導電性膜センサ及び導電性膜の検出方法
【課題】導電性膜の位置及び特性を特定可能な、導電性膜センサを提供する。
【解決手段】周波数が異なる第１及び第２の磁界を放射する磁界放射器１と、導電性膜に第１の磁界を照射した場合の、磁界放射器１の特性、導電性膜の位置及び特性の第１の関係と、第２の磁界を照射した場合の、磁界放射器１の特性、導電性膜の位置及び特性の第２の関係と、を保存する記憶装置４０１と、測定対象導電性膜２に第１の磁界を照射した場合の磁界放射器１の特性及び第１の関係に基づき、導電性膜の位置及び特性の第３の関係を算出し、測定対象導電性膜２に第２の磁界を照射した場合の磁界放射器１の特性及び第２の関係に基づき、導電性膜の位置及び特性の第４の関係を算出する算出部３０１と、第３及び第４の関係に共通する、導電性膜の位置及び特性の組み合わせを特定する特定部３０３と、を備える導電性膜センサ。
【解決手段】周波数が異なる第１及び第２の磁界を放射する磁界放射器１と、導電性膜に第１の磁界を照射した場合の、磁界放射器１の特性、導電性膜の位置及び特性の第１の関係と、第２の磁界を照射した場合の、磁界放射器１の特性、導電性膜の位置及び特性の第２の関係と、を保存する記憶装置４０１と、測定対象導電性膜２に第１の磁界を照射した場合の磁界放射器１の特性及び第１の関係に基づき、導電性膜の位置及び特性の第３の関係を算出し、測定対象導電性膜２に第２の磁界を照射した場合の磁界放射器１の特性及び第２の関係に基づき、導電性膜の位置及び特性の第４の関係を算出する算出部３０１と、第３及び第４の関係に共通する、導電性膜の位置及び特性の組み合わせを特定する特定部３０３と、を備える導電性膜センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は検出技術に係り、導電性膜センサ及び導電性膜の検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
コイルで磁界を励磁し、金属膜等の導電性膜に磁界を照射すると、導電性膜に渦電流が生じる。ここで、電磁誘導作用により、コイルと、導電性膜と、の距離を変化させると、コイルのＱ値及びインピーダンス等の電気特性が変化する。また、導電性膜の厚さを変化させても、コイルの電気特性が変化する。
【０００３】
したがって、厚さが一定の導電性膜を用いて、距離と、コイルの電気特性と、の関係を予め取得しておけば、厚さが一定の測定対象導電性膜に磁界を照射した際のコイルの電気特性の値から、測定対象導電性膜の位置を算出することが可能である（例えば、特許文献１参照。）。また、コイルに対する導電性膜の位置を一定に保った場合の、導電性膜の厚さと、コイルの電気特性と、の関係を予め取得しておけば、コイルに対して一定の位置に配置された測定対象導電性膜に磁界を照射した際のコイルの電気特性の値から、測定対象導電性膜の厚さを算出することが可能である（例えば、特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１６４４７２号公報
【特許文献２】特開２００１−３４３２０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記の測定対象導電性膜の位置を算出する方法においては、測定対象導電性膜の厚さが一定であることを前提としているため、測定対象導電性膜の厚さが変動した場合、算出される位置に誤差が生じうる。また、上記の測定対象導電性膜の厚さを算出する方法においては、測定対象導電性膜の位置がコイルに対して一定であることを前提としているため、測定対象導電性膜の位置が変動した場合、算出される厚さに誤差が生じうる。さらに、測定対象導電性膜の位置及び厚さ等の特性の両方を特定可能な技術はない。そこで、本発明は、導電性膜の位置及び特性を特定可能な、導電性膜センサ及び導電性膜の検出方法を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の態様によれば、（ａ）周波数が異なる第１及び第２の磁界を放射する磁界放射器と、（ｂ）導電性膜に第１の磁界を照射した場合の、磁界放射器の特性、導電性膜の位置及び特性の第１の関係と、導電性膜に第２の磁界を照射した場合の、磁界放射器の特性、導電性膜の位置及び特性の第２の関係と、を保存する関係記憶装置と、（ｃ）測定対象導電性膜に第１の磁界を照射した場合の磁界放射器の特性及び第１の関係に基づき、導電性膜の位置及び特性の第３の関係を算出し、測定対象導電性膜に第２の磁界を照射した場合の磁界放射器の特性及び第２の関係に基づき、導電性膜の位置及び特性の第４の関係を算出する関係算出部と、（ｄ）第３の関係及び第４の関係に共通する、導電性膜の位置及び特性の組み合わせを特定する特定部と、を備える、導電性膜センサが提供される。
【０００７】
また、本発明の態様によれば、（ａ）導電性膜に磁界放射器を用いて第１の磁界を照射した場合の、磁界放射器の特性、導電性膜の位置及び特性の第１の関係を用意することと、（ｂ）導電性膜に磁界放射器を用いて第１の磁界とは周波数が異なる第２の磁界を照射した場合の、磁界放射器の特性、導電性膜の位置及び特性の第２の関係を用意することと、（ｃ）測定対象導電性膜に第１の磁界を照射したときの磁界放射器の特性及び第１の関係に基づき、導電性膜の位置及び特性の第３の関係を算出することと、（ｄ）測定対象導電性膜に第２の磁界を照射したときの磁界放射器の特性及び第２の関係に基づき、導電性膜の位置及び特性の第４の関係を算出することと、（ｅ）第３の関係及び第４の関係に共通する、導電性膜の位置及び特性の組み合わせを特定することと、を含む、導電性膜の検出方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、導電性膜の位置及び特性を特定可能な、導電性膜センサ及び導電性膜の検出方法を提供可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る導電性膜センサの模式図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る第１の磁界を照射した場合の、第１のコイルのＱ値、金属膜の位置、及び金属膜の厚さの第１の関係を示すグラフである。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る第２の磁界を照射した場合の、第２のコイルのＱ値、金属膜の位置、及び金属膜の厚さの第２の関係を示すグラフである。