口が基板電極１３１１および１３１２などの電極サイズに応じて形成された厚さ１２０μｍ程度のメタルマスクを用いるスクリーン印刷機を利用して、スクリーン印刷法などにより塗布される。
【００７３】
（電子部品載置ステップ）
電子部品１１００が、塗布された導電性ペーストの上に載置される。
【００７４】
より具体的には、電子部品１１００は、チップマウンタを利用して、導電性ペーストの上に載置される。
【００７５】
（加熱ステップ）
基板電極１３１１および１３１２と、ソルダレジスト１４００と、シルクプリント１５２０と、が形成され、導電性ペーストが塗布され、電子部品１１００が載置された電子回路基板１２００が、加熱される。
【００７６】
より具体的には、導電性ペーストが塗布され、電子部品１１００が載置された電子回路基板１２００は、リフロー炉を利用して半田の融点以上である１６０℃で６分間加熱される。
【００７７】
すると、樹脂は半田と分離し、半田と分離した樹脂は半田によって形成された半田接合部１６１１および１６１２を＋Ｚ方向に濡れ上がって硬化し、半田接合部１６１１および１６１２を覆う樹脂補強部１７１０が形成される。
【００７８】
前述されたように、シルクプリント表面１５３０と部品下面１１１０との間のＺ方向のギャップ（ｇ）は大きくても３０μｍ程度しかないので、部品下面１１１０の下側の空隙に充填されてしまう樹脂の量はそれほど多くない。
【００７９】
したがって、樹脂が半田接合部１６１１および１６１２を＋Ｚ方向に十分に濡れ上がることができ、形成された樹脂補強部１７１０のＺ方向の高さ（Ｈ）が半田接合部１６１１および１６１２に比較して小さくなる恐れはほとんどない。
【００８０】
このようにして、半田接合部１６１１および１６１２による半田接合と、樹脂補強部１７１０による樹脂補強と、が同時に行われ、落下などに起因する衝撃に対しての耐衝撃性が確保された実装構造体１０００が得られる。
【００８１】
（実施の形態２）
つぎに、本発明における実施の形態２の実装構造体の模式的な断面図である図３、および本発明における実施の形態２の実装構造体の模式的な平面図である図４を主として参照しながら、本実施の形態の実装構造体２０００の構成について説明する。
【００８２】
ここに、図４においては、電子部品２１００などの図示が省略されている。
【００８３】
実装構造体２０００は、少なくとも二つの基板電極１３１１および１３１２と、半田接合部２６１１および２６１２と、樹脂補強部２７１１および２７１２と、ソルダレジスト２４００と、凸部２５１１および２５１２と、を備えている。
【００８４】
実装構造体２０００の構成は、前述の実装構造体１０００の構成とつぎのような点で異なっている。
【００８５】
実装構造体２０００は、基板表面１２１０の部分１２２０に形成された基板配線２５２１および２５２２を備えている。
【００８６】
凸部２５１１および２５１２は、基板配線２５２１および２５２２と、基板配線２５２１および２５２２の上に形成されたソルダレジスト２４００と、によって構成されている。
【００８７】
ここに、基板配線２５２１および２５２２は、Ｃｕ（銅）配線などである。
【００８８】
以下では、実装構造体２０００の構成についてより具体的に説明する。
【００８９】
基板電極１３１１および１３１２は、電子回路基板１２００の基板表面１２１０に形成されている。
【００９０】
半田接合部２６１１および２６１２は、電子部品２１００をそれぞれの基板電極１３１１および１３１２に接合している。
【００９１】
ここに、電子部品２１００は、基板電極１３１１および１３１２に接合された部品電極２１１１および２１１２などを有するＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｎｏ−ｌｅａｄ）部品などである。
【００９２】
樹脂補強部２７１１および２７１２は、半田接合部２６１１および２６１２を覆っている。
【００９３】
もちろん、樹脂補強部２７１１および２７１２は、たとえば電子部品２１００の−Ｚ側で一つにつながっていてもよい。
【００９４】
なお、基板表面１２１０に垂直な方向（Ｚ方向）の樹脂補強部２７１１および２７１２の高さ（Ｈ１およびＨ２）は、実質的に０．１ｍｍ以上である。
【００９５】
ここに、ソルダレジスト２４００の一部は基板表面１２１０に直接的にではなく前述の通り基板配線２５２１および２５２２の上に形成されているので、高さ（Ｈ１およびＨ２）は基板表面１２１０に直接的に形成されている実質的に平坦なソルダレジスト２４００のレジスト表面２４１０を基準として定義されている。
【００９６】
ソルダレジスト２４００は、基板表面１２１０に形成されている。
【００９７】
ソルダレジスト２４００は、後述の通りソルダレジスト用のインキを利用して形成された厚さ（Ｔ）３０μｍ程度のレジストである。
【００９８】
凸部２５１１および２５１２は、電子部品２１００の下側（−Ｚ側）にあり基板電極１３１１および１３１２に挟まれた、基板表面１２１０の部分１２２０に形成されている。
【００９９】
もちろん、後述されるように、凸部２５１１および２５１２の長さ（λ１およびλ２）が電極辺１３２１および１３２２の長さ（Ｌ１およびＬ２）より大きい場合もあり、そのような場合には凸部２５１１および２５１２の端部は電極辺１３２１および／または１３２２の端部よりも飛び出す。
【０１００】
そして、後述されるように、凸部２５１１および２５１２はソルダレジスト形成ステップにおいて自然に形成されるので、ソルダレジスト２４００は実質的に平坦なソルダレジスト２４００のレジスト表面２４１０から見て基板配線２５２１および２５２２の周辺の狭小部分で盛り上がる場合が多く、そのような場合には凸部２５１１および２５１２は同狭小部分に相当する部分だけやや大きくなる。
【０１０１】
基板表面１２１０に垂直な方向（Ｚ方向）の凸部２５１１および２５１２の厚さ（τ１およびτ２）は、基板表面１２１０に垂直な方向（Ｚ方向）のソルダレジスト２４００の厚さ（Ｔ）より、実質的に１０μｍ以上４０μｍ以下の範囲で大きい。
