導電性複合体の製造方法およびプリント配線板
【課題】導電性材料等と表面の粗面化の程度が小さな表面改質フッ素樹脂フィルムとが十分な強度で固着された導電性複合体の製造方法およびプリント配線板を提供する。
【解決手段】導電性複合体の製造方法は、基材であるフッ素樹脂フィルムＲＦの表面にアノードレイヤーイオンソース２からのイオンビームを照射電圧１．５ｋＶ以上３．５ｋＶ以下で照射してその表面を改質して粗面化する。祖面化された表面改質フッ素樹脂フィルムの表面に導電性材料の粒子を含む流体を塗布して加熱することにより導電性粒子をフッ素樹脂フィルムに固着させるものである。
【解決手段】導電性複合体の製造方法は、基材であるフッ素樹脂フィルムＲＦの表面にアノードレイヤーイオンソース２からのイオンビームを照射電圧１．５ｋＶ以上３．５ｋＶ以下で照射してその表面を改質して粗面化する。祖面化された表面改質フッ素樹脂フィルムの表面に導電性材料の粒子を含む流体を塗布して加熱することにより導電性粒子をフッ素樹脂フィルムに固着させるものである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面改質フッ素樹脂フィルムと導電性材料とが固着された導電性複合体の製造方法、およびプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
フッ素樹脂は、電気的には、誘電率、力率共に温度、周波数に関係なく一定で低いという優れたな特徴があり、絶縁抵抗および絶縁破壊も樹脂の中では非常に優れた部類に入る。またフッ素樹脂は、化学的な安定性が高く、耐熱性にも優れる。例えばもっともフッ素樹脂らしいフッ素樹脂と呼ばれる４フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）の場合、融点は３２７℃と他の汎用樹脂等に比べて高い温度である。
【０００３】
また薄く加工したフィルムは適度な柔軟性を有するので、フレキシブル基板（プリント配線板）への使用も可能である。
しかしながら、フッ素樹脂はその表面が不活性であるため導電性材料との接着が困難であり、これがフレキシブル基板への製品化の普及に大きな障害となっている。
フッ素樹脂の持つ優れた電気的特性を利用したプリント配線板用基板として、フッ素樹脂含浸ガラスクロスおよびフッ素樹脂シートを基材とし、これを銅箔に熱融着したフッ素樹脂銅張積層板が実用化されている（非特許文献１）。
【０００４】
フッ素樹脂シート等に熱融着される銅箔は、ハンドリングの利便性から一般に３０μm以上の厚みのものが使用される。そのため回路の微細なエッチング工程が容易ではなく、また熱融着処理において、各素材の熱膨張率の違いから融着物の変形が発生するという問題がある。
この問題を解決するために、フッ素樹脂の表面に銅を直接メッキすることにより薄膜化および微細配線化を目指す動きがある。フッ素樹脂表面への銅薄膜の定着には、疎水性であるフッ素樹脂の表面を改質し、銅による薄膜との接着強度を向上させる必要がある。
【０００５】
フッ素樹脂の表面の改質方法として、フッ素樹脂表面のフッ素原子を金属ナトリウムにより引き抜き、フッ素樹脂の表面を化学的に改質するナトリウム−アンモニア処理が提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２０１５７１号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】インターネット、ＵＲＬ：http://www.chukoh.co.jp/japan/laminate/page_title.html
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ナトリウム−アンモニア処理による表面の改質は、親水化の程度が大きく導電性材料との強固な接着が可能となる。しかし、ナトリウム−アンモニア処理は、化学的な処理であるため改質層が厚くなり、かつ改質層がフッ素樹脂の特徴である耐熱性および耐化学薬品性などを損なうという問題を有する。また、ナトリウム−アンモニア処理されたフッ素樹脂は、表面の粗面化の程度が大きく、プリント配線板の基材としては好ましくない。
【０００９】
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたもので、導電性材料等と表面の粗面化の程度が小さな表面改質フッ素樹脂フィルムとが十分な強度で固着された導電性複合体の製造方法およびプリント配線板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る導電性複合体の製造方法は、フッ素樹脂フィルムの表面にアノードレイヤーイオンソースからのイオンビームを照射電圧１．５ｋＶ以上３．５ｋＶ以下で照射して前記表面を粗面化し、前記フッ素樹脂フィルムの前記表面に導電性粒子を含む流体を塗布して加熱または乾燥することにより前記導電性粒子の層を形成する。
前記フッ素樹脂フィルムは、ＰＴＦＥ、変性ＰＴＦＥ、ＰＦＡ、ＥＴＦＥのいずれかで
ある。
【００１１】
本発明に係るプリント配線板は、フッ素樹脂フィルムと導電性材料とからなり、前記フッ素樹脂フィルムは、その表面がアノードレイヤーイオンソースからのイオンビームの照射を受けて粗面化されており、前記フッ素樹脂フィルムにおける粗面化された表面において前記導電性材料の粒子を含む流体が焼成または乾燥されたことにより前記導電性材料の粒子が前記フッ素樹脂フィルムの粗面化された表面に入り込んでアンカー効果によって前記フッ素樹脂フィルムに固着されて形成される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によると、導電性材料等と表面の粗面化の程度が小さな表面改質フッ素樹脂フィルムとが十分な強度で固着された導電性複合体の製造方法およびプリント配線板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は表面改質装置の概略図である。
【図２】図２はイオン照射装置の外観図である。
【図３】図３はイオン照射装置の長手方向に直交する断面図である。
【図４】図４はイオン照射装置によるイオンビーム照射の様子を示す図である。
【図５】図５は剥離強度に与える照射電圧の影響を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図１は表面改質装置１の概略図、図２はイオン照射装置２の外観図、図３はイオン照射装置２の長手方向に直交する断面図である。
