導電性材料用組成物、導電性材料、導電層、電子デバイスおよび電子機器
【課題】キャリア輸送能の優れた導電層を形成することができる導電性材料用組成物、導電性材料、導電層、電子デバイスおよび電子機器を提供する。
【解決手段】下記一般式で表される化合物と、その架橋剤としてのビニル化合物とを含有する。
［Ｘ１〜Ｘ４は特定の置換基を表し、８つのＲは水素、メチル基またはエチル基を表し、Ｙは複素環を含む基を表す。］
【解決手段】下記一般式で表される化合物と、その架橋剤としてのビニル化合物とを含有する。
［Ｘ１〜Ｘ４は特定の置換基を表し、８つのＲは水素、メチル基またはエチル基を表し、Ｙは複素環を含む基を表す。］
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性材料用組成物、導電性材料、導電層、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機材料を使用したエレクトロルミネッセンス素子（以下、単に「有機ＥＬ素子」という。）は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子（発光素子）としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。
一般に、有機ＥＬ素子は、陰極と陽極との間に発光層を有する構成であり、陰極と陽極との間に電界を印加すると、発光層に陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。
【０００３】
そして、注入された電子と正孔とが発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際の励起エネルギーを光エネルギーとして放出することにより、発光層が発光する。
このような有機ＥＬ素子において、有機ＥＬ素子の高効率化、すなわち、高い発光を得るためには、電子または正孔のキャリア輸送性の異なる有機材料で構成される有機層を、発光層と、陰極および／または陽極との間に積層する素子構造が有効であることが判っている。
【０００４】
そこで、キャリア輸送特性の異なる発光層と有機層と（以下、これらを併せて「有機層」という。）を電極上に積層する必要があるが、従来の塗布法を用いる製造方法においては、有機層を積層する際に、隣接する有機層との間で相溶解が生じ、その結果として、有機ＥＬ素子としての発光効率、発色の色純度またはパターン精度が悪くなる等の特性が低下するという問題があった。
そのため、有機層を積層する場合には、有機材料として溶解性の異なるものを組み合わせて用いることにより、積層するのに限られていた。
このような問題点を解決する方法として、下層となる有機層を構成する有機材料同士を重合化させることにより、下層の耐久性すなわち耐溶剤性を向上させる方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
また、下層となる有機層を構成する有機材料に硬化性樹脂を添加し、この硬化性樹脂と一緒に硬化させることによって、下層の耐溶剤性を向上させる方法も開示されている（例えば、特許文献２参照。）。
しかしながら、これらのような方法を用いた場合においても、有機ＥＬ素子の特性の向上は、期待するほど得られていないのが実情である。
また、このような問題は、有機材料を使用した薄膜トランジスタにおいても同様に生じている。
【０００６】
【特許文献１】特開平９−２５５７７４号公報
【特許文献２】特開２０００−２０８２５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、キャリア輸送能の優れた導電層を形成することができる導電性材料用組成物、かかる導電性材料用組成物を用いて得られたキャリア輸送能の優れた導電性材料、かかる導電性材料を主材料とする導電層、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の導電性材料用組成物は、下記一般式（１）で表される化合物と、該化合物同士を前記置換基Ｘ１、前記置換基Ｘ２、前記置換基Ｘ３および前記置換基Ｘ４のいずれかにおいて架橋する架橋剤としてのビニル化合物とを含有することを特徴とする。
【化１】
［式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は、それぞれ独立して、下記一般式（２）で表される置換基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、８つのＲは、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、Ｙは、置換もしくは無置換の複素環を少なくとも１つ含む基を表す。］
【化２】
［式中、ｎは、２〜８の整数を表す。］
これにより、キャリア輸送能の優れた導電層を形成することができる導電性材料用組成物とすることができる。
【０００９】
本発明の導電性材料用組成物では、前記ビニル化合物は、前記置換基Ｘと反応し得る反応基を少なくとも２つ有するものであることが好ましい。
これにより、ビニル化合物がより高い反応性を示すこととなる。その結果、前記一般式（１）で表される化合物同士を置換基Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４（以下、これらのものを総称して「置換基Ｘ」ということもある。）のいずれかにおいて、直接、またはビニル化合物を介して重合反応させて得られた高分子（導電性材料）中において、未反応の置換基Ｘの残存量を好適に低減できるとともに、置換基Ｘ同士が直接連結した化学構造の割合に対して、ビニル化合物により置換基Ｘ同士が架橋して形成された化学構造の割合を高くすることができる。
【００１０】
本発明の導電性材料用組成物では、前記ビニル化合物は、２つの前記反応基の間に位置し、これらの反応基の間の距離を規制する規制部を有するものであることが好ましい。
これにより、規制部を有するビニル化合物により置換基Ｘ同士が架橋して形成された化学構造内において、主骨格同士の距離がより適切な大きさに保たれて、主骨格同士の間で相互作用が生じるのをより確実に防止することができる。その結果、このような化学構造を高い割合で有する導電性材料は、より優れたキャリア輸送能を発揮することとなる。
【００１１】
本発明の導電性材料用組成物では、前記規制部は、直鎖状をなしていることが好ましい。
これにより、得られる導電性材料中におけるキャリア輸送能が向上することとなる。
本発明の導電性材料用組成物では、前記規制部を構成する原子のうち、直鎖状に連結するものの個数は、９〜５０であることが好ましい。
これにより、得られる導電性材料において、主骨格同士の離間距離が、これらのもの同士が相互作用を及ぼしあわないように適切な大きさに保たれることから、導電性材料は、より優れたキャリア輸送能を発揮することとなる。
【００１２】
本発明の導電性材料用組成物では、前記ビニル化合物は、下記一般式（３）で表されるポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレートを主成分とするものであることが好ましい。
【化３】
［式中、ｍは、３〜１５の整数を表し、２つのＡは、それぞれ独立して、水素原子またはメチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
これにより、得られる導電性材料において、主骨格同士の離間距離が、適切な大きさに保たれて、この導電性材料は、より優れたキャリア輸送能を発揮することとなる。
【００１３】
本発明の導電性材料用組成物では、前記置換基Ｘ１と前記置換基Ｘ３とは、同一であることが好ましい。
これにより、得られる高分子（導電性材料）において、上記一般式（１）で表される化合物の置換基Ｘ（置換基Ｘ１または置換基Ｘ３）による主骨格に対する電気的な影響がばらつき、これが原因で、電子密度の偏りが生じることを好適に防止または抑制できる。その結果、高分子のキャリア輸送能が向上することとなる。
【００１４】
本発明の導電性材料用組成物では、前記置換基Ｘ２と前記置換基Ｘ４とは、同一であることが好ましい。
これにより、得られる高分子において、置換基Ｘ（置換基Ｘ２または置換基Ｘ４）による主骨格に対する電気的な影響がばらつき、これが原因で、電子密度の偏りが生じることを好適に防止または抑制できる。その結果、高分子のキャリア輸送能が向上することとなる。
【００１５】
本発明の導電性材料用組成物では、前記置換基Ｘ１、前記置換基Ｘ２、前記置換基Ｘ３および前記置換基Ｘ４は、同一であることが好ましい。
これにより、得られる高分子において、電子密度の偏りが生じることをより好適に防止または抑制できる。その結果、高分子のキャリア輸送能がより向上することとなる。
本発明の導電性材料用組成物では、前記置換基Ｘ１、前記置換基Ｘ２、前記置換基Ｘ３および前記置換基Ｘ４は、それぞれが結合するベンゼン環の３位、４位または５位のうちのいずれかに結合していることが好ましい。
これにより、得られる高分子において、隣接する主骨格同士をより確実に離間させて、主骨格同士が接近しすぎるのをより確実に阻止することができる。
【００１６】
本発明の導電性材料用組成物では、前記複素環は、窒素、酸素、硫黄、セレンおよびテルルのうちの少なくとも１種のヘテロ原子を含有することが好ましい。
これにより、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等がより容易に変化して、高分子のキャリア輸送能の特性を確実に変化させることができる。
【００１７】
本発明の導電性材料用組成物では、前記複素環は、芳香族系のものであることが好ましい。
これにより、主骨格の共役系の化学構造における電子密度の偏り、すなわち、π電子の局在化を好適に防止して、高分子のキャリア輸送能の低下を防止することができる。
本発明の導電性材料用組成物では、前記基Ｙは、複素環を１〜５つ含むものであることが好ましい。
基Ｙにこのような数の複素環が存在すれば、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等を十分に変化させることができる。
本発明の導電性材料用組成物では、前記基Ｙは、前記複素環以外に、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環を少なくとも１つ含むことが好ましい。
基Ｙとして、複素環と芳香族炭化水素環とを含むものを選択することにより、目的とするキャリア輸送能の特性を高分子により確実に付与することができる。
【００１８】
本発明の導電性材料用組成物では、前記基Ｙは、前記一般式（１）中の各Ｎにそれぞれ、直接結合する前記芳香族炭化水素環と、これらの芳香族炭化水素環の間に存在する少なくとも１つの前記複素環とを含むことが好ましい。
これにより、高分子中における電子密度に偏りが生じるのを確実に防止することができ、高分子のキャリア輸送能が均一なものとなる。
本発明の導電性材料用組成物では、前記基Ｙの総炭素数は、２〜７５であることが好ましい。
これにより、前記化学式（１）で表される化合物の溶媒に対する溶解度が高くなり、導電性材料用組成物を調整する際に、溶媒の選択の幅が広がるという利点がある。
【００１９】
本発明の導電性材料は、下記一般式（１）で表される化合物同士を置換基Ｘ１、置換基Ｘ２、置換基Ｘ３および置換基Ｘ４のいずれかにおいて、直接、または前記化合物同士を架橋し得る架橋剤としてのビニル化合物を介して重合反応させて得られることを特徴とする。
【化４】
［式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は、それぞれ独立して、下記一般式（２）で表される置換基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、８つのＲは、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、Ｙは、置換もしくは無置換の複素環を少なくとも１つ含む基を表す。］
【化５】
［式中、ｎは、２〜８の整数を表す。］
これにより、優れたキャリア輸送能を有する導電性材料とすることができる。
【００２０】
本発明の導電性材料では、前記ビニル化合物は、前記置換基Ｘと反応し得る反応基を少なくとも２つ有するものであることが好ましい。
これにより、導電性材料中において、未反応の置換基Ｘの残存量を好適に低減できるとともに、置換基Ｘ同士が直接連結した化学構造の割合に対して、ビニル化合物により置換基Ｘ同士が架橋して形成された化学構造の割合を高くすることができる。
【００２１】
本発明の導電性材料では、前記ビニル化合物は、２つの前記反応基の間に位置し、これらの反応基の間の距離を規制する規制部を有するものであることが好ましい。
これにより、規制部を有するビニル化合物により置換基Ｘ同士が架橋して形成された化学構造内において、主骨格同士の距離がより適切な大きさに保たれて、主骨格同士の間で相互作用が生じるのをより確実に防止することができる。その結果、このような化学構造を高い割合で有する導電性材料は、より優れたキャリア輸送能を発揮することとなる。
【００２２】
本発明の導電性材料では、前記規制部は、直鎖状をなしていることが好ましい。
これにより、導電性材料中におけるキャリア輸送能が向上することとなる。
本発明の導電性材料では、前記規制部を構成する原子のうち、直鎖状に連結するものの個数は、９〜５０であることが好ましい。
これにより、導電性材料において、主骨格同士の離間距離が、これらのもの同士が相互作用を及ぼしあわないように適切な大きさに保たれることから、導電性材料は、より優れたキャリア輸送能を発揮することとなる。
【００２３】
本発明の導電性材料では、前記ビニル化合物は、下記一般式（３）で表されるポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレートを主成分とするものであることが好ましい。
【化６】
［式中、ｍは、３〜１５の整数を表し、２つのＡは、それぞれ独立して、水素原子またはメチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
これにより、導電性材料において、主骨格同士の離間距離が、適切な大きさに保たれて、この導電性材料は、より優れたキャリア輸送能を発揮することとなる。
【００２４】
本発明の導電性材料では、前記置換基Ｘ１と前記置換基Ｘ３とが同一であることが好ましい。
これにより、導電性材料において、置換基Ｘ（置換基Ｘ１または置換基Ｘ３）による主骨格に対する電気的な影響がばらつき、これが原因で、電子密度の偏りが生じることを好適に防止または抑制できる。その結果、導電性材料（高分子）のキャリア輸送能が向上することとなる。
【００２５】
本発明の導電性材料では、前記置換基Ｘ２と前記置換基Ｘ４とが同一であることが好ましい。
これにより、導電性材料において、置換基Ｘ（置換基Ｘ２または置換基Ｘ４）による主骨格に対する電気的な影響がばらつき、これが原因で、電子密度の偏りが生じることを好適に防止または抑制できる。その結果、導電性材料（高分子）のキャリア輸送能が向上することとなる。
【００２６】
本発明の導電性材料では、前記置換基Ｘ１、前記置換基Ｘ２、前記置換基Ｘ３および前記置換基Ｘ４が同一であることが好ましい。
これにより、導電性材料において、電子密度の偏りが生じることをより好適に防止または抑制できる。その結果、導電性材料（高分子）のキャリア輸送能がより向上することとなる。
【００２７】
本発明の導電性材料では、前記置換基Ｘ１、前記置換基Ｘ２、前記置換基Ｘ３および前記置換基Ｘ４は、それぞれが結合するベンゼン環の３位、４位または５位のうちのいずれかに結合していることが好ましい。
これにより、隣接する主骨格同士をより確実に離間させて、主骨格同士が接近しすぎるのをより確実に阻止することができる。
【００２８】
本発明の導電性材料では、前記複素環は、窒素、酸素、硫黄、セレンおよびテルルのうちの少なくとも１種のヘテロ原子を含有することが好ましい。
これにより、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等がより容易に変化して、高分子のキャリア輸送能の特性を確実に変化させることができる。
【００２９】
本発明の導電性材料では、前記複素環は、芳香族系のものであることが好ましい。
これにより、主骨格の共役系の化学構造における電子密度の偏り、すなわち、π電子の局在化を好適に防止して、高分子のキャリア輸送能の低下を防止することができる。
本発明の導電性材料では、前記基Ｙは、複素環を１〜５つ含むものであることが好ましい。
基Ｙにこのような数の複素環が存在すれば、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等を十分に変化させることができる。
【００３０】
本発明の導電性材料では、前記基Ｙは、前記複素環以外に、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環を少なくとも１つ含むことが好ましい。
基Ｙとして、複素環と芳香族炭化水素環とを含むものを選択することにより、目的とするキャリア輸送能の特性を高分子により確実に付与することができる。
本発明の導電性材料では、前記基Ｙは、前記一般式（１）中の各Ｎにそれぞれ、直接結合する前記芳香族炭化水素環と、これらの芳香族炭化水素環の間に存在する少なくとも１つの前記複素環とを含むことが好ましい。
これにより、高分子中における電子密度に偏りが生じるのを確実に防止することができ、高分子のキャリア輸送能が均一なものとなる。
【００３１】
本発明の導電性材料では、前記基Ｙの総炭素数は、２〜７５であることが好ましい。
これにより、主骨格における平面性が保たれることから、高分子におけるキャリア輸送能が低下するのを確実に防止することができる。
本発明の導電性材料では、前記化合物および前記ビニル化合物は、光照射により重合反応することが好ましい。
光照射によれば、高分子化させる領域および程度を比較的容易に選択することができる。
【００３２】
本発明の導電層は、本発明の導電性材料用組成物を用いて形成されたことを特徴とする。
これにより、キャリア輸送能に優れる導電層を形成することができる。
本発明の導電層は、本発明の導電性材料を主材料とすることを特徴とする。
これにより、キャリア輸送能に優れる導電層を形成することができる。
本発明の導電層は、正孔輸送層であることが好ましい。
これにより、正孔輸送能に優れる正孔輸送層を形成することができる。
【００３３】
本発明の導電層では、前記正孔輸送層の平均厚さは、１０〜１５０ｎｍであることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができる。
本発明の導電層は、電子輸送層であることが好ましい。
これにより、電子輸送能に優れる電子輸送層を形成することができる。
【００３４】
本発明の導電層では、前記電子輸送層の平均厚さは、１〜１００ｎｍであることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができる。
本発明の導電層は、有機半導体層であることが好ましい。
これにより、優れた半導体特性を示す有機半導体層を形成することができる。
【００３５】
本発明の導電層では、前記有機半導体層の平均厚さは、０．１〜１０００ｎｍであることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機薄膜トランジスタを得ることができる。
本発明の電子デバイスは、本発明の導電層を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
【００３６】
本発明の電子デバイスは、本発明の導電層を有する積層体を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明の電子デバイスは、発光素子または光電変換素子であることが好ましい。
これにより、信頼性の高い発光素子および光電変換素子が得られる。
本発明の電子デバイスでは、前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子が得られる。
【００３７】
本発明の電子デバイスは、本発明の導電層を有する積層体を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明の電子デバイスは、スイッチング素子であることが好ましい。
これにより、信頼性の高いスイッチング素子が得られる。
本発明の電子デバイスでは、前記スイッチング素子は、有機薄膜トランジスタであることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機薄膜トランジスタが得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、本発明の導電性材料用組成物、導電性材料、導電層、電子デバイスおよび電子機器を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜導電層＞
まず、本発明の導電性材料を主材料として構成される導電層（本発明の導電層）について説明する。
【００３９】
本発明の導電性材料は、下記一般式（１）で表される化合物（ヘテロアリールアミン誘導体）同士を、それぞれが有する置換基Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４（以下これらのものを総称して「置換基Ｘ」ということもある。）のいずれかにおいて、直接、または、置換基Ｘ同士を結合させる架橋剤としてのビニル化合物を介して重合反応させて得られた高分子（ポリマー）を主成分とするものである。
【００４０】
【化７】
［式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は、それぞれ独立して、下記一般式（２）で表される置換基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、８つのＲは、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、Ｙは、置換もしくは無置換の複素環を少なくとも１つ含む基を表す。］
【００４１】
【化８】
［式中、ｎは、２〜８の整数を表す。］
このような高分子では、置換基Ｘ以外の主骨格（ヘテロアリールアミン骨格）同士が、置換基Ｘと置換基Ｘとが直接反応して生成した化学構造や、ビニル化合物により置換基Ｘと置換基Ｘとを架橋して生成した化学構造（以下、これらの化学構造を総称して「連結構造」という。）により連結され、これにより２次元的なネットワークが形成されやすくなる。
【００４２】
ここで、前記主骨格は、共役系の化学構造を有し、その特有な電子雲の広がりにより、高分子における円滑なキャリア（正孔または電子）の輸送に寄与する。
特に、本発明における高分子では、主骨格同士が連結構造を介して、所定距離離間して存在することから、隣接する主骨格同士の間の相互作用が低減し、これらの間におけるキャリアの受け渡しが円滑に行われるようになる。
【００４３】
また、本発明における高分子では、主骨格がネットワークを形成するように連結していることから、例えば、ネットワークの一部において結合が切断された箇所等が存在しても、他の経路を経てキャリアが円滑に輸送されることとなる。
さらに、本発明における高分子は、２次元的（平面的）な広がりを有するネットワークを形成されやすくなることから、高分子同士の間に絡まり等が生じるのを効果的に防止または抑制でき、かかる観点からも、キャリアの輸送を円滑に行うことができる。
【００４４】
このような本発明の導電性材料の主成分である高分子は、前述したような構造、すなわち、主骨格同士が連結構造を介して所定距離離間し、かつ、ネットワークを形成しやすくなることにより、これらの相乗効果により、極めて優れたキャリア輸送能を発揮する。その結果、本発明の導電性材料を主材料とする導電層は、キャリア輸送能に特に優れたものとなる。
【００４５】
なお、このような高分子において、主骨格同士の離間距離が短くなり過ぎると、隣接する主骨格同士の相互作用が大きくなる傾向を示し、主骨格の離間距離が長くなり過ぎると、主骨格同士間におけるキャリアの受け渡しが困難となり、高分子のキャリア輸送能が低減する傾向を示す。
これらのことを考慮して、連結構造の構成が選択（決定）される、すなわち、置換基Ｘおよびビニル化合物の構造（構成）がそれぞれ設定（決定）される。
【００４６】
なお、連結構造中において、置換基Ｘ同士が直接重合反応している場合でも、主骨格同士の相互作用を低減させることができるが、置換基Ｘと置換基Ｘとがビニル化合物を介して重合反応している場合には、主骨格同士の離間距離がより適切な大きさに保たれて、主骨格同士の相互作用がより低減される。その結果、このような連結構造を有する高分子は、優れたキャリア輸送能を発揮することとなる。
【００４７】
置換基Ｘは、前記一般式（２）中、ｎが２〜８、特に２〜６の直鎖状の炭素−炭素結合（アルキレン基）のものが好ましい。これにより、主骨格同士の距離を適度に保つことが可能となり、高分子中において、隣接する主骨格同士の相互作用をより確実に低減することができるとともに、主骨格同士間におけるキャリアの受け渡しがより確実に行われることから、高分子のキャリア輸送能が優れたものとなる。
【００４８】
また、置換基Ｘ１と置換基Ｘ３とは、ほぼ同一の炭素数のものであるのが好ましく、同一の炭素数のものであるのがより好ましい。これにより、この置換基Ｘ（置換基Ｘ１または置換基Ｘ３）による主骨格に対する電気的な影響がばらつき、これが原因で、高分子中において電子密度の偏りが生じることを好適に防止または抑制できる。これにより、高分子のキャリア輸送能を向上させることができる。
【００４９】
かかる観点から、置換基Ｘ２と置換基Ｘ４とも、ほぼ同一の炭素数のものであるのが好ましく、同一の炭素数のものであるのがより好ましい。これにより、前記効果がより向上し、高分子のキャリア輸送能をより向上させることができる。
さらには、置換基Ｘ１、置換基Ｘ２、置換基Ｘ３および置換基Ｘ４を、好ましくは、ほぼ同一の炭素数、より好ましくは、同一の炭素数とすることにより、前記効果が特に顕著に発揮される。また、連結構造が、置換基Ｘ同士を直接結合させることにより形成される場合やビニル化合物を介して結合している場合に係わらず、高分子中における主骨格同士の離間距離を一定以上の大きさにすることができ、主骨格同士による相互作用が生じるのをより好適に防止することができる。その結果、高分子のキャリア輸送能をさらに向上させることができる。
【００５０】
また、置換基Ｘは、ベンゼン環の２位から６位のいずれの位置に結合してもよいが、特に、３位、４位または５位のうちのいずれかに結合しているのが好ましい。これにより、隣接する主骨格同士の結合を連結構造を介して行うことの効果をより顕著に発揮させることができる。すなわち、隣接する主骨格同士をより確実に適切な距離に離間させることができる。
【００５１】
また、置換基Ｘは、前記一般式（２）に示すように、その末端に、官能基としてビニルエーテル基を有している。ここで、ビニルエーテル基は、高い反応性および結合安定性を有することから、比較的容易に置換基Ｘ同士を、直接、またはビニル化合物を介して重合反応させて、２次元的な広がりの大きいネットワークを形成することができる。
さらに、ビニルエーテル基は、置換基Ｘ同士、または置換基Ｘとビニル化合物とが重合反応する際に、これらのものが結合して得られる生成物以外のもの（副生成物）が生成しにくいので、導電性材料中に不純物が混入するのを好適に防止することができる。
【００５２】
なお、置換基Ｘ同士が重合反応することにより生じた連結構造、すなわちビニルエーテル基同士が重合反応することにより生じた連結構造中には、エーテル結合と、直鎖状の炭素−炭素結合（アルキレン基）とが存在することとなる。このような構造を有する連結構造中においては、キャリアの移動が抑制されることとなる。これにより、置換基Ｘ同士が直接連結した場合のように、主骨格同士の距離が比較的短くなったとしても、主骨格同士の相互作用が増強するのを防止または抑制することができる。
また、例えば、ベンゼン環のように、π結合の中でも共役系の結合が多い構造が連結構造中に存在すると、この構造を介して隣接する主骨格同士が相互作用を及ぼすようになり、主骨格同士を離間することによる効果が相殺されてしまう。
【００５３】
次に、ビニル化合物は、置換基Ｘと反応し得る反応基（以下、単に「反応基」という。）を少なくとも１つ有するものである。
ここで、反応基は、前記一般式（１）で表される化合物同士を置換基Ｘにおいてビニル化合物により架橋する反応部位であり、例えば、ビニル基や（メタ）アクリロイル基等が挙げられる。これらの反応基は、置換基Ｘと高い反応性を示すものであることから、この反応基を有するビニル化合物も高い反応性を発揮するものとなる。
そのため、前記一般式（１）で表される化合物同士の置換基Ｘを、直接、またはビニル化合物を介して、重合反応させる際に、効率良く置換基Ｘと反応基との反応を進行させることができる。これにより、得られる高分子中における未反応の置換基Ｘの残存量を低減させることができる。
【００５４】
ここで、未反応の置換基Ｘの残存量をより低減させる観点からは、ビニル化合物として、反応基を２つ以上有するものを選択するのが好ましい。これにより、ビニル化合物は、置換基Ｘとの反応部位が増すことから、置換基Ｘに対してより高い反応性を示すこととなる。その結果、前述した効果がより顕著に発揮されるとともに、置換基Ｘ同士が直接連結する化学構造の割合に対して、ビニル化合物により置換基Ｘ同士が架橋して形成された化学構造の割合を高くすることができる。
【００５５】
また、ビニル化合物により置換基Ｘ同士が架橋して形成された化学構造が含まれる高分子が形成される過程において、ビニル化合物は、この高分子の中間体（オリゴマー）よりも分子量が小さく、置換基Ｘと高い反応性を示す反応基を有することから、この中間体から立体障害や電気的な障害を受けることなく、中間体に残存する置換基Ｘに接近することができる。そのため、置換基Ｘとビニル化合物とが接触して、これら同士の反応を確実に進行させることができる。その結果、形成される高分子中における未反応の置換基Ｘの残存量を好適に低減しつつ、ビニル化合物を介した重合反応の割合、すなわち、ビニル化合物により置換基Ｘ同士が架橋して形成された化学構造が含まれる割合を高くすることができる。
【００５６】
さらに、主骨格同士の距離をより適切な大きさに保つという観点からは、ビニル化合物として、２つの反応基の間に位置し、これらの反応基の間の距離を規制する規制部を有するものを選択するのが好ましい。これにより、ビニル化合物により置換基Ｘ同士が架橋して形成された化学構造内において、主骨格同士の間で相互作用が生じるのをより確実に防止することができる。その結果、このような化学構造を高い割合で有する高分子は、より優れたキャリア輸送能を発揮することとなる。
【００５７】
なお、連結構造中において、置換基Ｘ同士が直接重合反応している場合でも、主骨格同士を置換基Ｘにより離間して、主骨格同士の相互作用を低減させることができるが、規制部を有するビニル化合物を介して置換基Ｘ同士が重合反応している場合には、主骨格同士の離間距離をより適切な大きさに保つことができ、主骨格同士の相互作用がより低減されることとなる。
【００５８】
以下では、ビニル化合物として、２つの反応基を有し、かつ、２つの反応基の間に規制部を有するものを代表に説明する。
規制部としては、直鎖状をなすもの、分枝状をなすもの、環状をなすもの、および、これらを組み合わせたもの等が挙げられるが、これらの中でも、直鎖状をなすものであるのが好ましい。これにより、得られる高分子中において、主骨格同士の距離が小さくなるのを確実に規制（防止）し得ることから、形成される導電性材料のキャリア輸送能が向上することとなる。
【００５９】
なお、直鎖状をなす規制部が飽和炭素水素のような非共役系の分子構造により構成される場合には、得られる高分子において、主骨格同士の距離が比較的小さくなったとしても、主骨格が備えるベンゼン環同士の間に非共役系の分子構造が存在することから、このベンゼン環を介して主骨格同士が相互作用を及ぼしあうようになるのを、好適に防止することができる。
【００６０】
直鎖状をなす規制部を有するビニル化合物の一例としては、例えば、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレートのような多官能性重合性単量体類、メチレンビス（メタ）アクリルアミドのような多官能性窒素原子含有重合性単量体類、グリシジル（メタ）アクリレート、α−メチルグリシジル（メタ）アクリレートのようなエポキシ基含有重合性単量体類および２−（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、「カレンズ」）、（メタ）アクリロイルイソシアネート（日本ペイント社製、「ＭＡＩ」）のようなイソシアネート基含有重合性単量体類等が挙げられる。
【００６１】
また、直鎖状をなす規制部は、規制部を構成する原子のうち、直鎖状に連結するものの個数が、９〜５０程度であるのが好ましく、２０〜３０程度であるのがより好ましい。これにより、得られる高分子において、主骨格同士の離間距離が、これらのもの同士が相互作用を及ぼしあわないように適切な大きさに保たれることから、高分子は、より優れたキャリア輸送能を発揮することとなる。
このようなことから、直鎖状をなす規制部を有するビニル化合物としては、下記一般式（３）で表されるポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレートが特に好ましい。
【００６２】
【化９】
［式中、ｍは、３〜１５の整数を表し、２つのＡは、それぞれ独立して、水素原子またはメチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
【００６３】
これにより、得られる高分子において、主骨格同士の離間距離が、適切な大きさに保たれて、この高分子は、より優れたキャリア輸送能を発揮することとなる。
なお、前記一般式（３）中、ｍが６〜９程度であるのが特に好ましい。ｍを前記範囲内とすることにより、前記効果がより顕著に発揮されることとなる。
【００６４】
なお、ビニル化合物として、前記一般式（３）で表されるポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレートのように比較的低分子のものを用いることにより、置換基Ｘと反応基との反応性をより高めることができるという利点もある。すなわち、低分子のビニル化合物が効率良く、未反応の置換基Ｘ同士の間に入り込んで、置換基Ｘと反応基との重合反応を高い割合で行うことができる。これにより、得られる高分子において、ビニル化合物により置換基Ｘ同士が架橋して形成された化学構造の割合をより高めることができる。
【００６５】
ところで、前記一般式（１）で表される化合物同士の置換基Ｘを架橋するという観点からは、ビニル化合物として、前述したような化合物の他、反応基を１つ有するもの、または反応基を３つ以上有するものを用いることもできる。
