導電性材料用組成物、導電性材料、導電層、電子デバイスおよび電子機器
【課題】キャリア輸送能の優れた導電層を形成することができる導電性材料用組成物を提供する。
【解決手段】導電性材料用組成物は、下記式で表される化合物を含有する。
［Ｘは下記式で表される置換基を表す。Ｙは２価の芳香族基を表す。］
【解決手段】導電性材料用組成物は、下記式で表される化合物を含有する。
［Ｘは下記式で表される置換基を表す。Ｙは２価の芳香族基を表す。］
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性材料用組成物、導電性材料、導電層、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機材料を使用したエレクトロルミネッセンス素子（以下、単に「有機ＥＬ素子」という。）は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子（発光素子）としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。
一般に、有機ＥＬ素子は、陰極と陽極との間に発光層を有する構成であり、陰極と陽極との間に電界を印加すると、発光層に陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。
【０００３】
そして、注入された電子と正孔とが発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際の励起エネルギーを光エネルギーとして放出することにより、発光層が発光する。
このような有機ＥＬ素子において、有機ＥＬ素子の高効率化、すなわち、高い発光を得るためには、電子または正孔のキャリア輸送性の異なる有機材料で構成される有機層を、発光層と、陰極および／または陽極との間に積層する素子構造が有効であることが判っている。
【０００４】
そこで、キャリア輸送特性の異なる発光層と有機層と（以下、これらを併せて「有機層」という。）を電極上に積層する必要があるが、従来の塗布法を用いる製造方法においては、有機層を積層する際に、隣接する有機層との間で相溶解が生じ、その結果として、有機ＥＬ素子としての発光効率、発色の色純度またはパターン精度が悪くなる等の特性が低下するという問題があった。
【０００５】
そのため、有機層を積層する場合には、有機材料として溶解性の異なるものを組み合わせて用いることにより、積層するのに限られていた。
このような問題点を解決する方法として、下層となる有機層を構成する有機材料同士を重合化させることにより、下層の耐久性すなわち耐溶剤性を向上させる方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
また、下層となる有機層を構成する有機材料に硬化性樹脂を添加し、この硬化性樹脂と一緒に硬化させることによって、下層の耐溶剤性を向上させる方法も開示されている（例えば、特許文献２参照。）。
しかしながら、これらのような方法を用いた場合においても、有機ＥＬ素子の特性の向上は、期待するほど得られていないのが実情である。
また、このような問題は、有機材料を使用した薄膜トランジスタにおいても同様に生じている。
【０００７】
【特許文献１】特開平９−２５５７７４号公報
【特許文献２】特開２０００−２０８２５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、キャリア輸送能の優れた導電層を形成することができる導電性材料用組成物、かかる導電性材料用組成物を用いて得られたキャリア輸送能の優れた導電性材料、かかる導電性材料を主材料とする導電層、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の導電性材料用組成物は、下記一般式（Ａ１）で表される化合物を含有することを特徴とする。
【化１】
［式中、２つのＸは、下記一般式（Ｂ１）〜（Ｂ４）で表される置換基のうちのいずれかを表す。ただし、２つのＸは、その炭素数は、同一であっても、異なっていてもよい。２つのＲ１は、それぞれ独立して、置換または無置換の一価の芳香族基（ただし、フェニル基を除く。）を表す。４つのＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表す。Ｙは、置換または無置換の下記一般式（Ｃ１）〜（Ｃ３）のうちのいずれかで表される２価の芳香族基を表す。］
【化２】
［これらの式中、ｎ１は、２〜８の整数を表し、ｎ２は、３〜８の整数を表し、ｎ３は、３〜８の整数を表す。ｍ１は、０〜３の整数を表し、ｍ２は、０〜２の整数を表す。Ｚ１は、水素原子またはメチル基を表し、Ｚ２は、水素原子、メチル基またはエチル基を表す。］
【化３】
［これらの式中、ｎ４は、１〜３の整数を表す。］
これにより、前記一般式（Ａ１）で表される化合物の置換基Ｘ以外の部分である主骨格同士による相互作用を好適に防止して、置換基Ｘを重合反応させて得られた高分子（導電性材料）を優れたキャリア輸送能を発揮するものとすることができる。
【００１０】
本発明の導電性材料用組成物では、２つの前記置換基Ｘは、その炭素数が同一であることが好ましい。
これにより、隣接する主骨格同士の離間距離をほぼ一定とすることができる。その結果、この高分子中において電子密度に偏りが生じるのを好適に防止することができ、高分子のキャリア輸送能を確実に向上させることができる。
本発明の導電性材料用組成物では、前記置換基Ｘは、ベンゼン環の３位、４位または５位のうちのいずれかに結合していることが好ましい。
これにより、隣接する主骨格同士をより確実に離間させることができる。
【００１１】
本発明の導電性材料用組成物では、２つの前記置換基Ｒ１は、同一であることが好ましい。
これにより、主骨格の共役系の化学構造における電子密度の偏り、すなわち、π電子の局在化を好適に防止しつつ、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）等を確実に変化させることができ、その結果、高分子のキャリア輸送能の特性が変化することとなる。
【００１２】
本発明の導電性材料用組成物では、前記置換基Ｒ１の総炭素数は、２〜３０であることが好ましい。
置換基Ｒ１の総炭素数をかかる範囲内とすることにより、主骨格における平面性を保つことができ、高分子におけるキャリア輸送能が低下するのを確実に防止しつつ、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）等を確実に変化させることができる。
【００１３】
本発明の導電性材料用組成物では、前記置換基Ｒ１は、単環系または縮合多環系の芳香族基であることが好ましい。
これにより、主骨格における平面性をより確実に保持しつつ、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）等をより確実に変化させることができる。
【００１４】
本発明の導電性材料は、下記一般式（Ａ１）で表される化合物同士を置換基Ｘにおいて重合反応させて得られることを特徴とする。
【化４】
［式中、２つのＸは、下記一般式（Ｂ１）〜（Ｂ４）で表される置換基のうちのいずれかを表す。ただし、２つのＸは、その炭素数は、同一であっても、異なっていてもよい。２つのＲ１は、それぞれ独立して、置換または無置換の一価の芳香族基（ただし、フェニル基を除く。）を表す。４つのＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表す。Ｙは、置換または無置換の下記一般式（Ｃ１）〜（Ｃ３）のうちのいずれかで表される２価の芳香族基を表す。］
【化５】
［これらの式中、ｎ１は、２〜８の整数を表し、ｎ２は、３〜８の整数を表し、ｎ３は、３〜８の整数を表す。ｍ１は、０〜３の整数を表し、ｍ２は、０〜２の整数を表す。Ｚ１は、水素原子またはメチル基を表し、Ｚ２は、水素原子、メチル基またはエチル基を表す。］
【化６】
［これらの式中、ｎ４は、１〜３の整数を表す。］
これにより、優れたキャリア輸送能を有する導電性材料とすることができる。
【００１５】
本発明の導電性材料では、２つの前記置換基Ｘは、その炭素数が同一であることが好ましい。
これにより、隣接する主骨格同士の離間距離をほぼ一定とすることができる。その結果、この高分子中において電子密度に偏りが生じるのを好適に防止することができ、高分子のキャリア輸送能を確実に向上させることができる。
本発明の導電性材料では、前記置換基Ｘは、ベンゼン環の３位、４位または５位のうちのいずれかに結合していることが好ましい。
これにより、隣接する主骨格同士をより確実に離間させることができる。
【００１６】
本発明の導電性材料では、２つの前記置換基Ｒ１は、同一であることが好ましい。
これにより、主骨格の共役系の化学構造における電子密度の偏り、すなわち、π電子の局在化を好適に防止しつつ、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）等を確実に変化させることができ、その結果、高分子のキャリア輸送能の特性が変化することとなる。
【００１７】
本発明の導電性材料では、前記置換基Ｒ１の総炭素数は、２〜３０であることが好ましい。
置換基Ｒ１の総炭素数をかかる範囲内とすることにより、主骨格における平面性を保つことができ、高分子におけるキャリア輸送能が低下するのを確実に防止しつつ、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）等を確実に変化させることができる。
【００１８】
本発明の導電性材料では、前記置換基Ｒ１は、単環系または縮合多環系の芳香族基であることが好ましい。
これにより、主骨格における平面性をより確実に保持しつつ、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）等をより確実に変化させることができる。
【００１９】
本発明の導電性材料では、前記化合物は、光照射により重合反応することが好ましい。
光照射によれば、高分子化させる領域および程度を比較的容易に選択することができる。
本発明の導電層は、本発明の導電性材料用組成物を用いて形成されたことを特徴とする。
これにより、キャリア輸送能に優れる導電層を形成することができる。
【００２０】
本発明の導電層は、本発明の導電性材料を主材料とすることを特徴とする。
これにより、キャリア輸送能に優れる導電層を形成することができる。
本発明の導電層では、前記導電層は、正孔輸送層であることが好ましい。
これにより、正孔輸送能に優れる正孔輸送層を形成することができる。
本発明の導電層では、前記正孔輸送層の平均厚さは、１０〜１５０ｎｍであることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができる導電層とすることができる。
【００２１】
本発明の導電層は、有機半導体層であることが好ましい。
これにより、優れた半導体特性を示す有機半導体層を形成することができる。
本発明の導電層では、前記有機半導体層の平均厚さは、０．１〜１０００ｎｍであることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機薄膜トランジスタを得ることができる導電層とすることができる。
【００２２】
本発明の電子デバイスは、本発明の導電層を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明の電子デバイスは、本発明の導電層を有する積層体を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明の電子デバイスでは、前記電子デバイスは、発光素子または光電変換素子であることが好ましい。
これにより、信頼性の高い発光素子および光電変換素子が得られる。
【００２３】
本発明の電子デバイスでは、前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子が得られる。
本発明の電子デバイスは、本発明の導電層を有する積層体を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
【００２４】
本発明の電子デバイスは、スイッチング素子であることが好ましい。
これにより、信頼性の高いスイッチング素子が得られる。
本発明の電子デバイスでは、前記スイッチング素子は、有機薄膜トランジスタであることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機薄膜トランジスタが得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の導電性材料用組成物、導電性材料、導電層、電子デバイスおよび電子機器を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜導電層＞
まず、本発明の導電性材料を主材料として構成される導電層（本発明の導電層）について説明する。
【００２６】
本発明の導電性材料は、下記一般式（Ａ１）で表される化合物（アリールアミン誘導体）同士を置換基Ｘにおいて重合反応させて得られた高分子（ポリマー）、すなわち、置換基Ｘ以外の主骨格（アリールアミン骨格）同士を、置換基Ｘが反応して生成した化学構造（以下、この化学構造を「連結構造」という。）により連結してなる高分子を主成分とするものである。
【００２７】
【化７】
［式中、２つのＸは、下記一般式（Ｂ１）〜（Ｂ４）で表される置換基のうちのいずれかを表す。ただし、２つのＸは、その炭素数は、同一であっても、異なっていてもよい。２つのＲ１は、それぞれ独立して、置換または無置換の一価の芳香族基（ただし、フェニル基を除く。）を表す。４つのＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表す。Ｙは、置換または無置換の下記一般式（Ｃ１）〜（Ｃ３）のうちのいずれかで表される２価の芳香族基を表す。］
【００２８】
【化８】
［これらの式中、ｎ１は、２〜８の整数を表し、ｎ２は、３〜８の整数を表し、ｎ３は、３〜８の整数を表す。ｍ１は、０〜３の整数を表し、ｍ２は、０〜２の整数を表す。Ｚ１は、水素原子またはメチル基を表し、Ｚ２は、水素原子、メチル基またはエチル基を表す。］
【００２９】
【化９】
［これらの式中、ｎ４は、１〜３の整数を表す。］
【００３０】
ここで、このような高分子では、連結構造を介して前記主骨格が繰り返して結合する構成、すなわち、主骨格が所定の距離を離間して繰り返し存在している構成となっていることから、隣接する主骨格同士の相互作用が低減する。
また、前記主骨格は、共役系の化学構造を有し、その特有な電子雲の広がりにより、高分子における円滑なキャリア輸送に寄与する。
【００３１】
このようなことから、この高分子は、優れたキャリア輸送能を発揮し、かかる高分子を主材料とする層は、キャリア輸送能に優れたものとなる。
なお、このような高分子において、主骨格同士の離間距離が短くなり過ぎると、隣接する主骨格同士の相互作用が大きくなる傾向を示し、主骨格の離間距離が長くなり過ぎると、主骨格同士間におけるキャリアの受け渡しが困難となり、高分子のキャリア輸送能が低減する傾向を示す。
【００３２】
かかる観点から、置換基Ｘの構造を設定するのが好ましく、２つの置換基Ｘは上記一般式（Ｂ１）〜（Ｂ４）のうち同種のものが選択されるが、置換基Ｘとして上記一般式（Ｂ１）または（Ｂ２）のものを選択した場合には、ｎ１が２〜８、特に３〜６の直鎖状の炭素−炭素結合のものが好ましい。また、上記一般式（Ｂ３）のものを選択した場合には、ｎ２が３〜８、および、ｍ１が０〜３の直鎖状の炭素−炭素結合のものが好ましく、特にｎ２が４〜６、および、ｍ１が１または２の直鎖状の炭素−炭素結合のものが好ましい。さらに、上記一般式（Ｂ４）のものを選択した場合には、ｎ３が３〜６、および、ｍ２が０〜２の直鎖状の炭素−炭素結合のものが好ましく、特にｎ３が３〜６、および、ｍ２が０の直鎖状の炭素−炭素結合のものが好ましい。
【００３３】
かかる関係を満足するより、主骨格同士の距離を適度に保つことが可能となり、高分子中において、隣接する主骨格同士の相互作用をより確実に低減することができるとともに、主骨格同士間におけるキャリアの受け渡しがより確実に行われることから、高分子のキャリア輸送能が優れたものとなる。
ここで、置換基Ｘとして（Ｂ１）、（Ｂ２）および（Ｂ４）のものを選択した場合には、その末端に、それぞれ、（メタ）アクリロイル基、エポキシ基、ビニルエーテル基に置換基Ｚ２を導入したビニルエーテル誘導体基が存在する。（メタ）アクリロイル基、エポキシ基およびビニルエーテル誘導体基は、高い反応性および結合安定性を有することから、比較的容易に置換基Ｘ同士を重合反応させて、鎖長の長い高分子を形成することができる。
【００３４】
さらに、（メタ）アクリロイル基を用いて重合反応させることにより生じた連結構造中には、酸素原子と炭素原子との内に二重結合（π結合）が２つ存在することとなる。これにより、主骨格同士の距離が比較的長くなった場合においても、２つのπ結合（共役系の結合）を介して、主骨格同士間におけるキャリアの受け渡しを確実に行うことができる。また、この２つのπ結合と主骨格との間には直鎖状の炭素−炭素結合（アルキレン基）が存在することから、主骨格同士の相互作用の増強を防止することができる。
【００３５】
エポキシ基またはビニルエーテル誘導体基を用いて重合反応させることにより生じた連結構造中には、エーテル結合と、直鎖状の炭素−炭素結合（アルキレン基）とが存在することとなる。このような構造を有する連結構造中においては、電子の移動が抑制されることとなる。これにより、主骨格同士の距離が比較的短くなった場合においても、主骨格同士の相互作用が増強するのを防止または抑制することができる。
【００３６】
なお、例えば、ベンゼン環のように、π結合の中でも共役系の結合が多い構造が存在すると、この構造を介して隣接する主骨格同士が相互作用を及ぼすようになり、主骨格同士を離間することによる効果が相殺されてしまう。
ところで、置換基Ｘとして（Ｂ３）のものを選択した場合には、置換基Ｘが、上記一般式（Ｂ３）に示すように、その末端に官能基として、スチレン基に置換基Ｚ２を導入したスチレン誘導体基を有していることから、連結構造中には、ベンゼン環が存在することとなる。
【００３７】
そのため、ベンゼン環と共役系の化学構造を有する主骨格とが接近しすぎる場合、例えば、ベンゼン環と主骨格とがエーテル結合により結合している場合や、ｎ２とｍ１との合計数が２の場合等では、このベンゼン環を介して隣接する主骨格同士が相互作用を及ぼすようになる。
ところが、この高分子では、主骨格とこのベンゼン環との結合がｎ２とｍ１との合計数が３以上、すなわち３つ以上のメチレン基とエーテル結合とを介して形成される。これにより、主骨格とベンゼン環との離間距離が好適な状態に保たれることとなる。その結果、隣接する主骨格同士が相互作用を及ぼしあうのを好適に抑制または防止にすることができる。
なお、置換基（Ｂ３）および置換基（Ｂ４）に含まれる置換基Ｚ２は、水素原子、メチル基またはエチル基であるが、置換基Ｚ２は、ｎ２とｍ１またはｎ３とｍ２との合計数、すなわちメチレン基の合計数に応じて選択するようにすればよい。
【００３８】
例えば、前記合計数が小さい場合には、置換基Ｚ２としては、メチル基またはエチル基を選択するようにすればよい。ここで、メチル基とエチル基が電子供与性の置換基であることから、置換基Ｚ２として、メチル基およびエチル基を選択することにより、電子を主骨格側に偏らせることができる。その結果、ベンゼン環を介して隣接する主骨格同士が相互作用を及ぼすようになるのを好適に防止することができる。
【００３９】
また、２つの置換基Ｘは、その炭素数がほぼ同一のものであるのが好ましく、同一のものであるのがより好ましい。これにより、隣接する主骨格同士の離間距離をほぼ一定とすることができる。その結果、この高分子中において電子密度に偏りが生じるのを好適に防止することができ、高分子のキャリア輸送能を確実に向上させることができる。
また、置換基Ｘは、ベンゼン環の２位から６位のいかなる位置に結合してもよいが、特に、３位、４位または５位のうちのいずれかに結合しているのが好ましい。これにより、隣接する主骨格同士の結合を置換基Ｘを介して行うことの効果をより顕著に発揮させることができる。すなわち、隣接する主骨格同士をより確実に離間させることができる。
【００４０】
次に、高分子において、キャリアの輸送に寄与する主骨格について説明する。
また、基（結合基）Ｙは、置換または無置換の下記一般式（Ｃ１）〜（Ｃ３）のうちのいずれかで表される２価の芳香族基である。基Ｙをかかる化学構造を備える２価の芳香族基で構成することにより、主骨格における電子雲の広がりが安定化して、主骨格に優れたキャリア輸送能を付与することができる。その結果、高分子は、優れたキャリア輸送能を発揮するものとなる。
【００４１】
なお、ｎ４は、１〜３の範囲内に設定される。ｎ４をかかる範囲内に設定することにより、主骨格における平面性を保つことができ、前述したような効果を確実に得ることができる。
ここで、この化合物（Ａ１）において、置換基Ｒ１をフェニル基で構成すると、この化合物（Ａ１）同士を置換基Ｘにおいて重合反応させることにより得られた高分子は、正孔輸送性を示すものとなる。
【００４２】
これに対して、置換基Ｒ１を、フェニル基に代えて、置換または無置換の一価の芳香族基（ただし、フェニル基を除く。）で構成することにより、得られる高分子におけるキャリア輸送能の特性を容易に調整することができる。すなわち、置換または無置換の一価の芳香族基の種類を適宜選択することにより、例えば、本発明の導電層を後述するような有機エレクトロルミネッセンス素子が備える正孔輸送層に適用して、類似する骨格を備えかつ異なる発光特性を有する発光材料に対して、最適なキャリア注入バランスを実現させる必要がある場合、すなわち、正孔輸送材料と発光材料との組み合わせを考慮してこの正孔輸送材料のキャリア輸送能を制御する（変化させる）必要がある場合において、高分子（正孔輸送材料）におけるキャリア輸送能の特性を比較的容易に変化させることができる。
これは、キャリア輸送に寄与する主骨格における電子雲の広がり（電子の分布状態）が変化することに伴って、高分子において、例えば、その価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等が変化することに起因すると考えられる。
【００４３】
なお、基Ｙを上記一般式（Ｃ１）〜（Ｃ３）で構成するのに代えて、これら以外の２価の芳香族複素環で構成することによっても、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）等を変化させることができるが、本発明のように、置換基Ｒ１の種類を、フェニル基を除く置換または無置換の一価の芳香族基から適宜選択する構成とすることにより、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）等を比較的小さく変化させることができる。
【００４４】
このような化合物（Ａ１）において、２つの置換基Ｒ１は、その炭素数がほぼ同一のものであるのが好ましく、同一のものであるのがより好ましい。これにより、主骨格の共役系の化学構造における電子密度の偏り、すなわち、π電子の局在化を好適に防止しつつ、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）等をより確実に変化させることができ、その結果、高分子のキャリア輸送能の特性がより確実に変化することとなる。
【００４５】
また、置換基Ｒ１の総炭素数は、２〜３０であるのが好ましく、２〜１５であるのがより好ましい。置換基Ｒ１の総炭素数をかかる範囲内とすることにより、主骨格における平面性を保つことができ、高分子におけるキャリア輸送能が低下するのを確実に防止しつつ、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）等を確実に変化させることができる。
【００４６】
置換基Ｒ１は、単環系または縮合多環系の芳香族環であるのが好ましい。これにより、主骨格における平面性をより確実に保持しつつ、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）等をより確実に変化させることができる。
これらのことを考慮すると、置換基Ｒ１すなわち置換または無置換の一価の芳香族基としては、例えば、下記化学式（Ｄ１）〜（Ｄ９）で表されるものが特に好ましい構造である。
【００４７】
【化１０】
［これらの式中、Ｑ１は、Ｎ−Ｔ１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ１は、Ｈ、ＣＨ３またはＰｈを表す。）を表す。Ｑ２は、Ｎ−Ｔ３、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ３は、Ｈ、ＣＨ３、Ｃ２Ｈ５またはＰｈを表す。）を表す。］
【００４８】
これらの内、例えば、置換基Ｒ１として、上記化学式（Ｄ１）、（Ｄ３）〜（Ｄ８）（ただし、Ｑ２がＳ、ＳｅまたはＴｅの場合）のうちのいずれかを選択した場合、置換基Ｒ１をフェニル基で構成する場合に対して、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位を上げる方向に変化させることができる。
一方、置換基Ｒ１として、上記化学式（Ｄ２）、（Ｄ５）、（Ｄ６）、（Ｄ８）および（Ｄ９）（ただし、Ｑ２がＮ-Ｔ３またはＯの場合）のうちのいずれかを選択した場合、その骨格由来の電子吸引性効果により、置換基Ｒ１をフェニル基で構成する場合に対して、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位を下げる方向に変化させることができる。
【００４９】
なお、同一の置換基Ｒ１を選択した場合であっても、置換基Ｒ１と、この置換基Ｒ１が結合する窒素原子との置換（結合）位置を適宜選択することによっても高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位、さらにバンドギャップ（禁止帯幅）等を変化させることができる。
以上のように、置換基Ｒ１の化学構造や置換位置を適宜設定することにより、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）等を、その用途に合わせて比較的容易に変化させる（制御する）ことができる。
【００５０】
また、置換基Ｒ１には、主骨格における平面性が大きく阻害されないような置換基が導入されていてもよい。このような置換基としては、例えば、アルキル基やハロゲン基等が挙げられる。
また、置換基Ｒ２は、水素原子、メチル基またはエチル基であり、置換基Ｒ２は、置換基Ｘの炭素数に応じて選択するようにすればよい。例えば、置換基Ｘの炭素数が大きい場合には、置換基Ｒ２としては、水素原子を選択し、置換基Ｘの炭素数が小さい場合には、置換基Ｒ２としては、メチル基またはエチル基を選択するようにすればよい。
【００５１】
ところで、置換基Ｘ同士の間で重合反応を進行させて高分子を得る際に、この置換基Ｘ同士の重合反応に架橋剤を介在させるようにしてもよい。これにより、置換基Ｘとして、その炭素数が比較的小さいもの、換言すれば、その鎖長が比較的短いものを選択した場合においても、主骨格同士の離間距離が小さくなりすぎるのを好適に防止して、主骨格同士の相互作用の増強を確実に防止することができる。
【００５２】
置換基Ｘとして、前記一般式（Ｂ１）で表されるものを選択した場合、架橋剤としては、例えば、ポリエステル（メタ）アクリレート架橋剤、エポキシ（メタ）アクリレート架橋剤およびポリウレタン（メタ）アクリレート架橋剤等のアクリル系架橋剤のうちの少なくとも１種を用いるのが好ましい。
なお、ポリエステル（メタ）アクリレート架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｅ１）〜（Ｅ３）で表される化合物が挙げられる。
エポキシ（メタ）アクリレート架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｅ４）〜（Ｅ８）で表される化合物が挙げられる。
ポリウレタン（メタ）アクリレート架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｅ９）で表される化合物が挙げられる。
【００５３】
【化１１ａ】
【化１１ｂ】
［これらの式中、ｎ５は、４５００以下の整数を表す。ｎ６は、１〜３の整数を表す。ｎ７は、０〜１５００の整数を表す。各ｎ８は、それぞれ独立して、１〜１０の整数を表し、同一であっても、異なっていてもよい。ｎ９は、１〜４０の整数を表す。ｎ10は、１〜１００の整数を表す。各Ｒ３は、それぞれ独立して、炭素数が１〜１０のアルキレン基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。Ｒ４は、炭素数が１〜１００のアルキレン基を表す。各Ａ１は、それぞれ独立して、水素原子またはメチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。各Ａ２は、それぞれ独立して、ジイソシアネート化合物から２つのイソシアネート基を除いた基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
【００５４】
また、前記一般式（Ｂ２）で表されるものを選択した場合、架橋剤としては、例えば、（メタ）アクリル酸エステル系エポキシ架橋剤、ビスフェノール型エポキシ架橋剤、グリシジルエステル系エポキシ架橋剤、脂環式系エポキシ架橋剤、ウレタン変性エポキシ架橋剤、ケイ素含有エポキシ架橋剤、多官能性フェノール系エポキシ架橋剤およびグリシジルアミン系エポキシ架橋剤等のエポキシ架橋剤のうちの少なくとも１種を用いるのが好ましい。
【００５５】
なお、（メタ）アクリル酸エステル系エポキシ架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｆ１）で表される化合物が挙げられる。