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る測定対象金属膜に第１の磁界を照射した場合の第１のコイルのＱ値及び第１の関係に基づく、金属膜の位置及び厚さの第３の関係を示すグラフである。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る測定対象金属膜に第２の磁界を照射した場合の第２のコイルのＱ値及び第２の関係に基づく、金属膜の位置及び厚さの第４の関係を示すグラフである。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る第３の関係及び第４の関係を重ね合わせたグラフである。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る第１の磁界を照射した場合の、第１のコイルのＱ値、金属膜の位置、及び金属膜の抵抗率の第１の関係を示すグラフである。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係る第２の磁界を照射した場合の、第２のコイルのＱ値、金属膜の位置、及び金属膜の抵抗率の第２の関係を示すグラフである。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る測定対象金属膜に第１の磁界を照射した場合の第１のコイルのＱ値及び第１の関係に基づく、金属膜の位置及び抵抗率の第３の関係を示すグラフである。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る測定対象金属膜に第２の磁界を照射した場合の第２のコイルのＱ値及び第２の関係に基づく、金属膜の位置及び抵抗率の第４の関係を示すグラフである。
【図１１】本発明の第２の実施の形態に係る第３の関係及び第４の関係を重ね合わせたグラフである。
【図１２】本発明のその他の実施の形態に係る導電性膜センサの模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号で表している。但し、図面は模式的なものである。したがって、具体的な寸法等は以下の説明を照らし合わせて判断するべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１１】
（第１の実施の形態）
第１の実施の形態に係る導電性膜センサは、図１に示すように、第１の周波数を有する第１の磁界を放射する第１のコイル１１、及び第１の周波数とは異なる第２の周波数を有する第２の磁界を放射する第２のコイル１２を有する磁界放射器１と、磁界放射器１に接続された中央演算処理装置（ＣＰＵ）３００と、を備える。第１の実施の形態に係る導電性膜センサは、さらに、ＣＰＵ３００に接続された関係記憶装置４０１を備える。関係記憶装置４０１は、それぞれ特性が異なる複数の導電性膜に第１のコイル１１から第１の磁界を照射して予め取得された、第１のコイル１１の電気特性、導電性膜の位置、及び導電性膜の特性の第１の関係を保存する。また、関係記憶装置４０１は、それぞれ特性が異なる複数の導電性膜に第２のコイル１２から第２の磁界を照射して予め取得された、第２のコイル１２の電気特性、導電性膜の位置、及び導電性膜の特性の第２の関係も保存する。
【００１２】
ＣＰＵ３００は、関係算出部３０１を備える。関係算出部３０１は、測定対象導電性膜２に第１のコイル１１から第１の磁界を照射した場合の第１のコイル１１の電気特性の測定値と、第１の関係と、に基づき、導電性膜の位置と、導電性膜の特性と、の第３の関係を算出する。また、関係算出部３０１は、測定対象導電性膜２に第２のコイル１２から第２の磁界を照射した場合の第２のコイル１２の電気特性の測定値と、第２の関係と、に基づき、導電性膜の位置と、導電性膜の特性と、の第４の関係も算出する。さらに、ＣＰＵ３００は、第３の関係と、第４の関係と、に共通する、導電性膜の位置と、導電性膜の特性と、の組み合わせを特定する特定部３０３を備える。特定された導電性膜の位置が、測定対象導電体２の位置となる。測定対象導電性膜２の位置とは、磁界放射器１に対する測定対象導電性膜２の相対位置であり、例えば磁界放射器１からの距離Ｄである。また、特定された導電性膜の特性が、測定対象導電性膜２の特性となる。
【００１３】
第１のコイル１１と、第２のコイル１２と、は、測定対象導電性膜２との距離Ｄが同じになるよう、平行に配置される。また、第１のコイル１１と、第２のコイル１２と、は、第１の磁界と、第２の磁界と、の干渉が低減されるよう、離して配置されてもよい。また、第１の周波数と、第２の周波数と、の差を、干渉が低減されるように設定してもよい。あるいは、第１のコイル１１と、第２のコイル１２と、は、所定時間毎又は所定波数毎に、交互に磁界を発してもよい。さらに、測定対象導電性膜２の抵抗率の変動の影響を低減させたい場合は、測定対象導電性膜２の抵抗率の変動を抑制する周波数を設定してもよい。
【００１４】
位置及び厚さ等の特性の測定対象となる測定対象導電性膜２は、第１のコイル１１及び第２のコイル１２に対向して配置される。測定対象導電性膜２は、例えば鉄等の磁性体、あるいはアルミニウム、銅、又はこれらを支配的に含む合金等の非磁性体からなる金属膜である。第１のコイル１１は、ＬＣ発振回路の一部をなしている。ＬＣ発振回路は、発振振幅が第１のコイル１１のクオリティファクタの値（以下、「Ｑ値」という。）の単調関数となるよう、構成されている。第１のコイル１１のＱ値は、ωを共振角周波数、Ｌを第１のコイル１１の自己インダクタンス、Ｒを第１のコイル１１の高周波抵抗として、下記（１）式で与えられる。
Q = ωL / R ・・・(1)
【００１５】
ＬＣ発振回路の発振に伴い、第１のコイル１１から測定対象導電性膜２に向かって、高周波交流磁界が形成され、測定対象導電性膜２に渦電流が発生する。渦電流による電気エネルギの損失は、第１のコイル１１の見かけ上の高周波抵抗Ｒを増大させ、Ｑ値を低下させる。したがって、Ｑ値の変化は、測定対象導電性膜２の位置及び厚さ等の特性に依存する。また、第１のコイル１１の見かけ上の自己インダクタンス、高周波抵抗、又はインピーダンス等の特性の変化、あるいはそれらに相関するＬＣ発振回路の発振の変化、ＬＣ発振回路を流れる電流の変化も、測定対象導電性膜２の位置及び厚さ等の特性に依存する。第２のコイル１２についても同様である。
【００１６】
ここでは、磁界放射器１は、例として、第１のコイル１１から第１の周波数として５０ｋＨｚの第１の磁界を測定対象導電性膜２に照射し、第１のコイル１１のＱ値の測定値を関係算出部３０１に送信する。また、磁界放射器１は、例として、第２のコイル１２から第２の周波数として５００ｋＨｚの第２の磁界を測定対象導電性膜２に照射し、第２のコイル１２のＱ値の測定値を関係算出部３０１に送信する。