このような１つの反応基を有するビニル化合物としては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、アミル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ｎ−ステアリル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、２−（アセトアセトキシ）エチル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレートのような（メタ）アクリレート類、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、メチル（α−ヒドロキシメチル）アクリレート、エチル（α−ヒドロキシメチル）アクリレート、４−ヒドロキシメチルシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性ヒドロキシ（メタ）アクリレート（のような水酸基含有（メタ）アクリレート類、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イタコン酸、無水マレイン酸、スルホエチル（メタ）アクリレート、２−（メタ）アクリロイルオキシエチルアシッドホスフェート、２−（メタ）アクリロイルオキシプロピルアシッドホスフェート、カルボキシル基末端カプロラクトン変性（メタ）アクリレートのような酸性官能基含有（メタ）アクリレート類、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、酢酸ビニル、塩化ビニル、塩化ビニリデンのようなビニル化合物類、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメチルシロキシエチルメタクリレートのような珪素含有重合性単量体類、トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、テトラフルオロプロピル（メタ）アクリレート、オクタフルオロペンチル（メタ）アクリレート、ヘプタドデカフルオロデシルアクリレート、β−（パーフロロオクチル）エチル（メタ）アクリレート、パーフロロオクチルエチル（メタ）アクリレートのようなハロゲン含有重合性単量体類、（メタ）アクリルアミド、Ｎ−イソプロピル（メタ）アクリルアミド、ｔ−ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−エトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、 Ｎ，Ｎ’−ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、 Ｎ−メチル−Ｎ−ビニルホルムアミド、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート硫酸塩、Ｎ−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルイミダゾール、Ｎ−ビニルピロール、Ｎ−ビニルピロリドン、ジアセトンアクリルアミド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、２−イソプロペニル−２−オキサゾリンのような窒素原子含有重合性単量体類、２−〔２’−ヒドロキシ−５’−（メタ）アクリロイルオキシエチルフェニル〕−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−〔２’−ヒドロキシ−５’−（メタ）アクリロイルオキシプロピルフェニル〕−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−〔２’−ヒドロキシ−５’−（メタ）アクリロイルオキシヘキシルフェニル〕−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−〔２’−ヒドロキシ−３’−ｔｅｒｔ−ブチル−５’−（メタ）アクリロイルオキシエチルフェニル〕−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−〔２’−ヒドロキシ−３’−ｔｅｒｔ−ブチル−５’−（メタ）アクリロイルオキシエチルフェニル〕−５−クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾールのようなベンゾトリアゾール含有重合性単量体類および４−（メタ）アクリロイルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（メタ）アクリロイルオキシ− １，２，２，６，６−ペンタメチルピペリジン、４−シアノ−４−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−クロトノイルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、１−（メタ）アクリロイル−４−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、１−（メタ）アクリロイル−４−シアノ−４−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジンのような紫外線安定性重合性単量体類等が挙げられる。
【００６６】
３つ以上の反応基を有するビニル化合物としては、例えば、ＥＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリス（メタ）アクリロイルオキシエチルフォスフェート等が挙げられる。
４つ以上の反応基を有するビニル化合物としては、例えば、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００６７】
次に、高分子において、キャリア輸送に寄与する主骨格について説明をする。
この主骨格において、基（結合基）Ｙの化学構造を適宜設定することにより、高分子のキャリア輸送能の特性を変化させることができる。
これは、キャリア輸送に寄与する主骨格における電子雲の広がり（電子の分布状態）が変化することに伴って、高分子において、例えば、その価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等が変化することに起因すると考えられる。
【００６８】
本発明の導電性材料では、基Ｙに置換もしくは無置換の複素環が少なくとも１つ含まれており、この複素環の種類を選択することにより、高分子におけるキャリア輸送能の特性を比較的容易に調整することができる。
この複素環は、高分子に所望のキャリア輸送能が得られるように選択すればよいが、特に、窒素、酸素、硫黄、セレンおよびテルルのうちの少なくとも１種のヘテロ原子を含有するものを選択するのが好ましい。かかる種類のヘテロ原子を含有する複素環を選択することにより、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等を変化させることがより容易となる。
【００６９】
また、複素環は、芳香族系および非芳香族系のいずれであってもよいが、芳香族系のものであるのが好ましい。これにより、主骨格の共役系の化学構造における電子密度の偏り、すなわち、π電子の局在化を好適に防止して、高分子のキャリア輸送能の低下を防止することができる。
基Ｙは、同一または異なる複素環を１〜５つ含むものが好ましく、１〜３つ含むものがより好ましい。基Ｙにこのような数の複素環が存在すれば、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等を十分に変化させることができる。
【００７０】
さらに、基Ｙは、複素環以外に、芳香族炭化水素環を少なくとも１つ含むものを選択することもできる。基Ｙとして、複素環と芳香族炭化水素環とを含むものを選択することにより、目的とするキャリア輸送能の特性を高分子により確実に付与することができる。
このような基Ｙは、前記一般式（１）中の各Ｎにそれぞれ、直接結合する芳香族炭化水素環と、これらの芳香族炭化水素環の間に存在する少なくとも１つの複素環とを含むものであるのが、特に好ましい。これにより、高分子中における電子密度に偏りが生じるのを確実に防止することができる。その結果、高分子のキャリア輸送能が均一なものとなる。
【００７１】
また、基Ｙの総炭素数は、２〜７５であるのが好ましく、２〜５０であるのがより好ましい。基Ｙの総炭素数が多すぎると、置換基Ｘの種類によっては、前記化学式（１）で表される化合物の溶媒に対する溶解度が低下する傾向を示し、本発明の導電性材料用組成物を調整する際の溶媒の選択の幅が狭くなるおそれがある。
また、基Ｙの総炭素数をかかる範囲内とすることにより、主骨格における平面性が保たれることから、高分子におけるキャリア輸送能が低下するのを確実に防止することができる。
これらのことを考慮すると、前記一般式（１）で表される化合物において、基Ｙとしては、例えば、下記化学式（４）〜（２３）で表されるものが特に好ましい構造である。
【００７２】
【化１０】
［式中、２つのＱ１は、それぞれ独立して、Ｎ−Ｔ１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ１は、Ｈ、ＣＨ３またはＰｈを表す。）を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
【００７３】
【化１１】
［式中、２つのＱ１は、それぞれ独立して、Ｎ−Ｔ１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ１は、Ｈ、ＣＨ３またはＰｈを表す。）を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
【００７４】
【化１２】
［式中、２つのＱ１は、それぞれ独立して、Ｎ−Ｔ１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ１は、Ｈ、ＣＨ３またはＰｈを表す。）を表し、同一であっても、異なっていてもよく、４つのＱ２は、それぞれ独立して、ＳまたはＯを表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
【００７５】
【化１３】
［式中、２つのＱ１は、それぞれ独立して、Ｎ−Ｔ１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ１は、Ｈ、ＣＨ３またはＰｈを表す。）を表し、同一であっても、異なっていてもよく、４つのＱ２は、それぞれ独立して、ＳまたはＯを表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
【００７６】
【化１４】
［式中、２つのＱ１は、それぞれ独立して、Ｎ−Ｔ１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ１は、Ｈ、ＣＨ３またはＰｈを表す。）を表し、同一であっても、異なっていてもよく、４つのＱ２は、それぞれ独立して、ＳまたはＯを表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
【００７７】
【化１５】
［式中、Ｑ１は、Ｎ−Ｔ１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ１は、Ｈ、ＣＨ３またはＰｈを表す。）を表す。］
【００７８】
【化１６】
［式中、Ｑ３は、Ｎ−Ｔ３、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ３は、Ｈ、ＣＨ３、Ｃ２Ｈ５またはＰｈを表す。）を表す。］
【００７９】
【化１７】
［式中、Ｑ１は、Ｎ−Ｔ１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ１は、Ｈ、ＣＨ３またはＰｈを表す。）を表す。］
【００８０】
【化１８】
［式中、Ｑ１は、Ｎ−Ｔ１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ１は、Ｈ、ＣＨ３またはＰｈを表す。）を表す。］
【００８１】
【化１９】
【００８２】
【化２０】
【００８３】
【化２１】
【００８４】
【化２２】
【００８５】
【化２３】
【００８６】
【化２４】
【００８７】
【化２５】
［式中、３つのＱ１は、それぞれ独立して、Ｎ−Ｔ１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ１は、Ｈ、ＣＨ３またはＰｈを表す。）を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
【００８８】
【化２６】
［式中、３つのＱ１は、それぞれ独立して、Ｎ−Ｔ１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ１は、Ｈ、ＣＨ３またはＰｈを表す。）を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
【００８９】
【化２７】
［式中、Ｑ１は、Ｎ−Ｔ１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ１は、Ｈ、ＣＨ３またはＰｈを表す。）を表す。］
【００９０】
【化２８】
［式中、Ｑ１は、Ｎ−Ｔ１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ１は、Ｈ、ＣＨ３またはＰｈを表す。）を表す。］
【００９１】
【化２９】
［式中、３つのＱ１は、それぞれ独立して、Ｎ−Ｔ１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ１は、Ｈ、ＣＨ３またはＰｈを表す。）を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
【００９２】
また、基Ｙに含まれる複素環や芳香族炭化水素環には、主骨格における平面性が大きく阻害されないような置換基が導入されていてもよい。このような置換基としては、例えば、比較的炭素数の少ないアルキル基やハロゲン基等が挙げられる。
さて、置換基Ｒは、水素原子、メチル基またはエチル基であり、置換基Ｒは、置換基Ｘの炭素数に応じて選択するようにすればよい。例えば、置換基Ｘの炭素数が大きい場合には、置換基Ｒとしては、水素原子を選択し、置換基Ｘの炭素数が小さい場合には、置換基Ｒとしては、メチル基もしくはエチル基を選択するようにすればよい。
【００９３】
このような導電層は、重合反応により得られたネットワーク形状の高分子を主材料とすることから、耐溶剤性に優れたものとなる。その結果、この導電層上に接触して上層を形成する場合に、この上層を形成するための材料に含まれる溶媒または分散媒により、導電層が膨潤または溶解するのを確実に防止することができる。
また、このような導電層を有する積層体を用いて、後述するような電子デバイスを構築した場合、この導電層がネットワーク形状の高分子を主材料として構成されていることから、この導電層と接触する層（接触層）の界面付近において、導電層の構成材料と接触層の構成材料とが経時的に混ざり合うのを確実に防止することができる。その結果、電子デバイスの特性が経時的に劣化するのを防止することができる。
【００９４】
＜有機エレクトロルミネッセンス素子＞
次に、本発明の電子デバイスを、発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、単に「有機ＥＬ素子」という。）に適用した場合の実施形態について説明する。
図１は、有機ＥＬ素子の一例を示した縦断面図である。
図１に示す有機ＥＬ素子１は、透明な基板２と、基板２上に設けられた陽極３と、陽極３上に設けられた有機ＥＬ層４と、有機ＥＬ層４上に設けられた陰極５と、各前記層３、４、５を覆うように設けられた保護層６とを備えている。
【００９５】
基板２は、有機ＥＬ素子１の支持体となるものであり、この基板２上に各前記層が形成されている。
基板２の構成材料としては、透光性を有し、光学特性が良好な材料を用いることができる。
このような材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような各種樹脂材料や、各種ガラス材料等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【００９６】
基板２の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
陽極３は、有機ＥＬ層４（後述する正孔輸送層４１）に正孔を注入する電極である。また、この陽極３は、有機ＥＬ層４（後述する発光層４２）からの発光を視認し得るように、実質的に透明（無色透明、有色透明、半透明）とされている。
【００９７】
かかる観点から、陽極３の構成材料（陽極材料）としては、仕事関数が大きく、導電性に優れ、また、透光性を有する材料を用いるのが好ましい。
このような陽極材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ2、Ｓｂ含有ＳｎＯ2、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【００９８】
陽極３の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。陽極３の厚さが薄すぎると、陽極３としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陽極３が厚過ぎると、陽極材料の種類等によっては、光の透過率が著しく低下し、実用に適さなくなるおそれがある。
なお、陽極材料には、例えば、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂材料を用いることもできる。
【００９９】
一方、陰極５は、有機ＥＬ層４（後述する電子輸送層４３）に電子を注入する電極である。
陰極５の構成材料（陰極材料）としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。
このような陰極材料としては、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【０１００】
特に、陰極材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極材料として用いることにより、陰極５の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
陰極５の厚さ（平均）は、１ｎｍ〜１μｍ程度であるのが好ましく、１００〜４００ｎｍ程度であるのがより好ましい。陰極５の厚さが薄すぎると、陰極５としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陰極５が厚過ぎると、有機ＥＬ素子１の発光効率が低下するおそれがある。
【０１０１】
陽極３と陰極５との間には、有機ＥＬ層（有機層）４が設けられている。有機ＥＬ層４は、正孔輸送層４１と、発光層４２と、電子輸送層４３とを備え、これらがこの順で陽極３上に形成されている。
正孔輸送層４１は、陽極３から注入された正孔を発光層４２まで輸送する機能を有するものであり、電子輸送層４３は、陰極５から注入された電子を発光層４２まで輸送する機能を有するものである。
【０１０２】
これら正孔輸送層４１および電子輸送層４３の構成材料としてそれぞれ、本発明の導電性材料を用いることができる。
ここで、正孔輸送層４１と電子輸送層４３との双方を本発明の導電性材料を主材料として構成する場合、導電性材料の正孔輸送能および電子輸送能を考慮して、これらの構成材料を選択すればよい。
【０１０３】
すなわち、正孔輸送層４１が電子輸送層４３に対して相対的に正孔輸送能が高くかつ電子輸送能が低くなるように、換言すれば、電子輸送層４３が正孔輸送層４１に対して相対的に電子輸送能が高くかつ正孔輸送能が低くなるように、これらの構成材料を選択すればよい。
例えば、正孔輸送層４１に用いる導電性材料として、基Ｙの化学構造が前記化学式（２１）または（２３）のいずれかを選択した場合には、電子輸送層４３を構成する導電性材料として、基Ｙの化学構造が前記化学式（１０）または（２２）のいずれかを選択するのが好ましく、前記化学式（２０）のものを選択することもできる。また、電子輸送層４３を構成する導電性材料として、上記のものを用いた場合には、正孔輸送層４１を構成する導電性材料として、基Ｙの化学構造が前記化学式（５）または（１９）のいずれかを選択することもできる。
【０１０４】
また、正孔輸送層４１は、その体積抵抗率が１０Ω・ｃｍ以上であるのが好ましく、１０２Ω・ｃｍ以上であるのがより好ましい。これにより、発光効率のより高い有機ＥＬ素子１を得ることができる。
正孔輸送層４１の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。正孔輸送層４１の厚さが薄すぎると、ピンホールが生じるおそれがあり、一方、正孔輸送層４１が厚過ぎると、正孔輸送層４１の透過率が悪くなる原因となり、有機ＥＬ素子１の発光色の色度（色相）が変化してしまうおそれがある。
【０１０５】
さらに、電子輸送層４３の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、２０〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。電子輸送層４３の厚さが薄すぎると、ピンホールが生じショートするおそれがあり、一方、電子輸送層４３が厚過ぎると、抵抗値が高くなるおそれがある。
また、本発明の導電性材料は、かかる比較的薄い正孔輸送層４１および電子輸送層４３を形成する場合に、特に有用である。
【０１０６】
さて、陽極３と陰極５との間に通電（電圧を印加）すると、正孔輸送層４１中を正孔が、また、電子輸送層４３中を電子が移動し、発光層４２において正孔と電子とが再結合する。そして、発光層４２では、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、このエキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。
【０１０７】
この発光層４２の構成材料（発光材料）としては、電圧印加時に陽極３側から正孔を、また、陰極５側から電子を注入することができ、正孔と電子が再結合する場を提供できるものであれば、いかなるものであってもよい。
このような発光材料には、以下に示すような、各種低分子の発光材料、各種高分子の発光材料があり、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【０１０８】
なお、低分子の発光材料を用いることにより、緻密な発光層４２が得られるため、発光層４２の発光効率が向上する。また、高分子の発光材料を用いることにより、比較的容易に溶剤へ溶解させることができるため、インクジェット印刷法等の各種塗布法による発光層４２の形成を容易に行うことができる。さらに、低分子の発光材料と高分子の発光材料とを組み合わせて用いることにより、低分子の発光材料および高分子の発光材料を用いる効果を併有すること、すなわち、緻密かつ発光効率に優れる発光層４２を、インクジェット印刷法等の各種塗布法により、容易に形成することができるという効果が得られる。
【０１０９】
低分子の発光材料としては、例えば、ジスチリルベンゼン（ＤＳＢ）、ジアミノジスチリルベンゼン（ＤＡＤＳＢ）のようなベンゼン系化合物、ナフタレン、ナイルレッドのようなナフタレン系化合物、フェナントレンのようなフェナントレン系化合物、クリセン、６−ニトロクリセンのようなクリセン系化合物、ペリレン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−３，４，９，１０−ペリレン−ジ−カルボキシイミド（ＢＰＰＣ）のようなペリレン系化合物、コロネンのようなコロネン系化合物、アントラセン、ビススチリルアントラセンのようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、４−（ジ−シアノメチレン）−２−メチル−６−（パラ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）のようなピラン系化合物、アクリジンのようなアクリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベン系化合物、２，５−ジベンゾオキサゾールチオフェンのようなチオフェン系化合物、ベンゾオキサゾールのようなベンゾオキサゾール系化合物、ベンゾイミダゾールのようなベンゾイミダゾール系化合物、２，２’−（パラ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾールのようなベンゾチアゾール系化合物、ビスチリル（１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン）、テトラフェニルブタジエンのようなブタジエン系化合物、ナフタルイミドのようなナフタルイミド系化合物、クマリンのようなクマリン系化合物、ペリノンのようなペリノン系化合物、オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物、アルダジン系化合物、１，２，３，４，５−ペンタフェニル−１，３−シクロペンタジエン（ＰＰＣＰ）のようなシクロペンタジエン系化合物、キナクリドン、キナクリドンレッドのようなキナクリドン系化合物、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジンのようなピリジン系化合物、２，２’，７，７’−テトラフェニル−９，９’−スピロビフルオレンのようなスピロ化合物、フタロシアニン（Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ３）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ２）、（１，１０−フェナントロリン）−トリス−（４，４，４−トリフルオロ−１−（２−チエニル）−ブタン−１，３−ジオネート）ユーロピウム（III）（Ｅｕ（ＴＴＡ）３（ｐｈｅｎ））、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、（２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン）プラチナム（II）のような各種金属錯体等が挙げられる。
【０１１０】
高分子の発光材料としては、例えば、トランス型ポリアセチレン、シス型ポリアセチレン、ポリ（ジ−フェニルアセチレン）（ＰＤＰＡ）、ポリ（アルキル，フェニルアセチレン）（ＰＡＰＡ）のようなポリアセチレン系化合物、ポリ（パラ−フェンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（２，５−ジアルコキシ−パラ−フェニレンビニレン）（ＲＯ−ＰＰＶ）、シアノ−置換−ポリ（パラ−フェンビニレン）（ＣＮ−ＰＰＶ）、ポリ（２−ジメチルオクチルシリル−パラ−フェニレンビニレン）（ＤＭＯＳ−ＰＰＶ）、ポリ（２−メトキシ，５−（２’−エチルヘキソキシ）−パラ−フェニレンビニレン）（ＭＥＨ−ＰＰＶ）のようなポリパラフェニレンビニレン系化合物、ポリ（３−アルキルチオフェン）（ＰＡＴ）、ポリ（オキシプロピレン）トリオール（ＰＯＰＴ）のようなポリチオフェン系化合物、ポリ（９，９−ジアルキルフルオレン）（ＰＤＡＦ）、α，ω−ビス［Ｎ，Ｎ’−ジ（メチルフェニル）アミノフェニル］−ポリ［９，９−ビス（２−エチルヘキシル）フルオレン−２，７−ジル］（ＰＦ２／６ａｍ４）、ポリ（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニル−オルト−コ（アントラセン−９，１０−ジイル）のようなポリフルオレン系化合物、ポリ（パラ−フェニレン）（ＰＰＰ）、ポリ（１，５−ジアルコキシ−パラ−フェニレン）（ＲＯ−ＰＰＰ）のようなポリパラフェニレン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）のようなポリカルバゾール系化合物、ポリ（メチルフェニルシラン）（ＰＭＰＳ）、ポリ（ナフチルフェニルシラン）（ＰＮＰＳ）、ポリ（ビフェニリルフェニルシラン）（ＰＢＰＳ）のようなポリシラン系化合物等が挙げられる。
【０１１１】
また、正孔輸送層４１と電子輸送層４３とに用いる構成材料の組み合わせによっては、発光材料として本発明の導電性材料を用いることもできる。
例えば、正孔輸送層４１の構成材料として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）のようなポリ（チオフェン／スチレンスルホン酸）、Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（α−ＮＰＤ）のようなアリールアミン化合物等を用い、電子輸送層４３の構成材料として３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−５−（ビフェニル−４−イル）−１，３，５−オキサジアゾール（ＰＢＤ）のようなオキサジアゾール化合物等を用いた場合には、発光層４２を構成する導電性材料として、基Ｙの化学構造が前記化学式（１５）および（１７）等のものを用いることができる。
【０１１２】
発光層４２の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。発光層の厚さを前記範囲とすることにより、正孔と電子との再結合が効率よくなされ、発光層４２の発光効率をより向上させることができる。
なお、有機ＥＬ素子１は、正孔輸送層４１、発光層４２および電子輸送層４３のうちのいずれか１つが本発明の導電性材料で構成されるようなものであってもよく、これらの全てが本発明の導電性材料で構成されるようなものであってもよい。
【０１１３】
また、発光層４２は、正孔輸送層４１および電子輸送層４３と別個に設けられているが、正孔輸送層４１と発光層４２とを兼ねた正孔輸送性発光層や、電子輸送層４３と発光層４２とを兼ねた電子輸送性発光層とすることもできる。この場合、正孔輸送性発光層の電子輸送層４３との界面付近が、また、電子輸送性発光層の正孔輸送層４１との界面付近が、それぞれ、発光層４２として機能する。
【０１１４】
さらに、正孔輸送性発光層を用いた場合には、陽極から正孔輸送性発光層に注入された正孔が電子輸送層によって閉じこめられ、また、電子輸送性発光層を用いた場合には、陰極から電子輸送性発光層に注入された電子が電子輸送性発光層に閉じこめられるため、いずれも、正孔と電子との再結合効率を向上させることができるという利点がある。
なお、各層３、４、５同士の間には、任意の目的の層が設けられていてもよい。例えば、正孔輸送層４１と陽極３との間には、陽極３からの正孔の注入効率を向上させる正孔注入層を設けることができる。また、電子輸送層４３と陰極５との間には、陰極５からの電子の注入効率を向上させる電子注入層等を設けることができる。このように、有機ＥＬ素子１に正孔注入層および電子注入層を設ける場合には、この正孔注入層および電子注入層の構成材料として、本発明の導電性材料を用いることができる。
また、正孔注入層の構成材料としては、本発明の導電性材料の他、例えば、銅フタロシアニンや４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−フェニル−３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（Ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等を用いることもできる。
【０１１５】
保護層６は、有機ＥＬ素子１を構成する各層３、４、５を覆うように設けられている。この保護層６は、有機ＥＬ素子１を構成する各層３、４、５を気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する。保護層６を設けることにより、有機ＥＬ素子１の信頼性の向上や、変質・劣化の防止等の効果が得られる。
保護層６の構成材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉまたはこれらを含む合金、酸化シリコン、各種樹脂材料等を挙げることができる。なお、保護層６の構成材料として導電性を有する材料を用いる場合には、短絡を防止するために、保護層６と各層３、４、５との間には、必要に応じて、絶縁膜を設けるのが好ましい。
【０１１６】
この有機ＥＬ素子１は、例えばディスプレイ用として用いることができるが、その他にも光源等としても使用可能であり、種々の光学的用途等に用いることが可能である。
また、有機ＥＬ素子１をディスプレイに適用する場合、その駆動方式としては、特に限定されず、アクティブマトリックス方式、パッシブマトリックス方式のいずれであってもよい。
このような有機ＥＬ素子１は、例えば、次のようにして製造することができる。
【０１１７】
［Ａ１］陽極形成工程
まず、基板２を用意し、この基板２上に陽極３を形成する。
陽極３は、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。
【０１１８】
［Ａ２］正孔輸送層形成工程（第１の構成）
［Ａ２−１］ まず、前記一般式（１）で表される化合物（以下、単に「化合物（１）」という。）と、ビニル化合物とを含有する導電性材料用組成物（正孔輸送材料）を陽極３上に塗布（供給）する。
導電性材料用組成物中における、化合物（１）とビニル化合物との配合比は、モル比で、９：１〜３：２であるのが好ましく、４：１〜７：３であるのがより好ましい。ビニル化合物の配合比が少な過ぎると、生成される高分子中において、主骨格同士をより適切な距離に保てなくなり、主骨格同士の相互作用が生じるおそれがあり、一方、ビニル化合物の配合比が多過ぎると、相対的に化合物（１）の混合比が少なくなる。すなわち、生成される高分子中において、主骨格の存在比率が少なくなるため、正孔輸送能が低下するおそれがある。
【０１１９】
この塗布には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いることができる。かかる塗布法によれば、正孔輸送材料を比較的容易に陽極３上に供給することができる。
【０１２０】
化合物（１）を溶媒に溶解または分散媒に分散する場合、用いる溶媒または分散媒としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
なお、導電性材料用組成物には、重合開始剤を添加するのが好ましい。これにより、次工程［Ａ２−２］において、加熱や光照射のような所定の処理を施す際に、置換基Ｘ同士、またはビニル化合物を介しての重合反応を促進させることができる。
【０１２１】