表面改質装置１は、導電性複合体を構成するフッ素樹脂フィルムＲＦの表面を改質させる装置である。
表面改質装置１は、処理室３、イオン照射装置２、イオン照射移動装置、保持装置４、前室５および真空装置６からなる。
【００１５】
処理室３は、イオン照射装置２、イオン照射移動装置および保持装置４を収容する、密閉可能な部屋である。
イオン照射装置２は、形状が全体として細長い直方体であり、スリット１１、空間１２、アノード１３およびガス流路１４を備える。イオン照射装置２は、アノードレイヤー型のホールスラスターを改良したアノードレイヤーイオンソースである。
【００１６】
スリット１１は、イオン照射装置２における細長い１つの面１５（以下「照射側面１５」という）に、短い両端縁側がそれぞれ円弧状に湾曲し、長い両縁側が直線のループとなった隙間である。照射側面１５を形成する部分におけるスリット１１の内側の部分を内極１６といい、スリット１１の外側の部分を外極１７という。
イオン照射装置２は、少なくとも照射側面１５を有する材料が強磁性体で製作され、イオン照射装置２に組み入れられた永久磁石により、内極１６がＳ極に磁極化され、外極１７がＮ極に磁極化されている。
【００１７】
空間１２は、イオン照射装置２の内部に設けられ、スリット１１によって外部に連通してその幅がスリット１１よりも大きな、スリット１１の形状に対応したループ状の空洞である。
アノード１３は、ループ状の空間１２に収容されたループ状の電極である。アノード１３は、銅または銅合金で製作される。
【００１８】
ガス流路１４は、イオン照射装置２の外部からイオン源となるガスを空間１２内に導入するための流路である。
イオン照射装置２において、外極１７は接地（アース）され、アノード１３は直流電源に接続されている。
イオン照射装置２は、照射側面１５を形成する部分（「照射側面１５」と略す場合がある）が接地され、アノード１３との間に電圧が印加される。また、イオン照射装置２は、内極１６がＳ極に磁極化され、外極１７がＮ極に磁極化されていることにより、スリット１１の開口部分で、軸方向の電場に対して磁場が略直交するように形成される。
【００１９】
イオン照射装置２のループ状の空間１２におけるスリット１１近傍では、照射側面１５
とアノード１３との間を移動する電子により、ガス流路１４から供給されたガスがプラズマ化されイオン化が生成される。生成した電子は照射側面１５に向かい、イオンは、アノード１３とスリット１１との間の薄い層（アノードレイヤー）で加速されて、スリット１１から外部に放出される。
【００２０】
イオン照射移動装置は、イオン照射装置２を水平方向に往復移動させるための装置である。イオン照射移動装置は、イオン照射装置２の長手方向を水平方向に直交させて（長手方向を垂直方向にして）イオン照射装置を保持する。イオン照射移動装置は、イオン照射装置２の照射側面１５と移動方向との角度αが０度から９０度の範囲で任意に変更可能に設計される。イオン照射移動装置は、往復の移動速度および往動端、復動端での静止時間、移動回数（往動および復動をそれぞれ１回とする）等、移動条件を種々変更して動作させることができる。イオン照射移動装置は、イオン照射装置２が垂直方向に移動するように、または水平および垂直のいずれでもない方向に移動するようにしてもよい。
【００２１】
保持装置４は、改質対象であるフッ素樹脂フィルムＲＦを保持するための装置である。保持装置４は、厚みのある強固な長方形のガラス基板２１を備える。ガラス基板２１は、その表面が垂直となるように保持装置４に組み入れられる。
保持装置４は、往復移動するイオン照射装置２のいずれの位置においても、ガラス基板２１の表面とイオン照射装置２との往復移動方向に直交する方向の距離が一定となる位置に、静止可能に配される。ここで「静止可能」としたのは、後述するように、保持装置４が処理室３と前室５との間を移動可能なことによる。
【００２２】
前室５は、保持装置４を収容することができる密閉可能な部屋である。前室５は、処理室３に連続し、遠隔操作で開閉可能な扉によって処理室３と隔てられている。前室５は、処理室３との間で保持装置４が移動可能となっており、保持装置４の前室５と処理室３との間の移動は、これらを隔てる扉の開閉とともに外部からの遠隔操作により行われる。
真空装置６は、前段真空ポンプ２５、後段真空ポンプ２６および複数の自動弁２７，２８，２９，３０，３１からなる。
【００２３】
前段真空ポンプ２５は、真空度が低い段階で作動させるあらびきポンプであり、油回転ポンプが使用される。前段真空ポンプ２５は、自動弁２７，２８を介して処理室３および前室５に接続されている。
後段真空ポンプ２６は、高い真空度を得るために作動させる真空ポンプであり、クライオポンプが使用される。後段真空ポンプ２６は、自動弁２９を介して処理室３に接続されている。
【００２４】
自動弁３０，３１は、それぞれ前室５の真空状態を解除するリーク弁、および処理室３の真空状態を解除するリーク弁である。
次に、表面改質装置１によるフッ素樹脂フィルムＲＦの表面改質処理について説明する。
図４はイオン照射装置２によるイオンビーム照射の様子を示す図である。
【００２５】
初めに、改質対象であるフッ素樹脂フィルムＲＦが、保持装置４のガラス基板２１に固定される。フィルム化されたフッ素樹脂として、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、変性ＰＴＦＥ（４Ｆモノマーと微量のパーフルオロアルコキシドとの共重合体）、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）、ＥＴＦＥ（テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体）が使用される。また、フィルムの厚さは、１０μｍ〜１５０μｍが好ましい。
【００２６】
フッ素樹脂フィルムＲＦは矩形に切断され、四隅または対向する２辺がガラス基板２１に直接または間接に固定される。フッ素樹脂フィルムＲＦには、しわが生じない程度の弱い張力が加えられる。
図１を参照して、フッ素樹脂フィルムＲＦが固定されたガラス基板２１が、前室５内において保持装置４に一体化される。
【００２７】
前室５および処理室３が密閉され外部と遮断される。前室５と処理室３とを隔てる扉は開かれている。
自動弁２７，２８が開かれ、自動弁２９，３０，３１が閉じられた状態で、真空装置６
の前段真空ポンプ２５が起動され、前室５および処理室３が減圧される。
前室５および処理室３が所定の真空度、例えば１０2Ｐａに達したら、保持装置４が前室５から処理室３に移動され、前室５と処理室３との間の扉が閉じられる。