【００１７】
関係記憶装置４０１に保存されている図２に示すような第１の関係を取得する際には、例えば、それぞれ厚さが５μｍ、１０μｍ、１５μｍ、２０μｍ、５０μｍの５つの金属膜等の導電性膜が用意される。５つの金属膜は、測定対象導電性膜２と同じ材料からなる。あるいは、５つの金属膜は、測定対象導電性膜２の材料と抵抗率がほぼ等しい材料からなる。５つの金属膜のそれぞれについて、図１に示す第１のコイル１１と金属膜表面との間の距離を変えながら、第１のコイル１１から５０ｋＨｚの第１の磁界を放射して、第１のコイル１１のＱ値を測定する。これにより、図２に示すような、第１のコイル１１のＱ値、金属膜の位置、及び金属膜の厚さの第１の関係が得られる。
【００１８】
図１に示す関係記憶装置４０１に保存されている図３に示すような第２の関係を取得する際にも、例えば、それぞれ厚さが５μｍ、１０μｍ、１５μｍ、２０μｍ、５０μｍの５つの金属膜が用意される。５つの金属膜のそれぞれについて、図１に示す第２のコイル１２と金属膜表面との間の距離を変えながら、第２のコイル１２から５００ｋＨｚの第２の磁界を放射して、第２のコイル１２のＱ値を測定する。これにより、図３に示すような、第２のコイル１２のＱ値、金属膜の位置、及び金属膜の厚さの第２の関係が得られる。なお、第１の関係と、第２の関係と、は、図１に示す入力装置３１２から関係記憶装置４０１に入力してもよい。
【００１９】
関係算出部３０１は、磁界放射器１から第１のコイル１１のＱ値の測定値を受信する。また、関係算出部３０１は、関係記憶装置４０１から、図２に示す第１の関係を読み出す。５０ｋＨｚの第１の磁界を測定対象導電性膜２に照射した場合の、第１のコイル１１のＱ値の測定値が２６．７であった場合、関係算出部３０１は、Ｑ値２６．７における図２に示す第１の関係から、図４に示すような金属膜の位置と、金属膜の厚さと、の第３の関係を算出する。
【００２０】
さらに関係算出部３０１は、磁界放射器１から第２のコイル１２のＱ値の測定値を受信する。また、関係算出部３０１は、関係記憶装置４０１から、図３に示す第２の関係を読み出す。５００ｋＨｚの第２の磁界を図１に示す測定対象導電性膜２に照射した場合の、第２のコイル１２のＱ値の測定値が５６．５であった場合、関係算出部３０１は、Ｑ値５６．５における図３に示す第２の関係から、図５に示すような金属膜の位置と、金属膜の厚さと、の第４の関係を算出する。
【００２１】
図１に示す特定部３０３は、図６に示すように、第３の関係を与える関数と、第４の関係を与える関数と、の交点における金属膜の位置の値と、金属膜の厚さの値と、を特定する。特定された位置の値と、厚さの値と、が、図１に示す測定対象導電性膜２の位置と、厚さと、の測定値となる。特定部３０３は、測定対象導電性膜２の位置と、厚さと、の測定値を、例えば出力装置３１３に出力させる。
【００２２】
なお、図４に示した第３の関係を与える関数の傾きと、図５に示した第４の関係を与える関数の傾きと、が近似すると、金属膜の位置の値と、金属膜の厚さの値と、を特定する際に誤差が生じうる。そのため、第３の関係を与える関数の傾きと、第４の関係を与える関数の傾きと、の正負が反対となるよう、第１の磁界の第１の周波数と、第２の磁界の第２の周波数と、を設定してもよい。
【００２３】
以上示したように、第１の実施の形態に係る導電性膜センサによれば、図１に示す測定対象導電性膜２の位置と、厚さと、を同時に測定することが可能となる。さらに、第１の実施の形態に係る導電性膜センサによれば、渦電流の浸透深さよりも充分に薄い測定対象導電性膜２の厚さが変動しても、位置の測定に誤差が生じない。また、第１の実施の形態に係る導電性膜センサによれば、測定対象導電性膜２の位置が変動しても、厚さの測定に誤差が生じない。したがって、第１の実施の形態に係る導電性膜センサによれば、測定対象導電性膜２の位置と、厚さと、をリアルタイムかつ高精度に測定することが可能となる。
【００２４】
（第２の実施の形態）
第１の実施の形態では、測定対象導電性膜２の位置と、測定対象導電性膜２の特性としての厚さと、を測定する例を説明した。第２の実施の形態では、測定対象導電性膜２の位置と、測定対象導電性膜２の特性としての抵抗率と、を測定する例を説明する。第２の実施の形態においては、関係記憶装置４０１に、図７に示すような、第１のコイル１１から第１の磁界を放射した場合の、第１のコイル１１のＱ値、金属膜の位置、及び金属膜の抵抗率の第１の関係が保存される。このような第１の関係を取得する際には、例えば、それぞれ抵抗率が１×１０―8Ωｍ、２×１０―8Ωｍ、３×１０―8Ωｍ、４×１０―8Ωｍ、５×１０―8Ωｍの５つの金属膜が用意される。次に、５つの金属膜のそれぞれについて、図１に示す第１のコイル１１と金属膜表面との間の距離を変えながら、第１のコイル１１から第１の周波数として例えば５０ｋＨｚの第１の磁界を放射して、第１のコイル１１のＱ値を測定する。これにより、図７に示すような、第１の関係が得られる。
【００２５】
また、関係記憶装置４０１に、図８に示すような、第２のコイル１２から第２の磁界を放射した場合の、第２のコイル１２のＱ値、金属膜の位置、及び金属膜の抵抗率の第２の関係が保存される。このような第２の関係を取得する際には、例えば、それぞれ抵抗率が１×１０―8Ωｍ、２×１０―8Ωｍ、３×１０―8Ωｍ、４×１０―8Ωｍ、５×１０―8Ωｍの５つの金属膜が用意される。次に、５つの金属膜のそれぞれについて、図１に示す第２のコイル１２と金属膜表面との間の距離を変えながら、第２のコイル１２から第２の周波数として例えば５００ｋＨｚの第２の磁界を放射して、第２のコイル１２のＱ値を測定する。これにより、図８に示すような、第２の関係が得られる。
【００２６】
５０ｋＨｚの第１の磁界を測定対象導電性膜２に照射した場合の、第１のコイル１１のＱ値の測定値が２７．０であった場合、図１に示す関係算出部３０１は、Ｑ値２７．０における図７に示した第１の関係から、図９に示すような金属膜の位置と、金属膜の抵抗率と、の第３の関係を算出する。
【００２７】
５００ｋＨｚの第２の磁界を図１に示す測定対象導電性膜２に照射した場合の、第２のコイル１２のＱ値の測定値が５８．０であった場合、図１に示す関係算出部３０１は、Ｑ値５８．０における図８に示した第２の関係から、図１０に示すような金属膜の位置と、金属膜の抵抗率と、の第４の関係を算出する。
【００２８】