重合開始剤としては、特に限定されないが、例えば、光カチオン重合開始剤や光ラジカル重合開始剤のような光重合開始剤、熱重合開始剤および嫌気重合開始剤等が挙げられ、これらの中でも、光カチオン重合開始剤を用いるのが特に好ましい。これにより、次工程［Ａ２−２］において、置換基Ｘ同士を、直接、またはビニル化合物を介しての重合反応を比較的容易に行うことができる。
【０１２２】
光カチオン重合開始剤としては、各種の光カチオン重合開始剤を用いることができるが、例えば、芳香族スルホニウム塩系、芳香族ヨードニウム塩系、芳香族ジアゾニウム塩系、ピリジウム塩系および芳香族ホスホニウム塩系等のオニウム塩系の光カチオン重合開始剤や、鉄アレーン錯体およびスルホン酸エステル等の非イオン系の光カチオン重合開始剤を用いることができる。
さらに、重合開始剤として光重合開始剤を用いる場合には、用いる光重合開始剤の種類に適した増感剤を導電性材料用組成物に添加するようにしてもよい。
【０１２３】
［Ａ２−２］ 次に、陽極３上に供給された正孔輸送材料に光照射する。
これにより、正孔輸送材料に含まれる化合物（１）同士を置換基Ｘにおいて、直接、またはビニル化合物を介して重合反応（結合）させて、ネットワーク形状の高分子（本発明の導電性材料）を生成することができる。その結果、本発明の導電性材料を主材料とする正孔輸送層４１が陽極３上に形成される。
【０１２４】
正孔輸送層４１を本発明の導電性材料を主材料として構成することにより、次工程［Ａ３］において、発光層材料を供給した際に、この発光層材料に含まれる溶媒または分散媒により、正孔輸送層４１が膨潤および溶解するのを防止することができる。その結果、正孔輸送層４１と発光層４２との相溶解を確実に防止することができる。
また、正孔輸送層４１を本発明の導電性材料（高分子）を主材料として構成することにより、得られた有機ＥＬ素子１において、正孔輸送層４１と発光層４２との界面付近において、これらの構成材料同士が経時的に混ざり合うのを確実に防止することができる。
【０１２５】
この高分子の重量平均分子量は、特に限定されないが、１００００〜１００００００程度であるのが好ましく、１５０００〜３０００００程度であるのがより好ましい。これにより、高分子の膨潤および溶解をより確実に抑制または防止することができる。
なお、正孔輸送層４１は、この正孔輸送層４１と発光層４２との相溶解が防止される範囲において、化合物（１）やビニル化合物の低分子（モノマーやオリゴマー）を含んでいてもよい。
【０１２６】
正孔輸送材料に光照射する光としては、例えば、赤外線、可視光線、紫外線およびＸ線等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、紫外線を用いるのが特に好ましい。これにより、置換基Ｘにおける重合反応を容易かつ確実に進行させることができる。
光照射する紫外線の波長は、２００〜４２０ｎｍ程度であるのが好ましく、２５０〜４００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【０１２７】
また、紫外線の照射強度は、１０〜５０００ｍＷ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、２０〜１０００ｍＷ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。
さらに、紫外線の照射時間は、５〜３００秒程度であるのが好ましく、１０〜１５０秒程度であるのがより好ましい。
紫外線の波長、照射強度および照射時間をかかる範囲にすることにより、陽極３上に供給された正孔輸送材料の重合反応の進行を比較的容易に制御することができる。
【０１２８】
［Ａ２’］正孔輸送層形成工程（第２の構成）
［Ａ２’−１］ まず、化合物（１）を溶解し得る反応溶媒に、化合物（１）と、ビニル化合物とを溶解させて導電性材料用組成物を得る。
導電性材料用組成物中における、化合物（１）とビニル化合物との配合比は、前記工程［Ａ２−１］で説明した配合比と同様にすることができる。
【０１２９】
また、反応溶媒としては、前記工程［Ａ２−１］で説明した溶媒または分散媒と同様のものを用いることができる。ただし、前記工程［Ａ２−１］で説明したもののうち、脂肪族炭化水素系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、芳香族複素環化合物系溶媒、ハロゲン化合物系溶媒、硫黄化合物系溶媒のような比較的塩基性の弱いものを選択するのが好ましい。これにより、次工程［Ａ２’−２］において、置換基Ｘを、直接、またはビニル化合物を介して、重合反応させることにより得られる化合物（１）の高分子（以下、単に「化合物（１）の高分子」という。）を、選択した反応溶媒により阻害させることなく確実に形成することができる。
また、これらの中でも、特に、誘電率が小さいものを選択するのが好ましい。これにより、化合物（１）の高分子化の重合速度が低下し、比較的分子量の小さい高分子を容易に得ることができることから、得られる化合物（１）の高分子（重合物）の分子量の制御を比較的容易に行うことができる。
【０１３０】
［Ａ２’−２］ 次に、化合物（１）同士の置換基Ｘを、直接、またはビニル化合物を介して重合反応（結合）させて、ネットワーク形状を有する化合物（１）の高分子（可溶性ポリマー）が反応溶媒中に可溶な範囲内にまで、導電性材料用組成物に含まれる化合物（１）を高分子化させる。
この際、導電性材料用組成物に、重合触媒を添加することにより、置換基Ｘ同士、またはビニル化合物を介しての重合反応すなわち化合物（１）の高分子化を促進させることができる。
【０１３１】
このような化合物（１）の高分子（可溶性ポリマー）の重量平均分子量は、化合物（１）の種類によっても若干異なり、特に限定されるものではないが、８００〜１００００程度であるのが好ましく、１５００〜５０００程度であるのがより好ましい。これにより、化合物（１）の高分子が不溶化して、導電性材料用組成物中に析出（沈殿）するのを確実に防止することができる。
【０１３２】
このような化合物（１）の高分子は、重合触媒の存在下において、例えば、反応温度の制御、光照射、嫌気処理のような所定の処理を導電性材料用組成物に行うことにより得ることができる。
化合物（１）同士の置換基Ｘが、直接、またはビニル化合物を介して結合する重合反応は、前記所定の処理の条件を適宜設定することにより比較的容易に制御することができる。そのため、不溶性の高分子が生成されるより前に、すなわち、重合反応が進行して形成された高分子が不溶化する前に、化合物（１）の高分子化を確実に停止させることができる。
また、所定の処理としては、前述したものの中でも、反応温度の制御を選択するのが好ましい。反応温度を制御する際の処理条件を適宜設定することにより、化合物（１）の高分子化をより容易に制御することができる。
【０１３３】
反応温度を制御する際の導電性材料用組成物の温度は、前述した反応溶媒の種類によっても若干異なるが、−７８〜２５℃程度であるのが好ましく、−４０〜０℃程度であるのがより好ましい。
反応温度を制御する時間も、前述した反応溶媒の種類によっても若干異なるが、０．５〜２４時間程度であるのが好ましく、１〜５時間程度であるのがより好ましい。
【０１３４】
導電性材料用組成物の温度、および反応温度を制御する時間をかかる範囲にすることにより、化合物（１）の高分子が不溶化するのを確実に防止することができる。
なお、化合物（１）の高分子（可溶性ポリマー）が得られた際には、導電性材料用組成物に、重合停止剤を添加するようにしてもよい。これにより、化合物（１）の高分子化をより確実に停止させることができる。
【０１３５】
このような重合停止剤としては、例えば、アンモニア水のような塩基性化合物を含有するメタノール、エタノールおよびイソプロピルアルコール等の低級アルコールや、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒が挙げられる。
また、前記重合触媒としては、特に限定されないが、例えば、ハロゲノカルボン酸、スルホン酸、硫酸モノエステル、リン酸モノエステルのようなプロトン酸、三フッ化ホウ素、三フッ化ホウ素エーテレート（ＢＦ３／ＯＥｔ２）、ニ塩化チタン、四塩化チタン、塩化第一スズ、塩化第二スズ、塩化アルミニウム、塩化亜鉛、臭化マグネシウム、塩化第二鉄のようなルイス酸等が挙げられる。ただし、重合触媒としてルイス酸を用いる場合には、水、アルコール、カルボン酸、エーテルのような不対電子を有する化合物を共触媒として導電性材料用組成物に添加するのが好ましい。これにより、化合物（１）の高分子化をより確実に行うことができる。
【０１３６】
［Ａ２’−３］ 次に、導電性材料用組成物に含まれる化合物（１）の高分子（可溶性ポリマー）以外の不純物を導電性用組成物から除去する。
この不純物としては、例えば、化合物（１）およびビニル化合物の低分子（モノマーやオリゴマー）、重合触媒、共触媒、化合物（１）を合成する際に生成および／または混入したものおよび反応溶媒中に混入したもの等が挙げられる。
【０１３７】
このような不純物は、カチオン性、アニオン性およびノニオン性の不純物に分類される。これらの内、カチオン性およびアニオン性の不純物を除去する方法としては、例えば、フィルトレーション法、吸着クロマトグラフィー法およびイオン交換クロマトグラフィー法等が挙げられるが、これらの中でも、フィルトレーション法を用いるのが好ましい。フィルトレーション法によれば、用いるフィルターの種類を適宜選択するだけで、目的とするカチオン性不純物やアニオン性不純物を効率よく確実に除去することができる。
【０１３８】
すなわち、フィルターとして、例えば、強酸性陽イオン交換樹脂、弱酸性陽イオン交換樹脂、重金属を選択的に除去し得るキレート樹脂のような陽イオン交換樹脂を主材料として構成されるものを選択することにより、カチオン性不純物を除去することができる。
また、フィルターとして、例えば、最強塩基性陰イオン交換樹脂、強塩基性陰イオン交換樹脂、中塩基性陰イオン交換樹脂、弱塩基性陰イオン交換樹脂等のような陰イオン交換樹脂を主材料として構成されるものを選択することにより、アニオン性不純物を除去することができる。
【０１３９】
また、ノニオン性の不純物を除去する方法としては、例えば、限外ろ過膜法やゲル浸透クロマトグラフィー法等が挙げられるが、これらの中でも、限外ろ過膜法を用いるのが好ましい。限外ろ過膜法は、分子量に応じた各種物質の分離特性に優れており、用いる限外ろ過膜の種類を適宜選択するだけで、目的とする分子量より小さいノニオン性不純物を効率よく確実に除去することができる。
【０１４０】
［Ａ２’−４］ 次に、化合物（１）の高分子（可溶性ポリマー）を含有する導電性材料用組成物を陽極３上に塗布（供給）する。
この塗布には、前記工程［Ａ２−１］で説明したのと同様の方法を用いることができる。
なお、この導電性材料用組成物には、重合開始剤を添加するのが好ましい。これにより、次工程［Ａ２’−５］において、加熱や光照射のような所定の処理を施す際に、化合物（１）の高分子同士の置換基Ｘにおける重合反応を促進させることができる。
この重合開始剤としても、前記工程［Ａ２−１］で説明したのと同様のものを用いることができる。
【０１４１】
［Ａ２’−５］ 次に、陽極３上に供給された導電性材料用組成物に光照射する。
これにより、導電性材料用組成物に含まれる、化合物（１）の高分子同士を置換基Ｘにおいて、直接、またはビニル化合物を介して重合反応させることができる。これにより、化合物（１）の高分子（可溶性ポリマー）がさらに高分子化することにより不溶化して、導電性材料用組成物中に析出することとなる。その結果、化合物（１）の高分子（不溶性ポリマー）すなわち本発明の導電性材料を主材料とする正孔輸送層４１が陽極３上に形成される。
【０１４２】
この化合物（１）の高分子（不溶性ポリマー）の重量平均分子量は、特に限定されないが、１５０００〜１００００００程度であるのが好ましく、２００００〜３０００００程度であるのがより好ましい。これにより、化合物（１）の高分子の膨潤および溶解をより確実に抑制または防止することができる。
導電性材料用組成物に光照射する光としては、前記工程［Ａ２−２］で説明したのと同様のものを用いることができる。
【０１４３】
以上のような［Ａ２’］の工程を経て正孔輸送層４１が形成される。かかる工程により正孔輸送層４１を形成することにより、前記工程［Ａ２’−５］において、陽極３上に供給される導電性材料用組成物に、化合物（１）の高分子（可溶性ポリマー）が含まれていることから、重合開始剤の添加量を、比較的少なく設定することができる。その結果、得られる正孔輸送層４１に残存する重合開始剤の量が比較的少なくなる。これにより、正孔輸送層４１中の正孔が重合開始剤により捕捉されるのを好適に防止または抑制することができることから、得られる正孔輸送層４１により優れた正孔輸送能を発揮させることができる。
【０１４４】
また、［Ａ２’］の方法では、化合物（１）の高分子（可溶性ポリマー）を陽極３上に供給した後に、この高分子をさらに高分子化することにより不溶化させて正孔輸送層４１が形成されることから、正孔輸送層４１を比較的容易に、かつ分子量分布の狭い均一な膜を形成（成膜）できるという利点もある。
なお、得られた正孔輸送層４１には、必要に応じて、例えば大気中、不活性雰囲気中、減圧（または真空）下等において熱処理を施すようにしてもよい。これにより、例えば、正孔輸送層４１の乾燥・固化（脱溶媒または脱分散媒）等を行うことができる。なお、正孔輸送層４１は、熱処理によらず乾燥してもよい。
【０１４５】
また、置換基Ｘ同士を、直接、またはビニル化合物を介して重合反応させるための所定の処理としては、前記工程［Ａ２−２］および前記工程［Ａ２’−５］で説明した光照射の他、例えば、加熱および嫌気処理等が挙げられるが、これらの中でも、光照射を用いるのが好ましい。光照射によれば、化合物（１）を高分子化させる領域および程度を比較的容易に選択することができる。
【０１４６】
［Ａ３］発光層形成工程
次に、正孔輸送層４１上に発光層４２を形成する。
発光層４２は、例えば、前述したような発光材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる発光層材料（発光層形成用材料）を、正孔輸送層４１上に塗布して形成することができる。
発光材料を溶解または分散させる溶媒または分散媒としては、正孔輸送層４１を形成する際に用いた溶媒または分散媒と同様のものを用いることができる。
また、発光層材料を、正孔輸送層４１上に塗布する方法としても、正孔輸送層４１を形成する際に用いた塗布方法と同様の方法を用いることができる。
【０１４７】
［Ａ４］電子輸送層形成工程
次に、発光層４２上に電子輸送層４３を形成する。
電子輸送層４３は、前記正孔輸送層形成工程［Ａ２］および［Ａ２’］で説明したのと同様の方法で、本発明の導電性材料用組成物を用いて形成することができる。
なお、発光層４２が本発明の導電性材料のような高分子により構成されない場合、電子輸送層４３を形成するために用いる導電性材料用組成物を、溶解または分散するための溶媒または分散媒としては、発光層４２が膨潤および溶解しないものを選択するようにすればよい。これにより、発光層４２と電子輸送層４３との相溶解を確実に防止することができる。
【０１４８】
［Ａ５］陰極形成工程
次に、電子輸送層４３上に陰極５を形成する。
陰極５は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。
［Ａ６］保護層形成工程
次に、陽極３、有機ＥＬ層４および陰極５を覆うように、保護層６を形成する。
保護層６は、例えば、前述したような材料で構成される箱状の保護カバーを、各種硬化性樹脂（接着剤）で接合すること等により形成する（設ける）ことができる。
【０１４９】
硬化性樹脂には、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、反応性硬化樹脂、嫌気性硬化樹脂のいずれも使用可能である。
以上のような工程を経て、有機ＥＬ素子１が製造される。
【０１５０】
＜有機薄膜トランジスタ＞
次に、本発明の電子デバイスを、スイッチング素子である有機薄膜トランジスタ（以下、単に「有機ＴＦＴ」という。）に適用した場合の実施形態について説明する。
図２は、有機ＴＦＴ１０を示す図であり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は平面図である。なお、以下の説明では、図２（ａ）中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１５１】
図２に示す有機ＴＦＴ１０は、基板２０上に設けられており、ソース電極３０およびドレイン電極４０と、有機半導体層（本発明の導電層）５０と、ゲート絶縁層６０と、ゲート電極７０とが、この順で基板２０側から積層されて構成されている。
具体的には、有機ＴＦＴ１０は、基板２０上に、ソース電極３０およびドレイン電極４０が分離して設けられ、これら電極３０、４０を覆うように有機半導体層５０が設けられている。さらに有機半導体層５０上には、ゲート絶縁層６０が設けられ、さらにこの上に、少なくともソース電極３０とドレイン電極４０の間の領域に重なるようにゲート電極７０が設けられている。
【０１５２】
この有機ＴＦＴ１０では、有機半導体層５０のうち、ソース電極３０とドレイン電極４０との間の領域が、キャリアが移動するチャネル領域５１０となっている。以下、このチャネル領域５１０において、キャリアの移動方向の長さ、すなわちソース電極３０とドレイン電極４０との間の距離をチャネル長Ｌ、チャネル長Ｌ方向と直交する方向の長さをチャネル幅Ｗと言う。
このような有機ＴＦＴ１０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０が、ゲート絶縁層６０を介してゲート電極７０よりも基板２０側に設けられた構成の有機ＴＦＴ、すなわち、トップゲート構造の有機ＴＦＴである。
【０１５３】
以下、有機ＴＦＴ１０を構成する各部について、順次説明する。
基板２０は、有機ＴＦＴ１０を構成する各層（各部）を支持するものである。基板２０には、例えば、前述した有機ＥＬ素子１で説明した基板２と同様のものを用いることができる他、シリコン基板、ガリウム砒素基板等を用いることができる。
基板２０上には、ソース電極３０およびドレイン電極４０が、チャネル長Ｌ方向に沿って、所定距離離間して並設されている。
【０１５４】
これらのソース電極３０およびドレイン電極４０の構成材料としては、導電性を有するものであればいかなるものであってもよく、例えば、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等の金属材料、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴＯ、ＳｎＯ２等の導電性酸化物材料、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、フラーレン等の炭素材料、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）のようなポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等の導電性高分子材料等が挙げられ、これらのうち導電性高分子材料は、通常塩化鉄、ヨウ素、強酸、有機酸、ポリスチレンサルフォニック酸などの高分子でドープされ導電性を付与された状態で用いられる。さらに、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１５５】
ソース電極３０およびドレイン電極４０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、それぞれ、３０〜３００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜２００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
ソース電極３０とドレイン電極４０との間の距離（離間距離）、すなわち、チャネル長Ｌは、２〜３０μｍ程度であるのが好ましく、２〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。
【０１５６】
チャネル幅Ｗは、０．１〜５ｍｍ程度であるのが好ましく、０．３〜３ｍｍ程度であるのがより好ましい。
また、基板２０上には、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように、有機半導体層５０が設けられている。
この有機半導体層５０の構成材料として、本発明の導電性材料を用いることができる。
【０１５７】
前述したように、本発明の導電性材料は、基Ｙの化学構造を適宜設定することにより、形成される高分子に、目的とするキャリア輸送能の特性を付与することができるものである。
そこで、基Ｙの化学構造を適宜設定することにより、高分子に優れた半導体特性を付与することができることから、本発明の導電性材料を有機半導体層５０に用いるのは、特に有効である。
【０１５８】
このような有機半導体層５０を構成する導電性材料としては、例えば、基Ｙの化学構造が前記化学式（５）、（６）、（１９）、（２０）および（２３）のもののうちいずれかが好適に選択される。
有機半導体層５０の厚さ（平均）は、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。これにより、優れたキャリア輸送能を維持しつつ、有機ＴＦＴ１０が大型化すること（特に、厚さが増大すること）を防止することができる。
【０１５９】
なお、有機半導体層５０として、本発明の導電性材料のような高分子を主材料として構成されるものを用いることにより、得られる有機ＴＦＴ１０は、薄型化・軽量化が可能であるとともに、可撓性にも優れたものとなる。このような有機ＴＦＴ１０は、前述した有機ＥＬ素子を備えるフレキシブルディスプレイのスイッチング素子への適用に適している。
【０１６０】
なお、有機半導体層５０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように設けられる構成のものに限定されず、少なくともソース電極３０とドレイン電極４０との間の領域（チャネル領域５１０）に設けられていればよい。
有機半導体層５０上には、ゲート絶縁層６０が設けられている。
このゲート絶縁層６０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０に対してゲート電極７０を絶縁するものである。
【０１６１】
ゲート絶縁層６０は、主として有機材料（特に有機高分子材料）で構成されているのが好ましい。有機高分子材料を主材料とするゲート絶縁層６０は、その形成が容易であるとともに、有機半導体層５０との密着性の向上を図ることもできる。
このような有機高分子材料としては、例えば、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリビニルフェニレン、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のようなアクリル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）のようなフッ素系樹脂、ポリビニルフェノールあるいはノボラック樹脂のようなフェノール系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブテンなどのオレフィン系樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１６２】
ゲート絶縁層６０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。ゲート絶縁層６０の厚さを前記範囲とすることにより、ソース電極３０およびドレイン電極４０とゲート電極７０とを確実に絶縁しつつ、有機ＴＦＴ１０が大型化すること（特に、厚さが増大すること）を防止することができる。
なお、ゲート絶縁層６０は、単層構成のものに限定されず、複数層の積層構成のものであってもよい。
【０１６３】
ゲート絶縁層６０上には、ゲート電極７０が設けられている。
ゲート電極７０の構成材料としては、前述したソース電極３０およびドレイン電極４０の構成材料と同様のものを用いることができる。
ゲート電極７０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．１〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５０００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜５０００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
【０１６４】
以上のような有機ＴＦＴ１０は、ゲート電極７０に印加する電圧を変化させることにより、ソース電極３０とドレイン電極４０との間に流れる電流量が制御される。
すなわち、ゲート電極７０に電圧が印加されていないＯＦＦ状態では、ソース電極３０とドレイン電極４０との間に電圧を印加しても、有機半導体層５０中にほとんどキャリアが存在しないため、微少な電流しか流れない。一方、ゲート電極７０に電圧が印加されているＯＮ状態では、有機半導体層５０のゲート絶縁層６０に面した部分に電荷が誘起され、チャネル領域５１０にキャリアの流路が形成される。この状態でソース電極３０とドレイン電極４０との間に電圧を印加すると、チャネル領域５１０を通ってキャリア（正孔または電子）が流れる。
このような有機ＴＦＴ１０は、例えば、次のようにして製造することができる。
図３〜図４は、それぞれ、図２に示す有機ＴＦＴ１０の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図３〜図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１６５】
［Ｂ１］ソース電極およびドレイン電極形成工程
［Ｂ１−１］ まず、図３（ａ）に示すような基板２０を用意し、この基板２０を、例えば、水（純水等）、有機溶媒等を単独または適宜組み合わせて洗浄する。
次に、基板２０上に、フォトレジストを供給し、被膜８０’を形成する（図３（ｂ）参照。）。
【０１６６】
基板２０上に供給するフォトレジストとしては、光が照射（露光）された領域が硬化し、この露光された領域以外の領域が現像によって溶解し、除去されるネガ型フォトレジスト、および、露光された領域が現像によって溶解し、除去されるポジ型フォトレジストのいずれを用いてもよい。
ネガ型フォトレジストとしては、ロジン−重クロム酸塩、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）−重クロム酸塩、セラック−重クロム酸塩、カゼイン−重クロム酸塩、ＰＶＡ−ジアゾ、アクリル系フォトレジスト等のような水溶性フォトレジスト、ポリケイ皮酸ビニル、環化ゴム−アジド、ポリビニルシンナミリデンアセタート、ポリケイ皮酸β−ビニロキシエチルエステル等のような油溶性フォトレジスト等が挙げられる。
【０１６７】
また、ポジ型フォトレジストとしては、ｏ−ナフトキノンジアジド等のような油溶性フォトレジスト等が挙げられる。
フォトレジストを、基板２０上に、供給する方法としては、いかなる方法であってもよいが、塗布法が好適に用いられる。
塗布法としては有機ＥＬ素子１の製造方法の正孔輸送層形成工程［Ａ２］で説明したものと同様の方法を用いることができる。
次に、被膜８０’を、フォトマスクを介して露光および現像し、ソース電極３０およびドレイン電極４０を形成する領域に開口部８２０を有するレジスト層８０を形成する（図３（ｃ）参照。）。
【０１６８】
［Ｂ１−２］ 次に、図３（ｄ）に示すように、前述したような処理が施された基板２０の開口部８２０内に、形成すべきソース電極３０およびドレイン電極４０に応じて、これら電極の構成材料またはその前駆体を含有する所定量の液状材料９０を供給する。
この液状材料９０において、ソース電極３０およびドレイン電極４０の構成材料またはその前駆体を、溶解または分散する溶液または分散媒としては、前記正孔輸送層形成工程［Ａ２］で説明したものと同様のものを用いることができる。
【０１６９】
また、この液状材料９０を開口部８２０内に供給する方法には、前述したものと同様の塗布法を用いることができるが、これらの中でも、インクジェット法（液滴吐出法）を用いるのが好ましい。インクジェット法によれば、液状材料９０を、液滴吐出ヘッドのノズルから液滴として吐出して、開口部８２０内に確実に供給することができる。その結果、レジスト層８０に液状材料９０が付着するのを確実に阻止することができる。
【０１７０】
［Ｂ１−３］ 次に、開口部８２０に供給された液状材料９０から溶媒または分散媒を除去して、ソース電極３０およびドレイン電極４０を形成する。
前記溶媒または分散媒を除去する際の温度（除去温度）は、特に限定されず、溶媒または分散媒の種類によって若干異なるが、２０〜２００℃程度であるのが好ましく、５０〜１００℃程度であるのがより好ましい。これにより、液状材料９０中に含まれる溶媒または分散媒を、確実に除去することができる。
なお、この溶媒または分散媒の除去を、減圧下で加熱するようにしてもよい。これにより、液状材料９０中に含まれる溶媒または分散媒を、より確実に除去することができる。
【０１７１】
［Ｂ１−４］ 次に、基板２０からレジスト層８０を除去して、基板２０上に形成されたソース電極３０およびドレイン電極４０を得る（図４（ｆ）参照。）。
レジスト層８０の除去方法は、レジスト層８０の種類に応じて適宜選択すればよく、例えば、プラズマ処理やオゾン処理のようなアッシング、紫外線の照射、Ｎｅ−Ｈｅレーザー、Ａｒレーザー、ＣＯ２レーザー、ルビーレーザー、半導体レーザー、ＹＡＧレーザー、ガラスレーザー、ＹＶＯ４レーザー、エキシマレーザー等の各種レーザーの照射、レジスト層８０を溶解または分解し得る溶剤との接触（例えば浸漬）等により行うことができる。
【０１７２】
［Ｂ２］有機半導体層形成工程
次に、図４（ｈ）に示すように、ソース電極３０およびドレイン電極４０が形成された基板２０上に、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように、有機半導体層５０を形成する。
このとき、ソース電極３０とドレイン電極４０との間（ゲート電極７０に対応する領域）には、チャネル領域５１０が形成される。
この有機半導体層５０は、有機ＥＬ素子１の製造方法の正孔輸送層形成工程［Ａ２］および［Ａ２’］で説明したのと同様の方法により、本発明の導電性材料用組成物を用いて形成することができる。
【０１７３】
ここで、有機半導体層５０は、本発明の導電性材料（高分子）を主材料として構成されるものである。これにより、次工程［Ｂ３］において、ゲート絶縁層材料を有機半導体層５０上に供給した際に、このゲート絶縁層材料に含まれる溶媒または分散媒により、高分子が膨潤および溶解することを好適に抑制または防止することができる。その結果、有機半導体層５０とゲート絶縁層６０との相溶解を確実に防止することができる。
また、有機半導体層５０を本発明の導電性材料のように高分子を主材料として構成することにより、得られた有機ＴＦＴ１０において、有機半導体層５０とゲート絶縁層６０との界面付近において、これらの構成材料同士が経時的に混ざり合うのを確実に防止することができる。
【０１７４】
［Ｂ３］ゲート絶縁層形成工程
次に、図４（ｉ）に示すように、有機半導体層５０上に、ゲート絶縁層６０を塗布法を用いて形成する。
具体的には、ゲート絶縁層６０は、絶縁材料またはその前駆体を含む溶液を、前述した塗布法を用いて、有機半導体層５０上に塗布（供給）した後、必要に応じて、この塗膜に対して後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより形成することができる。
【０１７５】
［Ｂ４］ゲート電極形成工程
次に、図４（ｊ）に示すように、ゲート絶縁層６０上に、ゲート電極７０を塗布法を用いて形成する。
具体的には、ゲート電極７０は、電極材料またはその前駆体を含む溶液を、塗布法を用いて、ゲート絶縁層６０上に塗布（供給）した後、必要に応じて、この塗膜に対して後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより形成することができる。
【０１７６】
また、塗布法には、前述したのと同様の方法を用いることができるが、特に、インクジェット法を用いるのが好ましい。インクジェット法によれば、電極材料またはその前駆体を含む溶液を、液滴吐出ヘッドのノズルから液滴を吐出してパターニングすることができる。その結果、ゲート絶縁層６０上に、所定形状のゲート電極７０を、容易かつ確実に形成することができる。
以上のような工程を経て、有機ＴＦＴ１０が製造される。
【０１７７】
＜電子機器＞
また、前述したような、有機ＥＬ素子（発光素子）１や有機ＴＦＴ（スイッチング素子）１０のような本発明の電子デバイスは、各種電子機器に用いることができる。
図５は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【０１７８】
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００においては、例えば、表示ユニット１１０６が前述の有機ＥＬ素子（発光素子）１と有機ＴＦＴ（スイッチング素子）１０とを備えている。
【０１７９】
図６は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、例えば、この表示部が前述の有機ＥＬ素子（発光素子）１と有機ＴＦＴ（スイッチング素子）１０とを備えている。
【０１８０】
図７は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１８１】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、例えば、この表示部が前述の有機ＥＬ素子（発光素子）１と有機ＴＦＴ（スイッチング素子）１０とを備えている。
【０１８２】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【０１８３】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【０１８４】
なお、本発明の電子機器は、図５のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図６の携帯電話機、図７のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
【０１８５】
以上、本発明の導電性材料用組成物、導電性材料、導電層、電子デバイスおよび電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、本発明の電子デバイスは、導電層を正孔輸送層として用いる場合、前述した表示素子（発光素子）の一例である有機ＥＬ素子に適用することができる他、例えば、受光素子（光電変換素子）の一例である太陽電池等に適用することができる。