【００２８】
処理室３内に移動されたフッ素樹脂フィルムＲＦは、イオン照射装置２との距離およびイオン照射角度αに応じた適切な位置に配される。ここで、イオン照射角度αとは、改質対象（フッ素樹脂フィルムＲＦ）に照射されるイオンビームの照射方向と、改質面に直交する方向とがなす角度であり、表面改質装置１においては、イオン照射角度αは、照射側面１５とイオン照射移動装置の移動方向との角度αと同じ値である。
【００２９】
また、フッ素樹脂フィルムＲＦは、いずれかの対向する２辺がイオン照射装置２の長手方向に一致するように、ガラス基板２１に固定されている。
続いて自動弁２７，２８が閉じられ、自動弁２９が開かれ、前段真空ポンプ２５が停止されると、後段真空ポンプ２６が起動される。処理室３は、後段真空ポンプ２６により、一層高い真空度、例えば１０-2Ｐａにまで減圧される。
【００３０】
イオン照射装置２は、照射側面１５とイオン照射移動装置の移動方向との角度αが設定された角度になるようにイオン照射移動装置に取り付けられている。イオン照射装置２に、ガス流路１４からイオン化するガスが所定の流量で供給される。イオン化するガスには、例えばアルゴンガス、酸素ガスまたは窒素ガスが好ましく、これらは単独または複数で用いられる。これらのうち、化学的に活性な官能基を生成しにくいアルゴンガスが特に好ましい。
【００３１】
処理室３内の真空度が設定した値で安定したら、イオン照射装置２が起動され、イオンビームがフッ素樹脂フィルムＲＦに照射され、表面改質が開始される。また、イオン照射装置２は、イオン照射移動装置により、所定の移動速度で一方の移動端から他方の移動端に向けて水平方向に移動される。
イオン照射装置２がいずれか一方の移動端からいずれか他方の移動端まで設定された回数移動したのち、イオン照射装置２の移動およびその動作が停止され、表面改質が終了する。ここで行われる表面改質は、照射されるイオンビームによりフッ素樹脂フィルムＲＦの表面および表面近傍の内部の分子構造を破壊し、表面の粗面化を行うものである。
【００３２】
このようにして表面が改質されたフッ素樹脂フィルムＲＦには、導電性粒子を含む流体による所定の回路パターンが、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法等の公知の塗布技術を用いて印刷される。導電性粒子を含む流体には、市販される導電性ペースト、例えば、銀を含む藤倉化成株式会社製、品名ドータイト（登録商標）ＦＡ−３３３，ＦＡ−３５３Ｎ，ＸＡ−６０２Ｎ、同じく銀を含む東洋紡績株式会社製、品名ＶＹＬＯＮ（登録商標）、ＤＷ−２５０Ｈ−５，２３、ＤＷ−２６０Ｈ−１、大研化学工業株式会社製、品名ＣＡ−６１７８等のほか、銅または導電性カーボンを含む導電性ペースト等が使用される。
【００３３】
塗布される導電性粒子の材料は特に限定されないが、電気抵抗が小さく、形成された回路の安定性が良いことが好ましい。導電性材料として、上述した銀の他、銅が、焼成温度が低いこと、および電気的性質の点で好ましい。導電性粒子の大きさは、配線の微細化のためにナノオーダーであることが好ましい。
導電性粒子を含む流体による回路パターンが形成されたフッ素樹脂フィルムＲＦには、導電性粒子を固着させるための処理が施される。固着処理では、導電性粒子の分散媒を熱硬化または乾燥するために、熱硬化の適正処理温度にまで加熱され、または分散媒の蒸発のための加熱、減圧が行われる。固着処理の後、フッ素樹脂フィルムＲＦの表面に導電性材料による回路パターンが形成されたフレキシブル電子回路基板が得られる。
【００３４】
【表１】
【００３５】
表１は、表面改質装置１を使用して行ったフッ素樹脂フィルムＲＦの表面改質条件、および表面改質したフッ素樹脂フィルムＲＦを評価した結果である。表１の「剥離強度」は、フッ素樹脂フィルムＲＦとその表面に固着された導電性金属との剥離強度である。表１における剥離強度の欄における「０．１＞」は、ほとんど固着されていなかったために、剥離強度が正確に測定できなかったものである。
【００３６】
表面改質、加硫接着の共通条件を以下に示す。
（１） イオン照射装置：ＩＺＯＶＡＣ社製 ＩＺＯＶＡ ＢＥＡＭ ＣＬＥＡＮＩＮＧ
ＳＹＳＴＥＭ（アノードレイヤーイオンソース)／イオン照射装置は、ランテクニカルサービス株式会社の駆動装置により駆動
（２） 設定真空度：１０-2Ｐａ
（３） フッ素樹脂フィルム：ＰＴＦＥ〜日本バルカー工業製、バルフロン（登録商標）、厚さ１００μｍ
（４） イオン照射装置とフッ素樹脂フィルムとの距離：イオン照射装置２の移動方向に直交する方向について照射側面１５の幅方向中央（図３，４の符合Ｃ）からフッ素樹脂フィルムまでの距離（図４のＤ）が１００ｍｍ
（５） 導電性粒子を含む流体：大研化学工業株式会社製、銀粒子を含む熱硬化タイプの導電性ペーストＣＡ−６１７８
（６） 導電性粒子を含む流体のフッ素樹脂フィルムへの塗布処理：アプリケータにより厚さ５０μｍとなるように塗布
（７） 固着条件：温度１３０℃、処理時間３０分
表１において、「照射電圧」はイオン照射装置２のアノード１３と照射側面１５との間に印加される直流電圧、および「移動速度」は図１におけるイオン照射装置２の移動時の速度、移動回数はイオン照射装置２の片道の移動を１回とした移動回数である。
【００３７】
表１におる変色の有無は表面改質後のフッ素樹脂フィルムを対象として目視により行った。
剥離強度は、以下のようにして測定した。
先ず、未改質な面を残しながら表面改質された２つのフッ素樹脂フィルムＲＦを、その改質面同士を対面させて導電性粒子を含む流体により固着させる。これを、（未改質なため）固着されず分かれた状態の部分（フッ素樹脂フィルムＲＦ）を長手方向の一方側となるように、幅２０ｍｍの短冊状に切り分けて測定用試料とする。表面改質が行われなかったフッ素樹脂フィルムＲＦについても同様に測定用試料（比較例１）を作成した。
【００３８】
測定用試料の長手方向の一方側における固着されずに分離したフッ素樹脂フィルムＲＦを剥離強度試験機の上下別々のチャックに挟み、上方のチャックを５０ｍｍ／ｍｉｎの速度で上昇させたときの抵抗力を計測して、フッ素樹脂フィルムＲＦと導電性粒子層との剥離強度（固着強度）を求めた。このとき、上下のチャックに保持されたフッ素樹脂フィルムＲＦに対して、フッ素樹脂フィルムＲＦの固着された部分が水平になるように、いわゆる９０度剥離の条件で剥離試験を行った。
【００３９】
図５は表１の結果から剥離強度に与える照射電圧の影響を調べた図である。