ビスフェノール型エポキシ架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｆ２）〜（Ｆ６）で表される化合物が挙げられる。
グリシジルエステル系エポキシ架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｆ７）〜（Ｆ８）で表される化合物が挙げられる。
【００５６】
脂環式系エポキシ架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｆ９）〜（Ｆ１２）で表される化合物が挙げられる。
ウレタン変性エポキシ架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｆ１３）で表される化合物が挙げられる。
ケイ素含有エポキシ架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｆ１４）で表される化合物が挙げられる。
多官能性フェノール系エポキシ架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｆ１５）〜（Ｆ２２）で表される化合物が挙げられる。
グリシジルアミン系エポキシ架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｆ２３）〜（Ｆ２５）で表される化合物が挙げられる。
【００５７】
【化１２ａ】
【化１２ｂ】
【化１２ｃ】
【化１２ｄ】
［これらの式中、Ａ１は、水素原子またはメチル基を表す。各ｎ８は、それぞれ独立して、０〜１０の整数を表し、同一であっても、異なっていてもよい。各ｎ11は、それぞれ独立して、１〜２０の整数を表し、同一であっても、異なっていてもよい。ｎ12は、１〜３０の整数を表す。ｎ13は、０〜８の整数を表す。Ａ２は、ジイソシアネート化合物から２つのイソシアネート基を取り除いた基を表し、各Ａ１は、それぞれ独立して、ジオール化合物から２つの水酸基を取り除いた基を表し、同一であっても異なっていてもよい。］
【００５８】
前記一般式（Ｂ３）で表されるものを選択した場合、架橋剤としては、例えば、ビニル化合物を用いることができるが、これらの中でも、下記一般式（Ｇ１）で表されるポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレートやジビニルベンゼンのうちの少なくとも１種を用いるのが好ましい。
【００５９】
【化１３】
［式中、ｎ14は、５〜１５の整数を表し、各Ａ１は、それぞれ独立して、水素原子またはメチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
【００６０】
さらに、前記一般式（Ｂ４）で表されるものを選択した場合、前記一般式（Ｂ３）で表されるもの場合と同様に、架橋剤としては、例えば、ビニル化合物を用いることができるが、前記一般式（Ｇ１）で表されるポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレートを用いるのが好ましい。
このような導電層は、重合反応により得られた高分子を主材料とすることから、耐溶剤性に優れたものとなる。その結果、この導電層上に接触して上層を形成する場合に、この上層を形成するための材料に含まれる溶媒または分散媒により、導電層が膨潤または溶解するのを確実に防止することができる。
【００６１】
また、このような導電層を有する積層体を用いて、後述するような電子デバイスを構築した場合、この導電層が高分子を主材料として構成されていることから、この導電層と接触する層（接触層）の界面付近において、導電層の構成材料と接触層の構成材料とが経時的に混ざり合うのを確実に防止することができる。その結果、電子デバイスの特性が経時的に劣化するのを防止することができる。
【００６２】
＜有機エレクトロルミネッセンス素子＞
次に、本発明の電子デバイスを、発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、単に「有機ＥＬ素子」という。）に適用した場合の実施形態について説明する。
図１は、有機ＥＬ素子の一例を示した縦断面図である。
図１に示す有機ＥＬ素子１は、透明な基板２と、基板２上に設けられた陽極３と、陽極３上に設けられた有機ＥＬ層４と、有機ＥＬ層４上に設けられた陰極５と、各前記層３、４、５を覆うように設けられた保護層６とを備えている。
【００６３】
基板２は、有機ＥＬ素子１の支持体となるものであり、この基板２上に各前記層が形成されている。
基板２の構成材料としては、透光性を有し、光学特性が良好な材料を用いることができる。
このような材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような各種樹脂材料や、各種ガラス材料等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【００６４】
基板２の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
陽極３は、有機ＥＬ層４（後述する正孔輸送層４１）に正孔を注入する電極である。また、この陽極３は、有機ＥＬ層４（後述する発光層４２）からの発光を視認し得るように、実質的に透明（無色透明、有色透明、半透明）とされている。
【００６５】
かかる観点から、陽極３の構成材料（陽極材料）としては、仕事関数が大きく、導電性に優れ、また、透光性を有する材料を用いるのが好ましい。
このような陽極材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ2、Ｓｂ含有ＳｎＯ2、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【００６６】
陽極３の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。陽極３の厚さが薄すぎると、陽極３としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陽極３が厚過ぎると、陽極材料の種類等によっては、光の透過率が著しく低下し、実用に適さなくなるおそれがある。
【００６７】
なお、陽極材料には、例えば、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂材料を用いることもできる。
一方、陰極５は、有機ＥＬ層４（後述する電子輸送層４３）に電子を注入する電極である。
陰極５の構成材料（陰極材料）としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。
【００６８】
このような陰極材料としては、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
特に、陰極材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極材料として用いることにより、陰極５の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
【００６９】
陰極５の厚さ（平均）は、１ｎｍ〜１μｍ程度であるのが好ましく、１００〜４００ｎｍ程度であるのがより好ましい。陰極５の厚さが薄すぎると、陰極５としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陰極５が厚過ぎると、有機ＥＬ素子１の発光効率が低下するおそれがある。
陽極３と陰極５との間には、有機ＥＬ層（有機層）４が設けられている。有機ＥＬ層４は、正孔輸送層４１と、発光層４２と、電子輸送層４３とを備え、これらがこの順で陽極３上に形成されている。
【００７０】
正孔輸送層４１は、陽極３から注入された正孔を発光層４２まで輸送する機能を有するものである。
この正孔輸送層４１として、本発明の導電性材料を用いることができる。
ここで、正孔輸送層４１を本発明の導電性材料を主材料として構成する場合、例えば、後述する発光層４２の構成材料（発光材料）の発光特性に応じて、すなわち、赤色、緑色または青色といった発光色の違いに応じて、前述したような本発明の導電性材料のキャリア注入バランス（キャリア輸送能の特性）を考慮して、正孔輸送層４１の構成材料を選択すればよい。
【００７１】
すなわち、後述する電子輸送層４３から発光層４２への電子の注入効率が比較的低い場合には、正孔輸送層４１から発光層４２への正孔の注入効率をやや抑え得るように、この正孔輸送層４１の構成材料を選択すればよい。
具体的には、正孔の注入効率をやや抑えたい場合、例えば、正孔輸送層４１に用いる導電性材料としては、置換基Ｒ１の化学構造が前記化学式（Ｄ２）、（Ｄ５）、（Ｄ６）、（Ｄ８）および（Ｄ９）（ただし、Ｑ２がＮ-Ｔ３あるいはＯの場合）のうちのいずれかを選択するのが好ましい。これにより、前述したような効果を確実に得ることができる。
【００７２】
これとは逆に、電子輸送層４３から発光層４２への電子の注入効率が比較的高い場合には、正孔輸送層４１から発光層４２への正孔の注入効率をやや促進し得るように、この正孔輸送層４１の構成材料を選択すればよい。
具体的には、正孔注入効率をやや促進したい場合、例えば、正孔輸送層４１に用いる導電性材料としては、置換基Ｒ１の化学構造が前記化学式（Ｄ１）、（Ｄ３）〜（Ｄ８）（ただし、Ｑ２がＳ、ＳｅまたはＴｅの場合）を選択するのが好ましい。これにより、前述したような効果を確実に得ることができる。
また、正孔輸送層４１は、その体積抵抗率が１０Ω・ｃｍ以上であるのが好ましく、１０２Ω・ｃｍ以上であるのがより好ましい。これにより、発光効率のより高い有機ＥＬ素子１を得ることができる。
【００７３】
正孔輸送層４１の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。正孔輸送層４１の厚さが薄すぎると、ピンホールが生じるおそれがあり、一方、正孔輸送層４１が厚過ぎると、正孔輸送層４１の透過率が悪くなる原因となり、有機ＥＬ素子１の発光色の色度（色相）が変化してしまうおそれがある。
なお、本発明の導電性材料は、かかる比較的薄い正孔輸送層４１を形成する場合に、特に有用である。
また、電子輸送層４３は、陰極５から注入された電子を発光層４２まで輸送する機能を有するものである。
【００７４】
電子輸送層４３の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物（スターバースト系化合物）、ナフタレンのようなナフタレン系化合物、フェナントレンのようなフェナントレン系化合物、クリセンのようなクリセン系化合物、ペリレンのようなペリレン系化合物、アントラセンのようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、アクリジンのようなアクリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベン系化合物、ＢＢＯＴのようなチオフェン系化合物、ブタジエンのようなブタジエン系化合物、クマリンのようなクマリン系化合物、キノリンのようなキノリン系化合物、ビスチリルのようなビスチリル系化合物、ピラジン、ジスチリルピラジンのようなピラジン系化合物、キノキサリンのようなキノキサリン系化合物、ベンゾキノン、２，５−ジフェニル−パラ−ベンゾキノンのようなベンゾキノン系化合物、ナフトキノンのようなナフトキノン系化合物、アントラキノンのようなアントラキノン系化合物、オキサジアゾール、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、ＢＭＤ、ＢＮＤ、ＢＤＤ、ＢＡＰＤのようなオキサジアゾール系化合物、トリアゾール、３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、オキサゾール系化合物、アントロンのようなアントロン系化合物、フルオレノン、１，３，８−トリニトロ−フルオレノン（ＴＮＦ）のようなフルオレノン系化合物、ジフェノキノン、ＭＢＤＱのようなジフェノキノン系化合物、スチルベンキノン、ＭＢＳＱのようなスチルベンキノン系化合物、アントラキノジメタン系化合物、チオピランジオキシド系化合物、フルオレニリデンメタン系化合物、ジフェニルジシアノエチレン系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする錯体のような各種金属錯体等が挙げられる。
【００７５】
また、電子輸送材料は、以上のような化合物のうちの少なくとも１種を用いることができる。
さらに、電子輸送層４３の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、２０〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。電子輸送層４３の厚さが薄すぎると、ピンホールが生じショートするおそれがあり、一方、電子輸送層４３が厚過ぎると、抵抗値が高くなるおそれがある。
【００７６】
さて、陽極３と陰極５との間に通電（電圧を印加）すると、正孔輸送層４１中を正孔が、また、電子輸送層４３中を電子が移動し、発光層４２において正孔と電子とが再結合する。そして、発光層４２では、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、このエキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。
【００７７】
この発光層４２の構成材料（発光材料）としては、電圧印加時に陽極３側から正孔を、また、陰極５側から電子を注入することができ、正孔と電子が再結合する場を提供できるものであれば、いかなるものであってもよい。
このような発光材料には、以下に示すような、各種低分子の発光材料、各種高分子の発光材料があり、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【００７８】
なお、低分子の発光材料を用いることにより、緻密な発光層４２が得られるため、発光層４２の発光効率が向上する。また、高分子の発光材料を用いることにより、比較的容易に溶剤へ溶解させることができるため、インクジェット印刷法等の各種塗布法による発光層４２の形成を容易に行うことができる。さらに、低分子の発光材料と高分子の発光材料とを組み合わせて用いることにより、低分子の発光材料および高分子の発光材料を用いる効果を併有すること、すなわち、緻密かつ発光効率に優れる発光層４２を、インクジェット印刷法等の各種塗布法により、容易に形成することができるという効果が得られる。
【００７９】
低分子の発光材料としては、例えば、ジスチリルベンゼン（ＤＳＢ）、ジアミノジスチリルベンゼン（ＤＡＤＳＢ）のようなベンゼン系化合物、ナフタレン、ナイルレッドのようなナフタレン系化合物、フェナントレンのようなフェナントレン系化合物、クリセン、６−ニトロクリセンのようなクリセン系化合物、ペリレン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−３，４，９，１０−ペリレン−ジ−カルボキシイミド（ＢＰＰＣ）のようなペリレン系化合物、コロネンのようなコロネン系化合物、アントラセン、ビススチリルアントラセンのようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、４−（ジ−シアノメチレン）−２−メチル−６−（パラ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）のようなピラン系化合物、アクリジンのようなアクリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベン系化合物、２，５−ジベンゾオキサゾールチオフェンのようなチオフェン系化合物、ベンゾオキサゾールのようなベンゾオキサゾール系化合物、ベンゾイミダゾールのようなベンゾイミダゾール系化合物、２，２’−（パラ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾールのようなベンゾチアゾール系化合物、ビスチリル（１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン）、テトラフェニルブタジエンのようなブタジエン系化合物、ナフタルイミドのようなナフタルイミド系化合物、クマリンのようなクマリン系化合物、ペリノンのようなペリノン系化合物、オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物、アルダジン系化合物、１，２，３，４，５−ペンタフェニル−１，３−シクロペンタジエン（ＰＰＣＰ）のようなシクロペンタジエン系化合物、キナクリドン、キナクリドンレッドのようなキナクリドン系化合物、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジンのようなピリジン系化合物、２，２’，７，７’−テトラフェニル−９，９’−スピロビフルオレンのようなスピロ化合物、フタロシアニン（Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ３）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ２）、（１，１０−フェナントロリン）−トリス−（４，４，４−トリフルオロ−１−（２−チエニル）−ブタン−１，３−ジオネート）ユーロピウム（III）（Ｅｕ（ＴＴＡ）３（ｐｈｅｎ））、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、（２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン）プラチナム（II）のような各種金属錯体等が挙げられる。
【００８０】
高分子の発光材料としては、例えば、トランス型ポリアセチレン、シス型ポリアセチレン、ポリ（ジ−フェニルアセチレン）（ＰＤＰＡ）、ポリ（アルキル，フェニルアセチレン）（ＰＡＰＡ）のようなポリアセチレン系化合物、ポリ（パラ−フェンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（２，５−ジアルコキシ−パラ−フェニレンビニレン）（ＲＯ−ＰＰＶ）、シアノ−置換−ポリ（パラ−フェンビニレン）（ＣＮ−ＰＰＶ）、ポリ（２−ジメチルオクチルシリル−パラ−フェニレンビニレン）（ＤＭＯＳ−ＰＰＶ）、ポリ（２−メトキシ，５−（２’−エチルヘキソキシ）−パラ−フェニレンビニレン）（ＭＥＨ−ＰＰＶ）のようなポリパラフェニレンビニレン系化合物、ポリ（３−アルキルチオフェン）（ＰＡＴ）、ポリ（オキシプロピレン）トリオール（ＰＯＰＴ）のようなポリチオフェン系化合物、ポリ（９，９−ジアルキルフルオレン）（ＰＤＡＦ）、α，ω−ビス［Ｎ，Ｎ’−ジ（メチルフェニル）アミノフェニル］−ポリ［９，９−ビス（２−エチルヘキシル）フルオレン−２，７−ジル］（ＰＦ２／６ａｍ４）、ポリ（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニル−オルト−コ（アントラセン−９，１０−ジイル）のようなポリフルオレン系化合物、ポリ（パラ−フェニレン）（ＰＰＰ）、ポリ（１，５−ジアルコキシ−パラ−フェニレン）（ＲＯ−ＰＰＰ）のようなポリパラフェニレン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）のようなポリカルバゾール系化合物、ポリ（メチルフェニルシラン）（ＰＭＰＳ）、ポリ（ナフチルフェニルシラン）（ＰＮＰＳ）、ポリ（ビフェニリルフェニルシラン）（ＰＢＰＳ）のようなポリシラン系化合物等が挙げられる。
【００８１】
また、正孔輸送層４１と電子輸送層４３とに用いる構成材料の組み合わせによっては、発光材料として本発明の導電性材料を用いることもできる。
例えば、正孔輸送層４１の構成材料として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）のようなポリ（チオフェン／スチレンスルホン酸）、Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（α−ＮＰＤ）のようなアリールアミン化合物等を用い、電子輸送層４３の構成材料として３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−５−（ビフェニル−４−イル）−１，３，５−オキサジアゾール（ＰＢＤ）のようなオキサジアゾール化合物等を用いた場合には、発光層４２を構成する導電性材料として、例えば、置換基Ｒ１の化学構造が前記化学式（Ｄ２）のものを用いることができる。
【００８２】
発光層４２の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。発光層の厚さを前記範囲とすることにより、正孔と電子との再結合が効率よくなされ、発光層４２の発光効率をより向上させることができる。
なお、有機ＥＬ素子１は、正孔輸送層４１または発光層４２のうちのいずれか一方が本発明の導電性材料で構成されるようなものであってもよく、これらの双方が本発明の導電性材料で構成されるようなものであってもよい。
【００８３】
また、発光層４２は、正孔輸送層４１および電子輸送層４３と別個に設けられているが、正孔輸送層４１と発光層４２とを兼ねた正孔輸送性発光層や、電子輸送層４３と発光層４２とを兼ねた電子輸送性発光層とすることもできる。この場合、正孔輸送性発光層の電子輸送層４３との界面付近が、また、電子輸送性発光層の正孔輸送層４１との界面付近が、それぞれ、発光層４２として機能する。
【００８４】
さらに、正孔輸送性発光層を用いた場合には、陽極から正孔輸送性発光層に注入された正孔が電子輸送層によって閉じこめられ、また、電子輸送性発光層を用いた場合には、陰極から電子輸送性発光層に注入された電子が電子輸送性発光層に閉じこめられるため、いずれも、正孔と電子との再結合効率を向上させることができるという利点がある。
なお、各層３、４、５同士の間には、任意の目的の層が設けられていてもよい。例えば、正孔輸送層４１と陽極３との間には、陽極３からの正孔の注入効率を向上させる正孔注入層を設けることができる。このように、有機ＥＬ素子１に正孔注入層を設ける場合には、この正孔注入層の構成材料として、本発明の導電性材料を用いることができる。
【００８５】
また、電子輸送層４３と陰極５との間には、陰極５からの電子の注入効率を向上させる電子注入層等を設けることができる。正孔注入層の構成材料としては、本発明の導電性材料の他、例えば、銅フタロシアニンや４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−フェニル−３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（Ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等を用いることができる。
【００８６】
保護層６は、有機ＥＬ素子１を構成する各層３、４、５を覆うように設けられている。この保護層６は、有機ＥＬ素子１を構成する各層３、４、５を気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する。保護層６を設けることにより、有機ＥＬ素子１の信頼性の向上や、変質・劣化の防止等の効果が得られる。
保護層６の構成材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉまたはこれらを含む合金、酸化シリコン、各種樹脂材料等を挙げることができる。なお、保護層６の構成材料として導電性を有する材料を用いる場合には、短絡を防止するために、保護層６と各層３、４、５との間には、必要に応じて、絶縁膜を設けるのが好ましい。
【００８７】
この有機ＥＬ素子１は、例えばディスプレイ用として用いることができるが、その他にも光源等としても使用可能であり、種々の光学的用途等に用いることが可能である。
また、有機ＥＬ素子１をディスプレイに適用する場合、その駆動方式としては、特に限定されず、アクティブマトリックス方式、パッシブマトリックス方式のいずれであってもよい。
このような有機ＥＬ素子１は、例えば、次のようにして製造することができる。
【００８８】
［Ａ１］陽極形成工程
まず、基板２を用意し、この基板２上に陽極３を形成する。
陽極３は、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。
【００８９】
［Ａ２］正孔輸送層形成工程（第１の構成）
［Ａ２−１］ まず、前記一般式（Ａ１）で表される化合物（以下、単に「化合物（Ａ１）」という。）を含有する導電性材料用組成物（正孔輸送材料）を陽極３上に塗布（供給）する。
この塗布には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いることができる。かかる塗布法によれば、正孔輸送材料を比較的容易に陽極３上に供給することができる。
【００９０】
化合物（Ａ１）を溶媒に溶解または分散媒に分散する場合、用いる溶媒または分散媒としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【００９１】
なお、導電性材料用組成物には、重合開始剤を添加するのが好ましい。これにより、次工程［Ａ２−２］において、加熱や光照射のような所定の処理を施す際に、置換基Ｘにおける重合反応を促進させることができる。
重合開始剤としては、特に限定されないが、例えば、光カチオン重合開始剤や光ラジカル重合開始剤のような光重合開始剤、熱重合開始剤および嫌気重合開始剤等が挙げられる。
【００９２】
なお、置換基Ｘとして、前記一般式（Ｂ１）または前記一般式（Ｂ３）で表されるものを選択した場合、重合開始剤としては、光ラジカル重合開始剤を用いるのが特に好ましい。
光ラジカル重合開始剤としては、各種の光ラジカル重合開始剤を用いることができるが、例えば、ベンゾフェノン系、ベンゾイン系、アセトフェノン系、ベンジケタ−ル系、ミヒラ−ズケトン系、アシルフォスフィンオキサイド系、ケトクマリン系、キサンテン系およびチオキサントン系等の光ラジカル重合開始剤を用いることができる。
【００９３】
また、置換基Ｘとして、前記一般式（Ｂ２）または前記一般式（Ｂ４）で表されるものを選択した場合、重合開始剤としては、光カチオン重合開始剤を用いるのが特に好ましい。
光カチオン重合開始剤としては、各種の光カチオン重合開始剤を用いることができるが、例えば、芳香族スルホニウム塩系、芳香族ヨードニウム塩系、芳香族ジアゾニウム塩系、ピリジウム塩系および芳香族ホスホニウム塩系等のオニウム塩系の光カチオン重合開始剤や、鉄アレーン錯体およびスルホン酸エステル等の非イオン系の光カチオン重合開始剤を用いることができる。
【００９４】
選択する置換基Ｘの種類に応じて、上述したような重合開始剤を適宜選択することにより、次工程［Ａ２−２］において、置換基Ｘを比較的容易に重合反応させることができる。
なお、重合開始剤として光重合開始剤を用いる場合には、光重合開始剤に適した増感剤を導電性材料用組成物に添加してもよい。
【００９５】
［Ａ２−２］ 次に、陽極３上に供給された正孔輸送材料に光照射する。
これにより、正孔輸送材料に含まれる、化合物（Ａ１）同士を置換基Ｘにおいて重合反応させた高分子（本発明の導電性材料）を得ることができる。その結果、本発明の導電性材料を主材料とする正孔輸送層４１が陽極３上に形成される。
正孔輸送層４１を本発明の導電性材料を主材料として構成することにより、次工程［Ａ３］において、発光層材料を供給した際に、この発光層材料に含まれる溶媒または分散媒により、正孔輸送層４１が膨潤および溶解するのを防止することができる。その結果、正孔輸送層４１と発光層４２との相溶解を確実に防止することができる。
【００９６】
また、正孔輸送層４１を本発明の導電性材料（高分子）を主材料として構成することにより、得られた有機ＥＬ素子１において、正孔輸送層４１と発光層４２との界面付近において、これらの構成材料同士が経時的に混ざり合うのを確実に防止することができる。
この高分子の重量平均分子量は、特に限定されないが、１００００〜１００００００程度であるのが好ましく、１５０００〜３０００００程度であるのがより好ましい。これにより、高分子の膨潤および溶解をより確実に抑制または防止することができる。
【００９７】
なお、正孔輸送層４１は、この正孔輸送層４１と発光層４２との相溶解が防止される範囲において、化合物（Ａ１）の低分子（モノマーやオリゴマー）を含んでいてもよい。
正孔輸送材料に光照射する光としては、例えば、赤外線、可視光線、紫外線およびＸ線等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、紫外線を用いるのが特に好ましい。これにより、置換基Ｘにおける重合反応を容易かつ確実に進行させることができる。
【００９８】
置換基Ｘとして、前記一般式（Ｂ１）または前記一般式（Ｂ３）で表されるものを選択した場合、光照射する紫外線の波長は、１００〜４２０ｎｍ程度であるのが好ましく、１５０〜４００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、紫外線の照射強度は、１〜６００ｍＷ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、１〜３００ｍＷ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。
【００９９】
さらに、紫外線の照射時間は、６０〜６００秒程度であるのが好ましく、９０〜５００秒程度であるのがより好ましい。
また、置換基Ｘとして、前記一般式（Ｂ２）または前記一般式（Ｂ４）で表されるものを選択した場合、光照射する紫外線の波長は、２００〜４２０ｎｍ程度であるのが好ましく、２５０〜４００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【０１００】
また、紫外線の照射強度は、１０〜５０００ｍＷ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、２０〜１０００ｍＷ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。