【０１０２】
ここに、厚さτ１およびτ２は、基板表面１２１０を基準として定義されている。
【０１０３】
より具体的には、凸部２５１１および２５１２は、前述の通り基板表面１２１０に形成された厚さ（τｉ−Ｔ＞０、ｉ＝１および２）２５μｍ程度の略直方体の形状を有する基板配線２５２１および２５２２と、基板配線２５２１および２５２２の＋Ｚ側にある厚さ（Ｔ）３０μｍ程度のソルダレジスト２４００と、で構成されている。
【０１０４】
したがって、基板配線２５２１および２５２２の上に形成されているソルダレジスト２４００のレジスト表面２４１０と、電子部品２１００の部品下面２１１０と、の間のＺ方向のギャップ（ｇ）は、基板表面１２１０に直接的に形成されている実質的に平坦なソルダレジスト２４００のレジスト表面２４１０と、部品下面２１１０と、の間の距離（ｄ）が４０μｍ程度であれば、大きくても１５μｍ程度しかない。
【０１０５】
このように比較的に厚い基板配線２５２１および２５２２が基板電極１３１１および１３１２のかなり近くに設けられている場合などには、製造時に加熱された樹脂が部品下面２１１０の下側の空隙にまで達しないので、樹脂補強部２７１１および２７１２が一つにつながることさえない。
【０１０６】
ここに、凸部２５１１および２５１２の厚さ（τ１およびτ２）とソルダレジスト２４００の厚さ（Ｔ）との差（τ−Ｔ＞０）が１０μｍより小さいと、部品下面２１１０の下側の空隙への樹脂の浸透を十分に抑制できない恐れがある。
【０１０７】
そして、凸部２５１１および２５１２の厚さ（τ１およびτ２）とソルダレジスト２４００の厚さ（Ｔ）との差（τ−Ｔ＞０）が４０μｍより大きいと、導電性ペースト塗布ステップにおけるメタルマスクの面と基板電極１３１１および１３１２の電極表面との間に形成されるギャップが無視できなくなり、基板電極１３１１および１３１２の上に塗布された導電性ペーストの印刷形状が悪化してしまう恐れがある。
【０１０８】
基板電極１３１１および１３１２の、基板表面１２１０の部分１２２０の側にある電極辺１３２１および１３２２の方向（Ｙ方向）の、凸部２５１１および２５１２の長さ（λ１およびλ２）は、電極辺１３２１および１３２２の長さ（Ｌ１およびＬ２）の実質的に８０％以上１２０％以下である。
【０１０９】
ここに、凸部２５１１および２５１２の長さ（λ１およびλ２）が電極辺１３２１および１３２２の長さ（Ｌ１およびＬ２）の８０％より小さいと、部品下面２１１０の下側の空隙への樹脂の浸透を十分に抑制できない恐れがある。
【０１１０】
そして、凸部２５１１および２５１２の長さ（λ１およびλ２）が電極辺１３２１および１３２２の長さ（Ｌ１およびＬ２）の１２０％より大きいと、凸部２５１１および２５１２が隣接する電子部品（図示省略）のランド部分に接触してしまう恐れがある。
【０１１１】
凸部２５１１および２５１２と電極辺１３２１および１３２２との間の距離（δ１およびδ２）は、実質的に０ｍｍ以上０．７ｍｍ以下である。
【０１１２】
凸部２５１１および２５１２は、基板電極１３１１および１３１２の電極表面に面接触しないように形成されている。
【０１１３】
ここに、凸部２５１１および２５１２と電極辺１３２１および１３２２との間の距離（δ１およびδ２）が０．７ｍｍより大きいと、部品下面２１１０の下側の空隙への樹脂の浸透を十分に抑制できない恐れがある。
【０１１４】
もちろん、凸部２５１１および２５１２が基板電極１３１１および１３１２の電極表面に面接触していないので、基板電極１３１１および１３１２の上に塗布された導電性ペーストの印刷形状が悪化し、導電性ペーストが電子部品２１００と接触する面積が不十分になってしまう恐れはほとんどない。
【０１１５】
つぎに、図３および４を主として参照しながら、実装構造体２０００の製造方法について説明する。
【０１１６】
以下では、基板電極形成ステップと、ソルダレジスト形成ステップと、導電性ペースト塗布ステップと、電子部品載置ステップと、加熱ステップと、についてこの順番で具体的に説明する。
【０１１７】
（基板電極形成ステップ）
少なくとも二つの基板電極１３１１および１３１２が、電子回路基板１２００の基板表面１２１０に形成される。
【０１１８】
より具体的には、基板表面１２１０の全体にあらかじめ形成されていた回路パターン用の銅箔の内、回路パターンに対応する部分以外の部分がフォトリソグラフィなどにより除去され、基板電極１３１１および１３１２、ならびに基板配線２５２１および２５２２などの回路パターンが基板表面１２１０に形成される。
【０１１９】
（ソルダレジスト形成ステップ）
ソルダレジスト２４００が、基板表面１２１０に形成される。
【０１２０】
より具体的には、回路パターンが前述の通り形成された基板表面１２１０の全体に塗布されたアクリル系またはエポキシアクレート系などの樹脂であるソルダレジスト用のインキの内、基板電極１３１１および１３１２などに対応する部分がフォトリソグラフィなどにより除去され、ソルダレジスト２４００が同部分を除いて基板表面１２１０に厚さ（Ｔ）３０μｍ程度のレジストとして形成される。
【０１２１】
そして、凸部２５１１および２５１２が、前述の通り基板表面１２１０に形成された厚さ（τｉ−Ｔ＞０、ｉ＝１および２）２５μｍ程度の基板配線２５２１および２５２２に対応するレジスト表面２４１０の突起物として形成される。
【０１２２】
もちろん、ソルダレジスト２４００は、基板電極１３１１および１３１２などに対応する部分を少なくとも除いて基板表面１２１０に形成されていればよく、たとえば、基板電極１３１１および１３１２などに対応する部分およびその周辺の狭小部分を除いて基板表面１２１０に形成されていてもよい。
【０１２３】
（導電性ペースト塗布ステップ）
半田と、フラックス成分と、樹脂と、を含む導電性ペーストが、基板電極１３１１および１３１２の上に塗布される。
【０１２４】