図１に示す特定部３０３は、図１１に示すように、第３の関係を与える関数と、第４の関係を与える関数と、の交点における金属膜の位置の値と、金属膜の抵抗率の値と、を特定する。特定された位置の値と、抵抗率の値と、が、図１に示す測定対象導電性膜２の位置と、抵抗率と、の測定値となる。
【００２９】
以上示したように、第２の実施の形態に係る導電性膜センサによれば、測定対象導電性膜２の位置と、抵抗率と、を同時に測定することが可能となる。さらに、第２の実施の形態に係る導電性膜センサによれば、測定対象導電性膜２の抵抗率が変動しても、位置の測定に誤差が生じない。また、第２の実施の形態に係る導電性膜センサによれば、測定対象導電性膜２の位置が変動しても、抵抗率の測定に誤差が生じない。したがって、第２の実施の形態に係る導電性膜センサによれば、測定対象導電性膜２の位置と、抵抗率と、をリアルタイムかつ高精度に測定することが可能となる。
【００３０】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明を実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす記述及び図面はこの発明を限定するものであると理解するべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施の形態及び運用技術が明らかになるはずである。例えば、測定対象導電性膜２の検出される特性は、厚さ、抵抗率に限らず、透磁率や材料であってもよい。
【００３１】
また、第１及び第２の実施の形態では、磁界放射器１が第１のコイル１１と、第２のコイル１２と、を有する例を示したが、図１２に示すように、磁界放射器１は、単一のコイル１３のみを有していてもよい。この場合、単一のコイル１３は、所定時間毎又は所定波数毎に、第１の磁界と、第２の磁界と、を交互に放射すればよい。あるいは、単一のコイル１３は、第１の周波数を有する第１の磁界と、第２の周波数を有する第２の磁界と、を重ね合わせた磁界を放射してもよい。この場合、単一のコイル１３のＱ値又はインピーダンス等の特性は、第１の周波数に関する特性と、第２の周波数に関する特性と、に分割されて利用される。
【００３２】
この様に、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を包含するということを理解すべきである。
【符号の説明】
【００３３】
１ 磁界放射器
２ 測定対象導電性膜
１１ 第１のコイル
１２ 第２のコイル
１３ コイル
３０１ 関係算出部
３０３ 特定部
３１２ 入力装置
３１３ 出力装置
４０１ 関係記憶装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は検出技術に係り、導電性膜センサ及び導電性膜の検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
コイルで磁界を励磁し、金属膜等の導電性膜に磁界を照射すると、導電性膜に渦電流が生じる。ここで、電磁誘導作用により、コイルと、導電性膜と、の距離を変化させると、コイルのＱ値及びインピーダンス等の電気特性が変化する。また、導電性膜の厚さを変化させても、コイルの電気特性が変化する。
【０００３】
したがって、厚さが一定の導電性膜を用いて、距離と、コイルの電気特性と、の関係を予め取得しておけば、厚さが一定の測定対象導電性膜に磁界を照射した際のコイルの電気特性の値から、測定対象導電性膜の位置を算出することが可能である（例えば、特許文献１参照。）。また、コイルに対する導電性膜の位置を一定に保った場合の、導電性膜の厚さと、コイルの電気特性と、の関係を予め取得しておけば、コイルに対して一定の位置に配置された測定対象導電性膜に磁界を照射した際のコイルの電気特性の値から、測定対象導電性膜の厚さを算出することが可能である（例えば、特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１６４４７２号公報
【特許文献２】特開２００１−３４３２０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記の測定対象導電性膜の位置を算出する方法においては、測定対象導電性膜の厚さが一定であることを前提としているため、測定対象導電性膜の厚さが変動した場合、算出される位置に誤差が生じうる。また、上記の測定対象導電性膜の厚さを算出する方法においては、測定対象導電性膜の位置がコイルに対して一定であることを前提としているため、測定対象導電性膜の位置が変動した場合、算出される厚さに誤差が生じうる。さらに、測定対象導電性膜の位置及び厚さ等の特性の両方を特定可能な技術はない。そこで、本発明は、導電性膜の位置及び特性を特定可能な、導電性膜センサ及び導電性膜の検出方法を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の態様によれば、（ａ）周波数が異なる第１及び第２の磁界を放射する磁界放射器と、（ｂ）導電性膜に第１の磁界を照射した場合の、磁界放射器の特性、導電性膜の位置及び特性の第１の関係と、導電性膜に第２の磁界を照射した場合の、磁界放射器の特性、導電性膜の位置及び特性の第２の関係と、を保存する関係記憶装置と、（ｃ）測定対象導電性膜に第１の磁界を照射した場合の磁界放射器の特性及び第１の関係に基づき、導電性膜の位置及び特性の第３の関係を算出し、測定対象導電性膜に第２の磁界を照射した場合の磁界放射器の特性及び第２の関係に基づき、導電性膜の位置及び特性の第４の関係を算出する関係算出部と、（ｄ）第３の関係及び第４の関係に共通する、導電性膜の位置及び特性の組み合わせを特定する特定部と、を備える、導電性膜センサが提供される。
【０００７】
