導電性パターンの形成方法、積層基板の製造方法及び微細流路構造体の製造方法
【課題】ガラス基板の表面に薄膜の導電性パターンを形成することができる導電性パターンの形成方法の提供。
【解決手段】基板１００上に導電性パターン１１０を形成する工程と、導電性パターン１１０が形成された基板１００を、基板１００の表面が軟化を生じる温度まで加熱し、上方から押圧部材１２０を導電性パターン１１０に押し付けて、導電性パターン１１０を基板１００の表面に押し込む工程と、を備える。
【解決手段】基板１００上に導電性パターン１１０を形成する工程と、導電性パターン１１０が形成された基板１００を、基板１００の表面が軟化を生じる温度まで加熱し、上方から押圧部材１２０を導電性パターン１１０に押し付けて、導電性パターン１１０を基板１００の表面に押し込む工程と、を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面に電極や配線などの導電性パターンを埋設して形成することができる導電性パターンの形成方法、積層基板の製造方法及び微細流路構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、基板の表面に電極や配線などの導電性パターンを埋設して形成する技術は、液晶表示素子、固体撮像素子、加速度センサ、静電アクチュエータ等の様々な技術分野において広く一般的に用いられている。
【０００３】
例えば、微量の液体試料中に含まれる物質を分離したり、分析するマイクロ流路デバイスにおいて、その流路内に流れる液体の濃度を検出するために、ガラス基板の表面に電極を埋設して形成する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
この特許文献１に記載の電極の埋設技術は、ガラス基板上にフッ酸等によりエッチングパターンを形成した後、エッチングパターンを含むガラス基板上にスパッタリング法等により電極を形成し、電極を形成したガラス基板の表面を研磨することで、ガラス基板の表面に電極を埋設して形成している。
【特許文献１】特開２００６−２２４０１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した特許文献１に記載の技術を用いて、例えば、ガラス基板上に、数μｍオーダーの膜厚の導電性パターンを埋設して形成する場合には、ガラス基板上に数μｍオーダーの微細なエッチングパターンを形成しなければならない。言い換えれば、数μｍオーダーのエッチングパターンの深さ制御を、フッ酸等の薬液のエッチングレートの調整により達成しなければならない。
【０００６】
また、これと同時に、数μｍオーダーの深さのエッチングパターンをガラス基板上に面内均一に形成しなければならない。仮に、面内均一に同じ深さのエッチングパターンを形成することができない場合には、深さが深い部分と浅い部分とが面内で存在することになり、浅い部分の導電性パターンは当然の如く、薄く形成されるため、断線等の危険性が非常に高くなる。
【０００７】
このような二つの目的を達成するためには、エッチング条件等を検討する必要があり、エッチング作業自体が非常に煩雑化してしまう。ましてや、ｎｍオーダーの膜厚の導電性パターンを埋設して形成する場合には、上述したエッチング条件等の検討だけでは非常に困難であり、その他の手段（例えば、プラズマエッチング等）を用いなければならない。従って、工程が煩雑化するという問題がある。
【０００８】
そこで、本発明は、フッ酸等の薬液を用いることなく、また、工程を煩雑化することなく、ｎｍオーダーの薄膜の導電性パターンであっても、基板上に面内均一に埋設形成することができる導電性パターンの形成方法、積層基板の製造方法及び微細流路構造体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係わる導電性パターンの形成方法は、基板上に導電性パターンを形成する工程と、前記導電性パターンが形成された基板を、前記基板の表面が軟化を生じる温度まで加熱し、上方から押圧部材を前記導電性パターンに押し付けて、前記導電性パターンを前記基板の表面に押し込む工程と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
本発明に係わる積層基板の製造方法における第１の態様は、第１の基板上に導電性パターンを形成する工程と、前記導電性パターンが形成された第１の基板を、前記第１の基板の表面が軟化を生じる温度まで加熱し、上方から押圧部材を前記導電性パターンに押し付けて、前記導電性パターンを前記第１の基板の表面に押し込む工程と、前記導電性パターンが押し込まれた前記第１の基板の表面に、第２の基板を接合する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明に係わる積層基板の製造方法における第２の態様は、第１の基板及び第２の基板上に導電性パターンを形成する工程と、前記導電性パターンが形成された各々の基板を、前記各々の基板の表面が軟化を生じる温度まで加熱し、上方から押圧部材を前記各々の基板上に形成された導電性パターンに押し付けて、前記導電性パターンを前記各々の基板の表面に押し込む工程と、前記各導電性パターンを対向させて、前記第１の基板の表面と前記第２の基板の表面とを接合する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
本発明に係わる微細流路構造体の製造方法は、第１のガラス基板上に導電性パターンを形成する工程と、第２のガラス基板上に微細流路を形成する工程と、前記導電性パターンが形成された第１のガラス基板を、前記第１のガラス基板の表面が軟化を生じる温度まで加熱し、上方から押圧基板を前記導電性パターンに押し付けて、前記導電性パターンを前記第１のガラス基板の表面に押し込む工程と、前記導電性パターンと前記微細流路とを対向させて、前記第１のガラス基板の表面と前記第２のガラス基板の表面とを接合する工程と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、フッ酸等の薬液を用いることなく、また、工程を煩雑化することなく、ｎｍオーダーの薄膜の導電性パターンであっても、基板上に面内均一に埋設形成することができる導電性パターンの形成方法、積層基板の製造方法及び微細流路構造体の製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に、本発明に係わる実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、同一箇所には同一の符号を付して、重複した説明を省略している。