より具体的には、導電性ペーストは、開口が基板電極１３１１および１３１２などの電極サイズに応じて形成された厚さ１２０μｍ程度のメタルマスクを用いるスクリーン印刷機を利用して、スクリーン印刷法などにより塗布される。
【０１２５】
（電子部品載置ステップ）
電子部品２１００が、塗布された導電性ペーストの上に載置される。
【０１２６】
より具体的には、電子部品２１００は、チップマウンタを利用して、導電性ペーストの上に載置される。
【０１２７】
（加熱ステップ）
基板電極１３１１および１３１２と、ソルダレジスト２４００と、が形成され、導電性ペーストが塗布され、電子部品２１００が載置された電子回路基板１２００が、加熱される。
【０１２８】
より具体的には、導電性ペーストが塗布され、電子部品２１００が載置された電子回路基板１２００は、リフロー炉を利用して半田の融点以上である１６０℃で６分間加熱される。
【０１２９】
すると、樹脂は半田と分離し、半田と分離した樹脂は半田によって形成された半田接合部２６１１および２６１２を＋Ｚ方向に濡れ上がって硬化し、半田接合部２６１１および２６１２を覆う樹脂補強部２７１１および２７１２が形成される。
【０１３０】
前述されたように、基板配線２５２１および２５２２の上に形成されているソルダレジスト２４００のレジスト表面２４１０と、部品下面２１１０と、の間のＺ方向のギャップ（ｇ）は大きくても１５μｍ程度しかないので、部品下面２１１０の下側の空隙に充填されてしまう樹脂の量はそれほど多くない。
【０１３１】
さらに、比較的に厚い基板配線２５２１および２５２２が基板電極１３１１および１３１２のかなり近くに設けられている場合などには、加熱された樹脂が部品下面２１１０の下側の空隙にまで達しないので、充填されてしまう樹脂の量は無視できる程度に小さく、樹脂補強部２７１１および２７１２が一つにつながることさえない。
【０１３２】
したがって、樹脂が半田接合部２６１１および２６１２を＋Ｚ方向に十分に濡れ上がることができ、形成された樹脂補強部２７１１および２７１２のＺ方向の高さ（Ｈ１およびＨ２）が半田接合部２６１１および２６１２に比較して小さくなる恐れはほとんどない。
【０１３３】
このようにして、半田接合部２６１１および２６１２による半田接合と、樹脂補強部２７１１および２７１２による樹脂補強と、が同時に行われ、落下などに起因する衝撃に対しての耐衝撃性が確保された実装構造体２０００が得られる。
【０１３４】
なお、本実施の形態の半田は、Ｓｎ（錫）系、Ｓｎ−Ｂｉ（ビスマス）系、Ｓｎ−Ｉｎ（インジウム）系、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ａｇ（銀）系、Ｓｎ−Ｃｕ（銅）系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｉｎ系、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｉｎ系、およびＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ−Ｉｎ系などの所定の合金組成を有する合金を、単独で、またはいくつか組み合わせて混合物として利用することで構成されている。
【０１３５】
また、本実施の形態の樹脂は、ビスフェノール型エポキシ樹脂、多官能エポキシ樹脂、可撓性エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、および高分子型エポキシ樹脂などを、単独で、またはいくつか組み合わせて利用することで構成されている。より具体的には、上記のエポキシ樹脂は、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、およびクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ならびにこれらを変性させたエポキシ樹脂などを、単独で、またはいくつか組み合わせて利用することで構成されている。
【０１３６】
なお、導電性ペーストの使用環境および／または用途に応じ前述されたエポキシ樹脂と組み合わせて利用される硬化剤は、チオール系化合物、変性アミン系化合物、多官能フェノール系化合物、イミダゾール系化合物、および酸無水物系化合物などを、単独で、またはいくつか組み合わせて利用することで構成されている。
【０１３７】
また、必要に応じて利用される粘度調整／チクソ性付与添加剤は、無機系である、シリカ、およびアルミナ、ならびに有機系である、固形のエポキシ樹脂、低分子量のアマイド、ポリエステル系樹脂、およびヒマシ油の有機誘導体などを、単独で、またはいくつか組み合わせて利用することで構成されている。
【０１３８】
要するに、本実施の形態の導電性ペーストの組成については、多くの有用な変形例が考えられる。
【実施例】
【０１３９】
以下では、つぎの第一から第三の条件が全て満足されていれば、優れた耐衝撃性を確保できることが実験的に裏付けられている点について説明する。
【０１４０】
（１ａ）凸部の厚さは、ソルダレジストの厚さより、１０μｍ以上４０μｍ以下の範囲で大きい。
【０１４１】
（２ａ）凸部の長さは、電極辺の長さの８０％以上１２０％以下である。
【０１４２】
（３ａ）凸部と電極辺との間の距離は、０ｍｍ以上０．７ｍｍ以下である。
【０１４３】
さらに、より厳しいつぎの第一から第三の条件が全て満足されていれば、より優れた耐衝撃性を確保することができることも、明らかになる。
【０１４４】
（１ｂ）凸部の厚さは、ソルダレジストの厚さより、２５μｍ以上の範囲で大きい。
【０１４５】
（２ｂ）凸部の長さは、電極辺の長さの１００％以上である。
【０１４６】
（３ｂ）凸部と電極辺との間の距離は、０．３ｍｍ以下である。
【０１４７】
なお、凸部の厚さは、凸部が複数の材料で構成されている場合などには、全体的な厚さを部品下面の下側の空隙への樹脂の充填が抑制されるようにある程度は大きくすることが有意義である。
【０１４８】