さらに、紫外線の照射時間は、５〜３００秒程度であるのが好ましく、１０〜１５０秒程度であるのがより好ましい。
選択する置換基Ｘの種類に応じて、紫外線の波長、照射強度および照射時間をかかる範囲にすることにより、陽極３上に供給された正孔輸送材料の重合反応の進行を比較的容易に制御することができる。
【０１０１】
［２’］正孔輸送層形成工程（第２の構成）
また、置換基Ｘとして、前記一般式（Ｂ４）で表されるものを選択した場合には、正孔輸送層を、以下に示すような工程により形成するようにしてもよい。
［２’−１］ まず、化合物（Ａ１）を溶解し得る反応溶媒に、化合物（Ａ１）を溶解させて導電性材料用組成物を得る。
【０１０２】
反応溶媒としては、前記工程［２−１］で説明した溶媒または分散媒と同様のものを用いることができる。ただし、前記工程［２−１］で説明したもののうち、脂肪族炭化水素系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、芳香族複素環化合物系溶媒、ハロゲン化合物系溶媒、硫黄化合物系溶媒のような比較的塩基性の弱いものを選択するのが好ましい。これにより、次工程［２’−２］における化合物（Ａ１）の高分子化を、選択した反応溶媒により阻害されることなく確実に進行させることができる。また、これらの中でも、特に、誘電率が小さいものを選択するのが好ましい。これにより、化合物（Ａ１）の高分子化の重合速度が低下し、比較的分子量の小さい高分子を容易に得ることができることから、得られる化合物（Ａ１）の重合物の分子量の制御を比較的容易に行うことができる。
【０１０３】
［２’−２］ 次に、導電性材料用組成物に含まれる、化合物（Ａ１）同士を置換基Ｘにおいて重合反応させて、化合物（Ａ１）の重合物（可溶性ポリマー）が反応溶媒中に可溶な範囲内にまで、化合物（Ａ１）を高分子化させる。
この際、導電性材料用組成物に、重合触媒を添加することにより、置換基Ｘにおける重合反応すなわち化合物（Ａ１）の高分子化を促進させることができる。
【０１０４】
このような化合物（Ａ１）の重合物（可溶性ポリマー）の重量平均分子量は、化合物（Ａ１）の種類によっても若干異なり、特に限定されるものではないが、８００〜１００００程度であるのが好ましく、１５００〜５０００程度であるのがより好ましい。これにより、化合物（Ａ１）の重合物が不溶化して、導電性材料用組成物中に析出（沈殿）するのを確実に防止することができる。
【０１０５】
このような化合物（Ａ１）の重合物は、重合触媒の存在下において、例えば、反応温度の制御、光照射、嫌気処理のような所定の処理を導電性材料用組成物に行うことにより得ることができる。
化合物（Ａ１）同士の重合反応は、前記所定の処理の条件を適宜設定することにより比較的容易に制御することができる。そのため、不溶性の高分子が生成されるより前に、すなわち、重合反応が進行して形成された高分子が不溶化する前に、化合物（Ａ１）の高分子化を確実に停止させることができる。
【０１０６】
また、所定の処理としては、前述したものの中でも、反応温度の制御を選択するのが好ましい。反応温度を制御する際の処理条件を適宜設定することにより、化合物（Ａ１）の高分子化をより容易に制御することができる。
反応温度を制御する際の導電性材料用組成物の温度は、前述した反応溶媒の種類によっても若干異なるが、−７８〜２５℃程度であるのが好ましく、−４０〜０℃程度であるのがより好ましい。
【０１０７】
反応温度を制御する時間も、前述した反応溶媒の種類によっても若干異なるが、０．５〜２４時間程度であるのが好ましく、１〜５時間程度であるのがより好ましい。
導電性材料用組成物の温度、および反応温度を制御する時間をかかる範囲にすることにより、化合物（Ａ１）を不溶化させることなく高分子化させることができる。
なお、化合物（Ａ１）の重合物（可溶性ポリマー）が得られた際には、導電性材料用組成物に、重合停止剤を添加するようにしてもよい。これにより、化合物（Ａ１）の高分子化をより確実に停止させることができる。
このような重合停止剤としては、例えば、アンモニア水のような塩基性化合物を含有するメタノール、エタノールおよびイソプロピルアルコール等の低級アルコールや、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒が挙げられる。
【０１０８】
また、前記重合触媒としては、特に限定されないが、例えば、ハロゲノカルボン酸、スルホン酸、硫酸モノエステル、リン酸モノエステルのようなプロトン酸、三フッ化ホウ素、三フッ化ホウ素エーテレート（ＢＦ３／ＯＥｔ２）、ニ塩化チタン、四塩化チタン、塩化第一スズ、塩化第二スズ、塩化アルミニウム、塩化亜鉛、臭化マグネシウム、塩化第二鉄のようなルイス酸等が挙げられる。ただし、重合触媒としてルイス酸を用いる場合には、水、アルコール、カルボン酸、エーテルのような不対電子を有する化合物を共触媒として導電性材料用組成物に添加するのが好ましい。これにより、化合物（Ａ１）の高分子化をより確実に行うことができる。
【０１０９】
［２’−３］ 次に、導電性材料用組成物に含まれる化合物（Ａ１）の重合物（可溶性ポリマー）以外の不純物を導電性用組成物から除去する。
この不純物としては、例えば、化合物（Ａ１）の低分子（モノマーやオリゴマー）、重合触媒、共触媒、化合物（Ａ１）を合成する際に生成および／または混入したものおよび反応溶媒中に混入したもの等が挙げられる。
【０１１０】
このような不純物は、カチオン性、アニオン性およびノニオン性の不純物に分類される。これらの内、カチオン性およびアニオン性の不純物を除去する方法としては、例えば、フィルトレーション法、吸着クロマトグラフィー法およびイオン交換クロマトグラフィー法等が挙げられるが、これらの中でも、フィルトレーション法を用いるのが好ましい。フィルトレーション法によれば、用いるフィルターの種類を適宜選択するだけで、目的とするカチオン性不純物やアニオン性不純物を効率よく確実に除去することができる。
【０１１１】
すなわち、フィルターとして、例えば、強酸性陽イオン交換樹脂、弱酸性陽イオン交換樹脂、重金属を選択的に除去し得るキレート樹脂のような陽イオン交換樹脂を主材料として構成されるものを選択することにより、カチオン性不純物を除去することができる。
また、フィルターとして、例えば、最強塩基性陰イオン交換樹脂、強塩基性陰イオン交換樹脂、中塩基性陰イオン交換樹脂、弱塩基性陰イオン交換樹脂等のような陰イオン交換樹脂を主材料として構成されるものを選択することにより、アニオン性不純物を除去することができる。
【０１１２】
また、ノニオン性の不純物を除去する方法としては、例えば、限外ろ過膜法やゲル浸透クロマトグラフィー法等が挙げられるが、これらの中でも、限外ろ過膜法を用いるのが好ましい。限外ろ過膜法は、分子量に応じた各種物質の分離特性に優れており、用いる限外ろ過膜の種類を適宜選択するだけで、目的とする分子量より小さいノニオン性不純物を効率よく確実に除去することができる。
【０１１３】
［２’−４］ 次に、化合物（Ａ１）の重合物（可溶性ポリマー）を含有する導電性材料用組成物を陽極３上に塗布（供給）する。
この塗布には、前記工程［２−１］で説明したのと同様の方法を用いることができる。
なお、この導電性材料用組成物には、重合開始剤を添加するのが好ましい。これにより、次工程［２’−５］において、加熱や光照射のような所定の処理を施す際に、化合物（Ａ１）の重合物同士の置換基Ｘにおける重合反応を促進させることができる。
この重合開始剤としても、前記工程［２−１］で説明したのと同様のものを用いることができる。
【０１１４】
［２’−５］ 次に、陽極３上に供給された導電性材料用組成物に光照射する。
これにより、導電性材料用組成物に含まれる、化合物（Ａ１）の重合物同士を置換基Ｘにおいて重合反応させることができる。これにより、化合物（Ａ１）の重合物（可溶性ポリマー）がさらに高分子化することにより不溶化して、導電性材料用組成物中に析出することとなる。その結果、化合物（Ａ１）の重合物（不溶性ポリマー）すなわち本発明の導電性材料を主材料とする正孔輸送層４１が陽極３上に形成される。
【０１１５】
この化合物（Ａ１）の重合物（不溶性ポリマー）の重量平均分子量は、特に限定されないが、１５０００〜１００００００程度であるのが好ましく、２００００〜３０００００程度であるのがより好ましい。これにより、高分子の膨潤および溶解をより確実に抑制または防止することができる。
導電性材料用組成物に光照射する光としては、前記工程［２−２］で説明したのと同様のものを用いることができる。
【０１１６】
以上のような［２’］の工程を経て正孔輸送層４１が形成される。かかる工程により正孔輸送層４１を形成することにより、前記工程［２’−５］において、陽極３上に供給される導電性材料用組成物に、化合物（Ａ１）の重合物（可溶性ポリマー）が含まれていることから、重合開始剤の添加量を、比較的少なく設定することができる。その結果、得られる正孔輸送層４１に残存する重合開始剤の量が比較的少なくなる。これにより、正孔輸送層４１中の正孔が重合開始剤により捕捉されるのを好適に防止または抑制することができることから、得られる正孔輸送層４１により優れた正孔輸送能を発揮させることができる。
【０１１７】
また、［２’］の方法では、化合物（Ａ１）の重合物（可溶性ポリマー）を陽極３上に供給した後に、この重合物をさらに高分子化することにより不溶化させて正孔輸送層４１が形成されることから、正孔輸送層４１を比較的容易に、かつ分子量分布の狭い均一な膜を形成（成膜）できるという利点もある。
なお、得られた正孔輸送層４１には、必要に応じて、例えば大気中、不活性雰囲気中、減圧（または真空）下等において熱処理を施すようにしてもよい。これにより、例えば、正孔輸送層４１の乾燥・固化（脱溶媒または脱分散媒）等を行うことができる。なお、正孔輸送層４１は、熱処理によらず乾燥してもよい。
また、置換基Ｘにおいて重合反応させるための所定の処理としては、前記工程［２−２］および前記工程［２’−５］で説明した光照射の他、例えば、加熱および嫌気処理等が挙げられるが、これらの中でも、光照射を用いるのが好ましい。光照射によれば、高分子化させる領域および程度を比較的容易に選択することができる。
【０１１８】
［Ａ３］発光層形成工程
次に、正孔輸送層４１上に発光層４２を形成する。
発光層４２は、例えば、前述したような発光材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる発光層材料（発光層形成用材料）を、正孔輸送層４１上に塗布して形成することができる。
発光材料を溶解または分散させる溶媒または分散媒としては、正孔輸送層４１を形成する際に用いた溶媒または分散媒と同様のものを用いることができる。
また、発光層材料を、正孔輸送層４１上に塗布する方法としても、正孔輸送層４１を形成する際に用いた塗布方法と同様の方法を用いることができる。
【０１１９】
［Ａ４］電子輸送層形成工程
次に、発光層４２上に電子輸送層４３を形成する。
電子輸送層４３は、発光材料に代えて前述したような電子輸送材料を用いる以外は、前記発光層形成工程［Ａ３］と同様にすることにより形成される。
なお、発光層４２が本発明の導電性材料のような高分子により構成されない場合、電子輸送層４３を形成するために用いる導電性材料用組成物を、溶解または分散するための溶媒または分散媒としては、発光層４２が膨潤および溶解しないものを選択するようにすればよい。これにより、発光層４２と電子輸送層４３との相溶解を確実に防止することができる。
【０１２０】
［Ａ５］陰極形成工程
次に、電子輸送層４３上に陰極５を形成する。
陰極５は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。
［Ａ６］保護層形成工程
次に、陽極３、有機ＥＬ層４および陰極５を覆うように、保護層６を形成する。
保護層６は、例えば、前述したような材料で構成される箱状の保護カバーを、各種硬化性樹脂（接着剤）で接合すること等により形成する（設ける）ことができる。
硬化性樹脂には、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、反応性硬化樹脂、嫌気性硬化樹脂のいずれも使用可能である。
以上のような工程を経て、有機ＥＬ素子１が製造される。
【０１２１】
＜有機薄膜トランジスタ＞
次に、本発明の電子デバイスを、スイッチング素子である有機薄膜トランジスタ（以下、単に「有機ＴＦＴ」という。）に適用した場合の実施形態について説明する。
図２は、有機ＴＦＴ１０を示す図であり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は平面図である。なお、以下の説明では、図２（ａ）中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図２に示す有機ＴＦＴ１０は、基板２０上に設けられており、ソース電極３０およびドレイン電極４０と、有機半導体層（本発明の導電層）５０と、ゲート絶縁層６０と、ゲート電極７０とが、この順で基板２０側から積層されて構成されている。
【０１２２】
具体的には、有機ＴＦＴ１０は、基板２０上に、ソース電極３０およびドレイン電極４０が分離して設けられ、これら電極３０、４０を覆うように有機半導体層５０が設けられている。さらに有機半導体層５０上には、ゲート絶縁層６０が設けられ、さらにこの上に、少なくともソース電極３０とドレイン電極４０の間の領域に重なるようにゲート電極７０が設けられている。
【０１２３】
この有機ＴＦＴ１０では、有機半導体層５０のうち、ソース電極３０とドレイン電極４０との間の領域が、キャリアが移動するチャネル領域５１０となっている。以下、このチャネル領域５１０において、キャリアの移動方向の長さ、すなわちソース電極３０とドレイン電極４０との間の距離をチャネル長Ｌ、チャネル長Ｌ方向と直交する方向の長さをチャネル幅Ｗと言う。
このような有機ＴＦＴ１０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０が、ゲート絶縁層６０を介してゲート電極７０よりも基板２０側に設けられた構成の有機ＴＦＴ、すなわち、トップゲート構造の有機ＴＦＴである。
【０１２４】
以下、有機ＴＦＴ１０を構成する各部について、順次説明する。
基板２０は、有機ＴＦＴ１０を構成する各層（各部）を支持するものである。基板２０には、例えば、前述した有機ＥＬ素子１で説明した基板２と同様のものを用いることができる他、シリコン基板、ガリウム砒素基板等を用いることができる。
基板２０上には、ソース電極３０およびドレイン電極４０が、チャネル長Ｌ方向に沿って、所定距離離間して並設されている。
【０１２５】
これらのソース電極３０およびドレイン電極４０の構成材料としては、導電性を有するものであればいかなるものであってもよく、例えば、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等の金属材料、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴＯ、ＳｎＯ２等の導電性酸化物材料、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、フラーレン等の炭素材料、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）のようなポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等の導電性高分子材料等が挙げられ、これらのうち導電性高分子材料は、通常塩化鉄、ヨウ素、強酸、有機酸、ポリスチレンサルフォニック酸などの高分子でドープされ導電性を付与された状態で用いられる。さらに、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１２６】
ソース電極３０およびドレイン電極４０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、それぞれ、３０〜３００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜２００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
ソース電極３０とドレイン電極４０との間の距離（離間距離）、すなわち、チャネル長Ｌは、２〜３０μｍ程度であるのが好ましく、２〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。
チャネル幅Ｗは、０．１〜５ｍｍ程度であるのが好ましく、０．３〜３ｍｍ程度であるのがより好ましい。
【０１２７】
また、基板２０上には、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように、有機半導体層５０が設けられている。
この有機半導体層５０の構成材料として、本発明の導電性材料を用いることができる。
前述したように、本発明の導電性材料は、置換基Ｒ１を適宜選択することにより、形成される高分子のキャリア輸送能の特性を調整することができるものである。
そこで、置換基Ｒ１を適宜選択することにより、高分子に正孔輸送性または電子輸送性の半導体特性を付与することができることから、本発明の導電性材料を有機半導体層５０に用いるのは、特に有効である。
【０１２８】
具体的には、有機ＴＦＴ１０をｐ型のものとする場合、有機半導体層５０の構成材料としては、正孔輸送能に優れたものが選択されることから、特に、置換基Ｒ１として前記化学式（Ｄ１）、（Ｄ４）または（Ｄ５）（ただし、Ｑ２がＳ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅの場合）を備える高分子が好適に用いられる。また、有機ＴＦＴ１０をｎ型のものとする場合、有機半導体層５０の構成材料としては、電子輸送能に優れたものが選択されることから、特に、置換基Ｒ１として前記化学式（Ｄ２）、（Ｄ６）または（Ｄ９）（ただし、Ｑ２がＮ-Ｔ３あるいはＯの場合）を備える高分子が好適に用いられる。
【０１２９】
有機半導体層５０の厚さ（平均）は、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。これにより、優れたキャリア輸送能を維持しつつ、有機ＴＦＴ１０が大型化すること（特に、厚さが増大すること）を防止することができる。
なお、有機半導体層５０として、本発明の導電性材料のような高分子を主材料として構成されるものを用いることにより、得られる有機ＴＦＴ１０は、薄型化・軽量化が可能であるとともに、可撓性にも優れたものとなる。このような有機ＴＦＴ１０は、前述した有機ＥＬ素子を備えるフレキシブルディスプレイのスイッチング素子への適用に適している。
【０１３０】
なお、有機半導体層５０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように設けられる構成のものに限定されず、少なくともソース電極３０とドレイン電極４０との間の領域（チャネル領域５１０）に設けられていればよい。
有機半導体層５０上には、ゲート絶縁層６０が設けられている。
このゲート絶縁層６０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０に対してゲート電極７０を絶縁するものである。
【０１３１】
ゲート絶縁層６０は、主として有機材料（特に有機高分子材料）で構成されているのが好ましい。有機高分子材料を主材料とするゲート絶縁層６０は、その形成が容易であるとともに、有機半導体層５０との密着性の向上を図ることもできる。
このような有機高分子材料としては、例えば、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリビニルフェニレン、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のようなアクリル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）のようなフッ素系樹脂、ポリビニルフェノールあるいはノボラック樹脂のようなフェノール系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブテンなどのオレフィン系樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１３２】
ゲート絶縁層６０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。ゲート絶縁層６０の厚さを前記範囲とすることにより、ソース電極３０およびドレイン電極４０とゲート電極７０とを確実に絶縁しつつ、有機ＴＦＴ１０が大型化すること（特に、厚さが増大すること）を防止することができる。
【０１３３】
なお、ゲート絶縁層６０は、単層構成のものに限定されず、複数層の積層構成のものであってもよい。
ゲート絶縁層６０上には、ゲート電極７０が設けられている。
ゲート電極７０の構成材料としては、前述したソース電極３０およびドレイン電極４０の構成材料と同様のものを用いることができる。
【０１３４】
ゲート電極７０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．１〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５０００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜５０００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
以上のような有機ＴＦＴ１０は、ゲート電極７０に印加する電圧を変化させることにより、ソース電極３０とドレイン電極４０との間に流れる電流量が制御される。
【０１３５】
すなわち、ゲート電極７０に電圧が印加されていないＯＦＦ状態では、ソース電極３０とドレイン電極４０との間に電圧を印加しても、有機半導体層５０中にほとんどキャリアが存在しないため、微少な電流しか流れない。一方、ゲート電極７０に電圧が印加されているＯＮ状態では、有機半導体層５０のゲート絶縁層６０に面した部分に電荷が誘起され、チャネル領域５１０にキャリアの流路が形成される。この状態でソース電極３０とドレイン電極４０との間に電圧を印加すると、チャネル領域５１０を通ってキャリア（正孔または電子）が流れる。
このような有機ＴＦＴ１０は、例えば、次のようにして製造することができる。
図３〜図４は、それぞれ、図２に示す有機ＴＦＴ１０の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図３〜図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１３６】
[Ｂ１]ソース電極およびドレイン電極形成工程
[Ｂ１−１] まず、図３（ａ）に示すような基板２０を用意し、この基板２０を、例えば、水（純水等）、有機溶媒等を単独または適宜組み合わせて洗浄する。
次に、基板２０上に、フォトレジストを供給し、被膜８０’を形成する（図３（ｂ）参照。）。
【０１３７】
基板２０上に供給するフォトレジストとしては、光が照射（露光）された領域が硬化し、この露光された領域以外の領域が現像によって溶解し、除去されるネガ型フォトレジスト、および、露光された領域が現像によって溶解し、除去されるポジ型フォトレジストのいずれを用いてもよい。
ネガ型フォトレジストとしては、ロジン−重クロム酸塩、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）−重クロム酸塩、セラック−重クロム酸塩、カゼイン−重クロム酸塩、ＰＶＡ−ジアゾ、アクリル系フォトレジスト等のような水溶性フォトレジスト、ポリケイ皮酸ビニル、環化ゴム−アジド、ポリビニルシンナミリデンアセタート、ポリケイ皮酸β−ビニロキシエチルエステル等のような油溶性フォトレジスト等が挙げられる。
【０１３８】
また、ポジ型フォトレジストとしては、ｏ−ナフトキノンジアジド等のような油溶性フォトレジスト等が挙げられる。
フォトレジストを、基板２０上に、供給する方法としては、いかなる方法であってもよいが、塗布法が好適に用いられる。
塗布法としては有機ＥＬ素子１の製造方法の正孔輸送層形成工程［Ａ２］で説明したものと同様の方法を用いることができる。
次に、被膜８０’を、フォトマスクを介して露光および現像し、ソース電極３０およびドレイン電極４０を形成する領域に開口部８２０を有するレジスト層８０を形成する（図３（ｃ）参照。）。
【０１３９】
[Ｂ１−２] 次に、図３（ｄ）に示すように、前述したような処理が施された基板２０の開口部８２０内に、形成すべきソース電極３０およびドレイン電極４０に応じて、これら電極の構成材料またはその前駆体を含有する所定量の液状材料９０を供給する。
【０１４０】
この液状材料９０において、ソース電極３０およびドレイン電極４０の構成材料またはその前駆体を、溶解または分散する溶液または分散媒としては、前記正孔輸送層形成工程［Ａ２］で説明したものと同様のものを用いることができる。
また、この液状材料９０を開口部８２０内に供給する方法には、前述したものと同様の塗布法を用いることができるが、これらの中でも、インクジェット法（液滴吐出法）を用いるのが好ましい。インクジェット法によれば、液状材料９０を、液滴吐出ヘッドのノズルから液滴として吐出して、開口部８２０内に確実に供給することができる。その結果、レジスト層８０に液状材料９０が付着するのを確実に阻止することができる。
【０１４１】
[Ｂ１−３] 次に、開口部８２０に供給された液状材料９０から溶媒または分散媒を除去して、ソース電極３０およびドレイン電極４０を形成する。
前記溶媒または分散媒を除去する際の温度（除去温度）は、特に限定されず、溶媒または分散媒の種類によって若干異なるが、２０〜２００℃程度であるのが好ましく、５０〜１００℃程度であるのがより好ましい。これにより、液状材料９０中に含まれる溶媒または分散媒を、確実に除去することができる。
なお、この溶媒または分散媒の除去を、減圧下で加熱するようにしてもよい。これにより、液状材料９０中に含まれる溶媒または分散媒を、より確実に除去することができる。
【０１４２】
［Ｂ１−４］ 次に、基板２０からレジスト層８０を除去して、基板２０上に形成されたソース電極３０およびドレイン電極４０を得る（図４（ｆ）参照。）。
レジスト層８０の除去方法は、レジスト層８０の種類に応じて適宜選択すればよく、例えば、プラズマ処理やオゾン処理のようなアッシング、紫外線の照射、Ｎｅ−Ｈｅレーザー、Ａｒレーザー、ＣＯ２レーザー、ルビーレーザー、半導体レーザー、ＹＡＧレーザー、ガラスレーザー、ＹＶＯ４レーザー、エキシマレーザー等の各種レーザーの照射、レジスト層８０を溶解または分解し得る溶剤との接触（例えば浸漬）等により行うことができる。
【０１４３】
［Ｂ２］有機半導体層形成工程
次に、図４（ｈ）に示すように、ソース電極３０およびドレイン電極４０が形成された基板２０上に、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように、有機半導体層５０を形成する。
このとき、ソース電極３０とドレイン電極４０との間（ゲート電極７０に対応する領域）には、チャネル領域５１０が形成される。
この有機半導体層５０は、有機ＥＬ素子１の製造方法の正孔輸送層形成工程［Ａ２］で説明したのと同様の方法により、本発明の導電性材料用組成物を用いて形成される。
【０１４４】
そして、有機半導体層５０は、本発明の導電性材料（高分子）を主材料として構成されるものである。これにより、次工程［Ｂ３］において、ゲート絶縁層材料を有機半導体層５０上に供給した際に、このゲート絶縁層材料に含まれる溶媒または分散媒により、高分子が膨潤および溶解することを好適に抑制または防止することができる。その結果、有機半導体層５０とゲート絶縁層６０との相溶解を確実に防止することができる。
また、有機半導体層５０を本発明の導電性材料のように高分子を主材料として構成することにより、得られた有機ＴＦＴ１０において、有機半導体層５０とゲート絶縁層６０との界面付近において、これらの構成材料同士が経時的に混ざり合うのを確実に防止することができる。
【０１４５】
［Ｂ３］ゲート絶縁層形成工程
次に、図４（ｉ）に示すように、有機半導体層５０上に、ゲート絶縁層６０を塗布法を用いて形成する。
具体的には、ゲート絶縁層６０は、絶縁材料またはその前駆体を含む溶液を、前述した塗布法を用いて、有機半導体層５０上に塗布（供給）した後、必要に応じて、この塗膜に対して後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより形成することができる。
【０１４６】
［Ｂ４］ゲート電極形成工程
次に、図４（ｊ）に示すように、ゲート絶縁層６０上に、ゲート電極７０を塗布法を用いて形成する。
具体的には、ゲート電極７０は、電極材料またはその前駆体を含む溶液を、塗布法を用いて、ゲート絶縁層６０上に塗布（供給）した後、必要に応じて、この塗膜に対して後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより形成することができる。
【０１４７】
また、塗布法には、前述したのと同様の方法を用いることができるが、特に、インクジェット法を用いるのが好ましい。インクジェット法によれば、電極材料またはその前駆体を含む溶液を、液滴吐出ヘッドのノズルから液滴を吐出してパターニングすることができる。その結果、ゲート絶縁層６０上に、所定形状のゲート電極７０を、容易かつ確実に形成することができる。
以上のような工程を経て、有機ＴＦＴ１０が製造される。
【０１４８】
＜電子機器＞
また、前述したような、有機ＥＬ素子（発光素子）１や有機ＴＦＴ（スイッチング素子）１０のような本発明の電子デバイスは、各種電子機器に用いることができる。
図５は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【０１４９】