【００１５】
（導電性パターンのガラス基板への押圧形成に関する実施形態）
図１は、本発明の導電性パターンのガラス基板への押圧形成方法に係わる実施形態を説明するための各工程における断面フロー図である。
【００１６】
本実施形態に係わる導電性パターンのガラス基板への押圧形成方法について、順を追って説明する。
【００１７】
最初に、ガラス基板１００上に、電極又は配線パターンとなる導電性パターン１１０を形成する（図１（ａ）、（ｂ））。
【００１８】
ガラス基板１００は、例えば、周知な方法によって製造された合成シリカガラス、ホウ珪酸ガラスが用いられる。
【００１９】
導電性パターン１１０は、周知の技術、例えば、各種蒸着方式による薄膜形成技術とフォットリソグラフィ技術或いはメタルマスク技術との組み合わせ、メッキやスクリーン印刷、ディスペンサー等により形成することができる。
【００２０】
次に、表面上に導電性パターン１１０が形成されたガラス基板１００を、その表面が軟化を生じる温度まで加熱し、上方から押圧部材１２０を導電性パターン１１０に押圧して、導電性パターン１１０をガラス基板１００の表面に押し込む（図１（ｃ）、（ｄ））。
【００２１】
ここで、「表面が軟化を生じる」とは、加熱によりガラス基板１００の全体がその形状を保ちつつも少なくともその表面は強度的に軟化しており、押圧部材１２０による圧力が生じた際に、ガラス基板１００の表面に変形が生じることをいう。
【００２２】
上述した押し込みに伴って、ガラス基板１００の表面には、導電性パターン１１０と同じ大きさの窪みが生じ、その窪みに導電性パターン１１０がはめ込まれていく。一方、ガラス基板１００は、窪みに相当する体積分だけ、左右方向、すなわち、押圧部材１２０の押圧方向に対して垂直な方向に粘性変形していく。そして、ガラス基板１００と導電性パターン１１０とが略面一になるまで、押圧部材１２０により一様に押圧される。
【００２３】
表面が軟化を生じる温度は、基板の材質等に大きく依存するため、一義的に定義することができないが、例えば、合成シリカガラスであれば、１２５０℃〜１３５０℃近傍の温度範囲となる。なお、「表面が軟化を生じる温度」を設定するには、各基板を構成する材質の軟化点の温度を参考にして、予備実験等により適宜その温度を決定すればよい。
【００２４】
なお、前記温度が低すぎると、ガラス基板１００の表面が軟化を生じないため、導電性パターン１１０をガラス基板１００の表面に押し込むことが困難となる。また、前記温度が高すぎるとガラス基板１００の軟化に伴う変形が大きくなりすぎて、ガラス基板１００としての形状が保持できなくなる。
【００２５】
押圧部材１２０により導電性パターン１１０を押圧する際には、導電性パターン１１０ひいてはガラス基板１００を破壊しない程度の圧力Ｐで押圧する。この圧力Ｐは、前述した表面が軟化を生じる温度により適宜設定されるため、一義的に定義できないが、例えば、１．０ＭＰａ〜５．０ＭＰａの圧力を付加する。
【００２６】
その後、導電性パターン１１０が表面に押し込まれたガラス基板１００を、例えば、自然冷却することで、導電性パターン１１０が表面に埋設形成されたガラス基板１００を得ることができる（図１（ｅ））。なお、さらに、押圧形成後の導電性パターン１１０とガラス基板１００がより平滑になるように、必要に応じて、表面研磨を施してもよい。
【００２７】
導電性パターン１１０の材質は、「表面が軟化を生じる温度」によって、その温度に耐えうる材質に、適宜設定されるが、例えば、ＩＴＯ（融点：約９００℃）、Ｔｉ（融点：１６６７℃）、Ｃｒ（融点：１８９０℃）、Ｃｕ（融点：１０８５℃）、Ｐｔ（融点：１７６９℃）、Ｍｏ（融点：２６２２℃）、Ｗ（融点：３４２２℃）、Ｎｉ（融点：１４５５℃）、Ａｕ（融点：１０６４℃）のうち選択された１種以上の金属を好適に用いることができる。なお、合成シリカ基板を用いた場合には、Ｔｉ（融点：１６６７℃）、Ｃｒ（融点：１８９０℃）、Ｐｔ（融点：１７６９℃）、Ｍｏ（融点：２６２２℃）、Ｗ（融点：３４２２℃）、Ｎｉ（融点：１４５５℃）のうち選択された１種以上の金属を用いることができる。
【００２８】
導電性パターン１１０の厚さは、例えば、２００〜５０００ｎｍである。
【００２９】
押圧部材１２０は、ガラス基板１００及び導電性パターン１１０と高温で反応しにくく、かつ、前記ガラス基板１００の表面が軟化を生じる温度では、自身の表面が軟化しない材料で構成されていることが必要である。すなわち、押圧部材１２０の材質は、ガラス基板１００の材質によって適宜設定される。例えば、ガラス基板１００として、ホウ珪酸ガラスを用いた場合には、超硬金属基板（例えば、鉄）や、ニッケル板に白金をコートした基板を用いることができる。また、ガラス基板１００として、合成シリカガラスを用いた場合には、板状のガラス状カーボンを用いることができる。なお、板状のガラス状カーボンであれば、ガラス基板１００として、ホウ珪酸ガラスを用いる場合でも好適に使用できる。
【００３０】
なお、導電性パターン１１０をガラス基板１００の表面に押し込む際には、加熱炉内で、不活性ガス雰囲気、又は、還元性雰囲気下で行うことが好ましい。
【００３１】
上述した本実施形態に係わる導電性パターンのガラス基板への押圧形成方法によれば、フッ酸等の薬液を用いることなく、導電性パターン１１０をガラス基板１００の表面に埋設形成することができる。
【００３２】
更に、ｎｍオーダーの薄膜の導電性パターン１１０をガラス基板１００の表面に埋設形成する場合であっても、薬液によるエッチングパターンの形成の際の非常に困難な深さ及び面内均一性の制御を、その制御の技術が確立されている周知の導電性パターン１１０の形成時に行うことができる。そのため、工程を煩雑化することなく、容易に、押圧形成する導電性パターン１１０の膜厚を制御することができ、かつ面内均一に形成することが可能となる。
【００３３】
なお、導電性パターン１１０をガラス基板１００の表面に押し込む工程は、ガラス基板１００の表面が軟化を生じる温度まで加熱した後に、この温度を保持しながら押圧部材１２０により押圧してもよく、ガラス基板１００の表面が軟化を生じる温度まで加熱しながら、押圧部材１２０により徐々に低圧で押圧してもよい。
【００３４】
なお、上述した方法では、ガラス基板を用いて説明しているが、プラスチック基板等の有機材料からなる基板を用いてもよい。ただし、プラスチック基板は、その耐熱温度が低いため、導電性パターン１１０の形成時において、プラスチック基板が耐えうる温度で行うことができる導電性パターン１１０の材質、条件等を適宜設定する必要がある。