また、本発明の態様によれば、（ａ）導電性膜に磁界放射器を用いて第１の磁界を照射した場合の、磁界放射器の特性、導電性膜の位置及び特性の第１の関係を用意することと、（ｂ）導電性膜に磁界放射器を用いて第１の磁界とは周波数が異なる第２の磁界を照射した場合の、磁界放射器の特性、導電性膜の位置及び特性の第２の関係を用意することと、（ｃ）測定対象導電性膜に第１の磁界を照射したときの磁界放射器の特性及び第１の関係に基づき、導電性膜の位置及び特性の第３の関係を算出することと、（ｄ）測定対象導電性膜に第２の磁界を照射したときの磁界放射器の特性及び第２の関係に基づき、導電性膜の位置及び特性の第４の関係を算出することと、（ｅ）第３の関係及び第４の関係に共通する、導電性膜の位置及び特性の組み合わせを特定することと、を含む、導電性膜の検出方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、導電性膜の位置及び特性を特定可能な、導電性膜センサ及び導電性膜の検出方法を提供可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る導電性膜センサの模式図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る第１の磁界を照射した場合の、第１のコイルのＱ値、金属膜の位置、及び金属膜の厚さの第１の関係を示すグラフである。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る第２の磁界を照射した場合の、第２のコイルのＱ値、金属膜の位置、及び金属膜の厚さの第２の関係を示すグラフである。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る測定対象金属膜に第１の磁界を照射した場合の第１のコイルのＱ値及び第１の関係に基づく、金属膜の位置及び厚さの第３の関係を示すグラフである。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る測定対象金属膜に第２の磁界を照射した場合の第２のコイルのＱ値及び第２の関係に基づく、金属膜の位置及び厚さの第４の関係を示すグラフである。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る第３の関係及び第４の関係を重ね合わせたグラフである。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る第１の磁界を照射した場合の、第１のコイルのＱ値、金属膜の位置、及び金属膜の抵抗率の第１の関係を示すグラフである。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係る第２の磁界を照射した場合の、第２のコイルのＱ値、金属膜の位置、及び金属膜の抵抗率の第２の関係を示すグラフである。
【図９】本発明の第２の実施の形態に係る測定対象金属膜に第１の磁界を照射した場合の第１のコイルのＱ値及び第１の関係に基づく、金属膜の位置及び抵抗率の第３の関係を示すグラフである。
【図１０】本発明の第２の実施の形態に係る測定対象金属膜に第２の磁界を照射した場合の第２のコイルのＱ値及び第２の関係に基づく、金属膜の位置及び抵抗率の第４の関係を示すグラフである。
【図１１】本発明の第２の実施の形態に係る第３の関係及び第４の関係を重ね合わせたグラフである。
【図１２】本発明のその他の実施の形態に係る導電性膜センサの模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号で表している。但し、図面は模式的なものである。したがって、具体的な寸法等は以下の説明を照らし合わせて判断するべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１１】
（第１の実施の形態）
第１の実施の形態に係る導電性膜センサは、図１に示すように、第１の周波数を有する第１の磁界を放射する第１のコイル１１、及び第１の周波数とは異なる第２の周波数を有する第２の磁界を放射する第２のコイル１２を有する磁界放射器１と、磁界放射器１に接続された中央演算処理装置（ＣＰＵ）３００と、を備える。第１の実施の形態に係る導電性膜センサは、さらに、ＣＰＵ３００に接続された関係記憶装置４０１を備える。関係記憶装置４０１は、それぞれ特性が異なる複数の導電性膜に第１のコイル１１から第１の磁界を照射して予め取得された、第１のコイル１１の電気特性、導電性膜の位置、及び導電性膜の特性の第１の関係を保存する。また、関係記憶装置４０１は、それぞれ特性が異なる複数の導電性膜に第２のコイル１２から第２の磁界を照射して予め取得された、第２のコイル１２の電気特性、導電性膜の位置、及び導電性膜の特性の第２の関係も保存する。
【００１２】
ＣＰＵ３００は、関係算出部３０１を備える。関係算出部３０１は、測定対象導電性膜２に第１のコイル１１から第１の磁界を照射した場合の第１のコイル１１の電気特性の測定値と、第１の関係と、に基づき、導電性膜の位置と、導電性膜の特性と、の第３の関係を算出する。また、関係算出部３０１は、測定対象導電性膜２に第２のコイル１２から第２の磁界を照射した場合の第２のコイル１２の電気特性の測定値と、第２の関係と、に基づき、導電性膜の位置と、導電性膜の特性と、の第４の関係も算出する。さらに、ＣＰＵ３００は、第３の関係と、第４の関係と、に共通する、導電性膜の位置と、導電性膜の特性と、の組み合わせを特定する特定部３０３を備える。特定された導電性膜の位置が、測定対象導電体２の位置となる。測定対象導電性膜２の位置とは、磁界放射器１に対する測定対象導電性膜２の相対位置であり、例えば磁界放射器１からの距離Ｄである。また、特定された導電性膜の特性が、測定対象導電性膜２の特性となる。
【００１３】
第１のコイル１１と、第２のコイル１２と、は、測定対象導電性膜２との距離Ｄが同じになるよう、平行に配置される。また、第１のコイル１１と、第２のコイル１２と、は、第１の磁界と、第２の磁界と、の干渉が低減されるよう、離して配置されてもよい。また、第１の周波数と、第２の周波数と、の差を、干渉が低減されるように設定してもよい。あるいは、第１のコイル１１と、第２のコイル１２と、は、所定時間毎又は所定波数毎に、交互に磁界を発してもよい。さらに、測定対象導電性膜２の抵抗率の変動の影響を低減させたい場合は、測定対象導電性膜２の抵抗率の変動を抑制する周波数を設定してもよい。
【００１４】
位置及び厚さ等の特性の測定対象となる測定対象導電性膜２は、第１のコイル１１及び第２のコイル１２に対向して配置される。測定対象導電性膜２は、例えば鉄等の磁性体、あるいはアルミニウム、銅、又はこれらを支配的に含む合金等の非磁性体からなる金属膜である。第１のコイル１１は、ＬＣ発振回路の一部をなしている。ＬＣ発振回路は、発振振幅が第１のコイル１１のクオリティファクタの値（以下、「Ｑ値」という。）の単調関数となるよう、構成されている。第１のコイル１１のＱ値は、ωを共振角周波数、Ｌを第１のコイル１１の自己インダクタンス、Ｒを第１のコイル１１の高周波抵抗として、下記（１）式で与えられる。
Q = ωL / R ・・・(1)
【００１５】