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００においては、例えば、表示ユニット１１０６が前述の有機ＥＬ素子（発光素子）１と有機ＴＦＴ（スイッチング素子）１０とを備えている。
【０１５０】
図６は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、例えば、この表示部が前述の有機ＥＬ素子（発光素子）１と有機ＴＦＴ（スイッチング素子）１０とを備えている。
【０１５１】
図７は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１５２】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、例えば、この表示部が前述の有機ＥＬ素子（発光素子）１と有機ＴＦＴ（スイッチング素子）１０とを備えている。
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
【０１５３】
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【０１５４】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【０１５５】
なお、本発明の電子機器は、図５のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図６の携帯電話機、図７のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
【０１５６】
以上、本発明の導電性材料用組成物、導電性材料、導電層、電子デバイスおよび電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、本発明の電子デバイスは、導電層を正孔輸送層として用いる場合、前述した表示素子（発光素子）の一例である有機ＥＬ素子に適用することができる他、例えば、受光素子（光電変換素子）の一例である太陽電池等に適用することができる。
【０１５７】
また、本発明の電子デバイスは、導電層を有機半導体層として用いる場合、前述したスイッチング素子の一例である有機ＴＦＴに適用することができる他、例えば、半導体素子等に適用することができる。
さらに、本発明の導電層は、上述した正孔輸送層として用いる他、例えば、配線および電極等に適用することができる。そして、この場合、本発明の電子デバイスは、例えば、配線基板等に適用することができる。
【実施例】
【０１５８】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．化合物の合成
まず、以下に示すような化合物（Ａ）〜（Ｓ）を用意した。
＜化合物（Ａ）＞
−１Ａ− まず、６−（ｐ−アミノフェニル）ヘキサノールを無水ジメチルホルムアミド中で、ベンジルブロミドと水素化ナトリウムで処理し、ヒドロキシル基をベンジルエーテル基に変換し保護した。
【０１５９】
−２Ａ− 次に、その得られた化合物１ｍｏｌを酢酸１５０ｍＬに溶解し、室温で無水酢酸を滴下後、撹拌した。反応終了後、析出した固体をろ過し、水洗後、乾燥した。
−３Ａ− 次に、６−（ｐ-アミノフェニル）ヘキサノールから得られたベンジルエーテル誘導体０．３７ｍｏｌ、１−ブロモナフタレン０．６６ｍｏｌ、炭酸カリウム１.１ｍｏｌ、銅粉、ヨウ素を混合し、２００℃で加熱した。放冷後、イソアミルアルコール１３０ｍＬ、純水５０ｍＬ、水酸化カリウム０.７３ｍｏｌを加え撹拌後、乾燥した。
【０１６０】
−４Ａ− さらに、そこで得られた化合物１３０ｍｍｏｌ、４，４’−ジヨードビフェニル６２ｍｍｏｌ、酢酸パラジウム１.３ｍｍｏｌ、ｔ−ブチルホスフィン５.２ｍｍｏｌ、ｔ−ブトキシナトリム２６０ｍｍｏｌ、キシレン７００ｍＬを混合して、１２０℃で撹拌した。その後、放冷し、結晶化した。
−５Ａ− その得られた化合物を、Ｐｄ−Ｃ触媒下水素ガスで還元し、ベンジルエーテル基からヒドロキシル基へ変換し脱保護した。
【０１６１】
−６Ａ− 次に、その化合物１００ｍｍｏｌとアクリロイルクロライド２００ｍｍｏｌとをキシレン溶液中に加え加熱しながら撹拌後、放冷し結晶化して化合物を得た。
そして、質量スペクトル（ＭＳ）法、1Ｈ-核磁気共鳴（1Ｈ-ＮＭＲ）スペクトル法、13Ｃ-核磁気共鳴（13Ｃ-ＮＭＲ）スペクトル法、およびフーリエ変換赤外吸収（ＦＴ−ＩＲ）スペクトル法により、得られた化合物が下記化合物（Ａ）であることを確認した。
【０１６２】
＜化合物（Ｂ）＞
アクリロイルクロライドに代えてｐ−（ブロモメチル）スチレンを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｂ）を得た。
＜化合物（Ｃ）＞
前記工程−６Ａ−に代えて、下記工程−６Ａ’−とした以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｃ）を得た。
−６Ａ’− 次に、その化合物１００ｍｍｏｌを５０％水酸化カリウム水溶液中に加え、加熱しながら撹拌した。次に、加圧下（５ＭＰａ）で１５０℃に保ちながら、アセチレンを毎時１リットルの流速で１０時間反応させた後、放冷し結晶化して化合物を得た。
【０１６３】
＜化合物（Ｄ）＞
前記工程−６Ａ−に代えて、下記工程−６Ａ”−とした以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｄ）を得た。
−６Ａ”− 次に、その化合物１００ｍｍｏｌとエピクロルヒドリン２０００ｍｍｏｌを少量のテトラ−ｎ−ブチルアンモニウム硫酸水素塩（相間移動触媒）を添加した５０％水酸化ナトリウム水溶液中に加え、室温下で１０時間攪拌した後、放冷し結晶化して化合物を得た。
【０１６４】
＜化合物（Ｅ）＞
６−（ｐ-アミノフェニル）ヘキサノールに代えて２−（ｐ−アミノフェニル）エタノールを用いた以外は、前記化合物（Ｄ）と同様にして、化合物（Ｅ）を得た。
＜化合物（Ｆ）＞
６−（ｐ-アミノフェニル）ヘキサノールに代えて８−（ｐ−アミノフェニル）オクタノールを用いた以外は、前記化合物（Ｄ）と同様にして、化合物（Ｆ）を得た。
【０１６５】
＜化合物（Ｇ）＞
６−（ｐ-アミノフェニル）ヘキサノールに代えて１−（ｐ−アミノフェニル）メタノールを用いた以外は、前記化合物（Ｄ）と同様にして、化合物（Ｇ）を得た。
＜化合物（Ｈ）＞
４，４’−ジヨードビフェニルに代えて３,３’−ジヨード−１,１’−ビイソベンゾチオフェンを用いた以外は、前記化合物（Ｄ）と同様にして、化合物（Ｈ）を得た。
【０１６６】
＜化合物（Ｉ）＞
４，４’−ジヨードビフェニルに代えて２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンを用いた以外は、前記化合物（Ｄ）と同様にして、化合物（Ｉ）を得た。
＜化合物（Ｊ）＞
１−ブロモナフタレンに代えて２−ブロモ−９，９−ジオクチルフルオレンを用いた以外は、前記化合物（Ｄ）と同様にして、化合物（Ｊ）を得た。
【０１６７】
＜化合物（Ｋ）＞
１−ブロモナフタレンに代えて２−ブロモチオフェンを用いた以外は、前記化合物（Ｄ）と同様にして、化合物（Ｋ）を得た。
＜化合物（Ｌ）＞
１−ブロモナフタレンに代えて２−ブロモ−１，３，４−オキサジアゾールを用いた以外は、前記化合物（Ｄ）と同様にして、化合物（Ｌ）を得た。
【０１６８】
＜化合物（Ｍ）＞
下記化合物（Ｍ）として、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）−ベンジジン（トスコ社製、「ＯＳＡ６１４０」）を用意した。
＜化合物（Ｎ）＞
下記化合物（Ｎ）として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）（バイエル社製、「バイトロンＰ」）を用意した。
【０１６９】
＜化合物（Ｏ）＞
下記化合物（Ｏ）として、３，５−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチル−フェニル），４−フェニル−１，２，４−トリアゾール（トスコ社製、「ＯＰＡ２９３８」）を用意した。
＜化合物（Ｐ）＞
下記化合物（Ｐ）として、ポリ［（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−オルト−コ（９，１０−アントラセン）］（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｄｙｅ Ｓｏｕｒｃｅ社製、「ＡＤＳ１０６ＲＥ」）を用意した。
【０１７０】
＜化合物（Ｑ）＞
下記化合物（Ｑ）として、ポリ［９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン−オルト−コ（４，４’−ビフェニレン）］
（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｄｙｅ Ｓｏｕｒｃｅ社製、「ＡＤＳ１０７ＧＥ」）を用意した。
＜化合物（Ｒ）＞
下記化合物（Ｒ）として、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−コ（１，４−ビニレンフェニレン）］
（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｄｙｅ Ｓｏｕｒｃｅ社製、「ＡＤＳ１２８ＧＥ」）を用意した。
【０１７１】
＜化合物（Ｓ）＞
下記化合物（Ｓ）として、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−コ（Ｎ，Ｎ ' −ジフェニル）−Ｎ，Ｎ'−ジ（（ｐ−ブチルフェニル）−１，４−
ジアミノベンゼン））］（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｄｙｅ Ｓｏｕｒｃｅ社製、「ＡＤＳ１３２ＧＥ」）を用意した。
【０１７２】
【化１４】
【０１７３】
【化１５】
【０１７４】
【化１６】
【０１７５】
２．有機ＥＬ素子の製造
以下の各実施例および各比較例において、有機ＥＬ素子を５個ずつ製造した。
（実施例１Ａ）
［正孔輸送材料の調製］
アリールアミン誘導体として化合物（Ａ）を用い、化合物（Ａ）とラジカル重合開始剤（長瀬産業社製、「イルガキュア ６５１」）とを重量比で９５：５の比率でキシレンに溶解させて、正孔輸送材料（導電性材料用組成物）を得た。
【０１７６】
［有機ＥＬ素子の作製］
−１Ｂ− まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板上に、真空蒸着法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
−２Ｂ− 次に、ＩＴＯ電極上に、前記正孔輸送材料を、スピンコート法により塗布し乾燥した。
その後、水銀ランプ（ウシオ電機社製、「ＵＭ−４５２型式」）にフィルターを用いて、大気中で波長１８５ｎｍ、照射強度３ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を４００秒間照射することにより、化合物（Ａ）を重合反応させて、平均厚さ５０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
【０１７７】
−３Ｂ− 次に、正孔輸送層上に、化合物（Ｐ）（発光材料）の１．５ｗｔ％キシレン溶液を、スピンコート法により塗布した後、乾燥して、平均厚さ５０ｎｍの発光層を形成した。
−４Ｂ− 次に、発光層上に、化合物（Ｏ）を真空蒸着し、平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層を形成した。
−５Ｂ− 次に、電子輸送層上に、真空蒸着法により、平均厚さ３００ｎｍのＡｌＬｉ電極（陰極）を形成した。
−６Ｂ− 次に、形成した各層を覆うように、ポリカーボネート製の保護カバーを被せ、紫外線硬化性樹脂により固定、封止して、有機ＥＬ素子を完成した。
（実施例２Ａ）
アリールアミン誘導体として化合物（Ｂ）を用いた以外は、前記実施例１Ａと同様にして、正孔輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
【０１７８】
（実施例３Ａ）
［正孔輸送材料の調製］
アリールアミン誘導体として化合物（Ｃ）を用い、化合物（Ｃ）と光カチオン重合開始剤（住友スリーエム社製、「ＦＣ−５０８」）とを重量比で９９：１の比率でキシレンに溶解させて、正孔輸送材料（導電性材料用組成物）を得た。
【０１７９】
［有機ＥＬ素子の作製］
−１Ｃ− 前記工程−１Ｂ−と同様にして、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板上に、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
−２Ｃ− 次に、ＩＴＯ電極上に、前記正孔輸送材料を、スピンコート法により塗布し乾燥した。
その後、水銀ランプ（ウシオ電機社製、「ＵＭ−４５２型式」）にフィルターを用いて、乾燥大気中で波長３６５ｎｍ、照射強度５００ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を１５秒間照射後、１１０℃で６０分間加熱することにより、化合物（Ａ）を重合反応させて、平均厚さ５０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
【０１８０】
−３Ｃ− 前記工程−３Ｂ−と同様にして、正孔輸送層上に、化合物（Ｐ）が発光材料として構成される、平均厚さ５０ｎｍの発光層を形成した。
−４Ｃ− 前記工程−４Ｂ−と同様にして、発光層上に、化合物（Ｏ）を主材料として構成される、平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層を形成した。
−５Ｃ− 前記工程−５Ｂ−と同様にして、電子輸送層上に、平均厚さ３００ｎｍのＡｌＬｉ電極（陰極）を形成した。
−６Ｃ− 前記工程−６Ｂ−と同様にして、ポリカーボネート製の保護カバーにより封止して、有機ＥＬ素子を完成した。
【０１８１】
（実施例４Ａ〜６Ａ）
アリールアミン誘導体として表１に示すものを用いた以外は、前記実施例３Ａと同様にして、正孔輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
（実施例７Ａ〜１４Ａ）
アリールアミン誘導体および発光材料として表１に示すものを用いた以外は、前記実施例３Ａと同様にして、正孔輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
【０１８２】
（比較例１Ａ）
［正孔輸送材料の調製］
化合物（Ｍ）をキシレンに溶解させて、正孔輸送材料を得た。
［有機ＥＬ素子の作製］
前記工程−２Ａ−において、水銀ランプによる紫外線の照射を省略した以外は、前記実施例１Ａと同様にして、有機ＥＬ素子を製造した。
【０１８３】
（比較例２Ａ）
［正孔輸送材料の調製］
化合物（Ｎ）を水に分散させることにより、２．０ｗｔ％水分散液を調製して、正孔輸送材料を得た。
なお、化合物（Ｎ）としては、３，４−エチレンジオキシチオフェンとスチレンスルホン酸との比率が、重量比で１：２０のものを用いた。
［有機ＥＬ素子の作製］
正孔輸送材料として、ここで調製した正孔輸送材料を用いた以外は、前記比較例１Ａと同様にして、有機ＥＬ素子を製造した。
【０１８４】
（比較例３Ａ）
［正孔輸送材料の調製］
アリールアミン誘導体誘導体として化合物（Ｍ）を用い、光架橋剤としてポリエステルアクリレート化合物（東亞合成社製、「アロニックス Ｍ−８０３０」）を用いて、化合物（Ｍ）とポリエステルアクリレート化合物、ラジカル重合開始剤（長瀬産業（株）社製：イルガキュア ６５１）を重量比で３０：６５：５の比率でキシレンに混合して、正孔輸送材料を得た。
［有機ＥＬ素子の作製］
正孔輸送材料として、ここで調製した正孔輸送材料を用いた以外は、前記実施例１Ａと同様にして、有機ＥＬ素子を製造した。
（比較例４Ａ）
アリールアミン誘導体として化合物（Ｇ）を用いた以外は、前記実施例３Ａと同様にして、正孔輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
【０１８５】
３．有機ＥＬ素子の評価
各実施例および各比較例の有機ＥＬ素子について、それぞれ、発光輝度（ｃｄ／ｍ２）、最大発光効率（ｌｍ／Ｗ）を測定すると共に、発光輝度が初期値の半分になる時間（半減期）を測定した。
また、各測定値は、いずれも、５個の有機ＥＬ素子から求めた。
【０１８６】
なお、発光輝度の測定は、ＩＴＯ電極とＡｌＬｉ電極との間に６Ｖの電圧を印加することで行った。
そして、比較例１Ａで測定された各測定値（発光輝度、最大発光効率、半減期）を基準値として、各実施例および各比較例で測定された各測定値を、それぞれ、以下の４段階の基準に従って評価した。
【０１８７】
◎：比較例１Ａの測定値に対し、１．５０倍以上である
○：比較例１Ａの測定値に対し、１．２５倍以上、１．５０倍未満である
△：比較例１Ａの測定値に対し、１．００倍以上、１．２５倍未満である
×：比較例１Ａの測定値に対し、０．７５倍以上、１．００倍未満である
これらの評価結果を、それぞれ、以下の表１に示す。
【０１８８】
【表１】
【０１８９】
表１に示すように、各実施例の有機ＥＬ素子は、いずれも、各比較例の有機ＥＬ素子と比較して、発光輝度、最大発光効率および半減期ともに、優れた結果が得られた。
これにより、本発明の有機ＥＬ素子は、主骨格同士の相互作用が好適に低減されていることが明らかとなった。また、正孔輸送層と発光層との相溶解が好適に防止されていることが明らかとなった。
【０１９０】
また、置換基Ｘを適宜選択することにより、各実施例において、主骨格の離間距離が適切な大きさに保たれているものほど、優れた発光輝度の向上、最大発光効率の向上および半減期の延長を示す結果が得られた。
さらに、実施例９Ａ〜１４Ａにおいても、形成された有機ＥＬ素子が優れた発光輝度、最大発光効率および半減期を示す結果が得られた。このことは、化合物（Ａ１）の置換基Ｒ１を適宜選択することにより、導電性材料のキャリア輸送能の特性が変化して、発光材料との組み合わせが好適なものとなっていることに起因すると推察された。
【０１９１】
４．有機ＴＦＴの製造
以下の各実施例および各比較例において、有機ＴＦＴを５個ずつ製造した。
（実施例１Ｂ）
［有機半導体材料の調製］
アリールアミン誘導体として化合物（Ｄ）を用いた以外は、前記実施例３Ａの正孔輸送材料と同様にして、有機半導体材料（導電性材料用組成物）を得た。
【０１９２】
［有機ＴＦＴの製造］
−１Ｅ− まず、平均厚さ１ｍｍのガラス基板を用意し、水（洗浄液）を用いて洗浄した。
次に、ガラス基板上に、スピンコート法によってフォトレジストを塗布した後、プレベーク処理を行うことによって被膜を形成した。
次に、この被膜に対して、フォトマスクを介して紫外線を照射（露光）した後に、現像を行った。これにより、ソース電極およびドレイン電極を形成する領域に開口部を有するレジスト層を形成した。
【０１９３】
−２Ｅ− 次に、この開口部内に、金コロイド水溶液を、インクジェット法により供給した。その後、金コロイド水溶液が供給されたガラス基板を加熱乾燥して、ソース電極およびドレイン電極を得た。
−３Ｅ− 次に、レジスト層を、酸素プラズマ処理によって除去した後、ソース電極およびドレイン電極が形成されたガラス基板を、水およびメタノールで順次洗浄した。
【０１９４】
−４Ｅ− 次に、正孔輸送材料に代えてここで調製した有機半導体材料を用いた以外は、前記工程−２Ｃ−と同様にすることにより、化合物（Ｄ）を重合反応させて、平均厚さ５０ｎｍの有機半導体層を形成した。
−５Ｅ− 次に、有機半導体層上に、ポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）の酢酸ブチル溶液を、スピンコート法により塗布した後、乾燥させることにより、平均厚さ５００ｎｍのゲート絶縁層を形成した。
−６Ｅ− 次に、ゲート絶縁層上の、ソース電極とドレイン電極との間の領域に対応する部分に、ポリエチレンジオキシチオフェンの水分散液を、インクジェット法により塗布した後乾燥した。これにより、平均厚さ１００ｎｍのゲート電極を形成した。
以上の工程により、有機ＴＦＴを製造した。
（実施例２Ｂ〜８Ｂ）
有機半導体材料に用いるアリールアミン誘導体として表２に示すものを用いた以外は、前記実施例１Ｂと同様にして、有機半導体材料の調製を行った後、有機ＴＦＴを製造した。
【０１９５】
（比較例１Ｂ）
［有機半導体材料の調製］
化合物（Ｍ）をキシレンに溶解させて、有機半導体材料を得た。
［有機ＴＦＴの作製］
前記工程−４Ｅ−において、水銀ランプによる紫外線の照射と加熱処理とを省略した以外は、前記実施例１Ｂと同様にして、有機ＴＦＴを製造した。
【０１９６】
（比較例２Ｂ）
［有機半導体材料の調製］
アリールアミン誘導体として化合物（Ｍ）を用い、光架橋剤として２官能エポキシ化合物（ナガセケムテックス社製、「デナコール ＥＸ−２１２」）を用いて、化合物（Ｍ）とエポキシ化合物、光カチオン重合開始剤（住友スリーエム社製、「ＦＣ−５０８」）を重量比で５０：４９：１の比率でキシレンに混合させて、有機半導体材料を得た。
［有機ＴＦＴの作製］
有機半導体材料として、ここで調製した有機半導体材料を用いた以外は、前記実施例１Ｂと同様にして、有機ＴＦＴを製造した。
（比較例３Ｂ）
有機半導体材料に用いるアリールアミン誘導体として化合物（Ｇ）を用いた以外は、前記実施例１Ｂと同様にして、有機半導体材料の調製を行った後、有機ＴＦＴを製造した。
【０１９７】
５．有機ＴＦＴの評価
各実施例および各比較例で製造した有機ＴＦＴについて、それぞれ、ＯＦＦ電流、ＯＮ電流の値を測定した。
ここで、ＯＦＦ電流とは、ゲート電圧を印加しないときに、ソース電極とドレイン電極との間に流れる電流の値のことであり、ＯＮ電流とは、ゲート電圧を印加したときに、ソース電極とドレイン電極との間に流れる電流の値のことである。
【０１９８】
したがって、ＯＦＦ電流の絶対値と、ＯＮ電流の絶対値との比（ＯＮ／ＯＦＦ比）の値が大きいもの程、良好な特性を有する有機ＴＦＴであることを意味する。
ＯＦＦ電流は、ソース電極とドレイン電極との電位差を３０Ｖとして測定し、ＯＮ電流は、ソース電極とドレイン電極との電位差を３０Ｖとし、ゲート電圧の絶対値を４０Ｖとして測定した。
そして、各実施例および各比較例で測定されたＯＮ／ＯＦＦ比の値を、それぞれ、以下の４段階の基準に従って評価した。
【０１９９】
◎：ＯＮ／ＯＦＦ比の値が、１０４以上である
○：ＯＮ／ＯＦＦ比の値が、１０３以上、１０４未満である
△：ＯＮ／ＯＦＦ比の値が、１０２以上、１０３未満である
×：ＯＮ／ＯＦＦ比の値が、１０２未満である
これらの評価結果を、それぞれ、以下の表２に示す。
【０２００】
【表２】
【０２０１】
表２に示すように、各実施例の有機ＴＦＴは、いずれも、各比較例の有機ＴＦＴと比較して、ＯＮ／ＯＦＦ比の値が大きく、特性に優れた結果が得られた。
これにより、主骨格同士の相互作用が好適に低減されていることが明らかとなった。また、有機半導体層とゲート絶縁層との相溶解が好適に防止されていることが明らかとなった。
また、置換基Ｘを適宜選択することにより、各実施例において、主骨格の離間距離が適切な大きさに保たれているものほど、ＯＮ／ＯＦＦ比の値が大きく、良好な特性を示す結果が得られた。
【図面の簡単な説明】
【０２０２】
【図１】有機ＥＬ素子の一例を示した縦断面図である。
【図２】有機ＴＦＴの実施形態を示す図であり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は平面図である。
【図３】図２に示す有機ＴＦＴの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図４】図２に示す有機ＴＦＴの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図５】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図６】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図７】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０２０３】
１……有機ＥＬ素子 ２……基板 ３……陽極 ４……有機ＥＬ層 ４１……正孔輸送層 ４２……発光層 ４３……電子輸送層 ５……陰極 ６……保護層 １０……有機薄膜トランジスタ ２０……基板 ３０……ソース電極 ４０……ドレイン電極 ５０……有機半導体層 ５１０……チャネル領域 ６０……ゲート絶縁層 ７０……ゲート電極 ８０……レジスト層 ８０’……被膜 ８２０……開口部 ９０……液状材料 １１００……パーソナルコンピュータ １１０２……キーボード １１０４……本体部 １１０６……表示ユニット １２００……携帯電話機 １２０２……操作ボタン １２０４……受話口 １２０６……送話口 １３００……ディジタルスチルカメラ １３０２……ケース（ボディー） １３０４……受光ユニット １３０６……シャッタボタン １３０８……回路基板 １３１２……ビデオ信号出力端子 １３１４……データ通信用の入出力端子 １４３０……テレビモニタ １４４０……パーソナルコンピュータ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性材料用組成物、導電性材料、導電層、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機材料を使用したエレクトロルミネッセンス素子（以下、単に「有機ＥＬ素子」という。）は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子（発光素子）としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。
一般に、有機ＥＬ素子は、陰極と陽極との間に発光層を有する構成であり、陰極と陽極との間に電界を印加すると、発光層に陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。
【０００３】
そして、注入された電子と正孔とが発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際の励起エネルギーを光エネルギーとして放出することにより、発光層が発光する。
このような有機ＥＬ素子において、有機ＥＬ素子の高効率化、すなわち、高い発光を得るためには、電子または正孔のキャリア輸送性の異なる有機材料で構成される有機層を、発光層と、陰極および／または陽極との間に積層する素子構造が有効であることが判っている。
【０００４】
そこで、キャリア輸送特性の異なる発光層と有機層と（以下、これらを併せて「有機層」という。）を電極上に積層する必要があるが、従来の塗布法を用いる製造方法においては、有機層を積層する際に、隣接する有機層との間で相溶解が生じ、その結果として、有機ＥＬ素子としての発光効率、発色の色純度またはパターン精度が悪くなる等の特性が低下するという問題があった。
【０００５】
そのため、有機層を積層する場合には、有機材料として溶解性の異なるものを組み合わせて用いることにより、積層するのに限られていた。
このような問題点を解決する方法として、下層となる有機層を構成する有機材料同士を重合化させることにより、下層の耐久性すなわち耐溶剤性を向上させる方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
また、下層となる有機層を構成する有機材料に硬化性樹脂を添加し、この硬化性樹脂と一緒に硬化させることによって、下層の耐溶剤性を向上させる方法も開示されている（例えば、特許文献２参照。）。
しかしながら、これらのような方法を用いた場合においても、有機ＥＬ素子の特性の向上は、期待するほど得られていないのが実情である。
また、このような問題は、有機材料を使用した薄膜トランジスタにおいても同様に生じている。
【０００７】
【特許文献１】特開平９−２５５７７４号公報
【特許文献２】特開２０００−２０８２５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、キャリア輸送能の優れた導電層を形成することができる導電性材料用組成物、かかる導電性材料用組成物を用いて得られたキャリア輸送能の優れた導電性材料、かかる導電性材料を主材料とする導電層、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の導電性材料用組成物は、下記一般式（Ａ１）で表される化合物を含有することを特徴とする。
【化１】
［式中、２つのＸは、下記一般式（Ｂ１）〜（Ｂ４）で表される置換基のうちのいずれかを表す。ただし、２つのＸは、その炭素数は、同一であっても、異なっていてもよい。２つのＲ１は、それぞれ独立して、置換または無置換の一価の芳香族基（ただし、フェニル基を除く。）を表す。４つのＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表す。Ｙは、置換または無置換の下記一般式（Ｃ１）〜（Ｃ３）のうちのいずれかで表される２価の芳香族基を表す。］
【化２】
［これらの式中、ｎ１は、２〜８の整数を表し、ｎ２は、３〜８の整数を表し、ｎ３は、３〜８の整数を表す。ｍ１は、０〜３の整数を表し、ｍ２は、０〜２の整数を表す。Ｚ１は、水素原子またはメチル基を表し、Ｚ２は、水素原子、メチル基またはエチル基を表す。］
【化３】
［これらの式中、ｎ４は、１〜３の整数を表す。］
これにより、前記一般式（Ａ１）で表される化合物の置換基Ｘ以外の部分である主骨格同士による相互作用を好適に防止して、置換基Ｘを重合反応させて得られた高分子（導電性材料）を優れたキャリア輸送能を発揮するものとすることができる。
【００１０】
本発明の導電性材料用組成物では、２つの前記置換基Ｘは、その炭素数が同一であることが好ましい。
これにより、隣接する主骨格同士の離間距離をほぼ一定とすることができる。その結果、この高分子中において電子密度に偏りが生じるのを好適に防止することができ、高分子のキャリア輸送能を確実に向上させることができる。