【００３５】
（ガラス基板の合わせ基板化による積層ガラス基板の製造方法に関する第１の実施形態）
図２は、本発明のガラス基板の合わせ基板化による積層ガラス基板の製造方法に係わる第１の実施形態を説明するための各工程における断面フロー図である。
【００３６】
本実施形態に係わるガラス基板の合わせ基板化による積層ガラス基板の製造方法について、順を追って説明する。
【００３７】
最初に、図１に示すような導電性パターンのガラス基板への押圧形成方法により、図１（ｅ）に示すような導電性パターン１１０が表面に押圧形成された第１のガラス基板１００を製造する。
【００３８】
次に、導電性パターン１１０が表面に押圧形成された第１のガラス基板１００の表面に、導電性パターン１１０等が形成されていない第２のガラス基板２００を、例えば周知のプレス成形法により接合する（図２（ａ）、（ｂ）参照）。
【００３９】
以上より、本実施形態に係わるガラス基板の合わせ基板化による積層ガラス基板の製造方法によれば、上述した態様を備えているため、前述した導電性パターンの押圧形成方法での効果を奏すると共に、かつ、ガラス基板の積層基板内部に電極、配線等を容易に形成することができる。
【００４０】
なお、上述した方法では、ガラス基板を用いて説明しているが、プラスチック基板等の有機材料からなる基板を用いてもよい。ただし、プラスチック基板は、その耐熱温度が低いため、導電性パターン１１０の形成時において、プラスチック基板が耐えうる温度で行うことができる導電性パターン１１０の材質、条件等を適宜設定する必要がある。なお、このような条件を満たすことで、積層プラスチック基板も製造することができる。
【００４１】
（ガラス基板の合わせ基板化による積層ガラス基板の製造方法に関する第２の実施形態）
図３は、本発明のガラス基板の合わせ基板化による積層ガラス基板の製造方法に係わる第２の実施形態を説明するための各工程における断面フロー図である。
【００４２】
本実施形態に係わるガラス基板の合わせ基板化による積層ガラス基板の製造方法について、順を追って説明する。
【００４３】
最初に、図１に示すような導電性パターンのガラス基板への押圧形成方法により、図３（ａ）に示すような導電性パターン１１０が表面に押圧形成された第１のガラス基板１００と、導電性パターン２１０が表面に押圧形成された第２のガラス基板２００を、各々製造する。
【００４４】
次に、導電性パターン１１０が表面に押圧形成された第１のガラス基板１００と、導電性パターン２１０が表面に押圧形成された第２のガラス基板２００とを、双方の導電性パターン１１０、２１０が対向して電気的な接続が確保できる向きで、例えば周知のプレス成形により接合する（図３（ｂ）参照）。
【００４５】
以上より、本実施形態に係わるガラス基板の合わせ基板化による積層ガラス基板の製造方法によれば、上述した態様を備えているため、前述した導電性パターンの押圧形成方法での効果を奏すると共に、かつ、ガラス基板の積層基板内部に複雑な形状（段差形状、クロス形状等）の電極、配線等を容易に形成することができる。
【００４６】
なお、上述した方法では、ガラス基板を用いて説明しているが、プラスチック基板等の有機材料からなる基板を用いてもよい。ただし、プラスチック基板は、その耐熱温度が低いため、導電性パターン１１０、２１０の形成時において、プラスチック基板が耐えうる温度で行うことができる導電性パターン１１０、２１０の材質、条件等を適宜設定する必要がある。なお、このような条件を満たすことで、積層プラスチック基板も製造することができる。
【００４７】
（微細流路構造体の製造方法に関する実施形態）
図４は、本発明の微細流路構造体の製造方法に係わる実施形態を説明するための各工程における断面フロー図である。
【００４８】
本実施形態に係わる微細流路構造体の製造方法について、順を追って説明する。
【００４９】
最初に、図１に示すような導電性パターンの押圧形成方法により、図１（ｅ）に示すような導電性パターン１１０が表面に押圧形成された第１のガラス基板１００を形成する。
【００５０】
更に、ガラス基板１００とは異なる第２のガラス基板２００を用意し、その片面上に、例えば、フッ酸等の薬液によるエッチングにより、所望の微細流路２２０を形成する（図４（ａ）参照）。尚、微細流路２２０の形成については、周知の手法により行うことができるので、説明は省略する。
【００５１】
次に、導電性パターン１１０が表面に押圧形成されたガラス基板１００の導電性パターン１１０が現れている面と、微細流路２２０が形成されたガラス基板２００の微細流路２２０が現れている面とを対向させ、導電性パターン１１０が微細流路２２０内に露出する位置になるように、例えば周知のプレス成形により、各々の表面を接合する（図４（ｂ）参照）。
【００５２】
以上より、本実施形態に係わる微細流路構造体の製造方法によれば、上述した態様を備えているため、上述した導電性パターンのガラス基板への押圧形成方法での効果を奏すると共に、かつ、ガラス基板の積層基板内部に形成された微細流路内に電極を露出形成することができる。
【実施例】
【００５３】
以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明は、下記実施例により制限されるものではない。
【００５４】
［実施例１］
鏡面加工した厚さ１ｍｍ、一辺が２０ｍｍの板状の合成シリカガラス基板の一面に厚さ５００ｎｍの線幅０．５ｍｍ、長さ１５ｍｍのＭｏで構成されたライン状の導電性パターンを蒸着方式による薄膜形成技術とフォトリソグラフィ技術の組み合わせにより形成した。
【００５５】
次に、導電性パターンが形成された合成シリカガラス基板を、１３００℃、窒素雰囲気下で、一面が鏡面加工された厚さ３ｍｍ、一辺が２０ｍｍの板状のガラス状カーボン平板（第１の実施形態でいう押圧部材１２０）の研磨面で、１ＫＮの加重でプレスして前記導電性パターンを板状の合成シリカガラス基板の表面に押し込み形成した。
【００５６】
続いて、鏡面加工した厚さ１ｍｍ、１０ｍｍ×２０ｍｍの板状の合成シリカガラス基板の一面と、導電性パターンを押圧形成させた板状の合成シリカガラス基板の一面とを対向して配置させて、１１５０℃、窒素雰囲気中にて、０．５ＫＮの加重を加えて接合した。
【００５７】
その結果、得られた導電性パターンは断線が無く、かつ、合成シリカガラス基板間を隙間の無く、容易に封止して形成できることが確認された。
【００５８】
［実施例２］