【０１８６】
また、本発明の電子デバイスは、導電層を有機半導体層として用いる場合、前述したスイッチング素子の一例である有機ＴＦＴに適用することができる他、例えば、半導体素子等に適用することができる。
さらに、本発明の導電層は、上述した正孔輸送層として用いる他、例えば、配線および電極等に適用することができる。そして、この場合、本発明の電子デバイスは、例えば、配線基板等に適用することができる。
【実施例】
【０１８７】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．化合物の合成
まず、以下に示すような化合物（Ａ）〜（Ｗ）を用意した。
＜化合物（Ａ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールを無水ジメチルホルムアミド中で、４−メトキシベンジルブロミドと水素化ナトリウムで処理し、ヒドロキシル基をベンジルエーテル基に変換し保護した。
【０１８８】
次に、その得られた化合物１ｍｏｌを酢酸１５０ｍＬに溶解し、室温で無水酢酸を滴下後、撹拌した。反応終了後、析出した固体をろ過し、水洗後、乾燥した。
次に、４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに施したのと同様の処理により、４−（ｐ−ブロモフェニル）ブタノールから、ヒドロキシル基をベンジルエーテル基に変換し保護した乾燥物（ベンジルエーテル誘導体）を得た。
【０１８９】
次に、４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールから得られたベンジルエーテル誘導体０．３７ｍｏｌ、４−（ｐ−ブロモフェニル）ブタノールから得られたベンジルエーテル誘導体０．６６ｍｏｌ、炭酸カリウム１．１ｍｏｌ、銅粉、ヨウ素を混合し、２００℃で加熱した。放冷後、イソアミルアルコール１３０ｍＬ、純水５０ｍＬ、水酸化カリウム０．７３ｍｏｌを加え撹拌後、乾燥した。
【０１９０】
さらに、そこで得られた化合物１３０ｍｍｏｌ、２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェン６２ｍｍｏｌ、酢酸パラジウム１．３ｍｍｏｌ、ｔ−ブチルホスフィン５．２ｍｍｏｌ、ｔ−ブトキシナトリム２６０ｍｍｏｌ、キシレン７００ｍＬを混合して、１２０℃で撹拌した。その後、放冷し、結晶化した。
その得られた化合物を、Ｐｄ−Ｃ触媒下水素ガスで還元し、ベンジルエーテル基からヒドロキシル基へ変換し脱保護した。
【０１９１】
次に、その化合物１００ｍｍｏｌを５０％水酸化カリウム水溶液中に加え、加熱しながら撹拌した。次に、加圧下（５ＭＰａ）で１５０℃に保ちながら、アセチレンを毎時１ｌの流速で１０時間反応させた後、放冷し結晶化して化合物を得た。
そして、質量スペクトル（ＭＳ）法、1Ｈ−核磁気共鳴（1Ｈ−ＮＭＲ）スペクトル法、13Ｃ−核磁気共鳴（13Ｃ−ＮＭＲ）スペクトル法、およびフーリエ変換赤外吸収（ＦＴ−ＩＲ）スペクトル法により、得られた化合物が下記化合物（Ａ）であることを確認した。
【０１９２】
【化３０】
【０１９３】
＜化合物（Ｂ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて２，５−ビス（２−メチル−４−ヨードフェニル）−チオフェンを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｂ）を得た。
【０１９４】
【化３１】
【０１９５】
＜化合物（Ｃ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに代えて７−（ｐ−アミノフェニル）ヘプタノールを用い、４−（ｐ−ブロモフェニル）ブタノールに代えて７−（ｐ−ブロモフェニル）ヘプタノールを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｃ）を得た。
【０１９６】
【化３２】
【０１９７】
＜化合物（Ｄ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに代えて２−（ｐ−アミノフェニル）エタノールを用い、４−（ｐ−ブロモフェニル）ブタノールに代えて２−（ｐ−ブロモフェニル）エタノールを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｄ）を得た。
【０１９８】
【化３３】
【０１９９】
＜化合物（Ｅ）＞
２−（ｐ−アミノフェニル）エタノールに代えて２−（２’，６’−ジメチル−４’−アミノフェニル）エタノールを用いた以外は、前記化合物（Ｄ）と同様にして、化合物（Ｅ）を得た。
【０２００】
【化３４】
【０２０１】
＜化合物（Ｆ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに代えて８−（ｐ−アミノフェニル）オクタノールを用い、４−（ｐ−ブロモフェニル）ブタノールに代えて８−（ｐ−ブロモフェニル）オクタノールを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｆ）を得た。
【０２０２】
【化３５】
【０２０３】
＜化合物（Ｇ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに代えて８−（ｐ−アミノフェニル）オクタノールを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｇ）を得た。
【０２０４】
【化３６】
【０２０５】
＜化合物（Ｈ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに代えて１−（ｐ−アミノフェニル）メタノールを用い、４−（ｐ−ブロモフェニル）ブタノールに代えて１−（ｐ−ブロモフェニル）メタノールを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｈ）を得た。
【０２０６】
【化３７】
【０２０７】
＜化合物（Ｉ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて５，５’’−ビス（４−ヨードフェニル）−２，２’：５’，２’’−ターチオフェンを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｉ）を得た。
【０２０８】
【化３８】
【０２０９】
＜化合物（Ｊ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて３，５−ジヨード−１，２，４−トリアゾールを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｊ）を得た。
【０２１０】
【化３９】
【０２１１】
＜化合物（Ｋ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて２，５−（４−ヨードフェニル）−１，３，４−オキサジアゾールを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｋ）を得た。
【０２１２】
【化４０】
【０２１３】
＜化合物（Ｌ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて３，３’−ジヨード−１，１’−ビイソベンゾチオフェンを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｌ）を得た。
【０２１４】
【化４１】
【０２１５】
＜化合物（Ｍ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに代えて７−（ｐ−アミノフェニル）ヘプタノールを用い、４−（ｐ−ブロモフェニル）ブタノールに代えて７−（ｐ−ブロモフェニル）ヘプタノールを用いた以外は、前記化合物（Ｌ）と同様にして、化合物（Ｍ）を得た。
【０２１６】
【化４２】
【０２１７】
＜化合物（Ｎ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに代えて２−（ｐ−アミノフェニル）エタノールを用い、４−（ｐ−ブロモフェニル）ブタノールに代えて２−（ｐ−ブロモフェニル）エタノールを用いた以外は、前記化合物（Ｌ）と同様にして、化合物（Ｎ）を得た。
【０２１８】
【化４３】
【０２１９】
＜化合物（Ｏ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに代えて８−（ｐ−アミノフェニル）オクタノールを用い、４−（ｐ−ブロモフェニル）ブタノールに代えて８−（ｐ−ブロモフェニル）オクタノールを用いた以外は、前記化合物（Ｌ）と同様にして、化合物（Ｏ）を得た。
【０２２０】
【化４４】
【０２２１】
＜化合物（Ｐ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに代えて８−（ｐ−アミノフェニル）オクタノールを用いた以外は、前記化合物（Ｌ）と同様にして、化合物（Ｐ）を得た。
【０２２２】
【化４５】
【０２２３】
＜化合物（Ｑ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに代えて１−（ｐ−アミノフェニル）メタノールを用い、４−（ｐ−ブロモフェニル）ブタノールに代えて１−（ｐ−ブロモフェニル）メタノールを用いた以外は、前記化合物（Ｌ）と同様にして、化合物（Ｑ）を得た。
【０２２４】
【化４６】
【０２２５】
＜化合物（Ｒ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて５，５’−ジヨード−２,２’−ビ（３，４−ジオキシエチレンセレノフェン）を用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｒ）を得た。
【０２２６】
【化４７】
【０２２７】
＜化合物（Ｓ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて５，５’’−ジヨード−２，２’：５’，２’’−ターセレノフェンを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｓ）を得た。
【０２２８】
【化４８】
【０２２９】
＜化合物（Ｔ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて５，５’’−ジヨード−３，３’：５’，３’’−ター（４−フェニル−１，２，４−トリアゾール）を用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｔ）を得た。
【０２３０】
【化４９】
【０２３１】
＜化合物（Ｕ）＞
１−アミノ−４−メチルベンゼン１ｍｏｌを酢酸１５０ｍＬに溶解し、室温で無水酢酸を滴下後、撹拌した。反応終了後、析出した固体をろ過し、水洗後、乾燥した。
次に、その得られた物質０．３７ｍｏｌ、１−ブロモ−４−メチルベンゼン０．６６ｍｏｌ、炭酸カリウム１．１ｍｏｌ、銅粉、ヨウ素を混合し、２００℃で加熱した。放冷後、イソアミルアルコール１３０ｍＬ、純水５０ｍＬ、水酸化カリウム０．７３ｍｏｌを加え撹拌後、乾燥した。
【０２３２】
さらに、そこで得られた化合物１３０ｍｍｏｌ、２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェン６２ｍｍｏｌ、酢酸パラジウム１．３ｍｍｏｌ、ｔ−ブチルホスフィン５．２ｍｍｏｌ、ｔ−ブトキシナトリム２６０ｍｍｏｌ、キシレン７００ｍＬを混合して、１２０℃で撹拌した。
その後、放冷し、結晶化して化合物を得た。
そして、質量スペクトル（ＭＳ）法、1Ｈ−核磁気共鳴（1Ｈ−ＮＭＲ）スペクトル法、13Ｃ−核磁気共鳴（13Ｃ−ＮＭＲ）スペクトル法、およびフーリエ変換赤外吸収（ＦＴ−ＩＲ）スペクトル法により、得られた化合物が下記化合物（Ｕ）であることを確認した。
【０２３３】
【化５０】
【０２３４】
＜化合物（Ｖ）＞
下記化合物（Ｖ）として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）（バイエル社製、「バイトロンＰ」）を用意した。
【０２３５】
【化５１】
【０２３６】
＜化合物（Ｗ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて３，５−ジヨード−１，２，４−トリアゾールを用いた以外は、前記化合物（Ｕ）と同様にして、化合物（Ｗ）を得た。
【０２３７】
【化５２】
【０２３８】
２．有機ＥＬ素子の製造
以下の各実施例、各参考例および各比較例において、有機ＥＬ素子を５個ずつ製造した。
（実施例１Ａ）
［正孔輸送材料の調製］
ヘテロアリールアミン誘導体として化合物（Ａ）を、ビニル化合物として前記一般式（３）で表されるポリエチレングリコールジアクリレート（ｍ＝９、２つのＡは、水素結合）を、光重合開始剤として光カチオン重合開始剤（住友スリーエム社製、「ＦＣ−５０８」）をそれぞれ用い、これらのものをジクロロエタンに溶解させて、正孔輸送材料（導電性材料用組成物）を調製した。
なお、化合物（Ａ）とポリエチレングリコールジアクリレートとの混合比をモル比で３：１とし、化合物（Ａ）とポリエチレングリコールジアクリレートとの合計重量と光カチオン重合開始剤の重量との比（重量比）を重量比で９９：１とした。
【０２３９】
［電子輸送材料の調製］
ヘテロアリールアミン誘導体として化合物（Ｊ）を用いた以外は、前記正孔輸送材料と同様にして、電子輸送材料（導電性材料用組成物）を得た。
［有機ＥＬ素子の作製］
−１Ａ− まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板上に、真空蒸着法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
【０２４０】
−２Ａ− 次に、ＩＴＯ電極上に、前記正孔輸送材料を、スピンコート法により塗布し乾燥した。
その後、水銀ランプ（ウシオ電機社製、「ＵＭ−４５２型式」）にフィルターを用いて、乾燥大気中で波長３６５ｎｍ、照射強度４００ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を１０秒間照射後、１１０℃で６０分間加熱することにより、化合物（Ａ）を重合反応させて、平均厚さ５０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
【０２４１】
−３Ａ− 次に、正孔輸送層上に、ポリ（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニル−オルト−コ（アントラセン−９，１０−ジイル）（重量平均分子量２０００００）の１．７ｗｔ％キシレン溶液を、スピンコート法により塗布した後、乾燥して、平均厚さ５０ｎｍの発光層を形成した。
−４Ａ− 次に、前記正孔輸送材料に代えて前記電子輸送材料を用いた以外は、前記工程−２Ａ−と同様にすることにより、化合物（Ｊ）を重合反応させて、平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層を形成した。
−５Ａ− 次に、電子輸送層上に、真空蒸着法により、平均厚さ３００ｎｍのＡｌＬｉ電極（陰極）を形成した。
−６Ａ− 次に、形成した各層を覆うように、ポリカーボネート製の保護カバーを被せ、紫外線硬化性樹脂により固定、封止して、有機ＥＬ素子を完成した。
【０２４２】
（実施例２Ａ〜５Ａ）
化合物（Ａ）とポリエチレングリコールジアクリレートとの混合比（モル比）をそれぞれ表１（Ａ）に示すように変更した以外は、前記実施例１Ａと同様にして、正孔輸送材料および電子輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
（実施例６Ａ〜１９Ａ）
正孔輸送材料および電子輸送材料に用いるヘテロアリールアミン誘導体として表１（Ａ）に示すものをそれぞれ用いた以外は、前記実施例１Ａと同様にして、正孔輸送材料および電子輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
【０２４３】
（参考例１Ａ）
ポリエチレングリコールジアクリレートの添加を省略した以外は、前記実施例１Ａと同様にして、正孔輸送材料および電子輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
（参考例２Ａ〜１５Ａ）
正孔輸送材料および電子輸送材料に用いるヘテロアリールアミン誘導体として表１（Ｂ）に示すものをそれぞれ用いた以外は、前記参考例１Ａと同様にして、正孔輸送材料および電子輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
【０２４４】
（比較例１Ａ）
［正孔輸送材料の調製］
化合物（Ｕ）をキシレンに溶解させて、正孔輸送材料を得た。
［有機ＥＬ素子の作製］
前記工程−２Ａ−において、水銀ランプによる紫外線の照射と加熱処理とを省略して正孔輸送層を形成し、前記工程−４Ａ−において、化合物（Ｗ）を真空蒸着して電子輸送層を形成した以外は、前記実施例１Ａと同様にして、有機ＥＬ素子を製造した。
【０２４５】
（比較例２Ａ）
［正孔輸送材料の調製］
化合物（Ｖ）を水に分散させることにより、２．０ｗｔ％水分散液を調製して、正孔輸送材料を得た。
なお、化合物（Ｖ）としては、３，４−エチレンジオキシチオフェンとスチレンスルホン酸との比率が、重量比で１：２０のものを用いた。
［有機ＥＬ素子の作製］
正孔輸送材料として、前記正孔輸送材料を用いた以外は、前記比較例１Ａと同様にして、有機ＥＬ素子を製造した。
（比較例３Ａ、４Ａ）
正孔輸送材料および電子輸送材料に用いるヘテロアリールアミン誘導体として表１（Ｂ）に示すものをそれぞれ用いた以外は、前記実施例１Ａと同様にして、正孔輸送材料および電子輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
【０２４６】
３．有機ＥＬ素子の評価
各実施例、各参考例および各比較例の有機ＥＬ素子について、それぞれ、発光輝度（ｃｄ／ｍ２）、最大発光効率（ｌｍ／Ｗ）を測定すると共に、発光輝度が初期値の半分になる時間（半減期）を測定した。
また、各測定値は、いずれも、５個の有機ＥＬ素子の平均値を求めた。
なお、発光輝度の測定は、ＩＴＯ電極とＡｌＬｉ電極との間に６Ｖの電圧を印加することで行った。
そして、比較例１Ａで測定された各測定値（発光輝度、最大発光効率、半減期）を基準値として、各実施例、各参考例および各比較例で測定された各測定値を、それぞれ、以下の４段階の基準に従って評価した。
【０２４７】
◎：比較例１Ａの測定値に対し、１．５０倍以上である
○：比較例１Ａの測定値に対し、１．２５倍以上、１．５０倍未満である
△：比較例１Ａの測定値に対し、１．００倍以上、１．２５倍未満である
×：比較例１Ａの測定値に対し、０．７５倍以上、１．００倍未満である
これらの評価結果を、それぞれ、以下の表１（Ａ）および表１（Ｂ）に示す。
【０２４８】
【表１（Ａ）】
【０２４９】
【表１（Ｂ）】
【０２５０】
表１（Ａ）および表１（Ｂ）に示すように、各実施例の有機ＥＬ素子（本発明の導電性材料を主材料とする正孔輸送層と電子輸送層とを備える有機ＥＬ素子）は、いずれも、各比較例の有機ＥＬ素子と比較して、発光輝度、最大発光効率および半減期ともに、優れた結果が得られた。
これにより、本発明の有機ＥＬ素子は、主骨格同士の相互作用が好適に低減されていることが明らかとなった。また、正孔輸送層と発光層との相溶解が好適に防止されていることが明らかとなった。
【０２５１】
また、各実施例の有機ＥＬ素子は、いずれも、各参考例の有機ＥＬ素子と比較して、最大発光効率が改善されている傾向を示した。なお、このような傾向は、前記一般式（１）で表される化合物とビニル化合物との混合比が特に好ましい正孔輸送材料および電子輸送材料により形成されているものほど顕著に認められた。これは、ビニル化合物を添加することにより主骨格の離間距離がより適切な距離に保たれていることを示唆する結果であった。
【０２５２】
また、置換基Ｘを適宜選択することにより、各実施例において、主骨格の離間距離が適切な大きさに保たれているものほど、優れた発光輝度の向上、最大発光効率の向上および半減期の延長を示す結果が得られた。
さらに、正孔輸送層および電子輸送層を構成する導電性材料をそれぞれ適宜選択すること、すなわち、化合物（１）の基Ｙを適宜選択することにより、各実施例において、正孔輸送層と電子輸送層との組み合わせが適切なものほど、優れた発光輝度の向上、最大発光効率の向上および半減期の延長を示す結果が得られた。
【０２５３】
４．有機ＴＦＴの製造
以下の各実施例、各参考例および各比較例において、有機ＴＦＴを５個ずつ製造した。
（実施例１Ｂ）
［有機半導体材料の調製］
ヘテロアリールアミン誘導体として化合物（Ｌ）を用いた以外は、前記実施例１Ａの正孔輸送材料と同様にして、有機半導体材料（導電性材料用組成物）を得た。
【０２５４】
［有機ＴＦＴの製造］
−１Ｂ− まず、平均厚さ１ｍｍのガラス基板を用意し、水（洗浄液）を用いて洗浄した。
次に、ガラス基板上に、スピンコート法によってフォトレジストを塗布した後、プレベーク処理を行うことによって被膜を形成した。
次に、この被膜に対して、フォトマスクを介して紫外線を照射（露光）した後に、現像を行った。これにより、ソース電極およびドレイン電極を形成する領域に開口部を有するレジスト層を形成した。
【０２５５】
−２Ｂ− 次に、この開口部内に、金コロイド水溶液を、インクジェット法により供給した。その後、金コロイド水溶液が供給されたガラス基板を加熱乾燥して、ソース電極およびドレイン電極を得た。
−３Ｂ− 次に、レジスト層を、酸素プラズマ処理によって除去した後、ソース電極およびドレイン電極が形成されたガラス基板を、水およびメタノールで順次洗浄した。
【０２５６】
−４Ｂ− 次に、前記正孔輸送材料に代えて前記有機半導体材料を用いた以外は、前記工程−２Ａ−と同様にすることにより、化合物（Ｌ）を重合反応させて、平均厚さ５０ｎｍの有機半導体層を形成した。
−５Ｂ− 次に、有機半導体層上に、ポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）の酢酸ブチル溶液を、スピンコート法により塗布した後、乾燥させることにより、平均厚さ５００ｎｍのゲート絶縁層を形成した。
−６Ｂ− 次に、ゲート絶縁層上の、ソース電極とドレイン電極との間の領域に対応する部分に、ポリエチレンジオキシチオフェンの水分散液を、インクジェット法により塗布した後乾燥した。これにより、平均厚さ１００ｎｍのゲート電極を形成した。
以上の工程により、有機ＴＦＴを製造した。
【０２５７】
（実施例２Ｂ〜５Ｂ）
化合物（Ｌ）とポリエチレングリコールジアクリレート（ビニル化合物）との混合比（モル比）をそれぞれ表２に示すように変更した以外は、前記実施例１Ｂと同様にして、有機半導体材料の調製を行った後、有機ＴＦＴを製造した。
（実施例６Ｂ〜１３Ｂ）
有機半導体材料に用いるヘテロアリールアミン誘導体として表２に示すものを用いた以外は、前記実施例１Ｂと同様にして、有機半導体材料の調製を行った後、有機ＴＦＴを製造した。
【０２５８】
（参考例１Ｂ）
ポリエチレングリコールジアクリレートの添加を省略した以外は、前記実施例１Ｂと同様にして、有機半導体材料の調製を行った後、有機ＴＦＴを製造した。
（参考例２Ｂ〜９Ｂ）
有機半導体材料に用いるヘテロアリールアミン誘導体として表２に示すものを用いた以外は、前記参考例１Ｂと同様にして、有機半導体材料の調製を行った後、有機ＴＦＴを製造した。
【０２５９】
（比較例１Ｂ）
［有機半導体材料の調製］
化合物（Ｕ）をキシレンに溶解させて、有機半導体材料を得た。
［有機ＴＦＴの作製］
前記工程−４Ｂ−において、水銀ランプによる紫外線の照射と加熱処理とを省略した以外は、前記実施例１Ｂと同様にして、有機ＴＦＴを製造した。
（比較例２Ｂ、３Ｂ）
有機半導体材料に用いるヘテロアリールアミン誘導体として表２に示すものを用いた以外は、前記実施例１Ｂと同様にして、有機半導体材料の調製を行った後、有機ＴＦＴを製造した。
【０２６０】
５．有機ＴＦＴの評価
各実施例、各参考例および各比較例で製造した有機ＴＦＴについて、それぞれ、ＯＦＦ電流、ＯＮ電流の値を測定した。
ここで、ＯＦＦ電流とは、ゲート電圧を印加しないときに、ソース電極とドレイン電極との間に流れる電流の値のことであり、ＯＮ電流とは、ゲート電圧を印加したときに、ソース電極とドレイン電極との間に流れる電流の値のことである。
【０２６１】
したがって、ＯＦＦ電流の絶対値と、ＯＮ電流の絶対値との比（ＯＮ／ＯＦＦ比）の値が大きいもの程、良好な特性を有する有機ＴＦＴであることを意味する。
ＯＦＦ電流は、ソース電極とドレイン電極との電位差を３０Ｖとして測定し、ＯＮ電流は、ソース電極とドレイン電極との電位差を３０Ｖとし、ゲート電圧の絶対値を４０Ｖとして測定した。
そして、各実施例、各参考例および各比較例で測定されたＯＮ／ＯＦＦ比の値を、それぞれ、以下の４段階の基準に従って評価した。
【０２６２】
◎：ＯＮ／ＯＦＦ比の値が、１０４以上である
○：ＯＮ／ＯＦＦ比の値が、１０３以上、１０４未満である
△：ＯＮ／ＯＦＦ比の値が、１０２以上、１０３未満である
×：ＯＮ／ＯＦＦ比の値が、１０２未満である
これらの評価結果を、それぞれ、以下の表２に示す。
【０２６３】
【表２】
【０２６４】
表２に示すように、各実施例の有機ＴＦＴは、いずれも、各比較例の有機ＴＦＴと比較して、ＯＮ／ＯＦＦ比の値が大きく、特性に優れた結果が得られた。
これにより、主骨格同士の相互作用が好適に低減されていることが明らかとなった。また、有機半導体層とゲート絶縁層との相溶解が好適に防止されていることが明らかとなった。
【０２６５】
また、各実施例の有機ＴＦＴは、各参考例の有機ＴＦＴと比較して、ＯＮ／ＯＦＦ比が改善されている傾向を示した。これは、ビニル化合物を添加することにより主骨格の離間距離がより適切な距離に保たれていることを示唆する結果であった。
また、置換基Ｘを適宜選択することにより、各実施例において、主骨格の離間距離が適切な大きさに保たれているものほど、ＯＮ／ＯＦＦ比の値が大きく、良好な特性を示す結果が得られた。
【図面の簡単な説明】
【０２６６】
【図１】有機ＥＬ素子の一例を示した縦断面図である。
【図２】有機ＴＦＴの実施形態を示す図であり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は平面図である。
【図３】図２に示す有機ＴＦＴの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図４】図２に示す有機ＴＦＴの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図５】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図６】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図７】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０２６７】
１……有機ＥＬ素子 ２……基板 ３……陽極 ４……有機ＥＬ層 ４１……正孔輸送層 ４２……発光層 ４３……電子輸送層 ５……陰極 ６……保護層 １０‥‥有機薄膜トランジスタ ２０‥‥基板 ３０‥‥ソース電極 ４０‥‥ドレイン電極 ５０‥‥有機半導体層 ５１０‥‥チャネル領域 ６０‥‥ゲート絶縁層 ７０‥‥ゲート電極 ８０‥‥レジスト層 ８０’‥‥被膜 ８２０‥‥開口部 ９０‥‥液状材料 １１００……パーソナルコンピュータ １１０２……キーボード １１０４……本体部 １１０６……表示ユニット １２００……携帯電話機 １２０２……操作ボタン １２０４……受話口 １２０６……送話口 １３００‥‥ディジタルスチルカメラ １３０２‥‥ケース（ボディー） １３０４‥‥受光ユニット １３０６‥‥シャッタボタン １３０８‥‥回路基板 １３１２‥‥ビデオ信号出力端子 １３１４‥‥データ通信用の入出力端子 １４３０‥‥テレビモニタ １４４０‥‥パーソナルコンピュータ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性材料用組成物、導電性材料、導電層、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機材料を使用したエレクトロルミネッセンス素子（以下、単に「有機ＥＬ素子」という。）は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子（発光素子）としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。
一般に、有機ＥＬ素子は、陰極と陽極との間に発光層を有する構成であり、陰極と陽極との間に電界を印加すると、発光層に陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。
【０００３】
そして、注入された電子と正孔とが発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際の励起エネルギーを光エネルギーとして放出することにより、発光層が発光する。
このような有機ＥＬ素子において、有機ＥＬ素子の高効率化、すなわち、高い発光を得るためには、電子または正孔のキャリア輸送性の異なる有機材料で構成される有機層を、発光層と、陰極および／または陽極との間に積層する素子構造が有効であることが判っている。
【０００４】
そこで、キャリア輸送特性の異なる発光層と有機層と（以下、これらを併せて「有機層」という。）を電極上に積層する必要があるが、従来の塗布法を用いる製造方法においては、有機層を積層する際に、隣接する有機層との間で相溶解が生じ、その結果として、有機ＥＬ素子としての発光効率、発色の色純度またはパターン精度が悪くなる等の特性が低下するという問題があった。
そのため、有機層を積層する場合には、有機材料として溶解性の異なるものを組み合わせて用いることにより、積層するのに限られていた。
このような問題点を解決する方法として、下層となる有機層を構成する有機材料同士を重合化させることにより、下層の耐久性すなわち耐溶剤性を向上させる方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
また、下層となる有機層を構成する有機材料に硬化性樹脂を添加し、この硬化性樹脂と一緒に硬化させることによって、下層の耐溶剤性を向上させる方法も開示されている（例えば、特許文献２参照。）。
しかしながら、これらのような方法を用いた場合においても、有機ＥＬ素子の特性の向上は、期待するほど得られていないのが実情である。
また、このような問題は、有機材料を使用した薄膜トランジスタにおいても同様に生じている。
【０００６】
【特許文献１】特開平９−２５５７７４号公報
【特許文献２】特開２０００−２０８２５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、キャリア輸送能の優れた導電層を形成することができる導電性材料用組成物、かかる導電性材料用組成物を用いて得られたキャリア輸送能の優れた導電性材料、かかる導電性材料を主材料とする導電層、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の導電性材料用組成物は、下記一般式（１）で表される化合物と、該化合物同士を前記置換基Ｘ１、前記置換基Ｘ２、前記置換基Ｘ３および前記置換基Ｘ４のいずれかにおいて架橋する架橋剤としてのビニル化合物とを含有することを特徴とする。
【化１】
［式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は、それぞれ独立して、下記一般式（２）で表される置換基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、８つのＲは、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、Ｙは、置換もしくは無置換の複素環を少なくとも１つ含む基を表す。］
【化２】
［式中、ｎは、２〜８の整数を表す。］
これにより、キャリア輸送能の優れた導電層を形成することができる導電性材料用組成物とすることができる。
【０００９】
本発明の導電性材料用組成物では、前記ビニル化合物は、前記置換基Ｘと反応し得る反応基を少なくとも２つ有するものであることが好ましい。
これにより、ビニル化合物がより高い反応性を示すこととなる。その結果、前記一般式（１）で表される化合物同士を置換基Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４（以下、これらのものを総称して「置換基Ｘ」ということもある。）のいずれかにおいて、直接、またはビニル化合物を介して重合反応させて得られた高分子（導電性材料）中において、未反応の置換基Ｘの残存量を好適に低減できるとともに、置換基Ｘ同士が直接連結した化学構造の割合に対して、ビニル化合物により置換基Ｘ同士が架橋して形成された化学構造の割合を高くすることができる。
【００１０】
本発明の導電性材料用組成物では、前記ビニル化合物は、２つの前記反応基の間に位置し、これらの反応基の間の距離を規制する規制部を有するものであることが好ましい。
これにより、規制部を有するビニル化合物により置換基Ｘ同士が架橋して形成された化学構造内において、主骨格同士の距離がより適切な大きさに保たれて、主骨格同士の間で相互作用が生じるのをより確実に防止することができる。その結果、このような化学構造を高い割合で有する導電性材料は、より優れたキャリア輸送能を発揮することとなる。
【００１１】
本発明の導電性材料用組成物では、前記規制部は、直鎖状をなしていることが好ましい。
これにより、得られる導電性材料中におけるキャリア輸送能が向上することとなる。
本発明の導電性材料用組成物では、前記規制部を構成する原子のうち、直鎖状に連結するものの個数は、９〜５０であることが好ましい。
これにより、得られる導電性材料において、主骨格同士の離間距離が、これらのもの同士が相互作用を及ぼしあわないように適切な大きさに保たれることから、導電性材料は、より優れたキャリア輸送能を発揮することとなる。
【００１２】
本発明の導電性材料用組成物では、前記ビニル化合物は、下記一般式（３）で表されるポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレートを主成分とするものであることが好ましい。
【化３】
［式中、ｍは、３〜１５の整数を表し、２つのＡは、それぞれ独立して、水素原子またはメチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
これにより、得られる導電性材料において、主骨格同士の離間距離が、適切な大きさに保たれて、この導電性材料は、より優れたキャリア輸送能を発揮することとなる。