ＬＣ発振回路の発振に伴い、第１のコイル１１から測定対象導電性膜２に向かって、高周波交流磁界が形成され、測定対象導電性膜２に渦電流が発生する。渦電流による電気エネルギの損失は、第１のコイル１１の見かけ上の高周波抵抗Ｒを増大させ、Ｑ値を低下させる。したがって、Ｑ値の変化は、測定対象導電性膜２の位置及び厚さ等の特性に依存する。また、第１のコイル１１の見かけ上の自己インダクタンス、高周波抵抗、又はインピーダンス等の特性の変化、あるいはそれらに相関するＬＣ発振回路の発振の変化、ＬＣ発振回路を流れる電流の変化も、測定対象導電性膜２の位置及び厚さ等の特性に依存する。第２のコイル１２についても同様である。
【００１６】
ここでは、磁界放射器１は、例として、第１のコイル１１から第１の周波数として５０ｋＨｚの第１の磁界を測定対象導電性膜２に照射し、第１のコイル１１のＱ値の測定値を関係算出部３０１に送信する。また、磁界放射器１は、例として、第２のコイル１２から第２の周波数として５００ｋＨｚの第２の磁界を測定対象導電性膜２に照射し、第２のコイル１２のＱ値の測定値を関係算出部３０１に送信する。
【００１７】
関係記憶装置４０１に保存されている図２に示すような第１の関係を取得する際には、例えば、それぞれ厚さが５μｍ、１０μｍ、１５μｍ、２０μｍ、５０μｍの５つの金属膜等の導電性膜が用意される。５つの金属膜は、測定対象導電性膜２と同じ材料からなる。あるいは、５つの金属膜は、測定対象導電性膜２の材料と抵抗率がほぼ等しい材料からなる。５つの金属膜のそれぞれについて、図１に示す第１のコイル１１と金属膜表面との間の距離を変えながら、第１のコイル１１から５０ｋＨｚの第１の磁界を放射して、第１のコイル１１のＱ値を測定する。これにより、図２に示すような、第１のコイル１１のＱ値、金属膜の位置、及び金属膜の厚さの第１の関係が得られる。
【００１８】
図１に示す関係記憶装置４０１に保存されている図３に示すような第２の関係を取得する際にも、例えば、それぞれ厚さが５μｍ、１０μｍ、１５μｍ、２０μｍ、５０μｍの５つの金属膜が用意される。５つの金属膜のそれぞれについて、図１に示す第２のコイル１２と金属膜表面との間の距離を変えながら、第２のコイル１２から５００ｋＨｚの第２の磁界を放射して、第２のコイル１２のＱ値を測定する。これにより、図３に示すような、第２のコイル１２のＱ値、金属膜の位置、及び金属膜の厚さの第２の関係が得られる。なお、第１の関係と、第２の関係と、は、図１に示す入力装置３１２から関係記憶装置４０１に入力してもよい。
【００１９】
関係算出部３０１は、磁界放射器１から第１のコイル１１のＱ値の測定値を受信する。また、関係算出部３０１は、関係記憶装置４０１から、図２に示す第１の関係を読み出す。５０ｋＨｚの第１の磁界を測定対象導電性膜２に照射した場合の、第１のコイル１１のＱ値の測定値が２６．７であった場合、関係算出部３０１は、Ｑ値２６．７における図２に示す第１の関係から、図４に示すような金属膜の位置と、金属膜の厚さと、の第３の関係を算出する。
【００２０】
さらに関係算出部３０１は、磁界放射器１から第２のコイル１２のＱ値の測定値を受信する。また、関係算出部３０１は、関係記憶装置４０１から、図３に示す第２の関係を読み出す。５００ｋＨｚの第２の磁界を図１に示す測定対象導電性膜２に照射した場合の、第２のコイル１２のＱ値の測定値が５６．５であった場合、関係算出部３０１は、Ｑ値５６．５における図３に示す第２の関係から、図５に示すような金属膜の位置と、金属膜の厚さと、の第４の関係を算出する。
【００２１】
図１に示す特定部３０３は、図６に示すように、第３の関係を与える関数と、第４の関係を与える関数と、の交点における金属膜の位置の値と、金属膜の厚さの値と、を特定する。特定された位置の値と、厚さの値と、が、図１に示す測定対象導電性膜２の位置と、厚さと、の測定値となる。特定部３０３は、測定対象導電性膜２の位置と、厚さと、の測定値を、例えば出力装置３１３に出力させる。
【００２２】
なお、図４に示した第３の関係を与える関数の傾きと、図５に示した第４の関係を与える関数の傾きと、が近似すると、金属膜の位置の値と、金属膜の厚さの値と、を特定する際に誤差が生じうる。そのため、第３の関係を与える関数の傾きと、第４の関係を与える関数の傾きと、の正負が反対となるよう、第１の磁界の第１の周波数と、第２の磁界の第２の周波数と、を設定してもよい。
【００２３】
以上示したように、第１の実施の形態に係る導電性膜センサによれば、図１に示す測定対象導電性膜２の位置と、厚さと、を同時に測定することが可能となる。さらに、第１の実施の形態に係る導電性膜センサによれば、渦電流の浸透深さよりも充分に薄い測定対象導電性膜２の厚さが変動しても、位置の測定に誤差が生じない。また、第１の実施の形態に係る導電性膜センサによれば、測定対象導電性膜２の位置が変動しても、厚さの測定に誤差が生じない。したがって、第１の実施の形態に係る導電性膜センサによれば、測定対象導電性膜２の位置と、厚さと、をリアルタイムかつ高精度に測定することが可能となる。
【００２４】
（第２の実施の形態）
第１の実施の形態では、測定対象導電性膜２の位置と、測定対象導電性膜２の特性としての厚さと、を測定する例を説明した。第２の実施の形態では、測定対象導電性膜２の位置と、測定対象導電性膜２の特性としての抵抗率と、を測定する例を説明する。第２の実施の形態においては、関係記憶装置４０１に、図７に示すような、第１のコイル１１から第１の磁界を放射した場合の、第１のコイル１１のＱ値、金属膜の位置、及び金属膜の抵抗率の第１の関係が保存される。このような第１の関係を取得する際には、例えば、それぞれ抵抗率が１×１０―8Ωｍ、２×１０―8Ωｍ、３×１０―8Ωｍ、４×１０―8Ωｍ、５×１０―8Ωｍの５つの金属膜が用意される。次に、５つの金属膜のそれぞれについて、図１に示す第１のコイル１１と金属膜表面との間の距離を変えながら、第１のコイル１１から第１の周波数として例えば５０ｋＨｚの第１の磁界を放射して、第１のコイル１１のＱ値を測定する。これにより、図７に示すような、第１の関係が得られる。
【００２５】
また、関係記憶装置４０１に、図８に示すような、第２のコイル１２から第２の磁界を放射した場合の、第２のコイル１２のＱ値、金属膜の位置、及び金属膜の抵抗率の第２の関係が保存される。このような第２の関係を取得する際には、例えば、それぞれ抵抗率が１×１０―8Ωｍ、２×１０―8Ωｍ、３×１０―8Ωｍ、４×１０―8Ωｍ、５×１０―8Ωｍの５つの金属膜が用意される。次に、５つの金属膜のそれぞれについて、図１に示す第２のコイル１２と金属膜表面との間の距離を変えながら、第２のコイル１２から第２の周波数として例えば５００ｋＨｚの第２の磁界を放射して、第２のコイル１２のＱ値を測定する。これにより、図８に示すような、第２の関係が得られる。
【００２６】