鏡面加工した厚さ１ｍｍ、一辺が２０ｍｍの板状の合成シリカガラス基板の一面に厚さ５００ｎｍの線幅０．５ｍｍ、長さ１５ｍｍのＭｏで構成された１本のライン状の導電性パターンを蒸着方式による薄膜形成技術とフォトリソグラフィ技術の組み合わせにより形成した。
【００５９】
同様に、鏡面加工した厚さ１ｍｍ、一辺が２０ｍｍの板状の合成シリカガラス基板の一面に厚さ５００ｎｍの線幅０．５ｍｍ、長さ１５ｍｍのＭｏで構成された２本のライン状の導電性パターンを互いに所定の間隔を空けて、蒸着方式による薄膜形成技術とフォトリソグラフィ技術の組み合わせにより形成した。
【００６０】
次に、導電性パターンが形成された各々の合成シリカガラス基板を、１３００℃、窒素雰囲気、一面が鏡面加工された厚さ３ｍｍ、一辺が２０ｍｍの板状のガラス状カーボン平板（第１の実施形態でいう押圧部材１２０）の研磨面で、１ＫＮの加重でプレスして前記導電性パターンを各々の板状の合成シリカガラス基板の表面に押し込み形成した。
【００６１】
続いて、１本の導電性パターンが押圧形成された板状の合成シリカガラス基板の一面と、２本の導電性パターンが埋設形成された板状の合成シリカガラス基板の一面とを、前記各々の基板に押圧形成された導電性パターン同士が接触するように、各々の基板の一面を対向して配置させて、１１５０℃、窒素雰囲気中にて、０．５ＫＮの加重を加えて接合した。
【００６２】
その結果、得られた導電性パターンは断線が無く、かつ、合成シリカガラス基板間を隙間の無く、容易に封止して形成できることが確認された。
【００６３】
［実施例３］
鏡面加工した厚さ１ｍｍ、一辺が２０ｍｍの板状の合成シリカガラス基板の一面に厚さ５００ｎｍの線幅０．５ｍｍ、長さ１５ｍｍのＭｏで構成されたライン状の導電性パターンを蒸着方式による薄膜形成技術とフォトリソグラフィ技術の組み合わせにより形成した。
【００６４】
次に、導電性パターンが形成された合成シリカガラス基板を、１３００℃、窒素雰囲気、一面が鏡面加工された厚さ３ｍｍ、一辺が２０ｍｍの板状のガラス状カーボン平板（第１の実施形態でいう押圧部材１２０）の研磨面で、１ＫＮの加重でプレスして前記導電性パターンを板状の合成シリカガラス基板の表面に押し込み形成した。
【００６５】
また、鏡面加工した厚さ１ｍｍ、一辺が２０ｍｍの板状の合成シリカガラス基板の一面に、フッ酸によるエッチングにより、深さ４０μｍの微細流路を形成した。
【００６６】
続いて、導電性パターンが形成された合成シリカガラス基板の一面と、微細流路が形成された合成シリカガラス基板の一面とを前記導電性パターンが前記微細流路内に露出する位置に対向して配置させて、１１５０℃、窒素雰囲気中にて、０．５ＫＮの加重を加えて接合した。
【００６７】
その結果、得られた導電性パターンは断線が無く、かつ、ガラス基板の内部に形成された微細流路内に電極を容易に露出形成することができることが確認された。
【００６８】
なお、本発明は上記の実施形態のそのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記の実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の導電性パターンのガラス基板への押圧形成方法に係わる実施形態を説明するための各工程における断面フロー図。
【図２】本発明のガラス基板の合わせ基板化による積層ガラス基板の製造方法に係わる第１の実施形態を説明するための各工程における断面フロー図。
【図３】本発明のガラス基板の合わせ基板化による積層ガラス基板の製造方法に係わる第２の実施形態を説明するための各工程における断面フロー図。
【図４】本発明の微細流路構造体の製造方法に係わる実施形態を説明するための各工程における断面フロー図。
【符号の説明】
【００７０】
１００ ガラス基板
１１０ 導電性パターン
１２０ 押圧部材
２００ ガラス基板
２１０ 導電性パターン
２２０ 微細流路
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面に電極や配線などの導電性パターンを埋設して形成することができる導電性パターンの形成方法、積層基板の製造方法及び微細流路構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、基板の表面に電極や配線などの導電性パターンを埋設して形成する技術は、液晶表示素子、固体撮像素子、加速度センサ、静電アクチュエータ等の様々な技術分野において広く一般的に用いられている。
【０００３】
例えば、微量の液体試料中に含まれる物質を分離したり、分析するマイクロ流路デバイスにおいて、その流路内に流れる液体の濃度を検出するために、ガラス基板の表面に電極を埋設して形成する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
この特許文献１に記載の電極の埋設技術は、ガラス基板上にフッ酸等によりエッチングパターンを形成した後、エッチングパターンを含むガラス基板上にスパッタリング法等により電極を形成し、電極を形成したガラス基板の表面を研磨することで、ガラス基板の表面に電極を埋設して形成している。
【特許文献１】特開２００６−２２４０１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した特許文献１に記載の技術を用いて、例えば、ガラス基板上に、数μｍオーダーの膜厚の導電性パターンを埋設して形成する場合には、ガラス基板上に数μｍオーダーの微細なエッチングパターンを形成しなければならない。言い換えれば、数μｍオーダーのエッチングパターンの深さ制御を、フッ酸等の薬液のエッチングレートの調整により達成しなければならない。
【０００６】
また、これと同時に、数μｍオーダーの深さのエッチングパターンをガラス基板上に面内均一に形成しなければならない。仮に、面内均一に同じ深さのエッチングパターンを形成することができない場合には、深さが深い部分と浅い部分とが面内で存在することになり、浅い部分の導電性パターンは当然の如く、薄く形成されるため、断線等の危険性が非常に高くなる。
【０００７】
このような二つの目的を達成するためには、エッチング条件等を検討する必要があり、エッチング作業自体が非常に煩雑化してしまう。ましてや、ｎｍオーダーの膜厚の導電性パターンを埋設して形成する場合には、上述したエッチング条件等の検討だけでは非常に困難であり、その他の手段（例えば、プラズマエッチング等）を用いなければならない。従って、工程が煩雑化するという問題がある。
【０００８】