もちろん、導電性ペースト塗布ステップにおけるメタルマスクの面と基板電極の電極表面との間に形成されるギャップが無視できなくなり、基板電極の上に塗布された導電性ペーストの印刷形状が悪化してしまう恐れがあるので、凸部の厚さが大きすぎることは前述の通り望ましくない。
【０１４９】
また、凸部の長さは、複数の凸部が設けられている場合などには、全体的な長さを部品下面の下側の空隙への樹脂の充填が抑制されるようにある程度は大きくすることが有意義である。
【０１５０】
もちろん、凸部が隣接する電子部品のランド部分に接触してしまう恐れがあるので、凸部の長さが大きすぎることは前述の通り望ましくない。
【０１５１】
たとえば、後述されるように、電極辺の長さは１．７ｍｍ程度であり、電子部品は３２１６サイズチップ部品であって隣接する電子部品の間の間隔は０．３〜０．５ｍｍ程度であるという具体例がある。このような具体例においては、凸部の各端部が電極辺の各端部よりも電極辺の長さの１０％に相当する０．１７（＝１．７×１０／１００）ｍｍ程度だけ飛び出しているとしても、凸部は隣接する電子部品のランド部分に接触しない。要するに、凸部の長さが電極辺の長さの１２０（＝１００＋１０×２）％以下であれば、凸部が隣接する電子部品のランド部分に接触してしまう恐れはほとんどない。
【０１５２】
また、凸部と電極辺との間の距離は、凸部と電極辺それぞれとの間の距離が異なる場合などには、最大の距離を部品下面の下側の空隙への樹脂の充填が抑制されるようにある程度は小さくすることが有意義である。
【０１５３】
もちろん、基板電極の上に塗布された導電性ペーストの印刷形状が悪化し、導電性ペーストが電子部品と接触する面積が不十分になってしまう恐れがあるので、凸部が基板電極の電極表面に面接触することは前述の通り望ましくない。
【０１５４】
つぎに、図５〜１７を主として参照しながら、実施例１〜８および比較例１〜５の実装構造体の構成について説明する。
【０１５５】
なお、図５〜１７は、本発明における実施例１〜８および比較例１〜５の実装構造体の模式的な平面図である。
【０１５６】
ここに、図５〜１７においては、電子部品１１００（図１参照）などの図示が省略されている。
【０１５７】
はじめに、実施例１〜８および比較例１〜５に全て共通の事項について説明を行う。
【０１５８】
まず、電子部品１１００（図１参照）は、３２１６サイズのチップ抵抗などの３２１６サイズチップ部品である。
【０１５９】
電子回路基板１２００は、厚さ０．８ｍｍ程度のＦＲ−４（Ｆｌａｍｅ Ｒｅｔａｒｄａｎｔ Ｔｙｐｅ ４）基板を利用することで構成されている。
【０１６０】
電極辺１３２１および１３２２の長さ（Ｌ１およびＬ２）は、１．７ｍｍ程度である。
【０１６１】
より具体的には、基板電極１３１１および１３１２は同様な略直方体の形状を有し、電子回路基板１２００の横の方向、すなわちＸ方向の、基板電極１３１１および１３１２の幅（Ｗ）は１．２ｍｍ程度であり、電子回路基板１２００の奥行きの方向、すなわちＹ方向の、基板電極１３１１および１３１２の長さ（Ｌ＝Ｌｉ、ｉ＝１および２）は１．７ｍｍ程度である。
【０１６２】
そして、このように同様な略直方体の形状を有する基板電極１３１１と基板電極１３１２との間の距離（Ｄ）は、１．８ｍｍ程度である。
【０１６３】
ここで、導電性ペーストの組成について説明する。
【０１６４】
半田は、Ｓｎ５８Ｂｉ半田を利用することで構成されている。
【０１６５】
エポキシ樹脂は、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（商品名「エピコート８０６」、三菱化学製）を利用することで構成されている。
【０１６６】
硬化剤は、イミダゾール系硬化剤（商品名「キュアゾール２Ｐ４ＭＺ」、四国化成製）を利用することで構成されている。
【０１６７】
粘度調整／チクソ性付与添加剤は、ヒマシ油系チクソ剤（商品名「ＴＨＩＸＣＩＮ Ｒ」、エレメンティス・ジャパン製）を利用することで構成されている。
【０１６８】
前述されたように、導電性ペーストは厚さ１２０μｍ程度のメタルマスクを用いるスクリーン印刷機を利用して基板電極１３１１および１３１２の上に塗布され、電子部品１１００がチップマウンタを利用して塗布された導電性ペーストの上に載置され、電子回路基板１２００がリフロー炉を利用して１６０℃で６分間加熱される。
【０１６９】
このようにして、半田接合と樹脂補強とが同時に行われる。
【０１７０】
つぎに、実施例１〜８および比較例１〜５にそれぞれ個別の事項について説明を行う。
【０１７１】
（実施例１）
図５を主として参照しながら、本実施例の実装構造体１０００ａの構成について説明する。
【０１７２】
凸部１５１０ａは、レジスト表面１４１０ａに形成された厚さ１０μｍ程度の略直方体の形状を有するシルクプリント１５２０ａと、シルクプリント１５２０ａの−Ｚ側にある厚さ３０μｍ程度のソルダレジスト１４００ａと、で構成されている。
【０１７３】
したがって、凸部１５１０ａの厚さは、ソルダレジスト１４００ａの厚さより、１０μｍ程度大きい。
【０１７４】
ここに、シルクプリント１５２０ａと、ソルダレジスト１４００ａと、の厚さを加算することで得られた、凸部１５１０ａの全体的な厚さが考えられている（以下同様である）。
【０１７５】
実質的に平坦なソルダレジスト１４００ａのレジスト表面１４１０ａと、部品下面１１１０（図１参照）と、の間の距離は、４０μｍ程度である。
【０１７６】
凸部１５１０ａの長さ（λ）は、電極辺１３２１および１３２２それぞれの長さ（Ｌ１およびＬ２）と同程度である。
【０１７７】
そして、電子回路基板１２００の横の方向、すなわちＸ方向の、凸部１５１０ａの幅（ω）は、１．２ｍｍ程度である。
【０１７８】
凸部１５１０ａと電極辺１３２１および１３２２それぞれとの間の距離（δ１およびδ２）は、０．３ｍｍ程度である。
【０１７９】
（実施例２）
図６を主として参照しながら、本実施例の実装構造体１０００ｂの構成について説明する。
【０１８０】