本発明の導電性材料用組成物では、前記置換基Ｘは、ベンゼン環の３位、４位または５位のうちのいずれかに結合していることが好ましい。
これにより、隣接する主骨格同士をより確実に離間させることができる。
【００１１】
本発明の導電性材料用組成物では、２つの前記置換基Ｒ１は、同一であることが好ましい。
これにより、主骨格の共役系の化学構造における電子密度の偏り、すなわち、π電子の局在化を好適に防止しつつ、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）等を確実に変化させることができ、その結果、高分子のキャリア輸送能の特性が変化することとなる。
【００１２】
本発明の導電性材料用組成物では、前記置換基Ｒ１の総炭素数は、２〜３０であることが好ましい。
置換基Ｒ１の総炭素数をかかる範囲内とすることにより、主骨格における平面性を保つことができ、高分子におけるキャリア輸送能が低下するのを確実に防止しつつ、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）等を確実に変化させることができる。
【００１３】
本発明の導電性材料用組成物では、前記置換基Ｒ１は、単環系または縮合多環系の芳香族基であることが好ましい。
これにより、主骨格における平面性をより確実に保持しつつ、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）等をより確実に変化させることができる。
【００１４】
本発明の導電性材料は、下記一般式（Ａ１）で表される化合物同士を置換基Ｘにおいて重合反応させて得られることを特徴とする。
【化４】
［式中、２つのＸは、下記一般式（Ｂ１）〜（Ｂ４）で表される置換基のうちのいずれかを表す。ただし、２つのＸは、その炭素数は、同一であっても、異なっていてもよい。２つのＲ１は、それぞれ独立して、置換または無置換の一価の芳香族基（ただし、フェニル基を除く。）を表す。４つのＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表す。Ｙは、置換または無置換の下記一般式（Ｃ１）〜（Ｃ３）のうちのいずれかで表される２価の芳香族基を表す。］
【化５】
［これらの式中、ｎ１は、２〜８の整数を表し、ｎ２は、３〜８の整数を表し、ｎ３は、３〜８の整数を表す。ｍ１は、０〜３の整数を表し、ｍ２は、０〜２の整数を表す。Ｚ１は、水素原子またはメチル基を表し、Ｚ２は、水素原子、メチル基またはエチル基を表す。］
【化６】
［これらの式中、ｎ４は、１〜３の整数を表す。］
これにより、優れたキャリア輸送能を有する導電性材料とすることができる。
【００１５】
本発明の導電性材料では、２つの前記置換基Ｘは、その炭素数が同一であることが好ましい。
これにより、隣接する主骨格同士の離間距離をほぼ一定とすることができる。その結果、この高分子中において電子密度に偏りが生じるのを好適に防止することができ、高分子のキャリア輸送能を確実に向上させることができる。
本発明の導電性材料では、前記置換基Ｘは、ベンゼン環の３位、４位または５位のうちのいずれかに結合していることが好ましい。
これにより、隣接する主骨格同士をより確実に離間させることができる。
【００１６】
本発明の導電性材料では、２つの前記置換基Ｒ１は、同一であることが好ましい。
これにより、主骨格の共役系の化学構造における電子密度の偏り、すなわち、π電子の局在化を好適に防止しつつ、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）等を確実に変化させることができ、その結果、高分子のキャリア輸送能の特性が変化することとなる。
【００１７】
本発明の導電性材料では、前記置換基Ｒ１の総炭素数は、２〜３０であることが好ましい。
置換基Ｒ１の総炭素数をかかる範囲内とすることにより、主骨格における平面性を保つことができ、高分子におけるキャリア輸送能が低下するのを確実に防止しつつ、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）等を確実に変化させることができる。
【００１８】
本発明の導電性材料では、前記置換基Ｒ１は、単環系または縮合多環系の芳香族基であることが好ましい。
これにより、主骨格における平面性をより確実に保持しつつ、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）等をより確実に変化させることができる。
【００１９】
本発明の導電性材料では、前記化合物は、光照射により重合反応することが好ましい。
光照射によれば、高分子化させる領域および程度を比較的容易に選択することができる。
本発明の導電層は、本発明の導電性材料用組成物を用いて形成されたことを特徴とする。
これにより、キャリア輸送能に優れる導電層を形成することができる。
【００２０】
本発明の導電層は、本発明の導電性材料を主材料とすることを特徴とする。
これにより、キャリア輸送能に優れる導電層を形成することができる。
本発明の導電層では、前記導電層は、正孔輸送層であることが好ましい。
これにより、正孔輸送能に優れる正孔輸送層を形成することができる。
本発明の導電層では、前記正孔輸送層の平均厚さは、１０〜１５０ｎｍであることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができる導電層とすることができる。
【００２１】
本発明の導電層は、有機半導体層であることが好ましい。
これにより、優れた半導体特性を示す有機半導体層を形成することができる。
本発明の導電層では、前記有機半導体層の平均厚さは、０．１〜１０００ｎｍであることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機薄膜トランジスタを得ることができる導電層とすることができる。
【００２２】
本発明の電子デバイスは、本発明の導電層を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明の電子デバイスは、本発明の導電層を有する積層体を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明の電子デバイスでは、前記電子デバイスは、発光素子または光電変換素子であることが好ましい。
これにより、信頼性の高い発光素子および光電変換素子が得られる。
【００２３】
本発明の電子デバイスでは、前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子が得られる。
本発明の電子デバイスは、本発明の導電層を有する積層体を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
【００２４】
本発明の電子デバイスは、スイッチング素子であることが好ましい。
これにより、信頼性の高いスイッチング素子が得られる。
本発明の電子デバイスでは、前記スイッチング素子は、有機薄膜トランジスタであることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機薄膜トランジスタが得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の導電性材料用組成物、導電性材料、導電層、電子デバイスおよび電子機器を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜導電層＞
まず、本発明の導電性材料を主材料として構成される導電層（本発明の導電層）について説明する。
【００２６】
本発明の導電性材料は、下記一般式（Ａ１）で表される化合物（アリールアミン誘導体）同士を置換基Ｘにおいて重合反応させて得られた高分子（ポリマー）、すなわち、置換基Ｘ以外の主骨格（アリールアミン骨格）同士を、置換基Ｘが反応して生成した化学構造（以下、この化学構造を「連結構造」という。）により連結してなる高分子を主成分とするものである。
【００２７】
【化７】
［式中、２つのＸは、下記一般式（Ｂ１）〜（Ｂ４）で表される置換基のうちのいずれかを表す。ただし、２つのＸは、その炭素数は、同一であっても、異なっていてもよい。２つのＲ１は、それぞれ独立して、置換または無置換の一価の芳香族基（ただし、フェニル基を除く。）を表す。４つのＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表す。Ｙは、置換または無置換の下記一般式（Ｃ１）〜（Ｃ３）のうちのいずれかで表される２価の芳香族基を表す。］
【００２８】
【化８】
［これらの式中、ｎ１は、２〜８の整数を表し、ｎ２は、３〜８の整数を表し、ｎ３は、３〜８の整数を表す。ｍ１は、０〜３の整数を表し、ｍ２は、０〜２の整数を表す。Ｚ１は、水素原子またはメチル基を表し、Ｚ２は、水素原子、メチル基またはエチル基を表す。］
【００２９】
【化９】
［これらの式中、ｎ４は、１〜３の整数を表す。］
【００３０】
ここで、このような高分子では、連結構造を介して前記主骨格が繰り返して結合する構成、すなわち、主骨格が所定の距離を離間して繰り返し存在している構成となっていることから、隣接する主骨格同士の相互作用が低減する。
また、前記主骨格は、共役系の化学構造を有し、その特有な電子雲の広がりにより、高分子における円滑なキャリア輸送に寄与する。
【００３１】
このようなことから、この高分子は、優れたキャリア輸送能を発揮し、かかる高分子を主材料とする層は、キャリア輸送能に優れたものとなる。
なお、このような高分子において、主骨格同士の離間距離が短くなり過ぎると、隣接する主骨格同士の相互作用が大きくなる傾向を示し、主骨格の離間距離が長くなり過ぎると、主骨格同士間におけるキャリアの受け渡しが困難となり、高分子のキャリア輸送能が低減する傾向を示す。
【００３２】
かかる観点から、置換基Ｘの構造を設定するのが好ましく、２つの置換基Ｘは上記一般式（Ｂ１）〜（Ｂ４）のうち同種のものが選択されるが、置換基Ｘとして上記一般式（Ｂ１）または（Ｂ２）のものを選択した場合には、ｎ１が２〜８、特に３〜６の直鎖状の炭素−炭素結合のものが好ましい。また、上記一般式（Ｂ３）のものを選択した場合には、ｎ２が３〜８、および、ｍ１が０〜３の直鎖状の炭素−炭素結合のものが好ましく、特にｎ２が４〜６、および、ｍ１が１または２の直鎖状の炭素−炭素結合のものが好ましい。さらに、上記一般式（Ｂ４）のものを選択した場合には、ｎ３が３〜６、および、ｍ２が０〜２の直鎖状の炭素−炭素結合のものが好ましく、特にｎ３が３〜６、および、ｍ２が０の直鎖状の炭素−炭素結合のものが好ましい。
【００３３】
かかる関係を満足するより、主骨格同士の距離を適度に保つことが可能となり、高分子中において、隣接する主骨格同士の相互作用をより確実に低減することができるとともに、主骨格同士間におけるキャリアの受け渡しがより確実に行われることから、高分子のキャリア輸送能が優れたものとなる。
ここで、置換基Ｘとして（Ｂ１）、（Ｂ２）および（Ｂ４）のものを選択した場合には、その末端に、それぞれ、（メタ）アクリロイル基、エポキシ基、ビニルエーテル基に置換基Ｚ２を導入したビニルエーテル誘導体基が存在する。（メタ）アクリロイル基、エポキシ基およびビニルエーテル誘導体基は、高い反応性および結合安定性を有することから、比較的容易に置換基Ｘ同士を重合反応させて、鎖長の長い高分子を形成することができる。
【００３４】
さらに、（メタ）アクリロイル基を用いて重合反応させることにより生じた連結構造中には、酸素原子と炭素原子との内に二重結合（π結合）が２つ存在することとなる。これにより、主骨格同士の距離が比較的長くなった場合においても、２つのπ結合（共役系の結合）を介して、主骨格同士間におけるキャリアの受け渡しを確実に行うことができる。また、この２つのπ結合と主骨格との間には直鎖状の炭素−炭素結合（アルキレン基）が存在することから、主骨格同士の相互作用の増強を防止することができる。
【００３５】
エポキシ基またはビニルエーテル誘導体基を用いて重合反応させることにより生じた連結構造中には、エーテル結合と、直鎖状の炭素−炭素結合（アルキレン基）とが存在することとなる。このような構造を有する連結構造中においては、電子の移動が抑制されることとなる。これにより、主骨格同士の距離が比較的短くなった場合においても、主骨格同士の相互作用が増強するのを防止または抑制することができる。
【００３６】
なお、例えば、ベンゼン環のように、π結合の中でも共役系の結合が多い構造が存在すると、この構造を介して隣接する主骨格同士が相互作用を及ぼすようになり、主骨格同士を離間することによる効果が相殺されてしまう。
ところで、置換基Ｘとして（Ｂ３）のものを選択した場合には、置換基Ｘが、上記一般式（Ｂ３）に示すように、その末端に官能基として、スチレン基に置換基Ｚ２を導入したスチレン誘導体基を有していることから、連結構造中には、ベンゼン環が存在することとなる。
【００３７】
そのため、ベンゼン環と共役系の化学構造を有する主骨格とが接近しすぎる場合、例えば、ベンゼン環と主骨格とがエーテル結合により結合している場合や、ｎ２とｍ１との合計数が２の場合等では、このベンゼン環を介して隣接する主骨格同士が相互作用を及ぼすようになる。
ところが、この高分子では、主骨格とこのベンゼン環との結合がｎ２とｍ１との合計数が３以上、すなわち３つ以上のメチレン基とエーテル結合とを介して形成される。これにより、主骨格とベンゼン環との離間距離が好適な状態に保たれることとなる。その結果、隣接する主骨格同士が相互作用を及ぼしあうのを好適に抑制または防止にすることができる。
なお、置換基（Ｂ３）および置換基（Ｂ４）に含まれる置換基Ｚ２は、水素原子、メチル基またはエチル基であるが、置換基Ｚ２は、ｎ２とｍ１またはｎ３とｍ２との合計数、すなわちメチレン基の合計数に応じて選択するようにすればよい。
【００３８】
例えば、前記合計数が小さい場合には、置換基Ｚ２としては、メチル基またはエチル基を選択するようにすればよい。ここで、メチル基とエチル基が電子供与性の置換基であることから、置換基Ｚ２として、メチル基およびエチル基を選択することにより、電子を主骨格側に偏らせることができる。その結果、ベンゼン環を介して隣接する主骨格同士が相互作用を及ぼすようになるのを好適に防止することができる。
【００３９】
また、２つの置換基Ｘは、その炭素数がほぼ同一のものであるのが好ましく、同一のものであるのがより好ましい。これにより、隣接する主骨格同士の離間距離をほぼ一定とすることができる。その結果、この高分子中において電子密度に偏りが生じるのを好適に防止することができ、高分子のキャリア輸送能を確実に向上させることができる。
また、置換基Ｘは、ベンゼン環の２位から６位のいかなる位置に結合してもよいが、特に、３位、４位または５位のうちのいずれかに結合しているのが好ましい。これにより、隣接する主骨格同士の結合を置換基Ｘを介して行うことの効果をより顕著に発揮させることができる。すなわち、隣接する主骨格同士をより確実に離間させることができる。
【００４０】
次に、高分子において、キャリアの輸送に寄与する主骨格について説明する。
また、基（結合基）Ｙは、置換または無置換の下記一般式（Ｃ１）〜（Ｃ３）のうちのいずれかで表される２価の芳香族基である。基Ｙをかかる化学構造を備える２価の芳香族基で構成することにより、主骨格における電子雲の広がりが安定化して、主骨格に優れたキャリア輸送能を付与することができる。その結果、高分子は、優れたキャリア輸送能を発揮するものとなる。
【００４１】
なお、ｎ４は、１〜３の範囲内に設定される。ｎ４をかかる範囲内に設定することにより、主骨格における平面性を保つことができ、前述したような効果を確実に得ることができる。
ここで、この化合物（Ａ１）において、置換基Ｒ１をフェニル基で構成すると、この化合物（Ａ１）同士を置換基Ｘにおいて重合反応させることにより得られた高分子は、正孔輸送性を示すものとなる。
【００４２】
これに対して、置換基Ｒ１を、フェニル基に代えて、置換または無置換の一価の芳香族基（ただし、フェニル基を除く。）で構成することにより、得られる高分子におけるキャリア輸送能の特性を容易に調整することができる。すなわち、置換または無置換の一価の芳香族基の種類を適宜選択することにより、例えば、本発明の導電層を後述するような有機エレクトロルミネッセンス素子が備える正孔輸送層に適用して、類似する骨格を備えかつ異なる発光特性を有する発光材料に対して、最適なキャリア注入バランスを実現させる必要がある場合、すなわち、正孔輸送材料と発光材料との組み合わせを考慮してこの正孔輸送材料のキャリア輸送能を制御する（変化させる）必要がある場合において、高分子（正孔輸送材料）におけるキャリア輸送能の特性を比較的容易に変化させることができる。
これは、キャリア輸送に寄与する主骨格における電子雲の広がり（電子の分布状態）が変化することに伴って、高分子において、例えば、その価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等が変化することに起因すると考えられる。
【００４３】
なお、基Ｙを上記一般式（Ｃ１）〜（Ｃ３）で構成するのに代えて、これら以外の２価の芳香族複素環で構成することによっても、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）等を変化させることができるが、本発明のように、置換基Ｒ１の種類を、フェニル基を除く置換または無置換の一価の芳香族基から適宜選択する構成とすることにより、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）等を比較的小さく変化させることができる。
【００４４】
このような化合物（Ａ１）において、２つの置換基Ｒ１は、その炭素数がほぼ同一のものであるのが好ましく、同一のものであるのがより好ましい。これにより、主骨格の共役系の化学構造における電子密度の偏り、すなわち、π電子の局在化を好適に防止しつつ、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）等をより確実に変化させることができ、その結果、高分子のキャリア輸送能の特性がより確実に変化することとなる。
【００４５】
また、置換基Ｒ１の総炭素数は、２〜３０であるのが好ましく、２〜１５であるのがより好ましい。置換基Ｒ１の総炭素数をかかる範囲内とすることにより、主骨格における平面性を保つことができ、高分子におけるキャリア輸送能が低下するのを確実に防止しつつ、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）等を確実に変化させることができる。
【００４６】
置換基Ｒ１は、単環系または縮合多環系の芳香族環であるのが好ましい。これにより、主骨格における平面性をより確実に保持しつつ、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）等をより確実に変化させることができる。
これらのことを考慮すると、置換基Ｒ１すなわち置換または無置換の一価の芳香族基としては、例えば、下記化学式（Ｄ１）〜（Ｄ９）で表されるものが特に好ましい構造である。
【００４７】
【化１０】
［これらの式中、Ｑ１は、Ｎ−Ｔ１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ１は、Ｈ、ＣＨ３またはＰｈを表す。）を表す。Ｑ２は、Ｎ−Ｔ３、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ３は、Ｈ、ＣＨ３、Ｃ２Ｈ５またはＰｈを表す。）を表す。］
【００４８】
これらの内、例えば、置換基Ｒ１として、上記化学式（Ｄ１）、（Ｄ３）〜（Ｄ８）（ただし、Ｑ２がＳ、ＳｅまたはＴｅの場合）のうちのいずれかを選択した場合、置換基Ｒ１をフェニル基で構成する場合に対して、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位を上げる方向に変化させることができる。
一方、置換基Ｒ１として、上記化学式（Ｄ２）、（Ｄ５）、（Ｄ６）、（Ｄ８）および（Ｄ９）（ただし、Ｑ２がＮ-Ｔ３またはＯの場合）のうちのいずれかを選択した場合、その骨格由来の電子吸引性効果により、置換基Ｒ１をフェニル基で構成する場合に対して、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位を下げる方向に変化させることができる。
【００４９】
なお、同一の置換基Ｒ１を選択した場合であっても、置換基Ｒ１と、この置換基Ｒ１が結合する窒素原子との置換（結合）位置を適宜選択することによっても高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位、さらにバンドギャップ（禁止帯幅）等を変化させることができる。
以上のように、置換基Ｒ１の化学構造や置換位置を適宜設定することにより、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）等を、その用途に合わせて比較的容易に変化させる（制御する）ことができる。
【００５０】
また、置換基Ｒ１には、主骨格における平面性が大きく阻害されないような置換基が導入されていてもよい。このような置換基としては、例えば、アルキル基やハロゲン基等が挙げられる。
また、置換基Ｒ２は、水素原子、メチル基またはエチル基であり、置換基Ｒ２は、置換基Ｘの炭素数に応じて選択するようにすればよい。例えば、置換基Ｘの炭素数が大きい場合には、置換基Ｒ２としては、水素原子を選択し、置換基Ｘの炭素数が小さい場合には、置換基Ｒ２としては、メチル基またはエチル基を選択するようにすればよい。
【００５１】
ところで、置換基Ｘ同士の間で重合反応を進行させて高分子を得る際に、この置換基Ｘ同士の重合反応に架橋剤を介在させるようにしてもよい。これにより、置換基Ｘとして、その炭素数が比較的小さいもの、換言すれば、その鎖長が比較的短いものを選択した場合においても、主骨格同士の離間距離が小さくなりすぎるのを好適に防止して、主骨格同士の相互作用の増強を確実に防止することができる。
【００５２】
置換基Ｘとして、前記一般式（Ｂ１）で表されるものを選択した場合、架橋剤としては、例えば、ポリエステル（メタ）アクリレート架橋剤、エポキシ（メタ）アクリレート架橋剤およびポリウレタン（メタ）アクリレート架橋剤等のアクリル系架橋剤のうちの少なくとも１種を用いるのが好ましい。
なお、ポリエステル（メタ）アクリレート架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｅ１）〜（Ｅ３）で表される化合物が挙げられる。
エポキシ（メタ）アクリレート架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｅ４）〜（Ｅ８）で表される化合物が挙げられる。
ポリウレタン（メタ）アクリレート架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｅ９）で表される化合物が挙げられる。
【００５３】
【化１１ａ】
【化１１ｂ】
［これらの式中、ｎ５は、４５００以下の整数を表す。ｎ６は、１〜３の整数を表す。ｎ７は、０〜１５００の整数を表す。各ｎ８は、それぞれ独立して、１〜１０の整数を表し、同一であっても、異なっていてもよい。ｎ９は、１〜４０の整数を表す。ｎ10は、１〜１００の整数を表す。各Ｒ３は、それぞれ独立して、炭素数が１〜１０のアルキレン基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。Ｒ４は、炭素数が１〜１００のアルキレン基を表す。各Ａ１は、それぞれ独立して、水素原子またはメチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。各Ａ２は、それぞれ独立して、ジイソシアネート化合物から２つのイソシアネート基を除いた基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
【００５４】
また、前記一般式（Ｂ２）で表されるものを選択した場合、架橋剤としては、例えば、（メタ）アクリル酸エステル系エポキシ架橋剤、ビスフェノール型エポキシ架橋剤、グリシジルエステル系エポキシ架橋剤、脂環式系エポキシ架橋剤、ウレタン変性エポキシ架橋剤、ケイ素含有エポキシ架橋剤、多官能性フェノール系エポキシ架橋剤およびグリシジルアミン系エポキシ架橋剤等のエポキシ架橋剤のうちの少なくとも１種を用いるのが好ましい。
【００５５】
なお、（メタ）アクリル酸エステル系エポキシ架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｆ１）で表される化合物が挙げられる。
ビスフェノール型エポキシ架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｆ２）〜（Ｆ６）で表される化合物が挙げられる。
グリシジルエステル系エポキシ架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｆ７）〜（Ｆ８）で表される化合物が挙げられる。
【００５６】
脂環式系エポキシ架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｆ９）〜（Ｆ１２）で表される化合物が挙げられる。
ウレタン変性エポキシ架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｆ１３）で表される化合物が挙げられる。
ケイ素含有エポキシ架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｆ１４）で表される化合物が挙げられる。
多官能性フェノール系エポキシ架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｆ１５）〜（Ｆ２２）で表される化合物が挙げられる。
グリシジルアミン系エポキシ架橋剤としては、例えば、下記一般式（Ｆ２３）〜（Ｆ２５）で表される化合物が挙げられる。
【００５７】
【化１２ａ】
【化１２ｂ】
【化１２ｃ】
【化１２ｄ】
［これらの式中、Ａ１は、水素原子またはメチル基を表す。各ｎ８は、それぞれ独立して、０〜１０の整数を表し、同一であっても、異なっていてもよい。各ｎ11は、それぞれ独立して、１〜２０の整数を表し、同一であっても、異なっていてもよい。ｎ12は、１〜３０の整数を表す。ｎ13は、０〜８の整数を表す。Ａ２は、ジイソシアネート化合物から２つのイソシアネート基を取り除いた基を表し、各Ａ１は、それぞれ独立して、ジオール化合物から２つの水酸基を取り除いた基を表し、同一であっても異なっていてもよい。］
【００５８】
前記一般式（Ｂ３）で表されるものを選択した場合、架橋剤としては、例えば、ビニル化合物を用いることができるが、これらの中でも、下記一般式（Ｇ１）で表されるポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレートやジビニルベンゼンのうちの少なくとも１種を用いるのが好ましい。
【００５９】
【化１３】
［式中、ｎ14は、５〜１５の整数を表し、各Ａ１は、それぞれ独立して、水素原子またはメチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
【００６０】
さらに、前記一般式（Ｂ４）で表されるものを選択した場合、前記一般式（Ｂ３）で表されるもの場合と同様に、架橋剤としては、例えば、ビニル化合物を用いることができるが、前記一般式（Ｇ１）で表されるポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレートを用いるのが好ましい。
このような導電層は、重合反応により得られた高分子を主材料とすることから、耐溶剤性に優れたものとなる。その結果、この導電層上に接触して上層を形成する場合に、この上層を形成するための材料に含まれる溶媒または分散媒により、導電層が膨潤または溶解するのを確実に防止することができる。
【００６１】
また、このような導電層を有する積層体を用いて、後述するような電子デバイスを構築した場合、この導電層が高分子を主材料として構成されていることから、この導電層と接触する層（接触層）の界面付近において、導電層の構成材料と接触層の構成材料とが経時的に混ざり合うのを確実に防止することができる。その結果、電子デバイスの特性が経時的に劣化するのを防止することができる。
【００６２】
＜有機エレクトロルミネッセンス素子＞
次に、本発明の電子デバイスを、発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、単に「有機ＥＬ素子」という。）に適用した場合の実施形態について説明する。
図１は、有機ＥＬ素子の一例を示した縦断面図である。
図１に示す有機ＥＬ素子１は、透明な基板２と、基板２上に設けられた陽極３と、陽極３上に設けられた有機ＥＬ層４と、有機ＥＬ層４上に設けられた陰極５と、各前記層３、４、５を覆うように設けられた保護層６とを備えている。
【００６３】
基板２は、有機ＥＬ素子１の支持体となるものであり、この基板２上に各前記層が形成されている。
基板２の構成材料としては、透光性を有し、光学特性が良好な材料を用いることができる。
このような材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような各種樹脂材料や、各種ガラス材料等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【００６４】
基板２の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
陽極３は、有機ＥＬ層４（後述する正孔輸送層４１）に正孔を注入する電極である。また、この陽極３は、有機ＥＬ層４（後述する発光層４２）からの発光を視認し得るように、実質的に透明（無色透明、有色透明、半透明）とされている。
【００６５】
かかる観点から、陽極３の構成材料（陽極材料）としては、仕事関数が大きく、導電性に優れ、また、透光性を有する材料を用いるのが好ましい。