そこで、本発明は、フッ酸等の薬液を用いることなく、また、工程を煩雑化することなく、ｎｍオーダーの薄膜の導電性パターンであっても、基板上に面内均一に埋設形成することができる導電性パターンの形成方法、積層基板の製造方法及び微細流路構造体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係わる導電性パターンの形成方法は、基板上に導電性パターンを形成する工程と、前記導電性パターンが形成された基板を、前記基板の表面が軟化を生じる温度まで加熱し、上方から押圧部材を前記導電性パターンに押し付けて、前記導電性パターンを前記基板の表面に押し込む工程と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
本発明に係わる積層基板の製造方法における第１の態様は、第１の基板上に導電性パターンを形成する工程と、前記導電性パターンが形成された第１の基板を、前記第１の基板の表面が軟化を生じる温度まで加熱し、上方から押圧部材を前記導電性パターンに押し付けて、前記導電性パターンを前記第１の基板の表面に押し込む工程と、前記導電性パターンが押し込まれた前記第１の基板の表面に、第２の基板を接合する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
本発明に係わる積層基板の製造方法における第２の態様は、第１の基板及び第２の基板上に導電性パターンを形成する工程と、前記導電性パターンが形成された各々の基板を、前記各々の基板の表面が軟化を生じる温度まで加熱し、上方から押圧部材を前記各々の基板上に形成された導電性パターンに押し付けて、前記導電性パターンを前記各々の基板の表面に押し込む工程と、前記各導電性パターンを対向させて、前記第１の基板の表面と前記第２の基板の表面とを接合する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
本発明に係わる微細流路構造体の製造方法は、第１のガラス基板上に導電性パターンを形成する工程と、第２のガラス基板上に微細流路を形成する工程と、前記導電性パターンが形成された第１のガラス基板を、前記第１のガラス基板の表面が軟化を生じる温度まで加熱し、上方から押圧基板を前記導電性パターンに押し付けて、前記導電性パターンを前記第１のガラス基板の表面に押し込む工程と、前記導電性パターンと前記微細流路とを対向させて、前記第１のガラス基板の表面と前記第２のガラス基板の表面とを接合する工程と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、フッ酸等の薬液を用いることなく、また、工程を煩雑化することなく、ｎｍオーダーの薄膜の導電性パターンであっても、基板上に面内均一に埋設形成することができる導電性パターンの形成方法、積層基板の製造方法及び微細流路構造体の製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に、本発明に係わる実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、同一箇所には同一の符号を付して、重複した説明を省略している。
【００１５】
（導電性パターンのガラス基板への押圧形成に関する実施形態）
図１は、本発明の導電性パターンのガラス基板への押圧形成方法に係わる実施形態を説明するための各工程における断面フロー図である。
【００１６】
本実施形態に係わる導電性パターンのガラス基板への押圧形成方法について、順を追って説明する。
【００１７】
最初に、ガラス基板１００上に、電極又は配線パターンとなる導電性パターン１１０を形成する（図１（ａ）、（ｂ））。
【００１８】
ガラス基板１００は、例えば、周知な方法によって製造された合成シリカガラス、ホウ珪酸ガラスが用いられる。
【００１９】
導電性パターン１１０は、周知の技術、例えば、各種蒸着方式による薄膜形成技術とフォットリソグラフィ技術或いはメタルマスク技術との組み合わせ、メッキやスクリーン印刷、ディスペンサー等により形成することができる。
【００２０】
次に、表面上に導電性パターン１１０が形成されたガラス基板１００を、その表面が軟化を生じる温度まで加熱し、上方から押圧部材１２０を導電性パターン１１０に押圧して、導電性パターン１１０をガラス基板１００の表面に押し込む（図１（ｃ）、（ｄ））。
【００２１】
ここで、「表面が軟化を生じる」とは、加熱によりガラス基板１００の全体がその形状を保ちつつも少なくともその表面は強度的に軟化しており、押圧部材１２０による圧力が生じた際に、ガラス基板１００の表面に変形が生じることをいう。
【００２２】
上述した押し込みに伴って、ガラス基板１００の表面には、導電性パターン１１０と同じ大きさの窪みが生じ、その窪みに導電性パターン１１０がはめ込まれていく。一方、ガラス基板１００は、窪みに相当する体積分だけ、左右方向、すなわち、押圧部材１２０の押圧方向に対して垂直な方向に粘性変形していく。そして、ガラス基板１００と導電性パターン１１０とが略面一になるまで、押圧部材１２０により一様に押圧される。
【００２３】
表面が軟化を生じる温度は、基板の材質等に大きく依存するため、一義的に定義することができないが、例えば、合成シリカガラスであれば、１２５０℃〜１３５０℃近傍の温度範囲となる。なお、「表面が軟化を生じる温度」を設定するには、各基板を構成する材質の軟化点の温度を参考にして、予備実験等により適宜その温度を決定すればよい。
【００２４】
なお、前記温度が低すぎると、ガラス基板１００の表面が軟化を生じないため、導電性パターン１１０をガラス基板１００の表面に押し込むことが困難となる。また、前記温度が高すぎるとガラス基板１００の軟化に伴う変形が大きくなりすぎて、ガラス基板１００としての形状が保持できなくなる。
【００２５】
押圧部材１２０により導電性パターン１１０を押圧する際には、導電性パターン１１０ひいてはガラス基板１００を破壊しない程度の圧力Ｐで押圧する。この圧力Ｐは、前述した表面が軟化を生じる温度により適宜設定されるため、一義的に定義できないが、例えば、１．０ＭＰａ〜５．０ＭＰａの圧力を付加する。
【００２６】
その後、導電性パターン１１０が表面に押し込まれたガラス基板１００を、例えば、自然冷却することで、導電性パターン１１０が表面に埋設形成されたガラス基板１００を得ることができる（図１（ｅ））。なお、さらに、押圧形成後の導電性パターン１１０とガラス基板１００がより平滑になるように、必要に応じて、表面研磨を施してもよい。
【００２７】