凸部１５１１ｂおよび１５１２ｂは、それぞれ、レジスト表面１４１０ｂに形成された厚さ１０μｍ程度の略直方体の形状を有するシルクプリント１５２１ｂおよび１５２２ｂと、シルクプリント１５２１ｂおよび１５２２ｂの−Ｚ側にある厚さ３０μｍ程度のソルダレジスト１４００ｂと、で構成されている。
【０１８１】
実質的に平坦なソルダレジスト１４００ｂのレジスト表面１４１０ｂと、部品下面１１１０（図１参照）と、の間の距離は、４０μｍ程度である。
【０１８２】
凸部１５１１ｂおよび１５１２ｂそれぞれの長さ（λ１およびλ２）は、近接する電極辺１３２１および１３２２それぞれの長さ（Ｌ１およびＬ２）と同程度である。
【０１８３】
そして、電子回路基板１２００の横の方向、すなわちＸ方向の、凸部１５１１ｂおよび１５１２ｂそれぞれの幅（ω１およびω２）は、０．５ｍｍ程度である。
【０１８４】
凸部１５１１ｂおよび１５１２ｂそれぞれと、近接する電極辺１３２１および１３２２それぞれと、の間の距離（δ１およびδ２）は、０．２ｍｍ程度である。
【０１８５】
（実施例３）
図７を主として参照しながら、本実施例の実装構造体２０００ａの構成について説明する。
【０１８６】
凸部２５１０ａは、基板表面１２１０に形成された厚さ２５μｍ程度の略直方体の形状を有する基板配線２５２０ａと、基板配線２５２０ａの＋Ｚ側にある厚さ３０μｍ程度のソルダレジスト２４００ａと、で構成されている。
【０１８７】
基板表面１２１０に直接的に形成されている実質的に平坦なソルダレジスト２４００ａのレジスト表面２４１０ａと、部品下面１１１０（図１参照）と、の間の距離は、４０μｍ程度である。
【０１８８】
凸部２５１０ａの長さ（λ）は、電極辺１３２１および１３２２それぞれの長さ（Ｌ１およびＬ２）と同程度である。
【０１８９】
そして、電子回路基板１２００の横の方向、すなわちＸ方向の、凸部２５１０ａの幅（ω）は、１．２ｍｍ程度である。
【０１９０】
凸部２５１０ａと電極辺１３２１および１３２２それぞれとの間の距離（δ１およびδ２）は、０．３ｍｍ程度である。
【０１９１】
（実施例４）
図８を主として参照しながら、本実施例の実装構造体２０００ｂの構成について説明する。
【０１９２】
凸部２５１１ｂおよび２５１２ｂは、それぞれ、基板表面１２１０に形成された厚さ２５μｍ程度の略直方体の形状を有する基板配線２５２１ｂおよび２５２２ｂと、基板配線２５２１ｂおよび２５２２ｂの＋Ｚ側にある厚さ３０μｍ程度のソルダレジスト２４００ｂと、で構成されている。
【０１９３】
基板表面１２１０に直接的に形成されている実質的に平坦なソルダレジスト２４００ｂのレジスト表面２４１０ｂと、部品下面１１１０（図１参照）と、の間の距離は、４０μｍ程度である。
【０１９４】
凸部２５１１ｂおよび２５１２ｂそれぞれの長さ（λ１およびλ２）は、近接する電極辺１３２１および１３２２それぞれの長さ（Ｌ１およびＬ２）と同程度である。
【０１９５】
そして、電子回路基板１２００の横の方向、すなわちＸ方向の、凸部２５１１ｂおよび２５１２ｂそれぞれの幅（ω１およびω２）は、０．５ｍｍ程度である。
【０１９６】
凸部２５１１ｂおよび２５１２ｂそれぞれと、近接する電極辺１３２１および１３２２それぞれと、の間の距離（δ１およびδ２）は、０．２ｍｍ程度である。
【０１９７】
（実施例５）
図９を主として参照しながら、本実施例の実装構造体３０００ａの構成について説明する。
【０１９８】
凸部３５１０ａは、レジスト表面３４１０ａに形成された厚さ１０〜１５μｍ程度の略直方体の形状を有するシルクプリント３５２１ａと、シルクプリント３５２１ａの−Ｚ側にあり、基板配線３５２２ａの＋Ｚ側にある厚さ３０μｍ程度のソルダレジスト３４００ａと、基板表面１２１０に形成された厚さ２５〜３０μｍ程度の略直方体の形状を有する基板配線３５２２ａと、で構成されている。
【０１９９】
したがって、凸部３５１０ａの厚さは、ソルダレジスト３４００ａの厚さより、３５（＝１０＋２５）〜４５（＝１５＋３０）μｍの中間値である４０μｍ程度大きい。
【０２００】
ここに、前述されたように、凸部が複数の材料で構成されており、シルクプリント３５２１ａと、ソルダレジスト３４００ａと、基板配線３５２２ａと、の厚さを加算することで得られた、凸部３５１０ａの全体的な厚さが考えられている。
【０２０１】
基板表面１２１０に直接的に形成されている実質的に平坦なソルダレジスト３４００ａのレジスト表面３４１０ａと、部品下面１１１０（図１参照）と、の間の距離は、４０μｍ程度である。
【０２０２】
凸部３５１０ａの長さ（λ）は、電極辺１３２１および１３２２それぞれの長さ（Ｌ１およびＬ２）と同程度である。
【０２０３】
そして、電子回路基板１２００の横の方向、すなわちＸ方向の、凸部３５１０ａの幅（ω）は、１．２ｍｍ程度である。
【０２０４】
凸部３５１０ａと電極辺１３２１および１３２２それぞれとの間の距離（δ１およびδ２）は、０．３ｍｍ程度である。
【０２０５】
（実施例６）
図１０を主として参照しながら、本実施例の実装構造体１０００ｃの構成について説明する。
【０２０６】
凸部１５１０ｃは、レジスト表面１４１０ｃに形成された厚さ１０μｍ程度の略直方体の形状を有するシルクプリント１５２０ｃと、シルクプリント１５２０ｃの−Ｚ側にある厚さ３０μｍ程度のソルダレジスト１４００ｃと、で構成されている。
【０２０７】
実質的に平坦なソルダレジスト１４００ｃのレジスト表面１４１０ｃと、部品下面１１１０（図１参照）と、の間の距離は、４０μｍ程度である。
【０２０８】
凸部１５１０ｃの長さ（λ）は、電極辺１３２１および１３２２それぞれの長さ（Ｌ１およびＬ２）と同程度である。
【０２０９】
そして、電子回路基板１２００の横の方向、すなわちＸ方向の、凸部１５１０ｃの幅（ω）は、０．４ｍｍ程度である。
【０２１０】
凸部１５１０ｃと電極辺１３２１および１３２２それぞれとの間の距離（δ１およびδ２）は、０．７ｍｍ程度である。
【０２１１】
（実施例７）