【００１３】
本発明の導電性材料用組成物では、前記置換基Ｘ１と前記置換基Ｘ３とは、同一であることが好ましい。
これにより、得られる高分子（導電性材料）において、上記一般式（１）で表される化合物の置換基Ｘ（置換基Ｘ１または置換基Ｘ３）による主骨格に対する電気的な影響がばらつき、これが原因で、電子密度の偏りが生じることを好適に防止または抑制できる。その結果、高分子のキャリア輸送能が向上することとなる。
【００１４】
本発明の導電性材料用組成物では、前記置換基Ｘ２と前記置換基Ｘ４とは、同一であることが好ましい。
これにより、得られる高分子において、置換基Ｘ（置換基Ｘ２または置換基Ｘ４）による主骨格に対する電気的な影響がばらつき、これが原因で、電子密度の偏りが生じることを好適に防止または抑制できる。その結果、高分子のキャリア輸送能が向上することとなる。
【００１５】
本発明の導電性材料用組成物では、前記置換基Ｘ１、前記置換基Ｘ２、前記置換基Ｘ３および前記置換基Ｘ４は、同一であることが好ましい。
これにより、得られる高分子において、電子密度の偏りが生じることをより好適に防止または抑制できる。その結果、高分子のキャリア輸送能がより向上することとなる。
本発明の導電性材料用組成物では、前記置換基Ｘ１、前記置換基Ｘ２、前記置換基Ｘ３および前記置換基Ｘ４は、それぞれが結合するベンゼン環の３位、４位または５位のうちのいずれかに結合していることが好ましい。
これにより、得られる高分子において、隣接する主骨格同士をより確実に離間させて、主骨格同士が接近しすぎるのをより確実に阻止することができる。
【００１６】
本発明の導電性材料用組成物では、前記複素環は、窒素、酸素、硫黄、セレンおよびテルルのうちの少なくとも１種のヘテロ原子を含有することが好ましい。
これにより、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等がより容易に変化して、高分子のキャリア輸送能の特性を確実に変化させることができる。
【００１７】
本発明の導電性材料用組成物では、前記複素環は、芳香族系のものであることが好ましい。
これにより、主骨格の共役系の化学構造における電子密度の偏り、すなわち、π電子の局在化を好適に防止して、高分子のキャリア輸送能の低下を防止することができる。
本発明の導電性材料用組成物では、前記基Ｙは、複素環を１〜５つ含むものであることが好ましい。
基Ｙにこのような数の複素環が存在すれば、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等を十分に変化させることができる。
本発明の導電性材料用組成物では、前記基Ｙは、前記複素環以外に、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環を少なくとも１つ含むことが好ましい。
基Ｙとして、複素環と芳香族炭化水素環とを含むものを選択することにより、目的とするキャリア輸送能の特性を高分子により確実に付与することができる。
【００１８】
本発明の導電性材料用組成物では、前記基Ｙは、前記一般式（１）中の各Ｎにそれぞれ、直接結合する前記芳香族炭化水素環と、これらの芳香族炭化水素環の間に存在する少なくとも１つの前記複素環とを含むことが好ましい。
これにより、高分子中における電子密度に偏りが生じるのを確実に防止することができ、高分子のキャリア輸送能が均一なものとなる。
本発明の導電性材料用組成物では、前記基Ｙの総炭素数は、２〜７５であることが好ましい。
これにより、前記化学式（１）で表される化合物の溶媒に対する溶解度が高くなり、導電性材料用組成物を調整する際に、溶媒の選択の幅が広がるという利点がある。
【００１９】
本発明の導電性材料は、下記一般式（１）で表される化合物同士を置換基Ｘ１、置換基Ｘ２、置換基Ｘ３および置換基Ｘ４のいずれかにおいて、直接、または前記化合物同士を架橋し得る架橋剤としてのビニル化合物を介して重合反応させて得られることを特徴とする。
【化４】
［式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は、それぞれ独立して、下記一般式（２）で表される置換基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、８つのＲは、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、Ｙは、置換もしくは無置換の複素環を少なくとも１つ含む基を表す。］
【化５】
［式中、ｎは、２〜８の整数を表す。］
これにより、優れたキャリア輸送能を有する導電性材料とすることができる。
【００２０】
本発明の導電性材料では、前記ビニル化合物は、前記置換基Ｘと反応し得る反応基を少なくとも２つ有するものであることが好ましい。
これにより、導電性材料中において、未反応の置換基Ｘの残存量を好適に低減できるとともに、置換基Ｘ同士が直接連結した化学構造の割合に対して、ビニル化合物により置換基Ｘ同士が架橋して形成された化学構造の割合を高くすることができる。
【００２１】
本発明の導電性材料では、前記ビニル化合物は、２つの前記反応基の間に位置し、これらの反応基の間の距離を規制する規制部を有するものであることが好ましい。
これにより、規制部を有するビニル化合物により置換基Ｘ同士が架橋して形成された化学構造内において、主骨格同士の距離がより適切な大きさに保たれて、主骨格同士の間で相互作用が生じるのをより確実に防止することができる。その結果、このような化学構造を高い割合で有する導電性材料は、より優れたキャリア輸送能を発揮することとなる。
【００２２】
本発明の導電性材料では、前記規制部は、直鎖状をなしていることが好ましい。
これにより、導電性材料中におけるキャリア輸送能が向上することとなる。
本発明の導電性材料では、前記規制部を構成する原子のうち、直鎖状に連結するものの個数は、９〜５０であることが好ましい。
これにより、導電性材料において、主骨格同士の離間距離が、これらのもの同士が相互作用を及ぼしあわないように適切な大きさに保たれることから、導電性材料は、より優れたキャリア輸送能を発揮することとなる。
【００２３】
本発明の導電性材料では、前記ビニル化合物は、下記一般式（３）で表されるポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレートを主成分とするものであることが好ましい。
【化６】
［式中、ｍは、３〜１５の整数を表し、２つのＡは、それぞれ独立して、水素原子またはメチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
これにより、導電性材料において、主骨格同士の離間距離が、適切な大きさに保たれて、この導電性材料は、より優れたキャリア輸送能を発揮することとなる。
【００２４】
本発明の導電性材料では、前記置換基Ｘ１と前記置換基Ｘ３とが同一であることが好ましい。
これにより、導電性材料において、置換基Ｘ（置換基Ｘ１または置換基Ｘ３）による主骨格に対する電気的な影響がばらつき、これが原因で、電子密度の偏りが生じることを好適に防止または抑制できる。その結果、導電性材料（高分子）のキャリア輸送能が向上することとなる。
【００２５】
本発明の導電性材料では、前記置換基Ｘ２と前記置換基Ｘ４とが同一であることが好ましい。
これにより、導電性材料において、置換基Ｘ（置換基Ｘ２または置換基Ｘ４）による主骨格に対する電気的な影響がばらつき、これが原因で、電子密度の偏りが生じることを好適に防止または抑制できる。その結果、導電性材料（高分子）のキャリア輸送能が向上することとなる。
【００２６】
本発明の導電性材料では、前記置換基Ｘ１、前記置換基Ｘ２、前記置換基Ｘ３および前記置換基Ｘ４が同一であることが好ましい。
これにより、導電性材料において、電子密度の偏りが生じることをより好適に防止または抑制できる。その結果、導電性材料（高分子）のキャリア輸送能がより向上することとなる。
【００２７】
本発明の導電性材料では、前記置換基Ｘ１、前記置換基Ｘ２、前記置換基Ｘ３および前記置換基Ｘ４は、それぞれが結合するベンゼン環の３位、４位または５位のうちのいずれかに結合していることが好ましい。
これにより、隣接する主骨格同士をより確実に離間させて、主骨格同士が接近しすぎるのをより確実に阻止することができる。
【００２８】
本発明の導電性材料では、前記複素環は、窒素、酸素、硫黄、セレンおよびテルルのうちの少なくとも１種のヘテロ原子を含有することが好ましい。
これにより、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等がより容易に変化して、高分子のキャリア輸送能の特性を確実に変化させることができる。
【００２９】
本発明の導電性材料では、前記複素環は、芳香族系のものであることが好ましい。
これにより、主骨格の共役系の化学構造における電子密度の偏り、すなわち、π電子の局在化を好適に防止して、高分子のキャリア輸送能の低下を防止することができる。
本発明の導電性材料では、前記基Ｙは、複素環を１〜５つ含むものであることが好ましい。
基Ｙにこのような数の複素環が存在すれば、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等を十分に変化させることができる。
【００３０】
本発明の導電性材料では、前記基Ｙは、前記複素環以外に、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環を少なくとも１つ含むことが好ましい。
基Ｙとして、複素環と芳香族炭化水素環とを含むものを選択することにより、目的とするキャリア輸送能の特性を高分子により確実に付与することができる。
本発明の導電性材料では、前記基Ｙは、前記一般式（１）中の各Ｎにそれぞれ、直接結合する前記芳香族炭化水素環と、これらの芳香族炭化水素環の間に存在する少なくとも１つの前記複素環とを含むことが好ましい。
これにより、高分子中における電子密度に偏りが生じるのを確実に防止することができ、高分子のキャリア輸送能が均一なものとなる。
【００３１】
本発明の導電性材料では、前記基Ｙの総炭素数は、２〜７５であることが好ましい。
これにより、主骨格における平面性が保たれることから、高分子におけるキャリア輸送能が低下するのを確実に防止することができる。
本発明の導電性材料では、前記化合物および前記ビニル化合物は、光照射により重合反応することが好ましい。
光照射によれば、高分子化させる領域および程度を比較的容易に選択することができる。
【００３２】
本発明の導電層は、本発明の導電性材料用組成物を用いて形成されたことを特徴とする。
これにより、キャリア輸送能に優れる導電層を形成することができる。
本発明の導電層は、本発明の導電性材料を主材料とすることを特徴とする。
これにより、キャリア輸送能に優れる導電層を形成することができる。
本発明の導電層は、正孔輸送層であることが好ましい。
これにより、正孔輸送能に優れる正孔輸送層を形成することができる。
【００３３】
本発明の導電層では、前記正孔輸送層の平均厚さは、１０〜１５０ｎｍであることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができる。
本発明の導電層は、電子輸送層であることが好ましい。
これにより、電子輸送能に優れる電子輸送層を形成することができる。
【００３４】
本発明の導電層では、前記電子輸送層の平均厚さは、１〜１００ｎｍであることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができる。
本発明の導電層は、有機半導体層であることが好ましい。
これにより、優れた半導体特性を示す有機半導体層を形成することができる。
【００３５】
本発明の導電層では、前記有機半導体層の平均厚さは、０．１〜１０００ｎｍであることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機薄膜トランジスタを得ることができる。
本発明の電子デバイスは、本発明の導電層を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
【００３６】
本発明の電子デバイスは、本発明の導電層を有する積層体を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明の電子デバイスは、発光素子または光電変換素子であることが好ましい。
これにより、信頼性の高い発光素子および光電変換素子が得られる。
本発明の電子デバイスでは、前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子が得られる。
【００３７】
本発明の電子デバイスは、本発明の導電層を有する積層体を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明の電子デバイスは、スイッチング素子であることが好ましい。
これにより、信頼性の高いスイッチング素子が得られる。
本発明の電子デバイスでは、前記スイッチング素子は、有機薄膜トランジスタであることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機薄膜トランジスタが得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、本発明の導電性材料用組成物、導電性材料、導電層、電子デバイスおよび電子機器を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜導電層＞
まず、本発明の導電性材料を主材料として構成される導電層（本発明の導電層）について説明する。
【００３９】
本発明の導電性材料は、下記一般式（１）で表される化合物（ヘテロアリールアミン誘導体）同士を、それぞれが有する置換基Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４（以下これらのものを総称して「置換基Ｘ」ということもある。）のいずれかにおいて、直接、または、置換基Ｘ同士を結合させる架橋剤としてのビニル化合物を介して重合反応させて得られた高分子（ポリマー）を主成分とするものである。
【００４０】
【化７】
［式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は、それぞれ独立して、下記一般式（２）で表される置換基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、８つのＲは、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、Ｙは、置換もしくは無置換の複素環を少なくとも１つ含む基を表す。］
【００４１】
【化８】
［式中、ｎは、２〜８の整数を表す。］
このような高分子では、置換基Ｘ以外の主骨格（ヘテロアリールアミン骨格）同士が、置換基Ｘと置換基Ｘとが直接反応して生成した化学構造や、ビニル化合物により置換基Ｘと置換基Ｘとを架橋して生成した化学構造（以下、これらの化学構造を総称して「連結構造」という。）により連結され、これにより２次元的なネットワークが形成されやすくなる。
【００４２】
ここで、前記主骨格は、共役系の化学構造を有し、その特有な電子雲の広がりにより、高分子における円滑なキャリア（正孔または電子）の輸送に寄与する。
特に、本発明における高分子では、主骨格同士が連結構造を介して、所定距離離間して存在することから、隣接する主骨格同士の間の相互作用が低減し、これらの間におけるキャリアの受け渡しが円滑に行われるようになる。
【００４３】
また、本発明における高分子では、主骨格がネットワークを形成するように連結していることから、例えば、ネットワークの一部において結合が切断された箇所等が存在しても、他の経路を経てキャリアが円滑に輸送されることとなる。
さらに、本発明における高分子は、２次元的（平面的）な広がりを有するネットワークを形成されやすくなることから、高分子同士の間に絡まり等が生じるのを効果的に防止または抑制でき、かかる観点からも、キャリアの輸送を円滑に行うことができる。
【００４４】
このような本発明の導電性材料の主成分である高分子は、前述したような構造、すなわち、主骨格同士が連結構造を介して所定距離離間し、かつ、ネットワークを形成しやすくなることにより、これらの相乗効果により、極めて優れたキャリア輸送能を発揮する。その結果、本発明の導電性材料を主材料とする導電層は、キャリア輸送能に特に優れたものとなる。
【００４５】
なお、このような高分子において、主骨格同士の離間距離が短くなり過ぎると、隣接する主骨格同士の相互作用が大きくなる傾向を示し、主骨格の離間距離が長くなり過ぎると、主骨格同士間におけるキャリアの受け渡しが困難となり、高分子のキャリア輸送能が低減する傾向を示す。
これらのことを考慮して、連結構造の構成が選択（決定）される、すなわち、置換基Ｘおよびビニル化合物の構造（構成）がそれぞれ設定（決定）される。
【００４６】
なお、連結構造中において、置換基Ｘ同士が直接重合反応している場合でも、主骨格同士の相互作用を低減させることができるが、置換基Ｘと置換基Ｘとがビニル化合物を介して重合反応している場合には、主骨格同士の離間距離がより適切な大きさに保たれて、主骨格同士の相互作用がより低減される。その結果、このような連結構造を有する高分子は、優れたキャリア輸送能を発揮することとなる。
【００４７】
置換基Ｘは、前記一般式（２）中、ｎが２〜８、特に２〜６の直鎖状の炭素−炭素結合（アルキレン基）のものが好ましい。これにより、主骨格同士の距離を適度に保つことが可能となり、高分子中において、隣接する主骨格同士の相互作用をより確実に低減することができるとともに、主骨格同士間におけるキャリアの受け渡しがより確実に行われることから、高分子のキャリア輸送能が優れたものとなる。
【００４８】
また、置換基Ｘ１と置換基Ｘ３とは、ほぼ同一の炭素数のものであるのが好ましく、同一の炭素数のものであるのがより好ましい。これにより、この置換基Ｘ（置換基Ｘ１または置換基Ｘ３）による主骨格に対する電気的な影響がばらつき、これが原因で、高分子中において電子密度の偏りが生じることを好適に防止または抑制できる。これにより、高分子のキャリア輸送能を向上させることができる。
【００４９】
かかる観点から、置換基Ｘ２と置換基Ｘ４とも、ほぼ同一の炭素数のものであるのが好ましく、同一の炭素数のものであるのがより好ましい。これにより、前記効果がより向上し、高分子のキャリア輸送能をより向上させることができる。
さらには、置換基Ｘ１、置換基Ｘ２、置換基Ｘ３および置換基Ｘ４を、好ましくは、ほぼ同一の炭素数、より好ましくは、同一の炭素数とすることにより、前記効果が特に顕著に発揮される。また、連結構造が、置換基Ｘ同士を直接結合させることにより形成される場合やビニル化合物を介して結合している場合に係わらず、高分子中における主骨格同士の離間距離を一定以上の大きさにすることができ、主骨格同士による相互作用が生じるのをより好適に防止することができる。その結果、高分子のキャリア輸送能をさらに向上させることができる。
【００５０】
また、置換基Ｘは、ベンゼン環の２位から６位のいずれの位置に結合してもよいが、特に、３位、４位または５位のうちのいずれかに結合しているのが好ましい。これにより、隣接する主骨格同士の結合を連結構造を介して行うことの効果をより顕著に発揮させることができる。すなわち、隣接する主骨格同士をより確実に適切な距離に離間させることができる。
【００５１】
また、置換基Ｘは、前記一般式（２）に示すように、その末端に、官能基としてビニルエーテル基を有している。ここで、ビニルエーテル基は、高い反応性および結合安定性を有することから、比較的容易に置換基Ｘ同士を、直接、またはビニル化合物を介して重合反応させて、２次元的な広がりの大きいネットワークを形成することができる。
さらに、ビニルエーテル基は、置換基Ｘ同士、または置換基Ｘとビニル化合物とが重合反応する際に、これらのものが結合して得られる生成物以外のもの（副生成物）が生成しにくいので、導電性材料中に不純物が混入するのを好適に防止することができる。
【００５２】
なお、置換基Ｘ同士が重合反応することにより生じた連結構造、すなわちビニルエーテル基同士が重合反応することにより生じた連結構造中には、エーテル結合と、直鎖状の炭素−炭素結合（アルキレン基）とが存在することとなる。このような構造を有する連結構造中においては、キャリアの移動が抑制されることとなる。これにより、置換基Ｘ同士が直接連結した場合のように、主骨格同士の距離が比較的短くなったとしても、主骨格同士の相互作用が増強するのを防止または抑制することができる。
また、例えば、ベンゼン環のように、π結合の中でも共役系の結合が多い構造が連結構造中に存在すると、この構造を介して隣接する主骨格同士が相互作用を及ぼすようになり、主骨格同士を離間することによる効果が相殺されてしまう。
【００５３】
次に、ビニル化合物は、置換基Ｘと反応し得る反応基（以下、単に「反応基」という。）を少なくとも１つ有するものである。
ここで、反応基は、前記一般式（１）で表される化合物同士を置換基Ｘにおいてビニル化合物により架橋する反応部位であり、例えば、ビニル基や（メタ）アクリロイル基等が挙げられる。これらの反応基は、置換基Ｘと高い反応性を示すものであることから、この反応基を有するビニル化合物も高い反応性を発揮するものとなる。
そのため、前記一般式（１）で表される化合物同士の置換基Ｘを、直接、またはビニル化合物を介して、重合反応させる際に、効率良く置換基Ｘと反応基との反応を進行させることができる。これにより、得られる高分子中における未反応の置換基Ｘの残存量を低減させることができる。
【００５４】
ここで、未反応の置換基Ｘの残存量をより低減させる観点からは、ビニル化合物として、反応基を２つ以上有するものを選択するのが好ましい。これにより、ビニル化合物は、置換基Ｘとの反応部位が増すことから、置換基Ｘに対してより高い反応性を示すこととなる。その結果、前述した効果がより顕著に発揮されるとともに、置換基Ｘ同士が直接連結する化学構造の割合に対して、ビニル化合物により置換基Ｘ同士が架橋して形成された化学構造の割合を高くすることができる。
【００５５】
また、ビニル化合物により置換基Ｘ同士が架橋して形成された化学構造が含まれる高分子が形成される過程において、ビニル化合物は、この高分子の中間体（オリゴマー）よりも分子量が小さく、置換基Ｘと高い反応性を示す反応基を有することから、この中間体から立体障害や電気的な障害を受けることなく、中間体に残存する置換基Ｘに接近することができる。そのため、置換基Ｘとビニル化合物とが接触して、これら同士の反応を確実に進行させることができる。その結果、形成される高分子中における未反応の置換基Ｘの残存量を好適に低減しつつ、ビニル化合物を介した重合反応の割合、すなわち、ビニル化合物により置換基Ｘ同士が架橋して形成された化学構造が含まれる割合を高くすることができる。
【００５６】
さらに、主骨格同士の距離をより適切な大きさに保つという観点からは、ビニル化合物として、２つの反応基の間に位置し、これらの反応基の間の距離を規制する規制部を有するものを選択するのが好ましい。これにより、ビニル化合物により置換基Ｘ同士が架橋して形成された化学構造内において、主骨格同士の間で相互作用が生じるのをより確実に防止することができる。その結果、このような化学構造を高い割合で有する高分子は、より優れたキャリア輸送能を発揮することとなる。
【００５７】
なお、連結構造中において、置換基Ｘ同士が直接重合反応している場合でも、主骨格同士を置換基Ｘにより離間して、主骨格同士の相互作用を低減させることができるが、規制部を有するビニル化合物を介して置換基Ｘ同士が重合反応している場合には、主骨格同士の離間距離をより適切な大きさに保つことができ、主骨格同士の相互作用がより低減されることとなる。
【００５８】
以下では、ビニル化合物として、２つの反応基を有し、かつ、２つの反応基の間に規制部を有するものを代表に説明する。
規制部としては、直鎖状をなすもの、分枝状をなすもの、環状をなすもの、および、これらを組み合わせたもの等が挙げられるが、これらの中でも、直鎖状をなすものであるのが好ましい。これにより、得られる高分子中において、主骨格同士の距離が小さくなるのを確実に規制（防止）し得ることから、形成される導電性材料のキャリア輸送能が向上することとなる。
【００５９】
なお、直鎖状をなす規制部が飽和炭素水素のような非共役系の分子構造により構成される場合には、得られる高分子において、主骨格同士の距離が比較的小さくなったとしても、主骨格が備えるベンゼン環同士の間に非共役系の分子構造が存在することから、このベンゼン環を介して主骨格同士が相互作用を及ぼしあうようになるのを、好適に防止することができる。
【００６０】
直鎖状をなす規制部を有するビニル化合物の一例としては、例えば、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレートのような多官能性重合性単量体類、メチレンビス（メタ）アクリルアミドのような多官能性窒素原子含有重合性単量体類、グリシジル（メタ）アクリレート、α−メチルグリシジル（メタ）アクリレートのようなエポキシ基含有重合性単量体類および２−（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製、「カレンズ」）、（メタ）アクリロイルイソシアネート（日本ペイント社製、「ＭＡＩ」）のようなイソシアネート基含有重合性単量体類等が挙げられる。
【００６１】
また、直鎖状をなす規制部は、規制部を構成する原子のうち、直鎖状に連結するものの個数が、９〜５０程度であるのが好ましく、２０〜３０程度であるのがより好ましい。これにより、得られる高分子において、主骨格同士の離間距離が、これらのもの同士が相互作用を及ぼしあわないように適切な大きさに保たれることから、高分子は、より優れたキャリア輸送能を発揮することとなる。
このようなことから、直鎖状をなす規制部を有するビニル化合物としては、下記一般式（３）で表されるポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレートが特に好ましい。
【００６２】
【化９】
［式中、ｍは、３〜１５の整数を表し、２つのＡは、それぞれ独立して、水素原子またはメチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
【００６３】
これにより、得られる高分子において、主骨格同士の離間距離が、適切な大きさに保たれて、この高分子は、より優れたキャリア輸送能を発揮することとなる。
なお、前記一般式（３）中、ｍが６〜９程度であるのが特に好ましい。ｍを前記範囲内とすることにより、前記効果がより顕著に発揮されることとなる。
【００６４】
なお、ビニル化合物として、前記一般式（３）で表されるポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレートのように比較的低分子のものを用いることにより、置換基Ｘと反応基との反応性をより高めることができるという利点もある。すなわち、低分子のビニル化合物が効率良く、未反応の置換基Ｘ同士の間に入り込んで、置換基Ｘと反応基との重合反応を高い割合で行うことができる。これにより、得られる高分子において、ビニル化合物により置換基Ｘ同士が架橋して形成された化学構造の割合をより高めることができる。
【００６５】
ところで、前記一般式（１）で表される化合物同士の置換基Ｘを架橋するという観点からは、ビニル化合物として、前述したような化合物の他、反応基を１つ有するもの、または反応基を３つ以上有するものを用いることもできる。
このような１つの反応基を有するビニル化合物としては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、アミル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ｎ−ステアリル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、２−（アセトアセトキシ）エチル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレートのような（メタ）アクリレート類、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、メチル（α−ヒドロキシメチル）アクリレート、エチル（α−ヒドロキシメチル）アクリレート、４−ヒドロキシメチルシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性ヒドロキシ（メタ）アクリレート（のような水酸基含有（メタ）アクリレート類、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イタコン酸、無水マレイン酸、スルホエチル（メタ）アクリレート、２−（メタ）アクリロイルオキシエチルアシッドホスフェート、２−（メタ）アクリロイルオキシプロピルアシッドホスフェート、カルボキシル基末端カプロラクトン変性（メタ）アクリレートのような酸性官能基含有（メタ）アクリレート類、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエン、酢酸ビニル、塩化ビニル、塩化ビニリデンのようなビニル化合物類、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメチルシロキシエチルメタクリレートのような珪素含有重合性単量体類、トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、テトラフルオロプロピル（メタ）アクリレート、オクタフルオロペンチル（メタ）アクリレート、ヘプタドデカフルオロデシルアクリレート、β−（パーフロロオクチル）エチル（メタ）アクリレート、パーフロロオクチルエチル（メタ）アクリレートのようなハロゲン含有重合性単量体類、（メタ）アクリルアミド、Ｎ−イソプロピル（メタ）アクリルアミド、ｔ−ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−エトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、 Ｎ，Ｎ’−ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、 Ｎ−メチル−Ｎ−ビニルホルムアミド、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート硫酸塩、Ｎ−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルイミダゾール、Ｎ−ビニルピロール、Ｎ−ビニルピロリドン、ジアセトンアクリルアミド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、２−イソプロペニル−２−オキサゾリンのような窒素原子含有重合性単量体類、２−〔２’−ヒドロキシ−５’−（メタ）アクリロイルオキシエチルフェニル〕−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−〔２’−ヒドロキシ−５’−（メタ）アクリロイルオキシプロピルフェニル〕−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−〔２’−ヒドロキシ−５’−（メタ）アクリロイルオキシヘキシルフェニル〕−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−〔２’−ヒドロキシ−３’−ｔｅｒｔ−ブチル−５’−（メタ）アクリロイルオキシエチルフェニル〕−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−〔２’−ヒドロキシ−３’−ｔｅｒｔ−ブチル−５’−（メタ）アクリロイルオキシエチルフェニル〕−５−クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾールのようなベンゾトリアゾール含有重合性単量体類および４−（メタ）アクリロイルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−（メタ）アクリロイルオキシ− １，２，２，６，６−ペンタメチルピペリジン、４−シアノ−４−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、４−クロトノイルオキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、１−（メタ）アクリロイル−４−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン、１−（メタ）アクリロイル−４−シアノ−４−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジンのような紫外線安定性重合性単量体類等が挙げられる。
【００６６】
３つ以上の反応基を有するビニル化合物としては、例えば、ＥＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリス（メタ）アクリロイルオキシエチルフォスフェート等が挙げられる。
４つ以上の反応基を有するビニル化合物としては、例えば、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００６７】
次に、高分子において、キャリア輸送に寄与する主骨格について説明をする。
この主骨格において、基（結合基）Ｙの化学構造を適宜設定することにより、高分子のキャリア輸送能の特性を変化させることができる。
これは、キャリア輸送に寄与する主骨格における電子雲の広がり（電子の分布状態）が変化することに伴って、高分子において、例えば、その価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等が変化することに起因すると考えられる。
【００６８】
本発明の導電性材料では、基Ｙに置換もしくは無置換の複素環が少なくとも１つ含まれており、この複素環の種類を選択することにより、高分子におけるキャリア輸送能の特性を比較的容易に調整することができる。
この複素環は、高分子に所望のキャリア輸送能が得られるように選択すればよいが、特に、窒素、酸素、硫黄、セレンおよびテルルのうちの少なくとも１種のヘテロ原子を含有するものを選択するのが好ましい。かかる種類のヘテロ原子を含有する複素環を選択することにより、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等を変化させることがより容易となる。
【００６９】
また、複素環は、芳香族系および非芳香族系のいずれであってもよいが、芳香族系のものであるのが好ましい。これにより、主骨格の共役系の化学構造における電子密度の偏り、すなわち、π電子の局在化を好適に防止して、高分子のキャリア輸送能の低下を防止することができる。