導電性パターン１１０の材質は、「表面が軟化を生じる温度」によって、その温度に耐えうる材質に、適宜設定されるが、例えば、ＩＴＯ（融点：約９００℃）、Ｔｉ（融点：１６６７℃）、Ｃｒ（融点：１８９０℃）、Ｃｕ（融点：１０８５℃）、Ｐｔ（融点：１７６９℃）、Ｍｏ（融点：２６２２℃）、Ｗ（融点：３４２２℃）、Ｎｉ（融点：１４５５℃）、Ａｕ（融点：１０６４℃）のうち選択された１種以上の金属を好適に用いることができる。なお、合成シリカ基板を用いた場合には、Ｔｉ（融点：１６６７℃）、Ｃｒ（融点：１８９０℃）、Ｐｔ（融点：１７６９℃）、Ｍｏ（融点：２６２２℃）、Ｗ（融点：３４２２℃）、Ｎｉ（融点：１４５５℃）のうち選択された１種以上の金属を用いることができる。
【００２８】
導電性パターン１１０の厚さは、例えば、２００〜５０００ｎｍである。
【００２９】
押圧部材１２０は、ガラス基板１００及び導電性パターン１１０と高温で反応しにくく、かつ、前記ガラス基板１００の表面が軟化を生じる温度では、自身の表面が軟化しない材料で構成されていることが必要である。すなわち、押圧部材１２０の材質は、ガラス基板１００の材質によって適宜設定される。例えば、ガラス基板１００として、ホウ珪酸ガラスを用いた場合には、超硬金属基板（例えば、鉄）や、ニッケル板に白金をコートした基板を用いることができる。また、ガラス基板１００として、合成シリカガラスを用いた場合には、板状のガラス状カーボンを用いることができる。なお、板状のガラス状カーボンであれば、ガラス基板１００として、ホウ珪酸ガラスを用いる場合でも好適に使用できる。
【００３０】
なお、導電性パターン１１０をガラス基板１００の表面に押し込む際には、加熱炉内で、不活性ガス雰囲気、又は、還元性雰囲気下で行うことが好ましい。
【００３１】
上述した本実施形態に係わる導電性パターンのガラス基板への押圧形成方法によれば、フッ酸等の薬液を用いることなく、導電性パターン１１０をガラス基板１００の表面に埋設形成することができる。
【００３２】
更に、ｎｍオーダーの薄膜の導電性パターン１１０をガラス基板１００の表面に埋設形成する場合であっても、薬液によるエッチングパターンの形成の際の非常に困難な深さ及び面内均一性の制御を、その制御の技術が確立されている周知の導電性パターン１１０の形成時に行うことができる。そのため、工程を煩雑化することなく、容易に、押圧形成する導電性パターン１１０の膜厚を制御することができ、かつ面内均一に形成することが可能となる。
【００３３】
なお、導電性パターン１１０をガラス基板１００の表面に押し込む工程は、ガラス基板１００の表面が軟化を生じる温度まで加熱した後に、この温度を保持しながら押圧部材１２０により押圧してもよく、ガラス基板１００の表面が軟化を生じる温度まで加熱しながら、押圧部材１２０により徐々に低圧で押圧してもよい。
【００３４】
なお、上述した方法では、ガラス基板を用いて説明しているが、プラスチック基板等の有機材料からなる基板を用いてもよい。ただし、プラスチック基板は、その耐熱温度が低いため、導電性パターン１１０の形成時において、プラスチック基板が耐えうる温度で行うことができる導電性パターン１１０の材質、条件等を適宜設定する必要がある。
【００３５】
（ガラス基板の合わせ基板化による積層ガラス基板の製造方法に関する第１の実施形態）
図２は、本発明のガラス基板の合わせ基板化による積層ガラス基板の製造方法に係わる第１の実施形態を説明するための各工程における断面フロー図である。
【００３６】
本実施形態に係わるガラス基板の合わせ基板化による積層ガラス基板の製造方法について、順を追って説明する。
【００３７】
最初に、図１に示すような導電性パターンのガラス基板への押圧形成方法により、図１（ｅ）に示すような導電性パターン１１０が表面に押圧形成された第１のガラス基板１００を製造する。
【００３８】
次に、導電性パターン１１０が表面に押圧形成された第１のガラス基板１００の表面に、導電性パターン１１０等が形成されていない第２のガラス基板２００を、例えば周知のプレス成形法により接合する（図２（ａ）、（ｂ）参照）。
【００３９】
以上より、本実施形態に係わるガラス基板の合わせ基板化による積層ガラス基板の製造方法によれば、上述した態様を備えているため、前述した導電性パターンの押圧形成方法での効果を奏すると共に、かつ、ガラス基板の積層基板内部に電極、配線等を容易に形成することができる。
【００４０】
なお、上述した方法では、ガラス基板を用いて説明しているが、プラスチック基板等の有機材料からなる基板を用いてもよい。ただし、プラスチック基板は、その耐熱温度が低いため、導電性パターン１１０の形成時において、プラスチック基板が耐えうる温度で行うことができる導電性パターン１１０の材質、条件等を適宜設定する必要がある。なお、このような条件を満たすことで、積層プラスチック基板も製造することができる。
【００４１】
（ガラス基板の合わせ基板化による積層ガラス基板の製造方法に関する第２の実施形態）
図３は、本発明のガラス基板の合わせ基板化による積層ガラス基板の製造方法に係わる第２の実施形態を説明するための各工程における断面フロー図である。
【００４２】
本実施形態に係わるガラス基板の合わせ基板化による積層ガラス基板の製造方法について、順を追って説明する。
【００４３】
最初に、図１に示すような導電性パターンのガラス基板への押圧形成方法により、図３（ａ）に示すような導電性パターン１１０が表面に押圧形成された第１のガラス基板１００と、導電性パターン２１０が表面に押圧形成された第２のガラス基板２００を、各々製造する。
【００４４】
次に、導電性パターン１１０が表面に押圧形成された第１のガラス基板１００と、導電性パターン２１０が表面に押圧形成された第２のガラス基板２００とを、双方の導電性パターン１１０、２１０が対向して電気的な接続が確保できる向きで、例えば周知のプレス成形により接合する（図３（ｂ）参照）。
【００４５】
以上より、本実施形態に係わるガラス基板の合わせ基板化による積層ガラス基板の製造方法によれば、上述した態様を備えているため、前述した導電性パターンの押圧形成方法での効果を奏すると共に、かつ、ガラス基板の積層基板内部に複雑な形状（段差形状、クロス形状等）の電極、配線等を容易に形成することができる。
【００４６】
なお、上述した方法では、ガラス基板を用いて説明しているが、プラスチック基板等の有機材料からなる基板を用いてもよい。ただし、プラスチック基板は、その耐熱温度が低いため、導電性パターン１１０、２１０の形成時において、プラスチック基板が耐えうる温度で行うことができる導電性パターン１１０、２１０の材質、条件等を適宜設定する必要がある。なお、このような条件を満たすことで、積層プラスチック基板も製造することができる。