表１および図５から、照射電圧を１．５ｋＶ以上とすることにより、フッ素樹脂フィルムＲＦと導電性粒子層との剥離強度を実用上十分な強度である１．３Ｎ／ｍｍ以上とすることができる。
また、図５から、照射電圧を１．５ｋＶ以上３．５ｋＶ以下とすることにより、フッ素樹脂フィルムＲＦを着色させることなく導電性粒子層との間に十分な剥離強度を得ることができる。
【００４０】
【表２】
【００４１】
表２は、実施例２、実施例１におけるフッ素樹脂フィルムＲＦおよびナトリウム−アンモニア処理により表面改質されたフッ素樹脂フィルムＲＦの中心線平均粗さ（Ｒａ）および十点平均粗さ（Ｒｚ）を測定した結果である。
中心線平均粗さおよび十点平均粗さの測定は、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１に準拠して行った。使用した機器は、東京精密株式会社製サーフコム１３０Ａであり、カットオフ値は０．２５ｍｍ、測定長は１．２５ｍｍである。
【００４２】
表２から、イオンビーム照射により表面改質されたフッ素樹脂フィルムＲＦは、ナトリウム−アンモニア処理により表面改質されたフッ素樹脂フィルムＲＦに比べて表面の粗面化の程度が小さく、表面改質前のフッ素樹脂フィルムＲＦ（比較例１）と同等であることがわかる。
【００４３】
【表３】
【００４４】
表３は、フッ素樹脂フィルムＲＦの表面の組成をＥＳＣＡ（Electron Spectroscopy for Chemical Analysis）により調べた結果である。
イオンビーム照射により表面改質された実施例２のフッ素樹脂フィルムＲＦは、未処理のフッ素樹脂フィルムＲＦ（比較例１）に対してフッ素（Ｆ）が減少し、炭素（Ｃ）、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）等の元素の増加が見られる。このことから、最表面のフッ素原子が引き抜かれ、空気由来と思われるＯ，Ｎが若干量取り込まれていると推定される。
【００４５】
なお、実施例２における表面改質後のフッ素樹脂フィルムは、ＳＰＭ（走査型プローブ顕微鏡）による表面形状の観察を行った結果、表面改質前の投影面積比１．６％に対して、表面改質処理後には投影面積比が１５．９％に増加していた。
また、ＳＰＭの画像観察および走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の観察によっても、表面改質後では表面に細かい凹凸が見られ、表面積が増加していた。この表面積の増加、表面の凹凸が、導電性粒子層の固着強度の増加に寄与している。
【００４６】
導電性粒子層のフッ素樹脂フィルムＲＦに対する固着は、改質され粗面化されたフッ素樹脂フィルムＲＦの表面に導電性の微粒子が入り込むアンカー効果により、その強度が得られる。
上述の実施形態において、イオンビームに印加する電圧としては、１．５ｋＶ以上３．５ｋＶ以下が好ましい。これよりも低い電圧での処理では得られる効果が弱く好ましくない。これよりも高い電圧での処理では、フッ素樹脂の分解が激しくなり、樹脂からの分解ガスによる真空度の低下が見られるため、および高エネルギーのイオンとの衝突によると思われるフィルムの変色が見られるため、好ましくない。
【００４７】
一般にアノードレイヤーイオンソースにおいて、イオン源にかける電圧の数値の約半分の平均エネルギーをイオンに与えることが知られており、上記１．５ｋＶから３．５ｋＶの印加電圧の場合、イオンの持つ平均エネルギーは、約０．８〜１．８ｋｅＶとなる。
フッ素樹脂フィルムＲＦに照射するイオンの単位面積当たりの個数としては、求める接着強度に必要な量を選べばよいが、１０13 〜１０18個／ｃｍ2程度が好ましい。１０13個以下では、必要な表面改質が得られず接着強度が低下する。１０18個以上では改質された表面層が更に分解を受ける為、非効率的である。イオンの照射を行う場合、一度に必要な個数のイオンの照射を行っても良いし、一度の少ないイオンの照射を繰返し行うことで目的とするイオンの個数を照射しても良い。フッ素樹脂への熱的なダメージを避ける目的で、一回当たりの照射を少なくし、複数回処理を繰り返す方式が好ましい。
【００４８】
イオン照射装置２により表面改質を行う方法では、フッ素樹脂フィルムＲＦを保持するガラス基板２１を、その（ガラス基板２１の）表面内の直交する２方向に任意に移動させながらイオンビームを照射することにより、フッ素樹脂フィルムＲＦの特定の部分のみ表面改質を行うことができる。
ガラス基板２１の直交する２方向の任意の移動は、コンピュータにより保持装置４の動作を制御して行うことができ、このようにガラス基板２１の直交する２方向における移動を制御することにより、フッ素樹脂フィルムＲＦにおける導電性材料を固着させる予定の部分に限定した表面改質を行うことができる。
【００４９】
イオンビームを照射してフッ素樹脂フィルムＲＦの表面を粗面化する方法は、導電性粒子層が形成される表面を除く表面のフッ素樹脂が有する優れた電気的特性等を維持することができる。
その他、表面改質装置１、および表面改質装置１の各構成または全体の構造、形状、寸法、個数、材質などは、本発明の趣旨に沿って適宜変更することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、表面改質フッ素樹脂フィルムと導電性材料とが固着された導電性複合体の製造方法、およびプリント配線板に利用することができる。
【符号の説明】
【００５１】
２ イオン照射装置（アノードレイヤーイオンソース）
ＲＦ フッ素樹脂フィルム
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面改質フッ素樹脂フィルムと導電性材料とが固着された導電性複合体の製造方法、およびプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
フッ素樹脂は、電気的には、誘電率、力率共に温度、周波数に関係なく一定で低いという優れたな特徴があり、絶縁抵抗および絶縁破壊も樹脂の中では非常に優れた部類に入る。またフッ素樹脂は、化学的な安定性が高く、耐熱性にも優れる。例えばもっともフッ素樹脂らしいフッ素樹脂と呼ばれる４フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）の場合、融点は３２７℃と他の汎用樹脂等に比べて高い温度である。
【０００３】
また薄く加工したフィルムは適度な柔軟性を有するので、フレキシブル基板（プリント配線板）への使用も可能である。
しかしながら、フッ素樹脂はその表面が不活性であるため導電性材料との接着が困難であり、これがフレキシブル基板への製品化の普及に大きな障害となっている。