このような陽極材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ2、Ｓｂ含有ＳｎＯ2、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【００６６】
陽極３の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。陽極３の厚さが薄すぎると、陽極３としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陽極３が厚過ぎると、陽極材料の種類等によっては、光の透過率が著しく低下し、実用に適さなくなるおそれがある。
【００６７】
なお、陽極材料には、例えば、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂材料を用いることもできる。
一方、陰極５は、有機ＥＬ層４（後述する電子輸送層４３）に電子を注入する電極である。
陰極５の構成材料（陰極材料）としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。
【００６８】
このような陰極材料としては、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
特に、陰極材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極材料として用いることにより、陰極５の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
【００６９】
陰極５の厚さ（平均）は、１ｎｍ〜１μｍ程度であるのが好ましく、１００〜４００ｎｍ程度であるのがより好ましい。陰極５の厚さが薄すぎると、陰極５としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陰極５が厚過ぎると、有機ＥＬ素子１の発光効率が低下するおそれがある。
陽極３と陰極５との間には、有機ＥＬ層（有機層）４が設けられている。有機ＥＬ層４は、正孔輸送層４１と、発光層４２と、電子輸送層４３とを備え、これらがこの順で陽極３上に形成されている。
【００７０】
正孔輸送層４１は、陽極３から注入された正孔を発光層４２まで輸送する機能を有するものである。
この正孔輸送層４１として、本発明の導電性材料を用いることができる。
ここで、正孔輸送層４１を本発明の導電性材料を主材料として構成する場合、例えば、後述する発光層４２の構成材料（発光材料）の発光特性に応じて、すなわち、赤色、緑色または青色といった発光色の違いに応じて、前述したような本発明の導電性材料のキャリア注入バランス（キャリア輸送能の特性）を考慮して、正孔輸送層４１の構成材料を選択すればよい。
【００７１】
すなわち、後述する電子輸送層４３から発光層４２への電子の注入効率が比較的低い場合には、正孔輸送層４１から発光層４２への正孔の注入効率をやや抑え得るように、この正孔輸送層４１の構成材料を選択すればよい。
具体的には、正孔の注入効率をやや抑えたい場合、例えば、正孔輸送層４１に用いる導電性材料としては、置換基Ｒ１の化学構造が前記化学式（Ｄ２）、（Ｄ５）、（Ｄ６）、（Ｄ８）および（Ｄ９）（ただし、Ｑ２がＮ-Ｔ３あるいはＯの場合）のうちのいずれかを選択するのが好ましい。これにより、前述したような効果を確実に得ることができる。
【００７２】
これとは逆に、電子輸送層４３から発光層４２への電子の注入効率が比較的高い場合には、正孔輸送層４１から発光層４２への正孔の注入効率をやや促進し得るように、この正孔輸送層４１の構成材料を選択すればよい。
具体的には、正孔注入効率をやや促進したい場合、例えば、正孔輸送層４１に用いる導電性材料としては、置換基Ｒ１の化学構造が前記化学式（Ｄ１）、（Ｄ３）〜（Ｄ８）（ただし、Ｑ２がＳ、ＳｅまたはＴｅの場合）を選択するのが好ましい。これにより、前述したような効果を確実に得ることができる。
また、正孔輸送層４１は、その体積抵抗率が１０Ω・ｃｍ以上であるのが好ましく、１０２Ω・ｃｍ以上であるのがより好ましい。これにより、発光効率のより高い有機ＥＬ素子１を得ることができる。
【００７３】
正孔輸送層４１の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。正孔輸送層４１の厚さが薄すぎると、ピンホールが生じるおそれがあり、一方、正孔輸送層４１が厚過ぎると、正孔輸送層４１の透過率が悪くなる原因となり、有機ＥＬ素子１の発光色の色度（色相）が変化してしまうおそれがある。
なお、本発明の導電性材料は、かかる比較的薄い正孔輸送層４１を形成する場合に、特に有用である。
また、電子輸送層４３は、陰極５から注入された電子を発光層４２まで輸送する機能を有するものである。
【００７４】
電子輸送層４３の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物（スターバースト系化合物）、ナフタレンのようなナフタレン系化合物、フェナントレンのようなフェナントレン系化合物、クリセンのようなクリセン系化合物、ペリレンのようなペリレン系化合物、アントラセンのようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、アクリジンのようなアクリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベン系化合物、ＢＢＯＴのようなチオフェン系化合物、ブタジエンのようなブタジエン系化合物、クマリンのようなクマリン系化合物、キノリンのようなキノリン系化合物、ビスチリルのようなビスチリル系化合物、ピラジン、ジスチリルピラジンのようなピラジン系化合物、キノキサリンのようなキノキサリン系化合物、ベンゾキノン、２，５−ジフェニル−パラ−ベンゾキノンのようなベンゾキノン系化合物、ナフトキノンのようなナフトキノン系化合物、アントラキノンのようなアントラキノン系化合物、オキサジアゾール、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、ＢＭＤ、ＢＮＤ、ＢＤＤ、ＢＡＰＤのようなオキサジアゾール系化合物、トリアゾール、３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、オキサゾール系化合物、アントロンのようなアントロン系化合物、フルオレノン、１，３，８−トリニトロ−フルオレノン（ＴＮＦ）のようなフルオレノン系化合物、ジフェノキノン、ＭＢＤＱのようなジフェノキノン系化合物、スチルベンキノン、ＭＢＳＱのようなスチルベンキノン系化合物、アントラキノジメタン系化合物、チオピランジオキシド系化合物、フルオレニリデンメタン系化合物、ジフェニルジシアノエチレン系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする錯体のような各種金属錯体等が挙げられる。
【００７５】
また、電子輸送材料は、以上のような化合物のうちの少なくとも１種を用いることができる。
さらに、電子輸送層４３の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、２０〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。電子輸送層４３の厚さが薄すぎると、ピンホールが生じショートするおそれがあり、一方、電子輸送層４３が厚過ぎると、抵抗値が高くなるおそれがある。
【００７６】
さて、陽極３と陰極５との間に通電（電圧を印加）すると、正孔輸送層４１中を正孔が、また、電子輸送層４３中を電子が移動し、発光層４２において正孔と電子とが再結合する。そして、発光層４２では、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、このエキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。
【００７７】
この発光層４２の構成材料（発光材料）としては、電圧印加時に陽極３側から正孔を、また、陰極５側から電子を注入することができ、正孔と電子が再結合する場を提供できるものであれば、いかなるものであってもよい。
このような発光材料には、以下に示すような、各種低分子の発光材料、各種高分子の発光材料があり、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
【００７８】
なお、低分子の発光材料を用いることにより、緻密な発光層４２が得られるため、発光層４２の発光効率が向上する。また、高分子の発光材料を用いることにより、比較的容易に溶剤へ溶解させることができるため、インクジェット印刷法等の各種塗布法による発光層４２の形成を容易に行うことができる。さらに、低分子の発光材料と高分子の発光材料とを組み合わせて用いることにより、低分子の発光材料および高分子の発光材料を用いる効果を併有すること、すなわち、緻密かつ発光効率に優れる発光層４２を、インクジェット印刷法等の各種塗布法により、容易に形成することができるという効果が得られる。
【００７９】
低分子の発光材料としては、例えば、ジスチリルベンゼン（ＤＳＢ）、ジアミノジスチリルベンゼン（ＤＡＤＳＢ）のようなベンゼン系化合物、ナフタレン、ナイルレッドのようなナフタレン系化合物、フェナントレンのようなフェナントレン系化合物、クリセン、６−ニトロクリセンのようなクリセン系化合物、ペリレン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−３，４，９，１０−ペリレン−ジ−カルボキシイミド（ＢＰＰＣ）のようなペリレン系化合物、コロネンのようなコロネン系化合物、アントラセン、ビススチリルアントラセンのようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、４−（ジ−シアノメチレン）−２−メチル−６−（パラ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）のようなピラン系化合物、アクリジンのようなアクリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベン系化合物、２，５−ジベンゾオキサゾールチオフェンのようなチオフェン系化合物、ベンゾオキサゾールのようなベンゾオキサゾール系化合物、ベンゾイミダゾールのようなベンゾイミダゾール系化合物、２，２’−（パラ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾールのようなベンゾチアゾール系化合物、ビスチリル（１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン）、テトラフェニルブタジエンのようなブタジエン系化合物、ナフタルイミドのようなナフタルイミド系化合物、クマリンのようなクマリン系化合物、ペリノンのようなペリノン系化合物、オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物、アルダジン系化合物、１，２，３，４，５−ペンタフェニル−１，３−シクロペンタジエン（ＰＰＣＰ）のようなシクロペンタジエン系化合物、キナクリドン、キナクリドンレッドのようなキナクリドン系化合物、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジンのようなピリジン系化合物、２，２’，７，７’−テトラフェニル−９，９’−スピロビフルオレンのようなスピロ化合物、フタロシアニン（Ｈ２Ｐｃ）、銅フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ３）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ２）、（１，１０−フェナントロリン）−トリス−（４，４，４−トリフルオロ−１−（２−チエニル）−ブタン−１，３−ジオネート）ユーロピウム（III）（Ｅｕ（ＴＴＡ）３（ｐｈｅｎ））、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、（２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン）プラチナム（II）のような各種金属錯体等が挙げられる。
【００８０】
高分子の発光材料としては、例えば、トランス型ポリアセチレン、シス型ポリアセチレン、ポリ（ジ−フェニルアセチレン）（ＰＤＰＡ）、ポリ（アルキル，フェニルアセチレン）（ＰＡＰＡ）のようなポリアセチレン系化合物、ポリ（パラ−フェンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（２，５−ジアルコキシ−パラ−フェニレンビニレン）（ＲＯ−ＰＰＶ）、シアノ−置換−ポリ（パラ−フェンビニレン）（ＣＮ−ＰＰＶ）、ポリ（２−ジメチルオクチルシリル−パラ−フェニレンビニレン）（ＤＭＯＳ−ＰＰＶ）、ポリ（２−メトキシ，５−（２’−エチルヘキソキシ）−パラ−フェニレンビニレン）（ＭＥＨ−ＰＰＶ）のようなポリパラフェニレンビニレン系化合物、ポリ（３−アルキルチオフェン）（ＰＡＴ）、ポリ（オキシプロピレン）トリオール（ＰＯＰＴ）のようなポリチオフェン系化合物、ポリ（９，９−ジアルキルフルオレン）（ＰＤＡＦ）、α，ω−ビス［Ｎ，Ｎ’−ジ（メチルフェニル）アミノフェニル］−ポリ［９，９−ビス（２−エチルヘキシル）フルオレン−２，７−ジル］（ＰＦ２／６ａｍ４）、ポリ（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニル−オルト−コ（アントラセン−９，１０−ジイル）のようなポリフルオレン系化合物、ポリ（パラ−フェニレン）（ＰＰＰ）、ポリ（１，５−ジアルコキシ−パラ−フェニレン）（ＲＯ−ＰＰＰ）のようなポリパラフェニレン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）のようなポリカルバゾール系化合物、ポリ（メチルフェニルシラン）（ＰＭＰＳ）、ポリ（ナフチルフェニルシラン）（ＰＮＰＳ）、ポリ（ビフェニリルフェニルシラン）（ＰＢＰＳ）のようなポリシラン系化合物等が挙げられる。
【００８１】
また、正孔輸送層４１と電子輸送層４３とに用いる構成材料の組み合わせによっては、発光材料として本発明の導電性材料を用いることもできる。
例えば、正孔輸送層４１の構成材料として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）のようなポリ（チオフェン／スチレンスルホン酸）、Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（α−ＮＰＤ）のようなアリールアミン化合物等を用い、電子輸送層４３の構成材料として３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−５−（ビフェニル−４−イル）−１，３，５−オキサジアゾール（ＰＢＤ）のようなオキサジアゾール化合物等を用いた場合には、発光層４２を構成する導電性材料として、例えば、置換基Ｒ１の化学構造が前記化学式（Ｄ２）のものを用いることができる。
【００８２】
発光層４２の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。発光層の厚さを前記範囲とすることにより、正孔と電子との再結合が効率よくなされ、発光層４２の発光効率をより向上させることができる。
なお、有機ＥＬ素子１は、正孔輸送層４１または発光層４２のうちのいずれか一方が本発明の導電性材料で構成されるようなものであってもよく、これらの双方が本発明の導電性材料で構成されるようなものであってもよい。
【００８３】
また、発光層４２は、正孔輸送層４１および電子輸送層４３と別個に設けられているが、正孔輸送層４１と発光層４２とを兼ねた正孔輸送性発光層や、電子輸送層４３と発光層４２とを兼ねた電子輸送性発光層とすることもできる。この場合、正孔輸送性発光層の電子輸送層４３との界面付近が、また、電子輸送性発光層の正孔輸送層４１との界面付近が、それぞれ、発光層４２として機能する。
【００８４】
さらに、正孔輸送性発光層を用いた場合には、陽極から正孔輸送性発光層に注入された正孔が電子輸送層によって閉じこめられ、また、電子輸送性発光層を用いた場合には、陰極から電子輸送性発光層に注入された電子が電子輸送性発光層に閉じこめられるため、いずれも、正孔と電子との再結合効率を向上させることができるという利点がある。
なお、各層３、４、５同士の間には、任意の目的の層が設けられていてもよい。例えば、正孔輸送層４１と陽極３との間には、陽極３からの正孔の注入効率を向上させる正孔注入層を設けることができる。このように、有機ＥＬ素子１に正孔注入層を設ける場合には、この正孔注入層の構成材料として、本発明の導電性材料を用いることができる。
【００８５】
また、電子輸送層４３と陰極５との間には、陰極５からの電子の注入効率を向上させる電子注入層等を設けることができる。正孔注入層の構成材料としては、本発明の導電性材料の他、例えば、銅フタロシアニンや４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−フェニル−３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（Ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等を用いることができる。
【００８６】
保護層６は、有機ＥＬ素子１を構成する各層３、４、５を覆うように設けられている。この保護層６は、有機ＥＬ素子１を構成する各層３、４、５を気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する。保護層６を設けることにより、有機ＥＬ素子１の信頼性の向上や、変質・劣化の防止等の効果が得られる。
保護層６の構成材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉまたはこれらを含む合金、酸化シリコン、各種樹脂材料等を挙げることができる。なお、保護層６の構成材料として導電性を有する材料を用いる場合には、短絡を防止するために、保護層６と各層３、４、５との間には、必要に応じて、絶縁膜を設けるのが好ましい。
【００８７】
この有機ＥＬ素子１は、例えばディスプレイ用として用いることができるが、その他にも光源等としても使用可能であり、種々の光学的用途等に用いることが可能である。
また、有機ＥＬ素子１をディスプレイに適用する場合、その駆動方式としては、特に限定されず、アクティブマトリックス方式、パッシブマトリックス方式のいずれであってもよい。
このような有機ＥＬ素子１は、例えば、次のようにして製造することができる。
【００８８】
［Ａ１］陽極形成工程
まず、基板２を用意し、この基板２上に陽極３を形成する。
陽極３は、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。
【００８９】
［Ａ２］正孔輸送層形成工程（第１の構成）
［Ａ２−１］ まず、前記一般式（Ａ１）で表される化合物（以下、単に「化合物（Ａ１）」という。）を含有する導電性材料用組成物（正孔輸送材料）を陽極３上に塗布（供給）する。
この塗布には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いることができる。かかる塗布法によれば、正孔輸送材料を比較的容易に陽極３上に供給することができる。
【００９０】
化合物（Ａ１）を溶媒に溶解または分散媒に分散する場合、用いる溶媒または分散媒としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【００９１】
なお、導電性材料用組成物には、重合開始剤を添加するのが好ましい。これにより、次工程［Ａ２−２］において、加熱や光照射のような所定の処理を施す際に、置換基Ｘにおける重合反応を促進させることができる。
重合開始剤としては、特に限定されないが、例えば、光カチオン重合開始剤や光ラジカル重合開始剤のような光重合開始剤、熱重合開始剤および嫌気重合開始剤等が挙げられる。
【００９２】
なお、置換基Ｘとして、前記一般式（Ｂ１）または前記一般式（Ｂ３）で表されるものを選択した場合、重合開始剤としては、光ラジカル重合開始剤を用いるのが特に好ましい。
光ラジカル重合開始剤としては、各種の光ラジカル重合開始剤を用いることができるが、例えば、ベンゾフェノン系、ベンゾイン系、アセトフェノン系、ベンジケタ−ル系、ミヒラ−ズケトン系、アシルフォスフィンオキサイド系、ケトクマリン系、キサンテン系およびチオキサントン系等の光ラジカル重合開始剤を用いることができる。
【００９３】
また、置換基Ｘとして、前記一般式（Ｂ２）または前記一般式（Ｂ４）で表されるものを選択した場合、重合開始剤としては、光カチオン重合開始剤を用いるのが特に好ましい。
光カチオン重合開始剤としては、各種の光カチオン重合開始剤を用いることができるが、例えば、芳香族スルホニウム塩系、芳香族ヨードニウム塩系、芳香族ジアゾニウム塩系、ピリジウム塩系および芳香族ホスホニウム塩系等のオニウム塩系の光カチオン重合開始剤や、鉄アレーン錯体およびスルホン酸エステル等の非イオン系の光カチオン重合開始剤を用いることができる。
【００９４】
選択する置換基Ｘの種類に応じて、上述したような重合開始剤を適宜選択することにより、次工程［Ａ２−２］において、置換基Ｘを比較的容易に重合反応させることができる。
なお、重合開始剤として光重合開始剤を用いる場合には、光重合開始剤に適した増感剤を導電性材料用組成物に添加してもよい。
【００９５】
［Ａ２−２］ 次に、陽極３上に供給された正孔輸送材料に光照射する。
これにより、正孔輸送材料に含まれる、化合物（Ａ１）同士を置換基Ｘにおいて重合反応させた高分子（本発明の導電性材料）を得ることができる。その結果、本発明の導電性材料を主材料とする正孔輸送層４１が陽極３上に形成される。
正孔輸送層４１を本発明の導電性材料を主材料として構成することにより、次工程［Ａ３］において、発光層材料を供給した際に、この発光層材料に含まれる溶媒または分散媒により、正孔輸送層４１が膨潤および溶解するのを防止することができる。その結果、正孔輸送層４１と発光層４２との相溶解を確実に防止することができる。
【００９６】
また、正孔輸送層４１を本発明の導電性材料（高分子）を主材料として構成することにより、得られた有機ＥＬ素子１において、正孔輸送層４１と発光層４２との界面付近において、これらの構成材料同士が経時的に混ざり合うのを確実に防止することができる。
この高分子の重量平均分子量は、特に限定されないが、１００００〜１００００００程度であるのが好ましく、１５０００〜３０００００程度であるのがより好ましい。これにより、高分子の膨潤および溶解をより確実に抑制または防止することができる。
【００９７】
なお、正孔輸送層４１は、この正孔輸送層４１と発光層４２との相溶解が防止される範囲において、化合物（Ａ１）の低分子（モノマーやオリゴマー）を含んでいてもよい。
正孔輸送材料に光照射する光としては、例えば、赤外線、可視光線、紫外線およびＸ線等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、紫外線を用いるのが特に好ましい。これにより、置換基Ｘにおける重合反応を容易かつ確実に進行させることができる。
【００９８】
置換基Ｘとして、前記一般式（Ｂ１）または前記一般式（Ｂ３）で表されるものを選択した場合、光照射する紫外線の波長は、１００〜４２０ｎｍ程度であるのが好ましく、１５０〜４００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、紫外線の照射強度は、１〜６００ｍＷ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、１〜３００ｍＷ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。
【００９９】
さらに、紫外線の照射時間は、６０〜６００秒程度であるのが好ましく、９０〜５００秒程度であるのがより好ましい。
また、置換基Ｘとして、前記一般式（Ｂ２）または前記一般式（Ｂ４）で表されるものを選択した場合、光照射する紫外線の波長は、２００〜４２０ｎｍ程度であるのが好ましく、２５０〜４００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【０１００】
また、紫外線の照射強度は、１０〜５０００ｍＷ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、２０〜１０００ｍＷ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。
さらに、紫外線の照射時間は、５〜３００秒程度であるのが好ましく、１０〜１５０秒程度であるのがより好ましい。
選択する置換基Ｘの種類に応じて、紫外線の波長、照射強度および照射時間をかかる範囲にすることにより、陽極３上に供給された正孔輸送材料の重合反応の進行を比較的容易に制御することができる。
【０１０１】
［２’］正孔輸送層形成工程（第２の構成）
また、置換基Ｘとして、前記一般式（Ｂ４）で表されるものを選択した場合には、正孔輸送層を、以下に示すような工程により形成するようにしてもよい。
［２’−１］ まず、化合物（Ａ１）を溶解し得る反応溶媒に、化合物（Ａ１）を溶解させて導電性材料用組成物を得る。
【０１０２】
反応溶媒としては、前記工程［２−１］で説明した溶媒または分散媒と同様のものを用いることができる。ただし、前記工程［２−１］で説明したもののうち、脂肪族炭化水素系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、芳香族複素環化合物系溶媒、ハロゲン化合物系溶媒、硫黄化合物系溶媒のような比較的塩基性の弱いものを選択するのが好ましい。これにより、次工程［２’−２］における化合物（Ａ１）の高分子化を、選択した反応溶媒により阻害されることなく確実に進行させることができる。また、これらの中でも、特に、誘電率が小さいものを選択するのが好ましい。これにより、化合物（Ａ１）の高分子化の重合速度が低下し、比較的分子量の小さい高分子を容易に得ることができることから、得られる化合物（Ａ１）の重合物の分子量の制御を比較的容易に行うことができる。
【０１０３】
［２’−２］ 次に、導電性材料用組成物に含まれる、化合物（Ａ１）同士を置換基Ｘにおいて重合反応させて、化合物（Ａ１）の重合物（可溶性ポリマー）が反応溶媒中に可溶な範囲内にまで、化合物（Ａ１）を高分子化させる。
この際、導電性材料用組成物に、重合触媒を添加することにより、置換基Ｘにおける重合反応すなわち化合物（Ａ１）の高分子化を促進させることができる。
【０１０４】
このような化合物（Ａ１）の重合物（可溶性ポリマー）の重量平均分子量は、化合物（Ａ１）の種類によっても若干異なり、特に限定されるものではないが、８００〜１００００程度であるのが好ましく、１５００〜５０００程度であるのがより好ましい。これにより、化合物（Ａ１）の重合物が不溶化して、導電性材料用組成物中に析出（沈殿）するのを確実に防止することができる。
【０１０５】
このような化合物（Ａ１）の重合物は、重合触媒の存在下において、例えば、反応温度の制御、光照射、嫌気処理のような所定の処理を導電性材料用組成物に行うことにより得ることができる。
化合物（Ａ１）同士の重合反応は、前記所定の処理の条件を適宜設定することにより比較的容易に制御することができる。そのため、不溶性の高分子が生成されるより前に、すなわち、重合反応が進行して形成された高分子が不溶化する前に、化合物（Ａ１）の高分子化を確実に停止させることができる。
【０１０６】
また、所定の処理としては、前述したものの中でも、反応温度の制御を選択するのが好ましい。反応温度を制御する際の処理条件を適宜設定することにより、化合物（Ａ１）の高分子化をより容易に制御することができる。
反応温度を制御する際の導電性材料用組成物の温度は、前述した反応溶媒の種類によっても若干異なるが、−７８〜２５℃程度であるのが好ましく、−４０〜０℃程度であるのがより好ましい。
【０１０７】
反応温度を制御する時間も、前述した反応溶媒の種類によっても若干異なるが、０．５〜２４時間程度であるのが好ましく、１〜５時間程度であるのがより好ましい。
導電性材料用組成物の温度、および反応温度を制御する時間をかかる範囲にすることにより、化合物（Ａ１）を不溶化させることなく高分子化させることができる。
なお、化合物（Ａ１）の重合物（可溶性ポリマー）が得られた際には、導電性材料用組成物に、重合停止剤を添加するようにしてもよい。これにより、化合物（Ａ１）の高分子化をより確実に停止させることができる。
このような重合停止剤としては、例えば、アンモニア水のような塩基性化合物を含有するメタノール、エタノールおよびイソプロピルアルコール等の低級アルコールや、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒が挙げられる。
【０１０８】
また、前記重合触媒としては、特に限定されないが、例えば、ハロゲノカルボン酸、スルホン酸、硫酸モノエステル、リン酸モノエステルのようなプロトン酸、三フッ化ホウ素、三フッ化ホウ素エーテレート（ＢＦ３／ＯＥｔ２）、ニ塩化チタン、四塩化チタン、塩化第一スズ、塩化第二スズ、塩化アルミニウム、塩化亜鉛、臭化マグネシウム、塩化第二鉄のようなルイス酸等が挙げられる。ただし、重合触媒としてルイス酸を用いる場合には、水、アルコール、カルボン酸、エーテルのような不対電子を有する化合物を共触媒として導電性材料用組成物に添加するのが好ましい。これにより、化合物（Ａ１）の高分子化をより確実に行うことができる。
【０１０９】
［２’−３］ 次に、導電性材料用組成物に含まれる化合物（Ａ１）の重合物（可溶性ポリマー）以外の不純物を導電性用組成物から除去する。
この不純物としては、例えば、化合物（Ａ１）の低分子（モノマーやオリゴマー）、重合触媒、共触媒、化合物（Ａ１）を合成する際に生成および／または混入したものおよび反応溶媒中に混入したもの等が挙げられる。
【０１１０】