基Ｙは、同一または異なる複素環を１〜５つ含むものが好ましく、１〜３つ含むものがより好ましい。基Ｙにこのような数の複素環が存在すれば、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等を十分に変化させることができる。
【００７０】
さらに、基Ｙは、複素環以外に、芳香族炭化水素環を少なくとも１つ含むものを選択することもできる。基Ｙとして、複素環と芳香族炭化水素環とを含むものを選択することにより、目的とするキャリア輸送能の特性を高分子により確実に付与することができる。
このような基Ｙは、前記一般式（１）中の各Ｎにそれぞれ、直接結合する芳香族炭化水素環と、これらの芳香族炭化水素環の間に存在する少なくとも１つの複素環とを含むものであるのが、特に好ましい。これにより、高分子中における電子密度に偏りが生じるのを確実に防止することができる。その結果、高分子のキャリア輸送能が均一なものとなる。
【００７１】
また、基Ｙの総炭素数は、２〜７５であるのが好ましく、２〜５０であるのがより好ましい。基Ｙの総炭素数が多すぎると、置換基Ｘの種類によっては、前記化学式（１）で表される化合物の溶媒に対する溶解度が低下する傾向を示し、本発明の導電性材料用組成物を調整する際の溶媒の選択の幅が狭くなるおそれがある。
また、基Ｙの総炭素数をかかる範囲内とすることにより、主骨格における平面性が保たれることから、高分子におけるキャリア輸送能が低下するのを確実に防止することができる。
これらのことを考慮すると、前記一般式（１）で表される化合物において、基Ｙとしては、例えば、下記化学式（４）〜（２３）で表されるものが特に好ましい構造である。
【００７２】
【化１０】
［式中、２つのＱ１は、それぞれ独立して、Ｎ−Ｔ１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ１は、Ｈ、ＣＨ３またはＰｈを表す。）を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
【００７３】
【化１１】
［式中、２つのＱ１は、それぞれ独立して、Ｎ−Ｔ１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ１は、Ｈ、ＣＨ３またはＰｈを表す。）を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
【００７４】
【化１２】
［式中、２つのＱ１は、それぞれ独立して、Ｎ−Ｔ１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ１は、Ｈ、ＣＨ３またはＰｈを表す。）を表し、同一であっても、異なっていてもよく、４つのＱ２は、それぞれ独立して、ＳまたはＯを表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
【００７５】
【化１３】
［式中、２つのＱ１は、それぞれ独立して、Ｎ−Ｔ１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ１は、Ｈ、ＣＨ３またはＰｈを表す。）を表し、同一であっても、異なっていてもよく、４つのＱ２は、それぞれ独立して、ＳまたはＯを表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
【００７６】
【化１４】
［式中、２つのＱ１は、それぞれ独立して、Ｎ−Ｔ１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ１は、Ｈ、ＣＨ３またはＰｈを表す。）を表し、同一であっても、異なっていてもよく、４つのＱ２は、それぞれ独立して、ＳまたはＯを表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
【００７７】
【化１５】
［式中、Ｑ１は、Ｎ−Ｔ１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ１は、Ｈ、ＣＨ３またはＰｈを表す。）を表す。］
【００７８】
【化１６】
［式中、Ｑ３は、Ｎ−Ｔ３、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ３は、Ｈ、ＣＨ３、Ｃ２Ｈ５またはＰｈを表す。）を表す。］
【００７９】
【化１７】
［式中、Ｑ１は、Ｎ−Ｔ１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ１は、Ｈ、ＣＨ３またはＰｈを表す。）を表す。］
【００８０】
【化１８】
［式中、Ｑ１は、Ｎ−Ｔ１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ１は、Ｈ、ＣＨ３またはＰｈを表す。）を表す。］
【００８１】
【化１９】
【００８２】
【化２０】
【００８３】
【化２１】
【００８４】
【化２２】
【００８５】
【化２３】
【００８６】
【化２４】
【００８７】
【化２５】
［式中、３つのＱ１は、それぞれ独立して、Ｎ−Ｔ１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ１は、Ｈ、ＣＨ３またはＰｈを表す。）を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
【００８８】
【化２６】
［式中、３つのＱ１は、それぞれ独立して、Ｎ−Ｔ１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ１は、Ｈ、ＣＨ３またはＰｈを表す。）を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
【００８９】
【化２７】
［式中、Ｑ１は、Ｎ−Ｔ１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ１は、Ｈ、ＣＨ３またはＰｈを表す。）を表す。］
【００９０】
【化２８】
［式中、Ｑ１は、Ｎ−Ｔ１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ１は、Ｈ、ＣＨ３またはＰｈを表す。）を表す。］
【００９１】
【化２９】
［式中、３つのＱ１は、それぞれ独立して、Ｎ−Ｔ１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ１は、Ｈ、ＣＨ３またはＰｈを表す。）を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
【００９２】
また、基Ｙに含まれる複素環や芳香族炭化水素環には、主骨格における平面性が大きく阻害されないような置換基が導入されていてもよい。このような置換基としては、例えば、比較的炭素数の少ないアルキル基やハロゲン基等が挙げられる。
さて、置換基Ｒは、水素原子、メチル基またはエチル基であり、置換基Ｒは、置換基Ｘの炭素数に応じて選択するようにすればよい。例えば、置換基Ｘの炭素数が大きい場合には、置換基Ｒとしては、水素原子を選択し、置換基Ｘの炭素数が小さい場合には、置換基Ｒとしては、メチル基もしくはエチル基を選択するようにすればよい。
【００９３】
このような導電層は、重合反応により得られたネットワーク形状の高分子を主材料とすることから、耐溶剤性に優れたものとなる。その結果、この導電層上に接触して上層を形成する場合に、この上層を形成するための材料に含まれる溶媒または分散媒により、導電層が膨潤または溶解するのを確実に防止することができる。
また、このような導電層を有する積層体を用いて、後述するような電子デバイスを構築した場合、この導電層がネットワーク形状の高分子を主材料として構成されていることから、この導電層と接触する層（接触層）の界面付近において、導電層の構成材料と接触層の構成材料とが経時的に混ざり合うのを確実に防止することができる。その結果、電子デバイスの特性が経時的に劣化するのを防止することができる。
【００９４】
＜有機エレクトロルミネッセンス素子＞
次に、本発明の電子デバイスを、発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、単に「有機ＥＬ素子」という。）に適用した場合の実施形態について説明する。
図１は、有機ＥＬ素子の一例を示した縦断面図である。
図１に示す有機ＥＬ素子１は、透明な基板２と、基板２上に設けられた陽極３と、陽極３上に設けられた有機ＥＬ層４と、有機ＥＬ層４上に設けられた陰極５と、各前記層３、４、５を覆うように設けられた保護層６とを備えている。
【００９５】
基板２は、有機ＥＬ素子１の支持体となるものであり、この基板２上に各前記層が形成されている。
基板２の構成材料としては、透光性を有し、光学特性が良好な材料を用いることができる。
このような材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような各種樹脂材料や、各種ガラス材料等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【００９６】
基板２の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
陽極３は、有機ＥＬ層４（後述する正孔輸送層４１）に正孔を注入する電極である。また、この陽極３は、有機ＥＬ層４（後述する発光層４２）からの発光を視認し得るように、実質的に透明（無色透明、有色透明、半透明）とされている。
【００９７】
かかる観点から、陽極３の構成材料（陽極材料）としては、仕事関数が大きく、導電性に優れ、また、透光性を有する材料を用いるのが好ましい。
このような陽極材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ2、Ｓｂ含有ＳｎＯ2、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【００９８】
陽極３の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。陽極３の厚さが薄すぎると、陽極３としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陽極３が厚過ぎると、陽極材料の種類等によっては、光の透過率が著しく低下し、実用に適さなくなるおそれがある。
なお、陽極材料には、例えば、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂材料を用いることもできる。
【００９９】
一方、陰極５は、有機ＥＬ層４（後述する電子輸送層４３）に電子を注入する電極である。
陰極５の構成材料（陰極材料）としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。
このような陰極材料としては、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【０１００】
特に、陰極材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極材料として用いることにより、陰極５の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
陰極５の厚さ（平均）は、１ｎｍ〜１μｍ程度であるのが好ましく、１００〜４００ｎｍ程度であるのがより好ましい。陰極５の厚さが薄すぎると、陰極５としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陰極５が厚過ぎると、有機ＥＬ素子１の発光効率が低下するおそれがある。
【０１０１】
陽極３と陰極５との間には、有機ＥＬ層（有機層）４が設けられている。有機ＥＬ層４は、正孔輸送層４１と、発光層４２と、電子輸送層４３とを備え、これらがこの順で陽極３上に形成されている。
正孔輸送層４１は、陽極３から注入された正孔を発光層４２まで輸送する機能を有するものであり、電子輸送層４３は、陰極５から注入された電子を発光層４２まで輸送する機能を有するものである。
【０１０２】
これら正孔輸送層４１および電子輸送層４３の構成材料としてそれぞれ、本発明の導電性材料を用いることができる。
ここで、正孔輸送層４１と電子輸送層４３との双方を本発明の導電性材料を主材料として構成する場合、導電性材料の正孔輸送能および電子輸送能を考慮して、これらの構成材料を選択すればよい。
【０１０３】
すなわち、正孔輸送層４１が電子輸送層４３に対して相対的に正孔輸送能が高くかつ電子輸送能が低くなるように、換言すれば、電子輸送層４３が正孔輸送層４１に対して相対的に電子輸送能が高くかつ正孔輸送能が低くなるように、これらの構成材料を選択すればよい。
例えば、正孔輸送層４１に用いる導電性材料として、基Ｙの化学構造が前記化学式（２１）または（２３）のいずれかを選択した場合には、電子輸送層４３を構成する導電性材料として、基Ｙの化学構造が前記化学式（１０）または（２２）のいずれかを選択するのが好ましく、前記化学式（２０）のものを選択することもできる。また、電子輸送層４３を構成する導電性材料として、上記のものを用いた場合には、正孔輸送層４１を構成する導電性材料として、基Ｙの化学構造が前記化学式（５）または（１９）のいずれかを選択することもできる。
【０１０４】
また、正孔輸送層４１は、その体積抵抗率が１０Ω・ｃｍ以上であるのが好ましく、１０２Ω・ｃｍ以上であるのがより好ましい。これにより、発光効率のより高い有機ＥＬ素子１を得ることができる。
正孔輸送層４１の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。正孔輸送層４１の厚さが薄すぎると、ピンホールが生じるおそれがあり、一方、正孔輸送層４１が厚過ぎると、正孔輸送層４１の透過率が悪くなる原因となり、有機ＥＬ素子１の発光色の色度（色相）が変化してしまうおそれがある。
【０１０５】
さらに、電子輸送層４３の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、２０〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。電子輸送層４３の厚さが薄すぎると、ピンホールが生じショートするおそれがあり、一方、電子輸送層４３が厚過ぎると、抵抗値が高くなるおそれがある。
また、本発明の導電性材料は、かかる比較的薄い正孔輸送層４１および電子輸送層４３を形成する場合に、特に有用である。
【０１０６】
さて、陽極３と陰極５との間に通電（電圧を印加）すると、正孔輸送層４１中を正孔が、また、電子輸送層４３中を電子が移動し、発光層４２において正孔と電子とが再結合する。そして、発光層４２では、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、このエキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。
【０１０７】
この発光層４２の構成材料（発光材料）としては、電圧印加時に陽極３側から正孔を、また、陰極５側から電子を注入することができ、正孔と電子が再結合する場を提供できるものであれば、いかなるものであってもよい。
このような発光材料には、以下に示すような、各種低分子の発光材料、各種高分子の発光材料があり、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【０１０８】
なお、低分子の発光材料を用いることにより、緻密な発光層４２が得られるため、発光層４２の発光効率が向上する。また、高分子の発光材料を用いることにより、比較的容易に溶剤へ溶解させることができるため、インクジェット印刷法等の各種塗布法による発光層４２の形成を容易に行うことができる。さらに、低分子の発光材料と高分子の発光材料とを組み合わせて用いることにより、低分子の発光材料および高分子の発光材料を用いる効果を併有すること、すなわち、緻密かつ発光効率に優れる発光層４２を、インクジェット印刷法等の各種塗布法により、容易に形成することができるという効果が得られる。
【０１０９】
低分子の発光材料としては、例えば、ジスチリルベンゼン（ＤＳＢ）、ジアミノジスチリルベンゼン（ＤＡＤＳＢ）のようなベンゼン系化合物、ナフタレン、ナイルレッドのようなナフタレン系化合物、フェナントレンのようなフェナントレン系化合物、クリセン、６−ニトロクリセンのようなクリセン系化合物、ペリレン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−３，４，９，１０−ペリレン−ジ−カルボキシイミド（ＢＰＰＣ）のようなペリレン系化合物、コロネンのようなコロネン系化合物、アントラセン、ビススチリルアントラセンのようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、４−（ジ−シアノメチレン）−２−メチル−６−（パラ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）のようなピラン系化合物、アクリジンのようなアクリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベン系化合物、２，５−ジベンゾオキサゾールチオフェンのようなチオフェン系化合物、ベンゾオキサゾールのようなベンゾオキサゾール系化合物、ベンゾイミダゾールのようなベンゾイミダゾール系化合物、２，２’−（パラ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾールのようなベンゾチアゾール系化合物、ビスチリル（１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン）、テトラフェニルブタジエンのようなブタジエン系化合物、ナフタルイミドのようなナフタルイミド系化合物、クマリンのようなクマリン系化合物、ペリノンのようなペリノン系化合物、オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物、アルダジン系化合物、１，２，３，４，５−ペンタフェニル−１，３−シクロペンタジエン（ＰＰＣＰ）のようなシクロペンタジエン系化合物、キナクリドン、キナクリドンレッドのようなキナクリドン系化合物、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジンのようなピリジン系化合物、２，２’，７，７’−テトラフェニル−９，９’−スピロビフルオレンのようなスピロ化合物、フタロシアニン（Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ３）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ２）、（１，１０−フェナントロリン）−トリス−（４，４，４−トリフルオロ−１−（２−チエニル）−ブタン−１，３−ジオネート）ユーロピウム（III）（Ｅｕ（ＴＴＡ）３（ｐｈｅｎ））、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、（２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン）プラチナム（II）のような各種金属錯体等が挙げられる。
【０１１０】
高分子の発光材料としては、例えば、トランス型ポリアセチレン、シス型ポリアセチレン、ポリ（ジ−フェニルアセチレン）（ＰＤＰＡ）、ポリ（アルキル，フェニルアセチレン）（ＰＡＰＡ）のようなポリアセチレン系化合物、ポリ（パラ−フェンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（２，５−ジアルコキシ−パラ−フェニレンビニレン）（ＲＯ−ＰＰＶ）、シアノ−置換−ポリ（パラ−フェンビニレン）（ＣＮ−ＰＰＶ）、ポリ（２−ジメチルオクチルシリル−パラ−フェニレンビニレン）（ＤＭＯＳ−ＰＰＶ）、ポリ（２−メトキシ，５−（２’−エチルヘキソキシ）−パラ−フェニレンビニレン）（ＭＥＨ−ＰＰＶ）のようなポリパラフェニレンビニレン系化合物、ポリ（３−アルキルチオフェン）（ＰＡＴ）、ポリ（オキシプロピレン）トリオール（ＰＯＰＴ）のようなポリチオフェン系化合物、ポリ（９，９−ジアルキルフルオレン）（ＰＤＡＦ）、α，ω−ビス［Ｎ，Ｎ’−ジ（メチルフェニル）アミノフェニル］−ポリ［９，９−ビス（２−エチルヘキシル）フルオレン−２，７−ジル］（ＰＦ２／６ａｍ４）、ポリ（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニル−オルト−コ（アントラセン−９，１０−ジイル）のようなポリフルオレン系化合物、ポリ（パラ−フェニレン）（ＰＰＰ）、ポリ（１，５−ジアルコキシ−パラ−フェニレン）（ＲＯ−ＰＰＰ）のようなポリパラフェニレン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）のようなポリカルバゾール系化合物、ポリ（メチルフェニルシラン）（ＰＭＰＳ）、ポリ（ナフチルフェニルシラン）（ＰＮＰＳ）、ポリ（ビフェニリルフェニルシラン）（ＰＢＰＳ）のようなポリシラン系化合物等が挙げられる。
【０１１１】
また、正孔輸送層４１と電子輸送層４３とに用いる構成材料の組み合わせによっては、発光材料として本発明の導電性材料を用いることもできる。
例えば、正孔輸送層４１の構成材料として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）のようなポリ（チオフェン／スチレンスルホン酸）、Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（α−ＮＰＤ）のようなアリールアミン化合物等を用い、電子輸送層４３の構成材料として３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−５−（ビフェニル−４−イル）−１，３，５−オキサジアゾール（ＰＢＤ）のようなオキサジアゾール化合物等を用いた場合には、発光層４２を構成する導電性材料として、基Ｙの化学構造が前記化学式（１５）および（１７）等のものを用いることができる。
【０１１２】
発光層４２の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。発光層の厚さを前記範囲とすることにより、正孔と電子との再結合が効率よくなされ、発光層４２の発光効率をより向上させることができる。
なお、有機ＥＬ素子１は、正孔輸送層４１、発光層４２および電子輸送層４３のうちのいずれか１つが本発明の導電性材料で構成されるようなものであってもよく、これらの全てが本発明の導電性材料で構成されるようなものであってもよい。
【０１１３】
また、発光層４２は、正孔輸送層４１および電子輸送層４３と別個に設けられているが、正孔輸送層４１と発光層４２とを兼ねた正孔輸送性発光層や、電子輸送層４３と発光層４２とを兼ねた電子輸送性発光層とすることもできる。この場合、正孔輸送性発光層の電子輸送層４３との界面付近が、また、電子輸送性発光層の正孔輸送層４１との界面付近が、それぞれ、発光層４２として機能する。
【０１１４】
さらに、正孔輸送性発光層を用いた場合には、陽極から正孔輸送性発光層に注入された正孔が電子輸送層によって閉じこめられ、また、電子輸送性発光層を用いた場合には、陰極から電子輸送性発光層に注入された電子が電子輸送性発光層に閉じこめられるため、いずれも、正孔と電子との再結合効率を向上させることができるという利点がある。
なお、各層３、４、５同士の間には、任意の目的の層が設けられていてもよい。例えば、正孔輸送層４１と陽極３との間には、陽極３からの正孔の注入効率を向上させる正孔注入層を設けることができる。また、電子輸送層４３と陰極５との間には、陰極５からの電子の注入効率を向上させる電子注入層等を設けることができる。このように、有機ＥＬ素子１に正孔注入層および電子注入層を設ける場合には、この正孔注入層および電子注入層の構成材料として、本発明の導電性材料を用いることができる。
また、正孔注入層の構成材料としては、本発明の導電性材料の他、例えば、銅フタロシアニンや４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−フェニル−３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（Ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等を用いることもできる。
【０１１５】
保護層６は、有機ＥＬ素子１を構成する各層３、４、５を覆うように設けられている。この保護層６は、有機ＥＬ素子１を構成する各層３、４、５を気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する。保護層６を設けることにより、有機ＥＬ素子１の信頼性の向上や、変質・劣化の防止等の効果が得られる。
保護層６の構成材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉまたはこれらを含む合金、酸化シリコン、各種樹脂材料等を挙げることができる。なお、保護層６の構成材料として導電性を有する材料を用いる場合には、短絡を防止するために、保護層６と各層３、４、５との間には、必要に応じて、絶縁膜を設けるのが好ましい。
【０１１６】
この有機ＥＬ素子１は、例えばディスプレイ用として用いることができるが、その他にも光源等としても使用可能であり、種々の光学的用途等に用いることが可能である。
また、有機ＥＬ素子１をディスプレイに適用する場合、その駆動方式としては、特に限定されず、アクティブマトリックス方式、パッシブマトリックス方式のいずれであってもよい。
このような有機ＥＬ素子１は、例えば、次のようにして製造することができる。
【０１１７】
［Ａ１］陽極形成工程
まず、基板２を用意し、この基板２上に陽極３を形成する。
陽極３は、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。
【０１１８】
［Ａ２］正孔輸送層形成工程（第１の構成）
［Ａ２−１］ まず、前記一般式（１）で表される化合物（以下、単に「化合物（１）」という。）と、ビニル化合物とを含有する導電性材料用組成物（正孔輸送材料）を陽極３上に塗布（供給）する。
導電性材料用組成物中における、化合物（１）とビニル化合物との配合比は、モル比で、９：１〜３：２であるのが好ましく、４：１〜７：３であるのがより好ましい。ビニル化合物の配合比が少な過ぎると、生成される高分子中において、主骨格同士をより適切な距離に保てなくなり、主骨格同士の相互作用が生じるおそれがあり、一方、ビニル化合物の配合比が多過ぎると、相対的に化合物（１）の混合比が少なくなる。すなわち、生成される高分子中において、主骨格の存在比率が少なくなるため、正孔輸送能が低下するおそれがある。
【０１１９】
この塗布には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いることができる。かかる塗布法によれば、正孔輸送材料を比較的容易に陽極３上に供給することができる。
【０１２０】
化合物（１）を溶媒に溶解または分散媒に分散する場合、用いる溶媒または分散媒としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
なお、導電性材料用組成物には、重合開始剤を添加するのが好ましい。これにより、次工程［Ａ２−２］において、加熱や光照射のような所定の処理を施す際に、置換基Ｘ同士、またはビニル化合物を介しての重合反応を促進させることができる。
【０１２１】
重合開始剤としては、特に限定されないが、例えば、光カチオン重合開始剤や光ラジカル重合開始剤のような光重合開始剤、熱重合開始剤および嫌気重合開始剤等が挙げられ、これらの中でも、光カチオン重合開始剤を用いるのが特に好ましい。これにより、次工程［Ａ２−２］において、置換基Ｘ同士を、直接、またはビニル化合物を介しての重合反応を比較的容易に行うことができる。
【０１２２】
光カチオン重合開始剤としては、各種の光カチオン重合開始剤を用いることができるが、例えば、芳香族スルホニウム塩系、芳香族ヨードニウム塩系、芳香族ジアゾニウム塩系、ピリジウム塩系および芳香族ホスホニウム塩系等のオニウム塩系の光カチオン重合開始剤や、鉄アレーン錯体およびスルホン酸エステル等の非イオン系の光カチオン重合開始剤を用いることができる。
さらに、重合開始剤として光重合開始剤を用いる場合には、用いる光重合開始剤の種類に適した増感剤を導電性材料用組成物に添加するようにしてもよい。
【０１２３】
［Ａ２−２］ 次に、陽極３上に供給された正孔輸送材料に光照射する。
これにより、正孔輸送材料に含まれる化合物（１）同士を置換基Ｘにおいて、直接、またはビニル化合物を介して重合反応（結合）させて、ネットワーク形状の高分子（本発明の導電性材料）を生成することができる。その結果、本発明の導電性材料を主材料とする正孔輸送層４１が陽極３上に形成される。
【０１２４】
正孔輸送層４１を本発明の導電性材料を主材料として構成することにより、次工程［Ａ３］において、発光層材料を供給した際に、この発光層材料に含まれる溶媒または分散媒により、正孔輸送層４１が膨潤および溶解するのを防止することができる。その結果、正孔輸送層４１と発光層４２との相溶解を確実に防止することができる。
また、正孔輸送層４１を本発明の導電性材料（高分子）を主材料として構成することにより、得られた有機ＥＬ素子１において、正孔輸送層４１と発光層４２との界面付近において、これらの構成材料同士が経時的に混ざり合うのを確実に防止することができる。
【０１２５】
この高分子の重量平均分子量は、特に限定されないが、１００００〜１００００００程度であるのが好ましく、１５０００〜３０００００程度であるのがより好ましい。これにより、高分子の膨潤および溶解をより確実に抑制または防止することができる。
なお、正孔輸送層４１は、この正孔輸送層４１と発光層４２との相溶解が防止される範囲において、化合物（１）やビニル化合物の低分子（モノマーやオリゴマー）を含んでいてもよい。
【０１２６】
正孔輸送材料に光照射する光としては、例えば、赤外線、可視光線、紫外線およびＸ線等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、紫外線を用いるのが特に好ましい。これにより、置換基Ｘにおける重合反応を容易かつ確実に進行させることができる。
光照射する紫外線の波長は、２００〜４２０ｎｍ程度であるのが好ましく、２５０〜４００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【０１２７】
また、紫外線の照射強度は、１０〜５０００ｍＷ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、２０〜１０００ｍＷ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。
さらに、紫外線の照射時間は、５〜３００秒程度であるのが好ましく、１０〜１５０秒程度であるのがより好ましい。
紫外線の波長、照射強度および照射時間をかかる範囲にすることにより、陽極３上に供給された正孔輸送材料の重合反応の進行を比較的容易に制御することができる。
【０１２８】
［Ａ２’］正孔輸送層形成工程（第２の構成）
［Ａ２’−１］ まず、化合物（１）を溶解し得る反応溶媒に、化合物（１）と、ビニル化合物とを溶解させて導電性材料用組成物を得る。
導電性材料用組成物中における、化合物（１）とビニル化合物との配合比は、前記工程［Ａ２−１］で説明した配合比と同様にすることができる。
【０１２９】
また、反応溶媒としては、前記工程［Ａ２−１］で説明した溶媒または分散媒と同様のものを用いることができる。ただし、前記工程［Ａ２−１］で説明したもののうち、脂肪族炭化水素系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、芳香族複素環化合物系溶媒、ハロゲン化合物系溶媒、硫黄化合物系溶媒のような比較的塩基性の弱いものを選択するのが好ましい。これにより、次工程［Ａ２’−２］において、置換基Ｘを、直接、またはビニル化合物を介して、重合反応させることにより得られる化合物（１）の高分子（以下、単に「化合物（１）の高分子」という。）を、選択した反応溶媒により阻害させることなく確実に形成することができる。
また、これらの中でも、特に、誘電率が小さいものを選択するのが好ましい。これにより、化合物（１）の高分子化の重合速度が低下し、比較的分子量の小さい高分子を容易に得ることができることから、得られる化合物（１）の高分子（重合物）の分子量の制御を比較的容易に行うことができる。
【０１３０】
［Ａ２’−２］ 次に、化合物（１）同士の置換基Ｘを、直接、またはビニル化合物を介して重合反応（結合）させて、ネットワーク形状を有する化合物（１）の高分子（可溶性ポリマー）が反応溶媒中に可溶な範囲内にまで、導電性材料用組成物に含まれる化合物（１）を高分子化させる。
この際、導電性材料用組成物に、重合触媒を添加することにより、置換基Ｘ同士、またはビニル化合物を介しての重合反応すなわち化合物（１）の高分子化を促進させることができる。
【０１３１】
このような化合物（１）の高分子（可溶性ポリマー）の重量平均分子量は、化合物（１）の種類によっても若干異なり、特に限定されるものではないが、８００〜１００００程度であるのが好ましく、１５００〜５０００程度であるのがより好ましい。これにより、化合物（１）の高分子が不溶化して、導電性材料用組成物中に析出（沈殿）するのを確実に防止することができる。
【０１３２】
このような化合物（１）の高分子は、重合触媒の存在下において、例えば、反応温度の制御、光照射、嫌気処理のような所定の処理を導電性材料用組成物に行うことにより得ることができる。
化合物（１）同士の置換基Ｘが、直接、またはビニル化合物を介して結合する重合反応は、前記所定の処理の条件を適宜設定することにより比較的容易に制御することができる。そのため、不溶性の高分子が生成されるより前に、すなわち、重合反応が進行して形成された高分子が不溶化する前に、化合物（１）の高分子化を確実に停止させることができる。
また、所定の処理としては、前述したものの中でも、反応温度の制御を選択するのが好ましい。反応温度を制御する際の処理条件を適宜設定することにより、化合物（１）の高分子化をより容易に制御することができる。
【０１３３】
反応温度を制御する際の導電性材料用組成物の温度は、前述した反応溶媒の種類によっても若干異なるが、−７８〜２５℃程度であるのが好ましく、−４０〜０℃程度であるのがより好ましい。
反応温度を制御する時間も、前述した反応溶媒の種類によっても若干異なるが、０．５〜２４時間程度であるのが好ましく、１〜５時間程度であるのがより好ましい。
【０１３４】
導電性材料用組成物の温度、および反応温度を制御する時間をかかる範囲にすることにより、化合物（１）の高分子が不溶化するのを確実に防止することができる。
なお、化合物（１）の高分子（可溶性ポリマー）が得られた際には、導電性材料用組成物に、重合停止剤を添加するようにしてもよい。これにより、化合物（１）の高分子化をより確実に停止させることができる。