フッ素樹脂の持つ優れた電気的特性を利用したプリント配線板用基板として、フッ素樹脂含浸ガラスクロスおよびフッ素樹脂シートを基材とし、これを銅箔に熱融着したフッ素樹脂銅張積層板が実用化されている（非特許文献１）。
【０００４】
フッ素樹脂シート等に熱融着される銅箔は、ハンドリングの利便性から一般に３０μm以上の厚みのものが使用される。そのため回路の微細なエッチング工程が容易ではなく、また熱融着処理において、各素材の熱膨張率の違いから融着物の変形が発生するという問題がある。
この問題を解決するために、フッ素樹脂の表面に銅を直接メッキすることにより薄膜化および微細配線化を目指す動きがある。フッ素樹脂表面への銅薄膜の定着には、疎水性であるフッ素樹脂の表面を改質し、銅による薄膜との接着強度を向上させる必要がある。
【０００５】
フッ素樹脂の表面の改質方法として、フッ素樹脂表面のフッ素原子を金属ナトリウムにより引き抜き、フッ素樹脂の表面を化学的に改質するナトリウム−アンモニア処理が提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２０１５７１号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】インターネット、ＵＲＬ：http://www.chukoh.co.jp/japan/laminate/page_title.html
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ナトリウム−アンモニア処理による表面の改質は、親水化の程度が大きく導電性材料との強固な接着が可能となる。しかし、ナトリウム−アンモニア処理は、化学的な処理であるため改質層が厚くなり、かつ改質層がフッ素樹脂の特徴である耐熱性および耐化学薬品性などを損なうという問題を有する。また、ナトリウム−アンモニア処理されたフッ素樹脂は、表面の粗面化の程度が大きく、プリント配線板の基材としては好ましくない。
【０００９】
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたもので、導電性材料等と表面の粗面化の程度が小さな表面改質フッ素樹脂フィルムとが十分な強度で固着された導電性複合体の製造方法およびプリント配線板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る導電性複合体の製造方法は、フッ素樹脂フィルムの表面にアノードレイヤーイオンソースからのイオンビームを照射電圧１．５ｋＶ以上３．５ｋＶ以下で照射して前記表面を粗面化し、前記フッ素樹脂フィルムの前記表面に導電性粒子を含む流体を塗布して加熱または乾燥することにより前記導電性粒子の層を形成する。
前記フッ素樹脂フィルムは、ＰＴＦＥ、変性ＰＴＦＥ、ＰＦＡ、ＥＴＦＥのいずれかで
ある。
【００１１】
本発明に係るプリント配線板は、フッ素樹脂フィルムと導電性材料とからなり、前記フッ素樹脂フィルムは、その表面がアノードレイヤーイオンソースからのイオンビームの照射を受けて粗面化されており、前記フッ素樹脂フィルムにおける粗面化された表面において前記導電性材料の粒子を含む流体が焼成または乾燥されたことにより前記導電性材料の粒子が前記フッ素樹脂フィルムの粗面化された表面に入り込んでアンカー効果によって前記フッ素樹脂フィルムに固着されて形成される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によると、導電性材料等と表面の粗面化の程度が小さな表面改質フッ素樹脂フィルムとが十分な強度で固着された導電性複合体の製造方法およびプリント配線板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は表面改質装置の概略図である。
【図２】図２はイオン照射装置の外観図である。
【図３】図３はイオン照射装置の長手方向に直交する断面図である。
【図４】図４はイオン照射装置によるイオンビーム照射の様子を示す図である。
【図５】図５は剥離強度に与える照射電圧の影響を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図１は表面改質装置１の概略図、図２はイオン照射装置２の外観図、図３はイオン照射装置２の長手方向に直交する断面図である。
表面改質装置１は、導電性複合体を構成するフッ素樹脂フィルムＲＦの表面を改質させる装置である。
表面改質装置１は、処理室３、イオン照射装置２、イオン照射移動装置、保持装置４、前室５および真空装置６からなる。
【００１５】
処理室３は、イオン照射装置２、イオン照射移動装置および保持装置４を収容する、密閉可能な部屋である。
イオン照射装置２は、形状が全体として細長い直方体であり、スリット１１、空間１２、アノード１３およびガス流路１４を備える。イオン照射装置２は、アノードレイヤー型のホールスラスターを改良したアノードレイヤーイオンソースである。
【００１６】
スリット１１は、イオン照射装置２における細長い１つの面１５（以下「照射側面１５」という）に、短い両端縁側がそれぞれ円弧状に湾曲し、長い両縁側が直線のループとなった隙間である。照射側面１５を形成する部分におけるスリット１１の内側の部分を内極１６といい、スリット１１の外側の部分を外極１７という。
イオン照射装置２は、少なくとも照射側面１５を有する材料が強磁性体で製作され、イオン照射装置２に組み入れられた永久磁石により、内極１６がＳ極に磁極化され、外極１７がＮ極に磁極化されている。
【００１７】
空間１２は、イオン照射装置２の内部に設けられ、スリット１１によって外部に連通してその幅がスリット１１よりも大きな、スリット１１の形状に対応したループ状の空洞である。
アノード１３は、ループ状の空間１２に収容されたループ状の電極である。アノード１３は、銅または銅合金で製作される。
【００１８】
ガス流路１４は、イオン照射装置２の外部からイオン源となるガスを空間１２内に導入するための流路である。
イオン照射装置２において、外極１７は接地（アース）され、アノード１３は直流電源に接続されている。
イオン照射装置２は、照射側面１５を形成する部分（「照射側面１５」と略す場合がある）が接地され、アノード１３との間に電圧が印加される。また、イオン照射装置２は、内極１６がＳ極に磁極化され、外極１７がＮ極に磁極化されていることにより、スリット１１の開口部分で、軸方向の電場に対して磁場が略直交するように形成される。
【００１９】
イオン照射装置２のループ状の空間１２におけるスリット１１近傍では、照射側面１５