このような不純物は、カチオン性、アニオン性およびノニオン性の不純物に分類される。これらの内、カチオン性およびアニオン性の不純物を除去する方法としては、例えば、フィルトレーション法、吸着クロマトグラフィー法およびイオン交換クロマトグラフィー法等が挙げられるが、これらの中でも、フィルトレーション法を用いるのが好ましい。フィルトレーション法によれば、用いるフィルターの種類を適宜選択するだけで、目的とするカチオン性不純物やアニオン性不純物を効率よく確実に除去することができる。
【０１１１】
すなわち、フィルターとして、例えば、強酸性陽イオン交換樹脂、弱酸性陽イオン交換樹脂、重金属を選択的に除去し得るキレート樹脂のような陽イオン交換樹脂を主材料として構成されるものを選択することにより、カチオン性不純物を除去することができる。
また、フィルターとして、例えば、最強塩基性陰イオン交換樹脂、強塩基性陰イオン交換樹脂、中塩基性陰イオン交換樹脂、弱塩基性陰イオン交換樹脂等のような陰イオン交換樹脂を主材料として構成されるものを選択することにより、アニオン性不純物を除去することができる。
【０１１２】
また、ノニオン性の不純物を除去する方法としては、例えば、限外ろ過膜法やゲル浸透クロマトグラフィー法等が挙げられるが、これらの中でも、限外ろ過膜法を用いるのが好ましい。限外ろ過膜法は、分子量に応じた各種物質の分離特性に優れており、用いる限外ろ過膜の種類を適宜選択するだけで、目的とする分子量より小さいノニオン性不純物を効率よく確実に除去することができる。
【０１１３】
［２’−４］ 次に、化合物（Ａ１）の重合物（可溶性ポリマー）を含有する導電性材料用組成物を陽極３上に塗布（供給）する。
この塗布には、前記工程［２−１］で説明したのと同様の方法を用いることができる。
なお、この導電性材料用組成物には、重合開始剤を添加するのが好ましい。これにより、次工程［２’−５］において、加熱や光照射のような所定の処理を施す際に、化合物（Ａ１）の重合物同士の置換基Ｘにおける重合反応を促進させることができる。
この重合開始剤としても、前記工程［２−１］で説明したのと同様のものを用いることができる。
【０１１４】
［２’−５］ 次に、陽極３上に供給された導電性材料用組成物に光照射する。
これにより、導電性材料用組成物に含まれる、化合物（Ａ１）の重合物同士を置換基Ｘにおいて重合反応させることができる。これにより、化合物（Ａ１）の重合物（可溶性ポリマー）がさらに高分子化することにより不溶化して、導電性材料用組成物中に析出することとなる。その結果、化合物（Ａ１）の重合物（不溶性ポリマー）すなわち本発明の導電性材料を主材料とする正孔輸送層４１が陽極３上に形成される。
【０１１５】
この化合物（Ａ１）の重合物（不溶性ポリマー）の重量平均分子量は、特に限定されないが、１５０００〜１００００００程度であるのが好ましく、２００００〜３０００００程度であるのがより好ましい。これにより、高分子の膨潤および溶解をより確実に抑制または防止することができる。
導電性材料用組成物に光照射する光としては、前記工程［２−２］で説明したのと同様のものを用いることができる。
【０１１６】
以上のような［２’］の工程を経て正孔輸送層４１が形成される。かかる工程により正孔輸送層４１を形成することにより、前記工程［２’−５］において、陽極３上に供給される導電性材料用組成物に、化合物（Ａ１）の重合物（可溶性ポリマー）が含まれていることから、重合開始剤の添加量を、比較的少なく設定することができる。その結果、得られる正孔輸送層４１に残存する重合開始剤の量が比較的少なくなる。これにより、正孔輸送層４１中の正孔が重合開始剤により捕捉されるのを好適に防止または抑制することができることから、得られる正孔輸送層４１により優れた正孔輸送能を発揮させることができる。
【０１１７】
また、［２’］の方法では、化合物（Ａ１）の重合物（可溶性ポリマー）を陽極３上に供給した後に、この重合物をさらに高分子化することにより不溶化させて正孔輸送層４１が形成されることから、正孔輸送層４１を比較的容易に、かつ分子量分布の狭い均一な膜を形成（成膜）できるという利点もある。
なお、得られた正孔輸送層４１には、必要に応じて、例えば大気中、不活性雰囲気中、減圧（または真空）下等において熱処理を施すようにしてもよい。これにより、例えば、正孔輸送層４１の乾燥・固化（脱溶媒または脱分散媒）等を行うことができる。なお、正孔輸送層４１は、熱処理によらず乾燥してもよい。
また、置換基Ｘにおいて重合反応させるための所定の処理としては、前記工程［２−２］および前記工程［２’−５］で説明した光照射の他、例えば、加熱および嫌気処理等が挙げられるが、これらの中でも、光照射を用いるのが好ましい。光照射によれば、高分子化させる領域および程度を比較的容易に選択することができる。
【０１１８】
［Ａ３］発光層形成工程
次に、正孔輸送層４１上に発光層４２を形成する。
発光層４２は、例えば、前述したような発光材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる発光層材料（発光層形成用材料）を、正孔輸送層４１上に塗布して形成することができる。
発光材料を溶解または分散させる溶媒または分散媒としては、正孔輸送層４１を形成する際に用いた溶媒または分散媒と同様のものを用いることができる。
また、発光層材料を、正孔輸送層４１上に塗布する方法としても、正孔輸送層４１を形成する際に用いた塗布方法と同様の方法を用いることができる。
【０１１９】
［Ａ４］電子輸送層形成工程
次に、発光層４２上に電子輸送層４３を形成する。
電子輸送層４３は、発光材料に代えて前述したような電子輸送材料を用いる以外は、前記発光層形成工程［Ａ３］と同様にすることにより形成される。
なお、発光層４２が本発明の導電性材料のような高分子により構成されない場合、電子輸送層４３を形成するために用いる導電性材料用組成物を、溶解または分散するための溶媒または分散媒としては、発光層４２が膨潤および溶解しないものを選択するようにすればよい。これにより、発光層４２と電子輸送層４３との相溶解を確実に防止することができる。
【０１２０】
［Ａ５］陰極形成工程
次に、電子輸送層４３上に陰極５を形成する。
陰極５は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。
［Ａ６］保護層形成工程
次に、陽極３、有機ＥＬ層４および陰極５を覆うように、保護層６を形成する。
保護層６は、例えば、前述したような材料で構成される箱状の保護カバーを、各種硬化性樹脂（接着剤）で接合すること等により形成する（設ける）ことができる。
硬化性樹脂には、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、反応性硬化樹脂、嫌気性硬化樹脂のいずれも使用可能である。
以上のような工程を経て、有機ＥＬ素子１が製造される。
【０１２１】
＜有機薄膜トランジスタ＞
次に、本発明の電子デバイスを、スイッチング素子である有機薄膜トランジスタ（以下、単に「有機ＴＦＴ」という。）に適用した場合の実施形態について説明する。
図２は、有機ＴＦＴ１０を示す図であり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は平面図である。なお、以下の説明では、図２（ａ）中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図２に示す有機ＴＦＴ１０は、基板２０上に設けられており、ソース電極３０およびドレイン電極４０と、有機半導体層（本発明の導電層）５０と、ゲート絶縁層６０と、ゲート電極７０とが、この順で基板２０側から積層されて構成されている。
【０１２２】
具体的には、有機ＴＦＴ１０は、基板２０上に、ソース電極３０およびドレイン電極４０が分離して設けられ、これら電極３０、４０を覆うように有機半導体層５０が設けられている。さらに有機半導体層５０上には、ゲート絶縁層６０が設けられ、さらにこの上に、少なくともソース電極３０とドレイン電極４０の間の領域に重なるようにゲート電極７０が設けられている。
【０１２３】
この有機ＴＦＴ１０では、有機半導体層５０のうち、ソース電極３０とドレイン電極４０との間の領域が、キャリアが移動するチャネル領域５１０となっている。以下、このチャネル領域５１０において、キャリアの移動方向の長さ、すなわちソース電極３０とドレイン電極４０との間の距離をチャネル長Ｌ、チャネル長Ｌ方向と直交する方向の長さをチャネル幅Ｗと言う。
このような有機ＴＦＴ１０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０が、ゲート絶縁層６０を介してゲート電極７０よりも基板２０側に設けられた構成の有機ＴＦＴ、すなわち、トップゲート構造の有機ＴＦＴである。
【０１２４】
以下、有機ＴＦＴ１０を構成する各部について、順次説明する。
基板２０は、有機ＴＦＴ１０を構成する各層（各部）を支持するものである。基板２０には、例えば、前述した有機ＥＬ素子１で説明した基板２と同様のものを用いることができる他、シリコン基板、ガリウム砒素基板等を用いることができる。
基板２０上には、ソース電極３０およびドレイン電極４０が、チャネル長Ｌ方向に沿って、所定距離離間して並設されている。
【０１２５】
これらのソース電極３０およびドレイン電極４０の構成材料としては、導電性を有するものであればいかなるものであってもよく、例えば、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等の金属材料、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴＯ、ＳｎＯ２等の導電性酸化物材料、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、フラーレン等の炭素材料、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）のようなポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等の導電性高分子材料等が挙げられ、これらのうち導電性高分子材料は、通常塩化鉄、ヨウ素、強酸、有機酸、ポリスチレンサルフォニック酸などの高分子でドープされ導電性を付与された状態で用いられる。さらに、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１２６】
ソース電極３０およびドレイン電極４０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、それぞれ、３０〜３００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜２００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
ソース電極３０とドレイン電極４０との間の距離（離間距離）、すなわち、チャネル長Ｌは、２〜３０μｍ程度であるのが好ましく、２〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。
チャネル幅Ｗは、０．１〜５ｍｍ程度であるのが好ましく、０．３〜３ｍｍ程度であるのがより好ましい。
【０１２７】
また、基板２０上には、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように、有機半導体層５０が設けられている。
この有機半導体層５０の構成材料として、本発明の導電性材料を用いることができる。
前述したように、本発明の導電性材料は、置換基Ｒ１を適宜選択することにより、形成される高分子のキャリア輸送能の特性を調整することができるものである。
そこで、置換基Ｒ１を適宜選択することにより、高分子に正孔輸送性または電子輸送性の半導体特性を付与することができることから、本発明の導電性材料を有機半導体層５０に用いるのは、特に有効である。
【０１２８】
具体的には、有機ＴＦＴ１０をｐ型のものとする場合、有機半導体層５０の構成材料としては、正孔輸送能に優れたものが選択されることから、特に、置換基Ｒ１として前記化学式（Ｄ１）、（Ｄ４）または（Ｄ５）（ただし、Ｑ２がＳ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅの場合）を備える高分子が好適に用いられる。また、有機ＴＦＴ１０をｎ型のものとする場合、有機半導体層５０の構成材料としては、電子輸送能に優れたものが選択されることから、特に、置換基Ｒ１として前記化学式（Ｄ２）、（Ｄ６）または（Ｄ９）（ただし、Ｑ２がＮ-Ｔ３あるいはＯの場合）を備える高分子が好適に用いられる。
【０１２９】
有機半導体層５０の厚さ（平均）は、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。これにより、優れたキャリア輸送能を維持しつつ、有機ＴＦＴ１０が大型化すること（特に、厚さが増大すること）を防止することができる。
なお、有機半導体層５０として、本発明の導電性材料のような高分子を主材料として構成されるものを用いることにより、得られる有機ＴＦＴ１０は、薄型化・軽量化が可能であるとともに、可撓性にも優れたものとなる。このような有機ＴＦＴ１０は、前述した有機ＥＬ素子を備えるフレキシブルディスプレイのスイッチング素子への適用に適している。
【０１３０】
なお、有機半導体層５０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように設けられる構成のものに限定されず、少なくともソース電極３０とドレイン電極４０との間の領域（チャネル領域５１０）に設けられていればよい。
有機半導体層５０上には、ゲート絶縁層６０が設けられている。
このゲート絶縁層６０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０に対してゲート電極７０を絶縁するものである。
【０１３１】
ゲート絶縁層６０は、主として有機材料（特に有機高分子材料）で構成されているのが好ましい。有機高分子材料を主材料とするゲート絶縁層６０は、その形成が容易であるとともに、有機半導体層５０との密着性の向上を図ることもできる。
このような有機高分子材料としては、例えば、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリビニルフェニレン、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のようなアクリル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）のようなフッ素系樹脂、ポリビニルフェノールあるいはノボラック樹脂のようなフェノール系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブテンなどのオレフィン系樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１３２】
ゲート絶縁層６０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。ゲート絶縁層６０の厚さを前記範囲とすることにより、ソース電極３０およびドレイン電極４０とゲート電極７０とを確実に絶縁しつつ、有機ＴＦＴ１０が大型化すること（特に、厚さが増大すること）を防止することができる。
【０１３３】
なお、ゲート絶縁層６０は、単層構成のものに限定されず、複数層の積層構成のものであってもよい。
ゲート絶縁層６０上には、ゲート電極７０が設けられている。
ゲート電極７０の構成材料としては、前述したソース電極３０およびドレイン電極４０の構成材料と同様のものを用いることができる。
【０１３４】
ゲート電極７０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．１〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５０００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜５０００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
以上のような有機ＴＦＴ１０は、ゲート電極７０に印加する電圧を変化させることにより、ソース電極３０とドレイン電極４０との間に流れる電流量が制御される。
【０１３５】
すなわち、ゲート電極７０に電圧が印加されていないＯＦＦ状態では、ソース電極３０とドレイン電極４０との間に電圧を印加しても、有機半導体層５０中にほとんどキャリアが存在しないため、微少な電流しか流れない。一方、ゲート電極７０に電圧が印加されているＯＮ状態では、有機半導体層５０のゲート絶縁層６０に面した部分に電荷が誘起され、チャネル領域５１０にキャリアの流路が形成される。この状態でソース電極３０とドレイン電極４０との間に電圧を印加すると、チャネル領域５１０を通ってキャリア（正孔または電子）が流れる。
このような有機ＴＦＴ１０は、例えば、次のようにして製造することができる。
図３〜図４は、それぞれ、図２に示す有機ＴＦＴ１０の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図３〜図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１３６】
[Ｂ１]ソース電極およびドレイン電極形成工程
[Ｂ１−１] まず、図３（ａ）に示すような基板２０を用意し、この基板２０を、例えば、水（純水等）、有機溶媒等を単独または適宜組み合わせて洗浄する。
次に、基板２０上に、フォトレジストを供給し、被膜８０’を形成する（図３（ｂ）参照。）。
【０１３７】
基板２０上に供給するフォトレジストとしては、光が照射（露光）された領域が硬化し、この露光された領域以外の領域が現像によって溶解し、除去されるネガ型フォトレジスト、および、露光された領域が現像によって溶解し、除去されるポジ型フォトレジストのいずれを用いてもよい。
ネガ型フォトレジストとしては、ロジン−重クロム酸塩、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）−重クロム酸塩、セラック−重クロム酸塩、カゼイン−重クロム酸塩、ＰＶＡ−ジアゾ、アクリル系フォトレジスト等のような水溶性フォトレジスト、ポリケイ皮酸ビニル、環化ゴム−アジド、ポリビニルシンナミリデンアセタート、ポリケイ皮酸β−ビニロキシエチルエステル等のような油溶性フォトレジスト等が挙げられる。
【０１３８】
また、ポジ型フォトレジストとしては、ｏ−ナフトキノンジアジド等のような油溶性フォトレジスト等が挙げられる。
フォトレジストを、基板２０上に、供給する方法としては、いかなる方法であってもよいが、塗布法が好適に用いられる。
塗布法としては有機ＥＬ素子１の製造方法の正孔輸送層形成工程［Ａ２］で説明したものと同様の方法を用いることができる。
次に、被膜８０’を、フォトマスクを介して露光および現像し、ソース電極３０およびドレイン電極４０を形成する領域に開口部８２０を有するレジスト層８０を形成する（図３（ｃ）参照。）。
【０１３９】
[Ｂ１−２] 次に、図３（ｄ）に示すように、前述したような処理が施された基板２０の開口部８２０内に、形成すべきソース電極３０およびドレイン電極４０に応じて、これら電極の構成材料またはその前駆体を含有する所定量の液状材料９０を供給する。
【０１４０】
この液状材料９０において、ソース電極３０およびドレイン電極４０の構成材料またはその前駆体を、溶解または分散する溶液または分散媒としては、前記正孔輸送層形成工程［Ａ２］で説明したものと同様のものを用いることができる。
また、この液状材料９０を開口部８２０内に供給する方法には、前述したものと同様の塗布法を用いることができるが、これらの中でも、インクジェット法（液滴吐出法）を用いるのが好ましい。インクジェット法によれば、液状材料９０を、液滴吐出ヘッドのノズルから液滴として吐出して、開口部８２０内に確実に供給することができる。その結果、レジスト層８０に液状材料９０が付着するのを確実に阻止することができる。
【０１４１】
[Ｂ１−３] 次に、開口部８２０に供給された液状材料９０から溶媒または分散媒を除去して、ソース電極３０およびドレイン電極４０を形成する。
前記溶媒または分散媒を除去する際の温度（除去温度）は、特に限定されず、溶媒または分散媒の種類によって若干異なるが、２０〜２００℃程度であるのが好ましく、５０〜１００℃程度であるのがより好ましい。これにより、液状材料９０中に含まれる溶媒または分散媒を、確実に除去することができる。
なお、この溶媒または分散媒の除去を、減圧下で加熱するようにしてもよい。これにより、液状材料９０中に含まれる溶媒または分散媒を、より確実に除去することができる。
【０１４２】
［Ｂ１−４］ 次に、基板２０からレジスト層８０を除去して、基板２０上に形成されたソース電極３０およびドレイン電極４０を得る（図４（ｆ）参照。）。
レジスト層８０の除去方法は、レジスト層８０の種類に応じて適宜選択すればよく、例えば、プラズマ処理やオゾン処理のようなアッシング、紫外線の照射、Ｎｅ−Ｈｅレーザー、Ａｒレーザー、ＣＯ２レーザー、ルビーレーザー、半導体レーザー、ＹＡＧレーザー、ガラスレーザー、ＹＶＯ４レーザー、エキシマレーザー等の各種レーザーの照射、レジスト層８０を溶解または分解し得る溶剤との接触（例えば浸漬）等により行うことができる。
【０１４３】
［Ｂ２］有機半導体層形成工程
次に、図４（ｈ）に示すように、ソース電極３０およびドレイン電極４０が形成された基板２０上に、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように、有機半導体層５０を形成する。
このとき、ソース電極３０とドレイン電極４０との間（ゲート電極７０に対応する領域）には、チャネル領域５１０が形成される。
この有機半導体層５０は、有機ＥＬ素子１の製造方法の正孔輸送層形成工程［Ａ２］で説明したのと同様の方法により、本発明の導電性材料用組成物を用いて形成される。
【０１４４】
そして、有機半導体層５０は、本発明の導電性材料（高分子）を主材料として構成されるものである。これにより、次工程［Ｂ３］において、ゲート絶縁層材料を有機半導体層５０上に供給した際に、このゲート絶縁層材料に含まれる溶媒または分散媒により、高分子が膨潤および溶解することを好適に抑制または防止することができる。その結果、有機半導体層５０とゲート絶縁層６０との相溶解を確実に防止することができる。
また、有機半導体層５０を本発明の導電性材料のように高分子を主材料として構成することにより、得られた有機ＴＦＴ１０において、有機半導体層５０とゲート絶縁層６０との界面付近において、これらの構成材料同士が経時的に混ざり合うのを確実に防止することができる。
【０１４５】
［Ｂ３］ゲート絶縁層形成工程
次に、図４（ｉ）に示すように、有機半導体層５０上に、ゲート絶縁層６０を塗布法を用いて形成する。
具体的には、ゲート絶縁層６０は、絶縁材料またはその前駆体を含む溶液を、前述した塗布法を用いて、有機半導体層５０上に塗布（供給）した後、必要に応じて、この塗膜に対して後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより形成することができる。
【０１４６】
［Ｂ４］ゲート電極形成工程
次に、図４（ｊ）に示すように、ゲート絶縁層６０上に、ゲート電極７０を塗布法を用いて形成する。
具体的には、ゲート電極７０は、電極材料またはその前駆体を含む溶液を、塗布法を用いて、ゲート絶縁層６０上に塗布（供給）した後、必要に応じて、この塗膜に対して後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより形成することができる。
【０１４７】
また、塗布法には、前述したのと同様の方法を用いることができるが、特に、インクジェット法を用いるのが好ましい。インクジェット法によれば、電極材料またはその前駆体を含む溶液を、液滴吐出ヘッドのノズルから液滴を吐出してパターニングすることができる。その結果、ゲート絶縁層６０上に、所定形状のゲート電極７０を、容易かつ確実に形成することができる。
以上のような工程を経て、有機ＴＦＴ１０が製造される。
【０１４８】
＜電子機器＞
また、前述したような、有機ＥＬ素子（発光素子）１や有機ＴＦＴ（スイッチング素子）１０のような本発明の電子デバイスは、各種電子機器に用いることができる。
図５は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【０１４９】
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００においては、例えば、表示ユニット１１０６が前述の有機ＥＬ素子（発光素子）１と有機ＴＦＴ（スイッチング素子）１０とを備えている。
【０１５０】
図６は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、例えば、この表示部が前述の有機ＥＬ素子（発光素子）１と有機ＴＦＴ（スイッチング素子）１０とを備えている。
【０１５１】
図７は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１５２】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、例えば、この表示部が前述の有機ＥＬ素子（発光素子）１と有機ＴＦＴ（スイッチング素子）１０とを備えている。
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
【０１５３】
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【０１５４】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【０１５５】
なお、本発明の電子機器は、図５のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図６の携帯電話機、図７のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
【０１５６】
以上、本発明の導電性材料用組成物、導電性材料、導電層、電子デバイスおよび電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、本発明の電子デバイスは、導電層を正孔輸送層として用いる場合、前述した表示素子（発光素子）の一例である有機ＥＬ素子に適用することができる他、例えば、受光素子（光電変換素子）の一例である太陽電池等に適用することができる。
【０１５７】
また、本発明の電子デバイスは、導電層を有機半導体層として用いる場合、前述したスイッチング素子の一例である有機ＴＦＴに適用することができる他、例えば、半導体素子等に適用することができる。
さらに、本発明の導電層は、上述した正孔輸送層として用いる他、例えば、配線および電極等に適用することができる。そして、この場合、本発明の電子デバイスは、例えば、配線基板等に適用することができる。
【実施例】
【０１５８】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．化合物の合成
まず、以下に示すような化合物（Ａ）〜（Ｓ）を用意した。
＜化合物（Ａ）＞
−１Ａ− まず、６−（ｐ−アミノフェニル）ヘキサノールを無水ジメチルホルムアミド中で、ベンジルブロミドと水素化ナトリウムで処理し、ヒドロキシル基をベンジルエーテル基に変換し保護した。
【０１５９】
−２Ａ− 次に、その得られた化合物１ｍｏｌを酢酸１５０ｍＬに溶解し、室温で無水酢酸を滴下後、撹拌した。反応終了後、析出した固体をろ過し、水洗後、乾燥した。
−３Ａ− 次に、６−（ｐ-アミノフェニル）ヘキサノールから得られたベンジルエーテル誘導体０．３７ｍｏｌ、１−ブロモナフタレン０．６６ｍｏｌ、炭酸カリウム１.１ｍｏｌ、銅粉、ヨウ素を混合し、２００℃で加熱した。放冷後、イソアミルアルコール１３０ｍＬ、純水５０ｍＬ、水酸化カリウム０.７３ｍｏｌを加え撹拌後、乾燥した。
【０１６０】
−４Ａ− さらに、そこで得られた化合物１３０ｍｍｏｌ、４，４’−ジヨードビフェニル６２ｍｍｏｌ、酢酸パラジウム１.３ｍｍｏｌ、ｔ−ブチルホスフィン５.２ｍｍｏｌ、ｔ−ブトキシナトリム２６０ｍｍｏｌ、キシレン７００ｍＬを混合して、１２０℃で撹拌した。その後、放冷し、結晶化した。
−５Ａ− その得られた化合物を、Ｐｄ−Ｃ触媒下水素ガスで還元し、ベンジルエーテル基からヒドロキシル基へ変換し脱保護した。
【０１６１】
−６Ａ− 次に、その化合物１００ｍｍｏｌとアクリロイルクロライド２００ｍｍｏｌとをキシレン溶液中に加え加熱しながら撹拌後、放冷し結晶化して化合物を得た。
そして、質量スペクトル（ＭＳ）法、1Ｈ-核磁気共鳴（1Ｈ-ＮＭＲ）スペクトル法、13Ｃ-核磁気共鳴（13Ｃ-ＮＭＲ）スペクトル法、およびフーリエ変換赤外吸収（ＦＴ−ＩＲ）スペクトル法により、得られた化合物が下記化合物（Ａ）であることを確認した。
【０１６２】
＜化合物（Ｂ）＞
アクリロイルクロライドに代えてｐ−（ブロモメチル）スチレンを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｂ）を得た。
＜化合物（Ｃ）＞
前記工程−６Ａ−に代えて、下記工程−６Ａ’−とした以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｃ）を得た。
−６Ａ’− 次に、その化合物１００ｍｍｏｌを５０％水酸化カリウム水溶液中に加え、加熱しながら撹拌した。次に、加圧下（５ＭＰａ）で１５０℃に保ちながら、アセチレンを毎時１リットルの流速で１０時間反応させた後、放冷し結晶化して化合物を得た。
【０１６３】
＜化合物（Ｄ）＞
前記工程−６Ａ−に代えて、下記工程−６Ａ”−とした以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｄ）を得た。