【０１３５】
このような重合停止剤としては、例えば、アンモニア水のような塩基性化合物を含有するメタノール、エタノールおよびイソプロピルアルコール等の低級アルコールや、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒が挙げられる。
また、前記重合触媒としては、特に限定されないが、例えば、ハロゲノカルボン酸、スルホン酸、硫酸モノエステル、リン酸モノエステルのようなプロトン酸、三フッ化ホウ素、三フッ化ホウ素エーテレート（ＢＦ３／ＯＥｔ２）、ニ塩化チタン、四塩化チタン、塩化第一スズ、塩化第二スズ、塩化アルミニウム、塩化亜鉛、臭化マグネシウム、塩化第二鉄のようなルイス酸等が挙げられる。ただし、重合触媒としてルイス酸を用いる場合には、水、アルコール、カルボン酸、エーテルのような不対電子を有する化合物を共触媒として導電性材料用組成物に添加するのが好ましい。これにより、化合物（１）の高分子化をより確実に行うことができる。
【０１３６】
［Ａ２’−３］ 次に、導電性材料用組成物に含まれる化合物（１）の高分子（可溶性ポリマー）以外の不純物を導電性用組成物から除去する。
この不純物としては、例えば、化合物（１）およびビニル化合物の低分子（モノマーやオリゴマー）、重合触媒、共触媒、化合物（１）を合成する際に生成および／または混入したものおよび反応溶媒中に混入したもの等が挙げられる。
【０１３７】
このような不純物は、カチオン性、アニオン性およびノニオン性の不純物に分類される。これらの内、カチオン性およびアニオン性の不純物を除去する方法としては、例えば、フィルトレーション法、吸着クロマトグラフィー法およびイオン交換クロマトグラフィー法等が挙げられるが、これらの中でも、フィルトレーション法を用いるのが好ましい。フィルトレーション法によれば、用いるフィルターの種類を適宜選択するだけで、目的とするカチオン性不純物やアニオン性不純物を効率よく確実に除去することができる。
【０１３８】
すなわち、フィルターとして、例えば、強酸性陽イオン交換樹脂、弱酸性陽イオン交換樹脂、重金属を選択的に除去し得るキレート樹脂のような陽イオン交換樹脂を主材料として構成されるものを選択することにより、カチオン性不純物を除去することができる。
また、フィルターとして、例えば、最強塩基性陰イオン交換樹脂、強塩基性陰イオン交換樹脂、中塩基性陰イオン交換樹脂、弱塩基性陰イオン交換樹脂等のような陰イオン交換樹脂を主材料として構成されるものを選択することにより、アニオン性不純物を除去することができる。
【０１３９】
また、ノニオン性の不純物を除去する方法としては、例えば、限外ろ過膜法やゲル浸透クロマトグラフィー法等が挙げられるが、これらの中でも、限外ろ過膜法を用いるのが好ましい。限外ろ過膜法は、分子量に応じた各種物質の分離特性に優れており、用いる限外ろ過膜の種類を適宜選択するだけで、目的とする分子量より小さいノニオン性不純物を効率よく確実に除去することができる。
【０１４０】
［Ａ２’−４］ 次に、化合物（１）の高分子（可溶性ポリマー）を含有する導電性材料用組成物を陽極３上に塗布（供給）する。
この塗布には、前記工程［Ａ２−１］で説明したのと同様の方法を用いることができる。
なお、この導電性材料用組成物には、重合開始剤を添加するのが好ましい。これにより、次工程［Ａ２’−５］において、加熱や光照射のような所定の処理を施す際に、化合物（１）の高分子同士の置換基Ｘにおける重合反応を促進させることができる。
この重合開始剤としても、前記工程［Ａ２−１］で説明したのと同様のものを用いることができる。
【０１４１】
［Ａ２’−５］ 次に、陽極３上に供給された導電性材料用組成物に光照射する。
これにより、導電性材料用組成物に含まれる、化合物（１）の高分子同士を置換基Ｘにおいて、直接、またはビニル化合物を介して重合反応させることができる。これにより、化合物（１）の高分子（可溶性ポリマー）がさらに高分子化することにより不溶化して、導電性材料用組成物中に析出することとなる。その結果、化合物（１）の高分子（不溶性ポリマー）すなわち本発明の導電性材料を主材料とする正孔輸送層４１が陽極３上に形成される。
【０１４２】
この化合物（１）の高分子（不溶性ポリマー）の重量平均分子量は、特に限定されないが、１５０００〜１００００００程度であるのが好ましく、２００００〜３０００００程度であるのがより好ましい。これにより、化合物（１）の高分子の膨潤および溶解をより確実に抑制または防止することができる。
導電性材料用組成物に光照射する光としては、前記工程［Ａ２−２］で説明したのと同様のものを用いることができる。
【０１４３】
以上のような［Ａ２’］の工程を経て正孔輸送層４１が形成される。かかる工程により正孔輸送層４１を形成することにより、前記工程［Ａ２’−５］において、陽極３上に供給される導電性材料用組成物に、化合物（１）の高分子（可溶性ポリマー）が含まれていることから、重合開始剤の添加量を、比較的少なく設定することができる。その結果、得られる正孔輸送層４１に残存する重合開始剤の量が比較的少なくなる。これにより、正孔輸送層４１中の正孔が重合開始剤により捕捉されるのを好適に防止または抑制することができることから、得られる正孔輸送層４１により優れた正孔輸送能を発揮させることができる。
【０１４４】
また、［Ａ２’］の方法では、化合物（１）の高分子（可溶性ポリマー）を陽極３上に供給した後に、この高分子をさらに高分子化することにより不溶化させて正孔輸送層４１が形成されることから、正孔輸送層４１を比較的容易に、かつ分子量分布の狭い均一な膜を形成（成膜）できるという利点もある。
なお、得られた正孔輸送層４１には、必要に応じて、例えば大気中、不活性雰囲気中、減圧（または真空）下等において熱処理を施すようにしてもよい。これにより、例えば、正孔輸送層４１の乾燥・固化（脱溶媒または脱分散媒）等を行うことができる。なお、正孔輸送層４１は、熱処理によらず乾燥してもよい。
【０１４５】
また、置換基Ｘ同士を、直接、またはビニル化合物を介して重合反応させるための所定の処理としては、前記工程［Ａ２−２］および前記工程［Ａ２’−５］で説明した光照射の他、例えば、加熱および嫌気処理等が挙げられるが、これらの中でも、光照射を用いるのが好ましい。光照射によれば、化合物（１）を高分子化させる領域および程度を比較的容易に選択することができる。
【０１４６】
［Ａ３］発光層形成工程
次に、正孔輸送層４１上に発光層４２を形成する。
発光層４２は、例えば、前述したような発光材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる発光層材料（発光層形成用材料）を、正孔輸送層４１上に塗布して形成することができる。
発光材料を溶解または分散させる溶媒または分散媒としては、正孔輸送層４１を形成する際に用いた溶媒または分散媒と同様のものを用いることができる。
また、発光層材料を、正孔輸送層４１上に塗布する方法としても、正孔輸送層４１を形成する際に用いた塗布方法と同様の方法を用いることができる。
【０１４７】
［Ａ４］電子輸送層形成工程
次に、発光層４２上に電子輸送層４３を形成する。
電子輸送層４３は、前記正孔輸送層形成工程［Ａ２］および［Ａ２’］で説明したのと同様の方法で、本発明の導電性材料用組成物を用いて形成することができる。
なお、発光層４２が本発明の導電性材料のような高分子により構成されない場合、電子輸送層４３を形成するために用いる導電性材料用組成物を、溶解または分散するための溶媒または分散媒としては、発光層４２が膨潤および溶解しないものを選択するようにすればよい。これにより、発光層４２と電子輸送層４３との相溶解を確実に防止することができる。
【０１４８】
［Ａ５］陰極形成工程
次に、電子輸送層４３上に陰極５を形成する。
陰極５は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。
［Ａ６］保護層形成工程
次に、陽極３、有機ＥＬ層４および陰極５を覆うように、保護層６を形成する。
保護層６は、例えば、前述したような材料で構成される箱状の保護カバーを、各種硬化性樹脂（接着剤）で接合すること等により形成する（設ける）ことができる。
【０１４９】
硬化性樹脂には、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、反応性硬化樹脂、嫌気性硬化樹脂のいずれも使用可能である。
以上のような工程を経て、有機ＥＬ素子１が製造される。
【０１５０】
＜有機薄膜トランジスタ＞
次に、本発明の電子デバイスを、スイッチング素子である有機薄膜トランジスタ（以下、単に「有機ＴＦＴ」という。）に適用した場合の実施形態について説明する。
図２は、有機ＴＦＴ１０を示す図であり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は平面図である。なお、以下の説明では、図２（ａ）中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１５１】
図２に示す有機ＴＦＴ１０は、基板２０上に設けられており、ソース電極３０およびドレイン電極４０と、有機半導体層（本発明の導電層）５０と、ゲート絶縁層６０と、ゲート電極７０とが、この順で基板２０側から積層されて構成されている。
具体的には、有機ＴＦＴ１０は、基板２０上に、ソース電極３０およびドレイン電極４０が分離して設けられ、これら電極３０、４０を覆うように有機半導体層５０が設けられている。さらに有機半導体層５０上には、ゲート絶縁層６０が設けられ、さらにこの上に、少なくともソース電極３０とドレイン電極４０の間の領域に重なるようにゲート電極７０が設けられている。
【０１５２】
この有機ＴＦＴ１０では、有機半導体層５０のうち、ソース電極３０とドレイン電極４０との間の領域が、キャリアが移動するチャネル領域５１０となっている。以下、このチャネル領域５１０において、キャリアの移動方向の長さ、すなわちソース電極３０とドレイン電極４０との間の距離をチャネル長Ｌ、チャネル長Ｌ方向と直交する方向の長さをチャネル幅Ｗと言う。
このような有機ＴＦＴ１０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０が、ゲート絶縁層６０を介してゲート電極７０よりも基板２０側に設けられた構成の有機ＴＦＴ、すなわち、トップゲート構造の有機ＴＦＴである。
【０１５３】
以下、有機ＴＦＴ１０を構成する各部について、順次説明する。
基板２０は、有機ＴＦＴ１０を構成する各層（各部）を支持するものである。基板２０には、例えば、前述した有機ＥＬ素子１で説明した基板２と同様のものを用いることができる他、シリコン基板、ガリウム砒素基板等を用いることができる。
基板２０上には、ソース電極３０およびドレイン電極４０が、チャネル長Ｌ方向に沿って、所定距離離間して並設されている。
【０１５４】
これらのソース電極３０およびドレイン電極４０の構成材料としては、導電性を有するものであればいかなるものであってもよく、例えば、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等の金属材料、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴＯ、ＳｎＯ２等の導電性酸化物材料、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、フラーレン等の炭素材料、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）のようなポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等の導電性高分子材料等が挙げられ、これらのうち導電性高分子材料は、通常塩化鉄、ヨウ素、強酸、有機酸、ポリスチレンサルフォニック酸などの高分子でドープされ導電性を付与された状態で用いられる。さらに、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１５５】
ソース電極３０およびドレイン電極４０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、それぞれ、３０〜３００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜２００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
ソース電極３０とドレイン電極４０との間の距離（離間距離）、すなわち、チャネル長Ｌは、２〜３０μｍ程度であるのが好ましく、２〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。
【０１５６】
チャネル幅Ｗは、０．１〜５ｍｍ程度であるのが好ましく、０．３〜３ｍｍ程度であるのがより好ましい。
また、基板２０上には、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように、有機半導体層５０が設けられている。
この有機半導体層５０の構成材料として、本発明の導電性材料を用いることができる。
【０１５７】
前述したように、本発明の導電性材料は、基Ｙの化学構造を適宜設定することにより、形成される高分子に、目的とするキャリア輸送能の特性を付与することができるものである。
そこで、基Ｙの化学構造を適宜設定することにより、高分子に優れた半導体特性を付与することができることから、本発明の導電性材料を有機半導体層５０に用いるのは、特に有効である。
【０１５８】
このような有機半導体層５０を構成する導電性材料としては、例えば、基Ｙの化学構造が前記化学式（５）、（６）、（１９）、（２０）および（２３）のもののうちいずれかが好適に選択される。
有機半導体層５０の厚さ（平均）は、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。これにより、優れたキャリア輸送能を維持しつつ、有機ＴＦＴ１０が大型化すること（特に、厚さが増大すること）を防止することができる。
【０１５９】
なお、有機半導体層５０として、本発明の導電性材料のような高分子を主材料として構成されるものを用いることにより、得られる有機ＴＦＴ１０は、薄型化・軽量化が可能であるとともに、可撓性にも優れたものとなる。このような有機ＴＦＴ１０は、前述した有機ＥＬ素子を備えるフレキシブルディスプレイのスイッチング素子への適用に適している。
【０１６０】
なお、有機半導体層５０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように設けられる構成のものに限定されず、少なくともソース電極３０とドレイン電極４０との間の領域（チャネル領域５１０）に設けられていればよい。
有機半導体層５０上には、ゲート絶縁層６０が設けられている。
このゲート絶縁層６０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０に対してゲート電極７０を絶縁するものである。
【０１６１】
ゲート絶縁層６０は、主として有機材料（特に有機高分子材料）で構成されているのが好ましい。有機高分子材料を主材料とするゲート絶縁層６０は、その形成が容易であるとともに、有機半導体層５０との密着性の向上を図ることもできる。
このような有機高分子材料としては、例えば、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリビニルフェニレン、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のようなアクリル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）のようなフッ素系樹脂、ポリビニルフェノールあるいはノボラック樹脂のようなフェノール系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブテンなどのオレフィン系樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１６２】
ゲート絶縁層６０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。ゲート絶縁層６０の厚さを前記範囲とすることにより、ソース電極３０およびドレイン電極４０とゲート電極７０とを確実に絶縁しつつ、有機ＴＦＴ１０が大型化すること（特に、厚さが増大すること）を防止することができる。
なお、ゲート絶縁層６０は、単層構成のものに限定されず、複数層の積層構成のものであってもよい。
【０１６３】
ゲート絶縁層６０上には、ゲート電極７０が設けられている。
ゲート電極７０の構成材料としては、前述したソース電極３０およびドレイン電極４０の構成材料と同様のものを用いることができる。
ゲート電極７０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．１〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５０００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜５０００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
【０１６４】
以上のような有機ＴＦＴ１０は、ゲート電極７０に印加する電圧を変化させることにより、ソース電極３０とドレイン電極４０との間に流れる電流量が制御される。
すなわち、ゲート電極７０に電圧が印加されていないＯＦＦ状態では、ソース電極３０とドレイン電極４０との間に電圧を印加しても、有機半導体層５０中にほとんどキャリアが存在しないため、微少な電流しか流れない。一方、ゲート電極７０に電圧が印加されているＯＮ状態では、有機半導体層５０のゲート絶縁層６０に面した部分に電荷が誘起され、チャネル領域５１０にキャリアの流路が形成される。この状態でソース電極３０とドレイン電極４０との間に電圧を印加すると、チャネル領域５１０を通ってキャリア（正孔または電子）が流れる。
このような有機ＴＦＴ１０は、例えば、次のようにして製造することができる。
図３〜図４は、それぞれ、図２に示す有機ＴＦＴ１０の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図３〜図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１６５】
［Ｂ１］ソース電極およびドレイン電極形成工程
［Ｂ１−１］ まず、図３（ａ）に示すような基板２０を用意し、この基板２０を、例えば、水（純水等）、有機溶媒等を単独または適宜組み合わせて洗浄する。
次に、基板２０上に、フォトレジストを供給し、被膜８０’を形成する（図３（ｂ）参照。）。
【０１６６】
基板２０上に供給するフォトレジストとしては、光が照射（露光）された領域が硬化し、この露光された領域以外の領域が現像によって溶解し、除去されるネガ型フォトレジスト、および、露光された領域が現像によって溶解し、除去されるポジ型フォトレジストのいずれを用いてもよい。
ネガ型フォトレジストとしては、ロジン−重クロム酸塩、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）−重クロム酸塩、セラック−重クロム酸塩、カゼイン−重クロム酸塩、ＰＶＡ−ジアゾ、アクリル系フォトレジスト等のような水溶性フォトレジスト、ポリケイ皮酸ビニル、環化ゴム−アジド、ポリビニルシンナミリデンアセタート、ポリケイ皮酸β−ビニロキシエチルエステル等のような油溶性フォトレジスト等が挙げられる。
【０１６７】
また、ポジ型フォトレジストとしては、ｏ−ナフトキノンジアジド等のような油溶性フォトレジスト等が挙げられる。
フォトレジストを、基板２０上に、供給する方法としては、いかなる方法であってもよいが、塗布法が好適に用いられる。
塗布法としては有機ＥＬ素子１の製造方法の正孔輸送層形成工程［Ａ２］で説明したものと同様の方法を用いることができる。
次に、被膜８０’を、フォトマスクを介して露光および現像し、ソース電極３０およびドレイン電極４０を形成する領域に開口部８２０を有するレジスト層８０を形成する（図３（ｃ）参照。）。
【０１６８】
［Ｂ１−２］ 次に、図３（ｄ）に示すように、前述したような処理が施された基板２０の開口部８２０内に、形成すべきソース電極３０およびドレイン電極４０に応じて、これら電極の構成材料またはその前駆体を含有する所定量の液状材料９０を供給する。
この液状材料９０において、ソース電極３０およびドレイン電極４０の構成材料またはその前駆体を、溶解または分散する溶液または分散媒としては、前記正孔輸送層形成工程［Ａ２］で説明したものと同様のものを用いることができる。
【０１６９】
また、この液状材料９０を開口部８２０内に供給する方法には、前述したものと同様の塗布法を用いることができるが、これらの中でも、インクジェット法（液滴吐出法）を用いるのが好ましい。インクジェット法によれば、液状材料９０を、液滴吐出ヘッドのノズルから液滴として吐出して、開口部８２０内に確実に供給することができる。その結果、レジスト層８０に液状材料９０が付着するのを確実に阻止することができる。
【０１７０】
［Ｂ１−３］ 次に、開口部８２０に供給された液状材料９０から溶媒または分散媒を除去して、ソース電極３０およびドレイン電極４０を形成する。
前記溶媒または分散媒を除去する際の温度（除去温度）は、特に限定されず、溶媒または分散媒の種類によって若干異なるが、２０〜２００℃程度であるのが好ましく、５０〜１００℃程度であるのがより好ましい。これにより、液状材料９０中に含まれる溶媒または分散媒を、確実に除去することができる。
なお、この溶媒または分散媒の除去を、減圧下で加熱するようにしてもよい。これにより、液状材料９０中に含まれる溶媒または分散媒を、より確実に除去することができる。
【０１７１】
［Ｂ１−４］ 次に、基板２０からレジスト層８０を除去して、基板２０上に形成されたソース電極３０およびドレイン電極４０を得る（図４（ｆ）参照。）。
レジスト層８０の除去方法は、レジスト層８０の種類に応じて適宜選択すればよく、例えば、プラズマ処理やオゾン処理のようなアッシング、紫外線の照射、Ｎｅ−Ｈｅレーザー、Ａｒレーザー、ＣＯ２レーザー、ルビーレーザー、半導体レーザー、ＹＡＧレーザー、ガラスレーザー、ＹＶＯ４レーザー、エキシマレーザー等の各種レーザーの照射、レジスト層８０を溶解または分解し得る溶剤との接触（例えば浸漬）等により行うことができる。
【０１７２】
［Ｂ２］有機半導体層形成工程
次に、図４（ｈ）に示すように、ソース電極３０およびドレイン電極４０が形成された基板２０上に、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように、有機半導体層５０を形成する。
このとき、ソース電極３０とドレイン電極４０との間（ゲート電極７０に対応する領域）には、チャネル領域５１０が形成される。
この有機半導体層５０は、有機ＥＬ素子１の製造方法の正孔輸送層形成工程［Ａ２］および［Ａ２’］で説明したのと同様の方法により、本発明の導電性材料用組成物を用いて形成することができる。
【０１７３】
ここで、有機半導体層５０は、本発明の導電性材料（高分子）を主材料として構成されるものである。これにより、次工程［Ｂ３］において、ゲート絶縁層材料を有機半導体層５０上に供給した際に、このゲート絶縁層材料に含まれる溶媒または分散媒により、高分子が膨潤および溶解することを好適に抑制または防止することができる。その結果、有機半導体層５０とゲート絶縁層６０との相溶解を確実に防止することができる。
また、有機半導体層５０を本発明の導電性材料のように高分子を主材料として構成することにより、得られた有機ＴＦＴ１０において、有機半導体層５０とゲート絶縁層６０との界面付近において、これらの構成材料同士が経時的に混ざり合うのを確実に防止することができる。
【０１７４】
［Ｂ３］ゲート絶縁層形成工程
次に、図４（ｉ）に示すように、有機半導体層５０上に、ゲート絶縁層６０を塗布法を用いて形成する。
具体的には、ゲート絶縁層６０は、絶縁材料またはその前駆体を含む溶液を、前述した塗布法を用いて、有機半導体層５０上に塗布（供給）した後、必要に応じて、この塗膜に対して後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより形成することができる。
【０１７５】
［Ｂ４］ゲート電極形成工程
次に、図４（ｊ）に示すように、ゲート絶縁層６０上に、ゲート電極７０を塗布法を用いて形成する。
具体的には、ゲート電極７０は、電極材料またはその前駆体を含む溶液を、塗布法を用いて、ゲート絶縁層６０上に塗布（供給）した後、必要に応じて、この塗膜に対して後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより形成することができる。
【０１７６】
また、塗布法には、前述したのと同様の方法を用いることができるが、特に、インクジェット法を用いるのが好ましい。インクジェット法によれば、電極材料またはその前駆体を含む溶液を、液滴吐出ヘッドのノズルから液滴を吐出してパターニングすることができる。その結果、ゲート絶縁層６０上に、所定形状のゲート電極７０を、容易かつ確実に形成することができる。
以上のような工程を経て、有機ＴＦＴ１０が製造される。
【０１７７】
＜電子機器＞
また、前述したような、有機ＥＬ素子（発光素子）１や有機ＴＦＴ（スイッチング素子）１０のような本発明の電子デバイスは、各種電子機器に用いることができる。
図５は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【０１７８】
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００においては、例えば、表示ユニット１１０６が前述の有機ＥＬ素子（発光素子）１と有機ＴＦＴ（スイッチング素子）１０とを備えている。
【０１７９】
図６は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、例えば、この表示部が前述の有機ＥＬ素子（発光素子）１と有機ＴＦＴ（スイッチング素子）１０とを備えている。
【０１８０】
図７は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１８１】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、例えば、この表示部が前述の有機ＥＬ素子（発光素子）１と有機ＴＦＴ（スイッチング素子）１０とを備えている。
【０１８２】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【０１８３】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【０１８４】
なお、本発明の電子機器は、図５のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図６の携帯電話機、図７のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
【０１８５】
以上、本発明の導電性材料用組成物、導電性材料、導電層、電子デバイスおよび電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、本発明の電子デバイスは、導電層を正孔輸送層として用いる場合、前述した表示素子（発光素子）の一例である有機ＥＬ素子に適用することができる他、例えば、受光素子（光電変換素子）の一例である太陽電池等に適用することができる。
【０１８６】
また、本発明の電子デバイスは、導電層を有機半導体層として用いる場合、前述したスイッチング素子の一例である有機ＴＦＴに適用することができる他、例えば、半導体素子等に適用することができる。
さらに、本発明の導電層は、上述した正孔輸送層として用いる他、例えば、配線および電極等に適用することができる。そして、この場合、本発明の電子デバイスは、例えば、配線基板等に適用することができる。
【実施例】
【０１８７】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．化合物の合成
まず、以下に示すような化合物（Ａ）〜（Ｗ）を用意した。
＜化合物（Ａ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールを無水ジメチルホルムアミド中で、４−メトキシベンジルブロミドと水素化ナトリウムで処理し、ヒドロキシル基をベンジルエーテル基に変換し保護した。
【０１８８】
次に、その得られた化合物１ｍｏｌを酢酸１５０ｍＬに溶解し、室温で無水酢酸を滴下後、撹拌した。反応終了後、析出した固体をろ過し、水洗後、乾燥した。
次に、４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに施したのと同様の処理により、４−（ｐ−ブロモフェニル）ブタノールから、ヒドロキシル基をベンジルエーテル基に変換し保護した乾燥物（ベンジルエーテル誘導体）を得た。
【０１８９】
次に、４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールから得られたベンジルエーテル誘導体０．３７ｍｏｌ、４−（ｐ−ブロモフェニル）ブタノールから得られたベンジルエーテル誘導体０．６６ｍｏｌ、炭酸カリウム１．１ｍｏｌ、銅粉、ヨウ素を混合し、２００℃で加熱した。放冷後、イソアミルアルコール１３０ｍＬ、純水５０ｍＬ、水酸化カリウム０．７３ｍｏｌを加え撹拌後、乾燥した。
【０１９０】
さらに、そこで得られた化合物１３０ｍｍｏｌ、２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェン６２ｍｍｏｌ、酢酸パラジウム１．３ｍｍｏｌ、ｔ−ブチルホスフィン５．２ｍｍｏｌ、ｔ−ブトキシナトリム２６０ｍｍｏｌ、キシレン７００ｍＬを混合して、１２０℃で撹拌した。その後、放冷し、結晶化した。
その得られた化合物を、Ｐｄ−Ｃ触媒下水素ガスで還元し、ベンジルエーテル基からヒドロキシル基へ変換し脱保護した。
【０１９１】
次に、その化合物１００ｍｍｏｌを５０％水酸化カリウム水溶液中に加え、加熱しながら撹拌した。次に、加圧下（５ＭＰａ）で１５０℃に保ちながら、アセチレンを毎時１ｌの流速で１０時間反応させた後、放冷し結晶化して化合物を得た。
そして、質量スペクトル（ＭＳ）法、1Ｈ−核磁気共鳴（1Ｈ−ＮＭＲ）スペクトル法、13Ｃ−核磁気共鳴（13Ｃ−ＮＭＲ）スペクトル法、およびフーリエ変換赤外吸収（ＦＴ−ＩＲ）スペクトル法により、得られた化合物が下記化合物（Ａ）であることを確認した。
【０１９２】
【化３０】
【０１９３】
＜化合物（Ｂ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて２，５−ビス（２−メチル−４−ヨードフェニル）−チオフェンを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｂ）を得た。
【０１９４】
【化３１】
【０１９５】
＜化合物（Ｃ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに代えて７−（ｐ−アミノフェニル）ヘプタノールを用い、４−（ｐ−ブロモフェニル）ブタノールに代えて７−（ｐ−ブロモフェニル）ヘプタノールを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｃ）を得た。
【０１９６】
【化３２】
【０１９７】
＜化合物（Ｄ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに代えて２−（ｐ−アミノフェニル）エタノールを用い、４−（ｐ−ブロモフェニル）ブタノールに代えて２−（ｐ−ブロモフェニル）エタノールを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｄ）を得た。
【０１９８】
【化３３】
【０１９９】
＜化合物（Ｅ）＞
２−（ｐ−アミノフェニル）エタノールに代えて２−（２’，６’−ジメチル−４’−アミノフェニル）エタノールを用いた以外は、前記化合物（Ｄ）と同様にして、化合物（Ｅ）を得た。
【０２００】
【化３４】
【０２０１】
＜化合物（Ｆ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに代えて８−（ｐ−アミノフェニル）オクタノールを用い、４−（ｐ−ブロモフェニル）ブタノールに代えて８−（ｐ−ブロモフェニル）オクタノールを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｆ）を得た。
【０２０２】
【化３５】
【０２０３】
＜化合物（Ｇ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに代えて８−（ｐ−アミノフェニル）オクタノールを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｇ）を得た。
【０２０４】
【化３６】
【０２０５】
＜化合物（Ｈ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに代えて１−（ｐ−アミノフェニル）メタノールを用い、４−（ｐ−ブロモフェニル）ブタノールに代えて１−（ｐ−ブロモフェニル）メタノールを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｈ）を得た。
【０２０６】
【化３７】
【０２０７】
＜化合物（Ｉ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて５，５’’−ビス（４−ヨードフェニル）−２，２’：５’，２’’−ターチオフェンを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｉ）を得た。
【０２０８】
【化３８】
【０２０９】
＜化合物（Ｊ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて３，５−ジヨード−１，２，４−トリアゾールを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｊ）を得た。
【０２１０】
【化３９】
【０２１１】
＜化合物（Ｋ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて２，５−（４−ヨードフェニル）−１，３，４−オキサジアゾールを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｋ）を得た。
【０２１２】
【化４０】
【０２１３】
＜化合物（Ｌ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて３，３’−ジヨード−１，１’−ビイソベンゾチオフェンを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｌ）を得た。