図１１を主として参照しながら、本実施例の実装構造体１０００ｄの構成について説明する。
【０２１２】
凸部１５１１ｄ、１５１２ｄ、１５１３ｄおよび１５１４ｄは、それぞれ、レジスト表面１４１０ｄに形成された厚さ１０μｍ程度の略直方体の形状を有するシルクプリント１５２１ｄ、１５２２ｄ、１５２３ｄおよび１５２４ｄと、シルクプリント１５２１ｄ、１５２２ｄ、１５２３ｄおよび１５２４ｄの−Ｚ側にある厚さ３０μｍ程度のソルダレジスト１４００ｄと、で構成されている。
【０２１３】
実質的に平坦なソルダレジスト１４００ｄのレジスト表面１４１０ｄと、部品下面１１１０（図１参照）と、の間の距離は、４０μｍ程度である。
【０２１４】
凸部１５１１ｄ、１５１２ｄ、１５１３ｄおよび１５１４ｄそれぞれの長さ（λ１、λ２、λ３およびλ４）は、近接する電極辺１３２１および１３２２それぞれの長さ（Ｌ１およびＬ２）の４０％程度である。
【０２１５】
したがって、凸部１５１１ｄ、１５１２ｄ、１５１３ｄおよび１５１４ｄの長さは、電極辺１３２１および１３２２の長さ（Ｌ１およびＬ２）の８０（＝４０＋４０）％程度である。
【０２１６】
ここに、複数の凸部が設けられており、凸部１５１１ｄ、１５１２ｄ、１５１３ｄおよび１５１４ｄの合併の、電極辺１３２１および１３２２それぞれへの射影の長さを算出することで得られた、凸部１５１１ｄ、１５１２ｄ、１５１３ｄおよび１５１４ｄの全体的な長さが考えられている。
【０２１７】
そして、電子回路基板１２００の横の方向、すなわちＸ方向の、凸部１５１１ｄ、１５１２ｄ、１５１３ｄおよび１５１４ｄそれぞれの幅（ω１、ω２、ω３およびω４）は、０．１５ｍｍ程度である。
【０２１８】
凸部１５１１ｄ、１５１２ｄ、１５１３ｄおよび１５１４ｄそれぞれと、近接する電極辺１３２１および１３２２それぞれと、の間の距離（δ１、δ２、δ３およびδ４）は、０．７ｍｍ程度である。
【０２１９】
（実施例８）
図１２を主として参照しながら、本実施例の実装構造体１０００ｅの構成について説明する。
【０２２０】
凸部１５１１ｅおよび１５１２ｅは、それぞれ、レジスト表面１４１０ｅに形成された厚さ１０μｍ程度の略直方体の形状を有するシルクプリント１５２１ｅおよび１５２２ｅと、シルクプリント１５２１ｅおよび１５２２ｅの−Ｚ側にある厚さ３０μｍ程度のソルダレジスト１４００ｅと、で構成されている。
【０２２１】
実質的に平坦なソルダレジスト１４００ｅのレジスト表面１４１０ｅと、部品下面１１１０（図１参照）と、の間の距離は、４０μｍ程度である。
【０２２２】
凸部１５１１ｅおよび１５１２ｅそれぞれの長さ（λ１およびλ２）は、近接する電極辺１３２１および１３２２それぞれの長さ（Ｌ１およびＬ２）の８０％程度である。
【０２２３】
そして、電子回路基板１２００の横の方向、すなわちＸ方向の、凸部１５１１ｅおよび１５１２ｅそれぞれの幅（ω１およびω２）は、０．１５ｍｍ程度である。
【０２２４】
凸部１５１１ｅおよび１５１２ｅそれぞれと、近接する電極辺１３２１および１３２２それぞれと、の間の距離（δ１およびδ２）は、０．７ｍｍ程度である。
【０２２５】
（比較例１）
図１３を主として参照しながら、本比較例の実装構造体４０００ａの構成について説明する。
【０２２６】
凸部が、実装構造体４０００ａにおいては設けられていない。
【０２２７】
実質的に平坦なソルダレジスト４４００ａのレジスト表面４４１０ａと、部品下面１１１０（図１参照）と、の間の距離は、４０μｍ程度である。
【０２２８】
（比較例２）
図１４を主として参照しながら、本比較例の実装構造体１０００ｆの構成について説明する。
【０２２９】
凸部１５１０ｆは、レジスト表面１４１０ｆに形成された厚さ１０μｍ程度の略直方体の形状を有するシルクプリント１５２０ｆと、シルクプリント１５２０ｆの−Ｚ側にある厚さ３０μｍ程度のソルダレジスト１４００ｆと、で構成されている。
【０２３０】
実質的に平坦なソルダレジスト１４００ｆのレジスト表面１４１０ｆと、部品下面１１１０（図１参照）と、の間の距離は、４０μｍ程度である。
【０２３１】
凸部１５１０ｆの長さ（λ）は、電極辺１３２１および１３２２それぞれの長さ（Ｌ１およびＬ２）と同程度である。
【０２３２】
そして、電子回路基板１２００の横の方向、すなわちＸ方向の、凸部１５１０ｆの幅（ω）は、０．５ｍｍ程度である。
【０２３３】
凸部１５１０ｆと電極辺１３２１および１３２２それぞれとの間の距離（δ１およびδ２）は、１．１ｍｍおよび０．２ｍｍ程度である。
【０２３４】
したがって、凸部１５１０ｆと電極辺１３２１および１３２２との間の距離は、１．１（＝Ｍａｘ（１．１，０．２））ｍｍ程度である。
【０２３５】
ここに、凸部と電極辺それぞれとの間の距離が異なっており、凸部１５１０ｆと電極辺１３２１および１３２２それぞれとの間の距離の最大値を算出することで得られた、凸部１５１０ｆと電極辺１３２１および１３２２それぞれとの間の最大の距離が考えられている。
【０２３６】
（比較例３）
図１５を主として参照しながら、本比較例の実装構造体１０００ｇの構成について説明する。
【０２３７】
凸部１５１０ｇは、レジスト表面１４１０ｇに形成された厚さ１０μｍ程度の略直方体の形状を有するシルクプリント１５２０ｇと、シルクプリント１５２０ｇの−Ｚ側にある厚さ３０μｍ程度のソルダレジスト１４００ｇと、で構成されている。
【０２３８】
実質的に平坦なソルダレジスト１４００ｇのレジスト表面１４１０ｇと、部品下面１１１０（図１参照）と、の間の距離は、４０μｍ程度である。
【０２３９】
凸部１５１０ｇの長さ（λ）は、電極辺１３２１および１３２２それぞれの長さ（Ｌ１およびＬ２）と同程度である。
【０２４０】
そして、電子回路基板１２００の横の方向、すなわちＸ方向の、凸部１５１０ｇの幅（ω）は、０．２ｍｍ程度である。
【０２４１】
凸部１５１０ｇと電極辺１３２１および１３２２それぞれとの間の距離（δ１およびδ２）は、０．８ｍｍ程度である。
【０２４２】
（比較例４）