とアノード１３との間を移動する電子により、ガス流路１４から供給されたガスがプラズマ化されイオン化が生成される。生成した電子は照射側面１５に向かい、イオンは、アノード１３とスリット１１との間の薄い層（アノードレイヤー）で加速されて、スリット１１から外部に放出される。
【００２０】
イオン照射移動装置は、イオン照射装置２を水平方向に往復移動させるための装置である。イオン照射移動装置は、イオン照射装置２の長手方向を水平方向に直交させて（長手方向を垂直方向にして）イオン照射装置を保持する。イオン照射移動装置は、イオン照射装置２の照射側面１５と移動方向との角度αが０度から９０度の範囲で任意に変更可能に設計される。イオン照射移動装置は、往復の移動速度および往動端、復動端での静止時間、移動回数（往動および復動をそれぞれ１回とする）等、移動条件を種々変更して動作させることができる。イオン照射移動装置は、イオン照射装置２が垂直方向に移動するように、または水平および垂直のいずれでもない方向に移動するようにしてもよい。
【００２１】
保持装置４は、改質対象であるフッ素樹脂フィルムＲＦを保持するための装置である。保持装置４は、厚みのある強固な長方形のガラス基板２１を備える。ガラス基板２１は、その表面が垂直となるように保持装置４に組み入れられる。
保持装置４は、往復移動するイオン照射装置２のいずれの位置においても、ガラス基板２１の表面とイオン照射装置２との往復移動方向に直交する方向の距離が一定となる位置に、静止可能に配される。ここで「静止可能」としたのは、後述するように、保持装置４が処理室３と前室５との間を移動可能なことによる。
【００２２】
前室５は、保持装置４を収容することができる密閉可能な部屋である。前室５は、処理室３に連続し、遠隔操作で開閉可能な扉によって処理室３と隔てられている。前室５は、処理室３との間で保持装置４が移動可能となっており、保持装置４の前室５と処理室３との間の移動は、これらを隔てる扉の開閉とともに外部からの遠隔操作により行われる。
真空装置６は、前段真空ポンプ２５、後段真空ポンプ２６および複数の自動弁２７，２８，２９，３０，３１からなる。
【００２３】
前段真空ポンプ２５は、真空度が低い段階で作動させるあらびきポンプであり、油回転ポンプが使用される。前段真空ポンプ２５は、自動弁２７，２８を介して処理室３および前室５に接続されている。
後段真空ポンプ２６は、高い真空度を得るために作動させる真空ポンプであり、クライオポンプが使用される。後段真空ポンプ２６は、自動弁２９を介して処理室３に接続されている。
【００２４】
自動弁３０，３１は、それぞれ前室５の真空状態を解除するリーク弁、および処理室３の真空状態を解除するリーク弁である。
次に、表面改質装置１によるフッ素樹脂フィルムＲＦの表面改質処理について説明する。
図４はイオン照射装置２によるイオンビーム照射の様子を示す図である。
【００２５】
初めに、改質対象であるフッ素樹脂フィルムＲＦが、保持装置４のガラス基板２１に固定される。フィルム化されたフッ素樹脂として、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、変性ＰＴＦＥ（４Ｆモノマーと微量のパーフルオロアルコキシドとの共重合体）、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）、ＥＴＦＥ（テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体）が使用される。また、フィルムの厚さは、１０μｍ〜１５０μｍが好ましい。
【００２６】
フッ素樹脂フィルムＲＦは矩形に切断され、四隅または対向する２辺がガラス基板２１に直接または間接に固定される。フッ素樹脂フィルムＲＦには、しわが生じない程度の弱い張力が加えられる。
図１を参照して、フッ素樹脂フィルムＲＦが固定されたガラス基板２１が、前室５内において保持装置４に一体化される。
【００２７】
前室５および処理室３が密閉され外部と遮断される。前室５と処理室３とを隔てる扉は開かれている。
自動弁２７，２８が開かれ、自動弁２９，３０，３１が閉じられた状態で、真空装置６
の前段真空ポンプ２５が起動され、前室５および処理室３が減圧される。
前室５および処理室３が所定の真空度、例えば１０2Ｐａに達したら、保持装置４が前室５から処理室３に移動され、前室５と処理室３との間の扉が閉じられる。
【００２８】
処理室３内に移動されたフッ素樹脂フィルムＲＦは、イオン照射装置２との距離およびイオン照射角度αに応じた適切な位置に配される。ここで、イオン照射角度αとは、改質対象（フッ素樹脂フィルムＲＦ）に照射されるイオンビームの照射方向と、改質面に直交する方向とがなす角度であり、表面改質装置１においては、イオン照射角度αは、照射側面１５とイオン照射移動装置の移動方向との角度αと同じ値である。
【００２９】
また、フッ素樹脂フィルムＲＦは、いずれかの対向する２辺がイオン照射装置２の長手方向に一致するように、ガラス基板２１に固定されている。
続いて自動弁２７，２８が閉じられ、自動弁２９が開かれ、前段真空ポンプ２５が停止されると、後段真空ポンプ２６が起動される。処理室３は、後段真空ポンプ２６により、一層高い真空度、例えば１０-2Ｐａにまで減圧される。
【００３０】
イオン照射装置２は、照射側面１５とイオン照射移動装置の移動方向との角度αが設定された角度になるようにイオン照射移動装置に取り付けられている。イオン照射装置２に、ガス流路１４からイオン化するガスが所定の流量で供給される。イオン化するガスには、例えばアルゴンガス、酸素ガスまたは窒素ガスが好ましく、これらは単独または複数で用いられる。これらのうち、化学的に活性な官能基を生成しにくいアルゴンガスが特に好ましい。
【００３１】
処理室３内の真空度が設定した値で安定したら、イオン照射装置２が起動され、イオンビームがフッ素樹脂フィルムＲＦに照射され、表面改質が開始される。また、イオン照射装置２は、イオン照射移動装置により、所定の移動速度で一方の移動端から他方の移動端に向けて水平方向に移動される。
イオン照射装置２がいずれか一方の移動端からいずれか他方の移動端まで設定された回数移動したのち、イオン照射装置２の移動およびその動作が停止され、表面改質が終了する。ここで行われる表面改質は、照射されるイオンビームによりフッ素樹脂フィルムＲＦの表面および表面近傍の内部の分子構造を破壊し、表面の粗面化を行うものである。
【００３２】