【０２１４】
【化４１】
【０２１５】
＜化合物（Ｍ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに代えて７−（ｐ−アミノフェニル）ヘプタノールを用い、４−（ｐ−ブロモフェニル）ブタノールに代えて７−（ｐ−ブロモフェニル）ヘプタノールを用いた以外は、前記化合物（Ｌ）と同様にして、化合物（Ｍ）を得た。
【０２１６】
【化４２】
【０２１７】
＜化合物（Ｎ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに代えて２−（ｐ−アミノフェニル）エタノールを用い、４−（ｐ−ブロモフェニル）ブタノールに代えて２−（ｐ−ブロモフェニル）エタノールを用いた以外は、前記化合物（Ｌ）と同様にして、化合物（Ｎ）を得た。
【０２１８】
【化４３】
【０２１９】
＜化合物（Ｏ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに代えて８−（ｐ−アミノフェニル）オクタノールを用い、４−（ｐ−ブロモフェニル）ブタノールに代えて８−（ｐ−ブロモフェニル）オクタノールを用いた以外は、前記化合物（Ｌ）と同様にして、化合物（Ｏ）を得た。
【０２２０】
【化４４】
【０２２１】
＜化合物（Ｐ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに代えて８−（ｐ−アミノフェニル）オクタノールを用いた以外は、前記化合物（Ｌ）と同様にして、化合物（Ｐ）を得た。
【０２２２】
【化４５】
【０２２３】
＜化合物（Ｑ）＞
４−（ｐ−アミノフェニル）ブタノールに代えて１−（ｐ−アミノフェニル）メタノールを用い、４−（ｐ−ブロモフェニル）ブタノールに代えて１−（ｐ−ブロモフェニル）メタノールを用いた以外は、前記化合物（Ｌ）と同様にして、化合物（Ｑ）を得た。
【０２２４】
【化４６】
【０２２５】
＜化合物（Ｒ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて５，５’−ジヨード−２,２’−ビ（３，４−ジオキシエチレンセレノフェン）を用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｒ）を得た。
【０２２６】
【化４７】
【０２２７】
＜化合物（Ｓ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて５，５’’−ジヨード−２，２’：５’，２’’−ターセレノフェンを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｓ）を得た。
【０２２８】
【化４８】
【０２２９】
＜化合物（Ｔ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて５，５’’−ジヨード−３，３’：５’，３’’−ター（４−フェニル−１，２，４−トリアゾール）を用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｔ）を得た。
【０２３０】
【化４９】
【０２３１】
＜化合物（Ｕ）＞
１−アミノ−４−メチルベンゼン１ｍｏｌを酢酸１５０ｍＬに溶解し、室温で無水酢酸を滴下後、撹拌した。反応終了後、析出した固体をろ過し、水洗後、乾燥した。
次に、その得られた物質０．３７ｍｏｌ、１−ブロモ−４−メチルベンゼン０．６６ｍｏｌ、炭酸カリウム１．１ｍｏｌ、銅粉、ヨウ素を混合し、２００℃で加熱した。放冷後、イソアミルアルコール１３０ｍＬ、純水５０ｍＬ、水酸化カリウム０．７３ｍｏｌを加え撹拌後、乾燥した。
【０２３２】
さらに、そこで得られた化合物１３０ｍｍｏｌ、２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェン６２ｍｍｏｌ、酢酸パラジウム１．３ｍｍｏｌ、ｔ−ブチルホスフィン５．２ｍｍｏｌ、ｔ−ブトキシナトリム２６０ｍｍｏｌ、キシレン７００ｍＬを混合して、１２０℃で撹拌した。
その後、放冷し、結晶化して化合物を得た。
そして、質量スペクトル（ＭＳ）法、1Ｈ−核磁気共鳴（1Ｈ−ＮＭＲ）スペクトル法、13Ｃ−核磁気共鳴（13Ｃ−ＮＭＲ）スペクトル法、およびフーリエ変換赤外吸収（ＦＴ−ＩＲ）スペクトル法により、得られた化合物が下記化合物（Ｕ）であることを確認した。
【０２３３】
【化５０】
【０２３４】
＜化合物（Ｖ）＞
下記化合物（Ｖ）として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）（バイエル社製、「バイトロンＰ」）を用意した。
【０２３５】
【化５１】
【０２３６】
＜化合物（Ｗ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて３，５−ジヨード−１，２，４−トリアゾールを用いた以外は、前記化合物（Ｕ）と同様にして、化合物（Ｗ）を得た。
【０２３７】
【化５２】
【０２３８】
２．有機ＥＬ素子の製造
以下の各実施例、各参考例および各比較例において、有機ＥＬ素子を５個ずつ製造した。
（実施例１Ａ）
［正孔輸送材料の調製］
ヘテロアリールアミン誘導体として化合物（Ａ）を、ビニル化合物として前記一般式（３）で表されるポリエチレングリコールジアクリレート（ｍ＝９、２つのＡは、水素結合）を、光重合開始剤として光カチオン重合開始剤（住友スリーエム社製、「ＦＣ−５０８」）をそれぞれ用い、これらのものをジクロロエタンに溶解させて、正孔輸送材料（導電性材料用組成物）を調製した。
なお、化合物（Ａ）とポリエチレングリコールジアクリレートとの混合比をモル比で３：１とし、化合物（Ａ）とポリエチレングリコールジアクリレートとの合計重量と光カチオン重合開始剤の重量との比（重量比）を重量比で９９：１とした。
【０２３９】
［電子輸送材料の調製］
ヘテロアリールアミン誘導体として化合物（Ｊ）を用いた以外は、前記正孔輸送材料と同様にして、電子輸送材料（導電性材料用組成物）を得た。
［有機ＥＬ素子の作製］
−１Ａ− まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板上に、真空蒸着法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
【０２４０】
−２Ａ− 次に、ＩＴＯ電極上に、前記正孔輸送材料を、スピンコート法により塗布し乾燥した。
その後、水銀ランプ（ウシオ電機社製、「ＵＭ−４５２型式」）にフィルターを用いて、乾燥大気中で波長３６５ｎｍ、照射強度４００ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を１０秒間照射後、１１０℃で６０分間加熱することにより、化合物（Ａ）を重合反応させて、平均厚さ５０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
【０２４１】
−３Ａ− 次に、正孔輸送層上に、ポリ（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニル−オルト−コ（アントラセン−９，１０−ジイル）（重量平均分子量２０００００）の１．７ｗｔ％キシレン溶液を、スピンコート法により塗布した後、乾燥して、平均厚さ５０ｎｍの発光層を形成した。
−４Ａ− 次に、前記正孔輸送材料に代えて前記電子輸送材料を用いた以外は、前記工程−２Ａ−と同様にすることにより、化合物（Ｊ）を重合反応させて、平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層を形成した。
−５Ａ− 次に、電子輸送層上に、真空蒸着法により、平均厚さ３００ｎｍのＡｌＬｉ電極（陰極）を形成した。
−６Ａ− 次に、形成した各層を覆うように、ポリカーボネート製の保護カバーを被せ、紫外線硬化性樹脂により固定、封止して、有機ＥＬ素子を完成した。
【０２４２】
（実施例２Ａ〜５Ａ）
化合物（Ａ）とポリエチレングリコールジアクリレートとの混合比（モル比）をそれぞれ表１（Ａ）に示すように変更した以外は、前記実施例１Ａと同様にして、正孔輸送材料および電子輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
（実施例６Ａ〜１９Ａ）
正孔輸送材料および電子輸送材料に用いるヘテロアリールアミン誘導体として表１（Ａ）に示すものをそれぞれ用いた以外は、前記実施例１Ａと同様にして、正孔輸送材料および電子輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
【０２４３】
（参考例１Ａ）
ポリエチレングリコールジアクリレートの添加を省略した以外は、前記実施例１Ａと同様にして、正孔輸送材料および電子輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
（参考例２Ａ〜１５Ａ）
正孔輸送材料および電子輸送材料に用いるヘテロアリールアミン誘導体として表１（Ｂ）に示すものをそれぞれ用いた以外は、前記参考例１Ａと同様にして、正孔輸送材料および電子輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
【０２４４】
（比較例１Ａ）
［正孔輸送材料の調製］
化合物（Ｕ）をキシレンに溶解させて、正孔輸送材料を得た。
［有機ＥＬ素子の作製］
前記工程−２Ａ−において、水銀ランプによる紫外線の照射と加熱処理とを省略して正孔輸送層を形成し、前記工程−４Ａ−において、化合物（Ｗ）を真空蒸着して電子輸送層を形成した以外は、前記実施例１Ａと同様にして、有機ＥＬ素子を製造した。
【０２４５】
（比較例２Ａ）
［正孔輸送材料の調製］
化合物（Ｖ）を水に分散させることにより、２．０ｗｔ％水分散液を調製して、正孔輸送材料を得た。
なお、化合物（Ｖ）としては、３，４−エチレンジオキシチオフェンとスチレンスルホン酸との比率が、重量比で１：２０のものを用いた。
［有機ＥＬ素子の作製］
正孔輸送材料として、前記正孔輸送材料を用いた以外は、前記比較例１Ａと同様にして、有機ＥＬ素子を製造した。
（比較例３Ａ、４Ａ）
正孔輸送材料および電子輸送材料に用いるヘテロアリールアミン誘導体として表１（Ｂ）に示すものをそれぞれ用いた以外は、前記実施例１Ａと同様にして、正孔輸送材料および電子輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
【０２４６】
３．有機ＥＬ素子の評価
各実施例、各参考例および各比較例の有機ＥＬ素子について、それぞれ、発光輝度（ｃｄ／ｍ２）、最大発光効率（ｌｍ／Ｗ）を測定すると共に、発光輝度が初期値の半分になる時間（半減期）を測定した。
また、各測定値は、いずれも、５個の有機ＥＬ素子の平均値を求めた。
なお、発光輝度の測定は、ＩＴＯ電極とＡｌＬｉ電極との間に６Ｖの電圧を印加することで行った。
そして、比較例１Ａで測定された各測定値（発光輝度、最大発光効率、半減期）を基準値として、各実施例、各参考例および各比較例で測定された各測定値を、それぞれ、以下の４段階の基準に従って評価した。
【０２４７】
◎：比較例１Ａの測定値に対し、１．５０倍以上である
○：比較例１Ａの測定値に対し、１．２５倍以上、１．５０倍未満である
△：比較例１Ａの測定値に対し、１．００倍以上、１．２５倍未満である
×：比較例１Ａの測定値に対し、０．７５倍以上、１．００倍未満である
これらの評価結果を、それぞれ、以下の表１（Ａ）および表１（Ｂ）に示す。
【０２４８】
【表１（Ａ）】
【０２４９】
【表１（Ｂ）】
【０２５０】
表１（Ａ）および表１（Ｂ）に示すように、各実施例の有機ＥＬ素子（本発明の導電性材料を主材料とする正孔輸送層と電子輸送層とを備える有機ＥＬ素子）は、いずれも、各比較例の有機ＥＬ素子と比較して、発光輝度、最大発光効率および半減期ともに、優れた結果が得られた。
これにより、本発明の有機ＥＬ素子は、主骨格同士の相互作用が好適に低減されていることが明らかとなった。また、正孔輸送層と発光層との相溶解が好適に防止されていることが明らかとなった。
【０２５１】
また、各実施例の有機ＥＬ素子は、いずれも、各参考例の有機ＥＬ素子と比較して、最大発光効率が改善されている傾向を示した。なお、このような傾向は、前記一般式（１）で表される化合物とビニル化合物との混合比が特に好ましい正孔輸送材料および電子輸送材料により形成されているものほど顕著に認められた。これは、ビニル化合物を添加することにより主骨格の離間距離がより適切な距離に保たれていることを示唆する結果であった。
【０２５２】
また、置換基Ｘを適宜選択することにより、各実施例において、主骨格の離間距離が適切な大きさに保たれているものほど、優れた発光輝度の向上、最大発光効率の向上および半減期の延長を示す結果が得られた。
さらに、正孔輸送層および電子輸送層を構成する導電性材料をそれぞれ適宜選択すること、すなわち、化合物（１）の基Ｙを適宜選択することにより、各実施例において、正孔輸送層と電子輸送層との組み合わせが適切なものほど、優れた発光輝度の向上、最大発光効率の向上および半減期の延長を示す結果が得られた。
【０２５３】
４．有機ＴＦＴの製造
以下の各実施例、各参考例および各比較例において、有機ＴＦＴを５個ずつ製造した。
（実施例１Ｂ）
［有機半導体材料の調製］
ヘテロアリールアミン誘導体として化合物（Ｌ）を用いた以外は、前記実施例１Ａの正孔輸送材料と同様にして、有機半導体材料（導電性材料用組成物）を得た。
【０２５４】
［有機ＴＦＴの製造］
−１Ｂ− まず、平均厚さ１ｍｍのガラス基板を用意し、水（洗浄液）を用いて洗浄した。
次に、ガラス基板上に、スピンコート法によってフォトレジストを塗布した後、プレベーク処理を行うことによって被膜を形成した。
次に、この被膜に対して、フォトマスクを介して紫外線を照射（露光）した後に、現像を行った。これにより、ソース電極およびドレイン電極を形成する領域に開口部を有するレジスト層を形成した。
【０２５５】
−２Ｂ− 次に、この開口部内に、金コロイド水溶液を、インクジェット法により供給した。その後、金コロイド水溶液が供給されたガラス基板を加熱乾燥して、ソース電極およびドレイン電極を得た。
−３Ｂ− 次に、レジスト層を、酸素プラズマ処理によって除去した後、ソース電極およびドレイン電極が形成されたガラス基板を、水およびメタノールで順次洗浄した。
【０２５６】
−４Ｂ− 次に、前記正孔輸送材料に代えて前記有機半導体材料を用いた以外は、前記工程−２Ａ−と同様にすることにより、化合物（Ｌ）を重合反応させて、平均厚さ５０ｎｍの有機半導体層を形成した。
−５Ｂ− 次に、有機半導体層上に、ポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）の酢酸ブチル溶液を、スピンコート法により塗布した後、乾燥させることにより、平均厚さ５００ｎｍのゲート絶縁層を形成した。
−６Ｂ− 次に、ゲート絶縁層上の、ソース電極とドレイン電極との間の領域に対応する部分に、ポリエチレンジオキシチオフェンの水分散液を、インクジェット法により塗布した後乾燥した。これにより、平均厚さ１００ｎｍのゲート電極を形成した。
以上の工程により、有機ＴＦＴを製造した。
【０２５７】
（実施例２Ｂ〜５Ｂ）
化合物（Ｌ）とポリエチレングリコールジアクリレート（ビニル化合物）との混合比（モル比）をそれぞれ表２に示すように変更した以外は、前記実施例１Ｂと同様にして、有機半導体材料の調製を行った後、有機ＴＦＴを製造した。
（実施例６Ｂ〜１３Ｂ）
有機半導体材料に用いるヘテロアリールアミン誘導体として表２に示すものを用いた以外は、前記実施例１Ｂと同様にして、有機半導体材料の調製を行った後、有機ＴＦＴを製造した。
【０２５８】
（参考例１Ｂ）
ポリエチレングリコールジアクリレートの添加を省略した以外は、前記実施例１Ｂと同様にして、有機半導体材料の調製を行った後、有機ＴＦＴを製造した。
（参考例２Ｂ〜９Ｂ）
有機半導体材料に用いるヘテロアリールアミン誘導体として表２に示すものを用いた以外は、前記参考例１Ｂと同様にして、有機半導体材料の調製を行った後、有機ＴＦＴを製造した。
【０２５９】
（比較例１Ｂ）
［有機半導体材料の調製］
化合物（Ｕ）をキシレンに溶解させて、有機半導体材料を得た。
［有機ＴＦＴの作製］
前記工程−４Ｂ−において、水銀ランプによる紫外線の照射と加熱処理とを省略した以外は、前記実施例１Ｂと同様にして、有機ＴＦＴを製造した。
（比較例２Ｂ、３Ｂ）
有機半導体材料に用いるヘテロアリールアミン誘導体として表２に示すものを用いた以外は、前記実施例１Ｂと同様にして、有機半導体材料の調製を行った後、有機ＴＦＴを製造した。
【０２６０】
５．有機ＴＦＴの評価
各実施例、各参考例および各比較例で製造した有機ＴＦＴについて、それぞれ、ＯＦＦ電流、ＯＮ電流の値を測定した。
ここで、ＯＦＦ電流とは、ゲート電圧を印加しないときに、ソース電極とドレイン電極との間に流れる電流の値のことであり、ＯＮ電流とは、ゲート電圧を印加したときに、ソース電極とドレイン電極との間に流れる電流の値のことである。
【０２６１】
したがって、ＯＦＦ電流の絶対値と、ＯＮ電流の絶対値との比（ＯＮ／ＯＦＦ比）の値が大きいもの程、良好な特性を有する有機ＴＦＴであることを意味する。
ＯＦＦ電流は、ソース電極とドレイン電極との電位差を３０Ｖとして測定し、ＯＮ電流は、ソース電極とドレイン電極との電位差を３０Ｖとし、ゲート電圧の絶対値を４０Ｖとして測定した。
そして、各実施例、各参考例および各比較例で測定されたＯＮ／ＯＦＦ比の値を、それぞれ、以下の４段階の基準に従って評価した。
【０２６２】
◎：ＯＮ／ＯＦＦ比の値が、１０４以上である
○：ＯＮ／ＯＦＦ比の値が、１０３以上、１０４未満である
△：ＯＮ／ＯＦＦ比の値が、１０２以上、１０３未満である
×：ＯＮ／ＯＦＦ比の値が、１０２未満である
これらの評価結果を、それぞれ、以下の表２に示す。
【０２６３】
【表２】
【０２６４】
表２に示すように、各実施例の有機ＴＦＴは、いずれも、各比較例の有機ＴＦＴと比較して、ＯＮ／ＯＦＦ比の値が大きく、特性に優れた結果が得られた。
これにより、主骨格同士の相互作用が好適に低減されていることが明らかとなった。また、有機半導体層とゲート絶縁層との相溶解が好適に防止されていることが明らかとなった。
【０２６５】
また、各実施例の有機ＴＦＴは、各参考例の有機ＴＦＴと比較して、ＯＮ／ＯＦＦ比が改善されている傾向を示した。これは、ビニル化合物を添加することにより主骨格の離間距離がより適切な距離に保たれていることを示唆する結果であった。
また、置換基Ｘを適宜選択することにより、各実施例において、主骨格の離間距離が適切な大きさに保たれているものほど、ＯＮ／ＯＦＦ比の値が大きく、良好な特性を示す結果が得られた。
【図面の簡単な説明】
【０２６６】
【図１】有機ＥＬ素子の一例を示した縦断面図である。
【図２】有機ＴＦＴの実施形態を示す図であり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は平面図である。
【図３】図２に示す有機ＴＦＴの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図４】図２に示す有機ＴＦＴの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図５】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図６】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図７】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０２６７】
１……有機ＥＬ素子 ２……基板 ３……陽極 ４……有機ＥＬ層 ４１……正孔輸送層 ４２……発光層 ４３……電子輸送層 ５……陰極 ６……保護層 １０‥‥有機薄膜トランジスタ ２０‥‥基板 ３０‥‥ソース電極 ４０‥‥ドレイン電極 ５０‥‥有機半導体層 ５１０‥‥チャネル領域 ６０‥‥ゲート絶縁層 ７０‥‥ゲート電極 ８０‥‥レジスト層 ８０’‥‥被膜 ８２０‥‥開口部 ９０‥‥液状材料 １１００……パーソナルコンピュータ １１０２……キーボード １１０４……本体部 １１０６……表示ユニット １２００……携帯電話機 １２０２……操作ボタン １２０４……受話口 １２０６……送話口 １３００‥‥ディジタルスチルカメラ １３０２‥‥ケース（ボディー） １３０４‥‥受光ユニット １３０６‥‥シャッタボタン １３０８‥‥回路基板 １３１２‥‥ビデオ信号出力端子 １３１４‥‥データ通信用の入出力端子 １４３０‥‥テレビモニタ １４４０‥‥パーソナルコンピュータ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される化合物と、該化合物同士を前記置換基Ｘ１、前記置換基Ｘ２、前記置換基Ｘ３および前記置換基Ｘ４のいずれかにおいて架橋する架橋剤としてのビニル化合物とを含有することを特徴とする導電性材料用組成物。
【化１】
［式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は、それぞれ独立して、下記一般式（２）で表される置換基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、８つのＲは、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、Ｙは、置換もしくは無置換の複素環を少なくとも１つ含む基を表す。］
【化２】
［式中、ｎは、２〜８の整数を表す。］
【請求項２】
前記ビニル化合物は、前記置換基Ｘと反応し得る反応基を少なくとも２つ有するものである請求項１に記載の導電性材料用組成物。
【請求項３】
前記ビニル化合物は、２つの前記反応基の間に位置し、これらの反応基の間の距離を規制する規制部を有するものである請求項２に記載の導電性材料用組成物。
【請求項４】
前記規制部は、直鎖状をなしている請求項３に記載の導電性材料用組成物。
【請求項５】
前記規制部を構成する原子のうち、直鎖状に連結するものの個数は、９〜５０である請求項４に記載の導電性材料用組成物。
【請求項６】
前記ビニル化合物は、下記一般式（３）で表されるポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレートを主成分とするものである請求項５に記載の導電性材料用組成物。
【化３】
［式中、ｍは、３〜１５の整数を表し、２つのＡは、それぞれ独立して、水素原子またはメチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
【請求項７】
前記置換基Ｘ１と前記置換基Ｘ３とは、同一である請求項１に記載の導電性材料用組成物。
【請求項８】
前記置換基Ｘ２と前記置換基Ｘ４とは、同一である請求項１または２に記載の導電性材料用組成物。
【請求項９】
前記置換基Ｘ１、前記置換基Ｘ２、前記置換基Ｘ３および前記置換基Ｘ４は、同一である請求項１ないし３のいずれかに記載の導電性材料用組成物。
【請求項１０】
前記置換基Ｘ１、前記置換基Ｘ２、前記置換基Ｘ３および前記置換基Ｘ４は、それぞれが結合するベンゼン環の３位、４位または５位のうちのいずれかに結合している請求項１ないし４のいずれかに記載の導電性材料用組成物。
【請求項１１】
前記複素環は、窒素、酸素、硫黄、セレンおよびテルルのうちの少なくとも１種のヘテロ原子を含有する請求項１ないし５のいずれかに記載の導電性材料用組成物。
【請求項１２】
前記複素環は、芳香族系のものである請求項１ないし６のいずれかに記載の導電性材料用組成物。
【請求項１３】
前記基Ｙは、複素環を１〜５つ含むものである請求項１ないし７のいずれかに記載の導電性材料用組成物。
【請求項１４】
前記基Ｙは、前記複素環以外に、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環を少なくとも１つ含む請求項１ないし８のいずれかに記載の導電性材料用組成物。
【請求項１５】
前記基Ｙは、前記一般式（１）中の各Ｎにそれぞれ、直接結合する前記芳香族炭化水素環と、これらの芳香族炭化水素環の間に存在する少なくとも１つの前記複素環とを含む請求項９に記載の導電性材料用組成物。
【請求項１６】
前記基Ｙの総炭素数は、２〜７５である請求項１ないし１０のいずれかに記載の導電性材料用組成物。
【請求項１７】
下記一般式（１）で表される化合物同士を置換基Ｘ１、置換基Ｘ２、置換基Ｘ３および置換基Ｘ４のいずれかにおいて、直接、または前記化合物同士を架橋し得る架橋剤としてのビニル化合物を介して重合反応させて得られることを特徴とする導電性材料。
【化４】
［式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は、それぞれ独立して、下記一般式（２）で表される置換基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、８つのＲは、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、Ｙは、置換もしくは無置換の複素環を少なくとも１つ含む基を表す。］
【化５】
［式中、ｎは、２〜８の整数を表す。］
【請求項１８】
前記化合物および前記ビニル化合物は、光照射により重合反応する請求項１７に記載の導電性材料。
【請求項１９】
請求項１ないし１６のいずれかに記載の導電性材料用組成物を用いて形成されたことを特徴とする導電層。
【請求項２０】
請求項１７または１８に記載の導電性材料を主材料とすることを特徴とする導電層。
【請求項２１】
前記導電層は、正孔輸送層である請求項１９または２０に記載の導電層。
【請求項２２】
前記正孔輸送層の平均厚さは、１０〜１５０ｎｍである請求項２１に記載の導電層。
【請求項２３】
前記導電層は、電子輸送層である請求項１９または２０に記載の導電層。
【請求項２４】
前記電子輸送層の平均厚さは、１〜１００ｎｍである請求項２３に記載の導電層。
【請求項２５】
前記導電層は、有機半導体層である請求項１９または２０に記載の導電層。
【請求項２６】
前記有機半導体層の平均厚さは、０．１〜１０００ｎｍである請求項２５に記載の導電層。
【請求項２７】
請求項１９ないし２６のいずれかに記載の導電層を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２８】
請求項２１ないし２４のいずれかに記載の導電層を有する積層体を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２９】
前記電子デバイスは、発光素子または光電変換素子である請求項２８に記載の電子デバイス。
【請求項３０】
前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子である請求項２９に記載の電子デバイス。
【請求項３１】
請求項２５または２６に記載の導電層を有する積層体を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項３２】
前記電子デバイスは、スイッチング素子である請求項３１に記載の電子デバイス。
【請求項３３】
前記スイッチング素子は、有機薄膜トランジスタである請求項３２に記載の電子デバイス。
【請求項３４】
請求項２７ないし３３のいずれかに記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
下記一般式（１）で表される化合物と、該化合物同士を前記置換基Ｘ１、前記置換基Ｘ２、前記置換基Ｘ３および前記置換基Ｘ４のいずれかにおいて架橋する架橋剤としてのビニル化合物とを含有することを特徴とする導電性材料用組成物。
【化１】
［式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は、それぞれ独立して、下記一般式（２）で表される置換基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、８つのＲは、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、Ｙは、置換もしくは無置換の複素環を少なくとも１つ含む基を表す。］
【化２】
［式中、ｎは、２〜８の整数を表す。］
【請求項２】
前記ビニル化合物は、前記置換基Ｘと反応し得る反応基を少なくとも２つ有するものである請求項１に記載の導電性材料用組成物。
【請求項３】
前記ビニル化合物は、２つの前記反応基の間に位置し、これらの反応基の間の距離を規制する規制部を有するものである請求項２に記載の導電性材料用組成物。
【請求項４】
前記規制部は、直鎖状をなしている請求項３に記載の導電性材料用組成物。
【請求項５】
前記規制部を構成する原子のうち、直鎖状に連結するものの個数は、９〜５０である請求項４に記載の導電性材料用組成物。
【請求項６】
前記ビニル化合物は、下記一般式（３）で表されるポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレートを主成分とするものである請求項５に記載の導電性材料用組成物。
【化３】
［式中、ｍは、３〜１５の整数を表し、２つのＡは、それぞれ独立して、水素原子またはメチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
【請求項７】
前記置換基Ｘ１と前記置換基Ｘ３とは、同一である請求項１に記載の導電性材料用組成物。
【請求項８】
前記置換基Ｘ２と前記置換基Ｘ４とは、同一である請求項１または２に記載の導電性材料用組成物。
【請求項９】
前記置換基Ｘ１、前記置換基Ｘ２、前記置換基Ｘ３および前記置換基Ｘ４は、同一である請求項１ないし３のいずれかに記載の導電性材料用組成物。
【請求項１０】
前記置換基Ｘ１、前記置換基Ｘ２、前記置換基Ｘ３および前記置換基Ｘ４は、それぞれが結合するベンゼン環の３位、４位または５位のうちのいずれかに結合している請求項１ないし４のいずれかに記載の導電性材料用組成物。
【請求項１１】
前記複素環は、窒素、酸素、硫黄、セレンおよびテルルのうちの少なくとも１種のヘテロ原子を含有する請求項１ないし５のいずれかに記載の導電性材料用組成物。
【請求項１２】
前記複素環は、芳香族系のものである請求項１ないし６のいずれかに記載の導電性材料用組成物。
【請求項１３】
前記基Ｙは、複素環を１〜５つ含むものである請求項１ないし７のいずれかに記載の導電性材料用組成物。
【請求項１４】
前記基Ｙは、前記複素環以外に、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環を少なくとも１つ含む請求項１ないし８のいずれかに記載の導電性材料用組成物。
【請求項１５】
前記基Ｙは、前記一般式（１）中の各Ｎにそれぞれ、直接結合する前記芳香族炭化水素環と、これらの芳香族炭化水素環の間に存在する少なくとも１つの前記複素環とを含む請求項９に記載の導電性材料用組成物。
【請求項１６】
前記基Ｙの総炭素数は、２〜７５である請求項１ないし１０のいずれかに記載の導電性材料用組成物。
【請求項１７】
下記一般式（１）で表される化合物同士を置換基Ｘ１、置換基Ｘ２、置換基Ｘ３および置換基Ｘ４のいずれかにおいて、直接、または前記化合物同士を架橋し得る架橋剤としてのビニル化合物を介して重合反応させて得られることを特徴とする導電性材料。
【化４】
［式中、Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３およびＸ４は、それぞれ独立して、下記一般式（２）で表される置換基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、８つのＲは、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、Ｙは、置換もしくは無置換の複素環を少なくとも１つ含む基を表す。］
【化５】
［式中、ｎは、２〜８の整数を表す。］
【請求項１８】
前記化合物および前記ビニル化合物は、光照射により重合反応する請求項１７に記載の導電性材料。
【請求項１９】
請求項１ないし１６のいずれかに記載の導電性材料用組成物を用いて形成されたことを特徴とする導電層。
【請求項２０】
請求項１７または１８に記載の導電性材料を主材料とすることを特徴とする導電層。
【請求項２１】
前記導電層は、正孔輸送層である請求項１９または２０に記載の導電層。
【請求項２２】
前記正孔輸送層の平均厚さは、１０〜１５０ｎｍである請求項２１に記載の導電層。
【請求項２３】
前記導電層は、電子輸送層である請求項１９または２０に記載の導電層。
【請求項２４】
前記電子輸送層の平均厚さは、１〜１００ｎｍである請求項２３に記載の導電層。
【請求項２５】
前記導電層は、有機半導体層である請求項１９または２０に記載の導電層。
【請求項２６】
前記有機半導体層の平均厚さは、０．１〜１０００ｎｍである請求項２５に記載の導電層。
【請求項２７】
請求項１９ないし２６のいずれかに記載の導電層を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２８】
請求項２１ないし２４のいずれかに記載の導電層を有する積層体を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２９】
前記電子デバイスは、発光素子または光電変換素子である請求項２８に記載の電子デバイス。
【請求項３０】
前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子である請求項２９に記載の電子デバイス。
【請求項３１】
請求項２５または２６に記載の導電層を有する積層体を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項３２】
前記電子デバイスは、スイッチング素子である請求項３１に記載の電子デバイス。
【請求項３３】
前記スイッチング素子は、有機薄膜トランジスタである請求項３２に記載の電子デバイス。
【請求項３４】
請求項２７ないし３３のいずれかに記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２００７−１２９１１８（Ｐ２００７−１２９１１８Ａ）
【公開日】平成１９年５月２４日（２００７．５．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３２１８２２（Ｐ２００５−３２１８２２）
【出願日】平成１７年１１月７日（２００５．１１．７）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年５月２４日（２００７．５．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１１月７日（２００５．１１．７）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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