５０ｋＨｚの第１の磁界を測定対象導電性膜２に照射した場合の、第１のコイル１１のＱ値の測定値が２７．０であった場合、図１に示す関係算出部３０１は、Ｑ値２７．０における図７に示した第１の関係から、図９に示すような金属膜の位置と、金属膜の抵抗率と、の第３の関係を算出する。
【００２７】
５００ｋＨｚの第２の磁界を図１に示す測定対象導電性膜２に照射した場合の、第２のコイル１２のＱ値の測定値が５８．０であった場合、図１に示す関係算出部３０１は、Ｑ値５８．０における図８に示した第２の関係から、図１０に示すような金属膜の位置と、金属膜の抵抗率と、の第４の関係を算出する。
【００２８】
図１に示す特定部３０３は、図１１に示すように、第３の関係を与える関数と、第４の関係を与える関数と、の交点における金属膜の位置の値と、金属膜の抵抗率の値と、を特定する。特定された位置の値と、抵抗率の値と、が、図１に示す測定対象導電性膜２の位置と、抵抗率と、の測定値となる。
【００２９】
以上示したように、第２の実施の形態に係る導電性膜センサによれば、測定対象導電性膜２の位置と、抵抗率と、を同時に測定することが可能となる。さらに、第２の実施の形態に係る導電性膜センサによれば、測定対象導電性膜２の抵抗率が変動しても、位置の測定に誤差が生じない。また、第２の実施の形態に係る導電性膜センサによれば、測定対象導電性膜２の位置が変動しても、抵抗率の測定に誤差が生じない。したがって、第２の実施の形態に係る導電性膜センサによれば、測定対象導電性膜２の位置と、抵抗率と、をリアルタイムかつ高精度に測定することが可能となる。
【００３０】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明を実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす記述及び図面はこの発明を限定するものであると理解するべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施の形態及び運用技術が明らかになるはずである。例えば、測定対象導電性膜２の検出される特性は、厚さ、抵抗率に限らず、透磁率や材料であってもよい。
【００３１】
また、第１及び第２の実施の形態では、磁界放射器１が第１のコイル１１と、第２のコイル１２と、を有する例を示したが、図１２に示すように、磁界放射器１は、単一のコイル１３のみを有していてもよい。この場合、単一のコイル１３は、所定時間毎又は所定波数毎に、第１の磁界と、第２の磁界と、を交互に放射すればよい。あるいは、単一のコイル１３は、第１の周波数を有する第１の磁界と、第２の周波数を有する第２の磁界と、を重ね合わせた磁界を放射してもよい。この場合、単一のコイル１３のＱ値又はインピーダンス等の特性は、第１の周波数に関する特性と、第２の周波数に関する特性と、に分割されて利用される。
【００３２】
この様に、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を包含するということを理解すべきである。
【符号の説明】
【００３３】
１ 磁界放射器
２ 測定対象導電性膜
１１ 第１のコイル
１２ 第２のコイル
１３ コイル
３０１ 関係算出部
３０３ 特定部
３１２ 入力装置
３１３ 出力装置
４０１ 関係記憶装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周波数が異なる第１及び第２の磁界を放射する磁界放射器と、
導電性膜に前記第１の磁界を照射した場合の、前記磁界放射器の特性、前記導電性膜の位置及び特性の第１の関係と、前記導電性膜に前記第２の磁界を照射した場合の、前記磁界放射器の特性、前記導電性膜の位置及び特性の第２の関係と、を保存する関係記憶装置と、
測定対象導電性膜に前記第１の磁界を照射した場合の前記磁界放射器の特性及び前記第１の関係に基づき、前記導電性膜の位置及び特性の第３の関係を算出し、前記測定対象導電性膜に前記第２の磁界を照射した場合の前記磁界放射器の特性及び前記第２の関係に基づき、前記導電性膜の位置及び特性の第４の関係を算出する関係算出部と、
前記第３の関係及び前記第４の関係に共通する、前記導電性膜の位置及び特性の組み合わせを特定する特定部と、
を備える、導電性膜センサ。
【請求項２】
前記導電性膜の特性が、前記導電性膜の厚さ、抵抗、透磁率、又は材料である、請求項１に記載の導電性膜センサ。
【請求項３】
前記磁界放射器が、前記第１の磁界を放射する第１のコイルと、前記第２の磁界を放射する第２のコイルと、を備える、請求項１又は２に記載の導電性膜センサ。
【請求項４】
前記磁界放射器が、異なる時間に、前記第１の磁界と、前記第２の磁界と、を放射するコイルを備える、請求項１又は２に記載の導電性膜センサ。
【請求項５】
前記磁界放射器が、前記第１の磁界と、前記第１の磁界に重ね合わされた前記第２の磁界と、を放射するコイルを備える、請求項１又は２に記載の導電性膜センサ。
【請求項６】
前記導電性膜の位置が、前記磁界放射器に対する前記導電性膜の相対位置である、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の導電性膜センサ。
【請求項７】
前記磁界放射器がＬＣ発振回路を構成するコイルを備え、前記磁界放射器の特性が、前記ＬＣ発振回路の発振振幅である、請求項１又は２に記載の導電性膜センサ。
【請求項８】
前記磁界放射器の特性が、インピーダンス、インダクタンス、抵抗又はクオリティファクタである、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の導電性膜センサ。
【請求項９】
導電性膜に磁界放射器を用いて第１の磁界を照射した場合の、前記磁界放射器の特性、導電性膜の位置及び特性の第１の関係を用意することと、
前記導電性膜に前記磁界放射器を用いて前記第１の磁界とは周波数が異なる第２の磁界を照射した場合の、前記磁界放射器の特性、前記導電性膜の位置及び特性の第２の関係を用意することと、
測定対象導電性膜に前記第１の磁界を照射したときの前記磁界放射器の特性及び前記第１の関係に基づき、前記導電性膜の位置及び特性の第３の関係を算出することと、
前記測定対象導電性膜に前記第２の磁界を照射したときの前記磁界放射器の特性及び前記第２の関係に基づき、前記導電性膜の位置及び特性の第４の関係を算出することと、
前記第３の関係及び前記第４の関係に共通する、前記導電性膜の位置及び特性の組み合わせを特定することと、
を含む、導電性膜の検出方法。
【請求項１０】
前記特性が、前記導電性膜の厚さ、抵抗、透磁率、又は材料である、請求項９に記載の導電性膜の検出方法。