このようにして表面が改質されたフッ素樹脂フィルムＲＦには、導電性粒子を含む流体による所定の回路パターンが、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法等の公知の塗布技術を用いて印刷される。導電性粒子を含む流体には、市販される導電性ペースト、例えば、銀を含む藤倉化成株式会社製、品名ドータイト（登録商標）ＦＡ−３３３，ＦＡ−３５３Ｎ，ＸＡ−６０２Ｎ、同じく銀を含む東洋紡績株式会社製、品名ＶＹＬＯＮ（登録商標）、ＤＷ−２５０Ｈ−５，２３、ＤＷ−２６０Ｈ−１、大研化学工業株式会社製、品名ＣＡ−６１７８等のほか、銅または導電性カーボンを含む導電性ペースト等が使用される。
【００３３】
塗布される導電性粒子の材料は特に限定されないが、電気抵抗が小さく、形成された回路の安定性が良いことが好ましい。導電性材料として、上述した銀の他、銅が、焼成温度が低いこと、および電気的性質の点で好ましい。導電性粒子の大きさは、配線の微細化のためにナノオーダーであることが好ましい。
導電性粒子を含む流体による回路パターンが形成されたフッ素樹脂フィルムＲＦには、導電性粒子を固着させるための処理が施される。固着処理では、導電性粒子の分散媒を熱硬化または乾燥するために、熱硬化の適正処理温度にまで加熱され、または分散媒の蒸発のための加熱、減圧が行われる。固着処理の後、フッ素樹脂フィルムＲＦの表面に導電性材料による回路パターンが形成されたフレキシブル電子回路基板が得られる。
【００３４】
【表１】
【００３５】
表１は、表面改質装置１を使用して行ったフッ素樹脂フィルムＲＦの表面改質条件、および表面改質したフッ素樹脂フィルムＲＦを評価した結果である。表１の「剥離強度」は、フッ素樹脂フィルムＲＦとその表面に固着された導電性金属との剥離強度である。表１における剥離強度の欄における「０．１＞」は、ほとんど固着されていなかったために、剥離強度が正確に測定できなかったものである。
【００３６】
表面改質、加硫接着の共通条件を以下に示す。
（１） イオン照射装置：ＩＺＯＶＡＣ社製 ＩＺＯＶＡ ＢＥＡＭ ＣＬＥＡＮＩＮＧ
ＳＹＳＴＥＭ（アノードレイヤーイオンソース)／イオン照射装置は、ランテクニカルサービス株式会社の駆動装置により駆動
（２） 設定真空度：１０-2Ｐａ
（３） フッ素樹脂フィルム：ＰＴＦＥ〜日本バルカー工業製、バルフロン（登録商標）、厚さ１００μｍ
（４） イオン照射装置とフッ素樹脂フィルムとの距離：イオン照射装置２の移動方向に直交する方向について照射側面１５の幅方向中央（図３，４の符合Ｃ）からフッ素樹脂フィルムまでの距離（図４のＤ）が１００ｍｍ
（５） 導電性粒子を含む流体：大研化学工業株式会社製、銀粒子を含む熱硬化タイプの導電性ペーストＣＡ−６１７８
（６） 導電性粒子を含む流体のフッ素樹脂フィルムへの塗布処理：アプリケータにより厚さ５０μｍとなるように塗布
（７） 固着条件：温度１３０℃、処理時間３０分
表１において、「照射電圧」はイオン照射装置２のアノード１３と照射側面１５との間に印加される直流電圧、および「移動速度」は図１におけるイオン照射装置２の移動時の速度、移動回数はイオン照射装置２の片道の移動を１回とした移動回数である。
【００３７】
表１におる変色の有無は表面改質後のフッ素樹脂フィルムを対象として目視により行った。
剥離強度は、以下のようにして測定した。
先ず、未改質な面を残しながら表面改質された２つのフッ素樹脂フィルムＲＦを、その改質面同士を対面させて導電性粒子を含む流体により固着させる。これを、（未改質なため）固着されず分かれた状態の部分（フッ素樹脂フィルムＲＦ）を長手方向の一方側となるように、幅２０ｍｍの短冊状に切り分けて測定用試料とする。表面改質が行われなかったフッ素樹脂フィルムＲＦについても同様に測定用試料（比較例１）を作成した。
【００３８】
測定用試料の長手方向の一方側における固着されずに分離したフッ素樹脂フィルムＲＦを剥離強度試験機の上下別々のチャックに挟み、上方のチャックを５０ｍｍ／ｍｉｎの速度で上昇させたときの抵抗力を計測して、フッ素樹脂フィルムＲＦと導電性粒子層との剥離強度（固着強度）を求めた。このとき、上下のチャックに保持されたフッ素樹脂フィルムＲＦに対して、フッ素樹脂フィルムＲＦの固着された部分が水平になるように、いわゆる９０度剥離の条件で剥離試験を行った。
【００３９】
図５は表１の結果から剥離強度に与える照射電圧の影響を調べた図である。
表１および図５から、照射電圧を１．５ｋＶ以上とすることにより、フッ素樹脂フィルムＲＦと導電性粒子層との剥離強度を実用上十分な強度である１．３Ｎ／ｍｍ以上とすることができる。
また、図５から、照射電圧を１．５ｋＶ以上３．５ｋＶ以下とすることにより、フッ素樹脂フィルムＲＦを着色させることなく導電性粒子層との間に十分な剥離強度を得ることができる。
【００４０】
【表２】
【００４１】
表２は、実施例２、実施例１におけるフッ素樹脂フィルムＲＦおよびナトリウム−アンモニア処理により表面改質されたフッ素樹脂フィルムＲＦの中心線平均粗さ（Ｒａ）および十点平均粗さ（Ｒｚ）を測定した結果である。
中心線平均粗さおよび十点平均粗さの測定は、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２００１に準拠して行った。使用した機器は、東京精密株式会社製サーフコム１３０Ａであり、カットオフ値は０．２５ｍｍ、測定長は１．２５ｍｍである。
【００４２】
表２から、イオンビーム照射により表面改質されたフッ素樹脂フィルムＲＦは、ナトリウム−アンモニア処理により表面改質されたフッ素樹脂フィルムＲＦに比べて表面の粗面化の程度が小さく、表面改質前のフッ素樹脂フィルムＲＦ（比較例１）と同等であることがわかる。
【００４３】
【表３】
【００４４】
表３は、フッ素樹脂フィルムＲＦの表面の組成をＥＳＣＡ（Electron Spectroscopy for Chemical Analysis）により調べた結果である。
イオンビーム照射により表面改質された実施例２のフッ素樹脂フィルムＲＦは、未処理のフッ素樹脂フィルムＲＦ（比較例１）に対してフッ素（Ｆ）が減少し、炭素（Ｃ）、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）等の元素の増加が見られる。このことから、最表面のフッ素原子が引き抜かれ、空気由来と思われるＯ，Ｎが若干量取り込まれていると推定される。
【００４５】
なお、実施例２における表面改質後のフッ素樹脂フィルムは、ＳＰＭ（走査型プローブ顕微鏡）による表面形状の観察を行った結果、表面改質前の投影面積比１．６％に対して、表面改質処理後には投影面積比が１５．９％に増加していた。