【００４７】
（微細流路構造体の製造方法に関する実施形態）
図４は、本発明の微細流路構造体の製造方法に係わる実施形態を説明するための各工程における断面フロー図である。
【００４８】
本実施形態に係わる微細流路構造体の製造方法について、順を追って説明する。
【００４９】
最初に、図１に示すような導電性パターンの押圧形成方法により、図１（ｅ）に示すような導電性パターン１１０が表面に押圧形成された第１のガラス基板１００を形成する。
【００５０】
更に、ガラス基板１００とは異なる第２のガラス基板２００を用意し、その片面上に、例えば、フッ酸等の薬液によるエッチングにより、所望の微細流路２２０を形成する（図４（ａ）参照）。尚、微細流路２２０の形成については、周知の手法により行うことができるので、説明は省略する。
【００５１】
次に、導電性パターン１１０が表面に押圧形成されたガラス基板１００の導電性パターン１１０が現れている面と、微細流路２２０が形成されたガラス基板２００の微細流路２２０が現れている面とを対向させ、導電性パターン１１０が微細流路２２０内に露出する位置になるように、例えば周知のプレス成形により、各々の表面を接合する（図４（ｂ）参照）。
【００５２】
以上より、本実施形態に係わる微細流路構造体の製造方法によれば、上述した態様を備えているため、上述した導電性パターンのガラス基板への押圧形成方法での効果を奏すると共に、かつ、ガラス基板の積層基板内部に形成された微細流路内に電極を露出形成することができる。
【実施例】
【００５３】
以下、本発明を実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本発明は、下記実施例により制限されるものではない。
【００５４】
［実施例１］
鏡面加工した厚さ１ｍｍ、一辺が２０ｍｍの板状の合成シリカガラス基板の一面に厚さ５００ｎｍの線幅０．５ｍｍ、長さ１５ｍｍのＭｏで構成されたライン状の導電性パターンを蒸着方式による薄膜形成技術とフォトリソグラフィ技術の組み合わせにより形成した。
【００５５】
次に、導電性パターンが形成された合成シリカガラス基板を、１３００℃、窒素雰囲気下で、一面が鏡面加工された厚さ３ｍｍ、一辺が２０ｍｍの板状のガラス状カーボン平板（第１の実施形態でいう押圧部材１２０）の研磨面で、１ＫＮの加重でプレスして前記導電性パターンを板状の合成シリカガラス基板の表面に押し込み形成した。
【００５６】
続いて、鏡面加工した厚さ１ｍｍ、１０ｍｍ×２０ｍｍの板状の合成シリカガラス基板の一面と、導電性パターンを押圧形成させた板状の合成シリカガラス基板の一面とを対向して配置させて、１１５０℃、窒素雰囲気中にて、０．５ＫＮの加重を加えて接合した。
【００５７】
その結果、得られた導電性パターンは断線が無く、かつ、合成シリカガラス基板間を隙間の無く、容易に封止して形成できることが確認された。
【００５８】
［実施例２］
鏡面加工した厚さ１ｍｍ、一辺が２０ｍｍの板状の合成シリカガラス基板の一面に厚さ５００ｎｍの線幅０．５ｍｍ、長さ１５ｍｍのＭｏで構成された１本のライン状の導電性パターンを蒸着方式による薄膜形成技術とフォトリソグラフィ技術の組み合わせにより形成した。
【００５９】
同様に、鏡面加工した厚さ１ｍｍ、一辺が２０ｍｍの板状の合成シリカガラス基板の一面に厚さ５００ｎｍの線幅０．５ｍｍ、長さ１５ｍｍのＭｏで構成された２本のライン状の導電性パターンを互いに所定の間隔を空けて、蒸着方式による薄膜形成技術とフォトリソグラフィ技術の組み合わせにより形成した。
【００６０】
次に、導電性パターンが形成された各々の合成シリカガラス基板を、１３００℃、窒素雰囲気、一面が鏡面加工された厚さ３ｍｍ、一辺が２０ｍｍの板状のガラス状カーボン平板（第１の実施形態でいう押圧部材１２０）の研磨面で、１ＫＮの加重でプレスして前記導電性パターンを各々の板状の合成シリカガラス基板の表面に押し込み形成した。
【００６１】
続いて、１本の導電性パターンが押圧形成された板状の合成シリカガラス基板の一面と、２本の導電性パターンが埋設形成された板状の合成シリカガラス基板の一面とを、前記各々の基板に押圧形成された導電性パターン同士が接触するように、各々の基板の一面を対向して配置させて、１１５０℃、窒素雰囲気中にて、０．５ＫＮの加重を加えて接合した。
【００６２】
その結果、得られた導電性パターンは断線が無く、かつ、合成シリカガラス基板間を隙間の無く、容易に封止して形成できることが確認された。
【００６３】
［実施例３］
鏡面加工した厚さ１ｍｍ、一辺が２０ｍｍの板状の合成シリカガラス基板の一面に厚さ５００ｎｍの線幅０．５ｍｍ、長さ１５ｍｍのＭｏで構成されたライン状の導電性パターンを蒸着方式による薄膜形成技術とフォトリソグラフィ技術の組み合わせにより形成した。
【００６４】
次に、導電性パターンが形成された合成シリカガラス基板を、１３００℃、窒素雰囲気、一面が鏡面加工された厚さ３ｍｍ、一辺が２０ｍｍの板状のガラス状カーボン平板（第１の実施形態でいう押圧部材１２０）の研磨面で、１ＫＮの加重でプレスして前記導電性パターンを板状の合成シリカガラス基板の表面に押し込み形成した。
【００６５】
また、鏡面加工した厚さ１ｍｍ、一辺が２０ｍｍの板状の合成シリカガラス基板の一面に、フッ酸によるエッチングにより、深さ４０μｍの微細流路を形成した。
【００６６】
続いて、導電性パターンが形成された合成シリカガラス基板の一面と、微細流路が形成された合成シリカガラス基板の一面とを前記導電性パターンが前記微細流路内に露出する位置に対向して配置させて、１１５０℃、窒素雰囲気中にて、０．５ＫＮの加重を加えて接合した。
【００６７】
その結果、得られた導電性パターンは断線が無く、かつ、ガラス基板の内部に形成された微細流路内に電極を容易に露出形成することができることが確認された。
【００６８】
なお、本発明は上記の実施形態のそのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記の実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の導電性パターンのガラス基板への押圧形成方法に係わる実施形態を説明するための各工程における断面フロー図。
【図２】本発明のガラス基板の合わせ基板化による積層ガラス基板の製造方法に係わる第１の実施形態を説明するための各工程における断面フロー図。
【図３】本発明のガラス基板の合わせ基板化による積層ガラス基板の製造方法に係わる第２の実施形態を説明するための各工程における断面フロー図。