【請求項１１】
前記磁界放射器が、前記第１の磁界を放射する第１のコイルと、前記第２の磁界を放射する第２のコイルと、を備える、請求項９又は１０に記載の導電性膜の検出方法。
【請求項１２】
前記磁界放射器が、異なる時間に、前記第１の磁界と、前記第２の磁界と、を放射するコイルを備える、請求項９又は１０に記載の導電性膜の検出方法。
【請求項１３】
前記磁界放射器が、前記第１の磁界と、前記第１の磁界に重ね合わされた前記第２の磁界と、を放射するコイルを備える、請求項９又は１０に記載の導電性膜の検出方法。
【請求項１４】
前記導電性膜の位置が、前記磁界放射器に対する前記導電性膜の相対位置である、請求項９乃至１３のいずれか１項に記載の導電性膜の検出方法。
【請求項１５】
前記磁界放射器がＬＣ発振回路を構成するコイルを備え、前記磁界放射器の特性が、前記ＬＣ発振回路の発振振幅である、請求項９又は１０に記載の導電性膜の検出方法。
【請求項１６】
前記磁界放射器の特性が、インピーダンス、インダクタンス、抵抗又はクオリティファクタである、請求項９乃至１４のいずれか１項に記載の導電性膜の検出方法。
【請求項１】
周波数が異なる第１及び第２の磁界を放射する磁界放射器と、
導電性膜に前記第１の磁界を照射した場合の、前記磁界放射器の特性、前記導電性膜の位置及び特性の第１の関係と、前記導電性膜に前記第２の磁界を照射した場合の、前記磁界放射器の特性、前記導電性膜の位置及び特性の第２の関係と、を保存する関係記憶装置と、
測定対象導電性膜に前記第１の磁界を照射した場合の前記磁界放射器の特性及び前記第１の関係に基づき、前記導電性膜の位置及び特性の第３の関係を算出し、前記測定対象導電性膜に前記第２の磁界を照射した場合の前記磁界放射器の特性及び前記第２の関係に基づき、前記導電性膜の位置及び特性の第４の関係を算出する関係算出部と、
前記第３の関係及び前記第４の関係に共通する、前記導電性膜の位置及び特性の組み合わせを特定する特定部と、
を備える、導電性膜センサ。
【請求項２】
前記導電性膜の特性が、前記導電性膜の厚さ、抵抗、透磁率、又は材料である、請求項１に記載の導電性膜センサ。
【請求項３】
前記磁界放射器が、前記第１の磁界を放射する第１のコイルと、前記第２の磁界を放射する第２のコイルと、を備える、請求項１又は２に記載の導電性膜センサ。
【請求項４】
前記磁界放射器が、異なる時間に、前記第１の磁界と、前記第２の磁界と、を放射するコイルを備える、請求項１又は２に記載の導電性膜センサ。
【請求項５】
前記磁界放射器が、前記第１の磁界と、前記第１の磁界に重ね合わされた前記第２の磁界と、を放射するコイルを備える、請求項１又は２に記載の導電性膜センサ。
【請求項６】
前記導電性膜の位置が、前記磁界放射器に対する前記導電性膜の相対位置である、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の導電性膜センサ。
【請求項７】
前記磁界放射器がＬＣ発振回路を構成するコイルを備え、前記磁界放射器の特性が、前記ＬＣ発振回路の発振振幅である、請求項１又は２に記載の導電性膜センサ。
【請求項８】
前記磁界放射器の特性が、インピーダンス、インダクタンス、抵抗又はクオリティファクタである、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の導電性膜センサ。
【請求項９】
導電性膜に磁界放射器を用いて第１の磁界を照射した場合の、前記磁界放射器の特性、導電性膜の位置及び特性の第１の関係を用意することと、
前記導電性膜に前記磁界放射器を用いて前記第１の磁界とは周波数が異なる第２の磁界を照射した場合の、前記磁界放射器の特性、前記導電性膜の位置及び特性の第２の関係を用意することと、
測定対象導電性膜に前記第１の磁界を照射したときの前記磁界放射器の特性及び前記第１の関係に基づき、前記導電性膜の位置及び特性の第３の関係を算出することと、
前記測定対象導電性膜に前記第２の磁界を照射したときの前記磁界放射器の特性及び前記第２の関係に基づき、前記導電性膜の位置及び特性の第４の関係を算出することと、
前記第３の関係及び前記第４の関係に共通する、前記導電性膜の位置及び特性の組み合わせを特定することと、
を含む、導電性膜の検出方法。
【請求項１０】
前記特性が、前記導電性膜の厚さ、抵抗、透磁率、又は材料である、請求項９に記載の導電性膜の検出方法。
【請求項１１】
前記磁界放射器が、前記第１の磁界を放射する第１のコイルと、前記第２の磁界を放射する第２のコイルと、を備える、請求項９又は１０に記載の導電性膜の検出方法。
【請求項１２】
前記磁界放射器が、異なる時間に、前記第１の磁界と、前記第２の磁界と、を放射するコイルを備える、請求項９又は１０に記載の導電性膜の検出方法。
【請求項１３】
前記磁界放射器が、前記第１の磁界と、前記第１の磁界に重ね合わされた前記第２の磁界と、を放射するコイルを備える、請求項９又は１０に記載の導電性膜の検出方法。
【請求項１４】
前記導電性膜の位置が、前記磁界放射器に対する前記導電性膜の相対位置である、請求項９乃至１３のいずれか１項に記載の導電性膜の検出方法。
【請求項１５】
前記磁界放射器がＬＣ発振回路を構成するコイルを備え、前記磁界放射器の特性が、前記ＬＣ発振回路の発振振幅である、請求項９又は１０に記載の導電性膜の検出方法。
【請求項１６】
前記磁界放射器の特性が、インピーダンス、インダクタンス、抵抗又はクオリティファクタである、請求項９乃至１４のいずれか１項に記載の導電性膜の検出方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１３−１５３５５（Ｐ２０１３−１５３５５Ａ）
【公開日】平成２５年１月２４日（２０１３．１．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１４７０４２（Ｐ２０１１−１４７０４２）
【出願日】平成２３年７月１日（２０１１．７．１）
【出願人】（０００００６６６６）アズビル株式会社 (1,808)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月２４日（２０１３．１．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年７月１日（２０１１．７．１）
【出願人】（０００００６６６６）アズビル株式会社 (1,808)
【Ｆターム（参考）】
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