図１６を主として参照しながら、本比較例の実装構造体１０００ｈの構成について説明する。
【０２４３】
凸部１５１０ｈは、レジスト表面１４１０ｈに形成された厚さ５μｍ程度の略直方体の形状を有するシルクプリント１５２０ｈと、シルクプリント１５２０ｈの−Ｚ側にある厚さ３０μｍ程度のソルダレジスト１４００ｈと、で構成されている。
【０２４４】
実質的に平坦なソルダレジスト１４００ｈのレジスト表面１４１０ｈと、部品下面１１１０（図１参照）と、の間の距離は、４０μｍ程度である。
【０２４５】
凸部１５１０ｈの長さ（λ）は、電極辺１３２１および１３２２それぞれの長さ（Ｌ１およびＬ２）と同程度である。
【０２４６】
そして、電子回路基板１２００の横の方向、すなわちＸ方向の、凸部１５１０ｈの幅（ω）は、１．２ｍｍ程度である。
【０２４７】
凸部１５１０ｈと電極辺１３２１および１３２２それぞれとの間の距離（δ１およびδ２）は、０．３ｍｍ程度である。
【０２４８】
（比較例５）
図１７を主として参照しながら、本比較例の実装構造体１０００ｉの構成について説明する。
【０２４９】
凸部１５１１ｉおよび１５１２ｉは、それぞれ、レジスト表面１４１０ｉに形成された厚さ１０μｍ程度の略直方体の形状を有するシルクプリント１５２１ｉおよび１５２２ｉと、シルクプリント１５２１ｉおよび１５２２ｉの−Ｚ側にある厚さ３０μｍ程度のソルダレジスト１４００ｉと、で構成されている。
【０２５０】
実質的に平坦なソルダレジスト１４００ｉのレジスト表面１４１０ｉと、部品下面１１１０（図１参照）と、の間の距離は、４０μｍ程度である。
【０２５１】
凸部１５１１ｉおよび１５１２ｉそれぞれの長さ（λ１およびλ２）は、近接する電極辺１３２１および１３２２それぞれの長さ（Ｌ１およびＬ２）の７０％程度である。
【０２５２】
そして、電子回路基板１２００の横の方向、すなわちＸ方向の、凸部１５１１ｉおよび１５１２ｉそれぞれの幅（ω１およびω２）は、０．１５ｍｍ程度である。
【０２５３】
凸部１５１１ｉおよび１５１２ｉそれぞれと、近接する電極辺１３２１および１３２２それぞれと、の間の距離（δ１およびδ２）は、０．７ｍｍ程度である。
【０２５４】
これら実施例１〜８および比較例１〜５の実装構造体についての耐衝撃試験は、樹脂補強部の高さ、せん断強度および破壊落下回数を測定することで行われた。
【０２５５】
なお、上記の樹脂補強部の高さは、実装構造体の半田接合部の断面をＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用して観察し、実質的に平坦なソルダレジストのレジスト表面とほぼ同一面内にある基板電極の電極表面を基準として樹脂の半田接合部への濡れ上がり高さをつながっている部分ごとに測定することにより、測定された。
【０２５６】
また、上記のせん断強度は、電子部品の長手方向と垂直な方向から幅１．５ｍｍ程度のステンレス製のツールを利用して１ｍｍ／ｓｅｃ程度の速度でせん断力を与え、半田接合部が破壊したときの荷重を測定することにより、測定された。
【０２５７】
また、上記の破壊落下回数は、実装構造体を重さ１１０ｇ程度の筐体に固定し、高さ１．５ｍ程度の場所から自由落下させ、電子部品が剥離するまでの落下回数を測定することにより、測定された。
【０２５８】
さて、以下では、耐衝撃試験の結果について説明する。
【０２５９】
なお、図１８は、本発明における実施例１〜８およびおよび比較例１〜５の実装構造体に対して行われた耐衝撃試験の結果を説明する説明図である。
【０２６０】
耐衝撃試験評価は、つぎのように定義される“×”、“△”、“○”および“◎”の四段階で与えられている。
【０２６１】
破壊落下回数が２０回以下であるとき、耐衝撃試験評価は“×”である。
【０２６２】
破壊落下回数が２１〜９９回であるとき、耐衝撃試験評価は“△”である。
【０２６３】
破壊落下回数が１００回以上であり、せん断強度が１３ｋｇｆ未満であるとき、耐衝撃試験評価は“○”である。
【０２６４】
破壊落下回数が１００回以上であり、せん断強度が１３ｋｇｆ以上であるとき、耐衝撃試験評価は“○”である。
【０２６５】
耐衝撃試験評価が“◎”または“○”である実施例の実装構造体は、樹脂補強部の高さが０．１ｍｍ以上であって、破壊落下回数が１００回以上であり、実際の製品への使用に好適であるといえる。
【０２６６】
さて、実施例１、２および６〜８については、上記の第一から第三の条件（１ａ）〜（３ａ）が全て満足されており、耐衝撃試験評価が“○”である。
【０２６７】
そして、実施例３〜５については、上記のより厳しいつぎの第一から第三の条件（１ｂ）〜（３ｂ）が全て満足されており、耐衝撃試験評価が“◎”である。
【０２６８】
つまり、これらの実施例においては、凸部が設けられていることによる効果が十分に発揮され、導電性ペーストが加熱された際に発生する毛細管現象による部品下面の下側の空隙への樹脂の充填がかなり抑制されるので、樹脂の半田接合部への濡れ上がり高さが確保されると分析される。
【０２６９】
もちろん、このような凸部が設けられていることによる効果は、部品および基板電極についての形状および配置などによらずに発揮される。
【０２７０】
そして、比較例１〜５については、第一から第三の条件が全ては満足されておらず、耐衝撃試験評価が“△”または“×”である。
【０２７１】
なお、比較例４については、凸部の厚さの、ソルダレジストの厚さとの差に関する第一の条件が満足されていない。
【０２７２】
また、比較例５については、凸部の長さの、電極辺の長さとの比に関する第二の条件が満足されていない。
【０２７３】
また、比較例２および３については、凸部と電極辺との間の距離に関する第三の条件が満足されていない。
【産業上の利用可能性】
【０２７４】
本発明における実装構造体、および実装構造体の製造方法は、落下などに起因する衝撃に対してのより優れた耐衝撃性を確保することが可能であり、たとえば電子部品を電子回路基板に実装するために有用である。