また、ＳＰＭの画像観察および走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の観察によっても、表面改質後では表面に細かい凹凸が見られ、表面積が増加していた。この表面積の増加、表面の凹凸が、導電性粒子層の固着強度の増加に寄与している。
【００４６】
導電性粒子層のフッ素樹脂フィルムＲＦに対する固着は、改質され粗面化されたフッ素樹脂フィルムＲＦの表面に導電性の微粒子が入り込むアンカー効果により、その強度が得られる。
上述の実施形態において、イオンビームに印加する電圧としては、１．５ｋＶ以上３．５ｋＶ以下が好ましい。これよりも低い電圧での処理では得られる効果が弱く好ましくない。これよりも高い電圧での処理では、フッ素樹脂の分解が激しくなり、樹脂からの分解ガスによる真空度の低下が見られるため、および高エネルギーのイオンとの衝突によると思われるフィルムの変色が見られるため、好ましくない。
【００４７】
一般にアノードレイヤーイオンソースにおいて、イオン源にかける電圧の数値の約半分の平均エネルギーをイオンに与えることが知られており、上記１．５ｋＶから３．５ｋＶの印加電圧の場合、イオンの持つ平均エネルギーは、約０．８〜１．８ｋｅＶとなる。
フッ素樹脂フィルムＲＦに照射するイオンの単位面積当たりの個数としては、求める接着強度に必要な量を選べばよいが、１０13 〜１０18個／ｃｍ2程度が好ましい。１０13個以下では、必要な表面改質が得られず接着強度が低下する。１０18個以上では改質された表面層が更に分解を受ける為、非効率的である。イオンの照射を行う場合、一度に必要な個数のイオンの照射を行っても良いし、一度の少ないイオンの照射を繰返し行うことで目的とするイオンの個数を照射しても良い。フッ素樹脂への熱的なダメージを避ける目的で、一回当たりの照射を少なくし、複数回処理を繰り返す方式が好ましい。
【００４８】
イオン照射装置２により表面改質を行う方法では、フッ素樹脂フィルムＲＦを保持するガラス基板２１を、その（ガラス基板２１の）表面内の直交する２方向に任意に移動させながらイオンビームを照射することにより、フッ素樹脂フィルムＲＦの特定の部分のみ表面改質を行うことができる。
ガラス基板２１の直交する２方向の任意の移動は、コンピュータにより保持装置４の動作を制御して行うことができ、このようにガラス基板２１の直交する２方向における移動を制御することにより、フッ素樹脂フィルムＲＦにおける導電性材料を固着させる予定の部分に限定した表面改質を行うことができる。
【００４９】
イオンビームを照射してフッ素樹脂フィルムＲＦの表面を粗面化する方法は、導電性粒子層が形成される表面を除く表面のフッ素樹脂が有する優れた電気的特性等を維持することができる。
その他、表面改質装置１、および表面改質装置１の各構成または全体の構造、形状、寸法、個数、材質などは、本発明の趣旨に沿って適宜変更することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、表面改質フッ素樹脂フィルムと導電性材料とが固着された導電性複合体の製造方法、およびプリント配線板に利用することができる。
【符号の説明】
【００５１】
２ イオン照射装置（アノードレイヤーイオンソース）
ＲＦ フッ素樹脂フィルム
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ素樹脂フィルムの表面にアノードレイヤーイオンソースからのイオンビームを照射電圧１．５ｋＶ以上３．５ｋＶ以下で照射して前記表面を粗面化し、
前記フッ素樹脂フィルムの前記表面に導電性粒子を含む流体を塗布して加熱または乾燥することにより前記導電性粒子の層を形成する
ことを特徴とする導電性複合体の製造方法。
【請求項２】
前記フッ素樹脂フィルムが、ＰＴＦＥ、変性ＰＴＦＥ、ＰＦＡ、ＥＴＦＥのいずれかである
請求項１に記載の導電性複合体の製造方法。
【請求項３】
フッ素樹脂フィルムと導電性材料とからなり、
前記フッ素樹脂フィルムは、その表面がアノードレイヤーイオンソースからのイオンビームの照射を受けて粗面化されており、
前記フッ素樹脂フィルムにおける粗面化された表面において前記導電性材料の粒子を含む流体が焼成または乾燥されたことにより前記導電性材料の粒子が前記フッ素樹脂フィルムの粗面化された表面に入り込んでアンカー効果によって前記フッ素樹脂フィルムに固着されて形成されてなる
ことを特徴とするプリント配線板。
【請求項１】
フッ素樹脂フィルムの表面にアノードレイヤーイオンソースからのイオンビームを照射電圧１．５ｋＶ以上３．５ｋＶ以下で照射して前記表面を粗面化し、
前記フッ素樹脂フィルムの前記表面に導電性粒子を含む流体を塗布して加熱または乾燥することにより前記導電性粒子の層を形成する
ことを特徴とする導電性複合体の製造方法。
【請求項２】
前記フッ素樹脂フィルムが、ＰＴＦＥ、変性ＰＴＦＥ、ＰＦＡ、ＥＴＦＥのいずれかである
請求項１に記載の導電性複合体の製造方法。
【請求項３】
フッ素樹脂フィルムと導電性材料とからなり、
前記フッ素樹脂フィルムは、その表面がアノードレイヤーイオンソースからのイオンビームの照射を受けて粗面化されており、
前記フッ素樹脂フィルムにおける粗面化された表面において前記導電性材料の粒子を含む流体が焼成または乾燥されたことにより前記導電性材料の粒子が前記フッ素樹脂フィルムの粗面化された表面に入り込んでアンカー効果によって前記フッ素樹脂フィルムに固着されて形成されてなる
ことを特徴とするプリント配線板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１３−８９８１２（Ｐ２０１３−８９８１２Ａ）
【公開日】平成２５年５月１３日（２０１３．５．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２２９９１２（Ｐ２０１１−２２９９１２）
【出願日】平成２３年１０月１９日（２０１１．１０．１９）
【出願人】（０００１８３２３３）住友ゴム工業株式会社 (3,458)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月１３日（２０１３．５．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月１９日（２０１１．１０．１９）
【出願人】（０００１８３２３３）住友ゴム工業株式会社 (3,458)
【Ｆターム（参考）】
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