−６Ａ”− 次に、その化合物１００ｍｍｏｌとエピクロルヒドリン２０００ｍｍｏｌを少量のテトラ−ｎ−ブチルアンモニウム硫酸水素塩（相間移動触媒）を添加した５０％水酸化ナトリウム水溶液中に加え、室温下で１０時間攪拌した後、放冷し結晶化して化合物を得た。
【０１６４】
＜化合物（Ｅ）＞
６−（ｐ-アミノフェニル）ヘキサノールに代えて２−（ｐ−アミノフェニル）エタノールを用いた以外は、前記化合物（Ｄ）と同様にして、化合物（Ｅ）を得た。
＜化合物（Ｆ）＞
６−（ｐ-アミノフェニル）ヘキサノールに代えて８−（ｐ−アミノフェニル）オクタノールを用いた以外は、前記化合物（Ｄ）と同様にして、化合物（Ｆ）を得た。
【０１６５】
＜化合物（Ｇ）＞
６−（ｐ-アミノフェニル）ヘキサノールに代えて１−（ｐ−アミノフェニル）メタノールを用いた以外は、前記化合物（Ｄ）と同様にして、化合物（Ｇ）を得た。
＜化合物（Ｈ）＞
４，４’−ジヨードビフェニルに代えて３,３’−ジヨード−１,１’−ビイソベンゾチオフェンを用いた以外は、前記化合物（Ｄ）と同様にして、化合物（Ｈ）を得た。
【０１６６】
＜化合物（Ｉ）＞
４，４’−ジヨードビフェニルに代えて２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンを用いた以外は、前記化合物（Ｄ）と同様にして、化合物（Ｉ）を得た。
＜化合物（Ｊ）＞
１−ブロモナフタレンに代えて２−ブロモ−９，９−ジオクチルフルオレンを用いた以外は、前記化合物（Ｄ）と同様にして、化合物（Ｊ）を得た。
【０１６７】
＜化合物（Ｋ）＞
１−ブロモナフタレンに代えて２−ブロモチオフェンを用いた以外は、前記化合物（Ｄ）と同様にして、化合物（Ｋ）を得た。
＜化合物（Ｌ）＞
１−ブロモナフタレンに代えて２−ブロモ−１，３，４−オキサジアゾールを用いた以外は、前記化合物（Ｄ）と同様にして、化合物（Ｌ）を得た。
【０１６８】
＜化合物（Ｍ）＞
下記化合物（Ｍ）として、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）−ベンジジン（トスコ社製、「ＯＳＡ６１４０」）を用意した。
＜化合物（Ｎ）＞
下記化合物（Ｎ）として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）（バイエル社製、「バイトロンＰ」）を用意した。
【０１６９】
＜化合物（Ｏ）＞
下記化合物（Ｏ）として、３，５−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチル−フェニル），４−フェニル−１，２，４−トリアゾール（トスコ社製、「ＯＰＡ２９３８」）を用意した。
＜化合物（Ｐ）＞
下記化合物（Ｐ）として、ポリ［（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン）−オルト−コ（９，１０−アントラセン）］（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｄｙｅ Ｓｏｕｒｃｅ社製、「ＡＤＳ１０６ＲＥ」）を用意した。
【０１７０】
＜化合物（Ｑ）＞
下記化合物（Ｑ）として、ポリ［９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニレン−オルト−コ（４，４’−ビフェニレン）］
（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｄｙｅ Ｓｏｕｒｃｅ社製、「ＡＤＳ１０７ＧＥ」）を用意した。
＜化合物（Ｒ）＞
下記化合物（Ｒ）として、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−コ（１，４−ビニレンフェニレン）］
（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｄｙｅ Ｓｏｕｒｃｅ社製、「ＡＤＳ１２８ＧＥ」）を用意した。
【０１７１】
＜化合物（Ｓ）＞
下記化合物（Ｓ）として、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−コ（Ｎ，Ｎ ' −ジフェニル）−Ｎ，Ｎ'−ジ（（ｐ−ブチルフェニル）−１，４−
ジアミノベンゼン））］（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｄｙｅ Ｓｏｕｒｃｅ社製、「ＡＤＳ１３２ＧＥ」）を用意した。
【０１７２】
【化１４】
【０１７３】
【化１５】
【０１７４】
【化１６】
【０１７５】
２．有機ＥＬ素子の製造
以下の各実施例および各比較例において、有機ＥＬ素子を５個ずつ製造した。
（実施例１Ａ）
［正孔輸送材料の調製］
アリールアミン誘導体として化合物（Ａ）を用い、化合物（Ａ）とラジカル重合開始剤（長瀬産業社製、「イルガキュア ６５１」）とを重量比で９５：５の比率でキシレンに溶解させて、正孔輸送材料（導電性材料用組成物）を得た。
【０１７６】
［有機ＥＬ素子の作製］
−１Ｂ− まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板上に、真空蒸着法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
−２Ｂ− 次に、ＩＴＯ電極上に、前記正孔輸送材料を、スピンコート法により塗布し乾燥した。
その後、水銀ランプ（ウシオ電機社製、「ＵＭ−４５２型式」）にフィルターを用いて、大気中で波長１８５ｎｍ、照射強度３ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を４００秒間照射することにより、化合物（Ａ）を重合反応させて、平均厚さ５０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
【０１７７】
−３Ｂ− 次に、正孔輸送層上に、化合物（Ｐ）（発光材料）の１．５ｗｔ％キシレン溶液を、スピンコート法により塗布した後、乾燥して、平均厚さ５０ｎｍの発光層を形成した。
−４Ｂ− 次に、発光層上に、化合物（Ｏ）を真空蒸着し、平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層を形成した。
−５Ｂ− 次に、電子輸送層上に、真空蒸着法により、平均厚さ３００ｎｍのＡｌＬｉ電極（陰極）を形成した。
−６Ｂ− 次に、形成した各層を覆うように、ポリカーボネート製の保護カバーを被せ、紫外線硬化性樹脂により固定、封止して、有機ＥＬ素子を完成した。
（実施例２Ａ）
アリールアミン誘導体として化合物（Ｂ）を用いた以外は、前記実施例１Ａと同様にして、正孔輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
【０１７８】
（実施例３Ａ）
［正孔輸送材料の調製］
アリールアミン誘導体として化合物（Ｃ）を用い、化合物（Ｃ）と光カチオン重合開始剤（住友スリーエム社製、「ＦＣ−５０８」）とを重量比で９９：１の比率でキシレンに溶解させて、正孔輸送材料（導電性材料用組成物）を得た。
【０１７９】
［有機ＥＬ素子の作製］
−１Ｃ− 前記工程−１Ｂ−と同様にして、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板上に、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
−２Ｃ− 次に、ＩＴＯ電極上に、前記正孔輸送材料を、スピンコート法により塗布し乾燥した。
その後、水銀ランプ（ウシオ電機社製、「ＵＭ−４５２型式」）にフィルターを用いて、乾燥大気中で波長３６５ｎｍ、照射強度５００ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を１５秒間照射後、１１０℃で６０分間加熱することにより、化合物（Ａ）を重合反応させて、平均厚さ５０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
【０１８０】
−３Ｃ− 前記工程−３Ｂ−と同様にして、正孔輸送層上に、化合物（Ｐ）が発光材料として構成される、平均厚さ５０ｎｍの発光層を形成した。
−４Ｃ− 前記工程−４Ｂ−と同様にして、発光層上に、化合物（Ｏ）を主材料として構成される、平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層を形成した。
−５Ｃ− 前記工程−５Ｂ−と同様にして、電子輸送層上に、平均厚さ３００ｎｍのＡｌＬｉ電極（陰極）を形成した。
−６Ｃ− 前記工程−６Ｂ−と同様にして、ポリカーボネート製の保護カバーにより封止して、有機ＥＬ素子を完成した。
【０１８１】
（実施例４Ａ〜６Ａ）
アリールアミン誘導体として表１に示すものを用いた以外は、前記実施例３Ａと同様にして、正孔輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
（実施例７Ａ〜１４Ａ）
アリールアミン誘導体および発光材料として表１に示すものを用いた以外は、前記実施例３Ａと同様にして、正孔輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
【０１８２】
（比較例１Ａ）
［正孔輸送材料の調製］
化合物（Ｍ）をキシレンに溶解させて、正孔輸送材料を得た。
［有機ＥＬ素子の作製］
前記工程−２Ａ−において、水銀ランプによる紫外線の照射を省略した以外は、前記実施例１Ａと同様にして、有機ＥＬ素子を製造した。
【０１８３】
（比較例２Ａ）
［正孔輸送材料の調製］
化合物（Ｎ）を水に分散させることにより、２．０ｗｔ％水分散液を調製して、正孔輸送材料を得た。
なお、化合物（Ｎ）としては、３，４−エチレンジオキシチオフェンとスチレンスルホン酸との比率が、重量比で１：２０のものを用いた。
［有機ＥＬ素子の作製］
正孔輸送材料として、ここで調製した正孔輸送材料を用いた以外は、前記比較例１Ａと同様にして、有機ＥＬ素子を製造した。
【０１８４】
（比較例３Ａ）
［正孔輸送材料の調製］
アリールアミン誘導体誘導体として化合物（Ｍ）を用い、光架橋剤としてポリエステルアクリレート化合物（東亞合成社製、「アロニックス Ｍ−８０３０」）を用いて、化合物（Ｍ）とポリエステルアクリレート化合物、ラジカル重合開始剤（長瀬産業（株）社製：イルガキュア ６５１）を重量比で３０：６５：５の比率でキシレンに混合して、正孔輸送材料を得た。
［有機ＥＬ素子の作製］
正孔輸送材料として、ここで調製した正孔輸送材料を用いた以外は、前記実施例１Ａと同様にして、有機ＥＬ素子を製造した。
（比較例４Ａ）
アリールアミン誘導体として化合物（Ｇ）を用いた以外は、前記実施例３Ａと同様にして、正孔輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
【０１８５】
３．有機ＥＬ素子の評価
各実施例および各比較例の有機ＥＬ素子について、それぞれ、発光輝度（ｃｄ／ｍ２）、最大発光効率（ｌｍ／Ｗ）を測定すると共に、発光輝度が初期値の半分になる時間（半減期）を測定した。
また、各測定値は、いずれも、５個の有機ＥＬ素子から求めた。
【０１８６】
なお、発光輝度の測定は、ＩＴＯ電極とＡｌＬｉ電極との間に６Ｖの電圧を印加することで行った。
そして、比較例１Ａで測定された各測定値（発光輝度、最大発光効率、半減期）を基準値として、各実施例および各比較例で測定された各測定値を、それぞれ、以下の４段階の基準に従って評価した。
【０１８７】
◎：比較例１Ａの測定値に対し、１．５０倍以上である
○：比較例１Ａの測定値に対し、１．２５倍以上、１．５０倍未満である
△：比較例１Ａの測定値に対し、１．００倍以上、１．２５倍未満である
×：比較例１Ａの測定値に対し、０．７５倍以上、１．００倍未満である
これらの評価結果を、それぞれ、以下の表１に示す。
【０１８８】
【表１】
【０１８９】
表１に示すように、各実施例の有機ＥＬ素子は、いずれも、各比較例の有機ＥＬ素子と比較して、発光輝度、最大発光効率および半減期ともに、優れた結果が得られた。
これにより、本発明の有機ＥＬ素子は、主骨格同士の相互作用が好適に低減されていることが明らかとなった。また、正孔輸送層と発光層との相溶解が好適に防止されていることが明らかとなった。
【０１９０】
また、置換基Ｘを適宜選択することにより、各実施例において、主骨格の離間距離が適切な大きさに保たれているものほど、優れた発光輝度の向上、最大発光効率の向上および半減期の延長を示す結果が得られた。
さらに、実施例９Ａ〜１４Ａにおいても、形成された有機ＥＬ素子が優れた発光輝度、最大発光効率および半減期を示す結果が得られた。このことは、化合物（Ａ１）の置換基Ｒ１を適宜選択することにより、導電性材料のキャリア輸送能の特性が変化して、発光材料との組み合わせが好適なものとなっていることに起因すると推察された。
【０１９１】
４．有機ＴＦＴの製造
以下の各実施例および各比較例において、有機ＴＦＴを５個ずつ製造した。
（実施例１Ｂ）
［有機半導体材料の調製］
アリールアミン誘導体として化合物（Ｄ）を用いた以外は、前記実施例３Ａの正孔輸送材料と同様にして、有機半導体材料（導電性材料用組成物）を得た。
【０１９２】
［有機ＴＦＴの製造］
−１Ｅ− まず、平均厚さ１ｍｍのガラス基板を用意し、水（洗浄液）を用いて洗浄した。
次に、ガラス基板上に、スピンコート法によってフォトレジストを塗布した後、プレベーク処理を行うことによって被膜を形成した。
次に、この被膜に対して、フォトマスクを介して紫外線を照射（露光）した後に、現像を行った。これにより、ソース電極およびドレイン電極を形成する領域に開口部を有するレジスト層を形成した。
【０１９３】
−２Ｅ− 次に、この開口部内に、金コロイド水溶液を、インクジェット法により供給した。その後、金コロイド水溶液が供給されたガラス基板を加熱乾燥して、ソース電極およびドレイン電極を得た。
−３Ｅ− 次に、レジスト層を、酸素プラズマ処理によって除去した後、ソース電極およびドレイン電極が形成されたガラス基板を、水およびメタノールで順次洗浄した。
【０１９４】
−４Ｅ− 次に、正孔輸送材料に代えてここで調製した有機半導体材料を用いた以外は、前記工程−２Ｃ−と同様にすることにより、化合物（Ｄ）を重合反応させて、平均厚さ５０ｎｍの有機半導体層を形成した。
−５Ｅ− 次に、有機半導体層上に、ポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）の酢酸ブチル溶液を、スピンコート法により塗布した後、乾燥させることにより、平均厚さ５００ｎｍのゲート絶縁層を形成した。
−６Ｅ− 次に、ゲート絶縁層上の、ソース電極とドレイン電極との間の領域に対応する部分に、ポリエチレンジオキシチオフェンの水分散液を、インクジェット法により塗布した後乾燥した。これにより、平均厚さ１００ｎｍのゲート電極を形成した。
以上の工程により、有機ＴＦＴを製造した。
（実施例２Ｂ〜８Ｂ）
有機半導体材料に用いるアリールアミン誘導体として表２に示すものを用いた以外は、前記実施例１Ｂと同様にして、有機半導体材料の調製を行った後、有機ＴＦＴを製造した。
【０１９５】
（比較例１Ｂ）
［有機半導体材料の調製］
化合物（Ｍ）をキシレンに溶解させて、有機半導体材料を得た。
［有機ＴＦＴの作製］
前記工程−４Ｅ−において、水銀ランプによる紫外線の照射と加熱処理とを省略した以外は、前記実施例１Ｂと同様にして、有機ＴＦＴを製造した。
【０１９６】
（比較例２Ｂ）
［有機半導体材料の調製］
アリールアミン誘導体として化合物（Ｍ）を用い、光架橋剤として２官能エポキシ化合物（ナガセケムテックス社製、「デナコール ＥＸ−２１２」）を用いて、化合物（Ｍ）とエポキシ化合物、光カチオン重合開始剤（住友スリーエム社製、「ＦＣ−５０８」）を重量比で５０：４９：１の比率でキシレンに混合させて、有機半導体材料を得た。
［有機ＴＦＴの作製］
有機半導体材料として、ここで調製した有機半導体材料を用いた以外は、前記実施例１Ｂと同様にして、有機ＴＦＴを製造した。
（比較例３Ｂ）
有機半導体材料に用いるアリールアミン誘導体として化合物（Ｇ）を用いた以外は、前記実施例１Ｂと同様にして、有機半導体材料の調製を行った後、有機ＴＦＴを製造した。
【０１９７】
５．有機ＴＦＴの評価
各実施例および各比較例で製造した有機ＴＦＴについて、それぞれ、ＯＦＦ電流、ＯＮ電流の値を測定した。
ここで、ＯＦＦ電流とは、ゲート電圧を印加しないときに、ソース電極とドレイン電極との間に流れる電流の値のことであり、ＯＮ電流とは、ゲート電圧を印加したときに、ソース電極とドレイン電極との間に流れる電流の値のことである。
【０１９８】
したがって、ＯＦＦ電流の絶対値と、ＯＮ電流の絶対値との比（ＯＮ／ＯＦＦ比）の値が大きいもの程、良好な特性を有する有機ＴＦＴであることを意味する。
ＯＦＦ電流は、ソース電極とドレイン電極との電位差を３０Ｖとして測定し、ＯＮ電流は、ソース電極とドレイン電極との電位差を３０Ｖとし、ゲート電圧の絶対値を４０Ｖとして測定した。
そして、各実施例および各比較例で測定されたＯＮ／ＯＦＦ比の値を、それぞれ、以下の４段階の基準に従って評価した。
【０１９９】
◎：ＯＮ／ＯＦＦ比の値が、１０４以上である
○：ＯＮ／ＯＦＦ比の値が、１０３以上、１０４未満である
△：ＯＮ／ＯＦＦ比の値が、１０２以上、１０３未満である
×：ＯＮ／ＯＦＦ比の値が、１０２未満である
これらの評価結果を、それぞれ、以下の表２に示す。
【０２００】
【表２】
【０２０１】
表２に示すように、各実施例の有機ＴＦＴは、いずれも、各比較例の有機ＴＦＴと比較して、ＯＮ／ＯＦＦ比の値が大きく、特性に優れた結果が得られた。
これにより、主骨格同士の相互作用が好適に低減されていることが明らかとなった。また、有機半導体層とゲート絶縁層との相溶解が好適に防止されていることが明らかとなった。
また、置換基Ｘを適宜選択することにより、各実施例において、主骨格の離間距離が適切な大きさに保たれているものほど、ＯＮ／ＯＦＦ比の値が大きく、良好な特性を示す結果が得られた。
【図面の簡単な説明】
【０２０２】
【図１】有機ＥＬ素子の一例を示した縦断面図である。
【図２】有機ＴＦＴの実施形態を示す図であり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は平面図である。
【図３】図２に示す有機ＴＦＴの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図４】図２に示す有機ＴＦＴの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図５】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図６】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図７】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０２０３】
１……有機ＥＬ素子 ２……基板 ３……陽極 ４……有機ＥＬ層 ４１……正孔輸送層 ４２……発光層 ４３……電子輸送層 ５……陰極 ６……保護層 １０……有機薄膜トランジスタ ２０……基板 ３０……ソース電極 ４０……ドレイン電極 ５０……有機半導体層 ５１０……チャネル領域 ６０……ゲート絶縁層 ７０……ゲート電極 ８０……レジスト層 ８０’……被膜 ８２０……開口部 ９０……液状材料 １１００……パーソナルコンピュータ １１０２……キーボード １１０４……本体部 １１０６……表示ユニット １２００……携帯電話機 １２０２……操作ボタン １２０４……受話口 １２０６……送話口 １３００……ディジタルスチルカメラ １３０２……ケース（ボディー） １３０４……受光ユニット １３０６……シャッタボタン １３０８……回路基板 １３１２……ビデオ信号出力端子 １３１４……データ通信用の入出力端子 １４３０……テレビモニタ １４４０……パーソナルコンピュータ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ａ１）で表される化合物を含有することを特徴とする導電性材料用組成物。
【化１】
［式中、２つのＸは、下記一般式（Ｂ１）〜（Ｂ４）で表される置換基のうちのいずれかを表す。ただし、２つのＸは、その炭素数は、同一であっても、異なっていてもよい。２つのＲ１は、それぞれ独立して、置換または無置換の一価の芳香族基（ただし、フェニル基を除く。）を表す。４つのＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表す。Ｙは、置換または無置換の下記一般式（Ｃ１）〜（Ｃ３）のうちのいずれかで表される２価の芳香族基を表す。］
【化２】
［これらの式中、ｎ１は、２〜８の整数を表し、ｎ２は、３〜８の整数を表し、ｎ３は、３〜８の整数を表す。ｍ１は、０〜３の整数を表し、ｍ２は、０〜２の整数を表す。Ｚ１は、水素原子またはメチル基を表し、Ｚ２は、水素原子、メチル基またはエチル基を表す。］
【化３】
［これらの式中、ｎ４は、１〜３の整数を表す。］
【請求項２】
２つの前記置換基Ｘは、その炭素数が同一である請求項１に記載の導電性材料用組成物。
【請求項３】
前記置換基Ｘは、ベンゼン環の３位、４位または５位のうちのいずれかに結合している請求項１または２に記載の導電性材料用組成物。
【請求項４】
２つの前記置換基Ｒ１は、同一である請求項１ないし３のいずれかに記載の導電性材料用組成物。
【請求項５】
前記置換基Ｒ１の総炭素数は、２〜３０である請求項１ないし４のいずれかに記載の導電性材料用組成物。
【請求項６】
前記置換基Ｒ１は、単環系または縮合多環系の芳香族基である請求項１ないし５のいずれかに記載の導電性材料用組成物。
【請求項７】
下記一般式（Ａ１）で表される化合物同士を置換基Ｘにおいて重合反応させて得られることを特徴とする導電性材料。
【化４】
［式中、２つのＸは、下記一般式（Ｂ１）〜（Ｂ４）で表される置換基のうちのいずれかを表す。ただし、２つのＸは、その炭素数は、同一であっても、異なっていてもよい。２つのＲ１は、それぞれ独立して、置換または無置換の一価の芳香族基（ただし、フェニル基を除く。）を表す。４つのＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表す。Ｙは、置換または無置換の下記一般式（Ｃ１）〜（Ｃ３）のうちのいずれかで表される２価の芳香族基を表す。］
【化５】
［これらの式中、ｎ１は、２〜８の整数を表し、ｎ２は、３〜８の整数を表し、ｎ３は、３〜８の整数を表す。ｍ１は、０〜３の整数を表し、ｍ２は、０〜２の整数を表す。Ｚ１は、水素原子またはメチル基を表し、Ｚ２は、水素原子、メチル基またはエチル基を表す。］
【化６】
［これらの式中、ｎ４は、１〜３の整数を表す。］
【請求項８】
前記化合物は、光照射により重合反応する請求項７に記載の導電性材料。
【請求項９】
請求項１ないし６のいずれかに記載の導電性材料用組成物を用いて形成されたことを特徴とする導電層。
【請求項１０】
請求項７または８に記載の導電性材料を主材料とすることを特徴とする導電層。
【請求項１１】
前記導電層は、正孔輸送層である請求項９または１０に記載の導電層。
【請求項１２】
前記正孔輸送層の平均厚さは、１０〜１５０ｎｍである請求項１１に記載の導電層。
【請求項１３】
前記導電層は、有機半導体層である請求項９または１０に記載の導電層。
【請求項１４】
前記有機半導体層の平均厚さは、０．１〜１０００ｎｍである請求項１３に記載の導電層。
【請求項１５】
請求項９ないし１４のいずれかに記載の導電層を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１６】
請求項１１または１２に記載の導電層を有する積層体を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１７】
前記電子デバイスは、発光素子または光電変換素子である請求項１６に記載の電子デバイス。
【請求項１８】
前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子である請求項１７に記載の電子デバイス。
【請求項１９】
請求項１３または１４に記載の導電層を有する積層体を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２０】
前記電子デバイスは、スイッチング素子である請求項１９に記載の電子デバイス。
【請求項２１】
前記スイッチング素子は、有機薄膜トランジスタである請求項２０に記載の電子デバイス。
【請求項２２】
請求項１５ないし２１のいずれかに記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１】
下記一般式（Ａ１）で表される化合物を含有することを特徴とする導電性材料用組成物。
【化１】
［式中、２つのＸは、下記一般式（Ｂ１）〜（Ｂ４）で表される置換基のうちのいずれかを表す。ただし、２つのＸは、その炭素数は、同一であっても、異なっていてもよい。２つのＲ１は、それぞれ独立して、置換または無置換の一価の芳香族基（ただし、フェニル基を除く。）を表す。４つのＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表す。Ｙは、置換または無置換の下記一般式（Ｃ１）〜（Ｃ３）のうちのいずれかで表される２価の芳香族基を表す。］
【化２】
［これらの式中、ｎ１は、２〜８の整数を表し、ｎ２は、３〜８の整数を表し、ｎ３は、３〜８の整数を表す。ｍ１は、０〜３の整数を表し、ｍ２は、０〜２の整数を表す。Ｚ１は、水素原子またはメチル基を表し、Ｚ２は、水素原子、メチル基またはエチル基を表す。］
【化３】
［これらの式中、ｎ４は、１〜３の整数を表す。］
【請求項２】
２つの前記置換基Ｘは、その炭素数が同一である請求項１に記載の導電性材料用組成物。
【請求項３】
前記置換基Ｘは、ベンゼン環の３位、４位または５位のうちのいずれかに結合している請求項１または２に記載の導電性材料用組成物。
【請求項４】
２つの前記置換基Ｒ１は、同一である請求項１ないし３のいずれかに記載の導電性材料用組成物。
【請求項５】
前記置換基Ｒ１の総炭素数は、２〜３０である請求項１ないし４のいずれかに記載の導電性材料用組成物。
【請求項６】
前記置換基Ｒ１は、単環系または縮合多環系の芳香族基である請求項１ないし５のいずれかに記載の導電性材料用組成物。
【請求項７】
下記一般式（Ａ１）で表される化合物同士を置換基Ｘにおいて重合反応させて得られることを特徴とする導電性材料。
【化４】
［式中、２つのＸは、下記一般式（Ｂ１）〜（Ｂ４）で表される置換基のうちのいずれかを表す。ただし、２つのＸは、その炭素数は、同一であっても、異なっていてもよい。２つのＲ１は、それぞれ独立して、置換または無置換の一価の芳香族基（ただし、フェニル基を除く。）を表す。４つのＲ２は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表す。Ｙは、置換または無置換の下記一般式（Ｃ１）〜（Ｃ３）のうちのいずれかで表される２価の芳香族基を表す。］
【化５】
［これらの式中、ｎ１は、２〜８の整数を表し、ｎ２は、３〜８の整数を表し、ｎ３は、３〜８の整数を表す。ｍ１は、０〜３の整数を表し、ｍ２は、０〜２の整数を表す。Ｚ１は、水素原子またはメチル基を表し、Ｚ２は、水素原子、メチル基またはエチル基を表す。］
【化６】
［これらの式中、ｎ４は、１〜３の整数を表す。］
【請求項８】
前記化合物は、光照射により重合反応する請求項７に記載の導電性材料。
【請求項９】
請求項１ないし６のいずれかに記載の導電性材料用組成物を用いて形成されたことを特徴とする導電層。
【請求項１０】
請求項７または８に記載の導電性材料を主材料とすることを特徴とする導電層。
【請求項１１】
前記導電層は、正孔輸送層である請求項９または１０に記載の導電層。
【請求項１２】
前記正孔輸送層の平均厚さは、１０〜１５０ｎｍである請求項１１に記載の導電層。
【請求項１３】
前記導電層は、有機半導体層である請求項９または１０に記載の導電層。
【請求項１４】
前記有機半導体層の平均厚さは、０．１〜１０００ｎｍである請求項１３に記載の導電層。
【請求項１５】
請求項９ないし１４のいずれかに記載の導電層を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１６】
請求項１１または１２に記載の導電層を有する積層体を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１７】
前記電子デバイスは、発光素子または光電変換素子である請求項１６に記載の電子デバイス。
【請求項１８】
前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子である請求項１７に記載の電子デバイス。
【請求項１９】
請求項１３または１４に記載の導電層を有する積層体を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２０】
前記電子デバイスは、スイッチング素子である請求項１９に記載の電子デバイス。
【請求項２１】
前記スイッチング素子は、有機薄膜トランジスタである請求項２０に記載の電子デバイス。
【請求項２２】
請求項１５ないし２１のいずれかに記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２００７−１９７５８７（Ｐ２００７−１９７５８７Ａ）
【公開日】平成１９年８月９日（２００７．８．９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１８６０６（Ｐ２００６−１８６０６）
【出願日】平成１８年１月２７日（２００６．１．２７）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年８月９日（２００７．８．９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１月２７日（２００６．１．２７）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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