【図４】本発明の微細流路構造体の製造方法に係わる実施形態を説明するための各工程における断面フロー図。
【符号の説明】
【００７０】
１００ ガラス基板
１１０ 導電性パターン
１２０ 押圧部材
２００ ガラス基板
２１０ 導電性パターン
２２０ 微細流路
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に導電性パターンを形成する工程と、
前記導電性パターンが形成された基板を、前記基板の表面が軟化を生じる温度まで加熱し、上方から押圧部材を前記導電性パターンに押し付けて、前記導電性パターンを前記基板の表面に押し込む工程と、を備えることを特徴とする導電性パターンの形成方法。
【請求項２】
前記基板は、ガラス基板で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の導電性パターンの形成方法。
【請求項３】
前記押圧部材は、ガラス状カーボンで構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の導電性パターンの形成方法。
【請求項４】
第１の基板上に導電性パターンを形成する工程と、
前記導電性パターンが形成された第１の基板を、前記第１の基板の表面が軟化を生じる温度まで加熱し、上方から押圧部材を前記導電性パターンに押し付けて、前記導電性パターンを前記第１の基板の表面に押し込む工程と、
前記導電性パターンが押し込まれた前記第１の基板の表面に、第２の基板を接合する工程と、を備えることを特徴とする積層基板の製造方法。
【請求項５】
第１の基板及び第２の基板上に導電性パターンを形成する工程と、
前記導電性パターンが形成された各々の基板を、前記各々の基板の表面が軟化を生じる温度まで加熱し、上方から押圧部材を前記各々の基板上に形成された導電性パターンに押し付けて、前記導電性パターンを前記各々の基板の表面に押し込む工程と、
前記各導電性パターンを対向させて、前記第１の基板の表面と前記第２の基板の表面とを接合する工程と、
を備えることを特徴とする積層基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１の基板及び第２の基板は、ガラス基板であることを特徴とする請求項４または５に記載の積層基板の製造方法
【請求項７】
第１のガラス基板上に導電性パターンを形成する工程と、
第２のガラス基板上に微細流路を形成する工程と、
前記導電性パターンが形成された第１のガラス基板を、前記第１のガラス基板の表面が軟化を生じる温度まで加熱し、上方から押圧基板を前記導電性パターンに押し付けて、前記導電性パターンを前記第１のガラス基板の表面に押し込む工程と、
前記導電性パターンと前記微細流路とを対向させて、前記第１のガラス基板の表面と前記第２のガラス基板の表面とを接合する工程と、を備えることを特徴とする微細流路構造体の製造方法。
【請求項１】
基板上に導電性パターンを形成する工程と、
前記導電性パターンが形成された基板を、前記基板の表面が軟化を生じる温度まで加熱し、上方から押圧部材を前記導電性パターンに押し付けて、前記導電性パターンを前記基板の表面に押し込む工程と、を備えることを特徴とする導電性パターンの形成方法。
【請求項２】
前記基板は、ガラス基板で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の導電性パターンの形成方法。
【請求項３】
前記押圧部材は、ガラス状カーボンで構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の導電性パターンの形成方法。
【請求項４】
第１の基板上に導電性パターンを形成する工程と、
前記導電性パターンが形成された第１の基板を、前記第１の基板の表面が軟化を生じる温度まで加熱し、上方から押圧部材を前記導電性パターンに押し付けて、前記導電性パターンを前記第１の基板の表面に押し込む工程と、
前記導電性パターンが押し込まれた前記第１の基板の表面に、第２の基板を接合する工程と、を備えることを特徴とする積層基板の製造方法。
【請求項５】
第１の基板及び第２の基板上に導電性パターンを形成する工程と、
前記導電性パターンが形成された各々の基板を、前記各々の基板の表面が軟化を生じる温度まで加熱し、上方から押圧部材を前記各々の基板上に形成された導電性パターンに押し付けて、前記導電性パターンを前記各々の基板の表面に押し込む工程と、
前記各導電性パターンを対向させて、前記第１の基板の表面と前記第２の基板の表面とを接合する工程と、
を備えることを特徴とする積層基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１の基板及び第２の基板は、ガラス基板であることを特徴とする請求項４または５に記載の積層基板の製造方法
【請求項７】
第１のガラス基板上に導電性パターンを形成する工程と、
第２のガラス基板上に微細流路を形成する工程と、
前記導電性パターンが形成された第１のガラス基板を、前記第１のガラス基板の表面が軟化を生じる温度まで加熱し、上方から押圧基板を前記導電性パターンに押し付けて、前記導電性パターンを前記第１のガラス基板の表面に押し込む工程と、
前記導電性パターンと前記微細流路とを対向させて、前記第１のガラス基板の表面と前記第２のガラス基板の表面とを接合する工程と、を備えることを特徴とする微細流路構造体の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２００９−１１７６５０（Ｐ２００９−１１７６５０Ａ）
【公開日】平成２１年５月２８日（２００９．５．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２８９７７３（Ｐ２００７−２８９７７３）
【出願日】平成１９年１１月７日（２００７．１１．７）
【出願人】（５０７１８２８０７）コバレントマテリアル株式会社 (506)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年５月２８日（２００９．５．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１１月７日（２００７．１１．７）
【出願人】（５０７１８２８０７）コバレントマテリアル株式会社 (506)
【Ｆターム（参考）】
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