【符号の説明】
【０２７５】
１０００ 実装構造体
１１００ 電子部品
１１１０ 部品下面
１２００ 電子回路基板
１２１０ 基板表面
１２２０ 部分
１３１１、１３１２ 基板電極
１３２１、１３２２ 電極辺
１４００ ソルダレジスト
１４１０ レジスト表面
１５１０ 凸部
１５２０ シルクプリント
１５３０ シルクプリント表面
１６１１、１６１２ 半田接合部
１７１０ 樹脂補強部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子回路基板の基板表面に形成された少なくとも二つの基板電極と、
電子部品をそれぞれの前記基板電極に接合する半田接合部と、
前記半田接合部を覆う樹脂補強部と、
前記基板表面に形成されたソルダレジストと、
前記電子部品の下側にあり前記基板電極に挟まれた、前記基板表面の部分に形成された凸部と、
を備え、
前記基板表面に垂直な方向の前記凸部の厚さは、前記基板表面に垂直な前記方向の前記ソルダレジストの厚さより、１０μｍ以上４０μｍ以下の範囲で大きく、
前記基板電極の、前記基板表面の前記部分の側にある電極辺の方向の、前記凸部の長さは、前記電極辺の長さの８０％以上１２０％以下であり、
前記凸部と前記電極辺との間の距離は、０ｍｍ以上０．７ｍｍ以下であり、
前記凸部は、前記基板電極の電極表面に面接触しないように形成されている、実装構造体。
【請求項２】
前記凸部の材料は、前記ソルダレジストの材料と異なる、請求項１記載の実装構造体。
【請求項３】
前記基板表面の前記部分に形成された基板配線を備え、
前記凸部は、前記基板配線と、前記基板配線の上に形成された前記ソルダレジストと、によって構成されている、請求項１記載の実装構造体。
【請求項４】
前記凸部の前記厚さは、前記ソルダレジストの前記厚さより、２５μｍ以上の範囲で大きく、
前記凸部の前記長さは、前記電極辺の前記長さの１００％以上であり、
前記凸部と前記電極辺との間の前記距離は、０．３ｍｍ以下である、請求項１記載の実装構造体。
【請求項５】
少なくとも二つの基板電極を、電子回路基板の基板表面に形成する基板電極形成ステップと、
ソルダレジストを、前記基板表面に形成するソルダレジスト形成ステップと、
所定の部材を、前記基板電極に挟まれた、前記ソルダレジストのレジスト表面に形成する部材形成ステップと、
半田と、フラックス成分と、樹脂と、を含む導電性ペーストを、前記基板電極の上に塗布する導電性ペースト塗布ステップと、
電子部品を、前記塗布された導電性ペーストの上に載置する電子部品載置ステップと、
前記基板電極と、前記ソルダレジストと、前記部材と、が形成され、前記導電性ペーストが塗布され、前記電子部品が載置された前記電子回路基板を加熱する加熱ステップと、
を備えた、実装構造体の製造方法。
【請求項１】
電子回路基板の基板表面に形成された少なくとも二つの基板電極と、
電子部品をそれぞれの前記基板電極に接合する半田接合部と、
前記半田接合部を覆う樹脂補強部と、
前記基板表面に形成されたソルダレジストと、
前記電子部品の下側にあり前記基板電極に挟まれた、前記基板表面の部分に形成された凸部と、
を備え、
前記基板表面に垂直な方向の前記凸部の厚さは、前記基板表面に垂直な前記方向の前記ソルダレジストの厚さより、１０μｍ以上４０μｍ以下の範囲で大きく、
前記基板電極の、前記基板表面の前記部分の側にある電極辺の方向の、前記凸部の長さは、前記電極辺の長さの８０％以上１２０％以下であり、
前記凸部と前記電極辺との間の距離は、０ｍｍ以上０．７ｍｍ以下であり、
前記凸部は、前記基板電極の電極表面に面接触しないように形成されている、実装構造体。
【請求項２】
前記凸部の材料は、前記ソルダレジストの材料と異なる、請求項１記載の実装構造体。
【請求項３】
前記基板表面の前記部分に形成された基板配線を備え、
前記凸部は、前記基板配線と、前記基板配線の上に形成された前記ソルダレジストと、によって構成されている、請求項１記載の実装構造体。
【請求項４】
前記凸部の前記厚さは、前記ソルダレジストの前記厚さより、２５μｍ以上の範囲で大きく、
前記凸部の前記長さは、前記電極辺の前記長さの１００％以上であり、
前記凸部と前記電極辺との間の前記距離は、０．３ｍｍ以下である、請求項１記載の実装構造体。
【請求項５】
少なくとも二つの基板電極を、電子回路基板の基板表面に形成する基板電極形成ステップと、
ソルダレジストを、前記基板表面に形成するソルダレジスト形成ステップと、
所定の部材を、前記基板電極に挟まれた、前記ソルダレジストのレジスト表面に形成する部材形成ステップと、
半田と、フラックス成分と、樹脂と、を含む導電性ペーストを、前記基板電極の上に塗布する導電性ペースト塗布ステップと、
電子部品を、前記塗布された導電性ペーストの上に載置する電子部品載置ステップと、
前記基板電極と、前記ソルダレジストと、前記部材と、が形成され、前記導電性ペーストが塗布され、前記電子部品が載置された前記電子回路基板を加熱する加熱ステップと、
を備えた、実装構造体の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２０１２−２２７１８０（Ｐ２０１２−２２７１８０Ａ）
【公開日】平成２４年１１月１５日（２０１２．１１．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−９０４４９（Ｐ２０１１−９０４４９）
【出願日】平成２３年４月１４日（２０１１．４．１４）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月１５日（２０１２．１１．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年４月１４日（２０１１．４．１４）
【出願人】（０００００５８２１）パナソニック株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]